JP2012099300A - Contact structure and switch device - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a contact structure and a switch device that can improve contact reliability.SOLUTION: The contact structure having a fixed contact and a moving contact capable of releasing contact with the fixed contact includes a substrate, and a lid joined over a peripheral portion to a surface of the substrate so as to form a closed space having a plurality of intercommunicating compartments and sealing in gas, and provided with diaphragms at ceiling portions of the compartments. The fixed contact is disposed on the surface of the substrate serving as a bottom portion of each of one or more of the plurality of compartments, and the moving contact is disposed inside the diaphragm serving as the ceiling portion of each of the one or more compartments.

Description

この発明は、固定接点と、当該固定接点に対し接離可能な可動接点とを有する接点構造及びスイッチ装置に関する。   The present invention relates to a contact structure and a switch device having a fixed contact and a movable contact that can be moved toward and away from the fixed contact.

近年、半導体加工技術を用いて機構構造、センサ、回路部品などを作成するMEMS(micro electro mechanical system)技術が注目されつつある。このMEMS技術は、継電器やスイッチの分野にも応用されており、それらの装置を総称して、スイッチ装置という場合がある。   2. Description of the Related Art In recent years, MEMS (micro electro mechanical system) technology for creating a mechanism structure, a sensor, a circuit component, and the like using semiconductor processing technology is drawing attention. This MEMS technology is also applied to the field of relays and switches, and these devices are sometimes collectively referred to as switch devices.

一般的に、接点(可動接点及び固定接点)を有するスイッチ装置においては、接点表面に異物物質が付着したり、酸化被膜などが形成したりすると、接点が動作したとき、電気的接続が確立されない場合があり、接点信頼性を低下させる要因となる。このような汚染への従来の対策として、カバー(あるいは保護層)を設けて、接点に汚染物質が付着しないように密閉することにより、接点信頼性を改善させたものがある。   Generally, in a switch device having a contact (movable contact and fixed contact), when a foreign substance adheres to the contact surface or an oxide film is formed, an electrical connection is not established when the contact is operated. In some cases, the contact reliability may be reduced. As a conventional countermeasure against such contamination, there is one in which contact reliability is improved by providing a cover (or a protective layer) and sealing the contact so that contaminants do not adhere to the contact.

しかし、スイッチ装置の全体にカバーを設けた場合、加工中の汚染や接点表面の酸化などによる接点信頼性の低下、部品点数の増加や工程の複雑化、外形寸法の大型化等の問題点があった。   However, when a cover is provided for the entire switch device, there are problems such as reduced contact reliability due to contamination during processing and contact surface oxidation, an increase in the number of parts, complicated processes, and increased external dimensions. there were.

これに対し、接点(可動接点及び固定接点)のみを密閉する技術の一例としては、ガラス基板とダイアフラムとで密閉された空間が形成され、ガラス基板の表面に電極(固定接点)が設けられ、ダイアフラムの凹部に接点金属(可動接点)が設けられ、外力によりダイアフラムがたわんだときに接点金属が電極に電気的に接続した状態となり、ダイアフラムが復元したときに接点金属が電極から離れ、電気的に接続しない非接続状態となる半導体圧力スイッチがある(例えば、特許文献1)。   On the other hand, as an example of a technique for sealing only the contacts (movable contact and fixed contact), a space sealed by the glass substrate and the diaphragm is formed, and an electrode (fixed contact) is provided on the surface of the glass substrate, A contact metal (movable contact) is provided in the recess of the diaphragm. When the diaphragm is bent by an external force, the contact metal is electrically connected to the electrode, and when the diaphragm is restored, the contact metal is separated from the electrode, There is a semiconductor pressure switch that is not connected to the semiconductor pressure switch (for example, Patent Document 1).

また、密閉技術の他の例としては、ベースの上面に固定接点が配置され、アクチュエータの下面に、固定接点に接離可能に対向する可動接点が配置され、ベース及びアクチュエータの下面間に電圧を印加して生じる静電引力で、可動接点を固定接点に接離させるマイクロリレーにおいて、ベースの上面周辺縁部に接合一体させたカバーにより、固定接点及び可動接点を密封したものがある。(例えば、特許文献2)。   As another example of the sealing technology, a fixed contact is disposed on the upper surface of the base, a movable contact that is detachably opposed to the fixed contact is disposed on the lower surface of the actuator, and a voltage is applied between the base and the lower surface of the actuator. In some micro relays, in which a movable contact is brought into and out of contact with a fixed contact by electrostatic attraction generated by application, the fixed contact and the movable contact are sealed by a cover integrally joined to a peripheral edge of the upper surface of the base. (For example, patent document 2).

さらに、密閉技術の他の例としては、基板に電極(固定接点)が設けられ、ダイアフラムに電荷蓄積電極(可動接点)が設けられ、電極と電荷蓄積電極との間に静電力が生じると、ダイアフラムを弾性変形させるスイッチがある(例えば、特許文献3)。   Furthermore, as another example of the sealing technique, an electrode (fixed contact) is provided on the substrate, a charge storage electrode (movable contact) is provided on the diaphragm, and an electrostatic force is generated between the electrode and the charge storage electrode. There is a switch that elastically deforms the diaphragm (for example, Patent Document 3).

このような密閉技術を用いても、ON時において固定接点と可動接点が固着し、OFF状態(非接続状態)に移行するときに大きな力で引き剥がさなければならない場合があり、接点信頼性を低下させる要因となっていた。   Even with such a sealing technology, the fixed contact and the movable contact may stick when they are ON, and may have to be peeled off with a large force when shifting to the OFF state (non-connected state). It was a factor to decrease.

また、従来の静電容量型リレーでは、OFF時における固定接点と可動接点との間隔が大きいと、それに比例して駆動用電極間距離も大きくなってしまう場合が多く駆動電圧が高くなってしまう。また、固定接点と可動接点との間隔が小さいと、リーク電流が発生するおそれが高まったり、絶縁性が低下してしまうといった問題が生じる。   Further, in the conventional electrostatic capacity type relay, when the distance between the fixed contact and the movable contact at the time of OFF is large, the distance between the driving electrodes is often increased in proportion thereto, and the driving voltage is increased. . In addition, when the distance between the fixed contact and the movable contact is small, there is a problem that the possibility of occurrence of a leakage current is increased or the insulation is deteriorated.

特開平6−187883号公報Japanese Patent Laid-Open No. 6-187883 特開平11−219652号公報JP 11-219652 A 特開2007−157511号公報JP 2007-157511 A

しかしながら、上記特許文献1に記載された技術では、ON時にダイアフラムを変形させると、密閉空間内の気体が圧縮されるため、大きな外力を加えてダイアフラムを変形させるか、密閉空間内を減圧して気体圧縮に必要な力を低減させなくてはならない。しかし、密閉空間内を真空状態、あるいはそれに近い状態にすると、ON状態からOFF状態に切り換えるときに低圧状態の密閉空間を拡大するために大きな力が必要となり、接点信頼性を低下させる要因となるという問題点があった。   However, in the technique described in Patent Document 1, when the diaphragm is deformed when ON, the gas in the sealed space is compressed. Therefore, the diaphragm is deformed by applying a large external force, or the sealed space is depressurized. The force required for gas compression must be reduced. However, if the inside of the sealed space is in a vacuum state or a state close thereto, a large force is required to expand the sealed space in the low pressure state when switching from the ON state to the OFF state, which causes a decrease in contact reliability. There was a problem.

また、振動や衝撃による誤作動をダイアフラムの厚みや凹部の深さの調整によって防止する構成を適用するときには、接点信頼性が確保できない場合のために、また、何らかの事由により当該調整ができない場合のために、別の誤作動防止の手段を備えることが望ましい。   In addition, when applying a configuration that prevents malfunction due to vibration or shock by adjusting the thickness of the diaphragm or the depth of the recess, the contact reliability cannot be ensured, or if the adjustment cannot be made for some reason. Therefore, it is desirable to provide another means for preventing malfunction.

この発明は、上記の問題を解決するものであり、接点信頼性を向上させることが可能な接点構造及びスイッチ装置を提供することを目的とする。   The present invention solves the above-described problems, and an object thereof is to provide a contact structure and a switch device capable of improving contact reliability.

上記課題を解決するため、この発明の第1の形態は、固定接点と、当該固定接点に対し接離可能な可動接点とを有する接点構造において、基板と、互いに連通された複数の分室を有し気体が封入された密閉空間を形成するように前記基板の表面にその周辺部が接合され、前記各分室の天井部にダイアフラムが設けられた蓋体と、を有し、前記複数の分室のうちの1以上の分室のそれぞれの底部となる前記基板の表面に前記固定接点を設け、前記1以上の分室のそれぞれの天井部となる前記ダイアフラムの内側に前記可動接点を設けた、ことを特徴とする接点構造である。
また、この発明の第2の形態は、固定接点と、当該固定接点に対し接離可能な可動接点とを有する接点構造において、基板と、互いに連通された一対の分室を有し気体が封入された密閉空間を形成するように前記基板の表面にその周辺部が接合され、前記各分室の天井部にダイアフラムが設けられた蓋体と、を有し、前記一対の分室のそれぞれの底部となる前記基板の表面に前記固定接点を設け、前記一対の分室のそれぞれの天井部となる前記ダイアフラムの内側に前記可動接点を設けた、ことを特徴とする接点構造である。
また、この発明の第3の形態は、第1または第2の形態に係る接点構造と、前記可動接点を動作させるためのアクチュエータと、を設けたことを特徴とするスイッチ装置である。
さらに、この発明の第4の形態は、第3の形態に係るスイッチ装置であって、前記アクチュエータは、前記密閉空間の外部に配されていることを特徴とする。
さらに、この発明の第5の形態は、第4の形態に係るスイッチ装置であって、前記アクチュエータは、前記2つのダイアフラムを交互に押圧する揺動機構を有することを特徴とする。
In order to solve the above-mentioned problem, a first aspect of the present invention is a contact structure having a fixed contact and a movable contact that can be moved toward and away from the fixed contact, and has a substrate and a plurality of compartments communicated with each other. And a lid having a peripheral portion bonded to the surface of the substrate so as to form a sealed space filled with gas and having a diaphragm provided on a ceiling portion of each of the compartments, and the plurality of compartments The fixed contact is provided on the surface of the substrate serving as the bottom of each of the one or more compartments, and the movable contact is provided inside the diaphragm serving as the ceiling of each of the one or more compartments. Is a contact structure.
According to a second aspect of the present invention, there is provided a contact structure having a fixed contact and a movable contact that can be moved toward and away from the fixed contact, the substrate and a pair of compartments communicated with each other, and gas is enclosed. And a lid body having a peripheral portion bonded to the surface of the substrate so as to form a sealed space and having a diaphragm provided on a ceiling portion of each of the compartments, and serving as a bottom portion of each of the pair of compartments. The contact structure is characterized in that the fixed contact is provided on the surface of the substrate, and the movable contact is provided inside the diaphragm which becomes the ceiling of each of the pair of compartments.
According to a third aspect of the present invention, there is provided a switch device including the contact structure according to the first or second aspect and an actuator for operating the movable contact.
Furthermore, a fourth aspect of the present invention is the switch device according to the third aspect, characterized in that the actuator is arranged outside the sealed space.
Furthermore, a fifth aspect of the present invention is the switch device according to the fourth aspect, wherein the actuator has a swing mechanism that alternately presses the two diaphragms.

この発明の第1の形態によると、固定接点と可動接点との間を適正な距離に保つように、複数の分室に気体を充填させたので、振動や衝撃による誤作動を生じることが軽減されている。複数のうちの1つの分室の天井部であるダイアフラムを押して、可動接点を固定接点に接触させるとき、気体が当該分室から出て他の分室に入るので、ダイアフラムを押す力が低減される。また、可動接点を固定接点から離す際には、他の分室から気体が分室に流入することにより、ダイアフラムを押し上げようとする力が加わるため、より確実に可動接点を固定接点から離すことが可能となる。   According to the first aspect of the present invention, since the plurality of compartments are filled with gas so as to maintain an appropriate distance between the fixed contact and the movable contact, the occurrence of malfunction due to vibration or impact is reduced. ing. When the diaphragm which is the ceiling part of one of the plurality of compartments is pressed to bring the movable contact into contact with the fixed contact, the gas exits the compartment and enters the other compartment, so that the force pushing the diaphragm is reduced. Also, when moving the movable contact away from the fixed contact, the gas flows from the other compartment into the compartment, and a force is applied to push up the diaphragm, so the movable contact can be separated from the fixed contact more reliably. It becomes.

また、この発明の第2の形態によると、両方の接点をONにするには、両方の分室内の気体を同時に圧縮するための大きな押圧力が必要とされ、誤作動の可能性を低減することが可能となる。   Further, according to the second embodiment of the present invention, in order to turn on both the contacts, a large pressing force for simultaneously compressing the gas in both the branch chambers is required, thereby reducing the possibility of malfunction. It becomes possible.

さらに、この発明の第3の形態によると、アクチュエータが可動接点を動作させることで、可動接点が設けられた分室から気体が出て他の分室に入り、他の分室のダイアフラムを押し上げて、他の分室内の可動接点を固定接点から確実に離すことができる。   Further, according to the third embodiment of the present invention, the actuator operates the movable contact so that the gas exits from the compartment provided with the movable contact, enters the other compartment, pushes up the diaphragm of the other compartment, and so on. Therefore, the movable contact in the chamber can be reliably separated from the fixed contact.

さらに、この発明の第4の形態によると、アクチュエータを密閉空間の外部に配することで、密閉空間の密閉性を高めることが可能となるとともに、アクチュエータから放出される揮発性ガスのような物質による汚染を防止することができる。さらに、密閉化までのプロセスを短縮することができるので、加工プロセスによる汚染や加熱プロセスによる酸化被膜形成の可能性を低減することができる。また、密閉空間を小型にすることが可能となる。   Furthermore, according to the fourth aspect of the present invention, by disposing the actuator outside the sealed space, it becomes possible to improve the sealing performance of the sealed space, and a substance such as a volatile gas released from the actuator. Contamination due to can be prevented. Furthermore, since the process up to sealing can be shortened, the possibility of contamination by the processing process and the formation of an oxide film by the heating process can be reduced. In addition, the sealed space can be reduced in size.

さらに、この発明の第5の形態によると、いずれか一方のダイアフラムを押圧して接点をON状態とすれば、他方のダイアフラムが押し上げられるので、他方の側の接点をより確実にOFF状態に維持することができる。それにより、振動や衝撃による誤作動を確実に軽減することが可能となる。   Furthermore, according to the fifth aspect of the present invention, if one of the diaphragms is pressed to turn on the contact, the other diaphragm is pushed up, so the contact on the other side is more reliably maintained in the OFF state. can do. Thereby, it is possible to reliably reduce malfunctions due to vibration and impact.

この発明の第1実施形態に係る接点構造の分解斜視図である。It is a disassembled perspective view of the contact structure which concerns on 1st Embodiment of this invention. 接点構造及びアクチュエータを組み合わせたスイッチ装置の断面図である。It is sectional drawing of the switch apparatus which combined the contact structure and the actuator. 接点構造の概念図である。It is a conceptual diagram of a contact structure. 可動接点を固定接点に接触させたときの概念図である。It is a conceptual diagram when a movable contact is made to contact a fixed contact. ダイアフラムの内面側を斜めから見たときの部分斜視図である。It is a fragmentary perspective view when the inner surface side of a diaphragm is seen from diagonally. 接点構造の部分断面図である。It is a fragmentary sectional view of a contact structure. 接点構造の作成工程を示すフロチャートである。It is a flowchart which shows the creation process of a contact structure. 接点構造の各作成工程を概念的に示す図である。It is a figure which shows notionally each creation process of a contact structure. 第2実施形態に係るスイッチ装置の断面図である。It is sectional drawing of the switch apparatus which concerns on 2nd Embodiment. 第3実施形態に係るスイッチ装置の分解斜視図である。It is a disassembled perspective view of the switch apparatus which concerns on 3rd Embodiment. ダイアフラムを破断して分室内部を概念的に示したスイッチ装置の断面図である。It is sectional drawing of the switch apparatus which fractured | ruptured the diaphragm and showed the interior of a compartment conceptually. 駆動電極間に電圧を印加したときのスイッチ装置の断面図である。It is sectional drawing of a switch apparatus when a voltage is applied between drive electrodes. 第4実施形態に係るスイッチ装置の分解斜視図である。It is a disassembled perspective view of the switch apparatus which concerns on 4th Embodiment. 接点構造の分解斜視図である。It is a disassembled perspective view of a contact structure. 可動接点を動作させたときのスイッチ装置の断面図である。It is sectional drawing of a switch apparatus when a movable contact is operated. 可動接点を固定接点から離したときのスイッチ装置の断面図である。It is sectional drawing of a switch apparatus when a movable contact is separated from a fixed contact. 第5実施形態に係る分室の配置図である。It is a layout view of the branch chamber according to the fifth embodiment. 分室の押圧動作のバリエーションを示す図であり、ハッチングの有無により、押圧しているか否かを表す図である。It is a figure which shows the variation of the pressing operation of a compartment, and is a figure showing whether it is pressing by the presence or absence of hatching.

次に、この発明の各種実施形態について各図を参照して説明する。   Next, various embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

[第1の実施形態]
この発明の第1の実施形態に係る接点構造及びこれを用いたスイッチ装置の構成について図1及び図2を参照して説明する。図1は接点構造の分解斜視図、図2は接点構造及びアクチュエータを組み合わせたものの断面図である。
[First Embodiment]
A contact structure according to a first embodiment of the present invention and a configuration of a switch device using the contact structure will be described with reference to FIGS. 1 and 2. FIG. 1 is an exploded perspective view of a contact structure, and FIG. 2 is a cross-sectional view of a combination of the contact structure and an actuator.

この実施形態に係るスイッチ装置は、接点構造と、アクチュエータ60とを組み合わせたものである。   The switch device according to this embodiment is a combination of a contact structure and an actuator 60.

〈接点構造〉
先ず、接点構造の構成について簡単に説明する。接点構造は、基板10、可動部20、固定接点30、及び、可動接点40を有している。基板10の材質、及び、その製造工程については後述する。可動部20はダイアフラム(薄膜)で形成されている。以下、可動部20をダイアフラムという場合がある。ダイアフラム20は金属、Si、SiN、SiC、SiO2、高濃度不純物添加Si等の後述プロセス説明S108のエッチングにおいてSiとエッチングレート差が得られる素材を用いて形成される。ダイアフラム20の内面(図2において下面)には可動接点40が設けられるため、ダイアフラム20は絶縁体で形成されることが望ましい。なお、ダイアフラム20の内面に絶縁体を設け、この絶縁体に可動接点を設けるようにすれば、ダイアフラム20を導体で形成してもよい。但し、揮発物質など汚染物質を発する物であってはならない。
<Contact structure>
First, the configuration of the contact structure will be briefly described. The contact structure has a substrate 10, a movable part 20, a fixed contact 30, and a movable contact 40. The material of the substrate 10 and the manufacturing process thereof will be described later. The movable part 20 is formed of a diaphragm (thin film). Hereinafter, the movable part 20 may be referred to as a diaphragm. Diaphragm 20 is formed using a material capable of obtaining an etching rate difference from Si in the etching of process description S108 described later, such as metal, Si, SiN, SiC, SiO2, and high-concentration doped Si. Since the movable contact 40 is provided on the inner surface (lower surface in FIG. 2) of the diaphragm 20, it is desirable that the diaphragm 20 be formed of an insulator. If an insulator is provided on the inner surface of the diaphragm 20 and a movable contact is provided on the insulator, the diaphragm 20 may be formed of a conductor. However, it must not be a substance that emits pollutants such as volatile substances.

(接点機構)
以下の説明において、固定接点30、とその固定接点30に対し接離可能な可動接点40とを含むものを接点機構という場合がある。この接点構造においては、接点機構が一対設けられている。両方の接点機構は同じであるため、一方の接点機構を代表して説明する。
(Contact mechanism)
In the following description, what includes the fixed contact 30 and the movable contact 40 that can be moved toward and away from the fixed contact 30 may be referred to as a contact mechanism. In this contact structure, a pair of contact mechanisms are provided. Since both contact mechanisms are the same, one contact mechanism will be described as a representative.

固定接点30は基板10の表面11に設けられている。可動接点40はダイアフラム20の内面21に設けられている。固定接点30及び可動接点40を図1から図6に示す。図5はダイアフラムの内面側を斜めから見たときの部分斜視図、図6は接点構造の部分断面図である。   The fixed contact 30 is provided on the surface 11 of the substrate 10. The movable contact 40 is provided on the inner surface 21 of the diaphragm 20. The fixed contact 30 and the movable contact 40 are shown in FIGS. FIG. 5 is a partial perspective view when the inner surface side of the diaphragm is viewed obliquely, and FIG. 6 is a partial cross-sectional view of the contact structure.

(蓋体)
基板10との間に密閉空間50を形成する蓋体20aが設けられている。蓋体20aとダイアフラム20とは、弾性を有する薄膜で一体的に形成されている。なお、ダイアフラム20を蓋体20aと別体で形成してもよい。以下の説明では、蓋体20aをダイアフラム20という場合がある。密閉空間50の詳細については後述する。
(Lid)
A lid 20 a that forms a sealed space 50 between the substrate 10 and the substrate 10 is provided. The lid 20a and the diaphragm 20 are integrally formed of an elastic thin film. The diaphragm 20 may be formed separately from the lid 20a. In the following description, the lid 20a may be referred to as the diaphragm 20. Details of the sealed space 50 will be described later.

(ダイアフラム)
後述するアクチュエータ60から受けた圧力によってダイアフラム20が変形することにより可動接点40は固定接点30と接触する。ダイアフラム20は、外方(図2において上方)にドーム状に突出するように形成されている。ダイアフラム20の外面22には、アクチュエータ60に押される一対の被押圧部23が設けられている。各被押圧部23は図2で上方に凸状に形成されている。ダイアフラム20にはコルゲート部24が一体的に形成されている。コルゲート部24は、ドーム状の頂部領域を中心とする同心円状の複数の波形に形成されている。被押圧部23及びコルゲート部24を図1に示す。
(Diaphragm)
When the diaphragm 20 is deformed by pressure received from an actuator 60 described later, the movable contact 40 comes into contact with the fixed contact 30. The diaphragm 20 is formed so as to protrude outward (upward in FIG. 2) in a dome shape. On the outer surface 22 of the diaphragm 20, a pair of pressed parts 23 to be pressed by the actuator 60 are provided. Each pressed portion 23 is formed in a convex shape upward in FIG. A corrugated portion 24 is integrally formed on the diaphragm 20. The corrugated portion 24 is formed in a plurality of concentric waveforms centering on the dome-shaped top region. The pressed part 23 and the corrugated part 24 are shown in FIG.

ダイアフラム20が導体で形成される場合や高い絶縁性を必要とする場合、ダイアフラム20に絶縁層26を設け、この絶縁層26に可動接点40の金属が設けられる。   When the diaphragm 20 is formed of a conductor or when high insulation is required, an insulating layer 26 is provided on the diaphragm 20, and the metal of the movable contact 40 is provided on the insulating layer 26.

(基板)
基板10はSi、ガラス、セラミックの何れかの素材を用いて形成される。但し、Siを用い、さらに高い電気絶縁性が必要な場合には高抵抗Siを用いるか、表面に絶縁層となるSiO2やSiNを設ける必要がある。基板10には貫通電極31を含む貫通配線33(図2参照)が設けられ、固定接点30が貫通配線33により基板10の裏面12側に配線される。それにより、基板10の表面11に配線を設ける必要がなく、表面11に配線による段差が生じないので、基板10の表面11にダイアフラム20の周辺部27を隙間なく接合させることができる。
(substrate)
The substrate 10 is formed using any material of Si, glass, and ceramic. However, when Si is used and higher electrical insulation is required, it is necessary to use high resistance Si or to provide SiO2 or SiN as an insulating layer on the surface. A through wire 33 (see FIG. 2) including the through electrode 31 is provided on the substrate 10, and the fixed contact 30 is wired to the back surface 12 side of the substrate 10 by the through wire 33. Thereby, there is no need to provide wiring on the surface 11 of the substrate 10 and no step due to the wiring occurs on the surface 11, so that the peripheral portion 27 of the diaphragm 20 can be joined to the surface 11 of the substrate 10 without gaps.

(密閉空間)
平板形状に形成された基板10の表面11に蓋体20aの周辺部27を直接接合することにより、基板10と蓋体20aとの間に密閉空間50が形成される。密閉空間50は、図1において右側に位置する分室50Rと左側に位置する分室50Lとに区分けされている。各分室50R、50Lの天井部にはドーム状に形成されたダイアフラム20が設けられている。直接接合の方法の一例としては陽極接合が用いられる。陽極接合の詳細については後述する。なお、基板10に凹部を形成することにより、密閉空間50を設けてもよい。以下、一対の分室50R、50Lをまとめて説明するときは、密閉空間50と称することにする。
(Sealed space)
By directly joining the peripheral portion 27 of the lid 20a to the surface 11 of the substrate 10 formed in a flat plate shape, a sealed space 50 is formed between the substrate 10 and the lid 20a. The sealed space 50 is divided into a compartment 50R located on the right side and a compartment 50L located on the left side in FIG. A diaphragm 20 formed in a dome shape is provided on the ceiling of each of the compartments 50R and 50L. As an example of the direct bonding method, anodic bonding is used. Details of the anodic bonding will be described later. The sealed space 50 may be provided by forming a recess in the substrate 10. Hereinafter, the pair of compartments 50R and 50L will be referred to as a sealed space 50 when collectively described.

密閉空間50には、例えば大気圧程度の内圧になるように不活性ガスが充填されている。貫通電極31による配線、及び、直接接合による密閉化により密閉空間50の信頼性(密閉性)が向上し、表面11の汚染を防止できる。それにより接点信頼性も向上する。さらに、不活性ガスを用いることにより、接点表面に酸化被膜が形成されることを防止することができる。   The sealed space 50 is filled with an inert gas so as to have an internal pressure of about atmospheric pressure, for example. The reliability (sealing property) of the sealed space 50 is improved by the wiring by the through electrode 31 and the sealing by direct bonding, and contamination of the surface 11 can be prevented. Thereby, contact reliability is also improved. Further, by using an inert gas, it is possible to prevent an oxide film from being formed on the contact surface.

以上のようにして、固定接点30及び可動接点40を含む接点機構が一対の分室50R、50Lの内部にそれぞれ設けられる。一対の分室50R、50Lの間には通気部51が設けられている。通気部51により、両方の分室50R、50Lに閉じ込められた気体が相互に行き来可能となる。以上の一対の分室50R、50L及び通気部51によって、接点を外部から隔離する密閉空間が構成される。   As described above, the contact mechanisms including the fixed contact 30 and the movable contact 40 are provided inside the pair of compartments 50R and 50L, respectively. A ventilation portion 51 is provided between the pair of compartments 50R and 50L. The gas confined in both the compartments 50R and 50L can go back and forth by the ventilation portion 51. The pair of compartments 50R and 50L and the ventilation portion 51 described above constitute a sealed space that isolates the contacts from the outside.

以上の接点構造では、一対の分室50R、50Lを設けたものを示したが、これに限らず、3以上の分室を設けてもよい。この場合、3以上の分室のうちの1つ以上の分室に接点機構をそれぞれ設ける。密閉空間50は、3以上の分室、及び、それらの間を連通する通気部51によって構成し、接点を外部から隔離する。   In the above contact structure, the one provided with the pair of compartments 50R and 50L is shown, but not limited to this, three or more compartments may be provided. In this case, a contact mechanism is provided in each of one or more of the three or more compartments. The sealed space 50 is constituted by three or more compartments and a ventilation portion 51 communicating between them, and isolates the contacts from the outside.

〈アクチュエータ〉
次に、スイッチ装置のアクチュエータ60について図2〜図4を参照して説明する。図3は、接点構造の概念図、図4は可動接点を固定接点に接触させたときの概念図である。なお、図3及び図4では、絶縁層26を省略して示している。
<Actuator>
Next, the actuator 60 of the switch device will be described with reference to FIGS. FIG. 3 is a conceptual diagram of the contact structure, and FIG. 4 is a conceptual diagram when the movable contact is brought into contact with the fixed contact. 3 and 4, the insulating layer 26 is omitted.

アクチュエータ60は、2つのダイアフラム20を交互に押圧して、可動接点40を動作させる揺動機構を有する。アクチュエータ60は、密閉空間50の外部(図2において上方)に設けられている。アクチュエータ60は、磁性体板61、一対のコイル62、永久磁石63、磁性体64、スペーサ65、及び、支点部66を有している。   The actuator 60 has a swing mechanism that operates the movable contact 40 by alternately pressing the two diaphragms 20. The actuator 60 is provided outside the sealed space 50 (upward in FIG. 2). The actuator 60 includes a magnetic body plate 61, a pair of coils 62, a permanent magnet 63, a magnetic body 64, a spacer 65, and a fulcrum portion 66.

磁性体板61は、両方の分室50R、50Lの上方にあって、これら両方に掛かるように配されている。磁性体64は磁性体板61の上方に配置され、磁性体板61と磁性体64により磁気閉回路を形成している。一対のコイル62は、磁性体64に巻かれている。永久磁石63は、一対のコイル62の間のスペースに設けられている。支点部66は、永久磁石63の下端部に設けられ、磁性体板61の中心を支持している。永久磁石63の下端部が例えばN極となっている。   The magnetic plate 61 is disposed above both of the compartments 50R and 50L and is placed on both of them. The magnetic body 64 is disposed above the magnetic body plate 61, and the magnetic body plate 61 and the magnetic body 64 form a magnetic closed circuit. The pair of coils 62 is wound around the magnetic body 64. The permanent magnet 63 is provided in a space between the pair of coils 62. The fulcrum portion 66 is provided at the lower end portion of the permanent magnet 63 and supports the center of the magnetic plate 61. The lower end portion of the permanent magnet 63 is an N pole, for example.

コイル62が通電しないとき、永久磁石63の磁力により、磁性体64の両端はS極となり、磁性体61の両端はN極となる。一般に磁力の強さは磁極間の距離の2乗に反比例する。したがって、磁性体64の端部と磁性体板61の端部との間隔の狭い方に作用する磁力が、間隔の広い方に作用する磁力より大きくなるから、間隔の狭い方では、磁性体板61の端部がダイアフラム20の被押圧部23から離れてOFF状態となり、間隔の広い方では、磁性体板61の端部がダイアフラム20の被押圧部23を押圧してON状態となり、それぞれの状態を保持し続ける。なお、磁性体板61の端部が凸状の被押圧部23を押圧するON状態では、磁性体板61の端部がダイアフラム20に触れないようになっている。   When the coil 62 is not energized, both ends of the magnetic body 64 become S poles and both ends of the magnetic body 61 become N poles due to the magnetic force of the permanent magnet 63. In general, the strength of magnetic force is inversely proportional to the square of the distance between magnetic poles. Accordingly, the magnetic force acting on the narrower distance between the end of the magnetic body 64 and the end of the magnetic body plate 61 is larger than the magnetic force acting on the wider distance, so The end portion of 61 is separated from the pressed portion 23 of the diaphragm 20 and is in the OFF state, and in the wider interval, the end portion of the magnetic plate 61 is pressed to the pressed portion 23 of the diaphragm 20 and is turned on. Continue to maintain state. In the ON state where the end of the magnetic plate 61 presses the convex pressed portion 23, the end of the magnetic plate 61 does not touch the diaphragm 20.

次に、この接点構造の動作について図2及び図4を参照して説明する。   Next, the operation of this contact structure will be described with reference to FIGS.

磁性体64の右側の端部がS極、磁性体64の左側の端部がN極となるように、コイル62に通電すると、磁性体64の右側の端部が磁性体板61の右側の端部を引き寄せ、磁性体64の左側の端部が磁性体板61の左側の端部を押し出す。それにより、磁性体板61が支点部66を中心に図2において反時計回り方向にシーソー動作をし、磁性体板61の左側の端部が、分室50L側のダイアフラム20の被押圧部23を押圧する(図4参照)。   When the coil 62 is energized so that the right end of the magnetic body 64 is the south pole and the left end of the magnetic body 64 is the north pole, the right end of the magnetic body 64 is on the right side of the magnetic body plate 61. The ends are pulled together, and the left end of the magnetic body 64 pushes out the left end of the magnetic plate 61. Accordingly, the magnetic plate 61 performs a seesaw operation in the counterclockwise direction in FIG. 2 around the fulcrum 66, and the left end of the magnetic plate 61 moves the pressed portion 23 of the diaphragm 20 on the side of the compartment 50L. Press (see FIG. 4).

磁性体板61の左側の端部が、分室50L側のダイアフラム20の被押圧部23を押圧すると、分室50Lが圧縮されて、分室50L内の可動接点40が固定接点30に接触してON状態となる。このとき、不活性ガスが、分室50Lから通気部51を通って分室50Rに流入する。   When the left end of the magnetic plate 61 presses the pressed portion 23 of the diaphragm 20 on the compartment 50L side, the compartment 50L is compressed, and the movable contact 40 in the compartment 50L contacts the fixed contact 30 and is in the ON state. It becomes. At this time, the inert gas flows from the compartment 50L through the vent 51 to the compartment 50R.

それにより、分室50R内の可動接点40を押し上げる方向に力が働くため、OFF時の振動や衝撃による誤作動が低減される。   As a result, a force acts in the direction of pushing up the movable contact 40 in the compartment 50R, so that malfunction due to vibration or impact at the time of OFF is reduced.

以上に、磁性体板61を反時計回り方向にシーソー動作をさせることにより、左側の接点をON状態とし、右側の接点をOFF状態とする接点構造の動作を説明した。次に、磁性体板61を時計回り方向にシーソー動作をさせることにより、右側の接点をON状態とし、左側の接点をOFF状態とする接点構造の動作を説明する。   The operation of the contact structure in which the left contact is turned on and the right contact is turned off by causing the magnetic plate 61 to perform a seesaw operation in the counterclockwise direction has been described. Next, the operation of the contact structure in which the right contact is turned on and the left contact is turned off by performing a seesaw operation on the magnetic plate 61 in the clockwise direction will be described.

磁性体64の左側の端部がS極、磁性体64の右側の端部がN極となるように、コイル62に通電すると、磁性体64の左側の端部が磁性体板61の左側の端部を引き寄せ、磁性体64の右側の端部が磁性体板61の右側の端部を押し出す。それにより、磁性体板61が支点部66を中心に図2において時計回り方向にシーソー動作をし、磁性体板61の右側の端部が、分室50R側のダイアフラム20の被押圧部23を押圧する。   When the coil 62 is energized so that the left end of the magnetic body 64 is an S pole and the right end of the magnetic body 64 is an N pole, the left end of the magnetic body 64 is on the left side of the magnetic plate 61. The ends are pulled close, and the right end of the magnetic body 64 pushes out the right end of the magnetic plate 61. Accordingly, the magnetic plate 61 performs a seesaw operation in the clockwise direction in FIG. 2 around the fulcrum portion 66, and the right end of the magnetic plate 61 presses the pressed portion 23 of the diaphragm 20 on the side of the compartment 50R. To do.

それにより、分室50Rが圧縮されて、分室50R内の可動接点40が固定接点30に接触してON状態となる。このとき、不活性ガスが、分室50Rから通気部51を通って分室50Lに流入する。それにより、分室50L内の可動接点40を押し上げる方向に力が働くため、OFF時の振動や衝撃による誤作動が低減される。   Thereby, the compartment 50R is compressed, and the movable contact 40 in the compartment 50R comes into contact with the fixed contact 30 and is turned on. At this time, the inert gas flows from the compartment 50R through the vent 51 to the compartment 50L. As a result, a force acts in the direction in which the movable contact 40 in the compartment 50L is pushed up, so that malfunction due to vibration or impact at the time of OFF is reduced.

以上のように、いずれか一方の接点をON状態とすれば、他方の接点をOFF状態とし、OFF時の振動や衝撃による誤作動を確実に軽減することが可能となる。ダイアフラム20は薄膜で形成されており、耐久性などの機械特性、弾性係数などのバネ特性、及び、固定接点30と可動接点40との間の距離をコントロールし易くなる。   As described above, if any one of the contacts is turned on, the other contact is turned off, and it is possible to reliably reduce malfunction due to vibration or shock at the time of turning off. The diaphragm 20 is formed of a thin film and can easily control mechanical characteristics such as durability, spring characteristics such as an elastic coefficient, and a distance between the fixed contact 30 and the movable contact 40.

次に、本実施形態に係る接点構造を作成する工程について図7及び図8を参照して説明する。図7は接点構造の製造工程を示すフロチャート、図8は、接点構造の各作成工程を概念的に示す図である。   Next, the process of creating the contact structure according to this embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 7 is a flowchart showing the manufacturing process of the contact structure, and FIG. 8 conceptually shows each creation process of the contact structure.

製造工程は、蓋体作成(S101〜S103)、基板作成(S104〜S106)、接合(S107)、及び、支持体除去(S108)を含む。各ステップの詳細を順番に説明する。   The manufacturing process includes lid body creation (S101 to S103), substrate creation (S104 to S106), bonding (S107), and support body removal (S108). Details of each step will be described in order.

〈蓋体作成:S101〜S103〉
〔S101〕(蓋体形状作成)
SiウェハーにSiエッチングにより蓋体の外形となる形状を作成する。Siウェハー以外での作成でも可能であるが、ステップS108の支持体除去の加工し易さを考慮するとSiが望ましい。
<Cover creation: S101 to S103>
[S101] (Cover body shape creation)
A shape that is the outer shape of the lid is created by Si etching on the Si wafer. Although it is possible to make the wafer other than the Si wafer, Si is preferable in consideration of the ease of processing for removing the support in Step S108.

〔S102〕(蓋体薄膜成膜)
ステップS101で作成した形状の表面に蓋体となる薄膜を形成する。薄膜の種類にもよるがCVD(Chemical Vapor Deposition)、スパッタ、熱拡散などの比較的に均一に成膜できる方法が望ましい。
〔S103〕(可動接点作成)
ステップS102で作成した蓋体薄膜が導体の場合や高い絶縁性を必要とする場合、先ず、絶縁層をCVDやスパッタ、蒸着などにより作成し、その後、メッキやスパッタや蒸着により可動接点40を作成する。蓋体数膜が絶縁体であり絶縁層を設ける必要のない場合、蓋体上に直接可動接点40を設けることができる。
[S102] (Cover thin film deposition)
A thin film serving as a lid is formed on the surface of the shape created in step S101. Although depending on the type of thin film, a method capable of relatively uniform film formation such as CVD (Chemical Vapor Deposition), sputtering, thermal diffusion, etc. is desirable.
[S103] (Moveable contact creation)
When the lid thin film created in step S102 is a conductor or requires high insulation, first, an insulating layer is created by CVD, sputtering, vapor deposition, etc., and then the movable contact 40 is created by plating, sputtering, vapor deposition, etc. To do. When the lid number film is an insulator and it is not necessary to provide an insulating layer, the movable contact 40 can be provided directly on the lid.

〈基板の作成:S104〜S106〉
〔S104〕(貫通孔作成)
基板に貫通配線を設けるための貫通孔を作成する。前述したが、基板がSiで作成される場合で高い絶縁性が必要な場合、貫通孔作成後熱酸化を行い表面にSiO2層を作成する。貫通孔は切削等の機械加工により作成されるが、基板がSiの場合にはエッチングにより作成することも可能である。
〔S105〕(貫通配線作成)
ステップS104で作成した貫通孔を貫通配線とするため、導電性金属をメッキにより埋める。また、金属ペーストを充填し熱処理によって硬化させることにより作成することも可能である。
<Creation of substrate: S104 to S106>
[S104] (through hole creation)
A through hole for providing a through wiring on the substrate is created. As described above, when the substrate is made of Si and high insulation is required, thermal oxidation is performed after forming the through hole to form a SiO2 layer on the surface. The through-hole is created by machining such as cutting, but when the substrate is Si, it can also be created by etching.
[S105] (Create through wiring)
In order to use the through hole created in step S104 as a through wiring, a conductive metal is filled by plating. It can also be prepared by filling a metal paste and curing it by heat treatment.

〔S106〕(固定接点作成)
貫通配線を作成した基板表面に固定接点を作成する。固定接点の作成方法には、スパッタ、蒸着、及び、厚膜印刷等が用いられる。
〔S107〕(接合)
ステップS101〜S103で作成した蓋体と、ステップS104〜S106で作成した基板とを接合する。接合の際に密閉空間50が不活性ガスで充填されるように不活性ガス中で接合を行う。さらに不活性ガスの圧力を調整できる槽内にて接合することが望ましい。接合方法としては、例えば、陽極接合やガラス不リット接合、Au膜を用いた共晶接合等が用いられる。
[S106] (Fixed contact creation)
A fixed contact is created on the surface of the substrate on which the through wiring is created. Sputtering, vapor deposition, thick film printing, and the like are used as a method for creating the fixed contact.
[S107] (joining)
The lid created in steps S101 to S103 and the substrate created in steps S104 to S106 are joined. Bonding is performed in an inert gas so that the sealed space 50 is filled with the inert gas during the bonding. Furthermore, it is desirable to join in a tank in which the pressure of the inert gas can be adjusted. As a bonding method, for example, anodic bonding, glass non-lit bonding, eutectic bonding using an Au film, or the like is used.

〔S108〕(支持体除去)
蓋体と基板との接合後に蓋体支持体であるSiの除去を行う。蓋体は形状が複雑なため、ウェットエッチングによるエッチングが望ましい。但し、蓋体の材質を考慮したエッチング方法の選定が必要となる。以上で、接点構造を作成する工程についての説明を終了する。
[S108] (support removal)
After the lid and the substrate are joined, Si that is the lid support is removed. Since the lid has a complicated shape, it is desirable to perform etching by wet etching. However, it is necessary to select an etching method considering the material of the lid. Above, description about the process of producing a contact structure is complete | finished.

[第2の実施形態]
次に、第2の実施形態に係る接点構造について図9を参照して説明する。この接点構造は、第1実施形態に係る接点構造と基本的に同じである。
[Second Embodiment]
Next, a contact structure according to the second embodiment will be described with reference to FIG. This contact structure is basically the same as the contact structure according to the first embodiment.

以下、第1実施形態と異なる構成部分について説明し、同じ構成部分についてはその説明を省略する。   Hereinafter, components different from those of the first embodiment will be described, and description of the same components will be omitted.

第1の実施形態では、一対の分室50R、50Lの各内部に、固定接点30及び可動接点40を設けたが、第2の実施形態では、一対の分室50R、50Lの一方の内部のみに、接点(固定接点30及び可動接点40)を設ける。他方の分室の内部をガス溜まりと呼ぶことにする。分室50Rの方をガス溜まりとした例を図9に示す。なお、接点が設けられた分室を接点側の分室、ガス溜まりとした分室をダミーの分室という場合がある。   In the first embodiment, the fixed contact 30 and the movable contact 40 are provided in each of the pair of compartments 50R and 50L. However, in the second embodiment, only in one of the pair of compartments 50R and 50L, Contacts (fixed contact 30 and movable contact 40) are provided. The inside of the other compartment will be called a gas reservoir. An example in which the compartment 50R is a gas reservoir is shown in FIG. Note that the compartment provided with the contact may be referred to as the contact-side compartment, and the gas reservoir compartment may be referred to as the dummy compartment.

第2の実施形態に係る接点構造では、密閉空間50に不活性ガスを充填させて、ダイアフラム20を押し上げて、固定接点30と可動接点40との間を適正な距離に保つようにしたので、OFF時の振動や衝撃による誤作動が生じることを軽減することができる。分室50L側のダイアフラム20を押圧して分室50Lを圧縮させ、可動接点40を固定接点30に接触させてON状態とするとき、分室50L内の不活性ガスの一部が分室50Rに流入するので、ダイアフラム20を大きな力で押圧することがなく、ダイアフラム20に大きな応力を生じせずに済む。   In the contact structure according to the second embodiment, the sealed space 50 is filled with an inert gas, the diaphragm 20 is pushed up, and the fixed contact 30 and the movable contact 40 are kept at an appropriate distance. It is possible to reduce the occurrence of malfunction due to vibration or impact at the time of OFF. When the diaphragm 20L on the side of the compartment 50L is pressed to compress the compartment 50L and the movable contact 40 is brought into contact with the fixed contact 30 to be in the ON state, a part of the inert gas in the compartment 50L flows into the compartment 50R. The diaphragm 20 is not pressed with a large force, and a large stress is not generated on the diaphragm 20.

また、第2実施形態において、上記接点構成とガス溜まりとの組み合わせは、一対一としたが、これに限らず、複数対一であっても、一対複数であっても、複数対複数であっても良い。複数対複数の組み合わせについては第5の実施形態で説明する。   In the second embodiment, the combination of the contact configuration and the gas reservoir is set to one-to-one. However, the present invention is not limited to this. May be. A multiple-to-multiple combination will be described in the fifth embodiment.

さらに、ガス溜まりと接点構成との関係を以下のように設定すれば良い。   Further, the relationship between the gas reservoir and the contact configuration may be set as follows.

先ず、ダイアフラム20のコルゲート部24の復元力に関し、ガス溜まり側の復元力を接点側の復元力より大きくなるように設定する。   First, regarding the restoring force of the corrugated portion 24 of the diaphragm 20, the restoring force on the gas reservoir side is set to be larger than the restoring force on the contact side.

接点構成がON状態で、接点側の分室50Lから通気部51を通ってガス溜まり側の分室50Rに不活性ガスが流入して、ガス溜まり側のコルゲート部24が膨らんでいるとき、コルゲート部24の復元力が増大する。接点構成がOFF状態になると、ガス溜まり側のコルゲート部24の大きな復元力により、ガス溜まり側の分室50Rから通気部51を通って接点側の分室50Lに不活性ガスが流入して、接点側のコルゲート部24が確実に膨らむ。それにより、OFF時の振動や衝撃による誤作動が生じることをさらに軽減することができる。   When the contact configuration is ON and the inert gas flows from the contact-side compartment 50L through the vent 51 into the gas reservoir-side compartment 50R and the gas reservoir-side corrugated section 24 is inflated, the corrugated section 24 The resilience of increases. When the contact configuration is in the OFF state, the large restoring force of the corrugated portion 24 on the gas reservoir side causes the inert gas to flow from the gas reservoir-side compartment 50R through the ventilation portion 51 into the contact-side compartment 50L, The corrugated portion 24 of the swells reliably. As a result, it is possible to further reduce the occurrence of malfunction due to vibration or impact at the time of OFF.

次に、密閉空間50の容積(不活性ガスの充填量)に関し、ガス溜まり側の分室50Rの容積を接点側の分室50Lの容積より小さくなるように設定する。   Next, regarding the volume of the sealed space 50 (filling amount of the inert gas), the volume of the compartment 50R on the gas reservoir side is set to be smaller than the volume of the compartment 50L on the contact side.

接点構成がON状態で、接点側の分室50Lから通気部51を通ってガス溜まり側の分室50Rに不活性ガスが流入するとき、流入する不活性ガスが少量であっても、ガス溜まり側の分室50Rの容積が小さいため、ガス溜まり側のコルゲート部24が大きく膨らんで、大きな復元力が生じる。接点構成がOFF状態になると、ガス溜まり側のコルゲート部24の大きな復元力により、ガス溜まり側の分室50Rから通気部51を通って接点側の分室50Lに不活性ガスが流入して、接点側のコルゲート部24が確実に膨らむ。それにより、OFF時の振動や衝撃による誤作動が生じることをさらに軽減することができる。   When the inert gas flows into the gas reservoir side compartment 50R from the contact side compartment 50L through the vent 51 in the contact configuration ON state, even if a small amount of the inert gas flows in, the gas reservoir side Since the volume of the compartment 50R is small, the corrugated portion 24 on the gas reservoir side swells greatly and a large restoring force is generated. When the contact configuration is in the OFF state, the large restoring force of the corrugated portion 24 on the gas reservoir side causes the inert gas to flow from the gas reservoir-side compartment 50R through the ventilation portion 51 into the contact-side compartment 50L, The corrugated portion 24 of the swells reliably. As a result, it is possible to further reduce the occurrence of malfunction due to vibration or impact at the time of OFF.

[第3の実施形態]
次に第3の実施形について図10、図11A及び図11Bを参照して説明する。図10はスイッチ装置の分解斜視図、図11Aは、駆動電極間に電圧を印加しないときのスイッチ装置の断面図、図11Bは、駆動電極間に電圧を印加したときのスイッチ装置の断面図である。
[Third Embodiment]
Next, a third embodiment will be described with reference to FIGS. 10, 11A and 11B. 10 is an exploded perspective view of the switch device, FIG. 11A is a cross-sectional view of the switch device when no voltage is applied between the drive electrodes, and FIG. 11B is a cross-sectional view of the switch device when a voltage is applied between the drive electrodes. is there.

第1の実施形態では、電磁型のアクチュエータ60を密閉空間50の外部に設けたものを示したが、このアクチュエータ60は一例であり、発明の範囲を限定することは意図していない。アクチュエータ60は、ダイアフラム20に作用して、可動接点40を動作させるためのものであれば、様々な形態で実施されることが可能であり、たとえば、密閉空間50の内部に設けることも可能である。   In the first embodiment, the electromagnetic actuator 60 is provided outside the sealed space 50. However, the actuator 60 is an example and is not intended to limit the scope of the invention. The actuator 60 can be implemented in various forms as long as it acts on the diaphragm 20 to operate the movable contact 40. For example, the actuator 60 can be provided inside the sealed space 50. is there.

この第3の実施形態に係るアクチュエータ60は、静電容量型であり、密閉空間50の内部に設けられ、対向配置された二つの駆動電極71、72を有する。一方の駆動電極71が、分室50Aの天井部に相当するダイアフラム20に設けられている。基板10に複数の貫通配線33が設けられている。貫通配線33の端部に設けられた貫通電極31a(図10参照)にはダイアフラム20(駆動電極71)が接続されている。貫通電極31aとダイアフラム20とは、基板10とダイアフラム20との接合時に同時に接合される。よって、ダイアフラム20の材質は例えば低抵抗Siのような導電性をもったものに限られる。ダイアフラム20の内面21に絶縁層26が形成され、絶縁層26上に可動接点40が形成されている(図11A参照)。   The actuator 60 according to the third embodiment is an electrostatic capacitance type, and has two drive electrodes 71 and 72 provided inside the sealed space 50 and arranged to face each other. One drive electrode 71 is provided on the diaphragm 20 corresponding to the ceiling of the compartment 50A. A plurality of through wirings 33 are provided on the substrate 10. The diaphragm 20 (drive electrode 71) is connected to the through electrode 31a (see FIG. 10) provided at the end of the through wiring 33. The through electrode 31 a and the diaphragm 20 are joined at the same time when the substrate 10 and the diaphragm 20 are joined. Therefore, the material of the diaphragm 20 is limited to a material having conductivity such as low resistance Si. An insulating layer 26 is formed on the inner surface 21 of the diaphragm 20, and a movable contact 40 is formed on the insulating layer 26 (see FIG. 11A).

貫通配線33の端部に設けられた貫通電極31b(図10参照)には駆動電極72に接続されている。他方の駆動電極72が、分室50Aの底部に相当する基板10の表面11にメタルは、基本的には固定接点30と同じ材質であり、たとえば、Au、Pt、Ru、Ag、Cu等で形成される。但し、固定接点30ほど耐摩耗性や固着防止性に富んだ材質や導電性の高い材質でなくてもよい。他の複数の貫通配線33の端部にも貫通電極31がそれぞれ設けられ、それらの貫通電極31には固定接点30がそれぞれ接続されている(図10参照)。   A through electrode 31 b (see FIG. 10) provided at the end of the through wiring 33 is connected to the drive electrode 72. The other drive electrode 72 is basically made of the same material as that of the fixed contact 30 on the surface 11 of the substrate 10 corresponding to the bottom of the compartment 50A, and is made of, for example, Au, Pt, Ru, Ag, Cu or the like. Is done. However, the fixed contact 30 does not have to be a material having high wear resistance and anti-sticking property or a material having high conductivity. The through electrodes 31 are also provided at the end portions of the other through wires 33, and the fixed contacts 30 are connected to the through electrodes 31 (see FIG. 10).

駆動電極71、72間に電圧を印加し、プラスとマイナスとが引き合う力(静電引力)を用いて固定接点30と可動接点40とを接触させる。静電容量型では、動作時に駆動電極71、72同士を、接触させないので、電気的に導通せず、消費電力を生じない。なお、ダイアフラム20に絶縁層26を設け、その絶縁層26に駆動電極71を設けることで、動作時に駆動電極71、72同士が確実に絶縁性を保つようにしても良い(図11B参照)。   A voltage is applied between the drive electrodes 71 and 72, and the fixed contact 30 and the movable contact 40 are brought into contact with each other using a force (electrostatic attractive force) that attracts plus and minus. In the capacitive type, the drive electrodes 71 and 72 are not brought into contact with each other during operation, so that they are not electrically connected and no power is consumed. Note that the diaphragm 20 may be provided with the insulating layer 26 and the insulating layer 26 may be provided with the drive electrode 71 so that the drive electrodes 71 and 72 can be reliably insulated during operation (see FIG. 11B).

駆動電極71、72間に働く静電引力のエネルギーは次の式で表される。
W=CV/2 (1)
Cは静電容量、Vは電圧である。静電容量Cは、次の式で表わされる。
C=εS/d (2)
εは誘電率、Sは、駆動電極71、72の面積(対向する面積)、dは間隔である。
式(1)、(2)から、面積Sが大きくなるほど、また、間隔dが小さくなるほど静電容量Cが大きくなり、また、静電引力のエネルギーWが大きくなることがわかる。
The energy of electrostatic attraction acting between the drive electrodes 71 and 72 is expressed by the following equation.
W = CV 2/2 (1 )
C is a capacitance and V is a voltage. The capacitance C is expressed by the following formula.
C = εS / d (2)
ε is a dielectric constant, S is an area of the drive electrodes 71 and 72 (areas facing each other), and d is an interval.
From equations (1) and (2), it can be seen that the capacitance C increases and the electrostatic attractive energy W increases as the area S increases and the interval d decreases.

この実施形態では、駆動電極71として分室50Aの天井部全体を用い、駆動電極72として分室50Aの底部全体を用い、駆動電極71、72を大きな面積で、かつ、小さな間隔で対向配置させているので、静電容量C、及び、静電引力のエネルギーWを大きくすることが可能となる。   In this embodiment, the whole ceiling part of the compartment 50A is used as the drive electrode 71, the whole bottom part of the compartment 50A is used as the drive electrode 72, and the drive electrodes 71 and 72 are arranged to face each other with a large area and at a small interval. Therefore, it is possible to increase the electrostatic capacity C and the energy W of electrostatic attraction.

なお、第1の実施形態に係る電磁型のアクチュエータ60では、磁性体板61がダイアフラム20の被押圧部23を押圧することにより、可動接点40を固定接点30に接触させたが、この静電容量型のアクチュエータ60では、ダイアフラム20に設けられた駆動電極71を動作させるので、ダイアフラム20に被押圧部23を設ける必要がない(図10参照)。   In the electromagnetic actuator 60 according to the first embodiment, the movable contact 40 is brought into contact with the fixed contact 30 by the magnetic material plate 61 pressing the pressed portion 23 of the diaphragm 20. In the capacitive actuator 60, the drive electrode 71 provided on the diaphragm 20 is operated, so that it is not necessary to provide the pressed portion 23 on the diaphragm 20 (see FIG. 10).

[第4の実施形態]
次に、第4実施形態に係るスイッチ装置ついて図12から図14Bを参照して説明する。図12はスイッチ装置の分解斜視図、図13は接点構造の分解斜視図、図14Aは可動接点を動作させたときのスイッチ装置の断面図、図14Bは可動接点を固定接点から離したときのスイッチ装置の断面図である。
[Fourth Embodiment]
Next, a switch device according to a fourth embodiment will be described with reference to FIGS. 12 to 14B. 12 is an exploded perspective view of the switch device, FIG. 13 is an exploded perspective view of the contact structure, FIG. 14A is a sectional view of the switch device when the movable contact is operated, and FIG. 14B is a view when the movable contact is separated from the fixed contact. It is sectional drawing of a switch apparatus.

この実施形態では、第1の実施形態に対し、密閉空間50及びアクチュエータの各構成が異なり、他の構成については基本的に同じである。以下、異なる構成について説明し、同じ構成についてその説明を省略する。   In this embodiment, the respective configurations of the sealed space 50 and the actuator are different from those of the first embodiment, and the other configurations are basically the same. Hereinafter, different configurations will be described, and descriptions of the same configurations will be omitted.

第1の実施形態では、密閉空間50を一対の分室に区分けしているのに対し、この実施形態では、密閉空間50を3以上の分室に区分けした構成の例として、3つに区分けしたものを説明する。   In the first embodiment, the sealed space 50 is divided into a pair of compartments, but in this embodiment, the sealed space 50 is divided into three as an example of a configuration in which the sealed space 50 is divided into three or more compartments. Will be explained.

(密閉空間)
密閉空間50は、3つの分室50Aに区分けされている。3つの分室50Aは、基板10の表面11上において、略正三角形の頂点の位置にそれぞれ配置されている(図12参照)。その配置により、一定容積の密閉空間50内にできるだけ大きな容積の分室50Aを設けることが可能となる。通気部51は、1つの分室50A内の気体を他の2つの分室50Aにそれぞれ出し入れ可能に連通させている。
(Sealed space)
The sealed space 50 is divided into three compartments 50A. The three compartments 50A are respectively arranged at the positions of the apexes of a substantially equilateral triangle on the surface 11 of the substrate 10 (see FIG. 12). With this arrangement, it is possible to provide a compartment 50A having a volume as large as possible in the sealed space 50 having a constant volume. The ventilation portion 51 allows the gas in one compartment 50A to communicate with the other two compartments 50A so that they can be taken in and out.

3つの分室50Aには、接点(固定接点30及び可動接点40)がそれぞれ設けられている。3つの分室50A内の各接点は、可動接点40の両端部が一対の固定接点30にそれぞれ接離する橋絡型である。各接点における一対の固定接点30の一方同士は互いに接続されていて、各入力側の接点となっている。すなわち、電力を供給する貫通電極31から三方向に各貫通配線33がそれぞれ延ばされている。各貫通配線33には、各入力側の固定接点30がそれぞれ接続されている(図13参照)。   Each of the three compartments 50A is provided with a contact (a fixed contact 30 and a movable contact 40). Each contact in the three compartments 50 </ b> A is a bridge type in which both end portions of the movable contact 40 are in contact with and separated from the pair of fixed contacts 30. One of the pair of fixed contacts 30 in each contact is connected to each other and serves as a contact on each input side. That is, each through wiring 33 is extended in three directions from the through electrode 31 that supplies power. A fixed contact 30 on each input side is connected to each through wire 33 (see FIG. 13).

各分室50Aにおいて、一対の固定接点30の他方同士は互いに接続されていなく、各出力側の接点となっている。すなわち、各出力側の接点である固定接点30は、貫通電極31を含む各貫通配線33にそれぞれ接続されている。   In each compartment 50A, the other of the pair of fixed contacts 30 is not connected to each other, and serves as a contact on each output side. That is, the fixed contact 30 that is a contact on each output side is connected to each through wiring 33 including the through electrode 31.

(アクチュエータ)
前記第1の実施形態のアクチュエータ60は電磁型であって、二つのダイアフラム20を交互に押圧する揺動機構を有するものであったが、この実施形態のアクチュエータ60は電磁型ではあるが、ダイアフラム20毎に設けられている。
(Actuator)
The actuator 60 of the first embodiment is an electromagnetic type and has a swinging mechanism that alternately presses the two diaphragms 20, but the actuator 60 of this embodiment is an electromagnetic type, but the diaphragm It is provided every 20th.

アクチュエータ60は、密閉空間50の外部に設けられ、磁性体板61、コイル62、磁性体64、スペーサ65、ボビン68を有する。蓋体20a上にはスペーサ65が設けられている。スペーサ65には貫通孔67が設けられている。アクチュエータ60とダイアフラム20とが貫通孔67を間にして対向配置され、アクチュエータ60が、貫通孔67を通してダイアフラム20にアクセスできるようになっている。   The actuator 60 is provided outside the sealed space 50 and includes a magnetic body plate 61, a coil 62, a magnetic body 64, a spacer 65, and a bobbin 68. A spacer 65 is provided on the lid 20a. The spacer 65 is provided with a through hole 67. The actuator 60 and the diaphragm 20 are arranged to face each other with the through hole 67 therebetween, and the actuator 60 can access the diaphragm 20 through the through hole 67.

磁性体板61は、ほぼL字状断面形状に形成され、角の隅部611、上端部612、及び、下端部613を有している。磁性体64は、溝形断面形状に形成され、溝底である中間部641、溝壁である上辺部642及び下辺部643を有している。磁性体板61の隅部611に、磁性体64の下辺部643が当接している。その当接部644を中心にして、磁性体板61が時計回りと反時計回りとの両方向に揺動する。背中合わせに配置された磁性体64の中間部641及びボビン68の軸部681には、コイル62が巻き付けられている。   The magnetic plate 61 is formed in a substantially L-shaped cross-sectional shape, and has a corner portion 611, an upper end portion 612, and a lower end portion 613. The magnetic body 64 is formed in a groove-shaped cross-sectional shape, and has an intermediate portion 641 that is a groove bottom, an upper side portion 642 that is a groove wall, and a lower side portion 643. The lower side portion 643 of the magnetic body 64 is in contact with the corner portion 611 of the magnetic body plate 61. The magnetic plate 61 swings in both the clockwise and counterclockwise directions around the contact portion 644. A coil 62 is wound around the intermediate portion 641 of the magnetic body 64 and the shaft portion 681 of the bobbin 68 that are arranged back to back.

(アクチュエータの動作)
磁性体板61の上端部612と磁性体64の上辺部642とが引き合うようにコイル62に通電すると、当接部644を中心にして、磁性体板61の下端部613が反時計回りに揺動し、被押圧部23を押圧して、ダイアフラム20を押し下げ、接点をON動作させる(可動接点40を固定接点30に接触させる)(図14A参照)。磁性体板61の上端部612と磁性体64の上辺部642とが反発するようにコイル62に通電すると、当接部644を中心にして、磁性体板61の下端部613が時計回りに揺動し、被押圧部23から離れ、ダイアフラム20を復元させることで、接点をOFF動作させる(可動接点40を固定接点30から離れさせる)(図14B参照)。
(Actuator operation)
When the coil 62 is energized so that the upper end 612 of the magnetic plate 61 and the upper side 642 of the magnetic member 64 are attracted, the lower end 613 of the magnetic plate 61 swings counterclockwise around the contact portion 644. It moves, presses the pressed part 23, pushes down the diaphragm 20, and turns on the contact (the movable contact 40 is brought into contact with the fixed contact 30) (see FIG. 14A). When the coil 62 is energized so that the upper end portion 612 of the magnetic body plate 61 and the upper side portion 642 of the magnetic body 64 are repelled, the lower end portion 613 of the magnetic body plate 61 swings clockwise around the contact portion 644. It moves, leaves | separates from the to-be-pressed part 23, and restores the diaphragm 20, and makes a contact OFF operation | movement (the movable contact 40 is separated from the fixed contact 30) (refer FIG. 14B).

各アクチュエータ20は制御可能であるため、接点の一部又は全部をON動作させるようにアクチュエータ20を択一的又は全体的に制御することが可能となる。
接点の全部をON動作させることは、制御上可能であるが、密閉空間50の内圧を考えると、三接点の場合では1個か2個の接点をON動作させることが可能となる。但し、接点機構のないダミーのダイアフラム20を設け、内部空間を確保した場合には、全部の接点をON動作させることが可能となる。また、作成時に密閉空間50内を大気圧程度にしているため、この点からも全部の接点をON動作させることが可能となる。
Since each actuator 20 is controllable, the actuator 20 can be controlled alternatively or entirely so that a part or all of the contacts are turned on.
Although it is possible to control all the contacts to be turned on, considering the internal pressure of the sealed space 50, one or two contacts can be turned on in the case of three contacts. However, if a dummy diaphragm 20 having no contact mechanism is provided and an internal space is secured, all contacts can be turned on. Further, since the inside of the sealed space 50 is set to about atmospheric pressure at the time of creation, all the contacts can be turned on from this point.

一例として、3つの分室50Aのうち、1つまたは2つの分室50A内の接点をON動作させるとき、ダイアフラム20に過度な負担をかけないために、ON動作させる分室50Aの容積と、OFF動作させる分室50Aの容積との関係は、1:1〜1:2/3の範囲内であることが望ましい。それにより、ON動作させた分室50Aからの気体を、OFF動作させる分室50Aが受け入れることにより、ON動作させた分室50Aのダイアフラム20の負担を軽減させることが可能となる。   As an example, when the contacts in one or two of the three compartments 50A are turned on, the volume of the compartment 50A to be turned on and the OFF operation are performed so as not to place an excessive load on the diaphragm 20. The relationship with the volume of the compartment 50A is preferably in the range of 1: 1 to 1: 2/3. Thus, the gas from the compartment 50A that has been turned on is received by the compartment 50A that is turned off, so that the burden on the diaphragm 20 of the compartment 50A that has been turned on can be reduced.

以上に説明したように、複数の接点を有するスイッチ装置の場合、全部の接点をOFF動作させることが可能である。一方で、全部の接点をON動作させることは、ダミーのダイアフラム20を設けた場合のみ可能である。全部の接点のうち、複数を同時にON動作させる場合には、ONに係る密閉空間50の容積と、OFFに係る密閉空間50の容積との関係が1:1〜1:2/3の範囲内であれば、ダイアフラム20に過度な負担をかけることなく接点を動作させることが可能となる。   As described above, in the case of a switch device having a plurality of contacts, all the contacts can be turned off. On the other hand, it is possible to turn on all the contacts only when the dummy diaphragm 20 is provided. When a plurality of contacts are simultaneously turned ON, the relationship between the volume of the sealed space 50 related to ON and the volume of the sealed space 50 related to OFF is within a range of 1: 1 to 1: 2/3. Then, the contact can be operated without imposing an excessive burden on the diaphragm 20.

[第5の実施形態]
次に、第5の実施形態について図15及び図16を参照して説明する。図15は、分室の配置図、図16は、分室の押圧動作のバリエーションを示す図であり、ハッチングの有無により、押圧しているか否かを表す図である。
[Fifth Embodiment]
Next, a fifth embodiment will be described with reference to FIGS. 15 and 16. FIG. 15 is a layout diagram of the compartments, and FIG. 16 is a diagram showing variations of the pressing operation of the compartments, and shows whether or not the compartments are pressed depending on the presence or absence of hatching.

第4の実施形態では3個のダイアフラム20の全部が接点機構を有するものであったが、第5の実施形態では、それらの3個のダイアフラム20に2個のダイアフラム20を追加し、追加した2個のダイアフラム20は、接点機構のないダミーのダイアフラム20となっている。ダミーのダイアフラム20を設けたので、3個のダイアフラム20の接点を全部ON動作させた場合でも、ダミーのダイアフラム20が膨らむので内部空間の内圧が高くなり過ぎることを防止することが可能となる。   In the fourth embodiment, all of the three diaphragms 20 have contact mechanisms, but in the fifth embodiment, two diaphragms 20 are added to the three diaphragms 20 and added. The two diaphragms 20 are dummy diaphragms 20 having no contact mechanism. Since the dummy diaphragm 20 is provided, even when all the contacts of the three diaphragms 20 are turned on, the dummy diaphragm 20 swells, so that the internal pressure in the internal space can be prevented from becoming too high.

接点側の分室50Aとダミーの分室50Bとの配置の組み合わせには様々な態様がある。なお、全てが接点側の分室50Aである態様もある。3個の接点側の分室50Aと2個のダミーの分室50Bとを配置したものを図15に示す。   There are various modes for the combination of the arrangement of the contact-side compartment 50A and the dummy compartment 50B. In addition, there is also an aspect in which all are the contact chamber 50A. FIG. 15 shows a configuration in which three contact-side compartments 50A and two dummy compartments 50B are arranged.

図16のa〜dに示す分室の押圧動作のバリエーションでは、押圧する接点側の分室50Aをハッチングした円で、ダミーの分室50Bを白抜きの円でそれぞれ表している。なお、分室50A、50B間で気体を出し入れするための通気部51を省略して示している。また、第4実施形態と同様に、接点側の分室50Aにはアクチュエータ60が設けられ、各アクチュエータ60を制御することで、分室50Aの接点を択一的にON動作させ、また、分室50A全部の接点をON動作可能となる。   In the variation of the pressing operation of the compartments shown in FIGS. 16A to 16D, the compartment 50A on the contact side to be pressed is indicated by a hatched circle, and the dummy compartment 50B is indicated by a white circle. In addition, the ventilation part 51 for taking in and out gas between the compartments 50A and 50B is abbreviate | omitted and shown. Similarly to the fourth embodiment, the contact-side compartment 50A is provided with an actuator 60, and by controlling each actuator 60, the contacts of the compartment 50A are selectively turned on, and all the compartments 50A are operated. Can be turned on.

次に、図15に示すように配置された接点側の分室50A及びダミーの分室50Bにおいて、各分室の押圧動作について図16を参照して説明する。なお、作成時に密閉空間50内を大気圧程度にしているため、接点側の分室50A全部の接点を同時にOFF動作させることが可能となる(図16a参照)。   Next, the pressing operation of each compartment in the contact-side compartment 50A and the dummy compartment 50B arranged as shown in FIG. 15 will be described with reference to FIG. In addition, since the inside of the sealed space 50 is set to about atmospheric pressure at the time of creation, it is possible to simultaneously perform the OFF operation of all the contacts 50A on the contact side (see FIG. 16a).

先ず、1つの接点側の分室50Aの接点をON動作させたとき、気体の流れの一例として、押圧された接点側の分室50A内の気体の一部はダミーの分室50Bに流れると共に、押圧されていないに接点側の分室50Aに流れる(図16bに気体の流れを矢印で示す)。   First, when the contact of one contact-side compartment 50A is turned on, as an example of the gas flow, a part of the gas in the pressed contact-side compartment 50A flows into the dummy compartment 50B and is pressed. However, it flows into the contact-side compartment 50A (the flow of gas is indicated by arrows in FIG. 16b).

次に、2つの接点側の分室50Aの接点をON動作させたとき、気体の流れの一例として、一つの接点側の分室50A内の気体の一部はダミーの分室50Bに流れる。また、他の一つの接点側の分室50A内の気体の一部は、押圧されていないに接点側の分室50Aに流れる(図16cに気体の流れを矢印で示す)。   Next, when the contacts of the two contact-side compartments 50A are turned on, as an example of the gas flow, a part of the gas in one contact-side compartment 50A flows into the dummy compartment 50B. Further, a part of the gas in the other contact-side compartment 50A flows into the contact-side compartment 50A without being pressed (the gas flow is shown by arrows in FIG. 16c).

次に、3つの接点側の分室50A全部の接点をON動作させたとき、接点側の分室50A内の気体の一部は直接的にダミーの分室50Bに流れ、または、接点側の分室50A内を通ってから間接的にダミーの分室50Bに流れる(図16d参照)。   Next, when all the contacts in the three contact-side compartments 50A are turned on, part of the gas in the contact-side compartment 50A flows directly into the dummy compartment 50B, or in the contact-side compartment 50A. After passing through, it indirectly flows into the dummy compartment 50B (see FIG. 16d).

10 基板 11 表面 12 裏面
20 ダイアフラム 20a 蓋体 21 内面 22 外面 23 被押圧部
24 コルゲート部 26 絶縁層 27 周辺部
30 固定接点 31 貫通電極 31a 貫通電極 31b 貫通電極
33 貫通配線
40 可動接点
50 密閉空間 50A 分室 50L 分室 50R 分室 51 通気部
60 アクチュエータ 61 磁性体板 62 コイル 63 永久磁石
64 磁性体 65 スペーサ 66 支点部 貫通孔67
68 ボビン
71 駆動電極 72 駆動電極
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Board | substrate 11 Front surface 12 Back surface 20 Diaphragm 20a Cover 21 Inner surface 22 Outer surface 23 Pressed part 24 Corrugated part 26 Insulating layer 27 Peripheral part 30 Fixed contact 31 Through-electrode 31a Through-electrode 31b Through-electrode 33 Through-wiring 40 Movable contact 50 Sealing space 50A 50L compartment 50R compartment 51 Ventilation part 60 Actuator 61 Magnetic body plate 62 Coil 63 Permanent magnet 64 Magnetic body 65 Spacer 66 Supporting point Through hole 67
68 Bobbin 71 Drive electrode 72 Drive electrode

Claims (5)

固定接点と、当該固定接点に対し接離可能な可動接点とを有する接点構造において、
基板と、
互いに連通された複数の分室を有し気体が封入された密閉空間を形成するように前記基板の表面にその周辺部が接合され、前記各分室の天井部にダイアフラムが設けられた蓋体と、
を有し、
前記複数の分室のうちの1以上の分室のそれぞれの底部となる前記基板の表面に前記固定接点を設け、
前記1以上の分室のそれぞれの天井部となる前記ダイアフラムの内側に前記可動接点を設けた、
ことを特徴とする接点構造。
In a contact structure having a fixed contact and a movable contact that can be moved toward and away from the fixed contact,
A substrate,
A lid body having a plurality of compartments communicated with each other and having a peripheral portion joined to the surface of the substrate so as to form a sealed space in which gas is sealed, and a diaphragm is provided on a ceiling portion of each compartment;
Have
Providing the fixed contact on the surface of the substrate that is the bottom of each of one or more of the plurality of compartments;
The movable contact is provided on the inner side of the diaphragm to be the ceiling of each of the one or more compartments,
Contact structure characterized by that.
固定接点と、当該固定接点に対し接離可能な可動接点とを有する接点構造において、
基板と、
互いに連通された一対の分室を有し気体が封入された密閉空間を形成するように前記基板の表面にその周辺部が接合され、前記各分室の天井部にダイアフラムが設けられた蓋体と、
を有し、
前記一対の分室のそれぞれの底部となる前記基板の表面に前記固定接点を設け、
前記一対の分室のそれぞれの天井部となる前記ダイアフラムの内側に前記可動接点を設けた、
ことを特徴とする接点構造。
In a contact structure having a fixed contact and a movable contact that can be moved toward and away from the fixed contact,
A substrate,
A lid body having a pair of compartments connected to each other and a peripheral portion thereof joined to the surface of the substrate so as to form a sealed space filled with gas, and a diaphragm provided on a ceiling portion of each compartment;
Have
Providing the fixed contact on the surface of the substrate that is the bottom of each of the pair of compartments;
Provided the movable contact on the inside of the diaphragm to be the ceiling of each of the pair of compartments,
Contact structure characterized by that.
請求項1または請求項2に記載の接点構造と、
前記可動接点を動作させるためのアクチュエータと、
を設けたことを特徴とするスイッチ装置。
The contact structure according to claim 1 or 2,
An actuator for operating the movable contact;
A switch device characterized by comprising:
前記アクチュエータは、前記密閉空間の外部に配されていることを特徴とする請求項3に記載のスイッチ装置。   The switch device according to claim 3, wherein the actuator is disposed outside the sealed space. 前記アクチュエータは、前記2つのダイアフラムを交互に押圧する揺動機構を有することを特徴とする請求項4に記載のスイッチ装置。   The switch device according to claim 4, wherein the actuator includes a swing mechanism that alternately presses the two diaphragms.
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