JP2012146941A - Multi-piece wiring board and wiring board - Google Patents

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竜一 上之園
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a multi-piece wiring board and individual wiring boards, in which infiltration of water content from a plating lead wire that is exposed at the time of division is suppressed.SOLUTION: A multi-piece wiring board 9 includes a mother board 1 in which a plurality of insulating layers 1a are stacked and wiring board regions 2 are arrayed vertically and horizontally, a wiring conductor 3 formed from between the insulating layers 1a across to the surface of the wiring board region 2, and a plating connection conductor 4 formed between the insulating layers 1a, for connecting the wiring conductors 3 together across a border 2a of the wiring board region 2. The wiring conductor 3 is made from copper and at least one of molybdenum and tungsten. The plating connection conductor 4 is made from at least molybdenum and tungsten at the border 2a of the wiring board region 2 and at the portion adjoining the border 2a. Since a portion of the plating connection conductor 4 that is exposed at the time of division contains relatively dense molybdenum and tungsten, infiltration of water content from the exposed portion is suppressed.

Description

本発明は、酸化アルミニウム質焼結体からなる複数の絶縁層が積層されてなる母基板に縦横の並びに配線基板領域が配列されているとともに、配線基板領域に形成されたモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方と銅とからなる配線導体同士が、絶縁層の層間に形成されためっき用接続導体を介して接続された多数個取り配線基板および個片の配線基板に関するものである。   In the present invention, vertical and horizontal wiring substrate regions are arranged on a mother substrate in which a plurality of insulating layers made of an aluminum oxide sintered body are laminated, and at least one of molybdenum and tungsten formed in the wiring substrate region The present invention relates to a multi-piece wiring board and individual wiring boards in which wiring conductors made of copper and copper are connected to each other through a plating connecting conductor formed between layers of an insulating layer.

半導体素子や弾性表面波素子等の電子部品を搭載するために用いられる配線基板として、酸化アルミニウム質焼結体からなる複数の絶縁層が積層されてなる絶縁基板と、絶縁層の層間から絶縁基板の表面にかけて形成された、タングステンやモリブデンのメタライズ層からなる配線導体とを備え、配線導体の露出表面がニッケルや金等のめっき層で被覆されたものが多用されている。このような配線基板は、一般に、配線基板となる領域が母基板に縦横に配列されてなる多数個取り配線基板の形態で製作されている。   As a wiring board used for mounting electronic components such as semiconductor elements and surface acoustic wave elements, an insulating board in which a plurality of insulating layers made of an aluminum oxide sintered body are laminated, and an insulating board from the interlayer of the insulating layers And a wiring conductor made of a metallized layer of tungsten or molybdenum formed over the surface of the metal, and the exposed surface of the wiring conductor is covered with a plating layer such as nickel or gold. Such a wiring board is generally manufactured in the form of a multi-piece wiring board in which regions to be a wiring board are arranged vertically and horizontally on a mother board.

また、一般に、配線導体の露出表面に対するめっき層の被着も、生産性やコスト等を考慮して多数個取り配線基板の状態で行なわれる。すなわち、複数の配線基板領域の配線導体同士を接続するめっき用接続導体を絶縁層の層間に、配線基板領域の境界を越えて形成し、このめっき用接続導体を介して各配線基板領域の配線導体同士を電気的に接続させておく。そして、ニッケル等の電解めっき液中で、めっき用接続導体の一部にめっき用治具等を介してめっき用の電流を供給すれば、めっき用接続導体を介して各配線基板領域の配線導体に順次その電流が供給され、配線導体の露出表面にめっき層を被着させることができる。   In general, the plating layer is deposited on the exposed surface of the wiring conductor in the state of a multi-piece wiring board in consideration of productivity and cost. That is, connecting conductors for plating that connect the wiring conductors of a plurality of wiring board regions are formed between the insulating layers, beyond the boundaries of the wiring board regions, and the wiring of each wiring board region is connected via the connecting conductors for plating. The conductors are electrically connected. If a plating current is supplied to a part of the plating connection conductor via a plating jig or the like in an electrolytic plating solution such as nickel, the wiring conductor in each wiring board region is connected to the plating connection conductor. The current is sequentially supplied to the exposed surface of the wiring conductor so that the plating layer can be deposited.

多数個取り配線基板の製作は、酸化アルミニウム粉末およびガラス粉末に有機溶剤およびバインダを添加してシート状に成形したセラミックグリーンシートにタングステン等の金属ペーストを配線導体やめっき用接続導体のパターンに印刷して焼成することによって行なわれる。この焼成時に、セラミックグリーンシートのガラス質が金属ペーストの金属の粒子間に入り込んで焼結する。   For manufacturing multi-layer wiring boards, metal paste such as tungsten is printed on the pattern of wiring conductors and plating connection conductors on ceramic green sheets formed by adding organic solvent and binder to aluminum oxide powder and glass powder. And firing. During the firing, the glassy material of the ceramic green sheet enters between the metal particles of the metal paste and sinters.

そして、配線導体の露出表面にめっき層を被着させた多数個取り配線基板を、例えばダイシング加工や、あらかじめ母基板の表面に配線基板領域の境界に沿って形成しておいた分割溝に沿って破断させる加工を施せば、多数個取り配線基板が個片の配線基板に分割される。   Then, a multi-piece wiring board in which a plating layer is deposited on the exposed surface of the wiring conductor, for example, along dicing processing or division grooves previously formed on the surface of the mother board along the boundary of the wiring board region. If the process of breaking is performed, the multi-cavity wiring board is divided into individual wiring boards.

近年、配線導体の電気抵抗を低く抑えるために、配線導体を、銅(マトリクス)の中にタングステンおよびモリブデンの少なくとも一方の粒子を分散させた導体材料で形成することが提案され、実用化されている。この場合、酸化アルミニウム質焼結体を酸化マンガン等を含むものとして焼成温度を約1300℃程度に低くして、銅を含む配線導体を母基板と同時焼成によって形成することを可能としている。また、めっき用接続導体も、配線導体と同様に銅の中にタングステンおよびモリブデンの少なくとも一方の粒子を分散させた導体材料によって形成されている。   In recent years, in order to keep the electrical resistance of a wiring conductor low, it has been proposed and put into practical use that a wiring conductor is formed of a conductive material in which at least one particle of tungsten and molybdenum is dispersed in copper (matrix). Yes. In this case, the aluminum oxide sintered body containing manganese oxide or the like is used, and the firing temperature is lowered to about 1300 ° C., so that a wiring conductor containing copper can be formed by simultaneous firing with the mother substrate. Similarly to the wiring conductor, the plating connection conductor is also formed of a conductor material in which at least one particle of tungsten and molybdenum is dispersed in copper.

特開2009−4515号公報JP 2009-4515 A 特開2009−4516号公報JP 2009-4516 Gazette

しかしながら、上記従来技術の多数個取り配線基板および配線基板においては、次のような問題点があった。   However, the multi-cavity wiring board and the wiring board according to the prior art have the following problems.

すなわち、多数個取り配線基板を配線基板領域の境界において分割した際に、個片の配線基板の側面に切断されためっき用接続導体の端部分が露出する。また、このめっき用接続導体は、銅の中にタングステンおよびモリブデンの少なくとも一方の粒子を分散させた導体材料からなり、焼成時にガラス質の拡散が始まる前に融点が低い銅の粒子同士が結合するためセラミックグリーンシートのガラス質が入りにくいことから、内部に空隙が生じやすく、いわゆるポーラスな状態になりやすい。そのため、多数個取り配線基板を個片に分割したときに、個片の配線基板の側面に露出するめっき用接続導体の端部分から絶縁層の層間に外気の水分が浸透しやすい。そして、この浸透した水分に起因して、絶縁層の層間において配線導体やめっき用接続導体に腐食やマイグレーション等の不具合を生じるという問題点があった。   That is, when the multi-piece wiring board is divided at the boundary of the wiring board region, the end portions of the connection conductors for plating cut on the side surfaces of the individual wiring boards are exposed. Further, this connecting conductor for plating is made of a conductor material in which at least one of tungsten and molybdenum particles is dispersed in copper, and copper particles having a low melting point are bonded to each other before the glassy diffusion starts during firing. For this reason, since the vitreous material of the ceramic green sheet is difficult to enter, voids are likely to be formed inside, and a so-called porous state is likely to occur. Therefore, when the multi-piece wiring board is divided into pieces, the moisture of the outside air easily penetrates between the insulating layer layers from the end portions of the plating connection conductors exposed on the side surfaces of the piece of wiring board. In addition, due to the penetrated moisture, there is a problem that defects such as corrosion and migration occur in the wiring conductor and the connecting conductor for plating between the insulating layers.

特に、近年、配線基板の小型化等に応じて母基板における配線導体とめっき用引き出し線との間の距離が近くなり、わずかな水分の浸透でも上記のような問題点が発生する可能性が高くなっている。   In particular, in recent years, the distance between the wiring conductor and the lead wire for plating in the mother board has become shorter in accordance with the miniaturization of the wiring board, and the above-described problems may occur even with slight water penetration. It is high.

本発明はこのような従来の問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、酸化アルミニウム質焼結体からなる複数の絶縁層が積層されてなる母基板に、タングステンおよびモリブデンの少なくとも一方と銅とからなる配線導体が形成され、隣り合う配線基板領域の配線導体同士がめっき用接続導体を介して接続された多数個取り配線基板において、個片に分割したときに露出するめっき用引き出し線から絶縁層の層間への水分の浸透を効果的に抑制することが可能で、配線導体の腐食やマイグレーション等が効果的に抑制された信頼性の高い配線基板を製作することが容易な多数個取り配線基板、および信頼性の高い配線基板を提供することにある。   The present invention has been completed in view of such conventional problems, and an object of the present invention is to provide at least tungsten and molybdenum on a mother substrate in which a plurality of insulating layers made of an aluminum oxide sintered body are laminated. For plating substrates that are exposed when divided into individual pieces in a multi-piece wiring board in which wiring conductors made of copper and copper are formed, and wiring conductors in adjacent wiring board regions are connected to each other via connecting conductors for plating It is possible to effectively suppress moisture permeation from the lead-out line between the insulation layers, and it is easy to manufacture a highly reliable wiring board in which corrosion and migration of the wiring conductor are effectively suppressed. It is an object to provide a multi-piece wiring board and a highly reliable wiring board.

本発明の多数個取り配線基板は、酸化アルミニウム質焼結体からなる複数の絶縁層が積層されてなり、複数の配線基板領域が縦横の並びに配列されている母基板と、前記絶縁層の層間から前記配線基板領域の表面にかけて形成された配線導体と、前記絶縁層の層間に形成された、前記配線基板領域の境界を越えて前記配線導体同士を接続するめっき用接続導体とを備える多数個取り配線基板であって、前記配線導体がモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方と銅とからなり、前記めっき用接続導体が、前記配線基板領域の境界および該境界に隣接する部分においてモリブデンまたはタングステンからなることを特徴とするものである。   The multi-cavity wiring board of the present invention comprises a mother board in which a plurality of insulating layers made of an aluminum oxide sintered body are laminated, and a plurality of wiring board regions arranged vertically and horizontally, and an interlayer between the insulating layers. A plurality of wiring conductors formed from the surface of the wiring board region to the surface of the wiring board region, and a plating connection conductor formed between the insulating layers and connecting the wiring conductors across the boundary of the wiring substrate region The wiring conductor is made of at least one of molybdenum and tungsten and copper, and the connecting conductor for plating is made of molybdenum or tungsten at a boundary of the wiring board region and a portion adjacent to the boundary. It is characterized by.

また、本発明の多数個取り配線基板は、上記構成において、前記めっき用接続導体のうち前記モリブデンおよびタングステンの少なくとも一方からなる部分に、ニッケル,コバルトおよび鉄の少なくとも1種が添加されていることを特徴とするものである。   Further, in the multi-piece wiring board of the present invention, in the above configuration, at least one of nickel, cobalt, and iron is added to a portion made of at least one of the molybdenum and tungsten in the connection conductor for plating. It is characterized by.

本発明の配線基板は、酸化アルミニウム質焼結体からなる複数の絶縁層が積層されてなる絶縁基板と、前記絶縁層の層間から前記絶縁基板の表面にかけて形成された配線導体と、前記絶縁層の層間に前記配線導体と接続して形成され、一端が前記絶縁基板の側面に露出しためっき用接続導体とを備える配線基板であって、前記配線導体がモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方と銅とからなり、前記めっき用接続導体が、前記一端および該一端に隣接する部分においてモリブデンまたはタングステンからなることを特徴とす
るものである。
The wiring board according to the present invention includes an insulating substrate formed by laminating a plurality of insulating layers made of an aluminum oxide sintered body, a wiring conductor formed from the interlayer of the insulating layer to the surface of the insulating substrate, and the insulating layer. A wiring board comprising a connecting conductor for plating, one end of which is formed on the side surface of the insulating board, and is formed from at least one of molybdenum and tungsten and copper. The plating connection conductor is made of molybdenum or tungsten at the one end and a portion adjacent to the one end.

また、本発明の配線基板は、上記構成において、前記めっき用接続導体のうち前記モリブデンおよびタングステンの少なくとも一方からなる部分に、ニッケル,コバルトおよび鉄の少なくとも1種が添加されていることを特徴とするものである。   The wiring board according to the present invention is characterized in that, in the above configuration, at least one of nickel, cobalt, and iron is added to a portion made of at least one of the molybdenum and tungsten in the connecting conductor for plating. To do.

本発明の多数個取り配線基板によれば、めっき用接続導体が、配線基板領域の境界および境界に隣接する部分においてモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方からなることから、個片の配線基板に分割された際に、その配線基板の側面に露出するめっき用接続導体の端面およびこれに隣接する部分がモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方からなるものとなる。モリブデンまたはタングステンからなるめっき用接続導体のうちモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方からなる部分は、タングステンおよびモリブデンの融点が焼成温度に比べて高く、溶融しにくいため、焼成時にタングステンやモリブデンの粒子間の空隙に十分な量のガラス質が入り込んで緻密な組織になり、また母基板に対するアンカー効果が高くなる。すなわち、めっき用接続導体のうち個片に分割されたときに露出する端部分が緻密で水分が浸透しにくいものとなる。そのため、外気等の水分が、めっき用接続導体の端部分から絶縁層の層間に浸透することは効果的に抑制される。したがって、配線導体の腐食やマイグレーション等が効果的に抑制された信頼性の高い配線基板を製作することが容易な多数個取り配線基板を提供することができる。   According to the multi-cavity wiring board of the present invention, the connecting conductor for plating is composed of at least one of molybdenum and tungsten at the boundary of the wiring board region and at the portion adjacent to the boundary, so that it is divided into individual wiring boards. At this time, the end surface of the connecting conductor for plating exposed on the side surface of the wiring board and the portion adjacent thereto are made of at least one of molybdenum and tungsten. Of the connection conductor for plating made of molybdenum or tungsten, the portion made of at least one of molybdenum and tungsten has a melting point of tungsten and molybdenum higher than the firing temperature and is difficult to melt. A sufficient amount of glassy material enters into a dense structure, and the anchor effect on the mother substrate is enhanced. That is, the end portion exposed when divided into individual pieces of the connecting conductor for plating is dense, and moisture hardly penetrates. Therefore, the penetration of moisture such as outside air from the end portion of the plating connection conductor between the insulating layers is effectively suppressed. Accordingly, it is possible to provide a multi-piece wiring board that can easily manufacture a highly reliable wiring board in which corrosion and migration of the wiring conductor are effectively suppressed.

また、本発明の多数個取り配線基板によれば、配線導体が電気抵抗の低いモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方と銅とからなり、電気抵抗の低い銅を主成分の1つとして含んでいることから、配線導体の電気抵抗を低く抑える上で有効である。   Further, according to the multi-cavity wiring board of the present invention, the wiring conductor is composed of at least one of molybdenum and tungsten having low electrical resistance and copper, and copper having low electrical resistance is included as one of the main components. This is effective in reducing the electrical resistance of the wiring conductor.

また、本発明の多数個取り配線基板によれば、母基板を形成する絶縁層が機械的強度の高い酸化アルミニウム質焼結体からなるため、母基板の機械的な強度を確保する上で有効であり、例えば母基板の薄型化を図るような場合に有利である。   In addition, according to the multi-cavity wiring board of the present invention, the insulating layer forming the mother board is made of an aluminum oxide sintered body having high mechanical strength, which is effective in securing the mechanical strength of the mother board. For example, it is advantageous when the mother board is made thin.

また、本発明の多数個取り配線基板において、めっき用接続導体のうちモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方からなる部分に、ニッケル,コバルトおよび鉄の少なくとも1種が添加されている場合には、この部分における焼結性が向上して、めっき用接続導体の電気抵抗(導通抵抗)をより低く抑えることができる。   Further, in the multi-cavity wiring board of the present invention, when at least one of nickel, cobalt, and iron is added to a portion made of at least one of molybdenum and tungsten among the connection conductors for plating, Sinterability improves and the electrical resistance (conducting resistance) of the connection conductor for plating can be suppressed further.

本発明の配線基板によれば、めっき用接続導体の一端が絶縁基板の側面に露出しているため、このような配線基板を多数個取り配線基板の形態で製作する際に、めっき用接続導体の露出した一端同士が互いに電気的に接続されたものとすることができる。そのため、めっき用接続導体を介して配線導体に供給されためっき用電流によって、配線導体にめっき層が容易に被着されたものとすることができる。   According to the wiring board of the present invention, since one end of the plating connection conductor is exposed on the side surface of the insulating substrate, the plating connection conductor is produced when a large number of such wiring boards are manufactured in the form of the wiring board. The exposed ends may be electrically connected to each other. Therefore, the plating layer can be easily applied to the wiring conductor by the plating current supplied to the wiring conductor via the connecting conductor for plating.

また、めっき用接続導体が、絶縁基板の側面に露出する一端およびこの一端に隣接する部分においてモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方からなることから、上記多数個取り配線基板の場合と同様に、外気等の水分がめっき用接続導体の露出した一端から絶縁層の層間に浸透することは効果的に抑制される。したがって、配線導体の腐食やマイグレーション等が効果的に抑制された信頼性の高い配線基板を提供することができる。   Further, since the connecting conductor for plating is composed of at least one of molybdenum and tungsten at one end exposed on the side surface of the insulating substrate and a portion adjacent to the one end, as in the case of the multi-cavity wiring substrate, the outside air or the like It is effectively suppressed that moisture permeates into the interlayer of the insulating layer from the exposed end of the plating connection conductor. Therefore, it is possible to provide a highly reliable wiring board in which corrosion or migration of the wiring conductor is effectively suppressed.

また、本発明の配線基板によれば、配線導体がモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方と銅とからなり、電気抵抗の低い銅を主成分の1つとして含んでいることから、配線導体の電気抵抗を低く抑える上で有効である。   Further, according to the wiring board of the present invention, the wiring conductor is made of at least one of molybdenum and tungsten and copper, and contains copper having a low electric resistance as one of the main components. It is effective for keeping it low.

また、本発明の配線基板によれば、絶縁基板を形成する絶縁層が機械的強度の高い酸化アルミニウム質焼結体からなるため、絶縁基板の機械的な強度を確保する上で有効であり、例えば絶縁基板の薄型化を図るような場合に有利である。   In addition, according to the wiring board of the present invention, since the insulating layer forming the insulating substrate is made of an aluminum oxide sintered body having high mechanical strength, it is effective in securing the mechanical strength of the insulating substrate, For example, it is advantageous when the insulating substrate is to be thinned.

また、本発明の配線基板において、めっき用接続導体のうちモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方からなる部分に、ニッケル,コバルトおよび鉄の少なくとも1種が添加されている場合には、この部分における焼結性が向上して、めっき用接続導体の導通抵抗をより低く抑えることができる。   Further, in the wiring board of the present invention, when at least one of nickel, cobalt, and iron is added to a portion made of at least one of molybdenum and tungsten in the connecting conductor for plating, the sinterability at this portion is added. This improves the conduction resistance of the connecting conductor for plating.

(a)は本発明の多数個取り配線基板の実施の形態の一例を示す平面図であり、(b)は(a)のA−A線における断面図である。(A) is a top view which shows an example of embodiment of the multi-piece wiring board of this invention, (b) is sectional drawing in the AA of (a). 図1に示す多数個取り配線基板の要部を拡大して示す要部拡大平面図(透視図)である。It is a principal part enlarged plan view (perspective view) which expands and shows the principal part of the multi-cavity wiring board shown in FIG. (a)は図1に示す多数個取り配線基板が個片に分割されてなる配線基板を示す斜視図であり、(b)は(a)に示す配線基板の分解斜視図である。(A) is a perspective view showing a wiring board obtained by dividing the multi-piece wiring board shown in FIG. 1 into individual pieces, and (b) is an exploded perspective view of the wiring board shown in (a). (a)は本発明の配線基板の実施の形態の一例を示す平面図であり、(b)は(a)のB−B線における断面図である。(A) is a top view which shows an example of embodiment of the wiring board of this invention, (b) is sectional drawing in the BB line of (a).

本発明の多数個取り配線基板について、添付の図面を参照しつつ説明する。   A multi-piece wiring board of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

図1(a)は、本発明の多数個取り配線基板の実施の形態の一例を示す平面図であり、図1(b)は図1(a)のA−A線における断面図である。また、図2は、図1に示す多数個取り配線基板の要部を拡大して示す平面図(透視図)である。   FIG. 1A is a plan view showing an example of an embodiment of a multi-cavity wiring board according to the present invention, and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. FIG. 2 is an enlarged plan view (perspective view) showing an essential part of the multi-piece wiring board shown in FIG.

図1および図2において、1は複数の絶縁層1aが積層されてなる母基板,2は配線基板領域,3は配線導体,4はめっき用接続導体である。母基板1に複数の配線基板領域2が縦横の並びに配列され、隣り合う配線基板領域2の配線導体3同士がめっき用接続導体4を介して電気的に接続されて多数個取り配線基板9が基本的に構成されている。なお、配線導体3は、図を見やすくするために、詳しいパターンを省略して示している。   In FIGS. 1 and 2, 1 is a mother board formed by laminating a plurality of insulating layers 1a, 2 is a wiring board region, 3 is a wiring conductor, and 4 is a connecting conductor for plating. A plurality of wiring board regions 2 are arranged on the mother board 1 vertically and horizontally, and the wiring conductors 3 of the adjacent wiring board areas 2 are electrically connected to each other through the connecting conductors 4 for plating. Basically composed. The wiring conductor 3 is shown with a detailed pattern omitted for easy viewing of the drawing.

母基板1は、例えば平板状であり、酸化アルミニウム質焼結体からなる四角平板状の複数の絶縁層1aが積層されて形成されている。図1に示す例では絶縁層1aが4層積層されて母基板1が形成されているが、これ以外の積層数(2層以上)でも構わない。   The mother substrate 1 has a flat plate shape, for example, and is formed by laminating a plurality of rectangular flat plate-like insulating layers 1a made of an aluminum oxide sintered body. In the example shown in FIG. 1, the mother substrate 1 is formed by laminating four insulating layers 1 a, but the number of laminated layers (two or more) may be other than this.

配線基板領域2は、半導体素子や弾性表面波素子等の電子部品(図示せず)を搭載するための電子部品搭載用等の配線基板となる領域であり、例えば、それぞれの上面の中央部に電子部品が搭載される。   The wiring board region 2 is a region serving as a wiring board for mounting an electronic component (not shown) such as a semiconductor element or a surface acoustic wave element. For example, in the central portion of each upper surface Electronic components are mounted.

配線基板領域2(個片の配線基板)に搭載される電子部品としては、ICやLSI等の半導体集積回路素子、およびLED(発光ダイオード)やPD(フォトダイオード),CCD(電荷結合素子)等の光半導体素子を含む半導体素子、弾性表面波素子や水晶振動子等の圧電素子、容量素子、抵抗器、半導体基板の表面に微小な電子機械機構が形成されてなるマイクロマシン(いわゆるMEMS素子)等の種々の電子部品が挙げられる。   Electronic components mounted on the wiring board area 2 (individual wiring board) include semiconductor integrated circuit elements such as IC and LSI, LED (light emitting diode), PD (photodiode), CCD (charge coupled device), etc. Semiconductor elements including optical semiconductor elements, piezoelectric elements such as surface acoustic wave elements and crystal resonators, capacitive elements, resistors, micromachines (so-called MEMS elements) in which minute electromechanical mechanisms are formed on the surface of a semiconductor substrate, etc. There are various electronic parts.

配線基板領域2には、絶縁層1aの層間から上面や下面等の表面にかけて配線導体3が形成されている。この配線導体3のうち、配線基板領域2の上面等に形成された部分に電子部品の電極がはんだやボンディングワイヤ等を介して電気的に接続される。そして、例えば個片の配線基板に分割した後に、配線基板領域2の下面に形成された配線導体3を外
部電気回路(図示せず)にはんだ等を介して電気的に接続すれば、電子部品と外部電気回路とが配線導体3を介して電気的に接続される。なお、配線導体3の一部は、絶縁層1aを厚み方向に貫通する貫通孔(符号なし)の内部に充填された貫通導体(符号なし)となっている。この貫通導体を介して、配線導体3のうち絶縁層1aの層間や配線基板領域2の表面に形成された部分同士が上下に電気的に接続される。
In the wiring board region 2, a wiring conductor 3 is formed from the interlayer of the insulating layer 1a to the surface such as the upper surface and the lower surface. Of the wiring conductor 3, an electrode of an electronic component is electrically connected to a portion formed on the upper surface of the wiring board region 2 through solder, a bonding wire, or the like. For example, if the wiring conductor 3 formed on the lower surface of the wiring board region 2 is electrically connected to an external electric circuit (not shown) via solder or the like after being divided into individual wiring boards, the electronic component And an external electric circuit are electrically connected via the wiring conductor 3. A part of the wiring conductor 3 is a through conductor (no symbol) filled in a through hole (no symbol) penetrating the insulating layer 1a in the thickness direction. Through this through conductor, portions of the wiring conductor 3 formed on the interlayer of the insulating layer 1a and on the surface of the wiring board region 2 are electrically connected to each other vertically.

配線導体3は、モリブデンおよびタングステンの少なくとも一方と銅とからなっている。銅は、配線導体3における主導体として機能する部分であり、この銅のマトリクス中にモリブデンやタングステンの粒子が分散して配線導体3が形成されている。モリブデンおよびタングステンは、酸化アルミニウム質焼結体からなる絶縁層1aとの同時焼成を可能とするために、銅に添加されている。   The wiring conductor 3 is made of at least one of molybdenum and tungsten and copper. Copper is a portion that functions as a main conductor in the wiring conductor 3. Molybdenum and tungsten particles are dispersed in the copper matrix to form the wiring conductor 3. Molybdenum and tungsten are added to copper in order to enable simultaneous firing with the insulating layer 1a made of an aluminum oxide sintered body.

これらの配線導体3を有する母基板1は、例えば配線導体3がモリブデンおよび銅からなる場合であれば、以下のようにして製作される。   For example, when the wiring conductor 3 is made of molybdenum and copper, the mother board 1 having these wiring conductors 3 is manufactured as follows.

まず、酸化アルミニウムや酸化ケイ素,酸化カルシウム,酸化マンガン等の原料粉末を、有機溶剤,バインダと混練するとともに、ドクターブレード法やリップコータ法等の成形方法でシート状に成形して複数のセラミックグリーンシートを作製する。次に、銅粉末とモリブデン粉末とを有機溶剤,バインダと混練して金属ペーストを作製し、この金属ペーストを、所定の配線導体3のパターンでセラミックグリーンシーンシートの表面およびあらかじめ形成しておいた貫通孔(符号なし)内に塗布または充填する。そして、これらのセラミックグリーンシートを積層した後に約1300℃で焼成すれば、絶縁層1aが積層されてなり、絶縁層1aの層間から表面にかけて配線導体3が形成された母基板1を製作することができる。   First, raw material powders such as aluminum oxide, silicon oxide, calcium oxide, and manganese oxide are kneaded with an organic solvent and a binder, and then formed into a sheet shape by a forming method such as a doctor blade method or a lip coater method, and a plurality of ceramic green sheets Is made. Next, copper powder and molybdenum powder were kneaded with an organic solvent and a binder to prepare a metal paste, and this metal paste was formed in advance on the surface of the ceramic green scene sheet with a predetermined wiring conductor 3 pattern. Apply or fill in through-holes (unsigned). Then, if these ceramic green sheets are laminated and then fired at about 1300 ° C., the insulating layer 1a is laminated, and the mother substrate 1 on which the wiring conductor 3 is formed from the interlayer of the insulating layer 1a to the surface is manufactured. Can do.

上記の母基板1の製作においては、母基板1を形成する原料粉末に酸化マンガンを添加することによって約1300℃程度の比較的低い温度での焼成が可能となっている。また、前述したように配線導体3が銅に加えてモリブデンを含むことによって、銅の融点を越える上記焼成温度での配線導体3の母基板1との同時焼成を可能としている。   In the manufacture of the mother substrate 1 described above, it is possible to perform firing at a relatively low temperature of about 1300 ° C. by adding manganese oxide to the raw material powder forming the mother substrate 1. Further, as described above, since the wiring conductor 3 contains molybdenum in addition to copper, the wiring conductor 3 and the mother substrate 1 can be simultaneously fired at the firing temperature exceeding the melting point of copper.

この場合、酸化マンガンの含有量は約2.0〜8.0質量%程度に設定すればよい。また、配線導体3におけるモリブデンおよびタングステンの含有量は、約40〜60体積%に設定すればよい。   In this case, the content of manganese oxide may be set to about 2.0 to 8.0% by mass. Moreover, what is necessary is just to set the content of molybdenum and tungsten in the wiring conductor 3 to about 40-60 volume%.

また、配線導体3となる金属ペーストを作製する際に、例えば、銅の粉末は粒径4.5〜6.0μmのものを用い、モリブデンやタングステンの粉末は粒径2.0〜2.7μmのものを用いるようにすればよい。   Further, when the metal paste to be the wiring conductor 3 is manufactured, for example, copper powder having a particle diameter of 4.5 to 6.0 μm is used, and molybdenum or tungsten powder having a particle diameter of 2.0 to 2.7 μm is used. do it.

隣り合う配線基板領域2の配線導体3は、絶縁層1aの層間において配線基板領域2の境界2aを越えて形成されためっき用接続導体4を介して互いに電気的に接続されている。このように、複数の配線基板領域2の配線導体3同士を互いに電気的に接続しておくことによって、これらの配線導体3に同時に電解めっき法でめっき層(図示せず)を被着させることができる。   The wiring conductors 3 in the adjacent wiring board regions 2 are electrically connected to each other via a plating connecting conductor 4 formed beyond the boundary 2a of the wiring board region 2 between the insulating layers 1a. Thus, by electrically connecting the wiring conductors 3 of the plurality of wiring board regions 2 to each other, a plating layer (not shown) can be simultaneously deposited on these wiring conductors 3 by electrolytic plating. Can do.

めっき用接続導体4は、配線基板領域2の境界2aおよびその境界2aに隣接する部分においてモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方からなる。この、配線基板領域2の境界2aおよびその境界2aに隣接する部分は、多数個取り配線基板9を例えば図3に示すように個片の配線基板10に分割したときに、それぞれの配線基板10の側面に露出する端面およびその露出する端面に隣接した部分となる。なお、図3(a)は図1に示す多数個取り配線基板9を配線基板領域2の境界2aにおいて分割して作製した個片の配線基
板10を示す斜視図であり、図3(b)は図3(a)に示す配線基板10をめっき用接続導体4が形成されている層間において分解して示す分解斜視図である。図3において図1と同様の部位には同様の符号を付している。
The plating connection conductor 4 is made of at least one of molybdenum and tungsten at the boundary 2a of the wiring board region 2 and at a portion adjacent to the boundary 2a. The boundary 2a of the wiring board region 2 and the portion adjacent to the boundary 2a are divided into the wiring boards 10 when the multi-piece wiring board 9 is divided into pieces of wiring boards 10 as shown in FIG. The end surface exposed on the side surface of the substrate and the portion adjacent to the exposed end surface. FIG. 3A is a perspective view showing an individual wiring board 10 produced by dividing the multi-cavity wiring board 9 shown in FIG. 1 at the boundary 2a of the wiring board region 2, and FIG. FIG. 4 is an exploded perspective view showing the wiring board 10 shown in FIG. 3A in an exploded manner between the layers where the plating connection conductors 4 are formed. In FIG. 3, the same parts as those in FIG.

めっき用接続導体4のうちモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方からなる部分は、タングステンおよびモリブデンの融点が焼成温度に比べて高く、溶融しにくいため、焼成時にタングステンやモリブデンの粒子間の空隙に十分な量のガラス質が入り込んで緻密な組織になり、また母基板1に対するアンカー効果が高くなる。すなわち、めっき用接続導体4のうち個片に分割されたときに露出する端面およびその露出する端面に隣接した部分が緻密で水分が浸透しにくいものとなる。そのため、個片に分割されたときに、外気等の水分が、めっき用接続導体4の露出部分から絶縁層1aの層間に浸透することは効果的に抑制される。したがって、配線導体3の腐食やマイグレーション等が効果的に抑制された信頼性の高い配線基板10を製作することが容易な多数個取り配線基板9を提供することができる。   Of the connecting conductor 4 for plating, the portion made of at least one of molybdenum and tungsten has a melting point of tungsten and molybdenum higher than the firing temperature and is difficult to melt. The vitreous material enters into a dense structure, and the anchor effect on the mother substrate 1 is enhanced. That is, the end face exposed when the connecting conductor 4 for plating 4 is divided into individual pieces and the portion adjacent to the exposed end face are dense and moisture hardly penetrates. Therefore, when it is divided into individual pieces, it is effectively suppressed that moisture such as outside air permeates between the exposed portions of the plating connection conductor 4 and between the insulating layers 1a. Therefore, it is possible to provide a multi-piece wiring board 9 that can easily manufacture a highly reliable wiring board 10 in which corrosion and migration of the wiring conductor 3 are effectively suppressed.

なお、めっき用接続導体4のうちモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方からなる部分は、タングステンのみからなるもの、モリブデンのみからなるもの、またはタングステンとモリブデンとからなるものである。めっき用接続導体4のうちモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方からなる部分は、モリブデンのみ、またはタングステンのみからなるものとした場合には、生産性やコスト等の点で有利である。   In addition, the part which consists of at least one of molybdenum and tungsten among the connection conductors 4 for plating consists of what consists only of tungsten, consists only of molybdenum, or consists of tungsten and molybdenum. A portion made of at least one of molybdenum and tungsten in the connection conductor 4 for plating is advantageous in terms of productivity, cost, etc., when it is made of only molybdenum or only tungsten.

また、このような多数個取り配線基板9によれば、配線導体3がモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方と銅とからなり、電気抵抗の低い銅を主成分の1つとして含んでいることから、配線導体3の電気抵抗を低く抑える上で有効である。   Moreover, according to such a multi-piece wiring board 9, since the wiring conductor 3 is made of at least one of molybdenum and tungsten and copper and contains copper having a low electrical resistance as one of the main components, This is effective for keeping the electrical resistance of the conductor 3 low.

例えば、電子部品搭載用の配線基板10において多用されている、厚みが約20μm程度で線幅が約100〜250μm程度の配線導体3の場合であれば、上記のモリブデンおよびタングステンの含有量が約40〜60体積%のときには、電気抵抗がシート抵抗で約0.002〜0.003Ω/□程度に抑えられる。これに対して、従来技術によるモリブデンやタングステンのみで配線導体(図示せず)を形成した多数個取り配線基板(図示せず)の場合であれば、電気抵抗がシート抵抗で約0.008mΩ/□程度と比較的高くなる。   For example, in the case of the wiring conductor 3 having a thickness of about 20 μm and a line width of about 100 to 250 μm, which is frequently used in the wiring board 10 for mounting electronic components, the molybdenum and tungsten contents are about When it is 40 to 60% by volume, the electrical resistance is suppressed to about 0.002 to 0.003Ω / □ in terms of sheet resistance. In contrast, in the case of a multi-piece wiring board (not shown) in which a wiring conductor (not shown) is formed only by molybdenum or tungsten according to the prior art, the electrical resistance is about 0.008 mΩ / □ in sheet resistance. To be relatively high with the degree.

また、このような多数個取り配線基板9によれば、母基板1を形成する絶縁層1aが機械的強度の高い酸化アルミニウム質焼結体からなるため、母基板1の機械的な強度を確保する上で有効であり、例えば母基板1の薄型化を図るような場合にも有利である。   Moreover, according to such a multi-piece wiring board 9, since the insulating layer 1a forming the mother board 1 is made of an aluminum oxide sintered body having high mechanical strength, the mechanical strength of the mother board 1 is ensured. For example, it is effective when the mother board 1 is thinned.

例えば、前述した構成の酸化アルミニウム質焼結体からなる4層の絶縁層1aが積層されてなる母基板1(厚みが約1mm程度)の場合であれば機械的な強度は、曲げ強度が約400MPa程度で、ヤング率が約260GPa程度である。これに対して、例えば酸化アルミニウムとホウケイ酸系ガラスとを主成分とするガラスセラミック焼結体を用いて上記の母基板1と同様の寸法で比較用の母基板(図示せず)を作製した場合には、その比較用の母基板の機械的な強度は、曲げ強度が約150〜170MPaで、ヤング率が約75〜85GPa程度である。   For example, in the case of a mother substrate 1 (thickness of about 1 mm) in which four insulating layers 1a made of an aluminum oxide sintered body having the above-described configuration are laminated, the mechanical strength is about bending strength. About 400 MPa, Young's modulus is about 260 GPa. On the other hand, for example, a comparative mother substrate (not shown) having the same dimensions as the above-described mother substrate 1 was prepared using a glass ceramic sintered body mainly composed of aluminum oxide and borosilicate glass. In this case, the mechanical strength of the comparative mother substrate is about 150 to 170 MPa in bending strength and about 75 to 85 GPa in Young's modulus.

めっき用接続導体4のうちモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方からなる部分は、モリブデンまたはタングステンの粉末、またはモリブデンの粉末とタングステンの粉末とを混合したものに有機溶剤,バインダを添加し混練して作製した金属ペーストを母基板1となるセラミックグリーンシートの表面に、この表面に印刷した上記配線導体3となる金属ペーストに接するようなパターンで印刷し、その後、このセラミックグリーンシートと同時焼成する方法で形成することができる。このめっき用接続導体4の場合にも、
用いるモリブデンやタングステンの粉末の粒径は、例えば2.0〜2.7μm程度とすればよい。
A portion made of at least one of molybdenum and tungsten in the connection conductor 4 for plating was prepared by adding and kneading an organic solvent and a binder to molybdenum or tungsten powder, or a mixture of molybdenum powder and tungsten powder. Formed by printing a metal paste on the surface of the ceramic green sheet to be the mother substrate 1 in a pattern in contact with the metal paste to be the wiring conductor 3 printed on the surface, and then co-firing with the ceramic green sheet can do. In the case of this connecting conductor 4 for plating,
The particle size of the molybdenum or tungsten powder used may be, for example, about 2.0 to 2.7 μm.

また、めっき用接続導体4は、配線基板領域2の境界2aおよび境界2aに隣接する部分においてはモリブデンまたはタングステンからなるものとする必要があるが、他の部分については、配線導体3と同様にモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方と銅とからなるものとしてもよい。この場合には、めっき用接続導体4の抵抗を低く抑えて配線導体3に対するめっき用の電流の供給の効率を高くする上で有利である。また、めっき用接続導体4は、その全長にわたってモリブデンまたはタングステンからなるものとしても構わない。この場合には、めっき用接続導体4の全部を同じ金属ペーストの印刷によって形成することができる。   Further, the connection conductor 4 for plating needs to be made of molybdenum or tungsten at the boundary 2a and the portion adjacent to the boundary 2a of the wiring board region 2, but the other portions are the same as the wiring conductor 3. It may be made of at least one of molybdenum and tungsten and copper. In this case, it is advantageous to increase the efficiency of supplying the plating current to the wiring conductor 3 by keeping the resistance of the plating connection conductor 4 low. Further, the plating connection conductor 4 may be made of molybdenum or tungsten over its entire length. In this case, all of the plating connection conductors 4 can be formed by printing the same metal paste.

このめっき用接続導体4のうちモリブデンまたはタングステンからなるものとすることが必要な部分は、前述したように配線基板領域2の境界2aおよび境界2aに隣接する部分である。境界2aに隣接する部分は、例えばめっき用接続導体4の縦断面が上記のような寸法の場合であれば、配線基板領域2の境界2aから約0.2mm程度の範囲である。   Of the connecting conductor 4 for plating, the portion that needs to be made of molybdenum or tungsten is the boundary 2a of the wiring board region 2 and the portion adjacent to the boundary 2a as described above. The portion adjacent to the boundary 2a is, for example, in a range of about 0.2 mm from the boundary 2a of the wiring board region 2 if the longitudinal cross section of the plating connection conductor 4 has the above dimensions.

なお、めっき用接続導体4は、例えば厚みが約0.01〜0.025mm程度で線幅が約0.1〜0.2mm程度であり、この縦断面に相当する面積(約0.001〜0.005mm程度)で、母基板
1の分割に伴って生じた端面が個片の配線基板10の側面に露出することになる。
The connecting conductor 4 for plating has, for example, a thickness of about 0.01 to 0.025 mm and a line width of about 0.1 to 0.2 mm, and an area corresponding to this longitudinal section (about 0.001 to 0.005 mm 2 ) The end face generated with the division of the substrate 1 is exposed on the side surface of the individual wiring board 10.

めっき用接続導体4は、配線基板領域2の境界2aを越えて配線導体3同士を電気的に接続して、多数個取り配線基板9における配線導体3の露出表面に対する電解めっき法によるめっき層の被着を容易とするためのものである。そのため、図2に示す例においては、電気抵抗を低く抑えるとともに、個片の配線基板10内に残る不要なめっき用接続導体4を極力短くするために、隣り合う配線基板領域2同士の間に直線状のパターンで形成されている。なお、めっき用接続導体4は、配線導体3のパターンや配線基板領域2の形状および寸法等の都合に応じて、折れ線状や曲線状のパターンで形成するようにしても構わない。   The connecting conductor 4 for plating electrically connects the wiring conductors 3 beyond the boundary 2a of the wiring board region 2, and the plating layer is formed by electrolytic plating on the exposed surface of the wiring conductor 3 in the multi-piece wiring board 9. It is for facilitating the deposition. Therefore, in the example shown in FIG. 2, in order to keep the electrical resistance low and to shorten the unnecessary plating connection conductor 4 remaining in the piece of wiring board 10 as much as possible, between the adjacent wiring board regions 2. It is formed with a linear pattern. Note that the plating connection conductor 4 may be formed in a polygonal or curved pattern according to the convenience of the pattern of the wiring conductor 3, the shape and dimensions of the wiring board region 2, and the like.

そして、めっき用接続導体4を介して互いに電気的に接続された各配線基板領域2の配線導体3は、電解めっき液中で、めっき用接続導体4の一部にめっき用の電流を供給することによって、その露出表面にめっき層(図示せず)を被着させることができる。めっき用接続導体4に対するめっき用の電流の供給は、例えば母基板1(ダミー領域5)の外周部に接続用の端子(図示せず)を設けるとともに、めっき用接続導体4の一部をこの端子まで延長させて電気的に接続させておき、端子にめっき用治具(図示せず)を介して整流器等の電源(図示せず)から上記電流を供給させるようにすればよい。   And the wiring conductor 3 of each wiring board area | region 2 electrically connected mutually via the connection conductor 4 for plating supplies the electric current for plating to a part of the connection conductor 4 for plating in electroplating liquid. Thus, a plating layer (not shown) can be deposited on the exposed surface. The plating current is supplied to the plating connection conductor 4 by providing, for example, a connection terminal (not shown) on the outer peripheral portion of the mother board 1 (dummy region 5). The current may be extended to the terminal and electrically connected, and the current may be supplied to the terminal from a power source (not shown) such as a rectifier via a plating jig (not shown).

上記めっき層としては、例えば、ニッケルやコバルト,金,パラジウム,銅,錫等の金属材料またはこれらの金属材料の合金等を挙げることができる。例えば、個片の配線基板10が電子部品搭載用基板として使用され、配線導体3の露出表面にはんだやボンディングワイヤ等が接続される場合であれば、配線導体3の露出表面から順に、厚みが約1〜15μm程度のニッケルめっき層と、厚みが約0.5〜2μm程度の金めっき層を被着させるよう
にすればよい。
Examples of the plating layer include metal materials such as nickel, cobalt, gold, palladium, copper, and tin, or alloys of these metal materials. For example, if the individual wiring board 10 is used as an electronic component mounting board and solder, bonding wires, or the like are connected to the exposed surface of the wiring conductor 3, the thickness increases in order from the exposed surface of the wiring conductor 3. A nickel plating layer having a thickness of about 1 to 15 μm and a gold plating layer having a thickness of about 0.5 to 2 μm may be deposited.

めっき層を配線導体3の露出表面に被着させた後、母基板1を配線基板領域2の境界2aに沿って分割すれば、電子部品搭載用等の多数の個片の配線基板10が作製される。なお、母基板1の分割は、配線基板領域2の上面等に電子部品を搭載した後に行なうようにしてもよい。   After the plating layer is deposited on the exposed surface of the wiring conductor 3, if the mother board 1 is divided along the boundary 2 a of the wiring board region 2, a large number of individual wiring boards 10 for mounting electronic components and the like are produced. Is done. The mother board 1 may be divided after electronic components are mounted on the upper surface of the wiring board region 2 or the like.

この場合、母基板1の分割は、例えば図1に示すように母基板1の上下面に、配線基板領域2の境界2aに沿って分割溝(符号なし)を形成しておいて、この分割溝部分で母基板1に応力を加えて破断させる方法や、ダイシング加工等の切断加工等の方法によって行なうことができる。このような分割溝は、母基板1となるセラミックグリーンシートの積層体の上面や下面に、配線基板領域2の境界2aに沿ってカッター刃等で所定の深さで切り込みを入れることによって形成することができる。この分割によって、絶縁層1aの層間、つまり母基板1の内部において配線基板領域2の配線導体3を互いに電気的に接続していためっき用接続導体4が上記境界2a部分で切断または破断されて、この切断または破断された端部分が個片の配線基板10の側面に露出する。   In this case, the division of the mother board 1 is performed by, for example, forming a dividing groove (no symbol) on the upper and lower surfaces of the mother board 1 along the boundary 2a of the wiring board region 2 as shown in FIG. It can be performed by a method of applying a stress to the mother substrate 1 at the groove and causing it to break, or a method of cutting such as dicing. Such a dividing groove is formed by making a cut with a cutter blade or the like at a predetermined depth along the boundary 2a of the wiring board region 2 on the upper surface and the lower surface of the multilayer body of ceramic green sheets to be the mother substrate 1. be able to. By this division, the connecting conductor 4 for plating that electrically connected the wiring conductors 3 in the wiring board region 2 between the insulating layers 1a, that is, inside the mother board 1, is cut or broken at the boundary 2a. The cut or broken end portion is exposed on the side surface of the individual wiring board 10.

ここで、配線基板領域2の境界2aから約0.1mm程度の範囲においてめっき用接続導
体4をモリブデンまたはタングステンからなるものとした多数個取り配線基板9における水分の浸透を抑制する効果を具体的に説明する。この具体例において、母基板1は厚みが約0.2mmの絶縁層1aを4層積層して形成した、平面視における1辺の長さが約100mmの正方形状のものとした。また、配線基板領域2は1辺の長さが約7.5mmの正方形状の
ものを上記母基板1に12×12個の並びで縦横に配列した。この配線基板領域2の内部(絶縁層1aの層間)および表面に、線幅が約0.1mmの複数の配線導体3を、互いの隣接間
隔を約0.1mmに設定して形成した。めっき用接続導体4は、厚みが約0.02mm,線幅が
約0.1mmで長さが約0.2mmであり、その全長にわたってモリブデンで形成した。この具体例の多数個取り配線基板9について、配線導体3の露出表面にニッケルめっき層および金めっき層を順次電解めっき法によって被着させた後に複数の個片の配線基板10に分割し、これらの個片の配線基板10を高温高湿放置(85℃、85%)で1000時間放置して、配線導体3の腐食およびマイグレーションの有無を10倍の顕微鏡によって確認した。その結果、上記具体例の多数個取り配線基板9を用いて作製した配線基板10においては、腐食およびマイグレーションのいずれも確認されなかった。これに対し、従来の技術、つまりめっき用接続導体(図示せず)をモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方と銅とで形成する技術によって作製していた多数個取り配線基板(図示せず)の場合には、上記と同様の試験において約0.5%の発生率で腐食またはマイグレーションが発生していた。
Here, the effect of suppressing the permeation of moisture in the multi-piece wiring board 9 in which the plating connection conductor 4 is made of molybdenum or tungsten within a range of about 0.1 mm from the boundary 2a of the wiring board region 2 is specifically described. explain. In this specific example, the mother substrate 1 was formed by laminating four insulating layers 1a having a thickness of about 0.2 mm and having a square shape with a side length of about 100 mm in plan view. In addition, the wiring board region 2 has a square shape with a side length of about 7.5 mm and is arranged on the mother board 1 in 12 × 12 rows vertically and horizontally. A plurality of wiring conductors 3 having a line width of about 0.1 mm were formed in the wiring board region 2 (interlayer of the insulating layer 1a) and on the surface thereof with the adjacent interval set to about 0.1 mm. The connecting conductor 4 for plating has a thickness of about 0.02 mm, a line width of about 0.1 mm, and a length of about 0.2 mm, and is formed of molybdenum over the entire length. With respect to the multi-piece wiring board 9 of this specific example, a nickel plating layer and a gold plating layer are sequentially deposited on the exposed surface of the wiring conductor 3 by electrolytic plating, and then divided into a plurality of individual wiring boards 10. Each piece of the wiring board 10 was allowed to stand for 1000 hours at high temperature and high humidity (85 ° C., 85%), and the presence or absence of corrosion and migration of the wiring conductor 3 was confirmed by a 10 × microscope. As a result, neither corrosion nor migration was confirmed in the wiring board 10 produced using the multi-cavity wiring board 9 of the above specific example. On the other hand, in the case of a multi-piece wiring board (not shown) produced by a conventional technique, that is, a technique of forming a connecting conductor for plating (not shown) with at least one of molybdenum and tungsten and copper. In the same test as above, corrosion or migration occurred at an occurrence rate of about 0.5%.

なお、めっき用接続導体4は、配線導体3にめっき用の電流を送る際の抵抗を抑えるためには縦断面責を一定の値以上に確保しておくことが好ましいが、水分の浸透を抑制する上では、厚みを厚くするよりも幅を広くするようにした方がよい。これは、めっき用接続導体4の厚みが厚くなり過ぎると、上下の絶縁層1aの間の密着性がめっき用接続導体4に妨げられて低くなりやすい傾向があり、この層間においてめっき用接続導体4と絶縁層1aとの間から水分が浸透しやすくなる可能性があるためである。   In addition, in order to suppress the resistance at the time of sending the plating current to the wiring conductor 3, it is preferable that the plating connection conductor 4 has a longitudinal section responsibility of a certain value or more, but it suppresses moisture penetration. Therefore, it is better to make the width wider than to increase the thickness. This is because if the thickness of the plating connection conductor 4 becomes too thick, the adhesion between the upper and lower insulating layers 1a tends to be hindered by the plating connection conductor 4, and between these layers, the plating connection conductor tends to be lowered. This is because moisture may easily permeate from between 4 and the insulating layer 1a.

また、めっき用接続導体4について、一部(配線基板領域2の境界2a等)をモリブデンまたはタングステンからなるものとし、他の部分をモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方と銅とからなるものとする場合には、例えば前述しためっき用接続導体4となる金属ペーストの印刷の際に、両方の金属ペーストの端部分同士が互いに上下に重なるようにして印刷を行なうようにすればよい。   Further, when a part of the connection conductor 4 for plating (the boundary 2a of the wiring board region 2 or the like) is made of molybdenum or tungsten and the other part is made of at least one of molybdenum and tungsten and copper. For example, at the time of printing the metal paste to be the plating connection conductor 4 described above, the printing may be performed such that the end portions of both metal pastes overlap each other.

また、上記多数個取り配線基板9において、めっき用接続導体4のうちモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方からなる部分に、ニッケル,コバルトおよび鉄の少なくとも1種が添加されている場合には、この部分における焼結性が向上して、めっき用接続導体4の導通抵抗をより低く抑えることができる。   In addition, in the multi-piece wiring board 9, when at least one of nickel, cobalt, and iron is added to a portion made of at least one of molybdenum and tungsten in the connection conductor 4 for plating, Sinterability improves and the conduction | electrical_connection resistance of the connection conductor 4 for plating can be restrained lower.

そのため、めっき時の電流の損失を抑制され、生産性やコストの点で有利である。また、各配線基板領域2に供給される電流のばらつきをより低く抑えて、めっき層の厚みのばらつきをより低く抑えることができる。   Therefore, current loss during plating is suppressed, which is advantageous in terms of productivity and cost. Moreover, the variation in the current supplied to each wiring board region 2 can be further suppressed, and the variation in the thickness of the plating layer can be further suppressed.

ニッケル,コバルトおよび鉄(少なくとも1種)は、これらの金属材料の粉末を、前述しためっき用接続導体4となる金属ペーストに添加し、セラミックグリーンシート等と1300℃程度で同時焼成すれば、めっき用接続導体4に含有させることができる。   Nickel, cobalt, and iron (at least one type) can be plated by adding these metal material powders to the above-described metal paste that will be the connecting conductor 4 for plating, and simultaneously firing the ceramic green sheet or the like at about 1300 ° C. It can be contained in the connection conductor 4 for use.

この場合、ニッケル,コバルトおよび鉄は、モリブデンおよびタングステンに比べて融点が1450〜1540℃程度と上記焼成温度(1300℃程度)に近く、焼成時の焼結性がモリブデンおよびタングステンよりも高い。そのため、めっき用接続導体4の電気抵抗を低く抑えることができる。また、上記融点が上記焼成温度よりも高いため、焼成時に溶融しにくいため、ガラス質による緻密化や母基板1に対するアンカー効果といった効果を十分に得ることができる。   In this case, nickel, cobalt, and iron have a melting point of about 1450 to 1540 ° C., which is close to the firing temperature (about 1300 ° C.), compared to molybdenum and tungsten, and have higher sintering properties than molybdenum and tungsten. Therefore, the electrical resistance of the plating connection conductor 4 can be kept low. In addition, since the melting point is higher than the firing temperature, it is difficult to melt at the time of firing, so that effects such as densification by vitreous and anchor effect on the mother substrate 1 can be sufficiently obtained.

ニッケル,コバルトおよび鉄(以下、ニッケル等という)の粉末の粒径は、例えばモリブデンおよびタングステンの粒径と同じ、または若干小さい程度に設定すればよい。この程度の粒径としておけば、モリブデンおよびタングステン(粉末)とニッケル等(粉末)との焼結性を高くして、めっき用接続導体4となる金属ペーストの焼結性をより高くする上で有利である。   The particle size of the powder of nickel, cobalt and iron (hereinafter referred to as nickel) may be set to the same or slightly smaller than the particle size of molybdenum and tungsten, for example. If the particle size is about this level, the sinterability of molybdenum and tungsten (powder) and nickel or the like (powder) is increased, and the sinterability of the metal paste used as the connection conductor 4 for plating is further increased. It is advantageous.

また、上記の効果を有効に得るためには、めっき用接続導体4におけるニッケル等の添加量は、0.1〜5体積%程度とすればよい。   Moreover, in order to acquire said effect effectively, the addition amount of nickel etc. in the connection conductor 4 for plating should just be about 0.1-5 volume%.

なお、ニッケル等は、これらの酸化物の粉末として金属ペーストに添加するようにしてもよい。このような酸化物の粉末として添加した場合には、酸化アルミニウムや酸化ケイ素等の酸化物を含むセラミックグリーンシートとの結合をより強くすることができる。   Nickel or the like may be added to the metal paste as a powder of these oxides. When added as such an oxide powder, the bond with the ceramic green sheet containing an oxide such as aluminum oxide or silicon oxide can be further strengthened.

また、ニッケル等を上記のようにめっき用接続導体4に含ませる場合には、耐食性や金属ペーストを作製する際の取り扱いやすさ(作業性)、タングステンおよびモリブデンとの焼結性等を考慮すれば、ニッケルを選択することが好ましい。   When nickel or the like is included in the connecting conductor 4 for plating as described above, the corrosion resistance, the ease of handling (workability) when producing the metal paste, the sinterability with tungsten and molybdenum, and the like are taken into consideration. For example, it is preferable to select nickel.

1つの配線基板領域2に複数のめっき用接続導体4が形成されている場合には、それらの全部について、配線基板領域2の境界2aおよび境界2aに隣接する部分(モリブデンおよびタングステンの少なくとも一方からなる部分)がニッケル等が添加されたもの、または添加されていないものに統一されている必要はない。   When a plurality of connecting conductors 4 for plating are formed in one wiring board region 2, the boundary 2a of the wiring board region 2 and the portion adjacent to the boundary 2a (from at least one of molybdenum and tungsten) It is not necessary that the portion) is unified with or without nickel added.

例えば、図2に示した例のように、面積が比較的大きい配線導体3と比較的小さい配線導体3とが1つの配線基板領域2に形成されているときに、面積が比較的大きい配線導体3と接続されためっき用接続導体4のみについて、上記のようにニッケル等が添加されたものとしてもよい。この場合には、面積が比較的大きく、めっき用の電流を多く必要とする配線導体3に対するめっき用の電流の供給を容易としながら、ニッケル等の添加の手間およびコストを抑制することができる。   For example, when the wiring conductor 3 having a relatively large area and the wiring conductor 3 having a relatively small area are formed in one wiring board region 2 as in the example illustrated in FIG. 2, the wiring conductor having a relatively large area. Only the connection conductor 4 for plating connected to 3 may be added with nickel or the like as described above. In this case, the labor and cost of adding nickel or the like can be reduced while facilitating the supply of the plating current to the wiring conductor 3 that has a relatively large area and requires a large amount of plating current.

次に、本発明の配線基板について説明する。なお、本発明の配線基板は、例えば上記本発明の多数個取り配線基板9が配線基板領域2の境界2aに沿って分割して製作されたものである。以下の説明において、多数個取り配線基板9と同様の事項については説明を省略する。   Next, the wiring board of the present invention will be described. The wiring board of the present invention is produced, for example, by dividing the multi-cavity wiring board 9 of the present invention along the boundary 2 a of the wiring board region 2. In the following description, the description of the same matters as the multi-cavity wiring board 9 is omitted.

図4(a)は本発明の配線基板の実施の形態の一例を示す平面図であり、図4(b)は図4(a)のB−B線における断面図である。この実施形態の例の配線基板10は、図1に示す多数個取り配線基板9が、配線基板領域2の境界2aに形成された分割溝に沿って破断(分割)されて製作されたものである。図4に示す配線基板を斜視したときの図が、図
3に相当する。
FIG. 4A is a plan view showing an example of an embodiment of the wiring board of the present invention, and FIG. 4B is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG. The wiring board 10 of the example of this embodiment is manufactured by breaking (dividing) the multi-piece wiring board 9 shown in FIG. 1 along the dividing groove formed in the boundary 2a of the wiring board region 2. is there. FIG. 3 is a perspective view of the wiring board shown in FIG.

図4において、11は複数の絶縁層1aが積層されてなる絶縁基板,3は配線導体,4はめっき用接続導体である。絶縁基板1に配線導体3が形成され、配線導体3と接続されためっき用接続導体4が絶縁層1aの層間に形成されて配線基板10が基本的に構成されている。図4おいて配線導体3は、詳しいパターンを省略して示している。   In FIG. 4, 11 is an insulating substrate formed by laminating a plurality of insulating layers 1a, 3 is a wiring conductor, and 4 is a connecting conductor for plating. A wiring conductor 3 is formed on the insulating substrate 1, and a plating connecting conductor 4 connected to the wiring conductor 3 is formed between the insulating layers 1a to basically constitute the wiring substrate 10. In FIG. 4, the wiring conductor 3 is shown with a detailed pattern omitted.

絶縁基板1は、例えば四角平板状等の平板状であり、酸化アルミニウム質焼結体からなる四角平板状の複数の絶縁層1aが積層されて形成されている。図4に示す例では絶縁層1aが4層積層されて絶縁基板10が形成されているが、これ以外の積層数(2層以上)でも構わない。   The insulating substrate 1 has a flat plate shape such as a square flat plate shape, and is formed by laminating a plurality of square flat plate insulating layers 1a made of an aluminum oxide sintered body. In the example shown in FIG. 4, four insulating layers 1a are laminated to form the insulating substrate 10. However, the number of laminated layers (two or more) may be other than this.

絶縁基板11は、上記半導体素子や圧電素子等の種々の電子部品(図示せず)を搭載するためのものであり、上面の中央部等の露出表面に電子部品が搭載される。   The insulating substrate 11 is for mounting various electronic components (not shown) such as the semiconductor elements and piezoelectric elements, and the electronic components are mounted on an exposed surface such as a central portion of the upper surface.

絶縁基板11には、多数個取り配線基板9の配線基板領域2と同様に、絶縁層1aの層間から上面や下面等の表面にかけて配線導体3が形成されている。この配線導体3のうち、絶縁基板10の上面等に形成された部分に電子部品の電極が電気的に接続される。また、絶縁基板11の下面に形成された配線導体3を外部電気回路(図示せず)に電気的に接続すれば、電子部品と外部電気回路とが配線導体3を介して電気的に接続される。この例においても、配線導体3の一部が貫通導体(符号なし)となっている。   Similar to the wiring board region 2 of the multi-piece wiring board 9, the wiring conductor 3 is formed on the insulating board 11 from the interlayer of the insulating layer 1a to the surface such as the upper surface and the lower surface. Of the wiring conductor 3, an electrode of an electronic component is electrically connected to a portion formed on the upper surface of the insulating substrate 10. If the wiring conductor 3 formed on the lower surface of the insulating substrate 11 is electrically connected to an external electric circuit (not shown), the electronic component and the external electric circuit are electrically connected via the wiring conductor 3. The Also in this example, a part of the wiring conductor 3 is a through conductor (no symbol).

絶縁基板11は、上記多数個取り配線基板9の母基板1を配線基板領域2の境界2aに沿って分割することによって作製される。つまり、上記と同様に酸化アルミニウム等の原料粉末を用い、同様の方法で作製した複数のセラミックグリーンシートを積層した後に焼成して母基板1を作製し、その後、あらかじめセラミックグリーンシートの積層体の上下面に形成したおいた分割溝に沿って母基板1を分割すれば、配線基板10の絶縁基板11を作製することができる。なお、この配線基板10の絶縁基板11においても、原料粉末に酸化マンガンを添加することによって約1300℃程度の比較的低い温度での焼成が可能となる。酸化マンガンの含有量は約2.0〜8.0質量%程度に設定すればよい。   The insulating substrate 11 is manufactured by dividing the mother substrate 1 of the multi-piece wiring substrate 9 along the boundary 2 a of the wiring substrate region 2. That is, a raw material powder such as aluminum oxide is used in the same manner as described above, and a plurality of ceramic green sheets produced by the same method are laminated and then fired to produce the mother substrate 1. If the mother substrate 1 is divided along the dividing grooves formed on the upper and lower surfaces, the insulating substrate 11 of the wiring substrate 10 can be manufactured. Note that the insulating substrate 11 of the wiring substrate 10 can also be fired at a relatively low temperature of about 1300 ° C. by adding manganese oxide to the raw material powder. The content of manganese oxide may be set to about 2.0 to 8.0% by mass.

配線導体3は、上記多数個取り配線基板9の場合と同様の材料、つまりモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方(粒子)と銅(主導体)とからなり、銅のマトリクス中にモリブデンやタングステンの粒子が分散している。配線導体3が銅に加えてモリブデンを含むことによって、銅の融点を越える焼成温度での母基板1との同時焼成が可能となっている。   The wiring conductor 3 is made of the same material as in the case of the multi-piece wiring board 9, that is, at least one of molybdenum and tungsten (particles) and copper (main conductor), and molybdenum or tungsten particles are contained in the copper matrix. Is distributed. Since the wiring conductor 3 contains molybdenum in addition to copper, simultaneous firing with the mother substrate 1 at a firing temperature exceeding the melting point of copper is possible.

配線導体3の露出する表面には、ニッケルや金等のめっき層(図示せず)が被着されている。めっき用接続導体4は、配線基板10を図1に示すような多数個取り配線基板9の形態で製作する際に、隣り合う配線基板領域2の配線導体3同士を互いに電気的に接続しておくためのものである。めっき用接続導体4によって複数の配線基板領域2の配線導体3が互いに電気的に接続されて、電解めっき法でめっき層が被着されている。   A plating layer (not shown) such as nickel or gold is deposited on the exposed surface of the wiring conductor 3. The connection conductor 4 for plating electrically connects the wiring conductors 3 in adjacent wiring board regions 2 to each other when the wiring board 10 is manufactured in the form of a multi-piece wiring board 9 as shown in FIG. It is for keeping. The wiring conductors 3 of the plurality of wiring board regions 2 are electrically connected to each other by the plating connection conductor 4 and the plating layer is deposited by an electrolytic plating method.

このめっき用接続導体4は、多数個取り配線基板9において配線導体3にめっき用の電流を供給するためのものであるが、個片の配線基板10においても絶縁層1aの層間に残留している。   The connection conductor 4 for plating is for supplying a current for plating to the wiring conductor 3 in the multi-piece wiring board 9, but also remains on the insulating layer 1a in the individual wiring board 10. Yes.

めっき用接続導体4は、上記の機能のため、配線導体3と直接に接続している必要があり、また、一端が絶縁基板11の側面に露出している必要がある。絶縁基板11の側面に露出しているめっき用接続導体4の一端は、多数個取り配線基板9において配線基板領域2の
境界2aに位置していた部位に相当する。
The plating connection conductor 4 needs to be directly connected to the wiring conductor 3 for the above function, and one end thereof needs to be exposed on the side surface of the insulating substrate 11. One end of the connection conductor 4 for plating exposed on the side surface of the insulating substrate 11 corresponds to a portion located on the boundary 2 a of the wiring board region 2 in the multi-piece wiring board 9.

めっき用接続導体4のうち絶縁基板11の側面に露出している一端およびこの一端に隣接する部分は、モリブデンまたはタングステンからなる。この部分は、上記多数個取り配線基板9におけるめっき用接続導体4の場合と同様に、組織が緻密であり、また絶縁基板11対するアンカー効果が高い。すなわち、めっき用接続導体4のうち絶縁基板11の側面に露出する一端およびこの一端に隣接した部分が緻密で水分が浸透しにくいものとなっている。そのため、外気等の水分が、めっき用接続導体4の露出した一端から絶縁層1aの層間に浸透することは効果的に抑制される。したがって、配線導体3の腐食やマイグレーション等が効果的に抑制された信頼性の高い配線基板10を提供することができる。   One end of the connecting conductor 4 for plating exposed on the side surface of the insulating substrate 11 and a portion adjacent to the one end are made of molybdenum or tungsten. As in the case of the connection conductor 4 for plating in the multi-piece wiring board 9, this portion has a dense structure and has a high anchor effect on the insulating substrate 11. In other words, one end of the plating connection conductor 4 exposed on the side surface of the insulating substrate 11 and a portion adjacent to the one end are dense, and moisture hardly penetrates. Therefore, the penetration of moisture such as outside air from the exposed end of the plating connection conductor 4 into the interlayer of the insulating layer 1a is effectively suppressed. Therefore, it is possible to provide a highly reliable wiring board 10 in which corrosion and migration of the wiring conductor 3 are effectively suppressed.

また、このような配線基板10によれば、配線導体3がモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方と銅とからなり、電気抵抗の低い銅を主成分と1つとして含んでいることから、配線導体3の電気抵抗を低く(例えばシート抵抗で約0.002〜0.003Ω/□程度に)抑える上で有効である。   Further, according to such a wiring board 10, since the wiring conductor 3 is made of at least one of molybdenum and tungsten and copper and contains copper having a low electric resistance as one main component, the wiring conductor 3 It is effective in suppressing the electrical resistance to a low level (for example, about 0.002 to 0.003Ω / □ in terms of sheet resistance).

また、このような配線基板10によれば、絶縁基板11を形成する絶縁層1aが機械的強度の高い酸化アルミニウム質焼結体からなるため、絶縁基板11の機械的な強度を確保する上で有効であり、例えば絶縁基板11の薄型化を図るような場合にも有利である。絶縁基板11の機械的強度は、例えば厚みが約1mm程度の場合であれば、曲げ強度が約400MPa程
度で、ヤング率が約260GPa程度である。
Further, according to such a wiring substrate 10, since the insulating layer 1a forming the insulating substrate 11 is made of an aluminum oxide sintered body having high mechanical strength, the mechanical strength of the insulating substrate 11 is ensured. This is effective, and is advantageous, for example, when the insulating substrate 11 is made thin. For example, if the thickness of the insulating substrate 11 is about 1 mm, the bending strength is about 400 MPa and the Young's modulus is about 260 GPa.

めっき用接続導体4のうちモリブデンまたタングステンからなる部分は、モリブデンまたはタングステンの粉末に有機溶剤,バインダを添加し混練して作製した金属ペーストを絶縁基板11を作製するための母基板1となるセラミックグリーンシートに配線導体3となる金属ペーストに接するようなパターンで印刷し、その後、このセラミックグリーンシートと同時焼成する方法で形成することができる。   Of the connecting conductor 4 for plating, a portion made of molybdenum or tungsten is a ceramic that becomes a mother substrate 1 for producing an insulating substrate 11 by using a metal paste prepared by adding an organic solvent and a binder to molybdenum or tungsten powder and kneading them. It can be formed by printing on the green sheet with a pattern in contact with the metal paste to be the wiring conductor 3 and then simultaneously firing with this ceramic green sheet.

配線基板10においても、めっき用接続導体4は、絶縁基板1の側面に露出する一端およびこれに隣接する部分においてはモリブデンまたはタングステンからなるものである必要があるが、他の部分については、配線導体3と同様にモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方と銅とからなるものとして抵抗を低く抑えるようにしてもよい。   Also in the wiring board 10, the plating connection conductor 4 needs to be made of molybdenum or tungsten at one end exposed on the side surface of the insulating substrate 1 and at a portion adjacent to the one end. As in the case of the conductor 3, the resistance may be kept low by being made of copper and at least one of molybdenum and tungsten.

めっき用接続導体4のうちモリブデンまたはタングステンからなるものとすることが必要な部分は、前述したように絶縁基板1の側面に露出する一端およびこの一端に隣接する部分である。一端に隣接する部分は、多数個取り配線基板9における配線基板領域2の境界2aからの長さに相当し、例えば約0.2mm程度である。   The portions that need to be made of molybdenum or tungsten among the connection conductors 4 for plating are one end exposed on the side surface of the insulating substrate 1 and a portion adjacent to this one end as described above. The portion adjacent to one end corresponds to the length from the boundary 2a of the wiring board region 2 in the multi-piece wiring board 9, and is about 0.2 mm, for example.

なお、めっき用接続導体4は、多数個取り配線基板9の場合と同様に、例えば厚みが約0.01〜0.025mm程度で線幅が約0.1〜0.2mm程度であり、この縦断面に相当する面積(
約0.001〜0.005mm程度)で、一端が絶縁基板11の側面に露出している。
As in the case of the multi-piece wiring substrate 9, the plating connection conductor 4 has a thickness of about 0.01 to 0.025 mm and a line width of about 0.1 to 0.2 mm, and an area corresponding to this longitudinal section. (
One end is exposed on the side surface of the insulating substrate 11 at about 0.001 to 0.005 mm 2 .

配線導体3に被着されるめっき層は、上記と同様にニッケルやコバルト,金,パラジウム,銅,錫等の金属材料またはこれらの金属材料の合金等が挙げられ、それぞれの厚みについても同様である。   The plating layer to be deposited on the wiring conductor 3 may be a metal material such as nickel, cobalt, gold, palladium, copper, tin, or an alloy of these metal materials, as described above. is there.

配線基板10において、めっき用接続導体4のうち絶縁基板1の側面に露出した一端、およびこの一端に隣接した部分をタングステンまたはモリブデンからなるものとしたときの具体的な例および効果は、上記多数個取り配線基板9における具体例と同様である。   In the wiring substrate 10, specific examples and effects when the one end exposed on the side surface of the insulating substrate 1 and the portion adjacent to the one end of the connection conductor 4 for plating are made of tungsten or molybdenum are as described above. This is the same as the specific example in the individual wiring board 9.

個片の配線基板10においても、めっき用接続導体4のうちモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方からなる部位に、ニッケル,コバルトおよび鉄の少なくとも1種が添加されている場合には、この部位における焼結性が向上して、めっき用接続導体4の導通抵抗をより低く抑えることができる。   Also in the individual wiring board 10, when at least one of nickel, cobalt, and iron is added to a portion made of at least one of molybdenum and tungsten in the connection conductor 4 for plating, sintering at this portion is performed. Thus, the conduction resistance of the plating connection conductor 4 can be further reduced.

そのため、この配線基板10を多数個取り配線基板9の形態で製作するときに、めっき時の電流の損失が抑制され、生産性やコストの点で有利である。また、配線基板10となる配列された複数の配線基板領域2に供給される電流のばらつきをより低く抑えることができる。そのため、めっき層の厚みのばらつきがより小さい配線基板10を提供することができる。   For this reason, when a large number of wiring boards 10 are produced in the form of the wiring board 9, current loss during plating is suppressed, which is advantageous in terms of productivity and cost. Further, variation in current supplied to the plurality of wiring substrate regions 2 arranged as the wiring substrate 10 can be further suppressed. Therefore, it is possible to provide the wiring board 10 in which the variation in the thickness of the plating layer is smaller.

ニッケル,コバルトおよび鉄(ニッケル等)は、前述した多数個取り配線基板9の場合と同様に、これらの金属材料の粉末をめっき用接続導体4となる金属ペーストに添加し、焼成することによって、めっき用接続導体4に添加させることができる。そして、前述した多数個取り配線基板9の場合と同様に、融点が焼成温度に近いニッケル等の存在によって、めっき用接続導体4の焼結性を高くして電気抵抗を低く抑えることができる。また、ガラス質による緻密化や母基板1に対するアンカー効果といった効果を十分に得ることができる。   Nickel, cobalt, and iron (nickel etc.) are added to the metal paste used as the connection conductor 4 for plating, and fired by adding powder of these metal materials to the multi-cavity wiring board 9 as described above. It can add to the connection conductor 4 for plating. As in the case of the multi-piece wiring board 9 described above, the presence of nickel or the like whose melting point is close to the firing temperature makes it possible to increase the sinterability of the plating connection conductor 4 and keep the electrical resistance low. Further, it is possible to sufficiently obtain effects such as densification by vitreous material and an anchor effect for the mother substrate 1.

この配線基板10においてめっき用接続導体4に添加されたニッケル等は、その粒径や含有量等について前述した多数個取り配線基板9の場合と同様である。また同様に、耐食性等を考慮すればニッケルを選択することが好ましい。   The nickel or the like added to the plating connection conductor 4 in this wiring board 10 is the same as that of the multi-cavity wiring board 9 described above with respect to the particle size, content, and the like. Similarly, it is preferable to select nickel in consideration of corrosion resistance and the like.

1・・・母基板
1a・・絶縁層
2・・・配線基板領域
2a・・配線基板領域の境界
3・・・配線導体
4・・・めっき用接続導体
5・・・ダミー領域
9・・・多数個取り配線基板
10・・・配線基板
11・・・絶縁基板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Mother board 1a .... Insulation layer 2 ... Wiring board area | region 2a .... Border 3 of a wiring board area ... Wiring conductor 4 ... Connection conductor 5 for plating ... Dummy area 9 ... Multiple wiring board
10 ... wiring board
11 ... Insulated substrate

Claims (4)

酸化アルミニウム質焼結体からなる複数の絶縁層が積層されてなり、複数の配線基板領域が縦横の並びに配列されている母基板と、前記絶縁層の層間から前記配線基板領域の表面にかけて形成された配線導体と、前記絶縁層の層間に形成された、前記配線基板領域の境界を越えて前記配線導体同士を接続するめっき用接続導体とを備える多数個取り配線基板であって、前記配線導体がモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方と銅とからなり、前記めっき用接続導体が、前記配線基板領域の境界および該境界に隣接する部分においてモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方からなることを特徴とする多数個取り配線基板。 A plurality of insulating layers made of an aluminum oxide sintered body are laminated, and a plurality of wiring board regions are formed from the interlayer of the insulating layer to the surface of the wiring board region, in which a plurality of wiring board regions are arranged vertically and horizontally. A wiring board comprising a plurality of wiring conductors and a connecting conductor for plating formed between layers of the insulating layer and connecting the wiring conductors across a boundary of the wiring board region, And a plurality of metal-plating connecting conductors comprising at least one of molybdenum and tungsten at a boundary of the wiring board region and a portion adjacent to the boundary. Wiring board. 前記めっき用接続導体のうち前記モリブデンおよびタングステンの少なくとも一方からなる部分に、ニッケル,コバルトおよび鉄の少なくとも1種が添加されていることを特徴とする請求項1記載の多数個取り配線基板。   2. The multi-cavity wiring board according to claim 1, wherein at least one of nickel, cobalt and iron is added to a portion made of at least one of molybdenum and tungsten in the connecting conductor for plating. 酸化アルミニウム質焼結体からなる複数の絶縁層が積層されてなる絶縁基板と、前記絶縁層の層間から前記絶縁基板の表面にかけて形成された配線導体と、前記絶縁層の層間に前記配線導体と接続して形成され、一端が前記絶縁基板の側面に露出しためっき用接続導体とを備える配線基板であって、前記配線導体がモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方と銅とからなり、前記めっき用接続導体が、前記一端および該一端に隣接する部分においてモリブデンおよびタングステンの少なくとも一方からなることを特徴とする配線基板。 An insulating substrate formed by laminating a plurality of insulating layers made of an aluminum oxide sintered body, a wiring conductor formed from an interlayer of the insulating layer to a surface of the insulating substrate, and the wiring conductor between the insulating layers A wiring board comprising a connection conductor for plating formed and connected at one end to the side surface of the insulating substrate, wherein the wiring conductor is made of at least one of molybdenum and tungsten and copper, and the connection conductor for plating The wiring board is made of at least one of molybdenum and tungsten at the one end and a portion adjacent to the one end. 前記めっき用接続導体のうち前記モリブデンおよびタングステンの少なくとも一方からなる部分に、ニッケル,コバルトおよび鉄の少なくとも1種が添加されていることを特徴とする請求項3記載の配線基板。   4. The wiring board according to claim 3, wherein at least one of nickel, cobalt, and iron is added to a portion made of at least one of molybdenum and tungsten in the connecting conductor for plating.
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