JP2012089361A - Conductive material and method for producing the same, and touch panel - Google Patents

Conductive material and method for producing the same, and touch panel Download PDF

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Kentaro Okazaki
賢太郎 岡崎
Yuki Matsunami
由木 松並
Kenji Naoi
憲次 直井
Tadashi Miyagishima
規 宮城島
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a conductive material that has a small haze value and an excellent visibility, and is small in view angle dependency of reflectance and reflection, to provide a method for producing a conductive material, and to provide a touch panel.SOLUTION: A conductive material includes a conductive layer at least containing metal nanowires having an average minor axis length of 50 nm or less and an average major axis length of 5 μm or more. The conductive layer contains a specific tetraazaindene compound and a specific mercapto tetrazole compound, and the metal nanowires contain silver and 1×10to 1×10moles of at least one metal selected from nickel, bismuth, tin, beryllium, chromium and rhodium per 1 mole of the silver.

Description

本発明は、導電材料及び導電材料の製造方法、並びにタッチパネルに関する。   The present invention relates to a conductive material, a method for manufacturing the conductive material, and a touch panel.

近年、スマートフォン、モバイル型パーソナルコンピューター等に投影型静電容量式のタッチパネルの搭載が進んでいる。この投影型静電容量式のタッチパネルは、同時多数的にタッチポイントを認識できることからディスプレイ上のオブジェクトの拡大、縮小、回転等を2本の指で操作でき、鍵盤オブジェクトの同時タッチによる和音情報入力等が可能であり、抵抗膜式タッチパネルよりも入力デバイスとしての能力に優れている。   In recent years, projection capacitive touch panels have been increasingly installed in smartphones, mobile personal computers, and the like. This projected capacitive touch panel can recognize touch points at the same time, so you can use two fingers to enlarge, reduce, and rotate objects on the display, and input chord information by simultaneously touching keyboard objects. Etc., and is more excellent as an input device than a resistive touch panel.

ここで、タッチパネルの透明導電材料としては、一般的に、ITO(インジウム錫酸化物)が利用されているが、投影型静電容量式の場合には、ITOを数ミリメートル幅の櫛型又はダイヤ型と呼ばれる形状にパターニングする必要がある。しかし、ITOは、基板(ガラスや透明樹脂)よりも光反射率が高いため、ディスプレイ上のタッチパネルとして使用した場合、外光反射によってパターンが見えてしまいディスプレイ上のオブジェクトの視認性を悪化させてしまうという問題がある。
一方、支持体上にサブミクロンオーダーの太さを有する銀ワイヤーをランダムな網目状(不織布状)に形成した透明導電膜は、ITOと同等の透明度、導電性(表面抵抗の逆数)を示し、特にポリエチレンテレフタレート(PET)等の可撓性基板上に形成した場合には、ITOよりも透明度及び導電性に優れている。
Here, ITO (indium tin oxide) is generally used as the transparent conductive material of the touch panel. However, in the case of a projection type capacitive type, ITO is a comb or diamond having a width of several millimeters. It is necessary to pattern into a shape called a mold. However, since ITO has a higher light reflectance than the substrate (glass or transparent resin), when used as a touch panel on a display, the pattern is visible due to reflection of external light, which deteriorates the visibility of objects on the display. There is a problem of end.
On the other hand, a transparent conductive film in which a silver wire having a thickness of submicron order on a support is formed in a random network (nonwoven fabric) shows transparency equivalent to that of ITO, conductivity (reciprocal of surface resistance), In particular, when formed on a flexible substrate such as polyethylene terephthalate (PET), it is superior in transparency and conductivity to ITO.

ところで、投影式静電容量式のタッチパネルのダイヤ型等のパターン形成方法としては、(1)二次元のX方向のパターンとY方向のパターンを異なる平面に形成する方法と、(2)二次元のX方向のパターンとY方向のパターンを同一平面に形成する方法とがある。前記(1)では、例えば1枚の基板の両面にパターンを分けて形成し、2枚の基板に別々にパターンを形成して、粘着層を挟んで張り合わせる方法がある。前記(2)の方法としては、同一平面上のX方向パターンとY方向パターンを絶縁層とブリッジを用いて短絡させずに形成する方法がある(特許文献1、特許文献2、及び特許文献3参照)。   By the way, there are (1) a method of forming a two-dimensional X-direction pattern and a Y-direction pattern on different planes, and (2) a two-dimensional pattern formation method of a projection capacitive touch panel diamond type or the like. There is a method of forming a pattern in the X direction and a pattern in the Y direction on the same plane. In (1), for example, there is a method in which patterns are separately formed on both surfaces of a single substrate, patterns are separately formed on two substrates, and the adhesive layers are sandwiched together. As the method (2), there is a method in which an X-direction pattern and a Y-direction pattern on the same plane are formed without short-circuiting using an insulating layer and a bridge (Patent Document 1, Patent Document 2, and Patent Document 3). reference).

前記(2)のX−Yパターンを同一面上に形成するパターニング方法は、前記(1)の異なる平面にパターンを形成する方法に比べてアライメント(X−Yパターン位置合わせ)が容易であるが、銀ワイヤーを用いてX−Yパターンを同一面上に形成した場合、高湿度状態でタッチパネル動作を続けるとITOよりも早く動作不良を起こすことが判明した。この動作不良の原因は、銀イオンマイグレーションであると考えられる。
そこで、銀イオンマイグレーション対策として有機系銀吸着剤を添加することが試みられており、その結果、銀イオンマイグレーションについてはITO並みになるものの、ヘイズが増大し、比較的暗い画像の視認性が悪化してしまうという新たな課題が生じ、その速やかな解決が望まれているのが現状である。
The patterning method (2) for forming the XY pattern on the same plane is easier to align (XY pattern alignment) than the method (1) for forming a pattern on a different plane. When the XY pattern is formed on the same surface using a silver wire, it has been found that operation failure occurs earlier than ITO when the touch panel operation is continued in a high humidity state. It is considered that the cause of this malfunction is silver ion migration.
Therefore, an attempt has been made to add an organic silver adsorbent as a measure against silver ion migration. As a result, although silver ion migration is similar to that of ITO, haze increases and visibility of relatively dark images deteriorates. The current situation is that a new problem arises and a quick solution is desired.

特開2008−65748号公報JP 2008-65748 A 特開2010−44453号公報JP 2010-44453 A 特開2010−33478号公報JP 2010-33478 A

本発明は、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、ヘイズが低く、反射率及び反射の視野角依存性が小さく、視認性に優れた導電材料及び導電材料の製造方法、並びにタッチパネルを提供することを目的とする。   An object of the present invention is to solve the above-described problems and achieve the following objects. That is, an object of the present invention is to provide a conductive material, a method for manufacturing the conductive material, and a touch panel that have low haze, low reflectivity and low viewing angle dependency, and excellent visibility.

前記課題を解決するため本発明者らが鋭意検討を重ねた結果、金属ナノワイヤー(銀ナノワイヤー)による透明導電膜をITOに代えて投影型静電容量方式のタッチパネルを作製したところ、パターン部分の外光反射が基板と同等であり、ディスプレイに表示されたオブジェクトの視認性を妨げないことを知見した。
また、本発明者らが詳細に検討した結果、銀ナノワイヤーを高温の有機溶剤中で合成する方法で調製した場合、銀ナノワイヤー径の太さに起因し、ヘイズが高く、比較的暗い画像を表示している状況において銀ナノワイヤーパターン部分の外光の散乱によるオブジェクト視認性の悪化が判明し、反射ではITOに優れるが散乱ではITOに大きく劣ることが分った。一方、銀ナノワイヤーを水溶液中で合成する方法で調製した場合、銀ナノワイヤー径が細く、ヘイズが低いため外光の散乱が僅かであり、実質的にITOと同等となることを知見した。
更に、銀イオンマイグレーション対策として有機系銀吸着剤を用いると、ヘイズが増大し、比較的暗い画像の視認性が悪化してしまうという課題を解決するため本発明者らが鋭意検討を進めた結果、銀にニッケル、ビスマス、スズ、ベリリウム、クロム、及びロジウムから選択される少なくとも1種の金属を含有させることにより、下記一般式(I)及び下記一般式(II)で表される有機系銀吸着剤を併用しても、ヘイズが回復し、視認性の悪化を防止できることを知見した。
As a result of intensive studies by the present inventors in order to solve the above-mentioned problems, a projected capacitive touch panel was produced by replacing the transparent conductive film made of metal nanowires (silver nanowires) with ITO. It was found that the external light reflection of the glass was equivalent to that of the substrate and did not hinder the visibility of the object displayed on the display.
In addition, as a result of detailed studies by the present inventors, when prepared by a method of synthesizing silver nanowires in a high temperature organic solvent, due to the thickness of the silver nanowire diameter, the haze is high and the image is relatively dark It was found that the object visibility deteriorated due to the scattering of external light at the silver nanowire pattern portion in the situation where the symbol is displayed, and the reflection is superior to ITO but the scattering is greatly inferior to ITO. On the other hand, when silver nanowires were prepared by a method of synthesizing in an aqueous solution, it was found that the diameter of the silver nanowires was small and the haze was low, so that the scattering of external light was slight and substantially equivalent to ITO.
Furthermore, when organic silver adsorbent is used as a measure against silver ion migration, the results of the present inventors' diligent investigation to solve the problem that haze increases and visibility of relatively dark images deteriorates. By adding at least one metal selected from nickel, bismuth, tin, beryllium, chromium and rhodium to silver, organic silver represented by the following general formula (I) and the following general formula (II) It has been found that even when an adsorbent is used in combination, the haze is restored and the deterioration of visibility can be prevented.

本発明は、本発明者らによる前記知見に基づくものであり、前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
<1> 平均短軸長さが50nm以下であり、かつ平均長軸長さが5μm以上である金属ナノワイヤーを少なくとも含有する導電層を有する導電材料であって、
前記導電層が、下記一般式(I)及び下記一般式(II)で表される化合物を含有し、
前記金属ナノワイヤーが、銀と、ニッケル、ビスマス、スズ、ベリリウム、クロム、及びロジウムから選択される少なくとも1種の金属を、前記銀1モルあたり、1×10−4モル〜1×10−2モル含有することを特徴とする導電材料である。
ただし、前記一般式(I)中、R、R、R及びRは、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、水素原子、無置換又は置換されたアルキル基、無置換又は置換されたアリール基、無置換又は置換されたアミノ基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アルキルチオ基、カルバモイル基、ハロゲン原子、シアノ基、カルボキシ基、アルコキシカルボニル基、及びヘテロ環残基のいずれかを表す。RとR又はRとRとが連結し5員環もしくは6員環を形成してもよい。ただし、RとRのうち、少なくとも一つはヒドロキシ基を表す。
ただし、前記一般式(II)中、Rは、炭素数1〜4のアルキル基、−SOM、−COOM、−OH、及び−NHRから選択される少なくとも1種で置換されていてもよい有機残基を示し、Mは水素原子、アルカリ金属原子、四級アンモニウム基又は四級ホスホニウム基を表し、Rは水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、−COR、−COOR又は−SOを表す。Rは水素原子、アルキル基、又はアリール基を表す。
<2> 一般式(I)において、R、R、R及びRは、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、水素原子、炭素数1〜4のアルキル基、フェニル基、及びヒドロキシ基のいずれかを表し、RとRのうち、少なくとも1つはヒドロキシ基であり、
一般式(II)において、Rは、炭素数1〜4のアルキル基、−OH、−SOM、−COOM、及び−NHRから選択される少なくとも1種で置換されていてもよいフェニル基、又は−SOMが置換していてもよい炭素数1〜4のアルキル基であり、Rは−CORであり、Rは水素原子及び炭素数1〜4のアルキル基のいずれかであり、Mは水素原子、及びアルカリ金属原子のいずれかである前記<1>に記載の導電材料である。
<3> 一般式(I)及び一般式(II)で表される化合物の合計含有量が、銀に対し0.01質量%〜10質量%である前記<1>から<2>のいずれかに記載の導電材料である。
<4> 一般式(I)で表される化合物と一般式(II)で表される化合物との混合質量比率〔一般式(I):一般式(II)〕が1:99〜99:1である前記<1>から<3>のいずれかに記載の導電材料である。
<5> 導電層がパターニングされており、形成されたパターン間の距離が50μm以下である前記<1>から<4>のいずれかに記載の導電材料である。
<6> 基材上に、少なくとも金属ナノワイヤーを含有する導電層組成物を塗布して導電層を形成する導電層形成工程と、
下記一般式(I)及び下記一般式(II)で表される化合物を含む液を導電層に付与する付与工程と、
を少なくとも含むことを特徴とする導電材料の製造方法である。
ただし、前記一般式(I)中、R、R、R及びRは、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、水素原子、無置換又は置換されたアルキル基、無置換又は置換されたアリール基、無置換又は置換されたアミノ基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アルキルチオ基、カルバモイル基、ハロゲン原子、シアノ基、カルボキシ基、アルコキシカルボニル基、及びヘテロ環残基のいずれかを表す。RとR又はRとRとが連結し5員環もしくは6員環を形成してもよい。ただし、RとRのうち、少なくとも一つはヒドロキシ基を表す。
ただし、前記一般式(II)中、Rは、炭素数1〜4のアルキル基、−SOM、−COOM、−OH、及び−NHRから選択される少なくとも1種で置換されていてもよい有機残基を示し、Mは水素原子、アルカリ金属原子、四級アンモニウム基又は四級ホスホニウム基を表し、Rは水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、−COR、−COOR又は−SOを表す。Rは水素原子、アルキル基、又はアリール基を表す。
<7> 一般式(I)において、R、R、R及びRは、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、水素原子、炭素数1〜4のアルキル基、フェニル基、及びヒドロキシ基のいずれかを表し、RとRのうち、少なくとも1つはヒドロキシ基であり、
一般式(II)において、Rは、炭素数1〜4のアルキル基、−OH、−SOM、−COOM、及び−NHRから選択される少なくとも1種で置換されていてもよいフェニル基、又は−SOMが置換していてもよい炭素数1〜4のアルキル基であり、Rは−CORであり、Rは水素原子及び炭素数1〜4のアルキル基のいずれかであり、Mは水素原子、及びアルカリ金属原子のいずれかである前記<6>に記載の導電材料の製造方法である。
<8> 金属ナノワイヤーが、銀と、ニッケル、ビスマス、スズ、ベリリウム、クロム、及びロジウムから選択される少なくとも1種の金属を、前記銀1モルあたり、1×10−4モル〜1×10−2モル含有する前記<6>から<7>のいずれかに記載の導電材料の製造方法である。
<9> 更に、導電層をパターン露光及び現像するパターニング工程を含む前記<6>から<8>のいずれかに記載の導電材料の製造方法である。
<10> 支持フィルムと、該支持フィルム上に第一のセンサー電極アレイ及び第二のセンサー電極アレイを有するタッチパネルであって、
前記支持フィルムの同一面上に、第一のセンサー電極アレイ及び第二のセンサー電極アレイが配置されており、前記第一のセンサー電極アレイと第二のセンサー電極アレイが直交配列しており、
前記第一のセンサー電極アレイと第二のセンサー電極アレイとの距離が50μm以下であり、
前記第一のセンサー電極アレイ及び前記第二のセンサー電極アレイが前記<1>から<5>のいずれかに記載の導電材料を用いて形成されたことを特徴とするタッチパネルである。
<11> 第一のセンサー電極アレイ及び第二のセンサー電極アレイが、略正方形状のパッド部と該バッド部を電気的に連結する連結部とから構成されており、
前記第一のセンサー電極アレイのパッド部と前記第二のセンサー電極アレイのパッド部との隣接する辺と辺との距離が50μm以下である前記<10>に記載のタッチパネルである。
The present invention is based on the above findings by the present inventors, and means for solving the above problems are as follows. That is,
<1> A conductive material having a conductive layer containing at least metal nanowires having an average minor axis length of 50 nm or less and an average major axis length of 5 μm or more,
The conductive layer contains a compound represented by the following general formula (I) and the following general formula (II),
The metal nanowire contains at least one metal selected from silver, nickel, bismuth, tin, beryllium, chromium, and rhodium, from 1 × 10 −4 mol to 1 × 10 −2 per mol of the silver. It is a conductive material characterized by containing a molar amount.
However, in the general formula (I), R 1 , R 2 , R 3 and R 4 may be the same or different from each other, and may be a hydrogen atom, an unsubstituted or substituted alkyl group, Any of unsubstituted or substituted aryl group, unsubstituted or substituted amino group, hydroxy group, alkoxy group, alkylthio group, carbamoyl group, halogen atom, cyano group, carboxy group, alkoxycarbonyl group, and heterocyclic residue Represents R 1 and R 2 or R 2 and R 3 may be linked to form a 5-membered ring or a 6-membered ring. However, at least one of R 1 and R 3 represents a hydroxy group.
However, in the general formula (II), R 5 is substituted with at least one selected from alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms, —SO 3 M, —COOM, —OH, and —NHR 6. M represents a hydrogen atom, an alkali metal atom, a quaternary ammonium group or a quaternary phosphonium group, R 6 represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, —COR 7 , —COOR. 7 or an -SO 2 R 7. R 7 represents a hydrogen atom, an alkyl group, or an aryl group.
<2> In the general formula (I), R 1 , R 2 , R 3 and R 4 may be the same as or different from each other, a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, It represents either a phenyl group or a hydroxy group, and at least one of R 1 and R 3 is a hydroxy group,
In the general formula (II), R 5 is phenyl optionally substituted with at least one selected from alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms, —OH, —SO 3 M, —COOM, and —NHR 6. Group, or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms that may be substituted by —SO 3 M, R 6 is —COR 7 , and R 7 is any one of a hydrogen atom and an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. M is the conductive material according to <1>, wherein M is any one of a hydrogen atom and an alkali metal atom.
<3> Any one of <1> to <2>, wherein the total content of the compounds represented by the general formula (I) and the general formula (II) is 0.01% by mass to 10% by mass with respect to silver. It is an electroconductive material as described in.
<4> The mixed mass ratio [general formula (I): general formula (II)] of the compound represented by general formula (I) and the compound represented by general formula (II) is 1:99 to 99: 1. The conductive material according to any one of <1> to <3>.
<5> The conductive material according to any one of <1> to <4>, wherein the conductive layer is patterned, and a distance between the formed patterns is 50 μm or less.
<6> On the base material, a conductive layer forming step of forming a conductive layer by applying a conductive layer composition containing at least metal nanowires;
An application step of applying to the conductive layer a liquid containing a compound represented by the following general formula (I) and
Is a method for producing a conductive material, comprising at least
However, in the general formula (I), R 1 , R 2 , R 3 and R 4 may be the same or different from each other, and may be a hydrogen atom, an unsubstituted or substituted alkyl group, Any of unsubstituted or substituted aryl group, unsubstituted or substituted amino group, hydroxy group, alkoxy group, alkylthio group, carbamoyl group, halogen atom, cyano group, carboxy group, alkoxycarbonyl group, and heterocyclic residue Represents R 1 and R 2 or R 2 and R 3 may be linked to form a 5-membered ring or a 6-membered ring. However, at least one of R 1 and R 3 represents a hydroxy group.
However, in the general formula (II), R 5 is substituted with at least one selected from alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms, —SO 3 M, —COOM, —OH, and —NHR 6. M represents a hydrogen atom, an alkali metal atom, a quaternary ammonium group or a quaternary phosphonium group, R 6 represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, —COR 7 , —COOR. 7 or an -SO 2 R 7. R 7 represents a hydrogen atom, an alkyl group, or an aryl group.
<7> In the general formula (I), R 1 , R 2 , R 3 and R 4 may be the same as or different from each other, a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, It represents either a phenyl group or a hydroxy group, and at least one of R 1 and R 3 is a hydroxy group,
In the general formula (II), R 5 is phenyl optionally substituted with at least one selected from alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms, —OH, —SO 3 M, —COOM, and —NHR 6. Group, or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms that may be substituted by —SO 3 M, R 6 is —COR 7 , and R 7 is any one of a hydrogen atom and an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. Wherein M is a hydrogen atom or an alkali metal atom. The method for producing a conductive material according to <6>.
<8> The metal nanowire contains at least one metal selected from silver and nickel, bismuth, tin, beryllium, chromium, and rhodium, 1 × 10 −4 mol to 1 × 10 6 per mol of the silver. It is a manufacturing method of the electrically-conductive material in any one of said <6> to <7> containing -2 mol.
<9> Furthermore, it is a manufacturing method of the electrically-conductive material in any one of said <6> to <8> including the patterning process which pattern-exposes and develops a conductive layer.
<10> A touch panel having a support film and a first sensor electrode array and a second sensor electrode array on the support film,
A first sensor electrode array and a second sensor electrode array are disposed on the same surface of the support film, and the first sensor electrode array and the second sensor electrode array are arranged orthogonally,
The distance between the first sensor electrode array and the second sensor electrode array is 50 μm or less,
The touch panel characterized in that the first sensor electrode array and the second sensor electrode array are formed using the conductive material according to any one of <1> to <5>.
<11> The first sensor electrode array and the second sensor electrode array are composed of a substantially square pad portion and a connecting portion that electrically connects the pad portion,
The touch panel according to <10>, wherein a distance between adjacent sides of the pad portion of the first sensor electrode array and the pad portion of the second sensor electrode array is 50 μm or less.

本発明によると、従来における問題を解決することができ、ヘイズが低く、反射率及び反射の視野角依存性が小さく、視認性に優れた導電材料及び導電材料の製造方法、並びにタッチパネルを提供することができる。   According to the present invention, there are provided a conductive material and a method for manufacturing a conductive material, and a touch panel that can solve conventional problems, have low haze, have low reflectance and a low viewing angle dependency, and have excellent visibility. be able to.

図1は、タッチパネルの一例を示す概略断面図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of a touch panel. 図2は、図1のタッチパネルから保護膜を取り除いての操作面側からみた模式図である。FIG. 2 is a schematic view seen from the operation surface side after removing the protective film from the touch panel of FIG. 図3は、タッチパネルの他の一例を示す概略断面図である。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing another example of the touch panel. 図4は、タッチパネルの更に他の一例を示す概略説明図である。FIG. 4 is a schematic explanatory diagram illustrating still another example of the touch panel. 図5は、図4に示すタッチパネルにおける導電膜の配置例を示す概略平面図である。FIG. 5 is a schematic plan view showing an arrangement example of the conductive film in the touch panel shown in FIG. 図6は、タッチパネルの他の一例を示す概略断面図である。FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing another example of the touch panel.

(導電材料)
本発明の導電材料は、金属ナノワイヤーを少なくとも含有する導電層を有してなる。本発明の導電材料は、更に、基材、感光層、防汚層、UVカット層、反射防止層等のその他の層を有していてもよい。
(Conductive material)
The conductive material of the present invention has a conductive layer containing at least metal nanowires. The conductive material of the present invention may further have other layers such as a substrate, a photosensitive layer, an antifouling layer, a UV cut layer, and an antireflection layer.

前記導電材料の形状、構造、大きさ等については、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記形状としては、膜状、シート状などが挙げられ、また、その平面形状としては、四角形、円形などが挙げられ、前記構造としては、単層構造、積層構造などが挙げられ、前記大きさとしては、用途等に応じて適宜選択することができる。
前記導電材料は、可撓性を有し、透明であることが好ましく、前記透明には、無色透明のほか、有色透明、半透明、有色半透明などが含まれる。
前記導電材料における導電層は、パターニングされていてもパターニングされていなくてもよい。前記パターニングとしては、既存のITO透明導電膜で施されているパターニングが挙げられ、長方形状のパターン、ダイヤモンドパターンと呼ばれているものなどが挙げられる。
前記導電層がパターニングされている場合には、形成されたパターン間の距離(隣接するパターン同士の隣接する辺と辺との距離)が50μm以下であることが、透明電極の有効面積を広げ、感度と解像度を向上させる点、及びディスプレイ画像の視認性向上の点で好ましい。
The shape, structure, size, and the like of the conductive material are not particularly limited and can be appropriately selected depending on the purpose. Examples of the shape include a film shape and a sheet shape. Examples of the planar shape include a quadrangle and a circle. Examples of the structure include a single-layer structure and a laminated structure. The size can be appropriately selected depending on the application.
The conductive material has flexibility and is preferably transparent, and the transparent includes colorless and transparent, colored transparent, translucent, colored translucent and the like.
The conductive layer in the conductive material may be patterned or unpatterned. Examples of the patterning include patterning performed with an existing ITO transparent conductive film, and examples include a rectangular pattern and a diamond pattern.
When the conductive layer is patterned, the distance between the formed patterns (the distance between adjacent sides of adjacent patterns) is 50 μm or less, widening the effective area of the transparent electrode, This is preferable in terms of improving sensitivity and resolution and improving the visibility of display images.

<導電層>
前記導電層は、金属ナノワイヤーと、下記一般式(I)及び下記一般式(II)で表される化合物とを含有し、ポリマー、更に必要に応じてその他の成分を含有してなる。
<Conductive layer>
The conductive layer contains a metal nanowire and a compound represented by the following general formula (I) and the following general formula (II), a polymer, and further contains other components as required.

本発明においては、下記一般式(I)及び下記一般式(II)で表される化合物を併用することが、銀イオンマイグレーション抑制のために必要であり、この効果は、下記一般式(I)及び下記一般式(II)で表される化合物をそれぞれ単独で使用しただけでは不十分であった電極間の絶縁性を長期間に亘って維持できるという本発明に特有の効果である。   In the present invention, it is necessary to use a compound represented by the following general formula (I) and the following general formula (II) in order to suppress silver ion migration, and this effect is represented by the following general formula (I). And it is an effect peculiar to the present invention that the insulating property between the electrodes, which is insufficient when each of the compounds represented by the following general formula (II) is used alone, is insufficient.

<<一般式(I)で表される化合物(テトラザインデン化合物)>>
ただし、前記一般式(I)中、R、R、R及びRは、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、水素原子、総炭素数1〜20の環や分岐を有していてもよい無置換或いは置換されたアルキル基、単環もしくは双環の無置換或いは置換されたアリール基、無置換或いは置換されたアミノ基、ヒドロキシ基、総炭素数1〜20のアルコキシ基、総炭素数1〜6のアルキルチオ基、脂肪族基又は芳香族基で置換されていてもよいカルバモイル基、ハロゲン原子、シアノ基、カルボキシ基、総炭素数2〜20のアルコキシカルボニル基、又は、窒素原子、酸素原子、イオウ原子等のヘテロ原子を有する5員もしくは6員環を含むヘテロ環残基を表す。RとR又はRとRとが連結し5員もしくは6員環を形成してもよい。ただし、RとRのうち、少なくともその一つはヒドロキシ基を表す。
これらの中でも、R、R、R及びRは、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、水素原子、炭素数1〜4のアルキル基、フェニル基、及びヒドロキシ基のいずれかを表し、RとRのうち、少なくとも1つはヒドロキシ基であることが好ましい。
<< Compound Represented by Formula (I) (Tetrazaindene Compound) >>
However, in said general formula (I), R < 1 >, R < 2 >, R < 3 > and R < 4 > may mutually be the same, may differ, a hydrogen atom, a C1-C20 ring, Unsubstituted or substituted alkyl group which may have a branch, monocyclic or bicyclic unsubstituted or substituted aryl group, unsubstituted or substituted amino group, hydroxy group, total carbon number of 1 to 20 An alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, a carbamoyl group optionally substituted with an aliphatic group or an aromatic group, a halogen atom, a cyano group, a carboxy group, and an alkoxycarbonyl group having 2 to 20 carbon atoms in total. Or a heterocyclic residue containing a 5- or 6-membered ring having a hetero atom such as a nitrogen atom, an oxygen atom, or a sulfur atom. R 1 and R 2 or R 2 and R 3 may be linked to form a 5-membered or 6-membered ring. However, at least one of R 1 and R 3 represents a hydroxy group.
Among these, R 1 , R 2 , R 3 and R 4 may be the same or different from each other, and are a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a phenyl group, and a hydroxy group. And at least one of R 1 and R 3 is preferably a hydroxy group.

前記無置換アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、t−プロピル基、n−ブチル基、t−ブチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、シクロペンチルメチル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、ヘプタデシル基などが挙げられる。前記置換アルキル基における置換基としては、例えば、単環もしくは双環のアリール基、ヘテロ残基、ハロゲン原子、カルボキシ基、炭素数2〜6のアルコキシカルボニル基、炭素数19以下のアルコキシ基、ヒドロキシ基などが挙げられる。置換アルキル基としては、例えば、ベンジル基、フェネチル基、クロロメチル基、2−クロロエチル基、トリフルオロメチル基、カルボキシメチル基、2−カルボキシエチル基、2−(メトキシカルボニル)エチル基、エトキシカルボニルメチル基、2−メトキシエチル基、ヒドロキシメチル基、2−ヒドロキシエチル基などが挙げられる。無置換アリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基などが挙げられる。前記アリール基が置換された場合の置換基としては、例えば、炭素数4以下のアルキル基、ハロゲン原子、カルボキシ基、シアノ基、炭素数6以下のアルコキシカルボニル基、ヒドロキシ基、炭素数6以下のアルコキシ基などが挙げられる。置換アリール基としては、例えば、p−トリル基、m−トリル基、p−クロロフェニル基、p−ブロモフェニル基、o−クロロフェニル基、m−シアノフェニル基、p−カルボキシフェニル基、o−カルボキシフェニル基、p−(メトキシカルボニル)フェニル基、p−ヒドロキシフェニル基、p−メトキシフェニル基、m−エトキシフェニル基などが挙げられる。前記置換アミノ基の置換基としては、例えば、アルキル基(例えばメチル基、エチル基、ブチル基)、アシル基(例えばアセチル基、プロピオニル基、ベンゾイル基、メチルスルホニル基)などが挙げられ、置換アミノ基としては、例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ブチルアミノ基、アセチルアミノ基などが挙げられる。前記アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基、ヘプタデシルオキシ基などが挙げられる。前記アルキルチオ基としては、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、ヘキシルチオ基などが挙げられる。前記カルバモイル基は、置換基として炭素数20以下のアルキル基や2環以内のアリール基を一つ又は二つ有することができる。置換カルバモイル基としては、例えばメチルカルバモイル基、ジメチルカルバモイル基、エチルカルバモイル基、フェニルカルバモイル基などが挙げられる。前記アルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基などが挙げられる。前記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子などが挙げられる。前記ヘテロ環残基は単環でも、2〜3環の縮合環を有していてもよく、例えば、フリル基、ピリジル基、2−(3−メチル)ベンゾチアゾリル基、1−ベンゾトリアゾリル基などが挙げられる。   Examples of the unsubstituted alkyl group include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, a t-propyl group, an n-butyl group, a t-butyl group, a hexyl group, a cyclohexyl group, and a cyclopentylmethyl group. Octyl group, dodecyl group, tridecyl group, heptadecyl group and the like. Examples of the substituent in the substituted alkyl group include a monocyclic or bicyclic aryl group, a hetero residue, a halogen atom, a carboxy group, an alkoxycarbonyl group having 2 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 19 or less carbon atoms, and a hydroxy group. Group and the like. Examples of the substituted alkyl group include benzyl group, phenethyl group, chloromethyl group, 2-chloroethyl group, trifluoromethyl group, carboxymethyl group, 2-carboxyethyl group, 2- (methoxycarbonyl) ethyl group, ethoxycarbonylmethyl. Group, 2-methoxyethyl group, hydroxymethyl group, 2-hydroxyethyl group and the like. Examples of the unsubstituted aryl group include a phenyl group and a naphthyl group. Examples of the substituent when the aryl group is substituted include, for example, an alkyl group having 4 or less carbon atoms, a halogen atom, a carboxy group, a cyano group, an alkoxycarbonyl group having 6 or less carbon atoms, a hydroxy group, and 6 or less carbon atoms. An alkoxy group etc. are mentioned. Examples of the substituted aryl group include p-tolyl group, m-tolyl group, p-chlorophenyl group, p-bromophenyl group, o-chlorophenyl group, m-cyanophenyl group, p-carboxyphenyl group, and o-carboxyphenyl. Group, p- (methoxycarbonyl) phenyl group, p-hydroxyphenyl group, p-methoxyphenyl group, m-ethoxyphenyl group and the like. Examples of the substituent of the substituted amino group include an alkyl group (for example, a methyl group, an ethyl group, and a butyl group), an acyl group (for example, an acetyl group, a propionyl group, a benzoyl group, and a methylsulfonyl group). Examples of the group include a dimethylamino group, a diethylamino group, a butylamino group, and an acetylamino group. Examples of the alkoxy group include a methoxy group, an ethoxy group, a butoxy group, and a heptadecyloxy group. Examples of the alkylthio group include a methylthio group, an ethylthio group, and a hexylthio group. The carbamoyl group may have one or two alkyl groups having 20 or less carbon atoms or aryl groups having 2 or less rings as a substituent. Examples of the substituted carbamoyl group include a methylcarbamoyl group, a dimethylcarbamoyl group, an ethylcarbamoyl group, and a phenylcarbamoyl group. Examples of the alkoxycarbonyl group include a methoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group, and a butoxycarbonyl group. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom and a bromine atom. The heterocyclic residue may be a single ring or may have 2 to 3 condensed rings, such as a furyl group, a pyridyl group, a 2- (3-methyl) benzothiazolyl group, and a 1-benzotriazolyl group. Etc.

以下、前記一般式(I)で表される化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
これらの中でも、銀イオンマイグレーション防止の観点で、4−ヒドロキシ−6−メチル−1,3,3a,7−テトラザインデンが特に好ましい。
Specific examples of the compound represented by the general formula (I) are shown below, but the present invention is not limited thereto.
Among these, 4-hydroxy-6-methyl-1,3,3a, 7-tetrazaindene is particularly preferable from the viewpoint of preventing silver ion migration.

<<一般式(II)で表される化合物(メルカプトテトラゾール化合物)>>
ただし、前記一般式(II)中、Rは、炭素数1〜4のアルキル基、−SOM、−COOM、−OH、及び−NHRから選択される少なくとも1種で置換されていてもよい有機残基を示し、Mは水素原子、アルカリ金属原子、四級アンモニウム基又は四級ホスホニウム基を表し、Rは水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、−COR、−COOR又は−SOを表す。Rは水素原子、アルキル基、又はアリール基を表す。
<< Compound Represented by Formula (II) (Mercaptotetrazole Compound) >>
However, in the general formula (II), R 5 is substituted with at least one selected from alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms, —SO 3 M, —COOM, —OH, and —NHR 6. M represents a hydrogen atom, an alkali metal atom, a quaternary ammonium group or a quaternary phosphonium group, R 6 represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, —COR 7 , —COOR. 7 or an -SO 2 R 7. R 7 represents a hydrogen atom, an alkyl group, or an aryl group.

前記一般式(II)において、Rは、炭素数1〜4のアルキル基、−SOM、−COOM、−OH及び−NHRから選ばれる少なくとも1種で置換されていてもよい有機残基であり、具体的には、炭素数1〜10のアルキル基(例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基等)、炭素数6〜14のアリール基(例えばフェニル基、ナフチル基等)を示す。 In the general formula (II), R 5 represents an organic residue which may be substituted with at least one selected from alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms, —SO 3 M, —COOM, —OH and —NHR 6. Specifically, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms (for example, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a hexyl group, and a cyclohexyl group), and an aryl group having 6 to 14 carbon atoms (for example, a phenyl group and naphthyl group) Group).

前記一般式(II)のRで表される各基は更に置換されていてもよく、置換基としては以下のものが挙げられる。ハロゲン原子(フッ素、塩素、臭素、ヨウ素)、シアノ、ニトロ、アンモニオ(例えば、トリメチルアンモニオ等)、ホスホニオ、スルホ(塩を含む)、スルフィノ(塩を含む)、カルボキシ(塩を含む)、ホスホノ(塩を含む)、ヒドロキシ、メルカプト、ヒドラジノ、アルキル(例えば、メチル、エチル、n−プロピル、イソプロピル,t−ブチル、n−オクチル、シクロペンチル、シクロへキシル)、アルケニル(例えば、アリル、2−ブテニル、3−ペンテニル)、アルキニル(例えば、プロパルギル、3−ペンチニル)、アラルキル(例えば、ベンジル、フェネチル)、アリール(例えば、フェニル、ナフチル、4−メチルフェニル)、ヘテロ環(例えば、ピリジル、フリル、イミダゾリル、ピペリジル、モルホリノ)、アルコキシ(例えば、メトキシ、エトキシ、ブチルオキシ)、アリールオキシ(例えば、フェノキシ、2−ナフチルオキシ)、アルキルチオ(例えば、メチルチオ、エチルチオ)、アリールチオ(例えば、フェニルチオ)、アミノ(例えば、無置換のアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、エチルアミノ、アリニノ)、アシル(例えば、アセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイル)、アルコキシカルボニル(例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル)、アリールオキシカルボニル(例えば、フェノキシカルボニル)、カルバモイル(例えば、無置換のカルバモイル、N,N−ジメチルカルバモイル、N−エチルカルバモイル、N−フェニルカルバモイル)、アシルオキシ(例えば、アセトキシ、ベンゾイルオキシ)、アシルアミノ(例えば、アセチルアミノ、ベンゾイルアミノ)、アルコキシカルボニルアミノ(例えば、メトキシカルボニルアミノ)、アリールオキシカルボニルアミノ(例えば、フェノキシカルボニルアミノ)、ウレイド(例えば、無置換のウレイド、N−メチルウレイド、N−フェニルウレイド)、アルキルスルホニルアミノ(例えば、メチルスルホニルアミノ)、アリールスルホニルアミノ(例えば、フェニルスルホニルアミノ)、アルキルスルホニルオキシ(例えば、メチルスルホニルオキシ)、アリールスルホニルオキシ(例えば、フェニルスルホニルオキシ)、アルキルスルホニル(例えば、メシル)、アリールスルホニル(例えば、トシル)、アルコキシスルホニル(例えば、メトキシスルホニル)、アリールオキシスルホニル(例えば、フェノキシスルホニル)、スルファモイル(例えば、無置換のスルファモイル、N−メチルスルファモイル、N,N−ジメチルスルファモイル、N−フェニルスルファモイル)、アルキルスルフィニル(例えば、メチルスルフィニル)、アリールスルフィニル(例えば、フェニルスルフィニル)、アルコキシスルフィニル(例えば、メトキシスルフィニル)、アリールオキシスルフィニル(例えば、フェノキシスルフィニル)、リン酸アミド(例えば、N,N−ジエチルリン酸アミド)などである。これらの基は更に置換されていてもよい。また、置換基が2つ以上ある時は同じであっても、異なっていてもよい。 Each group represented by R 5 in the general formula (II) may be further substituted, and examples of the substituent include the following. Halogen atom (fluorine, chlorine, bromine, iodine), cyano, nitro, ammonio (eg, trimethylammonio, etc.), phosphonio, sulfo (including salt), sulfino (including salt), carboxy (including salt), phosphono (Including salts), hydroxy, mercapto, hydrazino, alkyl (eg, methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, t-butyl, n-octyl, cyclopentyl, cyclohexyl), alkenyl (eg, allyl, 2-butenyl) , 3-pentenyl), alkynyl (eg, propargyl, 3-pentynyl), aralkyl (eg, benzyl, phenethyl), aryl (eg, phenyl, naphthyl, 4-methylphenyl), heterocycle (eg, pyridyl, furyl, imidazolyl). , Piperidyl, morpholino), alkoxy (Eg, methoxy, ethoxy, butyloxy), aryloxy (eg, phenoxy, 2-naphthyloxy), alkylthio (eg, methylthio, ethylthio), arylthio (eg, phenylthio), amino (eg, unsubstituted amino, methylamino) Dimethylamino, ethylamino, alinino), acyl (eg acetyl, benzoyl, formyl, pivaloyl), alkoxycarbonyl (eg methoxycarbonyl, ethoxycarbonyl), aryloxycarbonyl (eg phenoxycarbonyl), carbamoyl (eg none Substituted carbamoyl, N, N-dimethylcarbamoyl, N-ethylcarbamoyl, N-phenylcarbamoyl), acyloxy (eg, acetoxy, benzoyloxy), acylamino ( For example, acetylamino, benzoylamino), alkoxycarbonylamino (eg, methoxycarbonylamino), aryloxycarbonylamino (eg, phenoxycarbonylamino), ureido (eg, unsubstituted ureido, N-methylureido, N-phenylureido) ), Alkylsulfonylamino (eg methylsulfonylamino), arylsulfonylamino (eg phenylsulfonylamino), alkylsulfonyloxy (eg methylsulfonyloxy), arylsulfonyloxy (eg phenylsulfonyloxy), alkylsulfonyl (eg , Mesyl), arylsulfonyl (eg, tosyl), alkoxysulfonyl (eg, methoxysulfonyl), aryloxysulfonyl (eg, phenoxy) Noxysulfonyl), sulfamoyl (eg, unsubstituted sulfamoyl, N-methylsulfamoyl, N, N-dimethylsulfamoyl, N-phenylsulfamoyl), alkylsulfinyl (eg, methylsulfinyl), arylsulfinyl ( For example, phenylsulfinyl), alkoxysulfinyl (for example, methoxysulfinyl), aryloxysulfinyl (for example, phenoxysulfinyl), phosphoric acid amide (for example, N, N-diethylphosphoric acid amide) and the like. These groups may be further substituted. Moreover, when there are two or more substituents, they may be the same or different.

ここでRの置換基−SOM、−COOM、−OH及び−NHRが2個以上あるときは同じであっても異っていてもよい。 Here, when there are two or more substituents —SO 3 M, —COOM, —OH and —NHR 6 of R 5 , they may be the same or different.

前記一般式(II)において、Rは、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、−COR、−COOR、又は−SOを表し、Rは水素原子、炭素数1〜20のアルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ドデシル基、オクタデシル基)、アリール基(例えばフェニル基、ナフチル基)を表す。これらの基は、Rの置換基として挙げた置換基が置換していてもよい。 In the general formula (II), R 6 represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, —COR 7 , —COOR 7 , or —SO 2 R 7 , and R 7 represents a hydrogen atom, 1 carbon atom. Represents an alkyl group (for example, methyl group, ethyl group, propyl group, hexyl group, cyclohexyl group, dodecyl group, octadecyl group) or aryl group (for example, phenyl group, naphthyl group). These groups may be substituted with the substituents exemplified as the substituent for R 5 .

前記一般式(II)において、Mは、水素原子、アルカリ金属原子(例えばリチウム、ナトリウム、カリウムなど)、四級アンモニウム(例えばアンモニオ、テトラメチルアンモニオ、ベンジルトリメチルアンモニオ、テトラブチルアンモニオなど)、又は四級ホスホニウム(例えばテトラメチルホスホニオなど)を表す。   In the general formula (II), M represents a hydrogen atom, an alkali metal atom (for example, lithium, sodium, potassium, etc.), a quaternary ammonium (for example, ammonio, tetramethylammonio, benzyltrimethylammonio, tetrabutylammonio, etc.). Or quaternary phosphonium (eg, tetramethylphosphonio and the like).

前記一般式(II)において、Rは、炭素数1〜4のアルキル基、−OH、−SOM、−COOM、及び−NHRから選択される少なくとも1種で置換されていてもよいフェニル基、又は−SOMが置換していてもよい炭素数1〜4のアルキル基であり、Rは−CORであり、Rは水素原子及び炭素数1〜4のアルキル基のいずれかであり、Mは水素原子、及びアルカリ金属原子のいずれかであることが好ましい。
更に好ましくは、Rは、−SOMが置換したフェニル基、−COOMが置換したフェニル基、−NHRが置換したフェニル基、−SOMが置換した炭素数1〜4のアルキル基、−COOMが置換した炭素数1〜4のアルキル基であり、Rは水素原子、炭素数1〜4のアルキル基、又は−CORであり、Rは水素原子、親水性基(例えばカルボキシル基、スルホ基、ヒドロキシ基)の置換した炭素数1〜4のアルキル基であり、Mは水素原子、ナトリウム原子である。特に好ましくは、Rは−SOMが置換したフェニル基、−COOMが置換したフェニル基である。
In the general formula (II), R 5 may be substituted with at least one selected from alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms, —OH, —SO 3 M, —COOM, and —NHR 6. A phenyl group, or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms that may be substituted by —SO 3 M; R 6 is —COR 7 ; and R 7 is a hydrogen atom and an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. And M is preferably either a hydrogen atom or an alkali metal atom.
More preferably, R 5 is a phenyl group substituted with —SO 3 M, a phenyl group substituted with —COOM, a phenyl group substituted with —NHR 6 , or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms substituted with —SO 3 M. , -COOM is a substituted alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, R 6 is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or -COR 7 , and R 7 is a hydrogen atom or a hydrophilic group (for example, A C1-C4 alkyl group substituted by a carboxyl group, a sulfo group, or a hydroxy group, and M is a hydrogen atom or a sodium atom. Particularly preferably, R 5 is a phenyl group substituted with —SO 3 M or a phenyl group substituted with —COOM.

以下、前記一般式(II)で表される化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
Hereinafter, although the specific example of a compound represented with the said general formula (II) is shown, this invention is not limited to these.

これらの中でも、第一の銀イオンマイグレーション防止剤として4−ヒドロキシ−6−メチル−1,3,3a,7−テトラザインデンを使用した場合は銀イオンマイグレーション防止の観点から第二の銀イオンマイグレーション防止剤として、1−フェニル−5−メルカプト−1H−テトラゾールが特に好ましい。   Among these, when 4-hydroxy-6-methyl-1,3,3a, 7-tetrazaindene is used as the first silver ion migration inhibitor, the second silver ion migration is performed from the viewpoint of preventing silver ion migration. As the inhibitor, 1-phenyl-5-mercapto-1H-tetrazole is particularly preferred.

前記一般式(I)及び前記一般式(II)で表される化合物の合計含有量は、銀に対して0.01質量%〜10質量%が好ましく、0.02質量%〜5質量%がより好ましく、0.05質量%〜1質量%が更に好ましい。
前記合計含有量が、銀に対して0.01質量%未満であると、銀イオンマイグレーション効果が実質的に失われることがあり、銀に対して10質量%を超えると、導電性が低下したり、銀イオンマイグレーションをかえって促進することがある。
前記一般式(I)で表される化合物と前記一般式(II)で表される化合物との混合質量比率〔一般式(I):一般式(II)〕は、1:99〜99:1であることが好ましく、10:90〜90:10であることがより好ましい。
前記一般式(I)で表される化合物の割合が、1質量%未満であると、銀イオンマイグレーション効果が実質的に失われることがあり、99質量%を超えると、導電性が低下したり、銀イオンマイグレーションをかえって促進することがある。
The total content of the compounds represented by the general formula (I) and the general formula (II) is preferably 0.01% by mass to 10% by mass, and 0.02% by mass to 5% by mass with respect to silver. More preferably, 0.05 mass%-1 mass% are still more preferable.
When the total content is less than 0.01% by mass with respect to silver, the silver ion migration effect may be substantially lost. When the total content exceeds 10% by mass with respect to silver, the conductivity decreases. Or may promote silver ion migration.
The mixing mass ratio of the compound represented by the general formula (I) and the compound represented by the general formula (II) [general formula (I): general formula (II)] is 1:99 to 99: 1. It is preferable that it is 10: 90-90: 10.
When the proportion of the compound represented by the general formula (I) is less than 1% by mass, the silver ion migration effect may be substantially lost, and when it exceeds 99% by mass, the conductivity may be lowered. In some cases, silver ion migration may be promoted.

<<金属ナノワイヤー>>
前記金属ナノワイヤーの材料としては、銀と、ニッケル、ビスマス、スズ、ベリリウム、クロム、及びロジウムから選択される少なくとも1種の金属が用いられる。これらの中でも、視認性の点から、ニッケルが特に好ましい。
前記ニッケル、ビスマス、スズ、ベリリウム、クロム、及びロジウムから選択される少なくとも1種の金属(銀以外の金属)の含有量は、前記銀1モルあたり、1×10−4モル〜1×10−2モルである。前記銀以外の金属の含有量が、銀1モルあたり1×10−4モル未満であると、ディスプレイ視認性悪化の防止効果が不十分となることがあり、1×10−2モルを超えると、金属ナノワイヤーが凝集してかえってディスプレイ視認性を悪化させることがある。
ここで、前記銀以外の金属の含有量は、例えば原子吸光法、ICP−MS法(誘導結合プラズマ-質量分析法)、蛍光X線分析などにより測定することができる。
前記銀に銀以外の金属を含有させる方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば(1)金属ワイヤー形成中に銀以外の金属の塩を水溶液として添加する方法、(2)金属ワイヤーを塗設し得られる金属ワイヤー含有層を銀以外の金属の塩を水溶液に浸漬する方法、(3)金属ワイヤー含有層を導電層として電気化学的に金属を析出させる方法、などが挙げられる。
<< Metal nanowires >>
As the material of the metal nanowire, at least one metal selected from silver and nickel, bismuth, tin, beryllium, chromium, and rhodium is used. Among these, nickel is particularly preferable from the viewpoint of visibility.
Said nickel, bismuth, tin, beryllium, chromium, and the content of at least one metal selected from rhodium (metal other than silver), the per mol of silver, 1 × 10 -4 mol to 1 × 10 - 2 moles. When the content of the metal other than silver is less than 1 × 10 −4 mol per 1 mol of silver, the effect of preventing deterioration of display visibility may be insufficient, and when it exceeds 1 × 10 −2 mol. In some cases, metal nanowires may aggregate to deteriorate display visibility.
Here, the content of the metal other than silver can be measured, for example, by atomic absorption, ICP-MS (inductively coupled plasma-mass spectrometry), fluorescent X-ray analysis, or the like.
There is no restriction | limiting in particular as a method of making the said silver contain a metal other than silver, Although it can select suitably according to the objective, For example, (1) Add metal salts other than silver as aqueous solution during metal wire formation (2) A method in which a metal wire-containing layer obtained by coating a metal wire is immersed in an aqueous solution of a metal salt other than silver, and (3) a metal is electrochemically deposited using the metal wire-containing layer as a conductive layer. And the like.

−形状−
前記金属ナノワイヤーの形状としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、円柱状、直方体状、断面が多角形となる柱状など任意の形状をとることができるが、高い透明性が必要とされる用途では、円柱状や断面の多角形の角が丸まっている断面形状であることが好ましい。
前記金属ナノワイヤーの断面形状は、基材上に金属ナノワイヤー水分散液を塗布し、断面を透過型電子顕微鏡(TEM)で観察することにより調べることができる。
-Shape-
There is no restriction | limiting in particular as a shape of the said metal nanowire, According to the objective, it can select suitably, For example, it can take arbitrary shapes, such as a column shape, a rectangular parallelepiped shape, and the column shape from which a cross section becomes a polygon. In applications where high transparency is required, a cylindrical shape or a cross-sectional shape with rounded polygonal corners is preferable.
The cross-sectional shape of the metal nanowire can be examined by applying a metal nanowire aqueous dispersion on a substrate and observing the cross-section with a transmission electron microscope (TEM).

−平均短軸長さ径及び平均長軸長さ−
前記金属ナノワイヤーの平均短軸長さ(「平均短軸径」、「平均直径」と称することがある)としては、50nm以下であり、1nm〜50nmが好ましく、10nm〜40nmがより好ましく、15nm〜35nmが更に好ましい。
前記平均短軸長さが、50nmを超えると、金属ナノワイヤー起因の散乱が生じ、十分な透明性を得ることができないことがあり、1nm未満であると、耐酸化性が悪化し、耐久性が悪くなることがある。
前記金属ナノワイヤーの平均短軸長さは、透過型電子顕微鏡(TEM、日本電子株式会社製、JEM−2000FX)を用い、300個の金属ナノワイヤーを観察し、その平均値から金属ナノワイヤーの平均短軸長さを求めた。なお、前記金属ナノワイヤーの短軸が円形でない場合の短軸長さは、最も長いものを短軸長さとした。
−Average minor axis length diameter and average major axis length−
The metal nanowire has an average minor axis length (sometimes referred to as “average minor axis diameter” or “average diameter”) of 50 nm or less, preferably 1 nm to 50 nm, more preferably 10 nm to 40 nm, and more preferably 15 nm. More preferably, ˜35 nm.
When the average minor axis length exceeds 50 nm, scattering due to metal nanowires occurs, and sufficient transparency may not be obtained. When the average minor axis length is less than 1 nm, oxidation resistance deteriorates and durability May get worse.
The average minor axis length of the metal nanowires was observed using 300 transmission metal microscopes (TEM, manufactured by JEOL Ltd., JEM-2000FX), and the average value of the metal nanowires was determined from the average value. The average minor axis length was determined. In addition, the shortest axis length when the short axis of the metal nanowire is not circular is the shortest axis.

前記金属ナノワイヤーの平均長軸長さ(「平均長さ」と称することがある)としては、
5μm以上であり、5μm〜40μmであることが好ましく、5μm〜35μmがより好ましく、5μm〜30μmが更に好ましい。
前記平均長軸長さが、5μm未満であると、密なネットワークを形成することが難しく、十分な導電性を得ることができないことがあり、40μmを超えると、金属ナノワイヤーが長すぎて製造時に絡まり、製造過程で凝集物が生じてしまうことがある。
前記金属ナノワイヤーの平均長軸長さは、例えば透過型電子顕微鏡(TEM、日本電子株式会社製、JEM−2000FX)を用い、300個の金属ナノワイヤーを観察し、その平均値から金属ナノワイヤーの平均長軸長さを求めた。なお、前記金属ナノワイヤーが曲がっている場合、それを弧とする円を考慮し、その半径、及び曲率から算出される値を長軸長さとした。
As the average major axis length of the metal nanowire (sometimes referred to as "average length"),
5 μm or more, preferably 5 μm to 40 μm, more preferably 5 μm to 35 μm, and still more preferably 5 μm to 30 μm.
If the average major axis length is less than 5 μm, it may be difficult to form a dense network and sufficient conductivity may not be obtained. If it exceeds 40 μm, the metal nanowires are too long and manufactured. Sometimes entangled and agglomerates may occur during the manufacturing process.
The average major axis length of the metal nanowires is, for example, observed with 300 metal nanowires using a transmission electron microscope (TEM, manufactured by JEOL Ltd., JEM-2000FX). The average major axis length was determined. In addition, when the said metal nanowire was bent, the circle | round | yen which makes it an arc was considered and the value calculated from the radius and curvature was made into the major axis length.

−アスペクト比−
前記金属ナノワイヤーのアスペクト比としては、10以上であることが好ましい。前記アスペクト比とは、一般的には金属ナノワイヤーの長辺と短辺との比(平均長軸長さ/平均短軸長さの比)を意味する。
前記アスペクト比の測定方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、電子顕微鏡等により測定する方法などが挙げられる。
前記金属ナノワイヤーのアスペクト比を電子顕微鏡で測定する場合、前記金属ナノワイヤーのアスペクト比が10以上であるか否かは、電子顕微鏡の1視野で確認できればよい。また、前記金属ナノワイヤーの長軸長さと短軸長さとを各々別に測定することによって、前記金属ナノワイヤー全体のアスペクト比を見積ることができる。
-Aspect ratio-
The aspect ratio of the metal nanowire is preferably 10 or more. The aspect ratio generally means the ratio between the long side and the short side of the metal nanowire (ratio of average major axis length / average minor axis length).
There is no restriction | limiting in particular as a measuring method of the said aspect ratio, According to the objective, it can select suitably, For example, the method etc. which measure with an electron microscope etc. are mentioned.
When measuring the aspect ratio of the metal nanowire with an electron microscope, it is only necessary to confirm whether the aspect ratio of the metal nanowire is 10 or more with one field of view of the electron microscope. Moreover, the aspect ratio of the whole metal nanowire can be estimated by measuring the major axis length and the minor axis length of the metal nanowire separately.

前記金属ナノワイヤーのアスペクト比としては、10以上であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、50〜1,000,000が好ましく、100〜1,000,000がより好ましい。
前記アスペクト比が、10未満であると、前記金属ナノワイヤーによるネットワーク形成がなされず導電性が十分取れないことがあり、1,000,000を超えると、金属ナノワイヤーの形成時やその後の取り扱いにおいて、成膜前に金属ナノワイヤーが絡まり凝集するため、安定な液が得られないことがある。
The aspect ratio of the metal nanowire is not particularly limited as long as it is 10 or more, and can be appropriately selected according to the purpose, but is preferably 50 to 1,000,000, and preferably 100 to 1,000,000. Is more preferable.
When the aspect ratio is less than 10, network formation by the metal nanowires may not be performed and sufficient conductivity may not be obtained. When the aspect ratio exceeds 1,000,000, the metal nanowires may be formed or handled thereafter. In this case, since the metal nanowires are entangled and aggregate before film formation, a stable liquid may not be obtained.

−アスペクト比が10以上の金属ナノワイヤーの比率−
前記アスペクト比が10以上の金属ナノワイヤーの比率としては、全導電性組成物中に体積比で、50%以上が好ましく、60%以上がより好ましく、75%以上が更に好ましい。これらの金属ナノワイヤーの割合を、以下、「金属ナノワイヤーの比率」と呼ぶことがある。
前記金属ナノワイヤーの比率が、50%未満であると、導電性に寄与する導電性物質が減少し導電性が低下してしまうことがあり、同時に密なネットワークを形成できないために電圧集中が生じ、耐久性が低下してしまうことがある。また、金属ナノワイヤー以外の形状の粒子は、導電性に大きく寄与しない上に吸収を持つため好ましくない。特に金属の場合で、球形などのプラズモン吸収が強い場合には透明度が悪化してしまうことがある。
-Ratio of metal nanowires with an aspect ratio of 10 or more-
The ratio of the metal nanowires having an aspect ratio of 10 or more is preferably 50% or more, more preferably 60% or more, and even more preferably 75% or more in volume ratio in the total conductive composition. Hereinafter, the ratio of these metal nanowires may be referred to as “the ratio of metal nanowires”.
If the ratio of the metal nanowires is less than 50%, the conductive material that contributes to the conductivity may decrease and the conductivity may decrease. At the same time, a voltage concentration occurs because a dense network cannot be formed. , Durability may be reduced. In addition, particles having a shape other than metal nanowires are not preferable because they do not greatly contribute to conductivity and have absorption. In particular, in the case of metal, transparency may be deteriorated when plasmon absorption such as a spherical shape is strong.

ここで、前記金属ナノワイヤーの比率は、例えば、金属ナノワイヤーが銀ナノワイヤーである場合には、銀ナノワイヤー水分散液をろ過して、銀ナノワイヤーと、それ以外の粒子とを分離し、ICP発光分析装置を用いてろ紙に残っている銀の量と、ろ紙を透過した銀の量とを各々測定することで、金属ナノワイヤーの比率を求めることができる。ろ紙に残っている金属ナノワイヤーをTEMで観察し、300個の金属ナノワイヤーの短軸長さを観察し、その分布を調べることにより、短軸長さが200nm以下であり、かつ長軸長さが1μm以上である金属ナノワイヤーであることを確認する。なお、ろ紙は、TEM像で短軸長さが200nm以下であり、かつ長軸長さが1μm以上である金属ナノワイヤー以外の粒子の最長軸を計測し、その最長軸の2倍以上であり、かつ金属ナノワイヤーの長軸の最短長以下の長さのものを用いることが好ましい。   Here, the ratio of the metal nanowire is, for example, when the metal nanowire is a silver nanowire, the silver nanowire aqueous dispersion is filtered to separate the silver nanowire from the other particles. The ratio of metal nanowires can be determined by measuring the amount of silver remaining on the filter paper and the amount of silver transmitted through the filter paper using an ICP emission analyzer. By observing the metal nanowires remaining on the filter paper with a TEM, observing the short axis length of 300 metal nanowires and examining their distribution, the short axis length is 200 nm or less and the long axis length It confirms that it is metal nanowire whose length is 1 micrometer or more. The filter paper has a short axis length of 200 nm or less in a TEM image, and the longest axis of particles other than metal nanowires having a long axis length of 1 μm or more is measured and is at least twice the longest axis. And it is preferable to use the thing of the length below the shortest length of the long axis of metal nanowire.

ここで、前記金属ナノワイヤーの平均短軸長さ及び平均長軸長さは、例えば、透過型電子顕微鏡(TEM)や光学顕微鏡を用い、TEM像や光学顕微鏡像を観察することにより求めることができ、本発明においては、金属ナノワイヤーの平均短軸長さ及び平均長軸長さは、透過型電子顕微鏡(TEM)により300個の金属ナノワイヤーを観察し、その平均値から求めたものである。   Here, the average minor axis length and the average major axis length of the metal nanowire can be obtained by observing a TEM image or an optical microscope image using, for example, a transmission electron microscope (TEM) or an optical microscope. In the present invention, the average minor axis length and the average major axis length of the metal nanowire are obtained by observing 300 metal nanowires with a transmission electron microscope (TEM) and calculating the average value. is there.

−製造方法−
前記金属ナノワイヤーの製造方法としては、特に制限はなく、いかなる方法で製造してもよいが、以下のようにハロゲン化合物と分散添加剤とを溶解した溶媒中で加熱しながら金属イオンを還元することによって製造することが好ましい。
また、前記金属ナノワイヤーの製造方法としては、例えば特開2009−215594号公報、特開2009−242880号公報、特開2009−299162号公報、特開2010−84173号公報、特開2010−86714号公報などに記載の方法を用いることができる。
-Manufacturing method-
There is no restriction | limiting in particular as a manufacturing method of the said metal nanowire, Although it may manufacture by what kind of method, a metal ion is reduce | restored, heating in the solvent which melt | dissolved the halogen compound and the dispersion additive as follows. It is preferable to manufacture by.
Moreover, as a manufacturing method of the said metal nanowire, Unexamined-Japanese-Patent No. 2009-215594, Unexamined-Japanese-Patent No. 2009-242880, Unexamined-Japanese-Patent No. 2009-299162, Unexamined-Japanese-Patent No. 2010-84173, Unexamined-Japanese-Patent No. 2010-86714, for example. Can be used.

前記溶媒としては、親水性溶媒が好ましく、例えば、水、アルコール類、エーテル類、ケトン類などが挙げられ、これらは1種単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。
前記アルコール類としては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、エチレングリコールなどが挙げられる。
前記エーテル類としては、例えば、ジオキサン、テトラヒドロフランなどが挙げられる。
前記ケトン類としては、例えば、アセトンなどが挙げられる。
The solvent is preferably a hydrophilic solvent, and examples thereof include water, alcohols, ethers, and ketones. These may be used alone or in combination of two or more.
Examples of the alcohols include methanol, ethanol, propanol, isopropanol, butanol, and ethylene glycol.
Examples of the ethers include dioxane and tetrahydrofuran.
Examples of the ketones include acetone.

前記加熱時の加熱温度としては、250℃以下が好ましく、20℃〜200℃がより好ましく、30℃〜180℃が更に好ましく、40℃〜170℃が特に好ましい。
前記加熱温度が、20℃未満であると、前記加熱温度が低くなる程、核形成確率が下がり金属ナノワイヤーが長くなりすぎるので金属ナノワイヤーが絡みやすく、分散安定性が悪くなることがあり、250℃を超えると、金属ナノワイヤーの断面の角が急峻になり、塗布膜評価での透過率が低くなることがある。
必要に応じて、金属ナノワイヤーの形成過程で温度を変更してもよく、途中での温度変更により、金属ナノワイヤーの核形成の制御や再核発生の抑制、選択成長の促進による単分散性向上の効果を向上させることができる。
As heating temperature at the time of the said heating, 250 degrees C or less is preferable, 20 to 200 degreeC is more preferable, 30 to 180 degreeC is further more preferable, and 40 to 170 degreeC is especially preferable.
If the heating temperature is less than 20 ° C., the lower the heating temperature, the lower the nucleation probability, and the metal nanowires become too long, so the metal nanowires are likely to be entangled, and the dispersion stability may deteriorate. When it exceeds 250 ° C., the corner of the cross section of the metal nanowire becomes steep, and the transmittance in the evaluation of the coating film may be lowered.
If necessary, the temperature may be changed during the formation process of the metal nanowires, and the monodispersity by controlling the nucleation of metal nanowires, suppressing renucleation, and promoting selective growth by changing the temperature during the process. The improvement effect can be improved.

前記加熱の際には、還元剤を添加して行うことが好ましい。
前記還元剤としては、特に制限はなく、通常使用されるものの中から適宜選択することができ、例えば、水素化ホウ素金属塩、水素化アルミニウム塩、アルカノールアミン、脂肪族アミン、ヘテロ環式アミン、芳香族アミン、アラルキルアミン、アルコール、有機酸類、還元糖類、糖アルコール類、亜硫酸ナトリウム、ヒドラジン化合物、デキストリン、ハイドロキノン、ヒドロキシルアミン、エチレングリコール、グルタチオンなどが挙げられる。これらの中でも、還元糖類、その誘導体としての糖アルコール類、エチレングリコールが特に好ましい。
前記水素化ホウ素金属塩としては、例えば、水素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素カリウムなどが挙げられる。
前記水素化アルミニウム塩としては、例えば、水素化アルミニウムリチウム、水素化アルミニウムカリウム、水素化アルミニウムセシウム、水素化アルミニウムベリリウム、水素化アルミニウムマグネシウム、水素化アルミニウムカルシウムなどが挙げられる。
前記アルカノールアミンとしては、例えば、ジエチルアミノエタノール、エタノールアミン、プロパノールアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノプロパノールなどが挙げられる。
前記脂肪族アミンとしては、例えば、プロピルアミン、ブチルアミン、ジプロピレンアミン、エチレンジアミン、トリエチレンペンタミンなどが挙げられる。
前記ヘテロ環式アミンとしては、例えば、ピペリジン、ピロリジン、Nメチルピロリジン、モルホリンなどが挙げられる。
前記芳香族アミンとしては、例えば、アニリン、N−メチルアニリン、トルイジン、アニシジン、フェネチジンなどが挙げられる。
前記アラルキルアミンとしては、例えば、ベンジルアミン、キシレンジアミン、N−メチルベンジルアミンなどが挙げられる。
前記アルコールとしては、例えば、メタノール、エタノール、2−プロパノールなどが挙げられる。
前記有機酸類としては、例えば、クエン酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、コハク酸、アスコルビン酸又はそれらの塩などが挙げられる。
前記還元糖類としては、例えば、グルコース、ガラクトース、マンノース、フルクトース、スクロース、マルトース、ラフィノース、スタキオースなどが挙げられる。
前記糖アルコール類としては、例えば、ソルビトールなどが挙げられる。
The heating is preferably performed by adding a reducing agent.
The reducing agent is not particularly limited and can be appropriately selected from those usually used. For example, borohydride metal salt, aluminum hydride salt, alkanolamine, aliphatic amine, heterocyclic amine, Aromatic amines, aralkylamines, alcohols, organic acids, reducing sugars, sugar alcohols, sodium sulfite, hydrazine compounds, dextrin, hydroquinone, hydroxylamine, ethylene glycol, glutathione and the like can be mentioned. Among these, reducing sugars, sugar alcohols as derivatives thereof, and ethylene glycol are particularly preferable.
Examples of the borohydride metal salt include sodium borohydride and potassium borohydride.
Examples of the aluminum hydride salt include lithium aluminum hydride, potassium aluminum hydride, cesium aluminum hydride, aluminum beryllium hydride, magnesium aluminum hydride, and calcium aluminum hydride.
Examples of the alkanolamine include diethylaminoethanol, ethanolamine, propanolamine, triethanolamine, dimethylaminopropanol, and the like.
Examples of the aliphatic amine include propylamine, butylamine, dipropyleneamine, ethylenediamine, and triethylenepentamine.
Examples of the heterocyclic amine include piperidine, pyrrolidine, N-methylpyrrolidine, and morpholine.
Examples of the aromatic amine include aniline, N-methylaniline, toluidine, anisidine, and phenetidine.
Examples of the aralkylamine include benzylamine, xylenediamine, and N-methylbenzylamine.
As said alcohol, methanol, ethanol, 2-propanol etc. are mentioned, for example.
Examples of the organic acids include citric acid, malic acid, tartaric acid, citric acid, succinic acid, ascorbic acid, and salts thereof.
Examples of the reducing saccharide include glucose, galactose, mannose, fructose, sucrose, maltose, raffinose, stachyose and the like.
Examples of the sugar alcohols include sorbitol.

前記還元剤によっては、機能として分散添加剤、溶媒としても働く場合があり、同様に好ましく用いることができる。   Depending on the reducing agent, it may function as a dispersion additive or a solvent as a function, and can be preferably used in the same manner.

前記金属ナノワイヤー製造の際には、分散添加剤と、ハロゲン化合物又はハロゲン化金属微粒子とを添加して行うことが好ましい。
前記分散添加剤と、ハロゲン化合物との添加のタイミングとしては、還元剤の添加前でも添加後でもよく、金属イオンあるいはハロゲン化金属微粒子の添加前でも添加後でもよいが、単分散性のよりよい金属ナノワイヤーを得るためには、ハロゲン化合物の添加を2段階以上に分けることが好ましい。
In the production of the metal nanowire, it is preferable to add a dispersion additive and a halogen compound or metal halide fine particles.
The timing of the addition of the dispersion additive and the halogen compound may be before or after the addition of the reducing agent, and may be before or after the addition of metal ions or metal halide fine particles, but is better in monodispersity. In order to obtain metal nanowires, it is preferable to add the halogen compound in two or more stages.

前記分散添加剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、アミノ基含有化合物、チオール基含有化合物、スルフィド基含有化合物、アミノ酸又はその誘導体、ペプチド化合物、多糖類、合成高分子、これらに由来するゲルなどが挙げられる。これらの中でも、ゼラチン、ポリビニルアルコール、メチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、ポリアルキレンアミン、ポリアクリル酸の部分アルキルエステル、ポリビニルピロリドン、ポリビニルピロリドン共重合体が特に好ましい。
前記分散添加剤として使用可能な構造については、例えば、「顔料の事典」(伊藤征司郎編、株式会社朝倉書院発行、2000年)の記載を参照できる。
また、使用する分散添加剤の種類によって、得られる金属ナノワイヤーの形状を変化させることもできる。
The dispersion additive is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. Examples thereof include an amino group-containing compound, a thiol group-containing compound, a sulfide group-containing compound, an amino acid or a derivative thereof, a peptide compound, and a polysaccharide. Synthetic polymers, gels derived from these, and the like. Among these, gelatin, polyvinyl alcohol, methyl cellulose, hydroxypropyl cellulose, polyalkyleneamine, partial alkyl ester of polyacrylic acid, polyvinyl pyrrolidone, and polyvinyl pyrrolidone copolymer are particularly preferable.
For the structure that can be used as the dispersion additive, for example, the description of “Encyclopedia of Pigments” (edited by Seijiro Ito, published by Asakura Shoin Co., Ltd., 2000) can be referred to.
Moreover, the shape of the metal nanowire obtained can also be changed with the kind of dispersion additive to be used.

前記ハロゲン化合物としては、臭素、塩素、ヨウ素を含有する化合物であれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、臭化ナトリウム、塩化ナトリウム、ヨウ化ナトリウム、ヨウ化カリウム、臭化カリウム、塩化カリウム、ヨウ化カリウムなどのアルカリハライドや、以下に説明する分散添加剤と併用できる化合物が好ましい。
前記ハロゲン化合物によっては、分散添加剤として機能するものがありうるが、同様に好ましく用いることができる。
The halogen compound is not particularly limited as long as it is a compound containing bromine, chlorine, or iodine, and can be appropriately selected according to the purpose. For example, sodium bromide, sodium chloride, sodium iodide, potassium iodide Further preferred are alkali halides such as potassium bromide, potassium chloride and potassium iodide, and compounds that can be used in combination with the dispersion additives described below.
Some halogen compounds may function as a dispersion additive, but can be preferably used in the same manner.

前記ハロゲン化合物の代替としてハロゲン化銀微粒子を使用してもよいし、ハロゲン化合物とハロゲン化銀微粒子を共に使用してもよい。   As an alternative to the halogen compound, silver halide fine particles may be used, or both a halogen compound and silver halide fine particles may be used.

前記分散剤とハロゲン化合物は同一物質で併用してもよい。前記分散剤とハロゲン化合物を併用した化合物としては、例えば、アミノ基と臭化物イオンを含むHTAB(ヘキサデシル−トリメチルアンモニウムブロミド)、アミノ基と塩化物イオンを含むHTAC(ヘキサデシル−トリメチルアンモニウムクロライド)、アミノ基と臭化物イオン又は塩化物イオンを含むドデシルトリメチルアンモニウムブロミド、ドデシルトリメチルアンモニウムクロリド、ステアリルトリメチルアンモニウムブロミド、ステアリルトリメチルアンモニウムクロリド、デシルトリメチルアンモニウムブロミド、デシルトリメチルアンモニウムクロリド、ジメチルジステアリルアンモニウムブロミド、ジメチルジステアリルアンモニウムクロリド、ジラウリルジメチルアンモニウムブロミド、ジラウリルジメチルアンモニウムクロリド、ジメチルジパルミチルアンモニウムブロミド、ジメチルジパルミチルアンモニウムクロリド、などが挙げられる。   The dispersant and the halogen compound may be used in the same substance. Examples of the compound in which the dispersant and the halogen compound are used in combination include, for example, HTAB (hexadecyl-trimethylammonium bromide) containing an amino group and a bromide ion, HTAC (hexadecyl-trimethylammonium chloride) containing an amino group and a chloride ion, and an amino group. And bromide or chloride ion containing dodecyltrimethylammonium bromide, dodecyltrimethylammonium chloride, stearyltrimethylammonium bromide, stearyltrimethylammonium chloride, decyltrimethylammonium bromide, decyltrimethylammonium chloride, dimethyldistearylammonium bromide, dimethyldistearylammonium chloride , Dilauryl dimethyl ammonium bromide, dilauryl dimethyl ammonium Umukurorido, dimethyl dipalmityl ammonium bromide, dimethyl dipalmityl ammonium chloride, and the like.

前記脱塩処理は、金属ナノワイヤーを形成した後、限外ろ過、透析、ゲルろ過、デカンテーション、遠心分離などの手法により行うことができる。   The desalting treatment can be performed by techniques such as ultrafiltration, dialysis, gel filtration, decantation, and centrifugation after forming metal nanowires.

<<ポリマー>>
前記ポリマーとしては、水溶性ポリマー、及び非水溶性ポリマーのいずれも好適に用いることができる。
<< Polymer >>
As the polymer, both a water-soluble polymer and a water-insoluble polymer can be suitably used.

−水溶性ポリマー−
前記水溶性ポリマーとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばゼラチン、ゼラチン誘導体、ガゼイン、寒天、でんぷん、ポリビニルアルコール、ポリアクリル酸共重合体、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、ポリビニルピロリドン、デキストラン、などが挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。
前記金属ナノワイヤーの含有量(A)と前記水溶性ポリマーの含有量(B)との質量比(A/B)は、0.2〜3.0が好ましく、0.5〜2.5がより好ましい。
前記質量比(A/B)が、0.2未満であると、前記金属ナノワイヤーに対して前記ポリマーが多くなりすぎ、僅かな塗布量変動により抵抗が上がってしまう懸念があり、3.0を超えると、ポリマーが少ないため、膜強度が実用上十分にならない場合がある。
-Water-soluble polymer-
The water-soluble polymer is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. For example, gelatin, gelatin derivatives, casein, agar, starch, polyvinyl alcohol, polyacrylic acid copolymer, carboxymethylcellulose, hydroxyethylcellulose , Polyvinyl pyrrolidone, dextran, and the like. These may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together.
The mass ratio (A / B) of the metal nanowire content (A) and the water-soluble polymer content (B) is preferably 0.2 to 3.0, and preferably 0.5 to 2.5. More preferred.
When the mass ratio (A / B) is less than 0.2, there is a concern that the amount of the polymer is excessive with respect to the metal nanowire, and the resistance increases due to a slight variation in the coating amount. If it exceeds, the film strength may not be practically sufficient due to the small amount of polymer.

−非水溶性ポリマー−
前記非水溶性ポリマーは、バインダーとしての機能を有しており、中性付近の水に実質的に溶解しないポリマーである。前記非水溶性ポリマーとは、具体的には、SP値(沖津法により算出)が、18MPa1/2〜30MPa1/2のポリマーを意味する。
-Water-insoluble polymer-
The water-insoluble polymer has a function as a binder, and is a polymer that does not substantially dissolve in water near neutrality. The water-insoluble polymer specifically means a polymer having an SP value (calculated by the Okitsu method) of 18 MPa 1/2 to 30 MPa 1/2 .

前記SP値としては、18MPa1/2〜30MPa1/2が好ましく、19MPa1/2〜28MPa1/2がより好ましく、19.5MPa1/2〜27MPa1/2が更に好ましい。
前記SP値が、18MPa1/2未満であると、付着した有機汚れを洗浄するのが困難になる場合があり、30MPa1/2を超えると、水との親和性が高くなり、塗布膜の含水率上昇に起因し、赤外線領域の吸収が高くなるためか、例えば太陽電池を作製したときに変換効率が減少してしまうことがある。
As the SP value is preferably 18MPa 1/2 ~30MPa 1/2, more preferably 19MPa 1/2 ~28MPa 1/2, more preferably 19.5MPa 1/2 ~27MPa 1/2.
The SP value is less than 18 MPa 1/2, there are cases where to wash the adhered organic stains difficult, exceeds 30 MPa 1/2, the higher the affinity for water, the coating film The conversion efficiency may decrease when a solar cell is manufactured, for example, because the absorption in the infrared region is increased due to the increase in water content.

ここで、前記SP値は、沖津法(沖津俊直著「日本接着学会誌」29(3)(1993))によって算出したものである。具体的には、SP値は以下の式で計算されるものである。なお、ΔFは文献記載の値である。
SP値(δ)=ΣΔF(Molar Attraction Constants)/V(モル容積)
複数の非水溶性ポリマーを用いた場合のSP値(σ)及びSP値の水素結合項(σh)は次の式により算出する。
Here, the SP value is calculated by the Okitsu method (Toshinao Okitsu, “Journal of the Adhesion Society of Japan” 29 (3) (1993)). Specifically, the SP value is calculated by the following formula. ΔF is a value described in the literature.
SP value (δ) = ΣΔF (Molar Attraction Constants) / V (molar volume)
When using a plurality of water-insoluble polymers, the SP value (σ) and the hydrogen bond term (σh) of the SP value are calculated by the following equations.

ただし、σnは、非水溶性ポリマーと水のSP値又はSP値の水素結合項を、Mnは、混合液中における非水溶性ポリマーと水のモル分率を、Vnは、溶媒のモル体積を、nは、溶媒の種類を表す2以上の整数をそれぞれ表す。 However, σn is the hydrogen bond term of the SP value or SP value of the water-insoluble polymer and water, Mn is the molar fraction of the water-insoluble polymer and water in the mixed solution, and Vn is the molar volume of the solvent. , N each represents an integer of 2 or more representing the type of solvent.

前記非水溶性ポリマーとしては、前記SP値が18MPa1/2〜30MPa1/2であれば特に制限されないが、塗膜の基板への密着性、摺りなどに対する耐久性という点で、エチレン性不飽和基を有するポリマーが好ましい。これらの中でも、主鎖に連結する側鎖に、エチレン性不飽和結合の少なくとも1種を含むことが好ましい。前記エチレン性不飽和結合は、側鎖中に複数含まれていてもよい。また、前記エチレン性不飽和結合は、非水溶性ポリマーの側鎖中に、前記分岐及び/又は脂環構造、並びに/又は前記酸性基とともに含まれていてもよい。 The water-insoluble polymer is not particularly limited as long as the SP value is 18 MPa 1/2 to 30 MPa 1/2 , but is not ethylenic in terms of adhesion of the coating film to the substrate and durability against sliding. Polymers having saturated groups are preferred. Among these, it is preferable that the side chain connected to the main chain contains at least one ethylenically unsaturated bond. A plurality of the ethylenically unsaturated bonds may be contained in the side chain. The ethylenically unsaturated bond may be included in the side chain of the water-insoluble polymer together with the branched and / or alicyclic structure and / or the acidic group.

前記エチレン性不飽和結合としては、非水溶性ポリマーの主鎖との間に少なくとも1つのエステル基(−COO−)を介して結合し、エチレン性不飽和結合とエステル基のみで非水溶性ポリマーの側鎖を構成していてもよい。また、非水溶性ポリマーの主鎖とエステル基との間、及び/又は、エステル基とエチレン性不飽和結合との間に、更に2価の有機連結基を有してもよく、エチレン性不飽和結合は「エチレン性不飽和結合を有する基」として非水溶性ポリマーの側鎖を構成していてもよい。
前記2価の有機連結基としては、例えば、スチレン類、(メタ)アクリレート類、ビニルエーテル類、ビニルエステル類、(メタ)アクリルアミド類などが挙げられ、(メタ)アクリレート類、ビニルエステル類、(メタ)アクリルアミド類が好ましく、(メタ)アクリレート類が特に好ましい。
The ethylenically unsaturated bond is bonded to the main chain of the water-insoluble polymer via at least one ester group (—COO—), and the water-insoluble polymer is composed of only the ethylenically unsaturated bond and the ester group. The side chain may be constituted. Further, it may have a divalent organic linking group between the main chain of the water-insoluble polymer and the ester group and / or between the ester group and the ethylenically unsaturated bond. The saturated bond may constitute a side chain of the water-insoluble polymer as “group having an ethylenically unsaturated bond”.
Examples of the divalent organic linking group include styrenes, (meth) acrylates, vinyl ethers, vinyl esters, (meth) acrylamides, etc., (meth) acrylates, vinyl esters, (meth ) Acrylamides are preferred, and (meth) acrylates are particularly preferred.

前記エチレン性不飽和結合としては、(メタ)アクリロイル基を導入して配されることが好ましい。
前記非水溶性ポリマーの側鎖に(メタ)アクリロイル基を導入する方法としては、特に制限はなく、公知の方法の中から適宜選択することができ、例えば、酸性基を持つ繰り返し単位にエポキシ基を持つ(メタ)アクリレートを付加する方法、ヒドロキシル基を持つ繰り返し単位にイソシアネート基を持つ(メタ)アクリレートを付加する方法、イソシアネート基を持つ繰り返し単位にヒドロキシ基を持つ(メタ)アクリレートを付加する方法などが挙げられる。
これらの中でも、酸性基を持つ繰り返し単位にエポキシ基を持つ(メタ)アクリレートを付加する方法が最も製造が容易であり、低コストである点で好ましい。
The ethylenically unsaturated bond is preferably arranged by introducing a (meth) acryloyl group.
The method for introducing a (meth) acryloyl group into the side chain of the water-insoluble polymer is not particularly limited and may be appropriately selected from known methods. For example, an epoxy group may be added to a repeating unit having an acidic group. Of adding (meth) acrylate having a hydroxyl group, adding a (meth) acrylate having an isocyanate group to a repeating unit having a hydroxyl group, and adding a (meth) acrylate having a hydroxyl group to a repeating unit having an isocyanate group Etc.
Among these, the method of adding (meth) acrylate having an epoxy group to a repeating unit having an acidic group is most preferable because it is the easiest to produce and is low in cost.

前記エチレン性不飽和結合及びエポキシ基を有する(メタ)アクリレートとしては、これらを有すれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、下記構造式(1)で表される化合物及び下記構造式(2)で表される化合物が好ましい。   The (meth) acrylate having an ethylenically unsaturated bond and an epoxy group is not particularly limited as long as it has these, and can be appropriately selected according to the purpose. For example, it is represented by the following structural formula (1). And a compound represented by the following structural formula (2) are preferred.

ただし、前記構造式(1)中、Rは、水素原子又はメチル基を表す。Lは、有機基を表す。 However, in the structural formula (1), R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group. L 1 represents an organic group.

ただし、前記構造式(2)中、Rは、水素原子又はメチル基を表す。Lは、有機基を表す。Wは、4〜7員環の脂肪族炭化水素基を表す。 In the Structural formula (2), R 2 represents a hydrogen atom or a methyl group. L 2 represents an organic group. W represents a 4- to 7-membered aliphatic hydrocarbon group.

前記構造式(1)及び構造式(2)で表される化合物の中でも、光硬化樹脂と組み合わせ、ネガ型、ポジ型のレジストとして使用した場合、良現像性、及び膜強度という点で、前記構造式(1)で表される化合物が好ましい。前記構造式(1)及び(2)においては、L及びLがそれぞれ独立に炭素数1〜4のアルキレン基がより好ましい。 Among the compounds represented by the structural formula (1) and the structural formula (2), when used as a negative-type or positive-type resist in combination with a photocurable resin, in terms of good developability and film strength, A compound represented by the structural formula (1) is preferred. In the structural formulas (1) and (2), L 1 and L 2 are each independently more preferably an alkylene group having 1 to 4 carbon atoms.

前記構造式(1)及び構造式(2)で表される化合物としては、特に制限はないが、例えば、以下の化合物(1)〜(10)が挙げられる。   Although there is no restriction | limiting in particular as a compound represented by the said Structural formula (1) and Structural formula (2), For example, the following compounds (1)-(10) are mentioned.

前記金属ナノワイヤーの含有量(A)と前記非水溶性ポリマーの含有量(C)との質量比(A/C)は、0.2〜3.0が好ましく、0.5〜2.5がより好ましい。
前記質量比(A/C)が、0.2未満であると、塗布量変動による抵抗値のバラツキが問題になる場合や、本発明における溶解液の作用が低下することがあり、3.0を超えると、塗布膜に実用上の十分な強度が得られないことがある。
前記金属ナノワイヤーの含有量(塗布量)は、0.005g/m〜0.5g/mであることが好ましく、0.01g/m〜0.45g/mがより好ましく、0.015g/m〜0.4g/mが更に好ましい。
As for mass ratio (A / C) of content (A) of the said metal nanowire, and content (C) of the said water-insoluble polymer, 0.2-3.0 are preferable, 0.5-2.5 Is more preferable.
If the mass ratio (A / C) is less than 0.2, there may be a problem of variation in resistance due to variation in coating amount, or the action of the solution in the present invention may be reduced. If it exceeds 1, practically sufficient strength may not be obtained in the coating film.
The content of the metal nanowires (coating amount) is preferably, more preferably 0.01g / m 2 ~0.45g / m 2 it is 0.005g / m 2 ~0.5g / m 2 , 0 More preferably, it is .015 g / m 2 to 0.4 g / m 2 .

−分散剤−
前記分散剤は、前記金属ナノワイヤーの凝集を防ぎ、分散させるために用いられる。前記分散剤としては、前記金属ナノワイヤーを分散させることができれば特に制限はなく、目的に応じて適否選択することができ、例えば、市販の低分子顔料分散剤、高分子顔料分散剤を利用でき、特に高分子分散剤で金属ナノワイヤーに吸着する性質を持つものが好ましく用いられ、ポリビニルピロリドン、BYKシリーズ(ビックケミー社製)、ソルスパースシリーズ(日本ルーブリゾール社製)、アジスパーシリーズ(味の素株式会社製)などが挙げられる。
-Dispersant-
The dispersant is used to prevent and disperse the metal nanowires. The dispersant is not particularly limited as long as the metal nanowires can be dispersed, and can be appropriately selected according to the purpose. For example, a commercially available low molecular pigment dispersant or polymer pigment dispersant can be used. In particular, a polymer dispersant having a property of adsorbing to metal nanowires is preferably used. Polyvinylpyrrolidone, BYK series (manufactured by Big Chemie), Solsperse series (manufactured by Nihon Lubrizol), Ajisper series (Ajinomoto Co., Inc.) Company-made).

前記分散剤の含有量としては、前記ポリマー100質量部に対し、0.1質量部〜50質量部が好ましく、0.5質量部〜40質量部がより好ましく、1質量部〜30質量部が更に好ましい。前記含有量が、0.1質量部未満であると、分散液中で金属ナノワイヤーが凝集してしまうことがあり、50質量部を超えると、塗布工程において安定な塗布膜が形成できず、塗布ムラが発生してしまうことがある。   As content of the said dispersing agent, 0.1 mass part-50 mass parts are preferable with respect to 100 mass parts of said polymers, 0.5 mass part-40 mass parts are more preferable, and 1 mass part-30 mass parts are. Further preferred. If the content is less than 0.1 parts by mass, metal nanowires may aggregate in the dispersion, and if it exceeds 50 parts by mass, a stable coating film cannot be formed in the coating process. Application unevenness may occur.

−その他の成分−
前記その他の成分としては、必要に応じて例えば、界面活性剤、酸化防止剤、硫化防止剤、金属腐食防止剤、粘度調整剤、防腐剤等の各種添加剤などが挙げられる。
-Other ingredients-
Examples of the other components include various additives such as surfactants, antioxidants, sulfurization inhibitors, metal corrosion inhibitors, viscosity modifiers, preservatives, and the like as necessary.

<基材>
前記基材の形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記形状としては、膜状、シート状などが挙げられる。前記構造としては、単層構造、積層構造などが挙げられる。前記大きさとしては、用途等に応じて適宜選択することができる。
<Base material>
There is no restriction | limiting in particular about the shape, structure, size, etc. of the said base material, According to the objective, it can select suitably, For example, a film | membrane form, a sheet form, etc. are mentioned as said shape. Examples of the structure include a single layer structure and a laminated structure. The size can be appropriately selected according to the application.

前記基材としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、透明ガラス基板、合成樹脂製シート(フィルム)、金属基板、セラミック板、光電変換素子を有する半導体基板などが挙げられる。前記基板には、所望により、シランカップリング剤等の薬品処理、プラズマ処理、イオンプレーティング、スパッタリング、気相反応法、真空蒸着などの前処理を行うことができる。
前記透明ガラス基板としては、例えば、白板ガラス、青板ガラス、シリカコート青板ガラスなどが挙げられる。
前記合成樹脂製シートとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)シート、ポリカーボネートシート、ポリエーテルスルホンシート、ポリエステルシート、アクリル樹脂シート、塩化ビニル樹脂シート、芳香族ポリアミド樹脂シート、ポリアミドイミドシート、ポリイミドシートなどが挙げられる。
前記金属基板としては、例えば、アルミニウム板、銅板、ニッケル板、ステンレス板などが挙げられる。
There is no restriction | limiting in particular as said base material, According to the objective, it can select suitably, For example, a transparent substrate, a synthetic resin sheet (film), a metal substrate, a ceramic board, a semiconductor substrate which has a photoelectric conversion element, etc. Is mentioned. If necessary, the substrate can be subjected to pretreatment such as chemical treatment such as a silane coupling agent, plasma treatment, ion plating, sputtering, gas phase reaction method, vacuum deposition and the like.
Examples of the transparent glass substrate include white plate glass, blue plate glass, and silica-coated blue plate glass.
Examples of the synthetic resin sheet include a polyethylene terephthalate (PET) sheet, a polycarbonate sheet, a polyethersulfone sheet, a polyester sheet, an acrylic resin sheet, a vinyl chloride resin sheet, an aromatic polyamide resin sheet, a polyamideimide sheet, and a polyimide sheet. Is mentioned.
Examples of the metal substrate include an aluminum plate, a copper plate, a nickel plate, and a stainless plate.

前記基材の全可視光透過率としては、70%以上が好ましく、85%以上がより好ましく、90%以上が更に好ましい。前記全可視光透過率が、70%未満であると、透過率が低く実用上問題となることがある。
なお、本発明では、基材として本発明の目的を妨げない程度に着色したものを用いることもできる。
The total visible light transmittance of the substrate is preferably 70% or more, more preferably 85% or more, and still more preferably 90% or more. If the total visible light transmittance is less than 70%, the transmittance may be low and may cause a problem in practical use.
In the present invention, a substrate that is colored to the extent that the object of the present invention is not hindered can also be used.

前記基材の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、1μm〜500μmが好ましく、3μm〜400μmがより好ましく、5μm〜300μmが更に好ましい。
前記厚みが、1μm未満であると、塗布工程でのハンドリングの困難さに起因して、歩留まりが低下することがあり、500μmを超えると、ポータブルなアプリケーションにおいては厚みや質量が問題となることがある。
There is no restriction | limiting in particular as thickness of the said base material, Although it can select suitably according to the objective, 1 micrometer-500 micrometers are preferable, 3 micrometers-400 micrometers are more preferable, and 5 micrometers-300 micrometers are still more preferable.
If the thickness is less than 1 μm, the yield may decrease due to difficulty in handling in the coating process, and if it exceeds 500 μm, the thickness and mass may be a problem in portable applications. is there.

−その他の層−
本発明においては、前記導電層が感光性材料(バインダー、感光性化合物)を含有しない場合には、前記基材と前記導電層の間、あるいは前記導電層上に感光層を有することが好ましい。
-Other layers-
In this invention, when the said conductive layer does not contain a photosensitive material (a binder, a photosensitive compound), it is preferable to have a photosensitive layer between the said base material and the said conductive layer, or on the said conductive layer.

(導電材料の製造方法)
本発明の導電材料の製造方法は、導電層形成工程を少なくとも含み、付与工程、パターニング工程、更に必要に応じてその他の工程を含んでなる。
(Method for producing conductive material)
The method for producing a conductive material of the present invention includes at least a conductive layer forming step, and includes an applying step, a patterning step, and other steps as necessary.

<導電層形成工程>
前記導電層形成工程は、基材上に、少なくとも金属ナノワイヤーを含有する導電層組成物を塗布して導電層を形成する工程である。
前記導電層組成物は、金属ナノワイヤー、及びポリマーを含有し、更に必要に応じてその他の成分を含有してなる。
<Conductive layer formation process>
The said conductive layer formation process is a process of apply | coating the conductive layer composition containing a metal nanowire at least on a base material, and forming a conductive layer.
The conductive layer composition contains metal nanowires and a polymer, and further contains other components as necessary.

前記基材、前記金属ナノワイヤー、及び前記ポリマーとしては、上述したものの中から適宜選択することができる。
前記導電層組成物の塗布方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばバーコート法、スピンコート法、ロールコート法、スリットコート法などが挙げられる。
The substrate, the metal nanowire, and the polymer can be appropriately selected from those described above.
There is no restriction | limiting in particular as the application | coating method of the said conductive layer composition, According to the objective, it can select suitably, For example, a bar coat method, a spin coat method, a roll coat method, a slit coat method etc. are mentioned.

前記金属ナノワイヤーの塗布量(含有量)としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、0.005g/m〜0.5g/mであることが好ましく、0.01g/m〜0.45g/mがより好ましく、0.015g/m〜0.4g/mが更に好ましい。
前記塗布量が、0.005g/m未満であると、局所的に抵抗が高くなってしまう箇所ができ、面内の抵抗分布が悪化することがあり、0.5g/mを超えると、塗布後の乾燥中に金属ナノワイヤー同士の凝集により、ヘイズが悪化することがある。
The coating amount of the metal nanowires as (content) is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose, it is preferably 0.005g / m 2 ~0.5g / m 2 , 0 more preferably .01g / m 2 ~0.45g / m 2 , 0.015g / m 2 ~0.4g / m 2 is more preferable.
When the coating amount is less than 0.005 g / m 2 , there may be a portion where the resistance is locally increased, and the in-plane resistance distribution may be deteriorated, and when it exceeds 0.5 g / m 2. The haze may deteriorate due to the aggregation of metal nanowires during drying after coating.

前記導電層の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、20nm〜5,000nmが好ましく、25nm〜4,000nmがより好ましく、30nm〜3,500nmが更に好ましい。
前記厚みが、20nm未満であると、金属ナノワイヤーの平均短軸長さと変わらない範囲となってしまい、膜強度が低下することがあり、5,000nmを超えると、導電層のヒビ割れ、透過率やヘイズが悪化することがある。
There is no restriction | limiting in particular as thickness of the said conductive layer, According to the objective, it can select suitably, 20 nm-5,000 nm are preferable, 25 nm-4,000 nm are more preferable, 30 nm-3,500 nm are still more preferable.
If the thickness is less than 20 nm, the average minor axis length of the metal nanowires is not changed, and the film strength may be reduced. If the thickness exceeds 5,000 nm, the conductive layer is cracked and transmitted. Rate and haze may deteriorate.

<付与工程>
前記付与工程は、一般式(I)及び一般式(II)で表される化合物を含む液を導電層に付与する工程である。
<Granting process>
The application step is a step of applying a liquid containing a compound represented by general formula (I) and general formula (II) to the conductive layer.

前記一般式(I)及び前記一般式(II)で表される化合物としては、前記導電材料と同じものを用いることができる。
前記一般式(I)及び前記一般式(II)で表される化合物を溶解するのに用いる溶媒としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、水、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、エチレングリコール等のアルコール類;ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエーテル類;アセトン等のケトン類、などが挙げられる。
前記付与方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、塗布法、含浸法、スプレー法、浸漬法、などが挙げられる。
As the compounds represented by the general formula (I) and the general formula (II), the same materials as the conductive material can be used.
There is no restriction | limiting in particular as a solvent used for melt | dissolving the compound represented by the said general formula (I) and the said general formula (II), According to the objective, it can select suitably, For example, water, methanol, Examples thereof include alcohols such as ethanol, propanol, isopropanol, butanol and ethylene glycol; ethers such as dioxane and tetrahydrofuran; ketones such as acetone.
There is no restriction | limiting in particular as said provision method, According to the objective, it can select suitably, For example, the apply | coating method, the impregnation method, the spray method, the immersion method etc. are mentioned.

<パターニング工程>
前記パターニング工程は、前記導電層をパターン露光し、現像する工程である。
前記露光方法としては、フォトマスクを利用した面露光で行ってもよいし、レーザービームによる走査露光で行ってもよい。この際、レンズを用いた屈折式露光でも反射鏡を用いた反射式露光でもよく、コンタクト露光、プロキシミティー露光、縮小投影露光、反射投影露光などの露光方式を用いることができる。
<Patterning process>
The patterning step is a step of pattern-exposing and developing the conductive layer.
As the exposure method, surface exposure using a photomask may be performed, or scanning exposure using a laser beam may be performed. At this time, refractive exposure using a lens or reflection exposure using a reflecting mirror may be used, and exposure methods such as contact exposure, proximity exposure, reduced projection exposure, and reflection projection exposure can be used.

前記現像は、前記導電層における露光部及び非露光部のいずれかを、溶媒を付与して現像する工程である。
前記溶媒としては、アルカリ溶液が好ましい。
前記アルカリ溶液に含まれるアルカリとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばテトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、2−ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムハイドロオキサイド、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどが挙げられる。
The development is a step of developing the exposed portion or the non-exposed portion of the conductive layer by applying a solvent.
As the solvent, an alkaline solution is preferable.
The alkali contained in the alkaline solution is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. For example, tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, 2-hydroxyethyltrimethylammonium hydroxide, sodium carbonate, Examples thereof include sodium hydrogen carbonate, potassium carbonate, potassium hydrogen carbonate, sodium hydroxide, potassium hydroxide and the like.

前記アルカリ溶液の付与方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば塗布、浸漬、噴霧などが挙げられる。具体的には、アルカリ溶液中に本発明の前記導電材料を浸漬する方法、本発明の前記導電材料にシャワーやスプレーを用いて有機溶剤をかけ流す方法、本発明の前記導電材料にアルカリ溶液を浸したナプキン等で塗りつける方法などが挙げられる。これらの中でも、アルカリ溶液中に本発明の前記導電材料を浸漬する方法が特に好ましい。
前記アルカリ溶液の浸漬時間は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、10秒間〜5分間であることが好ましい。
There is no restriction | limiting in particular as the provision method of the said alkaline solution, According to the objective, it can select suitably, For example, application | coating, immersion, spraying etc. are mentioned. Specifically, a method of immersing the conductive material of the present invention in an alkaline solution, a method of pouring an organic solvent into the conductive material of the present invention using a shower or spray, and an alkaline solution for the conductive material of the present invention. For example, a method of applying with a dipped napkin. Among these, the method of immersing the conductive material of the present invention in an alkaline solution is particularly preferable.
There is no restriction | limiting in particular in the immersion time of the said alkaline solution, Although it can select suitably according to the objective, It is preferable that it is 10 seconds-5 minutes.

本発明の導電材料における導電層の表面抵抗は、0.1Ω/□〜5,000Ω/□であることが好ましく、0.1Ω/□〜30Ω/□であることがより好ましい。
前記表面抵抗は、例えば表面抵抗計(三菱化学株式会社製、Loresta−GP MCP−T600)を用いて、測定することができる。
本発明の導電材料における導電層の光透過率は、70%以上が好ましく、80%以上がより好ましい。
ここで、前記光透過率は、例えば自記分光光度計(UV2400−PC、島津製作所製)により測定することができる。
The surface resistance of the conductive layer in the conductive material of the present invention is preferably 0.1Ω / □ to 5,000Ω / □, and more preferably 0.1Ω / □ to 30Ω / □.
The surface resistance can be measured using, for example, a surface resistance meter (Loresta-GP MCP-T600, manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation).
The light transmittance of the conductive layer in the conductive material of the present invention is preferably 70% or more, and more preferably 80% or more.
Here, the light transmittance can be measured by, for example, a self-recording spectrophotometer (UV2400-PC, manufactured by Shimadzu Corporation).

本発明の導電材料は、高透過性、低抵抗であり、耐久性及び可撓性が向上し、簡易にパターニングが可能であるので、例えばタッチパネル、ディスプレイ用電極、電磁波シールド、有機ELディスプレイ用電極、無機ELディスプレイ用電極、電子パーパー、フレキシブルディスプレイ用電極、集積型太陽電池、表示素子、その他の各種デバイスなどに幅広く適用される。これらの中でも、以下に説明するタッチパネルが特に好ましい。   The conductive material of the present invention has high permeability, low resistance, improved durability and flexibility, and can be easily patterned. For example, a touch panel, a display electrode, an electromagnetic wave shield, an organic EL display electrode It is widely applied to electrodes for inorganic EL displays, electronic paper, electrodes for flexible displays, integrated solar cells, display elements, and other various devices. Among these, the touch panel described below is particularly preferable.

(タッチパネル)
本発明のタッチパネルは、本発明の前記導電材料(透明導電体)を有する限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、表面型静電容量方式タッチパネル、投射型静電容量方式タッチパネル、抵抗膜式タッチパネルなどが挙げられる。なお、前記タッチパネルには、いわゆるタッチセンサ及びタッチパッドを含むものとする。
前記タッチパネルにおけるタッチパネルセンサー電極部の層構成が、2枚の透明電極を貼合する貼合方式、1枚の基材の両面に透明電極を具備する方式、片面ジャンパあるいはスルーホール方式あるいは片面積層方式のいずれかであることが好ましい。
(Touch panel)
The touch panel of the present invention is not particularly limited as long as it has the conductive material (transparent conductor) of the present invention, and can be appropriately selected according to the purpose. For example, a surface capacitive touch panel, a projection electrostatic Examples include a capacitive touch panel and a resistive touch panel. The touch panel includes a so-called touch sensor and a touch pad.
The layer structure of the touch panel sensor electrode part in the touch panel is a bonding method in which two transparent electrodes are bonded, a method in which transparent electrodes are provided on both surfaces of a single substrate, a single-sided jumper or a through-hole method, or a single-area layer method. It is preferable that it is either.

本発明のタッチパネルは、支持フィルムと、該支持フィルム上に第一のセンサー電極アレイ及び第二のセンサー電極アレイを有するタッチパネルであって、支持フィルムの同一面上に、第一のセンサー電極アレイ及び第二のセンサー電極アレイが配置されており、第一のセンサー電極アレイと第二のセンサー電極アレイが直交配列しており、第一のセンサー電極アレイと第二のセンサー電極アレイとの距離が50μm以下であり、第一のセンサー電極アレイ及び前記第二のセンサー電極アレイが本発明の前記導電材料を用いて形成されたものである。   The touch panel of the present invention is a touch panel having a support film and a first sensor electrode array and a second sensor electrode array on the support film, wherein the first sensor electrode array and the first sensor electrode array The second sensor electrode array is arranged, the first sensor electrode array and the second sensor electrode array are orthogonally arranged, and the distance between the first sensor electrode array and the second sensor electrode array is 50 μm. The first sensor electrode array and the second sensor electrode array are formed using the conductive material of the present invention.

第一のセンサー電極アレイ及び第二のセンサー電極アレイが、略正方形状のパッド部と該バッド部を電気的に連結する連結部とから構成されており、第一のセンサー電極アレイのパッド部と第二のセンサー電極アレイのパッド部との隣接する辺と辺との距離が50μm以下であることが好ましく、30μm以下がより好ましく、20μmが更に好ましい。前記距離が、50μm以下であると、辺と辺との隙間が目立たずディスプレイ画像の視認性向上の点で好ましい。なお、前記隣接する辺と辺との距離は、5μm以上であることが好ましく、10μm以上であることがより好ましい。   The first sensor electrode array and the second sensor electrode array are composed of a substantially square pad portion and a connecting portion that electrically connects the pad portion, and the pad portion of the first sensor electrode array The distance between sides adjacent to the pad portion of the second sensor electrode array is preferably 50 μm or less, more preferably 30 μm or less, and even more preferably 20 μm. When the distance is 50 μm or less, the gap between the sides is inconspicuous, which is preferable in terms of improving the visibility of the display image. The distance between the adjacent sides is preferably 5 μm or more, and more preferably 10 μm or more.

ここで、片面積層型の静電容量式タッチパネルについて図面を用いて説明する。
図1は、タッチパネル110の概略断面図を示す。この図1のタッチパネル110は、透明な透明基板111の一方の面上に、透明導電膜よりなる第1電極パターン112と、透明導電膜よりなる第2電極パターン114とが同一面上に形成されて静電容量変化を検出するためのセンサ部120を形成してある。センサ部120上には保護膜115を積層している。
第1電極パターン112及び第2電極パターン114は透明基板111上に、本発明の導電材料を積層して形成してある。これらの電極パターンの形成方法としては、(1)本発明の導電材料を塗布して乾燥させ、それに対して電極パターンに対応するマスクを介在させて露光現像することで不要な部分を除去して電極パターンを形成する方法、(2)本発明の導電材料を塗布して乾燥させ、それに金属ナノワイヤーが溶解するエッチングインクを電極パターン状に塗布して電極パターンを形成する方法がある。
第1電極パターン112及び第2電極パターン114は、同一面上に電気的に離間して形成される。このとき、少なくとも一方の電極パターンは、パッド部とパッド部との間が電気的につながっていないことになるので、ジャンパと呼ばれるメタル配線を用いて電気的に接続する必要がある。
Here, a single area layer type capacitive touch panel will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of the touch panel 110. In the touch panel 110 shown in FIG. 1, a first electrode pattern 112 made of a transparent conductive film and a second electrode pattern 114 made of a transparent conductive film are formed on the same surface on one surface of a transparent transparent substrate 111. Thus, a sensor unit 120 for detecting a change in capacitance is formed. A protective film 115 is laminated on the sensor unit 120.
The first electrode pattern 112 and the second electrode pattern 114 are formed by laminating the conductive material of the present invention on the transparent substrate 111. As a method for forming these electrode patterns, (1) the conductive material of the present invention is applied and dried, and an unnecessary portion is removed by exposing and developing with a mask corresponding to the electrode pattern. There are a method of forming an electrode pattern, and (2) a method of forming an electrode pattern by applying and drying the conductive material of the present invention and applying an etching ink in which metal nanowires are dissolved to the electrode pattern.
The first electrode pattern 112 and the second electrode pattern 114 are formed on the same surface so as to be electrically separated from each other. At this time, since at least one of the electrode patterns is not electrically connected between the pad portion and the pad portion, it is necessary to electrically connect using a metal wiring called a jumper.

図2は、保護膜115を取り除いてタッチパネル110の操作面側からみた模式図を示す。
第1電極パターン112を構成する1行のX電極体112aは、菱形状で複数のX電極112bを、パネル水平方向であるX方向に隣接するX電極112b同士をX導通部112cで接続してある。そして、水平方向に接続したX電極体112aを複数行配置してある。
第2電極パターン114を構成する1列のY電極体114aは、菱形状で複数のY電極114bを上記、X電極とマトリクス状に配置して、パネル垂直方向であるY方向に隣接するY電極114b同士をY導通部114cで連結してある。
そして、垂直方向に接続したY電極体114aを複数列配置してある。
第1電極パターン112と第2電極パターン114は、X電極112bとY電極114bとが重ならないようにパネルに交互配置となって、X導電部112cとY導電部114cとが交差配置となるように、X電極体112aとY電極体114aとを格子状に配置してある。前記第1電極パターン112と前記第2電極パターン114との隣接する辺と辺との距離が50μm以下となるように形成されている。なお、X導通部112c又はY導通部114cはジャンパと呼ばれるメタル配線を用いることで、片面タイプの透明導電膜とすることができる。
FIG. 2 is a schematic view seen from the operation surface side of the touch panel 110 with the protective film 115 removed.
One row of X electrode bodies 112a constituting the first electrode pattern 112 has a rhombus shape and a plurality of X electrodes 112b and X electrodes 112b adjacent to each other in the X direction, which is the horizontal direction of the panel, are connected by an X conduction portion 112c. is there. A plurality of rows of X electrode bodies 112a connected in the horizontal direction are arranged.
A row of Y electrode bodies 114a constituting the second electrode pattern 114 has a rhombus shape and a plurality of Y electrodes 114b arranged in a matrix with the X electrodes, and adjacent to the Y direction which is the vertical direction of the panel. 114b are connected by the Y conduction | electrical_connection part 114c.
A plurality of rows of Y electrode bodies 114a connected in the vertical direction are arranged.
The first electrode pattern 112 and the second electrode pattern 114 are alternately arranged on the panel so that the X electrode 112b and the Y electrode 114b do not overlap, and the X conductive portion 112c and the Y conductive portion 114c are crossed. In addition, the X electrode body 112a and the Y electrode body 114a are arranged in a grid pattern. The first electrode pattern 112 and the second electrode pattern 114 are formed such that the distance between adjacent sides is 50 μm or less. Note that the X conductive portion 112c or the Y conductive portion 114c can be a single-sided transparent conductive film by using a metal wiring called a jumper.

次に、表面型静電容量方式タッチパネルの一例について、図3を参照して説明する。この図3において、タッチパネル10は、透明基板11の表面を一様に覆うように透明導電体12を配してなり(本発明の前記導電材料に相当)、透明基板11の端部の透明導電体12上に、図示しない外部検知回路との電気接続のための電極端子18が形成されている。
なお、図3中、13は、シールド電極となる透明導電体を示し、14、17は、保護膜を示し、15は、中間保護膜を示し、16は、グレア防止膜を示す。
透明導電体12上の任意の点を指でタッチ等すると、前記透明導電体12は、タッチされた点で人体を介して接地され、各電極端子18と接地ラインとの間の抵抗値に変化が生じる。この抵抗値の変化を前記外部検知回路によって検知し、タッチした点の座標が特定される。
Next, an example of a surface capacitive touch panel will be described with reference to FIG. In FIG. 3, the touch panel 10 has a transparent conductor 12 disposed so as to uniformly cover the surface of the transparent substrate 11 (corresponding to the conductive material of the present invention), and the transparent conductive material at the end of the transparent substrate 11. An electrode terminal 18 for electrical connection with an external detection circuit (not shown) is formed on the body 12.
In FIG. 3, 13 indicates a transparent conductor serving as a shield electrode, 14 and 17 indicate protective films, 15 indicates an intermediate protective film, and 16 indicates an antiglare film.
When an arbitrary point on the transparent conductor 12 is touched with a finger, the transparent conductor 12 is grounded through the human body at the touched point, and changes to a resistance value between each electrode terminal 18 and the ground line. Occurs. The change of the resistance value is detected by the external detection circuit, and the coordinates of the touched point are specified.

前記表面型静電容量方式タッチパネルの他の一例について図4を用いて説明する。該図4においてタッチパネル20は、透明基板21の表面を覆うように配された透明導電体22(本発明の前記導電材料に相当)と透明導電体23と、該透明導電体22と該透明導電体23とを絶縁する絶縁層24と、指等の接触対象と透明導電体22又は透明導電体23の間に静電容量を生じる絶縁カバー層25からなり、指等の接触対象に対して位置検知する。構成によっては、透明導電体22,23を一体として構成することもでき、また、絶縁層24又は絶縁カバー層25を空気層として構成してもよい。
絶縁カバー層25を指等でタッチすると、指等と透明導電体22又は透明導電体23の間の静電容量の値に変化が生じる。この静電容量値の変化を前記外部検知回路によって検知し、タッチした点の座標が特定される。
また、図5により、投射型静電容量方式タッチパネルとしてのタッチパネル20を透明導電体22と透明導電体23とを平面から視た配置を通じて模式的に説明する。
タッチパネル20は、X軸方向の位置を検出可能とする複数の透明導電体22と、Y軸方向の複数の透明導電体23とが、外部端子に接続可能に配されている。透明導電体22と透明導電体23とは、指先等の接触対象に対し複数接触して、接触情報が多点で入力されることを可能とされる。
このタッチパネル20上の任意の点を指でタッチ等すると、X軸方向及びY軸方向の座標が位置精度よく特定される。
なお、透明基板、保護層等のその他の構成としては、前記表面型静電容量方式タッチパネルの構成を適宜選択して適用することができる。また、タッチパネル20において、複数の透明導電体22と、複数の透明導電体23とによる透明導電体のパターンの例を示したが、その形状、配置等としては、これらに限られない。
Another example of the surface capacitive touch panel will be described with reference to FIG. In FIG. 4, the touch panel 20 includes a transparent conductor 22 (corresponding to the conductive material of the present invention), a transparent conductor 23, a transparent conductor 22, and a transparent conductor arranged so as to cover the surface of the transparent substrate 21. An insulating layer 24 that insulates the body 23, and an insulating cover layer 25 that generates a capacitance between a contact object such as a finger and the transparent conductor 22 or the transparent conductor 23, and is positioned with respect to the contact object such as a finger Detect. Depending on the configuration, the transparent conductors 22 and 23 may be configured integrally, and the insulating layer 24 or the insulating cover layer 25 may be configured as an air layer.
When the insulating cover layer 25 is touched with a finger or the like, the capacitance value between the finger and the transparent conductor 22 or the transparent conductor 23 changes. This change in capacitance value is detected by the external detection circuit, and the coordinates of the touched point are specified.
5 schematically illustrates the touch panel 20 as a projection capacitive touch panel through an arrangement in which the transparent conductor 22 and the transparent conductor 23 are viewed from the plane.
The touch panel 20 is provided with a plurality of transparent conductors 22 capable of detecting positions in the X-axis direction and a plurality of transparent conductors 23 in the Y-axis direction so as to be connectable to external terminals. The transparent conductor 22 and the transparent conductor 23 are in contact with a plurality of contact objects such as fingertips, and contact information can be input at multiple points.
When an arbitrary point on the touch panel 20 is touched with a finger, the coordinates in the X-axis direction and the Y-axis direction are specified with high positional accuracy.
In addition, as other structures, such as a transparent substrate and a protective layer, the structure of the said surface type capacitive touch panel can be selected suitably, and can be applied. Moreover, although the example of the pattern of the transparent conductor by the some transparent conductor 22 and the some transparent conductor 23 was shown in the touch panel 20, the shape, arrangement | positioning, etc. are not restricted to these.

前記抵抗膜式タッチパネルの一例について、図6を用いて説明する。該図6において、タッチパネル30は、透明導電体32が配された基板31(本発明の前記導電材料に相当)と、該透明導電体32上に複数配されたスペーサ36と、空気層34を介して、透明導電体32と接触可能な透明導電体33と、該透明導電体33上に配される透明フィルム35とが支持されて構成される。
このタッチパネル30に対して、透明フィルム35側からタッチすると、透明フィルム35が押圧され、押し込まれた透明導電体32と透明導電体33とが接触し、この位置での電位変化を図示しない外部検知回路で検出することで、タッチした点の座標が特定される。
An example of the resistive touch panel will be described with reference to FIG. In FIG. 6, the touch panel 30 includes a substrate 31 (corresponding to the conductive material of the present invention) on which a transparent conductor 32 is disposed, a plurality of spacers 36 disposed on the transparent conductor 32, and an air layer 34. Thus, the transparent conductor 33 that can contact the transparent conductor 32 and the transparent film 35 disposed on the transparent conductor 33 are supported and configured.
When the touch panel 30 is touched from the transparent film 35 side, the transparent film 35 is pressed, the pressed transparent conductor 32 and the transparent conductor 33 come into contact with each other, and a potential change at this position is not illustrated. By detecting with a circuit, the coordinates of the touched point are specified.

以下、本発明の実施例を説明するが、本発明は、これらの実施例に何ら限定されるものではない。   Examples of the present invention will be described below, but the present invention is not limited to these examples.

(合成例1)
<バインダー(A−1)の合成>
共重合体を構成するモノマー成分としてメタクリル酸(MAA)7.79g、ベンジルメタクリレート(BzMA)37.21gを使用し、ラジカル重合開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル(AIBN)0.5gを使用し、これらを溶剤としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)55.00g中において重合反応させることにより、下記式で表されるバインダー(A−1)のPGMEA溶液(固形分濃度:45質量%)を得た。なお、重合温度は、温度60℃乃至100℃に調整した。
分子量はゲルパーミエイションクロマトグラフィ法(GPC)を用いて測定した結果、ポリスチレン換算による重量平均分子量(Mw)は30,000、分子量分布(Mw/Mn)は2.21であった。
(Synthesis Example 1)
<Synthesis of Binder (A-1)>
7.79 g of methacrylic acid (MAA) and 37.21 g of benzyl methacrylate (BzMA) are used as monomer components constituting the copolymer, and 0.5 g of azobisisobutyronitrile (AIBN) is used as a radical polymerization initiator. And a polymerization reaction in 55.00 g of propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) using these as a solvent to obtain a PGMEA solution (solid content concentration: 45% by mass) of the binder (A-1) represented by the following formula: It was. The polymerization temperature was adjusted to 60 to 100 ° C.
As a result of measuring the molecular weight using gel permeation chromatography (GPC), the weight average molecular weight (Mw) in terms of polystyrene was 30,000, and the molecular weight distribution (Mw / Mn) was 2.21.

(実施例1)
<試料No.101の導電材料の作製>
−銀ナノワイヤー分散液(1)の調製−
予め、下記の添加液A、G、及びHを調製した。
〔添加液A〕
硝酸銀粉末0.56gを純水50mLに溶解した。その後、1Nのアンモニア水を透明になるまで添加した。そして、全量が100mLになるように純水を添加した。
Example 1
<Sample No. Production of 101 conductive material>
-Preparation of silver nanowire dispersion (1)-
The following additive solutions A, G, and H were prepared in advance.
[Additive liquid A]
0.56 g of silver nitrate powder was dissolved in 50 mL of pure water. Then, 1N ammonia water was added until it became transparent. And pure water was added so that the whole quantity might be 100 mL.

〔添加液G〕
グルコース粉末0.5g及びヒドロキルアミン0.05gを140mLの純水で溶解して、添加液Gを調製した。
[Additive liquid G]
An additive solution G was prepared by dissolving 0.5 g of glucose powder and 0.05 g of hydroxylamine with 140 mL of pure water.

〔添加液H〕
HTAB(ヘキサデシル−トリメチルアンモニウムブロミド)粉末0.5gを27.5mLの純水で溶解して、添加液Hを調製した。
[Additive liquid H]
Additive solution H was prepared by dissolving 0.5 g of HTAB (hexadecyl-trimethylammonium bromide) powder in 27.5 mL of pure water.

−銀ナノワイヤー分散液の調製−
純水410mLを三口フラスコ内に入れ、20℃にて攪拌しながら、前記添加液H 82.5mL、及び前記添加液G 206mLをロートにて添加した。この液を攪拌回転数800rpmで撹拌しながら、前記添加液A 206mLを流量2.0mL/minで添加した。その10分間後、添加液Hを82.5mL添加し、硫酸ニッケル六水和物水溶液をニッケル含有量が0.01mol%/Agとなるように添加した。その後、3℃/分で内温78℃まで昇温した。以上により、銀ナノワイヤー分散液を調製した。
-Preparation of silver nanowire dispersion-
410 mL of pure water was placed in a three-necked flask, and 82.5 mL of the additive solution H and 206 mL of the additive solution G were added through a funnel while stirring at 20 ° C. While stirring this solution at a stirring rotation speed of 800 rpm, 206 mL of the additive solution A was added at a flow rate of 2.0 mL / min. Ten minutes later, 82.5 mL of the additive solution H was added, and an aqueous nickel sulfate hexahydrate solution was added so that the nickel content was 0.01 mol% / Ag. Thereafter, the internal temperature was raised to 78 ° C. at 3 ° C./min. Thus, a silver nanowire dispersion liquid was prepared.

−銀ナノワイヤーのMFG分散液(Ag−1)の調製−
銀ナノワイヤー分散液へ、ポリビニルピロリドン(K−30、和光純薬工業株式会社製)と1−メトキシ−2−プロパノール(MFG)を添加し、遠心分離の後、デカンテーションにて上澄みの水を除去し、MFGを添加し、再分散を行い、その操作を3回繰り返し、銀ナノワイヤーのMFG分散液(Ag−1)を得た。最後のMFGの添加量は銀の含有量が、銀1質量%となるように調節した。
-Preparation of MFG dispersion (Ag-1) of silver nanowires-
Polyvinylpyrrolidone (K-30, manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) and 1-methoxy-2-propanol (MFG) are added to the silver nanowire dispersion, and after centrifugation, the supernatant water is decanted. It removed, MFG was added, redispersion was performed, and the operation was repeated 3 times, and the MFG dispersion liquid (Ag-1) of silver nanowire was obtained. The final MFG addition amount was adjusted so that the silver content was 1% by mass of silver.

−ネガ型導電層用組成物の調製−
合成例1のバインダー(A−1)0.241質量部、KAYARAD DPHA(ジペンタエリスリトールペンタアクリレートとジペンタエリスリトールヘキサアクリレートの混合物、日本化薬株式会社製)0.252質量部、IRGACURE379(光重合開始剤、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ株式会社製)0.0252質量部、架橋剤としてのEHPE−3150(ダイセル化学株式会社製)0.0237質量部、メガファックF781F(DIC株式会社製)0.0003質量部、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)0.9611質量部、及び1−メトキシ−2−プロパノール(MFG)44.3質量部、前記銀ナノワイヤーのMFG分散液(Ag−1)を54.1質量部加え、攪拌し、ネガ型導電層用組成物を調製した。
-Preparation of composition for negative conductive layer-
0.241 parts by mass of binder (A-1) of Synthesis Example 1, KAYARAD DPHA (mixture of dipentaerythritol pentaacrylate and dipentaerythritol hexaacrylate, Nippon Kayaku Co., Ltd.) 0.252 parts by mass, IRGACURE 379 (photopolymerization) Initiator, manufactured by Ciba Specialty Chemicals Co., Ltd.) 0.0252 parts by mass, EHPE-3150 (manufactured by Daicel Chemical Co., Ltd.) 0.0237 parts by mass as a crosslinking agent, MegaFuck F781F (produced by DIC Corporation) 0.0003 50 parts by mass, 0.9611 parts by mass of propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), 44.3 parts by mass of 1-methoxy-2-propanol (MFG), and 54. MFG dispersion (Ag-1) of the silver nanowires. Add 1 part by mass, stir, negative type A composition for a conductive layer was prepared.

−導電層の形成−
得られたネガ型導電層用組成物を、市販の二軸延伸熱固定済の厚み100μmのポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム上にバー塗布し、乾燥させて、厚み0.1μmの導電層を形成した。
-Formation of conductive layer-
The obtained negative conductive layer composition was bar coated on a commercially available biaxially stretched heat-fixed polyethylene terephthalate (PET) film having a thickness of 100 μm and dried to form a conductive layer having a thickness of 0.1 μm. .

−露光及び現像−
次に、縦1cm×横1cmの正方形が30μmのギャップで2つ並ぶパターンを露光し、現像して、水洗した。
ここで、露光及び現像は下記の条件で行った。
得られた導電材料を、高圧水銀灯i線(365nm)を用いて100mJ/cm(照度20mW/cm)で均一に露光を行った後、水酸化カリウム系現像液CDK−1(富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ株式会社製)の1.0質量%現像液(CDK−1を1質量部、純水を99質量部の希釈した液、25℃)でシャワー現像30秒間を行い、更にイオン交換水にて20秒間リンスを行った後乾燥させた。
-Exposure and development-
Next, a pattern in which two squares of 1 cm in length and 1 cm in width were arranged with a gap of 30 μm was exposed, developed, and washed with water.
Here, exposure and development were performed under the following conditions.
The obtained conductive material was uniformly exposed at 100 mJ / cm 2 (illuminance 20 mW / cm 2 ) using a high-pressure mercury lamp i-line (365 nm), and then a potassium hydroxide developer CDK-1 (Fuji Film Electronics) Materials Development Co., Ltd.) 1.0 mass% developer (CDK-1 1 part by mass, pure water 99 parts by mass diluted solution, 25 ° C.) is subjected to shower development for 30 seconds, and further into ion-exchanged water. After rinsing for 20 seconds, it was dried.

−浸漬処理(1)−
次に、作製した導電材料を、前記一般式(I)で表される化合物として4−ヒドロキシ−6−メチル−1,3,3a,7−テトラザインデン1質量%と、前記一般式(II)で表される化合物として1−フェニル−5−メルカプト−1H−テトラゾール1質量%とを含む水溶液中に30秒間浸漬し、水洗して、乾燥した。前記一般式(I)で表される化合物と前記一般式(II)で表される化合物の合計含有量は銀に対して0.15質量%であった(試料No.101〜試料No.113で同様)。以上により、試料No.101の導電材料を作製した。
-Immersion treatment (1)-
Next, the produced conductive material was prepared by using 1% by mass of 4-hydroxy-6-methyl-1,3,3a, 7-tetrazaindene as the compound represented by the general formula (I) and the general formula (II). ) Was immersed in an aqueous solution containing 1% by mass of 1-phenyl-5-mercapto-1H-tetrazole as a compound represented by the following formula for 30 seconds, washed with water and dried. The total content of the compound represented by the general formula (I) and the compound represented by the general formula (II) was 0.15% by mass with respect to silver (sample No. 101 to sample No. 113). The same). As described above, the sample No. 101 conductive materials were produced.

<試料No.102の導電材料の作製>
試料No.101において、硫酸ニッケル六水和物水溶液をニッケル含有量が0.1mol%/Agとなるように添加した以外は、試料No.101と同様にして、試料No.102の導電材料を作製した。
<Sample No. Production of 102 conductive material>
Sample No. No. 101, except that the nickel sulfate hexahydrate aqueous solution was added so that the nickel content was 0.1 mol% / Ag. In the same manner as in Sample 101, Sample No. 102 conductive materials were produced.

<試料No.103の導電材料の作製>
試料No.101において、硫酸ニッケル六水和物水溶液の代わりに、三塩化ビスマス水溶液をビスマス含有量が0.05mol%/Agとなるように添加した以外は、試料No.101と同様にして、試料No.103の導電材料を作製した。
<Sample No. Production of 103 conductive material>
Sample No. 101, except that a bismuth trichloride aqueous solution was added in place of the nickel sulfate hexahydrate aqueous solution so that the bismuth content was 0.05 mol% / Ag. In the same manner as in Sample 101, Sample No. 103 conductive materials were produced.

<試料No.104の導電材料の作製>
試料No.101において、硫酸ニッケル六水和物水溶液の代わりに、三塩化ビスマス水溶液をビスマス含有量が0.5mol%/Agとなるように添加した以外は、試料No.101と同様にして、試料No.104の導電材料を作製した。
<Sample No. Production of 104 conductive material>
Sample No. 101, except that a bismuth trichloride aqueous solution was added in place of the nickel sulfate hexahydrate aqueous solution so that the bismuth content was 0.5 mol% / Ag. In the same manner as in Sample 101, Sample No. 104 conductive materials were produced.

<試料No.105の導電材料の作製>
試料No.101において、硫酸ニッケル六水和物水溶液の代わりに、塩化第一スズ水溶液をスズ含有量が0.01mol%/Agとなるように添加した以外は、試料No.101と同様にして、試料No.105の導電材料を作製した。
<Sample No. Production of 105 conductive material>
Sample No. 101, except that a stannous chloride aqueous solution was added in place of the nickel sulfate hexahydrate aqueous solution so that the tin content was 0.01 mol% / Ag. In the same manner as in Sample 101, Sample No. 105 conductive materials were produced.

<試料No.106の導電材料の作製>
試料No.101において、硫酸ニッケル六水和物水溶液の代わりに、塩化第一スズ水溶液をスズ含有量が0.1mol%/Agとなるように添加した以外は、試料No.101と同様にして、試料No.106の導電材料を作製した。
<Sample No. Production of 106 conductive material>
Sample No. 101, except that a stannous chloride aqueous solution was added in place of the nickel sulfate hexahydrate aqueous solution so that the tin content was 0.1 mol% / Ag. In the same manner as in Sample 101, Sample No. 106 conductive materials were produced.

<試料No.107の導電材料の作製>
試料No.101において、硫酸ニッケル六水和物水溶液の代わりに、硫酸ベリリウム水溶液をベリリウム含有量が0.005mol%/Agとなるように添加した以外は、試料No.101と同様にして、試料No.107の導電材料を作製した。
<Sample No. Production of 107 conductive material>
Sample No. 101, sample No. 10 was added except that beryllium sulfate aqueous solution was added so that the beryllium content was 0.005 mol% / Ag instead of nickel sulfate hexahydrate aqueous solution. In the same manner as in Sample 101, Sample No. 107 conductive materials were produced.

<試料No.108の導電材料の作製>
試料No.101において、硫酸ニッケル六水和物水溶液の代わりに、硫酸ベリリウム水溶液をベリリウム含有量が0.05mol%/Agとなるように添加した以外は、試料No.101と同様にして、試料No.108の導電材料を作製した。
<Sample No. Production of 108 conductive material>
Sample No. 101, except that a beryllium sulfate aqueous solution was added so that the beryllium content was 0.05 mol% / Ag instead of the nickel sulfate hexahydrate aqueous solution. In the same manner as in Sample 101, Sample No. 108 conductive materials were produced.

<試料No.109の導電材料の作製>
試料No.101において、硫酸ニッケル六水和物水溶液の代わりに、クロムミョウバン水溶液をクロム含有量が0.01mol%/Agとなるように添加した以外は、試料No.101と同様にして、試料No.109の導電材料を作製した。
<Sample No. Production of 109 conductive material>
Sample No. 101, except that a chromium alum aqueous solution was added instead of the nickel sulfate hexahydrate aqueous solution so that the chromium content was 0.01 mol% / Ag. In the same manner as in Sample 101, Sample No. 109 conductive materials were produced.

<試料No.110の導電材料の作製>
試料No.101において、硫酸ニッケル六水和物水溶液の代わりに、クロムミョウバン水溶液をクロム含有量が0.1mol%/Agとなるように添加した以外は、試料No.101と同様にして、試料No.110の導電材料を作製した。
<Sample No. Production of 110 conductive material>
Sample No. 101, except that the aqueous solution of chromium alum was added in place of the nickel sulfate hexahydrate aqueous solution so that the chromium content was 0.1 mol% / Ag. In the same manner as in Sample 101, Sample No. 110 conductive materials were produced.

<試料No.111の導電材料の作製>
試料No.101において、硫酸ニッケル六水和物水溶液の代わりに、塩化ロジウム三水和物水溶液をロジウム含有量が0.02mol%/Agとなるように添加した以外は、試料No.101と同様にして、試料No.111の導電材料を作製した。
<Sample No. Production of 111 conductive material>
Sample No. No. 101, except that a rhodium chloride trihydrate aqueous solution was added instead of the nickel sulfate hexahydrate aqueous solution so that the rhodium content was 0.02 mol% / Ag. In the same manner as in Sample 101, Sample No. 111 conductive materials were produced.

<試料No.112の導電材料の作製>
試料No.101において、硫酸ニッケル六水和物水溶液の代わりに、塩化ロジウム三水和物水溶液をロジウム含有量が0.2mol%/Agとなるように添加した以外は、試料No.101と同様にして、試料No.112の導電材料を作製した。
<Sample No. Production of 112 conductive material>
Sample No. No. 101, except that a rhodium chloride trihydrate aqueous solution was added instead of the nickel sulfate hexahydrate aqueous solution so that the rhodium content was 0.2 mol% / Ag. In the same manner as in Sample 101, Sample No. 112 conductive materials were produced.

<試料No.113の導電材料の作製>
試料No.101において、硫酸ニッケル六水和物水溶液を添加しなかった以外は、試料No.101と同様にして、試料No.113の導電材料を作製した。
<Sample No. Production of 113 conductive material>
Sample No. In sample No. 101, sample no. In the same manner as in Sample 101, Sample No. 113 conductive materials were produced.

<試料No.114の導電材料の作製>
試料No.101において、硫酸ニッケル六水和物水溶液を添加せず、浸漬処理(1)を行わなかった以外は、試料No.101と同様にして、試料No.114の導電材料を作製した。
<Sample No. Production of 114 conductive material>
Sample No. In sample No. 101, except that nickel sulfate hexahydrate aqueous solution was not added and immersion treatment (1) was not performed. In the same manner as in Sample 101, Sample No. 114 conductive materials were produced.

<試料No.115の導電材料の作製>
試料No.101において、浸漬処理(1)を下記の浸漬処理(2)に代えた以外は、試料No.101と同様にして、試料No.115の導電材料を作製した。
−浸漬処理(2)−
次いで、作製した導電材料を、前記一般式(I)で表される化合物として4−ヒドロキシ−6−メチル−1,3,3a,7−テトラザインデン4質量%を含む水溶液中に30秒間浸漬して、水洗し、乾燥した。前記一般式(I)で表される化合物の含有量は銀に対して0.15質量%であった。
<Sample No. Production of 115 conductive material>
Sample No. 101, except that the immersion treatment (1) was replaced with the following immersion treatment (2). In the same manner as in Sample 101, Sample No. 115 conductive materials were produced.
-Immersion treatment (2)-
Next, the produced conductive material was immersed in an aqueous solution containing 4% by mass of 4-hydroxy-6-methyl-1,3,3a, 7-tetrazaindene as the compound represented by the general formula (I) for 30 seconds. Then, it was washed with water and dried. Content of the compound represented by the said general formula (I) was 0.15 mass% with respect to silver.

<試料No.116の導電材料の作製>
試料No.101において、浸漬処理(1)を下記の浸漬処理(3)に代えた以外は、試料No.101と同様にして、試料No.116の導電材料を作製した。
−浸漬処理(3)−
次いで、作製した導電材料を、前記一般式(II)で表される化合物として1−フェニル−5−メルカプト−1H−テトラゾール0.3質量%を含む水溶液中に30秒間浸漬して、水洗し、乾燥した。前記一般式(II)で表される化合物の含有量は銀に対して0.15質量%であった。
<Sample No. Production of 116 conductive material>
Sample No. 101, except that the immersion treatment (1) was replaced with the following immersion treatment (3). In the same manner as in Sample 101, Sample No. 116 conductive materials were produced.
-Immersion treatment (3)-
Next, the produced conductive material was immersed in an aqueous solution containing 0.3% by mass of 1-phenyl-5-mercapto-1H-tetrazole as a compound represented by the general formula (II) for 30 seconds, washed with water, Dried. The content of the compound represented by the general formula (II) was 0.15% by mass with respect to silver.

<試料No.117の導電材料の作製>
−銀ナノワイヤー分散液(2)の調製−
エチレングリコール30mLを三口フラスコに入れ160℃に加熱した。その後、36mMのポリビニルピロリドン(PVP K−55、アルドリッチ社製)、3μMのアセチルアセトナート鉄、60μMの塩化ナトリウムエチレングリコール溶液18mLと、24mMの硝酸銀エチレングリコール溶液18mLを毎分1mLの速度で添加した。160℃で60分間加熱後室温まで冷却した。硫酸ニッケル六水和物水溶液をニッケル含有量が0.01mol%/Agとなるように添加した。その後、3℃/分で内温78℃まで昇温した。水を加えて遠心分離し、伝導度が50μS/cm以下になるまで精製し、プロピレングリコールモノメチルエーテルで更に遠心分離を行い水を除去し、最終的にプロピレングリコールモノメチルエーテルを添加し、銀ナノワイヤー分散液(2)を調製した。
<Sample No. Production of 117 conductive material>
-Preparation of silver nanowire dispersion (2)-
30 mL of ethylene glycol was placed in a three-necked flask and heated to 160 ° C. Thereafter, 36 mM polyvinylpyrrolidone (PVP K-55, manufactured by Aldrich), 3 μM acetylacetonate iron, 18 μL of 60 μM sodium chloride ethylene glycol solution and 18 mL of 24 mM silver nitrate ethylene glycol solution were added at a rate of 1 mL per minute. . The mixture was heated at 160 ° C. for 60 minutes and then cooled to room temperature. Nickel sulfate hexahydrate aqueous solution was added so that nickel content might be 0.01 mol% / Ag. Thereafter, the internal temperature was raised to 78 ° C. at 3 ° C./min. Add water and centrifuge, purify until the conductivity is 50 μS / cm or less, further centrifuge with propylene glycol monomethyl ether to remove water, finally add propylene glycol monomethyl ether, silver nanowires Dispersion liquid (2) was prepared.

−ネガ型導電層用組成物の調製−
合成例1のバインダー(A−1)0.241質量部、KAYARAD DPHA(ジペンタエリスリトールペンタアクリレートとジペンタエリスリトールヘキサアクリレートの混合物、日本化薬株式会社製)0.252質量部、IRGACURE379(光重合開始剤、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ株式会社製)0.0252質量部、架橋剤としてのEHPE−3150(ダイセル化学株式会社製)0.0237質量部、メガファックF781F(DIC株式会社製)0.0003質量部、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)0.9611質量部、及び1−メトキシ−2−プロパノール(MFG)44.3質量部、前記銀ナノワイヤー分散液(2)を54.1質量部加え、攪拌し、ネガ型導電層用組成物を調製した。
-Preparation of composition for negative conductive layer-
0.241 parts by mass of binder (A-1) of Synthesis Example 1, KAYARAD DPHA (mixture of dipentaerythritol pentaacrylate and dipentaerythritol hexaacrylate, Nippon Kayaku Co., Ltd.) 0.252 parts by mass, IRGACURE 379 (photopolymerization) Initiator, manufactured by Ciba Specialty Chemicals Co., Ltd.) 0.0252 parts by mass, EHPE-3150 (manufactured by Daicel Chemical Co., Ltd.) 0.0237 parts by mass as a crosslinking agent, MegaFuck F781F (produced by DIC Corporation) 0.0003 Parts by mass, 0.9611 parts by mass of propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), 44.3 parts by mass of 1-methoxy-2-propanol (MFG), and 54.1 parts by mass of the silver nanowire dispersion (2) , Stirred and composition for negative conductive layer Was prepared.

−導電層の形成−
得られたネガ型導電層用組成物を、市販の二軸延伸熱固定済の厚み100μmのポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム(ヘイズ0.6%)上にバー塗布し、乾燥させて、厚み0.1μmの導電層を形成した。
-Formation of conductive layer-
The obtained negative conductive layer composition was bar-coated on a commercially available biaxially stretched heat-fixed polyethylene terephthalate (PET) film (having 0.6%) having a thickness of 0.1 μm. A 1 μm conductive layer was formed.

−露光及び現像−
次に、縦1cm×横1cmの正方形が30μmのギャップで2つ並ぶパターンを露光し、現像して、水洗した。
ここで、露光及び現像は下記の条件で行った。
得られた導電材料を、高圧水銀灯i線(365nm)を用いて45mJ/cm(照度20mW/cm)で均一に露光を行った後、水酸化カリウム系現像液CDK−1(富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ株式会社製)の1.0質量%現像液(CDK−1を1質量部、純水を99質量部の希釈した液、25℃)でシャワー現像30秒間を行い、更にイオン交換水にて20秒間リンスを行った後乾燥させた。
-Exposure and development-
Next, a pattern in which two squares of 1 cm in length and 1 cm in width were arranged with a gap of 30 μm was exposed, developed, and washed with water.
Here, exposure and development were performed under the following conditions.
The obtained conductive material was uniformly exposed at 45 mJ / cm 2 (illuminance 20 mW / cm 2 ) using a high-pressure mercury lamp i-line (365 nm), and then a potassium hydroxide developer CDK-1 (Fuji Film Electronics) Materials Development Co., Ltd.) 1.0% by weight developer (CDK-1 1 part by weight, pure water 99 parts by weight diluted solution, 25 ° C.) is subjected to shower development for 30 seconds, and further into ion-exchanged water. After rinsing for 20 seconds, it was dried.

−浸漬処理(1)−
次に、作製した導電材料を、前記一般式(I)で表される化合物として4−ヒドロキシ−6−メチル−1,3,3a,7−テトラザインデン1質量%と、前記一般式(II)で表される化合物として1−フェニル−5−メルカプト−1H−テトラゾール1質量%とを含む水溶液中に30秒間浸漬し、水洗して、乾燥した。前記一般式(I)で表される化合物と前記一般式(II)で表される化合物の合計含有量は銀に対して0.15質量%であった(試料No.117〜試料No.123で同様)。以上により、試料No.117の導電材料を作製した。
-Immersion treatment (1)-
Next, the produced conductive material was prepared by using 1% by mass of 4-hydroxy-6-methyl-1,3,3a, 7-tetrazaindene as the compound represented by the general formula (I) and the general formula (II). ) Was immersed in an aqueous solution containing 1% by mass of 1-phenyl-5-mercapto-1H-tetrazole as a compound represented by the following formula for 30 seconds, washed with water and dried. The total content of the compound represented by the general formula (I) and the compound represented by the general formula (II) was 0.15% by mass with respect to silver (sample No. 117 to sample No. 123). The same). As described above, the sample No. 117 conductive materials were produced.

<試料No.118の導電材料の作製>
試料No.117において、硫酸ニッケル六水和物水溶液をニッケル含有量が0.1mol%/Agとなるように添加した以外は、試料No.117と同様にして、試料No.118の導電材料を作製した。
<Sample No. Production of 118 conductive materials>
Sample No. In Sample No. 117, except that the nickel sulfate hexahydrate aqueous solution was added so that the nickel content was 0.1 mol% / Ag, Sample No. 117, sample No. 118 conductive materials were produced.

<試料No.119の導電材料の作製>
試料No.117において、硫酸ニッケル六水和物水溶液の代わりに、三塩化ビスマス水溶液をビスマス含有量が0.02mol%/Agとなるように添加した以外は、試料No.117と同様にして、試料No.119の導電材料を作製した。
<Sample No. Production of 119 conductive material>
Sample No. In Sample 117, sample No. 7 was added except that a bismuth trichloride aqueous solution was added in place of the nickel sulfate hexahydrate aqueous solution so that the bismuth content was 0.02 mol% / Ag. 117, sample No. 119 conductive materials were produced.

<試料No.120の導電材料の作製>
試料No.117において、硫酸ニッケル六水和物水溶液の代わりに、三塩化ビスマス水溶液をビスマス含有量が0.2mol%/Agとなるように添加した以外は、試料No.117と同様にして、試料No.120の導電材料を作製した。
<Sample No. Production of 120 conductive materials>
Sample No. 117, except that a bismuth trichloride aqueous solution was added in place of the nickel sulfate hexahydrate aqueous solution so that the bismuth content was 0.2 mol% / Ag. 117, sample No. 120 conductive materials were produced.

<試料No.121の導電材料の作製>
試料No.117において、硫酸ニッケル六水和物水溶液の代わりに、塩化ロジウム三水和物水溶液をロジウム含有量が0.02mol%/Agとなるように添加した以外は、試料No.117と同様にして、試料No.121の導電材料を作製した。
<Sample No. Production of 121 conductive material>
Sample No. In Sample 117, except for adding an aqueous rhodium chloride trihydrate solution in place of the nickel sulfate hexahydrate aqueous solution so that the rhodium content was 0.02 mol% / Ag, Sample No. 117, sample No. 121 conductive materials were produced.

<試料No.122の導電材料の作製>
試料No.117において、硫酸ニッケル六水和物水溶液の代わりに、塩化ロジウム三水和物水溶液をロジウム含有量が0.2mol%/Agとなるように添加した以外は、試料No.117と同様にして、試料No.122の導電材料を作製した。
<Sample No. Production of 122 conductive material>
Sample No. 117, sample No. 1 was added except that a rhodium chloride trihydrate aqueous solution was added instead of the nickel sulfate hexahydrate aqueous solution so that the rhodium content was 0.2 mol% / Ag. 117, sample No. 122 conductive materials were produced.

<試料No.123の導電材料の作製>
試料No.117において、硫酸ニッケル六水和物水溶液を添加しなかった以外は、試料No.117と同様にして、試料No.123の導電材料を作製した。
<Sample No. Production of 123 conductive material>
Sample No. In Sample No. 117, sample no. 117, sample No. 123 conductive materials were produced.

次に、試料No.101〜No.123で作製した金属ナノワイヤー及び導電材料について、以下のようにして、諸特性を評価した。結果を表1に示す。   Next, sample No. 101-No. About the metal nanowire and electroconductive material produced by 123, various characteristics were evaluated as follows. The results are shown in Table 1.

<金属ナノワイヤーの平均短軸長さ及び平均長軸長さ>
透過型電子顕微鏡(TEM;日本電子株式会社製、JEM−2000FX)を用い、300個の金属ナノワイヤーを観察し、その平均値から金属ナノワイヤーの平均短軸長さ及び平均長軸長さを求めた。
<Average minor axis length and average major axis length of metal nanowires>
Using a transmission electron microscope (TEM; JEM-2000FX, manufactured by JEOL Ltd.), 300 metal nanowires were observed, and the average minor axis length and average major axis length of the metal nanowires were determined from the average values. Asked.

<金属ナノワイヤーの短軸長さの変動係数>
透過型電子顕微鏡(TEM;日本電子株式会社製、JEM−2000FX)を用い、金属ナノワイヤーの短軸長さを300個観察し、その平均値から金属ナノワイヤーの短軸長さを計測し、その標準偏差と平均値を計算することにより変動係数を求めた。
<Coefficient of variation of minor axis length of metal nanowires>
Using a transmission electron microscope (TEM; JEM-2000FX, JEM-2000FX), 300 short-axis lengths of metal nanowires were observed, and the short-axis length of metal nanowires was measured from the average value. The coefficient of variation was obtained by calculating the standard deviation and the average value.

<アスペクト比が10以上の金属ナノワイヤーの比率>
各銀ナノワイヤー分散液をろ過して銀ナノワイヤーとそれ以外の粒子を分離し、ICP発光分析装置(株式会社島津製作所製、ICPS−8000)を用いてろ紙に残っている銀の量と、ろ紙を透過した銀の量を各々測定し、短軸長さが50nm以下であり、かつ長軸長さが5μm以上である金属ナノワイヤーをアスペクト比が10以上の金属ナノワイヤーの比率(%)として求めた。
なお、金属ナノワイヤーの比率を求める際の金属ナノワイヤーの分離は、メンブレンフィルター(Millipore社製、FALP 02500、孔径1.0μm)を用いて行った。
<Ratio of metal nanowires with an aspect ratio of 10 or more>
Each silver nanowire dispersion is filtered to separate silver nanowires and other particles, and the amount of silver remaining on the filter paper using an ICP emission spectrometer (ICPS-8000, manufactured by Shimadzu Corporation), The amount of silver that has passed through the filter paper is measured, and the ratio of metal nanowires having a minor axis length of 50 nm or less and a major axis length of 5 μm or more to an aspect ratio of 10 or more (%) As sought.
The metal nanowires were separated when determining the ratio of the metal nanowires using a membrane filter (Millipore, FALP 02500, pore size 1.0 μm).

<表面抵抗の測定>
得られた各導電材料の導電層について、表面抵抗計(三菱化学株式会社製、Loresta−GP MCP−T600)を用い、表面抵抗を測定した。
<Measurement of surface resistance>
About the obtained conductive layer of each conductive material, the surface resistance was measured using a surface resistance meter (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, Loresta-GP MCP-T600).

<ヘイズ値の測定>
得られた各導電材料について、ガードナー社製ヘイズガードプラスを用いてヘイズ値を測定した。
<Measurement of haze value>
About each obtained electrically-conductive material, the haze value was measured using the Gardner company make haze guard plus.

<短絡するまでの時間の測定>
作製した各導電材料について、ヘイズ、及び表面抵抗を測定した後、65℃で85%RHの雰囲気下にて両電極間に直流5Vの電圧を印加し、短絡するまでの時間を1時間単位で計測した。なお、短絡が発生したか否かの判断は、電極間の抵抗が1×10Ω以下になったことにより行った。
<Measurement of time until short circuit>
About each produced conductive material, after measuring haze and surface resistance, a voltage of DC 5V is applied between both electrodes under an atmosphere of 85% RH at 65 ° C., and the time until short-circuiting is measured in units of 1 hour. Measured. Whether or not a short circuit occurred was determined based on the fact that the resistance between the electrodes was 1 × 10 6 Ω or less.

(実施例2)
試料101において、前記一般式(I)で表される化合物として4−ヒドロキシ−6−メチル−1,3,3a,7−テトラザインデンの代わりに、前記例示化合物(I−2)又は前記例示化合物(I−3)を用いた以外は、試料101と同様にして、各導電材料を作製した。
作製した各導電性材料について、試料101と同様にして、表面抵抗、ヘイズ値、及び短絡するまでの時間を測定したところ、いずれも試料101と同レベルの効果が得られることが分かった。
(Example 2)
In Sample 101, instead of 4-hydroxy-6-methyl-1,3,3a, 7-tetrazaindene as the compound represented by the general formula (I), the exemplified compound (I-2) or the exemplified compound is used. Each conductive material was produced like the sample 101 except having used the compound (I-3).
About each produced electroconductive material, when it carried out similarly to the sample 101 and measured surface resistance, a haze value, and time to short-circuit, it turned out that all are the same level effects as the sample 101.

(実施例3)
試料101において、前記一般式(II)で表される化合物として1−フェニル−5−メルカプト−1H−テトラゾールの代わりに、前記例示化合物(II−2)から前記例示化合物(II−12)のいずれかを用いた以外は、試料101と同様にして、各導電材料を作製した。
作製した各導電性材料について、試料101と同様にして、表面抵抗、ヘイズ値、及び短絡するまでの時間を測定したところ、いずれも試料101と同レベルの効果が得られることが分かった。
(Example 3)
In sample 101, instead of 1-phenyl-5-mercapto-1H-tetrazole as the compound represented by the general formula (II), any one of the exemplified compound (II-12) to the exemplified compound (II-12) Each conductive material was fabricated in the same manner as the sample 101 except that the above was used.
About each produced electroconductive material, when it carried out similarly to the sample 101 and measured surface resistance, a haze value, and time to short-circuit, it turned out that all are the same level effects as the sample 101.

(実施例4)
−タッチパネルの作製−
試料No.104の透明導電膜(導電材料)を用いて、『最新タッチパネル技術』(2009年7月6日発行、株式会社テクノタイムズ)、三谷雄二監修、“タッチパネルの技術と開発”、シーエムシー出版(2004年12月発行)、「FPD International 2009 Forum T−11講演テキストブック」、「Cypress Semiconductor Corporation アプリケーションノートAN2292」等に記載の片面、ブリッジ方法により、図1に類似のタッチパネルを作製した。このとき、X方向とY方向の電極パターンの略正方形状のパッド部の隣接する辺と辺との間隔を30μmにした。
作製したタッチパネルを使用した場合、透過率の向上により視認性に優れ、かつ導電性の向上により素手、手袋を嵌めた手、指示具のうち少なくとも一つによる文字等の入力又は画面操作に対し応答性に優れるタッチパネルを製作できることが分かった。この実施態様において、長時間短絡しないことからマイグレーションが生じず、タッチパネルの電気特性が長期間にわたり安定していることが分かった。
Example 4
-Fabrication of touch panel-
Sample No. Using the 104 transparent conductive film (conductive material), “Latest Touch Panel Technology” (issued July 6, 2009, Techno Times), supervised by Yuji Mitani, “Touch Panel Technology and Development”, CM Publishing (2004) 1), a touch panel similar to that shown in FIG. 1 was produced by a single-sided bridge method described in “FPD International 2009 Forum T-11 Lecture Textbook”, “Cypress Semiconductor Corporation Application Note AN2292”, and the like. At this time, the interval between adjacent sides of the substantially square pad portion of the electrode pattern in the X direction and the Y direction was set to 30 μm.
When using the manufactured touch panel, it improves visibility by improving transmittance, and responds to input of characters, etc. or screen operations with at least one of bare hands, hands with gloves, or pointing tools by improving conductivity It was found that a touch panel with excellent performance can be produced. In this embodiment, it was found that no short circuit occurred for a long time and thus no migration occurred, and the electrical characteristics of the touch panel were stable over a long period of time.

(実施例5)
実施例4において、X方向とY方向の電極パターンの略正方形状のパッド部の隣接する辺と辺との間隔を50μmにした以外は、実施例4と同様にして、タッチパネルを作製した。
作製した実施例5のタッチパネルについて、実施例4と同様に性能を評価したところ、実施例4と同レベルの性能が得られた。
(Example 5)
In Example 4, a touch panel was produced in the same manner as in Example 4 except that the distance between adjacent sides of the substantially square pad portion of the electrode pattern in the X direction and the Y direction was 50 μm.
About the produced touch panel of Example 5, when performance was evaluated similarly to Example 4, the same level of performance as Example 4 was obtained.

(実施例6)
実施例4において、X方向とY方向の電極パターンの略正方形状のパッド部の隣接する辺と辺との間隔を60μmにした以外は、実施例4と同様にして、タッチパネルを作製した。
作製した実施例6のタッチパネルは、目視の観察にて透明電極のパターンが視認され、パターン間隔が60μm以上は好ましくない態様であることが分かった。
(Example 6)
In Example 4, a touch panel was produced in the same manner as in Example 4 except that the interval between adjacent sides of the substantially square pad portion of the electrode pattern in the X direction and the Y direction was set to 60 μm.
As for the produced touch panel of Example 6, the pattern of a transparent electrode was visually recognized by visual observation, and it turned out that the pattern space | interval of 60 micrometers or more is an unpreferable aspect.

本発明の導電材料は、例えば、タッチパネル、ディスプレイ用帯電防止、電磁波シールド、有機ELディスプレイ用電極、無機ELディスプレイ用電極、電子ペーパー、フレキシブルディスプレイ用電極、フレキシブルディスプレイ用帯電防止、太陽電池、その他の各種デバイスなどに幅広く利用可能である。   The conductive material of the present invention is, for example, a touch panel, antistatic for display, electromagnetic wave shield, electrode for organic EL display, electrode for inorganic EL display, electronic paper, electrode for flexible display, antistatic for flexible display, solar cell, other It can be used widely for various devices.

10、20、30、110 タッチパネル
11、21、31 透明基板
12、13、22、23、32、33 透明導電膜
24 絶縁層
25 絶縁カバー層
14、17 保護膜
15 中間保護膜
16 グレア防止膜
18 電極端子
33 スペーサ
34 空気層
35 透明フィルム
36 スペーサ
111 透明基板
112 第1電極パターン
114 第2電極パターン
115 保護膜
120 センサ部
10, 20, 30, 110 Touch panel 11, 21, 31 Transparent substrate 12, 13, 22, 23, 32, 33 Transparent conductive film 24 Insulating layer 25 Insulating cover layer 14, 17 Protective film 15 Intermediate protective film 16 Antiglare film 18 Electrode terminal 33 Spacer 34 Air layer 35 Transparent film 36 Spacer 111 Transparent substrate 112 First electrode pattern 114 Second electrode pattern 115 Protective film 120 Sensor part

Claims (11)

平均短軸長さが50nm以下であり、かつ平均長軸長さが5μm以上である金属ナノワイヤーを少なくとも含有する導電層を有する導電材料であって、
前記導電層が、下記一般式(I)及び下記一般式(II)で表される化合物を含有し、
前記金属ナノワイヤーが、銀と、ニッケル、ビスマス、スズ、ベリリウム、クロム、及びロジウムから選択される少なくとも1種の金属を、前記銀1モルあたり、1×10−4モル〜1×10−2モル含有することを特徴とする導電材料。
ただし、前記一般式(I)中、R、R、R及びRは、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、水素原子、無置換又は置換されたアルキル基、無置換又は置換されたアリール基、無置換又は置換されたアミノ基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アルキルチオ基、カルバモイル基、ハロゲン原子、シアノ基、カルボキシ基、アルコキシカルボニル基、及びヘテロ環残基のいずれかを表す。RとR又はRとRとが連結し5員環もしくは6員環を形成してもよい。ただし、RとRのうち、少なくとも一つはヒドロキシ基を表す。
ただし、前記一般式(II)中、Rは、炭素数1〜4のアルキル基、−SOM、−COOM、−OH、及び−NHRから選択される少なくとも1種で置換されていてもよい有機残基を示し、Mは水素原子、アルカリ金属原子、四級アンモニウム基又は四級ホスホニウム基を表し、Rは水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、−COR、−COOR又は−SOを表す。Rは水素原子、アルキル基、又はアリール基を表す。
A conductive material having a conductive layer containing at least metal nanowires having an average minor axis length of 50 nm or less and an average major axis length of 5 μm or more,
The conductive layer contains a compound represented by the following general formula (I) and the following general formula (II),
The metal nanowire contains at least one metal selected from silver, nickel, bismuth, tin, beryllium, chromium, and rhodium, from 1 × 10 −4 mol to 1 × 10 −2 per mol of the silver. A conductive material containing a molar amount.
However, in the general formula (I), R 1 , R 2 , R 3 and R 4 may be the same or different from each other, and may be a hydrogen atom, an unsubstituted or substituted alkyl group, Any of unsubstituted or substituted aryl group, unsubstituted or substituted amino group, hydroxy group, alkoxy group, alkylthio group, carbamoyl group, halogen atom, cyano group, carboxy group, alkoxycarbonyl group, and heterocyclic residue Represents R 1 and R 2 or R 2 and R 3 may be linked to form a 5-membered ring or a 6-membered ring. However, at least one of R 1 and R 3 represents a hydroxy group.
However, in the general formula (II), R 5 is substituted with at least one selected from alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms, —SO 3 M, —COOM, —OH, and —NHR 6. M represents a hydrogen atom, an alkali metal atom, a quaternary ammonium group or a quaternary phosphonium group, R 6 represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, —COR 7 , —COOR. 7 or an -SO 2 R 7. R 7 represents a hydrogen atom, an alkyl group, or an aryl group.
一般式(I)において、R、R、R及びRは、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、水素原子、炭素数1〜4のアルキル基、フェニル基、及びヒドロキシ基のいずれかを表し、RとRのうち、少なくとも1つはヒドロキシ基であり、
一般式(II)において、Rは、炭素数1〜4のアルキル基、−OH、−SOM、−COOM、及び−NHRから選択される少なくとも1種で置換されていてもよいフェニル基、又は−SOMが置換していてもよい炭素数1〜4のアルキル基であり、Rは−CORであり、Rは水素原子及び炭素数1〜4のアルキル基のいずれかであり、Mは水素原子、及びアルカリ金属原子のいずれかである請求項1に記載の導電材料。
In the general formula (I), R 1 , R 2 , R 3 and R 4 may be the same or different from each other, and may be a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a phenyl group, And at least one of R 1 and R 3 is a hydroxy group,
In the general formula (II), R 5 is phenyl optionally substituted with at least one selected from alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms, —OH, —SO 3 M, —COOM, and —NHR 6. Group, or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms that may be substituted by —SO 3 M, R 6 is —COR 7 , and R 7 is any one of a hydrogen atom and an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. The conductive material according to claim 1, wherein M is any one of a hydrogen atom and an alkali metal atom.
一般式(I)及び一般式(II)で表される化合物の合計含有量が、銀に対し0.01質量%〜10質量%である請求項1から2のいずれかに記載の導電材料。   The conductive material according to claim 1, wherein a total content of the compounds represented by the general formula (I) and the general formula (II) is 0.01% by mass to 10% by mass with respect to silver. 一般式(I)で表される化合物と一般式(II)で表される化合物との混合質量比率〔一般式(I):一般式(II)〕が1:99〜99:1である請求項1から3のいずれかに記載の導電材料。   The mixing mass ratio [the general formula (I): the general formula (II)] of the compound represented by the general formula (I) and the compound represented by the general formula (II) is 1:99 to 99: 1 Item 4. The conductive material according to any one of Items 1 to 3. 導電層がパターニングされており、形成されたパターン間の距離が50μm以下である請求項1から4のいずれかに記載の導電材料。   The conductive material according to claim 1, wherein the conductive layer is patterned, and a distance between the formed patterns is 50 μm or less. 基材上に、少なくとも金属ナノワイヤーを含有する導電層組成物を塗布して導電層を形成する導電層形成工程と、
下記一般式(I)及び下記一般式(II)で表される化合物を含む液を導電層に付与する付与工程と、
を少なくとも含むことを特徴とする導電材料の製造方法。
ただし、前記一般式(I)中、R、R、R及びRは、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、水素原子、無置換又は置換されたアルキル基、無置換又は置換されたアリール基、無置換又は置換されたアミノ基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アルキルチオ基、カルバモイル基、ハロゲン原子、シアノ基、カルボキシ基、アルコキシカルボニル基、及びヘテロ環残基のいずれかを表す。RとR又はRとRとが連結し5員環もしくは6員環を形成してもよい。ただし、RとRのうち、少なくとも一つはヒドロキシ基を表す。
ただし、前記一般式(II)中、Rは、炭素数1〜4のアルキル基、−SOM、−COOM、−OH、及び−NHRから選択される少なくとも1種で置換されていてもよい有機残基を示し、Mは水素原子、アルカリ金属原子、四級アンモニウム基又は四級ホスホニウム基を表し、Rは水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、−COR、−COOR又は−SOを表す。Rは水素原子、アルキル基、又はアリール基を表す。
On the substrate, a conductive layer forming step of forming a conductive layer by applying a conductive layer composition containing at least metal nanowires;
An application step of applying to the conductive layer a liquid containing a compound represented by the following general formula (I) and
A process for producing a conductive material, comprising at least
However, in the general formula (I), R 1 , R 2 , R 3 and R 4 may be the same or different from each other, and may be a hydrogen atom, an unsubstituted or substituted alkyl group, Any of unsubstituted or substituted aryl group, unsubstituted or substituted amino group, hydroxy group, alkoxy group, alkylthio group, carbamoyl group, halogen atom, cyano group, carboxy group, alkoxycarbonyl group, and heterocyclic residue Represents R 1 and R 2 or R 2 and R 3 may be linked to form a 5-membered ring or a 6-membered ring. However, at least one of R 1 and R 3 represents a hydroxy group.
However, in the general formula (II), R 5 is substituted with at least one selected from alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms, —SO 3 M, —COOM, —OH, and —NHR 6. M represents a hydrogen atom, an alkali metal atom, a quaternary ammonium group or a quaternary phosphonium group, R 6 represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, —COR 7 , —COOR. 7 or an -SO 2 R 7. R 7 represents a hydrogen atom, an alkyl group, or an aryl group.
一般式(I)において、R、R、R及びRは、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、水素原子、炭素数1〜4のアルキル基、フェニル基、及びヒドロキシ基のいずれかを表し、RとRのうち、少なくとも1つはヒドロキシ基であり、
一般式(II)において、Rは、炭素数1〜4のアルキル基、−OH、−SOM、−COOM、及び−NHRから選択される少なくとも1種で置換されていてもよいフェニル基、又は−SOMが置換していてもよい炭素数1〜4のアルキル基であり、Rは−CORであり、Rは水素原子及び炭素数1〜4のアルキル基のいずれかであり、Mは水素原子、及びアルカリ金属原子のいずれかである請求項6に記載の導電材料の製造方法。
In the general formula (I), R 1 , R 2 , R 3 and R 4 may be the same or different from each other, and may be a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a phenyl group, And at least one of R 1 and R 3 is a hydroxy group,
In the general formula (II), R 5 is phenyl optionally substituted with at least one selected from alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms, —OH, —SO 3 M, —COOM, and —NHR 6. Group, or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms that may be substituted by —SO 3 M, R 6 is —COR 7 , and R 7 is any one of a hydrogen atom and an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. The method for producing a conductive material according to claim 6, wherein M is any one of a hydrogen atom and an alkali metal atom.
金属ナノワイヤーが、銀と、ニッケル、ビスマス、スズ、ベリリウム、クロム、及びロジウムから選択される少なくとも1種の金属を、前記銀1モルあたり、1×10−4モル〜1×10−2モル含有する請求項6から7のいずれかに記載の導電材料の製造方法。 The metal nanowire contains at least one metal selected from silver and nickel, bismuth, tin, beryllium, chromium, and rhodium, from 1 × 10 −4 mol to 1 × 10 −2 mol per mol of the silver. The manufacturing method of the electrically-conductive material in any one of Claim 6 to 7 contained. 更に、導電層をパターン露光及び現像するパターニング工程を含む請求項6から8のいずれかに記載の導電材料の製造方法。   Furthermore, the manufacturing method of the electrically-conductive material in any one of Claim 6 to 8 including the patterning process of carrying out pattern exposure and image development of an electrically conductive layer. 支持フィルムと、該支持フィルム上に第一のセンサー電極アレイ及び第二のセンサー電極アレイを有するタッチパネルであって、
前記支持フィルムの同一面上に、第一のセンサー電極アレイ及び第二のセンサー電極アレイが配置されており、前記第一のセンサー電極アレイと第二のセンサー電極アレイが直交配列しており、
前記第一のセンサー電極アレイと第二のセンサー電極アレイとの距離が50μm以下であり、
前記第一のセンサー電極アレイ及び前記第二のセンサー電極アレイが請求項1から5のいずれかに記載の導電材料を用いて形成されたことを特徴とするタッチパネル。
A touch panel having a support film and a first sensor electrode array and a second sensor electrode array on the support film,
A first sensor electrode array and a second sensor electrode array are disposed on the same surface of the support film, and the first sensor electrode array and the second sensor electrode array are arranged orthogonally,
The distance between the first sensor electrode array and the second sensor electrode array is 50 μm or less,
A touch panel, wherein the first sensor electrode array and the second sensor electrode array are formed using the conductive material according to claim 1.
第一のセンサー電極アレイ及び第二のセンサー電極アレイが、略正方形状のパッド部と該バッド部を電気的に連結する連結部とから構成されており、
前記第一のセンサー電極アレイのパッド部と前記第二のセンサー電極アレイのパッド部との隣接する辺と辺との距離が50μm以下である請求項10に記載のタッチパネル。
The first sensor electrode array and the second sensor electrode array are composed of a substantially square pad portion and a connecting portion that electrically connects the pad portion,
The touch panel according to claim 10, wherein a distance between adjacent sides of the pad portion of the first sensor electrode array and the pad portion of the second sensor electrode array is 50 μm or less.
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