JP2012214895A - Production method for laminate having patterned metal films, and plating layer-forming composition - Google Patents

Production method for laminate having patterned metal films, and plating layer-forming composition Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a production method for a laminate having patterned metal films, capable of readily plasma etching a plating layer and of obtaining a laminate having excellent insulating properties between the patterned metal films.SOLUTION: The production method for the laminate having patterned metal films includes: a plating layer-forming step in which a plating layer is formed on top of a substrate, using a plating layer-forming composition including a polymer having a prescribed unit; a catalyst application step in which a plating catalyst or a precursor thereof is applied to the plating layer; a plating step in which plating is performed and a metal film is formed on top of the plating layer; a pattern-forming step in which an etching fluid is used to form the patterned metal film; an acidic solution contacting step in which the substrate having the patterned metal film and an acidic solution are brought in contact with each other; and a plating layer-removal step in which the plating layer in an area in which no patterned metal film is formed, is removed by plasma etching.

Description

本発明は、パターン状金属膜を有する積層体の製造方法、および、該製造方法で使用される被めっき層形成用組成物に関する。   The present invention relates to a method for producing a laminate having a patterned metal film, and a composition for forming a plating layer used in the production method.

従来から、絶縁性基板の表面に金属パターンによる配線を形成した金属配線基板が、電子部品や半導体素子に広く用いられている。
かかる金属パターン材料の作製方法としては、主に、「サブトラクティブ法」が使用される。このサブトラクティブ法とは、基板表面に形成された金属膜上に、活性光線の照射により感光する感光層を設け、この感光層を像様露光し、その後現像してレジスト像を形成し、次いで、金属膜をエッチングして金属パターンを形成し、最後にレジストを剥離する方法である。
2. Description of the Related Art Conventionally, a metal wiring board in which wiring with a metal pattern is formed on the surface of an insulating substrate has been widely used for electronic components and semiconductor elements.
As a method for producing such a metal pattern material, a “subtractive method” is mainly used. In this subtractive method, a photosensitive layer that is exposed by irradiation with actinic rays is provided on a metal film formed on the surface of the substrate, the photosensitive layer is exposed imagewise, and then developed to form a resist image. In this method, the metal film is etched to form a metal pattern, and finally the resist is removed.

この方法により得られる金属パターンにおいては、基板表面に凹凸を設けることにより生じるアンカー効果により、基板と金属パターン(金属膜)との間の密着性を発現させている。そのため、得られた金属パターンを金属配線として使用する際、金属パターンの基板界面部の凹凸に起因して、高周波特性が悪くなるという問題点があった。また、基板表面に凹凸化処理するためには、クロム酸などの強酸で基板表面を処理する必要があるため、基板との密着性に優れた金属パターンを得るためには、煩雑な工程が必要であるという問題点があった。   In the metal pattern obtained by this method, the adhesion between the substrate and the metal pattern (metal film) is expressed by an anchor effect generated by providing irregularities on the substrate surface. For this reason, when the obtained metal pattern is used as a metal wiring, there is a problem that high frequency characteristics are deteriorated due to the unevenness of the substrate interface portion of the metal pattern. In addition, in order to process the surface of the substrate, it is necessary to treat the surface of the substrate with a strong acid such as chromic acid, and thus a complicated process is required to obtain a metal pattern with excellent adhesion to the substrate. There was a problem that.

この問題を解決する手段として、基板上に基板と高密着性を有するポリマー層を形成し、このポリマー層に対してめっきを施して、基板を凹凸化させずに密着性に優れた金属層を形成することができる(特許文献1)。該方法によれば、基板の表面を粗面化することなく、基板と金属膜との密着性を改良することができる。また、該方法に関連して、めっき触媒またはその前駆体に対する吸着性に優れた被めっき層を形成できる被めっき層形成用組成物が知られている(特許文献2、特許文献3)。   As a means for solving this problem, a polymer layer having high adhesion to the substrate is formed on the substrate, and the polymer layer is plated to form a metal layer having excellent adhesion without making the substrate uneven. It can be formed (Patent Document 1). According to this method, the adhesion between the substrate and the metal film can be improved without roughening the surface of the substrate. Further, in relation to the method, a composition for forming a layer to be plated that can form a layer to be plated that is excellent in adsorptivity to the plating catalyst or its precursor is known (Patent Documents 2 and 3).

特開2009−007662号公報JP 2009-007662 A 特開2010−248464号公報JP 2010-248464 A 特開2009−10336号公報JP 2009-10336 A

一方、近年、プリント配線板などの微細配線においては、配線(金属パターン)の高集積化に伴い、配線間の絶縁信頼性のより一層の向上が要求されている。また同時に経済性の観点から、全面めっきを行い、エッチングにより配線を形成する工法(セミアディティブ工法・サブトラクティブ工法)に対するニーズが高まっている。
本発明者らは、特許文献2に記載の所定のユニットを含むポリマーを、ニーズが高まっているセミアディティブ工法、または、サブトラクティブ工法に適用しようと考え、該ポリマーを用いて被めっき層を形成し、その上にパターン状の金属膜(めっき膜)を作製した。その際に、金属配線間に残存する被めっき層が金属配線間の絶縁信頼性に関連していることを見出した。つまり、パターン状の金属膜が形成された後、該被めっき層が配線パターン間に残存すると、パターン状の金属膜間の絶縁性を低下させる要因となる場合があることを見出した。
On the other hand, in recent years, fine wiring such as printed wiring boards has been required to further improve insulation reliability between wirings as wiring (metal patterns) is highly integrated. At the same time, from the economical point of view, there is an increasing need for methods (semi-additive method and subtractive method) in which the entire surface is plated and wiring is formed by etching.
The present inventors considered that the polymer containing the predetermined unit described in Patent Document 2 is to be applied to a semi-additive method or a subtractive method in which needs are increasing, and a layer to be plated is formed using the polymer. Then, a patterned metal film (plating film) was produced thereon. In that case, it discovered that the to-be-plated layer which remain | survives between metal wiring was related with the insulation reliability between metal wiring. That is, it has been found that if the layer to be plated remains between the wiring patterns after the pattern-like metal film is formed, the insulation between the pattern-like metal films may be reduced.

そこで、本発明者らは、パターン状の金属膜が設けられていない領域に存在する被めっき層を除去するために、プラズマエッチング処理を行ったところ、被めっき層を除去するのに長時間の処理時間を要する、または、十分に被めっき層を除去することができない、といった問題があることを見出した。   Therefore, the present inventors performed a plasma etching process in order to remove the layer to be plated existing in the region where the patterned metal film is not provided, and it took a long time to remove the layer to be plated. It has been found that there is a problem that processing time is required or the plated layer cannot be sufficiently removed.

本発明は、上記実情に鑑みて、被めっき層のプラズマエッチング処理を容易に実施することができ、パターン状金属膜間の絶縁性に優れた積層体を得ることができる、パターン状金属膜を有する積層体の製造方法、および、該製造方法に使用される被めっき層形成用組成物を提供することを目的とする。   In view of the above circumstances, the present invention provides a patterned metal film that can easily perform a plasma etching treatment of a layer to be plated and can obtain a laminate having excellent insulation between the patterned metal films. It aims at providing the manufacturing method of the laminated body which has, and the composition for to-be-plated layer forming used for this manufacturing method.

本発明者らは、上記課題について鋭意検討した結果、所定のユニットを有するポリマーを使用する共に、所定の酸性溶液との接触工程を設けることにより、上記課題を解決できることを見出した。
つまり、本発明者らは、以下に示す手段により上記目的を達成しうることを見出した。
As a result of intensive studies on the above problems, the present inventors have found that the above problems can be solved by using a polymer having a predetermined unit and providing a contact step with a predetermined acidic solution.
That is, the present inventors have found that the above object can be achieved by the following means.

(1) 後述する式(A)で表されるユニット、後述する式(B)で表されるユニット、および後述する式(C)で表されるユニットを含むポリマーを含む被めっき層形成用組成物を基板上に接触させた後、基板上の前記被めっき層形成用組成物に対してエネルギーを付与して、基板上に被めっき層を形成する被めっき層形成工程と、
被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与する触媒付与工程と、
めっき触媒またはその前駆体が付与された被めっき層に対してめっき処理を行い、被めっき層上に金属膜を形成するめっき工程と、
めっき工程後に、金属成分または過酸化水素を含むエッチング液を使用してパターン状金属膜を形成するパターン形成工程と、
パターン状金属膜を有する基板と、金属成分または過酸化水素を実質的に含まない酸性溶液とを接触させる酸性溶液接触工程と、
パターン状金属膜が形成されていない領域の被めっき層を、プラズマエッチング処理により除去する被めっき層除去工程と、を備える、パターン状金属膜を有する積層体の製造方法。
(1) A composition for forming a layer to be plated, including a unit represented by the formula (A) described later, a unit represented by the formula (B) described later, and a polymer represented by the formula (C) described later. An object is brought into contact with the substrate, and then energy is applied to the composition for forming a layer to be plated on the substrate to form a layer to be plated on the substrate;
A catalyst application step for applying a plating catalyst or a precursor thereof to the layer to be plated;
A plating step of performing a plating treatment on the layer to be plated to which the plating catalyst or its precursor is applied, and forming a metal film on the layer to be plated;
After the plating step, a pattern forming step of forming a patterned metal film using an etching solution containing a metal component or hydrogen peroxide,
An acidic solution contact step in which a substrate having a patterned metal film is contacted with an acidic solution substantially free of a metal component or hydrogen peroxide;
A method for producing a laminate having a patterned metal film, comprising: a plated layer removal step of removing a plated layer in a region where the patterned metal film is not formed by plasma etching.

(2) エッチング液が酸性である、(1)に記載のパターン状金属膜を有する積層体の製造方法。
(3) 金属成分が、銅イオンまたは鉄イオンである、(1)または(2)に記載のパターン状金属膜を有する積層体の製造方法。
(4) 酸性溶液が、塩酸水溶液、硫酸水溶液、または硝酸水溶液である、(1)〜(3)のいずれかに記載のパターン状金属膜を有する積層体の製造方法。
(5) (1)〜(4)のいずれかに記載の製造方法によって製造されたパターン状金属膜を有する積層体と、パターン状金属膜を有する積層体上に設けられる絶縁層とを備える配線基板。
(2) The manufacturing method of the laminated body which has a patterned metal film as described in (1) whose etching liquid is acidic.
(3) The manufacturing method of the laminated body which has a patterned metal film as described in (1) or (2) whose metal component is a copper ion or an iron ion.
(4) The manufacturing method of the laminated body which has a patterned metal film in any one of (1)-(3) whose acidic solution is hydrochloric acid aqueous solution, sulfuric acid aqueous solution, or nitric acid aqueous solution.
(5) A wiring comprising a laminate having a patterned metal film produced by the production method according to any one of (1) to (4), and an insulating layer provided on the laminate having the patterned metal film substrate.

(6) 後述する式(A)で表されるユニット、後述する式(B)で表されるユニット、および後述する式(C)で表されるユニットを有するポリマーを含む被めっき層形成用組成物。
(7) 式(A)で表されるユニットが、後述する式(A−1)で表されるユニットである、(6)に記載の被めっき層形成用組成物。
(8) L1が、メチル基、エチル基、またはプロピル基で置換されていてもよい炭素数1〜6の2価の直鎖状炭化水素基である、(7)に記載の被めっき層形成用組成物。
(9) 式(B)で表されるユニットが、後述する式(B−1)で表されるユニット、または後述する式(B−2)で表されるユニットである、(6)〜(8)のいずれかに記載の被めっき層形成用組成物。
(6) A composition for forming a layer to be plated, including a unit represented by formula (A) described later, a unit represented by formula (B) described later, and a unit represented by formula (C) described later. object.
(7) The composition for forming a plated layer according to (6), wherein the unit represented by the formula (A) is a unit represented by the formula (A-1) described later.
(8) The plated layer according to (7), wherein L 1 is a divalent linear hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms which may be substituted with a methyl group, an ethyl group, or a propyl group. Forming composition.
(9) The units represented by the formula (B) are units represented by the formula (B-1) described later, or units represented by the formula (B-2) described later (6) to ( The composition for forming a plated layer according to any one of 8).

本発明によれば、被めっき層のプラズマエッチング処理を容易に実施することができ、パターン状金属膜間の絶縁性に優れた積層体を得ることができる、パターン状金属膜を有する積層体の製造方法、および、該製造方法に使用される被めっき層形成用組成物を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the plasma etching process of a to-be-plated layer can be implemented easily, and the laminated body which was excellent in the insulation between patterned metal films can be obtained. A production method and a composition for forming a plated layer used in the production method can be provided.

(A)〜(E)は、それぞれ本発明のパターン状金属膜を有する積層体の製造方法における各製造工程を順に示す模式的断面図である。(A)-(E) are typical sectional drawings which show in order each manufacturing process in the manufacturing method of the laminated body which has a patterned metal film of this invention, respectively. (A)〜(C)は、パターン形成工程の一つの好適態様を示す各工程図である。(A)-(C) are each process drawing which shows one suitable aspect of a pattern formation process. (A)〜(E)は、パターン形成工程の他の好適態様を示す各工程図である。(A)-(E) are each process drawing which shows the other suitable aspect of a pattern formation process.

以下に、本発明のパターン状金属膜を有する積層体の製造方法、および、該方法に使用される被めっき層形成用組成物の好適実施態様について説明する。   Below, the suitable embodiment of the manufacturing method of the laminated body which has a patterned metal film of this invention, and the composition for to-be-plated layer formation used for this method is demonstrated.

まず、本発明の従来技術と比較した特徴点について詳述する。
本発明者らは、従来技術(上記特許文献1〜3)に記載の発明より得られる積層体中の被めっき層を除去する際の問題点について検討を行ったところ、被めっき層中に残存する金属成分が影響を与えていることを見出した。つまり、金属成分が多く残存しているほど、その後の被めっき層のプラズマエッチング処理に影響を及ぼすことを見出した。
被めっき層中の金属成分を減らす手としては、めっき触媒の吸着量を減らす手もあるが、この場合、めっき処理の際にある一定時間で十分な厚みの金属膜(めっき膜)を得ることができないと共に、得られる金属膜の密着性にも劣る。
First, the feature point compared with the prior art of this invention is explained in full detail.
When the present inventors examined the problem at the time of removing the to-be-plated layer in the laminated body obtained from the invention of a prior art (the said patent documents 1-3), it remains in a to-be-plated layer. It was found that the metal component to be affected. That is, it has been found that the more the metal component remains, the more it affects the subsequent plasma etching process of the layer to be plated.
One way to reduce the metal component in the layer to be plated is to reduce the adsorption amount of the plating catalyst. In this case, obtain a metal film (plating film) with sufficient thickness in a certain time during the plating process. In addition, the adhesion of the resulting metal film is inferior.

本発明者らは、上記知見に基づき鋭意検討を行った結果、シアノ基などの官能基を実質的に含まずに、カルボン酸基、スルホン酸基、リン酸基、またはそれらの塩などの相互作用性基を有し、かつ、所定のアルキル基を有するポリマーを使用すると共に、所定のエッチング液で金属膜をエッチングし、さらにプラズマエッチング処理前に被めっき層と酸性溶液とを接触させることにより、所望の効果が得られることを見出した。
より具体的には、上記カルボン酸基などの相互作用性基はめっき触媒と吸着する特性を有するが、酸性溶液より水素イオンを供給された場合、めっき触媒を容易に脱着する。つまり、酸性溶液によって、被めっき層中の金属成分が除かれ、プラズマエッチング処理がより良好に進行することを見出した。なお、シアノ基などの場合、水素イオンによるめっき触媒の脱着が起こりにくく、所望の効果が得られない。
As a result of intensive studies based on the above findings, the present inventors have found that a carboxylic acid group, a sulfonic acid group, a phosphoric acid group, or a salt thereof are mutually contained without substantially including a functional group such as a cyano group. By using a polymer having an active group and having a predetermined alkyl group, etching the metal film with a predetermined etching solution, and further bringing the plating layer into contact with the acidic solution before the plasma etching process The inventors have found that the desired effect can be obtained.
More specifically, the interactive group such as the carboxylic acid group has a property of adsorbing to the plating catalyst, but when the hydrogen ion is supplied from an acidic solution, the plating catalyst is easily desorbed. That is, it has been found that the metal component in the layer to be plated is removed by the acidic solution, and the plasma etching process proceeds better. In the case of a cyano group or the like, desorption of the plating catalyst due to hydrogen ions hardly occurs, and a desired effect cannot be obtained.

まず、本発明の被めっき層形成用組成物の構成成分(ポリマーなど)について詳述し、その後、該組成物を使用したパターン状金属膜を有する積層体の製造方法について詳述する。   First, the constituent components (polymer, etc.) of the composition for forming a layer to be plated of the present invention will be described in detail, and then a method for producing a laminate having a patterned metal film using the composition will be described in detail.

<被めっき層形成用組成物>
(ポリマー)
本発明で使用されるポリマーは、式(A)で表されるユニット、式(B)で表されるユニット、および式(C)で表されるユニットを少なくとも有する。
ポリマー中に式(A)で表されるユニットが含まれることにより、ポリマー間の架橋や、基板とポリマーとの間で化学結合が形成され、得られる金属膜の密着性がより向上する。更に、(メタ)アクリルアミド基を有するため耐アルカリ性の高い膜が形成できる。また、式(B)で表されるユニット中のカルボン酸基、スルホン酸基、リン酸基、またはそれらの塩がめっき触媒を吸着する事が可能であり、それにより後述する無電解めっきなどを行うことができる。また、同時に後述する酸性溶液によって、被めっき層中に吸着していためっき触媒またはその前駆体を脱着することができるため、金属膜のエッチング処理後、露出した被めっき層中にめっき触媒が残存しにくい。そのため、プラズマエッチング処理時において、より効率的に被めっき層を除去することができる。さらに、式(C)で表されるユニットが含まれることにより、ポリマーの疎水性が向上し、無電解めっき時のアルカリ溶液によるダメージを受けにくくなる。
<Composition for plating layer formation>
(polymer)
The polymer used in the present invention has at least a unit represented by the formula (A), a unit represented by the formula (B), and a unit represented by the formula (C).
By including the unit represented by the formula (A) in the polymer, cross-linking between the polymers and chemical bonds are formed between the substrate and the polymer, and the adhesion of the resulting metal film is further improved. Furthermore, since it has a (meth) acrylamide group, a film with high alkali resistance can be formed. In addition, the carboxylic acid group, sulfonic acid group, phosphoric acid group, or salt thereof in the unit represented by the formula (B) can adsorb the plating catalyst, thereby performing electroless plating described later. It can be carried out. At the same time, the plating catalyst adsorbed in the layer to be plated or its precursor can be desorbed by the acidic solution described later, so that the plating catalyst remains in the exposed layer to be plated after the metal film etching process. Hard to do. Therefore, the plated layer can be more efficiently removed during the plasma etching process. Furthermore, the inclusion of the unit represented by the formula (C) improves the hydrophobicity of the polymer and makes it difficult to be damaged by the alkaline solution during electroless plating.

式(A)〜式(C)中、R1、R2、R4、およびR6は、それぞれ独立に、水素原子、またはメチル基を表す。好ましくは水素原子である。
3は、水素原子、メチル基、エチル基、t−ブチル基、またはn−ブチル基を表す。なかでも、単位重量あたりの重合性基量を多くして重合感度を向上させる点、また、(メタ)アクリルアミド基の重合性の点から、水素原子が好ましい。
In formula (A) to formula (C), R 1 , R 2 , R 4 , and R 6 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group. Preferably it is a hydrogen atom.
R 3 represents a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, a t-butyl group, or an n-butyl group. Among these, a hydrogen atom is preferable from the viewpoint of increasing the polymerization sensitivity by increasing the amount of the polymerizable group per unit weight and the polymerizability of the (meth) acrylamide group.

Vは、単結合、エステル基、アミド基、またはフェニレン基を表す。なかでも、合成の容易さの点および本発明の効果が優れる点から、単結合、エステル基、またはフェニレン基が好ましく、エステル基であることがより好ましい。
Wは、単結合、エステル基、アミド基、またはフェニレン基を表す。なかでも、単位重量あたりのXの含有量を増やす観点より、単結合が好ましい。
V represents a single bond, an ester group, an amide group, or a phenylene group. Among these, a single bond, an ester group, or a phenylene group is preferable from the viewpoint of ease of synthesis and the effect of the present invention, and an ester group is more preferable.
W represents a single bond, an ester group, an amide group, or a phenylene group. Among these, a single bond is preferable from the viewpoint of increasing the content of X per unit weight.

1は、2価の炭化水素基を表す。炭化水素基の炭素数は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、炭素数1〜6が好ましく、炭素数1〜3がより好ましい。炭化水素基の種類としては、2価の脂肪族炭化水素基(例えば、メチレン基、エチレン基)、または2価の芳香族炭化水素基(例えば、フェニレン基)のいずれであってもよい。なお、脂肪族炭化水素基としては、直鎖状、分岐状、環状のいずれであってもよく、酸素原子やアルキル基で置換されていてもよい。
なかでも、単位重量あたりの重合性基量を多くして重合感度を向上させる点から、L1は、メチル基、エチル基、およびプロピル基からなる群から選ばれる基で置換されていてもよい炭素数1〜3の2価の直鎖状炭化水素基であることが好ましい。
L 1 represents a divalent hydrocarbon group. Although carbon number in particular of a hydrocarbon group is not restrict | limited, C1-C6 is preferable and C1-C3 is more preferable at the point which the effect of this invention is more excellent. As a kind of hydrocarbon group, any of a bivalent aliphatic hydrocarbon group (for example, a methylene group, ethylene group) or a bivalent aromatic hydrocarbon group (for example, phenylene group) may be sufficient. The aliphatic hydrocarbon group may be linear, branched or cyclic, and may be substituted with an oxygen atom or an alkyl group.
Among these, L 1 may be substituted with a group selected from the group consisting of a methyl group, an ethyl group, and a propyl group from the viewpoint of improving the polymerization sensitivity by increasing the amount of the polymerizable group per unit weight. A divalent linear hydrocarbon group having 1 to 3 carbon atoms is preferable.

2は、単結合、または、2価の有機基を表す。
2価の有機基としては、置換若しくは無置換の脂肪族炭化水素基(好ましくは炭素数1〜8)、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基(好ましくは炭素数6〜12)、−O−、−S−、−SO2−、−N(R)−(R:アルキル基)、−CO−、−NH−、−COO−、−CONH−、またはこれらを組み合わせた基(例えば、アルキレンオキシ基、アルキレンオキシカルボニル基、アルキレンカルボニルオキシ基など)などが挙げられる。
置換または無置換の脂肪族炭化水素基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、若しくはブチレン基、または、これらの基が、メトキシ基、塩素原子、臭素原子、若しくはフッ素原子等で置換されたものが好ましい。
置換または無置換の芳香族炭化水素基としては、無置換のフェニレン基、または、メトキシ基、塩素原子、臭素原子、若しくはフッ素原子等で置換されたフェニレン基が好ましい。
なかでも、ポリマーの親水性の点から、L2は、メチル基、エチル基、およびプロピル基からなる群から選ばれる基で置換されていてもよい炭素数1〜6の2価の直鎖状炭化水素基、エチレンオキシド基、プロピレンオキシド基、エステル基(−COO−)を有する炭素数2〜8の2価の炭化水素基、または単結合が好ましく、最も好ましくは単結合である。
L 2 represents a single bond or a divalent organic group.
Examples of the divalent organic group include a substituted or unsubstituted aliphatic hydrocarbon group (preferably having 1 to 8 carbon atoms), a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group (preferably having 6 to 12 carbon atoms), -O —, —S—, —SO 2 —, —N (R) — (R: alkyl group), —CO—, —NH—, —COO—, —CONH—, or a combination thereof (for example, alkylene Oxy group, alkyleneoxycarbonyl group, alkylenecarbonyloxy group, etc.).
As a substituted or unsubstituted aliphatic hydrocarbon group, a methylene group, an ethylene group, a propylene group, or a butylene group, or these groups are substituted with a methoxy group, a chlorine atom, a bromine atom, a fluorine atom, or the like Those are preferred.
As the substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group, an unsubstituted phenylene group or a phenylene group substituted with a methoxy group, a chlorine atom, a bromine atom, a fluorine atom or the like is preferable.
Among these, L 2 is a divalent linear chain having 1 to 6 carbon atoms which may be substituted with a group selected from the group consisting of a methyl group, an ethyl group, and a propyl group from the viewpoint of the hydrophilicity of the polymer. A hydrocarbon group, an ethylene oxide group, a propylene oxide group, a divalent hydrocarbon group having 2 to 8 carbon atoms having an ester group (—COO—), or a single bond is preferable, and a single bond is most preferable.

Xは、カルボン酸基、スルホン酸基、リン酸基、またはそれらの塩を表す。なかでも、合成の容易性の点から、カルボン酸基、スルホン酸基が好ましく、化合物の安定性の点から、カルボン酸基がより好ましい。   X represents a carboxylic acid group, a sulfonic acid group, a phosphoric acid group, or a salt thereof. Of these, carboxylic acid groups and sulfonic acid groups are preferable from the viewpoint of ease of synthesis, and carboxylic acid groups are more preferable from the viewpoint of stability of the compound.

Zは、−OR7基、または、−N(R8)2基を表す。なかでも、耐アルカリ性の点で、−N(R8)2基が好ましい。
7は、アルキル基、フェニル基、またはそれらを組み合わせた基を表す。なお、R7には、−O−(酸素原子)が含まれていてもよい。アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基、n−プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、ペンチル基、または2−エチル−ヘキシル基が挙げられる。なかでも、耐アルカリ性の点で、イソプロピル基、t−ブチル基が好ましい。
8は、それぞれ独立に、水素原子、または、−O−を含んでいてもよいアルキル基を表す。アルキル基としては、メチル基、またはエチル基などが挙げられる。なお、R8は、互いに結合して環を形成していてもよい。なかでも、ポリマーがより疎水性になり耐アルカリ性がより向上する点で、エチル基、モルホリン基が好ましい。
Z represents a —OR 7 group or a —N (R 8 ) 2 group. Of these, —N (R 8 ) 2 is preferred from the viewpoint of alkali resistance.
R 7 represents an alkyl group, a phenyl group, or a group obtained by combining them. R 7 may contain —O— (oxygen atom). Examples of the alkyl group include methyl group, ethyl group, isopropyl group, n-propyl group, n-butyl group, sec-butyl group, t-butyl group, pentyl group, and 2-ethyl-hexyl group. Of these, isopropyl group and t-butyl group are preferable from the viewpoint of alkali resistance.
R 8 each independently represents a hydrogen atom or an alkyl group which may contain —O—. Examples of the alkyl group include a methyl group and an ethyl group. R 8 may be bonded to each other to form a ring. Among these, an ethyl group and a morpholine group are preferable in that the polymer becomes more hydrophobic and the alkali resistance is further improved.

(好適態様)
式(A)で表されるユニットの好適態様としては、式(A−1)で表されるユニットが挙げられる。
(Preferred embodiment)
As a suitable aspect of the unit represented by Formula (A), the unit represented by Formula (A-1) is mentioned.

式(A−1)中、R1、R2、R3、およびL1の定義は、上述の通りである。
式(A−1)中、Yは、酸素原子、または、−NR5−基を表す。Yは、合成のしやすさの観点から酸素原子であることが好ましい。
5は、水素原子、メチル基、エチル基、t−ブチル基、またはn−ブチル基を表す。なかでも、単位重量あたりの重合性基量を高める点から、水素原子が好ましい。
In formula (A-1), the definitions of R 1 , R 2 , R 3 , and L 1 are as described above.
In formula (A-1), Y represents an oxygen atom or a —NR 5 — group. Y is preferably an oxygen atom from the viewpoint of ease of synthesis.
R 5 represents a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, a t-butyl group, or an n-butyl group. Of these, a hydrogen atom is preferable from the viewpoint of increasing the amount of the polymerizable group per unit weight.

式(B)で表されるユニットの好適態様としては、式(B−1)で表されるユニット、または式(B−2)で表されるユニットが挙げられる。   As a suitable aspect of the unit represented by Formula (B), the unit represented by Formula (B-1) or the unit represented by Formula (B-2) is mentioned.

式(B−1)中、R4、L2、およびXの定義は、上述の通りである。
式(B−1)中、Yは、酸素原子、または−NR5−基を表す。R5は、水素原子、メチル基、エチル基、t−ブチル基、またはn−ブチル基を表す。なかでも、合成の容易さの点から、酸素原子が好ましい。
式(B−2)中、R4およびXの定義は、上述の通りである。
なお、式(B−1)と式(B−2)とでは、式(B−2)がより好ましい態様である。
In formula (B-1), the definitions of R 4 , L 2 , and X are as described above.
In formula (B-1), Y represents an oxygen atom or a —NR 5 — group. R 5 represents a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, a t-butyl group, or an n-butyl group. Among these, an oxygen atom is preferable from the viewpoint of ease of synthesis.
In formula (B-2), the definitions of R 4 and X are as described above.
In addition, in Formula (B-1) and Formula (B-2), Formula (B-2) is a more preferable aspect.

式(C)で表されるユニットの好適態様としては、式(C−1)で表されるユニットが挙げられる。   As a suitable aspect of the unit represented by Formula (C), the unit represented by Formula (C-1) is mentioned.

式(C−1)中、R6およびR8の定義は、上述の通りである。 In formula (C-1), the definitions of R 6 and R 8 are as described above.

以下に、式(A)で表されるユニットの一例を示す。   Below, an example of the unit represented by Formula (A) is shown.

また、以下に式(B)で表されるユニットの一例を示す。   Moreover, an example of the unit represented by Formula (B) is shown below.

また、以下に式(C)で表されるユニットの一例を示す。   Moreover, an example of the unit represented by Formula (C) is shown below.

ポリマー中における式(A)で表されるユニットの含有率は特に制限されないが、反応性(硬化性、重合性)および合成の際のゲル化の抑制の点から、全ポリマーユニットに対して、5〜60モル%であることが好ましく、5〜40モル%であることがより好ましい。
また、ポリマー中における式(B)で表されるユニットの含有率は特に制限されないが、めっき触媒またはその前駆体に対する吸着性の点から、全ポリマーユニットに対して、20〜80モル%であることが好ましく、30〜80モル%であることがより好ましい。
また、ポリマー中における式(C)で表されるユニットの含有率は特に制限されないが被めっき層の親疎水性を制御する点から、全ポリマーユニットに対して、5〜75モル%であることが好ましく、5〜50モル%であることがより好ましい。
Although the content rate of the unit represented by the formula (A) in the polymer is not particularly limited, from the viewpoint of reactivity (curability, polymerizability) and suppression of gelation during synthesis, with respect to all polymer units, It is preferably 5 to 60 mol%, more preferably 5 to 40 mol%.
Further, the content of the unit represented by the formula (B) in the polymer is not particularly limited, but is 20 to 80 mol% with respect to the total polymer unit from the viewpoint of adsorptivity to the plating catalyst or its precursor. It is preferably 30 to 80 mol%.
In addition, the content of the unit represented by the formula (C) in the polymer is not particularly limited, but it is 5 to 75 mol% with respect to all polymer units from the viewpoint of controlling the hydrophilicity / hydrophobicity of the layer to be plated. Preferably, it is 5-50 mol%.

ポリマーの重量平均分子量は特に制限されないが、1000以上70万以下が好ましく、更に好ましくは2000以上20万以下である。特に、重合感度の観点から、20000以上が好ましく、合成の際のゲル化抑制の観点から10万以下が好ましい。
また、ポリマーの重合度は特に制限されないが、10量体以上のものを使用することが好ましく、更に好ましくは20量体以上のものである。また、7000量体以下が好ましく、3000量体以下がより好ましく、2000量体以下が更に好ましく、1000量体以下が特に好ましい。
The weight average molecular weight of the polymer is not particularly limited, but is preferably 1000 or more and 700,000 or less, more preferably 2000 or more and 200,000 or less. In particular, from the viewpoint of polymerization sensitivity, 20000 or more is preferable, and from the viewpoint of suppressing gelation during synthesis, 100,000 or less is preferable.
Further, the degree of polymerization of the polymer is not particularly limited, but it is preferable to use a polymer of 10-mer or more, and more preferably a polymer of 20-mer or more. Moreover, 7000-mer or less is preferable, 3000-mer or less is more preferable, 2000-mer or less is still more preferable, 1000-mer or less is especially preferable.

被めっき層形成用組成物中のポリマーの含有量は特に制限されないが、組成物全量に対して、2〜50質量%が好ましく、5〜30質量%がより好ましい。上記範囲内であれば、組成物の取扱い性に優れ、被めっき層の層厚の制御がしやすい。   Although content of the polymer in the composition for to-be-plated layer forming is not restrict | limited in particular, 2-50 mass% is preferable with respect to the composition whole quantity, and 5-30 mass% is more preferable. If it is in the said range, it is excellent in the handleability of a composition and it is easy to control the layer thickness of a to-be-plated layer.

<被めっき層形成用組成物中の他の任意成分>
(溶剤)
被めっき層形成用組成物には、必要に応じて、溶剤が含まれていてもよい。
使用できる溶剤は特に限定されず、例えば、水、メタノール、エタノール、プロパノール、エチレングリコール、グリセリン、プロピレングリコールモノメチルエーテルなどのアルコール系溶剤、酢酸などの酸、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶剤、ホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドンなどのアミド系溶剤、アセトニトリル、プロピオニトリルなどのニトリル系溶剤、酢酸メチル、酢酸エチルなどのエステル系溶剤、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネートなどのカーボネート系溶剤、この他にも、エーテル系溶剤、グリコール系溶剤、アミン系溶剤、チオール系溶剤、ハロゲン系溶剤などが挙げられる。
この中でも、アミド系溶剤、ケトン系溶剤、ニトリル系溶剤、カーボネート系溶剤が好ましく、具体的には、アセトン、ジメチルアセトアミド、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、アセトニトリル、プロピオニトリル、N−メチルピロリドン、ジメチルカーボネートが好ましい。
<Other optional components in the composition for forming a layer to be plated>
(solvent)
The composition for forming a layer to be plated may contain a solvent as necessary.
Solvents that can be used are not particularly limited, for example, alcohol solvents such as water, methanol, ethanol, propanol, ethylene glycol, glycerin, propylene glycol monomethyl ether, acids such as acetic acid, ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, Amide solvents such as formamide, dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, nitrile solvents such as acetonitrile and propionitrile, ester solvents such as methyl acetate and ethyl acetate, carbonate solvents such as dimethyl carbonate and diethyl carbonate, and others In addition, ether solvents, glycol solvents, amine solvents, thiol solvents, halogen solvents and the like can be mentioned.
Among these, amide solvents, ketone solvents, nitrile solvents, and carbonate solvents are preferable, and specifically, acetone, dimethylacetamide, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, acetonitrile, propionitrile, N-methylpyrrolidone, and dimethyl carbonate are preferable. .

被めっき層形成用組成物中に溶剤が含まれる場合、溶剤の含有量は組成物全量に対して、50〜98質量%が好ましく、70〜95質量%がより好ましい。上記範囲内であれば、組成物の取扱い性に優れ、被めっき層の層厚の制御などがしやすい。   When a solvent is contained in the composition for forming a layer to be plated, the content of the solvent is preferably 50 to 98% by mass and more preferably 70 to 95% by mass with respect to the total amount of the composition. If it is in the said range, it is excellent in the handleability of a composition and it is easy to control the layer thickness of a to-be-plated layer.

(その他添加剤)
本発明の被めっき層形成用組成物には、他の添加剤(例えば、重合開始剤、モノマー、増感剤、硬化剤、重合禁止剤、酸化防止剤、帯電防止剤、紫外線吸収剤、フィラー、粒子、難燃剤、界面活性剤、滑剤、可塑剤など)を必要に応じて添加してもよい。
(Other additives)
In the composition for forming a layer to be plated of the present invention, other additives (for example, polymerization initiator, monomer, sensitizer, curing agent, polymerization inhibitor, antioxidant, antistatic agent, ultraviolet absorber, filler) Particles, flame retardants, surfactants, lubricants, plasticizers, etc.) may be added as necessary.

<パターン状金属膜を有する積層体の製造方法>
上述した被めっき層形成用組成物を使用することにより、パターン状金属膜を有する積層体を製造することができる。その製造方法は、主に、以下の6つの工程を備える。
(被めっき層形成工程)基板上に、上記被めっき層形成用組成物を接触させた後、基板上の被めっき層形成用組成物にエネルギーを付与して、基板上に被めっき層を形成する工程
(触媒付与工程)被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与する工程
(めっき工程)めっき触媒またはその前駆体が付与された被めっき層に対してめっき処理を行い、被めっき層上に金属膜を形成する工程
(パターン形成工程)めっき工程後に、金属成分または過酸化水素を含むエッチング液を使用してパターン状金属膜を形成する工程
(酸性溶液接触工程)パターン状金属膜を有する基板と、金属成分または過酸化水素を実質的に含まない酸性溶液とを接触させる工程
(被めっき層除去工程)パターン状金属膜が形成されていない領域の被めっき層を、プラズマエッチング処理により除去する工程
以下に、各工程で使用する材料、および、その操作方法について詳述する。
<Method for Producing Laminate Having Patterned Metal Film>
By using the above-mentioned composition for forming a layer to be plated, a laminate having a patterned metal film can be produced. The manufacturing method mainly includes the following six steps.
(Plating layer forming step) After contacting the composition for forming a layer to be plated on a substrate, energy is applied to the composition for forming a layer to be plated on the substrate to form a layer to be plated on the substrate. Step of applying (catalyst applying step) Step of applying a plating catalyst or precursor thereof to the layer to be plated (plating step) Plating treatment is applied to the layer of plating to which the plating catalyst or precursor thereof has been applied. Step of forming a metal film (pattern formation step) After the plating step, forming a pattern metal film using an etching solution containing a metal component or hydrogen peroxide (acid solution contact step) having a pattern metal film A step of bringing the substrate into contact with an acidic solution substantially free of a metal component or hydrogen peroxide (plating layer removal step) A layer to be plated in a region where a patterned metal film is not formed The following step of removing by Zuma etching process, the material to be used in each step, and will be described in detail the method of operation.

<被めっき層形成工程>
被めっき層形成工程は、基板上に、上記被めっき層形成用組成物を接触させた後、被めっき層形成用組成物にエネルギーを付与して、基板上に被めっき層を形成する工程である。該工程によって形成される被めっき層は、式(B)で表されるユニット中のカルボン酸基、リン酸基、またはスルホン酸基などの機能に応じて、後述する触媒付与工程でめっき触媒またはその前駆体を吸着(付着)する。つまり、被めっき層は、めっき触媒またはその前駆体の良好な受容層として機能する。また、式(A)で表されるユニット中の二重合結合基は、ポリマー同士の結合や、基板(または、後述する密着補助層)との化学結合に利用される。その結果、被めっき層の表面に形成される金属膜(めっき膜)と、基板との間に優れた密着性が発現する。なお、本工程における好ましい態様は、被めっき層と基板とは化学結合を介して結合している態様である。
より具体的には、該工程において、図1(A)に示されるように基板10の上部に被めっき層12が形成される。なお、後述するように基板10はその表面に密着補助層を有してしてもよく、その場合、被めっき層12は密着補助層上に形成される。
<Plating layer forming process>
The to-be-plated layer forming step is a step of forming the to-be-plated layer on the substrate by bringing the above-mentioned to-be-plated layer forming composition into contact with the substrate and then applying energy to the to-be-plated layer forming composition. is there. Depending on the function of the carboxylic acid group, phosphoric acid group, sulfonic acid group, etc. in the unit represented by the formula (B), the layer to be plated formed by this step is a plating catalyst or The precursor is adsorbed (attached). That is, the layer to be plated functions as a good receiving layer for the plating catalyst or its precursor. Moreover, the bipolymer bonding group in the unit represented by the formula (A) is used for bonding between polymers and chemical bonding with a substrate (or a close adhesion auxiliary layer described later). As a result, excellent adhesion appears between the metal film (plating film) formed on the surface of the layer to be plated and the substrate. In addition, the preferable aspect in this process is an aspect in which the to-be-plated layer and the board | substrate are couple | bonded through a chemical bond.
More specifically, in this step, a layer 12 to be plated is formed on the substrate 10 as shown in FIG. As will be described later, the substrate 10 may have a close adhesion auxiliary layer on its surface. In this case, the layer to be plated 12 is formed on the close adhesion auxiliary layer.

まず、本工程で使用される材料(基板、密着補助層など)について詳述し、その後該工程の手順について詳述する。   First, the materials (substrate, adhesion auxiliary layer, etc.) used in this step will be described in detail, and then the procedure of the step will be described in detail.

(基板)
本発明に用いる基板としては、従来知られているいずれの基板も使用することができ、形状保持性を有するものであればよい。また、その表面が、後述するポリマーと化学結合しうる機能を有することが好ましい。具体的には、基板自体がエネルギー付与(例えば、露光)によりポリマーと化学結合を形成しうるものであるか、または、基板上に、エネルギー付与により被めっき層と化学結合を形成しうる中間層(例えば、後述する密着補助層)を設けられていてもよい。
(substrate)
As the substrate used in the present invention, any conventionally known substrate can be used as long as it has shape retention. Moreover, it is preferable that the surface has a function which can be chemically bonded with the polymer mentioned later. Specifically, the substrate itself can form a chemical bond with the polymer by applying energy (for example, exposure), or an intermediate layer on the substrate that can form a chemical bond with the layer to be plated by applying energy. (For example, an adhesion auxiliary layer described later) may be provided.

基板の材料は特に限定されず、例えば、高分子材料(例えば、二酢酸セルロース、三酢酸セルロース、プロピオン酸セルロース、酪酸セルロース、酢酸セルロース、硝酸セルロース、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリビニルアセタール、ポリイミド、エポキシ、ビスマレインイミド樹脂、ポリフェニレンオキサイド、液晶ポリマー、ポリテトラフルオロエチレン等)、金属材料(例えば、金属合金、金属含有材料、純粋金属、またはこれらに類似したもの。具体的には、アルミニウム、亜鉛、銅等の混合物、合金、及びこれらのアロイ。)、その他の材料(例えば、紙、プラスチックがラミネートされた紙)、これらの組み合わせ、またはこれらに類似したものなどが挙げられる。   The material of the substrate is not particularly limited. For example, polymer materials (for example, cellulose diacetate, cellulose triacetate, cellulose propionate, cellulose butyrate, cellulose acetate, cellulose nitrate, polyethylene terephthalate, polyethylene, polystyrene, polypropylene, polyvinyl acetal, Polyimide, epoxy, bismaleimide resin, polyphenylene oxide, liquid crystal polymer, polytetrafluoroethylene, etc.), metal material (eg, metal alloy, metal-containing material, pure metal, or the like, specifically aluminum , Zinc, copper and other mixtures, alloys, and alloys thereof), other materials (eg, paper, paper laminated with plastic), combinations thereof, or the like.

また、本発明の積層体は、半導体パッケージ、各種電気配線基板等に適用することができる。このような用途に用いる場合は、以下に示す、絶縁性樹脂を含んだ基板、具体的には、絶縁性樹脂からなる基板(絶縁性基板)、または、絶縁性樹脂の層(絶縁性樹脂層)を表面に有する基板(絶縁性樹脂層付き基板)を用いることが好ましい。
なお、基板は、その表面に金属配線層と絶縁性樹脂層とを交互に有し、最表層に絶縁性樹脂層が配置された基板であってもよい。
In addition, the laminate of the present invention can be applied to semiconductor packages, various electric wiring boards, and the like. When used in such applications, a substrate containing an insulating resin as shown below, specifically, a substrate made of an insulating resin (insulating substrate) or an insulating resin layer (insulating resin layer) ) On the surface (substrate with an insulating resin layer) is preferably used.
In addition, the board | substrate which has a metal wiring layer and an insulating resin layer alternately on the surface, and the insulating resin layer is arrange | positioned in the outermost layer may be sufficient as the board | substrate.

絶縁性樹脂からなる基板、絶縁性樹脂からなる層を得る場合には、公知の絶縁性樹脂組成物が用いられる。
絶縁性樹脂の具体例としては、例えば、熱硬化性樹脂でも熱可塑性樹脂でもまたそれらの混合物でもよく、例えば、熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリオレフィン樹脂、イソシアネート樹脂、ABS樹脂等が挙げられる。
エポキシ樹脂としては、例えば、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールF型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、2種以上併用してもよい。
When obtaining a substrate made of an insulating resin or a layer made of an insulating resin, a known insulating resin composition is used.
Specific examples of the insulating resin may be, for example, a thermosetting resin, a thermoplastic resin, or a mixture thereof. Examples of the thermosetting resin include an epoxy resin, a phenol resin, a polyimide resin, a polyester resin, and a bismaleimide. Examples thereof include resins, polyolefin resins, isocyanate resins, and ABS resins.
Examples of the epoxy resin include cresol novolac type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, alkylphenol novolac type epoxy resin, biphenol F type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, dicyclo Examples thereof include pentadiene type epoxy resins, epoxidized products of condensates of phenols and aromatic aldehydes having a phenolic hydroxyl group, and alicyclic epoxy resins. These may be used alone or in combination of two or more.

熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリフェニレンスルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニルエーテル、ポリエーテルイミド等が挙げられる。   Examples of the thermoplastic resin include phenoxy resin, polyether sulfone, polysulfone, polyphenylene sulfone, polyphenylene sulfide, polyphenyl ether, polyether imide, and the like.

(密着補助層)
密着補助層は、上記基板表面上に設けられていてもよい任意の層であり、基板と後述する被めっき層との密着性を補助する役割を果たす。この層は基板と被めっき層に親和性があるものでもよく、硬化時にポリマーと反応し、化学結合を形成してもよい。
なお、基板が板状物であれば、その両面に密着補助層を形成してもよい。密着補助層としては、ポリマーが硬化時(特に、光硬化時)に化学結合を生じるものが好ましい。このような化学結合を生じる密着補助層には、重合開始剤を導入することが好ましい。また、密着補助層は作業性の観点から水分散ラテックスを用いて形成されることも好ましい。
(Adhesion auxiliary layer)
The adhesion auxiliary layer is an arbitrary layer that may be provided on the surface of the substrate, and plays a role of assisting adhesion between the substrate and a layer to be plated described later. This layer may have an affinity between the substrate and the layer to be plated, and may react with the polymer during curing to form a chemical bond.
In addition, if a board | substrate is a plate-shaped object, you may form a close_contact | adherence auxiliary | assistant layer on both surfaces. As the adhesion auxiliary layer, a layer that causes a chemical bond when the polymer is cured (particularly during photocuring) is preferable. It is preferable to introduce a polymerization initiator into the adhesion auxiliary layer that generates such a chemical bond. In addition, the adhesion auxiliary layer is preferably formed using water-dispersed latex from the viewpoint of workability.

密着補助層としては、基板との密着性が良好な樹脂組成物、および、露光によりラジカルを発生しうる化合物(重合開始剤)を用いて形成されることが好ましい。なお、樹脂組成物を構成する樹脂が、ラジカルを発生しうる部位を有する場合には、ラジカルを発生しうる化合物を別途添加する必要はない。
なお、露光によりラジカルを発生しうる化合物としては、従来公知の光重合開始剤が用いられる。この光重合開始剤としては、例えば、p−tert−ブチルトリクロロアセトフェノン、2,2’−ジエトキシアセトフェノンなどが挙げられる。
密着補助層に含有させる光重合開始剤(露光によりラジカルを発生しうる化合物)の量は、固形分で0.1質量%〜50質量%であることが好ましく、1.0質量%〜30質量%であることがより好ましい。
The adhesion auxiliary layer is preferably formed using a resin composition having good adhesion to the substrate and a compound capable of generating radicals upon exposure (a polymerization initiator). In addition, when the resin which comprises a resin composition has the site | part which can generate a radical, it is not necessary to add the compound which can generate a radical separately.
In addition, a conventionally well-known photoinitiator is used as a compound which can generate | occur | produce a radical by exposure. Examples of the photopolymerization initiator include p-tert-butyltrichloroacetophenone and 2,2′-diethoxyacetophenone.
The amount of the photopolymerization initiator (compound capable of generating radicals upon exposure) to be contained in the adhesion auxiliary layer is preferably 0.1% by mass to 50% by mass in terms of solid content, and 1.0% by mass to 30% by mass. % Is more preferable.

本発明における密着補助層としては、例えば、基板が、多層積層板、ビルドアップ基板、またはフレキシブル基板の材料として用いられてきた公知の絶縁性樹脂からなる場合には、該基板との密着性の観点から、密着補助層を形成する際に用いられる樹脂組成物としても、絶縁性樹脂組成物が用いられることが好ましい。
以下、基板が絶縁性樹脂からなり、密着補助層が絶縁性樹脂組成物から形成される態様について説明する。
As the adhesion auxiliary layer in the present invention, for example, when the substrate is made of a known insulating resin that has been used as a material for a multilayer laminate, a build-up substrate, or a flexible substrate, the adhesion with the substrate From the viewpoint, an insulating resin composition is preferably used as the resin composition used when forming the adhesion assisting layer.
Hereinafter, a mode in which the substrate is made of an insulating resin and the adhesion auxiliary layer is formed of an insulating resin composition will be described.

密着補助層を形成する際に用いられる絶縁性樹脂組成物は、基板を構成する電気的絶縁性の樹脂と同じものを含んでいてもよく、異なっていてもよいが、ガラス転移点や弾性率、線膨張係数といった熱物性的が近いものを使用することが好ましい。具体的には、例えば、基板を構成する絶縁性樹脂と同じ種類の絶縁性樹脂を使用することが密着の点で好ましい。   The insulating resin composition used when forming the adhesion auxiliary layer may contain the same or different one as the electrically insulating resin constituting the substrate, but may have a glass transition point or elastic modulus. It is preferable to use a material having close thermal properties such as a linear expansion coefficient. Specifically, for example, it is preferable to use the same type of insulating resin as the insulating resin constituting the substrate in terms of adhesion.

なお、密着補助層に使用される絶縁性樹脂とは、公知の絶縁膜に使用しうる程度の絶縁性を有する樹脂を意味するものであり、完全な絶縁体でないものであっても、目的に応じた絶縁性を有する樹脂であれば、本発明に適用しうる。
絶縁性樹脂の具体例としては、例えば、熱硬化性樹脂でも熱可塑性樹脂でもまたそれらの混合物でもよく、例えば、熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリオレフィン樹脂、イソシアネート樹脂等が挙げられる。熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリフェニレンスルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニルエーテル、ポリエーテルイミド、ABS樹脂等が挙げられる。熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とは、それぞれ単独で用いてもよいし、2種以上併用してもよい。
The insulating resin used for the adhesion auxiliary layer means a resin having an insulation property that can be used for a known insulating film, and even if it is not a perfect insulator, Any resin having appropriate insulating properties can be applied to the present invention.
Specific examples of the insulating resin may be, for example, a thermosetting resin, a thermoplastic resin, or a mixture thereof. Examples of the thermosetting resin include an epoxy resin, a phenol resin, a polyimide resin, a polyester resin, and a bismaleimide. Examples thereof include resins, polyolefin resins, isocyanate resins and the like. Examples of the thermoplastic resin include phenoxy resin, polyether sulfone, polysulfone, polyphenylene sulfone, polyphenylene sulfide, polyphenyl ether, polyether imide, and ABS resin. The thermoplastic resin and the thermosetting resin may be used alone or in combination of two or more.

本発明における密着補助層の厚みは、一般に、0.1〜10μmの範囲であり、0.2〜5μmの範囲であることが好ましい。密着補助層を設ける場合、厚みが上記範囲であれば、隣接する基材や、被めっき層との十分な密着強度が得られ、また、一般の接着剤を用いるのに比較して薄層でありながら、その接着剤による層と同様の密着性が達成される。   The thickness of the adhesion auxiliary layer in the present invention is generally in the range of 0.1 to 10 μm, and preferably in the range of 0.2 to 5 μm. When the adhesion auxiliary layer is provided, if the thickness is in the above range, sufficient adhesion strength with the adjacent base material or the layer to be plated can be obtained, and the thickness is smaller than that of using a general adhesive. Nevertheless, adhesion similar to the adhesive layer is achieved.

密着補助層は基材表面に、塗布法、転写法、印刷法などの公知の層形成方法を適用して形成される。
密着補助層は、所望により、印刷法(例えば、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、インクジェット印刷法、インプリント法など)や、現像法(例えば、湿式エッチング、乾式エッチング、アブレーション、光による硬化・可塑化(ネガ型/ポジ型)など)などでパターン化されてもよい。
The adhesion auxiliary layer is formed on the substrate surface by applying a known layer forming method such as a coating method, a transfer method, or a printing method.
The adhesion auxiliary layer may be formed by a printing method (for example, gravure printing method, screen printing method, flexographic printing method, ink jet printing method, imprinting method, etc.) or a developing method (for example, wet etching, dry etching, ablation, light). It may be patterned by curing / plasticizing (negative type / positive type) or the like.

また、密着補助層は基材上に形成された後、何らかのエネルギーを与えて硬化処理を行ってもよい。与えるエネルギーとしては、光、熱、圧力、電子線などが挙げられるが、熱または光が一般的であり、熱の場合は、100℃〜300℃の熱を5分〜120分加えることが好ましい。   Further, after the adhesion auxiliary layer is formed on the substrate, it may be cured by applying some energy. Examples of the energy to be applied include light, heat, pressure, electron beam, etc., and heat or light is general. In the case of heat, it is preferable to add heat at 100 ° C. to 300 ° C. for 5 minutes to 120 minutes. .

この硬化処理は密着補助層の形成後すぐに行ってもよく、密着補助層形成後に5分〜10分程度の予備硬化処理を行っておけば、密着補助層形成後に行われる他のすべてのそれぞれの工程を行ったあとに実施してもよい。   This curing treatment may be performed immediately after the formation of the adhesion assisting layer. If a preliminary curing treatment is performed for about 5 minutes to 10 minutes after the formation of the adhesion assisting layer, all the other processes performed after the formation of the adhesion assisting layer are performed. You may implement after performing the process of.

(工程の手順)
上述した被めっき層形成用組成物を基板上(または密着補助層上)に接触させる方法は特に限定されず、被めっき層形成用組成物を直接基板上にラミネートする方法や、被めっき層形成用組成物が溶剤を含む液状である場合、組成物を基板上に塗布する方法などが挙げられる。得られる被めっき層の厚みを制御しやすい点から、組成物を基板上に塗布する方法が好ましい。
塗布の方法は特に制限されず、具体的な方法としては、スピンコータ、ディップコータ、ダブルロールコータ、スリットコータ、エアナイフコータ、ワイヤーバーコータ、スライドホッパー、スプレーコーティング、ブレードコータ、ドクターコータ、スクイズコータ、リバースロールコータ、トランスファーロールコータ、エクストロージョンコータ、カーテンコータ、ダイコータ、グラビアロールによる塗工法、押し出し塗布法、ロール塗布法等の公知の方法を用いることができる。
取り扱い性や製造効率の観点からは、被めっき層形成用組成物を基板(または密着補助層)上に塗布・乾燥させて、残存する溶媒を除去して、ポリマーを含む組成物層を形成する態様が好ましい。
(Process procedure)
The method for bringing the composition for forming a layer to be plated into contact with the substrate (or on the adhesion auxiliary layer) is not particularly limited, and the method for laminating the composition for forming a layer to be plated directly on the substrate or the formation of the layer to be plated When the composition for use is a liquid containing a solvent, a method of coating the composition on a substrate can be mentioned. From the viewpoint of easily controlling the thickness of the obtained layer to be plated, a method of applying the composition on the substrate is preferable.
The method of application is not particularly limited, and specific methods include spin coater, dip coater, double roll coater, slit coater, air knife coater, wire bar coater, slide hopper, spray coating, blade coater, doctor coater, squeeze coater, Known methods such as a reverse roll coater, a transfer roll coater, an extrusion coater, a curtain coater, a die coater, a gravure roll coating method, an extrusion coating method, and a roll coating method can be used.
From the viewpoint of handleability and production efficiency, the composition for forming a layer to be plated is applied and dried on the substrate (or adhesion auxiliary layer) to remove the remaining solvent to form a composition layer containing a polymer. Embodiments are preferred.

被めっき層形成用組成物を基板と接触させる場合、その塗布量は、後述するめっき触媒またはその前駆体との充分な相互作用形成性の観点から、固形分換算で0.1g/m2〜10g/m2が好ましく、特に0.5g/m2〜5g/m2が好ましい。
なお、本工程において被めっき層を形成するに際しては、塗布と乾燥との間に、20〜40℃で0.5時間〜2時間放置させて、残存する溶剤を除去してもよい。
When the composition for forming a layer to be plated is brought into contact with the substrate, the coating amount is 0.1 g / m 2 in terms of solid content from the viewpoint of sufficient interaction formation with a plating catalyst or a precursor thereof described later. preferably 10 g / m 2, especially 0.5g / m 2 ~5g / m 2 is preferred.
In addition, when forming a to-be-plated layer in this process, you may leave at 20-40 degreeC for 0.5 to 2 hours between application | coating and drying, and you may remove the remaining solvent.

(エネルギーの付与)
基板上の被めっき層形成用組成物にエネルギー付与する方法は特に制限されないが、例えば、加熱や露光などが用いられることが好ましい。
露光には、UVランプ、可視光線などによる光照射等が用いられる。光源としては、例えば、水銀灯、メタルハライドランプ、キセノンランプ、ケミカルランプ、カーボンアーク灯、等がある。放射線としては、電子線、X線、イオンビーム、遠赤外線などがある。また、g線、i線、Deep−UV光、高密度エネルギービーム(レーザービーム)も使用される。
一般的に用いられる具体的な態様としては、赤外線レーザーによる走査露光、キセノン放電灯などの高照度フラッシュ露光、赤外線ランプ露光などが好適に挙げられる。
露光時間としては、ポリマーの反応性および光源により異なるが、通常、10秒〜5時間の間である。露光エネルギーとしては、10〜8000mJ程度であればよく、好ましくは100〜3000mJの範囲である。
(Granting energy)
The method for applying energy to the composition for forming a layer to be plated on the substrate is not particularly limited, but for example, heating or exposure is preferably used.
For the exposure, light irradiation with a UV lamp, visible light, or the like is used. Examples of the light source include a mercury lamp, a metal halide lamp, a xenon lamp, a chemical lamp, and a carbon arc lamp. Examples of radiation include electron beams, X-rays, ion beams, and far infrared rays. Further, g-line, i-line, deep-UV light, and high-density energy beam (laser beam) are also used.
Specific examples generally used include scanning exposure with an infrared laser, high-illuminance flash exposure such as a xenon discharge lamp, and infrared lamp exposure.
The exposure time varies depending on the reactivity of the polymer and the light source, but is usually between 10 seconds and 5 hours. The exposure energy may be about 10 to 8000 mJ, and is preferably in the range of 100 to 3000 mJ.

なお、エネルギー付与として加熱を用いる場合、送風乾燥機、オーブン、赤外線乾燥機、加熱ドラムなどを用いることができる。   In addition, when using heating as energy provision, a ventilation dryer, oven, an infrared dryer, a heating drum, etc. can be used.

得られる被めっき層の厚みは特に制限されないが、金属膜の基板への密着性の点から、0.01〜10μmが好ましく、0.05〜5μmがより好ましい。
また、乾燥膜厚で0.05〜20g/m2が好ましく、特に0.1〜6g/m2が好ましい。
さらに、被めっき層の表面粗さ(Ra)は、配線形状および密着強度の点から、0.01〜0.3μmが好ましく、0.02〜0.15μmがより好ましい。なお、表面粗さ(Ra)は、非接触式干渉法により、JIS B 0601(20010120改訂)に記載のRaに基づき、サーフコム3000A(東京精密(株)製)を用いて測定した。
Although the thickness of the to-be-plated layer obtained is not restrict | limited in particular, 0.01-10 micrometers is preferable from the point of the adhesiveness to the board | substrate of a metal film, and 0.05-5 micrometers is more preferable.
The dry film is preferably 0.05 to 20 g / m 2 in thickness, especially 0.1 to 6 g / m 2 preferably.
Furthermore, the surface roughness (Ra) of the layer to be plated is preferably 0.01 to 0.3 [mu] m, more preferably 0.02 to 0.15 [mu] m, from the viewpoint of wiring shape and adhesion strength. In addition, the surface roughness (Ra) was measured using Surfcom 3000A (manufactured by Tokyo Seimitsu Co., Ltd.) based on Ra described in JIS B 0601 (Revision of 201010120) by non-contact interference method.

上記のようにめっき触媒またはその前駆体を接触させることで、被めっき層中の式(B)で表されるユニット由来の官能基Xに、ファンデルワールス力のような分子間力による相互作用、イオン結合のような静電的相互作用、または、孤立電子対による配位結合による相互作用を利用して、めっき触媒またはその前駆体を吸着させることができる。   By contacting the plating catalyst or a precursor thereof as described above, the functional group X derived from the unit represented by the formula (B) in the layer to be plated interacts with an intermolecular force such as van der Waals force. The plating catalyst or its precursor can be adsorbed by utilizing electrostatic interaction such as ionic bonding, or interaction by coordination bonding by a lone pair of electrons.

<触媒付与工程>
触媒付与工程は、上記工程で得られた被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与する工程である。本工程においては、被めっき層中の式(B)で表されるユニット由来の官能基X(カルボン酸基等)が、その機能に応じて、付与されためっき触媒またはその前駆体を付着(吸着)する。
ここで、めっき触媒またはその前駆体としては、後述するめっき工程における、めっき処理の触媒や電極として機能するものが挙げられる。そのため、めっき触媒またはその前駆体は、めっき工程におけるめっき処理の種類により決定されるが、無電解めっき触媒またはその前駆体であることが好ましい。
まず、本工程で使用される材料(無電解めっき触媒またはその前駆体など)について詳述し、その後該工程の手順について詳述する。
<Catalyst application step>
A catalyst provision process is a process of providing a plating catalyst or its precursor to the to-be-plated layer obtained at the said process. In this step, the functional group X (carboxylic acid group or the like) derived from the unit represented by the formula (B) in the layer to be plated adheres a given plating catalyst or its precursor depending on its function ( Adsorb).
Here, as a plating catalyst or its precursor, what functions as a catalyst or an electrode of a plating process in the plating process mentioned later is mentioned. Therefore, although a plating catalyst or its precursor is determined by the kind of plating process in a plating process, it is preferable that it is an electroless-plating catalyst or its precursor.
First, the material (electroless plating catalyst or its precursor etc.) used at this process is explained in full detail, and the procedure of this process is explained in full detail after that.

(無電解めっき触媒)
本工程において用いられる無電解めっき触媒は、無電解めっき時の活性核となるものであれば、如何なるものも用いることができ、具体的には、自己触媒還元反応の触媒能を有する金属(Niよりイオン化傾向の低い無電解めっきできる金属として知られるもの)などが挙げられる。具体的には、Pd、Ag、Cu、Ni、Pt、Au、Coなどが挙げられる。中でも、触媒能の高さから、Ag、Pd、Pt、Cuが特に好ましい。
この無電解めっき触媒としては、金属コロイドを用いてもよい。一般に、金属コロイドは、荷電を持った界面活性剤または荷電を持った保護剤が存在する溶液中において、金属イオンを還元することにより作製することができる。金属コロイドの荷電は、ここで使用される界面活性剤または保護剤により調節することができる。
(Electroless plating catalyst)
As the electroless plating catalyst used in this step, any catalyst can be used as long as it becomes an active nucleus at the time of electroless plating. Specifically, a metal (Ni) having catalytic ability for autocatalytic reduction reaction. And those known as metals capable of electroless plating with a lower ionization tendency). Specific examples include Pd, Ag, Cu, Ni, Pt, Au, and Co. Among these, Ag, Pd, Pt, and Cu are particularly preferable because of their high catalytic ability.
A metal colloid may be used as the electroless plating catalyst. Generally, a metal colloid can be prepared by reducing metal ions in a solution containing a charged surfactant or a charged protective agent. The charge of the metal colloid can be controlled by the surfactant or protective agent used here.

(無電解めっき触媒前駆体)
本工程において用いられる無電解めっき触媒前駆体とは、化学反応により無電解めっき触媒となりうるものであれば、特に制限なく使用することができる。主には、上記無電解めっき触媒として挙げた金属の金属イオンが用いられる。無電解めっき触媒前駆体である金属イオンは、還元反応により無電解めっき触媒である0価金属になる。無電解めっき触媒前駆体である金属イオンは被めっき層へ付与された後、無電解めっき浴への浸漬前に、別途還元反応により0価金属に変化させて無電解めっき触媒としてもよい。また、無電解めっき触媒前駆体のまま無電解めっき浴に浸漬し、無電解めっき浴中の還元剤により金属(無電解めっき触媒)に変化させてもよい。
(Electroless plating catalyst precursor)
The electroless plating catalyst precursor used in this step can be used without particular limitation as long as it can become an electroless plating catalyst by a chemical reaction. The metal ions of the metals mentioned as the electroless plating catalyst are mainly used. The metal ion that is an electroless plating catalyst precursor becomes a zero-valent metal that is an electroless plating catalyst by a reduction reaction. After the metal ion which is an electroless plating catalyst precursor is imparted to the layer to be plated, it may be converted into a zero-valent metal by a separate reduction reaction before being immersed in the electroless plating bath. Alternatively, the electroless plating catalyst precursor may be immersed in an electroless plating bath and changed to a metal (electroless plating catalyst) by a reducing agent in the electroless plating bath.

無電解めっき触媒前駆体である金属イオンは、金属塩を用いて被めっき層に付与することが好ましい。使用される金属塩としては、適切な溶媒に溶解して金属イオンと塩基(陰イオン)とに解離されるものであれば特に制限はなく、M(NO3)n、MCln、M2/n(SO4)、M3/n(PO4)(Mは、n価の金属原子を表す)などが挙げられる。金属イオンとしては、上記の金属塩が解離したものを好適に用いることができる。例えば、Agイオン、Cuイオン、Niイオン、Coイオン、Ptイオン、Pdイオンが挙げられる。中でも、触媒能の点で、Agイオン、Pdイオン、Cuイオンが好ましい。 The metal ion that is the electroless plating catalyst precursor is preferably applied to the layer to be plated using a metal salt. The metal salt used is not particularly limited as long as it is dissolved in a suitable solvent and dissociated into a metal ion and a base (anion), and M (NO 3 ) n , MCl n , M 2 / n (SO 4 ), M 3 / n (PO 4 ) (M represents an n-valent metal atom), and the like. As a metal ion, the thing which said metal salt dissociated can be used suitably. For example, Ag ion, Cu ion, Ni ion, Co ion, Pt ion, Pd ion can be mentioned. Among these, Ag ions, Pd ions, and Cu ions are preferable in terms of catalytic ability.

本発明で用いられる無電解めっき触媒またはその前駆体の好ましい例の一つとして、パラジウム化合物が挙げられる。このパラジウム化合物は、めっき処理時に活性核となり金属を析出させる役割を果たす、めっき触媒(パラジウム)またはその前駆体(パラジウムイオン)として作用する。また、パラジウム(Pd)は活性が高く少量で無電解めっきができるため、プラズマエッチング時までにポリマー層に残存しにくい、という利点がある。
パラジウム化合物としては、パラジウムを含み、めっき処理の際に核として作用すれば、特に限定されないが、例えば、パラジウム(II)塩、パラジウム(0)錯体、パラジウムコロイドなどが挙げられる。
One preferred example of the electroless plating catalyst or precursor thereof used in the present invention is a palladium compound. This palladium compound acts as a plating catalyst (palladium) or a precursor thereof (palladium ions), which serves as an active nucleus during plating treatment and serves to precipitate a metal. Palladium (Pd) has an advantage that it is highly active and can be electrolessly plated in a small amount, so that it hardly remains in the polymer layer by the time of plasma etching.
The palladium compound is not particularly limited as long as it contains palladium and acts as a nucleus in the plating process, and examples thereof include a palladium (II) salt, a palladium (0) complex, and a palladium colloid.

また、無電解めっき触媒またはその前駆体としては、銀、または銀イオンが好ましい別の例として挙げられる。
銀イオンを用いる場合、以下に示すような銀化合物が解離したものを好適に用いることができる。銀化合物の具体例としては、硝酸銀、酢酸銀、硫酸銀、炭酸銀、シアン化銀、チオシアン酸銀、塩化銀、臭化銀、クロム酸銀、クロラニル酸銀、サリチル酸銀、ジエチルジチオカルバミン酸銀、p−トルエンスルホン酸銀が挙げられる。この中でも、水溶性の観点から硝酸銀が好ましい。
上記の中でパラジウム化合物が最も好ましい。
Moreover, as an electroless-plating catalyst or its precursor, silver or silver ion is mentioned as another preferable example.
When silver ions are used, those obtained by dissociating silver compounds as shown below can be suitably used. Specific examples of the silver compound include silver nitrate, silver acetate, silver sulfate, silver carbonate, silver cyanide, silver thiocyanate, silver chloride, silver bromide, silver chromate, silver chloranilate, silver salicylate, silver diethyldithiocarbamate, Examples include silver p-toluenesulfonate. Among these, silver nitrate is preferable from the viewpoint of water solubility.
Of the above, palladium compounds are most preferred.

(その他の触媒)
本発明において、被めっき層に対して無電解めっきを行わず直接電解めっきを行うために用いられる触媒としては、0価金属を使用することができる。
(Other catalysts)
In the present invention, a zero-valent metal can be used as a catalyst used for performing direct electroplating without electroless plating on the layer to be plated.

(めっき触媒液)
上記のようなめっき触媒またはその前駆体は、分散液または溶液(めっき触媒液)として被めっき層に付与されることが好ましい。
めっき触媒液の溶媒としては、水や有機溶媒が用いられる。有機溶媒を含有することで、被めっき層に対するめっき触媒またはその前駆体の浸透性が向上し、官能基Xに効率よくめっき触媒またはその前駆体を吸着させることができる。
(Plating catalyst solution)
The plating catalyst or a precursor thereof as described above is preferably applied to the layer to be plated as a dispersion or solution (plating catalyst solution).
Water or an organic solvent is used as a solvent for the plating catalyst solution. By containing the organic solvent, the permeability of the plating catalyst or its precursor to the layer to be plated is improved, and the plating catalyst or its precursor can be efficiently adsorbed to the functional group X.

めっき触媒液に使用される水としては、不純物を含まないことが好ましく、そのような観点からは、RO水や脱イオン水、蒸留水、精製水などを用いるのが好ましく、脱イオン水や蒸留水を用いるのが特に好ましい。   The water used in the plating catalyst solution preferably does not contain impurities. From such a viewpoint, it is preferable to use RO water, deionized water, distilled water, purified water, and the like. It is particularly preferred to use water.

めっき触媒液に使用される有機溶媒としては、被めっき層に浸透しうる溶媒であれば特に制限は無い。例えば、アセトン、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、エチレングリコールジアセテート、シクロヘキサノン、アセチルアセトン、アセトフェノン、2−(1−シクロヘキセニル)シクロヘキサノン、プロピレングリコールジアセテート、トリアセチン、ジエチレングリコールジアセテート、ジオキサン、N−メチルピロリドン、ジメチルカーボネート、ジメチルセロソルブなどを用いることができる。
特に、めっき触媒またはその前駆体との相溶性、および被めっき層への浸透性の観点では水溶性の有機溶剤が好ましく、アセトン、ジメチルカーボネート、ジメチルセロソルブ、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテルが好ましい。
There is no restriction | limiting in particular as an organic solvent used for a plating catalyst liquid, if it is a solvent which can osmose | permeate a to-be-plated layer. For example, acetone, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, ethylene glycol diacetate, cyclohexanone, acetylacetone, acetophenone, 2- (1-cyclohexenyl) cyclohexanone, propylene glycol diacetate, triacetin, diethylene glycol diacetate, dioxane, N-methylpyrrolidone , Dimethyl carbonate, dimethyl cellosolve, etc. can be used.
In particular, a water-soluble organic solvent is preferable from the viewpoint of compatibility with a plating catalyst or a precursor thereof and permeability to a layer to be plated. Acetone, dimethyl carbonate, dimethyl cellosolve, triethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol Diethyl ether is preferred.

更に、分散液や溶液には、目的に応じて他の添加剤を含有することができる。他の添加剤としては、例えば、膨潤剤や、界面活性剤などが挙げられる。   Further, the dispersion or solution may contain other additives depending on the purpose. Examples of other additives include swelling agents and surfactants.

(工程の手順)
めっき触媒またはその前駆体を被めっき層に付与する方法は、特に制限されない。
例えば、めっき触媒液(金属を適当な分散媒に分散した分散液、または、金属塩を適切な溶媒で溶解し、解離した金属イオンを含む溶液)を調製し、めっき触媒液を被めっき層上に塗布する方法、または、めっき触媒液中に被めっき層が形成された基板を浸漬する方法などが挙げられる。
被めっき層とめっき触媒液の接触時間としては、30秒〜20分程度であることが好ましく、1分〜10分程度であることがより好ましい。
接触時のめっき触媒液の温度は、10〜60℃程度であることが好ましく、10〜30℃程度であることがより好ましい。
(Process procedure)
The method for applying the plating catalyst or its precursor to the layer to be plated is not particularly limited.
For example, a plating catalyst solution (a dispersion in which a metal is dispersed in an appropriate dispersion medium, or a solution containing metal ions dissolved in an appropriate solvent and dissociated metal ions) is prepared, and the plating catalyst solution is applied to the layer to be plated. And a method of immersing a substrate on which a layer to be plated is formed in a plating catalyst solution.
The contact time between the layer to be plated and the plating catalyst solution is preferably about 30 seconds to 20 minutes, and more preferably about 1 minute to 10 minutes.
The temperature of the plating catalyst solution at the time of contact is preferably about 10 to 60 ° C, and more preferably about 10 to 30 ° C.

被めっき層中へのめっき触媒またはその前駆体の吸着量(付与量)は特に制限されないが、後述する被めっき層除去工程がより良好に進行する点から、100mg/m2以下が好ましく、5〜70mg/m2がより好ましい。 The adsorption amount (applied amount) of the plating catalyst or its precursor in the layer to be plated is not particularly limited, but is preferably 100 mg / m 2 or less from the viewpoint that the layer to be plated removal step described later proceeds better. ˜70 mg / m 2 is more preferred.

上記のようにめっき触媒またはその前駆体を接触させることで、被めっき層中の式(B)で表されるユニット由来の官能基Xに、ファンデルワールス力のような分子間力による相互作用、イオン結合のような静電的相互作用、または、孤立電子対による配位結合による相互作用を利用して、めっき触媒またはその前駆体を吸着させることができる。   By contacting the plating catalyst or a precursor thereof as described above, the functional group X derived from the unit represented by the formula (B) in the layer to be plated interacts with an intermolecular force such as van der Waals force. The plating catalyst or its precursor can be adsorbed by utilizing electrostatic interaction such as ionic bonding, or interaction by coordination bonding by a lone pair of electrons.

<めっき工程>
めっき工程は、上記工程でめっき触媒またはその前駆体が付与された被めっき層に対してめっき処理を行い、被めっき層上に金属膜を形成する工程である。該工程により形成された金属膜は、優れた導電性、密着性を有する。より具体的には、図1(B)に示すように、被めっき層12上に金属膜14が形成され、積層体が得られる。
本工程において行われるめっき処理の種類は、無電解めっき、電解めっき等が挙げられ、上記工程において、被めっき層との間に相互作用を形成しためっき触媒またはその前駆体の機能によって、選択することができる。
なかでも、金属膜の密着性向上の点から、無電解めっきを行うことが好ましい。また、所望の膜厚の金属膜14を得るために、無電解めっきの後に、更に電解めっきを行うことがより好ましい態様である。
以下、本工程において好適に行われるめっきについて説明する。
<Plating process>
A plating process is a process of performing a plating process with respect to the to-be-plated layer to which the plating catalyst or its precursor was provided in the said process, and forming a metal film on a to-be-plated layer. The metal film formed by this process has excellent conductivity and adhesion. More specifically, as shown in FIG. 1B, a metal film 14 is formed on the layer to be plated 12, and a laminate is obtained.
Examples of the plating treatment performed in this step include electroless plating and electrolytic plating. In the above step, the plating treatment is selected depending on the function of the plating catalyst or its precursor that forms an interaction with the layer to be plated. be able to.
Especially, it is preferable to perform electroless plating from the point of the adhesive improvement of a metal film. Moreover, in order to obtain the metal film 14 with a desired film thickness, it is a more preferable aspect that electrolytic plating is further performed after the electroless plating.
Hereinafter, the plating suitably performed in this process will be described.

(無電解めっき)
無電解めっきとは、めっきとして析出させたい金属イオンを溶かした溶液を用いて、化学反応によって金属を析出させる操作のことをいう。
本工程における無電解めっきは、例えば、無電解めっき触媒が付与された基板を、水洗して余分な無電解めっき触媒(金属)を除去した後、無電解めっき浴に浸漬して行う。使用される無電解めっき浴としては、公知の無電解めっき浴を使用することができる。なお、無電解めっき浴としては、入手のしやすさの点から、アルカリ性の無電解めっき浴(pHが9〜14程度が好ましい)を使用する場合が好ましい。
また、無電解めっき触媒前駆体が付与された基板を、無電解めっき触媒前駆体が被めっき層に吸着または含浸した状態で無電解めっき浴に浸漬する場合には、基板を水洗して余分な前駆体(金属塩など)を除去した後、無電解めっき浴中へ浸漬させる。この場合には、無電解めっき浴中において、めっき触媒前駆体の還元とこれに引き続き無電解めっきが行われる。ここで使用される無電解めっき浴としても、上記同様、公知の無電解めっき浴を使用することができる。
(Electroless plating)
Electroless plating refers to an operation of depositing a metal by a chemical reaction using a solution in which metal ions to be deposited as a plating are dissolved.
The electroless plating in this step is performed, for example, by rinsing the substrate provided with the electroless plating catalyst to remove excess electroless plating catalyst (metal) and then immersing it in an electroless plating bath. As the electroless plating bath used, a known electroless plating bath can be used. In addition, as an electroless-plating bath, the case where an alkaline electroless-plating bath (pH is preferable about 9-14) is preferable from the point of availability.
In addition, when the substrate to which the electroless plating catalyst precursor is applied is immersed in an electroless plating bath in a state where the electroless plating catalyst precursor is adsorbed or impregnated in the layer to be plated, the substrate is washed with water to remove excess. After removing the precursor (metal salt, etc.), it is immersed in an electroless plating bath. In this case, reduction of the plating catalyst precursor and subsequent electroless plating are performed in the electroless plating bath. As the electroless plating bath used here, a known electroless plating bath can be used as described above.

なお、無電解めっき触媒前駆体の還元は、上記のような無電解めっき液を用いる態様とは別に、触媒活性化液(還元液)を準備し、無電解めっき前の別工程として行うことも可能である。触媒活性化液は、無電解めっき触媒前駆体(主に金属イオン)を0価金属に還元できる還元剤を溶解した液で、液全体に対する該還元剤の濃度が0.1〜50質量%が好ましく、1〜30質量%がより好ましい。還元剤としては、水素化ホウ素ナトリウム、ジメチルアミンボランのようなホウ素系還元剤、ホルムアルデヒド、次亜リン酸などの還元剤を使用することが可能である。
浸漬の際には、無電解めっき触媒またはその前駆体が接触する被めっき層表面付近の無電解めっき触媒またはその前駆体の濃度を一定に保つ上で、攪拌または揺動を加えながら浸漬することが好ましい。
In addition, the reduction of the electroless plating catalyst precursor may be performed as a separate step before electroless plating by preparing a catalyst activation liquid (reducing liquid) separately from the embodiment using the electroless plating liquid as described above. Is possible. The catalyst activation liquid is a liquid in which a reducing agent capable of reducing an electroless plating catalyst precursor (mainly metal ions) to zero-valent metal is dissolved, and the concentration of the reducing agent with respect to the whole liquid is 0.1 to 50% by mass. Preferably, 1-30 mass% is more preferable. As the reducing agent, it is possible to use a boron-based reducing agent such as sodium borohydride or dimethylamine borane, or a reducing agent such as formaldehyde or hypophosphorous acid.
When dipping, keep the concentration of the electroless plating catalyst or its precursor near the surface of the layer to be plated in contact with the electroless plating catalyst or its precursor, and soak it with stirring or shaking. Is preferred.

一般的な無電解めっき浴の組成としては、溶剤(例えば、水)の他に、1.めっき用の金属イオン、2.還元剤、3.金属イオンの安定性を向上させる添加剤(安定剤)が主に含まれている。このめっき浴には、これらに加えて、めっき浴の安定剤など公知の添加物が含まれていてもよい。   As a composition of a general electroless plating bath, in addition to a solvent (for example, water), 1. 1. metal ions for plating; 2. reducing agent; Additives (stabilizers) that improve the stability of metal ions are mainly included. In addition to these, the plating bath may contain known additives such as a plating bath stabilizer.

めっき浴に用いられる有機溶媒としては、水に可能な溶媒である必要があり、その点から、アセトンなどのケトン類、メタノール、エタノール、イソプロパノールなどのアルコール類が好ましく用いられる。   The organic solvent used in the plating bath needs to be a solvent that can be used in water, and in this respect, ketones such as acetone and alcohols such as methanol, ethanol, and isopropanol are preferably used.

無電解めっき浴に用いられる金属の種類としては、例えば、銅、すず、鉛、ニッケル、金、銀、パラジウム、ロジウムが知られており、中でも、導電性の観点からは、銅、金が特に好ましい。また、上記金属に合わせて最適な還元剤、添加物が選択される。   As the types of metals used in the electroless plating bath, for example, copper, tin, lead, nickel, gold, silver, palladium, and rhodium are known. Among them, copper and gold are particularly preferable from the viewpoint of conductivity. preferable. Moreover, the optimal reducing agent and additive are selected according to the said metal.

このようにして形成される無電解めっきによる金属膜の膜厚は、めっき浴の金属イオン濃度、めっき浴への浸漬時間、または、めっき浴の温度などにより制御することができるが、導電性の観点からは、0.1μm以上であることが好ましく、0.2〜2μmであることがより好ましい。
ただし、無電解めっきによる金属膜を導通層として、後述する電解めっきを行う場合は、少なくとも0.1μm以上の膜が均一に付与されていることが好ましい。
また、めっき浴への浸漬時間としては、1分〜6時間程度であることが好ましく、1分〜3時間程度であることがより好ましい。
The film thickness of the metal film formed by electroless plating can be controlled by the metal ion concentration of the plating bath, the immersion time in the plating bath, or the temperature of the plating bath. From the viewpoint, it is preferably 0.1 μm or more, and more preferably 0.2 to 2 μm.
However, when performing electroplating to be described later using a metal film formed by electroless plating as a conductive layer, it is preferable that a film of at least 0.1 μm or more is uniformly applied.
Further, the immersion time in the plating bath is preferably about 1 minute to 6 hours, and more preferably about 1 minute to 3 hours.

(電解めっき(電気めっき))
本工程おいては、上記工程において付与されためっき触媒またはその前駆体が電極としての機能を有する場合、その触媒またはその前駆体が付与された被めっき層に対して、電解めっきを行うことができる。
また、前述の無電解めっきの後、形成された金属膜を電極とし、更に、電解めっきを行ってもよい。これにより基板との密着性に優れた無電解めっき膜をベースとして、そこに新たに任意の厚みをもつ金属膜を容易に形成することができる。このように、無電解めっきの後に、電解めっきを行うことで、金属膜を目的に応じた厚みに形成しうるため、金属膜を種々の応用に適用するのに好適である。
(Electrolytic plating (electroplating))
In this step, when the plating catalyst or its precursor applied in the above step has a function as an electrode, electrolytic plating can be performed on the layer to be plated to which the catalyst or its precursor is applied. it can.
Further, after the above-described electroless plating, the formed metal film may be used as an electrode, and further electrolytic plating may be performed. As a result, a new metal film having an arbitrary thickness can be easily formed on the electroless plating film having excellent adhesion to the substrate. As described above, by performing electroplating after electroless plating, the metal film can be formed to a thickness according to the purpose, which is suitable for applying the metal film to various applications.

電解めっきの方法としては、従来公知の方法を用いることができる。なお、電解めっきに用いられる金属としては、銅、クロム、鉛、ニッケル、金、銀、すず、亜鉛などが挙げられ、導電性の観点から、銅、金、銀が好ましく、銅がより好ましい。   As a method of electrolytic plating, a conventionally known method can be used. In addition, as a metal used for electrolytic plating, copper, chromium, lead, nickel, gold | metal | money, silver, tin, zinc etc. are mentioned, Copper, gold | metal | money, silver is preferable from a conductive viewpoint, and copper is more preferable.

また、電解めっきにより得られる金属膜の膜厚は、めっき浴中に含まれる金属濃度、または、電流密度などを調整することで制御することができる。
なお、一般的な電気配線などに適用する場合、金属膜の膜厚は、導電性の観点から、0.5μm以上であることが好ましく、1〜30μmがより好ましい。
なお、電気配線の厚みは、電気配線の線幅が狭くなる、すなわち微細化するほどアスペクト比を維持するために薄くなる。従って、電解めっきによって形成される金属膜の層厚は、上記に限定されず、任意に設定できる。
Moreover, the film thickness of the metal film obtained by electrolytic plating can be controlled by adjusting the metal concentration contained in the plating bath, the current density, or the like.
In addition, when applying to general electrical wiring etc., it is preferable that the film thickness of a metal film is 0.5 micrometer or more from a viewpoint of electroconductivity, and 1-30 micrometers is more preferable.
In addition, the thickness of the electrical wiring is reduced in order to maintain the aspect ratio as the line width of the electrical wiring is reduced, that is, as the size is reduced. Therefore, the layer thickness of the metal film formed by electrolytic plating is not limited to the above, and can be arbitrarily set.

<パターン形成工程>
パターン形成工程は、めっき工程後に、金属成分または過酸化水素を含むエッチング液を使用してパターン状の金属膜を形成する工程である。該工程により、パターン状の金属膜を表面に有する金属パターン材料が得られる。より具体的には、図1(C)に示すように、エッチング液を金属膜14の不要部分に接触させることにより、該部分が除去され、パターン状金属膜16が得られる。
<Pattern formation process>
The pattern forming step is a step of forming a patterned metal film using an etching solution containing a metal component or hydrogen peroxide after the plating step. By this step, a metal pattern material having a patterned metal film on the surface is obtained. More specifically, as shown in FIG. 1C, the etching solution is brought into contact with an unnecessary portion of the metal film 14 so that the portion is removed and the patterned metal film 16 is obtained.

(エッチング液)
まず、以下に本工程で使用されるエッチング液について説明する。
本工程で使用されるエッチング液は、金属膜の金属成分を溶解させる。
エッチング液としては、金属膜の除去性の観点より、酸性であることが好ましく、具体的には、pHが5以下であることが好ましく、3以下であることがより好ましい。なお、下限は特に制限されないが、被めっき層などへのダメージの点から、0以上が好ましい。
なお、pHを調整するために用いられる試薬は特に制限されず、例えば、塩酸、硫酸などが挙げられる。
(Etching solution)
First, the etching solution used in this step will be described below.
The etching solution used in this step dissolves the metal component of the metal film.
The etching solution is preferably acidic from the viewpoint of the removability of the metal film. Specifically, the pH is preferably 5 or less, and more preferably 3 or less. The lower limit is not particularly limited, but is preferably 0 or more from the viewpoint of damage to the layer to be plated.
In addition, the reagent used in particular for adjusting pH is not restrict | limited, For example, hydrochloric acid, a sulfuric acid, etc. are mentioned.

エッチング液に使用される溶媒は特に制限されず、水や、有機溶媒などを使用できる。取扱い性およびエッチング性能の観点から、水が好ましい。   The solvent used in the etching solution is not particularly limited, and water, an organic solvent, or the like can be used. From the viewpoints of handleability and etching performance, water is preferred.

使用されるエッチング液は、金属成分または過酸化水素を含む。これらの成分を含むことにより、金属膜(めっき膜)の除去を行うことができる。
金属成分としては、金属イオンを含有することが好ましい。金属イオンの種類は、金属膜を構成する金属により適宜最適な金属が選択されるが、金属膜を構成する金属よりイオン化傾向が大きい金属のイオンであることが好ましく、例えば、銅をエッチングしたい場合は、銅イオン、鉄イオンなどが挙げられる。
The etching solution used contains a metal component or hydrogen peroxide. By including these components, the metal film (plating film) can be removed.
The metal component preferably contains a metal ion. As for the type of metal ion, an optimum metal is appropriately selected depending on the metal constituting the metal film, but is preferably a metal ion having a higher ionization tendency than the metal constituting the metal film, for example, when etching copper Examples include copper ions and iron ions.

エッチング液としては、例えば、塩化第二鉄溶液、または硫酸-過酸化水素水混合溶液などが挙げられ、好ましくは塩化第二鉄溶液が挙げられる。   Examples of the etching solution include a ferric chloride solution, a sulfuric acid-hydrogen peroxide mixed solution, and the like, and preferably a ferric chloride solution.

エッチング液と金属膜との接触時間は特に制限されないが、生産性、および、金属膜のエッチング性の点から、10秒〜10分が好ましく、30秒〜3分がより好ましい。   The contact time between the etching solution and the metal film is not particularly limited, but is preferably 10 seconds to 10 minutes, more preferably 30 seconds to 3 minutes, from the viewpoints of productivity and metal film etching properties.

(処理方法)
(第1の実施態様)
上記エッチング液を使用してパターン状の金属膜16を形成する方法は特に限定されないが、生産性などの観点から、図2に示す第1の実施態様が好ましく挙げられる。該方法は、いわゆるサブトラクティブ法に基づく方法である。
図2(A)に示すように、まず、金属膜14上の所定位置にマスク20を設ける。その後、図2(B)に示すように、マスク20が設けられていない領域(マスク20の非形成領域)の金属膜14をエッチング液で除去して、パターン状金属膜16を得る。マスク20としては、公知のレジスト材料を使用することができる。その後、図2(C)に示すように、マスク20を除去する。
(Processing method)
(First embodiment)
Although the method of forming the patterned metal film 16 using the etching solution is not particularly limited, the first embodiment shown in FIG. 2 is preferable from the viewpoint of productivity. This method is based on a so-called subtractive method.
As shown in FIG. 2A, first, a mask 20 is provided at a predetermined position on the metal film 14. Thereafter, as shown in FIG. 2B, the metal film 14 in a region where the mask 20 is not provided (a region where the mask 20 is not formed) is removed with an etching solution, whereby a patterned metal film 16 is obtained. A known resist material can be used as the mask 20. Thereafter, as shown in FIG. 2C, the mask 20 is removed.

レジスト材料の種類は特に制限されず、ネガ型、ポジ型、液状、フィルム状のものが使用できる。レジスト層の除去方法は特に限定されず、公知の方法(アルカリ溶液による除去、ドライエッチング)を使用できる。
エッチング液を金属膜14に接触させる方法は特に限定されず、エッチング液を金属膜14に塗布(例えば、スプレー塗布)する方法や、エッチング液中に金属膜14を有する基板を浸漬する方法などが挙げられる。
The type of the resist material is not particularly limited, and a negative type, a positive type, a liquid type, and a film type can be used. The method for removing the resist layer is not particularly limited, and a known method (removal with an alkaline solution, dry etching) can be used.
The method for bringing the etching solution into contact with the metal film 14 is not particularly limited, and there are a method for applying the etching solution to the metal film 14 (for example, spray coating), a method for immersing a substrate having the metal film 14 in the etching solution, and the like. Can be mentioned.

(第2の実施態様)
また、処理方法の他の好適な態様として、図3に示す第2の実施態様が好ましく挙げられる。なお、該方法は、いわゆるセミアディティブ法に基づく方法である。
該方法に基づく場合は、まず、上記めっき工程において、無電解めっきを行った後、無電解めっきで得られた金属膜上にパターン状のマスクを設け、マスクが設けられていない領域にさらに金属膜が形成されるように電解めっきを行う。より具体的には、図3(A)に示すように、無電解めっきにより被めっき層12に金属膜14aを形成した後、該金属膜14a上にパターン状のマスク20を設ける(図3(B)参照)。その後、図3(C)に示すように、電解めっきを行うことにより、マスク20が設けられていない領域(マスク20の非形成領域)に金属膜をさらに設け、凸部22と凹部24を含む凹凸状の金属膜14bを得る。電解めっきを行った後は、図3(D)に示すように、マスク20を除去する。
(Second Embodiment)
Moreover, the 2nd embodiment shown in FIG. 3 is mentioned as another suitable aspect of a processing method preferably. This method is based on a so-called semi-additive method.
In the case of this method, first, after performing electroless plating in the plating step, a patterned mask is provided on the metal film obtained by electroless plating, and a metal is further formed in the region where the mask is not provided. Electrolytic plating is performed so that a film is formed. More specifically, as shown in FIG. 3A, after forming a metal film 14a on the layer 12 to be plated by electroless plating, a patterned mask 20 is provided on the metal film 14a (see FIG. B)). Thereafter, as shown in FIG. 3C, by performing electroplating, a metal film is further provided in a region where the mask 20 is not provided (a region where the mask 20 is not formed), and includes a convex portion 22 and a concave portion 24. The uneven metal film 14b is obtained. After electrolytic plating, the mask 20 is removed as shown in FIG.

次に、得られた凹凸構造を有する金属膜14bに対して、上記エッチング液を用いたクイックエッチングを行うことにより、金属膜14b中の配線部に対応する凸部22以外の凹部24が除去され、パターン状金属膜16が得られる。   Next, the obtained metal film 14b having the concavo-convex structure is subjected to quick etching using the above etching solution, thereby removing the recesses 24 other than the protrusions 22 corresponding to the wiring portions in the metal film 14b. Thus, the patterned metal film 16 is obtained.

<酸性溶液接触工程>
酸性溶液接触工程は、パターン状金属膜を有する基板と、金属成分または過酸化水素を実質的に含まない酸性溶液とを接触させる工程である。該工程を実施することにより、パターン状金属膜が形成されていない領域の被めっき層と酸性溶液とが接触し、被めっき層中に含有される金属成分(例えば、めっき触媒、または金属膜を構成する金属成分)が除去される。該工程を経ることにより、後述するプラズマエッチング処理において被めっき層の除去効率が向上する。
なお、該工程を経ることにより、パターン状金属膜が形成されていない領域において、金属成分を実質的に含まない被めっき層が得られることが好ましく、具体的には、被めっき層中の金属成分を3mg/m2以下程度まで減少させることが好ましい。
まず、本工程で使用される酸性溶液について詳述し、その後工程の手順について詳述する。
<Acid solution contact process>
The acidic solution contact step is a step of bringing a substrate having a patterned metal film into contact with an acidic solution that does not substantially contain a metal component or hydrogen peroxide. By performing this step, the layer to be plated in the region where the patterned metal film is not formed and the acidic solution are in contact with each other, and the metal component (for example, the plating catalyst or the metal film) contained in the layer to be plated is contacted. The constituent metal component) is removed. By passing through this process, the removal efficiency of a to-be-plated layer improves in the plasma etching process mentioned later.
In addition, it is preferable to obtain the to-be-plated layer which does not contain a metal component substantially in the area | region in which the pattern shape metal film is not formed through this process, Specifically, the metal in a to-be-plated layer It is preferable to reduce the component to about 3 mg / m 2 or less.
First, the acidic solution used at this process is explained in full detail, and the procedure of the subsequent process is explained in full detail.

(酸性溶液)
本工程において使用される酸性溶液は、酸性を示す。なかでも、被めっき層中の金属成分の除去性能がより優れる点で、酸性溶液のpHは5以下であることが好ましく、0〜3であることがより好ましい。
酸性溶液中に含まれる溶媒は、通常、水である。また、有機溶媒(例えば、エタノール、メタノール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、イソプロピルアルコール)が含有していてもよい。
(Acid solution)
The acidic solution used in this step exhibits acidity. Especially, it is preferable that the pH of an acidic solution is 5 or less, and it is more preferable that it is 0-3 at the point which the removal performance of the metal component in a to-be-plated layer is more excellent.
The solvent contained in the acidic solution is usually water. Moreover, the organic solvent (For example, ethanol, methanol, propylene glycol monomethyl ether, isopropyl alcohol) may contain.

酸性溶液中は、金属成分または過酸化水素を実質的に含まない。つまり、金属成分を実質的に含まない酸性溶液、過酸化水素を実質的に含まない酸性溶液が使用される。該酸性溶液を使用することにより、被めっき層中に含有される金属成分を除去しながらも、形成されたパターン状金属膜のパターン性は保持される。
なお、ここで実質的に含まないとは、金属成分(または過酸化水素)の含有量が、酸性溶液全量に対して、1質量%以下であることを意味し、0.1質量%以下であることが好ましい。なお、含有量が0であることが最も好ましい。
The acidic solution is substantially free of metal components or hydrogen peroxide. That is, an acidic solution substantially free of metal components and an acidic solution substantially free of hydrogen peroxide are used. By using the acidic solution, the pattern property of the formed patterned metal film is maintained while removing the metal component contained in the layer to be plated.
Here, “substantially not containing” means that the content of the metal component (or hydrogen peroxide) is 1% by mass or less with respect to the total amount of the acidic solution, and is 0.1% by mass or less. Preferably there is. The content is most preferably 0.

酸性溶液中に含まれる酸成分は特に制限されないが、例えば、塩酸、硫酸、硝酸など公知の酸成分を使用することができる。例えば、塩酸水溶液、硫酸水溶液、硝酸水溶液などを使用できる。   The acid component contained in the acidic solution is not particularly limited, and known acid components such as hydrochloric acid, sulfuric acid, and nitric acid can be used. For example, an aqueous hydrochloric acid solution, an aqueous sulfuric acid solution, an aqueous nitric acid solution, or the like can be used.

(工程の手順)
パターン状金属膜を有する基板と酸性溶液との接触方法とは特に制限されず、酸性溶液を基板上に塗布する方法や、酸性溶液中に基板を浸漬する方法などが挙げられる。
該基板と酸性溶液との接触時間は、使用される酸性溶液の種類などによって適宜最適な時間が選択されるが、被めっき層中の金属成分の除去性の観点から、10秒〜10分が好ましく、1〜5分がより好ましい。
(Process procedure)
The method for contacting the substrate having the patterned metal film with the acidic solution is not particularly limited, and examples thereof include a method of applying the acidic solution on the substrate and a method of immersing the substrate in the acidic solution.
The contact time between the substrate and the acidic solution is appropriately selected depending on the type of the acidic solution used. From the viewpoint of the removal of the metal component in the layer to be plated, the contact time is 10 seconds to 10 minutes. Preferably, 1 to 5 minutes is more preferable.

<被めっき層除去工程>
被めっき層除去工程は、パターン状金属膜が形成されていない領域の被めっき層をプラズマエッチング処理にて除去する工程である。より具体的には、パターン状金属膜を有する基板にプラズマエッチング処理を施して、図1(C)および(D)に示すように、パターン状金属膜16が形成されていない領域30にある被めっき層12を除去する。パターン状金属膜間の被めっき層が除去されることにより、配線間(金属膜間)の絶縁性能がより向上する。
なお、上述した密着補助層を介して被めっき層が基板上に配置される場合は、本工程のプラズマエッチング処理によって、被めっき層のみならず、密着補助層も合わせて除去されてもよい。
<Plating layer removal process>
The to-be-plated layer removing step is a step of removing the to-be-plated layer in the region where the patterned metal film is not formed by plasma etching. More specifically, the substrate having the patterned metal film is subjected to plasma etching, and as shown in FIGS. 1C and 1D, the substrate in the region 30 where the patterned metal film 16 is not formed. The plating layer 12 is removed. By removing the layer to be plated between the patterned metal films, the insulation performance between the wirings (between the metal films) is further improved.
In addition, when a to-be-plated layer is arrange | positioned on a board | substrate through the adhesion | attachment auxiliary | assistant layer mentioned above, not only a to-be-plated layer but the adhesion | attachment auxiliary | assistant layer may be removed together by the plasma etching process of this process.

プラズマエッチング処理としては公知の処理方法が実施でき、例えば、減圧プラズマ処理、または、大気圧下で行う大気プラズマ処理が挙げられる。
プラズマエッチング処理について詳細に述べれば、例えば、上記パターン形成工程の終了後の配線パターンが形成された基板を、プラズマ処理装置のチャンバ内に収納し、該チャンバ内にプラズマを発生させて、イオンやラジカルと呼ばれる中性粒子を基板表面に衝突させることにより行われる。
As the plasma etching process, a known processing method can be carried out, and examples thereof include a reduced pressure plasma process or an atmospheric plasma process performed under atmospheric pressure.
The plasma etching process will be described in detail. For example, the substrate on which the wiring pattern after the pattern formation step is formed is housed in a chamber of a plasma processing apparatus, and plasma is generated in the chamber to generate ions and ions. This is done by causing neutral particles called radicals to collide with the substrate surface.

本工程においては、形成されたパターン状の金属膜自体(配線パターン)がエッチングレジストとして機能するため、プラズマエッチング処理により、配線間に露出して残存する被めっき層や、配線間に付着している有機物などの夾雑物を効果的に除去することができる。なお、形成された配線パターンに影響を与えることのない処理条件により、プラズマエッチング処理を行うことが好ましい。   In this step, the formed patterned metal film itself (wiring pattern) functions as an etching resist. Therefore, the plasma etching process causes a layer to be plated that remains exposed between the wirings, and adheres between the wirings. It is possible to effectively remove impurities such as organic matter. Note that it is preferable to perform the plasma etching process under processing conditions that do not affect the formed wiring pattern.

プラズマの発生法としては、減圧プラズマ法、大気プラズマ法のいずれも適用することができるが、汎用される減圧プラズマ法が好適に用いられる。
プラズマエッチング処理を施す際の雰囲気圧としては、エッチング速度の観点から、100Pa以下であることが好ましく、10Pa以下であることがより好ましい。
なお、大気圧プラズマ法を用いる場合であれば、減圧の必要がないため、インライン処理が可能といった利点であり、これにより生産効率の向上が期待できる。
As a plasma generation method, either a low-pressure plasma method or an atmospheric plasma method can be applied, but a general-purpose low-pressure plasma method is preferably used.
The atmospheric pressure when performing the plasma etching treatment is preferably 100 Pa or less, and more preferably 10 Pa or less, from the viewpoint of the etching rate.
Note that if the atmospheric pressure plasma method is used, there is no need for depressurization, which is an advantage that in-line processing is possible, and this can be expected to improve production efficiency.

当該処理において、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、キセノンの中から選ばれる不活性ガス、O2、CF4、C24、N2、CO2、SF6、CHF3、少なくともO、N、FまたはClを含む反応性ガスからなる群から選択されるいずれか1種類以上のガスを用いることができる。これらは単独で用いてもよいし、混合して用いてもよい。使用するガスは、例えば、処理後の基板表面状態への影響、処理速度や基板温度の制御などの各種の条件に応じて適宜選定できる。 In the treatment, an inert gas selected from helium, argon, krypton, and xenon, O 2 , CF 4 , C 2 F 4 , N 2 , CO 2 , SF 6 , CHF 3 , at least O, N, F or Any one or more kinds of gases selected from the group consisting of reactive gases containing Cl can be used. These may be used alone or in combination. The gas to be used can be appropriately selected according to various conditions such as the influence on the substrate surface state after the processing, the control of the processing speed and the substrate temperature, and the like.

例えば、処理速度の観点からは、酸素ガス、アルゴンガス、CF4、並びに、酸素ガスおよびアルゴンガスの混合ガスが好ましく、アルゴンガス、酸素ガスおよびアルゴンガスの混合ガスがより好ましい。
また、プラズマガスとして酸素ガスを使用する場合に関しては、該酸素ガスは処理表面に水酸基を生成させうることから、例えば、配線基板上にエポキシ樹脂等を主成分とするソルダーレジストを配置して、基板表面とソルダーレジストとを熱重合させるような場合において、基板表面とソルダーレジストとの密着性を向上させることができる。
また、プラズマガスとしてCF系ガスを使用する場合に関しては、該CF系ガスは処理表面の疎水性を向上させうることができることから、例えば、配線基板を積層してなる積層基板を形成する場合において、基板間の界面からの水分等の侵入を効果的に防止しうるなど、配線間の絶縁信頼性をより向上させることもできる。
For example, from the viewpoint of processing speed, oxygen gas, argon gas, CF 4 , and a mixed gas of oxygen gas and argon gas are preferable, and a mixed gas of argon gas, oxygen gas, and argon gas is more preferable.
In addition, when oxygen gas is used as the plasma gas, since the oxygen gas can generate hydroxyl groups on the treatment surface, for example, a solder resist mainly composed of an epoxy resin is disposed on the wiring board, In the case of thermally polymerizing the substrate surface and the solder resist, the adhesion between the substrate surface and the solder resist can be improved.
Further, regarding the case of using a CF-based gas as the plasma gas, the CF-based gas can improve the hydrophobicity of the processing surface. For example, in the case of forming a laminated substrate formed by laminating wiring substrates. In addition, the insulation reliability between the wirings can be further improved, such as the intrusion of moisture and the like from the interface between the substrates can be effectively prevented.

本工程においては、特に、エッチング速度、すなわちプラズマ発生量の点から、プラズマエッチング処理を施す際の雰囲気圧が100Pa以下であり、当該処理において、酸素ガス、アルゴンガス、CF4ガス、およびC24ガスからなる群から選択されるいずれか1種類以上のガスを用いることが好ましい。 In this step, in particular, the atmospheric pressure when performing the plasma etching process is 100 Pa or less from the viewpoint of the etching rate, that is, the amount of plasma generated. In this process, oxygen gas, argon gas, CF 4 gas, and C 2 It is preferable to use at least one gas selected from the group consisting of F 4 gas.

<パターン状金属膜を有する積層体>
上記工程を経ることにより、パターン状金属膜間の被めっき層が除去された、パターン状金属膜を有する積層体を得ることができる(図1(D))。
得られた積層体は、各種用途に使用することができる。例えば、半導体チップ、各種電気配線基板(プリント配線基板など)、FPC、COF、TAB、アンテナ、多層配線基板、マザーボード、等の様々な用途に適用することができる。なかでも、配線基板として好適に利用できる。また、配線基板と使用する際には、必要に応じて、積層体18上に絶縁層40を設けてもよい(図1(E))。
本発明の積層体18と絶縁層40とを含む配線基板50は、平滑な基板との密着性に優れた配線が形成でき、高周波特性も良好であるとともに、微細な高密度配線であっても、配線間の絶縁信頼性に優れる。
絶縁層40としては公知の材料を使用することができ、例えば、公知の層間絶縁膜、ソルダーレジストなどが挙げられる。
<Laminated body having a patterned metal film>
Through the above steps, a laminate having a patterned metal film from which the layer to be plated between the patterned metal films is removed can be obtained (FIG. 1D).
The obtained laminated body can be used for various uses. For example, it can be applied to various uses such as semiconductor chips, various electric wiring boards (printed wiring boards, etc.), FPC, COF, TAB, antennas, multilayer wiring boards, motherboards, and the like. Especially, it can utilize suitably as a wiring board. Moreover, when using with a wiring board, you may provide the insulating layer 40 on the laminated body 18 as needed (FIG.1 (E)).
The wiring substrate 50 including the laminate 18 and the insulating layer 40 of the present invention can form a wiring having excellent adhesion to a smooth substrate, has good high-frequency characteristics, and is a fine high-density wiring. Excellent insulation reliability between wires.
A known material can be used for the insulating layer 40, and examples thereof include a known interlayer insulating film and a solder resist.

以下、実施例により、本発明について更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention further in detail, this invention is not limited to these.

(合成例1:ポリマー1)
2Lの三口フラスコに酢酸エチル1L、2−アミノエタノール159gを入れ、氷浴にて冷却をした。そこへ2−ブロモイソ酪酸ブロミド150gを内温20℃以下になるように調節して滴下した。その後、内温を室温(25℃)まで上昇させて2時間反応させた。反応終了後、蒸留水300mLを追加して反応を停止させた。その後、酢エチ層を蒸留水300mLで4回洗浄後、硫酸マグネシウム乾燥し、酢酸エチルを留去することで原料Aを80g得た。
次に、500mLの三口フラスコに原料A(47.4g)、ピリジン(22g)、酢酸エチル(150mL)を入れて氷浴にて冷却した。そこへ、アクリル酸クロライド25gを内温20℃以下になるように調節して滴下した。その後、室温に上げて3時間反応させた。反応終了後、蒸留水300mL追加し、反応を停止させた。その後、酢エチ層を蒸留水300mLで4回洗浄後、硫酸マグネシウム乾燥し、酢酸エチルを留去し、カラムクロマトグラフィーにてモノマーAを精製し20g得た。
(Synthesis Example 1: Polymer 1)
1 L of ethyl acetate and 159 g of 2-aminoethanol were placed in a 2 L three-necked flask and cooled in an ice bath. Thereto was added dropwise 150 g of 2-bromoisobutyric acid bromide so that the internal temperature was 20 ° C. or lower. Thereafter, the internal temperature was raised to room temperature (25 ° C.) and reacted for 2 hours. After completion of the reaction, 300 mL of distilled water was added to stop the reaction. Thereafter, the ethyl acetate layer was washed four times with 300 mL of distilled water, dried over magnesium sulfate, and 80 g of raw material A was obtained by distilling off ethyl acetate.
Next, the raw material A (47.4g), pyridine (22g), and ethyl acetate (150mL) were put into a 500 mL three necked flask, and it cooled in the ice bath. Thereto, 25 g of acrylic acid chloride was added dropwise while adjusting the internal temperature to 20 ° C. or lower. Then, it was raised to room temperature and reacted for 3 hours. After completion of the reaction, 300 mL of distilled water was added to stop the reaction. Thereafter, the ethyl acetate layer was washed four times with 300 mL of distilled water, dried over magnesium sulfate, ethyl acetate was distilled off, and monomer A was purified by column chromatography to obtain 20 g.

500mLの三口フラスコに、N,N−ジメチルアセトアミド21gを入れ、窒素気流下、60℃まで加熱した。そこへ、上記で得たモノマーA:26.8g、アクリル酸(東京化成製)15.6g、アクリルアミド3.1g、V−601(和光純薬製)0.59gのN,N−ジメチルアセトアミド34g溶液を、6時間かけて滴下した。滴下終了後、更に3時間撹拌した。その後、N,N−ジメチルアセトアミド35gを足し、室温まで反応溶液を冷却した。上記の反応溶液に、4−ヒドロキシTEMPO(東京化成製)0.17g、DBU105gを加え、室温で12時間反応を行った。その後、反応溶液に70質量%メタンスルホン酸水溶液104gを加えた。反応終了後、水で再沈を行い、固形物を取り出し、ポリマー1(重量平均分子量4.2万)を得た(21g)。得られたポリマー1の酸価を、電位差自動滴定装置(京都電子工業(株)製)、および、滴定液として0.1M水酸化ナトリウム水溶液を用いて測定したところ、このポリマー1の酸価は4.2mmol/gであった。   In a 500 mL three-necked flask, 21 g of N, N-dimethylacetamide was placed and heated to 60 ° C. under a nitrogen stream. Thereto, monomer A obtained above: 26.8 g, acrylic acid (manufactured by Tokyo Chemical Industry) 15.6 g, acrylamide 3.1 g, V-601 (manufactured by Wako Pure Chemical Industries) 0.59 g of N, N-dimethylacetamide 34 g The solution was added dropwise over 6 hours. After completion of dropping, the mixture was further stirred for 3 hours. Thereafter, 35 g of N, N-dimethylacetamide was added, and the reaction solution was cooled to room temperature. 4-hydroxy TEMPO (product made from Tokyo Chemical Industry) 0.17g and DBU105g were added to said reaction solution, and reaction was performed at room temperature for 12 hours. Thereafter, 104 g of a 70 mass% methanesulfonic acid aqueous solution was added to the reaction solution. After completion of the reaction, reprecipitation was carried out with water, and the solid matter was taken out to obtain polymer 1 (weight average molecular weight 42,000) (21 g). When the acid value of the obtained polymer 1 was measured using a potentiometric automatic titrator (manufactured by Kyoto Electronics Industry Co., Ltd.) and a 0.1 M sodium hydroxide aqueous solution as the titrant, the acid value of the polymer 1 was It was 4.2 mmol / g.

得られたポリマー1を炭酸水素ナトリウムにて中和し、重水に溶解させ、ブルカー製300MHzのNMR(AV−300)にて測定を行った。重合性基含有ユニットに相当するピークが7.8−8.1ppm(1H分)、5.8−5.6ppm(1H分)、5.4−5.2ppm(1H分)、4.2−3.9ppm(2H分)、3.5−3.3ppm(2H分)、2.5−0.7ppm(6H分)にブロードに観察され、カルボン酸基ユニットに相当するピークが2.5−0.7ppm(3H分)にブロードに観察され、アクリルアミドユニットに由来するピークが2.5−0.7ppm(3H分)にブロードに観察され、(メタ)アクリルアミド基を有するユニット、カルボン酸基を有するユニット、アクリルアミド由来のユニットからなるポリマーが生成している事を確認した。   The obtained polymer 1 was neutralized with sodium hydrogencarbonate, dissolved in heavy water, and measured by Bruker 300 MHz NMR (AV-300). Peaks corresponding to the polymerizable group-containing unit are 7.8-8.1 ppm (1H min), 5.8-5.6 ppm (1H min), 5.4-5.2 ppm (1H min), 4.2- Broad peaks were observed at 3.9 ppm (2H min), 3.5-3.3 ppm (2H min), and 2.5-0.7 ppm (6H min), and peaks corresponding to carboxylic acid group units were 2.5-. A peak derived from an acrylamide unit was observed at 0.7 ppm (3H min), and a peak derived from an acrylamide unit was observed at 2.5-0.7 ppm (3H min) broadly. A unit having a (meth) acrylamide group, a carboxylic acid group It was confirmed that a polymer composed of units having acrylamide and units derived from acrylamide was produced.

(合成例2:ポリマー2)
500mLの三口フラスコに、N,N−ジメチルアセトアミド21gを入れ、窒素気流下、60℃まで加熱した。そこへ、上記で得たモノマーA:27.9g、アクリル酸(東京化成製)13.1g、N,N−ジメチルアクリルアミド3.3g、V−601(和光純薬製)0.59gのN,N−ジメチルアセトアミド35g溶液を、6時間かけて滴下した。滴下終了後、更に3時間撹拌した。その後、N,N−ジメチルアセトアミド37gを足し、室温まで反応溶液を冷却した。上記の反応溶液に、4−ヒドロキシTEMPO(東京化成製)0.18g、DBU109gを加え、室温で12時間反応を行った。その後、反応溶液に70質量%メタンスルホン酸水溶液108gを加えた。反応終了後、水で再沈を行い、固形物を取り出し、ポリマー2(重量平均分子量4.0万)を得た(20g)。得られたポリマー2の酸価を、電位差自動滴定装置(京都電子工業(株)製)、および、滴定液として0.1M水酸化ナトリウム水溶液を用いて測定したところ、このポリマー2の酸価は4.1mmol/gであった。
(Synthesis Example 2: Polymer 2)
In a 500 mL three-necked flask, 21 g of N, N-dimethylacetamide was placed and heated to 60 ° C. under a nitrogen stream. Thereto, monomer A obtained above: 27.9 g, acrylic acid (manufactured by Tokyo Chemical Industry) 13.1 g, N, N-dimethylacrylamide 3.3 g, V-601 (manufactured by Wako Pure Chemical Industries) 0.59 g N, A solution of 35 g of N-dimethylacetamide was added dropwise over 6 hours. After completion of dropping, the mixture was further stirred for 3 hours. Thereafter, 37 g of N, N-dimethylacetamide was added, and the reaction solution was cooled to room temperature. 4-hydroxy TEMPO (product made from Tokyo Chemical Industry) 0.18g and DBU109g were added to said reaction solution, and reaction was performed at room temperature for 12 hours. Thereafter, 108 g of a 70% by mass aqueous methanesulfonic acid solution was added to the reaction solution. After completion of the reaction, reprecipitation was performed with water, and the solid matter was taken out to obtain polymer 2 (weight average molecular weight: 40,000) (20 g). When the acid value of the obtained polymer 2 was measured using a potentiometric automatic titrator (manufactured by Kyoto Electronics Industry Co., Ltd.) and a 0.1 M sodium hydroxide aqueous solution as the titrant, the acid value of the polymer 2 was It was 4.1 mmol / g.

得られたポリマー2を炭酸水素ナトリウムにて中和し、重水に溶解させ、ブルカー製300MHzのNMR(AV−300)にて測定を行った。重合性基含有ユニットに相当するピークが7.8−8.1ppm(1H分)、5.8−5.6ppm(1H分)、5.4−5.2ppm(1H分)、4.2−3.9ppm(2H分)、3.5−3.3ppm(2H分)、2.5−0.7ppm(6H分)にブロードに観察され、カルボン酸基ユニットに相当するピークが2.5−0.7ppm(3H分)にブロードに観察され、ジメチルアクリルアミドユニットに由来するピークが3.0−2.7ppm(6H分)、2.5−0.7ppm(3H分)にブロードに観察され、(メタ)アクリルアミド基を有するユニット、カルボン酸基を有するユニット、N,N−ジエチルアクリルアミド由来のユニットからなるポリマーが生成している事を確認した。   The obtained polymer 2 was neutralized with sodium hydrogen carbonate, dissolved in heavy water, and measured by Bruker 300 MHz NMR (AV-300). Peaks corresponding to the polymerizable group-containing unit are 7.8-8.1 ppm (1H min), 5.8-5.6 ppm (1H min), 5.4-5.2 ppm (1H min), 4.2- Broad peaks were observed at 3.9 ppm (2H min), 3.5-3.3 ppm (2H min), and 2.5-0.7 ppm (6H min), and peaks corresponding to carboxylic acid group units were 2.5-. Broadly observed at 0.7 ppm (3H min), peaks derived from dimethylacrylamide units are observed broadly at 3.0-2.7 ppm (6H min), 2.5-0.7 ppm (3H min), It was confirmed that a polymer composed of a unit having a (meth) acrylamide group, a unit having a carboxylic acid group, and a unit derived from N, N-diethylacrylamide was produced.

(合成例3:ポリマー3)
500mLの三口フラスコに、N,N−ジメチルアセトアミド21gを入れ、窒素気流下、60℃まで加熱した。そこへ、上記で得たモノマーA:25.4g、アクリル酸(東京化成製)12.9g、N,N−ジエチルアクリルアミド(東京化成製)5.7g、V−601(和光純薬製)0.59gのN,N−ジメチルアセトアミド36g溶液を、6時間かけて滴下した。滴下終了後、更に3時間撹拌した。その後、N,N−ジメチルアセトアミド37gを足し、室温まで反応溶液を冷却した。上記の反応溶液に、4−ヒドロキシTEMPO(東京化成製)0.17g、DBU105gを加え、室温で12時間反応を行った。その後、反応溶液に70質量%メタンスルホン酸水溶液104gを加えた。反応終了後、水で再沈を行い、固形物を取り出し、ポリマー3(重量平均分子量4.1万)を得た(23g)。得られたポリマー3の酸価を、電位差自動滴定装置(京都電子工業(株)製)、および、滴定液として0.1M水酸化ナトリウム水溶液を用いて測定したところ、このポリマー3の酸価は4.2mmol/gであった。
(Synthesis Example 3: Polymer 3)
In a 500 mL three-necked flask, 21 g of N, N-dimethylacetamide was placed and heated to 60 ° C. under a nitrogen stream. The monomer A obtained above: 25.4 g, acrylic acid (Tokyo Kasei) 12.9 g, N, N-diethylacrylamide (Tokyo Kasei) 5.7 g, V-601 (Wako Pure Chemical Industries) 0 .59 g of N, N-dimethylacetamide 36 g solution was added dropwise over 6 hours. After completion of dropping, the mixture was further stirred for 3 hours. Thereafter, 37 g of N, N-dimethylacetamide was added, and the reaction solution was cooled to room temperature. 4-hydroxy TEMPO (product made from Tokyo Chemical Industry) 0.17g and DBU105g were added to said reaction solution, and reaction was performed at room temperature for 12 hours. Thereafter, 104 g of a 70 mass% methanesulfonic acid aqueous solution was added to the reaction solution. After completion of the reaction, reprecipitation was carried out with water, and the solid matter was taken out to obtain polymer 3 (weight average molecular weight 41,000) (23 g). When the acid value of the obtained polymer 3 was measured using a potentiometric automatic titrator (manufactured by Kyoto Electronics Industry Co., Ltd.) and a 0.1 M sodium hydroxide aqueous solution as the titrant, the acid value of the polymer 3 was It was 4.2 mmol / g.

得られたポリマー3を炭酸水素ナトリウムにて中和し、重水に溶解させ、ブルカー製300MHzのNMR(AV−300)にて測定を行った。重合性基含有ユニットに相当するピークが7.8−8.1ppm(1H分)、5.8−5.6ppm(1H分)、5.4−5.2ppm(1H分)、4.2−3.9ppm(2H分)、3.5−3.3ppm(2H分)、2.5−0.7ppm(6H分)にブロードに観察され、カルボン酸基ユニットに相当するピークが2.5−0.7ppm(3H分)にブロードに観察され、ジエチルアクリルアミドユニットに由来するピークが3.4−3.0ppm(4H分)、2.5−0.7ppm(9H分)にブロードに観察され、(メタ)アクリルアミド基を有するユニット、カルボン酸基を有するユニット、アクリルアミド由来のユニットからなるポリマーが生成している事を確認した。   The obtained polymer 3 was neutralized with sodium hydrogen carbonate, dissolved in heavy water, and measured by Bruker 300 MHz NMR (AV-300). Peaks corresponding to the polymerizable group-containing unit are 7.8-8.1 ppm (1H min), 5.8-5.6 ppm (1H min), 5.4-5.2 ppm (1H min), 4.2- Broad peaks were observed at 3.9 ppm (2H min), 3.5-3.3 ppm (2H min), and 2.5-0.7 ppm (6H min), and peaks corresponding to carboxylic acid group units were 2.5-. Broadly observed at 0.7 ppm (3H minutes), peaks derived from diethylacrylamide units are observed broadly at 3.4-3.0 ppm (4H minutes), 2.5-0.7 ppm (9H minutes), It was confirmed that a polymer composed of a unit having a (meth) acrylamide group, a unit having a carboxylic acid group, and a unit derived from acrylamide was produced.

(合成例4:ポリマー4)
500mLの三口フラスコに、N,N−ジメチルアセトアミド23gを入れ、窒素気流下、60℃まで加熱した。そこへ、上記で得たモノマーA:28.1g、アクリル酸(東京化成製)12.9g、アクリロイルモルホリン((株)興人製)5.0g、V−601(和光純薬製)0.59gのN,N−ジメチルアセトアミド(東京化成製)37g溶液を、6時間かけて滴下した。滴下終了後、更に3時間撹拌した。その後、N,N−ジメチルアセトアミド38gを足し、室温まで反応溶液を冷却した。上記の反応溶液に4−ヒドロキシTEMPO(東京化成製)0.18g、DBU108gを加え、室温で12時間反応を行った。その後、反応溶液に70質量%メタンスルホン酸水溶液108gを加えた。反応終了後、水で再沈を行い、固形物を取り出し、ポリマー4(重量平均分子量4.3万)を得た(24g)。得られたポリマー4の酸価を、電位差自動滴定装置(京都電子工業(株)製)、および、滴定液として0.1M水酸化ナトリウム水溶液を用いて測定したところ、このポリマー4の酸価は4.1mmol/gであった。
(Synthesis Example 4: Polymer 4)
In a 500 mL three-necked flask, 23 g of N, N-dimethylacetamide was placed and heated to 60 ° C. under a nitrogen stream. Thereto, monomer A obtained above: 28.1 g, acrylic acid (manufactured by Tokyo Chemical Industry) 12.9 g, acryloylmorpholine (manufactured by Kojin Co., Ltd.) 5.0 g, V-601 (manufactured by Wako Pure Chemical Industries) 59 g of N, N-dimethylacetamide (Tokyo Kasei) 37 g solution was added dropwise over 6 hours. After completion of dropping, the mixture was further stirred for 3 hours. Thereafter, 38 g of N, N-dimethylacetamide was added, and the reaction solution was cooled to room temperature. 4-hydroxy TEMPO (product made from Tokyo Chemical Industry) 0.18g and DBU108g were added to said reaction solution, and reaction was performed at room temperature for 12 hours. Thereafter, 108 g of a 70% by mass aqueous methanesulfonic acid solution was added to the reaction solution. After completion of the reaction, reprecipitation was carried out with water, and the solid matter was taken out to obtain polymer 4 (weight average molecular weight 43,000) (24 g). When the acid value of the obtained polymer 4 was measured using a potentiometric automatic titrator (manufactured by Kyoto Electronics Industry Co., Ltd.) and a 0.1 M sodium hydroxide aqueous solution as the titrant, the acid value of the polymer 4 was It was 4.1 mmol / g.

得られたポリマー4を炭酸水素ナトリウムにて中和し、重水に溶解させ、ブルカー製300MHzのNMR(AV−300)にて測定を行った。重合性基含有ユニットに相当するピークが7.8−8.1ppm(1H分)、5.8−5.6ppm(1H分)、5.4−5.2ppm(1H分)、4.2−3.9ppm(2H分)、3.5−3.3ppm(2H分)、2.5−0.7ppm(6H分)にブロードに観察され、カルボン酸基ユニットに相当するピークが2.5−0.7ppm(3H分)にブロードに観察され、アクリロイルモルホリンユニットに由来するピークが3.7−3.5ppm(8H分)、2.8−0.7ppm(3H分)にブロードに観察され、(メタ)アクリルアミド基を有するユニット、カルボン酸基を有するユニット、アクリロイルモルホリン由来のユニットからなるポリマーが生成している事を確認した。   The obtained polymer 4 was neutralized with sodium hydrogen carbonate, dissolved in heavy water, and measured by Bruker 300 MHz NMR (AV-300). Peaks corresponding to the polymerizable group-containing unit are 7.8-8.1 ppm (1H min), 5.8-5.6 ppm (1H min), 5.4-5.2 ppm (1H min), 4.2- Broad peaks were observed at 3.9 ppm (2H min), 3.5-3.3 ppm (2H min), and 2.5-0.7 ppm (6H min), and peaks corresponding to carboxylic acid group units were 2.5-. A broad peak is observed at 0.7 ppm (3 H min), and a peak derived from the acryloylmorpholine unit is observed at 3.7-3.5 ppm (8 H min), 2.8-0.7 ppm (3 H min) broad, It was confirmed that a polymer composed of a unit having a (meth) acrylamide group, a unit having a carboxylic acid group, and a unit derived from acryloylmorpholine was produced.

(合成例5:ポリマー5)
2Lの三口フラスコに酢酸エチル1L、エチレンジアミン400gを入れ、氷浴にて冷却をした。そこへ2−ブロモイソ酪酸ブロミド200gを内温20℃以下になるように調節して滴下した。その後、内温を室温(25℃)まで上昇させて2時間反応させた。反応終了後、蒸留水300mL追加して反応を停止させた。その後、酢エチ層を蒸留水300mLで4回洗浄後、硫酸マグネシウム乾燥し、酢酸エチルを留去し、カラムクロマトグラフィーにて精製し、片末端のアミノ基のみが反応した原料Bを50g得た。
(Synthesis Example 5: Polymer 5)
1 L of ethyl acetate and 400 g of ethylenediamine were placed in a 2 L three-necked flask and cooled in an ice bath. Thereto was added dropwise 200 g of 2-bromoisobutyric acid bromide so that the internal temperature was 20 ° C. or lower. Thereafter, the internal temperature was raised to room temperature (25 ° C.) and reacted for 2 hours. After completion of the reaction, 300 mL of distilled water was added to stop the reaction. Thereafter, the ethyl acetate layer was washed 4 times with 300 mL of distilled water, dried over magnesium sulfate, and ethyl acetate was distilled off and purified by column chromatography to obtain 50 g of a raw material B in which only one terminal amino group had reacted. .

次に、500mLの三口フラスコに、原料B(45g)、ピリジン(22g)、および酢酸エチル(150mL)を入れて氷浴にて冷却した。そこへアクリル酸クロライド25gを内温20℃以下になるように調節して滴下した。その後、室温に上げて3時間反応させた。反応終了後、蒸留水300mL追加し反応を停止させた。その後、酢エチ層を蒸留水300mLで4回洗浄後、硫酸マグネシウム乾燥し、酢酸エチルを留去し、カラムクロマトグラフィーにてモノマーBを精製し30g得た。   Next, the raw material B (45g), pyridine (22g), and ethyl acetate (150mL) were put into a 500 mL three necked flask, and it cooled in the ice bath. Thereto, 25 g of acrylic acid chloride was added dropwise while adjusting the internal temperature to 20 ° C. or lower. Then, it was raised to room temperature and reacted for 3 hours. After completion of the reaction, 300 mL of distilled water was added to stop the reaction. Thereafter, the ethyl acetate layer was washed four times with 300 mL of distilled water, dried over magnesium sulfate, ethyl acetate was distilled off, and monomer B was purified by column chromatography to obtain 30 g.

500mLの三口フラスコに、N,N−ジメチルアセトアミド22gを入れ、窒素気流下、60℃まで加熱した。そこへ、上記で得たモノマーB:28.3g、アクリル酸(東京化成製)12.1g、ジエチルアクリルアミド(東京化成製)5.7g、V−601(和光純薬製)0.59gのN,N−ジメチルアセトアミド37g溶液を、6時間かけて滴下した。滴下終了後、更に3時間撹拌した。その後、N,N−ジメチルアセトアミド38gを足し、室温まで反応溶液を冷却した。上記の反応溶液に、4−ヒドロキシTEMPO(東京化成製)0.19g、DBU105gを加え、室温で12時間反応を行った。その後、反応溶液に70質量%メタンスルホン酸水溶液104gを加えた。反応終了後、水で再沈を行い、固形物を取り出し、ポリマー5(重量平均分子量3.8万)を得た(19g)。得られたポリマー5の酸価を、電位差自動滴定装置(京都電子工業(株)製)、および、滴定液として0.1M水酸化ナトリウム水溶液を用いて測定したところ、このポリマー5の酸価は4.4mmol/gであった。   In a 500 mL three-necked flask, 22 g of N, N-dimethylacetamide was placed and heated to 60 ° C. under a nitrogen stream. Thereto, monomer B: 28.3 g obtained above, acrylic acid (manufactured by Tokyo Chemical Industry) 12.1 g, diethylacrylamide (manufactured by Tokyo Chemical Industry) 5.7 g, V-601 (manufactured by Wako Pure Chemical Industries) 0.59 g N , N-dimethylacetamide 37 g solution was added dropwise over 6 hours. After completion of dropping, the mixture was further stirred for 3 hours. Thereafter, 38 g of N, N-dimethylacetamide was added, and the reaction solution was cooled to room temperature. 4-hydroxy TEMPO (product made from Tokyo Chemical Industry) 0.19g and DBU105g were added to said reaction solution, and reaction was performed at room temperature for 12 hours. Thereafter, 104 g of a 70 mass% methanesulfonic acid aqueous solution was added to the reaction solution. After completion of the reaction, reprecipitation was carried out with water, and the solid matter was taken out to obtain polymer 5 (weight average molecular weight 38,000) (19 g). When the acid value of the obtained polymer 5 was measured using a potentiometric automatic titrator (manufactured by Kyoto Electronics Industry Co., Ltd.) and a 0.1 M sodium hydroxide aqueous solution as the titrant, the acid value of the polymer 5 was It was 4.4 mmol / g.

得られたポリマー5を炭酸水素ナトリルムで中和した後に、重水に溶解させ、ブルカー製300MHzのNMR(AV−300)にて測定を行った。重合性基含有ユニットに相当するピークが7.8−8.1ppm(2H分)、5.8−5.6ppm(1H分)、5.4−5.2ppm(1H分)、3.5−3.3ppm(4H分)、2.5−0.7ppm(6H分)にブロードに観察され、カルボン酸基ユニットに相当するピークが2.5−0.7ppm(3H分)にブロードに観察され、ジエチルアクリルアミドユニットに由来するピークが3.4−3.0ppm(4H分)、2.5−0.7ppm(9H分)にブロードに観察され、(メタ)アクリルアミド基を有するユニット、カルボン酸基を有するユニット、ジエチルアクリルアミド由来のユニットからなるポリマーが生成している事を確認した。   The obtained polymer 5 was neutralized with sodium hydrogen carbonate, dissolved in heavy water, and measured by Bruker 300 MHz NMR (AV-300). Peaks corresponding to the polymerizable group-containing unit are 7.8-8.1 ppm (2H min), 5.8-5.6 ppm (1H min), 5.4-5.2 ppm (1H min), 3.5- A broad peak is observed at 3.3 ppm (4H min) and 2.5-0.7 ppm (6H min), and a peak corresponding to a carboxylic acid group unit is observed broad at 2.5-0.7 ppm (3H min). , Peaks derived from diethylacrylamide units are observed broadly at 3.4-3.0 ppm (4H minutes), 2.5-0.7 ppm (9H minutes), units having (meth) acrylamide groups, carboxylic acid groups It was confirmed that a polymer comprising a unit having a unit and a unit derived from diethylacrylamide was produced.

(合成例6:ポリマー6)
2Lの三口フラスコに酢酸エチル1L、3−アミノメチル−3,5,5−トリメチルシクロヘキサノール446gを入れ、氷浴にて冷却をした。そこへ2−ブロモイソ酪酸ブロミド150gを内温20℃以下になるように調節して滴下した。その後、内温を室温(25℃)まで上昇させて2時間反応させた。反応終了後、蒸留水300mL追加して反応を停止させた。その後、酢エチ層を蒸留水300mLで4回洗浄後、硫酸マグネシウム乾燥し酢酸エチルを留去し、カラムクロマトグラフィーで精製する事で原料Cを120g得た。
(Synthesis Example 6: Polymer 6)
1 L of ethyl acetate and 446 g of 3-aminomethyl-3,5,5-trimethylcyclohexanol were placed in a 2 L three-necked flask and cooled in an ice bath. Thereto was added dropwise 150 g of 2-bromoisobutyric acid bromide so that the internal temperature was 20 ° C. or lower. Thereafter, the internal temperature was raised to room temperature (25 ° C.) and reacted for 2 hours. After completion of the reaction, 300 mL of distilled water was added to stop the reaction. Thereafter, the ethyl acetate layer was washed four times with 300 mL of distilled water, dried over magnesium sulfate, ethyl acetate was distilled off, and purified by column chromatography to obtain 120 g of raw material C.

次に、500mLの三口フラスコに、原料C(72g)、ピリジン(22g)、酢酸エチル(150mL)を入れて氷浴にて冷却した。そこへアクリル酸クロライド25gを内温20℃以下になるように調節をして滴下した。その後、室温に上げて3時間反応させた。反応終了後、蒸留水300mL追加し反応を停止させた。その後、酢エチ層を蒸留水300mLで4回洗浄後、硫酸マグネシウム乾燥し、酢酸エチルを留去し、カラムクロマトグラフィーにてモノマーCを精製し25g得た。   Next, the raw material C (72g), pyridine (22g), and ethyl acetate (150mL) were put into a 500 mL three necked flask, and it cooled in the ice bath. The acrylic acid chloride 25g was dripped and adjusted so that it might become 20 degrees C or less of internal temperature there. Then, it was raised to room temperature and reacted for 3 hours. After completion of the reaction, 300 mL of distilled water was added to stop the reaction. Thereafter, the ethyl acetate layer was washed four times with 300 mL of distilled water, dried over magnesium sulfate, ethyl acetate was distilled off, and monomer C was purified by column chromatography to obtain 25 g.

500mLの三口フラスコに、N,N−ジメチルアセトアミド13gを入れ、窒素気流下、60℃まで加熱した。そこへ、上記で得たモノマーC:18.6g、アクリル酸(東京化成製)6g、ジエチルアクリルアミド(東京化成製)2.1g、V−601(和光純薬製)0.28gのN,N−ジメチルアセトアミド21g溶液を、6時間かけて滴下した。滴下終了後、更に3時間撹拌した。その後、N,N−ジメチルアセトアミド22gを足し、室温まで反応溶液を冷却した。上記の反応溶液に、4−ヒドロキシTEMPO(東京化成製)0.09g、DBU50.1gを加え、室温で12時間反応を行った。その後、反応溶液に70質量%メタンスルホン酸水溶液51gを加えた。反応終了後、水で再沈を行い、固形物を取り出し、ポリマー6(重量平均分子量4.4万)を得た(9g)。得られたポリマー6の酸価を、電位差自動滴定装置(京都電子工業(株)製)、および、滴定液として0.1M水酸化ナトリウム水溶液を用いて測定したところ、このポリマー6の酸価は4.5mmol/gであった。   In a 500 mL three-necked flask, 13 g of N, N-dimethylacetamide was added and heated to 60 ° C. under a nitrogen stream. Thereto, monomer C: 18.6 g obtained above, acrylic acid (manufactured by Tokyo Chemical Industry) 6 g, diethylacrylamide (manufactured by Tokyo Chemical Industry) 2.1 g, V-601 (manufactured by Wako Pure Chemical Industries) 0.28 g of N, N -A 21 g solution of dimethylacetamide was added dropwise over 6 hours. After completion of dropping, the mixture was further stirred for 3 hours. Thereafter, 22 g of N, N-dimethylacetamide was added, and the reaction solution was cooled to room temperature. 4-hydroxy TEMPO (product made from Tokyo Chemical Industry) 0.09g and DBU50.1g were added to said reaction solution, and reaction was performed at room temperature for 12 hours. Thereafter, 51 g of a 70 mass% methanesulfonic acid aqueous solution was added to the reaction solution. After completion of the reaction, reprecipitation was carried out with water, and the solid matter was taken out to obtain polymer 6 (weight average molecular weight 44,000) (9 g). When the acid value of the obtained polymer 6 was measured using a potentiometric automatic titrator (manufactured by Kyoto Electronics Co., Ltd.) and a 0.1 M sodium hydroxide aqueous solution as the titrant, the acid value of the polymer 6 was It was 4.5 mmol / g.

得られたポリマー6を炭酸水素ナトリルムで中和し、重水に溶解させ、ブルカー製300MHzのNMR(AV−300)にて測定を行った。重合性基含有ユニットに相当するピークが7.8−8.1ppm(1H分)、5.8−5.6ppm(1H分)、5.4−5.2ppm(1H分)、4.4−4.1ppm(2H分)、3.5−3.3ppm(2H分)、2.5−0.7ppm(21H分)にブロードに観察され、カルボン酸基ユニットに相当するピークが2.5−0.7ppm(3H分)にブロードに観察され、ジエチルアクリルアミドユニットに由来するピークが3.4−3.0ppm(4H分)、2.5−0.7ppm(9H分)にブロードに観察され、(メタ)アクリルアミド基を有するユニット、カルボン酸基を有するユニット、ジエチルアクリルアミド由来のユニットからなるポリマーが生成している事を確認した。   The obtained polymer 6 was neutralized with sodium hydrogen carbonate, dissolved in heavy water, and measured by Bruker 300 MHz NMR (AV-300). Peaks corresponding to the polymerizable group-containing unit are 7.8-8.1 ppm (1H min), 5.8-5.6 ppm (1H min), 5.4-5.2 ppm (1H min), 4.4- It was observed broadly at 4.1 ppm (2H min), 3.5-3.3 ppm (2H min), 2.5-0.7 ppm (21H min), and a peak corresponding to the carboxylic acid group unit was 2.5- Broadly observed at 0.7 ppm (3H minutes), peaks derived from diethylacrylamide units are observed broadly at 3.4-3.0 ppm (4H minutes), 2.5-0.7 ppm (9H minutes), It was confirmed that a polymer composed of a unit having a (meth) acrylamide group, a unit having a carboxylic acid group, and a unit derived from diethylacrylamide was produced.

(合成例7:ポリマー7)
2Lの三口フラスコに酢酸エチル1L、2−(2−アミノエトキシ)エタノール274gを入れ、氷浴にて冷却をした。そこへ2−ブロモイソ酪酸ブロミド150gを内温20℃以下になるように調節して滴下した。その後、内温を室温(25℃)まで上昇させて2時間反応させた。反応終了後、蒸留水300mL追加して反応を停止させた。その後、酢エチ層を蒸留水300mLで4回洗浄後、硫酸マグネシウム乾燥し酢酸エチルを留去する事で原料Dを90g得た。
(Synthesis Example 7: Polymer 7)
1 L of ethyl acetate and 274 g of 2- (2-aminoethoxy) ethanol were placed in a 2 L three-necked flask and cooled in an ice bath. Thereto was added dropwise 150 g of 2-bromoisobutyric acid bromide so that the internal temperature was 20 ° C. or lower. Thereafter, the internal temperature was raised to room temperature (25 ° C.) and reacted for 2 hours. After completion of the reaction, 300 mL of distilled water was added to stop the reaction. Thereafter, the ethyl acetate layer was washed four times with 300 mL of distilled water, dried over magnesium sulfate, and 90 g of raw material D was obtained by distilling off ethyl acetate.

次に、500mLの三口フラスコに、原料D(57g)、ピリジン(22g)、酢酸エチル(150mL)を入れて氷浴にて冷却した。そこへアクリル酸クロライド25gを内温20℃以下になるように調節をして滴下した。その後、室温に上げて3時間反応させた。反応終了後、蒸留水300mL追加し反応を停止させた。その後、酢エチ層を蒸留水300mLで4回洗浄後、硫酸マグネシウム乾燥し、酢酸エチルを留去し、カラムクロマトグラフィーにてモノマーDを精製し22g得た。   Next, the raw material D (57g), pyridine (22g), and ethyl acetate (150mL) were put into a 500 mL three necked flask, and it cooled in the ice bath. The acrylic acid chloride 25g was dripped and adjusted so that it might become 20 degrees C or less of internal temperature there. Then, it was raised to room temperature and reacted for 3 hours. After completion of the reaction, 300 mL of distilled water was added to stop the reaction. Thereafter, the ethyl acetate layer was washed four times with 300 mL of distilled water, dried over magnesium sulfate, ethyl acetate was distilled off, and monomer D was purified by column chromatography to obtain 22 g.

500mLの三口フラスコに、N,N−ジメチルアセトアミド16gを入れ、窒素気流下、60℃まで加熱した。そこへ、上記で得たモノマーD:20.5g、アクリル酸(東京化成製)8.1g、ジエチルアクリルアミド2.8g、V−601(和光純薬製)0.37gのN,N−ジメチルアセトアミド25g溶液を、6時間かけて滴下した。滴下終了後、更に3時間撹拌した。その後、N,N−ジメチルアセトアミド26gを足し、室温まで反応溶液を冷却した。上記の反応溶液に、4−ヒドロキシTEMPO(東京化成製)0.11g、DBU68gを加え、室温で12時間反応を行った。その後、反応溶液に70質量%メタンスルホン酸水溶液67gを加えた。反応終了後、水で再沈を行い、固形物を取り出し、ポリマー7(重量平均分子量3.9万)を得た(14g)。得られたポリマー7の酸価を、電位差自動滴定装置(京都電子工業(株)製)、および、滴定液として0.1M水酸化ナトリウム水溶液を用いて測定したところ、このポリマー7の酸価は4.4mmol/gであった。   In a 500 mL three-necked flask, 16 g of N, N-dimethylacetamide was placed and heated to 60 ° C. under a nitrogen stream. Thereto monomer D: 20.5 g obtained above, acrylic acid (Tokyo Kasei) 8.1 g, diethylacrylamide 2.8 g, V-601 (Wako Pure Chemical Industries) 0.37 g N, N-dimethylacetamide A 25 g solution was added dropwise over 6 hours. After completion of dropping, the mixture was further stirred for 3 hours. Thereafter, 26 g of N, N-dimethylacetamide was added, and the reaction solution was cooled to room temperature. 4-hydroxy TEMPO (product made from Tokyo Chemical Industry) 0.11g and DBU68g were added to said reaction solution, and reaction was performed at room temperature for 12 hours. Thereafter, 67 g of a 70 mass% methanesulfonic acid aqueous solution was added to the reaction solution. After completion of the reaction, reprecipitation was performed with water, and the solid matter was taken out to obtain polymer 7 (weight average molecular weight 39,000) (14 g). When the acid value of the obtained polymer 7 was measured using a potentiometric automatic titrator (manufactured by Kyoto Electronics Industry Co., Ltd.) and a 0.1 M sodium hydroxide aqueous solution as the titrant, the acid value of the polymer 7 was It was 4.4 mmol / g.

得られたポリマー7を炭酸水素ナトリウムにて中和し、重水に溶解させ、ブルカー製300MHzのNMR(AV−300)にて測定を行った。重合性基含有ユニットに相当するピークが7.8−8.1ppm(1H分)、5.8−5.6ppm(1H分)、5.4−5.2ppm(1H分)、4.2−3.9ppm(2H分)、3.8−3.3ppm(6H分)、2.5−0.7ppm(6H分)にブロードに観察され、カルボン酸基ユニットに相当するピークが2.5−0.7ppm(3H分)にブロードに観察され、ジエチルアクリルアミドユニットに由来するピークが3.4−3.0ppm(4H分)、2.5−0.7ppm(9H分)にブロードに観察され、(メタ)アクリルアミド基を有するユニット、カルボン酸基を有するユニット、ジエチルアクリルアミド由来のユニットからなるポリマーが生成している事を確認した。   The obtained polymer 7 was neutralized with sodium hydrogen carbonate, dissolved in heavy water, and measured by 300 MHz NMR (AV-300) manufactured by Bruker. Peaks corresponding to the polymerizable group-containing unit are 7.8-8.1 ppm (1H min), 5.8-5.6 ppm (1H min), 5.4-5.2 ppm (1H min), 4.2- A broad peak at 3.9 ppm (2H min), 3.8-3.3 ppm (6H min), and 2.5-0.7 ppm (6H min) was observed, and a peak corresponding to a carboxylic acid group unit was 2.5- Broadly observed at 0.7 ppm (3H minutes), peaks derived from diethylacrylamide units are observed broadly at 3.4-3.0 ppm (4H minutes), 2.5-0.7 ppm (9H minutes), It was confirmed that a polymer composed of a unit having a (meth) acrylamide group, a unit having a carboxylic acid group, and a unit derived from diethylacrylamide was produced.

(合成例8:ポリマー8)
2Lの三口フラスコに酢酸エチル1L、4−ビニルフェニル−メチルアミン350gを入れ、氷浴にて冷却をした。そこへ2−ブロモイソ酪酸ブロミド150gを内温20℃以下になるように調節して滴下した。その後、内温を室温(25℃)まで上昇させて2時間反応させた。反応終了後、蒸留水300mLを追加して反応を停止させた。その後、酢エチ層を蒸留水300mLで4回洗浄後、硫酸マグネシウム乾燥し、酢酸エチルを留去する事で原料Eを100g得た。
(Synthesis Example 8: Polymer 8)
1 L of ethyl acetate and 350 g of 4-vinylphenyl-methylamine were placed in a 2 L three-necked flask and cooled in an ice bath. Thereto was added dropwise 150 g of 2-bromoisobutyric acid bromide so that the internal temperature was 20 ° C. or lower. Thereafter, the internal temperature was raised to room temperature (25 ° C.) and reacted for 2 hours. After completion of the reaction, 300 mL of distilled water was added to stop the reaction. Thereafter, the ethyl acetate layer was washed four times with 300 mL of distilled water, dried over magnesium sulfate, and 100 g of raw material E was obtained by distilling off ethyl acetate.

次に、500mLの三口フラスコに、原料E(57g)、ピリジン(24g)、酢酸エチル(170mL)を入れて氷浴にて冷却した。そこへアクリル酸クロライド28gを内温20℃以下になるように調節をして滴下した。その後、室温に上げて3時間反応させた。反応終了後、蒸留水300mL追加し反応を停止させた。その後、酢エチ層を蒸留水300mLで4回洗浄後、硫酸マグネシウム乾燥し、酢酸エチルを留去し、カラムクロマトグラフィーにて精製してモノマーEを27g得た。   Next, a raw material E (57 g), pyridine (24 g), and ethyl acetate (170 mL) were placed in a 500 mL three-necked flask and cooled in an ice bath. The acrylic acid chloride 28g was dripped and adjusted so that it might become 20 degrees C or less of internal temperature there. Then, it was raised to room temperature and reacted for 3 hours. After completion of the reaction, 300 mL of distilled water was added to stop the reaction. Thereafter, the ethyl acetate layer was washed four times with 300 mL of distilled water, dried over magnesium sulfate, and ethyl acetate was distilled off, followed by purification by column chromatography to obtain 27 g of monomer E.

500mLの三口フラスコに、N,N−ジメチルアセトアミド16gを入れ、窒素気流下、60℃まで加熱した。そこへ、上記で得たモノマーE:22g、アクリル酸(東京化成製)8g、ジエチルアクリルアミド(東京化成製)2.8g、V−601(和光純薬製)0.37gのN,N−ジメチルアセトアミド26g溶液を、6時間かけて滴下した。滴下終了後、更に3時間撹拌した。その後、N,N−ジメチルアセトアミド27gを足し、室温まで反応溶液を冷却した。上記の反応溶液に、4−ヒドロキシTEMPO(東京化成製)0.11g、DBU(67.7g)を加え、室温で12時間反応を行った。その後、反応溶液に70質量%メタンスルホン酸水溶液68gを加えた。反応終了後、水で再沈を行い、固形物を取り出し、ポリマー8(重量平均分子量3.8万)を得た(13g)。得られたポリマー8の酸価を、電位差自動滴定装置(京都電子工業(株)製)、および、滴定液として0.1M水酸化ナトリウム水溶液を用いて測定したところ、このポリマー8の酸価は4.3mmol/gであった。   In a 500 mL three-necked flask, 16 g of N, N-dimethylacetamide was placed and heated to 60 ° C. under a nitrogen stream. Thereto, monomer E: 22 g obtained above, acrylic acid (manufactured by Tokyo Chemical Industry) 8 g, diethylacrylamide (manufactured by Tokyo Chemical Industry) 2.8 g, V-601 (manufactured by Wako Pure Chemical Industries) 0.37 g of N, N-dimethyl A solution of 26 g of acetamide was added dropwise over 6 hours. After completion of dropping, the mixture was further stirred for 3 hours. Thereafter, 27 g of N, N-dimethylacetamide was added, and the reaction solution was cooled to room temperature. 4-hydroxy TEMPO (product made from Tokyo Chemical Industry) 0.11g and DBU (67.7g) were added to said reaction solution, and reaction was performed at room temperature for 12 hours. Thereafter, 68 g of a 70% by mass methanesulfonic acid aqueous solution was added to the reaction solution. After completion of the reaction, reprecipitation was performed with water, and the solid matter was taken out to obtain polymer 8 (weight average molecular weight 38,000) (13 g). When the acid value of the obtained polymer 8 was measured using a potentiometric automatic titrator (manufactured by Kyoto Electronics Industry Co., Ltd.) and a 0.1 M sodium hydroxide aqueous solution as the titrant, the acid value of the polymer 8 was It was 4.3 mmol / g.

得られたポリマー8を炭酸水素ナトリウムで中和し、重水に溶解させ、ブルカー製300MHzのNMR(AV−300)にて測定を行った。重合性基含有ユニットに相当するピークが8.1−7.8ppm(1H分)、7.5−7.0ppm(4H)、5.8−5.6ppm(1H分)、5.4−5.2ppm(1H分)、4.6−4.4ppm(2H分)、2.5−0.7ppm(6H分)にブロードに観察され、カルボン酸基ユニットに相当するピークが2.5−0.7ppm(3H分)にブロードに観察され、ジエチルアクリルアミドユニットに由来するピークが3.4−3.0ppm(4H分)、2.5−0.7ppm(9H分)にブロードに観察され、(メタ)アクリルアミド基を有するユニット、カルボン酸基を有するユニット、ジエチルアクリルアミド由来のユニットからなるポリマーが生成している事を確認した。   The obtained polymer 8 was neutralized with sodium hydrogen carbonate, dissolved in heavy water, and measured by Bruker 300 MHz NMR (AV-300). Peaks corresponding to the polymerizable group-containing unit are 8.1 to 7.8 ppm (1 H min), 7.5 to 7.0 ppm (4 H), 5.8 to 5.6 ppm (1 H min), 5.4-5 .2 ppm (1H min), 4.6-4.4 ppm (2H min), 2.5-0.7 ppm (6H min) broadly observed, and a peak corresponding to a carboxylic acid group unit is 2.5-0. .7 ppm (3 H min.) Broadly observed, and peaks derived from diethylacrylamide units were observed at 3.4-3.0 ppm (4 H min.), 2.5-0.7 ppm (9 H min.) Broad ( It was confirmed that a polymer composed of a unit having a (meth) acrylamide group, a unit having a carboxylic acid group, and a unit derived from diethylacrylamide was produced.

(合成例9:ポリマー9)
500mLの三口フラスコに、N,N−ジメチルアセトアミド35gを入れ、窒素気流下、60℃まで加熱した。そこへ、合成例1で得たモノマーA:28.1g、アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸(東京化成製)37g、アクリロイルモルホリン((株)興人製)5.0g、V−601(和光純薬製)0.59gのN,N−ジメチルアセトアミド61g溶液を、6時間かけて滴下した。滴下終了後、更に3時間撹拌した。その後、N,N−ジメチルアセトアミド58gを足し、室温まで反応溶液を冷却した。上記の反応溶液に、4−ヒドロキシTEMPO(東京化成製)0.18g、DBU109gを加え、室温で12時間反応を行った。その後、反応溶液に70質量%メタンスルホン酸水溶液108gを加えた。反応終了後、水で再沈を行い、固形物を取り出し、ポリマー9(重量平均分子量4.0万)を得た(45g)。得られたポリマー9の酸価を、電位差自動滴定装置(京都電子工業(株)製)、および、滴定液として0.1M水酸化ナトリウム水溶液を用いて測定したところ、このポリマー9の酸価は3.5mmol/gであった。
(Synthesis Example 9: Polymer 9)
A 500 mL three-necked flask was charged with 35 g of N, N-dimethylacetamide and heated to 60 ° C. under a nitrogen stream. The monomer A obtained in Synthesis Example 1: 28.1 g, 37 g of acrylamide-2-methylpropanesulfonic acid (manufactured by Tokyo Chemical Industry), 5.0 g of acryloylmorpholine (manufactured by Kojin Co., Ltd.), V-601 (Japanese) A solution of 0.59 g of N, N-dimethylacetamide (61 g) was added dropwise over 6 hours. After completion of dropping, the mixture was further stirred for 3 hours. Thereafter, 58 g of N, N-dimethylacetamide was added, and the reaction solution was cooled to room temperature. 4-hydroxy TEMPO (product made from Tokyo Chemical Industry) 0.18g and DBU109g were added to said reaction solution, and reaction was performed at room temperature for 12 hours. Thereafter, 108 g of a 70% by mass aqueous methanesulfonic acid solution was added to the reaction solution. After completion of the reaction, reprecipitation was performed with water, and the solid matter was taken out to obtain polymer 9 (weight average molecular weight: 40,000) (45 g). When the acid value of the obtained polymer 9 was measured using a potentiometric automatic titration apparatus (manufactured by Kyoto Electronics Industry Co., Ltd.) and a 0.1 M sodium hydroxide aqueous solution as the titrant, the acid value of the polymer 9 was It was 3.5 mmol / g.

得られたポリマー9を炭酸水素ナトリルムにて中和した後に、重水に溶解させ、ブルカー製300MHzのNMR(AV−300)にて測定を行った。重合性基含有ユニットに相当するピークが8.1−7.8ppm(1H分)、5.8−5.6ppm(1H分)、5.4−5.2ppm(1H分)、4.2−3.9ppm(2H分)、3.5−3.3ppm(2H分)、2.5−0.7ppm(6H分)にブロードに観察され、スルホン酸基ユニットに相当するピークが8.1−7.8ppm(1H分)、3.1−2.7ppm(2H分)、2.5−0.7ppm(9H分)にブロードに観察され、アクリロイルモルホリンユニットに由来するピークが3.7−3.5ppm(8H分)、2.8−0.7ppm(3H分)にブロードに観察され、(メタ)アクリルアミド基を有するユニット、スルホン酸基を有するユニット、アクリロイルモルホリン由来のユニットからなるポリマーが生成している事を確認した。   The obtained polymer 9 was neutralized with sodium hydrogen carbonate, dissolved in heavy water, and measured by Bruker 300 MHz NMR (AV-300). The peak corresponding to the polymerizable group-containing unit is 8.1 to 7.8 ppm (1 H min), 5.8 to 5.6 ppm (1 H min), 5.4 to 5.2 ppm (1 H min), 4.2 Broad peaks were observed at 3.9 ppm (2H min), 3.5-3.3 ppm (2H min), 2.5-0.7 ppm (6H min), and a peak corresponding to the sulfonic acid group unit was 8.1- Broad peaks were observed at 7.8 ppm (1H min), 3.1-2.7 ppm (2H min), and 2.5-0.7 ppm (9H min), and a peak derived from the acryloylmorpholine unit was 3.7-3. .5 ppm (8H min), 2.8-0.7 ppm (3H min) broadly observed, producing a polymer composed of units having (meth) acrylamide groups, units having sulfonic acid groups, and units derived from acryloylmorpholine It was confirmed that.

(合成例10:ポリマー10)
500mLの三口フラスコに、N,N−ジメチルアセトアミド49gを入れ、窒素気流下、60℃まで加熱した。そこへ、合成例1で得たモノマーA:28.1g、ホスマーM(ユニケミカル製)66g、アクリロイルモルホリン((株)興人製)5.0g、V−601(和光純薬製)0.59gのN,N−ジメチルアセトアミド90g溶液を、6時間かけて滴下した。滴下終了後、更に3時間撹拌した。その後、N,N−ジメチルアセトアミド82gを足し、室温まで反応溶液を冷却した。上記の反応溶液に、4−ヒドロキシTEMPO(東京化成製)0.18g、DBU109gを加え、室温で12時間反応を行った。その後、反応溶液に70質量%メタンスルホン酸水溶液108gを加えた。反応終了後、水で再沈を行い、固形物を取り出し、ポリマー10(重量平均分子量4.8万)を得た(81g)。得られたポリマー10の酸価を、電位差自動滴定装置(京都電子工業(株)製)、および、滴定液として0.1M水酸化ナトリウム水溶液を用いて測定したところ、このポリマー10の酸価は2.0mmol/gであった。
(Synthesis Example 10: Polymer 10)
In a 500 mL three-necked flask, 49 g of N, N-dimethylacetamide was placed and heated to 60 ° C. under a nitrogen stream. Thereto, monomer A obtained in Synthesis Example 1: 28.1 g, Phosmer M (manufactured by Unichemical) 66 g, acryloylmorpholine (manufactured by Kojin Co., Ltd.) 5.0 g, V-601 (manufactured by Wako Pure Chemical Industries) 59 g of N, N-dimethylacetamide 90 g solution was added dropwise over 6 hours. After completion of dropping, the mixture was further stirred for 3 hours. Thereafter, 82 g of N, N-dimethylacetamide was added, and the reaction solution was cooled to room temperature. 4-hydroxy TEMPO (product made from Tokyo Chemical Industry) 0.18g and DBU109g were added to said reaction solution, and reaction was performed at room temperature for 12 hours. Thereafter, 108 g of a 70% by mass aqueous methanesulfonic acid solution was added to the reaction solution. After completion of the reaction, reprecipitation was performed with water, and the solid matter was taken out to obtain polymer 10 (weight average molecular weight 48,000) (81 g). When the acid value of the obtained polymer 10 was measured using a potentiometric automatic titrator (manufactured by Kyoto Electronics Co., Ltd.) and a 0.1 M sodium hydroxide aqueous solution as the titrant, the acid value of the polymer 10 was It was 2.0 mmol / g.

得られたポリマー10を炭酸水素ナトリウムにて中和して、重水に溶解させ、ブルカー製300MHzのNMR(AV−300)にて測定を行った。重合性基含有ユニットに相当するピークが8.1−7.8ppm(1H分)、5.8−5.6ppm(1H分)、5.4−5.2ppm(1H分)、4.2−3.9ppm(2H分)、3.5−3.3ppm(2H分)、2.5−0.7ppm(6H分)にブロードに観察され、りん酸基ユニットに相当するピークが4.3−3.8ppm(4H分)、2.5−0.7ppm(5H分)にブロードに観察され、アクリロイルモルホリンユニットに由来するピークが3.7−3.5ppm(8H分)、2.8−0.7ppm(3H分)にブロードに観察され、(メタ)アクリルアミド基を有するユニット、りん酸基を有するユニット、アクリロイルモルホリン由来のユニットからなるポリマーが生成している事を確認した。   The obtained polymer 10 was neutralized with sodium hydrogen carbonate, dissolved in heavy water, and measured by Bruker 300 MHz NMR (AV-300). The peak corresponding to the polymerizable group-containing unit is 8.1 to 7.8 ppm (1 H min), 5.8 to 5.6 ppm (1 H min), 5.4 to 5.2 ppm (1 H min), 4.2 Broad peaks were observed at 3.9 ppm (2H min), 3.5-3.3 ppm (2H min), and 2.5-0.7 ppm (6H min), and a peak corresponding to a phosphate group unit was 4.3-. 3.8 ppm (4H min), 2.5-0.7 ppm (5H min) are observed broadly, and peaks derived from acryloylmorpholine units are 3.7-3.5 ppm (8H min), 2.8-0. It was observed broadly at 0.7 ppm (3H), and it was confirmed that a polymer composed of a unit having a (meth) acrylamide group, a unit having a phosphate group, and a unit derived from acryloylmorpholine was produced.

(合成例11:ポリマー11)
500mLの三口フラスコに、N,N−ジメチルアセトアミド36gを入れ、窒素気流下、60℃まで加熱した。そこへ、実施例1で得たモノマーA:28.0g、NKエステルA−SA(新中村化学製)38.6g、アクリロイルモルホリン((株)興人製)5.0g、V−601(和光純薬製)0.59gのN,N−ジメチルアセトアミド60g溶液を、6時間かけて滴下した。滴下終了後、更に3時間撹拌した。その後、N,N−ジメチルアセトアミド62gを足し、室温まで反応溶液を冷却した。上記の反応溶液に、4−ヒドロキシTEMPO(東京化成製)0.18g、DBU108gを加え、室温で12時間反応を行った。その後、反応溶液に70質量%メタンスルホン酸水溶液108gを加えた。反応終了後、水で再沈を行い、固形物を取り出し、ポリマー11(重量平均分子量4.3万)を得た(35g)。得られたポリマー11の酸価を、電位差自動滴定装置(京都電子工業(株)製)、および、滴定液として0.1M水酸化ナトリウム水溶液を用いて測定したところ、このポリマー11の酸価は3.2mmol/gであった。
(Synthesis Example 11: Polymer 11)
A 500 mL three-necked flask was charged with 36 g of N, N-dimethylacetamide and heated to 60 ° C. under a nitrogen stream. There, monomer A obtained in Example 1: 28.0 g, NK ester A-SA (manufactured by Shin-Nakamura Chemical) 38.6 g, acryloylmorpholine (manufactured by Kojin Co., Ltd.) 5.0 g, V-601 (Japanese) A solution of 0.59 g of N, N-dimethylacetamide 60 g was added dropwise over 6 hours. After completion of dropping, the mixture was further stirred for 3 hours. Thereafter, 62 g of N, N-dimethylacetamide was added, and the reaction solution was cooled to room temperature. 4-hydroxy TEMPO (product made from Tokyo Chemical Industry) 0.18g and DBU108g were added to said reaction solution, and reaction was performed at room temperature for 12 hours. Thereafter, 108 g of a 70% by mass aqueous methanesulfonic acid solution was added to the reaction solution. After completion of the reaction, reprecipitation was carried out with water, and the solid matter was taken out to obtain polymer 11 (weight average molecular weight 43,000) (35 g). When the acid value of the obtained polymer 11 was measured using a potentiometric automatic titrator (manufactured by Kyoto Electronics Co., Ltd.) and a 0.1 M sodium hydroxide aqueous solution as the titrant, the acid value of the polymer 11 was It was 3.2 mmol / g.

得られたポリマー11を炭酸水素ナトリウムにて中和し、重水に溶解させ、ブルカー製300MHzのNMR(AV−300)にて測定を行った。重合性基含有ユニットに相当するピークが8.1−7.8ppm(1H分)、5.8−5.6ppm(1H分)、5.4−5.2ppm(1H分)、4.2−3.9ppm(2H分)、3.5−3.3ppm(2H分)、2.5−0.7ppm(6H分)にブロードに観察され、カルボン酸基ユニットに相当するピークが4.2−3.9ppm(4H分)、2.8−0.7ppm(7H分)にブロードに観察され、アクリロイルモルホリンユニットに由来するピークが3.7−3.5ppm(8H分)、2.8−0.7ppm(3H分)にブロードに観察され、(メタ)アクリルアミド基を有するユニット、カルボン酸基を有するユニット、アクリロイルモルホリン由来のユニットからなるポリマーが生成している事を確認した。   The obtained polymer 11 was neutralized with sodium hydrogencarbonate, dissolved in heavy water, and measured by Bruker 300 MHz NMR (AV-300). The peak corresponding to the polymerizable group-containing unit is 8.1 to 7.8 ppm (1 H min), 5.8 to 5.6 ppm (1 H min), 5.4 to 5.2 ppm (1 H min), 4.2 Broad peaks were observed at 3.9 ppm (2H min), 3.5-3.3 ppm (2H min), 2.5-0.7 ppm (6H min), and peaks corresponding to carboxylic acid group units were 4.2. A broad peak observed at 3.9 ppm (4H min), 2.8-0.7 ppm (7H min) and a peak derived from the acryloylmorpholine unit is 3.7-3.5 ppm (8H min), 2.8-0. It was observed broadly at 0.7 ppm (3H min), and it was confirmed that a polymer composed of a unit having a (meth) acrylamide group, a unit having a carboxylic acid group, and a unit derived from acryloylmorpholine was produced.

(合成例12:比較ポリマー1)
ポリ(アクリル酸−co−ジメチルアクリルアミド−co−2−ヒドロキシエチルアクリレート)(平均分子量25,000、各ユニットのモル比は62:16:22)18gをDMAc300gに溶解し、ハイドロキノン0.41gと2−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート19.4gとジブチルチンジラウレート0.25gを添加し、65℃、4時間反応させた。得られたポリマーの酸価は4.2meq/gであった。その後、1N水酸化ナトリウム水溶液でカルボキシル基を中和し、酢酸エチルに加えポリマーを沈殿させ、よく洗浄して、比較ポリマー1を得た。
該ポリマー中には、式(A)で表されるユニットが含まれていない。
(Synthesis Example 12: Comparative polymer 1)
18 g of poly (acrylic acid-co-dimethylacrylamide-co-2-hydroxyethyl acrylate) (average molecular weight 25,000, molar ratio of each unit is 62:16:22) is dissolved in DMAc 300 g, hydroquinone 0.41 g and 2 -19.4 g of methacryloyloxyethyl isocyanate and 0.25 g of dibutyltin dilaurate were added and reacted at 65 ° C for 4 hours. The acid value of the obtained polymer was 4.2 meq / g. Thereafter, the carboxyl group was neutralized with a 1N aqueous sodium hydroxide solution, and the polymer was precipitated in addition to ethyl acetate and washed well to obtain comparative polymer 1.
The polymer does not contain a unit represented by the formula (A).

(合成例13:比較ポリマー2)
500mLの三口フラスコに、N,N−ジメチルアセトアミド8gを入れ、窒素気流下、65℃まで加熱した。そこへ、上記で得たモノマーA:14.3g、アクリロニトリル(東京化成工業(株)製)3.0g、アクリル酸(東京化成製)6.5g、V−65(和光純薬製)0.4gのN,N−ジメチルアセトアミド8g溶液を、4時間かけて滴下した。滴下終了後、更に3時間撹拌した。その後、N,N−ジメチルアセトアミド41gを足し、室温まで反応溶液を冷却した。上記の反応溶液に、4−ヒドロキシTEMPO(東京化成製)0.09g、DBU54.8gを加え、室温で12時間反応を行った。その後、反応溶液に70質量%メタンスルホン酸水溶液54gを加えた。反応終了後、水で再沈を行い、固形物を取り出し、以下の構造式の比較ポリマー2(重量平均分子量5.3万)を12g得た。得られた比較ポリマー2の酸価を、電位差自動滴定装置(京都電子工業(株)製)、および、滴定液として0.1M水酸化ナトリウム水溶液を用いて測定したところ、この比較ポリマー2の酸価は3.9mmol/gであった。
(Synthesis Example 13: Comparative polymer 2)
A 500 mL three-necked flask was charged with 8 g of N, N-dimethylacetamide and heated to 65 ° C. under a nitrogen stream. Thereto, monomer A: 14.3 g obtained above, 3.0 g acrylonitrile (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.), 6.5 g acrylic acid (manufactured by Tokyo Chemical Industry), V-65 (manufactured by Wako Pure Chemical Industries) 4 g of N, N-dimethylacetamide 8 g solution was added dropwise over 4 hours. After completion of dropping, the mixture was further stirred for 3 hours. Thereafter, 41 g of N, N-dimethylacetamide was added, and the reaction solution was cooled to room temperature. 4-hydroxy TEMPO (product made from Tokyo Chemical Industry) 0.09g and DBU54.8g were added to said reaction solution, and reaction was performed at room temperature for 12 hours. Thereafter, 54 g of a 70 mass% methanesulfonic acid aqueous solution was added to the reaction solution. After completion of the reaction, reprecipitation was carried out with water, the solid matter was taken out, and 12 g of Comparative Polymer 2 (weight average molecular weight 53,000) having the following structural formula was obtained. The acid value of the obtained comparative polymer 2 was measured using a potentiometric automatic titrator (manufactured by Kyoto Denshi Kogyo Co., Ltd.) and a 0.1M aqueous sodium hydroxide solution as the titrant. The value was 3.9 mmol / g.

得られた比較ポリマー2の同定をIR測定機((株)堀場製作所製)を用いて行った。測定はポリマーをアセトンに溶解させKBr結晶を用いて行った。IR測定の結果、2240cm-1付近にピークが観測され、ニトリルユニットであるアクリロニトリルがポリマーに導入されていることが分かった。また、酸価測定によりカルボン酸ユニットとしてアクリル酸が導入されていることが分かった。また、重DMSO(ジメチルスルホキシド)に溶解させ、ブルカー製300MHzのNMR(AV−300)にて測定を行った。シアノ基含有ユニットに相当するピークが2.5−0.7ppm(5H分)にブロードに観察され、重合性基含有ユニットに相当するピークが7.8−8.1ppm(1H分)、5.8−5.6ppm(1H分)、5.4−5.2ppm(1H分)、4.2−3.9ppm(2H分)、3.3−3.5ppm(2H分)、2.5−0.7ppm(6H分)にブロードに観察され、カルボン酸基ユニットに相当するピークが2.5−0.7ppm(3H分)にブロードに観察され、重合性基含有ユニット、シアノ基含有ユニット、およびカルボン酸基ユニットからなるポリマーが生成している事を確認した。
該ポリマー中には、式(C)で表されるユニットが含まれていない。また、該ポリマー中にはシアノ基が含まれる。
The obtained comparative polymer 2 was identified using an IR measuring machine (manufactured by Horiba, Ltd.). The measurement was performed by dissolving the polymer in acetone and using KBr crystals. As a result of IR measurement, a peak was observed in the vicinity of 2240 cm −1 , and it was found that acrylonitrile as a nitrile unit was introduced into the polymer. Further, it was found from the acid value measurement that acrylic acid was introduced as a carboxylic acid unit. Moreover, it melt | dissolved in heavy DMSO (dimethyl sulfoxide), and measured by NMR (AV-300) of Bruker 300MHz. 4. A peak corresponding to a cyano group-containing unit is broadly observed at 2.5 to 0.7 ppm (5 H min), and a peak corresponding to a polymerizable group containing unit is 7.8 to 8.1 ppm (1 H min). 8-5.6 ppm (for 1H), 5.4-5.2 ppm (for 1H), 4.2-3.9 ppm (for 2H), 3.3-3.5 ppm (for 2H), 2.5- A broad peak is observed at 0.7 ppm (6H min), and a peak corresponding to a carboxylic acid group unit is observed broadly at 2.5-0.7 ppm (3H min), a polymerizable group-containing unit, a cyano group-containing unit, It was also confirmed that a polymer composed of carboxylic acid group units was produced.
The polymer does not contain a unit represented by the formula (C). The polymer contains a cyano group.

<実施例1>
(下地絶縁基板の作製)
ガラスエポキシ基板(商品名:FR−4、松下電工(株)製)上に、味の素ファインテクノ(株)製のエポキシ系絶縁膜(GX−13、45μm)を、0.2MPaの圧力で100〜110℃の条件で、真空ラミネーターを用いて加熱および加圧して接着することにより、電気的絶縁層を基板上に形成した。その後、170℃で1時間加熱処理を行い、該電気的絶縁層の熱層化を行った。
<Example 1>
(Preparation of base insulating substrate)
An epoxy insulating film (GX-13, 45 μm) manufactured by Ajinomoto Fine Techno Co. on a glass epoxy substrate (trade name: FR-4, manufactured by Matsushita Electric Works Co., Ltd.) at a pressure of 0.2 MPa. An electrical insulating layer was formed on the substrate by heating and pressing using a vacuum laminator under the condition of 110 ° C. for adhesion. Thereafter, heat treatment was performed at 170 ° C. for 1 hour, and the electrically insulating layer was formed into a thermal layer.

(密着補助層の形成)
形成された電気的絶縁層上に、下記組成の密着補助層形成用組成物を厚さ1.5μmになるようにスピンコート法で塗布し、その後、140℃で30分間乾燥して密着補助層を形成した。
密着補助層形成後の基板に対して、さらに180℃で30分間硬化処理を実施し、基板A1を作製した。
(Formation of adhesion auxiliary layer)
On the formed electrical insulating layer, a composition for forming an adhesion auxiliary layer having the following composition is applied by a spin coating method so as to have a thickness of 1.5 μm, and then dried at 140 ° C. for 30 minutes to form an adhesion auxiliary layer. Formed.
The substrate after the adhesion auxiliary layer was formed was further subjected to a curing treatment at 180 ° C. for 30 minutes to produce a substrate A1.

(密着補助層形成用組成物)
ビスフェノールA型エポキシ樹脂(エポキシ当量185、油化シェルエポキシ(株)製エピコート828)25質量部(以下、配合量は全て質量部で表す)、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(エポキシ当量215、大日本インキ化学工業(株)製エピクロンN−673)45部、フェノールノボラック樹脂(フェノール性水酸基当量105、大日本インキ化学工業(株)製フェノライト)30部を、エチルジグリコールアセテート20部、ソルベントナフサ20部に攪拌しながら加熱溶解させ室温まで冷却した。その後、そこへ上記エピコート828とビスフェノールSからなるフェノキシ樹脂のシクロヘキサノンワニス(油化シェルエポキシ(株)製YL6747H30、不揮発分30質量%、重量平均分子量47000)30部、2−フェニル−4,5−ビス(ヒドロキシメチル)イミダゾール0.8部、微粉砕シリカ2部、シリコン系消泡剤0.5部を添加し、密着補助層形成用組成物を作製した。
(Adhesion auxiliary layer forming composition)
25 parts by mass of bisphenol A type epoxy resin (epoxy equivalent 185, Epicoat 828 manufactured by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd.) (hereinafter, all the compounding amounts are expressed in parts by mass), cresol novolac type epoxy resin (epoxy equivalent 215, Dainippon Ink 45 parts of Chemical Industry Co., Ltd. Epicron N-673), 30 parts of phenol novolak resin (phenolic hydroxyl group equivalent 105, Phenolite manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.), 20 parts of ethyl diglycol acetate, solvent naphtha 20 The mixture was heated and dissolved with stirring, and cooled to room temperature. Thereafter, 30 parts of phenoxy resin cyclohexanone varnish (YL6747H30 manufactured by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd., nonvolatile content 30 mass%, weight average molecular weight 47000) composed of the above Epicoat 828 and bisphenol S, 2-phenyl-4,5- 0.8 parts of bis (hydroxymethyl) imidazole, 2 parts of finely pulverized silica, and 0.5 part of a silicon-based antifoaming agent were added to prepare a composition for forming an adhesion auxiliary layer.

(被めっき層の形成)
次に、後述する被めっき層形成用組成物1を、厚さ1.5μmになるように基板A1上にスピンコート法で塗布し、その後、80℃で乾燥した。
(Formation of plated layer)
Next, the composition 1 for forming a layer to be plated, which will be described later, was applied on the substrate A1 by a spin coating method so as to have a thickness of 1.5 μm, and then dried at 80 ° C.

次に、塗布された組成物層に対して、露光機(紫外線照射装置、UVX−02516S1LP01、ウシオ電機(株)製)を用いて、波長254nmの紫外光を室温で2.5分間全面露光した(254nmにおけるエネルギー量:1500mJ)。全面露光後、不要な被めっき層形成用組成物を除去するために、0.8wt%重曹液で基板を十分に洗浄した。
これにより、基板A1上に被めっき層(洗浄後の厚み:0.7μm)を有する基板A2を得た。
Next, the entire surface of the applied composition layer was exposed to ultraviolet light having a wavelength of 254 nm at room temperature for 2.5 minutes using an exposure machine (ultraviolet irradiation device, UVX-02516S1LP01, manufactured by USHIO INC.). (Energy amount at 254 nm: 1500 mJ). After the entire surface exposure, the substrate was sufficiently washed with 0.8 wt% sodium bicarbonate solution in order to remove unnecessary composition for forming a layer to be plated.
As a result, a substrate A2 having a layer to be plated (thickness after cleaning: 0.7 μm) on the substrate A1 was obtained.

(被めっき層形成用組成物1)
・ポリマー1 3.1g
・重曹 0.8g
・水 25.9g
・1−メトキシ−2−プロパノール 13.0g
(Composition 1 for plating layer formation)
・ Polymer 1 3.1g
・ Baking soda 0.8g
・ Water 25.9g
・ 13.0 g of 1-methoxy-2-propanol

(めっき触媒の付与)
基板A2を、硝酸パラジウム0.1質量%の水溶液(液温:25℃)に10分間浸漬し、その後蒸留水で洗浄した。このときのパラジウムイオンの吸着量をICP発光分析装置((株)島津製作所製)にて測定した所、0.1g/m2であった。
(Addition of plating catalyst)
Substrate A2 was dipped in an aqueous solution (liquid temperature: 25 ° C.) of 0.1% by mass of palladium nitrate for 10 minutes, and then washed with distilled water. The amount of palladium ion adsorbed at this time was 0.1 g / m 2 when measured with an ICP emission analyzer (manufactured by Shimadzu Corporation).

(無電解めっき処理)
めっき触媒(金属塩)付与後の基板を、以下組成の無電解めっき浴(アルカリ性:pH12.5)に1時間浸漬し、厚み0.4μmの無電解銅めっき層を形成した。
(Electroless plating treatment)
The substrate after the plating catalyst (metal salt) was applied was immersed in an electroless plating bath (alkaline: pH 12.5) having the following composition for 1 hour to form an electroless copper plating layer having a thickness of 0.4 μm.

(無電解めっき浴成分)
・硫酸銅 0.35g
・酒石酸NaK 1.75g
・水酸化ナトリウム 0.75g
・ホルムアルデヒド 0.25g
・水 47.8g
(Electroless plating bath component)
・ Copper sulfate 0.35g
・ NaK tartrate 1.75g
-Sodium hydroxide 0.75g
・ Formaldehyde 0.25g
・ Water 47.8g

(電解めっき)
無電解銅めっき層が形成された基板を、以下組成の電解銅めっき浴に浸漬し、電流密度3A/dm2のもと約20分間、電解めっきを行った。電解めっき後の銅めっき層(金属膜)の厚みは、約18μmであった。
(Electrolytic plating)
The substrate on which the electroless copper plating layer was formed was immersed in an electrolytic copper plating bath having the following composition, and electroplating was performed for about 20 minutes under a current density of 3 A / dm 2 . The thickness of the copper plating layer (metal film) after the electrolytic plating was about 18 μm.

(電解めっき浴成分)
・硫酸銅 38g
・硫酸 95g
・塩酸 1mL
・カバーグリームPCM(メルテックス(株)製) 3.5mL
・水 500g
(Electrolytic plating bath component)
・ Copper sulfate 38g
・ 95 g of sulfuric acid
・ Hydrochloric acid 1mL
・ Cover Grime PCM (Meltex Co., Ltd.) 3.5mL
・ Water 500g

(パターン形成工程)
電解めっき後の基板に対して、170℃で1時間の加熱処理を行った後、該基板表面にドライレジストフィルム(日立化成(株)製のRY3315、膜厚30μm)をラミネートした。次に、ドライレジストフィルムがラミネートされた基板に、サブトラクティブ法にてL/S=40μm/40μmの櫛形パターンが形成できるガラスマスクを密着させ、レジストの感光領域を露光した。露光後、NaHCO3水溶液を2kg/m2のスプレー圧で付与して、現像処理を行った。その後、基板を水洗・乾燥し、銅めっき層上にレジストパターンを形成した。
(Pattern formation process)
The substrate after electrolytic plating was subjected to a heat treatment at 170 ° C. for 1 hour, and then a dry resist film (RY3315 manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., film thickness 30 μm) was laminated on the surface of the substrate. Next, a glass mask capable of forming a comb pattern of L / S = 40 μm / 40 μm was adhered to the substrate on which the dry resist film was laminated by a subtractive method, and the photosensitive region of the resist was exposed. After the exposure, an aqueous NaHCO 3 solution was applied at a spray pressure of 2 kg / m 2 to perform development processing. Thereafter, the substrate was washed with water and dried to form a resist pattern on the copper plating layer.

レジストパターンを形成した基板に対して、FeCl2/HCl水溶液(温度37℃)(pH:1.5)を90秒間シャワーすることにより金属膜のエッチングを行い、レジストパターンの非形成領域に存在する銅めっきを除去した。その後、NaOH4質量%水溶液を2kg/m2のスプレー圧で基板上に形成することで、レジストパターンを剥離した。 The metal film is etched by showering an FeCl 2 / HCl aqueous solution (temperature: 37 ° C.) (pH: 1.5) for 90 seconds with respect to the substrate on which the resist pattern is formed, and exists in the resist pattern non-formation region. The copper plating was removed. Thereafter, a resist pattern was peeled off by forming a 4 mass% NaOH aqueous solution on the substrate at a spray pressure of 2 kg / m 2 .

(酸性溶液処理)
その後、塩酸水溶液(pH:0.5)に10分浸漬し、被めっき層中の金属成分を除去した。このときの被めっき層中のパラジウムイオンの吸着量をICP発光分析装置((株)島津製作所製)にて測定した所、検出限界以下(3mg/m2以下)であった。
(Acid solution treatment)
Then, it was immersed in hydrochloric acid aqueous solution (pH: 0.5) for 10 minutes, and the metal component in a to-be-plated layer was removed. The amount of palladium ion adsorbed in the plated layer at this time was measured with an ICP emission analyzer (manufactured by Shimadzu Corporation), and was below the detection limit (3 mg / m 2 or less).

(被めっき層除去)
パターン状の金属膜(配線パターン)を有する基板を、プラズマエッチング装置((株)SAMCO製、平行平板型プラズマ処理装置、PC−1000)のチャンバ内に、配線パターン形成面がプラズマ照射面に向き合うように配置した。チャンバ内を4×10-1Pa(3×10-3Torr)まで減圧し、酸素雰囲気下にて1.5分間、プラズマ処理を行った。処理後の基板表面をSEM像により断面観察したところ、配線間の被めっき層および密着補助層が除去されていることが確認された。
(Plating layer removal)
A substrate having a patterned metal film (wiring pattern) is placed in a chamber of a plasma etching apparatus (manufactured by SAMCO, parallel plate type plasma processing apparatus, PC-1000), and the wiring pattern forming surface faces the plasma irradiation surface. Arranged. The inside of the chamber was depressurized to 4 × 10 −1 Pa (3 × 10 −3 Torr), and plasma treatment was performed in an oxygen atmosphere for 1.5 minutes. When the cross section of the treated substrate surface was observed with an SEM image, it was confirmed that the layer to be plated and the adhesion auxiliary layer between the wires were removed.

(ソルダーレジストの貼り付け)
プラズマ処理後の基板に対して、ソルダーレジスト(PFR800;太陽インキ製造(株)製)を110℃、0.2MPaの条件で真空ラミネートし、中心波長365nmの露光機にて420mJの光エネルギーを照射した。
次いで、基板を80℃/10分間の加熱処理を施した後、NaHCO3:10%水溶液を、スプレー圧2kg/m2で基板表面に付与することで現像し、乾燥した。その後、再度、中心波長365nmの露光機にて1000mJの光エネルギーを、基板に対して照射した。最後に150℃/1hrの加熱処理を行ない、ソルダーレジストで被覆された配線基板を得た。
(Attaching solder resist)
Solder resist (PFR800; manufactured by Taiyo Ink Mfg. Co., Ltd.) is vacuum-laminated on the plasma-treated substrate under conditions of 110 ° C. and 0.2 MPa, and light energy of 420 mJ is irradiated with an exposure machine having a central wavelength of 365 nm. did.
Next, the substrate was subjected to a heat treatment at 80 ° C./10 minutes, and then developed by applying a NaHCO 3 : 10% aqueous solution to the substrate surface at a spray pressure of 2 kg / m 2 and dried. Thereafter, the substrate was again irradiated with light energy of 1000 mJ with an exposure machine having a center wavelength of 365 nm. Finally, a heat treatment at 150 ° C./1 hr was performed to obtain a wiring board coated with a solder resist.

<実施例2>
ポリマー1の代わりにポリマー2を使用した以外は、実施例1と同様の手順に従って、配線基板を得た。
<Example 2>
A wiring board was obtained according to the same procedure as in Example 1 except that polymer 2 was used instead of polymer 1.

<実施例3>
ポリマー1の代わりにポリマー3を使用した以外は、実施例1と同様の手順に従って、配線基板を得た。
<Example 3>
A wiring board was obtained according to the same procedure as in Example 1 except that polymer 3 was used instead of polymer 1.

<実施例4>
ポリマー1の代わりにポリマー4を使用した以外は、実施例1と同様の手順に従って、配線基板を得た。
<Example 4>
A wiring board was obtained according to the same procedure as in Example 1 except that polymer 4 was used instead of polymer 1.

<実施例5>
上記実施例1の中の(めっき触媒の付与)の手順を以下に記載の手順に変更した以外は、実施例1と同様の手順に従って、配線基板を得た。
<Example 5>
A wiring board was obtained according to the same procedure as in Example 1 except that the procedure of (application of plating catalyst) in Example 1 was changed to the procedure described below.

(めっき触媒の付与)
基板A2を、硝酸パラジウム0.1質量%の水溶液(液温:60℃)に10分間浸漬し、その後蒸留水で洗浄した。このときの被めっき層へのパラジウムイオンの吸着量をICP発行分析装置((株)島津製作所製)にて測定した所、0.2g/m2であった。
(Addition of plating catalyst)
The substrate A2 was immersed in an aqueous solution (liquid temperature: 60 ° C.) of palladium nitrate of 0.1% by mass for 10 minutes and then washed with distilled water. The amount of palladium ion adsorbed onto the layer to be plated at this time was 0.2 g / m 2 when measured with an ICP issuing analyzer (manufactured by Shimadzu Corporation).

<実施例6>
上記実施例1の中の(パターン形成工程)のFeCl2/HCl水溶液を使用した金属膜のエッチング処理を、以下に記載の手順に変更した以外は、実施例1と同様の手順に従って、配線基板を得た。
<Example 6>
According to the same procedure as in Example 1, except that the etching process of the metal film using the FeCl 2 / HCl aqueous solution in (Pattern forming step) in Example 1 was changed to the procedure described below. Got.

(パターン形成工程)
レジストパターンを形成した基板に対して、Cu(NH3)4Cl2水溶液(温度37℃)(pH:8.5)を90秒間シャワーすることにより金属膜のエッチングを行い、レジストパターンの非形成領域に存在する銅めっきを除去した。
(Pattern formation process)
Etching of the metal film is performed by showering the substrate on which the resist pattern is formed with Cu (NH 3 ) 4 Cl 2 aqueous solution (temperature 37 ° C.) (pH: 8.5) for 90 seconds, so that the resist pattern is not formed. The copper plating present in the area was removed.

<実施例7>
上記実施例1の中の(密着補助層の形成)の工程を実施せず、(下地絶縁基板の作製)で作製された電気的絶縁層を有する基板に対して(被めっき層の形成)の工程を実施して、電気的絶縁層上に被めっき層を作製した以外は、実施例1と同様の手順に従って、配線基板を得た。
該実施例7では、密着補助層を介さずに、被めっき層が基板上に配置されている。
<Example 7>
For the substrate having the electrical insulating layer prepared in (Preparation of base insulating substrate) without carrying out the step (Formation of adhesion auxiliary layer) in Example 1 above (Formation of layer to be plated) A wiring board was obtained according to the same procedure as in Example 1 except that the step was performed and a layer to be plated was formed on the electrically insulating layer.
In Example 7, the layer to be plated is disposed on the substrate without using the adhesion auxiliary layer.

<実施例8>
ポリマー1の代わりにポリマー5を使用し、(被めっき層の形成)における波長254nmの紫外光を室温で3分間全面露光した(254nmにおけるエネルギー量:1800mJ)以外は、実施例1と同様の手順に従って、配線基板を得た。
<Example 8>
The same procedure as in Example 1 except that the polymer 5 was used instead of the polymer 1, and the entire surface was exposed to ultraviolet light having a wavelength of 254 nm in (formation of a layer to be plated) at room temperature for 3 minutes (energy amount at 254 nm: 1800 mJ). A wiring board was obtained.

<実施例9>
ポリマー1の代わりにポリマー6を使用し、(被めっき層の形成)における波長254nmの紫外光を室温で4分間全面露光した(254nmにおけるエネルギー量:2400mJ)以外は、実施例1と同様の手順に従って、配線基板を得た。
<Example 9>
The same procedure as in Example 1 except that the polymer 6 was used instead of the polymer 1 and the entire surface was exposed to ultraviolet light having a wavelength of 254 nm in (formation of a layer to be plated) at room temperature for 4 minutes (energy amount at 254 nm: 2400 mJ). A wiring board was obtained.

<実施例10>
ポリマー1の代わりにポリマー7を使用し、(被めっき層の形成)における波長254nmの紫外光を室温で4分間全面露光した(254nmにおけるエネルギー量:2400mJ)以外は、実施例1と同様の手順に従って、配線基板を得た。
<Example 10>
The same procedure as in Example 1 except that the polymer 7 was used instead of the polymer 1, and the entire surface was exposed to ultraviolet light having a wavelength of 254 nm in (formation of a layer to be plated) at room temperature for 4 minutes (energy amount at 254 nm: 2400 mJ). A wiring board was obtained.

<実施例11>
ポリマー1の代わりにポリマー8を使用し、(被めっき層の形成)における波長254nmの紫外光を室温で4分間全面露光した(254nmにおけるエネルギー量:2400mJ)以外は、実施例1と同様の手順に従って、配線基板を得た。
<Example 11>
The same procedure as in Example 1 except that the polymer 8 was used instead of the polymer 1, and the entire surface was exposed to ultraviolet light having a wavelength of 254 nm in (formation of a layer to be plated) at room temperature for 4 minutes (energy amount at 254 nm: 2400 mJ). A wiring board was obtained.

<実施例12>
ポリマー1の代わりにポリマー9を使用し、(被めっき層の形成)における波長254nmの紫外光を室温で10分間全面露光し(254nmにおけるエネルギー量:6000mJ)、被めっき層形成用組成物中の重曹の量を0.8gから0.65gに変更した以外は、実施例1と同様の手順に従って、配線基板を得た。
<Example 12>
In place of polymer 1, polymer 9 was used, and ultraviolet light having a wavelength of 254 nm in (formation of a layer to be plated) was exposed for 10 minutes at room temperature (energy amount at 254 nm: 6000 mJ). A wiring board was obtained according to the same procedure as in Example 1 except that the amount of baking soda was changed from 0.8 g to 0.65 g.

<実施例13>
ポリマー1の代わりにポリマー10を使用し、(被めっき層の形成)における波長254nmの紫外光を室温で10分間全面露光し(254nmにおけるエネルギー量:6000mJ)、被めっき層形成用組成物中の重曹の量を0.8gから0.38gに変更した以外は、実施例1と同様の手順に従って、配線基板を得た。
<Example 13>
In place of polymer 1, polymer 10 was used, and ultraviolet light with a wavelength of 254 nm in (formation of the layer to be plated) was exposed for 10 minutes at room temperature (energy amount at 254 nm: 6000 mJ). A wiring board was obtained according to the same procedure as in Example 1 except that the amount of baking soda was changed from 0.8 g to 0.38 g.

<実施例14>
ポリマー1の代わりにポリマー11を使用し、(被めっき層の形成)における波長254nmの紫外光を室温で10分間全面露光し(254nmにおけるエネルギー量:6000mJ)、被めっき層形成用組成物中の重曹の量を0.8gから0.6gに変更した以外は、実施例1と同様の手順に従って、配線基板を得た。
<Example 14>
Using polymer 11 instead of polymer 1, the entire surface was exposed to ultraviolet light having a wavelength of 254 nm in (formation of the layer to be plated) at room temperature for 10 minutes (energy amount at 254 nm: 6000 mJ). A wiring board was obtained according to the same procedure as in Example 1 except that the amount of baking soda was changed from 0.8 g to 0.6 g.

<比較例1>
ポリマー1の代わりに比較ポリマー2を使用した以外は、実施例1と同様の手順に従って、配線基板を得た。
<Comparative Example 1>
A wiring board was obtained according to the same procedure as in Example 1 except that the comparative polymer 2 was used instead of the polymer 1.

<比較例2>
(被めっき層形成用組成物1)の代わりに以下の(被めっき層形成用組成物2)を使用し、(酸性溶液処理)および(被めっき層除去)の工程を実施しなかった以外は、実施例1と同様の手順に従って、配線基板を製造した。
被めっき層除去後の基板表面をSEM像により断面観察したところ、配線間の被めっき層が残存していることが確認された。
(被めっき層形成用組成物2)
・比較ポリマー1 0.25g
・水 5g
・アセトニトリル 3g
<Comparative example 2>
The following (Composition 2 for Plating Layer Formation) is used instead of (Composition 1 for Plating Layer Formation), and the steps of (acidic solution treatment) and (removal of plating layer) are not performed. A wiring board was manufactured according to the same procedure as in Example 1.
When the cross section of the substrate surface after removal of the plated layer was observed with an SEM image, it was confirmed that the plated layer between the wirings remained.
(Composition 2 for plating layer formation)
・ Comparative polymer 1 0.25g
・ Water 5g
・ Acetonitrile 3g

<比較例3>
実施例1での(酸性溶液処理)を実施しなかった以外は、実施例1と同様の手順に従って、配線基板を製造した。
<Comparative Example 3>
A wiring board was manufactured according to the same procedure as in Example 1 except that (acidic solution treatment) in Example 1 was not performed.

<比較例4>
上記実施例1の中の(被めっき層除去)の工程を実施しなかった以外は、実施例1と同様の手順に従って、配線基板を得た。
<Comparative example 4>
A wiring board was obtained according to the same procedure as in Example 1 except that the step (removal of plated layer) in Example 1 was not performed.

<評価手法>
(絶縁性評価)
上記で得られた配線基板の絶縁信頼性試験は、エレクトロケミカルマイグレーション評価装置((株)Espec社製、エレクトロケミカルマイグレーション装置AMI及び高温高湿槽プラチナスPR−3K)を用いて行った。試験条件は、バイアス電圧30V、温湿度環境は85℃、85%RH、加湿水には抵抗値13Mの蒸留水を使用し、1000時間まで評価を行なった。以下の基準に従って、評価した。結果を表1に示す。
<Evaluation method>
(Insulation evaluation)
The insulation reliability test of the wiring board obtained as described above was performed using an electrochemical migration evaluation apparatus (manufactured by Espec Corporation, an electrochemical migration apparatus AMI and a high-temperature and high-humidity tank Platinum PR-3K). The test conditions were a bias voltage of 30 V, a temperature and humidity environment of 85 ° C., 85% RH, and distilled water having a resistance value of 13 M was used as the humidified water, and evaluation was performed up to 1000 hours. Evaluation was made according to the following criteria. The results are shown in Table 1.

「D」:500時間未満までの評価において、配線基板の抵抗値が1MΩを下回った場合
「C」:500時間以上750時間未満までの評価において、配線基板の抵抗値が1MΩを下回った場合
「B」:750時間以上1000時間未満までの評価において、配線基板の抵抗値が1MΩを下回った場合
「A」:1000時間まで評価を行い、配線基板の抵抗値が1MΩを下回らなかった場合
“D”: When the resistance value of the wiring board falls below 1 MΩ in the evaluation up to less than 500 hours. “C”: When the resistance value of the wiring board falls below 1 MΩ in the evaluation from 500 hours to less than 750 hours. B ”: When the resistance value of the wiring board falls below 1 MΩ in the evaluation from 750 hours to less than 1000 hours.“ A ”: When the evaluation is made up to 1000 hours and the resistance value of the wiring board does not fall below 1 MΩ.

(プラズマエッチングレート)
実施例1〜14および比較例1、3において実施された(被めっき層除去)における、被めっき層と密着補助層とを除去する際のプラズマエッチングのエッチングレート(μm/分)を表1にまとめて示す。
(Plasma etching rate)
Table 1 shows the etching rate (μm / min) of plasma etching when removing the layer to be plated and the adhesion auxiliary layer in Examples 1 to 14 and Comparative Examples 1 and 3 (removal of the layer to be plated). Shown together.

(密着性評価)
実施例1〜4で得られた電解めっき後に得られる金属膜を有する基板(積層体)に対して、100℃で30分間、180℃で1時間ベーク処理を行った後、オートグラフAGS−J((株)島津製作所製)を用いて、金属膜5mm幅について、引張強度10mm/minにて、90°ピール強度の測定を行った。結果を表1にまとめて示す。
(Adhesion evaluation)
After performing the baking process for 100 minutes at 100 degreeC with respect to the board | substrate (laminated body) which has the metal film obtained after the electroplating obtained in Examples 1-4, autograph AGS-J (Manufactured by Shimadzu Corporation), 90 ° peel strength was measured at a tensile strength of 10 mm / min for a metal film width of 5 mm. The results are summarized in Table 1.

上記表1中、「めっき触媒吸着条件」欄の「A」は、(めっき触媒の付与)において使用される硝酸パラジウム0.1質量%水溶液の液温が25℃の場合、「B」は硝酸パラジウム0.1質量%水溶液の液温が60℃の場合を意味する。
「エッチング液の種類」欄の「A」は、(パターン形成工程)において使用されるエッチング液がFeCl2/HCl水溶液の場合、「B」はエッチング液がCu(NH3)4Cl2水溶液の場合を意味する。
また、表1中、「−」は未実施を意味する。
In Table 1 above, “A” in the “Plating catalyst adsorption condition” column indicates that when the temperature of the 0.1 wt% palladium nitrate aqueous solution used in (application of plating catalyst) is 25 ° C., “B” indicates nitric acid. This means that the liquid temperature of the palladium 0.1 mass% aqueous solution is 60 ° C.
“A” in the “Type of etchant” column indicates that the etchant used in the (pattern formation step) is an FeCl 2 / HCl aqueous solution, and “B” indicates that the etchant is a Cu (NH 3 ) 4 Cl 2 aqueous solution. Means the case.
In Table 1, “-” means not implemented.

実施例1〜14に示されるように、本発明のパターン状金属膜を有する積層体の製造方法を実施して得られる配線基板は、優れた絶縁性能を示した。さらに、実施例1〜14においては、被めっき層のプラズマエッチングレートも優れていた。
なお、実施例1と5との比較より、被めっき層におけるパラジウムイオンの吸着量が少ない実施例1のほうがより絶縁性に優れていた。これは、被めっき層中の金属成分量が少ない方が、被めっき層のエッチング性に優れているためといえる。
また、実施例1と6との比較より、エッチング液として酸性エッチング液(FeCl2/HCl水溶液)を使用したほうが、より絶縁性に優れていることが確認された。これは、該エッチング液を使用すると被めっき層中の金属成分を除去しやすいためといえる。
また、実施例1〜4の比較より、式(C)で表されるユニットとしてより疎水的で耐アルカリ加水分解性の高いユニットを用いたほうが、被めっき層のダメージが低減されて密着力がより強かった。
As shown in Examples 1 to 14, the wiring board obtained by carrying out the method for producing a laminate having a patterned metal film of the present invention showed excellent insulating performance. Furthermore, in Examples 1-14, the plasma etching rate of the to-be-plated layer was also excellent.
In addition, compared with Example 1 and 5, Example 1 with little adsorption amount of the palladium ion in a to-be-plated layer was more excellent in insulation. This is because the smaller the amount of the metal component in the layer to be plated, the better the etching property of the layer to be plated.
Further, from comparison between Examples 1 and 6, it was confirmed that the use of an acidic etching solution (FeCl 2 / HCl aqueous solution) as the etching solution was superior in insulation. This can be said to be because the metal component in the layer to be plated is easily removed when the etching solution is used.
In addition, from the comparison of Examples 1 to 4, the use of a more hydrophobic unit having higher alkali hydrolysis resistance as the unit represented by the formula (C) reduces the damage to the plated layer and improves the adhesion. It was stronger.

一方、CN基があるポリマーを使用した比較例1では、被めっき層の除去が効率的に行われず、結果として配線間の絶縁性能に劣っていた。
また、重合性基ユニットが所定の官能基でないポリマーを使用し、酸性溶液処理およびプラズマエッチング処理を行なわなかった比較例2でも、被めっき層の除去が効率的に行われず、結果として配線間の絶縁性能に劣っていた。
さらに、比較例3および4に示すように、酸性溶液処理またはプラズマエッチング処理を行わなかった場合、配線間の絶縁性能に劣っていた。
比較例1〜4において効果が劣っていた原因としては、被めっき層中に含まれる金属成分によるものと考えられる。
On the other hand, in Comparative Example 1 using a polymer having a CN group, the layer to be plated was not efficiently removed, and as a result, the insulation performance between the wirings was inferior.
Further, even in Comparative Example 2 in which a polymer having a polymerizable group unit that is not a predetermined functional group is used, and the acidic solution treatment and the plasma etching treatment are not performed, the layer to be plated is not efficiently removed. The insulation performance was inferior.
Furthermore, as shown in Comparative Examples 3 and 4, when the acidic solution treatment or the plasma etching treatment was not performed, the insulation performance between the wirings was inferior.
The reason why the effects were inferior in Comparative Examples 1 to 4 is considered to be due to the metal component contained in the layer to be plated.

(耐湿性評価)
実施例1および比較例2の(電解めっき)の工程後に得られる金属膜を有する基板(積層体)を、80℃、90RH%にて一週間放置した後、JIS−K5600−5−6:1999に従って碁盤目剥離試験を行った。以下の基準に従って、評価した。
「A」:100目中95目以上が残存する場合
「B」:100目中95目未満が残存する場合
(Moisture resistance evaluation)
A substrate (laminated body) having a metal film obtained after the (electrolytic plating) step of Example 1 and Comparative Example 2 was left at 80 ° C. and 90 RH% for one week, and then JIS-K5600-5-6: 1999. A cross-cut peel test was performed. Evaluation was made according to the following criteria.
“A”: When 95 or more of 100 eyes remain “B”: When less than 95 of 100 eyes remain

実施例1において上記耐湿性評価は「A」であったが、比較例2においては「B」であった。
これは、本発明の製造方法においては、式(A)で表されるユニットが(メタ)アクリルアミド基を有しているため、加水分解されにくく、結果として金属膜の密着性がより向上したものと考えられる。
In Example 1, the moisture resistance evaluation was “A”, but in Comparative Example 2, it was “B”.
This is because in the production method of the present invention, the unit represented by the formula (A) has a (meth) acrylamide group, so that it is not easily hydrolyzed, and as a result, the adhesion of the metal film is further improved. it is conceivable that.

10:基板
12:被めっき層
14、14a、14b:金属膜
16:パターン状金属膜
18:積層体
18:パターン状金属膜
20:マスク
22:凸部
24:凹部
30:パターン状金属膜が形成されていない領域
40:絶縁層
50:配線基板
10: Substrate 12: Plated layers 14, 14a, 14b: Metal film 16: Patterned metal film 18: Laminated body 18: Patterned metal film 20: Mask 22: Convex part 24: Concave part 30: Patterned metal film formed Unused region 40: insulating layer 50: wiring board

Claims (9)

式(A)で表されるユニット、式(B)で表されるユニット、および式(C)で表されるユニットを有するポリマーを含む被めっき層形成用組成物を基板上に接触させた後、前記基板上の前記被めっき層形成用組成物に対してエネルギーを付与して、前記基板上に被めっき層を形成する被めっき層形成工程と、
前記被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与する触媒付与工程と、
前記めっき触媒またはその前駆体が付与された被めっき層に対してめっき処理を行い、前記被めっき層上に金属膜を形成するめっき工程と、
前記めっき工程後に、金属成分または過酸化水素を含むエッチング液を使用してパターン状金属膜を形成するパターン形成工程と、
前記パターン状金属膜を有する基板と、金属成分または過酸化水素を実質的に含まない酸性溶液とを接触させる酸性溶液接触工程と、
前記パターン状金属膜が形成されていない領域の前記被めっき層を、プラズマエッチング処理により除去する被めっき層除去工程と、を備える、パターン状金属膜を有する積層体の製造方法。

(式(A)〜式(C)中、R1、R2、R4、およびR6は、それぞれ独立に、水素原子、またはメチル基を表す。R3は、水素原子、メチル基、エチル基、t−ブチル基、またはn−ブチル基を表す。VおよびWは、それぞれ独立に、単結合、エステル基、アミド基、またはフェニレン基を表す。L1は、2価の炭化水素基を表す。L2は、単結合、または、2価の有機基を表す。Xは、カルボン酸基、スルホン酸基、リン酸基、またはそれらの塩を表す。Zは、−OR7基、または、−N(R8)2基を表す。R7は、アルキル基、フェニル基、またはそれらを組み合わせた基を表す。なお、R7には、−O−(酸素原子)が含まれていてもよい。R8は、それぞれ独立に、水素原子、または、−O−を含んでいてもよいアルキル基を表す。なお、R8は、互いに結合して環を形成していてもよい。)
After contacting the composition for forming a layer to be plated on the substrate, including the unit represented by the formula (A), the unit represented by the formula (B), and the polymer having the unit represented by the formula (C) A layer to be plated forming step for forming a layer to be plated on the substrate by applying energy to the composition for forming a layer to be plated on the substrate;
A catalyst application step of applying a plating catalyst or a precursor thereof to the layer to be plated;
A plating process for performing a plating treatment on the layer to be plated to which the plating catalyst or its precursor is applied, and forming a metal film on the layer to be plated;
After the plating step, a pattern forming step of forming a patterned metal film using an etching solution containing a metal component or hydrogen peroxide,
An acidic solution contact step in which the substrate having the patterned metal film is contacted with an acidic solution substantially free of a metal component or hydrogen peroxide;
A method for producing a laminate having a patterned metal film, comprising: a plated layer removing step of removing the plated layer in a region where the patterned metal film is not formed by plasma etching.

(In Formula (A) to Formula (C), R 1 , R 2 , R 4 , and R 6 each independently represents a hydrogen atom or a methyl group. R 3 represents a hydrogen atom, a methyl group, or an ethyl group. Represents a group, t-butyl group or n-butyl group, V and W each independently represents a single bond, an ester group, an amide group or a phenylene group, and L 1 represents a divalent hydrocarbon group. L 2 represents a single bond or a divalent organic group, X represents a carboxylic acid group, a sulfonic acid group, a phosphoric acid group, or a salt thereof, Z represents an —OR 7 group, or , —N (R 8 ) 2 group, R 7 represents an alkyl group, a phenyl group, or a combination thereof, and R 7 includes —O— (oxygen atom). which may .R 8 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group which may contain -O-,. Incidentally R 8 may be bonded to each other to form a ring.)
前記エッチング液が酸性である、請求項1に記載のパターン状金属膜を有する積層体の製造方法。   The manufacturing method of the laminated body which has a patterned metal film of Claim 1 whose said etching liquid is acidic. 前記金属成分が、銅イオンまたは鉄イオンである、請求項1または2に記載のパターン状金属膜を有する積層体の製造方法。   The manufacturing method of the laminated body which has a patterned metal film of Claim 1 or 2 whose said metal component is a copper ion or an iron ion. 前記酸性溶液が、塩酸水溶液、硫酸水溶液、または硝酸水溶液である、請求項1〜3のいずれかに記載のパターン状金属膜を有する積層体の製造方法。   The manufacturing method of the laminated body which has a patterned metal film in any one of Claims 1-3 whose said acidic solution is hydrochloric acid aqueous solution, sulfuric acid aqueous solution, or nitric acid aqueous solution. 請求項1〜4のいずれかに記載の製造方法によって製造されたパターン状金属膜を有する積層体と、前記パターン状金属膜を有する積層体上に設けられる絶縁層とを備える配線基板。   A wiring board provided with the laminated body which has the patterned metal film manufactured by the manufacturing method in any one of Claims 1-4, and the insulating layer provided on the laminated body which has the said patterned metal film. 式(A)で表されるユニット、式(B)で表されるユニット、および式(C)で表されるユニットを有するポリマーを含む被めっき層形成用組成物。

(式(A)〜式(C)中、R1、R2、R4、およびR6は、それぞれ独立に、水素原子、またはメチル基を表す。R3は、水素原子、メチル基、エチル基、t−ブチル基、またはn−ブチル基を表す。VおよびWは、それぞれ独立に、単結合、エステル基、アミド基、またはフェニレン基を表す。L1は、2価の炭化水素基を表す。L2は、単結合、または、2価の有機基を表す。Xは、カルボン酸基、スルホン酸基、リン酸基、またはそれらの塩を表す。Zは、−OR7基、または、−N(R8)2基を表す。R7は、アルキル基、フェニル基、またはそれらを組み合わせた基を表す。なお、R7には、−O−(酸素原子)が含まれていてもよい。R8は、それぞれ独立に、水素原子、または、−O−を含んでいてもよいアルキル基を表す。なお、R8は、互いに結合して環を形成していてもよい。)
The composition for to-be-plated layer forming containing the polymer which has a unit represented by the unit represented by Formula (A), the unit represented by Formula (B), and Formula (C).

(In Formula (A) to Formula (C), R 1 , R 2 , R 4 , and R 6 each independently represents a hydrogen atom or a methyl group. R 3 represents a hydrogen atom, a methyl group, or an ethyl group. Represents a group, t-butyl group or n-butyl group, V and W each independently represents a single bond, an ester group, an amide group or a phenylene group, and L 1 represents a divalent hydrocarbon group. L 2 represents a single bond or a divalent organic group, X represents a carboxylic acid group, a sulfonic acid group, a phosphoric acid group, or a salt thereof, Z represents an —OR 7 group, or , —N (R 8 ) 2 group, R 7 represents an alkyl group, a phenyl group, or a combination thereof, and R 7 includes —O— (oxygen atom). which may .R 8 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group which may contain -O-,. Incidentally R 8 may be bonded to each other to form a ring.)
前記式(A)で表されるユニットが、式(A−1)で表されるユニットである、請求項6に記載の被めっき層形成用組成物。

(式(A−1)中、R1、およびR2は、それぞれ独立に、水素原子、またはメチル基を表す。Yは、酸素原子、または−NR5−基を表す。R5は、水素原子、メチル基、エチル基、t−ブチル基、またはn−ブチル基を表す。L1は、2価の炭化水素基を表す。)
The composition for forming a plated layer according to claim 6, wherein the unit represented by the formula (A) is a unit represented by the formula (A-1).

(In formula (A-1), R 1 and R 2 each independently represents a hydrogen atom or a methyl group. Y represents an oxygen atom or a —NR 5 — group. R 5 represents hydrogen. Represents an atom, a methyl group, an ethyl group, a t-butyl group, or an n-butyl group, and L 1 represents a divalent hydrocarbon group.)
1が、メチル基、エチル基、およびプロピル基からなる群から選ばれる基で置換されていてもよい炭素数1〜6の2価の直鎖状炭化水素基である、請求項7に記載の被めっき層形成用組成物。 L 1 is a divalent linear hydrocarbon group having 1 to 6 methyl, ethyl and carbon atoms may be substituted with a group selected from the group consisting of propyl,, according to claim 7 A composition for forming a layer to be plated. 前記式(B)で表されるユニットが、式(B−1)で表されるユニット、または式(B−2)で表されるユニットである、請求項6〜8のいずれかに記載の被めっき層形成用組成物。

(式(B−1)および(B−2)中、R4は、それぞれ独立に、水素原子、またはメチル基を表す。Yは、酸素原子、または−NR5−基を表す。R5は、水素原子、メチル基、エチル基、t−ブチル基、またはn−ブチル基を表す。L2は、メチル基、エチル基、およびプロピル基からなる群から選ばれる基で置換されていてもよい炭素数1〜6の2価の直鎖状炭化水素基、エチレンオキシド基、プロピレンオキシド基、または、エステル基を有する炭素数2〜8の2価の炭化水素基を表す。Xは、カルボン酸基、スルホン酸基、リン酸基、またはそれらの塩を表す。)
The unit represented by the formula (B) is a unit represented by the formula (B-1) or a unit represented by the formula (B-2). A composition for forming a layer to be plated.

(In formulas (B-1) and (B-2), R 4 each independently represents a hydrogen atom or a methyl group. Y represents an oxygen atom or a —NR 5 — group. R 5 represents Represents a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, a t-butyl group, or an n-butyl group, and L 2 may be substituted with a group selected from the group consisting of a methyl group, an ethyl group, and a propyl group. A divalent linear hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, an ethylene oxide group, a propylene oxide group, or a divalent hydrocarbon group having 2 to 8 carbon atoms having an ester group, where X is a carboxylic acid group. Represents a sulfonic acid group, a phosphoric acid group, or a salt thereof.
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