JP2012051738A - セラミック誘電体及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題を解決する手段】本発明のTaを使用しない新規なセラミックはBa、Mg及びNbを含む。このセラミックは組成式Ba4−5xMg5xNb2+yO9で表される。ここで、0.35<x≦0.47及び−0.05≦y≦0.01であり、また共振周波数の温度係数は−5〜+6ppm/℃の範囲である。このセラミックの焼結温度は従来技術の当該温度よりも大幅に低く、1360℃未満である。
【選択図】図1
Description
(1)高ε材料:ε>60、Q*f>10THz、かつ−5<Τf<6ppm/℃
(2)中ε材料:33<ε<45、Q*f>50THz、かつ−5<Τf<6ppm/℃
(3)高Q材料:10<ε<30、Q*f>100THz、かつ−5<Τf<6ppm/℃
本発明はグループ3の分類に入るので、以下ではグループ3のDR材料に関する技術の現状についてのみ焦点を当てる。
(1)この新規なDR材料は簡単に入手可能であって安価な材料から成り、特にTaを含まない。
(2)この材料は処理コストが低い。特に、焼結温度が1360℃以下と、比較的低い。
(3)この材料は共振周波数の温度係数が−5≦Τf≦+6ppm/oCという、調節可能な値を持つ。
(4)この材料は高いQ値をもつ(すなわち、Q*f≧130THz)。
(5)この材料は好ましくは22≦ε≦32と、Ba3MgTa2O9及びBa3ZnTa2O9セラミックに匹敵する誘電率を有する。
(a)Ba、Mg及びNbを含む前駆物質を混合する。
(b)前記混合された前駆物質をか焼する(calcine)。
(c)前記混合されか焼された前駆物質を1360℃未満で焼結する。
(d)前記か焼された前駆物質を粉砕する。
(e)前記粉砕された前駆物質をバインダーと混合する。
(f)前記バインダーと混合された前記前駆物質を前記焼結の前に所望の形にモールドする。
0.35<x≦0.47、−0.05≦y≦0.01、0≦b≦0.2及び0≦c≦0.05であるセラミック誘電体。
Claims (16)
- BaとMgとNbとを含み、組成式Ba4−5xMg5xNb2+yO9で表されるセラミック材料であって、
0.35<x≦0.47及び−0.05≦y≦0.01であるとともに、
共振周波数の温度係数が−5から+6ppm/℃の範囲内にある
セラミック材料。 - 誘電係数が22から32の範囲内にある、請求項1に記載のセラミック材料。
- Q*f値が130THz以上である、請求項1または2に記載のセラミック材料。
- 請求項1から3の何れかに記載のセラミック材料から形成された共振器本体を設けた誘電共振器。
- 以下のステップ(a)〜(c)を設けた、請求項1から3の何れかに記載のセラミック材料を作成する方法。
(a)Ba、Mg及びNbを含む前駆物質を混合する。
(b)前記混合された前駆物質をか焼する(calcine)。
(c)前記混合されか焼された前駆物質を1360℃未満で焼結する。 - 前記焼結するステップは1300から1320℃の範囲内の温度で行われる、請求項5に記載の方法。
- 前記前駆物質は酸化物、炭酸塩、塩化物または窒化物である、請求項5または6に記載の方法。
- 前記か焼するステップは1000から1100℃の範囲内の温度で行われる、請求項5から7の何れかに記載の方法。
- 以下のステップ(d)〜(f)を設けた、請求項5から8の何れかの方法。
(d)前記仮称された前駆物質を粉砕する。
(e)前記粉砕された前駆物質をバインダーと混合する。
(f)前記バインダーと混合された前記前駆物質を前記焼結の前に所望の形にモールドする。 - BaとMgとZnとNbとOとを含み、組成式Ba4−5x(Mg1−bZnb)5xNb2+yO9で表されるセラミック誘電体であって、
0.35<x≦0.47、−0.05≦y≦0.01及び0≦b≦0.2であるセラミック誘電体。 - BaとMgとZnとNbとVとOとを含み、組成式Ba4−5x(Mg1−bZnb)5x(Nb1−cVc)2+yO9で表されるセラミック誘電体であって、
0.35<x≦0.47、−0.05≦y≦0.01、0≦b≦0.2及び0≦c≦0.05であるセラミック誘電体。 - BaとMgとZnとNbとVとSbとOとを含み、組成式Ba4−5x(Mg1−bZnb)5x(Nb1−c−dVcSbd)2+yO9で表されるセラミック誘電体であって、
0.35<x≦0.47、−0.05≦y≦0.01、0≦b≦0.2、0≦c≦0.05及び0≦d≦0.1であるセラミック誘電体。 - 共振周波数の温度係数が−5から+6ppm/℃の範囲内にある、請求項10から12の何れかに記載のセラミック誘電体。
- 誘電係数が22から32の範囲内にある、請求項10から13の何れかに記載のセラミック誘電体。
- Q*f値が130THz以上である、請求項10から13の何れかに記載のセラミック誘電体。
- 請求項10から15の何れかに記載のセラミック誘電体から形成された共振器本体を設けた誘電体共振器。
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