JP2012178821A - 高周波用3ステージ窒化ガリウム系高電子移動度トランジスタ(GaNHEMT)ドハティ電力増幅器 - Google Patents
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Abstract
【課題】窒化ガリウム系高電子移動度トランジスタ(GaN HEMT)電力素子を用いて広い範囲で高い効率を持つようにした高周波用3ステージ(Three−Stage)GaN HEMTドハティ電力増幅器を提供する。
【解決手段】そのための本発明は、キャリア増幅器及び第1及び第2のピーク増幅器を含む高周波用3ステージ窒化ガリウム系高電子移動度トランジスタドハティ電力増幅器において、前記キャリア増幅器と第1及び第2のピーク増幅器に入力信号を分配するための10dB電力分配器;前記キャリア増幅器の入力電力を調整するための第1の経路部;及び広い出力電力範囲で高い効率を維持させるための第2の経路部を含むことを特徴とする。
【選択図】図3
【解決手段】そのための本発明は、キャリア増幅器及び第1及び第2のピーク増幅器を含む高周波用3ステージ窒化ガリウム系高電子移動度トランジスタドハティ電力増幅器において、前記キャリア増幅器と第1及び第2のピーク増幅器に入力信号を分配するための10dB電力分配器;前記キャリア増幅器の入力電力を調整するための第1の経路部;及び広い出力電力範囲で高い効率を維持させるための第2の経路部を含むことを特徴とする。
【選択図】図3
Description
本発明は3GHz以上で動作するドハティ電力増幅器に関し、より詳細には窒化ガリウム系高電子移動度トランジスタ電力素子を用いて広い範囲で高い効率を持つようにした高周波用3ステージ(Three−Stage)GaN HEMTドハティ電力増幅器に関する。
当業者に周知のように、基地局や中継器で使用される電力増幅器の効率は全システムの効率を左右するため、電力増幅器の効率を高めることが重要である。電力増幅器の効率を高める方法のうち、ドハティ電力増幅器は他の効率を増加させる方法とは違って、飽和出力電力から6dBのバックオフパワー(back−off power:BOP)をとった地点で高い効率を持つようになる。
最近、多く使用されるWCMDA又はWiMAX信号の場合は、大きいピーク対平均電力比(peak−to−average power ratio:PAPR)を持つため、線形性を確保するために信号のPAPR分バックオフパワーをとった出力で使用することになる。したがって、ドハティ電力増幅器は広い出力範囲で高い効率を持つので、将来、基地局や中継器に多く適用され得る。特に最近は6dB以上のBOPで高い効率を有する多段(N−stage)ドハティ電力増幅器が研究されている。
ドハティ電力増幅器の設計において電力増幅器に使用される能動素子は一般に価格が安く安定した性能を示すSi LDMOSFETを主に用いる。しかし、3GHzで動作する電力増幅器を設計するにあたり、Si LDMOSFETは低い飽和速度(saturation velocity)のため使用することができない。しかし、GaN HEMT素子の場合には高い飽和速度によって3GHzでも高い効率を示す。
図1は、従来の技術による3ステージドハティ電力増幅器を示す回路図である。
図1に示すように、入力信号は3方向(three−way)電力分配器101を介してキャリア増幅器104、第1のピーク増幅器105、及び第2のピーク増幅器106の入力に分けられる。入力整合回路103と出力整合回路107は各電力増幅器の利得と効率を最適化させ入力の大きさに応じてλ/4伝送線路108、109によってキャリア増幅器のインピーダンスが増加するようになるので低い入力でも高い効率を出すことができる。λ/4伝送線路108、109によるキャリア増幅器104と第1のピーク増幅器105、第2のピーク増幅器106の間の位相差を補償するために、第1のピーク増幅器105と第2のピーク増幅器106の入力にそれぞれλ/4伝送線路102とλ/2伝送線路102を挿入する。3ステージドハティ電力増幅器は入力に3方向電力分配器を用いるため、キャリア増幅器の利得が低くなる短所がある。
図2は、図1に示した従来の技術による3ステージドハティ電力増幅器でのキャリア増幅器104、第1のピーク増幅器105及び第2のピーク増幅器106等のドレイン電流を示すグラフである。
図2を参照すると、キャリア増幅器104のドレイン電流は入力の大きさに比例して増加するが第2のピーク増幅器106が動作する時飽和して一定の電流を維持する。キャリア増幅器104と第1のピーク増幅器105、第2のピーク増幅器106で使用される素子容量によって第1のピーク増幅器105及び第2のピーク増幅器106の動作する時点が変わり、それぞれの第1のピーク増幅器105と第2のピーク増幅器106の動作する時点で3ステージドハティ電力増幅器は高い効率を有する。GaN HEMT素子をキャリア増幅器104として用いた場合、GaN HEMT素子が飽和した後高い入力電力を印加するとGaN HEMT素子のゲートに電流が流れて絶縁破壊(breakdown)現象が発生する問題点がある。
前述した従来の3ステージ電力増幅器は大きいBOPで高い効率を示す。しかし、3GHz以上の周波数で動作する電力増幅器はGaN HEMT電力素子を用いるべきではあるが、キャリア増幅器の出力電力が飽和した後入力信号の大きさが増加するとキャリア増幅器のゲートに数十mA以上の電流が流れるようになって、素子が大きな入力に耐えることができなくなるので3ステージドハティ電力増幅器の設計が不可能である。
したがって、本発明が解決しようとする課題は、GaN HEMT電力素子を用いて3GHz以上の高い周波数で動作が可能な3ステージドハティ電力増幅器を提供することにその目的がある。
上記目的を達成するために、本発明によるドハティ電力増幅器は、入力の大きさに応じてキャリア増幅器の入力を維持するために、キャリア増幅器の先端に入力の大きさに応じて利得が調整される駆動増幅器を連結することを特徴とする。
具体的には、本発明によるドハティ電力増力増幅器は、キャリア増幅器及び第1及び第2のピーク増幅器を含む高周波用3ステージ窒化ガリウム系高電子移動度トランジスタドハティ電力増幅器において、前記キャリア増幅器と第1及び第2のピーク増幅器に入力信号を分配するための10dB電力分配器;前記キャリア増幅器の入力電力を調整するための第1の経路部;及び40dBm乃至50dBmの広い出力範囲で40%以上の効率を維持させるための第2の経路部を含むことを特徴とする。
好ましくは、前記第1の経路部は前記入力信号の大きさに応じて前記キャリア増幅器を制御するための駆動増幅器;及び数百mVの大きさの電圧を増幅させるゲートバイアス調整器を含む。
好ましくは、前記第1の経路部は前記キャリア増幅器を含み、前記キャリア増幅器はGaN HEMTからなる。
好ましくは、前記第2の経路部は前記キャリア増幅器出力のλ/4伝送線路を補償するために遅延線路前のλ/4伝送線路と;前記第1のピーク増幅器と第2のピーク増幅器に同じ大きさと互いに90゜の位相差を持たせるためのハイブリッド3dB電力分配器を含む。
好ましくは、前記第2の経路部は前記第1及び第2のピーク増幅器を含み、前記第1及び第2のピーク増幅器はそれぞれGaN HEMTからなる。
本発明によるドハティ電力増幅器は、駆動増幅器の利得がゲート電圧によって変わるようになり、高い入力が印加されてもキャリア増幅器に印加される入力を一定にすることによりGaN HEMTで具現したキャリア増幅器のゲートに電流が流れることを防止することによって広い出力範囲で高い効率を維持できる。
以下、添付の図面を参照して本発明による高周波用3ステージ窒化ガリウム系高電子移動度トランジスタドハティ電力増幅器の好ましい実施例を詳しく説明する。本発明を説明するに当たって、関連する公知機能或いは構成に対する具体的な説明が本発明の要旨を不明確にする恐れがあると判断される場合、その詳細な説明を略する。そして、後述される用語は、本発明においての機能を考慮して定義された用語であってこれはユーザ、運用者の意図又は慣例などに応じて異なることがある。したがって、その定義は本明細書全般にわたる内容に基づいて定めなければならない。
図3は、本発明による3ステージドハティ電力増幅器の構造を示す回路の構成図であり、10dB電力分配器301、駆動増幅器302、ゲートバイアス調整器303、第1のλ/4伝送線路304、遅延線路305、ハイブリッド3dB電力分配器306、入力整合回路307、キャリア増幅器308、第1のピーク増幅器309、第2のピーク増幅器310、出力整合回路311、及び出力λ/4伝送線路312を含む。出力λ/4伝送線路312は第2のλ/4伝送線路312a、第3のλ/4伝送線路312b、及び第4のλ/4伝送線路312cに分けられる。
本発明によるドハティ電力増幅器において、駆動増幅器302とゲートバイアス調整器303は好ましくはキャリア増幅器308の入力電力を調整するための第1の経路部を形成する。そして、第1のλ/4伝送線路304と、遅延線路305、ハイブリッド3dB電力分配器306、第1のピーク増幅器309及び第2のピーク増幅器310は好ましくは40dBm乃至50dBmの広い出力範囲で40%以上の効率を維持させるための第2の経路部を形成する。
図3に示す本発明による高周波用3ステージGaN HEMTドハティ電力増幅器について具体的に説明すると次のとおりである。
入力信号は10dB電力分配器301を介して駆動増幅器302と第1のピーク増幅器309及び第2のピーク増幅器310の入力として用いられる。10dB電力分配器301によって第1のピーク増幅器309と第2のピーク増幅器310に印加される入力電力は損失がほとんどなく、駆動増幅器302に印加される入力電力はソース電力に比べて10dB減少される。10dB減少された入力電力は10dBの駆動増幅器302の利得によって10dBの入力損失を補償するようになり、従来の3方向電力分配器を使用した場合に比べて利得が高くなる。駆動増幅器302によって生じた遅延を合わせるためにハイブリッド3dB電力分配器306の入力に遅延線路305を挿入する。第1のピーク増幅器309と第2のピーク増幅器310の入力にハイブリッド3dB電力分配器306を挿入してそれぞれの増幅器に同じ大きさを有し90゜の位相差が生じる入力を印加する。キャリア増幅器308、第1のピーク増幅器309及び第2のピーク増幅器310の入力と出力にそれぞれ入力整合回路307と出力整合回路311を使用して利得と効率を最適化させ、それぞれの増幅器の出力整合回路311の出力は出力λ/4伝送線路312に連結され、第2のλ/4伝送線路312a、第3のλ/4伝送線路312b及び第4のλ/4伝送線路312cはキャリア増幅器308、第1のピーク増幅器309及び第2のピーク増幅器310で使用される素子容量によってインピーダンス値が変わる。第2のλ/4伝送線路312a、第3のλ/4伝送線路312b、及び第4のλ/4伝送線路312cは第1のピーク増幅器309及び第2のピーク増幅器310が動作しない時、それぞれキャリア増幅器308及び第1のピーク増幅器309の出力インピーダンスを増加させる役割を行い、増加されたインピーダンスによって高い効率を達成できる。第2のλ/4伝送線路312aによって第1のピーク増幅器309と第2のピーク増幅器310の間に生じた遅延を補償するために遅延線路305の前に第1のλ/4伝送線路304を挿入する。
30dBm以下の小さい入力信号では駆動増幅器302及びキャリア増幅器308がそれぞれclass−AB級増幅器であるので駆動増幅器302とキャリア増幅器308のみが動作し、第1のピーク増幅器309と第2のピーク増幅器310は動作しない。入力信号の大きさが増加するほど、第1のピーク増幅器309と第2のピーク増幅器310が順に動作するようになり、キャリア増幅器308のゲートバイアスに電流が発生するようになる。このようなゲートバイアスに流れる電流を除去するためにキャリア増幅器308の入力を一定にしなければならない。このために駆動増幅器302に印加される入力が32dBm以上の場合、入力が1dB増加すると駆動増幅器302の利得が1dB減少するようにして、入力が増加しても駆動増幅器302の出力を一定にしてキャリア増幅器308に印加される入力を一定にする。駆動増幅器302の入力が32dBm以下の場合には−3.3Vを一定に維持するが、32dBm以上の場合には入力の大きさが1dB増加する度に、ゲート電圧を−0.3V下げることによって、駆動増幅器302の利得が減少され、その影響によって入力が増加しても駆動増幅器302の出力、すなわちキャリア増幅器308の入力は一定になる。そして、入力信号の大きさに応じて駆動増幅器302のゲートバイアス電圧を自動的に調整するにあたって印加されるゲート電圧は数百mVで−3.3V以下のゲート電圧を供給するには小さいため、駆動増幅器302のゲートバイアスにゲートバイアス調整器303を挿入して所望の電圧が印加されることができるようにする。
本発明ではキャリア増幅器308、第1のピーク増幅器309及び第2のピーク増幅器310の出力容量がそれぞれ15W、35W、35Wであるので、インピーダンスZ1、Z2、及びZTはそれぞれ31.6Ω、33.3Ω、及び70.7Ωを有し、約9.5BOPと約4.3BOPで高い効率を持つようになる。
図4は、図3に示す本発明の一実施形態によるドハティ増幅器において、中心周波数が3.5GHzである正弦波が入力信号として使われた場合の入力電力による各増幅器のドレイン電流特性及び駆動増幅器302のゲート電圧を示す。29dBm以下の低い入力電力範囲では駆動増幅器302とキャリア増幅器308のみが動作するため、入力電力が増加するほどドレイン電流及び駆動増幅器302のドレイン電流は増加する。入力が次第に増加しながら入力電力が29dBmの時、第1のピーク増幅器309が動作してドレイン電流が発生し、第2のピーク増幅器310も順に動作するようになる。第2のピーク増幅器310が動作を開始する地点でキャリア増幅器308の出力は飽和してキャリア増幅器308のゲートに電流が流れ始める。キャリア増幅器308のゲートに電流が流れることを防止するために駆動増幅器302のゲートバイアス電圧を下げる。低い入力電力では駆動増幅器302のゲート電圧は−3.3Vと一定であるが、キャリア増幅器308のゲートに電流が流れ始める時、駆動増幅器302のゲート電圧を下げることによって、駆動増幅器302の出力を一定にする。したがって、キャリア増幅器308の入力電力は一定になってキャリア増幅器308のドレイン電流は約1Aを維持するようになる。
図5は、図3に示す本発明の一実施形態によるドハティ増幅器において、中心周波数が3.5GHzである正弦波が入力信号として使われた場合の出力電力による効率及び利得特性を示す。本発明による3ステージドハティ電力増幅器の飽和電力は49.3dBmであり、約40dBm及び約45dBmで高い効率を持つようになる。キャリア増幅器308、第1のピーク増幅器309及び第2のピーク増幅器310のみを考慮したドレイン効率は40dBmの出力電力で45.1%の効率と11.1dBの利得を示し、40dBmの出力電力で49.9%の効率と8.9dBの利得を示す。駆動増幅器302を含む全体のドレイン効率は40dBmと45dBmの出力電力で37.3%の効率と45.6%の効率をそれぞれ示す。
図6は、図3に示す本発明の一実施形態によるドハティ増幅器において、中心周波数が3.5GHzであって、8dBのPAPRを有するWiMAX信号が入力信号として使われた場合のWiMAX信号によるゲートバイアス調整器303の出力を示す。WiMAX信号の包絡線信号の大きさが増加する時、ゲートバイアス調整器303の大きさは減って駆動増幅器302の利得を下げ、WiMAX信号の包絡線信号の大きさが小さい場合、ゲートバイアス調整器303の大きさは−3.3Vを維持することがわかる。
図7は、図3に示す本発明の一実施形態によるドハティ増幅器において、中心周波数が3.5GHzであって、8dBのPAPRを有するWiMAX信号が入力信号として使われた場合の出力電力による効率及び利得特性を示すグラフを示す。飽和出力電力で約8dB BOP地点である41.4dBmの出力電力でキャリア増幅器308、第1のピーク増幅器309及び第2のピーク増幅器310のみを考慮したドレイン効率は48.6%、駆動増幅器302を含む全体のドレイン効率は39.5%を示し、全体の利得は8.4dBであることを示す。
301:10dB電力分配器、
302:駆動増幅器、
303:ゲートバイアス調整器、
304:第1のλ/4伝送線路
305:遅延線路、
306:ハイブリッド3dB電力分配器、
307:入力整合回路、
308:キャリア増幅器、
309:第1のピーク増幅器、
310:第2のピーク増幅器、
311:出力整合回路、
312:出力λ/4伝送線路。
302:駆動増幅器、
303:ゲートバイアス調整器、
304:第1のλ/4伝送線路
305:遅延線路、
306:ハイブリッド3dB電力分配器、
307:入力整合回路、
308:キャリア増幅器、
309:第1のピーク増幅器、
310:第2のピーク増幅器、
311:出力整合回路、
312:出力λ/4伝送線路。
Claims (11)
- キャリア増幅器及び第1及び第2のピーク増幅器を含む高周波用3ステージ(three−stage)窒化ガリウム系高電子移動度トランジスタ(GaN HEMT)ドハティ電力増幅器において、
前記キャリア増幅器と第1及び第2のピーク増幅器に入力信号を分配するための10dB電力分配器;
前記キャリア増幅器の入力電力を調整するための第1の経路部;及び
40dBm乃至50dBmの出力範囲で40%以上の効率を維持させるための第2の経路部を含むことを特徴とする高周波用3ステージGaN HEMTドハティ電力増幅器。 - 前記第1の経路部は、
前記入力信号の大きさに応じて前記キャリア増幅器を制御するための駆動増幅器を含むことを特徴とする請求項1に記載の高周波用3ステージGaN HEMTドハティ電力増幅器。 - 前記第1の経路部は、
数百mVの大きさの電圧を増幅させるゲートバイアス調整器を含むことを特徴とする請求項1に記載の高周波用3ステージGaN HEMTドハティ電力増幅器。 - 前記第1の経路部は前記キャリア増幅器を含み、前記キャリア増幅器はGaN HEMTからなることを特徴とする請求項1に記載の高周波用3ステージGaN HEMTドハティ電力増幅器。
- 前記第2の経路部は、
前記キャリア増幅器出力のλ/4伝送線路を補償するために遅延線路前のλ/4伝送線路を含むことを特徴とする請求項1に記載の高周波用3ステージGaN HEMTドハティ電力増幅器。 - 前記第2の経路部は、
前記第1のピーク増幅器と第2のピーク増幅器に同じ大きさと互いに90゜の位相差を持たせるためのハイブリッド3dB電力分配器を含むことを特徴とする請求項1に記載の高周波用3ステージGaN HEMTドハティ電力増幅器。 - 前記第2の経路部は前記第1のピーク増幅器を含み、前記第1のピーク増幅器はGaN HEMTからなることを特徴とする請求項1に記載の高周波用3ステージGaN HEMTドハティ電力増幅器。
- 前記第2の経路部は前記第2のピーク増幅器を含み、前記第2のピーク増幅器はGaN HEMTからなることを特徴とする請求項1に記載の高周波用3ステージGaN HEMTドハティ電力増幅器。
- 前記キャリア増幅器、第1のピーク増幅器及び第2のピーク増幅器の入力と出力にそれぞれ入力整合回路と出力整合回路が連結されることを特徴とする請求項1に記載の高周波用3ステージGaN HEMTドハティ電力増幅器。
- 前記出力整合回路に出力λ/4伝送線路が連結されることを特徴とする請求項9に記載の高周波用3ステージGaN HEMTドハティ電力増幅器。
- 前記出力λ/4伝送線路は前記キャリア増幅器、第1のピーク増幅器及び第2のピーク増幅器で使用される素子容量によってインピーダンス値が変わることを特徴とする請求項10に記載の高周波用3ステージGaN HEMTドハティ電力増幅器。
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