JP2012109454A - Electronic component connecting method - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To restrain voids in thermosetting resin.SOLUTION: An electrode 18 of an electronic component 16 is arranged on an electrode 12 of a substrate 10 via solder-containing thermosetting adhesive 14 containing at least a solder 20, thermosetting resin 22 with a thermosetting temperature lower than a melting point of the solder 20, and an activator for improving wettability of the molten solder 20. First, the solder 20 is molten at a temperature higher than the melting point under an atmospheric pressure atmosphere, to bond the electrode 18 of the electronic component 16 and the electrode 12 of the substrate 10. Then, moisture and a volatile component in the thermosetting resin 22 are volatilized at a temperature lower than the thermosetting temperature under a reduced pressure atmosphere. Then, internal air bubbles are reduced or eliminated while thermosetting the thermosetting resin 22 at a temperature higher than the thermosetting temperature and lower than the melting point under a pressure atmosphere higher than the reduced pressure atmosphere.

Description

本発明は、電子部品の電極と基板の電極とをはんだによって接続する電子部品の接続方法に関する。   The present invention relates to an electronic component connection method for connecting an electrode of an electronic component and an electrode of a substrate with solder.

従来より、熱硬化性樹脂にはんだを含有させたものであるはんだ入り熱硬化性接着剤を使用し、電子部品の電極と基板の電極とを接合する電子部品の実装方法が知られている(特許文献1参照)。このようなはんだ入り熱硬化性接着剤を用いて電子部品の電極と基板の電極とを接合すると、はんだが電子部品の電極と基板の電極とを接合し、熱硬化性樹脂がはんだを覆って保護するとともに電子部品を基板に固定する。これにより、一回のリフロー工程で電子部品の電気的な接続と樹脂による補強を同時に行うことが可能である。   Conventionally, a mounting method of an electronic component is known in which a thermosetting adhesive containing solder, which is a thermosetting resin containing solder, is used to join an electrode of an electronic component and an electrode of a substrate ( Patent Document 1). When the electrode of the electronic component and the electrode of the substrate are joined using such a soldered thermosetting adhesive, the solder joins the electrode of the electronic component and the electrode of the substrate, and the thermosetting resin covers the solder. Protect and fix electronic components to the board. Thereby, it is possible to perform the electrical connection of the electronic component and the reinforcement with the resin at the same time in one reflow process.

ところが、はんだ入り熱硬化性接着剤を使用する場合、熱硬化後の熱硬化性樹脂の内部に気泡(ボイド)が存在していることがある。ボイドは、後の工程、例えば、プレス工程においてクラックの発生の原因になることがある。また、後の再加熱工程において、溶融したはんだがボイドに流入することにより、短絡の原因となることがある。   However, when a soldered thermosetting adhesive is used, bubbles (voids) may exist inside the thermosetting resin after thermosetting. Voids may cause cracks in later processes, for example, the pressing process. Further, in the subsequent reheating step, molten solder may flow into the void, which may cause a short circuit.

このようなボイドの発生を抑制するために、例えば特許文献2に記載する方法を参照し、減圧雰囲気の条件下において、はんだ入り熱硬化性接着剤を塗布した基板の部分に電子部品を圧接し、圧接した状態を維持しつつはんだを溶融することが考えられる。   In order to suppress the generation of such voids, for example, referring to the method described in Patent Document 2, an electronic component is pressed against a portion of a substrate coated with a soldered thermosetting adhesive under a reduced-pressure atmosphere. It is conceivable to melt the solder while maintaining the pressed state.

特開2010−140924号公報JP 2010-140924 A 特開平11−163048号公報Japanese Patent Laid-Open No. 11-163048

しかしながら、特許文献2に記載する方法(減圧雰囲気の条件下)ではんだ付けを行うと、はんだによる電子部品の電極と基板の電極との良好な電気的接続が実現できないことがあった。   However, when soldering is performed by the method described in Patent Document 2 (under a reduced pressure atmosphere), there may be a case where good electrical connection between the electrode of the electronic component and the electrode of the substrate cannot be realized.

そこで、本発明は、はんだ入り熱硬化性接着材を使用して電子部品の電極と基板の電極とを接続する場合において、はんだによる電極同士の良好な電気的接続を実現しつつ、熱硬化性樹脂内のボイドの発生を抑制することを目的とする。   Therefore, the present invention provides a thermosetting property while realizing a good electrical connection between the electrodes of the solder when the electrodes of the electronic component and the electrodes of the substrate are connected using the thermosetting adhesive containing solder. It aims at suppressing generation | occurrence | production of the void in resin.

上述の課題を解決するために、本発明の第1の態様によれば、
はんだと、はんだの融点より熱硬化温度が低い熱硬化性樹脂と、溶融はんだの濡れ性を向上させる活性剤とを少なくとも含有するはんだ入り熱硬化性接着剤を介在して基板の電極上に電子部品の電極を配置する電子部品配置工程と、
大気圧雰囲気であって前記融点より高い温度の条件下ではんだを溶融して電子部品の電極と基板の電極とをはんだ接合する第1の熱処理工程と、
第1の熱処理工程によって仮接合された電子部品と基板を減圧雰囲気であって前記熱硬化温度より低い温度の条件下で加熱する第2の熱処理工程と、
第2の熱処理工程の後、第2の熱処理工程の圧力より高い圧力の雰囲気であって前記熱硬化温度より高く且つ前記融点より低い温度の条件下で熱硬化性樹脂を熱硬化させる第3の熱処理工程とを含む、
電子部品の接続方法が提供される。
In order to solve the above-mentioned problem, according to the first aspect of the present invention,
Electrons on the electrodes of the substrate through a soldered thermosetting adhesive containing at least a solder, a thermosetting resin having a thermosetting temperature lower than the melting point of the solder, and an activator for improving the wettability of the molten solder An electronic component placement process for placing the electrode of the component;
A first heat treatment step of soldering the solder of the electrode of the electronic component and the electrode of the substrate under an atmospheric pressure atmosphere and a temperature higher than the melting point,
A second heat treatment step of heating the electronic component and the substrate temporarily bonded by the first heat treatment step under a reduced pressure atmosphere and a temperature lower than the thermosetting temperature;
After the second heat treatment step, a third heat curing resin is thermoset under an atmosphere at a pressure higher than the pressure of the second heat treatment step and higher than the thermosetting temperature and lower than the melting point. Heat treatment step,
A method for connecting electronic components is provided.

本発明の第2の態様によれば、
同一の密閉チャンバー内において、第2および第3の熱処理工程が連続して実行される、
第1の態様に記載の電子部品の接続方法が提供される。
According to a second aspect of the invention,
In the same sealed chamber, the second and third heat treatment steps are continuously performed.
An electronic component connection method according to a first aspect is provided.

本発明の第3の態様によれば、
第2の熱処理工程が終了するまでは熱硬化性樹脂を硬化させない、
第1または第2の態様に記載の電子部品の接続方法が提供される。
According to a third aspect of the invention,
The thermosetting resin is not cured until the second heat treatment step is completed.
An electronic component connection method according to the first or second aspect is provided.

本発明の第4の態様によれば、
第1の熱処理工程の温度条件および実行時間は、第1の熱処理工程での熱硬化性樹脂の熱硬化を抑制できるように設定されている、
第1または第2の態様に記載の電子部品の接続方法が提供される。
According to a fourth aspect of the invention,
The temperature condition and execution time of the first heat treatment step are set so that the thermosetting of the thermosetting resin in the first heat treatment step can be suppressed,
An electronic component connection method according to the first or second aspect is provided.

本発明によれば、第1の熱処理工程により、大気圧雰囲気の下で、はんだが溶融されて電子部品の電極と基板の電極とを電気的に良好に接続する。次に、第2の熱処理工程により、減圧雰囲気であって熱硬化性樹脂の熱硬化温度より低い温度の条件下で、軟化した熱硬化性樹脂から空気を抜くとともに、水分や揮発成分を揮発させる。そして、第3の熱処理工程により、第2の熱処理工程の圧力より高い圧力の雰囲気であって熱硬化温度より高く且つはんだの融点より低い温度の条件下で、熱硬化性樹脂を熱硬化しつつ、内部に残存する気泡を小さくするまたは消滅させる。これにより、熱硬化性樹脂内でのボイドの発生が抑制される。   According to the present invention, in the first heat treatment step, the solder is melted under an atmospheric pressure atmosphere to electrically connect the electrode of the electronic component and the electrode of the substrate in an excellent manner. Next, in the second heat treatment step, air is extracted from the softened thermosetting resin and the moisture and volatile components are volatilized under a reduced-pressure atmosphere and a temperature lower than the thermosetting temperature of the thermosetting resin. . Then, in the third heat treatment step, while thermosetting the thermosetting resin in an atmosphere at a pressure higher than the pressure of the second heat treatment step, higher than the thermosetting temperature and lower than the melting point of the solder, , Reduce or eliminate bubbles remaining inside. Thereby, generation | occurrence | production of the void in a thermosetting resin is suppressed.

本発明の実施の形態に係る電子部品のはんだ付け方法を実行することができる基板実装ラインの構成図The block diagram of the board | substrate mounting line which can perform the soldering method of the electronic component which concerns on embodiment of this invention 図1に示す基板実装ラインに対応する、電子部品のはんだ付け方法に関連する複数の工程の順序を示すフロー図The flowchart which shows the order of the several process relevant to the soldering method of an electronic component corresponding to the board | substrate mounting line shown in FIG. 図2に示す各工程を詳細に説明するための図The figure for demonstrating each process shown in FIG. 2 in detail 図3に示す工程に続く工程を詳細に説明するための図The figure for demonstrating in detail the process following the process shown in FIG.

まず、前提として、本発明は、はんだと、熱硬化性樹脂と、溶融はんだの濡れ性を向上させる活性剤とを少なくとも含有するはんだ入り熱硬化性接着剤を使用する。   First, as a premise, the present invention uses a soldered thermosetting adhesive containing at least a solder, a thermosetting resin, and an activator for improving the wettability of molten solder.

はんだ入り熱硬化性接着剤は、熱硬化性樹脂に、例えば、粒子状または粉末状のはんだを含有(分散)させた、例えば、後述するスクリーン印刷装置によって基板上に塗布可能な液体状またはペースト状のものである。   The soldered thermosetting adhesive is a liquid or paste that contains (disperses), for example, particulate or powdered solder in a thermosetting resin, and can be applied onto a substrate by a screen printing apparatus to be described later, for example. It is a shape.

本発明で言う「熱硬化性樹脂」は、熱硬化温度以上の温度で所定時間(例えば、2時間)加熱し続けて熱硬化反応が完全に完了するものであって、また、樹脂基材と該樹脂基材を硬化させる硬化剤からなるものも含まれる。さらに、本発明で言う「熱硬化性樹脂」は、後述するはんだの融点より低い熱硬化温度で熱硬化するものである。   The “thermosetting resin” referred to in the present invention is one in which the thermosetting reaction is completely completed by continuously heating at a temperature equal to or higher than the thermosetting temperature for a predetermined time (for example, 2 hours). What consists of a hardening | curing agent which hardens this resin base material is also contained. Furthermore, the “thermosetting resin” referred to in the present invention is one that is thermoset at a thermosetting temperature lower than the melting point of the solder described later.

熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂が好適に使用され、使用されるエポキシ樹脂の種類としては、ビスフェノールA型、ビスフェノールF型、多官能型、脂環式型、ビフェニル型などがある。なお、熱硬化性樹脂として、エポキシ樹脂以外にも、アクリル樹脂、オキセタン樹脂、ポリイミド樹脂、イソシアネート樹脂などを用いてもよい。   As the thermosetting resin, an epoxy resin is preferably used. Examples of the epoxy resin used include bisphenol A type, bisphenol F type, polyfunctional type, alicyclic type, and biphenyl type. In addition to the epoxy resin, an acrylic resin, an oxetane resin, a polyimide resin, an isocyanate resin, or the like may be used as the thermosetting resin.

硬化剤は、使用される樹脂基材に対応した種類のものが選定され、エポキシ樹脂の場合には、イミダゾール類、酸無水物類、アミン類、ヒドラジド類、マイクロカプセル型硬化剤などが選定される。   As the curing agent, a type corresponding to the resin substrate to be used is selected. In the case of an epoxy resin, imidazoles, acid anhydrides, amines, hydrazides, microcapsule type curing agents, etc. are selected. The

はんだは、例えば、SnBi58(融点139℃)、SnAg3Cu0.5(融点217〜220℃)、SnSb5(融点245℃)、SnAg3.5(融点221℃)などを、平均粒度1〜50μmの粒子に加工したものである。   For example, SnBi58 (melting point: 139 ° C.), SnAg3Cu0.5 (melting point: 217-220 ° C.), SnSb5 (melting point: 245 ° C.), SnAg3.5 (melting point: 221 ° C.), etc. are processed into particles having an average particle size of 1-50 μm. It is a thing.

また、はんだ入り熱硬化性接着剤には、溶融はんだの濡れ性を向上させる活性剤が添加されている。溶融はんだの濡れ性を向上させる活性剤は、例えば、電子部品や基板の電極表面の酸化皮膜を除去することができる、例えば、有機酸(カルボン酸)などである。   Moreover, the activator which improves the wettability of molten solder is added to the thermosetting adhesive containing a solder. The activator for improving the wettability of the molten solder is, for example, an organic acid (carboxylic acid) that can remove an oxide film on the electrode surface of the electronic component or the substrate.

さらに、はんだ入り熱硬化性接着剤には、必要に応じて、チクソ剤、シランカップリング剤、有機溶剤、可撓材、顔料、触媒などが添加されている。チクソ剤は、はんだ入り熱硬化性接着剤のチクソ性を調整するためのものであり、はんだ入り熱硬化性接着剤を基板に印刷するスクリーン印刷装置の印刷性に寄与する。シランカップリング剤は密着性を向上させる目的で配合され、有機溶剤は粘度を調整するために用いられる。可撓材は熱硬化性樹脂が硬化した後の樹脂接着部を低弾性化してヒートサイクル時の熱応力を低下させる効果を有する。顔料ははんだ入り熱硬化性接着剤を着色する必要がある場合に用いられる。さらに、触媒は熱硬化反応を促進させたい場合、言い換えると熱硬化が完了するまでの時間を調整するために用いられるものである。   Further, a thixotropic agent, a silane coupling agent, an organic solvent, a flexible material, a pigment, a catalyst, and the like are added to the soldered thermosetting adhesive as necessary. The thixotropic agent is for adjusting the thixotropy of the soldered thermosetting adhesive, and contributes to the printability of the screen printing apparatus for printing the soldered thermosetting adhesive on the substrate. A silane coupling agent is blended for the purpose of improving adhesion, and an organic solvent is used to adjust the viscosity. The flexible material has an effect of reducing the thermal stress during the heat cycle by reducing the elasticity of the resin bonded portion after the thermosetting resin is cured. The pigment is used when it is necessary to color the soldered thermosetting adhesive. Furthermore, the catalyst is used to adjust the time until the thermosetting is completed, in other words, when it is desired to promote the thermosetting reaction.

ここからは、本発明の実施の形態に係る、上述したはんだ入り熱硬化性接着剤を使用する、電子部品のはんだ付け方法を、図面を参照しながら説明する。   From here, the soldering method of an electronic component which uses the soldered thermosetting adhesive mentioned above based on embodiment of this invention is demonstrated, referring drawings.

図1は、本発明に係る電子部品のはんだ付け方法を実施可能な基板実装ラインを概略的に示している。また、図2は、図1に示す基板実装ラインに対応する、本発明に係る電子部品のはんだ付け方法に関連する複数の工程の流れを示している。さらに、図3は、図2に示す各工程の内容を詳細に説明するための図である。   FIG. 1 schematically shows a board mounting line in which the electronic component soldering method according to the present invention can be implemented. FIG. 2 shows a flow of a plurality of steps related to the electronic component soldering method according to the present invention corresponding to the board mounting line shown in FIG. Further, FIG. 3 is a diagram for explaining in detail the contents of each step shown in FIG.

図1に示すように、基板実装ライン100は、基板をライン100に投入する基板供給装置102と、はんだ入り熱硬化性接着剤を基板上に塗布するスクリーン印刷装置104と、基板に電子部品を搭載する電子部品搭載装置106と、基板上のはんだ入り熱硬化性接着剤内のはんだを溶融するリフロー装置108と、リフロー装置108から電子部品実装済み基板を回収する基板回収装置110とを有する。また、基板実装ライン100は、基板回収装置110が回収した複数の電子部品実装済み基板を一括して熱処理するバッチ処理型の真空加熱装置112とを有する。基板供給装置102、スクリーン印刷装置104、電子部品搭載装置106、リフロー装置108、基板回収装置110は各装置に内蔵されている基板搬送コンベアによって連結されており、基板供給装置102より投入された基板は搬送コンベアによって各装置へ搬送され、最下流に位置する基板回収装置110に回収される。基板回収装置110に回収された基板は作業者によって複数枚まとめて真空加熱装置112へ搬送される。なお、図1において、矢印は、基板の流れを示している。   As shown in FIG. 1, a board mounting line 100 includes a board supply device 102 for feeding a board into the line 100, a screen printing apparatus 104 for applying a soldered thermosetting adhesive onto the board, and an electronic component on the board. The electronic component mounting apparatus 106 to be mounted, the reflow apparatus 108 for melting the solder in the soldered thermosetting adhesive on the substrate, and the substrate recovery apparatus 110 for recovering the electronic component mounted substrate from the reflow apparatus 108 are provided. The substrate mounting line 100 includes a batch processing type vacuum heating device 112 that collectively heat-treats a plurality of electronic component mounted substrates collected by the substrate collecting device 110. The substrate supply device 102, the screen printing device 104, the electronic component mounting device 106, the reflow device 108, and the substrate recovery device 110 are connected by a substrate transfer conveyor built in each device, and the substrate loaded from the substrate supply device 102 Is transported to each apparatus by a transport conveyor and recovered by the substrate recovery apparatus 110 located on the most downstream side. A plurality of substrates recovered by the substrate recovery device 110 are collectively transported to the vacuum heating device 112 by the operator. In FIG. 1, arrows indicate the flow of the substrate.

基板供給装置102は、図3(A)に示す基板10、具体的には電子部品の電極が接合される電極12が表面に形成された基板10をストックし、基板10を基板実装ライン100に投入する。なお、基板10には、電極12以外に、配線パターン(図示せず)が形成されている。   The substrate supply apparatus 102 stocks the substrate 10 shown in FIG. 3A, specifically, the substrate 10 on which the electrode 12 to which the electrode of the electronic component is bonded is formed, and the substrate 10 is placed on the substrate mounting line 100. throw into. In addition to the electrodes 12, a wiring pattern (not shown) is formed on the substrate 10.

スクリーン印刷装置104は、図2に示す熱硬化性接着剤供給工程S1を実行する装置であり、図3(B)に示すように、基板10に形成された電極12上にはんだ入り熱硬化性接着剤14を塗布する。   The screen printing apparatus 104 is an apparatus that performs the thermosetting adhesive supply step S1 shown in FIG. 2, and as shown in FIG. 3B, soldered thermosetting on the electrode 12 formed on the substrate 10. Adhesive 14 is applied.

電子部品搭載装置106は、図2に示す電子部品搭載工程S2を実行する装置であり、図3(C)に示すように、電子部品16の端子18(電極)が、はんだ入り熱硬化性接着剤14を介して基板10の電極12上に位置するように、電子部品16を基板10に載置する。   The electronic component mounting device 106 is a device that executes the electronic component mounting step S2 shown in FIG. 2, and as shown in FIG. 3C, the terminals 18 (electrodes) of the electronic component 16 are soldered thermosetting adhesive. The electronic component 16 is placed on the substrate 10 so as to be positioned on the electrode 12 of the substrate 10 through the agent 14.

リフロー装置108は、図2に示すリフロー工程S3を実行する装置であり、はんだ入り熱硬化性接着剤14内のはんだ20を溶融し、図3(D)に示すように電子部品16の端子18と基板10の電極12とをはんだ20によって接合する。なお、リフロー装置108は、大気圧雰囲気の下ではんだ20を溶融する。   The reflow device 108 is a device that performs the reflow process S3 shown in FIG. 2, melts the solder 20 in the soldered thermosetting adhesive 14, and as shown in FIG. 3D, the terminal 18 of the electronic component 16 is melted. And the electrode 12 of the substrate 10 are joined by the solder 20. Note that the reflow device 108 melts the solder 20 under an atmospheric pressure atmosphere.

リフロー装置108は、図3(C)に示す状態、すなわち電子部品16が載置された基板10を電子部品搭載装置106側から基板回収装置110に向かって基板搬送コンベア(図示せず)によって搬送しつつ、熱処理する(特許請求の範囲に記載の「第1の熱処理工程」に対応)。リフロー装置108の内部は複数の加熱ゾーンや冷却ゾーンに分かれており、各ゾーンの加熱条件や基板搬送コンベアの基板搬送速度の設定を調整することにより、リフロー装置の内部を搬送される基板を所望の加熱プロファイル(温度変化)となるように加熱することができる。   The reflow device 108 conveys the substrate 10 on which the electronic component 16 is placed as shown in FIG. 3C from the electronic component mounting device 106 side to the substrate recovery device 110 by a substrate conveyance conveyor (not shown). However, heat treatment is performed (corresponding to “first heat treatment step” described in claims). The inside of the reflow device 108 is divided into a plurality of heating zones and cooling zones. By adjusting the heating conditions of each zone and the setting of the substrate transfer speed of the substrate transfer conveyor, a substrate to be transferred inside the reflow device is desired. It can heat so that it may become the following heating profile (temperature change).

具体的には、リフロー装置108は、まず、上流側の加熱ゾーンではんだ20の融点より低い温度(例えば、融点が217〜220℃のSnAg3Cu0.5のはんだの場合は200℃)で電子部品16が載置された基板10を所定時間(例えば、3〜4分)加熱する。これにより、基板10をムラなく十分に暖める。   Specifically, the reflow device 108 first has the electronic component 16 at a temperature lower than the melting point of the solder 20 in the upstream heating zone (for example, 200 ° C. in the case of SnAg3Cu0.5 solder having a melting point of 217 to 220 ° C.). Is heated for a predetermined time (for example, 3 to 4 minutes). Thereby, the board | substrate 10 is fully warmed evenly.

その後、十分に暖められた基板10がコンベア(図示せず)に搬送されて下流側の加熱ゾーンに到達すると、リフロー装置108は、下流側の加熱ゾーンではんだの融点より高い温度(例えば、240度)で所定時間(例えば30秒)加熱し、はんだ入り熱硬化性接着剤14内のはんだ20を溶融する。はんだ20は溶融して凝集し、溶融状態のはんだ20が、基板10の電極12と電子部品16の端子18とに接触する。   Thereafter, when the sufficiently warmed substrate 10 is transported to a conveyor (not shown) and reaches the downstream heating zone, the reflow device 108 has a temperature higher than the melting point of the solder in the downstream heating zone (for example, 240 Degree) for a predetermined time (for example, 30 seconds) to melt the solder 20 in the soldered thermosetting adhesive 14. The solder 20 melts and aggregates, and the molten solder 20 comes into contact with the electrodes 12 of the substrate 10 and the terminals 18 of the electronic component 16.

一方、熱硬化性樹脂22は軟化し、溶融状態のはんだ20を覆うように、また電子部品16と基板10との間に進入するように広がる。   On the other hand, the thermosetting resin 22 is softened and spreads so as to cover the molten solder 20 and to enter between the electronic component 16 and the substrate 10.

なお、熱硬化性樹脂22は、リフロー装置108によって熱硬化温度以上の温度で加熱されているが、その加熱時間が短いため、完全に硬化しない(熱硬化反応が進んでいない)。言い換えると、リフロー装置108による加熱温度や加熱時間、すなわちリフロー装置108の温度プロファイルが、はんだ入り熱硬化性接着剤14内の熱硬化性樹脂の熱硬化反応が進まないように設定されている。   The thermosetting resin 22 is heated by the reflow device 108 at a temperature equal to or higher than the thermosetting temperature, but is not completely cured because the heating time is short (the thermosetting reaction does not proceed). In other words, the heating temperature and heating time by the reflow device 108, that is, the temperature profile of the reflow device 108 are set so that the thermosetting reaction of the thermosetting resin in the soldered thermosetting adhesive 14 does not proceed.

また、リフロー装置108によってはんだ入り熱硬化性接着剤14内の熱硬化性樹脂の熱硬化反応が進まないように、リフロー装置108の温度プロファイルを適当に設定することに代って、および/または加えて、はんだ入り熱硬化性接着剤14に含有される硬化剤や触媒などの添加剤を調製することにより、熱硬化性樹脂の熱硬化反応の進行速度を調整してもよい。   Also, instead of setting the temperature profile of the reflow device 108 appropriately so that the thermosetting reaction of the thermosetting resin in the soldered thermosetting adhesive 14 does not proceed by the reflow device 108, and / or In addition, the progression rate of the thermosetting reaction of the thermosetting resin may be adjusted by preparing additives such as a curing agent and a catalyst contained in the soldered thermosetting adhesive 14.

はんだ20が溶融して基板10の電極12と電子部品16の端子18とに接触すると(融点より高い温度で所定時間加熱した後)、リフロー装置108は、最下流の冷却ゾーンにおいて基板10を冷却し、溶融状態のはんだ20を硬化させる。これにより、図3(D)に示すように、基板10の電極12と電子部品16の端子18とがはんだ20によって接合される。なお、上述の通り、リフロー工程後の熱硬化性樹脂22は液状又はBステージ状である。   When the solder 20 melts and comes into contact with the electrode 12 of the substrate 10 and the terminal 18 of the electronic component 16 (after heating for a predetermined time at a temperature higher than the melting point), the reflow device 108 cools the substrate 10 in the most downstream cooling zone. Then, the molten solder 20 is cured. Thereby, as shown in FIG. 3D, the electrode 12 of the substrate 10 and the terminal 18 of the electronic component 16 are joined by the solder 20. As described above, the thermosetting resin 22 after the reflow process is liquid or B-staged.

このようにリフロー装置108によって大気圧雰囲気の下ではんだ接合を行うことにより、はんだ20による基板10の電極12と電子部品16の端子18との良好な電気的接続を実現することができる。   As described above, by performing solder joining under the atmospheric pressure atmosphere by the reflow device 108, it is possible to realize good electrical connection between the electrode 12 of the substrate 10 and the terminal 18 of the electronic component 16 by the solder 20.

このことに関連して、発明者は、減圧雰囲気の下ではんだ接合した場合に、はんだによる電子部品の電極と基板の電極との良好な電気的接続が実現できないことがある理由を突き止めている。その理由について説明する。   In connection with this, the inventor has found out why a good electrical connection between the electrode of the electronic component and the electrode of the substrate by solder may not be realized when soldered in a reduced pressure atmosphere. . The reason will be described.

はんだ入り熱硬化性接着剤には、上述したように、電極の表面に存在する酸化膜を除去することにより、溶融はんだの濡れ性を向上させる活性剤が含まれている。多くの場合、このような活性剤に使用される物質の沸点は、はんだの融点に近い。   As described above, the soldered thermosetting adhesive contains an activator that improves the wettability of the molten solder by removing the oxide film present on the surface of the electrode. In many cases, the boiling point of the materials used in such activators is close to the melting point of the solder.

このような活性剤を含んだはんだ入り熱硬化性接着剤を減圧雰囲気の下ではんだを溶融するために加熱すると、大半の活性剤は酸化膜除去機能を発揮する前に揮発する。これは、減圧雰囲気の下では活性剤の沸点が低下するためである(活性剤は、大気圧の下で使用されることが前提であり、大気圧の下で酸化膜除去機能を発揮する)。   When a soldered thermosetting adhesive containing such an activator is heated to melt the solder under a reduced pressure atmosphere, most of the activator volatilizes before exhibiting the oxide film removing function. This is because the boiling point of the activator decreases under a reduced-pressure atmosphere (the activator is premised on being used under atmospheric pressure, and exhibits an oxide film removing function under atmospheric pressure). .

大半の活性剤が酸化膜を除去することなく揮発すると、当然ながら電極の表面上の酸化膜は十分除去されず、はんだは電極表面全体に濡れ広がることができない。その結果、はんだを介する電極同士の良好な電気的接続が実現されない。   When most of the activator volatilizes without removing the oxide film, the oxide film on the electrode surface is naturally not sufficiently removed, and the solder cannot spread over the entire electrode surface. As a result, good electrical connection between the electrodes via the solder is not realized.

したがって、本発明は、この発明者が突き止めた上述の理由を鑑みて、はんだ入り熱硬化性接着剤のはんだ20による基板10の電極12と電子部品16の端子18との接合を、大気圧の下で実行している。   Therefore, in view of the above-mentioned reason that the present inventors have found out, the present invention allows the bonding of the electrode 12 of the substrate 10 and the terminal 18 of the electronic component 16 by the solder 20 of the soldered thermosetting adhesive to the atmospheric pressure. Running below.

基板回収装置110は、リフロー装置108によって電子部品16の端子18と電極12とがはんだ20によって接合された基板10を、リフロー装置108から回収する。具体的には、基板10を一枚ずつ収納するラックを上下方向に複数段備えたマガジンへ基板を収納して回収する。   The substrate collection device 110 collects the substrate 10 in which the terminals 18 and the electrodes 12 of the electronic component 16 are joined by the solder 20 by the reflow device 108 from the reflow device 108. Specifically, the substrates are stored and collected in a magazine having a plurality of vertical racks for storing the substrates 10 one by one.

真空加熱装置112は、基板回収装置110が回収した基板10、すなわち電子部品16の端子18と電極12とがはんだ20によって接合された基板10を熱処理するためのものである。   The vacuum heating device 112 is for heat-treating the substrate 10 recovered by the substrate recovery device 110, that is, the substrate 10 in which the terminals 18 and the electrodes 12 of the electronic component 16 are joined by the solder 20.

具体的には、真空加熱装置112は、複数の基板10を収容可能な密閉チャンバー114と該密閉チャンバー114内の空気を外部に排出するポンプ(図示せず)と、密閉チャンバー114内の温度を調整する加熱源(図示せず)とを有し、密閉チャンバー114内の温度と圧力とを調整できるように構成されている。密閉チャンバー114は、基板10が収容される内部空間への外気の侵入を防止するために、該内部空間を密閉できるように構成されている。なお、密閉チャンバー114は、基板10を収納したマガジンごと収容可能な構造であるものが好ましい。   Specifically, the vacuum heating device 112 includes a sealed chamber 114 that can accommodate a plurality of substrates 10, a pump (not shown) that exhausts the air in the sealed chamber 114 to the outside, and the temperature in the sealed chamber 114. It has a heating source (not shown) to be adjusted, and is configured so that the temperature and pressure in the sealed chamber 114 can be adjusted. The sealed chamber 114 is configured to be able to seal the internal space in order to prevent the outside air from entering the internal space in which the substrate 10 is accommodated. The sealed chamber 114 preferably has a structure that can accommodate the magazine in which the substrate 10 is stored.

真空加熱装置112は、密閉チャンバー114内に収容された基板10に対し、図2に示す真空加熱工程S4と樹脂硬化工程S5を実行する。   The vacuum heating device 112 performs the vacuum heating step S4 and the resin curing step S5 shown in FIG. 2 on the substrate 10 accommodated in the sealed chamber 114.

まず、真空加熱工程S4(特許請求の範囲に記載の「第2の熱処理工程」に対応)として、真空加熱装置112は、図3(E)に示すように、例えば大気圧(101,325Pa)より減圧した圧力(例えば、10,000Pa以下の圧力)の密閉チャンバー114内で、熱硬化性樹脂22の熱硬化温度より低い温度で、電子部品16の端子18と電極12とがはんだ20によって接合された基板10を熱処理する。   First, as the vacuum heating step S4 (corresponding to the “second heat treatment step” recited in the claims), the vacuum heating device 112 is, for example, at atmospheric pressure (101, 325 Pa) as shown in FIG. The terminal 18 and the electrode 12 of the electronic component 16 are joined by the solder 20 at a temperature lower than the thermosetting temperature of the thermosetting resin 22 in the sealed chamber 114 having a further reduced pressure (for example, a pressure of 10,000 Pa or less). The processed substrate 10 is heat-treated.

この真空加熱工程S4の目的は、熱硬化性樹脂22内にボイドが発生することを抑制することである。そのために、後述する樹脂硬化工程S5を実行する前に、熱硬化性樹脂22に含まれる空気に加えて、熱硬化性樹脂22に含まれる水分や揮発成分を気化させて除去する。その気化を促進するために、また空気や気化によって発生した気体(水分や揮発成分由来の気体)が熱硬化性樹脂22から抜けやすいようにするために、加熱によって熱硬化性樹脂22を軟化するとともに、密閉チャンバー114内を減圧する。   The purpose of this vacuum heating step S4 is to suppress the generation of voids in the thermosetting resin 22. Therefore, before performing resin hardening process S5 mentioned later, in addition to the air contained in the thermosetting resin 22, the water | moisture content and volatile component contained in the thermosetting resin 22 are vaporized and removed. In order to promote the vaporization and to make it easy for air or gas generated by vaporization (gas derived from moisture or volatile components) to escape from the thermosetting resin 22, the thermosetting resin 22 is softened by heating. At the same time, the inside of the sealed chamber 114 is depressurized.

ただし、熱硬化性樹脂22を硬化させるような加熱条件であってはならない。真空加熱工程S4において適用する加熱条件は、前提として加熱温度が熱硬化性樹脂22の熱硬化温度より低い必要があり、その上で、圧力が、減圧雰囲気の密閉チャンバー114内において熱硬化性樹脂22に含まれる水分および揮発成分が揮発するような圧力である。例えば、熱硬化性樹脂22がエポキシ樹脂であって、活性剤が無水酢酸の場合、温度が130度に、圧力が10,000Paに設定される。   However, the heating condition should not cure the thermosetting resin 22. The heating condition applied in the vacuum heating step S4 is premised on that the heating temperature is lower than the thermosetting temperature of the thermosetting resin 22, and the pressure is set in the sealed chamber 114 in a reduced pressure atmosphere. The pressure is such that the moisture and volatile components contained in 22 are volatilized. For example, when the thermosetting resin 22 is an epoxy resin and the activator is acetic anhydride, the temperature is set to 130 degrees and the pressure is set to 10,000 Pa.

このような真空加熱工程S4により、熱硬化性樹脂22に含まれる空気が外部に抜けるとともに、熱硬化性樹脂22に含まれる水分と揮発成分とが揮発して外部に排出される。なお、真空加熱工程S4後の熱硬化性樹脂22も液状又はBステージ状であり、完全に硬化していない。また、揮発成分として活性剤も揮発しうるが、活性剤は前工程のリフロー工程S3において酸化膜を除去して溶融はんだの濡れ性を向上させるという役目を既に果たしているので、活性剤が揮発することについては問題がない。活性剤が揮発することにより、熱硬化性樹脂22の信頼性が向上するという副産物的な効果が期待できる。   By such a vacuum heating step S4, the air contained in the thermosetting resin 22 escapes to the outside, and moisture and volatile components contained in the thermosetting resin 22 are volatilized and discharged to the outside. Note that the thermosetting resin 22 after the vacuum heating step S4 is also in a liquid or B-stage shape and is not completely cured. The activator can also volatilize as a volatile component, but the activator has already played the role of removing the oxide film and improving the wettability of the molten solder in the reflow step S3 of the previous step, so the activator volatilizes. There is no problem with that. By evaporating the activator, a by-product effect that the reliability of the thermosetting resin 22 is improved can be expected.

真空加熱工程S4後、真空加熱装置112は、樹脂硬化工程S5(特許請求の範囲に記載の「第3の熱処理工程」に対応)として、真空加熱工程S4の圧力より高い、大気圧またはそれ以上の圧力(例えば500,000Pa以上)の密閉チャンバー114内で、熱硬化性樹脂22の熱硬化温度より高く且つはんだ20の融点より低い温度(例えば、熱硬化性樹脂22がエポキシ樹脂である場合、硬化剤の量や種類で変化するが約180度)で、電子部品16の端子18と電極12とがはんだ20によって接合された基板10を所定時間(例えば2時間)熱処理する。   After the vacuum heating step S4, the vacuum heating device 112 performs an atmospheric pressure or higher than the pressure in the vacuum heating step S4 as the resin curing step S5 (corresponding to the “third heat treatment step” recited in the claims). In a sealed chamber 114 having a pressure of (for example, 500,000 Pa or more), a temperature higher than the thermosetting temperature of the thermosetting resin 22 and lower than the melting point of the solder 20 (for example, when the thermosetting resin 22 is an epoxy resin, The substrate 10 on which the terminals 18 and the electrodes 12 of the electronic component 16 are joined by the solder 20 is heat-treated for a predetermined time (for example, 2 hours) at about 180 degrees, which varies depending on the amount and type of the curing agent.

このような樹脂硬化工程S5により、図3(F)に示すように、はんだ20を溶融することなく、熱硬化性樹脂22を完全に硬化させることができる。それとともに、真空加熱工程S4後において熱硬化性樹脂22内にわずかに残る気泡が、真空加熱工程S4の圧力より高い圧力によって小さく圧縮されるまたは消滅する。   By such resin curing step S5, as shown in FIG. 3F, the thermosetting resin 22 can be completely cured without melting the solder 20. At the same time, bubbles slightly remaining in the thermosetting resin 22 after the vacuum heating step S4 are compressed or disappeared by a pressure higher than the pressure in the vacuum heating step S4.

図2に示す各工程を経て完成した、図3(F)に示す状態の基板10(以下、「サブアセンブリ基板SA」と称する)は、例えば、多層配線基板の一部品として使用される。   A substrate 10 (hereinafter referred to as “subassembly substrate SA”) in the state shown in FIG. 3F completed through the respective steps shown in FIG. 2 is used as, for example, a component of a multilayer wiring board.

多層配線基板は、サブアセンブリ基板SAを用いて、図4に詳細に示す工程を経て作製される。   The multilayer wiring board is manufactured through the process shown in detail in FIG. 4 using the subassembly board SA.

具体的には、まず、サブアセンブリ基板SAが、アルカリ溶剤によって粗化処理される。なお、サブアセンブリ基板SAのはんだ20は、熱硬化性樹脂22によって保護されているため、アルカリ溶剤によって浸食されずに維持される。   Specifically, first, the subassembly substrate SA is roughened with an alkaline solvent. In addition, since the solder 20 of the subassembly substrate SA is protected by the thermosetting resin 22, it is maintained without being eroded by the alkaline solvent.

次に、図4(G)に示すように、粗化処理されたサブアセンブリ基板SA上に、プリプレグ24が配置され、そのプリプレグ24上に配線パターンが形成された基板26が配置される。プリプレグ24は、ガラス繊維、炭素繊維などに熱硬化性樹脂を含浸したものである。   Next, as shown in FIG. 4G, the prepreg 24 is disposed on the roughened subassembly substrate SA, and the substrate 26 on which the wiring pattern is formed is disposed on the prepreg 24. The prepreg 24 is obtained by impregnating glass fiber, carbon fiber, or the like with a thermosetting resin.

続いて、図4(G)に示すように、サブアセンブリ基板SA、プリプレグ24、および基板26が、その積層方向にプレス装置(図示せず)によってプレスされつつ、プリプレグ24の熱硬化性樹脂の熱硬化温度で加熱される。   Subsequently, as shown in FIG. 4G, the subassembly substrate SA, the prepreg 24, and the substrate 26 are pressed by a press device (not shown) in the stacking direction, and the thermosetting resin of the prepreg 24 is made. Heated at thermosetting temperature.

プリプレグ24の熱硬化性樹脂が熱硬化すると、図4(H)に示すように、電子部品16がプリプレグ24によって保護された多層配線基板が完成する。なお、この後、例えば、基板10上の配線パターンと基板26上の配線パターンを電気的に接続するために、基板10、プリプレグ24、および基板26を貫通するスルーホールが形成され、そのスルーホールの内周面に導電性のメッキ層が形成される。   When the thermosetting resin of the prepreg 24 is thermally cured, a multilayer wiring board in which the electronic component 16 is protected by the prepreg 24 is completed as shown in FIG. Thereafter, for example, in order to electrically connect the wiring pattern on the substrate 10 and the wiring pattern on the substrate 26, a through hole penetrating the substrate 10, the prepreg 24, and the substrate 26 is formed. A conductive plating layer is formed on the inner peripheral surface.

本実施形態によれば、、リフロー工程S3により、大気圧雰囲気の下で、はんだ20が溶融されて電子部品16の端子18と基板10の電極12とを電気的に良好に接続する。次に、真空加熱工程S4により、減圧雰囲気であって熱硬化性樹脂22の熱硬化温度より低い温度の条件下で、軟化した熱硬化性樹脂22から空気を抜くとともに、水分や揮発成分を揮発させる。そして、樹脂硬化工程S5により、真空加熱工程S4の圧力より高い圧力の雰囲気であって熱硬化温度より高く且つはんだ20の融点より低い温度の条件下で、熱硬化性樹脂22を熱硬化しつつ、内部に残存する気泡を小さくするまたは消滅させる。これにより、熱硬化性樹脂22内でのボイドの発生が抑制される。   According to the present embodiment, in the reflow step S3, the solder 20 is melted under an atmospheric pressure atmosphere, and the terminals 18 of the electronic component 16 and the electrodes 12 of the substrate 10 are electrically connected in a favorable manner. Next, the vacuum heating step S4 evacuates air from the softened thermosetting resin 22 and volatilizes moisture and volatile components under a reduced-pressure atmosphere and a temperature lower than the thermosetting temperature of the thermosetting resin 22. Let Then, in the resin curing step S5, the thermosetting resin 22 is thermoset under the conditions of an atmosphere higher than the pressure in the vacuum heating step S4, higher than the thermosetting temperature and lower than the melting point of the solder 20. , Reduce or eliminate bubbles remaining inside. Thereby, generation | occurrence | production of the void in the thermosetting resin 22 is suppressed.

以上、本発明を説明したが、本発明は、上述の説明内容に限定されない。   Although the present invention has been described above, the present invention is not limited to the above description.

例えは、上述の実施の形態の場合、図2に示す真空加熱工程S4と樹脂硬化工程S5とは、同一の真空加熱装置112の密閉チャンバー114内で連続して実行されるが、本発明はこれに限らない。例えば、真空加熱工程S4を真空加熱装置112によって実行し、樹脂硬化工程S5を大気圧雰囲気の条件下で熱硬化性樹脂を熱硬化させる樹脂硬化装置によって実行してもよい。   For example, in the case of the above-described embodiment, the vacuum heating step S4 and the resin curing step S5 shown in FIG. 2 are continuously executed in the sealed chamber 114 of the same vacuum heating device 112. Not limited to this. For example, the vacuum heating step S4 may be performed by the vacuum heating device 112, and the resin curing step S5 may be performed by a resin curing device that thermally cures the thermosetting resin under atmospheric pressure conditions.

ただし、この場合、真空加熱装置112から樹脂硬化装置への基板搬送や樹脂硬化工程S5は、好ましくは基板上の軟化状態の熱硬化性樹脂が大気に触れない状態で実行すべきである。これにより、軟化状態の熱硬化性樹脂が大気中の水分を吸収することを抑制でき、熱硬化後の熱硬化性樹脂が内部の水分によって腐食劣化することが抑制される。したがって、上述の実施形態のように、大気から隔離された同一の密閉空間である真空加熱装置112の密閉チャンバー114内において、真空加熱工程S4と樹脂硬化工程S5とを連続して実行するのが好ましい。   However, in this case, the substrate transport from the vacuum heating device 112 to the resin curing device and the resin curing step S5 should preferably be executed in a state where the soft thermosetting resin on the substrate does not touch the atmosphere. Thereby, it can suppress that the thermosetting resin of a softened state absorbs the water | moisture content in air | atmosphere, and it is suppressed that the thermosetting resin after thermosetting corrodes and deteriorates by the internal water | moisture content. Therefore, as in the above-described embodiment, the vacuum heating step S4 and the resin curing step S5 are continuously performed in the sealed chamber 114 of the vacuum heating device 112 that is the same sealed space isolated from the atmosphere. preferable.

また、上述の実施の形態の場合、リフロー工程S3は大気圧雰囲気の条件下で実行されるが、本発明はこれに限らない。リフロー工程S3時の圧力は、はんだの融点以上の温度の条件下で溶融はんだの濡れ性を向上させる活性剤が揮発しない圧力であればよい。   Moreover, in the case of the above-mentioned embodiment, although reflow process S3 is performed on the conditions of atmospheric pressure atmosphere, this invention is not restricted to this. The pressure during the reflow step S3 may be a pressure at which the activator for improving the wettability of the molten solder does not volatilize under the condition of the temperature equal to or higher than the melting point of the solder.

さらにまた、本発明に係る電子部品のはんだ付け方法は、図1に示す複数の装置以外の装置によって行うことも可能である。   Furthermore, the electronic component soldering method according to the present invention can be performed by a device other than the plurality of devices shown in FIG.

例えば、はんだ入り熱硬化性接着剤は、常温において、液体状またはペースト状でなくてもよく、固体状、例えばシート状であってもよい。その場合、スクリーン印刷装置ではなく、シート状の熱硬化性接着剤を基板の電極上に配置する装置が使用される。   For example, the soldered thermosetting adhesive may not be liquid or paste at room temperature, but may be solid, for example, a sheet. In that case, an apparatus that disposes a sheet-like thermosetting adhesive on the electrode of the substrate is used instead of the screen printing apparatus.

また、リフロー装置に代って、基板を収容可能な密閉チャンバーを備え、その密閉チャンバー内の温度を調整可能な加熱装置(加熱炉)を使用することも可能である。   Further, instead of the reflow apparatus, it is also possible to use a heating device (heating furnace) that includes a sealed chamber that can accommodate the substrate and can adjust the temperature in the sealed chamber.

すなわち、本発明は、はんだ入り熱硬化性接着剤内のはんだを溶融し、次に、減圧雰囲気であって熱硬化性樹脂の熱硬化温度より低い温度の条件下で熱処理して溶融はんだの濡れ性を向上させる活性剤を揮発させ、そして、熱硬化性樹脂の熱硬化温度より高く且つはんだの融点より低い温度の条件下で熱処理できる装置(または複数の装置)であれば、実施可能である。   That is, the present invention melts the solder in the soldered thermosetting adhesive and then heat-treats it under a reduced pressure atmosphere at a temperature lower than the thermosetting temperature of the thermosetting resin to wet the molten solder. Any device (or a plurality of devices) that volatilizes the activator for improving the heat resistance and can be heat-treated under the conditions of a temperature higher than the thermosetting temperature of the thermosetting resin and lower than the melting point of the solder is possible. .

本発明は、電子部品と基板に限らず、はんだと、はんだの融点より熱硬化温度が低い熱硬化性樹脂と、溶融はんだの濡れ性を向上させる活性剤とを少なくとも含有するはんだ入り熱硬化性接着剤を使用するものであれば、適用可能である。   The present invention is not limited to electronic components and substrates, but includes solder, a thermosetting resin containing at least a solder, a thermosetting resin having a thermosetting temperature lower than the melting point of the solder, and an activator for improving the wettability of the molten solder. Any adhesive can be used.

10 基板
12 電極
14 はんだ入り熱硬化性接着剤
16 電子部品
18 電極(端子)
20 はんだ
22 熱硬化性樹脂
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Board | substrate 12 Electrode 14 Soldered thermosetting adhesive 16 Electronic component 18 Electrode (terminal)
20 Solder 22 Thermosetting resin

Claims (4)

はんだと、はんだの融点より熱硬化温度が低い熱硬化性樹脂と、溶融はんだの濡れ性を向上させる活性剤とを少なくとも含有するはんだ入り熱硬化性接着剤を介在して基板の電極上に電子部品の電極を配置する電子部品配置工程と、
大気圧雰囲気であって前記融点より高い温度の条件下ではんだを溶融して電子部品の電極と基板の電極とをはんだ接合する第1の熱処理工程と、
第1の熱処理工程によって仮接合された電子部品と基板を減圧雰囲気であって前記熱硬化温度より低い温度の条件下で加熱する第2の熱処理工程と、
第2の熱処理工程の後、第2の熱処理工程の圧力より高い圧力の雰囲気であって前記熱硬化温度より高く且つ前記融点より低い温度の条件下で熱硬化性樹脂を熱硬化させる第3の熱処理工程とを含む電子部品の接続方法。
Electrons on the electrodes of the substrate through a soldered thermosetting adhesive containing at least a solder, a thermosetting resin having a thermosetting temperature lower than the melting point of the solder, and an activator for improving the wettability of the molten solder An electronic component placement process for placing the electrode of the component;
A first heat treatment step of soldering the solder of the electrode of the electronic component and the electrode of the substrate under an atmospheric pressure atmosphere and a temperature higher than the melting point,
A second heat treatment step of heating the electronic component and the substrate temporarily bonded by the first heat treatment step under a reduced pressure atmosphere and a temperature lower than the thermosetting temperature;
After the second heat treatment step, a third heat curing resin is thermoset under an atmosphere at a pressure higher than the pressure of the second heat treatment step and higher than the thermosetting temperature and lower than the melting point. An electronic component connection method including a heat treatment step.
同一の密閉チャンバー内において、第2および第3の熱処理工程が連続して実行される請求項1に記載の電子部品の接続方法。   The method for connecting electronic components according to claim 1, wherein the second and third heat treatment steps are continuously performed in the same sealed chamber. 第2の熱処理工程が終了するまでは熱硬化性樹脂を硬化させない請求項1または2に記載の電子部品の接続方法。   The method for connecting electronic components according to claim 1 or 2, wherein the thermosetting resin is not cured until the second heat treatment step is completed. 第1の熱処理工程の温度条件および実行時間は、第1の熱処理工程での熱硬化性樹脂の熱硬化を抑制できるように設定されている請求項1または2に記載の電子部品の接続方法。   The method for connecting electronic components according to claim 1 or 2, wherein the temperature condition and execution time of the first heat treatment step are set so as to suppress thermosetting of the thermosetting resin in the first heat treatment step.
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