JP2012028710A - Optical module and solid-state laser device - Google Patents

Optical module and solid-state laser device Download PDF

Info

Publication number
JP2012028710A
JP2012028710A JP2010168727A JP2010168727A JP2012028710A JP 2012028710 A JP2012028710 A JP 2012028710A JP 2010168727 A JP2010168727 A JP 2010168727A JP 2010168727 A JP2010168727 A JP 2010168727A JP 2012028710 A JP2012028710 A JP 2012028710A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heat sink
axis
optical module
laser crystal
axis direction
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2010168727A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP5742127B2 (en
Inventor
Kazutomo Kadokura
一智 門倉
Katsuhiko Tokuda
勝彦 徳田
Mamoru Hisamitsu
守 久光
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shimadzu Corp
Original Assignee
Shimadzu Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shimadzu Corp filed Critical Shimadzu Corp
Priority to JP2010168727A priority Critical patent/JP5742127B2/en
Publication of JP2012028710A publication Critical patent/JP2012028710A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5742127B2 publication Critical patent/JP5742127B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical module that can stably have a mode with an ellipticity close to a desired value.SOLUTION: An optical module (101) has a heat sink (30) attached to a laser crystal (1). When the heat sink (30) is not attached, the NFP of the laser crystal (1) is elliptical. When a plane that is orthogonal to the major axis of the ellipse is a major-axis plane and a plane that is orthogonal to the minor axis is a minor-axis plane, the heat sink (30) has a fitting part (30a) into which an end of the major-axis plane of the laser crystal (1) is fitted, and the heat sink (30) is in close contact with the major-axis plane but not in close contact with the minor-axis plane. By the anisotropy of heat conduction, the anisotropy of a thermal lens effect can be adjusted. The heat sink is not displaced with respect to the laser crystal and variation no longer occurs. Thus, an output beam mode with an ellipticity close to a desired value ("1" in general) can be stably obtained.

Description

本発明は、光モジュールおよび固体レーザ装置に関し、さらに詳しくは、レーザ結晶に対するヒートシンクの位置ずれが生じることを防止し、所望の値に近い楕円率の出力ビームモードが安定に得られる光モジュールおよび固体レーザ装置に関する。   The present invention relates to an optical module and a solid-state laser device. More specifically, the present invention relates to an optical module and a solid-state device that can prevent misalignment of a heat sink with respect to a laser crystal and stably obtain an output beam mode with an ellipticity close to a desired value. The present invention relates to a laser device.

従来、レーザ結晶のｃ軸面（ｃ軸に直交する面）には密着し且つａ軸面（ａ軸に直交する面）には密着しないヒートシンクをレーザ結晶に取り付けて、レーザ結晶のｃ軸面からの放熱性をａ軸面からの放熱性よりも高くし、熱レンズ効果に異方性を生じさせ、所望の値（一般的には「１」）に近い楕円率の出力ビームモードが得られるようにした光モジュールが知られている（特許文献１参照。）。   Conventionally, a heat sink that is in close contact with the c-axis surface (surface orthogonal to the c-axis) of the laser crystal and not in contact with the a-axis surface (surface orthogonal to the a-axis) is attached to the laser crystal, and the c-axis surface of the laser crystal The heat radiation from the a-axis surface is made higher than the heat radiation from the a-axis surface, causing anisotropy in the thermal lens effect, and an output beam mode with an ellipticity close to the desired value (generally “1”) is obtained. An optical module that can be used is known (see Patent Document 1).

国際公開ＷＯ９５／２１４７９号公報（ＦＩＧ．４）International Publication No. WO95 / 21479 (FIG. 4)

上記従来の光モジュールでは、レーザ結晶のａ軸面とヒートシンクとが密着しないよう空隙を設けて取り付け得られる構造になっているが、製造上、レーザ結晶とヒートシンクの相対位置がａ軸方向にずれてしまうことがあった。
しかし、レーザ結晶に対するヒートシンクの位置がａ軸方向にずれると、放熱性が変動してしまう。このため、熱レンズ効果の異方性にバラツキが生じ、得られる楕円率にバラツキが生じる問題点があった。
そこで、本発明の目的は、レーザ結晶に対するヒートシンクの位置ずれが生じることを防止し、所望の値に近い楕円率の出力ビームモードが安定に得られるようにした光モジュールおよび固体レーザ装置を提供することにある。 The conventional optical module has a structure in which a gap is provided so that the a-axis surface of the laser crystal and the heat sink are not in close contact with each other. However, the relative position of the laser crystal and the heat sink is shifted in the a-axis direction during manufacturing. There was a case.
However, if the position of the heat sink with respect to the laser crystal is shifted in the a-axis direction, the heat dissipation will fluctuate. For this reason, the anisotropy of the thermal lens effect varies, and there is a problem that the obtained ellipticity varies.
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide an optical module and a solid-state laser device which can prevent the positional deviation of the heat sink with respect to the laser crystal and can stably obtain an output beam mode having an ellipticity close to a desired value. There is.

第１の観点では、本発明は、レーザ結晶（１）にヒートシンク（３０〜３９）を取り付けてなる光モジュール（１０１〜１１２）であって、前記ヒートシンク（３０〜３９）を取り付けない状態での前記レーザ結晶（１）のＮＦＰは楕円形状であり、前記楕円形状の長軸に直交する面を長軸面とし且つ前記楕円形状の短軸に直交する面を短軸面とするとき、前記ヒートシンク（３０〜３９）は、前記レーザ結晶（１）の少なくとも一つの長軸面端部分が嵌合しうる嵌合部（３０ａ〜３９ａ）を有し、且つ、前記レーザ結晶（１）の少なくとも一つの長軸面には密着し短軸面には前記嵌合部（３０ａ〜３９ａ）に嵌合してる部分以外は密着しないことを特徴とする光モジュール（１０１〜１１２）を提供する。
上記第１の観点による光モジュールでは、ヒートシンクを取り付けない状態でのレーザ結晶のＮＦＰが楕円形状であるとき、その楕円形状の長軸面にヒートシンクが密着し、短軸面には実質的にヒートシンクが密着しない。このため、楕円率が「１」に近づく傾向に熱レンズ効果の異方性を生じる。さらに、ヒートシンクの嵌合部にレーザ結晶の長軸面端部分が嵌合することで、レーザ結晶に対してヒートシンクが位置ずれしなくなり、熱レンズ効果の異方性にバラツキが生じなくなる。これにより、所望の値（一般的には「１」）に近い楕円率の出力ビームモードが安定に得られるようになる。 In a first aspect, the present invention is an optical module (101 to 112) in which a heat sink (30 to 39) is attached to a laser crystal (1), and the heat sink (30 to 39) is not attached. The NFP of the laser crystal (1) is elliptical, and when the surface perpendicular to the major axis of the elliptical shape is a major axis surface and the surface perpendicular to the minor axis of the elliptical shape is a minor axis surface, the heat sink (30 to 39) have fitting portions (30a to 39a) into which at least one major axis end portion of the laser crystal (1) can be fitted, and at least one of the laser crystal (1). Provided is an optical module (101 to 112) characterized in that it adheres closely to one long axis surface and does not adhere to the short axis surface except for a portion fitted to the fitting portion (30a to 39a).
In the optical module according to the first aspect, when the NFP of the laser crystal without the heat sink attached is elliptical, the heat sink is in close contact with the major axis surface of the elliptical shape, and the heat sink is substantially in contact with the minor axis surface. Does not adhere. For this reason, the anisotropy of the thermal lens effect occurs in the tendency that the ellipticity approaches “1”. Furthermore, by fitting the end portion of the long axis surface of the laser crystal to the fitting portion of the heat sink, the heat sink is not displaced with respect to the laser crystal, and the anisotropy of the thermal lens effect does not vary. As a result, an output beam mode having an ellipticity close to a desired value (generally “1”) can be stably obtained.

第２の観点では、本発明は、レーザ結晶（１）にヒートシンク（３０〜３９）を取り付けてなる光モジュール（１０１〜１１２）であって、前記レーザ結晶（１）のｃ軸に直交する面をｃ軸面とし且つａ軸に直交する面をａ軸面とするとき、前記ヒートシンク（３０〜３９）は、前記ヒートシンク（３０〜３９）は、前記レーザ結晶（１）の少なくとも一つのｃ軸面端部分が嵌合しうる嵌合部（３０ａ〜３９ａ）を有し、且つ、前記レーザ結晶（１）の少なくとも一つのｃ軸面には密着しａ軸面には前記嵌合部（３０ａ〜３９ａ）に嵌合してる部分以外は密着しないことを特徴とする光モジュール（１０１〜１１２）を提供する。
上記第２の観点による光モジュールでは、ｃ軸面にヒートシンクが密着し、ａ軸面にはヒートシンクが実質的に密着しない。一方、ヒートシンクを取り付けない状態でのレーザ結晶のＮＦＰが楕円形状であるとき、その楕円形状の長軸方向がレーザ結晶のｃ軸方向であり、短軸方向がレーザ結晶のａ軸方向である場合が多い。このため、多くの場合、楕円率が「１」に近づく傾向に熱レンズ効果の異方性を生じる。さらに、ヒートシンクの嵌合部にレーザ結晶のｃ軸面端部分が嵌合することで、レーザ結晶に対してヒートシンクが位置ずれしなくなり、熱レンズ効果の異方性にバラツキが生じなくなる。これにより、多くの場合、所望の値に近い楕円率の出力ビームモードが安定に得られるようになる。 In a second aspect, the present invention is an optical module (101 to 112) in which a heat sink (30 to 39) is attached to a laser crystal (1), and is a surface orthogonal to the c-axis of the laser crystal (1). Is the c-axis plane and the plane orthogonal to the a-axis is the a-axis plane, the heat sink (30-39) is the heat sink (30-39) is at least one c-axis of the laser crystal (1). There are fitting portions (30a to 39a) into which the surface end portions can be fitted, and they are in close contact with at least one c-axis surface of the laser crystal (1) and the fitting portion (30a) on the a-axis surface. The optical module (101 to 112) is characterized in that it does not adhere to any part other than the part fitted to ~ 39a).
In the optical module according to the second aspect, the heat sink is in close contact with the c-axis surface, and the heat sink is not substantially in close contact with the a-axis surface. On the other hand, when the NFP of the laser crystal without an attached heat sink is elliptical, the major axis direction of the elliptical shape is the c-axis direction of the laser crystal and the minor axis direction is the a-axis direction of the laser crystal There are many. For this reason, in many cases, the anisotropy of the thermal lens effect occurs in the tendency that the ellipticity approaches “1”. Furthermore, by fitting the end portion of the c-axis surface of the laser crystal into the fitting portion of the heat sink, the heat sink is not displaced with respect to the laser crystal, and variation in the anisotropy of the thermal lens effect does not occur. Thereby, in many cases, an output beam mode having an ellipticity close to a desired value can be stably obtained.

第３の観点では、本発明は、前記第１から前記第３のいずれかの観点による光モジュール（１０４〜１１０）において、前記光モジュール（１０４〜１１０）は、レーザ結晶（１）と波長変換結晶（４）とが一体となった構造の光学素子（２０）にヒートシンク（３２〜３７）を取り付けてなる光モジュール（１０４〜１１０）であることを特徴とする光モジュール（１０４〜１１０）を提供する。
上記第３の観点による光モジュールでは、レーザ結晶と波長変換結晶とが一体となった構造の光学素子を用いるため、全体を小型化できる。また、レーザ結晶と波長変換結晶の両方にヒートシンクを共用するため、部品点数を減らすことが出来る。 In a third aspect, the present invention provides the optical module (104 to 110) according to any one of the first to third aspects, wherein the optical module (104 to 110) is wavelength-converted with the laser crystal (1). An optical module (104-110), which is an optical module (104-110) comprising a heat sink (32-37) attached to an optical element (20) having a structure in which the crystal (4) is integrated. provide.
In the optical module according to the third aspect, since the optical element having the structure in which the laser crystal and the wavelength conversion crystal are integrated is used, the entire size can be reduced. In addition, since the heat sink is shared by both the laser crystal and the wavelength conversion crystal, the number of parts can be reduced.

第４の観点では、本発明は、レーザ結晶（１）と波長変換結晶（４）とが一体となった構造の光学素子（２０）にヒートシンク（４０〜４３）を取り付けてなる光モジュール（１１３〜１１６）であって、前記ヒートシンク（４０〜４３）を取り付けない状態での前記レーザ結晶（１）のＮＦＰは楕円形状であり、前記楕円形状の長軸に直交する面を長軸面とし且つ前記楕円形状の短軸に直交する面を短軸面とするとき、前記ヒートシンク（４０〜４３）は、前記光学素子（２０）が入れられる貫通孔（４０ｃ，４２ｃ）を有し、且つ、レーザ結晶（１）の少なくとも一つの長軸面には密着し、短軸面には密着しないように切欠部（４０ｂ〜４３ｂ）が設けられていることを特徴とする光モジュール（１１３〜１１６）を提供する。
上記第４の観点による光モジュールでは、ヒートシンクを取り付けない状態でのレーザ結晶のＮＦＰが楕円形状であるとき、その楕円形状の長軸面にヒートシンクが密着し、短軸面には実質的にヒートシンクが密着しない。このため、楕円率が「１」に近づく傾向に熱レンズ効果の異方性を生じる。さらに、ヒートシンクの貫通孔に光学素子の波長変換結晶部分が嵌合することで、レーザ結晶に対してヒートシンクが位置ずれしなくなり、熱レンズ効果の異方性にバラツキが生じなくなる。これにより、所望の値に近い楕円率の出力ビームモードが安定に得られるようになる。 In a fourth aspect, the present invention relates to an optical module (113) in which a heat sink (40-43) is attached to an optical element (20) having a structure in which a laser crystal (1) and a wavelength conversion crystal (4) are integrated. 116), and the NFP of the laser crystal (1) without the heat sink (40-43) attached is an elliptical shape, and a plane perpendicular to the major axis of the elliptical shape is a major axis surface; When the surface perpendicular to the elliptical minor axis is a minor axis surface, the heat sink (40-43) has through holes (40c, 42c) into which the optical element (20) is inserted, and a laser. An optical module (113-116) characterized in that notches (40b-43b) are provided so as to be in close contact with at least one major axis surface of the crystal (1) and not in close contact with the minor axis surface. provide.
In the optical module according to the fourth aspect, when the NFP of the laser crystal in the state where the heat sink is not attached is elliptical, the heat sink is in close contact with the major axis surface of the elliptical shape, and the heat sink is substantially in contact with the minor axis surface. Does not adhere. For this reason, the anisotropy of the thermal lens effect occurs in the tendency that the ellipticity approaches “1”. Furthermore, when the wavelength conversion crystal portion of the optical element is fitted into the through hole of the heat sink, the heat sink is not displaced with respect to the laser crystal, and variation in the anisotropy of the thermal lens effect does not occur. Thereby, an output beam mode having an ellipticity close to a desired value can be stably obtained.

第５の観点では、本発明は、レーザ結晶（１）と波長変換結晶（４）とが一体となった構造の光学素子（２０）にヒートシンク（４０〜４３）を取り付けてなる光モジュール（１１３〜１１６）であって、前記レーザ結晶（１）のｃ軸に直交する面をｃ軸面とし且つａ軸に直交する面をａ軸面とするとき、前記ヒートシンク（４０〜４３）は、前記光学素子（２０）が入れられる貫通孔（４０ｃ，４２ｃ）を有し、且つ、レーザ結晶（１）の少なくとも一つのｃ軸面には密着し、ａ軸面には密着しないように切欠部（４０ｂ〜４３ｂ）が設けられていることを特徴とする光モジュール（１１３〜１１６）を提供する。
上記第５の観点による光モジュールでは、ｃ軸面にヒートシンクが密着し、ａ軸面にはヒートシンクが実質的に密着しない。一方、ヒートシンクを取り付けない状態でのレーザ結晶のＮＦＰが楕円形状であるとき、その楕円形状の長軸方向がレーザ結晶のｃ軸方向であり、短軸方向がレーザ結晶のａ軸方向である場合が多い。このため、多くの場合、楕円率が「１」に近づく傾向に熱レンズ効果の異方性を生じる。さらに、ヒートシンクの貫通孔に光学素子の波長変換結晶部分が嵌合することで、レーザ結晶に対してヒートシンクが位置ずれしなくなり、熱レンズ効果の異方性にバラツキが生じなくなる。これにより、多くの場合、所望の値に近い楕円率の出力ビームモードが安定に得られるようになる。 In a fifth aspect, the present invention relates to an optical module (113) in which a heat sink (40-43) is attached to an optical element (20) having a structure in which a laser crystal (1) and a wavelength conversion crystal (4) are integrated. 116), and when the surface orthogonal to the c-axis of the laser crystal (1) is the c-axis surface and the surface orthogonal to the a-axis is the a-axis surface, the heat sink (40-43) It has a through hole (40c, 42c) into which the optical element (20) can be inserted, and is in close contact with at least one c-axis surface of the laser crystal (1) and is not in close contact with the a-axis surface ( 40b to 43b) are provided. An optical module (113 to 116) is provided.
In the optical module according to the fifth aspect, the heat sink is in close contact with the c-axis surface, and the heat sink is not substantially in close contact with the a-axis surface. On the other hand, when the NFP of the laser crystal without an attached heat sink is elliptical, the major axis direction of the elliptical shape is the c-axis direction of the laser crystal and the minor axis direction is the a-axis direction of the laser crystal There are many. For this reason, in many cases, the anisotropy of the thermal lens effect occurs in the tendency that the ellipticity approaches “1”. Furthermore, when the wavelength conversion crystal portion of the optical element is fitted into the through hole of the heat sink, the heat sink is not displaced with respect to the laser crystal, and variation in the anisotropy of the thermal lens effect does not occur. Thereby, in many cases, an output beam mode having an ellipticity close to a desired value can be stably obtained.

第６の観点では、本発明は、前記第１から第５のいずれかの観点による光モジュールにおいて、レーザ結晶（１）のｃ軸方向の長さとａ軸方向の長さとが等しいことを特徴とする光モジュールを提供する。
上記第６の観点による光モジュールでは、ヒートシンクがレーザ結晶のｃ軸面に密着し且つａ軸面に密着しない状態でも、ヒートシンクがレーザ結晶のａ軸面に密着し且つｃ軸面に密着しない状態でも、いずれの状態でも取り得るので、ヒートシンクを取り付けない状態でのＮＦＰの楕円形状の長軸方向がｃ軸方向であり且つ短軸方向がａ軸方向である場合にも、長軸方向がａ軸方向であり且つ短軸方向がｃ軸方向である場合にも、両方に対応できる。 In a sixth aspect, the present invention provides the optical module according to any one of the first to fifth aspects, wherein the length in the c-axis direction and the length in the a-axis direction of the laser crystal (1) are equal. An optical module is provided.
In the optical module according to the sixth aspect, even when the heat sink is in close contact with the c-axis surface of the laser crystal and not in contact with the a-axis surface, the heat sink is in close contact with the a-axis surface of the laser crystal and not in contact with the c-axis surface. However, since it can be taken in any state, the long axis direction is a even when the major axis direction of the elliptical shape of NFP without the heat sink is the c axis direction and the minor axis direction is the a axis direction. Even in the case of the axial direction and the minor axis direction being the c-axis direction, both can be handled.

第７の観点では、本発明は、前記第１から第５のいずれかの観点による光モジュールにおいて、レーザ結晶のｃ軸方向の長さがａ軸方向の長さより大きいことを特徴とする光モジュールを提供する。
上記第７の観点による光モジュールでは、必ずレーザ結晶のｃ軸面がヒートシンクに密着しａ軸面がヒートシンクに密着しなくなるようにヒートシンクをレーザ結晶に取り付けできるので、作業が容易になる。そして、多くの場合、レーザ結晶のｃ軸方向がＮＦＰの楕円形状の長軸方向になり且つａ軸方向がＮＦＰの楕円形状の短軸方向になるため、多くの場合に対応できる。 In a seventh aspect, the present invention provides the optical module according to any one of the first to fifth aspects, wherein the length of the laser crystal in the c-axis direction is greater than the length in the a-axis direction. I will provide a.
In the optical module according to the seventh aspect, since the heat sink can be attached to the laser crystal so that the c-axis surface of the laser crystal is always in close contact with the heat sink and the a-axis surface is not in close contact with the heat sink, the operation is facilitated. In many cases, the c-axis direction of the laser crystal is the long axis direction of the elliptical shape of NFP, and the a-axis direction is the short axis direction of the elliptical shape of NFP.

第８の観点では、本発明は、前記第１から第７のいずれかの観点による光モジュール（１０１〜１１６）を使用したことを特徴とする固体レーザ装置（２０１，２０２）を提供する。
上記第８の観点による固体レーザ装置では、前記第１から第７のいずれかの観点による光モジュールを使用するため、所望の値に近い楕円率のモードが安定に得られるようになる。 In an eighth aspect, the present invention provides a solid-state laser device (201, 202) characterized by using the optical module (101-116) according to any one of the first to seventh aspects.
In the solid state laser device according to the eighth aspect, since the optical module according to any one of the first to seventh aspects is used, an ellipticity mode close to a desired value can be stably obtained.

本発明の光モジュールおよび固体レーザ装置によれば、所望の値に近い楕円率の出力ビームモードを安定に得ることが出来る。   According to the optical module and the solid-state laser device of the present invention, an output beam mode having an ellipticity close to a desired value can be stably obtained.

実施例１に係る光モジュールを示す斜視図である。1 is a perspective view showing an optical module according to Embodiment 1. FIG. 実施例１に係る光学素子を示す斜視図である。1 is a perspective view showing an optical element according to Example 1. FIG. 実施例１に係るヒートシンクを示す斜視図である。1 is a perspective view showing a heat sink according to Embodiment 1. FIG. 実施例１の変形例１に係る光モジュールを示す斜視図である。FIG. 6 is a perspective view illustrating an optical module according to a first modification of the first embodiment. 実施例１の変形例２に係る光モジュールを示す斜視図である。FIG. 6 is a perspective view showing an optical module according to Modification 2 of Example 1. 実施例２に係る光モジュールを示す斜視図である。6 is a perspective view illustrating an optical module according to Embodiment 2. FIG. 実施例２に係る光学素子を示す斜視図である。6 is a perspective view showing an optical element according to Example 2. FIG. 実施例２に係るヒートシンクを示す斜視図である。6 is a perspective view showing a heat sink according to Embodiment 2. FIG. 実施例２の変形例１に係る光モジュールを示す斜視図である。FIG. 10 is a perspective view showing an optical module according to Modification 1 of Example 2. 実施例２の変形例２に係る光モジュールを示す斜視図である。FIG. 10 is a perspective view showing an optical module according to a second modification of the second embodiment. 実施例３に係る光モジュールを示す斜視図である。FIG. 6 is a perspective view illustrating an optical module according to a third embodiment. 実施例３に係るヒートシンクを示す斜視図である。6 is a perspective view showing a heat sink according to Embodiment 3. FIG. 実施例４に係る光モジュールを示す斜視図である。FIG. 10 is a perspective view illustrating an optical module according to a fourth embodiment. 実施例５に係る光モジュールを示す斜視図である。FIG. 10 is a perspective view illustrating an optical module according to a fifth embodiment. 実施例６に係る光モジュールを示す斜視図である。10 is a perspective view showing an optical module according to Embodiment 6. FIG. 実施例７に係る光モジュールを示す斜視図である。FIG. 10 is a perspective view showing an optical module according to Example 7. 実施例８に係る光モジュールを示す斜視図である。FIG. 10 is a perspective view illustrating an optical module according to an eighth embodiment. 実施例９に係る光モジュールを示す構成説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram illustrating a configuration of an optical module according to a ninth embodiment. 実施例９に係るヒートシンクを示す斜視図である。10 is a perspective view showing a heat sink according to Embodiment 9. FIG. 実施例１０に係る光モジュールを示す構成説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram illustrating a configuration of an optical module according to Example 10; 実施例１１に係る光モジュールを示す構成説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram illustrating a configuration of an optical module according to Example 11. 実施例１１に係るヒートシンクを示す斜視図である。FIG. 12 is a perspective view showing a heat sink according to Example 11. 実施例１２に係る光モジュールを示す構成説明図である。FIG. 16 is an explanatory diagram illustrating a configuration of an optical module according to Example 12; 実施例１３に係る固体レーザ装置を示す構成説明図である。FIG. 15 is an explanatory diagram of a configuration of a solid-state laser apparatus according to Example 13. 実施例１４に係る固体レーザ装置を示す構成説明図である。FIG. 17 is an explanatory diagram illustrating a configuration of a solid-state laser apparatus according to Example 14.

以下、図に示す実施例により本発明をさらに詳細に説明する。なお、これにより本発明が限定されるものではない。   Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the embodiments shown in the drawings. Note that the present invention is not limited thereby.

−実施例１−
図１は、実施例１に係る光モジュール１０１を示す斜視図である。
この光モジュール１０１は、光学素子１０と、ヒートシンク３０と、両者を固着する接着剤５０とからなる。 Example 1
FIG. 1 is a perspective view illustrating an optical module 101 according to the first embodiment.
The optical module 101 includes an optical element 10, a heat sink 30, and an adhesive 50 for fixing both.

光学素子１０の上面と下面は、薄い接着剤層を介して、ヒートシンク３０に密着している。また、光学素子１０の上端部分は、ヒートシンク３０に形成された嵌合部３０ａに嵌合している。
光学素子１０の左面と右面は、ヒートシンク３０に密着しておらず、両者の間隙に接着剤５０が充填されている。
光学素子１０の前面は、励起レーザ光入射面になっている。
光学素子１０の後面は、基本波レーザ光出射面になっている。 The upper surface and the lower surface of the optical element 10 are in close contact with the heat sink 30 via a thin adhesive layer. Further, the upper end portion of the optical element 10 is fitted in a fitting portion 30 a formed in the heat sink 30.
The left surface and the right surface of the optical element 10 are not in close contact with the heat sink 30, and the gap 50 between them is filled with the adhesive 50.
The front surface of the optical element 10 is an excitation laser light incident surface.
The rear surface of the optical element 10 is a fundamental laser beam emission surface.

図２は、光学素子１０の斜視図である。
光学素子１０は、図示せぬ半導体レーザからの励起レーザ光により励起されて基本波レーザ光を出すレーザ結晶１である。レーザ結晶１は、例えばＮｄを３ａｔ％ドープしたＹＶＯ４結晶のａ−ｃｕｔ基板（ｃ軸吸収、ｃ軸発振）である。
レーザ結晶１の励起レーザ光入射面には、ＨＲ膜２がコーティングされている。また、基本波レーザ光出射面には、ＡＲ膜３がコーティングされている。 FIG. 2 is a perspective view of the optical element 10.
The optical element 10 is a laser crystal 1 that is excited by excitation laser light from a semiconductor laser (not shown) and emits fundamental wave laser light. The laser crystal 1 is, for example, a YVO4 crystal a-cut substrate (c-axis absorption, c-axis oscillation) doped with 3 at% of Nd.
An HR film 2 is coated on the excitation laser light incident surface of the laser crystal 1. In addition, the AR film 3 is coated on the emission surface of the fundamental laser beam.

ヒートシンク３０を取り付けていない状態での光学素子１０のＮＦＰ９’は楕円形状であり、その楕円率は「１」より離れた値になっている。その楕円形状の長軸方向のレーザ結晶１の長さＨは例えば１ｍｍであり、短軸方向の長さＷは例えば１ｍｍであり、光軸方向の長さＤは例えば０．５ｍｍであり、長軸方向を上下方向とし、短軸方向を左右方向とする。
楕円形状の長軸方向がレーザ結晶１のｃ軸方向であり、短軸方向がレーザ結晶１のａ軸方向の場合が多いが、この場合、長さＨはレーザ結晶１のｃ軸方向の長さとなり、長さＷはａ軸方向の長さとなる。なお、楕円形状の長軸方向がレーザ結晶１のａ軸方向であり、短軸方向がレーザ結晶１のｃ軸方向の場合は少ないが、この場合、長さＨはレーザ結晶１のａ軸方向の長さとなり、長さＷはｃ軸方向の長さとなる。 NFP 9 ′ of the optical element 10 in a state where the heat sink 30 is not attached has an elliptical shape, and the ellipticity is a value separated from “1”. The length H of the elliptical laser crystal 1 in the major axis direction is 1 mm, for example, the length W in the minor axis direction is 1 mm, for example, and the length D in the optical axis direction is 0.5 mm, for example. The axial direction is the vertical direction, and the short axis direction is the horizontal direction.
The major axis direction of the elliptical shape is the c-axis direction of the laser crystal 1 and the minor axis direction is often the a-axis direction of the laser crystal 1. In this case, the length H is the length of the laser crystal 1 in the c-axis direction. Thus, the length W is the length in the a-axis direction. The elliptical major axis direction is the a-axis direction of the laser crystal 1 and the minor axis direction is few in the c-axis direction of the laser crystal 1, but in this case, the length H is the a-axis direction of the laser crystal 1. The length W is the length in the c-axis direction.

図１に示すように、ヒートシンク３０を取り付けた状態でのレーザ結晶１のＮＦＰ９の楕円率は「１」に近い値になる。   As shown in FIG. 1, the ellipticity of the NFP 9 of the laser crystal 1 with the heat sink 30 attached is a value close to “1”.

図３は、ヒートシンク３０の斜視図である。
ヒートシンク３０は、レーザ結晶１と同等以上の熱伝導率を有する材料が好ましく、例えばシリコン（熱伝導率：１４８Ｗ／ｍＫ）や、銅（熱伝導率：５０１Ｗ／ｍＫ）である。
ヒートシンク３０には、光学素子１０が入る孔が貫通している。その孔の上部に嵌合部３０ａが形成されている。孔の左右長Ｐは例えば１．４ｍｍであり、上下長Ｑは例えば０．８ｍｍである。嵌合部３０ａの左右長Ｒは例えば１．１ｍｍであり、上下長Ｓは例えば０．３ｍｍである。
ヒートシンク３０の厚さＴは、例えば０．５ｍｍである。 FIG. 3 is a perspective view of the heat sink 30.
The heat sink 30 is preferably made of a material having a thermal conductivity equal to or higher than that of the laser crystal 1, and is, for example, silicon (thermal conductivity: 148 W / mK) or copper (thermal conductivity: 501 W / mK).
A hole into which the optical element 10 is inserted passes through the heat sink 30. A fitting portion 30a is formed in the upper portion of the hole. The horizontal length P of the hole is 1.4 mm, for example, and the vertical length Q is 0.8 mm, for example. The left and right length R of the fitting part 30a is, for example, 1.1 mm, and the vertical length S is, for example, 0.3 mm.
The thickness T of the heat sink 30 is, for example, 0.5 mm.

接着剤５０は、レーザ結晶１の熱伝導率よりも低い熱伝導率を有する高熱伝導タイプであり、且つ、常温で硬化するものが望ましい。例えば、ダウ・コーニング社製のＳＥ４４８６（熱伝導率：１．５３Ｗ／ｍＫ）が使用できる。   The adhesive 50 is preferably a high thermal conductivity type having a thermal conductivity lower than that of the laser crystal 1 and is cured at room temperature. For example, SE4486 (thermal conductivity: 1.53 W / mK) manufactured by Dow Corning can be used.

実施例１に係る光モジュール１０１によれば次の効果が得られる。
（１）ヒートシンク３０を取り付けない状態でのレーザ結晶１のＮＦＰが楕円形状であるとき、その楕円形状の長軸に直交する面にヒートシンク３０が密着し、短軸に直交する面にはヒートシンク３０が密着しない。このため、楕円率を「１」に近づける傾向に熱レンズ効果の異方性を生じる。
（２）ヒートシンク３０の嵌合部３０ａに光学素子１０の上端部分が嵌合することで、光学素子１０に対してヒートシンク３０が短軸方向に位置ずれしなくなり、バラツキを生じなくなる。
（３）以上により、所望の値に近い楕円率の出力ビームモードが安定に得られる。 According to the optical module 101 according to the first embodiment, the following effects can be obtained.
(1) When the NFP of the laser crystal 1 in a state where the heat sink 30 is not attached is elliptical, the heat sink 30 is in close contact with a surface perpendicular to the major axis of the elliptical shape, and the heat sink 30 is adhered to the surface perpendicular to the minor axis. Does not adhere. For this reason, the anisotropy of the thermal lens effect is caused in the tendency of the ellipticity to approach “1”.
(2) Since the upper end portion of the optical element 10 is fitted to the fitting portion 30a of the heat sink 30, the heat sink 30 is not displaced in the minor axis direction with respect to the optical element 10, and variation does not occur.
(3) As described above, an output beam mode having an ellipticity close to a desired value can be stably obtained.

（４）ヒートシンク３０を取り付けない状態でのＮＦＰの楕円形状の長軸方向がｃ軸方向であり且つ短軸方向がａ軸方向である場合にも、長軸方向がａ軸方向であり且つ短軸方向がｃ軸方向である場合にも、両方に対応できる。 (4) When the major axis direction of the elliptical shape of NFP without the heat sink 30 is the c-axis direction and the minor axis direction is the a-axis direction, the major axis direction is the a-axis direction and the short axis direction is short. Even when the axial direction is the c-axis direction, both can be handled.

−実施例１の変形例１−
図４に示す光モジュール１０２のように、光学素子１０の左面および右面とヒートシンク３０の間隙に接着剤を充填せず、空隙５１にしてもよい。 -Modification 1 of Example 1-
As in the optical module 102 shown in FIG. 4, the gap between the left and right surfaces of the optical element 10 and the heat sink 30 may not be filled with an adhesive, but may be a gap 51.

−実施例１の変形例２−
図５に示す光モジュール１０３のように、ヒートシンク３０に代えて、天板に嵌合部３１ａを設けるだけでなく底板にも嵌合部３１ａを設けたヒートシンク３１を用いてもよい。また、光学素子１０の左面および右面とヒートシンク３１の間隙に接着剤を充填せず、空隙５１にしてもよい。 -Modification 2 of Example 1-
As in the optical module 103 shown in FIG. 5, instead of the heat sink 30, not only the fitting portion 31 a on the top plate but also the heat sink 31 provided with the fitting portion 31 a on the bottom plate may be used. Further, the gap between the left and right surfaces of the optical element 10 and the heat sink 31 may be filled with the adhesive 51 instead of being filled with an adhesive.

−実施例１の変形例３−
多くの場合、レーザ結晶１のｃ軸方向がＮＦＰの楕円形状の長軸方向になり且つａ軸方向がＮＦＰの楕円形状の短軸方向になる傾向がある。そこで、レーザ結晶１のａ軸方向の長さをｃ軸方向の長さより短くしておき（例えばａ軸方向の長さ：ｃ軸方向の長さ＝１：１．２）、嵌合部３０ａ，３１ａの左右長Ｒをレーザ結晶１のａ軸方向の長さより大きく且つｃ軸方向の長さより小さくしておけば、必ずｃ軸面にヒートシンク３０，３１が密着し、ａ軸面にはヒートシンク３０，３１が密着しないようにヒートシンク３０，３１を光学素子１０に取り付けでき、作業が容易になる。 —Modification 3 of Embodiment 1—
In many cases, the c-axis direction of the laser crystal 1 tends to be the major axis direction of the NFP elliptical shape, and the a-axis direction tends to be the minor axis direction of the elliptical shape of NFP. Therefore, the length of the laser crystal 1 in the a-axis direction is made shorter than the length in the c-axis direction (for example, the length in the a-axis direction: the length in the c-axis direction = 1: 1.2), and the fitting portion 30a. 31a is larger than the length in the a-axis direction of the laser crystal 1 and smaller than the length in the c-axis direction, the heat sinks 30 and 31 are always in close contact with the c-axis surface, and the heat sinks are in contact with the a-axis surface. The heat sinks 30 and 31 can be attached to the optical element 10 so that the 30 and 31 are not in close contact with each other, and the work becomes easy.

−実施例２−
図６は、実施例２に係る光モジュール１０４を示す斜視図である。
この光モジュール１０４は、光学素子２０と、ヒートシンク３２と、両者を固着する接着剤５０とからなる。 -Example 2-
FIG. 6 is a perspective view illustrating the optical module 104 according to the second embodiment.
The optical module 104 includes an optical element 20, a heat sink 32, and an adhesive 50 that fixes both.

光学素子２０の上面と下面は、薄い接着剤層を介して、ヒートシンク３２に密着している。また、光学素子２０の上端部分は、ヒートシンク３２に形成された嵌合部３２ａに嵌合している。
光学素子２０の左面と右面は、ヒートシンク３２に密着しておらず、両者の間隙に接着剤５０が充填されている。
光学素子２０の前面は、励起レーザ光入射面になっている。
光学素子２０の後面は、波長変換レーザ光出射面になっている。 The upper and lower surfaces of the optical element 20 are in close contact with the heat sink 32 through a thin adhesive layer. Further, the upper end portion of the optical element 20 is fitted into a fitting portion 32 a formed on the heat sink 32.
The left surface and the right surface of the optical element 20 are not in close contact with the heat sink 32, and the gap 50 between them is filled with the adhesive 50.
The front surface of the optical element 20 is an excitation laser light incident surface.
The rear surface of the optical element 20 is a wavelength conversion laser light emission surface.

図７は、光学素子２０の斜視図である。
光学素子２０は、半導体レーザ（図１８の５１）からの励起レーザ光により励起されて基本波レーザ光を出すレーザ結晶１と、基本波レーザ光の高調波である波長変換レーザ光を出す波長変換結晶４と、波長変換結晶４をサンドイッチ状に挟むダミー材５，６とを、接合一体化した構造である。
レーザ結晶１の励起レーザ光入射面には、ＨＲ膜２がコーティングされている。また、波長変換結晶４およびダミー材５，６の波長変換レーザ光出射面には、ＨＲ膜７がコーティングされている。 FIG. 7 is a perspective view of the optical element 20.
The optical element 20 includes a laser crystal 1 that emits a fundamental laser beam when excited by an excitation laser beam from a semiconductor laser (51 in FIG. 18), and a wavelength converter that emits a wavelength conversion laser beam that is a harmonic of the fundamental laser beam. In this structure, the crystal 4 and the dummy materials 5 and 6 sandwiching the wavelength conversion crystal 4 in a sandwich shape are joined and integrated.
An HR film 2 is coated on the excitation laser light incident surface of the laser crystal 1. Further, the HR film 7 is coated on the wavelength conversion laser light emission surfaces of the wavelength conversion crystal 4 and the dummy materials 5 and 6.

レーザ結晶１は、例えばＮｄを３ａｔ％ドープしたＹＶＯ４結晶のａ−ｃｕｔ基板（ｃ軸吸収、ｃ軸発振）である。
波長変換結晶４は、例えば分極反転構造が形成された強誘電体基板（例えばＬＮやＬＴ基板、あるいは、ＭｇＯをドープしたＬＮやＬＴ基板）である。 The laser crystal 1 is, for example, a YVO4 crystal a-cut substrate (c-axis absorption, c-axis oscillation) doped with 3 at% of Nd.
The wavelength conversion crystal 4 is, for example, a ferroelectric substrate (for example, an LN or LT substrate, or an LN or LT substrate doped with MgO) on which a domain-inverted structure is formed.

光学素子２０の製造方法は、例えば特開２００７−２２５７８６号公報などに開示されている。   A method for manufacturing the optical element 20 is disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-225786.

ヒートシンク３２を取り付けていない状態でのレーザ結晶２０のＮＦＰ９’は楕円形状であり、その楕円率は「１」より離れた値になっている。その楕円形状の長軸方向のレーザ結晶１の長さＨは例えば１ｍｍであり、短軸方向の長さＷは例えば１ｍｍであり、光軸方向の長さＤは例えば０．５ｍｍであり、長軸方向を上下方向とし、短軸方向を左右方向とする。
楕円形状の長軸方向がレーザ結晶１のｃ軸方向であり、短軸方向がレーザ結晶１のａ軸方向の場合が多いが、この場合、長さＨはレーザ結晶１のｃ軸方向の長さとなり、長さＷはａ軸方向の長さとなる。なお、楕円形状の長軸方向がレーザ結晶１のａ軸方向であり、短軸方向がレーザ結晶１のｃ軸方向の場合は少ないが、この場合、長さＨはレーザ結晶１のａ軸方向の長さとなり、長さＷはｃ軸方向の長さとなる。 NFP 9 ′ of the laser crystal 20 in a state where the heat sink 32 is not attached is elliptical, and the ellipticity is a value separated from “1”. The length H of the elliptical laser crystal 1 in the major axis direction is 1 mm, for example, the length W in the minor axis direction is 1 mm, for example, and the length D in the optical axis direction is 0.5 mm, for example. The axial direction is the vertical direction, and the short axis direction is the horizontal direction.
The major axis direction of the elliptical shape is the c-axis direction of the laser crystal 1 and the minor axis direction is often the a-axis direction of the laser crystal 1. In this case, the length H is the length of the laser crystal 1 in the c-axis direction. Thus, the length W is the length in the a-axis direction. The elliptical major axis direction is the a-axis direction of the laser crystal 1 and the minor axis direction is few in the c-axis direction of the laser crystal 1, but in this case, the length H is the a-axis direction of the laser crystal 1. The length W is the length in the c-axis direction.

波長変換結晶４の光軸方向の長さＬは例えば１ｍｍであり、幅Ｗはレーザ結晶１の長さＷと等しく、厚さＶは例えば０．４ｍｍである。   The length L in the optical axis direction of the wavelength conversion crystal 4 is, for example, 1 mm, the width W is equal to the length W of the laser crystal 1, and the thickness V is, for example, 0.4 mm.

図６に示すように、ヒートシンク３２を取り付けた状態でのレーザ結晶１のＮＦＰ９の楕円率は「１」に近い値になる。   As shown in FIG. 6, the ellipticity of the NFP 9 of the laser crystal 1 with the heat sink 32 attached is a value close to “1”.

図８は、ヒートシンク３２の斜視図である。
ヒートシンク３２は、レーザ結晶１と同等以上の熱伝導率を有する材料が好ましく、例えばシリコン（熱伝導率：１４８Ｗ／ｍＫ）や、銅（熱伝導率：５０１Ｗ／ｍＫ）である。
ヒートシンク３２には、光学素子２０が入る孔が貫通している。その孔の上部に嵌合部３２ａが形成されている。孔の左右長Ｐは例えば１．４ｍｍであり、上下長Ｑは例えば０．８ｍｍである。嵌合部３３ａの左右長Ｒは例えば１．１ｍｍであり、上下長Ｓは例えば０．３ｍｍである。
ヒートシンク３２の厚さＵは、例えば１．５ｍｍである。 FIG. 8 is a perspective view of the heat sink 32.
The heat sink 32 is preferably made of a material having a thermal conductivity equal to or higher than that of the laser crystal 1, and is, for example, silicon (thermal conductivity: 148 W / mK) or copper (thermal conductivity: 501 W / mK).
The heat sink 32 has a hole through which the optical element 20 is inserted. A fitting portion 32a is formed in the upper portion of the hole. The horizontal length P of the hole is 1.4 mm, for example, and the vertical length Q is 0.8 mm, for example. The left and right length R of the fitting portion 33a is, for example, 1.1 mm, and the vertical length S is, for example, 0.3 mm.
The thickness U of the heat sink 32 is 1.5 mm, for example.

接着剤５０は、レーザ結晶１の熱伝導率よりも低い熱伝導率を有する高熱伝導タイプであり、且つ、常温で硬化するものが望ましい。例えば、ダウ・コーニング社製のＳＥ４４８６（熱伝導率：１．５３Ｗ／ｍＫ）が使用できる。   The adhesive 50 is preferably a high thermal conductivity type having a thermal conductivity lower than that of the laser crystal 1 and is cured at room temperature. For example, SE4486 (thermal conductivity: 1.53 W / mK) manufactured by Dow Corning can be used.

実施例２に係る光モジュール１０４によれば次の効果が得られる。
（１）ヒートシンク３２を取り付けない状態でのレーザ結晶１のＮＦＰが楕円形状であるとき、その楕円形状の長軸に直交する面にヒートシンク３２が密着し、短軸に直交する面にはヒートシンク３２が密着しない。このため、楕円率を「１」に近づける傾向に熱レンズ効果の異方性を生じる。
（２）ヒートシンク３２の嵌合部３２ａに光学素子２０の上端部分が嵌合することで、光学素子２０に対してヒートシンク３２が短軸方向に位置ずれしなくなり、バラツキを生じなくなる。
（３）以上により、所望の値に近い楕円率の出力ビームモードが安定に得られる。 According to the optical module 104 according to the second embodiment, the following effects can be obtained.
(1) When the NFP of the laser crystal 1 without the heat sink 32 attached is elliptical, the heat sink 32 is in close contact with the surface perpendicular to the major axis of the elliptical shape, and the heat sink 32 is adhered to the surface perpendicular to the minor axis. Does not adhere. For this reason, the anisotropy of the thermal lens effect is caused in the tendency of the ellipticity to approach “1”.
(2) Since the upper end portion of the optical element 20 is fitted to the fitting portion 32a of the heat sink 32, the heat sink 32 is not displaced in the minor axis direction with respect to the optical element 20, and variation does not occur.
(3) As described above, an output beam mode having an ellipticity close to a desired value can be stably obtained.

（４）ヒートシンク３２を取り付けない状態でのＮＦＰの楕円形状の長軸方向がｃ軸方向であり且つ短軸方向がａ軸方向である場合にも、長軸方向がａ軸方向であり且つ短軸方向がｃ軸方向である場合にも、両方に対応できる。 (4) When the major axis direction of the elliptical shape of NFP without the heat sink 32 is the c-axis direction and the minor axis direction is the a-axis direction, the major axis direction is the a-axis direction and the short axis direction is short. Even when the axial direction is the c-axis direction, both can be handled.

−実施例２の変形例１−
図９に示す光モジュール１０５のように、光学素子２０の左面および右面とヒートシンク３２の間隙に接着剤を充填せず、空隙５１にしてもよい。 -Modification 1 of Example 2
Like the optical module 105 shown in FIG. 9, the gap between the left and right surfaces of the optical element 20 and the heat sink 32 may not be filled with an adhesive, but may be a gap 51.

−実施例２の変形例２−
図１０に示す光モジュール１０６のように、ヒートシンク３２に代えて、天板に嵌合部３３ａを設けるだけでなく底板にも嵌合部３３ａを設けたヒートシンク３３を用いてもよい。また、光学素子２０の左面および右面とヒートシンク３３の間隙に接着剤を充填せず、空隙５１にしてもよい。 -Modification 2 of Example 2
As in the optical module 106 shown in FIG. 10, instead of the heat sink 32, the heat sink 33 provided not only with the fitting portion 33a on the top plate but also with the fitting portion 33a on the bottom plate may be used. Alternatively, the gap between the left and right surfaces of the optical element 20 and the heat sink 33 may not be filled with an adhesive but may be a gap 51.

−実施例２の変形例３−
多くの場合、レーザ結晶１のｃ軸方向がＮＦＰの楕円形状の長軸方向になり且つレーザ結晶１のａ軸方向がＮＦＰの楕円形状の短軸方向になる傾向がある。そこで、レーザ結晶１のａ軸方向の長さをｃ軸方向の長さより短くしておき（例えばａ軸方向の長さ：ｃ軸方向の長さ＝１：１．２）、波長変換結晶４も同様にし、嵌合部３２ａの左右長Ｒをレーザ結晶１のａ軸方向の長さより大きく且つｃ軸方向の長さより小さくしておけば、必ずｃ軸面にヒートシンク３２が密着し、ａ軸面にはヒートシンク３２が密着しないようにヒートシンク３２を光学素子２０に取り付けでき、作業が容易になる。 —Modification 3 of Example 2—
In many cases, the c-axis direction of the laser crystal 1 tends to be the major axis direction of the elliptical shape of NFP, and the a-axis direction of the laser crystal 1 tends to be the minor axis direction of the elliptical shape of NFP. Therefore, the length in the a-axis direction of the laser crystal 1 is made shorter than the length in the c-axis direction (for example, the length in the a-axis direction: the length in the c-axis direction = 1: 1.2), and the wavelength conversion crystal 4 Similarly, if the right and left length R of the fitting portion 32a is larger than the length in the a-axis direction of the laser crystal 1 and smaller than the length in the c-axis direction, the heat sink 32 is surely in close contact with the c-axis surface, and the a-axis The heat sink 32 can be attached to the optical element 20 so that the heat sink 32 is not in close contact with the surface, and the work becomes easy.

−実施例３−
図１１に示す光モジュール１０７のように、実施例２のヒートシンク３２の、レーザ結晶１の左右に相当する部分を切欠部３４ｂとしたヒートシンク３４を用いてもよい。
図１２に、ヒートシンク３４の斜視図を示す。
実施例３を、実施例２の変形例２，３と同様に変形してもよい。 Example 3
As in the optical module 107 shown in FIG. 11, a heat sink 34 in which portions corresponding to the left and right of the laser crystal 1 of the heat sink 32 of the second embodiment are notched portions 34 b may be used.
FIG. 12 shows a perspective view of the heat sink 34.
The third embodiment may be modified in the same manner as the second and third modifications of the second embodiment.

−実施例４−
図１３に示す光モジュール１０８のように、実施例３のヒートシンク３４の底板の代わりに光モジュール１０８を組み込むレーザ機器における光モジュール取付面Ｆを利用することで、実施例３のヒートシンク３４の底板を省略したヒートシンク３５を用いてもよい。
実施例４を、実施例２の変形例３と同様に変形してもよい。 Example 4
Like the optical module 108 shown in FIG. 13, the bottom plate of the heat sink 34 according to the third embodiment is used by using the optical module mounting surface F in a laser device incorporating the optical module 108 instead of the bottom plate of the heat sink 34 according to the third embodiment. The omitted heat sink 35 may be used.
The fourth embodiment may be modified in the same manner as the third modification of the second embodiment.

−実施例５−
図１４に示す光モジュール１０９のように、実施例２のヒートシンク３２の底板の代わりに光モジュール１０９を組み込むレーザ機器における光モジュール取付面Ｆを利用することで、実施例２のヒートシンク３２の底板を省略したヒートシンク３６を用いてもよい。
実施例５を、実施例２の変形例１，３と同様に変形してもよい。 -Example 5
Like the optical module 109 shown in FIG. 14, the bottom plate of the heat sink 32 of the second embodiment is used by using the optical module mounting surface F in a laser device incorporating the optical module 109 instead of the bottom plate of the heat sink 32 of the second embodiment. The omitted heat sink 36 may be used.
The fifth embodiment may be modified similarly to the first and third modifications of the second embodiment.

−実施例６−
図１５に示す光モジュール１１０のように、実施例５のヒートシンク３６の側板を省略したヒートシンク３７を用いて、光モジュール１１０を組み込むレーザ機器における光モジュール取付面Ｆとヒートシンク３７とで光学素子２０を挟むようにしてもよい。
実施例６を、実施例２の変形例３と同様に変形してもよい。 -Example 6
As in the optical module 110 illustrated in FIG. 15, the optical element 20 is formed by the optical module mounting surface F and the heat sink 37 in the laser device in which the optical module 110 is incorporated using the heat sink 37 in which the side plate of the heat sink 36 of Example 5 is omitted. You may make it pinch | interpose.
The sixth embodiment may be modified in the same manner as the third modification of the second embodiment.

−実施例７−
図１６に示す光モジュール１１１のように、実施例１のヒートシンク３０の底板の代わりに光モジュール１１１を組み込むレーザ機器における光モジュール取付面Ｆを利用することで、実施例１のヒートシンク３０の底板を省略したヒートシンク３８を用いてもよい。
実施例５を、実施例２の変形例１，３と同様に変形してもよい。 -Example 7-
Like the optical module 111 shown in FIG. 16, the bottom plate of the heat sink 30 of the first embodiment is used by using the optical module mounting surface F in a laser device that incorporates the optical module 111 instead of the bottom plate of the heat sink 30 of the first embodiment. The omitted heat sink 38 may be used.
The fifth embodiment may be modified similarly to the first and third modifications of the second embodiment.

−実施例８−
図１７に示す光モジュール１１２のように、実施例７のヒートシンク３８の側板を省略したヒートシンク３９を用いて、光モジュール１１２を組み込むレーザ機器における光モジュール取付面Ｆとヒートシンク３９とで光学素子１０を挟むようにしてもよい。
実施例８を、実施例１の変形例３と同様に変形してもよい。 -Example 8-
As in the optical module 112 shown in FIG. 17, the optical element 10 is formed by the optical module mounting surface F and the heat sink 39 in the laser device in which the optical module 112 is incorporated using the heat sink 39 in which the side plate of the heat sink 38 of Example 7 is omitted. You may make it pinch | interpose.
The eighth embodiment may be modified in the same manner as the third modification of the first embodiment.

−実施例９−
図１８は、実施例９に係る光モジュール１１３を示す斜視図である。
この光モジュール１１３は、光学素子２０と、ヒートシンク４０と、両者を固着する接着剤５０とからなる。 -Example 9-
FIG. 18 is a perspective view illustrating the optical module 113 according to the ninth embodiment.
The optical module 113 includes an optical element 20, a heat sink 40, and an adhesive 50 for fixing both.

光学素子２０の上面と下面は、薄い接着剤層を介して、ヒートシンク４０に密着している。
光学素子２０におけるレーザ結晶１の左面と右面は、ヒートシンク４０の切欠部４０ｂに対応し、ヒートシンク４０に密着していない。波長変換結晶４の左面と右面は、ヒートシンク４０に密着している。
光学素子２０の前面は、励起レーザ光入射面になっている。
光学素子２０の後面は、波長変換レーザ光出射面になっている。 The upper and lower surfaces of the optical element 20 are in close contact with the heat sink 40 through a thin adhesive layer.
The left and right surfaces of the laser crystal 1 in the optical element 20 correspond to the notches 40 b of the heat sink 40 and are not in close contact with the heat sink 40. The left and right surfaces of the wavelength conversion crystal 4 are in close contact with the heat sink 40.
The front surface of the optical element 20 is an excitation laser light incident surface.
The rear surface of the optical element 20 is a wavelength conversion laser light emission surface.

図１９は、ヒートシンク４０の斜視図である。
ヒートシンク４０には、光学素子２０が入る貫通孔４０ｃが貫通している。貫通孔４０ｃの左右長Ｘは例えば１．１ｍｍであり、上下長Ｙは例えば１．１ｍｍである。 FIG. 19 is a perspective view of the heat sink 40.
The heat sink 40 has a through hole 40c through which the optical element 20 is inserted. The left-right length X of the through hole 40c is, for example, 1.1 mm, and the vertical length Y is, for example, 1.1 mm.

実施例９に係る光モジュール１１３によれば次の効果が得られる。
（１）ヒートシンク４０を取り付けない状態でのレーザ結晶１のＮＦＰが楕円形状であるとき、その楕円形状の長軸に直交する面にヒートシンク４０が密着し、短軸に直交する面にはヒートシンク４０が密着しない。このため、楕円率を「１」に近づける傾向に熱レンズ効果の異方性を生じる。
（２）ヒートシンク４０の貫通孔４０ｃに光学素子２０の波長変換結晶部分が嵌合することで、光学素子２０に対してヒートシンク４０が短軸方向に位置ずれしなくなり、バラツキを生じなくなる。
（３）以上により、所望の値に近い楕円率の出力ビームモードが安定に得られる。 The optical module 113 according to the ninth embodiment can obtain the following effects.
(1) When the NFP of the laser crystal 1 in a state where the heat sink 40 is not attached is elliptical, the heat sink 40 is in close contact with the surface perpendicular to the major axis of the elliptical shape, and the heat sink 40 is adhered to the surface perpendicular to the minor axis. Does not adhere. For this reason, the anisotropy of the thermal lens effect is caused in the tendency of the ellipticity to approach “1”.
(2) Since the wavelength conversion crystal portion of the optical element 20 is fitted into the through hole 40c of the heat sink 40, the heat sink 40 is not displaced in the minor axis direction with respect to the optical element 20, and variation does not occur.
(3) As described above, an output beam mode having an ellipticity close to a desired value can be stably obtained.

（４）ヒートシンク４０を取り付けない状態でのＮＦＰの楕円形状の長軸方向がｃ軸方向であり且つ短軸方向がａ軸方向である場合にも、長軸方向がａ軸方向であり且つ短軸方向がｃ軸方向である場合にも、両方に対応できる。 (4) Even when the major axis direction of the elliptical shape of NFP without the heat sink 40 is the c-axis direction and the minor axis direction is the a-axis direction, the major axis direction is the a-axis direction and the minor axis direction is short. Even when the axial direction is the c-axis direction, both can be handled.

−実施例９の変形例−
多くの場合、レーザ結晶１のｃ軸方向がＮＦＰの楕円形状の長軸方向になり且つレーザ結晶１のａ軸方向がＮＦＰの楕円形状の短軸方向になる傾向がある。そこで、レーザ結晶１のａ軸方向の長さをｃ軸方向の長さより短くしておき（例えばａ軸方向の長さ：ｃ軸方向の長さ＝１：１．２）、波長変換結晶４も同様にし、貫通孔４０ｃの左右長Ｘをレーザ結晶１のａ軸方向の長さより大きく且つｃ軸方向の長さより小さくしておけば、必ずレーザ結晶１のｃ軸面にヒートシンク４０が密着し、ａ軸面にはヒートシンク４０が密着しないようにヒートシンク４０を光学素子２０に取り付けでき、作業が容易になる。 - Modification of Example 9 -
In many cases, the c-axis direction of the laser crystal 1 tends to be the major axis direction of the elliptical shape of NFP, and the a-axis direction of the laser crystal 1 tends to be the minor axis direction of the elliptical shape of NFP. Therefore, the length in the a-axis direction of the laser crystal 1 is made shorter than the length in the c-axis direction (for example, the length in the a-axis direction: the length in the c-axis direction = 1: 1.2), and the wavelength conversion crystal 4 Similarly, if the left and right length X of the through-hole 40c is larger than the length of the laser crystal 1 in the a-axis direction and smaller than the length of the c-axis direction, the heat sink 40 is in close contact with the c-axis surface of the laser crystal 1 without fail. The heat sink 40 can be attached to the optical element 20 so that the heat sink 40 is not in close contact with the a-axis surface, and the work becomes easy.

−実施例１０−
図２０に示す光モジュール１１４のように、実施例９のヒートシンク４０の切欠部４０ｂの部分に側板を設けたヒートシンク４１を用いてもよい。
このヒートシンク４１の切欠部４１ｂを空隙のままにしてもよいし、接着剤を充填してもよい。 -Example 10-
As in the optical module 114 illustrated in FIG. 20, a heat sink 41 in which a side plate is provided in the cutout portion 40 b of the heat sink 40 of the ninth embodiment may be used.
The notch 41b of the heat sink 41 may be left as a gap or may be filled with an adhesive.

−実施例１１−
図２１に示す光モジュール１１５のように、実施例９のヒートシンク４０の底板の代わりに光モジュール１１５を組み込むレーザ機器における光モジュール取付面Ｆを利用することで、実施例９のヒートシンク４０の底板を省略したヒートシンク４２を用いてもよい。
図２２は、ヒートシンク４２の斜視図である。
実施例１１を、実施例９の変形例と同様に変形してもよい。 -Example 11-
Like the optical module 115 shown in FIG. 21, the bottom plate of the heat sink 40 of the ninth embodiment is used by using the optical module mounting surface F in a laser device incorporating the optical module 115 instead of the bottom plate of the heat sink 40 of the ninth embodiment. The omitted heat sink 42 may be used.
FIG. 22 is a perspective view of the heat sink 42.
The eleventh embodiment may be modified in the same manner as the modification of the ninth embodiment.

−実施例１２−
図２３に示す光モジュール１１６のように、実施例１１のヒートシンク４２の切欠部４２ｂの部分に側板を設けたヒートシンク４３を用いてもよい。
このヒートシンク４３の切欠部４３ｂを空隙のままにしてもよいし、接着剤を充填してもよい。 -Example 12-
As in the optical module 116 shown in FIG. 23, a heat sink 43 in which a side plate is provided in the notch portion 42b of the heat sink 42 according to the eleventh embodiment may be used.
The notch 43b of the heat sink 43 may be left as a gap or may be filled with an adhesive.

−実施例１３−
図２４は、実施例１３に係る固体レーザ装置２０１を示す構成説明図である。
この固体レーザ装置２０１は、半導体レーザ５１と、集光レンズ５２と、先述した実施例の光モジュール１０１〜１０３，１１１，１１２のいずれかと、波長変換素子５４と、光モジュール取付台５９とを具備している。 -Example 13-
FIG. 24 is an explanatory diagram of a configuration of the solid-state laser apparatus 201 according to the thirteenth embodiment.
This solid-state laser device 201 includes a semiconductor laser 51, a condensing lens 52, any one of the optical modules 101 to 103, 111, and 112 of the above-described embodiments, a wavelength conversion element 54, and an optical module mounting base 59. is doing.

−実施例１４−
図２５は、実施例１４に係る固体レーザ装置２０２を示す構成説明図である。
この固体レーザ装置２０２は、半導体レーザ５１と、集光レンズ５２と、先述した実施例の光モジュール１０４〜１１０，１１３〜１１６のいずれかと、光モジュール取付台５９とを具備している。 -Example 14-
FIG. 25 is an explanatory diagram of a configuration of the solid-state laser apparatus 202 according to the fourteenth embodiment.
The solid-state laser device 202 includes a semiconductor laser 51, a condensing lens 52, any one of the optical modules 104 to 110 and 113 to 116 of the above-described embodiments, and an optical module mounting base 59.

本発明の光モジュールは、例えばＳＨＧ波長変換技術を用いた半導体励起固体レーザ等に利用できる。   The optical module of the present invention can be used for, for example, a semiconductor-pumped solid-state laser using SHG wavelength conversion technology.

１ レーザ結晶
４ 波長変換結晶
９ ヒートシンク有りのレーザ結晶のＮＦＰ
９’ ヒートシンク無しのレーザ結晶のＮＦＰ
１０，２０ 光学素子
３０〜４１ ヒートシンク
３０ａ〜３９ａ 嵌合部
４０ｂ，４１ｂ 切欠部
４０ｃ，４１ｃ 貫通孔
１０１〜１１６ 光モジュール 1 Laser crystal 4 Wavelength conversion crystal 9 Laser crystal NFP with heat sink
9 'NFP of laser crystal without heat sink
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10,20 Optical element 30-41 Heat sink 30a-39a Fitting part 40b, 41b Notch part 40c, 41c Through-hole 101-116 Optical module

Claims (8)

レーザ結晶（１）にヒートシンク（３０〜３９）を取り付けてなる光モジュール（１０１〜１１２）であって、前記ヒートシンク（３０〜３９）を取り付けない状態での前記レーザ結晶（１）のＮＦＰは楕円形状であり、前記楕円形状の長軸に直交する面を長軸面とし且つ前記楕円形状の短軸に直交する面を短軸面とするとき、前記ヒートシンク（３０〜３９）は、前記レーザ結晶（１）の少なくとも一つの長軸面端部分が嵌合しうる嵌合部（３０ａ〜３９ａ）を有し、且つ、前記レーザ結晶（１）の少なくとも一つの長軸面には密着し短軸面には前記嵌合部（３０ａ〜３９ａ）に嵌合してる部分以外は密着しないことを特徴とする光モジュール（１０１〜１１２）。 An optical module (101 to 112) in which a heat sink (30 to 39) is attached to the laser crystal (1), and the NFP of the laser crystal (1) without the heat sink (30 to 39) is an ellipse The heat sink (30-39) has the shape, and when the surface perpendicular to the major axis of the elliptical shape is the major axis surface and the surface perpendicular to the minor axis of the elliptical shape is the minor axis surface, (1) It has a fitting part (30a-39a) in which at least one major-axis surface end part can fit, and it adheres closely to at least one major-axis surface of the laser crystal (1), and a minor axis The optical module (101 to 112) is characterized in that a portion other than the portion fitted to the fitting portion (30a to 39a) does not adhere to the surface. レーザ結晶（１）にヒートシンク（３０〜３９）を取り付けてなる光モジュール（１０１〜１１２）であって、前記レーザ結晶（１）のｃ軸に直交する面をｃ軸面とし且つａ軸に直交する面をａ軸面とするとき、前記ヒートシンク（３０〜３９）は、前記ヒートシンク（３０〜３９）は、前記レーザ結晶（１）の少なくとも一つのｃ軸面端部分が嵌合しうる嵌合部（３０ａ〜３９ａ）を有し、且つ、前記レーザ結晶（１）の少なくとも一つのｃ軸面には密着しａ軸面には前記嵌合部（３０ａ〜３９ａ）に嵌合してる部分以外は密着しないことを特徴とする光モジュール（１０１〜１１２）。 An optical module (101 to 112) in which a heat sink (30 to 39) is attached to a laser crystal (1), wherein a plane perpendicular to the c-axis of the laser crystal (1) is defined as a c-axis plane and perpendicular to the a-axis The heat sink (30-39), the heat sink (30-39) can be fitted with at least one c-axis surface end portion of the laser crystal (1). Other than a portion having a portion (30a to 39a) and closely contacting at least one c-axis surface of the laser crystal (1) and being fitted to the fitting portion (30a to 39a) on the a-axis surface Is an optical module (101 to 112) characterized by not being in close contact. 請求項１または請求項２に記載の光モジュール（１０４〜１１０）において、前記光モジュール（１０４〜１１０）は、レーザ結晶（１）と波長変換結晶（４）とが一体となった構造の光学素子（２０）にヒートシンク（３２〜３７）を取り付けてなる光モジュール（１０４〜１１０）であることを特徴とする光モジュール（１０４〜１１０）。 The optical module (104-110) according to claim 1 or 2, wherein the optical module (104-110) has an optical structure in which a laser crystal (1) and a wavelength conversion crystal (4) are integrated. An optical module (104-110), which is an optical module (104-110) comprising a heat sink (32-37) attached to an element (20). レーザ結晶（１）と波長変換結晶（４）とが一体となった構造の光学素子（２０）にヒートシンク（４０〜４３）を取り付けてなる光モジュール（１１３〜１１６）であって、前記ヒートシンク（４０〜４３）を取り付けない状態での前記レーザ結晶（１）のＮＦＰは楕円形状であり、前記楕円形状の長軸に直交する面を長軸面とし且つ前記楕円形状の短軸に直交する面を短軸面とするとき、前記ヒートシンク（４０〜４３）は、前記光学素子（２０）が入れられる貫通孔（４０ｃ，４２ｃ）を有し、且つ、レーザ結晶（１）の少なくとも一つの長軸面には密着し、短軸面には密着しないように切欠部（４０ｂ〜４３ｂ）が設けられていることを特徴とする光モジュール（１１３〜１１６）。 An optical module (113 to 116) in which a heat sink (40 to 43) is attached to an optical element (20) having a structure in which a laser crystal (1) and a wavelength conversion crystal (4) are integrated. 40-43) NFP of the laser crystal (1) without an attachment is an ellipse, and a plane perpendicular to the major axis of the ellipse is a major axis and a plane perpendicular to the minor axis of the ellipse The heat sink (40-43) has through holes (40c, 42c) into which the optical element (20) is inserted, and at least one long axis of the laser crystal (1). The optical module (113 to 116) is characterized in that notches (40b to 43b) are provided so as to be in close contact with the surface and not in close contact with the short axis surface. レーザ結晶（１）と波長変換結晶（４）とが一体となった構造の光学素子（２０）にヒートシンク（４０〜４３）を取り付けてなる光モジュール（１１３〜１１６）であって、前記レーザ結晶（１）のｃ軸に直交する面をｃ軸面とし且つａ軸に直交する面をａ軸面とするとき、前記ヒートシンク（４０〜４３）は、前記光学素子（２０）が入れられる貫通孔（４０ｃ，４２ｃ）を有し、且つ、レーザ結晶（１）の少なくとも一つのｃ軸面には密着し、ａ軸面には密着しないように切欠部（４０ｂ〜４３ｂ）が設けられていることを特徴とする光モジュール（１１３〜１１６）。 An optical module (113 to 116) in which a heat sink (40 to 43) is attached to an optical element (20) having a structure in which a laser crystal (1) and a wavelength conversion crystal (4) are integrated. When the surface orthogonal to the c-axis in (1) is the c-axis surface and the surface orthogonal to the a-axis is the a-axis surface, the heat sink (40 to 43) is a through hole into which the optical element (20) is inserted. (40c, 42c), and is in close contact with at least one c-axis surface of the laser crystal (1) and provided with notches (40b to 43b) so as not to be in close contact with the a-axis surface. The optical module (113-116) characterized by these. 請求項１から請求項５のいずれかに記載の光モジュールにおいて、レーザ結晶（１）のｃ軸方向の長さとａ軸方向の長さとが等しいことを特徴とする光モジュール。 6. The optical module according to claim 1, wherein the length of the laser crystal (1) in the c-axis direction is equal to the length in the a-axis direction. 請求項１から請求項５のいずれかに記載の光モジュールにおいて、レーザ結晶（１）のｃ軸方向の長さがａ軸方向の長さより大きいことを特徴とする光モジュール。 6. The optical module according to claim 1, wherein the length of the laser crystal (1) in the c-axis direction is larger than the length in the a-axis direction. 請求項１から請求項７のいずれかに記載の光モジュール（１０１〜１１６）を使用したことを特徴とする固体レーザ装置（２０１，２０２）。 A solid-state laser device (201, 202) using the optical module (101-116) according to any one of claims 1 to 7.
JP2010168727A 2010-07-28 2010-07-28 Optical module and solid-state laser device Active JP5742127B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010168727A JP5742127B2 (en) 2010-07-28 2010-07-28 Optical module and solid-state laser device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010168727A JP5742127B2 (en) 2010-07-28 2010-07-28 Optical module and solid-state laser device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2012028710A true JP2012028710A (en) 2012-02-09
JP5742127B2 JP5742127B2 (en) 2015-07-01

Family

ID=45781253

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010168727A Active JP5742127B2 (en) 2010-07-28 2010-07-28 Optical module and solid-state laser device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5742127B2 (en)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0685357A (en) * 1992-09-04 1994-03-25 Nippon Steel Corp Solid laser oscillator
JPH09507725A (en) * 1994-02-04 1997-08-05 スペクトラ−フィジックス レイザーズ インコーポレイテッド Flatness control type thermal lens
JPH11326970A (en) * 1998-05-18 1999-11-26 Mitsubishi Electric Corp Nonlinear crystal holder
JP2008153462A (en) * 2006-12-18 2008-07-03 Hamamatsu Photonics Kk Solid-state laser amplifier
JP2009147205A (en) * 2007-12-17 2009-07-02 Mitsubishi Electric Corp Waveguide type solid-state laser medium and waveguide type laser device

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0685357A (en) * 1992-09-04 1994-03-25 Nippon Steel Corp Solid laser oscillator
JPH09507725A (en) * 1994-02-04 1997-08-05 スペクトラ−フィジックス レイザーズ インコーポレイテッド Flatness control type thermal lens
JPH11326970A (en) * 1998-05-18 1999-11-26 Mitsubishi Electric Corp Nonlinear crystal holder
JP2008153462A (en) * 2006-12-18 2008-07-03 Hamamatsu Photonics Kk Solid-state laser amplifier
JP2009147205A (en) * 2007-12-17 2009-07-02 Mitsubishi Electric Corp Waveguide type solid-state laser medium and waveguide type laser device

Also Published As

Publication number Publication date
JP5742127B2 (en) 2015-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2009116134A1 (en) Laser light source module
US20140105538A1 (en) Laser module
JP5872067B2 (en) Planar waveguide type laser excitation module and planar waveguide type wavelength conversion laser device
JP2005093624A (en) Semiconductor laser pumped solid-state laser
JP2004363129A (en) Optical crystal holder, solid-state laser system, method of fixing optical crystal, and structure and method for positioning solid-state laser crystal
JP5389277B2 (en) Mode-controlled waveguide laser device
JPWO2012098569A1 (en) Laser light source module
JP2015109356A (en) Laser device, method for manufacturing laser device, laser processing device, and display device
JP5247795B2 (en) Optical module
JP5267247B2 (en) Optical element for small laser
EP2782196B1 (en) Semiconductor laser-excitation solid-state laser
JP5742127B2 (en) Optical module and solid-state laser device
JP2008224972A (en) Optical element and method for manufacturing the same
JP3707920B2 (en) Optical member fixing structure
JP5343699B2 (en) Optical resonator
Pittroff et al. Simple design for fiber coupled 9xx nm kW-QCW pump module with high duty cycle based on customized chips and lateral heat removal
JP5272700B2 (en) Optical element and optical element manufacturing method
JP6255805B2 (en) Laser module, solid-state laser device, and laser module manufacturing method
Han et al. Advances in G-stack diode laser using macro-channel water cooling and high thermal conductivity material packaging
JP2011040490A (en) Semiconductor laser device
JP2007140311A (en) Compound nonlinear crystal
KR20100043709A (en) Small size solide state laser pumped by high power laser diode
JP2016201435A (en) Laser light source device
JP2002280646A (en) Laser diode stimulated solid-state laser
JP2008185865A (en) Optical device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20121015

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130911

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130917

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140304

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140428

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20141028

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20141210

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20150407

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150420

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 5742127

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151