JP2012074699A - ワイヤループおよび導電性バンプのためのワイヤボンドを形成する方法 - Google Patents

ワイヤループおよび導電性バンプのためのワイヤボンドを形成する方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2012074699A
JP2012074699A JP2011208268A JP2011208268A JP2012074699A JP 2012074699 A JP2012074699 A JP 2012074699A JP 2011208268 A JP2011208268 A JP 2011208268A JP 2011208268 A JP2011208268 A JP 2011208268A JP 2012074699 A JP2012074699 A JP 2012074699A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bonding
wire bond
wire
forming
control value
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2011208268A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2012074699A5 (ja
JP6029269B2 (ja
Inventor
Wei Qin
キン、ウェイ
w brunner John
ダブリュー． ブルンナー、ジョン
A Reid Paul
エイ． リード、ポール
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kulicke and Soffa Industries Inc
Original Assignee
Kulicke and Soffa Industries Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kulicke and Soffa Industries Inc filed Critical Kulicke and Soffa Industries Inc
Publication of JP2012074699A publication Critical patent/JP2012074699A/ja
Publication of JP2012074699A5 publication Critical patent/JP2012074699A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6029269B2 publication Critical patent/JP6029269B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/4501—Shape
    • H01L2224/45012—Cross-sectional shape
    • H01L2224/45015—Cross-sectional shape being circular
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45139—Silver (Ag) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/78268—Discharge electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301—Capillary
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85009—Pre-treatment of the connector or the bonding area
    • H01L2224/8503—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector
    • H01L2224/85035—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball"
    • H01L2224/85045—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball" using a corona discharge, e.g. electronic flame off [EFO]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85203—Thermocompression bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/859—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector involving monitoring, e.g. feedback loop
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/0132—Binary Alloys
    • H01L2924/01327—Intermediate phases, i.e. intermetallics compounds

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

【課題】ワイヤボンディングマシンを使用してワイヤボンドを形成する方法を提供する。
【解決手段】少なくとも１つの目標ボンディング制御値を選択する工程３００と、アルゴリズムおよび前記少なくとも１つの目標ボンディング制御値を使用して、ワイヤボンドを形成するためのボンディングパラメータを生成する工程３０２と、前記生成されたボンディングパラメータを使用して、ワイヤボンドを形成する工程３０４と、前記形成されたワイヤボンドの前記少なくとも１つの選択された目標ボンディング制御値が前記少なくとも１つの選択された目標ボンディング制御値の所定の許容範囲以内であるかを決定する工程３０６と、前記形成されたワイヤボンドの前記少なくとも１つの選択された目標ボンディング制御値が前記所定の許容範囲以内でない場合、少なくとも１つのボンディング調整値を調節する工程３１０とを含む。
【選択図】図３

Description

本出願は、２０１０年９月２７日付け出願の仮出願第６１／３８６，７０１号の利益を主張するものであり、この参照によりその内容が本明細書に組み込まれるものである。
本発明は、ワイヤループおよび導電性バンプのためのワイヤボンドの形成に関し、より具体的には,そのようなワイヤボンド形成の改良された方法に関する。
半導体素子の加工およびパッケージングにおいて、ワイヤボンディングはパッケージ内の２つの場所の間（例えば、半導体ダイのダイパッドとリードフレームのリードとの間）に電気相互接続を提供する主要な方法とされている。さらに具体的に言えば、ワイヤボンダ（ワイヤボンディングマシン）を使用して、それぞれの場所の間に電気的に相互接続されたワイヤループが形成される。ワイヤループを形成する主な方法は、ボールボンディングおよびウエッジボンディングである。
例示的な従来のボールボンディングの手順には、（１）ボンディングツールから延長するワイヤの先端にフリーエアーボール（ｆｒｅｅ ａｉｒ ｂａｌｌ）を形成する、（２）前記フリーエアーボールを使用して、半導体ダイのダイパッド上に第１のボンドを形成する、（３）望ましい形状で、前記ダイパッドとリードフレームのリードとの間に所定の長さのワイヤを延長する、（４）前記ワイヤを前記リードフレームのリードにステッチボンディングする、（５）前記ワイヤを切断する手順が含まれる。（ａ）前記ワイヤループの端部と（ｂ）ボンディング位置（例えば、ダイパッド、リードなど）の間にボンドを形成する際、例えば、特に、超音波エネルギー、超音波熱圧着エネルギー、熱圧着エネルギーなどを含む様々なタイプのボンディングエネルギーが使用される。
ワイヤボンド（例えば、ボールボンド、ステッチボンド）の形成に関連して、ボンディングパラメータ（例えば、接合力、超音波エネルギー）が使用される。多くの場合、操作者または前記ワイヤボンディングマシンの他のユーザーによって、特定のボンディングパラメータがボンディングプログラムに入力される。しかしながら、選択されたボンディングパラメータが望ましいワイヤボンドを提供するとは限らない。前記ワイヤボンドを改善しようとする試みにおけるその後の前記ボンディングパラメータの変化は、大体において前記操作者の当て推量を含む。
従って、ワイヤループまたは導電性バンプの形成に関連してワイヤボンドを形成する改良された方法の提供が望まれている。
本発明の例示的な実施形態に従って、ワイヤボンディングマシンを使用してワイヤボンドを形成する方法が提供されている。この方法は、（１）少なくとも１つの目標ボンディング制御値を選択する工程と、（２）アルゴリズムおよび前記少なくとも１つの目標ボンディング制御値を使用して、ワイヤボンドを形成するためのボンディングパラメータを生成する工程と、（３）前記生成されたボンディングパラメータを使用して、ワイヤボンドを形成する工程と、（４）前記形成されたワイヤボンドの前記少なくとも１つの選択された目標ボンディング制御値が前記少なくとも１つの選択された目標ボンディング制御値の所定の許容範囲以内であるかを決定する工程と、（５）前記形成されたワイヤボンドの前記少なくとも１つの選択された目標ボンディング制御値が前記所定の許容範囲以内でない場合、少なくとも１つのボンディング調整値を調節する工程と、（６）アルゴリズムおよび前記少なくとも１つの調節されたボンディング調整値を使用して、後続のワイヤボンドを形成するための修正されたボンディングパラメータを生成する工程とを含む。
本発明は、添付の図面に関連する以下の詳細な説明を読むことにより最も理解される。一般的な方法に従って、前記図面の様々な特徴は正確な縮尺ではないことを強調しておく。それどころか、前記様々な特徴の寸法は、明確さのため恣意的に拡張または縮小されている。前記図面には以下の図が含まれる。
図１Ａ〜１Ｄは、本発明の特定の例示的な実施形態に従ったワイヤボンドを形成する方法を説明するのに有用なボールボンドのブロック図である。 図１Ａ〜１Ｄは、本発明の特定の例示的な実施形態に従ったワイヤボンドを形成する方法を説明するのに有用なボールボンドのブロック図である。 図１Ａ〜１Ｄは、本発明の特定の例示的な実施形態に従ったワイヤボンドを形成する方法を説明するのに有用なボールボンドのブロック図である。 図１Ａ〜１Ｄは、本発明の特定の例示的な実施形態に従ったワイヤボンドを形成する方法を説明するのに有用なボールボンドのブロック図である。 図２Ａ〜２Ｃは、本発明の例示的な実施形態に従ったワイヤボンドを形成する方法を図示するワイヤボンディングマシンのブロック図のスクリーンショットである。 図２Ａ〜２Ｃは、本発明の例示的な実施形態に従ったワイヤボンドを形成する方法を図示するワイヤボンディングマシンのブロック図のスクリーンショットである。 図２Ａ〜２Ｃは、本発明の例示的な実施形態に従ったワイヤボンドを形成する方法を図示するワイヤボンディングマシンのブロック図のスクリーンショットである。 図３〜５は、本発明の様々な例示的な実施形態に従ったワイヤボンドを形成する方法を図示する流れ図である。 図３〜５は、本発明の様々な例示的な実施形態に従ったワイヤボンドを形成する方法を図示する流れ図である。 図３〜５は、本発明の様々な例示的な実施形態に従ったワイヤボンドを形成する方法を図示する流れ図である。
本発明の特定の例示的な実施形態に従った、ワイヤボンド（例えば、ワイヤループのボールボンド、導電性バンプのボールボンド）を形成する方法が提供される。より具体的には、これまでの検定および開発作業からの（例えば、データベース構造、参照テーブルなどのデータ構造に保存される）プロセス知識を組み込む、ワイヤボンドを形成する方法が提供されている。前記データ構造に保存された前記プロセス知識情報は、応答に基づくボンドパラメータ最適化法と共に使用される。すなわち、形成されたワイヤボンドに関連する特定の情報が提供される（例えば、ワイヤボンディングマシンのユーザーによる応答の形式で提供される）。この情報が、前記データ構造に保存された前記プロセス知識に関する情報を使用できるアルゴリズムに提供されることにより、修正されたボンディングパラメータが提供される。
従来のワイヤボンディング方法とは対照的に本発明の特定の例示的な実施形態では、ボンディングパラメータは入力パラメータではない。その代わりに、新規性のある入力パラメータは、例えばボンディングされたボールの目標直径など、ボンディングにおける望ましい応答である。前記データ構造に保存されるプロセス知識は、通常、複数のワイヤ直径、ワイヤタイプ、パッド材料などを有する一群のワイヤボンディングの有用性に関連するデータを含む。アルゴリズムは、前記新規性のある入力パラメータおよび前記保存されたプロセス知識を使用して、望ましいワイヤボンド特性（例えば、望ましいボンディングされたボールの直径）を達成するボンディングパラメータを導く。最初に導かれるボンディングパラメータによっては望ましいワイヤボンド特性が達成されない場合があるが、このような場合、前記アルゴリズムはボンディング調整値を（例えば、ワイヤボンディングマシンのユーザーから）受け取った後に、修正ボンディングパラメータを導き出す。
本明細書で使用される用語「目標ボンディング制御値」は、ワイヤボンドを形成するためのボンディングパラメータを提供するアルゴリズムに関して有用であり、かつワイヤボンディングシステムに提供される値に言及することを目的とする。この様な値はワイヤボンドの特性（例えば、ボールボンドの特性）に関係する。目標ボンディング制御値の例としては、ボンディングされたボールの直径値およびボンディングされたボールの剪断強度を含む。
本明細書で使用される用語「ボンディング調整値」は、ワイヤボンドを形成するための修正ボンディングパラメータを提供するアルゴリズムに関して有用であり、かつワイヤボンド特性に加えられる調整に言及することを目的とする。ボンディング調整値の例としては、（ａ）ボンディングされたボールの強度の調整、（ｂ）ボンディングされたボールの直径の調節、（ｃ）ボンディングされたボールの高さの調整、（ｄ）金属間プロファイルの調節、および（ｅ）ボンディングパッドの跳ね返し（ｓｐｌａｓｈ）の調節を含む。
本明細書で使用される用語「ワイヤボンド特性」は、ワイヤボンド（例えば、ボールボンド）の特性に言及することを目的とし、例えば（ａ）ボンディングされたボールの強度、（ｂ）ボンディングされたボールの直径、（ｃ）ボンディングされたボールの高さ、（ｄ）金属間プロファイル、および（ｅ）ボンディングパッドの跳ね返し（ｓｐｌａｓｈ）などがある。
本明細書で使用される、当業者には知られている用語「ボンディングパラメータ」は、ワイヤボンド（例えば、ボールボンド）の形成においてワイヤボンディングマシンにより使用されるパラメータに言及することを目的とする。ボンディングパラメータの例としては、（ａ）ワイヤボンドを形成するボンディング時間、（ｂ）ワイヤボンドを形成する超音波エネルギープロファイル、（ｃ）ワイヤボンドを形成するためボンディング位置に接近する際のボンディングツールの速度プロファイル、（ｄ）ワイヤボンドを形成するために使用されるフリーエアーボール（ｆｒｅｅ ａｉｒ ｂａｌｌ）のサイズ、（ｅ）前記フリーエアーボールを形成するためのエレクトロニック・フレーム・オフ・エネルギー（ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ｆｌａｍｅ−ｏｆｆ ｅｎｅｒｇｙ）プロファイル、および（ｆ）ワイヤボンドを形成する接合力プロファイルを含む。
図１Ａは、ボンディングツール１０２（単純化した形式で図示する）を使用して、ボンディング位置１０４（例えば、ボンディングパッド／ダイパッド１０４）上に形成されるワイヤボンド１００を図示する。より具体的には、電子トーチ（ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ｆｌａｍｅ−ｏｆｆ）アセンブリまたは同種のものを使用して、フリーエアーボール（ｆｒｅｅ ａｉｒ ｂａｌｌ）（図示せず）がワイヤ１００ａの端部に形成される。前記フリーエアーボールはボンディングツール１０２の先端に据えられ、次にボンディング位置１０４まで下降されるものであり、当該ボンディング位置１０４は以下ボンディングパッド１０４と言及する（ただし、ボンディングパッド以外の他のタイプのボンディング位置も考慮される）。前記フリーエアーボールは、例えば接合力、超音波エネルギーなどを使用してボンディングパッド１０４にボンディングされる。この様な方法で、ワイヤボンド１００（さらに、ボンディングされたボール１００またはボールボンド１００とも言及される）が形成され、これはボンディングされたボールの直径「ｄ」（前記ボンディングされたボールの最大幅部分（通常は前記ボンディングされたボールの中心）の直径）およびボンディングされたボールの高さ「ｈ」により定義される。直径「ｄ」はまた、図１Ｂのボンディングされたボールの上面図にも示されている。
図１Ｃは、ボンディングされたボール１００の形成時の潜在的な問題を図示する。より具体的には、接触面１０６がボンディングされたボール１００の一部分とボンディングパッド１０４との間に提供される。図示されている接触面１０６は、ボンディングされたボール１００とボンディングパッド１０４の間の不十分な金属間結合を示しており、これは不十分な電気的接続、ボンディングパッド１０４からのボンディングされたボール１００の剥離がなどが起る結果となる。図１Ｄは、パッドの跳ね返し（ｓｐｌａｓｈ）１０８を図示する。すなわち、（ボンディングされたボール１００になる）前記フリーエアーボールがボンディングパッド１０４にボンディングされるときに「パッドの跳ね返し（ｓｐｌａｓｈ）」を引き起こし、これがボンディングのプロセスの間でのボンディングパッド１０４の材料の望ましくないレベルの破壊に関係してくる。パッドの跳ね返しの問題は、銅線ボンディングの間において、前記銅線の硬さのためにさらに悪化する傾向がある。図１Ｄは、前記パッドの跳ね返しが及んだボンディングパッド１０４の直径の範囲を示す「跳ね返し（ｓｐｌａｓｈ）距離」を図示する。
例示的なワイヤボンディング技術を図示するワイヤボンディングマシンの単純化したスクリーンショットである。図２Ａで、ユーザー（例えば、ワイヤボンディングマシンの操作者）が１若しくはそれ以上の「目標ボンディング制御値」を選択する。図示の実施例において、２つの可能な目標ボンディング制御値（ボンディングされたボールの直径およびボンディングされたボールの剪断強度）が図示されている、ただし、追加のおよび／または異なる値を提供することもできる。図２Ａにおいて、ユーザーは、ボンディングされたボールの直径を前記目標ボンディング制御値として選択し、４０ミクロンの目標値を入力した。前記選択された目標制御値（および例えばワイヤ材料および直径などの可能な他の情報）とともに、前記ワイヤボンディングマシンのアルゴリズムは、ワイヤボンド（例えば、ワイヤループのボンドボール）の形成のためのボンディングパラメータを生成する。１つのワイヤボンド（または多数のワイヤボンド）の形成の後、ユーザーは前記形成されたワイヤボンドを分析して、前記ワイヤボンドが特定の基準を満たしているかを決定する。例えば、前記基準／特性は、これに限定されるものではないが、前記目標ボンディング制御値または他の基準／特性を含む。このような基準／特性の例としては、前記ボンディングされたボールの剪断強度、ボンディングされたボールの直径、前記ボンディングされたボールの高さ、前記金属間プロファイル、および前記ボンディングパッドの跳ね返し（ｓｐｌａｓｈ）がある。特定のこれらの基準／特性が望ましいものでない場合、ユーザーは当該基準／特性を調整することができ、ユーザーの調整は前記ワイヤボンディングマシンのアルゴリズムによって決定されて多様なボンディングパラメータをもたらす。より具体的には、図２Ｂにおいて、ユーザーに１若しくはそれ以上の幾つかのボンディング調整値を変更する機会が与えられている。図示された実施例において、前記例示的なボンディング調整値は、ボンディングされたボールの剪断強度調整、ボンディングされたボールの直径調整、ボンディングされたボールの高さ調整、金属間プロファイル調整、およびボンディングパッドの跳ね返し（ｓｐｌａｓｈ）の調整を含む。
前記ボンドボールが（図２Ａに示すように、ボンディングされたボールが４０ミクロンという目標直径を有して）形成された後、前記ボンディングされたボールの直径が実際は３８ミクロンであると仮定する。この様な場合、ユーザーは前記ボンディングされたボールの直径を修正または調整したいと強く願う。図２Ｂに示すように、ユーザーは前記ボンディングされたボールの直径調整を選択する。図２Ｂに示すように、グラフィカルユーザーインターフェイス（ＧＵＩ：ｇｒａｐｈｉｃａｌ ｕｓｅｒ ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）が提供されて、ユーザーはプラスサイン（「＋」）を押して前記ボンディングされたボールの直径を拡大し、またはマイナスサイン（「−」）を押して前記ボンディングされたボールの直径を縮小することができる。当然のことながら、前記ボンディング調整値を調節するいかなるタイプのインターフェイスも提供される。図２Ｃにおいて、ユーザーが前記ボンディングされたボールの直径を拡大したことが示されている。この様な変更は、前記ワイヤボンディングマシンのアルゴリズムにより決定される特定のボンディングパラメータに変化をもたらし、これにより前記ボンディングされたボールの直径が拡大される（例えば、４０ミクロンの望ましいボンディングされたボールの直径に近づくように）。
図３〜５は、本発明の特定の例示的な実施形態に従ってワイヤボンドを形成する方法を図示する流れ図である。当業者であれば理解されるように、前記流れ図に含まれる特定の工程が省略でき、特定の追加工程が追加でき、ならびに前記工程の順序が図示される順番から変えることができる。
図３の工程３００で、少なくとも１つの目標ボンディング制御値（例えば、ボンディングされたボールの直径、ボンディングされたボールの剪断強度など）が選択される。図２Ａに戻って参照すると、ユーザーは前記ボンディングされたボールの直径である前記目標ボンディング制御値を選択し、４０ミクロンの目標を選択した。工程３０２で、アルゴリズムおよび前記少なくとも１つの選択された目標ボンディング制御値を使用して、ワイヤボンドを形成するためのボンディングパラメータが生成される。工程３０４で、前記生成されたボンディングパラメータを使用して１つのワイヤボンド（または一群のワイヤボンディング）が形成される。工程３０６で、前記形成されたワイヤボンドの前記少なくとも１つの選択された目標ボンディング制御値が所定の許容範囲にあるかが決定される。工程３０６の質問に対する答えが「Ｙｅｓ」の場合、次に工程３０８で、前記ボンディングパラメータが承認される。工程３０６の質問に対する答えが「Ｎｏ」の場合、次に工程３１０で、前記ボンディング調整値の少なくとも１つが調節される。工程３１２で、アルゴリズムおよび前記少なくとも１つの調節されたボンディング調整値を使用して、後続のワイヤボンドのための修正されたボンディングパラメータが生成される。その後、後続のボンドが工程３０４で形成され、工程３０６で行われる決定が肯定されるまでこのプロセスが続き、そして工程３０８で、前記ボンディングパラメータが承認される。
工程３０６で、前記形成されたワイヤボンドの前記少なくとも１つの選択された目標ボンディング制御値が所定の許容範囲にあるかが決定された、ただし、前記形成されたワイヤボンドに対する追加のまたは異なる決定が為されることもある。例えば、図４の工程４０６で、前記形成されたワイヤボンドの少なくとも１つの選択されたワイヤボンド特性が所定の許容範囲にあるかが決定される。更に図５で、図４の工程４０６におけるこのような決定の実施例が工程５０６、５０８、５１０、５１２、および５１４で示されている。
図４の工程４００で、少なくとも１つの目標ボンディング制御値（例えば、ボンディングされたボールの直径、ボンディングされたボールの剪断強度など）が選択される。図２Ａに戻って参照すると、ユーザーは前記ボンディングされたボールの直径である前記目標ボンディング制御値を選択し、４０ミクロンの目標を選択した。工程４０２で、アルゴリズムおよび前記少なくとも１つの選択された目標ボンディング制御値を使用して、ワイヤボンドを形成するためのボンディングパラメータが生成される。工程４０４で、前記生成されたボンディングパラメータを使用して１つのワイヤボンド（または一群のワイヤボンド）が形成される。工程４０６で、前記形成されたワイヤボンドの前記少なくとも１つの選択されたワイヤボンド特性が所定の許容範囲にあるかが決定される。工程４０６の質問に対する答えが「Ｙｅｓ」の場合、次に工程４０８で、前記ボンディングパラメータが承認される。工程４０６の質問に対する答えが「Ｎｏ」の場合、次に工程４１０で、前記ボンディング調整値の少なくとも１つが調節される。工程４１２で、アルゴリズムおよび前記少なくとも１つの調節されたボンディング調整値を使用して、後続のワイヤボンドのための修正されたボンディングパラメータが生成される。その後、後続のボンドが工程４０４で形成され、工程４０６で行われる決定が肯定されるまでこのプロセスが続き、そして工程４０８で、前記ボンディングパラメータが承認される。
図４の工程４０６は、形成されたワイヤボンドの特性に関する多数の決定によって置き換えられる。図５の工程５０６、５０８、５１０、５１２、および５１４は、このような決定の実施例である。図５を参照して工程５００で、少なくとも１つの目標ボンディング制御値（例えば、ボンディングされたボールの直径、ボンディングされたボールの剪断強度など）が選択される。工程５０２で、アルゴリズムおよび前記少なくとも１つの選択された目標ボンディング制御値を使用して、ワイヤボンドを形成するためのボンディングパラメータが生成される。工程５０４で、前記生成されたボンディングパラメータを使用して、１つのワイヤボンド（または一群のワイヤボンド）が形成される。工程５０６で、前記ボンディングされたボールの高さが所定の許容範囲内であるかが決定される。工程５０６の質問に対する答えが「Ｙｅｓ」の場合、次に当該プロセスは工程５０８に進む。工程５０６の質問に対する答えが「Ｎｏ」の場合、次に工程５１８で、ボール高さボンディング調整値が（例えば、図２Ｂに図示されるのと同様の方法で）調節される。次に、アルゴリズムおよび前記調整されたボール高さボンディング調整値を使用して、修正ボンディングパラメータが生成される。その後、後続のボンドが形成され、当該プロセスが工程５０６に戻される。このプロセスは工程５０６で肯定反応されるまで続き、当該プロセスはその後工程５０８に進むことができる。
工程５０８で、前記ボンディングされたボールの直径が所定の許容範囲内であるかが決定される。工程５０８の質問に対する答えが「Ｙｅｓ」である場合、次に当該プロセスは工程５１０に進む。工程５０８の質問に対する答えが「Ｎｏ」である場合、次に工程５２０で、ボール直径ボンディング調整値が（例えば、図２Ｂで図示されているのと同様の方法で）調節される。次に、アルゴリズムおよび前記調節されたボール直径ボンディング調整値を使用して、調節されたボンディングパラメータが生成される。その後、後続のワイヤボンドが形成され、当該プロセスは工程５０６に戻る。このプロセスは、肯定反応が工程５０６および５０８の各々で提供されるまで続き、当該プロセスはその後工程５１０に進むことができる。
工程５１０で、前記ボンディングされたボールの剪断強度が所定の許容範囲内であるかが決定される。工程５１０の質問に対する答えが「Ｙｅｓ」である場合、次に当該プロセスは工程５１２に進む。工程５１０の質問に対する答えが「Ｎｏ」である場合、次に工程５２２で、ボール剪断強度ボンディング調整値が（例えば、図２Ｂで図示されているのと同様の方法で）調節される。次に、アルゴリズムおよび前記調節されたボール剪断強度ボンディング調整値を使用して、調整されたボンディングパラメータが生成される。その後、後続のワイヤボンドが形成され、当該プロセスは工程５０６に戻る。このプロセスは、肯定反応が工程５０６、５０８、および５１０の各々で提供されるまで続き、当該プロセスはその後工程５１０に進むことができる。
工程５１２で、前記ボンディングされたボールの金属間プロファイルが所定の許容範囲内であるかが決定される。工程５１２の質問に対する答えが「Ｙｅｓ」である場合、次に当該プロセスは工程５１４に進む。工程５１２の質問に対する答えが「Ｎｏ」である場合、次に工程５２４で、金属間プロファイルボンディング調整値が（例えば、図２Ｂで図示されているのと同様の方法で）調節される。次に、アルゴリズムおよび前記調節された金属間プロファイルボンディング調整値を使用して、調節されたボンディングパラメータが生成される。その後、後続のワイヤボンドが形成され、当該プロセスは工程５０６に戻る。このプロセスは、肯定反応が工程５０６、５０８、５１０、および５１２の各々で提供されるまで続き、当該プロセスはその後工程５１４に進むことができる。
工程５１４で、前記ボンディングされたボールのボンディングパッドの跳ね返し（ｓｐｌａｓｈ）レベルが所定の許容範囲内であるかが決定される。工程５１４の質問に対する答えが「Ｙｅｓ」である場合、次に当該プロセスは工程５１６に進む。工程５１４の質問に対する答えが「Ｎｏ」である場合、次に工程５２６で、跳ね返し（ｓｐｌａｓｈ）レベルボンディング調整値が（例えば、図２Ｂで図示されているのと同様の方法で）調節される。次に、アルゴリズムおよび前記調節された跳ね返し（ｓｐｌａｓｈ）レベルボンディング調整値を使用して、調整されたボンディングパラメータが生成される。その後、後続のワイヤボンドが形成され、当該プロセスは工程５０６に戻る。このプロセスは、肯定反応が工程５０６、５０８、５１０、５１２、および５１４の各々で提供されるまで続き、当該プロセスはその後工程５１６に進むことができ、前記ボンディングパラメータが承認される。
工程５０６、５０８、５１０、５１２、および５１４の各々で為される決定が限定されるものでないことは理解されるであろう。すなわち、これらの決定のほんの一部分が所与の方法で為されるものである。さらに、追加のまたは異なる決定も為されるものである。
図５での工程５０６、５０８、５１０、５１２、および５１４の各々で為される決定は、前記方法が次の決定に進む前に満たされる。すなわち、前記方法が工程５０８で為される決定に進むことができる前に、工程５０６で肯定反応が提供されなければならない。しかしながら、このようなアプローチは必要とされない。すなわち、前記決定の各々が個々に為され（そして適切な調整が為され）、次に前記決定の全てが（工程５０６、５０８、５１０、５１２、５１４で）為され、かつ、前記適切な調整の全てが（工程５１８、５２０、５２２、５２４、５２６で）為された後に、前記ボンディングパラメータが次に変更／調整される。
本明細書に提供される方法を使用すると、特に銅線ボンディングに関連して、改善されたワイヤボンディング結果が達成される。例示的な改善については数ある中で、改善された１時間当たりの生産数（ｕｎｉｔ ｐｅｒ ｈｏｕｒ：ＵＰＨ）、ワイヤボンディング結果の改善された一貫性、収率損失の減少を含む。
本明細書に開示される技術が単一ワイヤボンドの形成（および分析）に関連して概ね説明してきたが、本発明はこれに限定されるものではない。すなわち、最初に生成されるボンディングパラメータを使用して、複数のワイヤボンドを形成することが望ましいかもしれないことは明らかである。次に、前記複数のワイヤボンド（単一ワイヤボンドではない）のワイヤボンド特性が分析される。これは、より正確な方法論を提供する。例えば、前記複数の形成されたワイヤボンドの前記少なくとも１つの選択された目標ボンディング制御値（および／または前記少なくとも１つの選択されたワイヤボンド特性）の総計が所定の許容範囲内であるかが決定される。このような総計アプローチについては数ある中でもとりわけ、平均化アプローチ、平均値アプローチである。
本発明は銅線ボンディングに関連して特に利益があるが、これに限定されるものではない。本発明の教示は、アルミニウム、金、またはあらゆる多くのワイヤ材料の様々なタイプのワイヤに適用できる。
本発明はワイヤループの第１のワイヤボンドの形成に関して主に説明してきたが、これに限定されるものではない。本発明の教示は様々なタイプのワイヤボンドに適用でき、例えば、ワイヤループの第２のボンドや、ワイヤボンディングまたはバンピングマシンを使用して形成される導電性バンプ（すなわちスタッドバンプ）も含む。
本発明について本明細書で特定の実施形態を参照しながら解説および説明されているが、本発明は示される詳細に限定することを目的としているものではない。むしろ、様々な修正が、特許請求の範囲の均等物の範囲及び領域内でおよび本発明から逸脱しないで細部にわたって為されるものである。

Claims (45)

  1. ワイヤボンディングマシンを使用してワイヤボンドを形成する方法であって、
    （１）少なくとも１つの目標ボンディング制御値を選択する工程と、
    （２）アルゴリズムおよび前記少なくとも１つの目標ボンディング制御値を使用して、ワイヤボンドを形成するためのボンディングパラメータを生成する工程と、
    （３）前記生成されたボンディングパラメータを使用して、ワイヤボンドを形成する工程と、
    （４）前記形成されたワイヤボンドの前記少なくとも１つの選択された目標ボンディング制御値が前記少なくとも１つの選択された目標ボンディング制御値の所定の許容範囲以内であるかを決定する工程と、
    （５）前記形成されたワイヤボンドの前記少なくとも１つの選択された目標ボンディング制御値が前記所定の許容範囲以内でない場合、少なくとも１つのボンディング調整値を調節する工程と、
    （６）アルゴリズムおよび前記少なくとも１つの調節されたボンディング調整値を使用して、後続のワイヤボンドを形成するための修正されたボンディングパラメータを生成する工程と
    を有する方法。
  2. 請求項１記載の方法において、前記工程（１）は、前記少なくとも１つの目標ボンディング制御値が（ａ）ワイヤボンドのボンディングされたボールの直径および（ｂ）ワイヤボンドの剪断強度のうちの少なくとも１つを含むように、前記少なくとも１つの目標ボンディング制御値を選択する工程を含むものである方法。
  3. 請求項１記載の方法において、前記工程（１）は、前記少なくとも１つの目標ボンディング制御値がワイヤボンドのボンディングされたボールの直径であるように、前記少なくとも１つの目標ボンディング制御値を選択する工程を含むものである方法。
  4. 請求項１記載の方法において、前記工程（２）は、（ａ）ワイヤボンドを形成するボンディング時間、（ｂ）ワイヤボンドを形成する超音波エネルギープロファイル、（ｃ）ワイヤボンドを形成するボンディング位置に接近する際のボンディングツールの速度プロファイル、（ｄ）ワイヤボンドを形成するために使用されるフリーエアーボール（ｆｒｅｅ ａｉｒ ｂａｌｌ）のサイズ、（ｅ）前記フリーエアーボールを形成するためのエレクトロニック・フレーム・オフ・エネルギー（ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ｆｌａｍｅ−ｏｆｆ ｅｎｅｒｇｙ）プロファイル、および（ｆ）ワイヤボンドを形成する接合力プロファイルのうちの少なくとも１つを含むように前記ボンディングパラメータを生成する工程を含むものである方法。
  5. 請求項１記載の方法において、前記工程（２）のアルゴリズムは、前記工程（６）のアルゴリズムと異なるものである方法。
  6. 請求項１記載の方法において、前記工程（２）のアルゴリズムは、前記工程（６）のアルゴリズムと同一である方法。
  7. 請求項１記載の方法において、前記工程（３）は、前記生成されたボンディングパラメータを使用して、複数のワイヤボンドを形成する工程を含むものである方法。
  8. 請求項７記載の方法において、前記工程（４）は、前記複数の形成されたワイヤボンドの前記少なくとも１つの選択された目標ボンディング制御値の総計が前記所定の許容値以内であるかを決定する工程を含むものである方法。
  9. 請求項１記載の方法において、前記工程（４）は、ワイヤボンディングマシンからオフラインの状態で実行されるものである方法。
  10. 請求項１記載の方法において、前記工程（４）は、ワイヤボンディングマシン上で実行されるものである方法。
  11. 請求項１記載の方法において、前記工程（５）は、（ａ）ボンディングされたボールの強度の調整、（ｂ）ボンディングされたボールの直径の調節、（ｃ）ボンディングされたボールの高さの調整、（ｄ）金属間プロファイルの調節、および（ｅ）ボンディングパッドの跳ね返し（ｓｐｌａｓｈ）の調節のうちの少なくとも１つを含む前記少なくとも１つのボンディング調整値を選択する工程を含むものである方法。
  12. ワイヤボンディングマシンを使用してワイヤボンドを形成する方法であって、
    （１）ワイヤボンドのボンディングされたボールの直径を含む少なくとも１つの目標ボンディング制御値を選択する工程と、
    （２）アルゴリズムおよび前記少なくとも１つの目標ボンディング制御値を使用して、ワイヤボンドを形成するためのボンディングパラメータを生成する工程と、
    （３）前記生成されたボンディングパラメータを使用して、ワイヤボンドを形成する工程と、
    （４）前記形成されたワイヤボンドの前記少なくとも１つの選択された目標ボンディング制御値が前記少なくとも１つの選択された目標ボンディング制御値の所定の許容範囲以内であるかを決定する工程と、
    （５）前記形成されたワイヤボンドの前記少なくとも１つの選択された目標ボンディング制御値が前記所定の許容範囲以内でない場合、少なくとも１つのボンディング調整値を調節する工程と、
    （６）アルゴリズムおよび前記少なくとも１つの調節されたボンディング調整値を使用して、後続のワイヤボンドを形成するための修正されたボンディングパラメータを生成する工程と
    を有する方法。
  13. 請求項１２記載の方法において、前記工程（１）は、前記少なくとも１つの目標ボンディング制御値がさらにワイヤボンドの剪断強度を含むように前記少なくとも１つの目標ボンディング制御値を選択する工程を含むものである方法。
  14. 請求項１２記載の方法において、前記工程（１）は、前記少なくとも１つの目標ボンディング制御値がワイヤボンドのボンディングされたボールの直径であるように前記少なくとも１つの目標ボンディング制御値を選択する工程を含むものである方法。
  15. 請求項１２記載の方法において、前記工程（２）は、（ａ）ワイヤボンドを形成するボンディング時間、（ｂ）ワイヤボンドを形成する超音波エネルギープロファイル、（ｃ）ワイヤボンドを形成するボンディング位置に接近する際のボンディングツールの速度プロファイル、（ｄ）ワイヤボンドを形成するために使用されるフリーエアーボール（ｆｒｅｅ ａｉｒ ｂａｌｌ）のサイズ、（ｅ）前記フリーエアーボールを形成するためのエレクトロニック・フレーム・オフ・エネルギー（ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ｆｌａｍｅ−ｏｆｆ ｅｎｅｒｇｙ）プロファイル、および（ｆ）ワイヤボンドを形成する接合力プロファイルのうちの少なくとも１つを含むように前記ボンディングパラメータを生成する工程を含むものである方法。
  16. 請求項１２記載の方法において、前記工程（２）のアルゴリズムは、前記工程（６）のアルゴリズムと異なるものである方法。
  17. 請求項１２記載の方法において、前記工程（２）のアルゴリズムは、前記工程（６）のアルゴリズムと同一である方法。
  18. 請求項１２記載の方法において、前記工程（３）は、前記生成されたボンディングパラメータを使用して、複数のワイヤボンドを形成する工程を含むものである方法。
  19. 請求項１８記載の方法において、前記工程（４）は、前記複数の形成されたワイヤボンドの前記少なくとも１つの選択された目標ボンディング制御値の総計が前記所定の許容値以内であるかを決定する工程を含むものである方法。
  20. 請求項１２記載の方法において、前記工程（４）は、ワイヤボンディングマシンからオフラインの状態で実行されるものである方法。
  21. 請求項１２記載の方法において、前記工程（４）は、ワイヤボンディングマシン上で実行されるものである方法。
  22. 請求項１２記載の方法において、前記工程（５）は、（ａ）ボンディングされたボールの強度の調整、（ｂ）ボンディングされたボールの直径の調節、（ｃ）ボンディングされたボールの高さの調整、（ｄ）金属間プロファイルの調節、および（ｅ）ボンディングパッドの跳ね返し（ｓｐｌａｓｈ）の調節のうちの少なくとも１つを含む前記少なくとも１つのボンディング調整値を選択する工程を含むものである方法。
  23. ワイヤボンディングマシンを使用してワイヤボンドを形成する方法であって、
    （１）ワイヤボンドの剪断強度を含む少なくとも１つの目標ボンディング制御値を選択する工程と、
    （２）アルゴリズムおよび前記少なくとも１つの目標ボンディング制御値を使用して、ワイヤボンドを形成するためのボンディングパラメータを生成する工程と、
    （３）前記生成されたボンディングパラメータを使用して、ワイヤボンドを形成する工程と、
    （４）前記形成されたワイヤボンドの前記少なくとも１つの選択された目標ボンディング制御値が前記少なくとも１つの選択された目標ボンディング制御値の所定の許容範囲以内であるかを決定する工程と、
    （５）前記形成されたワイヤボンドの前記少なくとも１つの選択された目標ボンディング制御値が前記所定の許容範囲以内でない場合、少なくとも１つのボンディング調整値を調節する工程と、
    （６）アルゴリズムおよび前記少なくとも１つの調節されたボンディング調整値を使用して、後続のワイヤボンドを形成するための修正されたボンディングパラメータを生成する工程と
    を有するものである方法。
  24. 請求項２３記載の方法において、前記工程（１）は、前記少なくとも１つの目標ボンディング制御値がさらにワイヤボンドのボンディングされたボールの直径を含むように前記少なくとも１つの目標ボンディング制御値を選択する工程を含むものである方法。
  25. 請求項２３記載の方法において、前記工程（１）は、前記少なくとも１つの目標ボンディング制御値がワイヤボンドの剪断強度であるように前記少なくとも１つの目標ボンディング制御値を選択する工程を含むものである方法。
  26. 請求項２３記載の方法において、前記工程（２）は、（ａ）ワイヤボンドを形成するボンディング時間、（ｂ）ワイヤボンドを形成する超音波エネルギープロファイル、（ｃ）ワイヤボンドを形成するためボンディング位置に接近する際のボンディングツールの速度プロファイル、（ｄ）ワイヤボンドを形成するために使用されるフリーエアーボール（ｆｒｅｅ ａｉｒ ｂａｌｌ）のサイズ、（ｅ）前記フリーエアーボールを形成するためのエレクトロニック・フレーム・オフ・エネルギー（ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ｆｌａｍｅ−ｏｆｆ ｅｎｅｒｇｙ）プロファイル、および（ｆ）ワイヤボンドを形成する接合力プロファイルのうちの少なくとも１つを含むように前記ボンディングパラメータを生成する工程を含むものである方法。
  27. 請求項２３記載の方法において、前記工程（２）のアルゴリズムは、前記工程（６）のアルゴリズムと異なるものである方法。
  28. 請求項２３記載の方法において、前記工程（２）のアルゴリズムは、前記工程（６）のアルゴリズムと同一である方法。
  29. 請求項２３記載の方法において、前記工程（３）は、前記生成されたボンディングパラメータを使用して、複数のワイヤボンドを形成する工程を含むものである方法。
  30. 請求項２９記載の方法において、前記工程（４）は、前記複数の形成されたワイヤボンドの前記少なくとも１つの選択された目標ボンディング制御値の総計が前記所定の許容値以内であるかを決定する工程を含むものである方法。
  31. 請求項２３記載の方法において、前記工程（４）は、ワイヤボンディングマシンからオフラインの状態で実行されるものである方法。
  32. 請求項２３記載の方法において、前記工程（４）は、ワイヤボンディングマシン上で実行されるものである方法。
  33. 請求項２３記載の方法において、前記工程（５）は、（ａ）ボンディングされたボールの強度の調整、（ｂ）ボンディングされたボールの直径の調節、（ｃ）ボンディングされたボールの高さの調整、（ｄ）金属間プロファイルの調節、および（ｅ）ボンディングパッドの跳ね返し（ｓｐｌａｓｈ）の調節のうちの少なくとも１つを含む前記少なくとも１つのボンディング調整値を選択する工程を含むものである方法。
  34. ワイヤボンディングマシンを使用してワイヤボンドを形成する方法であって、
    （１）少なくとも１つの目標ボンディング制御値を選択する工程と、
    （２）アルゴリズムおよび前記少なくとも１つの目標ボンディング制御値を使用して、ワイヤボンドを形成するためのボンディングパラメータを生成する工程と、
    （３）前記生成されたボンディングパラメータを使用して、ワイヤボンドを形成する工程と、
    （４）前記形成されたワイヤボンドの前記少なくとも１つの選択されたワイヤボンド特性が前記少なくとも１つの選択されたワイヤボンド特性の所定の許容範囲以内であるかを決定する工程と、
    （５）前記形成されたワイヤボンドの前記少なくとも１つの選択されたワイヤボンド特性が前記所定の許容範囲以内でない場合、少なくとも１つのボンディング調整値を調節する工程と、
    （６）アルゴリズムおよび前記少なくとも１つの調節されたボンディング調整値を使用して、後続のワイヤボンドを形成するための修正されたボンディングパラメータを生成する工程と
    を有する方法。
  35. 請求項３４記載の方法において、前記工程（１）は、前記少なくとも１つの目標ボンディング制御値が（ａ）ワイヤボンドのボンディングされたボールの直径および（ｂ）ワイヤボンドの剪断強度のうちの少なくとも１つを含むように、前記少なくとも１つの目標ボンディング制御値を選択する工程を含むものである方法。
  36. 請求項３４記載の方法において、前記工程（１）は、前記少なくとも１つの目標ボンディング制御値がワイヤボンドのボンディングされたボールの直径であるように、前記少なくとも１つの目標ボンディング制御値を選択する工程を含むものである方法。
  37. 請求項３４記載の方法において、前記工程（２）は、（ａ）ワイヤボンドを形成するボンディング時間、（ｂ）ワイヤボンドを形成する超音波エネルギープロファイル、（ｃ）ワイヤボンドを形成するボンディング位置に接近する際のボンディングツールの速度プロファイル、（ｄ）ワイヤボンドを形成するために使用されるフリーエアーボール（ｆｒｅｅ ａｉｒ ｂａｌｌ）のサイズ、（ｅ）前記フリーエアーボールを形成するためのエレクトロニック・フレーム・オフ・エネルギー（ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ｆｌａｍｅ−ｏｆｆ ｅｎｅｒｇｙ）プロファイル、および（ｆ）ワイヤボンドを形成する接合力プロファイルのうちの少なくとも１つを含むように前記ボンディングパラメータを生成する工程を含むものである方法。
  38. 請求項３４記載の方法において、前記工程（２）のアルゴリズムは、前記工程（６）のアルゴリズムと異なるものである方法。
  39. 請求項３４記載の方法において、前記工程（２）のアルゴリズムは、前記工程（６）のアルゴリズムと同一である方法。
  40. 請求項３４記載の方法において、前記工程（３）は、前記生成されたボンディングパラメータを使用して、複数のワイヤボンドを形成する工程を含むものである方法。
  41. 請求項４０記載の方法において、前記工程（４）は、前記複数の形成されたワイヤボンドの前記少なくとも１つの選択された目標ボンディング制御値の総計が前記所定の許容値以内であるかを決定する工程を含むものである方法。
  42. 請求項３４記載の方法において、前記工程（４）は、ワイヤボンディングマシンからオフラインの状態で実行されるものである方法。
  43. 請求項３４記載の方法において、前記工程（４）は、ワイヤボンディングマシン上で実行されるものである方法。
  44. 請求項３４記載の方法において、前記工程（５）は、（ａ）ボンディングされたボールの強度の調整、（ｂ）ボンディングされたボールの直径の調節、（ｃ）ボンディングされたボールの高さの調整、（ｄ）金属間プロファイルの調節、および（ｅ）ボンディングパッドの跳ね返し（ｓｐｌａｓｈ）の調節のうちの少なくとも１つを含む前記少なくとも１つのボンディング調整値を選択する工程を含むものである方法。
  45. 請求項３４記載の方法において、前記少なくとも１つの選択されたワイヤボンド特性は、（ａ）ボンディングされたボールの強度、（ｂ）ボンディングされたボールの直径、（ｃ）ボンディングされたボールの高さ、（ｄ）金属間プロファイル、および（ｅ）ボンディングパッドの跳ね返し（ｓｐｌａｓｈ）のうちの少なくとも１つを含むものである方法。
JP2011208268A 2010-09-27 2011-09-24 ワイヤループおよび導電性バンプのためのワイヤボンドを形成する方法 Active JP6029269B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US38670110P 2010-09-27 2010-09-27
US61/386,701 2010-09-27

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2012074699A true JP2012074699A (ja) 2012-04-12
JP2012074699A5 JP2012074699A5 (ja) 2014-11-06
JP6029269B2 JP6029269B2 (ja) 2016-11-24

Family

ID=45869649

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011208268A Active JP6029269B2 (ja) 2010-09-27 2011-09-24 ワイヤループおよび導電性バンプのためのワイヤボンドを形成する方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20120074206A1 (ja)
JP (1) JP6029269B2 (ja)
KR (1) KR101254218B1 (ja)
CN (1) CN102420150B (ja)
SG (1) SG179389A1 (ja)
TW (1) TWI489568B (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017045752A (ja) * 2015-08-24 2017-03-02 株式会社東芝 半導体装置の測定方法
KR20170052484A (ko) * 2015-11-04 2017-05-12 쿨리케 앤드 소파 인더스트리즈, 인코포레이티드 와이어 본딩을 위한 본더 상의 돌출 다이 자동 최적화 툴 및 관련 방법
WO2022098697A1 (en) * 2020-11-05 2022-05-12 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Methods of operating a wire bonding machine, including methods of monitoring an accuracy of bonding force on a wire bonding machine, and related methods

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9153554B2 (en) * 2012-04-22 2015-10-06 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Methods of adjusting ultrasonic bonding energy on wire bonding machines
TWI534918B (zh) * 2012-06-29 2016-05-21 庫利克和索夫工業公司 用以補償打線機上線徑變化之方法和系統
US8899469B2 (en) * 2013-03-04 2014-12-02 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Automatic rework processes for non-stick conditions in wire bonding operations
US9093515B2 (en) * 2013-07-17 2015-07-28 Freescale Semiconductor, Inc. Wire bonding capillary with working tip protrusion
US9257403B2 (en) * 2013-11-26 2016-02-09 Freescale Semiconductor, Inc. Copper ball bond interface structure and formation
US20150194395A1 (en) * 2014-01-03 2015-07-09 Sohrab Safai Bond pad having a trench and method for forming
US9889521B2 (en) * 2014-12-02 2018-02-13 Asm Technology Singapore Pte Ltd Method and system for pull testing of wire bonds
CN105760591B (zh) * 2016-02-04 2019-01-25 广州兴森快捷电路科技有限公司 封装基板键合引线的邦定方法
US10325878B2 (en) 2016-06-30 2019-06-18 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Methods for generating wire loop profiles for wire loops, and methods for checking for adequate clearance between adjacent wire loops
CN110391129B (zh) * 2018-04-20 2020-10-02 岛津分析技术研发（上海）有限公司 离子化装置、质谱仪、离子迁移谱仪及离子化方法
EP3603826B1 (en) * 2018-07-31 2023-05-10 Infineon Technologies AG Method for calibrating an ultrasonic bonding machine

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0737926A (ja) * 1993-07-16 1995-02-07 Kaijo Corp ワイヤボンディング装置及びその方法
JP2008084897A (ja) * 2006-09-25 2008-04-10 Nagase Denshi Kiki Service Kk 半導体パッケージの設計・製造システムおよびプログラム
JP2011503890A (ja) * 2007-11-12 2011-01-27 ヘッセ・ウント・クナイプス・ゲーエムベーハー 超音波ボンディング方法及びボンディング装置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3458921A (en) * 1965-07-19 1969-08-05 Western Electric Co Short pulse vibratory bonding
US5201454A (en) * 1991-09-30 1993-04-13 Texas Instruments Incorporated Process for enhanced intermetallic growth in IC interconnections
JP2992427B2 (ja) * 1993-07-16 1999-12-20 株式会社カイジョー ワイヤボンディング装置及びその方法
US5858142A (en) * 1997-02-27 1999-01-12 Inertia Friction Welding, Inc. Angular orientation control system for friction welding
JP2000299348A (ja) 1999-04-13 2000-10-24 Rohm Co Ltd ボール式ワイヤボンディングにおけるボール部の最適接合条件の算出方法
KR100604316B1 (ko) 2004-06-18 2006-07-24 삼성테크윈 주식회사 본딩 파라메터들이 자동적으로 설정되는 와이어 본더
US8658942B2 (en) * 2004-12-16 2014-02-25 Illinois Tool Works Inc. Method and system of welding with auto-determined startup parameters
US8546728B2 (en) * 2005-03-04 2013-10-01 Illinois Tool Works Inc. Welder with integrated wire feeder having single-knob control
US7845542B2 (en) * 2005-09-22 2010-12-07 Palomar Technologies, Inc. Monitoring deformation and time to logically constrain a bonding process
JP4547330B2 (ja) * 2005-12-28 2010-09-22 株式会社新川 ワイヤボンディング装置、ボンディング制御プログラム及びボンディング方法
DE602006015192D1 (de) * 2006-09-05 2010-08-12 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren und Vorrichtung zur Regelung der Herstellung von Drahtbondverbindungen
JP4786500B2 (ja) * 2006-10-26 2011-10-05 株式会社東芝 ワイヤボンディング装置及びワイヤボンディング方法
KR20090110406A (ko) * 2008-04-18 2009-10-22 삼성테크윈 주식회사 와이어 본딩 방법
US20090283501A1 (en) * 2008-05-15 2009-11-19 General Electric Company Preheating using a laser beam
US8278588B2 (en) * 2008-05-29 2012-10-02 Illinois Tool Works Inc. System and method for start flow approach control for a proportional valve in a plasma cutter
US8927913B2 (en) * 2008-06-30 2015-01-06 The Invention Science Fund I, Llc Microwave processing systems and methods
EP2323800A4 (en) * 2008-08-11 2017-03-01 Megastir Technologies LLC A method for using modifiable tool control parameters to control the temperature of the tool during frictions stir welding
US7762449B2 (en) * 2008-11-21 2010-07-27 Asm Assembly Automation Ltd Bond head for heavy wire bonder
US8274020B2 (en) * 2010-05-04 2012-09-25 Whirlpool Corporation Apparatus and method of controlling a triple heating element of a cooking appliance

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0737926A (ja) * 1993-07-16 1995-02-07 Kaijo Corp ワイヤボンディング装置及びその方法
JP2008084897A (ja) * 2006-09-25 2008-04-10 Nagase Denshi Kiki Service Kk 半導体パッケージの設計・製造システムおよびプログラム
JP2011503890A (ja) * 2007-11-12 2011-01-27 ヘッセ・ウント・クナイプス・ゲーエムベーハー 超音波ボンディング方法及びボンディング装置

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017045752A (ja) * 2015-08-24 2017-03-02 株式会社東芝 半導体装置の測定方法
CN106482686A (zh) * 2015-08-24 2017-03-08 株式会社东芝 半导体装置的测定方法
KR20170052484A (ko) * 2015-11-04 2017-05-12 쿨리케 앤드 소파 인더스트리즈, 인코포레이티드 와이어 본딩을 위한 본더 상의 돌출 다이 자동 최적화 툴 및 관련 방법
JP2017092464A (ja) * 2015-11-04 2017-05-25 クリック アンド ソッファ インダストリーズ、インク． ワイヤーボンディングのためのボンダー上の自動オーバーハングダイ最適化ツールと関連する方法
KR102593242B1 (ko) * 2015-11-04 2023-10-25 쿨리케 앤드 소파 인더스트리즈, 인코포레이티드 와이어 본딩을 위한 본더 상의 돌출 다이 자동 최적화 툴 및 관련 방법
WO2022098697A1 (en) * 2020-11-05 2022-05-12 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Methods of operating a wire bonding machine, including methods of monitoring an accuracy of bonding force on a wire bonding machine, and related methods
US11597031B2 (en) 2020-11-05 2023-03-07 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Methods of operating a wire bonding machine, including methods of monitoring an accuracy of bond force on a wire bonding machine, and related methods
US11865633B2 (en) 2020-11-05 2024-01-09 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Methods of operating a wire bonding machine, including methods of monitoring an accuracy of bond force on a wire bonding machine, and related methods

Also Published As

Publication number Publication date
SG179389A1 (en) 2012-04-27
TWI489568B (zh) 2015-06-21
TW201214591A (en) 2012-04-01
KR101254218B1 (ko) 2013-04-18
JP6029269B2 (ja) 2016-11-24
CN102420150B (zh) 2016-12-07
US20120074206A1 (en) 2012-03-29
CN102420150A (zh) 2012-04-18
KR20120031909A (ko) 2012-04-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6029269B2 (ja) ワイヤループおよび導電性バンプのためのワイヤボンドを形成する方法
JP5830204B2 (ja) 低プロファイルのワイヤループを形成する方法およびその装置
US7188759B2 (en) Methods for forming conductive bumps and wire loops
US8143155B2 (en) Wire bonding method and semiconductor device
JP2004282015A (ja) ワイヤボンディング機を用いて半導体相互接続のためのバンプを形成する方法及び装置
Heuck et al. Lifetime analysis of power modules with new packaging technologies
US11495570B2 (en) Systems and methods for optimizing looping parameters and looping trajectories in the formation of wire loops
JP7523503B2 (ja) ワイヤーループのワイヤーループプロファイルを生成する方法、および隣接したワイヤーループ間に十分な間隙があるか検証する方法
CN104681519A (zh) 铜球键合界面结构和形成
TWI473182B (zh) 在線弧中形成彎曲的方法
JP3455126B2 (ja) ワイヤボンデイング方法
Xu et al. Wire Bonding Advances for Multi-Chip and System in Package Devices
KR20210143287A (ko) 반도체 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 와이어 본딩 장치
US20220208721A1 (en) Wire bonding apparatus, method for manufacture of semiconductor device, and semiconductor device
US20240055388A1 (en) Bump-forming device, bump-forming method, and non-transitory computer-readable medium
TWI721404B (zh) 打線接合裝置、半導體裝置的製造方法以及半導體裝置
TW202410312A (zh) 改進導線接合操作的方法
Shanshan et al. The copper stud bumping shaping simulation based on thermal-solid couple analysis
WO2011037869A2 (en) Methods of forming wire bonds for wire loops and conductive bumps

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140924

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20140924

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20150824

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150901

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20151201

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20151231

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20160130

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160301

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20160927

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20161018

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6029269

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250