JP2012056239A - Piezoelectric laminate and method of manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a piezoelectric laminate excellent in adhesiveness with another layer while maintaining high piezoelectricity of polylactic acid resin.SOLUTION: The piezoelectric laminate includes an A layer containing the polylactic acid resin, and a B layer containing an unsaturated carboxylic acid polymer whose one surface is in contact with a surface of the A layer. The ratio of the number of C(=O)-O groups to the number of C(=O)-O-C groups ((the number of C(=O)-O groups)/(the number of C(=O)-O-C groups)) obtained by waveform analysis from a carbon 1s spectrum obtained by measuring a surface of the B layer by an X-ray photoelectron spectroscopy is at least 1.4 to 5.0.

Description

本発明は、圧電性積層体及びその製造方法に関する。   The present invention relates to a piezoelectric laminate and a method for manufacturing the same.

近年、圧電性材料として、ポリペプチドやポリ乳酸等の、光学活性を有する高分子(光学活性高分子)を用いることが着目されている。光学活性高分子は、機械的な延伸操作のみで圧電性が発現することが知られている。
光学活性高分子の中でも、ポリ乳酸のような高分子結晶の圧電性は、螺旋軸方向に存在するC=O結合の永久双極子に起因する。特にポリ乳酸は、主鎖に対する側鎖の体積分率が小さく、体積あたりの永久双極子の割合が大きく、ヘリカルキラリティをもつ高分子の中でも理想的な高分子といえる。
延伸処理のみで圧電性を発現するポリ乳酸は、ポーリング処理が不要で、圧電率は数年にわたり減少しないことが知られている。
以上のように、ポリ乳酸には種々の圧電特性があるため、種々のポリ乳酸を用いた高分子圧電性材料が検討されている。
In recent years, attention has been focused on using optically active polymers (optically active polymers) such as polypeptides and polylactic acids as piezoelectric materials. It is known that an optically active polymer exhibits piezoelectricity only by a mechanical stretching operation.
Among optically active polymers, the piezoelectricity of polymer crystals such as polylactic acid is due to C = O bond permanent dipoles present in the direction of the helical axis. In particular, polylactic acid has a small volume fraction of side chains with respect to the main chain and a large ratio of permanent dipoles per volume, and can be said to be an ideal polymer among the polymers having helical chirality.
It is known that polylactic acid that exhibits piezoelectricity only by stretching treatment does not require poling treatment and the piezoelectricity does not decrease over several years.
As described above, since polylactic acid has various piezoelectric properties, polymer piezoelectric materials using various polylactic acids have been studied.

ところでポリ乳酸は、その生分解性等に着目し、圧電性材料以外にも、化粧シート、表示装置用光学シート、包装フィルム等、種々の用途に広く用いられている。
用途に関わらず、一般にポリ乳酸は、ポリ乳酸を含む層と他の層とを含む積層体の形態で用いられることがある。この際、ポリ乳酸を含む層と他の層との接着性が悪い場合があり、接着性を改善するために、様々な検討が行われている。
By the way, polylactic acid pays attention to its biodegradability and the like, and is widely used for various uses such as a decorative sheet, an optical sheet for a display device, and a packaging film, in addition to the piezoelectric material.
Regardless of the application, polylactic acid is generally used in the form of a laminate including a layer containing polylactic acid and another layer. At this time, the adhesion between the polylactic acid-containing layer and other layers may be poor, and various studies have been made to improve the adhesion.

例えば、化粧用シートとしてのポリ乳酸樹脂層/接着層/透明無機薄膜層の構成の積層体において、ポリ乳酸樹脂層と他の層との接着性向上の観点から、ポリ乳酸樹脂からなる基材層表面に、コロナ処理やオゾン処理等の表面活性化処理を施すことが知られている(例えば、特許文献1参照)。
また、化粧用シートとしてのポリエステル層/ポリ乳酸樹脂層/ポリエステル層の積層体において、経時でも安定かつ強固な接着力が得られる方法として、ポリエステル層に予め不飽和カルボン酸をグラフト重合させておく方法が知られている(例えば、特許文献2参照)。
一方、プラズマディスプレイ用光学シートとして、ポリ乳酸系樹脂及びアクリル系樹脂を含む樹脂組成物からなる層/酸化亜鉛系透明導電膜層の構成の積層体や、ポリ乳酸系樹脂及びアクリル系樹脂を含む樹脂組成物からなる層/ハードコート層/酸化亜鉛系透明導電膜層の構成の積層体が知られている(例えば、特許文献3、4参照)。これらの積層体では、ポリ乳酸系樹脂及びアクリル系樹脂を樹脂組成物を用いることで、該樹脂組成物からなる層と酸化亜鉛系透明導電膜層又はハードコート層との密着性が向上するとされている。
For example, in a laminate of a polylactic acid resin layer / adhesive layer / transparent inorganic thin film layer as a cosmetic sheet, a substrate made of a polylactic acid resin from the viewpoint of improving the adhesion between the polylactic acid resin layer and other layers It is known that the surface of the layer is subjected to surface activation treatment such as corona treatment or ozone treatment (for example, see Patent Document 1).
In addition, in a laminate of a polyester layer / polylactic acid resin layer / polyester layer as a cosmetic sheet, an unsaturated carboxylic acid is graft-polymerized in advance on the polyester layer as a method for obtaining a stable and strong adhesive force over time. A method is known (see, for example, Patent Document 2).
On the other hand, as an optical sheet for plasma display, a laminate composed of a resin composition containing a polylactic acid resin and an acrylic resin / a zinc oxide-based transparent conductive film layer, a polylactic acid resin, and an acrylic resin are included. A laminate of a resin composition layer / hard coat layer / zinc oxide-based transparent conductive film layer is known (see, for example, Patent Documents 3 and 4). In these laminates, the use of a resin composition of a polylactic acid resin and an acrylic resin improves adhesion between the resin composition layer and the zinc oxide-based transparent conductive film layer or hard coat layer. ing.

特開2009−196288号公報JP 2009-196288 A 特開2010−52335号公報JP 2010-52335 A 特開2008−103104号公報JP 2008-103104 A 特開2008−100368号公報JP 2008-1003008 A

しかしながら、圧電性材料として、ポリ乳酸系樹脂を含む層と他の層とを含む積層体を用いる場合、圧電性と接着性との両立が困難な場合がある。
例えば、コロナ処理やオゾン処理等の通常の表面活性化処理では、十分な接着性が得られないことや、ポリ乳酸系樹脂の分解により圧電性が低下することがある。
また、ポリ乳酸系樹脂に対し不飽和カルボン酸をグラフト重合させる方法では、ポリ乳酸系樹脂の分子鎖の螺旋構造が乱れ、圧電性が低下することがある。
また、特許文献3及び4に記載されているような、ポリ乳酸系樹脂及びアクリル系樹脂を含む樹脂組成物を用いる方法では、ヘリカルキラリティを有するポリ乳酸系樹脂に対しヘリカルキラリティを有さないアクリル系樹脂を添加することで、ポリ乳酸系樹脂の分子鎖の螺旋構造が乱れ、圧電性が低下する恐れがある。
However, when a laminated body including a layer containing a polylactic acid resin and another layer is used as the piezoelectric material, it may be difficult to achieve both piezoelectricity and adhesiveness.
For example, in a normal surface activation treatment such as corona treatment or ozone treatment, sufficient adhesiveness may not be obtained, and piezoelectricity may decrease due to decomposition of the polylactic acid resin.
Further, in the method of graft polymerization of unsaturated carboxylic acid to polylactic acid resin, the helical structure of the molecular chain of polylactic acid resin is disturbed, and the piezoelectricity may be lowered.
Further, in the method using a resin composition containing a polylactic acid resin and an acrylic resin as described in Patent Documents 3 and 4, an acrylic resin having no helical chirality with respect to a polylactic acid resin having helical chirality is used. By adding a resin, the helical structure of the molecular chain of the polylactic acid resin may be disturbed and the piezoelectricity may be lowered.

本発明は上記に鑑みなされたものであり、以下の目的を達成することを課題とする。
即ち、本発明の目的は、ポリ乳酸系樹脂の高い圧電性を維持したまま、他の層との接着性に優れる圧電性積層体を提供することである。
また、本発明の目的は、ポリ乳酸系樹脂の高い圧電性を維持したまま、他の層との接着性に優れた圧電性積層体の製造方法を提供することである。
This invention is made | formed in view of the above, and makes it a subject to achieve the following objectives.
That is, an object of the present invention is to provide a piezoelectric laminate having excellent adhesion to other layers while maintaining the high piezoelectricity of the polylactic acid resin.
Moreover, the objective of this invention is providing the manufacturing method of the piezoelectric laminated body excellent in adhesiveness with another layer, maintaining the high piezoelectricity of polylactic acid-type resin.

前記課題を解決するための具体的手段は以下のとおりである。
<1> ポリ乳酸系樹脂を含むA層と、一方の面で前記A層の表面に接する不飽和カルボン酸重合体を含むB層と、を有し、
前記B層の表面をX線光電子分光法により測定して得られた炭素1sスペクトルから波形解析により求められた、C(=O)−O−C基の数に対するC(=O)−Oの数の比率〔(C(=O)−Oの数)/(C(=O)−O−C基の数)〕が1.4以上5.0以下である圧電性積層体。
Specific means for solving the above-described problems are as follows.
<1> A layer containing a polylactic acid-based resin, and B layer containing an unsaturated carboxylic acid polymer in contact with the surface of the A layer on one side,
The number of C (= O) -O with respect to the number of C (= O) -O-C groups determined by waveform analysis from the carbon 1s spectrum obtained by measuring the surface of the B layer by X-ray photoelectron spectroscopy. A piezoelectric laminate having a number ratio [(C (= O) -O number) / (C (= O) -O-C group number)] of 1.4 or more and 5.0 or less.

<2> 前記A層は、25℃における圧電定数d14が1pC/N〜30pC/Nである<1>に記載の圧電性積層体。
<3> 前記B層の膜厚が、2nm以上70nm以下である<1>又は<2>に記載の圧電性積層体。
<4> 更に、前記B層の他方の面に接するC層を有する<1>〜<3>のいずれか1項に記載の圧電性積層体。
<2> the A layer, the piezoelectric laminate according to <1> piezoelectric constant d 14 is 1pC / N~30pC / N at 25 ° C..
<3> The piezoelectric laminate according to <1> or <2>, wherein the film thickness of the B layer is 2 nm or more and 70 nm or less.
<4> The piezoelectric laminate according to any one of <1> to <3>, further including a C layer in contact with the other surface of the B layer.

<5> 前記不飽和カルボン酸重合体がアクリル酸重合体である<1>〜<4>のいずれか1項に記載の圧電性積層体。
<6> 前記B層が、前記A層の前記表面に対して、不飽和カルボン酸を含む不活性ガスを用いて大気圧近傍の圧力下でプラズマ処理を行うことにより形成された層である<1>〜<5>のいずれか1項に記載の圧電性積層体。
<5> The piezoelectric laminate according to any one of <1> to <4>, wherein the unsaturated carboxylic acid polymer is an acrylic acid polymer.
<6> The layer B is a layer formed by performing plasma treatment on the surface of the layer A using an inert gas containing an unsaturated carboxylic acid under a pressure near atmospheric pressure < The piezoelectric laminate according to any one of 1> to <5>.

<7> 前記C層が、酸化金属化合物を含む<4>〜<6>のいずれか1項に記載の圧電性積層体。
<8> 前記酸化金属化合物が、酸化亜鉛(ZnO)、酸化インジウムスズ(ITO)、及び酸化インジウム亜鉛(IZO)からなる群から選ばれる少なくとも1種を含む<7>に記載の圧電性積層体。
<7> The piezoelectric laminate according to any one of <4> to <6>, wherein the C layer includes a metal oxide compound.
<8> The piezoelectric laminate according to <7>, wherein the metal oxide compound includes at least one selected from the group consisting of zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO). .

<9> <1>〜<8>のいずれか1項に記載の圧電性積層体を製造する方法であって、
ポリ乳酸系樹脂を含むA層を準備する工程と、
前記A層の表面に対し、不飽和カルボン酸を含んだ不活性ガスを用いて大気圧近傍の圧力下でプラズマ処理を行うことにより、前記A層表面に不飽和カルボン酸重合体を含むB層を形成する工程と、
形成された前記B層を溶媒を用いて洗浄する工程と、
を有する圧電性積層体の製造方法。
<10> 更に、前記B層を洗浄する工程の後、前記B層の表面に、蒸着により酸化金属化合物を含むC層を形成する工程を有する<9>に記載の圧電性積層体の製造方法。
<9> A method for producing the piezoelectric laminate according to any one of <1> to <8>,
Preparing a layer A containing a polylactic acid resin;
A layer B containing an unsaturated carboxylic acid polymer on the surface of the layer A by performing a plasma treatment on the surface of the layer A using an inert gas containing an unsaturated carboxylic acid under a pressure near atmospheric pressure. Forming a step;
Washing the formed B layer with a solvent;
The manufacturing method of the piezoelectric laminated body which has this.
<10> The method for producing a piezoelectric laminate according to <9>, further comprising a step of forming a C layer containing a metal oxide compound by vapor deposition on the surface of the B layer after the step of cleaning the B layer. .

本発明によれば、ポリ乳酸系樹脂の高い圧電性を維持したまま、他の層との接着性に優れる圧電性積層体を提供することができる。
また、本発明によれば、ポリ乳酸系樹脂の高い圧電性を維持したまま、他の層との接着性に優れる圧電性積層体の製造方法を提供することができる。
ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the piezoelectric laminated body excellent in adhesiveness with another layer can be provided, maintaining the high piezoelectricity of polylactic acid-type resin.
Moreover, according to this invention, the manufacturing method of the piezoelectric laminated body which is excellent in adhesiveness with another layer can be provided, maintaining the high piezoelectricity of polylactic acid-type resin.

本実施形態において用いられるプラズマ処理装置の一例を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows an example of the plasma processing apparatus used in this embodiment.

≪圧電性積層体≫
本発明の圧電性積層体は、ポリ乳酸系樹脂を含むA層と、一方の面で前記A層の表面に接する不飽和カルボン酸重合体を含むB層と、を有し、前記B層の表面をX線光電子分光法により測定して得られた炭素1sスペクトルから波形解析により求められた、C(=O)−O−C基の数に対するC(=O)−O基の数の比率〔(C(=O)−O基の数)/(C(=O)−O−C基の数)〕が1.4以上5.0以下である。
本発明においては、前記比率〔(C(=O)−O基の数)/(C(=O)−O−C基の数)〕を、「[C(=O)−O]/[C(=O)−O−C]」と表記することがある。
≪Piezoelectric laminate≫
The piezoelectric laminate of the present invention has an A layer containing a polylactic acid-based resin, and a B layer containing an unsaturated carboxylic acid polymer in contact with the surface of the A layer on one side. The ratio of the number of C (= O) -O groups to the number of C (= O) -O-C groups obtained by waveform analysis from the carbon 1s spectrum obtained by measuring the surface by X-ray photoelectron spectroscopy. [(Number of C (= O) -O groups) / (number of C (= O) -O-C groups)] is 1.4 or more and 5.0 or less.
In the present invention, the ratio [(the number of C (═O) —O groups) / (the number of C (═O) —O—C groups)] is expressed as “[C (═O) —O] / [ C (= O) -O-C] ".

本発明の圧電性積層体によれば、ポリ乳酸系樹脂を含むA層上に、接着層として、不飽和カルボン酸重合体を含む特定のB層を設けた上記構成により、B層上に設けられる他の層との接着性を向上させることができる。
また、本発明の圧電性積層体によれば、従来の接着性向上処理(例えば、コロナ処理やオゾン処理等の表面活性化処理、ポリ乳酸系樹脂に対し不飽和カルボン酸をグラフト重合させる処理、又はポリ乳酸系樹脂にアクリル系樹脂を混ぜる処理)と比較して、ポリ乳酸系樹脂の圧電性の低下を抑制できる。
According to the piezoelectric laminate of the present invention, a specific B layer containing an unsaturated carboxylic acid polymer is provided as an adhesive layer on an A layer containing a polylactic acid-based resin. Adhesiveness with other layers can be improved.
Further, according to the piezoelectric laminate of the present invention, conventional adhesion improving treatment (for example, surface activation treatment such as corona treatment or ozone treatment, treatment of graft polymerization of unsaturated carboxylic acid to polylactic acid resin, Or, compared with the process of mixing an acrylic resin with a polylactic acid resin, it is possible to suppress a decrease in piezoelectricity of the polylactic acid resin.

前記比率〔(C(=O)−O基の数)/(C(=O)−O−C基の数)〕は、前記B層の表面(即ち、前記A層と接していない側の面)をX線光電子分光法(X-ray Photoelectron Spectroscopy:XPS(またはElectron Spectroscopy for Chemical Analysis:ESCAとも呼ばれる))により測定して得られた炭素1sスペクトルから、波形解析により求められた比率である。
ここで、C(=O)−O基の数は、前記X線光電子分光法により測定された範囲内における、エステル結合(C(=O)−O−C結合)及びカルボキシル基(C(=O)−OH基)の総数である。
また、C(=O)−O−C基の数は、前記X線光電子分光法により測定された範囲内における、エステル結合(C(=O)−O−C結合)の総数である。
ここで、エステル結合は、主にA層中のポリ乳酸系樹脂に含まれており、カルボキシル基は、主にB層中の不飽和カルボン酸重合体に含まれている。
The ratio [(C (= O) -O group number) / (C (= O) -O-C group number)] is the surface of the B layer (that is, the side not in contact with the A layer). Surface) is a ratio obtained by waveform analysis from a carbon 1s spectrum obtained by measuring by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS (or also called Electron Spectroscopy for Chemical Analysis: ESCA)). .
Here, the number of C (═O) —O groups is within the range measured by the X-ray photoelectron spectroscopy, and ester bonds (C (═O) —O—C bonds) and carboxyl groups (C (= O) -OH groups).
Further, the number of C (═O) —O—C groups is the total number of ester bonds (C (═O) —O—C bonds) within the range measured by the X-ray photoelectron spectroscopy.
Here, the ester bond is mainly contained in the polylactic acid resin in the A layer, and the carboxyl group is mainly contained in the unsaturated carboxylic acid polymer in the B layer.

本発明では、前記比率〔(C(=O)−O基の数)/(C(=O)−O−C基の数)〕が1.4以上5.0以下である。
前記比率〔(C(=O)−O基の数)/(C(=O)−O−C基の数)〕は、他の層(例えば後述するC層)との接着性に寄与する基であるカルボキシル基の量と相関があり、該比率が1.4以上であることにより、他の層との接着性が良好となる。
前記比率〔(C(=O)−O基の数)/(C(=O)−O−C基の数)〕が1.4未満であると、B層中のカルボキシル基の量が少なすぎるため、他の層との接着性が低下する。
一方、前記比率〔(C(=O)−O基の数)/(C(=O)−O−C基の数)〕が5.0を超えると、B層中の不飽和カルボン酸重合体の架橋度が低下し、B層自身が破断する形で、他の層(例えば後述するC層)が剥がれ易くなる。即ち、前記比率〔(C(=O)−O基の数)/(C(=O)−O−C基の数)〕が5.0を超える場合にも、他の層との接着性が低下する。
前記比率〔(C(=O)−O基の数)/(C(=O)−O−C基の数)〕は、他の層との接着性の観点から、1.6以上4.0以下が好ましい。
In the present invention, the ratio [(C (= O) -O group number) / (C (= O) -O-C group number)] is 1.4 or more and 5.0 or less.
The ratio [(the number of C (= O) -O groups) / (the number of C (= O) -O-C groups)] contributes to the adhesion to other layers (for example, a C layer described later). There is a correlation with the amount of the carboxyl group which is a group, and when the ratio is 1.4 or more, the adhesion to other layers becomes good.
When the ratio [(number of C (= O) -O groups) / (number of C (= O) -O-C groups)] is less than 1.4, the amount of carboxyl groups in the B layer is small. Therefore, the adhesiveness with other layers decreases.
On the other hand, when the ratio [(number of C (= O) -O groups) / (number of C (= O) -OC groups)] exceeds 5.0, the weight of unsaturated carboxylic acid in the B layer The cross-linking degree of the coalescence decreases, and the other layer (for example, C layer described later) is easily peeled off in the form that the B layer itself is broken. That is, even when the ratio [(number of C (= O) -O groups) / (number of C (= O) -O-C groups)] exceeds 5.0, adhesion to other layers Decreases.
The ratio [(the number of C (= O) -O groups) / (the number of C (= O) -O-C groups)] is 1.6 or more from the viewpoint of adhesion to other layers. 0 or less is preferable.

本発明において、前記比率〔(C(=O)−O基の数)/(C(=O)−O−C基の数)〕は、以下のようにして求める。
まず、前記B層の表面をX線光電子分光法により測定して得られた炭素1sスペクトルから、波形解析により、全炭素数に対するC(=O)−O基の数の百分率(%)(以下、「[C(=O)−O]/[C]」とも表記する。)を求める。
次に、前記炭素1sスペクトルから、波形解析により、全炭素数に対するC(=O)−O−C基の数の百分率(%)(以下、「[C(=O)−O−C]/[C]」とも表記する。)を求める。
前記「[C(=O)−O]/[C]」を前記「[C(=O)−O−C]/[C]」で割る(除する)ことにより、[C(=O)−O]/[C(=O)−O−C]、即ち、前記比率〔(C(=O)−O基の数)/(C(=O)−O−C基の数)〕を求める。
In the present invention, the ratio [(the number of C (= O) —O groups) / (the number of C (═O) —O—C groups)] is determined as follows.
First, from the carbon 1s spectrum obtained by measuring the surface of the B layer by X-ray photoelectron spectroscopy, the percentage of the number of C (═O) —O groups with respect to the total number of carbons (%) (%) , “[C (= O) −O] / [C]”).
Next, from the carbon 1s spectrum, the percentage of the number of C (═O) —O—C groups relative to the total number of carbons (%) (hereinafter referred to as “[C (═O) —O—C] / [C] ”).
By dividing (dividing) the “[C (═O) —O] / [C]” by the “[C (═O) —O—C] / [C]”, [C (═O) -O] / [C (= O) -O-C], that is, the ratio [(number of C (= O) -O groups) / (number of C (= O) -O-C groups)]. Ask.

本発明において、炭素1sスペクトルの波形解析は以下のようにして行う。
即ち、炭素1sスペクトルを構成する複数のピークのうち、最低エネルギー側(285.0eV)に存在するピークを、C−C結合及びC−H結合の炭素に由来するピークとする。更に、約286.5eVに存在するピークをC−O結合の炭素に由来するピークとし、約287.1eVに存在するピークをC(=O)−O−C結合の右端の炭素に由来するピークとし、約288.0eVに存在するピークをC=O結合の炭素に由来するピークとし、約289.1eVに存在するピークをC(=O)−O結合の炭素に由来するピークとする。
In the present invention, the waveform analysis of the carbon 1s spectrum is performed as follows.
That is, among the plurality of peaks constituting the carbon 1s spectrum, the peak present on the lowest energy side (285.0 eV) is defined as a peak derived from carbon of C—C bond and C—H bond. Furthermore, the peak existing at about 286.5 eV is defined as a peak derived from carbon of C—O bond, and the peak present at about 287.1 eV is peak derived from carbon at the right end of C (═O) —O—C bond. And a peak existing at about 288.0 eV is a peak derived from carbon of C═O bond, and a peak existing at about 289.1 eV is a peak derived from carbon of C (═O) —O bond.

なお、XPSは通常の条件で測定されればよく、たとえば、X線源:単色化AlKα、真空度:1×10−9mbar、出力:16mA−10kVとする。また、波形解析は通常の方法で行えばよく、例えば、得られたスペクトルをカーブフィッティングして上記ピークについてピーク分離し、分離されたピークの面積比を求めることにより行うことができる。 XPS may be measured under normal conditions. For example, X-ray source: monochromatic AlKα, vacuum: 1 × 10 −9 mbar, output: 16 mA-10 kV. The waveform analysis may be performed by a normal method. For example, the obtained spectrum may be curve-fitted to separate the peaks with respect to the peak, and obtain the area ratio of the separated peaks.

<ポリ乳酸系樹脂を含むA層>
本発明の圧電性積層体は、圧電性を有する層として、ポリ乳酸系樹脂を含むA層を有する。
A層の形態に特に制限はなく、たとえばフィルムの形態や基板の形態とすることができる。A層の厚さも特に制限はないが、強度の観点からは、たとえば2μm以上が好ましい。また、加工性の観点からは、2000μm以下が好ましい。
更に、圧電性の観点からは、10μm〜500μmが好ましく、10μm〜300μmがより好ましい。
<A layer containing polylactic acid resin>
The piezoelectric laminate of the present invention has an A layer containing polylactic acid resin as a layer having piezoelectricity.
There is no restriction | limiting in particular in the form of A layer, For example, it can be set as the form of a film, and the form of a board | substrate. The thickness of the A layer is not particularly limited, but is preferably 2 μm or more, for example, from the viewpoint of strength. From the viewpoint of workability, it is preferably 2000 μm or less.
Furthermore, from the viewpoint of piezoelectricity, 10 μm to 500 μm are preferable, and 10 μm to 300 μm are more preferable.

(圧電定数d14
前記A層としては、圧電性等の観点から、25℃における圧電定数d14が1pC/N〜30pC/Nである層が好ましい。
圧電定数d14が1pC/N以上であると、A層の圧電性がより向上する。
圧電定数d14が30pC/N以下であると、A層の柔軟性がより向上する。
本発明において「圧電定数d14」は、圧電率のテンソルの一つであり、延伸した材料の延伸軸方向にずり応力を印加し、ずり応力の方向に分極が生じるときの、単位ずり応力あたりの発生電荷密度を表す。
本発明において「圧電定数d14」は、後述する複素圧電率d14の実数部に相当する。
圧電定数d14の数値が大きいほど圧電性が高いことを表す。
前記A層の圧電定数d14としては、圧電デバイスとして使用する観点からは、5pC/N〜30pC/Nがより好ましく、8pC/N〜30pC/Nが更に好ましい。さらには、10pC/N〜30pC/Nが更に好ましく、12pC/N〜30pC/Nが更に好ましく、15pC/N〜30pC/Nが特に好ましい。
(Piezoelectric constant d 14 )
As the A layer, in view of piezoelectric property such as, preferably a layer piezoelectric constant d 14 is 1pC / N~30pC / N at 25 ° C..
When the piezoelectric constant d 14 is at 1 pC / N or more, piezoelectricity of A layer is further improved.
When the piezoelectric constant d 14 is not more than 30 pC / N, the flexibility of the A layer is further improved.
In the present invention, the “piezoelectric constant d 14 ” is one of the tensors of piezoelectricity, and is applied per unit shear stress when a shear stress is applied in the direction of the stretching axis of the stretched material and polarization occurs in the direction of the shear stress. Represents the generated charge density.
"Piezoelectric constant d 14" in the present invention corresponds to the real part of the complex piezoelectric constant d 14 to be described later.
Numerical piezoelectric constant d 14 indicating that piezoelectricity is higher the larger.
As the piezoelectric constant d 14 of the A layer, from the viewpoint of use as a piezoelectric device, more preferably 5pC / N~30pC / N, more preferably 8pC / N~30pC / N. Furthermore, 10 pC / N to 30 pC / N are more preferable, 12 pC / N to 30 pC / N are further preferable, and 15 pC / N to 30 pC / N are particularly preferable.

本発明における圧電定数d14は、10mm×3mm角の高分子圧電材料の試験片について、東洋精機製作所社製の「レオログラフソリッドS−1型」を用いて測定して得られる値である。具体的には、周波数10Hzで、室温にて試験片に印加される最大せん断ひずみが0.01%〜0.1%の範囲に収まるように、大よそ0.01N/m〜0.1N/mのせん断応力を印加し、該試験片の複素圧電率d14の実数部を測定した。
ここで、複素圧電率d14は、「d14=d14’―id14’’」として算出され、「d14’」と「id14’’」は東洋精機製作所社製「レオログラフソリッドS−1型」より得られる。「d14’」は、複素圧電率の実数部を表し、「id14’’」は、複素圧電率の虚数部を表し、d14’(複素圧電率の実数部)が本発明における圧電定数d14に相当する。
尚、複素圧電率の実数部が高いほど圧電性に優れることを示す。
Piezoelectric constant d 14 in the present invention, the test piece of polymeric piezoelectric material 10 mm × 3 mm square, is a value obtained by measuring using a "Leo b graph Solid S-1 type" of Toyo Seiki Seisakusho Co. . Specifically, at a frequency of 10 Hz, approximately 0.01 N / m 2 to 0.1 N so that the maximum shear strain applied to the test piece at room temperature falls within the range of 0.01% to 0.1%. / M 2 shear stress was applied, and the real part of the complex piezoelectric constant d 14 of the test piece was measured.
Here, the complex piezoelectric constant d 14 is calculated as “d 14 = d 14 ′ −id 14 ″”, and “d 14 ′” and “id 14 ″” are “Rheograph Solid” manufactured by Toyo Seiki Seisakusho Co., Ltd. It is obtained from “S-1 type”. “D 14 ′” represents the real part of the complex piezoelectric constant, “id 14 ″” represents the imaginary part of the complex piezoelectric constant, and d 14 ′ (real part of the complex piezoelectric constant) represents the piezoelectric constant in the present invention. corresponding to the d 14.
In addition, it shows that it is excellent in piezoelectricity, so that the real part of complex piezoelectricity is high.

(結晶化度および配向度)
前記A層は、X線回折法で得られる結晶化度が50%〜80%であることが好ましい。
前記結晶化度の下限は、圧電性を向上する観点から、より好ましくは55%である。一方、前記結晶化度の上限は、フィルムの柔軟性の観点から、80%であることが好ましく、70%であることがより好ましい。
同様に、圧電性を向上する観点から、X線回折法で得られる前記A層の配向度は、0.90以上であることが好ましく、0.94以上であることがより好ましい。
前記A層の結晶化度および配向度は、前記A層を、X線回折装置で測定することにより確認することができる。
前記A層の結晶化度および配向度の測定は、例えば、以下の条件で行う。
(Crystallinity and orientation)
The layer A preferably has a crystallinity obtained by an X-ray diffraction method of 50% to 80%.
The lower limit of the crystallinity is more preferably 55% from the viewpoint of improving piezoelectricity. On the other hand, the upper limit of the crystallinity is preferably 80% and more preferably 70% from the viewpoint of the flexibility of the film.
Similarly, from the viewpoint of improving piezoelectricity, the orientation degree of the A layer obtained by the X-ray diffraction method is preferably 0.90 or more, and more preferably 0.94 or more.
The crystallinity and orientation degree of the A layer can be confirmed by measuring the A layer with an X-ray diffractometer.
The crystallinity and orientation of the A layer are measured under the following conditions, for example.

〜結晶化度〜
装置としてリガク社製「RINT2500」および、リガク社製の結晶化度解析プログラムを用い、試料の回折プロファイルを結晶部と非晶部にピーク分離して、面積比より結晶化度を算出する。非晶ハロー形状は、融液から急冷した試料の回折プロファイル形状を参照する。
測定条件は、以下の条件とする。
X線源:CuKα
出力:50kV、300mA
測定範囲:2θ=5〜35°
検出器:シンチレーションカウンター
~ Crystallinity ~
Using “RINT2500” manufactured by Rigaku Corporation and a crystallinity analysis program manufactured by Rigaku Corporation as the apparatus, the diffraction profile of the sample is peak-separated into a crystal part and an amorphous part, and the crystallinity is calculated from the area ratio. The amorphous halo shape refers to the diffraction profile shape of a sample rapidly cooled from the melt.
The measurement conditions are as follows.
X-ray source: CuKα
Output: 50kV, 300mA
Measurement range: 2θ = 5-35 °
Detector: Scintillation counter

〜配向度〜
試料を試料ホルダーに固定し、2θ=16°付近のピークの方位角分布強度を測定する。
装置はリガク社製「RINT2550」を用い、測定条件は、以下の条件とする。
X線源:CuKα
出力:40kV、370mA
測定範囲:β=−100〜500°
検出器:シンチレーションカウンター
測定した方位角分布曲線より、軸配向度を次式により算出する。
軸配向度 F=(180−α)/180
〔上記式中、αは配向由来ピークの半価幅を表す〕
~ Degree of orientation ~
The sample is fixed to the sample holder, and the azimuth distribution intensity of the peak around 2θ = 16 ° is measured.
The apparatus is “RINT 2550” manufactured by Rigaku Corporation, and the measurement conditions are as follows.
X-ray source: CuKα
Output: 40kV, 370mA
Measurement range: β = -100 to 500 °
Detector: The axial orientation degree is calculated from the azimuth distribution curve measured by the scintillation counter according to the following equation.
Axial orientation degree F = (180−α) / 180
[In the above formula, α represents the half width of the orientation-derived peak]

(ヘイズ)
また、A層は、圧電性積層体として求められる透明性の観点から、ヘイズが0.1〜30であることが好ましい。ここで、ヘイズは、厚さ0.05mmのA層に対して、ヘイズ測定機〔(有)東京電色製、TC-HIII DPK〕で測定することにより得られた値である。該ヘイズの測定は、例えば、上記ヘイズ測定機を用い、JIS−K7105に準拠した方法により、幅3mm×長さ30mm、厚さ0.05mmに加工した測定試料(A層)について、室温(25℃)にて行う。
A層のヘイズは、0.1〜10であることがより好ましく、0.1〜5であることが特に好ましい。
また、A層のヘイズの下限は、0.5であることがより好ましい。
(Haze)
The A layer preferably has a haze of 0.1 to 30 from the viewpoint of transparency required as a piezoelectric laminate. Here, the haze is a value obtained by measuring the A layer having a thickness of 0.05 mm with a haze measuring machine [TC Density Co., Ltd., TC-HIII DPK]. The haze is measured, for example, with respect to a measurement sample (A layer) processed to a width of 3 mm × length of 30 mm and a thickness of 0.05 mm by the method according to JIS-K7105 using the above-described haze measuring machine (25 ° C.). ° C).
The haze of the A layer is more preferably from 0.1 to 10, and particularly preferably from 0.1 to 5.
Further, the lower limit of the haze of the A layer is more preferably 0.5.

(ポリ乳酸系樹脂)
本発明におけるA層は、ポリ乳酸系樹脂を含有する。
本発明におけるポリ乳酸系樹脂とは、「ポリ乳酸」、「L−乳酸またはD−乳酸と、共重合可能な多官能性化合物とのコポリマー」、又は、両者の混合物をいう。
前記「ポリ乳酸」は、乳酸がエステル結合によって重合し、長く繋がった高分子であり、例えば、ラクチドを経由するラクチド法と、溶媒中で乳酸を減圧下加熱し、水を取り除きながら重合させる直接重合法などによって製造できることが知られている。
前記「ポリ乳酸」としては、L−乳酸のホモポリマー、D−乳酸のホモポリマー、L−乳酸およびD−乳酸の少なくとも一方の重合体を含むブロックコポリマー、及び、L−乳酸およびD−乳酸の少なくとも一方の重合体を含むグラフトコポリマーが挙げられる。
(Polylactic acid resin)
The A layer in the present invention contains a polylactic acid resin.
The polylactic acid resin in the present invention refers to “polylactic acid”, “copolymer of L-lactic acid or D-lactic acid and a copolymerizable polyfunctional compound”, or a mixture of both.
The above-mentioned “polylactic acid” is a polymer in which lactic acid is polymerized by ester bonds and is connected for a long time. For example, a lactide method via lactide and direct polymerization in which lactic acid is heated in a solvent under reduced pressure to remove water. It is known that it can be produced by a polymerization method or the like.
Examples of the “polylactic acid” include L-lactic acid homopolymer, D-lactic acid homopolymer, block copolymer including at least one polymer of L-lactic acid and D-lactic acid, and L-lactic acid and D-lactic acid. Examples include graft copolymers containing at least one polymer.

前記「共重合可能な多官能性化合物」としては、グリコール酸、ジメチルグリコール酸、3−ヒドロキシ酪酸、4−ヒドロキシ酪酸、2−ヒドロキシプロパン酸、3−ヒドロキシプロパン酸、2−ヒドロキシ吉草酸、3−ヒドロキシ吉草酸、4−ヒドロキシ吉草酸、5−ヒドロキシ吉草酸、2−ヒドロキシカプロン酸、3−ヒドロキシカプロン酸、4−ヒドロキシカプロン酸、5−ヒドロキシカプロン酸、6−ヒドロキシカプロン酸、6−ヒドロキシメチルカプロン酸、マンデル酸等のヒドロキシカルボン酸、グリコリド、β−メチル−δ−バレロラクトン、γ−バレロラクトン、ε−カプロラクトン等の環状エステル、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、ウンデカン二酸、ドデカン二酸、テレフタル酸等の多価カルボン酸、及びこれらの無水物、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、1,2−プロパンジオール、1,3−プロパンジオール、1,3−ブタンジオール、1,4−ブタンジオール、2,3−ブタンジオール、1,5−ペンタンジオール、1,6−ヘキサンジオール、1,9−ノナンジオール、3−メチル−1,5−ペンタンジオール、ネオペンチルグリコール、テトラメチレングリコール、1,4−ヘキサンジメタノール等の多価アルコール、セルロース等の多糖類、及び、α−アミノ酸等のアミノカルボン酸等を挙げることができる。   Examples of the “copolymerizable polyfunctional compound” include glycolic acid, dimethyl glycolic acid, 3-hydroxybutyric acid, 4-hydroxybutyric acid, 2-hydroxypropanoic acid, 3-hydroxypropanoic acid, 2-hydroxyvaleric acid, 3 -Hydroxyvaleric acid, 4-hydroxyvaleric acid, 5-hydroxyvaleric acid, 2-hydroxycaproic acid, 3-hydroxycaproic acid, 4-hydroxycaproic acid, 5-hydroxycaproic acid, 6-hydroxycaproic acid, 6-hydroxy Hydroxycarboxylic acids such as methyl caproic acid and mandelic acid, glycolides, cyclic esters such as β-methyl-δ-valerolactone, γ-valerolactone, and ε-caprolactone, oxalic acid, malonic acid, succinic acid, glutaric acid, adipic acid , Pimelic acid, azelaic acid, sebacic acid, undecanedioic acid, Polycarboxylic acids such as candioic acid and terephthalic acid, and anhydrides thereof, ethylene glycol, diethylene glycol, triethylene glycol, 1,2-propanediol, 1,3-propanediol, 1,3-butanediol, 1 , 4-butanediol, 2,3-butanediol, 1,5-pentanediol, 1,6-hexanediol, 1,9-nonanediol, 3-methyl-1,5-pentanediol, neopentyl glycol, tetra Examples thereof include polyhydric alcohols such as methylene glycol and 1,4-hexanedimethanol, polysaccharides such as cellulose, and aminocarboxylic acids such as α-amino acids.

前記「L−乳酸またはD−乳酸と、共重合可能な多官能性化合物とのコポリマー」としては、らせん結晶を生成可能なポリ乳酸シーケンスを有する、ブロックコポリマーまたはグラフトコポリマーが挙げられる。   Examples of the “copolymer of L-lactic acid or D-lactic acid and a copolymerizable polyfunctional compound” include a block copolymer or a graft copolymer having a polylactic acid sequence capable of forming a helical crystal.

前記ポリ乳酸系樹脂は、例えば、特開昭59−096123号、及び特開平7−033861号に記載されている乳酸を直接脱水縮合して得る方法や、米国特許2,668,182号及び4,057,357号等に記載されている乳酸の環状二量体であるラクチドを用いて開環重合させる方法などにより製造することができる。   Examples of the polylactic acid resin include a method obtained by direct dehydration condensation of lactic acid described in JP-A-59-096123 and JP-A-7-033861, or US Pat. Nos. 2,668,182 and 4 , 057,357, etc., can be produced by a ring-opening polymerization method using lactide, which is a cyclic dimer of lactic acid.

−光学活性−
本発明におけるポリ乳酸系樹脂は、A層の圧電性をより向上する観点から、光学活性を有することが好ましい。
より好ましくは前記ポリ乳酸系樹脂が、光学活性を有するヘリカルキラル高分子である形態である。ここで、光学活性を有するヘリカルキラル高分子とは、分子構造が螺旋構造である分子光学活性を有する高分子をいう。
-Optical activity-
The polylactic acid resin in the present invention preferably has optical activity from the viewpoint of further improving the piezoelectricity of the A layer.
More preferably, the polylactic acid resin is a helical chiral polymer having optical activity. Here, the helical chiral polymer having optical activity refers to a polymer having molecular optical activity in which the molecular structure is a helical structure.

前記ポリ乳酸系樹脂は、A層の圧電性をより向上する観点から、光学純度が99.00%ee以上であることが好ましく、99.50%ee以上であることがより好ましく、99.99%ee以上であることがさらに好ましい。望ましくは100.00%eeである。前記ポリ乳酸系樹脂の光学純度を上記範囲とすることで、圧電性を発現する高分子結晶のパッキング性が高くなり、その結果、圧電性が高くなるものと考えられる。   From the viewpoint of further improving the piezoelectricity of the A layer, the polylactic acid resin preferably has an optical purity of 99.00% ee or more, more preferably 99.50% ee or more, and 99.99. More preferably, it is% ee or more. Desirably, it is 100.00% ee. By setting the optical purity of the polylactic acid resin in the above range, it is considered that the packing property of the polymer crystal that exhibits piezoelectricity is enhanced, and as a result, the piezoelectricity is enhanced.

本発明において、前記ポリ乳酸系樹脂の光学純度は、下記式にて算出した値である。   In the present invention, the optical purity of the polylactic acid resin is a value calculated by the following formula.

光学純度(%ee)=100×|L体量−D体量|/(L体量+D体量)   Optical purity (% ee) = 100 × | L body weight−D body weight | / (L body weight + D body weight)

すなわち、『「ポリ乳酸系樹脂のL体の量〔質量%〕とポリ乳酸系樹脂のD体の量〔質量%〕との量差(絶対値)」を「ポリ乳酸系樹脂のL体の量〔質量%〕とポリ乳酸系樹脂のD体の量〔質量%〕との合計量」で割った(除した)数値』に、『100』をかけた(乗じた)値を、光学純度とする。
なお、光学活性高分子のL体の量〔質量%〕と光学活性高分子のD体の量〔質量%〕は、高速液体クロマトグラフィー(HPLC)を用いた方法により得られる値を用いる。
That is, “the amount difference (absolute value) between the amount of L-form of polylactic acid resin [mass%] and the amount of D-form of polylactic acid resin [mass%]” (absolute value) ” The value obtained by multiplying (multiplying) the value obtained by dividing (dividing) the amount [mass%] by the total amount of the amount [mass%] and the amount of the D-form of polylactic acid resin [mass%] by (100) And
In addition, the value obtained by the method using a high performance liquid chromatography (HPLC) is used for the quantity [mass%] of the L body of an optically active polymer, and the quantity [mass%] of the optically active polymer D body.

前記ポリ乳酸系樹脂の光学純度を99.00%ee以上とするためには、例えば、ポリ乳酸をラクチド法で製造する場合、晶析操作により光学純度を99.00%ee以上の光学純度に向上させたラクチドを、重合することが好ましい。   In order to increase the optical purity of the polylactic acid resin to 99.00% ee or more, for example, when polylactic acid is produced by the lactide method, the optical purity is increased to 99.00% ee or more by crystallization operation. It is preferred to polymerize the improved lactide.

−重量平均分子量−
本発明におけるポリ乳酸系樹脂は、重量平均分子量(Mw)が、5万〜100万であることが好ましい。
前記ポリ乳酸系樹脂の重量平均分子量が、5万未満であると光学活性高分子を成型体としたときの機械的強度が不十分となる場合がある。前記ポリ乳酸系樹脂の重量平均分子量の下限は、10万であることが好ましく、20万であることがさらに好ましい。一方、前記ポリ乳酸系樹脂の重量平均分子量が100万を超えると、光学活性高分子を成型体としたときのフィルムなどの押出成型などの成形をすることができない場合がある。重量平均分子量の上限は、80万であることが好ましく、30万であることがさらに好ましい。
-Weight average molecular weight-
The polylactic acid resin in the present invention preferably has a weight average molecular weight (Mw) of 50,000 to 1,000,000.
When the weight average molecular weight of the polylactic acid-based resin is less than 50,000, the mechanical strength when the optically active polymer is molded may be insufficient. The lower limit of the weight average molecular weight of the polylactic acid-based resin is preferably 100,000, and more preferably 200,000. On the other hand, when the weight average molecular weight of the polylactic acid-based resin exceeds 1,000,000, it may be impossible to perform molding such as extrusion molding of a film using an optically active polymer as a molded body. The upper limit of the weight average molecular weight is preferably 800,000, and more preferably 300,000.

また、前記ポリ乳酸系樹脂の分子量分布(Mw/Mn)は、延伸フィルムの強度、配向度の観点から、1.1〜5であることが好ましく、1.2〜4であることがより好ましい。さらに1.4〜3であることが好ましい。   In addition, the molecular weight distribution (Mw / Mn) of the polylactic acid-based resin is preferably 1.1 to 5 and more preferably 1.2 to 4 from the viewpoint of the strength and orientation degree of the stretched film. . Furthermore, it is preferable that it is 1.4-3.

前記ポリ乳酸系樹脂の重量平均分子量(Mw)を、5万以上とするためには、ラクチド法、または直接重合法により光学活性高分子を製造することが好ましい。   In order to make the polylactic acid resin have a weight average molecular weight (Mw) of 50,000 or more, it is preferable to produce an optically active polymer by a lactide method or a direct polymerization method.

本発明におけるA層において、前記ポリ乳酸系樹脂は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。   In the A layer in the present invention, the polylactic acid-based resin may be used alone or in combination of two or more.

(その他の成分)
本発明におけるA層は、本発明の効果を損なわない限度において、ポリ乳酸系樹脂以外のその他の成分を含んでいてもよい。
その他の成分としては、ポリエチレン樹脂やポリスチレン樹脂に代表される公知の樹脂や、シリカ、ヒドロキシアパタイト、モンモリロナイト等の無機化合物、フタロシアニン等の公知の結晶核剤等が挙げられる。
例えば、A層を、気泡等のボイドの発生を抑えた透明なフィルムとするために、A層中に、ヒドロキシアパタイト等の無機フィラーをナノ分散してもよいが、無機のフィラーをナノ分散させるためには、凝集塊の解砕に大きなエネルギーが必要であり、また、フィラーがナノ分散しない場合、フィルムの透明度が低下する場合がある。A層が無機フィラーを含有するとき、A層全質量に対する無機フィラーの含有量は、1質量%未満とすることが好ましい。
本発明におけるA層は、光学純度が99.00%ee以上の高純度のポリ乳酸系樹脂を含むとき、ヒドロキシアパタイト等の無機フィラーをナノ分散させずとも透明なフィルムを得ることができる。また、光学活性高分子の光学純度および圧電定数向上の観点からも、本発明におけるA層は、前記ポリ乳酸系樹脂のみで構成されていることが好ましい。
(Other ingredients)
The layer A in the present invention may contain other components other than the polylactic acid resin as long as the effects of the present invention are not impaired.
Examples of other components include known resins typified by polyethylene resins and polystyrene resins, inorganic compounds such as silica, hydroxyapatite, and montmorillonite, and known crystal nucleating agents such as phthalocyanine.
For example, an inorganic filler such as hydroxyapatite may be nano-dispersed in the A layer in order to make the A layer a transparent film in which voids such as bubbles are suppressed, but the inorganic filler is nano-dispersed. For this purpose, large energy is required for crushing the agglomerates, and when the filler is not nano-dispersed, the transparency of the film may be lowered. When the A layer contains an inorganic filler, the content of the inorganic filler with respect to the total mass of the A layer is preferably less than 1% by mass.
When the layer A in the present invention contains a high-purity polylactic acid resin having an optical purity of 99.00% ee or more, a transparent film can be obtained without nano-dispersing an inorganic filler such as hydroxyapatite. Also, from the viewpoint of improving the optical purity and piezoelectric constant of the optically active polymer, the A layer in the present invention is preferably composed only of the polylactic acid resin.

本発明におけるA層が前記ポリ乳酸系樹脂以外のその他の成分を含む場合、当該その他の成分の含有量は、A層全質量中に対して、20質量%以下であることが好ましく、10質量%以下であることがより好ましい。   When A layer in this invention contains other components other than the said polylactic acid-type resin, it is preferable that content of the said other component is 20 mass% or less with respect to A layer total mass, and is 10 mass. % Or less is more preferable.

(A層の形成方法)
本発明におけるA層を形成する方法には特に限定はなく、前記ポリ乳酸系樹脂を含む原料を、押し出し成形によりフィルム状の成形体(A層)に成形する公知の方法を用いることができる。
圧電性をより効果的に発現させる観点からは、押し出し成形により得られたフィルム状の成形体に、更に延伸処理を施すことが好ましい。
(Method for forming layer A)
The method for forming the A layer in the present invention is not particularly limited, and a known method for forming a raw material containing the polylactic acid resin into a film-like molded body (A layer) by extrusion molding can be used.
From the viewpoint of more effectively expressing the piezoelectricity, it is preferable to further perform a stretching treatment on the film-like molded body obtained by extrusion molding.

前記延伸処理の方法は特に制限されず、1軸延伸、2軸延伸、固相延伸などの種々の延伸方法を用いることができる。
前記延伸処理における延伸倍率は、2倍〜10倍が好ましく、3倍〜9倍がより好ましい。
前記延伸処理における温度は、40℃〜100℃が好ましく、50℃〜90℃がより好ましい。
また、前記延伸処理後、更に、熱処理を施すことが好ましい。熱処理の温度は、70℃〜150℃が好ましく、90℃〜130℃がより好ましい。熱処理の時間は、0.1時間〜3時間が好ましく、0.1時間〜2時間がより好ましい。
The stretching method is not particularly limited, and various stretching methods such as uniaxial stretching, biaxial stretching, and solid phase stretching can be used.
The stretching ratio in the stretching treatment is preferably 2 to 10 times, more preferably 3 to 9 times.
The temperature in the stretching process is preferably 40 ° C to 100 ° C, more preferably 50 ° C to 90 ° C.
Moreover, it is preferable to heat-process after the said extending | stretching process. The temperature of the heat treatment is preferably 70 ° C to 150 ° C, more preferably 90 ° C to 130 ° C. The heat treatment time is preferably 0.1 to 3 hours, more preferably 0.1 to 2 hours.

<不飽和カルボン酸重合体を含むB層>
本発明におけるB層は、一方の面で前記A層の表面に接する層であり、不飽和カルボン酸重合体を含む層である。
B層は、他の層(例えば、後述のC層)との接着層として機能する層である。
<B layer containing unsaturated carboxylic acid polymer>
The B layer in the present invention is a layer in contact with the surface of the A layer on one surface, and is a layer containing an unsaturated carboxylic acid polymer.
The B layer is a layer that functions as an adhesive layer with other layers (for example, a C layer described later).

前記B層は、前記A層の一方の表面の全体を覆っていてもよいし、一部の領域を覆っていてもよい。接着性をさらに確実に向上させる観点からは、A層の一方の表面の全体にB層が設けられていることが好ましい。また、B層は、A層の表面にたとえば膜状に形成されていてもよい。   The B layer may cover the entire one surface of the A layer, or may cover a part of the region. From the viewpoint of further improving the adhesiveness, it is preferable that the B layer is provided on the entire one surface of the A layer. Further, the B layer may be formed, for example, in the form of a film on the surface of the A layer.

前記B層の膜厚は、70nm以下であることが好ましく、60nm以下がより好ましい。
前記B層の膜厚を70nm以下とすることで、B層自身の破壊による剥離をより効果的に抑制でき、他の層との接着性をより向上させることができる。また、前記B層の膜厚を70nm以下とすることで、B層を設けたことによる圧電性の低下をより抑制できる。
前記B層の膜厚の下限には特に限定はないが、接着性の観点から、2nmが好ましい。
The film thickness of the B layer is preferably 70 nm or less, and more preferably 60 nm or less.
By setting the film thickness of the B layer to 70 nm or less, peeling due to the destruction of the B layer itself can be more effectively suppressed, and adhesion with other layers can be further improved. Moreover, the fall of the piezoelectricity by having provided the B layer can be suppressed more by making the film thickness of the said B layer into 70 nm or less.
Although there is no limitation in particular in the minimum of the film thickness of the said B layer, 2 nm is preferable from an adhesive viewpoint.

(不飽和カルボン酸重合体)
前記B層は、不飽和カルボン酸重合体を少なくとも1種含有する。
不飽和カルボン酸重合体の原料モノマーである不飽和カルボン酸としては、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、クロトン酸、イソクロトン酸、マレイン酸、等が挙げられる。
中でも、アクリル酸又はメタクリル酸が好ましく、アクリル酸が特に好ましい。
(Unsaturated carboxylic acid polymer)
The B layer contains at least one unsaturated carboxylic acid polymer.
Examples of the unsaturated carboxylic acid that is a raw material monomer of the unsaturated carboxylic acid polymer include acrylic acid, methacrylic acid, itaconic acid, crotonic acid, isocrotonic acid, maleic acid, and the like.
Among these, acrylic acid or methacrylic acid is preferable, and acrylic acid is particularly preferable.

B層中における不飽和カルボン酸重合体の存在は、後述する洗浄工程(B層を溶媒を用いて洗浄する工程)後においても、B層の少なくとも一部がA層上に残ることを確認することにより行うことができる。即ち、後述する洗浄工程後においてもB層の少なくとも一部がA層上に残る場合には、B層中に不飽和カルボン酸重合体が含まれていることを示す。
一方、A層上に不飽和カルボン酸を塗布して不飽和カルボン酸単量体からなる層を形成した場合のように、B層中に不飽和カルボン酸重合体が含まれない場合には、後述する洗浄工程によってB層が全て溶解し、該洗浄工程後はB層が残らない。
The presence of the unsaturated carboxylic acid polymer in the B layer confirms that at least a part of the B layer remains on the A layer even after a later-described cleaning step (step of cleaning the B layer using a solvent). Can be done. That is, when at least a part of the B layer remains on the A layer even after the cleaning step described later, it indicates that the unsaturated carboxylic acid polymer is contained in the B layer.
On the other hand, when an unsaturated carboxylic acid polymer is not contained in the B layer, as in the case where a layer composed of an unsaturated carboxylic acid monomer is formed by applying an unsaturated carboxylic acid on the A layer, The B layer is completely dissolved by the cleaning process described later, and the B layer does not remain after the cleaning process.

前記不飽和カルボン酸重合体の数平均分子量には特に限定はないが、接着性をより向上させる観点より、120以上であることが好ましく、200以上であることがより好ましい。   The number average molecular weight of the unsaturated carboxylic acid polymer is not particularly limited, but is preferably 120 or more and more preferably 200 or more from the viewpoint of further improving the adhesiveness.

前記B層は、不飽和カルボン酸重合体以外のその他の成分を含んでいてもよいが、接着性を得る観点から、前記B層の全量中における不飽和カルボン酸重合体の含有量は、80質量%以上であることが好ましく、90質量%以上であることがより好ましい。   The layer B may contain other components other than the unsaturated carboxylic acid polymer, but from the viewpoint of obtaining adhesiveness, the content of the unsaturated carboxylic acid polymer in the total amount of the layer B is 80 The content is preferably at least mass%, more preferably at least 90 mass%.

(B層の形成方法)
本発明におけるB層を形成する方法としては、例えば、蒸着、塗布、プラズマ処理等の公知の成膜方法により形成する方法が挙げられる。中でも、プラズマ処理が好ましい。
プラズマ処理によるB層の形成の好ましい形態としては、不活性ガス(主ガス)中に不飽和カルボン酸を混入させた混合ガスを放電ガスとして用い、A層表面を大気圧近傍の圧力下でプラズマ処理することにより、A層上にB層を形成する形態が挙げられる。
即ち、前記B層は、前記A層の前記表面に対して、不飽和カルボン酸を含む不活性ガスを用いて大気圧近傍の圧力下でプラズマ処理を行うことにより形成された層であることが好ましい。
ここで、大気圧近傍の圧力下でプラズマ処理を行う場合の好ましい形態については、後述の≪圧電性積層体の製造方法≫中の<プラズマ処理工程>の項で詳述する。
(Method for forming layer B)
Examples of the method of forming the B layer in the present invention include a method of forming by a known film forming method such as vapor deposition, coating, and plasma treatment. Among these, plasma treatment is preferable.
As a preferable form of forming the B layer by plasma treatment, a mixed gas in which an unsaturated carboxylic acid is mixed in an inert gas (main gas) is used as a discharge gas, and the surface of the A layer is plasma at a pressure near atmospheric pressure. The form which forms B layer on A layer by processing is mentioned.
That is, the B layer is a layer formed by performing plasma treatment on the surface of the A layer using an inert gas containing an unsaturated carboxylic acid under a pressure near atmospheric pressure. preferable.
Here, a preferable embodiment in the case where the plasma treatment is performed under a pressure near atmospheric pressure will be described in detail in the section <Plasma treatment step> in <Method for producing piezoelectric laminate> described later.

<C層>
本発明の圧電性積層体は、前記A層及び前記B層のいずれとも異なるその他の層として、前記B層の他方の面(A層と接していない側の面)に接するC層を有していてもよい。
即ち、本発明の圧電性積層体は、接着層であるB層を介してA層とC層とが接着された、C層/B層/A層の積層構造を有する積層体として構成されていてもよい。
<C layer>
The piezoelectric laminate of the present invention has a C layer in contact with the other surface (the surface not in contact with the A layer) of the B layer as another layer different from both the A layer and the B layer. It may be.
That is, the piezoelectric laminate of the present invention is configured as a laminate having a laminate structure of C layer / B layer / A layer in which the A layer and the C layer are bonded via the B layer which is an adhesive layer. May be.

前記C層としては前記A層及び前記B層のいずれとも異なるその他の層である限り特に限定はないが、C層が、A層との接着性が悪い層(換言すれば、A層との接着性向上を要求される層)である場合に、B層による接着性向上の効果がより効果的に奏される。
このようなC層として、例えば、酸化金属化合物を含むC層が挙げられる。
前記酸化金属化合物を含むC層において、前記C層の全量中における酸化金属化合物の含有量は、80質量%以上であることが好ましく、90質量%以上であることがより好ましい。
The C layer is not particularly limited as long as it is another layer different from both the A layer and the B layer, but the C layer is a layer having poor adhesion to the A layer (in other words, with the A layer. In the case where the layer is required to improve adhesiveness, the effect of improving adhesiveness by the B layer is more effectively exhibited.
An example of such a C layer is a C layer containing a metal oxide compound.
In the C layer containing the metal oxide compound, the content of the metal oxide compound in the total amount of the C layer is preferably 80% by mass or more, and more preferably 90% by mass or more.

前記酸化金属化合物は、酸化亜鉛(ZnO)、酸化インジウムスズ(ITO)、及び酸化インジウム亜鉛(IZO)からなる群から選択される少なくとも1種を含む酸化金属化合物であることが好ましい。
酸化亜鉛(ZnO)を含む酸化金属化合物としては、例えば、酸化ガリウム(Ga)がドープされた酸化亜鉛(ZnO)や、ノンドープ酸化亜鉛(ZnO)が挙げられる。
The metal oxide compound is preferably a metal oxide compound containing at least one selected from the group consisting of zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO).
Examples of the metal oxide compound containing zinc oxide (ZnO) include zinc oxide (ZnO) doped with gallium oxide (Ga 2 O 3 ) and non-doped zinc oxide (ZnO).

前記酸化金属化合物を含むC層は、例えば、蒸着、塗布、等により形成される。
前記蒸着としては、物理蒸着(PVD:Physical Vapor Deposition、「スパッタ」とも呼ばれている)、化学蒸着(CVD:Chemical Vapor Deposition)、等が挙げられる。
前記スパッタは、DC電源を用いたDCマグネトロンスパッタであってもよいし、RF電源を用いたRFマグネトロンスパッタであってもよい。
また、前記スパッタは、不活性ガス(アルゴン等)雰囲気下で酸化金属化合物ターゲット(例えば、ZnOターゲット、酸化ガリウム(Ga)がドープされたZnOターゲット、等)を用いて行う非反応性スパッタであっても、アルゴン等の不活性ガスに酸素ガスを混入させた混合ガス雰囲気下で金属ターゲット(例えば、Znターゲット)又は金属化合物ターゲットを用いて行う反応性スパッタであってもよい。
また、前記スパッタは、B層/A層の構造の積層体を積極的に加熱して行う加熱スパッタであってもよいし、該積層体を加熱せずに行う常温スパッタ(非加熱スパッタ)であってもよい。
The C layer containing the metal oxide compound is formed by, for example, vapor deposition, coating, or the like.
Examples of the vapor deposition include physical vapor deposition (PVD: Physical Vapor Deposition, also called “sputter”), chemical vapor deposition (CVD: Chemical Vapor Deposition), and the like.
The sputtering may be DC magnetron sputtering using a DC power source or RF magnetron sputtering using an RF power source.
The sputtering is performed using a metal oxide compound target (for example, a ZnO target, a ZnO target doped with gallium oxide (Ga 2 O 3 ), or the like) in an inert gas (argon or the like) atmosphere. Even sputtering may be reactive sputtering performed using a metal target (for example, a Zn target) or a metal compound target in a mixed gas atmosphere in which an oxygen gas is mixed in an inert gas such as argon.
Further, the sputtering may be heating sputtering performed by positively heating the layered structure having the B layer / A layer structure, or room temperature sputtering (non-heated sputtering) performed without heating the layered body. There may be.

前記スパッタの中でも、下地膜からの膜剥がれが発生し易い条件のスパッタによってC層を形成する場合に、本発明による接着性向上効果がより効果的に発揮される。
膜剥がれが発生し易い条件としては、例えば、DCパルス電源を用いたマグネトロンスパッタ装置により、50℃以下のB層/A層の積層体の該B層上に、C層として、GaがドープされたZnO膜をスパッタする条件等が挙げられる。
Among the sputters, when the C layer is formed by sputtering under conditions where film peeling from the base film is likely to occur, the effect of improving the adhesiveness according to the present invention is more effectively exhibited.
As a condition where film peeling is likely to occur, for example, a Ga 2 O 3 film is formed as a C layer on the B layer of a B layer / A layer laminate at 50 ° C. or lower by a magnetron sputtering apparatus using a DC pulse power source. The conditions etc. which sputter | sputter the ZnO film | membrane doped with are mentioned.

本発明の圧電性積層体は、ポリ乳酸系樹脂の高い圧電性を維持したまま、他の層との接着性に優れる圧電性積層体であるため、例えば、スピーカー、ヘッドホン、マイクロホン、水中マイクロホン、超音波トランスデューサ、超音波応用計測器、圧電振動子、機械的フィルター、圧電トランス、遅延装置、センサー、加速度センサー、衝撃センサー、振動センサー、感圧センサー、触覚センサー、電界センサー、音圧センサー、ディスプレイ、ファン、ポンプ、可変焦点ミラー、遮音材料、防音材料、キーボード、音響機器、情報処理機、計測機器、医用機器などの種々の分野で利用することができる。   Since the piezoelectric laminate of the present invention is a piezoelectric laminate having excellent adhesion to other layers while maintaining the high piezoelectricity of the polylactic acid resin, for example, a speaker, a headphone, a microphone, an underwater microphone, Ultrasonic transducer, ultrasonic applied measuring instrument, piezoelectric vibrator, mechanical filter, piezoelectric transformer, delay device, sensor, acceleration sensor, impact sensor, vibration sensor, pressure sensor, tactile sensor, electric field sensor, sound pressure sensor, display It can be used in various fields such as fans, pumps, variable focus mirrors, sound insulation materials, sound insulation materials, keyboards, acoustic equipment, information processing equipment, measurement equipment, medical equipment, and the like.

前記本発明の圧電性積層体を備えた圧電素子を構成することができる。具体的には、本発明の圧電性積層体のB層上に電極層として前記C層を設け、圧電素子を構成することができる。
また、この圧電素子を備えた圧電デバイスを構成することもできる。
圧電素子又は圧電デバイスにおける電極層としてのC層は、透明性がある層であることが好ましい。
このようなC層として、具体的には、既述の酸化金属化合物(例えば、ZnO、酸化ガリウム(Ga)がドープされたZnO、ITO、IZO)を含むC層が好ましい。
ここで、透明性があるC層としては、ヘイズが20以下(全光線透過率が80%以上)である層が好ましい。
A piezoelectric element including the piezoelectric laminate of the present invention can be configured. Specifically, the piezoelectric layer can be formed by providing the C layer as an electrode layer on the B layer of the piezoelectric laminate of the present invention.
In addition, a piezoelectric device including this piezoelectric element can be configured.
The C layer as the electrode layer in the piezoelectric element or piezoelectric device is preferably a transparent layer.
Specifically, the C layer including the above-described metal oxide compound (for example, ZnO, ZnO doped with gallium oxide (Ga 2 O 3 ), ITO, IZO) is preferable.
Here, the transparent C layer is preferably a layer having a haze of 20 or less (total light transmittance of 80% or more).

本発明の圧電性積層体を用いた前記圧電素子は、スピーカーやタッチパネル等、種々の圧電デバイスに応用することができる。特に、透明性のある電極を備えた圧電素子は、スピーカー、タッチパネル、アクチュエータ等への応用に好適である。   The piezoelectric element using the piezoelectric laminate of the present invention can be applied to various piezoelectric devices such as speakers and touch panels. In particular, a piezoelectric element provided with a transparent electrode is suitable for application to a speaker, a touch panel, an actuator, and the like.

以上で説明した本発明の圧電性積層体を製造する方法には特に限定はなく、例えば、前記A層上に前記B層を、蒸着、塗布、プラズマ処理等の公知の成膜方法により形成する方法が挙げられる。
これらの方法の中でも、以下で説明する本発明の圧電性積層体の製造方法が好適である。
The method for producing the piezoelectric laminate of the present invention described above is not particularly limited. For example, the B layer is formed on the A layer by a known film forming method such as vapor deposition, coating, or plasma treatment. A method is mentioned.
Among these methods, the method for producing a piezoelectric laminate of the present invention described below is preferable.

≪圧電性積層体の製造方法≫
本発明の圧電性積層体の製造方法は、ポリ乳酸系樹脂を含むA層を準備する工程(以下、「A層準備工程」ともいう)と、前記A層の表面に対し、不飽和カルボン酸を含んだ不活性ガスを用いて大気圧近傍の圧力下でプラズマ処理を行うことにより、前記A層表面に不飽和カルボン酸重合体を含むB層を形成する工程(以下、「プラズマ処理工程」ともいう)と、形成されたB層を溶媒を用いて洗浄する工程(以下、「洗浄工程」ともいう)と、を有する。
この製造方法によれば、既述の本発明の圧電性積層体を好適に製造できる。
<< Method for manufacturing piezoelectric laminate >>
The method for producing a piezoelectric laminate of the present invention includes a step of preparing an A layer containing a polylactic acid resin (hereinafter also referred to as “A layer preparation step”), and an unsaturated carboxylic acid with respect to the surface of the A layer. A step of forming a B layer containing an unsaturated carboxylic acid polymer on the surface of the A layer by performing a plasma treatment under a pressure in the vicinity of the atmospheric pressure using an inert gas containing oxygen (hereinafter referred to as a “plasma treatment step”). And a step of cleaning the formed B layer with a solvent (hereinafter also referred to as “cleaning step”).
According to this manufacturing method, the above-described piezoelectric laminate of the present invention can be preferably manufactured.

<A層準備工程>
前記A層準備工程は便宜上の工程であり、予め作製されていたポリ乳酸系樹脂を含むA層を準備する工程であってもよいし、既述の方法によりポリ乳酸系樹脂を含むA層を作製する工程であってもよい。
A層の詳細については、既述の「圧電性積層体」の項で説明したとおりであり、好ましい範囲も同様である。
<A layer preparation process>
The A layer preparation step is a step for convenience, and may be a step of preparing a previously prepared A layer containing a polylactic acid-based resin, or an A layer containing a polylactic acid-based resin by the method described above. It may be a manufacturing step.
The details of the A layer are as described in the above-mentioned “piezoelectric laminate”, and the preferred range is also the same.

<プラズマ処理工程>
前記プラズマ処理工程は、前記A層の表面に対し、不飽和カルボン酸を含んだ不活性ガスを用いて大気圧近傍の圧力下でプラズマ処理を行うことにより、前記A層表面に不飽和カルボン酸重合体を含むB層を形成する工程である。
不飽和カルボン酸やB層の詳細については、既述の「圧電性積層体」の項で説明したとおりであり、好ましい範囲も同様である。
<Plasma treatment process>
In the plasma treatment step, the surface of the A layer is subjected to a plasma treatment under an atmospheric pressure using an inert gas containing an unsaturated carboxylic acid, whereby the surface of the A layer is unsaturated carboxylic acid. This is a step of forming a B layer containing a polymer.
The details of the unsaturated carboxylic acid and the B layer are as described in the above-mentioned “piezoelectric laminate”, and the preferred ranges are also the same.

ここで、「大気圧近傍の圧力下でプラズマ処理を行う」とは、大気に開放された大気圧雰囲気下でプラズマ処理を行うことの他、密閉容器において大気圧に比べ僅かに減圧された雰囲気下でプラズマ処理を行うことや、密閉容器において大気圧に比べ僅かに加圧された雰囲気下でプラズマ処理を行うことを含む意味である。
上記大気圧近傍の圧力は、100〜800Torr(0.013〜0.105MPa)の圧力を指す。装置が簡便になる700〜780Torr(0.092〜0.103MPa)の範囲が好ましい。
Here, “plasma treatment is performed under a pressure close to atmospheric pressure” means that the plasma treatment is performed in an atmospheric pressure atmosphere that is open to the atmosphere, and that the atmosphere is slightly reduced compared to atmospheric pressure in a sealed container. It means that the plasma treatment is performed under the pressure, and the plasma treatment is performed in an airtight container in an atmosphere slightly pressurized compared to the atmospheric pressure.
The pressure in the vicinity of the atmospheric pressure refers to a pressure of 100 to 800 Torr (0.013 to 0.105 MPa). A range of 700 to 780 Torr (0.092 to 0.103 MPa) is preferable because the apparatus is simple.

前記プラズマ処理工程において、不飽和カルボン酸を含んだ不活性ガスとしては、不飽和カルボン酸を0.1体積%以上含んだ不活性ガスを用いることが好ましい。
ここで、「不飽和カルボン酸を含んだ不活性ガス」とは、詳しくは、主ガス(キャリアガス)としての不活性ガスと、不飽和カルボン酸(処理剤)が気化した不飽和カルボン酸ガス(処理ガス)と、の混合ガスを指す。
また、「不飽和カルボン酸を0.1体積%以上含んだ不活性ガス」とは、前記混合ガスであって、主ガスの体積に対する不飽和カルボン酸ガスの体積が0.1体積%以上である混合ガスを指す。
In the plasma treatment step, an inert gas containing 0.1% by volume or more of an unsaturated carboxylic acid is preferably used as the inert gas containing an unsaturated carboxylic acid.
Here, the “inert gas containing an unsaturated carboxylic acid” specifically means an inert gas as a main gas (carrier gas) and an unsaturated carboxylic acid gas obtained by vaporizing the unsaturated carboxylic acid (treatment agent). (Processing gas).
The “inert gas containing 0.1% by volume or more of unsaturated carboxylic acid” is the mixed gas, wherein the volume of the unsaturated carboxylic acid gas with respect to the volume of the main gas is 0.1% by volume or more. It refers to a certain mixed gas.

前記プラズマ処理方法では、大気圧近傍の圧力下で、前記不飽和カルボン酸を含んだ不活性ガスを励起してプラズマ化することで活性種を発生させる。   In the plasma processing method, activated species are generated by exciting the inert gas containing the unsaturated carboxylic acid into a plasma under a pressure near atmospheric pressure.

ここで主ガスとしては、具体的には、ヘリウム、ネオン、アルゴン、キセノン等の希ガスの中から選ばれる1種類以上の単独又は混合ガスを指す。放電の形成されやすさから、主ガスとしては、ヘリウムおよび/またはアルゴンが主体となることが望ましい。   Here, the main gas specifically refers to one or more kinds of single or mixed gases selected from rare gases such as helium, neon, argon, and xenon. It is desirable that helium and / or argon be the main gas as the main gas in order to facilitate the formation of discharge.

不飽和カルボン酸ガスの添加量としては、主ガスに対して0.1体積%以上が好ましい。また、積層体の接合強度を確実に向上させる観点からは、0.2体積%以上とすることがより好ましい。また、不飽和カルボン酸ガスの添加量の上限に特に制限はないが、安全性をさらに向上させる観点からは、たとえば爆発限界の2.9体積%未満とする。   The addition amount of the unsaturated carboxylic acid gas is preferably 0.1% by volume or more with respect to the main gas. Moreover, it is more preferable to set it as 0.2 volume% or more from a viewpoint of improving the joining strength of a laminated body reliably. Moreover, although there is no restriction | limiting in particular in the upper limit of the addition amount of unsaturated carboxylic acid gas, From a viewpoint of improving safety | security further, it is set as less than 2.9 volume% of explosion limits, for example.

処理ガス(不飽和カルボン酸ガス)を主ガスに加える手段としては、たとえば処理剤(不飽和カルボン酸)を含む液体中に主ガスの一部を注入し、液体原料の温度と主ガスの注入量とにより、処理ガスとして主ガスへの添加される処理剤の量を制御する、所謂バブリング方式が挙げられるが、これに限定されるものではない。   As a means for adding the processing gas (unsaturated carboxylic acid gas) to the main gas, for example, a part of the main gas is injected into the liquid containing the processing agent (unsaturated carboxylic acid), and the temperature of the liquid raw material and the main gas are injected. There is a so-called bubbling method in which the amount of the processing agent added to the main gas as the processing gas is controlled depending on the amount, but is not limited thereto.

また、前記プラズマ処理の方式としては、被処理基材(本発明ではA層)を放電プラズマ空間内に配置して表面処理を行う、いわゆるダイレクト方式でもよいし、被処理基材(本発明ではA層)を放電プラズマ空間の外に配置して、プラズマ空間で生成した活性種を被処理基材表面に吹き付けて処理を行う、いわゆるリモート方式でもよい。   Moreover, as a method of the plasma treatment, a so-called direct method in which a substrate to be treated (A layer in the present invention) is disposed in a discharge plasma space to perform surface treatment may be used, or a substrate to be treated (in the present invention, A so-called remote method may be employed in which the layer A) is disposed outside the discharge plasma space, and the active species generated in the plasma space are sprayed onto the surface of the substrate to be processed.

また、前記プラズマ処理は、大気圧プラズマ装置によって好適に行うことができる。
図1は、本実施形態において用いられるプラズマ処理装置の一例を示す模式図である。
Moreover, the said plasma processing can be suitably performed with an atmospheric pressure plasma apparatus.
FIG. 1 is a schematic view showing an example of a plasma processing apparatus used in the present embodiment.

図1のプラズマ処理装置は、いわゆるダイレクト方式の装置であり、電圧印加電極50と接地電極55が対向配置されている。電圧印加電極50および接地電極55の各電極対向面には、それぞれ誘電体70および誘電体75が配置されている。本実施形態では、誘電体70、75として、たとえば酸化アルミニウムを用いる。誘電体70と誘電体75は特定の距離(ギャップ)を開けて配置されており、この空間がプラズマ空間80となる。   The plasma processing apparatus of FIG. 1 is a so-called direct type apparatus, in which a voltage application electrode 50 and a ground electrode 55 are arranged to face each other. A dielectric 70 and a dielectric 75 are disposed on the electrode facing surfaces of the voltage application electrode 50 and the ground electrode 55, respectively. In the present embodiment, for example, aluminum oxide is used as the dielectrics 70 and 75. The dielectric 70 and the dielectric 75 are arranged with a specific distance (gap) therebetween, and this space becomes a plasma space 80.

電圧印加電極50にはパルス電源60が接続されており、接地電極55は接地されている。電圧印加電極50はガス供給部40およびガス排気部45と接続されており一体となって可動するので、接地電極55の上に配置された被処理基材90の広い範囲を処理することも可能であるし、また狭い範囲を長時間処理することも可能である。   A pulse power supply 60 is connected to the voltage application electrode 50, and the ground electrode 55 is grounded. Since the voltage application electrode 50 is connected to the gas supply unit 40 and the gas exhaust unit 45 and integrally moves, it is possible to process a wide range of the substrate 90 to be processed disposed on the ground electrode 55. In addition, it is possible to process a narrow range for a long time.

バブリング装置30に入った処理剤20の液体原料に、バブリング用主ガス供給ライン11より主ガスを注入する。蒸気圧によりバブリング装置30の内部で気化した処理剤は、バブリング用主ガスに同伴し処理ガスとして処理ガス添加ライン12を通り、主ガス供給ライン10からの主ガスと混合する。さらにガス供給ライン13とガス供給部40を通り、プラズマ空間80に供給される。プラズマ空間80を通過したガスは、ガス排気部45とガス排気ライン14を通り、排気される。なお、ラインに流量計を設置し、ラインとバブリング装置にリボンヒーターを設置し温度を制御することにより、主ガスおよび前記処理剤の供給量を制御することができる。   Main gas is injected from the bubbling main gas supply line 11 into the liquid raw material of the processing agent 20 that has entered the bubbling device 30. The processing agent vaporized inside the bubbling apparatus 30 by the vapor pressure is accompanied by the bubbling main gas, passes through the processing gas addition line 12 as a processing gas, and is mixed with the main gas from the main gas supply line 10. Further, the gas is supplied to the plasma space 80 through the gas supply line 13 and the gas supply unit 40. The gas that has passed through the plasma space 80 is exhausted through the gas exhaust part 45 and the gas exhaust line 14. In addition, the supply amount of the main gas and the processing agent can be controlled by installing a flow meter in the line and installing a ribbon heater in the line and the bubbling device to control the temperature.

本発明に用いられるプラズマ装置には、ガスのライン、プラズマ処理空間および被処理物表面を、室温から100℃程度に温度調節する温調手段を備えていることが望ましい。これにより、処理剤を結露させることなく、プラズマ処理空間に導入することができる。   The plasma apparatus used in the present invention preferably includes temperature control means for adjusting the temperature of the gas line, the plasma processing space, and the surface of the workpiece from room temperature to about 100 ° C. Thereby, the processing agent can be introduced into the plasma processing space without causing condensation.

処理ガスおよび/または主ガスを放電プラズマ空間へ導入する手段としては、たとえば、バルブ、チューブ、継手等の配管部材、マスフローコントローラ等から構成されるものが挙げられる。導入するガスの流量は、特に限定されず適宜設定することができるが、通常1L/min〜100L/minが好ましい。   Examples of the means for introducing the processing gas and / or the main gas into the discharge plasma space include a pipe, a pipe, a joint such as a joint, a mass flow controller, and the like. The flow rate of the gas to be introduced is not particularly limited and can be appropriately set, but is usually preferably 1 L / min to 100 L / min.

プラズマ処理における電圧の印加手段には、種々の形式の電圧印加手段を用いることができ、その形式に制限されない。好ましくは、電圧の印加手段が、少なくとも、パルス変調された高周波電圧を印加する手段、もしくは周期的なパルス電圧を印加する手段を備えることである。   Various types of voltage application means can be used as the voltage application means in the plasma treatment, and the voltage application means is not limited to these types. Preferably, the voltage applying means includes at least a means for applying a pulse-modulated high-frequency voltage or a means for applying a periodic pulse voltage.

上記のプラズマ空間に導入されたガスは、電圧の印加によりプラズマ化され、ラジカルを形成し活性種となる。   The gas introduced into the plasma space is turned into plasma by application of a voltage to form radicals and become active species.

活性種を被処理基材表面に輸送する方法としては、具体的には、活性種を発生させた後、活性種を主ガスと同伴させて移動させる方法や、活性種の拡散により移動させる方法が挙げられるが、特に限定されない。   As a method for transporting the active species to the surface of the substrate to be treated, specifically, after generating the active species, a method of moving the active species with the main gas, or a method of moving by diffusion of the active species However, it is not particularly limited.

プラズマ空間の雰囲気は、大量の酸素を含まないことが好ましい。これは酸素が酸化力の強い活性種を発生し、処理剤との反応により所望する官能基が維持されなくなる場合があることや、A層を構成するポリ乳酸系樹脂表面を侵食する場合があることなどからである。このような観点から、前記雰囲気中の酸素濃度は10000ppm以下であることが好ましい。   The atmosphere in the plasma space preferably does not contain a large amount of oxygen. This is because oxygen generates active species having strong oxidizing power, and the desired functional group may not be maintained by reaction with the treatment agent, and the surface of the polylactic acid resin constituting the A layer may be eroded. Because of that. From such a viewpoint, the oxygen concentration in the atmosphere is preferably 10,000 ppm or less.

<洗浄工程>
本発明における洗浄工程は、前記プラズマ処理により形成されたB層を溶媒を用いて洗浄する工程である。
前記プラズマ処理を行って得られる積層体は、具体的には、高分子フィルムである。このフィルム表面に生成した低分子量成分を除去するため、被処理面(プラズマ処理された面)を溶媒により洗浄する。洗浄により、低分子量成分が残存している場合にも、接着への悪影響を抑制できる。また、洗浄の際に溶媒を用いることにより、低分子量成分を簡便に除去することができる。
<Washing process>
The cleaning step in the present invention is a step of cleaning the B layer formed by the plasma treatment using a solvent.
Specifically, the laminate obtained by performing the plasma treatment is a polymer film. In order to remove the low molecular weight component generated on the film surface, the surface to be treated (surface treated with plasma) is washed with a solvent. By washing, even when a low molecular weight component remains, adverse effects on adhesion can be suppressed. Moreover, a low molecular weight component can be easily removed by using a solvent at the time of washing.

洗浄溶媒は高分子フィルムを侵さないものから選ぶことができる。溶媒として、具体的には、水、メタノール、エタノールが挙げられる。
また、洗浄方法は特に限定されるものではないが、たとえば超音波洗浄が挙げられる。
The cleaning solvent can be selected from those that do not attack the polymer film. Specific examples of the solvent include water, methanol, and ethanol.
Further, the cleaning method is not particularly limited, and examples thereof include ultrasonic cleaning.

<C層を形成する工程>
本発明の圧電性積層体の製造方法は、必要に応じ、前記B層を洗浄する工程の後、前記B層の表面に、蒸着により酸化金属化合物を含むC層を形成する工程を有していてもよい。C層の好ましい形態や形成方法については、既述の「圧電性積層体」の項で説明したとおりであり、好ましい範囲も同様である。
<Step of forming C layer>
The manufacturing method of the piezoelectric laminated body of this invention has the process of forming the C layer containing a metal oxide compound by vapor deposition on the surface of the said B layer after the process of wash | cleaning the said B layer as needed. May be. The preferred form and formation method of the C layer are as described in the above-mentioned “piezoelectric laminate”, and the preferred range is also the same.

以上、本発明の圧電性積層体及びその製造方法の実施形態について説明したが、これらはあくまで例示であり、種々の変形例が可能なこと、またそうした変形例も本発明の範囲にあることは当業者に理解されるところである。   The embodiments of the piezoelectric laminate and the manufacturing method thereof according to the present invention have been described above. However, these are merely examples, and various modifications are possible, and such modifications are also within the scope of the present invention. It will be understood by those skilled in the art.

以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。下記において、「室温」は25℃を指す。   EXAMPLES The present invention will be specifically described below with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples. In the following, “room temperature” refers to 25 ° C.

〔実施例1〕
<評価用フィルム(A層)の作製>
三井化学(株)製ポリ乳酸系樹脂(登録商標LACEA、H−100(重量平均分子量Mw:15万)を、押出機にて230℃で溶融混練した後、Tダイから吐出させて、厚さ300μmの原反シートを製膜した。この原反フィルムを、加熱ロールにて、70℃に加熱しながら延伸倍率5倍に一軸延伸して、厚さ60μmの一軸延伸フィルムを得た。得られた一軸延伸フィルムをA4サイズにカットした後、4辺を固定後、オーブンにて、110℃で30分熱処理し、評価用フィルム(A層)とした。
[Example 1]
<Preparation of Evaluation Film (Layer A)>
A polylactic acid resin (registered trademark LACEEA, H-100 (weight average molecular weight Mw: 150,000)) manufactured by Mitsui Chemicals Co., Ltd. was melt-kneaded at 230 ° C. with an extruder, and then discharged from a T-die to obtain a thickness. A film having a thickness of 300 μm was formed, and this film was uniaxially stretched at a draw ratio of 5 while being heated to 70 ° C. with a heating roll to obtain a uniaxially stretched film having a thickness of 60 μm. After the uniaxially stretched film was cut into A4 size, after fixing the four sides, it was heat-treated in an oven at 110 ° C. for 30 minutes to obtain an evaluation film (A layer).

<評価用フィルムのプラズマ処理>
上記で得られた評価用フィルムに対し、積水化学工業(株)製常圧プラズマ表面処理装置(AP−T02−L)を用い、下記表1に示す条件でプラズマ処理を施した。
ここで、プラズマ処理は、大気圧(760Torr)下で行った。
このとき放電ガスとしては、主ガス(キャリアガス)であるアルゴンガスに、アクリル酸(処理剤)が気化した添加ガスを添加した混合ガスを用いた。
アルゴンガスの流量は20L/minとした。
アクリル酸が気化した処理ガスの、アルゴンガスに対する23℃、圧力760Torrでの混合比は0.2体積%とした。この混合比は、バブリング装置に導入するアルゴンガスの流量とバブリング装置の温度を制御することにより、バブリング装置で気化しアルゴンに同伴されて電極に供給されるアクリル酸量を制御して調整した。
プラズマ処理中の評価用フィルムの搬送速度は0.2m/minとした。
なお、搬送速度を調整することにより、プラズマ処理により形成されるプラズマ処理層の膜厚や、後述の比率〔(C(=O)−Oの数)/(C(=O)−O−C基の数)〕を調整することができる。例えば、搬送速度を遅くすることにより、プラズマ処理層の膜厚を厚くすることができ、また、比率〔(C(=O)−Oの数)/(C(=O)−O−C基の数)〕を上げることができる。一方、搬送速度を速くすることにより、プラズマ処理層の膜厚を薄くすることができ、また、比率〔(C(=O)−Oの数)/(C(=O)−O−C基の数)〕を下げることができる。
<Plasma treatment of evaluation film>
The film for evaluation obtained above was subjected to plasma treatment under the conditions shown in Table 1 below using an atmospheric pressure plasma surface treatment apparatus (AP-T02-L) manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.
Here, the plasma treatment was performed under atmospheric pressure (760 Torr).
At this time, as the discharge gas, a mixed gas obtained by adding an additive gas obtained by vaporizing acrylic acid (treatment agent) to an argon gas as a main gas (carrier gas) was used.
The flow rate of argon gas was 20 L / min.
The mixing ratio of the processing gas vaporized from acrylic acid to the argon gas at 23 ° C. and a pressure of 760 Torr was set to 0.2% by volume. This mixing ratio was adjusted by controlling the flow rate of argon gas introduced into the bubbling device and the temperature of the bubbling device, thereby controlling the amount of acrylic acid vaporized by the bubbling device and supplied to the electrodes accompanying the argon.
The conveyance speed of the film for evaluation during plasma treatment was 0.2 m / min.
In addition, by adjusting the conveyance speed, the film thickness of the plasma treatment layer formed by the plasma treatment or the ratio [(C (= O) -O number) / (C (= O) -O-C] described later. The number of groups)] can be adjusted. For example, the film thickness of the plasma treatment layer can be increased by reducing the transport speed, and the ratio [(number of (C (= O) -O) / (C (= O) -O-C group)] )]) Can be increased. On the other hand, by increasing the conveyance speed, the thickness of the plasma treatment layer can be reduced, and the ratio [(number of (C (= O) -O)) / (C (= O) -O-C group )] Can be lowered.

<超音波洗浄>
上記プラズマ処理後の評価用フィルムを、純水中にて、高周波出力70W、35kHzの条件で1分間超音波洗浄することにより、プラズマ処理によってプラズマ処理表面に生成した水溶性低分子量成分を除去した。
<Ultrasonic cleaning>
The film for evaluation after the plasma treatment was subjected to ultrasonic cleaning in pure water for 1 minute under conditions of a high frequency output of 70 W and 35 kHz, thereby removing water-soluble low molecular weight components generated on the plasma treatment surface by the plasma treatment. .

<膜厚変化の測定>
上記評価フィルムについて、上記プラズマ処理前から上記超音波洗浄前(上記プラズマ処理後)にかけての膜厚変化(単位nm;以下、この膜厚変化を「膜厚変化(nm)未洗」ともいう)を測定した。
以下、この「膜厚変化(nm)未洗」の測定方法を示す。
まず、上記プラズマ処理前の評価用フィルムの質量(a)と、上記超音波洗浄前(上記プラズマ処理後)の評価用フィルムの質量(b)と、の差(b−a)を測定した。ここで、各質量の測定はそれぞれ電子天秤を用いて行った。
次に、得られた差(b−a)、プラズマ処理層の密度、評価用フィルムの密度、及び評価用フィルム(プラズマ処理層)の面積から「膜厚変化(nm)未洗」を求めた。ここで、プラズマ処理層の密度と評価用フィルムの密度とは等しいものとした。
「膜厚変化(nm)未洗」の測定結果を下記表1に示す。
<Measurement of film thickness change>
About the said evaluation film, the film thickness change before the said ultrasonic treatment before the said ultrasonic cleaning (after the said plasma processing) (unit nm; hereafter, this film thickness change is also called "film thickness change (nm) unwashed") Was measured.
Hereinafter, a measuring method of this “film thickness change (nm) unwashed” will be described.
First, the difference (b−a) between the mass (a) of the evaluation film before the plasma treatment and the mass (b) of the evaluation film before the ultrasonic cleaning (after the plasma treatment) was measured. Here, each mass was measured using an electronic balance.
Next, “film thickness change (nm) unwashed” was determined from the obtained difference (b−a), the density of the plasma treatment layer, the density of the evaluation film, and the area of the evaluation film (plasma treatment layer). . Here, the density of the plasma treatment layer and the density of the evaluation film were assumed to be equal.
The measurement results of “film thickness change (nm) unwashed” are shown in Table 1 below.

「膜厚変化(nm)未洗」の測定と同様に、上記評価フィルムについて、上記プラズマ処理前から上記超音波洗浄後にかけての膜厚変化(単位nm;以下、この膜厚変化を「膜厚変化(nm)水洗後」ともいう)を測定した。
以下、この膜厚変化(nm)水洗後の測定方法を示す。
まず、上記プラズマ処理前の評価用フィルムの質量(a)と、上記超音波洗浄後の評価用フィルムの質量(c)と、の差(c−a)を測定した。
次に、得られた差(c−a)、プラズマ処理層の密度、評価用フィルムの密度、及び評価用フィルム(プラズマ処理層)の面積、から「膜厚変化(nm)水洗後」を求めた。
「膜厚変化(nm)水洗後」の測定結果を下記表1に示す。
Similarly to the measurement of “film thickness change (nm) unwashed”, the film thickness change (unit: nm; hereinafter referred to as “film thickness change”) from before the plasma treatment to after the ultrasonic cleaning was performed on the evaluation film. Change (nm) after washing with water) was measured.
Hereinafter, the measurement method after the film thickness change (nm) washing with water will be described.
First, the difference (c−a) between the mass (a) of the evaluation film before the plasma treatment and the mass (c) of the evaluation film after the ultrasonic cleaning was measured.
Next, from the obtained difference (c−a), the density of the plasma treatment layer, the density of the evaluation film, and the area of the evaluation film (plasma treatment layer), “after film thickness change (nm) after washing with water” is obtained. It was.
The measurement results of “After film thickness change (nm) after washing with water” are shown in Table 1 below.

ここで、「膜厚変化(nm)水洗後」が正の値であること(例えば、表1中、実施例1及び2)は、超音波洗浄後においてもプラズマ処理層が残っていることを示している。即ち、「膜厚変化(nm)水洗後」が正の値であることは、前記プラズマ処理により、A層上に、アクリル酸重合体を含むプラズマ処理層(B層)が形成されたことを示している。
なお、A層上に、アクリル酸を塗布した場合(即ち、A層上にアクリル酸単量体からなるアクリル酸層を形成した場合)には、超音波洗浄によりアクリル酸層が溶解し、該超音波洗浄後はアクリル酸層が残らない。
また、「膜厚変化(nm)未洗」が負の値であること(例えば、表1中、比較例1)は、前記プラズマ処理によって、A層が膜減りしたこと(B層が形成されていないこと)を示している。
Here, “after film thickness change (nm) after water washing” is a positive value (for example, Examples 1 and 2 in Table 1) that the plasma treatment layer remains even after ultrasonic cleaning. Show. That is, “after film thickness change (nm) after washing with water” is a positive value that the plasma treatment layer (B layer) containing an acrylic acid polymer was formed on the A layer by the plasma treatment. Show.
In addition, when acrylic acid is applied on the A layer (that is, when an acrylic acid layer made of an acrylic acid monomer is formed on the A layer), the acrylic acid layer is dissolved by ultrasonic cleaning, An acrylic acid layer does not remain after ultrasonic cleaning.
Further, “film thickness change (nm) unwashed” is a negative value (for example, Comparative Example 1 in Table 1) that the A layer has been reduced by the plasma treatment (the B layer is formed). Not).

<表面官能基の測定>
上記超音波洗浄後、評価用フィルムのプラズマ処理された側の表面(実施例1ではB層表面)を、X線光電子分光法(XPS)により測定することにより、炭素1sスペクトルを得た。
得られた炭素1sスペクトルから、波形解析により、全炭素数に対するC(=O)−O−C基の数の百分率(%)([C(=O)−O−C]/[C])、全炭素数に対するC(=O)−O基の数の百分率(%)([C(=O)−O]/[C])を求めた。
更に、[C(=O)−O]/[C]と[C(=O)−O−C]/[C]との比から、[C(=O)−O]/[C(=O)−O−C]、即ち、C(=O)−O−C基の数に対するC(=O)−Oの数の比率〔(C(=O)−Oの数)/(C(=O)−O−C基の数)〕を求めた。
<Measurement of surface functional groups>
After the ultrasonic cleaning, the surface of the evaluation film on the plasma-treated side (B layer surface in Example 1) was measured by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) to obtain a carbon 1s spectrum.
From the obtained carbon 1s spectrum, by waveform analysis, the percentage (%) of the number of C (═O) —O—C groups with respect to the total number of carbons ([C (═O) —O—C] / [C]) The percentage (%) of the number of C (═O) —O groups relative to the total number of carbon atoms ([C (═O) —O] / [C]) was determined.
Further, from the ratio of [C (= O) -O] / [C] and [C (= O) -O-C] / [C], [C (= O) -O] / [C (= O) —O—C], ie the ratio of the number of C (═O) —O to the number of C (═O) —O—C groups [(number of C (═O) —O) / (C ( = O) -O-C group number)].

次に、上記波形解析の詳細について説明する。
まず、炭素1sスペクトルを構成する複数のピークのうち、最低エネルギー側(285.0eV)に存在するピークを、C−C結合及びC−H結合の炭素に由来するピークとした。更に、約286.5eVに存在するピークをC−O結合の炭素に由来するピークとし、約287.1eVに存在するピークをC(=O)−O−C結合の右端の炭素に由来するピークとし、約288.0eVに存在するピークをC=O結合の炭素に由来するピークとし、約289.1eVに存在するピークをC(=O)−O結合の炭素に由来するピークとした。
これらのピークの面積比から、[C(=O)−O−C]/[C]及び[C(=O)−O]/[C]を求めた。更に、[C(=O)−O]/[C]を[C(=O)−O−C]/[C]で割る(除する)ことにより、「[C(=O)−O]/[C(=O)−O−C]」を求めた。
ここで、XPSは、X線源:単色化AlKα、真空度:1×10−9mbar、出力:16mA−10kVの条件で測定した。波形解析は、得られたスペクトルをカーブフィッティングして上記ピークについてピーク分離し、各ピークの面積比を測定することにより行った。
以上の結果を下記表1に示す。
Next, details of the waveform analysis will be described.
First, the peak which exists in the lowest energy side (285.0 eV) among several peaks which comprise a carbon 1s spectrum was made into the peak originating in carbon of a C-C bond and a C-H bond. Furthermore, the peak existing at about 286.5 eV is defined as a peak derived from carbon of C—O bond, and the peak present at about 287.1 eV is peak derived from carbon at the right end of C (═O) —O—C bond. And a peak present at about 288.0 eV was defined as a peak derived from carbon having a C═O bond, and a peak present at about 289.1 eV was defined as a peak derived from carbon having a C (═O) —O bond.
From the area ratio of these peaks, [C (═O) —O—C] / [C] and [C (═O) —O] / [C] were determined. Further, by dividing (dividing) [C (= O) -O] / [C] by [C (= O) -O-C] / [C], "[C (= O) -O]" is obtained. / [C (= O) -O-C] ".
Here, XPS was measured under the conditions of X-ray source: monochromatic AlKα, degree of vacuum: 1 × 10 −9 mbar, output: 16 mA-10 kV. The waveform analysis was performed by curve fitting the obtained spectrum to separate the peaks with respect to the peak, and measuring the area ratio of each peak.
The above results are shown in Table 1 below.

<圧電定数d14の測定>
上記超音波洗浄後の評価用フィルム(実施例1ではB層/A層の構造の積層体)を長さ10mm、幅3mmにカットして試験片を作製した。
この試験片の両面(A層側及びB層側)に、圧電定数d14を測定するための電極として、Ag薄膜をスパッタにより形成した。
両面にAg薄膜が形成された試験片について、東洋精機製作所社製の「レオログラフソリッドS−1型」を用いて、周波数10Hz、各試験片の複素圧電率d14を室温にて測定した。複素圧電率d14は、「d14=d14’―id14’’」として算出した。圧電定数測定は5回行い、d14’の平均値を圧電定数として表1に示した。
なお、圧電定数の測定時のせん断ひずみは0.05%で測定した。
以上の測定では、見かけ上はB層/A層の構造の積層体の圧電定数d14を測定しているが、実質的にはA層の圧電定数d14を測定している。その理由は、B層はA層に比べて膜厚が十分に薄く、また、B層は圧電性を有しないためである。
<Measurement of the piezoelectric constant d 14>
The test film was prepared by cutting the film for evaluation after ultrasonic cleaning (a laminate having a structure of B layer / A layer in Example 1) into a length of 10 mm and a width of 3 mm.
On both surfaces of the test piece (A layer side and the B layer side), as an electrode for measuring the piezoelectric constant d 14, it was formed by sputtering an Ag thin film.
For specimens Ag thin film is formed on both sides, with "Leo b graph Solid S-1 type" of Toyo Seiki Seisakusho Co., frequency 10 Hz, the complex piezoelectric constant d 14 of each specimen was measured at room temperature . The complex piezoelectric constant d 14 was calculated as “d 14 = d 14 ′ −id 14 ″”. The piezoelectric constant was measured five times, and the average value of d 14 ′ is shown in Table 1 as the piezoelectric constant.
The shear strain when measuring the piezoelectric constant was measured at 0.05%.
In the above measurement, but apparently measures the piezoelectric constant d 14 of the laminate structure of the B layer / A layer, substantially measures the piezoelectric constant d 14 of the A layer. The reason is that the B layer is sufficiently thinner than the A layer, and the B layer does not have piezoelectricity.

<C層の形成>
上記プラズマ処理及び超音波洗浄後の評価用フィルムのプラズマ処理面(実施例1ではB層表面)に、下記条件のマグネトロンスパッタ法により、膜厚100nmの、GaがドープされたZnO膜(C層)を形成した。
以上により、実施例1では、GaがドープされたZnO膜(C層)/プラズマ処理層(B層)/評価用フィルム(A層)の構成の積層体を得た。
<Formation of C layer>
A ZnO film having a film thickness of 100 nm and doped with Ga 2 O 3 on the plasma-treated surface (B layer surface in Example 1) of the evaluation film after the above-described plasma treatment and ultrasonic cleaning by magnetron sputtering under the following conditions: (C layer) was formed.
As described above, in Example 1, a laminate having a configuration of ZnO film (C layer) / plasma treatment layer (B layer) / evaluation film (A layer) doped with Ga 2 O 3 was obtained.

−GaがドープされたZnO膜(C層)のスパッタ条件−
・装置: マグネトロンスパッタ装置
・ターゲット: Gaが10質量%ドープされたZnOターゲット
・到達真空度: 6×10−5Pa〜7×10−5Pa
・電源: DCパルス電源
・パワー: 0.67W/cm
・基板(B層/A層の積層体)の温度: 室温
-Sputtering condition of ZnO film (C layer) doped with Ga 2 O 3-
Apparatus: magnetron sputtering system Target: Ga 2 O 3 is 10 wt% doped ZnO target Ultimate vacuum: 6 × 10 -5 Pa~7 × 10 -5 Pa
・ Power supply: DC pulse power supply ・ Power: 0.67 W / cm 2
・ Temperature of substrate (layer of B layer / A layer): room temperature

<接着性評価(テープ剥離試験)>
上記C層が形成された積層体(実施例1ではC層/B層/A層の構造の積層体)について、JIS H8504(めっきの密着性試験方法)に準じた方法のテープ剥離試験により、C層の接着性の評価を行った。
テープ剥離試験に用いる試験用テープとしては、ニチバン社製セロテープ(登録商標)CT405AP−18を用いた。
テープ剥離試験では、まず、C層表面に試験用テープを、貼り付けない部分を30mm残して貼り付けた。次に、試験用テープのうちC層表面に貼り付けた部分を、C層表面に対して垂直な方向に指で約10秒間押し続けた。次に、試験用テープの上記貼り付けない部分を持ち、C層表面に対して垂直な方向に強く引っ張り、試験用テープをC層表面から瞬時に引き剥がした。
試験箇所(引き剥がした箇所)を目視及び光学顕微鏡によって観察し、C層の剥離が見られないときに、密着性良好とした。
この試験を一つの処理条件につき3回行った。
以上のテープ剥離試験の結果を下記表1(「剥離試験」欄)に示す。
表1では、テープ剥離試験の結果を以下のように分類した。
−テープ剥離試験の結果の分類−
「0/3」 … 試験3回中、3回とも、C層の剥離が見られなかった。
「1/3」 … 試験3回中、1回のみ、C層の剥離が見られた。
「2/3」 … 試験3回中、2回のみ、C層の剥離が見られた。
「3/3」 … 試験3回中、3回とも、C層の剥離が見られた。
テープ剥離試験の結果が「0/3」であることは、C層の接着性が最も優れていることを示す。
<Adhesion evaluation (tape peeling test)>
About the laminated body in which the C layer is formed (the laminated body having a structure of C layer / B layer / A layer in Example 1), by a tape peeling test according to a method according to JIS H8504 (plating adhesion test method), The adhesiveness of the C layer was evaluated.
Cell tape (registered trademark) CT405AP-18 manufactured by Nichiban Co., Ltd. was used as a test tape used in the tape peeling test.
In the tape peeling test, first, the test tape was attached to the surface of the C layer, leaving 30 mm of a portion to be not attached. Next, the portion of the test tape that was attached to the surface of the C layer was kept pressed for about 10 seconds with a finger in a direction perpendicular to the surface of the C layer. Next, the test tape was held on the part not to be attached and pulled strongly in a direction perpendicular to the surface of the C layer, and the test tape was instantaneously peeled off from the surface of the C layer.
The test part (the part where it was peeled off) was observed visually and with an optical microscope, and when no peeling of the C layer was observed, the adhesion was considered good.
This test was performed three times per treatment condition.
The results of the above tape peel test are shown in the following Table 1 ("Peel test" column).
In Table 1, the results of the tape peel test were classified as follows.
-Classification of tape peel test results-
“0/3”: C layer peeling was not observed in all three of the tests.
“1/3”: C layer peeling was observed only once in 3 tests.
“2/3”: Peeling of the C layer was observed only twice in three tests.
“3/3”: Peeling of the C layer was observed in all three of the tests.
The tape peel test result of “0/3” indicates that the adhesion of the C layer is the best.

〔実施例2〕
実施例1において、プラズマ処理の条件を下記表1に示すように変更したこと以外は実施例1と同様の操作を行ってZnO膜(C層)/プラズマ処理層(B層)/評価用フィルム(A層)の構成の積層体を形成し、実施例1と同様の評価を行った。
評価結果を下記表1に示す。
[Example 2]
In Example 1, except that the plasma treatment conditions were changed as shown in Table 1 below, the same operation as in Example 1 was performed to obtain a ZnO film (C layer) / plasma treatment layer (B layer) / evaluation film. A laminate having the configuration of (A layer) was formed and evaluated in the same manner as in Example 1.
The evaluation results are shown in Table 1 below.

〔比較例1〕
実施例2において、プラズマ処理の放電ガスにアクリル酸を混入させなかったこと(即ち、アルゴンガスのみによってプラズマ処理を行ったこと)及びプラズマ処理後の超音波洗浄を行わなかったこと以外は実施例2と同様の操作を行ってZnO膜(C層)/評価用フィルム(A層)の構成の積層体を形成し、実施例1と同様の評価を行った。
この比較例1では、プラズマ処理後、超音波洗浄を行うことなく、膜厚変化の測定及び表面官能基の測定を行った。
評価結果を下記表1に示す。
この比較例1では、放電ガスにアクリル酸が含まれていないため、プラズマ処理によってもB層が形成されず、寧ろ、プラズマ処理によりA層が22nm膜減りしていた(表1中、「膜厚変化(nm)未洗」欄参照)。
[Comparative Example 1]
In Example 2, except that acrylic acid was not mixed in the plasma treatment discharge gas (that is, plasma treatment was performed only with argon gas) and ultrasonic cleaning after the plasma treatment was not performed. The same operation as in Example 2 was performed to form a laminate having the structure of ZnO film (C layer) / evaluation film (A layer), and the same evaluation as in Example 1 was performed.
In Comparative Example 1, measurement of film thickness change and measurement of surface functional groups were performed without performing ultrasonic cleaning after plasma treatment.
The evaluation results are shown in Table 1 below.
In Comparative Example 1, since the discharge gas does not contain acrylic acid, the B layer was not formed even by the plasma treatment, but rather, the A layer was reduced by 22 nm by the plasma treatment. Thickness change (nm) unwashed ").

〔比較例2〕
実施例1において、プラズマ処理及びその後の超音波洗浄を行わなかったこと以外は実施例1と同様にしてZnO膜(C層)/評価用フィルム(A層)の構成の積層体を形成し、実施例1と同様の評価を行った。
この比較例2では、評価用フィルム(A層)の作製後、プラズマ処理及びその後の超音波洗浄を行うことなく、膜厚変化の測定、表面官能基の測定、圧電定数d14の測定、C層の形成、及び接着性評価を行った。
評価結果を下記表1に示す。
[Comparative Example 2]
In Example 1, a laminate having the structure of ZnO film (C layer) / evaluation film (A layer) was formed in the same manner as in Example 1 except that plasma treatment and subsequent ultrasonic cleaning were not performed. Evaluation similar to Example 1 was performed.
In Comparative Example 2, after the production of the film for evaluation (A layer), without performing the plasma treatment and subsequent ultrasonic cleaning, measurement of the film thickness changes, the measurement of surface functional groups, measurement of the piezoelectric constant d 14, C Layer formation and adhesion evaluation were performed.
The evaluation results are shown in Table 1 below.

表1に示すように、ポリ乳酸系樹脂を含むA層/不飽和カルボン酸重合体を含むB層の積層構造を有し、[C(=O)−O]/[C(=O)−O−C]、即ち、比率〔(C(=O)−Oの数)/(C(=O)−O−C基の数)〕が1.4以上5.0以下である実施例1及び2の積層体は、C層との接着性に優れており、かつ、ポリ乳酸系樹脂を含むA層の高い圧電定数d14(即ち、高い圧電性)が十分に維持されていた。
一方、比較例1では、プラズマ処理によってもプラズマ処理層(B層)が形成されず、寧ろA層が膜減りした。
また、プラズマ処理層(B層)を有しない比較例2では、C層との接着性が悪かった。
As shown in Table 1, it has a laminated structure of A layer containing polylactic acid resin / B layer containing unsaturated carboxylic acid polymer, and [C (= O) -O] / [C (= O)- Example 1 wherein the ratio [(C (= O) -O) / (C (= O) -O-C group)]] is 1.4 or more and 5.0 or less. 2 and 2 were excellent in adhesiveness to the C layer, and the high piezoelectric constant d 14 (that is, high piezoelectricity) of the A layer containing the polylactic acid resin was sufficiently maintained.
On the other hand, in Comparative Example 1, the plasma treatment layer (B layer) was not formed even by the plasma treatment, but rather the A layer was reduced.
Moreover, in the comparative example 2 which does not have a plasma processing layer (B layer), adhesiveness with C layer was bad.

10 主ガス供給ライン
11 バブリング用主ガス供給ライン
12 処理ガス添加ライン
13 ガス供給ライン
14 ガス排気ライン
20 処理剤
30 バブリング装置
40 ガス供給部
45 ガス排気部
50 電圧印加電極
55 接地電極
60 パルス電源
70 誘電体
75 誘電体
80 プラズマ空間
90 被処理基材
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Main gas supply line 11 Main gas supply line 12 for bubbling Process gas addition line 13 Gas supply line 14 Gas exhaust line 20 Processing agent 30 Bubbling apparatus 40 Gas supply part 45 Gas exhaust part 50 Voltage application electrode 55 Ground electrode 60 Pulse power supply 70 Dielectric 75 Dielectric 80 Plasma space 90 Substrate to be processed

Claims (10)

ポリ乳酸系樹脂を含むA層と、一方の面で前記A層の表面に接する不飽和カルボン酸重合体を含むB層と、を有し、
前記B層の表面をX線光電子分光法により測定して得られた炭素1sスペクトルから波形解析により求められた、C(=O)−O−C基の数に対するC(=O)−Oの数の比率〔(C(=O)−Oの数)/(C(=O)−O−C基の数)〕が1.4以上5.0以下である圧電性積層体。
A layer containing a polylactic acid-based resin, and B layer containing an unsaturated carboxylic acid polymer in contact with the surface of the A layer on one side,
The number of C (= O) -O with respect to the number of C (= O) -O-C groups determined by waveform analysis from the carbon 1s spectrum obtained by measuring the surface of the B layer by X-ray photoelectron spectroscopy. A piezoelectric laminate in which the ratio of numbers [(number of C (= O) -O) / (number of C (= O) -O-C groups)] is 1.4 or more and 5.0 or less.
前記A層は、25℃における圧電定数d14が1pC/N〜30pC/Nである請求項1に記載の圧電性積層体。 2. The piezoelectric laminate according to claim 1, wherein the A layer has a piezoelectric constant d 14 at 25 ° C. of 1 pC / N to 30 pC / N. 前記B層の膜厚が、2nm以上70nm以下である請求項1又は請求項2に記載の圧電性積層体。   The piezoelectric laminate according to claim 1 or 2, wherein the thickness of the B layer is 2 nm or more and 70 nm or less. 更に、前記B層の他方の面に接するC層を有する請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の圧電性積層体。   The piezoelectric laminate according to any one of claims 1 to 3, further comprising a C layer in contact with the other surface of the B layer. 前記不飽和カルボン酸重合体がアクリル酸重合体である請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載の圧電性積層体。   The piezoelectric laminate according to any one of claims 1 to 4, wherein the unsaturated carboxylic acid polymer is an acrylic acid polymer. 前記B層が、前記A層の前記表面に対して、不飽和カルボン酸を含む不活性ガスを用いて大気圧近傍の圧力下でプラズマ処理を行うことにより形成された層である請求項1〜請求項5のいずれか1項に記載の圧電性積層体。   The B layer is a layer formed by performing a plasma treatment on the surface of the A layer using an inert gas containing an unsaturated carboxylic acid under a pressure near atmospheric pressure. The piezoelectric laminated body of any one of Claim 5. 前記C層が、酸化金属化合物を含む請求項4〜請求項6のいずれか1項に記載の圧電性積層体。   The piezoelectric laminate according to claim 4, wherein the C layer contains a metal oxide compound. 前記酸化金属化合物が、酸化亜鉛(ZnO)、酸化インジウムスズ(ITO)、及び酸化インジウム亜鉛(IZO)からなる群から選ばれる少なくとも1種を含む請求項7に記載の圧電性積層体。   The piezoelectric laminate according to claim 7, wherein the metal oxide compound includes at least one selected from the group consisting of zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO). 請求項1〜請求項8のいずれか1項に記載の圧電性積層体を製造する方法であって、
ポリ乳酸系樹脂を含むA層を準備する工程と、
前記A層の表面に対し、不飽和カルボン酸を含んだ不活性ガスを用いて大気圧近傍の圧力下でプラズマ処理を行うことにより、前記A層表面に不飽和カルボン酸重合体を含むB層を形成する工程と、
形成されたB層を溶媒を用いて洗浄する工程と、
を有する圧電性積層体の製造方法。
A method for producing a piezoelectric laminate according to any one of claims 1 to 8,
Preparing a layer A containing a polylactic acid resin;
A layer B containing an unsaturated carboxylic acid polymer on the surface of the layer A by performing a plasma treatment on the surface of the layer A using an inert gas containing an unsaturated carboxylic acid under a pressure near atmospheric pressure. Forming a step;
Washing the formed B layer with a solvent;
The manufacturing method of the piezoelectric laminated body which has this.
更に、B層を洗浄する工程の後、該洗浄後のB層上に蒸着により酸化金属化合物を含むC層を形成する工程を有する請求項9に記載の圧電性積層体の製造方法。   Furthermore, the manufacturing method of the piezoelectric laminated body of Claim 9 which has the process of forming C layer containing a metal oxide compound by vapor deposition on B layer after this washing | cleaning B layer.
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