JP2012074568A - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate processing apparatus and substrate processing method which can detect ignition on a processing surface of an object to be processed.SOLUTION: According to an embodiment, there is provided the substrate processing apparatus which supplies an organic solvent to a processing surface of an object to be processed and evaporates the supplied organic solvent. The substrate processing apparatus comprises an organic solvent supply unit for supplying the organic solvent to the processing surface, and a detection unit for detecting ignition on the processing surface.

Description

本発明は、基板処理装置および基板処理方法に関する。   The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.

半導体装置やフラットパネルディスプレイなどの電子デバイスの製造においては、被処理物(例えば、ウェーハやガラス基板など)を薬液処理した後、純水などで洗浄を行うようにしている。そして、洗浄の後にはIPA(イソプロピルアルコール)などの有機溶媒を用いた乾燥処理が行われている。
ここで、IPAなどの有機溶媒は引火性であるため、万一、有機溶媒が発火した場合に備えて消火機構が設けられた基板処理装置が提案されている。
In the manufacture of electronic devices such as semiconductor devices and flat panel displays, an object to be processed (for example, a wafer or a glass substrate) is treated with a chemical solution and then washed with pure water or the like. After the cleaning, a drying process using an organic solvent such as IPA (isopropyl alcohol) is performed.
Here, since an organic solvent such as IPA is flammable, a substrate processing apparatus provided with a fire extinguishing mechanism has been proposed in case the organic solvent ignites.

この様な消火機構においては、有機溶媒槽などに設けられた検出部により基板処理装置自体の火災を検出し、二酸化炭素ガスなどを用いた消火を行うようにしている(例えば、特許文献1を参照)。
ところが、静電気などで発生した火花により被処理物の処理面に残留していた有機溶媒が発火したような場合には、有機溶媒の量が少ないため燃焼時間、温度上昇などが僅かなものとなる。そのため、この様な僅かな発火が広がり火災とならない限りは消火機構に設けられた検出部では発火の発生を検出することができない。
In such a fire extinguishing mechanism, a detection unit provided in an organic solvent tank or the like detects a fire in the substrate processing apparatus itself, and performs fire extinguishing using carbon dioxide gas or the like (for example, Patent Document 1). reference).
However, when the organic solvent remaining on the processing surface of the workpiece is ignited by a spark generated by static electricity or the like, the amount of organic solvent is small, so the combustion time and temperature rise are slight. . Therefore, unless such a slight ignition spreads and becomes a fire, the detection part provided in the fire extinguishing mechanism cannot detect the occurrence of the ignition.

そのため、被処理物の処理面において僅かな発火が生じてもこれを検出できないため、煤などが生じて当該被処理物、当該基板処理装置、後工程の処理装置や製造プロセスにおける要素などを汚染してしまうおそれがある。また、当該被処理物は不良品となる可能性が高く、これを後工程で処理しても無駄となるおそれもある。   Therefore, even if a slight ignition occurs on the processing surface of the object to be processed, this cannot be detected, and soot is generated to contaminate the object to be processed, the substrate processing apparatus, the processing apparatus in the subsequent process, and the elements in the manufacturing process. There is a risk of it. In addition, there is a high possibility that the object to be processed becomes a defective product, and there is a possibility that even if this is processed in a subsequent process, it is wasted.

特開平6−244166号公報JP-A-6-244166

本発明の実施形態は、被処理物の処理面における発火を検出することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。   Embodiments of the present invention provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of detecting ignition on a processing surface of an object to be processed.

実施形態によれば、被処理物の処理面に有機溶媒を供給し、前記供給された有機溶媒を蒸散させる基板処理装置であって、前記処理面に有機溶媒を供給する有機溶媒供給部と、前記処理面における発火を検出する検出部と、を備えたこと、を特徴とする基板処理装置が提供される。   According to the embodiment, the substrate processing apparatus supplies an organic solvent to a processing surface of an object to be processed and evaporates the supplied organic solvent, and an organic solvent supply unit that supplies the organic solvent to the processing surface; There is provided a substrate processing apparatus comprising: a detection unit that detects ignition on the processing surface.

また、他の実施形態によれば、被処理物の処理面に有機溶媒を供給し、前記供給された有機溶媒を蒸散させる基板処理方法であって、前記処理面に有機溶媒を供給する工程と、前記処理面に供給された有機溶媒を蒸散させる工程と、を備え、前記有機溶媒を供給する工程および前記有機溶媒を蒸散させる工程の少なくともいずれかにおいて、前記処理面における発火を検出することを特徴とする基板処理方法が提供される。   According to another embodiment, there is provided a substrate processing method for supplying an organic solvent to a processing surface of an object to be processed and evaporating the supplied organic solvent, the step of supplying the organic solvent to the processing surface; And evaporating the organic solvent supplied to the processing surface, and detecting ignition on the processing surface in at least one of the step of supplying the organic solvent and the step of evaporating the organic solvent. A featured substrate processing method is provided.

本発明の実施形態によれば、被処理物の処理面における発火を検出することができる基板処理装置および基板処理方法が提供される。   According to the embodiments of the present invention, there are provided a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of detecting ignition on a processing surface of an object to be processed.

本実施の形態に係る基板処理装置を例示するための模式図である。It is a schematic diagram for illustrating the substrate processing apparatus concerning this embodiment. 発火位置から検出部の中心軸に対する離隔角度を例示するための模式図である。It is a schematic diagram for illustrating the separation angle with respect to the central axis of a detection part from an ignition position. 発火位置の違いに基づく受光特性を例示するための模式グラフ図である。It is a schematic graph for demonstrating the light reception characteristic based on the difference in an ignition position. IPAの発火時の発光特性を例示するための模式グラフ図である。It is a schematic graph for demonstrating the light emission characteristic at the time of ignition of IPA.

以下、図面を参照しつつ、実施の形態について例示をする。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図1は、本実施の形態に係る基板処理装置を例示するための模式図である。
図1に示すように、基板処理装置1には、処理容器2、載置部3、処理部4、遮蔽部5、検出部6、制御部7が設けられている。
処理容器2は、耐薬品性の高い有機材料などから形成されるようにすることができる。処理容器2は、例えば、フッ素樹脂(例えば、ポリテトラフルオロエチレン)などから形成されるようにすることができる。また、処理容器2は、処理に用いられる有機溶媒の蒸気などが外部に漏れないように気密構造とすることができる。
Hereinafter, embodiments will be illustrated with reference to the drawings. In addition, in each drawing, the same code | symbol is attached | subjected to the same component and detailed description is abbreviate | omitted suitably.
FIG. 1 is a schematic view for illustrating a substrate processing apparatus according to the present embodiment.
As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 includes a processing container 2, a placement unit 3, a processing unit 4, a shielding unit 5, a detection unit 6, and a control unit 7.
The processing container 2 can be made of an organic material having high chemical resistance. The processing container 2 can be made of, for example, a fluororesin (for example, polytetrafluoroethylene). Further, the processing container 2 can have an airtight structure so that the vapor of the organic solvent used for the processing does not leak to the outside.

処理容器2の側壁には、被処理物W(例えば、ウェーハやガラス基板など)の搬入搬出を行うための開口部2aが設けられ、開口部2aを気密に開閉可能な開閉扉2bが設けられている。開閉扉2bは、開閉機構2cにより開閉動作するようになっている。また、開口部2aを閉鎖する場合には、開閉扉2bに設けられたシール部2dを処理容器2の側壁面に押し付けることで開口部2aを気密に閉鎖できるようになっている。   An opening 2a for carrying in / out a workpiece W (for example, a wafer or a glass substrate) is provided on the side wall of the processing container 2, and an opening / closing door 2b capable of opening and closing the opening 2a in an airtight manner is provided. ing. The opening / closing door 2b is opened and closed by an opening / closing mechanism 2c. Further, when the opening 2a is closed, the opening 2a can be hermetically closed by pressing the seal portion 2d provided on the open / close door 2b against the side wall surface of the processing container 2.

また、処理容器2の底部には、処理容器2内の排気および使用済みの処理液などを排出させるための排出口2eが設けられている。排出口2eには、排出された排気および使用済みの処理液などを処理する図示しない処理装置などを接続することができる。   Further, at the bottom of the processing container 2, an exhaust port 2 e for exhausting the exhaust in the processing container 2 and the used processing liquid is provided. The exhaust port 2e can be connected to a processing device (not shown) that processes the exhaust and exhausted processing liquid.

処理容器2の内部には、載置部3が設けられている。
被処理物Wを保持して回転させる載置部3には、載置台22、駆動部23が設けられている。
載置台22は円板状を呈し、一方の主面が被処理物Wを載置する載置面22aとなっている。また、載置部3にはバキュームチャックなどの図示しない保持部が設けられており、載置された被処理物Wを保持することができるようになっている。なお、載置面22aの周縁に被処理物Wの周端を支持する図示しない支持部を設けて、被処理物Wの周端を支持することで載置面22aに載置された被処理物Wが保持されるようにしてもよい。
A placement unit 3 is provided inside the processing container 2.
The mounting table 3 that holds and rotates the workpiece W is provided with a mounting table 22 and a driving unit 23.
The mounting table 22 has a disk shape, and one main surface is a mounting surface 22a on which the workpiece W is mounted. In addition, the mounting unit 3 is provided with a holding unit (not shown) such as a vacuum chuck, so that the mounted workpiece W can be held. In addition, the not-shown support part which supports the peripheral edge of the to-be-processed object W is provided in the periphery of the mounting surface 22a, and the to-be-processed mounted in the mounting surface 22a by supporting the peripheral edge of the to-be-processed object W is supported. The object W may be held.

載置台22の他方の主面の中心には回転軸22bが設けられている。回転軸22bは駆動部23と接続され、載置面22aに保持された被処理物Wを回転軸22b周りに回転させることができるようになっている。また、回転軸22bが処理容器2の底部を挿通する部分にはシール部26が設けられており、使用済みの処理液などが処理容器2外に漏れ出ないようになっている。
駆動部23は、例えば、サーボモータなどの制御モータなどから構成され、載置台22を回転軸22b周りに回転させるとともに、回転数や、停止位置などの制御ができるようになっている。
A rotation shaft 22 b is provided at the center of the other main surface of the mounting table 22. The rotating shaft 22b is connected to the drive unit 23 so that the workpiece W held on the placement surface 22a can be rotated around the rotating shaft 22b. Further, a seal portion 26 is provided at a portion where the rotating shaft 22b is inserted through the bottom portion of the processing container 2, so that used processing liquid and the like do not leak out of the processing container 2.
The drive unit 23 is composed of, for example, a control motor such as a servo motor, and rotates the mounting table 22 around the rotation shaft 22b, and can control the rotation speed, the stop position, and the like.

処理部4には、処理液供給部4a、洗浄液供給部4b、有機溶媒供給部4cが設けられている。
なお、一例として、処理液供給部4a、洗浄液供給部4b、有機溶媒供給部4cが設けられる場合を例示するが、少なくとも有機溶媒供給部4cが設けられるものとすることもできる。
The processing unit 4 includes a processing liquid supply unit 4a, a cleaning liquid supply unit 4b, and an organic solvent supply unit 4c.
As an example, the case where the processing liquid supply unit 4a, the cleaning liquid supply unit 4b, and the organic solvent supply unit 4c are provided is illustrated, but at least the organic solvent supply unit 4c may be provided.

処理液供給部4aは、載置部3に載置された被処理物Wの処理面Waに処理液を供給する。処理液としては、例えば、アンモニア過水(アンモニアと過酸化水素を含む水溶液)、塩酸過水(塩酸と過酸化水素を含む水溶液)、フッ化水素酸(フッ化水素の水溶液)、バッファードフッ酸(フッ化水素とフッ化アンモニウムを含む水溶液)などを例示することができる。ただし、これらに限定されるものではなく被処理物Wの処理面Waの材質や処理目的などに応じて適宜変更することができる。なお、処理液供給部4aには、図示しないタンク、送液配管、送液ポンプ、流量制御弁などを適宜設けることができるが、これらの要素には既知の技術を適用させることができるので詳細な説明は省略する。   The processing liquid supply unit 4 a supplies the processing liquid to the processing surface Wa of the workpiece W placed on the placement unit 3. Examples of the treatment liquid include ammonia perwater (aqueous solution containing ammonia and hydrogen peroxide), hydrochloric acid perwater (aqueous solution containing hydrochloric acid and hydrogen peroxide), hydrofluoric acid (aqueous solution of hydrogen fluoride), buffered fluoride. An acid (an aqueous solution containing hydrogen fluoride and ammonium fluoride) can be exemplified. However, it is not limited to these, and can be appropriately changed according to the material of the processing surface Wa of the workpiece W, the processing purpose, and the like. Note that the processing liquid supply unit 4a can be appropriately provided with a tank, a liquid supply pipe, a liquid supply pump, a flow rate control valve, and the like (not shown), but these elements can be applied with known techniques in detail. The detailed explanation is omitted.

洗浄液供給部4bは、載置部3に載置された被処理物Wの処理面Waに洗浄液を供給する。洗浄液としては、例えば、純水、脱イオン化された純水などを例示することができる。ただし、これらに限定されるわけではなく被処理物Wの処理面Waに供給された処理液を洗い流すことができるものを適宜選択することができる。なお、洗浄液供給部4bには、図示しないタンク、送液配管、送液ポンプ、流量制御弁などを適宜設けることができるが、これらの要素には既知の技術を適用させることができるので詳細な説明は省略する。   The cleaning liquid supply unit 4 b supplies the cleaning liquid to the processing surface Wa of the workpiece W placed on the placement unit 3. Examples of the cleaning liquid include pure water and deionized pure water. However, the present invention is not limited to these, and a liquid that can wash away the processing liquid supplied to the processing surface Wa of the workpiece W can be appropriately selected. The cleaning liquid supply unit 4b can be appropriately provided with a tank, a liquid supply pipe, a liquid supply pump, a flow rate control valve, and the like (not shown). However, since known techniques can be applied to these elements, detailed descriptions are provided. Description is omitted.

有機溶媒供給部4cは、載置部3に載置された被処理物Wの処理面Waに有機溶媒を供給する。有機溶媒としては、例えば、メチルアルコール、エチルアルコール、IPA、これらの混合液などを例示することができる。ただし、これらに限定されるわけではなく、被処理物Wの処理面Waに供給された洗浄液と置換させたり、洗浄液と混合させて蒸散させたりすることができるものを適宜選択することができる。
この場合、処理面Waに供給される有機溶媒は、有機溶媒の溶液、有機溶媒の蒸気、有機溶媒の溶液を不活性ガスを用いて霧状にしたものなどとすることができる。
なお、有機溶媒供給部4cには、図示しないタンク、送液配管、送液ポンプ、流量制御弁などを適宜設けることができるが、これらの要素には既知の技術を適用させることができるので詳細な説明は省略する。
The organic solvent supply unit 4 c supplies the organic solvent to the processing surface Wa of the workpiece W placed on the placement unit 3. Examples of the organic solvent include methyl alcohol, ethyl alcohol, IPA, and a mixed solution thereof. However, the present invention is not limited to these, and a material that can be replaced with the cleaning liquid supplied to the processing surface Wa of the workpiece W or mixed with the cleaning liquid to evaporate can be appropriately selected.
In this case, the organic solvent supplied to the processing surface Wa may be an organic solvent solution, an organic solvent vapor, or an organic solvent solution atomized using an inert gas.
The organic solvent supply unit 4c can be appropriately provided with a tank, a liquid supply pipe, a liquid supply pump, a flow rate control valve and the like (not shown), but these elements can be applied with known techniques in detail. The detailed explanation is omitted.

また、処理液供給部4a、洗浄液供給部4b、有機溶媒供給部4cを構成する要素の少なくとも使用される液体と接触する部分は、使用される液体に対する耐性の高い材料から形成されるものとすることができる。例えば、処理液供給部4aにおいて使用される液体(処理液)がフッ化水素酸である場合には、フッ化水素酸と接触する部分が、ポリテトラフルオロエチレンなどのフッ素樹脂やポリエチレンなどから形成されるものとすることができる。
また、処理液供給部4a、洗浄液供給部4b、有機溶媒供給部4cには、被処理物Wに対する液体の供給位置を変化させるための図示しない移動部を適宜設けるようにすることもできる。なお、被処理物Wに対する液体の供給位置は図1に例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。
In addition, at least a portion of the elements constituting the processing liquid supply unit 4a, the cleaning liquid supply unit 4b, and the organic solvent supply unit 4c that comes into contact with the liquid to be used is formed of a material having high resistance to the liquid to be used. be able to. For example, when the liquid (treatment liquid) used in the treatment liquid supply unit 4a is hydrofluoric acid, the portion in contact with hydrofluoric acid is formed from a fluororesin such as polytetrafluoroethylene, polyethylene, or the like. Can be.
In addition, the processing liquid supply unit 4a, the cleaning liquid supply unit 4b, and the organic solvent supply unit 4c may be appropriately provided with a moving unit (not shown) for changing the liquid supply position with respect to the workpiece W. In addition, the supply position of the liquid with respect to the to-be-processed object W is not necessarily limited to what was illustrated in FIG. 1, and can be changed suitably.

遮蔽部5には、カップ体24、駆動部25が設けられている。
カップ体24は、載置台22の外周方向を覆うように設けられている。
カップ体24には、基部24a、カバー24b、昇降軸24cが設けられている。
基部24aは、円筒状を呈し、上面および下面が開口されている。
カバー24bは、基部24aの上端に設けられている。カバー24bは傾斜面となっており、その上端が基部24aの中心に近づく方向に傾斜している。この様な形態を有するカバー24bとすることで、被処理物Wの処理面Waに供給された液体がカバー24bの上面から飛散することを抑制することができる。また、カバー24bの上面は開口されており、カバー24bの開口が被処理物Wよりも大きくなっている。
基部24aの下端には昇降軸24cの一端が接続され、昇降軸24cの他端は駆動部25に接続されている。また、昇降軸24cが処理容器2の底部を挿通する部分にはシール部27が設けられており、使用済みの処理液などが処理容器2の外部に漏れ出ないようになっている
駆動部25は、例えば、サーボモータなどの制御モータや空圧シリンダーなどから構成され、昇降軸24cを介して基部24a、カバー24bを昇降させることができるようになっている。この場合、被処理物Wの処理面Waに供給された液体がカバー24bの上面から飛散するのを抑制することができる位置を上昇端とし、載置台22への被処理物Wの載置が容易となる位置を下降端とすることができる。なお、上昇端、下降端の位置は、図示しない検出器によりカップ体24の昇降位置を検出することで制御することができる。
The shielding unit 5 is provided with a cup body 24 and a driving unit 25.
The cup body 24 is provided so as to cover the outer peripheral direction of the mounting table 22.
The cup body 24 is provided with a base 24a, a cover 24b, and a lifting shaft 24c.
The base 24a has a cylindrical shape, and has an upper surface and a lower surface opened.
The cover 24b is provided at the upper end of the base portion 24a. The cover 24b is an inclined surface, and its upper end is inclined in a direction approaching the center of the base 24a. By setting it as the cover 24b which has such a form, it can suppress that the liquid supplied to the process surface Wa of the to-be-processed object W splashes from the upper surface of the cover 24b. Further, the upper surface of the cover 24b is opened, and the opening of the cover 24b is larger than the workpiece W.
One end of an elevating shaft 24c is connected to the lower end of the base 24a, and the other end of the elevating shaft 24c is connected to the drive unit 25. Further, a seal portion 27 is provided at a portion where the elevating shaft 24c is inserted through the bottom portion of the processing container 2, so that used processing liquid and the like do not leak out of the processing container 2. Is constituted by a control motor such as a servo motor, a pneumatic cylinder, and the like, and can raise and lower the base 24a and the cover 24b via a lifting shaft 24c. In this case, the position at which the liquid supplied to the processing surface Wa of the workpiece W can be prevented from scattering from the upper surface of the cover 24b is the rising end, and the workpiece W is placed on the mounting table 22. The easy position can be the descending end. The positions of the rising end and the lowering end can be controlled by detecting the raising / lowering position of the cup body 24 by a detector (not shown).

検出部6は、被処理物Wの処理面Waにおける発火を検出する。
有機溶媒供給部4cにより被処理物Wの処理面Waに供給された有機溶媒は引火性を有するため静電気などで発生した火花により発火する場合がある。この場合、有機溶媒供給部4cにより被処理物Wの処理面Waに供給された有機溶媒の量が少ないため燃焼時間、温度上昇などは僅かなものとなる。また、いわゆるスピン乾燥工程においては、被処理物Wが回転されることで処理面Waに供給された有機溶媒が被処理物Wの径外方向に排出されるので、有機溶媒の量はさらに少なくなり燃焼時間、温度上昇などはさらに僅かなものとなる。
The detection unit 6 detects the ignition of the workpiece W on the processing surface Wa.
Since the organic solvent supplied to the processing surface Wa of the workpiece W by the organic solvent supply unit 4c is flammable, it may be ignited by a spark generated by static electricity or the like. In this case, since the amount of the organic solvent supplied to the processing surface Wa of the workpiece W by the organic solvent supply unit 4c is small, the combustion time, temperature rise, and the like are slight. Further, in the so-called spin drying process, the organic solvent supplied to the processing surface Wa is discharged in the radial direction of the workpiece W by rotating the workpiece W, so that the amount of the organic solvent is further reduced. As a result, the combustion time and temperature rise are further reduced.

本発明者の行った実験によれば、被処理物Wの処理面Waに残留する有機溶媒の量は、被処理物Wの回転数にもよるが実用的な回転数では概ね0.5cc程度であった。この場合、有機溶媒をIPAとすれば燃焼エンタルピは1モルあたり2005.8キロジュールであり、6.58×10−3モルである0.5ccのIPAがすべて燃焼するとすればその燃焼エネルギーは13.2キロジュール、おおよそ3.2キロカロリーとなる。そして、この場合の燃焼時間は5秒程度であった。 According to experiments conducted by the present inventors, the amount of the organic solvent remaining on the processing surface Wa of the workpiece W depends on the rotational speed of the workpiece W, but is approximately 0.5 cc at a practical rotational speed. Met. In this case, if the organic solvent is IPA, the combustion enthalpy is 2005.8 kilojoules per mole, and if all 0.5 cc IPA of 6.58 × 10 −3 moles is combusted, the combustion energy is 13 2 kilojoules, approximately 3.2 kilocalories. In this case, the combustion time was about 5 seconds.

ここで、被処理物Wの処理面Waにおいて僅かな発火が生じると煤などが生じて被処理物Wや処理容器2の内部に設けられた要素などが汚染されるおそれがある。また、煤などで汚染された被処理物Wが後工程で処理された際に後工程の処理装置や製造プロセスにおける要素などを汚染してしまうおそれがある。また、僅かな発火が生じた被処理物Wは不良品となる可能性が高く、これを後工程で処理しても無駄となるおそれもある。
そのため、本実施の形態に係る基板処理装置1においては、被処理物Wの処理面Waにおける発火を検出する検出部6を設けるようにしている。
Here, if a slight ignition occurs on the processing surface Wa of the workpiece W, soot and the like may be generated, and the workpiece W, elements provided inside the processing container 2 and the like may be contaminated. Further, when the workpiece W contaminated with soot or the like is processed in a subsequent process, there is a risk of contaminating a processing apparatus in a subsequent process, an element in a manufacturing process, or the like. In addition, the workpiece W in which slight ignition has occurred is highly likely to be a defective product, and even if this is processed in a subsequent process, there is a possibility that it will be wasted.
Therefore, in the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment, the detection unit 6 that detects the ignition of the workpiece W on the processing surface Wa is provided.

検出部6は、載置台22に載置された被処理物Wの処理面Waを臨むことができる位置に設けられている。
検出部6は、被処理物Wの処理面Waにおいて発火が生じた際の光を検出するものとすることができる。この場合、処理面Waのどこで発火が生じるかを予測することは困難である。そのため、処理面Waのどこで発火が生じても検出が可能となるように、処理面Waの全域が検出領域となるような位置に検出部6を設けるようにすることができる。
例えば、検出部6は、発火が起こった際に発火場所がカップ体24、処理液供給部4a、洗浄液供給部4b、有機溶媒供給部4cなどの陰に隠れないような位置に設けるようにすることができる。
具体的には、処理容器2の天井部や側壁に設けるようにすることができる。この場合、処理面Waの全域を検出領域とできるような配設位置としては、処理容器2の天井の中心部分などを例示することができる。
The detection unit 6 is provided at a position where the processing surface Wa of the workpiece W placed on the mounting table 22 can be faced.
The detection unit 6 can detect light when ignition occurs on the processing surface Wa of the workpiece W. In this case, it is difficult to predict where the ignition will occur on the processing surface Wa. Therefore, the detection unit 6 can be provided at a position where the entire area of the processing surface Wa becomes a detection region so that the detection can be performed no matter where the ignition occurs on the processing surface Wa.
For example, when the ignition occurs, the detection unit 6 is provided at a position where the ignition location is not hidden behind the cup body 24, the treatment liquid supply unit 4a, the cleaning liquid supply unit 4b, the organic solvent supply unit 4c, and the like. be able to.
Specifically, it can be provided on the ceiling or side wall of the processing container 2. In this case, as an arrangement position where the entire processing surface Wa can be set as the detection region, the center portion of the ceiling of the processing container 2 can be exemplified.

ここで、処理面Waの中央部分で発火が生じた場合と、処理面Waの周縁部分で発火が生じた場合とでは、検出部6における受光量が異なるものとなる。
図2は、発火位置から検出部の中心軸に対する離隔角度を例示するための模式図である。
図3は、発火位置の違いに基づく受光特性を例示するための模式グラフ図である。
図2に示すように、検出部6の中心軸6aが処理面Waの中心を通るように検出部6を配設すると、処理面Waの中心部分からの光は受光面に入射するが、処理面Waの周縁部分からの光は一部しか受光面に入射することができない。
そのため、処理面Waの一検出地点(発火位置)から検出部6の中心軸6aに対する離隔角度θは図2に例示をしたもののようになる。なお、図2は検出地点(発火位置)を周縁部分とした場合である。また、正面から見たときに中心軸6aから反時計回りの離隔角度を+θ、時計回りの離隔角度を−θとしている。
また、離隔角度θと受光量の割合との関係は図3に例示をしたもののようになる。なお、受光量の割合とは、「各離隔角度における受光量/離隔角度θが0degの時の受光量」である。
Here, the amount of light received by the detection unit 6 differs between the case where ignition occurs in the central portion of the processing surface Wa and the case where ignition occurs in the peripheral portion of the processing surface Wa.
FIG. 2 is a schematic diagram for illustrating the separation angle from the ignition position with respect to the central axis of the detection unit.
FIG. 3 is a schematic graph for illustrating the light receiving characteristics based on the difference in the ignition position.
As shown in FIG. 2, when the detection unit 6 is disposed so that the central axis 6a of the detection unit 6 passes through the center of the processing surface Wa, light from the central portion of the processing surface Wa is incident on the light receiving surface. Only a part of the light from the peripheral portion of the surface Wa can enter the light receiving surface.
Therefore, the separation angle θ with respect to the central axis 6a of the detection unit 6 from one detection point (ignition position) of the processing surface Wa is as illustrated in FIG. FIG. 2 shows a case where the detection point (ignition position) is the peripheral portion. When viewed from the front, the counterclockwise separation angle from the central axis 6a is + θ, and the clockwise separation angle is −θ.
The relationship between the separation angle θ and the ratio of the amount of received light is as illustrated in FIG. The ratio of the received light amount is “the received light amount at each separation angle / the received light amount when the separation angle θ is 0 deg”.

この場合、処理面Waの中央部分で発火が生じた場合よりも、処理面Waの周縁部分で発火が生じた場合の方が受光量が少なくなるので検出がし難くなる。
本発明者の得た知見によれば、処理面Waの周縁部分で発火が生じた場合の受光量は、処理面Waの中央部分で発火が生じた場合の受光量の0.1倍程度となる。そのため、周縁部分に対する受光特性が中央部分に対する受光特性の10倍以上となるような検出特性を有する検出部6とすれば、処理面Waのどこで発火が生じたとしてもこれを検出することができる。
この場合、例えば、発火による光を反射させて検出部6に入射させることができる位置にミラーを配設し、発火による光を反射させることで処理面Waの周縁部における発火による光を検出部6に集光させたり、あるいは複数の検出部を設けて処理面Waの周縁部における発火による光を複数の検出部にそれぞれ受光させるようにすることができる。
In this case, since the amount of received light is smaller in the case where ignition occurs in the peripheral portion of the processing surface Wa than in the case where ignition occurs in the central portion of the processing surface Wa, detection becomes difficult.
According to the knowledge obtained by the present inventor, the amount of received light when ignition occurs at the peripheral portion of the processing surface Wa is about 0.1 times the amount of received light when ignition occurs at the central portion of the processing surface Wa. Become. For this reason, if the detection unit 6 has a detection characteristic such that the light reception characteristic with respect to the peripheral part is 10 times or more the light reception characteristic with respect to the central part, this can be detected regardless of where the ignition occurs on the processing surface Wa. .
In this case, for example, a mirror is disposed at a position where the light caused by the ignition can be reflected and incident on the detection unit 6, and the light caused by the ignition at the peripheral portion of the processing surface Wa is reflected by reflecting the light caused by the ignition. 6 may be condensed, or a plurality of detection units may be provided so that light from the firing at the peripheral edge of the processing surface Wa is received by the plurality of detection units.

また、有機溶媒の種類によって発火時の発光特性が異なるものとなる。
図4は、IPAの発火時の発光特性を例示するための模式グラフ図である。
図4に示すように、IPAが発火すると特定の波長において発光強度比にピーク値が表れる。そのため、特定の波長の光を検出するようにすればIPAの発火を検出することができる。
図4に示すように、IPAの場合には4つの波長において発光強度比にピーク値が表れるので、この4つの波長の少なくともいずれか、あるいは4つの波長を適宜組み合わせることでIPAの発火を検出するようにすることができる。この場合、外乱光などを考慮して測定対象となる波長を選択するようにすることもできる。なお、検出部6の受光面に特定の波長を有する光を透過させるフィルタなどを設けることで、特定の波長における検出を行うようにすることができる。
特に、赤外線を検出対象とすると外乱光の影響を低減させることができるので、発火による光を効率よく受光することができる。そのため、検出精度を向上させることができる。
また、特に、波長が0.3ミクロンメートル以上、2ミクロンメートル以下の光を検出対象とするようにすることが好ましい。処理容器2の中で受光素子を露出させた状態で使用すると、処理容器2内の薬液を含む雰囲気で受光素子が腐食し、性能が劣化してしまうおそれがある。このため、受光素子を処理容器2外に配設し、処理容器2に設けられた石英窓を介して検出を行うようにすることが好ましい。そのようにすれば、受光素子の腐食や性能の劣化を防止することができる。
ここで、波長が0.3ミクロンメートル以上、2ミクロンメートル以下の光は石英の透過率が高い。
そのため、波長が0.3ミクロンメートル以上、2ミクロンメートル以下の光を検出対象とすれば、受光素子を処理容器2外に配設し、処理容器2に設けられた石英窓を介して精度の高い検出を行うようにすることができる。
つまり、赤外線の波長領域であって、石英に対する透過率の高い0.3ミクロンメートル以上、2ミクロンメートル以下の波長の光を検出するようにすれば、効率の良い検出を行うことができる。
Moreover, the light emission characteristics at the time of ignition differ depending on the type of the organic solvent.
FIG. 4 is a schematic graph for illustrating the light emission characteristics at the time of ignition of IPA.
As shown in FIG. 4, when IPA ignites, a peak value appears in the emission intensity ratio at a specific wavelength. Therefore, it is possible to detect IPA firing by detecting light of a specific wavelength.
As shown in FIG. 4, in the case of IPA, a peak value appears in the emission intensity ratio at four wavelengths. Therefore, the ignition of IPA is detected by appropriately combining at least one of these four wavelengths or combining the four wavelengths. Can be. In this case, the wavelength to be measured can be selected in consideration of disturbance light and the like. In addition, the detection in a specific wavelength can be performed by providing the light-receiving surface of the detection part 6 with the filter etc. which permeate | transmit the light which has a specific wavelength.
In particular, when infrared light is used as a detection target, the influence of disturbance light can be reduced, so that light generated by ignition can be received efficiently. Therefore, detection accuracy can be improved.
In particular, it is preferable to detect light having a wavelength of 0.3 μm or more and 2 μm or less. If the light receiving element is used in the processing container 2 with the light receiving element exposed, the light receiving element may corrode in the atmosphere containing the chemical solution in the processing container 2 and the performance may be deteriorated. For this reason, it is preferable to arrange the light receiving element outside the processing container 2 and perform detection through a quartz window provided in the processing container 2. By doing so, it is possible to prevent corrosion and performance degradation of the light receiving element.
Here, light having a wavelength of 0.3 micrometer or more and 2 micrometers or less has a high transmittance of quartz.
For this reason, if light having a wavelength of 0.3 micrometer or more and 2 micrometers or less is to be detected, the light receiving element is disposed outside the processing container 2 and the precision is obtained through the quartz window provided in the processing container 2. High detection can be performed.
In other words, efficient detection can be performed by detecting light in the infrared wavelength region and having a wavelength of 0.3 μm or more and 2 μm or less, which has a high transmittance with respect to quartz.

制御部7は、検出部6からの信号に基づいた制御を行う。
前述したように、被処理物Wの処理面Waにおける有機溶媒の量は少ないので燃焼時間、すなわち発光時間も僅かなものとなる。そのため、発光時間が短いことを利用して有機溶媒の発火と他の熱源との区別を行うようにすることができる。
また、有機溶媒の発火は突発的に生じるので光の強度の変化により有機溶媒の発火と他の熱源との区別を行うようにすることもできる。例えば、検出部6の検出領域に他の熱源がある場合であっても、熱源は定常的に熱を発生するものであるか温度変化が緩やかなものである場合が多いので、突発的に生じる有機溶媒の発火と他の熱源との区別を行うようにすることができる。
The control unit 7 performs control based on the signal from the detection unit 6.
As described above, since the amount of the organic solvent on the processing surface Wa of the workpiece W is small, the combustion time, that is, the light emission time is also short. Therefore, it is possible to distinguish between the ignition of the organic solvent and another heat source by utilizing the short emission time.
In addition, since the organic solvent is ignited suddenly, the organic solvent can be distinguished from other heat sources by changing the intensity of light. For example, even when there is another heat source in the detection region of the detection unit 6, it often occurs suddenly because the heat source often generates heat constantly or has a moderate temperature change. A distinction can be made between the ignition of organic solvents and other heat sources.

例えば、検出部6が、入射した光をその強度に応じた電気信号に変換するものである場合には、発光時間を測定して発光時間と入射した光の強度とから有機溶媒の発火であると判定するようにすることができる。また、入射した光の強度の変化により有機溶媒の発火であると判定するようにすることもできる。
また、検出部6が、入射した光の強度の変化に応じた電気信号を発生させるものである場合には、光の強度の変化が生じた際、すなわち発火が生じた際に電気信号が発生するので、これを検出することで有機溶媒の発火であると判定するようにすることができる。またさらに、発光時間をも考慮して有機溶媒の発火であると判定するようにすることもできる。
この場合、この様な判定は制御部7において行うようにすることができる。
すなわち、制御部7は、発光時間および光の強度の変化の少なくともいずれかに基づいて処理面Waにおける発火を検出するようにすることができる。
なお、有機溶媒の発火に関する判定には、予め定められた閾値を用いるようにすることができる。
この様にすれば、有機溶媒の発火の検出精度や検出の信頼性を向上させることができる。
For example, when the detection unit 6 converts incident light into an electrical signal corresponding to the intensity, the emission time is measured and the organic solvent is ignited from the emission time and the intensity of the incident light. Can be determined. Further, it can be determined that the organic solvent is ignited by the change in the intensity of the incident light.
In addition, when the detection unit 6 generates an electrical signal according to the change in the intensity of the incident light, the electrical signal is generated when the change in the intensity of the light occurs, that is, when ignition occurs. Therefore, by detecting this, it can be determined that the organic solvent is ignited. Furthermore, it can be determined that the organic solvent is ignited in consideration of the light emission time.
In this case, such a determination can be made in the control unit 7.
That is, the control unit 7 can detect firing on the processing surface Wa based on at least one of the light emission time and the change in light intensity.
Note that a predetermined threshold value can be used for the determination regarding the ignition of the organic solvent.
In this way, it is possible to improve the detection accuracy and detection reliability of organic solvent ignition.

また、制御部7は、処理面Waにおける発火が検出された場合には、発火が検出された被処理物Wに対して工程異常の識別標識(例えば、工程管理データにおける異常フラグなど)を付与するようにすることができる。
また、制御部7は、発火が検出された場合には、洗浄液供給部4bに被処理物Wの処理面Waへ洗浄液を供給させて消火を行わせたり、図示しない消火機構に二酸化炭素ガスなどを用いた消火を行わせたりすることができる。
In addition, when the firing on the processing surface Wa is detected, the control unit 7 gives a process abnormality identification mark (for example, an abnormality flag in the process management data) to the workpiece W from which the firing has been detected. To be able to.
In addition, when ignition is detected, the control unit 7 causes the cleaning liquid supply unit 4b to supply the cleaning liquid to the processing surface Wa of the workpiece W to extinguish the fire, or a fire extinguishing mechanism (not shown) such as carbon dioxide gas Fire extinguishing using can be performed.

また、処理容器2の内部に天井側から底部側(排出口2e)に向けて流れる気流を形成する図示しない気流制御部を適宜設けるようにすることができる。図示しない気流制御部を設けるようにすれば、処理容器2の内部から外部に排気が漏れることを抑制することができる。また、被処理物Wにパーティクルが付着することを抑制することができる。この場合、有機溶媒(例えば、IPA)の雰囲気濃度が0.5%未満となるような気流を形成するようにすることができる。なお、有機溶媒の雰囲気濃度を検出する図示しない検出装置を設けて、有機溶媒の雰囲気濃度が0.5%未満となるように気流の形成を制御するようにすることができる。
また、処理容器2の内部に図示しないイオナイザなどを設けて、静電気による発火を抑制するようにすることができる。
In addition, an air flow control unit (not shown) that forms an air flow that flows from the ceiling side toward the bottom side (discharge port 2 e) can be appropriately provided inside the processing container 2. If an airflow control unit (not shown) is provided, it is possible to prevent the exhaust from leaking from the inside of the processing container 2 to the outside. Moreover, it can suppress that a particle adheres to the to-be-processed object W. FIG. In this case, it is possible to form an air stream such that the atmosphere concentration of the organic solvent (for example, IPA) is less than 0.5%. Note that a detection device (not shown) that detects the atmospheric concentration of the organic solvent can be provided to control the formation of the air current so that the atmospheric concentration of the organic solvent is less than 0.5%.
Further, an ionizer (not shown) or the like can be provided inside the processing container 2 to suppress ignition due to static electricity.

また、被処理物Wの処理面Waに有機溶媒が供給される際に処理面Waとは反対側の面に純水を供給する図示しない純水供給部を設けるようにすることができる。この場合、純水の供給は載置台22を介して行うようにすることができる。例えば、純水供給部は2リットル/分程度の純水を供給するものとすることができる。なお、図示しない純水供給部の構成については、洗浄液供給部4bと同様に既知の技術を適用させることができるので詳細な説明は省略する。
また、二酸化炭素ガスなどを用いた消火を行う図示しない消火機構を設けるようにすることもできる。なお、図示しない消火機構には既知の技術を適用させることができるので詳細な説明は省略する。
In addition, when the organic solvent is supplied to the processing surface Wa of the workpiece W, a pure water supply unit (not shown) that supplies pure water to the surface opposite to the processing surface Wa can be provided. In this case, pure water can be supplied via the mounting table 22. For example, the pure water supply unit can supply pure water of about 2 liters / minute. In addition, about the structure of the pure water supply part which is not shown in figure, since a well-known technique can be applied similarly to the washing | cleaning liquid supply part 4b, detailed description is abbreviate | omitted.
A fire extinguishing mechanism (not shown) that performs fire extinguishing using carbon dioxide gas or the like may be provided. Since a known technique can be applied to a fire extinguishing mechanism (not shown), a detailed description is omitted.

次に、基板処理装置1の作用について例示をする。
まず、駆動部25により、基部24a、カバー24bが下降端まで下降する。
次に、開閉機構2cにより開閉扉2bが開けられ、開口部2aを介して図示しない搬入搬出装置などにより被処理物Wが処理容器2の内部に搬入される。搬入された被処理物Wは載置台22の載置面22aに載置される。載置面22aに載置された被処理物Wは、バキュームチャックなどの図示しない保持部により保持される。なお、載置面22aの周縁に被処理物Wの周端を支持する図示しない支持部が設けられている場合には、図示しない支持部により被処理物Wの周端が支持されることで、載置面22aに載置された被処理物Wが保持される。
被処理物Wが保持されることで、載置台22が回転した際に被処理物Wの位置がずれることを抑制することができる。
Next, the operation of the substrate processing apparatus 1 will be illustrated.
First, the base 24a and the cover 24b are lowered by the drive unit 25 to the lower end.
Next, the opening / closing door 2b is opened by the opening / closing mechanism 2c, and the workpiece W is carried into the processing container 2 through the opening 2a by a loading / unloading device (not shown). The loaded workpiece W is placed on the placement surface 22 a of the placement table 22. The workpiece W placed on the placement surface 22a is held by a holding unit (not shown) such as a vacuum chuck. In addition, when the support part (not shown) which supports the peripheral edge of the to-be-processed object W is provided in the periphery of the mounting surface 22a, the peripheral edge of the to-be-processed object W is supported by the support part (not shown). The workpiece W placed on the placement surface 22a is held.
By holding the workpiece W, it is possible to prevent the position of the workpiece W from shifting when the mounting table 22 rotates.

次に、開閉機構2cにより開閉扉2bを閉め、駆動部25により、基部24a、カバー24bを上昇端まで上昇させる。
次に、駆動部23により回転軸22bを回転させることで、載置面22aに保持された被処理物Wを所定の回転数(例えば、100〜1500rpm(revolutions per minute))で回転させる。
なお、一例として、回転させた被処理物Wの処理面Waに処理液、洗浄液、有機溶媒を供給する場合を例示するが、処理面Waに処理液、洗浄液、有機溶媒が供給された被処理物Wを回転させることもできる。
Next, the opening / closing door 2b is closed by the opening / closing mechanism 2c, and the base 24a and the cover 24b are raised to the rising end by the drive unit 25.
Next, by rotating the rotating shaft 22b by the drive unit 23, the workpiece W held on the placement surface 22a is rotated at a predetermined rotation speed (for example, 100 to 1500 rpm (revolutions per minute)).
In addition, as an example, the case where the processing liquid, the cleaning liquid, and the organic solvent are supplied to the processing surface Wa of the rotated processing target W is illustrated. However, the processing liquid, the cleaning liquid, and the organic solvent are supplied to the processing surface Wa. The object W can also be rotated.

次に、処理液供給部4aにより被処理物Wの処理面Waに処理液が供給される。処理面Waに供給された処理液は、被処理物Wを回転させることで処理面Waの全域に行きわたり所望の処理が行われる。そして、使用済みの処理液は遠心力により被処理物Wの径外方向に排出される。被処理物Wの径外方向に排出された使用済みの処理液は、カップ体24の基部24a、カバー24bにより飛散が抑制され、処理容器2の底部に集められる。処理容器2の底部に集められた使用済みの処理液は、排出口2eから排出される。   Next, the processing liquid is supplied to the processing surface Wa of the workpiece W by the processing liquid supply unit 4a. The processing liquid supplied to the processing surface Wa reaches the entire surface of the processing surface Wa by rotating the workpiece W, and a desired processing is performed. And the used process liquid is discharged | emitted by the centrifugal force in the diameter outward direction of the to-be-processed object W. FIG. The used processing liquid discharged in the radially outward direction of the workpiece W is suppressed from being scattered by the base 24 a and the cover 24 b of the cup body 24 and collected at the bottom of the processing container 2. The used processing liquid collected at the bottom of the processing container 2 is discharged from the discharge port 2e.

次に、洗浄液供給部4bにより被処理物Wの処理面Waに洗浄液が供給される。処理面Waに供給された洗浄液は、被処理物Wを回転させることで処理面Waの全域に行きわたり、処理面Waに残留している処理液が洗い流される。そして、使用済みの洗浄液と洗い流された処理液は遠心力により被処理物Wの径外方向に排出される。被処理物Wの径外方向に排出された使用済みの洗浄液と洗い流された処理液は、前述した処理液の場合と同様にして排出口2eから排出される。または、図示しない隔壁と排出口とを設け、被処理物Wの径外方向に排出された使用済みの洗浄液と洗い流された処理液と、を前述した処理液とは異なる排出口から排出させるようにすることもできる。   Next, the cleaning liquid is supplied to the processing surface Wa of the workpiece W by the cleaning liquid supply unit 4b. The cleaning liquid supplied to the processing surface Wa reaches the entire surface of the processing surface Wa by rotating the workpiece W, or the processing liquid remaining on the processing surface Wa is washed away. Then, the used cleaning liquid and the washed-out processing liquid are discharged out of the diameter of the workpiece W by centrifugal force. The used cleaning liquid discharged to the outside of the workpiece W and the processed processing liquid are discharged from the discharge port 2e in the same manner as the processing liquid described above. Alternatively, a partition wall and a discharge port (not shown) are provided so that the used cleaning liquid discharged in the radially outward direction of the workpiece W and the washed processing liquid are discharged from a discharge port different from the processing liquid described above. It can also be.

次に、有機溶媒供給部4cにより被処理物Wの処理面Waに有機溶媒が供給される。処理面Waに供給された有機溶媒は、被処理物Wを回転させることで処理面Waの全域に行きわたる。この有機溶媒と処理面Waに残留している洗浄液とが置換される。または、洗浄液と有機溶媒とが混合されより蒸散させやすい混合液が形成される。そして、有機溶媒や混合液は遠心力により被処理物Wの径外方向に排出される。被処理物Wの径外方向に排出された有機溶媒や混合液は、前述した処理液の場合と同様にして排出口2eから排出される。または、図示しない隔壁と排出口とを設け、被処理物Wの径外方向に排出された有機溶媒や混合液を前述した処理液や洗浄液とは異なる排出口から排出させるようにすることもできる。
この場合、処理面Waに供給される有機溶媒は、有機溶媒の溶液、有機溶媒の蒸気、有機溶媒の溶液を気体を用いて霧状にしたものなどとすることができる。
Next, the organic solvent is supplied to the processing surface Wa of the workpiece W by the organic solvent supply unit 4c. The organic solvent supplied to the processing surface Wa reaches the entire surface of the processing surface Wa by rotating the workpiece W. This organic solvent and the cleaning liquid remaining on the processing surface Wa are replaced. Alternatively, the cleaning liquid and the organic solvent are mixed to form a mixed liquid that is more easily evaporated. And an organic solvent and liquid mixture are discharged | emitted in the radial direction of the to-be-processed object W with a centrifugal force. The organic solvent or mixed liquid discharged in the radially outward direction of the workpiece W is discharged from the discharge port 2e in the same manner as in the case of the processing liquid described above. Alternatively, a partition wall and a discharge port (not shown) may be provided, and the organic solvent or mixed solution discharged in the radially outward direction of the workpiece W may be discharged from a discharge port different from the processing liquid and the cleaning liquid described above. .
In this case, the organic solvent supplied to the processing surface Wa may be an organic solvent solution, an organic solvent vapor, or a solution obtained by atomizing an organic solvent solution using a gas.

また、被処理物Wの処理面Waに有機溶媒が供給される際には、処理面Waとは反対側の面に図示しない純水供給部から2リットル/分程度の純水が供給される様にすることができる。処理面Waとは反対側の面に純水が供給される様にすれば、被処理物Wの面内温度分布のばらつきを緩和させることができるので、洗浄液と有機溶媒との置換における面内均一性を向上させることができる。また、遠心力により被処理物Wの径外方向に排出された有機溶媒と、遠心力により被処理物Wの径外方向に排出された純水とが混合されて希釈化される(例えば、有機溶媒の濃度が0.01重量%程度となる)ので、発火の発生を抑制することもできる。   Further, when the organic solvent is supplied to the processing surface Wa of the workpiece W, pure water of about 2 liters / minute is supplied from a pure water supply unit (not shown) to the surface opposite to the processing surface Wa. Can be done. If pure water is supplied to the surface opposite to the processing surface Wa, the variation in the in-plane temperature distribution of the workpiece W can be reduced, so that the in-plane in the replacement of the cleaning liquid with the organic solvent can be reduced. Uniformity can be improved. Moreover, the organic solvent discharged | emitted by the centrifugal force in the outer diameter direction of the to-be-processed object W, and the pure water discharged | emitted by the centrifugal force in the outer diameter direction of the to-be-processed object W are mixed and diluted (for example, Since the concentration of the organic solvent is about 0.01% by weight), the occurrence of ignition can be suppressed.

処理面Waに残留した有機溶媒や混合液は、いわゆるスピン乾燥を行うことで蒸散させることができる。
この場合、有機溶媒と処理面Waに残留している洗浄液とを置換したり、より蒸散させやすい混合液を形成したりすることで、ウォータマークやパターンの倒壊が抑制された乾燥を行うことができる。
The organic solvent or mixed liquid remaining on the processing surface Wa can be evaporated by performing so-called spin drying.
In this case, the organic solvent and the cleaning liquid remaining on the processing surface Wa are replaced, or a mixed liquid that is more easily evaporated is formed to perform drying with suppressed destruction of the watermark and pattern. it can.

ここで、本実施の形態においては、検出部6により被処理物Wの処理面Waにおける発火が検出される。
そして、制御部7により処理面Waにおける発火と判定された場合には、洗浄液供給部4bに被処理物Wの処理面Waへ洗浄液を供給させて消火を行わせたり、図示しない消火機構に二酸化炭素ガスなどを用いた消火を行わせたりすることができる。
また、制御部7により当該被処理物Wに工程異常の識別標識を付与するようにすることもできる。工程異常の識別標識が付与された被処理物Wは、例えば、後工程における処理が制限されたり、廃棄されたりするようにすることができる。そのため、後工程の処理装置や製造プロセスにおける要素などの汚染を抑制することができ、後工程における無駄な処理の発生もなくすことができる。
Here, in the present embodiment, the detection unit 6 detects the firing of the workpiece W on the processing surface Wa.
If the control unit 7 determines that the process surface Wa is ignited, the cleaning liquid supply unit 4b supplies the cleaning liquid to the processing surface Wa of the workpiece W and extinguishes the fire. Fire extinguishing using carbon gas or the like can be performed.
In addition, the control unit 7 can add a process abnormality identification mark to the workpiece W. The to-be-processed object W provided with the process abnormality identification mark can be configured such that, for example, processing in a subsequent process is limited or discarded. For this reason, it is possible to suppress contamination of the processing apparatus in the post-process and elements in the manufacturing process, and it is possible to eliminate the generation of useless processing in the post-process.

次に、被処理物Wの回転を止め、駆動部25により、基部24a、カバー24bを下降端まで下降させる。そして、開閉機構2cにより開閉扉2bを開け、被処理物Wを図示しない搬入搬出装置などにより搬出する。その後、必要に応じて前述した動作を繰り返すことで被処理物Wの処理を連続的に行うことができる。   Next, the rotation of the workpiece W is stopped, and the base 24a and the cover 24b are lowered to the lower end by the drive unit 25. Then, the opening / closing door 2b is opened by the opening / closing mechanism 2c, and the workpiece W is unloaded by a loading / unloading device (not shown). Thereafter, the processing of the workpiece W can be continuously performed by repeating the above-described operation as necessary.

本実施の形態によれば、被処理物Wの処理面Waにおける僅かな発火をも検出することができる。そのため、煤などで汚染された被処理物Wにより後工程の処理装置や製造プロセスにおける要素などが汚染されるのを抑制することができる。また、後工程における無駄な処理の発生もなくすことができる。   According to the present embodiment, it is possible to detect even a slight ignition on the processing surface Wa of the workpiece W. Therefore, it can suppress that the processing apparatus of a post process, the element in a manufacturing process, etc. are contaminated with the to-be-processed object W contaminated with the soot. In addition, it is possible to eliminate generation of useless processing in the subsequent process.

次に、本実施の形態に係る基板処理方法について例示をする。
まず、被処理物Wの処理面Waに処理液を供給する(ステップS1)。
この際、回転させた被処理物Wの処理面Waに処理液を供給することもできるし、処理面Waに処理液が供給された被処理物Wを回転させることもできる。
次に、被処理物Wの処理面Waに洗浄液を供給する(ステップS2)。
この際、回転させた被処理物Wの処理面Waに洗浄液を供給することもできるし、処理面Waに洗浄液が供給された被処理物Wを回転させることもできる。
次に、被処理物Wの処理面Waに有機溶媒を供給する(ステップS3)。
この際、回転させた被処理物Wの処理面Waに有機溶媒を供給することもできるし、処理面Waに有機溶媒が供給された被処理物Wを回転させることもできる。
次に、被処理物Wの処理面Waに供給された有機溶媒を蒸散させる(ステップS4)。 また、ステップS3およびステップS4の少なくともいずれかにおいて、被処理物Wの処理面Waにおける発火を検出する(ステップS5)。
すなわち、被処理物Wの処理面Waに有機溶媒を供給する工程および被処理物Wの処理面Waに供給された有機溶媒を蒸散させる工程の少なくともいずれかにおいて、処理面Waにおける発火を検出する。
また、処理面Waにおける発火の検出において、発光時間および光の強度の変化の少なくともいずれかに基づいて処理面Waにおける発火を検出するようにすることができる。 発火が検出された場合には、被処理物Wの処理面Waに洗浄液を供給して消火を行ったり、図示しない消火機構により二酸化炭素ガスなどを用いた消火を行ったりすることができる。
また、当該被処理物Wに工程異常の識別標識を付与するようにすることもできる。工程異常の識別標識が付与された被処理物Wは、例えば、後工程における処理が制限されたり、廃棄されたりするようにすることができる。
なお、各工程における内容は、基板処理装置1を例示した際に説明したものと同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
Next, the substrate processing method according to this embodiment is illustrated.
First, a processing liquid is supplied to the processing surface Wa of the workpiece W (Step S1).
At this time, the processing liquid can be supplied to the processing surface Wa of the rotated processing target W, or the processing target W supplied with the processing liquid can be rotated to the processing surface Wa.
Next, the cleaning liquid is supplied to the processing surface Wa of the workpiece W (step S2).
At this time, the cleaning liquid can be supplied to the processing surface Wa of the rotated workpiece W, or the workpiece W having the cleaning liquid supplied to the processing surface Wa can be rotated.
Next, an organic solvent is supplied to the processing surface Wa of the workpiece W (step S3).
At this time, the organic solvent can be supplied to the processing surface Wa of the rotated workpiece W, or the workpiece W supplied with the organic solvent can be rotated to the processing surface Wa.
Next, the organic solvent supplied to the processing surface Wa of the workpiece W is evaporated (step S4). Further, in at least one of step S3 and step S4, the firing of the workpiece W on the processing surface Wa is detected (step S5).
That is, in at least one of the step of supplying the organic solvent to the processing surface Wa of the workpiece W and the step of evaporating the organic solvent supplied to the processing surface Wa of the workpiece W, the ignition on the processing surface Wa is detected. .
Further, in the detection of the ignition on the processing surface Wa, the ignition on the processing surface Wa can be detected based on at least one of the light emission time and the change in light intensity. When ignition is detected, the cleaning liquid can be supplied to the processing surface Wa of the workpiece W to extinguish it, or extinguishment using carbon dioxide gas or the like can be performed by a fire extinguishing mechanism (not shown).
Further, a process abnormality identification mark may be given to the workpiece W. The to-be-processed object W provided with the process abnormality identification mark can be configured such that, for example, processing in a subsequent process is limited or discarded.
In addition, since the content in each process can be made the same as that demonstrated when the substrate processing apparatus 1 was illustrated, detailed description is abbreviate | omitted.

本実施の形態によれば、被処理物Wの処理面Waにおける僅かな発火をも検出するようにしている。そのため、煤などで汚染された被処理物Wにより後工程の処理装置や製造プロセスにおける要素などが汚染されるのを抑制することができる。また、後工程における無駄な処理の発生もなくすことができる。   According to the present embodiment, even a slight ignition on the processing surface Wa of the workpiece W is detected. Therefore, it can suppress that the processing apparatus of a post process, the element in a manufacturing process, etc. are contaminated with the to-be-processed object W contaminated with the soot. In addition, it is possible to eliminate generation of useless processing in the subsequent process.

以上、実施の形態について例示をした。しかし、本発明はこれらの記述に限定されるものではない。
前述の実施の形態に関して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。
例えば、いわゆる枚様式の基板処理装置の場合を例示したが、有機溶媒を収納する槽を有し、被処理物Wが有機溶媒に浸漬される基板処理装置や基板処理方法にも適用させることができる。この場合、有機溶媒を収納する槽から取り出された被処理物Wの主面(表面、裏面)が処理面となる。
また、基板処理装置1が備える各要素の形状、寸法、材質、配置、数などは、例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。
また、前述した各実施の形態が備える各要素は、可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
The embodiment has been illustrated above. However, the present invention is not limited to these descriptions.
Regarding the above-described embodiment, those in which those skilled in the art appropriately added, deleted, or changed the design, or added the process, omitted, or changed the conditions also have the features of the present invention. As long as it is within the scope of the present invention.
For example, the case of a so-called single-wafer type substrate processing apparatus has been illustrated, but the present invention may be applied to a substrate processing apparatus or a substrate processing method that has a tank for storing an organic solvent and in which the workpiece W is immersed in the organic solvent. it can. In this case, the main surface (front surface, back surface) of the workpiece W taken out from the tank containing the organic solvent becomes the processing surface.
Further, the shape, size, material, arrangement, number, and the like of each element included in the substrate processing apparatus 1 are not limited to those illustrated, but can be changed as appropriate.
Moreover, each element with which each embodiment mentioned above is combined can be combined as much as possible, and what combined these is also included in the scope of the present invention as long as the characteristics of the present invention are included.

1 基板処理装置、2 処理容器、3 載置部、4 処理部、4a 処理液供給部、4b 洗浄液供給部、4c 有機溶媒供給部、5 遮蔽部、6 検出部、24 カップ体、W 被処理物、Wa 処理面   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate processing apparatus, 2 Processing container, 3 Placement part, 4 Processing part, 4a Processing liquid supply part, 4b Cleaning liquid supply part, 4c Organic solvent supply part, 5 Shielding part, 6 Detection part, 24 Cup body, W Processed Material, Wa treatment surface

Claims (9)

被処理物の処理面に有機溶媒を供給し、前記供給された有機溶媒を蒸散させる基板処理装置であって、
前記処理面に有機溶媒を供給する有機溶媒供給部と、
前記処理面における発火を検出する検出部と、
を備えたこと、を特徴とする基板処理装置。
A substrate processing apparatus for supplying an organic solvent to a processing surface of an object to be processed and evaporating the supplied organic solvent,
An organic solvent supply unit for supplying an organic solvent to the treatment surface;
A detection unit for detecting ignition in the processing surface;
A substrate processing apparatus comprising:
前記検出部は、前記処理面の周縁部分に対する受光特性が、前記処理面の中央部分に対する受光特性の10倍以上となる検出特性を有したこと、を特徴とする請求項1記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the detection unit has a detection characteristic in which a light reception characteristic with respect to a peripheral portion of the processing surface is 10 times or more a light reception characteristic with respect to a central portion of the processing surface. . 前記検出部からの信号に基づいた制御を行う制御部をさらに備え、
前記制御部は、前記発火による発光に基づく発光時間および光の強度の変化の少なくともいずれかに基づいて前記処理面における発火を検出すること、を特徴とする請求項1または2に記載の基板処理装置。
A control unit that performs control based on a signal from the detection unit;
3. The substrate processing according to claim 1, wherein the control unit detects firing on the processing surface based on at least one of a light emission time based on light emission by the firing and a change in light intensity. 4. apparatus.
前記制御部は、前記処理面における発火が検出された場合には、前記発火が検出された被処理物に対して工程異常の識別標識を付与すること、を特徴とする請求項3記載の基板処理装置。   4. The substrate according to claim 3, wherein when the ignition on the processing surface is detected, the control unit gives a process abnormality identification mark to the workpiece on which the ignition is detected. Processing equipment. 前記処理面に洗浄液を供給する洗浄液供給部をさらに備え、
前記制御部は、前記処理面における発火が検出された場合には、前記洗浄液供給部に洗浄液の供給を行わせること、を特徴とする請求項3または4に記載の基板処理装置。
A cleaning liquid supply unit for supplying a cleaning liquid to the processing surface;
5. The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein the control unit causes the cleaning liquid supply unit to supply a cleaning liquid when ignition is detected on the processing surface. 6.
被処理物の処理面に有機溶媒を供給し、前記供給された有機溶媒を蒸散させる基板処理方法であって、
前記処理面に有機溶媒を供給する工程と、
前記処理面に供給された有機溶媒を蒸散させる工程と、
を備え、
前記有機溶媒を供給する工程および前記有機溶媒を蒸散させる工程の少なくともいずれかにおいて、前記処理面における発火を検出することを特徴とする基板処理方法。
A substrate processing method of supplying an organic solvent to a processing surface of an object to be processed and evaporating the supplied organic solvent,
Supplying an organic solvent to the treated surface;
Evaporating the organic solvent supplied to the treated surface;
With
A substrate processing method comprising detecting an ignition on the processing surface in at least one of the step of supplying the organic solvent and the step of evaporating the organic solvent.
前記処理面における発火の検出において、発光時間および光の強度の変化の少なくともいずれかに基づいて前記処理面における発火を検出すること、を特徴とする請求項6記載の基板処理方法。   The substrate processing method according to claim 6, wherein in the detection of ignition on the processing surface, the ignition on the processing surface is detected based on at least one of a light emission time and a change in light intensity. 前記処理面における発火が検出された場合には、前記発火が検出された被処理物に対して工程異常の識別標識を付与すること、を特徴とする請求項7記載の基板処理方法。   The substrate processing method according to claim 7, wherein, when firing on the processing surface is detected, a process abnormality identification mark is attached to the workpiece on which the firing is detected. 前記処理面における発火が検出された場合には、前記処理面における発火の消火が行われること、を特徴とする請求項7または8に記載の基板処理方法。   9. The substrate processing method according to claim 7, wherein when the ignition on the processing surface is detected, the ignition on the processing surface is extinguished.
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