JP2012015223A - Semiconductor laser device and optical device - Google Patents

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Hideki Yoshikawa
秀樹 吉川
Nobuhiko Hayashi
伸彦 林
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor laser device capable of simplifying manufacturing processes and capable of preventing degradation in a semiconductor laser element.SOLUTION: A semiconductor laser device 100 comprises a blue-violet semiconductor laser element 20 and a package 45 for sealing the blue-violet semiconductor laser element 20. The package 45 includes a base 10 and a cap 30. The base 10 has a male thread section 15 on an outer peripheral surface 10k, and the cap 30 has a female thread section 16 on an inner peripheral surface 30c. The base 10 and the cap 30 are engaged by the male thread section 15 and the female thread section 16.

Description

本発明は、半導体レーザ装置および光装置に関し、特に、半導体レーザ素子を封止するパッケージを備えた半導体レーザ装置および光装置に関する。   The present invention relates to a semiconductor laser device and an optical device, and more particularly to a semiconductor laser device and an optical device provided with a package for sealing a semiconductor laser element.

従来、半導体レーザ素子は、光ディスクシステムや光通信システムなどの光源として広く用いられている。たとえば、約７８０ｎｍの波長のレーザ光を出射する赤外半導体レーザ素子は、ＣＤの再生用の光源として実用化されているとともに、約６５０ｎｍの波長のレーザ光を出射する赤色半導体レーザ素子は、ＤＶＤの記録・再生用の光源として実用化されている。また、約４０５ｎｍの波長のレーザ光を出射する青紫色半導体レーザ素子は、ブルーレイディスクの光源として実用化されている。   Conventionally, semiconductor laser elements are widely used as light sources for optical disk systems, optical communication systems, and the like. For example, an infrared semiconductor laser element that emits laser light having a wavelength of about 780 nm has been put into practical use as a light source for CD reproduction, and a red semiconductor laser element that emits laser light having a wavelength of about 650 nm is used as a DVD. It has been put to practical use as a light source for recording / reproducing. A blue-violet semiconductor laser element that emits laser light having a wavelength of about 405 nm has been put into practical use as a light source for a Blu-ray disc.

このような光源装置を実現するために、従来、半導体レーザ素子を封止するパッケージを備えた半導体レーザ装置が知られている（たとえば、特許文献１および２参照）。   In order to realize such a light source device, conventionally, a semiconductor laser device including a package for sealing a semiconductor laser element is known (see, for example, Patent Documents 1 and 2).

上記特許文献１には、フランジ面が形成された樹脂成型品からなるヘッダと、ヘッダに取り付けられた半導体レーザ素子と、半導体レーザ素子の周囲を覆う樹脂製の透明キャップとを備えた半導体レーザのプラスチックモールド装置が開示されている。また、このプラスチックモールド装置では、透明キャップの開口端部をエポキシ樹脂系材料を含有する接着剤を介してヘッダのフランジ面に接合することにより、半導体レーザ素子が気密封止されている。   Patent Document 1 discloses a semiconductor laser including a header made of a resin molded product having a flange surface, a semiconductor laser element attached to the header, and a resin transparent cap covering the periphery of the semiconductor laser element. A plastic mold apparatus is disclosed. Further, in this plastic mold apparatus, the semiconductor laser element is hermetically sealed by joining the opening end of the transparent cap to the flange surface of the header via an adhesive containing an epoxy resin material.

また、上記特許文献２には、円柱状のステムと、ステム上に取り付けられた半導体レーザ素子と、ステムとともに半導体レーザ素子の周囲を覆うキャップとを備えた半導体装置が開示されている。この半導体装置では、ステム全体がキャップ内に挿入された状態でキャップの開口部分に封止剤を塗布（充填）することにより、パッケージが封止されている。   Patent Document 2 discloses a semiconductor device including a columnar stem, a semiconductor laser element mounted on the stem, and a cap that covers the periphery of the semiconductor laser element together with the stem. In this semiconductor device, the package is sealed by applying (filling) a sealing agent to the opening of the cap in a state where the entire stem is inserted into the cap.

特開平９−２０５２５１号公報JP-A-9-205251 特開２００９−１４１１５７号公報JP 2009-141157 A

しかしながら、上記特許文献１および２に開示された半導体装置では、接着剤または封止剤により封止を行っているので、製造プロセスが増加するという問題点がある。また、上記した接着剤または封止剤が、特に硬化前の状態において、有機ガスなどの揮発性のガス成分を多く含んでいる場合には、接合後には上記揮発性のガスがパッケージ内に充満する虞がある。この場合、特に青紫色半導体レーザ素子が封止されている場合には、揮発性のガスが発振波長が短く高エネルギーのレーザ光により励起・分解されることに起因して、半導体レーザ素子のレーザ出射端面に付着物が形成されやすい。この場合、付着物によってレーザ光が吸収されるので、レーザ出射端面の温度が上昇しやすい。その結果、半導体レーザ素子が劣化するという問題点がある。   However, the semiconductor devices disclosed in Patent Documents 1 and 2 have a problem that the manufacturing process increases because the sealing is performed with an adhesive or a sealing agent. In addition, when the above-described adhesive or sealant contains a large amount of volatile gas components such as organic gas, particularly in a state before curing, the volatile gas fills the package after bonding. There is a risk of doing. In this case, particularly when the blue-violet semiconductor laser device is sealed, the volatile gas has a short oscillation wavelength and is excited and decomposed by a high-energy laser beam. Deposits are easily formed on the emission end face. In this case, since the laser beam is absorbed by the deposit, the temperature of the laser emission end face is likely to rise. As a result, there is a problem that the semiconductor laser element is deteriorated.

この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の１つの目的は、製造プロセスを簡素化することができ、かつ、半導体レーザ素子が劣化することを抑制することが可能な半導体レーザ装置および光装置を提供することである。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and one object of the present invention is to simplify the manufacturing process and to suppress the deterioration of the semiconductor laser device. It is an object to provide a semiconductor laser device and an optical device.

課題を解決するための手段および発明の効果Means for Solving the Problems and Effects of the Invention

上記目的を達成するために、この発明の第１の局面による半導体レーザ装置は、半導体レーザ素子と、半導体レーザ素子を封止するパッケージとを備え、パッケージは、半導体レーザ素子が取り付けられるベース部と、半導体レーザ素子を覆う樹脂からなるキャップ部とを含み、ベース部は、外周面に第１嵌合部を有し、キャップ部は、内周面に第２嵌合部を有し、第１嵌合部と第２嵌合部とが嵌合されている。なお、本発明における「嵌合部」とは、ベース部とキャップ部とが嵌合する際の、ベース部の外周面とキャップ部の内周面とが互いに接触（密着）する部分を含む広い概念である。   To achieve the above object, a semiconductor laser device according to a first aspect of the present invention includes a semiconductor laser element and a package for sealing the semiconductor laser element, and the package includes a base portion to which the semiconductor laser element is attached. The base portion has a first fitting portion on the outer circumferential surface, the cap portion has a second fitting portion on the inner circumferential surface, The fitting part and the second fitting part are fitted. The “fitting part” in the present invention includes a wide part including a part where the outer peripheral surface of the base part and the inner peripheral surface of the cap part come into contact (contact) with each other when the base part and the cap part are fitted together. It is a concept.

この発明の第１の局面による半導体レーザ装置では、上記のように、第１嵌合部と第２嵌合部とを嵌合することにより、嵌合部においてベース部とキャップ部とを容易に密着させることができるので、パッケージ内部を容易に封止することができる。これにより、パッケージ内部の半導体レーザ素子が劣化することを抑制することができる。また、第１嵌合部と第２嵌合部とを嵌合することによりパッケージを封止しているので、封止剤などを別途使用する必要がない。その結果、製造プロセスを簡素化することができる。   In the semiconductor laser device according to the first aspect of the present invention, as described above, the base portion and the cap portion can be easily formed in the fitting portion by fitting the first fitting portion and the second fitting portion. Since it can adhere, the inside of a package can be sealed easily. Thereby, it can suppress that the semiconductor laser element inside a package deteriorates. Further, since the package is sealed by fitting the first fitting portion and the second fitting portion, it is not necessary to use a sealant or the like separately. As a result, the manufacturing process can be simplified.

上記第１の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、ベース部またはキャップ部のいずれか一方の弾性率は、他方の弾性率よりも小さく、第１嵌合部および第２嵌合部の少なくとも一方は、弾性変形している。このように構成すれば、ベース部とキャップ部との嵌合部では、相対的に弾性率が小さい方の部材が相対的に弾性率が大きい方の部材の形状に合わせて変形（伸縮）した状態となる。これにより、嵌合部におけるベース部とキャップ部との密着性を向上させながら、ベース部とキャップ部とを容易に嵌め合わせることができる。   In the semiconductor laser device according to the first aspect, preferably, the elastic modulus of either the base portion or the cap portion is smaller than the elastic modulus of the other, and at least one of the first fitting portion and the second fitting portion. Is elastically deformed. If comprised in this way, in the fitting part of a base part and a cap part, the member with a relatively small elastic modulus will deform | transform (expand / contract) according to the shape of the member with a relatively large elastic modulus. It becomes a state. Thereby, a base part and a cap part can be easily fitted together, improving the adhesiveness of the base part and cap part in a fitting part.

上記第１の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、第１嵌合部および第２嵌合部の少なくとも一方には、凹部および凸部の少なくとも一方が形成されている。このように構成すれば、少なくとも一方の部材に設けられた凸部の表面を、嵌合部における他方の部材の表面に適切な押圧力を有して確実に当接させることができる。これにより、パッケージ内部の気密封止をより確実に行うことができる。   In the semiconductor laser device according to the first aspect, preferably, at least one of a concave portion and a convex portion is formed in at least one of the first fitting portion and the second fitting portion. If comprised in this way, the surface of the convex part provided in the at least one member can be made to contact | abut reliably with an appropriate pressing force on the surface of the other member in a fitting part. Thereby, the hermetic sealing inside the package can be performed more reliably.

この場合、好ましくは、第１嵌合部および第２嵌合部には、ねじ構造が形成されている。このように構成すれば、ベース部またはキャップ部の一方に設けられたねじ山（複数の凸部）の表面を、嵌合部における他方の部材の表面に設けられたねじ山の表面（谷底部）に連続的に当接させることができる。これにより、パッケージ内部の気密封止をより確実に行うことができる。   In this case, preferably, a screw structure is formed in the first fitting portion and the second fitting portion. If comprised in this way, the surface (valley bottom part) of the thread provided in the surface of the other member in the fitting part on the surface of the thread (a plurality of convex parts) provided in one of the base part or the cap part ) Continuously. Thereby, the hermetic sealing inside the package can be performed more reliably.

上記第１の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、ベース部は、ポリフェニレンサルフィド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリブチレンテレフタラート樹脂、液晶ポリマ、または、エポキシ系樹脂のいずれかからなる。このように構成すれば、耐熱性および耐侯性に優れ、かつ、金型成形性に優れたベース部を形成することができる。また、製造プロセスにおいて適切な熱処理を行うことで、樹脂中に含有する揮発性ガスを容易に除去することができる。これにより、ベース部からの揮発性ガスの発生を抑制することができる。   In the semiconductor laser device according to the first aspect, preferably, the base portion is made of any of a polyphenylene sulfide resin, a polyamide resin, a polyether ether ketone resin, a polybutylene terephthalate resin, a liquid crystal polymer, or an epoxy resin. Become. If comprised in this way, the base part which was excellent in heat resistance and weather resistance, and excellent in mold moldability can be formed. Moreover, the volatile gas contained in resin can be easily removed by performing an appropriate heat treatment in the manufacturing process. Thereby, generation | occurrence | production of the volatile gas from a base part can be suppressed.

上記第１の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、キャップ部は、フッ素系樹脂、エポキシ系樹脂、エチレンビニルアルコール系樹脂、または、シリコン樹脂のいずれかからなる。このように構成すれば、耐熱性および耐侯性に優れ、かつ、伸縮性（可撓性）に優れたキャップ部を形成することができる。また、製造プロセスにおいて適切な熱処理を行うことで、樹脂中に含有する揮発性ガスを容易に除去することができる。これにより、キャップ部からの揮発性ガスの発生を抑制することができる。   In the semiconductor laser device according to the first aspect, preferably, the cap portion is made of any one of a fluorine resin, an epoxy resin, an ethylene vinyl alcohol resin, and a silicon resin. If comprised in this way, the cap part excellent in heat resistance and weather resistance, and excellent in a stretching property (flexibility) can be formed. Moreover, the volatile gas contained in resin can be easily removed by performing an appropriate heat treatment in the manufacturing process. Thereby, generation | occurrence | production of the volatile gas from a cap part can be suppressed.

上記第１の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、第１嵌合部および第２嵌合部の後方に接続される放熱部をさらに備え、放熱部は、ベース部の外周面よりも外側に延びる。このように構成すれば、ベース部の後方に放熱部が接続されるので、ベース部の前方側に放熱部と干渉することなくキャップ部を取り付けることができる。また、パッケージ内に封止された半導体レーザ素子が発する熱を、放熱部を介して効率よく放熱することができる。   In the semiconductor laser device according to the first aspect, preferably, the semiconductor laser device further includes a heat radiating portion connected to the rear of the first fitting portion and the second fitting portion, and the heat radiating portion is outside the outer peripheral surface of the base portion. Extend. If comprised in this way, since a thermal radiation part is connected to the back of a base part, a cap part can be attached to the front side of a base part, without interfering with a thermal radiation part. In addition, the heat generated by the semiconductor laser element sealed in the package can be efficiently radiated through the heat radiating portion.

この発明の第２の局面による光装置は、半導体レーザ素子と、半導体レーザ素子を封止するパッケージとを含む半導体レーザ装置と、半導体レーザ装置の出射光を制御する光学系とを備え、パッケージは、半導体レーザ素子が取り付けられるベース部と、半導体レーザ素子を覆う樹脂からなるキャップ部とを有し、ベース部は、外周面に第１嵌合部を有し、キャップ部は、内周面に第２嵌合部を有し、第１嵌合部と第２嵌合部とが嵌合されている。   An optical device according to a second aspect of the present invention includes a semiconductor laser device including a semiconductor laser element, a package for sealing the semiconductor laser element, and an optical system for controlling light emitted from the semiconductor laser device, and the package includes: And a base part to which the semiconductor laser element is attached and a cap part made of resin covering the semiconductor laser element, the base part has a first fitting part on the outer peripheral surface, and the cap part is on the inner peripheral surface It has a 2nd fitting part and the 1st fitting part and the 2nd fitting part are fitted.

この発明の第２の局面による光装置では、上記のように、第１嵌合部と第２嵌合部とを嵌合することにより、嵌合部においてベース部とキャップ部とを容易に密着させることができるので、パッケージ内部を容易に封止することができる。これにより、半導体レーザ素子が劣化しにくく、長時間の使用にも耐え得る信頼性の高い光装置を得ることができる。また、第１嵌合部と第２嵌合部とを嵌合することによりパッケージを封止しているので、封止剤などを別途使用する必要がない。その結果、製造プロセスが簡素化された半導体レーザ装置を用いて光装置を構成することができる。   In the optical device according to the second aspect of the present invention, as described above, the base portion and the cap portion are easily adhered to each other by fitting the first fitting portion and the second fitting portion. Therefore, the inside of the package can be easily sealed. As a result, it is possible to obtain a highly reliable optical device in which the semiconductor laser element is hardly deteriorated and can withstand long-time use. Further, since the package is sealed by fitting the first fitting portion and the second fitting portion, it is not necessary to use a sealant or the like separately. As a result, an optical device can be configured using a semiconductor laser device with a simplified manufacturing process.

本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置のキャップ部とベース部とが分離された状態を示した分解斜視図である。It is the disassembled perspective view which showed the state by which the cap part and base part of the semiconductor laser apparatus by 1st Embodiment of this invention were isolate | separated. 本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置の幅方向の中心線に沿った縦断面図である。1 is a longitudinal sectional view along a center line in a width direction of a semiconductor laser device according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置の製造プロセスを説明するための上面図である。It is a top view for demonstrating the manufacturing process of the semiconductor laser apparatus by 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置の製造プロセスを説明するための上面図である。It is a top view for demonstrating the manufacturing process of the semiconductor laser apparatus by 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１実施形態の第１変形例による半導体レーザ装置の幅方向の中心線に沿った縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view along the center line of the width direction of the semiconductor laser apparatus by the 1st modification of 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１実施形態の第２変形例による半導体レーザ装置の幅方向の中心線に沿った縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view along the center line of the width direction of the semiconductor laser apparatus by the 2nd modification of 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１実施形態の第３変形例による半導体レーザ装置の幅方向の中心線に沿った縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view along the centerline of the width direction of the semiconductor laser apparatus by the 3rd modification of 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１実施形態の第４変形例による半導体レーザ装置の幅方向の中心線に沿った縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view along the centerline of the width direction of the semiconductor laser apparatus by the 4th modification of 1st Embodiment of this invention. 本発明の第２実施形態による半導体レーザ装置の幅方向の中心線に沿った縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view along the center line of the width direction of the semiconductor laser apparatus by 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第２実施形態の変形例による半導体レーザ装置の幅方向の中心線に沿った縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view along the center line of the width direction of the semiconductor laser apparatus by the modification of 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第３実施形態による３波長半導体レーザ装置のキャップ部を外した状態を示した上面図である。It is the top view which showed the state which removed the cap part of the 3 wavelength semiconductor laser apparatus by 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第３実施形態による３波長半導体レーザ装置を備えた光ピックアップ装置の構成を示した概略図である。It is the schematic which showed the structure of the optical pick-up apparatus provided with the 3 wavelength semiconductor laser apparatus by 3rd Embodiment of this invention.

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

（第１実施形態）
まず、図１および図２を参照して、本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置１００の構造について説明する。 (First embodiment)
First, the structure of the semiconductor laser device 100 according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

半導体レーザ装置１００は、約４０５ｎｍの発振波長を有する青紫色半導体レーザ素子２０と、青紫色半導体レーザ素子２０を封止するパッケージ４５とを備えている。パッケージ４５は、青紫色半導体レーザ素子２０が取り付けられるベース部１０と、ベース部１０に取り付けられ、青紫色半導体レーザ素子２０を覆うキャップ部３０とを有している。なお、青紫色半導体レーザ素子２０は、本発明の「半導体レーザ素子」の一例である。   The semiconductor laser device 100 includes a blue-violet semiconductor laser element 20 having an oscillation wavelength of about 405 nm and a package 45 that seals the blue-violet semiconductor laser element 20. The package 45 includes a base portion 10 to which the blue-violet semiconductor laser element 20 is attached and a cap portion 30 that is attached to the base portion 10 and covers the blue-violet semiconductor laser element 20. The blue-violet semiconductor laser element 20 is an example of the “semiconductor laser element” in the present invention.

ベース部１０は、硬化時に約１３〜１５ＧＰａの弾性率を有するポリフェニレンサルフィド樹脂（ＰＰＳ）により形成されており、外径Ｄ１を有する略円柱状のヘッダ部１０ａと、ヘッダ部１０ａの前面１０ｃの下側約半分が前方（レーザ光出射方向（Ａ１方向））に延びる台座部１０ｂとを有する。また、台座部１０ｂの上面（Ｃ２側）には、所定の深さを有する凹部１０ｄが形成されている。凹部１０ｄは、台座部１０ｂの前側（Ａ１側）に設けられた開口部１０ｆを除く壁部１０ｅと、前面１０ｃの一部とにより囲まれた領域内に底面１０ｊを有して形成されている。   The base portion 10 is formed of polyphenylene sulfide resin (PPS) having an elastic modulus of about 13 to 15 GPa when cured, and includes a substantially cylindrical header portion 10a having an outer diameter D1 and a front surface 10c of the header portion 10a. About half of the lower side has a pedestal portion 10b extending forward (laser beam emitting direction (A1 direction)). Further, a concave portion 10d having a predetermined depth is formed on the upper surface (C2 side) of the pedestal portion 10b. The recess 10d has a bottom surface 10j in a region surrounded by a wall 10e excluding the opening 10f provided on the front side (A1 side) of the pedestal 10b and a part of the front surface 10c. .

キャップ部３０は、硬化時に約４〜４０ＭＰａの弾性率を有するシリコン樹脂により形成されており、内径Ｄ２および外径Ｄ３を有する略円筒状に形成された側壁部３０ａと、側壁部３０ａの一方側（Ａ１側）を塞ぐ底面部３０ｂとを有する。側壁部３０ａは、約０．５ｍｍの厚み（肉厚）ｔ１を有するとともに、底面部３０ｂは、厚みｔ１よりも若干大きな厚みｔ２（ｔ２≧ｔ１）を有する。また、キャップ部３０は、透光性を有している。また、キャップ部３０の側壁部３０ａおよび底面部３０ｂの外表面３０ｄ上には、約０．１μｍの厚みを有するＳｉＯ２からなるガスバリア層３３が連続して形成されている。 The cap part 30 is formed of a silicon resin having an elastic modulus of about 4 to 40 MPa when cured, and has a side wall part 30a formed in a substantially cylindrical shape having an inner diameter D2 and an outer diameter D3, and one side of the side wall part 30a. And a bottom surface portion 30b for closing (A1 side). The side wall portion 30a has a thickness (thickness) t1 of about 0.5 mm, and the bottom surface portion 30b has a thickness t2 (t2 ≧ t1) slightly larger than the thickness t1. Moreover, the cap part 30 has translucency. A gas barrier layer 33 made of SiO 2 having a thickness of about 0.1 μm is continuously formed on the side wall portion 30a of the cap portion 30 and the outer surface 30d of the bottom surface portion 30b.

また、キャップ部３０の内径Ｄ２がヘッダ部１０ａの外径Ｄ１よりも若干小さい。これにより、半導体レーザ装置１００では、図２の状態において、ベース部１０とキャップ部３０とが周状に嵌合されており、パッケージ４５内に青紫色半導体レーザ素子２０が気密封止されている。なお、ベース部１０とキャップ部３０との嵌合部におけるヘッダ部１０ａの外周面１０ｋが、本発明の「第１嵌合部」の一例であり、キャップ部３０の内周面３０ｃが、本発明の「第２嵌合部」の一例である。   Further, the inner diameter D2 of the cap portion 30 is slightly smaller than the outer diameter D1 of the header portion 10a. As a result, in the semiconductor laser device 100, in the state of FIG. 2, the base portion 10 and the cap portion 30 are fitted in a circumferential shape, and the blue-violet semiconductor laser element 20 is hermetically sealed in the package 45. . The outer peripheral surface 10k of the header portion 10a in the fitting portion between the base portion 10 and the cap portion 30 is an example of the “first fitting portion” in the present invention, and the inner peripheral surface 30c of the cap portion 30 is the main portion. It is an example of the “second fitting portion” of the invention.

また、図２に示すように、ベース部１０の外周面１０ｋと前面１０ｃおよび１０ｈとが交わる縁部１０ｉには、周状に面取り加工が施されている。また、キャップ部３０の側壁部３０ａの開口部３０ｉにも、周状に面取り加工が施されている。   In addition, as shown in FIG. 2, a chamfering process is performed on the edge portion 10 i where the outer peripheral surface 10 k of the base portion 10 and the front surfaces 10 c and 10 h intersect with each other. Further, the opening 30 i of the side wall 30 a of the cap 30 is also chamfered in a circumferential shape.

また、ヘッダ部１０ａの外周面１０ｋには、おねじ部１５が形成されている。詳細には、図２に示すように、おねじ部１５は、外周面１０ｋのうちのヘッダ部１０ａの軸方向（Ａ方向）に沿った一部の領域に形成されている。おねじ部１５では、ねじ山の頂部におけるヘッダ部１０ａの外径が、外周面１０ｋの外径Ｄ１に略等しい。なお、おねじ部１５は、本発明の「ねじ構造」の一例である。   Moreover, the external thread part 15 is formed in the outer peripheral surface 10k of the header part 10a. Specifically, as shown in FIG. 2, the external thread portion 15 is formed in a partial region along the axial direction (A direction) of the header portion 10 a in the outer peripheral surface 10 k. In the external thread portion 15, the outer diameter of the header portion 10a at the top of the thread is substantially equal to the outer diameter D1 of the outer peripheral surface 10k. The male screw portion 15 is an example of the “screw structure” in the present invention.

また、キャップ部３０の内周面３０ｃには、めねじ部１６が形成されている。また、めねじ部１６は、内周面３０ｃのうちのキャップ部３０の軸方向（Ａ方向）に沿った開口部３０ｉ寄り（Ａ２側）の一部の領域に形成されている。めねじ部１６では、ねじ山の谷底における側壁部３０ａの内径が、内周面３０ｃの内径Ｄ２に略等しい。なお、めねじ部１６は、本発明の「ねじ構造」の一例である。   A female thread portion 16 is formed on the inner peripheral surface 30 c of the cap portion 30. Further, the female thread portion 16 is formed in a part of the inner peripheral surface 30c near the opening 30i (A2 side) along the axial direction (A direction) of the cap portion 30. In the female thread portion 16, the inner diameter of the side wall portion 30a at the bottom of the thread is substantially equal to the inner diameter D2 of the inner peripheral surface 30c. The female thread portion 16 is an example of the “screw structure” in the present invention.

したがって、ベース部１０とキャップ部３０とが嵌合される際、おねじ部１５とめねじ部１６とが螺合するので、この部分において、キャップ部３０の内周面３０ｃがベース部１０の外周面１０ｋに周状に密着する。なお、おねじ部１５は、本発明の「第１嵌合部」および「ねじ構造」の一例であり、めねじ部１６は、本発明の「第２嵌合部」および「ねじ構造」の一例である。   Accordingly, when the base portion 10 and the cap portion 30 are fitted, the male screw portion 15 and the female screw portion 16 are screwed together, and in this portion, the inner peripheral surface 30c of the cap portion 30 is the outer periphery of the base portion 10. It closely adheres to the surface 10k. The male screw portion 15 is an example of the “first fitting portion” and “screw structure” of the present invention, and the female screw portion 16 is the “second fitting portion” and “screw structure” of the present invention. It is an example.

また、ベース部１０には、金属製のリードフレームからなるリード端子１１、１２および１３が設けられている。このリード端子１１〜１３は、互いに絶縁された状態でヘッダ部１０ａを前方（Ａ１側）から後方（Ａ２側）に貫通するように配置されている。また、上面側（図１のＣ２側）から見て、リード端子１１は、ヘッダ部１０ａの幅方向（Ｂ方向）の略中心を貫通する。また、リード端子１２および１３は、リード端子１１のＢ方向の外側（Ｂ２側およびＢ１側）にそれぞれ配置されている。   The base portion 10 is provided with lead terminals 11, 12 and 13 made of a metal lead frame. The lead terminals 11 to 13 are arranged so as to penetrate the header portion 10a from the front side (A1 side) to the rear side (A2 side) while being insulated from each other. Further, when viewed from the upper surface side (the C2 side in FIG. 1), the lead terminal 11 penetrates substantially the center in the width direction (B direction) of the header portion 10a. The lead terminals 12 and 13 are disposed on the outer side in the B direction (B2 side and B1 side) of the lead terminal 11, respectively.

リード端子１１〜１３は、後方（Ａ２方向）に延びた後端領域が、ヘッダ部１０ａの後方（Ａ２側）の後面１０ｇ（図３参照）からそれぞれ露出している。また、リード端子１１、１２および１３の前方（Ａ１側）に延びた前端領域１１ａ、１２ａおよび１３ａは、前面１０ｃからそれぞれ露出しており、前端領域１１ａ〜１３ａは、共に凹部１０ｄの底面１０ｊ（図２参照）上に配置されている。また、前端領域１１ａは、前端領域１２ａおよび１３ａの前方において、前面１０ｈまで延びるとともに、凹部１０ｄの底面１０ｊ上でＢ方向に広がっている。   In the lead terminals 11 to 13, rear end regions extending rearward (A2 direction) are exposed from the rear surface 10g (see FIG. 3) of the rear (A2 side) of the header portion 10a. Further, front end regions 11a, 12a and 13a extending forward (A1 side) of the lead terminals 11, 12 and 13 are exposed from the front surface 10c, respectively, and the front end regions 11a to 13a are both bottom surfaces 10j ( (See FIG. 2). The front end region 11a extends to the front surface 10h in front of the front end regions 12a and 13a and extends in the B direction on the bottom surface 10j of the recess 10d.

また、リード端子１１には、前端領域１１ａに接続される一対の放熱部１１ｄが一体的に形成されている。詳細に説明すると、リード端子１１には、前端領域１１ａの幅方向（Ｂ２側およびＢ１側）の両端部からそれぞれ後方（Ａ２方向）に延びる接続部１１ｃが形成されている。また、接続部１１ｃは、それぞれ、前端領域１１ａからリード端子１２および１３よりも外側（Ｂ２側またはＢ１側）を後方に延びるとともに、ベース部１０の前面１０ｃからヘッダ部１０ａ内に隠れた後、おねじ部１５が形成された領域よりも後方位置で外周面１０ｋからＢ１方向およびＢ２方向に延びて外部に露出している。そして、放熱部１１ｄは、外周面１０ｋから露出した接続部１１ｃに接続されている。また、放熱部１１ｄは、接続部１１ｃに接続された位置から前方（Ａ１方向）に延びている。したがって、図１に示すように、一対の放熱部１１ｄは、それぞれ、ベース部１０の外周面１０ｋに対して幅Ｗ６の間隔を隔てて外周面１０ｋと略平行に延びている。   The lead terminal 11 is integrally formed with a pair of heat radiation portions 11d connected to the front end region 11a. More specifically, the lead terminal 11 is formed with connecting portions 11c extending backward (A2 direction) from both end portions in the width direction (B2 side and B1 side) of the front end region 11a. In addition, the connection portion 11c extends rearward from the front end region 11a outside the lead terminals 12 and 13 (B2 side or B1 side) and is hidden in the header portion 10a from the front surface 10c of the base portion 10, respectively. It extends from the outer peripheral surface 10k in the B1 direction and the B2 direction at a position behind the region where the male thread portion 15 is formed, and is exposed to the outside. And the heat radiating part 11d is connected to the connection part 11c exposed from the outer peripheral surface 10k. Moreover, the heat radiating part 11d extends forward (A1 direction) from a position connected to the connecting part 11c. Therefore, as shown in FIG. 1, the pair of heat radiating portions 11 d each extend substantially parallel to the outer peripheral surface 10 k with an interval of the width W <b> 6 from the outer peripheral surface 10 k of the base portion 10.

また、ベース部１０の外周面１０ｋとその両側の放熱部１１ｄとの間には、キャップ部３０の側壁部３０ａの厚みｔ１よりも大きな幅Ｗ６を有する隙間（切り欠き部）が形成されている。したがって、キャップ部３０をベース部１０に嵌合した状態では、放熱部１１ｄは、キャップ部３０の側壁部３０ａと干渉（接触）することなくキャップ部３０の外側に配置されている。   Further, a gap (notch portion) having a width W6 larger than the thickness t1 of the side wall portion 30a of the cap portion 30 is formed between the outer peripheral surface 10k of the base portion 10 and the heat radiating portions 11d on both sides thereof. . Therefore, in a state where the cap part 30 is fitted to the base part 10, the heat radiating part 11 d is disposed outside the cap part 30 without interfering (contacting) with the side wall part 30 a of the cap part 30.

また、リード端子１１の前端領域１１ａの上面略中央に、青紫色半導体レーザ素子２０が、導電性を有するサブマウント４０を介して取り付けられている。   In addition, the blue-violet semiconductor laser element 20 is attached to the front end region 11a of the lead terminal 11 through the conductive submount 40 at the approximate center of the upper surface.

ここで、青紫色半導体レーザ素子２０は、光出射面を開口部１０ｆ側（Ａ１側）に向けて取り付けられている。なお、光出射面は、青紫色半導体レーザ素子２０に形成されている一対の共振器端面のうち、出射されるレーザ光の光強度が相対的に大きい方の端面が光出射面、相対的に小さい方の端面が光反射面であって、レーザ光は、Ａ１方向に出射される。また、青紫色半導体レーザ素子２０の上面に形成されたｐ側電極２７には、Ａｕなどからなる金属線９１の一端がワイヤボンディングされており、金属線９１の他端は、リード端子１２の前端領域１２ａに接続されている。また、青紫色半導体レーザ素子２０の下面に形成されたｎ側電極（図示せず）は、サブマウント４０を介してリード端子１１の前端領域１１ａに電気的に接続されている。   Here, the blue-violet semiconductor laser device 20 is attached with the light emission surface facing the opening 10f side (A1 side). Of the pair of resonator end faces formed in the blue-violet semiconductor laser device 20, the light exit surface is the end surface with the relatively large light intensity of the emitted laser light. The smaller end surface is a light reflecting surface, and the laser light is emitted in the A1 direction. In addition, one end of a metal wire 91 made of Au or the like is wire-bonded to the p-side electrode 27 formed on the upper surface of the blue-violet semiconductor laser device 20, and the other end of the metal wire 91 is connected to the front end of the lead terminal 12. It is connected to the region 12a. An n-side electrode (not shown) formed on the lower surface of the blue-violet semiconductor laser element 20 is electrically connected to the front end region 11 a of the lead terminal 11 via the submount 40.

また、サブマウント４０の後方（Ａ２側）の青紫色半導体レーザ素子２０の光反射面側には、レーザ光強度をモニタするために用いられるＰＤ（フォトダイオード）４２が受光面を上方（Ｃ２方向）に向けて配置されている。そして、ＰＤ４２の下面をサブマウント４０に電気的に接続するとともに、ＰＤ４２の上面には、Ａｕなどからなる金属線９２の一端がワイヤボンディングされており、金属線９２の他端は、リード端子１３の前端領域１３ａに接続されている。   In addition, on the light reflecting surface side of the blue-violet semiconductor laser element 20 behind the submount 40 (A2 side), a PD (photodiode) 42 used for monitoring the laser light intensity is above the light receiving surface (C2 direction). ). The lower surface of the PD 42 is electrically connected to the submount 40, and one end of a metal wire 92 made of Au or the like is wire-bonded to the upper surface of the PD 42, and the other end of the metal wire 92 is connected to the lead terminal 13. Is connected to the front end region 13a.

次に、図１〜図４を参照して、半導体レーザ装置１００の製造プロセスについて説明する。   Next, a manufacturing process of the semiconductor laser device 100 will be described with reference to FIGS.

まず、図３に示すように、鉄や銅などの帯状の薄板からなる金属板をエッチングすることにより、放熱部１１ｄが前端領域１１ａと一体的に形成されたリード端子１１と、リード端子１１の両側に配置されたリード端子１２および１３とが、横方向（Ｂ方向）に繰り返しパターニングされたリードフレーム１０５を形成する。この際、各リード端子１２および１３は、横方向（Ｂ方向）に延びる連結部１０１および１０２により連結された状態でパターニングされる。また、各放熱部１１ｄは、横方向に延びる連結部１０３により連結された状態でパターニングされる。   First, as shown in FIG. 3, by etching a metal plate made of a strip-shaped thin plate such as iron or copper, a lead terminal 11 in which a heat radiating portion 11d is formed integrally with the front end region 11a, Lead terminals 12 and 13 arranged on both sides form a lead frame 105 that is repeatedly patterned in the lateral direction (B direction). At this time, the lead terminals 12 and 13 are patterned in a state of being connected by the connecting portions 101 and 102 extending in the lateral direction (B direction). In addition, each of the heat dissipating parts 11d is patterned in a state of being connected by a connecting part 103 extending in the lateral direction.

その後、図４に示すように、樹脂成型装置を用いて、凹部１０ｄを有し、一組のリード端子１１〜１３が貫通するとともに、各端子の前端領域１１ａ〜１３ａが底面１０ｊ（図２参照）上に露出するように、ベース部１０をモールド成型する。この際、ヘッダ部１０ａの軸方向（Ａ方向）に沿った一部の領域の外周面１０ｋに、おねじ部１５を同時に形成する。また、ベース部１０は、前面１０ｈがリード端子１１の前端領域１１ａの前端面１１ｅと同一面上に揃うように成型される。   Thereafter, as shown in FIG. 4, the resin molding apparatus is used to have a recess 10 d, a set of lead terminals 11 to 13 penetrates, and front end regions 11 a to 13 a of each terminal have a bottom surface 10 j (see FIG. 2). The base portion 10 is molded so as to be exposed above. At this time, the male screw portion 15 is simultaneously formed on the outer peripheral surface 10k of a partial region along the axial direction (A direction) of the header portion 10a. The base portion 10 is molded so that the front surface 10 h is aligned with the front end surface 11 e of the front end region 11 a of the lead terminal 11.

その後、ベース部１０に対して、ＵＶクリーニング処理または真空中における約２００℃の加温処理を行う。これにより、凹部１０ｄやおねじ部１５などの表面に付着する製造プロセス中の汚れや、ポリフェニレンサルフィド樹脂に含まれる水分や溶剤を蒸発して除去する。   Thereafter, the base portion 10 is subjected to a UV cleaning process or a heating process at about 200 ° C. in a vacuum. As a result, the dirt during the manufacturing process adhering to the surface of the concave portion 10d, the external thread portion 15, etc., and the moisture and solvent contained in the polyphenylene sulfide resin are removed by evaporation.

その後、導電性接着層（図示せず）を用いて青紫色半導体レーザ素子２０およびＰＤ４２が接合されたサブマウント４０を、前端領域１１ａの上面の略中央（横方向）に接合する。この際、青紫色半導体レーザ素子２０の光出射面を開口部１０ｆ（図１参照）側に向けるとともに、青紫色半導体レーザ素子２０の光反射面およびＰＤ４２を前面１０ｃ（図１参照）側に向けて配置する。   Thereafter, the submount 40 to which the blue-violet semiconductor laser element 20 and the PD 42 are bonded is bonded to the substantially center (lateral direction) of the upper surface of the front end region 11a using a conductive adhesive layer (not shown). At this time, the light emitting surface of the blue-violet semiconductor laser device 20 is directed toward the opening 10f (see FIG. 1), and the light reflecting surface of the blue-violet semiconductor laser device 20 and the PD 42 are directed toward the front surface 10c (see FIG. 1). Arrange.

その後、金属線９１を用いて青紫色半導体レーザ素子２０のｐ側電極２７とリード端子１２の前端領域１２ａとを接続する。また、金属線９２を用いてＰＤ４２の上面とリード端子１３の前端領域１３ａとを接続する。その後、連結部１０１〜１０３を切断除去することにより、キャップ部３０以外の半導体レーザ装置１００を個々に分離する。   Thereafter, the metal wire 91 is used to connect the p-side electrode 27 of the blue-violet semiconductor laser device 20 and the front end region 12a of the lead terminal 12. Further, the upper surface of the PD 42 and the front end region 13 a of the lead terminal 13 are connected using a metal wire 92. Thereafter, the coupling portions 101 to 103 are cut and removed, so that the semiconductor laser devices 100 other than the cap portion 30 are individually separated.

一方、シリコン樹脂と硬化剤とを混ぜ合わせた硬化前のシリコン樹脂を所定の形状を有する型（図示せず）に流し込む。そして、約１５０℃の温度条件下で約３０分間加熱することにより硬化させる。これにより、キャップ部３０の側壁部３０ａおよび底面部３０ｂ（図１参照）が成型される。この際、キャップ部３０の軸方向（Ａ方向）に沿った開口部３０ｉ寄りの内周面３０ｃに、めねじ部１６を同時に形成する。   On the other hand, an uncured silicone resin obtained by mixing a silicone resin and a curing agent is poured into a mold (not shown) having a predetermined shape. And it hardens | cures by heating for about 30 minutes on about 150 degreeC temperature conditions. Thereby, the side wall part 30a and the bottom face part 30b (refer FIG. 1) of the cap part 30 are shape | molded. At this time, the female thread portion 16 is simultaneously formed on the inner peripheral surface 30c near the opening 30i along the axial direction (A direction) of the cap portion 30.

その後、型からキャップ部３０を取り出し、オイルフリーポンプにより減圧状態にしたオーブン内で、約２４０℃の温度条件下で約２日間加熱することにより、シリコン樹脂中に含有している低分子シロキサンを除去する。その後、真空蒸着法を用いて、キャップ部３０の側壁部３０ａおよび底面部３０ｂの外表面３０ｄ上に、ＳｉＯ２からなるガスバリア層３３（図１参照）を形成する。このようにして、キャップ部３０が形成される。 Thereafter, the cap part 30 is taken out from the mold, and the low molecular siloxane contained in the silicon resin is heated by heating at about 240 ° C. for about 2 days in an oven reduced in pressure by an oil-free pump. Remove. Then, using a vacuum deposition method, thereby forming on the outer surface 30d of the side wall portions 30a and bottom portion 30b of the cap portion 30, a gas barrier layer 33 made of SiO 2 (see FIG. 1). In this way, the cap part 30 is formed.

最後に、ベース部１０を前面１０ｃ側からキャップ部３０の内側にＡ１方向に挿入する。この際、キャップ部３０内部でおねじ部１５とめねじ部１６のねじ山同士が接触した状態からキャップ部３０を右ねじ方向に回して締め込む。これにより、おねじ部１５およびめねじ部１６を含めたキャップ部３０の内周面３０ｃとベース部１０の外周面１０ｋとが締まり嵌めの状態で嵌合して青紫色半導体レーザ素子２０が気密封止される。   Finally, the base portion 10 is inserted in the A1 direction from the front surface 10c side to the inside of the cap portion 30. At this time, the cap 30 is tightened by turning the cap 30 in the right-hand screw direction from the state in which the screw threads of the external thread 15 and the female thread 16 are in contact with each other inside the cap 30. As a result, the inner peripheral surface 30c of the cap portion 30 including the male screw portion 15 and the female screw portion 16 and the outer peripheral surface 10k of the base portion 10 are fitted in an interference fit state, and the blue-violet semiconductor laser device 20 is Hermetically sealed.

第１実施形態では、上記のように、ベース部１０の外周面１０ｋとキャップ部３０の内周面３０ｃとを嵌合することにより、嵌合部においてベース部１０の外周面１０ｋとキャップ部３０の内周面３０ｃとを容易に密着させることができるので、パッケージ４５内部を容易に封止することができる。これにより、パッケージ４５内部の青紫色半導体レーザ素子２０が劣化することを抑制することができる。また、ベース部１０の外周面１０ｋとキャップ部３０の内周面３０ｃとを嵌合することによりパッケージ４５を封止しているので、封止剤などを別途使用する必要がない。その結果、半導体レーザ装置１００の製造プロセスを簡素化することができる。   In the first embodiment, as described above, by fitting the outer peripheral surface 10k of the base portion 10 and the inner peripheral surface 30c of the cap portion 30, the outer peripheral surface 10k of the base portion 10 and the cap portion 30 in the fitting portion. Since the inner peripheral surface 30c can be easily adhered, the inside of the package 45 can be easily sealed. Thereby, it can suppress that the blue-violet semiconductor laser element 20 inside the package 45 deteriorates. Further, since the package 45 is sealed by fitting the outer peripheral surface 10k of the base portion 10 and the inner peripheral surface 30c of the cap portion 30, it is not necessary to use a sealant or the like separately. As a result, the manufacturing process of the semiconductor laser device 100 can be simplified.

また、キャップ部３０の弾性率は、ベース部１０の弾性率よりも小さく、キャップ部３０は、ベース部１０とキャップ部３０との嵌合部において側壁部３０ａを弾性変形させている。これにより、ベース部１０とキャップ部３０との嵌合部では、相対的に弾性率が小さいキャップ部３０が相対的に弾性率が大きいベース部１０（ヘッダ部１０ａ）の形状に合わせて変形（伸縮）した状態となる。これにより、嵌合部におけるベース部１０とキャップ部３０との密着性を向上させながら、ベース部１０とキャップ部３０とを容易に嵌め合わせることができる。   Moreover, the elastic modulus of the cap part 30 is smaller than the elastic modulus of the base part 10, and the cap part 30 elastically deforms the side wall part 30 a at the fitting part between the base part 10 and the cap part 30. Thereby, in the fitting part of the base part 10 and the cap part 30, the cap part 30 having a relatively small elastic modulus is deformed according to the shape of the base part 10 (header part 10a) having a relatively large elastic modulus ( Stretched). Thereby, the base part 10 and the cap part 30 can be easily fitted together, improving the adhesiveness of the base part 10 and the cap part 30 in a fitting part.

また、ベース部１０とキャップ部３０とが嵌合する嵌合部に、それぞれ、おねじ部１５とめねじ部１６とが形成されている。これにより、外周面１０ｋと内周面３０ｃとが接触する嵌合部のうちのねじ部同士が螺合する部分において外周面１０ｋと内周面３０ｃとをより確実に当接させることができる。また、ねじ部同士が螺合する部分では、外周面１０ｋと内周面３０ｃとを周状（螺旋状）に連続的に当接させることができる。したがって、パッケージ４５内部の気密封止をより確実に行うことができる。   Moreover, the external thread part 15 and the internal thread part 16 are each formed in the fitting part which the base part 10 and the cap part 30 fit. Thereby, the outer peripheral surface 10k and the inner peripheral surface 30c can be made to contact | abut more reliably in the part in which the screw parts of the fitting parts in which the outer peripheral surface 10k and the inner peripheral surface 30c contact each other are screwed together. Further, at the portion where the screw portions are screwed together, the outer peripheral surface 10k and the inner peripheral surface 30c can be continuously brought into contact with each other in a circumferential shape (spiral shape). Accordingly, the hermetic sealing inside the package 45 can be more reliably performed.

なお、キャップ部３０とベース部１０とを嵌合しない状態では、ヘッダ部１０ａの外径Ｄ１（おねじ部１５のねじ山の頂部におけるヘッダ部１０ａの外径）よりも、キャップ部３０の内径Ｄ２（めねじ部１６のねじ山の谷底における側壁部３０ａの内径）が、約１％程度小さくなるようにキャップ部３０を形成するのが好ましい。これにより、ヘッダ部１０ａとキャップ部３０とをより確実に締まり嵌めの状態で嵌合させることができる。加えて、ねじ部同士が螺合する部分においても、おねじ部１５のねじ山にめねじ部１６のネジ溝を周状に密着させることが可能である。この際、キャップ部３０の弾性率がベース部１０の弾性率よりも小さいので、キャップ部３０は容易に伸縮しながら締まり嵌めの状態を実現することができる。   In a state where the cap portion 30 and the base portion 10 are not fitted, the inner diameter of the cap portion 30 is larger than the outer diameter D1 of the header portion 10a (the outer diameter of the header portion 10a at the top of the thread of the male screw portion 15). It is preferable to form the cap portion 30 so that D2 (the inner diameter of the side wall portion 30a at the bottom of the thread root of the female thread portion 16) is reduced by about 1%. Thereby, the header part 10a and the cap part 30 can be more reliably fitted in the state of interference fit. In addition, the thread groove of the female screw portion 16 can be closely adhered to the thread of the male screw portion 15 even at the portion where the screw portions are screwed together. At this time, since the elastic modulus of the cap portion 30 is smaller than the elastic modulus of the base portion 10, the cap portion 30 can realize an interference fit state while easily expanding and contracting.

また、ベース部１０の縁部１０ｉおよびキャップ部３０の開口部３０ｉにそれぞれ周状に面取り加工が施されているので、キャップ部３０にベース部１０（ヘッダ部１０ａ）がＡ１方向に嵌め込まれる際、外周面１０ｋと内周面３０ｃとの嵌合を滑らかに開始させることができる。   Further, since the chamfering process is performed circumferentially on the edge portion 10i of the base portion 10 and the opening portion 30i of the cap portion 30, when the base portion 10 (header portion 10a) is fitted into the cap portion 30 in the A1 direction. The fitting between the outer peripheral surface 10k and the inner peripheral surface 30c can be started smoothly.

また、ポリフェニレンサルフィド樹脂（ＰＰＳ）を用いてベース部１０を形成している。また、シリコン樹脂を用いてキャップ部３０を形成している。したがって、耐熱性および耐侯性に優れ、かつ、金型成形性に優れたベース部１０を形成することができるとともに、耐熱性および耐侯性に加えて伸縮性（可撓性）に優れたキャップ部３０を形成することができる。また、製造プロセスにおいて適切な熱処理を行うことで、上記した樹脂中に含有する揮発性ガスを容易に除去することができる。これにより、揮発性ガスの発生が抑制されたベース部１０およびキャップ部３０を用いて半導体レーザ装置１００を容易に構成することができる。また、シリコン樹脂により形成されたキャップ部３０は、透光性を有するので、略円形状の底面部３０ｂの中央部から、青紫色半導体レーザ素子２０から出射されたレーザ光を外部に向けて容易に出射させることができる。   Moreover, the base part 10 is formed using polyphenylene sulfide resin (PPS). Moreover, the cap part 30 is formed using silicon resin. Therefore, it is possible to form the base portion 10 having excellent heat resistance and weather resistance and excellent moldability, and in addition to heat resistance and weather resistance, the cap portion has excellent stretchability (flexibility). 30 can be formed. Further, by performing an appropriate heat treatment in the manufacturing process, the volatile gas contained in the resin can be easily removed. Thereby, the semiconductor laser device 100 can be easily configured using the base portion 10 and the cap portion 30 in which the generation of volatile gas is suppressed. Moreover, since the cap part 30 formed of silicon resin has translucency, the laser light emitted from the blue-violet semiconductor laser element 20 can be easily directed to the outside from the central part of the substantially circular bottom part 30b. Can be emitted.

また、ベース部１０とキャップ部３０との嵌合部の後方に接続される放熱部１１ｄを備えており、放熱部１１ｄは、ベース部１０の外周面１０ｋよりも外側に延びている。これにより、ベース部１０の後方に放熱部１１ｄが接続されるので、ベース部１０の前方側に放熱部１１ｄと干渉することなくキャップ部３０を取り付けることができる。また、パッケージ４５内に封止された青紫色半導体レーザ素子２０が発する熱を、放熱部１１ｄを介して効率よく放熱することができる。   Further, a heat radiating portion 11 d connected to the rear of the fitting portion between the base portion 10 and the cap portion 30 is provided, and the heat radiating portion 11 d extends outward from the outer peripheral surface 10 k of the base portion 10. Thereby, since the heat radiation part 11d is connected to the back of the base part 10, the cap part 30 can be attached to the front side of the base part 10 without interfering with the heat radiation part 11d. Further, the heat generated by the blue-violet semiconductor laser device 20 sealed in the package 45 can be efficiently radiated through the heat radiating portion 11d.

（第１実施形態の第１変形例）
次に、第１実施形態の第１変形例による半導体レーザ装置１０１について説明する。この半導体レーザ装置１０１では、図５に示すように、ベース部１０の外周面１０ｋおよびキャップ部３０の内周面３０ｃに、第１実施形態で示したおねじ部１５およびめねじ部１６がそれぞれ形成されていない。 (First modification of the first embodiment)
Next, a semiconductor laser device 101 according to a first modification of the first embodiment will be described. In the semiconductor laser device 101, as shown in FIG. 5, the external thread portion 15 and the internal thread portion 16 shown in the first embodiment are respectively provided on the outer peripheral surface 10k of the base portion 10 and the inner peripheral surface 30c of the cap portion 30. Not formed.

また、ヘッダ部１０ａは、前方側（前面１０ｃ側）において外径Ｄ１を有する大径部１０ｍと、後方側（後面１０ｇ側）において外径Ｄ５（Ｄ５＜Ｄ１）を有する小径部１０ｎと、大径部１０ｍ側から小径部１０ｎ側に向かって縮径された略円錐台形状の接続部１０ｐと有している。また、キャップ部３０は、ベース部１０（ヘッダ部１０ａ）に嵌合されない状態では、開口部３０ｉ近傍の内径Ｄ４が、開口部３０ｉ近傍以外の内径Ｄ２よりも小さい状態（Ｄ４＜Ｄ２）で形成されている。   The header portion 10a includes a large diameter portion 10m having an outer diameter D1 on the front side (front surface 10c side), a small diameter portion 10n having an outer diameter D5 (D5 <D1) on the rear side (rear surface 10g side), and a large diameter. It has the connection part 10p of the substantially truncated cone shape diameter-reduced toward the small diameter part 10n side from the diameter part 10m side. Further, the cap portion 30 is formed in a state where the inner diameter D4 in the vicinity of the opening 30i is smaller than the inner diameter D2 in the vicinity of the opening 30i (D4 <D2) when the cap portion 30 is not fitted to the base portion 10 (header portion 10a). Has been.

これにより、ベース部１０とキャップ部３０とが嵌合した際、図５に示すように、キャップ部３０の開口部３０ｉ近傍が、接続部１０ｐまで被せられた位置から小径部１０ｎの表面に向かって絞り変形を起こしており、接続部１０ｐの大径部１０ｍ側の角部１０ｑが、キャップ部３０の内周面３０ｃに周状（環状）に線接触している。なお、半導体レーザ装置１０１のその他の構成は、第１実施形態と同様であって、図中において、第１実施形態と同じ符号を付して図示している。   As a result, when the base portion 10 and the cap portion 30 are fitted, as shown in FIG. 5, the vicinity of the opening 30i of the cap portion 30 is directed from the position covered up to the connection portion 10p to the surface of the small diameter portion 10n. The corner portion 10q on the large diameter portion 10m side of the connecting portion 10p is in line contact with the inner peripheral surface 30c of the cap portion 30 in a circumferential shape (annular). The other configuration of the semiconductor laser device 101 is the same as that of the first embodiment, and in the drawing, the same reference numerals as those of the first embodiment are given.

また、半導体レーザ装置１０１の製造プロセスでは、上記した形状のヘッダ部１０ａおよびキャップ部３０を成型した後、ベース部１０をキャップ部３０に向かって直線的にスライドして嵌め合わせてパッケージ４５を封止する。その他のプロセスは、第１実施形態における製造プロセスと同様である。   Further, in the manufacturing process of the semiconductor laser device 101, after the header portion 10a and the cap portion 30 having the above-described shapes are molded, the base portion 10 is linearly slid and fitted toward the cap portion 30 to seal the package 45. Stop. Other processes are the same as the manufacturing process in the first embodiment.

第１実施形態の第１変形例では、上記のように、大径部１０ｍと小径部１０ｎとを一体的に有するベース部１０と、開口部３０ｉ近傍に絞り形状が加えられたキャップ部３０とを嵌合している。これにより、キャップ部３０の開口部３０ｉ近傍における側壁部３０ａが、大径部１０ｍ側の角部１０ｑの部分で変形してキャップ部３０の内周面３０ｃに周状（環状）に線接触するので、嵌合部におけるベース部１０とキャップ部３０との密着性を容易に向上させることができる。これにより、パッケージ４５内部の気密封止をより確実に行うことができる。   In the first modified example of the first embodiment, as described above, the base portion 10 integrally including the large diameter portion 10m and the small diameter portion 10n, and the cap portion 30 having a drawing shape added in the vicinity of the opening 30i, Are mated. Thereby, the side wall part 30a in the vicinity of the opening part 30i of the cap part 30 is deformed at the corner part 10q on the large diameter part 10m side, and is in line contact with the inner peripheral surface 30c of the cap part 30 in a circumferential shape (annular). Therefore, the adhesion between the base portion 10 and the cap portion 30 in the fitting portion can be easily improved. Thereby, the hermetic sealing inside the package 45 can be more reliably performed.

なお、キャップ部３０とベース部１０とを嵌合する前の状態では、キャップ部３０の内径Ｄ２よりも、ヘッダ部１０ａの外径Ｄ１（大径部１０ｍにおける外径）を約２０μｍ以上約６０μｍ以下の範囲で大きく形成するのが好ましい。これにより、ヘッダ部１０ａ（大径部１０ｍ）とキャップ部３０とを締まり嵌めの状態で嵌合させることができる。なお、第１実施形態の第１変形例のその他の効果は、第１実施形態と同様である。   In addition, in the state before fitting the cap part 30 and the base part 10, the outer diameter D1 of the header part 10a (the outer diameter in the large diameter part 10m) is about 20 μm or more and about 60 μm rather than the inner diameter D2 of the cap part 30. It is preferable to form large in the following ranges. Thereby, the header part 10a (large diameter part 10m) and the cap part 30 can be fitted in the state of interference fit. The remaining effects of the first modification of the first embodiment are similar to those of the first embodiment.

（第１実施形態の第２変形例）
次に、第１実施形態の第２変形例による半導体レーザ装置１０２について説明する。この半導体レーザ装置１０２では、図６に示すように、略円柱状のヘッダ部１０ａの外周面１０ｋに、外方向（ヘッダ部１０ａの外径が増加する方向）に突出する周状（環状）の凸部１７が形成されている。また、キャップ部３０については、ベース部１０（ヘッダ部１０ａ）に嵌合されない状態では、内周面３０ｃが軸心に沿って一様な内径Ｄ２を有して形成されている。そして、ベース部１０とキャップ部３０とが嵌合した際、凸部１７の部分でキャップ部３０の内周面３０ｃが弾性変形を起こしている。すなわち、凸部１７の部分における内周面３０ｃへの圧接力は、凸部１７以外の部分よりも大きい。なお、凸部１７は、本発明の「第１嵌合部」の一例である。なお、半導体レーザ装置１０２のその他の構成は、第１実施形態と略同様であって、図中において、第１実施形態と同じ符号を付して図示している。 (Second modification of the first embodiment)
Next, a semiconductor laser device 102 according to a second modification of the first embodiment will be described. In this semiconductor laser device 102, as shown in FIG. 6, a circumferential (annular) shape projecting outward (in the direction in which the outer diameter of the header portion 10a increases) on the outer peripheral surface 10k of the substantially cylindrical header portion 10a. A convex portion 17 is formed. Moreover, about the cap part 30, in the state which is not fitted by the base part 10 (header part 10a), the internal peripheral surface 30c is formed with the uniform internal diameter D2 along an axial center. And when the base part 10 and the cap part 30 fit, the inner peripheral surface 30c of the cap part 30 raise | generates the elastic deformation in the part of the convex part 17. FIG. That is, the pressure contact force on the inner peripheral surface 30 c in the portion of the convex portion 17 is larger than that in the portion other than the convex portion 17. The convex portion 17 is an example of the “first fitting portion” in the present invention. The other configuration of the semiconductor laser device 102 is substantially the same as that of the first embodiment, and in the drawing, the same reference numerals as those of the first embodiment are given.

また、半導体レーザ装置１０２の製造プロセスでは、上記した形状のヘッダ部１０ａおよびキャップ部３０を成型した後、ベース部１０とキャップ部３０とを嵌合してパッケージ４５を封止する。その他のプロセスは、第１実施形態における製造プロセスと同様である。   Further, in the manufacturing process of the semiconductor laser device 102, after the header portion 10a and the cap portion 30 having the above-described shape are molded, the base portion 10 and the cap portion 30 are fitted together to seal the package 45. Other processes are the same as the manufacturing process in the first embodiment.

第１実施形態の第２変形例では、上記のように、外周面１０ｋに凸部１７を有するベース部１０と、平滑な内周面３０ｃを有するキャップ部３０とを嵌合している。これにより、凸部１７の部分におけるキャップ部３０の内周面３０ｃが、弾性変形を起こしながら凸部１７の頂部に周状（環状）に面接触するので、嵌合部におけるベース部１０とキャップ部３０との密着性を容易に向上させることができる。これにより、パッケージ４５内部の気密封止をより確実に行うことができる。なお、第１実施形態の第２変形例のその他の効果は、第１実施形態と同様である。   In the second modification of the first embodiment, as described above, the base portion 10 having the convex portion 17 on the outer peripheral surface 10k and the cap portion 30 having the smooth inner peripheral surface 30c are fitted. Thereby, since the inner peripheral surface 30c of the cap part 30 in the part of the convex part 17 is in circumferential contact (annular) with the top part of the convex part 17 while causing elastic deformation, the base part 10 and the cap in the fitting part Adhesion with the part 30 can be easily improved. Thereby, the hermetic sealing inside the package 45 can be more reliably performed. The remaining effects of the second modification of the first embodiment are similar to those of the first embodiment.

（第１実施形態の第３変形例）
次に、第１実施形態の第３変形例による半導体レーザ装置１０３について説明する。この半導体レーザ装置１０３では、図７に示すように、キャップ部３０に内周面３０ｃにおいて、ベース部１０の凸部１７が嵌合する位置に周状（環状）の溝部３０ｅが形成されている。なお、溝部３０ｅは、本発明の「第２嵌合部」の一例である。なお、半導体レーザ装置１０３のその他の構成は、第１実施形態の第２変形例と略同様であって、図中において、第１実施形態の第２変形例と同じ符号を付して図示している。 (Third Modification of First Embodiment)
Next, a semiconductor laser device 103 according to a third modification of the first embodiment will be described. In this semiconductor laser device 103, as shown in FIG. 7, a circumferential (annular) groove portion 30e is formed on the inner peripheral surface 30c of the cap portion 30 at a position where the convex portion 17 of the base portion 10 is fitted. . The groove 30e is an example of the “second fitting portion” in the present invention. The other configuration of the semiconductor laser device 103 is substantially the same as that of the second modification of the first embodiment, and in the drawing, the same reference numerals as those of the second modification of the first embodiment are attached. ing.

また、半導体レーザ装置１０３の製造プロセスでは、上記した形状のキャップ部３０を成型した後、ベース部１０とキャップ部３０とを嵌合してパッケージ４５を封止する。その他のプロセスは、上記第１実施形態の第２変形例における製造プロセスと同様である。   Further, in the manufacturing process of the semiconductor laser device 103, after the cap portion 30 having the above shape is molded, the base portion 10 and the cap portion 30 are fitted together to seal the package 45. Other processes are the same as the manufacturing process in the second modification of the first embodiment.

第１実施形態の第３変形例では、上記のように、外周面１０ｋに凸部１７を有するベース部１０と、内周面３０ｃに溝部３０ｅを有するキャップ部３０とを嵌合している。これにより、凸部１７の頂部（外縁部）を溝部３０ｅの内側面（溝部３０ｅの底部）に周状に密着させることができるので、嵌合部においてベース部１０とキャップ部３０とを確実に嵌合させることができる。なお、第１実施形態の第３変形例のその他の効果は、第１実施形態と同様である。   In the third modification of the first embodiment, as described above, the base portion 10 having the convex portion 17 on the outer peripheral surface 10k and the cap portion 30 having the groove portion 30e on the inner peripheral surface 30c are fitted. Thereby, since the top part (outer edge part) of the convex part 17 can be closely contact | adhered to the inner surface (bottom part of the groove part 30e) of the groove part 30e, the base part 10 and the cap part 30 are ensured in a fitting part. Can be fitted. The remaining effects of the third modification example of the first embodiment are similar to those of the first embodiment.

（第１実施形態の第４変形例）
次に、第１実施形態の第４変形例による半導体レーザ装置１０４について説明する。この半導体レーザ装置１０４では、図８に示すように、半導体レーザ装置１０２の凸部１７に代えて、ベース部１０の外周面１０ｋに、外方向（ヘッダ部１０ａの外径が増加する方向）に突出する周状（環状）の凸部が複数形成されている。この凹凸領域１８は、半導体レーザ装置１０２の凸部１７の高さ（突出高さ）を若干小さく形成したものを、ヘッダ部１０ａの軸方向（Ａ方向）に沿って所定の間隔で複数（６本）並べて構成されている。なお、凹凸領域１８は、本発明の「第１嵌合部」の一例である。なお、半導体レーザ装置１０４のその他の構成は、上記第１実施形態の第２変形例と略同様であって、図中において、上記第１実施形態の第２変形例と同じ符号を付して図示している。 (Fourth modification of the first embodiment)
Next, a semiconductor laser device 104 according to a fourth modification of the first embodiment will be described. In this semiconductor laser device 104, as shown in FIG. 8, instead of the convex portion 17 of the semiconductor laser device 102, the outer peripheral surface 10k of the base portion 10 is directed outward (in the direction in which the outer diameter of the header portion 10a increases). A plurality of projecting circumferential (annular) convex portions are formed. The uneven region 18 is formed by forming a plurality of protrusions 17 with a small height (projection height) at predetermined intervals along the axial direction (A direction) of the header portion 10a. Book) It is arranged side by side. The uneven region 18 is an example of the “first fitting portion” in the present invention. The other configuration of the semiconductor laser device 104 is substantially the same as that of the second modification of the first embodiment, and the same reference numerals as those of the second modification of the first embodiment are given in the drawing. It is shown.

また、半導体レーザ装置１０４の製造プロセスでは、上記した形状のヘッダ部１０ａを成型した後、ベース部１０とキャップ部３０とを嵌合してパッケージ４５を封止する。その他のプロセスは、上記第１実施形態の第２変形例における製造プロセスと同様である。   In the manufacturing process of the semiconductor laser device 104, after the header portion 10a having the above-described shape is molded, the base portion 10 and the cap portion 30 are fitted to seal the package 45. Other processes are the same as the manufacturing process in the second modification of the first embodiment.

第１実施形態の第４変形例では、上記のように、外周面１０ｋに凹凸領域１８を有するベース部１０と、平滑な内周面３０ｃを有するキャップ部３０とを嵌合している。これにより、キャップ部３０の内周面３０ｃが弾性変形を起こしながら凹凸領域１８の複数の頂部に連続的に線接触するので、嵌合部におけるベース部１０とキャップ部３０との密着性を容易に向上させることができる。なお、第１実施形態の第４変形例のその他の効果は、第１実施形態と同様である。   In the fourth modification of the first embodiment, as described above, the base portion 10 having the uneven region 18 on the outer peripheral surface 10k and the cap portion 30 having the smooth inner peripheral surface 30c are fitted. As a result, the inner peripheral surface 30c of the cap portion 30 continuously makes line contact with a plurality of top portions of the concave and convex area 18 while causing elastic deformation, so that the adhesion between the base portion 10 and the cap portion 30 in the fitting portion is easy. Can be improved. The remaining effects of the fourth modification example of the first embodiment are similar to those of the first embodiment.

（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態による半導体レーザ装置２００について説明する。この半導体レーザ装置２００では、図９に示すように、キャップ部３０の内周面３０ｃに、内方向（軸心に向かう方向）に突出する周状（環状）の凸部３７が形成されている。また、ベース部１０は、ヘッダ部１０ａの外周面１０ｋが軸方向（Ａ方向）に一様な外径Ｄ１を有している。半導体レーザ装置２００では、凸部３７のみならず凸部３７以外の内周面３０ｃも、ヘッダ部１０ａの外周面１０ｋに対して密着している。なお、凸部３７の部分におけるヘッダ部１０ａの外周面１０ｋへの圧接力は、凸部３７以外の部分よりも大きい。なお、凸部３７は、本発明の「第２嵌合部」の一例である。なお、半導体レーザ装置２００のその他の構成は、第１実施形態と略同様であって、図中において、第１実施形態と同じ符号を付して図示している。 (Second Embodiment)
Next, a semiconductor laser device 200 according to a second embodiment of the invention will be described. In this semiconductor laser device 200, as shown in FIG. 9, a circumferential (annular) convex portion 37 is formed on the inner circumferential surface 30c of the cap portion 30 so as to project inward (direction toward the axis). . Moreover, the outer peripheral surface 10k of the header part 10a has the outer diameter D1 where the base part 10 is uniform in an axial direction (A direction). In the semiconductor laser device 200, not only the convex portion 37 but also the inner peripheral surface 30c other than the convex portion 37 are in close contact with the outer peripheral surface 10k of the header portion 10a. In addition, the pressure contact force to the outer peripheral surface 10k of the header part 10a in the part of the convex part 37 is larger than parts other than the convex part 37. The convex portion 37 is an example of the “second fitting portion” in the present invention. The other configuration of the semiconductor laser device 200 is substantially the same as that of the first embodiment, and in the drawing, the same reference numerals as those of the first embodiment are given.

また、半導体レーザ装置２００の製造プロセスでは、上記した形状のヘッダ部１０ａおよびキャップ部３０を成型した後、ベース部１０とキャップ部３０とを嵌合してパッケージ４５を封止する。その他のプロセスは、第１実施形態における製造プロセスと同様である。   In the manufacturing process of the semiconductor laser device 200, after the header portion 10a and the cap portion 30 having the above-described shape are molded, the base portion 10 and the cap portion 30 are fitted together to seal the package 45. Other processes are the same as the manufacturing process in the first embodiment.

第２実施形態では、上記のように、平滑な外周面１０ｋを有するベース部１０と、内周面３０ｃに周状の凸部３７を有するキャップ部３０とを嵌合している。これにより、キャップ部３０の凸部３７の頂部が外周面１０ｋに周状（環状）に面接触するので、嵌合部におけるベース部１０とキャップ部３０との密着性を容易に向上させることができる。なお、第２実施形態のその他の効果は、第１実施形態と同様である。   In the second embodiment, as described above, the base portion 10 having the smooth outer peripheral surface 10k and the cap portion 30 having the circumferential convex portion 37 on the inner peripheral surface 30c are fitted. Thereby, since the top part of the convex part 37 of the cap part 30 surface-contacts with the outer peripheral surface 10k in a circumferential shape (annular), it is possible to easily improve the adhesion between the base part 10 and the cap part 30 in the fitting part. it can. The remaining effects of the second embodiment are similar to those of the first embodiment.

（第２実施形態の変形例）
次に、第２実施形態の変形例による半導体レーザ装置２０１について説明する。この半導体レーザ装置２０１では、図１０に示すように、第１実施形態の第２変形例で用いた凸部１７を有するベース部１０と、第２実施形態で用いた凸部３７を有するキャップ部３０とを嵌合している。なお、半導体レーザ装置２０１のその他の構成は、第１実施形態と略同様であって、図中において、第１実施形態と同じ符号を付して図示している。 (Modification of the second embodiment)
Next, a semiconductor laser device 201 according to a modification of the second embodiment will be described. In this semiconductor laser device 201, as shown in FIG. 10, the base portion 10 having the convex portion 17 used in the second modification of the first embodiment and the cap portion having the convex portion 37 used in the second embodiment. 30 is fitted. The other configuration of the semiconductor laser device 201 is substantially the same as that of the first embodiment, and in the drawing, the same reference numerals as those of the first embodiment are given.

また、半導体レーザ装置２０１の製造プロセスでは、凸部１７を有するベース部１０と凸部３７を有するキャップ部３０を成型した後、ベース部１０をキャップ部３０とを嵌合する。この際、ベース部１０の凸部１７が、キャップ部３０の凸部３７が形成された位置よりも奥側（底面部３０ｂ側（Ａ１側））に嵌まり込むまでスライドさせる。その他のプロセスは、第１実施形態における製造プロセスと同様である。   Further, in the manufacturing process of the semiconductor laser device 201, after the base portion 10 having the convex portion 17 and the cap portion 30 having the convex portion 37 are molded, the base portion 10 is fitted to the cap portion 30. At this time, the convex portion 17 of the base portion 10 is slid until it is fitted to the back side (the bottom surface portion 30b side (A1 side)) from the position where the convex portion 37 of the cap portion 30 is formed. Other processes are the same as the manufacturing process in the first embodiment.

第２実施形態の変形例では、上記のように、外周面１０ｋに凸部１７を有するベース部１０と、内周面３０ｃに凸部３７を有するキャップ部３０とを嵌合している。これにより、凸部１７と凸部３７とを互いに相手側の側面に周状に（環状）に接触させることができるので、嵌合部におけるベース部１０とキャップ部３０との密着性をさらに向上させることができる。なお、第２実施形態の変形例のその他の効果は、第１実施形態と同様である。   In the modification of the second embodiment, as described above, the base portion 10 having the convex portion 17 on the outer peripheral surface 10k and the cap portion 30 having the convex portion 37 on the inner peripheral surface 30c are fitted. Thereby, since the convex part 17 and the convex part 37 can mutually contact with the other side surface circumferentially (annular), the adhesiveness of the base part 10 and the cap part 30 in a fitting part is further improved. Can be made. The remaining effects of the modification of the second embodiment are similar to those of the first embodiment.

（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態による光ピックアップ装置４００について説明する。なお、光ピックアップ装置４００は、本発明の「光装置」の一例である。 (Third embodiment)
Next, an optical pickup device 400 according to a third embodiment of the present invention will be described. The optical pickup device 400 is an example of the “optical device” in the present invention.

光ピックアップ装置４００は、図１２に示すように、３波長半導体レーザ装置３００と、３波長半導体レーザ装置３００から出射されたレーザ光を調整する光学系４２０と、レーザ光を受光する光検出部４３０とを備えている。   As shown in FIG. 12, the optical pickup device 400 includes a three-wavelength semiconductor laser device 300, an optical system 420 that adjusts laser light emitted from the three-wavelength semiconductor laser device 300, and a light detection unit 430 that receives the laser light. And.

３波長半導体レーザ装置３００では、図１１に示すように、パッケージ内のサブマウント４０上に、青紫色半導体レーザ素子２０と、青紫色半導体レーザ素子２０に隣接して約６５０ｎｍの発振波長を有する赤色半導体レーザ素子５０および約７８０ｎｍの発振波長を有する赤外半導体レーザ素子５５がモノリシックに形成された２波長半導体レーザ素子６０とが搭載されている。なお、３波長半導体レーザ装置３００は、本発明の「半導体レーザ装置」の一例であり、赤色半導体レーザ素子５０、赤外半導体レーザ素子５５および２波長半導体レーザ素子６０は、本発明の「半導体レーザ素子」の一例である。   In the three-wavelength semiconductor laser device 300, as shown in FIG. 11, on the submount 40 in the package, a blue-violet semiconductor laser element 20 and a red having an oscillation wavelength of about 650 nm adjacent to the blue-violet semiconductor laser element 20 A semiconductor laser device 50 and a two-wavelength semiconductor laser device 60 in which an infrared semiconductor laser device 55 having an oscillation wavelength of about 780 nm is formed monolithically are mounted. The three-wavelength semiconductor laser device 300 is an example of the “semiconductor laser device” of the present invention, and the red semiconductor laser device 50, the infrared semiconductor laser device 55, and the two-wavelength semiconductor laser device 60 are the “semiconductor laser” of the present invention. It is an example of “element”.

また、ベース部１０には、金属製のリードフレームからなるリード端子１１、７２、７３、７４および７５が設けられている。このリード端子１１およびリード端子７２〜７５は、樹脂モールド成型によって、互いに絶縁された状態でベース部１０を前方（Ａ１方向）から後方（Ａ２方向）に貫通するように配置されている。そして、ベース部１０の外部（Ａ２側）に延びる後端領域が、それぞれ図示しない駆動回路に接続されている。また、リード端子１１およびリード端子７２〜７５の前方（Ａ１側）に延びた前端領域１１ａ、７２ａ、７３ａ、７４ａおよび７５ａは、前面１０ｃからそれぞれ露出しており、共に凹部１０ｄの底面１０ｊ上に配置されている。   The base portion 10 is provided with lead terminals 11, 72, 73, 74, and 75 made of a metal lead frame. The lead terminal 11 and the lead terminals 72 to 75 are disposed so as to penetrate the base portion 10 from the front (A1 direction) to the rear (A2 direction) while being insulated from each other by resin molding. The rear end regions extending to the outside (A2 side) of the base portion 10 are connected to drive circuits (not shown). Further, the front end regions 11a, 72a, 73a, 74a, and 75a extending forward (A1 side) of the lead terminal 11 and the lead terminals 72 to 75 are respectively exposed from the front surface 10c, and are both on the bottom surface 10j of the recess 10d. Has been placed.

また、ｐ側電極２７には、金属線９１の一端がワイヤボンディングされており、金属線９１の他端は、リード端子７４の前端領域７４ａに接続されている。また、赤色半導体レーザ素子５０の上面に形成されているｐ側電極５４には、金属線９２の一端がワイヤボンディングされており、金属線９２の他端は、リード端子７３の前端領域７３ａに接続されている。また、また、赤外半導体レーザ素子５５の上面に形成されているｐ側電極５６には、金属線９３の一端がワイヤボンディングされており、金属線９３の他端は、リード端子７２の前端領域７２ａに接続されている。また、青紫色半導体レーザ素子２０の下面に形成されたｎ側電極（図示せず）および２波長半導体レーザ素子６０の下面に形成されたｎ側電極（図示せず）は、サブマウント４０を介してリード端子１１の前端領域１１ａに電気的に接続されている。   One end of the metal wire 91 is wire-bonded to the p-side electrode 27, and the other end of the metal wire 91 is connected to the front end region 74 a of the lead terminal 74. In addition, one end of a metal wire 92 is wire-bonded to the p-side electrode 54 formed on the upper surface of the red semiconductor laser element 50, and the other end of the metal wire 92 is connected to the front end region 73 a of the lead terminal 73. Has been. Further, one end of a metal wire 93 is wire-bonded to the p-side electrode 56 formed on the upper surface of the infrared semiconductor laser element 55, and the other end of the metal wire 93 is the front end region of the lead terminal 72. 72a. Further, an n-side electrode (not shown) formed on the lower surface of the blue-violet semiconductor laser element 20 and an n-side electrode (not shown) formed on the lower surface of the two-wavelength semiconductor laser element 60 are connected via the submount 40. The lead terminal 11 is electrically connected to the front end region 11a.

また、ＰＤ４２の上面には、Ａｕなどからなる金属線９４の一端がワイヤボンディングされており、金属線９４の他端は、リード端子７５の前端領域７５ａに接続されている。   One end of a metal wire 94 made of Au or the like is wire-bonded to the upper surface of the PD 42, and the other end of the metal wire 94 is connected to the front end region 75 a of the lead terminal 75.

また、上記第１実施形態の第１変形例における半導体レーザ装置１０１と比べて、ベース部１０は、断面が幅方向（Ｂ方向）に引き延ばされることにより、最大幅Ｗ３１（Ｗ３１＞Ｗ１）を有して形成されている。また、台座部１０ｂ（凹部１０ｄ）も開口部１０ｆの部分においてＢ方向に引き延ばされている。これにより、ヘッダ部１０ａの断面は、水平方向に延びた略小判形の形状を有している。なお、３波長半導体レーザ装置３００のその他の構造は、第１実施形態の第１変形例と同様であり、図中において、上記第１実施形態と同様の構成には同じ符号を付して図示している。   Compared with the semiconductor laser device 101 according to the first modification of the first embodiment, the base 10 has a maximum width W31 (W31> W1) by extending the cross section in the width direction (B direction). It is formed. The pedestal 10b (recess 10d) is also extended in the B direction at the opening 10f. Thereby, the cross section of the header part 10a has a substantially oval shape extending in the horizontal direction. The other structure of the three-wavelength semiconductor laser device 300 is the same as that of the first modification of the first embodiment. In the drawing, the same reference numerals are given to the same components as those of the first embodiment. Show.

また、３波長半導体レーザ装置３００の製造プロセスについては、青紫色半導体レーザ素子２０および２波長半導体レーザ素子６０を横方向（図１１のＢ方向）に並べてサブマウント４０を介して接合する。その後、各レーザ素子２０および６０のｐ側電極２７、５４および５６、および、ＰＤ４２の上面と、リード端子７２、７３、７４および７５の前端領域７２ａ、７３ａ、７４ａおよび７５ａとを、それぞれ、ワイヤボンディングする。その他のプロセスについては、第１実施形態の第１変形例と同様である。   As for the manufacturing process of the three-wavelength semiconductor laser device 300, the blue-violet semiconductor laser element 20 and the two-wavelength semiconductor laser element 60 are arranged in the horizontal direction (the B direction in FIG. 11) and joined via the submount 40. Thereafter, the p-side electrodes 27, 54 and 56 of the laser elements 20 and 60 and the upper surface of the PD 42 and the front end regions 72a, 73a, 74a and 75a of the lead terminals 72, 73, 74 and 75 are respectively connected to the wires. Bond. Other processes are the same as in the first modification of the first embodiment.

また、光学系４２０は、偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）４２１、コリメータレンズ４２２、ビームエキスパンダ４２３、λ／４板４２４、対物レンズ４２５、シリンドリカルレンズ４２６および光軸補正素子４２７を有している。   The optical system 420 includes a polarizing beam splitter (PBS) 421, a collimator lens 422, a beam expander 423, a λ / 4 plate 424, an objective lens 425, a cylindrical lens 426, and an optical axis correction element 427.

また、ＰＢＳ４２１は、３波長半導体レーザ装置３００から出射されるレーザ光を全透過するとともに、光ディスク４３５から帰還するレーザ光を全反射する。コリメータレンズ４２２は、ＰＢＳ４２１を透過した３波長半導体レーザ装置３００からのレーザ光を平行光に変換する。ビームエキスパンダ４２３は、凹レンズ、凸レンズおよびアクチュエータ（図示せず）から構成されている。アクチュエータは後述するサーボ回路からのサーボ信号に応じて、凹レンズおよび凸レンズの距離を変化させることにより、３波長半導体レーザ装置３００から出射されたレーザ光の波面状態を補正する機能を有している。   Further, the PBS 421 totally transmits the laser light emitted from the three-wavelength semiconductor laser device 300 and totally reflects the laser light returning from the optical disk 435. The collimator lens 422 converts the laser light from the three-wavelength semiconductor laser device 300 that has passed through the PBS 421 into parallel light. The beam expander 423 includes a concave lens, a convex lens, and an actuator (not shown). The actuator has a function of correcting the wavefront state of the laser light emitted from the three-wavelength semiconductor laser device 300 by changing the distance between the concave lens and the convex lens in accordance with a servo signal from a servo circuit described later.

また、λ／４板４２４は、コリメータレンズ４２２によって略平行光に変換された直線偏光のレーザ光を円偏光に変換する。また、λ／４板４２４は光ディスク４３５から帰還する円偏光のレーザ光を直線偏光に変換する。この場合の直線偏光の偏光方向は、３波長半導体レーザ装置３００から出射されるレーザ光の直線偏光の方向に直交する。これにより、光ディスク４３５から帰還するレーザ光は、ＰＢＳ４２１によって略全反射される。対物レンズ４２５は、λ／４板４２４を透過したレーザ光を光ディスク４３５の表面（記録層）上に収束させる。なお、対物レンズ４２５は、対物レンズアクチュエータ（図示せず）により、後述するサーボ回路からのサーボ信号（トラッキングサーボ信号、フォーカスサーボ信号およびチルトサーボ信号）に応じて、フォーカス方向、トラッキング方向およびチルト方向に移動可能にされている。   The λ / 4 plate 424 converts the linearly polarized laser light converted into substantially parallel light by the collimator lens 422 into circularly polarized light. The λ / 4 plate 424 converts the circularly polarized laser beam fed back from the optical disk 435 into linearly polarized light. In this case, the polarization direction of the linearly polarized light is orthogonal to the direction of the linearly polarized light of the laser light emitted from the three-wavelength semiconductor laser device 300. Thereby, the laser beam returning from the optical disk 435 is substantially totally reflected by the PBS 421. The objective lens 425 converges the laser light transmitted through the λ / 4 plate 424 on the surface (recording layer) of the optical disk 435. The objective lens 425 is moved in a focus direction, a tracking direction, and a tilt direction by an objective lens actuator (not shown) in accordance with servo signals (tracking servo signal, focus servo signal, and tilt servo signal) from a servo circuit described later. It has been made movable.

また、ＰＢＳ４２１により全反射されるレーザ光の光軸に沿うように、シリンドリカルレンズ４２６、光軸補正素子４２７および光検出部４３０が配置されている。シリンドリカルレンズ４２６は、入射されるレーザ光に非点収差作用を付与する。光軸補正素子４２７は、回折格子により構成されており、シリンドリカルレンズ４２６を透過した青紫色、赤色および赤外の各レーザ光の０次回折光のスポットが後述する光検出部４３０の検出領域上で一致するように配置されている。   In addition, a cylindrical lens 426, an optical axis correction element 427, and a light detection unit 430 are arranged along the optical axis of the laser light totally reflected by the PBS 421. The cylindrical lens 426 imparts astigmatism to the incident laser light. The optical axis correction element 427 is configured by a diffraction grating, and a spot of 0th-order diffracted light of each of blue-violet, red, and infrared laser beams transmitted through the cylindrical lens 426 is on a detection region of the light detection unit 430 described later. They are arranged to match.

また、光検出部４３０は、受光したレーザ光の強度分布に基づいて再生信号を出力する。ここで、光検出部４３０は再生信号とともに、フォーカスエラー信号、トラッキングエラー信号およびチルトエラー信号が得られるように所定のパターンの検出領域を有する。このようにして、３波長半導体レーザ装置３００を備えた光ピックアップ装置４００が構成される。   The light detection unit 430 outputs a reproduction signal based on the intensity distribution of the received laser light. Here, the light detection unit 430 has a detection area of a predetermined pattern so that a focus error signal, a tracking error signal, and a tilt error signal can be obtained together with the reproduction signal. Thus, the optical pickup device 400 including the three-wavelength semiconductor laser device 300 is configured.

この光ピックアップ装置４００では、３波長半導体レーザ装置３００は、リード端子１１と、リード端子７２〜７４との間に、それぞれ、独立して電圧を印加することによって、青紫色半導体レーザ素子２０、赤色半導体レーザ素子５０および赤外半導体レーザ素子５５から、青紫色、赤色および赤外のレーザ光を独立的に出射することが可能である。また、３波長半導体レーザ装置３００から出射されたレーザ光は、上記のように、ＰＢＳ４２１、コリメータレンズ４２２、ビームエキスパンダ４２３、λ／４板４２４、対物レンズ４２５、シリンドリカルレンズ４２６および光軸補正素子４２７により調整された後、光検出部４３０の検出領域上に照射される。   In this optical pickup device 400, the three-wavelength semiconductor laser device 300 applies a voltage independently between the lead terminal 11 and the lead terminals 72 to 74, respectively, so that the blue-violet semiconductor laser device 20, red It is possible to independently emit blue-violet, red, and infrared laser beams from the semiconductor laser element 50 and the infrared semiconductor laser element 55. As described above, the laser light emitted from the three-wavelength semiconductor laser device 300 is the PBS 421, the collimator lens 422, the beam expander 423, the λ / 4 plate 424, the objective lens 425, the cylindrical lens 426, and the optical axis correction element. After adjustment by 427, the light is irradiated onto the detection region of the light detection unit 430.

ここで、光ディスク４３５に記録されている情報を再生する場合には、青紫色半導体レーザ素子２０、赤色半導体レーザ素子５０および赤外半導体レーザ素子５５から出射される各々のレーザパワーが一定になるように制御しながら、光ディスク４３５の記録層にレーザ光を照射するとともに、光検出部４３０から出力される再生信号を得ることができる。また、同時に出力されるフォーカスエラー信号、トラッキングエラー信号およびチルトエラー信号により、ビームエキスパンダ４２３のアクチュエータと対物レンズ４２５を駆動する対物レンズアクチュエータとを、それぞれ、フィードバック制御することができる。   Here, when reproducing the information recorded on the optical disk 435, the laser power emitted from the blue-violet semiconductor laser element 20, the red semiconductor laser element 50, and the infrared semiconductor laser element 55 is made constant. In this way, it is possible to irradiate the recording layer of the optical disc 435 with laser light and obtain a reproduction signal output from the light detection unit 430. Also, feedback control of the actuator of the beam expander 423 and the objective lens actuator that drives the objective lens 425 can be performed by the focus error signal, tracking error signal, and tilt error signal that are output simultaneously.

また、光ディスク４３５に情報を記録する場合には、記録すべき情報に基づいて、青紫色半導体レーザ素子２０および赤色半導体レーザ素子５０（赤外半導体レーザ素子５５）から出射されるレーザパワーを制御しながら、光ディスク４３５にレーザ光を照射する。これにより、光ディスク４３５の記録層に情報を記録することができる。また、上記同様、光検出部４３０から出力されるフォーカスエラー信号、トラッキングエラー信号およびチルトエラー信号により、ビームエキスパンダ４２３のアクチュエータと対物レンズ４２５を駆動する対物レンズアクチュエータとを、それぞれ、フィードバック制御することができる。   When recording information on the optical disk 435, the laser power emitted from the blue-violet semiconductor laser element 20 and the red semiconductor laser element 50 (infrared semiconductor laser element 55) is controlled based on the information to be recorded. However, the optical disk 435 is irradiated with laser light. Thereby, information can be recorded on the recording layer of the optical disk 435. Similarly to the above, feedback control is performed on the actuator of the beam expander 423 and the objective lens actuator that drives the objective lens 425 by the focus error signal, tracking error signal, and tilt error signal output from the light detection unit 430, respectively. be able to.

このようにして、３波長半導体レーザ装置３００を備えた光ピックアップ装置４００を用いて、光ディスク４３５への記録および再生を行うことができる。   In this manner, recording and reproduction on the optical disk 435 can be performed using the optical pickup device 400 including the three-wavelength semiconductor laser device 300.

光ピックアップ装置４００では、上記３波長半導体レーザ装置３００を備えている。すなわち、青紫色半導体レーザ素子２０および２波長半導体レーザ素子６０がパッケージ４５内部に確実に封止されている。これにより半導体レーザ素子が劣化しにくく、長時間の使用にも耐え得る信頼性の高い光ピックアップ装置４００を得ることができる。なお、３波長半導体レーザ装置３００の効果については、第１実施形態と同様である。   The optical pickup device 400 includes the three-wavelength semiconductor laser device 300 described above. That is, the blue-violet semiconductor laser device 20 and the two-wavelength semiconductor laser device 60 are securely sealed inside the package 45. As a result, it is possible to obtain a highly reliable optical pickup device 400 that is resistant to deterioration of the semiconductor laser element and can withstand long-term use. The effects of the three-wavelength semiconductor laser device 300 are the same as in the first embodiment.

なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。   The embodiment disclosed this time should be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is shown not by the above description of the embodiments but by the scope of claims for patent, and further includes all modifications within the meaning and scope equivalent to the scope of claims for patent.

たとえば、上記第１〜第３実施形態では、ポリフェニレンサルフィド樹脂（ＰＰＳ）を用いてベース部１０を形成したが、本発明では、耐熱性および耐候性が高くモールド成型が容易なポリアミド樹脂（ＰＡ：弾性率＝約３ＧＰａ）、ポリブチレンテレフタラート樹脂（ＰＢＴ）、液晶ポリマ（ＬＣＰ）およびエポキシ系樹脂や、機械切削性が良好なポリエーテルエーテルケトン樹脂（ＰＥＥＫ）などを用いてもよい。   For example, in the first to third embodiments, the base portion 10 is formed using polyphenylene sulfide resin (PPS). However, in the present invention, a polyamide resin (PA that has high heat resistance and weather resistance and is easy to mold) : Elastic modulus = about 3 GPa), polybutylene terephthalate resin (PBT), liquid crystal polymer (LCP) and epoxy resin, or polyether ether ketone resin (PEEK) having good machine cutting properties may be used.

また、この場合、ＰＰＳ、ＰＡ、ＬＣＰおよびエポキシ樹脂中にガス吸収剤を所定の割合で混入した状態でベース部１０を成型してもよい。ここで、ガス吸収剤としては、シリカゲルや熱処理後の合成ゼオライトを用いるのが好ましい。また、ガス吸収剤は、数十μｍ以上数百μｍ以下の粒子径を有する粒子状のものを用いるのが好ましい。これにより、大気中に存在する低分子シロキサンやベース部などから発生する揮発性の有機ガスを、ガス吸収剤によって吸収することができるので、パッケージ４５内の有機ガスなどの濃度を小さくすることができる。   In this case, the base portion 10 may be molded in a state where a gas absorbent is mixed in PPS, PA, LCP and epoxy resin at a predetermined ratio. Here, it is preferable to use silica gel or heat-treated synthetic zeolite as the gas absorbent. Moreover, it is preferable to use a particulate gas absorbent having a particle diameter of several tens of μm to several hundreds of μm. As a result, volatile organic gas generated from the low-molecular siloxane or base portion present in the atmosphere can be absorbed by the gas absorbent, so that the concentration of organic gas or the like in the package 45 can be reduced. it can.

また、上記第１〜第３実施形態では、シリコン樹脂を用いてキャップ部３０を形成したが、本発明では、耐熱性および耐候性が高くモールド成型が容易なフッ素系樹脂（弾性率＝約８０〜５００ＭＰａ）、エポキシ系樹脂およびエチレンビニルアルコール系樹脂などを用いてもよい。なお、フッ素系樹脂やエチレンビニルアルコール系樹脂などの透光性を有する材料を用いる場合は、これらの材料を用いて底面部３０ｂをキャップ部３０と一体的に形成すればよい。この際、エポキシ系樹脂を用いる場合には、底面部３０ｂの一部に開口部を設けるとともに、その開口部を封止するようにレーザ光取り出し用の窓部を形成すればよい。この際、表面にガスバリア層を形成したホウ珪酸ガラス、石英またはアクリル系樹脂（透明アクリル樹脂）などの透光性を有する材料を用いて、上記窓部を形成することができる。   Moreover, in the said 1st-3rd embodiment, although the cap part 30 was formed using silicon resin, in this invention, it is fluorine resin (elastic modulus = about 80) with high heat resistance and weather resistance, and easy to mold. Epoxy resin and ethylene vinyl alcohol resin may be used. In addition, when using translucent materials, such as a fluorine resin and an ethylene vinyl alcohol-type resin, what is necessary is just to form the bottom face part 30b with the cap part 30 using such materials. In this case, when an epoxy resin is used, an opening is provided in a part of the bottom surface 30b, and a window for extracting laser light may be formed so as to seal the opening. At this time, the window portion can be formed using a light-transmitting material such as borosilicate glass, quartz, or acrylic resin (transparent acrylic resin) having a gas barrier layer formed on the surface.

また、上記第１〜第３実施形態では、キャップ部３０の外表面上にＳｉＯ２からなるガスバリア層３３を形成したが、ガスバリア層としては、ＳｉＯ２以外に、Ａｌ２Ｏ３やＺｒＯ２などの誘電体膜を用いて形成してもよいし、エチレン−ポリビニルアルコール共重合体やポリビニルアルコールなどのガス透過性の低い樹脂膜を用いて形成してもよい。なお、ガスバリア層を、Ａｌ２Ｏ３やＺｒＯ２などからなる多層の金属酸化膜によって構成する場合、この金属酸化膜に対して反射防止層の役割も兼用させることができる。また、特に、エチレンビニルアルコール系樹脂などガス透過性が低い材料でキャップ部３０を形成する場合には、ガスバリア層３３を形成しなくてもよい。 Further, in the above-described first to third embodiments, to form a gas barrier layer 33 made of SiO 2 on the outer surface of the cap portion 30, as the gas barrier layer, in addition to SiO 2, Al 2 O 3 or the like and ZrO 2 The dielectric film may be used, or may be formed using a resin film having low gas permeability such as ethylene-polyvinyl alcohol copolymer or polyvinyl alcohol. When the gas barrier layer is formed of a multilayer metal oxide film made of Al 2 O 3 or ZrO 2 , the metal oxide film can also serve as an antireflection layer. In particular, when the cap portion 30 is formed of a material having low gas permeability such as ethylene vinyl alcohol resin, the gas barrier layer 33 may not be formed.

また、上記第１〜第３実施形態では、シリコン樹脂を用いてキャップ部３０を形成したが、本発明では、樹脂材料にガス吸収剤を所定の割合で混入した状態でキャップ部３０を成型してもよい。ガス吸収剤としては、シリカゲルや熱処理後の合成ゼオライトを用いるのが好ましい。また、ガス吸収剤は、数十μｍ以上数百μｍ以下の粒子径を有する粒子状のものを用いるのが好ましい。これにより、大気中に存在する低分子シロキサンやベース部などから発生する揮発性の有機ガスを、ガス吸収剤によって吸収することができ、パッケージ４５内の有機ガスなどの濃度を小さくすることができる。なお、シリコン樹脂とガス吸収剤との混合物を用いてキャップ部を形成する場合、この混合物は透光性を有しない。したがって、キャップ部の底面部に透光性を有するレーザ光取り出し用の窓部を設けることが好ましい。   Moreover, in the said 1st-3rd embodiment, although the cap part 30 was formed using silicon resin, in this invention, the cap part 30 is shape | molded in the state which mixed the gas absorbent in the resin material in the predetermined ratio. May be. As the gas absorbent, silica gel or heat-treated synthetic zeolite is preferably used. Moreover, it is preferable to use a particulate gas absorbent having a particle diameter of several tens of μm to several hundreds of μm. Thereby, the volatile organic gas generated from the low molecular siloxane or the base portion existing in the atmosphere can be absorbed by the gas absorbent, and the concentration of the organic gas or the like in the package 45 can be reduced. . In addition, when forming a cap part using the mixture of a silicon resin and a gas absorbent, this mixture does not have translucency. Therefore, it is preferable to provide a window portion for extracting laser light having translucency on the bottom surface portion of the cap portion.

また、上記第１〜第３実施形態では、ベース部１０を樹脂により形成した例について示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、ベース部を金属材料を用いて形成してもよい。   Moreover, in the said 1st-3rd embodiment, although shown about the example which formed the base part 10 with resin, this invention is not limited to this. In the present invention, the base portion may be formed using a metal material.

また、上記第１実施形態では、ベース部１０およびキャップ部３０を形成する際、ヘッダ部１０ａの外径Ｄ１よりも、キャップ部３０の内径Ｄ２が約１％程度小さくなる（Ｄ１＞Ｄ２）ようにキャップ部３０を形成したが、本発明はこれに限られない。たとえば、おねじ部１５およびめねじ部１６の有効径を略等しく形成してもよい。この際、おねじ部１５側の有効径の寸法公差を０〜＋８５μｍ程度に設定するとともに、めねじ部１６側の有効径の公差を０〜−１５０μｍ程度に設定するのが好ましい。これにより、螺合時の遊びを少なくした状態で、ベース部１０とキャップ部３０とを嵌合することができる。   In the first embodiment, when forming the base portion 10 and the cap portion 30, the inner diameter D2 of the cap portion 30 is about 1% smaller than the outer diameter D1 of the header portion 10a (D1> D2). Although the cap part 30 was formed in this, this invention is not limited to this. For example, you may form the effective diameter of the external thread part 15 and the internal thread part 16 substantially equal. At this time, it is preferable to set the dimensional tolerance of the effective diameter on the male screw portion 15 side to about 0 to +85 μm and set the tolerance of the effective diameter on the female screw portion 16 side to about 0 to −150 μm. Thereby, the base part 10 and the cap part 30 can be fitted in the state which reduced the play at the time of screwing.

また、上記第１実施形態の第４変形例では、凹凸領域１８の環状の凸部が互いに独立している例について示したが、本発明では、外周面１０ｋにローレット加工を施すことにより、隣り合う凸部同士が部分的に繋げられて網状となった凹凸領域を形成してもよい。この変形例のように構成しても、凹凸領域の凸部がキャップ部３０の内周面３０ｃに対して周状に、かつ連続性を有して接触するので、嵌合部における封止が確実に行われる。   Moreover, in the 4th modification of the said 1st Embodiment, although the cyclic | annular convex part of the uneven | corrugated area | region 18 showed about the example mutually independent, in this invention, by performing knurling on the outer peripheral surface 10k, it adjoins. Convex and convex portions may be partially connected to form a concavo-convex region having a net shape. Even if it is configured as in this modification, the convex portion of the concave and convex area contacts the inner peripheral surface 30c of the cap portion 30 in a circumferential manner and has continuity, so that the fitting portion is sealed. Surely done.

また、上記第３実施形態では、本発明の「半導体レーザ装置」を備えた光ピックアップ装置３００について示したが、本発明はこれに限らず、本発明の半導体レーザ装置を、ＣＤ、ＤＶＤまたはＢＤなどの光ディスクの記録または再生を行う光ディスク装置や、プロジェクタ装置などの光装置に適用してもよい。   In the third embodiment, the optical pickup device 300 including the “semiconductor laser device” of the present invention is shown. However, the present invention is not limited to this, and the semiconductor laser device of the present invention is not limited to a CD, DVD, or BD. The present invention may be applied to an optical device that records or reproduces an optical disc such as the above, or an optical device such as a projector device.

１０ ベース部
１０ｋ 外周面
１１ｄ 放熱部
１５ おねじ部（第１嵌合部、ねじ構造）
１６ めねじ部（第２嵌合部、ねじ構造）
１７ 凸部（第１嵌合部）
１８ 凹凸領域（第１嵌合部）
２０ 青紫色半導体レーザ素子（半導体レーザ素子）
３０ キャップ部
３０ｃ 内周面
３０ｅ 溝部（第２嵌合部）
３７ 凸部（第２嵌合部）
４５ パッケージ
５０ 赤色半導体レーザ素子（半導体レーザ素子）
５５ 赤外半導体レーザ素子（半導体レーザ素子）
６０ ２波長半導体レーザ素子（半導体レーザ素子）
１００、１０１、１０２、１０３、１０４、２００、２０１ 半導体レーザ装置
３００ ３波長半導体レーザ装置（半導体レーザ装置）
４００ 光ピックアップ装置（光装置）
４２０ 光学系 10 Base part 10k Outer peripheral surface 11d Heat radiation part 15 Male thread part (first fitting part, screw structure)
16 Female thread (second fitting part, screw structure)
17 Convex part (first fitting part)
18 Concavity and convexity area (first fitting part)
20 Blue-violet semiconductor laser device (semiconductor laser device)
30 cap part 30c inner peripheral surface 30e groove part (2nd fitting part)
37 Convex part (second fitting part)
45 Package 50 Red semiconductor laser device (semiconductor laser device)
55 Infrared semiconductor laser device (semiconductor laser device)
60 Two-wavelength semiconductor laser device (semiconductor laser device)
100, 101, 102, 103, 104, 200, 201 Semiconductor laser device 300 Three-wavelength semiconductor laser device (semiconductor laser device)
400 Optical pickup device (optical device)
420 Optical system

Claims (8)

半導体レーザ素子と、
前記半導体レーザ素子を封止するパッケージとを備え、
前記パッケージは、前記半導体レーザ素子が取り付けられるベース部と、前記半導体レーザ素子を覆う樹脂からなるキャップ部とを含み、
前記ベース部は、外周面に第１嵌合部を有し、
前記キャップ部は、内周面に第２嵌合部を有し、
前記第１嵌合部と前記第２嵌合部とが嵌合されている、半導体レーザ装置。 A semiconductor laser element;
A package for sealing the semiconductor laser element,
The package includes a base portion to which the semiconductor laser element is attached, and a cap portion made of a resin that covers the semiconductor laser element,
The base portion has a first fitting portion on the outer peripheral surface;
The cap portion has a second fitting portion on the inner peripheral surface,
A semiconductor laser device in which the first fitting portion and the second fitting portion are fitted. 前記ベース部または前記キャップ部のいずれか一方の弾性率は、他方の弾性率よりも小さく、
前記第１嵌合部および前記第２嵌合部の少なくとも一方は、弾性変形している、請求項１に記載の半導体レーザ装置。 The elastic modulus of either the base portion or the cap portion is smaller than the other elastic modulus,
The semiconductor laser device according to claim 1, wherein at least one of the first fitting portion and the second fitting portion is elastically deformed. 前記第１嵌合部および前記第２嵌合部の少なくとも一方には、凹部および凸部の少なくとも一方が形成されている、請求項１または２に記載の半導体レーザ装置。   3. The semiconductor laser device according to claim 1, wherein at least one of a concave portion and a convex portion is formed in at least one of the first fitting portion and the second fitting portion. 前記第１嵌合部および前記第２嵌合部には、ねじ構造が形成されている、請求項３に記載の半導体レーザ装置。   The semiconductor laser device according to claim 3, wherein a screw structure is formed in the first fitting portion and the second fitting portion. 前記ベース部は、ポリフェニレンサルフィド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリブチレンテレフタラート樹脂、液晶ポリマ、または、エポキシ系樹脂のいずれかからなる、請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。   The base portion is made of any one of a polyphenylene sulfide resin, a polyamide resin, a polyether ether ketone resin, a polybutylene terephthalate resin, a liquid crystal polymer, or an epoxy resin, according to any one of claims 1 to 4. The semiconductor laser device described. 前記キャップ部は、フッ素系樹脂、エポキシ系樹脂、エチレンビニルアルコール系樹脂、または、シリコン樹脂のいずれかからなる、請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。   The semiconductor laser device according to claim 1, wherein the cap portion is made of any one of a fluorine resin, an epoxy resin, an ethylene vinyl alcohol resin, or a silicon resin. 前記第１嵌合部および前記第２嵌合部の後方に接続される放熱部をさらに備え、
前記放熱部は、前記ベース部の外周面よりも外側に延びる、請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。 A heat dissipating part connected to the rear of the first fitting part and the second fitting part;
The semiconductor laser device according to claim 1, wherein the heat radiating portion extends outward from an outer peripheral surface of the base portion. 半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子を封止するパッケージとを含む半導体レーザ装置と、
前記半導体レーザ装置の出射光を制御する光学系とを備え、
前記パッケージは、前記半導体レーザ素子が取り付けられるベース部と、前記半導体レーザ素子を覆う樹脂からなるキャップ部とを有し、
前記ベース部は、外周面に第１嵌合部を有し、
前記キャップ部は、内周面に第２嵌合部を有し、
前記第１嵌合部と前記第２嵌合部とが嵌合されている、光装置。 A semiconductor laser device including a semiconductor laser element and a package for sealing the semiconductor laser element;
An optical system for controlling the emitted light of the semiconductor laser device,
The package has a base portion to which the semiconductor laser element is attached, and a cap portion made of a resin that covers the semiconductor laser element,
The base portion has a first fitting portion on the outer peripheral surface;
The cap portion has a second fitting portion on the inner peripheral surface,
An optical device in which the first fitting portion and the second fitting portion are fitted.
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