JP2012134079A - Dielectric forming glass paste for plasma display panel - Google Patents

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Yoshiaki Kitamura
嘉朗 北村
Kumiko Kitaji
久美子 北地
Hiroshi Oshima
洋 大島
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a dielectric forming glass paste for a plasma display panel, capable of obtaining a dielectric layer low in dielectric constant, excellent in surface flatness and thin in film thickness, even when a paste including a cellulose resin and glass powder comprising BO-SiOlead-free glass is used.SOLUTION: A dielectric forming glass paste for a plasma display panel of the present invention includes glass powder, a thermoplastic resin and a solvent. In the dielectric forming glass paste, the glass powder comprises BO-SiOlead-free glass, the thermoplastic resin comprises a cellulose resin, and the solvent contains a glycol ether solvent.

Description

本発明は、プラズマディスプレイパネル用誘電体形成ガラスペーストに関するものである。   The present invention relates to a dielectric-formed glass paste for a plasma display panel.

プラズマディスプレイは、自己発光型のフラットパネルディスプレイであり、軽量薄型、高視野角等の優れた特性を備えており、また大画面化が可能であることから、急速に市場が拡大している。   The plasma display is a self-luminous flat panel display, and has excellent characteristics such as light weight and thinness, a high viewing angle, and a large screen, so that the market is rapidly expanding.

プラズマディスプレイパネルは、前面ガラス基板と背面ガラス基板とが一定の間隔で対向しており、その周囲が封着ガラスで気密封止された構造を有している。尚、前面ガラス基板の外面側には、前面ガラス基板を保護するための保護板が貼り付けられ、保護板の上にはカラーフィルタが取り付けられている。また、パネル内部にはNe、Xe等の希ガスが充填されている。   The plasma display panel has a structure in which a front glass substrate and a back glass substrate are opposed to each other at a constant interval, and the periphery thereof is hermetically sealed with sealing glass. A protective plate for protecting the front glass substrate is attached to the outer surface side of the front glass substrate, and a color filter is attached on the protective plate. The inside of the panel is filled with a rare gas such as Ne or Xe.

上記用途に供される前面ガラス基板には、プラズマ放電用の走査電極が形成され、その上には走査電極を保護するために、10〜40μm程度の誘電体層(透明誘電体層)が形成されている。   A scanning electrode for plasma discharge is formed on the front glass substrate used for the above applications, and a dielectric layer (transparent dielectric layer) of about 10 to 40 μm is formed thereon to protect the scanning electrode. Has been.

また、背面ガラス基板には、プラズマ放電の位置を定めるためのアドレス電極が形成され、その上にはアドレス電極を保護するために、10〜20μm程度の誘電体層(アドレス電極保護誘電体層)が形成されている。更に、アドレス電極保護誘電体層上には、放電のセルを仕切るために隔壁が形成され、また、セル内には、赤(R)、緑(G)、青(B)の蛍光体が塗布されており、プラズマ放電を起こして紫外線を発生させることにより、蛍光体が刺激されて発光する仕組みになっている。   In addition, an address electrode for determining the position of plasma discharge is formed on the rear glass substrate, and a dielectric layer (address electrode protection dielectric layer) of about 10 to 20 μm is formed thereon to protect the address electrode. Is formed. In addition, barrier ribs are formed on the address electrode protection dielectric layer to partition discharge cells, and phosphors of red (R), green (G), and blue (B) are coated in the cells. The phosphor is stimulated to emit light by causing plasma discharge to generate ultraviolet rays.

一般に、プラズマディスプレイパネルの前面ガラス基板や背面ガラス基板には、ソーダライムガラスや高歪点ガラスが使用されており、走査電極やアドレス電極には、安価なAgやCr−Cu−Crからなる材料が広く用いられている。また、電極を形成したガラス基板に誘電体層を形成する方法としては、ガラス粉末等の粉末成分とビークル(溶剤に熱可塑性樹脂等を溶かしたもの)を混練して作製したペースト状の誘電体材料をスクリーン印刷法により塗布し、乾燥後、焼成する方法が広く用いられている。尚、ガラス基板上への誘電体層の形成にあたっては、ガラス基板の変形を防止し、電極との反応による特性の劣化を抑えるために、500〜600℃程度の温度域で焼成される。それ故、誘電体材料には、ガラス基板の熱膨張係数に適合し、500〜600℃で焼成でき、しかも、電極と反応しないことが求められている。   Generally, soda lime glass and high strain point glass are used for the front glass substrate and the back glass substrate of the plasma display panel, and materials made of inexpensive Ag or Cr—Cu—Cr are used for the scan electrode and the address electrode. Is widely used. In addition, as a method of forming a dielectric layer on a glass substrate on which an electrode is formed, a paste-like dielectric prepared by kneading a powder component such as glass powder and a vehicle (a solution obtained by dissolving a thermoplastic resin in a solvent). A method in which a material is applied by a screen printing method, dried, and fired is widely used. In forming the dielectric layer on the glass substrate, the glass substrate is baked in a temperature range of about 500 to 600 ° C. in order to prevent deformation of the glass substrate and suppress deterioration of characteristics due to reaction with the electrode. Therefore, the dielectric material is required to be compatible with the thermal expansion coefficient of the glass substrate, be baked at 500 to 600 ° C., and not react with the electrode.

また、透明誘電体層においては、上記特性に加え、高い透明性を有すること、高い耐電圧を有することも求められている。そのため、透明誘電体層を形成するための誘電体材料には、焼成時に泡が抜けやすいことが求められ、また、焼成して得られる誘電体層には、表面が平滑で、しかも、膜厚が均一であることが求められている。   In addition to the above characteristics, the transparent dielectric layer is also required to have high transparency and high withstand voltage. Therefore, the dielectric material for forming the transparent dielectric layer is required to be easy to remove bubbles during firing, and the dielectric layer obtained by firing has a smooth surface and a film thickness. Is required to be uniform.

上記の要求特性を満たすものとして、特許文献1に示すようなPbO−B−SiO系の鉛ガラス粉末を含む誘電体材料が使用されてきたが、近年、環境保護の高まりや環境負荷物質の使用削減の動きから、特許文献2に示すようなB−SiO系非鉛ガラス粉末を含む誘電体材料が提案されている。 In order to satisfy the above required characteristics, a dielectric material containing PbO—B 2 O 3 —SiO 2 based lead glass powder as shown in Patent Document 1 has been used. From the movement of reducing the use of load substances, a dielectric material containing B 2 O 3 —SiO 2 non-lead glass powder as shown in Patent Document 2 has been proposed.

特開平11−60272号公報Japanese Patent Laid-Open No. 11-60272 特開2008−60064号公報JP 2008-60064 A

ところで、上記のプラズマディスプレイパネル用誘電体形成ガラスペーストには、ガラス基板上に誘電体形成ガラスペーストを塗布、乾燥して得られるペースト乾燥膜の膜強度を高めるために、熱可塑性樹脂が含有されている。   By the way, the above-mentioned dielectric-formed glass paste for plasma display panel contains a thermoplastic resin in order to increase the film strength of a dry paste film obtained by applying and drying the dielectric-formed glass paste on a glass substrate. ing.

尚、誘電体形成ガラスペースト中に含まれる熱可塑性樹脂としては、安価であること、誘電体形成ガラスペーストを塗布する際の塗工性や塗布膜のレベリング性を容易に向上させることができることから、通常、セルロース系樹脂が用いられている。   Note that the thermoplastic resin contained in the dielectric-formed glass paste is inexpensive and can easily improve the coating properties and leveling properties of the coating film when applying the dielectric-formed glass paste. Usually, a cellulose resin is used.

しかしながら、セルロース系樹脂は、天然高分子素材からなるため、分子量や分子構造のばらつきが大きく、それにより溶剤に対する溶解性も大きく変化する。そのため、溶剤にセルロース系樹脂を溶解させたビークル中には、ゲル状のセルロース系樹脂の未溶解物が残存することがある。尚、セルロース系樹脂の未溶解物を含む誘電体形成ガラスペーストを用いて、ガラス基板上にペースト膜を形成し、これを焼成して誘電体層を形成すると、セルロース系樹脂の未溶解物が存在した部分には、大きな泡が残存したり、脱泡時に膜表面に大きな窪みを形成しやすく、表面が平滑で、均一な膜厚を有する誘電体層が得難くなることがある。   However, since the cellulose-based resin is made of a natural polymer material, the molecular weight and the molecular structure vary greatly, and the solubility in the solvent also changes greatly. Therefore, an undissolved gel-like cellulose resin may remain in the vehicle in which the cellulose resin is dissolved in a solvent. In addition, when using a dielectric-forming glass paste containing an undissolved material of a cellulose-based resin, a paste film is formed on a glass substrate, and this is fired to form a dielectric layer. Large portions may remain in the existing portions, or large depressions may be easily formed on the film surface during defoaming, and it may be difficult to obtain a dielectric layer having a smooth surface and a uniform film thickness.

特に、プラズマディスプレイにおいては、近年の低消費電力化の流れから、誘電体層の低誘電率化が求められている。誘電体層の低誘電率化を図るために、誘電率の低いB−SiO系非鉛ガラスからなるガラス粉末を含む誘電体形成ガラスペーストを用いることが検討されているが、このガラス粉末は、ペースト乾燥膜の焼成温度域でのガラスの粘性が高いため、ペースト乾燥膜を焼成する際に、熱可塑性樹脂等の有機成分の熱分解で生じる放出ガスを膜中に内包しやすく、大きな泡となって、脱泡時に膜表面に大きな窪みを形成しやすい。 In particular, in a plasma display, a low dielectric constant of a dielectric layer is required due to the recent trend of low power consumption. In order to reduce the dielectric constant of the dielectric layer, it has been studied to use a dielectric-forming glass paste containing glass powder made of B 2 O 3 —SiO 2 non-lead glass having a low dielectric constant. Glass powder has a high viscosity in the baking temperature range of the paste dry film, so when firing the paste dry film, it is easy to enclose the release gas generated by the thermal decomposition of organic components such as thermoplastic resin in the film. It becomes a large bubble, and it is easy to form a large depression on the film surface during defoaming.

さらに、誘電体層の誘電率を低くすると、静電容量等の他の誘電特性を満足させるために誘電体層の厚みを薄くしなければならないため、従来、誘電体層表面に影響を及ぼさないような小さな泡でも、誘電体層表面に影響を及ぼすようになってきている。   Furthermore, if the dielectric constant of the dielectric layer is lowered, the thickness of the dielectric layer must be reduced in order to satisfy other dielectric characteristics such as capacitance, so that it does not affect the surface of the dielectric layer conventionally. Even such small bubbles are starting to affect the surface of the dielectric layer.

本発明の目的は、セルロース系樹脂とB−SiO系非鉛ガラスからなるガラス粉末を含むペーストを用いても、誘電率が低く、表面平滑性に優れた膜厚の薄い誘電体層を得ることができるプラズマディスプレイパネル用誘電体形成ガラスペーストを提供することである。 An object of the present invention is to provide a thin dielectric film having a low dielectric constant and excellent surface smoothness even when a paste containing a glass powder composed of a cellulose resin and B 2 O 3 —SiO 2 non-lead glass is used. It is to provide a dielectric-formed glass paste for a plasma display panel that can obtain a layer.

本発明者等は種々の実験を行った結果、溶剤として、グリコールエーテル系溶剤を含有させることで、セルロース系樹脂や、B−SiO系非鉛ガラスからなるガラス粉末を含むペーストを用いても、誘電率が低く、表面平滑性に優れた膜厚の薄い誘電体層が得られることを見いだし提案するものである。 As a result of conducting various experiments, the inventors have made a paste containing a cellulose resin or a glass powder made of B 2 O 3 —SiO 2 non-lead glass by containing a glycol ether solvent as a solvent. Even if it is used, it is found and proposed that a thin dielectric layer having a low dielectric constant and excellent surface smoothness can be obtained.

即ち、本発明のプラズマディスプレイパネル用誘電体形成ガラスペーストは、ガラス粉末、熱可塑性樹脂及び溶剤を含むプラズマディスプレイパネル用誘電体形成ガラスペーストにおいて、ガラス粉末がB−SiO系非鉛ガラスからなり、熱可塑性樹脂がセルロース系樹脂からなり、且つ、溶剤が、グリコールエーテル系溶剤を含有することを特徴とする。 That is, the dielectric-forming glass paste for a plasma display panel of the present invention is a dielectric-forming glass paste for a plasma display panel containing glass powder, a thermoplastic resin, and a solvent, and the glass powder is B 2 O 3 —SiO 2 non-lead. It is made of glass, the thermoplastic resin is made of a cellulose resin, and the solvent contains a glycol ether solvent.

本発明のプラズマディスプレイパネル用誘電体形成ガラスペーストは、溶剤中にゲル状の未溶解物を生成しやすいセルロース系樹脂や、ペースト乾燥膜の焼成温度域におけるガラスの粘性が高いB−SiO系非鉛ガラスからなるガラス粉末を含むペーストを用いても、誘電率が低く、表面平滑性に優れた膜厚の薄い誘電体層を形成することができる。それ故、プラズマディスプレイパネル用誘電体形成ガラスペーストとして好適である。 The dielectric-forming glass paste for plasma display panel of the present invention is a cellulosic resin that easily generates a gel-like undissolved material in a solvent, or B 2 O 3 − which has high glass viscosity in the baking temperature range of the paste dry film. Even when a paste containing glass powder made of SiO 2 non-lead glass is used, a thin dielectric layer having a low dielectric constant and excellent surface smoothness can be formed. Therefore, it is suitable as a dielectric-forming glass paste for a plasma display panel.

本発明のプラズマディスプレイパネル用誘電体形成ガラスペーストは、比較的容易に低い誘電率が得やすいB−SiO系非鉛ガラスからなるガラス粉末と、ペーストを塗布する際の塗工性や塗布膜のレベリング性を容易に向上させることが可能なセルロース系樹脂を含む熱可塑性樹脂と、溶剤を主成分とする。 The dielectric-formed glass paste for a plasma display panel of the present invention is a glass powder made of B 2 O 3 —SiO 2 non-lead glass, which is relatively easy to obtain a low dielectric constant, and coatability when applying the paste. And a thermoplastic resin containing a cellulose resin capable of easily improving the leveling property of the coating film and a solvent as main components.

一般に、このような誘電体形成ガラスペーストは、上述したように、溶剤中にセルロース系樹脂の未溶解物が残存しやすく、ペースト乾燥膜の焼成温度域でのガラスの粘性が高いため、ペースト乾燥膜を焼成する際に生じる放出ガスが大泡となって誘電体層中に残存したり、誘電体層表面に大きな窪みを形成しやすい傾向にある。   In general, such a dielectric-forming glass paste is, as described above, an undissolved cellulose-based resin is likely to remain in the solvent, and the viscosity of the glass in the baking temperature range of the paste dry film is high. The released gas generated when the film is baked tends to remain as a large bubble and remain in the dielectric layer, or a large depression tends to be formed on the surface of the dielectric layer.

しかし、本発明のプラズマディスプレイパネル用誘電体形成ガラスペーストでは、溶剤の一部に、熱可塑性樹脂に用いられるセルロース系樹脂の未溶解物の生成を抑える効果を有するグリコールエーテル系溶剤を含有させている。そのため、B−SiO系非鉛ガラスからなるガラス粉末を含むペーストを用いても、焼成時における大泡の発生を抑えることができ、誘電率が低く、表面平滑性に優れた膜厚の薄い誘電体層を形成することができる。 However, in the dielectric-forming glass paste for a plasma display panel of the present invention, a glycol ether solvent having an effect of suppressing the generation of undissolved cellulose-based resin used for the thermoplastic resin is contained in a part of the solvent. Yes. Therefore, even when a paste containing glass powder made of B 2 O 3 —SiO 2 non-lead glass is used, generation of large bubbles during firing can be suppressed, the dielectric constant is low, and the film has excellent surface smoothness. A thin dielectric layer can be formed.

尚、溶剤の一部に使用するグリコールエーテル系溶剤としては、フェニルグリコール、フェニルジグリコール、フェニルプロピレングリコール、ベンジルグリコールの中から選ばれた少なくとも1種以上のグリコールエーテル系溶剤を使用することが好ましい。これらのグリコールエーテル系溶剤であれば、ペーストの粘度調整のために用いられる他の溶剤(具体的には、ターピネオール、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、2,2,4−トリメチル−1,3−ペンタジオールモノイソブチレート等を単独あるいは混合した溶剤)との親和性も良く、セルロース系樹脂の未溶解物の生成を抑えることができるため、焼成時における大泡の発生を抑えて、表面平滑性に優れた膜厚の薄い誘電体層を形成することができる。   As the glycol ether solvent used as a part of the solvent, it is preferable to use at least one glycol ether solvent selected from phenyl glycol, phenyl diglycol, phenylpropylene glycol, and benzyl glycol. . If these glycol ether solvents are used, other solvents used for adjusting the viscosity of the paste (specifically, terpineol, diethylene glycol monobutyl ether acetate, 2,2,4-trimethyl-1,3-pentadiol mono) It has good affinity with solvents that contain isobutyrate alone or in combination, and can suppress the formation of undissolved cellulose-based resin, so it suppresses the generation of large bubbles during firing and has excellent surface smoothness. A thin dielectric layer having a small thickness can be formed.

溶剤中におけるグリコールエーテル系溶剤の含有割合は、質量比で3〜90%の範囲にすることが好ましい。溶剤中におけるグリコールエーテル系溶剤の含有割合が小さすぎると、セルロース系樹脂の未溶解物の生成を抑える効果が得難くなり、焼成時に、誘電体層中に大泡が残存したり、誘電体層表面に大きな窪みを形成しやすく、表面平滑性に優れた誘電体層が得難くなる。また、溶剤中におけるグリコールエーテル系溶剤の含有割合が大きすぎても、セルロース系樹脂の未溶解物の生成を抑える効果が得難くなり、焼成時に、誘電体層中に大泡が残存したり、誘電体層表面に大きな窪みを形成しやすく、表面平滑性に優れた誘電体層が得難くなる。また、ガラス基板上に形成した塗布膜の乾燥性が低下する傾向にあり、作業性が低下しやすくなる。溶剤中におけるグリコールエーテル系溶剤の含有割合のより好ましい範囲は、質量比で10〜85%である。   The content ratio of the glycol ether solvent in the solvent is preferably in the range of 3 to 90% by mass ratio. If the content ratio of the glycol ether solvent in the solvent is too small, it is difficult to obtain the effect of suppressing the formation of undissolved cellulose resin, and large bubbles may remain in the dielectric layer during firing. It is easy to form a large depression on the surface, and it becomes difficult to obtain a dielectric layer having excellent surface smoothness. In addition, even if the content ratio of the glycol ether solvent in the solvent is too large, it is difficult to obtain the effect of suppressing the generation of undissolved cellulose resin, and large bubbles remain in the dielectric layer during firing, It is easy to form a large depression on the surface of the dielectric layer, and it becomes difficult to obtain a dielectric layer excellent in surface smoothness. Moreover, the drying property of the coating film formed on the glass substrate tends to be lowered, and the workability is likely to be lowered. A more preferable range of the content ratio of the glycol ether solvent in the solvent is 10 to 85% by mass ratio.

また、ペースト中における溶剤の含有量は、20〜60質量%の範囲にすることが好ましい。ペースト中における溶剤の含有量が少なくなりすぎると、セルロース系樹脂の未溶解物の生成を抑える効果が得難くなり、焼成時に、誘電体層中に大泡が残存したり、誘電体層表面に大きな窪みを形成しやすく、表面平滑性に優れた誘電体層が得難くなることがある。また、ガラス粉末の含有量が多くなるため、膜厚の薄い誘電体層が得難くなったり、セルロース系樹脂を含む熱可塑性樹脂の含有量が多くなり、焼成時において、脱バインダー性が低下して誘電体層が黄変しやすくなる。一方、ペースト中における溶剤の含有量が多くなりすぎると、誘電体形成ガラスペーストの粘度が低くなりすぎて、誘電体形成ガラスペーストを塗布する上で適切な粘度が得られず、塗布膜を形成する際に液だれ等が生じ誘電体形成ガラスペーストの塗工性が著しく低下する。溶剤のより好ましい範囲は22〜58質量%であり、さらに好ましい範囲は24〜56質量%である。   Moreover, it is preferable to make content of the solvent in a paste into the range of 20-60 mass%. If the content of the solvent in the paste is too small, it will be difficult to obtain the effect of suppressing the formation of undissolved cellulose-based resin, and large bubbles may remain in the dielectric layer during firing, It may be difficult to obtain a dielectric layer that is easy to form a large depression and has excellent surface smoothness. In addition, since the glass powder content is increased, it is difficult to obtain a thin dielectric layer, or the content of the thermoplastic resin including the cellulose resin is increased, and the binder removal property is reduced during firing. Therefore, the dielectric layer is easily yellowed. On the other hand, if the content of the solvent in the paste is too high, the viscosity of the dielectric-forming glass paste becomes too low to obtain an appropriate viscosity for applying the dielectric-forming glass paste, and a coating film is formed. In this case, dripping or the like occurs, and the coating property of the dielectric-forming glass paste is remarkably lowered. A more preferable range of the solvent is 22 to 58% by mass, and a more preferable range is 24 to 56% by mass.

本発明のプラズマディスプレイパネル用誘電体形成ガラスペーストは、上記の溶剤の他に、熱可塑性樹脂及びガラス粉末を主成分とする。以下、各成分について説明する。   The dielectric-formed glass paste for a plasma display panel of the present invention contains a thermoplastic resin and glass powder as main components in addition to the above-mentioned solvent. Hereinafter, each component will be described.

本発明において使用する熱可塑性樹脂は、誘電体形成ガラスペーストの粘度を調整して誘電体形成ガラスペーストの塗工性を向上させると共に、ペースト乾燥膜の膜強度を高めたり、柔軟性を付与するための成分であり、その含有量は3〜30質量%の範囲にすることが好ましい。ペースト中における熱可塑性樹脂の含有量が少なくなりすぎると、ガラス粉末の含有量が多くなり、膜厚の薄い誘電体層が得難くなったり、溶剤の含有量が多くなり、誘電体形成ガラスペーストの塗工性が著しく低下する。一方、熱可塑性樹脂の含有量が多くなりすぎると、焼成時において、脱バインダー性が低下する傾向にあり、電極としてAgを用いた場合、Ag電極が還元され、誘電体層が黄変しやすくなる。熱可塑性樹脂のより好ましい範囲は4〜25質量%であり、さらに好ましい範囲は5〜20質量%である。   The thermoplastic resin used in the present invention improves the coating property of the dielectric-forming glass paste by adjusting the viscosity of the dielectric-forming glass paste, and increases the strength of the paste dry film or imparts flexibility. It is a component for this, It is preferable to make the content into the range of 3-30 mass%. If the thermoplastic resin content in the paste is too low, the glass powder content will increase, making it difficult to obtain a thin dielectric layer or increasing the solvent content, resulting in a dielectric-forming glass paste. The applicability of the coating is significantly reduced. On the other hand, if the content of the thermoplastic resin is too large, the binder removal property tends to be reduced during firing. When Ag is used as the electrode, the Ag electrode is reduced and the dielectric layer is easily yellowed. Become. A more preferable range of the thermoplastic resin is 4 to 25% by mass, and a further preferable range is 5 to 20% by mass.

尚、熱可塑性樹脂としては、エチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、メチルセルロース、カルボキシメチルセルロースの中から選ばれた少なくとも1種以上のセルロース系樹脂からなるものを使用することが好ましい。これらのセルロース系樹脂であれば、グリコールエーテル系溶剤に溶けやすくなるため、焼成時における大泡の発生を抑えて、表面平滑性に優れた膜厚の薄い誘電体層を形成することができる。中でも、特に、エチルセルロースを用いると、間欠塗布に適した粘度を有する誘電体形成ガラスペーストが得やすくなる。また、焼成時における脱バインダー性を向上させるために、これらのセルロース系樹脂の一部を、ポリブチルメタアクリレート、ポリメチルメタアクリレート、ポリエチルメタアクリレート等のアクリル樹脂に置き換えて使用してもよい。   In addition, as a thermoplastic resin, it is preferable to use what consists of at least 1 or more types of cellulose resin chosen from ethyl cellulose, hydroxyethyl cellulose, methylcellulose, and carboxymethylcellulose. Since these cellulose resins are easily dissolved in a glycol ether solvent, generation of large bubbles during firing can be suppressed, and a thin dielectric layer having excellent surface smoothness can be formed. In particular, when ethyl cellulose is used, it becomes easy to obtain a dielectric-forming glass paste having a viscosity suitable for intermittent application. Further, in order to improve the debinding property at the time of firing, a part of these cellulose-based resins may be replaced with an acrylic resin such as polybutyl methacrylate, polymethyl methacrylate, polyethyl methacrylate or the like. .

本発明において使用するガラス粉末は、低誘電率で、しかも、高い耐電圧を有する誘電体層を形成するための成分であり、その含有量は15〜60質量%の範囲にすることが好ましい。ペースト中におけるガラス粉末の含有量が少なくなりすぎると、低誘電率で、しかも、高い耐電圧を有する誘電体層が得難くなる。一方、ガラス粉末の含有量が多くなりすぎると、膜厚の薄い誘電体層が得難くなる。ガラス粉末のより好ましい範囲は17〜57質量%であり、さらに好ましい範囲は20〜55質量%である。   The glass powder used in the present invention is a component for forming a dielectric layer having a low dielectric constant and a high withstand voltage, and the content thereof is preferably in the range of 15 to 60% by mass. If the glass powder content in the paste is too small, it is difficult to obtain a dielectric layer having a low dielectric constant and a high withstand voltage. On the other hand, when the content of the glass powder is excessive, it is difficult to obtain a thin dielectric layer. A more preferable range of the glass powder is 17 to 57% by mass, and a further preferable range is 20 to 55% by mass.

尚、本発明において使用するガラス粉末は、B−SiO系非鉛ガラスを基本組成とする。その理由は、比較的容易にガラスの低誘電率化及び低融点化が可能であり、しかも、ガラス基板に適合する熱膨張係数を得やすいためである。 The glass powder used in the present invention has a basic composition of B 2 O 3 —SiO 2 non-lead glass. The reason is that it is possible to lower the dielectric constant and the melting point of the glass relatively easily, and it is easy to obtain a thermal expansion coefficient suitable for the glass substrate.

また、ガラス粉末は、B−SiO系非鉛ガラスの中でも、特に、B 26〜45%、SiO 42超〜57%、Al 1〜6%、NaO 0〜10%、KO 1〜15%、NaO+KO 4〜20%、ZnO 0〜7%、CuO+MoO+CeO+MnO+CoO 0〜6%の組成範囲からなるガラスを使用することが好ましい。このような組成範囲内にあるガラスであれば、ガラス化範囲も広く安定で、ガラスの軟化点が低く、25℃、1MHzにおけるガラス粉末の誘電率が6.0以下となりやすく、低い誘電率を有する誘電体層が得やすくなる。 Further, among the B 2 O 3 —SiO 2 non-lead glass, the glass powder is particularly B 2 O 3 26 to 45%, SiO 2 more than 42 to 57%, Al 2 O 3 1 to 6%, Na 2. A glass having a composition range of O 0 to 10%, K 2 O 1 to 15%, Na 2 O + K 2 O 4 to 20%, ZnO 0 to 7%, CuO + MoO 3 + CeO 2 + MnO 2 + CoO 0 to 6% is used. It is preferable. If the glass is in such a composition range, the vitrification range is wide and stable, the softening point of the glass is low, the dielectric constant of the glass powder at 25 ° C. and 1 MHz tends to be 6.0 or less, and the low dielectric constant is low. It becomes easy to obtain the dielectric layer which has.

本発明において、ガラス粉末のガラス組成を上記のように限定した理由は、次の通りである。   In the present invention, the reason why the glass composition of the glass powder is limited as described above is as follows.

はガラスの骨格を形成する成分であり、その含有量は26〜45%であることが好ましい。Bの含有量が少なくなると、ガラスの誘電率が高くなる傾向にある。一方、含有量が多くなりすぎると、ガラスの軟化点が高くなる傾向にあり、600℃以下の温度で焼成し難くなる。また、焼成温度域におけるガラスの粘性が高くなりやすく、誘電体層中に大泡が残存したり、誘電体層表面に窪みを形成し、表面平滑性に優れた膜厚の薄い誘電体層が得難くなる。さらに、ガラスの耐候性が低下してガラスが変質して、粉末状に加工することが難しくなったり、ガラスの安定性が著しく低下する傾向にあり、誘電体層を焼成する際に、ガラスが分相して高い透過率を有する誘電体層が得難くなる。Bのより好ましい範囲は29〜40%であり、さらに好ましい範囲は30〜38%未満である。 B 2 O 3 is a component that forms a glass skeleton, and its content is preferably 26 to 45%. When the content of B 2 O 3 decreases, the dielectric constant of the glass tends to increase. On the other hand, if the content is too large, the softening point of the glass tends to be high, and it becomes difficult to fire at a temperature of 600 ° C. or lower. In addition, the viscosity of the glass in the baking temperature range tends to be high, large bubbles remain in the dielectric layer, or depressions are formed on the surface of the dielectric layer, resulting in a thin dielectric layer with excellent surface smoothness. It becomes difficult to obtain. Furthermore, the weather resistance of the glass is lowered, the glass is denatured, and it becomes difficult to process into a powder form, or the stability of the glass tends to be remarkably lowered. It is difficult to obtain a dielectric layer having a high transmittance due to phase separation. A more preferable range of B 2 O 3 is 29 to 40%, and a further preferable range is 30 to less than 38%.

SiOはガラスの骨格を形成すると共に、誘電率を低下させる成分であり、その含有量は42超〜57%であることが好ましい。SiOの含有量が少なくなると、ガラスの誘電率が著しく上昇する傾向にある。一方、含有量が多くなると、ガラスの軟化点が高くなる傾向にあり、600℃以下の温度で焼成し難くなる。また、焼成温度域におけるガラスの粘性が高くなりやすく、誘電体層中に大泡が残存したり、誘電体層表面に窪みを形成し、表面平滑性に優れた膜厚の薄い誘電体層が得難くなる。さらに、ガラスの熱膨張係数が小さくなりすぎて、焼成時にガラス基板に反りが発生しやすくなる。SiOのより好ましい範囲は42.5〜56%であり、さらに好ましい範囲は43〜55%である。 SiO 2 is a component that forms a glass skeleton and lowers the dielectric constant, and its content is preferably more than 42 to 57%. When the content of SiO 2 decreases, the dielectric constant of the glass tends to increase remarkably. On the other hand, when the content increases, the softening point of the glass tends to increase, and it becomes difficult to fire at a temperature of 600 ° C. or lower. In addition, the viscosity of the glass in the baking temperature range tends to be high, large bubbles remain in the dielectric layer, or depressions are formed on the surface of the dielectric layer, resulting in a thin dielectric layer with excellent surface smoothness. It becomes difficult to obtain. Furthermore, the thermal expansion coefficient of the glass becomes too small, and the glass substrate is likely to warp during firing. A more preferable range of SiO 2 is 42.5 to 56%, and a further preferable range is 43 to 55%.

尚、低い誘電率を維持しながら、焼成時におけるガラスの分相を抑えて高い透過率を有する誘電体層を得やすくするには、B/SiOの値をモル比で0.55〜0.80の範囲となるようにすることが好ましい。B/SiOの値が小さくなりすぎると、誘電体層の強度が低下する傾向にあり、高い強度を有するガラス基板が得難くなる。一方、B/SiOの値が大きくなりすぎると、ガラスの耐候性が低下してガラスが変質して、粉末状に加工することが難しくなったり、ガラスの安定性が低下する傾向にあり、誘電体層を焼成する際に、ガラスが分相して高い透過率を有する誘電体層が得難くなる。B/SiOのより好ましい範囲は0.60〜0.80であり、さらに好ましい範囲は0.67〜0.80である。 In order to make it easy to obtain a dielectric layer having a high transmittance by suppressing the phase separation of the glass during firing while maintaining a low dielectric constant, the value of B 2 O 3 / SiO 2 is set to a molar ratio of 0.00. It is preferable to be in the range of 55 to 0.80. If the value of B 2 O 3 / SiO 2 becomes too small, the strength of the dielectric layer tends to decrease, and it becomes difficult to obtain a glass substrate having high strength. On the other hand, if the value of B 2 O 3 / SiO 2 becomes too large, the weather resistance of the glass is lowered and the glass is denatured, making it difficult to process into a powder form, or the stability of the glass tends to be lowered. Therefore, when the dielectric layer is fired, it is difficult to obtain a dielectric layer having a high transmittance due to phase separation of the glass. A more preferable range of B 2 O 3 / SiO 2 is 0.60 to 0.80, and a more preferable range is 0.67 to 0.80.

Alはガラスの耐候性を向上させたり、ガラスを安定化させ、焼成時におけるガラスの分相を抑える成分であり、その含有量は1〜6%であることが好ましい。Alの含有量が少なくなると、ガラスの耐候性が低下してガラスが変質して、粉末状に加工することが難しくなる。また、分相を抑える効果が得難くなり、結果として、高い透過率を有する誘電体層が得難くなる。一方、含有量が多くなっても、分相を抑える効果が得難くなり、高い透過率を有する誘電体層が得難くなる。Alのより好ましい範囲は1.1〜5.9%であり、さらに好ましい範囲は1.2〜5.4%である。 Al 2 O 3 is a component that improves the weather resistance of the glass, stabilizes the glass, and suppresses the phase separation of the glass during firing, and its content is preferably 1 to 6%. When the content of Al 2 O 3 decreases, the weather resistance of the glass decreases and the glass changes in quality, making it difficult to process into a powder form. In addition, it is difficult to obtain the effect of suppressing phase separation, and as a result, it is difficult to obtain a dielectric layer having high transmittance. On the other hand, even if the content is increased, it is difficult to obtain the effect of suppressing phase separation, and it becomes difficult to obtain a dielectric layer having high transmittance. A more preferable range of Al 2 O 3 is 1.1 to 5.9%, and a more preferable range is 1.2 to 5.4%.

NaOはガラスの軟化点及び焼成温度域におけるガラスの粘性を低下させたり、熱膨張係数を調整する成分であり、その含有量は0〜10%であることが好ましい。NaOの含有量が多くなると、電極にAgを用いた場合、誘電体材料とAgが反応し、誘電体層が黄色に変色(黄変)しやすくなり、画像が見難くなる問題が生じる。また、熱膨張係数が大きくなりすぎる傾向にあり、ガラス基板の熱膨張係数と整合し難くなる。さらに、ガラスの安定性が低下する傾向にあり、誘電体層を焼成する際に、ガラスが分相して高い透過率を有する誘電体層が得難くなる。NaOのより好ましい範囲は0〜8%であり、さらに好ましい範囲は0〜6%である。尚、ガラスの軟化点と誘電率を著しく上昇させずに、焼成時における分相を抑えて高い透過率を有する誘電体層を得たい場合は、ガラスの軟化点を下げると共に、ガラスを安定化させる成分であるZnOを1%以上含有させると共に、NaOの含有量を0〜3%にすることが好ましく、より好ましくは0〜1%であり、さらに好ましくは実質的に含有しないことである。 Na 2 O is a component that lowers the viscosity of the glass at the softening point and the firing temperature range of the glass or adjusts the thermal expansion coefficient, and its content is preferably 0 to 10%. When the content of Na 2 O increases, when Ag is used for the electrode, the dielectric material reacts with Ag, and the dielectric layer is likely to turn yellow (yellowing), resulting in a problem that the image is difficult to see. . In addition, the thermal expansion coefficient tends to be too large, and it becomes difficult to match the thermal expansion coefficient of the glass substrate. Furthermore, the stability of the glass tends to decrease, and when the dielectric layer is fired, it is difficult to obtain a dielectric layer having a high transmittance due to the phase separation of the glass. A more preferable range of Na 2 O is 0 to 8%, and a more preferable range is 0 to 6%. If you want to obtain a dielectric layer with high transmittance by suppressing phase separation during firing without significantly increasing the softening point and dielectric constant of the glass, lower the glass softening point and stabilize the glass. In addition to containing 1% or more of ZnO, which is a component to be added, the content of Na 2 O is preferably 0 to 3%, more preferably 0 to 1%, and still more preferably not substantially contained. is there.

Oはガラスの軟化点及び焼成温度域におけるガラスの粘性を低下させたり、熱膨張係数を調整する成分であり、その含有量は1〜15%であることが好ましい。KOの含有量が少なくなると、ガラスの軟化点が上昇して、600℃以下の温度で焼成し難くなる。一方、含有量が多くなると、電極にAgを用いた場合、誘電体材料とAgが反応し、誘電体層が黄変する傾向にあり、画像が見難くなる問題が生じやすくなる。また、熱膨張係数が大きくなりすぎる傾向にあり、ガラス基板の熱膨張係数と整合し難くなる。KOのより好ましい範囲は1〜14%であり、さらに好ましい範囲は4〜12%である。尚、ガラスの軟化点と誘電率を著しく上昇させずに、焼成時における分相を抑えて高い透過率を有する誘電体層を得たい場合は、ガラスの軟化点を下げると共に、ガラスを安定化させる成分であるZnOを1%以上含有させると共に、KOの含有量を1〜10%にすることが好ましく、より好ましくは4〜10%であり、さらに好ましくは4〜9%である。 K 2 O is a component that lowers the viscosity of the glass in the softening point and the firing temperature range of the glass or adjusts the thermal expansion coefficient, and its content is preferably 1 to 15%. When the content of K 2 O decreases, the softening point of the glass increases and it becomes difficult to fire at a temperature of 600 ° C. or lower. On the other hand, when the content is increased, when Ag is used for the electrode, the dielectric material and Ag react with each other, and the dielectric layer tends to turn yellow, which tends to cause a problem that the image is difficult to see. In addition, the thermal expansion coefficient tends to be too large, and it becomes difficult to match the thermal expansion coefficient of the glass substrate. A more preferable range of K 2 O is 1 to 14%, and a more preferable range is 4 to 12%. If you want to obtain a dielectric layer with high transmittance by suppressing phase separation during firing without significantly increasing the softening point and dielectric constant of the glass, lower the glass softening point and stabilize the glass. While containing 1% or more of ZnO as a component to be added, the content of K 2 O is preferably 1 to 10%, more preferably 4 to 10%, and further preferably 4 to 9%.

尚、Agとの反応による誘電体層の黄変を抑え、600℃以下の温度で焼成でき、ガラス基板に適合する熱膨張係数を有するようにするには、NaO及びKOを合量で4〜20%にすることが好ましい。これら成分の合量が少なくなると、ガラスの軟化点が上昇して、600℃以下の温度で焼成し難くなる。一方、これら成分の合量が多くなると、電極にAgを用いた場合、誘電体材料とAgが反応し、誘電体層が黄変する傾向にあり、画像が見難くなる問題が生じやすくなる。また、熱膨張係数が大きくなりすぎる傾向にあり、ガラス基板の熱膨張係数と整合し難くなる。さらに、ガラスの安定性が低下する傾向にあり、誘電体層を焼成する際に、ガラスが分相して高い透過率を有する誘電体層が得難くなる。これら成分の合量のより好ましい範囲は4〜18%であり、さらに好ましい範囲は5〜15%である。尚、誘電率を著しく上昇させずに、より低い温度で焼成することが可能な誘電体層を得たい場合は、ZnOを1%未満にすると共に、NaO及びKOを合量で5〜20%にすることが好ましく、より好ましくは7〜18%であり、さらに好ましくは8〜15%である。また、ガラスの軟化点と誘電率を著しく上昇させずに、焼成時における分相を抑えて高い透過率を有する誘電体層を得たい場合は、ガラスの軟化点を下げると共に、ガラスを安定化させる成分であるZnOを1%以上含有させると共に、NaO及びKOを合量で4〜10%にすることが好ましく、より好ましくは4〜9%であり、さらに好ましくは5〜9%である。 In order to suppress yellowing of the dielectric layer due to the reaction with Ag, and to be able to be fired at a temperature of 600 ° C. or less and to have a thermal expansion coefficient suitable for the glass substrate, Na 2 O and K 2 O are combined. The amount is preferably 4 to 20%. When the total amount of these components decreases, the softening point of the glass increases and it becomes difficult to fire at a temperature of 600 ° C. or lower. On the other hand, when the total amount of these components is increased, when Ag is used for the electrode, the dielectric material and Ag react with each other, and the dielectric layer tends to turn yellow, and the problem that the image becomes difficult to see is likely to occur. In addition, the thermal expansion coefficient tends to be too large, and it becomes difficult to match the thermal expansion coefficient of the glass substrate. Furthermore, the stability of the glass tends to decrease, and when the dielectric layer is fired, it is difficult to obtain a dielectric layer having a high transmittance due to the phase separation of the glass. A more preferable range of the total amount of these components is 4 to 18%, and a further preferable range is 5 to 15%. When it is desired to obtain a dielectric layer that can be fired at a lower temperature without significantly increasing the dielectric constant, ZnO is made less than 1% and Na 2 O and K 2 O are combined in a total amount. It is preferable to make it 5 to 20%, More preferably, it is 7 to 18%, More preferably, it is 8 to 15%. If you want to obtain a dielectric layer with high transmittance by suppressing phase separation during firing without significantly increasing the softening point and dielectric constant of the glass, lower the glass softening point and stabilize the glass. In addition to containing 1% or more of ZnO, which is a component to be added, it is preferable that Na 2 O and K 2 O are combined in a total amount of 4 to 10%, more preferably 4 to 9%, still more preferably 5 to 9 %.

また、本発明の誘電体材料をAg電極上に形成する場合、誘電体材料とAgとの反応による誘電体層の変色を抑えたい場合、CuO、MoO、CeO、MnO及びCoOを合量で6%まで含有させることが好ましい。これら成分の合量が多くなると、これらの成分による誘電体層の着色が生じやすくなる。これら成分の合量のより好ましい範囲は0.005〜5%であり、さらに好ましい範囲は0.005〜3%である。尚、これらの成分の中でも、CuOは黄変の抑制効果が最も大きく、CuOを必須成分とすることがより好ましく、この場合、CuOの含有量は、0.01〜3.0%(望ましくは0.02〜2.5%)であることが好ましく、また、MoO、CeO、MnO及びCoOはそれぞれ0〜5%(望ましくは0.01〜3%)であることが好ましい。また、焼成条件の変動によるCuOの変色抑制効果にばらつきが生じる場合には、CuOの含有量を0.005〜0.20%に制限し、CuO、MoO、CeO、MnO及びCoOを合量で0.005〜6%となるように含有量を調整することが望ましい。 In addition, when the dielectric material of the present invention is formed on an Ag electrode, CuO, MoO 3 , CeO 2 , MnO 2 and CoO are combined to suppress discoloration of the dielectric layer due to the reaction between the dielectric material and Ag. It is preferable to contain up to 6%. When the total amount of these components increases, the dielectric layer is likely to be colored by these components. A more preferable range of the total amount of these components is 0.005 to 5%, and a more preferable range is 0.005 to 3%. Of these components, CuO has the greatest effect of suppressing yellowing, and CuO is more preferably an essential component. In this case, the content of CuO is 0.01 to 3.0% (desirably 0.02 to 2.5%) and MoO 3 , CeO 2 , MnO 2 and CoO are each preferably 0 to 5% (desirably 0.01 to 3%). Further, in the case where variation occurs in the effect of suppressing the discoloration of CuO due to variations in the firing conditions, the CuO content is limited to 0.005 to 0.20%, and CuO, MoO 3 , CeO 2 , MnO 2 and CoO are added. It is desirable to adjust the content so that the total amount is 0.005 to 6%.

また、焼成時におけるガラスの分相とAgとの反応による誘電体層の黄変を抑えて高い透過率を有する誘電体層を得やすくするには、B/(NaO+KO)の値をモル比で3.3〜7.2の範囲となるようにすることが好ましい。B/(NaO+KO)の値が小さくなりすぎると、電極にAgを用いた場合、誘電体材料とAgが反応し、誘電体層が黄変する傾向にあり、画像が見難くなる問題が生じやすくなる。一方、B/(NaO+KO)の値が大きくなりすぎると、ガラスの安定性が低下する傾向にあり、誘電体層を焼成する際に、ガラスが分相して高い透過率を有する誘電体層が得難くなる。また、ガラスの軟化点が上昇する傾向にあり、600℃以下の温度で焼成し難くなる。B/(NaO+KO)のより好ましい範囲は3.3〜5.1であり、さらに好ましい範囲は3.3〜4.9であり、最も好ましい範囲は3.4〜4.8である。 Moreover, in order to make it easy to obtain a dielectric layer having high transmittance by suppressing yellowing of the dielectric layer due to the reaction between the phase separation of the glass and Ag during firing, B 2 O 3 / (Na 2 O + K 2 O ) In a molar ratio of 3.3 to 7.2. When the value of B 2 O 3 / (Na 2 O + K 2 O) becomes too small, when Ag is used for the electrode, the dielectric material and Ag react, and the dielectric layer tends to yellow, and the image is Problems that are difficult to see occur. On the other hand, if the value of B 2 O 3 / (Na 2 O + K 2 O) becomes too large, the stability of the glass tends to decrease, and when the dielectric layer is baked, the glass is phase-separated and has high transmission. It becomes difficult to obtain a dielectric layer having a ratio. Further, the softening point of the glass tends to increase, and it becomes difficult to fire at a temperature of 600 ° C. or lower. A more preferable range of B 2 O 3 / (Na 2 O + K 2 O) is 3.3 to 5.1, a further preferable range is 3.3 to 4.9, and a most preferable range is 3.4 to 4 .8.

ZnOはガラスの軟化点及び焼成温度域におけるガラスの粘性を下げると共に、ガラスを安定化させる成分であるが、ガラスの誘電率を著しく上昇させる成分でもあり、その含有量は0〜7%であることが好ましい。ZnOの含有量が多くなると、ガラスの誘電率が著しく上昇する傾向にある。尚、誘電率を著しく上昇させずに、より低い温度で焼成することが可能な誘電体層を得たい場合は、アルカリ金属酸化物の含有量を多くすると共に、ZnOの含有量を0〜1%未満にすることが好ましく、より好ましくは0〜0.9%であり、さらに好ましくは0.1〜0.7%である。また、誘電率を著しく上昇させずに、焼成時における分相を抑えて高い透過率を有する誘電体層を得たい場合は、アルカリ金属酸化物の含有量を少なくすると共に、ZnOの含有量を1〜7%にすることが好ましく、より好ましくは1〜6%であり、さらに好ましくは2〜6%である。   ZnO is a component that lowers the viscosity of the glass in the softening point and firing temperature range of the glass and stabilizes the glass, but also a component that remarkably increases the dielectric constant of the glass, and its content is 0 to 7%. It is preferable. When the ZnO content increases, the dielectric constant of the glass tends to increase remarkably. In addition, when it is desired to obtain a dielectric layer that can be fired at a lower temperature without significantly increasing the dielectric constant, the content of the alkali metal oxide is increased and the content of ZnO is set to 0 to 1. % Is preferable, more preferably 0 to 0.9%, and still more preferably 0.1 to 0.7%. In addition, when it is desired to obtain a dielectric layer having a high transmittance by suppressing phase separation during firing without significantly increasing the dielectric constant, the content of ZnO is reduced while reducing the content of alkali metal oxides. It is preferable to make it 1 to 7%, More preferably, it is 1 to 6%, More preferably, it is 2 to 6%.

また、本発明の誘電体材料は、上記成分以外にも、要求される特性を損なわない範囲で種々の成分を添加することができる。例えば、熱膨張係数を調整する成分であるMgO、CaO、SrO、BaO及びTiOを合量で15%まで、ガラスの軟化点を低下させるために、CsO、RbO等を合量で10%まで、ガラスを安定化させたり、耐水性や耐酸性を向上させるために、ZrO、Y、La、Ta、SnO、WO、Nb、Sb、P等を合量で10%まで添加することができる。但し、Pはガラスを失透させて、透明な焼成膜を得難くする成分でもあるため、その含有量は5%以下にすることが望ましい。 In addition to the above components, the dielectric material of the present invention can contain various components as long as the required characteristics are not impaired. For example, MgO, CaO, SrO, BaO and TiO 2 which are components for adjusting the coefficient of thermal expansion are combined up to 15% in total, and Cs 2 O, Rb 2 O, etc. are combined in order to lower the softening point of glass. In order to stabilize the glass up to 10% and improve water resistance and acid resistance, ZrO 2 , Y 2 O 3 , La 2 O 3 , Ta 2 O 5 , SnO 2 , WO 3 , Nb 2 O 5 , Sb 2 O 5 , P 2 O 5 and the like can be added up to 10% in total. However, since P 2 O 5 is also a component that devitrifies the glass and makes it difficult to obtain a transparent fired film, its content is preferably 5% or less.

尚、Biは、ガラスの軟化点及び焼成温度域におけるガラスの粘性を低下させる成分であるため、Biを含有させることによって、アルカリ金属酸化物成分の含有量を低減させて、Agとの反応による誘電体層の黄変を生じ難くすることが可能である。しかし、Biは、ガラスの誘電率を大きくしたり、コストを著しく上昇させる成分であるため、その含有量は5%以下にすることが好ましく、より好ましくは実質的に含有しないことである。 Incidentally, Bi 2 O 3 are the components to reduce the viscosity of the glass at the softening point and the firing temperature range of the glass, by containing Bi 2 O 3, by reducing the content of alkali metal oxide component , Yellowing of the dielectric layer due to reaction with Ag can be made difficult to occur. However, Bi 2 O 3 is a component that increases the dielectric constant of the glass and significantly increases the cost. Therefore, its content is preferably 5% or less, more preferably not substantially contained. is there.

また、PbOは、ガラスの軟化点及び焼成温度域におけるガラスの粘性を低下させる成分であるが、環境負荷物質でもあるため、実質的に含有しないことが好ましい。   PbO is a component that lowers the viscosity of the glass at the softening point and firing temperature range of the glass, but it is also an environmentally hazardous substance, so it is preferably not substantially contained.

尚、本発明で言う「実質的に含有しない」とは、積極的に原料として用いず不純物として混入するレベルをいい、具体的には、含有量が0.1%以下であることを意味する。   In the present invention, “substantially does not contain” means a level that is not actively used as a raw material and mixed as an impurity, and specifically means that the content is 0.1% or less. .

また、本発明のプラズマディスプレイパネル用誘電体形成ガラスペーストに使用するガラス粉末の粒度は、平均粒径D50が3.0μm以下、最大粒径Dmaxが20μm以下のものを使用することが望ましい。いずれか一方でもその上限を超えると、焼成膜中に大きな泡が残存しやすくなり、安定した耐電圧を有する誘電体層が得難くなるためである。 Further, the particle size of the glass powder used in the plasma display panel for dielectric formation glass paste of the present invention has an average particle diameter D 50 of 3.0μm or less, the maximum particle diameter D max may be desirable to use those 20μm or less . If either of these exceeds the upper limit, large bubbles are likely to remain in the fired film, making it difficult to obtain a dielectric layer having a stable withstand voltage.

また、上記成分以外にも、必要に応じて、可塑剤、無機フィラー粉末等を加えることもできる。   Moreover, a plasticizer, an inorganic filler powder, etc. can also be added as needed other than the said component.

可塑剤は、塗付膜の乾燥速度をコントロールすると共に、乾燥膜に柔軟性を与える成分であり、10質量%まで添加することができる。但し、可塑剤の含有量が多くなると、脱バインダー性が著しく低下し、焼成膜中に泡が残存しやすくなるため、0〜5質量%の範囲にあることが特に好ましい。可塑剤としてはブチルベンジルフタレート、ジオクチルフタレート、ジイソオクチルフタレート、ジカプリルフタレート、ジブチルフタレート等が使用可能であり、これらを単独あるいは混合して使用する。   The plasticizer is a component that controls the drying speed of the coated film and imparts flexibility to the dried film, and can be added up to 10% by mass. However, when the content of the plasticizer is increased, the debinding property is remarkably lowered, and bubbles are likely to remain in the fired film. Therefore, it is particularly preferably in the range of 0 to 5% by mass. As the plasticizer, butylbenzyl phthalate, dioctyl phthalate, diisooctyl phthalate, dicapryl phthalate, dibutyl phthalate and the like can be used, and these are used alone or in combination.

無機フィラー粉末は、ペーストの流動性、焼結性、或いは熱膨張係数を調整する成分であり、40質量%まで添加することができる。但し、無機フィラー粉末の含有量が多くなると、十分に焼結が行えず、緻密な膜を形成することが難しくなるため、0〜30質量%の範囲にあることが特に好ましい。無機フィラー粉末としては、例えばアルミナ、ジルコニア、ジルコン、チタニア、コージエライト、ムライト、シリカ、ウイレマイト、酸化錫、酸化亜鉛等を1種又は2種以上組み合わせて使用することができる。また、無機フィラー粉末の導入による誘電体層の透明性の低下を避けたい場合は、無機フィラー粉末の一部または全部が球状のものを用いればよい。ここでいう球状とは、写真での状態観察において、粒子表面に角張った個所がなく、且つ粒子中心から表面全体の半径が±20%以内であるものをいう。また、無機フィラー粉末は平均粒径が5.0μm以下、最大粒径は20μm以下のものを用いることが望ましい。   The inorganic filler powder is a component that adjusts the fluidity, sinterability, or thermal expansion coefficient of the paste, and can be added up to 40% by mass. However, if the content of the inorganic filler powder is increased, sintering cannot be performed sufficiently and it becomes difficult to form a dense film, and therefore it is particularly preferably in the range of 0 to 30% by mass. As the inorganic filler powder, for example, alumina, zirconia, zircon, titania, cordierite, mullite, silica, willemite, tin oxide, zinc oxide and the like can be used alone or in combination. Further, when it is desired to avoid a decrease in transparency of the dielectric layer due to the introduction of the inorganic filler powder, a part or all of the inorganic filler powder may be spherical. As used herein, the term “spherical” means that the particle surface does not have an angular portion and the radius of the entire surface from the particle center is within ± 20% in the state observation with a photograph. Further, it is desirable to use inorganic filler powder having an average particle size of 5.0 μm or less and a maximum particle size of 20 μm or less.

尚、本発明のプラズマディスプレイパネル用誘電体形成ガラスペーストは、前面ガラス基板用の透明誘電体層もしくは背面ガラス基板用のアドレス電極保護誘電体層のいずれの用途においても使用することが可能であり、また、2層以上の誘電体構造を有する誘電体の電極と接する下層誘電体層や、下層誘電体層の上に形成されるため直接電極と接することのない上層誘電体層の材料としても使用することが可能である。もちろんAg以外の電極上に形成する誘電体材料や、それ以外の用途、例えば、隔壁形成材料においても使用することもできる。透明誘電体材料として使用する場合は、上記無機フィラー粉末の含有量を0〜30質量%(好ましくは0〜25質量%)にすることで使用できる。無機フィラー粉末の含有量をこのようにすることで、無機フィラー粉末の添加による可視光の散乱を抑えて透明度の高い焼成膜を得ることができる。また、アドレス電極保護誘電体材料や隔壁材料として使用する場合は、上記無機フィラー粉末を0〜40質量%(より好ましくは5〜38質量%、更に好ましくは10〜35質量%)の範囲で含有させることで使用できる。無機フィラー粉末の含有量をこのようにすることで、高い強度、或いは優れた耐酸性を有する焼成膜を得ることができる。   The dielectric-formed glass paste for a plasma display panel of the present invention can be used in any application of a transparent dielectric layer for a front glass substrate or an address electrode protective dielectric layer for a rear glass substrate. Also, as a material of a lower dielectric layer that is in contact with a dielectric electrode having a dielectric structure of two or more layers, or an upper dielectric layer that is formed on the lower dielectric layer and is not in direct contact with the electrode It is possible to use. Of course, it can also be used in a dielectric material formed on an electrode other than Ag, and in other applications such as a partition wall forming material. When using as a transparent dielectric material, it can be used by making content of the said inorganic filler powder into 0-30 mass% (preferably 0-25 mass%). By setting the content of the inorganic filler powder in this way, it is possible to obtain a fired film having high transparency while suppressing the scattering of visible light due to the addition of the inorganic filler powder. When used as an address electrode protective dielectric material or a partition material, the inorganic filler powder is contained in the range of 0 to 40% by mass (more preferably 5 to 38% by mass, and still more preferably 10 to 35% by mass). You can use it. By setting the content of the inorganic filler powder in this way, a fired film having high strength or excellent acid resistance can be obtained.

次に、本発明の誘電体形成ガラスペーストを作製する方法を述べる。   Next, a method for producing the dielectric-formed glass paste of the present invention will be described.

まず、ガラス粉末、熱可塑性樹脂及び溶剤等を用意する。尚、ガラス粉末は、ボールミル、ジェットミル、ビーズミル等を用いて粉砕し、さらに気流分級等により分級して、所定の粒度分布を有するようにしておくことが重要である。続いて、各成分を所定の割合で混練することにより本発明の誘電体形成ガラスペーストとすることができる。   First, glass powder, a thermoplastic resin, a solvent, etc. are prepared. It is important that the glass powder is pulverized using a ball mill, jet mill, bead mill, etc., and further classified by airflow classification or the like so as to have a predetermined particle size distribution. Subsequently, the dielectric-forming glass paste of the present invention can be obtained by kneading each component at a predetermined ratio.

次に、本発明の誘電体形成ガラスペーストを用いて誘電体層を形成する方法を説明する。   Next, a method for forming a dielectric layer using the dielectric-formed glass paste of the present invention will be described.

まず、電極が形成された背面ガラス基板を用意し、このガラス基板上に、本発明の誘電体形成ガラスペーストをスクリーン印刷法や一括コート法等を用いて塗布し、所定の膜厚(透明誘電体層の場合は50〜100μm、アドレス保護誘電体層の場合は30〜50μm)の塗布層を形成した後、乾燥させる。その後、500〜600℃の温度で5〜20分間保持し焼成することで所定の誘電体層を得ることができる。尚、焼成温度が低くしすぎたり、保持時間が短くなると、十分に焼結が行えず、緻密な膜を形成することが難しくなる。一方、焼成温度が高すぎたり、保持時間が長くなると、ガラス基板が変形したり、電極との反応によって誘電体層が変色しやすくなる。   First, a back glass substrate on which electrodes are formed is prepared, and the dielectric-formed glass paste of the present invention is applied onto the glass substrate by a screen printing method, a batch coating method, or the like, and a predetermined film thickness (transparent dielectric) After forming a coating layer of 50 to 100 μm in the case of a body layer and 30 to 50 μm in the case of an address protection dielectric layer, it is dried. Then, a predetermined dielectric layer can be obtained by holding and baking at a temperature of 500 to 600 ° C. for 5 to 20 minutes. If the firing temperature is too low or the holding time is shortened, sufficient sintering cannot be performed, and it becomes difficult to form a dense film. On the other hand, if the firing temperature is too high or the holding time is long, the glass substrate is deformed or the dielectric layer is liable to be discolored by reaction with the electrodes.

また、2層以上の誘電体構造有する誘電体層を形成する場合、予め電極が形成されたガラス基板上に、下層誘電体形成用ペーストをスクリーン印刷法や一括コート法等によって、膜厚およそ20〜80μmに塗布し、乾燥させた後、上記と同様に焼成する。続いて、その上に上層誘電体形成用ペーストをスクリーン印刷や一括コート法等によって膜厚およそ60〜160μmに塗布し、乾燥させる。その後、上記と同様に焼成することで得ることができる。   When a dielectric layer having two or more dielectric structures is formed, a lower layer dielectric forming paste is formed on a glass substrate on which electrodes have been formed in advance by a screen printing method, a batch coating method, or the like. It is applied to ˜80 μm, dried, and then fired in the same manner as described above. Subsequently, an upper layer dielectric forming paste is applied to a film thickness of about 60 to 160 μm by screen printing, a batch coating method, or the like, and dried. Then, it can obtain by baking similarly to the above.

2層以上の誘電体構造有する誘電体層を形成するにあたっては、上層誘電体層を形成する場合、下層誘電体層を焼成する温度±20℃の温度範囲で上層誘電体材料を焼成すれば、Agによる誘電体層の黄変を抑制でき、しかも、下層誘電体層の形状を維持しながら、下層と上層との界面での発泡を抑制することができる。また、上層誘電体材料及び下層誘電体材料の焼成温度が同じである場合は、上記形成方法以外にも、下層誘電体膜を乾燥させた後、上層誘電体膜を形成し乾燥後、所定の温度で両層を同時焼成する方法を採用することもできる。   In forming the dielectric layer having two or more dielectric structures, when the upper dielectric layer is formed, if the upper dielectric material is fired at a temperature range of ± 20 ° C. for firing the lower dielectric layer, Yellowing of the dielectric layer due to Ag can be suppressed, and foaming at the interface between the lower layer and the upper layer can be suppressed while maintaining the shape of the lower dielectric layer. In addition, when the firing temperatures of the upper dielectric material and the lower dielectric material are the same, in addition to the above formation method, after drying the lower dielectric film, forming the upper dielectric film, drying, A method of simultaneously firing both layers at a temperature can also be employed.

上記のように、電極が形成されたガラス基板上に本発明の誘電体形成ガラスペーストを塗布し、焼成し、誘電体層を形成することで、電極にAgを用いた場合、Agによる誘電体層の変色が少なく、透明性に優れ本発明のプラズマディスプレイパネル用ガラス板を得ることができる。   As described above, when the dielectric-formed glass paste of the present invention is applied on the glass substrate on which the electrode is formed, and baked to form a dielectric layer, when Ag is used for the electrode, the dielectric material by Ag There is little discoloration of a layer, it is excellent in transparency, and the glass plate for plasma display panels of this invention can be obtained.

以下、本発明の誘電体形成ガラスペーストを実施例に基づいて詳細に説明する。   Hereinafter, the dielectric-formed glass paste of the present invention will be described in detail based on examples.

表1〜4は、本発明の実施例(試料No.1〜18)及び比較例(試料No.19)を示している。   Tables 1 to 4 show examples (sample Nos. 1 to 18) and comparative examples (sample No. 19) of the present invention.

表の各試料は、次のようにして調製した。   Each sample in the table was prepared as follows.

まず、モル%で表に示すガラス組成となるように原料を調合し、均一に混合した。次いで、白金ルツボに入れて1300℃で2時間溶融した後、溶融ガラスを薄板状に成形した。続いて、これらをボールミルにて粉砕し、気流分級して平均粒径D50が3.0μm以下、最大粒径Dmaxが20μm以下のガラス粉末からなる試料を得た。このようにして得られた各ガラス粉末試料について、軟化点、熱膨張係数及び誘電率を評価した。評価結果を表に示す。 First, the raw materials were prepared so as to have the glass composition shown in the table in mol%, and mixed uniformly. Subsequently, after putting in a platinum crucible and melting at 1300 ° C. for 2 hours, the molten glass was formed into a thin plate shape. Subsequently, they were pulverized in a ball mill, an air classifier to a mean particle diameter D 50 3.0μm or less, the maximum particle diameter D max to obtain a sample of the following glass powder 20 [mu] m. Each glass powder sample thus obtained was evaluated for softening point, thermal expansion coefficient and dielectric constant. The evaluation results are shown in the table.

次に、表に示す割合で、ガラス粉末、熱可塑性樹脂、溶剤を混合し、3本ロールミルで均一に混練してペースト化することで、ペースト試料を得た。このようにして得られた各ペースト試料について、ペースト中における未溶解物の量を測定した。評価結果を表に示す。   Next, a glass sample, a thermoplastic resin, and a solvent were mixed at a ratio shown in the table, and kneaded uniformly with a three-roll mill to obtain a paste sample. For each paste sample thus obtained, the amount of undissolved material in the paste was measured. The evaluation results are shown in the table.

次に、上記で作製したペーストを用いて、ガラス基板上に20μmの焼成膜が得られるようにコーターで塗布し、乾燥後、電気炉で600℃で10分間保持し焼成して、誘電体層を形成したガラス基板試料を得た。このようにして得られた各試料について、誘電体層中の大泡の有無、誘電体層表面の高低差及び透過率を評価した。評価結果を表に示す。   Next, using the paste prepared above, it was applied with a coater so as to obtain a 20 μm fired film on a glass substrate, dried, held in an electric furnace at 600 ° C. for 10 minutes, and fired to obtain a dielectric layer. A glass substrate sample on which was formed was obtained. With respect to each sample thus obtained, the presence or absence of large bubbles in the dielectric layer, the height difference on the surface of the dielectric layer, and the transmittance were evaluated. The evaluation results are shown in the table.

さらに、上記で作製したペーストを用いて、Ag電極が形成されたガラス基板上に、上記と同様にして、誘電体層を形成し黄変の度合いを評価した。評価結果を表に示す。   Further, using the paste prepared above, a dielectric layer was formed on the glass substrate on which the Ag electrode was formed in the same manner as described above, and the degree of yellowing was evaluated. The evaluation results are shown in the table.

尚、グリコールエーテル系溶剤としては、次のa〜dのものを用いた。   In addition, as the glycol ether solvent, the following a to d were used.

a:フェニルグリコール
b:フェニルジグリコール
c:フェニルプロピレングリコール
d:ベンジルグリコール
また、グリコールエーテル系溶剤以外の溶剤としてはターピネオール用い、熱可塑性樹脂としてはエチルセルロースを用い、可塑剤としては、ジブチルフタレートを用いた。
a: phenyl glycol b: phenyl diglycol c: phenylpropylene glycol d: benzyl glycol Further, terpineol is used as a solvent other than the glycol ether solvent, ethyl cellulose is used as a thermoplastic resin, and dibutyl phthalate is used as a plasticizer. It was.

さらに、ガラス基板としては厚み1.8mm、5cm角の日本電気硝子株式会社製PP−8を用い、Ag電極としては昭栄化学工業株式会社製のH−4040Aを用いた。   Further, PP-8 manufactured by Nippon Electric Glass Co., Ltd. having a thickness of 1.8 mm and 5 cm square was used as the glass substrate, and H-4040A manufactured by Shoei Chemical Industry Co., Ltd. was used as the Ag electrode.

表から明らかなように、実施例である試料No.1〜18は、ペースト中におけるセルロース樹脂の未溶解物の数が3個以下と少ないものであった。また、これらのペーストを用いて形成した誘電体層は、誘電体層中に残存する大泡はなく、また、表面の高低差は、2μm以下と小さく、表面平滑性に優れたものであった。さらに、誘電体層の透過率は80%以上と高く、b*が+4.9以下でAg電極との反応による黄変も殆どないものであった。また、ガラスの軟化点は603℃以下であり、600℃以下の温度で十分に焼成できるものであり、熱膨張係数は56〜75×10−7/℃でガラス基板の熱膨張係数と整合するものであった。また、誘電率は5.3以下と低いものであった。 As can be seen from the table, the sample No. Nos. 1 to 18 had a small number of undissolved cellulose resin in the paste of 3 or less. In addition, the dielectric layer formed using these pastes had no large bubbles remaining in the dielectric layer, and the surface height difference was as small as 2 μm or less, and was excellent in surface smoothness. . Furthermore, the transmittance of the dielectric layer was as high as 80% or more, b * was +4.9 or less, and yellowing due to reaction with the Ag electrode was hardly observed. The glass has a softening point of 603 ° C. or lower, and can be sufficiently fired at a temperature of 600 ° C. or lower. The thermal expansion coefficient is 56 to 75 × 10 −7 / ° C., which matches the thermal expansion coefficient of the glass substrate. It was a thing. The dielectric constant was as low as 5.3 or less.

これに対し、比較例である試料No.19は、ペースト中におけるセルロース樹脂の未溶解物の数が7個と多かった。また、このペーストを用いて形成した誘電体層は、誘電体層中に大泡が残存し、表面の高低差は6μmと大きく、表面平滑性に劣るものであった。さらに誘電体層の透過率は78%と低かった。   In contrast, Sample No. as a comparative example. In No. 19, the number of undissolved cellulose resin in the paste was as large as seven. Further, the dielectric layer formed using this paste had large bubbles remaining in the dielectric layer, the surface height difference was as large as 6 μm, and the surface smoothness was inferior. Further, the transmittance of the dielectric layer was as low as 78%.

これらの事実は、本発明の誘電体形成ガラスペーストを用いれば、誘電率が低く、しかも、残存する大泡が殆どなく、透明性及び表面平滑性に優れた膜厚の薄い誘電体層を得ることができことを示している。   These facts indicate that when the dielectric-formed glass paste of the present invention is used, a thin dielectric layer having a low dielectric constant, almost no large bubbles remaining, and excellent transparency and surface smoothness can be obtained. Shows that you can.

尚、ガラスの軟化点については、マクロ型示差熱分析計を用いて測定し、第四の変曲点の値を軟化点とした。尚、昇温速度は10℃/分の条件で測定した。   In addition, about the softening point of glass, it measured using the macro-type differential thermal analyzer, and made the softening point the value of the 4th inflection point. In addition, the temperature increase rate was measured on the conditions of 10 degree-C / min.

ガラスの熱膨張係数については、各ガラス粉末試料を粉末プレス成型し、600℃、10分間焼成した後、直径4mm、長さ20mmの円柱状に研磨加工し、JIS R3102に基づいて測定し、30〜300℃の温度範囲における値を求めた。尚、プラズマディスプレイパネルに用いられているガラス基板の熱膨張係数は83×10−7/℃程度であり、誘電体材料の熱膨張係数が55〜83×10−7/℃であれば、ガラス基板の熱膨張係数と整合し、ガラス基板上に誘電体層を形成しても、焼成時にガラス基板に反りが発生し難いものとなる。 Regarding the thermal expansion coefficient of glass, each glass powder sample was press-molded, baked at 600 ° C. for 10 minutes, polished into a cylindrical shape having a diameter of 4 mm and a length of 20 mm, and measured according to JIS R3102. A value in a temperature range of ˜300 ° C. was obtained. In addition, if the thermal expansion coefficient of the glass substrate used for the plasma display panel is about 83 × 10 −7 / ° C. and the thermal expansion coefficient of the dielectric material is 55 to 83 × 10 −7 / ° C., glass Even if a dielectric layer is formed on the glass substrate in conformity with the thermal expansion coefficient of the substrate, the glass substrate is hardly warped during firing.

誘電率については、各試料を粉末プレス成型し、600℃、10分間焼成した後、2mmの板状体に研磨加工し、JIS C2141に基づいて測定し、25℃、1MHzにおける値を求めた。   For the dielectric constant, each sample was powder press molded, fired at 600 ° C. for 10 minutes, polished to a 2 mm plate, measured according to JIS C2141, and values at 25 ° C. and 1 MHz were obtained.

ペースト中における未溶解物の量については、635メッシュ(開口20μm)の標準篩を用いて、各ペースト試料を濾過し、篩上に残存したゲル状のセルロース系樹脂の未溶解物の数(1リットル当たり)を測定した。   Regarding the amount of undissolved material in the paste, each paste sample was filtered using a standard sieve of 635 mesh (opening 20 μm), and the number of undissolved gel-like cellulose resin remaining on the screen (per liter) ) Was measured.

誘電体層中の大泡の有無については、実体顕微鏡で誘電体層を観察し、誘電体層中に15μm以上の泡の有無を確認して評価した。   The presence or absence of large bubbles in the dielectric layer was evaluated by observing the dielectric layer with a stereomicroscope and confirming the presence or absence of bubbles of 15 μm or more in the dielectric layer.

誘電体層表面の高低差については、レーザー変位計を用いて誘電体層を形成した側のガラス基板表面を測定した。尚、この値が大きくなるほど、誘電体層の表面平滑性が劣っていることを示す。   Regarding the height difference of the dielectric layer surface, the surface of the glass substrate on which the dielectric layer was formed was measured using a laser displacement meter. In addition, it shows that the surface smoothness of a dielectric material layer is inferior, so that this value becomes large.

透過率については、ガラス基板上に誘電体層を形成したガラス基板試料及びガラス基板単体の波長550nmにおける直線透過率を分光光度計にて測定し、ガラス基板の直線透過率をキャンセルすることで評価した。   The transmittance is evaluated by measuring the linear transmittance at a wavelength of 550 nm of a glass substrate sample having a dielectric layer formed on a glass substrate and a single glass substrate with a spectrophotometer, and canceling the linear transmittance of the glass substrate. did.

黄変の度合いについては、誘電体層の色調を色彩色差計にてb*値を測定し評価した。尚、b*値が大きくなるほど、黄色に変色していることを示す。   The degree of yellowing was evaluated by measuring the b * value of the dielectric layer with a color difference meter. In addition, it shows that it has changed into yellow, so that b * value becomes large.

Claims (8)

ガラス粉末、熱可塑性樹脂及び溶剤を含むプラズマディスプレイパネル用誘電体形成ガラスペーストにおいて、ガラス粉末がB−SiO系非鉛ガラスからなり、熱可塑性樹脂がセルロース系樹脂からなり、且つ、溶剤が、グリコールエーテル系溶剤を含有することを特徴とするプラズマディスプレイパネル用誘電体形成ガラスペースト。 In the dielectric-forming glass paste for a plasma display panel containing glass powder, a thermoplastic resin and a solvent, the glass powder is made of B 2 O 3 —SiO 2 non-lead glass, the thermoplastic resin is made of a cellulose resin, and A dielectric-forming glass paste for a plasma display panel, wherein the solvent contains a glycol ether solvent. 溶剤が、フェニルグリコール、フェニルジグリコール、フェニルプロピレングリコール、ベンジルグリコールの中から選ばれた少なくとも1種以上のグリコールエーテル系溶剤からなることを特徴とする請求項1記載のプラズマディスプレイパネル用誘電体形成ガラスペースト。   2. The dielectric formation for a plasma display panel according to claim 1, wherein the solvent comprises at least one glycol ether solvent selected from phenyl glycol, phenyl diglycol, phenylpropylene glycol, and benzyl glycol. Glass paste. 熱可塑性樹脂が、エチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、メチルセルロース、カルボキシメチルセルロースの中から選ばれた少なくとも1種以上のセルロース系樹脂からなることを特徴とする請求項1または2に記載のプラズマディスプレイパネル用誘電体形成ガラスペースト。   The dielectric formation for a plasma display panel according to claim 1 or 2, wherein the thermoplastic resin comprises at least one cellulose-based resin selected from ethyl cellulose, hydroxyethyl cellulose, methyl cellulose, and carboxymethyl cellulose. Glass paste. ガラス粉末が、実質的にPbOを含まず、モル百分率で、B 26〜45%、SiO 42超〜57%、Al 1〜6%、NaO 0〜10%、KO 1〜15%、NaO+KO 4〜20%、ZnO 0〜7%、CuO+MoO+CeO+MnO+CoO 0〜6%含有するガラスからなることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル用誘電体形成ガラスペースト。 Glass powder, substantially free of PbO, in molar percentage, B 2 O 3 26~45%, SiO 2 42 super ~57%, Al 2 O 3 1~6 %, Na 2 O 0~10%, K 2 O 1~15%, Na 2 O + K 2 O 4~20%, ZnO 0~7%, claims 1 to 3, comprising the CuO + MoO 3 + CeO 2 + MnO 2 + CoO 0~6% content to glass A dielectric-forming glass paste for a plasma display panel according to any one of the above. 25℃、1MHzにおけるガラス粉末の誘電率が6.0以下であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル用誘電体形成ガラスペースト。   5. The dielectric-forming glass paste for a plasma display panel according to claim 1, wherein the dielectric constant of the glass powder at 25 ° C. and 1 MHz is 6.0 or less. 質量百分率で、ガラス粉末が15〜60%、無機フィラー粉末が0〜40%、熱可塑性樹脂が3〜30%、溶剤が20〜60%、可塑剤が0〜10%の割合であることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル用誘電体形成ガラスペースト。   In percentage by mass, the glass powder is 15-60%, the inorganic filler powder is 0-40%, the thermoplastic resin is 3-30%, the solvent is 20-60%, and the plasticizer is 0-10%. The dielectric-forming glass paste for a plasma display panel according to any one of claims 1 to 5. ガラス基板上に形成されたAg電極と接する誘電体層の形成に用いられることを特徴とする請求項1〜6の何れかに記載のプラズマディスプレイパネル用誘電体形成ガラスペースト。   The dielectric-forming glass paste for a plasma display panel according to any one of claims 1 to 6, which is used for forming a dielectric layer in contact with an Ag electrode formed on a glass substrate. 前面ガラス基板用の透明誘電体形成材料として使用されることを特徴とする特徴とする請求項1〜7の何れかに記載のプラズマディスプレイパネル用誘電体形成ガラスペースト。   The dielectric-forming glass paste for a plasma display panel according to any one of claims 1 to 7, which is used as a transparent dielectric-forming material for a front glass substrate.
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