JP2012091160A - システムに囲まれた対象物の変位を目的とした変形可能システムの生成 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】前記方法は、次のステップ:第1温度で固体であり、温度上昇の影響により軟化することができるマトリックス内に対象物を置くステップ;必要であれば、マトリックスが軟化するまで温度を上げるステップ;対象物に、マトリックス内部でそれを動かすように、外部からの作用を加えるステップ;マトリックスが固化するまで温度を下げるステップを含む。
【選択図】図1
Description
−第1温度で固体であり、温度上昇の影響により軟化することができるマトリックス内に、対象物を置くステップ;
−必要であれば、マトリックスが軟化するまで温度を上げるステップ;
−対象物に、軟化したマトリックス内部でそれを動かすように、外部からの作用を加えるステップ;
−マトリックスが固化するまで温度を下げるステップ。
−対象物は前記マトリックス内に埋め込まれていること;
−マトリックスは、変位を許すために要求される必要な体積を有すること;
を意味する。
−対象物が、異なる位置の2つの対象物に電力を供給することを意図するマイクロバッテリーである場合、キャビティは、500μmから10mmの変位、又は50mmでさえある変位にほぼ等しい寸法を有することになる;
−対象物が、短絡接続する、又は短絡を形成するように浮遊ゲートとして作用することを意図するシリコンナノワイヤである場合、変位は、1μmから100μmの程度であり得る。
−システム全体は、関心のある温度、通常は運転温度(これは、有利には、雰囲気温度(20℃から30℃)に相当する)で、固体でなければならない;
−マトリックスの軟化温度で、対象物は、さらに固体システムの他のコンポーネント、特に基板も、依然として機能を果たせる状態のままであり、特に固体状態のままでなければならない。
−95℃より低い融解温度を有する、エチレンとメチルアクリレートのコポリマー、又は
−75℃より低い融解温度を有する、エチレンと酢酸ビニルのコポリマー。
−ガラス転移温度(Tg)は、T<Tg(固体)でのガラス状挙動を、T>Tg(液体)でのゴムのような状態又はエラストマー状態から区分する。この温度は、ポリマーの場合、かなりの範囲に渡って広がる。
−融解温度(Tf)、及びその逆の結晶化温度。明らかに、これらの温度は、当該の材料が結晶化できる場合にのみ、意味がある。
−マイクロバッテリーを、基板に備わるキャビティの内側に置くステップであって、キャビティの壁が、少なくとも部分的に、金属層で覆われているステップ;
−第1温度で固体であり、温度上昇の影響により軟化することができるマトリックスでキャビティを満たすステップ;
−必要であれば、マトリックスが軟化するまで、温度を上げるステップ;
−マイクロバッテリーに、マトリックス内部でそれを、基板の金属被覆されたキャビティ内にある点A又はBに動かすために、外部からの作用を加えるステップ;
−マトリックスが固化するまで、温度を下げるステップ。
−基板に備わるキャビティの内側にゲート電極を置くステップ;
−第1温度で固体であり、温度上昇の影響により軟化することができるマトリックスでキャビティを満たすステップ;
−必要であれば、マトリックスが軟化するまで、温度を上げるステップ;
−ゲートに、軟化したマトリックス内部でそれを動かすように、外部からの作用を加えるステップ;
−マトリックスが固化するまで、温度を下げるステップ。
−基板に備わるキャビティの内側に光学素子を堆積させるステップ;
−第1温度で固体であり、温度上昇の影響により軟化することができるマトリックスでキャビティを満たすステップ;
−必要であれば、マトリックスが軟化するまで、温度を上げるステップ;
−前記素子に、マトリックス内部でそれを動かすように、外部からの作用を加えるステップ;
−マトリックスが固化するまで、温度を下げるステップ。
この特定の実施形態は、例えば、マイクロバッテリーを交互に点Aに、また点Bに接続することを可能にし、図1に示されている。
基板(5)として用いられるポリエチレンナフタレート(Tg=120℃)が、例えば125μmの厚さまで、エンボス加工又はエッチングされる。
基板(5)と対象物(1)との間に、電気的接触が確立されることになっている場合、キャビティの縁は、接続配線を保証する金属層(6)の助けにより金属被覆される。
次いで、変位させられる対象物(1)が、この目的のために備わるキャビティ(4)に挿入される。
低いTf/Tgを有し、マトリックス(2)として用いられるポリマーにより、液体又は固体の状態で、変位させられる対象物(1)を覆うように、キャビティ(4)が満たされる。例えば、このポリマーは、70℃未満の融解温度を有する、エチレンとメチルアクリレートのコポリマーである。実際に、それは、50℃を超えると液体になる。
キャビティ(4)が、別のフィルム又はプラスチック膜(7)によって、システムを包み込み閉じるように接合することにより、閉じられる。
システムの温度が、雰囲気温度から、マトリックス(2)として用いられているポリマーが軟化する温度へ、この場合75℃の温度へ上げられ、この温度は、ポリマーだけが固体状態から液体状態へ変化することを保証する。
磁石(3)が、ポリマー(2)の液相において、対象物(1)を、接続点Aから他の点Bまで変位させるのに用いられる。これを達成するために、マイクロバッテリー(1)の面は、それを磁化できるように磁性コーティングにより覆われる。
この特定の実施形態は、可変容量有機電界効果トランジスタを製作するために用いられ、図2に示されている。
キャビティ(4)が、基板(5)として用いられるポリエチレンナフタレートにエンボス加工又はエッチングされる。
ソース及びドレイン電極(9)が、30nmのAuを堆積させることによる金属被覆によって生成される。
この場合、鉄のシートからなる浮遊ゲートである、変位させられる対象物(1)が、この目的のために備わるキャビティ(4)に挿入される。
低いTf/Tgを有し、マトリックス(2)として用いられるポリマーにより、液体又は固体の状態で、変位させられる対象物(1)を覆うように、キャビティ(4)が満たされる。例えば、ポリマーは、70℃未満の融解温度を有する、エチレンとメチルアクリレートのコポリマーである。実際に、それは、50℃を超えると液体になる。
システムを包み込み、閉じるように、キャビティ(4)が、膜(7)により閉じられる。
システムの温度が、雰囲気温度から、マトリックス(2)として用いられているポリマーが軟化する温度へ、この場合75℃の温度へ上げられ、この温度は、ポリマーだけが固体状態から液体状態へ変化することを保証する。
半導体層(8)が、ソース及びドレイン電極(6’)の間に置かれる。磁石(3)が、ポリマー(2)の液相中で、対象物(1)を変位させるために用いられる。ゲートの変位は、3次元において、誘電体の厚さを調整することを可能にする。これは、結果的に、次の式に従って、トランジスタの変更された電気的性能につながる。
COX=εrε0S/e
2 マトリックス
3 磁石
4 キャビティ
5 基板
6 金属層
6’ ソース及びドレイン電極
7 フィルム又はプラスチック膜
8 半導体層
Claims (12)
- 第1温度で固体であり、温度上昇の影響により軟化することができるマトリックス(2)内に、対象物(1)を置くステップ;
必要であれば、マトリックス(2)が軟化するまで温度を上げるステップ;
対象物(1)に、マトリックス(2)内部でそれを動かすように、外部からの作用を加えるステップ;
マトリックス(2)が固化するまで温度を下げるステップ
を含む、固体システムにおいて対象物を変位させるための方法。 - 対象物(1)が、シリコンナノワイヤ、カーボンナノチューブ、マイクロバッテリー、マイクロセル、コネクタ、光学レンズ、トランジスタ電極、光学フィルターからなる群から選択されることを特徴とする、請求項1に記載の対象物を変位させるための方法。
- マトリックス(2)がポリマーからなり、温度が、前記ポリマーのガラス転移温度(Tg)及び/又は融解温度(Tf)まで上げられることを特徴とする、請求項1又は2に記載の対象物を変位させるための方法。
- マトリックス(2)が、エチレンとメチルアクリレートのコポリマー、又は、エチレンと酢酸ビニルのコポリマーからなることを特徴とする、請求項3に記載の対象物を変位させるための方法。
- 磁石(3)を用いて有利には及ぼされる、電気的又は磁気的作用が加えられることを特徴とする、請求項1から4のいずれかに記載の対象物を変位させるための方法。
- 対象物(1)が、基板(5)に備わるキャビティ(4)内に置かれ、次いで、キャビティ(4)がマトリックス(2)で満たされることを特徴とする、請求項1から5のいずれかに記載の対象物を変位させるための方法。
- 基板(5)が、マトリックス(2)の軟化温度より高い軟化温度を有し、これら2つの温度の間の差が、有利には50℃以上であることを特徴とする、請求項6に記載の対象物を変位させるための方法。
- 基板(5)が、プラスチック材料、有利には、ポリエチレンナフタレート(PEN)又はポリイミドからなることを特徴とする、請求項6又は7に記載の対象物を変位させるための方法。
- マトリックス(2)と、適用できる場合、基板(5)とが、層(7)に覆われる、又は包み込まれることを特徴とする、請求項1から8のいずれかに記載の対象物を変位させるための方法。
- 対象物、有利にはマイクロバッテリーと、システムの少なくとも2つの供給点(A、B)との間の可変接続を確立するための方法であって、:
対象物(1)を、基板(5)に備わるキャビティ(4)の内側に置くステップであって、キャビティ(4)の壁が、少なくとも部分的に、金属層(6)で覆われているステップ;
第1温度で固体であり、温度上昇の影響により軟化することができるマトリックス(2)でキャビティ(4)を満たすステップ;
必要であれば、マトリックス(2)が軟化するまで、温度を上げるステップ;
対象物(1)に、マトリックス(2)の内部でそれを基板(5)のキャビティ(4)内にある点A又はBに動かすために、外部からの作用を加えるステップ;
マトリックス(2)が固化するまで、温度を下げるステップ
を含む方法。 - 基板(5)に備わるキャビティ(4)の内側にゲート電極(1)を置くステップ;
第1温度で固体であり、温度上昇の影響により軟化することができるマトリックス(2)でキャビティ(4)を満たすステップ;
必要であれば、マトリックス(2)が軟化するまで、温度を上げるステップ;
ゲート(1)に、マトリックス(2)の内部でそれを動かすように、外部からの作用を加えるステップ;
マトリックス(2)が固化するまで、温度を下げるステップ
を含む、可変容量トランジスタを生成するための方法。 - 基板(5)に備わるキャビティ(4)の内側に光学素子(1)を堆積させるステップ;
第1温度で固体であり、温度上昇の影響により軟化することができるマトリックス(2)でキャビティ(4)を満たすステップ;
必要であれば、マトリックス(2)が軟化するまで、温度を上げるステップ;
光学素子(1)に、マトリックス(2)の内部でそれを動かすように、外部からの作用を加えるステップ;
マトリックス(2)が固化するまで、温度を下げるステップ
を含む、調整可能光学デバイスを生成するための方法。
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