JP2012064883A - Imaging device, and method of manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an imaging device 1 that can be arranged in a narrow space.SOLUTION: An imaging device 1 has: an imaging element chip 10 having an imaging element 11 on a first main surface 14, and an external connection terminal 13 connected with the imaging element 11 on a second main surface 15; a wiring board 30 having a wiring layer 32 connected with the external connection terminal 13, and that is arranged within a projection plane 10S of the imaging element chip 10 by being folded at a folding part 30Y; and a bonding layer 20 arranged within the projection plane 10S of the imaging element chip 10, and that bonds the imaging element chip 10 and the wiring board 30.

Description

本発明は、固体撮像素子チップを具備する撮像装置および前記撮像装置の製造方法に関し、特にフリップチップ実装された固体撮像素子チップを具備する撮像装置および前記撮像装置の製造方法に関する。   The present invention relates to an imaging apparatus including a solid-state imaging element chip and a method for manufacturing the imaging apparatus, and more particularly to an imaging apparatus including a solid-state imaging element chip mounted on a flip chip and a manufacturing method for the imaging apparatus.

固体撮像素子チップを具備する撮像装置は、例えば電子内視鏡の先端部に配設されて使用される。電子内視鏡の先端部は患者の苦痛を和らげるために、細径化および短小化が重要な課題である。   An imaging apparatus including a solid-state imaging element chip is used, for example, provided at the distal end portion of an electronic endoscope. In order to relieve the pain of the patient, it is important to reduce the diameter and shorten the tip of the electronic endoscope.

図1に示すように、特開2000−199863号公報には、撮像素子チップ120と、パターンフィルム130と、配線板140と、信号ケーブル150と、を有する撮像装置101が開示されている。そして、配線板140、配線板140に実装された電子部品146、および信号ケーブル150の端子部は、撮像素子チップ120の投影面内に納まっている。   As shown in FIG. 1, Japanese Patent Laid-Open No. 2000-199863 discloses an image pickup apparatus 101 having an image pickup element chip 120, a pattern film 130, a wiring board 140, and a signal cable 150. The wiring board 140, the electronic component 146 mounted on the wiring board 140, and the terminal portion of the signal cable 150 are within the projection plane of the image sensor chip 120.

図2に示すように配線板140は、垂直向きの基板140Aと、基板140Aに直交する水平向きの基板140BからなるT字形状の多層セラミック板である。そして、撮像素子123の外周部に設けられたボンディングパッド124と、撮像素子チップ120の背面に結合された垂直向きの基板140Aに設けられたボンディングパッド(不図示)と、が配線パターンを形成したパターンフィルム130により接続されている。水平向きの基板140Bには電子部品146が実装されていると共に、端部に形成した端子部143に信号ケーブル150が接続されている。   As shown in FIG. 2, the wiring board 140 is a T-shaped multilayer ceramic board including a vertically oriented substrate 140A and a horizontally oriented substrate 140B orthogonal to the substrate 140A. The bonding pads 124 provided on the outer periphery of the image sensor 123 and the bonding pads (not shown) provided on the vertically oriented substrate 140A coupled to the back surface of the image sensor chip 120 form a wiring pattern. They are connected by a pattern film 130. An electronic component 146 is mounted on the horizontally oriented substrate 140B, and a signal cable 150 is connected to a terminal portion 143 formed at the end.

しかし、撮像装置101では、パターンフィルム130が撮像素子チップ120の側面に配置されることによりパターンフィルム130の厚み分(数十μm〜数百μm)だけ撮像装置の外寸が大きくなり、撮像装置を有する電子内鏡の先端部細径化の障害となる、おそれがあった。そして撮像素子チップ120が、より小さくなると、パターンフィルム130の厚みの影響は、より顕著となる。   However, in the imaging apparatus 101, the outer dimension of the imaging apparatus is increased by the thickness (several tens of μm to several hundreds of μm) of the pattern film 130 by arranging the pattern film 130 on the side surface of the imaging element chip 120. There is a risk that the tip of the electronic endoscope having the diameter may become an obstacle. And when the image pick-up element chip | tip 120 becomes smaller, the influence of the thickness of the pattern film 130 will become more remarkable.

なお、特開2001−13662号公報には、入出力電極端子に導電性ポストを有する半導体素子を半硬化樹脂で覆った状態で回路基板に圧着/加熱するフリップチップ実装方法が開示されている。   Japanese Patent Laid-Open No. 2001-13662 discloses a flip chip mounting method in which a semiconductor element having a conductive post on an input / output electrode terminal is crimped / heated to a circuit board in a state of being covered with a semi-cured resin.

しかし、半導体素子の接合面の全面を接合層である樹脂で覆っているので、半導体素子よりも大きいフレキシブル配線板を接合層を介して半導体素子と接合すると、フレキシブル配線板を折り曲げても、フレキシブル配線板を半導体素子の投影面内に収容することはできなかった。すなわち、フレキシブル配線板の投影面は、板厚および折り曲げ部の曲率半径の分だけ、半導体素子の投影面より大きくなってしまう。   However, since the entire bonding surface of the semiconductor element is covered with a resin that is a bonding layer, if a flexible wiring board larger than the semiconductor element is bonded to the semiconductor element via the bonding layer, the flexible wiring board can be bent even if it is bent. The wiring board could not be accommodated within the projection surface of the semiconductor element. That is, the projection surface of the flexible wiring board becomes larger than the projection surface of the semiconductor element by the thickness of the plate and the curvature radius of the bent portion.

すなわち、狭い空間内に撮像装置を配設することは容易ではないことがあった。   That is, it may not be easy to dispose the imaging device in a narrow space.

特開2000−199863号公報JP 2000-199863 A 特開2001−13662号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2001-13662

本発明は、狭い空間内に配設可能な撮像装置、および前記撮像装置の製造方法を提供することを目的とする。   It is an object of the present invention to provide an imaging device that can be disposed in a narrow space, and a method for manufacturing the imaging device.

本発明の一形態の撮像装置は、第1の主面に撮像素子を有し、第2の主面に前記撮像素子と接続された外部接続端子を有する撮像素子チップと、前記外部接続端子と接続された配線層を有し、折り曲げ部において折り曲げられていることにより前記撮像素子チップの投影面内に配置された配線板と、前記撮像素子チップの前記投影面内に配置され、前記撮像素子チップと、前記配線板と、を接合する接合層と、を具備する。   An imaging device according to an embodiment of the present invention includes an imaging device chip having an imaging device on a first main surface and an external connection terminal connected to the imaging device on a second main surface, and the external connection terminal. A wiring board that has a connected wiring layer and is bent in a bent portion so as to be arranged in the projection plane of the imaging element chip; and the imaging board that is arranged in the projection plane of the imaging element chip; A bonding layer for bonding the chip and the wiring board;

また、本発明の別の一形態の撮像装置の製造方法は、第1の主面に複数の撮像素子を有し、第2の主面にそれぞれの前記撮像素子と接続された外部接続端子を有する撮像素子基板を作製する撮像素子基板作製工程と、前記撮像素子基板の前記第2の主面に、前記それぞれの撮像素子と接続された複数の前記外部接続端子を含む形状にパターニングされた接合層を形成する接合層形成工程と、前記撮像素子基板を、前記接合層よりも大きい外寸の撮像素子チップに個片化する個片化工程と、前記撮像素子チップの投影面内に配置される配線板の配線層と、前記外部接続端子と、を前記接合層を介して、接続する接合工程と、を具備する。   According to another aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing an imaging apparatus, comprising: a plurality of imaging elements on a first principal surface; and external connection terminals connected to the imaging elements on a second principal surface. An image pickup device substrate manufacturing step of manufacturing the image pickup device substrate, and a bonding patterned on the second main surface of the image pickup device substrate in a shape including the plurality of external connection terminals connected to the respective image pickup devices A bonding layer forming step for forming a layer, a singulation step for dividing the imaging element substrate into imaging element chips having outer dimensions larger than the bonding layer, and a projection plane of the imaging element chip. A bonding step of connecting the wiring layer of the wiring board to the external connection terminal via the bonding layer.

本発明によれば、狭い空間内に配設可能な撮像装置、および前記撮像装置の製造方法を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the imaging device which can be arrange | positioned in a narrow space, and the manufacturing method of the said imaging device can be provided.

公知の撮像装置の構造を説明するための斜視図である。It is a perspective view for demonstrating the structure of a well-known imaging device. 公知の撮像装置の配線板の構造を説明するための分解図である。It is an exploded view for demonstrating the structure of the wiring board of a well-known imaging device. 第1実施形態の撮像装置の構造を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the structure of the imaging device of 1st Embodiment. 第1実施形態の撮像装置の構造を説明するための分解図である。It is an exploded view for demonstrating the structure of the imaging device of 1st Embodiment. 第1実施形態の撮像装置の製造方法の撮像素子基板作製工程を説明するための第1の主面側から見たときの斜視図である。It is a perspective view when it sees from the 1st main surface side for demonstrating the image pick-up element board | substrate preparation process of the manufacturing method of the imaging device of 1st Embodiment. 第1実施形態の撮像装置の製造方法の撮像素子基板作製工程を説明するための第2の主面側から見たときの斜視図である。It is a perspective view when it sees from the 2nd main surface side for demonstrating the image pick-up element board | substrate preparation process of the manufacturing method of the imaging device of 1st Embodiment. 第1実施形態の撮像装置の製造方法の接合層形成工程を説明するための第2の主面側から見たときの斜視図である。It is a perspective view when it sees from the 2nd main surface side for demonstrating the joining layer formation process of the manufacturing method of the imaging device of 1st Embodiment. 第1実施形態の撮像装置の製造方法の個片化工程を説明するための第2の主面側から見たときの斜視図である。It is a perspective view when it sees from the 2nd main surface side for demonstrating the individualization process of the manufacturing method of the imaging device of 1st Embodiment. 第1実施形態の撮像装置の製造方法の接合工程を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the joining process of the manufacturing method of the imaging device of 1st Embodiment. 第1実施形態の撮像装置の製造方法の接続工程を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the connection process of the manufacturing method of the imaging device of 1st Embodiment. 第1実施形態の撮像装置の製造方法の折り曲げ工程を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the bending process of the manufacturing method of the imaging device of 1st Embodiment. 第1実施形態の変形例1の撮像装置を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the imaging device of the modification 1 of 1st Embodiment. 第1実施形態の変形例2の撮像装置を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the imaging device of the modification 2 of 1st Embodiment. 第2実施形態の撮像装置を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the imaging device of 2nd Embodiment. 第3実施形態の撮像装置を説明するための分解図である。It is an exploded view for demonstrating the imaging device of 3rd Embodiment. 第3実施形態の撮像装置を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the imaging device of 3rd Embodiment. 第4実施形態の撮像装置の製造方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the imaging device of 4th Embodiment. 第5実施形態の撮像装置の製造方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the imaging device of 5th Embodiment. 第6実施形態の内視鏡の断面構造を説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating the cross-section of the endoscope of 6th Embodiment.

<第1実施形態>
図3および図4に示すように、本実施形態の撮像装置1は、撮像素子チップ10と、接合層20と、配線板30と、を具備する。そして撮像素子チップ10は、接合層20を介して配線板30にフリップチップ実装されている。
<First Embodiment>
As shown in FIGS. 3 and 4, the imaging device 1 of the present embodiment includes an imaging element chip 10, a bonding layer 20, and a wiring board 30. The imaging element chip 10 is flip-chip mounted on the wiring board 30 via the bonding layer 20.

なお、図面はいずれも説明のための模式図であり、例えば、断面図において厚く図示されている構成要素が、それよりも薄く図示されている構成要素よりも厚さが厚いとは限らない。また一部の構成要素を図示しない場合もある。   Note that all the drawings are schematic diagrams for explanation, and for example, a component shown thick in a sectional view is not necessarily thicker than a component shown thinner than that. Some components may not be shown.

後述するように撮像素子チップ10は、半導体基板であるシリコン基板を用いてウエハレベルで作製されている。そして、撮像素子チップ10の第1の主面14には撮像素子11であるCOMSイメージセンサと、撮像素子11と接続された接続端子16と、が形成されている。撮像素子11としてはCCD等でもよい。なお、撮像素子11から接続端子16までの配線は図示していない。   As will be described later, the imaging element chip 10 is manufactured at a wafer level using a silicon substrate which is a semiconductor substrate. The first main surface 14 of the image sensor chip 10 is formed with a COMS image sensor as the image sensor 11 and a connection terminal 16 connected to the image sensor 11. The imaging element 11 may be a CCD or the like. Note that the wiring from the image sensor 11 to the connection terminal 16 is not shown.

接続端子16はTSV(Through-Silicon Via)等による貫通配線12を介して第2の主面15の外部接続端子13と裏面配線19を介して接続されている。   The connection terminal 16 is connected to the external connection terminal 13 on the second main surface 15 and the back surface wiring 19 through a through wiring 12 made of TSV (Through-Silicon Via) or the like.

貫通配線12は、第1の主面14に形成した撮像素子11の外周部に形成されるが、第2の主面15の外部接続端子13は、より内周側に配設することが好ましい。すなわち、外部接続端子13の配設位置が撮像素子チップ10外周に近い場合には配線板30を撮像素子チップ10の投影面10Sに配設することが困難となる場合がある。このため、撮像素子チップ10では、貫通配線12形成部よりも内周側に外部接続端子13を配設するために、裏面配線19を用いている。   The through wiring 12 is formed on the outer peripheral portion of the imaging element 11 formed on the first main surface 14, but the external connection terminal 13 on the second main surface 15 is preferably disposed on the inner peripheral side. . That is, when the position of the external connection terminal 13 is close to the outer periphery of the image sensor chip 10, it may be difficult to arrange the wiring board 30 on the projection surface 10 </ b> S of the image sensor chip 10. For this reason, in the imaging element chip 10, the back surface wiring 19 is used in order to dispose the external connection terminal 13 on the inner peripheral side of the through wiring 12 forming portion.

貫通配線12と接続された、凸形状の外部接続端子13は、金バンプ、銅バンプまたははんだバンプ等である。   The convex external connection terminal 13 connected to the through wiring 12 is a gold bump, a copper bump, a solder bump, or the like.

配線板30は、ポリイミド等の可撓性樹脂を基材とするフレキシブル多層配線板である。配線板30は、接続部(接続パッド)31を介して撮像素子チップ10の外部接続端子13と接続された、銅等からなる配線層32、を有する。接続部31は配線層32の最外層の一部であってもよい。   The wiring board 30 is a flexible multilayer wiring board whose base material is a flexible resin such as polyimide. The wiring board 30 includes a wiring layer 32 made of copper or the like connected to the external connection terminal 13 of the imaging element chip 10 via a connection portion (connection pad) 31. The connection part 31 may be a part of the outermost layer of the wiring layer 32.

そして、配線板30は、折り曲げ部30Yにより折り曲げられていることにより撮像素子チップ10の投影面10S内に配置されている。   And the wiring board 30 is arrange | positioned in the projection surface 10S of the image pick-up element chip 10 by being bent by the bending part 30Y.

なお、便宜上、配線板30を、接合部30X、折り曲げ部30Y、延設部30Z、と区分して表現するが、本実施の形態の配線板30は1枚のフレキシブル配線板であり、前記区分の境界は明確に定義されるものではない。なお配線板は少なくとも折り曲げ部30Yが可撓性を有していればよく、接合部30X、および延設部30Zを硬質基板で構成したリジッドフレキシブル配線板でもよい。リジッドフレキシブル配線板では、前記区分の境界は明確である。   For the sake of convenience, the wiring board 30 is expressed as being divided into a joint portion 30X, a bent portion 30Y, and an extended portion 30Z. However, the wiring board 30 of the present embodiment is a single flexible wiring board, and the division The boundaries of are not clearly defined. The wiring board may be a rigid flexible wiring board in which at least the bent part 30Y has flexibility, and the joining part 30X and the extending part 30Z are formed of a hard substrate. In the rigid flexible wiring board, the boundary of the section is clear.

ブロック40は、配線板30を折り曲げ部30Yで折り曲げるときの補強部材である。ブロック40はアルミニウム、または銅等の熱伝導率の高い金属材料またはポリカーボネート等の樹脂からなる。補強部材としての機能を有していればブロックではなく板材であってもよい。   The block 40 is a reinforcing member when the wiring board 30 is bent at the bent portion 30Y. The block 40 is made of a metal material having a high thermal conductivity such as aluminum or copper, or a resin such as polycarbonate. A plate material may be used instead of the block as long as it has a function as a reinforcing member.

配線板30の延設部30Zの配線層32と接続されたケーブル45は、撮像素子チップ10と図示しない制御部および信号処理部等との間の信号等を伝達する。   A cable 45 connected to the wiring layer 32 of the extending portion 30Z of the wiring board 30 transmits a signal and the like between the imaging element chip 10 and a control unit and a signal processing unit (not shown).

配線板30の延設部30Zの内面には電子部品33が実装されている。電子部品33とはチップコンデンサ、チップ抵抗、信号処理IC、ドライバIC、電源IC、ダイオード、コイル、またはリードスイッチ等から必要な部品が選定される。もちろん、電子部品33が不要の場合には、実装する必要はない。   An electronic component 33 is mounted on the inner surface of the extended portion 30 </ b> Z of the wiring board 30. As the electronic component 33, a necessary component is selected from a chip capacitor, a chip resistor, a signal processing IC, a driver IC, a power supply IC, a diode, a coil, a reed switch, or the like. Of course, when the electronic component 33 is unnecessary, it is not necessary to mount it.

接合層20は、例えば、異方性導電膜(ACF:Anisotropic Conductive Film)からなり、接続端子16と接続部31とを電気的に接続すると共に、接続箇所の封止機能および接続箇所の補強機能を有する。接合層20の厚さは接合空間に空洞等ができないように、外部接続端子13の高さ以上であることが好ましい。このため、撮像素子チップ10と配線板30とは接合層20を介して圧力を加えながら接合されている。圧着接合中に加温またはUV光照射を行うことにより、はんだを溶解したり、樹脂を硬化したりしてもよい。   The bonding layer 20 is made of, for example, an anisotropic conductive film (ACF), and electrically connects the connection terminal 16 and the connection portion 31, and functions to seal the connection portion and reinforce the connection portion. Have The thickness of the bonding layer 20 is preferably equal to or greater than the height of the external connection terminal 13 so that a void or the like cannot be formed in the bonding space. For this reason, the imaging element chip 10 and the wiring board 30 are bonded to each other through the bonding layer 20 while applying pressure. The solder may be dissolved or the resin may be cured by heating or UV light irradiation during the pressure bonding.

なお、撮像素子チップ10の撮像素子11上にはマイクロレンズが形成されていたり、さらにエアーギャップを介してカバーガラスが接合されていたりしてもよい。   Note that a microlens may be formed on the image sensor 11 of the image sensor chip 10, or a cover glass may be bonded via an air gap.

そして、撮像装置1では、(撮像素子チップ投影面10S)≧(配線板投影面30S)≧接合層投影面20S)となっている。言い換えれば、配線板30は撮像素子チップ10の投影面内に配置され、接合層20は配線板30の投影面内に配置されている。   In the imaging apparatus 1, (imaging element chip projection surface 10S) ≧ (wiring board projection surface 30S) ≧ bonding layer projection surface 20S). In other words, the wiring board 30 is disposed in the projection plane of the imaging element chip 10, and the bonding layer 20 is disposed in the projection plane of the wiring board 30.

なお、投影面とは撮像素子11面と平行な面、言い換えれば第1の主面14等と平行な面に対する垂直投影面である。   The projection plane is a plane parallel to the plane of the image sensor 11, in other words, a vertical projection plane with respect to a plane parallel to the first main surface 14 and the like.

撮像装置1の断面積は撮像素子チップ10の投影面であるために、撮像装置1は、狭い空間内に配設可能である。そして、撮像装置1が先端部に配設された内視鏡は、先端部の細径化が可能である。   Since the cross-sectional area of the imaging device 1 is the projection surface of the imaging element chip 10, the imaging device 1 can be disposed in a narrow space. The endoscope in which the imaging device 1 is disposed at the distal end can reduce the diameter of the distal end.

次に、図5〜図10を用いて撮像装置1の製造方法について説明する。   Next, a method for manufacturing the imaging device 1 will be described with reference to FIGS.

<撮像素子基板作製工程>
図5および図6に示すように、第1の主面14に複数の撮像素子11と、それぞれの撮像素子11と接続された複数の接続端子16とを有し、第2の主面15にそれぞれの接続端子16と接続された外部接続端子13を有する、撮像素子基板10W1が作製される。
<Image sensor substrate manufacturing process>
As shown in FIGS. 5 and 6, the first main surface 14 has a plurality of imaging elements 11 and a plurality of connection terminals 16 connected to the respective imaging elements 11. The image sensor substrate 10W1 having the external connection terminals 13 connected to the respective connection terminals 16 is manufactured.

図5および図6に示す撮像素子基板10W1では、1枚のウエハ内に10×10のマトリックス状に配置された100個の撮像素子11と400個の接続端子16と400個の外部接続端子13とが作製されている。すなわち、1個の撮像素子11が4個の接続端子16を有し、それぞれの接続端子16が、それぞれの外部接続端子13と接続されている。   In the image pickup device substrate 10W1 shown in FIGS. 5 and 6, 100 image pickup devices 11, 400 connection terminals 16, and 400 external connection terminals 13 arranged in a 10 × 10 matrix in one wafer. Are made. That is, one imaging element 11 has four connection terminals 16, and each connection terminal 16 is connected to each external connection terminal 13.

1枚の撮像素子基板10W1に形成する撮像素子11等の数は多いほど量産性に優れている。   The greater the number of image sensors 11 and the like formed on one image sensor substrate 10W1, the better the mass productivity.

接続端子16は、シリコン基板を貫通する貫通配線12(図3参照)を介して外部接続端子13と、接続されている。貫通配線12は貫通孔をウエットエッチングまたはドライエッチングにより形成した後に貫通孔の内面を導電化することにより作製される。貫通孔は第2の主面15側から形成し、接続端子16の裏面をエッチングストップ層とするビアホールであることが好ましい。貫通配線12と外部接続端子13との間は裏面配線19により接続されている。   The connection terminal 16 is connected to the external connection terminal 13 via a through wiring 12 (see FIG. 3) that penetrates the silicon substrate. The through wiring 12 is produced by forming the through hole by wet etching or dry etching and then making the inner surface of the through hole conductive. The through hole is preferably a via hole formed from the second main surface 15 side and having the back surface of the connection terminal 16 as an etching stop layer. The through wiring 12 and the external connection terminal 13 are connected by a back surface wiring 19.

なお、貫通配線12に替えて、後述する個片化工程等の後に、公知の側面配線等により接続端子16と外部接続端子13とを接続してもよい。また撮像素子基板10W1は略円形であってもよい。   Note that, instead of the through wiring 12, the connection terminal 16 and the external connection terminal 13 may be connected by a known side surface wiring or the like after an individualization process described later. The imaging element substrate 10W1 may be substantially circular.

<接合層形成工程>
図7に示すように、撮像素子基板10W1の第2の主面15に、それぞれの撮像素子11と接続された複数の外部接続端子13を含む形状にパターニングされた接合層20が形成される。すなわち複数の接合層20がウエハレベルで一括してパターニング形成される。
<Joint layer forming step>
As shown in FIG. 7, a bonding layer 20 patterned in a shape including a plurality of external connection terminals 13 connected to each of the image pickup devices 11 is formed on the second main surface 15 of the image pickup device substrate 10W1. That is, a plurality of bonding layers 20 are patterned and formed at a wafer level.

すでに説明したように、1個の撮像素子11は4個の外部接続端子13と接続されているために、この4個の外部接続端子13を覆う形状に、接合層20はパターニングされている。複数の接合層20を接合層群20Wという。すなわち、接合層形成工程では接合層群20Wが第2の主面15に形成され接合層付き撮像素子基板10W2が作製される。   As described above, since one image pickup device 11 is connected to the four external connection terminals 13, the bonding layer 20 is patterned so as to cover the four external connection terminals 13. The plurality of bonding layers 20 is referred to as a bonding layer group 20W. That is, in the bonding layer forming step, the bonding layer group 20W is formed on the second main surface 15, and the imaging element substrate 10W2 with the bonding layer is manufactured.

例えば、異方性導電膜等のフィルムを用いて形成する接合層20は、撮像素子基板10W1の第2の主面15の全面にフィルム状樹脂を接合後に、金属マスク層等を介してのエッチング処理またはアッシング処理等によりパターニングされる。   For example, the bonding layer 20 formed using a film such as an anisotropic conductive film is etched through a metal mask layer or the like after bonding a film-like resin to the entire surface of the second main surface 15 of the imaging element substrate 10W1. Patterning is performed by processing or ashing processing.

また、接合層20として、非導電フィルム(NCF:Non Conductive Film)等を用いてもよいし、フィルム状樹脂に替えてNCP(非導電樹脂ペースト)、ACP(異方性導電樹脂ペースト))、または、はんだ粒子含有樹脂等の液体状樹脂を用いてもよい。液体状樹脂を用いる場合には、マスキング後のエッチング処理等に替えて、インクジェット法またはスクリーン印刷法等を用いてもパターニングされた接合層20を形成することができる。   Further, as the bonding layer 20, a non-conductive film (NCF: Non Conductive Film) or the like may be used, or NCP (non-conductive resin paste), ACP (anisotropic conductive resin paste)) instead of a film-like resin, Alternatively, a liquid resin such as a solder particle-containing resin may be used. In the case of using a liquid resin, the patterned bonding layer 20 can be formed by using an inkjet method, a screen printing method, or the like instead of the etching process after masking.

なお、接合層20が非導電材料の場合には、外部接続端子13の領域をパターニングにより除去してもよい(図15参照)。   In the case where the bonding layer 20 is made of a nonconductive material, the region of the external connection terminal 13 may be removed by patterning (see FIG. 15).

接合層20が硬化性樹脂を含有する場合、接合層20形成時においては未硬化状態または半硬化状態であることが好ましい。後述する接合工程において、加熱またはUV照射等による硬化処理を行うことにより、接続部31と接続端子16とを、より確実に接続しやすいからである。   When the bonding layer 20 contains a curable resin, the bonding layer 20 is preferably in an uncured state or a semi-cured state when the bonding layer 20 is formed. This is because the connecting portion 31 and the connecting terminal 16 can be more reliably connected by performing a curing process by heating, UV irradiation, or the like in a bonding process described later.

なお、接合層20の外形(投影形状)は、図4等に示した正方形である必要はなく、外部接続端子13を含む形状であれば長方形または楕円形等であってもよい。例えば、撮像素子11の外形が長方形の場合には接合層20の外形も長方形であってもよい。   Note that the outer shape (projected shape) of the bonding layer 20 does not have to be the square shown in FIG. 4 or the like, and may be a rectangle or an ellipse as long as the shape includes the external connection terminal 13. For example, when the outer shape of the image sensor 11 is rectangular, the outer shape of the bonding layer 20 may also be rectangular.

<個片化工程>
図8に示すように、接合層付き撮像素子基板10W2が切断されて、個々の撮像素子チップ1W1に個片化される。接合層20と接合層との間で切断されるために、撮像素子チップ1W1の第2の主面15の中央部に接合層20が形成されている。
<Individualization process>
As shown in FIG. 8, the imaging element substrate 10W2 with the bonding layer is cut and separated into individual imaging element chips 1W1. In order to be cut between the bonding layer 20 and the bonding layer, the bonding layer 20 is formed at the center of the second main surface 15 of the imaging element chip 1W1.

個片化工程のウエハ切断処理にはワイヤーソー、ブレードダイシング装置、またはレーザーダイシング装置等を用いる。   A wire saw, a blade dicing apparatus, a laser dicing apparatus, or the like is used for the wafer cutting process in the singulation process.

<接合工程>
(接続工程)
図9および図10に示すように、配線板30の接続部31と接続端子16とが接合層20を介して、接続される。このとき、確実に電気的に接続を行い、かつ、撮像素子チップ10と配線板30とを確実に物理的に接合するために、撮像素子チップ10と配線板30とを圧力をかけながら接合処理すること、すなわち圧着することが好ましい。
<Joint process>
(Connection process)
As shown in FIGS. 9 and 10, the connection part 31 of the wiring board 30 and the connection terminal 16 are connected via the bonding layer 20. At this time, in order to securely connect the image sensor chip 10 and the wiring board 30 with certainty, the bonding process is performed while applying pressure to the image sensor chip 10 and the wiring board 30. That is, it is preferable to perform pressure bonding.

接合層20の厚さは外部接続端子13の高さよりも大きい。このために、図10に示す圧着後の接合層投影面20Sは、図9に示す圧着前の接合層投影面20S0よりも大きくなっている。すなわち、接合層20は側面側に広がっている。   The thickness of the bonding layer 20 is larger than the height of the external connection terminal 13. For this reason, the bonding layer projection surface 20S after pressure bonding shown in FIG. 10 is larger than the bonding layer projection surface 20S0 before pressure bonding shown in FIG. That is, the bonding layer 20 extends to the side surface side.

なお、図9等では図示していないが、図3等に示すように配線板30に電子部品33を予め実装しておいてもよい。   Although not shown in FIG. 9 or the like, the electronic component 33 may be mounted in advance on the wiring board 30 as shown in FIG. 3 or the like.

(折り曲げ工程)
図11に示すように、配線板30を折り曲げて、配線板投影面30Sを撮像素子チップ投影面10S内に配置する。なお、折り曲げるときに、接合層20へ応力がかかることを防止するために、ブロック40の幅は接合層20の幅よりも広いことが好ましい。
(Bending process)
As shown in FIG. 11, the wiring board 30 is bent and the wiring board projection surface 30 </ b> S is disposed in the imaging element chip projection surface 10 </ b> S. Note that the width of the block 40 is preferably wider than the width of the bonding layer 20 in order to prevent the bonding layer 20 from being stressed when bent.

折り曲げ角度θvが略90度以下の場合に、配線板30は撮像素子チップ投影面10S内に配置されるが、折り曲げ角度θvは、90〜50度が好ましい。なお、図11においては配線板30の左右が共に折り曲げられたUの字型の場合を示しているが、一端が短く接合後においても投影面10S内に配置されている配線板では、他端のみを折り曲げたL字型でもよい。   When the bending angle θv is approximately 90 degrees or less, the wiring board 30 is disposed in the imaging element chip projection surface 10S, but the bending angle θv is preferably 90 to 50 degrees. FIG. 11 shows a U-shaped case in which both the left and right sides of the wiring board 30 are bent. However, in the wiring board arranged within the projection plane 10S even after one end is short, the other end It may be an L-shape that is bent only.

なお、折り曲げ部の曲率半径Rは、配線板30の種類等により異なるが、例えば0.1mm程度である。そして接合層20は圧着による投影面20Sの拡大および折り曲げ部の曲率半径Rを考慮した形状および大きさにパターニングされている。   Note that the radius of curvature R of the bent portion varies depending on the type of the wiring board 30 and the like, but is about 0.1 mm, for example. The bonding layer 20 is patterned into a shape and size in consideration of the enlargement of the projection surface 20S by pressure bonding and the curvature radius R of the bent portion.

所定角度および所定位置で折り曲げするため、および折り曲げのときの接合部への応力低減のために、折り曲げる前に、ブロック接合工程においてブロック40が配線板30の接合部30Xの裏面に接合される。また折り曲げ後にブロック40と、ブロック40と接している配線板30の延設部30Zとは、接合される。   In order to bend at a predetermined angle and a predetermined position, and to reduce stress on the joint at the time of bending, the block 40 is joined to the back surface of the joint 30X of the wiring board 30 in the block joining step before the bending. Further, after bending, the block 40 and the extended portion 30Z of the wiring board 30 in contact with the block 40 are joined.

なお、折り曲げた後の配線板30の外側面と撮像素子チップの投影面10Sとの間の空間に低背の電子部品33を実装することも可能である。   Note that it is also possible to mount the low-profile electronic component 33 in the space between the outer side surface of the wiring board 30 after being bent and the projection surface 10S of the imaging element chip.

<ケーブル接続工程>
配線板30の延設部30Zの配線層32と、信号ケーブル45とが接続される。ケーブル接続は、例えば、はんだ接合により行われる。
<Cable connection process>
The wiring layer 32 of the extending portion 30Z of the wiring board 30 and the signal cable 45 are connected. The cable connection is performed by, for example, solder bonding.

なお、ケーブル45は可撓性を有するため、撮像装置1の細径化のために、ケーブル45は全長にわたって撮像子チップの投影面10S内の空間に配置されている必要はない。ケーブル45は、少なくとも、配線板30との接続部が投影面10S内に配置されていればよい。   Since the cable 45 has flexibility, the cable 45 does not have to be disposed in the space in the projection surface 10S of the image pickup chip over the entire length in order to reduce the diameter of the imaging device 1. The cable 45 only needs to have at least a connection portion with the wiring board 30 disposed in the projection surface 10S.

以上の説明のように、本実施形態の撮像装置1の製造方法は、第1の主面に複数の撮像素子を有し、第2の主面にそれぞれの前記撮像素子と接続された外部接続端子を有する撮像素子基板を作製する撮像素子基板作製工程と、前記撮像素子基板の前記第2の主面に、前記それぞれの撮像素子と接続された複数の前記外部接続端子を含む形状にパターニングされた接合層を形成する接合層形成工程と、前記撮像素子基板を、前記接合層よりも大きい外寸の撮像素子チップに個片化する個片化工程と、前記撮像素子チップの投影面内に配置される配線板の配線層と、前記外部接続端子と、を前記接合層を介して、接続する接合工程と、を具備する。   As described above, the manufacturing method of the image pickup apparatus 1 according to the present embodiment includes a plurality of image pickup devices on the first main surface, and the external connection connected to each of the image pickup devices on the second main surface. An image sensor substrate manufacturing step of manufacturing an image sensor substrate having a terminal, and a pattern including a plurality of the external connection terminals connected to the respective image sensors on the second main surface of the image sensor substrate. A bonding layer forming step for forming a bonding layer, an individualization step for dividing the imaging element substrate into imaging element chips having outer dimensions larger than the bonding layer, and a projection plane of the imaging element chip. A bonding step of connecting the wiring layer of the wiring board to be arranged and the external connection terminal via the bonding layer.

本実施形態によれば、狭い空間内に配設可能な撮像装置1を製造することができる。   According to this embodiment, the imaging device 1 that can be disposed in a narrow space can be manufactured.

<第1実施形態の変形例1および変形例2>
次に、第1実施形態の変形例1および変形例2について説明する。変形例は第1実施形態と類似しているので、類似した構成要素には符号の末尾にアルファベット1文字を付加し、同じ構成要素には同じ符号を付し説明は省略する。
<Modification 1 and Modification 2 of the first embodiment>
Next, Modification 1 and Modification 2 of the first embodiment will be described. Since the modification is similar to that of the first embodiment, similar constituent elements are given one alphabetic character at the end of the reference numerals, the same reference numerals are assigned to the same constituent elements, and description thereof is omitted.

図12に示す第1実施形態の変形例1の撮像装置1Aの接合層20Aの投影面は配線板30の投影面と略一致している。また、図13に示す第1実施形態の変形例2の撮像装置1Bの接合層20Bの投影面は配線板30の投影面より大きい。   The projection surface of the bonding layer 20 </ b> A of the imaging device 1 </ b> A according to Modification 1 of the first embodiment shown in FIG. 12 is substantially coincident with the projection surface of the wiring board 30. Further, the projection surface of the bonding layer 20B of the imaging device 1B according to the second modification of the first embodiment shown in FIG. 13 is larger than the projection surface of the wiring board 30.

しかし、撮像装置1Aおよび撮像装置1Bは、接合層20A、20Bの投影面および配線板30の投影面が共に撮像素子チップ10の投影面内である。   However, in the imaging device 1A and the imaging device 1B, the projection planes of the bonding layers 20A and 20B and the projection plane of the wiring board 30 are both within the projection plane of the imaging element chip 10.

このため、本変形例の撮像装置1A、撮像装置1Bおよび製造方法は、第1実施形態の撮像装置1等と同様の効果を有する。   For this reason, the imaging device 1A, the imaging device 1B, and the manufacturing method of the present modification have the same effects as the imaging device 1 and the like of the first embodiment.

なお、撮像装置1Bの製造方法では、配線板30の接続部31と撮像素子チップ10の接続端子16とを、例えば、はんだ接続した後に、接合面の隙間に液体状樹脂を流し込むことにより接合層20Bを形成してもよい。   In the manufacturing method of the image pickup apparatus 1B, for example, after connecting the connection portion 31 of the wiring board 30 and the connection terminal 16 of the image pickup element chip 10 by soldering, a liquid resin is poured into a gap between the bonding surfaces to thereby form a bonding layer. 20B may be formed.

<第2実施形態>
次に、第2実施形態について説明する。第2実施形態は第1実施形態等と類似しているので、類似した構成要素には符号の末尾にアルファベット1文字を付加し、同じ構成要素には同じ符号を付し説明は省略する。
Second Embodiment
Next, a second embodiment will be described. Since the second embodiment is similar to the first embodiment and the like, similar constituent elements are appended with one alphabetic character at the end of the reference numerals, and the same constituent elements are assigned the same reference numerals and description thereof is omitted.

図14(A)〜図14(C)に示すように、第2実施形態の撮像装置1C、1D、1Eは、撮像素子チップ10C、10D、10Eの側面に、それぞれ切り欠き部17C、17D、17Eが形成され、第2の主面15の外寸(投影面)を第1の主面14の外寸(投影面)よりも小さくする、切り欠き部17Cの断面は矩形であり、切り欠き部17Dの断面はテーパー形状であり、切り欠き部17Eの断面はスロープ(曲面)形状である。   As shown in FIGS. 14A to 14C, the imaging devices 1C, 1D, and 1E according to the second embodiment have notches 17C, 17D, and 17C on the side surfaces of the imaging device chips 10C, 10D, and 10E, respectively. 17E is formed, and the cross section of the cutout portion 17C is rectangular so that the outer dimension (projection plane) of the second main surface 15 is smaller than the outer dimension (projection plane) of the first main surface 14. The cross section of the portion 17D has a tapered shape, and the cross section of the notch portion 17E has a slope (curved surface) shape.

本実施形態の撮像装置1C、1D、1Eは、接合工程における接合層20の投影面20Sの大きさが、切り欠き部17C、17D、17Eにより規制される。例えば、接合層20を液体状樹脂で形成した場合には毛細管現象によって接合層20は投影面積が大きくなり、圧着接合のときに加えられる圧力によっても接合層20は大きくなる。しかし、接合層20の大きさは切り欠き部17C、17D、17Eにより規制される。言い換えれば、接合層20の広がりは切り欠き部17C、17D、17Eにより抑制される。   In the imaging devices 1C, 1D, and 1E of the present embodiment, the size of the projection surface 20S of the bonding layer 20 in the bonding process is restricted by the notches 17C, 17D, and 17E. For example, when the bonding layer 20 is formed of a liquid resin, the projected area of the bonding layer 20 increases due to capillary action, and the bonding layer 20 also increases due to pressure applied during pressure bonding. However, the size of the bonding layer 20 is regulated by the notches 17C, 17D, and 17E. In other words, the spread of the bonding layer 20 is suppressed by the notches 17C, 17D, and 17E.

このため本実施形態の撮像装置1C、1D、1Eおよび製造方法は、第1実施形態の撮像装置1等が有する効果に加えて、より確実に接合層20を所定の投影面内に形成することができる。このため、撮像装置1C、1D、1Eは、より確実に配線板30を撮像素子チップ10C、10D、10Eの投影面内に配置することができる。   For this reason, the imaging devices 1C, 1D, and 1E and the manufacturing method of the present embodiment form the bonding layer 20 in the predetermined projection plane more reliably in addition to the effects of the imaging device 1 and the like of the first embodiment. Can do. For this reason, the imaging devices 1C, 1D, and 1E can more reliably arrange the wiring board 30 in the projection plane of the imaging element chips 10C, 10D, and 10E.

<第3実施形態>
次に、第3実施形態について説明する。第3実施形態は第1実施形態等と類似しているので類似した構成要素には、符号の末尾にアルファベット1文字を付加し、同じ構成要素には同じ符号を付し説明は省略する。
<Third Embodiment>
Next, a third embodiment will be described. Since the third embodiment is similar to the first embodiment or the like, similar constituent elements are given one alphabetic letter at the end of the reference numerals, and the same constituent elements are given the same reference numerals, and description thereof is omitted.

図15および図16(A)に示すように、本実施形態の撮像装置1Fは、撮像素子チップ10Fの第2の主面15に、断面が矩形の溝部18Fが形成されている。溝部18Fは図15に示すように、少なくとも配線板30の折り曲げ部30Yと平行位置に形成されていればよい。すなわち、L字型に折り曲げられる配線板を用いる場合には溝部18Fは1本でよい。逆に溝部は、接合層20を取り囲む形状であってもよい。   As shown in FIGS. 15 and 16A, in the imaging device 1F of the present embodiment, a groove 18F having a rectangular cross section is formed on the second main surface 15 of the imaging element chip 10F. As shown in FIG. 15, the groove portion 18 </ b> F only needs to be formed at a position parallel to at least the bent portion 30 </ b> Y of the wiring board 30. That is, when a wiring board that is bent in an L shape is used, only one groove 18F is required. Conversely, the groove may have a shape surrounding the bonding layer 20.

また、図16(B)に示すように、撮像装置1Gの溝部18Gは断面がV字型であり、図16(C)に示すように、撮像装置1Hの溝部18Hは断面がU字型である。なお、溝部18F、18G、18Hは撮像素子チップ10Fの第2の主面15の端面まで形成されていても良い。   Further, as shown in FIG. 16B, the groove portion 18G of the imaging device 1G has a V-shaped cross section, and as shown in FIG. 16C, the groove portion 18H of the imaging device 1H has a U-shaped cross section. is there. The groove portions 18F, 18G, and 18H may be formed up to the end surface of the second main surface 15 of the imaging element chip 10F.

本実施形態の撮像装置1F、1G、1Hは、接合工程における接合層20の投影面の大きさが溝部18F、18G、18Hにより規制される。例えば、接合層20を液体状樹脂で形成した場合に、毛細管現象によっても接合層20は広がるが、大きさは溝部18F、18G、18Hにより規制される   In the imaging devices 1F, 1G, and 1H of the present embodiment, the size of the projection surface of the bonding layer 20 in the bonding process is regulated by the grooves 18F, 18G, and 18H. For example, when the bonding layer 20 is formed of a liquid resin, the bonding layer 20 spreads due to a capillary phenomenon, but the size is regulated by the groove portions 18F, 18G, and 18H.

このため本実施形態の撮像装置1F、1G、1Hおよび製造方法は、第2実施形態の撮像装置1C、1D、1E等が有する効果を有する。さらに、溝部18F、18G、18Hはウエハレベルで形成可能であるため、第2実施形態の撮像装置1C、1D、1Eよりも製造が容易である。   For this reason, the imaging devices 1F, 1G, and 1H and the manufacturing method of the present embodiment have the effects that the imaging devices 1C, 1D, and 1E of the second embodiment have. Furthermore, since the grooves 18F, 18G, and 18H can be formed at the wafer level, the manufacturing is easier than the imaging devices 1C, 1D, and 1E of the second embodiment.

なお、すでに説明したように、図15に示した撮像装置1Fの接合層20F1は、パターニングのときに、外部接続端子13と接する領域が除去された孔20F1となっている。   As already described, the bonding layer 20F1 of the imaging device 1F illustrated in FIG. 15 is the hole 20F1 from which the region in contact with the external connection terminal 13 is removed during patterning.

<第4実施形態>
次に、第4実施形態について説明する。第4実施形態は第1実施形態等と類似しているので類似した構成要素には、符号の末尾にアルファベット1文字を付加し、同じ構成要素には同じ符号を付し説明は省略する。
<Fourth embodiment>
Next, a fourth embodiment will be described. Since the fourth embodiment is similar to the first embodiment and the like, similar constituent elements are given one alphabetic character at the end of the reference numerals, and the same reference numerals are given to the same constituent elements, and the description thereof is omitted.

第4実施形態の撮像装置1Jの構造は第1実施形態の撮像装置1と略同様である。しかし製造方法が異なる。   The structure of the imaging device 1J of the fourth embodiment is substantially the same as that of the imaging device 1 of the first embodiment. However, the manufacturing method is different.

本実施形態の撮像装置1Jの製造方法は、第1の主面に撮像素子を有し、第2の主面に前記撮像素子と接続された外部接続端子を有する撮像素子チップを作製する撮像素子チップ作製工程と、可撓性を有する配線板上に前記撮像素子チップの投影面内に配置可能な接合層を形成する接合層形成工程と、前記配線板の配線層と前記外部接続端子と前記接合層を介して接合する接合工程と、前記撮像素子チップの投影面内に配置されるように、前記配線板を折り曲げ部により折り曲げる折り曲げ工程と、を具備する。   The manufacturing method of the image pickup apparatus 1J according to the present embodiment includes an image pickup element that has an image pickup element on a first main surface and has an external connection terminal connected to the image pickup element on a second main surface. A chip manufacturing step, a bonding layer forming step of forming a bonding layer that can be disposed in a projection plane of the imaging element chip on a flexible wiring board, the wiring layer of the wiring board, the external connection terminal, and the A bonding step of bonding via a bonding layer; and a bending step of bending the wiring board by a bending portion so as to be arranged in the projection plane of the imaging element chip.

すなわち、図17に示すように、撮像素子チップ作製工程において、撮像素子チップ10がすでに説明したウエハプロセスと同様の方法により作製される。一方、接合層形成工程において配線板30上の接続部を含む領域に接合層20が形成される。このとき、接合層20は撮像素子チップ10の投影面内に配置可能な形状、大きさである。   That is, as shown in FIG. 17, in the imaging element chip manufacturing process, the imaging element chip 10 is manufactured by the same method as the wafer process already described. On the other hand, the bonding layer 20 is formed in a region including the connection portion on the wiring board 30 in the bonding layer forming step. At this time, the bonding layer 20 has a shape and a size that can be arranged in the projection plane of the imaging element chip 10.

そして、接合層形成工程において撮像素子チップ10と、接合層20が形成された配線板30と、が接合された後に、折り曲げ工程が行われる。   Then, after the imaging element chip 10 and the wiring board 30 on which the bonding layer 20 is formed are bonded in the bonding layer forming process, the bending process is performed.

本実施形態の撮像装置1Jの製造方法は、第1実施形態の撮像装置1の製造方法と同様の効果を有する。   The manufacturing method of the imaging device 1J of the present embodiment has the same effects as the manufacturing method of the imaging device 1 of the first embodiment.

<第5実施形態>
次に、第5実施形態について説明する。第5実施形態は第1実施形態等と類似しているので類似した構成要素には、符号の末尾にアルファベット1文字を付加し、同じ構成要素には同じ符号を付し説明は省略する。
<Fifth Embodiment>
Next, a fifth embodiment will be described. Since the fifth embodiment is similar to the first embodiment and the like, similar constituent elements are appended with one alphabetic character at the end of the reference numerals, and the same reference numerals are assigned to the same constituent elements, and description thereof is omitted.

第5実施形態の撮像装置1Kの構造は第1実施形態の撮像装置1と略同様である。しかし製造方法が異なる。   The structure of the imaging device 1K according to the fifth embodiment is substantially the same as that of the imaging device 1 according to the first embodiment. However, the manufacturing method is different.

本実施形態の撮像装置1Kの製造方法は、第1の主面に撮像素子を有し、第2の主面に前記撮像素子と接続された外部接続端子を有する撮像素子チップを作製する撮像素子チップ作製工程と、前記撮像素子チップの投影面内に配置されるように、折り曲げ部により折り曲げられた配線板を作製する配線板作製工程と、前記配線板の配線層と前記外部接続端子とを、前記撮像素子チップの投影面内に配置される接合層を介して接合する接合工程と、を具備する。   The manufacturing method of the image pickup apparatus 1K according to the present embodiment is an image pickup element that produces an image pickup element chip having an image pickup element on a first main surface and an external connection terminal connected to the image pickup element on a second main surface. A chip manufacturing step, a wiring board manufacturing step of manufacturing a wiring board bent by a bent portion so as to be arranged in a projection plane of the imaging element chip, a wiring layer of the wiring board, and the external connection terminal And a bonding step of bonding via a bonding layer disposed in the projection plane of the imaging element chip.

すなわち、図18に示すように、撮像装置1Kの製造方法では接合工程の前に、配線板作製工程において配線板30が折り曲げ部30Yにおいて折り曲げられている。そして接合工程において、折り曲げられた配線板30が、接合層20を介して撮像素子チップ10と接合される。   That is, as shown in FIG. 18, in the manufacturing method of the imaging device 1K, the wiring board 30 is bent at the bent portion 30Y in the wiring board manufacturing process before the joining process. In the bonding step, the bent wiring board 30 is bonded to the imaging element chip 10 via the bonding layer 20.

なお、接合層20は、撮像素子チップ10に形成されていてもよいし、配線板30に形成されていてもよい。また、撮像素子チップ1と配線板30との間に、所定の大きさに切断したフィルム状樹脂をはさんで圧着接合してもよい。   Note that the bonding layer 20 may be formed on the imaging element chip 10 or may be formed on the wiring board 30. Further, a film-like resin cut into a predetermined size may be sandwiched between the imaging element chip 1 and the wiring board 30 by pressure bonding.

本実施形態の撮像装置1Kの製造方法は、第1実施形態の撮像装置1の製造方法と同様の効果を有する。   The manufacturing method of the imaging device 1K of the present embodiment has the same effects as the manufacturing method of the imaging device 1 of the first embodiment.

<第6実施形態>
次に、第3の実施の形態として、挿入部先端部に撮像装置1Lを組み込んだ内視鏡50の撮像ユニットについて説明する。図19において模式的に示している光学系51と、撮像装置1Lとは枠部52により光軸Oを中心に固定されている。なお撮像装置1Lの第1の主面には、製造中に撮像素子11を保護する機能も有するガラス基板部35が接合されている。
<Sixth Embodiment>
Next, as a third embodiment, an imaging unit of the endoscope 50 in which the imaging device 1L is incorporated at the distal end portion of the insertion portion will be described. The optical system 51 schematically shown in FIG. 19 and the imaging device 1L are fixed around the optical axis O by a frame portion 52. Note that a glass substrate portion 35 having a function of protecting the image pickup device 11 during manufacture is bonded to the first main surface of the image pickup device 1L.

撮像装置1Lは細径、例えば直径3mmのシールド枠53の内部に収容されている。シールド枠53の内部は高熱伝導率の非導電性樹脂充填剤55により充填されている。ブロック40配設後に折り曲げられた配線板30の延設部30Zには電子部品33が実装されていると共に、後端部にはケーブル45が接続されている。
撮像装置1Lは、すでに説明した撮像装置1と同様の構造である。
The imaging device 1L is accommodated in a shield frame 53 having a small diameter, for example, a diameter of 3 mm. The inside of the shield frame 53 is filled with a non-conductive resin filler 55 having a high thermal conductivity. An electronic component 33 is mounted on the extended portion 30Z of the wiring board 30 bent after the block 40 is disposed, and a cable 45 is connected to the rear end portion.
The imaging device 1L has the same structure as the imaging device 1 already described.

上記構造、すなわち、撮像装置1等を挿入部先端部に有する内視鏡50は細径化が可能である。   The endoscope 50 having the above-described structure, that is, the imaging device 1 or the like at the distal end portion of the insertion portion can be reduced in diameter.

本発明は上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を変えない範囲において、種々の変更、改変等ができる。   The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various changes and modifications can be made without departing from the scope of the present invention.

1、1A〜1L…撮像装置、10…撮像素子チップ、10S…撮像素子チップ投影面、10W1、10W2…撮像素子基板、11…撮像素子、12…貫通配線、13…外部接続端子、14…第1の主面、15…第2の主面、16…接続端子、17C〜17D…切り欠き部、18F〜18H…溝部、19…裏面配線、20…接合層、20S…接合層投影面、20W…接合層群、30…配線板、30S…配線板投影面、31…接続部、32…配線層、33…電子部品、40…ブロック、45…信号ケーブル、50…内視鏡、101…撮像装置、120…撮像素子チップ、123…撮像素子、124…ボンディングパッド、130…パターンフィルム、140…配線板、143…端子部、146…電子部品、150…信号ケーブル DESCRIPTION OF SYMBOLS 1, 1A-1L ... Image pick-up device, 10 ... Image pick-up element chip, 10S ... Image pick-up element chip projection surface, 10W1, 10W2 ... Image pick-up element board | substrate, 11 ... Image pick-up element, 12 ... Through wiring, 13 ... External connection terminal, 14th DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 main surface, 15 ... 2nd main surface, 16 ... Connection terminal, 17C-17D ... Notch part, 18F-18H ... Groove part, 19 ... Back surface wiring, 20 ... Joining layer, 20S ... Joining layer projection surface, 20W DESCRIPTION OF SYMBOLS ... Bonding layer group, 30 ... Wiring board, 30S ... Wiring board projection surface, 31 ... Connection part, 32 ... Wiring layer, 33 ... Electronic component, 40 ... Block, 45 ... Signal cable, 50 ... Endoscope, 101 ... Imaging Device 120 ... Imaging device chip 123 ... Imaging device 124 ... Bonding pad 130 ... Pattern film 140 ... Wiring board 143 ... Terminal part 146 ... Electronic component 150 ... Signal cable

Claims (13)

第1の主面に撮像素子を有し、第2の主面に前記撮像素子と接続された外部接続端子を有する撮像素子チップと、
前記外部接続端子と接続された配線層を有し、折り曲げ部において折り曲げられていることにより前記撮像素子チップの投影面内に配置された配線板と、
前記撮像素子チップの前記投影面内に配置され、前記撮像素子チップと、前記配線板と、を接合する接合層と、を具備することを特徴とする撮像装置。
An image sensor chip having an image sensor on a first main surface and an external connection terminal connected to the image sensor on a second main surface;
A wiring board having a wiring layer connected to the external connection terminal and being arranged in a projection plane of the imaging element chip by being bent at a bent portion;
An image pickup apparatus, comprising: a bonding layer that is disposed in the projection plane of the image pickup element chip and joins the image pickup element chip and the wiring board.
前記撮像素子チップの側面に切り欠き部が形成され、前記第2の主面の外寸が前記第1の主面の外寸よりも小さいことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の撮像装置。   The notch part is formed in the side surface of the said image pick-up element chip | tip, The outer dimension of the said 2nd main surface is smaller than the outer dimension of the said 1st main surface, The Claim 1 or Claim 2 characterized by the above-mentioned. Imaging device. 前記撮像素子チップの前記第2の主面に、前記接合層の大きさを規制する溝部が形成されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の撮像装置。   The imaging device according to claim 1, wherein a groove that regulates a size of the bonding layer is formed on the second main surface of the imaging element chip. 前記接合層が、フィルム状樹脂または液体状樹脂を用いて形成されていることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の撮像装置。   The imaging device according to any one of claims 1 to 3, wherein the bonding layer is formed using a film-like resin or a liquid-like resin. 前記撮像素子チップが、前記前記撮像素子と前記外部接続端子とを接続する、貫通配線または側面配線を有することを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の撮像装置。   5. The imaging apparatus according to claim 1, wherein the imaging element chip has a through wiring or a side wiring that connects the imaging element and the external connection terminal. 6. 前記配線板が可撓性を有することを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の撮像装置。   The imaging device according to claim 1, wherein the wiring board has flexibility. 前記接合層が、前記配線板の投影面内に配置されていることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の撮像装置。   The imaging device according to claim 1, wherein the bonding layer is disposed in a projection plane of the wiring board. 第1の主面に複数の撮像素子を有し、第2の主面にそれぞれの前記撮像素子と接続された外部接続端子を有する撮像素子基板を作製する撮像素子基板作製工程と、
前記撮像素子基板の前記第2の主面に、前記それぞれの撮像素子と接続された複数の前記外部接続端子を含む形状にパターニングされた接合層を形成する接合層形成工程と、
前記撮像素子基板を、前記接合層よりも大きい外寸の撮像素子チップに個片化する個片化工程と、
前記撮像素子チップの投影面内に配置される配線板の配線層と、前記外部接続端子と、を前記接合層を介して、接続する接合工程と、を具備することを特徴とする撮像装置の製造方法。
An image pickup device substrate manufacturing step of manufacturing an image pickup device substrate having a plurality of image pickup devices on a first main surface and having external connection terminals connected to the respective image pickup devices on a second main surface;
A bonding layer forming step of forming a bonding layer patterned in a shape including a plurality of the external connection terminals connected to the respective imaging elements on the second main surface of the imaging element substrate;
A singulation process for dividing the image sensor substrate into image sensor chips having an outer size larger than the bonding layer;
An image pickup apparatus comprising: a bonding step of connecting a wiring layer of a wiring board disposed in a projection plane of the image pickup element chip and the external connection terminal via the bonding layer. Production method.
前記接合工程が、可撓性を有する前記配線板を前記接合層を介して前記撮像素子チップに接続される接続工程と、前記配線板を折り曲げて前記撮像素子チップの投影面内に配置する折り曲げ工程と、を有することを特徴とする請求項8に記載の撮像装置の製造方法。   The joining step includes a connecting step in which the wiring board having flexibility is connected to the imaging element chip via the joining layer, and a bending in which the wiring board is bent and disposed in a projection plane of the imaging element chip. The method according to claim 8, further comprising: a step. 第1の主面に撮像素子を有し、第2の主面に前記撮像素子と接続された外部接続端子を有する撮像素子チップを作製する撮像素子チップ作製工程と、
可撓性を有する配線板上に前記撮像素子チップの投影面内に配置可能な接合層を形成する接合層形成工程と、
前記配線板の配線層と前記外部接続端子と前記接合層を介して接合する接合工程と、
前記撮像素子チップの投影面内に配置されるように、前記配線板を折り曲げ部により折り曲げる折り曲げ工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
An image sensor chip manufacturing step of manufacturing an image sensor chip having an image sensor on a first main surface and an external connection terminal connected to the image sensor on a second main surface;
A bonding layer forming step of forming a bonding layer that can be disposed in a projection plane of the imaging element chip on a flexible wiring board;
A bonding step of bonding the wiring layer of the wiring board and the external connection terminal via the bonding layer;
And a bending step of bending the wiring board by a bending portion so as to be disposed within a projection surface of the imaging element chip.
第1の主面に撮像素子を有し、第2の主面に前記撮像素子と接続された外部接続端子を有する撮像素子チップを作製する撮像素子チップ作製工程と、
前記撮像素子チップの投影面内に配置されるように、折り曲げ部により折り曲げられた配線板を作製する配線板作製工程と、
前記配線板の配線層と前記外部接続端子とを、前記撮像素子チップの投影面内に配置される接合層を介して接合する接合工程と、を具備することを特徴とする撮像装置の製造方法。
An image sensor chip manufacturing step of manufacturing an image sensor chip having an image sensor on a first main surface and an external connection terminal connected to the image sensor on a second main surface;
A wiring board manufacturing step of manufacturing a wiring board bent by a bent portion so as to be arranged in the projection plane of the imaging element chip;
A bonding step of bonding the wiring layer of the wiring board and the external connection terminal via a bonding layer disposed in a projection plane of the imaging element chip. .
前記撮像素子チップの側面に切り欠き部を形成する切り欠き部形成工程を具備し、
前記第2の主面の外寸が前記第1の主面の外寸よりも小さいことを特徴とする請求項8から請求項11のいずれか1項に記載の撮像装置の製造方法。
A notch forming step of forming a notch on the side surface of the image sensor chip,
12. The method of manufacturing an imaging device according to claim 8, wherein an outer dimension of the second main surface is smaller than an outer dimension of the first main surface.
前記第2の主面に、前記接合層の大きさを規制する溝部を形成する溝部形成工程を、有することを特徴とする請求項8から請求項12のいずれか1項に記載の撮像装置の製造方法。   13. The imaging device according to claim 8, further comprising: a groove portion forming step of forming a groove portion that regulates a size of the bonding layer on the second main surface. Production method.
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