JP2012069953A - Semiconductor device manufacturing adhesive sheet, and method of manufacturing semiconductor device using same - Google Patents

Semiconductor device manufacturing adhesive sheet, and method of manufacturing semiconductor device using same Download PDF

Info

Publication number
JP2012069953A
JP2012069953A JP2011214990A JP2011214990A JP2012069953A JP 2012069953 A JP2012069953 A JP 2012069953A JP 2011214990 A JP2011214990 A JP 2011214990A JP 2011214990 A JP2011214990 A JP 2011214990A JP 2012069953 A JP2012069953 A JP 2012069953A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
adhesive sheet
semiconductor device
manufacturing
resin
dicing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2011214990A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Sadahito Misumi
貞仁 三隅
Takeshi Matsumura
健 松村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Denko Corp filed Critical Nitto Denko Corp
Priority to JP2011214990A priority Critical patent/JP2012069953A/en
Publication of JP2012069953A publication Critical patent/JP2012069953A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/27—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32135—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/32145—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
    • H01L2224/85207—Thermosonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
    • H01L2224/9222—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/157—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2924/15738—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950 C and less than 1550 C
    • H01L2924/15747—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15788—Glasses, e.g. amorphous oxides, nitrides or fluorides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an adhesive sheet for manufacturing a semiconductor device, along with a method of manufacturing a semiconductor device using it, which is excellent in balance characteristic between holding power of a semiconductor wafer at dicing and detachability at picking up.SOLUTION: An integral type dicing die bond film is provided in which a dicing sheet 33 is laminated with a semiconductor device manufacturing adhesive sheet 12 for bonding a semiconductor element 13 on an object 11. The semiconductor device manufacturing adhesive sheet 12 contains at least thermoplastic resin and crosslinking agent, with solubility against hot water of 100°C being 10 wt.% or less and gel fraction being 50 wt.% or higher. The content of the thermoplastic resin is 30-90 pts.wt. against 100 pts.wt. of organic resin component that constitutes the semiconductor device manufacturing adhesive sheet 12. The dicing sheet 33 has such configuration as an adhesive agent layer is provided on a support base material. The adhesive agent layer is formed from radiation curing type adhesive agent, having been cured by radiation.

Description

本発明は、半導体チップ等の半導体素子を基板等の被着体上に接着させる際に用いる半導体装置製造用接着シート、及びそれを用いた半導体装置の製造方法に関する。   The present invention relates to an adhesive sheet for manufacturing a semiconductor device used when a semiconductor element such as a semiconductor chip is bonded onto an adherend such as a substrate, and a method of manufacturing a semiconductor device using the same.

半導体装置の微細化、高機能化の要求に対応すべく、半導体チップ（半導体素子）主面の全域に配置された電源ラインの配線幅や信号ライン間の間隔が狭くなってきている。この為、インピーダンスの増加や、異種ノードの信号ライン間での信号の干渉が生じ、半導体チップの動作速度、動作電圧余裕度、耐静電破壊強度等に於いて、十分な性能の発揮を阻害する要因となっている。これらの問題を解決する為、半導体素子を積層したパッケージ構造が提案されている（下記、特許文献１及び特許文献２参照）。   In order to meet the demand for miniaturization and higher functionality of semiconductor devices, the wiring width of power supply lines and the interval between signal lines arranged over the entire main surface of a semiconductor chip (semiconductor element) are becoming narrower. For this reason, an increase in impedance and signal interference between signal lines of different types of nodes occur, impairing the performance of semiconductor chips in terms of operating speed, operating voltage margin, resistance to electrostatic breakdown, etc. Is a factor. In order to solve these problems, a package structure in which semiconductor elements are stacked has been proposed (see Patent Document 1 and Patent Document 2 below).

一方、半導体素子を基板等に固着する際に使用されるものとしては、熱硬化性ペースト樹脂を用いる例（例えば、特許文献３参照）や熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂を併用した接着シートを用いる例（例えば、特許文献４参照）が提案されている。   On the other hand, as what is used when fixing a semiconductor element to a board | substrate etc., the adhesive sheet which used the example (for example, refer patent document 3) using a thermosetting paste resin, and a thermoplastic resin and a thermosetting resin together. An example of use (see, for example, Patent Document 4) has been proposed.

しかし、半導体装置の製造方法に於いては、半導体素子と、基板、リードフレーム又は半導体素子との接着に際にペースト樹脂を使用すると、半導体素子と基板等との圧着の後（ダイアタッチ）、ペースト樹脂がはみ出し基板等の接続パッド部分を汚染するという問題がある。その結果、半導体素子と接続パッド部分とのワイヤーボンディングが出来ない点が指摘されている。   However, in the method of manufacturing a semiconductor device, when a paste resin is used for bonding a semiconductor element and a substrate, a lead frame, or the semiconductor element, after the semiconductor element and the substrate are bonded (die attach), There is a problem that the paste resin contaminates the connection pad portion such as the protruding substrate. As a result, it has been pointed out that wire bonding cannot be performed between the semiconductor element and the connection pad portion.

この為、最近では前記問題点に鑑み、接続パッド部分を汚染することのない接着シートを使用する例が増えている。この場合、図９（ａ）に示すように、半導体ウェハ５２に接着シート５１を貼り合わせた後に、ダイシングを行うのが一般的である。また、貼り合わせ時の接着シート５１は、半導体ウェハ５２と同じサイズに設定される。しかしながら、従来の接着シート５１であるとダイシングの際に使用する冷却水や洗浄水に溶解する為、半導体ウェハ５２及び半導体チップ５３よりも小さくなる場合がある。また、ダイシングブレードとの摩擦熱により接着シート５１が熱溶融し、半導体ウェハ５２及び半導体チップ５３よりも小さくなる場合がある。   For this reason, in recent years, in view of the above problems, there are increasing examples of using an adhesive sheet that does not contaminate the connection pad portion. In this case, as shown in FIG. 9A, dicing is generally performed after the adhesive sheet 51 is bonded to the semiconductor wafer 52. Further, the adhesive sheet 51 at the time of bonding is set to the same size as the semiconductor wafer 52. However, the conventional adhesive sheet 51 may be smaller than the semiconductor wafer 52 and the semiconductor chip 53 because it is dissolved in cooling water and cleaning water used in dicing. Further, the adhesive sheet 51 may be thermally melted by frictional heat with the dicing blade and become smaller than the semiconductor wafer 52 and the semiconductor chip 53.

この半導体チップ５３よりもサイズの小さい接着シート５１を介して被着体に接着固定し、樹脂封止をすると、モールディングコンパウンドのフイラーが、半導体チップ５３の接着シート５１により支持されていない部分に潜り込むことになる。その結果、樹脂封止時の圧力に対し、半導体チップ５３に於いて接着シート５１により支持されていない部分等で割れやヒビが生じ、製造される半導体装置の信頼性低下、及び歩留まりの低下が発生する。   When an adhesive sheet 51 smaller in size than the semiconductor chip 53 is bonded and fixed to the adherend and sealed with resin, the molding compound filler enters the portion of the semiconductor chip 53 that is not supported by the adhesive sheet 51. It will be. As a result, cracks and cracks occur in the portion of the semiconductor chip 53 that is not supported by the adhesive sheet 51 with respect to the pressure at the time of resin sealing, resulting in a decrease in reliability and yield of the manufactured semiconductor device. appear.

特開昭５５−１１１１５１号公報JP-A-55-1111151 特開２００２−２６１２３３号公報JP 2002-261233 A 特開２００２−１７９７６９号公報JP 2002-179769 A 特開２０００−１０４０４０号公報JP 2000-104040 A

本発明は前記問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、ダイシングの際の冷却水による溶解、及びダイシングブレードとの摩擦熱による熱溶融に起因した接着シートの収縮を抑制できる半導体装置製造用接着シート及びそれを用いた半導体装置の製造方法を提供することにある。   SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and its object is to manufacture a semiconductor device capable of suppressing shrinkage of an adhesive sheet due to melting by cooling water during dicing and thermal melting by frictional heat with a dicing blade. It is providing the manufacturing method of the adhesive sheet for semiconductors, and a semiconductor device using the same.

本願発明者等は、前記従来の問題点を解決すべく、半導体装置製造用接着シート及びそれを用いた半導体装置の製造方法について検討した。その結果、下記構成を採用することにより前記目的を達成できることを見出して、本発明を完成させるに至った。   The inventors of the present application have studied an adhesive sheet for manufacturing a semiconductor device and a method for manufacturing a semiconductor device using the same, in order to solve the conventional problems. As a result, the inventors have found that the object can be achieved by adopting the following configuration, and have completed the present invention.

即ち、本発明に係る半導体装置製造用接着シートは、前記の課題を解決する為に、半導体素子を被着体上に接着させる半導体装置製造用接着シートであって、少なくとも熱可塑性樹脂及び架橋剤を含み構成され、かつ、１００℃の温水に対する溶解度が１０重量％以下であり、ゲル分率が５０重量％以上であることを特徴とする。   That is, an adhesive sheet for manufacturing a semiconductor device according to the present invention is an adhesive sheet for manufacturing a semiconductor device in which a semiconductor element is bonded onto an adherend in order to solve the above-described problem, and includes at least a thermoplastic resin and a crosslinking agent. And has a solubility in hot water of 100 ° C. of 10% by weight or less and a gel fraction of 50% by weight or more.

前記構成の様に、熱可塑性樹脂を含む構成とすることにより、接着シートの１００℃の温水に対する溶解度を１０重量％以下にするので、例えばダイシング時の冷却水や洗浄水に接着シートが溶解するのを防止する。また、架橋剤を含む構成とすることにより、低分子成分が少なくしてゲル分率を５０重量％以上にするので、ダイシングブレードとの摩擦による接着シートの熱溶融を防止する。その結果、接着シートをダイシング後の半導体素子と同じサイズに維持することができ、樹脂封止の際にも該半導体素子に割れやヒビが生じるのを防止することができる。   Like the said structure, by setting it as the structure containing a thermoplastic resin, the solubility with respect to the 100 degreeC warm water of an adhesive sheet shall be 10 weight% or less, For example, an adhesive sheet melt | dissolves in the cooling water and washing water at the time of dicing, for example To prevent. Moreover, since the low molecular component is reduced and the gel fraction is set to 50% by weight or more by including the cross-linking agent, thermal melting of the adhesive sheet due to friction with the dicing blade is prevented. As a result, the adhesive sheet can be maintained in the same size as the semiconductor element after dicing, and it is possible to prevent the semiconductor element from being cracked or cracked during resin sealing.

前記構成に於いては、前記熱可塑性樹脂が、数平均分子量４０万〜３００万のアクリル樹脂であることが好ましい。   In the said structure, it is preferable that the said thermoplastic resin is an acrylic resin of a number average molecular weight 400,000-3 million.

前記熱可塑性樹脂の含有量は、接着シートを構成する有機樹脂成分１００重量部に対し、２０〜９０重量部であることが好ましい。   It is preferable that content of the said thermoplastic resin is 20-90 weight part with respect to 100 weight part of organic resin components which comprise an adhesive sheet.

また、前記架橋剤の含有量は、接着シートを構成する有機樹脂成分１００重量部に対し、０．０５〜７重量部であることが好ましい。   Moreover, it is preferable that content of the said crosslinking agent is 0.05-7 weight part with respect to 100 weight part of organic resin components which comprise an adhesive sheet.

更に、前記構成に於いては、前記接着シートが更に熱硬化性樹脂を含み構成されることが好ましい。   Furthermore, in the said structure, it is preferable that the said adhesive sheet is further comprised including a thermosetting resin.

また、前記構成に於いては、前記熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂及びフェノール樹脂の少なくとも何れか一方であることが好ましい。   Moreover, in the said structure, it is preferable that the said thermosetting resin is at least any one of an epoxy resin and a phenol resin.

本発明に係る半導体装置の製造方法は、前記の課題を解決する為に、前記に記載の半導体装置製造用接着シートを用いたことを特徴とする。   A method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention is characterized by using the above-described adhesive sheet for manufacturing a semiconductor device in order to solve the above problems.

本発明は、前記に説明した手段により、以下に述べるような効果を奏する。
即ち、本発明の半導体装置製造用接着シートによれば、１００℃の温水に対する溶解度を１０重量％以下にし、かつ、ゲル分率を５０重量％以上にするので、例えばダイシング時の冷却水や洗浄水により溶解したり、ダイシングブレードとの摩擦により熱溶融するのを防止する。その結果、樹脂封止の際に半導体素子に割れやヒビが生じるのを防止し、高信頼性の半導体装置を歩留まり良く製造することが可能になる。 The present invention has the following effects by the means described above.
That is, according to the adhesive sheet for manufacturing a semiconductor device of the present invention, the solubility in hot water at 100 ° C. is 10% by weight or less and the gel fraction is 50% by weight or more. It prevents melting with water and thermal melting due to friction with a dicing blade. As a result, it is possible to prevent the semiconductor element from being cracked or cracked during resin sealing, and to manufacture a highly reliable semiconductor device with a high yield.

本発明の実施の形態１に係る半導体装置の製造方法を説明する為の工程図である。It is process drawing for demonstrating the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態２に係る半導体装置の製造方法を説明する為の工程図である。It is process drawing for demonstrating the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on Embodiment 2 of this invention. 本発明の実施の形態３に係る半導体装置の製造方法を説明する為の工程図である。It is process drawing for demonstrating the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on Embodiment 3 of this invention. 本発明の実施の形態４に係る半導体装置の製造方法を説明する為の工程図である。It is process drawing for demonstrating the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on Embodiment 4 of this invention. 本発明の実施の形態５に係る半導体装置の製造方法を説明する為の工程図である。It is process drawing for demonstrating the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on Embodiment 5 of this invention. 本発明の実施の形態６に係る半導体装置の製造方法を説明する為の工程図である。It is process drawing for demonstrating the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on Embodiment 6 of this invention. 前記実施の形態６に係る半導体装置の製造方法により得られた半導体装置の概略を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the outline of the semiconductor device obtained by the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on the said Embodiment 6. FIG. 本発明の実施の形態７に係る半導体装置の製造方法を説明する為の工程図である。It is process drawing for demonstrating the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on Embodiment 7 of this invention. 従来の接着シートを用いた半導体装置の製造方法を説明する為の工程図である。It is process drawing for demonstrating the manufacturing method of the semiconductor device using the conventional adhesive sheet.

（実施の形態１）
本発明の実施の形態について、以下に説明する。本実施の形態に係る半導体装置製造用接着シート（以下、「接着シート」と言う）は、半導体素子を被着体上に接着させる際に使用されるものであって、少なくとも熱可塑性樹脂及び架橋剤を含み構成される。また、接着シートの１００℃の温水に対する溶解度は１０重量％以下であり、好ましくは５重量％以下、より好ましくは３重量％以下である。前記溶解度が１０重量％を超えると、接着シートがダイシング時の冷却水に溶解する量が大きくなり、接着シートの大きさが半導体チップより小さくなる。 (Embodiment 1)
Embodiments of the present invention will be described below. The adhesive sheet for manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment (hereinafter referred to as “adhesive sheet”) is used when adhering a semiconductor element on an adherend, and includes at least a thermoplastic resin and a crosslinked resin. Contains agent. Further, the solubility of the adhesive sheet in warm water at 100 ° C. is 10% by weight or less, preferably 5% by weight or less, more preferably 3% by weight or less. When the solubility exceeds 10% by weight, the amount of the adhesive sheet dissolved in the cooling water during dicing increases, and the size of the adhesive sheet becomes smaller than that of the semiconductor chip.

更に、接着シートのゲル分率は５０重量％以上であり、好ましくは６０重量％以上、より好ましくは７０％以上である。接着シートは所定量の架橋剤を含むことにより架橋構造を有しており、ゲル分率を５０重量％以上にすることで、低分子量成分の構成割合を小さくしている。その結果、ダイシング時のダイシングブレードとの摩擦による熱溶融を防止し、接着シートの大きさが半導体チップより小さくなるのを抑制することができる。   Furthermore, the gel fraction of the adhesive sheet is 50% by weight or more, preferably 60% by weight or more, more preferably 70% or more. The adhesive sheet has a cross-linked structure by containing a predetermined amount of a cross-linking agent, and the composition ratio of the low molecular weight component is reduced by setting the gel fraction to 50% by weight or more. As a result, thermal melting due to friction with the dicing blade during dicing can be prevented, and the size of the adhesive sheet can be suppressed from becoming smaller than that of the semiconductor chip.

本実施の形態に係る接着シートの構成は特に限定されない。具体的には、例えば接着剤層の単層のみからなる接着シートや、コア材料の片面又は両面に接着剤層を形成した多層構造の接着シート等が挙げられる。ここで、前記コア材料としては、フィルム（例えばポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリカーボネートフィルム等）、ガラス繊維やプラスチック製不織繊維で強化された樹脂基板、シリコン基板又はガラス基板等が挙げられる。また、接着シートとダイシングシートとの一体型のものも使用することができる。   The configuration of the adhesive sheet according to the present embodiment is not particularly limited. Specifically, for example, an adhesive sheet composed only of a single layer of an adhesive layer, an adhesive sheet having a multilayer structure in which an adhesive layer is formed on one or both sides of a core material, and the like can be given. Here, as the core material, a film (for example, a polyimide film, a polyester film, a polyethylene terephthalate film, a polyethylene naphthalate film, a polycarbonate film, etc.), a resin substrate reinforced with glass fiber or plastic non-woven fiber, a silicon substrate, A glass substrate etc. are mentioned. Also, an integrated type of an adhesive sheet and a dicing sheet can be used.

前記接着剤層は接着機能を有する層であり、その構成材料としては熱可塑性樹脂、又は熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂を併用したものが挙げられる。   The adhesive layer is a layer having an adhesive function, and examples of the constituent material thereof include a thermoplastic resin, or a combination of a thermoplastic resin and a thermosetting resin.

前記熱可塑性樹脂としては、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン―酢酸ビニル共重合体、エチレン―アクリル酸共重合体、エチレン―アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６−ナイロン（登録商標）や６，６−ナイロン（登録商標）等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴやＰＢＴ等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、又はフッ素樹脂等が挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらの熱可塑性樹脂のうち、イオン性不純物が少なく耐熱性が高く、半導体素子の信頼性を確保できるアクリル樹脂が特に好ましい。   Examples of the thermoplastic resin include natural rubber, butyl rubber, isoprene rubber, chloroprene rubber, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ethylene-acrylic acid ester copolymer, polybutadiene resin, polycarbonate resin, heat Plastic polyimide resin, polyamide resin such as 6-nylon (registered trademark) or 6,6-nylon (registered trademark), phenoxy resin, acrylic resin, saturated polyester resin such as PET or PBT, polyamideimide resin, or fluorine resin Can be mentioned. These thermoplastic resins can be used alone or in combination of two or more. Of these thermoplastic resins, an acrylic resin that has few ionic impurities and high heat resistance and can ensure the reliability of the semiconductor element is particularly preferable.

前記アクリル樹脂としては特に限定されるものではなく、炭素数３０以下、特に炭素数４〜１８の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの１種又は２種以上を成分とする重合体等が挙げられる。前記アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、へキシル基、へプチル基、シクロヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基、又はドデシル基等が挙げられる。   The acrylic resin is not particularly limited, and one or more esters of acrylic acid or methacrylic acid ester having a linear or branched alkyl group having 30 or less carbon atoms, particularly 4 to 18 carbon atoms, are used as components. And the like. Examples of the alkyl group include a methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, t-butyl group, isobutyl group, amyl group, isoamyl group, hexyl group, heptyl group, cyclohexyl group, 2 -Ethylhexyl group, octyl group, isooctyl group, nonyl group, isononyl group, decyl group, isodecyl group, undecyl group, lauryl group, tridecyl group, tetradecyl group, stearyl group, octadecyl group, dodecyl group and the like.

また、前記アクリル樹脂としては、数平均分子量４０万〜３００万であることが好ましく、５０万〜２００万の範囲内であることがより好ましい。数平均分子量が下限値未満であると、高温使用時に接着力が低下し易いという不都合がある。また、上限値を超えると、ゲル化し易くフィルム化が困難になり易いという不都合がある。   The acrylic resin preferably has a number average molecular weight of 400,000 to 3,000,000, more preferably in the range of 500,000 to 2,000,000. When the number average molecular weight is less than the lower limit, there is a disadvantage that the adhesive force tends to be lowered during high temperature use. Moreover, when it exceeds an upper limit, there exists an inconvenience that it is easy to gelatinize and film formation becomes difficult.

また、前記重合体を形成する他のモノマーとしては、特に限定されるものではなく、例えばアクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマール酸若しくはクロトン酸等の様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸等の様な酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル若しくは（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）−メチルアクリレート等の様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート若しくは（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等の様なスルホン酸基含有モノマー、又は２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等の様な燐酸基含有モノマーが挙げられる。   In addition, the other monomer forming the polymer is not particularly limited, and examples thereof include acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl acrylate, carboxypentyl acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, and crotonic acid. Carboxyl group-containing monomers such as acid anhydride monomers such as maleic anhydride or itaconic anhydride, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4- (meth) acrylic acid 4- Hydroxybutyl, 6-hydroxyhexyl (meth) acrylate, 8-hydroxyoctyl (meth) acrylate, 10-hydroxydecyl (meth) acrylate, 12-hydroxylauryl (meth) acrylate or (4-hydroxymethylcyclohexyl) -Methyla Hydroxyl group-containing monomers such as relate, styrene sulfonic acid, allyl sulfonic acid, 2- (meth) acrylamide-2-methylpropane sulfonic acid, (meth) acrylamide propane sulfonic acid, sulfopropyl (meth) acrylate or (meth) Examples thereof include sulfonic acid group-containing monomers such as acryloyloxynaphthalene sulfonic acid, and phosphoric acid group-containing monomers such as 2-hydroxyethylacryloyl phosphate.

前記熱可塑性樹脂の含有量は、接着シート１２を構成する有機樹脂成分１００重量部に対し、２０〜９０重量部の範囲内であることが好ましく、３０〜８０重量部の範囲内であることがより好ましい。熱可塑性樹脂の含有量を前記範囲内にすることにより、１００℃の温水に対する溶解度を１０重量％以下に制御することが可能になる。また、溶解度の制御は、その含有量を前記数値範囲内で増減させることにより可能である。   The content of the thermoplastic resin is preferably within a range of 20 to 90 parts by weight, and preferably within a range of 30 to 80 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the organic resin component constituting the adhesive sheet 12. More preferred. By setting the content of the thermoplastic resin within the above range, the solubility in hot water at 100 ° C. can be controlled to 10% by weight or less. The solubility can be controlled by increasing or decreasing the content within the numerical range.

前記熱硬化性樹脂としては、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、又は熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。特に、半導体素子を腐食させるイオン性不純物等の含有が少ないエポキシ樹脂が好ましい。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂が好ましい。   Examples of the thermosetting resin include phenol resin, amino resin, unsaturated polyester resin, epoxy resin, polyurethane resin, silicone resin, and thermosetting polyimide resin. These resins can be used alone or in combination of two or more. In particular, an epoxy resin containing a small amount of ionic impurities or the like that corrode semiconductor elements is preferable. Moreover, as a hardening | curing agent of an epoxy resin, a phenol resin is preferable.

前記エポキシ樹脂は、接着剤組成物として一般に用いられるものであれば特に限定は無く、例えばビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオンレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型等の二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、又はヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型若しくはグリシジルアミン型等のエポキシ樹脂が用いられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらのエポキシ樹脂のうちノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型樹脂又はテトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が特に好ましい。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性等に優れるからである。   The epoxy resin is not particularly limited as long as it is generally used as an adhesive composition. For example, bisphenol A type, bisphenol F type, bisphenol S type, brominated bisphenol A type, hydrogenated bisphenol A type, bisphenol AF type. Biphenyl type, naphthalene type, fluorene type, phenol novolak type, orthocresol novolak type, trishydroxyphenylmethane type, tetraphenylolethane type, etc., bifunctional epoxy resin or polyfunctional epoxy resin, or hydantoin type, trisglycidyl isocyanurate Type or glycidylamine type epoxy resin is used. These can be used alone or in combination of two or more. Of these epoxy resins, novolac type epoxy resins, biphenyl type epoxy resins, trishydroxyphenylmethane type resins or tetraphenylolethane type epoxy resins are particularly preferred. This is because these epoxy resins are rich in reactivity with a phenol resin as a curing agent and are excellent in heat resistance and the like.

さらに、前記フェノール樹脂は、前記エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらのフェノール樹脂のうちフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が特に好ましい。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。   Further, the phenol resin acts as a curing agent for the epoxy resin, for example, a novolac type phenol resin such as a phenol novolac resin, a phenol aralkyl resin, a cresol novolac resin, a tert-butylphenol novolac resin, a nonylphenol novolac resin, Examples include resol-type phenolic resins and polyoxystyrenes such as polyparaoxystyrene. These can be used alone or in combination of two or more. Of these phenol resins, phenol novolac resins and phenol aralkyl resins are particularly preferred. This is because the connection reliability of the semiconductor device can be improved.

前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、例えば、前記エポキシ樹脂成分中のエポキシ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が０．５〜２．０当量になるように配合することが好適である。より好適なのは、０．８〜１．２当量である。即ち、両者の配合割合が前記範囲を外れると、十分な硬化反応が進まず、エポキシ樹脂硬化物の特性が劣化し易くなるからである。   The mixing ratio of the epoxy resin and the phenol resin is preferably such that, for example, the hydroxyl group in the phenol resin is 0.5 to 2.0 equivalents per equivalent of epoxy group in the epoxy resin component. More preferred is 0.8 to 1.2 equivalents. That is, if the blending ratio of both is out of the above range, sufficient curing reaction does not proceed and the properties of the cured epoxy resin are likely to deteriorate.

なお、本発明に於いては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びアクリル樹脂を含む接着シートが特に好ましい。これらの樹脂は、イオン性不純物が少なく耐熱性が高いので、半導体素子の信頼性を確保できる。この場合の配合比は、アクリル樹脂成分１００重量部に対して、エポキシ樹脂とフェノール樹脂の混合量が１０〜２００重量部であることが好ましい。   In the present invention, an adhesive sheet containing an epoxy resin, a phenol resin and an acrylic resin is particularly preferable. Since these resins have few ionic impurities and high heat resistance, the reliability of the semiconductor element can be ensured. In this case, the mixing ratio of the epoxy resin and the phenol resin is preferably 10 to 200 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the acrylic resin component.

本発明の接着シート１２は、予めある程度架橋をさせておく為、作製に際し、重合体の分子鎖末端の官能基等と反応する多官能性化合物を架橋剤として添加させておくのがよい。これにより、高温下での接着特性を向上させ、耐熱性の改善を図る。   Since the adhesive sheet 12 of the present invention is previously crosslinked to some extent, a polyfunctional compound that reacts with a functional group at the molecular chain end of the polymer or the like is preferably added as a crosslinking agent. Thereby, the adhesive property under high temperature is improved and heat resistance is improved.

前記架橋剤としては、従来公知のものを採用することができる。特に、トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、ｐ−フェニレンジイソシアネート、１，５−ナフタレンジイソシアネート、多価アルコールとジイソシアネートの付加物等のポリイソシアネート化合物がより好ましい。架橋剤の添加量としては、前記の重合体１００重量部に対し、通常０．０５〜７重量部とするのが好ましい。架橋剤の添加量が７重量部より多いと、接着力が低下するので好ましくない。その一方、０．０５重量部より少ないと、凝集力が不足するので好ましくない。また、ポリイソシアネート化合物と共に、必要に応じてエポキシ樹脂等の他の多官能性化合物を一緒に含ませるようにしてもよい。架橋剤の添加量を前記範囲内にすることにより、前記ゲル分率を５０重量％以上に制御することが可能になる。また、ゲル分率の制御は、添加量を前記数値範囲内で増減させることにより可能である。   A conventionally well-known thing can be employ | adopted as said crosslinking agent. In particular, polyisocyanate compounds such as tolylene diisocyanate, diphenylmethane diisocyanate, p-phenylene diisocyanate, 1,5-naphthalene diisocyanate, adducts of polyhydric alcohol and diisocyanate are more preferable. The addition amount of the crosslinking agent is usually preferably 0.05 to 7 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polymer. When the addition amount of the crosslinking agent is more than 7 parts by weight, the adhesive strength is lowered, which is not preferable. On the other hand, if it is less than 0.05 parts by weight, the cohesive force is insufficient, which is not preferable. Moreover, you may make it contain other polyfunctional compounds, such as an epoxy resin, together with a polyisocyanate compound as needed. By making the addition amount of a crosslinking agent into the said range, it becomes possible to control the said gel fraction to 50 weight% or more. The gel fraction can be controlled by increasing or decreasing the amount of addition within the above numerical range.

また、本発明の接着シート１２には、その用途に応じて無機充填剤を適宜配合することができる。無機充填剤の配合は、導電性の付与や熱伝導性の向上、弾性率の調節等を可能とする。前記無機充填剤としては、例えば、シリカ、クレー、石膏、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、酸化アルミナ、酸化ベリリウム、炭化珪素、窒化珪素等のセラミック類、アルミニウム、銅、銀、金、ニッケル、クロム、鉛、錫、亜鉛、パラジウム、半田などの金属、又は合金類、その他カーボンなどからなる種々の無機粉末が挙げられる。これらは、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。なかでも、シリカ、特に溶融シリカが好適に用いられる。また、無機充填剤の平均粒径は、０．１〜８０μｍの範囲内であることが好ましい。   In addition, an inorganic filler can be appropriately blended in the adhesive sheet 12 of the present invention according to its use. The blending of the inorganic filler makes it possible to impart conductivity, improve thermal conductivity, adjust the elastic modulus, and the like. Examples of the inorganic filler include silica, clay, gypsum, calcium carbonate, barium sulfate, alumina, beryllium oxide, silicon carbide, silicon nitride, and other ceramics, aluminum, copper, silver, gold, nickel, chromium, lead. And various inorganic powders made of metals such as tin, zinc, palladium, solder, or alloys, and other carbon. These can be used alone or in combination of two or more. Among these, silica, particularly fused silica is preferably used. Moreover, it is preferable that the average particle diameter of an inorganic filler exists in the range of 0.1-80 micrometers.

前記無機充填剤の配合量は、有機樹脂成分１００重量部に対し０〜８０重量％に設定することが好ましい。特に好ましくは０〜７０重量％である。   The blending amount of the inorganic filler is preferably set to 0 to 80% by weight with respect to 100 parts by weight of the organic resin component. Particularly preferably, it is 0 to 70% by weight.

なお、本発明の接着シート１２には、前記無機充填剤以外に、必要に応じて他の添加剤を適宜に配合することができる。他の添加剤としては、例えば難燃剤、シランカップリング剤又はイオントラップ剤等が挙げられる。   In addition to the said inorganic filler, another additive can be suitably mix | blended with the adhesive sheet 12 of this invention as needed. Examples of other additives include flame retardants, silane coupling agents, ion trapping agents, and the like.

前記難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。   Examples of the flame retardant include antimony trioxide, antimony pentoxide, brominated epoxy resin, and the like. These can be used alone or in combination of two or more.

前記シランカップリング剤としては、例えば、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。これらの化合物は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。   Examples of the silane coupling agent include β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, and the like. These compounds can be used alone or in combination of two or more.

前記イオントラップ剤としては、例えばハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等が挙げられる。これらは、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。   Examples of the ion trapping agent include hydrotalcites and bismuth hydroxide. These can be used alone or in combination of two or more.

本発明の接着シートをダイシングシートと貼り合わせた一体型のダイシング・ダイボンドフィルムとして使用する場合、ダイシングシートとしては特に限定されず、従来公知のものを採用することができる。即ち、ダイシングシートは、より具体的には、支持基材上に粘着剤層が設けられた構成を有しており、接着シートは粘着剤層上に貼り合わされた構造となる。   When the adhesive sheet of the present invention is used as an integrated dicing die-bonding film bonded to a dicing sheet, the dicing sheet is not particularly limited, and a conventionally known one can be adopted. That is, the dicing sheet has a configuration in which a pressure-sensitive adhesive layer is provided on a support base material, and the adhesive sheet has a structure in which the pressure-sensitive adhesive layer is bonded to the pressure-sensitive adhesive layer.

前記支持基材は、ダイシング・ダイボンドフィルムの強度母体となるものである。例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、金属（箔）、紙等が挙げられる。   The support substrate is a strength matrix of a dicing die bond film. For example, polyolefins such as low density polyethylene, linear polyethylene, medium density polyethylene, high density polyethylene, ultra low density polyethylene, random copolymer polypropylene, block copolymer polypropylene, homopolyprolene, polybutene, polymethylpentene, ethylene-acetic acid Vinyl copolymer, ionomer resin, ethylene- (meth) acrylic acid copolymer, ethylene- (meth) acrylic acid ester (random, alternating) copolymer, ethylene-butene copolymer, ethylene-hexene copolymer, Polyester such as polyurethane, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polycarbonate, polyimide, polyetheretherketone, polyimide, polyetherimide, polyamide, wholly aromatic polyamide, polyphenylsulfur De, aramid (paper), glass, glass cloth, fluorine resin, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, cellulose resin, silicone resin, metal (foil), paper, and the like.

また支持基材の材料としては、前記樹脂の架橋体等のポリマーが挙げられる。前記プラスチックフィルムは、無延伸で用いてもよく、必要に応じて一軸又は二軸の延伸処理を施したものを用いてもよい。延伸処理等により熱収縮性を付与した樹脂シートによれば、ダイシング後にその支持基材を熱収縮させることにより粘着剤層と接着シートとの接着面積を低下させて、チップ状ワークの回収の容易化を図ることができる。   Examples of the material for the supporting substrate include polymers such as a crosslinked product of the resin. The plastic film may be used unstretched or may be uniaxially or biaxially stretched as necessary. According to the resin sheet imparted with heat shrinkability by stretching treatment, etc., the support base material is thermally shrunk after dicing, thereby reducing the adhesive area between the adhesive layer and the adhesive sheet, and easy recovery of the chip-like work Can be achieved.

前記支持基材は、同種又は異種のものを適宜に選択して使用することができ、必要に応じて数種をブレンドしたものを用いることができる。また、支持基材には、帯電防止能を付与する為、前記の支持基材上に金属、合金、これらの酸化物等からなる厚さが３０〜５００Å程度の導電性物質の蒸着層を設けることができる。支持基材は単層あるいは２種以上の複層でもよい。尚、粘着剤層が放射線硬化型の場合にはＸ線、紫外線、電子線等の放射線を少なくとも一部透過するものを用いる。   As the support substrate, the same kind or different kinds can be appropriately selected and used, and a blend of several kinds can be used as necessary. In addition, in order to impart antistatic ability to the support base material, a conductive material vapor deposition layer having a thickness of about 30 to 500 mm and made of metal, alloy, oxide thereof, or the like is provided on the support base material. be able to. The support substrate may be a single layer or two or more layers. When the pressure-sensitive adhesive layer is a radiation curable type, a material that transmits at least a part of radiation such as X-rays, ultraviolet rays, and electron beams is used.

支持基材の厚さは、特に制限されず適宜に決定できるが、一般的には５〜２００μｍ程度である。   The thickness of the support substrate is not particularly limited and can be determined as appropriate, but is generally about 5 to 200 μm.

粘着剤層の形成に用いる粘着剤としては特に制限されず、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性粘着剤を用いることができる。前記感圧性粘着剤としては、半導体ウェハやガラス等の汚染をきらう電子部品の超純水やアルコール等の有機溶剤による清浄洗浄性等の点から、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤が好ましい。   It does not restrict | limit especially as an adhesive used for formation of an adhesive layer, For example, common pressure sensitive adhesives, such as an acrylic adhesive and a rubber adhesive, can be used. The pressure-sensitive adhesive is an acrylic pressure-sensitive adhesive based on an acrylic polymer from the standpoint of cleanability with an organic solvent such as ultrapure water or alcohol for electronic components that are difficult to contaminate semiconductor wafers and glass. Is preferred.

前記アクリル系ポリマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル（例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓ−ブチルエステル、ｔ−ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２−エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステル等のアルキル基の炭素数１〜３０、特に炭素数４〜１８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステル等）及び（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル（例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステル等）の１種又は２種以上を単量体成分として用いたアクリル系ポリマー等が挙げられる。尚、（メタ）アクリル酸エステルとはアクリル酸エステル及び／又はメタクリル酸エステルをいい、本発明の（メタ）とは全て同様の意味である。   Examples of the acrylic polymer include (meth) acrylic acid alkyl esters (for example, methyl ester, ethyl ester, propyl ester, isopropyl ester, butyl ester, isobutyl ester, s-butyl ester, t-butyl ester, pentyl ester, Isopentyl ester, hexyl ester, heptyl ester, octyl ester, 2-ethylhexyl ester, isooctyl ester, nonyl ester, decyl ester, isodecyl ester, undecyl ester, dodecyl ester, tridecyl ester, tetradecyl ester, hexadecyl ester , Octadecyl esters, eicosyl esters, etc., alkyl groups having 1 to 30 carbon atoms, especially 4 to 18 carbon linear or branched alkyl esters, etc.) and Meth) acrylic acid cycloalkyl esters (e.g., cyclopentyl ester, acrylic polymers such as one or more was used as a monomer component of the cyclohexyl ester etc.). In addition, (meth) acrylic acid ester means acrylic acid ester and / or methacrylic acid ester, and (meth) of the present invention has the same meaning.

前記アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱性等の改質を目的として、必要に応じ、前記（メタ）アクリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。この様なモノマー成分として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸等のカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸等の酸無水物モノマー；（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレート等のヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等のスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等のリン酸基含有モノマー；アクリルアミド、アクリロニトリル等が挙げられる。これら共重合可能なモノマー成分は、１種又は２種以上使用できる。これら共重合可能なモノマーの使用量は、全モノマー成分の４０重量％以下が好ましい。   The acrylic polymer contains units corresponding to other monomer components copolymerizable with the (meth) acrylic acid alkyl ester or cycloalkyl ester, if necessary, for the purpose of modifying cohesive force, heat resistance and the like. You may go out. Examples of such monomer components include, for example, carboxyl group-containing monomers such as acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl (meth) acrylate, carboxypentyl (meth) acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, and crotonic acid; maleic anhydride Acid anhydride monomers such as itaconic anhydride; 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, 6-hydroxyhexyl (meth) acrylate Hydroxyl group-containing monomers such as 8-hydroxyoctyl (meth) acrylate, 10-hydroxydecyl (meth) acrylate, 12-hydroxylauryl (meth) acrylate, (4-hydroxymethylcyclohexyl) methyl (meth) acrylate; Styrene Contains sulfonic acid groups such as phonic acid, allylsulfonic acid, 2- (meth) acrylamide-2-methylpropanesulfonic acid, (meth) acrylamidepropanesulfonic acid, sulfopropyl (meth) acrylate, (meth) acryloyloxynaphthalenesulfonic acid Monomers; Phosphoric acid group-containing monomers such as 2-hydroxyethyl acryloyl phosphate; acrylamide, acrylonitrile and the like. One or more of these copolymerizable monomer components can be used. The amount of these copolymerizable monomers used is preferably 40% by weight or less based on the total monomer components.

更に、前記アクリル系ポリマーは、架橋させる為、多官能性モノマー等も、必要に応じて共重合用モノマー成分として含むことができる。この様な多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらの多官能性モノマーも１種又は２種以上用いることができる。多官能性モノマーの使用量は、粘着特性等の点から、全モノマー成分の３０重量％以下が好ましい。   Furthermore, since the acrylic polymer is crosslinked, a polyfunctional monomer or the like can be included as a monomer component for copolymerization, if necessary. Examples of such polyfunctional monomers include hexanediol di (meth) acrylate, (poly) ethylene glycol di (meth) acrylate, (poly) propylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, Pentaerythritol di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, epoxy (meth) acrylate, polyester (meth) acrylate, urethane (meth) An acrylate etc. are mentioned. These polyfunctional monomers can also be used alone or in combination of two or more. The amount of the polyfunctional monomer used is preferably 30% by weight or less of the total monomer components from the viewpoint of adhesive properties and the like.

前記アクリル系ポリマーは、単一モノマー又は２種以上のモノマー混合物を重合に付すことにより得られる。重合は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合等の何れの方式で行うこともできる。清浄な被着体への汚染防止等の点から、低分子量物質の含有量が小さいのが好ましい。この点から、アクリル系ポリマーの数平均分子量は、好ましくは３０万以上、更に好ましくは４０万〜３００万程度である。   The acrylic polymer can be obtained by subjecting a single monomer or a mixture of two or more monomers to polymerization. The polymerization can be performed by any method such as solution polymerization, emulsion polymerization, bulk polymerization, suspension polymerization and the like. From the viewpoint of preventing contamination of a clean adherend, the content of the low molecular weight substance is preferably small. From this point, the number average molecular weight of the acrylic polymer is preferably 300,000 or more, more preferably about 400,000 to 3,000,000.

また、前記粘着剤には、ベースポリマーであるアクリル系ポリマー等の数平均分子量を高める為、外部架橋剤を適宜に採用することもできる。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤等のいわゆる架橋剤を添加し反応させる方法が挙げられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、更には、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。一般的には、前記ベースポリマー１００重量部に対して、５重量部程度以下、更には０．１〜５重量部配合するのが好ましい。更に、粘着剤には、必要により、前記成分のほかに、従来公知の各種の粘着付与剤、老化防止剤等の添加剤を用いてもよい。   In addition, an external cross-linking agent can be appropriately employed for the pressure-sensitive adhesive in order to increase the number average molecular weight of an acrylic polymer as a base polymer. Specific examples of the external crosslinking method include a method of adding a so-called crosslinking agent such as a polyisocyanate compound, an epoxy compound, an aziridine compound, a melamine crosslinking agent, and reacting them. When using an external cross-linking agent, the amount used is appropriately determined depending on the balance with the base polymer to be cross-linked and further depending on the intended use as an adhesive. Generally, it is preferable to add about 5 parts by weight or less, and further 0.1 to 5 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the base polymer. Furthermore, you may use additives, such as conventionally well-known various tackifier and anti-aging agent, other than the said component as needed to an adhesive.

粘着剤層は放射線硬化型粘着剤により形成することができる。放射線硬化型粘着剤は、紫外線等の放射線の照射により架橋度を増大させてその粘着力を容易に低下させることができ、例えば、粘着剤層に於ける半導体ウェハの貼り付け部分に対応する部分に放射線を照射することにより他の部分との粘着力の差を設けることができる。   The pressure-sensitive adhesive layer can be formed of a radiation curable pressure-sensitive adhesive. Radiation curable pressure-sensitive adhesives can increase the degree of cross-linking by irradiation with radiation such as ultraviolet rays and easily reduce their adhesive strength. For example, the part corresponding to the portion of the pressure-sensitive adhesive layer that is attached to the semiconductor wafer A difference in adhesive strength with other parts can be provided by irradiating the film with radiation.

前述の通り、ダイシング・ダイボンドフィルムの粘着剤層に於いて、未硬化の放射線硬化型粘着剤により形成されている部分は接着シートと粘着し、ダイシングする際の保持力を確保できる。この様に放射線硬化型粘着剤は、半導体チップを基板等の被着体に固着する為の接着シートを、接着・剥離のバランスよく支持することができる。   As described above, in the pressure-sensitive adhesive layer of the dicing die-bonding film, the portion formed by the uncured radiation-curing pressure-sensitive adhesive sticks to the adhesive sheet, and can secure a holding force when dicing. Thus, the radiation curable pressure-sensitive adhesive can support an adhesive sheet for fixing a semiconductor chip to an adherend such as a substrate with a good balance of adhesion and peeling.

放射線硬化型粘着剤は、炭素−炭素二重結合等の放射線硬化性の官能基を有し、かつ粘着性を示すものを特に制限なく使用することができる。放射線硬化型粘着剤としては、例えば、前記アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性粘着剤に、放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合した添加型の放射線硬化型粘着剤を例示できる。   As the radiation-curable pressure-sensitive adhesive, those having a radiation-curable functional group such as a carbon-carbon double bond and exhibiting adhesiveness can be used without particular limitation. As the radiation curable pressure sensitive adhesive, for example, an addition type radiation curable pressure sensitive adhesive in which a radiation curable monomer component or an oligomer component is blended with a general pressure sensitive pressure sensitive adhesive such as an acrylic pressure sensitive adhesive or a rubber pressure sensitive adhesive. An agent can be illustrated.

配合する放射線硬化性のモノマー成分としては、例えば、ウレタンオリゴマー、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリストールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリストールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。また放射線硬化性のオリゴマー成分はウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系等種々のオリゴマーがあげられ、その分子量が１００〜３００００程度の範囲のものが適当である。放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分の配合量は、前記粘着剤層の種類に応じて、粘着剤層の粘着力を低下できる量を、適宜に決定することができる。一般的には、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば５〜５００重量部、好ましくは４０〜１５０重量部程度である。   Examples of the radiation curable monomer component to be blended include urethane oligomer, urethane (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, tetramethylolmethane tetra (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, and pentaerythritol. Examples include stall tetra (meth) acrylate, dipentaerystol monohydroxypenta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, 1,4-butanediol di (meth) acrylate, and the like. Examples of the radiation curable oligomer component include various oligomers such as urethane, polyether, polyester, polycarbonate, and polybutadiene, and those having a molecular weight in the range of about 100 to 30,000 are suitable. The compounding amount of the radiation-curable monomer component or oligomer component can be appropriately determined in accordance with the type of the pressure-sensitive adhesive layer, and the amount capable of reducing the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer. Generally, the amount is, for example, about 5 to 500 parts by weight, preferably about 40 to 150 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the base polymer such as an acrylic polymer constituting the pressure-sensitive adhesive.

また、放射線硬化型粘着剤としては、前記説明した添加型の放射線硬化型粘着剤のほかに、ベースポリマーとして、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖又は主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いた内在型の放射線硬化型粘着剤が挙げられる。内在型の放射線硬化型粘着剤は、低分子成分であるオリゴマー成分等を含有する必要がなく、又は多くは含まない為、経時的にオリゴマー成分等が粘着剤在中を移動することなく、安定した層構造の粘着剤層を形成することができる為好ましい。   In addition to the additive-type radiation curable adhesive described above, the radiation curable pressure-sensitive adhesive has a carbon-carbon double bond in the polymer side chain or main chain or at the main chain terminal as a base polymer. Intrinsic radiation curable pressure sensitive adhesives using Intrinsic radiation curable adhesives do not need to contain oligomer components, which are low molecular components, or do not contain many, so they are stable without the oligomer components moving through the adhesive over time. It is preferable because an adhesive layer having a layered structure can be formed.

前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマーは、炭素−炭素二重結合を有し、かつ粘着性を有するものを特に制限なく使用できる。この様なベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。アクリル系ポリマーの基本骨格としては、前記例示したアクリル系ポリマーが挙げられる。   As the base polymer having a carbon-carbon double bond, those having a carbon-carbon double bond and having adhesiveness can be used without particular limitation. As such a base polymer, those having an acrylic polymer as a basic skeleton are preferable. Examples of the basic skeleton of the acrylic polymer include the acrylic polymers exemplified above.

前記アクリル系ポリマーへの炭素−炭素二重結合の導入法は特に制限されず、様々な方法を採用できるが、炭素−炭素二重結合はポリマー側鎖に導入するのが分子設計が容易である。例えば、予め、アクリル系ポリマーに官能基を有するモノマーを共重合した後、この官能基と反応しうる官能基及び炭素−炭素二重結合を有する化合物を、炭素−炭素二重結合の放射線硬化性を維持したまま縮合又は付加反応させる方法が挙げられる。   The method for introducing the carbon-carbon double bond into the acrylic polymer is not particularly limited, and various methods can be adopted. However, the carbon-carbon double bond can be easily introduced into the polymer side chain for easy molecular design. . For example, after a monomer having a functional group is previously copolymerized with an acrylic polymer, a compound having a functional group capable of reacting with the functional group and a carbon-carbon double bond is converted into a radiation curable carbon-carbon double bond. A method of performing condensation or addition reaction while maintaining the above.

これら官能基の組合せの例としては、カルボン酸基とエポキシ基、カルボン酸基とアジリジル基、ヒドロキシル基とイソシアネート基等が挙げられる。これら官能基の組合せのなかでも反応追跡の容易さから、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せが好適である。また、これら官能基の組み合わせにより、前記炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーを生成するような組合せであれば、官能基はアクリル系ポリマーと前記化合物のいずれの側にあってもよいが、前記の好ましい組み合わせでは、アクリル系ポリマーがヒドロキシル基を有し、前記化合物がイソシアネート基を有する場合が好適である。この場合、炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネート等が挙げられる。また、アクリル系ポリマーとしては、前記例示のヒドロキシ基含有モノマーや２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングルコールモノビニルエーテルのエーテル系化合物等を共重合したものが用いられる。   Examples of combinations of these functional groups include carboxylic acid groups and epoxy groups, carboxylic acid groups and aziridyl groups, hydroxyl groups and isocyanate groups, and the like. Among these combinations of functional groups, a combination of a hydroxyl group and an isocyanate group is preferable because of easy tracking of the reaction. Moreover, the functional group may be on either side of the acrylic polymer and the compound as long as the acrylic polymer having the carbon-carbon double bond is generated by a combination of these functional groups. In the preferable combination, it is preferable that the acrylic polymer has a hydroxyl group and the compound has an isocyanate group. In this case, examples of the isocyanate compound having a carbon-carbon double bond include methacryloyl isocyanate, 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, m-isopropenyl-α, α-dimethylbenzyl isocyanate, and the like. Further, as the acrylic polymer, those obtained by copolymerizing the above-exemplified hydroxy group-containing monomers, ether compounds of 2-hydroxyethyl vinyl ether, 4-hydroxybutyl vinyl ether, diethylene glycol monovinyl ether, or the like are used.

前記内在型の放射線硬化型粘着剤は、前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマー（特にアクリル系ポリマー）を単独で使用することができるが、特性を悪化させない程度に前記放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合することもできる。放射線硬化性のオリゴマー成分等は、通常ベースポリマー１００重量部に対して３０重量部の範囲内であり、好ましくは０〜１０重量部の範囲である。   As the intrinsic radiation curable pressure-sensitive adhesive, the base polymer (particularly acrylic polymer) having the carbon-carbon double bond can be used alone, but the radiation curable monomer does not deteriorate the characteristics. Components and oligomer components can also be blended. The radiation-curable oligomer component or the like is usually in the range of 30 parts by weight, preferably in the range of 0 to 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the base polymer.

前記放射線硬化型粘着剤には、紫外線等により硬化させる場合には光重合開始剤を含有させる。光重合開始剤としては、例えば、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α’−ジメチルアセトフェノン、２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のα−ケトール系化合物；メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフエノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１等のアセトフェノン系化合物；ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタール等のケタール系化合物；２−ナフタレンスルホニルクロリド等の芳香族スルホニルクロリド系化合物；１−フェノン−１，１―プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム等の光活性オキシム系化合物；ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３’−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノン等のベンゾフェノン系化合物；チオキサンソン、２−クロロチオキサンソン、２−メチルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４−ジクロロチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソン等のチオキサンソン系化合物；カンファーキノン；ハロゲン化ケトン；アシルホスフィノキシド；アシルホスフォナート等が挙げられる。光重合開始剤の配合量は、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば０．０５〜２０重量部程度である。   The radiation curable pressure-sensitive adhesive contains a photopolymerization initiator when cured by ultraviolet rays or the like. Examples of the photopolymerization initiator include 4- (2-hydroxyethoxy) phenyl (2-hydroxy-2-propyl) ketone, α-hydroxy-α, α′-dimethylacetophenone, 2-methyl-2-hydroxypropio Α-ketol compounds such as phenone and 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone; methoxyacetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2-diethoxyacetophenone, 2-methyl-1- [4- ( Acetophenone compounds such as methylthio) -phenyl] -2-morpholinopropane-1; benzoin ether compounds such as benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether and anisoin methyl ether; ketal compounds such as benzyldimethyl ketal; 2-naphthalenesulfonyl Black Aromatic sulfonyl chloride compounds such as 1; photoactive oxime compounds such as 1-phenone-1,1-propanedione-2- (o-ethoxycarbonyl) oxime; benzophenone, benzoylbenzoic acid, 3,3′-dimethyl Benzophenone compounds such as -4-methoxybenzophenone; thioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2,4-dimethylthioxanthone, isopropylthioxanthone, 2,4-dichlorothioxanthone, 2 Thioxanthone compounds such as 1,4-diethylthioxanthone and 2,4-diisopropylthioxanthone; camphorquinone; halogenated ketone; acyl phosphinoxide; acyl phosphonate. The compounding quantity of a photoinitiator is about 0.05-20 weight part with respect to 100 weight part of base polymers, such as an acryl-type polymer which comprises an adhesive.

また放射線硬化型粘着剤としては、例えば、特開昭６０−１９６９５６号公報に開示されている、不飽和結合を２個以上有する付加重合性化合物、エポキシ基を有するアルコキシシラン等の光重合性化合物と、カルボニル化合物、有機硫黄化合物、過酸化物、アミン、オニウム塩系化合物等の光重合開始剤とを含有するゴム系粘着剤やアクリル系粘着剤等が挙げられる。   Examples of radiation curable pressure-sensitive adhesives include photopolymerizable compounds such as addition polymerizable compounds having two or more unsaturated bonds and alkoxysilanes having an epoxy group disclosed in JP-A-60-196956. And a rubber-based pressure-sensitive adhesive and an acrylic pressure-sensitive adhesive containing a photopolymerization initiator such as a carbonyl compound, an organic sulfur compound, a peroxide, an amine, and an onium salt-based compound.

粘着剤層の厚さは、特に限定されないが、チップ切断面の欠け防止や接着層の固定保持の両立性等の点よりは、１〜５０μｍ程度であるのが好ましい。好ましくは２〜３０μｍ、更には５〜２５μｍが好ましい。   The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is not particularly limited, but is preferably about 1 to 50 μm from the viewpoint of preventing chipping of the chip cut surface and compatibility of fixing and holding the adhesive layer. Preferably it is 2-30 micrometers, Furthermore, 5-25 micrometers is preferable.

次に、本実施の形態に係る接着シートを用いた半導体装置の製造方法を、図１に基づき説明する。図１は、当該半導体装置の製造方法を説明する為の工程図である。尚、以下では、図１（ａ）に示すように、接着シート１２’とダイシングシート３３とが一体型となったダイシング・ダイボンドフィルムを例にして説明する。   Next, a method for manufacturing a semiconductor device using the adhesive sheet according to the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a process diagram for explaining the manufacturing method of the semiconductor device. Hereinafter, as shown in FIG. 1A, a dicing die-bonding film in which the adhesive sheet 12 'and the dicing sheet 33 are integrated will be described as an example.

先ず、接着シート１２’の所定の領域上に半導体ウェハ１３’を圧着し、これを接着保持させて固定する（図１（ｂ））。圧着は常法により行われる。   First, the semiconductor wafer 13 'is pressure-bonded onto a predetermined region of the adhesive sheet 12', and this is adhered and held and fixed (FIG. 1 (b)). Crimping is performed by a conventional method.

次いで、半導体ウェハ１３’をチップ状にダイシングする（図１（ｃ））。ダイシングはダイシングブレード等による適宜の手段で接着シート１２’も含めて行い、半導体ウェハ１３’を所定サイズの半導体チップ（半導体素子）１３にする。ダイシング条件としては特に限定されず、例えば ダイシング速度としては１０〜２００ｍｍ／ｓｅｃ、ダイシングブレード回転数としては３００００〜４５０００ｒｐｍで行われる。また、ダイシングの際には、ダイシングブレードを冷却する目的で、ダイシングブレードに冷却水を吹き付けながら行う。更に、ダイシング時に生じる切削屑を除去する目的で、洗浄水も使用する。冷却水及び洗浄水としては特に限定されず、例えば純水等が例示できる。但し、半導体ウェハ１３’に設けられた配線等を腐食させずにダイシングし得るのであれば、純水以外の液体を用いてよい。より具体的には、例えば、逆浸透膜を用いて濾過した浄化水等を用いてもよい。   Next, the semiconductor wafer 13 'is diced into chips (FIG. 1C). Dicing is performed by an appropriate means such as a dicing blade including the adhesive sheet 12 ′ to make the semiconductor wafer 13 ′ into a semiconductor chip (semiconductor element) 13 having a predetermined size. The dicing conditions are not particularly limited. For example, the dicing speed is 10 to 200 mm / sec, and the dicing blade rotational speed is 30000 to 45000 rpm. Further, dicing is performed while spraying cooling water on the dicing blade for the purpose of cooling the dicing blade. Further, cleaning water is also used for the purpose of removing cutting waste generated during dicing. It does not specifically limit as cooling water and washing water, For example, a pure water etc. can be illustrated. However, a liquid other than pure water may be used as long as the wiring provided on the semiconductor wafer 13 'can be diced without being corroded. More specifically, for example, purified water filtered using a reverse osmosis membrane may be used.

次いで、半導体チップ１３を接着シート１２と共にダイシングシート３３から剥離する（ピックアップ）。ピックアップした半導体チップ１３は、図１（ｄ）に示すように、接着シート１２を介して被着体１１に接着固定する（ダイボンド）。被着体１１としては、リードフレーム、ＴＡＢフィルム、基板又は別途作製したチップ状ワーク等が挙げられる。被着体１１は、例えば、容易に変形されるような変形型被着体であってもよく、変形することが困難である非変形型被着体（半導体ウェハ等）であってもよい。   Next, the semiconductor chip 13 is peeled from the dicing sheet 33 together with the adhesive sheet 12 (pickup). As shown in FIG. 1D, the picked-up semiconductor chip 13 is bonded and fixed to the adherend 11 via the adhesive sheet 12 (die bonding). Examples of the adherend 11 include a lead frame, a TAB film, a substrate, and a chip-shaped work produced separately. The adherend 11 may be, for example, a deformable adherend that can be easily deformed or a non-deformable adherend (such as a semiconductor wafer) that is difficult to deform.

前記基板としては、従来公知のものを使用することができる。また、前記リードフレームとしては、Ｃｕリードフレーム、４２Ａｌｌｏｙリードフレーム等の金属リードフレームやガラスエポキシ、ＢＴ（ビスマレイミド−トリアジン）、ポリイミド等からなる有機基板を使用することができる。しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、半導体素子をマウントし、半導体素子と電気的に接続して使用可能な回路基板も含まれる。   A conventionally well-known thing can be used as said board | substrate. As the lead frame, a metal lead frame such as a Cu lead frame or a 42 Alloy lead frame, or an organic substrate made of glass epoxy, BT (bismaleimide-triazine), polyimide, or the like can be used. However, the present invention is not limited to this, and includes a circuit board that can be used by mounting a semiconductor element and electrically connecting the semiconductor element.

接着シート１２が熱硬化型の場合には、加熱硬化により、半導体チップ１３を被着体１１に接着固定し、耐熱強度を向上させる。尚、接着シート１２を介して半導体チップ１３が基板等に接着固定されたものは、リフロー工程に供することができる。   When the adhesive sheet 12 is a thermosetting type, the semiconductor chip 13 is bonded and fixed to the adherend 11 by heat curing to improve the heat resistance strength. In addition, what the semiconductor chip 13 adhere | attached and fixed to the board | substrate etc. via the adhesive sheet 12 can use for a reflow process.

また前記のダイボンドは、接着シート１２を硬化させず、単に被着体１１に仮固着させてもよい。その後、加熱工程を経ることなくワイヤーボンディングを行い、更にチップ状ワークを封止樹脂で封止して、当該封止樹脂をアフターキュアすることもできる。   In addition, the above-described die bonding may be merely temporarily fixed to the adherend 11 without curing the adhesive sheet 12. Thereafter, wire bonding is performed without passing through a heating step, and the chip-shaped workpiece is sealed with a sealing resin, and the sealing resin can be after-cured.

この場合、接着シート１２としては、仮固着時の剪断接着力が、被着体１１に対して０．２ＭＰａ以上のものを使用し、より好ましくは０．２〜１０ＭＰａの範囲内のものを使用するのが好ましい。接着シート１２の剪断接着力が少なくとも０．２ＭＰａ以上であると、加熱工程を経ることなくワイヤーボンディング工程を行っても、当該工程に於ける超音波振動や加熱により、接着シート１２と半導体チップ１３又は被着体１１との接着面でずり変形を生じることがない。即ち、ワイヤーボンディングの際の超音波振動により半導体素子が動くことがなく、これによりワイヤーボンディングの成功率が低下するのを防止する。   In this case, as the adhesive sheet 12, a material having a shear adhesive force at the time of temporary fixing of 0.2 MPa or more with respect to the adherend 11 is used, and more preferably a material having a range of 0.2 to 10 MPa is used. It is preferable to do this. When the shear bonding force of the adhesive sheet 12 is at least 0.2 MPa or more, even if the wire bonding process is performed without passing through the heating process, the adhesive sheet 12 and the semiconductor chip 13 are caused by ultrasonic vibration or heating in the process. Alternatively, shear deformation does not occur on the adhesion surface with the adherend 11. That is, the semiconductor element does not move due to ultrasonic vibration during wire bonding, thereby preventing the success rate of wire bonding from decreasing.

前記のワイヤーボンディングは、被着体１１の端子部（インナーリード）の先端と半導体チップ１３上の電極パッド（図示しない）とをボンディングワイヤー７で電気的に接続する工程である（図１（ｅ）参照）。前記ボンディングワイヤー７としては、例えば金線、アルミニウム線又は銅線等が用いられる。ワイヤーボンディングを行う際の温度は、８０〜２５０℃、好ましくは８０〜２２０℃の範囲内で行われる。また、その加熱時間は数秒〜数分間行われる。結線は、前記温度範囲内となる様に加熱された状態で、超音波による振動エネルギーと印加加圧による圧着工ネルギーの併用により行われる。   The wire bonding is a step of electrically connecting the tip of the terminal portion (inner lead) of the adherend 11 and an electrode pad (not shown) on the semiconductor chip 13 with a bonding wire 7 (FIG. 1 (e)). )reference). As the bonding wire 7, for example, a gold wire, an aluminum wire, a copper wire or the like is used. The temperature at the time of wire bonding is 80 to 250 ° C, preferably 80 to 220 ° C. The heating time is several seconds to several minutes. The connection is performed by a combination of vibration energy by ultrasonic waves and crimping energy by applying pressure while being heated so as to be within the temperature range.

本工程は、接着シート１２による固着を行うことなく実行することができる。また、本工程の過程で接着シート１２により半導体チップ１３と被着体１１とが固着することはない。ここで、接着シート１２の剪断接着力は、８０〜２５０℃の温度範囲内に於いても、０．２ＭＰａ以上であることが好ましい。当該温度範囲内で剪断接着力が０．２ＭＰａ未満であると、ワイヤーボンディングの際の超音波振動により半導体素子が動き、ワイヤーボンディングを行うことができず、歩留まりが低下する場合があるからである。   This step can be executed without fixing with the adhesive sheet 12. Further, the semiconductor chip 13 and the adherend 11 are not fixed by the adhesive sheet 12 in the process of this step. Here, the shear adhesive strength of the adhesive sheet 12 is preferably 0.2 MPa or more even in the temperature range of 80 to 250 ° C. This is because if the shear adhesive force is less than 0.2 MPa within the temperature range, the semiconductor element moves due to ultrasonic vibration during wire bonding, and wire bonding cannot be performed, resulting in a decrease in yield. .

前記封止工程は、封止樹脂１５により半導体チップ１３を封止する工程である（図１（ｆ）参照）。本工程は、被着体１１に搭載された半導体チップ１３やボンディングワイヤー７を保護する為に行われる。本工程は、封止用の樹脂を金型で成型することにより行う。封止樹脂１５としては、例えばエポキシ系の樹脂を使用する。樹脂封止の際の加熱温度は、通常１７５℃で６０〜９０秒間行われるが、本発明はこれに限定されず、例えば１６５〜１８５℃で、数分間キュアすることができる。これにより、封止樹脂を硬化させると共に、接着シート１２を介して半導体チップ１３と被着体１１とを固着させる。即ち、本発明に於いては、後述する後硬化工程が行われない場合に於いても、本工程に於いて接着シート１２による固着が可能であり、製造工程数の減少及び半導体装置の製造期間の短縮に寄与することができる。   The sealing step is a step of sealing the semiconductor chip 13 with the sealing resin 15 (see FIG. 1F). This step is performed to protect the semiconductor chip 13 and the bonding wire 7 mounted on the adherend 11. This step is performed by molding a sealing resin with a mold. For example, an epoxy resin is used as the sealing resin 15. Although the heating temperature at the time of resin sealing is normally performed at 175 degreeC for 60 to 90 second, this invention is not limited to this, For example, it can cure at 165 to 185 degreeC for several minutes. As a result, the sealing resin is cured, and the semiconductor chip 13 and the adherend 11 are fixed through the adhesive sheet 12. That is, in the present invention, even when the post-curing process described later is not performed, the adhesive sheet 12 can be fixed in this process, and the number of manufacturing processes can be reduced and the semiconductor device manufacturing period can be reduced. It can contribute to shortening.

前記後硬化工程に於いては、前記封止工程で硬化不足の封止樹脂１５を完全に硬化させる。封止工程に於いて接着シート１２により固着がされない場合でも、本工程に於いて封止樹脂１５の硬化と共に接着シート１２による固着が可能となる。本工程に於ける加熱温度は、封止樹脂の種類により異なるが、例えば１６５〜１８５℃の範囲内であり、加熱時間は０．５〜８時間程度である。   In the post-curing step, the sealing resin 15 that is insufficiently cured in the sealing step is completely cured. Even when the adhesive sheet 12 is not fixed in the sealing process, the adhesive sheet 12 can be fixed together with the hardening of the sealing resin 15 in this process. Although the heating temperature in this process changes with kinds of sealing resin, it exists in the range of 165-185 degreeC, for example, and heating time is about 0.5 to 8 hours.

（実施の形態２）
本発明に形態２に係る半導体装置の製造方法について、図２を参照しながら説明する。図２は、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する為の工程図である。 (Embodiment 2)
A method for manufacturing a semiconductor device according to Embodiment 2 of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a process diagram for explaining the semiconductor device manufacturing method according to the present embodiment.

本実施の形態に係る半導体装置は、前記実施の形態１に係る半導体装置と比較して、複数の半導体素子を積層して３次元実装とした点が異なる。より詳細には、半導体素子の上に、他の半導体素子を、前記接着シートを介して積層する工程を含む点が異なる。   The semiconductor device according to the present embodiment is different from the semiconductor device according to the first embodiment in that a plurality of semiconductor elements are stacked to achieve three-dimensional mounting. More specifically, it differs in that it includes a step of laminating another semiconductor element on the semiconductor element via the adhesive sheet.

先ず、図２（ａ）に示すように、所定のサイズに切り出した少なくとも１つ以上の接着シート１２を被着体１１に固着又は仮固着する。次に、接着シート１２上に半導体チップ１３を、ワイヤーボンド面が上側となる様にして固着又は仮固着する（図２（ｂ）参照）。さらに、半導体チップ１３上に、その電極パッド部分を避けて接着シート１４を固着又は仮固着する（図２（ｃ）参照）。さらに、接着シート１４上に、ワイヤーボンド面が上側となる様にして半導体チップ１３を形成する（図２（ｄ）参照）。   First, as shown in FIG. 2A, at least one adhesive sheet 12 cut out to a predetermined size is fixed or temporarily fixed to the adherend 11. Next, the semiconductor chip 13 is fixed or temporarily fixed on the adhesive sheet 12 so that the wire bond surface is on the upper side (see FIG. 2B). Further, the adhesive sheet 14 is fixed or temporarily fixed on the semiconductor chip 13 while avoiding the electrode pad portion (see FIG. 2C). Further, the semiconductor chip 13 is formed on the adhesive sheet 14 such that the wire bond surface is on the upper side (see FIG. 2D).

次に、図２（ｅ）に示すように、ワイヤーボンディング工程を行う。本工程は、仮固着の場合には、加熱工程を行うことなく実施する。これにより、半導体チップ１３に於ける電極パッドと被着体１１とをボンディングワイヤー１６で電気的に接続する。   Next, as shown in FIG. 2E, a wire bonding step is performed. This step is performed without performing the heating step in the case of temporary fixing. Thereby, the electrode pad in the semiconductor chip 13 and the adherend 11 are electrically connected by the bonding wire 16.

次に、封止樹脂により半導体チップ１３を封止する封止工程を行い、封止樹脂を硬化させる。仮固着の場合には、本工程に於いて、接着シート１２・１４により被着体１１と半導体チップ１３との間、及び半導体チップ１３同士の間が固着される。また、封止工程の後、後硬化工程を行ってもよい。   Next, a sealing process for sealing the semiconductor chip 13 with a sealing resin is performed to cure the sealing resin. In the case of temporary fixation, in this step, the adherend 11 and the semiconductor chip 13 and the semiconductor chips 13 are fixed by the adhesive sheets 12 and 14. Further, a post-curing process may be performed after the sealing process.

本実施の形態によれば、半導体素子の３次元実装の場合に於いても、接着シート１２・１４がダイシング時の冷却水や洗浄水により溶解したり、ダイシングブレードとの摩擦により熱溶融するのを防止するので、樹脂封止の際に半導体チップ１３に割れやヒビが生じるのを防止し、高信頼性の半導体装置を歩留まり良く製造することが可能になる。   According to the present embodiment, even in the case of three-dimensional mounting of semiconductor elements, the adhesive sheets 12 and 14 are melted by cooling water or washing water during dicing, or are thermally melted by friction with a dicing blade. Therefore, the semiconductor chip 13 can be prevented from being cracked or cracked during resin sealing, and a highly reliable semiconductor device can be manufactured with a high yield.

（実施の形態３）
本実施の形態３に係る半導体装置の製造方法について、図３を参照しながら説明する。図３は、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する為の工程図である。 (Embodiment 3)
A method of manufacturing the semiconductor device according to the third embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a process diagram for explaining the method of manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment.

本実施の形態に係る半導体装置は、前記実施の形態２に係る半導体装置と比較して、積層した半導体チップ間にスペーサを介在させた点が異なる。より詳細には、半導体チップと半導体チップとの間に、接着シートを介してスペーサを積層する工程を含む点が異なる。   The semiconductor device according to the present embodiment is different from the semiconductor device according to the second embodiment in that a spacer is interposed between stacked semiconductor chips. More specifically, it differs in that it includes a step of laminating a spacer via an adhesive sheet between the semiconductor chip and the semiconductor chip.

先ず、図３（ａ）〜３（ｃ）に示すように、前記実施の形態２と同様にして、被着体１１上に接着シート１２、半導体チップ１３及び接着シート１４を順次積層して固着又は仮固着する。さらに、接着シート１４上に、スペーサ２１、接着シート１４及び半導体チップ１３を順次積層して固着又は仮固着する（図３（ｄ）〜３（ｆ）参照）。   First, as shown in FIGS. 3A to 3C, the adhesive sheet 12, the semiconductor chip 13, and the adhesive sheet 14 are sequentially laminated and fixed on the adherend 11 in the same manner as in the second embodiment. Or, it is temporarily fixed. Further, the spacer 21, the adhesive sheet 14, and the semiconductor chip 13 are sequentially stacked and fixed or temporarily fixed on the adhesive sheet 14 (see FIGS. 3D to 3F).

次に、図３（ｇ）に示すように、ワイヤーボンディング工程を行う。本工程は、仮固着の場合には、加熱工程を行うことなく実施する。これにより、半導体チップ１３に於ける電極パッドと被着体１１とをボンディングワイヤー１６で電気的に接続する。   Next, as shown in FIG. 3G, a wire bonding step is performed. This step is performed without performing the heating step in the case of temporary fixing. Thereby, the electrode pad in the semiconductor chip 13 and the adherend 11 are electrically connected by the bonding wire 16.

次に、封止樹脂により半導体素子を封止する封止工程を行い、封止樹脂を硬化させる。仮固着の場合には、本工程に於いて、接着シート１２・１４により被着体１１と半導体チップ１３との間、及び半導体チップ１３とスペーサ２１との間が固着される。また、封止工程の後、後硬化工程を行ってもよい。以上の製造工程を行うことにより、本実施の形態に係る半導体装置を得ることができる。   Next, a sealing process for sealing the semiconductor element with a sealing resin is performed to cure the sealing resin. In the case of temporary fixing, the adherend 11 and the semiconductor chip 13 and the semiconductor chip 13 and the spacer 21 are fixed by the adhesive sheets 12 and 14 in this step. Further, a post-curing process may be performed after the sealing process. By performing the manufacturing steps described above, the semiconductor device according to this embodiment can be obtained.

なお、前記スペーサとしては、特に限定されるものではなく、例えば従来公知のシリコンチップ、ポリイミドフィルム等を用いることができる。   The spacer is not particularly limited, and for example, a conventionally known silicon chip or polyimide film can be used.

（実施の形態４）
本実施の形態４に係る半導体装置の製造方法について、図４を参照しながら説明する。図４は、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する為の工程図である。 (Embodiment 4)
A method of manufacturing the semiconductor device according to the fourth embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a process diagram for explaining the semiconductor device manufacturing method according to the present embodiment.

先ず、図４（ａ）に示すように、接着シート１２’を半導体ウェハ１３’の裏面に貼り付けて接着シート付きの半導体ウェハを作製する。次に、半導体ウェハ１３’をダイシングシート３３に固着又は仮固着する（図４（ｂ）参照）。さらに、接着シート付きの半導体ウェハを所定の大きさとなる様にダイシングしてチップ状にし（図４（ｃ）参照）、ダイシングシート３３から接着剤が付いたチップを剥離する。   First, as shown in FIG. 4A, an adhesive sheet 12 'is attached to the back surface of the semiconductor wafer 13' to produce a semiconductor wafer with an adhesive sheet. Next, the semiconductor wafer 13 ′ is fixed or temporarily fixed to the dicing sheet 33 (see FIG. 4B). Further, the semiconductor wafer with the adhesive sheet is diced to a predetermined size to form a chip (see FIG. 4C), and the chip with the adhesive is peeled from the dicing sheet 33.

次に、図４（ｄ）に示すように、接着シート１２が付いた半導体チップ１３を、ワイヤーボンド面が上側となる様にして被着体１１上に固着又は仮固着する。さらに、接着シート３１が付いた大きさの異なる半導体チップ３２を、ワイヤーボンド面が上側となる様にして半導体チップ１３上に固着又は仮固着する。   Next, as shown in FIG. 4D, the semiconductor chip 13 with the adhesive sheet 12 is fixed or temporarily fixed on the adherend 11 so that the wire bond surface is on the upper side. Furthermore, the semiconductor chips 32 of different sizes with the adhesive sheet 31 are fixed or temporarily fixed on the semiconductor chip 13 so that the wire bond surface is on the upper side.

次に、図４（ｅ）に示すように、ワイヤーボンディング工程を行う。本工程は、仮固着の場合には、加熱工程を行うことなく実施する。これにより、半導体チップ１３・３２に於ける電極パッドと被着体１１とをボンディングワイヤー１６で電気的に接続する。   Next, as shown in FIG. 4E, a wire bonding step is performed. This step is performed without performing the heating step in the case of temporary fixing. As a result, the electrode pads in the semiconductor chips 13 and 32 and the adherend 11 are electrically connected by the bonding wires 16.

次に、封止樹脂により半導体素子を封止する封止工程を行い、封止樹脂を硬化させる。仮固着の場合には、本工程に於いて、接着シート１２・３１により被着体１１と半導体チップ１３との間、及び半導体チップ１３と半導体チップ３２との間が固着される。また、封止工程の後、後硬化工程を行ってもよい。以上の製造工程を行うことにより、本実施の形態に係る半導体装置を得ることができる。   Next, a sealing process for sealing the semiconductor element with a sealing resin is performed to cure the sealing resin. In the case of temporary fixing, the adherend 11 and the semiconductor chip 13 and the semiconductor chip 13 and the semiconductor chip 32 are fixed by the adhesive sheets 12 and 31 in this step. Further, a post-curing process may be performed after the sealing process. By performing the manufacturing steps described above, the semiconductor device according to this embodiment can be obtained.

（実施の形態５）
本実施の形態５に係る半導体装置の製造方法について、図５を参照しながら説明する。図５は、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する為の工程図である。 (Embodiment 5)
A method of manufacturing the semiconductor device according to the fifth embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 5 is a process diagram for explaining the semiconductor device manufacturing method according to the present embodiment.

本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、前記実施の形態４に係る半導体装置の製造方法と比較して、ダイシングシート３３上に接着シート１２’を積層した後、更に接着シート１２’上に半導体ウェハ１３’を積層した点が異なる。   Compared with the method of manufacturing a semiconductor device according to the fourth embodiment, the method of manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment has a structure in which an adhesive sheet 12 ′ is stacked on the dicing sheet 33 and then further on the adhesive sheet 12 ′. The difference is that the semiconductor wafer 13 ′ is laminated.

先ず、図５（ａ）に示すように、ダイシングシート３３上に接着シート１２’を積層する。さらに、接着シート１２’上に半導体ウェハ１３’を積層する（図５（ｂ）参照）。さらに、接着シート付きの半導体ウェハを所定の大きさとなる様にダイシングしてチップ状にし（図５（ｃ）参照）、ダイシングシート３３から接着剤が付いた半導体チップ１３を剥離する。   First, as shown in FIG. 5A, the adhesive sheet 12 ′ is laminated on the dicing sheet 33. Further, a semiconductor wafer 13 'is stacked on the adhesive sheet 12' (see FIG. 5B). Further, the semiconductor wafer with the adhesive sheet is diced to a predetermined size to form a chip (see FIG. 5C), and the semiconductor chip 13 with the adhesive is peeled from the dicing sheet 33.

次に、図５（ｄ）に示すように、接着シート１２が付いた半導体チップ１３を、ワイヤーボンド面が上側となる様にして被着体１１上に固着又は仮固着する。さらに、接着シート３１が付いた大きさの異なる半導体チップ３２を、ワイヤーボンド面が上側となる様にして半導体チップ１３上に固着又は仮固着する。この際、半導体チップ３２の固着は、下段の半導体チップ１３の電極パッド部分を避けて行われる。   Next, as shown in FIG. 5D, the semiconductor chip 13 with the adhesive sheet 12 is fixed or temporarily fixed on the adherend 11 so that the wire bond surface is on the upper side. Furthermore, the semiconductor chips 32 of different sizes with the adhesive sheet 31 are fixed or temporarily fixed on the semiconductor chip 13 so that the wire bond surface is on the upper side. At this time, the semiconductor chip 32 is fixed while avoiding the electrode pad portion of the lower semiconductor chip 13.

次に、図５（ｅ）に示すように、ワイヤーボンディング工程を行う。本工程は、仮固着の場合には、加熱工程を行うことなく実施する。これにより、半導体チップ１３・３２に於ける電極パッドと被着体１１に於ける内部接続用ランドとをボンディングワイヤー１６で電気的に接続する。   Next, as shown in FIG.5 (e), a wire bonding process is performed. This step is performed without performing the heating step in the case of temporary fixing. As a result, the electrode pads in the semiconductor chips 13 and 32 and the internal connection lands in the adherend 11 are electrically connected by the bonding wires 16.

次に、封止樹脂により半導体素子を封止する封止工程を行い、封止樹脂を硬化させる。仮固着の場合には、本工程に於いて、接着シート１２・３１により被着体１１と半導体チップ１３との間、及び半導体チップ１３と半導体チップ３２との間が固着される。また、封止工程の後、後硬化工程を行ってもよい。以上の製造工程を行うことにより、本実施の形態に係る半導体装置を得ることができる。   Next, a sealing process for sealing the semiconductor element with a sealing resin is performed to cure the sealing resin. In the case of temporary fixing, the adherend 11 and the semiconductor chip 13 and the semiconductor chip 13 and the semiconductor chip 32 are fixed by the adhesive sheets 12 and 31 in this step. Further, a post-curing process may be performed after the sealing process. By performing the manufacturing steps described above, the semiconductor device according to this embodiment can be obtained.

（実施の形態６）
本実施の形態６に係る半導体装置の製造方法について、図６及び図７を参照しながら説明する。図６は、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する為の工程図である。図７は、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法により得られた半導体装置の概略を示す断面図である。 (Embodiment 6)
A method for manufacturing a semiconductor device according to the sixth embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 6 is a process diagram for explaining the semiconductor device manufacturing method according to the present embodiment. FIG. 7 is a cross-sectional view schematically showing a semiconductor device obtained by the semiconductor device manufacturing method according to the present embodiment.

本実施の形態に係る半導体装置は、前記実施の形態３に係る半導体装置と比較して、スペーサとしてコア材料を採用した点が異なる。   The semiconductor device according to the present embodiment is different from the semiconductor device according to the third embodiment in that a core material is employed as a spacer.

先ず、前記実施の形態５と同様にして、ダイシングシート３３上に接着シート１２’を積層する。さらに、接着シート１２’上に半導体ウェハ１３’を積層する。さらに、接着シート付きの半導体ウェハを所定の大きさとなる様にダイシングしてチップ状にし、ダイシングシート３３から接着剤が付いたチップを剥離する。これにより、接着シート１２を備えた半導体チップ１３を得る。   First, the adhesive sheet 12 ′ is laminated on the dicing sheet 33 as in the fifth embodiment. Further, a semiconductor wafer 13 'is laminated on the adhesive sheet 12'. Further, the semiconductor wafer with the adhesive sheet is diced to a predetermined size to form a chip, and the chip with the adhesive is peeled from the dicing sheet 33. Thereby, the semiconductor chip 13 provided with the adhesive sheet 12 is obtained.

他方、ダイシングシート３３の上に接着シート４１形成し、該接着シート４１上にコア材料４２を貼り付ける。さらに、所定のサイズとなる様にダイシングしてチップ状にし、ダイシングシート３３から接着剤が付いたチップを剥離する。これにより、接着シート４１’を備えたチップ状のコア材料４２’を得る。   On the other hand, the adhesive sheet 41 is formed on the dicing sheet 33, and the core material 42 is pasted on the adhesive sheet 41. Further, the chip is diced so as to have a predetermined size, and the chip with the adhesive is peeled from the dicing sheet 33. As a result, a chip-like core material 42 ′ provided with the adhesive sheet 41 ′ is obtained.

次に、前記半導体チップ１３を、ワイヤーボンド面が上側となる様に、被着体１１上に接着シート１２を介して固着又は仮固着する。さらに、半導体チップ１３上に接着シート４１’を介してコア材料４２’を固着又は仮固着する。さらに、コア材料４２’上に接着シート１２を介して半導体チップ１３を、ワイヤーボンド面が上側となる様に固着又は仮固着する。以上の製造工程を行うことにより、本実施の形態に係る半導体装置を得ることができる。   Next, the semiconductor chip 13 is fixed or temporarily fixed onto the adherend 11 via the adhesive sheet 12 so that the wire bond surface is on the upper side. Further, the core material 42 ′ is fixed or temporarily fixed onto the semiconductor chip 13 via the adhesive sheet 41 ′. Further, the semiconductor chip 13 is fixed or temporarily fixed on the core material 42 ′ via the adhesive sheet 12 so that the wire bond surface is on the upper side. By performing the manufacturing steps described above, the semiconductor device according to this embodiment can be obtained.

次に、ワイヤーボンディング工程を行う。本工程は、仮固着の場合には、加熱工程を行うことなく実施する。これにより、半導体チップ１３に於ける電極パッドと被着体１１に於ける内部接続用ランドとをボンディングワイヤー１６で電気的に接続する（図７参照）。   Next, a wire bonding process is performed. This step is performed without performing the heating step in the case of temporary fixing. Thereby, the electrode pads in the semiconductor chip 13 and the internal connection lands in the adherend 11 are electrically connected by the bonding wires 16 (see FIG. 7).

次に、封止樹脂により半導体素子を封止する封止工程を行い、封止樹脂を硬化させる。仮固着の場合には、本工程に於いて、接着シート１２・４１’により被着体１１と半導体チップ１３との間、及び半導体チップ１３とコア材料４２’との間が固着される。また、封止工程の後、後硬化工程を行ってもよい。以上の製造工程を行うことにより、本実施の形態に係る半導体装置を得ることができる。   Next, a sealing process for sealing the semiconductor element with a sealing resin is performed to cure the sealing resin. In the case of temporary fixing, in this step, the adherend 11 and the semiconductor chip 13 and the semiconductor chip 13 and the core material 42 ′ are fixed by the adhesive sheets 12 and 41 ′. Further, a post-curing process may be performed after the sealing process. By performing the manufacturing steps described above, the semiconductor device according to this embodiment can be obtained.

なお、前記コア材料としては特に限定されるものではなく、従来公知のものを用いることができる。具体的には、フィルム（例えばポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリカーボネートフィルム等）、ガラス繊維やプラスチック製不織繊維で強化された樹脂基板、ミラーシリコンウェハ、シリコン基板又はガラス基板等を使用できる。   In addition, it does not specifically limit as said core material, A conventionally well-known thing can be used. Specifically, a film (for example, a polyimide film, a polyester film, a polyethylene terephthalate film, a polyethylene naphthalate film, a polycarbonate film, etc.), a resin substrate reinforced with glass fibers or plastic non-woven fibers, a mirror silicon wafer, a silicon substrate or A glass substrate or the like can be used.

（実施の形態７）
本実施の形態７に係る半導体装置の製造方法について、図８を参照しながら説明する。図８は、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する為の工程図である。 (Embodiment 7)
A method for manufacturing a semiconductor device according to the seventh embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 8 is a process diagram for explaining the method of manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment.

本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、前記実施の形態６に係る半導体装置の製造方法と比較して、コア材料のダイシングに替えて、打ち抜き等によりチップ化した点が異なる。   The manufacturing method of the semiconductor device according to the present embodiment is different from the manufacturing method of the semiconductor device according to the sixth embodiment in that a chip is formed by punching or the like instead of dicing the core material.

先ず、前記実施の形態６と同様にして、接着シート１２を備えた半導体チップ１３を得る。他方、接着シート４１上にコア材料４２を貼り付ける。さらに、所定のサイズとなる様に打ち抜き等によりチップ状にし、接着シート４１’を備えたチップ状のコア材料４２’を得る。   First, the semiconductor chip 13 provided with the adhesive sheet 12 is obtained in the same manner as in the sixth embodiment. On the other hand, the core material 42 is stuck on the adhesive sheet 41. Further, it is formed into a chip shape by punching or the like so as to obtain a predetermined size, and a chip-shaped core material 42 ′ having an adhesive sheet 41 ′ is obtained.

次に、前記実施の形態６と同様にして、接着シート１２・４１’を介してコア材料４２’及び半導体チップ１３を順次積層して固着又は仮固着する。   Next, in the same manner as in the sixth embodiment, the core material 42 ′ and the semiconductor chip 13 are sequentially stacked and fixed or temporarily fixed via the adhesive sheets 12 and 41 ′.

さらに、ワイヤーボンディング工程、封止工程、必要に応じて後硬化工程を行い、本実施の形態に係る半導体装置を得ることができる。   Furthermore, a wire bonding step, a sealing step, and a post-curing step as necessary can be performed to obtain the semiconductor device according to the present embodiment.

（その他の事項）
前記被着体上に半導体チップ（半導体素子）を３次元実装する場合、半導体チップの回路が形成される面側には、バッファーコート膜が形成されている。当該バッファーコート膜としては、例えば窒化珪素膜やポリイミド樹脂等の耐熱樹脂からなるものが挙げられる。 (Other matters)
When a semiconductor chip (semiconductor element) is three-dimensionally mounted on the adherend, a buffer coat film is formed on the side of the semiconductor chip where the circuit is formed. Examples of the buffer coat film include those made of a heat resistant resin such as a silicon nitride film or a polyimide resin.

また、半導体チップの３次元実装の際に、各段で使用される接着シートは同一組成からなるものに限定されるものではなく、製造条件や用途等に応じて適宜変更可能である。   In addition, the adhesive sheet used at each stage when the semiconductor chip is three-dimensionally mounted is not limited to the one having the same composition, and can be appropriately changed according to the manufacturing conditions, applications, and the like.

また、前記実施の形態に於いて述べた積層方法は例示的に述べたものであって、必要に応じて適宜変更が可能である。例えば、前記実施の形態２に係る半導体装置の製造方法に於いては、２段目以降の半導体チップを前記実施の形態３に於いて述べた積層方法で積層することも可能である。   In addition, the lamination method described in the above embodiment has been described by way of example, and can be appropriately changed as necessary. For example, in the method of manufacturing a semiconductor device according to the second embodiment, the second and subsequent semiconductor chips can be stacked by the stacking method described in the third embodiment.

また、前記実施の形態に於いては、被着体に複数の半導体チップを積層させた後に、一括してワイヤーボンディング工程を行う態様について述べたが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、半導体チップを被着体の上に積層する度にワイヤーボンディン
グ工程を行うことも可能である。 Further, in the above-described embodiment, the mode in which the wire bonding process is performed collectively after laminating a plurality of semiconductor chips on the adherend has been described, but the present invention is not limited to this. . For example, it is possible to perform a wire bonding process every time a semiconductor chip is stacked on an adherend.

以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。但し、この実施例に記載されている材料や配合量等は、特に限定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではなく、単なる説明例に過ぎない。尚、以下に於いて、部とあるのは重量部を意味する。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail by way of example. However, the materials, blending amounts, and the like described in the examples are not intended to limit the scope of the present invention only to them, but are merely illustrative examples, unless otherwise specified. In the following, “parts” means parts by weight.

（実施例１）
アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー（根上工業（株）製、商品名；パラクロンＷ−１９７ＣＭ、数平均分子量８０万）１００部に対して、多官能イソシアネート系架橋剤３部、エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン（株）製、商品名；エピコート１００４）２３部、フェノール樹脂（三井化学（株）製、商品名；ミレックスＸＬＣ−ＬＬ）６部をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２０重量％の接着剤組成物の溶液を調製した。 Example 1
A polyfunctional isocyanate-based crosslinking agent for 100 parts of an acrylate ester-based polymer (manufactured by Negami Kogyo Co., Ltd., trade name: Paracron W-197CM, number average molecular weight 800,000) having ethyl acrylate-methyl methacrylate as a main component 3 parts, 23 parts of epoxy resin (trade name; Epicoat 1004, manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.), 6 parts of phenol resin (trade name; Millex XLC-LL, manufactured by Mitsui Chemicals, Inc.) are dissolved in methyl ethyl ketone, and the concentration A solution of 20% by weight adhesive composition was prepared.

この接着剤組成物の溶液を、剥離ライナとしてシリコーン離型処理したポリエチレンラレフタレートフィルム（厚さ５０μｍ）からなる離型処理フィルム上に塗布した。更に、１２０℃で３分間乾燥させたことにより、厚さ２５μｍの本実施例１に係る接着シートを作製した。   This adhesive composition solution was applied onto a release-treated film comprising a polyethylene release film (thickness 50 μm) subjected to silicone release treatment as a release liner. Furthermore, the adhesive sheet which concerns on this Example 1 with a thickness of 25 micrometers was produced by making it dry at 120 degreeC for 3 minute (s).

（実施例２）
本実施例２に於いては、実施例１にて使用したアクリル酸エステル系ポリマーに替えて、ブチルアクリレートを主成分としたポリマー（根上工業（株）製、商品名；パラクロンＳＮ−７１０、数平均分子量１１０万）を用いたこと以外は、前記実施例１と同様にして、本実施例２に係る接着シート（厚さ２５μｍ）を作製した。 (Example 2)
In Example 2, instead of the acrylic ester polymer used in Example 1, a polymer mainly composed of butyl acrylate (manufactured by Negami Kogyo Co., Ltd., trade name: Paraclone SN-710, number An adhesive sheet (thickness 25 μm) according to Example 2 was produced in the same manner as in Example 1 except that the average molecular weight was 1.1 million).

（比較例１）
アクリル酸エチルーメチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー（根上工業（株）製、商品名；パラクロンＷ−１９７ＣＭ）１００部に対して、エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン（株）製、商品名；エピコート１００４）２３部、フェノール樹脂（三井化学（株）製、商品名；ミレックスＸＩＣ−１１）６部をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２０重量％の接着剤組成物の溶液を調整した。 (Comparative Example 1)
For 100 parts of an acrylic ester polymer (trade name; Paraclone W-197CM, manufactured by Negami Kogyo Co., Ltd.) mainly composed of ethyl acrylate-methyl methacrylate, an epoxy resin (manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd., product) Name: Epicoat 1004) 23 parts, phenol resin (Mitsui Chemicals, trade name: Millex XIC-11) 6 parts were dissolved in methyl ethyl ketone to prepare a solution of an adhesive composition having a concentration of 20% by weight.

この接着剤組成物の溶液を、剥離ライナとしてシリコーン離型処理したポリエ、チレンラレフタレートフィルム（厚さ５０μｍ）からなる離型処理フィルム上に塗布した。更に、１２０℃で３分間乾燥させたことにより、比較例１に係る接着シート（厚さ２５μｍ）を作製した。   This adhesive composition solution was applied onto a release treatment film composed of a polyethylene release film having a silicone release treatment (thickness 50 μm) as a release liner. Furthermore, the adhesive sheet (thickness 25 micrometers) which concerns on the comparative example 1 was produced by making it dry at 120 degreeC for 3 minute (s).

（比較例２）
本比較例２に於いては、前記比較例１にて使用したアクリル酸エステル系ポリマーに替えて、ブチルアクリレートを主成分としたポリマー（根上工業（株）製、商品名；パラクロンＳＮ−７１０）を用いた以外は、比較例１と同様にして、比較例２に係る接着シート（厚さ２５μｍ）作製した。 (Comparative Example 2)
In this comparative example 2, in place of the acrylic ester polymer used in the comparative example 1, a polymer mainly composed of butyl acrylate (manufactured by Negami Kogyo Co., Ltd., trade name: Paraclone SN-710) An adhesive sheet (thickness: 25 μm) according to Comparative Example 2 was produced in the same manner as Comparative Example 1 except that was used.

（１００℃の温水に対する溶解度）
前記実施例及び比較例に於いて作製した接着シートについて、温水（１００℃）に対する溶解度を次の通りに測定した。即ち、各々の接着シートを１００ｍｍ×１２５ｍｍの試験片にした。 (Solubility in 100 ° C hot water)
About the adhesive sheet produced in the said Example and comparative example, the solubility with respect to warm water (100 degreeC) was measured as follows. That is, each adhesive sheet was made into a 100 mm × 125 mm test piece.

次に、５０ｍｌのイオン交換水を満たしたオートクレープ容器（テフロン性）にそれらの試験片を加え、オートクレーブ容器の蓋を閉じて密閉し、更にこのオートクレーブ容器を１００℃の乾燥機内に２０時間入れた。その後、乾燥機からオートクレープ容器を取り出し、自然冷却によりその温度を室温まで低下させた。続いて、各試験片を取り出し、初期重量を測定した。   Next, these test pieces are added to an autoclave container (Teflon) filled with 50 ml of ion-exchanged water, the autoclave container is closed and sealed, and the autoclave container is placed in a dryer at 100 ° C. for 20 hours. It was. Then, the autoclave container was taken out from the dryer, and the temperature was lowered to room temperature by natural cooling. Subsequently, each test piece was taken out and the initial weight was measured.

次に、取り出した各試験片を、更に１００℃、２０時間の乾燥条件で、乾燥機により乾燥させた。これにより、各試験片に含まれている水分を取り除き、それぞれの乾燥重量を測定した。   Next, each taken-out test piece was further dried with the drier on the drying conditions of 100 degreeC and 20 hours. Thereby, the water | moisture content contained in each test piece was removed, and each dry weight was measured.

続いて、下記式を用いて、各試験片の溶解度を算出した。
Ａ＝（Ｃ−Ｂ）÷Ｃ×１００
Ａ：溶解度（ｗｔ％）
Ｂ：試験片の乾燥重量（ｇ）
Ｃ：試験片の初期重量（ｇ） Subsequently, the solubility of each test piece was calculated using the following formula.
A = (C−B) ÷ C × 100
A: Solubility (wt%)
B: Dry weight of test piece (g)
C: Initial weight of the test piece (g)

（ゲル分率）
前記実施例及び比較例に於いて作製した接着シートについて、ゲル分率を次の通りに測定した。即ち、各々の接着シートを１００ｍｍ×１２５ｍｍの試験片にした。次に、これらの試験片を２３℃、６５％ＲＨ雰囲気下に２時間放置し、各初期重量を測定した。 (Gel fraction)
About the adhesive sheet produced in the said Example and comparative example, the gel fraction was measured as follows. That is, each adhesive sheet was made into a 100 mm × 125 mm test piece. Next, these test pieces were left in an atmosphere of 23 ° C. and 65% RH for 2 hours, and the respective initial weights were measured.

次いで、それぞれの試験片を２４時間メチルエチルケトンに浸潰した後、ゲルを取り出し、更に乾燥機にて１３０℃×２時間乾燥させて乾燥重量を測定した。   Next, each test piece was immersed in methyl ethyl ketone for 24 hours, and then the gel was taken out and further dried at 130 ° C. for 2 hours in a dryer, and the dry weight was measured.

続いて、下記式を用いて、各試験片のゲル分率を算出した。   Subsequently, the gel fraction of each test piece was calculated using the following formula.

Figure 2012069953
Figure 2012069953

（ダイシング・ダイボンドフィルムの作製）
前記実施例及び比較例で得られた接着シートを用いて、次の方法でダイシング・ダイボンドフィルムを作製した。 (Production of dicing die bond film)
A dicing die-bonding film was produced by the following method using the adhesive sheets obtained in the examples and comparative examples.

［放射線硬化型アクリル系粘着剤の調製］
アクリル酸ブチル７０部、アクリル酸エチル３０部及びアクリル酸５部を酢酸エチル中で常法により共重合して重量平均分子量８０万、濃度３０重量％のアクリル系ポリマーの溶液を得た。当該アクリル系ポリマーの溶液に、光重合性化合物としてジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート２０部及び光重合開始剤としてα−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン１部を配合した。これらをトルエンに均一に溶解して、濃度２５重量％の放射線硬化型アクリル系粘着剤の溶液を作製した。 [Preparation of radiation curable acrylic adhesive]
70 parts of butyl acrylate, 30 parts of ethyl acrylate and 5 parts of acrylic acid were copolymerized in ethyl acetate by a conventional method to obtain a solution of an acrylic polymer having a weight average molecular weight of 800,000 and a concentration of 30% by weight. To the acrylic polymer solution, 20 parts of dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate as a photopolymerizable compound and 1 part of α-hydroxycyclohexyl phenyl ketone as a photopolymerization initiator were blended. These were uniformly dissolved in toluene to prepare a radiation curable acrylic pressure-sensitive adhesive solution having a concentration of 25% by weight.

［ダイシング・ダイボンドフィルムの作製］
厚さが６０μｍのポリエチレンフィルムからなる支持基材上に、前記放射線硬化型アクリル系粘着剤の溶液を塗布、乾燥して、厚さが２０μｍの粘着剤層を形成した。 [Production of dicing die bond film]
The radiation curable acrylic pressure-sensitive adhesive solution was applied onto a support substrate made of a polyethylene film having a thickness of 60 μm and dried to form a pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 20 μm.

次いで、粘着剤層のウェハ貼り付け対応部分にのみ紫外線を５００ｍＪ／ｃｍ２（紫外線照射積算光量）照射し、ウェハ貼り付け対応部分が放射線硬化された粘着剤層を有する粘着フィルムＡを得た。次いで、粘着フィルムＡの粘着層側に、前記の各接着シートを転写して、それぞれダイシング・ダイボンドフィルムを得た。   Subsequently, only the portion of the pressure-sensitive adhesive layer corresponding to the wafer attachment was irradiated with ultraviolet rays at 500 mJ / cm 2 (ultraviolet irradiation accumulated light amount) to obtain a pressure-sensitive adhesive film A having a pressure-sensitive adhesive layer in which the portion corresponding to the wafer attachment was radiation-cured. Subsequently, each said adhesive sheet was transcribe | transferred to the adhesion layer side of the adhesion film A, and the dicing die-bonding film was obtained, respectively.

（半導体チップに対する接着シートの縮小率）
前記に於いて作製した各ダイシング・ダイボンドフィルムのダイシングは、ディスコ社製ダイサーＤＦＤ６５１を用いて行った。このとき、ダイシングは１０ｍｍ×１０ｍｍの大きさの半導体チップが得られる様に、冷却水を用いて行った。得られた接着シート付き半導体チップに於いて、半導体チップの面積と接着シートの面積の大きさを比較した。尚、ダイシング条件は、下記の通りとした。 (Reduction ratio of adhesive sheet to semiconductor chip)
Dicing of each dicing die bond film produced in the above was performed using a dicer DFD651 manufactured by Disco Corporation. At this time, dicing was performed using cooling water so that a semiconductor chip having a size of 10 mm × 10 mm was obtained. In the obtained semiconductor chip with an adhesive sheet, the sizes of the area of the semiconductor chip and the area of the adhesive sheet were compared. The dicing conditions were as follows.

［ダイシング条件］
ダイシング装置：ディスコ社製ダイサーＤＦＤ６５１
ダイシング速度：５０ｍｍ／ｓｅｃ
ダイシングブレード：ディスコ社製２０５Ｏ−ＳＥ２７ＨＥＣＣ
ダイシングブレード回転数：４００００ｒｐｍ
接着シート切り込み深さ：８５μｍ
半導体チップのサイズ：１０ｍｍ×１０ｍｍ [Dicing condition]
Dicing machine: Dicer DFD651 manufactured by DISCO
Dicing speed: 50mm / sec
Dicing blade: 205O-SE27HECC manufactured by DISCO
Dicing blade rotation speed: 40000 rpm
Adhesive sheet cutting depth: 85 μm
Semiconductor chip size: 10 mm x 10 mm

測定した各面積の値から、下記式を用いて、チップに対する接着フィルムの縮小率を計算した。尚、全てのチップの面積は１００ｍｍ２であった。   From the measured value of each area, the reduction ratio of the adhesive film to the chip was calculated using the following formula. The area of all the chips was 100 mm2.

Figure 2012069953
Figure 2012069953

これらの結果を下記表１に示す。表１に示す様に、実施例１及び２に係る接着シートは、何れも水への溶解度が１０ｗｔ％以下、ゲル分率が５０ｗｔ％以上であり、縮小率は１００％であった。即ち、実施例１及び２に係る接着シートは、ダイシングを行っても縮小しないことが分かった。その一方、比較例１及び２に係る接着シートの場合、縮小率は各々９０％、９１％であった。   These results are shown in Table 1 below. As shown in Table 1, the adhesive sheets according to Examples 1 and 2 each had a water solubility of 10 wt% or less, a gel fraction of 50 wt% or more, and a reduction ratio of 100%. That is, it was found that the adhesive sheets according to Examples 1 and 2 did not shrink even when dicing was performed. On the other hand, in the case of the adhesive sheets according to Comparative Examples 1 and 2, the reduction ratios were 90% and 91%, respectively.

Figure 2012069953
Figure 2012069953

１１ 被着体
１２ 接着シート（半導体装置製造用接着シート）
１３ 半導体チップ（半導体素子）
１４ 接着シート
１６ ボンディングワイヤー
２１ スペーサ
３１ 接着シート（半導体装置製造用接着シート）
３２ 半導体チップ（半導体素子）
３３ ダイシングシート
４１ 接着シート（半導体装置製造用接着シート）
４２ コア材料 11 adherend 12 adhesive sheet (adhesive sheet for semiconductor device manufacture)
13 Semiconductor chip (semiconductor element)
14 Adhesive Sheet 16 Bonding Wire 21 Spacer 31 Adhesive Sheet (Adhesive Sheet for Semiconductor Device Manufacturing)
32 Semiconductor chip (semiconductor element)
33 Dicing Sheet 41 Adhesive Sheet (Adhesive Sheet for Semiconductor Device Manufacturing)
42 Core material

Claims (6)

半導体素子を被着体上に接着させる半導体装置製造用接着シートをダイシングシートと貼り合わせた一体型のダイシング・ダイボンドフィルムであって、
前記半導体装置製造用接着シートが少なくとも熱可塑性樹脂及び架橋剤を含み構成され、かつ、１００℃の温水に対する溶解度が１０重量％以下であり、ゲル分率が５０重量％以上であり、前記熱可塑性樹脂の含有量は、前記半導体装置製造用接着シートを構成する有機樹脂成分１００重量部に対し、３０〜９０重量部であり、
前記ダイシングシートは、支持基材上に粘着剤層が設けられた構成を有しており、
前記粘着剤層は、放射線硬化型粘着剤により形成されており、且つ、放射線硬化されていることを特徴とするダイシング・ダイボンドフィルム。 An integrated dicing die-bonding film in which an adhesive sheet for manufacturing a semiconductor device for adhering a semiconductor element on an adherend is bonded to a dicing sheet,
The adhesive sheet for manufacturing a semiconductor device comprises at least a thermoplastic resin and a crosslinking agent, and has a solubility in hot water at 100 ° C. of 10% by weight or less, a gel fraction of 50% by weight or more, and the thermoplastic The content of the resin is 30 to 90 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the organic resin component constituting the adhesive sheet for manufacturing a semiconductor device,
The dicing sheet has a configuration in which an adhesive layer is provided on a support substrate,
The dicing die-bonding film, wherein the pressure-sensitive adhesive layer is formed of a radiation-curable pressure-sensitive adhesive and is radiation-cured. 前記請求項１に記載のダイシング・ダイボンドフィルムであって、
前記半導体装置製造用接着シートに含まれる前記熱可塑性樹脂が、数平均分子量４０万〜３００万のアクリル樹脂であることを特徴とするダイシング・ダイボンドフィルム。 The dicing die-bonding film according to claim 1,
The dicing die-bonding film, wherein the thermoplastic resin contained in the adhesive sheet for manufacturing a semiconductor device is an acrylic resin having a number average molecular weight of 400,000 to 3 million. 請求項１又は２に記載のダイシング・ダイボンドフィルムであって、
前記半導体装置製造用接着シートに含まれる前記架橋剤の含有量は、前記半導体装置製造用接着シートを構成する有機樹脂成分１００重量部に対し、０．０５〜７重量部であることを特徴とするダイシング・ダイボンドフィルム。 The dicing die-bonding film according to claim 1 or 2,
The content of the crosslinking agent contained in the adhesive sheet for manufacturing a semiconductor device is 0.05 to 7 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the organic resin component constituting the adhesive sheet for manufacturing a semiconductor device. Dicing die bond film. 請求項１〜３の何れか１項に記載のダイシング・ダイボンドフィルムであって、
前記半導体装置製造用接着シートが更に熱硬化性樹脂を含み構成されることを特徴とするダイシング・ダイボンドフィルム。 The dicing die-bonding film according to any one of claims 1 to 3,
The dicing die-bonding film, wherein the adhesive sheet for manufacturing a semiconductor device further comprises a thermosetting resin. 請求項４に記載のダイシング・ダイボンドフィルムであって、
前記半導体装置製造用接着シートに含まれる前記熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂及びフェノール樹脂の少なくとも何れか一方であることを特徴とするダイシング・ダイボンドフィルム。 The dicing die-bonding film according to claim 4,
The dicing die-bonding film, wherein the thermosetting resin contained in the adhesive sheet for manufacturing a semiconductor device is at least one of an epoxy resin and a phenol resin. 請求項１〜５の何れか１項に記載のダイシング・ダイボンドフィルムを用いたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

A method for manufacturing a semiconductor device, wherein the dicing die-bonding film according to claim 1 is used.

JP2011214990A 2011-09-29 2011-09-29 Semiconductor device manufacturing adhesive sheet, and method of manufacturing semiconductor device using same Withdrawn JP2012069953A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011214990A JP2012069953A (en) 2011-09-29 2011-09-29 Semiconductor device manufacturing adhesive sheet, and method of manufacturing semiconductor device using same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011214990A JP2012069953A (en) 2011-09-29 2011-09-29 Semiconductor device manufacturing adhesive sheet, and method of manufacturing semiconductor device using same

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006039659A Division JP4954568B2 (en) 2006-02-16 2006-02-16 Dicing die-bonding film and method for manufacturing semiconductor device using the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2012069953A true JP2012069953A (en) 2012-04-05

Family

ID=46166767

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011214990A Withdrawn JP2012069953A (en) 2011-09-29 2011-09-29 Semiconductor device manufacturing adhesive sheet, and method of manufacturing semiconductor device using same

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2012069953A (en)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05179211A (en) * 1991-12-30 1993-07-20 Nitto Denko Corp Dicing die-bonded film
JP2005183703A (en) * 2003-12-19 2005-07-07 Nitto Denko Corp Method for manufacturing semiconductor device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05179211A (en) * 1991-12-30 1993-07-20 Nitto Denko Corp Dicing die-bonded film
JP2005183703A (en) * 2003-12-19 2005-07-07 Nitto Denko Corp Method for manufacturing semiconductor device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5305501B2 (en) Thermosetting die bond film
JP4430085B2 (en) Dicing die bond film
JP4954569B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device
JP4976522B2 (en) Thermosetting die bond film, dicing die bond film, and semiconductor device manufacturing method
JP5398083B2 (en) Die bond film and its use
JP5561949B2 (en) Thermosetting die bond film
WO2010074060A1 (en) Thermosetting die-bonding film
JP2011187571A (en) Dicing die-bonding film
JP2009049400A (en) Thermoset die bond film
JP2011174042A (en) Film for producing semiconductor device and method for producing semiconductor device
JP2011023607A (en) Exoergic die-bonding film
JP2011071486A (en) Adhesive film with dicing sheet, and method for manufacturing the same
JP2011021193A (en) Dicing die-bonding film
JP2017183705A (en) Dicing die bonding film, and method of manufacturing semiconductor device
JP2006303472A (en) Dicing die bond film
JP2011102383A (en) Thermosetting die-bonding film
JP4979063B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device
JP6193663B2 (en) Die-bonding film with dicing tape and method for manufacturing semiconductor device
JP2008135448A (en) Dicing die bond film
JP5828881B2 (en) Adhesive film, dicing die bond film, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device
JP2013038408A (en) Adhesive tape for fixing semiconductor wafer, method for manufacturing semiconductor chip and adhesive tape with adhesive film
JP5976716B2 (en) Thermosetting die bond film
JP5749314B2 (en) Heat dissipation die bond film
JP5656741B2 (en) Manufacturing method of dicing die-bonding film
JP6053457B2 (en) Dicing die bond film with separator

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130821

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130823

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20131008