JP2012134291A - Electronic circuit device - Google Patents

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Naoya Okada
直也 岡田
Ryota Nakanishi
良太 中西
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electronic circuit device having an electronic component in which eddy current loss can be reduced efficiently while reducing the thickness and the size.SOLUTION: The electronic circuit device is provided with an electronic component (a first transformer (3)) which has a core (33) where a first core (332C) and a magnetic gap (3G) are arranged in a first direction, a small number of turn winding (32) arranged around the first core and having a first clearance L1 from the peripheral surface of the first core in a second direction intersecting the first direction, and a large number of turn winding (31) arranged around a magnetic gap while being laminated on the small number of turn winding in the first direction and having a second clearance L2 larger than the first clearance L1 from the peripheral surface of the first core in the second direction.

Description

本発明は、電子回路装置に関し、特に磁性体を有する電子部品が実装された電子回路装置に関する。   The present invention relates to an electronic circuit device, and more particularly to an electronic circuit device on which an electronic component having a magnetic material is mounted.

例えば汎用テレビジョンの電源ユニットには、直流−直流(DC−DC)コンバータが組み込まれている。DC−DCコンバータは、例えば一般家庭用100Vの交流電圧から変換された直流電圧を、更に制御回路ユニット、駆動回路ユニット等に使用される直流電圧に変換する。DC−DCコンバータは、最終的に12Vや24Vの直流電圧を生成する。   For example, a DC-DC converter is incorporated in a power supply unit of a general-purpose television. The DC-DC converter converts, for example, a DC voltage converted from a 100 V AC voltage for general home use into a DC voltage used for a control circuit unit, a drive circuit unit, and the like. The DC-DC converter finally generates a DC voltage of 12V or 24V.

薄型化並びに大画面化の傾向にある液晶テレビジョン、プラズマテレビジョン等の汎用テレビジョンの開発には電源ユニットの薄型化並びに小型化が重要な課題になっている。下記特許文献1には電源ユニットの薄型化並びに小型化に最適なコイル装置が開示されている。このコイル装置は積層シートコイルを用いている。コイル装置の積層コイルシートは、一次コイル基板、二次コイル基板、一次コイル基板のそれぞれを順次積層している。これらの一次コイル基板、二次コイル基板のそれぞれにはコイルシートが設けられている。積層シートコイルのコア装着孔には、積層シートコイルの表面側から上部コア部の突起部が装着され、裏面側から下側コア部の突起部が装着され、双方の突起部間にはギャップが設けられている。このコイル装置においては、ギャップの位置に近い二次コイル基板のコイルシート(二次コイル)がギャップから離されており、このシートコイルを通過するギャップからの漏洩磁束を減少することができるので、エネルギ損失を低減することができる特徴がある。   In developing general-purpose televisions such as liquid crystal televisions and plasma televisions that are becoming thinner and larger in screen, it is important to make power supply units thinner and smaller. Patent Document 1 below discloses a coil device that is optimal for reducing the thickness and size of a power supply unit. This coil device uses a laminated sheet coil. The laminated coil sheet of the coil device sequentially laminates a primary coil substrate, a secondary coil substrate, and a primary coil substrate. A coil sheet is provided on each of the primary coil substrate and the secondary coil substrate. In the core mounting hole of the laminated sheet coil, the protruding portion of the upper core portion is attached from the front surface side of the laminated sheet coil, the protruding portion of the lower core portion is attached from the back surface side, and there is a gap between both protruding portions. Is provided. In this coil device, the coil sheet (secondary coil) of the secondary coil substrate close to the position of the gap is separated from the gap, and the leakage magnetic flux from the gap passing through this sheet coil can be reduced. There is a feature that energy loss can be reduced.

また、下記特許文献2には、インダクタンス値、変圧比、変流比の精度の高い、インダクタンス、変成器等の電磁誘導装置が開示されている。この電磁誘導装置は、磁路の一部にギャップ部のある磁心と、このギャップ部をとばして磁心に巻き回された巻線とを備えている。   Further, Patent Document 2 below discloses an electromagnetic induction device such as an inductance, a transformer or the like with high accuracy of an inductance value, a transformation ratio, and a current transformation ratio. The electromagnetic induction device includes a magnetic core having a gap portion in a part of a magnetic path, and a winding wound around the magnetic core by skipping the gap portion.

特開平9−162035号公報Japanese Patent Laid-Open No. 9-162035 特開平1−286408号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 1-286408

しかしながら、前述の特許文献1に開示されたコイル装置、特許文献2に開示された電磁誘導装置のそれぞれにおいては、以下の点について配慮がなされていなかった。   However, in the coil device disclosed in Patent Document 1 and the electromagnetic induction device disclosed in Patent Document 2, the following points have not been considered.

まず、特許文献1に開示されたコイル装置においては、積層シートコイルが一次コイル(多数巻線:P)、二次コイル(少数巻線:S)、一次コイル(多数巻線:P)のそれぞれのコイルシートを順次積層して構成され、ギャップに最も近いコイルシートは二次コイルである。二次コイルであるコイルシートの体積は一次コイルであるコイルシートの体積に比べて大きく設定されているので、二次コイルであるコイルシートはギャップからの漏洩磁束を拾いやすい。このため、渦電流損を効率良く減少することが難しかった。   First, in the coil device disclosed in Patent Document 1, each of laminated sheet coils is a primary coil (multiple winding: P), a secondary coil (small number winding: S), and a primary coil (multiple winding: P). These coil sheets are sequentially laminated, and the coil sheet closest to the gap is a secondary coil. Since the volume of the coil sheet that is the secondary coil is set larger than the volume of the coil sheet that is the primary coil, the coil sheet that is the secondary coil can easily pick up leakage magnetic flux from the gap. For this reason, it has been difficult to efficiently reduce eddy current loss.

一方、特許文献2に開示された電磁誘導装置においては、ギャップ部をとばして磁心に巻線が巻き回されているので、ギャップ部の周囲に無駄なスペースが必要となり、薄型化並びに小型化を実現することが難しかった。   On the other hand, in the electromagnetic induction device disclosed in Patent Document 2, since the winding is wound around the magnetic core by skipping the gap portion, useless space is required around the gap portion, and the thickness and size can be reduced. It was difficult to realize.

本発明は上記課題を解決するためになされたものである。従って、本発明は、薄型化並びに小型化を実現しつつ、渦電流損を効率良く減少することができる電子部品を備えた電子回路装置を提供することである。   The present invention has been made to solve the above problems. Accordingly, the present invention is to provide an electronic circuit device including an electronic component capable of efficiently reducing eddy current loss while realizing a reduction in thickness and size.

上記課題を解決するために、本発明の実施例に係る第1の特徴は、電子回路装置において、第1の方向に磁心、磁気ギャップのそれぞれが配列された磁性体と、第1の方向と交差する第2の方向において磁心の周面から第1の離間距離を有し磁心の周囲に配設された少数巻線と、第1の方向において少数巻線に積層され、第2の方向において磁心の周面から第1の離間距離よりも大きい第2の離間距離を有し磁気ギャップの周囲に配設された多数巻線と、を有する電子部品を備える。   In order to solve the above problems, according to a first feature of an embodiment of the present invention, there is provided an electronic circuit device comprising: a magnetic body in which a magnetic core and a magnetic gap are arranged in a first direction; A minority winding disposed around the core having a first separation distance from the circumferential surface of the magnetic core in the second direction intersecting, and laminated in the first direction on the minority winding, and in the second direction And an electronic component having a plurality of windings disposed around the magnetic gap and having a second separation distance larger than the first separation distance from the circumferential surface of the magnetic core.

第1の特徴に係る電子回路装置において、磁気ギャップと少数巻線との間及び磁気ギャップと多数巻線との間が第4の離間距離に設定され、この第4の離間距離は第2の離間距離に設定されていることが好ましい。   In the electronic circuit device according to the first feature, the fourth separation distance is set between the magnetic gap and the minority winding and between the magnetic gap and the majority winding, and the fourth separation distance is the second separation distance. It is preferable that the distance is set.

第1の特徴に係る電子回路装置において、少数巻線は第1の絶縁基材の表面上に配設された第1の導電体により構成され、多数巻線は第2の絶縁基材の表面上に配設された第2の導電体により構成され、電子部品は第1の絶縁基材、第1の導電体、第2の絶縁基材、第2の導電体のそれぞれを積層したシートトランスであることが好ましい。   In the electronic circuit device according to the first feature, the minority winding is constituted by the first conductor disposed on the surface of the first insulating base, and the majority winding is the surface of the second insulating base. The electronic component is a sheet transformer in which each of the first insulating base, the first conductor, the second insulating base, and the second conductor is laminated. It is preferable that

第1の特徴に係る電子回路装置において、少数巻線において少なくとも第1の導電体の磁心から第1の離間距離を有する領域の幅寸法がそれ以外の領域の幅寸法に比べて小さく設定され、多数巻線において少なくとも第2の導電体の磁心から第2の離間距離を有する領域の幅寸法がそれ以外の領域の幅寸法に比べて小さく設定されていることが好ましい。   In the electronic circuit device according to the first feature, in the minority winding, the width dimension of the region having the first separation distance from at least the magnetic core of the first conductor is set smaller than the width dimension of the other region, In the multiple windings, it is preferable that the width dimension of the region having the second separation distance from at least the magnetic core of the second conductor is set smaller than the width dimension of the other regions.

第1の特徴に係る電子回路装置において、少数巻線において第1の導電体のその側面と磁心又は磁性体とが対向する領域の幅寸法がそれ以外の領域の幅寸法に比べて小さく設定され、多数巻線において第2の導電体のその側面と磁気ギャップ、磁心又は磁性体とが対向する領域の幅寸法がそれ以外の領域の幅寸法に比べて小さく設定されていることが好ましい。   In the electronic circuit device according to the first feature, the width dimension of the region where the side surface of the first conductor is opposed to the magnetic core or the magnetic body in the minority winding is set smaller than the width dimension of the other regions. In the multiple windings, it is preferable that the width dimension of the region where the side surface of the second conductor and the magnetic gap, the magnetic core, or the magnetic body face each other is set smaller than the width dimension of the other regions.

第1の特徴に係る電子回路装置において、少数巻線の第1の導電体、多数巻線の第2の導電体に放熱体が装着されていることが好ましい。   In the electronic circuit device according to the first feature, it is preferable that a heat radiator is mounted on the first conductor of the minority winding and the second conductor of the majority winding.

本発明の実施例に係る第2の特徴は、電子回路装置において、第1の方向に第1の磁心、磁気ギャップ、第2の磁心のそれぞれが配列された磁性体と、第1の方向と交差する第2の方向において第1の磁心の周面から第1の離間距離を有し第1の磁心の周囲に配設された第1の少数巻線と、第1の方向において第1の少数巻線に積層され、第2の方向において第1の磁心の周面から第1の離間距離よりも大きい第2の離間距離を有し磁気ギャップの周囲に配設された多数巻線と、第1の方向において多数巻線を介在して第1の少数巻線に積層され、第2の方向において第2の磁心の周面から第2の離間距離よりも小さい第3の離間距離を有し第2の磁心の周囲に配設された第2の少数巻線と、を有する電子部品を備える。   According to a second feature of an embodiment of the present invention, in the electronic circuit device, a magnetic body in which the first magnetic core, the magnetic gap, and the second magnetic core are arranged in the first direction, and the first direction, A first minority winding disposed around the first magnetic core and having a first separation distance from the circumferential surface of the first magnetic core in the intersecting second direction; and the first minority winding in the first direction. A plurality of windings stacked around the magnetic gap and having a second spacing distance greater than the first spacing distance from the circumferential surface of the first magnetic core in the second direction, wherein the windings are stacked on the minority windings. In the first direction, a plurality of windings are interposed and stacked on the first minority winding, and in the second direction, the third separation distance is smaller than the second separation distance from the peripheral surface of the second magnetic core. And an electronic component having a second minority winding disposed around the second magnetic core.

本発明によれば、薄型化並びに小型化を実現しつつ、渦電流損を効率良く減少することができる電子部品を備えた電子回路装置を提供することである。   According to the present invention, it is an object of the present invention to provide an electronic circuit device including an electronic component that can efficiently reduce eddy current loss while realizing a reduction in thickness and size.

本発明の実施例1に係る電子回路装置の回路システムブロック図である。1 is a circuit system block diagram of an electronic circuit device according to Embodiment 1 of the present invention. 実施例1に係る電子回路装置の一部樹脂封止体を取り除いた平面図(上面図)である。It is the top view (top view) which removed the resin sealing body of the electronic circuit device which concerns on Example 1. FIG. 図2に示す電子回路装置の一部樹脂封止体を取り除いた底面図(下面図)である。It is the bottom view (bottom view) which removed the resin sealing body of the electronic circuit device shown in FIG. 図2及び図3に示す電子回路装置の側面断面図である。FIG. 4 is a side cross-sectional view of the electronic circuit device shown in FIGS. 2 and 3. 図2乃至図3に示す電子回路装置の樹脂封止体を含む全体斜視図である。FIG. 4 is an overall perspective view including a resin sealing body of the electronic circuit device shown in FIGS. 2 to 3. 実施例1に係る電子回路装置の第1のトランス(電子部品)の分解斜視図である。1 is an exploded perspective view of a first transformer (electronic component) of an electronic circuit device according to Embodiment 1. FIG. 図6に示す第1のトランスの要部断面図である。It is principal part sectional drawing of the 1st trans | transformer shown in FIG. 図6及び図7に示す第1のトランスの少数巻線の一部及び絶縁基材の平面図である。FIG. 8 is a plan view of a part of the minority winding of the first transformer shown in FIGS. 6 and 7 and an insulating substrate. 図6及び図7に示す第1のトランスの多数巻線及び絶縁基材の平面図である。FIG. 8 is a plan view of multiple windings and an insulating substrate of the first transformer shown in FIGS. 6 and 7. 図6及び図7に示す第1のトランスの少数巻線の他の一部及び絶縁基材の平面図である。FIG. 8 is a plan view of another part of the minority winding of the first transformer shown in FIGS. 6 and 7 and an insulating substrate. 実施例1に係る第1のトランスの多数巻線及び少数巻線の積層状態並びに接続状態を説明する分解平面図である。FIG. 3 is an exploded plan view for explaining a lamination state and a connection state of a multiplicity winding and a small number winding of the first transformer according to the first embodiment. 実施例1に係る第1のトランスの配線幅と損失との関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the wiring width of the 1st trans | transformer which concerns on Example 1, and loss. 本発明の実施例2に係る電子回路装置において第1のトランスの少数巻線の一部及び絶縁基材の平面図である。It is a top view of a part of minority winding of a 1st transformer, and an insulating base material in an electronic circuit device concerning Example 2 of the present invention. 本発明の実施例3に係る電子回路装置において第1のトランスの要部断面図である。It is principal part sectional drawing of a 1st trans | transformer in the electronic circuit apparatus which concerns on Example 3 of this invention. (A)は本発明の実施例4に係る電子回路装置において第1のトランスの平面図、(B)は第1のトランスの側面図である。(A) is a top view of the 1st transformer in the electronic circuit device concerning Example 4 of the present invention, and (B) is a side view of the 1st transformer.

次に、図面を参照して、本発明の一実施例を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、現実のものとは異なる。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている場合がある。   Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following description of the drawings, the same or similar parts are denoted by the same or similar reference numerals. However, the drawings are schematic and different from actual ones. In addition, there may be a case where the dimensional relationships and ratios are different between the drawings.

また、以下に示す実施例はこの発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の技術的思想は各構成部品の配置等を下記のものに特定するものでない。この発明の技術的思想は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。   Further, the following embodiments exemplify apparatuses and methods for embodying the technical idea of the present invention, and the technical idea of the present invention specifies the arrangement of each component as follows. It is not what you do. The technical idea of the present invention can be variously modified within the scope of the claims.

(実施例1)
本発明の実施例1は、電源ユニットに組み込まれる電源モジュールとしての電子回路装置に本発明を適用した例を説明するものである。ここでは、電子回路装置はDC−DCコンバータである。
Example 1
Embodiment 1 of the present invention describes an example in which the present invention is applied to an electronic circuit device as a power supply module incorporated in a power supply unit. Here, the electronic circuit device is a DC-DC converter.

[電子回路装置の電子回路システムブロック構成]
図1に示すように、実施例1に係る電子回路装置1は、DC−DCコンバータを1つの電源モジュールとして構築されている。この電子回路装置1は、トランジスタ部2、メイントランスとして使用される第1のトランス(電子部品)3、コンデンサ41、42、43(電子部品)、ダイオード(電子部品)5、制御部6、ドライブ用トランスとして使用される第2のトランス(電子部品)7、温度検出部8等の複数の電子部品を少なくとも備えている。また、電子回路装置1においては、入力端子Vin+、Vin-、出力端子Vout+、Vout-、直流電圧端子DCIN、切換信号端子ON/OFF、出力電圧調整端子TRM、リモートセンシング端子Vs+、Vs-が配設されている。
[Electronic circuit system block configuration of electronic circuit device]
As shown in FIG. 1, the electronic circuit device 1 according to the first embodiment is constructed by using a DC-DC converter as one power supply module. The electronic circuit device 1 includes a transistor unit 2, a first transformer (electronic component) 3 used as a main transformer, capacitors 41, 42 and 43 (electronic components), a diode (electronic component) 5, a control unit 6, and a drive. It includes at least a plurality of electronic components such as a second transformer (electronic component) 7 and a temperature detection unit 8 that are used as a power transformer. In the electronic circuit device 1, the input terminals Vin +, Vin-, the output terminals Vout +, Vout-, the DC voltage terminal DCIN, the switching signal terminal ON / OFF, the output voltage adjustment terminal TRM, the remote sensing terminals Vs +, Vs- are arranged. It is installed.

トランジスタ部2は、第1の絶縁ゲート型トランジスタ(以下、単にIGFET(insulated gate field effect transistor)という。)21と、第2のIGFET22と、ダイオード23及び24とを備えている。ここで、IGFETとは、MOSFET(metal oxide semiconductor field effect transistor)、MISFET(metal insulated semiconductor field effect transistor)のいずれも含む意味において使用される。なお、トランジスタ部2においては、同等の機能を有していれば、IGFETに限定されるものではなく、例えばIGBT(insulated gate bipolar transistor)、バイポーラトランジスタ等を使用することができる。   The transistor section 2 includes a first insulated gate transistor (hereinafter simply referred to as an IGFET (Insulated Gate Field Effect Transistor)) 21, a second IGFET 22, and diodes 23 and 24. Here, IGFET is used in the meaning including both MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor) and MISFET (metal insulated semiconductor field effect transistor). The transistor unit 2 is not limited to an IGFET as long as it has an equivalent function, and for example, an IGBT (insulated gate bipolar transistor), a bipolar transistor, or the like can be used.

第1のIGFET21の主電極の一端は入力端子Vin+に接続され、主電極の他端は第2のIGFET22の主電極の一端に接続され、ゲート電極は第2のトランス7に接続されている。第1のIGFET21の主電極の一端と他端との間には逆バイアス方向にダイオード23が設けられている。第2のIGFET22の主電極の他端は入力端子Vin-に接続され、ゲート電極は第2のトランス7に接続されている。第2のIGFET22の主電極の一端と他端との間には逆バイアス方向にダイオード24が設けられている。また、入力端子Vin+とVin-との間にはコンデンサ42が挿入されている。   One end of the main electrode of the first IGFET 21 is connected to the input terminal Vin +, the other end of the main electrode is connected to one end of the main electrode of the second IGFET 22, and the gate electrode is connected to the second transformer 7. A diode 23 is provided in the reverse bias direction between one end and the other end of the main electrode of the first IGFET 21. The other end of the main electrode of the second IGFET 22 is connected to the input terminal Vin−, and the gate electrode is connected to the second transformer 7. A diode 24 is provided in the reverse bias direction between one end and the other end of the main electrode of the second IGFET 22. A capacitor 42 is inserted between the input terminals Vin + and Vin−.

第1のトランス(実施例1に係る電子回路)3は、一次側コイルとして使用される多数巻線(P)31、二次側コイルとして使用される少数巻線(S)32及びコア(磁性体)33を備えている。多数巻線31の一端はトランジスタ部2の出力つまり第1のIGFET21の主電極の他端及び第2のIGFET22の主電極の一端に接続され、他端はコンデンサ41を電気的に直列に介在させて入力端子Vin-に接続されている。つまり、多数巻線31は商用電源側に接続される巻線(コイル)である。少数巻線32の一端はダイオード5を電気的に直列に介在させて出力端子Vout+に接続され、他端は出力端子Vout-に接続されている。   The first transformer (electronic circuit according to the first embodiment) 3 includes a multiple winding (P) 31 used as a primary coil, a small winding (S) 32 used as a secondary coil, and a core (magnetic). Body) 33. One end of the multiple winding 31 is connected to the output of the transistor unit 2, that is, the other end of the main electrode of the first IGFET 21 and one end of the main electrode of the second IGFET 22, and the other end is electrically connected in series with the capacitor 41. Connected to the input terminal Vin-. That is, the multiple winding 31 is a winding (coil) connected to the commercial power supply side. One end of the minority winding 32 is connected to the output terminal Vout + with the diode 5 electrically connected in series, and the other end is connected to the output terminal Vout−.

出力端子Vout+とVout-との間には、コンデンサ43、温度検出部8のそれぞれが電気的に並列に挿入されている。温度検出部8は、電子回路装置1の温度を検出し、その検出結果を制御部6に出力する。制御部6においては、温度検出部8からの検出結果に基づき予め設定された温度上昇が検出された場合には、第2のトランス7を介してトランジスタ部2の動作を停止させる制御、すなわちこの電子回路システムの動作を停止させる制御を行うことができる。   Between the output terminals Vout + and Vout−, each of the capacitor 43 and the temperature detecting unit 8 is electrically connected in parallel. The temperature detection unit 8 detects the temperature of the electronic circuit device 1 and outputs the detection result to the control unit 6. In the control unit 6, when a preset temperature rise is detected based on the detection result from the temperature detection unit 8, the control for stopping the operation of the transistor unit 2 through the second transformer 7, that is, this Control for stopping the operation of the electronic circuit system can be performed.

制御部6は、図示しないが、制御用ICとフォトカプラとを少なくとも備えている。この制御部6は、切換信号端子ON/OFFから入力される切換信号に基づき、この電子回路装置1のDC−DCコンバータの動作の制御を行う。   Although not illustrated, the control unit 6 includes at least a control IC and a photocoupler. The control unit 6 controls the operation of the DC-DC converter of the electronic circuit device 1 based on a switching signal input from the switching signal terminal ON / OFF.

[電子回路装置の動作]
図1に示す実施例1に係る電子回路装置1において、まず入力端子Vin+、Vin-間に変換前の直流電圧が与えられ、更に直流電圧端子DCINには直流電圧例えば12Vが供給され、切換信号端子ON/OFFには電子回路装置1の切換信号(起動信号)が与えられる。切換信号端子ON/OFFにON信号が与えられると、制御部6は、第2のトランス7を介してトランジスタ部2の第1のIGFET21のON動作を行い、第2のIGFET22のOFF動作を行う。第1のIGFET21のON動作が行われると、トランジスタ部2(第1のIGFET21の主電極の他端)から第1のトランス3の多数巻線31に直流電流が流れる。この多数巻線31に直流電流が流れると、電磁誘導作用によって少数巻線32に直流電流が発生する。この直流電圧は出力端子Vout+、Vout-間に変換後の直流電圧として出力される。
[Operation of electronic circuit device]
In the electronic circuit device 1 according to the first embodiment shown in FIG. 1, first, a DC voltage before conversion is applied between the input terminals Vin + and Vin−, and further, a DC voltage, for example, 12V is supplied to the DC voltage terminal DCIN. A switching signal (activation signal) of the electronic circuit device 1 is given to the terminals ON / OFF. When the ON signal is given to the switching signal terminal ON / OFF, the control unit 6 performs the ON operation of the first IGFET 21 of the transistor unit 2 through the second transformer 7 and performs the OFF operation of the second IGFET 22. . When the ON operation of the first IGFET 21 is performed, a direct current flows from the transistor unit 2 (the other end of the main electrode of the first IGFET 21) to the multiple windings 31 of the first transformer 3. When a direct current flows through the majority winding 31, a direct current is generated in the minority winding 32 by electromagnetic induction. This DC voltage is output as a DC voltage after conversion between the output terminals Vout + and Vout−.

実施例1に係る電子回路装置1においては、変換前の直流電圧は例えば385Vであり、変換後の直流電圧は例えば12V又は24Vである。   In the electronic circuit device 1 according to the first embodiment, the DC voltage before conversion is, for example, 385V, and the DC voltage after conversion is, for example, 12V or 24V.

[電子回路装置の基本デバイス構造(全体構造)]
実施例1に係る電子回路装置1の基本的なデバイス断面構造は図2乃至図5に示す通りである。電子回路装置1は、第1の表面11A及びそれに対向する第2の表面11Bを有する基板(回路基板)11と、基板11に第1の表面11Aから第2の表面11Bに渡って配設された第1のトランス(電子部品)3と、この第1のトランス3の底面(図4中、下側表面であって、電子回路装置1の実装面側)に向かい合わせて配設され、金属製板材により構成された応力緩衝体91と、基板11、第1のトランス3及び応力緩衝体91の少なくとも第1のトランス3側を被覆する樹脂封止体17とを備えている。
[Basic device structure of electronic circuit device (overall structure)]
The basic device cross-sectional structure of the electronic circuit device 1 according to the first embodiment is as shown in FIGS. The electronic circuit device 1 is disposed on a substrate (circuit board) 11 having a first surface 11A and a second surface 11B opposite to the first surface 11A, and from the first surface 11A to the second surface 11B. The first transformer (electronic component) 3 and the bottom surface of the first transformer 3 (the lower surface in FIG. 4 and the mounting surface side of the electronic circuit device 1) are arranged facing each other. A stress buffer 91 made of a plate-making material, and a resin sealing body 17 that covers at least the first transformer 3 side of the substrate 11, the first transformer 3, and the stress buffer 91 are provided.

実施例1において、電子回路装置1の第1のトランス3を構築するコア33には磁性体が使用され、この磁性体は強磁性体である。この第1のトランス3の詳細な構造は後述する。   In the first embodiment, a magnetic material is used for the core 33 constituting the first transformer 3 of the electronic circuit device 1, and this magnetic material is a ferromagnetic material. The detailed structure of the first transformer 3 will be described later.

なお、実施例1において、第2のトランス(電子部品)7は、第1のトランス3と同様の構造を備えているが、第1のトランス3に比べて小さいサイズ(小さい変換効率)に設定されている。また、第2のトランス7の底面には応力緩衝体91が向かい合わせて配設されているが、第2のトランス7と応力緩衝体91との間は若干離隔されている。   In the first embodiment, the second transformer (electronic component) 7 has the same structure as the first transformer 3, but is set to a smaller size (smaller conversion efficiency) than the first transformer 3. Has been. Further, a stress buffer 91 is disposed on the bottom surface of the second transformer 7 so as to face each other, but the second transformer 7 and the stress buffer 91 are slightly separated from each other.

また、実施例1において、電子回路装置1には第1のトランス3及び第2のトランス7が使用されているが、磁性体により構築される電子部品はこれに限定されるものではなく、電子回路装置1にはリアクタンス、インダクタ等の磁性体により構築される電子部品を搭載してもよい。   Further, in the first embodiment, the first transformer 3 and the second transformer 7 are used in the electronic circuit device 1, but the electronic component constructed by the magnetic material is not limited to this. The circuit device 1 may be equipped with electronic components constructed of magnetic materials such as reactances and inductors.

応力緩衝体91は、実施例1において、樹脂封止体17の熱収縮によって第1のトランス3等の磁性体に及ぼす応力を減少することができる機能を有し、更に磁性体から発生する熱(第1のトランス3及び第2のトランス7の動作によって発生する熱)を樹脂封止体17の外部に放出する機能を有する。   The stress buffer 91 has a function of reducing the stress exerted on the magnetic body such as the first transformer 3 by the thermal contraction of the resin sealing body 17 in the first embodiment, and further the heat generated from the magnetic body. It has a function of releasing (heat generated by the operation of the first transformer 3 and the second transformer 7) to the outside of the resin sealing body 17.

[基板(回路基板)の構成]
図2乃至図4に示すように、電子回路装置1の基板11は、その構造を明確に図示していないが、絶縁基材とその絶縁基材の表面(第1の表面11A側)、それと対向する裏面(第2の表面11B側)の少なくともいずれか一方に配設された導電体とを備えている。特に積層枚数を限定するものではないが、実施例1において、基板11は1枚の板状の絶縁基材を有する単層構造により構成され、第1の表面11A及び第2の表面11Bのそれぞれに導電体(端子、配線等)が配設されている。第1の表面11A及び第2の表面11Bに配設された導電体は基板11の第1の表面11Aから第2の表面11Bに渡って配設された接続孔配線(スルーホール配線又はビア配線)を通して電気的に接続されている。なお、基板11は2層以上の多層の絶縁基板を備えていてもよい。
[Configuration of board (circuit board)]
As shown in FIGS. 2 to 4, the structure of the substrate 11 of the electronic circuit device 1 is not clearly shown, but the insulating base, the surface of the insulating base (the first surface 11A side), And a conductor disposed on at least one of the opposing back surfaces (second surface 11B side). Although the number of stacked layers is not particularly limited, in Example 1, the substrate 11 has a single-layer structure having one plate-like insulating base, and each of the first surface 11A and the second surface 11B. Conductors (terminals, wirings, etc.) are disposed on the surface. The conductors disposed on the first surface 11A and the second surface 11B are connection hole wiring (through-hole wiring or via wiring) disposed from the first surface 11A to the second surface 11B of the substrate 11. ). The substrate 11 may include a multilayer insulating substrate having two or more layers.

基板11の絶縁基材は、実施例1において、プリント配線板に多用されているガラスエポキシ樹脂基板により構成されている。必ずしもこの数値に限定されるものではないが、基板11は、長辺を例えば60mm−62mmに設定し、短辺を例えば42mm−44mmに設定した長方形の平面形状を有する。図4に示す基板11の厚さは例えば0.8mm−1.6mmに設定されている。   The insulating base material of the board | substrate 11 is comprised by the glass epoxy resin board | substrate used frequently for the printed wiring board in Example 1. FIG. Although not necessarily limited to this value, the substrate 11 has a rectangular planar shape in which the long side is set to 60 mm-62 mm, for example, and the short side is set to 42 mm-44 mm, for example. The thickness of the substrate 11 shown in FIG. 4 is set to 0.8 mm to 1.6 mm, for example.

基板11の導電体は、実施例1において、銅(Cu)、Cu合金、金(Au)等の導電性に優れた材料により構成されている。例えば、Cuが使用される場合、ラミネート法やプレス成形法により貼り付けられたCu箔か又はそのCu箔の表面にめっき法によりCuめっき層を積層した複合膜により形成される。単層のCu箔の場合、その膜厚は例えば30μm−40μmに設定されている。また、複合膜の場合、Cu箔の膜厚は例えば15μm−20μmに設定され、Cuめっき層は例えば15μm−25μmに設定されている。   The conductor of the board | substrate 11 is comprised in the material excellent in electroconductivity, such as copper (Cu), Cu alloy, and gold (Au), in Example 1. For example, when Cu is used, it is formed of a Cu foil attached by a lamination method or a press molding method or a composite film in which a Cu plating layer is laminated on the surface of the Cu foil by a plating method. In the case of a single layer Cu foil, the film thickness is set to 30 μm to 40 μm, for example. In the case of the composite film, the film thickness of the Cu foil is set to 15 μm to 20 μm, for example, and the Cu plating layer is set to 15 μm to 25 μm, for example.

[電子部品の構成]
図2及び図4に示すように、基板11の第1の表面11A上には、電子部品として、前述の図1において説明したトランジスタ部2、第1のトランス3、コンデンサ42、43、ダイオード5、制御部6、第2のトランス7及び温度検出部8等が実装されている。図3及び図4に示すように、基板11の第2の表面11Bには、前述の図1において説明した電子部品として、例えばコンデンサ41等が実装されている。
[Configuration of electronic components]
As shown in FIGS. 2 and 4, on the first surface 11A of the substrate 11, as the electronic components, the transistor unit 2, the first transformer 3, the capacitors 42 and 43, and the diode 5 described in FIG. A control unit 6, a second transformer 7, a temperature detection unit 8, and the like are mounted. As shown in FIGS. 3 and 4, for example, a capacitor 41 or the like is mounted on the second surface 11 </ b> B of the substrate 11 as the electronic component described with reference to FIG. 1.

図1、図2及び図4に示すように、トランジスタ部2は、第1のIGFET21及びダイオード23を有する半導体チップを樹脂封止体により封止した半導体装置と、同様に第2のIGFET22及びダイオード24を有する半導体チップを樹脂封止体により封止した半導体装置とを備え、2個の半導体装置により構築されている。トランジスタ部2は、第1の表面11Aにおいて、図2中、周辺領域の右下側に配設されている。   As shown in FIGS. 1, 2, and 4, the transistor unit 2 includes a semiconductor device in which a semiconductor chip having a first IGFET 21 and a diode 23 is sealed with a resin sealing body, and similarly, a second IGFET 22 and a diode. And a semiconductor device in which a semiconductor chip having 24 is sealed with a resin sealing body, and is constructed by two semiconductor devices. The transistor portion 2 is disposed on the first surface 11A on the lower right side of the peripheral region in FIG.

コンデンサ42は例えばコンデンサ本体を樹脂封止体により封止して構成されている。樹脂封止体には一実施例においてガラスエポキシ樹脂を実用的に使用することができる。コンデンサ42は、目的とする容量値によりその搭載個数は限定されるものではないが、基板11の第1の表面11Aにおいて、図2中、周辺領域の右下側に4個配設されている。コンデンサ43は例えばコンデンサ本体を樹脂封止体により封止して構成されている。コンデンサ43は、同様に目的とする容量値によりその搭載個数は限定されるものではないが、基板11の第1の表面11Aにおいて、図2中、周辺領域の左下側に6個配設されている。   The capacitor 42 is configured, for example, by sealing a capacitor body with a resin sealing body. In one embodiment, a glass epoxy resin can be practically used for the resin sealing body. The number of capacitors 42 to be mounted is not limited by the target capacitance value, but four capacitors 42 are arranged on the first surface 11A of the substrate 11 on the lower right side of the peripheral region in FIG. . The capacitor 43 is configured, for example, by sealing a capacitor body with a resin sealing body. Similarly, the number of capacitors 43 to be mounted is not limited by the target capacitance value, but six capacitors 43 are arranged on the lower left side of the peripheral region in FIG. Yes.

また、コンデンサ41は、前述のコンデンサ42及び43と同様に、例えばコンデンサ本体を樹脂封止体により封止して構成されている。コンデンサ41は、目的とする容量値によりその搭載個数は限定されるものではないが、基板11の第2の表面11Bにおいて、図3中、周辺領域の左下側に4個配設されている。このコンデンサ41はコンデンサ42の配置位置に対向する位置に配置されている。   The capacitor 41 is configured by sealing a capacitor body with a resin sealing body, for example, in the same manner as the capacitors 42 and 43 described above. The number of capacitors 41 is not limited by the target capacitance value, but four capacitors 41 are arranged on the second surface 11B of the substrate 11 on the lower left side of the peripheral region in FIG. The capacitor 41 is disposed at a position facing the position where the capacitor 42 is disposed.

ダイオード5は例えばダイオード本体具体的にはダイオードチップ(半導体素子)を樹脂封止体により封止して構成されている。ダイオード5は、目的とする整流特性によりその搭載個数は限定されるものではないが、基板11の第1の表面11Aにおいて、図2中、周辺領域の左上側に1個配設されている。   The diode 5 is configured, for example, by sealing a diode body, specifically a diode chip (semiconductor element) with a resin sealing body. The number of diodes 5 mounted is not limited by the intended rectification characteristics, but one diode 5 is disposed on the upper left side of the peripheral region in FIG.

制御部6は、トランジスタ、論理回路、抵抗、容量等、少なくともトランジスタ部2の制御を行う回路を有する半導体チップを樹脂封止体により封止した半導体装置(制御用IC)61と、フォトカプラ62及び63とを備え、構築されている。制御部6の半導体装置61は、基板11の第1の表面11Aにおいて、図2中、周辺領域の右上側に配設されている。フォトカプラ62及び63は、基板11の第1の表面11Aにおいて、図2中、左上側に配設されている。   The control unit 6 includes a semiconductor device (control IC) 61 in which a semiconductor chip having a circuit for controlling at least the transistor unit 2 such as a transistor, a logic circuit, a resistor, and a capacitor is sealed with a resin sealing body, and a photocoupler 62. And 63, and is constructed. The semiconductor device 61 of the control unit 6 is arranged on the first surface 11A of the substrate 11 on the upper right side of the peripheral region in FIG. Photocouplers 62 and 63 are disposed on the upper left side in FIG. 2 on first surface 11A of substrate 11.

温度検出部8は、基板11の第1の表面11Aにおいて、図2中、周辺領域の左上側であって、ダイオード5とフォトカプラ62及び63との間に配設されている。この温度検出部8はダイオード5を配設した領域から離間した位置に配設され、温度検出部8自体の熱による破損や誤動作を防止するようになっている。   The temperature detection unit 8 is disposed on the first surface 11A of the substrate 11 on the upper left side of the peripheral region in FIG. 2 and between the diode 5 and the photocouplers 62 and 63. The temperature detector 8 is disposed at a position away from the region where the diode 5 is disposed, so that the temperature detector 8 itself is prevented from being damaged or malfunctioning due to heat.

[第1のトランス及び第2のトランス(電子部品)の構成]
実施例1に係る電子回路装置1において、第1のトランス3並びに第2のトランス7は磁性体詳細には強磁性体により構築されている。第1のトランス3は、図2乃至図4に示すように、基板11の第1の表面11Aの中央領域において、開口15内に挿入されて配設されている。開口15は、実施例1において、基板11の第1の表面11Aからそれに対向する第2の表面11Bに貫通する貫通穴として構成されている。
[Configuration of first transformer and second transformer (electronic component)]
In the electronic circuit device 1 according to the first embodiment, the first transformer 3 and the second transformer 7 are constructed of a magnetic material, specifically, a ferromagnetic material. As shown in FIGS. 2 to 4, the first transformer 3 is inserted and disposed in the opening 15 in the central region of the first surface 11 </ b> A of the substrate 11. In the first embodiment, the opening 15 is configured as a through hole penetrating from the first surface 11A of the substrate 11 to the second surface 11B facing the substrate 11.

図6乃至図11に示すように、実施例1において第1のトランス(電子部品)3にはシートトランス構造が採用されている。この第1のトランス3は、多数巻線31(1)−31(4)、第1の少数巻線32(1)及び第2の少数巻線32(2)を有し、図6及び図7に示すように、中央部分に貫通穴125を有するトランス基板12と、トランス基板12の表面12A(図6及び図7中、上側表面)、それに対向する裏面12B(図6及び図7中、下側表面)及び側面12Cの一部に沿って配設され中央部分の貫通穴125にもトロイダルコアの第1の磁心332C、第2の磁心331C及び磁気ギャップ3Gを有するコア33とを備えている。ここでは、コア33は第1のコア(下部コア)331と第2のコア(上部コア)332とを備え、第1の磁心332Cは第2のコア332に一体に構成され、第2の磁心331Cは第1のコア331に一体に構成されている。   As shown in FIGS. 6 to 11, in the first embodiment, the first transformer (electronic component) 3 has a sheet transformer structure. The first transformer 3 includes a large number of windings 31 (1) -31 (4), a first minority winding 32 (1), and a second minority winding 32 (2). 7, the transformer substrate 12 having a through hole 125 in the central portion, the front surface 12A of the transformer substrate 12 (upper surface in FIGS. 6 and 7), and the back surface 12B (in FIGS. The core 33 having the first magnetic core 332C, the second magnetic core 331C, and the magnetic gap 3G of the toroidal core is also provided in the central through hole 125 disposed along a part of the lower surface) and the side surface 12C. Yes. Here, the core 33 includes a first core (lower core) 331 and a second core (upper core) 332, and the first magnetic core 332C is integrally formed with the second core 332, and the second magnetic core is formed. 331 </ b> C is integrally formed with the first core 331.

この第1のトランス3は、第1の方向(図6及び図7中、Z方向に対して逆方向)に第1の磁心332C、磁気ギャップ3G、第2の磁心331Cのそれぞれが順次配列されたコア(磁性体)33と、第1の方向と交差する第2の方向(図6及び図7中、X方向及びY方向)において第1の磁心332Cの周面から第1の離間距離L1を有し第1の磁心332Cの周囲に配設された第1の少数巻線32(1)と、第1の方向において第1の少数巻線32(1)に積層され、第2の方向において第1の磁心332Cの周面から第1の離間距離L1よりも大きい第2の離間距離L2を有し磁気ギャップ3Gの周囲に配設された多数巻線31(1)−31(4)と、第1の方向において多数巻線31(1)−31(4)を介在して第1の少数巻線32(1)に積層され、第2の方向において第2の磁心331Cの周面から第2の離間距離L2よりも小さい第3の離間距離L3を有し第2の磁心331Cの周囲に配設された第2の少数巻線32(2)とを備えている。   In the first transformer 3, the first magnetic core 332C, the magnetic gap 3G, and the second magnetic core 331C are sequentially arranged in the first direction (the direction opposite to the Z direction in FIGS. 6 and 7). And a first separation distance L1 from the circumferential surface of the first magnetic core 332C in a second direction (X direction and Y direction in FIGS. 6 and 7) intersecting the first direction. And the first minority winding 32 (1) disposed around the first magnetic core 332C and laminated in the first direction on the first minority winding 32 (1) in the second direction. , Multiple windings 31 (1) -31 (4) having a second separation distance L2 larger than the first separation distance L1 from the peripheral surface of the first magnetic core 332C and disposed around the magnetic gap 3G. And the first minority winding 3 with a large number of windings 31 (1) -31 (4) interposed in the first direction. (3), and has a third separation distance L3 smaller than the second separation distance L2 from the peripheral surface of the second magnetic core 331C in the second direction, and is disposed around the second magnetic core 331C. And a second minority winding 32 (2).

トランス基板(単に、「基板」と表現する場合がある。)12は、特に図7に示すように、表面(トランス基板12の表面12A側の表面であって、トランス基板12の説明において以下同様。)及びそれと対向する裏面(トランス基板12の表面12B側の裏面であって、トランス基板12の説明において以下同様。)を有する第1の絶縁基材121(1)と、以下同様に表面及び裏面を有する第1の絶縁基材121(2)と、第2の絶縁基材122(1)と、第1の絶縁基材121(3)と、第2の絶縁基材122(2)と、第1の絶縁基材121(4)と、第1の絶縁基材121(5)とを第1の方向に順次積層して構成されている。この積層数に必ずしも限定されるものではないが、実施例1において、トランス基板12は、5層の第1の絶縁基材121(1)−121(5)と、2層の第2の絶縁基材122(1)及び122(2)とを積層し、合計7層のシート状の絶縁基材を積層した構造を有する。   The transformer substrate (simply referred to as “substrate” in some cases) 12 is a surface (surface on the surface 12A side of the transformer substrate 12 as shown in FIG. 7). .) And the first insulating base material 121 (1) having the back surface (the back surface on the front surface 12B side of the transformer substrate 12 and the same shall apply hereinafter in the description of the transformer substrate 12), and the surface and A first insulating substrate 121 (2) having a back surface, a second insulating substrate 122 (1), a first insulating substrate 121 (3), and a second insulating substrate 122 (2); The first insulating base 121 (4) and the first insulating base 121 (5) are sequentially stacked in the first direction. Although not necessarily limited to the number of stacked layers, in Example 1, the transformer substrate 12 includes five layers of first insulating base materials 121 (1) -121 (5) and two layers of second insulating materials. The base materials 122 (1) and 122 (2) are stacked, and a total of seven sheet-like insulating base materials are stacked.

第1の絶縁基材121(1)の表面上には第1の導電体127(1)が配設されている。第1の絶縁基材121(2)の表面上には第3の導電体128(1)が配設されている。第1の絶縁基材121(1)の裏面は第1の絶縁基材121(2)の表面に向かい合わせて配設され、第1の絶縁基材121(1)の裏面と第1の絶縁基材121(2)の表面とが接着されている。第1の絶縁基材121(2)の裏面は第2の絶縁基材122(1)の表面に接着されている。   A first conductor 127 (1) is disposed on the surface of the first insulating base 121 (1). A third conductor 128 (1) is disposed on the surface of the first insulating base 121 (2). The back surface of the first insulating base material 121 (1) is disposed to face the surface of the first insulating base material 121 (2), and the back surface of the first insulating base material 121 (1) and the first insulating base material 121 (1). The surface of the substrate 121 (2) is bonded. The back surface of the first insulating substrate 121 (2) is bonded to the surface of the second insulating substrate 122 (1).

第2の絶縁基材122(1)の表面上には第2の導電体126(1)が配設され、裏面上には第2の導電体126(2)が配設されている。第2の絶縁基材122(2)の表面上には第2の導電体126(3)が配設され、裏面上には第2の導電体126(4)が配設されている。第2の絶縁基材122(1)の裏面は第2の絶縁基材122(2)の表面に向かい合わせて配設され、第2の絶縁基材122(1)の裏面は第1の絶縁基材121(3)を介して第2の絶縁基材122(2)の表面に接着されている。   A second conductor 126 (1) is disposed on the surface of the second insulating substrate 122 (1), and a second conductor 126 (2) is disposed on the back surface. A second conductor 126 (3) is disposed on the surface of the second insulating substrate 122 (2), and a second conductor 126 (4) is disposed on the back surface. The back surface of the second insulating base material 122 (1) is disposed so as to face the surface of the second insulating base material 122 (2), and the back surface of the second insulating base material 122 (1) is the first insulating material. The substrate is bonded to the surface of the second insulating substrate 122 (2) through the substrate 121 (3).

第1の絶縁基材121(5)の裏面上には第1の導電体127(2)が配設されている。第1の絶縁基材121(4)の裏面上には第3の導電体128(2)が配設されている。第1の絶縁基材121(5)の表面は第1の絶縁基材121(4)の裏面に向かい合わせて配設され、第1の絶縁基材121(5)の表面と第1の絶縁基材121(4)の裏面とが接着されている。第1の絶縁基材121(4)の表面は第2の絶縁基材122(4)の裏面に接着されている。   A first conductor 127 (2) is disposed on the back surface of the first insulating base 121 (5). A third conductor 128 (2) is disposed on the back surface of the first insulating base 121 (4). The surface of the first insulating substrate 121 (5) is disposed facing the back surface of the first insulating substrate 121 (4), and the surface of the first insulating substrate 121 (5) and the first insulating substrate 121 (5). The back surface of the substrate 121 (4) is bonded. The surface of the first insulating substrate 121 (4) is bonded to the back surface of the second insulating substrate 122 (4).

すなわち、トランス基板12は、表面12A側からその裏面となる表面12B側に向かって、第1の導電体127(1)、第1の絶縁基材121(1)、第3の導電体128(1)、第1の絶縁基材121(2)、第2の導電体126(1)、第2の絶縁基材122(1)、第2の導電体126(2)、第1の絶縁基材121(3)、第2の導電体126(3)、第2の絶縁基材122(2)、第2の導電体126(4)、第1の絶縁基材121(4)、第3の導電体128(2)、第1の絶縁基材121(5)、第1の導電体127(2)のそれぞれが順次積層され、絶縁基材と導電体とが交互に積層された多層基板である。   That is, the transformer substrate 12 has a first conductor 127 (1), a first insulating base 121 (1), and a third conductor 128 (from the front surface 12 A side to the front surface 12 B side as the back surface. 1), first insulating substrate 121 (2), second conductor 126 (1), second insulating substrate 122 (1), second conductor 126 (2), first insulating group Material 121 (3), second conductor 126 (3), second insulating base material 122 (2), second conductor 126 (4), first insulating base material 121 (4), third Each of the conductor 128 (2), the first insulating base 121 (5), and the first conductor 127 (2) is sequentially stacked, and the insulating base and the conductor are alternately stacked. It is.

図6、図7、図8及び図11に示すように、第1の導電体127(1)は、トランス基板12の貫通穴125を中心としてその周囲に巻き回わして延在し、少数巻線(二次コイル)32を構成している。この第1の導電体127(1)は、少なくとも第1の磁心332Cから第1の離間距離L1を有する領域の幅寸法W1をそれ以外の領域の幅寸法W1hに比べて小さく設定している。更に詳細には、第1の導電体127(1)は、その側面と第1の磁心332C又はこの第1の磁心332Cに対向する第2のコア332とが対向する領域の幅寸法W1をそれ以外の領域の幅寸法W1hに比べて小さく設定している。   As shown in FIGS. 6, 7, 8, and 11, the first conductor 127 (1) is wound around and extends around the through hole 125 of the transformer substrate 12. A wire (secondary coil) 32 is formed. In the first conductor 127 (1), at least the width dimension W1 of the region having the first separation distance L1 from the first magnetic core 332C is set smaller than the width dimension W1h of the other regions. More specifically, the first conductor 127 (1) has a width dimension W1 of a region where the side surface thereof faces the first magnetic core 332C or the second core 332 facing the first magnetic core 332C. It is set to be smaller than the width dimension W1h of the region other than.

第1の導電体127(1)の幅寸法W1の領域は、磁気ギャップ3Gや第2のコア332からの離間距離を確保している領域であり、磁気ギャップ3Gや第2のコア332等からの漏洩磁束を拾いにくくしている。一方、第1の導電体127(1)の幅寸法W1hの領域は、第1の絶縁基材121(1)のデッドスペースを有効に利用して導電体幅を拡張して配設面積を拡張した領域である。この領域特に符号32Hを付してハッチングを施した領域は、第1の導電体127(1)の一部を幅寸法W1に縮小したことによる配線抵抗値の増大に伴い発生する熱を放出する放熱体32Hを構築する。   The region of the width dimension W1 of the first conductor 127 (1) is a region in which a separation distance from the magnetic gap 3G and the second core 332 is secured, and from the magnetic gap 3G and the second core 332 and the like. Makes it difficult to pick up the leakage magnetic flux. On the other hand, the region of the width dimension W1h of the first conductor 127 (1) expands the conductor width by effectively using the dead space of the first insulating base 121 (1) to expand the arrangement area. This is the area. This region, particularly the region given the reference numeral 32H and hatched, emits heat generated as the wiring resistance value increases due to the reduction of a part of the first conductor 127 (1) to the width dimension W1. A radiator 32H is constructed.

図7、図10及び図11に示すように、第1の導電体127(2)は、第1の導電体127(1)と同様な構成を有し、トランス基板12の貫通穴125を中心としてその周囲に巻き回わして延在し、第1の導電体127(1)に電気的に直列に接続され、少数巻線(二次コイル)32を構成している。基本的には図8に示す第1の導電体127(1)と同様に、第1の導電体127(2)は、特に図10に示すように、少なくとも第2磁心331Cから第3の離間距離L3を有する領域の幅寸法W3をそれ以外の領域の幅寸法W3hに比べて小さく設定している。更に詳細には、第1の導電体127(2)は、その側面と第2の磁心331C又はこの第2の磁心331Cに対向する第1のコア331とが対向する領域の幅寸法W3をそれ以外の領域の幅寸法W3hに比べて小さく設定している。   As shown in FIGS. 7, 10, and 11, the first conductor 127 (2) has a configuration similar to that of the first conductor 127 (1) and is centered on the through hole 125 of the transformer substrate 12. As shown in FIG. 2, the coil is wound around the periphery of the first conductor 127 (1) and connected in series to form a minority winding (secondary coil) 32. Basically, like the first conductor 127 (1) shown in FIG. 8, the first conductor 127 (2) is at least a third distance from the second magnetic core 331C as shown in FIG. The width dimension W3 of the area having the distance L3 is set smaller than the width dimension W3h of the other areas. More specifically, the first conductor 127 (2) has a width dimension W3 of a region where the side surface thereof faces the second magnetic core 331C or the first core 331 facing the second magnetic core 331C. It is set smaller than the width dimension W3h of the area other than.

第1の導電体127(2)の幅寸法W3の領域は、磁気ギャップ3Gや第1のコア331からの離間距離を確保している領域であり、磁気ギャップ3Gや第1のコア331等からの漏洩磁束を拾いにくくしている。一方、第1の導電体127(2)の幅寸法W3hの領域は、第1の絶縁基材121(5)のデッドスペースを有効に利用して導電体幅を拡張して配設面積を拡張した領域である。この領域(ハッチングした領域)は、第1の導電体127(2)の一部を幅寸法W3に縮小したことによる配線抵抗値の増大に伴い発生する熱を放出する放熱体32Hを構築する。   The region of the width dimension W3 of the first conductor 127 (2) is a region in which a separation distance from the magnetic gap 3G and the first core 331 is secured, and from the magnetic gap 3G and the first core 331 and the like. Makes it difficult to pick up the leakage magnetic flux. On the other hand, the area of the width dimension W3h of the first conductor 127 (2) extends the conductor width by effectively using the dead space of the first insulating base material 121 (5) to expand the arrangement area. This is the area. This region (hatched region) constitutes a heat radiating body 32H that releases heat generated with an increase in the wiring resistance value due to the reduction of a part of the first conductor 127 (2) to the width dimension W3.

つまり、実施例1において、少数巻線32は、漏洩磁束を拾いにくくし、渦電流損を効率良く減少しつつ、その弊害として発生する熱を効率良く放出する機能を有する。更に、実施例1においては、少数巻線32及び放熱体32Hは、同一の第1の導電体127(1)又は第1の導電体127(2)によって一体に構成される(装着される)とともに、第1の絶縁基材121(1)又は121(5)のデッドスペースを有効に利用しつつ簡易な構造により構成されている。   In other words, in the first embodiment, the minority winding 32 has a function of making it difficult to pick up the leakage magnetic flux, efficiently reducing the eddy current loss, and efficiently releasing the heat generated as its adverse effect. Further, in the first embodiment, the minority winding 32 and the heat radiating body 32H are integrally configured (attached) by the same first conductor 127 (1) or first conductor 127 (2). And it is comprised by the simple structure, utilizing effectively the dead space of the 1st insulating base material 121 (1) or 121 (5).

図7、図9及び図11に示すように、第2の絶縁基材122(1)の表面上に配設された第2の導電体126(1)は、貫通穴125を中心としてその周囲を螺旋状に複数周巻き回わして延在し、多数巻線(一次コイル)31を構成している。実施例1に係る第1のトランス3は4層の第2の導電体126(1)〜126(4)を備え、第2の絶縁基材122(1)の裏面上に配設された第2の導電体126(2)、第2の絶縁基材122(2)の表面上に配設された第2の導電体126(3)、第2の絶縁基材122(2)の裏面上に配設された第2の導電体126(4)のそれぞれも同様に、貫通穴125を中心としてその周囲を螺旋状に複数周巻き回わして延在し、多数巻線31を構成している。第2の導電体126(1)−126(4)は、詳細には説明しないが、接続孔配線を通してそれぞれ電気的に直列に接続されている。   As shown in FIGS. 7, 9, and 11, the second conductor 126 (1) disposed on the surface of the second insulating base material 122 (1) has a periphery around the through hole 125. A plurality of windings (primary coils) 31 are formed by spirally winding a plurality of turns. The first transformer 3 according to the first embodiment includes four layers of second conductors 126 (1) to 126 (4), and is disposed on the back surface of the second insulating base material 122 (1). Two conductors 126 (2), the second conductor 126 (3) disposed on the surface of the second insulating substrate 122 (2), and the back surface of the second insulating substrate 122 (2) Similarly, each of the second conductors 126 (4) disposed on the outer periphery of the second conductor 126 (4) extends in a spiral manner around the through-hole 125 to form a plurality of windings 31. Yes. Although not described in detail, the second conductors 126 (1) -126 (4) are each electrically connected in series through connection hole wiring.

第2の導電体126(1)は、特に図9に示すように、少なくとも第1磁心332Cから第1の離間距離L1及び第3の離間距離L3に比べて大きな第2の離間距離L2を有する領域の幅寸法W2をそれ以外の領域の幅寸法W2hに比べて小さく設定している。更に詳細には、第2の導電体126(1)は、その側面と第1の磁心332C又はこの第1の磁心332Cに対向する第2のコア332とが対向する領域の幅寸法W2をそれ以外の領域の幅寸法W2hに比べて小さく設定している。   As shown in FIG. 9 in particular, the second conductor 126 (1) has a second separation distance L2 that is at least larger than the first separation distance L1 and the third separation distance L3 from the first magnetic core 332C. The width dimension W2 of the area is set smaller than the width dimension W2h of the other areas. More specifically, the second conductor 126 (1) has a width dimension W2 of a region where the side surface and the first magnetic core 332C or the second core 332 facing the first magnetic core 332C face each other. It is set smaller than the width dimension W2h of the other region.

第2の導電体126(1)の幅寸法W2の領域は、少数巻線32と同様に、磁気ギャップ3Gや第2のコア332からの離間距離を確保している領域であり、磁気ギャップ3Gや第2のコア332等からの漏洩磁束を拾いにくくしている。一方、第2の導電体126(1)の幅寸法W2hの領域は、第2の絶縁基材122(2)のデッドスペースを有効に利用して導電体幅を拡張して配設面積を拡張した領域である。この領域(ハッチングした領域)は、第2の導電体126(1)の一部を幅寸法W2に縮小したことによる配線抵抗値の増大に伴い発生する熱を放出する放熱体31Hを構築する。   Similar to the minority winding 32, the region of the width dimension W2 of the second conductor 126 (1) is a region that secures a separation distance from the magnetic gap 3G and the second core 332, and the magnetic gap 3G. And leakage magnetic flux from the second core 332 and the like are difficult to pick up. On the other hand, the area of the width dimension W2h of the second conductor 126 (1) extends the conductor width by effectively using the dead space of the second insulating base material 122 (2) to expand the arrangement area. This is the area. In this region (hatched region), a heat radiating body 31H that releases heat generated with an increase in the wiring resistance value due to the reduction of a part of the second conductor 126 (1) to the width dimension W2 is constructed.

図7に示すように、実施例1に係る第1のトランス3は、磁気ギャップ3Gとほぼ同一の平面上であって磁気ギャップ3Gの周囲に沿って第1の絶縁基材121(3)が配設され、第1の絶縁基材121(3)の表面上に第2の絶縁基材122(1)が配設され、第1の絶縁基材121(3)の裏面上に第2の絶縁基材122(2)が配設されている。このような構造を有するので、第2のコア32の第1の磁心332Cの周囲に第1の導電体126(1)、126(2)のそれぞれが配設され、第1のコア31の第2の磁心331Cの周囲に第1の導電体126(3)、126(4)のそれぞれが配設されている。   As shown in FIG. 7, the first transformer 3 according to the first embodiment includes the first insulating base 121 (3) on the substantially same plane as the magnetic gap 3 </ b> G and along the periphery of the magnetic gap 3 </ b> G. The second insulating base material 122 (1) is disposed on the surface of the first insulating base material 121 (3), and the second insulating base material 121 (3) is disposed on the back surface of the second insulating base material 121 (3). An insulating substrate 122 (2) is provided. With this structure, each of the first conductors 126 (1) and 126 (2) is disposed around the first magnetic core 332 C of the second core 32, and the first core 31 Each of the first conductors 126 (3) and 126 (4) is disposed around the second magnetic core 331C.

従って、第2の導電体126(2)は、特に図10に示すように、第1の導電体126(1)に電気的に直列に接続するために若干の平面形状は相違するものの、基本的には第2の導電体126(1)と同様に、幅寸法W2を有す領域と幅寸法W2hを有する領域とを備え、放熱体31Hを備えている。第2の導電体126(3)、126(4)のそれぞれは、同様に若干の平面形状は相違するものの、基本的には第2の導電体126(1)と同様に、幅寸法W2を有す領域と幅寸法W2hを有する領域とを備え、放熱体31Hを備えている。なお、第2の導電体126(3)、126(4)のそれぞれにおいて、第2の離間寸法L2の基準位置は第1のコア311の第2の磁心331Cの周面である。   Therefore, the second conductor 126 (2) is basically different in basic plan shape as shown in FIG. 10 in order to be electrically connected in series to the first conductor 126 (1). Specifically, similarly to the second conductor 126 (1), a region having a width dimension W2 and a region having a width dimension W2h are provided, and a radiator 31H is provided. Each of the second conductors 126 (3) and 126 (4) has a slightly different planar shape, but basically has a width dimension W2 similar to that of the second conductor 126 (1). The area | region which has and the area | region which has the width dimension W2h are provided, and the heat radiator 31H is provided. In each of the second conductors 126 (3) and 126 (4), the reference position of the second separation dimension L 2 is the peripheral surface of the second magnetic core 331 C of the first core 311.

図7に示す第3の導電体128(1)は、多数巻線31を構築する第2の導電体126(1)と少数巻線32を構築する第1の導電体127(1)との間に配設され(挟み込まれ)、シールド層として機能する。同様に、第3の導電体128(2)は、多数巻線31を構築する第2の導電体126(4)と少数巻線32を構築する第1の導電体127(2)との間に配設され(挟み込まれ)、シールド層として機能する。第3の導電体128(1)と第1の磁心332Cの周面との間は、第1の離間距離L1と第2の離間距離L2との間の第5の離間距離L5に設定されている。同様に、第3の導電体128(2)と第2の磁心331Cの周面との間は、第3の離間距離L3と第2の離間距離L2との間の第5の離間距離L5に設定されている。   The third conductor 128 (1) shown in FIG. 7 includes a second conductor 126 (1) that constructs the majority winding 31 and a first conductor 127 (1) that constructs the minority winding 32. It is disposed (sandwiched) between them and functions as a shield layer. Similarly, the third conductor 128 (2) is between the second conductor 126 (4) that constructs the majority winding 31 and the first conductor 127 (2) that constructs the minority winding 32. Is disposed (sandwiched) to function as a shield layer. A space between the third conductor 128 (1) and the peripheral surface of the first magnetic core 332C is set to a fifth separation distance L5 between the first separation distance L1 and the second separation distance L2. Yes. Similarly, between the third conductor 128 (2) and the peripheral surface of the second magnetic core 331C, the fifth separation distance L5 between the third separation distance L3 and the second separation distance L2 is set. Is set.

実施例1において、第1の導電体127(1)、127(2)、第2の導電体126(1)−126(4)、第3の導電体128(1)、128(2)のそれぞれには同一導電性材料が使用されている。例えば、これらの導電体にはCu、Cu合金、Au等の導電性に優れた金属箔又は金属膜が使用されている。第1の導電体127(1)、127(2)及び第2の導電体126(1)−126(4)に例えばCu箔が使用される場合、その膜厚は例えば60μm−80μmに設定されている。第3の導電体128(1)及び128(2)に例えばCu箔が使用される場合、その膜厚は、第1の導電体127(1)、127(2)及び第2の導電体126(1)−126(4)の膜厚に比べて薄く、例えば20μm−40μmに設定されている。   In Example 1, the first conductors 127 (1), 127 (2), the second conductors 126 (1) -126 (4), and the third conductors 128 (1), 128 (2) The same conductive material is used for each. For example, a metal foil or metal film having excellent conductivity such as Cu, Cu alloy, or Au is used for these conductors. When, for example, a Cu foil is used for the first conductors 127 (1), 127 (2) and the second conductors 126 (1) -126 (4), the film thickness is set to 60 μm-80 μm, for example. ing. When, for example, Cu foil is used for the third conductors 128 (1) and 128 (2), the film thicknesses thereof are the first conductors 127 (1), 127 (2), and the second conductors 126. It is thinner than the film thickness of (1) -126 (4), and is set to 20 μm-40 μm, for example.

第1の絶縁基材121(1)−121(5)は、少なくとも電気的絶縁機能を有し、かつ接着機能を有する。実施例1において、第1の絶縁基材121(1)−121(5)には、積層のときに硬化されておらず、積層後に硬化される、例えば熱硬化型樹脂接着剤を含浸させたガラス繊維クロス、いわゆるプリプレグが使用されている。ガラス繊維クロスには、例えばSiO2を主成分とし、Al23、CaO、MgO、R2O、B23等の少なくともいずれかが添加された3μm−10μm径を有する単糸を数十本から数百本程度束ね、これを平織りしたものである。熱硬化型樹脂接着剤には例えばエポキシ樹脂が使用されている。第1の絶縁基材121(1)−121(5)の膜厚は例えば180μm−220μmに設定されている。 The first insulating base materials 121 (1) -121 (5) have at least an electrical insulating function and an adhesive function. In Example 1, the first insulating base materials 121 (1) -121 (5) were impregnated with, for example, a thermosetting resin adhesive that was not cured at the time of lamination and was cured after the lamination. Glass fiber cloth, so-called prepreg, is used. In the glass fiber cloth, for example, there are several single yarns having a diameter of 3 μm to 10 μm to which SiO 2 is a main component and at least one of Al 2 O 3 , CaO, MgO, R 2 O, B 2 O 3 and the like is added. Ten to several hundreds are bundled and plain weave. For example, an epoxy resin is used as the thermosetting resin adhesive. The film thickness of the first insulating base 121 (1) -121 (5) is set to 180 μm-220 μm, for example.

第2の絶縁基材122(1)、122(2)は、同様に、少なくとも電気的絶縁機能を有し、かつ接着機能を有する。第2の絶縁基材122(1)は、表面上に第2の導電体126(1)、裏面上に第2の導電体126(2)をそれぞれ接着し、このときに硬化されているので、積層のときには既に硬化されている。第2の絶縁基材122(2)は、表面上に第2の導電体126(3)、裏面上に第2の導電体126(4)をそれぞれ接着し、このときに硬化されているので、積層のときには既に硬化されている。第2の絶縁基材122(1)、122(2)には、第1の絶縁基材121(1)−121(5)と同様に、例えば熱硬化型樹脂接着剤を含浸させたガラス繊維クロスが使用されている。第2の絶縁基材122(1)、122(2)の膜厚は例えば50μm−70μmに設定されている。   Similarly, the second insulating base materials 122 (1) and 122 (2) have at least an electrical insulating function and an adhesive function. The second insulating substrate 122 (1) has the second conductor 126 (1) on the front surface and the second conductor 126 (2) on the back surface, and is cured at this time. In the case of lamination, it is already cured. The second insulating substrate 122 (2) has the second conductor 126 (3) on the front surface and the second conductor 126 (4) on the back surface, and is cured at this time. In the case of lamination, it is already cured. For example, a glass fiber impregnated with a thermosetting resin adhesive in the second insulating base materials 122 (1) and 122 (2), as in the first insulating base materials 121 (1) to 121 (5). Cross is used. The film thickness of the second insulating base materials 122 (1) and 122 (2) is set to, for example, 50 μm-70 μm.

なお、特に符号を付けて説明しないが、第1の導電体127(1)と127(2)との電気的接続、第2の導電体126(1)−126(4)間の電気的接続、第3の導電体128(1)と128(2)との間の電気的接続は、第1の絶縁基材121(1)−121(5)、第2の絶縁基材122(1)、122(2)のそれぞれに配設された接続孔内に埋設された接続孔配線(スルーホール配線又はビア配線)を通じて行われている。この接続レイアウトは図11に示す通りである。接続孔配線には、電気導電性に優れ、半導体製造過程において製作し易い、例えばCu、Cu合金、Au等の金属材料が使用されている。   Although not specifically described with reference numerals, electrical connection between the first conductors 127 (1) and 127 (2) and electrical connection between the second conductors 126 (1) -126 (4). The electrical connection between the third conductors 128 (1) and 128 (2) includes the first insulating base 121 (1) -121 (5) and the second insulating base 122 (1). , 122 (2), through connection hole wiring (through-hole wiring or via wiring) embedded in the connection holes. This connection layout is as shown in FIG. For the connection hole wiring, a metal material such as Cu, Cu alloy, Au, etc., which is excellent in electrical conductivity and easy to manufacture in the semiconductor manufacturing process, is used.

ここで、実施例1において、少数巻線32を構築する第1の導電体127(1)の幅寸法W1、第1の導電体127(2)の幅寸法W3のそれぞれは、同一寸法に設定され、例えば4.9mm−5.1mmに設定されている。また、第1の導電体127(1)の幅寸法W1h、第1の導電体127(2)の幅寸法W3hのそれぞれは、同一寸法に設定され、例えば5.5mm−7.0mmに設定されている。放熱体32Hは実効的に第1の導電体127(1)の幅寸法W1hから幅寸法W1を差し引いた領域である。また、放熱体32Hは実効的に第1の導電体127(1)の幅寸法W1hから幅寸法W1を差し引いた領域である。   Here, in the first embodiment, the width dimension W1 of the first conductor 127 (1) and the width dimension W3 of the first conductor 127 (2) constituting the minority winding 32 are set to the same dimension. For example, it is set to 4.9 mm-5.1 mm. Further, the width dimension W1h of the first conductor 127 (1) and the width dimension W3h of the first conductor 127 (2) are set to the same dimension, for example, 5.5 mm to 7.0 mm. ing. The radiator 32H is an area obtained by effectively subtracting the width dimension W1 from the width dimension W1h of the first conductor 127 (1). The radiator 32H is an area obtained by effectively subtracting the width dimension W1 from the width dimension W1h of the first conductor 127 (1).

実施例1に係る第1のトランス3において、少数巻線32を構築する第1の導電体127(1)及び127(2)は、図12に示すように、Cuを使用する場合、銅損を最小にすることができる幅寸法W1及びW2に設定されている。ここで、銅損とは、電気抵抗(巻線抵抗)によって失われる電気エネルギ(損失)である。失われた電気エネルギはジュール熱となる。図12において、横軸は第1の導電体127の配線幅、縦軸は損失である。第1の導電体127の直流抵抗損は配線幅の増加に従い減少するが、交流抵抗損は逆に配線幅の増加に従い増加する。第1の導電体127(1)の幅寸法W1及び第1の導電体127(2)の幅寸法W3は、直流抵抗損並びに交流抵抗損(銅損)が最小となる範囲内において設定されている。   In the first transformer 3 according to the first embodiment, the first conductors 127 (1) and 127 (2) that construct the minority winding 32 have a copper loss when Cu is used as shown in FIG. Is set to width dimensions W1 and W2. Here, the copper loss is electric energy (loss) lost due to electric resistance (winding resistance). The lost electrical energy becomes Joule heat. In FIG. 12, the horizontal axis represents the wiring width of the first conductor 127, and the vertical axis represents the loss. The DC resistance loss of the first conductor 127 decreases as the wiring width increases, whereas the AC resistance loss increases as the wiring width increases. The width dimension W1 of the first conductor 127 (1) and the width dimension W3 of the first conductor 127 (2) are set within a range in which the DC resistance loss and the AC resistance loss (copper loss) are minimized. Yes.

一方、多数巻線31を構築する第2の導電体126(1)−126(4)の幅寸法W2のそれぞれは、同一寸法に設定され、例えば0.8mm−0.9mmに設定されている。また、第2の導電体126(1)−126(4)の幅寸法W2hのそれぞれは、同一寸法に設定され、例えば1.0mm−3.0mmに設定されている。放熱体31Hは実効的に第2の導電体126(1)−126(4)の幅寸法W2hから幅寸法W2を差し引いた領域である。   On the other hand, each of the width dimensions W2 of the second conductors 126 (1) -126 (4) constituting the multiple windings 31 is set to the same dimension, for example, 0.8 mm to 0.9 mm. . In addition, each of the width dimensions W2h of the second conductors 126 (1) to 126 (4) is set to the same dimension, for example, 1.0 mm to 3.0 mm. The radiator 31H is an area obtained by effectively subtracting the width dimension W2 from the width dimension W2h of the second conductors 126 (1) -126 (4).

第1の導電体127(1)の幅寸法W1及び第1の導電体127(2)の幅寸法W3と同様に、第2の導電体126(1)−126(4)の幅寸法W2は、図12に示す銅損が最小となる範囲内において設定されている。   Similar to the width dimension W1 of the first conductor 127 (1) and the width dimension W3 of the first conductor 127 (2), the width dimension W2 of the second conductors 126 (1) -126 (4) is 12 is set within a range in which the copper loss shown in FIG. 12 is minimized.

更に、図7に示すように、第1のトランス3において、磁気ギャップ3Gと少数巻線32の第1の導電体127(1)の磁気ギャップ3G側の端部との間、第1の導電体127(2)の磁気ギャップ3G側の端部との間、磁気ギャップ3Gと多数巻線31の第2の導電体126(1)−(4)の磁気ギャップ3G側の端部との間がそれぞれ第4の離間距離L4に設定されている。この第4の離間距離L4の基準位置C1は、第1の磁心332C及び第2の磁心331Cの周囲の延長上であって磁気ギャップ3Gの第1の方向の中間である。実施例1において、第4の離間距離L4は第2の離間距離L2と同一に設定しているので、結果的に、基準位置C1を中心とし第4の離間距離L4を半径とする同心円(便宜的に漏洩磁束が影響を及ぼす境界領域を破線により示す。)上又はそれよりも外側に第1の導電体127(1)、第2の導電体126(1)−126(4)、第1の導電体127(2)のそれぞれの磁気ギャップ3G側の端部が配設されている。ここでは、第3の導電体128(1)、128(2)のそれぞれの磁気ギャップ3G側の端部は同様に同心円上(又はそれよりも外側)に配設されている。磁気ギャップ3Gから第4の離間距離L4を確保して少数巻線32、多数巻線31のそれぞれの端部の位置決めを行うことによって、磁気ギャップ3Gからの漏洩磁束を少数巻線32、多数巻線31のそれぞれが拾いにくくなる。換言すれば、同心円内においては磁気ギャップ3Gからの漏洩磁束の影響が大きいので、漏洩磁束の影響が少ない同心円上又はそれよりも外側に少数巻線32、多数巻線31等が配設されている。   Further, as shown in FIG. 7, in the first transformer 3, the first conductive is formed between the magnetic gap 3 </ b> G and the end of the first conductor 127 (1) of the minority winding 32 on the magnetic gap 3 </ b> G side. Between the end of the body 127 (2) on the magnetic gap 3G side and between the magnetic gap 3G and the end of the multiple conductors 31 on the magnetic gap 3G side of the second conductors 126 (1)-(4). Are set to the fourth separation distance L4. The reference position C1 of the fourth separation distance L4 is on the extension around the first magnetic core 332C and the second magnetic core 331C and in the middle of the first direction of the magnetic gap 3G. In the first embodiment, the fourth separation distance L4 is set to be the same as the second separation distance L2, and as a result, a concentric circle (for convenience) with the reference position C1 as the center and the fourth separation distance L4 as the radius. The boundary region in which the leakage magnetic flux has an influence is indicated by a broken line.) The first conductor 127 (1), the second conductor 126 (1) -126 (4), the first conductor on the upper side or the outer side thereof. The ends of the respective conductors 127 (2) on the magnetic gap 3G side are disposed. Here, the end portions of the third conductors 128 (1) and 128 (2) on the magnetic gap 3G side are similarly arranged concentrically (or outside). By securing the fourth separation distance L4 from the magnetic gap 3G and positioning the respective end portions of the minority winding 32 and the majority winding 31, the leakage magnetic flux from the magnetic gap 3G is reduced to the minority winding 32, the majority winding. Each of the lines 31 is difficult to pick up. In other words, since the influence of the leakage magnetic flux from the magnetic gap 3G is large in the concentric circles, the minority winding 32, the majority winding 31 and the like are arranged on or outside the concentric circle where the influence of the leakage magnetic flux is small. Yes.

また、第1のトランス3において、コア(磁性体)33の磁気ギャップ3Gに対して第2の方向に対向する基準位置C2からも同様に、少数巻線32の第1の導電体127(1)の磁気ギャップ3Gとは反対側の端部、第1の導電体127(2)の磁気ギャップ3Gとは反対側の端部、多数巻線31の第2の導電体126(1)−(4)の磁気ギャップ3Gとは反対側の端部がそれぞれ第4の離間距離L4に設定されている。この基準位置C2は、実施例1において、第1のコア31のトランス基板12の側面12Cに沿って配設された内壁面上及び第2のコア32のトランス基板12の側面12Cに沿って配設された内壁面上であって第1のコア31と第2のコア32とを重ね合わせた位置である。従って、基準位置C2を中心とし第4の離間距離L4を半径とする同心円上又はそれよりも外側に第1の導電体127(1)、第2の導電体126(1)−126(4)、第1の導電体127(2)のそれぞれの磁気ギャップ3Gとは反対側の端部が配設されている。第3の導電体128(1)、128(2)のそれぞれの磁気ギャップ3Gとは反対側の端部は同様に同心円上に配設されている。第1のコア31と第2のコア32との連結部分から第4の離間距離L4を確保して少数巻線32、多数巻線31のそれぞれの磁気ギャップ3Gとは反対側の端部の位置決めを行うことによって、連結部分からの漏洩磁束を少数巻線32、多数巻線31のそれぞれが拾いにくくなる。   Similarly, in the first transformer 3, the first conductor 127 (1) of the minority winding 32 is similarly formed from the reference position C2 facing the magnetic gap 3G of the core (magnetic body) 33 in the second direction. ) Of the first conductor 127 (2) opposite to the magnetic gap 3G, the end of the first conductor 127 (2) opposite to the magnetic gap 3G, and the second conductor 126 (1)-( The ends on the side opposite to the magnetic gap 3G of 4) are set to the fourth separation distance L4. In the first embodiment, the reference position C2 is arranged on the inner wall surface disposed along the side surface 12C of the transformer substrate 12 of the first core 31 and along the side surface 12C of the transformer substrate 12 of the second core 32. This is a position on the inner wall surface where the first core 31 and the second core 32 are overlapped. Accordingly, the first conductor 127 (1) and the second conductors 126 (1) -126 (4) are arranged concentrically with the reference position C2 as the center and the fourth separation distance L4 as the radius or on the outer side thereof. The ends of the first conductors 127 (2) opposite to the magnetic gaps 3G are disposed. The ends of the third conductors 128 (1) and 128 (2) opposite to the magnetic gap 3G are similarly arranged concentrically. Positioning of the ends of the minority winding 32 and the majority winding 31 on the opposite side to the magnetic gap 3G by securing a fourth separation distance L4 from the connecting portion between the first core 31 and the second core 32. By performing the above, it becomes difficult for each of the minority winding 32 and the majority winding 31 to pick up the leakage magnetic flux from the connecting portion.

図6に示すコア33は、例えば金属酸化物をセラミックとして燒結したフェライト磁性材により形成された強磁性体である。金属酸化物には、例えば酸化鉄(Fe22)を主成分とし、マンガン(Mn)、マグネシウム(Mg)、ニッケル(Ni)、亜鉛(Zn)等の金属化合物を混合したものを実用的に使用することができる。また、コア33は他にアモルファス磁性材料により形成してもよい。コア33は、第2の磁心331Cを一体に構成しかつ突出させ、この第2の磁心331Cを中心としてトランス基板12の両方の側面12Cに沿って突出し、トランス基板12の裏面12B側に配設された第1のコア(下部コア材)331と、第1の磁心332Cを一体に構成しかつ突出させ、この第1の磁心332Cを中心としてトランス基板12の両方の側面12Cに沿って突出し、トランス基板12の表面12A側に配設された第2のコア(上部コア材)332とを備えている。第1のコア331の第2の磁心331Cと第2のコア332の第1の磁心332Cとは磁気ギャップ3Gを介在して磁気的に接続されている。第1のコア331の両側と第2のコア332の両側とはここでは直接接触し磁気的に接続されている。 The core 33 shown in FIG. 6 is a ferromagnetic body formed of, for example, a ferrite magnetic material obtained by sintering a metal oxide as a ceramic. As the metal oxide, for example, iron oxide (Fe 2 O 2 ) as a main component and a mixture of metal compounds such as manganese (Mn), magnesium (Mg), nickel (Ni), zinc (Zn), etc. are practical. Can be used for Alternatively, the core 33 may be formed of an amorphous magnetic material. The core 33 integrally constitutes and protrudes the second magnetic core 331C, protrudes along both side surfaces 12C of the transformer substrate 12 around the second magnetic core 331C, and is disposed on the back surface 12B side of the transformer substrate 12. The formed first core (lower core material) 331 and the first magnetic core 332C are integrally formed and protruded, and protrude along the both side surfaces 12C of the transformer substrate 12 around the first magnetic core 332C. And a second core (upper core material) 332 disposed on the surface 12A side of the transformer substrate 12. The second magnetic core 331C of the first core 331 and the first magnetic core 332C of the second core 332 are magnetically connected via a magnetic gap 3G. Here, both sides of the first core 331 and both sides of the second core 332 are in direct contact and magnetically connected.

第1のコア331の断面形状はE型形状であり、第2のコア332の断面形状はE型形状であることから、コア33はE−E型コア形状を有する。なお、コア33は、第1のコア331、第2のコア332のいずれか一方の断面形状をI型形状とし、E−I型コア形状としてもよい。この場合、I型形状となるコア側には磁心が存在しなくなるので、磁心が存在しない側において少数巻線32の一部の第1の導電体127は省略される。例えば、第1のトランス3において、第1のコア331をI型形状とし、第2の磁心331Cが省略されると、その周囲に配設された第1の導電体127(2)が省略される。そして、第2のコア332の第1の磁心332Cの周囲に少数巻線32を構築する第1の導電体127(1)が配設され、第2のコア332の第1の磁心332Cと第1のコア331との間の磁気ギャップ3Gの周囲に多数巻線31を構築する第2の導電体126(1)−126(4)が配設される。   Since the cross-sectional shape of the first core 331 is E-shaped and the cross-sectional shape of the second core 332 is E-shaped, the core 33 has an EE-type core shape. The core 33 may have an I-shaped core shape with a cross-sectional shape of one of the first core 331 and the second core 332 being an I-shaped shape. In this case, since the magnetic core does not exist on the I-shaped core side, a part of the first conductor 127 of the minority winding 32 is omitted on the side where the magnetic core does not exist. For example, in the first transformer 3, when the first core 331 is I-shaped and the second magnetic core 331C is omitted, the first conductor 127 (2) disposed around the first core 331 is omitted. The The first conductor 127 (1) that constructs the minority winding 32 is disposed around the first magnetic core 332C of the second core 332, and the first magnetic core 332C of the second core 332 and the first magnetic core 332C Second conductors 126 (1) to 126 (4) for constructing multiple windings 31 are disposed around the magnetic gap 3 G between the first core 331 and the first core 331.

詳細な構造の説明は省略するが、第2のトランス7は、第1のトランス3に対して誘導起電力並びに全体のサイズを小さく設定し、第1のトランス3の構造と同様にシートトランス構造により構成されている。また、図2乃至図4に示すように、第1のトランス3の基板11への実装方法と同様に、第2のトランス7は、基板11に配設された開口16に挿入された状態において実装されている。   Although a detailed description of the structure is omitted, the second transformer 7 has a sheet transformer structure similar to the structure of the first transformer 3 in which the induced electromotive force and the overall size are set smaller than those of the first transformer 3. It is comprised by. Further, as shown in FIGS. 2 to 4, the second transformer 7 is inserted into the opening 16 provided in the substrate 11 in the same manner as the mounting method of the first transformer 3 to the substrate 11. Has been implemented.

[硬化型応力緩和材の構造及び特性]
図2乃至図4に示すように、実施例1に係る電子回路装置1においては、第1のトランス3のコア33の側面周囲、つまりトランス基板12の2つの長辺及び2つの短辺に沿う4つの側面12Cに対応しそれぞれに平行な4つの側面にのみその全域に少なくとも硬化型応力緩和材35が配設されている。ここでは、図4に示すように、コア33の上面3A並びに下面3Bには硬化型応力緩和材35は配設されていない。硬化型応力緩和材35の膜厚はコア33の側面から離れるに従って薄く設定されている。コア33の側面から最も離れた位置(終端)において硬化型応力緩和材35の膜厚は実質的にゼロである。第1のトランス3のコア33の側面に配設された硬化型応力緩和材35は樹脂封止体17の第1のトランス3のコア33に及ぼす応力の減少に寄与する。
[Structure and properties of curable stress relieving material]
As shown in FIGS. 2 to 4, in the electronic circuit device 1 according to the first embodiment, around the side surface of the core 33 of the first transformer 3, that is, along two long sides and two short sides of the transformer substrate 12. At least the curable stress relieving material 35 is disposed on only the four side surfaces corresponding to the four side surfaces 12C and parallel to the four side surfaces 12C. Here, as shown in FIG. 4, the curable stress relaxation material 35 is not disposed on the upper surface 3 </ b> A and the lower surface 3 </ b> B of the core 33. The film thickness of the curable stress relaxation material 35 is set to be thinner as the distance from the side surface of the core 33 increases. The film thickness of the curable stress relaxation material 35 is substantially zero at a position (terminal) farthest from the side surface of the core 33. The curable stress relaxation material 35 disposed on the side surface of the core 33 of the first transformer 3 contributes to a reduction in stress exerted on the core 33 of the first transformer 3 of the resin sealing body 17.

実施例1において、硬化型応力緩和材35には、例えば白色半流動性を有する加熱硬化型接着性液状シリコーンゴム(熱硬化型シリコーン樹脂)が使用されている。この加熱硬化型接着性液状シリコーンゴムは、硬化前、白色半流動性を有し、例えば23℃の温度において約3.5Pa・s−4.5Pa・sの粘度を有する。加熱硬化型接着性液状シリコーンゴムは、コーティング技術、ポッティング技術等を用いて塗布した後、例えば150℃、1時間の熱処理を行い硬化される。硬化後において、加熱硬化型接着性液状シリコーンゴムは、白色ゴム状に変化し、例えば20−22の硬さ(タイプA)を有し、例えば2.0×10-4/℃−2.2×10-4/Kの線膨張係数を有する。 In Example 1, for the curable stress relieving material 35, for example, a thermosetting adhesive liquid silicone rubber (thermosetting silicone resin) having white semi-fluidity is used. This heat-curable adhesive liquid silicone rubber has white semi-fluidity before curing, and has a viscosity of about 3.5 Pa · s-4.5 Pa · s at a temperature of 23 ° C., for example. The heat-curable adhesive liquid silicone rubber is applied by using a coating technique, a potting technique, etc., and then cured by heat treatment at 150 ° C. for 1 hour, for example. After curing, the heat curable adhesive liquid silicone rubber changes to a white rubber shape and has a hardness (type A) of, for example, 20-22, for example, 2.0 × 10 −4 / ° C.-2.2. It has a linear expansion coefficient of × 10 -4 / K.

なお、硬化型応力緩和材35は熱硬化型シリコーン樹脂に限定されない。第1のトランス3のコア33に樹脂封止体17の収縮により発生する応力を減少する材料であれば、紫外線硬化型シリコーン樹脂(ゴム)若しくは室温硬化型シリコーン樹脂(ゴム)、又は熱硬化型、紫外線硬化型、室温硬化型のいずれかのエポキシ樹脂を、硬化型応力緩和材35として使用することができる。硬化型でない例えばゲル状の樹脂はトランスファモールド法を用いた樹脂封止体17の製造工程において流出してしまい、コア33の側面にゲル状の樹脂を確実に付着させることは難しい。   The curable stress relaxation material 35 is not limited to a thermosetting silicone resin. Any material that reduces the stress generated by the shrinkage of the resin sealing body 17 on the core 33 of the first transformer 3 may be an ultraviolet curable silicone resin (rubber), a room temperature curable silicone resin (rubber), or a thermosetting type. Any one of an ultraviolet curable epoxy resin and a room temperature curable epoxy resin can be used as the curable stress relaxation material 35. For example, a gel-type resin that is not curable flows out in the manufacturing process of the resin sealing body 17 using the transfer mold method, and it is difficult to reliably attach the gel-like resin to the side surface of the core 33.

[リードの構造]
図2乃至図5に示すように、基板11の長辺に沿った一側面(図2中及び図3中下側側面、図5中左側側面)にはリード(外部端子)180−189が配列され、一側面に対向する他の一側面(図2中及び図3中上側側面、図5中右側側面)にはリード190−193が配列されている。これらのリード180−193において、樹脂封止体17内の部分はインナー部であり、樹脂封止体17外に突出した部分はアウター部である。
[Lead structure]
As shown in FIGS. 2 to 5, leads (external terminals) 180 to 189 are arranged on one side surface (the lower side surface in FIGS. 2 and 3, the left side surface in FIG. 5) along the long side of the substrate 11. Leads 190 to 193 are arranged on the other side surface (the upper side surface in FIGS. 2 and 3 and the right side surface in FIG. 5) opposite to the one side surface. In these leads 180-193, the part inside the resin sealing body 17 is an inner part, and the part protruding outside the resin sealing body 17 is an outer part.

リード180は直流電圧端子DCINとして使用される。リード181は切換信号端子ON/OFFとして使用される。リード182は入力端子Vin+として使用される。リード183は入力端子Vin-として使用される。リード184は出力端子Vout-として使用される。リード185は負極のリモートセンシング端子Vs-として使用される。リード186は空き端子NCである。リード187は出力電圧調整端子TRMとして使用される。リード188は正極のリモートセンシング端子Vs+として使用される。リード189は出力端子Vout-として使用される。空き端子NCとして使用されるリード186は実施例1において放熱経路としての機能を有する。   The lead 180 is used as a DC voltage terminal DCIN. The lead 181 is used as a switching signal terminal ON / OFF. The lead 182 is used as the input terminal Vin +. The lead 183 is used as the input terminal Vin−. The lead 184 is used as the output terminal Vout−. The lead 185 is used as a negative remote sensing terminal Vs−. The lead 186 is an empty terminal NC. The lead 187 is used as an output voltage adjustment terminal TRM. The lead 188 is used as a positive remote sensing terminal Vs +. The lead 189 is used as the output terminal Vout−. The lead 186 used as the empty terminal NC has a function as a heat dissipation path in the first embodiment.

また、リード190−193は空き端子NCである。この空き端子NCとして使用されるリード190−193は同様に放熱経路としての機能を有する。   Leads 190-193 are empty terminals NC. The leads 190-193 used as the empty terminals NC similarly have a function as a heat dissipation path.

リード180−193は電気伝導性に優れた例えばCu又はCu合金により構成されている。この導電性材料は、熱抵抗も小さく、熱伝導性にも優れている。リード180−193の厚さは例えば0.3mm−0.5mmに設定されている。   The leads 180-193 are made of, for example, Cu or Cu alloy having excellent electrical conductivity. This conductive material has low thermal resistance and excellent thermal conductivity. The thickness of the leads 180-193 is set to 0.3 mm-0.5 mm, for example.

リード180−193は符号は付けないが基板11に配設された端子に接着層を介して電気的かつ機械的に接続されている。この接着層には、熱抵抗が小さく、熱伝導性に優れた例えば半田、ペースト等を使用することができる。半田としては例えばSn−Ag−Cu系半田を実用的に使用することができる。また、ペーストには例えば導電性ペーストとして用いられるAgペーストを実用的に使用することができる。   The leads 180-193 are not labeled, but are electrically and mechanically connected to terminals arranged on the substrate 11 through an adhesive layer. For this adhesive layer, it is possible to use, for example, solder, paste or the like having a low thermal resistance and excellent thermal conductivity. For example, Sn-Ag-Cu solder can be used practically as the solder. Further, for example, an Ag paste used as a conductive paste can be used practically.

[応力緩衝体の構造]
図2乃至図5に示すように、応力緩衝体91は、その表面91A(図4中、上側表面)に接着層4を介在して第1のトランス3のコア33の第1のコア331の下面3Bを接着し、第1のトランス3に取り付けられている。この応力緩衝体91は、例えば製造過程においてトランスファモールド法を用いて電子回路装置1の樹脂封止体17を成形した直後の温度収縮に伴い第1のトランス3のコア(磁性体)33に与える応力を、応力緩衝体91の剛性によって減少する機能を有する。すなわち、応力緩衝体91は、樹脂封止体17の熱収縮に伴う圧縮応力に反発する機能を有し、実効的にコア33に加わる応力を減少する。また、応力緩衝体91は、電子回路装置1の製品として完成した後の実稼働における温度上昇並びに温度下降の温度サイクルによって生じると樹脂封止体17の熱膨張並びに熱収縮に伴うコア33に与える応力を減少する機能を有する。
[Structure of stress buffer]
As shown in FIG. 2 to FIG. 5, the stress buffer 91 has the first core 331 of the core 33 of the first transformer 3 with the adhesive layer 4 interposed on the surface 91 </ b> A (upper surface in FIG. 4). The lower surface 3B is bonded and attached to the first transformer 3. The stress buffer 91 is given to the core (magnetic body) 33 of the first transformer 3 along with the temperature contraction immediately after the resin sealing body 17 of the electronic circuit device 1 is molded by using, for example, a transfer molding method in the manufacturing process. It has a function of reducing stress by the rigidity of the stress buffer 91. That is, the stress buffer 91 has a function of repelling the compressive stress accompanying the thermal contraction of the resin sealing body 17, and effectively reduces the stress applied to the core 33. The stress buffer 91 is given to the core 33 accompanying the thermal expansion and thermal contraction of the resin sealing body 17 when it is generated by the temperature cycle of the temperature increase and the temperature decrease in actual operation after being completed as a product of the electronic circuit device 1. Has the function of reducing stress.

このようなコア33に与える応力を極力減少し、かつ電子回路装置1の薄型化並びに小型化を図るために、応力緩衝体91は、表面91Aのサイズをそれに対向するコア33の下面3Bのサイズに比べて出来る限り大きく設定している。応力緩衝体91のサイズが大きい方が樹脂封止体17の割合に対する応力緩衝体91の割合が多くなるので、応力緩衝体91によってコア33に加わる応力を確実に減少することができる。また、換言すれば、樹脂封止体17の割合が少なくなるので、応力の発生要因そのものを減少することができる。また、応力緩衝体91は、特に薄型化される樹脂封止体17の機械的強度を向上することができる。   In order to reduce the stress applied to the core 33 as much as possible and to reduce the thickness and size of the electronic circuit device 1, the stress buffer 91 has a size of the surface 91A and the size of the lower surface 3B of the core 33 facing the surface 91A. Is set as large as possible. Since the ratio of the stress buffer body 91 to the ratio of the resin sealing body 17 increases as the size of the stress buffer body 91 increases, the stress applied to the core 33 by the stress buffer body 91 can be reliably reduced. In other words, since the ratio of the resin sealing body 17 is reduced, the stress generation factor itself can be reduced. Further, the stress buffer 91 can improve the mechanical strength of the resin sealing body 17 that is particularly thinned.

応力緩衝体91は金属製板材により構成され、この金属製板材には、樹脂封止体17に比べて高い適度な剛性を有し、樹脂封止体17に比べて遙かに熱伝導性に優れ、更にコア33の線膨張係数に近い、例えばCu(線膨張係数:1.7×10-6)板又はCu合金板を使用することが好ましい。このCu板又はCu合金板は、そのまま(無垢状態)でも使用可能であるが、表面に例えばNi膜等のめっき膜を形成してもよい。 The stress buffer 91 is made of a metal plate material, and this metal plate material has a moderate rigidity higher than that of the resin sealing body 17 and is much more thermally conductive than the resin sealing body 17. It is preferable to use, for example, a Cu (linear expansion coefficient: 1.7 × 10 −6 ) plate or a Cu alloy plate that is excellent and close to the linear expansion coefficient of the core 33. This Cu plate or Cu alloy plate can be used as it is (in a pure state), but a plating film such as a Ni film may be formed on the surface.

図4に示すように、接着層4は、第1のトランス3と応力緩衝体91とを機械的に装着する機能に加えて、双方の間を電気的に絶縁する機能を備えている。この接着層4には、実施例1において、例えばガラス繊維クロスに熱硬化型接着剤を含浸させたプリプレグが使用される。なお、ガラス繊維クロスに熱硬化型接着剤を含浸させたプリプレグに代えて、接着層4には例えば熱硬化性接着剤を両面に塗布したガラス繊維クロスを使用することができる。   As shown in FIG. 4, the adhesive layer 4 has a function of electrically insulating the first transformer 3 and the stress buffer 91 in addition to a function of mechanically mounting the first transformer 3 and the stress buffer 91. In the first embodiment, for example, a prepreg in which a glass fiber cloth is impregnated with a thermosetting adhesive is used for the adhesive layer 4. In addition, it replaces with the prepreg which impregnated the glass fiber cloth with the thermosetting adhesive, and the glass fiber cloth which apply | coated the thermosetting adhesive to both surfaces can be used for the contact bonding layer 4, for example.

[樹脂封止体の構造]
図2乃至図5に示すように、実施例1に係る電子回路装置1においては、前述のように複数の電子部品を実装した基板11が樹脂封止体17により気密封止されている。樹脂封止体17はトランスファモールド法により成形されている。実施例1に係る電子回路装置1は、DC−DCコンバータを1つの部品としてモールド化されたものである。樹脂封止体17には例えば離型剤が含まれるオルソクレゾールノボラックエポキシ系樹脂が使用されている。
[Structure of resin encapsulant]
As shown in FIGS. 2 to 5, in the electronic circuit device 1 according to the first embodiment, the substrate 11 on which a plurality of electronic components are mounted is hermetically sealed by the resin sealing body 17 as described above. The resin sealing body 17 is formed by a transfer mold method. The electronic circuit device 1 according to the first embodiment is obtained by molding a DC-DC converter as one component. For example, an ortho-cresol novolac epoxy resin containing a release agent is used for the resin sealing body 17.

[電子回路装置の特徴]
このように構成される実施例1に係る電子回路装置1は、少数巻線32(第1の導電体127(1))、多数巻線31(126(1)−126(4))、少数巻線32(127(2))を順次積層したシートトランス構造を有し、コア33の磁気ギャップ3Gの周囲に少数巻線31を配設するとともに、この磁気ギャップ3Gに対して第2の離間距離L2(又は第4の離間距離L4)を確保して少数巻線31を離した第1のトランス(電子部品)3を備えている。この第1のトランス3においては、シートトランス構造を採用し、磁気ギャップ3Gの周囲にも多数巻線31を配設しているので、薄型化並びに小型化を実現することができる。更に、この第1のトランス3においては、磁気ギャップ3Gの周囲に全体的な体積が大きい少数巻線32ではなく全体的な体積が小さい多数巻線31を配設し、磁気ギャップ3Gと多数巻線31との距離を大きくしているので、磁気ギャップ3Gからの多数巻線31において拾う漏洩磁束を減少することができ、渦電流損を効率良く減少することができる。結果的に、この第1のトランス3を搭載する電子回路装置1の薄型化並びに小型化を実現することができるとともに、渦電流損を効率良く減少することができる。第2のトランス(電子部品)7についても、同様の効果を奏することができる。
[Characteristics of electronic circuit device]
The electronic circuit device 1 according to the first embodiment configured as described above includes a minority winding 32 (first conductor 127 (1)), a majority winding 31 (126 (1) -126 (4)), a minority winding. It has a sheet transformer structure in which windings 32 (127 (2)) are sequentially stacked, and a small number of windings 31 are disposed around the magnetic gap 3G of the core 33, and a second spacing is provided with respect to the magnetic gap 3G. A first transformer (electronic component) 3 is provided in which a small number of windings 31 are separated by securing a distance L2 (or a fourth separation distance L4). The first transformer 3 employs a sheet transformer structure, and a large number of windings 31 are arranged around the magnetic gap 3G. Therefore, the first transformer 3 can be reduced in thickness and size. Further, in the first transformer 3, a large number of windings 31 having a small overall volume are arranged around the magnetic gap 3 G instead of a small number of windings 32 having a large overall volume. Since the distance to the line 31 is increased, the leakage magnetic flux picked up by the multiple windings 31 from the magnetic gap 3G can be reduced, and the eddy current loss can be reduced efficiently. As a result, the electronic circuit device 1 on which the first transformer 3 is mounted can be reduced in thickness and size, and eddy current loss can be efficiently reduced. The same effect can be obtained with the second transformer (electronic component) 7.

更に、電子回路装置1において、第1のトランス3には少数巻線32に放熱体32Hを備え、多数巻線31に放熱体31Hを備えているので、より一層渦電流損を減少することができる。また、放熱体32Hにおいては、第1の絶縁基材121(1)、121(5)のデッドスペースが有効に利用され、第1の導電体127(1)の配線幅を拡張した幅寸法W1h、第1の導電体127(2)の配線幅を拡張した幅寸法W3hに設定する簡易な構造により実現することができる。放熱体31Hにおいては、第2の絶縁基材122(1)、122(2)のデッドスペースが有効に利用され、第2の導電体126(1)−126(4)の配線幅を拡張した幅寸法W2hに設定する簡易な構造により実現することができる。   Furthermore, in the electronic circuit device 1, since the first transformer 3 includes the radiator 32H in the minority winding 32 and the radiator 31H in the majority winding 31, the eddy current loss can be further reduced. it can. In the heat radiating body 32H, the dead space of the first insulating base materials 121 (1) and 121 (5) is effectively used, and the width dimension W1h obtained by expanding the wiring width of the first conductor 127 (1). This can be realized by a simple structure in which the wiring width of the first conductor 127 (2) is set to the expanded width dimension W3h. In the radiator 31H, the dead space of the second insulating base materials 122 (1) and 122 (2) is effectively used, and the wiring width of the second conductors 126 (1) to 126 (4) is expanded. This can be realized by a simple structure set to the width dimension W2h.

(実施例2)
本発明の実施例2は、実施例1に係る電子回路装置1の第1のトランス3(又は第2のトランス7)において、磁気ギャップ3Gからの漏洩磁束を拾いにくくしつつ、巻線の配線幅を確保して抵抗値の増加に伴う熱の発生を減少し、確実に渦電流損を減少するようにした例を説明するものである。
(Example 2)
In the second embodiment of the present invention, in the first transformer 3 (or the second transformer 7) of the electronic circuit device 1 according to the first embodiment, it is difficult to pick up the leakage magnetic flux from the magnetic gap 3G, and the wiring of the windings An example will be described in which the width is secured to reduce the generation of heat associated with the increase in resistance value, thereby reliably reducing eddy current loss.

[第1のトランス(電子部品)の構成]
図13に示すように、実施例2に係る電子回路装置1の第1のトランス3において、少数巻線32の一部を構築する第1の導電体127(1)は、その側面と第1の磁心332C又はこの第1の磁心332Cに対向する第2のコア332とが対向する領域において幅寸法W11を有する部分とその幅寸法W11よりも大きな幅寸法W1hを有する部分とを、第1の導電体127(1)の延在方向に繰り返し配置して構成されている。つまり、第1の導電体127(1)の一部には、第1の方向(図6及び図7に示す座標軸のZ方向)から見て、この第1の導電体127(1)の延在方向に向かってその左右に交互に波打つジグザク形状の平面形状を有する。
[Configuration of first transformer (electronic component)]
As shown in FIG. 13, in the first transformer 3 of the electronic circuit device 1 according to the second embodiment, the first conductor 127 (1) that constructs a part of the minority winding 32 has the side surface and the first conductor 3. A portion having a width dimension W11 and a portion having a width dimension W1h larger than the width dimension W11 in a region where the magnetic core 332C or the second core 332 facing the first magnetic core 332C is opposed to the first core 332C. The conductor 127 (1) is repeatedly arranged in the extending direction. That is, a part of the first conductor 127 (1) has an extension of the first conductor 127 (1) when viewed from the first direction (Z direction of the coordinate axes shown in FIGS. 6 and 7). It has a zigzag planar shape that undulates alternately on the right and left sides in the direction of the movement.

ここで、幅寸法W11は、磁気ギャップ3Gやコア33からの漏洩磁束の影響が生じる境界(便宜的に破線を用いて示す。)よりも更に外側であって、第1の磁心332Cの周面や第2のコア32の内壁面から第1の離間距離L1を越える、第1の導電体127(1)の配線幅である。つまり、幅寸法W11は実施例1に係る第1の導電体127(1)の幅寸法W1に比べて小さい寸法である。幅寸法W1hは前述の実施例1に係る第1の導電体127(1)の幅寸法W1hと同一寸法である。   Here, the width dimension W11 is further outside the boundary (shown using a broken line for convenience) where the influence of the magnetic flux 3G and the leakage magnetic flux from the core 33 occurs, and the circumferential surface of the first magnetic core 332C. Or the wiring width of the first conductor 127 (1) that exceeds the first separation distance L1 from the inner wall surface of the second core 32. That is, the width dimension W11 is smaller than the width dimension W1 of the first conductor 127 (1) according to the first embodiment. The width dimension W1h is the same as the width dimension W1h of the first conductor 127 (1) according to Example 1 described above.

このように構成される第1のトランス3においては、第1の導電体127(1)の幅寸法W11の部分において磁気ギャップ3Gやコア33からの距離を十分に確保して漏洩磁束を更に拾いにくくし、第1の導電体127(1)の幅寸法W1hの部分において配線幅を増加して配線抵抗を下げ熱の発生を減少することができるので、渦電流損を確実に減少することができる。   In the first transformer 3 configured as described above, a sufficient distance from the magnetic gap 3G and the core 33 is secured in the portion of the width dimension W11 of the first conductor 127 (1) to further pick up the leakage magnetic flux. The wiring width can be increased in the portion of the width dimension W1h of the first conductor 127 (1) to reduce the wiring resistance and reduce the generation of heat, thereby reliably reducing the eddy current loss. it can.

なお、ここでは、第1のトランス3において、少数巻線32の一部を構築する第1の導電体127(1)について説明したが、少数巻線32の他一部を構築する第1の導電体127(2)、多数巻線31を構築する第2の導電体126(1)−126(4)についても同様の構成が採用されている。また、第1のトランス3の構造は第2のトランス7に採用してもよい。   Here, in the first transformer 3, the first conductor 127 (1) that constructs a part of the minority winding 32 has been described, but the first conductor that constructs the other part of the minority winding 32. A similar configuration is adopted for the conductor 127 (2) and the second conductors 126 (1) to 126 (4) that construct the multiple windings 31. Further, the structure of the first transformer 3 may be adopted in the second transformer 7.

[電子回路装置の特徴]
実施例2に係る電子回路装置1においては、実施例1に係る電子回路装置1によって得ることができる効果と同様の効果を奏することができる。
[Characteristics of electronic circuit device]
In the electronic circuit device 1 according to the second embodiment, the same effects as those obtained by the electronic circuit device 1 according to the first embodiment can be obtained.

(実施例3)
本発明の実施例3は、実施例2に係る電子回路装置1において、第1のトランス3等の変形例を説明するものである。
Example 3
A third embodiment of the present invention describes a modification of the first transformer 3 and the like in the electronic circuit device 1 according to the second embodiment.

[第1のトランス(電子部品)の構成]
図14に示すように、実施例3に係る電子回路装置1の第1のトランス3は、多数巻線31を構築する第2の導電体126(1)、126(3)の磁気ギャップ3G側の端部を第2の離間距離L2(又は第4の離間距離L4)よりも小さく設定し磁気ギャップ3G側に近接させ、第2の導電体126(1)、126(3)の磁気ギャップ3Gとは反対側の端部を第2の離間距離L2よりも大きく設定しコア33の内壁から離間させている。更に、第1のトランス3は、多数巻線31を構築する第2の導電体126(2)、126(4)の磁気ギャップ3G側の端部を第2の離間距離L2(又は第4の離間距離L4)よりも大きく設定し磁気ギャップ3Gから離間させ、第2の導電体126(2)、126(4)の磁気ギャップ3Gとは反対側の端部を第2の離間距離L2よりも小さく設定しコア33の内壁側に近接させている。
[Configuration of first transformer (electronic component)]
As illustrated in FIG. 14, the first transformer 3 of the electronic circuit device 1 according to the third embodiment includes the second conductors 126 (1) and 126 (3) that construct the multiple windings 31 on the magnetic gap 3 G side. Is set to be smaller than the second separation distance L2 (or the fourth separation distance L4) and close to the magnetic gap 3G side, and the magnetic gap 3G of the second conductors 126 (1) and 126 (3) is set. The end on the opposite side is set to be larger than the second separation distance L2, and is separated from the inner wall of the core 33. Further, the first transformer 3 is configured such that the end of the second conductors 126 (2) and 126 (4) constituting the multiple winding 31 on the magnetic gap 3G side is connected to the second separation distance L2 (or the fourth separation distance L2). The distance from the magnetic gap 3G is set larger than the separation distance L4), and the end of the second conductors 126 (2) and 126 (4) opposite to the magnetic gap 3G is set to be larger than the second separation distance L2. It is set small and close to the inner wall side of the core 33.

表現を代えれば、第1のトランス3は、多数巻線31を構築する第2の導電体126(1)を磁気ギャップ3G(第2の磁心332C)側に近接させ、その下層の第2の導電体126(2)をコア33(第2のコア332)の磁気ギャップ3Gとは反対側の内壁面に近接させ、その下層の第2の導電体126(3)を再び磁気ギャップ3G(第1の磁心331C)側に近接させ、その下層の第2の導電体126(4)をコア33(第1のコア331)の磁気ギャップ3Gとは反対側の内壁面に近接させている。第2の導電体126(1)−126(4)は、第2の方向(図6及び図7に示す座標軸のY方向)から見て、この第1の方向(Z軸とは反対の方向)に向かって第2の方向と同一平面上において交差する方向(X方向)に交互に配設位置をずらした断面形状を有する。   In other words, the first transformer 3 brings the second conductor 126 (1) constituting the multi-winding 31 close to the magnetic gap 3G (second magnetic core 332C) side, and the second transformer 126 under the second conductor 126 (1). The conductor 126 (2) is brought close to the inner wall surface of the core 33 (second core 332) opposite to the magnetic gap 3G, and the second conductor 126 (3) under the conductor 126 (2) is again connected to the magnetic gap 3G (first gap). The second conductor 126 (4) underneath is close to the inner wall surface opposite to the magnetic gap 3G of the core 33 (first core 331). The second conductors 126 (1) -126 (4) have the first direction (the direction opposite to the Z axis) when viewed from the second direction (the Y direction of the coordinate axes shown in FIGS. 6 and 7). ) In a direction intersecting on the same plane as the second direction (X direction).

このように構成される第1のトランス3においては、第2の導電体126(1)−126(4)の一方の端部の磁気ギャップ3G又はコア33からの離間距離を第2の離間距離L2よりも大きく設定することができるので、この部分において漏洩磁束を拾いにくくし、渦電流損を確実に減少することができる。   In the first transformer 3 configured as described above, the distance from the magnetic gap 3G or the core 33 at one end of the second conductors 126 (1) to 126 (4) is set to the second distance. Since it can be set larger than L2, it is difficult to pick up the leakage magnetic flux in this portion, and eddy current loss can be surely reduced.

なお、第1のトランス3は、第2の導電体126(1)及び126(2)を同一方向にずらし、これらと異なる方向において第2の導電体126(3)及び126(4)を同一方向にずらしてもよい。また、第1のトランス3は、第2の導電体126(1)及び126(4)を同一方向にずらし、これらと異なる方向において第2の導電体126(2)及び126(3)を同一方向にずらしてもよい。また、第1のトランス3の構造は第2のトランス7に採用してもよい。   In the first transformer 3, the second conductors 126 (1) and 126 (2) are shifted in the same direction, and the second conductors 126 (3) and 126 (4) are the same in a different direction. It may be shifted in the direction. The first transformer 3 shifts the second conductors 126 (1) and 126 (4) in the same direction, and the second conductors 126 (2) and 126 (3) are the same in different directions. It may be shifted in the direction. Further, the structure of the first transformer 3 may be adopted in the second transformer 7.

(実施例4)
本発明の実施例4は、実施例1乃至実施例3のいずれかに係る電子回路装置1において、放熱特性を向上した例を説明するものである。
Example 4
Example 4 of this invention demonstrates the example which improved the thermal radiation characteristic in the electronic circuit device 1 which concerns on either of Example 1 thru | or Example 3. FIG.

[第1のトランス(電子部品)の構成]
図15(A)及び図15(B)に示すように、実施例4に係る電子回路装置1の第1のトランス3は、コア33外において第1の絶縁基材121(1)に延在する第1の導電体127(1)の表面上に放熱体32Hが配設され、コア33外において第1の絶縁基材121(2)に延在する第1の導電体127(2)の表面上に放熱体32Hが配設されている。放熱体32Hには例えば熱伝導性に優れたCu板(Cu角柱)、Cu合金板(Cu合金角柱)を実用的に使用することができる。放熱体32Hの平面形状は、ここでは方形状であるが、円形状、楕円形状、3角形状、5角以上の多角形状のいずれであってもよい。放熱体32Hは第1の導電体127(1)、127(2)のそれぞれの表面上に例えば熱伝導性に優れた接着材を用いて熱的にかつ機械的に接続される。この接着材には例えばはんだが使用される。
[Configuration of first transformer (electronic component)]
As shown in FIGS. 15A and 15B, the first transformer 3 of the electronic circuit device 1 according to the fourth embodiment extends to the first insulating base 121 (1) outside the core 33. A heat radiating body 32H is disposed on the surface of the first conductor 127 (1), and the first conductor 127 (2) extends outside the core 33 and extends to the first insulating base 121 (2). A heat radiator 32H is disposed on the surface. For example, a Cu plate (Cu prism) or a Cu alloy plate (Cu alloy prism) excellent in thermal conductivity can be used for the radiator 32H. Here, the planar shape of the radiator 32H is a square shape, but may be any of a circular shape, an elliptical shape, a triangular shape, and a polygonal shape having five or more corners. The radiator 32H is thermally and mechanically connected to the surfaces of the first conductors 127 (1) and 127 (2) using, for example, an adhesive having excellent thermal conductivity. For example, solder is used as the adhesive.

実施例4に係る放熱体32Hは、第1の導電体127(1)、127(2)のそれぞれとは別の材料によって形成されているが、立体的形状を有するので、樹脂封止体17との接触面積を大きく確保することができる。すなわち、放熱体32Hから樹脂封止体17への熱抵抗値を減少することができるので、放熱効果を高め、より一層渦電流損を確実に減少することができる。   The heat radiator 32H according to the fourth embodiment is formed of a material different from each of the first conductors 127 (1) and 127 (2), but has a three-dimensional shape. A large contact area can be secured. That is, since the thermal resistance value from the heat radiating body 32H to the resin sealing body 17 can be reduced, the heat radiating effect can be enhanced, and the eddy current loss can be further reliably reduced.

(その他の実施の形態)
上記のように、本発明を実施例1及び実施例2によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものでない。本発明は様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術に適用することができる。
(Other embodiments)
As mentioned above, although this invention was described by Example 1 and Example 2, the description and drawing which make a part of this indication do not limit this invention. The present invention can be applied to various alternative embodiments, examples, and operational technologies.

例えば、本発明は、電子回路装置1としてDC−DCコンバータに限定されるものではなく、DC−DCコンバータとその前段にそれとともに電源モジュールを構築する高周波対策用力率改善(PFC:Power Factor Correction)回路を電子回路装置1としてもよい。また、本発明は、磁性体を用いて製作される電子部品を備えた電子回路装置に広く適用することができる。   For example, the present invention is not limited to a DC-DC converter as the electronic circuit device 1, but a power factor correction (PFC: Power Factor Correction) for constructing a DC-DC converter and a power supply module therewith in the preceding stage. The circuit may be the electronic circuit device 1. In addition, the present invention can be widely applied to an electronic circuit device including an electronic component manufactured using a magnetic material.

本発明は、薄型化並びに小型化を実現しつつ、渦電流損を効率良く減少することができる電子部品を備えた電子回路装置に広く適用可能である。   The present invention is widely applicable to an electronic circuit device including an electronic component that can efficiently reduce eddy current loss while realizing a reduction in thickness and size.

1…電子回路装置
11…基板
12…トランス基板
121…第1の絶縁基材
122…第2の絶縁基材
126…第2の導電体
127…第1の導電体
128…第3の導電体
17…樹脂封止体
180−193、1800−1808、1900−1903…リード
2…トランジスタ部
21…第1のIGFET
22…第2のIGFET
3…第1のトランス
3G…磁気ギャップ
33…コア
31H、32H…放熱体
331…第1のコア
331C…第2の磁心
332…第2のコア
332C…第1の磁心
41−43…コンデンサ
5…ダイオード
6…制御部
7…第2のトランス
8…温度検出部
91…応力緩衝体
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Electronic circuit apparatus 11 ... Board | substrate 12 ... Transformer board 121 ... 1st insulation base material 122 ... 2nd insulation base material 126 ... 2nd conductor 127 ... 1st conductor 128 ... 3rd conductor 17 ... Resin encapsulant 180-193, 1800-1808, 1900-1903 ... Lead 2 ... Transistor part 21 ... First IGFET
22 ... Second IGFET
3 ... 1st transformer 3G ... Magnetic gap 33 ... Core 31H, 32H ... Radiator 331 ... 1st core 331C ... 2nd magnetic core 332 ... 2nd core 332C ... 1st magnetic core 41-43 ... Capacitor 5 ... Diode 6 ... Control unit 7 ... Second transformer 8 ... Temperature detection unit 91 ... Stress buffer

Claims (7)

第1の方向に磁心、磁気ギャップのそれぞれが配列された磁性体と、
前記第1の方向と交差する第2の方向において前記磁心の周面から第1の離間距離を有し前記磁心の周囲に配設された少数巻線と、
前記第1の方向において前記少数巻線に積層され、前記第2の方向において前記磁心の周面から前記第1の離間距離よりも大きい第2の離間距離を有し前記磁気ギャップの周囲に配設された多数巻線と、
を有する電子部品を備えたことを特徴とする電子回路装置。
A magnetic body in which a magnetic core and a magnetic gap are arranged in a first direction;
A minority winding disposed around the magnetic core and having a first separation distance from a circumferential surface of the magnetic core in a second direction intersecting the first direction;
It is stacked on the minority winding in the first direction, and has a second separation distance larger than the first separation distance from the circumferential surface of the magnetic core in the second direction, and is arranged around the magnetic gap. With many windings installed,
An electronic circuit device comprising an electronic component having
前記磁気ギャップと前記少数巻線との間及び前記磁気ギャップと前記多数巻線との間が第4の離間距離に設定され、この第4の離間距離は前記第2の離間距離に設定されていることを特徴とする請求項1に記載の電子回路装置。   A fourth separation distance is set between the magnetic gap and the minority winding and between the magnetic gap and the majority winding, and the fourth separation distance is set to the second separation distance. The electronic circuit device according to claim 1, wherein: 前記少数巻線は第1の絶縁基材の表面上に配設された第1の導電体により構成され、前記多数巻線は第2の絶縁基材の表面上に配設された第2の導電体により構成され、前記電子部品は前記第1の絶縁基材、前記第1の導電体、前記第2の絶縁基材、前記第2の導電体のそれぞれを積層したシートトランスであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の電子回路装置。   The minority winding is constituted by a first conductor disposed on the surface of the first insulating substrate, and the majority winding is a second conductor disposed on the surface of the second insulating substrate. It is composed of a conductor, and the electronic component is a sheet transformer in which each of the first insulating base material, the first conductor, the second insulating base material, and the second conductor is laminated. The electronic circuit device according to claim 1 or 2, characterized in that 前記少数巻線において前記第1の導電体の前記磁心から前記第1の離間距離を有する領域の幅寸法がそれ以外の領域の幅寸法に比べて小さく設定され、前記多数巻線において前記第2の導電体の前記磁心から前記第2の離間距離を有する領域の幅寸法がそれ以外の領域の幅寸法に比べて小さく設定されていることを特徴とする請求項3に記載の電子回路装置。   In the minority winding, the width dimension of the region having the first separation distance from the magnetic core of the first conductor is set smaller than the width dimension of the other region, and the second winding in the majority winding. 4. The electronic circuit device according to claim 3, wherein the width dimension of the region having the second separation distance from the magnetic core of the conductor is set smaller than the width dimension of the other region. 前記少数巻線において前記第1の導電体のその側面と前記磁心又は前記磁性体とが対向する領域の幅寸法がそれ以外の領域の幅寸法に比べて小さく設定され、前記多数巻線において前記第2の導電体のその側面と前記磁気ギャップ、前記磁心又は前記磁性体とが対向する領域の幅寸法がそれ以外の領域の幅寸法に比べて小さく設定されていることを特徴とする請求項3に記載の電子回路装置。   In the minority winding, the width dimension of the region where the side surface of the first conductor and the magnetic core or the magnetic body face each other is set smaller than the width dimension of the other region, The width dimension of a region where the side surface of the second conductor and the magnetic gap, the magnetic core, or the magnetic body face each other is set smaller than the width dimension of the other region. 3. The electronic circuit device according to 3. 前記少数巻線の前記第1の導電体、前記多数巻線の前記第2の導電体に放熱体が装着されていることを特徴とする請求項3乃至請求項5のいずれかに記載の電子回路装置。   6. The electron according to claim 3, wherein a heat radiator is mounted on the first conductor of the minority winding and the second conductor of the majority winding. Circuit device. 第1の方向に第1の磁心、磁気ギャップ、第2の磁心のそれぞれが配列された磁性体と、
前記第1の方向と交差する第2の方向において前記第1の磁心の周面から第1の離間距離を有し前記第1の磁心の周囲に配設された第1の少数巻線と、
前記第1の方向において前記第1の少数巻線に積層され、前記第2の方向において前記第1の磁心の周面から前記第1の離間距離よりも大きい第2の離間距離を有し前記磁気ギャップの周囲に配設された多数巻線と、
前記第1の方向において前記多数巻線を介在して前記第1の少数巻線に積層され、前記第2の方向において前記第2の磁心の周面から前記第2の離間距離よりも小さい第3の離間距離を有し前記第2の磁心の周囲に配設された第2の少数巻線と、
を有する電子部品を備えたことを特徴とする電子回路装置。
A magnetic body in which each of the first magnetic core, the magnetic gap, and the second magnetic core is arranged in the first direction;
A first minority winding disposed around the first magnetic core and having a first separation distance from a circumferential surface of the first magnetic core in a second direction intersecting the first direction;
The first minority winding is stacked in the first direction, and has a second separation distance larger than the first separation distance from the peripheral surface of the first magnetic core in the second direction. Multiple windings arranged around the magnetic gap;
The first direction is stacked on the first minority winding with the majority winding interposed therebetween, and the second direction is smaller than the second separation distance from the peripheral surface of the second magnetic core in the second direction. A second minority winding having a separation distance of 3 and disposed around the second magnetic core;
An electronic circuit device comprising an electronic component having
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015050391A (en) * 2013-09-03 2015-03-16 パナソニックIpマネジメント株式会社 Lighting device, lamp fitting and vehicle
JP2016004928A (en) * 2014-06-18 2016-01-12 富士通株式会社 Planar type transformer
JP2016506624A (en) * 2012-12-19 2016-03-03 テレフオンアクチーボラゲット エル エム エリクソン(パブル) Planar transformer
JP2016096314A (en) * 2014-11-17 2016-05-26 株式会社豊田自動織機 Electronic apparatus
KR101639594B1 (en) * 2015-01-15 2016-07-25 (주)코러싱 Coil for transformer using laminating structure and manufacturing method therof
US20160284464A1 (en) * 2015-03-27 2016-09-29 Fdk Corporation Electronic module
KR20160126350A (en) * 2015-04-23 2016-11-02 주식회사 솔루엠 Transformer and power supply apparatus including the same
JP2017118020A (en) * 2015-12-25 2017-06-29 三菱電機株式会社 Isolation transformer
US9960683B2 (en) 2013-12-04 2018-05-01 Tdk Corporation Electronic circuit device
WO2021075086A1 (en) * 2019-10-15 2021-04-22 住友電気工業株式会社 Magnetic component, and circuit structure
CN113811963A (en) * 2019-05-28 2021-12-17 株式会社自动网络技术研究所 Variable device

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01276609A (en) * 1988-04-27 1989-11-07 Mitsubishi Electric Corp Transformer
JPH0590047A (en) * 1991-09-30 1993-04-09 Murata Mfg Co Ltd Choke coil
JPH09162035A (en) * 1995-12-11 1997-06-20 Murata Mfg Co Ltd Coil device
JP2007059839A (en) * 2005-08-26 2007-03-08 Matsushita Electric Works Ltd Lc composite component
JP2008210998A (en) * 2007-02-27 2008-09-11 Pony Denki Kk Reactor element with air gap
WO2009131059A1 (en) * 2008-04-24 2009-10-29 パナソニック電工株式会社 Transformer, power converter using the transformer, lighting device, lamp for vehicle, and vehicle

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01276609A (en) * 1988-04-27 1989-11-07 Mitsubishi Electric Corp Transformer
JPH0590047A (en) * 1991-09-30 1993-04-09 Murata Mfg Co Ltd Choke coil
JPH09162035A (en) * 1995-12-11 1997-06-20 Murata Mfg Co Ltd Coil device
JP2007059839A (en) * 2005-08-26 2007-03-08 Matsushita Electric Works Ltd Lc composite component
JP2008210998A (en) * 2007-02-27 2008-09-11 Pony Denki Kk Reactor element with air gap
WO2009131059A1 (en) * 2008-04-24 2009-10-29 パナソニック電工株式会社 Transformer, power converter using the transformer, lighting device, lamp for vehicle, and vehicle

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016506624A (en) * 2012-12-19 2016-03-03 テレフオンアクチーボラゲット エル エム エリクソン(パブル) Planar transformer
JP2015050391A (en) * 2013-09-03 2015-03-16 パナソニックIpマネジメント株式会社 Lighting device, lamp fitting and vehicle
US9960683B2 (en) 2013-12-04 2018-05-01 Tdk Corporation Electronic circuit device
JP2016004928A (en) * 2014-06-18 2016-01-12 富士通株式会社 Planar type transformer
JP2016096314A (en) * 2014-11-17 2016-05-26 株式会社豊田自動織機 Electronic apparatus
KR101639594B1 (en) * 2015-01-15 2016-07-25 (주)코러싱 Coil for transformer using laminating structure and manufacturing method therof
US20160284464A1 (en) * 2015-03-27 2016-09-29 Fdk Corporation Electronic module
US10276292B2 (en) 2015-03-27 2019-04-30 Fdk Corporation Electronic module with polygonal core insertion hole
KR20160126350A (en) * 2015-04-23 2016-11-02 주식회사 솔루엠 Transformer and power supply apparatus including the same
KR101690262B1 (en) 2015-04-23 2016-12-28 주식회사 솔루엠 Transformer and power supply apparatus including the same
JP2017118020A (en) * 2015-12-25 2017-06-29 三菱電機株式会社 Isolation transformer
CN113811963A (en) * 2019-05-28 2021-12-17 株式会社自动网络技术研究所 Variable device
CN113811963B (en) * 2019-05-28 2023-10-24 株式会社自动网络技术研究所 Variable device
WO2021075086A1 (en) * 2019-10-15 2021-04-22 住友電気工業株式会社 Magnetic component, and circuit structure

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