JP2012056865A

JP2012056865A - 新規化合物ならびにそれを使用した有機電界発光素子、表示装置および照明装置

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Publication number: JP2012056865A
Application number: JP2010200211A
Authority: JP
Inventors: Tomoaki Sawabe; 智明澤部; Atsushi Wada; 淳和田; Sachitami Mizuno; 幸民水野; Tomoko Sugisaki; 知子杉崎; Isao Takasu; 勲高須; Shintaro Enomoto; 信太郎榎本
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2010-09-07
Filing date: 2010-09-07
Publication date: 2012-03-22
Anticipated expiration: 2030-09-07
Also published as: US8535815B2; JP5178795B2; US20120056163A1

Abstract

【課題】安価であり、合成が容易であり、且つ有機ＥＬ素子の発光ドーパントとして使用した場合に低い印加電圧で発光を開始する銅錯体及び、前記銅錯体を発光ドーパントとして用いた有機電界発光素子、表示装置および照明装置を提供する。
【解決手段】下記一般式で表される化合物：

（式中、Ｃｕは銅であり、ＰＲ_１Ｒ_２Ｒ_３はＣｕに配位するホスフィン化合物である。Ｒ_１〜Ｒ_５は、それぞれ同じまたは異なってよく、炭素数１〜６の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基であるか、または置換基を有してもよい芳香環基である。Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒまたはＩである。）。
【選択図】図１

Description

本発明の実施形態は、新規化合物ならびにそれを使用した有機電界発光素子、表示装置および照明装置に関する。

近年、次世代ディスプレイや照明のための発光技術として有機電界発光素子（以下、有機ＥＬ素子とも称する）が注目されている。有機ＥＬ素子の研究初期は、有機層の発光機構として主に蛍光が用いられてきた。しかし、近年では、より内部量子効率の高いリン光を用いた有機ＥＬ素子に注目が集まっている。

近年におけるリン光を用いた有機ＥＬ素子の発光層の主流は、有機材料からなるホスト材料中に、イリジウムや白金などを中心金属とする発光性金属錯体をドープしたものである。しかしながら、イリジウム錯体や白金錯体は希少金属で高価であるため、それらを用いた有機ＥＬ素子はコストが高くなるという問題がある。一方、銅錯体も同じようにリン光発光を示し、安価であるため、発光材料として使用すればコストを抑えることが期待できる。

これまでに、発光材料として銅錯体を使用した有機ＥＬ素子が開示されているが、発光開始電圧が高いという問題を有する。有機ＥＬ素子の省エネルギー化および長寿命化のためには、より低い印加電圧で発光を開始する発光ドーパントを使用することが好ましい。

ＯｐｔｉｃａｌＭａｔｅｒｉａｌｓ．２００７，２９，６６７−６７１

本発明が解決しようとする課題は、安価であり、合成が容易であり、且つ有機ＥＬ素子の発光ドーパントとして使用した場合に低い印加電圧で発光を開始する銅錯体を提供することである。また、前記銅錯体を発光ドーパントとして用いた有機電界発光素子、表示装置および照明装置を提供することである。

上記課題を達成するために、実施形態によれば、下記一般式（１）で表される化合物が提供される：

（式中、Ｃｕは銅である。ＰＲ_１Ｒ_２Ｒ_３は、Ｃｕに配位するホスフィン化合物であり、Ｒ_１、Ｒ_２およびＲ_３は、それぞれ同じまたは異なってよく、炭素数１〜６の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基であるか、または置換基を有してもよい芳香環基である。Ｒ_４およびＲ_５は、それぞれ同じまたは異なってよく、炭素数１〜６の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基であるか、または置換基を有してもよい芳香環基である。Ｒ_６、Ｒ_７、Ｒ_８およびＲ_９は、それぞれ独立して、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、炭素数１〜６の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、またはＨである。Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒまたはＩである。）。

図１は、実施形態に係る有機電界発光素子を示す断面図である。図２は、実施形態に係る表示装置を示す回路図である。図３は、実施形態に係る照明装置を示す断面図である。図４は、［ＣｕＢｒ(ＰｙＣ２ＰＰｈ_２)(ＰＰｈ_３)］の^１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す図である。図５は、実施例に係る有機電界発光素子のＥＬスペクトルを示す図である。図６は、実施例に係る有機電界発光素子の発光特性を示す図である。

以下、実施の形態について、図面を参照しながら説明する。

図１は、実施形態に係る有機電界発光素子を示す断面図である。
有機電界発光素子１０は、基板１１上に、陽極１２、正孔輸送層１３、発光層１４、電子輸送層１５、電子注入層１６および陰極１７を順次形成した構造を有する。正孔輸送層１３、電子輸送層１５および電子注入層１６は、必要に応じて形成される。

以下、実施形態に係る有機電界発光素子の各部材について詳細に説明する。

発光層１４は、陽極側から正孔を、陰極側から電子をそれぞれ受け取り、正孔と電子との再結合の場を提供して発光させる機能を有する層である。この結合によるエネルギーで、発光層中のホスト材料が励起される。励起状態のホスト材料から発光ドーパントへエネルギーが移動することにより、発光ドーパントが励起状態となり、発光ドーパントが再び基底状態に戻る際に発光する。

発光層１４は、有機材料からなるホスト材料中に、発光性金属錯体（以下、発光ドーパントと称する）をドープした構成をとる。本実施形態においては、発光ドーパントとして、以下の一般式（１）で表される銅錯体を使用する。

式中、Ｃｕは銅である。ＰＲ_１Ｒ_２Ｒ_３は、Ｃｕに配位するホスフィン化合物であり、Ｒ_１、Ｒ_２およびＲ_３は、それぞれ同じまたは異なってよく、炭素数１〜６の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基であるか、または置換基を有してもよい芳香環基である。前記アルキル基の具体例としては、メチル基、イソプロピル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。前記芳香環基の具体例としては、フェニル基、ナフチル基、フェノキシ基等が挙げられ、これらは、アルキル基、ハロゲン原子、カルボキシ基等の置換基で置換されてもよい。Ｒ_４およびＲ_５は、それぞれ同じまたは異なってよく、炭素数１〜６の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基であるか、または置換基を有してもよい芳香環基である。前記アルキル基の具体例としては、メチル基、イソプロピル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。前記芳香環基の具体例としては、フェニル基、ナフチル基、フェノキシ基等が挙げられ、これらは、アルキル基、ハロゲン原子、カルボキシ基等の置換基で置換されてもよい。Ｒ_６、Ｒ_７、Ｒ_８およびＲ_９は、それぞれ独立して、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、炭素数１〜６の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、またはＨである。Ｒ_６、Ｒ_７、Ｒ_８またはＲ_９がアルキル基である場合、その具体例としては、フェニル基、ナフチル基、フェノキシ基等が挙げられる。Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒまたはＩである。

発光ドーパントとして銅錯体を使用することにより、イリジウム錯体や白金錯体を使用した場合よりコストを抑えて有機ＥＬ素子を作製することができる。また、上記一般式（１）で示した銅錯体は、発光ドーパントとしての用途が既知である他の銅錯体に比べて、容易に合成することができる。

さらに、上記一般式（１）で表される銅錯体は、有機ＥＬ素子の発光ドーパントとして使用した場合、従来と比較して低い印加電圧で発光を開始する。低い印加電圧で同じ発光量を得られれば、消費電力が少なくて済み、材料の劣化も抑えられる。従って、上記一般式（１）の銅錯体を発光ドーパントとして使用すると、他の銅錯体を使用した場合と比較して、有機ＥＬ素子を省エネルギー化および長寿命化することができる。

以下に、上記一般式（１）で表される銅錯体の合成スキームを示す。反応式中、Ｒ_１〜Ｒ_９およびＸは、上記で定義した通りである。

上記一般式（１）で表される銅錯体の具体例としては、ピリジン（ｐｙ）とジフェニルホスフィン（ＰＰｈ_２）をエチレン鎖で結合した配位子（ＰｙＣ２ＰＰｈ_２）、トリフェニルホスフィン配位子（ＰＰｈ_３）、およびＢｒがＣｕに配位した銅錯体([ＣｕＢｒ(ＰｙＣ２ＰＰｈ_２)(ＰＰｈ_３)])が挙げられる。[ＣｕＢｒ(ＰｙＣ２ＰＰｈ_２)(ＰＰｈ_３)]の構造を以下に示す。

ホスト材料としては、発光ドーパントへのエネルギー移動効率の高い材料を使用することが好ましい。発光ドーパントとしてリン光発光ドーパントを用いる場合に使用されるホスト材料は、低分子系と高分子系とに大別される。低分子系ホスト材料を含む発光層は、主に低分子系ホスト材料および発光ドーパントを真空共蒸着することによって成膜される。高分子系ホスト材料を含む発光層は、主に高分子系ホスト材料および発光ドーパントを混合した溶液を塗布することによって成膜される。低分子系ホスト材料の代表例は、１，３−ビス（カルバゾール−９−イル）ベンゼン（ｍＣＰ）等である。高分子系ホスト材料の代表例は、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）等である。本実施形態では、ホスト材料として、他に、４,４’−ビス（９−ジカルバゾリル）−２，２’−ビフェニル（ＣＢＰ）、
ｐ−ビス(トリフェニルシリル)ベンゼン（ＵＧＨ２）等を使用することができる。

正孔輸送性の強いホスト材料を使用する場合、発光層内の正孔と電子とのキャリアバランスがとれず、発光効率が低下するという問題が生じ得る。そこで、発光層中にさらに電子注入・輸送材料を含有させてもよい。逆に、電子輸送性の強いホスト材料を使用する場合には、発光層中にさらに正孔注入・輸送材料を含有させてもよい。このような構成とすることで、発光層内の正孔と電子とのキャリアバランスがとれ、発光効率が向上する。

発光層１４の成膜方法は、薄膜を形成できる方法であれば特に限定されないが、例えばスピンコート法を使用することが可能である。発光ドーパントおよびホスト材料を含む溶液を所望の膜厚に塗布した後、ホットプレート等で加熱乾燥する。塗布する溶液は、予めフィルターでろ過したものを使用してもよい。

発光層１４の厚さは、１０〜１００ｎｍであることが好ましい。発光層１４におけるホスト材料と発光ドーパントの割合は、本発明の効果を損なわない限り任意である。

基板１１は、他の部材を支持するためのものである。この基板１１は、熱や有機溶剤によって変質しないものが好ましい。基板１１の材料としては、例えば、無アルカリガラス、石英ガラス等の無機材料、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、液晶ポリマー、シクロオレフィンポリマー等のプラスチック、高分子フィルム、およびステンレス鋼（ＳＵＳ）、シリコン等の金属基板が挙げられる。発光を取り出すため、ガラス、合成樹脂等からなる透明な基板を用いることが好ましい。基板１１の形状、構造、大きさ等について特に制限はなく、用途、目的等に応じて適宜選択することができる。基板１１の厚さは、その他の部材を支持するために十分な強度があれば、特に限定されない。

陽極１２は、基板１１の上に積層される。陽極１２は、正孔輸送層１３または発光層１４に正孔を注入する。陽極１２の材料としては、導電性を有するものであれば特に限定されない。通常は、透明または半透明の導電性を有する材料を、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法、塗布法等で成膜する。例えば、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等を陽極１２として使用することができる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、およびそれらの複合体であるインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、フッ素ドープ酸化スズ（ＦＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物等からなる導電性ガラスを用いて作製された膜（ＮＥＳＡ等）や、金、白金、銀、銅等が用いられる。特に、ＩＴＯからなる透明電極であることが好ましい。また、電極材料として、有機系の導電性ポリマーであるポリアニリンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体等を用いてもよい。陽極１２の膜厚は、ＩＴＯの場合、３０〜３００ｎｍであることが好ましい。３０ｎｍより薄くすると、導電性が低下して抵抗が高くなり、発光効率低下の原因となる。３００ｎｍよりも厚くすると、ＩＴＯに可撓性がなくなり、応力が作用するとひび割れが生じる。陽極１２は、単層であってもよく、異なる仕事関数の材料からなる層を積層したものであってもよい。

正孔輸送層１３は、陽極１２と発光層１４との間に任意に配置される。正孔輸送層１３は、陽極１２から正孔を受け取り、発光層側へ輸送する機能を有する層である。正孔輸送層１３の材料としては、例えば、導電性インクであるポリ（エチレンジオキシチオフェン）：ポリ（スチレン・スルホン酸）［以下、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳと記す］のようなポリチオフェン系ポリマーを使用することができるが、これに限定されない。正孔輸送層１３の成膜方法は、薄膜を形成できる方法であれば特に限定されないが、例えばスピンコート法を使用することが可能である。正孔輸送層１３の溶液を所望の膜厚に塗布した後、ホットプレート等で加熱乾燥する。塗布する溶液は、予めフィルターでろ過したものを使用してもよい。

電子輸送層１５は、任意に、発光層１４の上に積層される。電子輸送層１３は、電子注入層１６から電子を受け取り、発光層１４へ輸送する機能を有する層である。電子輸送層１５の材料としては、例えば、トリス[３−(３−ピリジル)−メシチル]ボラン［以下、３ＴＰＹＭＢと記す］、トリス(８−ヒドロキシキノリノラト)アルミニウム錯体（Ａｌｑ３）、バソフェナントロリン（ＢＰｈｅｎ）等を使用することができるが、これらに限定されない。電子輸送層１５は、真空蒸着法、塗布法等で成膜する。

電子注入層１６は、任意に、電子輸送層１５の上に積層される。電子注入層１６は、陰極１７から電子を受け取り、電子輸送層１５または発光層１４へ注入する機能を有する層である。電子注入層１６の材料としては、例えば、ＣｓＦ、ＬｉＦ等を使用することができるが、これらに限定されない。電子注入層１６は、真空蒸着法、塗布法等で成膜する。

陰極１７は、発光層１４（または電子輸送層１５もしくは電子注入層１６）の上に積層される。陰極１７は、発光層１４（または電子輸送層１５もしくは電子注入層１６）に電子を注入する。通常、透明または半透明の導電性を有する材料を真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法、塗布法等で成膜する。電極材料としては、導電性の金属酸化物膜、金属薄膜等が挙げられる。陽極１２を仕事関数の高い材料を用いて形成した場合、陰極１７には仕事関数の低い材料を用いることが好ましい。仕事関数の低い材料としては、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属等が挙げられる。具体的には、Ｌｉ、Ｉｎ、Ａｌ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｎａ、Ｋ、Ｙｂ、Ｃｓ等を挙げることができる。

陰極１７は、単層であってもよく、異なる仕事関数の材料で構成される層を積層したものであってもよい。また、２種以上の金属の合金を使用してもよい。合金の例としては、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、カルシウム−アルミニウム合金等が挙げられる。

陰極１７の膜厚は、１０〜１５０ｎｍであることが好ましい。膜厚が上記範囲より薄い場合は、抵抗が大きくなりすぎる。膜厚が厚い場合には、陰極１７の成膜に長時間を要し、隣接する層にダメージを与えて性能が劣化する。

以上、基板の上に陽極を積層し、基板と反対側に陰極を配置した構成の有機電界発光素子について説明したが、陰極側に基板を配置してもよい。

図２は、本発明の実施態様に係る表示装置を示す回路図である。
図２に示す表示装置２０は、横方向の制御線（ＣＬ）と縦方向の信号線（ＤＬ）がマトリックス状に配置された回路の中に、それぞれ画素２１を配置した構成をとる。画素２１には、発光素子２５および発光素子２５に接続された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）２６が含まれる。ＴＦＴ２６の一方の端子は制御線に接続され、他方の端子は信号線に接続される。信号線は、信号線駆動回路２２に接続されている。また、制御線は、制御線駆動回路２３に接続されている。信号線駆動回路２２および制御線駆動回路２３は、コントローラ２４により制御される。

図３は、本発明の実施態様に係る照明装置を示す断面図である。
照明装置１００は、ガラス基板１０１上に、陽極１０７、有機ＥＬ層１０６、および陰極１０５を順次積層した構成をとる。封止ガラス１０２は、陰極１０５を覆うように配置され、ＵＶ接着剤１０４を用いて固定される。封止ガラス１０２の陰極１０５側の面には、乾燥剤１０３が設置される。

＜［ＣｕＢｒ(ＰｙＣ２ＰＰｈ_２)(ＰＰｈ_３)］の合成＞
１００ｍＬ茄子フラスコに、臭化銅(I)ジメチルスルフィド（６９．８ｍｇ，０．３４ｍｍｏｌ）と２−(２−(ジフェニルホスフィノ)エチル)ピリジン（ＰｙＣ２ＰＰｈ_２）（９９．１ｍｇ，０．３４ｍｍｏｌ）を入れ、真空乾燥を行った。茄子フラスコ内を窒素で置換し、窒素置換したシリンジを用いて、窒素バブリングしたクロロホルムを２０ｍＬ加えた。室温で６時間撹拌した後、真空乾燥したトリフェニルホスフィン（８８．７ｍｇ，０．３４ｍｍｏｌ）を加えた。室温下でさらに６時間撹拌した後、反応溶液をろ過して不溶物を取り除いた。ろ液の溶媒を留去した後、真空乾燥を行うと固体が析出した。得られた固体をクロロホルム（富溶媒）に溶かし、ジエチルエーテル（貧溶媒）を拡散させてゆっくり加えると、白色固体が析出した。ろ過して析出物を単離し、目的物質である[ＣｕＢｒ(ＰｙＣ２ＰＰｈ_２)(ＰＰｈ_３)]を得た（収率８８％）。

上記合成反応の反応スキームを以下に示す。

上記方法で合成した［ＣｕＢｒ(ＰｙＣ２ＰＰｈ_２)(ＰＰｈ_３)］の^１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（ＣＤＣｌ_３，２７０ＭＨｚ）を図４に示す。

＜有機ＥＬ素子の作製＞
合成した［ＣｕＢｒ(ＰｙＣ２ＰＰｈ_２)(ＰＰｈ_３)］を発光ドーパントとして使用して有機ＥＬ素子を作製した。この素子の層構成は、以下の通りである。

ＩＴＯ１００ｎｍ／ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ５５ｎｍ／ＰＶＫ：ＯＸＤ−７：［ＣｕＢｒ(ＰｙＣ２ＰＰｈ_２)(ＰＰｈ_３)］７０ｎｍ／３ＴＰＹＭＢ２５ｎｍ／ＣｓＦ１ｎｍ／Ａｌ１５０ｎｍ。

陰極は、厚さ１００ｎｍのＩＴＯ(インジウムスズ酸化物)からなる透明電極である。

正孔輸送層の材料には、導電性インクであるポリ（エチレンジオキシチオフェン）：ポリ（スチレン・スルホン酸）[ＰＥＤＯＴ:ＰＳＳ]の水溶液を用いた。ＰＥＤＯＴ:ＰＳＳの水溶液をスピンコートによって塗布し、加熱して乾燥させることにより正孔輸送層を５５ｎｍの厚さに形成した。

発光層の材料には、ホスト材料としてポリビニルカルバゾール[ＰＶＫ]、電子輸送材料として１，３−ビス(２−(４−ターシャリーブチルフェニル)−１，３，４−オキシジアゾル−５−イル)ベンゼン[ＯＸＤ−７]、発光ドーパントとして［ＣｕＢｒ(ＰｙＣ２ＰＰｈ_２)(ＰＰｈ_３)］を用いた。ＰＶＫは正孔輸送性ホスト材料であり、ＯＸＤ−７は電子輸送性材料である。従って、これらを混合したものをホスト材料として用いることにより、電圧印加時に電子と正孔を効率良く発光層に注入することが出来る。重量比でＰＶＫ:ＯＸＤ−７:［ＣｕＢｒ(ＰｙＣ２ＰＰｈ_２)(ＰＰｈ_３)］＝６０:３０:１０となるよう秤量し、これらをクロロベンゼンに溶解した溶液をスピンコートによって塗布し、加熱して乾燥させることにより発光層を７０ｎｍの厚さに形成した。

電子輸送層は、トリス[３−(３−ピリジル)−メシチル]ボラン[３ＴＰＹＭＢ]を真空蒸着することにより２５ｎｍの厚さに形成した。電子注入層は厚さ１ｎｍのＣｓＦで形成し、陰極は厚さ１５０ｎｍのＡｌで形成した。

＜ＥＬスペクトルの測定＞
上記のように作製した有機ＥＬ素子について、電圧印加時のエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）スペクトルを測定した。測定は、浜松フォトニクス製、高感度マルチチャンネル分光器Ｃ１００２７−０１を用いて行った。その結果を図５に示す。５６０ｎｍに発光ピークをもつＥＬスペクトルが得られた。

＜有機ＥＬ素子の発光特性＞
上記のように作製した有機ＥＬ素子について、発光特性を調べた。図６（ａ）は、素子の電圧と電流密度との関係を示す図である。図６（ｂ）は、素子の電圧と輝度との関係を示す図である。輝度は、浜松フォトニクス社製視感度フィルタ付きＳｉフォトダイオードＳ７６１０を用いて測定した。また、電流および電圧の測定は、ＨＥＷＬＥＴＴＰＡＣＫＡＲＤ社製半導体パラメータアナライザ４１５６ｂを用いて行った。

電圧の印加と共に電流密度は上昇し、４．５Ｖで発光が開始した。それに対して、先行技術文献として挙げたＯｐｔｉｃａｌＭａｔｅｒｉａｌｓ．２００７，２９，６６７−６７１（非特許文献１）に記載されている銅錯体を用いた有機ＥＬ素子の発光開始電圧は、１０Ｖである。従って、本実施例の有機ＥＬ素子は、非特許文献１の有機ＥＬ素子と比較して、発光開始電圧が５．０Ｖ程度低かった。また、本実施例の有機ＥＬ素子の輝度は、８Ｖで１０ｃｄ／ｃｍ^２であった。

上記実施形態または実施例によれば、安価であり、合成が容易であり、且つ有機ＥＬ素子の発光ドーパントとして使用した場合に低い印加電圧で発光を開始する銅錯体を提供することができる。また、前記銅錯体を発光ドーパントとして用いた有機電界発光素子、表示装置および照明装置を提供することができる。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１０…有機電界発光素子、１１…基板、１２…陽極、１３…正孔輸送層、１４…発光層、１５…電子輸送層、１６…電子注入層、１７…陰極、２０…表示装置、２１…画素、２２…信号線駆動回路、２３…制御線駆動回路、２４…コントローラ、２５…発光素子、２６…ＴＦＴ、１００…照明装置、１０１…ガラス基板、１０２…封止ガラス、１０３…乾燥剤、１０４…ＵＶ接着剤、１０５…陰極、１０６…有機ＥＬ層、１０７…陽極。

Claims

下記一般式（１）で表される化合物：

（式中、Ｃｕは銅である。ＰＲ_１Ｒ_２Ｒ_３は、Ｃｕに配位するホスフィン化合物であり、Ｒ_１、Ｒ_２およびＲ_３は、それぞれ同じまたは異なってよく、炭素数１〜６の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基であるか、または置換基を有してもよい芳香環基である。Ｒ_４およびＲ_５は、それぞれ同じまたは異なってよく、炭素数１〜６の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基であるか、または置換基を有してもよい芳香環基である。Ｒ_６、Ｒ_７、Ｒ_８およびＲ_９は、それぞれ独立して、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、炭素数１〜６の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、またはＨである。Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒまたはＩである。）。
互いに離間して配置された陽極および陰極と、
前記陽極と前記陰極との間に配置され、ホスト材料および発光ドーパントを含む発光層と
を具備する有機電界発光素子であって、
前記発光ドーパントとして、請求項１に記載の化合物を含むことを特徴とする有機電界発光素子。
前記ホスト材料は、低分子または高分子であることを特徴とする請求項２に記載の有機電界発光素子。
請求項２に記載の有機電界発光素子を具備することを特徴とする表示装置。
請求項２に記載の有機電界発光素子を具備することを特徴とする照明装置。