JP2012124216A - フェライト組成物、フェライトコアおよび電子部品 - Google Patents

フェライト組成物、フェライトコアおよび電子部品 Download PDF

Info

Publication number
JP2012124216A
JP2012124216A JP2010271523A JP2010271523A JP2012124216A JP 2012124216 A JP2012124216 A JP 2012124216A JP 2010271523 A JP2010271523 A JP 2010271523A JP 2010271523 A JP2010271523 A JP 2010271523A JP 2012124216 A JP2012124216 A JP 2012124216A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
oxide
terms
mol
ferrite
parts
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2010271523A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5510296B2 (ja
Inventor
栄光 ▲高▼木
Eiko Takagi
Ko Ito
綱 伊藤
Mamoru Ito
守 伊藤
Tatsuya Kawaguchi
達哉 川口
Hirokatsu Sasaki
弘勝 佐々木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
Priority to JP2010271523A priority Critical patent/JP5510296B2/ja
Publication of JP2012124216A publication Critical patent/JP2012124216A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5510296B2 publication Critical patent/JP5510296B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Magnetic Ceramics (AREA)
  • Soft Magnetic Materials (AREA)

Abstract

【課題】高周波領域(たとえば、1MHz以上)においても電力損失Pcvが小さく、かつ初期透磁率および比抵抗が高いフェライト組成物と、該フェライト組成物で構成してあるフェライトコアと、該フェライトコアを有する電子部品とを、提供すること。
【解決手段】主成分が、酸化鉄をFe換算で47.1〜49.95モル%、酸化銅をCuO換算で2.3〜10.0モル%、酸化亜鉛をZnO換算で27.6〜32.0モル%、酸化マンガンをMn換算で0.01〜2.1モル%を含有し、残部が酸化ニッケルで構成されており、主成分100重量部に対して、副成分として、リンをP換算で2〜63ppm、酸化ジルコニウムをZrO換算で43〜4530ppm、酸化タングステンをWO換算で0.01〜0.25重量部、酸化モリブデンをMoO換算で0.01〜0.15重量部を含有することを特徴とするフェライト組成物。
【選択図】図1

Description

本発明は、トランス、チョークコイルおよびインダクタなどのフェライトコアの製造に好適なフェライト組成物と、該組成物から構成されるフェライトコアと、該フェライトコアの周囲に巻き線が巻回してあるコイル部品などの電子部品と、に関する。
近年、携帯機器等の各種電子機器の小型・軽量化が急速に進み、それに対応すべく、各種電子機器の電気回路に用いられる電子部品の小型化・高効率化・高周波数化への要求が急速に高まっている。
たとえば液晶バックライト用トランスなどは、ディスプレーの薄型化に伴い、より小さく、より薄い形状で、従来のものと同等以上の特性を持つことが要求されている。このようなトランスに用いられるコアに要求される特性としては、たとえば、使用周波数領域および使用温度領域での電力損失が小さいこと、初期透磁率が高いこと、比抵抗が高いことが挙げられる。従来、このようなトランスに用いられるコアの材料としては、電力損失の小さいMn−Zn系フェライトが多く使用されてきた。
しかしながら、Mn−Zn系フェライトは、比抵抗が低く、直巻線ができないことから小型化・薄型化には限界があった。また、使用周波数が高周波数になるほど、渦電流損失が増加するため、高周波数領域、たとえば、MHz領域における使用には適していないという問題があった。
これに対し、Ni−Zn系フェライトは、上記のMn−Zn系フェライトに比べて電力損失が大きいものの、比抵抗が高く、直巻線が可能である。このため、Ni−Zn系フェライトの低損失化を図るための種々の提案がなされている。
たとえば、特許文献1では、主成分として、酸化鉄をFe換算で46.0〜49.95モル%、酸化銅をCuO換算で2.3〜12.0モル%、酸化亜鉛をZnO換算で24.0〜30.0モル%、酸化マンガンをMn換算で0.01〜3.5モル%を含み、残部が酸化ニッケルで構成され、副成分として、リンをP換算で2〜63ppm、酸化タングステンをWO換算で0.001〜0.5wt%含む酸化物磁性材料が提案されている。
しかしながら、上記の酸化物磁性材料は50kHzにおける電力損失を改善しているものの、高周波領域、たとえば、MHz領域における電力損失については何ら考慮されておらず、高周波領域における低損失の実現が望まれていた。また、特に携帯用の小型電子機器では、高い初期透磁率と低電力損失(MHz領域)の双方の特性を併せ持つフェライト組成物が求められている。
特開2003−321272号公報
本発明は、このような実状に鑑みてなされ、高周波領域(たとえば、1MHz以上)においても電力損失Pcvが小さく、かつ初期透磁率および比抵抗が高いフェライト組成物と、該フェライト組成物で構成してあるフェライトコアと、該フェライトコアを有する電子部品とを、提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明に係るフェライト組成物は、主成分が、酸化鉄をFe換算で47.1〜49.95モル%、酸化銅をCuO換算で2.3〜10.0モル%、酸化亜鉛をZnO換算で27.6〜32.0モル%、酸化マンガンをMn換算で0.01〜2.1モル%を含有し、残部が酸化ニッケルで構成されており、前記主成分100重量部に対して、副成分として、リンをP換算で2〜63ppm、酸化ジルコニウムをZrO換算で43〜4530ppm、酸化タングステンをWO換算で0.01〜0.25重量部、酸化モリブデンをMoO換算で0.01〜0.15重量部含有することを特徴とする。
あるいは、本発明に係るフェライト組成物は、主成分が、酸化鉄をFe換算で47.1〜49.95モル%、酸化銅をCuO換算で2.3〜10.0モル%、酸化亜鉛をZnO換算で27.6〜32.0モル%を含有し、残部が酸化ニッケルで構成されており、前記主成分100重量部に対して、副成分として、リンをP換算で2〜63ppm、酸化ジルコニウムをZrO換算で43〜4530ppm、酸化タングステンをWO換算で0.01〜0.25重量部、酸化モリブデンをMoO換算で0.01〜0.15重量部含有することを特徴とする。
主成分を構成する酸化物の含有量を上記の範囲とし、さらに副成分としてリンおよび酸化ジルコニウムおよび酸化タングステンおよび酸化モリブデンを上記の範囲で含有させることにより、初期透磁率μiおよび比抵抗を高く保ちつつ、高周波領域(たとえば、1MHz以上)においても電力損失(コアロス:Pcv)を低減させることができる。特に、μiを、好ましくは1100以上、さらに好ましくは1200以上とすることができる。さらに、μi/Pcvを、好ましくは0.70以上、さらに好ましくは0.72以上とすることができる。
このような効果が得られる理由は必ずしも明らかではないが、リンおよび酸化ジルコニウムおよび酸化タングステンおよび酸化モリブデンを上記の範囲で共存させることで得られる複合効果が大きく影響していると考えられる。
主成分中に酸化マンガンが含有される場合には、好ましくは、前記酸化鉄および前記酸化マンガンの合計含有量が、Fe換算およびMn換算で、50.1モル%以下である。
前記酸化鉄および前記酸化マンガンの合計含有量を上記の範囲とすることで、上述した効果をさらに高めることができる。
本発明に係るフェライトコアは、上記のいずれかに記載のフェライト組成物から構成され、1MHz以上の周波数領域で使用される。
本発明に係る電子部品は、上記のフェライトコアを有する電子部品である。
本発明に係る電子部品としては、特に制限されないが、コイル部品、トランス部品、磁気ヘッド部品などが挙げられる。本発明に係る電子部品は高いインダクタンスとキュリー点を有しているため、インダクタやチョークコイル等のコイル部品として好適である。また、スイッチング用、インバータ用等の電源トランス等のトランス部品にも好適である。
なお、使用される周波数の上限については特に制限されないが、本発明に係るフェライトコアや電子部品が用いられる機器の使用周波数を考慮すると、20MHz程度である。
本発明によると、初期透磁率および比抵抗を高く維持しつつ、高周波領域(たとえば、1MHz以上)においても、電力損失(コアロス)が低減されたフェライト組成物を得ることができる。
このようなフェライト組成物を、フェライトコアおよび電子部品に適用することで、小型化、高効率化、高周波数化を実現することができる。
図1は本発明の一実施形態に係るトランス用フェライトコアである。
以下、本発明を図面に示す実施形態に基づき説明する。
本実施形態に係るトランス用フェライトコアとしては、図1に示したトロイダル型のほか、FT型、ET型、EI型、UU型、EE型、EER型、UI型、ドラム型、ポット型、カップ型等を例示することができる。このトランス用フェライトコアの周囲に巻き線を所定巻数だけ巻回することにより所望のトランスを得る。
本実施形態に係るトランス用フェライトコアは、本実施形態に係るフェライト組成物で構成してある。
本実施形態に係るフェライト組成物は、Ni−Cu−Zn系フェライトであり、主成分として、酸化鉄、酸化銅、酸化亜鉛および酸化ニッケルを含有している。また、必要に応じて、酸化マンガンを含有してもよい。
主成分100モル%中、酸化鉄の含有量は、Fe換算で、47.1〜49.95モル%、好ましくは48.5〜49.7モル%、より好ましくは49.0〜49.5モル%である。酸化鉄の含有量が少なすぎると、初期透磁率が低下すると共に、電力損失(コアロス)が増加する傾向にある。多すぎると、比抵抗が低下すると共に、電力損失が増加する傾向にある。
主成分100モル%中、酸化銅の含有量は、CuO換算で、2.3〜10.0モル%、好ましくは2.3〜5.6モル%、より好ましくは4.0〜5.6モル%である。酸化銅の含有量が少なすぎると、焼結性が低下し、その結果、電力損失が増加する傾向にある。多すぎても電力損失が増加する傾向にある。
主成分100モル%中、酸化亜鉛の含有量は、ZnO換算で、27.6〜32.0モル%、好ましくは29.0〜31.0モル%、より好ましくは29.0〜30.0モル%である。酸化亜鉛の含有量が少なすぎると、初期透磁率が低下する傾向にある。多すぎると、キュリー点が低下すると共に、電力損失が増加する傾向にある。
主成分の残部は、酸化ニッケルのみから構成されていてもよいし、酸化ニッケルと酸化マンガンとから構成されていてもよい。
主成分の残部に、酸化マンガンが含有される場合には、主成分100モル%中、酸化マンガンの含有量は、Mn換算で、好ましくは0.01〜2.1モル%、より好ましくは0.01〜1.6モル%、さらに好ましくは0.01〜1.1モル%である。多すぎると、比抵抗が低下すると共に、電力損失が増加する傾向にある。
通常、マンガンは、酸化鉄中に酸化マンガンの形態で不可避的不純物として含有されているが、上記の範囲内であれば、酸化マンガンを含有させてもよい。
また、主成分中に酸化マンガンが含有されている場合には、酸化鉄および酸化マンガンの合計含有量(Fe+Mn)が、Fe換算およびMn換算で、50.1モル%以下であることが好ましい。酸化鉄および酸化マンガンの合計含有量の上限を上記の範囲とすることで、良好な特性を得ることができる。
本実施形態に係るフェライト組成物は、上記の主成分に加え、副成分として、リンおよび酸化ジルコニウムおよび酸化タングステンおよび酸化モリブデンを含有している。
リンの含有量は、主成分100重量部に対して、P換算で、2〜63ppmである。リンの含有量が少なすぎると、焼結性が低下し、その結果、電力損失が増加する傾向にある。多すぎても電力損失が増加する傾向にある。
酸化ジルコニウムの含有量は、主成分100重量部に対して、ZrO換算で、43〜4530ppm、好ましくは43〜3210ppm、より好ましくは43〜1530ppmである。酸化ジルコニウムの含有量が少なすぎても多すぎても、電力損失が増加する傾向にある。
酸化タングステンの含有量は、主成分100重量部に対して、WO換算で、0.01〜0.25重量部、好ましくは、0.1〜0.25重量部、より好ましくは0.1〜0.22重量部である。含有量が少なすぎると電力損失量が増加し、含有量が多くなると電力損失は低減するが、初期透磁率μiが低下する傾向にある。
酸化モリブデンの含有量は、主成分100重量部に対して、MoO換算で、0.01〜0.15重量部、好ましくは、0.03〜0.15重量部、より好ましくは0.03〜0.10重量部である。含有量が少なすぎると電力損失量が増加し、含有量が多くなると電力損失は低減するが、1MHzにおけるフェライトコアの性能指数を示すμi/Pcvが低下する傾向にある。酸化モリブデンは少量の添加でも電力損失を低減することができる。また、酸化モリブデンを添加することで、成形体の強度が向上し、割れや欠けなどを有効に防止できるなどの二次的な効果もある。
本実施形態に係るフェライト組成物においては、主成分の組成範囲を上記の範囲に制御されていることに加え、副成分として、上記のリンおよび酸化ジルコニウムおよび酸化タングステンおよび酸化モリブデンが含有されている。その結果、初期透磁率および比抵抗は良好に維持しつつ、高周波数領域(たとえば、1MHz以上)における電力損失を低減させることができる。
なお、リンまたは酸化ジルコニウムまたは酸化タングステンまたは酸化モリブデンが単独で含有されている場合には上記の効果は十分に得られない。すなわち、上記の効果は、リンおよび酸化ジルコニウムおよび酸化タングステンおよび酸化モリブデンが同時に特定量含有された場合に初めて得られる複合的な効果であると考えられる。特に、初期透磁率μiおよび1MHzにおけるフェライトコアの性能指数を示すμi/Pcvを向上させることができる。
また、本実施形態に係るフェライト組成物には、マンガン以外の不可避的不純物元素の酸化物が含まれ得る。
具体的には、B、C、Si、S、Cl、As、Se、Br、Te、Iや、Li、Na、Mg、Al、K、Ca、Ga、Ge、Sr、Cd、In、Sn、Sb、Ba、Pb、Bi等の典型金属元素や、Sc、Ti、V、Cr、Co、Y、Nb、Mo、Pd、Ag、Hf、Ta等の遷移金属元素が挙げられる。
次に、本実施形態に係るフェライト組成物の製造方法の一例を説明する。
まず、出発原料(主成分の原料および副成分の原料)を、所定の組成比となるように秤量して混合し、原料混合物を得る。混合する方法としては、たとえば、ボールミルを用いて行う湿式混合や、乾式ミキサーを用いて行う乾式混合が挙げられる。なお、平均粒径が0.1〜3μmの出発原料を用いることが好ましい。
主成分の原料としては、酸化鉄(α−Fe)、酸化銅(CuO)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化ニッケル(NiO)、必要に応じて酸化マンガン(Mn)、あるいは複合酸化物などを用いることができる。さらに、その他、焼成により上記した酸化物や複合酸化物となる各種化合物等を用いることができる。焼成により上記した酸化物になるものとしては、たとえば、金属単体、炭酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩、水酸化物、ハロゲン化物、有機金属化合物等が挙げられる。
副成分の原料としては、リン(P)、酸化ジルコニウム(ZrO)、酸化タングステン(WO)、酸化モリブデン(MoO)を用いることができる。リンについては、リン酸(P)の形態で用いることが好ましい。酸化ジルコニウムおよび酸化タングステンおよび酸化モリブデンについては、主成分の原料の場合と同様とすればよい。
次に、原料混合物の仮焼きを行い、仮焼き材料を得る。仮焼きは、原料の熱分解、成分の均質化、フェライトの生成、焼結による超微粉の消失と適度の粒子サイズへの粒成長を起こさせ、原料混合物を後工程に適した形態に変換するために行われる。こうした仮焼きは、好ましくは800〜1100℃の温度で、通常1〜3時間程度行う。仮焼きは、大気(空気)中で行ってもよく、大気中よりも酸素分圧が高い雰囲気や純酸素雰囲気で行っても良い。なお、主成分の原料と副成分の原料との混合は、仮焼きの前に行なってもよく、仮焼き後に行なってもよい。
次に、仮焼き材料の粉砕を行い、粉砕材料を得る。粉砕は、仮焼き材料の凝集をくずして適度の焼結性を有する粉体とするために行われる。仮焼き材料が大きい塊を形成しているときには、粗粉砕を行ってからボールミルやアトライターなどを用いて湿式粉砕を行う。湿式粉砕は、仮焼き材料の平均粒径が、好ましくは1〜2μm程度となるまで行う。
次に、粉砕材料の造粒(顆粒)を行い、造粒物を得る。造粒は、粉砕材料を適度な大きさの凝集粒子とし、成形に適した形態に変換するために行われる。こうした造粒法としては、たとえば、加圧造粒法やスプレードライ法などが挙げられる。スプレードライ法は、粉砕材料に、ポリビニルアルコールなどの通常用いられる結合剤を加えた後、スプレードライヤー中で霧化し、低温乾燥する方法である。
次に、造粒物を所定形状に成形し、成形体を得る。造粒物の成形としては、たとえば、乾式成形、湿式成形、押出成形などが挙げられる。乾式成形法は、造粒物を、金型に充填して圧縮加圧(プレス)することにより行う成形法である。成形体の形状は、特に限定されず、用途に応じて適宜決定すればよいが、本実施形態ではトロイダル型形状とされる。
次に、成形体の本焼成を行い、焼結体(本実施形態のフェライト組成物)を得る。本焼成は、多くの空隙を含んでいる成形体の粉体粒子間に、融点以下の温度で粉体が凝着する焼結を起こさせ、緻密な焼結体を得るために行われる。こうした本焼成は、好ましくは900〜1300℃の温度で、通常2〜5時間程度行う。本焼成は、大気(空気)中で行ってもよく、大気中よりも酸素分圧が高い雰囲気で行っても良い。
このような工程を経て、本実施形態に係るフェライト組成物は製造される。
以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明はこうした実施形態に何等限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々なる態様で実施し得ることは勿論である。
たとえば、上述した実施形態では、トロイダル型形状とするために、本焼成前に該形状に成形しているが、本焼成後に該形状に成形(加工)してもよい。
以下、本発明を、さらに詳細な実施例に基づき説明するが、本発明は、これら実施例に限定されない。
まず、主成分の原料として、Fe、NiO、CuO、ZnO、Mnを準備した。副成分の原料として、PおよびZrOおよびWOおよびMoOを準備した。なお、出発原料の平均粒径は0.1〜3μmであった。
次に、準備した主成分および副成分の原料の粉末を秤量した後、ボールミルで5時間湿式混合して原料混合物を得た。
次に、得られた原料混合物を、空気中において900℃で2時間仮焼して仮焼き材料とした後、ボールミルで20時間湿式粉砕して粉砕材料を得た。
次に、この粉砕材料を乾燥した後、該粉砕材料100重量部に、バインダーとしてのポリビニルアルコールを1.0重量部添加して造粒し、20メッシュの篩で整粒して顆粒とした。この顆粒を、100kPaの圧力で加圧成形して、トロイダル形状(寸法=外径18mm×内径10mm×高さ5mm)の成形体と、ディスク形状(寸法=直径25mm×厚さ5mm)の成形体を得た。
次に、これら各成形体を、空気中において、1000〜1250℃で2時間焼成して、焼結体としてのトロイダルコアサンプルおよびディスクコアサンプルを得た。得られたサンプルについて、蛍光X線分析を行い、フェライトコアの組成を測定した。結果を表1〜3に示す。なお、リン(P)の含有量は、吸光光度法により測定した。さらにサンプルに対し、以下の特性評価を行った。
電力損失(Pcv)
得られたトロイダルコアサンプルに、1次巻線および2次巻線を5回ずつ巻回し、1MHz、50mT、23℃および50kHz、150mT、140℃での電力損失Pcvを測定した(単位:kW/m)。測定は、B−Hアナライザー(岩崎通信機株式会社製SY−8232)を用いて行った。1MHzにおけるPcvは2000kW/m以下を良好とした。結果を表1〜3に示す。
なお、使用周波数が1MHz以上であるフェライトコアや電子部品は、たとえば携帯電話等に適用されるため、本実施例では、このような機器が通常用いられる温度領域においてPcvを測定した。
初期透磁率(μi)
得られたトロイダルコアサンプルに、銅線ワイヤを10ターン巻きつけ、LCRメーター(ヒューレットパッカード 4284A)を使用して、初期透磁率μiを測定した。測定条件としては、測定周波数100kHz、測定温度23℃、測定レベル0.4A/mとした。100kHzにおけるμiは1100以上を良好とした。結果を表1〜3に示す。
比抵抗(ρ)
得られたディスクコアサンプルの両面に、In−Ga電極を塗り、直流抵抗値を測定し、比抵抗ρを求めた(単位:Ωm)。測定は、IRメーター(TOA Electronics社製SUPER MEGOHMMETER MODEL SM−5E)を用いて行った。ρは10Ωm以上を良好とした。結果を表1〜3に示す。
なお、表1〜3には、1MHzにおけるフェライトコアの性能指数を示すμi/Pcvも示した。μi/Pcvは0.70以上を良好とした。
Figure 2012124216
Figure 2012124216
Figure 2012124216
表1より、副成分であるPおよびZrOおよびWOおよびMoOが同時に含有され、かつ含有量が本発明の範囲内である場合(実施例1〜18)、高周波領域(1MHz)において電力損失(Pcv)が良好となり、しかも高い初期透磁率(μi)および比抵抗が得られる傾向にあることが確認された。特に、WOおよびMoOが同時に含有され、かつ含有量が本発明の範囲内である場合には、初期透磁率(μi)を、1100以上とすることができ、さらに、1MHzにおけるフェライトコアの性能指数(μi/Pcv)を、0.70以上とすることができることが確認された。したがって、高い性能指数が得られていることが確認できた。
これに対し、PまたはZrOまたはWOまたはMoOの何かひとつ以上が含有されていない場合(比較例1、3、5、7、13および20〜23)、あるいはPまたはZrOまたはWOまたはMoOのうち、PまたはZrOの含有量が本発明の範囲外となっている場合(比較例6および8)には1MHzにおける電力損失が悪化する傾向が確認された。
また、PまたはZrOまたはWOまたはMoOのうち、MoOの含有量が本発明の範囲外となっている場合(比較例2)には、1MHzにおけるフェライトコアの性能指数(μi/Pcv)が悪化する傾向が確認された。
また、PまたはZrOまたはWOまたはMoOのうち、WOの含有量が本発明の範囲外となっている場合(比較例4)には、初期透磁率μiが減少する傾向が確認された。
また、表2より、CuOの含有量が本発明の範囲外となる場合(比較例9および10)には、1MHzにおける電力損失が悪化する傾向が確認された。またZnOの含有量が少なすぎる場合(比較例11)には、初期透磁率が低下し、ZnOの含有量が多すぎる場合(比較例12)には、1MHzにおける電力損失が悪化する傾向が確認された。
さらに、表3より、FeおよびMnの含有量が本発明の範囲外である場合(比較例14〜19)には、1MHzにおける電力損失が悪化することに加え、初期透磁率および比抵抗の少なくとも1つが悪化していることが確認された。
Figure 2012124216

Claims (5)

  1. 主成分が、酸化鉄をFe換算で47.1〜49.95モル%、酸化銅をCuO換算で2.3〜10.0モル%、酸化亜鉛をZnO換算で27.6〜32.0モル%、酸化マンガンをMn換算で0.01〜2.1モル%を含有し、残部が酸化ニッケルで構成されており、前記主成分100重量部に対して、副成分として、リンをP換算で2〜63ppm、酸化ジルコニウムをZrO換算で43〜4530ppm、酸化タングステンをWO換算で0.01〜0.25重量部、酸化モリブデンをMoO換算で0.01〜0.15重量部を含有することを特徴とするフェライト組成物。
  2. 主成分が、酸化鉄をFe換算で47.1〜49.95モル%、酸化銅をCuO換算で2.3〜10.0モル%、酸化亜鉛をZnO換算で27.6〜32.0モル%を含有し、残部が酸化ニッケルで構成されており、前記主成分100重量部に対して、副成分として、リンをP換算で2〜63ppm、酸化ジルコニウムをZrO換算で43〜4530ppm、酸化タングステンをWO換算で0.01〜0.25重量部、酸化モリブデンをMoO換算で0.01〜0.15重量部を含有することを特徴とするフェライト組成物。
  3. 前記酸化鉄および前記酸化マンガンの合計含有量が、Fe換算およびMn換算で、50.1モル%以下である請求項1に記載のフェライト組成物。
  4. 請求項1〜3のいずれかに記載のフェライト組成物から構成され、1MHz以上の周波数領域で使用されるフェライトコア。
  5. 請求項4に記載のフェライトコアを有する電子部品。
JP2010271523A 2010-12-06 2010-12-06 フェライト組成物、フェライトコアおよび電子部品 Active JP5510296B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010271523A JP5510296B2 (ja) 2010-12-06 2010-12-06 フェライト組成物、フェライトコアおよび電子部品

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010271523A JP5510296B2 (ja) 2010-12-06 2010-12-06 フェライト組成物、フェライトコアおよび電子部品

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2012124216A true JP2012124216A (ja) 2012-06-28
JP5510296B2 JP5510296B2 (ja) 2014-06-04

Family

ID=46505390

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010271523A Active JP5510296B2 (ja) 2010-12-06 2010-12-06 フェライト組成物、フェライトコアおよび電子部品

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5510296B2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015174781A (ja) * 2014-03-13 2015-10-05 Tdk株式会社 フェライト組成物、フェライトコアおよび電子部品
JP2015174782A (ja) * 2014-03-13 2015-10-05 Tdk株式会社 フェライト組成物、フェライトコアおよび電子部品
JP2015205787A (ja) * 2014-04-18 2015-11-19 Tdk株式会社 フェライト組成物、フェライトコアおよび電子部品

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001085216A (ja) * 1999-09-17 2001-03-30 Tdk Corp 酸化物磁性材料とチップ部品と酸化物磁性材料の製造方法とチップ部品の製造方法
JP2002187769A (ja) * 2000-12-20 2002-07-05 Kyocera Corp フェライト材料及びこれを用いたフェライトコア
JP2003321272A (ja) * 2002-04-26 2003-11-11 Tdk Corp 酸化物磁性材料とフェライトコアと電子部品
JP2004107158A (ja) * 2002-09-19 2004-04-08 Kyocera Corp 低損失フェライト材料及びこれを用いたフェライトコア
JP2005255489A (ja) * 2004-03-12 2005-09-22 Kyocera Corp フェライト焼結体とその製造方法及びそれを用いたフェライトコア並びにフェライトコイル

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001085216A (ja) * 1999-09-17 2001-03-30 Tdk Corp 酸化物磁性材料とチップ部品と酸化物磁性材料の製造方法とチップ部品の製造方法
JP2002187769A (ja) * 2000-12-20 2002-07-05 Kyocera Corp フェライト材料及びこれを用いたフェライトコア
JP2003321272A (ja) * 2002-04-26 2003-11-11 Tdk Corp 酸化物磁性材料とフェライトコアと電子部品
JP2004107158A (ja) * 2002-09-19 2004-04-08 Kyocera Corp 低損失フェライト材料及びこれを用いたフェライトコア
JP2005255489A (ja) * 2004-03-12 2005-09-22 Kyocera Corp フェライト焼結体とその製造方法及びそれを用いたフェライトコア並びにフェライトコイル

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015174781A (ja) * 2014-03-13 2015-10-05 Tdk株式会社 フェライト組成物、フェライトコアおよび電子部品
JP2015174782A (ja) * 2014-03-13 2015-10-05 Tdk株式会社 フェライト組成物、フェライトコアおよび電子部品
JP2015205787A (ja) * 2014-04-18 2015-11-19 Tdk株式会社 フェライト組成物、フェライトコアおよび電子部品

Also Published As

Publication number Publication date
JP5510296B2 (ja) 2014-06-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4873064B2 (ja) フェライト組成物、フェライトコアおよび電子部品
JP5423962B2 (ja) フェライト組成物、フェライトコアおよび電子部品
JP5516848B2 (ja) フェライト組成物、フェライトコアおよび電子部品
JP5699542B2 (ja) フェライト組成物、フェライトコアおよび電子部品
JP5699540B2 (ja) フェライト組成物、フェライトコアおよび電子部品
JP5510296B2 (ja) フェライト組成物、フェライトコアおよび電子部品
JP5510273B2 (ja) フェライト組成物、フェライトコアおよび電子部品
JP5526612B2 (ja) フェライト組成物、フェライトコアおよび電子部品
JP5737117B2 (ja) フェライト組成物、フェライトコアおよび電子部品
JP2015113247A (ja) フェライト組成物、フェライトコアおよび電子部品
JP6064526B2 (ja) フェライト組成物、フェライトコアおよび電子部品
JP5831256B2 (ja) フェライト組成物、フェライトコアおよび電子部品
JP5831255B2 (ja) フェライト組成物、フェライトコアおよび電子部品
JP6064525B2 (ja) フェライト組成物、フェライトコアおよび電子部品
JP5811816B2 (ja) フェライト組成物、フェライトコアおよび電子部品
JP6323042B2 (ja) フェライト組成物、フェライトコアおよび電子部品
JP6380730B2 (ja) フェライト組成物、フェライトコアおよび電子部品
JP5812069B2 (ja) フェライト組成物、フェライトコアおよび電子部品
JP5831254B2 (ja) フェライト組成物、フェライトコアおよび電子部品
JP6311298B2 (ja) フェライト組成物、フェライトコアおよび電子部品
JP5811817B2 (ja) フェライト組成物、フェライトコアおよび電子部品
JP6323043B2 (ja) フェライト組成物、フェライトコアおよび電子部品
JP6380729B2 (ja) フェライト組成物、フェライトコアおよび電子部品
JP5737130B2 (ja) フェライト組成物、フェライトコアおよび電子部品
JP2015205787A (ja) フェライト組成物、フェライトコアおよび電子部品

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20130712

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140225

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140310

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5510296

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150