JP2012133510A - Semiconductor integrated device and display device with the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、データ伝送用の入力インターフェース回路を備える半導体集積装置に関し、特に、そのような入力インターフェース回路を備える表示装置用の半導体集積装置に関する。 The present invention relates to a semiconductor integrated device including an input interface circuit for data transmission, and more particularly to a semiconductor integrated device for a display device including such an input interface circuit.
一般に、表示装置(例えば液晶表示装置590)は図14に示すように、表示パネル190、データ信号線駆動回路290、走査信号線駆動回路390、および表示制御回路(「タイミングコントローラ」ともいう)490を備えている。
In general, a display device (eg, a liquid crystal display device 590) includes a
表示パネル190は、液晶層を挟持する1対の電極基板からなり、各電極基板の外表面には偏光板が貼り付けられている。上記1対の電極基板の一方はTFT(Thin Film Transistor)基板と呼ばれるアクティブマトリクス型の基板である。このTFT基板では、ガラス基板等の絶縁性基板上に、複数のデータ信号線DL1〜DLnと複数の走査信号線GL1〜GLmとが互いに交差するように格子状に形成されている。また、複数のデータ信号線DL1〜DLnと複数の走査信号線GL1〜GLmとの交差点にそれぞれ対応して複数の画素回路がマトリクス状に形成されている。各画素回路は、表示すべき画像を構成する画素に対応する画素電極と、画素電極と後述の対向電極等とによって形成される画素容量と、TFTとを含んでいる。上記1対の電極基板の他方は対向基板と呼ばれ、ガラス等の絶縁性基板上に、全面にわたって対向電極、配向膜が順次積層されている。複数のデータ信号線DL1〜DLnおよび複数の走査信号線GL1〜GLmは、それぞれデータ信号線駆動回路290および走査信号線駆動回路390により駆動される。
The
表示制御回路490は、外部から表示データDATおよびタイミング制御信号TSを受け取り、画像信号DV等を生成し出力する。画像信号DVは、データ信号線駆動回路290に与えられる。画像信号DVは、一般にデジタル信号である。
The
データ信号線駆動回路290は、複数(q個)のソースドライバIC(Integrated Circuit)290_1〜290_q(図示しない)により構成されている。データ信号線駆動回路290は、受け取った画像信号DVに基づき、表示パネル190に表示すべき画像の各水平走査線における画素値に相当するアナログ電圧としての複数のデータ信号を生成し、これらの複数のデータ信号を複数のデータ信号線DL1〜DLnにそれぞれ印加する。走査信号線駆動回路390は、表示パネル190に表示画像を表示するための各フレーム期間(各垂直走査期間)において、複数の走査信号線GL1〜GLmを1水平走査期間ずつ順次選択し、選択した走査信号線にアクティブな走査信号(画素回路に含まれるTFTをオンさせる電圧)を印加する。
The data signal
対向電極には、表示パネル190の液晶層に印加すべき電圧の基準となる電位が図示しない手段により与えられる。
The counter electrode is supplied with a potential serving as a reference for the voltage to be applied to the liquid crystal layer of the
上述のように、複数のデータ信号線DL1〜DLnには複数のデータ信号がそれぞれ印加され、複数の走査信号線GL1〜GLmには複数の走査信号がそれぞれ印加されることにより、表示パネル190における各画素回路における画素電極には、対向電極の電位を基準として、表示すべき画素の画素値に応じた電圧がTFTを介して与えられ、各画素回路内の画素容量に保持される。これにより、液晶層には、各画素電極と対向電極との電位差に相当する電圧が印加される。表示パネル190は、この印加電圧によって液晶層の光透過率を制御することにより、画像信号DVの表す画像を表示する。
As described above, a plurality of data signals are respectively applied to the plurality of data signal lines DL1 to DLn, and a plurality of scanning signals are respectively applied to the plurality of scanning signal lines GL1 to GLm. A voltage corresponding to the pixel value of the pixel to be displayed is applied to the pixel electrode in each pixel circuit through the TFT with reference to the potential of the counter electrode, and is held in the pixel capacitance in each pixel circuit. Thereby, a voltage corresponding to the potential difference between each pixel electrode and the counter electrode is applied to the liquid crystal layer. The
近年、表示パネルの高精細化および表示パネルの駆動周波数の増大により、上記画像信号DVの伝送速度が高速化している。ここで、表示パネルの駆動周波数をf、1垂直走査期間内の垂直ブランキング時間の占める割合をtvd、全画素数をPix、および画素の階調ビット数をBとすると、画像信号DVの伝送速度Stは、下記の式(1)により求められる。
St=Pix×B/((1−tvd)×1/f)…(1)
In recent years, the transmission speed of the image signal DV has been increased due to the high definition of the display panel and the increase of the driving frequency of the display panel. Here, when the drive frequency of the display panel is f, the ratio of the vertical blanking time in the vertical scanning period is tvd, the total number of pixels is Pix, and the number of gradation bits of the pixels is B, the transmission of the image signal DV The speed St is obtained by the following equation (1).
St = Pix × B / ((1-tvd) × 1 / f) (1)
例えば、8bit−RGB−SVGA型パネル(3×800×600画素)を60Hzで駆動する場合、tvdを10%とすると、上記式(1)より、画像信号DVの伝送速度Stは768M(=3×800×600×8/((1−0.1)×1/60))bpsとなる。 For example, when an 8-bit-RGB-SVGA type panel (3 × 800 × 600 pixels) is driven at 60 Hz, assuming that tvd is 10%, the transmission rate St of the image signal DV is 768M (= 3) from the above equation (1). × 800 × 600 × 8 / ((1-0.1) × 1/60)) bps.
8bit−RGB−SVGA型パネルより高精細で、かつ、高い駆動周波数が要求される8bit−RGB−HD−TV2型パネル(3×1920×1080画素)を240Hzで駆動する場合、tvdを10%とすると、上記式(1)より、画像信号DVの伝送速度Stは13271M(=3×1920×1080×8/(1−0.1)×1/240))bpsとなる。すなわち、8bit−RGB−SVGAパネルを240Hzで駆動する場合の伝送速度Stは、8bit−RGB−SVGAパネルを60Hzで駆動する場合の伝送速度Stの約18倍となる。 When driving an 8-bit-RGB-HD-TV2 type panel (3 × 1920 × 1080 pixels), which requires a higher definition and higher drive frequency than an 8-bit-RGB-SVGA type panel, at 240 Hz, the tvd is 10%. Then, from the above equation (1), the transmission speed St of the image signal DV is 13271M (= 3 × 1920 × 1080 × 8 / (1-0.1) × 1/240)) bps. That is, the transmission speed St when the 8-bit-RGB-SVGA panel is driven at 240 Hz is about 18 times the transmission speed St when the 8-bit-RGB-SVGA panel is driven at 60 Hz.
ところで、信号伝送の方式には、大きく分けて、バス伝送方式およびシリアル伝送方式の2種類がある。バス伝送方式が液晶表示装置に採用される場合には、図15に示すように、バス配線と呼ばれる共通の伝送線路に、表示制御回路490と複数のソースドライバIC290_1〜290_nとが接続され、バス配線を介して信号伝送が行われる。一方、シリアル伝送方式が液晶表示装置に採用される場合には、図16に示すように、表示制御回路490と各ソースドライバICとが個別の伝送線路を用いて1:1に接続され、個別の伝送線路を用いて信号伝送が行われる。なお、図16において、画像信号DV(画像信号DV1〜DVq)のみが、表示制御回路490と各ソースドライバICとの間でシリアル伝送方式により伝送されているが、これに限られない。すなわち、画像信号DV(画像信号DV1〜DVq)と共に、表示パネル190に画像を表示するタイミングを制御するためのタイミング信号であるデータクロック信号SCKもシリアル伝送方式により伝送されてもよい。ここで、表示制御回路とデータ信号線駆動回路との間の1伝送線路あたりの画像信号DVの伝送速度Scは、上記式(1)により求まる伝送速度St、および表示制御回路とデータ信号線駆動回路との間の伝送線路数(「チャンネル数」ともいう)によって決まる。なお、本明細書において、「1伝送線路」とは、差動信号を伝送する場合には1対の伝送線路を意味し、シングルエンド信号を伝送する場合には単に1本の伝送線路を意味する。バス伝送方式における1伝送線路あたりの画像信号DVの伝送速度Scは、バス配線の本数(「バス幅」ともいう)に依存する。例えば、8bitデータの伝送を行う場合、バス配線の本数は8本となるので、1伝送線路あたりの画像信号DVの伝送速度Scは約1660Mbps(=13271Mbps/8)となる。一方、シリアル伝送方式における1伝送線路あたりの画像信号DVの伝送速度Scは、ソースドライバICの個数に依存する。ソースドライバICの個数は一般に5〜30個程度なので、1伝送線路あたりの画像信号DVの伝送速度Scは約450Mbps(=13271Mbps/30)〜約2650Mbps(=13271Mbps/5)となる。
By the way, there are two types of signal transmission methods, a bus transmission method and a serial transmission method. When the bus transmission method is employed in a liquid crystal display device, as shown in FIG. 15, a
しかし、プリント基板上にバス配線を形成する場合、バス配線上から各ソースドライバICへ分岐する配線部分で伝送欠陥が生じやすい。この伝送欠陥は、伝送速度が大きくなるほど生じやすくなる。そのため、バス伝送方式における1伝送線路あたりの画像信号DVの伝送速度Scには上限が存在し、その限界値は400〜800Mbpsと言われている。このような理由から、近年、バス伝送方式からシリアル伝送方式への移行が進んでいる。 However, when the bus wiring is formed on the printed circuit board, a transmission defect is likely to occur in a wiring portion that branches from the bus wiring to each source driver IC. This transmission defect is more likely to occur as the transmission speed increases. Therefore, there is an upper limit for the transmission speed Sc of the image signal DV per transmission line in the bus transmission system, and the limit value is said to be 400 to 800 Mbps. For these reasons, the shift from the bus transmission method to the serial transmission method has been progressing in recent years.
シリアル伝送方式としては、例えば、TIA/EIA−644規格で規定されているLVDS(Low Voltage Differential Signaling)がある。このTIA/EIA−644規格は、振幅が約450mVの差動信号を伝送する方式について規定している。図17は、TIA/EIA−644規格によるインターフェース回路の構成を示す。このインターフェース回路は、出力バッファ491、入力バッファ292、および出力バッファ491と入力バッファ292とを接続する伝送線路610により構成される。TIA/EIA−644規格では、入力バッファ292の前段に設けられた終端部(例えば抵抗素子)のインピーダンスである受信インピーダンスZrxが100Ωに設定される。TIA/EIA−644規格での最大伝送速度は、伝送線路長5mの場合655Mbpsである。表示装置においては、表示制御回路と各ソースドライバICとを接続する伝送線路の長さが約1mと短いため、TIA/EIA−644規格での最大伝送速度は伝送路長5mの場合より大きくなり、約2000〜3000Mbpsとなる。したがって、TIA/EIA−644規格で規定されたシリアル伝送方式を用いることで、上述の1伝送線路あたりの画像信号DVの伝送速度Sc(約450〜2650Mbps)を満足することができる。
As a serial transmission method, for example, there is LVDS (Low Voltage Differential Signaling) defined in the TIA / EIA-644 standard. The TIA / EIA-644 standard defines a method for transmitting a differential signal having an amplitude of about 450 mV. FIG. 17 shows the configuration of an interface circuit according to the TIA / EIA-644 standard. This interface circuit includes an
しかし、信号伝送には、上述の伝送速度の問題以外に、伝送欠陥や電磁波の不要輻射という問題がある。これら伝送欠陥および電磁波の不要輻射を考える場合、図17に示す、出力バッファ491側のインピーダンス(送信インピーダンスZtx)、受信インピーダンスZrx、および送信側と受信側との間の伝送線路610の特性インピーダンスZtransの関係が重要になる。インピーダンスの整合がとれている場合、すなわち、Ztx=Ztrans=Zrxの場合、伝送線路で信号の反射が生じないため、問題なく信号を伝送することができる。一方、インピーダンスの整合がとれていない場合、すなわち、Ztx、Ztrans、およびZrxのいずれかの値がずれている場合、伝送線路で反射が生じるので、受信波形に歪みが生じる。そのため、伝送欠陥が生じてしまう。また、進行波および反射波から定在波が形成される。この定在波の影響により、電磁波の不要輻射が生じてしまう。したがって、TIA/EIA−644規格で規定されたシリアル伝送方式においては、Ztx=Ztrans=Zrx=100Ωとすることが望ましい。
However, signal transmission has problems such as transmission defects and unnecessary radiation of electromagnetic waves in addition to the above-described transmission speed problems. When considering these transmission defects and unnecessary radiation of electromagnetic waves, the impedance (transmission impedance Ztx) on the
図18は、インピーダンス整合時(Ztx=Ztrans=Zrx=100Ω)の終端部における電圧波形(受信波形)のシミュレーション結果を示す図である。ここで、伝送する信号は、振幅0.2V、立ち上がり時間100psec、立ち下がり時間100psec、パルス幅2nsec、周期4nsecであり、伝送線路の遅延時間は5nsecである。図18に示すように、Ztx=Ztrans=Zrx=100Ωであれば、伝送線路で信号の反射が生じないため、受信波形に歪みを生じない。そのため、問題なく信号を伝送することができる。 FIG. 18 is a diagram illustrating a simulation result of a voltage waveform (received waveform) at the terminal end during impedance matching (Ztx = Ztrans = Zrx = 100Ω). Here, the signal to be transmitted has an amplitude of 0.2 V, a rise time of 100 psec, a fall time of 100 psec, a pulse width of 2 nsec, a period of 4 nsec, and a transmission line delay time of 5 nsec. As shown in FIG. 18, if Ztx = Ztrans = Zrx = 100Ω, no signal reflection occurs on the transmission line, and thus no distortion occurs in the received waveform. Therefore, a signal can be transmitted without any problem.
図19は、表示装置におけるTIA/EIA−644規格によるインターフェース回路の構成を示す回路図である。図19に示すように、このインターフェース回路は、表示制御回路490に含まれる出力バッファ491、ソースドライバIC290_1の有する入力インターフェース回路291、および出力バッファ491と入力インターフェース回路291とを接続する伝送線路610により構成されている。入力インターフェース回路291は、入力バッファ292、および伝送線路610を終端する終端回路293などを有している。終端回路293は、例えば抵抗素子などからなる。なお、表示制御回路490はソースドライバICの個数(q個)と同数の出力バッファ491を含んでいる。そのため、図19に示すインターフェース回路以外に、表示制御回路490に含まれる他の出力バッファ491、ソースドライバIC290_2〜290_qの有する入力インターフェース回路291、および各出力バッファ491と各入力インターフェース回路291とを接続する伝送線路610によってもインターフェース回路が構成されるが、その図面記載および説明を便宜上省略する。
FIG. 19 is a circuit diagram showing a configuration of an interface circuit according to the TIA / EIA-644 standard in the display device. As shown in FIG. 19, this interface circuit includes an
表示装置において、送信側である出力バッファ491と受信側である入力インターフェース回路291とは、プリント基板上の伝送線路611、フラットケーブル・コネクタ612、およびプリント基板上の伝送線路613からなる伝送線路610により接続される。ここで、プリント基板上の伝送線路611、フラットケーブル・コネクタ612、およびプリント基板上の伝送線路613の特性インピーダンスを、それぞれZpcb1、Zcon_fc、およびZpcb2とする。終端回路293は、入力バッファ292の近くに形成するほうが望ましい。そのため、終端回路293は、一般に、受信側のソースドライバIC290_1の入力部に形成される。なお、これに限らず、終端回路293は、プリント基板613上に形成されていてもよい。
In the display device, the
上述のように、反射波に起因する伝送欠陥や定在波に起因する電磁波の不要輻射を防ぐためには、インピーダンスの整合をとる必要がある。すなわち、表示装置においては、Ztx=Zpcb1=Zcon_fc=Zpcb2=Zrxとなるようにインピーダンスを設定する必要がある。プリント基板上の伝送線路611および613の特性インピーダンスをその仕様値(TIA/EIA−644規格の場合は100Ω)に合わせることは、伝送線路611および613をマイクロストリップライン構造とすることなどにより比較的簡単に実現できる。しかし、フラットケーブル・コネクタ612の特性インピーダンスをその仕様値(TIA/EIA−644規格の場合は100Ω)に合わせることは困難な場合が多い。
As described above, impedance matching is required to prevent transmission defects caused by reflected waves and unnecessary radiation of electromagnetic waves caused by standing waves. That is, in the display device, it is necessary to set the impedance so that Ztx = Zpcb1 = Zcon_fc = Zpcb2 = Zrx. Matching the characteristic impedance of the
図20は、インピーダンス不整合時(Ztx=Zpcb1=Zpcb2=Zrx=100Ω、Zcon_fc=50Ω)の受信インピーダンス部分の電圧波形(受信波形)のシミュレーション結果を示す図である。ここで、伝送する信号は、振幅0.2V、立ち上がり時間100psec、立ち下がり時間100psec、パルス幅2nsec、周期4nsecであり、伝送線路の遅延時間は5nsecである。図18に示す受信波形と異なり、図20に示す受信波形には歪みが生じている。これは、フラットケーブル・コネクタ612の特性インピーダンスZcon_fcと他のインピーダンスとが不整合であることにより、伝送線路で反射が生じるためである。
FIG. 20 is a diagram illustrating a simulation result of the voltage waveform (reception waveform) of the reception impedance portion at the time of impedance mismatch (Ztx = Zpcb1 = Zpcb2 = Zrx = 100Ω, Zcon_fc = 50Ω). Here, the signal to be transmitted has an amplitude of 0.2 V, a rise time of 100 psec, a fall time of 100 psec, a pulse width of 2 nsec, a period of 4 nsec, and a transmission line delay time of 5 nsec. Unlike the reception waveform shown in FIG. 18, the reception waveform shown in FIG. 20 is distorted. This is because reflection occurs in the transmission line due to mismatch between the characteristic impedance Zcon_fc of the
本願発明と関連して、特許文献1には、信号伝送線路中に抵抗減衰器を設置したインターフェース回路が開示されている。送信側から見た抵抗減衰器のインピーダンスは送信側の伝送線路の特性インピーダンスと整合し、受信側から見た抵抗減衰器のインピーダンスは受信側の伝送線路の特性インピーダンスと整合している。伝送線路のインピーダンス不整合により発生する反射波を抵抗減衰器より減衰することが可能となるため、反射ノイズのない信号を受信側に送信することが可能となる。
In relation to the present invention,
しかし、特許文献1に記載のインターフェース回路では、伝送線路における設定が別途必要となるため製造コストが高くなると言う問題がある。また、抵抗減衰器を配置する場所を伝送線路中に別途設ける必要があるため、抵抗減衰器を用いずともインピーダンスの整合がとれている場合であっても、抵抗減衰器を配置する場所に、例えば0Ωの抵抗を配置する必要がある。そのため、伝送路中の無駄な部品を追加することとなり、同様に製造コストが高くなると言う問題がある。
However, the interface circuit described in
そこで、本発明は、伝送欠陥および電磁波の不要輻射を低コストで低減することができる半導体集積装置およびそれを備える表示装置を提供することを目的とする。 Accordingly, an object of the present invention is to provide a semiconductor integrated device capable of reducing transmission defects and unnecessary radiation of electromagnetic waves at a low cost, and a display device including the same.
第1の発明は、データ伝送用の入力インターフェース回路を備える半導体集積装置であって、
外部から入力信号を受け取る入力端子を備え、
前記入力インターフェース回路は、
前記入力信号の振幅を減衰させる減衰部と、
前記減衰部の後段に設けられ、外部から受け取るべき前記入力信号を前記入力端子まで伝送するための伝送線路を終端する終端回路とを含み、
前記終端回路側から見た前記減衰部のインピーダンスと前記終端回路のインピーダンスとが等しいことを特徴とする。
A first invention is a semiconductor integrated device including an input interface circuit for data transmission,
It has an input terminal that receives input signals from outside,
The input interface circuit is
An attenuation unit for attenuating the amplitude of the input signal;
A termination circuit that is provided at a subsequent stage of the attenuation unit and terminates a transmission line for transmitting the input signal to be received from the outside to the input terminal;
The impedance of the attenuation unit viewed from the termination circuit side is equal to the impedance of the termination circuit.
第2の発明は、第1の発明において、
前記入力信号は、シリアル伝送方式により伝送されることを特徴とする。
According to a second invention, in the first invention,
The input signal is transmitted by a serial transmission method.
第3の発明は、第2の発明において、
前記入力信号は差動信号であり、
前記減衰部は、前記差動信号の振幅を減衰させる減衰器を有することを特徴とする。
According to a third invention, in the second invention,
The input signal is a differential signal;
The attenuation unit includes an attenuator that attenuates the amplitude of the differential signal.
第4の発明は、第3の発明において、
前記減衰部は、当該減衰部を通過する前記差動信号の振幅の減衰量を変更可能に構成されており、
前記入力インターフェース回路は、前記減衰量を制御する制御部をさらに含むことを特徴とする。
According to a fourth invention, in the third invention,
The attenuation unit is configured to be able to change the attenuation amount of the amplitude of the differential signal passing through the attenuation unit,
The input interface circuit may further include a control unit that controls the attenuation amount.
第5の発明は、第4の発明において、
前記制御部は、前記差動信号の伝送状態に応じた外部から与えられる信号に基づいて前記減衰量を制御することを特徴とする。
A fifth invention is the fourth invention,
The control unit controls the amount of attenuation based on an externally applied signal corresponding to a transmission state of the differential signal.
第6の発明は、第4の発明において、
前記入力インターフェース回路は、前記差動信号の伝送状態を検出し、前記伝送状態に応じた信号を出力する検出回路をさらに含み、
前記制御部は、前記伝送状態に応じた信号に基づいて前記減衰量を制御することを特徴とする。
According to a sixth invention, in the fourth invention,
The input interface circuit further includes a detection circuit that detects a transmission state of the differential signal and outputs a signal corresponding to the transmission state;
The control unit controls the attenuation based on a signal corresponding to the transmission state.
第7の発明は、第3の発明において、
前記入力インターフェース回路は、前記終端回路の後段に設けられ、前記減衰部により振幅が減衰された前記差動信号の振幅を増幅する増幅器をさらに含むことを特徴とする。
According to a seventh invention, in the third invention,
The input interface circuit further includes an amplifier that is provided at a subsequent stage of the termination circuit and amplifies the amplitude of the differential signal whose amplitude is attenuated by the attenuation unit.
第8の発明は、第7の発明において、
前記増幅器の増幅率は可変であることを特徴とする。
In an eighth aspect based on the seventh aspect,
The amplification factor of the amplifier is variable.
第9の発明は、第8の発明において、
前記増幅率は、前記差動信号の伝送状態に応じた外部から与えられる信号により制御されることを特徴とする。
In a ninth aspect based on the eighth aspect,
The amplification factor is controlled by an externally applied signal corresponding to a transmission state of the differential signal.
第10の発明は、第8の発明において、
前記入力インターフェース回路は、前記差動信号の伝送状態を検出し、前記伝送状態に応じた信号を出力する検出回路をさらに含み、
前記増幅率は、前記伝送状態に応じた信号により制御されることを特徴とする。
In a tenth aspect based on the eighth aspect,
The input interface circuit further includes a detection circuit that detects a transmission state of the differential signal and outputs a signal corresponding to the transmission state;
The amplification factor is controlled by a signal corresponding to the transmission state.
第11の発明は、第3の発明において、
前記減衰部は、当該減衰部を通過する前記差動信号の振幅の減衰量を変更可能に構成されており、
前記入力インターフェース回路は、
前記減衰量を制御する制御部と、
前記終端回路の後段に設けられ、前記減衰部により振幅が減衰された前記差動信号の振幅を増幅する増幅器とをさらに含み、
前記増幅器の増幅率は可変であることを特徴とする。
In an eleventh aspect based on the third aspect,
The attenuation unit is configured to be able to change the attenuation amount of the amplitude of the differential signal passing through the attenuation unit,
The input interface circuit is
A control unit for controlling the amount of attenuation;
An amplifier that is provided at a subsequent stage of the termination circuit and amplifies the amplitude of the differential signal whose amplitude is attenuated by the attenuation unit;
The amplification factor of the amplifier is variable.
第12の発明は、第11の発明において、
前記制御部は、前記差動信号の伝送状態に応じた外部から与えられる信号に基づいて前記減衰量および前記増幅率を制御することを特徴とする。
In a twelfth aspect based on the eleventh aspect,
The control unit controls the attenuation amount and the amplification factor based on an externally applied signal corresponding to a transmission state of the differential signal.
第13の発明は、第11の発明において、
前記入力インターフェース回路は、前記差動信号の伝送状態を検出し、前記伝送状態に応じた信号を出力する検出回路をさらに含み、
前記制御部は、前記伝送状態に応じた信号に基づいて前記減衰量および前記増幅率を制御することを特徴とする。
In a thirteenth aspect based on the eleventh aspect,
The input interface circuit further includes a detection circuit that detects a transmission state of the differential signal and outputs a signal corresponding to the transmission state;
The control unit controls the attenuation amount and the amplification factor based on a signal corresponding to the transmission state.
第14の発明は、表示装置であって、
第1の発明から第13の発明のいずれかに係る半導体集積回路を備えることを特徴とする。
A fourteenth invention is a display device,
A semiconductor integrated circuit according to any one of the first to thirteenth inventions is provided.
第1の発明によれば、伝送線路の特性インピーダンスがその仕様値に一致していない場合であっても、伝送線路における設定を別途行うことなく受信側で生じる反射波の振幅が減衰され、さらに、進行波の振幅も減衰されるので、進行波および反射波により形成される定在波の振幅も減衰される。これにより、受信波形の歪みにより生じる伝送欠陥および定在波により生じる電磁波の不要輻射を低コストで低減することができる。 According to the first aspect of the invention, even if the characteristic impedance of the transmission line does not match the specification value, the amplitude of the reflected wave generated on the receiving side is attenuated without separately setting the transmission line, and Since the traveling wave amplitude is also attenuated, the standing wave amplitude formed by the traveling wave and the reflected wave is also attenuated. As a result, transmission defects caused by distortion of the received waveform and unnecessary radiation of electromagnetic waves caused by standing waves can be reduced at a low cost.
第2の発明によれば、シリアル伝送方式により入力信号を伝送する場合において、上記第1の発明と同様の効果を奏することができる。 According to the second invention, when the input signal is transmitted by the serial transmission method, the same effect as the first invention can be obtained.
第3の発明によれば、差動信号を伝送する場合において、上記第2の発明と同様の効果を奏することができる。 According to the third aspect, when transmitting a differential signal, the same effect as the second aspect can be obtained.
第4の発明によれば、減衰部の減衰量が可変となる。これにより、伝送欠陥および電磁波の不要輻射を適切に低減できる。 According to the fourth invention, the attenuation amount of the attenuation unit is variable. Thereby, the transmission defect and the unnecessary radiation of electromagnetic waves can be reduced appropriately.
第5の発明によれば、伝送線路における信号の伝送状態に応じて減衰部の減衰量が変化する。これにより、伝送線路における信号の伝送状態に応じて、伝送欠陥および電磁波の不要輻射を低減できる。また、減衰部において過度な減衰が行われないので、入力バッファにおいて適切なノイズマージンが確保される。これにより、伝送欠陥をさらに低減することができる。 According to the fifth aspect of the invention, the attenuation amount of the attenuation unit changes according to the signal transmission state on the transmission line. Thereby, according to the transmission state of the signal in a transmission line, a transmission defect and unnecessary radiation of electromagnetic waves can be reduced. In addition, since excessive attenuation is not performed in the attenuation unit, an appropriate noise margin is ensured in the input buffer. Thereby, transmission defects can be further reduced.
第6の発明によれば、伝送線路における信号の伝送状態に応じた制御を行うための外部との接続端子を必要としない。これにより、より低コストで、上記第5の発明と同様の効果を奏することができる。 According to the sixth aspect of the present invention, there is no need for an external connection terminal for performing control according to the signal transmission state on the transmission line. As a result, the same effects as those of the fifth invention can be achieved at a lower cost.
第7の発明によれば、減衰部により減衰された信号の振幅が回復するので、入力バッファにおけるノイズマージンが拡大される。これにより、伝送欠陥をさらに低減することができる。 According to the seventh aspect, since the amplitude of the signal attenuated by the attenuation unit is recovered, the noise margin in the input buffer is expanded. Thereby, transmission defects can be further reduced.
第8の発明によれば、増幅器の増幅率が可変となるので、入力バッファにおけるノイズマージンが適切に拡大される。これにより、伝送欠陥をさらに低減することができる。 According to the eighth aspect, since the amplification factor of the amplifier is variable, the noise margin in the input buffer is appropriately expanded. Thereby, transmission defects can be further reduced.
第9の発明によれば、伝送線路における信号の伝送状態に応じて増幅器の増幅率が変化する。したがって、伝送線路における信号の伝送状態に応じて、入力バッファにおけるノイズマージンが拡大される。これにより、伝送欠陥をさらに低減することができる。 According to the ninth aspect, the amplification factor of the amplifier changes according to the signal transmission state on the transmission line. Therefore, the noise margin in the input buffer is expanded according to the signal transmission state in the transmission line. Thereby, transmission defects can be further reduced.
第10の発明によれば、伝送線路における信号の伝送状態に応じた制御を行うための外部との接続端子を必要としない。これにより、より低コストで、上記第9の発明と同様の効果を奏することができる。 According to the tenth invention, there is no need for an external connection terminal for performing control according to the signal transmission state in the transmission line. Thereby, the same effects as those of the ninth invention can be achieved at a lower cost.
第11の発明によれば、減衰部により減衰された信号の振幅が回復することにより入力バッファにおけるノイズマージンが拡大されるとともに、減衰部の減衰量および増幅器の増幅率が可変となる。これにより伝送欠陥をさらに低減できるとともに、電磁波の不要輻射を適切に低減できる。 According to the eleventh aspect of the invention, the amplitude of the signal attenuated by the attenuation unit is restored, so that the noise margin in the input buffer is expanded, and the attenuation amount of the attenuation unit and the amplification factor of the amplifier are variable. Thereby, transmission defects can be further reduced, and unnecessary radiation of electromagnetic waves can be appropriately reduced.
第12の発明によれば、伝送線路における信号の伝送状態に応じて減衰部の減衰量および増幅器の増幅率が変化する。これにより、伝送線路における信号の伝送状態に応じて、伝送欠陥および電磁波の不要輻射をさらに適切に低減できる。 According to the twelfth aspect, the attenuation amount of the attenuation section and the amplification factor of the amplifier change according to the signal transmission state on the transmission line. Thereby, according to the transmission state of the signal in a transmission line, a transmission defect and unnecessary radiation of electromagnetic waves can be reduced further appropriately.
第13の発明によれば、伝送線路における信号の伝送状態に応じた制御を行うための外部との接続端子を必要としない。これにより、より低コストで、上記第12の発明と同様の効果を奏することができる。 According to the thirteenth invention, there is no need for an external connection terminal for performing control according to the signal transmission state on the transmission line. Thereby, the same effects as those of the twelfth aspect can be achieved at a lower cost.
以下、添付図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。
<1.第1の実施形態>
<1.1 液晶表示装置の全体構成>
図1は、本発明の第1の実施形態に係るソースドライバIC200_1〜200_qを有する液晶表示装置500の構成を示すブロック図である。図1に示すように、液晶表示装置500は、表示パネル100、データ信号線駆動回路200、走査信号線駆動回路300、および表示制御回路400を備えている。本実施形態における表示制御回路400とデータ信号線駆動回路200との間の信号伝送には、シリアル伝送方式が採用されている。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
<1. First Embodiment>
<1.1 Overall configuration of liquid crystal display device>
FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a liquid
表示パネル100は、液晶層を挟持する1対の電極基板からなり、各電極基板の外表面には偏光板が貼り付けられている。上記1対の電極基板の一方はTFT基板と呼ばれるアクティブマトリクス型の基板である。このTFT基板では、ガラス基板等の絶縁性基板上に、複数のデータ信号線DL1〜DLnと複数の走査信号線GL1〜GLmとが互いに交差するように格子状に形成されている。また、複数のデータ信号線DL1〜DLnと複数の走査信号線GL1〜GLmとの交差点にそれぞれ対応して複数の画素回路がマトリクス状に形成されている。各画素回路は、表示すべき画像を構成する画素に対応する画素電極と、画素電極と後述の対向電極等とによって形成される画素容量と、TFTとを含んでいる。上記1対の電極基板の他方は対向基板と呼ばれ、ガラス等の絶縁性基板上に、全面にわたって対向電極、配向膜が順次積層されている。複数のデータ信号線DL1〜DLnおよび複数の走査信号線GL1〜GLmは、それぞれデータ信号線駆動回路200および走査信号線駆動回路300により駆動される。
The
表示制御回路400は、外部から表示データDATおよびタイミング制御信号TSを受け取り、画像信号DV1〜DVq、データスタートパルスSSP、データクロック信号SCK、ゲートスタートパルスGSP、およびゲートクロック信号GCKを生成する。画像信号DV1〜DVqは差動信号として伝送されるデジタル信号であり、表示パネル100に表示すべき画像を表す。データスタートパルスSSP、データクロック信号SCK、ゲートスタートパルスGSP、およびゲートクロック信号GCKは、表示パネル100に画像を表示するタイミングを制御するためのタイミング信号である。画像信号DV1〜DVq、データスタートパルスSSP、およびデータクロック信号SCKはデータ信号線駆動回路200に与えられ、ゲートスタートパルスGSPおよびゲートクロック信号GCKは走査信号線駆動回路300に与えられる。
The
データ信号線駆動回路200は、複数(q個)のソースドライバIC200_1〜200_qにより構成されている。画像信号DV1〜DVqは、上述のようにシリアル伝送方式で伝送されるので、各ソースドライバICは個別の伝送線路を用いて表示制御回路400と1:1に接続されている。なお、図1において、画像信号DV1〜DVqのみが、表示制御回路400と各ソースドライバICとの間でシリアル伝送方式により伝送されているが、これに限られない。すなわち、画像信号DV1〜DVqと共にデータクロック信号SCKもシリアル伝送方式により伝送されてもよい。データ信号線駆動回路200は、受け取った画像信号DV1〜DVqに基づき、表示パネル100に表示すべき画像の各水平走査線における画素値に相当するアナログ電圧としての複数のデータ信号を生成し、これらの複数のデータ信号を複数のデータ信号線DL1〜DLnにそれぞれ印加する。より詳細には、データ信号線駆動回路200における各ソースドライバIC(例えば、ソースドライバIC200_1)は、受け取った画像信号DV1に基づき、表示パネル100に表示すべき画像の各水平走査線の一部における画素値に相当するアナログ電圧としての複数のデータ信号を生成し、これらの複数のデータ信号を複数のデータ信号線DL1〜DLkにそれぞれ印加する。ここで、k=n/qである。他のソースドライバIC200_2〜200_qについても、ソースドライバIC200_1と同様である。
The data signal
走査信号線駆動回路300は、表示制御回路400からゲートスタートパルスGSPおよびゲートクロック信号GCKを受け取り、表示パネル100に表示画像を表示するための各フレーム期間(各垂直走査期間)において、複数の走査信号線GL1〜GLmを1水平走査期間ずつ順次選択し、選択した走査信号線にアクティブな走査信号(画素回路に含まれるTFTをオンさせる電圧)を印加する。
The scanning signal
対向電極には、表示パネル100の液晶層に印加すべき電圧の基準となる電位が図示しない対向電極駆動回路により与えられる。
The counter electrode is supplied with a potential serving as a reference for the voltage to be applied to the liquid crystal layer of the
上述のように、複数のデータ信号線DL1〜DLnには複数のデータ信号がそれぞれ印加され、複数の走査信号線GL1〜GLmには複数の走査信号がそれぞれ印加されることにより、表示パネル100における各画素回路における画素電極には、対向電極の電位を基準として、表示すべき画素の画素値に応じた電圧がTFTを介して与えられ、各画素回路内の画素容量に保持される。これにより、液晶層には、各画素電極と対向電極との電位差に相当する電圧が印加される。表示パネル100は、この印加電圧によって液晶層の光透過率を制御することにより、画像信号DV1〜DVqの表す画像を表示する。
As described above, a plurality of data signals are respectively applied to the plurality of data signal lines DL1 to DLn, and a plurality of scanning signals are respectively applied to the plurality of scanning signal lines GL1 to GLm. A voltage corresponding to the pixel value of the pixel to be displayed is applied to the pixel electrode in each pixel circuit through the TFT with reference to the potential of the counter electrode, and is held in the pixel capacitance in each pixel circuit. Thereby, a voltage corresponding to the potential difference between each pixel electrode and the counter electrode is applied to the liquid crystal layer. The
<1.2 インターフェース回路の構成>
図2は、本実施形態におけるインターフェース回路の構成を示す回路図である。本実施形態におけるインターフェース回路は、TIA/EIA−644規格に基づいている。ここでは、便宜上、データスタートパルスSSP、データクロック信号SCKの記載を省略している。図2に示すように、本実施形態におけるインターフェース回路は、表示制御回路400に含まれる後述の出力バッファ401、ソースドライバIC200_1の有する後述の入力インターフェース回路210、および出力バッファ401と入力インターフェース回路210とを接続する1対の伝送線路610により構成されており、差動信号を伝する。なお、表示制御回路400はソースドライバICの個数(q個)と同数の出力バッファ401を含んでいる。そのため、図2に示すインターフェース回路以外に、表示制御回路400に含まれる他の出力バッファ401、ソースドライバIC200_2〜200_qの有する入力インターフェース回路210、および各出力バッファ401と各入力インターフェース回路210とを接続する1対の伝送線路610によってもインターフェース回路が構成されるが、その図面記載および説明を便宜上省略する。
<1.2 Interface circuit configuration>
FIG. 2 is a circuit diagram showing a configuration of the interface circuit in the present embodiment. The interface circuit in this embodiment is based on the TIA / EIA-644 standard. Here, for convenience, description of the data start pulse SSP and the data clock signal SCK is omitted. As shown in FIG. 2, the interface circuit in the present embodiment includes an
伝送線路610は、プリント基板上に形成された伝送線路611、フラットケーブル・コネクタ612、およびプリント基板上に形成された伝送線路613からなっている。ここで、出力バッファ401の出力インピーダンス(送信インピーダンス)および後述の終端回路250のインピーダンス(受信インピーダンス)を、それぞれZtxおよびZrxとする。また、伝送線路611、フラットケーブル・コネクタ612、および伝送線路613の特性インピーダンスを、それぞれZpcb1、Zcon_fc、およびZpcb2とする。
The
上述のように、Ztx=Zpcb1=Zcon_fc=Zpcb2=Zrxであることが望ましいが、フラットケーブル・コネクタ612の特性インピーダンスZcon_fcをその仕様値(TIA/EIA−644規格の場合は100Ω)に合わせることは困難な場合が多い。そこで、以下の説明では、各インピーダンスの値を、Ztx=Zpcb1=Zpcb2=Zrx=100Ω、Zcon_fc=50Ωと仮定している。
As described above, it is desirable that Ztx = Zpcb1 = Zcon_fc = Zpcb2 = Zrx, but adjusting the characteristic impedance Zcon_fc of the
表示制御回路400は、外部から受け取った表示データDATに基づき、画像信号DV1に対応する、正側画像信号DV1(+)および負側画像信号DV1(−)からなる入力信号としての差動信号を生成する。正側画像信号DV1(+)および負側画像信号DV1(−)は、出力バッファ401から出力され、伝送線路610を介して、ソースドライバIC200_1内の入力インターフェース回路210に与えられる。
Based on the display data DAT received from the outside, the
<1.3 ソースドライバICの構成>
図3は、本実施形態に係るソースドライバIC200_1の構成を示す回路図である。なお、他のソースドライバIC200_2〜200_qも同様の構成であるため、その説明を省略する。図3に示すように、ソースドライバIC200_1は、差動信号用入力端子TI(入力端子TIA、入力端子TIB)、出力端子TO、入力インターフェース回路210を有している。また、ソースドライバIC200_1は、入力インターフェース回路210を介して受け取った信号に基づき、各データ信号線を駆動するための信号を生成する本体部としての回路群270を有している。この回路群270は、ラッチ回路やD/Aコンバータ等からなっている。
<1.3 Configuration of source driver IC>
FIG. 3 is a circuit diagram showing a configuration of the source driver IC 200_1 according to the present embodiment. Since the other source driver ICs 200_2 to 200_q have the same configuration, the description thereof is omitted. As shown in FIG. 3, the source driver IC 200_1 includes a differential signal input terminal TI (input terminal TIA, input terminal TIB), an output terminal TO, and an
入力インターフェース回路210は、減衰部220、減衰部220の後段に設けられた終端回路250、終端回路250の後段に設けられた入力バッファ260を有している。終端回路250は例えば抵抗素子などからなる。減衰部220は、1対の減衰器としてのアッテネータ221Aおよび221Bを有している。終端回路250側から見たアッテネータ221Aおよび221Bのインピーダンスは、終端回路250の受信インピーダンスZrxと等しい。アッテネータ221Aおよび221Bは抵抗素子などからなり、例えばπ型アッテネータやT型アッテネータなどである。
The
入力端子TIAを介してソースドライバIC200_1に入力された正側画像信号DV1(+)の振幅および入力端子TIBを介してソースドライバIC200_1に入力された負側画像信号DV1(−)の振幅は、それぞれアッテネータ221Aおよび221Bにより減衰される。ここで、アッテネータ221Aおよび221Bによる減衰量は−0.5dB〜−20dBの範囲内であることが望ましい。
The amplitude of the positive image signal DV1 (+) input to the source driver IC 200_1 via the input terminal TIA and the amplitude of the negative image signal DV1 (−) input to the source driver IC 200_1 via the input terminal TIB are respectively It is attenuated by
アッテネータ221Aおよび221Bによりそれぞれ振幅を減衰された正側画像信号DV1(+)および負側画像信号DV1(−)は入力バッファ260に与えられる。入力バッファ260は、1対の差動信号である正側画像信号DV1(+)および負側画像信号DV1(−)をデジタル信号である画像信号DV1に変換し出力する。入力バッファ260から出力された画像信号DV1は、回路群270に与えられる。回路群270は、受け取った画像信号DV1に基づき、表示パネル100に表示すべき画像の各水平走査線の一部における画素値に相当するアナログ電圧としての複数のデータ信号(これらをまとめて「データ信号DS1」という)を生成し出力する。回路群270から出力されたデータ信号DS1は、出力端子TOを介して複数のデータ信号線DL1〜DLkに印加される。なお、実際には出力端子TOはk個あるが、図3ではその記載を省略している。
The positive side image signal DV1 (+) and the negative side image signal DV1 (−) whose amplitudes are attenuated by the
<1.4 考察>
図4は、終端回路250における電圧波形(受信波形)のシミュレーション結果を示す図である。ここで、上述のように、各インピーダンスの値は、Ztx=Zpcb1=Zpcb2=Zrx=100Ω、Zcon_fc=50Ωである。また、ここで、伝送する信号は、振幅0.2V、立ち上がり時間100psec、立ち下がり時間100psec、パルス幅2nsec、周期4nsecであり、伝送線路の遅延時間は5nsecである。図4の上から順に、アッテネータなし(従来のソースドライバIC)の場合、アッテネータ221Aおよび221Bの減衰量が−3dBの場合、アッテネータ221Aおよび221Bの減衰量が−6dBの場合、アッテネータ221Aおよび221Bの減衰量が−12dBの場合の受信波形を示す。
<1.4 Discussion>
FIG. 4 is a diagram illustrating a simulation result of a voltage waveform (reception waveform) in the
アッテネータなし(従来のソースドライバIC)の場合の受信波形は図20に示す波形と同様のものであり、大きな歪みが生じている。一方アッテネータ221Aおよび221Bを用いている場合は、波形の歪みが低減されており、さらに、減衰量が大きくなるにつれて、その低減量も大きくなっている。すなわち、図4においては、アッテネータ221Aおよび221Bの減衰量が−12dBの場合の波形の歪みが最も小さい。しかし、減衰量が大きくなるにつれて、受信波形の振幅が小さくなるので、入力バッファ260におけるノイズマージンも狭まることとなる。ノイズマージンが狭くなりすぎると、デジタル信号への変換において誤動作が生じやすくなる。そのため、減衰量が大きすぎる場合には、受信波形の歪みにより生じる伝送欠陥が低減される一方で、入力バッファ260における誤動作により生じる伝送欠陥が増大するおそれがある。したがって、入力バッファ260におけるノイズマージンを考慮してアッテネータ221Aおよび221Bの減衰量を決定する必要があり、その適切な減衰量が−0.5dB〜−20dBである。
The received waveform in the case of no attenuator (conventional source driver IC) is the same as the waveform shown in FIG. 20, and a large distortion occurs. On the other hand, when the
本実施形態において、送信側(出力バッファ401)からの進行波である正側画像信号DV1(+)および負側画像信号DV1(−)は、それぞれアッテネータ221Aおよび221Bによりその振幅を減衰されて受信側(入力バッファ260)に到達する。伝送線路の特性インピーダンスZtrans(特にフラットケーブル・コネクタ612の特性インピーダンスZcon_fc)が受信インピーダンスZrxと異なるため、受信側で反射が生じる。そのため、反射波が送信側に戻っていく。しかし、この反射波も進行波と同様にアッテネータ221Aおよび221Bによりその振幅を減衰される。すなわち、アッテネータ221Aおよび221Bを終端回路250の前段に設けることで、進行波および反射波両方の振幅が減衰され、結果として、進行波および反射波により形成される定在波の振幅も減衰される。
In the present embodiment, the positive image signal DV1 (+) and the negative image signal DV1 (−), which are traveling waves from the transmission side (output buffer 401), are received with the amplitudes being attenuated by the
また、本実施形態において、アッテネータ221Aおよび221BはソースドライバIC200_1内に設けられている。これは、インターフェース回路や表示装置の製造コスト上大きな利点となる。すなわち、ソースドライバIC200_1を用いれば、伝送線路610において、伝送線路610の特性インピーダンスに応じた設定を別途行うことなく、反射波等の振幅を減衰することができる。
In the present embodiment, the
<1.5 効果>
本実施形態によれば、伝送線路の特性インピーダンスがその仕様値に一致していない場合であっても、伝送線路における設定を別途行うことなく受信側で生じる反射波の振幅が減衰され、さらに、進行波の振幅も減衰されるので、進行波および反射波により形成される定在波の振幅も減衰される。これにより、受信波形の歪みにより生じる伝送欠陥および定在波により生じる電磁波の不要輻射を低コストで低減することができる。
<1.5 Effect>
According to the present embodiment, even if the characteristic impedance of the transmission line does not match the specification value, the amplitude of the reflected wave generated on the reception side is reduced without separately setting the transmission line, Since the amplitude of the traveling wave is also attenuated, the amplitude of the standing wave formed by the traveling wave and the reflected wave is also attenuated. As a result, transmission defects caused by distortion of the received waveform and unnecessary radiation of electromagnetic waves caused by standing waves can be reduced at a low cost.
<2.第2の実施形態>
<2.1 ソースドライバICの構成>
本発明の第2の実施形態に係るソースドライバIC201_1〜201_qは、入力インターフェース回路211および入力端子TICを除いて第1の実施形態に係るソースドライバIC200_1〜200_qと同様の構成である。なお、本実施形態の構成要素のうち第1の実施形態と同一の要素については、同一の参照符号を付して説明を省略する。
<2. Second Embodiment>
<2.1 Source driver IC configuration>
The source driver ICs 201_1 to 201_q according to the second embodiment of the present invention have the same configuration as the source driver ICs 200_1 to 200_q according to the first embodiment except for the
図5は、本実施形態に係るソースドライバIC201_1の構成を示す回路図である。なお、他のソースドライバIC201_2〜201_qも同様の構成であるため、その説明を省略する。図5に示すように、ソースドライバIC201_1は、差動信号用入力端子TI(入力端子TIA、入力端子TIB)、出力端子TO、入力インターフェース回路211、回路群270を有し、さらに、入力端子TICを有している。
FIG. 5 is a circuit diagram showing a configuration of the source driver IC 201_1 according to the present embodiment. Since the other source driver ICs 201_2 to 201_q have the same configuration, the description thereof is omitted. As illustrated in FIG. 5, the source driver IC 201_1 includes a differential signal input terminal TI (input terminal TIA, input terminal TIB), an output terminal TO, an
入力インターフェース回路211は、減衰部225、減衰部225の後段に設けられた終端回路250、終端回路250の後段に設けられた入力バッファ260、および制御部としての制御回路231を有している。
The
減衰部225は、差動信号用入力端子TI側(図5の左側)から順に、切替部としての1対のスイッチSW1およびSW2と、1対のスイッチSW1およびSW2の後段に設けられた1対のアッテネータ221Aおよび221Bと、1対のアッテネータ221Aおよび221Bの後段に設けられた1対のスイッチSW3およびSW4と、1対のスイッチSW3およびSW4の後段に設けられた1対のスイッチSW5およびSW6と、1対のスイッチSW5およびSW6の後段に設けられた1対のアッテネータ222Aおよび222Bと、1対のアッテネータ222Aおよび222Bの後段に設けられた1対のスイッチSW7およびSW8と、1対のスイッチSW7およびSW8の後段に設けられた1対のスイッチSW9およびSW10と、1対のスイッチSW9およびSW10の後段に設けられた1対のアッテネータ223Aおよび223Bと、1対のアッテネータ223Aおよび223Bの後段に設けられた1対のスイッチSW11およびSW12とを有している。スイッチSW1〜SW4、SW5〜SW8、およびSW9〜SW12はそれぞれ、減衰部225を通過する正側画像信号DV1(+)および負側画像信号DV1(−)の振幅の減衰量を変化させるように連動して切替動作を行うように制御される。すなわち、減衰部225は、減衰部225を通過する正側画像信号DV1(+)および負側画像信号DV1(−)の振幅の減衰量を変更可能に構成されている。
The attenuating
ソースドライバIC201_1の外部には、伝送線路610における正側画像信号DV1(+)および負側画像信号DV1(−)の伝送状態を検出する検出回路232が設けられている。検出回路232は、例えば平滑回路や位相比較回路などである。検出回路232が平滑回路である場合、検出回路232は、正側画像信号DV1(+)および負側画像信号DV1(−)の受信電圧(または受信電界強度)に応じた制御信号CSを生成し出力する。伝送線路610における伝送状態が良好なときには制御信号CSの直流成分が大きくなり、劣悪なときには制御信号CSの直流成分が小さくなる。一方、検出回路232が位相比較回路である場合、検出回路232は、正側画像信号DV1(+)と負側画像信号DV1(−)との位相差に応じた制御信号CSを生成し出力する。伝送線路610における伝送状態が良好なときには制御信号CSの直流成分が小さくなり、劣悪なときには制御信号CSの直流成分が大きくなる。すなわち、検出回路232を平滑回路で実現した場合と位相比較回路で実現した場合とで、制御信号CSの直流成分の大小関係が逆になる。なお、検出回路232を他の回路で実現してもよい。
A
制御回路231は、入力端子TICを介して受け取った制御信号CSに基づき各スイッチの切替動作を制御する信号を生成し出力する。各スイッチは、伝送線路610における伝送状態が良好な場合には正側画像信号DV1(+)および負側画像信号DV1(−)が通過するアッテネータの数を減少させ、伝送状態が劣悪な場合には正側画像信号DV1(+)および負側画像信号DV1(−)が通過するアッテネータの数を増加させるように制御される。すなわち、制御回路231は、正側画像信号DV1(+)および負側画像信号DV1(−)の伝送状態に応じた制御信号CSに基づいて減衰部225の減衰量を制御する。例えば、アッテネータ221Aおよび221Bの減衰量が−2dB、アッテネータ222Aおよび222Bの減衰量が−4dB、アッテネータ223Aおよび223Bの減衰量が−6dBである場合、減衰部225全体での減衰量は、0dB、−2dB、−4dB、−6dB、−8dB(=(−2dB)+(−6dB))、−10dB(=(−4dB)+(−6dB))、および−12dB(=(−2dB)+(−4dB)+(−6dB))のいずれかの値となる。
The
ここで、伝送線路610における伝送状態をLV1〜LV7(数字が小さいほど伝送状態が良好であり、数字が大きいほど伝送状態が劣悪であることを意味する)で表し、正側画像信号DV1(+)および負側画像信号DV1(−)が通過するアッテネータの数の増減について詳しく説明する。なお、例えば、以下の説明において、「正側画像信号DV1(+)および負側画像信号DV1(−)がそれぞれアッテネータ221Aおよび221Bを通過しない」とは、正側画像信号DV1(+)および負側画像信号DV1(−)が、アッテネータ221Aおよび221Bに沿って設けられた伝送線路をそれぞれ通過して減衰を受けないことを意味する。
Here, the transmission state in the
LV1の場合、制御回路231は制御信号CSに基づき、正側画像信号DV1(+)および負側画像信号DV1(−)がそれぞれアッテネータ221Aおよび221Bを通過しないようにスイッチSW1〜SW4を連動して制御し、アッテネータ222Aおよび222Bを通過しないようにスイッチSW5〜SW8を連動して制御し、アッテネータ223Aおよび223Bを通過しないようにスイッチSW9〜SW12を連動して制御する。これにより、減衰部225全体における減衰量が−0dBとなる。
In the case of LV1, the
LV2の場合、制御回路231は制御信号CSに基づき、正側画像信号DV1(+)および負側画像信号DV1(−)がそれぞれアッテネータ221Aおよび221Bを通過するようにスイッチスイッチSW1〜SW4を連動して制御し、アッテネータ222Aおよび222Bを通過しないようにスイッチSW5〜SW8を連動して制御し、アッテネータ223Aおよび223Bを通過しないようにスイッチSW9〜SW12を連動して制御する。これにより、減衰部225全体における減衰量が−2dBとなる。
In the case of LV2, the
LV3の場合、制御回路231は制御信号CSに基づき、正側画像信号DV1(+)および負側画像信号DV1(−)がそれぞれアッテネータ221Aおよび221Bを通過しないようにスイッチSW1〜SW4を連動して制御し、アッテネータ222Aおよび222Bを通過するようにスイッチSW5〜SW8を連動して制御し、アッテネータ223Aおよび223Bを通過しないようにスイッチSW9〜SW12を連動して制御する。これにより、減衰部225全体における減衰量が−4dBとなる。
In the case of LV3, the
LV4の場合、制御回路231は制御信号CSに基づき、正側画像信号DV1(+)および負側画像信号DV1(−)がそれぞれアッテネータ221Aおよび221Bを通過しないようにスイッチSW1〜SW4を連動して制御し、アッテネータ222Aおよび222Bを通過しないようにスイッチSW5〜SW8を連動して制御し、アッテネータ223Aおよび223Bを通過するようにスイッチSW9〜SW12を連動して制御する。これにより、減衰部225全体における減衰量が−6dBとなる。なお、LV4の場合、制御回路231は制御信号CSに基づき、正側画像信号DV1(+)および負側画像信号DV1(−)がそれぞれアッテネータ221Aおよび221Bを通過するようにスイッチSW1〜SW4を連動して制御し、アッテネータ222Aおよび222Bを通過するようにスイッチSW5〜SW8を連動して制御し、アッテネータ223Aおよび223Bを通過しないようにスイッチSW9〜SW12を連動して制御してもよい。これによっても、減衰部225全体における減衰量が−6dBとなる。
In the case of LV4, the
LV5の場合、制御回路231は制御信号CSに基づき、正側画像信号DV1(+)および負側画像信号DV1(−)がそれぞれアッテネータ221Aおよび221Bを通過するようにスイッチSW1〜SW4を連動して制御し、アッテネータ222Aおよび222Bを通過しないようにスイッチSW5〜SW8を連動して制御し、アッテネータ223Aおよび223Bを通過するようにスイッチSW9〜SW12を連動して制御する。これにより、減衰部225全体における減衰量が−8dBとなる。
In the case of LV5, the
LV6の場合、制御回路231は制御信号CSに基づき、正側画像信号DV1(+)および負側画像信号DV1(−)がそれぞれアッテネータ221Aおよび221Bを通過しないようにスイッチSW1〜SW4を連動して制御し、アッテネータ222Aおよび222Bを通過するようにスイッチSW5〜SW8を連動して制御し、アッテネータ223Aおよび223Bを通過するようにスイッチSW9〜SW12を連動して制御する。これにより、減衰部225全体における減衰量が−10dBとなる。
In the case of LV6, the
LV7の場合、制御回路231は制御信号CSに基づき、正側画像信号DV1(+)および負側画像信号DV1(−)がそれぞれアッテネータ221Aおよび221Bを通過するようにスイッチSW1〜SW4を連動して制御し、アッテネータ222Aおよび222Bを通過するようにスイッチSW5〜SW8を連動して制御し、アッテネータ223Aおよび223Bを通過するようにスイッチSW9〜SW12を連動して制御する。これにより、減衰部225全体における減衰量が−12dBとなる。
In the case of LV7, the
なお、減衰部225全体の減衰量が−0.5dB〜−20dBの範囲内となればよく(上記LV1の場合を除く)、各アッテネータの減衰量を上述の−2dB、−4dB、および−6dB以外としてもよい。また、各アッテネータの減衰量を同一としてもよい。
The attenuation amount of the
<2.2 効果>
本実施形態によれば、伝送線路における信号の伝送状態に応じて減衰部225の減衰量が変化する。これにより、伝送線路における信号の伝送状態に応じて、伝送欠陥および電磁波の不要輻射を低減できる。また、減衰部225において過度な減衰が行われないので、入力バッファ260において適切なノイズマージンが確保される。これにより、伝送欠陥をさらに低減することができる。
<2.2 Effect>
According to the present embodiment, the attenuation amount of the
<2.3 変形例>
本発明の第2の実施形態の変形例に係るソースドライバIC202_1〜202_qは、入力インターフェース回路212を除いて第1の実施形態に係るソースドライバIC200_1〜200_qと同様の構成である。なお、本実施形態の構成要素のうち上記各実施形態と同一の要素については、同一の参照符号を付して説明を省略する。
<2.3 Modification>
The source driver ICs 202_1 to 202_q according to the modification of the second embodiment of the present invention have the same configuration as the source driver ICs 200_1 to 200_q according to the first embodiment except for the
図6は、本変形例に係るソースドライバIC202_1の構成を示す回路図である。なお、他のソースドライバIC202_2〜202_qも同様の構成であるため、その説明を省略する。図6に示すように、本変形例に係るソースドライバIC202_1の有する入力インターフェース回路212は、第2の実施形態に係るソースドライバIC201_1の有する入力インターフェース回路211と異なり、検出回路232を内部に有している。検出回路232は、入力端子TIAおよびTIBからそれぞれ入力された正側画像信号DV1(+)および負側画像信号DV1(−)を受け取り、制御信号CSを制御回路231に与える。したがって、本変形例に係るソースドライバIC202_1は、第2の実施形態に係るソースドライバIC201_1と異なり、入力端子TICを必要としない。
FIG. 6 is a circuit diagram showing a configuration of a source driver IC 202_1 according to this modification. Since the other source driver ICs 202_2 to 202_q have the same configuration, the description thereof is omitted. As shown in FIG. 6, the
本変形例によれば、伝送線路における信号の伝送状態に応じた制御を行うための外部との接続端子を必要としない。これにより、より低コストで第2の実施形態と同様の効果を奏することができる。 According to this modification, the connection terminal with the outside for performing control according to the transmission state of the signal in the transmission line is not required. Thereby, the same effects as those of the second embodiment can be achieved at a lower cost.
<3.第3の実施形態>
<3.1 ソースドライバICの構成>
本発明の第3の実施形態に係るソースドライバIC203_1〜203_qは、入力インターフェース回路213を除いて第1の実施形態に係るソースドライバIC200_1〜200_qと同様の構成である。なお、本実施形態の構成要素のうち上記各実施形態と同一の要素については、同一の参照符号を付して説明を省略する。
<3. Third Embodiment>
<3.1 Source driver IC configuration>
The source driver ICs 203_1 to 203_q according to the third embodiment of the present invention have the same configuration as the source driver ICs 200_1 to 200_q according to the first embodiment except for the
図7は、本実施形態に係るソースドライバIC203_1の構成を示す回路図である。なお、他のソースドライバIC203_2〜203_qも同様の構成であるため、その説明を省略する。図7に示すように、ソースドライバIC203_1は、差動信号用入力端子TI(入力端子TIA、入力端子TIB)、出力端子TO、入力インターフェース回路212、回路群270を有している。
FIG. 7 is a circuit diagram showing a configuration of the source driver IC 203_1 according to the present embodiment. Since the other source driver ICs 203_2 to 203_q have the same configuration, the description thereof is omitted. As illustrated in FIG. 7, the source driver IC 203_1 includes a differential signal input terminal TI (input terminal TIA, input terminal TIB), an output terminal TO, an
入力インタフェース回路213は、減衰部220と、減衰部220の後段に設けられた終端回路250と、終端回路250の後段に設けられた1対の増幅器としてのアンプ240Aおよび240Bと、およびアンプ240Aおよび240Bの後段に設けられた入力バッファ260とを有している。
The
アッテネータ221Aおよび221Bにより振幅が減衰された正側画像信号DV1(+)および負側画像信号DV1(−)は、アンプ240Aおよび240Bにそれぞれ与えられる。アンプ240Aおよび240Bは、それぞれ正側画像信号DV1(+)および負側画像信号DV1(−)の振幅を増幅し出力する。その振幅を増幅された正側画像信号DV1(+)および負側画像信号DV1(−)は、入力バッファ260に与えられる。ここで、アンプ240Aおよび240Bの増幅率は0.5dB〜40dBの範囲内であることが望ましい。
The positive side image signal DV1 (+) and the negative side image signal DV1 (−) whose amplitudes are attenuated by the
<3.2 効果>
本実施形態によれば、減衰部220により減衰された正側画像信号DV1(+)および負側画像信号DV1(−)の振幅が回復するので、入力バッファ260におけるノイズマージンが拡大される。これにより、伝送欠陥をさらに低減することができる。
<3.2 Effects>
According to the present embodiment, the amplitudes of the positive image signal DV1 (+) and the negative image signal DV1 (−) attenuated by the
<4.第4の実施形態>
<4.1 ソースドライバICの構成>
本発明の第4の実施形態に係るソースドライバIC204_1〜204_qは、入力インターフェース回路214および入力端子TICを除いて第1の実施形態に係るソースドライバIC200_1〜200_qと同様の構成である。なお、本実施形態の構成要素のうち上記各実施形態と同一の要素については、同一の参照符号を付して説明を省略する。
<4. Fourth Embodiment>
<4.1 Source Driver IC Configuration>
The source driver ICs 204_1 to 204_q according to the fourth embodiment of the present invention have the same configuration as the source driver ICs 200_1 to 200_q according to the first embodiment except for the
図8は、本実施形態に係るソースドライバIC204_1の構成を示す回路図である。なお、他のソースドライバIC204_2〜204_qも同様の構成であるため、その説明を省略する。図8に示すように、ソースドライバIC204_1は、差動信号用入力端子TI(入力端子TIA、入力端子TIB)、出力端子TO、入力インターフェース回路214、回路群270を有し、さらに、入力端子TICを有している。ソースドライバIC204_1の外部には検出回路232が設けられている。
FIG. 8 is a circuit diagram showing a configuration of the source driver IC 204_1 according to the present embodiment. Since the other source driver ICs 204_2 to 204_q have the same configuration, the description thereof is omitted. As shown in FIG. 8, the source driver IC 204_1 has a differential signal input terminal TI (input terminal TIA, input terminal TIB), an output terminal TO, an
入力インターフェース回路214は、減衰部220と、減衰部220の後段に設けられた終端回路250と、終端回路250の後段に設けられた1対の増幅率の可変な増幅器としてのアンプ241Aおよび241Bと、およびアンプ240Aおよび240Bの後段に設けられた入力バッファ260と、制御回路231とを有している。
The
制御回路231は、アンプ241Aおよび241Bの増幅率を制御信号CSに基づき制御する。アンプ241Aおよび241Bの増幅率は、伝送線路610における伝送状態が良好な場合には小さく、劣悪な場合には大きくなるように制御される。ここで、アンプ241Aおよび241Bの増幅率は、0.5dB〜40dBの範囲内で可変であることが望ましい。
The
<4.2 効果>
本実施形態によれば、伝送線路における信号の伝送状態に応じてアンプ241Aおよび241Bの増幅率が変化する。したがって、伝送線路における信号の伝送状態に応じて、入力バッファ260におけるノイズマージンが拡大される。これにより、伝送欠陥をさらに低減することができる。
<4.2 Effects>
According to this embodiment, the amplification factors of the
<4.3 変形例>
本発明の第4の実施形態の変形例に係るソースドライバIC205_1〜205_qは、入力インターフェース回路215を除いて第1の実施形態に係るソースドライバIC200_1〜200_qと同様の構成である。なお、本実施形態の構成要素のうち上記各実施形態と同一の要素については、同一の参照符号を付して説明を省略する。
<4.3 Modification>
The source driver ICs 205_1 to 205_q according to the modification of the fourth embodiment of the present invention have the same configuration as the source driver ICs 200_1 to 200_q according to the first embodiment except for the
図9は、本変形例に係るソースドライバIC205_1の構成を示す回路図である。なお、他のソースドライバIC205_2〜205_qも同様の構成であるため、その説明を省略する。図9に示すように、本変形例に係るソースドライバIC205_1の有する入力インターフェース回路215は、第4の実施形態に係るソースドライバIC204_1の有するインターフェース回路214と異なり、検出回路232を内部に有している。検出回路232は、入力端子TIAおよびTIBからそれぞれ入力された正側画像信号DV1(+)および負側画像信号DV1(−)を受け取り、制御信号CSを制御回路231に与える。したがって、本変形例に係るソースドライバIC205_1は、第4の実施形態に係るソースドライバIC204_1と異なり、入力端子TICを必要としない。
FIG. 9 is a circuit diagram showing a configuration of a source driver IC 205_1 according to this modification. Since the other source driver ICs 205_2 to 205_q have the same configuration, the description thereof is omitted. As shown in FIG. 9, the
本変形例によれば、伝送線路における信号の伝送状態に応じた制御を行うための外部との接続端子を必要としない。これにより、より低コストで第4の実施形態と同様の効果を奏することができる。 According to this modification, the connection terminal with the outside for performing control according to the transmission state of the signal in the transmission line is not required. Thereby, the same effect as that of the fourth embodiment can be obtained at a lower cost.
<5.第5の実施形態>
<5.1 ソースドライバICの構成>
本発明の第5の実施形態に係るソースドライバIC206_1〜206_qは、入力インターフェース回路216および入力端子TICを除いて第1の実施形態に係るソースドライバIC200_1〜200_qと同様の構成である。なお、本実施形態の構成要素のうち上記各実施形態と同一の要素については、同一の参照符号を付して説明を省略する。
<5. Fifth Embodiment>
<5.1 Source Driver IC Configuration>
The source driver ICs 206_1 to 206_q according to the fifth embodiment of the present invention have the same configuration as the source driver ICs 200_1 to 200_q according to the first embodiment except for the
図10は、本実施形態に係るソースドライバIC206_1の構成を示す回路図である。なお、他のソースドライバIC206_2〜206_qも同様の構成であるため、その説明を省略する。図10に示すように、ソースドライバIC206_1は、差動信号用入力端子TI(入力端子TIA、入力端子TIB)、出力端子TO、入力インターフェース回路216、回路群270を有し、さらに、入力端子TICを有している。ソースドライバIC206_1の外部には検出回路232が設けられている。
FIG. 10 is a circuit diagram showing a configuration of the source driver IC 206_1 according to the present embodiment. Since the other source driver ICs 206_2 to 206_q have the same configuration, the description thereof is omitted. As shown in FIG. 10, the source driver IC 206_1 includes a differential signal input terminal TI (input terminal TIA, input terminal TIB), an output terminal TO, an
入力インターフェース回路216は、減衰部225と、減衰部225の後段に設けられた終端回路250と、終端回路250の後段に設けられたアンプ240Aおよび240Bと、アンプ240Aおよび240Bの後段に設けられた入力バッファ260、および制御回路231を有している。
The
制御回路231は、スイッチSW1〜SW12に加えて、アンプ241Aおよび241Bの増幅率を、制御信号CSに基づき制御する。すなわち、制御回路231は、正側画像信号DV1(+)および負側画像信号DV1(−)の伝送状態に応じた制御信号CSに基づいて、減衰部225の減衰量とアンプ241Aおよび241Bの増幅率とを制御する。ここで、第2の実施形態と同様に、伝送線路610における伝送状態をLV1〜LV7(数字が小さいほど伝送状態が良好であり、数字が大きいほど伝送状態が劣悪であることを意味する)で表し、正側画像信号DV1(+)および負側画像信号DV1(−)が通過するアッテネータの数とアンプの増幅率の増減とについて詳しく説明する。なお、アッテネータ221Aおよび221Bの減衰量が−2dB、アッテネータ222Aおよび222Bの減衰量が−4dB、アッテネータ223Aおよび223Bの減衰量が−6dBであるとする。
The
LV1の場合、制御回路231は制御信号CSに基づき、正側画像信号DV1(+)および負側画像信号DV1(−)がそれぞれアッテネータ221Aおよび221Bを通過しないようにスイッチSW1〜SW4を連動して制御し、アッテネータ222Aおよび222Bを通過しないようにスイッチSW5〜SW8を連動して制御し、アッテネータ223Aおよび223Bを通過しないようにスイッチSW9〜SW12を連動して制御する。これにより、減衰部225全体における減衰量が−0dBとなる。これと同時に、制御回路231は制御信号CSに基づき、アンプ241Aおよび241Bの増幅率を0dBとなるように制御する。
In the case of LV1, the
LV2の場合、制御回路231は制御信号CSに基づき、正側画像信号DV1(+)および負側画像信号DV1(−)がそれぞれアッテネータ221Aおよび221Bを通過するようにスイッチスイッチSW1〜SW4を連動して制御し、アッテネータ222Aおよび222Bを通過しないようにスイッチSW5〜SW8を連動して制御し、アッテネータ223Aおよび223Bを通過しないようにスイッチSW9〜SW12を連動して制御する。これにより、減衰部225全体における減衰量が−2dBとなる。これと同時に、制御回路231は制御信号CSに基づき、アンプ241Aおよび241Bの増幅率を2dBとなるように制御する。
In the case of LV2, the
LV3の場合、制御回路231は制御信号CSに基づき、正側画像信号DV1(+)および負側画像信号DV1(−)がそれぞれアッテネータ221Aおよび221Bを通過しないようにスイッチSW1〜SW4を連動して制御し、アッテネータ222Aおよび222Bを通過するようにスイッチSW5〜SW8を連動して制御し、アッテネータ223Aおよび223Bを通過しないようにスイッチSW9〜SW12を連動して制御する。これにより、減衰部225全体における減衰量が−4dBとなる。これと同時に、制御回路231は制御信号CSに基づき、アンプ241Aおよび241Bの増幅率を4dBとなるように制御する。
In the case of LV3, the
LV4の場合、制御回路231は制御信号CSに基づき、正側画像信号DV1(+)および負側画像信号DV1(−)がそれぞれアッテネータ221Aおよび221Bを通過しないようにスイッチSW1〜SW4を連動して制御し、アッテネータ222Aおよび222Bを通過しないようにスイッチSW5〜SW8を連動して制御し、アッテネータ223Aおよび223Bを通過するようにスイッチSW9〜SW12を連動して制御する。これにより、減衰部225全体における減衰量が−6dBとなる。これと同時に、制御回路231は制御信号CSに基づき、アンプ241Aおよび241Bの増幅率を6dBとなるように制御する。なお、LV4の場合、制御回路231は制御信号CSに基づき、正側画像信号DV1(+)および負側画像信号DV1(−)がそれぞれアッテネータ221Aおよび221Bを通過するようにスイッチSW1〜SW4を連動して制御し、アッテネータ222Aおよび222Bを通過するようにスイッチSW5〜SW8を連動して制御し、アッテネータ223Aおよび223Bを通過しないようにスイッチSW9〜SW12を連動して制御してもよい。これによっても、減衰部225全体における減衰量が−6dBとなる。
In the case of LV4, the
LV5の場合、制御回路231は制御信号CSに基づき、正側画像信号DV1(+)および負側画像信号DV1(−)がそれぞれアッテネータ221Aおよび221Bを通過するようにスイッチSW1〜SW4を連動して制御し、アッテネータ222Aおよび222Bを通過しないようにスイッチSW5〜SW8を連動して制御し、アッテネータ223Aおよび223Bを通過するようにスイッチSW9〜SW12を連動して制御する。これにより、減衰部225全体における減衰量が−8dBとなる。これと同時に、制御回路231は制御信号CSに基づき、アンプ241Aおよび241Bの増幅率を8dBとなるように制御する。
In the case of LV5, the
LV6の場合、制御回路231は制御信号CSに基づき、正側画像信号DV1(+)および負側画像信号DV1(−)がそれぞれアッテネータ221Aおよび221Bを通過しないようにスイッチSW1〜SW4を連動して制御し、アッテネータ222Aおよび222Bを通過するようにスイッチSW5〜SW8を連動して制御し、アッテネータ223Aおよび223Bを通過するようにスイッチSW9〜SW12を連動して制御する。これにより、減衰部225全体における減衰量が−10dBとなる。これと同時に、制御回路231は制御信号CSに基づき、アンプ241Aおよび241Bの増幅率を10dBとなるように制御する。
In the case of LV6, the
LV7の場合、制御回路231は制御信号CSに基づき、正側画像信号DV1(+)および負側画像信号DV1(−)がそれぞれアッテネータ221Aおよび221Bを通過するようにスイッチSW1〜SW4を連動して制御し、アッテネータ222Aおよび222Bを通過するようにスイッチSW5〜SW8を連動して制御し、アッテネータ223Aおよび223Bを通過するようにスイッチSW9〜SW12を連動して制御する。これにより、減衰部225全体における減衰量が−12dBとなる。これと同時に、制御回路231は制御信号CSに基づき、アンプ241Aおよび241Bの増幅率を12dBとなるように制御する。
In the case of LV7, the
なお、第2の実施形態と同様に、減衰部225全体の減衰量が−0.5dB〜−20dBの範囲内となればよく(上記LV1の場合を除く)、各アッテネータの減衰量を上述の−2dB、−4dB、および−6dB以外としてもよい。また、各アッテネータの減衰量を同一としてもよい。
As in the second embodiment, the attenuation amount of the
また、アンプ241Aおよび241Bの増幅率を、減衰部225全体の減衰量の(−2)倍となるように制御してもよい。例えば、LV6の場合、減衰部225全体における減衰量が−10dBとなるが、これと同時に、アンプ241Aおよび241Bの増幅率を20dBとなるように制御してもよい。
Further, the amplification factors of the
<5.2 効果>
本実施形態によれば、減衰部225により減衰された正側画像信号DV1(+)および負側画像信号DV1(−)の振幅が回復することにより入力バッファ260におけるノイズマージンが拡大されるとともに、伝送線路610における信号の伝送状態に応じて減衰部225の減衰量とアンプ241Aおよび241Bの増幅率とが変化する。これにより、伝送線路における信号の伝送状態に応じて、伝送欠陥および電磁波の不要輻射をさらに適切に低減できる。
<5.2 Effects>
According to the present embodiment, the noise margin in the
<5.3 変形例>
本発明の第5の実施形態の変形例に係るソースドライバIC207_1〜207_qは、入力インターフェース回路217を除いて第1の実施形態に係るソースドライバIC200_1〜200_qと同様の構成である。なお、本実施形態の構成要素のうち上記各実施形態と同一の要素については、同一の参照符号を付して説明を省略する。
<5.3 Modification>
The source driver ICs 207_1 to 207_q according to the modification of the fifth embodiment of the present invention have the same configuration as the source driver ICs 200_1 to 200_q according to the first embodiment except for the
図11は、本変形例に係るソースドライバIC207_1の構成を示す回路図である。なお、他のソースドライバIC207_2〜207_qも同様の構成であるため、その説明を省略する。図11に示すように、本変形例に係るソースドライバIC207_1の有する入力インターフェース回路217は、第5の実施形態に係るソースドライバIC206_1の有する入力インターフェース回路216と異なり、検出回路232を内部に有している。検出回路232は、入力端子TIAおよびTIBからそれぞれ入力された正側画像信号DV1(+)および負側画像信号DV1(−)を受け取り、制御信号CSを制御回路231に与える。したがって、本変形例に係るソースドライバIC207_1は、第5の実施形態に係るソースドライバIC206_1と異なり、入力端子TICを必要としない。
FIG. 11 is a circuit diagram showing a configuration of a source driver IC 207_1 according to this modification. Since the other source driver ICs 207_2 to 207_q have the same configuration, the description thereof is omitted. As shown in FIG. 11, the
本変形例によれば、伝送線路における信号の伝送状態に応じた制御を行うための外部との接続端子を必要としない。これにより、より低コストで第5の実施形態と同様の効果を奏することができる。 According to this modification, the connection terminal with the outside for performing control according to the transmission state of the signal in the transmission line is not required. Thereby, the same effect as that of the fifth embodiment can be obtained at lower cost.
<6.第6の実施形態>
<6.1 インターフェース回路の構成>
図12は、本実施形態におけるインターフェース回路の構成を示す回路図である。なお、本実施形態の構成要素のうち上記各実施形態と同一の要素については、同一の参照符号を付して説明を省略する。ここでは、便宜上、データスタートパルスSSP、データクロック信号SCKの記載を省略している。図12に示すように、本実施形態におけるインターフェース回路は、表示制御回路400に含まれる出力バッファ401、本実施形態に係るソースドライバIC208_1の有する後述の入力インターフェース回路218、および出力バッファ401と入力インターフェース回路218とを接続する1本の伝送線路610により構成されており、シングルエンド信号を伝送する。なお、表示制御回路400はソースドライバICの個数(q個)と同数の出力バッファ401を含んでいる。そのため、図2に示すインターフェース回路以外に、表示制御回路400に含まれる他の出力バッファ401、ソースドライバIC208_2〜208_qの有する入力インターフェース回路218、および各出力バッファ401と各入力インターフェース回路218とを接続する伝送線路610によってもインターフェース回路が構成されるが、その図面記載および説明を便宜上省略する。
<6. Sixth Embodiment>
<6.1 Interface circuit configuration>
FIG. 12 is a circuit diagram showing a configuration of the interface circuit in the present embodiment. In addition, about the component same as said each embodiment among the components of this embodiment, the same referential mark is attached | subjected and description is abbreviate | omitted. Here, for convenience, description of the data start pulse SSP and the data clock signal SCK is omitted. As shown in FIG. 12, the interface circuit according to the present embodiment includes an
<6.2 ソースドライバICの構成>
図13は、本実施形態に係るソースドライバIC208_1の構成を示す回路図である。なお、他のソースドライバIC208_2〜208_qも同様の構成であるため、その説明を省略する。図13に示すように、ソースドライバIC208_1は、入力端子TID、出力端子TO、入力インターフェース回路218、および回路群270を有している。
<6.2 Source Driver IC Configuration>
FIG. 13 is a circuit diagram showing a configuration of the source driver IC 208_1 according to the present embodiment. Since the other source driver ICs 208_2 to 208_q have the same configuration, the description thereof is omitted. As illustrated in FIG. 13, the source driver IC 208_1 includes an input terminal TID, an output terminal TO, an
入力インターフェース回路218は、減衰部220、減衰部220の後段に設けられた終端回路250、終端回路250の後段に設けられた入力バッファ260を有している。減衰部220は、減衰器としてのアッテネータ224を有している。終端回路250側から見たアッテネータ224のインピーダンスは、終端回路250の受信インピーダンスZrxと等しい。
The
入力端子TIDを介してソースドライバIC208_1に入力された入力信号としての伝送画像信号DV1’は、アッテネータ224によりその振幅が減衰される。伝送画像信号DV1’は、画像信号DV1に対応するシングルエンド信号である。ここで、アッテネータ224による減衰量は−0.5dB〜−20dBの範囲内であることが望ましい。
The transmission image signal DV1 'as an input signal input to the source driver IC 208_1 via the input terminal TID is attenuated by the
アッテネータ224により振幅を減衰された伝送画像信号DV’は入力バッファ260に与えられる。入力バッファ260は、シングルエンド信号である伝送画像信号DV’をデジタル信号である画像信号DV1に変換し出力する。入力バッファ260から出力された画像信号DV1は、回路群270に与えられる。回路群270は、受け取った画像信号DV1に基づき、表示パネル100に表示すべき画像の各水平走査線の一部における画素値に相当するアナログ電圧としてのデータ信号DS1を生成し出力する。回路群270から出力されたデータ信号DS1は、出力端子TOを介して複数のデータ信号線DL1〜DLkに印加される。
The transmission image signal DV ′ whose amplitude is attenuated by the
本実施形態によれば、シングルエンド信号を伝送する場合において、第1の実施形態と同様の効果を奏することができる。 According to the present embodiment, when transmitting a single end signal, the same effects as those of the first embodiment can be obtained.
<7.その他>
上記各実施形態および変形例において、データ信号線駆動回路、走査信号線駆動回路、および表示制御回路は表示パネル上に設けられていてもよい。また、表示パネルと走査信号線駆動回路とは一体的に形成されていてもよい。
<7. Other>
In each of the above embodiments and modifications, the data signal line driving circuit, the scanning signal line driving circuit, and the display control circuit may be provided on the display panel. Further, the display panel and the scanning signal line driver circuit may be formed integrally.
第6の実施形態のようにシングルエンド信号を伝送する場合であっても、第2の実施形態のような複数段のアッテネータを用いる態様、第3の実施形態のようなアンプを用いる態様、第4の実施形態のような増幅率の可変なアンプを用いる態様、第5の実施形態のような複数段のアッテネータおよび増幅率の可変なアンプを用いる態様を採用することができる。 Even when a single-ended signal is transmitted as in the sixth embodiment, a mode using a plurality of attenuators as in the second embodiment, a mode using an amplifier as in the third embodiment, A mode using an amplifier with a variable gain as in the fourth embodiment and a mode using a multi-stage attenuator and an amplifier with a variable gain as in the fifth embodiment can be adopted.
第2の実施形態、第5の実施形態、およびそれらの変形例において、アッテネータが直列に接続されているが(例えば221A、222A、および223A)、減衰部225の減衰量が変更可能であれば、アッテネータが並列に接続されていてもよい。
In the second embodiment, the fifth embodiment, and the modifications thereof, the attenuators are connected in series (for example, 221A, 222A, and 223A), but the attenuation amount of the
本発明は、液晶表示装置に限らず、有機EL表示装置などにも適用できる。また、上記各実施形態および変形例以外にも、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。 The present invention can be applied not only to a liquid crystal display device but also to an organic EL display device. In addition to the above embodiments and modifications, various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
以上より、本発明によれば、伝送欠陥および電磁波の不要輻射を低コストで低減することができる半導体集積装置およびそれを備える表示装置を提供することができる。 As described above, according to the present invention, it is possible to provide a semiconductor integrated device capable of reducing transmission defects and unnecessary radiation of electromagnetic waves at low cost and a display device including the same.
200_1〜200_q、201_1、202_1、203_1、204_1、205_1、206_1、207_1、208_1、290_1〜290_q…ソースドライバIC
210〜218、291…入力インターフェース回路
220、225…減衰部
221A、221B、222A、222B、223A、223B、224…アッテネータ
231…制御回路
232…検出回路
240A、240B、241A、241B…アンプ
250…終端回路
260…入力バッファ
401、491…出力バッファ
500…液晶表示装置
610…伝送線路
TIA〜TID…入力端子
200_1 to 200_q, 201_1, 202_1, 203_1, 204_1, 205_1, 206_1, 207_1, 208_1, 290_1 to 290_q... Source driver IC
210-218, 291 ...
Claims (14)
外部から入力信号を受け取る入力端子を備え、
前記入力インターフェース回路は、
前記入力信号の振幅を減衰させる減衰部と、
前記減衰部の後段に設けられ、外部から受け取るべき前記入力信号を前記入力端子まで伝送するための伝送線路を終端する終端回路とを含み、
前記終端回路側から見た前記減衰部のインピーダンスと前記終端回路のインピーダンスとが等しいことを特徴とする、半導体集積装置。 A semiconductor integrated device comprising an input interface circuit for data transmission,
It has an input terminal that receives input signals from outside,
The input interface circuit is
An attenuation unit for attenuating the amplitude of the input signal;
A termination circuit that is provided at a subsequent stage of the attenuation unit and terminates a transmission line for transmitting the input signal to be received from the outside to the input terminal;
The semiconductor integrated device according to claim 1, wherein an impedance of the attenuating portion viewed from the termination circuit side is equal to an impedance of the termination circuit.
前記減衰部は、前記差動信号の振幅を減衰させる減衰器を有することを特徴とする、請求項2に記載の半導体集積装置。 The input signal is a differential signal;
The semiconductor integrated device according to claim 2, wherein the attenuation unit includes an attenuator that attenuates the amplitude of the differential signal.
前記入力インターフェース回路は、前記減衰量を制御する制御部をさらに含むことを特徴とする、請求項3に記載の半導体集積装置。 The attenuation unit is configured to be able to change the attenuation amount of the amplitude of the differential signal passing through the attenuation unit,
4. The semiconductor integrated device according to claim 3, wherein the input interface circuit further includes a control unit that controls the attenuation amount.
前記制御部は、前記伝送状態に応じた信号に基づいて前記減衰量を制御することを特徴とする、請求項4に記載の半導体集積装置。 The input interface circuit further includes a detection circuit that detects a transmission state of the differential signal and outputs a signal corresponding to the transmission state;
5. The semiconductor integrated device according to claim 4, wherein the control unit controls the attenuation amount based on a signal corresponding to the transmission state.
前記増幅率は、前記伝送状態に応じた信号により制御されることを特徴とする、請求項8に記載の半導体集積装置。 The input interface circuit further includes a detection circuit that detects a transmission state of the differential signal and outputs a signal corresponding to the transmission state;
The semiconductor integrated device according to claim 8, wherein the amplification factor is controlled by a signal corresponding to the transmission state.
前記入力インターフェース回路は、
前記減衰量を制御する制御部と、
前記終端回路の後段に設けられ、前記減衰部により振幅が減衰された前記差動信号の振幅を増幅する増幅器とをさらに含み、
前記増幅器の増幅率は可変であることを特徴とする、請求項3に記載の半導体集積装置。 The attenuation unit is configured to be able to change the attenuation amount of the amplitude of the differential signal passing through the attenuation unit,
The input interface circuit is
A control unit for controlling the amount of attenuation;
An amplifier that is provided at a subsequent stage of the termination circuit and amplifies the amplitude of the differential signal whose amplitude is attenuated by the attenuation unit;
4. The semiconductor integrated device according to claim 3, wherein the amplification factor of the amplifier is variable.
前記制御部は、前記伝送状態に応じた信号に基づいて前記減衰量および前記増幅率を制御することを特徴とする、請求項11に記載の半導体集積装置。 The input interface circuit further includes a detection circuit that detects a transmission state of the differential signal and outputs a signal corresponding to the transmission state;
12. The semiconductor integrated device according to claim 11, wherein the control unit controls the attenuation amount and the amplification factor based on a signal corresponding to the transmission state.
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JP2015204543A (en) * | 2014-04-15 | 2015-11-16 | 古河電気工業株式会社 | Impedance adjusting system and impedance adjusting method |
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