JP2012142447A - Wafer mounting mechanism, wafer mounting stage, and resist forming device - Google Patents

Wafer mounting mechanism, wafer mounting stage, and resist forming device Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wafer mounting mechanism and a wafer mounting stage which can ensure excellent heat conduction between a wafer and a wafer mounting table while avoiding contamination and damage of the wafer mounting table by the wafer without requiring any modification of an existing facility, and to provide a resist forming device using such a wafer mounting table.SOLUTION: The wafer mounting stage 100a for supporting a wafer when the wafer is processed comprises a mounting stage body 111 for mounting the wafer, and a spacer member 112 for mounting the wafer provided removably on the mounting stage body so as to adhere the surface of the mounting stage body.

Description

本発明は、ウエハ載置機構、ウエハ載置ステージ、及びレジスト形成装置に関し、特に、ウエハの処理を行う際にウエハを載置するステージの構造に関するものである。   The present invention relates to a wafer placement mechanism, a wafer placement stage, and a resist forming apparatus, and more particularly to a structure of a stage on which a wafer is placed when processing a wafer.

従来から、半導体装置の製造工程などでは、半導体ウエハの処理を行う際には、薄い円板状のウエハをウエハ載置台上に載置し、ウエハ載置台上に保持されたウエハに対して各種の処理を施している。   Conventionally, in semiconductor device manufacturing processes, when processing semiconductor wafers, a thin disk-shaped wafer is placed on a wafer mounting table, and various wafers are held on the wafer mounting table. It has been processed.

例えば、ウエハ表面に形成した半導体膜や絶縁膜を選択的なエッチングによりパターニングする場合など、エッチングマスクとして所定の平面パターンを有するレジスト膜を形成するが、このレジスト膜の形成工程では、レジストの塗布、塗布したレジストの加熱による乾燥、乾燥したレジストの冷却、さらに冷却したレジスト膜の露光現像といった一連の処理が行われる。   For example, when a semiconductor film or an insulating film formed on the wafer surface is patterned by selective etching, a resist film having a predetermined plane pattern is formed as an etching mask. In this resist film forming process, resist coating is performed. Then, a series of processes such as drying by heating the applied resist, cooling of the dried resist, and exposure and development of the cooled resist film are performed.

ここで、レジストの乾燥のための加熱、あるいは乾燥したレジストの冷却などの処理は、ウエハをホットプレートやクーリングプレートなどのウエハ載置台上に載置してウエハの温度を所望の温度にする。   Here, in the processing such as heating for drying the resist or cooling the dried resist, the wafer is placed on a wafer mounting table such as a hot plate or a cooling plate to bring the temperature of the wafer to a desired temperature.

ところで、近年、シリコンウエハの他に、発光ダイオード(LED)の製造等でサファイア基板が用いられるようになってきているが、このサファイア基板は、シリコン基板に比べて熱容量が大きい。   In recent years, in addition to silicon wafers, sapphire substrates have been used in the manufacture of light-emitting diodes (LEDs) and the like, but this sapphire substrate has a larger heat capacity than silicon substrates.

そこで、ウエハの昇温あるいは降温を短時間で行うため、ウエハをウエハ載置台上に載置する方法が工夫されている。   Therefore, in order to raise or lower the temperature of the wafer in a short time, a method for placing the wafer on the wafer placement table has been devised.

図4は、例えばホットプレート上にウエハを載置する方法を説明する図である。   FIG. 4 is a diagram for explaining a method of placing a wafer on a hot plate, for example.

一般的な方法として、図4(a)に示すように、ホットプレート200上にウエハWfを直接載置する方法がある。   As a general method, there is a method in which a wafer Wf is directly placed on a hot plate 200 as shown in FIG.

この方法では、ウエハとホットプレートとの間での熱伝導は良好なものとなり、ウエハの昇温あるいは降温を短時間で行うことができる。   In this method, the heat conduction between the wafer and the hot plate is good, and the temperature of the wafer can be raised or lowered in a short time.

しかしながら、このようにウエハをホットプレート上に直接載置する方法では、ウエハと接触するホットプレート表面が汚染されたり傷つけられたりするという問題があり、ホットプレートのその損傷に起因する頻繁な交換はランニングコストの増大を招くことにもなる。   However, in this method of directly placing the wafer on the hot plate, there is a problem that the surface of the hot plate in contact with the wafer is contaminated or damaged, and frequent replacement due to the damage of the hot plate is not possible. This will also increase the running cost.

そこで、図4(b)に示すように、ウエハWfをポットプレート200上に支持突起201により0.1mm〜0.2mm程度の隙間ができるよう若干浮かせて載置する方法も考えられるが、この場合、ホットプレート表面がウエハと直接接触することはないので、ホットプレート表面がウエアにより汚染されたり傷つけられたりすることはないものの、ウエハWfとポットプレート200との間に隙間ができるため、ウエハとホットプレートとの間での熱伝導性が劣化することとなる。   Therefore, as shown in FIG. 4B, a method is also conceivable in which the wafer Wf is placed on the pot plate 200 so that the wafer Wf is slightly lifted by the support protrusions 201 so that a gap of about 0.1 mm to 0.2 mm is formed. In this case, since the surface of the hot plate does not come into direct contact with the wafer, the surface of the hot plate is not contaminated or damaged by the wear, but a gap is formed between the wafer Wf and the pot plate 200. And the thermal conductivity between the hot plate and the hot plate deteriorates.

また、特許文献1では、このようにウエハとホットプレートとの間での良好な熱伝導の実現と、ホットプレートの汚染や損傷の回避といった課題を解決したものとして、図4(c)に示すように、ウエハWfをウエハ載置トレイ11に収容してホットプレート200上に載置する方法が提案されている。   Further, in Patent Document 1, as shown in FIG. 4C, the problems of realizing good heat conduction between the wafer and the hot plate and avoiding contamination and damage of the hot plate are solved. As described above, there has been proposed a method in which the wafer Wf is accommodated in the wafer placement tray 11 and placed on the hot plate 200.

図5は、特許文献1に開示の基板載置トレイを説明する図であり、図5(a)はその表面の構造を示し、図5(b)は、図1のA−A’線断面の構造を示している。   FIG. 5 is a view for explaining the substrate mounting tray disclosed in Patent Document 1, FIG. 5 (a) shows the structure of the surface, and FIG. 5 (b) is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. The structure of is shown.

図5に示す基板載置トレイ10は、略円板状の外形を有する台座11を有している。この台座11は、例えば、カーボン、シリコン、炭化珪素、アルミニウム、酸化アルミニウムなどの材料を主成分としたものが用いられる。これらは、耐熱性、切削加工性、熱伝導効率の面で優れている。   The substrate mounting tray 10 shown in FIG. 5 has a pedestal 11 having a substantially disk-shaped outer shape. For this pedestal 11, for example, a material mainly composed of carbon, silicon, silicon carbide, aluminum, aluminum oxide or the like is used. These are excellent in terms of heat resistance, cutting workability, and heat conduction efficiency.

この台座11の上面には、ウエハ(以下、基板とも言う。)Wfを収容するための基板載置用凹部13が形成されており、該凹部13の側面12の一部は、基板Wfの位置合わせマーク(つまりオリフラ部)との位置合わせ部14となっている。   On the upper surface of the pedestal 11, a substrate mounting recess 13 for accommodating a wafer (hereinafter also referred to as a substrate) Wf is formed, and a part of the side surface 12 of the recess 13 is located at the position of the substrate Wf. The alignment portion 14 is aligned with the alignment mark (that is, the orientation flat portion).

さらに、この基板載置用凹部13の底面は、基板を載置する平坦な載置面15となっており、この載置面15には、更に複数の凹状穴部16が設けられている。凹状穴部16の各々は、上記ウエハWfの非接触とすべき複数の領域である機能素子領域と対応するように配置されている。   Further, the bottom surface of the substrate mounting recess 13 is a flat mounting surface 15 on which the substrate is mounted, and the mounting surface 15 is further provided with a plurality of concave holes 16. Each of the recessed hole portions 16 is arranged so as to correspond to a functional element region which is a plurality of regions that should be non-contact with the wafer Wf.

この特許文献1に開示されているように、ウエハをウエハ載置トレイに収容してホットプレート上などに載置するようにすることで、ホットプレートがウエハにより傷つけられるといった課題を解決でき、また、ホットプレートとウエハとの間に空隙ができて熱伝導性が劣化するといった課題は、上記のようなウエハ載置トレイを熱伝導性に優れた材料で構成することで解消できる。   As disclosed in this Patent Document 1, the problem that the hot plate is damaged by the wafer can be solved by accommodating the wafer in the wafer mounting tray and placing it on the hot plate. The problem that a gap is formed between the hot plate and the wafer and the thermal conductivity is deteriorated can be solved by configuring the wafer mounting tray as described above with a material having excellent thermal conductivity.

特開2004−342834号公報JP 2004-342834 A

上述した特許文献1に開示のように、ウエハWfをウエハ載置トレイ11に収容してホットプレート上などに載置する方法では、ウエハとウエハ載置トレイとを一体にしてウエハに対して成膜などの処理を行うので、ウエハとウエハ載置トレーとの密着度を高く保持してウエハ温度の均一化を図ることできるが、トレイは、ウエハの表面での素子領域の配置パターンによって、また、ウエハサイズによっても交換の必要が生ずる。   As disclosed in Patent Document 1 described above, in the method in which the wafer Wf is accommodated in the wafer placement tray 11 and placed on a hot plate or the like, the wafer and the wafer placement tray are integrally formed on the wafer. Since the film is processed, the wafer temperature can be made uniform by maintaining a high degree of adhesion between the wafer and the wafer mounting tray. However, depending on the arrangement pattern of the element regions on the surface of the wafer, the tray Depending on the wafer size, replacement may be required.

また、ウェハをウエハ載置台上に直接配置して処理していたウエハ処理装置では、上記のようなウエハ載置トレイを用いることで、トレイサイズに合わせて設備のサイズアップを行う必要が生ずる。   Further, in the wafer processing apparatus that has been processing by directly placing the wafer on the wafer mounting table, it is necessary to increase the size of the equipment in accordance with the tray size by using the wafer mounting tray as described above.

本発明は、上記のような問題点を解決するためになされたものであり、現状の設備から改造無しで、ウエハによるウエハ載置台の汚染や損傷を回避しつつ、ウエハとウエハ載置台との間での良好な熱伝導を確保することができるウエハ載置機構及びウエハ載置ステージ、並びに、このようなウエハ載置ステージを用いたレジスト形成装置を得ることを目的とする。   The present invention has been made in order to solve the above-described problems, and avoids contamination and damage of the wafer mounting table by the wafer without remodeling from the existing equipment. It is an object of the present invention to obtain a wafer placement mechanism and a wafer placement stage that can ensure good heat conduction between them, and a resist forming apparatus using such a wafer placement stage.

本発明に係るウエハ載置機構は、ウエハを載置するためのウエハ載置台と、該ウエハと該ウエハ載置台との間に配置されるスペーサ部材とを有するウエハ載置機構であって、該ウエハ載置台を、その表面に該スペーサ部材を位置決めするための係合突起を形成した構造とし、該スペーサ部材を、該ウエハ載置台の係合突起と係合する係合孔を有し、かつウエハ載置台の表面と密着する構造とし、該ウエハ載置台上に該スペーサ部材を、該ウエハ載置台の係合突起に該スペーサ部材の係合孔を係合させて着脱自在に配置したものであり、そのことにより上記目的が達成される。   A wafer mounting mechanism according to the present invention is a wafer mounting mechanism having a wafer mounting table for mounting a wafer, and a spacer member disposed between the wafer and the wafer mounting table, The wafer mounting table has a structure in which an engaging protrusion for positioning the spacer member is formed on the surface thereof, the spacer member has an engaging hole for engaging with the engaging protrusion of the wafer mounting table, and The spacer member has a structure in close contact with the surface of the wafer mounting table, and the spacer member is detachably disposed on the wafer mounting table by engaging the engaging hole of the spacer member with the engaging protrusion of the wafer mounting table. Yes, and the above objective is achieved.

本発明は、上記ウエハ載置機構において、該ウエハ載置台に形成した部品挿通孔、及び該スペーサ部材に形成した部品挿通孔を貫通するよう配置され、該スペーサ部材上で、前記ウエハを昇降させる昇降ピンと、該昇降ピンを昇降させる昇降駆動機構とを有することが好ましい。   In the wafer mounting mechanism, the present invention is arranged so as to pass through the component insertion hole formed in the wafer mounting table and the component insertion hole formed in the spacer member, and the wafer is moved up and down on the spacer member. It is preferable to have an elevating pin and an elevating drive mechanism for elevating the elevating pin.

本発明は、上記ウエハ載置機構において、前記スペーサ部材は、該スペーサ部材上に前記ウエハが載置されたとき、該スペーサ部材と該ウエハとの間から空気が該スペーサ部材の外部に逃げるよう、該スペーサ部材の表面に空気排出溝を形成したものであることが好ましい。   According to the present invention, in the wafer mounting mechanism, the spacer member allows air to escape from between the spacer member and the wafer when the wafer is mounted on the spacer member. It is preferable that an air discharge groove is formed on the surface of the spacer member.

本発明は、上記ウエハ載置機構において、前記スペーサ部材に形成された空気排出溝は、該スペーサ部材の中心に対して同心円状に形成された複数の環状溝と、該複数の環状溝と交差するよう、該スペーサ部材の中心を通る複数の直線状溝とを含むことが好ましい。   According to the present invention, in the wafer mounting mechanism, the air discharge groove formed in the spacer member intersects with the plurality of annular grooves formed concentrically with respect to the center of the spacer member, and the plurality of annular grooves. It is preferable to include a plurality of linear grooves passing through the center of the spacer member.

本発明は、上記ウエハ載置機構において、前記スペーサ部材の構成材料は、SiCあるいはAlであることが好ましい。 According to the present invention, in the wafer mounting mechanism, the constituent material of the spacer member is preferably SiC or Al 2 O 3 .

本発明に係るウエハ載置ステージは、ウエハの処理を行う際に該ウエハを支持するウエハ載置ステージであって、該ウエハを支持するためのステージ本体と、該載置ステージ本体上に、該載置ステージ本体の表面に密着するよう、該載置ステージ本体に着脱自在に設けられ、該ウエハを載置するためのスペーサ部材とを備えたものであり、そのことにより上記目的が達成される。   A wafer mounting stage according to the present invention is a wafer mounting stage that supports the wafer when processing the wafer, and a stage main body for supporting the wafer, on the mounting stage main body, The mounting stage main body includes a spacer member that is detachably provided on the mounting stage main body so as to be in close contact with the surface of the mounting stage main body. .

本発明は、上記ウエハ載置ステージにおいて、前記ステージ本体は、前記ウエハを加熱するウエハ加熱部あるいは該ウエハを冷却するウエハ冷却部の少なくとも一方を有することが好ましい。   According to the present invention, in the wafer mounting stage, the stage main body preferably includes at least one of a wafer heating unit that heats the wafer and a wafer cooling unit that cools the wafer.

本発明は、上記ウエハ載置ステージにおいて、前記ステージ本体は、前記ウエハを加熱するホットプレートとして機能するよう、前記ウエハ加熱部を有するものであることが好ましい。   According to the present invention, in the wafer mounting stage, the stage body preferably includes the wafer heating unit so as to function as a hot plate for heating the wafer.

本発明は、上記ウエハ載置ステージにおいて、前記ステージ本体は、前記ウエハを冷却するクーリングプレートとして機能するよう、前記ウエハ冷却部を備えたものであることが好ましい。   According to the present invention, in the wafer mounting stage, the stage body preferably includes the wafer cooling unit so as to function as a cooling plate for cooling the wafer.

本発明に係るレジスト形成装置は、ウエハの表面上にレジスト膜を形成するレジスト形成装置であって、該ウエハの表面にレジスト材料を塗布するレジスト塗布装置と、該ウエハの表面に塗布されたレジスト材料を加熱により乾燥させるレジスト乾燥装置と、該加熱されたウエハを冷却するウエハ冷却装置とを備え、該レジスト乾燥装置あるいは該ウエハ冷却装置の少なくとも一方は、該ウエハの処理を行う際にウエハを支持するウエハ載置ステージとして、上述した本発明に係るウエハ載置ステージを備えており、そのことにより上記目的が達成される。   A resist forming apparatus according to the present invention is a resist forming apparatus for forming a resist film on a surface of a wafer, the resist applying apparatus for applying a resist material to the surface of the wafer, and the resist applied to the surface of the wafer A resist drying device for drying the material by heating; and a wafer cooling device for cooling the heated wafer. At least one of the resist drying device and the wafer cooling device removes the wafer when processing the wafer. As the wafer mounting stage to be supported, the above-described wafer mounting stage according to the present invention is provided, and thereby the above object is achieved.

次に作用について説明する。   Next, the operation will be described.

本発明においては、ウエハを支持するためのステージ本体と、該載置ステージ本体上に、該載置ステージ本体の表面に密着するよう、該載置ステージ本体に着脱自在に設けられ、該ウエハを載置するためのスペーサ部材とを備えたので、現状の設備から改造無しで、ウエハによるウエハ載置台の汚染や損傷を回避しつつ、ウエハとウエハ載置台との間での良好な熱伝導を確保することができる。   In the present invention, a stage main body for supporting the wafer, and the mounting stage main body is detachably provided on the mounting stage main body so as to be in close contact with the surface of the mounting stage main body. Since it has a spacer member for mounting, good heat conduction between the wafer and the wafer mounting table can be achieved while avoiding contamination and damage of the wafer mounting table by the wafer without modification from the existing equipment. Can be secured.

本発明においては、前記スペーサ部材を、該スペーサ部材上に前記ウエハが載置されたとき、該スペーサ部材と該ウエハとの間から空気が該スペーサ部材の外部に逃げるよう、該スペーサ部材の表面に空気排出溝を形成した構造としているので、ウエハをスペーサ部材上に載置するとき、該スペーサ部材の表面に形成されている空気排出溝を通って、該スペーサ部材と該ウエハとの間から空気が該スペーサ部材の外部に排出される。このため、ウエハはスペーサ部材の所定の位置に載置されることとなる。   In the present invention, the surface of the spacer member is arranged such that when the wafer is placed on the spacer member, air escapes from between the spacer member and the wafer to the outside of the spacer member. Since the air discharge groove is formed on the spacer member, when the wafer is placed on the spacer member, the air discharge groove formed on the surface of the spacer member is passed between the spacer member and the wafer. Air is discharged to the outside of the spacer member. For this reason, the wafer is placed at a predetermined position of the spacer member.

以上のように、本発明によれば、ウエハを支持するためのステージ本体と、該載置ステージ本体上に、該載置ステージ本体の表面に密着するよう、該載置ステージ本体に着脱自在に設けられ、該ウエハを載置するためのスペーサ部材とを備えたので、現状の設備から改造無しで、ウエハによるウエハ載置台の汚染や損傷を回避しつつ、ウエハとウエハ載置台との間での良好な熱伝導を確保することができるウエハ載置機構及びウエハ載置ステージ、並びに、このようなウエハ載置ステージを用いたレジスト塗布装置を得ることができる。   As described above, according to the present invention, the stage main body for supporting the wafer and the mounting stage main body are detachably attached to the mounting stage main body so as to be in close contact with the surface of the mounting stage main body. Provided with a spacer member for mounting the wafer between the wafer and the wafer mounting table while avoiding contamination and damage of the wafer mounting table by the wafer without modification from the current equipment. It is possible to obtain a wafer mounting mechanism and a wafer mounting stage that can ensure good heat conduction, and a resist coating apparatus using such a wafer mounting stage.

図1は、本発明の実施形態1によるレジスト形成装置を説明する図であり、該レジスト形成装置の全体構成を、レジスト膜の露光装置とともに概念的に示している。FIG. 1 is a diagram for explaining a resist forming apparatus according to Embodiment 1 of the present invention, and conceptually shows the overall configuration of the resist forming apparatus together with a resist film exposure apparatus. 図2は、本発明の実施形態1によるウエハ載置ステージを説明する図であり、図2(a)は、その構成を示す斜視図であり、図2(b)は、該ウエハ載置ステージの本体の一例としてのホットプレートを示し、図2(c)は、該ウエハ載置ステージの本体の一例としてのクーリングプレートを示し、図2(d)は、スペーサ部材の構造を示している。FIG. 2 is a view for explaining a wafer mounting stage according to Embodiment 1 of the present invention, FIG. 2 (a) is a perspective view showing the configuration, and FIG. 2 (b) is the wafer mounting stage. FIG. 2C shows a cooling plate as an example of the main body of the wafer mounting stage, and FIG. 2D shows the structure of the spacer member. 図3は、本発明の実施形態1によるウエハ載置ステージの動作(図3(a)〜図3(d))を説明する図である。FIG. 3 is a view for explaining the operation (FIGS. 3A to 3D) of the wafer mounting stage according to the first embodiment of the present invention. 図4は、ウエハを例えばホットプレート上に載置する従来の方法を説明する図であり、図4(a)は、ウエハを直接ホットプレート上に載置する方法、図4(b)は、ウエハをホットプレート上に支持突起により若干浮かせて載置する方法、図4(c)は、ウエハをウエハ載置トレイに収容してホットプレート上に載置する方法を示している。FIG. 4 is a diagram for explaining a conventional method for placing a wafer on a hot plate, for example. FIG. 4 (a) shows a method for placing a wafer directly on a hot plate, and FIG. FIG. 4C shows a method of placing a wafer on a hot plate by placing the wafer in a wafer placement tray. 図5は、特許文献1に開示の基板載置トレイを説明する図であり、図5(a)はその表面の構造を示し、図5(b)は、図5のA−A’線断面の構造を示している。FIG. 5 is a view for explaining the substrate mounting tray disclosed in Patent Document 1, FIG. 5 (a) shows the structure of the surface, and FIG. 5 (b) is a cross-sectional view taken along the line AA 'in FIG. The structure of is shown.

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

(実施形態1)
図1は本発明の実施形態1によるレジスト形成装置を概念的に説明するための模式図である。
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a schematic view for conceptually explaining a resist forming apparatus according to Embodiment 1 of the present invention.

この実施形態1のレジスト形成装置1は、ウエハの表面上にレジスト膜を形成するレジスト形成装置である。   The resist forming apparatus 1 according to the first embodiment is a resist forming apparatus that forms a resist film on the surface of a wafer.

つまり、このレジスト形成装置1は、該ウエハの表面にレジスト材料を塗布するレジスト塗布装置110と、該ウエハの表面に塗布されたレジスト材料を加熱により乾燥させるレジスト乾燥装置120と、該加熱されたウエハを冷却するウエハ冷却装置130とを備えている。   That is, the resist forming apparatus 1 includes a resist coating apparatus 110 that applies a resist material to the surface of the wafer, a resist drying apparatus 120 that dries the resist material applied to the surface of the wafer by heating, and the heated And a wafer cooling device 130 for cooling the wafer.

また、このレジスト形成装置1では、レジスト塗布装置110、レジスト乾燥装置120、及びウエハ冷却装置130は、この順に配列されており、この配列に沿って、ウエハを搬送する搬送系150が設けられている。この搬送系150は、上記各装置110、120、130の配列に沿って配置されたガイドレール151と、該ガイドレール上を摺動する摺動ブロック152と、該摺動ブロックに取り付けられ、ウエハを搬送する搬送アーム153とを有している。ここで、上記摺動ブロック152は、上記搬送アームを回転可能にかつ押出し及び引込み可能に保持している。   In the resist forming apparatus 1, the resist coating apparatus 110, the resist drying apparatus 120, and the wafer cooling apparatus 130 are arranged in this order, and a transfer system 150 for transferring the wafer is provided along this arrangement. Yes. The transfer system 150 includes a guide rail 151 arranged along the arrangement of the devices 110, 120, and 130, a slide block 152 that slides on the guide rail, and a wafer attached to the slide block. And a transfer arm 153 for transferring the. Here, the sliding block 152 holds the transport arm so that it can rotate and can be pushed out and retracted.

また、このレジスト形成装置1のウエハ冷却装置130に対向する位置には、露光装置140が配置されている。   An exposure device 140 is disposed at a position facing the wafer cooling device 130 of the resist forming apparatus 1.

また、本実施形態1のレジスト形成装置1では、該レジスト乾燥装置120及び該ウエハ冷却装置130はそれぞれ、該ウエハの処理を行う際にウエハを支持するウエハ載置ステージを備えている。   In the resist forming apparatus 1 according to the first embodiment, each of the resist drying device 120 and the wafer cooling device 130 includes a wafer mounting stage that supports the wafer when the wafer is processed.

図2は、本発明の実施形態1によるウエハ載置ステージを説明する図であり、図2(a)は、その構成を示す斜視図であり、図2(b)は、該ウエハ載置ステージの本体の一例としてのホットプレートを示し、図2(c)は、該ウエハ載置ステージの本体の一例としてのクーリングプレートを示している。   FIG. 2 is a view for explaining a wafer mounting stage according to Embodiment 1 of the present invention, FIG. 2 (a) is a perspective view showing the configuration, and FIG. 2 (b) is the wafer mounting stage. FIG. 2C shows a cooling plate as an example of the main body of the wafer mounting stage.

この実施形態のウエハ載置ステージ100aは、該ウエハを支持するためのステージ本体(以下、ウエハ載置台ともいう。)111と、該載置ステージ本体111上に、該載置ステージ本体111の表面に密着するよう、該載置ステージ本体111に着脱自在に設けられ、該ウエハ(図示せず)を載置するためのスペーサ部材112とを有している。   The wafer mounting stage 100a of this embodiment includes a stage main body (hereinafter also referred to as a wafer mounting table) 111 for supporting the wafer, and a surface of the mounting stage main body 111 on the mounting stage main body 111. And a spacer member 112 for mounting the wafer (not shown), which is detachably provided on the mounting stage main body 111 so as to be in close contact with the mounting stage.

ここで、スペーサ部材112の構成材料は、SiCあるいはAlである。また、ウエハWfは、例えばサファイアウエハである。但し、ウエハの構成材料及びスペーサの構成部材は上記のものに限定されるものではない。 Here, the constituent material of the spacer member 112 is SiC or Al 2 O 3 . The wafer Wf is, for example, a sapphire wafer. However, the constituent material of the wafer and the constituent members of the spacer are not limited to those described above.

ウエハ載置台111は、その表面に該スペーサ部材112を位置決めするための係合突起111fを形成した構造になっている。また、該スペーサ部材112は、該ウエハ載置台111の係合突起111fと係合する係合孔112bを有し、かつウエハ載置台の表面と密着する構造となっている。このスペーサ部材112は、該ウエハ載置台111上に、該ウエハ載置台111の係合突起111fに該スペーサ部材112の係合孔112bを係合させて着脱自在に配置されている。   The wafer mounting table 111 has a structure in which an engaging projection 111f for positioning the spacer member 112 is formed on the surface thereof. The spacer member 112 has an engagement hole 112b that engages with the engagement protrusion 111f of the wafer mounting table 111, and is in close contact with the surface of the wafer mounting table. The spacer member 112 is detachably disposed on the wafer mounting table 111 by engaging an engagement hole 112b of the spacer member 112 with an engaging protrusion 111f of the wafer mounting table 111.

また、ウエハ載置台111及び該スペーサ部材112には部品挿通孔112cが形成されており、この部品挿通孔112cには、該スペーサ部材112上で前記ウエハを昇降させる昇降ピン113aがスライド可能に配置されている。この昇降ピン113aは、ウエハ載置台111の下面側に配置された昇降駆動機構113により昇降するよう構成されている。   Further, a part insertion hole 112c is formed in the wafer mounting table 111 and the spacer member 112, and a lift pin 113a for raising and lowering the wafer on the spacer member 112 is slidably disposed in the part insertion hole 112c. Has been. The lift pins 113a are configured to be lifted and lowered by a lift drive mechanism 113 disposed on the lower surface side of the wafer mounting table 111.

また、前記スペーサ部材112は、該スペーサ部材112上にウエハWfが載置されたとき(図3参照)、該スペーサ部材112と該ウエハWfとの間から空気が該スペーサ部材112の外部に逃げるよう、該スペーサ部材の表面に空気排出溝112aを形成したものである。   In addition, when the wafer Wf is placed on the spacer member 112 (see FIG. 3), the spacer member 112 allows air to escape to the outside of the spacer member 112 from between the spacer member 112 and the wafer Wf. As described above, an air discharge groove 112a is formed on the surface of the spacer member.

具体的には、前記スペーサ部材112に形成された空気排出溝112aは、該スペーサ部材の中心に対して同心円状に形成された複数の環状溝112a1と、該複数の環状溝と交差するよう、該スペーサ部材の中心を通る複数の直線状溝112a2とから構成されている。   Specifically, the air discharge groove 112a formed in the spacer member 112 intersects the plurality of annular grooves 112a1 concentrically formed with respect to the center of the spacer member, and the plurality of annular grooves, It comprises a plurality of linear grooves 112a2 passing through the center of the spacer member.

また、スペーサ部材112は、図3(c)に示すように、昇降ピン111aが上昇してウエハWfを上端位置まで持ち上げた状態における、ウエハWfの下面からウエハ載置台(載置スペーサ本体)111の表面までの距離aから、搬送アームの侵入マージンbを差し引いた厚さ(a−b)より薄い厚みになるよう加工されている。   Further, as shown in FIG. 3C, the spacer member 112 is configured such that the wafer mounting table (mounting spacer main body) 111 extends from the lower surface of the wafer Wf in a state where the elevating pins 111 a are lifted to lift the wafer Wf to the upper end position. The thickness a is less than the thickness (ab) obtained by subtracting the penetration margin b of the transfer arm from the distance a to the surface.

そして、レジスト乾燥装置120では、該ウエハ載置ステージを構成する載置ステージ本体111aは、前記ウエハを加熱するホットプレートとして機能するよう、ウエハ加熱部111cを有している(図2(b))。この加熱部111cには、一般的には電熱ヒータなどが用いられる。このヒータ111cによりステージ本体部(ホットプレート)111bの温度は、通常130℃程度になるように制御され、これによりこのステージ本体上に載置されたウエハは加熱され、ウエハ表面に塗布されたレジスト材料は乾燥することとなる。   In the resist drying apparatus 120, the mounting stage main body 111a constituting the wafer mounting stage has a wafer heating unit 111c so as to function as a hot plate for heating the wafer (FIG. 2B). ). Generally, an electric heater or the like is used for the heating unit 111c. The heater 111c controls the temperature of the stage main body (hot plate) 111b to be about 130 ° C., whereby the wafer placed on the stage main body is heated and the resist applied on the wafer surface is heated. The material will dry.

また、ウエハ冷却装置130では、該ウエハ載置ステージを構成する載置ステージ本体111bは、ウエハを冷却するクーリングプレートとして機能するよう、ウエハ冷却部111dを備えている(図2(c))。このウエハ冷却部111dには、これに接続された配管111eを介して温度調整された恒温水が供給され、この恒温水によりステージ本体部(クーリングプレート)111bの温度は例えば室温(23℃〜24℃)になるように制御され、これによりこのステージ本体上に載置されたウエハは冷却されることとなる。   In the wafer cooling apparatus 130, the mounting stage main body 111b constituting the wafer mounting stage includes a wafer cooling unit 111d so as to function as a cooling plate for cooling the wafer (FIG. 2C). The wafer cooling section 111d is supplied with constant temperature water whose temperature is adjusted via a pipe 111e connected to the wafer cooling section 111d, and the temperature of the stage main body section (cooling plate) 111b is, for example, room temperature (23 ° C. to 24 ° C.). The wafer placed on the stage main body is cooled by this.

なお、この実施形態1のレジスト形成装置1では、図2(a)に示すウエハ載置ステージ110aを用いているが、レジスト乾燥装置120及びウエハ冷却装置130の少なくとも1つに、図2(a)に示す本実施形態のウエハ載置ステージを用いることにより、その装置では、現状の設備から改造無しで、ウエハによるウエハ載置台の汚染や損傷を回避しつつ、ウエハとウエハ載置台との間での良好な熱伝導を確保することができるという効果が得られる。   In the resist forming apparatus 1 according to the first embodiment, the wafer mounting stage 110a shown in FIG. 2A is used. However, at least one of the resist drying apparatus 120 and the wafer cooling apparatus 130 is used in FIG. By using the wafer mounting stage according to the present embodiment shown in FIG. 2), the apparatus can avoid contamination and damage of the wafer mounting table by the wafer without modifying the existing equipment, and between the wafer and the wafer mounting table. The effect that the favorable heat conduction in can be ensured is acquired.

次に、動作について説明する。   Next, the operation will be described.

図3は、本発明の実施形態1によるウエハ載置ステージの動作(図3(a)〜図3(d))を説明する図である。   FIG. 3 is a view for explaining the operation (FIGS. 3A to 3D) of the wafer mounting stage according to the first embodiment of the present invention.

まず、本実施形態によるレジスト形成装置1は、ウエハに対して選択的なイオン注入のためのイオン注入マスクとして、所定の平面パターンを有するレジスト膜を形成したり、ウエハに対する選択的なエッチングを行うためのエッチングマスクとして所定の平面パターンを有するレジスト膜を形成したりするのに用いられる。   First, the resist forming apparatus 1 according to the present embodiment forms a resist film having a predetermined plane pattern as an ion implantation mask for selective ion implantation on a wafer, or performs selective etching on a wafer. For example, a resist film having a predetermined plane pattern is used as an etching mask.

例えば、ウエハ上に形成した絶縁層を選択的にエッチングするためのレジスト膜を形成する場合、本レジスト塗布装置1の搬送アーム153により、図示しない成膜装置からこのレジスト塗布装置1にウエハが搬入されると、該ウエハWfは搬送アーム153によりレジスト塗布装置110に搬入される。   For example, when a resist film for selectively etching the insulating layer formed on the wafer is formed, the wafer is carried into the resist coating apparatus 1 from a film forming apparatus (not shown) by the transfer arm 153 of the resist coating apparatus 1. Then, the wafer Wf is carried into the resist coating apparatus 110 by the transfer arm 153.

ここで、レジスト塗布装置110では、ウエハの表面にレジスト材料が塗布され、レジスト材料が塗布されたウエハが搬送アーム153によりウエハ乾燥装置120に搬入される。ウエハ乾燥装置120では、ウエハ載置ステージ100a上に配置されたウエハが、ホットプレートとしての載置ステージ本体111aにより130℃程度まで加熱され、ウエハに塗布されたレジスト材料の乾燥が行われる。なお、乾燥温度は130℃に限るものではなく、レジスト材料の塗布条件などによっては、250℃程度の高い温度で乾燥が行われる場合もある。   Here, in the resist coating apparatus 110, a resist material is coated on the surface of the wafer, and the wafer coated with the resist material is carried into the wafer drying apparatus 120 by the transfer arm 153. In the wafer drying apparatus 120, the wafer placed on the wafer placement stage 100a is heated to about 130 ° C. by the placement stage main body 111a as a hot plate, and the resist material applied to the wafer is dried. The drying temperature is not limited to 130 ° C., and drying may be performed at a high temperature of about 250 ° C. depending on the application conditions of the resist material.

ここでの乾燥が完了すると、ウエハはさらに搬送アーム153によりウエハ乾燥装置120からウエハ冷却装置130に搬送される。ウエハ冷却装置130では、ウエハ載置ステージ100a上に配置されたウエハが、クーリングプレートとしての載置ステージ本体111bにより冷却される。室温まで冷却されたウエハは、さらに搬送アーム153により、このレジスト形成装置1に隣接して配置されている露光装置140に搬送され、レジスト膜の露光が行われる。なお、露光されたレジスト膜は、現像装置(図示せず)により現像されて所定の平面パターンを有するエッチングマスクが形成される。   When the drying is completed, the wafer is further transferred from the wafer drying device 120 to the wafer cooling device 130 by the transfer arm 153. In the wafer cooling device 130, the wafer placed on the wafer placement stage 100a is cooled by the placement stage main body 111b as a cooling plate. The wafer cooled to room temperature is further transferred by the transfer arm 153 to the exposure apparatus 140 disposed adjacent to the resist forming apparatus 1 and the resist film is exposed. The exposed resist film is developed by a developing device (not shown) to form an etching mask having a predetermined plane pattern.

以下、各装置110、120、及び130にて、搬送アームにより搬入されたウエハがウエハ載置ステージ100a上に載置される動作について、図2(a)、図3(a)〜(d)を用いて説明する。なお、ウエハを載置ステージ上に載置する動作はいずれの装置においても同様である。   Hereinafter, in each of the apparatuses 110, 120, and 130, the operation in which the wafer loaded by the transfer arm is placed on the wafer placement stage 100a will be described with reference to FIGS. 2A and 3A to 3D. Will be described. The operation of placing the wafer on the placement stage is the same in any apparatus.

まず、載置ステージ本体(ウエハ載置台)111上には、スペーサ部材112が、該ウエハ載置台の係合突起111fに該スペーサ部材の係合孔112bを係合させて配置されており、また、ウエハを昇降させる昇降ピン113aは、ウエハ載置台111に形成した部品挿通孔112c内に没入した状態となっている。   First, on the mounting stage main body (wafer mounting table) 111, a spacer member 112 is disposed by engaging an engaging hole 112b of the spacer member with an engaging protrusion 111f of the wafer mounting table. The raising / lowering pins 113 a for raising and lowering the wafer are immersed in the component insertion holes 112 c formed in the wafer mounting table 111.

この状態で、図3(d)に示すように、ウエハWfが搬送アーム153により該ウエハ載置ステージ100a上に搬入されると、昇降駆動機構113が該昇降ピン113aを上昇させて、図3(c)に示すように、搬送アーム153上のウエハWfを該搬送アーム153上からさらに上方に持ち上げる。その後、搬送アーム153は、該ウエハ載置ステージ100a上から退避すると、昇降駆動機構113が該昇降ピン113aを下降させて、図3(a)に示すように、ウエハWfをスペーサ部材112上に載置する。   In this state, as shown in FIG. 3D, when the wafer Wf is loaded onto the wafer mounting stage 100a by the transfer arm 153, the lifting drive mechanism 113 raises the lifting pins 113a, and FIG. As shown in (c), the wafer Wf on the transfer arm 153 is lifted further upward from the transfer arm 153. Thereafter, when the transfer arm 153 is retracted from the wafer mounting stage 100a, the lift drive mechanism 113 lowers the lift pins 113a, and the wafer Wf is placed on the spacer member 112 as shown in FIG. Place.

このとき、該スペーサ部材112の表面に形成されている空気排出溝112aを通って、該スペーサ部材と該ウエハとの間から空気が該スペーサ部材の外部に排出される。このため、ウエハはスペーサ部材の所定の位置に載置されることとなる(図3(b))。   At this time, air is discharged to the outside of the spacer member through the air discharge groove 112a formed on the surface of the spacer member 112 from between the spacer member and the wafer. For this reason, the wafer is placed at a predetermined position of the spacer member (FIG. 3B).

このようにウエハがウエハ載置ステージ100a上に載置されると、載置ステージ本体111(ここではホットプレート111a)によりウエハが加熱されることとなり、ウエハの絶縁膜上に塗布されたレジスト材料の乾燥が行われる。   When the wafer is thus placed on the wafer placement stage 100a, the wafer is heated by the placement stage main body 111 (here, the hot plate 111a), and the resist material applied on the insulating film of the wafer. Is dried.

そして、レジスト材料の乾燥が完了すると、昇降駆動機構113が該昇降ピン113aを上昇させてウエハWfを持ち上げ、このように、スペーサ部材112とウエハWfとの間に間隙ができた状態で、この間隙に搬送アーム153が挿入される(図3(c))。   When the drying of the resist material is completed, the elevating drive mechanism 113 raises the elevating pins 113a to lift the wafer Wf, and in this state with a gap between the spacer member 112 and the wafer Wf, The transfer arm 153 is inserted into the gap (FIG. 3C).

次に、昇降駆動機構113が該昇降ピン113aを下降させることにより、ウエハが搬送アーム153上に載ると、該搬送アーム153は可動ブロック152とともにウエハ冷却装置120まで移動し、この装置120に乾燥のために加熱されたウエハを搬入する。
その後、上記と同様な昇降ピンと搬送アームの動きにより、このウエハがウエハ載置ステージ100a上に載置されると、載置ステージ本体111(ここではクーリングプレート111b)によりウエハの冷却が行われ、冷却が完了すると、ウエハは、搬送アーム153により、レジスト形成装置1に隣接する露光装置140に搬送される。
Next, when the lift drive mechanism 113 lowers the lift pins 113a, when the wafer is placed on the transfer arm 153, the transfer arm 153 moves to the wafer cooling device 120 together with the movable block 152, and the device 120 is dried. A heated wafer is carried in.
Thereafter, when the wafer is placed on the wafer placement stage 100a by the movement of the lift pins and the transfer arm as described above, the wafer is cooled by the placement stage main body 111 (here, the cooling plate 111b). When the cooling is completed, the wafer is transferred to the exposure apparatus 140 adjacent to the resist forming apparatus 1 by the transfer arm 153.

次に作用効果について説明する。   Next, the function and effect will be described.

本実施形態では、ホットプレート111aやクーリングプレート111b上に交換容易なスペーサ部材112を配置しているので、ウエハの加熱冷却をそれぞれホットプレートやクーリングプレートで効率的に行い、かつ、汚染や傷がスペーサ部材に入った時にはスペーサ部材の交換により対応することができる。   In this embodiment, since the easily replaceable spacer member 112 is arranged on the hot plate 111a and the cooling plate 111b, the wafer is efficiently heated and cooled by the hot plate and the cooling plate, respectively, and contamination and scratches are prevented. When entering the spacer member, it can be dealt with by replacing the spacer member.

また、ホットプレート111aやクーリングプレート111bとウエハとが直接触れないため、プレートに傷が入りにくく、しかも、プレートにはウエハがスペーサ部材を介して全面で密着しているため、熱伝導によりウエハの加熱及び冷却が可能となる。   Further, since the hot plate 111a or the cooling plate 111b and the wafer are not in direct contact with each other, the plate is not easily damaged, and the wafer is in close contact with the plate through the spacer member. Heating and cooling are possible.

このように、本実施形態1では、ウエハの処理を行う際に該ウエハを支持するウエハ載置ステージ100aにおいて、ウエハを支持するための載置ステージ本体(ウエハ載置台)111と、該載置ステージ本体上に、該載置ステージ本体の表面に密着するよう、該載置ステージ本体に着脱自在に設けられ、該ウエハを載置するためのスペーサ部材112とを備えたので、現状の設備から改造無しで、ウエハによるウエハ載置台の汚染や損傷を回避しつつ、ウエハとウエハ載置台との間での良好な熱伝導を確保することができる。   As described above, in the first embodiment, in the wafer mounting stage 100a that supports the wafer when processing the wafer, the mounting stage main body (wafer mounting table) 111 for supporting the wafer, and the mounting Since it is provided on the stage main body so as to be detachably attached to the mounting stage main body so as to be in close contact with the surface of the mounting stage main body, and includes a spacer member 112 for mounting the wafer, Without modification, good heat conduction between the wafer and the wafer mounting table can be ensured while avoiding contamination and damage of the wafer mounting table by the wafer.

なお、前記載置ステージ本体は、前記ウエハを加熱するウエハ加熱部あるいは該ウエハを冷却するウエハ冷却部の少なくとも一方を有することが好ましい。   The mounting stage main body preferably includes at least one of a wafer heating unit that heats the wafer and a wafer cooling unit that cools the wafer.

以上のように、本発明の好ましい実施形態を用いて本発明を例示してきたが、本発明は、この実施形態に限定して解釈されるべきものではない。本発明は、特許請求の範囲によってのみその範囲が解釈されるべきであることが理解される。当業者は、本発明の具体的な好ましい実施形態の記載から、本発明の記載および技術常識に基づいて等価な範囲を実施することができることが理解される。本明細書において引用した特許、特許出願および文献は、その内容自体が具体的に本明細書に記載されているのと同様にその内容が本明細書に対する参考として援用されるべきであることが理解される。   As mentioned above, although this invention has been illustrated using preferable embodiment of this invention, this invention should not be limited and limited to this embodiment. It is understood that the scope of the present invention should be construed only by the claims. It is understood that those skilled in the art can implement an equivalent range based on the description of the present invention and the common general technical knowledge from the description of specific preferred embodiments of the present invention. Patents, patent applications, and documents cited herein should be incorporated by reference in their entirety, as if the contents themselves were specifically described herein. Understood.

本発明は、ウエハ載置機構、ウエハ載置ステージ、及びレジスト形成装置の分野において、特に、ウエハの処理を行う際にウエハを載置する構造を改良したものであり、現状の設備から改造無しで、ウエハによるウエハ載置台の汚染や損傷を回避しつつ、ウエハとウエハ載置台との間での良好な熱伝導を確保することができるウエハ載置機構及びウエハ載置ステージ、並びに、このようなウエハ載置ステージを用いたレジスト形成装置を提供することができるものである。   The present invention is an improved structure for placing a wafer when processing a wafer, particularly in the fields of a wafer placement mechanism, a wafer placement stage, and a resist forming apparatus, and is not modified from the existing equipment. Thus, a wafer mounting mechanism and a wafer mounting stage capable of ensuring good heat conduction between the wafer and the wafer mounting table while avoiding contamination and damage of the wafer mounting table by the wafer, and such It is possible to provide a resist forming apparatus using a simple wafer mounting stage.

1 レジスト形成装置
100a ウエハ載置ステージ
110 レジスト塗布装置
111 載置ステージ本体(ウエハ載置台)
111a 載置ステージ本体(ホットプレート)
111b 載置ステージ本体(クーリングプレート)
111c ウエハ加熱部
111d ウエハ冷却部
111e 配管
111f 係合突起
112 スペーサ部材
112a 空気排出溝
112a1 環状溝
112a2 直線状溝
112b 係合孔
112c 部品挿通孔
113 昇降駆動機構
113a 昇降ピン
120 レジスト乾燥装置
130 ウエハ冷却装置
140 露光装置
150 搬送系
151 ガイドレール
152 摺動ブロック
153 搬送アーム
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Resist formation apparatus 100a Wafer mounting stage 110 Resist coating apparatus 111 Mounting stage main body (wafer mounting table)
111a Mounting stage body (hot plate)
111b Mounting stage body (cooling plate)
111c Wafer heating section 111d Wafer cooling section 111e Piping 111f Engagement projection 112 Spacer member 112a Air discharge groove 112a1 Annular groove 112a2 Linear groove 112b Engagement hole 112c Component insertion hole 113 Elevating drive mechanism 113a Elevating pin 120 Resist drying apparatus 130 Wafer cooling Apparatus 140 Exposure apparatus 150 Conveying system 151 Guide rail 152 Sliding block 153 Conveying arm

Claims (10)

ウエハを載置するためのウエハ載置台と、該ウエハと該ウエハ載置台との間に配置されるスペーサ部材とを有するウエハ載置機構であって、
該ウエハ載置台を、その表面に該スペーサ部材を位置決めするための係合突起を形成した構造とし、
該スペーサ部材を、該ウエハ載置台の係合突起と係合する係合孔を有し、かつウエハ載置台の表面と密着する構造とし、
該ウエハ載置台上に該スペーサ部材を、該ウエハ載置台の係合突起に該スペーサ部材の係合孔を係合させて着脱自在に配置した、ウエハ載置機構。
A wafer mounting mechanism having a wafer mounting table for mounting a wafer, and a spacer member disposed between the wafer and the wafer mounting table,
The wafer mounting table has a structure in which an engaging protrusion for positioning the spacer member is formed on the surface thereof,
The spacer member has an engagement hole that engages with an engagement protrusion of the wafer mounting table, and is in close contact with the surface of the wafer mounting table.
A wafer mounting mechanism in which the spacer member is detachably disposed on the wafer mounting table, with the engaging protrusions of the wafer mounting table engaging with the engaging holes of the spacer member.
請求項1に記載のウエハ載置機構において、
該ウエハ載置台に形成した部品挿通孔、及び該スペーサ部材に形成した部品挿通孔を貫通するよう配置され、該スペーサ部材上で、前記ウエハを昇降させる昇降ピンと、
該昇降ピンを昇降させる昇降駆動機構とを有する、ウエハ載置機構。
The wafer mounting mechanism according to claim 1,
A component insertion hole formed in the wafer mounting table and a component insertion hole formed in the spacer member, and a lift pin for moving the wafer up and down on the spacer member;
A wafer mounting mechanism having a lifting drive mechanism for lifting and lowering the lifting pins.
請求項2に記載のウエハ載置機構において、
前記スペーサ部材は、該スペーサ部材上に前記ウエハが載置されたとき、該スペーサ部材と該ウエハとの間から空気が該スペーサ部材の外部に逃げるよう、該スペーサ部材の表面に空気排出溝を形成したものであるウエハ載置機構。
The wafer mounting mechanism according to claim 2,
The spacer member has an air discharge groove on the surface of the spacer member so that when the wafer is placed on the spacer member, air escapes from between the spacer member and the wafer to the outside of the spacer member. A wafer mounting mechanism that is formed.
請求項3に記載のウエハ載置機構において、
前記スペーサ部材に形成された空気排出溝は、
該スペーサ部材の中心に対して同心円状に形成された複数の環状溝と、
該複数の環状溝と交差するよう、該スペーサ部材の中心を通る複数の直線状溝とを含む、ウエハ載置機構。
The wafer mounting mechanism according to claim 3, wherein
The air discharge groove formed in the spacer member is
A plurality of annular grooves formed concentrically with respect to the center of the spacer member;
A wafer mounting mechanism including a plurality of linear grooves passing through the center of the spacer member so as to intersect the plurality of annular grooves.
請求項1ないし4のいずれか1つに記載されたウエハ載置機構において、
前記スペーサ部材の構成材料は、SiCあるいはAlである、ウエハ載置機構。
In the wafer mounting mechanism according to any one of claims 1 to 4,
The wafer mounting mechanism, wherein the spacer member is made of SiC or Al 2 O 3 .
ウエハの処理を行う際に該ウエハを支持するウエハ載置ステージであって、
該ウエハを支持するためのステージ本体と、
該載置ステージ本体上に、該載置ステージ本体の表面に密着するよう、該載置ステージ本体に着脱自在に設けられ、該ウエハを載置するためのスペーサ部材とを備えたウエハ載置ステージ。
A wafer mounting stage that supports the wafer when processing the wafer;
A stage body for supporting the wafer;
A wafer mounting stage provided on the mounting stage main body so as to be detachably provided on the mounting stage main body so as to be in close contact with the surface of the mounting stage main body, and a spacer member for mounting the wafer .
請求項6に記載のウエハ載置ステージにおいて、
前記載置ステージ本体は、前記ウエハを加熱するウエハ加熱部あるいは該ウエハを冷却するウエハ冷却部の少なくとも一方を有する、ウエハ載置ステージ。
The wafer mounting stage according to claim 6,
The mounting stage body includes at least one of a wafer heating unit that heats the wafer and a wafer cooling unit that cools the wafer.
請求項7に記載のウエハ載置ステージにおいて、
前記載置ステージ本体は、前記ウエハを加熱するホットプレートとして機能するよう、前記ウエハ加熱部を有するものである、ウエハ載置ステージ。
The wafer mounting stage according to claim 7,
The mounting stage body includes the wafer heating unit so as to function as a hot plate for heating the wafer.
請求項7に記載のウエハ載置ステージにおいて、
前記載置ステージ本体は、前記ウエハを冷却するクーリングプレートとして機能するよう、前記ウエハ冷却部を備えたものである、ウエハ載置ステージ。
The wafer mounting stage according to claim 7,
The mounting stage body includes the wafer cooling unit so as to function as a cooling plate for cooling the wafer.
ウエハの表面上にレジスト膜を形成するレジスト形成装置であって、
該ウエハの表面にレジスト材料を塗布するレジスト塗布装置と、
該ウエハの表面に塗布されたレジスト材料を加熱により乾燥させるレジスト乾燥装置と、
該加熱されたウエハを冷却するウエハ冷却装置とを備え、
該レジスト乾燥装置あるいは該ウエハ冷却装置の少なくとも一方は、
該ウエハの処理を行う際にウエハを支持するウエハ載置ステージとして、請求項6に記載のウエハ載置ステージを備えている、レジスト形成装置。
A resist forming apparatus for forming a resist film on a surface of a wafer,
A resist coating apparatus for coating a resist material on the surface of the wafer;
A resist drying apparatus for drying the resist material applied to the surface of the wafer by heating;
A wafer cooling device for cooling the heated wafer,
At least one of the resist drying device or the wafer cooling device is:
A resist forming apparatus comprising the wafer mounting stage according to claim 6 as a wafer mounting stage for supporting the wafer when processing the wafer.
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