JP2012064345A - Globe with phosphor layer for led bulb, its manufacturing method, and led bulb - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a globe with phosphor layer for an LED bulb in which the phosphor layer is hardly peeled from the inner surface of the globe, and to provide its manufacturing method and an LED bulb.SOLUTION: The globe 10 with a phosphor layer 10 for an LED bulb has a globe 11 to cover a semiconductor light emitting element 30 arranged on a substrate 20 and a phosphor layer 16 to cover the inner surface of the globe 11. The inner surface of the globe 11 is formed in an irregular shape, and the phosphor layer 16 covers closely adhered to the irregular shape on the inner surface of the globe 11.

Description

本発明の実施形態は、LED電球用の蛍光体層付きグローブ、その製造方法およびLED電球に関する。   Embodiments of the present invention relate to a globe with a phosphor layer for an LED bulb, a manufacturing method thereof, and an LED bulb.

蛍光体粉末は、たとえば、発光ダイオード(LED:Light Emitting Diode)等の発光装置に用いられる。発光装置は、たとえば、基板上に配置され所定の色の光を出射する半導体発光素子と、この半導体発光素子から出射される紫外光、青色光等の光により励起されて可視光を発する蛍光体粉末を透明樹脂硬化物中に含む蛍光体層(発光部)とを備える。   The phosphor powder is used for a light emitting device such as a light emitting diode (LED). The light emitting device includes, for example, a semiconductor light emitting element that is arranged on a substrate and emits light of a predetermined color, and a phosphor that emits visible light when excited by light such as ultraviolet light and blue light emitted from the semiconductor light emitting element. And a phosphor layer (light emitting portion) containing the powder in a transparent resin cured product.

この蛍光体層は、半導体発光素子を透明樹脂を介して直接被覆するように形成されたり、半導体発光素子から離間した状態で半導体発光素子を覆うグローブの内面を被覆するように形成されたりする。以下、後者の蛍光体層がグローブの内表面を被覆するように形成される発光装置を「リモートフォスファー型LED発光装置」という。また、グローブの内表面が蛍光体層で被覆されるグローブを「蛍光体層付きグローブ」という。蛍光体層は、半導体発光素子から出射される光により励起されて可視光を発する。   The phosphor layer may be formed so as to directly cover the semiconductor light emitting element via a transparent resin, or may be formed so as to cover the inner surface of the globe that covers the semiconductor light emitting element in a state of being separated from the semiconductor light emitting element. Hereinafter, the light emitting device in which the latter phosphor layer is formed so as to cover the inner surface of the globe is referred to as “remote phosphor type LED light emitting device”. A globe in which the inner surface of the globe is covered with a phosphor layer is referred to as a “globe with a phosphor layer”. The phosphor layer emits visible light when excited by light emitted from the semiconductor light emitting element.

発光装置の半導体発光素子としては、たとえば、GaN、InGaN、AlGaN、InGaAlP等が用いられる。また、蛍光体粉末の蛍光体としては、たとえば、半導体発光素子からの出射光により励起されてそれぞれ青色光、緑色光、黄色光、赤色光の光を出射する青色蛍光体、緑色蛍光体、黄色蛍光体、赤色蛍光体等が用いられる。   For example, GaN, InGaN, AlGaN, InGaAlP or the like is used as the semiconductor light emitting element of the light emitting device. Examples of the phosphor of the phosphor powder include a blue phosphor, a green phosphor, and a yellow phosphor that are excited by light emitted from the semiconductor light emitting element and emit blue light, green light, yellow light, and red light, respectively. A phosphor, a red phosphor or the like is used.

発光装置は、半導体発光素子と、蛍光体層中の蛍光体粉末とを適宜組み合わせて用いることにより、半導体発光素子から放射された光と蛍光体粉末から放射された光との作用で、可視光領域の光や白色光を発光させることが可能になる。   The light-emitting device uses a combination of a semiconductor light-emitting element and phosphor powder in the phosphor layer as appropriate, so that visible light can be obtained by the action of light emitted from the semiconductor light-emitting element and light emitted from the phosphor powder. It becomes possible to emit light of the region and white light.

上記発光装置のうち、リモートフォスファー型LED発光装置は、電球全体の輝度を均一化しやすく、これにより電球のぎらつきや局所的なまぶしさ、いわゆるグレアを低減することができるため好ましい。   Among the above light emitting devices, the remote phosphor type LED light emitting device is preferable because the luminance of the entire light bulb can be easily made uniform, thereby reducing glare of the light bulb and local glare, so-called glare.

特開2005−5546号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2005-5546

しかし、リモートフォスファー型LED発光装置の蛍光体層付きグローブでは、加工過程での蛍光体層の付着度合いの不良や経時変化により蛍光体層がグローブの内表面から剥離することがある。リモートフォスファー型LED発光装置において蛍光体層がグローブの内表面から剥離すると、発光強度が低下したり、半導体発光素子から出射された紫外光が発光装置外に放出されたりする等の問題が生じる。   However, in a phosphor with a phosphor layer of a remote phosphor type LED light-emitting device, the phosphor layer may be peeled off from the inner surface of the globe due to a poor adhesion level of the phosphor layer during processing or a change with time. When the phosphor layer is peeled off from the inner surface of the globe in the remote phosphor type LED light emitting device, there arises a problem that the light emission intensity is reduced or the ultraviolet light emitted from the semiconductor light emitting element is emitted outside the light emitting device. .

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、蛍光体層がグローブの内表面から剥離しにくいLED電球用の蛍光体層付きグローブ、その製造方法およびLED電球を提供することを目的とする。   This invention is made | formed in view of the said situation, and it aims at providing the glove with the fluorescent substance layer for LED bulbs for which a fluorescent substance layer is hard to peel from the inner surface of a glove, its manufacturing method, and a LED bulb. To do.

実施形態のLED電球用の蛍光体層付きグローブ、その製造方法およびLED電球は、グローブの内表面を凹凸形状に形成することにより、蛍光体層がグローブの内表面から剥離しにくくなることを見出して完成されたものである。   The globe with a phosphor layer for an LED bulb according to the embodiment, the manufacturing method thereof, and the LED bulb are found to be difficult to peel off the phosphor layer from the inner surface of the globe by forming the inner surface of the globe into an uneven shape. It was completed.

実施形態の蛍光体層付きグローブは、上記問題点を解決するものであり、基板上に配置された半導体発光素子を覆うグローブと、このグローブの内表面を被覆する蛍光体層とを有するLED電球用の蛍光体層付きグローブであって、前記グローブの内表面は凹凸形状に形成され、前記蛍光体層は、前記グローブの内表面の凹凸形状に密着して被覆していることを特徴とする。   The globe with a phosphor layer according to the embodiment solves the above-described problem, and an LED bulb having a globe that covers a semiconductor light emitting element disposed on a substrate and a phosphor layer that covers the inner surface of the globe. A glove with a phosphor layer for use, wherein the inner surface of the glove is formed in a concavo-convex shape, and the phosphor layer is coated in close contact with the concavo-convex shape of the inner surface of the glove. .

また、実施形態の蛍光体層付きグローブの製造方法は、上記問題点を解決するものであり、グローブの内表面に凹凸を形成する凹凸形成工程と、前記グローブの内表面に、透明樹脂中に蛍光体を分散させた蛍光体スラリーを塗布する塗布工程と、前記塗布された蛍光体スラリーを硬化させる硬化工程とを有することを特徴とする。   Moreover, the manufacturing method of the glove with a fluorescent substance layer of embodiment solves the said problem, the unevenness | corrugation formation process which forms an unevenness | corrugation in the inner surface of a globe, and the inner surface of the said globe in transparent resin It has the application | coating process which apply | coats the fluorescent substance slurry which disperse | distributed fluorescent substance, and the hardening process which hardens the said apply | coated fluorescent substance slurry, It is characterized by the above-mentioned.

さらに、実施形態のLED電球は、上記問題点を解決するものであり、基板と、この基板上に配置され、光を出射する半導体発光素子と、前記半導体発光素子を覆うグローブと、このグローブの内表面を被覆し前記半導体発光素子からの出射光により励起されて可視光を発する蛍光体層とを有する蛍光体層付きグローブとを備えたLED電球であって、前記蛍光体層付きグローブは、前記LED電球用の蛍光体層付きグローブであることを特徴とする。   Furthermore, the LED light bulb according to the embodiment solves the above-described problems. A substrate, a semiconductor light emitting element that is disposed on the substrate and emits light, a globe that covers the semiconductor light emitting element, An LED bulb including a phosphor layer-coated globe having an inner surface and a phosphor layer that emits visible light when excited by light emitted from the semiconductor light-emitting element, wherein the globe with the phosphor layer is: It is a glove with a phosphor layer for the LED bulb.

実施形態のLED電球の部分断面図。The fragmentary sectional view of the LED bulb of an embodiment. 実施形態の蛍光体層付きグローブの断面図。Sectional drawing of the glove with a fluorescent substance layer of embodiment. グローブの断面図。A sectional view of a globe. 算術平均傾斜Δaを説明する図。The figure explaining arithmetic mean inclination (DELTA) a. 実施例の試験フローを示す図。The figure which shows the test flow of an Example.

図面を参照して実施形態のLED電球用の蛍光体層付きグローブ、その製造方法およびLED電球について説明する。   A globe with a phosphor layer for an LED bulb, a method of manufacturing the same, and an LED bulb will be described with reference to the drawings.

(第1の実施形態)
[LED電球]
図1は、実施形態のLED電球の部分断面図である。図1に第1の実施形態として示されるLED電球1は、円錐台形状の基体部50と、基体部50の小径円形状の一方端に絶縁部材60を介して設けられた口金70と、基体部50の大径円形状の他方端に設けられた基板20と、この基板20上に配置され、光を出射する半導体発光素子30と、半導体発光素子30を半導体発光素子30から離間して覆う略半球状のグローブ11とこのグローブ11の内表面12を被覆する蛍光体層16とを有する略半球状の蛍光体層付きグローブ10と、を備える。蛍光体層16は、半導体発光素子30からの出射光により励起されて可視光を発するようになっている。基体部50内には図示しない点灯回路が設けられる。
(First embodiment)
[LED bulb]
FIG. 1 is a partial cross-sectional view of an LED bulb according to an embodiment. An LED bulb 1 shown as the first embodiment in FIG. 1 includes a truncated cone-shaped base portion 50, a base 70 provided at one end of a small-diameter circular shape of the base portion 50 via an insulating member 60, a base The substrate 20 provided at the other end of the large-diameter circular shape of the portion 50, the semiconductor light emitting element 30 disposed on the substrate 20 and emitting light, and the semiconductor light emitting element 30 are separated from the semiconductor light emitting element 30 and covered A substantially hemispherical glove 10 with a phosphor layer having a substantially hemispherical glove 11 and a phosphor layer 16 covering the inner surface 12 of the glove 11. The phosphor layer 16 emits visible light when excited by light emitted from the semiconductor light emitting element 30. A lighting circuit (not shown) is provided in the base unit 50.

また、半導体発光素子30と蛍光体層付きグローブ10の蛍光体層16との間には空間25が設けられ、半導体発光素子30と蛍光体層16とは離間して配置されている。空間25は特に密閉された空間でなく、常圧の空気で満たされている。   In addition, a space 25 is provided between the semiconductor light emitting element 30 and the phosphor layer 16 of the globe 10 with the phosphor layer, and the semiconductor light emitting element 30 and the phosphor layer 16 are spaced apart. The space 25 is not a particularly sealed space but is filled with atmospheric air.

<蛍光体層付きグローブ>
図1に示されるように、蛍光体層付きグローブ10は、基板20上に配置された半導体発光素子30を覆う略半球状のグローブ11と、このグローブ11の内表面を被覆する蛍光体層16とを有する。
<Glove with phosphor layer>
As shown in FIG. 1, a globe 10 with a phosphor layer includes a substantially hemispherical globe 11 that covers a semiconductor light emitting element 30 disposed on a substrate 20, and a phosphor layer 16 that covers the inner surface of the globe 11. And have.

図2は、図1に示された実施形態の蛍光体層付きグローブ10の断面図である。図3は、図1に示された実施形態の蛍光体層付きグローブ10を構成するグローブの断面図である。   FIG. 2 is a cross-sectional view of the glove 10 with a phosphor layer of the embodiment shown in FIG. FIG. 3 is a cross-sectional view of a glove constituting the glove 10 with a phosphor layer of the embodiment shown in FIG.

図2および図3に示すように、蛍光体層付きグローブ10は、略半球状のグローブ11と、グローブ11の内表面12を被覆する蛍光体層16とからなる。グローブ11の内表面12は凹凸形状に形成されており、蛍光体層16は、グローブ11の内表面12の凹凸形状に密着して被覆している。   As shown in FIG. 2 and FIG. 3, the phosphor layer-attached globe 10 includes a substantially hemispherical globe 11 and a phosphor layer 16 that covers the inner surface 12 of the globe 11. The inner surface 12 of the globe 11 is formed in an uneven shape, and the phosphor layer 16 is in close contact with the uneven shape of the inner surface 12 of the globe 11 to cover it.

なお、グローブ11の外表面13の表面形状は特に限定されない。図1に第1の実施形態として示されるLED電球1では、グローブ11の外表面13は平滑になっている。   The surface shape of the outer surface 13 of the globe 11 is not particularly limited. In the LED bulb 1 shown in FIG. 1 as the first embodiment, the outer surface 13 of the globe 11 is smooth.

グローブ11の内表面12の凹凸形状は、算術平均傾斜Δaが0.25°以上、好ましくは0.32°以上、さらに好ましくは0.32°〜0.36°である。グローブ11の内表面12の凹凸形状の算術平均傾斜Δaが0.25°以上であると、グローブ11の内表面12と蛍光体層16との密着性がよいため好ましい。   The uneven shape of the inner surface 12 of the globe 11 has an arithmetic average inclination Δa of 0.25 ° or more, preferably 0.32 ° or more, and more preferably 0.32 ° to 0.36 °. The arithmetic average slope Δa of the concave-convex shape of the inner surface 12 of the globe 11 is preferably 0.25 ° or more because the adhesion between the inner surface 12 of the globe 11 and the phosphor layer 16 is good.

算術平均傾斜Δaについて説明する。図4は、算術平均傾斜Δaを説明する図である。
たとえば、触針式の表面形状測定装置を用い、物体の表面に、表面の垂直方向から触針を当てつつ触針を水平方向に移動させると、図4に示すような物体の表面形状の測定曲線80が得られる。そして、測定曲線80に対し、図4に示す一般式(1)を適用すると、算術平均傾斜Δaが算出される。ここで、一般式(1)中、ΔXは所定区間の水平方向の距離、ΔYiはΔXに対する高さ方向の距離である。なお、触針式の表面形状測定装置に代えて、非接触式の表面形状測定装置を用いても算術平均傾斜Δaを算出することができる。
The arithmetic average slope Δa will be described. FIG. 4 is a diagram for explaining the arithmetic average slope Δa.
For example, when a stylus type surface shape measuring device is used and the stylus is moved in the horizontal direction while applying the stylus to the surface of the object from the vertical direction of the surface, measurement of the surface shape of the object as shown in FIG. Curve 80 is obtained. When the general formula (1) shown in FIG. 4 is applied to the measurement curve 80, the arithmetic average slope Δa is calculated. Here, in the general formula (1), ΔX is a distance in the horizontal direction of a predetermined section, and ΔYi is a distance in the height direction with respect to ΔX. In addition, it can replace with a stylus type surface shape measuring apparatus, and can also calculate arithmetic mean inclination (DELTA) a also using a non-contact-type surface shape measuring apparatus.

算術平均傾斜Δaは、大きい値であると物体の表面の微小な傾斜が急峻であることを示し、小さい値であると物体の表面の微小な傾斜がなだらかであることを示す。   When the arithmetic average inclination Δa is a large value, the minute inclination of the surface of the object is steep, and when the arithmetic average inclination Δa is a small value, the minute inclination of the object surface is gentle.

このため、グローブ11の内表面12の算術平均傾斜Δaが0.25°以上であるとは、グローブ11の内表面12の微小な凹凸形状が平均して急峻であることを示す。グローブ11の内表面12の微小な凹凸形状が急峻であると、内表面12の凹凸形状のアンカー効果により、グローブ11の内表面12と蛍光体層16との密着性がよくなるものと推測される。   For this reason, the arithmetic average inclination Δa of the inner surface 12 of the globe 11 being equal to or greater than 0.25 ° indicates that the minute uneven shape of the inner surface 12 of the globe 11 is steep on average. If the minute uneven shape of the inner surface 12 of the globe 11 is steep, it is assumed that the adhesion between the inner surface 12 of the globe 11 and the phosphor layer 16 is improved due to the anchor effect of the uneven shape of the inner surface 12. .

グローブ11の材質としては、ポリカーボネート、アクリル樹脂、ガラス等が挙げられる。これらのうち、グローブ11の材質が、ポリカーボネートまたはアクリル樹脂等の透明樹脂からなると、グローブ11が割れたりする危険性が実質的になく安全性が高いため好ましい。   Examples of the material of the globe 11 include polycarbonate, acrylic resin, and glass. Among these, it is preferable that the material of the globe 11 is made of a transparent resin such as polycarbonate or an acrylic resin because there is substantially no risk of the globe 11 being broken and the safety is high.

しかし、ポリカーボネートまたはアクリル樹脂は、蛍光体層16を構成する透明樹脂硬化物として一般的に用いられるシリコーン樹脂硬化物に対して密着性が低い。これに対し、実施形態のLED電球1では、グローブ11の内表面12を凹凸形状に形成することにより、グローブ11の内表面12と蛍光体層16との間の密着性を高くしている。   However, the polycarbonate or acrylic resin has low adhesion to the cured silicone resin generally used as the cured transparent resin constituting the phosphor layer 16. On the other hand, in the LED bulb 1 of the embodiment, the adhesion between the inner surface 12 of the globe 11 and the phosphor layer 16 is increased by forming the inner surface 12 of the globe 11 in an uneven shape.

蛍光体層16は、透明樹脂硬化物中に蛍光体が分散したものである。透明樹脂としては、たとえば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂等が用いられる。シリコーン樹脂は、エポキシ樹脂よりもUV耐性が高いため好ましい。このため、蛍光体層16は、シリコーン樹脂硬化物中に蛍光体が分散していると好ましい。また、シリコーン樹脂のうちでは、ジメチルシリコーン樹脂が、UV耐性が高いためさらに好ましい。   The phosphor layer 16 is obtained by dispersing a phosphor in a cured transparent resin. As the transparent resin, for example, a silicone resin or an epoxy resin is used. Silicone resins are preferred because they have higher UV resistance than epoxy resins. For this reason, it is preferable that the phosphor layer 16 has the phosphor dispersed in the cured silicone resin. Among silicone resins, dimethyl silicone resin is more preferable because of its high UV resistance.

蛍光体層16に用いられる蛍光体としては、特に限定されない。蛍光体としては、たとえば、赤色蛍光体、青色蛍光体、緑色蛍光体、黄色蛍光体、紫色蛍光体、橙色蛍光体等を用いることができる。蛍光体としては、通常、粉末状のものが用いられる。   The phosphor used for the phosphor layer 16 is not particularly limited. As the phosphor, for example, a red phosphor, a blue phosphor, a green phosphor, a yellow phosphor, a purple phosphor, an orange phosphor, or the like can be used. As the phosphor, a powdery one is usually used.

蛍光体粉末の粒径は、特に限定されない。蛍光体粉末は、たとえば、平均粒径が、好ましくは1μm以上100μm以下である。ここで、平均粒径とは、コールターカウンター法による測定値であり、体積累積分布の中央値D50を意味する。 The particle size of the phosphor powder is not particularly limited. For example, the phosphor powder has an average particle diameter of preferably 1 μm or more and 100 μm or less. Here, the average particle diameter is a value measured by the Coulter counter method, it means the median D 50 of the cumulative volume distribution.

蛍光体層16は、蛍光体100質量部に対して透明樹脂硬化物20〜1000質量部の割合で構成されていることが好ましい。蛍光体に対する透明樹脂硬化物の割合がこの範囲内にあると、蛍光体層16の発光強度が高い。   It is preferable that the fluorescent substance layer 16 is comprised in the ratio of 20-1000 mass parts of transparent resin hardened | cured materials with respect to 100 mass parts of fluorescent substance. When the ratio of the transparent resin cured product to the phosphor is within this range, the emission intensity of the phosphor layer 16 is high.

蛍光体層16の膜厚は、通常、80μm以上800μm以下、好ましくは150μm以上600μm以下である。蛍光体層16の膜厚が80μm以上800μm以下であると、半導体発光素子から出射される紫外光〜青色光等の光の漏出量が少ない状態で実用的な明るさを確保することができる。蛍光体層16の膜厚を150μm以上600μm以下とすると、蛍光体層16からの発光をより明るくすることができる。   The film thickness of the phosphor layer 16 is usually 80 μm or more and 800 μm or less, preferably 150 μm or more and 600 μm or less. When the thickness of the phosphor layer 16 is not less than 80 μm and not more than 800 μm, practical brightness can be ensured with a small amount of leakage of light such as ultraviolet light to blue light emitted from the semiconductor light emitting element. When the film thickness of the phosphor layer 16 is 150 μm or more and 600 μm or less, light emission from the phosphor layer 16 can be made brighter.

なお、図1に示す第1の実施形態においては、蛍光体層付きグローブ10は略半球状の例を示したが、本発明において蛍光体層付きグローブの形状は特に限定されない。蛍光体層付きグローブの形状は、略半球状以外の形状、たとえば、球状、円柱状等の種々の形状とすることができる。   In addition, in 1st Embodiment shown in FIG. 1, although the glove | globe 10 with a phosphor layer showed the example of a substantially hemispherical shape, the shape of the glove with a phosphor layer is not specifically limited in this invention. The shape of the globe with the phosphor layer can be various shapes other than a substantially hemispherical shape, such as a spherical shape or a cylindrical shape.

[蛍光体層付きグローブの製造方法]
LED電球用の蛍光体層付きグローブの製造方法は、凹凸形成工程と、塗布工程と、硬化工程とを有する。
[Production method of glove with phosphor layer]
The manufacturing method of the glove with a fluorescent substance layer for LED bulbs has an uneven | corrugated formation process, an application | coating process, and a hardening process.

<凹凸形成工程>
凹凸形成工程は、グローブの内表面に凹凸を形成する工程である。グローブの内表面に凹凸を形成する方法としては、たとえば、サンドペーパーやリューターでグローブの内表面をこする方法、またはグローブの内表面にショットブラスト加工を行う方法等が挙げられる。ここでリューターとは、ペン型グラインダーである。
サンドペーパーとしては、砥粒が粗めのものである番手が#100〜#180のものが好ましい。
<Roughness formation process>
The unevenness forming step is a step of forming unevenness on the inner surface of the globe. Examples of the method of forming irregularities on the inner surface of the globe include a method of rubbing the inner surface of the globe with sandpaper or a leuter, or a method of performing shot blasting on the inner surface of the globe. Here, the luter is a pen type grinder.
As the sandpaper, those with coarse grains are # 100 to # 180.

凹凸形成工程は、グローブの内表面の算術平均傾斜Δaが、通常0.25°以上、好ましくは0.32°以上、さらに好ましくは0.32°〜0.36°になるようにする。グローブの内表面の凹凸形状の算術平均傾斜Δaが0.25°以上であると、グローブの内表面と蛍光体層との密着性がよいため好ましい。   In the unevenness forming step, the arithmetic average inclination Δa of the inner surface of the globe is usually 0.25 ° or more, preferably 0.32 ° or more, more preferably 0.32 ° to 0.36 °. The arithmetic average slope Δa of the irregular shape on the inner surface of the globe is preferably 0.25 ° or more because the adhesion between the inner surface of the globe and the phosphor layer is good.

<塗布工程>
塗布工程は、グローブの内表面に、透明樹脂中に蛍光体を分散させた蛍光体スラリーを塗布する工程である。
蛍光体スラリーは、透明樹脂中に蛍光体を分散させたものである。
<Application process>
The application step is a step of applying a phosphor slurry in which a phosphor is dispersed in a transparent resin on the inner surface of the globe.
The phosphor slurry is obtained by dispersing a phosphor in a transparent resin.

透明樹脂としては、たとえば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂等が用いられる。シリコーン樹脂は、エポキシ樹脂よりもUV耐性が高いため好ましい。また、シリコーン樹脂のうちでは、ジメチルシリコーン樹脂が、UV耐性が高いためさらに好ましい。   As the transparent resin, for example, a silicone resin or an epoxy resin is used. Silicone resins are preferred because they have higher UV resistance than epoxy resins. Among silicone resins, dimethyl silicone resin is more preferable because of its high UV resistance.

蛍光体としては、特に限定されない。蛍光体としては、たとえば、赤色蛍光体、青色蛍光体、緑色蛍光体、黄色蛍光体、紫色蛍光体、橙色蛍光体等を用いることができる。蛍光体としては、通常、粉末状のものが用いられる。   The phosphor is not particularly limited. As the phosphor, for example, a red phosphor, a blue phosphor, a green phosphor, a yellow phosphor, a purple phosphor, an orange phosphor, or the like can be used. As the phosphor, a powdery one is usually used.

蛍光体粉末の粒径は、特に限定されない。蛍光体粉末は、たとえば、平均粒径が、好ましくは1μm以上100μm以下である。ここで、平均粒径とは、コールターカウンター法による測定値であり、体積累積分布の中央値D50を意味する。 The particle size of the phosphor powder is not particularly limited. For example, the phosphor powder has an average particle diameter of preferably 1 μm or more and 100 μm or less. Here, the average particle diameter is a value measured by the Coulter counter method, it means the median D 50 of the cumulative volume distribution.

蛍光体スラリーは、蛍光体100質量部に対して透明樹脂20〜1000質量部の割合で構成されていることが好ましい。蛍光体に対する透明樹脂の割合がこの範囲内にあると、グローブの内表面に形成される蛍光体層が発光強度の高いものになりやすい。   The phosphor slurry is preferably composed of 20 to 1000 parts by mass of a transparent resin with respect to 100 parts by mass of the phosphor. When the ratio of the transparent resin to the phosphor is within this range, the phosphor layer formed on the inner surface of the globe tends to have a high emission intensity.

蛍光体スラリーの塗布は、得られる蛍光体層の膜厚が、通常、80μm以上800μm以下、好ましくは150μm以上600μm以下になる塗布量とすることが好ましい。   The application of the phosphor slurry is preferably performed in such a coating amount that the film thickness of the obtained phosphor layer is usually 80 μm or more and 800 μm or less, preferably 150 μm or more and 600 μm or less.

蛍光体スラリーをグローブの内表面に塗布する方法としては、たとえば、スプレーで蛍光体スラリーをグローブの内表面に噴霧するスプレー噴霧方法、蛍光体スラリーが満たされた槽中にグローブを浸漬してグローブの内表面に蛍光体スラリーに塗布するディッピング方法、高速回転させたグローブの内表面に蛍光体スラリーを投下し遠心力で蛍光体スラリーの薄膜を形成するスピンコート方法等が挙げられる。なお、ディッピング方法でグローブの内表面のみに蛍光体スラリーを塗布するには、グローブの外表面に予めレジストコートしておき、蛍光体スラリーの塗布後、レジストを剥離する方法が挙げられる。   As a method of applying the phosphor slurry to the inner surface of the globe, for example, a spray spraying method in which the phosphor slurry is sprayed on the inner surface of the globe with a spray, or the globe is immersed in a tank filled with the phosphor slurry. And a dipping method in which the phosphor slurry is applied to the inner surface of the glove, a spin coating method in which the phosphor slurry is dropped on the inner surface of the glove rotated at high speed, and a thin film of the phosphor slurry is formed by centrifugal force. In order to apply the phosphor slurry only to the inner surface of the globe by the dipping method, there is a method in which the outer surface of the globe is coated with a resist in advance, and the resist is peeled off after the phosphor slurry is applied.

<硬化工程>
硬化工程は、前記塗布された蛍光体スラリーを硬化させる工程である。
蛍光体スラリーは、たとえば、100℃〜160℃に加熱することにより硬化させることができる。蛍光体スラリーの加熱方法としては、たとえば、ニクロム線等を用いた抵抗加熱法、赤外線ランプを用いた方法等が挙げられる。
硬化工程を終えると、グローブの内表面の蛍光体スラリーが硬化されて蛍光体層が形成され、蛍光体層付きグローブが得られる。
なお、硬化工程を終えた蛍光体層にはバリが発生していることがある。この場合は、不要な蛍光体層であるバリをカットする等により除去すればよい。
<Curing process>
The curing step is a step of curing the applied phosphor slurry.
The phosphor slurry can be cured, for example, by heating to 100 ° C to 160 ° C. Examples of the method for heating the phosphor slurry include a resistance heating method using a nichrome wire or the like, a method using an infrared lamp, and the like.
When the curing step is completed, the phosphor slurry on the inner surface of the globe is cured to form a phosphor layer, and a glove with a phosphor layer is obtained.
In addition, the burr | flash may have generate | occur | produced in the fluorescent substance layer which finished the hardening process. In this case, the burrs that are unnecessary phosphor layers may be removed by cutting or the like.

以下に実施例を示すが、本発明はこれらに限定されて解釈されるものではない。   Examples are shown below, but the present invention is not construed as being limited thereto.

[実施例1]
グローブを模し、表面を荒らしたクロスカット試験用樹脂板の表面に、蛍光体膜を形成した後、蛍光体膜に切り込みを入れ、蛍光体膜を引き剥がすクロスカット試験を行った。
[Example 1]
After the phosphor film was formed on the surface of the cross-cut test resin plate that imitated the globe and the surface was roughened, a cross-cut test was performed in which the phosphor film was cut and the phosphor film was peeled off.

(蛍光体膜形成樹脂板の作製)
はじめに、縦100mm×横100mm×厚さ2mmの表面が平滑なポリカーボネート板を作成した。このポリカーボネート板の表面の表面粗さを測定したところ、Raが0.09μm、Rzが0.72μm、Δaが0.01°であった。
(Preparation of phosphor film-forming resin plate)
First, a polycarbonate plate having a smooth surface of length 100 mm × width 100 mm × thickness 2 mm was prepared. When the surface roughness of the surface of this polycarbonate plate was measured, Ra was 0.09 μm, Rz was 0.72 μm, and Δa was 0.01 °.

次に、ポリカーボネート板の表面をサンドペーパー#100を用いてこすり、表面に微小な凹凸形状を付与してクロスカット試験用樹脂板を作製した。クロスカット試験用樹脂板の表面の表面粗さRa、Rz、およびΔaを測定したところ、表1に示すとおりであった。
一方、平均粒径D50が25μmの蛍光体100質量部を、シリコーン樹脂500質量部に分散させた蛍光体含有スラリーを作製した。
Next, the surface of the polycarbonate plate was rubbed with sandpaper # 100, and a minute uneven shape was imparted to the surface to prepare a resin plate for cross-cut test. When the surface roughness Ra, Rz, and Δa of the surface of the resin plate for cross-cut test were measured, they were as shown in Table 1.
On the other hand, a phosphor-containing slurry was prepared by dispersing 100 parts by mass of a phosphor having an average particle diameter D 50 of 25 μm in 500 parts by mass of a silicone resin.

この蛍光体含有スラリーをクロスカット試験用樹脂板の表面に塗布した後、100℃で5時間熱処理し蛍光体含有スラリーを硬化させて、表面に蛍光体膜が形成された蛍光体膜形成樹脂板を作製した。   After the phosphor-containing slurry is applied to the surface of the cross-cut test resin plate, the phosphor-containing slurry is formed by heat-treating the phosphor-containing slurry by heat treatment at 100 ° C. for 5 hours to form a phosphor film on the surface. Was made.

(クロスカット試験)
次に、蛍光体膜形成樹脂板の表面の蛍光体膜の縦10mm×横10mmの部分に、カッターを用いて、縦2mm間隔、横2mm間隔でそれぞれ直線状に切り込みを入れ、縦2mm×横2mmの正方形のマス目を縦5個×横5個の計25個形成して、クロスカット試験片を作製した。
クロスカット試験片の蛍光体膜面にテープを密着させて引き剥がし、クロスカット試験用樹脂板から剥離した蛍光体層のマスの個数を数えた。
測定結果を表1に示す。
(Cross cut test)
Next, a portion of 10 mm × 10 mm in width of the phosphor film on the surface of the phosphor film-forming resin plate is cut linearly at 2 mm intervals and 2 mm intervals using a cutter, and 2 mm × horizontal A total of 25 2 × 2 square square cells were formed to produce a cross-cut test piece.
The tape was adhered to and peeled off from the phosphor film surface of the crosscut test piece, and the number of masses of the phosphor layer peeled off from the crosscut test resin plate was counted.
The measurement results are shown in Table 1.

Figure 2012064345
Figure 2012064345

[比較例1]
Raが0.09μm、Rzが0.72μm、Δaが0.01°のポリカーボネート板をそのまま用い、ポリカーボネート板に蛍光体含有スラリーを直接に塗布した以外は、実施例1と同様にして、クロスカット試験片を作製してクロスカット試験を行った。
クロスカット試験用樹脂板の表面の表面粗さRa、Rz、およびΔa、ならびにクロスカット試験の測定結果を表1に示す。
表1において、クロスカット試験用樹脂板の表面粗さの欄の数値は、ポリカーボネート板の表面粗さの数値である。
[Comparative Example 1]
A cross-cut is performed in the same manner as in Example 1 except that a polycarbonate plate having an Ra of 0.09 μm, an Rz of 0.72 μm, and Δa of 0.01 ° is used as it is, and the phosphor-containing slurry is directly applied to the polycarbonate plate. A test piece was prepared and a cross-cut test was performed.
Table 1 shows the surface roughness Ra, Rz, and Δa of the surface of the cross-cut test resin plate, and the measurement results of the cross-cut test.
In Table 1, the numerical value in the column of the surface roughness of the resin plate for cross-cut test is the numerical value of the surface roughness of the polycarbonate plate.

[比較例2および3]
Raが0.09μm、Rzが0.72μm、Δaが0.01°のポリカーボネート板に代えて、ポリカーボネート板作成時のシボ加工により、ポリカーボネート板の表面にシボを形成した以外は実施例1と同様にして、クロスカット試験用樹脂板を作製し、さらにクロスカット試験片を作製してクロスカット試験を行った。
なお、シボ加工はA、Bの2種類行った。
シボ加工Aを施したポリカーボネート板は、表面粗さがRa7.20μm、Rz35.50μm、Δa0.20°であった。この実験例を比較例2とした。
また、シボ加工Bを施したポリカーボネート板は、表面粗さがRa1.28μm、Rz7.37μm、Δa0.05°であった。この実験例を比較例3とした。
クロスカット試験用樹脂板の表面の表面粗さRa、Rz、およびΔa、ならびにクロスカット試験の測定結果を表1に示す。
表1において、クロスカット試験用樹脂板の表面粗さの欄の数値は、シボ加工を行ったポリカーボネート板の表面粗さの数値である。
[Comparative Examples 2 and 3]
Example 1 except that the surface of the polycarbonate plate was formed by embossing at the time of making the polycarbonate plate instead of the polycarbonate plate having an Ra of 0.09 μm, Rz of 0.72 μm, and Δa of 0.01 °. Then, a cross-cut test resin plate was prepared, and a cross-cut test piece was further prepared to perform a cross-cut test.
The embossing was performed in two types A and B.
The polycarbonate plate subjected to the textured processing A had a surface roughness of Ra 7.20 μm, Rz 35.50 μm, and Δa 0.20 °. This experimental example was designated as Comparative Example 2.
Further, the surface roughness of the polycarbonate plate subjected to the texture processing B was Ra 1.28 μm, Rz 7.37 μm, and Δa 0.05 °. This experimental example was designated as Comparative Example 3.
Table 1 shows the surface roughness Ra, Rz, and Δa of the surface of the cross-cut test resin plate, and the measurement results of the cross-cut test.
In Table 1, the numerical value in the column of the surface roughness of the resin plate for cross-cut test is the numerical value of the surface roughness of the polycarbonate plate subjected to the texture processing.

[実施例2および3、比較例4〜7]
サンドペーパー#100に代えて、表1に示す番手のサンドペーパーを用いた以外は、実施例1と同様にして、クロスカット試験用樹脂板を作製し、さらにクロスカット試験片を作製してクロスカット試験を行った。
クロスカット試験用樹脂板の表面の表面粗さRa、Rz、およびΔa、ならびにクロスカット試験の測定結果を表1に示す。
[Examples 2 and 3, Comparative Examples 4 to 7]
A crosscut test resin plate was prepared in the same manner as in Example 1 except that the sandpaper with the count shown in Table 1 was used in place of the sandpaper # 100, and a crosscut test piece was further prepared. A cut test was conducted.
Table 1 shows the surface roughness Ra, Rz, and Δa of the surface of the cross-cut test resin plate, and the measurement results of the cross-cut test.

[実施例4]
ポリカーボネート板に代えて、縦100mm×横100mm×厚さ2mmの表面が平滑なアクリル樹脂板を用い、このアクリル樹脂板の表面をサンドペーパー#120でこすってクロスカット試験用樹脂板を作製した以外は、実施例1と同様にして、クロスカット試験片を作製してクロスカット試験を行った。
[Example 4]
Instead of a polycarbonate plate, an acrylic resin plate with a smooth surface of length 100 mm × width 100 mm × thickness 2 mm was used, and the surface of this acrylic resin plate was rubbed with sandpaper # 120 to produce a crosscut test resin plate In the same manner as in Example 1, a cross-cut test piece was prepared and a cross-cut test was performed.

なお、サンドペーパー#120でこする前のアクリル樹脂板の表面の表面粗さを測定したところ、Raが0.01μm、Rzが0.05μm、Δaが0.00°であった。
クロスカット試験用樹脂板の表面の表面粗さRa、Rz、およびΔa、ならびにクロスカット試験の測定結果を表1に示す。
When the surface roughness of the surface of the acrylic resin plate before rubbing with sandpaper # 120 was measured, Ra was 0.01 μm, Rz was 0.05 μm, and Δa was 0.00 °.
Table 1 shows the surface roughness Ra, Rz, and Δa of the surface of the cross-cut test resin plate, and the measurement results of the cross-cut test.

[比較例8]
Raが0.01μm、Rzが0.05μm、Δaが0.00°のアクリル樹脂板をそのまま用い、アクリル樹脂板に蛍光体含有スラリーを直接に塗布した以外は、実施例4と同様にして、クロスカット試験片を作製してクロスカット試験を行った。
クロスカット試験用樹脂板の表面の表面粗さRa、Rz、およびΔa、ならびにクロスカット試験の測定結果を表1に示す。
表1において、クロスカット試験用樹脂板の表面粗さの欄の数値は、アクリル樹脂板の表面粗さの数値である。
[Comparative Example 8]
Using an acrylic resin plate with an Ra of 0.01 μm, Rz of 0.05 μm, and Δa of 0.00 ° as it is, except that the phosphor-containing slurry was directly applied to the acrylic resin plate, the same as in Example 4, A cross-cut test piece was prepared and a cross-cut test was performed.
Table 1 shows the surface roughness Ra, Rz, and Δa of the surface of the cross-cut test resin plate, and the measurement results of the cross-cut test.
In Table 1, the numerical value in the column of the surface roughness of the cross-cut test resin plate is the numerical value of the surface roughness of the acrylic resin plate.

(実施例1〜4、比較例1〜8の結果についての評価)
表1に示す結果より、算術平均傾斜Δa 0.25°以上のサンプルではクロスカット試験で剥離しないことが分かった。
(Evaluation about the result of Examples 1-4 and Comparative Examples 1-8)
From the results shown in Table 1, it was found that samples having an arithmetic average slope Δa of 0.25 ° or more did not peel in the cross-cut test.

[実施例5]
半球状でポリカーボネート製のグローブを用い、内表面をサンドペーパーで荒らした後、グローブの内表面に蛍光体膜を作製した。その後、グローブからの蛍光体膜の自然剥離時間を評価した。
図5に、グローブへの蛍光体膜形成プロセスを示す。
[Example 5]
A hemispherical polycarbonate glove was used to roughen the inner surface with sandpaper, and then a phosphor film was formed on the inner surface of the glove. Thereafter, the natural peeling time of the phosphor film from the globe was evaluated.
FIG. 5 shows a phosphor film forming process on the globe.

はじめに、ブロー成型により半球状でポリカーボネート製のグローブを作成した。このグローブの内表面の表面粗さを測定したところ、Δaが0.25°未満であった。具体的には、Raが0.09μm、Rzが0.72μm、Δaが0.01°であった。   First, hemispherical polycarbonate gloves were made by blow molding. When the surface roughness of the inner surface of this glove was measured, Δa was less than 0.25 °. Specifically, Ra was 0.09 μm, Rz was 0.72 μm, and Δa was 0.01 °.

次に、グローブの内表面をサンドペーパー#100を用いてこすり、表面に微小な凹凸形状を付与した。このグローブの内表面の表面粗さを測定したところ、Δaが0.25°以上であった。具体的には、Raが4.19μm、Rzが26.24μm、Δaが0.36°であった。
一方、平均粒径D50が25μmの蛍光体100質量部を、シリコーン樹脂500質量部に分散させた蛍光体含有スラリーを作製した。
Next, the inner surface of the globe was rubbed with sandpaper # 100 to give a minute uneven shape to the surface. When the surface roughness of the inner surface of this glove was measured, Δa was 0.25 ° or more. Specifically, Ra was 4.19 μm, Rz was 26.24 μm, and Δa was 0.36 °.
On the other hand, a phosphor-containing slurry was prepared by dispersing 100 parts by mass of a phosphor having an average particle diameter D 50 of 25 μm in 500 parts by mass of a silicone resin.

この蛍光体含有スラリーをグローブの内表面にスプレーで塗布した後、ニクロム線を用いた抵抗加熱により100℃で5時間熱処理し蛍光体含有スラリーを硬化させて、グローブの内表面に蛍光体膜を形成した。さらに、蛍光体膜のバリ取りのため、蛍光体膜付きグローブから不要な蛍光体膜をカットして蛍光体膜付きグローブを作製した。
この蛍光体膜付きグローブを、LEDモジュールが設置された基体部に取り付けた。
After applying this phosphor-containing slurry to the inner surface of the globe by spraying, the phosphor-containing slurry is cured by heat treatment at 100 ° C. for 5 hours by resistance heating using a nichrome wire, and a phosphor film is formed on the inner surface of the globe. Formed. Furthermore, in order to deburr the phosphor film, an unnecessary phosphor film was cut from the glove with phosphor film to produce a glove with phosphor film.
This glove with a phosphor film was attached to the base part on which the LED module was installed.

基体部に取り付けた蛍光体膜付きグローブにつき、蛍光体膜の剥離具合を、蛍光体膜付きグローブの作製当日(0日後)、作製1日後、および作製1ヶ月後に目視観察した。
蛍光体膜付きグローブは、作製1ヶ月後でも、蛍光体膜の剥離は観察されなかった。
観察結果を表2に示す。
The degree of peeling of the phosphor film was visually observed on the day (0 day after), 1 day after production, and 1 month after production of the glove with phosphor film attached to the substrate.
In the glove with a phosphor film, peeling of the phosphor film was not observed even after one month of production.
The observation results are shown in Table 2.

Figure 2012064345
Figure 2012064345

[比較例9]
グローブの内表面をサンドペーパー#100を用いてこすらず、平滑なグローブの内表面に蛍光体含有スラリーをグローブの内表面にスプレーで塗布した以外は実施例1と同様にして、蛍光体膜付きグローブを作製し、蛍光体膜の剥離具合を目視観察した。
蛍光体膜付きグローブの蛍光体膜の剥離は、作製1日後に観察された。
観察結果を表2に示す。
[Comparative Example 9]
A phosphor film is attached in the same manner as in Example 1 except that the inner surface of the globe is not rubbed with sandpaper # 100, and the phosphor-containing slurry is applied to the inner surface of the globe by spraying on the smooth inner surface of the globe. A glove was produced and the degree of peeling of the phosphor film was visually observed.
The peeling of the phosphor film of the globe with the phosphor film was observed one day after the production.
The observation results are shown in Table 2.

(実施例5、比較例9の結果についての評価)
表2に示す結果より、グローブの内表面をサンドペーパー#100を用いてこすって荒らした場合は作製1ヶ月後でも蛍光体膜が剥離しないが、グローブの内表面をサンドペーパー#100を用いてこすって荒らさない場合は作製1日後に蛍光体膜が剥離することが分かった。これは、蛍光体膜に含まれるシリコーン樹脂が経時的に収縮するため、グローブとの応力差により剥離したためであると考えられる。
(Evaluation of the results of Example 5 and Comparative Example 9)
From the results shown in Table 2, when the inner surface of the glove is rubbed with sandpaper # 100, the phosphor film does not peel off even after one month of production, but the inner surface of the glove is used with sandpaper # 100. When rubbing and rubbing, it was found that the phosphor film was peeled after one day of production. This is presumably because the silicone resin contained in the phosphor film shrinks with time and peeled off due to the stress difference from the glove.

なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施し得るものであり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると共に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。   In addition, although several embodiment of this invention was described, these embodiment is shown as an example and is not intending limiting the range of invention. These novel embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the scope of the invention. These embodiments and modifications thereof are included in the scope and gist of the invention, and are included in the invention described in the claims and the equivalents thereof.

以上説明した実施例によれば、蛍光体層がグローブの内表面から剥離しにくいLED電球用の蛍光体層付きグローブ、その製造方法およびLED電球が得られる。   According to the embodiment described above, a globe with a phosphor layer for an LED bulb, a method for manufacturing the same, and an LED bulb can be obtained in which the phosphor layer is difficult to peel off from the inner surface of the globe.

1 LED電球
10 蛍光体層付きグローブ
11 グローブ
12 グローブの内表面
13 グローブの外表面
16 蛍光体層
20 基板
25 半導体発光素子と蛍光体層との間の空間
30 半導体発光素子
40 透明樹脂層
50 基体部
60 絶縁部材
70 口金
80 物体の表面形状の測定曲線
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 LED bulb 10 Globe 11 with phosphor layer Globe 12 Inner surface of globe 13 Outer surface of globe 16 Phosphor layer 20 Substrate 25 Space 30 between semiconductor light emitting element and phosphor layer Semiconductor light emitting element 40 Transparent resin layer 50 Base Part 60 Insulating member 70 Base 80 Measuring curve for surface shape of object

Claims (7)

基板上に配置された半導体発光素子を覆うグローブと、
このグローブの内表面を被覆する蛍光体層とを有するLED電球用の蛍光体層付きグローブであって、
前記グローブの内表面は凹凸形状に形成され、
前記蛍光体層は、前記グローブの内表面の凹凸形状に密着して被覆していることを特徴とするLED電球用の蛍光体層付きグローブ。
A globe covering the semiconductor light emitting element disposed on the substrate;
A globe with a phosphor layer for an LED bulb having a phosphor layer covering the inner surface of the globe,
The inner surface of the globe is formed in an uneven shape,
The said fluorescent substance layer is closely_contact | adhered and coat | covered with the uneven | corrugated shape of the inner surface of the said globe, The globe with the fluorescent substance layer for LED bulbs characterized by the above-mentioned.
前記グローブの内表面は、算術平均傾斜Δaが0.25°以上の凹凸形状に形成されたことを特徴とする請求項1に記載のLED電球用の蛍光体層付きグローブ。 2. The globe with a phosphor layer for an LED bulb according to claim 1, wherein the inner surface of the globe is formed in a concavo-convex shape having an arithmetic average inclination Δa of 0.25 ° or more. 前記グローブは、ポリカーボネートまたはアクリル樹脂からなることを特徴とする請求項1または2に記載のLED電球用の蛍光体層付きグローブ。 The globe with a phosphor layer for an LED bulb according to claim 1 or 2, wherein the globe is made of polycarbonate or acrylic resin. 前記蛍光体層は、シリコーン樹脂硬化物中に蛍光体が分散していることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のLED電球用の蛍光体層付きグローブ。 The said fluorescent substance layer has fluorescent substance disperse | distributed in silicone resin hardened | cured material, The glove with the fluorescent substance layer for LED bulbs of any one of Claims 1-3 characterized by the above-mentioned. 前記半導体発光素子と前記蛍光体層との間に空間が設けられ、前記半導体発光素子と前記蛍光体層とは離間して配置されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のLED電球用の蛍光体層付きグローブ。 5. A space is provided between the semiconductor light emitting element and the phosphor layer, and the semiconductor light emitting element and the phosphor layer are spaced apart from each other. The glove with a fluorescent substance layer for LED bulbs as described in an item. グローブの内表面に凹凸を形成する凹凸形成工程と、
前記グローブの内表面に、透明樹脂中に蛍光体を分散させた蛍光体スラリーを塗布する塗布工程と、
前記塗布された蛍光体スラリーを硬化させる硬化工程とを有することを特徴とするLED電球用の蛍光体層付きグローブの製造方法。
An irregularity forming step for forming irregularities on the inner surface of the globe;
Applying a phosphor slurry in which a phosphor is dispersed in a transparent resin on the inner surface of the globe,
A method for producing a globe with a phosphor layer for an LED bulb, comprising: a curing step of curing the applied phosphor slurry.
基板と、
この基板上に配置され、光を出射する半導体発光素子と、
前記半導体発光素子を覆うグローブと、このグローブの内表面を被覆し前記半導体発光素子からの出射光により励起されて可視光を発する蛍光体層とを有する蛍光体層付きグローブとを備えたLED電球であって、
前記蛍光体層付きグローブは、請求項1〜5のいずれか1項に記載のLED電球用の蛍光体層付きグローブであることを特徴とするLED電球。
A substrate,
A semiconductor light emitting element disposed on the substrate and emitting light;
LED bulb comprising: a globe that covers the semiconductor light emitting device; and a globe with a phosphor layer that covers an inner surface of the globe and has a phosphor layer that is excited by light emitted from the semiconductor light emitting device and emits visible light Because
The LED bulb according to claim 1, wherein the globe with a phosphor layer is a globe with a phosphor layer for an LED bulb according to claim 1.
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