JP2012113587A - Digital device - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent a memory error of 2 bit or more due to power-off by allowing the memory to surely store all bits of write data on data bus, even if a power is shut down during a writing operation to the memory.SOLUTION: The digital device includes: as power receiving side circuits, memory means for storing data, memory control means for writing and reading with respect to the memory means, and ECC means for correcting and detecting a bit error of the memory means; and, as power supply side circuits, monitoring means for detecting the shutdown of a main power supply and giving a reset signal, and power switching means, even if the main power supply is shut down, switching it to a backup auxiliary power supply to supply the power to the memory means. The reset operations of the memory means, the memory control means and the ECC means by the reset signal of the monitoring means are performed after finishing the writing of the memory means.

Description

本発明は、ディジタル装置に係り、特に電源断時にも安定してメモリライト動作が行えるディジタル装置に関する。   The present invention relates to a digital device, and more particularly to a digital device capable of stably performing a memory write operation even when the power is turned off.

ディジタル装置として、例えばディジタル保護制御装置には、データセーブ機能が標準的に設けられており、定期的にメモリに記憶したディジタル保護制御装置の動作情報を用いて、故障部位解析や継電装置応動解析等の保守支援用途に使用されている。データセーブ用のメモリは、一般に書込時間や容量に制約が少ないSRAMを電源バックアップして使用するが、フラッシュメモリ等の不揮発性メモリを使用する場合もある。   As a digital device, for example, a digital protection control device is provided with a data saving function as a standard, and by using operation information of the digital protection control device periodically stored in a memory, failure location analysis and relay device response are performed. Used for maintenance support such as analysis. As a data saving memory, an SRAM with less restrictions on writing time and capacity is generally used as a power backup, but a non-volatile memory such as a flash memory may be used.

係るディジタル保護制御装置におけるメモリとしては、データの信頼性確保のため、1ビット誤り訂正及び2ビット以上の誤り検知するECC(Error Checking and Correcting)機能を有することが望ましいとされている。   As a memory in such a digital protection control device, it is desirable to have an ECC (Error Checking and Collecting) function for detecting a 1-bit error and detecting an error of 2 or more bits in order to ensure data reliability.

ECC機能について、非特許文献1に解説されている。非特許文献1では、データセーブ機能に使用するメモリは、電源遮断によりディジタル保護制御装置の動作情報が消えないようにSRAMを電源バックアップして使用するか、不揮発性メモリを使用しており、さらに信頼性確保のためECC機能を有することが示されている。   The ECC function is described in Non-Patent Document 1. In Non-Patent Document 1, the memory used for the data saving function is an SRAM that is backed up or used so that the operation information of the digital protection control device does not disappear due to power shutdown, or a non-volatile memory is used. It has been shown to have an ECC function to ensure reliability.

「電気協同研究」第65巻第2号"Electrical Cooperative Research" Vol. 65, No. 2

しかし、メモリへのライト動作中に電源遮断すると、データバス上で各ビットのセットアップ時間ばらつきにより、極稀にビット毎にライト出来たり出来なかったりしたデータがメモリに記憶される。その結果、電源再投入時にECC機能で2ビット以上の誤りが検出され、メモリ不具合として扱われてしまいメモリデータの初期化(クリア)処理されてしまう。   However, if the power is cut off during the write operation to the memory, data that could or cannot be written for each bit due to variations in the setup time of each bit on the data bus is stored in the memory. As a result, when the power is turned on again, an error of 2 bits or more is detected by the ECC function, which is handled as a memory failure and the memory data is initialized (cleared).

これにより、データセーブ機能によりメモリに記憶してきた過去のディジタル保護制御装置の動作情報が消えてしまい、故障部位解析や継電装置応動解析等の保守支援が出来なくなる課題があった。   As a result, the operation information of the past digital protection control device stored in the memory by the data saving function disappears, and there is a problem that maintenance support such as failure site analysis and relay device response analysis cannot be performed.

本発明は、メモリへのライト動作中に電源遮断されても、確実にデータバス上のライトデータ全ビットをメモリに記憶させて、電源遮断によるメモリの2ビット以上のエラーを防ぐことができるディジタル装置を提供する。   The present invention provides a digital memory capable of reliably storing all the bits of write data on the data bus in the memory even when the power is cut off during a write operation to the memory, thereby preventing an error of two or more bits of the memory due to the power interruption. Providing equipment.

本発明のディジタル装置は、電力受給側回路としてデータを記憶するメモリ手段と、メモリ手段に対しライト及びリードを行うメモリ制御手段と、メモリ手段のビットエラーの訂正及び検出をするECC手段を備え、電力供給側回路として主電源遮断を検知しリセット信号を与える監視手段と、メモリ手段に対して主電源が遮断してもバックアップ補助電源に切換えて電力供給する電源切換手段とを有し、監視手段のリセット信号によるメモリ手段とメモリ制御手段とECC手段のリセット操作は、メモリ手段のライト終了後に実施する。   The digital device of the present invention comprises memory means for storing data as a power receiving side circuit, memory control means for writing and reading data to the memory means, and ECC means for correcting and detecting bit errors in the memory means, The power supply side circuit has a monitoring means for detecting a main power supply interruption and giving a reset signal, and a power supply switching means for switching to a backup auxiliary power supply to supply power even when the main power supply to the memory means is cut off. The reset operation of the memory means, the memory control means, and the ECC means by the reset signal is performed after the writing of the memory means is completed.

また、メモリ制御手段は、ライト終了後にメモリ手段をスタンバイ状態にする。   The memory control means sets the memory means to the standby state after the write is completed.

本発明のディジタル装置は、電力受給側回路としてデータを記憶するメモリ手段と、メモリ手段に対しライト及びリードを指示するCPUと、CPUからの指示に応じてメモリ手段に対しライト及びリードを行うメモリ制御手段と、メモリ手段のビットエラーの訂正及び検出をするECC手段を備え、電力供給側回路として主電源遮断を検知しリセット信号を与える監視手段と、メモリ手段に対して主電源が遮断してもバックアップ補助電源に切換えて電力供給する電源切換手段とを有し、CPUからライトアクセスが指示されてメモリ手段に対するライト開始後、その終了までの期間、ライト状態信号を発生し、かつ監視手段の与えるリセット信号とライト状態信号の論理和信号により強調リセット信号を作成し、強調リセット信号により、メモリ手段とメモリ制御手段とECC手段のリセット操作を実行する。   A digital device according to the present invention includes a memory means for storing data as a power receiving side circuit, a CPU for instructing the memory means to write and read, and a memory for performing writing and reading to the memory means in accordance with instructions from the CPU The control means and the ECC means for correcting and detecting the bit error of the memory means are provided. The power supply side circuit detects a main power supply cut-off and gives a reset signal. And a power supply switching means for switching to the backup auxiliary power supply and supplying the power. The write access signal is generated from the start of the write to the memory means after the write access is instructed by the CPU, and the monitoring means An emphasis reset signal is created by the logical sum signal of the reset signal and write status signal to be applied, and the emphasis reset signal Executing a reset operation of the memory means and memory control means and the ECC means.

なお、ディジタル装置は、電力系統の電気量を入力して事故検出を行い電力系統に設けられた遮断器を操作する保護継電装置とされる。   The digital device is a protective relay device that inputs an electric quantity of the power system, detects an accident, and operates a circuit breaker provided in the power system.

本発明によれば、メモリへのライト動作中に電源遮断されても、確実にデータバス上のライトデータ全ビットをメモリに記憶させて、電源遮断によるメモリの2ビット以上のエラーを防ぐことができる。   According to the present invention, even if the power is cut off during a write operation to the memory, all the write data bits on the data bus are surely stored in the memory to prevent an error of two or more bits of the memory due to the power cut. it can.

ディジタル保護継電装置の制御回路構成図。The control circuit block diagram of a digital protection relay device. 電源協調対応メモリ制御部の構成図。The block diagram of a power supply corresponding memory control part. 電源協調を考慮したSRAMアクセスタイミングを示すフロー図。The flowchart which shows the SRAM access timing which considered power supply cooperation.

図1は、本発明に係るディジタル装置の一例としてディジタル保護継電装置の制御回路構成図を示したものである。このディジタル保護継電装置は、大別すると電力供給側回路部分140と、電力受給側回路部分130とから構成される。このうち、電力供給側回路部分140は、主電源10、電源スイッチ20、バックアップコンデンサ30、電源監視部40、バックアップ電源切換回路50などで構成される。また電力受給側回路部分130は、CPU60、システムバス70、SRAM80、電源協調対応メモリ制御部90、通信部100、アナログ入力部110、入出力部120によって構成される。   FIG. 1 shows a configuration diagram of a control circuit of a digital protection relay device as an example of a digital device according to the present invention. This digital protection relay device is roughly composed of a power supply side circuit portion 140 and a power reception side circuit portion 130. Among these, the power supply side circuit portion 140 includes the main power supply 10, the power switch 20, the backup capacitor 30, the power supply monitoring unit 40, the backup power supply switching circuit 50, and the like. The power receiving side circuit portion 130 includes a CPU 60, a system bus 70, an SRAM 80, a power supply coordination compatible memory control unit 90, a communication unit 100, an analog input unit 110, and an input / output unit 120.

電力供給側回路部分140は、次のように機能する。主電源10は、例えば常時電源5Vを出力しており、電源スイッチ20により主電源10からの電源5Vの投入/遮断切換を行う。バックアップコンデンサ30は、5V電源投入時に充電し、5V電源遮断時はSRAM80に対してバックアップ電源を供給する。電源監視部40は、電源スイッチ20による遮断や主電源10の不足電圧異常による電源電圧低下を検出し、バックアップ電源切換回路50に切換信号を出力し、5V電源電圧で動作する電力受給側回路部分130に対しリセット信号を出力する。バックアップ電源切換回路50は、電源監視部40からの切換信号を受けるとSRAM80への電力供給をバックアップコンデンサ30側に切換る。   The power supply side circuit portion 140 functions as follows. The main power supply 10 outputs a constant power supply 5V, for example, and the power switch 20 switches on / off the power supply 5V from the main power supply 10. The backup capacitor 30 is charged when the 5V power is turned on, and supplies the backup power to the SRAM 80 when the 5V power is cut off. The power supply monitoring unit 40 detects a power supply voltage drop due to a power supply switch 20 shutoff or an insufficient voltage abnormality of the main power supply 10, outputs a switching signal to the backup power supply switching circuit 50, and operates on a 5 V power supply voltage. A reset signal is output to 130. When receiving the switching signal from the power supply monitoring unit 40, the backup power supply switching circuit 50 switches the power supply to the SRAM 80 to the backup capacitor 30 side.

電力受給側回路部分130は、次のように機能する。まず、アナログ入力部110は、電力系統から取込んだ電流及び電圧を±10V以下のアナログ電圧信号に変換し、A/D変換でディジタルデータ化する。CPU60は、アナログ入力部110でディジタルデータ化したデータを、システムバス70を介して取込み、電力系統の信号に重畳する高調波信号を除去用のデジタルフィルタ処理と保護演算・シーケンス処理を実行し、処理結果からシステムバス70を介して入出力部120に対して入出力制御する。   The power receiving side circuit portion 130 functions as follows. First, the analog input unit 110 converts the current and voltage taken from the power system into an analog voltage signal of ± 10 V or less, and converts it into digital data by A / D conversion. The CPU 60 takes the data converted into digital data by the analog input unit 110 via the system bus 70, executes digital filter processing for removing the harmonic signal superimposed on the signal of the power system, and protection calculation / sequence processing, Input / output control is performed on the input / output unit 120 via the system bus 70 from the processing result.

アナログ入力部110でディジタルデータ化したデータや、デジタルフィルタ処理や保護演算・シーケンス処理結果は、データセーブの情報としてCPU60からシステムバス70を介してSRAM80に記憶される。のSRAM80の高信頼化のために、1ビット誤り訂正及び2ビット以上の誤り検知機能を有するSRAM電源協調対応メモリ制御部90が設けられている。   The data converted into digital data by the analog input unit 110, the digital filter process, and the protection calculation / sequence process result are stored in the SRAM 80 from the CPU 60 via the system bus 70 as data save information. In order to increase the reliability of the SRAM 80, an SRAM power supply cooperative correspondence memory control unit 90 having a 1-bit error correction function and an error detection function of 2 bits or more is provided.

本発明のディジタル装置においては、電力供給側回路部分140で供給電源の異常(電源スイッチ20による遮断や主電源10の不足電圧異常による電源電圧低下)が生じているときにも、SRAM80の記憶情報を正しく保持すべく、SRAM電源協調対応メモリ制御部90を機能させる。   In the digital device of the present invention, the stored information in the SRAM 80 is also provided when the power supply side circuit portion 140 has an abnormality in the power supply (power supply switch 20 is cut off or the power supply voltage is lowered due to an abnormal undervoltage of the main power supply 10). The SRAM power supply cooperative memory control unit 90 is caused to function so as to correctly hold the signal.

図2に、SRAM電源協調対応メモリ制御部90の具体的回路構成を示す。SRAM電源協調対応メモリ制御部90は、外部的には電源監視部40、CPU60、SRAM80と連携し、内部的には電源協調リセット回路91、アクセス制御部92、ECCデータ処理部93から構成されている。   FIG. 2 shows a specific circuit configuration of the SRAM power supply cooperative compatible memory control unit 90. The SRAM power supply coordination compatible memory control unit 90 is externally linked to the power supply monitoring unit 40, the CPU 60, and the SRAM 80, and internally includes a power supply coordination reset circuit 91, an access control unit 92, and an ECC data processing unit 93. Yes.

このうち、アクセス制御部92は、CPU60から入力されるチップセレクト(CS)信号とアドレス(A)信号から、このアクセスがSRAM80に対するものかを識別する。さらにリード(RD)信号とライトイネーブル(WE)の信号から、SRAM80に対するアクセス種のリード/ライトを識別する。   Among these, the access control unit 92 identifies whether this access is to the SRAM 80 from the chip select (CS) signal and the address (A) signal input from the CPU 60. Further, read / write of the access type for the SRAM 80 is identified from the read (RD) signal and the write enable (WE) signal.

CPU60から入力されるアクセスが、SRAM80に対するリード/ライトアクセスであれば、SRAM80に対してチップセレクト(S_CS)とアドレス(S_A)とライトイネーブル(S_WE)とリード用アウトプットイネーブル(S_OE)信号を出力する。   If the access input from the CPU 60 is a read / write access to the SRAM 80, a chip select (S_CS), address (S_A), write enable (S_WE), and read output enable (S_OE) signal are output to the SRAM 80. To do.

また、SRAM80に対するライトアクセス中を示すライト状態信号921を電源協調リセット回路91に出力し、ECCデータ処理部93に対して、ライト/リードの識別結果より、双方向バスであるデータ信号(D)及び(S_D)の方向を決めるWR信号922を出力する。   Further, a write state signal 921 indicating that a write access to the SRAM 80 is being performed is output to the power supply cooperative reset circuit 91, and the ECC signal processing unit 93 receives a data signal (D) that is a bidirectional bus from the write / read identification result. And the WR signal 922 which determines the direction of (S_D) is output.

次にECCデータ処理部93は、アクセス制御部92からのWR信号922により、ライト/リードのECCデータ処理を切換る。   Next, the ECC data processing unit 93 switches the write / read ECC data processing according to the WR signal 922 from the access control unit 92.

つまり、ライト時は、CPU60から16ビットのライトデータがD信号からECCデータ処理部93に入力されるので、16ビットのライトデータから、6ビットのECCチェックデータを作成する。そのうえで、16ビットのライトデータに、6ビットのECCチェックデータを加えた合計22ビットのライトデータを得、S_D信号を用いてSRAM80に出力する。SRAM80では、このデータを指定されたアドレス(S_A)に書き込み処理する。   That is, at the time of writing, 16-bit write data is input from the D signal to the ECC data processing unit 93 from the CPU 60, so that 6-bit ECC check data is created from the 16-bit write data. Then, a total of 22-bit write data obtained by adding 6-bit ECC check data to 16-bit write data is obtained and output to the SRAM 80 using the S_D signal. In the SRAM 80, this data is written into a designated address (S_A).

リード時は、16ビットリードデータと6ビットECCチェックデータからなる合計22ビットのS_D信号を、SRAM80からECCデータ処理部93に入力する。入力した16ビットリードデータに対して再度ECCチェックデータを作成し、SRAM80から入力した6ビットECCチェックデータと比較して、16ビットデータの1ビット誤り及び2ビット以上の誤りを検知する。   At the time of reading, a total 22-bit S_D signal composed of 16-bit read data and 6-bit ECC check data is input from the SRAM 80 to the ECC data processing unit 93. ECC check data is generated again for the input 16-bit read data, and compared with the 6-bit ECC check data input from the SRAM 80, a 1-bit error and an error of 2 bits or more are detected.

その結果、誤りが無い場合には、16ビットリードデータをCPU60に出力する。
1ビット誤りを検知した場合、16ビットデータの誤ったビットを反転することで1ビット誤り訂正し、訂正後の16ビットデータをCPU60とSRAM80に出力する。
As a result, if there is no error, 16-bit read data is output to the CPU 60.
When a 1-bit error is detected, the 1-bit error is corrected by inverting the erroneous bit of the 16-bit data, and the corrected 16-bit data is output to the CPU 60 and the SRAM 80.

これに対し、2ビット以上の誤りを検知した場合、誤り訂正ができない。そこでこの場合には、CPU60に対して、2ビット以上誤り検出を割込(IRQ)信号にて通知する。CPU60は2ビット以上誤り検出の通知を受けたら、SRAM80の初期化処理等の異常対策を実行する。   On the other hand, when an error of 2 bits or more is detected, error correction cannot be performed. Therefore, in this case, the CPU 60 is notified of an error detection of 2 bits or more by an interrupt (IRQ) signal. When the CPU 60 receives notification of error detection of 2 bits or more, it executes countermeasures for abnormality such as initialization processing of the SRAM 80.

最後に、電源協調リセット回路91は、電源遮断時に電源監視部40からリセット信号40Rが入力された場合、アクセス制御部92のライト状態信号921がライトアクセスを示していれば、ライトアクセスが終了するまで、協調リセット信号911とスタンバイ信号912の出力を待たせる処理を実行する。これにより、ライト状態で電源遮断が発生しても、ライトアクセスが終了するまで、協調リセットとスタンバイ処理を実行させない。   Finally, when the reset signal 40R is input from the power monitoring unit 40 when the power is shut down, the power cooperative reset circuit 91 ends the write access if the write state signal 921 of the access control unit 92 indicates write access. Until this time, the process of waiting for the output of the cooperative reset signal 911 and the standby signal 912 is executed. As a result, even if the power is cut off in the write state, the cooperative reset and standby processing are not executed until the write access is completed.

図3に、ライト状態で電源遮断が発生したときのSRAMライトアクセスのタイミングを示す。   FIG. 3 shows the SRAM write access timing when the power interruption occurs in the write state.

なお、従来は、ライトアクセス途中に電源遮断されると、電源監視部40からのリセット信号40Rにより、SRAM制御信号(スタンバイ912、チップセレクト(S_CS)、アドレス(S_A)、ライトイネーブル(S_WE)、ライトデータ(S_D))が全てリセットされていた。   Conventionally, when the power is cut off during the write access, an SRAM control signal (standby 912, chip select (S_CS), address (S_A), write enable (S_WE), All the write data (S_D) has been reset.

その為、SRAM80のライトデータ(S_D)のセットアップ時間不足が生じ、ビット毎のデータ信号線遅延ばらつきの影響を受けて、ビット毎にライト出来たり出来なかったりするばらつきが発生する。   For this reason, the setup time of the write data (S_D) of the SRAM 80 is insufficient, and variations in whether or not data can be written for each bit occur due to the influence of variations in the data signal line delay for each bit.

結果的には、これが電源再投入時のECC機能による2ビット以上誤り検出となり、ディジタル保護継電システムにおけるメモリ異常と見なされて、メモリ初期化処理等の異常対策が実行されてしまう。これにより、データセーブ機能によりメモリに記憶してきた過去のディジタル保護制御装置の動作情報が消えてしまい、故障部位解析や継電装置応動解析等の保守支援が出来なくなる課題があった。   As a result, this becomes an error detection of 2 bits or more by the ECC function when the power is turned on again, which is regarded as a memory abnormality in the digital protection relay system, and an abnormality countermeasure such as a memory initialization process is executed. As a result, the operation information of the past digital protection control device stored in the memory by the data saving function disappears, and there is a problem that maintenance support such as failure site analysis and relay device response analysis cannot be performed.

本発明では、SRAM制御信号(スタンバイ912、チップセレクト(S_CS)、アドレス(S_A)、ライトイネーブル(S_WE)、ライトデータ(S_D))のリセットに、電源監視部40からリセット信号40Rとライト状態信号921をORした協調リセット信号911を使用するので、ライト途中に電源遮断されてもライトアクセス終了まで、SRAM制御信号のリセットを待たせることができる。   In the present invention, the reset signal 40R and the write state signal are supplied from the power supply monitoring unit 40 to reset the SRAM control signals (standby 912, chip select (S_CS), address (S_A), write enable (S_WE), write data (S_D)). Since the cooperative reset signal 911 obtained by ORing 921 is used, the reset of the SRAM control signal can be kept waiting until the end of the write access even if the power is cut off during the write.

これによりSRAM80のライトデータ(S_D)は、充分なセットアップ時間を確保できるので、各ビットの信号遅延ばらつきの影響を受けないためビット毎のライトばらつきはない。   As a result, the write data (S_D) of the SRAM 80 can secure a sufficient setup time, and therefore is not affected by the signal delay variation of each bit, so there is no write variation for each bit.

その結果、メモリへのライト動作中に電源遮断されても、確実にデータバス上のライトデータ全ビットをメモリに記憶できるので、電源遮断による2ビット以上のエラーを防ぐことができる。   As a result, even if the power is cut off during the write operation to the memory, all bits of the write data on the data bus can be reliably stored in the memory, so that an error of 2 bits or more due to the power interruption can be prevented.

10:主電源
20:電源スイッチ
30:バックアップコンデンサ
40:電源監視部
50:バックアップ電源切換回路
60:CPU
70:システムバス
80:SRAM
90:電源協調対応メモリ制御部
100:通信部
110:アナログ入力部
120:入出力部
91:電源協調リセット回路
92:アクセス制御部
93:ECCデータ処理部
40R:リセット信号
921:ライト状態信号
911:協調リセット信号
10: Main power supply 20: Power switch 30: Backup capacitor 40: Power supply monitoring unit 50: Backup power supply switching circuit 60: CPU
70: System bus 80: SRAM
90: Power supply cooperative memory control unit 100: Communication unit 110: Analog input unit 120: Input / output unit 91: Power supply cooperative reset circuit 92: Access control unit 93: ECC data processing unit 40R: Reset signal 921: Write state signal 911 Coordinated reset signal

Claims (4)

電力受給側回路としてデータを記憶するメモリ手段と、該メモリ手段に対しライト及びリードを行うメモリ制御手段と、前記メモリ手段のビットエラーの訂正及び検出をするECC手段を備え、電力供給側回路として主電源遮断を検知しリセット信号を与える監視手段と、前記メモリ手段に対して主電源が遮断してもバックアップ補助電源に切換えて電力供給する電源切換手段とを有するディジタル装置において、
前記監視手段のリセット信号による前記メモリ手段と前記メモリ制御手段とECC手段のリセット操作は、前記メモリ手段のライト終了後に実施することを特徴とするディジタル装置。
As a power supply side circuit, there is provided a memory means for storing data as a power receiving side circuit, a memory control means for writing to and reading from the memory means, and an ECC means for correcting and detecting a bit error of the memory means. In a digital apparatus having monitoring means for detecting a main power supply cutoff and giving a reset signal, and a power supply switching means for switching to a backup auxiliary power supply and supplying power even when the main power supply is cut off to the memory means,
The digital device according to claim 1, wherein the reset operation of the memory means, the memory control means, and the ECC means by the reset signal of the monitoring means is performed after the writing of the memory means is completed.
第1項記載のディジタル装置において、
前記メモリ制御手段は、ライト終了後に前記メモリ手段をスタンバイ状態にすることを特徴とするディジタル保護継電装置。
In the digital device according to claim 1,
The digital protection relay device, wherein the memory control means puts the memory means into a standby state after writing is completed.
電力受給側回路としてデータを記憶するメモリ手段と、該メモリ手段に対しライト及びリードを指示するCPUと、該CPUからの指示に応じて前記メモリ手段に対しライト及びリードを行うメモリ制御手段と、前記メモリ手段のビットエラーの訂正及び検出をするECC手段を備え、電力供給側回路として主電源遮断を検知しリセット信号を与える監視手段と、前記メモリ手段に対して主電源が遮断してもバックアップ補助電源に切換えて電力供給する電源切換手段とを有するディジタル装置において、
前記CPUからライトアクセスが指示されて前記メモリ手段に対するライト開始後、その終了までの期間、ライト状態信号を発生し、かつ前記監視手段の与えるリセット信号と前記ライト状態信号の論理和信号により強調リセット信号を作成し、該強調リセット信号により、前記メモリ手段と前記メモリ制御手段とECC手段のリセット操作を実行することを特徴とするディジタル装置。
Memory means for storing data as a power receiving side circuit; a CPU for instructing writing and reading to the memory means; and a memory control means for writing to and reading from the memory means in accordance with instructions from the CPU; ECC means for correcting and detecting a bit error of the memory means, a monitoring means for detecting a main power supply interruption and providing a reset signal as a power supply side circuit, and a backup even if the main power supply is cut off to the memory means In a digital apparatus having power supply switching means for supplying power by switching to an auxiliary power supply,
A write status signal is generated during a period from the start of writing to the memory means when a write access is instructed by the CPU to the end of the memory means, and an emphasis reset by a logical sum signal of the reset signal and the write status signal given by the monitoring means A digital apparatus for generating a signal and performing a reset operation of the memory means, the memory control means, and the ECC means by the emphasis reset signal.
第1項乃至第3項のいずれかに記載のディジタル装置において、
ディジタル装置は、電力系統の電気量を入力して事故検出を行い電力系統に設けられた遮断器を操作する保護継電装置とされることを特徴とするディジタル装置。
In the digital device according to any one of Items 1 to 3,
The digital device is a protective relay device that inputs a quantity of electricity of a power system, detects an accident, and operates a circuit breaker provided in the power system.
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