JP2012156272A - Light-emitting device - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light-emitting device capable of preventing unevenness of light emission and capable of emitting light more uniformly.SOLUTION: A light-emitting device comprises: a semiconductor part having a first primary surface and a second primary surface; a first electrode provided on the first primary surface side; and a second electrode provided on the second primary surface side. The first electrode includes more than three external connection parts arranged so as to surround the center of the first primary surface and first extending parts extending toward the center of the first primary surface from the external connection parts.

Description

本発明は、第1主面及び第2主面を有する半導体部と、第1主面側に設けられた第1電極と、第2主面側に設けられた第2電極と、を備える発光素子に関する。   The present invention provides a light emitting device comprising: a semiconductor portion having a first main surface and a second main surface; a first electrode provided on the first main surface side; and a second electrode provided on the second main surface side. It relates to an element.

従来の発光素子として、発光素子の中心に「パッド」が配置され、その「パッド」から「細線電極」が十字形状に延伸するように配置されているものがある(特許文献1参照)。   As a conventional light emitting element, there is one in which a “pad” is arranged at the center of the light emitting element, and a “thin wire electrode” is extended from the “pad” in a cross shape (see Patent Document 1).

特開2008-282851号公報JP 2008-282851

しかしながら、従来の構造では、電流密度が均一でなく、それに伴い発光にムラがでるという問題があった。一般に、外部から電流を供給するためのワイヤが接続されるパッドに近い領域は電流密度が高くなり、細線電極があったとしてもパッドから離れるしたがって電流密度は低下する。したがって、従来の構造では、パッド近傍だけが強く発光してしまい、細線電極の先端においては弱い発光となる結果、素子全体として発光ムラが生じてしまうという問題があった。   However, the conventional structure has a problem that the current density is not uniform, and accordingly, the light emission is uneven. Generally, a current density is high in a region close to a pad to which a wire for supplying a current from the outside is connected, and even if there is a thin wire electrode, the current density is lowered. Therefore, in the conventional structure, only the vicinity of the pad emits light strongly, and weak light emission occurs at the tip of the thin wire electrode. As a result, there is a problem that uneven light emission occurs as a whole element.

本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、発光ムラを抑制しより均一に発光することが可能な発光素子を提供することを課題とする。   This invention is made | formed in view of this situation, and makes it a subject to provide the light emitting element which suppresses light emission nonuniformity and can light-emit more uniformly.

一実施形態に係る発光素子は、第1主面及び第2主面を有する半導体部と、第1主面側に設けられた第1電極と、第2主面側に設けられた第2電極と、を備える。第1電極は、第1主面の中心部を取り囲むように配置された3以上の外部接続部と、外部接続部から第1主面の中心部に向かって延伸する第1延伸部と、を備える。   A light emitting device according to an embodiment includes a semiconductor portion having a first main surface and a second main surface, a first electrode provided on the first main surface side, and a second electrode provided on the second main surface side. And comprising. The first electrode includes three or more external connection portions arranged so as to surround the center portion of the first main surface, and a first extension portion extending from the external connection portion toward the center portion of the first main surface. Prepare.

実施形態1に係る発光素子を第1電極の側からみた平面図である。FIG. 2 is a plan view of the light emitting element according to Embodiment 1 as viewed from the first electrode side. 図1のX−X部における断面図である。It is sectional drawing in the XX part of FIG. 実施形態1に係る発光素子の発光状態を説明するための図である。4 is a diagram for explaining a light emission state of the light emitting element according to Embodiment 1. FIG. 実施形態2に係る発光素子を第1電極の側から見た平面図である。It is the top view which looked at the light emitting element concerning Embodiment 2 from the 1st electrode side. 実施形態2に係る発光素子の発光状態を説明するための図である。6 is a diagram for explaining a light emitting state of a light emitting element according to Embodiment 2. FIG. 実施形態3に係る発光素子を第1電極の側から見た平面図である。It is the top view which looked at the light emitting element concerning Embodiment 3 from the 1st electrode side. 実施形態3に係る発光素子の発光状態を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the light emission state of the light emitting element which concerns on Embodiment 3. FIG.

以下、本発明に係る発光素子を実施するための形態として、図面を参照しながら説明する。ただし、以下に示す形態は、本発明の技術思想を具体化するための例示であって、特に記載しない限り本発明を以下に限定するものではない。さらに、同一の名称、符号については、原則として同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明は適宜省略する。   Hereinafter, embodiments for implementing a light-emitting device according to the present invention will be described with reference to the drawings. However, the form shown below is an illustration for embodying the technical idea of the present invention, and the present invention is not limited to the following unless otherwise specified. Further, in principle, the same names and symbols indicate the same or the same members, and detailed description thereof will be omitted as appropriate.

<実施形態1>
図1は本実施形態に係る発光素子100を第1電極20側からみた平面図であり、図2は図1のX−X部の断面図である。図3は発光素子100の電流密度の高低を示すためのシミュレーション結果である。なお、電流密度が高いと発光が強く電流密度が低いと発光は弱いと言えるので、図3から発光の強弱も把握できる。
<Embodiment 1>
FIG. 1 is a plan view of the light emitting device 100 according to the present embodiment as viewed from the first electrode 20 side, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along a line XX in FIG. FIG. 3 shows simulation results for showing the current density of the light emitting element 100. Note that light emission is strong when the current density is high, and light emission is weak when the current density is low. Therefore, the intensity of light emission can be grasped from FIG.

図1〜3に示すように、本実施形態に係る発光装置100は、第1主面11及び第2主面12を有する半導体部10と、第1主面11側に設けられた第1電極20と、第2主面12側に設けられた第2電極30と、を備える。第1電極20は、第1主面11の中心部Cを取り囲むように配置された3以上の外部接続部21と、外部接続部21から第1主面11の中心部Cに向かって延伸する第1延伸部22と、を備える。ここで「中心部C」とは、互いに交差する2つの直線で第1主面11を均等又は略均等に4分割したときの交点をいう。例えば、図1に示すように、第1主面11が正方形である場合は、2つの対角線の交点が「中心部C」となる。   As shown in FIGS. 1 to 3, the light emitting device 100 according to this embodiment includes a semiconductor unit 10 having a first main surface 11 and a second main surface 12, and a first electrode provided on the first main surface 11 side. 20 and a second electrode 30 provided on the second main surface 12 side. The first electrode 20 extends from the external connection portion 21 toward the central portion C of the first main surface 11 by three or more external connection portions 21 disposed so as to surround the central portion C of the first main surface 11. A first extending portion 22. Here, the “center C” refers to an intersection when the first main surface 11 is equally or substantially equally divided into four by two straight lines intersecting each other. For example, as shown in FIG. 1, when the first major surface 11 is a square, the intersection of two diagonal lines is “center C”.

これにより、第1主面における電流密度ムラをより軽減することができ、より均一な発光を得ることができる。以下、そのメカニズムについて説明する。   Thereby, the current density unevenness on the first main surface can be further reduced, and more uniform light emission can be obtained. Hereinafter, the mechanism will be described.

一般的に、外部接続部には発光素子に電流を流すためにワイヤなどの導電性部材が直接接続される。その結果、外部接続部から近い領域では電流密度が高くなり、外部接続部から遠い領域では電流密度が低くなる。これを補うために、外部接続部から延伸する延伸部を設け、より広い領域に電流を拡散させる試みもされている。しかし、延伸部を設けたとしても外部接続部から離れるに従って電流密度が小さくなるので、素子全体として均一な発光を得ることは困難であった。   Generally, a conductive member such as a wire is directly connected to the external connection portion in order to pass a current to the light emitting element. As a result, the current density is high in a region near the external connection portion, and the current density is low in a region far from the external connection portion. In order to compensate for this, an attempt has been made to provide an extension part extending from the external connection part and diffuse the current over a wider area. However, even if the extension portion is provided, the current density decreases as the distance from the external connection portion increases, and it is difficult to obtain uniform light emission as the entire device.

そこで、3以上の外部接続部21を第1主面11の中心部Cを取り囲むように配置することにより(中心部Cから離れた広い領域に強い発光が期待できる外部接続部21を配置させることにより)、中心部Cから離れた領域においても強い発光を得ることができる(図3参照)。さらに、各外部接続部21から中心部Cに向かって延伸する第1延伸部22を設ける結果、隣り合う2つの第1延伸部22の距離を中心部に近くなるほど近くすることができる。つまり、第1延伸部22は、外部接続部21から離れるにつれて発光が弱くなるが、外部接続部21から離れるにつれて隣り合う他の第1延伸部22との距離が小さくなるため、第1延伸部22の延伸方向においても十分な強さの発光を確保することができる(図3参照)。その結果、図3に示すように、第1主面において十分な強さの発光を得つつより均一な発光が可能となる。以下、発光素子100を構成する主な構成要素について説明する。   Therefore, by arranging three or more external connection portions 21 so as to surround the central portion C of the first main surface 11, the external connection portions 21 that can expect strong light emission are arranged in a wide area away from the central portion C. ), Strong light emission can be obtained even in a region away from the central portion C (see FIG. 3). Furthermore, as a result of providing the 1st extending | stretching part 22 extended | stretched toward the center part C from each external connection part 21, the distance of the two adjacent 1st extending | stretching parts 22 can be shortened, so that it becomes close to a center part. That is, the first extending portion 22 emits less light as the distance from the external connecting portion 21 increases, but the distance from the other adjacent first extending portion 22 decreases as the distance from the external connecting portion 21 increases. Even in the extending direction of 22, it is possible to ensure sufficient intensity of light emission (see FIG. 3). As a result, as shown in FIG. 3, more uniform light emission is possible while obtaining light emission with sufficient intensity on the first main surface. Hereinafter, main components constituting the light emitting element 100 will be described.

(半導体部10)
半導体部10を構成する材料やその構造については限定されず、種々のものを採用することができる。本実施の形態では、n型半導体層、活性層、p型半導体層が順に積層された構成(図示せず)とし、各層の材料として窒化物半導体(InAlGa1−X−YN(0≦X<1、0≦Y<1、0≦X+Y<1))を用いている。窒化物半導体はGaAs等の他の材料と比較して半導体内部の抵抗が大きいため電流を効果的に広げることが難しい。したがって、本実施形態では半導体部を窒化物半導体で構成した場合に特に効果的である。
(Semiconductor part 10)
The material constituting the semiconductor unit 10 and the structure thereof are not limited, and various materials can be adopted. In the present embodiment, an n-type semiconductor layer, an active layer, and a p-type semiconductor layer are sequentially stacked (not shown), and a nitride semiconductor (In X Al Y Ga 1-XY N N is used as a material for each layer. (0 ≦ X <1, 0 ≦ Y <1, 0 ≦ X + Y <1)). Nitride semiconductors have a higher resistance inside the semiconductor than other materials such as GaAs, and it is difficult to effectively spread the current. Therefore, this embodiment is particularly effective when the semiconductor portion is made of a nitride semiconductor.

本実施形態では、n型半導体層側を第1主面11とし、p型半導体層側を第2主面12としている。第1主面11と第2主面2は、互いに半導体部10の反対側に位置している。発光素子100では、第1主面11が光取り出し面であり、第2の主面12が後述する支持部40等に実装されている。   In the present embodiment, the n-type semiconductor layer side is the first main surface 11, and the p-type semiconductor layer side is the second main surface 12. The first main surface 11 and the second main surface 2 are located on opposite sides of the semiconductor unit 10. In the light emitting element 100, the first main surface 11 is a light extraction surface, and the second main surface 12 is mounted on a support portion 40 or the like described later.

本実施形態では、第1主面11の形状を正方形としている。ただし、第1主面11の形状は種々選択することができる。一般に発光素子は一枚のウエハから分離されて得られるので、その歩留まりを考慮すれば、第1主面11の形状は正方形(又は略正方形)であることが好ましい。後述するように外部接続部21を円の円周上に配置して第1主面11を有効に利用することを考慮しても、その形状は正方形(又は略正方形)であることが好ましい。   In the present embodiment, the first main surface 11 has a square shape. However, the shape of the first main surface 11 can be variously selected. In general, since the light emitting element is obtained by being separated from one wafer, the shape of the first main surface 11 is preferably square (or substantially square) in consideration of the yield. As will be described later, it is preferable that the external connection portion 21 is arranged on the circumference of the circle and the first main surface 11 is effectively used, and the shape thereof is a square (or a substantially square).

本実施形態では、第1主面11の形状を正方形とし、その一辺を約3mmとている。ただし、第1主面11の大きさは種々選択することができる。第1主面11の形状が正方形(又は略正方形)である場合、その一辺は1.5mm以上、好ましくは2.0mm以上、さらに好ましくは2.5mm以上とすることができる。第1主面11の面積が小さいと、外部接続部21を3以上設けたときに電流密度が過度に高くなり好ましくないからである。一辺の上限は特にないが、半導体部10を一定の結晶性で量産性よく得るためには、4.5mm以下、好ましくは4.0mm以下、より好ましくは3.5mm以下とすることができる。   In the present embodiment, the shape of the first main surface 11 is a square and one side thereof is about 3 mm. However, the size of the first main surface 11 can be variously selected. When the shape of the 1st main surface 11 is a square (or substantially square), the one side can be 1.5 mm or more, Preferably it is 2.0 mm or more, More preferably, it can be 2.5 mm or more. This is because if the area of the first main surface 11 is small, the current density becomes excessively high when three or more external connection portions 21 are provided, which is not preferable. Although there is no particular upper limit on one side, in order to obtain the semiconductor part 10 with a certain crystallinity and good mass productivity, it can be 4.5 mm or less, preferably 4.0 mm or less, more preferably 3.5 mm or less.

(第1電極20)
第1電極20は、第1主面11側に設けられる電極であり、外部接続部21と第1延伸部22とを備える。具体的には、発光素子100を第1主面11側からみた平面視において、中心部Cの周囲には中心部Cを取り囲むようにして3以上の外部接続部21が設けられている。外部接続部21は、ワイヤ等の導電部材を介して外部から電流が供給される部位であり、所謂パッド部である。
(First electrode 20)
The first electrode 20 is an electrode provided on the first main surface 11 side, and includes an external connection portion 21 and a first extending portion 22. Specifically, three or more external connection portions 21 are provided around the central portion C so as to surround the central portion C in a plan view when the light emitting element 100 is viewed from the first main surface 11 side. The external connection portion 21 is a portion to which current is supplied from the outside through a conductive member such as a wire, and is a so-called pad portion.

外部接続部21のそれぞれは、中心部Cに向かって延伸する第1延伸部22を備える。つまり、第1延伸部22は外部接続部21から離れるに従って(中心部Cに近づくに従って)隣り合う他の第1延伸部22との距離が近くなるように構成されている。   Each of the external connection portions 21 includes a first extending portion 22 that extends toward the central portion C. That is, the 1st extending | stretching part 22 is comprised so that the distance with the other adjacent 1st extending | stretching part 22 may become near as it leaves | separates from the external connection part 21 (as it approaches the center part C).

第1電極22の構造や材料については限定されず種々のものを用いることができる。本実施形態では、第1電極22として、Ti/Pt/Au(半導体部20からTi、Pt及びAuが順に積層されていることを意味する。)が順に積層された構造としている。   The structure and material of the first electrode 22 are not limited, and various types can be used. In the present embodiment, the first electrode 22 has a structure in which Ti / Pt / Au (which means that Ti, Pt, and Au are sequentially stacked from the semiconductor portion 20) are sequentially stacked.

外部接続部21のそれぞれは、第1主面11の中心部Cを中心とする円の円周上に等間隔で配置されることが好ましい(図1参照)。これにより、中心部Cから各外部接続部21までの距離を同じとすることができるだけでなく、隣り合う外部接続部21同士の距離を同じとすることができるので、第1主面11全体においてより均一に発光させることができる。さらに、第1主面11側にレンズを配置する場合であれば、第1主面11の発光領域を円形とすることで光学設計を容易に行うこともできる。ここで、外部接続部21が「等間隔」で配置されるとは、外部接続部21同士が完全に等間隔で配置される場合に限られない。例えば、所定の位置に配置された外部接続部と隣り合う一方の側の外部接続部との距離と、上記所定の位置に配置された外部接続部と隣り合う他方の側の外部接続部との距離と、の差が±10%以内、好ましくは±5%以内、より好ましくは±2%以内の場合も、外部接続部が実質的に等間隔で配置されているとして、「等間隔」と言うものとする。   Each of the external connection portions 21 is preferably arranged at equal intervals on the circumference of a circle centered on the center portion C of the first main surface 11 (see FIG. 1). Thereby, not only the distance from the center part C to each external connection part 21 can be made the same, but also the distance between the adjacent external connection parts 21 can be made the same. Light can be emitted more uniformly. Furthermore, if a lens is arranged on the first main surface 11 side, the optical design can be easily performed by making the light emitting region of the first main surface 11 circular. Here, the fact that the external connection portions 21 are arranged at “equal intervals” is not limited to the case where the external connection portions 21 are completely arranged at equal intervals. For example, the distance between the external connection portion arranged at a predetermined position and the external connection portion on one side adjacent to the external connection portion, and the external connection portion on the other side adjacent to the external connection portion arranged at the predetermined position. Even when the difference from the distance is within ± 10%, preferably within ± 5%, more preferably within ± 2%, it is assumed that the external connection portions are arranged at substantially equal intervals. Say it.

特に、外部接続部21のそれぞれは、第1主面11の中心部Cを中心とし第1主面11の縁部近傍を通る円の円周上に配置されることが好ましい(図1参照)。これにより、第1主面11において、外部接続部21で取り囲まれた領域を最大とすることができるので、より広い領域でより均一な発光が可能となる。   In particular, each of the external connection portions 21 is preferably arranged on the circumference of a circle that passes through the vicinity of the edge of the first main surface 11 with the center portion C of the first main surface 11 as the center (see FIG. 1). . Thereby, in the 1st main surface 11, since the area | region enclosed by the external connection part 21 can be made into the maximum, more uniform light emission is attained in a wider area | region.

第1電極20は、第1主面11の中心部Cを基準として点対称となるように配置されていることが好ましい(図1参照)。つまり、第1電極20(外部接続部21及び第1延伸部22を含む)を中心部Cを中心として180度回転させても、回転の前後で同じ形状となることが好ましい。これにより、外部接続部21で囲まれた領域内をより均一に発光させることができる。ここで、第1電極20が「点対称」に配置されるとは、第1電極20が完全に点対称である場合に限られない。たとえば、回転の前後で第1電極が多少ずれていても実質的に点対称であるとして、「点対称」と言うものとする。   The first electrode 20 is preferably arranged so as to be point-symmetric with respect to the central portion C of the first main surface 11 (see FIG. 1). That is, even if the first electrode 20 (including the external connection portion 21 and the first extending portion 22) is rotated 180 degrees around the center portion C, it is preferable that the same shape is obtained before and after the rotation. Thereby, the inside of the area | region enclosed by the external connection part 21 can be light-emitted more uniformly. Here, the fact that the first electrode 20 is “point-symmetric” is not limited to the case where the first electrode 20 is completely point-symmetric. For example, even if the first electrode is slightly deviated before and after the rotation, it is substantially point-symmetric and is referred to as “point symmetry”.

発光素子100では、外部接続部21の形状を円形とし、その直径を約170μmとし、その数を12個としている。ただし、外部接続部21の大きさや数は、発光素子100に流す電流の大きさや第1主面11の大きさ等を考慮して種々選択することができる。外部接続部21が大きいと光を遮るので好ましくなく、逆に外部接続部21が小さいとワイヤ等の接続が困難になるので好ましくない。また、外部接続部21が多いと隣り合う外部接続部の間で発光が過度に強い領域が生じるだけでなく、不必要に光を遮ってしまい好ましくない。逆に、外部接続部21が少ないと隣り合う2つの外部接続部21の間で発光の弱い領域が生じてしまい好ましくない。これらを考慮して、外部接続部の数は、3以上、好ましくは6以上、より好ましくは8以上、さらに好ましくは12以上とすることができる。   In the light emitting element 100, the external connection portion 21 has a circular shape, a diameter of about 170 μm, and the number thereof is twelve. However, the size and number of the external connection portions 21 can be variously selected in consideration of the size of the current flowing through the light emitting element 100, the size of the first main surface 11, and the like. If the external connection portion 21 is large, light is blocked, which is not preferable. Conversely, if the external connection portion 21 is small, it is not preferable because connection of a wire or the like becomes difficult. Moreover, when there are many external connection parts 21, not only the area | region where light emission is excessively strong between adjacent external connection parts arises, but it interrupts | blocks light unnecessarily, and is unpreferable. On the contrary, if the number of external connection portions 21 is small, a region where light emission is weak occurs between two adjacent external connection portions 21, which is not preferable. Considering these, the number of external connection portions can be 3 or more, preferably 6 or more, more preferably 8 or more, and still more preferably 12 or more.

発光素子100では、第1延伸部22の幅を約30μmとし、その長さを約0.9mmとしている。ただし、第1延伸部22の幅や長さは種々選択することができる。例えば、中心部Cの発光が強い場合は、全て又は一部の第1延伸部22を短くしてその端部が中心部Cから離れるようにすることができる。逆に、中心部Cの発光が弱い場合は、全て又は一部の第1延伸部22を長くしてその端部が中心部Cに近づくようにすることができる。   In the light emitting element 100, the width | variety of the 1st extending | stretching part 22 shall be about 30 micrometers, and the length is about 0.9 mm. However, the width | variety and length of the 1st extending | stretching part 22 can be variously selected. For example, when the light emission at the center portion C is strong, all or a part of the first extending portions 22 can be shortened so that the end portions thereof are separated from the center portion C. On the contrary, when the light emission of the center part C is weak, all or a part of the first extending part 22 can be lengthened so that the end part approaches the center part C.

本実施形態では、第1延伸部22はその全域において外部接続部21から中心部Cに延伸する構成としたが、第1延伸部22は部分的に外部接続部21から中心部Cに向かう方向と異なる方向に延伸させることもできる。さらに、第1電極20は3以上の外部接続部21とそれらから延伸する第1延伸部22を有していれば良く、その他に第1延伸部を備えない外部接続部を有していてもよい。   In the present embodiment, the first extending portion 22 is configured to extend from the external connecting portion 21 to the central portion C in the entire area, but the first extending portion 22 is partially directed from the external connecting portion 21 to the central portion C. It can also be stretched in different directions. Furthermore, the 1st electrode 20 should just have the 3rd or more external connection part 21 and the 1st extending | stretching part 22 extended | stretched from them, and it may have the external connection part which does not have a 1st extending | stretching part other than that. Good.

(第2電極30)
第2電極30は、第2主面12側に設けられる電極である。第2電極30の構造や材料については限定されず種々のものを用いることができる。本実施形態では、第2電極30として、Ti/Pt/AuSn/Au(半導体部10の側から順に積層されていることを意味する。)が順に積層された構造としている。なお、第2電極30は、第2主面12に直接設けられる必要はなく、本実施形態のように後述する支持部40に設けることができる。
(Second electrode 30)
The second electrode 30 is an electrode provided on the second main surface 12 side. The structure and material of the second electrode 30 are not limited, and various types can be used. In the present embodiment, the second electrode 30 has a structure in which Ti / Pt / AuSn / Au (which means that the layers are sequentially stacked from the semiconductor portion 10 side) are sequentially stacked. Note that the second electrode 30 does not need to be provided directly on the second main surface 12, and can be provided on the support portion 40 described later as in the present embodiment.

(支持部40)
本実施形態において、発光素子100は半導体部10を支持するための支持部40を備える。支持部40の構造や材料は限定されず、種々のものを用いることができる。本実施形態では、支持部40としてCuWを用いている。
(Supporting part 40)
In the present embodiment, the light emitting element 100 includes a support portion 40 for supporting the semiconductor portion 10. The structure and material of the support portion 40 are not limited, and various types can be used. In this embodiment, CuW is used as the support portion 40.

支持部40は、導電部材(図示せず)を介して第2主面12と電気的に接続されており、第2主面12が接続された反対の側において第2電極30を備える。半導体部10を第1主面11側から透過して見たときに、支持部40と半導体部10との間に設けられた導電部材は、第1電極20と重複しないように配置させることが好ましい。第1電極20と導電部材との位置をずらすことにより、半導体部20の広い領域に電流を流すことができるためである。本実施形態では、導電部材として、Ag/Ni/Ti/Pt(半導体部10の側から順に積層されていることを意味する。)を用いている。   The support portion 40 is electrically connected to the second main surface 12 via a conductive member (not shown), and includes the second electrode 30 on the opposite side to which the second main surface 12 is connected. The conductive member provided between the support portion 40 and the semiconductor portion 10 may be disposed so as not to overlap the first electrode 20 when the semiconductor portion 10 is seen from the first main surface 11 side. preferable. This is because a current can flow through a wide region of the semiconductor unit 20 by shifting the positions of the first electrode 20 and the conductive member. In the present embodiment, Ag / Ni / Ti / Pt (meaning that the layers are sequentially laminated from the semiconductor portion 10 side) is used as the conductive member.

本実施形態では、発光素子100が支持部40を備える構造とているが、支持部40は必須の構成ではない。支持部40を備えないときは、第2電極30を半導体部の第2主面12に直接設けることができる。   In the present embodiment, the light emitting element 100 has a structure including the support portion 40, but the support portion 40 is not an essential configuration. When the support part 40 is not provided, the second electrode 30 can be directly provided on the second main surface 12 of the semiconductor part.

<実施形態2>
図4は本実施形態に係る発光素子200を第1電極20側からみた平面図であり、図5は発光素子200の電流密度の高低(発光の強弱)を示すためのシミュレーション結果である。以下、実施形態1と異なる構成について説明する。
<Embodiment 2>
FIG. 4 is a plan view of the light emitting element 200 according to the present embodiment as viewed from the first electrode 20 side, and FIG. 5 is a simulation result for showing the current density level of the light emitting element 200 (light emission intensity). Hereinafter, a configuration different from that of the first embodiment will be described.

実施形態1に係る発光素子100には12個の外部接続部21が設けられているが、本実施形態に係る発光素子200には16個の外部接続部21が設けられている。同様に、実施形態1に係る発光素子100には12個の第1延伸部22が設けられているが、本実施形態に係る発光素子200には16個の第1延伸部22が設けられている。実施形態1に比較して外部接続部21及び第1延伸部22の数が増えているので、結果として外部接続部21同士の間隔は狭まり、そこから延伸する第1延伸部22同士の間隔も狭まっている。   The light emitting element 100 according to the first embodiment is provided with twelve external connection portions 21, but the light emitting element 200 according to the present embodiment is provided with sixteen external connection portions 21. Similarly, twelve first extending portions 22 are provided in the light emitting device 100 according to the first embodiment, whereas the sixteen first extending portions 22 are provided in the light emitting device 200 according to the present embodiment. Yes. Since the number of the external connection parts 21 and the 1st extending | stretching part 22 is increasing compared with Embodiment 1, as a result, the space | interval of the external connection parts 21 narrows, and the space | interval of the 1st extending | stretching parts 22 extended | stretched from there also is also obtained. It is narrowing.

その結果、発光素子200は、発光素子100に比較して、隣り合う2つの外部接続部21間と隣り合う2つの第1延伸部22間における発光の弱い領域を減少させ、中心部C近傍の発光を強めることができる(図5参照)。   As a result, the light emitting element 200 reduces the area of weak light emission between the two adjacent external connection portions 21 and the two adjacent first extending portions 22 as compared with the light emitting device 100, and the vicinity of the central portion C is reduced. Light emission can be increased (see FIG. 5).

<実施形態3>
図6は本実施形態に係る発光素子200を第1電極20側からみた平面図であり、図7は発光素子300の電流密度の高低(発光の強弱)を示すためのシミュレーション結果である。以下、実施形態1と異なる構成について説明する。
<Embodiment 3>
6 is a plan view of the light emitting device 200 according to the present embodiment as viewed from the first electrode 20 side, and FIG. 7 is a simulation result for showing the current density of the light emitting device 300 (the intensity of light emission). Hereinafter, a configuration different from that of the first embodiment will be described.

図6に示すように、本実施形態では、第1電極20が外部接続部21と第1延伸部22の両方から、第1延伸部22と異なる方向に延伸する第2延伸部23を備えている。これにより、実施形態1における隣り合う2つの外部接続部21の間と隣り合う2つの第1延伸部22の間に生じる発光の弱い領域に第2延伸部23を配置することができるので、当該領域においてより均一な発光が可能となる(図7参照)。   As shown in FIG. 6, in the present embodiment, the first electrode 20 includes a second extending portion 23 that extends from both the external connection portion 21 and the first extending portion 22 in a direction different from the first extending portion 22. Yes. Thereby, since the 2nd extending | stretching part 23 can be arrange | positioned in the area | region where the light emission produced between the two adjacent 1st extending | stretching parts 22 between the two adjacent external connection parts 21 in Embodiment 1 is concerned, More uniform light emission is possible in the region (see FIG. 7).

発光素子300をより具体的に説明すると、隣り合う2つの第1延伸部22a、22bにおいて、一方の第1延伸部22aは、他方の第1延伸部22bに向かって延伸する2つの第2延伸部23aを備える。さらに、他方の第1延伸部22bは、2つの第2延伸部23aに挟まれた領域に向かって延伸する第2延伸部23bを備える。これにより、一つの第1延伸部の一定の領域に3つの第2延伸部を設けた場合に比較して、より均一な発光を得ることができる。つまり、第1に、第2延伸部を所定の領域に密に設けずより均一に配置することにより、広い領域においてより均一な発光が可能となる。第2に、2つの第2延伸部23aに挟まれた領域は発光が弱くなる可能性があるが、そこに第2延伸部23bを配置することにより、隣り合う2つの第1延伸部22a、22bに挟まれた狭い領域においてもより均一な発光が可能となる。   The light emitting element 300 will be described more specifically. In the two adjacent first extending portions 22a and 22b, one first extending portion 22a extends toward the other first extending portion 22b. A portion 23a is provided. Further, the other first extending portion 22b includes a second extending portion 23b extending toward a region sandwiched between the two second extending portions 23a. Thereby, compared with the case where three 2nd extending | stretching parts are provided in the fixed area | region of one 1st extending | stretching part, more uniform light emission can be obtained. That is, firstly, the second extending portion is not provided densely in a predetermined region and is more uniformly arranged, so that more uniform light emission is possible in a wide region. Second, although the region sandwiched between the two second extending portions 23a may be weak in light emission, by arranging the second extending portion 23b there, two adjacent first extending portions 22a, Even in a narrow region sandwiched between 22b, more uniform light emission is possible.

隣り合う2つの第1延伸部22a、22bのうち一方の第1延伸部22aにおいて、2つの第2延伸部23aは、外部接続部21aから離れるにしたがって(第1延伸部22a、22b間の距離が小さくなるにしたがって)短くなるように設けられている。これにより、発光が過度に強くなることを抑制できるので、隣り合う2つの第1延伸部22a、22bに挟まれた狭い領域においてより均一な発光を得ることができる。   In one of the two first extending portions 22a and 22b adjacent to each other, the two second extending portions 23a are separated from the external connection portion 21a (the distance between the first extending portions 22a and 22b). It is provided to be shorter as the value becomes smaller. Thereby, since it can suppress that light emission becomes strong too much, more uniform light emission can be obtained in the narrow area | region pinched by two adjacent 1st extending | stretching parts 22a and 22b.

第1延伸部22それぞれは、中心部C近傍において、互いに連結するように構成されている。つまり、第1延伸部22の先端には中心部Cの近傍で中心部Cを囲む円状の第2延伸部23を備えており、複数の第1延伸部22が円状の第2延伸部23により電気的に連結されている。これにより、中心部C近傍においてより均一な発光とすることができる。   Each of the first extending portions 22 is configured to be connected to each other in the vicinity of the center portion C. That is, the tip of the first extending portion 22 is provided with a circular second extending portion 23 surrounding the central portion C in the vicinity of the central portion C, and the plurality of first extending portions 22 are circular second extending portions. 23 are electrically connected. Thereby, it can be made more uniform light emission in the central part C vicinity.

さらに、中心部Cを挟んで反対側に位置する2つ外部接続部21から延伸する第1電極22は中央部Cにおいて互いに接続されている。ここでは正方形である第1主面12の各対角線上に位置する2つの外部接続部21が共通の第1延伸部22により接続されている。これにより、第1延伸部22が中心部Cを通ることになるので、中心部Cにおいても強い発光とすることができる結果、全体として発光ムラをより軽減することができる。   Further, the first electrodes 22 extending from the two external connection portions 21 located on the opposite sides across the center portion C are connected to each other at the center portion C. Here, the two external connection parts 21 located on each diagonal line of the 1st main surface 12 which is a square are connected by the common 1st extending | stretching part 22. FIG. Thereby, since the 1st extending | stretching part 22 passes the center part C, as a result of being able to carry out strong light emission also in the center part C, the light emission nonuniformity can be reduced more as a whole.

ここでは、第2延伸部23が外部接続部21及び第1延伸部22の両方から延伸する構成とした。ただ、発光ムラを考慮して、第2延伸部23は外部接続部21と第1延伸部22のうちいずれか一方から延伸させてもよい。全ての第1延伸部22が第2延伸部23を備える必要はなく、一部の第1延伸部22が第2延伸部23を備えるように構成することもできる。第1延伸部22aは3以上の第2延伸部を備えることもできるし、第1延伸部22bは2以上の第2延伸部を備えることもできる。第2延伸部23により、全て又は一部の外部接続部21を連結することもできるし、一部の第1延伸部22を連結することもできる。   Here, the second extending portion 23 is configured to extend from both the external connecting portion 21 and the first extending portion 22. However, the second extending portion 23 may be extended from one of the external connecting portion 21 and the first extending portion 22 in consideration of light emission unevenness. It is not necessary for all the first extending portions 22 to include the second extending portions 23, and a part of the first extending portions 22 may be configured to include the second extending portions 23. The first extending portion 22a can include three or more second extending portions, and the first extending portion 22b can include two or more second extending portions. All or a part of the external connection parts 21 can be connected by the second extension part 23, or a part of the first extension part 22 can be connected.

100、200、300…発光素子
10…半導体部
20…第1電極
21…外部接続部
22…第1延伸部
23…第2延伸部
30…第2電極
40…支持部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 100, 200, 300 ... Light emitting element 10 ... Semiconductor part 20 ... 1st electrode 21 ... External connection part 22 ... 1st extending | stretching part 23 ... 2nd extending | stretching part 30 ... 2nd electrode 40 ... support part

Claims (7)

第1主面及び第2主面を有する半導体部と、前記第1主面側に設けられた第1電極と、前記第2主面側に設けられた第2電極と、を備える発光素子において、
前記第1電極は、前記第1主面の中心部を取り囲むように配置された3以上の外部接続部と、前記外部接続部から前記第1主面の中心部に向かって延伸する第1延伸部と、を備えることを特徴とする発光素子。
In a light emitting device comprising: a semiconductor portion having a first main surface and a second main surface; a first electrode provided on the first main surface side; and a second electrode provided on the second main surface side. ,
The first electrode includes three or more external connection portions arranged so as to surround a central portion of the first main surface, and a first extension extending from the external connection portion toward the central portion of the first main surface. And a light emitting element.
前記第1電極は、前記外部接続部と前記第1延伸部のうち少なくとも一方から、前記第1延伸部と異なる方向に延伸する第2延伸部を備えることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。   The said 1st electrode is provided with the 2nd extending | stretching part extended | stretched in a direction different from the said 1st extending | stretching part from at least one among the said external connection part and the said 1st extending | stretching part. Light emitting element. 隣り合う2つの第1延伸部において、
一方の第1延伸部は、他方の第1延伸部に向かって延伸する2つの第2延伸部を備え、
前記他方の第1延伸部は、前記2つの第2延伸部に挟まれた領域に向かって延伸する第2延伸部を備えることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
In the two adjacent first extending portions,
One first extending portion includes two second extending portions extending toward the other first extending portion,
2. The light emitting device according to claim 1, wherein the other first extending portion includes a second extending portion extending toward a region sandwiched between the two second extending portions.
前記外部接続部は、前記第1主面の中心部を中心とする円の円周上に等間隔で配置されていることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の発光素子。   4. The light emitting device according to claim 1, wherein the external connection portions are arranged at equal intervals on a circumference of a circle centering on a central portion of the first main surface. 前記外部接続部は、前記第1主面の中心部を中心とし前記第1主面の縁部近傍配置を通る円の円周上に配置されていることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の発光素子。   The said external connection part is arrange | positioned on the circumference | surroundings of the circle | round | yen which passes along the edge vicinity arrangement | positioning of the said 1st main surface centering on the center part of the said 1st main surface. The light emitting element in any one. 前記一方の第1延伸部において、
前記2つの第2延伸部は、前記外部接続部から離れるにしたがって短くなるように設けられていることを特徴とする請求項3に記載の発光素子。
In the one first extending portion,
4. The light emitting device according to claim 3, wherein the two second extending portions are provided so as to become shorter as the distance from the external connection portion increases. 5.
前記第1電極は、前記第1主面の中心部を基準として点対称となるように配置されていることを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載の発光素子。   The light emitting device according to claim 1, wherein the first electrode is disposed so as to be point-symmetric with respect to a center portion of the first main surface.
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