JP2012114439A - 積層された読み出し集積回路を用いる検出器アレイの信号の処理 - Google Patents
積層された読み出し集積回路を用いる検出器アレイの信号の処理 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012114439A JP2012114439A JP2011254773A JP2011254773A JP2012114439A JP 2012114439 A JP2012114439 A JP 2012114439A JP 2011254773 A JP2011254773 A JP 2011254773A JP 2011254773 A JP2011254773 A JP 2011254773A JP 2012114439 A JP2012114439 A JP 2012114439A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- roic
- current
- flux
- time period
- detector array
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 20
- 230000004044 response Effects 0.000 claims abstract description 10
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 61
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 34
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 22
- 239000000872 buffer Substances 0.000 claims description 13
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 10
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 claims 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 3
- 230000023077 detection of light stimulus Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000012217 deletion Methods 0.000 description 2
- 230000037430 deletion Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000035508 accumulation Effects 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N5/00—Details of television systems
- H04N5/30—Transforming light or analogous information into electric information
- H04N5/33—Transforming infrared radiation
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J1/44—Electric circuits
- G01J1/46—Electric circuits using a capacitor
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/28—Investigating the spectrum
- G01J3/2803—Investigating the spectrum using photoelectric array detector
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/28—Investigating the spectrum
- G01J3/30—Measuring the intensity of spectral lines directly on the spectrum itself
- G01J3/36—Investigating two or more bands of a spectrum by separate detectors
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/10—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof for generating image signals from different wavelengths
- H04N23/11—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof for generating image signals from different wavelengths for generating image signals from visible and infrared light wavelengths
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/50—Control of the SSIS exposure
- H04N25/57—Control of the dynamic range
- H04N25/58—Control of the dynamic range involving two or more exposures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14618—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
【解決手段】第1ROICは第1単位セルを有する。第2ROICは、第1ROICの外側に備えられ、第2単位セルを有する。導電性ビアが、第2ROICを通って且つ少なくとも第1ROICの中に備えられる。検出器アレイは第2ROICの外側に備えられる。検出器アレイは、高ダイナミックレンジ赤外光を検出し、複数の検出器画素を有する。各々の検出器画素は、光の検出に応答して電流を生成し、ビアに電流を流す。ビアは、第1単位セル及び第2単位セルに信号を送信する。
【選択図】図1
Description
38 検出器アレイ
40 単位セル
42 単位セル
50 ボンドパッド(ビア)
52 ボンドパッド
60 単位システム
72 ストレージアレイ
80 回路
90 ストレージ要素
Claims (20)
- 複数の第1単位セルを有する第1読み出し集積回路(ROIC);
前記第1ROICの外側に備えられ、複数の第2単位セルを有する第2ROICであって、複数の導電性ビアが前記第2ROICを通って且つ少なくとも前記第1ROICの中に備えられている、第2ROIC;並びに
前記第2ROICの外側に備えられ、高ダイナミックレンジ赤外光を検出するデュアルバンド検出器アレイであって、前記検出器アレイは複数の検出器画素を有し、各々の検出器画素は、光の検出に応答して電流を発生させて、第1単位セル及び第2単位セルに信号を送信するように構成されたビアに前記電流を流すように、構成されている、デュアルバンド検出器アレイ;
を有する装置。 - 前記第1ROIC又は前記第2ROICの一は、より高いフラックスの検出された光を捕捉するように前記電流を処理する高フラックスROICとして動作し;
前記第1ROIC又は前記第2ROICの他は、より低いフラックスの検出された光を捕捉するように前記電流を処理する低フラックスROICとして動作する;
請求項1に記載の装置。 - 前記第1ROIC又は前記第2ROICの一は、より低い電力を用いて、より高いフラックスの検出された光を捕捉するように前記電流を処理する高フラックス低電力ROICとして動作し;
前記第1ROIC又は前記第2ROICの他は、より高い電力を用いて、より高いフラックスの検出された光を捕捉するように前記電流を処理する低フラックス高電力ROICとして動作する;
請求項1に記載の装置。 - 前記第1ROICは、第1波長帯域の検出された光に関連する電流を処理し;
前記第2ROICは、前記第1波長帯域と異なる第2波長帯域の検出された光に関連する電流を処理する;
請求項1に記載の装置。 - 前記検出器アレイに結合され、第1時間期間の間、前記第1ROICに前記電流を流し、前記第1時間期間の後の第2時間期間の間、前記第2ROICに前記電流を流すスイッチ;
を更に有する、請求項1に記載の装置。 - 前記検出器アレイに結合され、第1時間期間の間、高フラックスROICとして動作する前記第1ROIC又は前記第2ROICの一のROICに前記電流を流し、第2時間期間の間、低フラックスROICとして動作する前記第1ROIC又は前記第2ROICの他のROICに前記電流を流すスイッチ;
を更に有し、前記第2時間期間は前記第1時間期間より長い、請求項1に記載の装置。 - 前記第1ROICに結合され、前記第1ROICからの出力を増幅する1つ又はそれ以上の第1列アンプ;及び
前記第2ROICに結合され、前記第2ROICからの出力を増幅する1つ又はそれ以上の第2列アンプ;
を更に有する、請求項1に記載の装置。 - 前記第1ROICに結合され、前記第1ROICからの出力をバッファリングする1つ又はそれ以上の第1バッファ;及び
前記第2ROICに結合され、前記第2ROICからの出力をバッファリングする1つ又はそれ以上の第2バッファ;
を更に有する、請求項1に記載の装置。 - 前記第1ROICにより生成されたデータの1つ又はそれ以上の第1フレームを出力し;及び
前記第2ROICにより生成されたデータの1つ又はそれ以上の第2フレームを出力する;
請求項1に記載の装置。 - デュアルバンド検出器アレイの検出器画素により、高ダイナミックレンジ赤外光を検出するように光の検出に応答して電流を発生させるステップであって、前記検出器アレイは複数の検出器画素を有し、前記検出器アレイは第2読み出し集積回路(ROIC)の外側に備えられている、ステップ;
前記検出器画素により、前記第2ROICを通って且つ少なくとも第1ROICの中に備えられている複数の導電性ビアの1つのビアに前記電流を流すステップ;及び
前記ビアにより、前記第1ROICの第1単位セルに及び前記第2ROICの第2単位セルに信号を送信するステップであって、前記第1ROICは複数の第1単位セルを有し、前記第2ROICは、前記第1ROICの外側に備えられ且つ複数の第2単位セルを有する、ステップ;
を有する方法。 - より高いフラックスの検出された光を捕捉するように前記電流を処理するステップであって、該処理するステップは、高フラックスROICとして動作する前記第1ROIC又は前記第2ROICの一のROICにより実行される、ステップ;
より低いフラックスの検出された光を捕捉するように前記電流を処理するステップであって、該処理するステップは、低フラックスROICとして動作する前記第1ROIC又は前記第2ROICの他のROICにより実行される、ステップ;
を更に有する、請求項10に記載の方法。 - より低い電力を用いて、より高いフラックスの検出された光を捕捉するように前記電流を処理するステップであって、該処理するステップは、高フラックス低電力ROICとして動作する前記第1ROIC又は前記第2ROICの一のROICにより実行される、ステップ;
より高い電力を用いて、より低いフラックスの検出された光を捕捉するように前記電流を処理するステップであって、該処理するステップは、低フラックス高電力ROICとして動作する前記第1ROIC又は前記第2ROICの他のROICにより実行される、ステップ;
を更に有する、請求項10に記載の方法。 - 前記第1ROICにより、第1波長帯域の検出された光に関連する電流を処理するステップ;
前記第2ROICにより、第1波長帯域と異なる第2波長帯域の検出された光に関連する電流を処理するステップ;
を更に有する、請求項10に記載の方法。 - 前記検出器アレイに結合されたスイッチにより、第1時間期間の間、前記第1ROICに前記電流を流すステップ;
前記スイッチにより、第1時間期間の後の第2時間期間の間、前記第2ROICに前記電流を流すステップ;
を更に有する、請求項10に記載の方法。 - 第1時間期間の間、前記検出器アレイに結合されたスイッチにより、高フラックスROICとして動作する前記第1ROIC又は前記第2ROICの一のROICに前記電流を流すステップ;及び
第2時間期間の間、前記スイッチにより、低フラックスROICとして動作する前記第1ROIC又は前記第2ROICの他のROICに前記電流を流すステップ;
を更に有し、前記第2時間期間は前記第1時間期間より長い、請求項10に記載の方法。 - 前記第1ROICに結合された1つ又はそれ以上の第1列アンプにより、前記第1ROICからの出力を増幅するステップ;及び
前記第2ROICに結合された1つ又はそれ以上の第2列アンプにより、前記第2ROICからの出力を増幅するステップ;
を更に有する、請求項10に記載の方法。 - 前記第1ROICに結合された1つ又はそれ以上の第1バッファにより、前記第1ROICからの出力をバッファリングするステップ;及び
前記第2ROICに結合された1つ又はそれ以上の第2バッファにより、前記第2ROICからの出力をバッファリングするステップ;
を更に有する、請求項10に記載の方法。 - 前記第1ROICにより生成されたデータの1つ又はそれ以上の第1フレームを出力するステップ;及び
前記第2ROICにより生成されたデータの1つ又はそれ以上の第2フレームを出力するステップ;
を更に有する、請求項10に記載の方法。 - 複数の第1単位セルを有する第1読み出し集積回路(ROIC)であって、前記第1ROICは、より高いフラックスの検出された光を捕捉する電流を処理する高フラックスROICとして動作する、第1ROIC;
前記第1ROICの外側に備えられ、複数の第2単位セルを有する第2ROICであって、前記第2ROICは、より低いフラックスの検出された光を捕捉する電流を処理する低フラックスROICとして動作し、複数の導電性ビアが前記第2ROICを通って且つ少なくとも前記第1ROICの中に備えられている、第2ROIC;並びに
前記第2ROICの外側に備えられているデュアルバンド検出器アレイであって、前記検出器アレイは、高ダイナミックレンジ赤外光を検出し且つ複数の検出器画素を有し、各々の検出器画素は、光の検出に応答して電流を発生させて、第1単位セル及び第2単位セルに信号を送信するように構成されたビアに前記電流を流すように、構成されている、デュアルバンド検出器アレイ;並びに
前記検出器アレイに結合され、第1時間期間の間、高フラックスROICとして動作する前記第1ROICに前記電流を流し、低フラックスROICとして動作する前記第2ROICに前記電流を流すスイッチであって、前記第2時間期間は前記第1時間期間より長い、スイッチ;
を有する装置。 - 前記第1ROICは、第1波長帯域の検出された光に関連する電流を処理し;
前記第2ROICは、前記第1波長帯域と区別可能な第2波長帯域の検出された光に関連する電流を処理する;
請求項19に記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/952,282 US8415623B2 (en) | 2010-11-23 | 2010-11-23 | Processing detector array signals using stacked readout integrated circuits |
US12/952,282 | 2010-11-23 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012114439A true JP2012114439A (ja) | 2012-06-14 |
JP2012114439A5 JP2012114439A5 (ja) | 2014-01-23 |
JP5717612B2 JP5717612B2 (ja) | 2015-05-13 |
Family
ID=45094482
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011254773A Active JP5717612B2 (ja) | 2010-11-23 | 2011-11-22 | 処理装置及び処理方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8415623B2 (ja) |
EP (1) | EP2456193B1 (ja) |
JP (1) | JP5717612B2 (ja) |
IL (1) | IL216363A (ja) |
TW (1) | TWI531242B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016511539A (ja) * | 2013-01-31 | 2016-04-14 | アップル インコーポレイテッド | 垂直積層型画像センサ |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8637800B2 (en) * | 2011-04-19 | 2014-01-28 | Altasens, Inc. | Image sensor with hybrid heterostructure |
US9310495B2 (en) * | 2011-05-04 | 2016-04-12 | Oy Ajat Ltd. | Photon/energy identifying X-ray and gamma ray imaging device (“PID”) with a two dimensional array of pixels and system therefrom |
US9110136B2 (en) | 2013-09-27 | 2015-08-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Circuit and method for monolithic stacked integrated circuit testing |
US20180376044A1 (en) * | 2017-06-22 | 2018-12-27 | Robert Bosch Gmbh | Device Having A CMOS VL and IR Imaging System |
US10883804B2 (en) * | 2017-12-22 | 2021-01-05 | Ams Sensors Uk Limited | Infra-red device |
US20200344426A1 (en) * | 2019-04-15 | 2020-10-29 | Owl Autonomous Imaging, Inc. | Thermal ranging devices and methods |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001339057A (ja) * | 2000-05-30 | 2001-12-07 | Mitsumasa Koyanagi | 3次元画像処理装置の製造方法 |
JP2007333464A (ja) * | 2006-06-13 | 2007-12-27 | Mitsubishi Electric Corp | 2波長イメージセンサ |
JP2009505577A (ja) * | 2005-08-18 | 2009-02-05 | ノーブル ピーク ヴィジョン コーポレーション | 適応可能なソリッド・ステート・イメージ・センサ |
US20090173883A1 (en) * | 2006-07-26 | 2009-07-09 | Northrop Grumman Corporation | Multi-band focal plane array |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6456326B2 (en) | 1994-01-28 | 2002-09-24 | California Institute Of Technology | Single chip camera device having double sampling operation |
US5512750A (en) * | 1994-06-03 | 1996-04-30 | Martin Marietta Corporation | A-dual band IR sensor having two monolithically integrated staring detector arrays for simultaneous, coincident image readout |
US6115065A (en) | 1995-11-07 | 2000-09-05 | California Institute Of Technology | Image sensor producing at least two integration times from each sensing pixel |
US5892541A (en) | 1996-09-10 | 1999-04-06 | Foveonics, Inc. | Imaging system and method for increasing the dynamic range of an array of active pixel sensor cells |
FR2759494B1 (fr) * | 1997-02-07 | 1999-03-05 | Commissariat Energie Atomique | Detecteur de rayonnement photonique multicolore |
US6493030B1 (en) | 1998-04-08 | 2002-12-10 | Pictos Technologies, Inc. | Low-noise active pixel sensor for imaging arrays with global reset |
US6078037A (en) | 1998-04-16 | 2000-06-20 | Intel Corporation | Active pixel CMOS sensor with multiple storage capacitors |
US6875975B2 (en) * | 1999-12-24 | 2005-04-05 | Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc | Multi-color, multi-focal plane optical detector |
US6504141B1 (en) | 2000-09-29 | 2003-01-07 | Rockwell Science Center, Llc | Adaptive amplifier circuit with enhanced dynamic range |
US6924841B2 (en) | 2001-05-02 | 2005-08-02 | Agilent Technologies, Inc. | System and method for capturing color images that extends the dynamic range of an image sensor using first and second groups of pixels |
US6885002B1 (en) | 2001-08-31 | 2005-04-26 | Raytheon Company | IRFPA ROIC with dual TDM reset integrators and sub-frame averaging functions per unit cell |
US6864965B2 (en) * | 2002-03-12 | 2005-03-08 | Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. | Dual-mode focal plane array for missile seekers |
US7586074B2 (en) | 2003-02-17 | 2009-09-08 | Raytheon Company | Multi-mode high capacity dual integration direct injection detector input circuit |
US7492399B1 (en) * | 2004-02-17 | 2009-02-17 | Raytheon Company | High dynamic range dual mode charge transimpedance amplifier/source follower per detector input circuit |
US7091531B2 (en) | 2004-04-07 | 2006-08-15 | Micron Technology, Inc. | High dynamic range pixel amplifier |
US7723815B1 (en) * | 2004-07-09 | 2010-05-25 | Raytheon Company | Wafer bonded composite structure for thermally matching a readout circuit (ROIC) and an infrared detector chip both during and after hybridization |
JP3976754B2 (ja) | 2004-07-13 | 2007-09-19 | マイクロン テクノロジー,インコーポレイテッド | 選択読取りによる広ダイナミックレンジ撮像デバイス |
US7551059B2 (en) * | 2005-01-06 | 2009-06-23 | Goodrich Corporation | Hybrid infrared detector array and CMOS readout integrated circuit with improved dynamic range |
US7095355B1 (en) | 2005-05-09 | 2006-08-22 | Raytheon Company | Low power ADC for imaging arrays |
US20070102622A1 (en) | 2005-07-01 | 2007-05-10 | Olsen Richard I | Apparatus for multiple camera devices and method of operating same |
US7616243B2 (en) | 2007-03-07 | 2009-11-10 | Altasens, Inc. | Method and apparatus for improving and controlling dynamic range in an image sensor |
US8154099B2 (en) * | 2009-08-19 | 2012-04-10 | Raytheon Company | Composite semiconductor structure formed using atomic bonding and adapted to alter the rate of thermal expansion of a substrate |
-
2010
- 2010-11-23 US US12/952,282 patent/US8415623B2/en active Active
-
2011
- 2011-11-14 IL IL216363A patent/IL216363A/en active IP Right Grant
- 2011-11-21 EP EP11190023.9A patent/EP2456193B1/en active Active
- 2011-11-22 TW TW100142703A patent/TWI531242B/zh active
- 2011-11-22 JP JP2011254773A patent/JP5717612B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001339057A (ja) * | 2000-05-30 | 2001-12-07 | Mitsumasa Koyanagi | 3次元画像処理装置の製造方法 |
JP2009505577A (ja) * | 2005-08-18 | 2009-02-05 | ノーブル ピーク ヴィジョン コーポレーション | 適応可能なソリッド・ステート・イメージ・センサ |
JP2007333464A (ja) * | 2006-06-13 | 2007-12-27 | Mitsubishi Electric Corp | 2波長イメージセンサ |
US20090173883A1 (en) * | 2006-07-26 | 2009-07-09 | Northrop Grumman Corporation | Multi-band focal plane array |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
RAYMOND BALCERAK ET AL.: "Progress in the development of vertically integrated sensor arrays", PROC.OF SPIE 5783, vol. 5783, JPN7014003161, 2005, pages 384 - 391, XP002726307, ISSN: 0003005663, DOI: 10.1117/12.609465 * |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016511539A (ja) * | 2013-01-31 | 2016-04-14 | アップル インコーポレイテッド | 垂直積層型画像センサ |
US10003759B2 (en) | 2013-01-31 | 2018-06-19 | Apple Inc. | Vertically stacked image sensor |
US10462402B2 (en) | 2013-01-31 | 2019-10-29 | Apple Inc. | Image sensor having full well capacity beyond photodiode capacity |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201230795A (en) | 2012-07-16 |
TWI531242B (zh) | 2016-04-21 |
US20120126121A1 (en) | 2012-05-24 |
JP5717612B2 (ja) | 2015-05-13 |
IL216363A0 (en) | 2012-02-29 |
EP2456193A3 (en) | 2014-08-20 |
EP2456193A2 (en) | 2012-05-23 |
US8415623B2 (en) | 2013-04-09 |
IL216363A (en) | 2016-10-31 |
EP2456193B1 (en) | 2020-07-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5717612B2 (ja) | 処理装置及び処理方法 | |
TWI545954B (zh) | 用於堆疊式影像感測器中之像素之負偏壓基板 | |
US9172895B2 (en) | Solid-state imaging device | |
EP3430648B1 (en) | Stacked backside-illuminated quanta image sensor with cluster-parallel readout | |
TWI618231B (zh) | 紅外偵測器陣列之緩衝式直接注射像素 | |
KR101696410B1 (ko) | 이미지 센서 및 그 동작 방법 | |
TW201004326A (en) | Suppression of row-wise noise in CMOS image sensors | |
JP2015032687A (ja) | 撮像素子、電子機器、および撮像素子の製造方法 | |
US10277838B2 (en) | Monolithic visible/IR fused low light level imaging sensor | |
US20230007208A1 (en) | Methods and systems of low power facial recognition | |
TW200906173A (en) | Sample and hold circuits for CMOS imagers | |
JP2012151369A (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2015088691A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器 | |
JP2012114439A5 (ja) | ||
JP6494368B2 (ja) | 固体撮像装置およびカメラ | |
KR101313691B1 (ko) | 이미지 센서 | |
TW202101969A (zh) | 固體攝像元件 | |
KR20210054628A (ko) | 이미지 센서 | |
JP2020181932A (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、および電子機器 | |
US9137432B2 (en) | Backside illumination image sensor, operating method thereof, image processing system and method of processing image using the same | |
JPWO2006038583A1 (ja) | 撮像素子およびそれを用いた撮像装置、並びに撮像素子を製造する製造方法 | |
JP2009168611A (ja) | 赤外線固体撮像素子 | |
KR20210109775A (ko) | 이미지 센서 및 이의 모니터링 방법 | |
Han et al. | Research on noise sources in CMOS image sensors | |
US11855108B2 (en) | Solid-state imaging element and electronic device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131202 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131202 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140916 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141104 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150122 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150217 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150317 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5717612 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |