JP2012207258A - Composition for forming layered to be plated, and method for producing laminate having metal film - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a composition for forming a layer to be plated, which can be produced without using much energy, and which provides a film to be plated that has excellent resistance against alkaline solution, and excellent adhesiveness to a metal film to be deposited thereon.SOLUTION: The composition for forming the layer to be plated includes a compound expressed by formula (1), and a polymer having the dissociative functional group and the polymerizable group forming the interaction with the plating catalyst or the precursor thereof.

Description

本発明は、被めっき層形成用組成物、および、該組成物を使用した金属膜を有する積層体の製造方法に関する。   The present invention relates to a composition for forming a layer to be plated, and a method for producing a laminate having a metal film using the composition.

従来から、絶縁性基板の表面に金属パターンによる配線を形成した金属配線基板が、電子部品や半導体素子に広く用いられている。
かかる金属パターン材料の作製方法としては、主に、「サブトラクティブ法」が使用される。このサブトラクティブ法とは、基板表面に形成された金属膜上に、活性光線の照射により感光する感光層を設け、この感光層を像様露光し、その後現像してレジスト像を形成し、次いで、金属膜をエッチングして金属パターンを形成し、最後にレジストを剥離する方法である。
2. Description of the Related Art Conventionally, a metal wiring board in which wiring with a metal pattern is formed on the surface of an insulating substrate has been widely used for electronic components and semiconductor elements.
As a method for producing such a metal pattern material, a “subtractive method” is mainly used. In this subtractive method, a photosensitive layer that is exposed by irradiation with actinic rays is provided on a metal film formed on the surface of the substrate, the photosensitive layer is exposed imagewise, and then developed to form a resist image. In this method, the metal film is etched to form a metal pattern, and finally the resist is removed.

この方法により得られる金属パターンにおいては、基板表面に凹凸を設けることにより生じるアンカー効果により、基板と金属パターン(金属膜)との間の密着性を発現させている。そのため、得られた金属パターンを金属配線として使用する際、金属パターンの基板界面部の凹凸に起因して、高周波特性が悪くなるという問題点があった。また、基板表面に凹凸化処理するためには、クロム酸などの強酸で基板表面を処理する必要があるため、基板との密着性に優れた金属パターンを得るためには、煩雑な工程が必要であるという問題点があった。   In the metal pattern obtained by this method, the adhesion between the substrate and the metal pattern (metal film) is expressed by an anchor effect generated by providing irregularities on the substrate surface. For this reason, when the obtained metal pattern is used as a metal wiring, there is a problem that high frequency characteristics are deteriorated due to the unevenness of the substrate interface portion of the metal pattern. In addition, in order to process the surface of the substrate, it is necessary to treat the surface of the substrate with a strong acid such as chromic acid, and thus a complicated process is required to obtain a metal pattern with excellent adhesion to the substrate. There was a problem that.

この問題を解決する手段として、基板上に基板と高密着性を有するポリマー層を形成し、このポリマー層に対してめっきを施して、得られた金属膜をエッチングする方法が知られている(特許文献1)。該方法によれば、基板の表面を粗面化することなく、基板と金属膜との密着性を改良することができる。   As a means for solving this problem, a method is known in which a polymer layer having high adhesion to the substrate is formed on the substrate, the polymer layer is plated, and the resulting metal film is etched ( Patent Document 1). According to this method, the adhesion between the substrate and the metal film can be improved without roughening the surface of the substrate.

特開2010−248464号公報JP 2010-248464 A

従来技術(特許文献1)より得られるパターン状の金属膜を有する積層体を製造する際、および、該積層体を配線基板などに応用する際には、種々の溶液に接触するため、優れた耐溶剤性、特に、アルカリ溶液耐性が要求される。
一方、従来技術で使用されていた被めっき層の場合、必ずしもその特性が十分とは言えなかった。例えば、無電解めっき時に、アルカリ性の脱脂液やアルカリ性の無電解めっき液を使用した場合、被めっき層が該液により損傷を受け、結果として金属膜の密着性が低下する場合や、金属膜(例えば、無電解めっき膜)の面状が低下する場合、または、該金属膜を使用した配線パターンの高精細性が損なわれる場合があった。
When manufacturing a laminated body having a patterned metal film obtained from the prior art (Patent Document 1) and when applying the laminated body to a wiring board or the like, it is excellent in contact with various solutions. Solvent resistance, particularly alkali solution resistance is required.
On the other hand, in the case of the layer to be plated used in the prior art, the characteristics are not necessarily sufficient. For example, when an alkaline degreasing solution or an alkaline electroless plating solution is used during electroless plating, the layer to be plated is damaged by the solution, resulting in a decrease in the adhesion of the metal film, For example, the surface state of the electroless plating film) may be reduced, or the high definition of a wiring pattern using the metal film may be impaired.

また、近年、電子機器の小型化、高機能化の要求に対応するため、プリント配線板などの微細配線のより一層の高集積化が進んでいる。
それに伴って、より低エネルギーで生産性よく、基板に対する密着性がより優れる金属配線を製造することが求められている。
Further, in recent years, in order to meet the demand for downsizing and high functionality of electronic devices, further high integration of fine wiring such as printed wiring boards is progressing.
Accordingly, it is required to produce a metal wiring having lower energy, better productivity, and better adhesion to the substrate.

本発明は、上記実情に鑑みて、多大なエネルギーを必要とせず製造が可能で、アルカリ溶液耐性に優れると共に、その上に形成される金属膜の密着性に優れる被めっき膜を得ることができる被めっき層形成用組成物、および、該組成物を用いて実施される金属膜を有する積層体の製造方法を提供することを目的とする。   In view of the above circumstances, the present invention can be manufactured without requiring a large amount of energy, and can provide a film to be plated that is excellent in alkali solution resistance and excellent in adhesion of a metal film formed thereon. It aims at providing the manufacturing method of the laminated body which has a composition for to-be-plated layer formation, and the metal film enforced using this composition.

本発明者らは、上記課題について鋭意検討した結果、所定の構造のアクリルアミドモノマーを使用することにより、上記課題を解決できることを見出した。つまり、本発明者らは、以下の構成により上記課題が解決できることを見出した。   As a result of intensive studies on the above problems, the present inventors have found that the above problems can be solved by using an acrylamide monomer having a predetermined structure. That is, the present inventors have found that the above problem can be solved by the following configuration.

(1) 後述する式(1)で表される化合物と、めっき触媒またはその前駆体と相互作用を形成する解離性官能基および重合性基を有するポリマーとを含む、被めっき層形成用組成物。
(2) 前記化合物のlogPが−0.3以上である、(1)に記載の被めっき層形成用組成物。
(1) A composition for forming a layer to be plated, comprising a compound represented by formula (1) described later, and a polymer having a dissociative functional group and a polymerizable group that form an interaction with the plating catalyst or its precursor. .
(2) The composition for forming a plated layer according to (1), wherein log P of the compound is −0.3 or more.

(3) 基板上に、請求項1または2に記載の被めっき層形成用組成物を接触させた後、前記基板上の前記被めっき層形成用組成物に対してエネルギーを付与して、前記基板上に被めっき層を形成する層形成工程と、
前記被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与する触媒付与工程と、
前記めっき触媒またはその前駆体が付与された被めっき層に対してめっき処理を行い、前記被めっき層上に金属膜を形成するめっき工程と、を備える金属膜を有する積層体の製造方法。
(4) (3)に記載の製造方法より得られる金属膜を有する積層体を含む配線基板。
(3) After contacting the composition for forming a layer to be plated according to claim 1 or 2 on a substrate, energy is applied to the composition for forming a layer to be plated on the substrate, A layer forming step of forming a layer to be plated on the substrate;
A catalyst application step of applying a plating catalyst or a precursor thereof to the layer to be plated;
A method for producing a laminate having a metal film comprising: a plating process for performing a plating process on the layer to be plated to which the plating catalyst or its precursor is applied, and forming a metal film on the layer to be plated.
(4) A wiring board including a laminate having a metal film obtained by the manufacturing method according to (3).

本発明によれば、多大なエネルギーを必要とせず製造が可能で、アルカリ溶液耐性に優れると共に、その上に形成される金属膜の密着性に優れる被めっき膜を得ることができる被めっき層形成用組成物、および、該組成物を用いて実施される金属膜を有する積層体の製造方法を提供することができる。   According to the present invention, formation of a layer to be plated that can be produced without requiring a large amount of energy, can be obtained, can be obtained a film to be plated that is excellent in alkali solution resistance and excellent in adhesion of a metal film formed thereon. The composition for manufacturing, and the manufacturing method of the laminated body which has a metal film enforced using this composition can be provided.

(A)〜(D)は、それぞれ本発明の積層体およびパターン状金属膜を有する積層体の製造方法における各製造工程を順に示す基板から積層体までの模式的断面図である。(A)-(D) are typical sectional drawings from the board | substrate to a laminated body which show each manufacturing process in order in the manufacturing method of the laminated body which has a laminated body and patterned metal film of this invention, respectively. (A)〜(D)は、本発明の積層体のエッチング工程の一態様を順に示す模式的断面図である。(A)-(D) are typical sectional drawings which show one mode of an etching process of a layered product of the present invention in order. (A)〜(E)は、本発明の積層体のエッチング工程の他の態様を順に示す模式的断面図である。(A)-(E) are typical sectional drawing which shows the other aspect of the etching process of the laminated body of this invention in order. (A)〜(H)は、多層配線基板の製造工程を順に示す模式的断面図である。(A)-(H) is typical sectional drawing which shows the manufacturing process of a multilayer wiring board in order.

以下に、本発明の被めっき層形成用組成物、および、金属膜を有する積層体の製造方法について説明する。
まず、本発明の従来技術と比較した特徴点について詳述する。
本発明においては、式(1)で表される化合物(以後、適宜アクリルアミドモノマーとも称する)を使用している点が挙げられる。アクリルアミドモノマーを使用することにより、形成される被めっき層中の架橋密度が制御され、加水分解しにくいアミド基を持つ化合物により架橋構造が構成されるため耐溶剤性の向上が発揮されている。
つまり、該アクリルアミドモノマーと所定の官能基を有するポリマーとを併用することにより、従来困難であった、被めっき層のアルカリ溶液耐性と該被めっき層上に形成される金属層の密着性との両立を達成することができる。
Below, the composition for to-be-plated layer formation of this invention and the manufacturing method of the laminated body which has a metal film are demonstrated.
First, the feature point compared with the prior art of this invention is explained in full detail.
In the present invention, the use of a compound represented by the formula (1) (hereinafter also referred to as an acrylamide monomer) is mentioned. By using an acrylamide monomer, the crosslink density in the formed layer to be formed is controlled, and the crosslink structure is constituted by a compound having an amide group which is difficult to hydrolyze, thereby improving the solvent resistance.
That is, by using the acrylamide monomer in combination with a polymer having a predetermined functional group, it has been difficult to achieve with the alkali solution resistance of the layer to be plated and the adhesion of the metal layer formed on the layer to be plated. Coexistence can be achieved.

まず、本発明の被めっき層形成用組成物の構成成分(式(1)で表される化合物、ポリマーなど)について詳述し、その後該組成物を使用した金属膜を有する積層体の製造方法について詳述する。   First, the constituent components (the compound represented by the formula (1), the polymer, etc.) of the composition for forming a plating layer of the present invention will be described in detail, and then a method for producing a laminate having a metal film using the composition Will be described in detail.

<式(1)で表される化合物>
本発明の被めっき層形成用組成物には、式(1)で表される化合物が含有される。
<Compound represented by Formula (1)>
The composition for forming a layer to be plated of the present invention contains a compound represented by the formula (1).

式(1)中、R1は、水素原子またはアルキル基を表す。アルキル基としては、炭素数1〜6が好ましく、例えば、メチル基、エチル基などが挙げられる。なかでも、重合速度(架橋速度)の点で、R1は水素原子であることが好ましい。 In formula (1), R 1 represents a hydrogen atom or an alkyl group. As an alkyl group, C1-C6 is preferable, for example, a methyl group, an ethyl group, etc. are mentioned. Among them, in view of polymerization rate (crosslinking rate), R 1 is preferably a hydrogen atom.

2およびR3は、それぞれ独立に、水素原子、または、炭化水素基を表す。
炭化水素基としては、例えば、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、またはこれらを組み合わせた基が挙げられる。
R 2 and R 3 each independently represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group.
Examples of the hydrocarbon group include an aliphatic hydrocarbon group, an aromatic hydrocarbon group, and a group obtained by combining these.

脂肪族炭化水素基としては、例えば、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基などが挙げられ、直鎖状、分岐状、環状のいずれであってもよい。なかでも、解離性官能基および重合性基を有するポリマーとの相溶性の点で、炭素数1〜10が好ましく、炭素数1〜6がより好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などが挙げられる。   Examples of the aliphatic hydrocarbon group include an alkyl group, an alkenyl group, and an alkynyl group, which may be linear, branched, or cyclic. Especially, C1-C10 is preferable and C1-C6 is more preferable at a compatible point with the polymer which has a dissociative functional group and a polymeric group. Specific examples include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, and a butyl group.

芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基などが挙げられる。なかでも、解離性官能基および重合性基を有するポリマーとの相溶性の点で、炭素数6〜12が好ましく、炭素数6〜8がより好ましい。   Examples of the aromatic hydrocarbon group include a phenyl group and a naphthyl group. Especially, C6-C12 is preferable and C6-C8 is more preferable at a compatible point with the polymer which has a dissociative functional group and a polymeric group.

なお、R2とR3とが直接結合して環を形成してもよい。また、R2とR3とが酸素原子を介して環を形成していてもよい。環を形成する場合、解離性官能基および重合性基を有するポリマーとの相溶性の点で、R2とR3との合計炭素数は4〜10が好ましく、4〜6がより好ましい。 R 2 and R 3 may be directly bonded to form a ring. R 2 and R 3 may form a ring via an oxygen atom. In the case of forming a ring, the total carbon number of R 2 and R 3 is preferably 4 to 10 and more preferably 4 to 6 in terms of compatibility with a polymer having a dissociable functional group and a polymerizable group.

該化合物の分子量は特に制限されないが、後述するポリマーとの相溶性や、溶液への溶解性の点から、70〜300が好ましく、70〜200がより好ましい。   The molecular weight of the compound is not particularly limited, but is preferably 70 to 300, more preferably 70 to 200, from the viewpoint of compatibility with the polymer described later and solubility in a solution.

被めっき層形成用組成物中には、2種以上の該化合物が含まれていてもよい。   Two or more of the compounds may be contained in the composition for forming a layer to be plated.

(式(1)で表される化合物の好適態様)
式(1)で表される化合物の好適態様として、該化合物のlogPが‐0.3以上であることが挙げられる。logPが上記範囲であれば、めっき金属との密着性の点で好ましい。
なかでも、めっき金属との密着性点で、logPは−0.3〜3.0であることが好ましく、−0.2〜2.0であることがより好ましく、0.3〜1.0が特に好ましい。
(Preferred embodiment of the compound represented by the formula (1))
A preferred embodiment of the compound represented by formula (1) is that the log P of the compound is −0.3 or more. If logP is the said range, it is preferable at the point of adhesiveness with a plating metal.
Of these, log P is preferably −0.3 to 3.0, more preferably −0.2 to 2.0, and more preferably 0.3 to 1.0 in terms of adhesion to the plated metal. Is particularly preferred.

なお、logPは、分配係数P(Partition Coefficient)の常用対数を意味し、オクタノール相と水相との間での化学物質の分配の程度を表す指標であり、下記計算式1のように定義される。   In addition, logP means the common logarithm of partition coefficient P (Partition Coefficient), and is an index showing the degree of distribution of the chemical substance between the octanol phase and the water phase, and is defined as the following calculation formula 1. The

上記計算式1より、logPの値が高くなるほど、その化学物質は疎水性が高いことを意味し、logPの値が低くなるほど、その化学物質は親水性が高いことを意味する。例えば、logPの値が0以下の化学物質は、オクタノール相よりも水相に溶解し易く、また、logPの値が1の化学物質は、水相への溶解性に較べてオクタノール相に対して10倍の溶解性を持つといえる。   From the above calculation formula 1, it means that the higher the value of logP, the higher the hydrophobicity of the chemical substance, and the lower the value of logP, the higher the hydrophilicity of the chemical substance. For example, a chemical substance having a log P value of 0 or less is more easily dissolved in the aqueous phase than the octanol phase, and a chemical substance having a log P value of 1 is less soluble in the octanol phase than the solubility in the aqueous phase. It can be said that it has 10 times the solubility.

多くの化合物のlogP値が報告され、Daylight Chemical Information Systems, Inc. (Daylight CIS)等から入手しうるデータベースには多くの値が掲載されているので参照できる。実測のlogP値がない場合には、Daylight CISから入手できるプログラム“CLOGP”で計算すると最も便利である。このプログラムは、実測のlogP値がある場合にはそれと伴に、Hansch, Leoのフラグメントアプローチにより算出される“計算logP(ClogP)”の値を出力する。
本発明では、logPの実測値があればそれを、無い場合はChemDraw Pro Ver12.0に付属のプログラムにより計算したClogP値を用いた。
Log P values of many compounds are reported, and many values are listed in a database available from Daylight Chemical Information Systems, Inc. (Daylight CIS), etc., and can be referred to. When there is no measured log P value, it is most convenient to calculate with the program “CLOGP” available from Daylight CIS. This program outputs the value of “calculated logP (ClogP)” calculated by the Hansch, Leo fragment approach together with the measured logP value, if any.
In the present invention, if there is an actual measured value of logP, the ClogP value calculated by the program attached to ChemDraw Pro Ver12.0 is used when there is no measured value.

<ポリマー>
本発明で使用されるポリマーは、重合性基、および、めっき触媒またはその前駆体と相互作用する解離性官能基(以後、適宜相互作用性基)を有する。
以下、ポリマーに含まれる官能基や、その特性について詳述する。
<Polymer>
The polymer used in the present invention has a polymerizable group and a dissociative functional group that interacts with the plating catalyst or a precursor thereof (hereinafter, an appropriately interacting group).
Hereinafter, the functional groups contained in the polymer and the characteristics thereof will be described in detail.

(重合性基)
重合性基は、エネルギー付与により、ポリマー同士、または、ポリマーと基板(または、後述する密着補助層)との間に化学結合を形成しうる官能基であり、例えば、ラジカル重合性基、カチオン重合性基などが挙げられる。なかでも、反応性の観点から、ラジカル重合性基が好ましい。ラジカル重合性基としては、例えば、アクリル酸エステル基、メタクリル酸エステル基、イタコン酸エステル基、クロトン酸エステル基、イソクロトン酸エステル基、マレイン酸エステル基などの不飽和カルボン酸エステル基、スチリル基、ビニル基、アクリルアミド基、メタクリルアミド基などが挙げられる。なかでも、メタクリル酸エステル基、アクリル酸エステル基、ビニル基、スチリル基、アクリルアミド基、メタクリルアミド基が好ましく、メタクリル酸エステル基、アクリル酸エステル基、スチリル基が特に好ましい。
(Polymerizable group)
A polymerizable group is a functional group capable of forming a chemical bond between polymers or between a polymer and a substrate (or an adhesion auxiliary layer described later) by applying energy, such as a radical polymerizable group or a cationic polymerization. Sex groups and the like. Of these, a radical polymerizable group is preferable from the viewpoint of reactivity. Examples of the radical polymerizable group include unsaturated carboxylic acid ester groups such as acrylic acid ester groups, methacrylic acid ester groups, itaconic acid ester groups, crotonic acid ester groups, isocrotonic acid ester groups, maleic acid ester groups, styryl groups, Examples thereof include a vinyl group, an acrylamide group, and a methacrylamide group. Of these, methacrylic acid ester groups, acrylic acid ester groups, vinyl groups, styryl groups, acrylamide groups, and methacrylamide groups are preferable, and methacrylic acid ester groups, acrylic acid ester groups, and styryl groups are particularly preferable.

(相互作用性基)
上記ポリマーは、後述するめっき触媒またはその前駆体と相互作用する解離性官能基を有する。該基を有することにより、後述するめっき触媒またはその前駆体を効率よく吸着することができる。
解離性官能基は、例えば、水素イオンや、金属イオン(例えば、アルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオンなど)を解離する官能基である。具体的には、カルボキシル基、リン酸基などが挙げられる。
なかでも、極性が高く、めっき触媒またはその前駆体などへの吸着能が高いことから、カルボキシル基、スルホン酸基、リン酸基、ボロン酸基、またはその塩などのイオン性解離性基(イオン性極性基)が好ましく、カルボキシル基がさらに好ましい。
相互作用性基としてのこれら官能基は、ポリマー中に2種以上が含まれていてもよい。
(Interactive group)
The polymer has a dissociative functional group that interacts with a plating catalyst or a precursor thereof described later. By having this group, a plating catalyst or a precursor thereof described later can be adsorbed efficiently.
The dissociative functional group is, for example, a functional group that dissociates hydrogen ions or metal ions (for example, alkali metal ions, alkaline earth metal ions, etc.). Specific examples include a carboxyl group and a phosphate group.
Among them, ionic dissociable groups such as carboxyl groups, sulfonic acid groups, phosphoric acid groups, boronic acid groups, or salts thereof (ion) due to their high polarity and high adsorption ability to plating catalysts or their precursors. Polar group) is preferred, and a carboxyl group is more preferred.
Two or more of these functional groups as interactive groups may be contained in the polymer.

ポリマーの重量平均分子量は特に制限されないが、5000以上70万以下が好ましく、更に好ましくは8000以上20万以下である。特に、重合感度の観点から、20000以上であることが好ましい。
また、ポリマーの重合度は特に制限されないが、10量体以上のものを使用することが好ましく、更に好ましくは20量体以上のものである。また、7000量体以下が好ましく、3000量体以下がより好ましく、2000量体以下が更に好ましく、1000量体以下が特に好ましい。
The weight average molecular weight of the polymer is not particularly limited, but is preferably from 5,000 to 700,000, more preferably from 8,000 to 200,000. In particular, from the viewpoint of polymerization sensitivity, it is preferably 20000 or more.
Further, the degree of polymerization of the polymer is not particularly limited, but it is preferable to use a polymer of 10-mer or more, and more preferably a polymer of 20-mer or more. Moreover, 7000-mer or less is preferable, 3000-mer or less is more preferable, 2000-mer or less is still more preferable, 1000-mer or less is especially preferable.

(好適態様1)
ポリマーの第1の好ましい態様として、下記式(a)で表される重合性基を有するユニット(以下、適宜重合性基ユニットとも称する)、および、下記式(b)で表される相互作用性基を有するユニット(以下、適宜相互作用性基ユニットとも称する)を含む共重合体が挙げられる。なお、ユニットとは繰り返し単位を意味する。
(Preferred embodiment 1)
As a first preferred embodiment of the polymer, a unit having a polymerizable group represented by the following formula (a) (hereinafter also referred to as a polymerizable group unit as appropriate), and an interaction property represented by the following formula (b) Examples thereof include a copolymer containing a unit having a group (hereinafter also referred to as an interactive group unit as appropriate). In addition, a unit means a repeating unit.

上記式(a)および式(b)中、R1〜R5は、それぞれ独立して、水素原子、または置換若しくは無置換のアルキル基を表す。
1〜R5が、置換または無置換のアルキル基である場合、無置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、またはブチル基が挙げられる。また、置換アルキル基としては、メトキシ基、塩素原子、臭素原子、またはフッ素原子等で置換された、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基が挙げられる。
なお、R1としては、水素原子、メチル基、または、臭素原子で置換されたメチル基が好ましい。
2としては、水素原子、メチル基、または、臭素原子で置換されたメチル基が好ましい。
3としては、水素原子が好ましい。
4としては、水素原子が好ましい。
5としては、水素原子、メチル基、または、臭素原子で置換されたメチル基が好ましい。
In the above formula (a) and formula (b), R 1 to R 5 each independently represents a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted alkyl group.
When R 1 to R 5 are a substituted or unsubstituted alkyl group, examples of the unsubstituted alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, or a butyl group. Examples of the substituted alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, and a butyl group substituted with a methoxy group, a chlorine atom, a bromine atom, or a fluorine atom.
R 1 is preferably a hydrogen atom, a methyl group, or a methyl group substituted with a bromine atom.
R 2 is preferably a hydrogen atom, a methyl group, or a methyl group substituted with a bromine atom.
R 3 is preferably a hydrogen atom.
R 4 is preferably a hydrogen atom.
R 5 is preferably a hydrogen atom, a methyl group, or a methyl group substituted with a bromine atom.

上記式(a)および式(b)中、X、Y、およびZは、それぞれ独立して、単結合、または、置換若しく無置換の二価の有機基を表す。二価の有機基としては、置換若しくは無置換の脂肪族炭化水素基(好ましくは炭素数1〜8)、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基(好ましくは炭素数6〜12)、−O−、−S−、−SO2−、−N(R)−(R:アルキル基)、−CO−、−NH−、−COO−、−CONH−、またはこれらを組み合わせた基(例えば、アルキレンオキシ基、アルキレンオキシカルボニル基、アルキレンカルボニルオキシ基など)などが挙げられる。
置換または無置換の脂肪族炭化水素基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、若しくはブチレン基、または、これらの基が、メトキシ基、塩素原子、臭素原子、若しくはフッ素原子等で置換されたものが好ましい。
置換または無置換の芳香族炭化水素基としては、無置換のフェニレン基、または、メトキシ基、塩素原子、臭素原子、若しくはフッ素原子等で置換されたフェニレン基が好ましい。
In the above formulas (a) and (b), X, Y, and Z each independently represent a single bond or a substituted or unsubstituted divalent organic group. Examples of the divalent organic group include a substituted or unsubstituted aliphatic hydrocarbon group (preferably having 1 to 8 carbon atoms), a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group (preferably having 6 to 12 carbon atoms), -O —, —S—, —SO 2 —, —N (R) — (R: alkyl group), —CO—, —NH—, —COO—, —CONH—, or a combination thereof (for example, alkylene Oxy group, alkyleneoxycarbonyl group, alkylenecarbonyloxy group, etc.).
As a substituted or unsubstituted aliphatic hydrocarbon group, a methylene group, an ethylene group, a propylene group, or a butylene group, or these groups are substituted with a methoxy group, a chlorine atom, a bromine atom, a fluorine atom, or the like Those are preferred.
As the substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group, an unsubstituted phenylene group or a phenylene group substituted with a methoxy group, a chlorine atom, a bromine atom, a fluorine atom or the like is preferable.

X、Y、およびZとしては、単結合、エステル基(−COO−)、アミド基(−CONH−)、エーテル基(−O−)、または置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基などが好ましく挙げられ、より好ましくは単結合、エステル基(−COO−)、アミド基(−CONH−)である。   X, Y, and Z are preferably a single bond, an ester group (—COO—), an amide group (—CONH—), an ether group (—O—), or a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group. More preferred are a single bond, an ester group (—COO—), and an amide group (—CONH—).

上記式(a)および式(b)中、L1およびL2は、それぞれ独立して、単結合、または、置換若しくは無置換の二価の有機基を表す。二価の有機基の定義としては、上述したX、Y、およびZで述べた二価の有機基と同義である。
1としては、脂肪族炭化水素基(例えば、脂肪族炭化水素基)が好ましく、中でも、総炭素数1〜9であるものが好ましい。なお、ここで、L1の総炭素数とは、L1で表される置換若しくは無置換の二価の有機基に含まれる総炭素原子数を意味する。
In the above formulas (a) and (b), L 1 and L 2 each independently represent a single bond or a substituted or unsubstituted divalent organic group. As a definition of a divalent organic group, it is synonymous with the divalent organic group described by X, Y, and Z mentioned above.
L 1 is preferably an aliphatic hydrocarbon group (for example, an aliphatic hydrocarbon group), and among them, one having a total carbon number of 1 to 9 is preferable. Incidentally, the total number of carbon atoms of L 1, means the total number of carbon atoms contained in the substituted or unsubstituted divalent organic group represented by L 1.

また、L2は、単結合、または、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキレン基、芳香族基、またはこれらを組み合わせた基であることが好ましい。該アルキレン基と芳香族基とを組み合わせた基は、更に、エーテル基、エステル基、アミド基、ウレタン基、ウレア基を介していてもよい。中でも、L2は、単結合、または、総炭素数が1〜15であることが好ましく、特に無置換であることが好ましい。なお、ここで、L2の総炭素数とは、L2で表される置換または無置換の二価の有機基に含まれる総炭素原子数を意味する。
具体的には、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、フェニレン基、およびこれらの基が、メトキシ基、ヒドロキシ基、塩素原子、臭素原子、フッ素原子等で置換されたもの、更には、これらを組み合わせた基が挙げられる。
L 2 is preferably a single bond, a linear, branched, or cyclic alkylene group, an aromatic group, or a group obtained by combining these. The group obtained by combining the alkylene group and the aromatic group may further be via an ether group, an ester group, an amide group, a urethane group, or a urea group. Among them, L 2 is a single bond, or, preferably has a total carbon number of 1 to 15, particularly preferably unsubstituted. Incidentally, the total number of carbon atoms of L 2, means the total number of carbon atoms contained in the substituted or unsubstituted divalent organic group represented by L 2.
Specifically, a methylene group, an ethylene group, a propylene group, a butylene group, a phenylene group, and those groups substituted with a methoxy group, a hydroxy group, a chlorine atom, a bromine atom, a fluorine atom, etc., The group which combined these is mentioned.

上記式(b)中、Wは、めっき触媒または前駆体と相互作用する解離性官能基を表す。該官能基の定義は、上述の定義と同じである。   In said formula (b), W represents the dissociative functional group which interacts with a plating catalyst or a precursor. The definition of this functional group is the same as the above-mentioned definition.

上記式(a)で表される重合性基ユニットの好適態様としては、下記式(c)で表されるユニットが挙げられる。   A preferred embodiment of the polymerizable group unit represented by the above formula (a) includes a unit represented by the following formula (c).

式(c)中、R1、R2、ZおよびL1は、式(a)で表されるユニット中の各基の定義と同じである。Aは、酸素原子、またはNR(Rは、水素原子またはアルキル基を表し、好ましくは、水素原子または炭素数1〜5の無置換のアルキル基である。)を表す。 In the formula (c), R 1 , R 2 , Z and L 1 are the same as the definitions of each group in the unit represented by the formula (a). A represents an oxygen atom or NR (R represents a hydrogen atom or an alkyl group, preferably a hydrogen atom or an unsubstituted alkyl group having 1 to 5 carbon atoms).

式(c)で表されるユニットの好適態様として、式(d)で表されるユニットが挙げられる。   A preferred embodiment of the unit represented by the formula (c) is a unit represented by the formula (d).

式(d)中、R1、R2、およびL1は、式(a)で表されるユニット中の各基の定義と同じである。AおよびTは、酸素原子、またはNR(Rは、水素原子またはアルキル基を表し、好ましくは、水素原子または炭素数1〜5の無置換のアルキル基である。)を表す。 In the formula (d), R 1 , R 2 , and L 1 are the same as the definitions of each group in the unit represented by the formula (a). A and T each represents an oxygen atom or NR (R represents a hydrogen atom or an alkyl group, preferably a hydrogen atom or an unsubstituted alkyl group having 1 to 5 carbon atoms).

上記式(d)において、Tは、酸素原子であることが好ましい。
また、上記式(c)および式(d)において、L1は、無置換のアルキレン基が好ましい。
In the above formula (d), T is preferably an oxygen atom.
In the above formulas (c) and (d), L 1 is preferably an unsubstituted alkylene group.

また、式(b)で表される相互作用性基ユニットの好適態様としては、下記式(e)または式(f)で表されるユニットが挙げられる。   Moreover, as a suitable aspect of the interactive group unit represented by Formula (b), the unit represented by the following formula (e) or Formula (f) is mentioned.

上記式(e)中、W、R5およびL2は、式(b)で表されるユニット中の各基の定義と同じである。Qは、酸素原子、またはNR’(R’は、水素原子またはアルキル基を表し、好ましくは、水素原子または炭素数1〜5の無置換のアルキル基である。)を表す。
また、式(e)におけるL2は、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキレン基、芳香族基、または、これらを組み合わせた基であることが好ましい。
特に、式(e)においては、L2中の相互作用性基との連結部位が、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキレン基を有する二価の有機基であることが好ましく、中でも、この二価の有機基が総炭素数1〜10であることが好ましい。
また、別の好ましい態様としては、式(e)におけるL2中の相互作用性基との連結部位が、芳香族基を有する二価の有機基であることが好ましく、中でも、該二価の有機基が、総炭素数6〜15であることが好ましい。
In the above formula (e), W, R 5 and L 2 are the same as the definition of each group in the unit represented by the formula (b). Q represents an oxygen atom or NR ′ (R ′ represents a hydrogen atom or an alkyl group, preferably a hydrogen atom or an unsubstituted alkyl group having 1 to 5 carbon atoms).
L 2 in the formula (e) is preferably a linear, branched, or cyclic alkylene group, an aromatic group, or a group obtained by combining these.
In particular, in the formula (e), it is preferable that the linking site with the interactive group in L 2 is a divalent organic group having a linear, branched, or cyclic alkylene group. The valent organic group preferably has 1 to 10 carbon atoms in total.
As another preferred embodiment, the connecting portion between the interactive group in L 2 in Formula (e) is preferably a divalent organic group having an aromatic group, among others, of the divalent The organic group preferably has 6 to 15 carbon atoms in total.

式(f)中、W、およびR5は、式(b)で表されるユニット中の各基の定義と同じである。 In the formula (f), W and R 5 are the same as the definitions of each group in the unit represented by the formula (b).

上記重合性基ユニットは、ポリマー中の全ユニットに対して、5〜50モル%で含まれることが好ましく、更に好ましくは5〜40モル%である。5モル%未満では反応性(硬化性、重合性)が落ちる場合があり、50モル%超では合成の際にゲル化しやすく合成しにくい。
また、上記相互作用性基ユニットは、めっき触媒またはその前駆体に対する吸着性の観点から、ポリマー中の全ユニットに対して、5〜95モル%で含まれることが好ましく、更に好ましくは10〜85モル%である。
It is preferable that the said polymeric group unit is contained by 5-50 mol% with respect to all the units in a polymer, More preferably, it is 5-40 mol%. If it is less than 5 mol%, the reactivity (curability, polymerizability) may be lowered, and if it exceeds 50 mol%, gelation tends to occur during synthesis and synthesis is difficult.
Moreover, it is preferable that the said interactive group unit is contained by 5-95 mol% with respect to all the units in a polymer from a adsorptive viewpoint with respect to a plating catalyst or its precursor, More preferably, it is 10-85. Mol%.

(その他のユニット)
上記ポリマーは、重合性基および相互作用性基以外に、本発明の効果を損なわない範囲で、他の官能基を有していてもよい。例えば、めっき触媒またはその前駆体と相互作用する非解離性官能基が挙げられる。
非解離性官能基とは、例えば、アミノ基、アミド基、イミド基、ウレア基、3級のアミノ基、アンモニウム基、アミジノ基、トリアジン環、トリアゾール環、ベンゾトリアゾール基、イミダゾール基、ベンズイミダゾール基、キノリン基、ピリジン基、ピリミジン基、ピラジン基、ナゾリン基、キノキサリン基、プリン基、トリアジン基、ピペリジン基、ピペラジン基、ピロリジン基、ピラゾール基、アニリン基、アルキルアミン構造を含む基、イソシアヌル構造を含む基、ニトロ基、ニトロソ基、アゾ基、ジアゾ基、アジド基、シアノ基、シアネート基(R−O−CN)などの含窒素官能基;エーテル基、フェノール性水酸基、カーボネート基、カルボニル基、エステル基、N−オキシド構造を含む基、S−オキシド構造を含む基、N−ヒドロキシ構造を含む基などの含酸素官能基;チオフェン基、チオール基、チオウレア基、チオシアヌール酸基、ベンズチアゾール基、メルカプトトリアジン基、チオエーテル基、チオキシ基、スルホキシド基、スルホン基、サルファイト基、スルホキシイミン構造を含む基、スルホキシニウム塩構造を含む基、スルホン酸エステル構造を含む基などの含硫黄官能基;ホスフォロアミド基、ホスフィン基、リン酸エステル構造を含む基などの含リン官能基;塩素、臭素などのハロゲン原子を含む基などが挙げられ、塩構造をとりうる官能基においてはそれらの塩も使用することができる。
なかでも、めっき触媒またはその前駆体などへの吸着能が高いことから、エーテル基、またはシアノ基に好ましい。
(Other units)
The polymer may have other functional groups in addition to the polymerizable group and the interactive group as long as the effects of the present invention are not impaired. For example, a non-dissociable functional group that interacts with a plating catalyst or a precursor thereof can be used.
Non-dissociative functional groups include, for example, amino groups, amide groups, imide groups, urea groups, tertiary amino groups, ammonium groups, amidino groups, triazine rings, triazole rings, benzotriazole groups, imidazole groups, and benzimidazole groups. Quinoline group, pyridine group, pyrimidine group, pyrazine group, nazoline group, quinoxaline group, purine group, triazine group, piperidine group, piperazine group, pyrrolidine group, pyrazole group, aniline group, group containing alkylamine structure, isocyanuric structure A nitrogen-containing functional group such as a group containing, a nitro group, a nitroso group, an azo group, a diazo group, an azide group, a cyano group, and a cyanate group (R—O—CN); an ether group, a phenolic hydroxyl group, a carbonate group, a carbonyl group, An ester group, a group containing an N-oxide structure, a group containing an S-oxide structure, Oxygen-containing functional groups such as groups containing a roxy structure; thiophene groups, thiol groups, thiourea groups, thiocyanuric acid groups, benzthiazole groups, mercaptotriazine groups, thioether groups, thioxy groups, sulfoxide groups, sulfone groups, sulfite groups, sulfoximines A sulfur-containing functional group such as a group containing a structure, a group containing a sulfoxynium salt structure or a group containing a sulfonate structure; a phosphorus-containing functional group such as a phosphoramide group, a phosphine group or a group containing a phosphate ester structure; Examples thereof include groups containing halogen atoms such as chlorine and bromine, and these salts can also be used in functional groups that can take a salt structure.
Among these, an ether group or a cyano group is preferable because of its high adsorption ability to a plating catalyst or a precursor thereof.

なお、上記エーテル基としては、以下の式(X)で表されるポリオキシアルキレン基が好ましい。
式(X) *−(YO)n−Rc
式(X)中、Yはアルキレン基を表し、Rcはアルキル基を表す。nは1〜30の数を表す。*は結合位置を表す。
アルキレン基としては、炭素数1〜3が好ましく、具体的には、エチレン基、プロピレン基が好ましく挙げられる。
アルキル基としては、炭素数1〜10が好ましく、具体的には、メチル基、エチル基が好ましく挙げられる。
nは1〜30の数を表し、好ましくは3〜23である。なお、nは平均値を表し、該数値は公知の方法(NMR)などによって測定できる。
In addition, as said ether group, the polyoxyalkylene group represented by the following formula | equation (X) is preferable.
Formula (X) *-(YO) n -R c
In formula (X), Y represents an alkylene group, and R c represents an alkyl group. n represents a number from 1 to 30. * Represents a bonding position.
As an alkylene group, C1-C3 is preferable and, specifically, an ethylene group and a propylene group are mentioned preferably.
As an alkyl group, C1-C10 is preferable and a methyl group and an ethyl group are mentioned preferably specifically ,.
n represents the number of 1-30, Preferably it is 3-23. In addition, n represents an average value, and the numerical value can be measured by a known method (NMR) or the like.

なお、上記ポリマーは、以下式(g)で表される非解離性官能基を有するユニットを含んでいてもよい。   In addition, the said polymer may contain the unit which has a non-dissociative functional group represented by a following formula (g).

式(g)中、R6は、それぞれ独立して、水素原子、または置換若しくは無置換のアルキル基を表す。アルキル基の定義は、上述したR1〜R5で表されるアルキル基と同義である。
式(g)中、Uは、単結合、または、置換若しく無置換の二価の有機基を表す。二価の有機基の定義は、上述したX、YおよびZで表される二価の有機基と同義である。
式(g)中、L3は、単結合、または、置換若しく無置換の二価の有機基を表す。二価の有機基の定義は、上述したL1およびL2で表される二価の有機基と同義である。
式(g)中、Vは、非解離性官能基を表す。
In formula (g), each R 6 independently represents a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted alkyl group. The definition of an alkyl group is synonymous with the alkyl group represented by R < 1 > -R < 5 > mentioned above.
In formula (g), U represents a single bond or a substituted or unsubstituted divalent organic group. The definition of a bivalent organic group is synonymous with the divalent organic group represented by X, Y, and Z mentioned above.
In formula (g), L 3 represents a single bond or a substituted or unsubstituted divalent organic group. Defining divalent organic group has the same meaning as divalent organic group represented by L 1 and L 2 as described above.
In formula (g), V represents a non-dissociable functional group.

式(g)で表されるユニットがポリマー中に含まれる場合、めっき触媒などの吸着性の点から、その含有量は、ポリマー中の全ユニットに対して、10〜70モル%で含まれることが好ましく、更に好ましくは20〜60モル%であり、特に好ましくは25〜50モル%である。   When the unit represented by the formula (g) is contained in the polymer, the content is 10 to 70 mol% with respect to all the units in the polymer from the point of adsorptivity such as a plating catalyst. Is more preferable, it is 20-60 mol%, More preferably, it is 25-50 mol%.

上記ポリマーの具体例としては、ラジカル重合性基とめっき触媒またはその前駆体と相互作用を形成する官能基とを有するポリマーとしては、特開2009−007540号公報の段落[0106]〜[0112]に記載のポリマーが使用できる。また、ラジカル重合性基とイオン性極性基とを有するポリマーとしては、特開2006−135271号公報の段落[0065]〜[0070]に記載のポリマーが使用できる。ラジカル重合性基と、めっき触媒またはその前駆体と相互作用を形成する官能基と、イオン性極性基とを有するポリマーとしては、US2010−080964号の段落[0030]〜[0108]に記載のポリマーが使用できる。   Specific examples of the polymer include those having a radical polymerizable group and a functional group that interacts with a plating catalyst or a precursor thereof, paragraphs [0106] to [0112] of JP-A-2009-007540. Can be used. As the polymer having a radical polymerizable group and an ionic polar group, the polymers described in paragraphs [0065] to [0070] of JP-A-2006-135271 can be used. Examples of the polymer having a radical polymerizable group, a functional group that interacts with a plating catalyst or a precursor thereof, and an ionic polar group include polymers described in paragraphs [0030] to [0108] of US2010-080964. Can be used.

(ポリマーの合成方法)
上記ポリマーの合成方法は特に限定されず、使用されるモノマーも市販品または公知の合成方法を組み合わせて合成したものであってもよい。例えば、特許公開2009−7662号の段落[0120]〜[0164]に記載の方法などを参照して、上記ポリマーを合成することができる。
(Polymer synthesis method)
The method for synthesizing the polymer is not particularly limited, and the monomer used may be a commercially available product or one synthesized by combining known synthesis methods. For example, the polymer can be synthesized with reference to the method described in paragraphs [0120] to [0164] of Japanese Patent Publication No. 2009-7762.

<被めっき層形成用組成物中の他の任意成分>
(溶剤)
被めっき層形成用組成物には、必要に応じて、溶剤が含まれていてもよい。
使用できる溶剤は特に限定されず、例えば、水、メタノール、エタノール、プロパノール、エチレングリコール、グリセリン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、1‐メトキシ‐2‐プロパノールなどのアルコール系溶剤、酢酸などの酸、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶剤、ホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドンなどのアミド系溶剤、アセトニトリル、プロピロニトリルなどのニトリル系溶剤、酢酸メチル、酢酸エチルなどのエステル系溶剤、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネートなどのカーボネート系溶剤、この他にも、エーテル系溶剤、グリコール系溶剤、アミン系溶剤、チオール系溶剤、ハロゲン系溶剤などが挙げられる。
この中でも、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、ケトン系溶剤、ニトリル系溶剤、カーボネート系溶剤が好ましく、具体的には、アセトン、ジメチルアセトアミド、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、アセトニトリル、プロピオニトリル、N−メチルピロリドン、ジメチルカーボネート、1‐メトキシ‐2‐プロパノールが好ましい。
<Other optional components in the composition for forming a layer to be plated>
(solvent)
The composition for forming a layer to be plated may contain a solvent as necessary.
The solvent that can be used is not particularly limited. For example, water, methanol, ethanol, propanol, ethylene glycol, glycerin, propylene glycol monomethyl ether, alcohol solvents such as 1-methoxy-2-propanol, acids such as acetic acid, acetone, and methyl ethyl ketone. , Ketone solvents such as cyclohexanone, amide solvents such as formamide, dimethylacetamide and N-methylpyrrolidone, nitrile solvents such as acetonitrile and propyronitrile, ester solvents such as methyl acetate and ethyl acetate, dimethyl carbonate and diethyl carbonate Other examples include carbonate solvents such as ether solvents, glycol solvents, amine solvents, thiol solvents, and halogen solvents.
Among these, alcohol solvents, amide solvents, ketone solvents, nitrile solvents, carbonate solvents are preferable, specifically, acetone, dimethylacetamide, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, acetonitrile, propionitrile, N-methylpyrrolidone, Dimethyl carbonate and 1-methoxy-2-propanol are preferred.

(重合開始剤)
本発明の被めっき層形成用組成物には、重合開始剤が含まれていてもよい。重合開始剤が含まれることにより、ポリマー間、ポリマーと基板との間、および、ポリマーと式(1)で表される化合物との間の結合がより形成され、結果として密着性により優れた金属膜を得ることができる。
使用される重合開始剤としては特に制限はなく、例えば、熱重合開始剤、光重合開始剤(ラジカル重合開始剤、アニオン重合開始剤、カチオン重合開始剤)、更には、側鎖に重合開始能を有する官能基及び架橋性基を有するポリマー(重合開始ポリマー)などを用いることができる。
(Polymerization initiator)
A polymerization initiator may be contained in the composition for forming a layer to be plated of the present invention. By including a polymerization initiator, a bond between the polymer, between the polymer and the substrate, and between the polymer and the compound represented by the formula (1) is further formed, and as a result, a metal having better adhesion. A membrane can be obtained.
The polymerization initiator to be used is not particularly limited, and examples thereof include a thermal polymerization initiator, a photopolymerization initiator (radical polymerization initiator, anionic polymerization initiator, and cationic polymerization initiator), and further, a polymerization initiation ability in the side chain. A polymer having a functional group having a crosslinkable group and a crosslinkable group (polymerization initiating polymer) can be used.

(モノマー)
本発明の被めっき層形成用組成物には、上記式(1)で表される化合物以外の他のモノマーが含まれていてもよい。該モノマーが含まれることにより、被めっき層中の架橋密度などを適宜制御することができる。
使用されるモノマーは特に制限されず、例えば、付加重合性を有する化合物としてはエチレン性不飽和結合を有する化合物、開環重合性を有する化合物としてはエポキシ基を有する化合物等が挙げられる。
(monomer)
The composition for forming a layer to be plated of the present invention may contain a monomer other than the compound represented by the above formula (1). By including the monomer, the crosslinking density in the layer to be plated can be appropriately controlled.
The monomer to be used is not particularly limited, and examples thereof include compounds having an ethylenically unsaturated bond as compounds having addition polymerizability, and compounds having an epoxy group as compounds having ring-opening polymerizability.

具体的には、不飽和カルボン酸(例えば、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、クロトン酸、イソクロトン酸、マレイン酸など)やそのエステル類が挙げられ、アクリロイル基、メタクリロイル基、エタクリロイル基、アリル基、ビニルエーテル基、ビニルチオエーテル基等を含む化合物が例示される。
また、反応性に影響を与える架橋反応中の分子の運動性の観点から、用いるモノマーの分子量としては70〜1000が好ましく、更に好ましくは100〜700である。
Specific examples include unsaturated carboxylic acids (for example, acrylic acid, methacrylic acid, itaconic acid, crotonic acid, isocrotonic acid, maleic acid, etc.) and esters thereof, such as acryloyl group, methacryloyl group, ethacryloyl group, allyl group. And compounds containing vinyl ether groups, vinyl thioether groups, and the like.
Further, from the viewpoint of molecular mobility during the cross-linking reaction that affects the reactivity, the molecular weight of the monomer used is preferably 70 to 1000, more preferably 100 to 700.

(その他添加剤)
本発明の被めっき層形成用組成物には、他の添加剤(例えば、増感剤、硬化剤、重合禁止剤、酸化防止剤、帯電防止剤、紫外線吸収剤、フィラー、粒子、難燃剤、界面活性剤、滑剤、可塑剤など)を必要に応じて添加してもよい。
(Other additives)
In the composition for forming a layer to be plated of the present invention, other additives (for example, a sensitizer, a curing agent, a polymerization inhibitor, an antioxidant, an antistatic agent, an ultraviolet absorber, a filler, particles, a flame retardant, Surfactants, lubricants, plasticizers, etc.) may be added as necessary.

<被めっき層形成用組成物>
本発明の被めっき層形成用組成物には、上記式(1)で表される化合物、および、上記重合性基を有するポリマーが含まれる。
被めっき層形成用組成物中の式(1)で表される化合物の含有量は特に制限されないが、組成物全量に対して、1〜80質量%が好ましく、5〜50質量%がより好ましい。上記範囲内であれば、組成物の取扱い性に優れ、得られる金属膜の密着性により優れる。
<Composition for plating layer formation>
The composition for forming a plated layer of the present invention includes a compound represented by the above formula (1) and a polymer having the polymerizable group.
Although content of the compound represented by Formula (1) in the composition for to-be-plated layer forming is not restrict | limited in particular, 1-80 mass% is preferable with respect to the composition whole quantity, and 5-50 mass% is more preferable. . If it is in the said range, it is excellent in the handleability of a composition and excellent in the adhesiveness of the metal film obtained.

被めっき層形成用組成物中のポリマーの含有量は特に制限されないが、組成物全量に対して、10〜99質量%が好ましく、20〜85質量%がより好ましい。上記範囲内であれば、組成物の取扱い性に優れ、被めっき層の層厚の制御がしやすい。   Although content of the polymer in the composition for to-be-plated layer forming is not restrict | limited in particular, 10-99 mass% is preferable with respect to the composition whole quantity, and 20-85 mass% is more preferable. If it is in the said range, it is excellent in the handleability of a composition and it is easy to control the layer thickness of a to-be-plated layer.

被めっき層形成用組成物中における、式(1)で表される化合物の質量(質量A)と、該化合物の質量Aおよびポリマーの質量(質量B)の合計量との質量比{質量A/(質量A+質量B)}は特に制限されないが、架橋密度を適度に制御する点で、0.02〜0.50であることが好ましく、0.05〜0.30であることがより好ましい。   Mass ratio of mass (mass A) of the compound represented by the formula (1) and the total mass of the mass A of the compound and the mass of the polymer (mass B) in the composition for forming a plating layer {mass A / (Mass A + mass B)} is not particularly limited, but is preferably 0.02 to 0.50, and more preferably 0.05 to 0.30 in terms of appropriately controlling the crosslinking density. .

被めっき層形成用組成物中に溶剤が含まれる場合、溶剤の含有量は組成物全量に対して、50〜99質量%が好ましく、70〜97質量%がより好ましい。上記範囲内であれば、組成物の取扱い性に優れ、被めっき層の層厚の制御などがしやすい。   When a solvent is contained in the composition for forming a layer to be plated, the content of the solvent is preferably 50 to 99% by mass and more preferably 70 to 97% by mass with respect to the total amount of the composition. If it is in the said range, it is excellent in the handleability of a composition and it is easy to control the layer thickness of a to-be-plated layer.

被めっき層形成用組成物中に重合開始剤が含まれる場合、重合開始剤の含有量は組成物全量に対して、0.01〜1質量%であることが好ましく、0.1〜0.5質量%であることがより好ましい。上記範囲内であれば、組成物の取扱い性に優れ、得られる金属膜の密着性により優れる。   When a polymerization initiator is contained in the composition for forming a layer to be plated, the content of the polymerization initiator is preferably 0.01 to 1% by mass with respect to the total amount of the composition, and 0.1 to 0. More preferably, it is 5 mass%. If it is in the said range, it is excellent in the handleability of a composition and excellent in the adhesiveness of the metal film obtained.

被めっき層形成用組成物中に式(1)で表される化合物以外の他のモノマー(特に、多官能モノマー)が含まれる場合、その含有量は組成物全量に対して、0.01〜5質量%であることが好ましく、0.1〜1質量%であることがより好ましい。上記範囲内であれば、組成物の取扱い性に優れ、得られる金属膜の密着性により優れる。   When a composition other than the compound represented by Formula (1) is contained in the composition for forming a layer to be plated (particularly a polyfunctional monomer), the content thereof is 0.01 to It is preferably 5% by mass, more preferably 0.1-1% by mass. If it is in the said range, it is excellent in the handleability of a composition and excellent in the adhesiveness of the metal film obtained.

<金属膜を有する積層体の製造方法>
上述した被めっき層形成用組成物を使用することにより、金属膜を有する積層体を製造することができる。その製造方法は、主に、以下の3つの工程を備える。
(被めっき層形成工程)基板上に、上記被めっき層形成用組成物を接触させた後、基板上の被めっき層形成用組成物にエネルギーを付与して、基板上に被めっき層を形成する工程
(触媒付与工程)被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与する工程
(めっき工程)めっき触媒またはその前駆体が付与された被めっき層に対してめっき処理を行い、被めっき層上に金属膜を形成する工程
以下に、各工程で使用する材料、および、その操作方法について詳述する。
<Method for producing laminate having metal film>
By using the above-described composition for forming a layer to be plated, a laminate having a metal film can be manufactured. The manufacturing method mainly includes the following three steps.
(Plating layer forming step) After contacting the composition for forming a layer to be plated on a substrate, energy is applied to the composition for forming a layer to be plated on the substrate to form a layer to be plated on the substrate. Step of applying (catalyst applying step) Step of applying a plating catalyst or precursor thereof to the layer to be plated (plating step) Plating treatment is applied to the layer of plating to which the plating catalyst or precursor thereof has been applied. The process of forming a metal film on the material The material used in each process and the operating method thereof will be described in detail below.

<被めっき層形成工程>
被めっき層形成工程は、基板上に、上記被めっき層形成用組成物を接触させた後、基板上の被めっき層形成用組成物にエネルギーを付与して、基板上に被めっき層を形成する工程である。
該工程によって形成される被めっき層は、ポリマー中に含まれる相互作用性基の機能に応じて、後述する触媒付与工程でめっき触媒またはその前駆体を吸着(付着)する。つまり、被めっき層は、めっき触媒またはその前駆体の良好な受容層として機能する。また、重合性基は、ポリマー同士の結合や、基板(または、後述する密着補助層)との化学結合に利用される。その結果、被めっき層の表面に形成される金属膜(めっき膜)と、基板との間に優れた密着性が発現する。また、式(1)で表される化合物がポリマーと化学結合することによって、被めっき層の耐アルカリ溶液性が向上する。
より具体的には、該工程において、図1(A)に示されるように基板10を用意し、図1(B)に示すように基板10の上部に被めっき層12が形成される。なお、後述するように基板10はその表面に密着補助層を有してしてもよく、その場合、被めっき層12は密着補助層上に形成される。
まず、本工程で使用される材料(基板、密着補助層など)について詳述し、その後該工程の手順について詳述する。
<Plating layer forming process>
In the plating layer forming step, after contacting the composition for forming a layer to be plated on the substrate, energy is applied to the composition for forming a layer to be plated on the substrate to form the layer to be plated on the substrate. It is a process to do.
The to-be-plated layer formed by this process adsorbs (adheres) the plating catalyst or its precursor in a catalyst application process described later according to the function of the interactive group contained in the polymer. That is, the layer to be plated functions as a good receiving layer for the plating catalyst or its precursor. Moreover, a polymeric group is utilized for the chemical bond with the coupling | bonding of polymers and a board | substrate (or adhesion assistance layer mentioned later). As a result, excellent adhesion appears between the metal film (plating film) formed on the surface of the layer to be plated and the substrate. Moreover, the alkali solution resistance of a to-be-plated layer improves because the compound represented by Formula (1) chemically bonds with a polymer.
More specifically, in this step, a substrate 10 is prepared as shown in FIG. 1A, and a layer 12 to be plated is formed on the substrate 10 as shown in FIG. As will be described later, the substrate 10 may have a close adhesion auxiliary layer on its surface. In this case, the layer to be plated 12 is formed on the close adhesion auxiliary layer.
First, the materials (substrate, adhesion auxiliary layer, etc.) used in this step will be described in detail, and then the procedure of the step will be described in detail.

(基板)
本発明に用いる基板としては、従来知られているいずれの基板(例えば、絶縁性基板)も使用することができ、後述する処理条件に耐えることのできるものが好ましい。また、その表面が、後述するポリマーと化学結合しうる機能を有することが好ましい。具体的には、基板自体がエネルギー付与(例えば、露光)によりポリマーと化学結合を形成しうるものであるか、または、基板上に、エネルギー付与により被めっき層と化学結合を形成しうる中間層(例えば、後述する密着補助層)が設けられていてもよい。
(substrate)
As a substrate used in the present invention, any conventionally known substrate (for example, an insulating substrate) can be used, and a substrate that can withstand the processing conditions described later is preferable. Moreover, it is preferable that the surface has a function which can be chemically bonded with the polymer mentioned later. Specifically, the substrate itself can form a chemical bond with the polymer by applying energy (for example, exposure), or an intermediate layer on the substrate that can form a chemical bond with the layer to be plated by applying energy. (For example, an adhesion auxiliary layer described later) may be provided.

基板の材料は特に制限されないが、例えば、高分子材料、金属材料(例えば、金属合金、金属含有材料、純粋金属、またはこれらに類似したもの)、その他の材料(例えば、紙、プラスチックがラミネートされた紙)、これらの組み合わせ、またはこれらに類似したものなどの様々な材料から形成することができる。   The material of the substrate is not particularly limited. For example, polymer material, metal material (for example, metal alloy, metal-containing material, pure metal, or the like), other materials (for example, paper, plastic are laminated) Paper), combinations thereof, or the like, or the like.

高分子材料としては、熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂などを使用することができ、従来公知の汎用プラスチックまたはエンジニアリングプラスチックを使用することができる。
熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリオレフィン樹脂、イソシアネート樹脂、等が挙げられる。
熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリフェニレンスルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニルエーテル、ポリエーテルイミド、ABS樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメタクリル酸メチル、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアミド、ポリ乳酸、シクロオレフィンコポリマー(COP)、液晶ポリマー(LCP)等が挙げられる。
As the polymer material, a thermoplastic resin, a thermosetting resin, or the like can be used, and conventionally known general-purpose plastics or engineering plastics can be used.
Examples of the thermosetting resin include an epoxy resin, a phenol resin, a polyimide resin, a polyester resin, a bismaleimide resin, a polyolefin resin, and an isocyanate resin.
Examples of the thermoplastic resin include phenoxy resin, polyether sulfone, polysulfone, polyphenylene sulfone, polyphenylene sulfide, polyphenyl ether, polyether imide, ABS resin, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polycarbonate, polystyrene, and polymethyl methacrylate. , Polyether ether ketone, polyamide, polylactic acid, cycloolefin copolymer (COP), liquid crystal polymer (LCP), and the like.

金属材料の具体例としては、アルミニウム、亜鉛、銅等の混合物、合金、及びこれらのアロイ等から適宜選択される。   Specific examples of the metal material are appropriately selected from a mixture of aluminum, zinc, copper and the like, an alloy, and an alloy thereof.

また、原紙(非塗工紙)、上質紙、アート紙、コート紙、キャストコート紙、バライタ紙、壁紙、裏打用紙、合成樹脂、エマルジョン含浸紙、合成ゴムラテックス含浸紙、合成樹脂脂内添紙、板紙、セルロース繊維紙、セルロースエステル、アセチルセルロース、二酢酸セルロース、三酢酸セルロース、プロピオン酸セルロース、酪酸セルロース、酢酸セルロース、硝酸セルロース、ポリオレフィンコート紙(特にポリエチレンで両側を被覆した紙)等の塗工紙も使用できる。合成紙(ポリオレフィン系、ポリスチレン系等の合成紙)や布等も用いることができる。   Also, base paper (non-coated paper), fine paper, art paper, coated paper, cast coated paper, baryta paper, wallpaper, backing paper, synthetic resin, emulsion impregnated paper, synthetic rubber latex impregnated paper, synthetic resin fat-added paper Paperboard, cellulose fiber paper, cellulose ester, acetylcellulose, cellulose diacetate, cellulose triacetate, cellulose propionate, cellulose butyrate, cellulose acetate, cellulose nitrate, polyolefin coated paper (especially paper coated on both sides with polyethylene), etc. Craft paper can also be used. Synthetic paper (polyolefin-based or polystyrene-based synthetic paper), cloth, or the like can also be used.

また、基板は、その内部、または、片面若しくは両面に金属配線を有していてもよい。金属配線は、基板の表面に対してパターン状に形成されていてもよいし、全面に形成されていてもよい。代表的には、エッチング処理を利用したサブストラクティブ法で形成されたものや、電解めっきを利用したセミアディティブ法で形成したものが挙げられ、いずれの工法で形成されたものを用いてもよい。
金属配線を構成する材料としては、例えば、銅、銀、錫、パラジウム、金、ニッケル、クロム、タングステン、インジウム、亜鉛、またはガリウムなどが挙げられる。
このような金属配線を有する基板としては、例えば、両面または片面の銅張積層板(CCL)や、この銅張積層板の銅膜をパターン状にしたもの等が用いられ、これらはフレキシブル基板であってもよいし、リジット基板であってもよい。
例えば、その表面に金属配線層と絶縁層とこの順で有する絶縁性基板を本発明の基板として用いてもよい。また、その場合、金属配線層と絶縁層とはそれぞれが交互に2層以上積層していてもよい。
Moreover, the board | substrate may have metal wiring in the inside or one side or both surfaces. The metal wiring may be formed in a pattern with respect to the surface of the substrate or may be formed on the entire surface. Typically, those formed by a subtractive method using an etching process and those formed by a semi-additive method using electrolytic plating may be used, and those formed by any method may be used.
Examples of the material constituting the metal wiring include copper, silver, tin, palladium, gold, nickel, chromium, tungsten, indium, zinc, and gallium.
As a substrate having such a metal wiring, for example, a double-sided or single-sided copper-clad laminate (CCL) or a copper film of this copper-clad laminate is used as a pattern, and these are flexible substrates. It may be a rigid substrate.
For example, an insulating substrate having a metal wiring layer and an insulating layer in this order on the surface may be used as the substrate of the present invention. In that case, two or more metal wiring layers and insulating layers may be alternately laminated.

また、本発明の積層体は、半導体パッケージ、各種電気配線基板等に適用することができる。このような用途に用いる場合は、絶縁性樹脂の層(絶縁性樹脂層)を表面に有する基板(絶縁性基板)を用いることが好ましい。
なお、絶縁性樹脂としては、公知の材料を使用することができる。
さらに、例えば、その表面に金属配線層と絶縁層とこの順で有する絶縁性基板を本発明の基板として用いてもよい。また、その場合、金属配線層と絶縁層とはそれぞれが交互に2層以上積層していてもよい。
In addition, the laminate of the present invention can be applied to semiconductor packages, various electric wiring boards, and the like. When using for such a use, it is preferable to use the board | substrate (insulating board | substrate) which has the layer (insulating resin layer) of insulating resin on the surface.
As the insulating resin, a known material can be used.
Further, for example, an insulating substrate having a metal wiring layer and an insulating layer on the surface thereof in this order may be used as the substrate of the present invention. In that case, two or more metal wiring layers and insulating layers may be alternately laminated.

(密着補助層)
密着補助層は、上記基板表面上に設けられていてもよい任意の層であり、基板と後述する被めっき層との密着性を補助する役割を果たす。密着補助層は、上記ポリマーにエネルギー付与(例えば、露光)がされた際に、ポリマーと化学結合を生じるものが好ましい。また、密着補助層には、重合開始剤が含まれていてもよい。
(Adhesion auxiliary layer)
The adhesion auxiliary layer is an arbitrary layer that may be provided on the surface of the substrate, and plays a role of assisting adhesion between the substrate and a layer to be plated described later. The adhesion auxiliary layer is preferably one that forms a chemical bond with the polymer when energy is applied (for example, exposure) to the polymer. In addition, the adhesion auxiliary layer may contain a polymerization initiator.

密着補助層の厚みは、基板の表面平滑性などにより適宜選択する必要があるが、一般的には、0.01〜100μmが好ましく、0.05〜20μmがより好ましく、特に0.05〜10μmが好ましい。
また、密着補助層の表面平滑性は、形成される金属膜の物性を向上させる観点から、JIS B 0601(1994年)、10点平均高さ法で測定した表面粗さRzが3μm以下であるものが好ましく、Rzが1μm以下であることがより好ましい。
The thickness of the adhesion auxiliary layer needs to be appropriately selected depending on the surface smoothness of the substrate, etc., but is generally preferably 0.01 to 100 μm, more preferably 0.05 to 20 μm, particularly 0.05 to 10 μm. Is preferred.
In addition, the surface smoothness of the adhesion auxiliary layer is such that the surface roughness Rz measured by JIS B 0601 (1994), 10-point average height method is 3 μm or less from the viewpoint of improving the physical properties of the formed metal film. And Rz is more preferably 1 μm or less.

密着補助層の材料は特に制限されず、基板との密着性が良好な樹脂であることが好ましい。基板が電気的絶縁性の樹脂で構成される場合、ガラス転移点や弾性率、線膨張係数といった熱物性的が近い樹脂を使用することが好ましい。具体的には、例えば、基板を構成する絶縁性樹脂と同じ種類の絶縁性樹脂を使用することが密着の点で好ましい。   The material for the adhesion auxiliary layer is not particularly limited, and is preferably a resin having good adhesion to the substrate. When the substrate is made of an electrically insulating resin, it is preferable to use a resin having a close thermal property such as a glass transition point, an elastic modulus, and a linear expansion coefficient. Specifically, for example, it is preferable to use the same type of insulating resin as the insulating resin constituting the substrate in terms of adhesion.

なお、本発明において、密着補助層に使用される絶縁性樹脂とは、公知の絶縁膜に使用しうる程度の絶縁性を有する樹脂を意味するものであり、完全な絶縁体でないものであっても、目的に応じた絶縁性を有する樹脂であれば、本発明に適用しうる。
絶縁性樹脂の具体例としては、例えば、熱硬化性樹脂でも熱可塑性樹脂でもまたそれらの混合物でもよい。例えば、熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリオレフィン系樹脂、イソシアネート系樹脂等が挙げられる。熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリフェニレンスルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニルエーテル、ポリエーテルイミド、ABS樹脂等が挙げられる。
熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とは、それぞれ単独で用いてもよいし、2種以上併用してもよい。
また、シアノ基を含有する樹脂を使用してもよく、具体的には、ABS樹脂や、特開2010−84196号〔0039〕〜〔0063〕記載の「側鎖にシアノ基を有するユニットを含むポリマー」を用いてもよい。
In the present invention, the insulating resin used for the adhesion assisting layer means a resin having an insulating property that can be used for a known insulating film, and is not a perfect insulator. In addition, any resin having insulating properties according to the purpose can be applied to the present invention.
Specific examples of the insulating resin may be, for example, a thermosetting resin, a thermoplastic resin, or a mixture thereof. For example, examples of the thermosetting resin include an epoxy resin, a phenol resin, a polyimide resin, a polyester resin, a bismaleimide resin, a polyolefin resin, and an isocyanate resin. Examples of the thermoplastic resin include phenoxy resin, polyether sulfone, polysulfone, polyphenylene sulfone, polyphenylene sulfide, polyphenyl ether, polyether imide, and ABS resin.
The thermoplastic resin and the thermosetting resin may be used alone or in combination of two or more.
In addition, a resin containing a cyano group may be used. Specifically, an ABS resin or a “unit having a cyano group in a side chain” described in JP 2010-84196 [0039] to [0063] is included. "Polymer" may be used.

密着補助層の形成方法は特に制限されず、使用される樹脂を基板上にラミネートする方法や、必要な成分を溶解可能な溶媒に溶解し、塗布などの方法で基板表面上に塗布・乾燥する方法などが挙げられる。   The method for forming the adhesion auxiliary layer is not particularly limited, and a method of laminating a resin to be used on a substrate or a method in which a necessary component is dissolved in a soluble solvent, and coating and drying on the substrate surface by a method such as coating. The method etc. are mentioned.

(被めっき層形成工程の手順)
上述した被めっき層形成用組成物を基板上(または密着補助層上)に接触させる方法は特に限定されず、被めっき層形成用組成物を直接基板上にラミネートする方法や、被めっき層形成用組成物が溶剤を含む液状である場合、組成物を基板上に塗布する方法などが挙げられる。得られる被めっき層の厚みを制御しやすい点から、組成物を基板上に塗布する方法が好ましい。
塗布の方法は特に制限されず、具体的な方法としては、ダブルロールコータ、スリットコータ、エアナイフコータ、ワイヤーバーコータ、スライドホッパー、カーテンコータ、ダイコータ、スピンコータ、ディップコータ、スクリーン印刷、グラビアロールによる塗工法、押し出し塗布法、マイクロコンタクト印刷、ロール塗布法等の公知の方法を用いることができる。
取り扱い性や製造効率の観点からは、被めっき層形成用組成物を基板(または密着補助層)上に塗布・乾燥させて、含まれる溶剤を除去し、ポリマーを含む組成物層を形成する態様が好ましい。
(Procedure for forming the layer to be plated)
The method for bringing the composition for forming a layer to be plated into contact with the substrate (or on the adhesion auxiliary layer) is not particularly limited, and the method for laminating the composition for forming a layer to be plated directly on the substrate or the formation of the layer to be plated When the composition for use is a liquid containing a solvent, a method of coating the composition on a substrate can be mentioned. From the viewpoint of easily controlling the thickness of the obtained layer to be plated, a method of applying the composition on the substrate is preferable.
The coating method is not particularly limited, and specific examples include a double roll coater, slit coater, air knife coater, wire bar coater, slide hopper, curtain coater, die coater, spin coater, dip coater, screen printing, and gravure roll coating. Known methods such as a construction method, extrusion coating method, microcontact printing, and roll coating method can be used.
From the viewpoint of handleability and production efficiency, an embodiment in which a composition for forming a layer to be plated is applied and dried on a substrate (or an adhesion auxiliary layer) to remove a solvent contained therein to form a composition layer containing a polymer. Is preferred.

被めっき層形成用組成物を基板と接触させる場合、その塗布量は、後述するめっき触媒またはその前駆体との充分な相互作用形成性の観点から、固形分換算で0.01g/m2〜10g/m2が好ましく、特に0.1g/m2〜5g/m2が好ましい。
なお、本工程において被めっき層を形成するに際しては、塗布と乾燥との間に、20〜40℃で0.5時間〜2時間放置させて、残存する溶剤を除去してもよい。
When the composition for forming a layer to be plated is brought into contact with the substrate, the coating amount is 0.01 g / m 2 in terms of solid content from the viewpoint of sufficient interaction formation with a plating catalyst or a precursor thereof described later. preferably 10 g / m 2, especially 0.1g / m 2 ~5g / m 2 is preferred.
In addition, when forming a to-be-plated layer in this process, you may leave at 20-40 degreeC for 0.5 to 2 hours between application | coating and drying, and you may remove the remaining solvent.

(エネルギーの付与)
基板上の被めっき層形成用組成物にエネルギー付与方法は特に制限されないが、例えば、光(紫外線、可視光線、X線など)、プラズマ(酸素、窒素、二酸化炭素、アルゴンなど)、熱、電気、湿気硬化、化学硬化(例えば、酸化性の液体(過マンガン酸カリウム溶液)などによって表面を化学的に分解する)などの公知の方法を用いることができる。特に、露光処理または加熱処理が好ましい。
また、エネルギー付与の雰囲気は特に制限されず、窒素、ヘリウム、アルゴン、二酸化炭素等の不活性ガスによる置換を行い、酸素濃度を600ppm以下、好ましくは400ppm以下に抑制した雰囲気で実施してもよい。
(Granting energy)
The method for applying energy to the composition for forming a layer to be plated on the substrate is not particularly limited. For example, light (ultraviolet light, visible light, X-ray, etc.), plasma (oxygen, nitrogen, carbon dioxide, argon, etc.), heat, electricity Known methods such as moisture curing and chemical curing (for example, chemically decomposing the surface with an oxidizing liquid (potassium permanganate solution) or the like) can be used. In particular, exposure treatment or heat treatment is preferred.
Further, the atmosphere for imparting energy is not particularly limited, and it may be carried out in an atmosphere in which substitution with an inert gas such as nitrogen, helium, argon or carbon dioxide is performed and the oxygen concentration is suppressed to 600 ppm or less, preferably 400 ppm or less. .

露光の場合には、例えば、低圧水銀灯、中圧水銀灯、高圧水銀灯、メタルハライドランプ、Deep−UV光、キセノンランプ、ケミカルランプ、カーボンアーク灯、可視光線などによる光照射等、赤外線レーザーによる走査露光、キセノン放電灯などの高照度フラッシュ露光、赤外線ランプ露光等があり、オゾン発生の少ないオゾンレスタイプもある。他に、放射線としては、電子線、X線、イオンビーム、遠赤外線などがある。また、g線、i線、高密度エネルギービーム(レーザービーム)も使用することができる。なかでも、250nm〜450nmの露光波長で露光することが好ましい。
露光エネルギーとしては、10〜8000mJ/cm2程度であればよく、好ましくは100〜6000mJ/cm2の範囲であり、特に好ましくは2000mJ/cm2超5000mJ/cm2以下の範囲である。
In the case of exposure, for example, low-pressure mercury lamp, medium-pressure mercury lamp, high-pressure mercury lamp, metal halide lamp, Deep-UV light, xenon lamp, chemical lamp, carbon arc lamp, light irradiation with visible light, etc., scanning exposure with infrared laser, There are high-intensity flash exposures such as xenon discharge lamps, infrared lamp exposures, etc., and there are ozone-less types that generate less ozone. In addition, examples of radiation include electron beams, X-rays, ion beams, and far infrared rays. Also, g-line, i-line, and high-density energy beam (laser beam) can be used. Especially, it is preferable to expose with the exposure wavelength of 250 nm-450 nm.
The exposure energy may be about 10~8000mJ / cm 2, preferably in the range of 100~6000mJ / cm 2, particularly preferably 2000 mJ / cm 2 ultra 5000 mJ / cm 2 or less.

熱によって硬化する場合は、一般の熱ヒートローラー、ラミネーター、ホットスタンプ、電熱板、サーマルヘッド、レーザー、送風乾燥機、オーブン、ホットプレート、赤外線乾燥機、加熱ドラム等を用いることができる。   In the case of curing by heat, a general thermal heat roller, laminator, hot stamp, electric heating plate, thermal head, laser, blower dryer, oven, hot plate, infrared dryer, heating drum, or the like can be used.

得られる被めっき層の厚みは特に制限されないが、金属膜の基板への密着性の点から、0.01〜10μmが好ましく、0.05〜5μmがより好ましい。
また、乾燥膜厚で0.01〜20g/m2が好ましく、特に0.05〜6g/m2が好ましい。
さらに、被めっき層の表面粗さ(Ra)は、配線形状および密着強度の点から、0.001〜0.3μmが好ましく、0.01〜0.15μmがより好ましい。なお、表面粗さ(Ra)は、非接触式干渉法により、JIS B 0601(20010120改訂)に記載のRaに基づき、サーフコム3000A(東京精密(株)製)を用いて測定した。
Although the thickness of the to-be-plated layer obtained is not restrict | limited in particular, 0.01-10 micrometers is preferable from the point of the adhesiveness to the board | substrate of a metal film, and 0.05-5 micrometers is more preferable.
The dry film is preferably 0.01 to 20 g / m 2 in thickness, especially 0.05~6g / m 2 preferred.
Furthermore, the surface roughness (Ra) of the layer to be plated is preferably 0.001 to 0.3 [mu] m, more preferably 0.01 to 0.15 [mu] m, from the viewpoint of wiring shape and adhesion strength. In addition, the surface roughness (Ra) was measured using Surfcom 3000A (manufactured by Tokyo Seimitsu Co., Ltd.) based on Ra described in JIS B 0601 (Revision of 201010120) by non-contact interference method.

なお、被めっき層中におけるポリマーの含有量は、被めっき層全量に対して、2質量%〜99質量%であることが好ましく、更に好ましくは10質量%〜85質量%の範囲である。   In addition, it is preferable that content of the polymer in a to-be-plated layer is 2 mass%-99 mass% with respect to the to-be-plated layer whole quantity, More preferably, it is the range of 10 mass%-85 mass%.

また、エネルギー付与を行う際に、パターン状にエネルギー付与を行い、その後公知の現像処理によりエネルギー未照射部を除去して、パターン状の被めっき層を形成してもよい。   In addition, when energy is applied, energy may be applied in a pattern, and then a non-energy-irradiated portion may be removed by a known development process to form a patterned plating layer.

<触媒付与工程>
触媒付与工程では、上記層形成工程で得られた被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与する。
本工程においては、ポリマー由来の相互作用性基がその機能に応じて、付与されためっき触媒またはその前駆体を付着(吸着)する。より具体的には、被めっき層中、および被めっき層表面上に、めっき触媒またはその前駆体を付与する。
ここで、めっき触媒またはその前駆体としては、後述するめっき工程における、めっき処理の触媒や電極として機能するものが挙げられる。そのため、めっき触媒またはその前駆体は、めっき工程におけるめっき処理の種類により決定されるが、無電解めっき触媒またはその前駆体であることが好ましい。
まず、本工程で使用される材料(無電解めっき触媒またはその前駆体など)について詳述し、その後該工程の手順について詳述する。
<Catalyst application step>
In a catalyst provision process, a plating catalyst or its precursor is provided to the to-be-plated layer obtained at the said layer formation process.
In this step, the polymer-derived interactive group adheres (adsorbs) the applied plating catalyst or its precursor depending on its function. More specifically, a plating catalyst or a precursor thereof is applied in the layer to be plated and on the surface of the layer to be plated.
Here, as a plating catalyst or its precursor, what functions as a catalyst or an electrode of a plating process in the plating process mentioned later is mentioned. Therefore, although a plating catalyst or its precursor is determined by the kind of plating process in a plating process, it is preferable that it is an electroless-plating catalyst or its precursor.
First, the material (electroless plating catalyst or its precursor etc.) used at this process is explained in full detail, and the procedure of this process is explained in full detail after that.

(無電解めっき触媒)
本工程において用いられる無電解めっき触媒は、無電解めっき時の活性核となるものであれば、如何なるものも用いることができ、具体的には、自己触媒還元反応の触媒能を有する金属(Niよりイオン化傾向の低い無電解めっきできる金属として知られるもの)などが挙げられる。具体的には、Pd、Ag、Cu、Ni、Al、Fe、Coなどが挙げられる。中でも、触媒能の高さから、Ag、Pdが特に好ましい。
この無電解めっき触媒は、金属コロイドとして用いてもよい。一般に、金属コロイドは、荷電を持った界面活性剤または荷電を持った保護剤が存在する溶液中において、金属イオンを還元することにより作製することができる。金属コロイドの荷電は、ここで使用される界面活性剤または保護剤により調節することができる。
(Electroless plating catalyst)
As the electroless plating catalyst used in this step, any catalyst can be used as long as it becomes an active nucleus at the time of electroless plating. Specifically, a metal (Ni) having catalytic ability for autocatalytic reduction reaction. And those known as metals capable of electroless plating with a lower ionization tendency). Specific examples include Pd, Ag, Cu, Ni, Al, Fe, and Co. Of these, Ag and Pd are particularly preferable because of their high catalytic ability.
This electroless plating catalyst may be used as a metal colloid. Generally, a metal colloid can be prepared by reducing metal ions in a solution containing a charged surfactant or a charged protective agent. The charge of the metal colloid can be controlled by the surfactant or protective agent used here.

(無電解めっき触媒前駆体)
本工程において用いられる無電解めっき触媒前駆体とは、化学反応により無電解めっき触媒となりうるものであれば、特に制限なく使用することができる。主には、上記無電解めっき触媒として挙げた金属の金属イオンが用いられる。無電解めっき触媒前駆体である金属イオンは、還元反応により無電解めっき触媒である0価金属になる。無電解めっき触媒前駆体である金属イオンは、被めっき層へ付与した後、無電解めっき浴への浸漬前に、別途還元反応により0価金属に変化させて無電解めっき触媒としてもよいし、無電解めっき触媒前駆体のまま無電解めっき浴に浸漬し、無電解めっき浴中の還元剤により金属(無電解めっき触媒)に変化させてもよい。
(Electroless plating catalyst precursor)
The electroless plating catalyst precursor used in this step can be used without particular limitation as long as it can become an electroless plating catalyst by a chemical reaction. The metal ions of the metals mentioned as the electroless plating catalyst are mainly used. The metal ion that is an electroless plating catalyst precursor becomes a zero-valent metal that is an electroless plating catalyst by a reduction reaction. The metal ion, which is an electroless plating catalyst precursor, may be used as an electroless plating catalyst after being applied to the layer to be plated and before being immersed in the electroless plating bath, by separately changing to a zero-valent metal by a reduction reaction. The electroless plating catalyst precursor may be immersed in an electroless plating bath and changed to a metal (electroless plating catalyst) by a reducing agent in the electroless plating bath.

無電解めっき触媒前駆体である金属イオンは、金属塩を用いて被めっき層に付与することが好ましい。使用される金属塩としては、適切な溶媒に溶解して金属イオンと塩基(陰イオン)とに解離されるものであれば特に制限はなく、M(NO3)n、MCln、M2/n(SO4)、M3/n(PO4)(Mは、n価の金属原子を表す)などが挙げられる。金属イオンとしては、上記の金属塩が解離したものを好適に用いることができる。具体例としては、例えば、Agイオン、Cuイオン、Alイオン、Niイオン、Coイオン、Feイオン、Pdイオンが挙げられ、中でも、多座配位可能なものが好ましく、特に、配位可能な官能基の種類数および触媒能の点で、Agイオン、Pdイオンが好ましい。 The metal ion that is the electroless plating catalyst precursor is preferably applied to the layer to be plated using a metal salt. The metal salt used is not particularly limited as long as it is dissolved in a suitable solvent and dissociated into a metal ion and a base (anion), and M (NO 3 ) n , MCl n , M 2 / n (SO 4 ), M 3 / n (PO 4 ) (M represents an n-valent metal atom), and the like. As a metal ion, the thing which said metal salt dissociated can be used suitably. Specific examples include, for example, Ag ions, Cu ions, Al ions, Ni ions, Co ions, Fe ions, and Pd ions. Among them, those capable of multidentate coordination are preferable, and in particular, functionalities capable of coordination. In view of the number of types of groups and catalytic ability, Ag ions and Pd ions are preferred.

本発明で用いられる無電解めっき触媒またはその前駆体の好ましい例の一つとして、パラジウム化合物が挙げられる。このパラジウム化合物は、めっき処理時に活性核となり金属を析出させる役割を果たす、めっき触媒(パラジウム)またはその前駆体(パラジウムイオン)として作用する。パラジウム化合物としては、パラジウムを含み、めっき処理の際に核として作用すれば、特に限定されないが、例えば、パラジウム(II)塩、パラジウム(0)錯体、パラジウムコロイドなどが挙げられる。   One preferred example of the electroless plating catalyst or precursor thereof used in the present invention is a palladium compound. This palladium compound acts as a plating catalyst (palladium) or a precursor thereof (palladium ions), which serves as an active nucleus during plating treatment and serves to precipitate a metal. The palladium compound is not particularly limited as long as it contains palladium and acts as a nucleus in the plating process, and examples thereof include a palladium (II) salt, a palladium (0) complex, and a palladium colloid.

また、無電解めっき触媒またはその前駆体としては、銀、または銀イオンが好ましい別の例として挙げられる。
銀イオンを用いる場合、以下に示すような銀化合物が解離したものを好適に用いることができる。銀化合物の具体例としては、硝酸銀、酢酸銀、硫酸銀、炭酸銀、シアン化銀、チオシアン酸銀、塩化銀、臭化銀、クロム酸銀、クロラニル酸銀、サリチル酸銀、ジエチルジチオカルバミン酸銀、ジエチルジチオカルバミド酸銀、p−トルエンスルホン酸銀が挙げられる。この中でも、水溶性の観点から硝酸銀が好ましい。
Moreover, as an electroless-plating catalyst or its precursor, silver or silver ion is mentioned as another preferable example.
When silver ions are used, those obtained by dissociating silver compounds as shown below can be suitably used. Specific examples of the silver compound include silver nitrate, silver acetate, silver sulfate, silver carbonate, silver cyanide, silver thiocyanate, silver chloride, silver bromide, silver chromate, silver chloranilate, silver salicylate, silver diethyldithiocarbamate, Examples thereof include silver diethyldithiocarbamate and silver p-toluenesulfonate. Among these, silver nitrate is preferable from the viewpoint of water solubility.

(めっき触媒液)
上記のようなめっき触媒またはその前駆体は、前述のように、分散液や溶液(めっき触媒液)として被めっき層に付与されることが好ましい。
分散液や溶液には、有機溶剤や水が用いられる。有機溶剤を含有することで、被めっき層に対するめっき触媒またはその前駆体の浸透性が向上し、相互作用性基に効率よくめっき触媒またはその前駆体を吸着させることができる。
(Plating catalyst solution)
As described above, the plating catalyst as described above or a precursor thereof is preferably applied to the layer to be plated as a dispersion or solution (plating catalyst solution).
An organic solvent or water is used for the dispersion or solution. By containing the organic solvent, the permeability of the plating catalyst or its precursor to the layer to be plated is improved, and the plating catalyst or its precursor can be efficiently adsorbed to the interactive group.

分散液や溶液の調製に用いられる有機溶剤としては、被めっき層に浸透しうる溶剤であれば特に制限は無いが、具体的には、アセトン、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、エチレングリコールジアセテート、シクロヘキサノン、アセチルアセトン、アセトフェノン、2−(1−シクロヘキセニル)シクロヘキサノン、プロピレングリコールジアセテート、トリアセチン、ジエチレングリコールジアセテート、ジオキサン、N−メチルピロリドン、ジメチルカーボネート、ジメチルセロソルブなどを用いることができる。   The organic solvent used for the preparation of the dispersion or solution is not particularly limited as long as it is a solvent that can penetrate into the layer to be plated. Specifically, acetone, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, ethylene glycol diacetate , Cyclohexanone, acetylacetone, acetophenone, 2- (1-cyclohexenyl) cyclohexanone, propylene glycol diacetate, triacetin, diethylene glycol diacetate, dioxane, N-methylpyrrolidone, dimethyl carbonate, dimethyl cellosolve, and the like can be used.

(触媒付与工程の手順)
めっき触媒またはその前駆体を被めっき層に付与する方法は、特に制限されない。
例えば、金属を適当な分散媒に分散した分散液、または、金属塩を適切な溶媒で溶解し、解離した金属イオンを含む溶液を調製し、その分散液若しくは溶液(めっき触媒液)を被めっき層上に塗布する方法、または、その分散液若しくは溶液中に被めっき層が形成された基板を浸漬する方法などが挙げられる。
被めっき層とめっき触媒液の接触時間としては、30秒〜24時間程度であることが好ましく、1分〜1時間程度であることがより好ましい。
接触時のめっき触媒液の温度は、10〜60℃程度であることが好ましく、10〜40℃程度であることがより好ましい。
(Procedure for applying catalyst)
The method for applying the plating catalyst or its precursor to the layer to be plated is not particularly limited.
For example, a dispersion in which a metal is dispersed in an appropriate dispersion medium or a solution containing a dissociated metal ion by dissolving a metal salt in an appropriate solvent is prepared, and the dispersion or solution (plating catalyst solution) is plated. The method of apply | coating on a layer, the method of immersing the board | substrate with which the to-be-plated layer was formed in the dispersion liquid or solution, etc. are mentioned.
The contact time between the layer to be plated and the plating catalyst solution is preferably about 30 seconds to 24 hours, more preferably about 1 minute to 1 hour.
The temperature of the plating catalyst solution at the time of contact is preferably about 10 to 60 ° C, more preferably about 10 to 40 ° C.

被めっき層のめっき触媒またはその前駆体の吸着量に関しては、使用するめっき浴種、触媒金属種、被めっき層の相互作用性基種、使用方法等により異なるが、めっきの析出性の観点から、5〜1000mg/m2が好ましく、10〜800mg/m2がより好ましく、特に15〜600mg/m2が好ましい。 The amount of adsorption of the plating catalyst or precursor of the layer to be plated varies depending on the type of plating bath used, the type of catalyst metal, the type of interactive base of the layer to be plated, the method of use, etc. 5 to 1000 mg / m 2 is preferable, 10 to 800 mg / m 2 is more preferable, and 15 to 600 mg / m 2 is particularly preferable.

<めっき工程>
めっき工程は、触媒付与工程で得られためっき触媒またはその前駆体が吸着した被めっき層に対してめっき処理を行い、被めっき層上に金属膜を形成する工程である。より具体的には、図1(C)に示すように、本工程においては、金属膜14が、被めっき層12上に形成され、積層体16が得られる。
本工程において行われるめっき処理の種類は、無電解めっき、電解めっき等が挙げられ、上記工程において、被めっき層との間に相互作用を形成しためっき触媒またはその前駆体の機能によって、選択することができる。
なかでも、被めっき層中に発現するハイブリッド構造の形成性および金属膜の密着性向上の点から、無電解めっきを行うことが好ましい。また、所望の膜厚の金属膜14を得るために、無電解めっきの後に、更に電解めっきを行うことがより好ましい態様である。
以下、本工程において好適に行われるめっきについて説明する。
<Plating process>
A plating process is a process of performing a plating process with respect to the to-be-plated layer which the plating catalyst obtained by the catalyst provision process or its precursor adsorb | sucked, and forming a metal film on a to-be-plated layer. More specifically, as shown in FIG. 1C, in this step, the metal film 14 is formed on the layer 12 to be plated, and the laminate 16 is obtained.
Examples of the plating treatment performed in this step include electroless plating and electrolytic plating. In the above step, the plating treatment is selected depending on the function of the plating catalyst or its precursor that forms an interaction with the layer to be plated. be able to.
Especially, it is preferable to perform electroless plating from the point of the formation of the hybrid structure which expresses in a to-be-plated layer, and the adhesive improvement of a metal film. Moreover, in order to obtain the metal film 14 with a desired film thickness, it is a more preferable aspect that electrolytic plating is further performed after the electroless plating.
Hereinafter, the plating suitably performed in this process will be described.

(無電解めっき)
無電解めっきとは、めっきとして析出させたい金属イオンを溶かした溶液を用いて、化学反応によって金属を析出させる操作のことをいう。
本工程における無電解めっきは、例えば、無電解めっき触媒が付与された基板を、水洗して余分な無電解めっき触媒(金属)を除去した後、無電解めっき浴に浸漬して行う。使用される無電解めっき浴としては、公知の無電解めっき浴を使用することができる。なお、無電解めっき浴としては、入手のしやすさの点から、アルカリ性の無電解めっき浴(pHが9〜14程度が好ましい)を使用する場合が好ましい。
また、無電解めっき触媒前駆体が付与された基板を、無電解めっき触媒前駆体が被めっき層に吸着または含浸した状態で無電解めっき浴に浸漬する場合には、基板を水洗して余分な前駆体(金属塩など)を除去した後、無電解めっき浴中へ浸漬させる。この場合には、無電解めっき浴中において、めっき触媒前駆体の還元とこれに引き続き無電解めっきが行われる。ここで使用される無電解めっき浴としても、上記同様、公知の無電解めっき浴を使用することができる。
(Electroless plating)
Electroless plating refers to an operation of depositing a metal by a chemical reaction using a solution in which metal ions to be deposited as a plating are dissolved.
The electroless plating in this step is performed, for example, by rinsing the substrate provided with the electroless plating catalyst to remove excess electroless plating catalyst (metal) and then immersing it in an electroless plating bath. As the electroless plating bath used, a known electroless plating bath can be used. In addition, as an electroless-plating bath, the case where an alkaline electroless-plating bath (pH is preferable about 9-14) is preferable from the point of availability.
In addition, when the substrate to which the electroless plating catalyst precursor is applied is immersed in an electroless plating bath in a state where the electroless plating catalyst precursor is adsorbed or impregnated in the layer to be plated, the substrate is washed with water to remove excess. After removing the precursor (metal salt, etc.), it is immersed in an electroless plating bath. In this case, reduction of the plating catalyst precursor and subsequent electroless plating are performed in the electroless plating bath. As the electroless plating bath used here, a known electroless plating bath can be used as described above.

なお、無電解めっき触媒前駆体の還元は、上記のような無電解めっき液を用いる態様とは別に、触媒活性化液(還元液)を準備し、無電解めっき前の別工程として行うことも可能である。触媒活性化液は、無電解めっき触媒前駆体(主に金属イオン)を0価金属に還元できる還元剤を溶解した液で、液全体に対する該還元剤の濃度が0.1〜50質量%が好ましく、1〜30質量%がより好ましい。還元剤としては、水素化ホウ素ナトリウム、ジメチルアミンボランのようなホウ素系還元剤、ホルムアルデヒド、次亜リン酸などの還元剤を使用することが可能である。
浸漬の際には、無電解めっき触媒またはその前駆体が接触する被めっき層表面付近の無電解めっき触媒またはその前駆体の濃度を一定に保つ上で、攪拌または揺動を加えながら浸漬することが好ましい。
In addition, the reduction of the electroless plating catalyst precursor may be performed as a separate step before electroless plating by preparing a catalyst activation liquid (reducing liquid) separately from the embodiment using the electroless plating liquid as described above. Is possible. The catalyst activation liquid is a liquid in which a reducing agent capable of reducing an electroless plating catalyst precursor (mainly metal ions) to zero-valent metal is dissolved, and the concentration of the reducing agent with respect to the whole liquid is 0.1 to 50% by mass. Preferably, 1-30 mass% is more preferable. As the reducing agent, it is possible to use a boron-based reducing agent such as sodium borohydride or dimethylamine borane, or a reducing agent such as formaldehyde or hypophosphorous acid.
When dipping, keep the concentration of the electroless plating catalyst or its precursor near the surface of the layer to be plated in contact with the electroless plating catalyst or its precursor, and soak it with stirring or shaking. Is preferred.

一般的な無電解めっき浴の組成としては、溶剤(例えば、水)の他に、1.めっき用の金属イオン、2.還元剤、3.金属イオンの安定性を向上させる添加剤(安定剤)が主に含まれている。このめっき浴には、これらに加えて、めっき浴の安定剤など公知の添加物が含まれていてもよい。   As a composition of a general electroless plating bath, in addition to a solvent (for example, water), 1. 1. metal ions for plating; 2. reducing agent; Additives (stabilizers) that improve the stability of metal ions are mainly included. In addition to these, the plating bath may contain known additives such as a plating bath stabilizer.

めっき浴に用いられる有機溶剤としては、水に可能な溶媒である必要があり、その点から、アセトンなどのケトン類、メタノール、エタノール、イソプロパノールなどのアルコール類が好ましく用いられる。   The organic solvent used in the plating bath needs to be a solvent that can be used in water, and in this respect, ketones such as acetone and alcohols such as methanol, ethanol, and isopropanol are preferably used.

無電解めっき浴に用いられる金属の種類としては、例えば、銅、すず、鉛、ニッケル、金、銀、パラジウム、ロジウムが知られており、中でも、導電性の観点からは、銅、金が特に好ましい。また、上記金属に合わせて最適な還元剤、添加物が選択される。   As the types of metals used in the electroless plating bath, for example, copper, tin, lead, nickel, gold, silver, palladium, and rhodium are known. Among them, copper and gold are particularly preferable from the viewpoint of conductivity. preferable. Moreover, the optimal reducing agent and additive are selected according to the said metal.

このようにして形成される無電解めっきによる金属膜の膜厚は、めっき浴の金属イオン濃度、めっき浴への浸漬時間、または、めっき浴の温度などにより制御することができるが、導電性の観点からは、0.1μm以上であることが好ましく、0.2〜2μmであることがより好ましい。
ただし、無電解めっきによる金属膜を導通層として、後述する電解めっきを行う場合は、少なくとも0.1μm以上の膜が均一に付与されていることが好ましい。
また、めっき浴への浸漬時間としては、1分〜6時間程度であることが好ましく、1分〜3時間程度であることがより好ましい。
The film thickness of the metal film formed by electroless plating can be controlled by the metal ion concentration of the plating bath, the immersion time in the plating bath, or the temperature of the plating bath. From the viewpoint, it is preferably 0.1 μm or more, and more preferably 0.2 to 2 μm.
However, when performing electroplating to be described later using a metal film formed by electroless plating as a conductive layer, it is preferable that a film of at least 0.1 μm or more is uniformly applied.
Further, the immersion time in the plating bath is preferably about 1 minute to 6 hours, and more preferably about 1 minute to 3 hours.

(電解めっき(電気めっき))
本工程おいては、上記工程において付与されためっき触媒またはその前駆体が電極としての機能を有する場合、その触媒またはその前駆体が付与された被めっき層に対して、電解めっきを行うことができる。
また、前述の無電解めっきの後、形成された金属膜を電極とし、更に、電解めっきを行ってもよい。これにより基板との密着性に優れた無電解めっき膜をベースとして、そこに新たに任意の厚みをもつ金属膜を容易に形成することができる。このように、無電解めっきの後に、電解めっきを行うことで、金属膜を目的に応じた厚みに形成しうるため、金属膜を種々の応用に適用するのに好適である。
(Electrolytic plating (electroplating))
In this step, when the plating catalyst or its precursor applied in the above step has a function as an electrode, electrolytic plating can be performed on the layer to be plated to which the catalyst or its precursor is applied. it can.
Further, after the above-described electroless plating, the formed metal film may be used as an electrode, and further electrolytic plating may be performed. As a result, a new metal film having an arbitrary thickness can be easily formed on the electroless plating film having excellent adhesion to the substrate. As described above, by performing electroplating after electroless plating, the metal film can be formed to a thickness according to the purpose, which is suitable for applying the metal film to various applications.

電解めっきの方法としては、従来公知の方法を用いることができる。なお、電解めっきに用いられる金属としては、例えば、銅、クロム、鉛、ニッケル、金、銀、すず、亜鉛などが挙げられ、導電性の観点から、銅、金、銀が好ましく、銅がより好ましい。   As a method of electrolytic plating, a conventionally known method can be used. Examples of the metal used for electrolytic plating include copper, chromium, lead, nickel, gold, silver, tin, and zinc. From the viewpoint of conductivity, copper, gold, and silver are preferable, and copper is more preferable. preferable.

また、電解めっきにより得られる金属膜の膜厚は、めっき浴中に含まれる金属濃度、または、電流密度などを調整することで制御することができる。
なお、一般的な電気配線などに適用する場合、金属膜の膜厚は、導電性の観点から、0.5μm以上であることが好ましく、1〜30μmがより好ましい。
Moreover, the film thickness of the metal film obtained by electrolytic plating can be controlled by adjusting the metal concentration contained in the plating bath, the current density, or the like.
In addition, when applying to general electrical wiring etc., it is preferable that the film thickness of a metal film is 0.5 micrometer or more from a viewpoint of electroconductivity, and 1-30 micrometers is more preferable.

<積層体>
上記工程を経ることにより、図1(C)に示すように、基板10と、被めっき層12と、金属膜14とをこの順で備える積層体16(金属膜付き積層体)を得ることができる。
得られた積層体16は、様々な分野において使用することができ、例えば、電気・電子・通信、農林水産、鉱業、建設、食品、繊維、衣類、医療、石炭、石油、ゴム、皮革、自動車、精密機器、木材、建材、土木、家具、印刷、楽器等の幅広い産業分野に使用することができる。
より具体的には、プリンター、パソコン、ワープロ、キーボード、PDA(小型情報端末機)、電話機、複写機、ファクシミリ、ECR(電子式金銭登録機)、電卓、電子手帳、カード、ホルダー、文具等の事務機器、OA機器、洗濯機、冷蔵庫、掃除機、電子レンジ、照明器具、ゲーム機、アイロン、コタツ等の家電機器、TV、VTR、ビデオカメラ、ラジカセ、テープレコーダー、ミニディスク、CDプレーヤー、スピーカー、液晶ディスプレー等のAV機器、コネクター、リレー、コンデンサー、スイッチ、プリント基板、コイルボビン、半導体封止材料、LED封止材料、電線、ケーブル、トランス、偏向ヨーク、分電盤、半導体チップ、各種電気配線板、FPC、COF、TAB、2層CCL(Copper Clad Laminate)材料、電気配線用材料、多層配線基板、マザーボード、アンテナ、電磁波防止膜、時計等の電気・電子部品、および、通信機器等の用途に用いられる。
<Laminated body>
By passing through the said process, as shown in FIG.1 (C), the laminated body 16 (laminated body with a metal film) provided with the board | substrate 10, the to-be-plated layer 12, and the metal film 14 in this order can be obtained. it can.
The obtained laminate 16 can be used in various fields, for example, electric / electronic / communication, agriculture, forestry and fisheries, mining, construction, food, textile, clothing, medical, coal, petroleum, rubber, leather, automobile. It can be used in a wide range of industrial fields such as precision equipment, wood, building materials, civil engineering, furniture, printing and musical instruments.
More specifically, printers, personal computers, word processors, keyboards, PDAs (small information terminals), telephones, copiers, facsimiles, ECRs (electronic cash registers), calculators, electronic notebooks, cards, holders, stationery, etc. Office equipment, OA equipment, washing machine, refrigerator, vacuum cleaner, microwave oven, lighting equipment, game machine, iron, kotatsu and other household appliances, TV, VTR, video camera, radio cassette, tape recorder, mini-disc, CD player, speaker , AV equipment such as liquid crystal displays, connectors, relays, capacitors, switches, printed boards, coil bobbins, semiconductor sealing materials, LED sealing materials, electric wires, cables, transformers, deflection yokes, distribution boards, semiconductor chips, various electrical wiring Board, FPC, COF, TAB, 2-layer CCL (Copper Clad Lami ate) material, an electrical wiring material, a multilayer wiring board, a motherboard, antennas, electromagnetic wave shielding film, electrical and electronic parts such as a watch, and are used for applications such as communications equipment.

特に、金属膜と被めっき層の界面における平滑性が改良されたことから、例えば、装飾品(めがねフレーム、自動車装飾品、宝飾品、遊戯筐体、洋食器、水道金具、照明器具等)や、高周伝送を確保する必要がある用途(例えば、配線基板用、プリント配線基板用)等の種々の用途に適用することができる。   In particular, since the smoothness at the interface between the metal film and the layer to be plated has been improved, for example, ornaments (eyeglass frames, automobile ornaments, jewelry, play enclosures, western dishes, water fittings, lighting fixtures, etc.) The present invention can be applied to various applications such as applications (for example, for wiring boards and printed wiring boards) that need to ensure high frequency transmission.

<任意工程:パターン形成工程>
必要に応じて、上記で得られた積層体に対して、金属膜をパターン状にエッチングして、パターン状金属膜を形成する工程を実施してもよい。
より具体的には、図1(D)に示すように、本工程においては、金属膜14の不要部を除去することにより、パターン状の金属膜18が、被めっき層12上に形成される。本工程において、基板表面全体に形成された金属膜の不要部分をエッチングで取り除くことで、所望のパターン状の金属膜を生成することができる。
このパターンの形成には、如何なる手法も使用することができ、具体的には一般的に知られているサブトラクティブ法(金属膜上にパターン状のマスクを設け、マスクの非形成領域をエッチング処理した後、マスクを除去して、パターン状の金属膜を形成する方法)、セミアディティブ法(金属膜上にパターン状のマスクを設け、マスクの非形成領域に金属膜を形成するようにめっき処理を行い、マスクを除去し、エッチング処理して、パターン状の金属膜を形成する方法)が用いられる。
<Optional process: Pattern formation process>
As needed, you may implement the process of etching a metal film in pattern shape with respect to the laminated body obtained above, and forming a patterned metal film.
More specifically, as shown in FIG. 1D, in this step, a patterned metal film 18 is formed on the plated layer 12 by removing unnecessary portions of the metal film 14. . In this step, a metal film having a desired pattern can be generated by removing unnecessary portions of the metal film formed over the entire substrate surface by etching.
Any method can be used to form this pattern. Specifically, a generally known subtractive method (a patterned mask is provided on a metal film and an unformed region of the mask is etched). After that, the mask is removed to form a patterned metal film), a semi-additive method (a plating process is performed so that a patterned mask is provided on the metal film, and a metal film is formed in a non-mask formation region) , Removing the mask, and performing an etching process to form a patterned metal film).

サブトラクティブ法とは、具体的には、形成された金属膜上にレジスト層を設けパターン露光、現像により金属膜パターン部と同じパターンを形成し、レジストパターンをマスクとしてエッチング液で金属膜を除去し、パターン状の金属膜を形成する方法である。
レジストとしては如何なる材料も使用でき、ネガ型、ポジ型、液状、フィルム状のものが使用できる。また、エッチング方法としては、プリント配線基板の製造時に使用されている方法が何れも使用可能であり、湿式エッチング、ドライエッチング等が使用可能であり、任意に選択すればよい。作業の操作上、湿式エッチングが装置などの簡便性の点で好ましい。エッチング液として、例えば、塩化第二銅、塩化第二鉄等の水溶液を使用することができる。
Specifically, the subtractive method provides a resist layer on the formed metal film, forms the same pattern as the metal film pattern part by pattern exposure and development, and removes the metal film with an etching solution using the resist pattern as a mask. In this method, a patterned metal film is formed.
Any material can be used as the resist, and negative, positive, liquid, and film-like ones can be used. Moreover, as an etching method, any method used at the time of manufacturing a printed wiring board can be used, and wet etching, dry etching, and the like can be used, and may be arbitrarily selected. In terms of operation, wet etching is preferable from the viewpoint of simplicity of the apparatus. As an etching solution, for example, an aqueous solution of cupric chloride, ferric chloride, or the like can be used.

より具体的に、図2にサブトラクティブ法を用いたエッチング工程の態様を示す。
まず、上記めっき工程を行うことにより、図2(A)に示す、基板10と、金属配線20と、絶縁性樹脂層22と、密着補助層24と、被めっき層12と、金属膜14とを備える積層体を用意する。なお、図2(A)においては、基板10表面上およびその内部に、金属配線20を備えている。絶縁性樹脂層22、密着補助層24、金属配線20は、必要に応じて追加される構成部材である。また、図2(A)においては、基板10の片面に金属膜14が設けられているが、両面にあってもよい。
次に、図2(B)に示すように、パターン状のマスク26を金属膜14上に設ける。
その後、図2(C)に示すように、マスクが設けられていない領域の金属膜14を、エッチング処理(例えば、ドライエッチング、ウェットエッチング)により除去して、パターン状の金属膜18を得る。最後に、マスク26を取り除き、本発明の積層体を得る(図2(D)参照)。
More specifically, FIG. 2 shows an aspect of an etching process using a subtractive method.
First, by performing the plating step, the substrate 10, the metal wiring 20, the insulating resin layer 22, the adhesion auxiliary layer 24, the layer to be plated 12, and the metal film 14 shown in FIG. A laminate comprising: is prepared. In FIG. 2A, metal wiring 20 is provided on the surface of the substrate 10 and inside thereof. The insulating resin layer 22, the adhesion auxiliary layer 24, and the metal wiring 20 are constituent members that are added as necessary. In FIG. 2A, the metal film 14 is provided on one side of the substrate 10, but it may be provided on both sides.
Next, as shown in FIG. 2B, a patterned mask 26 is provided on the metal film 14.
Thereafter, as shown in FIG. 2C, the metal film 14 in the region where the mask is not provided is removed by an etching process (for example, dry etching or wet etching) to obtain a patterned metal film 18. Finally, the mask 26 is removed to obtain the laminate of the present invention (see FIG. 2D).

セミアディティブ法とは、具体的には、形成された金属膜上にレジスト層を設け、パターン露光、現像により非金属膜パターン部と同じパターンを形成し、レジストパターンをマスクとして電解めっきを行い、レジストパターンを除去した後にクイックエッチングを実施し、金属膜をパターン状に除去することで、パターン状の金属膜を形成する方法である。
レジスト、エッチング液等はサブトラクティブ法と同様な材料が使用できる。また、電解めっき手法としては上記記載の手法が使用できる。
Specifically, the semi-additive method is to provide a resist layer on the formed metal film, form the same pattern as the non-metal film pattern part by pattern exposure and development, perform electroplating using the resist pattern as a mask, This is a method of forming a patterned metal film by performing quick etching after removing the resist pattern and removing the metal film in a pattern.
The resist, the etching solution, etc. can use the same material as the subtractive method. Moreover, the above-described method can be used as the electrolytic plating method.

より具体的に、図3にセミアディティブ法を用いたエッチング工程の態様を示す。
まず、図3(A)に示す、基板10と、金属配線20と、絶縁性樹脂層22と、密着補助層24と、被めっき層12と、金属膜14とを備える積層体を用意する。
次に、図3(B)に示すように、パターン状のマスク26を金属膜14上に設ける。
次に、図3(C)に示すように、電解めっきを行い、マスク26が設けられていない領域に金属膜を形成させ、金属膜14bを得る。
その後、図3(D)に示すように、マスク26を取り除き、エッチング処理(例えば、ドライエッチング、ウェットエッチング)を行い、図3(E)に示すようにパターン状の金属膜18を備える積層体を得る。
More specifically, FIG. 3 shows an aspect of an etching process using a semi-additive method.
First, a laminate including the substrate 10, the metal wiring 20, the insulating resin layer 22, the adhesion auxiliary layer 24, the layer to be plated 12, and the metal film 14 shown in FIG. 3A is prepared.
Next, as shown in FIG. 3B, a patterned mask 26 is provided on the metal film 14.
Next, as shown in FIG. 3C, electrolytic plating is performed to form a metal film in a region where the mask 26 is not provided, thereby obtaining the metal film 14b.
Thereafter, as shown in FIG. 3D, the mask 26 is removed, an etching process (for example, dry etching, wet etching) is performed, and the laminate including the patterned metal film 18 as shown in FIG. Get.

なお、金属膜の除去と同時に、公知の手段(例えば、ドライエッチング)などによって、被めっき層を合わせて除去してもよい。   Note that the layer to be plated may be removed together with a known means (for example, dry etching) simultaneously with the removal of the metal film.

さらに、セミアディティブ法によりエッチング工程を実施する場合は、図4に示すように多層配線基板を得るために該工程を実施してもよい。
図4(A)に示すように、まず、基板10と、金属配線20と、絶縁性樹脂層22と、密着補助層24と、被めっき層12と、金属膜14とを備える積層体を用意する。
次に、図4(B)に示すように、レーザー加工またはドリル加工により、金属膜14、被めっき層12、密着補助層24、絶縁性樹脂層22を貫通し、金属配線20に達するようにビアホールを形成する。必要に応じて、その後デスミア処理を行う。
さらに、図4(C)に示すように、形成されたビアホール壁面に対して、めっき触媒を付与して、無電解めっきおよび/または電解めっきを行い、金属配線20と接触する金属膜28を得る。
さらに、図4(D)に示すように、所定のパターン状のマスク26を金属膜28上に設け、電解めっきを行い、金属膜30を得る(図4(E)参照)。
その後、マスク26を除去した後(図4(F)参照)、エッチング処理(例えば、ドライエッチング、ウェットエッチング)を行い、パターン状の金属膜32を得る(図4(G)参照)。その後、必要に応じて、プラズマ処理などによって、被めっき層12および密着補助層24を除去してもよい(図4(H)参照)。
Further, when the etching process is performed by the semi-additive method, the process may be performed in order to obtain a multilayer wiring board as shown in FIG.
As shown in FIG. 4A, first, a laminate including a substrate 10, a metal wiring 20, an insulating resin layer 22, an adhesion auxiliary layer 24, a layer to be plated 12, and a metal film 14 is prepared. To do.
Next, as shown in FIG. 4B, the metal film 14, the plated layer 12, the adhesion auxiliary layer 24, and the insulating resin layer 22 are penetrated to reach the metal wiring 20 by laser processing or drill processing. A via hole is formed. If necessary, desmear treatment is then performed.
Further, as shown in FIG. 4C, a plating catalyst is applied to the formed via hole wall surface, and electroless plating and / or electrolytic plating is performed to obtain a metal film 28 in contact with the metal wiring 20. .
Further, as shown in FIG. 4D, a mask 26 having a predetermined pattern is provided on the metal film 28, and electrolytic plating is performed to obtain the metal film 30 (see FIG. 4E).
Thereafter, after removing the mask 26 (see FIG. 4F), an etching process (for example, dry etching or wet etching) is performed to obtain a patterned metal film 32 (see FIG. 4G). Thereafter, if necessary, the plated layer 12 and the adhesion auxiliary layer 24 may be removed by plasma treatment or the like (see FIG. 4H).

上記で得られたパターン状金属膜を有する積層体は、各種用途に使用することができる。なかでも、配線基板として好適に利用できる。また、配線基板と使用する際には、必要に応じて、積層体上に絶縁層を設けてもよい。
本発明の積層体と絶縁層とを含む配線基板は、平滑な基板との密着性に優れた配線が形成でき、高周波特性も良好であるとともに、微細な高密度配線であっても、配線間の絶縁信頼性に優れる。
絶縁層としては公知の材料を使用することができ、例えば、公知の層間絶縁膜、ソルダーレジストなどが挙げられる。
The laminate having the patterned metal film obtained above can be used for various applications. Especially, it can utilize suitably as a wiring board. Moreover, when using with a wiring board, you may provide an insulating layer on a laminated body as needed.
The wiring board including the laminate of the present invention and the insulating layer can form wiring with excellent adhesion to a smooth substrate, has high frequency characteristics, and even between fine wiring, Excellent insulation reliability.
A known material can be used for the insulating layer, and examples thereof include a known interlayer insulating film and a solder resist.

以下、実施例により、本発明について更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention further in detail, this invention is not limited to these.

(合成例1:ポリマー1)
2Lの三口フラスコに酢酸エチル1L、2−アミノエタノール159gを入れ、氷浴にて冷却をした。そこへ、2−ブロモイソ酪酸ブロミド150gを内温20℃以下になるように調節して滴下した。その後、内温を室温(25℃)まで上昇させて2時間反応させた。反応終了後、蒸留水300mLを追加して反応を停止させた。その後、酢酸エチル層を蒸留水300mLで4回洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥し、さらに酢酸エチルを留去することで原料Aを80g得た。
次に、500mLの三口フラスコに、原料A47.4g、ピリジン22g、酢酸エチル150mLを入れて氷浴にて冷却した。そこへ、アクリル酸クロライド25gを内温20℃以下になるように調節して滴下した。その後、室温に上げて3時間反応させた。反応終了後、蒸留水300mLを追加し、反応を停止させた。その後、酢酸エチル層を蒸留水300mLで4回洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥し、さらに酢酸エチルを留去した。その後、カラムクロマトグラフィーにて、以下のモノマーM1を精製し20g得た。
(Synthesis Example 1: Polymer 1)
1 L of ethyl acetate and 159 g of 2-aminoethanol were placed in a 2 L three-necked flask and cooled in an ice bath. Thereto, 150 g of 2-bromoisobutyric acid bromide was added dropwise while adjusting the internal temperature to 20 ° C. or lower. Thereafter, the internal temperature was raised to room temperature (25 ° C.) and reacted for 2 hours. After completion of the reaction, 300 mL of distilled water was added to stop the reaction. Thereafter, the ethyl acetate layer was washed four times with 300 mL of distilled water, dried over magnesium sulfate, and 80 g of raw material A was obtained by distilling off ethyl acetate.
Next, 47.4 g of raw material A, 22 g of pyridine, and 150 mL of ethyl acetate were placed in a 500 mL three-necked flask and cooled in an ice bath. Thereto, 25 g of acrylic acid chloride was added dropwise while adjusting the internal temperature to 20 ° C. or lower. Then, it was raised to room temperature and reacted for 3 hours. After completion of the reaction, 300 mL of distilled water was added to stop the reaction. Thereafter, the ethyl acetate layer was washed four times with 300 mL of distilled water and dried over magnesium sulfate, and ethyl acetate was further distilled off. Thereafter, the following monomer M1 was purified by column chromatography to obtain 20 g.

500mLの三口フラスコに、N,N−ジメチルアセトアミド8gを入れ、窒素気流下、65℃まで加熱した。そこへ、モノマーM1:14.3g、アクリロニトリル(東京化成工業(株)製)3.0g、アクリル酸(東京化成製)6.5g、V−65(和光純薬製)0.4gのN,N−ジメチルアセトアミド8g溶液を、4時間かけて滴下した。
滴下終了後、更に反応溶液を3時間撹拌した。その後、N,N−ジメチルアセトアミド41gを追加し、室温まで反応溶液を冷却した。上記の反応溶液に、4−ヒドロキシTEMPO(東京化成製)0.09g、DBU54.8gを加え、室温で12時間反応を行った。その後、反応溶液に70質量%メタンスルホン酸水溶液54gを加えた。反応終了後、水で再沈を行い、固形物を取り出し、ポリマー1を12.5g得た。
A 500 mL three-necked flask was charged with 8 g of N, N-dimethylacetamide and heated to 65 ° C. under a nitrogen stream. There, monomer M1: 14.3 g, acrylonitrile (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) 3.0 g, acrylic acid (manufactured by Tokyo Chemical Industry) 6.5 g, V-65 (manufactured by Wako Pure Chemical Industries) 0.4 g of N, An 8 g solution of N-dimethylacetamide was added dropwise over 4 hours.
After completion of the dropwise addition, the reaction solution was further stirred for 3 hours. Thereafter, 41 g of N, N-dimethylacetamide was added, and the reaction solution was cooled to room temperature. 4-hydroxy TEMPO (product made from Tokyo Chemical Industry) 0.09g and DBU54.8g were added to said reaction solution, and reaction was performed at room temperature for 12 hours. Thereafter, 54 g of a 70 mass% methanesulfonic acid aqueous solution was added to the reaction solution. After completion of the reaction, reprecipitation was performed with water, and the solid matter was taken out to obtain 12.5 g of polymer 1.

得られたポリマー1の同定をIR測定機((株)堀場製作所製)を用いて行った。測定はポリマーをアセトンに溶解させKBr結晶を用いて行った。IR測定の結果、2240cm-1付近にピークが観測されニトリルユニットであるアクリロニトリルがポリマーに導入されている事が分かった。また、酸価測定によりカルボン酸ユニットとしてアクリル酸が導入されている事が分かった。また、重DMSO(ジメチルスルホキシド)に溶解させ、ブルカー製300MHzのNMR(AV−300)にて測定を行った。ニトリル基含有ユニットに相当するピークが2.5−0.7ppm(5H分)にブロードに観察され、重合性基含有ユニットに相当するピークが8.1−7.8ppm(1H分)、5.8−5.6ppm(1H分)、5.4−5.2ppm(1H分)、4.2−3.9ppm(2H分)、3.5−3.3ppm(2H分)、2.5−0.7ppm(6H分)にブロードに観察され、カルボン酸含有ユニットに相当するピークが2.5−0.7ppm(3H分)にブロードに観察され、重合性基含有ユニット:ニトリル基含有ユニット:カルボン酸基ユニット=30:21:49(mol%)であることが分かった。 The obtained polymer 1 was identified using an IR measuring machine (manufactured by Horiba, Ltd.). The measurement was performed by dissolving the polymer in acetone and using KBr crystals. As a result of IR measurement, a peak was observed in the vicinity of 2240 cm −1 , and it was found that acrylonitrile, which is a nitrile unit, was introduced into the polymer. Moreover, it was found from the acid value measurement that acrylic acid was introduced as a carboxylic acid unit. Moreover, it melt | dissolved in heavy DMSO (dimethyl sulfoxide), and measured by NMR (AV-300) of Bruker 300MHz. 4. A peak corresponding to the nitrile group-containing unit is broadly observed at 2.5 to 0.7 ppm (5H min), and a peak corresponding to the polymerizable group containing unit is 8.1 to 7.8 ppm (1 H min). 8-5.6 ppm (1H min), 5.4-5.2 ppm (1H min), 4.2-3.9 ppm (2H min), 3.5-3.3 ppm (2H min), 2.5- A broad peak was observed at 0.7 ppm (6H min), and a peak corresponding to a carboxylic acid-containing unit was observed broadly at 2.5-0.7 ppm (3H min), a polymerizable group-containing unit: a nitrile group-containing unit: It was found that the carboxylic acid group unit = 30: 21: 49 (mol%).

(合成例2:ポリマー2)
500mLの三口フラスコに、N,N−ジメチルアセトアミド22gを入れ、窒素気流下、60℃まで加熱した。そこへ、上記で得たモノマーM1:29.6g、アクリル酸(東京化成製)15g、V−65(和光純薬製)0.59gのN,N−ジメチルアセトアミド38g溶液を、6時間かけて滴下した。滴下終了後、更に3時間撹拌した。その後、N,N−ジメチルアセトアミド37gを足し、室温まで反応溶液を冷却した。上記の反応溶液に、4−ヒドロキシTEMPO(東京化成製)0.18g、DBU118gを加え、室温で12時間反応を行った。その後、反応溶液に70質量%メタンスルホン酸水溶液116gを加えた。反応終了後、水で再沈を行い、固形物を取り出し、以下の構造式のポリマー2(重量平均分子量4.2万)を20g得た。得られたポリマー2の酸価を、電位差自動滴定装置(京都電子工業(株)製)、および、滴定液として0.1M水酸化ナトリウム水溶液を用いて測定したところ、このポリマー2の酸価は5.7mmol/gであった。
(Synthesis Example 2: Polymer 2)
In a 500 mL three-necked flask, 22 g of N, N-dimethylacetamide was placed and heated to 60 ° C. under a nitrogen stream. Thereto, the monomer M1: 29.6 g obtained above, acrylic acid (manufactured by Tokyo Chemical Industry) 15 g, V-65 (manufactured by Wako Pure Chemical Industries) 0.59 g N, N-dimethylacetamide 38 g solution over 6 hours. It was dripped. After completion of dropping, the mixture was further stirred for 3 hours. Thereafter, 37 g of N, N-dimethylacetamide was added, and the reaction solution was cooled to room temperature. 4-hydroxy TEMPO (product made from Tokyo Chemical Industry) 0.18g and DBU118g were added to said reaction solution, and reaction was performed at room temperature for 12 hours. Thereafter, 116 g of a 70% by mass aqueous methanesulfonic acid solution was added to the reaction solution. After completion of the reaction, reprecipitation was carried out with water, the solid matter was taken out, and 20 g of polymer 2 (weight average molecular weight 42,000) having the following structural formula was obtained. When the acid value of the obtained polymer 2 was measured using a potentiometric automatic titrator (manufactured by Kyoto Electronics Industry Co., Ltd.) and a 0.1 M sodium hydroxide aqueous solution as the titrant, the acid value of the polymer 2 was It was 5.7 mmol / g.

得られたポリマー2をアセトンに溶解させ、IR測定機((株)堀場製作所製)にてKBr結晶を用いて測定を行った。IR測定の結果、2240cm-1付近にピークが観測されず、シアノ基がポリマー2に含まれていないことが分かった。また、酸価測定によりカルボン酸ユニットとして、アクリル酸が導入されている事が分かった。更に、重DMSO(ジメチルスルホキシド)に溶解させ、ブルカー製300MHzのNMR(AV−300)にて測定を行った。重合性基含有ユニットに相当するピークが7.8−8.1ppm(1H分)、5.8−5.6ppm(1H分)、5.4−5.2ppm(1H分)、4.2−3.9ppm(2H分)、3.3−3.5ppm(2H分)、2.5−0.7ppm(6H分)にブロードに観察され、カルボン酸基ユニットに相当するピークが2.5−0.7ppm(3H分)にブロードに観察され、重合性基含有ユニット:カルボン酸基ユニット=33:67(mol比)であることが分かった。 The obtained polymer 2 was dissolved in acetone and measured using an KBr crystal with an IR measuring device (manufactured by Horiba, Ltd.). As a result of IR measurement, no peak was observed in the vicinity of 2240 cm −1 , and it was found that cyano group was not contained in polymer 2. Further, it was found from the acid value measurement that acrylic acid was introduced as a carboxylic acid unit. Further, it was dissolved in heavy DMSO (dimethyl sulfoxide) and measured by Bruker 300 MHz NMR (AV-300). Peaks corresponding to the polymerizable group-containing unit are 7.8-8.1 ppm (1H min), 5.8-5.6 ppm (1H min), 5.4-5.2 ppm (1H min), 4.2- Broadly observed at 3.9 ppm (2H min), 3.3-3.5 ppm (2H min), 2.5-0.7 ppm (6H min), and a peak corresponding to a carboxylic acid group unit is 2.5- It was observed broadly at 0.7 ppm (3H min), and it was found that the polymerizable group-containing unit: carboxylic acid group unit = 33: 67 (mol ratio).

<被めっき層形成用組成物の調製>
マグネチックスターラーを入れた100mlビーカーに、水、プロピレングリコールモノメチルエーテル、各種アクリルアミドモノマー、ポリマー1〜2、IRGACURE2959(CIBA)を表1に従って加え、調液し、組成物1〜9、および、比較組成物1〜6を得た。
なお、以下、各成分の含有量は、組成物全量に対する質量%として表示される。また、表1中、「開始剤」はIRGACURE2959(CIBA)を意味する。
<Preparation of composition for forming layer to be plated>
Into a 100 ml beaker containing a magnetic stirrer, water, propylene glycol monomethyl ether, various acrylamide monomers, polymers 1-2, IRGACURE2959 (CIBA) were added according to Table 1, prepared, compositions 1-9, and comparative composition Items 1 to 6 were obtained.
Hereinafter, the content of each component is expressed as mass% with respect to the total amount of the composition. In Table 1, “initiator” means IRGACURE 2959 (CIBA).

<実施例1〜10、および、比較例1〜6>
〔被めっき層の作製〕
FR−4基板(日立化成、ガラスエポキシ樹脂基板)上にGX−13(味の素ファインテクノ)を真空ラミネートした基板表面を、5%の水酸化ナトリウム溶液にて60℃で5分間処理した。
<Examples 1 to 10 and Comparative Examples 1 to 6>
[Preparation of layer to be plated]
A substrate surface obtained by vacuum laminating GX-13 (Ajinomoto Fine Techno) on an FR-4 substrate (Hitachi Chemical, glass epoxy resin substrate) was treated with a 5% sodium hydroxide solution at 60 ° C. for 5 minutes.

その後、以下の(露光工程)または(加熱工程)の手順に従って、被めっき層を得た。
(露光工程)
表1に示した被めっき層形成用組成物を、GX−13がラミネートされた基板表面上にそれぞれ滴下し、3000rpmにて20秒スピンコートした。溶剤を揮発させるために、150℃のオーブンにて15分間乾燥させた。その後、基板を真空下にてUV照射(波長:254nm)し、被めっき層の硬化を行った。得られた被めっき層の厚みは150nmであった。
なお、UV照射の露光量(J/cm2)は、後述する表2のように、使用する組成物に応じて調整した。
(加熱工程)
表1に示した被めっき層形成用組成物を、GX−13がラミネートされた基板表面上にそれぞれ滴下し、3000rpmにて20秒スピンコートした。その後、基板を150℃にて15分間および180℃にて60分間加熱処理し、被めっき層の硬化を行った。得られた被めっき層の厚みは140nmであった。
Then, the to-be-plated layer was obtained according to the procedure of the following (exposure process) or (heating process).
(Exposure process)
The composition for forming a layer to be plated shown in Table 1 was dropped on the substrate surface on which GX-13 was laminated, and spin-coated at 3000 rpm for 20 seconds. In order to volatilize the solvent, it was dried in an oven at 150 ° C. for 15 minutes. Thereafter, the substrate was irradiated with UV (wavelength: 254 nm) under vacuum to cure the plated layer. The thickness of the obtained plated layer was 150 nm.
In addition, the exposure amount (J / cm < 2 >) of UV irradiation was adjusted according to the composition to be used like Table 2 mentioned later.
(Heating process)
The composition for forming a layer to be plated shown in Table 1 was dropped on the substrate surface on which GX-13 was laminated, and spin-coated at 3000 rpm for 20 seconds. Thereafter, the substrate was heat-treated at 150 ° C. for 15 minutes and at 180 ° C. for 60 minutes to cure the layer to be plated. The thickness of the obtained plated layer was 140 nm.

[触媒の付与、および、無電解めっき]
得られた被めっき層付き基板をクリーナーコンディショナー液ACL−009(上村工業)に50℃にて5分間浸漬し、純水にて2回洗浄した。その後、Pd触媒付与液MAT−2(上村工業)に30℃にて5分間浸漬し、純水にて2回洗浄した。
次に、上記処理が施された基板を還元剤MAB(上村工業)に36℃にて5分間浸漬し、純水にて2回洗浄した。その後、活性化処理液MEL−3(上村工業)に室温にて5分間浸漬し、洗浄することなく無電解めっき液スルカップPEA(上村工業)に室温にてそれぞれ30分浸漬した。得られた金属膜(無電解めっき膜)の厚みは、約0.8μmであった。
[Catalyst application and electroless plating]
The obtained substrate with the layer to be plated was immersed in a cleaner conditioner solution ACL-009 (Uemura Kogyo) at 50 ° C. for 5 minutes and washed twice with pure water. Then, it was immersed in Pd catalyst provision liquid MAT-2 (Uemura Kogyo) at 30 ° C. for 5 minutes and washed twice with pure water.
Next, the substrate subjected to the above treatment was immersed in a reducing agent MAB (Uemura Industries) at 36 ° C. for 5 minutes and washed twice with pure water. Then, it was immersed for 5 minutes at room temperature in the activation treatment liquid MEL-3 (Uemura Kogyo), and immersed in electroless plating solution sulcup PEA (Uemura Kogyo) for 30 minutes without washing. The obtained metal film (electroless plating film) had a thickness of about 0.8 μm.

[電解めっき]
電解めっき液として、水1283g、硫酸銅5水和物135g、98%濃硫酸342g、36%濃塩酸0.25g、ET−901M(ロームアンドハース)39.6gの混合溶液を用い、ホルダーを取り付けた基板と銅板を電源に接続し、3A/dm2にて45分間電解銅めっき処理を行い、約21μmの銅めっき膜(金属膜)を得た。
[Electrolytic plating]
As the electrolytic plating solution, a mixed solution of water 1283 g, copper sulfate pentahydrate 135 g, 98% concentrated sulfuric acid 342 g, 36% concentrated hydrochloric acid 0.25 g, ET-901M (Rohm and Haas) 39.6 g was used, and the holder was attached. The substrate and the copper plate were connected to a power source and subjected to electrolytic copper plating at 3 A / dm 2 for 45 minutes to obtain a copper plating film (metal film) of about 21 μm.

<評価>
(ピール強度測定)
実施例1〜10および比較例1〜6で得られた金属膜を有する積層体を100℃にて30分加熱後、さらに180℃にて1時間加熱した。得られたサンプルに10mmの間隔を開けて、平行に130mmの切り込みを入れ、その端部をカッターにて切り込みを入れ10mm立ち上げた。剥がした端部をつかんでオートグラフ(SHIMAZU)を用いて金属膜のピール強度を測定した(引張速度50mm/min)。結果を表2に示す。
<Evaluation>
(Peel strength measurement)
The laminates having the metal films obtained in Examples 1 to 10 and Comparative Examples 1 to 6 were heated at 100 ° C. for 30 minutes, and further heated at 180 ° C. for 1 hour. The obtained sample was spaced by 10 mm, a 130 mm cut was made in parallel, and the end was cut by a cutter and started up by 10 mm. The peeled edge was grasped and the peel strength of the metal film was measured using an autograph (SHIMAZU) (tensile speed 50 mm / min). The results are shown in Table 2.

(アルカリ溶液耐性)
アルカリ溶液として、NaOH(40g)と、クリーナーセキュリガント902(アトテック製)(40mL)と、クリーナーアディティブ902(アトテック製)(3mL)とを混合して、さらに液量1Lになるように水を加えて、アルカリ水溶液を作製した。
実施例1〜10および比較例1〜6における上記〔被めっき層の作製〕で得られた被めっき層付き基板を、上記アルカリ溶液中に60℃で20分間浸漬した。
浸漬前後における被めっき層の厚みを測定し、以下の基準に従って評価した。なお、以下の厚み比は(浸漬後の被めっき層の厚み/浸漬前の被めっき層の厚み)によって求められる。実用上、「◎」「○」であることが好ましい。結果を表2に示す。
「◎」:厚み比が0.8以上であった場合
「○」:厚み比が0.6以上0.8未満であった場合
「△」:厚み比が0.3以上0.6未満であった場合
「×」:厚み比が0.3未満であった場合
(Alkaline solution resistance)
As an alkaline solution, NaOH (40 g), Cleaner Securigant 902 (Atotech) (40 mL), and Cleaner Additive 902 (Atotech) (3 mL) are mixed, and water is added so that the liquid volume becomes 1 L. Thus, an alkaline aqueous solution was prepared.
The board | substrate with a to-be-plated layer obtained by the said [preparation of to-be-plated layer] in Examples 1-10 and Comparative Examples 1-6 was immersed in the said alkaline solution for 20 minutes at 60 degreeC.
The thickness of the plated layer before and after immersion was measured and evaluated according to the following criteria. In addition, the following thickness ratio is calculated | required by (thickness of the to-be-plated layer after immersion / thickness of the to-be-plated layer before immersion). Practically, “◎” and “◯” are preferable. The results are shown in Table 2.
“◎”: When the thickness ratio is 0.8 or more “◯”: When the thickness ratio is 0.6 or more and less than 0.8 “Δ”: The thickness ratio is 0.3 or more and less than 0.6 When “x” is present: When the thickness ratio is less than 0.3

上記浸漬後の被めっき層の厚み、および、浸漬前の被めっき層の厚みは、断面のSEM(走査型電子顕微鏡)観察によって、被めっき層の任意の場所を10か所以上測定し、それらを平均して得られる平均値である。   The thickness of the layer to be plated after the immersion and the thickness of the layer to be plated before immersion are measured by measuring SEM (scanning electron microscope) cross section at 10 or more arbitrary locations on the layer to be plated. Is an average value obtained by averaging.

(アルカリ溶液耐性後の無電解めっき)
実施例1〜10および比較例1〜6における上記無電解めっき条件のうち「クリーナーコンディショナー液ACL−009(上村工業)に50℃にて5分間浸漬」を上記(アルカリ溶液耐性)の試験条件に変更し、無電解めっきを行った。以下の評価基準に従って、得られた無電解めっき膜の面状を目視で判断した。実用上、「○」であることが好ましい。結果を表2に示す。なお、ムラとは、めっき膜の厚みが異なり色の異なる部分を意味する。
「○」:めっきが均一である場合
「△」:めっきの一部にムラがある場合
「×」:めっきの大部分にムラがある場合
(Electroless plating after alkali solution resistance)
Of the above electroless plating conditions in Examples 1 to 10 and Comparative Examples 1 to 6, “immersion in cleaner conditioner solution ACL-009 (Uemura Kogyo) at 50 ° C. for 5 minutes” is the test condition for the above (alkali solution resistance). It changed and electroless plating was performed. According to the following evaluation criteria, the surface state of the obtained electroless plating film was visually determined. Practically, “◯” is preferable. The results are shown in Table 2. In addition, unevenness means the part from which the thickness of a plating film differs and a color differs.
"○": When plating is uniform "△": When plating is uneven in part "X": When plating is uneven in most

上記表2で表されるように、本発明の被めっき層形成用組成物に該当する組成物1〜9を使用した実施例1〜10においては、優れたピール強度およびアルカリ溶液耐性、並びに、アルカリ溶液耐性試験後の優れた無電解めっき性を示すことが確認された。
なお、実施例1と実施例7との比較より、式(1)で表される化合物の質量(質量A)と、該化合物の質量Aおよびポリマーの質量(質量B)の合計量との質量比{質量A/(質量A+質量B)}が所定の範囲(0.05〜0.30)にある場合に、より優れたアルカリ溶液耐性を示すことが確認された。
また、実施例1と実施例8との比較より、露光工程におけるエネルギー付与量が多い方がより優れたアルカリ溶液耐性を示すことが確認された。
さらに、所定のlogPを示すアクリルアミドモノマーを使用することにより、より優れたアルカリ溶液耐性を示すことが確認された。
As shown in Table 2, in Examples 1 to 10 using the compositions 1 to 9 corresponding to the composition for forming a plated layer of the present invention, excellent peel strength and alkaline solution resistance, and It was confirmed that the electroless plating property after the alkaline solution resistance test was excellent.
From the comparison between Example 1 and Example 7, the mass of the mass of the compound represented by the formula (1) (mass A) and the total mass of the mass A of the compound and the mass of the polymer (mass B). It was confirmed that when the ratio {mass A / (mass A + mass B)} is in a predetermined range (0.05 to 0.30), the alkaline solution resistance is more excellent.
Moreover, it was confirmed from the comparison with Example 1 and Example 8 that the direction with much energy provision in an exposure process shows the more excellent alkaline solution tolerance.
Furthermore, it was confirmed that by using an acrylamide monomer exhibiting a predetermined log P, a more excellent alkaline solution resistance was exhibited.

一方、本発明の被めっき層形成用組成物に該当しない比較組成物1〜6を使用した比較例1〜6においては、ピール強度、アルカリ溶液耐性、またはアルカリ溶液耐性試験後の無電解めっき性に劣ることが確認された。   On the other hand, in Comparative Examples 1 to 6 using Comparative Compositions 1 to 6 that do not correspond to the composition for forming a layer to be plated of the present invention, electroless plating properties after peel strength, alkali solution resistance, or alkali solution resistance test It was confirmed to be inferior.

<実施例11>
実施例1で得られた電解銅めっきを施した基板に対し180℃/1時間の熱処理を行なった後、該基板の金属膜表面に、ドライレジストフィルム(日立化成(株)製;RY3315、膜厚15μm)を真空ラミネーター((株)名機製作所製:MVLP−600)で70℃、0.2MPaでラミネートした。次いで、ドライレジストフィルムがラミネートされた基板に、JPCA−ET01に定める櫛型配線(JPCA−BU01−2007準拠)が形成できるガラスマスクを密着させ、レジストを中心波長405nmの露光機にて70mJの光エネルギーを照射した。露光後の基板に、1%Na2CO3水溶液を0.2MPaのスプレー圧で噴きつけ、現像を行なった。その後、基板の水洗・乾燥を行い、銅めっき膜上に、サブトラクティブ法用のレジストパターンを形成した。
レジストパターンを形成した基板を、FeCl3/HCl水溶液(エッチング液)に温度40℃で浸漬することによりエッチングを行い、レジストパターンの非形成領域に存在する銅めっき膜を除去した。その後、3%NaOH水溶液を0.2MPaのスプレー圧で基板上に噴き付けることで、レジストパターンを膨潤剥離し、10%硫酸水溶液で中和処理を行い、水洗することで櫛型配線(パターン状銅めっき膜)を得た。得られた配線は、L/S=20μm/75μmであった。
<Example 11>
The substrate subjected to electrolytic copper plating obtained in Example 1 was heat-treated at 180 ° C./1 hour, and then a dry resist film (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd .; RY3315, film) was formed on the metal film surface of the substrate. 15 μm thick) was laminated at 70 ° C. and 0.2 MPa with a vacuum laminator (manufactured by Meiki Seisakusho: MVLP-600). Next, a glass mask capable of forming a comb-type wiring (compliant with JPCA-BU01-2007) as defined in JPCA-ET01 is closely attached to the substrate laminated with the dry resist film, and the resist is exposed to light of 70 mJ with an exposure machine having a central wavelength of 405 nm. Irradiated with energy. Development was performed by spraying a 1% Na 2 CO 3 aqueous solution onto the exposed substrate at a spray pressure of 0.2 MPa. Thereafter, the substrate was washed with water and dried to form a subtractive resist pattern on the copper plating film.
Etching was performed by immersing the substrate on which the resist pattern was formed in an FeCl 3 / HCl aqueous solution (etching solution) at a temperature of 40 ° C. to remove the copper plating film present in the region where the resist pattern was not formed. Thereafter, the resist pattern is swelled and peeled off by spraying a 3% NaOH aqueous solution onto the substrate at a spray pressure of 0.2 MPa, neutralized with a 10% sulfuric acid aqueous solution, and washed with water to form a comb-like wiring (pattern shape). Copper plating film) was obtained. The obtained wiring was L / S = 20 μm / 75 μm.

さらに、パターン状銅めっき膜を有する積層体に対して、ソルダーレジスト(PFR800;太陽インキ製造(株)製)を110℃、0.2MPaの条件で真空ラミネートし、中心波長365nmの露光機にて420mJの光エネルギーを照射した。
次いで、積層体を80℃/10分間の加熱処理を施した後、NaHCO3:10%水溶液を、スプレー圧2kg/m2で積層体表面に付与することで現像し、乾燥した。その後、再度、中心波長365nmの露光機にて1000mJの光エネルギーを、積層体に対して照射した。最後に150℃/1hrの加熱処理を行ない、ソルダーレジストで被覆された配線基板を得た。
Furthermore, a solder resist (PFR800; manufactured by Taiyo Ink Mfg. Co., Ltd.) is vacuum-laminated on a laminate having a patterned copper plating film under conditions of 110 ° C. and 0.2 MPa, and an exposure machine having a center wavelength of 365 nm. The light energy of 420 mJ was irradiated.
Next, the laminate was subjected to a heat treatment at 80 ° C./10 minutes, and then developed by applying a NaHCO 3 : 10% aqueous solution to the laminate surface at a spray pressure of 2 kg / m 2 and dried. Thereafter, the laminate was irradiated again with light energy of 1000 mJ with an exposure machine having a center wavelength of 365 nm. Finally, a heat treatment at 150 ° C./1 hr was performed to obtain a wiring board coated with a solder resist.

<実施例12>
実施例1における被めっき層形成時の全面露光の代わりに、レーザー照射によるパターン露光を行い、その後、1%重曹水で未露光部分を現像・除去して、パターン状の被めっき層を得た。得られたパターン状の被めっき層に対して、実施例1で行った[触媒の付与、および、無電解めっき]、および「電解めっき」を行い、被めっき層上にパターン状の銅めっき膜を得た。
<Example 12>
Instead of the entire surface exposure in forming the plated layer in Example 1, pattern exposure by laser irradiation was performed, and then the unexposed portion was developed and removed with 1% sodium bicarbonate water to obtain a patterned plated layer. . The obtained patterned plating layer is subjected to [application of catalyst and electroless plating] and “electrolytic plating” performed in Example 1, and a patterned copper plating film on the plating layer. Got.

10:基板
12:被めっき層
14、14b:金属膜
16:積層体
18:パターン状金属膜
20:金属配線
22:絶縁性樹脂層
24:密着補助層
26:マスク
28、30:金属膜
32:パターン状金属膜
10: Substrate 12: Plated layers 14, 14b: Metal film 16: Laminate 18: Patterned metal film 20: Metal wiring 22: Insulating resin layer 24: Adhesion auxiliary layer 26: Mask 28, 30: Metal film 32: Patterned metal film

Claims (4)

式(1)で表される化合物と、めっき触媒またはその前駆体と相互作用を形成する解離性官能基および重合性基を有するポリマーとを含む、被めっき層形成用組成物。
(式(1)中、R1は、水素原子またはアルキル基を表す。R2およびRは、それぞれ独立に、水素原子、または、炭化水素基を表す。なお、R2とR3とが直接結合して環を形成してもよく、また、酸素原子を介して環を形成していてもよい。)
A composition for forming a layer to be plated, comprising a compound represented by the formula (1) and a polymer having a dissociative functional group and a polymerizable group that form an interaction with a plating catalyst or a precursor thereof.
(In the formula (1), R 1 is .R 2 and R 3 represents a hydrogen atom or an alkyl group each independently represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group. In addition, R 2 and R 3 (It may be directly bonded to form a ring, or may be formed through an oxygen atom.)
前記化合物のlogPが−0.3以上である、請求項1に記載の被めっき層形成用組成物。   The composition for forming a plated layer according to claim 1, wherein log P of the compound is −0.3 or more. 基板上に、請求項1または2に記載の被めっき層形成用組成物を接触させた後、前記基板上の前記被めっき層形成用組成物に対してエネルギーを付与して、前記基板上に被めっき層を形成する被めっき層形成工程と、
前記被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与する触媒付与工程と、
前記めっき触媒またはその前駆体が付与された被めっき層に対してめっき処理を行い、前記被めっき層上に金属膜を形成するめっき工程と、を備える金属膜を有する積層体の製造方法。
After contacting the composition for forming a layer to be plated according to claim 1 or 2 on a substrate, energy is applied to the composition for forming a layer to be plated on the substrate, and A plated layer forming step for forming a plated layer;
A catalyst application step of applying a plating catalyst or a precursor thereof to the layer to be plated;
A method for producing a laminate having a metal film comprising: a plating process for performing a plating process on the layer to be plated to which the plating catalyst or its precursor is applied, and forming a metal film on the layer to be plated.
請求項3に記載の製造方法より得られる金属膜を有する積層体を含む配線基板。   The wiring board containing the laminated body which has a metal film obtained from the manufacturing method of Claim 3.
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