JP2012216308A - Method for repairing sealing of organic el display device - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 65
- 238000007789 sealing Methods 0.000 title abstract description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 45
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 38
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 37
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims abstract description 20
- 230000008439 repair process Effects 0.000 claims description 16
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 11
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 39
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 abstract 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 52
- 239000010408 film Substances 0.000 description 20
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 14
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 12
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 11
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 11
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 7
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 7
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 7
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 7
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000007774 anilox coating Methods 0.000 description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000005394 sealing glass Substances 0.000 description 6
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 6
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 5
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 5
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 5
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 description 4
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 4
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PWATWSYOIIXYMA-UHFFFAOYSA-N Pentylbenzene Chemical compound CCCCCC1=CC=CC=C1 PWATWSYOIIXYMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N coronene Chemical compound C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 125000005678 ethenylene group Chemical group [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M hexanoate Chemical compound CCCCCC([O-])=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229920001477 hydrophilic polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 2
- 238000007644 letterpress printing Methods 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- UOHMMEJUHBCKEE-UHFFFAOYSA-N prehnitene Chemical compound CC1=CC=C(C)C(C)=C1C UOHMMEJUHBCKEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 2
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 2
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 2
- JCXLYAWYOTYWKM-UHFFFAOYSA-N (2,3,4-triphenylcyclopenta-1,3-dien-1-yl)benzene Chemical compound C1C(C=2C=CC=CC=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 JCXLYAWYOTYWKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VUMCUSHVMYIRMB-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-tri(propan-2-yl)benzene Chemical compound CC(C)C1=CC(C(C)C)=CC(C(C)C)=C1 VUMCUSHVMYIRMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WJYMPXJVHNDZHD-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-triethylbenzene Chemical compound CCC1=CC(CC)=CC(CC)=C1 WJYMPXJVHNDZHD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXHVNJGQOJFMHT-UHFFFAOYSA-N 1-tert-butyl-2-methylbenzene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C(C)(C)C AXHVNJGQOJFMHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MUNFOTHAFHGRIM-UHFFFAOYSA-N 2,5-dinaphthalen-1-yl-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC=C2C(C3=NN=C(O3)C=3C4=CC=CC=C4C=CC=3)=CC=CC2=C1 MUNFOTHAFHGRIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QLZJUIZVJLSNDD-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methylidenebutanoyloxy)ethyl 2-methylidenebutanoate Chemical compound CCC(=C)C(=O)OCCOC(=O)C(=C)CC QLZJUIZVJLSNDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001731 2-cyanoethyl group Chemical group [H]C([H])(*)C([H])([H])C#N 0.000 description 1
- MGADZUXDNSDTHW-UHFFFAOYSA-N 2H-pyran Chemical compound C1OC=CC=C1 MGADZUXDNSDTHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NYEIGHWEEKZJFB-UHFFFAOYSA-N 5-cyano-4-methylquinoline-8-carboxylic acid Chemical compound C1=CC(C#N)=C2C(C)=CC=NC2=C1C(O)=O NYEIGHWEEKZJFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017073 AlLi Inorganic materials 0.000 description 1
- OOQAPGNOZVHVDM-UHFFFAOYSA-N CC(C)(C)[Cu](C(C)(C)C)(C(C)(C)C)C(C)(C)C Chemical compound CC(C)(C)[Cu](C(C)(C)C)(C(C)(C)C)C(C)(C)C OOQAPGNOZVHVDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N Epichlorohydrin Chemical compound ClCC1CO1 BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000286 Poly(2-decyloxy-1,4-phenylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000291 Poly(9,9-dioctylfluorene) Polymers 0.000 description 1
- 229920001665 Poly-4-vinylphenol Polymers 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000004373 Pullulan Substances 0.000 description 1
- 229920001218 Pullulan Polymers 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000611 Zinc aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XHBWHCNFIIQBPZ-UHFFFAOYSA-K [Al+3].Cc1ccnc2c(ccc(c12)C(F)(F)F)C([O-])=O.Cc1ccnc2c(ccc(c12)C(F)(F)F)C([O-])=O.Cc1ccnc2c(ccc(c12)C(F)(F)F)C([O-])=O Chemical compound [Al+3].Cc1ccnc2c(ccc(c12)C(F)(F)F)C([O-])=O.Cc1ccnc2c(ccc(c12)C(F)(F)F)C([O-])=O.Cc1ccnc2c(ccc(c12)C(F)(F)F)C([O-])=O XHBWHCNFIIQBPZ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- BEAHPPCNIBVQQD-SCICZZOKSA-N [Zn].C1([C@H](O)C[C@H](O)[C@H](O1)C)NC=1C=CC=C2C=CC=NC12.C1([C@H](O)C[C@H](O)[C@H](O1)C)NC=1C=CC=C2C=CC=NC12 Chemical compound [Zn].C1([C@H](O)C[C@H](O)[C@H](O1)C)NC=1C=CC=C2C=CC=NC12.C1([C@H](O)C[C@H](O)[C@H](O1)C)NC=1C=CC=C2C=CC=NC12 BEAHPPCNIBVQQD-SCICZZOKSA-N 0.000 description 1
- 125000005396 acrylic acid ester group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 229920000109 alkoxy-substituted poly(p-phenylene vinylene) Polymers 0.000 description 1
- HXFVOUUOTHJFPX-UHFFFAOYSA-N alumane;zinc Chemical compound [AlH3].[Zn] HXFVOUUOTHJFPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMALFSHRMABADU-UHFFFAOYSA-K aluminum 4-(4-cyanophenyl)phenolate 2-methyl-5-(trifluoromethyl)quinolin-8-olate Chemical compound [Al+3].C(#N)C1=CC=C(C=C1)C1=CC=C(C=C1)[O-].CC1=NC2=C(C=CC(=C2C=C1)C(F)(F)F)[O-].CC1=NC2=C(C=CC(=C2C=C1)C(F)(F)F)[O-] IMALFSHRMABADU-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- ANAJSSMBLXCCSM-UHFFFAOYSA-K aluminum;4-(4-cyanophenyl)phenolate Chemical compound [Al+3].C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=C(C#N)C=C1.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=C(C#N)C=C1.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=C(C#N)C=C1 ANAJSSMBLXCCSM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- ZCQQLNIJXKORPM-UHFFFAOYSA-K aluminum;4-methylquinoline-8-carboxylate Chemical compound [Al+3].C1=CC=C2C(C)=CC=NC2=C1C([O-])=O.C1=CC=C2C(C)=CC=NC2=C1C([O-])=O.C1=CC=C2C(C)=CC=NC2=C1C([O-])=O ZCQQLNIJXKORPM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- RJGDLRCDCYRQOQ-UHFFFAOYSA-N anthrone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3CC2=C1 RJGDLRCDCYRQOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 1
- XJHABGPPCLHLLV-UHFFFAOYSA-N benzo[de]isoquinoline-1,3-dione Chemical compound C1=CC(C(=O)NC2=O)=C3C2=CC=CC3=C1 XJHABGPPCLHLLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001572 beryllium Chemical class 0.000 description 1
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical class C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010538 cationic polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- OPHUWKNKFYBPDR-UHFFFAOYSA-N copper lithium Chemical compound [Li].[Cu] OPHUWKNKFYBPDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- HHNHBFLGXIUXCM-GFCCVEGCSA-N cyclohexylbenzene Chemical compound [CH]1CCCC[C@@H]1C1=CC=CC=C1 HHNHBFLGXIUXCM-GFCCVEGCSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 208000028659 discharge Diseases 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 229920006244 ethylene-ethyl acrylate Polymers 0.000 description 1
- 239000005042 ethylene-ethyl acrylate Substances 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N indium zinc Chemical compound [Zn].[In] NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 150000002734 metacrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229910001512 metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000005397 methacrylic acid ester group Chemical group 0.000 description 1
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N orlistat Chemical compound CCCCCCCCCCC[C@H](OC(=O)[C@H](CC(C)C)NC=O)C[C@@H]1OC(=O)[C@H]1CCCCCC AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 235000019423 pullulan Nutrition 0.000 description 1
- RQGPLDBZHMVWCH-UHFFFAOYSA-N pyrrolo[3,2-b]pyrrole Chemical class C1=NC2=CC=NC2=C1 RQGPLDBZHMVWCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000006097 ultraviolet radiation absorber Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004034 viscosity adjusting agent Substances 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- IJSCRHIUHQOAFM-UHFFFAOYSA-L zinc;quinoline-8-carboxylate Chemical compound [Zn+2].C1=CN=C2C(C(=O)[O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C(C(=O)[O-])=CC=CC2=C1 IJSCRHIUHQOAFM-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
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Abstract
Description
本発明は、有機EL表示装置の封止部におけるリペア方法に関するものである。 The present invention relates to a repair method in a sealing portion of an organic EL display device.
近年、有機EL表示装置は、視認性やフレキシブル性に優れ、且つ発色性が多様であることから、車載用コンポや携帯電話等のディスプレイや表示素子に広く利用されている。 2. Description of the Related Art In recent years, organic EL display devices are widely used for displays and display elements such as in-vehicle components and mobile phones because they are excellent in visibility and flexibility and have various coloring properties.
これら有機EL表示装置は、このような優れた特性を有する一方で、一般に水分に対して極めて弱いということで知られている。一例としては、有機EL素子の外周部を封止材で封止する際に取り込まれた環境雰囲気中の水分や、封止層欠陥部を透過して素子内に浸入する水分により、有機EL表示装置にダークスポットと称する非発光領域が発生し、発光が維持できなくなるという寿命上の問題が生じている。 While these organic EL display devices have such excellent characteristics, they are generally known to be extremely weak against moisture. As an example, the organic EL display is caused by the moisture in the ambient atmosphere that is taken in when the outer peripheral portion of the organic EL element is sealed with a sealing material, or the moisture that permeates the defective portion of the sealing layer and enters the element. A non-light emitting area called a dark spot is generated in the apparatus, and there is a problem in life that light emission cannot be maintained.
このため、従来のボトムエミッション型有機EL表示装置においては、水分を遮断する金属又はガラス製の封止材(封止キャップ)を素子裏面に接着剤で貼り合わせて中空構造とし、接着剤断面から侵入する水分は、封止材の内側に設けた吸湿性吸着材からなる多孔質吸着シートで捕まえて発光部位に到達させない構造を一般に用いてきた。 For this reason, in the conventional bottom emission type organic EL display device, a metal or glass sealing material (sealing cap) that blocks moisture is bonded to the back surface of the element with an adhesive to form a hollow structure. In general, a structure in which invading moisture is captured by a porous adsorbent sheet made of a hygroscopic adsorbent provided inside the sealing material and does not reach the light emitting site has been used.
ここにおける封止工程においては、しばしば素子と封止材との「位置ズレ」あるいは「接着剤の塗布不良」によって「接着部位への気泡の混入」といった封止不良が起こる。 In the sealing process here, a sealing failure such as “mixing of air bubbles into the adhesion site” often occurs due to “positional deviation” between the element and the sealing material or “adhesive application failure”.
これらの有機EL表示装置における封止不良に対する封止リペアにあっては、接着剤硬化後では、研削等の比較的簡便な物理的手法によって封止部位を除去することが困難である。例えば、封止キャップを用いた有機EL表示装置と同様の封止キャップを用いた半導体素子の封止リペアを挙げると、いわゆる半導体素子上の封止材及び接着剤を研削によって除去するリペアでは、基板表面が損傷される可能性が高く、多くの工程と慎重な作業が必要となる。 In the sealing repair for the sealing failure in these organic EL display devices, it is difficult to remove the sealing portion by a relatively simple physical method such as grinding after the adhesive is cured. For example, when a semiconductor element sealing repair using a sealing cap similar to an organic EL display device using a sealing cap is given, in the repair that removes the sealing material and the adhesive on the so-called semiconductor element by grinding, The substrate surface is highly likely to be damaged, requiring many steps and careful work.
なお、従来の接着剤においてエポキシ系樹脂のそれについては、キシレンに6時間程度浸漬させて溶かして封止材(封止キャップ)を引き離す方法も可能である。しかしこの方法で接着剤は完全に溶解されず、封止材の除去に大きな剥離剪断力が必要になる問題、あるいは基板表面が溶媒中へ浸漬することで不具合が発生するという問題等により実用的でない。 In addition, about the thing of an epoxy-type resin in the conventional adhesive agent, the method of immersing in xylene for about 6 hours and making it melt | dissolve and separating a sealing material (sealing cap) is also possible. However, the adhesive is not completely dissolved by this method, and it is practical due to the problem that a large peeling shear force is required for removing the sealing material, or the problem that a problem occurs when the substrate surface is immersed in a solvent. Not.
これまでは封止工程を完了した有機EL表示装置に封止不良が検知されたものについては、実用的なリペア方法がなかったために、元来高価なものであるにもかかわらず多くが破棄されており、歩留まり低下とコストアップの一因となっていた。また、従来技術にてリペアを行うにも熱や溶剤を用いる接着剤の溶融又は溶解であるため、使用できる接着剤が制限され十全な封止効果を得られないという問題があった。
そこで、本発明は実用的且つ多様な接着材料に対応できる有機EL表示装置の封止リペア
方法を提供することを課題とした。
Until now, many of the organic EL display devices that have completed the sealing process have been detected to have a sealing failure, and since there was no practical repair method, many of them were discarded despite being originally expensive. This has contributed to yield reduction and cost increase. In addition, since the adhesive is melted or dissolved using heat or a solvent even when repair is performed by the conventional technique, there is a problem that the usable adhesive is limited and a sufficient sealing effect cannot be obtained.
Accordingly, an object of the present invention is to provide a sealing repair method for an organic EL display device that can handle practical and various adhesive materials.
上記課題を解決するために、請求項1に係る発明は、キャップ型封止材により、基板上に形成した有機発光層を気密に覆うように、キャップ型封止材の端部と基板とを接着剤を介して接着固定する形態の有機EL表示装置の該接着部分のリペア方法であって、当該リペア方法は、レーザ光吸収性のバインダを接着部分に塗布する工程、バインダにレーザ照射することにより接着剤と基板間に熱歪を発生する工程、キャップ型封止材を基板から引き離す工程、キャップ型封止材を改めて基板に接着する工程、とを有することを特徴とする有機EL表示装置のリペア方法としたものである。
In order to solve the above-mentioned problem, the invention according to
請求項2に係る発明は、前記バインダが、カーボンペースト、銀ペースト、クロムペースト、金ペースト、ニッケルペースト、パラジウムペーストのいずれから選択されるか、あるいはそれらの混合ペーストであることを特徴とする請求項1に記載の有機EL表示装置のリペア方法としたものである。
The invention according to
請求項3に係る発明は、前記キャップ型封止材がガラス製であることを特徴とする請求項1に記載の有機EL表示装置のリペア方法としたものである。
The invention according to
請求項4に係る発明は、前記レーザ照射を不活性ガス環境下にて行うことを特徴とする請求項1に記載の有機EL表示装置のリペア方法としたものである。
The invention according to claim 4 is the organic EL display device repair method according to
本発明は、封止不良を起こした有機EL素子の封止材と基板の接着部に塗布したバインダに対し、レーザ光を照射し接着部に熱歪みを発生させることで、封止材を素子基板から容易に剥離可能としたもので、発光部分にダメージを与えることがない。
したがって、有機EL素子を封止前の再度の封止が可能な状態へ戻すことが可能となり歩留まりの向上とコスト低下が期待できる。
The present invention irradiates a sealing material of an organic EL element that has caused a sealing failure and a binder applied to a bonding portion of a substrate by irradiating a laser beam to generate thermal distortion in the bonding portion, thereby removing the sealing material from the element. It is easily peelable from the substrate and does not damage the light emitting portion.
Therefore, it is possible to return the organic EL element to a state where it can be sealed again before sealing, and an improvement in yield and a reduction in cost can be expected.
図1に本発明の適用されうる典型的な有機EL表示装置の断面図を示した。 FIG. 1 shows a cross-sectional view of a typical organic EL display device to which the present invention can be applied.
以下、図面を参照して本発明を説明する。なお、本発明はパッシブマトリクス方式、アクティブマトリクス方式の有機EL表示装置のどちらにも適用可能である。 The present invention will be described below with reference to the drawings. The present invention can be applied to both passive matrix type and active matrix type organic EL display devices.
図1(a)に示すように、本発明の有機EL素子は、ガラス基板1の上に、第一電極2を有している。パッシブマトリックス方式の場合、この第一電極2はストライプ状のパターンを有している。アクティブマトリックス方式の場合、第一電極2は画素ごとのパターンを有している。
As shown in FIG. 1A, the organic EL element of the present invention has a
また、図(b)は、第一電極上に正孔輸送層4と有機発光層5を塗布する前の状態を示し、図(c)は、正孔輸送層4と有機発光層5を塗布した後の状態を模式的に示す図であ
る。
Moreover, the figure (b) shows the state before apply | coating the positive hole transport layer 4 and the organic
更に、有機発光層5上に第二電極6が配置される。パッシブマトリックス方式の場合、ストライプ状を有する第一電極2と直交する形で第二電極6はストライプ状に設けられる。アクティブマトリックス方式の場合、第二電極6は、有機発光層全面に形成されるベタ電極である。
Further, the second electrode 6 is disposed on the organic
次に、本発明に係る有機EL表示装置の製造方法を説明する。 Next, a method for manufacturing the organic EL display device according to the present invention will be described.
基板としては、絶縁性を有する基板であれば使用することができる。しかし、基板側から光が出射するボトムエミッション方式の有機EL表示装置とする場合には、基板として透明なものを使用する必要がある。 As the substrate, any substrate having an insulating property can be used. However, in the case of a bottom emission type organic EL display device in which light is emitted from the substrate side, it is necessary to use a transparent substrate.
例えば、ガラス基板や石英基板が使用できる。また、ポリプロピレン、ポリエーテルサルフォン、ポリカーボネート、シクロオレフィンポリマー、ポリアリレート、ポリアミド、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のプラスチックフィルムやシートであっても良い。これら、プラスチックフィルムやシートに、有機発光媒体層への水分の侵入を防ぐことを目的として、金属酸化物薄膜、金属弗化物薄膜、金属窒化物薄膜、金属酸窒化膜薄膜、あるいは高分子樹脂膜を積層したものを基板として利用してもよい。 For example, a glass substrate or a quartz substrate can be used. Further, it may be a plastic film or sheet such as polypropylene, polyethersulfone, polycarbonate, cycloolefin polymer, polyarylate, polyamide, polymethyl methacrylate, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate. Metal oxide thin film, metal fluoride thin film, metal nitride thin film, metal oxynitride thin film, or polymer resin film for the purpose of preventing moisture from entering the organic light emitting medium layer in these plastic films and sheets You may utilize what laminated | stacked these as a board | substrate.
また、これらの基板は、あらかじめ加熱処理を行うことにより、基板内部や表面に吸着した水分を極力低減することがより好ましい。また、基板上に積層される材料に応じて、密着性を向上させるために、超音波洗浄処理、コロナ放電処理、プラズマ処理、UVオゾン処理などの表面処理を施してから使用することが好ましい。 In addition, it is more preferable to reduce the moisture adsorbed on the inside or the surface of the substrate as much as possible by performing a heat treatment on these substrates in advance. Further, in order to improve the adhesion depending on the material to be laminated on the substrate, it is preferable to use after performing surface treatment such as ultrasonic cleaning treatment, corona discharge treatment, plasma treatment, UV ozone treatment.
また、これらに薄膜トランジスタ(TFT)を形成して、アクティブマトリックス方式の有機EL表示装置用の基板とすることが可能である。薄膜トランジスタとしては、公知の薄膜トランジスタを用いることができる。具体的には、主として、ソース/ドレイン領域及びチャネル領域が形成される活性層、ゲート絶縁膜及びゲート電極から構成される薄膜トランジスタが挙げられる。薄膜トランジスタの構造としては、特に限定されるものではなく、例えば、スタガ型、逆スタガ型、トップゲート型、コプレーナ型等が挙げられる。 Further, a thin film transistor (TFT) can be formed on these to form a substrate for an active matrix organic EL display device. A known thin film transistor can be used as the thin film transistor. Specifically, a thin film transistor mainly including an active layer in which a source / drain region and a channel region are formed, a gate insulating film, and a gate electrode can be given. The structure of the thin film transistor is not particularly limited, and examples thereof include a staggered type, an inverted staggered type, a top gate type, and a coplanar type.
活性層は、特に限定されるものではなく、例えば、非晶質シリコン、多結晶シリコン、微結晶シリコン、セレン化カドミウム等の無機半導体材料又はチオフエンオリゴマー、ポリ(p−フェリレンビニレン)等の有機半導体材料により形成することができる。 The active layer is not particularly limited, and examples thereof include inorganic semiconductor materials such as amorphous silicon, polycrystalline silicon, microcrystalline silicon, cadmium selenide, thiophene oligomers, poly (p-ferylene vinylene), and the like. It can be formed of an organic semiconductor material.
これらの活性層は、例えば、アモルファスシリコンをプラズマCVD法により積層し、イオンドーピングする方法、SiH4ガスを用いてLPCVD法によりアモルファスシリコンを形成し、固相成長法によりアモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオン打ち込み法によりイオンドーピングする方法、Si2H6ガスを用いてLPCVD法により、また、SiH4ガスを用いてPECVD法によりアモルファスシリコンを形成し、エキシマレーザ等のレーザによりアニールし、アモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオンドーピング法によりイオンドーピングする方法(低温プロセス)、減圧CVD法又はLPCVD法によりポリシリコンを積層し、1000℃以上で熱酸化してゲート絶縁膜を形成し、その上にn+ポリシリコンのゲート電極を形成し、その後、イオン打ち込み法によりイオンドーピングする方法(高温プロセス)等が挙げられる。 These active layers are formed by, for example, laminating amorphous silicon by plasma CVD, ion doping, forming amorphous silicon by LPCVD using SiH 4 gas, and crystallizing amorphous silicon by solid phase growth. After obtaining silicon, ion doping by ion implantation, LPCVD using Si 2 H 6 gas, and amorphous silicon by PECVD using SiH 4 gas, and excimer laser or other laser After annealing and crystallizing amorphous silicon to obtain polysilicon, polysilicon is laminated by ion doping (low temperature process), low pressure CVD or LPCVD, and thermally oxidized at 1000 ° C. or higher. Gate insulation film Formed, the gate electrode of the n + polysilicon is formed thereon, then, a method of ion doping (high temperature process), and the like by an ion implantation method.
ゲート絶縁膜としては、通常、ゲート絶縁膜として使用されているものを用いることができ、例えば、PECVD法、LPCVD法等により形成されたSiO2;ポリシリコン膜を熱酸化して得られるSiO2等を用いることができる。 As the gate insulating film, typically, it can be used that is used as a gate insulating film, for example, PECVD method, SiO formed by the LPCVD method or the like 2; SiO obtained polysilicon film was thermally oxidized 2 Etc. can be used.
ゲート電極としては、通常、ゲート電極として使用されているものを用いることができ、例えば、アルミ、銅等の金属、チタン、タンタル、タングステン等の高融点金属、ポリシリコン、高融点金属のシリサイド、ポリサイド等が挙げられる。 As a gate electrode, what is normally used as a gate electrode can be used, for example, metals, such as aluminum and copper, refractory metals, such as titanium, tantalum, and tungsten, polysilicon, silicide of a refractory metal, Polycide etc. are mentioned.
また、薄膜トランジスタは、シングルゲート構造、ダブルゲート構造、ゲート電極が3つ以上のマルチゲート構造であってもよい。また、LDD構造、オフセット構造を有していてもよい。さらに、1つの画素中に2つ以上の薄膜トランジスタが配置されていてもよい。本件の有機EL表示装置は薄膜トランジスタが有機EL表示装置のスイッチング素子として機能するように接続されている必要があり、トランジスタのドレイン電極と有機EL表示装置の第一電極2が電気的に接続されている。薄膜トランジスタとドレイン電極と有機EL表示装置の第一電極2との接続は、平坦化膜を貫通するコンタクトホール内に形成された接続配線を介して行われる。
The thin film transistor may have a single gate structure, a double gate structure, or a multi-gate structure having three or more gate electrodes. Moreover, you may have a LDD structure and an offset structure. Further, two or more thin film transistors may be arranged in one pixel. The organic EL display device of this case needs to be connected so that the thin film transistor functions as a switching element of the organic EL display device, and the drain electrode of the transistor and the
基板上には第一電極2が設けられる。第一電極2を陽極とした場合、その材料としては、ITO(インジウムスズ複合酸化物)、IZO(インジウム亜鉛複合酸化物)、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、亜鉛アルミニウム複合酸化物等の金属複合酸化物や金、白金、クロムなどの金属材料を単層または積層したものをいずれも使用できる。第一電極2の形成方法は、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法等の乾式成膜法を用いることができる。
A
なお、低抵抗であること、溶剤耐性があること、また、ボトムミッション方式としたときには透明性が高いことなどからITOが好ましく使用できる。ITOはスパッタ法によりガラス基板上1に形成され、フォトリソ法によりパターニングされて第一電極2となる。
In addition, ITO is preferably used because of its low resistance, solvent resistance, and high transparency when the bottom mission method is adopted. ITO is formed on the
第一電極2を形成後、第一電極縁部を覆うようにして画素隔壁3が形成される。画素隔壁3は絶縁性を有する必要があり、感光性材料等を用いることができる。感光性材料としては、ポジ型であってもネガ型であってもよく、光ラジカル重合系、光カチオン重合系の光硬化性樹脂、あるいはアクリロニトリル成分を含有する共重合体、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、ノボラック樹脂、ポリイミド樹脂、およびシアノエチルプルラン等を用いることができる。また、隔壁形成材料として、SiO2、TiO2等を用いることもできる。
After the
隔壁形成材料が感光性材料の場合、形成材料溶液をスリットコート法やスピンコート法により全面コーティングしたあと、露光、現像といったフォトリソ法によりパターニングがおこなわれる。スピンコート法の場合、隔壁の高さは、スピンコートするときの回転数等の条件でコントロールできるが、1回のコーティングでは限界の高さがあり、それ以上高くするときは複数回スピンコートを繰り返す手法を用いる。また、隔壁形成材料がSiO2、TiO2の場合、スパッタリング法、CVD法といった乾式成膜法で形成可能である。隔壁のパターニングはマスクやフォトリソ法により行うことができる。 When the partition wall forming material is a photosensitive material, the entire surface of the forming material solution is coated by a slit coating method or a spin coating method, and then patterning is performed by a photolithography method such as exposure and development. In the case of the spin coating method, the height of the partition wall can be controlled by conditions such as the number of rotations when spin coating, but there is a limit height in one coating, and if it is higher than that, multiple spin coatings are performed. Use an iterative approach. Further, when the partition wall forming material is SiO 2 or TiO 2 , it can be formed by a dry film forming method such as a sputtering method or a CVD method. The patterning of the partition walls can be performed by a mask or a photolithography method.
次に、有機発光媒体層を形成する。有機発光媒体層は、有機発光層5単独から構成されたものでもよいし、正孔輸送層4と有機発光層5、その他正孔注入層、電子輸送層、電子注入層といった発光を補助するための発光補助層との積層構造としてもよい。なお、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層は必要に応じて適宜選択される。
Next, an organic light emitting medium layer is formed. The organic light-emitting medium layer may be composed of the organic light-emitting
有機発光層5は電流を流すことにより発光する層である。有機発光層5の形成する有機発光材料としては、9,10−ジアリールアントラセン誘導体、ピレン、コロネン、ペリレン、ルブレン、1,1,4,4−テトラフェニルブタジエン、トリス(8−キノラート)アルミニウム錯体、トリス(4−メチル−8−キノラート)アルミニウム錯体、ビス(8−キノラート) 亜鉛錯体、トリス(4−メチル−5−トリフルオロメチル−8−キノラート) アルミニウム錯体、トリス(4−メチル−5−シアノ−8−キノラート)アルミニウム錯体、ビス(2−メチル−5−トリフルオロメチル−8−キノリノラート)[4−(4−シアノフェニル)フェノラート]アルミニウム錯体、ビス(2−メチル−5−シアノ−8−キノリノラート)[4−(4−シアノフェニル)フェノラート]アルミニウム錯体、トリス(8−キノリノラート)スカンジウム錯体、ビス[8−(パラートシル)アミノキノリン]亜鉛錯体及びカドミウム錯体、1,2,3,4−テトラフェニルシクロペンタジエン、2,5−ジヘプチルオキシ−パラ−フェニレンビニレンなどの低分子系発光材料が使用できる。
The organic
また、クマリン系蛍光体、ペリレン系蛍光体、ピラン系蛍光体、アンスロン系蛍光体、ポリフィリン系蛍光体、キナクリドン系蛍光体、N,N’−ジアルキル置換キナクリドン系蛍光体、ナフタルイミド系蛍光体、N,N’−ジアリール置換ピロロピロール系蛍光対等、Ir錯体等の燐光性発光体などの低分子系発光材料を、高分子中に分散させたものが使用できる。高分子としてはポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルカルバゾール等が使用できる。 Also, coumarin phosphors, perylene phosphors, pyran phosphors, anthrone phosphors, polyphyrin phosphors, quinacridone phosphors, N, N′-dialkyl-substituted quinacridone phosphors, naphthalimide phosphors, A material obtained by dispersing a low molecular weight light emitting material such as an N, N′-diaryl-substituted pyrrolopyrrole-based fluorescent pair or a phosphorescent light emitter such as an Ir complex in a polymer can be used. As the polymer, polystyrene, polymethyl methacrylate, polyvinyl carbazole and the like can be used.
また、ポリ(2−デシルオキシ−1,4−フェニレン)(DO−PPP) 、ポリ[2,5−ビス−[2−(N,N,N−トリエチルアンモニウム)エトキシ]−1,4−フェニル−アルト−1,4−フェニルレン]ジブロマイド(PPP−NEt3 )ポリ[2−(2’ −エチルヘキシルオキシ)−5−メトキシ−1,4−フェニレンビニレン](MEH−PPV)、ポリ[5−メトキシ−(2−プロパノキシサルフォニド)−1,4−フェニレンビニレン](MPS−PPV)、ポリ[2,5−ビス−(ヘキシルオキシ)−1,4−フェニレン−(1−シアノビニレン)](CN−PPV)、ポリ(9,9−ジオクチルフルオレン)(PDAF) などの高分子発光材料であってもよい。PPV前駆体、PNV前駆体、PPP前駆体などの高分子前駆体が挙げられる。また、これら高分子材料に前記低分子発光材料の分散又は共重合した材料や、その他既存の発光材料を用いることもできる。 Also, poly (2-decyloxy-1,4-phenylene) (DO-PPP), poly [2,5-bis- [2- (N, N, N-triethylammonium) ethoxy] -1,4-phenyl- Alt-1,4-phenyllene] dibromide (PPP-NEt3) poly [2- (2′-ethylhexyloxy) -5-methoxy-1,4-phenylenevinylene] (MEH-PPV), poly [5-methoxy -(2-propanoxysulfonide) -1,4-phenylenevinylene] (MPS-PPV), poly [2,5-bis- (hexyloxy) -1,4-phenylene- (1-cyanovinylene)] ( CN-PPV) and poly (9,9-dioctylfluorene) (PDAF) may be used. Examples thereof include polymer precursors such as PPV precursor, PNV precursor, and PPP precursor. Further, a material obtained by dispersing or copolymerizing the low-molecular light-emitting material in these polymer materials, or other existing light-emitting materials can also be used.
正孔輸送層4の材料としては、銅フタロシアニン、テトラ(t−ブチル)銅フタロシアニン等の金属フタロシアニン類及び無金属フタロシアニン類、キナクリドン化合物、1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)シクロヘキサン、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−1,1’−ビフェニル−4 ,4’− ジアミン、N,N’−ジ(1−ナフチル)−N,N’−ジフェニル−1,1’−ビフェニル−4,4’ −ジアミン等の芳香族アミン系低分子正孔注入輸送材料や、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリビニルカルバゾール、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)とポリスチレンスルホン酸との混合物などの高分子正孔輸送材料、ポリチオフェンオリゴマー材料、その他既存の正孔輸送材料の中から選ぶことができる。 Examples of the material for the hole transport layer 4 include metal phthalocyanines such as copper phthalocyanine and tetra (t-butyl) copper phthalocyanine, and metal-free phthalocyanines, quinacridone compounds, 1,1-bis (4-di-p-tolylaminophenyl). ) Cyclohexane, N, N′-diphenyl-N, N′-bis (3-methylphenyl) -1,1′-biphenyl-4,4′-diamine, N, N′-di (1-naphthyl) -N , N′-diphenyl-1,1′-biphenyl-4,4′-diamine and other aromatic amine-based low molecular hole injection and transport materials, polyaniline, polythiophene, polyvinylcarbazole, poly (3,4-ethylenedioxy) Polymeric hole transport materials such as a mixture of thiophene and polystyrene sulfonic acid, polythiophene oligomer materials, and other existing hole transport materials It can be selected from among.
また、電子輸送層の材料としては、2−(4−ビフィニルイル)−5−(4−t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、2,5−ビス(1−ナフチル)−1,3, 4−オキサジアゾール、オキサジアゾール誘導体やビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリノラート)ベリリウム錯体、トリアゾール化合物等を用いることができる。 As a material for the electron transport layer, 2- (4-bifinylyl) -5- (4-t-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole, 2,5-bis (1-naphthyl)- 1,3,4-oxadiazole, oxadiazole derivatives, bis (10-hydroxybenzo [h] quinolinolato) beryllium complexes, triazole compounds, and the like can be used.
有機発光材料を溶解または分散する溶媒としては、トルエン、キシレン、アセトン、ヘキサン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メタノール
、エタノール、イソプロピルアルコール、酢酸エチル、酢酸ブチル、2−メチル−(t−ブチル)ベンゼン、1,2,3,4−テトラメチルベンゼン、ペンチルベンゼン、1,3,5−トリエチルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、1,3,5−トリ−イソプロピルベンゼン等を単独又は混合して用いることができる。また、有機発光インキには、必要に応じて、界面活性剤、酸化防止剤、粘度調整剤、紫外線吸収剤等が添加されてもよい。
Solvents that dissolve or disperse the organic light emitting material include toluene, xylene, acetone, hexane, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, methanol, ethanol, isopropyl alcohol, ethyl acetate, butyl acetate, 2-methyl- (t-butyl) Benzene, 1,2,3,4-tetramethylbenzene, pentylbenzene, 1,3,5-triethylbenzene, cyclohexylbenzene, 1,3,5-tri-isopropylbenzene and the like can be used alone or in combination. . Moreover, surfactant, antioxidant, a viscosity modifier, a ultraviolet absorber, etc. may be added to organic luminescent ink as needed.
正孔輸送材料、電子輸送材料を溶解または分散させる溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、酢酸エチル、酢酸ブチル、水等の単独またはこれらの混合溶剤などが挙げられる。特に、正孔輸送材料をインキ化する場合には水またはアルコール類が好適である。 Solvents that dissolve or disperse the hole transport material and electron transport material include, for example, toluene, xylene, acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, methanol, ethanol, isopropyl alcohol, ethyl acetate, butyl acetate, water, etc. Alternatively, a mixed solvent thereof can be used. In particular, water or alcohols are suitable when forming a hole transport material into an ink.
有機発光媒体層は湿式成膜法により形成される。なお、有機発光媒体層が積層構造から構成される場合には、その各層の全てを湿式成膜法により形成する必要はない。湿式成膜法としては、スピンコート法、ダイコート法、ディップコート法、吐出コート法、プレコート法、ロールコート法、バーコート法等の塗布法と、凸版印刷法、インクジェット印刷法、オフセット印刷法、グラビア印刷法等の印刷法が挙げられる。特に、有機発光層5を形成する場合、例えば印刷法を用いれば画素部に選択的に適用することができる。このため、各画素に、互いに異なる色彩に発光する発光層を印刷して、カラー表示のできる有機EL素子を製造することも可能となる。
The organic light emitting medium layer is formed by a wet film forming method. In the case where the organic light emitting medium layer has a laminated structure, it is not necessary to form all of the layers by a wet film formation method. As the wet film forming method, spin coating method, die coating method, dip coating method, discharge coating method, pre-coating method, roll coating method, bar coating method and the like, relief printing method, inkjet printing method, offset printing method, Examples of the printing method include a gravure printing method. In particular, when the organic
特に、有機発光層5の形成方法は凸版印刷法によって好適に形成される。凸版印刷法はインクジェット法と異なり、版と基板が直接的に接するようにしてインキが転移されるため、隔壁は低くすることが望ましい。本発明において凸版印刷法に用いる凸版は水現像タイプの樹脂凸版を用いることが好ましい。本発明における樹脂版を構成する水現像タイプの感光性樹脂としては、例えば親水性のポリマーと不飽和結合を含むモノマーいわゆる架橋性モノマー及び光重合開始剤を構成要素とするタイプが挙げられる。このタイプでは、親水性ポリマーとしてポリアミド、ポリビニルアルコール、セルロース誘導体等が用いられる。また、架橋性モノマーとしては、例えばビニル結合を有するメタクリレート類が挙げられ、光重合開始剤としては例えば芳香族カルボニル化合物が挙げられる。中でも、印刷適性の面からポリアミド系の水現像タイプの感光性樹脂が好適である。
In particular, the organic
有機発光層5の形成に用いる印刷装置は、平板に印刷する方式の凸版印刷装置であれば使用可能であるが、以下に示すような印刷装置が望ましい。図2に本発明の凸版印刷装置の概略図を示した。本製造装置は、インクタンク8とインキチャンバー9とアニロックスロール10と樹脂凸版12を取り付けした版胴11を有している。インクタンク8には、溶剤で希釈された有機発光インキが収容されており、インキチャンバー9にはインクタンク8より有機発光インキが送り込まれるようになっている。アニロックスロール10は、インキチャンバー9のインキ供給部及び版胴11に接して回転するようになっている。
The printing apparatus used for forming the organic
アニロックスロール10の回転にともない、インキチャンバー9から供給された有機発光インキはアニロクスロール10表面に均一に保持されたあと、版胴11に取り付けされた樹脂凸版12の凸部に均一な膜厚で転移する。さらに、被印刷基板13は摺動可能な基板固定台上に固定され、版のパターンと基板のパターンの位置調整機構により、位置調整しながら印刷開始位置まで移動して、版胴11の回転に合わせて樹脂凸版12の凸部が基板に接しながらさらに移動し、ステージ14上にある被印刷基板13の所定位置にパターニングしてインキを転移する。
As the
次に、第二電極6を形成する。第二電極6を陰極とした場合その材料としては電子注入効率の高い物質を用いる。具体的にはMg、AL、Yb等の金属単体を用いたり、発光媒
体と接する界面にLiや酸化Li、LiF等の化合物を1nm 程度挟んで、安定性・導電性の高いAlやCuを積層して用いる。または電子注入効率と安定性を両立させるため、低仕事関数なLi、Mg、Ca、Sr、La、Ce、Er、Eu、Sc、Y、Yb等の金属1種以上と、安定なAg、Al、Cu等の金属元素との合金系が用いられる。具体的にはMgAg,AlLi,CuLi等の合金が使用できる。また、トップエミッション方式の有機EL素子とする場合は、陰極は透明性を有する必要があり、例えば、これら金属とITO等の透明導電層の組み合わせによる透明化が可能となる。
Next, the second electrode 6 is formed. When the second electrode 6 is a cathode, a material having a high electron injection efficiency is used. Specifically, a single metal such as Mg, AL, or Yb is used, or a compound such as Li, oxidized Li, or LiF is sandwiched about 1 nm at the interface contacting the light emitting medium, and Al or Cu having high stability and conductivity is laminated. And use. Or, in order to achieve both electron injection efficiency and stability, one or more metals such as Li, Mg, Ca, Sr, La, Ce, Er, Eu, Sc, Y, Yb, etc., which have low work function, and stable Ag, Al An alloy system with a metal element such as Cu is used. Specifically, alloys such as MgAg, AlLi, and CuLi can be used. Further, in the case of a top emission type organic EL device, the cathode needs to have transparency, and for example, transparency can be achieved by a combination of these metals and a transparent conductive layer such as ITO.
第二電極6の形成方法は、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法等の乾式成膜法を用いることができる。厚さは10nm〜1μm程度が望ましい。なお、本発明では第一の電極を陰極、第二の電極を陽極とすることも可能である。 As a method for forming the second electrode 6, a dry film forming method such as a resistance heating vapor deposition method, an electron beam vapor deposition method, a reactive vapor deposition method, an ion plating method, or a sputtering method can be used. The thickness is preferably about 10 nm to 1 μm. In the present invention, the first electrode can be a cathode and the second electrode can be an anode.
この有機EL表示装置は両電極間に発光材料が挟みこまれた部位に対し電流を流すことで発光させることが可能であるが、有機発光媒体層や電極形成材料の一部は大気中の水分や酸素によって容易に劣化してしまうため通常は外部と遮断するための封止体を設ける必要がある。 This organic EL display device can emit light by passing an electric current through a portion where a light emitting material is sandwiched between both electrodes, but part of the organic light emitting medium layer and the electrode forming material is moisture in the atmosphere. Ordinarily, it is necessary to provide a sealing body for shielding from the outside.
封止体は、例えば第一電極2、有機発光層5を含む有機発光媒体層、第二電極6が形成された基板に対して、無アルカリガラス、アルカリガラス等のガラスの封止材7を用い、封止材7と有機EL表示装置を水分や酸素を排除し窒素やアルゴンといった不活性ガス環境となるグローブボックス内にて貼り合わせることにより形成される(図1)。
The sealing body is made of, for example, a
このとき貼り合せの際には接着部位に対し、接着剤16を介して貼り合せが行われ、この接着剤16はディスペンサーにより一般に5〜10μmの厚みで塗布される。またここで用いた接着剤16の種類としては多くエポキシ樹脂が用いられ具体的にはビスフェノール化合物とエピクロルヒドリンからなるプレポリマーといったエポキシ樹脂、その他にもアクリル酸エステルやメタクリル酸エステル、エチレンエチルアクリレートポリマー等といったアクリル樹脂やシリコーン樹脂などからなる光硬化型接着性樹脂並びに熱硬化型接着性樹脂や、ポリエチレン、ポリプロピレンなどの酸変性物からなる熱可塑性接着性樹脂などを使用することができる。
At this time, the bonding is performed on the bonding site via the adhesive 16 and the adhesive 16 is generally applied with a thickness of 5 to 10 μm by a dispenser. As the type of
また、ここで接着剤16を凝固させる手段としては、エポキシ樹脂プレポリマーの(接着剤16)塗布部位以外にマスクを施し紫外光365nmをマスク非被覆部に1分〜2分照射し接着剤16を重合させることで封止体を完成させることが出来る。 Further, as a means for solidifying the adhesive 16 here, a mask is applied to a part other than the (adhesive 16) application site of the epoxy resin prepolymer, and ultraviolet light 365 nm is irradiated to the mask non-covering portion for 1 to 2 minutes. The sealing body can be completed by polymerizing.
ここでは一例として光硬化型接着性樹脂を用いた封止手順を記載したが本発明はこれに限るものではない。 Here, the sealing procedure using the photocurable adhesive resin is described as an example, but the present invention is not limited to this.
以下ここで発生した封止不良に対する対応を以下に記す。 Hereinafter, the countermeasures against the sealing failure occurring here will be described.
水分や酸素を排除し窒素やアルゴンといった不活性ガス環境となるグローブボックス内にて、封止不良がある有機EL表示装置の基板と接着剤との界面(接着剤16)及び封止材7に対して、バインダ塗布用ディスペンサー15(特許文献2を参照)を用いて、バインダ17を第一電極2に付着しないように10μm程度の厚さで塗布する(図4参照)。
In the glove box which removes moisture and oxygen and becomes an inert gas environment such as nitrogen and argon, the interface (adhesive 16) between the substrate and the adhesive of the organic EL display device having a sealing failure and the sealing
バインダ17は、金属粉末粒径が一般に100μm以下からなり該当含有率が10〜90wt%、シート抵抗率が22〜98Ω/Sqかつ表面粗度が3.6〜11.4μmからなる市販の銀ペースト、ニッケルペースト、金ペースト、パラジウムペースト、クロムペーストまたはカーボンペースト、または前記ペースト類の様々な混合比からなるブレンド剤(一例として長野テクトロン株式会社の銀及びカーボンからなるブレンド剤など)といった材料を適宜選択して使用する。
The
このとき10μm程度以上の厚さでバインダ17を塗布すると液垂れにより第一電極2に付着してしまう恐れがあるため塗布する厚さには注意を払う必要がある。
At this time, if the
塗布されたバインダ17に向かって基板側面よりレーザ照射装置19を用い、出力50〜100μJ、パルス幅3〜10nsecにてレーザを照射する。
A
このとき上記出力値、パルス幅以上では発熱量が大きすぎるためTFT回路18にまで熱が移ってしまい焼けてしまう恐れがあり、また上記出力値、パルス幅以下ではTFT回路18から封止材7と接着剤16を解離するための発熱量が得られないため、本出力値およびパルス幅には注意を払う必要がある。
At this time, if the output value or pulse width is greater than the above value, the amount of heat generated is too large, so that heat may be transferred to the
ここで用いるレーザ照射装置19は例えばフォトニックインストゥルメンツ株式会社製MicroPointレーザ発生装置がある。
The
しかし、ここでは上記のレーザ照射装置を例に挙げているが実際にはこれに限定するものではない。 However, although the above laser irradiation apparatus is taken as an example here, the present invention is not limited to this.
照射されたレーザの熱はバインダ17を経由し、封止材7及び接着剤16を加熱し、熱により封止材7及び接着剤16が膨張し、膨張率の違いから歪みが発生し解離しやすくなり、TFT回路基板18から接着剤16と封止材7を剥離することでき、再利用可能な基板となる(図3および図4)。
The heat of the irradiated laser passes through the
これにより通常の接着剤16に用いられるエポキシ樹脂は、レーザ光を吸収することが出来ないが、バインダを介することでレーザ光由来の熱を吸収し封止材7を解離できた。従来技術(例えば、特許文献1)にてリペアを行うに場合にも、加熱や溶剤による接着剤の溶融又は溶解があったが、この時はエポキシ接着剤の素材の選択にある程度の制限があった。しかし、本実施例においてはエポキシ樹脂の素材、例えば旭電化工業株式会社製アデカレジンEP-4100、アデカレジンEP−4530、アデカレジンEP−4901、大日本インキ工業株式会社製エピクロン840、エピクロン857、エピクロン830、JER株式会社製エピコート828、エピコート801、エピコート807といった特定の素材に限定することなくリペアすることができる。
As a result, the epoxy resin used for the
薄膜トランジスタがスイッチング素子として機能するために平坦化膜に作製されたコンタクトホールを介して第一電極2と接続されるように形成されたトップエミッション用バックプレーンを用い、画素数240×320ドットでサブピクセル数720×320ドットとした。そして、120μm×360μm ピッチでサブピクセル間スペースは縦40μm 、横100μm となるようにITOをスパッタリング法によりパターン形成し、第一電極2とした。
In order for the thin film transistor to function as a switching element, a top emission backplane formed so as to be connected to the
次に、ポジ型の感光性材料であるTELRシリーズ(東京応化社製)をスピンコート法にて有効面全面に塗布した。そして、露光(10sec)、現像処理をおこない図1(b)に示したような高さ0.5μmの画素隔壁3を形成した。
Next, a positive photosensitive material TELR series (manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd.) was applied to the entire effective surface by a spin coating method. Then, exposure (10 sec) and development were performed to form a
次に、第一電極2上に正孔輸送層4として、厚さ0.1μmのポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)とポリスチレンスルホン酸の混合物(以下PEDOT/PSSという)を水に分散させ、スピンコート法により成膜した。その後、メタノールを用いてふき
取ることによって有効画素周辺にある不必要箇所にある正孔輸送インキを取り除いた。
Next, a 0.1 μm-thick poly (3,4-ethylenedioxythiophene) and polystyrenesulfonic acid mixture (hereinafter referred to as PEDOT / PSS) is dispersed in water as the hole transport layer 4 on the
次に、赤色5(R)、緑色5(G)、青色5(B)の発光色を有する有機発光材料であるポリフェニレンビニレン誘導体らを、水現像タイプの感光性樹脂凸版を用いた凸版印刷法で各色についておこない、有機発光層5を形成した。このとき、150線/インチのアニロックスロールを使用して、得られた有機発光層5の膜厚は各色80nmであった。
Next, polyphenylene vinylene derivatives, which are organic light emitting materials having emission colors of red 5 (R), green 5 (G), and blue 5 (B), are applied to a relief printing method using a water-developable photosensitive resin relief plate. The organic
次に、第二電極6として真空蒸着法でBaを5nm、その上にAlを20nm成膜した。その後大気暴露することなく露点−80度、酸素濃度1ppmの窒素下で、いわゆる不活性ガス環境下で光硬化型接着剤をディスペンサーに10μmの厚さで塗布しガラスキャップ7を張り付け、365nmの紫外光を1分間接着部位に照射することによって封止をおこない、有機EL表示装置を得た。 Next, as the second electrode 6, Ba was deposited with a thickness of 5 nm by vacuum deposition, and Al was deposited thereon with a thickness of 20 nm. Then, without exposing to the atmosphere, a photocurable adhesive was applied to a dispenser with a thickness of 10 μm in a so-called inert gas environment under nitrogen at a dew point of −80 ° C. and an oxygen concentration of 1 ppm. Sealing was performed by irradiating the adhesion site with light for 1 minute to obtain an organic EL display device.
ここで発生した封止ズレに対するリペア法としてまず、水分や酸素を排除し窒素やアルゴンといった不活性ガス環境となるグローブボックス内にて有機EL表示装置と封止ガラス7及び接着剤16の界面に対しバインダ塗布用ディスペンサー15を用いバインダ17として粉末粒径が90μmからなり含有率が80wt%、シート抵抗率が74Ω/Sqかつ表面粗度が4.1μmからなる長野テクトロン株式会社製銀ペーストを10μmの厚さで塗布した後に、フォトニックインストゥルメンツ株式会社製MicroPointoレーザ発生装置を用いこの部位に向かって熱歪みを発生させる出力100μJ、パルス幅3nsecにてレーザを照射し、接着剤16と封止ガラス7に熱歪みを発生させTFT回路18から剥離 (図4)。
As a repair method for the sealing displacement generated here, first, at the interface between the organic EL display device, the sealing
封止ガラス7を剥離した有機EL表示装置は有機発光層5やTFT回路18などに不具合を発生することもなく、封止前と同様の状態を維持しており再度封止しリペア品として完成させ特性を検査した結果、良品と遜色ない結果が得られた(表1)。
The organic EL display device from which the sealing
(比較例1)
実施例1と同様の工程を経て発生した封止不良の有機EL表示装置を300℃のホットプレート上で加温し接着剤16の融解を試みた。その結果、封止ガラス7の剥離に成功したが有機層の一部が加温による熱変形(膜ムラ)が見られ、再封止後の有機EL表示装置の特性低下が見られた(表1)。
(Comparative Example 1)
The poorly sealed organic EL display device generated through the same steps as in Example 1 was heated on a hot plate at 300 ° C. to try to melt the adhesive 16. As a result, the sealing
(比較例2)
実施例1と同様の工程を経て発生した封止不良の有機EL表示装置をキシレンへ6時間浸漬し接着剤16の溶解を試みた。その結果、封止ガラス7の剥離に成功したが浸漬した際に有機層へのキシレンの浸透により有機層の一部の膨潤状態(膜ムラ)が見られ、再封止後の有機EL表示装置の特性低下が見られた(表1)。
(Comparative Example 2)
The poorly sealed organic EL display device generated through the same steps as in Example 1 was immersed in xylene for 6 hours to try to dissolve the adhesive 16. As a result, the sealing
(比較例3)
実施例1と同様の工程を経て発生した封止不良の有機EL表示装置の封止部に対して研磨剤を用い板ヤスリブラシ20により封止ガラス7と接着剤16の界面の研磨を試みた。その結果、封止ガラス7の剥離に成功したが研磨によるTFT回路18の一部配線断裂21が確認され封止前の有機EL表示装置の状態へと復元は出来なかった(図5及び表1)。
(Comparative Example 3)
An abrasive was used for the sealing portion of the poorly sealed organic EL display device generated through the same steps as in Example 1, and an abrasive was used to polish the interface between the sealing
本発明によれば、これまで廃棄されるべき封止部に不良を起こした有機EL表示装置が、封止材を剥離することで再度封止可能な有機EL表示装置先駆体として再生でき、歩留まり
の向上が可能となる。
According to the present invention, an organic EL display device that has caused a defect in a sealing portion that should be discarded so far can be regenerated as an organic EL display device precursor that can be sealed again by peeling off the sealing material, and the yield Can be improved.
1・・・ガラス基板
2・・・第一電極
3・・・画素隔壁
4・・・正孔輸送層
5・・・有機発光層
6・・・第二電極層
7・・・封止材
8・・・インキタンク
9・・・インキチャンバー
10・・・アニロクスロール
11・・・版胴
12・・・樹脂凸版
13・・・被印刷基板
14・・・ステージ
15…バインダ塗布用ディスペンサー
16・・・接着剤
17・・・バインダ
18・・・TFT回路基板
19・・・レーザ照射装置
20・・・…板ヤスリブラシ
21・・・配線断裂
DESCRIPTION OF
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Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2011079099A JP2012216308A (en) | 2011-03-31 | 2011-03-31 | Method for repairing sealing of organic el display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Publications (1)
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JP2012216308A true JP2012216308A (en) | 2012-11-08 |
Family
ID=47268933
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2011
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