JP2012104779A - 光デバイスウエーハの分割方法 - Google Patents
光デバイスウエーハの分割方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012104779A JP2012104779A JP2010254532A JP2010254532A JP2012104779A JP 2012104779 A JP2012104779 A JP 2012104779A JP 2010254532 A JP2010254532 A JP 2010254532A JP 2010254532 A JP2010254532 A JP 2010254532A JP 2012104779 A JP2012104779 A JP 2012104779A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical device
- device wafer
- sapphire substrate
- dividing
- modified layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 148
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 44
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims abstract description 40
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 2
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 16
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 8
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 3
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 2
- 238000003331 infrared imaging Methods 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 2
- 229910009372 YVO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
【解決手段】 光デバイスウエーハを個々の光デバイスに分割する光デバイスウエーハの分割方法であって、光デバイスウエーハの表面に粘着テープを貼着する粘着テープ貼着工程と、分割予定ラインに対応するサファイア基板の内部に改質層を形成する改質層形成工程と、光デバイスウエーハに外力を付与して光デバイスウエーハを個々の光デバイスに分割する分割工程と、光デバイスウエーハの裏面に形態維持部材を貼着する形態維持工程と、光デバイスウエーハの表面に剛性を有するプレートを貼着する剛性プレート貼着工程と、サファイア基板の裏面から形態維持部材を剥離してサファイア基板の裏面を露出させる形態維持部材剥離工程と、サファイア基板の裏面を研削して改質層を除去する裏面研削工程と、を具備したことを特徴とする。
【選択図】図11
Description
波長 :1064nm
パルスエネルギー :40μJ
集光スポット径 :φ1μm
パルス幅 :25ns
繰り返し周波数 :100kHz
スキャン速度 :100mm/s
焦点位置 :サファイア基板の裏面付近
11 光デバイスウエーハ
13 サファイア基板
15 エピタキシャル層
17 分割予定ライン
19 光デバイス
28 チャックテーブル
34 レーザビーム照射ユニット
36 集光器
74 改質層
75 分割溝
77 形態維持プレート
80 分割治具
88 剛性プレート
98 研削ホイール
102 研削砥石
Claims (1)
- サファイア基板の表面に半導体層が積層され、該半導体層に複数の光デバイスが分割予定ラインによって区画されて形成された光デバイスウエーハを個々の光デバイスに分割する光デバイスウエーハの分割方法であって、
光デバイスウエーハの表面に粘着テープを貼着する粘着テープ貼着工程と、
光デバイスウエーハの裏面からサファイアに対して透過性を有する波長のレーザビームを分割予定ラインに対応するサファイア基板の内部に集光点を位置づけて照射し、分割予定ラインに対応するサファイア基板の内部に改質層を形成する改質層形成工程と、
光デバイスウエーハに外力を付与して分割予定ラインに対応するサファイア基板の内部に形成された改質層に沿って光デバイスウエーハを個々の光デバイスに分割する分割工程と、
個々の光デバイスに分割された光デバイスウエーハの形態を維持するために光デバイスウエーハの裏面に形態維持部材を貼着する形態維持工程と、
光デバイスウエーハの表面に剛性を有するプレートを紫外線の照射によって硬化するボンド剤又はワックスを介して貼着する剛性プレート貼着工程と、
サファイア基板の裏面から形態維持部材を剥離してサファイア基板の裏面を露出させる形態維持部材剥離工程と、
サファイア基板の裏面を研削して改質層を除去する裏面研削工程と、
を具備したことを特徴とする光デバイスウエーハの分割方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010254532A JP5627405B2 (ja) | 2010-11-15 | 2010-11-15 | 光デバイスウエーハの分割方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010254532A JP5627405B2 (ja) | 2010-11-15 | 2010-11-15 | 光デバイスウエーハの分割方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012104779A true JP2012104779A (ja) | 2012-05-31 |
JP5627405B2 JP5627405B2 (ja) | 2014-11-19 |
Family
ID=46394802
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010254532A Active JP5627405B2 (ja) | 2010-11-15 | 2010-11-15 | 光デバイスウエーハの分割方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5627405B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9543465B2 (en) | 2014-05-20 | 2017-01-10 | Nichia Corporation | Method for manufacturing light emitting device |
-
2010
- 2010-11-15 JP JP2010254532A patent/JP5627405B2/ja active Active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9543465B2 (en) | 2014-05-20 | 2017-01-10 | Nichia Corporation | Method for manufacturing light emitting device |
US9780275B2 (en) | 2014-05-20 | 2017-10-03 | Nichia Corporation | Method for manufacturing light emitting device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5627405B2 (ja) | 2014-11-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5733954B2 (ja) | 光デバイスウエーハの分割方法 | |
KR102086168B1 (ko) | 레이저 가공 장치 및 레이저 가공 방법 | |
JP2013152986A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
KR20130121718A (ko) | 레이저 가공 장치 및 레이저 가공 방법 | |
JP5686551B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2012049164A (ja) | 発光デバイスの製造方法 | |
JP5010832B2 (ja) | レーザー加工装置 | |
JP5495869B2 (ja) | レーザー加工溝の確認方法 | |
JP5846765B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP5939769B2 (ja) | 板状物の加工方法 | |
JP2013152988A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP6253356B2 (ja) | ウエーハのレーザー加工方法 | |
JP2013152987A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2012104778A (ja) | 光デバイスウエーハの分割方法 | |
JP2012253139A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP5946307B2 (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP5627405B2 (ja) | 光デバイスウエーハの分割方法 | |
JP5868193B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2012054273A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP5686550B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2013055273A (ja) | デバイスチップ及びデバイスチップの製造方法 | |
JP5839383B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP5888928B2 (ja) | ダイアタッチフィルムのアブレーション加工方法 | |
JP2013152990A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP5868194B2 (ja) | ウエーハの加工方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131011 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140924 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140930 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140930 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5627405 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |