JP2012056800A

JP2012056800A - Group iii nitride semiconductor substrate and method for manufacturing the same

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Publication number: JP2012056800A
Application number: JP2010202300A
Authority: JP
Inventors: Tomohiro Kobayashi; 智浩小林; Yutaka Nishigori; 豊錦織
Original assignee: Furukawa Co Ltd
Current assignee: Furukawa Co Ltd
Priority date: 2010-09-09
Filing date: 2010-09-09
Publication date: 2012-03-22

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve yield when a substrate composed of a group III nitride semiconductor is manufactured.SOLUTION: The group III nitride semiconductor substrate 10 includes: a substrate 30 which has through-holes 20 penetrating from the surface to the rear surface of the substrate and is composed of a group III nitride semiconductor (AlGaInN (0≤x≤1, 0≤y≤1, and 0≤x+y≤1)); and a filling material 40 which is filled inside each through-hole 20 to plug the through-hole 20 and is composed of a group III nitride semiconductor having a uniform composition.

Description

本発明は、ＩＩＩ族窒化物半導体基板およびＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法に関する。 The present invention relates to a group III nitride semiconductor substrate and a method for manufacturing a group III nitride semiconductor substrate.

ＩＩＩ族窒化物半導体（Ａｌ_ｘＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｉｎ_ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１））で構成される基板およびその製造方法が多く研究されている。ＩＩＩ族窒化物半導体で構成される自立基板の製造方法としては、サファイヤ基板等の異種基板上にＩＩＩ族窒化物半導体層をエピタキシャル成長させた後、異種基板を取り除くことで、ＩＩＩ族窒化物半導体で構成される基板（自立基板）を製造する手段などが知られている。 Many studies have been made on substrates composed of group III nitride semiconductors (Al _x Ga _1-xy In _y N (0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1, 0 ≦ x + y ≦ 1)) and their manufacturing methods. ing. As a method for manufacturing a self-supporting substrate composed of a group III nitride semiconductor, a group III nitride semiconductor layer is epitaxially grown on a dissimilar substrate such as a sapphire substrate, and then the dissimilar substrate is removed. Means and the like for manufacturing a configured substrate (self-supporting substrate) are known.

ここで、ＩＩＩ族窒化物半導体で構成される基板（自立基板）には、例えば異種基板上にエピタキシャル成長させる製造方法等に起因して、自立基板の表面から裏面まで貫通する貫通ピットおよび／または貫通クラックが形成されてしまう場合がある。このような貫通ピットおよび／または貫通クラックを有する自立基板の場合、自立基板上に滴下した液体（例：レジスト液）が貫通ピットおよび／または貫通クラックを介して漏れてしまったり、または、自立基板の真空吸着に不具合が生じたりする。このため、貫通ピットおよび／または貫通クラックを有する自立基板は、素子形成のために使用することができない。しかし、このような自立基板を使用せずに廃棄してしまうと、自立基板を生産する際の歩留まり（以下、「生産歩留まり」という）が低下してしまう。 Here, a substrate (free-standing substrate) made of a group III nitride semiconductor has through pits and / or through holes penetrating from the front surface to the back surface of the free-standing substrate due to, for example, a manufacturing method of epitaxial growth on a different substrate. Cracks may be formed. In the case of a self-supporting substrate having such through pits and / or through cracks, liquid (eg, resist solution) dropped on the self-supporting substrate may leak through the through pits and / or through cracks, or the self-supporting substrate. There are problems with vacuum suction. For this reason, a self-supporting substrate having through pits and / or through cracks cannot be used for element formation. However, if such a free-standing substrate is discarded without being used, the yield when producing the free-standing substrate (hereinafter referred to as “production yield”) decreases.

特許文献１には、上記問題を解決可能な手段として、貫通ピットおよび／または貫通クラック内にＧａＮ多結晶を形成し、貫通ピットおよび／または貫通クラックを埋めて塞ぐ技術が開示されている。そして、貫通ピットおよび／または貫通クラック内にＧａＮ多結晶を形成する手段としては、以下のような手段が記載されている。まず、顕微鏡を使用して貫通ピットおよび／または貫通クラックを有するＧａＮ自立基板の表面を観察しながら、位置決め機構と特殊な吐出ノズルを備えた注入装置を用いて液体状態のガリウムを貫通ピットおよび／または貫通クラック内に注入する。その後、アンモニアガスを含む雰囲気中でＧａＮ自立基板を３００℃以上１２００℃以下の温度で加熱する。当該処理により、貫通ピットおよび／または貫通クラック内に注入されたガリウムが窒化して、貫通ピットおよび／または貫通クラック内にＧａＮ多結晶が形成されると記載されている。なお、貫通ピットおよび／または貫通クラック内に注入された液体状態のガリウムは、表面張力のため貫通ピットおよび／または貫通クラック内に留まると記載されている。 Patent Document 1 discloses a technique for forming a GaN polycrystal in through pits and / or through cracks and filling and closing the through pits and / or through cracks as a means that can solve the above problem. The following means are described as means for forming a GaN polycrystal in the through pits and / or through cracks. First, while observing the surface of a GaN free-standing substrate having through pits and / or through cracks using a microscope, liquid-state gallium is introduced into the through pits and / or using an injection apparatus equipped with a positioning mechanism and a special discharge nozzle. Alternatively, it is injected into the through crack. Thereafter, the GaN free-standing substrate is heated at a temperature of 300 ° C. or higher and 1200 ° C. or lower in an atmosphere containing ammonia gas. It is described that gallium injected into the through pits and / or through cracks is nitrided by the treatment, and GaN polycrystal is formed in the through pits and / or through cracks. It is described that gallium in a liquid state injected into the through pits and / or through cracks remains in the through pits and / or through cracks due to surface tension.

特開２００８−１６２８５５号公報JP 2008-162855 A

しかしながら、貫通ピットの径は「〜数百μｍ程度」であるため、特許文献１に記載の技術の場合、アンモニアガスが液体状態のＧａに充分に供給されず、表面のみが窒化されると考えられる。すなわち、貫通ピットおよび／または貫通クラック内に埋められた充填材は、ＧａＮ多結晶とガリウムとが混在したものであると考えられる。 However, since the diameter of the through pit is “about several hundred μm”, in the case of the technique described in Patent Document 1, it is considered that ammonia gas is not sufficiently supplied to the liquid state Ga, and only the surface is nitrided. It is done. That is, it is considered that the filler filled in the through pits and / or through cracks is a mixture of GaN polycrystal and gallium.

このように、特許文献１に記載の技術の場合、貫通ピットおよび／または貫通クラックをＧａＮ多結晶とガリウムとが混在した充填材で埋めることで上記問題（液漏れ、真空吸着の不具合）は解決しているが、貫通ピットおよび／または貫通クラック内に金属が残存することで、新たに金属汚染の問題が発生している。また、充填材が、ＧａＮ多結晶とガリウムとが混在したもの、すなわち、線膨張係数が異なるものが混在したものとなっているので、加熱処理中に充填材が剥がれ落ちる恐れがある。さらに、ガリウムが混在することで機械強度が劣るという不都合が生じ得る。このような新たな問題が発生する特許文献１に記載の技術の場合、依然、自立基板の生産歩留まりは改善されていない。 Thus, in the case of the technique described in Patent Document 1, the above problems (liquid leakage and vacuum adsorption defects) are solved by filling the through pits and / or through cracks with a filler in which GaN polycrystal and gallium are mixed. However, the problem of metal contamination is newly generated by the metal remaining in the through pits and / or through cracks. In addition, since the filler is a mixture of GaN polycrystal and gallium, that is, a mixture of materials having different linear expansion coefficients, the filler may be peeled off during the heat treatment. Furthermore, the inconvenience that the mechanical strength is inferior due to the mixture of gallium may occur. In the case of the technique described in Patent Document 1 in which such a new problem occurs, the production yield of free-standing substrates has not been improved.

本発明では、ＩＩＩ族窒化物半導体で構成される基板の生産歩留まりを改善することを課題とする。 An object of the present invention is to improve the production yield of a substrate composed of a group III nitride semiconductor.

本発明によれば、基板の表面から裏面まで貫通する貫通孔を有するＩＩＩ族窒化物半導体（Ａｌ_ｘＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｉｎ_ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１））で構成される基板と、前記貫通孔の内部に充填され、前記貫通孔を塞ぐ、組成一様のＩＩＩ族窒化物半導体で構成される充填材と、を有するＩＩＩ族窒化物半導体基板が提供される。 According to the present invention, a group III nitride semiconductor (Al _x Ga _1-xy In _y N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤) having a through hole penetrating from the front surface to the back surface of the substrate. Group III nitride comprising: a substrate composed of x + y ≦ 1)); and a filler composed of a Group III nitride semiconductor of uniform composition that fills the inside of the through hole and closes the through hole A semiconductor substrate is provided.

また、本発明によれば、基板の表面から裏面まで貫通する貫通孔を有するＩＩＩ族窒化物半導体（Ａｌ_ｘＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｉｎ_ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１））で構成される基板を準備する工程と、前記貫通孔の内部に、組成一様のＩＩＩ族窒化物半導体で構成される充填材を埋設し、前記貫通孔を塞ぐ工程と、を有するＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法が提供される。 Moreover, according to the present invention, a group III nitride semiconductor (Al _x Ga _1-xy In _y N (0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1, A step of preparing a substrate constituted by 0 ≦ x + y ≦ 1)), a step of burying a filler composed of a group III nitride semiconductor of uniform composition inside the through hole, and closing the through hole A method for producing a group III nitride semiconductor substrate is provided.

本発明によれば、基板の表面から裏面まで貫通する貫通孔の内部に充填材を充填することで貫通孔を塞ぐので、貫通孔を介した液漏れや真空吸着の不具合を解消することができる。また、貫通孔内に充填する充填材は、組成一様のＩＩＩ族窒化物半導体で構成されるので、金属汚染等の新たな問題が発生することはない。結果、ＩＩＩ族窒化物半導体基板の生産歩留まりを改善することができる。 According to the present invention, since the through hole is filled by filling the inside of the through hole penetrating from the front surface to the back surface of the substrate, it is possible to solve the problems of liquid leakage and vacuum suction through the through hole. . In addition, since the filler filled in the through hole is composed of a group III nitride semiconductor having a uniform composition, new problems such as metal contamination do not occur. As a result, the production yield of the group III nitride semiconductor substrate can be improved.

本発明によれば、ＩＩＩ族窒化物半導体で構成される基板の生産歩留まりを改善できる。 According to the present invention, the production yield of a substrate composed of a group III nitride semiconductor can be improved.

本実施形態のＩＩＩ族窒化物半導体基板の平面概略図の一例である。It is an example of the plane schematic diagram of the group III nitride semiconductor substrate of this embodiment. 本実施形態のＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法に用いる装置の一例を示す概略図である。It is the schematic which shows an example of the apparatus used for the manufacturing method of the group III nitride semiconductor substrate of this embodiment.

以下、本発明のＩＩＩ族窒化物半導体基板の実施形態について図面を用いて説明する。 Hereinafter, an embodiment of a group III nitride semiconductor substrate of the present invention will be described with reference to the drawings.

図１に、本実施形態のＩＩＩ族窒化物半導体基板の平面概略図を示す。 FIG. 1 shows a schematic plan view of a group III nitride semiconductor substrate of the present embodiment.

図示するように、本実施形態のＩＩＩ族窒化物半導体基板１０は、基板の表面から裏面まで貫通する貫通孔２０を有するＩＩＩ族窒化物半導体基板３０と、貫通孔２０の内部に充填され、貫通孔２０を塞ぐ、組成一様のＩＩＩ族窒化物半導体で構成される充填材４０と、を有する。 As shown in the drawing, the group III nitride semiconductor substrate 10 of the present embodiment is filled with a group III nitride semiconductor substrate 30 having a through hole 20 penetrating from the front surface to the back surface of the substrate, and the through hole 20. And a filler 40 made of a group III nitride semiconductor of uniform composition that closes the hole 20.

ＩＩＩ族窒化物半導体基板３０は、ＩＩＩ族窒化物半導体（Ａｌ_ｘＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｉｎ_ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１））で構成される基板である。ＩＩＩ族窒化物半導体基板３０の製造方法は特段制限されず、ＩＩＩ族窒化物半導体で構成される自立基板を製造するあらゆる従来技術を利用することができる。このようなＩＩＩ族窒化物半導体基板３０には、表面から裏面まで貫通する貫通孔２０が１つ以上形成されている。なお、ＩＩＩ族窒化物半導体基板３０の平面形状、大きさ等は設計的事項である。 The group III nitride semiconductor substrate 30 is composed of a group III nitride semiconductor (Al _x Ga _1-xy In _y N (0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1, 0 ≦ x + y ≦ 1)). It is a substrate. The manufacturing method of group III nitride semiconductor substrate 30 is not particularly limited, and any conventional technique for manufacturing a free-standing substrate made of a group III nitride semiconductor can be used. In such a group III nitride semiconductor substrate 30, one or more through-holes 20 penetrating from the front surface to the back surface are formed. The planar shape, size, etc. of group III nitride semiconductor substrate 30 are design matters.

貫通孔２０は、いわゆる貫通ピットおよび／または貫通クラックが該当する。なお、貫通孔２０の数、大きさ、形状、位置等は図１に示すものに限定されない。 The through holes 20 correspond to so-called through pits and / or through cracks. The number, size, shape, position, and the like of the through holes 20 are not limited to those shown in FIG.

充填材４０は、組成一様のＩＩＩ族窒化物半導体（Ａｌ_ｘＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｉｎ_ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１））で構成される。そして、充填材４０は、貫通孔２０の内部に充填され、貫通孔２０を塞ぐ。 The filler 40 is composed of a group III nitride semiconductor with a uniform composition (Al _x Ga _1-xy In _y N (0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1, 0 ≦ x + y ≦ 1)). . The filler 40 is filled in the through hole 20 and closes the through hole 20.

ここでの「組成一様」とは、１つの貫通孔２０に埋められていた充填材を全て取り出し、ＳＥＭ−ＥＤＸで観察した際、９５％以上が１つの組成のＩＩＩ族窒化物半導体で構成されていることをいう。 Here, “uniform composition” means that all of the filler material buried in one through-hole 20 is taken out and observed with SEM-EDX, and more than 95% is composed of a group III nitride semiconductor of one composition. It means being done.

また、「貫通孔２０を塞ぐ」の意味について説明する。本実施形態では、半導体基板１０上に滴下した液体（例：レジスト液）が貫通孔２０を介して漏れてしまったり、または、ＩＩＩ族窒化物半導体基板１０を真空吸着する際に不具合が生じたりする不都合を抑制することを目的として、貫通孔２０を塞ぐ。よって、「貫通孔２０を塞ぐ」とは、半導体基板１０上に滴下した液体が、貫通孔２０を介して裏面に漏れるのを抑制できる構成であってもよい。具体的には、「貫通孔２０を塞ぐ」とは、半導体基板１０をスピンコータ（商品名：ミカサ１Ｈ−ＤＸ２）にて１００Ｐａ以下で真空吸着後、半導体基板１０上にレジスト液（商品名：東京応化ＰＭＥＲＰ−ＨＭ１３００ＰＭ）を滴下し、当該滴下から１２０秒経過後、半導体基板１０の裏面を観察した際、貫通孔２０を介してレジスト液が裏面に到達していない状態にすることであってもよい。 Further, the meaning of “block the through hole 20” will be described. In the present embodiment, a liquid (e.g., a resist solution) dropped on the semiconductor substrate 10 leaks through the through hole 20 or a problem occurs when the group III nitride semiconductor substrate 10 is vacuum-adsorbed. The through hole 20 is closed for the purpose of suppressing the inconvenience. Therefore, “blocking the through hole 20” may be configured such that the liquid dropped on the semiconductor substrate 10 can be prevented from leaking to the back surface through the through hole 20. Specifically, “close the through hole 20” means that the semiconductor substrate 10 is vacuum-adsorbed at 100 Pa or less with a spin coater (trade name: Mikasa 1H-DX2), and then a resist solution (trade name: Tokyo). Responsive PMER P-HM1300PM), and after 120 seconds from the dropping, when the back surface of the semiconductor substrate 10 is observed, the resist solution does not reach the back surface through the through-hole 20. Also good.

なお、充填材４０は、貫通孔２０を塞ぐように充填されていればよく、その他の充填の仕方は特段制限されない。例えば、充填材４０は、貫通孔２０の内部を完全に埋めるように充填されてもよいし、または、一部のみを埋めるように充填されてもよい。その他、充填材４０は、貫通孔２０の内部のみに存在するよう充填されてもよいし、または、貫通孔２０の内部と外部に跨るように充填されてもよい。例えば、充填材４０は、ＩＩＩ族窒化物半導体基板３０の第１の面全面または一部に形成されたＩＩＩ族窒化物半導体で構成された層と、この層と一体に形成され、貫通孔２０の内部に充填された部分と、を含んで構成されてもよい。この例の場合、上記第１の面は、素子形成面とは反対側の面とするのが好ましい。 In addition, the filler 40 should just be filled so that the through-hole 20 may be plugged up, and the other filling methods are not particularly limited. For example, the filler 40 may be filled so as to completely fill the inside of the through hole 20 or may be filled so as to fill only a part. In addition, the filler 40 may be filled so as to exist only inside the through hole 20 or may be filled so as to straddle the inside and outside of the through hole 20. For example, the filler 40 is formed integrally with a layer made of a group III nitride semiconductor formed on the entire first surface or part of the group III nitride semiconductor substrate 30, and the through hole 20. And a portion filled in the inside. In the case of this example, it is preferable that the first surface is a surface opposite to the element formation surface.

このような充填材４０は、ＩＩＩ族窒化物半導体基板３０を構成するＩＩＩ族窒化物半導体と同じ組成のＩＩＩ族窒化物半導体で構成されてもよい。このように構成すれば、充填材４０とＩＩＩ族窒化物半導体基板３０との密着性が良好となるので、貫通孔２０を塞ぐという観点で望ましい。 Such filler 40 may be made of a group III nitride semiconductor having the same composition as the group III nitride semiconductor constituting group III nitride semiconductor substrate 30. With this configuration, the adhesiveness between the filler 40 and the group III nitride semiconductor substrate 30 becomes good, which is desirable from the viewpoint of closing the through hole 20.

また、充填材４０は、多結晶のＩＩＩ族窒化物半導体および単結晶のＩＩＩ族窒化物半導体いずれで構成されてもよいが、多結晶のＩＩＩ族窒化物半導体で構成されるのが望ましい。充填材４０を多結晶のＩＩＩ族窒化物半導体で構成すれば、単結晶のＩＩＩ族窒化物半導体よりも多結晶のＩＩＩ族窒化物半導体の方が形成し易いので、プロセス安定性に優れるほか、生産速度の点においても優れるので、低コスト化が実現できる。 The filler 40 may be composed of either a polycrystalline group III nitride semiconductor or a single group III nitride semiconductor, but is preferably composed of a polycrystalline group III nitride semiconductor. If the filler 40 is composed of a polycrystalline group III nitride semiconductor, a polycrystalline group III nitride semiconductor is easier to form than a single crystal group III nitride semiconductor. Since it is excellent also in terms of production speed, cost reduction can be realized.

以上説明した本実施形態のＩＩＩ族窒化物半導体基板１０によれば、貫通孔２０を充填材４０で塞ぐことができるので、ＩＩＩ族窒化物半導体基板１０上に滴下した液体（例：レジスト液）が貫通孔２０を介して漏れてしまったり、または、ＩＩＩ族窒化物半導体基板１０を真空吸着する際に不具合が生じたりする不都合を抑制することができる。 According to the group III nitride semiconductor substrate 10 of the present embodiment described above, since the through hole 20 can be closed with the filler 40, the liquid dropped onto the group III nitride semiconductor substrate 10 (example: resist solution) Can be prevented from leaking through the through-hole 20 or causing a problem when the group III nitride semiconductor substrate 10 is vacuum-adsorbed.

また、本実施形態のＩＩＩ族窒化物半導体基板１０によれば、貫通孔２０を塞ぐ充填材４０が組成一様のＩＩＩ族窒化物半導体で構成されているので、特許文献１に記載の技術のように、金属汚染等の新たな問題が発生することがない。 Further, according to the group III nitride semiconductor substrate 10 of the present embodiment, the filler 40 that closes the through hole 20 is composed of a group III nitride semiconductor with a uniform composition. Thus, new problems such as metal contamination do not occur.

すなわち、本実施形態のＩＩＩ族窒化物半導体基板１０によれば、ＩＩＩ族窒化物半導体で構成される自立基板の生産歩留まりを改善することができる。 That is, according to the group III nitride semiconductor substrate 10 of the present embodiment, it is possible to improve the production yield of a self-standing substrate composed of a group III nitride semiconductor.

また、充填材４０を、貫通孔２０の内部と外部（素子形成面と反対側の面）に跨るように充填した場合、貫通孔２０の外部に位置する充填材４０を除去する工程を設けなくて済むので、工程数を減らすことができ、作業効率が向上する。 Further, when the filler 40 is filled so as to straddle the inside and outside of the through hole 20 (surface opposite to the element formation surface), there is no need to provide a step of removing the filler 40 located outside the through hole 20. Therefore, the number of processes can be reduced and work efficiency is improved.

次に、本実施形態のＩＩＩ族窒化物半導体基板１０の製造方法の一例について説明する。 Next, an example of the manufacturing method of the group III nitride semiconductor substrate 10 of this embodiment is demonstrated.

本実施形態のＩＩＩ族窒化物半導体基板１０の製造方法は、
（１）基板の表面から裏面まで貫通する貫通孔２０を有するＩＩＩ族窒化物半導体基板３０を準備する工程と、
（２）貫通孔２０の内部に、組成一様のＩＩＩ族窒化物半導体で構成される充填材４０を埋設し、貫通孔２０を塞ぐ工程と、
を有する。 The manufacturing method of the group III nitride semiconductor substrate 10 of the present embodiment is as follows:
(1) a step of preparing a group III nitride semiconductor substrate 30 having a through hole 20 penetrating from the front surface to the back surface of the substrate;
(2) a step of burying a filler 40 made of a group III nitride semiconductor of uniform composition inside the through hole 20 and closing the through hole 20;
Have

なお、上記（２）の工程は、以下で説明する第１工程を有してもよい。また、上記（２）の工程は、第１工程に加えて、以下で説明する前処理工程を有してもよい。さらに、上記（２）の工程は、第１工程に加えて、または、第１工程および前処理工程に加えて、以下で説明する第２工程を有してもよい。以下、第１工程、前処理工程、および、第２工程について説明する。 The step (2) may include a first step described below. In addition to the first step, the step (2) may include a pretreatment step described below. Further, the step (2) may include a second step described below in addition to the first step or in addition to the first step and the pretreatment step. Hereinafter, the first step, the pretreatment step, and the second step will be described.

第１工程は、ＩＩＩ族窒化物半導体基板３０の第１の面上に、組成一様のＩＩＩ族窒化物半導体の層を形成することで、貫通孔２０内の少なくとも一部を埋設し、貫通孔２０を塞ぐ工程である。 In the first step, a group III nitride semiconductor layer having a uniform composition is formed on the first surface of the group III nitride semiconductor substrate 30 so that at least a part of the through hole 20 is embedded and penetrated. This is a step of closing the hole 20.

ＩＩＩ族窒化物半導体基板３０の第１の面は、素子形成面とは反対側の面とすることができる。第１の面上にＩＩＩ族窒化物半導体の層を形成する手段としては、気相エピタキシャル成長法、ナトリウムフラックス液相成長法、アモノサーマル成長法、スパッタ法、分子線エピタキシャル成長法、ＭＯＶＰＥ法などを利用することができる。このような手段を用いて第１の面上にＩＩＩ族窒化物半導体の層を形成すると、貫通孔２０内の少なくとも一部を埋設し、貫通孔２０を塞ぐ充填材４０を形成することができる。 The first surface of group III nitride semiconductor substrate 30 may be a surface opposite to the element formation surface. Examples of means for forming a group III nitride semiconductor layer on the first surface include vapor phase epitaxial growth, sodium flux liquid phase growth, ammonothermal growth, sputtering, molecular beam epitaxial growth, and MOVPE. Can be used. When a group III nitride semiconductor layer is formed on the first surface using such means, at least a part of the through hole 20 can be embedded to form the filler 40 that closes the through hole 20. .

ここで、上記手段により、貫通孔２０内の少なくとも一部を埋設し、貫通孔２０を塞ぐ充填材４０が形成されるメカニズムは明らかでない。しかし、本実施形態においては、上記手段により、貫通孔２０内の少なくとも一部を埋設し、貫通孔２０を塞ぐ充填材４０が形成される点が重要であり、そのメカニズムは問題とならない。そして、本発明者は、上記手段により、貫通孔２０内の少なくとも一部を埋設し、貫通孔２０を塞ぐ充填材４０が形成されることを確認している。 Here, the mechanism by which the filler 40 that buryes at least a part of the through hole 20 and closes the through hole 20 is formed by the above means is not clear. However, in the present embodiment, it is important that at least a part of the through hole 20 is embedded and the filler 40 that closes the through hole 20 is formed by the above-described means, and the mechanism is not problematic. And this inventor has confirmed that the filler 40 which embeds at least one part in the through-hole 20 and plugs up the through-hole 20 by the said means is formed.

なお、第１の面上にＩＩＩ族窒化物半導体の層を形成する処理は、４００℃以上８００℃以下の温度条件で行われてもよい。本発明者は、このような温度条件でＩＩＩ族窒化物半導体の層を形成した場合、多結晶のＩＩＩ族窒化物半導体の層が形成されやすくなるが、ＩＩＩ族窒化物半導体の層の形成速度が速くなることを確認している。すなわち、当該手段を用いることで、ＩＩＩ族窒化物半導体基板１０の生産効率が向上する。 The treatment for forming the group III nitride semiconductor layer on the first surface may be performed under a temperature condition of 400 ° C. or higher and 800 ° C. or lower. When the present inventors form a group III nitride semiconductor layer under such a temperature condition, a polycrystalline group III nitride semiconductor layer is likely to be formed. Make sure it will be faster. That is, by using this means, the production efficiency of the group III nitride semiconductor substrate 10 is improved.

前処理工程は、上記第１工程の前に、ＩＩＩ族窒化物半導体基板３０の上記第１の面に対して、算術平均粗さ（Ｒａ）が０．０１μｍ以上、好ましくは０．１μｍ以上となるよう表面処理を行う工程である。 In the pretreatment step, the arithmetic average roughness (Ra) is 0.01 μm or more, preferably 0.1 μm or more with respect to the first surface of the group III nitride semiconductor substrate 30 before the first step. It is the process of performing surface treatment to become.

前処理工程を有する場合、第１工程では、算術平均粗さ（Ｒａ）が０．０１μｍ以上、好ましくは０．１μｍ以上である第１の面上に、ＩＩＩ族窒化物半導体の層を形成することとなる。かかる場合、多結晶のＩＩＩ族窒化物半導体の層が形成されやすくなるが、ＩＩＩ族窒化物半導体の層の形成速度が速くなり、生産効率が向上する。そして、本発明者は、このような手段により第１の面上にＩＩＩ族窒化物半導体の層を形成した場合においても、貫通孔２０内の少なくとも一部を埋設し、貫通孔２０を塞ぐ充填材４０が形成されることを確認している。 When the pretreatment step is included, in the first step, a group III nitride semiconductor layer is formed on the first surface having an arithmetic average roughness (Ra) of 0.01 μm or more, preferably 0.1 μm or more. It will be. In such a case, a polycrystalline group III nitride semiconductor layer is likely to be formed, but the group III nitride semiconductor layer is formed at a higher rate and production efficiency is improved. And even when the group III nitride semiconductor layer is formed on the first surface by such means, the present inventor embeds at least a part of the through hole 20 to fill the through hole 20. It is confirmed that the material 40 is formed.

なお、算術平均粗さ（Ｒａ）が０．０１μｍ以上、好ましくは０．１μｍ以上となるような表面処理の具体的手段としては、例えば、ダイヤモンドやアルミナ、ＳｉＣ等を用いたラップ研磨や、シリカ等を用いたＣＭＰ、または、スライス、サンドブラスト、研削、エッチング等を採用することができる。 In addition, as specific means for the surface treatment so that the arithmetic average roughness (Ra) is 0.01 μm or more, preferably 0.1 μm or more, for example, lapping using diamond, alumina, SiC or the like, silica Or the like, or slicing, sand blasting, grinding, etching, or the like can be employed.

第２工程は、第１工程の後に、貫通孔２０内のＩＩＩ族窒化物半導体を残し、ＩＩＩ族窒化物半導体３０の第１の面上に形成されたＩＩＩ族窒化物半導体の層を除去する工程である。 In the second step, the group III nitride semiconductor in the through hole 20 is left after the first step, and the group III nitride semiconductor layer formed on the first surface of the group III nitride semiconductor 30 is removed. It is a process.

第２工程の具体的手段は特段制限されないが、例えば、ダイヤモンドスラリーを用いたラッピングにより、ＩＩＩ族窒化物半導体３０の第１の面上に形成されたＩＩＩ族窒化物半導体の層を除去してもよい。 The specific means of the second step is not particularly limited. For example, the group III nitride semiconductor layer formed on the first surface of the group III nitride semiconductor 30 is removed by lapping using diamond slurry. Also good.

以上説明した本実施形態のＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法によれば、貫通孔２０を充填材４０で塞ぐことができるので、ＩＩＩ族窒化物半導体基板１０上に滴下した液体（例：レジスト液）が貫通孔２０を介して漏れてしまったり、または、ＩＩＩ族窒化物半導体基板１０を真空吸着する際に不具合が生じたりする不都合を抑制することができる。 According to the method for manufacturing a group III nitride semiconductor substrate of the present embodiment described above, the through hole 20 can be closed with the filler 40, so that the liquid dropped onto the group III nitride semiconductor substrate 10 (example: resist) Liquid) leaks through the through-hole 20, or inconveniences that occur when the group III nitride semiconductor substrate 10 is vacuum-adsorbed can be suppressed.

また、本実施形態のＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法によれば、貫通孔２０を塞ぐ充填材４０が組成一様のＩＩＩ族窒化物半導体で構成されているので、特許文献１に記載の技術のように、金属汚染等の新たな問題が発生することがない。 In addition, according to the method for manufacturing a group III nitride semiconductor substrate of the present embodiment, the filler 40 that closes the through hole 20 is formed of a group III nitride semiconductor having a uniform composition. Unlike technology, new problems such as metal contamination do not occur.

すなわち、本実施形態のＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法によれば、ＩＩＩ族窒化物半導体で構成される自立基板の生産歩留まりを改善することができる。 That is, according to the method for manufacturing a group III nitride semiconductor substrate of the present embodiment, the production yield of a self-standing substrate made of a group III nitride semiconductor can be improved.

また、特許文献１に記載の技術の場合、顕微鏡を使用して貫通ピットおよび／または貫通クラックを有するＧａＮ自立基板の表面を観察しながら液体状態のガリウムを貫通ピットおよび／または貫通クラック内に注入する必要があるため非常に手間である。これに対し、本実施形態のＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法は、特許文献１に記載の技術のように、顕微鏡を使用して貫通ピットおよび／または貫通クラックを有するＧａＮ自立基板の表面を観察しながら液体状態のガリウムを貫通ピットおよび／または貫通クラック内に注入する等の作業を行う必要がないため、作業性に優れる。 In the case of the technique described in Patent Document 1, liquid gallium is injected into the through pits and / or through cracks while observing the surface of the GaN free-standing substrate having through pits and / or through cracks using a microscope. It is very troublesome because it needs to be done. On the other hand, in the method for manufacturing a group III nitride semiconductor substrate of the present embodiment, the surface of a GaN free-standing substrate having through pits and / or through cracks using a microscope as in the technique described in Patent Document 1 is used. Since it is not necessary to perform operations such as injecting liquid gallium into the through pits and / or through cracks while observing, the workability is excellent.

以下、実施例によって本発明を具体的に説明する。なお、本発明は、以下で説明する実施例に限定されない。 Hereinafter, the present invention will be described specifically by way of examples. In addition, this invention is not limited to the Example demonstrated below.

＜実施例１＞
本実施例では、図２に示した構造の装置を用いたＨＶＰＥ法により、ＧａＮ基板に形成された貫通ピットの穴埋めを行った。 <Example 1>
In this example, the through pits formed in the GaN substrate were filled by the HVPE method using the apparatus having the structure shown in FIG.

＜ＧａＮ基板＞
直径５μｍ以上２ｍｍ以下の貫通ピットが形成されているＧａＮ基板を準備した。ＧａＮ基板は、直径２インチの円形で、（０００１）Ｇａ面および（０００−１）Ｎ面を有する。 <GaN substrate>
A GaN substrate on which through pits having a diameter of 5 μm or more and 2 mm or less were formed was prepared. The GaN substrate is circular with a diameter of 2 inches, and has a (0001) Ga face and a (000-1) N face.

＜前処理＞
上記ＧａＮ基板を研磨した。具体的には、まず、セラミック円盤上にワックスを用いてＧａＮ基板を接着保持した。また、片面ラッピング装置に鋳物定盤を取り付け、粒径１０μｍ以上２０μｍ以下のダイヤモンドスラリーを滴下した。 <Pretreatment>
The GaN substrate was polished. Specifically, first, a GaN substrate was bonded and held on a ceramic disk using wax. Moreover, the casting surface plate was attached to the single-sided lapping apparatus, and the diamond slurry with a particle size of 10 micrometers or more and 20 micrometers or less was dripped.

次いで、セラミック円盤上に保持したＧａＮ基板を鋳物定盤上に装填した後、セラミック円盤上へ所定の錘を乗せ、面圧を１００ｇ／ｃｍ^２に調整した。そして、鋳物定盤を２０ｒｐｍにて回転させ、１時間研磨を行った。当該処理をＧａ面およびＮ面両方に行い、算術平均粗さＲａ＝０．１μｍ程度の研磨面を得た。 Next, after the GaN substrate held on the ceramic disk was loaded on the casting surface plate, a predetermined weight was placed on the ceramic disk, and the surface pressure was adjusted to 100 g / cm ² . Then, the casting surface plate was rotated at 20 rpm and polished for 1 hour. The said process was performed to both Ga surface and N surface, and the grinding | polishing surface of arithmetic mean roughness Ra = about 0.1 micrometer was obtained.

＜充填材の形成＞
次に、高純度ガリウムをＨＶＰＥ装置の石英製Ｇａソースボートの中に充填し、Ｇａソースボートを石英製リアクター内の所定位置に配置した。なお、以下の説明において、ガスの供給量の単位としては、標準状態に換算した単位である「ｓｃｃｍ」を使用する。 <Formation of filler>
Next, high purity gallium was filled in a quartz Ga source boat of the HVPE apparatus, and the Ga source boat was placed at a predetermined position in the quartz reactor. In the following description, “sccm”, which is a unit converted to a standard state, is used as a unit of the gas supply amount.

次に、上記前処理後のＧａＮ基板をＨＶＰＥ装置のホルダー上に配置し、回転させた。そして、Ｎ_２ガスをリアクター内に供給してリアクター内の空気を置換した後、Ｎ_２ガスの供給を止め、Ｈ_２ガスに切り替え、Ｈ_２ガスを１００００ｓｃｃｍでリアクター内に供給した。そして、ヒータによってリアクターを加熱した。ここでの加熱方法は、リアクターの外壁をヒータにより加熱するいわゆるホットウォール法を利用した。 Next, the GaN substrate after the pretreatment was placed on a holder of an HVPE apparatus and rotated. Then, after replacing the air in the reactor by supplying _{N 2} gas into the reactor to stop the supply of the _{N 2} gas is switched to _{H 2} gas was fed into the reactor and _{H 2} gas at 10000 sccm. And the reactor was heated with the heater. As the heating method here, a so-called hot wall method in which the outer wall of the reactor is heated by a heater was used.

次に、ＧａＮ基板が熱により分解しないよう、リアクター温度が４００℃以上になったら、リアクター内にＮＨ_３を２０００ｓｃｃｍで供給した。そして、成長部リアクターの温度が１０５０℃、Ｇａソースボートの温度が８００℃に達した後、Ｇａソースボート上に２００ｓｃｃｍでＨＣｌガスを供給することでＧａＣｌを生成し、これをＧａＮ基板上のＧａ面に供給して、気相成長を開始した。 Next, NH ₃ was supplied at 2000 sccm into the reactor when the reactor temperature reached 400 ° C. or higher so that the GaN substrate was not decomposed by heat. After the growth reactor temperature reaches 1050 ° C. and the Ga source boat temperature reaches 800 ° C., HCl gas is supplied onto the Ga source boat at 200 sccm to generate GaCl. Vapor growth was started by supplying to the surface.

そして、気相成長から１時間後、Ｇａボートに供給していたＨＣｌを停止することで、気相成長を停止させた。また、ヒータを停止し、リアクター内を室温まで冷却した。この時、ＧａＮの分解を抑制するため、成長部リアクター温度が４００℃以下になるまで、２０００ｓｃｃｍでＧａＮ基板上にＮＨ_３を供給した。 And 1 hour after the vapor phase growth, the vapor phase growth was stopped by stopping HCl supplied to the Ga boat. Moreover, the heater was stopped and the inside of the reactor was cooled to room temperature. At this time, in order to suppress the decomposition of GaN, NH ₃ was supplied onto the GaN substrate at 2000 sccm until the growth portion reactor temperature became 400 ° C. or lower.

そして、リアクター温度が１００℃以下になると、Ｈ_２ガスの供給を止めるとともに、Ｎ_２ガスをリアクター内に供給して、リアクター内のＨ_２ガスをＮ_２ガスで置換した。この時、Ｎ_２ガスを１００００ｓｃｃｍで供給した。 When the reactor temperature became 100 ° C. or lower, the supply of H ₂ gas was stopped, N ₂ gas was supplied into the reactor, and the H ₂ gas in the reactor was replaced with N ₂ gas. At this time, N ₂ gas was supplied at 10,000 sccm.

置換完了後、ＧａＮ基板を取り出して観察すると、貫通ピット内に組成一様の多結晶ＧａＮが充填され、貫通ピットが塞がれていた。 When the GaN substrate was taken out and observed after the substitution was completed, the through pits were filled with polycrystalline GaN having a uniform composition, and the through pits were blocked.

＜後処理＞
次いで、上記貫通ピットが塞がれたＧａＮ基板を研磨した。具体的には、まず、セラミック円盤上にワックスを用いてＧａＮ基板を接着保持した。また、片面ラッピング装置に鋳物定盤を取り付け、粒径１μｍ以上２μｍ以下のダイヤモンドスラリーを滴下した。 <Post-processing>
Next, the GaN substrate with the through pits blocked was polished. Specifically, first, a GaN substrate was bonded and held on a ceramic disk using wax. Moreover, the casting surface plate was attached to the single-sided lapping apparatus, and the diamond slurry with a particle size of 1 micrometer or more and 2 micrometers or less was dripped.

次いで、セラミック円盤上に保持したＧａＮ基板を鋳物定盤上に装填した後、セラミック円盤上へ所定の錘を乗せ、面圧を２００ｇ／ｃｍ^２に調整した。そして、鋳物定盤を１００ｒｐｍにて回転させ、１時間研磨を行った。当該処理をＧａ面およびＮ面両方に行い、Ｒａ＝０．５ｎｍ程度の研磨面を得た。 Next, after the GaN substrate held on the ceramic disk was loaded on the casting surface plate, a predetermined weight was placed on the ceramic disk, and the surface pressure was adjusted to 200 g / cm ² . Then, the casting surface plate was rotated at 100 rpm and polished for 1 hour. The said process was performed to both Ga surface and N surface, and the grinding | polishing surface about Ra = 0.5nm was obtained.

上記処理後、ＧａＮ基板を観察すると、貫通ピット内に組成一様の多結晶ＧａＮが充填され、貫通ピットが塞がれていた。 When the GaN substrate was observed after the above treatment, the through pits were filled with polycrystalline GaN having a uniform composition, and the through pits were blocked.

＜実施例２＞
本実施例では、実施例１の「充填材の形成」工程における、「成長部リアクターの温度が１０５０℃、Ｇａソースボートの温度が８００℃に達した後、Ｇａソースボート上に２００ｓｃｃｍでＨＣｌガスを供給することでＧａＣｌを生成し、これをＧａＮ基板上のＧａ面に供給して、気相成長を開始した。」処理を、「成長部リアクターの温度が８００℃、Ｇａソースボートの温度が８００℃に達した後、Ｇａソースボート上に２００ｓｃｃｍでＨＣｌガスを供給することでＧａＣｌを生成し、これをＧａＮ基板上のＧａ面に供給して、気相成長を開始した。」処理に変更した点以外は、実施例１と同様にした。 <Example 2>
In this example, in the “filler formation” step of Example 1, “the growth portion reactor temperature reached 1050 ° C. and the Ga source boat temperature reached 800 ° C., and then the HCl gas was formed on the Ga source boat at 200 sccm. To generate GaCl and supply it to the Ga surface on the GaN substrate to start vapor phase growth. ”The process is performed with the temperature of the growth reactor being 800 ° C. and the temperature of the Ga source boat being After reaching 800 ° C., HCl gas was supplied onto the Ga source boat at 200 sccm to generate GaCl, which was supplied to the Ga surface on the GaN substrate, and vapor phase growth was started. Except the point which carried out, it carried out similarly to Example 1. FIG.

本実施例においても、「充填材の形成」工程の後、ＧａＮ基板を観察すると、貫通ピット内に組成一様の多結晶ＧａＮが充填され、貫通ピットが塞がれていた。 Also in this example, when the GaN substrate was observed after the “filler formation” step, the through pits were filled with polycrystalline GaN having a uniform composition, and the through pits were blocked.

また、「後処理」工程後、ＧａＮ基板を観察すると、貫通ピット内に組成一様の多結晶ＧａＮが充填され、貫通ピットが塞がれていた。 Further, when the GaN substrate was observed after the “post treatment” step, the through pits were filled with polycrystalline GaN having a uniform composition, and the through pits were blocked.

＜実施例３＞
本実施例では、実施例１の「充填材の形成」工程における、「Ｈ_２ガスを１００００ｓｃｃｍでリアクター内に供給しながら、ヒータによってリアクターを加熱し、リアクター温度が４００℃以上になったら、リアクター内にＮＨ_３を２０００ｓｃｃｍで供給した。そして、成長部リアクターの温度が１０５０℃、Ｇａソースボートの温度が８００℃に達した後、Ｇａソースボート上に２００ｓｃｃｍでＨＣｌガスを供給することでＧａＣｌを生成し、これをＧａＮ基板上のＧａ面に供給して、気相成長を開始した。」処理を、「Ｈ_２ガスを１００００ｓｃｃｍでリアクター内に供給しながら、ヒータによってリアクターを加熱し、リアクター温度が４００℃以上になったら、リアクター内にＮＨ_３を１００００ｓｃｃｍで供給した。そして、成長部リアクターの温度が１０５０℃、Ｇａソースボートの温度が８００℃に達した後、Ｇａソースボート上に１５００ｓｃｃｍでＨＣｌガスを供給することでＧａＣｌを生成し、これをＧａＮ基板上のＧａ面に供給して、気相成長を開始した。」処理に変更した点以外は、実施例１と同様にした。 <Example 3>
In this example, in the “filler formation” step of Example 1, while “H ₂ gas was supplied into the reactor at 10,000 sccm, the reactor was heated by the heater, and when the reactor temperature reached 400 ° C. or higher, the reactor NH ₃ was supplied at 2000 sccm, and after the temperature of the growth reactor reached 1050 ° C. and the temperature of the Ga source boat reached 800 ° C., HCl gas was supplied onto the Ga source boat at 200 sccm to supply GaCl. Was generated and supplied to the Ga surface on the GaN substrate to start vapor phase growth. ”The treatment was performed while the reactor was heated by the heater while supplying the H ₂ gas into the reactor at 10,000 sccm. When the temperature reached 400 ° C. or higher, NH ₃ was supplied into the reactor at 10,000 sccm. Then, after the temperature of the growth reactor reaches 1050 ° C. and the temperature of the Ga source boat reaches 800 ° C., HCl gas is supplied onto the Ga source boat at 1500 sccm to generate GaCl. The same as Example 1 except that the vapor phase growth was started. "

上記実施例により、本発明によれば、ＧａＮ基板に形成された貫通ピットを、金属汚染等の新たな問題が発生することなく、多結晶ＧａＮで構成された充填材で塞ぐことが可能であることが示された。 According to the above embodiment, according to the present invention, it is possible to close the through pit formed in the GaN substrate with the filler made of polycrystalline GaN without causing new problems such as metal contamination. It was shown that.

すなわち、本発明によれば、ＩＩＩ族窒化物半導体で構成される自立基板の生産歩留まりを改善することができる。 That is, according to the present invention, it is possible to improve the production yield of a free-standing substrate composed of a group III nitride semiconductor.

ここで、上記実施例ではＧａ面にＧａＮを気相成長させたが、Ｎ面にＧａＮを気相成長させることも可能である。しかし、Ｇａ面にＧａＮを気相成長させた方が、貫通ピット内にＧａＮが充填されやすいことを本発明者は確認している。 In this embodiment, GaN is vapor-grown on the Ga surface, but GaN can be vapor-grown on the N surface. However, the present inventor has confirmed that vapor deposition of GaN on the Ga surface facilitates filling of the through pits with GaN.

なお、本発明者は、ＧａＮ基板に形成された貫通ピットの他、貫通クラックについても同様の作用効果が得られることを確認している。また、ＧａＮ基板以外のＩＩＩ族窒化物半導体基板に形成された貫通ピットおよび貫通クラックについても、同様の作用効果が得られることを確認している。さらに、ＨＶＰＥ法の他、上述の他の手段を用いて、ＩＩＩ族窒化物半導体の層を形成した場合においても、同様の作用効果が得られることを確認している。 The present inventor has confirmed that the same effect can be obtained for the through cracks in addition to the through pits formed in the GaN substrate. In addition, it has been confirmed that similar effects can be obtained with respect to the through pits and the through cracks formed in the group III nitride semiconductor substrate other than the GaN substrate. Furthermore, in addition to the HVPE method, it has been confirmed that similar effects can be obtained even when the group III nitride semiconductor layer is formed using the other means described above.

１０ＩＩＩ族窒化物半導体基板
２０貫通孔
３０ＩＩＩ族窒化物半導体基板
４０充填材 10 Group III nitride semiconductor substrate 20 Through hole 30 Group III nitride semiconductor substrate 40 Filler

Claims

Group III nitride semiconductor (Al _x Ga _1-xy In _y N (0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1, 0 ≦ x + y ≦ 1)) having a through-hole penetrating from the front surface to the back surface of the substrate A configured substrate; and
A filler composed of a group III nitride semiconductor of uniform composition, filled in the through-hole and plugging the through-hole;
A group III nitride semiconductor substrate having:

The group III nitride semiconductor substrate according to claim 1,
The filler is a group III nitride semiconductor substrate composed of a polycrystalline group III nitride semiconductor.

Group III nitride semiconductor (Al _x Ga _1-xy In _y N (0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1, 0 ≦ x + y ≦ 1)) having a through-hole penetrating from the front surface to the back surface of the substrate Preparing a substrate to be constructed; and
A step of burying a filler composed of a group III nitride semiconductor of uniform composition inside the through hole, and closing the through hole;
A method for producing a group III nitride semiconductor substrate having:

In the manufacturing method of the group III nitride semiconductor substrate according to claim 3,
The step of closing the through hole includes:
By forming a group III nitride semiconductor layer of uniform composition on the first surface of the substrate composed of the group III nitride semiconductor, at least part of the through hole is embedded, and the through hole is formed. A method for manufacturing a group III nitride semiconductor substrate, comprising a first step of closing a hole.

In the manufacturing method of the group III nitride semiconductor substrate according to claim 4,
The step of closing the through hole includes:
A III-nitride semiconductor substrate further comprising a pretreatment step of performing a surface treatment on the first surface so that an arithmetic average roughness (Ra) is 0.01 μm or more before the first step. Production method.

In the manufacturing method of the group III nitride semiconductor substrate according to claim 4 or 5,
In the first step, the group III nitride semiconductor substrate is formed by forming a group III nitride semiconductor layer under a temperature condition of 400 ° C. or higher and 800 ° C. or lower.

In the manufacturing method of the group III nitride semiconductor substrate according to any one of claims 4 to 6,
The step of closing the through hole includes:
After the first step, the group III nitridation further includes a second step of removing the group III nitride semiconductor layer formed on the first surface while leaving the group III nitride semiconductor in the through hole. Method for manufacturing a semiconductor substrate.