JP2012140684A - 真空処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ランプヒータ15の被処理体Wと対向する面と反対側の面に軸長に沿う反射膜18が形成されている。反射膜18はアルミナ等をランプヒータ15の管16の表面に焼付けなどにより、被処理体Wの大きさ、加熱温度等を考慮して、光熱開口部の開口角θ=180〜60°の範囲における適切な角度に設定される。反射膜15からの反射光が被処理体Wに照射されるので、被処理体Wに照射される熱量が増大する。
【選択図】図1
Description
この対応として、ランプヒータと被処理体との間に、ランプヒータ側に凸レンズ状に突き出す石英ウィンドウを配設し、被処理体の照度分布を平坦にするようにした熱処理装置もある。この場合、石英ウィンドウは中央側に向けて、漸次、肉厚が薄くなっている(例えば、特許文献1参照)。
すなわち、従来の真空処理装置では、被処理体に照射される熱量はランプヒータの能力に比し小さいものであった。
図1は、本発明の一実施形態としてのCVD真空処理装置の断面図である。真空処理装置10は、真空チャンバ11内に多数のランプヒータ15を備えている。ランプヒータ15は、図1においては、三本ずつ、3つのグループに配列して図示されているが、実際には、真空チャンバ11内に数十本以上が配列されている。
ランプヒータ15と真空チャンバ11の下部側の壁面12bとの間には、被処理体Wが図示しない搬送機構によって搬送され真空チャンバ11に内に収容される。被処理体Wは、図示しない支持部材によって支持されている。
また、真空チャンバ11の壁面12bの外部には真空チャンバ11内を真空にするための真空ポンプ23が配置され、真空ポンプ23と真空チャンバ11内とを連通する配管24が真空チャンバ11の壁面12bを貫通して設けられている。
また、反射膜18を金で形成する場合は蒸着法等による。金蒸着により形成する場合にいても、管16の表面全体に蒸着し、この後、開口角θの領域内の部分を除去する方法、またはマスクを用いて開口角θの領域の部分が管16に被着されないように形成する方法のいずれでも形成することができる。
ランプヒータ15は、通常、管16の光熱開口部の開口角θの軸方向における中心面が被処理体Wに垂直な面となるように真空チャンバ11内に設定されるが、この位置決め角度は、管16の両端部に設けられた口金をランプヒータ15の保持部材(図示せず)に係留する際に自動的にその角度に設定される構造となっている。
図3(A)は従来の真空処理装置に関する図、(B)は本発明の処理装置に関する図である。
図3(A)および図3(B)において、E1〜E4およびE1’〜E3’は、それぞれ、下記を示す。
E1、E1’:ランプヒータ15から、直接、被処理体Wに向かう熱量
E2、E2’:ランプヒータ15からリフレクタ13に向かう熱量
E3、E3’:リフレクタ13から被処理体Wに向かう熱量
E4:ランプヒータ15の反射膜18で反射して被処理体Wに向かう熱量
(i)E1とE2およびE1’は同一である。
(ii)図3(B)のランプヒータ15には反射膜18が形成されているので、E2’はE2より小さく、従って、E3’はE3より小さい。
(iii)図3(B)におけるE4は図3(A)にはないので、このE4は、図3(A
)の場合に対する図3(B)の増加分である。
反射膜18の反射率:0.7
反射膜18の熱透過率:0.3
リフレクタ13の反射率:0.8
被処理体Wに照射される全体の熱量をEとすると
図3(A)の場合;
E=E1+E3=E1+0.8E2=1.8E1
図3(B)の場合;
E=E1’+E3’+E4=E1+0.8E2’+0.7E1’
=1.7E1+0.8*(0.3E1’)=1.94E1
また、本発明に係る真空処理装置10においては、ランプヒータ15に反射膜18を設けることにより、装置内部の被処理体W以外の領域に照射される熱量を低減する。このことは、真空処理装置に伝達される総熱量が低減されるということであり、従来、真空チャンバ内に設置されていた遮熱板等を削減することが可能となる。以下、このことについて図4を参照して説明する。
ランプヒータ35は、放射状に光を放射する。このため、真空チャンバ30a内の多くの部分に、直接、ランプヒータ35の光が照射され、真空処理装置30全体の温度が上昇する。遮熱板37は、真空処理装置30全体の温度の上昇を防ぐために必要とされる。
これに対し、本発明に係る真空処理装置10では、反射膜18を透過する光の強さは、大幅に低減されているので、真空処理装置10に照射される熱量が大幅に低減するので、従来の真空処理装置30に必要とされた遮熱板37を無くすことができ、装置を安価にすると共に小型化が可能となる。
11 真空チャンバ
12a、12b 壁面
13 リフレクタ
15 ランプヒータ
16 管
18 反射膜
E 熱量
θ 開口角
Claims (5)
- 被処理体が収容される真空チャンバ内に、ランプヒータと、前記ランプヒータから放射される光を反射して前記真空チャンバ内に収容される被処理体に照射するリフレクタを具備してなり、
前記ランプヒータは、少なくとも前記リフレクタに対向する面上に設けられ、前記被処理体側に対向する面側における一部の領域に光熱開口部を有する反射膜が形成されていることを特徴とする真空処理装置。 - 請求項1に記載の真空処理装置において、前記ランプヒータに形成された前記反射膜は、少なくともアルミナを含むことを特徴とする真空処理装置。
- 請求項1または2に記載の真空処理装置において、前記反射膜の光熱開口部は、開口角が60度〜180度であることを特徴とする真空処理装置。
- 請求項1乃至3のいずれか1項に記載の真空処理装置において、前記リフレクタは、前記真空チャンバの壁面との間に遮熱用部材を介することなく、直接、前記真空チャンバの壁面に対向して設けられていることを特徴とするとする真空処理装置。
- 請求項1乃至4のいずれか1項に記載の真空処理装置において、前記リフレクタおよび前記ランプヒータにより被処理体を400℃以上に加熱して処理を行うことを特徴とする真空処理装置。
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- 2011-01-05 JP JP2011000324A patent/JP2012140684A/ja active Pending
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