JP2012060039A - Semiconductor laser device and optical device - Google Patents

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Nobuhiko Hayashi
伸彦 林
Hideki Yoshikawa
秀樹 吉川
Keiichi Kuramoto
慶一 蔵本
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor laser device and an optical device that have high reliability in a low cost.SOLUTION: A semiconductor laser device 100 comprises a package 30 including a base 10 and a sealing member 20 that seal a blue-violet semiconductor laser element 40. Through holes 11c and 11d are formed in a stem 11 of the base 10, and lead terminals 14 and 15 are penetrated therethrough. The lead terminals 14 and 15 are bonded to the base 10 with electrically insulated to the base 10 by adhesives 50 and 51 composed of an epoxy resin filled in the through holes 11c and 11d. At the front of the through holes 11c and 11d, silicon resins 60 and 61 are filled so as not to expose the adhesives 50 and 51 beyond the through holes. Additionally, coating agents 70 and 71 composed of an EVOH resin are formed at the openings of the through holes 11c and 11d on the side of a front surface 11a of the stem 11 so as not to expose the silicon resins 60 and 61.

Description

本発明は、半導体レーザ装置及び光装置に関し、特に、半導体レーザ素子を封止するパッケージを備えた半導体レーザ装置及びこれを用いた光装置に関する。   The present invention relates to a semiconductor laser device and an optical device, and more particularly to a semiconductor laser device provided with a package for sealing a semiconductor laser element and an optical device using the same.

現在、ブルーレイディスクの光源として、約４０５ｎｍの波長のレーザ光を出射する青紫色半導体レーザ装置が実用化されている。この青紫色半導体レーザ装置は、半導体レーザ素子を封止するパッケージを備えている（たとえば、特許文献１参照）。   Currently, a blue-violet semiconductor laser device that emits a laser beam having a wavelength of about 405 nm has been put to practical use as a light source for a Blu-ray Disc. This blue-violet semiconductor laser device includes a package for sealing a semiconductor laser element (see, for example, Patent Document 1).

上記特許文献１に開示されている半導体レーザ装置では、半導体レーザ素子が金属製のステムと容器（キャップ）とからなるパッケージによって気密封止されている。このキャップには、レーザ光が出射されるガラス窓が取り付けられている。このガラス窓の取り付けは、気密封止を行うために、金属の熱膨張係数と近い熱膨張係数を有する低融点ガラスを用いて行われている。また、ステムには、パッケージを貫通するようにリード線が取り付けられており、ステムとリード線とは、電気的に絶縁されている。このリード線がステムを貫通する部分においても、気密封止を行うために、上記同様の低融点ガラスを用いてリード線を融着（封止）している。また、ステムとキャップとは、抵抗溶接によって取り付けられることにより、気密封止されている。   In the semiconductor laser device disclosed in Patent Document 1, the semiconductor laser element is hermetically sealed by a package including a metal stem and a container (cap). A glass window through which laser light is emitted is attached to the cap. The glass window is attached using a low-melting glass having a thermal expansion coefficient close to that of a metal in order to perform hermetic sealing. In addition, a lead wire is attached to the stem so as to penetrate the package, and the stem and the lead wire are electrically insulated. Even in a portion where the lead wire passes through the stem, the lead wire is fused (sealed) using the same low melting point glass as described above in order to perform hermetic sealing. Further, the stem and the cap are hermetically sealed by being attached by resistance welding.

特開２００４−２２９１８号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2004-22918

しかしながら、上記特許文献１に開示された半導体レーザ装置では、上記のように気密封止を低融点ガラスや抵抗溶接により行っているので、製造工程が複雑になり、製造コストが大きくなるという問題点があった。また、低融点ガラスにより気密封止された部分は、外部からの衝撃等に弱いので、信頼性が低いという問題点があった。   However, in the semiconductor laser device disclosed in Patent Document 1, since the hermetic sealing is performed by low melting point glass or resistance welding as described above, the manufacturing process becomes complicated and the manufacturing cost increases. was there. In addition, the portion hermetically sealed with the low melting point glass has a problem of low reliability because it is vulnerable to external impacts.

この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の目的は、信頼性が高い半導体レーザ装置及び光装置を低コストで提供することである。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a highly reliable semiconductor laser device and optical device at low cost.

上記目的を達成するために、この発明の第１の局面による半導体レーザ装置は、内部に封止空間を有するパッケージと、封止空間内に配置された半導体レーザ素子とを備え、パッケージは、互いに接着剤で接合された第１の部材及び第２の部材を有し、封止空間内の第１の部材及び第２の部材の接合領域上には、エチレン−ビニルアルコール共重合体からなる被覆剤が形成されており、被覆剤により接着剤が覆われている。   In order to achieve the above object, a semiconductor laser device according to a first aspect of the present invention includes a package having a sealed space therein and a semiconductor laser element arranged in the sealed space, and the packages are mutually connected. A first member and a second member bonded with an adhesive, and a coating made of an ethylene-vinyl alcohol copolymer on the bonding region of the first member and the second member in the sealed space An agent is formed, and the adhesive is covered with a coating agent.

この発明の第１の局面による半導体レーザ装置では、パッケージを構成する第１の部材及び第２の部材を接着剤で接合しているので、製造工程が簡単で、低コストに半導体レーザ装置を製造することができる。また、低融点ガラス等で接合されている場合と比べて、柔軟性が高いことから、外力に対する信頼性も高い。   In the semiconductor laser device according to the first aspect of the present invention, since the first member and the second member constituting the package are joined with an adhesive, the manufacturing process is simple and the semiconductor laser device is manufactured at low cost. can do. Moreover, since the flexibility is high compared with the case of being joined with a low melting point glass or the like, the reliability with respect to the external force is also high.

また、封止空間内では、接着剤を被覆剤で覆っているので、接着剤に低分子シロキサンや揮発性の樹脂成分が含まれている場合にも、それらが封止空間内に侵入することを抑制することができる。また、被覆剤として、ガスバリア性に優れ、揮発性のガスも発生しにくいエチレン−ビニルアルコール共重合体（ＥＶＯＨ）を用いているので、封止空間内には上記ガスが侵入することを抑制することができる。この結果、レーザ出射端面に付着物が形成されることを抑制することができるので、半導体レーザ素子の劣化を容易に抑制することができる。   In addition, since the adhesive is covered with a coating agent in the sealed space, even if the adhesive contains low-molecular siloxane or volatile resin components, they will enter the sealed space. Can be suppressed. Moreover, since the ethylene-vinyl alcohol copolymer (EVOH) which is excellent in gas barrier property and hardly generates volatile gas is used as a coating agent, the above gas is prevented from entering the sealed space. be able to. As a result, it is possible to suppress the formation of deposits on the laser emission end face, and thus it is possible to easily suppress the deterioration of the semiconductor laser element.

上記第１の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、接着剤と被覆剤との間に接着剤より大きな弾性を有する樹脂が配置されており、被覆剤により樹脂が覆われている。このように構成すれば、第１の部材及び第２の部材の熱膨張係数が異なっていたり、外力による衝撃等で、接着剤に亀裂や剥離が発生した場合であっても、樹脂が亀裂や剥離によって生じた隙間に侵入することができる。これにより、さらに、気密性が向上し、信頼性も高くなる。   In the semiconductor laser device according to the first aspect, preferably, a resin having elasticity larger than that of the adhesive is disposed between the adhesive and the coating, and the resin is covered with the coating. If comprised in this way, even if the thermal expansion coefficient of the 1st member and the 2nd member differs, or even when a crack and peeling generate | occur | produce in an adhesive agent by the impact by external force, etc., resin will be cracked. It is possible to enter a gap generated by peeling. This further improves the airtightness and increases the reliability.

上記第１の局面による半導体レーザ装置において、第１の部材と第２の部材は、異なる材料から構成されていてもよい。この場合、各部材の形状や機能に合わせて材料を容易に選択できる。   In the semiconductor laser device according to the first aspect, the first member and the second member may be made of different materials. In this case, the material can be easily selected according to the shape and function of each member.

上記第１の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、第１の部材は、透光性を有するとともに、第２の部材の開口部に接合されており、半導体レーザ素子から出射されるレーザ光は、第１の部材を透過してパッケージの外部に出射される。このように構成すれば、レーザ光を出射するための窓部における封止を容易に行うことができる。   In the semiconductor laser device according to the first aspect, preferably, the first member has translucency and is bonded to the opening of the second member, and the laser beam emitted from the semiconductor laser element is Then, the light passes through the first member and is emitted to the outside of the package. If comprised in this way, the sealing in the window part for radiating | emitting a laser beam can be performed easily.

上記第１の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、第１の部材は、導電性を有するとともに、第２の部材の開口部に接合されており、第１の部材は、第２の部材と電気的に絶縁された状態でパッケージの外部から封止空間内まで延びて配置されている。このように構成すれば、封止空間内に配置されている半導体レーザ素子への電力供給用の配線部やフォトダイオード（ＰＤ）からのモニタ信号用の配線部における封止を容易に行うことができる。   In the semiconductor laser device according to the first aspect, preferably, the first member has conductivity and is joined to the opening of the second member, and the first member is connected to the second member. It extends from the outside of the package into the sealed space in an electrically insulated state. With this configuration, it is possible to easily seal the wiring portion for supplying power to the semiconductor laser element arranged in the sealing space and the wiring portion for monitor signal from the photodiode (PD). it can.

この発明の第２の局面による光装置は、内部に封止空間を有するパッケージと、封止空間内に配置された半導体レーザ素子とを含む半導体レーザ装置と、半導体レーザ素子の出射光を制御する光学系とを備え、パッケージは、互いに接着剤で接合された第１の部材及び第２の部材を有し、封止空間内の第１の部材及び第２の部材の接合領域上には、エチレン−ビニルアルコール共重合体からなる被覆剤が形成されており、被覆剤により接着剤が覆われている。   An optical device according to a second aspect of the present invention controls a semiconductor laser device including a package having a sealed space therein, a semiconductor laser element disposed in the sealed space, and light emitted from the semiconductor laser element. The package includes a first member and a second member bonded to each other with an adhesive, and on the bonding region of the first member and the second member in the sealed space, A coating agent made of an ethylene-vinyl alcohol copolymer is formed, and the adhesive is covered with the coating agent.

この発明の第２の局面による光装置では、封止空間内の第１の部材及び第２の部材を接着剤で接合しているので、製造工程が簡単で、低コストに半導体レーザ装置を製造することができる。また、低融点ガラス等で接合されている場合と比べて、柔軟性が高いことから、外力に対する信頼性も高い。   In the optical device according to the second aspect of the present invention, since the first member and the second member in the sealed space are joined with an adhesive, the manufacturing process is simple and the semiconductor laser device is manufactured at low cost. can do. Moreover, since the flexibility is high compared with the case of being joined with a low melting point glass or the like, the reliability with respect to the external force is also high.

また、接着剤を被覆剤で覆っているので、接着剤に低分子シロキサンや揮発性の樹脂成分が含まれている場合にも、それらが封止空間内に侵入することを抑制することができる。また、被覆剤として、ガスバリア性に優れており、揮発性のガスも発生しにくいエチレン−ビニルアルコール共重合体（ＥＶＯＨ）を用いているので、封止空間内には上記ガスの侵入をさらに抑制することができる。これにより、レーザ出射端面に付着物が形成されることを抑制することができるので、半導体レーザ素子の劣化を容易に抑制することができる。これらの結果、信頼性が高い光装置を容易にかつ低コストに実現することができる。   In addition, since the adhesive is covered with a coating agent, even when the adhesive contains a low-molecular siloxane or a volatile resin component, they can be prevented from entering the sealed space. . In addition, as the coating agent, ethylene-vinyl alcohol copolymer (EVOH), which has excellent gas barrier properties and hardly generates volatile gas, is used, so that the above gas can be further prevented from entering the sealed space. can do. As a result, it is possible to suppress the formation of deposits on the laser emission end face, and thus it is possible to easily suppress the deterioration of the semiconductor laser element. As a result, an optical device with high reliability can be realized easily and at low cost.

本発明によれば、レーザ出射端面に付着物が形成されにくいので、信頼性が高く、半導体レーザ素子が劣化しにくい半導体レーザ装置及び光装置を容易にかつ低コストに提供することができる。   According to the present invention, it is difficult for deposits to be formed on the laser emission end face, so that it is possible to easily and inexpensively provide a semiconductor laser device and an optical device that are highly reliable and in which the semiconductor laser element is unlikely to deteriorate.

半導体レーザ装置１００のベース１０と封止部材２０とが分離された状態を示した分解斜視図である。2 is an exploded perspective view showing a state where a base 10 and a sealing member 20 of a semiconductor laser device 100 are separated. FIG. 半導体レーザ装置１００の幅方向の中心線に沿った縦断面図である。2 is a longitudinal sectional view taken along the center line in the width direction of the semiconductor laser device 100. FIG. 半導体レーザ装置１００における貫通孔１１ｃ（１１ｄ）付近の縦断面図である。3 is a longitudinal sectional view of the vicinity of a through hole 11c (11d) in the semiconductor laser device 100. FIG. 半導体レーザ装置１１０のベースとキャップとが分離された状態を示した分解斜視図である。3 is an exploded perspective view showing a state where a base and a cap of a semiconductor laser device 110 are separated. FIG. 半導体レーザ装置２００のベース１０と封止部材２０とが分離された状態を示した分解斜視図である。3 is an exploded perspective view showing a state where a base 10 and a sealing member 20 of a semiconductor laser device 200 are separated. FIG. 半導体レーザ装置２００の幅方向の中心線に沿った縦断面図である。4 is a longitudinal sectional view taken along the center line in the width direction of the semiconductor laser device 200. FIG. 半導体レーザ装置２００のリード端子１４（１５）が貫通する付近の端子保持部５５の部分断面図である。6 is a partial cross-sectional view of the terminal holding portion 55 in the vicinity of which the lead terminal 14 (15) of the semiconductor laser device 200 passes. 半導体レーザ装置２１０のベース１０と封止部材２０とが分離された状態を示した分解斜視図である。4 is an exploded perspective view showing a state where a base 10 and a sealing member 20 of a semiconductor laser device 210 are separated. FIG. 半導体レーザ装置２２０のベース１０と封止部材２０とが分離された状態を示した分解斜視図である。3 is an exploded perspective view showing a state where a base 10 and a sealing member 20 of a semiconductor laser device 220 are separated. FIG. 半導体レーザ装置２２０の幅方向の中心線に沿った縦断面図である。4 is a longitudinal sectional view taken along the center line in the width direction of the semiconductor laser device 220. FIG. 半導体レーザ装置２２０における貫通孔１１ｃ（１１ｄ）付近の縦断面図である。4 is a longitudinal sectional view of the vicinity of a through hole 11c (11d) in the semiconductor laser device 220. FIG. 半導体レーザ装置２１０を備えた光ピックアップ装置３００の構成を示した概略図である。1 is a schematic diagram showing a configuration of an optical pickup device 300 provided with a semiconductor laser device 210. FIG.

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

（第１実施形態）
本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置１００について説明する。図１〜図３に示すように、この半導体レーザ装置１００は、ベース１０及び封止部材２０を含むパッケージ３０を備えており、パッケージ内には、約４０５ｎｍの発振波長を有する青紫色半導体レーザ素子４０が封止されている。青紫色半導体レーザ素子４０は、本発明の「半導体レーザ素子」の一例である。 (First embodiment)
A semiconductor laser device 100 according to a first embodiment of the present invention will be described. As shown in FIGS. 1 to 3, the semiconductor laser device 100 includes a package 30 including a base 10 and a sealing member 20, and a blue-violet semiconductor laser element having an oscillation wavelength of about 405 nm is included in the package. 40 is sealed. The blue-violet semiconductor laser element 40 is an example of the “semiconductor laser element” in the present invention.

ベース１０は、表面にＮｉ−Ａｕめっきを施したＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金であるコバールから形成されており、円盤状のステム１１とステム１１の前面１１ａら前方に突出する台座１２とを有する。   The base 10 is made of Kovar, which is an Fe—Ni—Co alloy with Ni—Au plating on the surface, and has a disc-shaped stem 11 and a pedestal 12 protruding forward from the front surface 11 a of the stem 11.

ステム１１の後面１１ｂには、後方（Ａ２方向）に延びるリード端子１３、１４及び１５が設けられている。リード端子１３は、ベース１０と一体的に形成されており、電気的に接続されている。また、ステム１１には、台座１２の上面（Ｃ２側の面）に平行な同一平面上に貫通孔１１ｃ及び１１ｄが形成されている。リード端子１４及び１５は、貫通孔１１ｃ及び１１ｄ内を貫通してステム１１の前方まで延びて配置されている。リード端子１４及び１５は、貫通孔１１ｃ及び１１ｄ内に充填されたエポキシ樹脂からなる接着剤５０及び５１によってベース１０と電気的に絶縁された状態で接合されている。なお、貫通孔１１ｃ及び１１ｄは、本発明の「開口部」の一例である。   On the rear surface 11b of the stem 11, lead terminals 13, 14 and 15 extending rearward (A2 direction) are provided. The lead terminal 13 is formed integrally with the base 10 and is electrically connected. The stem 11 is formed with through holes 11c and 11d on the same plane parallel to the upper surface (surface on the C2 side) of the pedestal 12. The lead terminals 14 and 15 are arranged to extend through the through holes 11c and 11d to the front of the stem 11. The lead terminals 14 and 15 are joined in a state of being electrically insulated from the base 10 by adhesives 50 and 51 made of an epoxy resin filled in the through holes 11c and 11d. The through holes 11c and 11d are examples of the “opening” in the present invention.

貫通孔１１ｃ及び１１ｄ内の前方には、接着剤５０及び５１が前方に露出しないように、シリコン樹脂６０及び６１が充填されている。なお、シリコン樹脂６０及び６１は、本発明の「接着剤より大きな弾性を有する樹脂」の一例である。また、貫通孔１１ｃ及び１１ｄの前面１１ａ側の開口部には、シリコン樹脂６０及び６１が露出しないように、エチレン−ビニルアルコール共重合体（ＥＶＯＨ樹脂）からからなる被覆剤７０及び７１が形成されている。被覆剤７０及び７１は、シリコン樹脂６０及び６１を覆うようにフィルム状のＥＶＯＨ樹脂を配置した後、約２００℃に加熱溶融することにより形成される。   Silicone resins 60 and 61 are filled in front of the through holes 11c and 11d so that the adhesives 50 and 51 are not exposed forward. The silicon resins 60 and 61 are examples of the “resin having greater elasticity than the adhesive” in the present invention. Further, coatings 70 and 71 made of an ethylene-vinyl alcohol copolymer (EVOH resin) are formed in the openings on the front surface 11a side of the through holes 11c and 11d so that the silicon resins 60 and 61 are not exposed. ing. The coating agents 70 and 71 are formed by disposing a film-like EVOH resin so as to cover the silicon resins 60 and 61 and then heating and melting to about 200 ° C.

青紫色半導体レーザ素子４０は、サブマウント４５を介して台座１２の上面に接合されている。ここで、青紫色半導体レーザ素子４０は、青紫色半導体レーザ素子４０の一対の共振器端面のうち、出射されるレーザ光の光強度が相対的に大きい方の共振器端面（光出射面）を前方（Ａ１方向）に、出射されるレーザ光の光強度が相対的に小さい方の共振器端面（光反射面）を後方（Ａ２方向）に、それぞれ向けて配置されている。   The blue-violet semiconductor laser element 40 is bonded to the upper surface of the pedestal 12 via a submount 45. Here, the blue-violet semiconductor laser device 40 has a resonator end surface (light emitting surface) of the pair of resonator end surfaces of the blue-violet semiconductor laser device 40 that has a relatively large light intensity of emitted laser light. The resonator end face (light reflecting face) having a relatively small light intensity of the emitted laser light is arranged forward (A1 direction) and facing backward (A2 direction).

青紫色半導体レーザ素子４０の下面（Ｃ１側の面）に形成されたｎ側電極（図示せず）は、サブマウント４５を介して、台座１２及びリード端子１３と電気的に接続されている。また、青紫色半導体レーザ素子４０の上面（Ｃ２側の面）に形成されたｐ側電極（図示せず）は、Ａｕ等からなる金属線８０を介して、リード端子１４の前端部と電気的に接続されている。   An n-side electrode (not shown) formed on the lower surface (surface on the C1 side) of the blue-violet semiconductor laser element 40 is electrically connected to the base 12 and the lead terminal 13 via the submount 45. Further, a p-side electrode (not shown) formed on the upper surface (surface on the C2 side) of the blue-violet semiconductor laser element 40 is electrically connected to the front end portion of the lead terminal 14 via a metal wire 80 made of Au or the like. It is connected to the.

ステム１１の前面１１ａには、フォトダイオード（ＰＤ）９０が取り付けられている。ＰＤ９０の前面（受光面）は、青紫色半導体レーザ素子４０の光反射面と対向するように配置されている。ＰＤ９０の背面に形成されたｎ側電極（図示せず）は、導電性接着剤５２を介して、ステム１１及びリード端子１３と電気的に接続されている。また、ＰＤ９０の前面に形成されたｐ側電極（図示せず）は、Ａｕ等からなる金属線８１を介して、リード端子１５の前端部と電気的に接続されている。また、ＰＤ９０の側面とステム１１の前面１１ａとの間には、導電性接着剤５２を覆うように、ＥＶＯＨ樹脂からなる被覆剤７２が形成されている。被覆剤７２は、被覆剤７１と同様に、ＰＤ９０の周囲にフィルム状のＥＶＯＨ樹脂を配置した後、約２００℃に加熱溶融することにより形成される。   A photodiode (PD) 90 is attached to the front surface 11 a of the stem 11. The front surface (light receiving surface) of the PD 90 is disposed so as to face the light reflecting surface of the blue-violet semiconductor laser element 40. An n-side electrode (not shown) formed on the back surface of the PD 90 is electrically connected to the stem 11 and the lead terminal 13 via the conductive adhesive 52. A p-side electrode (not shown) formed on the front surface of the PD 90 is electrically connected to the front end portion of the lead terminal 15 via a metal wire 81 made of Au or the like. A coating 72 made of EVOH resin is formed between the side surface of the PD 90 and the front surface 11 a of the stem 11 so as to cover the conductive adhesive 52. Similarly to the coating agent 71, the coating agent 72 is formed by disposing a film-like EVOH resin around the PD 90 and then heating and melting to about 200 ° C.

封止部材２０は、表面にＮｉめっきを施したコバールからなり、後方に開口したキャップ状に形成されている。封止部材２０は、円筒状に形成された側壁部２０ａと、側壁部２０ａの前方を塞ぐ底部２０ｂと、側壁部２０の後方に形成され、ステム１１の外形と同様に外周に向かって張り出した取付部２０ｃとを有する。   The sealing member 20 is made of Kovar whose surface is plated with Ni, and is formed in a cap shape that opens rearward. The sealing member 20 is formed in the cylindrical side wall part 20a, the bottom part 20b that closes the front of the side wall part 20a, and the rear side of the side wall part 20, and extends toward the outer periphery in the same manner as the outer shape of the stem 11. And an attachment portion 20c.

封止部材２０の底部２０ｂの中央には、円状の孔部２０ｅが設けられており、前方から孔部２０ｅを覆うように、硼珪酸ガラスからなる矩形状の光透過部２１が接合されている。なお、孔部２０ｅは、本発明の「開口部」の一例である。光透過部２１の後面と孔部２０ｅを除く底部２０ｂの前面との間には、ＥＶＯＨ樹脂からなる被覆剤７３が形成されている。被覆剤７３は、光透過部２１と底部２０ｂとの隙間を封止するように充填されている。被覆剤７３は、孔部２０ｅと同じ形状の開口部を有するフィルム状のＥＶＯＨ樹脂を光透過部２１と底部２０ｅとの間に挟み込んだ後、約２００℃に加熱溶融することにより形成することができる。また、光透過部２１の側面と封止部材２０の底部２０ｂとの間には、エポキシ樹脂からなる接着剤５３が形成されており、この接着剤５３によって、光透過部２１と底部２０ｂとが固定されている。接着剤５３は、被覆剤７３を形成した後、光透過部２１の周囲に塗布形成することができる。   A circular hole 20e is provided at the center of the bottom 20b of the sealing member 20, and a rectangular light transmission part 21 made of borosilicate glass is joined so as to cover the hole 20e from the front. Yes. The hole 20e is an example of the “opening” in the present invention. A coating agent 73 made of EVOH resin is formed between the rear surface of the light transmitting portion 21 and the front surface of the bottom portion 20b excluding the hole 20e. The coating agent 73 is filled so as to seal the gap between the light transmission part 21 and the bottom part 20b. The covering agent 73 can be formed by sandwiching a film-like EVOH resin having an opening having the same shape as the hole 20e between the light transmitting portion 21 and the bottom portion 20e, and then heating and melting to about 200 ° C. it can. Further, an adhesive 53 made of an epoxy resin is formed between the side surface of the light transmission part 21 and the bottom part 20b of the sealing member 20, and the light transmission part 21 and the bottom part 20b are formed by this adhesive 53. It is fixed. The adhesive 53 can be applied and formed around the light transmission part 21 after the coating 73 is formed.

ベース１０と封止部材２０とは、ステム１１の前面１１ａと封止部材２０の取付部２０ｃとの間に形成されたＥＶＯＨ樹脂からなる被覆剤７４によって封止されている。被覆剤７４は、取付部２０ｃと同じ形状のフィルム状のＥＶＯＨ樹脂を前面１１ａと取付部２０ｃとの間に挟み込んだ後、約２００℃に加熱溶融することにより形成することができる。また、取付部２０ｃの側面とステム１１の側面との間には、エポキシ樹脂からなる接着剤５４が形成されており、この接着剤５４によって、取付部２０ｃとステム１１とが固定されている。接着剤５４は、被覆剤７４を形成した後、取付部２０ｃの側面とステム１１の側面との間に塗布形成することができる。このようにして、ベース１０及び封止部材２０により囲まれたパッケージ３０内の封止空間３１内に青紫色半導体レーザ素子４０を封止した半導体レーザ装置１００が構成されている。   The base 10 and the sealing member 20 are sealed with a coating agent 74 made of EVOH resin formed between the front surface 11a of the stem 11 and the mounting portion 20c of the sealing member 20. The coating 74 can be formed by sandwiching a film-like EVOH resin having the same shape as that of the attachment portion 20c between the front surface 11a and the attachment portion 20c, and then heating and melting to about 200 ° C. Further, an adhesive 54 made of an epoxy resin is formed between the side surface of the mounting portion 20 c and the side surface of the stem 11, and the mounting portion 20 c and the stem 11 are fixed by this adhesive 54. The adhesive 54 can be applied and formed between the side surface of the mounting portion 20 c and the side surface of the stem 11 after forming the coating agent 74. In this manner, the semiconductor laser device 100 is configured in which the blue-violet semiconductor laser element 40 is sealed in the sealed space 31 in the package 30 surrounded by the base 10 and the sealing member 20.

ここで、半導体レーザ装置１００では、ベース１０と封止部材２０との関係においては、一方が本発明の「第１の部材」、他方が本発明の「第２の部材」の一例である。また、ベース１０とリード端子１４、１５との関係においては、リード端子１４、１５が本発明の「第１の部材」、ベース１０が本発明の「第２の部材」の一例となる。また、封止部材２０と光透過部２１との関係においては、光透過部２１が本発明の「第１の部材」、封止部材２０が本発明の「第２の部材」の一例となる。   Here, in the semiconductor laser device 100, in the relationship between the base 10 and the sealing member 20, one is an example of the “first member” of the present invention and the other is an example of the “second member” of the present invention. Further, regarding the relationship between the base 10 and the lead terminals 14 and 15, the lead terminals 14 and 15 are examples of the “first member” of the present invention, and the base 10 is an example of the “second member” of the present invention. Further, regarding the relationship between the sealing member 20 and the light transmitting portion 21, the light transmitting portion 21 is an example of the “first member” in the present invention, and the sealing member 20 is an example of the “second member” in the present invention. .

半導体レーザ装置１００では、パッケージを構成するベース１０、封止部材２０、光透過部２１、リード端子１４及び１５を接着剤５０、５１、５３及び５４で接合しているので、製造工程が簡単で、低コストに半導体レーザ装置１００を製造することができる。また、低融点ガラス等で接合されている場合と比べて、柔軟性が高いことから、外力に対する信頼性も高い。また、封止空間３１内では、接着剤５０、５１、５３及び５４を被覆剤７０、７１、７３、７４で覆っているので、接着剤５０、５１、５３及び５４に低分子シロキサンや揮発性の樹脂成分が含まれている場合にも、それらが封止空間３１内に侵入することを抑制することができる。また、被覆剤７０、７１、７３、７４として、ガスバリア性に優れ、揮発性のガスも発生しにくいＥＶＯＨを用いているので、封止空間３１内には上記ガスが侵入することを抑制することができる。この結果、半導体レーザ素子４０の光出射面に付着物が形成されることを抑制することができるので、半導体レーザ素子４０の劣化を容易に抑制することができる。   In the semiconductor laser device 100, the base 10, the sealing member 20, the light transmitting portion 21, and the lead terminals 14 and 15 constituting the package are joined by the adhesives 50, 51, 53, and 54, so the manufacturing process is simple. The semiconductor laser device 100 can be manufactured at a low cost. Moreover, since the flexibility is high compared with the case of being joined with a low melting point glass or the like, the reliability with respect to the external force is also high. In the sealed space 31, the adhesives 50, 51, 53, and 54 are covered with the coating agents 70, 71, 73, and 74. Even when these resin components are included, they can be prevented from entering the sealed space 31. Further, since EVOH is used as the coating material 70, 71, 73, 74, which has excellent gas barrier properties and hardly generates volatile gas, it prevents the gas from entering the sealed space 31. Can do. As a result, it is possible to suppress the formation of deposits on the light emitting surface of the semiconductor laser element 40, so that deterioration of the semiconductor laser element 40 can be easily suppressed.

また、半導体レーザ装置１００では、上記のように構成されているので、ベース１０、リード端子１４及び１５、封止部材２０及び光透過部２１は、各部材の形状や機能に合わせて材料を容易に選択できる。   Further, since the semiconductor laser device 100 is configured as described above, the base 10, the lead terminals 14 and 15, the sealing member 20, and the light transmitting portion 21 can be easily made of materials in accordance with the shape and function of each member. Can be selected.

また、半導体レーザ装置１００では、上記のように構成されているので、レーザ光を出射するための光透過部２１における封止を容易に行うことができる。   In addition, since the semiconductor laser device 100 is configured as described above, it is possible to easily perform sealing in the light transmitting portion 21 for emitting laser light.

また、半導体レーザ装置１００では、上記のように構成されているので、半導体レーザ素子４０への電力供給用の配線部（貫通孔１１ｃ）やＰＤ９０からのモニタ信号用の配線部（貫通孔１１ｄ）における封止を容易に行うことができる。   Further, since the semiconductor laser device 100 is configured as described above, a power supply wiring portion (through hole 11c) to the semiconductor laser element 40 and a monitor signal wiring portion from the PD 90 (through hole 11d) are provided. Can be easily sealed.

また、リード端子１４及び１５とステム１１との接合領域では、接着剤５０及び５１と被覆剤７０及び７１との間にシリコン樹脂６０及び６１が配置されている。これにより、外力による衝撃やリード端子１４及び１５とステム１１との熱膨張係数の違いにより、接着剤５０及び５１に亀裂や剥離が発生した場合であっても、シリコン樹脂６０及び６１が亀裂や剥離によって生じた隙間に侵入することができるので、さらに、気密性が向上し、信頼性も高くなる。   In the bonding region between the lead terminals 14 and 15 and the stem 11, silicon resins 60 and 61 are arranged between the adhesives 50 and 51 and the coating agents 70 and 71. As a result, even if the adhesives 50 and 51 are cracked or peeled off due to an impact caused by an external force or a difference in thermal expansion coefficient between the lead terminals 14 and 15 and the stem 11, the silicon resins 60 and 61 Since it can penetrate into the gap generated by the peeling, the airtightness is further improved and the reliability is increased.

また、半導体レーザ装置１００では、ＰＤ９０を固定する導電性接着剤５２を覆うようにＰＤ９０の周囲にＥＶＯＨからなる被覆剤７２が形成されている。これにより、導電性接着剤５２内に低分子シロキサンや揮発性の樹脂成分が含まれている場合であっても、封止空間３１内に侵入することを抑制することができる。   In the semiconductor laser device 100, a coating agent 72 made of EVOH is formed around the PD 90 so as to cover the conductive adhesive 52 that fixes the PD 90. Thereby, even if it is a case where low molecular siloxane and a volatile resin component are contained in the conductive adhesive 52, it can suppress entering into the sealing space 31. FIG.

（第１実施形態の第１変形例）
次に、第１実施形態の変形例による半導体レーザ装置１１０について説明する。この半導体レーザ装置１１０では、図４に示すように、光透過部２１は、封止部材２０の底部２０ｂの内側に取り付けられている。この場合、光透過部２１と底部２０ｂとを固定する接着剤５３は、光透過部２１の前面と孔部２０ｅを除く底部２０ｂの内面との間に形成されている。また、接着剤５３を覆う被覆剤７３は、封止部材２０の内側において光透過部２１の側面と底部２０ｂ内面との間に形成されており、接着剤５３が封止部材２０の内側に露出しないように配置されている。その他の構成は、半導体レーザ装置１００と同様である。 (First modification of the first embodiment)
Next, a semiconductor laser device 110 according to a modification of the first embodiment will be described. In this semiconductor laser device 110, the light transmission part 21 is attached to the inside of the bottom part 20 b of the sealing member 20 as shown in FIG. 4. In this case, the adhesive 53 that fixes the light transmitting portion 21 and the bottom portion 20b is formed between the front surface of the light transmitting portion 21 and the inner surface of the bottom portion 20b excluding the hole 20e. Further, the coating agent 73 covering the adhesive 53 is formed between the side surface of the light transmitting portion 21 and the inner surface of the bottom portion 20b inside the sealing member 20, and the adhesive 53 is exposed inside the sealing member 20. Arranged not to. Other configurations are the same as those of the semiconductor laser device 100.

半導体レーザ装置１１０についても、半導体レーザ装置１００と同様の効果を奏する。   The semiconductor laser device 110 also has the same effect as the semiconductor laser device 100.

（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態による半導体レーザ装置２００について説明する。 (Second Embodiment)
Next, a semiconductor laser device 200 according to a second embodiment of the invention will be described.

図５〜図７に示すように、この半導体レーザ装置２００では、ベース１０は、表面にＮｉメッキを行った約０．４ｍｍの厚みを有するリン青銅からなるフレーム状の金属板からなる。ベース１０には、折り曲げ加工により、前方（Ａ１方向）、後方（Ａ２方向）及び上方（Ｃ２方向）に開口した溝状の凹部１０ａが形成されている。なお、凹部１０ａの前方及び後方に開口した領域は、本発明の「開口部」の一例である。また、ベース１０の底面１０ｂには、後方に延びるリード端子１３が一体的に形成されている。凹部１０ａの側面１０ｃ及び１０ｄは、同じ高さを有し、側壁１０ｃ及び１０ｄの上方には、底面１０ｂに平行に延びる取付部１０ｅ及び１０ｆが形成されている。   As shown in FIGS. 5 to 7, in this semiconductor laser device 200, the base 10 is made of a frame-shaped metal plate made of phosphor bronze having a thickness of about 0.4 mm with Ni plating on the surface. The base 10 is formed with a groove-shaped recess 10a that opens forward (A1 direction), rearward (A2 direction), and upward (C2 direction) by bending. In addition, the area | region opened to the front and back of the recessed part 10a is an example of the "opening part" of this invention. A lead terminal 13 extending rearward is integrally formed on the bottom surface 10 b of the base 10. Side surfaces 10c and 10d of the recess 10a have the same height, and mounting portions 10e and 10f extending in parallel with the bottom surface 10b are formed above the side walls 10c and 10d.

凹部１０ａの前方には、凹部１０ａの断面と同一形状の硼珪酸ガラスからなる光透過部２１が嵌め込まれている。光透過部２１と凹部１０ａの底面１０ｂ及び側面１０ｃ、１０ｄとの間には、約０．５ｍｍの厚みを有するＥＶＯＨ樹脂からなる被覆剤７３が形成されている。被覆剤７３は、光透過部２１と凹部１０ａとの隙間を封止するように充填されているとともに、光透過部２１を凹部２１内に接合している。   A light transmission portion 21 made of borosilicate glass having the same shape as the cross section of the recess 10a is fitted in front of the recess 10a. A coating 73 made of EVOH resin having a thickness of about 0.5 mm is formed between the light transmitting portion 21 and the bottom surface 10b and the side surfaces 10c and 10d of the recess 10a. The coating 73 is filled so as to seal the gap between the light transmission part 21 and the concave part 10 a and joins the light transmission part 21 into the concave part 21.

ベース１０の後方には、凹部１０ａの断面と同一形状のエポキシ樹脂からなる端子保持部５５が形成されている。なお、端子保持部５５は、本発明の「接着剤」の一例である。端子保持部５５の前面（凹部１０ａの内側の面）５５ａには、ＥＶＯＨ樹脂からなる被覆剤７１が形成されている。被覆剤７３は、端子保持部５５が凹部１０ａの内側から見て露出しないように、前面５５ａを覆っている。また、リード端子１４、１５は、凹部１０ａの底面１０ｂに平行な同一平面上で端子保持部５５及び被覆剤７１を貫通しており、凹部１０ａ内まで延びて配置されている。リード端子１４、１５は、端子保持部５５によって電気的に絶縁された状態で保持されている。なお、端子保持部５５は、リード端子１４及び１５を所定の位置に保持した状態で、凹部１０ａの後方にエポキシ樹脂を流し込むことにより形成される。被覆剤７１は、端子保持部５５の形成後、ベース１０を約２２０℃に加熱した状態で端子保持部５５の前面５５ａにＥＶＯＨ樹脂を塗布することにより形成される。   A terminal holding portion 55 made of an epoxy resin having the same shape as the cross section of the recess 10 a is formed behind the base 10. The terminal holding portion 55 is an example of the “adhesive” in the present invention. A coating 71 made of EVOH resin is formed on the front surface (the inner surface of the recess 10a) 55a of the terminal holding portion 55. The coating 73 covers the front surface 55a so that the terminal holding portion 55 is not exposed when viewed from the inside of the recess 10a. The lead terminals 14 and 15 penetrate the terminal holding portion 55 and the coating agent 71 on the same plane parallel to the bottom surface 10b of the recess 10a, and are arranged to extend into the recess 10a. The lead terminals 14 and 15 are held in an electrically insulated state by the terminal holding portion 55. The terminal holding portion 55 is formed by pouring an epoxy resin behind the concave portion 10a in a state where the lead terminals 14 and 15 are held at predetermined positions. The coating 71 is formed by applying EVOH resin to the front surface 55a of the terminal holding part 55 in a state where the base 10 is heated to about 220 ° C. after the terminal holding part 55 is formed.

凹部１０ａの底面１０ｂ上には、青紫色半導体レーザ素子４０がサブマウント４５を介して接合されている。青紫色半導体レーザ素子４０は、サブマウント４５の上面前方に配置されており、サブマウント４５の上面後方には、受光面（図示せず）を上方に向けて、ＰＤ９０が接合されている。   A blue-violet semiconductor laser element 40 is joined via a submount 45 on the bottom surface 10b of the recess 10a. The blue-violet semiconductor laser element 40 is disposed in front of the upper surface of the submount 45, and a PD 90 is bonded to the rear of the upper surface of the submount 45 with a light receiving surface (not shown) facing upward.

封止部材２０は、約１５μｍの厚みを有する洋白からなる金属板２０ａからなり、ベース１０の平面形状と同様の形状を有している。封止部材２０の下面には、約０．５ｍｍの厚みを有するＥＶＯＨ樹脂からなる被覆剤７４が形成されており、被覆剤７４を介して、ベース１０の取付部１０ｅ、１０ｆ、端子保持部５５及び光透過部２１の各上面と接合されている。   The sealing member 20 is made of a white and white metal plate 20 a having a thickness of about 15 μm, and has the same shape as the planar shape of the base 10. A coating agent 74 made of EVOH resin having a thickness of about 0.5 mm is formed on the lower surface of the sealing member 20, and the mounting portions 10 e and 10 f of the base 10 and the terminal holding portion 55 are interposed via the coating agent 74. And it is joined to each upper surface of the light transmission part 21.

このようにして、ベース１０、端子保持部５５、光透過部２１及び封止部材２０により囲まれたパッケージ３０内の封止空間３１内に青紫色半導体レーザ素子４０を封止した半導体レーザ装置２００が構成されている。半導体レーザ装置２００のその他の構成は、半導体レーザ装置１００と同様である。   In this way, the semiconductor laser device 200 in which the blue-violet semiconductor laser element 40 is sealed in the sealing space 31 in the package 30 surrounded by the base 10, the terminal holding portion 55, the light transmission portion 21, and the sealing member 20. Is configured. Other configurations of the semiconductor laser device 200 are the same as those of the semiconductor laser device 100.

ここで、半導体レーザ装置２００では、封止部材２０と、ベース１０、リード端子１４、１５及び光透過部２１との関係においては、一方が本発明の「第１の部材」、他方が本発明の「第２の部材」の一例である。また、ベース１０とリード端子１４、１５との関係においては、リード端子１４、１５が本発明の「第１の部材」、ベース１０が本発明の「第２の部材」の一例となる。また、ベース１０と光透過部２１との関係においては、光透過部２１が本発明の「第１の部材」、ベース１０が本発明の「第２の部材」の一例となる。   Here, in the semiconductor laser device 200, regarding the relationship between the sealing member 20, the base 10, the lead terminals 14 and 15, and the light transmitting portion 21, one is the “first member” of the present invention, and the other is the present invention. This is an example of the “second member”. Further, regarding the relationship between the base 10 and the lead terminals 14 and 15, the lead terminals 14 and 15 are examples of the “first member” of the present invention, and the base 10 is an example of the “second member” of the present invention. Further, regarding the relationship between the base 10 and the light transmitting portion 21, the light transmitting portion 21 is an example of the “first member” in the present invention, and the base 10 is an example of the “second member” in the present invention.

半導体レーザ装置２００では、ベース１０及び封止部材２０を金属板から形成しているので、低コストに半導体レーザ装置２００を製造することができる。また、封止部材２０及び光透過部２１は、それぞれ、被覆剤７３及び７４によって接合されている。すなわち、それらの接合領域では接着剤を使用していないので、封止空間３１内に接着剤に含まれる揮発性の樹脂成分が侵入しにくく、また、低コストで半導体レーザ装置２００を製造することができる。   In the semiconductor laser device 200, since the base 10 and the sealing member 20 are formed of a metal plate, the semiconductor laser device 200 can be manufactured at a low cost. Moreover, the sealing member 20 and the light transmission part 21 are joined by the coating agents 73 and 74, respectively. That is, since no adhesive is used in these joining regions, the volatile resin component contained in the adhesive is less likely to enter the sealed space 31, and the semiconductor laser device 200 is manufactured at low cost. Can do.

半導体レーザ装置２００のその他の効果は、半導体レーザ装置１００と同様である。   Other effects of the semiconductor laser device 200 are the same as those of the semiconductor laser device 100.

（第２実施形態の第１変形例）
次に、第２実施形態の第１変形例による半導体レーザ装置２１０について説明する。この半導体レーザ装置２１０では、図８に示すように、サブマウント４５上に、約４０５ｎｍの発振波長を有する青紫色半導体レーザ素子４０、約６５０ｎｍの発振波長を有する赤色半導体レーザ素子４１及び約７８０ｎｍの発振波長を有する赤外半導体レーザ素子４２が並置して接合されている。それぞれのレーザ光は、前方（Ａ１方向）に平行に出射される。なお、青紫色半導体レーザ素子４０、赤色半導体レーザ素子４１及び赤外半導体レーザ素子４２は、いずれも本発明の「半導体レーザ素子」の一例である。 (First Modification of Second Embodiment)
Next, a semiconductor laser device 210 according to a first modification of the second embodiment will be described. In this semiconductor laser device 210, as shown in FIG. 8, a blue-violet semiconductor laser element 40 having an oscillation wavelength of about 405 nm, a red semiconductor laser element 41 having an oscillation wavelength of about 650 nm, and an about 780 nm An infrared semiconductor laser element 42 having an oscillation wavelength is juxtaposed and joined. Each laser beam is emitted parallel to the front (A1 direction). The blue-violet semiconductor laser element 40, the red semiconductor laser element 41, and the infrared semiconductor laser element 42 are all examples of the “semiconductor laser element” in the present invention.

また、半導体レーザ装置２１０では、４本のリード端子１４、１５、１６、１７が凹部１０ａの底面１０ｂに平行な同一平面上で端子保持部５５及び被覆剤７１を貫通しており、幅方向（Ｂ１方向）にこの順序で配置されている。リード端子１４は、金属線８０を介して青紫色半導体レーザ素子４０と接続され、リード端子１５は、金属線８１を介してＰＤ９０と接続され、リード端子１６は、金属線８２を介して赤色半導体レーザ素子４１と接続され、リード端子１７は、金属線８３を介して赤外半導体レーザ素子４２と接続されている。その他の構成は、半導体レーザ装置２００と同様である。   Further, in the semiconductor laser device 210, the four lead terminals 14, 15, 16, and 17 penetrate the terminal holding portion 55 and the coating agent 71 on the same plane parallel to the bottom surface 10b of the recess 10a, and the width direction ( (B1 direction) in this order. The lead terminal 14 is connected to the blue-violet semiconductor laser element 40 via a metal wire 80, the lead terminal 15 is connected to the PD 90 via a metal wire 81, and the lead terminal 16 is connected to the red semiconductor via a metal wire 82. Connected to the laser element 41, the lead terminal 17 is connected to the infrared semiconductor laser element 42 via the metal wire 83. Other configurations are the same as those of the semiconductor laser device 200.

半導体レーザ装置２１０では、３つの異なる波長のレーザ光を出射することができる。半導体レーザ装置２１０のその他の効果は、半導体レーザ装置２００と同様である。   The semiconductor laser device 210 can emit laser beams having three different wavelengths. Other effects of the semiconductor laser device 210 are the same as those of the semiconductor laser device 200.

（第２実施形態の第２変形例）
次に、第２実施形態の第２変形例による半導体レーザ装置２２０について説明する。この半導体レーザ装置２２０のベース１０には、図９及び図１０に示すように、半導体レーザ装置２００の溝状の凹部１０ａに代えて、前方（Ａ１方向）及び後方（Ａ２方向）に、それぞれ、前面１０ｇ及び後面１０ｉが形成された箱状の凹部１０ａを備えている。凹部１０ａは、金属板をプレス加工することにより形成される。 (Second Modification of Second Embodiment)
Next, a semiconductor laser device 220 according to a second modification of the second embodiment will be described. As shown in FIGS. 9 and 10, the base 10 of the semiconductor laser device 220 has a front (A1 direction) and a rear (A2 direction), respectively, instead of the groove-shaped recess 10a of the semiconductor laser device 200, respectively. A box-shaped recess 10a having a front surface 10g and a rear surface 10i is provided. The recess 10a is formed by pressing a metal plate.

凹部１０ａの前面１０ｇの中央には、円状の孔部１０ｈが設けられており、前方から孔部１０ｈを覆うように、矩形状の光透過部２１が設けられている。光透過部２１の固定及び封止の方法は、半導体レーザ装置１００の光透過部２１と同様である。   A circular hole 10h is provided at the center of the front surface 10g of the recess 10a, and a rectangular light transmission part 21 is provided so as to cover the hole 10h from the front. The method of fixing and sealing the light transmission part 21 is the same as that of the light transmission part 21 of the semiconductor laser device 100.

図１１に示すように、凹部１０ａの後面１０ｉには、凹部１０ａの底面１０ｂに平行な同一平面上に貫通孔１０ｃ及び１０ｄが形成されている。リード端子１４及び１５は、貫通孔１０ｃ及び１０ｄ内を貫通して凹部１０ａ内まで延びて配置されている。リード端子１４及び１５は、貫通孔１０ｃ及び１０ｄ内に充填されたエポキシ樹脂からなる接着剤５０及び５１によって電気的に絶縁された状態で保持されている。貫通孔１０ｃ及び１０ｄの凹部１０ａ内側の開口部には、接着剤５０及び５１を覆うようにＥＶＯＨ樹脂からからなる被覆剤７０及び７１が形成されている。なお、孔部１０ｈ及び貫通孔１０ｃ、１１ｄは、本発明の「開口部」の一例である。   As shown in FIG. 11, through holes 10c and 10d are formed on the rear surface 10i of the recess 10a on the same plane parallel to the bottom surface 10b of the recess 10a. The lead terminals 14 and 15 are disposed so as to extend through the through holes 10c and 10d and into the recess 10a. The lead terminals 14 and 15 are held in an electrically insulated state by adhesives 50 and 51 made of an epoxy resin filled in the through holes 10c and 10d. Covering agents 70 and 71 made of EVOH resin are formed in the openings inside the recesses 10 a of the through holes 10 c and 10 d so as to cover the adhesives 50 and 51. The hole 10h and the through holes 10c and 11d are examples of the “opening” in the present invention.

ベース１０上面の取付部１０ｅは、凹部１０ａを囲む枠状に形成されており、取付部１０ｅの後方には、リード端子１３が一体的に形成されている。封止部材２０は、被覆剤７４を介して取付部１０ｅの上面と接合されている。また、封止部材２０の側面及びベース１０の取付部１０ｅの側面には、エポキシ樹脂からなる接着剤５４が形成されており、これにより、封止部材２０とベース１０とが接合されている。半導体レーザ装置２２０のその他の構成は、半導体レーザ装置２００と同様である。   The mounting portion 10e on the upper surface of the base 10 is formed in a frame shape surrounding the concave portion 10a, and a lead terminal 13 is integrally formed behind the mounting portion 10e. The sealing member 20 is joined to the upper surface of the attachment portion 10 e via the coating material 74. Further, an adhesive 54 made of epoxy resin is formed on the side surface of the sealing member 20 and the side surface of the mounting portion 10e of the base 10, whereby the sealing member 20 and the base 10 are joined. Other configurations of the semiconductor laser device 220 are the same as those of the semiconductor laser device 200.

ここで、半導体レーザ装置２２０では、ベース１０と封止部材２０との関係においては、一方が本発明の「第１の部材」、他方が本発明の「第２の部材」の一例である。また、リード端子１４、１５及び光透過部２１と、ベース１０との関係においては、リード端子１４、１５及び光透過部２１が本発明の「第１の部材」の一例、ベース１０が本発明の「第２の部材」の一例となる。   Here, in the semiconductor laser device 220, in the relationship between the base 10 and the sealing member 20, one is an example of the “first member” of the present invention and the other is an example of the “second member” of the present invention. Further, regarding the relationship between the lead terminals 14 and 15 and the light transmitting portion 21 and the base 10, the lead terminals 14 and 15 and the light transmitting portion 21 are an example of the “first member” of the present invention, and the base 10 is the present invention. This is an example of the “second member”.

半導体レーザ装置２２０では、光透過部２１及び封止部材２０についても接着剤５３及び５４によってベース１０と接合されているので、より強固に光透過部２１及び封止部材２０が固定されており、信頼性が高い。また、被覆剤７３及び７４によって、封止空間３１内からみて、上記接着剤５３及び５４が覆われているので、接着剤５３及び５４に低分子シロキサンや揮発性の樹脂成分が含まれている場合にも、それらが封止空間３１内に侵入することを抑制することができる。   In the semiconductor laser device 220, the light transmission part 21 and the sealing member 20 are also bonded to the base 10 by the adhesives 53 and 54, so that the light transmission part 21 and the sealing member 20 are more firmly fixed. High reliability. Further, since the adhesives 53 and 54 are covered with the coating agents 73 and 74 when viewed from the inside of the sealed space 31, the adhesives 53 and 54 contain a low molecular siloxane or a volatile resin component. Even in this case, they can be prevented from entering the sealed space 31.

半導体レーザ装置２２０のその他の効果は、半導体レーザ装置２００と同様である。   Other effects of the semiconductor laser device 220 are the same as those of the semiconductor laser device 200.

（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態による光ピックアップ装置３００について説明する。なお、光ピックアップ装置３００は、本発明の「光装置」の一例である。 (Third embodiment)
Next, an optical pickup device 300 according to a third embodiment of the present invention will be described. The optical pickup device 300 is an example of the “optical device” in the present invention.

光ピックアップ装置３００は、図１２に示すように、第２実施形態の第１変形例による半導体レーザ装置２１０と、半導体レーザ装置２１０から出射されたレーザ光を調整する光学系３２０と、レーザ光を受光する光検出部３３０とを備えている。   As shown in FIG. 12, the optical pickup device 300 includes a semiconductor laser device 210 according to a first modification of the second embodiment, an optical system 320 that adjusts the laser light emitted from the semiconductor laser device 210, and a laser beam. And a light detection unit 330 for receiving light.

光学系３２０は、偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）３２１、コリメータレンズ３２２、ビームエキスパンダ３２３、λ／４板３２４、対物レンズ３２５、シリンドリカルレンズ３２６及び光軸補正素子３２７を有している。   The optical system 320 includes a polarizing beam splitter (PBS) 321, a collimator lens 322, a beam expander 323, a λ / 4 plate 324, an objective lens 325, a cylindrical lens 326, and an optical axis correction element 327.

ＰＢＳ３２１は、半導体レーザ装置２１０から出射されるレーザ光を全透過するとともに、光ディスク３４０から帰還するレーザ光を全反射する。コリメータレンズ３２２は、ＰＢＳ３２１を透過した半導体レーザ装置２１０からのレーザ光を平行光に変換する。ビームエキスパンダ３２３は、凹レンズ、凸レンズ及びアクチュエータ（図示せず）から構成されている。アクチュエータは後述するサーボ回路からのサーボ信号に応じて、凹レンズ及び凸レンズの距離を変化させることにより、半導体レーザ装置２１０から出射されたレーザ光の波面状態を補正する機能を有している。   The PBS 321 totally transmits the laser light emitted from the semiconductor laser device 210 and totally reflects the laser light returning from the optical disk 340. The collimator lens 322 converts the laser light from the semiconductor laser device 210 that has passed through the PBS 321 into parallel light. The beam expander 323 includes a concave lens, a convex lens, and an actuator (not shown). The actuator has a function of correcting the wavefront state of the laser light emitted from the semiconductor laser device 210 by changing the distance between the concave lens and the convex lens in accordance with a servo signal from a servo circuit described later.

λ／４板３２４は、コリメータレンズ３２２によって略平行光に変換された直線偏光のレーザ光を円偏光に変換する。また、λ／４板３２４は光ディスク３４０から帰還する円偏光のレーザ光を直線偏光に変換する。この場合の直線偏光の偏光方向は、半導体レーザ装置２１０から出射されるレーザ光の直線偏光の方向に直交する。これにより、光ディスク３４０から帰還するレーザ光は、ＰＢＳ３２１によって略全反射される。対物レンズ３２５は、λ／４板３２４を透過したレーザ光を光ディスク３４０の表面（記録層）上に収束させる。なお、対物レンズ３２５は、対物レンズアクチュエータ（図示せず）により、後述するサーボ回路からのサーボ信号（トラッキングサーボ信号、フォーカスサーボ信号及びチルトサーボ信号）に応じて、フォーカス方向、トラッキング方向及びチルト方向に移動可能にされている。   The λ / 4 plate 324 converts the linearly polarized laser beam converted into substantially parallel light by the collimator lens 322 into circularly polarized light. The λ / 4 plate 324 converts the circularly polarized laser beam fed back from the optical disk 340 into linearly polarized light. In this case, the polarization direction of the linearly polarized light is orthogonal to the direction of the linearly polarized light of the laser light emitted from the semiconductor laser device 210. Thereby, the laser beam returning from the optical disk 340 is substantially totally reflected by the PBS 321. The objective lens 325 converges the laser light transmitted through the λ / 4 plate 324 onto the surface (recording layer) of the optical disc 340. The objective lens 325 is moved in the focus direction, tracking direction, and tilt direction by an objective lens actuator (not shown) in accordance with servo signals (tracking servo signal, focus servo signal, and tilt servo signal) from a servo circuit described later. It has been made movable.

ＰＢＳ３２１により全反射されるレーザ光の光軸に沿うように、シリンドリカルレンズ３２６、光軸補正素子３２７及び光検出部３３０が配置されている。シリンドリカルレンズ３２６は、入射されるレーザ光に非点収差作用を付与する。光軸補正素子３２７は、回折格子により構成されており、シリンドリカルレンズ３２６を透過した青紫色、赤色及び赤外の各レーザ光の０次回折光のスポットが後述する光検出部３３０の検出領域上で一致するように配置されている。   A cylindrical lens 326, an optical axis correction element 327, and a light detection unit 330 are arranged along the optical axis of the laser light totally reflected by the PBS 321. The cylindrical lens 326 imparts astigmatism to the incident laser beam. The optical axis correction element 327 is configured by a diffraction grating, and a spot of zero-order diffracted light of each of blue-violet, red, and infrared laser beams transmitted through the cylindrical lens 326 is on a detection region of the light detection unit 330 described later. They are arranged to match.

光検出部３３０は、受光したレーザ光の強度分布に基づいて再生信号を出力する。ここで、光検出部３３０は再生信号とともに、フォーカスエラー信号、トラッキングエラー信号及びチルトエラー信号が得られるように所定のパターンの検出領域を有する。このようにして、半導体レーザ装置２１０を備えた光ピックアップ装置３００が構成される。   The light detection unit 330 outputs a reproduction signal based on the intensity distribution of the received laser light. Here, the light detection unit 330 has a detection area of a predetermined pattern so that a focus error signal, a tracking error signal, and a tilt error signal can be obtained together with the reproduction signal. Thus, the optical pickup device 300 including the semiconductor laser device 210 is configured.

この光ピックアップ装置３００では、半導体レーザ装置２１０内に封止されている青紫色半導体レーザ素子４０、赤色半導体レーザ素子４１及び赤外半導体レーザ素子４２から、青紫色、赤色及び赤外のレーザ光を独立的に出射される。半導体レーザ装置２１０から出射されたレーザ光は、上記のように、ＰＢＳ３２１、コリメータレンズ３２２、ビームエキスパンダ３２３、λ／４板３２４、対物レンズ３２５、シリンドリカルレンズ３２６及び光軸補正素子３２７により調整された後、光検出部３３０の検出領域上に照射される。   In this optical pickup device 300, blue-violet, red and infrared laser beams are emitted from the blue-violet semiconductor laser element 40, the red semiconductor laser element 41 and the infrared semiconductor laser element 42 which are sealed in the semiconductor laser apparatus 210. It is emitted independently. The laser light emitted from the semiconductor laser device 210 is adjusted by the PBS 321, the collimator lens 322, the beam expander 323, the λ / 4 plate 324, the objective lens 325, the cylindrical lens 326, and the optical axis correction element 327 as described above. Then, the light is irradiated onto the detection area of the light detection unit 330.

ここで、光ディスク３４０に記録されている情報を再生する場合には、光ディスク３４０の種類に応じて選択された半導体レーザ素子４０（４１、４２）から出射されるレーザパワーが一定になるように制御しながら、光ディスク３４０の記録層にレーザ光を照射するとともに、光検出部３３０から出力される再生信号を得ることができる。また、同時に出力されるフォーカスエラー信号、トラッキングエラー信号及びチルトエラー信号により、ビームエキスパンダ３２３のアクチュエータと対物レンズ３２５を駆動する対物レンズアクチュエータとを、それぞれ、フィードバック制御することができる。   Here, when reproducing the information recorded on the optical disc 340, control is performed so that the laser power emitted from the semiconductor laser element 40 (41, 42) selected according to the type of the optical disc 340 is constant. However, it is possible to irradiate the recording layer of the optical disc 340 with laser light and obtain a reproduction signal output from the light detection unit 330. Further, the actuator of the beam expander 323 and the objective lens actuator that drives the objective lens 325 can be feedback-controlled by the focus error signal, tracking error signal, and tilt error signal that are output simultaneously.

また、光ディスク３４０に情報を記録する場合には、光ディスク３４０の種類に応じて選択された半導体レーザ素子４０（４１、４２）から出射されるレーザパワーを記録すべき情報に基づいて制御しながら、光ディスク３４０にレーザ光を照射する。これにより、光ディスク３４０の記録層に情報を記録することができる。また、上記同様、光検出部３３０から出力されるフォーカスエラー信号、トラッキングエラー信号及びチルトエラー信号により、ビームエキスパンダ３２３のアクチュエータと対物レンズ３２５を駆動する対物レンズアクチュエータとを、それぞれ、フィードバック制御することができる。   When recording information on the optical disc 340, while controlling the laser power emitted from the semiconductor laser element 40 (41, 42) selected according to the type of the optical disc 340 based on the information to be recorded, The optical disk 340 is irradiated with laser light. Thereby, information can be recorded on the recording layer of the optical disc 340. Similarly to the above, feedback control is performed on the actuator of the beam expander 323 and the objective lens actuator that drives the objective lens 325 based on the focus error signal, tracking error signal, and tilt error signal output from the light detection unit 330, respectively. be able to.

このようにして、半導体レーザ装置２１０を備えた光ピックアップ装置３００を用いて、光ディスク３４０への記録及び再生を行うことができる。   In this manner, recording and reproduction on the optical disc 340 can be performed using the optical pickup device 300 including the semiconductor laser device 210.

光ピックアップ装置３００では、上記半導体レーザ装置２１０を備えているので、低コストで、長時間の使用にも耐え得る信頼性の高い光ピックアップ装置３００を得ることができる。光ピックアップ装置３００のその他の効果については、半導体レーザ装置２１０と同様である。   Since the optical pickup device 300 includes the semiconductor laser device 210, a highly reliable optical pickup device 300 that can withstand long-time use can be obtained at low cost. Other effects of the optical pickup device 300 are the same as those of the semiconductor laser device 210.

今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれる。   It should be thought that embodiment disclosed this time is an illustration and restrictive at no points. The scope of the present invention is shown not by the above description of the embodiments but by the scope of claims for patent, and further includes meanings equivalent to the scope of claims for patent and all modifications within the scope.

たとえば、半導体レーザ装置１００では、シリコン樹脂６０及び６１は、接着剤５０及び５１と被覆剤７０及び７１との間に形成されていたが、シリコン樹脂６０及び６１はなくてもよい。また、シリコン樹脂６０及び６１が形成されていた領域に隙間があってもよい。あるいは、シリコン樹脂６０及び６１が、貫通孔１１ｃ及び１１ｄの後面１１ｂ側の開口部（パッケージ３０の外側）に形成されていてもよい。これらは、他の部材が接合されている接合領域においても同様である。また、シリコン樹脂に代えて、たとえば、ゴム等の他の樹脂材料からなり、接着剤５０、５１より大きな弾性を有する樹脂を用いることができる。   For example, in the semiconductor laser device 100, the silicon resins 60 and 61 are formed between the adhesives 50 and 51 and the coating agents 70 and 71, but the silicon resins 60 and 61 may be omitted. Further, there may be a gap in the region where the silicon resins 60 and 61 are formed. Alternatively, the silicon resins 60 and 61 may be formed in the openings on the rear surface 11b side of the through holes 11c and 11d (outside the package 30). The same applies to the bonding region where other members are bonded. Further, instead of the silicon resin, for example, a resin made of another resin material such as rubber and having elasticity larger than that of the adhesives 50 and 51 can be used.

また、半導体レーザ装置の全ての部材の接合部を接着剤で接合する必要はなく、一部の接合を従来からある抵抗溶接やコバールガラスによるハーメッチックシールにより接合してもよい。また、半導体レーザ装置２００及び２１０において、光透過部２１及び封止部材２０の接合を被覆剤７３及び７４だけで行っているが、半導体レーザ装置２２０と同様に、接着剤５３及び５４を併用してもよい。   Moreover, it is not necessary to join the joints of all the members of the semiconductor laser device with an adhesive, and some of the joints may be joined by conventional resistance welding or hermetic sealing using Kovar glass. Further, in the semiconductor laser devices 200 and 210, the light transmitting portion 21 and the sealing member 20 are joined only by the coating agents 73 and 74. However, as in the semiconductor laser device 220, the adhesives 53 and 54 are used together. May be.

また、接着剤としてエポキシ樹脂以外の熱硬化性あるいは光硬化性の材料を用いることができる。ここで、パッケージ内への水蒸気の浸入を防止するために、接着剤には透湿度が小さい材料を使用したり、シリカ粒子等の無機系のバインダを混入したりすることが好ましい。さらに、接着剤の表面にＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３等の酸化膜やＡｕ、Ｎｉ、Ｃｒ等の金属膜をガスバリア膜として形成することがより好ましい。これにより、ＥＶＯＨ樹脂が吸湿し、ガスバリア性が低下することを防止することができる。 Further, as the adhesive, a thermosetting or photocurable material other than the epoxy resin can be used. Here, in order to prevent intrusion of water vapor into the package, it is preferable to use a material having a low moisture permeability for the adhesive or to mix an inorganic binder such as silica particles. Further, it is more preferable to form an oxide film such as SiO 2 or Al 2 O 3 or a metal film such as Au, Ni or Cr as a gas barrier film on the surface of the adhesive. Thereby, it is possible to prevent the EVOH resin from absorbing moisture and reducing the gas barrier property.

また、半導体レーザ素子として、出射光の波長が上記の波長に限られる必要はなく、また、異なる半導体レーザ素子が封止された半導体レーザ装置２１０においても、別の波長の半導体レーザ装置を組み合わせて封止してもよい。たとえば、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３波長のレーザを選択することにより、ＲＧＢ３波長レーザ装置を構成することができ、さらにこれを搭載する光装置として、プロジェクタ装置やディスプレイ装置を構成することもできる。   Further, the wavelength of the emitted light does not have to be limited to the above-mentioned wavelength as the semiconductor laser element, and the semiconductor laser device 210 in which different semiconductor laser elements are sealed can be combined with a semiconductor laser device having a different wavelength. It may be sealed. For example, by selecting a laser with three wavelengths of red (R), green (G), and blue (B), an RGB three-wavelength laser device can be configured. A display device can also be configured.

また、ベース、リード端子、封止部材の材料としては、上記材料以外にも、Ａｌ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ｎｉ、ステンレス、Ｍｇ等の合金等を用いることもできる。また、封止部材については、Ｎｉメッキした樹脂（例えば、ポリフェニレンサルファイド、ポリアミド、液晶ポリマー等）を用いてもよい。これにより、さらに低コストに封止部材を製造することができる。   In addition to the materials described above, alloys such as Al, Cu, Sn, Ni, stainless steel, and Mg can also be used as materials for the base, lead terminals, and sealing member. For the sealing member, Ni plated resin (for example, polyphenylene sulfide, polyamide, liquid crystal polymer, etc.) may be used. Thereby, a sealing member can be manufactured further at low cost.

また、光透過部の材料についても、上記材料以外にも、他の種類のガラスや透光性の材料を用いることができる。なお、光透過部の表面には、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２等の金属酸化膜（誘電体膜）を単層又は積層して形成してもよい。 In addition to the above materials, other types of glass and translucent materials can also be used for the material of the light transmission portion. Note that a metal oxide film (dielectric film) such as Al 2 O 3 , SiO 2 , or ZrO 2 may be formed on the surface of the light transmission portion as a single layer or a stacked layer.

１０ ベース
１３、１４、１５ リード端子
２０ 封止部材
２１ 光透過部
３０ パッケージ
３１ 封止空間
４０ 青紫色半導体レーザ素子（半導体レーザ素子）
５０、５１、５２、５３、５４ 接着剤
６０ シリコン樹脂
７０、７１、７２、７３、７４ 被覆剤
８０、８１ 金属線
９０ ＰＤ 10 Base 13, 14, 15 Lead terminal 20 Sealing member 21 Light transmitting portion 30 Package 31 Sealing space 40 Blue-violet semiconductor laser element (semiconductor laser element)
50, 51, 52, 53, 54 Adhesive 60 Silicone resin 70, 71, 72, 73, 74 Coating 80, 81 Metal wire 90 PD

Claims (6)

内部に封止空間を有するパッケージと、
前記封止空間内に配置された半導体レーザ素子とを備え、
前記パッケージは、互いに接着剤で接合された第１の部材及び第２の部材を有し、
前記封止空間内の前記第１の部材及び前記第２の部材の接合領域上には、エチレン−ビニルアルコール共重合体からなる被覆剤が形成されており、
前記被覆剤により前記接着剤が覆われている、半導体レーザ装置。 A package having a sealed space inside;
A semiconductor laser element disposed in the sealed space,
The package has a first member and a second member joined together with an adhesive,
On the joining region of the first member and the second member in the sealed space, a coating agent made of an ethylene-vinyl alcohol copolymer is formed,
A semiconductor laser device, wherein the adhesive is covered with the coating agent. 前記接着剤と前記被覆剤との間に前記接着剤より大きな弾性を有する樹脂が配置されており、
前記被覆剤により前記樹脂が覆われている、請求項１に記載の半導体レーザ装置。 A resin having elasticity greater than that of the adhesive is disposed between the adhesive and the coating agent,
The semiconductor laser device according to claim 1, wherein the resin is covered with the coating agent. 前記第１の部材と前記第２の部材は、異なる材料から構成されている、請求項１に記載の半導体レーザ装置。   The semiconductor laser device according to claim 1, wherein the first member and the second member are made of different materials. 前記第１の部材は、透光性を有するとともに、前記第２の部材の開口部に接合されており、
前記半導体レーザ素子から出射されるレーザ光は、前記第１の部材を透過して前記パッケージの外部に出射される、請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。 The first member has translucency and is joined to the opening of the second member.
4. The semiconductor laser device according to claim 1, wherein laser light emitted from the semiconductor laser element is emitted to the outside of the package through the first member. 5. 前記第１の部材は、導電性を有するとともに、前記第２の部材の開口部に接合されており、
前記第１の部材は、前記第２の部材と電気的に絶縁された状態で前記パッケージの外部から前記封止空間内まで延びて配置されている、請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。 The first member has conductivity and is joined to the opening of the second member,
The first member according to any one of claims 1 to 3, wherein the first member is disposed so as to extend from the outside of the package into the sealed space in a state of being electrically insulated from the second member. The semiconductor laser device described. 内部に封止空間を有するパッケージと、前記封止空間内に配置された半導体レーザ素子とを含む半導体レーザ装置と、
前記半導体レーザ素子の出射光を制御する光学系とを備え、
前記パッケージは、互いに接着剤で接合された第１の部材及び第２の部材を有し、
前記封止空間内の前記第１の部材及び前記第２の部材の接合領域上には、エチレン−ビニルアルコール共重合体からなる被覆剤が形成されており、
前記被覆剤により前記接着剤が覆われている、光装置。 A semiconductor laser device including a package having a sealed space therein and a semiconductor laser element disposed in the sealed space;
An optical system for controlling the emitted light of the semiconductor laser element,
The package has a first member and a second member joined together with an adhesive,
On the joining region of the first member and the second member in the sealed space, a coating agent made of an ethylene-vinyl alcohol copolymer is formed,
An optical device, wherein the adhesive is covered with the coating agent.
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