JP2012033307A - Organic el element and method of manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing an organic EL element, by which even in the case of a light output side electrode composed of a transparent electrode having a high resistance value, an auxiliary electrode can be readily formed on the transparent electrode with stability.SOLUTION: The method of manufacturing an organic EL element 10 comprises the steps of: forming a first electrode 2 on a substrate 1; forming a dielectric layer 3 in a given pattern for defining a region B in which electric charge is supplied from the first electrode 2 to an organic EL layer 6(6R,6G,6B); forming, on the dielectric layer 3, a partition wall 4 having an inverted taper portion 5 on each or one of opposing wall surfaces thereof; forming an organic EL layer 6 on the first electrode 2; forming a layer of a second electrode material over the whole surface from above the organic EL layer 6 by dry deposition, and forming a transparent second electrode 7 for each pixel region; and forming an auxiliary electrode 8 in a region D composed of a region C on the partition wall 4, and an overlapping region (A1 and/or A2) of the second electrode 7 where the dielectric layer 3 provided on both sides or one side of the partition wall 4 in plan view overlaps with the second electrode 7 in plan view.

Description

本発明は、有機EL素子及びその製造方法に関する。さらに詳しくは、出光側の電極を抵抗値の高い透明電極とする場合に、その透明電極上に補助電極を容易且つ安定して形成することができる構造形態を持つ有機EL素子、及びその製造方法に関する。   The present invention relates to an organic EL element and a method for manufacturing the same. More specifically, in the case where the light-emitting side electrode is a transparent electrode having a high resistance value, an organic EL element having a structural form capable of easily and stably forming an auxiliary electrode on the transparent electrode, and a manufacturing method thereof About.

有機EL(エレクトロルミネセンス)素子の基本構造は、基板上に第1電極、有機EL層及び第2電極をその順で積層して構成されている。この有機EL素子において、トップエミッション型(有機EL層から見て上方、すなわち第2電極側から光が出光するタイプ)又はトップ・アンド・ボトムエミッション型(有機EL層から見て第1電極側と第2電極側の両側から光が出光するタイプ)の素子構造では、少なくとも第2電極を透明電極にする必要がある。一般的には、基板上の第1電極が陽極となり、第2電極が陰極となっている例が多く、有機EL層が正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層で構成される場合の一例としては、基板側から、陽極、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、陰極、の順で積層される。   The basic structure of an organic EL (electroluminescence) element is configured by laminating a first electrode, an organic EL layer, and a second electrode in that order on a substrate. In this organic EL element, a top emission type (a type in which light is emitted from the upper side as viewed from the organic EL layer, that is, a type in which light is emitted from the second electrode side) or a top-and-bottom emission type (a first electrode side as viewed from the organic EL layer) In an element structure in which light is emitted from both sides on the second electrode side), at least the second electrode needs to be a transparent electrode. In general, there are many examples in which the first electrode on the substrate is an anode and the second electrode is a cathode, and the organic EL layer is a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron. As an example of an injection layer, the anode layer, the hole injection layer, the hole transport layer, the light emitting layer, the electron transport layer, the electron injection layer, and the cathode are stacked in this order from the substrate side.

上記したトップエミッション型又はトップ・アンド・ボトムエミッション型の有機EL素子では、第2電極である陰極を透明にする必要があり、一般的には非常に薄い金属薄膜を透明電極として光を透過させている。しかし、光を透過するほどの薄い金属薄膜は抵抗値が高くなり、特にパッシブマトリクス型の有機EL素子では、ストライプ状に細長く設けた陰極の両端付近に比べ、陰極の中央付近では電圧降下が大きくなって画素に十分な電圧を印加できず、輝度が低下してしまうという問題が生じるおそれがある。   In the above-mentioned top emission type or top-and-bottom emission type organic EL element, it is necessary to make the cathode as the second electrode transparent. Generally, a very thin metal thin film is used as a transparent electrode to transmit light. ing. However, a thin metal thin film that transmits light has a high resistance value. In particular, in a passive matrix type organic EL element, a voltage drop is larger in the vicinity of the center of the cathode than in the vicinity of both ends of the elongated cathode. As a result, a sufficient voltage cannot be applied to the pixel, which may cause a problem that the luminance is lowered.

こうした問題に対しては、抵抗値の高い透明電極に補助電極を接続して抵抗値を下げることがある。しかしながら、抵抗値を下げるための補助電極は光が透過しない厚さの金属膜で形成されるため、その金属膜からなる補助電極は、発光面積を縮小しないように、光の出光経路を妨げない部位に精度よく形成しなければならない。例えば特許文献1に示すように、逆テーパー部を有する隔壁を画素間に設けた後に有機EL層や第2電極を設けてなる有機EL素子では、光の出光経路を妨げない第2電極上の部位は、絶縁膜(同文献中の図11の符号5)の上方のみであり、その位置に補助電極を精度よく形成する必要がある。   For such a problem, an auxiliary electrode may be connected to a transparent electrode having a high resistance value to lower the resistance value. However, since the auxiliary electrode for reducing the resistance value is formed of a metal film having a thickness that does not transmit light, the auxiliary electrode made of the metal film does not hinder the light emission path so as not to reduce the light emitting area. It must be accurately formed on the site. For example, as shown in Patent Document 1, in an organic EL element in which an organic EL layer and a second electrode are provided after a partition having a reverse taper portion is provided between pixels, the light emission path is not obstructed on the second electrode. The portion is only above the insulating film (reference numeral 5 in FIG. 11 in the same document), and it is necessary to accurately form the auxiliary electrode at that position.

前記した位置に補助電極を形成した有機EL素子として、例えば特許文献2には、絶縁層上に補助電極を予め形成した後に、同じく絶縁層上に逆テーパーを有する隔壁を設け、その後、有機EL層と透明電極を積層させてなる有機EL素子の製造方法が記載されている。この有機EL素子の製造方法では、光の透過領域を減少させないで補助電極を設けることができる。   As an organic EL element in which an auxiliary electrode is formed at the above-described position, for example, in Patent Document 2, after an auxiliary electrode is formed in advance on an insulating layer, a partition wall having a reverse taper is provided on the insulating layer, and then organic EL The manufacturing method of the organic EL element formed by laminating | stacking a layer and a transparent electrode is described. In this method of manufacturing an organic EL element, the auxiliary electrode can be provided without reducing the light transmission region.

特開2000−331783号公報(図11)JP 2000-331783 A (FIG. 11) 特開2008−84541号公報(図1B、図4B、図5B等)JP 2008-84541 A (FIGS. 1B, 4B, 5B, etc.)

しかしながら、特許文献2に記載の有機EL素子では、補助電極材料を全面にスパッタリング法で成膜した後に、フォトリソグラフィ法でパターニングして絶縁層上のみに補助電極を形成しており、工数が多い。さらに、透明電極と補助電極との接続は、有機EL層が形成されていない隔壁との間の僅かな隙間に透明電極を回り込ませて補助電極に接続するという手段で行っているが、確実な接続が不安定になるおそれがある。   However, in the organic EL element described in Patent Document 2, the auxiliary electrode material is formed on the entire surface by the sputtering method, and then patterned by the photolithography method to form the auxiliary electrode only on the insulating layer. . Furthermore, the connection between the transparent electrode and the auxiliary electrode is performed by means of connecting the transparent electrode to the auxiliary electrode by passing the transparent electrode into a slight gap between the partition wall where the organic EL layer is not formed. The connection may become unstable.

本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、その目的は、出光側の電極が抵抗値の高い透明電極である場合に、その透明電極上に補助電極を容易且つ安定して形成することができる有機EL素子の製造方法を提供することにある。また、本発明の他の目的は、透明電極上に補助電極を容易且つ安定して形成することができる構造形態を備えた有機EL素子を提供することにある。   The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and its object is to facilitate and stabilize the auxiliary electrode on the transparent electrode when the light-emitting side electrode is a transparent electrode having a high resistance value. Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing an organic EL element that can be formed by the following method. Another object of the present invention is to provide an organic EL device having a structure that can easily and stably form an auxiliary electrode on a transparent electrode.

本出願人は、図13に示すように、基板101上に第1電極102と絶縁層103とを所定のパターンで設け、その絶縁層103上に逆テーパー部105を有する隔壁104を設けた後に、主に塗布法で形成した有機EL層106と蒸着法で全面に形成した第2電極107とを積層する有機EL素子100の製造方法を検討していた。この検討過程で、補助電極を簡便にパターン形成するための手段として、有機EL層106で発光した光の透過領域Bの隔壁側にある絶縁層103の上方領域(領域A)にのみ補助電極108を蒸着することを試みた。そして、そのためのシャドウマスク110を作製した。しかしながら、その領域Aは幅10μm〜20μmと極めて狭かったため、図14に示すように、領域Aに対応する狭い幅の開口部111をステンレス板に形成したシャドウマスク110を作製することは極めて困難であるという知見を得た。なお、図14中の符号112は領域B(図13の光透過領域)に対応する遮蔽パターン(非開口部)であり、符号113は領域C(図13の隔壁幅)に対応する遮蔽パターン(非開口部)である。   After the first electrode 102 and the insulating layer 103 are provided in a predetermined pattern on the substrate 101 and the partition wall 104 having the reverse tapered portion 105 is provided on the insulating layer 103 as shown in FIG. The manufacturing method of the organic EL element 100 in which the organic EL layer 106 formed mainly by the coating method and the second electrode 107 formed on the entire surface by the vapor deposition method are stacked has been studied. In this examination process, as a means for easily patterning the auxiliary electrode, the auxiliary electrode 108 is provided only in the upper region (region A) of the insulating layer 103 on the partition side of the transmission region B of the light emitted from the organic EL layer 106. Attempted to deposit. And the shadow mask 110 for that was produced. However, since the area A was extremely narrow, such as 10 μm to 20 μm in width, as shown in FIG. 14, it is extremely difficult to produce a shadow mask 110 in which a narrow width opening 111 corresponding to the area A is formed on a stainless steel plate. The knowledge that there is. 14 is a shielding pattern (non-opening portion) corresponding to the region B (light transmission region in FIG. 13), and 113 is a shielding pattern (non-opening portion) corresponding to the region C (partition wall width in FIG. 13). Non-opening).

上記課題を解決するための本発明の第1の観点に係る有機EL素子の製造方法は、基板上に第1電極を形成する工程と、前記第1電極から有機EL層に電荷を供給する領域Bを画定するための絶縁層を所定のパターンで形成する工程と、前記絶縁層上に、逆テーパー部を両壁面に有する隔壁を形成する工程と、前記第1電極上に有機EL層を形成する工程と、前記有機EL層の上方向から全面に第2電極材料を乾式成膜して画素領域毎に透明な第2電極を形成する工程と、前記隔壁上の領域Cと該隔壁を平面視で挟む両側に設けられた前記絶縁層及び前記第2電極の平面視重複領域(A1,A2)とからなる領域Dに、シャドウマスクを用いて補助電極を形成する工程と、を有することを特徴とする。   A method for manufacturing an organic EL element according to a first aspect of the present invention for solving the above problems includes a step of forming a first electrode on a substrate, and a region for supplying a charge from the first electrode to the organic EL layer. Forming an insulating layer for defining B in a predetermined pattern, forming a partition having reverse tapered portions on both wall surfaces on the insulating layer, and forming an organic EL layer on the first electrode Forming a transparent second electrode for each pixel region by forming a second electrode material on the entire surface of the organic EL layer from above, forming a transparent region C on the partition and the partition Forming an auxiliary electrode using a shadow mask in a region D composed of the insulating layer provided on both sides sandwiched in view and the overlapping region (A1, A2) in plan view of the second electrode. Features.

この発明によれば、補助電極を、逆テーパー部を両壁面に有する隔壁上の領域Cとその隔壁を平面視で挟む両側に設けられた絶縁層及び第2電極の平面視重複領域(A1,A2)とからなる領域Dに、シャドウマスクを用いて形成する。この領域Dは、本出願人が事前に補助電極の形成を試みた領域A1,A2にさらに領域Cを加えた幅(領域D)になっているので、この領域Dへの補助電極の形成に用いるシャドウマスクは、領域Dと同じ幅の開口部を有していればよい。つまり、本発明は、補助電極を幅が狭い領域A1,A2のみに設けるのではなく、隔壁上の領域Cと組み合わせた幅広の領域Dにシャドウマスクを用いて形成した点に特徴がある。そのため、用いるシャドウマスクは、開口部の形成が容易で安価であり、且つシャドウマスクを用いた成膜や露光は工数が少ないので、第2電極上の所定領域(A1,A2)への補助電極を容易且つ安定して、低コストで形成することができる。   According to the present invention, the auxiliary electrode is divided into the region C on the partition wall having the opposite tapered portions on both wall surfaces, the insulating layer provided on both sides sandwiching the partition wall in plan view, and the overlapping region (A1, plan view) of the second electrode. A shadow mask is used to form the region D including A2). Since the region D has a width (region D) obtained by adding the region C to the regions A1 and A2 in which the applicant tried to form the auxiliary electrode in advance, the auxiliary electrode is formed in the region D. The shadow mask to be used only needs to have an opening having the same width as the region D. That is, the present invention is characterized in that the auxiliary electrode is not provided only in the narrow areas A1 and A2, but is formed in the wide area D combined with the area C on the partition wall using the shadow mask. Therefore, the shadow mask to be used is easy to form the opening and is inexpensive, and the film formation and exposure using the shadow mask require a small number of steps. Therefore, the auxiliary electrode to the predetermined region (A1, A2) on the second electrode Can be formed easily and stably at a low cost.

上記第1の観点に係る有機EL素子の製造方法において、前記補助電極を、一つおきの領域Dに形成する。   In the method for manufacturing an organic EL element according to the first aspect, the auxiliary electrode is formed in every other region D.

補助電極は領域D毎に形成してもよいが、この発明のように、一つおきの領域Dに補助電極を形成してもよく、それにより、開口部数が少なく且つマスク解像度を低くした単純で低コストのシャドウマスクを用いることができる。   The auxiliary electrode may be formed for each region D. However, as in the present invention, the auxiliary electrode may be formed in every other region D, thereby reducing the number of openings and reducing the mask resolution. Thus, a low-cost shadow mask can be used.

上記課題を解決するための本発明の第2の観点に係る有機EL素子の製造方法は、基板上に第1電極を形成する工程と、前記第1電極から有機EL層に電荷を供給する領域Bを画定するための絶縁層を所定のパターンで形成する工程と、前記絶縁層上に、逆テーパー部を片壁面に有する隔壁を形成する工程と、前記第1電極上に有機EL層を形成する工程と、前記有機EL層の上方向から全面に第2電極材料を乾式成膜して画素領域毎に透明な第2電極を形成する工程と、前記隔壁上の領域Cと該隔壁を平面視で挟む両側に設けられた前記絶縁層及び前記第2電極の平面視重複領域(A1,A2)のうち前記逆テーパー部が形成されていない側の領域(A1又はA2)とからなる領域Dに、シャドウマスクを用いて補助電極を形成する工程と、を有することを特徴とする。   A method for manufacturing an organic EL element according to a second aspect of the present invention for solving the above-described problems includes a step of forming a first electrode on a substrate, and a region for supplying a charge from the first electrode to the organic EL layer. Forming an insulating layer for defining B in a predetermined pattern, forming a partition having a reverse tapered portion on one wall surface on the insulating layer, and forming an organic EL layer on the first electrode Forming a transparent second electrode for each pixel region by forming a second electrode material on the entire surface of the organic EL layer from above, forming a transparent region C on the partition and the partition A region D composed of the insulating layer provided on both sides sandwiched in view and the region (A1, A2) on the side where the reverse tapered portion is not formed in the overlapping region (A1, A2) in plan view of the second electrode. And a step of forming an auxiliary electrode using a shadow mask, Characterized in that it has a.

この発明では、補助電極を、逆テーパー部を片壁面に有する隔壁上の領域Cとその隔壁を平面視で挟む両側に設けられた絶縁層及び第2電極の平面視重複領域(A1,A2)のうち前記逆テーパー部が形成されていない側の領域(A1又はA2)とからなる領域Dに、シャドウマスクを用いて形成する。この領域Dは、本出願人が事前に補助電極の形成を試みた領域A1,A2のいずれかにさらに領域Cを加えた幅(領域D)になっているので、この領域Dへの補助電極の形成に用いるシャドウマスクは、領域Dと同じ幅の開口部を有していればよい。つまり、本発明は、補助電極を幅が狭い領域A1,A2のみに設けるのではなく、上記第1の観点に係る発明とは形状が異なる隔壁上の領域Cと組み合わせた幅広の領域Dにシャドウマスクを用いて形成した点に特徴がある。そのため、用いるシャドウマスクは、開口部の形成が容易で安価であり、且つシャドウマスクを用いた成膜や露光は工数が少ないので、第2電極上の所定領域(A1又はA2)への補助電極を容易且つ安定して、低コストで形成することができる。   In the present invention, the auxiliary electrode has a region C on the partition wall having a reverse tapered portion on one wall surface and an insulating layer provided on both sides sandwiching the partition wall in a plan view, and a planar view overlapping region (A1, A2). Of these, a shadow mask is used to form a region D including the region (A1 or A2) on the side where the reverse tapered portion is not formed. The region D has a width (region D) obtained by adding the region C to any one of the regions A1 and A2 in which the applicant has attempted to form the auxiliary electrode in advance. The shadow mask used for forming the substrate may have an opening having the same width as the region D. That is, according to the present invention, the auxiliary electrode is not provided only in the narrow regions A1 and A2, but the shadow is applied to the wide region D combined with the region C on the partition wall having a different shape from the invention according to the first aspect. It is characterized in that it is formed using a mask. For this reason, the shadow mask to be used is easy to form an opening and is inexpensive, and film formation and exposure using the shadow mask require a small number of steps. Therefore, the auxiliary electrode to the predetermined region (A1 or A2) on the second electrode Can be formed easily and stably at a low cost.

上記第1,第2の観点に係る有機EL素子の製造方法において、前記シャドウマスクは、前記第2電極の上方向に配置して前記領域Dに補助電極用材料を乾式成膜するための開口部を有している。   In the method for manufacturing an organic EL element according to the first and second aspects, the shadow mask is disposed above the second electrode, and an opening for dry film formation of the auxiliary electrode material in the region D. Has a part.

この発明によれば、シャドウマスクは、補助電極用材料を乾式成膜(蒸着、スパッタ等)するためのマスクとして用いる。   According to this invention, the shadow mask is used as a mask for dry film formation (evaporation, sputtering, etc.) of the auxiliary electrode material.

上記第1,第2の観点に係る有機EL素子の製造方法において、前記補助電極の形成工程は、前記第2電極の形成工程後の前記隔壁上にリフトオフ用膜を形成する工程と、該リフトオフ用膜が形成された隔壁を含む領域Dに前記シャドウマスクを用いて補助電極を形成する工程と、前記リフトオフ用膜及び該リフトオフ用膜上に設けられた補助電極材料層を除去する工程とを含む。   In the manufacturing method of the organic EL element according to the first and second aspects, the auxiliary electrode forming step includes a step of forming a lift-off film on the partition after the second electrode forming step, and the lift-off method. Forming an auxiliary electrode in the region D including the partition wall on which the working film is formed using the shadow mask, and removing the lift-off film and the auxiliary electrode material layer provided on the lift-off film. Including.

この発明によれば、補助電極の形成工程を、隔壁上へのリフトオフ用膜形成工程と、その隔壁を含む領域Dへの補助電極形成工程と、リフトオフ用膜及びリフトオフ用膜上の補助電極材料層の除去工程とを含むように構成しているので、隔壁上の補助電極材料層をリフトオフ膜を利用して最終的に残さない形態とすることができる。   According to the present invention, the step of forming the auxiliary electrode includes the step of forming the lift-off film on the partition, the step of forming the auxiliary electrode on the region D including the partition, the lift-off film, and the auxiliary electrode material on the lift-off film. Since the layer removing step is included, the auxiliary electrode material layer on the partition can be finally left using the lift-off film.

上記第1,第2の観点に係る有機EL素子の製造方法において、前記補助電極の形成工程は、前記第2電極の形成工程後の全面に撥液性の透明樹脂層を形成する工程と、該透明樹脂層を前記シャドウマスクを用いて前記領域Dの透明樹脂層を除去する工程と、該透明樹脂層を除去した前記平面視重複領域(A1,A2)に前記透明樹脂層に対して撥液する補助電極用導電ペーストを塗布して補助電極を形成する工程とを含む。   In the method for manufacturing an organic EL element according to the first and second aspects, the auxiliary electrode forming step includes a step of forming a liquid-repellent transparent resin layer on the entire surface after the second electrode forming step; The step of removing the transparent resin layer in the region D by using the shadow mask, and repelling the transparent resin layer in the overlapping region (A1, A2) in plan view where the transparent resin layer is removed. A step of applying an auxiliary electrode conductive paste to form an auxiliary electrode.

この発明によれば、補助電極の形成を、全面への撥液性透明樹脂層の形成工程と、シャドウマスクを用いて領域Dの透明樹脂層を除去する工程と、平面視重複領域(A1,A2)に透明樹脂層に対して撥液する補助電極用導電ペーストを塗布して補助電極を形成する工程とを含むように構成しているので、乾式成膜以外の湿式成膜でも、シャドウマスクを用いて補助電極を平面視重複領域(A1,A2)に形成できる。このとき、補助電極用導電ペーストは、第2電極上の撥液性透明樹脂層に対して撥液するので、その導電ペーストが撥液性透明樹脂層上に形成されることはなく、光の透過領域Bを減少させることはない。多少精度の悪い塗布法で導電ペーストを塗布した場合であっても、撥液性透明樹脂層上に導電ペーストが載らないので、補助電極用導電ペーストを平面視重複領域(A1,A2)のみに形成して補助電極とすることができる。この場合に用いるシャドウマスクも、開口部の形成が容易で安価であり、且つシャドウマスクを用いた露光も工数が少ないので、第2電極上の所定領域(A1,A2)への補助電極を容易且つ安定して、低コストで形成することができる。   According to this invention, the auxiliary electrode is formed by forming the liquid repellent transparent resin layer over the entire surface, removing the transparent resin layer in the region D using a shadow mask, A2) includes a step of forming an auxiliary electrode by applying a conductive paste for auxiliary electrode that repels liquid to the transparent resin layer, so that a shadow mask can be formed even in wet film formation other than dry film formation. Can be used to form the auxiliary electrode in the overlapping region (A1, A2) in plan view. At this time, the conductive paste for the auxiliary electrode repels the liquid-repellent transparent resin layer on the second electrode, so that the conductive paste is not formed on the liquid-repellent transparent resin layer. The transmission area B is not reduced. Even when the conductive paste is applied by a slightly inaccurate coating method, the conductive paste is not placed on the liquid repellent transparent resin layer, so that the auxiliary electrode conductive paste is applied only to the overlapping region (A1, A2) in plan view. It can be formed as an auxiliary electrode. The shadow mask used in this case is also easy and inexpensive to form an opening, and the exposure using the shadow mask requires less man-hours. Therefore, it is easy to provide an auxiliary electrode to a predetermined region (A1, A2) on the second electrode. In addition, it can be formed stably and at low cost.

本発明に係る有機EL素子の製造方法において、パッシブマトリクス型又はアクティブマトリクス型の素子であるように構成する。   In the method for manufacturing an organic EL element according to the present invention, the organic EL element is configured to be a passive matrix or active matrix element.

この発明によれば、有機EL素子がパッシブマトリクス型であってもアクティブマトリクス型であってもよく、さらにR、G、Bの有機EL層を少なくとも含むフルカラータイプであってもよいし、単色又は二色のモノクロタイプであってもよい。   According to the present invention, the organic EL element may be a passive matrix type or an active matrix type, and may be a full color type including at least an R, G, B organic EL layer, A two-color monochrome type may be used.

上記課題を解決するための本発明の第1の観点に係る有機EL素子は、基板上に設けられた第1電極と、前記第1電極から有機EL層に電荷を供給する領域Bを画定するために設けられた、所定パターンの絶縁層と、前記絶縁層上に設けられた、逆テーパー部を両壁面に有する隔壁と、前記第1電極上に設けられた有機EL層と、前記有機EL層上に設けられた透明な第2電極と、前記隔壁上の領域Cと該隔壁を平面視で挟む両側に設けられた前記絶縁層及び前記第2電極の平面視重複領域(A1,A2)とからなる領域Dに設けられた補助電極と、を有することを特徴とする。   An organic EL device according to a first aspect of the present invention for solving the above-described problem defines a first electrode provided on a substrate and a region B for supplying electric charge from the first electrode to the organic EL layer. An insulating layer having a predetermined pattern, a partition wall provided with reverse tapered portions on both wall surfaces, an organic EL layer provided on the first electrode, and the organic EL A transparent second electrode provided on the layer, a region C on the partition wall, and the insulating layer provided on both sides sandwiching the partition wall in plan view, and a planar view overlapping region (A1, A2) of the second electrode And an auxiliary electrode provided in a region D consisting of

この発明によれば、補助電極が、逆テーパー部を両壁面に有する隔壁上の領域Cとその隔壁を平面視で挟む両側に設けられた絶縁層及び第2電極の平面視重複領域(A1,A2)とからなる領域Dに設けられている。この領域Dは、本出願人が事前に補助電極の形成を試みた領域A1,A2にさらに領域Cを加えた幅(領域D)になっているので、この領域Dに形成された補助電極は、幅が狭い領域A1,A2のみに形成された補助電極に比べて容易且つ安定したものとなる。その結果、第2電極が透明電極である場合に、その第2電極上に低コストで特性が安定した補助電極を有する有機EL素子を提供できる。   According to the present invention, the auxiliary electrode includes the region C on the partition wall having the opposite taper portions on both wall surfaces, the insulating layer provided on both sides sandwiching the partition wall in plan view, and the overlapping region (A1, planar view) of the second electrode. A2) is provided in region D. Since the region D has a width (region D) obtained by adding the region C to the regions A1 and A2 in which the applicant has attempted to form the auxiliary electrode in advance, the auxiliary electrode formed in the region D is Compared to the auxiliary electrode formed only in the narrow regions A1 and A2, the auxiliary electrode is easier and more stable. As a result, when the second electrode is a transparent electrode, an organic EL element having an auxiliary electrode with stable characteristics at low cost can be provided on the second electrode.

上記第1の観点に係る有機EL素子において、前記補助電極が、一つおきの領域Dに形成されている。   In the organic EL element according to the first aspect, the auxiliary electrode is formed in every other region D.

補助電極は領域D毎に形成されていてもよいが、この発明のように、一つおきの領域Dに補助電極が形成されていてもよい。こうした形態からなる補助電極の形成は、開口部数が少ないシャドウマスクを用いて行うので、マスク解像度の低いシャドウマスクを用いることができ、低コストの有機EL素子を提供できる。   Although the auxiliary electrode may be formed for each region D, the auxiliary electrode may be formed in every other region D as in the present invention. Since the auxiliary electrode having such a form is formed using a shadow mask having a small number of openings, a shadow mask having a low mask resolution can be used, and a low-cost organic EL element can be provided.

上記課題を解決するための本発明の第2の観点に係る有機EL素子は、基板上に設けられた第1電極と、前記第1電極から有機EL層に電荷を供給する領域Bを画定するために設けられた、所定パターンの絶縁層と、前記絶縁層上に設けられた、逆テーパー部を片壁面に有する隔壁と、前記第1電極上に設けられた有機EL層と、前記有機EL層上に設けられた透明な第2電極と、前記隔壁上の領域Cと該隔壁を平面視で挟む両側に設けられた前記絶縁層及び前記第2電極の平面視重複領域(A1,A2)のうち前記逆テーパー部が形成されていない側の領域(A1又はA2)とからなる領域Dに設けられた補助電極と、を有することを特徴とする。   An organic EL device according to a second aspect of the present invention for solving the above-described problem defines a first electrode provided on a substrate and a region B for supplying electric charge from the first electrode to the organic EL layer. An insulating layer having a predetermined pattern, a partition wall having a reverse tapered portion on one wall surface, an organic EL layer provided on the first electrode, and the organic EL layer; A transparent second electrode provided on the layer, a region C on the partition wall, and the insulating layer provided on both sides sandwiching the partition wall in plan view, and a planar view overlapping region (A1, A2) of the second electrode And an auxiliary electrode provided in a region D composed of a region (A1 or A2) on the side where the reverse tapered portion is not formed.

この発明によれば、補助電極が、逆テーパー部を片壁面に有する隔壁上の領域Cとその隔壁を平面視で挟む両側に設けられた絶縁層及び第2電極の平面視重複領域(A1,A2)のうち前記逆テーパー部が形成されていない側の領域(A1又はA2)とからなる領域Dに設けられている。この領域Dは、本出願人が事前に補助電極の形成を試みた領域A1,A2のいずれかのみにさらに領域Cを加えた幅(領域D)になっているので、この領域Dに形成された補助電極は、幅が狭い領域A1,A2のいずれかに形成された補助電極に比べて容易且つ安定したものとなる。その結果、第2電極が透明電極である場合に、その第2電極上に低コストで特性が安定した補助電極を有する有機EL素子を提供できる。   According to the present invention, the auxiliary electrode includes the region C on the partition wall having the reverse tapered portion on one wall surface, the insulating layer provided on both sides sandwiching the partition wall in plan view, and the overlapping region (A1, planar view) of the second electrode. A2) is provided in a region D including a region (A1 or A2) on the side where the reverse tapered portion is not formed. The region D has a width (region D) obtained by adding the region C to any one of the regions A1 and A2 in which the applicant has attempted to form the auxiliary electrode in advance. Therefore, the region D is formed in the region D. The auxiliary electrode is easier and more stable than the auxiliary electrode formed in either of the narrow regions A1 and A2. As a result, when the second electrode is a transparent electrode, an organic EL element having an auxiliary electrode with stable characteristics at low cost can be provided on the second electrode.

本発明に係る有機EL素子において、前記隔壁上には前記補助電極が形成されておらず、前記領域A1,A2の幅が5μm以上20μm以下である。   In the organic EL device according to the present invention, the auxiliary electrode is not formed on the partition, and the widths of the regions A1 and A2 are 5 μm or more and 20 μm or less.

この発明によれば、領域A1,A2の幅が5μm以上20μm以下と狭い場合であっても、隔壁上に補助電極と同じ電極材料層が形成されていない態様下で、領域A1,A2のみに補助電極を形成した有機EL素子を提供できる。   According to the present invention, even when the widths of the regions A1 and A2 are as narrow as 5 μm or more and 20 μm or less, only the regions A1 and A2 are formed in a mode in which the same electrode material layer as the auxiliary electrode is not formed on the partition wall. An organic EL element in which an auxiliary electrode is formed can be provided.

本発明に係る有機EL素子において、前記第2電極上の領域Bに撥液性の透明樹脂層が設けられており、前記領域(A1,A2)に前記透明樹脂層に撥液する補助電極用導電ペーストからなる補助電極が設けられている。   In the organic EL device according to the present invention, a liquid-repellent transparent resin layer is provided in the region B on the second electrode, and the region (A1, A2) is for an auxiliary electrode that repels the transparent resin layer. An auxiliary electrode made of a conductive paste is provided.

この発明によれば、導電ペーストで補助電極を形成してなる有機EL素子を提供できる。   According to this invention, the organic EL element formed by forming an auxiliary electrode with a conductive paste can be provided.

本発明に係る有機EL素子において、前記有機EL層は、少なくとも発光層を有し、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、正孔ブロック層及び電子ブロック層から選ばれる1又は2以上の層を有する。   In the organic EL device according to the present invention, the organic EL layer has at least a light emitting layer, and is selected from a hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, an electron injection layer, a hole block layer, and an electron block layer. One or more layers.

本発明に係る有機EL素子の製造方法によれば、補助電極を形成する領域Dは、本出願人が事前に補助電極の形成を試みた領域A1及び/又はA2にさらに領域Cを加えた幅(領域D)になっているので、この領域Dへの補助電極の形成に用いるシャドウマスクは、領域Dと同じ幅の開口部を有していればよい。そのため、用いるシャドウマスクは、開口部の形成が容易で安価であり、且つシャドウマスクを用いた成膜やエッチング工程等は工数が少ないので、第2電極上の所定領域(A1及び/又はA2)への補助電極を容易且つ安定して、低コストで形成することができる。特に高精細なフルカラーの有機EL素子の製造においては顕著な効果を奏する。   According to the method of manufacturing an organic EL element according to the present invention, the region D in which the auxiliary electrode is formed has a width obtained by adding the region C to the regions A1 and / or A2 in which the applicant tried to form the auxiliary electrode in advance. Since it is (region D), the shadow mask used for forming the auxiliary electrode in this region D only needs to have an opening having the same width as that of region D. Therefore, the shadow mask to be used is easy to form an opening and is inexpensive, and the film formation and etching processes using the shadow mask have few man-hours, so that the predetermined region (A1 and / or A2) on the second electrode is small. The auxiliary electrode can be easily and stably formed at a low cost. In particular, in the production of a high-definition full-color organic EL element, there is a remarkable effect.

本発明に係る有機EL素子によれば、補助電極が設けられた領域Dは、本出願人が事前に補助電極の形成を試みた領域A1及び/又はA2にさらに領域Cを加えた幅(領域D)になっているので、この領域Dに形成された補助電極は、幅が狭い領域A1,A2のみに形成された補助電極に比べて容易且つ安定したものとなる。その結果、第2電極が透明電極である場合に、その第2電極上に低コストで特性が安定した補助電極を有する有機EL素子を提供できる。特に高精細なフルカラーの有機EL素子の提供においては顕著な効果を奏する。   According to the organic EL device according to the present invention, the region D provided with the auxiliary electrode has a width (region) obtained by adding the region C to the regions A1 and / or A2 where the applicant tried to form the auxiliary electrode in advance. D), the auxiliary electrode formed in the region D is easier and more stable than the auxiliary electrode formed only in the narrow regions A1 and A2. As a result, when the second electrode is a transparent electrode, an organic EL element having an auxiliary electrode with stable characteristics at low cost can be provided on the second electrode. In particular, in providing a high-definition full-color organic EL element, a remarkable effect is exhibited.

本発明の第1実施形態に係る有機EL素子を示す模式的な断面図である。It is typical sectional drawing which shows the organic EL element which concerns on 1st Embodiment of this invention. 図1に示す有機EL素子を構成する補助電極の形成に用いたシャドウマスクの平面図である。It is a top view of the shadow mask used for formation of the auxiliary electrode which comprises the organic EL element shown in FIG. 本発明の第2実施形態に係る有機EL素子を示す模式的な断面図である。It is typical sectional drawing which shows the organic EL element which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第3実施形態に係る有機EL素子を示す模式的な断面図である。It is typical sectional drawing which shows the organic EL element which concerns on 3rd Embodiment of this invention. 図4に示す有機EL素子を構成する補助電極の形成に用いたシャドウマスクの平面図である。It is a top view of the shadow mask used for formation of the auxiliary electrode which comprises the organic EL element shown in FIG. 第1、第2実施形態に係る有機EL素子を示す模式的な平面図である。It is a typical top view which shows the organic EL element which concerns on 1st, 2nd embodiment. 第3実施形態に係る有機EL素子を示す模式的な平面図である。It is a typical top view which shows the organic EL element which concerns on 3rd Embodiment. 第1,第3実施形態に係る有機EL素子の製造工程(その1)を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the manufacturing process (the 1) of the organic EL element which concerns on 1st, 3rd embodiment. 第1,第3実施形態に係る有機EL素子の製造工程(その2)を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the manufacturing process (the 2) of the organic EL element which concerns on 1st, 3rd embodiment. 第4実施形態に係る有機EL素子の製造工程を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the manufacturing process of the organic EL element which concerns on 4th Embodiment. 第5実施形態に係る有機EL素子の製造工程を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the manufacturing process of the organic EL element which concerns on 5th Embodiment. 第6実施形態に係る有機EL素子の製造工程を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the manufacturing process of the organic EL element which concerns on 6th Embodiment. 事前検討して得た有機EL素子を示す模式的な断面図である。It is typical sectional drawing which shows the organic EL element obtained by examining beforehand. 図13に示す有機EL素子を構成する補助電極の形成に用いたシャドウマスクの平面図である。It is a top view of the shadow mask used for formation of the auxiliary electrode which comprises the organic EL element shown in FIG.

本発明に係る有機EL素子及びその製造方法について、図面を参照して詳しく説明する。なお、本発明は、その技術的特徴を有すれば種々の変形が可能であり、以下に具体的に示す実施形態に限定されるものではない。   The organic EL element and the manufacturing method thereof according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The present invention can be modified in various ways as long as it has the technical features, and is not limited to the embodiments specifically shown below.

本発明に係る有機EL素子は、図1〜図7に示す構造形態を示すものであり、後述する図8〜図12に示す製造方法で製造されてなる第1〜第6実施形態の有機EL素子10A〜10Fを基本構成としている。図1〜図7に示す構造形態は、逆テーパー部5を両壁面又は片壁面に有する隔壁4上の領域Cとその隔壁4を平面視で挟む両側又は片側に設けられた絶縁層3及び第2電極7の平面視重複領域(A1及び/又はA2)とからなる領域Dに、シャドウマスクを用いて補助電極8を形成する補助電極形成工程を有する製造方法で得られることに特徴がある。   The organic EL device according to the present invention has the structure shown in FIGS. 1 to 7 and is manufactured by the manufacturing method shown in FIGS. Elements 10A to 10F have a basic configuration. The structure shown in FIGS. 1 to 7 includes a region C on a partition wall 4 having reverse tapered portions 5 on both wall surfaces or one wall surface, and an insulating layer 3 provided on both sides or one side sandwiching the partition wall 4 in a plan view. It is characterized in that it can be obtained by a manufacturing method having an auxiliary electrode forming step of forming an auxiliary electrode 8 using a shadow mask in a region D composed of the overlapping area (A1 and / or A2) of the two electrodes 7 in plan view.

この領域Dは、図1等に示すように、本出願人が事前に補助電極108の形成を試みた領域A1,A2(図13参照)にさらに領域Cを加えた幅(領域D)になっている。そのため、この領域Dへの補助電極8の形成に用いるシャドウマスク20は、領域Dと同じ広い幅の開口部を有していればよい。つまり、本発明に係る有機EL素子10は、幅が狭い領域A1,A2のみに補助電極8を設ける(図13参照)のではなく、隔壁4上の領域Cと組み合わせた幅広の領域Dにシャドウマスク20を用いて補助電極8を形成している点に特徴がある。   As shown in FIG. 1 and the like, the region D has a width (region D) obtained by adding the region C to the regions A1 and A2 (see FIG. 13) where the applicant tried to form the auxiliary electrode 108 in advance. ing. Therefore, the shadow mask 20 used for forming the auxiliary electrode 8 in the region D only needs to have an opening having the same wide width as the region D. That is, the organic EL element 10 according to the present invention does not provide the auxiliary electrode 8 only in the narrow regions A1 and A2 (see FIG. 13), but in the wide region D combined with the region C on the partition wall 4 A feature is that the auxiliary electrode 8 is formed using the mask 20.

以下、本発明の第1〜第6実施形態に係る有機EL素子10を、その製造方法と併せて順次説明する。   Hereinafter, the organic EL element 10 which concerns on 1st-6th embodiment of this invention is demonstrated sequentially with the manufacturing method.

[第1実施形態]
第1実施形態に係る有機EL素子10Aは、図1、図2及び図6に示すように、基板1と、基板1上に設けられた第1電極2と、第1電極2上に領域Bを画定するように設けられた所定パターンの絶縁層3と、絶縁層3上に設けられた隔壁4と、第1電極2上に設けられた有機EL層6と、有機EL層6上に設けられた透明な第2電極7と、隔壁4上の領域Cとその隔壁4を平面視で挟む両側に設けられた絶縁層3及び第2電極7の平面視重複領域A1,A2とからなる領域Dに設けられた補助電極8と、を有する。
[First Embodiment]
As shown in FIGS. 1, 2, and 6, the organic EL element 10 </ b> A according to the first embodiment includes a substrate 1, a first electrode 2 provided on the substrate 1, and a region B on the first electrode 2. A predetermined pattern of the insulating layer 3 provided so as to demarcate, a partition wall 4 provided on the insulating layer 3, an organic EL layer 6 provided on the first electrode 2, and an organic EL layer 6. A region composed of the transparent second electrode 7 formed, a region C on the partition 4, an insulating layer 3 provided on both sides sandwiching the partition 4 in plan view, and a plan view overlapping region A 1, A 2 of the second electrode 7. Auxiliary electrode 8 provided on D.

「領域B」は、絶縁層3を所定パターンで第1電極2上に設けることによって構成される領域であり、機能的には、第1電極2から有機EL層6に電荷を供給する領域ということができ、又は、光の透過領域ということもできる。その領域Bの幅は、図1に示すように、有機EL層6と第2電極7が延びるY方向(図6参照)と交差するX方向の幅であって、隣接する絶縁層パターンの対向端面のX方向幅である。ここで、「交差」とは、90°の角度で交差する場合はもちろん、90°を中心にした所定の角度範囲(45°〜135°)で交差する場合も含む意味である。   The “region B” is a region configured by providing the insulating layer 3 on the first electrode 2 in a predetermined pattern. Functionally, the “region B” is a region for supplying charges from the first electrode 2 to the organic EL layer 6. It can also be referred to as a light transmission region. As shown in FIG. 1, the width of the region B is the width in the X direction intersecting with the Y direction (see FIG. 6) in which the organic EL layer 6 and the second electrode 7 extend, and is opposed to the adjacent insulating layer pattern. This is the width of the end face in the X direction. Here, “intersection” means not only the case of intersecting at an angle of 90 °, but also the case of intersecting within a predetermined angle range (45 ° to 135 °) centered on 90 °.

「領域A1,A2」は、図1に示すように、隔壁4を平面視で挟む両側に設けられた領域であって、絶縁層3と第2電極7とが平面視で重複する領域のことである。その領域A1,A2の幅は、図1に示すように、その重複領域が延びるY方向(図6参照)と交差するX方向の幅であって、第2電極7の端面と絶縁層3の端面との間の重複部分のX方向幅である。なお、「領域A1」と「領域A2」は、隔壁4を挟んで左右に存在する重複領域をそれぞれ指している。   As shown in FIG. 1, “regions A1 and A2” are regions provided on both sides of the partition wall 4 in plan view, and the regions where the insulating layer 3 and the second electrode 7 overlap in plan view. It is. As shown in FIG. 1, the widths of the regions A <b> 1 and A <b> 2 are widths in the X direction intersecting with the Y direction (see FIG. 6) in which the overlapping region extends, This is the width in the X direction of the overlapping portion between the end faces. “Area A1” and “Area A2” respectively indicate overlapping areas existing on the left and right sides of the partition wall 4.

「領域C」は、隔壁4上の領域のことであり、その領域Cの幅は、図1に示すように、隔壁4が延びるY方向(図6参照)と交差するX方向の幅であって、その隔壁4の上部エッジ間のX方向幅である。   The “region C” is a region on the partition wall 4, and the width of the region C is the width in the X direction intersecting with the Y direction (see FIG. 6) in which the partition wall 4 extends as shown in FIG. The width in the X direction between the upper edges of the partition walls 4.

「領域D」は、領域CのX方向幅と、領域A1,A2のX方向幅との和で表されるX方向幅である。本発明では、この領域Dの幅に補助電極8を形成するためのシャドウマスクを用いている点に特徴がある。   “Area D” is an X-direction width represented by the sum of the X-direction width of the area C and the X-direction widths of the areas A1 and A2. The present invention is characterized in that a shadow mask for forming the auxiliary electrode 8 is used in the width of the region D.

(基板)
基板1の材料、透明性、厚さ等は特に限定されず、用途に応じた必要な性質を有するものを任意に採用できる。例えば石英、ガラス等の無機材料、例えばポリカーボネート(PC)、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリエーテルサルフォン(PES)等の高分子材料を挙げることができる。透明基板であるか不透明基板であるかは、有機EL素子での光の取り出し側が第1電極側か第2電極側かあるいは両側かで任意に選択することができるが、本発明では少なくとも第2電極側から光を出光させるので、基板1の透明性は任意である。また、基板1として、必要に応じて水分、酸素等のガスを遮断するガスバリア性を有するものを用いてもよいし、そうしたガスバリア機能を持つガスバリア層を予め設けたものであってもよい。また、その他の機能層、例えばハードコート層、保護層、帯電防止層、防汚層、防眩層等が設けられたものであってもよい。
(substrate)
The material, transparency, thickness and the like of the substrate 1 are not particularly limited, and those having necessary properties according to the application can be arbitrarily adopted. Examples thereof include inorganic materials such as quartz and glass, for example, polymer materials such as polycarbonate (PC), polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), and polyethersulfone (PES). Whether the substrate is a transparent substrate or an opaque substrate can be arbitrarily selected depending on whether the light extraction side of the organic EL element is the first electrode side, the second electrode side, or both sides. Since light is emitted from the electrode side, the transparency of the substrate 1 is arbitrary. Further, as the substrate 1, a substrate having a gas barrier property that blocks gas such as moisture and oxygen may be used as necessary, or a gas barrier layer having such a gas barrier function may be provided in advance. Further, other functional layers such as a hard coat layer, a protective layer, an antistatic layer, an antifouling layer, and an antiglare layer may be provided.

基板1の厚さも特に限定されず、各種の厚さのものを適用できる。例えば、10μm以上2mm以下を例示できる。特に薄いものはフレキシブル性があり、厚いものは剛性があり、それぞれ利点がある。また、基板1の形状も特に限定されないが、長方形、正方形又は平行四辺形等の四角形の基板であることが好ましい。   The thickness of the substrate 1 is not particularly limited, and various thicknesses can be applied. For example, 10 micrometers or more and 2 mm or less can be illustrated. In particular, a thin one has flexibility, and a thick one has rigidity, each having advantages. The shape of the substrate 1 is not particularly limited, but is preferably a rectangular substrate such as a rectangle, a square, or a parallelogram.

(第1電極)
第1電極2は、図1及び図8(A)に示すように、基板1上に、図1中のX方向にストライプ状(短冊状)に延びる所定幅のパターンで設けられている。また、そのパターンは、平面視で第2電極7に交差しており、第2電極とともにパッシブマトリクス型有機EL素子の上下の電極を構成している。なお、「ストライプ状」とは、一定の幅を有した直線状の態様であって、短冊状ということもでき、隣り合う第1電極との間に隙間を有して設けられている。ストライプ状の各第1電極は、その各第1電極上に設けられた画素に駆動信号を印加するものである。第1電極2と第2電極7は、それぞれ走査線とデータ線のいずれであってもよい。
(First electrode)
As shown in FIGS. 1 and 8A, the first electrode 2 is provided on the substrate 1 in a pattern having a predetermined width extending in a stripe shape (strip shape) in the X direction in FIG. The pattern intersects the second electrode 7 in plan view, and constitutes the upper and lower electrodes of the passive matrix organic EL element together with the second electrode. Note that the “striped shape” is a linear form having a certain width, which may be a strip shape, and is provided with a gap between adjacent first electrodes. Each stripe-shaped first electrode applies a drive signal to a pixel provided on each first electrode. The first electrode 2 and the second electrode 7 may be either scanning lines or data lines, respectively.

第1電極2の構成材料は特に限定されないが、第1電極2が陽極であるか陰極であるかで好ましい構成材料が選択される。さらに第1電極2が光の取り出し側であるか否かでも好ましい構成材料が選択される。そうした構成材料としては各種のものが選択して採用される。例えば、第1電極2が有機EL層に正孔を供給する陽極である場合、第1電極2の形成材料としては、金属単体、合金、導電性金属酸化物(透明導電膜)、導電性無機化合物、導電性高分子等を挙げることができる。これらの材料は、単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよく、2層以上の層を積層させてもよい。なお、第1電極2に透明性をもたせて第1電極2側からも光を取り出すような場合には、透明導電膜であるITO、IZOが特に好ましく用いられる。   The constituent material of the first electrode 2 is not particularly limited, but a preferable constituent material is selected depending on whether the first electrode 2 is an anode or a cathode. Further, a preferable constituent material is selected depending on whether or not the first electrode 2 is on the light extraction side. Various materials are selected and used as such constituent materials. For example, when the 1st electrode 2 is an anode which supplies a hole to an organic electroluminescent layer, as a formation material of the 1st electrode 2, a metal simple substance, an alloy, a conductive metal oxide (transparent conductive film), conductive inorganic Examples thereof include compounds and conductive polymers. These materials may be used singly or in combination of two or more, or two or more layers may be laminated. It should be noted that ITO and IZO, which are transparent conductive films, are particularly preferably used when the first electrode 2 is made transparent and light is extracted also from the first electrode 2 side.

第1電極2の厚さは特に限定されるものではなく、用いる導電性材料に応じて適宜設定される。通常、50〜200nm程度である。第1電極2の成膜手段としては、例えば化学的気相成長法、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的気相成長法が挙げられる。   The thickness of the 1st electrode 2 is not specifically limited, It sets suitably according to the electroconductive material to be used. Usually, it is about 50 to 200 nm. Examples of film forming means for the first electrode 2 include physical vapor deposition methods such as chemical vapor deposition, vacuum deposition, sputtering, and ion plating.

ストライプ状の第1電極2は、基板1上の全面に前記の成膜手段で第1電極層を形成し、その後にフォトリソグラフィでパターニングするか、或いは、基板1上にレジストパターンを形成し、その後にレジストパターンを含む全面に前記の成膜手段で第1電極層を形成し、リフトオフさせてパターニングする。ストライプ状の第1電極パターンのピッチは、等間隔であることが好ましい。なお、パターン幅は、画素の大きさ、ディスプレイサイズや解像度によって、任意の値に設定する。また、平面視における第1電極間の隙間の幅も、画素の大きさ、ディスプレイサイズや解像度によって任意に設定する。   The first electrode 2 in the form of stripes is formed by forming the first electrode layer on the entire surface of the substrate 1 by the film forming means and then patterning by photolithography, or forming a resist pattern on the substrate 1, Thereafter, the first electrode layer is formed on the entire surface including the resist pattern by the film forming means, and patterned by lift-off. The pitch of the striped first electrode patterns is preferably equal. The pattern width is set to an arbitrary value depending on the pixel size, display size, and resolution. Further, the width of the gap between the first electrodes in plan view is also arbitrarily set depending on the pixel size, display size, and resolution.

(絶縁層)
絶縁層3は、図1及び図8(B)に示すように、第1電極2上に所定のパターンで設けられている。詳しくは、図6に示すように、X方向にストライプ状の所定パターンで設けられた各第1電極2に平面視で交差し、その各第1電極2を跨ぐように、Y方向にストライプ状の所定パターンで設けられている。ここでの「ストライプ状」も上記第1電極2の場合と同様、一定の幅を有した直線状の態様であって、短冊状ということもでき、隣り合う絶縁層との間に隙間を有して設けられている。
(Insulating layer)
As shown in FIGS. 1 and 8B, the insulating layer 3 is provided on the first electrode 2 in a predetermined pattern. Specifically, as shown in FIG. 6, the first electrodes 2 provided in a predetermined stripe pattern in the X direction intersect with each other in a plan view, and in the Y direction so as to straddle the first electrodes 2. Are provided in a predetermined pattern. As in the case of the first electrode 2, the “striped shape” here is a linear form having a certain width, which can be a strip shape, and has a gap between adjacent insulating layers. Is provided.

こうした絶縁層3は、ストライプ状の直線部と、その直線部間に各画素部(発光領域)11を区画するように設けられたブリッジ部(非発光領域)12とを有しており、格子状になっている(図6を参照)。ストライプ状の直線部上には、後述する隔壁4が逆テーパー部5を両壁面又は片壁面に有する形態で設けられている。また、絶縁層3が設けられていない画素部11は、第1電極2が露出した開口部になっており、この上に有機EL層6と第2電極7が順に設けられて発光領域が構成される。一方、絶縁層3が設けられているブリッジ部12上にも、有機EL層6と第2電極7が順に設けられるが、そのブリッジ部12は絶縁層3で構成されているので、非発光領域となっている。   Such an insulating layer 3 has a stripe-shaped straight portion and a bridge portion (non-light-emitting region) 12 provided so as to partition each pixel portion (light-emitting region) 11 between the straight portions. (See FIG. 6). On the stripe-like straight line portion, a partition wall 4 to be described later is provided in a form having reverse tapered portions 5 on both wall surfaces or one wall surface. In addition, the pixel portion 11 where the insulating layer 3 is not provided is an opening in which the first electrode 2 is exposed, and the organic EL layer 6 and the second electrode 7 are provided in this order on the pixel portion 11 to form a light emitting region. Is done. On the other hand, the organic EL layer 6 and the second electrode 7 are also provided in order on the bridge portion 12 on which the insulating layer 3 is provided. However, since the bridge portion 12 is configured by the insulating layer 3, the non-light emitting region is provided. It has become.

言い換えれば、絶縁層3は、第1電極2から有機EL層6R,6G,6B(以下、符号6を用いて総称することがある。)に電荷を供給するX方向幅を画定するために設けられている。そして、そのX方向幅が、上記した領域Bである。   In other words, the insulating layer 3 is provided to define an X-direction width for supplying electric charge from the first electrode 2 to the organic EL layers 6R, 6G, and 6B (hereinafter sometimes collectively referred to as reference numeral 6). It has been. The width in the X direction is the region B described above.

絶縁層3の形成材料としては、ノボラック系樹脂、ポリイミド、アクリレート等を挙げることができる。絶縁層3は、それらの樹脂材料を全面に塗布して形成される。その後、露光、現像等を行うフォトリソグラフィ法で所定形状の直線部とブリッジ部12をパターニングし、図1及び図6に示す形態の絶縁層3を形成する。なお、絶縁層3を必要とする部分以外(例えば、パネル周縁部に設けられる、第1電極2や第2電極7の取出電極部等)は、フォトリソグラフィ等で任意に除去してもよい。なお、絶縁層3の厚さは特に限定されず、下限としては少なくとも絶縁性を確保できる厚さで、上限としては全体としての平坦性を著しく阻害しない厚さであればよい。通常、0.5〜3μm程度である。   Examples of the material for forming the insulating layer 3 include novolac resins, polyimides, and acrylates. The insulating layer 3 is formed by applying those resin materials over the entire surface. Thereafter, the linear portion and the bridge portion 12 having a predetermined shape are patterned by a photolithography method that performs exposure, development, and the like to form the insulating layer 3 having the form shown in FIGS. Note that portions other than the portion that requires the insulating layer 3 (for example, the extraction electrodes of the first electrode 2 and the second electrode 7 provided on the peripheral edge of the panel) may be arbitrarily removed by photolithography or the like. The thickness of the insulating layer 3 is not particularly limited, and the lower limit is a thickness that can ensure at least insulation, and the upper limit may be a thickness that does not significantly impair the overall flatness. Usually, it is about 0.5 to 3 μm.

(隔壁)
隔壁4は、図1及び図8(C)に示すように、ストライプ状の絶縁層3上に、その絶縁層3が延びる方向(Y方向)に設けられている。隔壁4の形状は、逆テーパー部5,5を幅方向(X方向)の両壁面に有している。隔壁4のX方向幅は、絶縁層3のX方向幅よりも小さい。例えば、絶縁層3のX方向幅と隔壁4のX方向幅との差は、10〜50μm程度である。この差は、平面視したときに隔壁4の左右に見える絶縁層3の幅を表しており、後述する領域A1とA2に対応する幅である。詳しくは後述するが、本発明では、領域A1とA2の幅がそれぞれ5〜20μm程度と狭い場合であっても、図1に示すように、その狭い幅の上に補助電極8を確実に設けることができる。
(Partition wall)
As shown in FIGS. 1 and 8C, the partition wall 4 is provided on the stripe-shaped insulating layer 3 in a direction (Y direction) in which the insulating layer 3 extends. The shape of the partition 4 has reverse tapered portions 5 and 5 on both wall surfaces in the width direction (X direction). The X direction width of the partition 4 is smaller than the X direction width of the insulating layer 3. For example, the difference between the X direction width of the insulating layer 3 and the X direction width of the partition wall 4 is about 10 to 50 μm. This difference represents the width of the insulating layer 3 that can be seen on the left and right sides of the partition wall 4 in plan view, and corresponds to regions A1 and A2 to be described later. As will be described in detail later, in the present invention, even when the widths of the regions A1 and A2 are as narrow as about 5 to 20 μm, as shown in FIG. 1, the auxiliary electrode 8 is reliably provided on the narrow width. be able to.

隔壁4の形成方法は特に限定されないが、ネガ型レジスト又はポジ型レジストを全面に塗布形成し、その後にフォトリソグラフィ法で露光、現像して形成する。ネガ型レジストを用いた場合は、隔壁4を残す部分に対応した開口部を有するマスクを用いて露光し、露光部の現像液に対する溶解度を低下させた後に現像液で現像して、隔壁4を形成する。一方、ポジ型レジストを用いた場合は、隔壁4を残す部分以外の部分に対応した開口部を有するマスクを用いて露光し、露光部の現像液に対する溶解度を増した後に現像液で現像して、隔壁4を形成する。通常は、ネガ型レジストを好ましく用いる。現像後の隔壁4は、図1に示すように、いわゆるオーバーエッチングにより、上面側の幅よりも絶縁層3側の幅が小さい逆テーパー部5を両壁面に有している。   The method for forming the partition walls 4 is not particularly limited, but a negative resist or a positive resist is applied and formed on the entire surface, and then exposed and developed by a photolithography method. In the case of using a negative resist, exposure is performed using a mask having an opening corresponding to a portion where the partition walls 4 are left, and after the solubility of the exposed portion in the developer is reduced, development is performed with the developer to separate the partition walls 4. Form. On the other hand, when a positive resist is used, exposure is performed using a mask having an opening corresponding to a portion other than the portion where the partition walls 4 are left, and after the solubility in the developer in the exposed portion is increased, development is performed with the developer. The partition wall 4 is formed. Usually, a negative resist is preferably used. As shown in FIG. 1, the developed partition walls 4 have reverse tapered portions 5 on both wall surfaces, which are smaller in width on the insulating layer 3 side than on the upper surface side by so-called over-etching.

隔壁4の高さは特に限定されないが、隔壁4を形成した後に設ける有機EL層用の塗布材料が隔壁4を越えて隣の画素部11に流入しない程度の高さであることが望ましい。そうした高さは一概には言えないが、通常は0.5〜5μm程度である。   The height of the partition 4 is not particularly limited, but is desirably high enough that the coating material for the organic EL layer provided after the partition 4 is formed does not flow into the adjacent pixel portion 11 beyond the partition 4. Such a height cannot be generally specified, but is usually about 0.5 to 5 μm.

(有機EL層)
有機EL層6は、図1及び図8(D)に示すように、隔壁間に挟まれた画素部11の第1電極2上に設けられている。
(Organic EL layer)
As shown in FIGS. 1 and 8D, the organic EL layer 6 is provided on the first electrode 2 of the pixel portion 11 sandwiched between the partition walls.

有機EL層6は少なくとも発光層を有するものであればよく、正孔注入層、正孔輸送層、正孔注入輸送層、電子注入層、電子輸送層、電子注入輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層等を任意に選択し、さらに任意の積層形態で適用できる。これらの各層の構成材料は、特に限定されず、公知の各種の材料から任意に選択して用いることができる。また、第1電極2が陽極であるか陰極であるかにより、また、有機EL素子がフルカラー用のものであるかモノクロ用のものであるかにより、層構成も、選択される材料も異なる。   The organic EL layer 6 only needs to have at least a light-emitting layer. A hole injection layer, a hole transport layer, a hole injection transport layer, an electron injection layer, an electron transport layer, an electron injection transport layer, a hole blocking layer, An electronic block layer or the like can be arbitrarily selected, and can be applied in any laminated form. The constituent materials of these layers are not particularly limited, and can be arbitrarily selected from known various materials. Further, the layer configuration and the selected material differ depending on whether the first electrode 2 is an anode or a cathode, and whether the organic EL element is for full color or monochrome.

有機EL層6は、発光層や、正孔注入層、正孔輸送層、正孔注入輸送層、電子注入層、電子輸送層、電子注入輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層等の形成材料の種類によって、塗布法、蒸着法、CVD法等、各種の手段が選択されて形成できる。通常、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、正孔注入輸送層等は塗布法で形成されることが多く、電子注入層、電子輸送層、電子注入輸送層等は蒸着法やCVD法で形成されることが多い。   The organic EL layer 6 is formed of a light emitting layer, a hole injection layer, a hole transport layer, a hole injection transport layer, an electron injection layer, an electron transport layer, an electron injection transport layer, a hole block layer, an electron block layer, etc. Depending on the type of material, various methods such as a coating method, a vapor deposition method, and a CVD method can be selected and formed. Usually, a light emitting layer, a hole injection layer, a hole transport layer, a hole injection transport layer, etc. are often formed by a coating method, and an electron injection layer, an electron transport layer, an electron injection transport layer, etc. are formed by vapor deposition or CVD. Often formed by law.

有機EL層6の厚さも特に限定されないが、各層を積層した厚さで、通常、100〜300nm程度である。   Although the thickness of the organic EL layer 6 is not particularly limited, it is a thickness obtained by laminating each layer, and is usually about 100 to 300 nm.

(第2電極)
第2電極7は、図1及び図9(E)に示すように、有機EL層6上に設けられている。本発明に係る有機EL素子10はトップエミッション型又はボトム・アンド・トップエミッション型であるので、少なくとも第2電極7側から光が出光する。したがって、この第2電極7は透明電極であり、具体的には、ITOやIZO等の透明導電膜で構成される。
(Second electrode)
The second electrode 7 is provided on the organic EL layer 6 as shown in FIGS. 1 and 9E. Since the organic EL element 10 according to the present invention is a top emission type or a bottom-and-top emission type, light is emitted from at least the second electrode 7 side. Therefore, the second electrode 7 is a transparent electrode, and specifically, is formed of a transparent conductive film such as ITO or IZO.

第2電極7の形成は、マスクを用いずに上方から蒸着法、スパッタリング法又はCVD法等で透明導電膜を成膜する。そうした透明導電膜は、図9(E)に示すように、逆テーパー部5を有する隔壁4の上面に透明導電膜7’として設けられるとともに、有機EL層6上に第2電極7として設けられる。このとき、隔壁4が逆テーパーになっているので、隔壁4上の透明導電膜7’と、有機EL層6上の第2電極7との間の接続は遮断されている。そのため、マスクを用いずに全面に蒸着することができるので、有機EL層6上に極めて容易に第2電極7を形成することができる。   The second electrode 7 is formed by forming a transparent conductive film from above using a vapor deposition method, a sputtering method, a CVD method, or the like without using a mask. As shown in FIG. 9E, such a transparent conductive film is provided as a transparent conductive film 7 ′ on the upper surface of the partition wall 4 having the inversely tapered portion 5, and is provided as the second electrode 7 on the organic EL layer 6. . At this time, since the partition wall 4 is inversely tapered, the connection between the transparent conductive film 7 ′ on the partition wall 4 and the second electrode 7 on the organic EL layer 6 is cut off. Therefore, since it can be vapor-deposited on the entire surface without using a mask, the second electrode 7 can be formed on the organic EL layer 6 very easily.

第2電極7の厚さは特に限定されるものではなく、用いる導電性材料に応じて適宜設定される。ITOやIZOの透明導電膜の場合には、通常、10〜200nm程度である。   The thickness of the 2nd electrode 7 is not specifically limited, It sets suitably according to the electroconductive material to be used. In the case of ITO or IZO transparent conductive film, it is usually about 10 to 200 nm.

(補助電極)
補助電極8は、隔壁4上の領域Cと、その隔壁4を平面視で挟む両側に設けられた絶縁層3及び第2電極7の平面視重複領域A1,A2と、からなる領域Dに設けられている。その領域Dへの補助電極8の形成は、シャドウマスク20を用いて行う。
(Auxiliary electrode)
The auxiliary electrode 8 is provided in a region D composed of a region C on the partition wall 4 and a planar view overlapping region A1, A2 of the insulating layer 3 and the second electrode 7 provided on both sides sandwiching the partition wall 4 in plan view. It has been. The auxiliary electrode 8 is formed in the region D using the shadow mask 20.

補助電極8の形成材料(補助電極用材料ともいう。)としては、導電性の良い金属材料又は合金材料が好ましい。金属材料としては、Al、Cu、Ag、Au等を好ましく挙げることができ、合金材料としては、MgAg等を好ましく挙げることができる。補助電極8の形成方法は乾式成膜法が好ましく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等を挙げることができる。通常、シャドウマスク20を用いた真空蒸着法やスパッタリング法が適用される。   As a material for forming the auxiliary electrode 8 (also referred to as auxiliary electrode material), a metal material or an alloy material having good conductivity is preferable. Preferred examples of the metal material include Al, Cu, Ag, and Au, and preferred examples of the alloy material include MgAg. A method for forming the auxiliary electrode 8 is preferably a dry film forming method, and examples thereof include a vacuum deposition method, a sputtering method, and an ion plating method. Usually, a vacuum deposition method or a sputtering method using the shadow mask 20 is applied.

補助電極8の厚さは特に限定されるものではなく、抵抗の高い第2電極7を補助する電極として機能する程度の厚さであることが望ましい。その厚さは、補助電極用材料の種類と補助電極8の幅(X方向幅:A1,A2)に応じて適宜設定され、第2電極7がITOやIZOの透明導電膜の場合であって、補助電極8が例えばAl又はCuであり、X方向幅(A1,A2)が10〜20μmの場合には、100〜200nm程度である。   The thickness of the auxiliary electrode 8 is not particularly limited, and is desirably a thickness that functions as an electrode for assisting the second electrode 7 having high resistance. The thickness is appropriately set according to the type of auxiliary electrode material and the width of the auxiliary electrode 8 (X direction width: A1, A2), and the second electrode 7 is a transparent conductive film made of ITO or IZO. When the auxiliary electrode 8 is, for example, Al or Cu and the width in the X direction (A1, A2) is 10 to 20 μm, it is about 100 to 200 nm.

補助電極8の形成に用いるシャドウマスク20は、図2に示すように、領域Dからなる開口部21と、領域Dからなる遮光部(非開口部)22とで構成されている。ここで用いるシャドウマスク20は、本出願人が事前検討で用いた図14に示すシャドウマスク110と比べて、開口部21の狭い側の幅が大きく、そうした開口部21のエッチングが容易であるという利点がある。なお、図14のシャドウマスク110は、開口部111の幅を10〜20μm程度の極めて狭い幅で形成しなければならず、その開口部111の形成が困難である。   As shown in FIG. 2, the shadow mask 20 used to form the auxiliary electrode 8 includes an opening 21 made of the region D and a light shielding portion (non-opening) 22 made of the region D. The shadow mask 20 used here has a larger width on the narrow side of the opening 21 than the shadow mask 110 shown in FIG. 14 used by the applicant in advance, and it is easy to etch the opening 21. There are advantages. Note that the shadow mask 110 in FIG. 14 must be formed with an extremely narrow width of about 10 to 20 μm, and it is difficult to form the opening 111.

シャドウマスク20の開口部21は、上記した領域A1,A2と領域Cとの和である領域Dの幅に対応するものであるので、その幅(X方向幅)は、領域A1,A2それぞれに対応した幅よりもかなり広く、例えば50〜100μmとすることができる。こうした広い幅の開口部21は、例えばステンレス鋼板等の金属板をエッチングして形成する場合に特に好ましく、エッチングにより所望の幅の開口部21を容易に形成することができる。   Since the opening 21 of the shadow mask 20 corresponds to the width of the region D, which is the sum of the regions A1 and A2 and the region C, the width (width in the X direction) is in each of the regions A1 and A2. It can be considerably wider than the corresponding width, for example 50-100 μm. Such a wide opening 21 is particularly preferable when a metal plate such as a stainless steel plate is etched, and the opening 21 having a desired width can be easily formed by etching.

シャドウマスク20の材質は特に限定されないが、開口部を形成可能で、ハンドリングし易いものであればよい。例えば、湿式エッチング等で開口部21を形成可能な金属板(例えばステンレス鋼板等)や、電鋳法等で開口部21を形成可能な金属(例えばNi等)を挙げることができる。   The material of the shadow mask 20 is not particularly limited as long as it can form an opening and is easy to handle. For example, a metal plate (for example, a stainless steel plate) that can form the opening 21 by wet etching or a metal (for example, Ni) that can form the opening 21 by electroforming or the like can be used.

シャドウマスク20の厚さは、エッチング手段、及びそのエッチング手段で形成できる開口幅と深さとのアスペクト比(開口幅/深さ)等を考慮して任意に選択される。例えば湿式エッチングでステンレス鋼板に開口部21を形成する場合に、各開口部21の寸法を均一化するためには、開口部のアスペクト比(開口幅/深さ)を少なくとも1以上にするのが望ましい。そのため、例えば、厚さ50μmのステンレス鋼板を用いた場合には50μm以上の開口幅を容易に形成でき、厚さ100μmのステンレス鋼板を用いた場合には100μm以上の開口幅を容易に形成できる。ステンレス鋼板は、50μm、100μm又はそれ以上の厚さのものは比較的容易に入手できるので、こうしたステンレス鋼板をエッチングすれば、所望の開口幅を有するシャドウマスクを容易に形成することができる。なお、図14のシャドウマスク110では、幅が10〜20μmの開口部111を形成しようとしたが、均一な開口幅を得るためにはそれ以下の厚さのステンレス鋼板を入手しなければならないという難しさがある。   The thickness of the shadow mask 20 is arbitrarily selected in consideration of the etching means and the aspect ratio (opening width / depth) of the opening width and depth that can be formed by the etching means. For example, when the openings 21 are formed in the stainless steel plate by wet etching, in order to make the dimensions of the openings 21 uniform, the aspect ratio (opening width / depth) of the openings should be at least 1 or more. desirable. Therefore, for example, when a stainless steel plate having a thickness of 50 μm is used, an opening width of 50 μm or more can be easily formed, and when a stainless steel plate having a thickness of 100 μm is used, an opening width of 100 μm or more can be easily formed. Since a stainless steel plate having a thickness of 50 μm, 100 μm or more can be obtained relatively easily, a shadow mask having a desired opening width can be easily formed by etching such a stainless steel plate. In addition, in the shadow mask 110 of FIG. 14, the opening 111 having a width of 10 to 20 μm was formed. However, in order to obtain a uniform opening width, a stainless steel plate having a thickness smaller than that must be obtained. There are difficulties.

シャドウマスク20は、図9(F1)に示すように、第2電極7の上方向に配置される。その配置は、シャドウマスク20の開口部21のX方向位置が領域DのX方向位置と一致し、遮光部22のX方向位置が領域BのX方向位置と一致するように調整される。ここで、「上方向」とは、図9(F1)において、シャドウマスク20が、基板1上の最上部に位置する成膜後の第2電極材料層7’に接触しない程度の位置のことを意味するものであるが、キズがつかないのであれば接触してもよい。通常、成膜後の第2電極材料層7’とシャドウマスク20とのZ方向(図1参照)の距離は0(接触する場合も含む。)〜20μm程度である。   The shadow mask 20 is disposed above the second electrode 7 as shown in FIG. 9 (F1). The arrangement is adjusted so that the X-direction position of the opening 21 of the shadow mask 20 coincides with the X-direction position of the region D, and the X-direction position of the light shielding portion 22 coincides with the X-direction position of the region B. Here, the “upward direction” refers to a position where the shadow mask 20 is not in contact with the second electrode material layer 7 ′ after film formation located on the uppermost portion of the substrate 1 in FIG. 9 (F1). However, if there is no scratch, contact may be made. Usually, the distance in the Z direction (see FIG. 1) between the second electrode material layer 7 ′ after deposition and the shadow mask 20 is about 0 (including the case of contact) to about 20 μm.

第1実施形態では、こうしたシャドウマスク20を、補助電極用材料を乾式成膜(蒸着、スパッタ等)するためのマスクとして用いることによって、領域Dに成膜することができる。領域Dは、隔壁4の上面領域Cも含むので、隔壁4上面にも補助電極材料層8’が形成される。しかし、隔壁4は逆テーパー部5を有するので、隔壁4の両側の領域A1,A2にそれぞれ設けられた補助電極8はそれぞれ短絡することがなく、電気的に分離している。しかも、領域A1,A2は、絶縁層3と第2電極7との重複領域であるので、光の透過領域である領域Bの幅を狭めない。したがって、領域A1,A2それぞれのX方向幅が5〜20μmという狭い幅であっても、その狭い幅の領域A1,A2それぞれに補助電極8を所望の厚さで成膜できる。その結果、抵抗の高い透明電極の補助電極8として有効に機能する。   In the first embodiment, the shadow mask 20 can be formed in the region D by using the auxiliary electrode material as a mask for dry film formation (evaporation, sputtering, etc.). Since the region D includes the upper surface region C of the partition wall 4, the auxiliary electrode material layer 8 ′ is also formed on the upper surface of the partition wall 4. However, since the partition 4 has the reverse taper portion 5, the auxiliary electrodes 8 respectively provided in the regions A1 and A2 on both sides of the partition 4 are electrically separated without being short-circuited. Moreover, since the regions A1 and A2 are overlapping regions of the insulating layer 3 and the second electrode 7, the width of the region B that is a light transmission region is not reduced. Therefore, even if the X direction width of each of the regions A1 and A2 is as narrow as 5 to 20 μm, the auxiliary electrode 8 can be formed in a desired thickness in each of the narrow regions A1 and A2. As a result, it effectively functions as the auxiliary electrode 8 of the transparent electrode having high resistance.

(その他)
その後においては、必要に応じて、例えば封止材を全体を覆うように設けてもよいし、封止材を介して透明基板を設けてもよい。その場合の封止材としては、エポキシ樹脂等を挙げることができる。また、透明基板としては、上記した基板1のうち、特に透明性の高いガラス、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリエチレンテレフタレート(PET)等を用いることができる。
(Other)
After that, if necessary, for example, the sealing material may be provided so as to cover the whole, or the transparent substrate may be provided via the sealing material. In this case, the sealing material can include an epoxy resin. As the transparent substrate, among the substrates 1 described above, particularly highly transparent glass, polyethersulfone (PES), polyethylene terephthalate (PET), or the like can be used.

(製造方法)
第1実施形態に係る有機EL素子10Aの製造方法について整理すると、図8(A)〜図9(F1)に示すように、基板上に第1電極2を形成する工程と、第1電極2から有機EL層6に電荷を供給する領域Bを画定するための絶縁層3を所定のパターンで形成する工程と、絶縁層3上に、逆テーパー部5を両壁面に有する隔壁4を形成する工程と、第1電極2上に有機EL層6を形成する工程と、有機EL層6の上方向から全面に第2電極材料を乾式成膜して画素領域(画素部11)毎に透明な第2電極7を形成する工程と、隔壁4上の領域Cとその隔壁4を平面視で挟む両側に設けられた絶縁層3及び第2電極7の平面視重複領域(A1,A2)とからなる領域Dに、シャドウマスク20を用いて補助電極8を形成する工程と、を有する。
(Production method)
When the manufacturing method of the organic EL element 10A according to the first embodiment is arranged, as shown in FIGS. 8A to 9F1, the step of forming the first electrode 2 on the substrate, and the first electrode 2 A step of forming an insulating layer 3 for defining a region B for supplying electric charges to the organic EL layer 6 in a predetermined pattern, and a partition wall 4 having reverse tapered portions 5 on both wall surfaces is formed on the insulating layer 3. A step, a step of forming the organic EL layer 6 on the first electrode 2, and a dry deposition of the second electrode material over the entire surface from the upper direction of the organic EL layer 6, so that each pixel region (pixel portion 11) is transparent. From the step of forming the second electrode 7, the region C on the partition 4, the insulating layer 3 provided on both sides sandwiching the partition 4 in plan view, and the overlapping region (A 1, A 2) of the second electrode 7 in plan view Forming the auxiliary electrode 8 in the region D to be formed using the shadow mask 20.

この製造方法の特徴は、補助電極8を領域Dにシャドウマスク20を用いて形成することにあり、その領域Dは、本出願人が事前に補助電極の形成を試みた領域A1,A2にさらに領域Cを加えた幅(領域D)になっているので、この領域Dへの補助電極8の形成に用いるシャドウマスク20は、領域Dと同じ幅の開口部21を有していればよい。本発明では、補助電極8を幅が狭い領域A1,A2のみに設けるのではなく、隔壁4上の領域Cと組み合わせた幅広の領域Dにシャドウマスク20を用いて形成するので、用いるシャドウマスク20は、開口部21の形成が容易で安価であり、且つシャドウマスク20を用いた成膜は工数が少ないので、第2電極7上の所定領域(A1,A2)への補助電極8を容易且つ安定して、低コストで形成することができるという効果を奏する。   This manufacturing method is characterized in that the auxiliary electrode 8 is formed in the region D by using the shadow mask 20, and the region D is further added to the regions A 1 and A 2 where the applicant tried to form the auxiliary electrode in advance. Since the width is the sum of the region C (region D), the shadow mask 20 used for forming the auxiliary electrode 8 in the region D only needs to have the opening 21 having the same width as the region D. In the present invention, the auxiliary electrode 8 is not provided only in the narrow regions A1 and A2, but is formed using the shadow mask 20 in the wide region D combined with the region C on the partition wall 4, so that the shadow mask 20 used is used. Since the formation of the opening 21 is easy and inexpensive, and the film formation using the shadow mask 20 requires less man-hours, the auxiliary electrode 8 can be easily formed on the predetermined region (A1, A2) on the second electrode 7. There is an effect that it can be stably formed at low cost.

[第2実施形態]
第2実施形態に係る有機EL素子10Bは、図3に示すように、第1電極2がX方向に所定の間隔となるようにパターニングされている例である。こうした形態は、例えばアクティブマトリックス型の有機EL素子としても適用可能である。
[Second Embodiment]
As shown in FIG. 3, the organic EL element 10B according to the second embodiment is an example in which the first electrodes 2 are patterned so as to have a predetermined interval in the X direction. Such a form can also be applied as, for example, an active matrix organic EL element.

第1電極2は、第1電極用材料を基板1上の全面に成膜した後にフォトリソグラフィでパターニングして形成したものであってもよいし、又は、第1電極用材料をマスクを間に挟んで基板1上にマスク蒸着して形成したものであってもよい。又は、予め絶縁層3をパターニングした後に設けたものであってもよい。つまり、第1電極2と絶縁層3はいずれが先に形成されたものであってもよいが、通常は、第1電極2を所定のパターンで形成した後に所定のパターンの絶縁層3が形成される。それ以外は上記した第1実施形態の場合と同様であるので詳しい記載は省略する。   The first electrode 2 may be formed by depositing the first electrode material on the entire surface of the substrate 1 and then patterning by photolithography, or the first electrode material may be interposed between the masks. It may be formed by mask vapor deposition on the substrate 1 sandwiched therebetween. Alternatively, the insulating layer 3 may be provided after patterning in advance. In other words, either the first electrode 2 or the insulating layer 3 may be formed first, but usually the insulating layer 3 having a predetermined pattern is formed after the first electrode 2 is formed in a predetermined pattern. Is done. Since other than that is the same as that of the above-mentioned 1st Embodiment, detailed description is abbreviate | omitted.

[第3実施形態]
第3実施形態に係る有機EL素子10Cは、図4、図7及び図9(F2)に示すように、補助電極8が、一つおきの領域Dに形成されている態様である。この実施形態は、用いるシャドウマスク20を図5に示す態様のものとすることにより容易に実現できる。
[Third Embodiment]
The organic EL element 10 </ b> C according to the third embodiment is an aspect in which the auxiliary electrode 8 is formed in every other region D as shown in FIG. 4, FIG. 7 and FIG. 9 (F <b> 2). This embodiment can be easily realized by using the shadow mask 20 to be used as shown in FIG.

補助電極8は図1に示すように領域D毎に形成されていてもよいが、この第3実施形態に係る有機EL素子10Cのように、一つおきの領域Dに補助電極8が形成されていてもよい。こうした形態からなる補助電極8の形成は、開口部数が少ない図5に示すシャドウマスク20を用いて行うことができる。このシャドウマスク20は、有機EL素子10Cの領域Dに対応する開口部21を、領域Dに対して一つおきに設けたものである。その結果、マスク解像度の低いシャドウマスク20を用いることも可能となり、低コストの有機EL素子10Cを提供できるという利点がある。   Although the auxiliary electrode 8 may be formed for each region D as shown in FIG. 1, the auxiliary electrode 8 is formed in every other region D like the organic EL element 10C according to the third embodiment. It may be. The auxiliary electrode 8 having such a form can be formed using the shadow mask 20 shown in FIG. 5 having a small number of openings. This shadow mask 20 is provided with every other opening 21 corresponding to the region D of the organic EL element 10C. As a result, it is possible to use the shadow mask 20 having a low mask resolution, and there is an advantage that the low-cost organic EL element 10C can be provided.

補助電極8は、図1及び図6に示すように、第2電極7の両サイドに設けられていることがより好ましいが、図4及び図7に示すように、第2電極7の抵抗値によってはその片側のみに設けられていてもよい。この実施形態では、一つおきの隔壁4上の領域Cと隔壁4の両側に設けられた領域A1,A2(絶縁層3と第2電極7との平面視重複領域)とからなる領域Dに、図9(F2)に示すように、シャドウマスク20を用いて補助電極8を形成する。それ以外は上記した第1実施形態の場合と同様であるので詳しい記載は省略する。   The auxiliary electrode 8 is more preferably provided on both sides of the second electrode 7 as shown in FIGS. 1 and 6, but the resistance value of the second electrode 7 is shown in FIGS. 4 and 7. Depending on the case, it may be provided only on one side. In this embodiment, the region D is composed of a region C on every other partition 4 and regions A1 and A2 (regions overlapping in plan view between the insulating layer 3 and the second electrode 7) provided on both sides of the partition 4. As shown in FIG. 9 (F 2), the auxiliary electrode 8 is formed using the shadow mask 20. Since other than that is the same as that of the above-mentioned 1st Embodiment, detailed description is abbreviate | omitted.

[第4実施形態]
第4実施形態に係る有機EL素子10Dは、図10(I)に示すように、隔壁4上に設けられた第2電極材料層7’と補助電極材料層8’とをリフトオフにより除去した例である。隔壁4上の第2電極材料層7’と補助電極材料層8’とをリフトオフにより除去して得た有機EL素子10Dは、補助電極8は領域A1,A2のみに形成されている。
[Fourth Embodiment]
As shown in FIG. 10I, the organic EL element 10D according to the fourth embodiment is an example in which the second electrode material layer 7 ′ and the auxiliary electrode material layer 8 ′ provided on the partition wall 4 are removed by lift-off. It is. In the organic EL element 10D obtained by removing the second electrode material layer 7 ′ and the auxiliary electrode material layer 8 ′ on the partition wall 4 by lift-off, the auxiliary electrode 8 is formed only in the regions A1 and A2.

この実施形態で得られる有機EL素子10Dは、領域A1,A2の幅が5μm以上20μm以下であるような場合に特徴的な構造形態を示すものということができる。すなわち、領域A1,A2の幅が5μm以上20μm以下の場合には、従来は、そのような細い部分には補助電極8を形成できなかったからである。この実施形態のように、リフトオフして隔壁4上の電極材料層7’,8’を除去して初めて得ることができる。したがって、領域A1,A2の幅が5μm以上20μm以下であって、その領域A1,A2の間に挟まれる隔壁4上に電極材料層が存在しない場合には、この第4実施形態で製造されたものということができる。   It can be said that the organic EL element 10D obtained in this embodiment exhibits a characteristic structure when the widths of the regions A1 and A2 are 5 μm or more and 20 μm or less. That is, when the widths of the regions A1 and A2 are 5 μm or more and 20 μm or less, the auxiliary electrode 8 cannot conventionally be formed in such a thin portion. As in this embodiment, it can be obtained only by lifting off and removing the electrode material layers 7 ′ and 8 ′ on the partition 4. Therefore, when the widths of the regions A1 and A2 are 5 μm or more and 20 μm or less and there is no electrode material layer on the partition wall 4 sandwiched between the regions A1 and A2, it is manufactured in the fourth embodiment. Things can be said.

リフトオフは、補助電極の形成工程に含まれる。すなわち、第4実施形態における補助電極形成工程は、第2電極7の形成工程後の隔壁4上にリフトオフ用膜9を形成する工程(図10(G)参照)と、そのリフトオフ用膜9が形成された隔壁4を含む領域Dにシャドウマスク20を用いて補助電極8を形成する工程(図10(H)参照)と、そのリフトオフ用膜9及びリフトオフ用膜9上に設けられた補助電極材料層8’を除去する工程(図10(I)参照)とを含む。このように構成した補助電極形成工程により、隔壁4上の第2電極材料層7’及び補助電極材料層8’をリフトオフ膜9を利用して最終的に残さない形態とすることができる。   The lift-off is included in the auxiliary electrode forming process. That is, in the auxiliary electrode forming step in the fourth embodiment, the step of forming the lift-off film 9 on the partition wall 4 after the step of forming the second electrode 7 (see FIG. 10G) and the lift-off film 9 are The step of forming the auxiliary electrode 8 using the shadow mask 20 in the region D including the partition wall 4 (see FIG. 10H), the lift-off film 9 and the auxiliary electrode provided on the lift-off film 9 And a step of removing the material layer 8 ′ (see FIG. 10I). By the auxiliary electrode forming step configured as described above, the second electrode material layer 7 ′ and the auxiliary electrode material layer 8 ′ on the partition 4 can be finally left using the lift-off film 9.

隔壁4上にリフトオフ用膜9を形成する方法としては、例えば、全面にリフトオフ用膜を形成した後にフォトリソグラフィで隔壁4上のみのリフトオフ用膜を残す方法、最も上方に突出している隔壁4上のみにリフトオフ用膜9を印刷する方法、等を挙げることができる。   As a method of forming the lift-off film 9 on the partition wall 4, for example, a method of leaving the lift-off film only on the partition wall 4 by photolithography after forming the lift-off film on the entire surface, or on the partition wall 4 protruding upward Only a method for printing the lift-off film 9 can be used.

リフトオフ用膜9の材料としては、例えば、有機溶剤で容易に隔壁面から剥離できる樹脂材料(例えば、ノボラック樹脂、ポリイミド等のフォトレジスト材料)や、水溶液で容易に隔壁面から剥離できる樹脂材料(例えば、ポリビニルアルコール、セルロース系樹脂等を挙げることができる。また、その厚さも特に限定されない。   Examples of the material of the lift-off film 9 include a resin material (for example, a photoresist material such as novolac resin and polyimide) that can be easily peeled off from the partition surface with an organic solvent, and a resin material that can be easily peeled off from the partition surface with an aqueous solution ( For example, polyvinyl alcohol, a cellulose resin, etc. can be mentioned, Moreover, the thickness is not specifically limited.

[第5実施形態]
第5実施形態に係る有機EL素子10Eは、図11(F1’)に示すように、隔壁4の形状が上記した実施形態とは異なるものである。具体的には、逆テーパー部5を片壁面のみに有する隔壁4が設けられており、補助電極8を、逆テーパー部5が形成されていない側の領域A(絶縁層3及び第2電極7の平面視重複領域)のみに設けていることに特徴がある。
[Fifth Embodiment]
As shown in FIG. 11 (F1 ′), the organic EL element 10E according to the fifth embodiment is different from the above-described embodiment in the shape of the partition walls 4. Specifically, the partition wall 4 having the reverse taper portion 5 only on one wall surface is provided, and the auxiliary electrode 8 is disposed in the region A (the insulating layer 3 and the second electrode 7 on the side where the reverse taper portion 5 is not formed). It is characterized in that it is provided only in the overlapping area in plan view.

詳しくは、基板1上に設けられた第1電極2と、第1電極2から有機EL層6に電荷を供給する領域Bを画定するために設けられた、所定パターンの絶縁層3と、絶縁層3上に設けられた、逆テーパー部5を片壁面に有する隔壁4と、第1電極2上に設けられた有機EL層6と、有機EL層6上に設けられた透明な第2電極7と、隔壁4上の領域Cとその隔壁4を平面視で挟む両側に設けられた絶縁層3及び第2電極7の平面視重複領域(A1,A2)のうち逆テーパー部5が形成されていない側の領域(A1又はA2)とからなる領域Dに設けられた補助電極8と、を有する。逆テーパー部5は、X方向の一方の側の壁面に規則的に設けられているので、補助電極8は、平面視重複領域(A1,A2)のうち一方の側の領域(A1又はA2)のみに規則的に設けられている。図11(F1’)では、隔壁4から見て左側に逆テーパー部5が設けられているので、隔壁4からみて右側に補助電極8が設けられている。   Specifically, the first electrode 2 provided on the substrate 1 and the insulating layer 3 having a predetermined pattern provided for demarcating the region B for supplying electric charge from the first electrode 2 to the organic EL layer 6 are insulated. A partition wall 4 having a reverse tapered portion 5 on one wall surface, an organic EL layer 6 provided on the first electrode 2, and a transparent second electrode provided on the organic EL layer 6. 7, a reverse taper portion 5 is formed in the region C on the partition wall 4 and the insulating layer 3 provided on both sides sandwiching the partition wall 4 in plan view and the overlapping region (A 1, A 2) of the second electrode 7 in plan view. And an auxiliary electrode 8 provided in a region D composed of a non-side region (A1 or A2). Since the reverse taper portion 5 is regularly provided on the wall surface on one side in the X direction, the auxiliary electrode 8 has a region (A1 or A2) on one side of the overlapping region (A1, A2) in plan view. Only regularly provided. In FIG. 11 (F <b> 1 ′), the reverse tapered portion 5 is provided on the left side when viewed from the partition wall 4, and thus the auxiliary electrode 8 is provided on the right side when viewed from the partition wall 4.

製造方法の特徴としては、図11(E’)(F1’)に示すように、絶縁層3上に、逆テーパー部5を片壁面に有する隔壁4を形成する工程を有すること、及び、隔壁4上の領域Cと平面視重複領域(A1,A2)のうち逆テーパー部5が形成されていない側の領域(A1又はA2)とからなる領域Dに、シャドウマスクを用いて補助電極を形成する工程とを有すること、にある。領域Dへの補助電極8の形成に用いるシャドウマスク20は、図11(F1’)に示すように、領域Dと同じ幅の開口部21を有していればよい。つまり、この実施形態も、補助電極8を幅が狭い領域A1,A2のみに設けるのではなく、形状が異なる隔壁4上の領域Cと組み合わせた幅広の領域Dにシャドウマスク20を用いて形成した点に特徴がある。   As a feature of the manufacturing method, as shown in FIGS. 11 (E ′) and (F1 ′), there is a step of forming a partition 4 having a reverse tapered portion 5 on one wall surface on the insulating layer 3, and the partition An auxiliary electrode is formed using a shadow mask in a region D formed by a region C (A1 or A2) on the side where the reverse tapered portion 5 is not formed in the region C on 4 and the overlapping region (A1, A2) in plan view. Having a step of performing. The shadow mask 20 used for forming the auxiliary electrode 8 in the region D only needs to have an opening 21 having the same width as that of the region D, as shown in FIG. That is, also in this embodiment, the auxiliary electrode 8 is not provided only in the narrow areas A1 and A2, but is formed using the shadow mask 20 in the wide area D combined with the area C on the partition wall 4 having a different shape. There is a feature in the point.

この実施形態では、補助電極8が、隔壁4上の領域Cと、逆テーパー部5が形成されていない側の領域(A1又はA2)とに設けられている。領域Cと領域A1又はA2とからなる領域Dは、本出願人が事前に補助電極の形成を試みた領域A1,A2のいずれかにさらに領域Cを加えた幅(領域D)になっているので、この領域Dに形成された補助電極8は、幅が狭い領域A1,A2のいずれかに形成された補助電極に比べて容易且つ安定したものとなる。その結果、第2電極7が透明電極である場合に、その第2電極7上に低コストで特性が安定した補助電極8を有する有機EL素子10Eとなる。   In this embodiment, the auxiliary electrode 8 is provided in the region C on the partition wall 4 and the region (A1 or A2) on the side where the inverse tapered portion 5 is not formed. A region D including the region C and the region A1 or A2 has a width (region D) obtained by adding the region C to any of the regions A1 and A2 in which the applicant has attempted to form the auxiliary electrode in advance. Therefore, the auxiliary electrode 8 formed in the region D is easier and more stable than the auxiliary electrode formed in either of the narrow regions A1 and A2. As a result, when the second electrode 7 is a transparent electrode, the organic EL element 10E having the auxiliary electrode 8 with low cost and stable characteristics on the second electrode 7 is obtained.

なお、片壁面に逆テーパー部5を有する隔壁4は、逆テーパー部5を形成した後、片側のテーパー部が埋まるようにフォトレジスト材料でパターンを追加することで形成できる。   The partition wall 4 having the reverse taper portion 5 on one wall surface can be formed by forming a reverse taper portion 5 and then adding a pattern with a photoresist material so that the taper portion on one side is filled.

[第6実施形態]
第5実施形態に係る有機EL素子10Fは、図12(L)に示すように、第2電極7上の領域Bに撥液性の透明樹脂層41が設けられており、前記透明樹脂層41に撥液する補助電極用導電ペーストからなる補助電極8が前記した平面視重複領域(A1,A2)のみに設けられている点に特徴がある。この第6実施形態の有機EL素子10Fは、導電ペーストで補助電極8が形成されている。
[Sixth Embodiment]
In the organic EL element 10F according to the fifth embodiment, as shown in FIG. 12L, a liquid-repellent transparent resin layer 41 is provided in a region B on the second electrode 7, and the transparent resin layer 41 is provided. This is characterized in that the auxiliary electrode 8 made of the conductive paste for auxiliary electrode that repels liquid is provided only in the overlapping region (A1, A2) in plan view. In the organic EL element 10F of the sixth embodiment, the auxiliary electrode 8 is formed of a conductive paste.

製造方法の特徴としては、補助電極8の形成工程が、第2電極7の形成工程後の全面に撥液性の透明樹脂層41を形成する工程(図12(J)参照)と、透明樹脂層41をシャドウマスクを用いてエッチングして前記領域Dの透明樹脂層41を除去する工程(図12(K)参照)と、透明樹脂層41を除去した後の領域A1,A2に前記透明樹脂層41に対して撥液する補助電極用導電ペーストを塗布して補助電極8を形成する工程(図12(L)参照)とを含む。透明樹脂層41の形成は、撥液性の透明樹脂層用材料を全面に塗布形成し、その後に上記第1実施形態と同じシャドウマスク30を用いてエッチングすることにより除去する。なお、図12(K)において、符号31はシャドウマスクの開口部であり、符号32はシャドウマスクの非開口部である。   As a feature of the manufacturing method, the step of forming the auxiliary electrode 8 includes the step of forming the liquid-repellent transparent resin layer 41 on the entire surface after the step of forming the second electrode 7 (see FIG. 12J), the transparent resin Etching the layer 41 using a shadow mask to remove the transparent resin layer 41 in the region D (see FIG. 12K), and the transparent resin in the regions A1 and A2 after the transparent resin layer 41 is removed A step of applying an auxiliary electrode conductive paste that repels liquid to the layer 41 to form the auxiliary electrode 8 (see FIG. 12L). The transparent resin layer 41 is formed by coating and forming a liquid repellent transparent resin layer material on the entire surface, and then etching using the same shadow mask 30 as in the first embodiment. In FIG. 12K, reference numeral 31 denotes an opening of the shadow mask, and reference numeral 32 denotes a non-opening of the shadow mask.

このように、領域Dの透明樹脂層41を除去した後においては、シャドウマスクを用いることなく、補助電極用導電ペーストを塗布して補助電極8を形成し、図12(L)に示す形態の有機EL素子10Fを製造することができる。この実施形態では、上記した各実施形態とは異なり、乾式成膜以外の湿式成膜(導電ペーストの塗布手段)でも、シャドウマスク30を利用した方法で補助電極8を領域A1,A2に形成できる。この場合に用いるシャドウマスク30も、開口部31の形成が容易で安価であり、且つシャドウマスク30を用いたエッチングも工数が少ないので、第2電極7上の所定領域(A1,A2)への補助電極を容易且つ安定して、低コストで形成することができる。   Thus, after removing the transparent resin layer 41 in the region D, the auxiliary electrode 8 is formed by applying the conductive paste for the auxiliary electrode without using the shadow mask, and the configuration shown in FIG. The organic EL element 10F can be manufactured. In this embodiment, unlike the above-described embodiments, the auxiliary electrode 8 can be formed in the regions A1 and A2 by a method using the shadow mask 30 even in wet film formation (conductive paste application means) other than dry film formation. . In the shadow mask 30 used in this case, the opening 31 can be easily formed at a low cost, and the etching using the shadow mask 30 has a small number of steps, so that the predetermined area (A1, A2) on the second electrode 7 is formed. The auxiliary electrode can be formed easily and stably at a low cost.

第6実施形態に係る製造方法によれば、領域A1,A2に塗布する補助電極用導電ペーストは、第2電極7上の撥液性透明樹脂層41に対して撥液するので、その導電ペーストが撥液性透明樹脂層41上に形成されることはなく、光の透過領域Bを減少させることはない。多少精度の悪い塗布法で導電ペーストを塗布した場合であっても、撥液性透明樹脂層41上に導電ペーストが載らないので、補助電極用導電ペーストを平面視重複領域(A1,A2)のみに形成して補助電極とすることができる。   According to the manufacturing method according to the sixth embodiment, the conductive paste for auxiliary electrode applied to the regions A1 and A2 repels the liquid repellent transparent resin layer 41 on the second electrode 7, so that the conductive paste Is not formed on the liquid repellent transparent resin layer 41, and the light transmission region B is not reduced. Even when the conductive paste is applied by a slightly inaccurate coating method, the conductive paste is not placed on the liquid-repellent transparent resin layer 41, so that the auxiliary electrode conductive paste is applied only to the overlapping region (A1, A2) in plan view. It can be formed as an auxiliary electrode.

撥液性の透明樹脂層41を形成するための透明樹脂層用材料としては、撥液剤が添加された樹脂材料を用いることができ、具体的には、例えばシリコーン化合物や含フッ素化合物等の撥液剤を含有するノボラック系樹脂、ポリイミド、アクリレート等を挙げることができる。   As a material for the transparent resin layer for forming the liquid repellent transparent resin layer 41, a resin material to which a liquid repellent is added can be used. Specifically, for example, a resin repellent such as a silicone compound or a fluorine-containing compound can be used. A novolak resin containing a liquid agent, a polyimide, an acrylate, etc. can be mentioned.

透明樹脂層41に対して撥液する補助電極用導電ペーストとしては、Agペースト等を挙げることができる。導電ペーストの領域A1,A2への塗布は、ノズル塗布法又はインクジェット法、ディスペンサー、エアロゾルジェット法で行うことが好ましい。特にエアロゾルジェット法によれば、5〜10μm程度の細幅に導電ペーストを塗布することができる。形成した補助電極8の厚さは、通常、0.1〜2μmである。   Examples of the auxiliary electrode conductive paste that repels the transparent resin layer 41 include Ag paste. The conductive paste is preferably applied to the regions A1 and A2 by a nozzle coating method, an ink jet method, a dispenser, or an aerosol jet method. In particular, according to the aerosol jet method, the conductive paste can be applied to a narrow width of about 5 to 10 μm. The thickness of the formed auxiliary electrode 8 is usually 0.1 to 2 μm.

図12(J)において、撥液性の透明樹脂層41を設ける代わりに、後の撥液化処理によって撥液性になる透明樹脂層を設けてもよい。この場合には、透明樹脂層を除去した後に、撥液化処理を行って領域Bに残った透明樹脂層を撥液性にすることができる。この場合の透明樹脂層用材料としては、撥液剤を含有しないポジ型のノボラック系樹脂、ポリイミド、アクリレート等を挙げることができる。その後の撥液化処理としては、例えばシリコーン化合物や含フッ素化合物等の撥液処理剤を用いて表面処理する方法、フルオロカーボンガスのプラズマを用いて表面処理する方法(プラズマ処理)等が挙げられる。なお、プラズマ処理にて使用されるフルオロカーボンガスとしては、例えば、CF4、C26、C38、c−C48、CCl22、CClF3、C2Cl24、C2ClF5、CBrF3、CHF3、C233、CH3CHF2、NF3、SF6等を用いることでき、中でも、CF4ガスが好適に用いられる。 In FIG. 12J, instead of providing the liquid repellent transparent resin layer 41, a transparent resin layer that becomes liquid repellent by a subsequent liquid repellent treatment may be provided. In this case, after removing the transparent resin layer, the liquid repellent treatment can be performed to make the transparent resin layer remaining in the region B liquid repellent. Examples of the material for the transparent resin layer in this case include positive novolac resins, polyimides, and acrylates that do not contain a liquid repellent. Examples of the subsequent liquid repellency treatment include a surface treatment method using a liquid repellent treatment agent such as a silicone compound or a fluorine-containing compound, a surface treatment method using plasma of fluorocarbon gas (plasma treatment), and the like. As the fluorocarbon gas used in the plasma treatment, for example, CF 4, C 2 F 6 , C 3 F 8, c-C 4 F 8, CCl 2 F 2, CClF 3, C 2 Cl 2 F 4 C 2 ClF 5 , CBrF 3 , CHF 3 , C 2 H 3 F 3 , CH 3 CHF 2 , NF 3 , SF 6, etc. can be used, and among these, CF 4 gas is preferably used.

1 基板
2 第1電極(陽極)
3 絶縁層
4 隔壁
5 逆テーパー部を有する壁面
5’ 逆テーパー部を有しない壁面
6,6R,6G,6B 有機EL層
7 第2電極(透明電極)
7’ 透明導電膜
8 補助電極
8’ 補助電極材料層
9 リフトオフ用膜
10、10A〜10F 有機EL素子
11 画素部(発光領域)
12 ブリッジ部(非発光領域)
20 シャドウマスク
21 開口部
22 遮光部
30 シャドウマスク
31 開口部
32 非開口部
41 撥液性の透明樹脂層
1 substrate 2 first electrode (anode)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 3 Insulating layer 4 Partition 5 Wall surface which has reverse taper part 5 'Wall surface which does not have reverse taper part 6, 6R, 6G, 6B Organic EL layer 7 2nd electrode (transparent electrode)
7 'transparent conductive film 8 auxiliary electrode 8' auxiliary electrode material layer 9 lift-off film 10, 10A to 10F organic EL element 11 pixel portion (light emitting region)
12 Bridge part (non-light emitting area)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 20 Shadow mask 21 Opening part 22 Light-shielding part 30 Shadow mask 31 Opening part 32 Non-opening part 41 Liquid-repellent transparent resin layer

A1,A2 絶縁層3と第2電極7とが平面視で重複する領域
B 光の透過領域(又は第1電極が有機EL層に電荷を供給する領域)
C 隔壁上の領域
D 補助電極を形成する領域(領域CのX方向幅と領域A1,A2のX方向幅との和)
A1, A2 Region where insulating layer 3 and second electrode 7 overlap in plan view B Light transmission region (or region where first electrode supplies charge to organic EL layer)
C Region on partition D Region for forming auxiliary electrode (sum of X direction width of region C and X direction width of regions A1 and A2)

100 有機EL素子
101 基板
102 第1電極(陽極)
103 絶縁層
104 隔壁
105 逆テーパー部を有する壁面
106R,106G,106B 有機EL層
107 第2電極(透明電極)
107’ 透明導電膜
108 補助電極
110 シャドウマスク
111 開口部(光の透過領域)
112,113 遮光部(光の非透過領域)
100 Organic EL element 101 Substrate 102 First electrode (anode)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 103 Insulating layer 104 Partition 105 Wall surface which has a reverse taper part 106R, 106G, 106B Organic EL layer 107 2nd electrode (transparent electrode)
107 ′ transparent conductive film 108 auxiliary electrode 110 shadow mask 111 opening (light transmission region)
112, 113 Shading part (light non-transmission area)

Claims (13)

基板上に第1電極を形成する工程と、
前記第1電極から有機EL層に電荷を供給する領域Bを画定するための絶縁層を所定のパターンで形成する工程と、
前記絶縁層上に、逆テーパー部を両壁面に有する隔壁を形成する工程と、
前記第1電極上に有機EL層を形成する工程と、
前記有機EL層の上方向から全面に第2電極材料を乾式成膜して画素領域毎に透明な第2電極を形成する工程と、
前記隔壁上の領域Cと該隔壁を平面視で挟む両側に設けられた前記絶縁層及び前記第2電極の平面視重複領域(A1,A2)とからなる領域Dに、シャドウマスクを用いて補助電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする有機EL素子の製造方法。
Forming a first electrode on a substrate;
Forming an insulating layer for defining a region B for supplying electric charge from the first electrode to the organic EL layer in a predetermined pattern;
Forming a partition having reverse tapered portions on both wall surfaces on the insulating layer;
Forming an organic EL layer on the first electrode;
Forming a second electrode material on the entire surface from above the organic EL layer by dry film formation to form a transparent second electrode for each pixel region;
A shadow mask is used to assist a region D including the region C on the partition wall and the insulating layer provided on both sides of the partition wall in plan view and the overlapping region (A1, A2) of the second electrode in plan view. Forming an electrode;
The manufacturing method of the organic EL element characterized by having.
前記補助電極を、一つおきの領域Dに形成する、請求項1に記載の有機EL素子の製造方法。   The method of manufacturing an organic EL element according to claim 1, wherein the auxiliary electrode is formed in every other region D. 基板上に第1電極を形成する工程と、
前記第1電極から有機EL層に電荷を供給する領域Bを画定するための絶縁層を所定のパターンで形成する工程と、
前記絶縁層上に、逆テーパー部を片壁面に有する隔壁を形成する工程と、
前記第1電極上に有機EL層を形成する工程と、
前記有機EL層の上方向から全面に第2電極材料を乾式成膜して画素領域毎に透明な第2電極を形成する工程と、
前記隔壁上の領域Cと該隔壁を平面視で挟む両側に設けられた前記絶縁層及び前記第2電極の平面視重複領域(A1,A2)のうち前記逆テーパー部が形成されていない側の領域(A1又はA2)とからなる領域Dに、シャドウマスクを用いて補助電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする有機EL素子の製造方法。
Forming a first electrode on a substrate;
Forming an insulating layer for defining a region B for supplying electric charge from the first electrode to the organic EL layer in a predetermined pattern;
Forming a partition having a reverse tapered portion on one wall surface on the insulating layer;
Forming an organic EL layer on the first electrode;
Forming a second electrode material on the entire surface from above the organic EL layer by dry film formation to form a transparent second electrode for each pixel region;
Of the overlapping region (A1, A2) in plan view of the insulating layer and the second electrode provided on both sides sandwiching the partition wall in plan view and the region C on the partition, the reverse taper portion is not formed. Forming an auxiliary electrode in a region D composed of the region (A1 or A2) using a shadow mask;
The manufacturing method of the organic EL element characterized by having.
前記シャドウマスクは、前記第2電極の上方向に配置して前記領域Dに補助電極用材料を乾式成膜するための開口部を有している、請求項1〜3のいずれ1項に記載の有機EL素子の製造方法。   The said shadow mask is arrange | positioned above the said 2nd electrode, and has an opening part for dry-depositing the material for auxiliary electrodes in the said area | region D. The manufacturing method of organic EL element. 前記補助電極の形成工程は、前記第2電極の形成工程後の前記隔壁上にリフトオフ用膜を形成する工程と、該リフトオフ用膜が形成された隔壁を含む領域Dに前記シャドウマスクを用いて補助電極を形成する工程と、前記リフトオフ用膜及び該リフトオフ用膜上に設けられた補助電極材料層を除去する工程とを含む、請求項1〜3のいずれか1項に記載の有機EL素子の製造方法。   The auxiliary electrode forming step includes the step of forming a lift-off film on the partition after the second electrode forming step, and the shadow mask in the region D including the partition on which the lift-off film is formed. The organic EL device according to claim 1, comprising a step of forming an auxiliary electrode, and a step of removing the lift-off film and the auxiliary electrode material layer provided on the lift-off film. Manufacturing method. 前記補助電極の形成工程は、前記第2電極の形成工程後の全面に撥液性の透明樹脂層を形成する工程と、該透明樹脂層を前記シャドウマスクを用いて前記領域Dの透明樹脂層を除去する工程と、該透明樹脂層を除去した前記平面視重複領域(A1,A2)に前記透明樹脂層に対して撥液する補助電極用導電ペーストを塗布して補助電極を形成する工程とを含む、請求項1〜3のいずれか1項に記載の有機EL素子の製造方法。   The auxiliary electrode forming step includes a step of forming a liquid repellent transparent resin layer on the entire surface after the second electrode forming step, and the transparent resin layer in the region D using the shadow mask. And a step of forming an auxiliary electrode by applying a conductive paste for auxiliary electrode that repels the transparent resin layer to the overlapping region (A1, A2) in plan view where the transparent resin layer is removed. The manufacturing method of the organic EL element of any one of Claims 1-3 containing this. パッシブマトリクス型又はアクティブマトリクス型の素子である、請求項1〜6のいずれか1項に記載の有機EL素子の製造方法。   The manufacturing method of the organic EL element of any one of Claims 1-6 which is a passive matrix type or an active matrix type element. 基板上に設けられた第1電極と、
前記第1電極から有機EL層に電荷を供給する領域Bを画定するために設けられた、所定パターンの絶縁層と、
前記絶縁層上に設けられた、逆テーパー部を両壁面に有する隔壁と、
前記第1電極上に設けられた有機EL層と、
前記有機EL層上に設けられた透明な第2電極と、
前記隔壁上の領域Cと該隔壁を平面視で挟む両側に設けられた前記絶縁層及び前記第2電極の平面視重複領域(A1,A2)とからなる領域Dに設けられた補助電極と、
を有することを特徴とする有機EL素子。
A first electrode provided on a substrate;
An insulating layer having a predetermined pattern provided to define a region B for supplying electric charge from the first electrode to the organic EL layer;
A partition wall provided on the insulating layer and having opposite tapered portions on both wall surfaces;
An organic EL layer provided on the first electrode;
A transparent second electrode provided on the organic EL layer;
An auxiliary electrode provided in a region D composed of a region C on the partition wall and the insulating layer provided on both sides sandwiching the partition wall in plan view and a planar view overlap region (A1, A2) of the second electrode;
An organic EL element comprising:
前記補助電極が、一つおきの領域Dに形成されている、請求項8に記載の有機EL素子。   The organic EL element according to claim 8, wherein the auxiliary electrode is formed in every other region D. 基板上に設けられた第1電極と、
前記第1電極から有機EL層に電荷を供給する領域Bを画定するために設けられた、所定パターンの絶縁層と、
前記絶縁層上に設けられた、逆テーパー部を片壁面に有する隔壁と、
前記第1電極上に設けられた有機EL層と、
前記有機EL層上に設けられた透明な第2電極と、
前記隔壁上の領域Cと該隔壁を平面視で挟む両側に設けられた前記絶縁層及び前記第2電極の平面視重複領域(A1,A2)のうち前記逆テーパー部が形成されていない側の領域(A1又はA2)とからなる領域Dに設けられた補助電極と、
を有することを特徴とする有機EL素子。
A first electrode provided on a substrate;
An insulating layer having a predetermined pattern provided to define a region B for supplying electric charge from the first electrode to the organic EL layer;
A partition wall having a reverse tapered portion on one wall surface provided on the insulating layer;
An organic EL layer provided on the first electrode;
A transparent second electrode provided on the organic EL layer;
Of the overlapping region (A1, A2) in plan view of the insulating layer and the second electrode provided on both sides sandwiching the partition wall in plan view and the region C on the partition, the reverse taper portion is not formed. An auxiliary electrode provided in a region D including the region (A1 or A2);
An organic EL element comprising:
前記隔壁上には前記補助電極が形成されておらず、前記領域A1,A2の幅が5μm以上20μm以下である、請求項8〜10のいずれか1項に記載の有機EL素子。   The organic EL element according to any one of claims 8 to 10, wherein the auxiliary electrode is not formed on the partition wall, and the widths of the regions A1 and A2 are 5 µm or more and 20 µm or less. 前記第2電極上の領域Bに撥液性の透明樹脂層が設けられており、前記領域A1,A2に前記透明樹脂層に撥液する補助電極用導電ペーストからなる補助電極が設けられている、請求項8〜11のいずれか1項に記載の有機EL素子。   A liquid repellent transparent resin layer is provided in the region B on the second electrode, and an auxiliary electrode made of a conductive paste for auxiliary electrodes that repels the transparent resin layer is provided in the regions A1 and A2. The organic EL element according to any one of claims 8 to 11. 前記有機EL層は、少なくとも発光層を有し、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、正孔ブロック層及び電子ブロック層から選ばれる1又は2以上の層を有する、請求項8〜12のいずれか1項に記載の有機EL素子。   The organic EL layer has at least a light emitting layer, and has one or more layers selected from a hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, an electron injection layer, a hole block layer, and an electron block layer. The organic EL element according to any one of claims 8 to 12.
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