JP2012145543A - Radiographic imaging device - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a radiographic imaging device that suppresses the effect of noise caused by electromagnetic waves from a power supply unit, and accurately detects irradiation of radiation.SOLUTION: A radiographic imaging device includes pixels for radiation detection 32A, for detecting radiation with which an imaging area 31 has been irradiated, arranged in various distribution in accordance with the degree of separation from a DC/DC converter 71, and detects irradiation of radiation based on the detection result by each of the pixels for radiation detection 32A.

Description

本発明は、放射線画像撮影装置に係り、特に、撮影対象部位を透過した放射線により示される放射線画像を取得する放射線画像撮影装置に関する。   The present invention relates to a radiographic image capturing apparatus, and more particularly to a radiographic image capturing apparatus that acquires a radiographic image indicated by radiation transmitted through a region to be imaged.

近年、TFT(Thin Film Transistor)アクティブマトリクス基板上に放射線感応層を配置し、放射線を直接デジタルデータに変換できるFPD(Flat Panel Detector)等の放射線検出器が実用化されており、この放射線検出器を用いて、照射された放射線により表わされる放射線画像を撮影する放射線画像撮影装置が実用化されている。なお、この放射線画像撮影装置に用いられる放射線検出器には、放射線を変換する方式として、放射線をシンチレータで光に変換した後にフォトダイオード等の半導体層で電荷に変換する間接変換方式や、放射線をアモルファスセレン等の半導体層で電荷に変換する直接変換方式等があり、各方式でも半導体層に使用可能な材料が種々存在する。   In recent years, radiation detectors such as flat panel detectors (FPDs) that can arrange radiation sensitive layers on TFT (Thin Film Transistor) active matrix substrates and convert radiation directly into digital data have been put into practical use. A radiographic image capturing apparatus that captures a radiographic image represented by irradiated radiation has been put into practical use. The radiation detector used in this radiographic imaging apparatus has an indirect conversion system in which radiation is converted into light by a scintillator and then converted into electric charge in a semiconductor layer such as a photodiode, or the like. There is a direct conversion method in which a semiconductor layer such as amorphous selenium converts into electric charge, and there are various materials that can be used for the semiconductor layer in each method.

ところで、放射線画像撮影装置では、放射線の照射の開始や終了、放射線の照射量を検出し、放射線を照射する放射線源の制御を行う技術が知られている
例えば、特許文献1には、基板上の画素をマトリクス状に形成し、一部の画素をAEC用の画素とした放射線検出器が開示されている。
By the way, in a radiographic imaging apparatus, the technique which detects the start and completion | finish of irradiation of a radiation, the irradiation amount of a radiation, and controls the radiation source which irradiates a radiation is known, for example in patent document 1 on a board | substrate. A radiation detector is disclosed in which the pixels are formed in a matrix and some of the pixels are AEC pixels.

特開2004−251892号公報JP 2004-251892 A

ところで、この放射線検出器を用いて、照射された放射線により表わされる放射線画像を撮影する可搬型の放射線画像撮影装置(以下、「電子カセッテ」ともいう。)が実用化されている。   By the way, a portable radiation image capturing apparatus (hereinafter also referred to as “electronic cassette”) that captures a radiation image represented by irradiated radiation by using this radiation detector has been put into practical use.

この電子カセッテは可搬性に優れており、ストレッチャーやベッドに載せたまま被検者を撮影できると共に、電子カセッテの位置を変更することで撮影部位の調整も容易であるため、動けない被検者を撮影する場合にも柔軟に対処することができる。このため、電子カセッテは、制御装置(所謂、コンソール)などの外部装置との通信をケーブルを用いた有線通信で行うよりも無線通信で行う方が使い勝手がよい。   This electronic cassette is excellent in portability, and it is possible to take an image of the subject while it is placed on a stretcher or bed, and the position of the electronic cassette can be easily adjusted to adjust the imaging part. It is possible to cope flexibly when photographing a person. For this reason, it is more convenient for the electronic cassette to perform communication with an external device such as a control device (so-called console) by wireless communication than by wired communication using a cable.

ところで、電子カセッテは、外部装置とケーブルを接続しない無線通信方式とした場合、バッテリを内蔵させ、バッテリの電力を変圧して内部の各機器に電力を供給する必要がある。この供給される電力を異なる電圧に変圧する電源部としては、DC/DCコンバータなどのスイッチング電源やコイルを用いた変圧器などが用いられる。スイッチング電源は、スイッチング素子を内蔵し、入力電圧とスイッチング素子をオン、オフさせる時間の割合(デューティー比、デューティーサイクル)で出力電圧が決定される。   By the way, when the electronic cassette adopts a wireless communication system in which a cable is not connected to an external device, it is necessary to incorporate a battery and transform the power of the battery to supply power to each internal device. As a power supply unit that transforms the supplied power into different voltages, a switching power supply such as a DC / DC converter, a transformer using a coil, or the like is used. The switching power supply incorporates a switching element, and the output voltage is determined by the ratio of the input voltage and the time during which the switching element is turned on / off (duty ratio, duty cycle).

しかし、スイッチング電源は、スイッチング素子がオン、オフを繰り返すことにより電磁波が発生し、また、変圧器も交流電流がコイルを流れることにより電磁波が発生する。そして、この発生した電磁波の影響により放射線の検出を行う検出部にノイズが発生する。   However, the switching power supply generates an electromagnetic wave when the switching element is repeatedly turned on and off, and the transformer also generates an electromagnetic wave when an alternating current flows through the coil. And the noise generate | occur | produces in the detection part which detects a radiation by the influence of this generated electromagnetic waves.

このため、検出部に発生した電気信号の変化から放射線の照射を検出するものとした場合、検出部にノイズが発生すると放射線の照射の精度よく検出できない。   For this reason, when it is assumed that the radiation irradiation is detected from the change in the electrical signal generated in the detection unit, the radiation irradiation cannot be accurately detected if noise occurs in the detection unit.

なお、可搬型の放射線画像撮影装置である電子カセッテで無線通信を行うものとした場合について説明したが、据置型の放射線画像撮影装置で無線通信を行うものとした場合についても同様の問題が発生する。   In addition, although the case where wireless communication was performed using an electronic cassette, which is a portable radiographic image capturing device, the same problem occurred when wireless communication was performed using a stationary radiographic image capturing device. To do.

本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、電源部から照射される電磁波の影響によるノイズの影響を抑えて放射線の照射を精度よく検知できる放射線画像撮影装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above-described facts, and an object of the present invention is to provide a radiographic imaging apparatus capable of accurately detecting radiation irradiation while suppressing the influence of noise due to the influence of electromagnetic waves irradiated from a power supply unit. .

上記目的を達成するために、請求項1に記載の放射線画像撮影装置は、放射線又は放射線が変換された光が照射されることにより電荷が発生し、発生した電荷を蓄積する画素が撮影領域に複数設けられ、各画素に蓄積された電荷量に応じた電気信号を出力する放射線検出器と、供給される電力を異なる電圧に変圧する電源部と、前記電源部からの離隔度合に応じて分布を変えて配置され、前記撮影領域に照射された放射線を検出する検出部と、前記検出部による検出結果に基づいて放射線の照射の検知を行う検知手段と、を備えている。   In order to achieve the above object, the radiographic imaging device according to claim 1 generates charges when irradiated with radiation or light converted from radiation, and pixels that accumulate the generated charges are in the imaging region. A plurality of radiation detectors that output an electrical signal corresponding to the amount of electric charge accumulated in each pixel, a power supply unit that transforms supplied power into different voltages, and a distribution according to the degree of separation from the power supply unit And a detection unit that detects the radiation irradiated to the imaging region, and a detection unit that detects radiation irradiation based on a detection result by the detection unit.

請求項1記載の放射線画像撮影装置では、放射線検出器は放射線又は放射線が変換された光が照射されることにより電荷が発生し、発生した電荷を蓄積する画素が撮影領域に複数設けられ、各画素に蓄積された電荷量に応じた電気信号が出力されるものとされている。また、供給される電力を異なる電圧に変圧する電源部を備えている。   In the radiographic imaging apparatus according to claim 1, the radiation detector generates charges when irradiated with radiation or light converted from radiation, and a plurality of pixels for storing the generated charges are provided in the imaging region, An electrical signal corresponding to the amount of charge accumulated in the pixel is output. Moreover, the power supply part which transforms the supplied electric power into a different voltage is provided.

そして、本発明では、撮影領域に照射された放射線を検出する検出部が電源部からの離隔度合に応じて分布を変えて配置され、検知手段により、検出部による検出結果に基づいて放射線の照射の検知が行われる。   And in this invention, the detection part which detects the radiation irradiated to the imaging | photography area | region is arrange | positioned by changing distribution according to the separation degree from a power supply part, and irradiation of radiation based on the detection result by a detection part by a detection means Is detected.

このように、請求項1に記載の放射線画像撮影装置によれば、撮影領域に照射された放射線を検出する検出部を電源部からの離隔度合に応じて分布を変えて配置され、検出部による検出結果に基づいて放射線の照射の検知を行うことにより、電源部から照射される電磁波の影響によるノイズの影響を抑えて放射線の照射を精度よく検知できる。   Thus, according to the radiographic imaging device of claim 1, the detection unit that detects the radiation irradiated to the imaging region is arranged with a distribution changed according to the degree of separation from the power supply unit, and the detection unit By detecting the irradiation of radiation based on the detection result, it is possible to accurately detect the irradiation of radiation while suppressing the influence of noise due to the influence of electromagnetic waves irradiated from the power supply unit.

なお、請求項1記載の発明は、請求項2に記載の発明のように、前記検出部が、前記電源部から離れた領域ほど多く配置されてもよい。   In addition, as for invention of Claim 1, like the invention of Claim 2, the said detection part may be arrange | positioned so much as the area | region away from the said power supply part.

また、請求項1記載の発明は、請求項3に記載の発明のように、前記検出部が、前記電源部から離れた領域ほど少なく配置され、前記検知手段が、前記電源部に近い領域については2以上の前記検出部の検出結果を合算又は平均化した結果に基づいて放射線の照射の検知を行ってもよい。   Further, according to the first aspect of the present invention, as in the third aspect of the present invention, the detection unit is arranged in a region closer to the power supply unit, and the detection unit is located closer to the power supply unit. May detect radiation irradiation based on the result of adding or averaging the detection results of two or more detection units.

また、本発明は、請求項4に記載の発明のように、各領域は、略均等に分けられることが好ましい。   Further, in the present invention, it is preferable that each region is divided approximately equally as in the invention described in claim 4.

また、請求項1〜請求項4に記載の発明は、請求項5に記載の発明のように、前記検出部を、前記放射線検出器の画素が兼ねてもよい。   Further, in the invention described in claims 1 to 4, as in the invention described in claim 5, the pixel of the radiation detector may also serve as the detection unit.

また、請求項1〜請求項4に記載の発明は、請求項6に記載の発明のように、前記画素が、バイアス電圧が印加された状態で放射線又は放射線が変換された光が照射されることにより電荷が発生するセンサ部を有し、前記検出部を、前記センサ部にバイアス電圧を印加する配線に流れる電流量を検出する電流検出部としてもよい。   Further, according to the invention described in claims 1 to 4, as in the invention described in claim 6, the pixel is irradiated with radiation or light whose radiation has been converted while a bias voltage is applied. In this case, the sensor unit may generate a charge, and the detection unit may be a current detection unit that detects an amount of current flowing through a wiring that applies a bias voltage to the sensor unit.

また、請求項1〜請求項4に記載の発明は、請求項7に記載の発明のように、前記放射線検出器の各画素から出力される電気信号を増幅する増幅器をさらに備え、前記検出部を、前記増幅器に供給されるアンプ電流の電流量を検出する電流検出部としてもよい。   In addition, the invention described in claim 1 to claim 4 further includes an amplifier that amplifies an electrical signal output from each pixel of the radiation detector, as in the invention described in claim 7, May be a current detector that detects the amount of amplifier current supplied to the amplifier.

また、請求項1〜請求項7に記載の発明は、請求項8に記載の発明のように、前記電源部の電力源となるバッテリをさらに備え、前記電源部と前記バッテリが、放射線検出器を挟んで対向する位置に配置されることが好ましい。   Further, the invention according to claim 1 to claim 7 further includes a battery serving as a power source of the power supply unit, as in the invention according to claim 8, wherein the power supply unit and the battery are radiation detectors. It is preferable that they are arranged at positions facing each other with a gap therebetween.

また、請求項8に記載の発明は、請求項9に記載の発明のように、前記検出部が、前記バッテリからの電力を前記電源部に供給する電源ラインが配設された部分に対応する領域に未配置とされることが好ましい。   According to an eighth aspect of the invention, as in the ninth aspect of the invention, the detection unit corresponds to a portion where a power supply line for supplying power from the battery to the power supply unit is provided. It is preferable that the area is not arranged.

本発明によれば、電源部から照射される電磁波の影響によるノイズの影響を抑えて放射線の照射を精度よく検知できる、という効果が得られる。   According to the present invention, it is possible to obtain an effect that radiation irradiation can be accurately detected while suppressing an influence of noise due to an electromagnetic wave irradiated from a power supply unit.

第1の実施の形態に係る放射線情報システムの構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the radiation information system which concerns on 1st Embodiment. 第1の実施の形態に係る放射線画像撮影システムの放射線撮影室における各装置の配置状態の一例を示す側面図である。It is a side view which shows an example of the arrangement | positioning state of each apparatus in the radiography room of the radiographic imaging system which concerns on 1st Embodiment. 第1の実施の形態に係る放射線検出器の3画素部分の概略構成を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows schematic structure of the 3 pixel part of the radiation detector which concerns on 1st Embodiment. 第1の実施の形態に係る放射線検出器の1画素部分の信号出力部の構成を概略的に示した断面側面図である。It is the cross-sectional side view which showed schematically the structure of the signal output part of 1 pixel part of the radiation detector which concerns on 1st Embodiment. 第1の実施の形態に係る放射線検出器の構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the radiation detector which concerns on 1st Embodiment. 第1の実施の形態に係る電子カセッテの構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the electronic cassette concerning 1st Embodiment. 第1の実施の形態に係る電子カセッテの構成を示す断面側面図である。It is a section side view showing the composition of the electronic cassette concerning a 1st embodiment. 第1の実施の形態に係る放射線画像撮影システムの電気系の要部構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the principal part structure of the electric system of the radiographic imaging system which concerns on 1st Embodiment. 第1の実施の形態に係る放射線検出器の放射線検出用画素の配置状態の一例を示す平面図である。It is a top view which shows an example of the arrangement | positioning state of the radiation detection pixel of the radiation detector which concerns on 1st Embodiment. 第1の放射線画像の表面読取方式と裏面読取方式を説明するための断面側面図である。It is a cross-sectional side view for demonstrating the 1st radiation image front surface reading system and back surface reading system. 第2の実施の形態に係る放射線検出器の放射線検出用画素の配置状態の一例を示す平面図である。It is a top view which shows an example of the arrangement | positioning state of the radiation detection pixel of the radiation detector which concerns on 2nd Embodiment. 第3の実施の形態に係る放射線検出器の構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the radiation detector which concerns on 3rd Embodiment. 第3の実施の形態に係る電子カセッテの構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the electronic cassette concerning 3rd Embodiment. 第3の実施の形態に係る放射線検出器及び放射線検出部の構成を模式的に示した断面図である。It is sectional drawing which showed typically the structure of the radiation detector and radiation detection part which concern on 3rd Embodiment. 第3の実施の形態に係る電子カセッテの電気系の要部構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the principal part structure of the electric system of the electronic cassette concerning 3rd Embodiment. 第3の実施の形態に係る放射線検出部のセンサ部の配置状態の一例を示す平面図である。It is a top view which shows an example of the arrangement | positioning state of the sensor part of the radiation detection part which concerns on 3rd Embodiment. 第3の実施の形態に係る放射線検出部のセンサ部の配置状態の一例を示す平面図である。It is a top view which shows an example of the arrangement | positioning state of the sensor part of the radiation detection part which concerns on 3rd Embodiment. 第4の実施の形態に係る電子カセッテの電気系の要部構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the principal part structure of the electric system of the electronic cassette concerning 4th Embodiment. 第5の実施の形態に係る電子カセッテの電気系の要部構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the principal part structure of the electric system of the electronic cassette concerning 5th Embodiment. 他の形態に係る放射線検出器の構成の一例を示す平面図である。It is a top view which shows an example of a structure of the radiation detector which concerns on another form. 他の形態に係る放射線検出器の放射線検出用画素の配置状態の一例を示す平面図である。It is a top view which shows an example of the arrangement | positioning state of the radiation detection pixel of the radiation detector which concerns on another form. 他の形態に係るアンテナと第2信号処理部内の増幅器の配置状態の一例を示す平面図である。It is a top view which shows an example of the arrangement | positioning state of the antenna which concerns on another form, and the amplifier in a 2nd signal processing part. 他の形態に係るアンテナと第2信号処理部の配置状態の一例を示す平面図である。It is a top view which shows an example of the arrangement | positioning state of the antenna which concerns on another form, and a 2nd signal processing part. 他の形態に係るバッテリとDC/DCコンバータの配置状態の一例を示す平面図である。It is a top view which shows an example of the arrangement | positioning state of the battery which concerns on another form, and a DC / DC converter.

以下、図面を参照して、本発明を実施するための形態について詳細に説明する。なお、ここでは、本発明を、病院における放射線科部門で取り扱われる情報を統括的に管理するシステムである放射線情報システムに適用した場合の形態例について説明する。   DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Here, a description will be given of an example in which the present invention is applied to a radiation information system that is a system for comprehensively managing information handled in a radiology department in a hospital.

まず、図1を参照して、本実施の形態に係る放射線情報システム(以下、「RIS」(Radiology Information System)という。)100の構成について説明する。   First, the configuration of a radiation information system (hereinafter referred to as “RIS” (Radiology Information System)) 100 according to the present embodiment will be described with reference to FIG.

RIS100は、放射線科部門内における、診療予約、診断記録等の情報管理を行うためのシステムであり、病院情報システム(以下、「HIS」(Hospital Information System)という。)の一部を構成する。   The RIS 100 is a system for managing information such as medical appointments and diagnosis records in the radiology department, and constitutes a part of a hospital information system (hereinafter referred to as “HIS” (Hospital Information System)).

RIS100は、複数台の撮影依頼端末装置(以下、「端末装置」という。)140、RISサーバ150、および病院内の放射線撮影室(あるいは手術室)の個々に設置された放射線画像撮影システム(以下、「撮影システム」という。)104を有しており、これらが有線や無線のLAN(Local Area Network)等から成る病院内ネットワーク102に各々接続されて構成されている。なお、RIS100は、同じ病院内に設けられたHISの一部を構成しており、病院内ネットワーク102には、HIS全体を管理するHISサーバ(図示省略。)も接続されている。   The RIS 100 includes a plurality of radiography requesting terminal devices (hereinafter referred to as “terminal devices”) 140, a RIS server 150, and a radiographic imaging system (hereinafter referred to as a radiographic imaging room (or operating room) in a hospital). , Which are referred to as “imaging systems”) 104, which are connected to a hospital network 102 composed of a wired or wireless LAN (Local Area Network) or the like. The RIS 100 constitutes a part of the HIS provided in the same hospital, and an HIS server (not shown) for managing the entire HIS is also connected to the in-hospital network 102.

端末装置140は、医師や放射線技師が、診断情報や施設予約の入力、閲覧等を行うためのものであり、放射線画像の撮影依頼や撮影予約もこの端末装置140を介して行われる。各端末装置140は、表示装置を有するパーソナル・コンピュータを含んで構成され、RISサーバ150と病院内ネットワーク102を介して相互通信が可能とされている。   The terminal device 140 is used by doctors and radiographers to input and browse diagnostic information and facility reservations, and radiographic image capturing requests and imaging reservations are also performed via the terminal device 140. Each terminal device 140 includes a personal computer having a display device, and can communicate with the RIS server 150 via the hospital network 102.

一方、RISサーバ150は、各端末装置140からの撮影依頼を受け付け、撮影システム104における放射線画像の撮影スケジュールを管理するものであり、データベース150Aを含んで構成されている。   On the other hand, the RIS server 150 receives an imaging request from each terminal device 140 and manages a radiographic imaging schedule in the imaging system 104, and includes a database 150A.

データベース150Aは、患者(被検者)の属性情報(氏名、性別、生年月日、年齢、血液型、体重、患者ID(Identification)等)、病歴、受診歴、過去に撮影した放射線画像等の患者に関する情報、撮影システム104で用いられる、後述する電子カセッテ40の識別番号(ID情報)、型式、サイズ、感度、使用開始年月日、使用回数等の電子カセッテ40に関する情報、および電子カセッテ40を用いて放射線画像を撮影する環境、すなわち、電子カセッテ40を使用する環境(一例として、放射線撮影室や手術室等)を示す環境情報を含んで構成されている。   Database 150A includes patient (subject) attribute information (name, sex, date of birth, age, blood type, weight, patient ID (Identification), etc.), medical history, medical history, radiation images taken in the past, etc. Information regarding the patient, information regarding the electronic cassette 40 used in the imaging system 104, such as an identification number (ID information), model, size, sensitivity, start date of use, number of times of use, etc., and the electronic cassette 40 It includes the environment information which shows the environment which takes a radiographic image using, ie, the environment (for example, a radiography room, an operating room, etc.) which uses electronic cassette 40.

撮影システム104は、RISサーバ150からの指示に応じて医師や放射線技師の操作により放射線画像の撮影を行う。撮影システム104は、放射線源121(図2も参照。)から曝射条件に従った線量とされた放射線X(図6も参照。)を被検者に照射する放射線発生装置120と、被検者の撮影対象部位を透過した放射線Xを吸収して電荷を発生し、発生した電荷量に基づいて放射線画像を示す画像情報を生成する放射線検出器20(図6も参照。)を内蔵する電子カセッテ40と、電子カセッテ40に内蔵されているバッテリを充電するクレードル130と、電子カセッテ40および放射線発生装置120を制御するコンソール110と、を備えている。   The imaging system 104 captures a radiographic image by an operation of a doctor or a radiographer according to an instruction from the RIS server 150. The imaging system 104 includes a radiation generator 120 that irradiates a subject with radiation X (see also FIG. 6) that has been dosed according to the exposure conditions from a radiation source 121 (see also FIG. 2), and a subject. Electrons that incorporate a radiation detector 20 (see also FIG. 6) that absorbs radiation X that has passed through a region to be imaged by the person and generates charges, and generates image information indicating a radiation image based on the amount of charges generated. A cassette 40, a cradle 130 for charging a battery built in the electronic cassette 40, and a console 110 for controlling the electronic cassette 40 and the radiation generator 120 are provided.

コンソール110は、RISサーバ150からデータベース150Aに含まれる各種情報を取得して後述するHDD116(図8参照。)に記憶し、必要に応じて当該情報を用いて、電子カセッテ40および放射線発生装置120の制御を行う。   The console 110 acquires various types of information included in the database 150A from the RIS server 150 and stores them in an HDD 116 (see FIG. 8) described later, and uses the information as necessary to use the electronic cassette 40 and the radiation generator 120. Control.

図2には、本実施の形態に係る撮影システム104の放射線撮影室180における各装置の配置状態の一例が示されている。   FIG. 2 shows an example of the arrangement state of each device in the radiation imaging room 180 of the imaging system 104 according to the present embodiment.

同図に示すように、放射線撮影室180には、立位での放射線撮影を行う際に用いられる立位台160と、臥位での放射線撮影を行う際に用いられる臥位台164とが設置されており、立位台160の前方空間は立位での放射線撮影を行う際の被検者の撮影位置170とされ、臥位台164の上方空間は臥位での放射線撮影を行う際の被検者の撮影位置172とされている。   As shown in the figure, the radiation imaging room 180 has a standing table 160 used when performing radiography in a standing position and a prone table 164 used when performing radiography in a lying position. The space in front of the standing stand 160 is set as a photographing position 170 of the subject when performing radiography in the standing position, and the space above the supine stand 164 is when performing radiography in the prone position. The imaging position 172 of the subject.

立位台160には電子カセッテ40を保持する保持部162が設けられており、立位での放射線画像の撮影を行う際には、電子カセッテ40が保持部162に保持される。同様に、臥位台164には電子カセッテ40を保持する保持部166が設けられており、臥位での放射線画像の撮影を行う際には、電子カセッテ40が保持部166に保持される。   The standing stand 160 is provided with a holding unit 162 that holds the electronic cassette 40, and the electronic cassette 40 is held by the holding unit 162 when a radiographic image is taken in the standing position. Similarly, the holding table 164 is provided with a holding unit 166 that holds the electronic cassette 40, and the electronic cassette 40 is held by the holding unit 166 when a radiographic image is taken in the lying position.

また、放射線撮影室180には、単一の放射線源121からの放射線によって立位での放射線撮影も臥位での放射線撮影も可能とするために、放射線源121を、水平な軸回り(図2の矢印a方向)に回動可能で、鉛直方向(図2の矢印b方向)に移動可能で、さらに水平方向(図2の矢印c方向)に移動可能に支持する支持移動機構124が設けられている。ここで、支持移動機構124は、放射線源121を水平な軸回りに回動させる駆動源と、放射線源121を鉛直方向に移動させる駆動源と、放射線源121を水平方向に移動させる駆動源を各々備えている(何れも図示省略。)。   Further, in the radiation imaging room 180, the radiation source 121 is placed around a horizontal axis (see FIG. 5) in order to enable radiation imaging in a standing position and radiation imaging in a lying position by radiation from a single radiation source 121. 2 is provided, and a support moving mechanism 124 is provided which can be rotated in the vertical direction (arrow b direction in FIG. 2) and can be moved in the horizontal direction (arrow c direction in FIG. 2). It has been. Here, the support moving mechanism 124 includes a drive source that rotates the radiation source 121 around a horizontal axis, a drive source that moves the radiation source 121 in the vertical direction, and a drive source that moves the radiation source 121 in the horizontal direction. Each is provided (not shown).

一方、クレードル130には、電子カセッテ40を収納可能な収容部130Aが形成されている。   On the other hand, the cradle 130 is formed with an accommodating portion 130 </ b> A capable of accommodating the electronic cassette 40.

電子カセッテ40は、未使用時にはクレードル130の収容部130Aに収納された状態で内蔵されているバッテリに充電が行われ、放射線画像の撮影時には放射線技師等によってクレードル130から取り出され、撮影姿勢が立位であれば立位台160の保持部162に保持され、撮影姿勢が臥位であれば臥位台164の保持部166に保持される。   When the electronic cassette 40 is not in use, the built-in battery is charged in a state of being housed in the housing portion 130A of the cradle 130. When a radiographic image is taken, the electronic cassette 40 is taken out from the cradle 130 by a radiographer or the like, and the photographing posture is established. If it is in the upright position, it is held in the holding part 162 of the standing base 160, and if it is in the upright position, it is held in the holding part 166 of the standing base 164.

ここで、本実施の形態に係る撮影システム104では、放射線発生装置120とコンソール110との間、および電子カセッテ40とコンソール110との間で、無線通信によって各種情報の送受信を行う。   Here, in the imaging system 104 according to the present embodiment, various types of information are transmitted and received between the radiation generation apparatus 120 and the console 110 and between the electronic cassette 40 and the console 110 by wireless communication.

なお、電子カセッテ40は、立位台160の保持部162や臥位台164の保持部166で保持された状態のみで使用されるものではなく、その可搬性から、腕部,脚部等を撮影する際には、保持部に保持されていない状態で使用することもできる。   The electronic cassette 40 is not used only in a state where it is held by the holding part 162 of the standing base 160 or the holding part 166 of the prone base 164. When photographing, it can be used in a state where it is not held by the holding unit.

次に、本実施の形態に係る放射線検出器20の構成について説明する。図3は、本実施の形態に係る放射線検出器20の3画素部分の構成を概略的に示す断面模式図である。   Next, the configuration of the radiation detector 20 according to the present embodiment will be described. FIG. 3 is a schematic cross-sectional view schematically showing the configuration of the three pixel portions of the radiation detector 20 according to the present exemplary embodiment.

同図に示すように、本実施の形態に係る放射線検出器20は、絶縁性の基板1上に、信号出力部14、センサ部13、およびシンチレータ8が順次積層しており、信号出力部14、センサ部13により画素が構成されている。画素は、基板1上に複数配列されており、各画素における信号出力部14とセンサ部13とが重なりを有するように構成されている。   As shown in the figure, in the radiation detector 20 according to the present embodiment, a signal output unit 14, a sensor unit 13, and a scintillator 8 are sequentially stacked on an insulating substrate 1. The pixels are configured by the sensor unit 13. A plurality of pixels are arranged on the substrate 1, and the signal output unit 14 and the sensor unit 13 in each pixel are configured to overlap each other.

シンチレータ8は、センサ部13上に透明絶縁膜7を介して形成されており、上方(基板1の反対側)または下方から入射してくる放射線を光に変換して発光する蛍光体を成膜したものである。このようなシンチレータ8を設けることで、被写体を透過した放射線を吸収して発光することになる。   The scintillator 8 is formed on the sensor unit 13 via the transparent insulating film 7, and forms a phosphor that emits light by converting radiation incident from above (opposite side of the substrate 1) or from below into light. It is a thing. Providing such a scintillator 8 absorbs the radiation transmitted through the subject and emits light.

シンチレータ8が発する光の波長域は、可視光域(波長360nm〜830nm)であることが好ましく、この放射線検出器20によってモノクロ撮像を可能とするためには、緑色の波長域を含んでいることがより好ましい。   The wavelength range of light emitted by the scintillator 8 is preferably a visible light range (wavelength 360 nm to 830 nm), and in order to enable monochrome imaging by the radiation detector 20, the wavelength range of green is included. Is more preferable.

シンチレータ8に用いる蛍光体としては、具体的には、放射線としてX線を用いて撮像する場合、ヨウ化セシウム(CsI)を含むものが好ましく、X線照射時の発光スペクトルが420nm〜700nmにあるCsI(Tl)(タリウムが添加されたヨウ化セシウム)を用いることが特に好ましい。なお、CsI(Tl)の可視光域における発光ピーク波長は565nmである。   Specifically, the phosphor used in the scintillator 8 is preferably one containing cesium iodide (CsI) when imaging using X-rays as radiation, and has an emission spectrum of 420 nm to 700 nm upon X-ray irradiation. It is particularly preferable to use CsI (Tl) (cesium iodide with thallium added). Note that the emission peak wavelength of CsI (Tl) in the visible light region is 565 nm.

センサ部13は、上部電極6、下部電極2、および当該上下の電極間に配置された光電変換膜4を有し、光電変換膜4は、シンチレータ8が発する光を吸収して電荷が発生する有機光電変換材料により構成されている。   The sensor unit 13 includes an upper electrode 6, a lower electrode 2, and a photoelectric conversion film 4 disposed between the upper and lower electrodes. The photoelectric conversion film 4 absorbs light emitted from the scintillator 8 and generates charges. It is composed of an organic photoelectric conversion material.

上部電極6は、シンチレータ8により生じた光を光電変換膜4に入射させる必要があるため、少なくともシンチレータ8の発光波長に対して透明な導電性材料で構成することが好ましく、具体的には、可視光に対する透過率が高く、抵抗値が小さい透明導電性酸化物(TCO;TransparentConducting Oxide)を用いることが好ましい。なお、上部電極6としてAuなどの金属薄膜を用いることもできるが、透過率を90%以上得ようとすると抵抗値が増大し易いため、TCOの方が好ましい。例えば、ITO、IZO、AZO、FTO、SnO、TiO、ZnO等を好ましく用いることができ、プロセス簡易性、低抵抗性、透明性の観点からはITOが最も好ましい。なお、上部電極6は、全画素で共通の一枚構成としてもよく、画素毎に分割してもよい。 Since it is necessary for the upper electrode 6 to cause the light generated by the scintillator 8 to be incident on the photoelectric conversion film 4, it is preferable that the upper electrode 6 be made of a conductive material that is transparent at least with respect to the emission wavelength of the scintillator 8. It is preferable to use a transparent conductive oxide (TCO) having a high transmittance for visible light and a small resistance value. Although a metal thin film such as Au can be used as the upper electrode 6, TCO is preferable because it tends to increase the resistance value when it is desired to obtain a transmittance of 90% or more. For example, ITO, IZO, AZO, FTO, SnO 2 , TiO 2 , ZnO 2 and the like can be preferably used, and ITO is most preferable from the viewpoint of process simplicity, low resistance, and transparency. Note that the upper electrode 6 may have a single configuration common to all pixels, or may be divided for each pixel.

光電変換膜4は、有機光電変換材料を含み、シンチレータ8から発せられた光を吸収し、吸収した光に応じた電荷を発生する。このように有機光電変換材料を含む光電変換膜4であれば、可視域にシャープな吸収スペクトルを持ち、シンチレータ8による発光以外の電磁波が光電変換膜4に吸収されることがほとんどなく、X線等の放射線が光電変換膜4で吸収されることによって発生するノイズを効果的に抑制することができる。   The photoelectric conversion film 4 includes an organic photoelectric conversion material, absorbs light emitted from the scintillator 8, and generates a charge corresponding to the absorbed light. In this way, the photoelectric conversion film 4 containing an organic photoelectric conversion material has a sharp absorption spectrum in the visible range, and electromagnetic waves other than light emitted by the scintillator 8 are hardly absorbed by the photoelectric conversion film 4. The noise generated by the radiation such as being absorbed by the photoelectric conversion film 4 can be effectively suppressed.

光電変換膜4を構成する有機光電変換材料は、シンチレータ8で発光した光を最も効率よく吸収するために、その吸収ピーク波長が、シンチレータ8の発光ピーク波長と近いほど好ましい。有機光電変換材料の吸収ピーク波長とシンチレータ8の発光ピーク波長とが一致することが理想的であるが、双方の差が小さければシンチレータ8から発された光を十分に吸収することが可能である。具体的には、有機光電変換材料の吸収ピーク波長と、シンチレータ8の放射線に対する発光ピーク波長との差が、10nm以内であることが好ましく、5nm以内であることがより好ましい。   The organic photoelectric conversion material constituting the photoelectric conversion film 4 is preferably such that its absorption peak wavelength is closer to the emission peak wavelength of the scintillator 8 in order to absorb light emitted by the scintillator 8 most efficiently. Ideally, the absorption peak wavelength of the organic photoelectric conversion material matches the emission peak wavelength of the scintillator 8, but if the difference between the two is small, the light emitted from the scintillator 8 can be sufficiently absorbed. . Specifically, the difference between the absorption peak wavelength of the organic photoelectric conversion material and the emission peak wavelength with respect to the radiation of the scintillator 8 is preferably within 10 nm, and more preferably within 5 nm.

このような条件を満たすことが可能な有機光電変換材料としては、例えばキナクリドン系有機化合物およびフタロシアニン系有機化合物が挙げられる。例えばキナクリドンの可視域における吸収ピーク波長は560nmであるため、有機光電変換材料としてキナクリドンを用い、シンチレータ8の材料としてCsI(Tl)を用いれば、上記ピーク波長の差を5nm以内にすることが可能となり、光電変換膜4で発生する電荷量をほぼ最大にすることができる。   Examples of the organic photoelectric conversion material that can satisfy such conditions include quinacridone-based organic compounds and phthalocyanine-based organic compounds. For example, since the absorption peak wavelength in the visible region of quinacridone is 560 nm, if quinacridone is used as the organic photoelectric conversion material and CsI (Tl) is used as the material of the scintillator 8, the difference in peak wavelength can be within 5 nm. Thus, the amount of charge generated in the photoelectric conversion film 4 can be substantially maximized.

次に、本実施の形態に係る放射線検出器20に適用可能な光電変換膜4について具体的に説明する。   Next, the photoelectric conversion film 4 applicable to the radiation detector 20 according to the present embodiment will be specifically described.

本実施の形態に係る放射線検出器20における電磁波吸収/光電変換部位は、1対の電極2,6と、当該電極2,6間に挟まれた有機光電変換膜4を含む有機層により構成することができる。この有機層は、より具体的には、電磁波を吸収する部位、光電変換部位、電子輸送部位、正孔輸送部位、電子ブロッキング部位、正孔ブロッキング部位、結晶化防止部位、電極、および層間接触改良部位等の積み重ね、もしくは混合により形成することができる。   The electromagnetic wave absorption / photoelectric conversion site in the radiation detector 20 according to the present embodiment is configured by an organic layer including a pair of electrodes 2 and 6 and an organic photoelectric conversion film 4 sandwiched between the electrodes 2 and 6. be able to. More specifically, this organic layer is a part that absorbs electromagnetic waves, a photoelectric conversion part, an electron transport part, a hole transport part, an electron blocking part, a hole blocking part, a crystallization preventing part, an electrode, and an interlayer contact improvement. It can be formed by stacking or mixing parts.

上記有機層は、有機p型化合物または有機n型化合物を含有することが好ましい。   The organic layer preferably contains an organic p-type compound or an organic n-type compound.

有機p型半導体(化合物)は、主に正孔輸送性有機化合物に代表されるドナー性有機半導体(化合物)であり、電子を供与しやすい性質がある有機化合物をいう。さらに詳しくは2つの有機材料を接触させて用いたときにイオン化ポテンシャルの小さい方の有機化合物をいう。したがって、ドナー性有機化合物としては、電子供与性のある有機化合物であれば、いずれの有機化合物も使用可能である。   The organic p-type semiconductor (compound) is a donor organic semiconductor (compound) mainly represented by a hole-transporting organic compound and refers to an organic compound having a property of easily donating electrons. More specifically, an organic compound having a smaller ionization potential when two organic materials are used in contact with each other. Accordingly, any organic compound can be used as the donor organic compound as long as it is an electron-donating organic compound.

有機n型半導体(化合物)は、主に電子輸送性有機化合物に代表されるアクセプター性有機半導体(化合物)であり、電子を受容しやすい性質がある有機化合物をいう。さらに詳しくは、2つの有機化合物を接触させて用いたときに電子親和力の大きい方の有機化合物をいう。したがって、アクセプター性有機化合物は、電子受容性のある有機化合物であれば、いずれの有機化合物も使用可能である。   An organic n-type semiconductor (compound) is an acceptor organic semiconductor (compound) mainly represented by an electron-transporting organic compound and refers to an organic compound having a property of easily accepting electrons. More specifically, the organic compound having the higher electron affinity when two organic compounds are used in contact with each other. Accordingly, as the acceptor organic compound, any organic compound can be used as long as it is an electron-accepting organic compound.

この有機p型半導体および有機n型半導体として適用可能な材料、および光電変換膜4の構成については、特開2009−32854号公報において詳細に説明されているため、説明を省略する。なお、光電変換膜4は、さらにフラーレン若しくはカーボンナノチューブを含有させて形成してもよい。   The materials applicable as the organic p-type semiconductor and organic n-type semiconductor and the configuration of the photoelectric conversion film 4 are described in detail in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-32854, and thus the description thereof is omitted. The photoelectric conversion film 4 may be formed by further containing fullerenes or carbon nanotubes.

光電変換膜4の厚みは、シンチレータ8からの光を吸収する点では膜厚は大きいほど好ましいが、ある程度以上厚くなると光電変換膜4の両端から印加されるバイアス電圧により光電変換膜4に発生する電界の強度が低下して電荷が収集できなくなるため、30nm以上300nm以下が好ましく、より好ましくは、50nm以上250nm以下、特に好ましくは80nm以上200nm以下である。   The thickness of the photoelectric conversion film 4 is preferably as large as possible in terms of absorbing light from the scintillator 8. However, when the thickness is more than a certain level, the photoelectric conversion film 4 is generated in the photoelectric conversion film 4 by a bias voltage applied from both ends of the photoelectric conversion film 4. Since electric field strength is reduced and charges cannot be collected, the thickness is preferably 30 nm to 300 nm, more preferably 50 nm to 250 nm, and particularly preferably 80 nm to 200 nm.

なお、図3に示す放射線検出器20では、光電変換膜4は、全画素で共通の一枚構成であるが、画素毎に分割してもよい。   In the radiation detector 20 shown in FIG. 3, the photoelectric conversion film 4 has a single configuration common to all pixels, but may be divided for each pixel.

下部電極2は、画素毎に分割された薄膜とする。下部電極2は、透明または不透明の導電性材料で構成することができ、アルミニウム、銀等を好適に用いることができる。   The lower electrode 2 is a thin film divided for each pixel. The lower electrode 2 can be made of a transparent or opaque conductive material, and aluminum, silver, or the like can be suitably used.

下部電極2の厚みは、例えば、30nm以上300nm以下とすることができる。   The thickness of the lower electrode 2 can be, for example, 30 nm or more and 300 nm or less.

センサ部13では、上部電極6と下部電極2の間に所定のバイアス電圧を印加することで、光電変換膜4で発生した電荷(正孔、電子)のうちの一方を上部電極6に移動させ、他方を下部電極2に移動させることができる。本実施の形態の放射線検出器20では、上部電極6に配線が接続され、この配線を介してバイアス電圧が上部電極6に印加されるものとする。また、バイアス電圧は、光電変換膜4で発生した電子が上部電極6に移動し、正孔が下部電極2に移動するように極性が決められているものとするが、この極性は逆であってもよい。   In the sensor unit 13, by applying a predetermined bias voltage between the upper electrode 6 and the lower electrode 2, one of electric charges (holes, electrons) generated in the photoelectric conversion film 4 is moved to the upper electrode 6. The other can be moved to the lower electrode 2. In the radiation detector 20 of the present embodiment, a wiring is connected to the upper electrode 6, and a bias voltage is applied to the upper electrode 6 through this wiring. In addition, the polarity of the bias voltage is determined so that electrons generated in the photoelectric conversion film 4 move to the upper electrode 6 and holes move to the lower electrode 2, but this polarity is reversed. May be.

各画素を構成するセンサ部13は、少なくとも下部電極2、光電変換膜4、および上部電極6を含んでいればよいが、暗電流の増加を抑制するため、電子ブロッキング膜3および正孔ブロッキング膜5の少なくともいずれかを設けることが好ましく、両方を設けることがより好ましい。   The sensor unit 13 constituting each pixel only needs to include at least the lower electrode 2, the photoelectric conversion film 4, and the upper electrode 6. In order to suppress an increase in dark current, the electron blocking film 3 and the hole blocking film are used. 5 is preferably provided, and it is more preferable to provide both.

電子ブロッキング膜3は、下部電極2と光電変換膜4との間に設けることができ、下部電極2と上部電極6間にバイアス電圧を印加したときに、下部電極2から光電変換膜4に電子が注入されて暗電流が増加してしまうのを抑制することができる。   The electron blocking film 3 can be provided between the lower electrode 2 and the photoelectric conversion film 4. When a bias voltage is applied between the lower electrode 2 and the upper electrode 6, electrons are transferred from the lower electrode 2 to the photoelectric conversion film 4. It is possible to suppress the dark current from increasing due to the injection of.

電子ブロッキング膜3には、電子供与性有機材料を用いることができる。   An electron donating organic material can be used for the electron blocking film 3.

実際に電子ブロッキング膜3に用いる材料は、隣接する電極の材料および隣接する光電変換膜4の材料等に応じて選択すればよく、隣接する電極の材料の仕事関数(Wf)より1.3eV以上電子親和力(Ea)が大きく、かつ、隣接する光電変換膜4の材料のイオン化ポテンシャル(Ip)と同等のIpもしくはそれより小さいIpを持つものが好ましい。この電子供与性有機材料として適用可能な材料については、特開2009−32854号公報において詳細に説明されているため、説明を省略する。   The material actually used for the electron blocking film 3 may be selected according to the material of the adjacent electrode, the material of the adjacent photoelectric conversion film 4 and the like, and 1.3 eV or more from the work function (Wf) of the material of the adjacent electrode. Those having a large electron affinity (Ea) and an Ip equivalent to or smaller than the ionization potential (Ip) of the material of the adjacent photoelectric conversion film 4 are preferable. The material applicable as the electron donating organic material is described in detail in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-32854, and thus the description thereof is omitted.

電子ブロッキング膜3の厚みは、暗電流抑制効果を確実に発揮させるとともに、センサ部13の光電変換効率の低下を防ぐため、10nm以上200nm以下が好ましく、さらに好ましくは30nm以上150nm以下、特に好ましくは50nm以上100nm以下である。   The thickness of the electron blocking film 3 is preferably 10 nm or more and 200 nm or less, more preferably 30 nm or more and 150 nm or less, and particularly preferably, in order to surely exhibit the dark current suppressing effect and prevent a decrease in photoelectric conversion efficiency of the sensor unit 13. It is 50 nm or more and 100 nm or less.

正孔ブロッキング膜5は、光電変換膜4と上部電極6との間に設けることができ、下部電極2と上部電極6間にバイアス電圧を印加したときに、上部電極6から光電変換膜4に正孔が注入されて暗電流が増加してしまうのを抑制することができる。   The hole blocking film 5 can be provided between the photoelectric conversion film 4 and the upper electrode 6. When a bias voltage is applied between the lower electrode 2 and the upper electrode 6, the hole blocking film 5 is transferred from the upper electrode 6 to the photoelectric conversion film 4. It is possible to suppress the increase in dark current due to the injection of holes.

正孔ブロッキング膜5には、電子受容性有機材料を用いることができる。   An electron-accepting organic material can be used for the hole blocking film 5.

正孔ブロッキング膜5の厚みは、暗電流抑制効果を確実に発揮させるとともに、センサ部13の光電変換効率の低下を防ぐため、10nm以上200nm以下が好ましく、さらに好ましくは30nm以上150nm以下、特に好ましくは50nm以上100nm以下である。   The thickness of the hole blocking film 5 is preferably 10 nm or more and 200 nm or less, more preferably 30 nm or more and 150 nm or less, and particularly preferably, in order to surely exhibit the dark current suppressing effect and prevent a decrease in photoelectric conversion efficiency of the sensor unit 13. Is from 50 nm to 100 nm.

実際に正孔ブロッキング膜5に用いる材料は、隣接する電極の材料および隣接する光電変換膜4の材料等に応じて選択すればよく、隣接する電極の材料の仕事関数(Wf)より1.3eV以上イオン化ポテンシャル(Ip)が大きく、かつ、隣接する光電変換膜4の材料の電子親和力(Ea)と同等のEaもしくはそれより大きいEaを持つものが好ましい。この電子受容性有機材料として適用可能な材料については、特開2009−32854号公報において詳細に説明されているため、説明を省略する。   The material actually used for the hole blocking film 5 may be selected according to the material of the adjacent electrode, the material of the adjacent photoelectric conversion film 4 and the like, and 1.3 eV from the work function (Wf) of the material of the adjacent electrode. As described above, it is preferable that the ionization potential (Ip) is large and that the Ea is equal to or larger than the electron affinity (Ea) of the material of the adjacent photoelectric conversion film 4. Since the material applicable as the electron-accepting organic material is described in detail in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-32854, description thereof is omitted.

なお、光電変換膜4で発生した電荷のうち、正孔が上部電極6に移動し、電子が下部電極2に移動するようにバイアス電圧を設定する場合には、電子ブロッキング膜3と正孔ブロッキング膜5の位置を逆にすればよい。また、電子ブロッキング膜3と正孔ブロッキング膜5は両方設けなくてもよく、いずれかを設けておけば、ある程度の暗電流抑制効果を 各画素の下部電極2下方の基板1の表面には信号出力部14が形成されている。図4には、信号出力部14の構成が概略的に示されている。   In addition, when a bias voltage is set so that holes move to the upper electrode 6 and electrons move to the lower electrode 2 among the charges generated in the photoelectric conversion film 4, the electron blocking film 3 and the hole blocking are set. The position of the film 5 may be reversed. Further, both the electron blocking film 3 and the hole blocking film 5 do not have to be provided. If either of them is provided, a certain amount of dark current suppressing effect is exerted on the surface of the substrate 1 below the lower electrode 2 of each pixel. An output unit 14 is formed. FIG. 4 schematically shows the configuration of the signal output unit 14.

同図に示すように、本実施の形態に係る信号出力部14は、下部電極2に対応して、下部電極2に移動した電荷を蓄積するコンデンサ9と、コンデンサ9に蓄積された電荷を電気信号に変換して出力する電界効果型薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor、以下、単に薄膜トランジスタという場合がある。)10が形成されている。コンデンサ9および薄膜トランジスタ10の形成された領域は、平面視において下部電極2と重なる部分を有しており、このような構成とすることで、各画素における信号出力部14とセンサ部13とが厚さ方向で重なりを有することとなる。なお、放射線検出器20(画素)の平面積を最小にするために、コンデンサ9および薄膜トランジスタ10の形成された領域が下部電極2によって完全に覆われていることが望ましい。   As shown in the figure, the signal output unit 14 according to the present embodiment corresponds to the lower electrode 2, and a capacitor 9 that accumulates the charges transferred to the lower electrode 2, and the electric charges accumulated in the capacitor 9 are electrically A field effect thin film transistor (Thin Film Transistor, hereinafter simply referred to as a thin film transistor) 10 that converts the signal into a signal and outputs the signal is formed. The region in which the capacitor 9 and the thin film transistor 10 are formed has a portion that overlaps the lower electrode 2 in a plan view. With this configuration, the signal output unit 14 and the sensor unit 13 in each pixel are thick. There will be overlap in the vertical direction. In order to minimize the plane area of the radiation detector 20 (pixel), it is desirable that the region where the capacitor 9 and the thin film transistor 10 are formed is completely covered by the lower electrode 2.

コンデンサ9は、基板1と下部電極2との間に設けられた絶縁膜11を貫通して形成された導電性材料の配線を介して対応する下部電極2と電気的に接続されている。これにより、下部電極2で捕集された電荷をコンデンサ9に移動させることができる。   The capacitor 9 is electrically connected to the corresponding lower electrode 2 through a wiring made of a conductive material penetrating an insulating film 11 provided between the substrate 1 and the lower electrode 2. Thereby, the electric charge collected by the lower electrode 2 can be moved to the capacitor 9.

薄膜トランジスタ10は、ゲート電極15、ゲート絶縁膜16、および活性層(チャネル層)17が積層され、さらに、活性層17上にソース電極18とドレイン電極19が所定の間隔を開けて形成されている。   In the thin film transistor 10, a gate electrode 15, a gate insulating film 16, and an active layer (channel layer) 17 are stacked, and a source electrode 18 and a drain electrode 19 are formed on the active layer 17 at a predetermined interval. .

活性層17は、例えば、アモルファスシリコンや非晶質酸化物、有機半導体材料、カーボンナノチューブなどにより形成することができる。なお、活性層17を構成する材料は、これらに限定されるものではない。   The active layer 17 can be formed of, for example, amorphous silicon, amorphous oxide, organic semiconductor material, carbon nanotube, or the like. In addition, the material which comprises the active layer 17 is not limited to these.

活性層17を構成する非晶質酸化物としては、In、GaおよびZnのうちの少なくとも1つを含む酸化物(例えばIn−O系)が好ましく、In、GaおよびZnのうちの少なくとも2つを含む酸化物(例えばIn−Zn−O系、In−Ga−O系、Ga−Zn−O系)がより好ましく、In、GaおよびZnを含む酸化物が特に好ましい。In−Ga−Zn−O系非晶質酸化物としては、結晶状態における組成がInGaO(ZnO)(mは6未満の自然数)で表される非晶質酸化物が好ましく、特に、InGaZnOがより好ましい。 The amorphous oxide constituting the active layer 17 is preferably an oxide containing at least one of In, Ga, and Zn (for example, In—O-based), and at least two of In, Ga, and Zn. An oxide containing In (eg, In—Zn—O, In—Ga—O, or Ga—Zn—O) is more preferable, and an oxide containing In, Ga, and Zn is particularly preferable. As the In—Ga—Zn—O-based amorphous oxide, an amorphous oxide whose composition in a crystalline state is represented by InGaO 3 (ZnO) m (m is a natural number less than 6) is preferable, and InGaZnO is particularly preferable. 4 is more preferable.

活性層17を構成可能な有機半導体材料としては、フタロシアニン化合物や、ペンタセン、バナジルフタロシアニン等を挙げることができるがこれらに限定されるものではない。なお、フタロシアニン化合物の構成については、特開2009−212389号公報において詳細に説明されているため説明を省略する。   Examples of the organic semiconductor material that can form the active layer 17 include, but are not limited to, phthalocyanine compounds, pentacene, vanadyl phthalocyanine, and the like. In addition, about the structure of a phthalocyanine compound, since it is demonstrated in detail in Unexamined-Japanese-Patent No. 2009-212389, description is abbreviate | omitted.

薄膜トランジスタ10の活性層17を非晶質酸化物や有機半導体材料、カーボンナノチューブで形成したものとすれば、X線等の放射線を吸収せず、あるいは吸収したとしても極めて微量に留まるため、信号出力部14におけるノイズの発生を効果的に抑制することができる。   If the active layer 17 of the thin film transistor 10 is formed of an amorphous oxide, an organic semiconductor material, or a carbon nanotube, it will not absorb radiation such as X-rays, or even if it absorbs it, it will remain in a very small amount. Generation of noise in the portion 14 can be effectively suppressed.

また、活性層17をカーボンナノチューブで形成した場合、薄膜トランジスタ10のスイッチング速度を高速化することができ、また、可視光域での光の吸収度合の低い薄膜トランジスタ10を形成できる。なお、カーボンナノチューブで活性層17を形成する場合、活性層17に極微量の金属性不純物を混入するだけで、薄膜トランジスタ10の性能は著しく低下するため、遠心分離などにより極めて高純度のカーボンナノチューブを分離・抽出して形成する必要がある。   When the active layer 17 is formed of carbon nanotubes, the switching speed of the thin film transistor 10 can be increased, and the thin film transistor 10 having a low light absorption in the visible light region can be formed. In addition, when the active layer 17 is formed of carbon nanotubes, the performance of the thin film transistor 10 is remarkably deteriorated only by mixing a very small amount of metallic impurities into the active layer 17, so that extremely high purity carbon nanotubes can be obtained by centrifugation or the like. It is necessary to form by separating and extracting.

ここで、薄膜トランジスタ10の活性層17を構成する非晶質酸化物、有機半導体材料、カーボンナノチューブや、光電変換膜4を構成する有機光電変換材料は、いずれも低温での成膜が可能である。従って、基板1としては、半導体基板、石英基板、およびガラス基板等の耐熱性の高い基板に限定されず、プラスチック等の可撓性基板や、アラミド、バイオナノファイバを用いることもできる。具体的には、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ(クロロトリフルオロエチレン)等の可撓性基板を用いることができる。このようなプラスチック製の可撓性基板を用いれば、軽量化を図ることもでき、例えば持ち運び等に有利となる。   Here, any of the amorphous oxides, organic semiconductor materials, carbon nanotubes constituting the active layer 17 of the thin film transistor 10 and organic photoelectric conversion materials constituting the photoelectric conversion film 4 can be formed at a low temperature. . Therefore, the substrate 1 is not limited to a substrate having high heat resistance such as a semiconductor substrate, a quartz substrate, and a glass substrate, and a flexible substrate such as plastic, aramid, or bionanofiber can also be used. Specifically, flexible materials such as polyesters such as polyethylene terephthalate, polybutylene phthalate, polyethylene naphthalate, polystyrene, polycarbonate, polyethersulfone, polyarylate, polyimide, polycycloolefin, norbornene resin, poly (chlorotrifluoroethylene), etc. A conductive substrate can be used. If such a plastic flexible substrate is used, it is possible to reduce the weight, which is advantageous for carrying around, for example.

また、基板1には、絶縁性を確保するための絶縁層、水分や酸素の透過を防止するためのガスバリア層、平坦性あるいは電極等との密着性を向上するためのアンダーコート層等を設けてもよい。   In addition, the substrate 1 is provided with an insulating layer for ensuring insulation, a gas barrier layer for preventing permeation of moisture and oxygen, an undercoat layer for improving flatness or adhesion to electrodes, and the like. May be.

一方、アラミドは、200度以上の高温プロセスを適用できるために透明電極材料を高温硬化させて低抵抗化でき、また、ハンダのリフロー工程を含むドライバICの自動実装にも対応できる。また、アラミドは、ITO(Indium Tin Oxide)やガラス基板と熱膨張係数が近いため、製造後の反りが少なく、割れにくい。また、アラミドは、ガラス基板等と比べて薄く基板を形成できる。なお、超薄型ガラス基板とアラミドを積層して基板を形成してもよい。   On the other hand, since aramid can be applied at a high temperature process of 200 ° C. or more, the transparent electrode material can be cured at a high temperature to reduce its resistance, and it can be used for automatic mounting of a driver IC including a solder reflow process. Moreover, since aramid has a thermal expansion coefficient close to that of ITO (Indium Tin Oxide) or a glass substrate, there is little warping after manufacturing and it is difficult to crack. In addition, aramid can form a substrate thinner than a glass substrate or the like. The substrate may be formed by laminating an ultrathin glass substrate and aramid.

また、バイオナノファイバは、バクテリア(酢酸菌、Acetobacter Xylinum)が産出するセルロースミクロフィブリル束(バクテリアセルロース)と透明樹脂との複合したものである。セルロースミクロフィブリル束は、幅50nmと可視光波長に対して1/10のサイズで、かつ高強度、高弾性、低熱膨張である。バクテリアセルロースにアクリル樹脂、エポキシ樹脂等の透明樹脂を含浸・硬化させることで、繊維を60〜70%も含有しながら、波長500nmで約90%の光透過率を示すバイオナノファイバが得られる。バイオナノファイバは、シリコン結晶に匹敵する低い熱膨張係数(3〜7ppm)を有し、鋼鉄並の強度(460MPa)、高弾性(30GPa)で、かつフレキシブルであることから、ガラス基板等と比べて薄く基板1を形成できる。   The bionanofiber is a composite of a cellulose microfibril bundle (bacterial cellulose) produced by bacteria (Acetobacter Xylinum) and a transparent resin. The cellulose microfibril bundle has a width of 50 nm and a size of 1/10 of the visible light wavelength, and has high strength, high elasticity, and low thermal expansion. By impregnating and curing a transparent resin such as an acrylic resin or an epoxy resin in bacterial cellulose, a bio-nanofiber having a light transmittance of about 90% at a wavelength of 500 nm can be obtained while containing 60 to 70% of the fiber. Bionanofiber has a low coefficient of thermal expansion (3-7ppm) comparable to silicon crystals, and is as strong as steel (460MPa), highly elastic (30GPa), and flexible, compared to glass substrates, etc. The substrate 1 can be formed thinly.

本実施の形態では、基板1上に、信号出力部14、センサ部13、透明絶縁膜7を順に形成することによりTFT基板30を形成し、当該TFT基板30上に光吸収性の低い接着樹脂等を用いてシンチレータ8を貼り付けることにより放射線検出器20を形成している。   In the present embodiment, the TFT substrate 30 is formed on the substrate 1 by sequentially forming the signal output unit 14, the sensor unit 13, and the transparent insulating film 7, and the light-absorbing adhesive resin is formed on the TFT substrate 30. The radiation detector 20 is formed by pasting the scintillator 8 using, for example.

図5に示すように、TFT基板30には、上述したセンサ部13、コンデンサ9、および薄膜トランジスタ10を含んで構成される画素32が一定方向(図5の行方向)、および当該一定方向に対する交差方向(図5の列方向)に2次元状に複数設けられている。   As shown in FIG. 5, the TFT substrate 30 includes a pixel 32 including the sensor unit 13, the capacitor 9, and the thin film transistor 10 described above in a certain direction (row direction in FIG. 5) and crossing the certain direction. A plurality of two-dimensional shapes are provided in the direction (column direction in FIG. 5).

また、放射線検出器20には、上記一定方向(行方向)に延設され、各薄膜トランジスタ10をオン・オフさせるための複数本のゲート配線34と、上記交差方向(列方向)に延設され、オン状態の薄膜トランジスタ10を介して電荷を読み出すための複数本のデータ配線36と、が設けられている。   Further, the radiation detector 20 extends in the predetermined direction (row direction), and extends in the intersecting direction (column direction) with a plurality of gate wirings 34 for turning on and off each thin film transistor 10. A plurality of data wirings 36 for reading out charges through the thin film transistor 10 in the on state are provided.

放射線検出器20は、平板状で、かつ平面視において外縁に4辺を有する四辺形状、より具体的には、矩形状に形成されている。   The radiation detector 20 has a flat plate shape and a quadrilateral shape having four sides on the outer edge in a plan view, more specifically, a rectangular shape.

ここで、本実施の形態に係る放射線検出器20では、画素32の一部が放射線の照射状態を検出するために用いられており、残りの画素32によって放射線画像の撮影を行う。なお、以下では、放射線の照射状態を検出するための画素32を放射線検出用画素32Aといい、残りの画素32を放射線画像取得用画素32Bという。   Here, in the radiation detector 20 according to the present exemplary embodiment, a part of the pixels 32 is used to detect the irradiation state of the radiation, and a radiographic image is captured by the remaining pixels 32. Hereinafter, the pixels 32 for detecting the radiation irradiation state are referred to as radiation detection pixels 32A, and the remaining pixels 32 are referred to as radiation image acquisition pixels 32B.

本実施の形態に係る放射線検出器20では、画素32における放射線検出用画素32Aを除いた放射線画像取得用画素32Bにより放射線画像の撮影を行うため、放射線検出用画素32Aの配置位置における放射線画像の画素情報を得ることができない。このため、本実施の形態では、放射線検出用画素32Aを分散するように配置し、放射線検出用画素32Aの配置位置における放射線画像の画素情報を、当該放射線検出用画素32Aの周囲に位置する放射線画像取得用画素32Bにより得られた画素情報を用いて補間することにより生成する。   In the radiation detector 20 according to the present embodiment, the radiation image is captured by the radiation image acquisition pixel 32B excluding the radiation detection pixel 32A in the pixel 32. Therefore, the radiation image at the position where the radiation detection pixel 32A is disposed. Pixel information cannot be obtained. Therefore, in the present embodiment, the radiation detection pixels 32A are arranged so as to be dispersed, and the pixel information of the radiation image at the arrangement position of the radiation detection pixels 32A is used as the radiation positioned around the radiation detection pixels 32A. It generates by interpolating using the pixel information obtained by the image acquisition pixel 32B.

本実施の形態に係る放射線検出器20には、図5に示すように、放射線検出用画素32Aにおけるコンデンサ9と薄膜トランジスタ10との接続部に接続され、当該コンデンサ9に蓄積された電荷を直接読み出すための直接読出配線38が上記一定方向(行方向)に延設されている。   As shown in FIG. 5, the radiation detector 20 according to the present embodiment is connected to a connection portion between the capacitor 9 and the thin film transistor 10 in the radiation detection pixel 32 </ b> A, and directly reads out the electric charge accumulated in the capacitor 9. For this purpose, a direct read wiring 38 is extended in the predetermined direction (row direction).

なお、本実施の形態に係る放射線検出器20では、各放射線検出用画素32Aを一定方向の異なる画素列に配置しており、放射線検出用画素32Aが配置された一定方向の画素列にそれぞれ直接読出配線38を設けている。すなわち、直接読出配線38にはそれぞれ1つの放射線検出用画素32Aが接続されている。   In the radiation detector 20 according to the present exemplary embodiment, each radiation detection pixel 32A is arranged in a different pixel row in a certain direction, and directly to each pixel row in a certain direction in which the radiation detection pixel 32A is arranged. Read wiring 38 is provided. That is, one radiation detection pixel 32 </ b> A is connected to each direct readout wiring 38.

次に、本実施の形態に係る電子カセッテ40の構成について説明する。図6には、本実施の形態に係る電子カセッテ40の構成を示す斜視図が示されている。   Next, the configuration of the electronic cassette 40 according to the present embodiment will be described. FIG. 6 is a perspective view showing the configuration of the electronic cassette 40 according to the present exemplary embodiment.

同図に示すように、本実施の形態に係る電子カセッテ40は、放射線を透過させる材料からなる筐体41を備えており、防水性、密閉性を有する構造とされている。電子カセッテ40は、手術室等で使用されるとき、血液やその他の雑菌が付着するおそれがある。そこで、電子カセッテ40を防水性、密閉性を有する構造として、必要に応じて殺菌洗浄することにより、1つの電子カセッテ40を繰り返し続けて使用することができる。   As shown in the figure, an electronic cassette 40 according to the present embodiment includes a housing 41 made of a material that transmits radiation, and has a waterproof and airtight structure. When the electronic cassette 40 is used in an operating room or the like, there is a risk that blood or other germs may adhere. Therefore, one electronic cassette 40 can be used repeatedly by sterilizing and cleaning the electronic cassette 40 as necessary with a waterproof and hermetic structure.

筐体41の内部には、種々の部品を収容する空間Aが形成されており、当該空間A内には、放射線Xが照射される筐体41の照射面側から、被写体を透過した放射線Xを検出する放射線検出器20、および放射線Xのバック散乱線を吸収する鉛板43が順に配設されている。   A space A for accommodating various components is formed inside the housing 41, and the radiation X transmitted through the subject from the irradiation surface side of the housing 41 to which the radiation X is irradiated is formed in the space A. The radiation detector 20 for detecting the radiation X and the lead plate 43 for absorbing the back scattered radiation of the radiation X are arranged in this order.

ここで、本実施の形態に係る電子カセッテ40では、筐体41の平板状の一方の面の放射線検出器20の配設位置に対応する領域が放射線を検出可能な四辺形状の検出領域41Aとされている。この筐体41の検出領域41Aを有する面が電子カセッテ40における天板41Bとされており、本実施の形態に係る電子カセッテ40では、放射線検出器20が、TFT基板30が天板41B側となるように配置され、当該天板41Bの筐体41における内側の面(天板41Bの放射線が入射される面の反対側の面)に貼り付けられている。   Here, in the electronic cassette 40 according to the present exemplary embodiment, a region corresponding to the arrangement position of the radiation detector 20 on one surface of the flat plate of the housing 41 is a quadrilateral detection region 41A capable of detecting radiation. Has been. The surface having the detection region 41A of the housing 41 is a top plate 41B in the electronic cassette 40. In the electronic cassette 40 according to the present embodiment, the radiation detector 20 is connected to the TFT substrate 30 on the top plate 41B side. The top plate 41B is affixed to the inner surface of the casing 41 (the surface on the opposite side of the surface on which the radiation of the top plate 41B is incident).

一方、図6に示すように、筐体41の内部の一端側には、放射線検出器20と重ならない位置(検出領域41Aの範囲外)に、後述するカセッテ制御部58や電源部70(共に図8参照。)を収容するケース42が配置されている。   On the other hand, as shown in FIG. 6, a cassette control unit 58 and a power supply unit 70 (both described later) are placed on one end side inside the housing 41 so as not to overlap the radiation detector 20 (outside the range of the detection region 41A). The case 42 which accommodates FIG. 8 is arrange | positioned.

筐体41は、電子カセッテ40全体の軽量化を図るために、例えば、カーボンファイバ(炭素繊維)、アルミニウム、マグネシウム、バイオナノファイバ(セルロースミクロフィブリル)、または複合材料等で構成されている。   The casing 41 is made of, for example, carbon fiber (carbon fiber), aluminum, magnesium, bionanofiber (cellulose microfibril), or a composite material in order to reduce the weight of the entire electronic cassette 40.

複合材料としては、例えば、強化繊維樹脂を含む材料が用いられ、強化繊維樹脂には、カーボンやセルロース等が含まれる。具体的には、複合材料としては、炭素繊維強化プラスチック(CFRP)や、発泡材をCFRPでサンドイッチした構造のもの、または発泡材の表面にCFRPをコーティングしたもの等が用いられる。なお、本実施の形態では、発泡材をCFRPでサンドイッチした構造のものが用いられている。これにより、筐体41をカーボン単体で構成した場合と比較して、筐体41の強度(剛性)を高めることができる。   As the composite material, for example, a material including a reinforced fiber resin is used, and the reinforced fiber resin includes carbon, cellulose, and the like. Specifically, as the composite material, carbon fiber reinforced plastic (CFRP), a structure in which a foamed material is sandwiched with CFRP, or a material in which the surface of the foamed material is coated with CFRP is used. In the present embodiment, a structure in which a foam material is sandwiched with CFRP is used. Thereby, compared with the case where the housing | casing 41 is comprised with a carbon single-piece | unit, the intensity | strength (rigidity) of the housing | casing 41 can be improved.

一方、図7に示すように、筐体41の内部には、天板41Bと対向する背面部41Cの内面に支持体44が配置されており、支持体44および天板41Bの間に、放射線検出器20および鉛板43が放射線Xの照射方向にこの順で並んで配置されている。支持体44は、軽量化の観点、寸法偏差を吸収する観点から、例えば、発泡材で構成されており、鉛板43を支持する。   On the other hand, as shown in FIG. 7, a support body 44 is disposed on the inner surface of the back surface portion 41 </ b> C facing the top plate 41 </ b> B inside the housing 41, and radiation is provided between the support body 44 and the top plate 41 </ b> B. The detector 20 and the lead plate 43 are arranged in this order in the radiation X irradiation direction. The support body 44 is made of, for example, a foam material from the viewpoint of weight reduction and absorption of dimensional deviation, and supports the lead plate 43.

同図に示すように、天板41Bの内面には、放射線検出器20のTFT基板30を剥離可能に接着する接着部材80が設けられている。接着部材80としては、例えば、両面テープが用いられる。この場合、両面テープは、一方の接着面の接着力が他方の接着面の接着力よりも強くなるように形成されている。   As shown in the figure, an adhesive member 80 is provided on the inner surface of the top plate 41B to adhere the TFT substrate 30 of the radiation detector 20 in a peelable manner. As the adhesive member 80, for example, a double-sided tape is used. In this case, the double-sided tape is formed so that the adhesive force of one adhesive surface is stronger than the adhesive force of the other adhesive surface.

具体的には、接着力の弱い面(弱接着面)は、180°ピール接着力で1.0N/cm以下に設定されている。そして、接着力の強い面(強接着面)が天板41Bに接し、弱接着面がTFT基板30に接する。これにより、ねじ等の固定部材等によって放射線検出器20を天板41Bに固定する場合と比べて電子カセッテ40の厚みを薄くすることができる。また、衝撃や荷重で天板41Bが変形しても、放射線検出器20は剛性の高い天板41Bの変形に追従するため、大きな曲率(緩やかな曲がり)しか発生せず、局所的な低曲率で放射線検出器20が破損する可能性が低くなる。さらに、放射線検出器20が天板41Bの剛性の向上に寄与する。   Specifically, the weak adhesive surface (weakly adhesive surface) is set to 1.0 N / cm or less at 180 ° peel adhesive force. Then, the surface having a strong adhesive force (strong adhesion surface) is in contact with the top plate 41B, and the weak adhesion surface is in contact with the TFT substrate 30. Thereby, compared with the case where the radiation detector 20 is fixed to the top plate 41B with fixing members, such as a screw, the thickness of the electronic cassette 40 can be made thin. Even if the top plate 41B is deformed by an impact or load, the radiation detector 20 follows the deformation of the top plate 41B having high rigidity, so that only a large curvature (slow bend) is generated, and a local low curvature is generated. Therefore, the possibility that the radiation detector 20 is damaged is reduced. Furthermore, the radiation detector 20 contributes to the improvement of the rigidity of the top plate 41B.

このように、本実施の形態に係る電子カセッテ40では、放射線検出器20を筐体41の天板41Bの内部に貼り付けているため、筐体41が、天板41B側と背面部41C側とで2つに分離可能とされており、放射線検出器20を天板41Bに貼り付けたり、放射線検出器20を天板41Bから剥離したりする際には、筐体41を天板41B側と背面部41C側とで2つに分離した状態とされる。   As described above, in the electronic cassette 40 according to the present exemplary embodiment, the radiation detector 20 is attached to the inside of the top plate 41B of the housing 41, so that the housing 41 is on the top plate 41B side and the back surface portion 41C side. When the radiation detector 20 is attached to the top plate 41B or the radiation detector 20 is peeled off from the top plate 41B, the housing 41 is placed on the top plate 41B side. And the back surface portion 41C side are separated into two.

なお、本実施の形態では、放射線検出器20の天板41Bへの接着をクリーンルーム等で行わなくてもよい。なぜなら、放射線検出器20および天板41Bの間に放射線を吸収する金属片等の異物が混入した場合に、放射線検出器20を天板41Bから剥離して当該異物を除去できるからである。   In the present embodiment, the radiation detector 20 may not be bonded to the top plate 41B in a clean room or the like. This is because when a foreign object such as a metal piece that absorbs radiation is mixed between the radiation detector 20 and the top plate 41B, the foreign object can be removed by peeling the radiation detector 20 from the top plate 41B.

次に、図8を参照して、本実施の形態に係る撮影システム104の電気系の要部構成について説明する。   Next, with reference to FIG. 8, the configuration of the main part of the electrical system of imaging system 104 according to the present embodiment will be described.

同図に示すように、電子カセッテ40に内蔵された放射線検出器20は、隣り合う2辺の一辺側にゲート線ドライバ52が配置され、他辺側に第1信号処理部54が配置されている。TFT基板30の個々のゲート配線34はゲート線ドライバ52に接続され、TFT基板30の個々のデータ配線36は第1信号処理部54に接続されている。   As shown in the figure, the radiation detector 20 incorporated in the electronic cassette 40 has a gate line driver 52 arranged on one side of two adjacent sides and a first signal processing unit 54 arranged on the other side. Yes. Each gate wiring 34 of the TFT substrate 30 is connected to the gate line driver 52, and each data wiring 36 of the TFT substrate 30 is connected to the first signal processing unit 54.

また、筐体41の内部には、画像メモリ56と、カセッテ制御部58と、無線通信部60と、バイアス電源62と、を備えている。   The housing 41 includes an image memory 56, a cassette control unit 58, a wireless communication unit 60, and a bias power source 62.

放射線検出器20には、各画素32のセンサ部13にバイアス電圧を供給するためのバイアス配線64が設けられている。バイアス電源62はバイアス配線64に接続されており、各画素32のセンサ部13にはバイアス配線64を介して所定のバイアス電圧が印加される。   The radiation detector 20 is provided with a bias wiring 64 for supplying a bias voltage to the sensor unit 13 of each pixel 32. The bias power source 62 is connected to the bias wiring 64, and a predetermined bias voltage is applied to the sensor unit 13 of each pixel 32 via the bias wiring 64.

TFT基板30の各薄膜トランジスタ10は、ゲート線ドライバ52からゲート配線34を介して供給される信号により行単位で順にオンされ、オン状態とされた薄膜トランジスタ10によって読み出された電荷は、電気信号としてデータ配線36を伝送されて第1信号処理部54に入力される。これにより、電荷は行単位で順に読み出され、二次元状の放射線画像が取得可能となる。   Each thin film transistor 10 of the TFT substrate 30 is sequentially turned on in a row unit by a signal supplied from the gate line driver 52 via the gate wiring 34, and the electric charge read by the thin film transistor 10 in the on state is converted into an electric signal. The data wiring 36 is transmitted and input to the first signal processing unit 54. As a result, the charges are sequentially read out in units of rows, and a two-dimensional radiation image can be acquired.

図示は省略するが、第1信号処理部54は、個々のデータ配線36毎に、入力される電気信号を増幅すると共に保持するチャージアンプ、および相関二重サンプリング回路を備えており、個々のデータ配線36を伝送された電気信号はチャージアンプで増幅された後に相関二重サンプリング回路により相関二重サンプリングを施される。また、相関二重サンプリング回路の出力側にはマルチプレクサ、A/D(アナログ/デジタル)変換器が順に接続されており、個々の相関二重サンプリング回路で相関二重サンプリングされた電気信号はマルチプレクサに順に(シリアルに)入力され、A/D変換器によってデジタルの画像データへ変換される。   Although not shown, the first signal processing unit 54 includes a charge amplifier that amplifies and holds an input electrical signal and a correlated double sampling circuit for each data wiring 36, and each data wiring 36. The electric signal transmitted through the wiring 36 is amplified by a charge amplifier and then subjected to correlated double sampling by a correlated double sampling circuit. In addition, a multiplexer and an A / D (analog / digital) converter are connected in order to the output side of the correlated double sampling circuit, and the electrical signal that has been correlated double sampled by each correlated double sampling circuit is sent to the multiplexer. The data are sequentially input (serially) and converted into digital image data by an A / D converter.

第1信号処理部54には画像メモリ56が接続されており、第1信号処理部54のA/D変換器から出力された画像データは画像メモリ56に順に記憶される。画像メモリ56は所定枚分の画像データを記憶可能な記憶容量を有しており、放射線画像の撮影が行われる毎に、撮影によって得られた画像データが画像メモリ56に順次記憶される。   An image memory 56 is connected to the first signal processing unit 54, and image data output from the A / D converter of the first signal processing unit 54 is sequentially stored in the image memory 56. The image memory 56 has a storage capacity capable of storing a predetermined number of image data, and image data obtained by imaging is sequentially stored in the image memory 56 each time a radiographic image is captured.

画像メモリ56はカセッテ制御部58と接続されている。カセッテ制御部58はマイクロコンピュータを含んで構成され、CPU(中央処理装置)58A、ROM(Read Only Memory)およびRAM(Random Access Memory)を含むメモリ58B、フラッシュメモリ等からなる不揮発性の記憶部58Cを備えており、電子カセッテ40全体の動作を制御する。   The image memory 56 is connected to the cassette control unit 58. The cassette control unit 58 includes a microcomputer, and includes a CPU (Central Processing Unit) 58A, a memory 58B including a ROM (Read Only Memory) and a RAM (Random Access Memory), a nonvolatile storage unit 58C including a flash memory and the like. And controls the entire operation of the electronic cassette 40.

さらに、カセッテ制御部58には無線通信部60が接続されており、無線通信部60にはアンテナ66が接続されている。無線通信部60は、IEEE(Institute of Electrical and Electronics Engineers)802.11a/b/g等に代表される無線LAN(Local Area Network)規格に対応し、アンテナ66を介して無線通信を行うものとされており、無線通信による外部機器との間での各種情報の伝送を制御する。アンテナ66は、図9に示すように、放射線検出器20の1つの側面側に設けられている。   Further, a wireless communication unit 60 is connected to the cassette control unit 58, and an antenna 66 is connected to the wireless communication unit 60. The wireless communication unit 60 corresponds to a wireless local area network (LAN) standard represented by IEEE (Institute of Electrical and Electronics Engineers) 802.11a / b / g and performs wireless communication via an antenna 66. And controls transmission of various types of information to and from an external device by wireless communication. As shown in FIG. 9, the antenna 66 is provided on one side of the radiation detector 20.

カセッテ制御部58は、無線通信部60を介して、放射線画像の撮影に関する制御を行うコンソール110などの外部装置と無線通信が可能とされており、コンソール110等との間で各種情報の送受信が可能とされている。   The cassette control unit 58 can wirelessly communicate with an external device such as the console 110 that performs control related to radiographic image capturing via the wireless communication unit 60, and can transmit and receive various types of information to and from the console 110 and the like. It is possible.

また、電子カセッテ40には、TFT基板30を隔ててゲート線ドライバ52の反対側に第2信号処理部55が配置されており、TFT基板30の個々の直接読出配線38は第2信号処理部55に接続されている。   In the electronic cassette 40, a second signal processing unit 55 is disposed on the opposite side of the gate line driver 52 across the TFT substrate 30, and each direct readout wiring 38 of the TFT substrate 30 is connected to the second signal processing unit. 55.

第2信号処理部55は、直接読出配線38毎に設けられた増幅器及びA/D変換器を備えており、カセッテ制御部58と接続されている。第2信号処理部55は、カセッテ制御部58からの制御により、所定の周期で各直接読出配線38のサンプリングを行って各直接読出配線38を伝送される電気信号をデジタルデータに変換し、変換したデジタルデータを順次、カセッテ制御部58へ出力する。   The second signal processing unit 55 includes an amplifier and an A / D converter provided for each direct readout wiring 38 and is connected to the cassette control unit 58. Under the control of the cassette control unit 58, the second signal processing unit 55 samples each direct readout wiring 38 at a predetermined cycle to convert an electrical signal transmitted through each direct readout wiring 38 into digital data, The digital data is output to the cassette control unit 58 sequentially.

また、電子カセッテ40には内蔵された各種回路や各素子の電力源となるバッテリ70及びバッテリ70から供給される電力を各種回路や各素子に応じた電圧に変圧して各種回路や各素子に電力を供給するDC/DCコンバータ71が設けられている。本実施の形態では、電力効率の点から供給される電力を異なる電圧に変圧する電源部としてDC/DCコンバータ71を用いている。上述した各種回路や各素子(ゲート線ドライバ52、第1信号処理部54、第2信号処理部55、画像メモリ56、無線通信部60、カセッテ制御部58として機能するマイクロコンピュータ等)は、DC/DCコンバータ71から供給された電力によって作動する。なお、図8では、DC/DCコンバータ71と各種回路や各素子を接続する配線を省略している。   Also, the electronic cassette 40 has various circuits built therein, a battery 70 serving as a power source for each element, and power supplied from the battery 70 is transformed into various circuits and voltages according to each element to convert the various circuits and each element. A DC / DC converter 71 that supplies electric power is provided. In the present embodiment, a DC / DC converter 71 is used as a power supply unit that transforms power supplied from the viewpoint of power efficiency into different voltages. The various circuits and elements described above (gate line driver 52, first signal processing unit 54, second signal processing unit 55, image memory 56, wireless communication unit 60, microcomputer functioning as cassette control unit 58, etc.) It operates with the electric power supplied from the DC converter 71. In FIG. 8, wirings connecting the DC / DC converter 71 with various circuits and elements are omitted.

一方、コンソール110は、サーバ・コンピュータとして構成されており、操作メニューや撮影された放射線画像等を表示するディスプレイ111と、複数のキーを含んで構成され、各種の情報や操作指示が入力される操作パネル112と、を備えている。   On the other hand, the console 110 is configured as a server computer, and includes a display 111 that displays an operation menu, a captured radiographic image, and the like, and a plurality of keys, and inputs various information and operation instructions. An operation panel 112.

また、本実施の形態に係るコンソール110は、装置全体の動作を司るCPU113と、制御プログラムを含む各種プログラム等が予め記憶されたROM114と、各種データを一時的に記憶するRAM115と、各種データを記憶して保持するHDD(ハードディスク・ドライブ)116と、ディスプレイ111への各種情報の表示を制御するディスプレイドライバ117と、操作パネル112に対する操作状態を検出する操作入力検出部118と、を備えている。また、コンソール110は、無線通信により、放射線発生装置120との間で後述する曝射条件等の各種情報の送受信を行うと共に、電子カセッテ40との間で画像データ等の各種情報の送受信を行う無線通信部119を備えている。   The console 110 according to the present embodiment includes a CPU 113 that controls the operation of the entire apparatus, a ROM 114 that stores various programs including a control program in advance, a RAM 115 that temporarily stores various data, and various data. An HDD (Hard Disk Drive) 116 that stores and holds, a display driver 117 that controls display of various types of information on the display 111, and an operation input detection unit 118 that detects an operation state of the operation panel 112 are provided. . In addition, the console 110 transmits and receives various types of information such as an exposure condition, which will be described later, to and from the radiation generation apparatus 120 through wireless communication, and transmits and receives various types of information such as image data to and from the electronic cassette 40. A wireless communication unit 119 is provided.

CPU113、ROM114、RAM115、HDD116、ディスプレイドライバ117、操作入力検出部118、および無線通信部119は、システムバスBUSを介して相互に接続されている。従って、CPU113は、ROM114、RAM115、HDD116へのアクセスを行うことができると共に、ディスプレイドライバ117を介したディスプレイ111への各種情報の表示の制御、および無線通信部119を介した放射線発生装置120および電子カセッテ40との各種情報の送受信の制御を各々行うことができる。また、CPU113は、操作入力検出部118を介して操作パネル112に対するユーザの操作状態を把握することができる。   The CPU 113, ROM 114, RAM 115, HDD 116, display driver 117, operation input detection unit 118, and wireless communication unit 119 are connected to each other via the system bus BUS. Therefore, the CPU 113 can access the ROM 114, RAM 115, and HDD 116, controls display of various information on the display 111 via the display driver 117, and the radiation generator 120 via the wireless communication unit 119 and Control of transmission and reception of various types of information with the electronic cassette 40 can be performed. Further, the CPU 113 can grasp the operation state of the user with respect to the operation panel 112 via the operation input detection unit 118.

一方、放射線発生装置120は、放射線源121と、コンソール110との間で曝射条件等の各種情報を送受信する無線通信部123と、受信した曝射条件に基づいて放射線源121を制御する線源制御部122と、を備えている。   On the other hand, the radiation generator 120 includes a radio communication unit 123 that transmits and receives various types of information such as an exposure condition between the radiation source 121 and the console 110, and a line that controls the radiation source 121 based on the received exposure condition. A source control unit 122.

線源制御部122もマイクロコンピュータを含んで構成されており、受信した曝射条件等を記憶する。このコンソール110から受信する曝射条件には管電圧、管電流等の情報が含まれている。線源制御部122は、受信した曝射条件に基づいて放射線源121から放射線Xを照射させる。   The radiation source control unit 122 is also configured to include a microcomputer, and stores the received exposure conditions and the like. The exposure conditions received from the console 110 include information such as tube voltage and tube current. The radiation source control unit 122 causes the radiation source 121 to emit radiation X based on the received exposure conditions.

次に、本実施の形態に係る撮影システム104の作用を説明する。   Next, the operation of the imaging system 104 according to the present embodiment will be described.

撮影者は、放射線画像の撮影を行う場合、コンソール110に対して操作パネル112を介して撮影対象部位、撮影時の姿勢、電子カセッテ40を立位台160の保持部162や臥位台164の保持部166に保持させた状態での撮影か又は電子カセッテ40を保持部に保持させない状態での撮影かを示す保持状態情報などの撮影条件を入力し、さらに管電圧、管電流及び照射期間などの曝射条件を入力する。コンソール110は、撮影条件及び曝射条件が入力されると、入力された撮影条件及び曝射条件を無線通信部119を介して電子カセッテ40へ送信し、曝射条件を無線通信部119を介して放射線発生装置120へ送信する。   When the radiographer performs radiographic image capture, the radiographing target region, the posture at the time of radiographing, and the electronic cassette 40 are placed on the console 110 via the operation panel 112. Shooting conditions such as holding state information indicating whether shooting is performed in a state in which the holding unit 166 is held or shooting is performed in a state where the electronic cassette 40 is not held in the holding unit, and tube voltage, tube current, and irradiation period are input. Enter the exposure conditions. When the imaging condition and the exposure condition are input, the console 110 transmits the input imaging condition and the exposure condition to the electronic cassette 40 via the wireless communication unit 119, and the exposure condition is transmitted via the wireless communication unit 119. To the radiation generator 120.

放射線発生装置120の線源制御部122は、コンソール110から曝射条件を受信すると、受信した曝射条件を記憶し、当該曝射条件での曝射準備を行う。   When receiving the exposure condition from the console 110, the radiation source control unit 122 of the radiation generator 120 stores the received exposure condition and prepares for exposure under the exposure condition.

電子カセッテ40のカセッテ制御部58は、コンソール110から撮影条件及び曝射条件を受信すると、受信した撮影条件及び曝射条件を記憶部58Cに記憶する。   When the cassette control unit 58 of the electronic cassette 40 receives the imaging conditions and the exposure conditions from the console 110, the cassette control unit 58 stores the received imaging conditions and the exposure conditions in the storage unit 58C.

撮影者は、撮影時の姿勢が立位または臥位である場合に、対応する立位台160の保持部162または臥位台164の保持部166に電子カセッテ40を保持させると共に放射線源121を対応する位置に位置決めした後、被検者を所定の撮影位置に位置させる。これに対し、撮影者は、撮影対象部位が腕部、脚部等の電子カセッテ40を保持部に保持させない状態で放射線画像の撮影を行う場合に、当該撮影対象部位を撮影可能な状態に被検者、電子カセッテ40、および放射線源121を位置決めする。   The photographer holds the electronic cassette 40 on the holding unit 162 of the standing table 160 or the holding unit 166 of the standing table 164 and holds the radiation source 121 when the posture at the time of imaging is standing or lying. After positioning at the corresponding position, the subject is positioned at a predetermined imaging position. On the other hand, when taking a radiographic image in a state where the imaging target part does not hold the electronic cassette 40 such as an arm part or a leg part in the holding part, the photographer covers the imaging target part in a state where the imaging target part can be photographed. The examiner, the electronic cassette 40, and the radiation source 121 are positioned.

そして、撮影者は、撮影準備完了すると、コンソール110の操作パネル112に対して撮影を指示する撮影指示操作を行う。   Then, when the photographing preparation is completed, the photographer performs a photographing instruction operation for instructing photographing on the operation panel 112 of the console 110.

コンソール110では、操作パネル112に対して撮影指示操作が行われると、曝射開始を指示する指示情報を放射線発生装置120および電子カセッテ40へ無線通信部119を介して送信する。   In the console 110, when an imaging instruction operation is performed on the operation panel 112, instruction information for instructing the start of exposure is transmitted to the radiation generator 120 and the electronic cassette 40 via the wireless communication unit 119.

これに応じて、放射線源121は、放射線発生装置120がコンソール110から受信した曝射条件に応じた管電圧および管電流で放射線Xを照射期間だけ射出する。放射線源121から射出された放射線Xは、被検者を透過した後に電子カセッテ40に到達する。これにより、放射線検出器20の各画素32には、電荷が発生する。   In response to this, the radiation source 121 emits the radiation X for the irradiation period at a tube voltage and a tube current corresponding to the exposure conditions received by the radiation generator 120 from the console 110. The radiation X emitted from the radiation source 121 reaches the electronic cassette 40 after passing through the subject. Thereby, an electric charge is generated in each pixel 32 of the radiation detector 20.

ところで、放射線検出器20は、X線が照射されていない状態であっても暗電流等によってセンサ部13に電荷が発生して各画素32のコンデンサ9に電荷が蓄積される。   By the way, in the radiation detector 20, even when X-rays are not irradiated, charges are generated in the sensor unit 13 by dark current or the like, and the charges are accumulated in the capacitors 9 of each pixel 32.

そこで、本実施の形態に係る電子カセッテ40では、放射線検出器20の各画素32のコンデンサ9に蓄積された電荷を取り出して除去するリセット動作を繰り返し行っている。   Therefore, in the electronic cassette 40 according to the present exemplary embodiment, the reset operation for taking out and removing the charge accumulated in the capacitor 9 of each pixel 32 of the radiation detector 20 is repeatedly performed.

本実施の形態に係る電子カセッテ40では、第2信号処理部55が放射線検出用画素32Aから各直接読出配線38に流れ出した電気信号のサンプリングを行ってデジタルデータに変換し、カセッテ制御部58が変換されたデジタルデータに基づいて放射線の照射の検知を行っており、放射線の照射を検知したタイミングでリセット動作を停止して放射線画像の撮影動作を開始する。すなわち、電子カセッテ40は、放射線の照射を検出して撮影動作を開始する。これにより、本実施の形態に係る撮影システム104では、コンソール110や放射線発生装置120と電子カセッテ40との間で放射線の照射開始に関する情報の送受信を行って放射線発生装置120からの放射線の照射動作と電子カセッテ40での撮像動作とを同期させることなく、放射線画像を撮影できる。   In the electronic cassette 40 according to the present exemplary embodiment, the second signal processing unit 55 performs sampling of the electric signal that has flowed out from the radiation detection pixel 32A to each readout wiring 38 and converts it into digital data, and the cassette control unit 58 includes Radiation irradiation is detected based on the converted digital data, and the reset operation is stopped at the timing when the radiation irradiation is detected, and the radiographic image capturing operation is started. That is, the electronic cassette 40 detects the irradiation of radiation and starts an imaging operation. Thereby, in the imaging system 104 according to the present embodiment, the operation of irradiating the radiation from the radiation generator 120 by transmitting / receiving information regarding the start of radiation irradiation between the console 110 or the radiation generator 120 and the electronic cassette 40. A radiographic image can be taken without synchronizing the imaging operation with the electronic cassette 40.

ところで、電子カセッテ40は、DC/DCコンバータ71から照射される電磁波の影響により、放射線検出用画素32Aから各直接読出配線38に流れ出し、第2信号処理部55により検出される電気信号にノイズが発生する。このノイズは、電磁波の強度が強いほど大きなものが発生しやすい。また、一般的にDC/DCコンバータ71からの距離に応じて、強度は変わり、DC/DCコンバータ71からの距離が離れるに従い強度は下がる。   By the way, the electronic cassette 40 flows out from the radiation detection pixels 32 </ b> A directly to the respective readout wirings 38 due to the influence of electromagnetic waves emitted from the DC / DC converter 71, and noise is detected in the electric signal detected by the second signal processing unit 55. appear. This noise is more likely to occur as the intensity of electromagnetic waves increases. In general, the strength changes according to the distance from the DC / DC converter 71, and the strength decreases as the distance from the DC / DC converter 71 increases.

そこで、第1の実施の形態では、図9に示すように、放射線検出器20の画素32が2次元状に設けられた撮影領域31をDC/DCコンバータ71からの離隔度合に応じて2つの領域33(33A,33B)に分けており、各領域33で放射線検出用画素32Aの分布を変えて配置している。具体的には、DC/DCコンバータ71に近い領域33AよりもDC/DCコンバータ71から離れた領域33Bに放射線検出用画素32Aを多く配置する。   Therefore, in the first embodiment, as shown in FIG. 9, the imaging region 31 in which the pixels 32 of the radiation detector 20 are provided in a two-dimensional manner is divided into two areas according to the degree of separation from the DC / DC converter 71. The region 33 (33A, 33B) is divided, and in each region 33, the distribution of the radiation detection pixels 32A is changed. Specifically, more radiation detection pixels 32 </ b> A are arranged in the region 33 </ b> B farther from the DC / DC converter 71 than in the region 33 </ b> A near the DC / DC converter 71.

これにより、ノイズが多く発生しやすいDC/DCコンバータ71に近い領域33Aで放射線検出用画素32Aの数が少なくなるため、ノイズの影響を抑えて放射線の照射開始の精度よく検出できる。   As a result, the number of radiation detection pixels 32A decreases in the region 33A close to the DC / DC converter 71 where a lot of noise is likely to occur, so that the influence of noise can be suppressed and detection of radiation irradiation can be accurately detected.

また、本実施の形態に係る電子カセッテ40は、図7に示すように、放射線検出器20がTFT基板30側から放射線Xが照射されるように内蔵されている。   Further, as shown in FIG. 7, the electronic cassette 40 according to the present exemplary embodiment is built in such that the radiation detector 20 is irradiated with the radiation X from the TFT substrate 30 side.

ここで、放射線検出器20は、図10に示すように、シンチレータ8が形成された側から放射線が照射されて、当該放射線の入射面の裏面側に設けられたTFT基板30により放射線画像を読み取る、いわゆる裏面読取方式とされた場合、シンチレータ8の同図上面側(TFT基板30の反対側)でより強く発光し、TFT基板30側から放射線が照射されて、当該放射線の入射面の表面側に設けられたTFT基板30により放射線画像を読み取る、いわゆる表面読取方式とされた場合、TFT基板30を透過した放射線がシンチレータ8に入射してシンチレータ8のTFT基板30側がより強く発光する。TFT基板30に設けられた各センサ部13には、シンチレータ8で発生した光により電荷が発生する。このため、放射線検出器20は、表面読取方式とされた場合の方が裏面読取方式とされた場合よりもTFT基板30に対するシンチレータ8の発光位置が近いため、撮影によって得られる放射線画像の分解能が高い。   Here, as shown in FIG. 10, the radiation detector 20 is irradiated with radiation from the side on which the scintillator 8 is formed, and reads a radiation image by the TFT substrate 30 provided on the back side of the incident surface of the radiation. In the case of a so-called back surface reading method, light is emitted more strongly on the upper surface side of the scintillator 8 (opposite side of the TFT substrate 30), radiation is irradiated from the TFT substrate 30 side, and the surface side of the incident surface of the radiation In the case of a so-called surface reading method in which a radiation image is read by the TFT substrate 30 provided on the TFT substrate 30, the radiation transmitted through the TFT substrate 30 enters the scintillator 8 and the TFT substrate 30 side of the scintillator 8 emits light more strongly. Electric charges are generated in each sensor unit 13 provided on the TFT substrate 30 by light generated by the scintillator 8. For this reason, since the radiation detector 20 is closer to the light emission position of the scintillator 8 with respect to the TFT substrate 30 when the front surface reading method is used than when the rear surface reading method is used, the resolution of the radiation image obtained by imaging is higher. high.

また、放射線検出器20は、光電変換膜4を有機光電変換材料により構成しており、光電変換膜4で放射線がほとんど吸収されない。このため、本実施の形態に係る放射線検出器20は、表面読取方式により放射線がTFT基板30を透過する場合でも光電変換膜4による放射線の吸収量が少ないため、放射線に対する感度の低下を抑えることができる。表面読取方式では、放射線がTFT基板30を透過してシンチレータ8に到達するが、このように、TFT基板30の光電変換膜4を有機光電変換材料により構成した場合、光電変換膜4での放射線の吸収が殆どなく放射線の減衰を少なく抑えることができるため、表面読取方式に適している。   In the radiation detector 20, the photoelectric conversion film 4 is made of an organic photoelectric conversion material, and the photoelectric conversion film 4 hardly absorbs radiation. For this reason, the radiation detector 20 according to the present embodiment suppresses a decrease in sensitivity to radiation because the amount of radiation absorbed by the photoelectric conversion film 4 is small even when radiation is transmitted through the TFT substrate 30 by the surface reading method. Can do. In the surface reading method, radiation passes through the TFT substrate 30 and reaches the scintillator 8. Thus, when the photoelectric conversion film 4 of the TFT substrate 30 is made of an organic photoelectric conversion material, the radiation in the photoelectric conversion film 4 is obtained. Therefore, it is suitable for the surface reading method.

また、薄膜トランジスタ10の活性層17を構成する非晶質酸化物や光電変換膜4を構成する有機光電変換材料は、いずれも低温での成膜が可能である。このため、基板1を放射線の吸収が少ないプラスチック樹脂、アラミド、バイオナノファイバで形成することができる。このように形成された基板1は放射線の吸収量が少ないため、表面読取方式により放射線がTFT基板30を透過する場合でも、放射線に対する感度の低下を抑えることができる。   In addition, both the amorphous oxide constituting the active layer 17 of the thin film transistor 10 and the organic photoelectric conversion material constituting the photoelectric conversion film 4 can be formed at a low temperature. For this reason, the board | substrate 1 can be formed with a plastic resin, aramid, and bio-nanofiber with little radiation absorption. Since the substrate 1 formed in this way has a small amount of radiation absorption, even when the radiation passes through the TFT substrate 30 by the surface reading method, it is possible to suppress a decrease in sensitivity to radiation.

また、本実施の形態によれば、図7に示すように、放射線検出器20をTFT基板30が天板41B側となるように筐体41内の天板41Bに貼り付けているが、基板1を剛性の高いプラスチック樹脂、アラミド、バイオナノファイバで形成した場合、放射線検出器20自体の剛性が高いため、筐体41の天板41Bを薄く形成することができる。また、基板1を剛性の高いプラスチック樹脂やアラミド、バイオナノファイバで形成した場合、放射線検出器20自体が可撓性を有するため、検出領域41Aに衝撃が加わった場合でも放射線検出器20が破損しづらい。   Further, according to the present embodiment, as shown in FIG. 7, the radiation detector 20 is attached to the top plate 41B in the housing 41 so that the TFT substrate 30 is on the top plate 41B side. When 1 is formed of a highly rigid plastic resin, aramid, or bio-nanofiber, the radiation detector 20 itself has high rigidity, so that the top plate 41B of the housing 41 can be formed thin. Further, when the substrate 1 is formed of a highly rigid plastic resin, aramid, or bionanofiber, the radiation detector 20 itself has flexibility, so that even when an impact is applied to the detection region 41A, the radiation detector 20 is damaged. It ’s hard.

以上詳細に説明したように、本実施の形態では、放射線検出器20の画素32が2次元状に設けられた撮影領域31をDC/DCコンバータ71からの離隔度合に応じて2つの領域33A,33Bに分け、DC/DCコンバータ71に近い領域33AよりもDC/DCコンバータ71から離れた領域33Bに放射線検出用画素32Aを多く配置しているので、DC/DCコンバータ71から照射される電磁波の影響によるノイズの影響を抑えて放射線の照射を精度よく検知できる。   As described above in detail, in the present embodiment, the imaging region 31 in which the pixels 32 of the radiation detector 20 are provided in a two-dimensional manner is divided into two regions 33A and 33A according to the degree of separation from the DC / DC converter 71. 33B, since more radiation detection pixels 32A are arranged in the region 33B farther from the DC / DC converter 71 than in the region 33A close to the DC / DC converter 71, the electromagnetic wave emitted from the DC / DC converter 71 It is possible to accurately detect radiation irradiation while suppressing the influence of noise due to the influence.

また、本実施の形態では、放射線検出器20に放射線検出部として放射線検出用画素32Aを形成することにより、放射線検出器20とは別に放射線を検出する手段を設ける必要がないため、製造コストを低減することができる。   Further, in the present embodiment, by forming the radiation detection pixel 32A as the radiation detection unit in the radiation detector 20, it is not necessary to provide a means for detecting radiation separately from the radiation detector 20, and thus the manufacturing cost is reduced. Can be reduced.

また、本実施の形態では、複数の放射線検出用画素32Aから蓄積された電荷を読み出すための直接読出配線38を備えているので、放射線画像の撮影動作とは無関係に放射線の照射状態を検出することができる結果、より高速に放射線画像の撮影を行うことができる。   In the present embodiment, since the direct readout wiring 38 for reading out the charges accumulated from the plurality of radiation detection pixels 32A is provided, the radiation irradiation state is detected regardless of the radiographic image capturing operation. As a result, a radiographic image can be taken at a higher speed.

[第2の実施の形態]
次に、第2の実施の形態について説明する。
[Second Embodiment]
Next, a second embodiment will be described.

第2の実施の形態に係るRIS100、撮影システム104、電子カセッテ40の構成は、上記第1の実施の形態(図1〜図8参照)と同一であるので、ここでの説明は省略する。   Since the configurations of the RIS 100, the imaging system 104, and the electronic cassette 40 according to the second embodiment are the same as those in the first embodiment (see FIGS. 1 to 8), description thereof is omitted here.

上述のように、電子カセッテ40は、DC/DCコンバータ71から照射される電磁波の影響により、放射線検出用画素32Aから各直接読出配線38に流れ出し、第2信号処理部55により検出される電気信号にノイズが発生する。このノイズは、ランダムノイズであるため、平均化することにより、ノイズが低減される。   As described above, the electronic cassette 40 flows from the radiation detection pixels 32 </ b> A to the respective direct readout wirings 38 due to the influence of the electromagnetic waves irradiated from the DC / DC converter 71 and is detected by the second signal processing unit 55. Noise is generated. Since this noise is random noise, the noise is reduced by averaging.

そこで、第2の実施の形態に係る放射線検出器20は、図11に示すように、DC/DCコンバータ71からの離隔度合に応じて撮影領域31を2つの領域33A,33Bに分けており、DC/DCコンバータ71から離れた領域33BよりもDC/DCコンバータ71に近い領域33Aに放射線検出用画素を多く配置する。   Therefore, the radiation detector 20 according to the second embodiment divides the imaging region 31 into two regions 33A and 33B according to the degree of separation from the DC / DC converter 71, as shown in FIG. More radiation detection pixels are arranged in the region 33A closer to the DC / DC converter 71 than in the region 33B far from the DC / DC converter 71.

第2信号処理部55は、放射線検出用画素32Aから各直接読出配線38に流れ出した電気信号のサンプリングを行ってデジタルデータに変換してカセッテ制御部58へ出力する。カセッテ制御部58は変換されたデジタルデータに基づいて放射線の照射開始の検出を行っており、DC/DCコンバータ71に近い領域33Aについては2以上の放射線検出用画素32Aの検出結果を平均化して放射線の検出を行う。このように、2以上の放射線検出用画素32Aの検出結果を平均化することにより、ノイズの影響を抑えて放射線の照射開始の精度よく検出できる。   The second signal processing unit 55 samples the electrical signal that has flowed from the radiation detection pixels 32 </ b> A to the respective direct readout wirings 38, converts it into digital data, and outputs the digital data to the cassette control unit 58. The cassette control unit 58 detects the start of radiation irradiation based on the converted digital data. For the region 33A close to the DC / DC converter 71, the detection results of two or more radiation detection pixels 32A are averaged. Radiation detection is performed. In this way, by averaging the detection results of two or more radiation detection pixels 32A, the influence of noise can be suppressed and detection of radiation irradiation can be accurately detected.

以上詳細に説明したように、本実施の形態では、放射線検出器20の画素32が2次元状に設けられた撮影領域31をDC/DCコンバータ71からの離隔度合に応じて2つの領域33A,33Bに分け、DC/DCコンバータ71から離れた領域33BよりもDC/DCコンバータ71に近い領域33Aよりも放射線検出用画素32Aを多く配置し、DC/DCコンバータ71に近い領域33Aについては2以上の放射線検出用画素32Aの検出結果を平均化して放射線の検出を行っているので、DC/DCコンバータ71から照射される電磁波の影響によるノイズの影響を抑えて放射線の照射を精度よく検知できる。   As described above in detail, in the present embodiment, the imaging region 31 in which the pixels 32 of the radiation detector 20 are provided in a two-dimensional manner is divided into two regions 33A and 33A according to the degree of separation from the DC / DC converter 71. 33B, and more radiation detection pixels 32A are arranged than the region 33A closer to the DC / DC converter 71 than the region 33B far from the DC / DC converter 71, and the region 33A closer to the DC / DC converter 71 is two or more. Since the radiation detection is performed by averaging the detection results of the radiation detection pixels 32A, it is possible to accurately detect the radiation irradiation while suppressing the influence of noise caused by the electromagnetic wave irradiated from the DC / DC converter 71.

なお、上記第2の実施の形態では、DC/DCコンバータ71に近い領域33Aについては2以上の放射線検出用画素32Aの検出結果を平均化して放射線の検出を行う場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、放射線検出用画素32Aの検出結果を放射線照射検知用のしきい値と比較し、放射線照射検知用のしきい値以上となったことにより放射線の照射開始を検出するものとした場合、DC/DCコンバータ71に近い領域33Aについては2以上の放射線検出用画素32Aの検出結果を合算すると共に、放射線照射検知用のしきい値も合算した画素数倍して比較するものとしてもよい。   In the second embodiment, the case where the detection of radiation is performed by averaging the detection results of two or more radiation detection pixels 32A in the region 33A close to the DC / DC converter 71 has been described. It is not limited. For example, when the detection result of the radiation detection pixel 32A is compared with a threshold value for detection of radiation irradiation, and the radiation irradiation start is detected when the detection result is equal to or higher than the threshold value for detection of radiation irradiation, For the region 33A close to the DC converter 71, the detection results of two or more radiation detection pixels 32A may be added together, and the radiation irradiation detection threshold may be multiplied by the total number of pixels for comparison.

[第3の実施の形態]
次に、第3の実施の形態について説明する。
[Third Embodiment]
Next, a third embodiment will be described.

第3の実施の形態に係るRIS100、撮影システム104の構成は、上記第1の実施の形態(図1〜図4、図6〜図8参照)と同一であるので、ここでの説明は省略する。   Since the configurations of the RIS 100 and the imaging system 104 according to the third embodiment are the same as those of the first embodiment (see FIGS. 1 to 4 and FIGS. 6 to 8), description thereof is omitted here. To do.

図12には、第3の実施の形態に係る放射線検出器20の構成を示す平面図が示されている。   FIG. 12 is a plan view showing the configuration of the radiation detector 20 according to the third exemplary embodiment.

本実施の形態に係る放射線検出器20は、直接読出配線38が設けられておらず、画素32が全て放射線画像取得用画素とされている。   In the radiation detector 20 according to the present embodiment, the direct readout wiring 38 is not provided, and all the pixels 32 are radiation image acquisition pixels.

図13には、本実施の形態に係る電子カセッテ40の内部構成が示されている。   FIG. 13 shows an internal configuration of the electronic cassette 40 according to the present exemplary embodiment.

電子カセッテ40は、筐体41の内部に、後述する放射線検出部200及び放射線検出器20が積層されて構成された撮影部21が配設されている。   In the electronic cassette 40, an imaging unit 21 configured by laminating a later-described radiation detection unit 200 and a radiation detector 20 is disposed inside a housing 41.

放射線検出部200は、放射線検出器20のTFT基板30側の面に貼り付けられている。   The radiation detector 200 is attached to the surface of the radiation detector 20 on the TFT substrate 30 side.

本実施の形態に係る電子カセッテ40は、放射線検出部200により放射線の照射の検出を行い、放射線の照射が検出された場合に放射線検出器20により放射線画像の撮影を行うものとされている。   In the electronic cassette 40 according to the present embodiment, the radiation detection unit 200 detects radiation irradiation, and when the radiation irradiation is detected, the radiation detector 20 captures a radiation image.

図14には、本実施形態に係る放射線検出器20及び放射線検出部200の構成を模式的に示した断面図が示されている。   FIG. 14 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of the radiation detector 20 and the radiation detection unit 200 according to this embodiment.

放射線検出部200は、放射線に対して透過性を有する樹脂性の支持基板202上に、後述する配線210(図15)がパターニングされた配線層204及び絶縁層206が形成されており、その上に、複数のセンサ部208が形成され、当該センサ部208上に、GOS等からなるシンチレータ210が形成されている。センサ部208は、上部電極208A、下部電極208B、及び該上下の電極間に配置された光電変換膜208Cを有している。光電変換膜208Cには、シンチレータ210によって変換された光が入射されることにより電荷を発生する。このセンサ部208は、光電変換膜208Cとしてアモルファスシリコンを用いたPIN型、MIS型フォトダイオードよりも、上述の有機光電変換材料が含有された光電変換膜が好ましい。これは、PIN型フォトダイオードやMIS型フォトダイオードを用いた場合と比較して、製造コストの削減や、フレキシブル化への対応の点で有機光電変換材料が含有された光電変換膜を用いたほうが有利だからである。この放射線検出部200のセンサ部208は、放射線検出器20の各画素32に設けられたセンサ部13ほど細かく形成する必要はなく、センサ部13よりも大きく、放射線検出器20の数十から数百画素のサイズで形成すればよい。   In the radiation detection unit 200, a wiring layer 204 and an insulating layer 206 in which wiring 210 (FIG. 15) described later is patterned are formed on a resinous support substrate 202 that is transparent to radiation. A plurality of sensor portions 208 are formed, and a scintillator 210 made of GOS or the like is formed on the sensor portion 208. The sensor unit 208 includes an upper electrode 208A, a lower electrode 208B, and a photoelectric conversion film 208C disposed between the upper and lower electrodes. The photoelectric conversion film 208 </ b> C generates a charge when the light converted by the scintillator 210 is incident thereon. The sensor unit 208 is preferably a photoelectric conversion film containing the above-described organic photoelectric conversion material, rather than a PIN-type or MIS-type photodiode using amorphous silicon as the photoelectric conversion film 208C. This is because it is better to use a photoelectric conversion film containing an organic photoelectric conversion material in terms of reduction in manufacturing cost and flexibility in comparison with the case of using a PIN type photodiode or a MIS type photodiode. Because it is advantageous. The sensor unit 208 of the radiation detection unit 200 does not need to be formed as finely as the sensor unit 13 provided in each pixel 32 of the radiation detector 20, and is larger than the sensor unit 13. It may be formed with a size of one hundred pixels.

図15には、電子カセッテ40の電気系の要部構成を示すブロック図が示されている。なお、上記第1の実施形態(図8)と同一の部分には同一の符号を付し、説明を省略する。   FIG. 15 is a block diagram showing the main configuration of the electrical system of the electronic cassette 40. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the part same as the said 1st Embodiment (FIG. 8), and description is abbreviate | omitted.

放射線検出部200は、上述したように、センサ部208が多数個配置されている。また、放射線検出部200には、各センサ部208とそれぞれ個別に接続された複数の配線210が設けられており、各配線210は第2信号処理部55に接続されている。   As described above, the radiation detection unit 200 includes a large number of sensor units 208. The radiation detection unit 200 is provided with a plurality of wirings 210 individually connected to the sensor units 208, and the wirings 210 are connected to the second signal processing unit 55.

第2信号処理部55は、各配線210毎に設けられた増幅器及びA/D変換器を備えており、カセッテ制御部58と接続されている。第2信号処理部55は、カセッテ制御部58からの制御により、所定の周期で各直接読出配線38のサンプリングを行って各直接読出配線38を伝送される電気信号をデジタルデータに変換し、変換したデジタルデータを順次、カセッテ制御部58へ出力する。   The second signal processing unit 55 includes an amplifier and an A / D converter provided for each wiring 210 and is connected to the cassette control unit 58. Under the control of the cassette control unit 58, the second signal processing unit 55 samples each direct readout wiring 38 at a predetermined cycle to convert an electrical signal transmitted through each direct readout wiring 38 into digital data, The digital data is output to the cassette control unit 58 sequentially.

このように、センサ部208により放射線の照射の検出を行うものとした場合においても、DC/DCコンバータ71から照射される電磁波の影響により、センサ部208から各配線210に流れ出し、第2信号処理部55により検出される電気信号にノイズが発生する。   As described above, even when the sensor unit 208 detects radiation irradiation, the sensor unit 208 flows out to the wirings 210 due to the influence of the electromagnetic wave irradiated from the DC / DC converter 71, and the second signal processing is performed. Noise is generated in the electrical signal detected by the unit 55.

そこで、第1及び第2の実施の形態のように、放射線検出器20は、センサ部208が2次元状に設けられた領域220をDC/DCコンバータ71からの離隔度合に応じて2つの領域221(221A,221B)に分け、各領域221でセンサ部208の分布を変えて配置してもよい。   Therefore, as in the first and second embodiments, the radiation detector 20 includes two regions 220 in which the sensor unit 208 is provided in a two-dimensional manner according to the degree of separation from the DC / DC converter 71. 221 (221A, 221B), and the distribution of the sensor unit 208 may be changed in each region 221.

例えば、図16に示すように、DC/DCコンバータ71に近い領域221AよりもDC/DCコンバータ71から離れた領域221Bにセンサ部208を多く配置してもよい。   For example, as shown in FIG. 16, more sensor units 208 may be arranged in a region 221 </ b> B farther from the DC / DC converter 71 than in a region 221 </ b> A near the DC / DC converter 71.

これにより、ノイズが多く発生しやすいDC/DCコンバータ71に近い領域221Aでセンサ部208の数が少なくなるため、ノイズの影響を抑えて放射線の照射開始の精度よく検出できる。   As a result, the number of sensor units 208 is reduced in the region 221A close to the DC / DC converter 71 where a lot of noise is likely to occur, so that the influence of noise can be suppressed and detection of radiation irradiation can be accurately detected.

また、図17に示すように、DC/DCコンバータ71から離れた領域221BよりもDC/DCコンバータ71に近い領域221Aにセンサ部208を多く配置してもよい。この場合、第2の実施の形態のように、カセッテ制御部58は、DC/DCコンバータ71に近い領域221Aについては2以上のセンサ部208の検出結果を平均化して放射線の検出を行うようにする。このように、2以上のセンサ部208の検出結果を平均化することにより、ノイズの影響を抑えて放射線の照射開始の精度よく検出できる。   In addition, as shown in FIG. 17, more sensor units 208 may be arranged in a region 221 </ b> A closer to the DC / DC converter 71 than in a region 221 </ b> B far from the DC / DC converter 71. In this case, as in the second embodiment, the cassette control unit 58 detects the radiation by averaging the detection results of the two or more sensor units 208 for the region 221A close to the DC / DC converter 71. To do. Thus, by averaging the detection results of two or more sensor units 208, the influence of noise can be suppressed and detection of radiation irradiation can be accurately detected.

[第4の実施の形態]
次に、第4の実施の形態について説明する。
[Fourth Embodiment]
Next, a fourth embodiment will be described.

第4の実施の形態に係るRIS100、撮影システム104の構成は、上記第1の実施の形態(図1〜図8参照)と同一であるので、ここでの説明は省略する。   Since the configurations of the RIS 100 and the imaging system 104 according to the fourth embodiment are the same as those of the first embodiment (see FIGS. 1 to 8), description thereof is omitted here.

図18には、第4の実施の形態に係る電子カセッテ40の電気系の要部構成が示されている。なお、上記第1〜第3の実施形態(図8、図15)と同一の部分には同一の符号を付し、説明を省略する。   FIG. 18 shows a main configuration of the electrical system of the electronic cassette 40 according to the fourth exemplary embodiment. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the part same as the said 1st-3rd embodiment (FIG. 8, FIG. 15), and description is abbreviate | omitted.

ここで、センサ部13は、バイアス配線64を介して上部電極6と下部電極2の間にバイアス電圧が印加されるが、放射線が照射されることによりバイアス配線64を流れる電流量が変化する。   Here, in the sensor unit 13, a bias voltage is applied between the upper electrode 6 and the lower electrode 2 via the bias wiring 64, but the amount of current flowing through the bias wiring 64 changes when irradiated with radiation.

そこで、本実施の形態に係る電子カセッテ40では、バイアス配線64を流れる電流量を検出する電流検出部72を設けている。   Therefore, in the electronic cassette 40 according to the present exemplary embodiment, a current detection unit 72 that detects the amount of current flowing through the bias wiring 64 is provided.

電流検出部72は、電流量を精度良く検出するため電流量の変化を増幅するアンプなどの増幅回路を内蔵しており、バイアス配線64を流れる電流量を検出してカセッテ制御部58へ出力する。カセッテ制御部58は電流検出部72により検出される電流量の変化に基づいて放射線の照射開始の検出を行う。   The current detection unit 72 includes an amplifier circuit such as an amplifier that amplifies a change in the current amount in order to detect the current amount with high accuracy, detects the amount of current flowing through the bias wiring 64, and outputs it to the cassette control unit 58. . The cassette control unit 58 detects the start of radiation irradiation based on the change in the amount of current detected by the current detection unit 72.

このため、本実施の形態に係る放射線検出器20には、上記第3の実施の形態と同様に、直接読出配線38が設けられておらず、画素32が全て放射線画像取得用画素とされており、電子カセッテ40には、第2信号処理部55が設けられていない。   Therefore, as in the third embodiment, the radiation detector 20 according to the present embodiment is not provided with the direct readout wiring 38, and all the pixels 32 are used as radiation image acquisition pixels. The electronic cassette 40 is not provided with the second signal processing unit 55.

ところで、電流検出部72に内蔵されたアンプなどの増幅回路には、DC/DCコンバータ71から照射される電磁波の影響により、ノイズが発生する。このノイズは、電磁波の強度が強いほど大きなものが発生しやすい。   By the way, noise is generated in an amplification circuit such as an amplifier built in the current detection unit 72 due to the influence of electromagnetic waves emitted from the DC / DC converter 71. This noise is more likely to occur as the intensity of electromagnetic waves increases.

そこで、本実施の形態では、電流検出部72をDC/DCコンバータ71から離れるように配置する。   Therefore, in the present embodiment, the current detection unit 72 is disposed so as to be separated from the DC / DC converter 71.

このように、本実施の形態では、バイアス配線64を流れる電流量の変化から放射線の照射の検出を行う場合に、バイアス配線64を流れる電流量を検出する電流検出部72をDC/DCコンバータ71から離れるように配置することにより、DC/DCコンバータ71から照射される電磁波の影響によるノイズの影響を抑えて放射線の照射を精度よく検知できる。   As described above, in the present embodiment, when the radiation irradiation is detected from the change in the amount of current flowing through the bias wiring 64, the current detection unit 72 that detects the amount of current flowing through the bias wiring 64 is replaced with the DC / DC converter 71. By arranging so as to be away from the antenna, it is possible to accurately detect radiation irradiation while suppressing the influence of noise due to the influence of the electromagnetic wave irradiated from the DC / DC converter 71.

[第5の実施の形態]
次に、第5の実施の形態について説明する。
[Fifth Embodiment]
Next, a fifth embodiment will be described.

第5の実施の形態に係るRIS100、撮影システム104の構成は、上記第1の実施の形態(図1〜図8参照)と同一であるので、ここでの説明は省略する。   Since the configurations of the RIS 100 and the imaging system 104 according to the fifth embodiment are the same as those of the first embodiment (see FIGS. 1 to 8), description thereof is omitted here.

図19には、第5の実施の形態に係る電子カセッテ40の電気系の要部構成が示されている。なお、上記第1〜第3の実施形態(図8、図15)と同一の部分には同一の符号を付し、説明を省略する。   FIG. 19 shows a main configuration of an electric system of an electronic cassette 40 according to the fifth exemplary embodiment. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the part same as the said 1st-3rd embodiment (FIG. 8, FIG. 15), and description is abbreviate | omitted.

同図に示すように、本実施の形態に係る電子カセッテ40の第1信号処理部54は、個々のデータ配線36毎に、個々のデータ配線36毎に、入力される電気信号を増幅すると共に保持するチャージアンプ54A、および相関二重サンプリング回路(図19では「CDS」と記載)54Bを備えており、相関二重サンプリング回路54Bの出力側にはマルチプレクサ54C、A/D変換器54Dが順に接続されている。各チャージアンプ54Aには、アンプ電源76から配線78を介してアンプ電流が供給される。   As shown in the figure, the first signal processing unit 54 of the electronic cassette 40 according to the present embodiment amplifies the input electrical signal for each data wiring 36 and for each data wiring 36. A charge amplifier 54A for holding and a correlated double sampling circuit (denoted as “CDS” in FIG. 19) 54B are provided. On the output side of the correlated double sampling circuit 54B, a multiplexer 54C and an A / D converter 54D are sequentially provided. It is connected. Each charge amplifier 54A is supplied with an amplifier current from an amplifier power supply 76 via a wiring 78.

第1信号処理部54は、各データ配線36に入力される電気信号をチャージアンプ54Aで増幅すると共に保持し、相関二重サンプリング回路54Bで相関二重サンプリングを施した後にマルチプレクサ54CによってA/D変換器54Dに順に入力し、A/D変換器54Dによってデジタルの画像データへ変換する。   The first signal processing unit 54 amplifies and holds the electric signal input to each data wiring 36 by the charge amplifier 54A, performs correlated double sampling by the correlated double sampling circuit 54B, and then performs A / D by the multiplexer 54C. The signals are sequentially input to the converter 54D, and converted into digital image data by the A / D converter 54D.

ここで、放射線検出器20は、放射線が照射されることにより各画素32に電荷が蓄積され、この影響によりデータ配線36を流れる電流に変化が生じて第1信号処理部54に内蔵されたチャージアンプ54Aへのアンプ電流も変化する。   Here, in the radiation detector 20, charges are accumulated in each pixel 32 when irradiated with radiation, and due to this influence, a change occurs in the current flowing through the data wiring 36, and the charge built in the first signal processing unit 54. The amplifier current to the amplifier 54A also changes.

そこで、本実施の形態に係る電子カセッテ40では、配線78を流れるアンプ電流を検出する電流検出部79を設けている。電流検出部79は、アンプ電流を精度良く検出するため電流量の変化を増幅するアンプなどの増幅回路を内蔵しており、配線78を流れるアンプ電流量を検出してカセッテ制御部58へ出力する。カセッテ制御部58は電流検出部79により検出される電流量の変化に基づいて放射線の照射開始の検出を行う。   Therefore, in the electronic cassette 40 according to the present exemplary embodiment, a current detection unit 79 that detects an amplifier current flowing through the wiring 78 is provided. The current detection unit 79 includes an amplifier circuit such as an amplifier that amplifies a change in the amount of current in order to accurately detect the amplifier current, detects the amount of amplifier current flowing through the wiring 78, and outputs the detected amount to the cassette control unit 58. . The cassette controller 58 detects the start of radiation irradiation based on the change in the amount of current detected by the current detector 79.

このため、本実施の形態に係る放射線検出器20には、上記第4の実施の形態と同様に、直接読出配線38が設けられておらず、画素32が全て放射線画像取得用画素とされており、電子カセッテ40には、第2信号処理部55が設けられていない。   Therefore, the radiation detector 20 according to the present embodiment is not provided with the direct readout wiring 38 as in the fourth embodiment, and all the pixels 32 are used as radiation image acquisition pixels. The electronic cassette 40 is not provided with the second signal processing unit 55.

ところで、電流検出部79に内蔵されたアンプなどの増幅回路には、DC/DCコンバータ71から照射される電磁波の影響により、ノイズが発生する。このノイズは、電磁波の強度が強いほど大きなものが発生しやすい。   By the way, noise is generated in an amplification circuit such as an amplifier built in the current detection unit 79 due to the influence of electromagnetic waves emitted from the DC / DC converter 71. This noise is more likely to occur as the intensity of electromagnetic waves increases.

そこで、本実施の形態では、DC/DCコンバータ71を電流検出部79から離れるように配置する。   Therefore, in the present embodiment, the DC / DC converter 71 is disposed away from the current detection unit 79.

このように、本実施の形態では、第1信号処理部54に内蔵されたチャージアンプ54Aへのアンプ電流も変化から放射線の照射の検出を行う場合に、アンプ電流を検出する電流検出部79をDC/DCコンバータ71から離れるように配置することにより、DC/DCコンバータ71から照射される電磁波の影響によるノイズの影響を抑えて放射線の照射を精度よく検知できる。   As described above, in the present embodiment, when the irradiation of radiation is detected from the change in the amplifier current to the charge amplifier 54A incorporated in the first signal processing unit 54, the current detection unit 79 that detects the amplifier current is provided. By disposing the DC / DC converter 71 away from the DC / DC converter 71, it is possible to accurately detect the irradiation of radiation while suppressing the influence of noise caused by the electromagnetic wave irradiated from the DC / DC converter 71.

以上、本発明を第1〜第5の実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記各実施の形態に記載の範囲には限定されない。発明の要旨を逸脱しない範囲で上記各実施の形態に多様な変更または改良を加えることができ、当該変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれる。   As mentioned above, although this invention was demonstrated using the 1st-5th embodiment, the technical scope of this invention is not limited to the range as described in each said embodiment. Various modifications or improvements can be added to the above-described embodiments without departing from the gist of the invention, and embodiments to which the modifications or improvements are added are also included in the technical scope of the present invention.

また、上記の実施の形態は、クレーム(請求項)にかかる発明を限定するものではなく、また実施の形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。前述した実施の形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜の組み合わせにより種々の発明を抽出できる。実施の形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が削除されても、効果が得られる限りにおいて、この幾つかの構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。   The above embodiments do not limit the invention according to the claims (claims), and all the combinations of features described in the embodiments are essential for the solution means of the invention. Is not limited. The embodiments described above include inventions at various stages, and various inventions can be extracted by appropriately combining a plurality of disclosed constituent elements. Even if some constituent requirements are deleted from all the constituent requirements shown in the embodiment, as long as an effect is obtained, a configuration from which these some constituent requirements are deleted can be extracted as an invention.

また、上記第1及び第2の実施の形態では、一例として図20(A)に示すように、放射線検出用画素32Aとして放射線画像取得用画素32Bの一部を適用した場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、一例として図20(B)に示すように、放射線検出用画素32Aを、放射線画像取得用画素32Bの間隙に設ける形態としてもよい。この場合、放射線検出用画素32Aが設けられた位置に対応する放射線画像取得用画素32Bの面積が小さくなるため、当該画素の感度は低減するものの、当該画素も放射線画像の検出用として用いることができるため、放射線画像の品質を向上させることができる。   In the first and second embodiments described above, as an example, as illustrated in FIG. 20A, a case where a part of the radiation image acquisition pixel 32B is applied as the radiation detection pixel 32A has been described. The present invention is not limited to this. For example, as shown in FIG. 20B, for example, the radiation detection pixels 32A may be provided in the gaps between the radiation image acquisition pixels 32B. In this case, since the area of the radiation image acquisition pixel 32B corresponding to the position where the radiation detection pixel 32A is provided is reduced, the sensitivity of the pixel is reduced, but the pixel is also used for detection of the radiation image. Therefore, the quality of the radiographic image can be improved.

また、上記第1及び第2の実施の形態では、放射線検出器20の撮影領域31をDC/DCコンバータ71からの離隔度合に応じて2つの領域33に分けた場合について説明し、上記第3の実施の形態では、放射線検出部200の領域220をDC/DCコンバータ71からの離隔度合に応じて2つの領域221に分けた場合について説明したが、3以上の領域に分けてもよい。また、撮影領域31、領域220を直線的な区切線で領域に区切った場合について説明したが、曲線的な区切線で区切ってもよい。さらに、DC/DCコンバータ71を1つ設けた場合について説明したが、複数設けてもよい。また、撮影領域31、領域220内での検出特定の変化を抑えるため、撮影領域31、領域220は、領域33、領域221に略均等に分けることが好ましい。   In the first and second embodiments, the case where the imaging region 31 of the radiation detector 20 is divided into two regions 33 according to the degree of separation from the DC / DC converter 71 will be described. In the above embodiment, the case where the region 220 of the radiation detection unit 200 is divided into the two regions 221 according to the degree of separation from the DC / DC converter 71 has been described, but may be divided into three or more regions. Moreover, although the case where the imaging region 31 and the region 220 are divided into regions by linear dividing lines has been described, they may be divided by curved dividing lines. Furthermore, although the case where one DC / DC converter 71 is provided has been described, a plurality of DC / DC converters 71 may be provided. Further, in order to suppress a specific change in detection within the imaging region 31 and the region 220, the imaging region 31 and the region 220 are preferably divided into the region 33 and the region 221 approximately equally.

図21には、電磁波の強度が略同一となるような曲線的な区切線で撮影領域31を直線的な区切線で3つの領域33A,33B、31Cに区切り、DC/DCコンバータ71に離れた領域ほど分布が多くなるように放射線検出用画素32Aを配置した例が示されている。DC/DCコンバータ71を複数設けた場合、各DC/DCコンバータ71からの電磁波の強度の強度分布に応じて、放射線検出用画素32Aの分布を変えてもよい。   In FIG. 21, the imaging region 31 is separated into three regions 33A, 33B, and 31C by a linear dividing line so as to be separated from the DC / DC converter 71 by a curvilinear dividing line with substantially the same electromagnetic wave intensity. An example is shown in which the radiation detection pixels 32A are arranged so that the distribution increases as the area increases. When a plurality of DC / DC converters 71 are provided, the distribution of the radiation detection pixels 32 </ b> A may be changed in accordance with the intensity distribution of the electromagnetic wave intensity from each DC / DC converter 71.

また、上記第1の実施の形態では、DC/DCコンバータ71から離れた領域ほど放射線画像取得用画素32Bが多くなるように分布を変えた場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。図22に示すように、第2信号処理部55には、直接読出配線38を流れる電気信号を増幅するアンプなどの増幅器55Aが複数設けられているが、増幅器55Aには、DC/DCコンバータ71から照射される電磁波の影響により、ノイズが発生する。そこで、DC/DCコンバータ71からの離隔度合に応じて分布を変えて増幅器55Aを配置してもよい。図22には、DC/DCコンバータ71から離れた領域ほど分布が多くなるように増幅器55Aを配置した形態が示されている。また、DC/DCコンバータ71に近い領域ほど分布が多くなるように増幅器55Aを配置し、DC/DCコンバータ71に近い領域では各増幅器55Aにより増幅された信号をデジタル変換したデジタルデータを平均化して放射線の検出を行うものとしてもよい。   In the first embodiment, the case has been described in which the distribution is changed such that the region farther from the DC / DC converter 71 has more radiation image acquisition pixels 32B, but the present invention is limited to this. It is not a thing. As shown in FIG. 22, the second signal processing unit 55 is provided with a plurality of amplifiers 55A such as amplifiers that amplify an electric signal flowing directly through the readout wiring 38. The amplifier 55A includes a DC / DC converter 71. Noise is generated due to the influence of electromagnetic waves irradiated from. Therefore, the amplifier 55 </ b> A may be arranged by changing the distribution according to the degree of separation from the DC / DC converter 71. FIG. 22 shows a configuration in which the amplifier 55A is arranged so that the distribution increases in a region far from the DC / DC converter 71. In addition, the amplifier 55A is arranged so that the distribution is larger in the region closer to the DC / DC converter 71, and in the region closer to the DC / DC converter 71, digital data obtained by digitally converting the signals amplified by the amplifiers 55A is averaged. It is good also as what detects a radiation.

また、第2信号処理部55や電流検出部72や電流検出部79とDC/DCコンバータ71は離して配置することが好ましい。図23には、DC/DCコンバータ71を筐体41の第2信号処理部55が配置された側に対して反対側の隅部分に設けることにより、筐体41内を対角線で区切った場合の別々の領域にDC/DCコンバータ71と第2信号処理部55とを配置した形態が示されている。図23や図19に示すように、第2信号処理部55や電流検出部72や電流検出部79とDC/DCコンバータ71とを離すことにより、DC/DCコンバータ71から照射される電磁波の影響により発生するノイズを低く抑えることができる。   The second signal processing unit 55, the current detection unit 72, the current detection unit 79, and the DC / DC converter 71 are preferably arranged apart from each other. In FIG. 23, when the DC / DC converter 71 is provided in a corner portion on the opposite side to the side where the second signal processing unit 55 of the casing 41 is disposed, the inside of the casing 41 is separated by a diagonal line. The form which has arrange | positioned the DC / DC converter 71 and the 2nd signal processing part 55 in a separate area | region is shown. As shown in FIG. 23 and FIG. 19, the influence of the electromagnetic wave irradiated from the DC / DC converter 71 by separating the second signal processing unit 55, the current detection unit 72, the current detection unit 79 and the DC / DC converter 71. Therefore, it is possible to suppress the noise generated by.

また、上記第2の実施の形態では、DC/DCコンバータ71に近い領域33Aについては2以上の放射線検出用画素32Aのデジタルデータを平均化して放射線の検出を行う場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、放射線検出器20は、DC/DCコンバータ71に近い領域33Aについては直接読出配線38に複数の放射線検出用画素32Aを接続したり、複数の直接読出配線38を並列に接続するように形成し、複数の放射線検出用画素32Aの電気信号を直接読出配線38上でアナログ的に合算し、合算された電気信号をデジタル変換したデジタルデータを合算した放射線検出用画素32Aの画素数で割ることにより、平均化してもよい。また、DC/DCコンバータ71に近い領域33Aについては放射線照射検知用のしきい値も合算した放射線検出用画素32Aの画素数倍して、合算された電気信号のデジタルデータと比較するものとしてもよい。   In the second embodiment, the case where the detection of radiation is performed by averaging digital data of two or more radiation detection pixels 32A in the region 33A close to the DC / DC converter 71 has been described. It is not limited. For example, in the region 33A close to the DC / DC converter 71, the radiation detector 20 is formed such that a plurality of radiation detection pixels 32A are connected to the direct readout wiring 38 or a plurality of direct readout wirings 38 are connected in parallel. Then, the electrical signals of the plurality of radiation detection pixels 32A are directly added in analog form on the readout wiring 38, and the summed electrical signals are digitally converted and divided by the total number of radiation detection pixels 32A. May be averaged. Further, in the region 33A close to the DC / DC converter 71, the radiation detection threshold value may be multiplied by the number of the radiation detection pixels 32A and compared with the summed digital data of the electrical signal. Good.

また、上記各実施の形態では、供給される電力を異なる電圧に変圧する電源部としてDC/DCコンバータ71を用いた場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、電源部としてコイルを用いた変圧器を用いてもよい。   In each of the above-described embodiments, the case where the DC / DC converter 71 is used as a power supply unit that transforms supplied power to a different voltage has been described. However, the present invention is not limited to this. For example, you may use the transformer which used the coil as a power supply part.

また、DC/DCコンバータ71等の電源部だけではなく、バッテリ70も重量がある。このため、電子カセッテ40では、重量バランスを持たすために、図24に示すように、バッテリ70とDC/DCコンバータ71等の電源部を放射線検出器20を挟んで対向する位置に配置することが好ましい。この際、バッテリ70とDC/DCコンバータ71を接続する電源ラインは、DC/DCコンバータ71のスイッチング素子がオン、オフを繰り返すことにより電磁波が発生する。このため、バッテリ70とDC/DCコンバータ71を接続する電源ラインが配設された部分に対応する領域には放射線検出用画素32Aやセンサ部208などの検出部を配置しないことが好ましい。   Further, not only the power supply unit such as the DC / DC converter 71 but also the battery 70 is heavy. For this reason, in the electronic cassette 40, in order to have a weight balance, as shown in FIG. 24, the power supply unit such as the battery 70 and the DC / DC converter 71 may be disposed at a position facing the radiation detector 20. preferable. At this time, the power supply line connecting the battery 70 and the DC / DC converter 71 generates electromagnetic waves when the switching element of the DC / DC converter 71 is repeatedly turned on and off. For this reason, it is preferable not to arrange a detection unit such as the radiation detection pixel 32A or the sensor unit 208 in a region corresponding to a portion where a power supply line connecting the battery 70 and the DC / DC converter 71 is disposed.

また、上記各実施の形態では、錯綜を回避するために、放射線検出用画素32Aに蓄積された電荷を放電することに関しては特に言及しなかったが、放射線の照射開始を検出したタイミングで、放射線検出用画素32Aによって蓄積された電荷を放電させた後に放射線の照射終了を検出する形態としてもよい。これにより、放射線の照射終了を検出する際の上記放射線量の飽和を防止することができる。   Further, in each of the above embodiments, in order to avoid complications, no particular mention was made regarding discharging the charge accumulated in the radiation detection pixels 32A, but at the timing when the start of radiation irradiation is detected, It is also possible to detect the end of radiation irradiation after discharging the charge accumulated by the detection pixel 32A. Thereby, the saturation of the said radiation dose at the time of detecting completion | finish of irradiation of a radiation can be prevented.

また、上記各実施の形態では、センサ部13が、シンチレータ8で発生した光を受光することにより電荷が発生する有機光電変換材料を含んで構成されている場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、センサ部13として有機光電変換材料を含まずに構成されたものを適用する形態としてもよい。   Further, in each of the above embodiments, the case where the sensor unit 13 is configured to include an organic photoelectric conversion material that generates charges by receiving light generated by the scintillator 8 has been described. It is good also as a form which applies what was constituted without including an organic photoelectric conversion material as sensor part 13 without being limited to.

また、上記第3の実施の形態では、放射線検出部200は、各センサ部208がシンチレータ210の光を検出するものとした場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、放射線検出部200は、シンチレータ210を形成せずに、シンチレータ8からの光を検出するものとしてもよい。また、放射線検出部200は、放射線検出部200のシンチレータ8側に配置してもよい。   In the third embodiment, the radiation detection unit 200 has been described with respect to the case where each sensor unit 208 detects light from the scintillator 210. However, the present invention is not limited to this. For example, the radiation detection unit 200 may detect light from the scintillator 8 without forming the scintillator 210. The radiation detection unit 200 may be disposed on the scintillator 8 side of the radiation detection unit 200.

また、上記各実施の形態では、放射線検出器20を間接変換方式のものとした場合について説明したが、放射線検出器20を直接変換方式のものとしてもよい。   Further, in each of the above embodiments, the case where the radiation detector 20 is of the indirect conversion type has been described, but the radiation detector 20 may be of the direct conversion type.

また、上記各実施の形態では、電子カセッテ40の筐体41の内部にカセッテ制御部58や電源部70を収容するケース42と放射線検出器20とを重ならないように配置した場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、放射線検出器20とカセッテ制御部58や電源部70を重なるように配置してもよい。   Further, in each of the above-described embodiments, the case has been described in which the case 42 that accommodates the cassette control unit 58 and the power supply unit 70 and the radiation detector 20 are arranged so as not to overlap each other inside the casing 41 of the electronic cassette 40. However, the present invention is not limited to this. For example, the radiation detector 20 and the cassette control unit 58 or the power supply unit 70 may be arranged so as to overlap each other.

また、上記各実施の形態では、電子カセッテ40とコンソール110との間、放射線発生装置120とコンソール110との間で、無線にて通信を行う場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、これらの少なくとも一方を有線にて通信を行う形態としてもよい。   In each of the above embodiments, the case where wireless communication is performed between the electronic cassette 40 and the console 110 and between the radiation generator 120 and the console 110 has been described, but the present invention is not limited thereto. For example, at least one of these may be configured to perform wired communication.

また、上記各実施の形態では、放射線としてX線を適用した場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、γ線等の他の放射線を適用する形態としてもよい。   In each of the above embodiments, the case where X-rays are applied as radiation has been described. However, the present invention is not limited to this, and other radiation such as γ-rays may be applied.

その他、上記各実施の形態で説明したRIS100の構成、放射線撮影室の構成、電子カセッテ40の構成、撮影システム104の構成は一例であり、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において、不要な部分を削除したり、新たな部分を追加したり、接続状態等を変更したりすることができることは言うまでもない。   In addition, the configuration of the RIS 100, the configuration of the radiation imaging room, the configuration of the electronic cassette 40, and the configuration of the imaging system 104 described in the above embodiments are merely examples, and are unnecessary portions within the scope of the present invention. Needless to say, can be deleted, a new part can be added, or the connection state can be changed.

20 放射線検出器
31 撮影領域
32 画素
32A 各放射線検出用画素(検出部)
33 領域
40 電子カセッテ
55 第2信号処理部
58 カセッテ制御部(検知手段)
71 DC/DCコンバータ(電源部)
72 電流検出部(検出部)
79 電流検出部(検出部)
208 センサ部
20 radiation detector 31 imaging region 32 pixel 32A each radiation detection pixel (detection unit)
33 area 40 electronic cassette 55 second signal processing unit 58 cassette control unit (detection means)
71 DC / DC converter (power supply)
72 Current detector (detector)
79 Current detector (detector)
208 Sensor unit

Claims (9)

放射線又は放射線が変換された光が照射されることにより電荷が発生し、発生した電荷を蓄積する画素が撮影領域に複数設けられ、各画素に蓄積された電荷量に応じた電気信号を出力する放射線検出器と、
供給される電力を異なる電圧に変圧する電源部と、
前記電源部からの離隔度合に応じて分布を変えて配置され、前記撮影領域に照射された放射線を検出する検出部と、
前記検出部による検出結果に基づいて放射線の照射の検知を行う検知手段と、
を備えた放射線画像撮影装置。
Charges are generated by irradiation with radiation or light converted to radiation, and a plurality of pixels for storing the generated charges are provided in an imaging region, and an electric signal corresponding to the amount of charge stored in each pixel is output. A radiation detector;
A power supply that transforms the supplied power to a different voltage; and
A detection unit that detects radiation applied to the imaging region, and is arranged with a different distribution according to the degree of separation from the power supply unit.
Detection means for detecting radiation irradiation based on the detection result by the detection unit;
A radiographic imaging apparatus comprising:
前記検出部は、前記電源部から離れた領域ほど多く配置された
請求項1記載の放射線画像撮影装置。
The radiographic image capturing apparatus according to claim 1, wherein the number of the detection units is arranged in a region farther from the power supply unit.
前記検出部は、前記電源部から離れた領域ほど少なく配置され、
前記検知手段は、前記電源部に近い領域については2以上の前記検出部の検出結果を合算又は平均化した結果に基づいて放射線の照射の検知を行う
請求項1記載の放射線画像撮影装置。
The detection unit is arranged in a smaller area away from the power supply unit,
The radiographic imaging apparatus according to claim 1, wherein the detection unit detects radiation irradiation based on a result obtained by adding or averaging the detection results of two or more detection units for an area close to the power supply unit.
各領域は、略均等に分けられた
請求項1〜請求項3の何れか1項記載の放射線画像撮影装置。
The radiographic image capturing apparatus according to claim 1, wherein each region is divided substantially equally.
前記検出部は、前記放射線検出器の画素が兼ねる
請求項1〜請求項4の何れか1項記載の放射線画像撮影装置。
The radiographic image capturing apparatus according to claim 1, wherein the detection unit also serves as a pixel of the radiation detector.
前記画素は、バイアス電圧が印加された状態で放射線又は放射線が変換された光が照射されることにより電荷が発生するセンサ部を有し、
前記検出部を、前記センサ部にバイアス電圧を印加する配線に流れる電流量を検出する電流検出部とした
請求項1〜請求項4の何れか1項記載の放射線画像撮影装置。
The pixel includes a sensor unit that generates electric charges when irradiated with radiation or light converted from radiation in a state where a bias voltage is applied,
The radiographic imaging device according to any one of claims 1 to 4, wherein the detection unit is a current detection unit that detects an amount of current flowing in a wiring that applies a bias voltage to the sensor unit.
前記放射線検出器の各画素から出力される電気信号を増幅する増幅器をさらに備え、
前記検出部を、前記増幅器に供給されるアンプ電流の電流量を検出する電流検出部とした
請求項1〜請求項4の何れか1項記載の放射線画像撮影装置。
An amplifier that amplifies an electrical signal output from each pixel of the radiation detector;
The radiographic imaging apparatus according to claim 1, wherein the detection unit is a current detection unit that detects an amount of an amplifier current supplied to the amplifier.
前記電源部の電力源となるバッテリをさらに備え、
前記電源部と前記バッテリは、放射線検出器を挟んで対向する位置に配置された
請求項1〜請求項5の何れか1項記載の放射線画像撮影装置。
The battery further serves as a power source of the power supply unit,
The radiographic imaging apparatus according to any one of claims 1 to 5, wherein the power supply unit and the battery are arranged at positions facing each other with a radiation detector interposed therebetween.
前記検出部は、前記バッテリからの電力を前記電源部に供給する電源ラインが配設された部分に対応する領域に未配置とされた
請求項8記載の放射線画像撮影装置。
The radiographic imaging apparatus according to claim 8, wherein the detection unit is not arranged in a region corresponding to a portion where a power supply line that supplies power from the battery to the power supply unit is arranged.
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