JP2012178460A - Method for manufacturing connection structure and coating device - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a connection structure in which position deviation between electrodes can be suppressed.SOLUTION: A method for manufacturing a connection structure 1 includes the steps of: forming an anisotropic conductive paste layer on a first connection target member 2 having an electrode 2b on an upper surface 2a by applying anisotropic conductive paste from a dispenser while moving the dispenser; removing at least a partial region in the anisotropic conductive paste layer using a removal device; laminating a second connection target member 4 having an electrode 4b on a lower surface 4a on the anisotropic conductive paste layer; and forming a hardened object layer 3 by heating and mainly hardening the anisotropic conductive paste layer. In the anisotropic conductive paste layer before removal by the removal device, a first region is removed by a removal device 14 or a second region with the more amount of application is removed by the removal device.

Description

本発明は、第1の接続対象部材上に異方性導電ペーストを塗布して、該異方性導電ペーストが硬化した硬化物層により上記第1の接続対象部材と第2の接続対象部材とを接続する接続構造体の製造方法に関する。また、本発明は、第1の接続対象部材上に異方性導電ペーストを塗布するために用いられる塗布装置に関する。   In the present invention, an anisotropic conductive paste is applied on a first connection target member, and the first connection target member and the second connection target member are formed by a cured product layer obtained by curing the anisotropic conductive paste. The present invention relates to a method for manufacturing a connection structure that connects the two. Moreover, this invention relates to the coating device used in order to apply | coat anisotropic conductive paste on the 1st connection object member.

ペースト状又はフィルム状の異方性導電材料が広く知られている。該異方性導電材料では、バインダー樹脂中に複数の導電性粒子が分散されている。   Pasty or film-like anisotropic conductive materials are widely known. In the anisotropic conductive material, a plurality of conductive particles are dispersed in a binder resin.

上記異方性導電ペーストは、各種の接続構造体を得るために、例えば、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続(FOG(Film on Glass))、半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続(COF(Chip on Film))、半導体チップとガラス基板との接続(COG(Chip on Glass))、並びにフレキシブルプリント基板とガラスエポキシ基板との接続(FOB(Film on Board)等に使用されている。   In order to obtain various connection structures, the anisotropic conductive paste is used, for example, for connection between a flexible printed circuit board and a glass substrate (FOG (Film on Glass)), connection between a semiconductor chip and a flexible printed circuit board (COF ( Chip on Film)), connection between a semiconductor chip and a glass substrate (COG (Chip on Glass)), connection between a flexible printed circuit board and a glass epoxy substrate (FOB (Film on Board)), and the like.

上記接続構造体の製造方法の一例として、下記の特許文献1には、配線基板上に最低溶融粘度が1.0×10Pa・s以下である導電性接着剤を載せて、該導電性接着剤上に、厚みが200μm以下である電気部品を載せる工程と、ゴム硬度が60以下であるエラストマーを用いた圧着部を有する熱圧着ヘッドによって上記電気部品を加熱し、該電気部品を上記配線基板上に熱圧着する工程とを備える接続構造体の製造方法が開示されている。上記導電性接着剤として、複数の導電性粒子を含む異方性導電ペースト等が用いられている。 As an example of the manufacturing method of the connection structure, in Patent Document 1 below, a conductive adhesive having a minimum melt viscosity of 1.0 × 10 3 Pa · s or less is placed on a wiring board, and the conductive The electrical component is heated by a thermocompression bonding head having a step of placing an electrical component having a thickness of 200 μm or less on an adhesive and a crimping portion using an elastomer having a rubber hardness of 60 or less. The manufacturing method of the connection structure provided with the process of thermocompression bonding on a board | substrate is disclosed. An anisotropic conductive paste containing a plurality of conductive particles or the like is used as the conductive adhesive.

また、下記の特許文献2には、相対する電極を有する被接続部材を、両者間に配置したペースト状接続材料の硬化物により接続する接続構造体の製造方法が開示されている。特許文献2では、ペースト状接続材料を下記式(I)で示されるYの1.1〜1.5倍量であって、接続領域の間隙に充満し、かつ接続領域の周辺部の硬化可能領域に実質的に均一に分布して、上記ペースト状接続材料を硬化させている。上記ペースト状接続材料として、複数の導電性粒子を含む異方性導電ペースト等が用いられている。   Patent Document 2 below discloses a method for manufacturing a connection structure in which connected members having opposing electrodes are connected by a cured product of a paste-like connection material disposed between them. In Patent Document 2, the paste-like connection material is 1.1 to 1.5 times the amount Y represented by the following formula (I), fills the gap in the connection region, and can cure the peripheral portion of the connection region. The paste-like connecting material is cured substantially uniformly in the region. An anisotropic conductive paste containing a plurality of conductive particles is used as the paste-like connecting material.

Y=(一方の被接続部材の電極の高さ+他方の被接続部材の電極の高さ)×接続領域の面積 ・・・式(I)   Y = (height of the electrode of one connected member + height of the electrode of the other connected member) × area of the connection region (formula (I)

特開2009−141269号公報JP 2009-141269 A 特開2001−135672号公報JP 2001-135672 A

特許文献1,2に記載のような従来の接続構造体の製造方法では、下方の接続対象部材上に配置された異方性導電ペースト上に、上方の接続対象部材を積層して仮圧着した後に、上方と下方との接続対象部材の位置ずれが生じることがある。上方と下方との接続対象部材の位置がずれていると、上方と下方との接続対象部材の対向する電極間の位置がずれ、電極間の導通信頼性が低くなるという問題がある。また、従来の接続構造体の製造方法では、下方の接続対象部材上に配置された異方性導電ペースト上に、圧着ヘッドを用いて上方の接続対象部材を積層圧着する際に、圧着ヘッドに異方性導電ペーストが付着したり、上方の接続対象部材の側面又は上面に異方性導電ペーストが付着したりすることがある。圧着ヘッドが汚れると、続いて製造される接続構造体が汚染される。   In the manufacturing method of the conventional connection structure as described in Patent Documents 1 and 2, the upper connection target member is laminated and temporarily pressure-bonded on the anisotropic conductive paste disposed on the lower connection target member. Later, the positional displacement of the connection target member between the upper side and the lower side may occur. If the upper and lower connection target members are misaligned, there is a problem that the position between the electrodes facing the upper and lower connection target members is deviated, resulting in low conduction reliability between the electrodes. Further, in the conventional connection structure manufacturing method, when the upper connection target member is laminated and pressure-bonded onto the anisotropic conductive paste disposed on the lower connection target member using the pressure-bonding head, An anisotropic conductive paste may adhere, or an anisotropic conductive paste may adhere to the side surface or upper surface of the upper connection target member. If the crimping head becomes dirty, the subsequently produced connection structure is contaminated.

また、特許文献1,2に記載のような従来の接続構造体の製造方法では、電極間に導電性粒子を精度よく配置できないことがある。このため、得られる接続構造体において、電極間の導通信頼性が低くなるという問題がある。   Moreover, in the conventional manufacturing method of the connection structure as described in Patent Documents 1 and 2, the conductive particles may not be accurately arranged between the electrodes. For this reason, in the connection structure obtained, there exists a problem that the conduction | electrical_connection reliability between electrodes becomes low.

本発明の目的は、第1,第2の接続対象部材の電極間の位置ずれを抑制でき、導通信頼性に優れた接続構造体を得ることができる接続構造体の製造方法を提供することである。   An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a connection structure that can suppress a positional shift between the electrodes of the first and second connection target members and that can obtain a connection structure excellent in conduction reliability. is there.

また、本発明の限定的な目的は、異方性導電ペーストによる汚染を抑制できる接続構造体の製造方法を提供することである。   Moreover, the limited objective of this invention is to provide the manufacturing method of the connection structure which can suppress the contamination by anisotropic conductive paste.

本発明の広い局面によれば、電極を上面に有する第1の接続対象部材上に、ディスペンサーを移動させながら、熱硬化性成分と導電性粒子とを含む異方性導電ペーストを上記ディスペンサーから塗布して、異方性導電ペースト層を形成する工程と、上記異方性導電ペースト層の少なくとも一部の領域を、除去装置により除去する工程と、上記異方性導電ペースト層上に、電極を下面に有する第2の接続対象部材を積層する工程と、上記異方性導電ペースト層を加熱して本硬化させて、硬化物層を形成する工程とを備え、上記除去装置により除去する前の上記異方性導電ペースト層が、第1の領域と、該第1の領域よりも塗布量が多い第2の領域とを有し、上記第1の領域を上記除去装置により除去するか、又は上記塗布量が多い第2の領域を上記除去装置により除去する、接続構造体の製造方法が提供される。   According to a wide aspect of the present invention, an anisotropic conductive paste containing a thermosetting component and conductive particles is applied from the dispenser while moving the dispenser onto a first connection target member having an electrode on the upper surface. A step of forming the anisotropic conductive paste layer, a step of removing at least a part of the anisotropic conductive paste layer by a removing device, and an electrode on the anisotropic conductive paste layer. A step of laminating the second connection target member on the lower surface, and a step of heating and anisotropically curing the anisotropic conductive paste layer to form a cured product layer, before being removed by the removing device The anisotropic conductive paste layer has a first region and a second region having a larger coating amount than the first region, and the first region is removed by the removing device, or The second area where the coating amount is large Is removed by serial remover, method for producing a connection structure is provided.

本発明に係る接続構造体の製造方法のある特定の局面では、上記塗布量が多い第2の領域が、上記除去装置により除去される。   On the specific situation with the manufacturing method of the connection structure which concerns on this invention, the 2nd area | region with much said coating amount is removed by the said removal apparatus.

本発明に係る接続構造体の製造方法の他の特定の局面では、上記異方性導電ペースト層の塗布終了部分の領域が、上記除去装置により除去される。   In another specific aspect of the method for manufacturing a connection structure according to the present invention, the region where the anisotropic conductive paste layer is applied is removed by the removing device.

本発明に係る接続構造体の製造方法のさらに他の特定の局面では、上記第2の領域が、上記異方性導電ペースト層の塗布終了部分の領域である。   In still another specific aspect of the method for manufacturing a connection structure according to the present invention, the second region is a region of an application end portion of the anisotropic conductive paste layer.

本発明に係る接続構造体の製造方法の別の特定の局面では、上記除去装置として、上記異方性導電ペースト層の少なくとも一部の領域を吸引して除去する吸引除去装置が用いられる。   In another specific aspect of the manufacturing method of the connection structure according to the present invention, a suction removal device that sucks and removes at least a part of the anisotropic conductive paste layer is used as the removal device.

本発明に係る接続構造体の製造方法では、上記ディスペンサーと上記除去装置とが接続されている塗布装置を用いることが好ましい。また、上記ディスペンサーと上記除去装置とを連動して移動させることが好ましい。   In the manufacturing method of the connection structure according to the present invention, it is preferable to use a coating apparatus in which the dispenser and the removing device are connected. Moreover, it is preferable to move the dispenser and the removing device in conjunction with each other.

本発明に係る接続構造体の製造方法の他の特定の局面では、塗布方向と直交する方向における上記異方性導電ペースト層の中央部に対して、塗布方向と直交する方向における上記異方性導電ペースト層の上記中央部の外側の縁部が盛り上がった形状になるように、上記異方性導電ペーストが塗布される。   In another specific aspect of the method for manufacturing a connection structure according to the present invention, the anisotropy in the direction orthogonal to the application direction is a central portion of the anisotropic conductive paste layer in the direction orthogonal to the application direction. The anisotropic conductive paste is applied so that the outer edge of the central portion of the conductive paste layer has a raised shape.

本発明に係る接続構造体の製造方法の他の特定の局面では、上記異方性導電ペーストとして、熱硬化性成分を含む異方性導電ペーストを用いるか、又は熱硬化性成分と光硬化性成分とを含む異方性導電ペーストを用いて、上記異方性導電ペースト層に熱を付与又は光を照射することにより硬化を進行させて、Bステージ化された異方性導電ペースト層を形成する工程がさらに備えられ、上記Bステージ化された異方性導電ペースト層の上面に、上記第2の接続対象部材を積層し、上記Bステージ化された異方性導電ペースト層を加熱して本硬化させて、硬化物層を形成する。   In another specific aspect of the method for producing a connection structure according to the present invention, an anisotropic conductive paste containing a thermosetting component is used as the anisotropic conductive paste, or a thermosetting component and a photocuring property are used. Using the anisotropic conductive paste containing the component, the anisotropic conductive paste layer is heated or irradiated with light to cure and form a B-staged anisotropic conductive paste layer A step of laminating the second connection target member on the upper surface of the B-staged anisotropic conductive paste layer, and heating the B-staged anisotropic conductive paste layer. This is cured to form a cured product layer.

本発明に係る接続構造体の製造方法のさらに他の特定の局面では、上記異方性導電ペーストとして、熱硬化性成分と光硬化性成分とを含む異方性導電ペーストを用いて、上記異方性導電ペースト層に光を照射することにより硬化を進行させて、Bステージ化された異方性導電ペースト層を形成し、上記Bステージ化された異方性導電ペースト層を加熱して本硬化させて、硬化物層を形成する。   In still another specific aspect of the method for manufacturing a connection structure according to the present invention, the anisotropic conductive paste containing a thermosetting component and a photocurable component is used as the anisotropic conductive paste. Curing is advanced by irradiating light to the anisotropic conductive paste layer to form a B-staged anisotropic conductive paste layer, and the B-staged anisotropic conductive paste layer is heated to form Curing is performed to form a cured product layer.

また、本発明の広い局面によれば、第1の接続対象部材上に、熱硬化性成分と導電性粒子とを含む異方性導電ペーストを塗布するために用いられる塗布装置であって、上記第1の接続対象部材上に、上記異方性導電ペーストを塗布するためのディスペンサーと、上記第1の接続対象部材上に塗布された異方性導電ペーストの少なくとも一部の領域を除去するための除去装置とを備える、塗布装置が提供される。   Further, according to a wide aspect of the present invention, there is provided a coating apparatus used for coating an anisotropic conductive paste containing a thermosetting component and conductive particles on a first connection target member, Dispenser for applying the anisotropic conductive paste on the first connection target member and at least a part of the region of the anisotropic conductive paste applied on the first connection target member And a removing device.

本発明に係る塗布装置では、上記ディスペンサーと上記除去装置とが接続されていることが好ましい。上記ディスペンサーと上記除去装置とが連動して移動するように構成されていることが好ましい。   In the coating device according to the present invention, it is preferable that the dispenser and the removing device are connected. It is preferable that the dispenser and the removing device are configured to move in conjunction with each other.

本発明に係る塗布装置のある特定の局面では、第1の接続対象部材上に、熱硬化性成分と光硬化性成分と導電性粒子とを含む異方性導電ペーストを塗布し、該異方性導電ペーストに光を照射するために用いられる塗布装置であって、光照射装置がさらに備えられる。   In a specific aspect of the coating apparatus according to the present invention, an anisotropic conductive paste including a thermosetting component, a photocurable component, and conductive particles is applied onto the first connection target member, and the anisotropic A coating apparatus used for irradiating the conductive conductive paste with light, further comprising a light irradiation apparatus.

本発明に係る接続構造体の製造方法では、電極を上面に有する第1の接続対象部材上に、ディスペンサーを移動させながら、異方性導電ペーストをディスペンサーから塗布して、異方性導電ペースト層を形成した後、該異方性導電ペースト層の少なくとも一部の領域を、除去装置により除去して、次に該異方性導電ペースト層上に、電極を下面に有する第2の接続対象部材を積層し、上記異方性導電ペースト層を加熱して本硬化させるので、更に上記除去装置により除去する前の上記異方性導電ペースト層が、第1の領域と、該第1の領域よりも塗布量が多い第2の領域とを有し、上記第1の領域を上記除去装置により除去するか、又は上記塗布量が多い第2の領域を上記除去装置により除去するので、第1,第2の接続対象部材の電極間の位置ずれを抑制でき、電極間の導通信頼性を高めることができる。   In the manufacturing method of the connection structure according to the present invention, the anisotropic conductive paste layer is applied from the dispenser while moving the dispenser onto the first connection target member having the electrode on the upper surface. After forming, the second connection target member having at least a part of the anisotropic conductive paste layer removed by a removing device and then having an electrode on the lower surface on the anisotropic conductive paste layer The anisotropic conductive paste layer is further cured by heating the anisotropic conductive paste layer, so that the anisotropic conductive paste layer before being removed by the removing device further comprises the first region and the first region. Since the first region is removed by the removing device, or the second region having a large coating amount is removed by the removing device, the first region Between the electrodes of the second connection target member It can be suppressed location shift, it is possible to increase the conduction reliability between electrodes.

図1は、本発明の一実施形態に係る接続構造体の製造方法により得られた接続構造体を模式的に示す部分切欠正面断面図である。FIG. 1 is a partially cutaway front sectional view schematically showing a connection structure obtained by a method for manufacturing a connection structure according to an embodiment of the present invention. 図2は、本発明の一実施形態に係る接続構造体の製造方法により得られた接続構造体を模式的に示す平面図である。FIG. 2 is a plan view schematically showing a connection structure obtained by the method for manufacturing a connection structure according to one embodiment of the present invention. 図3(a)〜(c)は、本発明の一実施形態に係る接続構造体の製造方法の各工程を説明するための部分切欠正面断面図である。3A to 3C are partially cutaway front cross-sectional views for explaining each step of the method for manufacturing a connection structure according to one embodiment of the present invention. 図4は、本発明の一実施形態に係る接続構造体の製造方法を説明するための部分切欠正面断面図である。FIG. 4 is a partially cutaway front cross-sectional view for explaining a method for manufacturing a connection structure according to an embodiment of the present invention. 図5(a)及び(b)は、本発明の一実施形態に係る接続構造体の製造方法において、塗布装置を用いて、Bステージ化する前の異方性導電ペースト層及びBステージ化した後の異方性導電ペースト層を形成する方法を説明するための模式図である。5 (a) and 5 (b) show an anisotropic conductive paste layer and B-stage before the B-stage using the coating apparatus in the method for manufacturing a connection structure according to an embodiment of the present invention. It is a schematic diagram for demonstrating the method of forming the subsequent anisotropic conductive paste layer. 図6(a)及び(b)は、本発明の一実施形態に係る接続構造体の製造方法において、塗布装置を用いて、Bステージ化する前の異方性導電ペースト層及びBステージ化した後の異方性導電ペースト層を形成する方法を説明するための模式図である。6 (a) and 6 (b) show an anisotropic conductive paste layer and a B-stage before the B-stage using the coating apparatus in the manufacturing method of the connection structure according to an embodiment of the present invention. It is a schematic diagram for demonstrating the method of forming the subsequent anisotropic conductive paste layer. 図7(a)及び(b)は、Bステージ化する前の異方性導電ペースト層及びBステージ化した後の異方性導電ペースト層を形成する方法の他の例を説明するための模式図である。FIGS. 7A and 7B are schematic diagrams for explaining another example of the method of forming the anisotropic conductive paste layer before B-stage and the anisotropic conductive paste layer after B-stage. FIG. 図8(a)及び(b)は、塗布装置を用いて、異方性導電ペースト層をBステージ化する方法の他の例を説明するための模式図である。FIGS. 8A and 8B are schematic views for explaining another example of a method for forming an anisotropic conductive paste layer into a B-stage using a coating apparatus. 図9は、異方性導電ペースト層の塗布形状の変形例を示す模式図である。FIG. 9 is a schematic diagram showing a modification of the application shape of the anisotropic conductive paste layer.

以下、図面を参照しつつ本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。   Hereinafter, the present invention will be clarified by describing specific embodiments of the present invention with reference to the drawings.

図1に、本発明の一実施形態に係る接続構造体の製造方法により得られた接続構造体を模式的に正面断面図で示す。図2に、図1に示す接続構造体を平面図で示す。図1では、図2に示す接続構造体におけるI−I線に沿う断面図が示されている。   In FIG. 1, the connection structure obtained by the manufacturing method of the connection structure which concerns on one Embodiment of this invention is typically shown with front sectional drawing. FIG. 2 is a plan view showing the connection structure shown in FIG. FIG. 1 shows a cross-sectional view taken along line II in the connection structure shown in FIG.

図1,2に示す接続構造体1は、第1の接続対象部材2と、第2の接続対象部材4と、第1,第2の接続対象部材2,4を接続している硬化物層3とを備える。硬化物層3は、第1,第2の接続対象部材2,4を接続している接続部である。硬化物層3は、熱硬化性成分と導電性粒子5とを含む異方性導電ペーストを硬化させることにより形成されている。上記異方性導電ペーストは、複数の導電性粒子5を含む。   The connection structure 1 shown in FIGS. 1 and 2 includes a cured product layer connecting the first connection target member 2, the second connection target member 4, and the first and second connection target members 2 and 4. 3. The cured product layer 3 is a connection part that connects the first and second connection target members 2 and 4. The cured product layer 3 is formed by curing an anisotropic conductive paste containing a thermosetting component and conductive particles 5. The anisotropic conductive paste includes a plurality of conductive particles 5.

第1の接続対象部材2は上面2aに、複数の第1の電極2bを有する。第2の接続対象部材4は下面4aに、複数の第2の電極4bを有する。第1の電極2bと第2の電極4bとが、1つ又は複数の導電性粒子5により電気的に接続されている。   The first connection target member 2 has a plurality of first electrodes 2b on the upper surface 2a. The second connection target member 4 has a plurality of second electrodes 4b on the lower surface 4a. The first electrode 2 b and the second electrode 4 b are electrically connected by one or a plurality of conductive particles 5.

図1,2に示す接続構造体1は、以下のようにして得ることができる。ここでは、上記異方性導電ペーストとして、熱硬化性成分と導電性粒子5とに加えて、光硬化性成分をさらに含む異方性導電ペーストを用いた場合の接続構造体1の製造方法を具体的に説明する。   The connection structure 1 shown in FIGS. 1 and 2 can be obtained as follows. Here, as the anisotropic conductive paste, in addition to the thermosetting component and the conductive particles 5, a manufacturing method of the connection structure 1 when an anisotropic conductive paste further including a photocurable component is used. This will be specifically described.

図3(a)に示すように、第1の電極2bを上面2aに有する第1の接続対象部材2を用意する。次に、第1の接続対象部材2の上面2aに、熱硬化性成分と光硬化性成分と導電性粒子5とを含む異方性導電ペーストを塗布して、第1の接続対象部材2の上面2aに異方性導電ペースト層3Aを形成する。ここでは、第1の接続対象部材2の上面2aに、上記異方性導電ペーストを直線状に塗布している。このとき、電極2b上に、1つ又は複数の導電性粒子5が配置されていることが好ましい。   As shown in FIG. 3A, the first connection target member 2 having the first electrode 2b on the upper surface 2a is prepared. Next, an anisotropic conductive paste including a thermosetting component, a photocurable component, and conductive particles 5 is applied to the upper surface 2 a of the first connection target member 2, and the first connection target member 2 An anisotropic conductive paste layer 3A is formed on the upper surface 2a. Here, the anisotropic conductive paste is linearly applied to the upper surface 2a of the first connection target member 2. At this time, it is preferable that one or a plurality of conductive particles 5 be disposed on the electrode 2b.

図4及び図5(a)に、異方性導電ペーストを塗布する際の状態を正面断面図及び側面図で示す。異方性導電ペースト層3Aを形成するために、図5(a)に示す塗布装置11が好適に用いられる。図4では、ディスペンサー12の移動方向、並びに異方性導電ペーストの塗布方向は、奥側から手前側に向かう方向である。図5(a)では、ディスペンサー12の移動方向、並びに異方性導電ペーストの塗布方向は、右側から左側に向かう方向である。   FIG. 4 and FIG. 5A show a state when applying the anisotropic conductive paste in a front sectional view and a side view. In order to form the anisotropic conductive paste layer 3A, a coating apparatus 11 shown in FIG. 5A is preferably used. In FIG. 4, the movement direction of the dispenser 12 and the application direction of the anisotropic conductive paste are directions from the back side toward the front side. In FIG. 5A, the moving direction of the dispenser 12 and the application direction of the anisotropic conductive paste are directions from the right side to the left side.

塗布装置11は、第1の接続対象部材2上に、熱硬化性成分と導電性粒子5とを含む異方性導電ペーストを塗布するために用いられる。塗布装置11は、ディスペンサー12と、該ディスペンサー12に接続されている光照射装置13と、該ディスペンサー12に接続されている除去装置14とを備える。ディスペンサー12は、異方性導電ペーストを内部に充填するためのシリンジ12aと、該シリンジ12aの外周面を把持している把持部12bとを備える。光照射装置13は、光照射装置本体13aと、光照射部13bとを備える。   The coating device 11 is used to apply an anisotropic conductive paste including a thermosetting component and conductive particles 5 on the first connection target member 2. The coating device 11 includes a dispenser 12, a light irradiation device 13 connected to the dispenser 12, and a removing device 14 connected to the dispenser 12. The dispenser 12 includes a syringe 12a for filling the inside with an anisotropic conductive paste, and a grip portion 12b that grips the outer peripheral surface of the syringe 12a. The light irradiation device 13 includes a light irradiation device main body 13a and a light irradiation unit 13b.

ディスペンサー11は、第1の接続対象部材2上に、上記異方性導電ペーストを塗布するためのディスペンサーである。光照射装置13は、第1の接続対象部材2上に、上記異方性導電ペーストを塗布して、該異方性導電ペーストに光を照射するための光照射装置である。除去装置14は、第1の接続対象部材2上に塗布された異方性導電ペーストの少なくとも一部の領域を除去するための除去装置である。   The dispenser 11 is a dispenser for applying the anisotropic conductive paste onto the first connection target member 2. The light irradiation device 13 is a light irradiation device for applying the anisotropic conductive paste on the first connection target member 2 and irradiating the anisotropic conductive paste with light. The removing device 14 is a removing device for removing at least a part of the anisotropic conductive paste applied on the first connection target member 2.

図4及び図5(a)に示すように、異方性導電ペーストを塗布する際には、塗布装置11を矢印Aの方向に移動させながら、第1の接続対象部材2の上面2aに、ディスペンサー12のシリンジ12aから異方性導電ペーストを塗布し、異方性導電ペースト層3Aを形成する。   As shown in FIGS. 4 and 5 (a), when applying the anisotropic conductive paste, the upper surface 2a of the first connection target member 2 is moved while moving the coating device 11 in the direction of the arrow A. An anisotropic conductive paste is applied from the syringe 12a of the dispenser 12 to form the anisotropic conductive paste layer 3A.

異方性導電ペースト層3Aを形成する際には、異方性導電ペースト層3Aの最大厚み(μm)をT1としたときに、第1の接続対象部材2の上面2aとディスペンサー12の先端12cとの距離(μm)をT1未満にして、上記異方性導電ペーストをディスペンサー12から塗布することが好ましい。すなわち、第1の接続対象部材2の上面2aとディスペンサー12の先端12cとの距離(μm)を、異方性導電ペースト層3Aの最大厚みT1(μm)未満にすることが好ましい。異方性導電ペーストは、ディスペンサー12の先端12cから吐出される。上記距離(μm)を最大厚みT1(μm)未満にすることによって、例えば、上記異方性導電ペーストを押し込むようにして塗布できる。このようにして、第1の接続対象部材2の上面2aに上記異方性導電ペーストをディスペンサー12から塗布することによって、第1,第2の接続対象部材2,4の第1,第2の電極2b,4b間の位置ずれを効果的に抑制できる。ここで、異方性導電ペースト層3Aの最大厚みT1(μm)には、除去装置により除去される部分の厚みは含まれないこととする。   When the anisotropic conductive paste layer 3A is formed, the upper surface 2a of the first connection target member 2 and the tip 12c of the dispenser 12 are set when the maximum thickness (μm) of the anisotropic conductive paste layer 3A is T1. It is preferable to apply the anisotropic conductive paste from the dispenser 12 so that the distance (μm) to the distance is less than T1. That is, the distance (μm) between the upper surface 2a of the first connection target member 2 and the tip 12c of the dispenser 12 is preferably less than the maximum thickness T1 (μm) of the anisotropic conductive paste layer 3A. The anisotropic conductive paste is discharged from the tip 12c of the dispenser 12. By making the distance (μm) less than the maximum thickness T1 (μm), for example, the anisotropic conductive paste can be applied by being pushed in. In this way, by applying the anisotropic conductive paste to the upper surface 2a of the first connection target member 2 from the dispenser 12, the first and second connection target members 2 and 4 are connected to the first and second connection target members 2 and 4, respectively. The positional deviation between the electrodes 2b and 4b can be effectively suppressed. Here, the maximum thickness T1 (μm) of the anisotropic conductive paste layer 3A does not include the thickness of the portion removed by the removing device.

第1,第2の接続対象部材2,4の第1,第2の電極2b,4b間の位置ずれをより一層抑制する観点からは、第1の接続対象部材2の上面2aとディスペンサー12の先端12cとの距離(μm)は、より好ましくは0.99T1以下、更に好ましくは0.95T1以下、好ましくは0.6T1以上、より好ましくは0.7T1以上、更に好ましくは0.8T1以上である。また、第1の接続対象部材2の上面2aとディスペンサー12の先端12cとの距離(μm)は、1T以上であってもよい。第1の接続対象部材2の上面2aとディスペンサー12の先端12cとの距離(μm)の最大値は、10T程度である。   From the viewpoint of further suppressing the displacement between the first and second electrodes 2b and 4b of the first and second connection target members 2 and 4, the upper surface 2a of the first connection target member 2 and the dispenser 12 The distance (μm) from the tip 12c is more preferably 0.99T1 or less, further preferably 0.95T1 or less, preferably 0.6T1 or more, more preferably 0.7T1 or more, and further preferably 0.8T1 or more. . Further, the distance (μm) between the upper surface 2a of the first connection target member 2 and the tip 12c of the dispenser 12 may be 1T or more. The maximum value (μm) of the distance (μm) between the upper surface 2a of the first connection target member 2 and the tip 12c of the dispenser 12 is about 10T.

また、異方性導電ペースト層3Aを形成する際には、図4に示すように、塗布方向(図2に示すS方向)と直交する方向における異方性導電ペースト層3Aの中央部3xに対して、塗布方向と直交する方向における異方性導電ペースト層3Aの中央部3xの外側の縁部3yが盛り上がった形状Fになるように、上記異方性導電ペーストを塗布することが好ましい。第1の接続対象部材2上に塗布された塗布直後の異方性導電ペースト層3Aは、塗布方向(図2に示すS方向)と直交する方向における異方性導電ペースト層3Aの中央部3xに対して、塗布方向と直交する方向における異方性導電ペースト層3Aの中央部3xの外側の縁部3yが盛り上がった形状Fを有することが好ましい。この場合には、第1,第2の接続対象部材2,4の第1,第2の電極2b,4b間の位置ずれをより一層抑制できる。   Further, when forming the anisotropic conductive paste layer 3A, as shown in FIG. 4, in the central portion 3x of the anisotropic conductive paste layer 3A in the direction orthogonal to the application direction (S direction shown in FIG. 2). On the other hand, it is preferable to apply the anisotropic conductive paste so that the outer edge 3y of the central portion 3x of the anisotropic conductive paste layer 3A in the direction orthogonal to the application direction has a raised shape F. The anisotropic conductive paste layer 3A immediately after application applied on the first connection target member 2 has a central portion 3x of the anisotropic conductive paste layer 3A in a direction orthogonal to the application direction (the S direction shown in FIG. 2). On the other hand, it is preferable that the outer edge 3y of the central portion 3x of the anisotropic conductive paste layer 3A in the direction orthogonal to the coating direction has a raised shape F. In this case, the displacement between the first and second electrodes 2b and 4b of the first and second connection target members 2 and 4 can be further suppressed.

異方性導電ペースト層3Aの最大厚み(μm)をT1としたときに、第1の接続対象部材2の上面2aとディスペンサー12の先端12cとの距離(μm)をT1未満にして、上記異方性導電ペーストをディスペンサー12から塗布することにより、異方性導電ペースト層3Aが上記形状Fを有するようにすることが容易である。なお、異方性導電ペースト層3Aの中央部3xの上面3aは塗布方向と直交する方向に、縁部3yの上面3aに対して凹状である。異方性導電ペースト層3Aの縁部3yの上面3aは塗布方向と直交する方向に。中央部3xに対して凸状である。なお、後述する除去装置14による除去工程においては、厚みが厚い縁部3yは除去していない。但し、厚みが厚い縁部3yを除去してもよい。縁部3yはやや厚みが厚いものの、後述するペースト溜まり部又は塗布終了部分の領域のほうが塗布量が多くなりやすく、ペースト溜まり部又は塗布終了部分の領域の厚みのほうがかなり厚くなりやすい。   When the maximum thickness (μm) of the anisotropic conductive paste layer 3A is T1, the distance (μm) between the upper surface 2a of the first connection target member 2 and the tip 12c of the dispenser 12 is less than T1, By applying the anisotropic conductive paste from the dispenser 12, it is easy to make the anisotropic conductive paste layer 3A have the shape F. The upper surface 3a of the central portion 3x of the anisotropic conductive paste layer 3A is concave with respect to the upper surface 3a of the edge portion 3y in a direction orthogonal to the application direction. The upper surface 3a of the edge 3y of the anisotropic conductive paste layer 3A is in a direction orthogonal to the application direction. Convex with respect to the central portion 3x. Note that the thick edge portion 3y is not removed in the removing step by the removing device 14 described later. However, the thick edge 3y may be removed. Although the edge portion 3y is slightly thicker, the amount of application tends to increase in the paste reservoir portion or the application end portion region described later, and the thickness of the paste reservoir portion or application end portion region tends to be considerably thicker.

異方性導電ペースト層3Aの平均厚み(μm)をTとしたときに、異方性導電ペースト層3Aの最大厚みT1(μm)が1Tを超え、2T以下になるように、かつ異方性導電ペースト層3Aの最小厚みT2(μm)が0.8T以上、1T未満になるように、上記異方性導電ペーストをディスペンサー12から塗布することが好ましい。このような好ましい最大厚みT1及び最小厚みT2を満足することによって、第1,第2の接続対象部材2,4の第1,第2の電極2b,4b間の位置ずれをより一層抑制できる。   When the average thickness (μm) of the anisotropic conductive paste layer 3A is T, the anisotropic conductive paste layer 3A has a maximum thickness T1 (μm) of more than 1T and 2T or less and anisotropic The anisotropic conductive paste is preferably applied from the dispenser 12 so that the minimum thickness T2 (μm) of the conductive paste layer 3A is 0.8T or more and less than 1T. By satisfying such preferable maximum thickness T1 and minimum thickness T2, the displacement between the first and second electrodes 2b and 4b of the first and second connection target members 2 and 4 can be further suppressed.

異方性導電ペースト層3Aの上面3aの最大厚みT1(μm)と最小厚みT2(μm)との厚み差は、好ましくは40μm以下、より好ましくは25μm以下、更に好ましくは18μm以下である。このような好ましい厚み差に制御することによって、第1,第2の接続対象部材2,4の第1,第2の電極2b,4b間の位置ずれをより一層抑制できる。
ここで、異方性導電ペースト層3Aの平均厚みT(μm)、最大厚みT1(μm)及び最小厚みT2(μm)には、除去装置により除去される部分の厚みは含まれないこととする。
The thickness difference between the maximum thickness T1 (μm) and the minimum thickness T2 (μm) of the upper surface 3a of the anisotropic conductive paste layer 3A is preferably 40 μm or less, more preferably 25 μm or less, and still more preferably 18 μm or less. By controlling to such a preferable thickness difference, the displacement between the first and second electrodes 2b and 4b of the first and second connection target members 2 and 4 can be further suppressed.
Here, the average thickness T (μm), the maximum thickness T1 (μm), and the minimum thickness T2 (μm) of the anisotropic conductive paste layer 3A do not include the thickness of the portion removed by the removing device. .

図9に、図4に示す異方性導電ペースト層3Aの塗布形状の変形例を模式図に示す。   FIG. 9 is a schematic diagram showing a modification of the application shape of the anisotropic conductive paste layer 3A shown in FIG.

図9に示す塗布直後(Bステージ化前)の異方性導電ペースト層51Aを形成する際には、例えば、図4の異方性導電ペースト層3Aを形成する場合と比較して、上記異方性導電ペーストをより一層押し込むようにして塗布する。この結果、中央部51xに対して、縁部51yがより一層盛り上がる。なお、異方性導電ペースト層51Aの中央部51xの上面51aは塗布方向と直交する方向に平坦であり、直線状である。縁部51yの上面51aは塗布方向と直交する方向に凸状である。   When forming the anisotropic conductive paste layer 51A immediately after application (before the B-stage) shown in FIG. 9, for example, compared with the case of forming the anisotropic conductive paste layer 3A of FIG. The isotropic conductive paste is applied so as to be pushed further. As a result, the edge portion 51y is further raised with respect to the central portion 51x. Note that the upper surface 51a of the central portion 51x of the anisotropic conductive paste layer 51A is flat in a direction orthogonal to the application direction and is linear. The upper surface 51a of the edge portion 51y is convex in a direction orthogonal to the application direction.

ディスペンサー11を用いて、異方性導電ペーストを塗布すると、ディスペンサー11の移動方向、並びに異方性導電ペーストの塗布方向において、塗布量の異なる領域が形成されやすい。図5(b)に示す異方性導電ペースト層3Aでは、第1の領域R1と、該第1の領域R1よりも塗布量が多い第2の領域R2とが形成されている。すなわち、除去装置により除去する前の異方性導電ペースト層3Aは、第1の領域R1と、該第1の領域R1よりも塗布量が多い第2の領域R2とを有する。ここでは、塗布量が多い第2の領域R2が塗布終了部分の領域である。このように、塗布終了時には、ディスペンサー12の先端12cから吐出された異方性導電ペーストが部分的に集中して配置され、ペースト溜まり部が形成されやすく、塗布量が多い第2の領域R2が形成されやすい。   When the anisotropic conductive paste is applied using the dispenser 11, regions having different application amounts are easily formed in the movement direction of the dispenser 11 and the application direction of the anisotropic conductive paste. In the anisotropic conductive paste layer 3A shown in FIG. 5B, a first region R1 and a second region R2 having a larger coating amount than the first region R1 are formed. That is, the anisotropic conductive paste layer 3A before being removed by the removing device has the first region R1 and the second region R2 having a larger application amount than the first region R1. Here, the second region R2 having a large coating amount is a region at the coating end portion. As described above, at the end of the application, the anisotropic conductive paste discharged from the tip 12c of the dispenser 12 is partially concentrated so that the paste reservoir is easily formed, and the second region R2 having a large application amount is formed. Easy to form.

そこで、図6(a)に示すように、異方性導電ペースト層3Aの少なくとも一部の領域を、矢印Cで示す方向に移動させて、除去装置14により除去する。ここでは、除去装置14により、塗布量が多い第2の領域R2であって塗布終了部分の領域を、先端14aから除去装置14により除去している。これによって、異方性導電ペースト層3Aの部分的な塗布量の差を低減できる。このため、得られる接続構造体1において、第1,第2の接続対象部材2,4の第1,第2の電極2b,4b間の位置ずれを抑制できる。上記塗布量が多い第2の領域R2の厚みは、第1の領域よりも厚みが厚い第2の領域であることが好ましい。この場合には、異方性導電ペースト層3Aの部分的な厚み差を低減できる。厚み差を低減することによって、第1,第2の接続対象部材2,4の第1,第2の電極2b,4b間の位置ずれをより一層抑制できる。   Therefore, as shown in FIG. 6A, at least a part of the anisotropic conductive paste layer 3 </ b> A is moved in the direction indicated by the arrow C and removed by the removing device 14. Here, the removal device 14 removes the region of the application end portion, which is the second region R2 where the application amount is large, from the tip 14a. Thereby, the difference in the partial application amount of the anisotropic conductive paste layer 3A can be reduced. For this reason, in the connection structure 1 obtained, the position shift between the 1st, 2nd electrodes 2b and 4b of the 1st, 2nd connection object members 2 and 4 can be suppressed. The thickness of the second region R2 having a large coating amount is preferably a second region that is thicker than the first region. In this case, the partial thickness difference of the anisotropic conductive paste layer 3A can be reduced. By reducing the thickness difference, the positional deviation between the first and second electrodes 2b and 4b of the first and second connection target members 2 and 4 can be further suppressed.

さらに、上記塗布量が多い第2の領域R2を除去することによって、異方性導電ペースト層3Aが第2の接続対象部材4の側面又は上面に付着したり、該第2の接続対象部材4の積層圧着時に用いられる圧着ヘッドに付着したりするのを抑制できる。特に厚みが厚い領域を除去することによって、汚染を顕著に抑制できる。圧着ヘッドへの異方性導電ペースト層3Aの付着を抑制することによって、該圧着ヘッドを用いて続いて製造される接続構造体の汚染を抑制できる。このため、汚染が低減された接続構造体を連続して製造することができる。   Further, by removing the second region R2 having a large coating amount, the anisotropic conductive paste layer 3A adheres to the side surface or the upper surface of the second connection target member 4, or the second connection target member 4 It can suppress adhering to the pressure bonding head used at the time of lamination pressure bonding. In particular, contamination can be remarkably suppressed by removing a thick region. By suppressing the adhesion of the anisotropic conductive paste layer 3A to the pressure bonding head, it is possible to suppress contamination of the connection structure that is subsequently manufactured using the pressure bonding head. For this reason, a connection structure with reduced contamination can be continuously produced.

なお、図7(a)〜(b)に示すように、ディスペンサー11を用いて、異方性導電ペーストを塗布すると、ディスペンサー11の移動方向、並びに異方性導電ペーストの塗布方向において、塗布初期段階において、塗布量が少ない第1の領域R1と、該第1の領域R1よりも塗布量が多い第2の領域R2とが形成されることもある。塗布量が相対的に少ない第1の領域R1は、塗布開始部分の領域である。上記塗布量が少ない第1の領域R1は、厚みが薄い第1の領域であることが好ましく、上記塗布量が多い第2の領域R2は、厚みが厚い第2の領域であることが好ましい。このように、塗布開始時には、ディスペンサー12の先端12cから吐出された異方性導電ペーストが少なく、ペースト薄層部が形成されやすく、塗布量が少ない第1の領域R1が形成されることがある。このような場合には、図7(b)に示すように、第1の領域R1であって塗布開始部分の領域を、矢印Cで示す方向に移動させて、除去装置14により除去することが好ましい。これによっても、異方性導電ペースト層3Aの部分的な塗布量の差又は厚み差を低減できる。このため、得られる接続構造体1において、第1,第2の接続対象部材2,4の第1,第2の電極2b,4b間の位置ずれを抑制できる。   As shown in FIGS. 7A to 7B, when the anisotropic conductive paste is applied using the dispenser 11, the initial application in the moving direction of the dispenser 11 and the application direction of the anisotropic conductive paste. In the stage, a first region R1 having a small coating amount and a second region R2 having a larger coating amount than the first region R1 may be formed. The first region R1 with a relatively small application amount is a region where the application is started. The first region R1 having a small coating amount is preferably a first region having a small thickness, and the second region R2 having a large coating amount is preferably a second region having a large thickness. As described above, at the start of application, the anisotropic conductive paste discharged from the tip 12c of the dispenser 12 is small, the paste thin layer portion is easily formed, and the first region R1 with a small application amount may be formed. . In such a case, as shown in FIG. 7B, the region of the first region R1 and the application start portion can be moved in the direction indicated by the arrow C and removed by the removing device 14. preferable. Also by this, the difference in the partial application amount or the thickness difference of the anisotropic conductive paste layer 3A can be reduced. For this reason, in the connection structure 1 obtained, the position shift between the 1st, 2nd electrodes 2b and 4b of the 1st, 2nd connection object members 2 and 4 can be suppressed.

除去装置14は、異方性導電ペースト層3Aの少なくとも一部の領域を吸引して除去する吸引除去装置であることが好ましい。除去装置14は、異方性導電ペースト層3Aの第1の領域R1を吸引して除去するか、又は塗布量が多い第2の領域R2を吸引して除去する吸引除去装置であることが好ましい。この場合には、異方性導電ペースト層3Aを部分的に、効果的に除去できる。   The removal device 14 is preferably a suction removal device that sucks and removes at least a part of the anisotropic conductive paste layer 3A. The removing device 14 is preferably a suction removing device that sucks and removes the first region R1 of the anisotropic conductive paste layer 3A or sucks and removes the second region R2 having a large coating amount. . In this case, the anisotropic conductive paste layer 3A can be partially and effectively removed.

除去装置14により除去される異方性導電ペースト層3Aの領域は、塗布開始部分の領域又は塗布終了部分の領域であることが好ましく、塗布終了部分の領域であることが好ましい。除去装置14により除去される異方性導電ペースト層3Aは、ペースト溜まり部又はペースト薄層部であることが好ましく、ペースト溜まり部であることがより好ましい。   The region of the anisotropic conductive paste layer 3 </ b> A removed by the removing device 14 is preferably a coating start portion region or a coating end portion region, and is preferably a coating end portion region. The anisotropic conductive paste layer 3A removed by the removing device 14 is preferably a paste reservoir or a paste thin layer, and more preferably a paste reservoir.

塗布装置11では、把持部12bと除去装置14とが接続されている。従って、ディスペンサー12と除去装置14とを連動して移動させることができ、更にディスペンサー12と除去装置14とを同じ速度で移動させることができる。さらに、ディスペンサー12と除去装置14との距離を小さくすることができ、すなわち、ディスペンサー12の吐出部と、除去装置14との距離を小さくすることができる。この結果、ディスペンサー12により塗布された異方性導電ペースト層3Aの少なくとも一部の領域を、除去装置14により効率的かつ効果的に除去できる。なお、シリンジ12aと除去装置14とが直接接続されていてもよい。   In the coating device 11, the grip portion 12 b and the removal device 14 are connected. Accordingly, the dispenser 12 and the removing device 14 can be moved in conjunction with each other, and the dispenser 12 and the removing device 14 can be moved at the same speed. Furthermore, the distance between the dispenser 12 and the removal device 14 can be reduced, that is, the distance between the discharge portion of the dispenser 12 and the removal device 14 can be reduced. As a result, at least a part of the anisotropic conductive paste layer 3 </ b> A applied by the dispenser 12 can be efficiently and effectively removed by the removing device 14. In addition, the syringe 12a and the removal apparatus 14 may be directly connected.

次に、除去装置14により少なくとも一部の領域が除去された異方性導電ペースト層3Aに光を照射することにより、異方性導電ペースト層3Aの硬化を進行させる。異方性導電ペースト層3Aの硬化を進行させて、異方性導電ペースト層3AをBステージ化する。図3(b)、図5(b)及び図6(a),(b)に示すように、異方性導電ペースト層3AのBステージ化により、第1の接続対象部材2の上面2aに、Bステージ化された異方性導電ペースト層3Bを形成する。   Next, the anisotropic conductive paste layer 3 </ b> A is cured by irradiating light to the anisotropic conductive paste layer 3 </ b> A from which at least a part of the region has been removed by the removing device 14. Curing of the anisotropic conductive paste layer 3A is advanced to make the anisotropic conductive paste layer 3A B-staged. As shown in FIGS. 3B, 5B and 6A, 6B, the upper surface 2a of the first connection target member 2 is formed by forming the anisotropic conductive paste layer 3A into a B-stage. The B-staged anisotropic conductive paste layer 3B is formed.

図5(b)及び図6(a)に示すように、光を照射する際には、ディスペンサー12に接続された光照射装置13の光照射部13bから、矢印Bで示すように異方性導電ペースト層3Aに光を照射する。ここでは、異方性導電ペーストを塗布しながら、ディスペンサー12に接続された光照射装置13の光照射部13bから、矢印Bで示すように異方性導電ペースト層3Aに光を照射している。このように、異方性導電ペーストを塗布しながら、光を照射することが好ましい。   As shown in FIG. 5B and FIG. 6A, when irradiating light, anisotropy is indicated from the light irradiation part 13b of the light irradiation device 13 connected to the dispenser 12 as indicated by an arrow B. The conductive paste layer 3A is irradiated with light. Here, as shown by an arrow B, the anisotropic conductive paste layer 3A is irradiated with light from the light irradiation unit 13b of the light irradiation device 13 connected to the dispenser 12 while applying the anisotropic conductive paste. . Thus, it is preferable to irradiate light while applying the anisotropic conductive paste.

第1の接続対象部材2の上面2aに、異方性導電ペーストを配置しながら、異方性導電ペースト層3Aに光を照射することが好ましい。さらに、第1の接続対象部材2の上面2aへの異方性導電ペーストの塗布と同時に、又は塗布の直後に、異方性導電ペースト層3Aに光を照射することも好ましい。塗布と光の照射とが上記のように行われた場合には、異方性導電ペースト層の流動をより一層抑制できる。このため、第1,第2の接続対象部材の接続信頼性、及び電極間の導通信頼性をより一層高めることができる。光の照射までの時間を高精度に制御する観点からは、ディスペンサー12と光照射装置13とを移動させることが好ましく、ディスペンサー12と光照射装置13とを連動して移動させることが好ましく、ディスペンサー12と光照射装置13とを同じ速度で移動させることが好ましい。このように、ディスペンサー12と光照射装置13とを移動させながら、異方性導電ペーストを塗布し、異方性導電ペースト層3Aに光を照射することが好ましい。第1の接続対象部材2の上面2aに上記異方性導電ペーストを塗布してから光を照射するまでの時間は、0秒以上、好ましくは3秒以下、より好ましくは2秒以下である。ただし、塗布装置11を移動させずに、台31を矢印Aの逆方向に移動させてもよい。   It is preferable to irradiate the anisotropic conductive paste layer 3 </ b> A with light while disposing the anisotropic conductive paste on the upper surface 2 a of the first connection target member 2. Furthermore, it is also preferable to irradiate the anisotropic conductive paste layer 3A with light at the same time as or immediately after the application of the anisotropic conductive paste to the upper surface 2a of the first connection target member 2. When the application and the light irradiation are performed as described above, the flow of the anisotropic conductive paste layer can be further suppressed. For this reason, the connection reliability of the 1st, 2nd connection object member and the conduction | electrical_connection reliability between electrodes can be improved further. From the viewpoint of controlling the time until light irradiation with high accuracy, it is preferable to move the dispenser 12 and the light irradiation device 13, and it is preferable to move the dispenser 12 and the light irradiation device 13 in conjunction with each other. 12 and the light irradiation device 13 are preferably moved at the same speed. As described above, it is preferable to apply the anisotropic conductive paste while moving the dispenser 12 and the light irradiation device 13 to irradiate the anisotropic conductive paste layer 3 </ b> A with light. The time from the application of the anisotropic conductive paste to the upper surface 2a of the first connection target member 2 to the irradiation of light is 0 second or longer, preferably 3 seconds or shorter, more preferably 2 seconds or shorter. However, the table 31 may be moved in the direction opposite to the arrow A without moving the coating apparatus 11.

塗布装置11では、把持部12bと光照射装置本体13aとが接続されていることによって、ディスペンサー12と光照射装置13とが接続されている。従って、ディスペンサー12と光照射装置13とを連動して移動させることができ、更にディスペンサー12と光照射装置13とを同じ速度で移動させることができる。さらに、ディスペンサー12と光照射装置13との距離を小さくすることができ、すなわち、ディスペンサー12の吐出部と、光照射部13bとの距離を小さくすることができる。この結果、ディスペンサー12により塗布された異方性導電ペースト層3Aに速やかに光を照射することができる。なお、シリンジ12aと光照射装置本体13aとが直接接続されていてもよい。   In the coating device 11, the dispenser 12 and the light irradiation device 13 are connected by connecting the grip portion 12b and the light irradiation device main body 13a. Accordingly, the dispenser 12 and the light irradiation device 13 can be moved in conjunction with each other, and the dispenser 12 and the light irradiation device 13 can be moved at the same speed. Furthermore, the distance between the dispenser 12 and the light irradiation device 13 can be reduced, that is, the distance between the discharge part of the dispenser 12 and the light irradiation part 13b can be reduced. As a result, the anisotropic conductive paste layer 3A applied by the dispenser 12 can be quickly irradiated with light. In addition, the syringe 12a and the light irradiation apparatus main body 13a may be directly connected.

異方性導電ペースト層3Aに光を照射するために、図8(a)に示すように、ディスペンサー12と、該ディスペンサー12に接続されていない光照射装置21とを用いてもよい。光照射装置21は、光照射装置13と同様に、光照射装置本体21aと、光照射部21bとを備える。光照射装置21は、光照射装置13よりも、広い領域に光を照射することができるように構成されている。   In order to irradiate the anisotropic conductive paste layer 3 </ b> A with light, a dispenser 12 and a light irradiation device 21 not connected to the dispenser 12 may be used as shown in FIG. 8A. Similar to the light irradiation device 13, the light irradiation device 21 includes a light irradiation device main body 21 a and a light irradiation unit 21 b. The light irradiation device 21 is configured to irradiate light over a wider area than the light irradiation device 13.

ディスペンサー12と、該ディスペンサー12に接続されていない光照射装置21とを用いる場合には、例えば、図8(a)に示すように、第1の接続対象部材2の上方に光照射装置21を配置する。次に、第1の接続対象部材2と光照射装置21との間においてディスペンサー12を矢印Aの方向に移動させながら、第1の接続対象部材2の上面2aに、シリンジ12aから異方性導電ペーストを塗布し、異方性導電ペースト層3Aを形成する。次に、図8(b)に示すように、異方性導電ペーストの塗布が終了した後、第1の接続対象部材2の上方に配置された光照射装置21の光照射部21bから、矢印Bで示すように、異方性導電ペースト層3Aに光を照射する。光の照射は、例えば異方性導電ペーストの塗布と同時又は塗布の直後に行われる。   When using the dispenser 12 and the light irradiation device 21 not connected to the dispenser 12, for example, as shown in FIG. 8A, the light irradiation device 21 is placed above the first connection target member 2. Deploy. Next, while the dispenser 12 is moved in the direction of the arrow A between the first connection target member 2 and the light irradiation device 21, anisotropic conduction is performed from the syringe 12 a to the upper surface 2 a of the first connection target member 2. The paste is applied to form the anisotropic conductive paste layer 3A. Next, as shown in FIG. 8 (b), after the application of the anisotropic conductive paste is completed, an arrow is emitted from the light irradiation unit 21b of the light irradiation device 21 disposed above the first connection target member 2. As shown by B, the anisotropic conductive paste layer 3A is irradiated with light. The light irradiation is performed, for example, simultaneously with the application of the anisotropic conductive paste or immediately after the application.

光照射装置21は、塗布の際に、第1の接続対象部材2の上方に配置されていることが好ましい。この場合には、塗布の後に、光を速やかに照射できる。塗布の後に、異方性導電ペースト層3Aの全領域に一括して光を照射することが好ましい。この場合には、異方性導電ペースト層3Aをより一層均一にBステージ化することができる。   The light irradiation device 21 is preferably disposed above the first connection target member 2 during application. In this case, light can be irradiated quickly after application. After application, it is preferable to irradiate the entire region of the anisotropic conductive paste layer 3A with light. In this case, the anisotropic conductive paste layer 3A can be made B-stage more uniformly.

図5(a)又は図8(a)に示す塗布装置11及び光照射装置21の使用により、第1の接続対象部材2の上面2aへの異方性導電ペーストの塗布と同時に、又は塗布の直後に、異方性導電ペースト層3Aに光を容易に照射できる。   By using the coating device 11 and the light irradiation device 21 shown in FIG. 5 (a) or FIG. 8 (a), or simultaneously with the application of the anisotropic conductive paste to the upper surface 2a of the first connection target member 2, Immediately thereafter, the anisotropic conductive paste layer 3A can be easily irradiated with light.

光の照射により異方性導電ペースト層3AをBステージ化させて、硬化を適度に進行させるための光照射強度は、例えば、好ましくは0.1〜100mW/cm程度である。また、異方性導電ペースト層3Aの硬化を適度に進行させるための光の照射エネルギーは、好ましくは50mJ/cm以上、より好ましくは100mJ/cm以上、好ましくは10000mJ/cm以下、より好ましくは2000mJ/cm以下である。 The light irradiation intensity for causing the anisotropic conductive paste layer 3 </ b > A to be B-staged by light irradiation and causing the curing to proceed appropriately is, for example, preferably about 0.1 to 100 mW / cm 2 . Moreover, the light irradiation energy for advancing moderately curing the anisotropic conductive paste layer 3A is preferably 50 mJ / cm 2 or more, more preferably 100 mJ / cm 2 or more, preferably 10000 mJ / cm 2 or less, more Preferably it is 2000 mJ / cm 2 or less.

光を照射する際に用いる光源は特に限定されない。該光源としては、例えば、波長420nm以下に充分な発光分布を有する光源等が挙げられる。また、光源の具体例としては、例えば、低圧水銀灯、中圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、ケミカルランプ、ブラックライトランプ、マイクロウェーブ励起水銀灯、及びメタルハライドランプ等が挙げられる。   The light source used when irradiating light is not specifically limited. Examples of the light source include a light source having a sufficient light emission distribution at a wavelength of 420 nm or less. Specific examples of the light source include, for example, a low-pressure mercury lamp, a medium-pressure mercury lamp, a high-pressure mercury lamp, an ultrahigh-pressure mercury lamp, a chemical lamp, a black light lamp, a microwave excitation mercury lamp, and a metal halide lamp.

なお、光の照射により異方性導電ペースト層3AをBステージ化せずに、熱の付与により異方性導電ペースト層3AをBステージ化してもよい。異方性導電ペースト層3Aに熱を付与することにより硬化を進行させて、異方性導電ペースト層3AをBステージ化する場合には、異方性導電ペースト層3Aを適度にBステージ化させるための加熱温度は好ましくは80℃以上、好ましくは150℃以下、より好ましくは120℃以下である。光の照射ではなく熱の付与により異方性導電ペースト層3AをBステージ化した場合でも、上述したように除去装置14により異方性導電ペースト層3Aの少なくとも一部の領域を除去すれば、第1,第2の電極2b,4b間の位置ずれを抑制できる。   Alternatively, the anisotropic conductive paste layer 3A may be B-staged by applying heat, without making the anisotropic conductive paste layer 3A B-staged by light irradiation. When hardening is performed by applying heat to the anisotropic conductive paste layer 3A to make the anisotropic conductive paste layer 3A B-stage, the anisotropic conductive paste layer 3A is appropriately B-staged. The heating temperature for this is preferably 80 ° C or higher, preferably 150 ° C or lower, more preferably 120 ° C or lower. Even when the anisotropic conductive paste layer 3A is B-staged by application of heat instead of light irradiation, as described above, if at least a part of the anisotropic conductive paste layer 3A is removed by the removing device 14, The positional deviation between the first and second electrodes 2b and 4b can be suppressed.

次に、図3(c)に示すように、Bステージ化された異方性導電ペースト層3Bの上面3aに、第2の接続対象部材4を降下させて、第2の接続対象部材4を積層する。第1の接続対象部材2の上面2aの第1の電極2bと、第2の接続対象部材4の下面4aの第2の電極4bとが対向するように、第2の接続対象部材4を積層する。なお、第2の接続対象部材4の積層の後に、異方性導電ペースト層3AをBステージ化させるために光を照射してもよく、熱を付与してもよい。但し、第2の接続対象部材4の積層の後に、異方性導電ペースト層3AをBステージ化させるために熱を付与又は光を照射することが好ましい。   Next, as shown in FIG.3 (c), the 2nd connection object member 4 is dropped on the upper surface 3a of the B-staged anisotropic conductive paste layer 3B, and the 2nd connection object member 4 is attached. Laminate. The second connection target member 4 is laminated so that the first electrode 2b on the upper surface 2a of the first connection target member 2 and the second electrode 4b on the lower surface 4a of the second connection target member 4 face each other. To do. In addition, after laminating | stacking the 2nd connection object member 4, in order to make anisotropic conductive paste layer 3A into B stage, you may irradiate light and may provide heat | fever. However, it is preferable to apply heat or irradiate light in order to make the anisotropic conductive paste layer 3A into a B-stage after the second connection target member 4 is laminated.

さらに、第2の接続対象部材4の積層の際に、Bステージ化された異方性導電ペースト層3Bを加熱して本硬化させ、硬化物層3を形成する。ただし、第2の接続対象部材4の積層の前に、異方性導電ペースト層3Bを加熱してもよい。但し、第2の接続対象部材4の積層の後に、異方性導電ペースト層3Bを加熱して本硬化させることが好ましい。   Further, when the second connection target member 4 is laminated, the B-staged anisotropic conductive paste layer 3 </ b> B is heated and fully cured to form the cured product layer 3. However, the anisotropic conductive paste layer 3B may be heated before the second connection target member 4 is laminated. However, it is preferable that the anisotropic conductive paste layer 3 </ b> B is heated to be fully cured after the second connection target member 4 is laminated.

異方性導電ペースト層3Bを充分に硬化させるための加熱温度は好ましくは160℃以上、好ましくは250℃以下、より好ましくは200℃以下である。   The heating temperature for sufficiently curing the anisotropic conductive paste layer 3B is preferably 160 ° C. or higher, preferably 250 ° C. or lower, more preferably 200 ° C. or lower.

なお、異方性導電ペースト層3Aに熱を付与又は光を照射せずに、異方性導電ペースト層3AをBステージ化しない場合には、異方性導電ペースト層3Aの上面3aに第2の接続対象部材4を積層し、異方性導電ペースト層3Aを加熱して、本硬化させればよい。   When the anisotropic conductive paste layer 3A is not B-staged without applying heat or irradiating light to the anisotropic conductive paste layer 3A, the second surface is applied to the upper surface 3a of the anisotropic conductive paste layer 3A. The connection target member 4 may be laminated, and the anisotropic conductive paste layer 3A may be heated to be fully cured.

異方性導電ペースト層3Bを硬化させる際に、加圧することが好ましい。加圧によって第1の電極2bと第2の電極4bとで導電性粒子5を圧縮することにより、第1,第2の電極2b,4bと導電性粒子5との接触面積を大きくすることができる。このため、導通信頼性を高めることができる。   It is preferable to apply pressure when the anisotropic conductive paste layer 3B is cured. By compressing the conductive particles 5 with the first electrode 2b and the second electrode 4b by pressurization, the contact area between the first and second electrodes 2b, 4b and the conductive particles 5 can be increased. it can. For this reason, conduction reliability can be improved.

異方性導電ペースト層3Bを硬化させることにより、第1の接続対象部材2と第2の接続対象部材4とが、硬化物層3を介して接続される。また、第1の電極2bと第2の電極4bとが、導電性粒子5を介して電気的に接続される。このようにして、図1に示す接続構造体1を得ることができる。本実施形態では、光硬化と熱硬化とが併用されているため、異方性導電ペーストを短時間で硬化させることができる。   By curing the anisotropic conductive paste layer 3 </ b> B, the first connection target member 2 and the second connection target member 4 are connected via the cured product layer 3. Further, the first electrode 2 b and the second electrode 4 b are electrically connected through the conductive particles 5. In this way, the connection structure 1 shown in FIG. 1 can be obtained. In this embodiment, since photocuring and thermosetting are used together, the anisotropic conductive paste can be cured in a short time.

また、接続構造体の作製時に、上記異方性導電ペーストを熱の付与又は光の照射によりBステージ化した後に、本硬化させることで、第1の接続対象部材上に配置された異方性ペースト層に含まれている導電性粒子が、硬化段階で大きく流動し難くなる。従って、導電性粒子が所定の領域に配置されやすくなる。具体的には、接続されるべき上下の電極間に導電性粒子を配置することができ、接続されてはならない隣接する電極間が複数の導電性粒子を介して電気的に接続されるのを抑制できる。このため、接続構造体における電極間の導通信頼性を高めることができる。   In addition, when the connection structure is manufactured, the anisotropic conductive paste is B-staged by applying heat or irradiating light, and then is cured to provide anisotropy disposed on the first connection target member. The conductive particles contained in the paste layer are difficult to flow greatly in the curing stage. Accordingly, the conductive particles are easily arranged in a predetermined region. Specifically, conductive particles can be arranged between upper and lower electrodes to be connected, and adjacent electrodes that should not be connected are electrically connected via a plurality of conductive particles. Can be suppressed. For this reason, the conduction | electrical_connection reliability between the electrodes in a connection structure can be improved.

また、接続構造体の作製時に、上記異方性導電ペーストを熱の付与又は光の照射によりBステージ化する場合には、Bステージ化される前の異方性導電ペースト層の表面の大きな凸部形状又は凹部形状の影響により、第1,第2の電極の位置ずれが生じやすい傾向がある。例えば、Bステージ化された異方性導電ペースト層では、Bステージ化により粘度がある程度上昇しているため、例えば、Bステージ化された異方性導電ペースト層の上面に大きな凸部又は凹部があると、得られる接続構造体において、第1,第2の接続対象部材における電極間の位置ずれが生じやすい傾向がある。   In addition, when the anisotropic conductive paste is made into a B stage by applying heat or irradiating light during the production of the connection structure, the surface of the anisotropic conductive paste layer before the B stage is made large There is a tendency that the first and second electrodes are liable to be displaced due to the influence of the shape of the part or the shape of the recess. For example, in the B-staged anisotropic conductive paste layer, the viscosity has increased to some extent due to the B-stage. For example, there is a large protrusion or recess on the upper surface of the B-staged anisotropic conductive paste layer. If it exists, in the connection structure obtained, there exists a tendency for the position shift between the electrodes in the 1st, 2nd connection object member to arise easily.

これに対して、塗布量が他の領域と異なる領域や大きな凸部又は凹部を上記除去装置14により除去することによって、Bステージ化をしたとしても、第1,第2の接続対象部材における電極間の位置ずれを効果的に抑制できる。   On the other hand, even if it changed into B stage by removing the area | region where a coating amount differs from another area | region, or a big convex part or recessed part with the said removal apparatus 14, it is an electrode in the 1st, 2nd connection object member The positional deviation between them can be effectively suppressed.

一方で、接続構造体の作製時に、上記異方性導電ペーストを熱の付与又は光の照射によりBステージ化しなかった場合には、Bステージ化前の異方性導電ペースト層の粘度が低すぎて、得られる接続構造体において、第1,第2の接続対象部材における電極間の位置ずれが生じやすい傾向がある。   On the other hand, the viscosity of the anisotropic conductive paste layer before the B-stage is too low when the anisotropic conductive paste is not B-staged by applying heat or irradiating the light at the time of producing the connection structure. Thus, in the obtained connection structure, there is a tendency that displacement between the electrodes in the first and second connection target members is likely to occur.

これに対して、接続構造体の作製時に、上記異方性導電ペーストを熱の付与又は光の照射によりBステージ化することにより、第1,第2の接続対象部材における電極間の位置ずれを効果的に抑制できる。   On the other hand, when the connection structure is produced, the anisotropic conductive paste is made into a B-stage by applying heat or irradiating light, so that the positional deviation between the electrodes in the first and second connection target members is reduced. It can be effectively suppressed.

本発明に係る接続構造体の製造方法は、例えば、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続(FOG(Film on Glass))、半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続(COF(Chip on Film))、半導体チップとガラス基板との接続(COG(Chip on Glass))、又はフレキシブルプリント基板とガラスエポキシ基板との接続(FOB(Film on Board))等に使用できる。なかでも、本発明に係る接続構造体の製造方法は、COG用途に好適である。本発明に係る接続構造体の製造方法では、上記第1の接続対象部材と上記第2の接続対象部材として、半導体チップとガラス基板とを用いることが好ましい。   The connection structure manufacturing method according to the present invention includes, for example, a connection between a flexible printed circuit board and a glass substrate (FOG (Film on Glass)), a connection between a semiconductor chip and a flexible printed circuit board (COF (Chip on Film)), It can be used for connection between a semiconductor chip and a glass substrate (COG (Chip on Glass)), connection between a flexible printed circuit board and a glass epoxy substrate (FOB (Film on Board)), or the like. Especially, the manufacturing method of the connection structure concerning the present invention is suitable for COG use. In the manufacturing method of the connection structure according to the present invention, it is preferable to use a semiconductor chip and a glass substrate as the first connection target member and the second connection target member.

COG用途では、特に、半導体チップとガラス基板との電極間を、異方性導電ペーストの導電性粒子により確実に接続することが困難なことが多い。例えば、COG用途の場合には、半導体チップの隣り合う電極間、及びガラス基板の隣り合う電極間の間隔が10〜20μm程度であることがあり、微細な配線が形成されていることが多い。微細な配線が形成されていても、本発明に係る接続構造体の製造方法により、電極間の位置ずれを抑制でき、かつ導電性粒子を電極間に精度よく配置することができることから、半導体チップとガラス基板との電極間を高精度に接続することができ、導通信頼性を高めることができる。   In COG applications, in particular, it is often difficult to reliably connect the electrodes of the semiconductor chip and the glass substrate with the conductive particles of the anisotropic conductive paste. For example, in the case of COG use, the distance between adjacent electrodes of a semiconductor chip and the distance between adjacent electrodes of a glass substrate may be about 10 to 20 μm, and fine wiring is often formed. Even if fine wiring is formed, the manufacturing method of the connection structure according to the present invention can suppress misalignment between the electrodes and can accurately arrange the conductive particles between the electrodes. And the glass substrate can be connected with high accuracy, and the conduction reliability can be improved.

上記異方性導電ペーストは、熱硬化性成分と導電性粒子とを含む。該熱硬化性成分は、熱硬化性化合物と熱硬化剤とを含有することが好ましい。また、上記異方性導電ペーストは、熱硬化性成分に加えて、光硬化性成分をさらに含むことが好ましい。該光硬化性成分は、光硬化性化合物と光硬化開始剤とを含むことが好ましい。上記異方性導電ペーストは、硬化性化合物として、熱硬化性化合物を含み、光硬化性化合物をさらに含むことが好ましい。上記熱硬化性化合物は、エポキシ基又はチイラン基を有する化合物であることが好ましい。上記光硬化性化合物は(メタ)アクリロイル基を有する化合物であることが好ましい。   The anisotropic conductive paste includes a thermosetting component and conductive particles. The thermosetting component preferably contains a thermosetting compound and a thermosetting agent. The anisotropic conductive paste preferably further includes a photocurable component in addition to the thermosetting component. The photocurable component preferably contains a photocurable compound and a photocuring initiator. The anisotropic conductive paste preferably contains a thermosetting compound as a curable compound and further contains a photocurable compound. The thermosetting compound is preferably a compound having an epoxy group or a thiirane group. The photocurable compound is preferably a compound having a (meth) acryloyl group.

以下、上記異方性導電ペーストに含まれる各成分、及び含まれることが好ましい各成分の詳細を説明する。   Hereinafter, each component contained in the anisotropic conductive paste and details of each component preferably contained will be described.

[熱硬化性化合物]
上記熱硬化性化合物は熱硬化性を有する。上記熱硬化性化合物は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
[Thermosetting compound]
The thermosetting compound has thermosetting properties. As for the said thermosetting compound, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記熱硬化性化合物としては、オキセタン化合物、エポキシ化合物、エピスルフィド化合物、(メタ)アクリル化合物、フェノール化合物、アミノ化合物、不飽和ポリエステル化合物、ポリウレタン化合物、シリコーン化合物及びポリイミド化合物等が挙げられる。上記熱硬化性化合物は1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。   Examples of the thermosetting compound include oxetane compounds, epoxy compounds, episulfide compounds, (meth) acrylic compounds, phenolic compounds, amino compounds, unsaturated polyester compounds, polyurethane compounds, silicone compounds, and polyimide compounds. As for the said thermosetting compound, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記異方性導電ペーストの硬化を容易に制御したり、接続構造体における導通信頼性をより一層高めたりする観点からは、上記熱硬化性化合物は、エポキシ基又はチイラン基を有する熱硬化性化合物を含むことが好ましく、チイラン基を有する熱硬化性化合物を含むことがより好ましい。エポキシ基を有する熱硬化性化合物は、エポキシ化合物である。チイラン基を有する熱硬化性化合物は、エピスルフィド化合物である。異方性導電ペーストの硬化性を高める観点からは、上記熱硬化性化合物100重量%中、上記エポキシ基又はチイラン基を有する化合物の含有量は、好ましくは10重量%以上、より好ましくは20重量%以上、100重量%以下である。上記熱硬化性化合物の全量が上記エポキシ基又はチイラン基を有する化合物であってもよい。   From the viewpoint of easily controlling the curing of the anisotropic conductive paste or further improving the conduction reliability in the connection structure, the thermosetting compound is a thermosetting compound having an epoxy group or a thiirane group. It is preferable that a thermosetting compound having a thiirane group is included. The thermosetting compound having an epoxy group is an epoxy compound. The thermosetting compound having a thiirane group is an episulfide compound. From the viewpoint of enhancing the curability of the anisotropic conductive paste, the content of the compound having an epoxy group or thiirane group is preferably 10% by weight or more, more preferably 20% by weight in 100% by weight of the thermosetting compound. % Or more and 100% by weight or less. The total amount of the thermosetting compound may be a compound having the epoxy group or thiirane group.

上記エピスルフィド化合物は、エポキシ基ではなくチイラン基を有するので、低温で速やかに硬化させることができる。すなわち、チイラン基を有するエピスルフィド化合物は、エポキシ基を有するエポキシ化合物と比較して、チイラン基に由来してより一層低い温度で硬化可能である。   Since the episulfide compound has a thiirane group instead of an epoxy group, it can be quickly cured at a low temperature. That is, the episulfide compound having a thiirane group can be cured at a lower temperature derived from the thiirane group as compared with the epoxy compound having an epoxy group.

上記エポキシ基又はチイラン基を有する熱硬化性化合物は、芳香族環を有することが好ましい。上記芳香族環としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、テトラセン環、クリセン環、トリフェニレン環、テトラフェン環、ピレン環、ペンタセン環、ピセン環及びペリレン環等が挙げられる。なかでも、上記芳香族環は、ベンゼン環、ナフタレン環又はアントラセン環であることが好ましく、ベンゼン環又はナフタレン環であることがより好ましい。また、ナフタレン環は、平面構造を有するためにより一層速やかに硬化させることができるので好ましい。   The thermosetting compound having an epoxy group or thiirane group preferably has an aromatic ring. Examples of the aromatic ring include a benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, tetracene ring, chrysene ring, triphenylene ring, tetraphen ring, pyrene ring, pentacene ring, picene ring, and perylene ring. Especially, it is preferable that the said aromatic ring is a benzene ring, a naphthalene ring, or an anthracene ring, and it is more preferable that it is a benzene ring or a naphthalene ring. A naphthalene ring is preferred because it has a planar structure and can be cured more rapidly.

[光硬化性化合物]
光の照射によって硬化するように、上記異方性導電ペーストは、光硬化性化合物を含むことが好ましい。光の照射により光硬化性化合物を半硬化(Bステージ化)させ、異方性導電ペーストの流動性を低下させることができる。
[Photocurable compound]
The anisotropic conductive paste preferably contains a photocurable compound so as to be cured by irradiation with light. The photocurable compound can be semi-cured (B-staged) by irradiation with light to reduce the fluidity of the anisotropic conductive paste.

上記光硬化性化合物としては特に限定されず、(メタ)アクリロイル基を有する光硬化性化合物及び環状エーテル基を有する光硬化性化合物等が挙げられる。   The photocurable compound is not particularly limited, and examples thereof include a photocurable compound having a (meth) acryloyl group and a photocurable compound having a cyclic ether group.

上記光硬化性化合物は、(メタ)アクリロイル基を有する光硬化性化合物であることが好ましい。(メタ)アクリロイル基を有する光硬化性化合物の使用により、接続構造体の導通信頼性をより一層高めることができる。得られる接続構造体の導通信頼性を効果的に高める観点からは、上記光硬化性化合物は、(メタ)アクリロイル基を1個又は2個有することが好ましい。   The photocurable compound is preferably a photocurable compound having a (meth) acryloyl group. By using the photocurable compound having a (meth) acryloyl group, the conduction reliability of the connection structure can be further enhanced. From the viewpoint of effectively increasing the conduction reliability of the resulting connection structure, the photocurable compound preferably has one or two (meth) acryloyl groups.

上記(メタ)アクリロイル基を有する光硬化性化合物としては、エポキシ基及びチイラン基を有さず、かつ(メタ)アクリロイル基を有する光硬化性化合物、及びエポキシ基又はチイラン基を有し、かつ(メタ)アクリロイル基を有する光硬化性化合物が挙げられる。   The photocurable compound having the (meth) acryloyl group has no epoxy group and thiirane group, and has a (meth) acryloyl group, and has an epoxy group or thiirane group, and ( The photocurable compound which has a (meth) acryloyl group is mentioned.

上記(メタ)アクリロイル基を有する光硬化性化合物として、(メタ)アクリル酸と水酸基を有する化合物とを反応させて得られるエステル化合物、(メタ)アクリル酸とエポキシ化合物とを反応させて得られるエポキシ(メタ)アクリレート、又はイソシアネートに水酸基を有する(メタ)アクリル酸誘導体を反応させて得られるウレタン(メタ)アクリレート等が好適に用いられる。上記「(メタ)アクリロイル基」は、アクリロイル基とメタクリロイル基とを示す。上記「(メタ)アクリル」は、アクリルとメタクリルとを示す。上記「(メタ)アクリレート」は、アクリレートとメタクリレートとを示す。   As a photocurable compound having the above (meth) acryloyl group, an ester compound obtained by reacting a compound having (meth) acrylic acid and a hydroxyl group, an epoxy obtained by reacting (meth) acrylic acid and an epoxy compound. (Meth) acrylate or urethane (meth) acrylate obtained by reacting a (meth) acrylic acid derivative having a hydroxyl group with isocyanate is preferably used. The “(meth) acryloyl group” refers to an acryloyl group and a methacryloyl group. The “(meth) acryl” refers to acryl and methacryl. The “(meth) acrylate” refers to acrylate and methacrylate.

上記(メタ)アクリル酸と水酸基を有する化合物とを反応させて得られるエステル化合物は特に限定されない。該エステル化合物として、単官能のエステル化合物、2官能のエステル化合物及び3官能以上のエステル化合物のいずれも用いることができる。   The ester compound obtained by making the said (meth) acrylic acid and the compound which has a hydroxyl group react is not specifically limited. As the ester compound, any of a monofunctional ester compound, a bifunctional ester compound, and a trifunctional or higher functional ester compound can be used.

上記エポキシ基又はチイラン基を有し、かつ(メタ)アクリロイル基を有する光硬化性化合物は、エポキシ基を2個以上又はチイラン基を2個以上有する化合物の一部のエポキシ基又は一部のチイラン基を、(メタ)アクリロイル基に変換することにより得られた光硬化性化合物であることが好ましい。このような光硬化性化合物は、部分(メタ)アクリレート化エポキシ化合物又は部分(メタ)アクリレート化エピスルフィド化合物である。   The photocurable compound having the epoxy group or thiirane group and having a (meth) acryloyl group is a part of the epoxy group or part of thiirane of the compound having two or more epoxy groups or two or more thiirane groups. It is preferable that it is a photocurable compound obtained by converting a group into a (meth) acryloyl group. Such a photocurable compound is a partially (meth) acrylated epoxy compound or a partially (meth) acrylated episulfide compound.

光硬化性化合物は、エポキシ基を2個以上又はチイラン基を2個以上有する化合物と、(メタ)アクリル酸との反応物であることが好ましい。この反応物は、エポキシ基を2個以上又はチイラン基を2個以上有する化合物と(メタ)アクリル酸とを、常法に従って塩基性触媒の存在下で反応することにより得られる。エポキシ基又はチイラン基の20%以上が(メタ)アクリロイル基に変換(転化率)されていることが好ましい。該転化率は、より好ましくは30%以上、好ましくは80%以下、より好ましくは70%以下である。エポキシ基又はチイラン基の40%以上、60%以下が(メタ)アクリロイル基に変換されていることが最も好ましい。   The photocurable compound is preferably a reaction product of a compound having two or more epoxy groups or two or more thiirane groups and (meth) acrylic acid. This reaction product is obtained by reacting a compound having two or more epoxy groups or two or more thiirane groups with (meth) acrylic acid in the presence of a basic catalyst according to a conventional method. It is preferable that 20% or more of the epoxy group or thiirane group is converted (converted) to a (meth) acryloyl group. The conversion is more preferably 30% or more, preferably 80% or less, more preferably 70% or less. Most preferably, 40% or more and 60% or less of the epoxy group or thiirane group is converted to a (meth) acryloyl group.

上記部分(メタ)アクリレート化エポキシ化合物としては、ビスフェノール型エポキシ(メタ)アクリレート、クレゾールノボラック型エポキシ(メタ)アクリレート、カルボン酸無水物変性エポキシ(メタ)アクリレート、及びフェノールノボラック型エポキシ(メタ)アクリレート等が挙げられる。   Examples of the partially (meth) acrylated epoxy compound include bisphenol type epoxy (meth) acrylate, cresol novolac type epoxy (meth) acrylate, carboxylic acid anhydride-modified epoxy (meth) acrylate, and phenol novolac type epoxy (meth) acrylate. Is mentioned.

光硬化性化合物として、エポキシ基を2個以上又はチイラン基を2個以上有するフェノキシ樹脂の一部のエポキシ基又は一部のチイラン基を(メタ)アクリロイル基に変換した変性フェノキシ樹脂を用いてもよい。すなわち、エポキシ基又はチイラン基と(メタ)アクリロイル基とを有する変性フェノキシ樹脂を用いてもよい。   Even if it uses the modified phenoxy resin which converted some epoxy groups or some thiirane groups of the phenoxy resin which has two or more epoxy groups or two or more thiirane groups into a (meth) acryloyl group as a photocurable compound. Good. That is, a modified phenoxy resin having an epoxy group or thiirane group and a (meth) acryloyl group may be used.

また、上記光硬化性化合物は、架橋性化合物であってもよく、非架橋性化合物であってもよい。   Further, the photocurable compound may be a crosslinkable compound or a non-crosslinkable compound.

上記架橋性化合物の具体例としては、例えば、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート、1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、1,9−ノナンジオールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールジ(メタ)アクリレート、グリセリンメタクリレートアクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、(メタ)アクリル酸アリル、(メタ)アクリル酸ビニル、ジビニルベンゼン、ポリエステル(メタ)アクリレート、及びウレタン(メタ)アクリレート等が挙げられる。   Specific examples of the crosslinkable compound include 1,4-butanediol di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, 1,9-nonanediol di (meth) acrylate, (poly ) Ethylene glycol di (meth) acrylate, (poly) propylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, pentaerythritol di (meth) acrylate, glycerol methacrylate acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, tri Examples include methylolpropane trimethacrylate, allyl (meth) acrylate, vinyl (meth) acrylate, divinylbenzene, polyester (meth) acrylate, and urethane (meth) acrylate.

上記非架橋性化合物の具体例としては、エチル(メタ)アクリレート、n−プロピル(メタ)アクリレート、イソプロピル(メタ)アクリレート、n−ブチル(メタ)アクリレート、イソブチル(メタ)アクリレート、t−ブチル(メタ)アクリレート、ペンチル(メタ)アクリレート、ヘキシル(メタ)アクリレート、ヘプチル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、n−オクチル(メタ)アクリレート、イソオクチル(メタ)アクリレート、ノニル(メタ)アクリレート、デシル(メタ)アクリレート、ウンデシル(メタ)アクリレート、ドデシル(メタ)アクリレート、トリデシル(メタ)アクリレート及びテトラデシル(メタ)アクリレート等が挙げられる。   Specific examples of the non-crosslinkable compound include ethyl (meth) acrylate, n-propyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, isobutyl (meth) acrylate, t-butyl (meth) ) Acrylate, pentyl (meth) acrylate, hexyl (meth) acrylate, heptyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, n-octyl (meth) acrylate, isooctyl (meth) acrylate, nonyl (meth) acrylate, decyl (Meth) acrylate, undecyl (meth) acrylate, dodecyl (meth) acrylate, tridecyl (meth) acrylate, tetradecyl (meth) acrylate, and the like.

光硬化性化合物を用いる場合には、光硬化性化合物と熱硬化性化合物との配合比は、光硬化性化合物と熱硬化性化合物との種類に応じて適宜調整される。上記異方性導電ペーストは、光硬化性化合物と熱硬化性化合物とを重量比で、1:99〜90:10で含むことが好ましく、5:95〜70:30で含むことがより好ましく、10:90〜50:50で含むことが更に好ましい。上記異方性導電ペーストは、光硬化性化合物と熱硬化性化合物とを重量比で、1:99〜50:50で含むことが特に好ましい。   When using a photocurable compound, the compounding ratio of a photocurable compound and a thermosetting compound is suitably adjusted according to the kind of a photocurable compound and a thermosetting compound. The anisotropic conductive paste preferably contains a photocurable compound and a thermosetting compound in a weight ratio of 1:99 to 90:10, more preferably 5:95 to 70:30, More preferably, it is included at 10:90 to 50:50. The anisotropic conductive paste particularly preferably contains a photocurable compound and a thermosetting compound in a weight ratio of 1:99 to 50:50.

(熱硬化剤)
上記熱硬化剤は特に限定されない。上記熱硬化剤として、従来公知の熱硬化剤を用いることができる。上記熱硬化剤としては、イミダゾール硬化剤、アミン硬化剤、フェノール硬化剤、ポリチオール硬化剤及び酸無水物等が挙げられる。上記熱硬化剤は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
(Thermosetting agent)
The said thermosetting agent is not specifically limited. A conventionally known thermosetting agent can be used as the thermosetting agent. Examples of the thermosetting agent include imidazole curing agents, amine curing agents, phenol curing agents, polythiol curing agents, and acid anhydrides. As for the said thermosetting agent, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

異方性導電ペーストを低温でより一層速やかに硬化させることができるので、上記熱硬化剤は、イミダゾール硬化剤、ポリチオール硬化剤又はアミン硬化剤であることが好ましい。また、異方性導電ペーストの保存安定性を高めることができるので、潜在性の硬化剤が好ましい。該潜在性の硬化剤は、潜在性イミダゾール硬化剤、潜在性ポリチオール硬化剤又は潜在性アミン硬化剤であることが好ましい。上記熱硬化剤は、ポリウレタン樹脂又はポリエステル樹脂等の高分子物質で被覆されていてもよい。   Since the anisotropic conductive paste can be cured more rapidly at a low temperature, the thermosetting agent is preferably an imidazole curing agent, a polythiol curing agent, or an amine curing agent. Moreover, since the storage stability of anisotropic conductive paste can be improved, a latent hardener is preferable. The latent curing agent is preferably a latent imidazole curing agent, a latent polythiol curing agent or a latent amine curing agent. The thermosetting agent may be coated with a polymer material such as polyurethane resin or polyester resin.

上記イミダゾール硬化剤としては、特に限定されず、2−メチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾリウムトリメリテート、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン及び2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジンイソシアヌル酸付加物等が挙げられる。   The imidazole curing agent is not particularly limited, and 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate, 2, 4-Diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1 ')]-ethyl-s-triazine and 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1')]-ethyl-s- Examples include triazine isocyanuric acid adducts.

上記ポリチオール硬化剤としては、特に限定されず、トリメチロールプロパン トリス−3−メルカプトプロピオネート、ペンタエリスリトール テトラキス−3−メルカプトプロピオネート及びジペンタエリスリトール ヘキサ−3−メルカプトプロピオネート等が挙げられる。   The polythiol curing agent is not particularly limited, and examples include trimethylolpropane tris-3-mercaptopropionate, pentaerythritol tetrakis-3-mercaptopropionate, and dipentaerythritol hexa-3-mercaptopropionate. .

上記アミン硬化剤としては、特に限定されず、ヘキサメチレンジアミン、オクタメチレンジアミン、デカメチレンジアミン、3,9−ビス(3−アミノプロピル)−2,4,8,10−テトラスピロ[5.5]ウンデカン、ビス(4−アミノシクロヘキシル)メタン、メタフェニレンジアミン及びジアミノジフェニルスルホン等が挙げられる。   The amine curing agent is not particularly limited, and hexamethylene diamine, octamethylene diamine, decamethylene diamine, 3,9-bis (3-aminopropyl) -2,4,8,10-tetraspiro [5.5]. Examples include undecane, bis (4-aminocyclohexyl) methane, metaphenylenediamine, and diaminodiphenylsulfone.

上記熱硬化剤の含有量は特に限定されない。上記硬化性化合物中の上記熱硬化性化合物100重量部に対して、上記熱硬化剤の含有量は、好ましくは5重量部以上、より好ましくは10重量部以上、好ましくは40重量部以下、より好ましくは30重量部以下、更に好ましくは20重量部以下である。上記熱硬化剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、異方性導電ペーストを充分に熱硬化させることができる。   The content of the thermosetting agent is not particularly limited. The content of the thermosetting agent with respect to 100 parts by weight of the thermosetting compound in the curable compound is preferably 5 parts by weight or more, more preferably 10 parts by weight or more, and preferably 40 parts by weight or less. The amount is preferably 30 parts by weight or less, more preferably 20 parts by weight or less. When the content of the thermosetting agent is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the anisotropic conductive paste can be sufficiently thermoset.

(光硬化開始剤)
上記光硬化開始剤は特に限定されない。上記光硬化開始剤として、従来公知の光硬化開始剤を用いることができる。上記光硬化開始剤は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
(Photocuring initiator)
The photocuring initiator is not particularly limited. A conventionally known photocuring initiator can be used as the photocuring initiator. As for the said photocuring initiator, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記光硬化開始剤としては、特に限定されず、アセトフェノン光硬化開始剤、ベンゾフェノン光硬化開始剤、チオキサントン、ケタール光硬化開始剤、ハロゲン化ケトン、アシルホスフィノキシド及びアシルホスフォナート等が挙げられる。   The photocuring initiator is not particularly limited, and examples thereof include acetophenone photocuring initiator, benzophenone photocuring initiator, thioxanthone, ketal photocuring initiator, halogenated ketone, acyl phosphinoxide, and acyl phosphonate. .

上記アセトフェノン光硬化開始剤の具体例としては、4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル(2−ヒドロキシ−2−プロピル)ケトン、2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニルプロパン−1−オン、メトキシアセトフェノン、2,2−ジメトキシ−1,2−ジフェニルエタン−1−オン、及び2−ヒドロキシ−2−シクロヘキシルアセトフェノン等が挙げられる。上記ケタール光硬化開始剤の具体例としては、ベンジルジメチルケタール等が挙げられる。   Specific examples of the acetophenone photocuring initiator include 4- (2-hydroxyethoxy) phenyl (2-hydroxy-2-propyl) ketone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one, methoxy Examples include acetophenone, 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethane-1-one, and 2-hydroxy-2-cyclohexylacetophenone. Specific examples of the ketal photocuring initiator include benzyldimethyl ketal.

上記光硬化開始剤の含有量は特に限定されない。上記硬化性化合物中の上記光硬化性化合物100重量部に対して、上記光硬化開始剤の含有量は、好ましくは0.1重量部以上、より好ましくは0.2重量部以上、好ましくは2重量部以下、より好ましくは1重量部以下である。上記光硬化開始剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、異方性導電ペーストを適度に光硬化させることができる。異方性導電ペーストに光を照射し、Bステージ化することにより、異方性導電ペーストの流動を抑制できる。   The content of the photocuring initiator is not particularly limited. The content of the photocuring initiator with respect to 100 parts by weight of the photocurable compound in the curable compound is preferably 0.1 parts by weight or more, more preferably 0.2 parts by weight or more, preferably 2 It is 1 part by weight or less, more preferably 1 part by weight or less. When the content of the photocuring initiator is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the anisotropic conductive paste can be appropriately photocured. The anisotropic conductive paste can be prevented from flowing by irradiating the anisotropic conductive paste with light to form a B stage.

(導電性粒子)
上記異方性導電ペーストに含まれている導電性粒子は、第1,第2の接続対象部材の電極間を電気的に接続する。上記導電性粒子は、導電性を有する粒子であれば特に限定されない。導電性粒子の導電層の表面が絶縁層により被覆されていてもよい。この場合には、接続対象部材の接続時に、導電層と電極との間の絶縁層が排除される。上記導電性粒子としては、例えば、有機粒子、無機粒子、有機無機ハイブリッド粒子もしくは金属粒子等の表面を金属層で被覆した導電性粒子、並びに実質的に金属のみで構成される金属粒子等が挙げられる。上記金属層は特に限定されない。上記金属層としては、金層、銀層、銅層、ニッケル層、パラジウム層及び錫を含有する金属層等が挙げられる。
(Conductive particles)
The conductive particles contained in the anisotropic conductive paste electrically connect the electrodes of the first and second connection target members. The conductive particles are not particularly limited as long as they are conductive particles. The surface of the conductive layer of the conductive particles may be covered with an insulating layer. In this case, the insulating layer between the conductive layer and the electrode is excluded when the connection target member is connected. Examples of the conductive particles include conductive particles obtained by coating the surfaces of organic particles, inorganic particles, organic-inorganic hybrid particles, or metal particles with a metal layer, and metal particles that are substantially composed of only metal. It is done. The metal layer is not particularly limited. Examples of the metal layer include a gold layer, a silver layer, a copper layer, a nickel layer, a palladium layer, and a metal layer containing tin.

電極間の導通信頼性をより一層高める観点からは、上記導電性粒子は、樹脂粒子と、該樹脂粒子の表面上に設けられた導電層とを有することが好ましい。   From the viewpoint of further enhancing the conduction reliability between the electrodes, the conductive particles preferably include resin particles and a conductive layer provided on the surface of the resin particles.

導電性粒子の平均粒子径は、好ましくは0.5μm以上、より好ましくは1μm以上、好ましくは100μm以下、より好ましくは20μm以下、更に好ましくは15μm以下、特に好ましくは10μm以下である。   The average particle diameter of the conductive particles is preferably 0.5 μm or more, more preferably 1 μm or more, preferably 100 μm or less, more preferably 20 μm or less, still more preferably 15 μm or less, and particularly preferably 10 μm or less.

導電性粒子の「平均粒子径」は、数平均粒子径を示す。導電性粒子の平均粒子径は、任意の導電性粒子50個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することにより求められる。   The “average particle diameter” of the conductive particles indicates the number average particle diameter. The average particle diameter of the conductive particles can be obtained by observing 50 arbitrary conductive particles with an electron microscope or an optical microscope and calculating an average value.

上記導電性粒子の含有量は特に限定されない。異方性導電ペースト100重量%中、上記導電性粒子の含有量は、好ましくは0.1重量%以上、より好ましくは0.5重量%以上、更に好ましくは1重量%以上、好ましくは40重量%以下、より好ましくは30重量%以下、更に好ましくは19重量%以下である。上記導電性粒子の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、接続されるべき上下の電極間に導電性粒子を容易に配置できる。さらに、接続されてはならない隣接する電極間が複数の導電性粒子を介して電気的に接続され難くなる。すなわち、隣り合う電極間の短絡をより一層防止できる。   The content of the conductive particles is not particularly limited. The content of the conductive particles in 100% by weight of the anisotropic conductive paste is preferably 0.1% by weight or more, more preferably 0.5% by weight or more, still more preferably 1% by weight or more, preferably 40% by weight. % Or less, more preferably 30% by weight or less, still more preferably 19% by weight or less. A conductive particle can be easily arrange | positioned between the upper and lower electrodes which should be connected as content of the said electroconductive particle is more than the said minimum and below the said upper limit. Furthermore, it becomes difficult to electrically connect adjacent electrodes that should not be connected via a plurality of conductive particles. That is, a short circuit between adjacent electrodes can be further prevented.

(他の成分)
上記異方性導電ペーストは、フィラーを含むことが好ましい。フィラーの使用により、異方性導電ペーストの硬化物の潜熱膨張を抑制できる。上記フィラーの具体例としては、シリカ、窒化アルミニウム及びアルミナ等が挙げられる。フィラーは1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
(Other ingredients)
The anisotropic conductive paste preferably contains a filler. By using the filler, latent heat expansion of the cured product of the anisotropic conductive paste can be suppressed. Specific examples of the filler include silica, aluminum nitride, and alumina. As for a filler, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記異方性導電ペーストは、硬化促進剤をさらに含むことが好ましい。硬化促進剤の使用により、硬化速度をより一層速くすることができる。硬化促進剤は1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。   The anisotropic conductive paste preferably further contains a curing accelerator. By using a curing accelerator, the curing rate can be further increased. As for a hardening accelerator, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記硬化促進剤の具体例としては、イミダゾール硬化促進剤及びアミン硬化促進剤等が挙げられる。なかでも、イミダゾール硬化促進剤が好ましい。なお、イミダゾール硬化促進剤又はアミン硬化促進剤は、イミダゾール硬化剤又はアミン硬化剤としても用いることができる。   Specific examples of the curing accelerator include imidazole curing accelerators and amine curing accelerators. Of these, imidazole curing accelerators are preferred. In addition, an imidazole hardening accelerator or an amine hardening accelerator can be used also as an imidazole hardening agent or an amine hardening agent.

上記異方性導電ペーストは、溶剤を含んでいてもよい。該溶剤の使用により、異方性導電ペーストの粘度を容易に調整できる。上記溶剤としては、例えば、酢酸エチル、メチルセロソルブ、トルエン、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサン、n−ヘキサン、テトラヒドロフラン及びジエチルエーテル等が挙げられる。   The anisotropic conductive paste may contain a solvent. By using the solvent, the viscosity of the anisotropic conductive paste can be easily adjusted. Examples of the solvent include ethyl acetate, methyl cellosolve, toluene, acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexane, n-hexane, tetrahydrofuran, and diethyl ether.

以下、本発明について、実施例及び比較例を挙げて具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。   Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to Examples and Comparative Examples. The present invention is not limited only to the following examples.

実施例及び比較例では、以下の材料を用いた。   In the examples and comparative examples, the following materials were used.

(実施例1)
(1)異方性導電ペーストの調製
レゾルシノールジグリシジルエーテル70重量%と、下記式(1B)で表される構造を有するエピスルフィド化合物30重量%とを含むエピスルフィド化合物含有混合物を用意した。
Example 1
(1) Preparation of anisotropic conductive paste An episulfide compound-containing mixture containing 70% by weight of resorcinol diglycidyl ether and 30% by weight of an episulfide compound having a structure represented by the following formula (1B) was prepared.

Figure 2012178460
Figure 2012178460

上記エピスルフィド化合物含有混合物15重量部と、熱硬化剤であるアミンアダクト(味の素ファインテクノ社製「PN−23J」)3重量部と、光硬化性化合物であるエポキシアクリレート(ダイセル・サイテック社製「EBECRYL3702」)8重量部と、光重合開始剤であるアシルホスフィンオキサイド系化合物(チバ・ジャパン社製「DAROCUR TPO」)0.2重量部と、硬化促進剤である2−エチル−4−メチルイミダゾール1重量部と、フィラーである平均粒子径0.25μmのシリカ20重量部及び平均粒子径0.5μmのアルミナ20重量部とを配合し、さらに平均粒子径3μmの導電性粒子を配合物100重量%中での含有量が10重量%となるように添加した後、遊星式攪拌機を用いて2000rpmで5分間攪拌することにより、配合物を得た。   15 parts by weight of the above-described episulfide compound-containing mixture, 3 parts by weight of an amine adduct (“PN-23J” manufactured by Ajinomoto Fine Techno Co.) as a thermosetting agent, and an epoxy acrylate (“EBECRYL 3702” manufactured by Daicel Cytec Co., Ltd.) as a photocurable compound ”) 8 parts by weight, 0.2 part by weight of an acylphosphine oxide compound (“ DAROCUR TPO ”manufactured by Ciba Japan) as a photopolymerization initiator, and 2-ethyl-4-methylimidazole 1 as a curing accelerator Parts by weight, 20 parts by weight of silica having an average particle diameter of 0.25 μm and 20 parts by weight of alumina having an average particle diameter of 0.5 μm, and 100% by weight of conductive particles having an average particle diameter of 3 μm After adding so that the content in the inside becomes 10% by weight, it is 5 minutes at 2000 rpm using a planetary stirrer. By stirring, to obtain a formulation.

なお、用いた上記導電性粒子は、ジビニルベンゼン樹脂粒子の表面にニッケルめっき層が形成されており、かつ該ニッケルめっき層の表面に金めっき層が形成されている金属層を有する導電性粒子である。   The conductive particles used are conductive particles having a metal layer in which a nickel plating layer is formed on the surface of divinylbenzene resin particles and a gold plating layer is formed on the surface of the nickel plating layer. is there.

得られた配合物を、ナイロン製ろ紙(孔径10μm)を用いてろ過することにより、導電性粒子の含有量が10重量%である異方性導電ペーストを得た。   The obtained blend was filtered using a nylon filter paper (pore diameter: 10 μm) to obtain an anisotropic conductive paste having a conductive particle content of 10% by weight.

(2)接続構造体の作製
L/Sが15μm/15μmのITO電極パターンが上面に形成された透明ガラス基板を用意した。また、L/Sが15μm/15μm、電極面積1500μmの銅電極パターンが下面に形成された半導体チップを用意した。
(2) Production of Connection Structure A transparent glass substrate having an ITO electrode pattern with L / S of 15 μm / 15 μm formed on the upper surface was prepared. A semiconductor chip was prepared in which a copper electrode pattern having an L / S of 15 μm / 15 μm and an electrode area of 1500 μm 2 was formed on the lower surface.

また、図4及び図5(a)に示す塗布装置11を用意した。該塗布装置は、ディスペンサーと、該ディスペンサーに接続された除去装置と、該ディスペンサーに接続された光照射装置である紫外線照射ランプとを備える。ここでは、吸引除去装置を用いた。   Moreover, the coating apparatus 11 shown in FIG.4 and FIG.5 (a) was prepared. The coating device includes a dispenser, a removing device connected to the dispenser, and an ultraviolet irradiation lamp that is a light irradiation device connected to the dispenser. Here, a suction removal device was used.

塗布装置を移動させながら、上記透明ガラス基板(第1の接続対象部材)の上面と上記ディスペンサーの先端との距離(μm)を下記の表1に示すように設定して、上記透明ガラス基板上に、得られた異方性導電ペーストを塗布し、平均厚みT(μm)、最大厚みT1(μm)及び最小厚みT2(μm)(平均厚みT(μm)、最大厚みT1(μm)及び最小厚みT2(μm)には、除去装置により除去される部分である塗布終了部分の厚みは含まれない)を下記の表1に示すように設定して、異方性導電ペースト層を形成した。   While moving the coating device, the distance (μm) between the upper surface of the transparent glass substrate (first connection target member) and the tip of the dispenser is set as shown in Table 1 below, The obtained anisotropic conductive paste was applied to the film, and the average thickness T (μm), maximum thickness T1 (μm) and minimum thickness T2 (μm) (average thickness T (μm), maximum thickness T1 (μm) and minimum The thickness T2 (μm) does not include the thickness of the coating-completed portion that is the portion removed by the removing device), as shown in Table 1 below, to form an anisotropic conductive paste layer.

また、異方性導電ペースト層の平均厚みT(μm)(除去装置により除去される部分である塗布終了部分の領域の厚みは含まれない)に対して、異方性導電ペースト層の塗布終了部分の領域の厚みT3(μm)は、下記の表1に示す倍率であった。なお、異方性導電ペースト層の塗布終了部分の領域の異方性導電ペーストの塗布量は、他の領域における塗布量よりも多かったため、厚みが厚くなっていた。   Also, the application of the anisotropic conductive paste layer to the average thickness T (μm) of the anisotropic conductive paste layer (not including the thickness of the region where the application is completed, which is a portion removed by the removing device), is completed. The thickness T3 (μm) of the partial region was a magnification shown in Table 1 below. In addition, since the application amount of the anisotropic conductive paste in the region of the application end portion of the anisotropic conductive paste layer was larger than the application amount in the other regions, the thickness was thick.

なお、実施例1及び後述する実施例2〜5では、塗布方向と直交する方向における上記異方性導電ペースト層の中央部に対して、塗布方向と直交する方向における上記異方性導電ペースト層の上記中央部の外側の縁部が盛り上がった形状になるように、上記異方性導電ペーストが塗布されていた。   In Example 1 and Examples 2 to 5 to be described later, the anisotropic conductive paste layer in the direction orthogonal to the application direction with respect to the central portion of the anisotropic conductive paste layer in the direction orthogonal to the application direction. The anisotropic conductive paste was applied so that the outer edge of the central portion was raised.

その後、塗布装置を移動させながら、上記吸引除去装置を用いて、塗布量が多い上記塗布終了部分の領域を吸引して、除去した。   Then, the area | region of the said application | coating end part with much coating amount was attracted | sucked and removed using the said suction removal apparatus, moving the coating device.

次に、上記塗布終了部分の領域が除去された異方性導電ペースト層に、紫外線照射ランプを用いて紫外線を照射エネルギーが100mJ/cmとなるように照射し、光重合によって異方性導電ペースト層を半硬化させ、Bステージ化した。次に、Bステージ化された異方性導電ペースト層上に上記半導体チップを、電極同士が対向するように積層した。その後、異方性導電ペースト層の温度が185℃となるようにヘッドの温度を調整しながら、半導体チップの上面に加圧加熱ヘッドを載せ、3MPaの圧力をかけて異方性導電ペースト層を185℃で完全硬化させ、接続構造体を得た。 Next, the anisotropic conductive paste layer from which the region where the coating has been completed is removed is irradiated with ultraviolet rays using an ultraviolet irradiation lamp so that the irradiation energy is 100 mJ / cm 2, and anisotropic conductive is performed by photopolymerization. The paste layer was semi-cured and B-staged. Next, the semiconductor chip was stacked on the B-staged anisotropic conductive paste layer so that the electrodes face each other. Then, while adjusting the temperature of the head so that the temperature of the anisotropic conductive paste layer becomes 185 ° C., a pressure heating head is placed on the upper surface of the semiconductor chip and a pressure of 3 MPa is applied to form the anisotropic conductive paste layer. Completely cured at 185 ° C. to obtain a connection structure.

(実施例2〜7)
接続構造体を作製する際に、上記透明ガラス基板の上面と上記ディスペンサーの先端との距離T2(μm)を下記の表1に示すように設定し、さらに異方性導電ペーストの吐出速度及び吐出量を調整して平均厚みT(μm)、最大厚みT1(μm)及び最小厚みT2(μm)、並びに異方性導電ペースト層の平均厚みT(μm)に対する異方性導電ペースト層の塗布終了部分の領域の厚みT3(μm)の倍率を下記の表1に示すように設定したこと以外は実施例1と同様にして、接続構造体を得た。
(Examples 2 to 7)
When producing the connection structure, the distance T2 (μm) between the upper surface of the transparent glass substrate and the tip of the dispenser is set as shown in Table 1 below, and the discharge speed and discharge of the anisotropic conductive paste are further set. Adjusting the amount, the application of the anisotropic conductive paste layer to the average thickness T (μm), the maximum thickness T1 (μm) and the minimum thickness T2 (μm), and the average thickness T (μm) of the anisotropic conductive paste layer is completed. A connection structure was obtained in the same manner as in Example 1 except that the magnification of the thickness T3 (μm) of the partial region was set as shown in Table 1 below.

(比較例1〜3)
接続構造体を作製する際に、上記透明ガラス基板の上面と上記ディスペンサーの先端との距離(μm)を下記の表1に示すように設定し、さらに異方性導電ペーストの吐出速度及び吐出量を調整して平均厚みT(μm)、最大厚みT1(μm)及び最小厚みT2(μm)(平均厚みT(μm)、最大厚みT1(μm)及び最小厚みT2(μm)には、塗布終了部分の領域の厚みは含まれない)、並びに異方性導電ペースト層の平均厚みT(μm)(塗布終了部分の領域の厚みは含まれない)に対する異方性導電ペースト層の塗布終了部分の領域の厚みT3(μm)の倍率を下記の表1に示すように設定したこと、更に除去装置により塗布終了部分の領域を除去しなかった以外は実施例1と同様にして、接続構造体を得た。
(Comparative Examples 1-3)
When producing the connection structure, the distance (μm) between the upper surface of the transparent glass substrate and the tip of the dispenser is set as shown in Table 1 below, and the discharge speed and discharge amount of the anisotropic conductive paste are set. To complete the average thickness T (μm), maximum thickness T1 (μm) and minimum thickness T2 (μm) (average thickness T (μm), maximum thickness T1 (μm) and minimum thickness T2 (μm) The thickness of the portion of the anisotropic conductive paste layer with respect to the average thickness T (μm) of the anisotropic conductive paste layer (not including the thickness of the portion of the coating end portion). The connection structure was formed in the same manner as in Example 1 except that the magnification of the region thickness T3 (μm) was set as shown in Table 1 below, and that the region at the end of the coating was not removed by the removal device. Obtained.

(評価)
(1)ボイドの有無
実施例及び比較例における接続構造体をそれぞれ100個用意した。得られた接続構造体において、異方性導電ペースト層により形成された硬化物層にボイドが生じているか否かを、透明ガラス基板の下面側から目視により観察した。ボイドの有無を下記の判定基準で判定した。ボイドがあると、接続構造体における導通信頼性が低くなる。
(Evaluation)
(1) Presence / absence of voids 100 connection structures in Examples and Comparative Examples were prepared. In the obtained connection structure, whether or not voids were generated in the cured product layer formed of the anisotropic conductive paste layer was visually observed from the lower surface side of the transparent glass substrate. The presence or absence of voids was determined according to the following criteria. When there is a void, the conduction reliability in the connection structure is lowered.

[ボイドの有無の判定基準]
○○:100個の接続構造体中全てで、ボイド無し
○:100個の接続構造体中、最大長さが10μm以下であるボイドがある接続構造体が存在するものの、全ての接続構造体が使用可能
△:100個の接続構造体中、最大長さが10μmを超え、30μm以下であるボイドがある接続構造体が存在するものの、全ての接続構造体が使用可能
×:100個の接続構造体中、最大長さが30μmを超える接続構造体が存在する
[Criteria for the presence or absence of voids]
○○: No void in all 100 connection structures ○: Although there are connection structures with voids having a maximum length of 10 μm or less in 100 connection structures, all connection structures are Usable △: Among 100 connection structures, there are connection structures with voids whose maximum length exceeds 10 μm and 30 μm or less, but all connection structures can be used ×: 100 connection structures There is a connection structure with a maximum length exceeding 30 μm in the body.

(2)第1,第2の接続対象部材の位置ずれの有無
実施例及び比較例における接続構造体をそれぞれ100個用意した。得られた接続構造体において、透明ガラス基板の電極と半導体チップの電極との間に位置ずれが生じているか否かを評価した。位置ずれを下記の基準で判定した。
(2) Presence / absence of displacement of first and second connection target members 100 connection structures in each of the examples and comparative examples were prepared. In the obtained connection structure, it was evaluated whether or not misalignment occurred between the electrode of the transparent glass substrate and the electrode of the semiconductor chip. The positional deviation was determined according to the following criteria.

[位置ずれの判定基準]
○○:100個の接続構造体中全てで、電極間の位置ずれがないか、又は電極間のずれ幅が2μm以下
○:100個の接続構造体中、電極間のずれ幅が2μmを超え、5μm以下である接続構造体が存在するものの、全ての接続構造体が使用可能
△:100個の接続構造体中、電極間のずれ幅が5μmを超え、10μm以下である接続構造体が存在するものの、全ての接続構造体が使用可能
×:100個の接続構造体中、電極間のずれ幅10μmを超える接続構造体が存在する
[Criteria for misalignment]
○○: There is no displacement between electrodes in all 100 connection structures, or the displacement width between electrodes is 2 μm or less. ○: The displacement width between electrodes exceeds 2 μm in 100 connection structures. All connection structures can be used even though there is a connection structure that is 5 μm or less. Δ: Among 100 connection structures, there is a connection structure in which the displacement width between electrodes exceeds 5 μm and is 10 μm or less. However, all connection structures can be used. X: Among 100 connection structures, there is a connection structure exceeding a displacement width of 10 μm between electrodes.

(3)汚染の有無
実施例及び比較例における接続構造体の作製時に、半導体チップの側面又は上面と、加圧加熱ヘッド(圧着ヘッド)とに異方性導電ペースト層が付着するか否かを評価した。汚染の有無を下記の基準で判定した。
(3) Presence / absence of contamination Whether or not the anisotropic conductive paste layer adheres to the side surface or upper surface of the semiconductor chip and the pressure heating head (crimping head) during the fabrication of the connection structures in the examples and comparative examples. evaluated. The presence or absence of contamination was determined according to the following criteria.

[汚染の有無の判定基準]
○○:100個の接続構造体を製造しても、半導体チップ及び加圧加熱ヘッドに異方性導電ペーストが付着しなかった
○:100個の接続構造体を製造すると、1〜2個の半導体チップ及び加圧加熱ヘッドに異方性導電ペーストがわずかに付着していたものの、全ての接続構造体が使用可能
△:100個の接続構造体を製造すると、3〜4個の半導体チップ及び加圧加熱ヘッドに異方性導電ペーストがわずかに付着していたものの、全ての接続構造体が使用可能
×:100個の接続構造体を製造すると、5個の半導体チップ及び加圧加熱ヘッドに異方性導電ペーストがわずかに付着しているか、又は1個以上の半導体チップ及び加圧加熱ヘッドに異方性導電ペーストがかなり付着している
[Judgment criteria for contamination]
○○: Even when 100 connection structures were manufactured, the anisotropic conductive paste did not adhere to the semiconductor chip and the pressure heating head. ○: When 100 connection structures were manufactured, 1 to 2 Although the anisotropic conductive paste is slightly adhered to the semiconductor chip and the pressure heating head, all the connection structures can be used. Δ: When 100 connection structures are manufactured, 3 to 4 semiconductor chips and Although the anisotropic conductive paste was slightly adhered to the pressure heating head, all the connection structures can be used. X: When 100 connection structures are manufactured, the five semiconductor chips and the pressure heating head can be used. The anisotropic conductive paste is slightly adhered or the anisotropic conductive paste is considerably adhered to one or more semiconductor chips and the pressure heating head.

(4)導通信頼性(上下の電極間の導通試験)
得られた接続構造体の上下の電極間の接続抵抗をそれぞれ、4端子法により測定した。100箇所の接続抵抗の平均値を算出した。なお、電圧=電流×抵抗の関係から、一定の電流を流した時の電圧を測定することにより接続抵抗を求めることができる。接続抵抗の平均値が3Ω以下である場合を「○」、接続抵抗の平均値が3Ωを超える場合を「×」と判定した。
(4) Conduction reliability (conductivity test between upper and lower electrodes)
The connection resistance between the upper and lower electrodes of the obtained connection structure was measured by a four-terminal method. The average value of the connection resistance at 100 locations was calculated. Note that the connection resistance can be obtained by measuring the voltage when a constant current is passed from the relationship of voltage = current × resistance. The case where the average value of the connection resistance was 3Ω or less was judged as “◯”, and the case where the average value of the connection resistance exceeded 3Ω was judged as “X”.

結果を下記の表1に示す。   The results are shown in Table 1 below.

Figure 2012178460
Figure 2012178460

1…接続構造体
2…第1の接続対象部材
2a…上面
2b…第1の電極
3…硬化物層
3a…上面
3x…中央部
3y…縁部
3A…異方性導電ペースト層
3B…Bステージ化された異方性導電ペースト層
4…第2の接続対象部材
4a…下面
4b…第2の電極
5…導電性粒子
11…塗布装置
12…ディスペンサー
12a…シリンジ
12b…把持部
12c…先端
13…光照射装置
13a…光照射装置本体
13b…光照射部
14…除去装置
14a…先端
21…光照射装置
21a…光照射装置本体
21b…光照射部
31…台
R1…第1の領域
R2…塗布量が多い第2の領域
51A…異方性導電ペースト層
51a…上面
51x…中央部
51y…縁部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Connection structure 2 ... 1st connection object member 2a ... Upper surface 2b ... 1st electrode 3 ... Hardened | cured material layer 3a ... Upper surface 3x ... Center part 3y ... Edge part 3A ... Anisotropic conductive paste layer 3B ... B stage Anisotropic conductive paste layer 4 ... second connection target member 4a ... lower surface 4b ... second electrode 5 ... conductive particles 11 ... coating apparatus 12 ... dispenser 12a ... syringe 12b ... gripping part 12c ... tip 13 ... Light irradiation device 13a ... Light irradiation device main body 13b ... Light irradiation unit 14 ... Removal device 14a ... Tip 21 ... Light irradiation device 21a ... Light irradiation device main body 21b ... Light irradiation unit 31 ... Stand R1 ... First region R2 ... Coating amount Second region with a large amount 51A ... Anisotropic conductive paste layer 51a ... Upper surface 51x ... Center part 51y ... Edge part

Claims (14)

電極を上面に有する第1の接続対象部材上に、ディスペンサーを移動させながら、熱硬化性成分と導電性粒子とを含む異方性導電ペーストを前記ディスペンサーから塗布して、異方性導電ペースト層を形成する工程と、
前記異方性導電ペースト層の少なくとも一部の領域を、除去装置により除去する工程と、
前記異方性導電ペースト層上に、電極を下面に有する第2の接続対象部材を積層する工程と、
前記異方性導電ペースト層を加熱して本硬化させて、硬化物層を形成する工程とを備え、
前記除去装置により除去する前の前記異方性導電ペースト層が、第1の領域と、該第1の領域よりも塗布量が多い第2の領域とを有し、前記第1の領域を前記除去装置により除去するか、又は前記塗布量が多い第2の領域を前記除去装置により除去する、接続構造体の製造方法。
An anisotropic conductive paste layer is applied by applying an anisotropic conductive paste containing a thermosetting component and conductive particles from the dispenser while moving the dispenser onto a first connection target member having an electrode on the upper surface. Forming a step;
Removing at least a portion of the anisotropic conductive paste layer with a removing device;
Laminating a second connection target member having an electrode on the lower surface on the anisotropic conductive paste layer;
The anisotropic conductive paste layer is heated to be fully cured to form a cured product layer,
The anisotropic conductive paste layer before being removed by the removing device has a first region and a second region having a larger application amount than the first region, and the first region is A method for manufacturing a connection structure, wherein the removal region is removed by the removal device or the second region having a large coating amount is removed by the removal device.
前記塗布量が多い第2の領域を、前記除去装置により除去する、請求項1に記載の接続構造体の製造方法。   The method for manufacturing a connection structure according to claim 1, wherein the second region having a large coating amount is removed by the removing device. 前記異方性導電ペースト層の塗布終了部分の領域を、前記除去装置により除去する、請求項1又は2に記載の接続構造体の製造方法。   The method for manufacturing a connection structure according to claim 1 or 2, wherein a region of the application end portion of the anisotropic conductive paste layer is removed by the removing device. 前記第2の領域が、前記異方性導電ペースト層の塗布終了部分の領域である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の接続構造体の製造方法。   The manufacturing method of the connection structure of any one of Claims 1-3 whose said 2nd area | region is an area | region of the application | coating end part of the said anisotropic conductive paste layer. 前記除去装置として、前記異方性導電ペースト層の少なくとも一部の領域を吸引して除去する吸引除去装置を用いる、請求項1〜4のいずれか1項に記載の接続構造体の製造方法。   The manufacturing method of the connection structure of any one of Claims 1-4 using the suction removal apparatus which sucks and removes at least one area | region of the said anisotropic conductive paste layer as said removal apparatus. 前記ディスペンサーと前記除去装置とが接続されている塗布装置を用いる、請求項1〜5のいずれか1項に記載の接続構造体の製造方法。   The manufacturing method of the connection structure of any one of Claims 1-5 using the coating device with which the said dispenser and the said removal apparatus are connected. 前記ディスペンサーと前記除去装置とを連動して移動させる、請求項1〜6のいずれか1項に記載の接続構造体の製造方法。   The manufacturing method of the connection structure of any one of Claims 1-6 which moves the said dispenser and the said removal apparatus interlock | cooperating. 塗布方向と直交する方向における前記異方性導電ペースト層の中央部に対して、塗布方向と直交する方向における前記異方性導電ペースト層の前記中央部の外側の縁部が盛り上がった形状になるように、前記異方性導電ペーストを塗布する、請求項1〜7のいずれか1項に記載の接続構造体の製造方法。   The outer edge of the central portion of the anisotropic conductive paste layer in the direction orthogonal to the application direction is raised with respect to the central portion of the anisotropic conductive paste layer in the direction orthogonal to the application direction. Thus, the manufacturing method of the connection structure of any one of Claims 1-7 which apply | coats the said anisotropic conductive paste. 前記異方性導電ペーストとして、熱硬化性成分を含む異方性導電ペーストを用いるか、又は熱硬化性成分と光硬化性成分とを含む異方性導電ペーストを用いて、
前記異方性導電ペースト層に熱を付与又は光を照射することにより硬化を進行させて、Bステージ化された異方性導電ペースト層を形成する工程をさらに備え、
前記Bステージ化された異方性導電ペースト層の上面に、前記第2の接続対象部材を積層し、
前記Bステージ化された異方性導電ペースト層を加熱して本硬化させて、硬化物層を形成する、請求項1〜8のいずれか1項に記載の接続構造体の製造方法。
As the anisotropic conductive paste, using an anisotropic conductive paste containing a thermosetting component, or using an anisotropic conductive paste containing a thermosetting component and a photocurable component,
The anisotropic conductive paste layer further includes a step of forming a B-staged anisotropic conductive paste layer by applying heat or irradiating light to advance curing,
Laminating the second connection target member on the upper surface of the B-staged anisotropic conductive paste layer,
The method for manufacturing a connection structure according to any one of claims 1 to 8, wherein the B-staged anisotropic conductive paste layer is heated and fully cured to form a cured product layer.
前記異方性導電ペーストとして、熱硬化性成分と光硬化性成分とを含む異方性導電ペーストを用いて、
前記異方性導電ペースト層に光を照射することにより硬化を進行させて、Bステージ化された異方性導電ペースト層を形成し、
前記Bステージ化された異方性導電ペースト層を加熱して本硬化させて、硬化物層を形成する、請求項9に記載の接続構造体の製造方法。
As the anisotropic conductive paste, using an anisotropic conductive paste containing a thermosetting component and a photocurable component,
Curing proceeds by irradiating the anisotropic conductive paste layer with light to form a B-staged anisotropic conductive paste layer,
The method for manufacturing a connection structure according to claim 9, wherein the B-staged anisotropic conductive paste layer is heated and fully cured to form a cured product layer.
第1の接続対象部材上に、熱硬化性成分と導電性粒子とを含む異方性導電ペーストを塗布するために用いられる塗布装置であって、
前記第1の接続対象部材上に、前記異方性導電ペーストを塗布するためのディスペンサーと、
前記第1の接続対象部材上に塗布された異方性導電ペーストの少なくとも一部の領域を除去するための除去装置とを備える、塗布装置。
A coating apparatus used for coating an anisotropic conductive paste containing a thermosetting component and conductive particles on a first connection target member,
A dispenser for applying the anisotropic conductive paste on the first connection target member;
And a removing device for removing at least a part of the region of the anisotropic conductive paste applied on the first connection target member.
前記ディスペンサーと前記除去装置とが接続されている、請求項11に記載の塗布装置。   The coating device according to claim 11, wherein the dispenser and the removing device are connected. 前記ディスペンサーと前記除去装置とが連動して移動するように構成されている、請求項11又は12に記載の塗布装置。   The coating device according to claim 11 or 12, wherein the dispenser and the removing device are configured to move in conjunction with each other. 第1の接続対象部材上に、熱硬化性成分と光硬化性成分と導電性粒子とを含む異方性導電ペーストを塗布し、該異方性導電ペーストに光を照射するために用いられる塗布装置であって、
光照射装置をさらに備える、請求項11〜13のいずれか1項に記載の塗布装置。
Application used for applying an anisotropic conductive paste containing a thermosetting component, a photocurable component, and conductive particles on the first connection target member, and irradiating the anisotropic conductive paste with light. A device,
The coating apparatus of any one of Claims 11-13 further provided with a light irradiation apparatus.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2013062302A (en) * 2011-09-12 2013-04-04 Sekisui Chem Co Ltd Method of manufacturing connection structure

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