JP2012216308A - Method for repairing sealing of organic el display device - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for repairing the sealing of an organic EL display device practical and adaptable to various adhesive materials.SOLUTION: A method for repairing the adhesion portion of an organic EL display device where the end of a cap sealing material 7 and a substrate 18 is bonded with an adhesive 16 so that the cap sealing material 7 covers an organic light-emitting layer formed on the substrate 18 in an airtight manner, comprises the steps of applying a laser-light absorbent binder 17 to the adhesion portion, generating thermal strain by applying laser light 19 to the binder, pulling the cap sealing material 7 apart from the substrate 1, and bonding the cap sealing material to the substrate anew.

Description

本発明は、有機EL表示装置の封止部におけるリペア方法に関するものである。   The present invention relates to a repair method in a sealing portion of an organic EL display device.

近年、有機EL表示装置は、視認性やフレキシブル性に優れ、且つ発色性が多様であることから、車載用コンポや携帯電話等のディスプレイや表示素子に広く利用されている。   2. Description of the Related Art In recent years, organic EL display devices are widely used for displays and display elements such as in-vehicle components and mobile phones because they are excellent in visibility and flexibility and have various coloring properties.

これら有機EL表示装置は、このような優れた特性を有する一方で、一般に水分に対して極めて弱いということで知られている。一例としては、有機EL素子の外周部を封止材で封止する際に取り込まれた環境雰囲気中の水分や、封止層欠陥部を透過して素子内に浸入する水分により、有機EL表示装置にダークスポットと称する非発光領域が発生し、発光が維持できなくなるという寿命上の問題が生じている。   While these organic EL display devices have such excellent characteristics, they are generally known to be extremely weak against moisture. As an example, the organic EL display is caused by the moisture in the ambient atmosphere that is taken in when the outer peripheral portion of the organic EL element is sealed with a sealing material, or the moisture that permeates the defective portion of the sealing layer and enters the element. A non-light emitting area called a dark spot is generated in the apparatus, and there is a problem in life that light emission cannot be maintained.

このため、従来のボトムエミッション型有機EL表示装置においては、水分を遮断する金属又はガラス製の封止材(封止キャップ)を素子裏面に接着剤で貼り合わせて中空構造とし、接着剤断面から侵入する水分は、封止材の内側に設けた吸湿性吸着材からなる多孔質吸着シートで捕まえて発光部位に到達させない構造を一般に用いてきた。   For this reason, in the conventional bottom emission type organic EL display device, a metal or glass sealing material (sealing cap) that blocks moisture is bonded to the back surface of the element with an adhesive to form a hollow structure. In general, a structure in which invading moisture is captured by a porous adsorbent sheet made of a hygroscopic adsorbent provided inside the sealing material and does not reach the light emitting site has been used.

ここにおける封止工程においては、しばしば素子と封止材との「位置ズレ」あるいは「接着剤の塗布不良」によって「接着部位への気泡の混入」といった封止不良が起こる。   In the sealing process here, a sealing failure such as “mixing of air bubbles into the adhesion site” often occurs due to “positional deviation” between the element and the sealing material or “adhesive application failure”.

これらの有機EL表示装置における封止不良に対する封止リペアにあっては、接着剤硬化後では、研削等の比較的簡便な物理的手法によって封止部位を除去することが困難である。例えば、封止キャップを用いた有機EL表示装置と同様の封止キャップを用いた半導体素子の封止リペアを挙げると、いわゆる半導体素子上の封止材及び接着剤を研削によって除去するリペアでは、基板表面が損傷される可能性が高く、多くの工程と慎重な作業が必要となる。   In the sealing repair for the sealing failure in these organic EL display devices, it is difficult to remove the sealing portion by a relatively simple physical method such as grinding after the adhesive is cured. For example, when a semiconductor element sealing repair using a sealing cap similar to an organic EL display device using a sealing cap is given, in the repair that removes the sealing material and the adhesive on the so-called semiconductor element by grinding, The substrate surface is highly likely to be damaged, requiring many steps and careful work.

なお、従来の接着剤においてエポキシ系樹脂のそれについては、キシレンに6時間程度浸漬させて溶かして封止材(封止キャップ)を引き離す方法も可能である。しかしこの方法で接着剤は完全に溶解されず、封止材の除去に大きな剥離剪断力が必要になる問題、あるいは基板表面が溶媒中へ浸漬することで不具合が発生するという問題等により実用的でない。   In addition, about the thing of an epoxy-type resin in the conventional adhesive agent, the method of immersing in xylene for about 6 hours and making it melt | dissolve and separating a sealing material (sealing cap) is also possible. However, the adhesive is not completely dissolved by this method, and it is practical due to the problem that a large peeling shear force is required for removing the sealing material, or the problem that a problem occurs when the substrate surface is immersed in a solvent. Not.

特開平10−67916号公報Japanese Patent Laid-Open No. 10-67916 特開平10−137660号公報JP-A-10-137660

これまでは封止工程を完了した有機EL表示装置に封止不良が検知されたものについては、実用的なリペア方法がなかったために、元来高価なものであるにもかかわらず多くが破棄されており、歩留まり低下とコストアップの一因となっていた。また、従来技術にてリペアを行うにも熱や溶剤を用いる接着剤の溶融又は溶解であるため、使用できる接着剤が制限され十全な封止効果を得られないという問題があった。
そこで、本発明は実用的且つ多様な接着材料に対応できる有機EL表示装置の封止リペア
方法を提供することを課題とした。
Until now, many of the organic EL display devices that have completed the sealing process have been detected to have a sealing failure, and since there was no practical repair method, many of them were discarded despite being originally expensive. This has contributed to yield reduction and cost increase. In addition, since the adhesive is melted or dissolved using heat or a solvent even when repair is performed by the conventional technique, there is a problem that the usable adhesive is limited and a sufficient sealing effect cannot be obtained.
Accordingly, an object of the present invention is to provide a sealing repair method for an organic EL display device that can handle practical and various adhesive materials.

上記課題を解決するために、請求項1に係る発明は、キャップ型封止材により、基板上に形成した有機発光層を気密に覆うように、キャップ型封止材の端部と基板とを接着剤を介して接着固定する形態の有機EL表示装置の該接着部分のリペア方法であって、当該リペア方法は、レーザ光吸収性のバインダを接着部分に塗布する工程、バインダにレーザ照射することにより接着剤と基板間に熱歪を発生する工程、キャップ型封止材を基板から引き離す工程、キャップ型封止材を改めて基板に接着する工程、とを有することを特徴とする有機EL表示装置のリペア方法としたものである。   In order to solve the above-mentioned problem, the invention according to claim 1 is characterized in that the end of the cap-type sealing material and the substrate are hermetically covered with the cap-type sealing material so as to hermetically cover the organic light emitting layer formed on the substrate. A method for repairing an adhesive portion of an organic EL display device that is bonded and fixed via an adhesive, wherein the repair method includes a step of applying a laser light absorbing binder to the adhesive portion, and irradiating the binder with laser. An organic EL display device comprising: a step of generating thermal strain between the adhesive and the substrate, a step of separating the cap-type sealing material from the substrate, and a step of bonding the cap-type sealing material to the substrate again. This is a repair method.

請求項2に係る発明は、前記バインダが、カーボンペースト、銀ペースト、クロムペースト、金ペースト、ニッケルペースト、パラジウムペーストのいずれから選択されるか、あるいはそれらの混合ペーストであることを特徴とする請求項1に記載の有機EL表示装置のリペア方法としたものである。   The invention according to claim 2 is characterized in that the binder is selected from carbon paste, silver paste, chromium paste, gold paste, nickel paste, palladium paste, or a mixed paste thereof. Item 14. A method for repairing an organic EL display device according to Item 1.

請求項3に係る発明は、前記キャップ型封止材がガラス製であることを特徴とする請求項1に記載の有機EL表示装置のリペア方法としたものである。   The invention according to claim 3 is the method for repairing an organic EL display device according to claim 1, wherein the cap-type sealing material is made of glass.

請求項4に係る発明は、前記レーザ照射を不活性ガス環境下にて行うことを特徴とする請求項1に記載の有機EL表示装置のリペア方法としたものである。   The invention according to claim 4 is the organic EL display device repair method according to claim 1, wherein the laser irradiation is performed in an inert gas environment.

本発明は、封止不良を起こした有機EL素子の封止材と基板の接着部に塗布したバインダに対し、レーザ光を照射し接着部に熱歪みを発生させることで、封止材を素子基板から容易に剥離可能としたもので、発光部分にダメージを与えることがない。
したがって、有機EL素子を封止前の再度の封止が可能な状態へ戻すことが可能となり歩留まりの向上とコスト低下が期待できる。
The present invention irradiates a sealing material of an organic EL element that has caused a sealing failure and a binder applied to a bonding portion of a substrate by irradiating a laser beam to generate thermal distortion in the bonding portion, thereby removing the sealing material from the element. It is easily peelable from the substrate and does not damage the light emitting portion.
Therefore, it is possible to return the organic EL element to a state where it can be sealed again before sealing, and an improvement in yield and a reduction in cost can be expected.

(a)有機EL表示装置の模式図、(b)有機EL表示装置の有機発光媒体層の成膜前の模式図、(c)有機EL表示装置の有機発光媒体層の成膜後の模式図である。(A) Schematic diagram of organic EL display device, (b) Schematic diagram before film formation of organic light emitting medium layer of organic EL display device, (c) Schematic diagram after film formation of organic light emitting medium layer of organic EL display device It is. 有機EL表示装置の有機発光媒体層の成膜するための印刷機の模式図である。It is a schematic diagram of the printing machine for film-forming of the organic light emitting medium layer of an organic electroluminescence display. 有機EL表示装置の封止部のリペアにおける模式図である。It is a schematic diagram in repair of the sealing part of an organic electroluminescence display. リペア部位を拡大した模式図である。It is the schematic diagram which expanded the repair site | part. 比較例3の模式図である。10 is a schematic diagram of Comparative Example 3. FIG.

図1に本発明の適用されうる典型的な有機EL表示装置の断面図を示した。   FIG. 1 shows a cross-sectional view of a typical organic EL display device to which the present invention can be applied.

以下、図面を参照して本発明を説明する。なお、本発明はパッシブマトリクス方式、アクティブマトリクス方式の有機EL表示装置のどちらにも適用可能である。   The present invention will be described below with reference to the drawings. The present invention can be applied to both passive matrix type and active matrix type organic EL display devices.

図1(a)に示すように、本発明の有機EL素子は、ガラス基板1の上に、第一電極2を有している。パッシブマトリックス方式の場合、この第一電極2はストライプ状のパターンを有している。アクティブマトリックス方式の場合、第一電極2は画素ごとのパターンを有している。   As shown in FIG. 1A, the organic EL element of the present invention has a first electrode 2 on a glass substrate 1. In the case of the passive matrix system, the first electrode 2 has a stripe pattern. In the case of the active matrix method, the first electrode 2 has a pattern for each pixel.

また、図(b)は、第一電極上に正孔輸送層4と有機発光層5を塗布する前の状態を示し、図(c)は、正孔輸送層4と有機発光層5を塗布した後の状態を模式的に示す図であ
る。
Moreover, the figure (b) shows the state before apply | coating the positive hole transport layer 4 and the organic light emitting layer 5 on a 1st electrode, and the figure (c) applies the positive hole transport layer 4 and the organic light emitting layer 5 to it. It is a figure which shows the state after having performed.

更に、有機発光層5上に第二電極6が配置される。パッシブマトリックス方式の場合、ストライプ状を有する第一電極2と直交する形で第二電極6はストライプ状に設けられる。アクティブマトリックス方式の場合、第二電極6は、有機発光層全面に形成されるベタ電極である。   Further, the second electrode 6 is disposed on the organic light emitting layer 5. In the case of the passive matrix system, the second electrode 6 is provided in a stripe shape so as to be orthogonal to the first electrode 2 having a stripe shape. In the case of the active matrix method, the second electrode 6 is a solid electrode formed on the entire surface of the organic light emitting layer.

次に、本発明に係る有機EL表示装置の製造方法を説明する。   Next, a method for manufacturing the organic EL display device according to the present invention will be described.

基板としては、絶縁性を有する基板であれば使用することができる。しかし、基板側から光が出射するボトムエミッション方式の有機EL表示装置とする場合には、基板として透明なものを使用する必要がある。   As the substrate, any substrate having an insulating property can be used. However, in the case of a bottom emission type organic EL display device in which light is emitted from the substrate side, it is necessary to use a transparent substrate.

例えば、ガラス基板や石英基板が使用できる。また、ポリプロピレン、ポリエーテルサルフォン、ポリカーボネート、シクロオレフィンポリマー、ポリアリレート、ポリアミド、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のプラスチックフィルムやシートであっても良い。これら、プラスチックフィルムやシートに、有機発光媒体層への水分の侵入を防ぐことを目的として、金属酸化物薄膜、金属弗化物薄膜、金属窒化物薄膜、金属酸窒化膜薄膜、あるいは高分子樹脂膜を積層したものを基板として利用してもよい。   For example, a glass substrate or a quartz substrate can be used. Further, it may be a plastic film or sheet such as polypropylene, polyethersulfone, polycarbonate, cycloolefin polymer, polyarylate, polyamide, polymethyl methacrylate, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate. Metal oxide thin film, metal fluoride thin film, metal nitride thin film, metal oxynitride thin film, or polymer resin film for the purpose of preventing moisture from entering the organic light emitting medium layer in these plastic films and sheets You may utilize what laminated | stacked these as a board | substrate.

また、これらの基板は、あらかじめ加熱処理を行うことにより、基板内部や表面に吸着した水分を極力低減することがより好ましい。また、基板上に積層される材料に応じて、密着性を向上させるために、超音波洗浄処理、コロナ放電処理、プラズマ処理、UVオゾン処理などの表面処理を施してから使用することが好ましい。   In addition, it is more preferable to reduce the moisture adsorbed on the inside or the surface of the substrate as much as possible by performing a heat treatment on these substrates in advance. Further, in order to improve the adhesion depending on the material to be laminated on the substrate, it is preferable to use after performing surface treatment such as ultrasonic cleaning treatment, corona discharge treatment, plasma treatment, UV ozone treatment.

また、これらに薄膜トランジスタ(TFT)を形成して、アクティブマトリックス方式の有機EL表示装置用の基板とすることが可能である。薄膜トランジスタとしては、公知の薄膜トランジスタを用いることができる。具体的には、主として、ソース/ドレイン領域及びチャネル領域が形成される活性層、ゲート絶縁膜及びゲート電極から構成される薄膜トランジスタが挙げられる。薄膜トランジスタの構造としては、特に限定されるものではなく、例えば、スタガ型、逆スタガ型、トップゲート型、コプレーナ型等が挙げられる。   Further, a thin film transistor (TFT) can be formed on these to form a substrate for an active matrix organic EL display device. A known thin film transistor can be used as the thin film transistor. Specifically, a thin film transistor mainly including an active layer in which a source / drain region and a channel region are formed, a gate insulating film, and a gate electrode can be given. The structure of the thin film transistor is not particularly limited, and examples thereof include a staggered type, an inverted staggered type, a top gate type, and a coplanar type.

活性層は、特に限定されるものではなく、例えば、非晶質シリコン、多結晶シリコン、微結晶シリコン、セレン化カドミウム等の無機半導体材料又はチオフエンオリゴマー、ポリ(p−フェリレンビニレン)等の有機半導体材料により形成することができる。   The active layer is not particularly limited, and examples thereof include inorganic semiconductor materials such as amorphous silicon, polycrystalline silicon, microcrystalline silicon, cadmium selenide, thiophene oligomers, poly (p-ferylene vinylene), and the like. It can be formed of an organic semiconductor material.

これらの活性層は、例えば、アモルファスシリコンをプラズマCVD法により積層し、イオンドーピングする方法、SiHガスを用いてLPCVD法によりアモルファスシリコンを形成し、固相成長法によりアモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオン打ち込み法によりイオンドーピングする方法、Siガスを用いてLPCVD法により、また、SiHガスを用いてPECVD法によりアモルファスシリコンを形成し、エキシマレーザ等のレーザによりアニールし、アモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオンドーピング法によりイオンドーピングする方法(低温プロセス)、減圧CVD法又はLPCVD法によりポリシリコンを積層し、1000℃以上で熱酸化してゲート絶縁膜を形成し、その上にnポリシリコンのゲート電極を形成し、その後、イオン打ち込み法によりイオンドーピングする方法(高温プロセス)等が挙げられる。 These active layers are formed by, for example, laminating amorphous silicon by plasma CVD, ion doping, forming amorphous silicon by LPCVD using SiH 4 gas, and crystallizing amorphous silicon by solid phase growth. After obtaining silicon, ion doping by ion implantation, LPCVD using Si 2 H 6 gas, and amorphous silicon by PECVD using SiH 4 gas, and excimer laser or other laser After annealing and crystallizing amorphous silicon to obtain polysilicon, polysilicon is laminated by ion doping (low temperature process), low pressure CVD or LPCVD, and thermally oxidized at 1000 ° C. or higher. Gate insulation film Formed, the gate electrode of the n + polysilicon is formed thereon, then, a method of ion doping (high temperature process), and the like by an ion implantation method.

ゲート絶縁膜としては、通常、ゲート絶縁膜として使用されているものを用いることができ、例えば、PECVD法、LPCVD法等により形成されたSiO;ポリシリコン膜を熱酸化して得られるSiO等を用いることができる。 As the gate insulating film, typically, it can be used that is used as a gate insulating film, for example, PECVD method, SiO formed by the LPCVD method or the like 2; SiO obtained polysilicon film was thermally oxidized 2 Etc. can be used.

ゲート電極としては、通常、ゲート電極として使用されているものを用いることができ、例えば、アルミ、銅等の金属、チタン、タンタル、タングステン等の高融点金属、ポリシリコン、高融点金属のシリサイド、ポリサイド等が挙げられる。   As a gate electrode, what is normally used as a gate electrode can be used, for example, metals, such as aluminum and copper, refractory metals, such as titanium, tantalum, and tungsten, polysilicon, silicide of a refractory metal, Polycide etc. are mentioned.

また、薄膜トランジスタは、シングルゲート構造、ダブルゲート構造、ゲート電極が3つ以上のマルチゲート構造であってもよい。また、LDD構造、オフセット構造を有していてもよい。さらに、1つの画素中に2つ以上の薄膜トランジスタが配置されていてもよい。本件の有機EL表示装置は薄膜トランジスタが有機EL表示装置のスイッチング素子として機能するように接続されている必要があり、トランジスタのドレイン電極と有機EL表示装置の第一電極2が電気的に接続されている。薄膜トランジスタとドレイン電極と有機EL表示装置の第一電極2との接続は、平坦化膜を貫通するコンタクトホール内に形成された接続配線を介して行われる。   The thin film transistor may have a single gate structure, a double gate structure, or a multi-gate structure having three or more gate electrodes. Moreover, you may have a LDD structure and an offset structure. Further, two or more thin film transistors may be arranged in one pixel. The organic EL display device of this case needs to be connected so that the thin film transistor functions as a switching element of the organic EL display device, and the drain electrode of the transistor and the first electrode 2 of the organic EL display device are electrically connected. Yes. The thin film transistor, the drain electrode, and the first electrode 2 of the organic EL display device are connected through a connection wiring formed in a contact hole that penetrates the planarization film.

基板上には第一電極2が設けられる。第一電極2を陽極とした場合、その材料としては、ITO(インジウムスズ複合酸化物)、IZO(インジウム亜鉛複合酸化物)、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、亜鉛アルミニウム複合酸化物等の金属複合酸化物や金、白金、クロムなどの金属材料を単層または積層したものをいずれも使用できる。第一電極2の形成方法は、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法等の乾式成膜法を用いることができる。   A first electrode 2 is provided on the substrate. When the first electrode 2 is used as an anode, the material is a metal such as ITO (indium tin composite oxide), IZO (indium zinc composite oxide), tin oxide, zinc oxide, indium oxide, zinc aluminum composite oxide, etc. A single layer or laminated layer of metal materials such as composite oxide, gold, platinum, and chromium can be used. The first electrode 2 can be formed by a dry film forming method such as a resistance heating vapor deposition method, an electron beam vapor deposition method, a reactive vapor deposition method, an ion plating method, or a sputtering method depending on the material.

なお、低抵抗であること、溶剤耐性があること、また、ボトムミッション方式としたときには透明性が高いことなどからITOが好ましく使用できる。ITOはスパッタ法によりガラス基板上1に形成され、フォトリソ法によりパターニングされて第一電極2となる。   In addition, ITO is preferably used because of its low resistance, solvent resistance, and high transparency when the bottom mission method is adopted. ITO is formed on the glass substrate 1 by a sputtering method, and is patterned by the photolithography method to form the first electrode 2.

第一電極2を形成後、第一電極縁部を覆うようにして画素隔壁3が形成される。画素隔壁3は絶縁性を有する必要があり、感光性材料等を用いることができる。感光性材料としては、ポジ型であってもネガ型であってもよく、光ラジカル重合系、光カチオン重合系の光硬化性樹脂、あるいはアクリロニトリル成分を含有する共重合体、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、ノボラック樹脂、ポリイミド樹脂、およびシアノエチルプルラン等を用いることができる。また、隔壁形成材料として、SiO、TiO等を用いることもできる。 After the first electrode 2 is formed, the pixel partition 3 is formed so as to cover the edge of the first electrode. The pixel partition 3 needs to have insulating properties, and a photosensitive material or the like can be used. The photosensitive material may be a positive type or a negative type, a photo-curing resin of a photo radical polymerization system, a photo cationic polymerization system, or a copolymer containing an acrylonitrile component, polyvinyl phenol, polyvinyl alcohol. , Novolac resin, polyimide resin, cyanoethyl pullulan, and the like can be used. Further, as a partition wall forming material, it is also possible to use SiO 2, TiO 2 or the like.

隔壁形成材料が感光性材料の場合、形成材料溶液をスリットコート法やスピンコート法により全面コーティングしたあと、露光、現像といったフォトリソ法によりパターニングがおこなわれる。スピンコート法の場合、隔壁の高さは、スピンコートするときの回転数等の条件でコントロールできるが、1回のコーティングでは限界の高さがあり、それ以上高くするときは複数回スピンコートを繰り返す手法を用いる。また、隔壁形成材料がSiO、TiOの場合、スパッタリング法、CVD法といった乾式成膜法で形成可能である。隔壁のパターニングはマスクやフォトリソ法により行うことができる。 When the partition wall forming material is a photosensitive material, the entire surface of the forming material solution is coated by a slit coating method or a spin coating method, and then patterning is performed by a photolithography method such as exposure and development. In the case of the spin coating method, the height of the partition wall can be controlled by conditions such as the number of rotations when spin coating, but there is a limit height in one coating, and if it is higher than that, multiple spin coatings are performed. Use an iterative approach. Further, when the partition wall forming material is SiO 2 or TiO 2 , it can be formed by a dry film forming method such as a sputtering method or a CVD method. The patterning of the partition walls can be performed by a mask or a photolithography method.

次に、有機発光媒体層を形成する。有機発光媒体層は、有機発光層5単独から構成されたものでもよいし、正孔輸送層4と有機発光層5、その他正孔注入層、電子輸送層、電子注入層といった発光を補助するための発光補助層との積層構造としてもよい。なお、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層は必要に応じて適宜選択される。   Next, an organic light emitting medium layer is formed. The organic light-emitting medium layer may be composed of the organic light-emitting layer 5 alone, or assists light emission such as the hole transport layer 4 and the organic light-emitting layer 5, other hole injection layers, electron transport layers, and electron injection layers. It is good also as a laminated structure with the light emission auxiliary layer. The hole transport layer, hole injection layer, electron transport layer, and electron injection layer are appropriately selected as necessary.

有機発光層5は電流を流すことにより発光する層である。有機発光層5の形成する有機発光材料としては、9,10−ジアリールアントラセン誘導体、ピレン、コロネン、ペリレン、ルブレン、1,1,4,4−テトラフェニルブタジエン、トリス(8−キノラート)アルミニウム錯体、トリス(4−メチル−8−キノラート)アルミニウム錯体、ビス(8−キノラート) 亜鉛錯体、トリス(4−メチル−5−トリフルオロメチル−8−キノラート) アルミニウム錯体、トリス(4−メチル−5−シアノ−8−キノラート)アルミニウム錯体、ビス(2−メチル−5−トリフルオロメチル−8−キノリノラート)[4−(4−シアノフェニル)フェノラート]アルミニウム錯体、ビス(2−メチル−5−シアノ−8−キノリノラート)[4−(4−シアノフェニル)フェノラート]アルミニウム錯体、トリス(8−キノリノラート)スカンジウム錯体、ビス[8−(パラートシル)アミノキノリン]亜鉛錯体及びカドミウム錯体、1,2,3,4−テトラフェニルシクロペンタジエン、2,5−ジヘプチルオキシ−パラ−フェニレンビニレンなどの低分子系発光材料が使用できる。   The organic light emitting layer 5 is a layer that emits light when an electric current is applied. Examples of the organic light-emitting material formed by the organic light-emitting layer 5 include 9,10-diarylanthracene derivatives, pyrene, coronene, perylene, rubrene, 1,1,4,4-tetraphenylbutadiene, tris (8-quinolato) aluminum complex, Tris (4-methyl-8-quinolate) aluminum complex, bis (8-quinolate) zinc complex, tris (4-methyl-5-trifluoromethyl-8-quinolate) aluminum complex, tris (4-methyl-5-cyano) -8-quinolate) aluminum complex, bis (2-methyl-5-trifluoromethyl-8-quinolinolate) [4- (4-cyanophenyl) phenolate] aluminum complex, bis (2-methyl-5-cyano-8- Quinolinolato) [4- (4-cyanophenyl) phenolate] aluminum complex , Tris (8-quinolinolato) scandium complex, bis [8- (paratosyl) aminoquinoline] zinc complex and cadmium complex, 1,2,3,4-tetraphenylcyclopentadiene, 2,5-diheptyloxy-para-phenylene A low molecular weight light emitting material such as vinylene can be used.

また、クマリン系蛍光体、ペリレン系蛍光体、ピラン系蛍光体、アンスロン系蛍光体、ポリフィリン系蛍光体、キナクリドン系蛍光体、N,N’−ジアルキル置換キナクリドン系蛍光体、ナフタルイミド系蛍光体、N,N’−ジアリール置換ピロロピロール系蛍光対等、Ir錯体等の燐光性発光体などの低分子系発光材料を、高分子中に分散させたものが使用できる。高分子としてはポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルカルバゾール等が使用できる。   Also, coumarin phosphors, perylene phosphors, pyran phosphors, anthrone phosphors, polyphyrin phosphors, quinacridone phosphors, N, N′-dialkyl-substituted quinacridone phosphors, naphthalimide phosphors, A material obtained by dispersing a low molecular weight light emitting material such as an N, N′-diaryl-substituted pyrrolopyrrole-based fluorescent pair or a phosphorescent light emitter such as an Ir complex in a polymer can be used. As the polymer, polystyrene, polymethyl methacrylate, polyvinyl carbazole and the like can be used.

また、ポリ(2−デシルオキシ−1,4−フェニレン)(DO−PPP) 、ポリ[2,5−ビス−[2−(N,N,N−トリエチルアンモニウム)エトキシ]−1,4−フェニル−アルト−1,4−フェニルレン]ジブロマイド(PPP−NEt3 )ポリ[2−(2’ −エチルヘキシルオキシ)−5−メトキシ−1,4−フェニレンビニレン](MEH−PPV)、ポリ[5−メトキシ−(2−プロパノキシサルフォニド)−1,4−フェニレンビニレン](MPS−PPV)、ポリ[2,5−ビス−(ヘキシルオキシ)−1,4−フェニレン−(1−シアノビニレン)](CN−PPV)、ポリ(9,9−ジオクチルフルオレン)(PDAF) などの高分子発光材料であってもよい。PPV前駆体、PNV前駆体、PPP前駆体などの高分子前駆体が挙げられる。また、これら高分子材料に前記低分子発光材料の分散又は共重合した材料や、その他既存の発光材料を用いることもできる。   Also, poly (2-decyloxy-1,4-phenylene) (DO-PPP), poly [2,5-bis- [2- (N, N, N-triethylammonium) ethoxy] -1,4-phenyl- Alt-1,4-phenyllene] dibromide (PPP-NEt3) poly [2- (2′-ethylhexyloxy) -5-methoxy-1,4-phenylenevinylene] (MEH-PPV), poly [5-methoxy -(2-propanoxysulfonide) -1,4-phenylenevinylene] (MPS-PPV), poly [2,5-bis- (hexyloxy) -1,4-phenylene- (1-cyanovinylene)] ( CN-PPV) and poly (9,9-dioctylfluorene) (PDAF) may be used. Examples thereof include polymer precursors such as PPV precursor, PNV precursor, and PPP precursor. Further, a material obtained by dispersing or copolymerizing the low-molecular light-emitting material in these polymer materials, or other existing light-emitting materials can also be used.

正孔輸送層4の材料としては、銅フタロシアニン、テトラ(t−ブチル)銅フタロシアニン等の金属フタロシアニン類及び無金属フタロシアニン類、キナクリドン化合物、1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)シクロヘキサン、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−1,1’−ビフェニル−4 ,4’− ジアミン、N,N’−ジ(1−ナフチル)−N,N’−ジフェニル−1,1’−ビフェニル−4,4’ −ジアミン等の芳香族アミン系低分子正孔注入輸送材料や、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリビニルカルバゾール、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)とポリスチレンスルホン酸との混合物などの高分子正孔輸送材料、ポリチオフェンオリゴマー材料、その他既存の正孔輸送材料の中から選ぶことができる。   Examples of the material for the hole transport layer 4 include metal phthalocyanines such as copper phthalocyanine and tetra (t-butyl) copper phthalocyanine, and metal-free phthalocyanines, quinacridone compounds, 1,1-bis (4-di-p-tolylaminophenyl). ) Cyclohexane, N, N′-diphenyl-N, N′-bis (3-methylphenyl) -1,1′-biphenyl-4,4′-diamine, N, N′-di (1-naphthyl) -N , N′-diphenyl-1,1′-biphenyl-4,4′-diamine and other aromatic amine-based low molecular hole injection and transport materials, polyaniline, polythiophene, polyvinylcarbazole, poly (3,4-ethylenedioxy) Polymeric hole transport materials such as a mixture of thiophene and polystyrene sulfonic acid, polythiophene oligomer materials, and other existing hole transport materials It can be selected from among.

また、電子輸送層の材料としては、2−(4−ビフィニルイル)−5−(4−t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、2,5−ビス(1−ナフチル)−1,3, 4−オキサジアゾール、オキサジアゾール誘導体やビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリノラート)ベリリウム錯体、トリアゾール化合物等を用いることができる。   As a material for the electron transport layer, 2- (4-bifinylyl) -5- (4-t-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole, 2,5-bis (1-naphthyl)- 1,3,4-oxadiazole, oxadiazole derivatives, bis (10-hydroxybenzo [h] quinolinolato) beryllium complexes, triazole compounds, and the like can be used.

有機発光材料を溶解または分散する溶媒としては、トルエン、キシレン、アセトン、ヘキサン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メタノール
、エタノール、イソプロピルアルコール、酢酸エチル、酢酸ブチル、2−メチル−(t−ブチル)ベンゼン、1,2,3,4−テトラメチルベンゼン、ペンチルベンゼン、1,3,5−トリエチルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、1,3,5−トリ−イソプロピルベンゼン等を単独又は混合して用いることができる。また、有機発光インキには、必要に応じて、界面活性剤、酸化防止剤、粘度調整剤、紫外線吸収剤等が添加されてもよい。
Solvents that dissolve or disperse the organic light emitting material include toluene, xylene, acetone, hexane, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, methanol, ethanol, isopropyl alcohol, ethyl acetate, butyl acetate, 2-methyl- (t-butyl) Benzene, 1,2,3,4-tetramethylbenzene, pentylbenzene, 1,3,5-triethylbenzene, cyclohexylbenzene, 1,3,5-tri-isopropylbenzene and the like can be used alone or in combination. . Moreover, surfactant, antioxidant, a viscosity modifier, a ultraviolet absorber, etc. may be added to organic luminescent ink as needed.

正孔輸送材料、電子輸送材料を溶解または分散させる溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、酢酸エチル、酢酸ブチル、水等の単独またはこれらの混合溶剤などが挙げられる。特に、正孔輸送材料をインキ化する場合には水またはアルコール類が好適である。   Solvents that dissolve or disperse the hole transport material and electron transport material include, for example, toluene, xylene, acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, methanol, ethanol, isopropyl alcohol, ethyl acetate, butyl acetate, water, etc. Alternatively, a mixed solvent thereof can be used. In particular, water or alcohols are suitable when forming a hole transport material into an ink.

有機発光媒体層は湿式成膜法により形成される。なお、有機発光媒体層が積層構造から構成される場合には、その各層の全てを湿式成膜法により形成する必要はない。湿式成膜法としては、スピンコート法、ダイコート法、ディップコート法、吐出コート法、プレコート法、ロールコート法、バーコート法等の塗布法と、凸版印刷法、インクジェット印刷法、オフセット印刷法、グラビア印刷法等の印刷法が挙げられる。特に、有機発光層5を形成する場合、例えば印刷法を用いれば画素部に選択的に適用することができる。このため、各画素に、互いに異なる色彩に発光する発光層を印刷して、カラー表示のできる有機EL素子を製造することも可能となる。   The organic light emitting medium layer is formed by a wet film forming method. In the case where the organic light emitting medium layer has a laminated structure, it is not necessary to form all of the layers by a wet film formation method. As the wet film forming method, spin coating method, die coating method, dip coating method, discharge coating method, pre-coating method, roll coating method, bar coating method and the like, relief printing method, inkjet printing method, offset printing method, Examples of the printing method include a gravure printing method. In particular, when the organic light emitting layer 5 is formed, it can be selectively applied to the pixel portion by using, for example, a printing method. For this reason, it is also possible to manufacture an organic EL element capable of color display by printing a light emitting layer that emits light in different colors on each pixel.

特に、有機発光層5の形成方法は凸版印刷法によって好適に形成される。凸版印刷法はインクジェット法と異なり、版と基板が直接的に接するようにしてインキが転移されるため、隔壁は低くすることが望ましい。本発明において凸版印刷法に用いる凸版は水現像タイプの樹脂凸版を用いることが好ましい。本発明における樹脂版を構成する水現像タイプの感光性樹脂としては、例えば親水性のポリマーと不飽和結合を含むモノマーいわゆる架橋性モノマー及び光重合開始剤を構成要素とするタイプが挙げられる。このタイプでは、親水性ポリマーとしてポリアミド、ポリビニルアルコール、セルロース誘導体等が用いられる。また、架橋性モノマーとしては、例えばビニル結合を有するメタクリレート類が挙げられ、光重合開始剤としては例えば芳香族カルボニル化合物が挙げられる。中でも、印刷適性の面からポリアミド系の水現像タイプの感光性樹脂が好適である。   In particular, the organic light emitting layer 5 is preferably formed by a relief printing method. The relief printing method is different from the ink jet method, and the ink is transferred so that the plate and the substrate are in direct contact. In the present invention, the letterpress used in the letterpress printing method is preferably a water development type resin letterpress. Examples of the water-developable photosensitive resin constituting the resin plate in the present invention include a type having a hydrophilic polymer and a monomer containing an unsaturated bond, a so-called crosslinkable monomer and a photopolymerization initiator as constituent elements. In this type, polyamide, polyvinyl alcohol, cellulose derivatives and the like are used as hydrophilic polymers. Examples of the crosslinkable monomer include methacrylates having a vinyl bond, and examples of the photopolymerization initiator include aromatic carbonyl compounds. Among these, a polyamide-based water-developable photosensitive resin is preferable from the viewpoint of printability.

有機発光層5の形成に用いる印刷装置は、平板に印刷する方式の凸版印刷装置であれば使用可能であるが、以下に示すような印刷装置が望ましい。図2に本発明の凸版印刷装置の概略図を示した。本製造装置は、インクタンク8とインキチャンバー9とアニロックスロール10と樹脂凸版12を取り付けした版胴11を有している。インクタンク8には、溶剤で希釈された有機発光インキが収容されており、インキチャンバー9にはインクタンク8より有機発光インキが送り込まれるようになっている。アニロックスロール10は、インキチャンバー9のインキ供給部及び版胴11に接して回転するようになっている。   The printing apparatus used for forming the organic light emitting layer 5 can be any letterpress printing apparatus that prints on a flat plate, but the following printing apparatus is desirable. FIG. 2 shows a schematic diagram of the relief printing apparatus of the present invention. The manufacturing apparatus includes a plate cylinder 11 to which an ink tank 8, an ink chamber 9, an anilox roll 10, and a resin relief plate 12 are attached. The ink tank 8 contains an organic light-emitting ink diluted with a solvent, and the organic light-emitting ink is fed into the ink chamber 9 from the ink tank 8. The anilox roll 10 rotates in contact with the ink supply unit of the ink chamber 9 and the plate cylinder 11.

アニロックスロール10の回転にともない、インキチャンバー9から供給された有機発光インキはアニロクスロール10表面に均一に保持されたあと、版胴11に取り付けされた樹脂凸版12の凸部に均一な膜厚で転移する。さらに、被印刷基板13は摺動可能な基板固定台上に固定され、版のパターンと基板のパターンの位置調整機構により、位置調整しながら印刷開始位置まで移動して、版胴11の回転に合わせて樹脂凸版12の凸部が基板に接しながらさらに移動し、ステージ14上にある被印刷基板13の所定位置にパターニングしてインキを転移する。   As the anilox roll 10 rotates, the organic light-emitting ink supplied from the ink chamber 9 is uniformly held on the surface of the anilox roll 10 and then has a uniform film thickness on the convex portions of the resin relief plate 12 attached to the plate cylinder 11. It will transfer at. Further, the substrate to be printed 13 is fixed on a slidable substrate fixing table, and is moved to the printing start position while adjusting the position by the position adjustment mechanism of the plate pattern and the substrate pattern, and the plate cylinder 11 is rotated. At the same time, the convex portion of the resin relief plate 12 further moves while being in contact with the substrate, and the ink is transferred by patterning to a predetermined position of the printed substrate 13 on the stage 14.

次に、第二電極6を形成する。第二電極6を陰極とした場合その材料としては電子注入効率の高い物質を用いる。具体的にはMg、AL、Yb等の金属単体を用いたり、発光媒
体と接する界面にLiや酸化Li、LiF等の化合物を1nm 程度挟んで、安定性・導電性の高いAlやCuを積層して用いる。または電子注入効率と安定性を両立させるため、低仕事関数なLi、Mg、Ca、Sr、La、Ce、Er、Eu、Sc、Y、Yb等の金属1種以上と、安定なAg、Al、Cu等の金属元素との合金系が用いられる。具体的にはMgAg,AlLi,CuLi等の合金が使用できる。また、トップエミッション方式の有機EL素子とする場合は、陰極は透明性を有する必要があり、例えば、これら金属とITO等の透明導電層の組み合わせによる透明化が可能となる。
Next, the second electrode 6 is formed. When the second electrode 6 is a cathode, a material having a high electron injection efficiency is used. Specifically, a single metal such as Mg, AL, or Yb is used, or a compound such as Li, oxidized Li, or LiF is sandwiched about 1 nm at the interface contacting the light emitting medium, and Al or Cu having high stability and conductivity is laminated. And use. Or, in order to achieve both electron injection efficiency and stability, one or more metals such as Li, Mg, Ca, Sr, La, Ce, Er, Eu, Sc, Y, Yb, etc., which have low work function, and stable Ag, Al An alloy system with a metal element such as Cu is used. Specifically, alloys such as MgAg, AlLi, and CuLi can be used. Further, in the case of a top emission type organic EL device, the cathode needs to have transparency, and for example, transparency can be achieved by a combination of these metals and a transparent conductive layer such as ITO.

第二電極6の形成方法は、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法等の乾式成膜法を用いることができる。厚さは10nm〜1μm程度が望ましい。なお、本発明では第一の電極を陰極、第二の電極を陽極とすることも可能である。   As a method for forming the second electrode 6, a dry film forming method such as a resistance heating vapor deposition method, an electron beam vapor deposition method, a reactive vapor deposition method, an ion plating method, or a sputtering method can be used. The thickness is preferably about 10 nm to 1 μm. In the present invention, the first electrode can be a cathode and the second electrode can be an anode.

この有機EL表示装置は両電極間に発光材料が挟みこまれた部位に対し電流を流すことで発光させることが可能であるが、有機発光媒体層や電極形成材料の一部は大気中の水分や酸素によって容易に劣化してしまうため通常は外部と遮断するための封止体を設ける必要がある。   This organic EL display device can emit light by passing an electric current through a portion where a light emitting material is sandwiched between both electrodes, but part of the organic light emitting medium layer and the electrode forming material is moisture in the atmosphere. Ordinarily, it is necessary to provide a sealing body for shielding from the outside.

封止体は、例えば第一電極2、有機発光層5を含む有機発光媒体層、第二電極6が形成された基板に対して、無アルカリガラス、アルカリガラス等のガラスの封止材7を用い、封止材7と有機EL表示装置を水分や酸素を排除し窒素やアルゴンといった不活性ガス環境となるグローブボックス内にて貼り合わせることにより形成される(図1)。   The sealing body is made of, for example, a glass sealing material 7 such as non-alkali glass or alkali glass on the substrate on which the first electrode 2, the organic light emitting medium layer including the organic light emitting layer 5, and the second electrode 6 are formed. It is formed by bonding the sealing material 7 and the organic EL display device in a glove box that removes moisture and oxygen and becomes an inert gas environment such as nitrogen and argon (FIG. 1).

このとき貼り合せの際には接着部位に対し、接着剤16を介して貼り合せが行われ、この接着剤16はディスペンサーにより一般に5〜10μmの厚みで塗布される。またここで用いた接着剤16の種類としては多くエポキシ樹脂が用いられ具体的にはビスフェノール化合物とエピクロルヒドリンからなるプレポリマーといったエポキシ樹脂、その他にもアクリル酸エステルやメタクリル酸エステル、エチレンエチルアクリレートポリマー等といったアクリル樹脂やシリコーン樹脂などからなる光硬化型接着性樹脂並びに熱硬化型接着性樹脂や、ポリエチレン、ポリプロピレンなどの酸変性物からなる熱可塑性接着性樹脂などを使用することができる。   At this time, the bonding is performed on the bonding site via the adhesive 16 and the adhesive 16 is generally applied with a thickness of 5 to 10 μm by a dispenser. As the type of adhesive 16 used here, many epoxy resins are used. Specifically, epoxy resins such as prepolymers composed of bisphenol compounds and epichlorohydrin, acrylic acid esters, methacrylic acid esters, ethylene ethyl acrylate polymers, etc. A photo-curable adhesive resin and a thermosetting adhesive resin made of acrylic resin, silicone resin, etc., and a thermoplastic adhesive resin made of acid-modified products such as polyethylene and polypropylene can be used.

また、ここで接着剤16を凝固させる手段としては、エポキシ樹脂プレポリマーの(接着剤16)塗布部位以外にマスクを施し紫外光365nmをマスク非被覆部に1分〜2分照射し接着剤16を重合させることで封止体を完成させることが出来る。   Further, as a means for solidifying the adhesive 16 here, a mask is applied to a part other than the (adhesive 16) application site of the epoxy resin prepolymer, and ultraviolet light 365 nm is irradiated to the mask non-covering portion for 1 to 2 minutes. The sealing body can be completed by polymerizing.

ここでは一例として光硬化型接着性樹脂を用いた封止手順を記載したが本発明はこれに限るものではない。   Here, the sealing procedure using the photocurable adhesive resin is described as an example, but the present invention is not limited to this.

以下ここで発生した封止不良に対する対応を以下に記す。   Hereinafter, the countermeasures against the sealing failure occurring here will be described.

水分や酸素を排除し窒素やアルゴンといった不活性ガス環境となるグローブボックス内にて、封止不良がある有機EL表示装置の基板と接着剤との界面(接着剤16)及び封止材7に対して、バインダ塗布用ディスペンサー15(特許文献2を参照)を用いて、バインダ17を第一電極2に付着しないように10μm程度の厚さで塗布する(図4参照)。   In the glove box which removes moisture and oxygen and becomes an inert gas environment such as nitrogen and argon, the interface (adhesive 16) between the substrate and the adhesive of the organic EL display device having a sealing failure and the sealing material 7 On the other hand, using a binder application dispenser 15 (see Patent Document 2), the binder 17 is applied with a thickness of about 10 μm so as not to adhere to the first electrode 2 (see FIG. 4).

バインダ17は、金属粉末粒径が一般に100μm以下からなり該当含有率が10〜90wt%、シート抵抗率が22〜98Ω/Sqかつ表面粗度が3.6〜11.4μmからなる市販の銀ペースト、ニッケルペースト、金ペースト、パラジウムペースト、クロムペーストまたはカーボンペースト、または前記ペースト類の様々な混合比からなるブレンド剤(一例として長野テクトロン株式会社の銀及びカーボンからなるブレンド剤など)といった材料を適宜選択して使用する。   The binder 17 is a commercially available silver paste having a metal powder particle size of generally 100 μm or less, a corresponding content of 10 to 90 wt%, a sheet resistivity of 22 to 98 Ω / Sq, and a surface roughness of 3.6 to 11.4 μm. , Nickel paste, gold paste, palladium paste, chromium paste or carbon paste, or a blending agent composed of various mixing ratios of the pastes (for example, a blending agent composed of silver and carbon from Nagano Techtron Co., Ltd.) Select and use.

このとき10μm程度以上の厚さでバインダ17を塗布すると液垂れにより第一電極2に付着してしまう恐れがあるため塗布する厚さには注意を払う必要がある。   At this time, if the binder 17 is applied with a thickness of about 10 μm or more, it may adhere to the first electrode 2 due to dripping. Therefore, it is necessary to pay attention to the applied thickness.

塗布されたバインダ17に向かって基板側面よりレーザ照射装置19を用い、出力50〜100μJ、パルス幅3〜10nsecにてレーザを照射する。   A laser irradiation device 19 is used from the side of the substrate toward the coated binder 17 to irradiate the laser with an output of 50 to 100 μJ and a pulse width of 3 to 10 nsec.

このとき上記出力値、パルス幅以上では発熱量が大きすぎるためTFT回路18にまで熱が移ってしまい焼けてしまう恐れがあり、また上記出力値、パルス幅以下ではTFT回路18から封止材7と接着剤16を解離するための発熱量が得られないため、本出力値およびパルス幅には注意を払う必要がある。   At this time, if the output value or pulse width is greater than the above value, the amount of heat generated is too large, so that heat may be transferred to the TFT circuit 18 and burnt. Since the amount of heat generated to dissociate the adhesive 16 cannot be obtained, attention must be paid to the output value and the pulse width.

ここで用いるレーザ照射装置19は例えばフォトニックインストゥルメンツ株式会社製MicroPointレーザ発生装置がある。   The laser irradiation device 19 used here is, for example, a MicroPoint laser generation device manufactured by Photonic Instruments Co., Ltd.

しかし、ここでは上記のレーザ照射装置を例に挙げているが実際にはこれに限定するものではない。   However, although the above laser irradiation apparatus is taken as an example here, the present invention is not limited to this.

照射されたレーザの熱はバインダ17を経由し、封止材7及び接着剤16を加熱し、熱により封止材7及び接着剤16が膨張し、膨張率の違いから歪みが発生し解離しやすくなり、TFT回路基板18から接着剤16と封止材7を剥離することでき、再利用可能な基板となる(図3および図4)。   The heat of the irradiated laser passes through the binder 17 and heats the sealing material 7 and the adhesive 16, and the sealing material 7 and the adhesive 16 are expanded by the heat, and distortion is generated due to the difference in expansion coefficient and dissociates. As a result, the adhesive 16 and the sealing material 7 can be peeled off from the TFT circuit substrate 18, and a reusable substrate is obtained (FIGS. 3 and 4).

これにより通常の接着剤16に用いられるエポキシ樹脂は、レーザ光を吸収することが出来ないが、バインダを介することでレーザ光由来の熱を吸収し封止材7を解離できた。従来技術(例えば、特許文献1)にてリペアを行うに場合にも、加熱や溶剤による接着剤の溶融又は溶解があったが、この時はエポキシ接着剤の素材の選択にある程度の制限があった。しかし、本実施例においてはエポキシ樹脂の素材、例えば旭電化工業株式会社製アデカレジンEP-4100、アデカレジンEP−4530、アデカレジンEP−4901、大日本インキ工業株式会社製エピクロン840、エピクロン857、エピクロン830、JER株式会社製エピコート828、エピコート801、エピコート807といった特定の素材に限定することなくリペアすることができる。   As a result, the epoxy resin used for the normal adhesive 16 cannot absorb the laser beam, but can absorb the heat derived from the laser beam and dissociate the sealing material 7 through the binder. Even when repairing is performed by the conventional technique (for example, Patent Document 1), the adhesive is melted or dissolved by heating or a solvent, but at this time, there is a certain restriction on the selection of the material of the epoxy adhesive. It was. However, in this example, the material of epoxy resin, for example, Adeka Resin EP-4100, Adeka Resin EP-4530, Adeka Resin EP-4901, manufactured by Asahi Denka Kogyo Co., Ltd., Epicron 840, Epicron 857, Epicron 830, Repair is possible without being limited to specific materials such as Epicoat 828, Epicoat 801, and Epicoat 807 manufactured by JER Corporation.

薄膜トランジスタがスイッチング素子として機能するために平坦化膜に作製されたコンタクトホールを介して第一電極2と接続されるように形成されたトップエミッション用バックプレーンを用い、画素数240×320ドットでサブピクセル数720×320ドットとした。そして、120μm×360μm ピッチでサブピクセル間スペースは縦40μm 、横100μm となるようにITOをスパッタリング法によりパターン形成し、第一電極2とした。   In order for the thin film transistor to function as a switching element, a top emission backplane formed so as to be connected to the first electrode 2 through a contact hole formed in the planarization film is used, and the number of pixels is 240 × 320 dots. The number of pixels was 720 × 320 dots. Then, the first electrode 2 was formed by patterning ITO by a sputtering method so that the space between the sub-pixels was 40 μm in length and 100 μm in width at a pitch of 120 μm × 360 μm.

次に、ポジ型の感光性材料であるTELRシリーズ(東京応化社製)をスピンコート法にて有効面全面に塗布した。そして、露光(10sec)、現像処理をおこない図1(b)に示したような高さ0.5μmの画素隔壁3を形成した。   Next, a positive photosensitive material TELR series (manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd.) was applied to the entire effective surface by a spin coating method. Then, exposure (10 sec) and development were performed to form a pixel partition wall 3 having a height of 0.5 μm as shown in FIG.

次に、第一電極2上に正孔輸送層4として、厚さ0.1μmのポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)とポリスチレンスルホン酸の混合物(以下PEDOT/PSSという)を水に分散させ、スピンコート法により成膜した。その後、メタノールを用いてふき
取ることによって有効画素周辺にある不必要箇所にある正孔輸送インキを取り除いた。
Next, a 0.1 μm-thick poly (3,4-ethylenedioxythiophene) and polystyrenesulfonic acid mixture (hereinafter referred to as PEDOT / PSS) is dispersed in water as the hole transport layer 4 on the first electrode 2. Then, a film was formed by a spin coating method. Thereafter, the hole transport ink in unnecessary portions around the effective pixels was removed by wiping with methanol.

次に、赤色5(R)、緑色5(G)、青色5(B)の発光色を有する有機発光材料であるポリフェニレンビニレン誘導体らを、水現像タイプの感光性樹脂凸版を用いた凸版印刷法で各色についておこない、有機発光層5を形成した。このとき、150線/インチのアニロックスロールを使用して、得られた有機発光層5の膜厚は各色80nmであった。   Next, polyphenylene vinylene derivatives, which are organic light emitting materials having emission colors of red 5 (R), green 5 (G), and blue 5 (B), are applied to a relief printing method using a water-developable photosensitive resin relief plate. The organic light emitting layer 5 was formed for each color. At this time, using an anilox roll of 150 lines / inch, the thickness of the organic light emitting layer 5 obtained was 80 nm for each color.

次に、第二電極6として真空蒸着法でBaを5nm、その上にAlを20nm成膜した。その後大気暴露することなく露点−80度、酸素濃度1ppmの窒素下で、いわゆる不活性ガス環境下で光硬化型接着剤をディスペンサーに10μmの厚さで塗布しガラスキャップ7を張り付け、365nmの紫外光を1分間接着部位に照射することによって封止をおこない、有機EL表示装置を得た。   Next, as the second electrode 6, Ba was deposited with a thickness of 5 nm by vacuum deposition, and Al was deposited thereon with a thickness of 20 nm. Then, without exposing to the atmosphere, a photocurable adhesive was applied to a dispenser with a thickness of 10 μm in a so-called inert gas environment under nitrogen at a dew point of −80 ° C. and an oxygen concentration of 1 ppm. Sealing was performed by irradiating the adhesion site with light for 1 minute to obtain an organic EL display device.

ここで発生した封止ズレに対するリペア法としてまず、水分や酸素を排除し窒素やアルゴンといった不活性ガス環境となるグローブボックス内にて有機EL表示装置と封止ガラス7及び接着剤16の界面に対しバインダ塗布用ディスペンサー15を用いバインダ17として粉末粒径が90μmからなり含有率が80wt%、シート抵抗率が74Ω/Sqかつ表面粗度が4.1μmからなる長野テクトロン株式会社製銀ペーストを10μmの厚さで塗布した後に、フォトニックインストゥルメンツ株式会社製MicroPointoレーザ発生装置を用いこの部位に向かって熱歪みを発生させる出力100μJ、パルス幅3nsecにてレーザを照射し、接着剤16と封止ガラス7に熱歪みを発生させTFT回路18から剥離 (図4)。   As a repair method for the sealing displacement generated here, first, at the interface between the organic EL display device, the sealing glass 7 and the adhesive 16 in a glove box which removes moisture and oxygen and becomes an inert gas environment such as nitrogen and argon. On the other hand, a silver paste manufactured by Nagano Techtron Co., Ltd., having a powder particle size of 90 μm, a content rate of 80 wt%, a sheet resistivity of 74 Ω / Sq, and a surface roughness of 4.1 μm as a binder 17 using a binder coating dispenser 15 is 10 μm. After coating with a thickness of 1, a laser beam is emitted at an output of 100 μJ and a pulse width of 3 nsec to generate thermal strain toward this part using a MicroPointo laser generator manufactured by Photonic Instruments Co., Ltd. Thermal strain is generated in the stop glass 7 and peeled off from the TFT circuit 18 (FIG. 4).

封止ガラス7を剥離した有機EL表示装置は有機発光層5やTFT回路18などに不具合を発生することもなく、封止前と同様の状態を維持しており再度封止しリペア品として完成させ特性を検査した結果、良品と遜色ない結果が得られた(表1)。   The organic EL display device from which the sealing glass 7 has been peeled off does not cause any problems in the organic light emitting layer 5 and the TFT circuit 18 and maintains the same state as before sealing, and is sealed again and completed as a repair product. As a result of inspecting the characteristics, results comparable to good products were obtained (Table 1).

(比較例1)
実施例1と同様の工程を経て発生した封止不良の有機EL表示装置を300℃のホットプレート上で加温し接着剤16の融解を試みた。その結果、封止ガラス7の剥離に成功したが有機層の一部が加温による熱変形(膜ムラ)が見られ、再封止後の有機EL表示装置の特性低下が見られた(表1)。
(Comparative Example 1)
The poorly sealed organic EL display device generated through the same steps as in Example 1 was heated on a hot plate at 300 ° C. to try to melt the adhesive 16. As a result, the sealing glass 7 was successfully peeled, but a part of the organic layer was thermally deformed (film unevenness) due to heating, and the characteristics of the organic EL display device after resealing were reduced (Table). 1).

(比較例2)
実施例1と同様の工程を経て発生した封止不良の有機EL表示装置をキシレンへ6時間浸漬し接着剤16の溶解を試みた。その結果、封止ガラス7の剥離に成功したが浸漬した際に有機層へのキシレンの浸透により有機層の一部の膨潤状態(膜ムラ)が見られ、再封止後の有機EL表示装置の特性低下が見られた(表1)。
(Comparative Example 2)
The poorly sealed organic EL display device generated through the same steps as in Example 1 was immersed in xylene for 6 hours to try to dissolve the adhesive 16. As a result, the sealing glass 7 was successfully peeled off, but when immersed, the organic layer was partially swollen (film unevenness) due to the penetration of xylene into the organic layer, and the organic EL display device after resealing (Table 1).

(比較例3)
実施例1と同様の工程を経て発生した封止不良の有機EL表示装置の封止部に対して研磨剤を用い板ヤスリブラシ20により封止ガラス7と接着剤16の界面の研磨を試みた。その結果、封止ガラス7の剥離に成功したが研磨によるTFT回路18の一部配線断裂21が確認され封止前の有機EL表示装置の状態へと復元は出来なかった(図5及び表1)。
(Comparative Example 3)
An abrasive was used for the sealing portion of the poorly sealed organic EL display device generated through the same steps as in Example 1, and an abrasive was used to polish the interface between the sealing glass 7 and the adhesive 16. . As a result, the sealing glass 7 was successfully peeled off, but a partial wiring break 21 of the TFT circuit 18 due to polishing was confirmed, and the state could not be restored to the state of the organic EL display device before sealing (FIG. 5 and Table 1). ).

Figure 2012216308
Figure 2012216308

本発明によれば、これまで廃棄されるべき封止部に不良を起こした有機EL表示装置が、封止材を剥離することで再度封止可能な有機EL表示装置先駆体として再生でき、歩留まり
の向上が可能となる。
According to the present invention, an organic EL display device that has caused a defect in a sealing portion that should be discarded so far can be regenerated as an organic EL display device precursor that can be sealed again by peeling off the sealing material, and the yield Can be improved.

1・・・ガラス基板
2・・・第一電極
3・・・画素隔壁
4・・・正孔輸送層
5・・・有機発光層
6・・・第二電極層
7・・・封止材
8・・・インキタンク
9・・・インキチャンバー
10・・・アニロクスロール
11・・・版胴
12・・・樹脂凸版
13・・・被印刷基板
14・・・ステージ
15…バインダ塗布用ディスペンサー
16・・・接着剤
17・・・バインダ
18・・・TFT回路基板
19・・・レーザ照射装置
20・・・…板ヤスリブラシ
21・・・配線断裂
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Glass substrate 2 ... 1st electrode 3 ... Pixel partition 4 ... Hole transport layer 5 ... Organic light emitting layer 6 ... 2nd electrode layer 7 ... Sealing material 8 ... Ink tank 9 ... Ink chamber 10 ... Anilox roll 11 ... Plate cylinder 12 ... Resin letter plate 13 ... Print substrate 14 ... Stage 15 ... Binder application dispenser 16 ... ..Adhesive 17 ... Binder 18 ... TFT circuit board 19 ... Laser irradiation device 20 ... Panel file brush 21 ... Wiring break

Claims (4)

キャップ型封止材により、基板上に形成した有機発光層を気密に覆うように、キャップ型封止材の端部と基板とを接着剤を介して接着固定する形態の有機EL表示装置の該接着部分のリペア方法であって、当該リペア方法は、レーザ光吸収性のバインダを接着部分に塗布する工程、バインダにレーザ照射することにより接着剤と基板間に熱歪を発生する工程、キャップ型封止材を基板から引き離す工程、キャップ型封止材を改めて基板に接着する工程、とを有することを特徴とする有機EL表示装置のリペア方法。   The organic EL display device is configured such that the end of the cap type sealing material and the substrate are bonded and fixed with an adhesive so that the organic light emitting layer formed on the substrate is hermetically covered with the cap type sealing material. A method for repairing an adhesive portion, which includes a step of applying a laser light absorbing binder to the adhesive portion, a step of generating thermal strain between the adhesive and the substrate by irradiating the binder with laser, and a cap type A method for repairing an organic EL display device, comprising: a step of separating the sealing material from the substrate; and a step of newly bonding the cap-type sealing material to the substrate. 前記バインダが、カーボンペースト、銀ペースト、クロムペースト、金ペースト、ニッケルペースト、パラジウムペーストのいずれから選択されるか、あるいはそれらの混合ペーストであることを特徴とする請求項1に記載の有機EL表示装置のリペア方法。   2. The organic EL display according to claim 1, wherein the binder is selected from a carbon paste, a silver paste, a chromium paste, a gold paste, a nickel paste, and a palladium paste, or a mixed paste thereof. Device repair method. 前記キャップ型封止材がガラス製であることを特徴とする請求項1に記載の有機EL表示装置のリペア方法。   The method for repairing an organic EL display device according to claim 1, wherein the cap-type sealing material is made of glass. 前記レーザ照射を不活性ガス環境下にて行うことを特徴とする請求項1に記載の有機EL表示装置のリペア方法。   The method of repairing an organic EL display device according to claim 1, wherein the laser irradiation is performed in an inert gas environment.
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