JP2012028336A - イオンガイド装置、イオン誘導方法、及び、質量分析方法 - Google Patents

イオンガイド装置、イオン誘導方法、及び、質量分析方法 Download PDF

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Abstract

【課題】改良されたイオンガイドおよびイオン誘導方法を提供する。
【解決手段】イオンガイド装置は、第１のイオンガイド７を備え、第１のイオンガイド７は第２のイオンガイド８に結合される。ＤＣ電位の勾配によって２つのガイド領域を仕切る径方向の疑似ポテンシャル障壁を超えて、イオンが誘導される。比較的大きな断面形状を有するイオンガイドから比較的小さな断面形状を有するイオンガイドにイオンを移動させることにより、その後のイオン閉じ込めが促進される。
【選択図】図２

Description

本発明は、イオンガイド装置に関する。好適な実施形態は、質量分析計、イオン誘導用装置、質量分析法、並びにイオン誘導方法に関する。
イオンを閉じ込め、拘束することにより、リニアイオンガイドの長手方向中心軸に沿って移動させるイオンガイドが知られている。イオンガイドの中心軸は、径方向に対称性のある疑似ポテンシャルの谷の中心と一致する。イオンガイドを形成する電極にＲＦ電圧を印加することにより、疑似ポテンシャルの谷がイオンガイド内に形成される。イオンは、イオンガイドの長手方向中心軸に沿って、イオンガイドに入射され、イオンガイドから放出される。
イオンガイドおよびイオン誘導方法の改良が求められている。
本発明の一態様は、イオンガイド装置であって、
第１の複数の電極を備える第１のイオンガイドであって、使用時にイオンを透過させる少なくとも一つの孔を各電極が有し、第１のイオンガイドに沿って、あるいは、第１のイオンガイド内に第１のイオン誘導路が形成される第１のイオンガイドと、
第２の複数の電極を備える第２のイオンガイドであって、使用時にイオンを透過させる少なくとも一つの孔を各電極が有し、第２のイオンガイドに沿って、あるいは、第２のイオンガイド内に別の第２のイオン誘導路が形成される第２のイオンガイドと、
第１のイオン誘導路と第２のイオン誘導路との間のイオンガイド装置の長さ方向に沿った一つ以上の地点で一つ以上の疑似ポテンシャル障壁を形成するように配置・構成される第１の装置と、
一つ以上の疑似ポテンシャル障壁を超えるようにイオンを誘導することによって、第１のイオン誘導路から第２のイオン誘導路にイオンを移動させるように配置・構成される第２の装置と、
を備える。
好ましくは互いにほぼ並列に配置される第１のイオンガイドと第２のイオンガイドとの間に位置する一つ以上の径方向（動径方向）または長手方向の疑似ポテンシャル障壁を超えて、径方向に、すなわち、速度の非ゼロ径方向成分を持つように、イオンが移動することが望ましい。
本発明の実施形態において、複数回、少なくとも２回、３回、４回、５回、６回、７回、８回、９回または１０回、第１のイオンガイドから第２のイオンガイドに、および／あるいは、第２のイオンガイドから第１のイオンガイドにイオンを移動させる。２つ以上のイオンガイド間でイオンが繰り返し行ったり来たりするようにしてもよい。
一実施形態において、
（ａ）第１の複数の電極および／あるいは第２の複数の電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％が、ほぼ円形、長方形、正方形、あるいは楕円形状の孔を備える。および／あるいは、
（ｂ）第１の複数の電極および／あるいは第２の複数の電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％が、ほぼ同一の大きさの孔あるいはほぼ同一の面積を有する孔を備える。および／あるいは、
（ｃ）第１の複数の電極および／あるいは第２の複数の電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％が、第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイドの軸方向すなわち長さ方向に沿って、大きさまたは面積が次第に大きくなっていく、および／あるいは、大きさまたは面積が次第に小さくなっていく孔を備える。および／あるいは、
（ｄ）第１の複数の電極および／あるいは第２の複数の電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％が、（ｉ）１．０ｍｍ以下の値、（ｉｉ）２．０ｍｍ以下の値、（ｉｉｉ）３．０ｍｍ以下の値、（ｉｖ）４．０ｍｍ以下の値、（ｖ）５．０ｍｍ以下の値、（ｖｉ）６．０ｍｍ以下の値、（ｖｉｉ）７．０ｍｍ以下の値、（ｖｉｉｉ）８．０ｍｍ以下の値、（ｉｘ）９．０ｍｍ以下の値、（ｘ）１０．０ｍｍ以下の値および（ｘｉ）１０．０ｍｍより大きい値からなる群から選択される内径または寸法を有する孔を備える。および／あるいは、
（ｅ）第１の複数の電極および／あるいは第２の複数の電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％が、（ｉ）５ｍｍ以下の値、（ｉｉ）４．５ｍｍ以下の値、（ｉｉｉ）４ｍｍ以下の値、（ｉｖ）３．５ｍｍ以下の値、（ｖ）３ｍｍ以下の値、（ｖｉ）２．５ｍｍ以下の値、（ｖｉｉ）２ｍｍ以下の値、（ｖｉｉｉ）１．５ｍｍ以下の値、（ｉｘ）１ｍｍ以下の値、（ｘ）０．８ｍｍ以下の値、（ｘｉ）０．６ｍｍ以下の値、（ｘｉｉ）０．４ｍｍ以下の値、（ｘｉｉｉ）０．２ｍｍ以下の値、（ｘｉｖ）０．１ｍｍ以下の値および（ｘｖ）０．２５ｍｍ以下の値からなる群から選択される軸方向の距離だけ互いに隔てられる。および／あるいは、
（ｆ）第１の複数の電極および／あるいは第２の複数の電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％が、（ｉ）１．０未満の値、（ｉｉ）１．０から１．２の範囲の値、（ｉｉｉ）１．２から１．４の範囲の値、（ｉｖ）１．４から１．６の範囲の値、（ｖ）１．６から１．８の範囲の値、（ｖｉ）１．８から２．０の範囲の値、（ｖｉｉ）２．０から２．２の範囲の値、（ｖｉｉｉ）２．２から２．４の範囲の値、（ｉｘ）２．４から２．６の範囲の値、（ｘ）２．６から２．８の範囲の値、（ｘｉ）２．８から３．０の範囲の値、（ｘｉｉ）３．０から３．２の範囲の値、（ｘｉｉｉ）３．２から３．４の範囲の値、（ｘｉｖ）３．４から３．６の範囲の値、（ｘｖ）３．６から３．８の範囲の値、（ｘｖｉ）３．８から４．０の範囲の値、（ｘｖｉｉ）４．０から４．２の範囲の値、（ｘｖｉｉｉ）４．２から４．４の範囲の値、（ｘｉｘ）４．４から４．６の範囲の値、（ｘｘ）４．６から４．８の範囲の値、（ｘｘｉ）４．８から５．０の範囲の値および（ｘｘｉｉ）５．０より大きな値から選択される、隣接する電極間の軸方向の中心間距離に対する孔の内径または寸法の比を有する孔を備える。および／あるいは、
（ｇ）第１の複数の電極および／あるいは第２の複数の電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％が、（ｉ）５ｍｍ以下の値、（ｉｉ）４．５ｍｍ以下の値、（ｉｉｉ）４ｍｍ以下の値、（ｉｖ）３．５ｍｍ以下の値、（ｖ）３ｍｍ以下の値、（ｖｉ）２．５ｍｍ以下の値、（ｖｉｉ）２ｍｍ以下の値、（ｖｉｉｉ）１．５ｍｍ以下の値、（ｉｘ）１ｍｍ以下の値、（ｘ）０．８ｍｍ以下の値、（ｘｉ）０．６ｍｍ以下の値、（ｘｉｉ）０．４ｍｍ以下の値、（ｘｉｉｉ）０．２ｍｍ以下の値、（ｘｉｖ）０．１ｍｍ以下の値および（ｘｖ）０．２５ｍｍ以下の値からなる群から選択される厚さまたは軸長を備える。および／あるいは、
（ｈ）第１の複数の電極が、第１の断面積または断面形状を有し、第１のイオンガイドの長さの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％の長さに沿って、第１の断面積または断面形状が変化、増加、減少あるいは変動する。および／あるいは、
（ｉ）第２の複数の電極が、第２の断面積または断面形状を有し、第２のイオンガイドの長さの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％の長さに沿って、第２の断面積または断面形状が変化、増加、減少あるいは変動する。
本発明の一態様は、イオンガイド装置であって、
一つ以上の第１のロッドセットを含む第１の複数の電極を備える第１のイオンガイドであって、第１のイオンガイドに沿って、あるいは、第１のイオンガイド内に第１のイオン誘導路が形成される第１のイオンガイドと、
一つ以上の第２のロッドセットを含む第１の複数の電極を備える第２のイオンガイドであって、第２のイオンガイドに沿って、あるいは、第２のイオンガイド内に別の第２のイオン誘導路が形成される第２のイオンガイドと、
第１のイオン誘導路と第２のイオン誘導路との間のイオンガイド装置の長さ方向に沿った一つ以上の地点で一つ以上の疑似ポテンシャル障壁を形成するように配置・構成される第１の装置と、
一つ以上の疑似ポテンシャル障壁を超えるようにイオンを誘導することによって、第１のイオン誘導路から第２のイオン誘導路にイオンを移動させるように配置・構成される第２の装置と、
を備える。
好ましくは互いにほぼ並列に配置される第１のイオンガイドと第２のイオンガイドとの間に位置する一つ以上の径方向または長手方向の疑似ポテンシャル障壁を超えて、径方向に、すなわち、速度の非ゼロ径方向成分を持つように、イオンが移動することが望ましい。
一実施形態において、
（ａ）第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイドが、一つ以上の軸方向に分割されたロッドセットイオンガイドを備える。および／あるいは、
（ｂ）第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイドが、一つ以上の分割された四重極、六重極または八重極イオンガイド、あるいは、４つ以上に分割されたロッドセットを有するイオンガイドを備える。および／あるいは、
（ｃ）第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイドが、（ｉ）ほぼ円形の断面と、（ｉｉ）ほぼ双曲線の表面と、（ｉｉｉ）弓状あるいは部分的に円形の断面と、（ｉｖ）ほぼ長方形の断面と、（ｖ）ほぼ正方形の断面と、からなる群から選択される断面を有する複数の電極を備える。および／あるいは、
（ｄ）第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイドが、一つ以上の第１のロッドセットおよび／あるいは一つ以上の第２のロッドセットの周囲に配列される複数の環状電極をさらに備える。および／あるいは、
（ｅ）第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイドが、４個、５個、６個、７個、８個、９個、１０個、１１個、１２個、１３個、１４個、１５個、１６個、１７個、１８個、１９個、２０個、２１個、２２個、２３個、２４個、２５個、２６個、２７個、２８個、２９個、３０個、あるいは、それ以上の数のロッド電極を備える。
隣接または近接するロッド電極が、逆位相のＡＣ電圧またはＲＦ電圧に保持されることが望ましい。
本発明の一態様は、イオンガイド装置であって、
使用時にイオンが移動する平面内に配置される第１の複数の電極を備える第１のイオンガイドであって、第１のイオンガイドに沿って、あるいは、第１のイオンガイド内に第１のイオン誘導路が形成される第１のイオンガイドと、
使用時にイオンが移動する平面内に配置される第２の複数の電極を備える第２のイオンガイドであって、第２のイオンガイドに沿って、あるいは、第２のイオンガイド内に別の第２のイオン誘導路が形成される第２のイオンガイドと、
第１のイオン誘導路と第２のイオン誘導路との間のイオンガイド装置の長さ方向に沿った一つ以上の地点で一つ以上の疑似ポテンシャル障壁を形成するように配置・構成される第１の装置と、
一つ以上の疑似ポテンシャル障壁を超えるようにイオンを誘導することによって、第１のイオン誘導路から第２のイオン誘導路にイオンを移動させるように配置・構成される第２の装置と、
を備える。
好ましくは互いにほぼ並列に配置される第１のイオンガイドと第２のイオンガイドとの間に位置する一つ以上の径方向または長手方向の疑似ポテンシャル障壁を超えて、径方向に、すなわち、速度の非ゼロ径方向成分を持つように、イオンが移動することが望ましい。
一実施形態において、
（ａ）第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイドが、平坦電極、平板電極、メッシュ電極、または曲面電極の積層スタックあるいは配列アレイを備え、平坦電極、平板電極、メッシュ電極、または曲面電極の積層スタックあるいは配列アレイには、複数の、すなわち、少なくとも、２個、３個、４個、５個、６個、７個、８個、９個、１０個、１１個、１２個、１３個、１４個、１５個、１６個、１７個、１８個、１９個または２０個の平坦電極、平板電極、メッシュ電極または曲面電極が含まれ、平坦電極、平板電極、メッシュ電極または曲面電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％が、通常、使用時にイオンが移動する平面内に配置される。および／あるいは、
（ｂ）第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイドが、少なくとも２個、３個、４個、５個、６個、７個、８個、９個、１０個、１１個、１２個、１３個、１４個、１５個、１６個、１７個、１８個、１９個または２０個の軸方向セグメントを含むように軸方向に分割され、一つの軸方向セグメントにおける第１の複数の電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％および／あるいは一つの軸方向セグメントにおける第２の複数の電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％が、使用時に同じＤＣ電圧に保持される。
第１の装置が、
（ｉ）第１のイオン誘導路と第２のイオン誘導路との間のイオンガイド装置の長さ方向に沿った一つ以上の地点で、一つ以上の径方向または長手方向の疑似ポテンシャル障壁を形成する、および／あるいは、
（ｉｉ）第１のイオン誘導路と第２のイオン誘導路との間のイオンガイド装置の長さ方向に沿った一つ以上の地点で、一つ以上の非軸方向の疑似ポテンシャル障壁を形成する、
ように配置・構成されることが望ましい。
第２の装置が、
（ａ）径方向に、第１のイオン誘導路から第２のイオン誘導路にイオンを移動させる、および／あるいは、
（ｂ）速度の非ゼロ径方向成分と速度の軸方向成分とを有するイオンを第１のイオン誘導路から第２のイオン誘導路に移動させる、および／あるいは、
（ｃ）速度の非ゼロ径方向成分と速度の軸方向成分とを有するイオンを第１のイオン誘導路から第２のイオン誘導路に移動させ、速度の軸方向成分に対する速度の径方向成分の比が、（ｉ）０．１未満の値、（ｉｉ）０．１から０．２の範囲の値、（ｉｉｉ）０．２から０．３の範囲の値、（ｉｖ）０．３から０．４の範囲の値、（ｖ）０．４から０．５の範囲の値、（ｖｉ）０．５から０．６の範囲の値、（ｖｉｉ）０．６から０．７の範囲の値、（ｖｉｉｉ）０．７から０．８の範囲の値、（ｉｘ）０．８から０．９の範囲の値、（ｘ）０．９から１．０の範囲の値、（ｘｉ）１．０から１．１の範囲の値、（ｘｉｉ）１．１から１．２の範囲の値、（ｘｉｉｉ）１．２から１．３の範囲の値、（ｘｉｖ）１．３から１．４の範囲の値、（ｘｖ）１．４から１．５の範囲の値、（ｘｖｉ）１．５から１．６の範囲の値、（ｘｖｉｉ）１．６から１．７の範囲の値、（ｘｖｉｉｉ）１．７から１．８の範囲の値、（ｘｉｘ）１．８から１．９の範囲の値、（ｘｘ）１．９から２．０の範囲の値、（ｘｘｉ）２．０から３．０の範囲の値、（ｘｘｉｉ）３．０から４．０の範囲の値、（ｘｘｉｉｉ）４．０から５．０の範囲の値、（ｘｘｉｖ）５．０から６．０の範囲の値、（ｘｘｖ）６．０から７．０の範囲の値、（ｘｘｖｉ）７．０から８．０の範囲の値、（ｘｘｖｉｉ）８．０から９．０の範囲の値、（ｘｘｖｉｉｉ）９．０から１０．０の範囲の値および（ｘｘｉｘ）１０．０より大きい値、からなる群から選択される、および／あるいは、
（ｄ）第１のイオン誘導路と第２のイオン誘導路との間に配置される一つ以上の径方向疑似ポテンシャル障壁を超えてイオンを移動させることにより、イオンを第１のイオン誘導路から第２のイオン誘導路に移動させる、
ように配置・構成されることが望ましい。
直列に配置される２つのイオンガイド間でのイオンの移動とは異なる方法で、好ましくは並列に配置される２つのイオンガイド間でイオンが移動されることが望ましい。２つのイオンガイドを直列に配置した場合には、好適な実施形態とは異なり、イオンは、径方向に、すなわち、径方向または長手方向の疑似ポテンシャル障壁を超えて、移動しない。
一実施形態において、
（ａ）第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイドの長さの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％に関して、第１のイオンガイドおよび第２のイオンガイドが、互いに結合される、互いに統合される、互いに重なり合う、または、互いに開口する。および／あるいは、
（ｂ）第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイドの長さの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％にわたって、第１のイオンガイドすなわち第１のイオン誘導路と第２のイオンガイドすなわち第２のイオン誘導路との間でイオンを径方向に移動させる。および／あるいは、
（ｃ）第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイドの長さの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％に沿って、第１のイオンガイドすなわち第１のイオン誘導路を第２のイオンガイドすなわち第２のイオン誘導路から分離するように、使用時に、一つ以上の径方向または長手方向の疑似ポテンシャル障壁が形成される。および／あるいは、
（ｄ）第１の疑似ポテンシャルの谷あるいは場が第１のイオンガイド内に形成され、第２の疑似ポテンシャルの谷あるいは場が第２のイオンガイド内に形成され、疑似ポテンシャル障壁により第１の疑似ポテンシャルの谷が第２の疑似ポテンシャルの谷から分離され、第１の疑似ポテンシャルの谷あるいは第２の疑似ポテンシャルの谷の何れかによりイオンガイド装置内で径方向にイオンが閉じ込められ、疑似ポテンシャル障壁を超えるように少なくとも一部のイオンを移動させる。および／あるいは、
（ｅ）第１のイオンガイドと第２のイオンガイドとの間の重複割合あるいは開口割合は、一定に保持される、あるいは、第１のイオンガイドと第２のイオンガイドの長さ方向に沿って、変化する、増加する、減少する、段階的にまたは直線的に増加する、あるいは、段階的にまたは直線的に減少する。
一実施形態において、
（ａ）第１の複数の電極における一つ以上の電極、すなわち、第１の複数の電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％が、動作モード下で、（ｉ）±０Ｖから±１０Ｖの範囲の値、（ｉｉ）±１０Ｖから±２０Ｖの範囲の値、（ｉｉｉ）±２０Ｖから±３０Ｖの範囲の値、（ｉｖ）±３０Ｖから±４０Ｖの範囲の値、（ｖ）±４０Ｖから±５０Ｖの範囲の値、（ｖｉ）±５０Ｖから±６０Ｖの範囲の値、（ｖｉｉ）±６０Ｖから±７０Ｖの範囲の値、（ｖｉｉｉ）±７０Ｖから±８０Ｖの範囲の値、（ｉｘ）±８０Ｖから±９０Ｖの範囲の値、（ｘ）±９０Ｖから±１００Ｖの範囲の値、（ｘｉ）±１００Ｖから±１５０Ｖの範囲の値、（ｘｉｉ）±１５０Ｖから±２００Ｖの範囲の値、（ｘｉｉｉ）±２００Ｖから±２５０Ｖの範囲の値、（ｘｉｖ）±２５０Ｖから±３００Ｖの範囲の値、（ｘｖ）±３００Ｖから±３５０Ｖの範囲の値、（ｘｖｉ）±３５０Ｖから±４００Ｖの範囲の値、（ｘｖｉｉ）±４００Ｖから±４５０Ｖの範囲の値、（ｘｖｉｉｉ）±４５０Ｖから±５００Ｖの範囲の値、（ｘｉｘ）±５００Ｖから±５５０Ｖの範囲の値、（ｘｘ）±５５０Ｖから±６００Ｖの範囲の値、（ｘｘｉ）±６００Ｖから±６５０Ｖの範囲の値、（ｘｘｉｉ）±６５０Ｖから±７００Ｖの範囲の値、（ｘｘｉｉｉ）±７００Ｖから±７５０Ｖの範囲の値、（ｘｘｉｖ）±７５０Ｖから±８００Ｖの範囲の値、（ｘｘｖ）±８００Ｖから±８５０Ｖの範囲の値、（ｘｘｖｉ）±８５０Ｖから±９００Ｖの範囲の値、（ｘｘｖｉｉ）±９００Ｖから±９５０Ｖの範囲の値、（ｘｘｖｉｉｉ）±９５０Ｖから±１０００Ｖの範囲の値および（ｘｘｉｘ）±１０００Ｖより大きい値、からなる群から選択される第１の電位あるいは電圧に保持される。および／あるいは、
（ｂ）第２の複数の電極における一つ以上の電極、すなわち、第２の複数の電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％が、動作モード下で、（ｉ）±０Ｖから±１０Ｖの範囲の値、（ｉｉ）±１０Ｖから±２０Ｖの範囲の値、（ｉｉｉ）±２０Ｖから±３０Ｖの範囲の値、（ｉｖ）±３０Ｖから±４０Ｖの範囲の値、（ｖ）±４０Ｖから±５０Ｖの範囲の値、（ｖｉ）±５０Ｖから±６０Ｖの範囲の値、（ｖｉｉ）±６０Ｖから±７０Ｖの範囲の値、（ｖｉｉｉ）±７０Ｖから±８０Ｖの範囲の値、（ｉｘ）±８０Ｖから±９０Ｖの範囲の値、（ｘ）±９０Ｖから±１００Ｖの範囲の値、（ｘｉ）±１００Ｖから±１５０Ｖの範囲の値、（ｘｉｉ）±１５０Ｖから±２００Ｖの範囲の値、（ｘｉｉｉ）±２００Ｖから±２５０Ｖの範囲の値、（ｘｉｖ）±２５０Ｖから±３００Ｖの範囲の値、（ｘｖ）±３００Ｖから±３５０Ｖの範囲の値、（ｘｖｉ）±３５０Ｖから±４００Ｖの範囲の値、（ｘｖｉｉ）±４００Ｖから±４５０Ｖの範囲の値、（ｘｖｉｉｉ）±４５０Ｖから±５００Ｖの範囲の値、（ｘｉｘ）±５００Ｖから±５５０Ｖの範囲の値、（ｘｘ）±５５０Ｖから±６００Ｖの範囲の値、（ｘｘｉ）±６００Ｖから±６５０Ｖの範囲の値、（ｘｘｉｉ）±６５０Ｖから±７００Ｖの範囲の値、（ｘｘｉｉｉ）±７００Ｖから±７５０Ｖの範囲の値、（ｘｘｉｖ）±７５０Ｖから±８００Ｖの範囲の値、（ｘｘｖ）±８００Ｖから±８５０Ｖの範囲の値、（ｘｘｖｉ）±８５０Ｖから±９００Ｖの範囲の値、（ｘｘｖｉｉ）±９００Ｖから±９５０Ｖの範囲の値、（ｘｘｖｉｉｉ）±９５０Ｖから±１０００Ｖの範囲の値および（ｘｘｉｘ）±１０００Ｖより大きい値、からなる群から選択される第２の電位あるいは電圧に保持される。および／あるいは、
（ｃ）動作モード下で、第１の複数の電極における一つ以上の電極、すなわち、第１の複数の電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％と、第２の複数の電極における一つ以上の電極、すなわち、第２の複数の電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％との間の電位差が保持され、電位差が、（ｉ）±０Ｖから±１０Ｖの範囲の値、（ｉｉ）±１０Ｖから±２０Ｖの範囲の値、（ｉｉｉ）±２０Ｖから±３０Ｖの範囲の値、（ｉｖ）±３０Ｖから±４０Ｖの範囲の値、（ｖ）±４０Ｖから±５０Ｖの範囲の値、（ｖｉ）±５０Ｖから±６０Ｖの範囲の値、（ｖｉｉ）±６０Ｖから±７０Ｖの範囲の値、（ｖｉｉｉ）±７０Ｖから±８０Ｖの範囲の値、（ｉｘ）±８０Ｖから±９０Ｖの範囲の値、（ｘ）±９０Ｖから±１００Ｖの範囲の値、（ｘｉ）±１００Ｖから±１５０Ｖの範囲の値、（ｘｉｉ）±１５０Ｖから±２００Ｖの範囲の値、（ｘｉｉｉ）±２００Ｖから±２５０Ｖの範囲の値、（ｘｉｖ）±２５０Ｖから±３００Ｖの範囲の値、（ｘｖ）±３００Ｖから±３５０Ｖの範囲の値、（ｘｖｉ）±３５０Ｖから±４００Ｖの範囲の値、（ｘｖｉｉ）±４００Ｖから±４５０Ｖの範囲の値、（ｘｖｉｉｉ）±４５０Ｖから±５００Ｖの範囲の値、（ｘｉｘ）±５００Ｖから±５５０Ｖの範囲の値、（ｘｘ）±５５０Ｖから±６００Ｖの範囲の値、（ｘｘｉ）±６００Ｖから±６５０Ｖの範囲の値、（ｘｘｉｉ）±６５０Ｖから±７００Ｖの範囲の値、（ｘｘｉｉｉ）±７００Ｖから±７５０Ｖの範囲の値、（ｘｘｉｖ）±７５０Ｖから±８００Ｖの範囲の値、（ｘｘｖ）±８００Ｖから±８５０Ｖの範囲の値、（ｘｘｖｉ）±８５０Ｖから±９００Ｖの範囲の値、（ｘｘｖｉｉ）±９００Ｖから±９５０Ｖの範囲の値、（ｘｘｖｉｉｉ）±９５０Ｖから±１０００Ｖの範囲の値および（ｘｘｉｘ）±１０００Ｖより大きい値、からなる群から選択される。および／あるいは、
（ｄ）第１の複数の電極における一つ以上の電極、すなわち、第１の複数の電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％が、使用時に、ほぼ同一の第１のＤＣ電圧に保持される。および／あるいは、
（ｅ）第２の複数の電極における一つ以上の電極、すなわち、第２の複数の電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％が、使用時に、ほぼ同一の第２のＤＣ電圧に保持される。および／あるいは、
（ｆ）第１の複数の電極および／あるいは第２の複数の電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％が、使用時に、ほぼ同一のＤＣ電圧またはＤＣバイアス電圧に保持される、あるいは実質的に異なるＤＣ電圧またはＤＣバイアス電圧に保持される。
第１のイオンガイドが望ましくは第１の長手方向中心軸を備え、第２のイオンガイドが望ましくは第２の長手方向中心軸を備える。ここで、
（ｉ）第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイドの長さの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％に関して、第１の長手方向中心軸が、第２の長手方向中心軸に対して、ほぼ平行に配置される。および／あるいは、
（ｉｉ）第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイドの長さの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％に関して、第１の長手方向中心軸が、第２の長手方向中心軸に対して、同一直線上にも同軸上にも配置されない。および／あるいは、
（ｉｉｉ）第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイドの長さの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％に関して、第１の長手方向中心軸が、第２の長手方向中心軸に対して、一定の距離だけ離れて配置される、あるいは、等距離を保って配置される。および／あるいは、
（ｉｖ）第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイドの長さの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％に関して、第１の長手方向中心軸が、第２の長手方向中心軸のミラーイメージである。および／あるいは、
（ｖ）第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイドの長さの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％に関して、第１の長手方向中心軸が、第２の長手方向中心軸と平行に、および／あるいは、第２の長手方向中心軸に沿って、実質的に追跡・追従・ミラー配置・伸長する。および／あるいは、
（ｖｉ）第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイドの長さの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％に関して、第１の長手方向中心軸が、第２の長手方向中心軸に向かって収束する、あるいは、第２の長手方向中心軸から離れて発散する。および／あるいは、
（ｖｉｉ）第１の長手方向中心軸と第２の長手方向中心軸とが、Ｘ形状のあるいはＹ形状のカップラーあるいはスプリッターイオン誘導路を形成する。および／あるいは、
（ｖｉｉｉ）第１のイオンガイドと第２のイオンガイドの間に一つ以上のクロスオーバー領域、セクション、あるいは接合部が配置され、第１のイオンガイドから第２のイオンガイドに少なくとも一部のイオンを移動させ、あるいは、移動するように誘導し、および／あるいは、第２のイオンガイドから第１のイオンガイドに少なくとも一部のイオンを移動させる。
第１の長手方向軸を有するような第１の疑似ポテンシャルの谷が使用時に第１のイオンガイド内に形成されることが望ましい。同様に、第２の長手方向軸を有するような第２の疑似ポテンシャルの谷が使用時に第２のイオンガイド内に形成されることが望ましい。ここで、
（ｉ）第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイドの長さの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％に関して、第１の長手方向軸が、第２の長手方向軸に対して、ほぼ平行に配置される。および／あるいは、
（ｉｉ）第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイドの長さの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％に関して、第１の長手方向軸が、第２の長手方向軸に対して、同一直線上にも同軸上にも配置されない。および／あるいは、
（ｉｉｉ）第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイドの長さの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％に関して、第１の長手方向軸が、第２の長手方向軸に対して、一定の距離だけ離れて配置される、あるいは、等距離を保って配置される。および／あるいは、
（ｉｖ）第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイドの長さの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％に関して、第１の長手方向軸が、第２の長手方向軸のミラーイメージである。および／あるいは、
（ｖ）第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイドの長さの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％に関して、第１の長手方向軸が、第２の長手方向軸と平行に、および／あるいは、第２の長手方向軸に沿って、実質的に追跡・追従・ミラー配置・伸長する。および／あるいは、
（ｖｉ）第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイドの長さの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％に関して、第１の長手方向軸が、第２の長手方向軸に向かって収束する、あるいは、第２の長手方向軸から離れて発散する。および／あるいは、
（ｖｉｉ）第１の長手方向軸と第２の長手方向軸とが、Ｘ形状のあるいはＹ形状のカップラーあるいはスプリッターイオン誘導路を形成する。および／あるいは、
（ｖｉｉｉ）第１のイオンガイドと第２のイオンガイドの間に一つ以上のクロスオーバー領域、セクション、あるいは接合部が配置され、第１のイオンガイドから第２のイオンガイドに少なくとも一部のイオンを移動させ、あるいは、移動するように誘導し、および／あるいは、第２のイオンガイドから第１のイオンガイドに少なくとも一部のイオンを移動させる。
一実施形態において、
（ａ）第１のイオンガイドが、第１の断面積を有するイオン誘導領域を備え、第２のイオンガイドが、第２の断面積を有するイオン誘導領域を備え、第１の断面積と第２の断面積とが、ほぼ同じである、あるいは、実質的に異なる。および／あるいは、
（ｂ）第１のイオンガイドが、第１の断面積を有するイオン誘導領域を備え、第２のイオンガイドが、第２の断面積を有するイオン誘導領域を備え、第２の断面積に対する第１の断面積の比が、（ｉ）０．１未満の値、（ｉｉ）０．１から０．２の範囲の値、（ｉｉｉ）０．２から０．３の範囲の値、（ｉｖ）０．３から０．４の範囲の値、（ｖ）０．４から０．５の範囲の値、（ｖｉ）０．５から０．６の範囲の値、（ｖｉｉ）０．６から０．７の範囲の値、（ｖｉｉｉ）０．７から０．８の範囲の値、（ｉｘ）０．８から０．９の範囲の値、（ｘ）０．９から１．０の範囲の値、（ｘｉ）１．０から１．１の範囲の値、（ｘｉｉ）１．１から１．２の範囲の値、（ｘｉｉｉ）１．２から１．３の範囲の値、（ｘｉｖ）１．３から１．４の範囲の値、（ｘｖ）１．４から１．５の範囲の値、（ｘｖｉ）１．５から１．６の範囲の値、（ｘｖｉｉ）１．６から１．７の範囲の値、（ｘｖｉｉｉ）１．７から１．８の範囲の値、（ｘｉｘ）１．８から１．９の範囲の値、（ｘｘ）１．９から２．０の範囲の値、（ｘｘｉ）２．０から２．５の範囲の値、（ｘｘｉｉ）２．５から３．０の範囲の値、（ｘｘｉｉｉ）３．０から３．５の範囲の値、（ｘｘｉｖ）３．５から４．０の範囲の値、（ｘｘｖ）４．０から４．５の範囲の値、（ｘｘｖｉ）４．５から５．０の範囲の値、（ｘｘｖｉｉ）５．０から６．０の範囲の値、（ｘｘｖｉｉｉ）６．０から７．０の範囲の値、（ｘｘｉｘ）７．０から８．０の範囲の値、（ｘｘｘ）８．０から９．０の範囲の値、（ｘｘｘｉ）９．０から１０．０の範囲の値および（ｘｘｘｉｉ）１０．０より大きい値、からなる群から選択される。および／あるいは、
（ｃ）第１のイオンガイドが、第１の断面積あるいは断面形状を有するイオン誘導領域を備え、第１の断面積あるいは断面形状が、第１のイオンガイドの長さの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％に沿って、変化・増加・減少あるいは変動する。および／あるいは、
（ｄ）第２のイオンガイドが、第２の断面積あるいは断面形状を有するイオン誘導領域を備え、第２の断面積あるいは断面形状が、第２のイオンガイドの長さの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％に沿って、変化・増加・減少あるいは変動する。および／あるいは、
（ｅ）第１のイオンガイドが、複数の軸方向セクションを備え、一つの軸方向セクションにおける第１の電極の断面積あるいは断面形状がほぼ同一あるいは異なり、別の軸方向セクションにおける第１の電極の断面積あるいは断面形状がほぼ同一あるいは異なる。および／あるいは、
（ｆ）第２のイオンガイドが、複数の軸方向セクションを備え、一つの軸方向セクションにおける第２の電極の断面積あるいは断面形状がほぼ同一あるいは異なり、別の軸方向セクションにおける第２の電極の断面積あるいは断面形状がほぼ同一あるいは異なる。および／あるいは、
（ｇ）第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイドが、ほぼ一定の、すなわち、ほぼ同一の断面積あるいは断面形状を備える。
第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイドが、
（ｉ）第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイドが第１の断面積あるいは断面形状を備える、第１の軸方向セグメント、および／あるいは、
（ｉｉ）第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイドが第２の断面積あるいは断面形状を備える、別の第２の軸方向セグメント、および／あるいは、
（ｉｉｉ）第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイドが第３の断面積あるいは断面形状を備える、別の第３の軸方向セグメント、および／あるいは、
（ｉｖ）第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイドが第４の断面積あるいは断面形状を備える、別の第４の軸方向セグメント、
を備えることが望ましい。
ここで、第１、第２、第３および第４の断面積あるいは断面形状は、ほぼ同一でもよいし、異なっていてもよい。
イオンガイド装置が、
（ｉ）リニアイオンガイド装置あるいはイオン誘導装置、および／あるいは、
（ｉｉ）開ループイオンガイド装置あるいはイオン誘導装置、および／あるいは、
（ｉｉｉ）閉ループイオンガイド装置あるいはイオン誘導装置、および／あるいは、
（ｉｖ）ヘリカル、トロイダル、部分トロイダル、ヘミトロイダル、セミトロイダル、またはスパイラルイオンガイド装置あるいはイオン誘導装置、および／あるいは、
（ｖ）曲線状、迷路状、曲がりくねった、蛇行した、円形の、渦巻形のイオンガイド路またはイオン誘導路を備えるイオンガイド装置あるいはイオン誘導装置、
を形成するように配置・構成してもよい。
第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイドが、ｎ個の軸方向セグメントを備え、あるいは、ｎ個の別個の軸方向セグメントに分割されるような構成でもよい。
ここで、ｎは、（ｉ）１から１０の範囲の値、（ｉｉ）１１から２０の範囲の値、（ｉｉｉ）２１から３０の範囲の値、（ｉｖ）３１から４０の範囲の値、（ｖ）４１から５０の範囲の値、（ｖｉ）５１から６０の範囲の値、（ｖｉｉ）６１から７０の範囲の値、（ｖｉｉｉ）７１から８０の範囲の値、（ｉｘ）８１から９０の範囲の値、（ｘ）９１から１００の範囲の値および（ｘｉ）１００より大きい値、からなる群から選択される値である。
（ａ）各軸方向セグメントが、１個、２個、３個、４個、５個、６個、７個、８個、９個、１０個、１１個、１２個、１３個、１４個、１５個、１６個、１７個、１８個、１９個、２０個、あるいは、それ以上の数の電極を備える。および／あるいは、
（ｂ）軸方向セグメントの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％の軸長が、（ｉ）１ｍｍ未満の値、（ｉｉ）１ｍｍから２ｍｍの範囲の値、（ｉｉｉ）２ｍｍから３ｍｍの範囲の値、（ｉｖ）３ｍｍから４ｍｍの範囲の値、（ｖ）４ｍｍから５ｍｍの範囲の値、（ｖｉ）５ｍｍから６ｍｍの範囲の値、（ｖｉｉ）６ｍｍから７ｍｍの範囲の値、（ｖｉｉｉ）７ｍｍから８ｍｍの範囲の値、（ｉｘ）８ｍｍから９ｍｍの範囲の値、（ｘ）９ｍｍから１０ｍｍの範囲の値および（ｘｉ）１０ｍｍより大きい値、からなる群から選択される、および／あるいは、
（ｃ）軸方向セグメントの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％の間の軸方向間隔が、（ｉ）１ｍｍ未満の値、（ｉｉ）１ｍｍから２ｍｍの範囲の値、（ｉｉｉ）２ｍｍから３ｍｍの範囲の値、（ｉｖ）３ｍｍから４ｍｍの範囲の値、（ｖ）４ｍｍから５ｍｍの範囲の値、（ｖｉ）５ｍｍから６ｍｍの範囲の値、（ｖｉｉ）６ｍｍから７ｍｍの範囲の値、（ｖｉｉｉ）７ｍｍから８ｍｍの範囲の値、（ｉｘ）８ｍｍから９ｍｍの範囲の値、（ｘ）９ｍｍから１０ｍｍの範囲の値および（ｘｉ）１０ｍｍより大きい値、からなる群から選択される。
第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイドが、
（ａ）（ｉ）２０ｍｍ未満の値、（ｉｉ）２０ｍｍから４０ｍｍの範囲の値、（ｉｉｉ）４０ｍｍから６０ｍｍの範囲の値、（ｉｖ）６０ｍｍから８０ｍｍの範囲の値、（ｖ）８０ｍｍから１００ｍｍの範囲の値、（ｖｉ）１００ｍｍから１２０ｍｍの範囲の値、（ｖｉｉ）１２０ｍｍから１４０ｍｍの範囲の値、（ｖｉｉｉ）１４０ｍｍから１６０ｍｍの範囲の値、（ｉｘ）１６０ｍｍから１８０ｍｍの範囲の値、（ｘ）１８０ｍｍから２００ｍｍの範囲の値および（ｘｉ）２００ｍｍより大きい値、からなる群から選択される長さを有する、および／あるいは、
（ｂ）少なくとも（ｉ）１０個から２０個の範囲の数の電極、（ｉｉ）２０個から３０個の範囲の数の電極、（ｉｉｉ）３０個から４０個の範囲の数の電極、（ｉｖ）４０個から５０個の範囲の数の電極、（ｖ）５０個から６０個の範囲の数の電極、（ｖｉ）６０個から７０個の範囲の数の電極、（ｖｉｉ）７０個から８０個の範囲の数の電極、（ｖｉｉｉ）８０個から９０個の範囲の数の電極、（ｉｘ）９０個から１００個の範囲の数の電極、（ｘ）１００個から１１０個の範囲の数の電極、（ｘｉ）１１０個から１２０個の範囲の数の電極、（ｘｉｉ）１２０個から１３０個の範囲の数の電極、（ｘｉｉｉ）１３０個から１４０個の範囲の数の電極、（ｘｉｖ）１４０個から１５０個の範囲の数の電極、あるいは、（ｘｖ）１５０個より多い数の電極、を備える構成も望ましい。
イオンガイド装置が、さらに、第１の複数の電極および／あるいは第２の複数の電極の少なくとも一部に第１のＡＣ電圧またはＲＦ電圧を印加する第１のＡＣ電圧またはＲＦ電圧源を備える構成も望ましい。
ここで、
（ａ）第１のＡＣ電圧またはＲＦ電圧は、
（ｉ）５０Ｖより小さいピークピーク値（ｐｅａｋ ｔｏ ｐｅａｋ）、（ｉｉ）５０Ｖから１００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｉｉｉ）１００Ｖから１５０Ｖ の範囲のピークピーク値、（ｉｖ）１５０Ｖから２００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｖ）２００Ｖから２５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｖｉ）２５０Ｖから３００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｖｉｉ）３００Ｖから３５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｖｉｉｉ）３５０Ｖから４００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｉｘ） ４００Ｖから４５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘ）４５０Ｖから５００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｉ）５００Ｖから５５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｘｉｉ）５５０Ｖから６００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｘｉｉｉ）６００Ｖから６５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｘｉｖ）６５０Ｖから７００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｘｖ）７００Ｖから７５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｘｖｉ）７５０Ｖから８００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｘｖｉｉ）８００Ｖから８５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｘｖｉｉｉ）８５０Ｖから９００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｘｉｘ）９００Ｖから９５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｘｘ）９５０Ｖから１０００Ｖの範囲のピークピーク値、および（ｘｘｘｉ）１０００Ｖより大きいピークピーク値、からなる群から選択される振幅を有する。および／あるいは、
（ｂ）第１のＡＣ電圧またはＲＦ電圧は、
（ｉ）１００ｋＨｚより小さな値、（ｉｉ）１００から２００ｋＨｚの範囲の値、（ｉｉｉ）２００から３００ｋＨｚの範囲の値、（ｉｖ）３００から４００ｋＨｚの範囲の値、（ｖ）４００から５００ｋＨｚの範囲の値、（ｖｉ）０．５から１．０ＭＨｚの範囲の値、（ｖｉｉ）１．０から１．５ＭＨｚの範囲の値、（ｖｉｉｉ）１．５から２．０ＭＨｚの範囲の値、（ｉｘ）２．０から２．５ＭＨｚの範囲の値、（ｘ）２．５から３．０ＭＨｚの範囲の値、（ｘｉ）３．０から３．５ＭＨｚの範囲の値、（ｘｉｉ）３．５から４．０ＭＨｚの範囲の値、（ｘｉｉｉ）４．０から４．５ＭＨｚの範囲の値、（ｘｉｖ）４．５から５．０ＭＨｚの範囲の値、（ｘｖ）５．０から５．５ＭＨｚの範囲の値、（ｘｖｉ）５．５から６．０ＭＨｚの範囲の値、（ｘｖｉｉ）６．０から６．５ＭＨｚの範囲の値、（ｘｖｉｉｉ）６．５から７．０ＭＨｚの範囲の値、（ｘｉｘ）７．０から７．５ＭＨｚの範囲の値、（ｘｘ）７．５から８．０ＭＨｚの範囲の値、（ｘｘｉ）８．０から８．５ＭＨｚの範囲の値、（ｘｘｉｉ）８．５から９．０ＭＨｚの範囲の値、（ｘｘｉｉｉ）９．０から９．５ＭＨｚの範囲の値、（ｘｘｉｖ）９．５から１０．０ＭＨｚの範囲の値、および（ｘｘｖ）１０．０ＭＨｚより大きな値、からなる群から選択される周波数を有する。および／あるいは、
（ｃ）第１のＡＣ電圧またはＲＦ電圧源は、第１の複数の電極の少なくとも１％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、または１００％に、および／あるいは、第１の複数の電極のうち少なくとも１個、２個、３個、４個、５個、６個、７個、８個、９個、１０個、１１個、１２個、１３個、１４個、１５個、１６個、１７個、１８個、１９個、２０個、２１個、２２個、２３個、２４個、２５個、２６個、２７個、２８個、２９個、３０個、３１個、３２個、３３個、３４個、３５個、３６個、３７個、３８個、３９個、４０個、４１個、４２個、４３個、４４個、４５個、４６個、４７個、４８個、４９個、５０個、あるいはそれ以上の数の電極に、第１のＡＣ電圧またはＲＦ電圧を印加するように構成される。および／あるいは、
（ｄ）第１のＡＣ電圧またはＲＦ電圧源は、第２の複数の電極の少なくとも１％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、または１００％に、および／あるいは、第２の複数の電極のうち少なくとも１個、２個、３個、４個、５個、６個、７個、８個、９個、１０個、１１個、１２個、１３個、１４個、１５個、１６個、１７個、１８個、１９個、２０個、２１個、２２個、２３個、２４個、２５個、２６個、２７個、２８個、２９個、３０個、３１個、３２個、３３個、３４個、３５個、３６個、３７個、３８個、３９個、４０個、４１個、４２個、４３個、４４個、４５個、４６個、４７個、４８個、４９個、５０個、あるいはそれ以上の数の電極に、第１のＡＣ電圧またはＲＦ電圧を印加するように構成される。および／あるいは、
（ｅ）第１のＡＣ電圧またはＲＦ電圧源は、第１の複数の電極のうち隣接または近接する電極に、逆位相の第１のＡＣ電圧またはＲＦ電圧を供給するように構成される。および／あるいは、
（ｆ）第１のＡＣ電圧またはＲＦ電圧源は、第２の複数の電極のうち隣接または近接する電極に、逆位相の第１のＡＣ電圧またはＲＦ電圧を供給するように構成される。および／あるいは、
（ｇ）第１のＡＣ電圧またはＲＦ電圧は、第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイド内で径方向にイオンを閉じ込めるように作用する一つ以上の径方向疑似ポテンシャル井戸を生成する。
一実施形態において、イオンガイド装置が、さらに、期間ｔ1にわたって、第１のＡＣ電圧またはＲＦ電圧の振幅を、ｘ1ボルトだけ、漸次増大させる、漸次減少させる、漸次変動させる、スキャンする、直線的に増加させる、直線的に減少させる、段階的、漸進的または他の方法で増大させる、あるいは、段階的、漸進的または他の方法で減少させるように配置・構成される第３の装置を備える。
ここで、
（ａ）ｘ1は、
（ｉ）５０Ｖより小さいピークピーク値（ｐｅａｋ ｔｏ ｐｅａｋ）、（ｉｉ）５０Ｖから１００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｉｉｉ）１００Ｖから１５０Ｖ の範囲のピークピーク値、（ｉｖ）１５０Ｖから２００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｖ）２００Ｖから２５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｖｉ）２５０Ｖから３００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｖｉｉ）３００Ｖから３５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｖｉｉｉ）３５０Ｖから４００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｉｘ） ４００Ｖから４５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘ）４５０Ｖから５００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｉ）５００Ｖから５５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｘｉｉ）５５０Ｖから６００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｘｉｉｉ）６００Ｖから６５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｘｉｖ）６５０Ｖから７００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｘｖ）７００Ｖから７５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｘｖｉ）７５０Ｖから８００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｘｖｉｉ）８００Ｖから８５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｘｖｉｉｉ）８５０Ｖから９００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｘｉｘ）９００Ｖから９５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｘｘ）９５０Ｖから１０００Ｖの範囲のピークピーク値、および（ｘｘｘｉ）１０００Ｖより大きいピークピーク値、からなる群から選択される。および／あるいは、
（ｂ）ｔ1は、
（ｉ）１ミリ秒より短い値、（ｉｉ）１から１０ミリ秒の範囲の値、（ｉｉｉ）１０から２０ミリ秒の範囲の値、（ｉｖ）２０から３０ミリ秒の範囲の値、（ｖ）３０から４０ミリ秒の範囲の値、（ｖｉ）４０から５０ミリ秒の範囲の値、（ｖｉｉ）５０から６０ミリ秒の範囲の値、（ｖｉｉｉ）６０から７０ミリ秒の範囲の値、（ｉｘ）７０から８０ミリ秒の範囲の値、（ｘ）８０から９０ミリ秒の範囲の値、（ｘｉ）９０から１００ミリ秒の範囲の値、（ｘｉｉ）１００から２００ミリ秒の範囲の値、（ｘｉｉｉ）２００から３００ミリ秒の範囲の値、（ｘｉｖ）３００から４００ミリ秒の範囲の値、（ｘｖ）４００から５００ミリ秒の範囲の値、（ｘｖｉ）５００から６００ミリ秒の範囲の値、（ｘｖｉｉ）６００から７００ミリ秒の範囲の値、（ｘｖｉｉｉ）７００から８００ミリ秒の範囲の値、（ｘｉｘ）８００から９００ミリ秒の範囲の値、（ｘｘ）９００から１０００ミリ秒の範囲の値、（ｘｘｉ）１から２秒の範囲の値、（ｘｘｉｉ）２から３秒の範囲の値、（ｘｘｉｉｉ）３から４秒の範囲の値、（ｘｘｉｖ）４から５秒の範囲の値、および（ｘｘｖ）５秒より長い値、からなる群から選択される。
一実施形態において、使用時に、第１のイオンガイドの軸長の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、あるいは９５％に沿って、一つ以上の第１の軸方向時間平均または疑似ポテンシャル障壁、コルゲーションまたは井戸が形成される。
イオンガイド装置が、さらに、第１の複数の電極および／あるいは第２の複数の電極の少なくとも一部に第２のＡＣ電圧またはＲＦ電圧を印加する第２のＡＣ電圧またはＲＦ電圧源を備える構成も望ましい。
ここで、
（ａ）第２のＡＣ電圧またはＲＦ電圧は、
（ｉ）５０Ｖより小さいピークピーク値（ｐｅａｋ ｔｏ ｐｅａｋ）、（ｉｉ）５０Ｖから１００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｉｉｉ）１００Ｖから１５０Ｖ の範囲のピークピーク値、（ｉｖ）１５０Ｖから２００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｖ）２００Ｖから２５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｖｉ）２５０Ｖから３００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｖｉｉ）３００Ｖから３５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｖｉｉｉ）３５０Ｖから４００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｉｘ） ４００Ｖから４５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘ）４５０Ｖから５００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｉ）５００Ｖから５５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｘｉｉ）５５０Ｖから６００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｘｉｉｉ）６００Ｖから６５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｘｉｖ）６５０Ｖから７００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｘｖ）７００Ｖから７５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｘｖｉ）７５０Ｖから８００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｘｖｉｉ）８００Ｖから８５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｘｖｉｉｉ）８５０Ｖから９００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｘｉｘ）９００Ｖから９５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｘｘ）９５０Ｖから１０００Ｖの範囲のピークピーク値、および（ｘｘｘｉ）１０００Ｖより大きいピークピーク値、からなる群から選択される振幅を有する。および／あるいは、
（ｂ）第２のＡＣ電圧またはＲＦ電圧は、
（ｉ）１００ｋＨｚより小さな値、（ｉｉ）１００から２００ｋＨｚの範囲の値、（ｉｉｉ）２００から３００ｋＨｚの範囲の値、（ｉｖ）３００から４００ｋＨｚの範囲の値、（ｖ）４００から５００ｋＨｚの範囲の値、（ｖｉ）０．５から１．０ＭＨｚの範囲の値、（ｖｉｉ）１．０から１．５ＭＨｚの範囲の値、（ｖｉｉｉ）１．５から２．０ＭＨｚの範囲の値、（ｉｘ）２．０から２．５ＭＨｚの範囲の値、（ｘ）２．５から３．０ＭＨｚの範囲の値、（ｘｉ）３．０から３．５ＭＨｚの範囲の値、（ｘｉｉ）３．５から４．０ＭＨｚの範囲の値、（ｘｉｉｉ）４．０から４．５ＭＨｚの範囲の値、（ｘｉｖ）４．５から５．０ＭＨｚの範囲の値、（ｘｖ）５．０から５．５ＭＨｚの範囲の値、（ｘｖｉ）５．５から６．０ＭＨｚの範囲の値、（ｘｖｉｉ）６．０から６．５ＭＨｚの範囲の値、（ｘｖｉｉｉ）６．５から７．０ＭＨｚの範囲の値、（ｘｉｘ）７．０から７．５ＭＨｚの範囲の値、（ｘｘ）７．５から８．０ＭＨｚの範囲の値、（ｘｘｉ）８．０から８．５ＭＨｚの範囲の値、（ｘｘｉｉ）８．５から９．０ＭＨｚの範囲の値、（ｘｘｉｉｉ）９．０から９．５ＭＨｚの範囲の値、（ｘｘｉｖ）９．５から１０．０ＭＨｚの範囲の値、および（ｘｘｖ）１０．０ＭＨｚより大きな値、からなる群から選択される周波数を有する。および／あるいは、
（ｃ）第２のＡＣ電圧またはＲＦ電圧源は、第１の複数の電極の少なくとも１％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、または１００％に、および／あるいは、第１の複数の電極のうち少なくとも１個、２個、３個、４個、５個、６個、７個、８個、９個、１０個、１１個、１２個、１３個、１４個、１５個、１６個、１７個、１８個、１９個、２０個、２１個、２２個、２３個、２４個、２５個、２６個、２７個、２８個、２９個、３０個、３１個、３２個、３３個、３４個、３５個、３６個、３７個、３８個、３９個、４０個、４１個、４２個、４３個、４４個、４５個、４６個、４７個、４８個、４９個、５０個、あるいはそれ以上の数の電極に、第２のＡＣ電圧またはＲＦ電圧を印加するように構成される。および／あるいは、
（ｄ）第１のＡＣ電圧またはＲＦ電圧源は、第２の複数の電極の少なくとも１％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、または１００％に、および／あるいは、第２の複数の電極のうち少なくとも１個、２個、３個、４個、５個、６個、７個、８個、９個、１０個、１１個、１２個、１３個、１４個、１５個、１６個、１７個、１８個、１９個、２０個、２１個、２２個、２３個、２４個、２５個、２６個、２７個、２８個、２９個、３０個、３１個、３２個、３３個、３４個、３５個、３６個、３７個、３８個、３９個、４０個、４１個、４２個、４３個、４４個、４５個、４６個、４７個、４８個、４９個、５０個、あるいはそれ以上の数の電極に、第２のＡＣ電圧またはＲＦ電圧を印加するように構成される。および／あるいは、
（ｅ）第２のＡＣ電圧またはＲＦ電圧源は、第１の複数の電極のうち隣接または近接する電極に、逆位相の第２のＡＣ電圧またはＲＦ電圧を供給するように構成される。および／あるいは、
（ｆ）第２のＡＣ電圧またはＲＦ電圧源は、第２の複数の電極のうち隣接または近接する電極に、逆位相の第２のＡＣ電圧またはＲＦ電圧を供給するように構成される。および／あるいは、
（ｇ）第２のＡＣ電圧またはＲＦ電圧は、第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイド内で径方向にイオンを閉じ込めるように作用する一つ以上の径方向疑似ポテンシャル井戸を生成する。
イオンガイド装置が、さらに、期間ｔ2にわたって、第２のＡＣ電圧またはＲＦ電圧の振幅を、ｘ2ボルトだけ、漸次増大させる、漸次減少させる、漸次変動させる、スキャンする、直線的に増加させる、直線的に減少させる、段階的、漸進的または他の方法で増大させる、あるいは、段階的、漸進的または他の方法で減少させるように配置・構成される第４の装置を備える構成も望ましい。
ここで、
（ａ）ｘ2は、
（ｉ）５０Ｖより小さいピークピーク値（ｐｅａｋ ｔｏ ｐｅａｋ）、（ｉｉ）５０Ｖから１００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｉｉｉ）１００Ｖから１５０Ｖ の範囲のピークピーク値、（ｉｖ）１５０Ｖから２００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｖ）２００Ｖから２５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｖｉ）２５０Ｖから３００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｖｉｉ）３００Ｖから３５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｖｉｉｉ）３５０Ｖから４００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｉｘ） ４００Ｖから４５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘ）４５０Ｖから５００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｉ）５００Ｖから５５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｘｉｉ）５５０Ｖから６００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｘｉｉｉ）６００Ｖから６５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｘｉｖ）６５０Ｖから７００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｘｖ）７００Ｖから７５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｘｖｉ）７５０Ｖから８００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｘｖｉｉ）８００Ｖから８５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｘｖｉｉｉ）８５０Ｖから９００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｘｉｘ）９００Ｖから９５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｘｘ）９５０Ｖから１０００Ｖの範囲のピークピーク値、および（ｘｘｘｉ）１０００Ｖより大きいピークピーク値、からなる群から選択される。および／あるいは、
（ｂ）ｔ2は、
（ｉ）１ミリ秒より短い値、（ｉｉ）１から１０ミリ秒の範囲の値、（ｉｉｉ）１０から２０ミリ秒の範囲の値、（ｉｖ）２０から３０ミリ秒の範囲の値、（ｖ）３０から４０ミリ秒の範囲の値、（ｖｉ）４０から５０ミリ秒の範囲の値、（ｖｉｉ）５０から６０ミリ秒の範囲の値、（ｖｉｉｉ）６０から７０ミリ秒の範囲の値、（ｉｘ）７０から８０ミリ秒の範囲の値、（ｘ）８０から９０ミリ秒の範囲の値、（ｘｉ）９０から１００ミリ秒の範囲の値、（ｘｉｉ）１００から２００ミリ秒の範囲の値、（ｘｉｉｉ）２００から３００ミリ秒の範囲の値、（ｘｉｖ）３００から４００ミリ秒の範囲の値、（ｘｖ）４００から５００ミリ秒の範囲の値、（ｘｖｉ）５００から６００ミリ秒の範囲の値、（ｘｖｉｉ）６００から７００ミリ秒の範囲の値、（ｘｖｉｉｉ）７００から８００ミリ秒の範囲の値、（ｘｉｘ）８００から９００ミリ秒の範囲の値、（ｘｘ）９００から１０００ミリ秒の範囲の値、（ｘｘｉ）１から２秒の範囲の値、（ｘｘｉｉ）２から３秒の範囲の値、（ｘｘｉｉｉ）３から４秒の範囲の値、（ｘｘｉｖ）４から５秒の範囲の値、および（ｘｘｖ）５秒より長い値、からなる群から選択される。
一実施形態において、使用時に、第２のイオンガイドの軸長の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、あるいは９５％に沿って、一つ以上の第２の軸方向時間平均障壁あるいは疑似ポテンシャル障壁、コルゲーションまたは井戸が形成されることが望ましい。
使用時に、第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイドの一つ以上のセクションまたは部分にわたって、あるいは、一つ以上のセクションまたは部分に沿って、軸方向および／あるいは径方向の非ゼロＤＣ電圧勾配が保持される構成も望ましい。
一実施形態において、イオンガイド装置が、さらに、第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイドの長さあるいはイオン誘導路の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％に沿った、または、周囲の上流および／あるいは下流にイオンを駆動または誘導する装置を備える構成も望ましい。
この装置が、
（ｉ）第１の複数の電極および／あるいは第２の複数の電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％に一つ以上の過渡ＤＣ電圧または電位あるいは過渡ＤＣ電圧波形または電位波形を印加することにより、第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイドの軸長の少なくとも１％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、または１００％に沿って下流および／あるいは上流に少なくとも一部のイオンを誘導する装置、および／あるいは、
（ｉｉ）第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイドを形成する電極に２つ以上の位相シフトＡＣ電圧またはＲＦ電圧を印加することにより、第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイドの軸長の少なくとも１％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、または１００％に沿って下流および／あるいは上流に少なくとも一部のイオンを誘導するように配置・構成される装置、および／あるいは、
（ｉｉｉ）第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイドを形成する電極に一つ以上のＤＣ電圧を印加することにより、第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイドの軸長の少なくとも１％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、または１００％に沿って下流および／あるいは上流に少なくとも一部のイオンを誘導・駆動する効果を有する、軸方向および／あるいは径方向のＤＣ電圧勾配を生成または形成するように配置・構成される装置、
を備えるようにしてもよい。
イオンガイド装置が、さらに、期間ｔ3にわたって、一つ以上の過渡ＤＣ電圧または電位あるいは過渡ＤＣ電圧波形または電位波形の振幅、高さ、あるいは深さをｘ3ボルトだけ、漸次増大させる、漸次減少させる、漸次変動させる、スキャンする、直線的に増加させる、直線的に減少させる、段階的、漸進的または他の方法で増大させる、あるいは、段階的、漸進的または他の方法で減少させるように配置・構成される第５の装置を備える構成も望ましい。
ここで、ｘ3は、
（ｉ）０．１Ｖ未満の値、（ｉｉ）０．１Ｖから０．２Ｖの範囲の値、（ｉｉｉ）０．２Ｖから０．３Ｖの範囲の値、（ｉｖ）０．３Ｖから０．４Ｖの範囲の値、（ｖ）０．４Ｖから０．５Ｖの範囲の値、（ｖｉ）０．５Ｖから０．６Ｖの範囲の値、（ｖｉｉ）０．６Ｖから０．７Ｖの範囲の値、（ｖｉｉｉ）０．７Ｖから０．８Ｖの範囲の値、（ｉｘ）０．８Ｖから０．９Ｖの範囲の値、（ｘ）０．９Ｖから１．０Ｖの範囲の値、（ｘｉ）１．０Ｖから１．５Ｖの範囲の値、（ｘｉｉ）１．５Ｖから２．０Ｖの範囲の値、（ｘｉｉｉ）２．０Ｖから２．５Ｖの範囲の値、（ｘｉｖ）２．５Ｖから３．０Ｖの範囲の値、（ｘｖ）３．０Ｖから３．５Ｖの範囲の値、（ｘｖｉ）３．５Ｖから４．０Ｖの範囲の値、（ｘｖｉｉ）４．０Ｖから４．５Ｖの範囲の値、（ｘｖｉｉｉ）４．５Ｖから５．０Ｖの範囲の値、（ｘｉｘ）５．０Ｖから５．５Ｖの範囲の値、（ｘｘ）５．５Ｖから６．０Ｖの範囲の値、（ｘｘｉ）６．０Ｖから６．５Ｖの範囲の値、（ｘｘｉｉ）６．５Ｖから７．０Ｖの範囲の値、（ｘｘｉｉｉ）７．０Ｖから７．５Ｖの範囲の値、（ｘｘｉｖ）７．５Ｖから８．０Ｖの範囲の値、（ｘｘｖ）８．０Ｖから８．５Ｖの範囲の値、（ｘｘｖｉ）８．５Ｖから９．０Ｖの範囲の値、（ｘｘｖｉｉ）９．０Ｖから９．５Ｖの範囲の値、（ｘｘｖｉｉｉ）９．５Ｖから１０．０Ｖの範囲の値および（ｘｘｉｘ）１０．０Ｖより大きい値、からなる群から選択される。および／あるいは、
ｔ3は、
（ｉ）１ミリ秒より短い値、（ｉｉ）１から１０ミリ秒の範囲の値、（ｉｉｉ）１０から２０ミリ秒の範囲の値、（ｉｖ）２０から３０ミリ秒の範囲の値、（ｖ）３０から４０ミリ秒の範囲の値、（ｖｉ）４０から５０ミリ秒の範囲の値、（ｖｉｉ）５０から６０ミリ秒の範囲の値、（ｖｉｉｉ）６０から７０ミリ秒の範囲の値、（ｉｘ）７０から８０ミリ秒の範囲の値、（ｘ）８０から９０ミリ秒の範囲の値、（ｘｉ）９０から１００ミリ秒の範囲の値、（ｘｉｉ）１００から２００ミリ秒の範囲の値、（ｘｉｉｉ）２００から３００ミリ秒の範囲の値、（ｘｉｖ）３００から４００ミリ秒の範囲の値、（ｘｖ）４００から５００ミリ秒の範囲の値、（ｘｖｉ）５００から６００ミリ秒の範囲の値、（ｘｖｉｉ）６００から７００ミリ秒の範囲の値、（ｘｖｉｉｉ）７００から８００ミリ秒の範囲の値、（ｘｉｘ）８００から９００ミリ秒の範囲の値、（ｘｘ）９００から１０００ミリ秒の範囲の値、（ｘｘｉ）１から２秒の範囲の値、（ｘｘｉｉ）２から３秒の範囲の値、（ｘｘｉｉｉ）３から４秒の範囲の値、（ｘｘｉｖ）４から５秒の範囲の値、および（ｘｘｖ）５秒より長い値、からなる群から選択される。
イオンガイド装置が、さらに、期間ｔ4にわたって、電極に一つ以上の過渡ＤＣ電圧または電位あるいは過渡ＤＣ電圧波形または電位波形を印加する速度すなわち変化率をｘ4ｍ／ｓだけ、漸次増大させる、漸次減少させる、漸次変動させる、スキャンする、直線的に増加させる、直線的に減少させる、段階的、漸進的または他の方法で増大させる、あるいは、段階的、漸進的または他の方法で減少させるように配置・構成される第６の装置を備える構成も望ましい。
ここで、ｘ4は、
（ｉ）１未満の値、（ｉｉ）１から２の範囲の値、（ｉｉｉ）２から３の範囲の値、（ｉｖ）３から４の範囲の値、（ｖ）４から５の範囲の値、（ｖｉ）５から６の範囲の値、（ｖｉｉ）６から７の範囲の値、（ｖｉｉｉ）７から８の範囲の値、（ｉｘ）８から９の範囲の値、（ｘ）９から１０の範囲の値、（ｘｉ）１０から１１の範囲の値、（ｘｉｉ）１１から１２の範囲の値、（ｘｉｉｉ）１２から１３の範囲の値、（ｘｉｖ）１３から１４の範囲の値、（ｘｖ）１４から１５の範囲の値、（ｘｖｉ）１５から１６の範囲の値、（ｘｖｉｉ）１６から１７の範囲の値、（ｘｖｉｉｉ）１７から１８の範囲の値、（ｘｉｘ）１８から１９の範囲の値、（ｘｘ）１９から２０の範囲の値、（ｘｘｉ）２０から３０の範囲の値、（ｘｘｉｉ）３０から４０の範囲の値、（ｘｘｉｉｉ）４０から５０の範囲の値、（ｘｘｉｖ）５０から６０の範囲の値、（ｘｘｖ）６０から７０の範囲の値、（ｘｘｖｉ）７０から８０の範囲の値、（ｘｘｖｉｉ）８０から９０の範囲の値、（ｘｘｖｉｉｉ）９０から１００の範囲の値、（ｘｘｉｘ）１００から１５０の範囲の値、（ｘｘｘ）１５０から２００の範囲の値、（ｘｘｘｉ）２００から２５０の範囲の値、（ｘｘｘｉｉ）２５０から３００の範囲の値、（ｘｘｘｉｉｉ）３００から３５０の範囲の値、（ｘｘｘｉｖ）３５０から４００の範囲の値、（ｘｘｘｖ）４００から４５０の範囲の値、（ｘｘｘｖｉ）４５０から５００の範囲の値および（ｘｘｘｖｉｉ）５００より大きい値、からなる群から選択される。および／あるいは、
ｔ4は、
（ｉ）１ミリ秒より短い値、（ｉｉ）１から１０ミリ秒の範囲の値、（ｉｉｉ）１０から２０ミリ秒の範囲の値、（ｉｖ）２０から３０ミリ秒の範囲の値、（ｖ）３０から４０ミリ秒の範囲の値、（ｖｉ）４０から５０ミリ秒の範囲の値、（ｖｉｉ）５０から６０ミリ秒の範囲の値、（ｖｉｉｉ）６０から７０ミリ秒の範囲の値、（ｉｘ）７０から８０ミリ秒の範囲の値、（ｘ）８０から９０ミリ秒の範囲の値、（ｘｉ）９０から１００ミリ秒の範囲の値、（ｘｉｉ）１００から２００ミリ秒の範囲の値、（ｘｉｉｉ）２００から３００ミリ秒の範囲の値、（ｘｉｖ）３００から４００ミリ秒の範囲の値、（ｘｖ）４００から５００ミリ秒の範囲の値、（ｘｖｉ）５００から６００ミリ秒の範囲の値、（ｘｖｉｉ）６００から７００ミリ秒の範囲の値、（ｘｖｉｉｉ）７００から８００ミリ秒の範囲の値、（ｘｉｘ）８００から９００ミリ秒の範囲の値、（ｘｘ）９００から１０００ミリ秒の範囲の値、（ｘｘｉ）１から２秒の範囲の値、（ｘｘｉｉ）２から３秒の範囲の値、（ｘｘｉｉｉ）３から４秒の範囲の値、（ｘｘｉｖ）４から５秒の範囲の値、および（ｘｘｖ）５秒より長い値、からなる群から選択される。
一実施形態において、イオンガイド装置が、さらに、第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイドの長さあるいはイオン誘導路の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％に沿った非ゼロの一定ＤＣ電圧勾配を保持するように構成される手段を備えるものでもよい。
第２の装置が、第１のイオン誘導路（または第１のイオンガイド）から第２のイオン誘導路（または第２のイオンガイド）に、および／あるいは、第２のイオン誘導路（または第２のイオンガイド）から第１のイオン誘導路（または第１のイオンガイド）に、質量選択的に、あるいは、質量電荷比選択的に、イオンを移動させるような配置・構成も望ましい。
第１のイオン誘導路（または第１のイオンガイド）から第２のイオン誘導路（または第２のイオンガイド）への、および／あるいは、第２のイオン誘導路（または第２のイオンガイド）から第１のイオン誘導路（または第１のイオンガイド）への質量選択的あるいは質量電荷比選択的なイオンの移動に影響を与えるパラメータを、漸次増大させる、漸次減少させる、漸次変動させる、スキャンする、直線的に増加させる、直線的に減少させる、段階的、漸進的または他の方法で増大させる、あるいは、段階的、漸進的または他の方法で減少させることも望ましい。パラメータは、望ましくは、
（ｉ）使用時に、第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイドの一つ以上のセクションまたは部分にわたって、あるいは、一つ以上のセクションまたは部分に沿って保持される軸方向および／あるいは径方向のＤＣ電圧勾配と、
（ｉｉ）第１の複数の電極および／あるいは第２の複数の電極の少なくとも一部あるいはほぼ全部に印加される一つ以上のＡＣ電圧またはＲＦ電圧と、
からなる群から選択される。
第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイドが、特定の時間に、少なくとも１個、２個、３個、４個、５個、６個、７個、８個、９個、１０個、１１個、１２個、１３個、１４個、１５個、１６個、１７個、１８個、１９個または２０個の別々のイオンパケットを第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイド内に閉じ込める、および／あるいは、隔離するように、イオンビームあるいはイオン群を受け取り、イオンビームあるいはイオン群を変換または分割するように配置・構成されてもよい。第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイドに形成される別々の軸方向ポテンシャル井戸に、各イオンパケットが閉じ込められる、および／あるいは、隔離される構成でもよい。
一実施形態において、
（ａ）第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイドの一つ以上の部分が、イオン移動度分光器あるいは分離器部分、セクションまたは段を含むものでもよい。イオン移動度分光器あるいは分離器部分、セクションまたは段におけるイオン移動度に従ってイオンを時間的に分離する。および／あるいは、
（ｂ）第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイドの一つ以上の部分が、電界非対称性イオン移動度分光器（ＦＡＩＭＳ）部分、セクションまたは段を含むものでもよい。電界非対称性イオン移動度分光器（ＦＡＩＭＳ）部分、セクションまたは段における電界強度に対するイオン移動度の変化率に従ってイオンを時間的に分離する。および／あるいは、
（ｃ）使用時に、緩衝ガスを第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイドの一つ以上の部分内に供給する。および／あるいは、
（ｄ）動作モード下で、第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイドの一部あるいは領域内における気体分子との相互作用によって、断片化されることなく、衝突で冷却されるようにイオンを配置する。および／あるいは、
（ｅ）動作モード下で、第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイドの一部あるいは領域内における気体分子との相互作用によって、加熱されるようにイオンを配置する、および／あるいは、
（ｆ）動作モード下で、第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイドの一部あるいは領域内における気体分子との相互作用によって、断片化されるようにイオンを配置する。および／あるいは、
（ｇ）動作モード下で、第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイドの一部あるいは領域内における気体分子との相互作用によって、開裂するように、あるいは、少なくとも部分的に開裂するように、イオンを配置する。および／あるいは、
（ｈ）第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイドの一部あるいは領域内で軸方向にイオンを捕獲する。
第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイドが、さらに、衝突装置、フラグメンテーション（断片化）装置あるいは反応装置を備えるものでもよい。動作モード下で、
（ｉ）衝突誘起解離（Ｃｏｌｌｉｓｉｏｎａｌ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｄｉｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ：ＣＩＤ）と、（ｉｉ）表面誘起解離（Ｓｕｒｆａｃｅ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｄｉｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ：ＳＩＤ）と、（ｉｉｉ）電子移動解離（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｄｉｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ：ＥＴＤ）と、（ｉｖ）電子捕獲解離（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｃａｐｔｕｒｅ Ｄｉｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ：ＥＣＤ）と、（ｖ）電子衝突または衝撃解離と、（ｖｉ）光誘起解離（Ｐｈｏｔｏ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｄｉｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ：ＰＩＤ）と、（ｖｉｉ）レーザー誘起解離と、（ｖｉｉｉ）赤外線誘起解離と、（ｉｘ）紫外線誘起解離と、（ｘ）熱解離または温度解離と、（ｘｉ）電場誘起解離と、（ｘｉｉ）磁場誘起解離と、（ｘｉｉｉ）酵素消化または酵素分解解離と、（ｘｉｖ）イオン−イオン反応解離と、（ｘｖ）イオン−分子反応解離と、（ｘｖｉ）イオン−原子反応解離と、（ｘｖｉｉ）イオン−準安定イオン反応解離と、（ｘｖｉｉｉ）イオン−準安定分子反応解離と、（ｘｉｘ）イオン−準安定原子反応解離と、（ｘｘ）電子イオン化解離（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ Ｄｉｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ：ＥＩＤ）と、
のいずれかの手法により、第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイド内で断片化（フラグメンテーション）されるようにイオンを配置する。
一実施形態において、イオンガイド装置が、さらに、
（ｉ）第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイド内にイオンを入射する装置、および／あるいは、
（ｉｉ）第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイド内にイオンを入射する装置であって、１個、２個、３個、あるいはそれ以上の数の個別のイオン誘導チャンネルまたは入射イオン誘導領域を備え、イオン誘導チャンネルまたは入射イオン誘導領域を介して第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイド内にイオンを入射する装置、および／あるいは、
（ｉｉｉ）第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイド内にイオンを入射する装置であって、複数の電極を備え、各電極が、１個、２個、３個、あるいはそれ以上の数の孔を有する装置、および／あるいは、
（ｉｖ）第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイド内にイオンを入射する装置であって、一つ以上の偏向電極を備え、使用時に、一つ以上の偏向電極に一つ以上の電圧を印加することによって、一つ以上のイオン誘導チャンネルまたは入射イオン誘導領域から第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイド内にイオンを誘導する装置、
を備える。
一実施形態において、イオンガイド装置が、さらに、
（ｉ）第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイドからイオンを放出する装置、および／あるいは、
（ｉｉ）第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイドからイオンを放出する装置であって、１個、２個、３個、あるいはそれ以上の数の個別のイオン誘導チャンネルまたは放出イオン誘導領域を備え、第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイドからイオン誘導チャンネルまたは放出イオン誘導領域にイオンを放出する装置、および／あるいは、
（ｉｉｉ）第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイドからイオンを放出する装置であって、複数の電極を備え、各電極が、１個、２個、３個、あるいはそれ以上の数の孔を有する装置、および／あるいは、
（ｉｖ）第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイドからイオンを放出する装置であって、一つ以上の偏向電極を備え、使用時に、一つ以上の偏向電極に一つ以上の電圧を印加することによって、イオンガイドから一つ以上のイオン誘導チャンネルまたは放出イオン誘導領域にイオンを誘導する装置、
を備える。
一実施形態において、イオンガイド装置が、さらに、
（ａ）動作モード下で、第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイドの少なくとも一部を、（ｉ）１．０×１０-3ｍｂ（ミリバール）より高い値、（ｉｉ）１．０×１０-2ｍｂより高い値、（ｉｉｉ）１．０×１０-1ｍｂより高い値、（ｉｖ）１ｍｂより高い値、（ｖ）１０ｍｂより高い値、（ｖｉ）１００ｍｂより高い値、（ｖｉｉ）５．０×１０-3ｍｂより高い値、（ｖｉｉｉ）５．０×１０-2ｍｂより高い値、（ｉｘ）１０-4ｍｂから１０-3ｍｂの範囲の値、（ｘ）１０-3ｍｂから１０-2ｍｂの範囲の値および（ｘｉ）１０-2ｍｂから１０-1ｍｂの範囲の値、からなる群から選択される圧力に保持する装置、および／あるいは、
（ｂ）動作モード下で、第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイドの少なくとも長さＬを圧力Ｐに保持する装置であって、積Ｐ×Ｌが、（ｉ）１．０×１０-3ｍｂ・ｃｍ以上の値、（ｉｉ）１．０×１０-2ｍｂ・ｃｍ以上の値、（ｉｉｉ）１．０×１０-1ｍｂ・ｃｍ以上の値、（ｉｖ）１ｍｂ・ｃｍ以上の値、（ｖ）１０ｍｂ・ｃｍ以上の値、（ｖｉ）１０2ｍｂ・ｃｍ以上の値、（ｖｉｉ）１０3ｍｂ・ｃｍ以上の値、（ｖｉｉｉ）１０4ｍｂ・ｃｍ以上の値および（ｉｘ）１０5ｍｂ・ｃｍ以上の値、からなる群から選択される装置、および／あるいは、
（ｃ）動作モード下で、第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイドを、（ｉ）１００ｍｂより高い値、（ｉｉ）１０ｍｂより高い値、（ｉｉｉ）１ｍｂより高い値、（ｉｖ）０．１ｍｂより高い値、（ｖ）１０-2ｍｂより高い値、（ｖｉ）１０-3ｍｂより高い値、（ｖｉｉ）１０-4ｍｂより高い値、（ｖｉｉｉ）１０-5ｍｂより高い値、（ｉｘ）１０-6ｍｂより高い値、（ｘ）１００ｍｂより低い値、（ｘｉ）１０ｍｂより低い値、（ｘｉｉ）１ｍｂより低い値、（ｘｉｉｉ）０．１ｍｂより低い値、（ｘｉｖ）１０-2ｍｂより低い値、（ｘｖ）１０-3ｍｂより低い値、（ｘｖｉ）１０-4ｍｂより低い値、（ｘｖｉｉ）１０-5ｍｂより低い値、（ｘｖｉｉｉ）１０-6ｍｂより低い値、（ｘｉｘ）１０ｍｂから１００ｍｂの範囲の値、（ｘｘ）１ｍｂから１０ｍｂの範囲の値、（ｘｘｉ）０．１ｍｂから１ｍｂの範囲の値、（ｘｘｉｉ）１０-2ｍｂから１０-1ｍｂの範囲の値、（ｘｘｉｉｉ）１０-3ｍｂから１０-2の範囲の値、（ｘｘｉｖ）１０-4ｍｂから１０-3ｍｂの範囲の値および（ｘｘｖ）１０-5ｍｂから１０-4ｍｂの範囲の値、からなる群から選択される圧力に保持する装置、
を備える。
本発明の別の態様は、上述したイオンガイド装置を備える質量分析計である。
質量分析計は、望ましくは、さらに、
（ａ）第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイドの上流に配置されるイオン源であって、
（ｉ）エレクトロスプレーイオン化（Ｅｌｅｃｔｒｏｓｐｒａｙ ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ：ＥＳＩ）イオン源と、（ｉｉ）大気圧光イオン化（Ａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｐｈｏｔｏ Ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ：ＡＰＰＩ）イオン源と、（ｉｉｉ）大気圧化学イオン化（Ａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ：ＡＰＣＩ）イオン源と、（ｉｖ）マトリックス支援レーザー脱離イオン化（Ｍａｔｒｉｘ Ａｓｓｉｓｔｅｄ Ｌａｓｅｒ Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ Ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ：ＭＡＬＤＩ）イオン源と、（ｖ）レーザー脱離イオン化（Ｌａｓｅｒ Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ Ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ：ＬＤＩ）イオン源と、（ｖｉ）大気圧イオン化（Ａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ：ＡＰＩ）イオン源と、（ｖｉｉ）シリコンを用いた脱離イオン化（Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ Ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ ｏｎ Ｓｉｌｉｃｏｎ：ＤＩＯＳ）イオン源と、（ｖｉｉｉ）電子衝撃（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉｍｐａｃｔ：ＥＩ）イオン源と、（ｉｘ）化学イオン化（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ：ＣＩ）イオン源と、（ｘ）電界イオン化（Ｆｉｅｌｄ Ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ：ＦＩ）イオン源と、（ｘｉ）電界脱離（Ｆｉｅｌｄ Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ：ＦＤ）イオン源と、（ｘｉｉ）誘導結合プラズマ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ：ＩＣＰ）イオン源と、（ｘｉｉｉ）高速原子衝撃（Ｆａｓｔ Ａｔｏｍ Ｂｏｍｂａｒｄｍｅｎｔ：ＦＡＢ）イオン源と、（ｘｉｖ）液体二次イオン質量分析（Ｌｉｑｕｉｄ Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ：ＬＳＩＭＳ）イオン源と、（ｘｖ）脱離エレクトロスプレーイオン化（Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｓｐｒａｙ Ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ：ＤＥＳＩ）イオン源と、（ｘｖｉ）ニッケル６３放射性イオン源と、（ｘｖｉｉ）大気圧マトリックス支援レーザー脱離イオン化イオン源と、（ｘｖｉｉｉ）サーモスプレーイオン源と、
からなる群から選択されるイオン源、および／あるいは、
（ｂ）連続イオン源またはパルスイオン源、および／あるいは、
（ｃ）第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイドの上流および／あるいは下流に配置される一つ以上のイオンガイド、および／あるいは、
（ｄ）第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイドの上流および／あるいは下流に配置される一つ以上のイオン移動度分離装置および／あるいは一つ以上の電界非対称性イオン移動度分光装置、および／あるいは、
（ｅ）第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイドの上流および／あるいは下流に配置される一つ以上のイオントラップまたは一つ以上のイオン捕獲領域、および／あるいは、
（ｆ）第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイドの上流および／あるいは下流に配置される一つ以上の衝突セル、フラグメンテーション（断片化）セルまたは反応セルであって、
（ｉ）衝突誘起解離（Ｃｏｌｌｉｓｉｏｎａｌ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｄｉｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ：ＣＩＤ）フラグメンテーション装置と、（ｉｉ）表面誘起解離（Ｓｕｒｆａｃｅ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｄｉｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ：ＳＩＤ）フラグメンテーション装置と、（ｉｉｉ）電子移動解離（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｄｉｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ：ＥＴＤ）フラグメンテーション装置と、（ｉｖ）電子捕獲解離（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｃａｐｔｕｒｅ Ｄｉｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ：ＥＣＤ）フラグメンテーション装置と、（ｖ）電子衝突または電子衝撃解離フラグメンテーション装置と、（ｖｉ）光誘起解離（Ｐｈｏｔｏ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｄｉｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ：ＰＩＤ）フラグメンテーション装置と、（ｖｉｉ）レーザー誘起解離フラグメンテーション装置と、（ｖｉｉｉ）赤外線誘起解離装置と、（ｉｘ）紫外線誘起解離装置と、（ｘ）ノズル・スキマー・インターフェース・フラグメンテーション装置と、（ｘｉ）インソースフラグメンテーション装置と、（ｘｉｉ）イオン源衝突誘起解離フラグメンテーション装置と、（ｘｉｉｉ）熱源または温度源フラグメンテーション装置と、（ｘｉｖ）電場誘起フラグメンテーション装置と、（ｘｖ）磁場誘起フラグメンテーション装置と、（ｘｖｉ）酵素消化または酵素分解フラグメンテーション装置と、（ｘｖｉｉ）イオン−イオン反応フラグメンテーション装置と、（ｘｖｉｉｉ）イオン−分子反応フラグメンテーション装置と、（ｘｉｘ）イオン−原子反応フラグメンテーション装置と、（ｘｘ）イオン−準安定イオン反応フラグメンテーション装置と、（ｘｘｉ）イオン−準安定分子反応フラグメンテーション装置と、（ｘｘｉｉ）イオン−準安定原子反応フラグメンテーション装置と、（ｘｘｉｉｉ）イオンの反応により付加イオンあるいはプロダクトイオンを形成するイオン−イオン反応装置と、（ｘｘｉｖ）イオンの反応により付加イオンあるいはプロダクトイオンを形成するイオン−分子反応装置と、（ｘｘｖ）イオンの反応により付加イオンあるいはプロダクトイオンを形成するイオン−原子反応装置と、（ｘｘｖｉ）イオンの反応により付加イオンあるいはプロダクトイオンを形成するイオン−準安定イオン反応装置と、（ｘｘｖｉｉ）イオンの反応により付加イオンあるいはプロダクトイオンを形成するイオン−準安定分子反応装置と、（ｘｘｖｉｉｉ）イオンの反応により付加イオンあるいはプロダクトイオンを形成するイオン−準安定原子反応装置と、（ｘｘｉｘ）電子イオン化解離（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉｏｎｉｓａｔｉｏｎ Ｄｉｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ：ＥＩＤ）フラグメンテーション装置と、
からなる群から選択される一つ以上の衝突セル、フラグメンテーションセルまたは反応セル、および／あるいは、
（ｇ）（ｉ）四重極質量分析器と、（ｉｉ）２次元またはリニア四重極質量分析器と、（ｉｉｉ）ポール（Ｐａｕｌ）トラップ型または３次元四重極質量分析器と、（ｉｖ）ペニング（Ｐｅｎｎｉｎｇ）トラップ型質量分析器と、（ｖ）イオントラップ型質量分析器と、（ｖｉ）磁場型質量分析器と、（ｖｉｉ）イオンサイクロトロン共鳴（Ｉｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ：ＩＣＲ）質量分析器と、（ｖｉｉｉ）フーリエ変換イオンサイクロトロン共鳴（Ｆｏｕｒｉｅｒ Ｔｒａｎｓｆｏｒｍ Ｉｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ：ＦＴＩＣＲ）質量分析器と、（ｉｘ）静電またはオービトラップ型質量分析器と、（ｘ）フーリエ変換静電またはオービトラップ型質量分析器と、（ｘｉ）フーリエ変換質量分析器と、（ｘｉｉ）飛行時間型質量分析器と、（ｘｉｉｉ）直交加速飛行時間型質量分析器と、（ｘｉｖ）線形加速飛行時間型質量分析器と、
からなる群から選択される質量分析器、および／あるいは、
（ｈ）第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイドの上流および／あるいは下流に配置される一つ以上のエネルギー分析器または静電エネルギー分析器、および／あるいは、
（ｈ）第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイドの上流および／あるいは下流に配置される一つ以上のイオン検出器、および／あるいは、
（ｉ）第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイドの上流および／あるいは下流に配置される一つ以上のマスフィルターであって、（ｉ）四重極マスフィルターと、（ｉｉ）２次元またはリニア四重極イオントラップと、（ｉｉｉ）ポール（Ｐａｕｌ）型または３次元四重極イオントラップと、（ｉｖ）ペニング（Ｐｅｎｎｉｎｇ）型イオントラップと、（ｖ）イオントラップと、（ｖｉ）磁場型マスフィルターと、（ｖｉｉ）飛行時間型マスフィルターと、（ｖｉｉｉ）ウィーン（Ｗｅｉｎ）フィルターと、からなる群から選択される一つ以上のマスフィルター、および／あるいは、
（ｊ）第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイド内でイオンをパルス状にする装置またはイオンゲート、および／あるいは、
（ｋ）ほぼ連続的なイオンビームをパルス状のイオンビームに変換する装置、
を備える。
一実施形態において、質量分析計が、さらに、Ｃ型トラップと、オービトラップ質量分析器と、を備えるようにしてもよい。
第１動作モード下では、イオンはＣ型トラップに導入された後、オービトラップ質量分析器に入射される。
第２動作モード下では、イオンはＣ型トラップに続いて衝突セルに導入されて、少なくとも一部のイオンがフラグメントイオンに断片化され、断片化されたフラグメントイオンは、Ｃ型トラップに導入された後、オービトラップ質量分析器に入射される。
本発明の別の態様は、第１の複数の電極を有する第１のイオンガイドと第２の複数の電極を有する第２のイオンガイドとを備えるイオンガイド装置を含む質量分析計の制御システムにより実行されるコンピュータプログラムである。
コンピュータプログラムは、制御システムにより、
（ｉ）第１のイオン誘導路と第２のイオン誘導路との間のイオンガイド装置の長さ方向に沿った一つ以上の地点に、一つ以上の疑似ポテンシャル障壁を形成して、
（ｉｉ）一つ以上の疑似ポテンシャル障壁を超えるようにイオンを誘導することによって、第１のイオン誘導路から第２のイオン誘導路にイオンを移動させる、ように構成される。
本発明の別の態様は、コンピュータにより実行可能な命令が記憶されるコンピュータ読み取り可能な媒体である。第１の複数の電極を有する第１のイオンガイドと第２の複数の電極を有する第２のイオンガイドとを備えるイオンガイド装置を含む質量分析計の制御システムにより、命令が実行可能なように構成される。
命令に従って、制御システムが、
（ｉ）第１のイオン誘導路と第２のイオン誘導路との間のイオンガイド装置の長さ方向に沿った一つ以上の地点に、一つ以上の疑似ポテンシャル障壁を形成して、
（ｉｉ）一つ以上の疑似ポテンシャル障壁を超えるようにイオンを誘導することによって、第１のイオン誘導路から第２のイオン誘導路にイオンを移動させる。
コンピュータ読み取り可能な媒体は、好ましくは、（ｉ）ＲＯＭ、（ｉｉ）ＥＡＲＯＭ、（ｉｉｉ）ＥＰＲＯＭ、（ｉｖ）ＥＥＰＲＯＭ、（ｖ）フラッシュメモリ、および（ｖｉ）光ディスクからなる群から選択される。
本発明の別の態様は、イオン誘導方法であって、
第１の複数の電極を備える第１のイオンガイドであって、第１のイオンガイドに沿って、あるいは、第１のイオンガイド内に第１のイオン誘導路が形成される第１のイオンガイドを準備する工程と、
第２の複数の電極を備える第２のイオンガイドであって、第２のイオンガイドに沿って、あるいは、第２のイオンガイド内に別の第２のイオン誘導路が形成される第２のイオンガイドを準備する工程と、
第１のイオン誘導路と第２のイオン誘導路との間のイオンガイド装置の長さ方向に沿った一つ以上の地点に、一つ以上の疑似ポテンシャル障壁を形成する工程と、
一つ以上の疑似ポテンシャル障壁を超えるようにイオンを誘導することによって、第１のイオン誘導路から第２のイオン誘導路にイオンを移動させる工程と、
を備える。
本発明の別の態様は、上述のイオン誘導方法を備える質量分析法である。
本発明の別の態様は、並列に結合される２つ以上のイオンガイドを備えるイオンガイド装置である。
並列に結合される２つ以上のイオンガイドが、第１のイオンガイドと第２のイオンガイドとを備える構成が望ましい。第１のイオンガイドおよび／あるいは第２のイオンガイドは、
（ｉ）使用時にイオンを透過させる少なくとも一つの孔をそれぞれ有する複数の電極を備えるイオントンネルイオンガイドと、
（ｉｉ）複数のロッド電極を備えるロッドセットイオンガイドと、
（ｉｉｉ）使用時に通常イオンが移動する平面内に配置される複数の平板電極を備える積層平板イオンガイドと、
からなる群から選択される。
イオンガイド装置をハイブリッドな構成とする実施形態でもよい。たとえば、一方のイオンガイドがイオントンネルを備え、他方のイオンガイドがロッドセットイオンガイドあるいは積層平板イオンガイドを備える構成でもよい。
イオンガイド装置が、さらに、一つ以上の径方向または長手方向の疑似ポテンシャル障壁を超えて、結合イオンガイド間でイオンを移動させるように構成される装置を備える構成も望ましい。
本発明の別の態様は、イオン誘導方法であって、並列に結合される２つ以上のイオンガイドを備えるイオンガイド装置に沿ってイオンを誘導する工程を備える。
イオン誘導方法は、望ましくは、さらに、一つ以上の径方向または長手方向の疑似ポテンシャル障壁を超えて、結合イオンガイド間でイオンを移動させる工程を備える。
好適な実施形態において、望ましくは互いに結合される、あるいは、互いに重なり合う、または、互いに開口する、２つ以上のＲＦイオンガイドを備える構成でもよい。イオンガイドが低圧で動作可能な構成も望ましいし、また、一方のイオンガイド内に形成される疑似ポテンシャルの谷の軸と他方のイオンガイド内に形成される疑似ポテンシャルの谷の軸とが基本的に平行であるような構成も望ましい。イオンガイドを結合、統合、あるいは重複させる構成により、イオンガイドの長さ方向に沿ってイオンが移動する際に、機械的な障壁に遭遇することなく、イオンが移動して、隣接するイオンガイドの軸に沿ったイオン通路を通ることができる。一つ以上の径方向または長手方向の疑似ポテンシャル障壁により、２つのイオンガイドが分離される構成が望ましい。２つのイオンガイド間の疑似ポテンシャル障壁は、他の（動径）方向よりも小さいことが望ましい。
結合イオンガイドの軸の間に電位差を加える、あるいは、置くことにより、２つのイオンガイド間に配置される（径方向または長手方向の）疑似ポテンシャル障壁を超えて、一方のイオンガイドから他方のイオンガイドにイオンを移動させる、向かわせる、あるいは案内するようにしてもよい。イオンが２つのイオンガイド間で、複数回、行ったり来たりするようにしてもよい。
２つ以上のイオンガイドは、多極ロッドセットイオンガイドでもよいし、（複数の平板電極を有する）積層平板サンドイッチ構造イオンガイドでもよいし、あるいは、積層環状イオントンネルイオンガイドでもよい。
２つ以上のイオンガイドが、異なる径方向の断面を有する構成が望ましい。ただし、２つのイオンガイドの軸方向の長さの少なくとも一部に関して、２つ以上のイオンガイドの径方向の断面がほぼ同じである実施形態も可能である。
２つ以上のイオンガイドが、イオンガイドの軸方向の長さに沿ってほぼ均一な断面を持つものでもよい。あるいは、２つ以上のイオンガイドが、イオンガイドの軸方向の長さに沿って変化する断面を持つものでもよい。
イオンガイドの断面間の重複割合は、軸方向に沿って一定でもよいし、増加あるいは減少するものでもよい。両方のイオンガイドの軸方向全体にわたってイオンガイドが重なり合う構成でもよいし、軸方向の一部のみに関してイオンガイドが重なり合う構成でもよい。
２つ以上のイオンガイドに印加されるＡＣ電圧またはＲＦ電圧は同一であることが望ましい。ただし、２つ以上のイオンガイドに印加されるＡＣ電圧またはＲＦ電圧が異なる実施形態も可能である。隣接する電極に逆位相のＡＣ電圧またはＲＦ電圧が供給されることが望ましい。
各イオンガイド内のガス圧力が同一になるような構成でもよいし、異なる構成でもよい。同様に、各イオンガイドのガス組成が同一になるような構成でもよいし、異なる構成でもよい。２つ以上のイオンガイドに異なるガスを供給する実施形態も可能である。
２つ以上のイオンガイド間に加えられる電位差は、固定したものでもよいし、時間により変動するものでもよい。同様に、２つ以上のイオンガイド間に印加されるＲＦピークピーク電圧の振幅は、固定したものでもよいし、時間により変動するものでもよい。
２つ以上のイオンガイド間に加えられる電位差は、長手方向の軸に沿って均一でもよいし、あるいは、位置の関数として変動するものでもよい。
以下、添付の図面を参照して、本発明の構成を例示する目的で、本発明のさまざまな実施例を説明する。
径方向の疑似ポテンシャルの谷において、イオンをイオンガイド内で径方向に閉じ込めた従来のＲＦイオンガイドを示す図。 並列に結合される２つのイオンガイドを備える、本発明の一実施例に従うイオンガイド構成を示す図。 ２つの結合イオンガイド間で２５Ｖの電位差を保持する場合に生成される、等電位曲線およびポテンシャル面のＳＩＭＩＯＮ（ＲＴＭ）プロットを示す図。 ２つの結合イオンガイド間で２５Ｖの電位差を保持する場合に生成される、等電位曲線および径方向の変位関数であるＤＣ電位のＳＩＭＩＯＮ（ＲＴＭ）プロットを、２つのイオンガイドが同じ電位を保持する場合のラインＸＹに沿った疑似ポテンシャル曲線と共に示す図。 ２つの結合イオンガイド間で電位差が保持されない条件で、１ｍｂの圧力で窒素ガス流を同伴させたモデルを用いて、質量電荷比が５００のイオンのＳＩＭＩＯＮ（ＲＴＭ）シミュレーションを行った結果得られたイオン軌道を示す図。 ２つの結合イオンガイド間で２５Ｖの電位差が保持される条件で、１ｍｂの圧力で窒素ガス流を同伴させたモデルを用いて、質量電荷比が５００のイオンのＳＩＭＩＯＮ（ＲＴＭ）シミュレーションを行った結果得られたイオン軌道を示す図。 ２つの結合イオンガイド間で２５Ｖの電位差が保持される条件で、１ｍｂの圧力で窒素ガス流を同伴させたモデルを用いて、質量電荷比が１００から１９００の範囲のイオンのＳＩＭＩＯＮ（ＲＴＭ）シミュレーションを行った結果得られたイオン軌道を示す図。 質量分析計の最初の段において、中性ガス流からイオンを分離する結合イオンガイド構成の実施例を示す図。 ２つの積層平板イオンガイドから形成される結合イオンガイド構成の実施例を示す図。 ２つのロッドセットイオンガイドから形成される結合イオンガイド構成の実施例を示す図。
従来のＲＦイオンガイド１を図１に示す。イオンガイドを形成する電極にＲＦ電圧を印加すると、イオンガイド１内に単一の疑似ポテンシャルの谷すなわち井戸２が形成される。イオンは、イオンガイド１内で径方向３に閉じ込められる。イオンは、通常、イオンガイド１の長手方向中心軸に沿ってイオンガイド１に入射され、長手方向中心軸に沿ってイオンガイド１から放出される。イオン雲５がイオンガイド１内に閉じ込められ、疑似ポテンシャル井戸２によって、イオンは通常長手方向の軸近傍に閉じ込められる。
本発明の好適な実施形態に従うイオンガイド構成を、図２を参照して、以下に説明する。並列に結合される２つ以上のイオンガイドを備える構成を好適な実施例として示す。結合イオンガイドは、第１のイオンガイド７と第２のイオンガイド８とを備える。第１のイオンガイド７は、第２のイオンガイド８よりも大きな径方向断面を有する。ガス拡散源およびイオン９は、最初、第１のイオンガイド７内に拘束され、閉じ込められている。イオンは、最初、第１のイオンガイド７の軸方向長さの少なくとも一部に関して、第１のイオンガイド７内を流れる。第１のイオンガイド７内に形成されるイオン雲９は、拡散していてもよいが、径方向に拘束されることが望ましい。
第１のイオンガイド７の少なくとも一部またはほぼ全部と第２のイオンガイド８の少なくとも一部またはほぼ全部との間に電位差を加える、あるいは、電位差を保持する。その結果、比較的低い振幅の疑似ポテンシャル障壁を超えて、第１のイオンガイド７から第２のイオンガイド８にイオンが移動する。疑似ポテンシャル障壁が、第１のイオンガイド７と第２のイオンガイド８との間の接合領域あるいは境界領域に位置することが望ましい。
図３に、第１のイオンガイド７と第２のイオンガイド８との間で２５Ｖの電位差を保持する場合に生成される、等電位曲線１１およびポテンシャル面１２を示す。等電位曲線１１およびポテンシャル面１２は、ＳＩＭＩＯＮ（ＲＴＭ）を用いて誘導した。
図４に、図３に示したものと同じ等電位曲線を、電位差を加えることによってＤＣ電位がラインＸＹに沿って径方向に変化する様子を表すプロットと共に示す。第１のイオンガイド７と第２のイオンガイド８との間に電位差が存在しない場合に、ＲＦにより生成される疑似ポテンシャルのラインＸＹに沿った変化も同様に示す。
電極構成並びに２つのイオンガイド７および８の電極間に保持される電位差の影響により、第１のイオンガイド７内で比較的拡散したイオン雲９から第２のイオンガイド８内のより圧縮されたイオン雲１０にイオンが集まる。第１のイオンガイド７および第２のイオンガイド８内の背景ガスの存在により、第１のイオンガイド７から第２のイオンガイド８にイオン雲が移動する際に、イオン雲が冷却される。疑似ポテンシャル障壁は、イオンの電極での喪失を防ぐ役割を果たす。
図５に、複数の積層平板電極または環状電極を各々有する２つのイオンガイド７および８のモデルを用いてイオン軌道のシミュレーションを行った結果を示す。電極は、望ましくは、使用時にイオンが透過する穴を備える。ＳＩＭＩＯＮ（ＲＴＭ）ルーチンを用いて、背景ガスとイオンとの衝突をシミュレートした。３００ｍ／ｓの主流速および１ｍｂの圧力の条件で、２つのイオンガイド７および８の長さ方向に沿って窒素ガス１４を流した。第１のイオンガイド７の内径を１５ｍｍ、第２のイオンガイド８の内径を５ｍｍとした。２００ＶのピークピークＲＦ振幅並びに３ＭＨｚの周波数を有するＲＦ電圧を、第１のイオンガイド７と第２のイオンガイド８の隣接する電極１５間に印加した。両方のイオンガイド７および８内に、径方向閉じ込めの疑似ポテンシャル井戸が形成された。２つのイオンガイド７および８の全長は７５ｍｍとした。
５００の質量電荷比を有する９個の１価イオンを第１のイオンガイド７内の個別の径方向開始位置に配置して、イオン雲拡散の再現を行った。第１のイオンガイド７と第２のイオンガイド８との間に電位差が存在しない場合には、図５のイオン軌道１３に示すように、窒素ガス１４の流れにより、第１のイオンガイド７をイオンが流れて、運ばれる。
図６に、電界６を２つのイオンガイド７および８の間に印加する条件で、図５を参照して上述したシミュレーションと同様のシミュレーションを行った結果を示す。第１のイオンガイド７と第２のイオンガイド８との間で２５Ｖの電位差を保持した。電界６の影響により、第２のイオンガイド８の長手方向中心軸に沿った平面に向かってイオンが移動し、集まる。２つのイオンガイド７および８の間の疑似ポテンシャル障壁を超えて、第１のイオンガイド７から第２のイオンガイド８にイオンが移動する。その結果、最初の比較的拡散したイオン雲９から、比較的密で圧縮されたイオン雲１０が形成される。図６は、１ｍｂの圧力下で窒素ガス１４の流れを同伴させて、質量電荷比が５００のイオンを用いて行ったＳＩＭＩＯＮ（ＲＴＭ）シミュレーションにより得られたさまざまなイオン軌道１３を示す。
図７に、イオンが第１のイオンガイド７内で共通の原点を有し、また、異なった質量電荷比を有する条件で、図６を参照して上述したシミュレーションと同様のシミュレーションを行った結果を示す。質量電荷比が１００、３００、５００、７００、９００、１１００、１３００、１５００、１７００および１９００のイオンを用いて、１ｍｂの圧力下で窒素ガス１４の流れを同伴させた場合のシミュレーションを行った。第１のイオンガイド７と第２のイオンガイド８との間で２５Ｖの電位差を保持した。図から明らかなように、第１のイオンガイド７から第２のイオンガイド８にすべてのイオンが移動した。
図８に、質量分析計の最初の段に、並列に結合されるイオンガイド７および８を配置した実施例を示す。大気圧イオン源１６から供給されるガスとイオンとの混合体が、サンプリング錐面１７を通り、ポンプ１８によって排気した質量分析計の最初の真空チャンバに導入される。第１のイオンガイド７の中心軸と望ましくは一直線上に配置されるサンプリング錐面１７を形成する孔を有する真空チャンバに、第１のイオンガイド７と第２のイオンガイド８とを配置する。第１のイオンガイド７が、第２のイオンガイド８よりも大径のイオン誘導領域を備える。拡散イオン雲９が、第１のイオンガイド７内に拘束される。
この好適な実施形態において、ガス流の大部分は、第１のイオンガイド７の中心軸と望ましくは一直線上に配置されるポンプポートを介して、真空チャンバから排出される。第１のイオンガイド７と第２のイオンガイド８との間に電位差を加える、あるいは、保持することが望ましい。イオンは、図８に示すものと同様なイオン軌道１３に従って、第１のイオンガイド７から第２のイオンガイド８に移動する。この結果、イオンは、第２のイオンガイド８内で比較的圧縮されたイオン雲１０を形成する。
一実施形態において、第２のイオンガイド８を第１のイオンガイド７より更に連続・伸長させた構成でもよく、この場合には、次の減圧段を形成する別のポンプ孔１９までイオンを前方に移動させる。イオンは、別のポンプ孔１９を通り抜けて、質量分析計の次の段に移動して、次の分析および検出が行われるようにしてもよい。
図８に、さらに、一実施形態に従う第１のイオンガイド７と第２のイオンガイド８の断面図も示す。イオンは、上流領域またはセクション２０において、第１のイオンガイド７に拘束され、閉じ込められる。この場合には、第１のイオンガイド７の環状構造が閉じている。イオンは、中間領域またはセクション２１において、第１のイオンガイド７から第２のイオンガイド８に移動する。この場合には、第１のイオンガイド７の環状構造も第２のイオンガイド８の環状構造も開いている。イオンは、下流領域またはセクション２２において、第２のイオンガイド８に拘束され、閉じ込められる。この場合には、第２のイオンガイド８の環状構造が閉じている。結合イオンガイド７および８により、ガス流の大部分と離れる方向にイオンを移動させることができる。イオンをより密な状態で閉じ込めることによって、イオンが最適な状況で別のポンプ孔１９を通り抜けて、次の真空段に移動することが可能になる。
大気圧よりも低い圧力でイオン源を動作させるような実施形態も可能である。
他の実施形態において、電界あるいは進行波を利用して、第１のイオンガイド７の少なくとも一部に沿って、および／あるいは、第２のイオンガイド８の少なくとも一部に沿って、軸方向にイオンを誘導するようにしてもよい。一実施形態において、第１のイオンガイド７を形成する電極および／あるいは第２のイオンガイド８を形成する電極に一つ以上の過渡ＤＣ電圧または電位あるいは一つ以上のＤＣ電圧または電位波形を印加することにより、第１のイオンガイド７の少なくとも一部に沿って、および／あるいは、第２のイオンガイド８の少なくとも一部に沿って、イオンを誘導するようにしてもよい。
結合される２つのイオンガイド７および８間の疑似ポテンシャル障壁が、質量電荷比に依存する有効振幅を有することが望ましい。適当なＲＦ電圧を用いて、２つのイオンガイド７および８の軸間で電位差を保持して、２つのイオンガイド７および８の間で質量選択的にイオンを移動させるようにしてもよい。一実施形態において、２つのイオンガイド７と８との間で、質量選択的にあるいは質量電荷比選択的にイオンを移動させる。たとえば、２つのイオンガイド７と８との間に保持されるＤＣ電圧勾配を漸次変動させる、あるいは、スキャンする構成でもよい。これに代えて、および／あるいは、これに加えて、２つのイオンガイド７および８の電極に印加するＡＣ電圧またはＲＦ電圧の振幅および／あるいは周波数を漸次変動させる、あるいは、スキャンする構成でもよい。この結果、時間の関数として、および／あるいは、イオンガイド７および８の軸方向の位置の関数として、２つのイオンガイド７と８との間で質量選択的にイオンを移動させることができる。
結合される２つのイオンガイドが環状電極を備え、使用時には環状構造をイオンが通り抜ける実施形態が好適であるが、異なった形状のイオンガイドを備える実施形態も可能である。図９に、２つの積層平板イオンガイドから形成される結合イオンガイド構成の実施例を示す。図９は、複数の平板電極内に形成される２つの円筒形イオン誘導路あるいはイオン誘導領域を示す端面図である。隣接する電極を逆位相のＲＦ電圧に保持することが望ましい。図９に示すように、第１のイオンガイドを構成する平板電極が第１のＤＣ電圧ＤＣ１に保持され、また、第２のイオンガイドを構成する平板電極が第２の電圧ＤＣ２に保持される。第２のＤＣ電圧ＤＣ２が第１のＤＣ電圧ＤＣ１と異なることが望ましい。
図１０に、２つのロッドセットイオンガイドから形成される結合イオンガイド構成の実施例を示す。隣接するロッドを逆位相のＲＦ電圧に保持することが望ましい。２つのイオンガイドを構成するロッドは、同じ径でもよいし、異なった径でもよい。イオンガイド構成を形成するすべてのロッドが同一の径あるいはほぼ同一の径である実施形態が望ましい。図１０に示す実施例では、第１のイオンガイドが１５個のロッド電極を備え、これらのロッド電極がすべて同じＤＣバイアス電圧ＤＣ１に保持される。第２のイオンガイドは７個のロッド電極を備え、これらのロッド電極がすべて同じＤＣバイアス電圧ＤＣ２に保持される。第２のＤＣ電圧ＤＣ２が第１のＤＣ電圧ＤＣ１と異なることが望ましい。
並列に配置される３個以上のイオンガイドを備える実施形態とすることもできる。たとえば、少なくとも３個、４個、５個、６個、６個、８個、９個、あるいは１０個の並列に配置されるイオンガイドあるいはイオン誘導領域を備える構成でもよい。必要に応じて、複数の並列に配置されるイオンガイド間でイオンを行ったり来たりさせることができる。
以上、本発明をその好適な実施例を参照して詳述したが、本発明は上記の実施例や実施形態に限られるものではなく、当業者には自明のことであるが、特許請求の範囲に記載される本発明の要旨を逸脱しない範囲において、種々の形態および態様において実施することが可能である。

Claims (50)

  1. イオンガイド装置であって、
    第１の複数の電極を備える第１のイオンガイドであって、使用時にイオンを透過させる少なくとも一つの孔を各電極が有し、第１のイオンガイドに沿って、あるいは、第１のイオンガイド内に第１のイオン誘導路が形成される第１のイオンガイドと、
    第２の複数の電極を備える第２のイオンガイドであって、使用時にイオンを透過させる少なくとも一つの孔を各電極が有し、第２のイオンガイドに沿って、あるいは、第２のイオンガイド内に別の第２のイオン誘導路が形成される第２のイオンガイドと、
    前記第１のイオン誘導路と前記第２のイオン誘導路との間の前記イオンガイド装置の長さ方向に沿った一つ以上の地点に、一つ以上の疑似ポテンシャル障壁を形成するように配置・構成される第１の装置と、
    前記一つ以上の疑似ポテンシャル障壁を超えるようにイオンを誘導することによって、前記第１のイオン誘導路から前記第２のイオン誘導路にイオンを移動させるように配置・構成される第２の装置と、
    を備えるイオンガイド装置。
  2. 請求項１に記載のイオンガイド装置であって、
    （ａ）前記第１の複数の電極および／あるいは前記第２の複数の電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％が、ほぼ円形、長方形、正方形、あるいは楕円形状の孔を備える、および／あるいは、
    （ｂ）前記第１の複数の電極および／あるいは前記第２の複数の電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％が、ほぼ同一の大きさの孔あるいはほぼ同一の面積を有する孔を備える、および／あるいは、
    （ｃ）前記第１の複数の電極および／あるいは前記第２の複数の電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％が、前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイドの軸方向すなわち長さ方向に沿って、大きさまたは面積が次第に大きくなっていく、および／あるいは、大きさまたは面積が次第に小さくなっていく孔を備える、および／あるいは、
    （ｄ）前記第１の複数の電極および／あるいは前記第２の複数の電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％が、（ｉ）１．０ｍｍ以下の値、（ｉｉ）２．０ｍｍ以下の値、（ｉｉｉ）３．０ｍｍ以下の値、（ｉｖ）４．０ｍｍ以下の値、（ｖ）５．０ｍｍ以下の値、（ｖｉ）６．０ｍｍ以下の値、（ｖｉｉ）７．０ｍｍ以下の値、（ｖｉｉｉ）８．０ｍｍ以下の値、（ｉｘ）９．０ｍｍ以下の値、（ｘ）１０．０ｍｍ以下の値および（ｘｉ）１０．０ｍｍより大きい値からなる群から選択される内径または寸法を有する孔を備える、および／あるいは、
    （ｅ）前記第１の複数の電極および／あるいは前記第２の複数の電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％が、（ｉ）５ｍｍ以下の値、（ｉｉ）４．５ｍｍ以下の値、（ｉｉｉ）４ｍｍ以下の値、（ｉｖ）３．５ｍｍ以下の値、（ｖ）３ｍｍ以下の値、（ｖｉ）２．５ｍｍ以下の値、（ｖｉｉ）２ｍｍ以下の値、（ｖｉｉｉ）１．５ｍｍ以下の値、（ｉｘ）１ｍｍ以下の値、（ｘ）０．８ｍｍ以下の値、（ｘｉ）０．６ｍｍ以下の値、（ｘｉｉ）０．４ｍｍ以下の値、（ｘｉｉｉ）０．２ｍｍ以下の値、（ｘｉｖ）０．１ｍｍ以下の値および（ｘｖ）０．２５ｍｍ以下の値からなる群から選択される軸方向の距離だけ互いに隔てられる、および／あるいは、
    （ｆ）前記第１の複数の電極および／あるいは前記第２の複数の電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％が、（ｉ）１．０未満の値、（ｉｉ）１．０から１．２の範囲の値、（ｉｉｉ）１．２から１．４の範囲の値、（ｉｖ）１．４から１．６の範囲の値、（ｖ）１．６から１．８の範囲の値、（ｖｉ）１．８から２．０の範囲の値、（ｖｉｉ）２．０から２．２の範囲の値、（ｖｉｉｉ）２．２から２．４の範囲の値、（ｉｘ）２．４から２．６の範囲の値、（ｘ）２．６から２．８の範囲の値、（ｘｉ）２．８から３．０の範囲の値、（ｘｉｉ）３．０から３．２の範囲の値、（ｘｉｉｉ）３．２から３．４の範囲の値、（ｘｉｖ）３．４から３．６の範囲の値、（ｘｖ）３．６から３．８の範囲の値、（ｘｖｉ）３．８から４．０の範囲の値、（ｘｖｉｉ）４．０から４．２の範囲の値、（ｘｖｉｉｉ）４．２から４．４の範囲の値、（ｘｉｘ）４．４から４．６の範囲の値、（ｘｘ）４．６から４．８の範囲の値、（ｘｘｉ）４．８から５．０の範囲の値および（ｘｘｉｉ）５．０より大きな値から選択される、隣接する電極間の軸方向の中心間距離に対する前記孔の内径または寸法の比を有する孔を備える、および／あるいは、
    （ｇ）前記第１の複数の電極および／あるいは前記第２の複数の電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％が、（ｉ）５ｍｍ以下の値、（ｉｉ）４．５ｍｍ以下の値、（ｉｉｉ）４ｍｍ以下の値、（ｉｖ）３．５ｍｍ以下の値、（ｖ）３ｍｍ以下の値、（ｖｉ）２．５ｍｍ以下の値、（ｖｉｉ）２ｍｍ以下の値、（ｖｉｉｉ）１．５ｍｍ以下の値、（ｉｘ）１ｍｍ以下の値、（ｘ）０．８ｍｍ以下の値、（ｘｉ）０．６ｍｍ以下の値、（ｘｉｉ）０．４ｍｍ以下の値、（ｘｉｉｉ）０．２ｍｍ以下の値、（ｘｉｖ）０．１ｍｍ以下の値および（ｘｖ）０．２５ｍｍ以下の値からなる群から選択される厚さまたは軸長を備える、および／あるいは、
    （ｈ）前記第１の複数の電極が、第１の断面積または断面形状を有し、前記第１のイオンガイドの長さの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％の長さに沿って、前記第１の断面積または断面形状が変化、増加、減少あるいは変動する、および／あるいは、
    （ｉ）前記第２の複数の電極が、第２の断面積または断面形状を有し、前記第２のイオンガイドの長さの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％の長さに沿って、前記第２の断面積または断面形状が変化、増加、減少あるいは変動する、
    イオンガイド装置。
  3. イオンガイド装置であって、
    一つ以上の第１のロッドセットを含む第１の複数の電極を備える第１のイオンガイドであって、第１のイオンガイドに沿って、あるいは、第１のイオンガイド内に第１のイオン誘導路が形成される第１のイオンガイドと、
    一つ以上の第２のロッドセットを含む第１の複数の電極を備える第２のイオンガイドであって、第２のイオンガイドに沿って、あるいは、第２のイオンガイド内に別の第２のイオン誘導路が形成される第２のイオンガイドと、
    前記第１のイオン誘導路と前記第２のイオン誘導路との間の前記イオンガイド装置の長さ方向に沿った一つ以上の地点に、一つ以上の疑似ポテンシャル障壁を形成するように配置・構成される第１の装置と、
    前記一つ以上の疑似ポテンシャル障壁を超えるようにイオンを誘導することによって、前記第１のイオン誘導路から前記第２のイオン誘導路にイオンを移動させるように配置・構成される第２の装置と、
    を備えるイオンガイド装置。
  4. 請求項３に記載のイオンガイド装置であって、
    （ａ）前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイドが、一つ以上の軸方向に分割されたロッドセットイオンガイドを備える、および／あるいは、
    （ｂ）前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイドが、一つ以上の分割された四重極、六重極または八重極イオンガイド、あるいは、４つ以上に分割されたロッドセットを有するイオンガイドを備える、および／あるいは、
    （ｃ）前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイドが、（ｉ）ほぼ円形の断面と、（ｉｉ）ほぼ双曲線の表面と、（ｉｉｉ）弓状あるいは部分的に円形の断面と、（ｉｖ）ほぼ長方形の断面と、（ｖ）ほぼ正方形の断面と、からなる群から選択される断面を有する複数の電極を備える、および／あるいは、
    （ｄ）前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイドが、前記一つ以上の第１のロッドセットおよび／あるいは前記一つ以上の第２のロッドセットの周囲に配列される複数の環状電極をさらに備える、および／あるいは、
    （ｅ）前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイドが、４個、５個、６個、７個、８個、９個、１０個、１１個、１２個、１３個、１４個、１５個、１６個、１７個、１８個、１９個、２０個、２１個、２２個、２３個、２４個、２５個、２６個、２７個、２８個、２９個、３０個、あるいは、それ以上の数のロッド電極を備える、
    イオンガイド装置。
  5. イオンガイド装置であって、
    使用時にイオンが移動する平面内に配置される第１の複数の電極を備える第１のイオンガイドであって、第１のイオンガイドに沿って、あるいは、第１のイオンガイド内に第１のイオン誘導路が形成される第１のイオンガイドと、
    使用時にイオンが移動する平面内に配置される第２の複数の電極を備える第２のイオンガイドであって、第２のイオンガイドに沿って、あるいは、第２のイオンガイド内に別の第２のイオン誘導路が形成される第２のイオンガイドと、
    前記第１のイオン誘導路と前記第２のイオン誘導路との間の前記イオンガイド装置の長さ方向に沿った一つ以上の地点に、一つ以上の疑似ポテンシャル障壁を形成するように配置・構成される第１の装置と、
    前記一つ以上の疑似ポテンシャル障壁を超えるようにイオンを誘導することによって、前記第１のイオン誘導路から前記第２のイオン誘導路にイオンを移動させるように配置・構成される第２の装置と、
    を備えるイオンガイド装置。
  6. 請求項５に記載のイオンガイド装置であって、
    （ａ）前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイドが、平坦電極、平板電極、メッシュ電極、または曲面電極の積層スタックあるいは配列アレイを備え、前記平坦電極、平板電極、メッシュ電極、または曲面電極の積層スタックあるいは配列アレイには、複数の、すなわち、少なくとも、２個、３個、４個、５個、６個、７個、８個、９個、１０個、１１個、１２個、１３個、１４個、１５個、１６個、１７個、１８個、１９個または２０個の平坦電極、平板電極、メッシュ電極または曲面電極が含まれ、前記平坦電極、平板電極、メッシュ電極または曲面電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％が、通常、使用時にイオンが移動する平面内に配置される、および／あるいは、
    （ｂ）前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイドが、少なくとも２個、３個、４個、５個、６個、７個、８個、９個、１０個、１１個、１２個、１３個、１４個、１５個、１６個、１７個、１８個、１９個または２０個の軸方向セグメントを含むように軸方向に分割され、一つの軸方向セグメントにおける前記第１の複数の電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％および／あるいは一つの軸方向セグメントにおける前記第２の複数の電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％が、使用時に同じＤＣ電圧に保持される、
    イオンガイド装置。
  7. 前記いずれかの請求項に記載のイオンガイド装置であって、
    前記第１の装置が、
    （ｉ）前記第１のイオン誘導路と前記第２のイオン誘導路との間の前記イオンガイド装置の長さ方向に沿った一つ以上の地点に、一つ以上の径方向または長手方向の疑似ポテンシャル障壁を形成する、および／あるいは、
    （ｉｉ）前記第１のイオン誘導路と前記第２のイオン誘導路との間の前記イオンガイド装置の長さ方向に沿った一つ以上の地点に、一つ以上の非軸方向の疑似ポテンシャル障壁を形成する、
    ように配置・構成される、
    イオンガイド装置。
  8. 前記いずれかの請求項に記載のイオンガイド装置であって、
    前記第２の装置が、
    （ａ）径方向に、前記第１のイオン誘導路から前記第２のイオン誘導路にイオンを移動させる、および／あるいは、
    （ｂ）速度の非ゼロ径方向成分と速度の軸方向成分とを有するイオンを前記第１のイオン誘導路から前記第２のイオン誘導路に移動させる、および／あるいは、
    （ｃ）速度の非ゼロ径方向成分と速度の軸方向成分とを有するイオンを前記第１のイオン誘導路から前記第２のイオン誘導路に移動させ、前記速度の軸方向成分に対する前記速度の径方向成分の比が、（ｉ）０．１未満の値、（ｉｉ）０．１から０．２の範囲の値、（ｉｉｉ）０．２から０．３の範囲の値、（ｉｖ）０．３から０．４の範囲の値、（ｖ）０．４から０．５の範囲の値、（ｖｉ）０．５から０．６の範囲の値、（ｖｉｉ）０．６から０．７の範囲の値、（ｖｉｉｉ）０．７から０．８の範囲の値、（ｉｘ）０．８から０．９の範囲の値、（ｘ）０．９から１．０の範囲の値、（ｘｉ）１．０から１．１の範囲の値、（ｘｉｉ）１．１から１．２の範囲の値、（ｘｉｉｉ）１．２から１．３の範囲の値、（ｘｉｖ）１．３から１．４の範囲の値、（ｘｖ）１．４から１．５の範囲の値、（ｘｖｉ）１．５から１．６の範囲の値、（ｘｖｉｉ）１．６から１．７の範囲の値、（ｘｖｉｉｉ）１．７から１．８の範囲の値、（ｘｉｘ）１．８から１．９の範囲の値、（ｘｘ）１．９から２．０の範囲の値、（ｘｘｉ）２．０から３．０の範囲の値、（ｘｘｉｉ）３．０から４．０の範囲の値、（ｘｘｉｉｉ）４．０から５．０の範囲の値、（ｘｘｉｖ）５．０から６．０の範囲の値、（ｘｘｖ）６．０から７．０の範囲の値、（ｘｘｖｉ）７．０から８．０の範囲の値、（ｘｘｖｉｉ）８．０から９．０の範囲の値、（ｘｘｖｉｉｉ）９．０から１０．０の範囲の値および（ｘｘｉｘ）１０．０より大きい値、からなる群から選択される、および／あるいは、
    （ｄ）前記第１のイオン誘導路と前記第２のイオン誘導路との間に配置される一つ以上の径方向疑似ポテンシャル障壁を超えてイオンを移動させることにより、イオンを前記第１のイオン誘導路から前記第２のイオン誘導路に移動させる、
    ように配置・構成される、
    イオンガイド装置。
  9. 前記いずれかの請求項に記載のイオンガイド装置であって、
    （ａ）前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイドの長さの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％に関して、前記第１のイオンガイドおよび前記第２のイオンガイドが互いに結合される、互いに統合される、互いに重なり合う、または、互いに開口する、および／あるいは、
    （ｂ）前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイドの長さの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％にわたって、前記第１のイオンガイドすなわち前記第１のイオン誘導路と前記第２のイオンガイドすなわち前記第２のイオン誘導路との間でイオンを径方向に移動させる、および／あるいは、
    （ｃ）前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイドの長さの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％に沿って、前記第１のイオンガイドすなわち前記第１のイオン誘導路を前記第２のイオンガイドすなわち前記第２のイオン誘導路から分離するように、使用時に、一つ以上の径方向または長手方向の疑似ポテンシャル障壁が形成される、および／あるいは、
    （ｄ）第１の疑似ポテンシャルの谷あるいは場が前記第１のイオンガイド内に形成され、第２の疑似ポテンシャルの谷あるいは場が前記第２のイオンガイド内に形成され、疑似ポテンシャル障壁により前記第１の疑似ポテンシャルの谷が前記第２の疑似ポテンシャルの谷から分離され、前記第１の疑似ポテンシャルの谷あるいは前記第２の疑似ポテンシャルの谷の何れかにより前記イオンガイド装置内で径方向にイオンが閉じ込められ、前記疑似ポテンシャル障壁を超えるように少なくとも一部のイオンを移動させる、および／あるいは、
    （ｅ）前記第１のイオンガイドと前記第２のイオンガイドとの間の重複割合あるいは開口割合は、一定に保持される、あるいは、前記第１のイオンガイドと前記第２のイオンガイドの長さ方向に沿って、変化する、増加する、減少する、段階的にまたは直線的に増加する、あるいは、段階的にまたは直線的に減少する、
    イオンガイド装置。
  10. 前記いずれかの請求項に記載のイオンガイド装置であって、
    （ａ）前記第１の複数の電極における一つ以上の電極、すなわち、前記第１の複数の電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％が、動作モード下で、（ｉ）±０Ｖから±１０Ｖの範囲の値、（ｉｉ）±１０Ｖから±２０Ｖの範囲の値、（ｉｉｉ）±２０Ｖから±３０Ｖの範囲の値、（ｉｖ）±３０Ｖから±４０Ｖの範囲の値、（ｖ）±４０Ｖから±５０Ｖの範囲の値、（ｖｉ）±５０Ｖから±６０Ｖの範囲の値、（ｖｉｉ）±６０Ｖから±７０Ｖの範囲の値、（ｖｉｉｉ）±７０Ｖから±８０Ｖの範囲の値、（ｉｘ）±８０Ｖから±９０Ｖの範囲の値、（ｘ）±９０Ｖから±１００Ｖの範囲の値、（ｘｉ）±１００Ｖから±１５０Ｖの範囲の値、（ｘｉｉ）±１５０Ｖから±２００Ｖの範囲の値、（ｘｉｉｉ）±２００Ｖから±２５０Ｖの範囲の値、（ｘｉｖ）±２５０Ｖから±３００Ｖの範囲の値、（ｘｖ）±３００Ｖから±３５０Ｖの範囲の値、（ｘｖｉ）±３５０Ｖから±４００Ｖの範囲の値、（ｘｖｉｉ）±４００Ｖから±４５０Ｖの範囲の値、（ｘｖｉｉｉ）±４５０Ｖから±５００Ｖの範囲の値、（ｘｉｘ）±５００Ｖから±５５０Ｖの範囲の値、（ｘｘ）±５５０Ｖから±６００Ｖの範囲の値、（ｘｘｉ）±６００Ｖから±６５０Ｖの範囲の値、（ｘｘｉｉ）±６５０Ｖから±７００Ｖの範囲の値、（ｘｘｉｉｉ）±７００Ｖから±７５０Ｖの範囲の値、（ｘｘｉｖ）±７５０Ｖから±８００Ｖの範囲の値、（ｘｘｖ）±８００Ｖから±８５０Ｖの範囲の値、（ｘｘｖｉ）±８５０Ｖから±９００Ｖの範囲の値、（ｘｘｖｉｉ）±９００Ｖから±９５０Ｖの範囲の値、（ｘｘｖｉｉｉ）±９５０Ｖから±１０００Ｖの範囲の値および（ｘｘｉｘ）±１０００Ｖより大きい値、からなる群から選択される第１の電位あるいは電圧に保持される、および／あるいは、
    （ｂ）前記第２の複数の電極における一つ以上の電極、すなわち、前記第２の複数の電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％が、動作モード下で、（ｉ）±０Ｖから±１０Ｖの範囲の値、（ｉｉ）±１０Ｖから±２０Ｖの範囲の値、（ｉｉｉ）±２０Ｖから±３０Ｖの範囲の値、（ｉｖ）±３０Ｖから±４０Ｖの範囲の値、（ｖ）±４０Ｖから±５０Ｖの範囲の値、（ｖｉ）±５０Ｖから±６０Ｖの範囲の値、（ｖｉｉ）±６０Ｖから±７０Ｖの範囲の値、（ｖｉｉｉ）±７０Ｖから±８０Ｖの範囲の値、（ｉｘ）±８０Ｖから±９０Ｖの範囲の値、（ｘ）±９０Ｖから±１００Ｖの範囲の値、（ｘｉ）±１００Ｖから±１５０Ｖの範囲の値、（ｘｉｉ）±１５０Ｖから±２００Ｖの範囲の値、（ｘｉｉｉ）±２００Ｖから±２５０Ｖの範囲の値、（ｘｉｖ）±２５０Ｖから±３００Ｖの範囲の値、（ｘｖ）±３００Ｖから±３５０Ｖの範囲の値、（ｘｖｉ）±３５０Ｖから±４００Ｖの範囲の値、（ｘｖｉｉ）±４００Ｖから±４５０Ｖの範囲の値、（ｘｖｉｉｉ）±４５０Ｖから±５００Ｖの範囲の値、（ｘｉｘ）±５００Ｖから±５５０Ｖの範囲の値、（ｘｘ）±５５０Ｖから±６００Ｖの範囲の値、（ｘｘｉ）±６００Ｖから±６５０Ｖの範囲の値、（ｘｘｉｉ）±６５０Ｖから±７００Ｖの範囲の値、（ｘｘｉｉｉ）±７００Ｖから±７５０Ｖの範囲の値、（ｘｘｉｖ）±７５０Ｖから±８００Ｖの範囲の値、（ｘｘｖ）±８００Ｖから±８５０Ｖの範囲の値、（ｘｘｖｉ）±８５０Ｖから±９００Ｖの範囲の値、（ｘｘｖｉｉ）±９００Ｖから±９５０Ｖの範囲の値、（ｘｘｖｉｉｉ）±９５０Ｖから±１０００Ｖの範囲の値および（ｘｘｉｘ）±１０００Ｖより大きい値、からなる群から選択される第２の電位あるいは電圧に保持される、および／あるいは、
    （ｃ）動作モード下で、前記第１の複数の電極における一つ以上の電極、すなわち、前記第１の複数の電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％と、前記第２の複数の電極における一つ以上の電極、すなわち、前記第２の複数の電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％との間の電位差が保持され、前記電位差が、（ｉ）±０Ｖから±１０Ｖの範囲の値、（ｉｉ）±１０Ｖから±２０Ｖの範囲の値、（ｉｉｉ）±２０Ｖから±３０Ｖの範囲の値、（ｉｖ）±３０Ｖから±４０Ｖの範囲の値、（ｖ）±４０Ｖから±５０Ｖの範囲の値、（ｖｉ）±５０Ｖから±６０Ｖの範囲の値、（ｖｉｉ）±６０Ｖから±７０Ｖの範囲の値、（ｖｉｉｉ）±７０Ｖから±８０Ｖの範囲の値、（ｉｘ）±８０Ｖから±９０Ｖの範囲の値、（ｘ）±９０Ｖから±１００Ｖの範囲の値、（ｘｉ）±１００Ｖから±１５０Ｖの範囲の値、（ｘｉｉ）±１５０Ｖから±２００Ｖの範囲の値、（ｘｉｉｉ）±２００Ｖから±２５０Ｖの範囲の値、（ｘｉｖ）±２５０Ｖから±３００Ｖの範囲の値、（ｘｖ）±３００Ｖから±３５０Ｖの範囲の値、（ｘｖｉ）±３５０Ｖから±４００Ｖの範囲の値、（ｘｖｉｉ）±４００Ｖから±４５０Ｖの範囲の値、（ｘｖｉｉｉ）±４５０Ｖから±５００Ｖの範囲の値、（ｘｉｘ）±５００Ｖから±５５０Ｖの範囲の値、（ｘｘ）±５５０Ｖから±６００Ｖの範囲の値、（ｘｘｉ）±６００Ｖから±６５０Ｖの範囲の値、（ｘｘｉｉ）±６５０Ｖから±７００Ｖの範囲の値、（ｘｘｉｉｉ）±７００Ｖから±７５０Ｖの範囲の値、（ｘｘｉｖ）±７５０Ｖから±８００Ｖの範囲の値、（ｘｘｖ）±８００Ｖから±８５０Ｖの範囲の値、（ｘｘｖｉ）±８５０Ｖから±９００Ｖの範囲の値、（ｘｘｖｉｉ）±９００Ｖから±９５０Ｖの範囲の値、（ｘｘｖｉｉｉ）±９５０Ｖから±１０００Ｖの範囲の値および（ｘｘｉｘ）±１０００Ｖより大きい値、からなる群から選択される、および／あるいは、
    （ｄ）前記第１の複数の電極における一つ以上の電極、すなわち、前記第１の複数の電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％が、使用時に、ほぼ同一の第１のＤＣ電圧に保持される、および／あるいは、
    （ｅ）前記第２の複数の電極における一つ以上の電極、すなわち、前記第２の複数の電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％が、使用時に、ほぼ同一の第２のＤＣ電圧に保持される、および／あるいは、
    （ｆ）前記第１の複数の電極および／あるいは前記第２の複数の電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％が、使用時に、ほぼ同一のＤＣ電圧またはＤＣバイアス電圧に保持される、あるいは実質的に異なるＤＣ電圧またはＤＣバイアス電圧に保持される、
    イオンガイド装置。
  11. 前記いずれかの請求項に記載のイオンガイド装置であって、
    前記第１のイオンガイドが第１の長手方向中心軸を備え、前記第２のイオンガイドが第２の長手方向中心軸を備え、
    （ｉ）前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイドの長さの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％に関して、前記第１の長手方向中心軸が、前記第２の長手方向中心軸に対して、ほぼ平行に配置される、および／あるいは、
    （ｉｉ）前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイドの長さの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％に関して、前記第１の長手方向中心軸が、前記第２の長手方向中心軸に対して、同一直線上にも同軸上にも配置されない、および／あるいは、
    （ｉｉｉ）前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイドの長さの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％に関して、前記第１の長手方向中心軸が、前記第２の長手方向中心軸に対して、一定の距離だけ離れて配置される、あるいは、等距離を保って配置される、および／あるいは、
    （ｉｖ）前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイドの長さの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％に関して、前記第１の長手方向中心軸が、前記第２の長手方向中心軸のミラーイメージである、および／あるいは、
    （ｖ）前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイドの長さの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％に関して、前記第１の長手方向中心軸が、前記第２の長手方向中心軸と平行に、および／あるいは、前記第２の長手方向中心軸に沿って、実質的に追跡・追従・ミラー配置・伸長する、および／あるいは、
    （ｖｉ）前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイドの長さの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％に関して、前記第１の長手方向中心軸が、前記第２の長手方向中心軸に向かって収束する、あるいは、前記第２の長手方向中心軸から離れて発散する、および／あるいは、
    （ｖｉｉ）前記第１の長手方向中心軸と前記第２の長手方向中心軸とが、Ｘ形状のあるいはＹ形状のカップラーあるいはスプリッターイオン誘導路を形成する、および／あるいは、
    （ｖｉｉｉ）前記第１のイオンガイドと前記第２のイオンガイドの間に一つ以上のクロスオーバー領域、セクション、あるいは接合部が配置され、前記第１のイオンガイドから前記第２のイオンガイドに少なくとも一部のイオンを移動させ、あるいは、移動するように誘導し、および／あるいは、前記第２のイオンガイドから前記第１のイオンガイドに少なくとも一部のイオンを移動させる、
    イオンガイド装置。
  12. 前記いずれかの請求項に記載のイオンガイド装置であって、
    第１の長手方向軸を有するような第１の疑似ポテンシャルの谷が使用時に前記第１のイオンガイド内に形成され、また、第２の長手方向軸を有するような第２の疑似ポテンシャルの谷が使用時に前記第２のイオンガイド内に形成され、
    （ｉ）前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイドの長さの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％に関して、前記第１の長手方向軸が、前記第２の長手方向軸に対して、ほぼ平行に配置される、および／あるいは、
    （ｉｉ）前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイドの長さの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％に関して、前記第１の長手方向軸が、前記第２の長手方向軸に対して、同一直線上にも同軸上にも配置されない、および／あるいは、
    （ｉｉｉ）前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイドの長さの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％に関して、前記第１の長手方向軸が、前記第２の長手方向軸に対して、一定の距離だけ離れて配置される、あるいは、等距離を保って配置される、および／あるいは、
    （ｉｖ）前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイドの長さの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％に関して、前記第１の長手方向軸が、前記第２の長手方向軸のミラーイメージである、および／あるいは、
    （ｖ）前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイドの長さの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％に関して、前記第１の長手方向軸が、前記第２の長手方向軸と平行に、および／あるいは、前記第２の長手方向軸に沿って、実質的に追跡・追従・ミラー配置・伸長する、および／あるいは、
    （ｖｉ）前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイドの長さの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％に関して、前記第１の長手方向軸が、前記第２の長手方向軸に向かって収束する、あるいは、前記第２の長手方向軸から離れて発散する、および／あるいは、
    （ｖｉｉ）前記第１の長手方向軸と前記第２の長手方向軸とが、Ｘ形状のあるいはＹ形状のカップラーあるいはスプリッターイオン誘導路を形成する、および／あるいは、
    （ｖｉｉｉ）前記第１のイオンガイドと前記第２のイオンガイドの間に一つ以上のクロスオーバー領域、セクション、あるいは接合部が配置され、前記第１のイオンガイドから前記第２のイオンガイドに少なくとも一部のイオンを移動させ、あるいは、移動するように誘導し、および／あるいは、前記第２のイオンガイドから前記第１のイオンガイドに少なくとも一部のイオンを移動させる、
    イオンガイド装置。
  13. 前記いずれかの請求項に記載のイオンガイド装置であって、
    （ａ）前記第１のイオンガイドが、第１の断面積を有するイオン誘導領域を備え、前記第２のイオンガイドが、第２の断面積を有するイオン誘導領域を備え、前記第１の断面積と前記第２の断面積とが、ほぼ同じである、あるいは、実質的に異なる、および／あるいは、
    （ｂ）前記第１のイオンガイドが、第１の断面積を有するイオン誘導領域を備え、前記第２のイオンガイドが、第２の断面積を有するイオン誘導領域を備え、前記第２の断面積に対する前記第１の断面積の比が、（ｉ）０．１未満の値、（ｉｉ）０．１から０．２の範囲の値、（ｉｉｉ）０．２から０．３の範囲の値、（ｉｖ）０．３から０．４の範囲の値、（ｖ）０．４から０．５の範囲の値、（ｖｉ）０．５から０．６の範囲の値、（ｖｉｉ）０．６から０．７の範囲の値、（ｖｉｉｉ）０．７から０．８の範囲の値、（ｉｘ）０．８から０．９の範囲の値、（ｘ）０．９から１．０の範囲の値、（ｘｉ）１．０から１．１の範囲の値、（ｘｉｉ）１．１から１．２の範囲の値、（ｘｉｉｉ）１．２から１．３の範囲の値、（ｘｉｖ）１．３から１．４の範囲の値、（ｘｖ）１．４から１．５の範囲の値、（ｘｖｉ）１．５から１．６の範囲の値、（ｘｖｉｉ）１．６から１．７の範囲の値、（ｘｖｉｉｉ）１．７から１．８の範囲の値、（ｘｉｘ）１．８から１．９の範囲の値、（ｘｘ）１．９から２．０の範囲の値、（ｘｘｉ）２．０から２．５の範囲の値、（ｘｘｉｉ）２．５から３．０の範囲の値、（ｘｘｉｉｉ）３．０から３．５の範囲の値、（ｘｘｉｖ）３．５から４．０の範囲の値、（ｘｘｖ）４．０から４．５の範囲の値、（ｘｘｖｉ）４．５から５．０の範囲の値、（ｘｘｖｉｉ）５．０から６．０の範囲の値、（ｘｘｖｉｉｉ）６．０から７．０の範囲の値、（ｘｘｉｘ）７．０から８．０の範囲の値、（ｘｘｘ）８．０から９．０の範囲の値、（ｘｘｘｉ）９．０から１０．０の範囲の値および（ｘｘｘｉｉ）１０．０より大きい値、からなる群から選択される、および／あるいは、
    （ｃ）前記第１のイオンガイドが、第１の断面積あるいは断面形状を有するイオン誘導領域を備え、前記第１の断面積あるいは断面形状が、前記第１のイオンガイドの長さの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％に沿って、変化・増加・減少あるいは変動する、および／あるいは、
    （ｄ）前記第２のイオンガイドが、第２の断面積あるいは断面形状を有するイオン誘導領域を備え、前記第２の断面積あるいは断面形状が、前記第２のイオンガイドの長さの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％に沿って、変化・増加・減少あるいは変動する、および／あるいは、
    （ｅ）前記第１のイオンガイドが、複数の軸方向セクションを備え、一つの軸方向セクションにおける第１の電極の断面積あるいは断面形状がほぼ同一あるいは異なり、別の軸方向セクションにおける第１の電極の断面積あるいは断面形状がほぼ同一あるいは異なる、および／あるいは、
    （ｆ）前記第２のイオンガイドが、複数の軸方向セクションを備え、一つの軸方向セクションにおける第２の電極の断面積あるいは断面形状がほぼ同一あるいは異なり、別の軸方向セクションにおける第２の電極の断面積あるいは断面形状がほぼ同一あるいは異なる、および／あるいは、
    （ｇ）前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイドが、ほぼ一定の、すなわち、ほぼ同一の断面積あるいは断面形状を備える、
    イオンガイド装置。
  14. 前記いずれかの請求項に記載のイオンガイド装置であって、
    前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイドが、
    （ｉ）前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイドが第１の断面積あるいは断面形状を備える、第１の軸方向セグメント、および／あるいは、
    （ｉｉ）前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイドが第２の断面積あるいは断面形状を備える、別の第２の軸方向セグメント、および／あるいは、
    （ｉｉｉ）前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイドが第３の断面積あるいは断面形状を備える、別の第３の軸方向セグメント、および／あるいは、
    （ｉｖ）前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイドが第４の断面積あるいは断面形状を備える、別の第４の軸方向セグメント、
    を備え、
    前記第１、前記第２、前記第３および前記第４の断面積あるいは断面形状は、ほぼ同一である、あるいは、異なる、
    イオンガイド装置。
  15. 前記いずれかの請求項に記載のイオンガイド装置であって、
    前記イオンガイド装置が、
    （ｉ）リニアイオンガイド装置あるいはイオン誘導装置、および／あるいは、
    （ｉｉ）開ループイオンガイド装置あるいはイオン誘導装置、および／あるいは、
    （ｉｉｉ）閉ループイオンガイド装置あるいはイオン誘導装置、および／あるいは、
    （ｉｖ）ヘリカル、トロイダル、部分トロイダル、ヘミトロイダル、セミトロイダル、またはスパイラルイオンガイド装置あるいはイオン誘導装置、および／あるいは、
    （ｖ）曲線状、迷路状、曲がりくねった、蛇行した、円形の、渦巻形のイオンガイド路またはイオン誘導路を備えるイオンガイド装置あるいはイオン誘導装置、
    を形成するように配置・構成される、
    イオンガイド装置。
  16. 前記いずれかの請求項に記載のイオンガイド装置であって、
    前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイドが、ｎ個の軸方向セグメントを備え、あるいは、ｎ個の別個の軸方向セグメントに分割され、ここで、ｎは、（ｉ）１から１０の範囲の値、（ｉｉ）１１から２０の範囲の値、（ｉｉｉ）２１から３０の範囲の値、（ｉｖ）３１から４０の範囲の値、（ｖ）４１から５０の範囲の値、（ｖｉ）５１から６０の範囲の値、（ｖｉｉ）６１から７０の範囲の値、（ｖｉｉｉ）７１から８０の範囲の値、（ｉｘ）８１から９０の範囲の値、（ｘ）９１から１００の範囲の値および（ｘｉ）１００より大きい値、からなる群から選択される値であり、
    （ａ）各軸方向セグメントが、１個、２個、３個、４個、５個、６個、７個、８個、９個、１０個、１１個、１２個、１３個、１４個、１５個、１６個、１７個、１８個、１９個、２０個、あるいは、それ以上の数の電極を備える、および／あるいは、
    （ｂ）前記軸方向セグメントの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％の軸長が、（ｉ）１ｍｍ未満の値、（ｉｉ）１ｍｍから２ｍｍの範囲の値、（ｉｉｉ）２ｍｍから３ｍｍの範囲の値、（ｉｖ）３ｍｍから４ｍｍの範囲の値、（ｖ）４ｍｍから５ｍｍの範囲の値、（ｖｉ）５ｍｍから６ｍｍの範囲の値、（ｖｉｉ）６ｍｍから７ｍｍの範囲の値、（ｖｉｉｉ）７ｍｍから８ｍｍの範囲の値、（ｉｘ）８ｍｍから９ｍｍの範囲の値、（ｘ）９ｍｍから１０ｍｍの範囲の値および（ｘｉ）１０ｍｍより大きい値、からなる群から選択される、および／あるいは、
    （ｃ）前記軸方向セグメントの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％の間の軸方向間隔が、（ｉ）１ｍｍ未満の値、（ｉｉ）１ｍｍから２ｍｍの範囲の値、（ｉｉｉ）２ｍｍから３ｍｍの範囲の値、（ｉｖ）３ｍｍから４ｍｍの範囲の値、（ｖ）４ｍｍから５ｍｍの範囲の値、（ｖｉ）５ｍｍから６ｍｍの範囲の値、（ｖｉｉ）６ｍｍから７ｍｍの範囲の値、（ｖｉｉｉ）７ｍｍから８ｍｍの範囲の値、（ｉｘ）８ｍｍから９ｍｍの範囲の値、（ｘ）９ｍｍから１０ｍｍの範囲の値および（ｘｉ）１０ｍｍより大きい値、からなる群から選択される、
    イオンガイド装置。
  17. 前記いずれかの請求項に記載のイオンガイド装置であって、
    前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイドが、
    （ａ）（ｉ）２０ｍｍ未満の値、（ｉｉ）２０ｍｍから４０ｍｍの範囲の値、（ｉｉｉ）４０ｍｍから６０ｍｍの範囲の値、（ｉｖ）６０ｍｍから８０ｍｍの範囲の値、（ｖ）８０ｍｍから１００ｍｍの範囲の値、（ｖｉ）１００ｍｍから１２０ｍｍの範囲の値、（ｖｉｉ）１２０ｍｍから１４０ｍｍの範囲の値、（ｖｉｉｉ）１４０ｍｍから１６０ｍｍの範囲の値、（ｉｘ）１６０ｍｍから１８０ｍｍの範囲の値、（ｘ）１８０ｍｍから２００ｍｍの範囲の値および（ｘｉ）２００ｍｍより大きい値、からなる群から選択される長さを有する、および／あるいは、
    （ｂ）少なくとも（ｉ）１０個から２０個の範囲の数の電極、（ｉｉ）２０個から３０個の範囲の数の電極、（ｉｉｉ）３０個から４０個の範囲の数の電極、（ｉｖ）４０個から５０個の範囲の数の電極、（ｖ）５０個から６０個の範囲の数の電極、（ｖｉ）６０個から７０個の範囲の数の電極、（ｖｉｉ）７０個から８０個の範囲の数の電極、（ｖｉｉｉ）８０個から９０個の範囲の数の電極、（ｉｘ）９０個から１００個の範囲の数の電極、（ｘ）１００個から１１０個の範囲の数の電極、（ｘｉ）１１０個から１２０個の範囲の数の電極、（ｘｉｉ）１２０個から１３０個の範囲の数の電極、（ｘｉｉｉ）１３０個から１４０個の範囲の数の電極、（ｘｉｖ）１４０個から１５０個の範囲の数の電極、あるいは、（ｘｖ）１５０個より多い数の電極、を備える、
    イオンガイド装置。
  18. 前記いずれかの請求項に記載のイオンガイド装置であって、
    さらに、前記第１の複数の電極および／あるいは前記第２の複数の電極の少なくとも一部に第１のＡＣ電圧またはＲＦ電圧を印加する第１のＡＣ電圧またはＲＦ電圧源を備え、
    （ａ）前記第１のＡＣ電圧またはＲＦ電圧は、
    （ｉ）５０Ｖより小さいピークピーク値（ｐｅａｋ ｔｏ ｐｅａｋ）、（ｉｉ）５０Ｖから１００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｉｉｉ）１００Ｖから１５０Ｖ の範囲のピークピーク値、（ｉｖ）１５０Ｖから２００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｖ）２００Ｖから２５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｖｉ）２５０Ｖから３００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｖｉｉ）３００Ｖから３５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｖｉｉｉ）３５０Ｖから４００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｉｘ） ４００Ｖから４５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘ）４５０Ｖから５００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｉ）５００Ｖから５５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｘｉｉ）５５０Ｖから６００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｘｉｉｉ）６００Ｖから６５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｘｉｖ）６５０Ｖから７００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｘｖ）７００Ｖから７５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｘｖｉ）７５０Ｖから８００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｘｖｉｉ）８００Ｖから８５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｘｖｉｉｉ）８５０Ｖから９００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｘｉｘ）９００Ｖから９５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｘｘ）９５０Ｖから１０００Ｖの範囲のピークピーク値、および（ｘｘｘｉ）１０００Ｖより大きいピークピーク値、からなる群から選択される振幅を有する、および／あるいは、
    （ｂ）前記第１のＡＣ電圧またはＲＦ電圧は、
    （ｉ）１００ｋＨｚより小さな値、（ｉｉ）１００から２００ｋＨｚの範囲の値、（ｉｉｉ）２００から３００ｋＨｚの範囲の値、（ｉｖ）３００から４００ｋＨｚの範囲の値、（ｖ）４００から５００ｋＨｚの範囲の値、（ｖｉ）０．５から１．０ＭＨｚの範囲の値、（ｖｉｉ）１．０から１．５ＭＨｚの範囲の値、（ｖｉｉｉ）１．５から２．０ＭＨｚの範囲の値、（ｉｘ）２．０から２．５ＭＨｚの範囲の値、（ｘ）２．５から３．０ＭＨｚの範囲の値、（ｘｉ）３．０から３．５ＭＨｚの範囲の値、（ｘｉｉ）３．５から４．０ＭＨｚの範囲の値、（ｘｉｉｉ）４．０から４．５ＭＨｚの範囲の値、（ｘｉｖ）４．５から５．０ＭＨｚの範囲の値、（ｘｖ）５．０から５．５ＭＨｚの範囲の値、（ｘｖｉ）５．５から６．０ＭＨｚの範囲の値、（ｘｖｉｉ）６．０から６．５ＭＨｚの範囲の値、（ｘｖｉｉｉ）６．５から７．０ＭＨｚの範囲の値、（ｘｉｘ）７．０から７．５ＭＨｚの範囲の値、（ｘｘ）７．５から８．０ＭＨｚの範囲の値、（ｘｘｉ）８．０から８．５ＭＨｚの範囲の値、（ｘｘｉｉ）８．５から９．０ＭＨｚの範囲の値、（ｘｘｉｉｉ）９．０から９．５ＭＨｚの範囲の値、（ｘｘｉｖ）９．５から１０．０ＭＨｚの範囲の値、および（ｘｘｖ）１０．０ＭＨｚより大きな値、からなる群から選択される周波数を有する、および／あるいは、
    （ｃ）前記第１のＡＣ電圧またはＲＦ電圧源は、前記第１の複数の電極の少なくとも１％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、または１００％に、および／あるいは、前記第１の複数の電極のうち少なくとも１個、２個、３個、４個、５個、６個、７個、８個、９個、１０個、１１個、１２個、１３個、１４個、１５個、１６個、１７個、１８個、１９個、２０個、２１個、２２個、２３個、２４個、２５個、２６個、２７個、２８個、２９個、３０個、３１個、３２個、３３個、３４個、３５個、３６個、３７個、３８個、３９個、４０個、４１個、４２個、４３個、４４個、４５個、４６個、４７個、４８個、４９個、５０個、あるいはそれ以上の数の電極に、前記第１のＡＣ電圧またはＲＦ電圧を印加するように構成される、および／あるいは、
    （ｄ）前記第１のＡＣ電圧またはＲＦ電圧源は、前記第２の複数の電極の少なくとも１％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、または１００％に、および／あるいは、前記第２の複数の電極のうち少なくとも１個、２個、３個、４個、５個、６個、７個、８個、９個、１０個、１１個、１２個、１３個、１４個、１５個、１６個、１７個、１８個、１９個、２０個、２１個、２２個、２３個、２４個、２５個、２６個、２７個、２８個、２９個、３０個、３１個、３２個、３３個、３４個、３５個、３６個、３７個、３８個、３９個、４０個、４１個、４２個、４３個、４４個、４５個、４６個、４７個、４８個、４９個、５０個、あるいはそれ以上の数の電極に、前記第１のＡＣ電圧またはＲＦ電圧を印加するように構成される、および／あるいは、
    （ｅ）前記第１のＡＣ電圧またはＲＦ電圧源は、前記第１の複数の電極のうち隣接または近接する電極に、逆位相の前記第１のＡＣ電圧またはＲＦ電圧を供給するように構成される、および／あるいは、
    （ｆ）前記第１のＡＣ電圧またはＲＦ電圧源は、前記第２の複数の電極のうち隣接または近接する電極に、逆位相の前記第１のＡＣ電圧またはＲＦ電圧を供給するように構成される、および／あるいは、
    （ｇ）前記第１のＡＣ電圧またはＲＦ電圧は、前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイド内で径方向にイオンを閉じ込めるように作用する一つ以上の径方向疑似ポテンシャル井戸を生成する、
    イオンガイド装置。
  19. 請求項１８に記載のイオンガイド装置であって、
    さらに、期間ｔ1にわたって、前記第１のＡＣ電圧またはＲＦ電圧の振幅を、ｘ1ボルトだけ、漸次増大させる、漸次減少させる、漸次変動させる、スキャンする、直線的に増加させる、直線的に減少させる、段階的、漸進的または他の方法で増大させる、あるいは、段階的、漸進的または他の方法で減少させるように配置・構成される第３の装置を備え、
    （ａ）ｘ1は、
    （ｉ）５０Ｖより小さいピークピーク値（ｐｅａｋ ｔｏ ｐｅａｋ）、（ｉｉ）５０Ｖから１００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｉｉｉ）１００Ｖから１５０Ｖ の範囲のピークピーク値、（ｉｖ）１５０Ｖから２００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｖ）２００Ｖから２５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｖｉ）２５０Ｖから３００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｖｉｉ）３００Ｖから３５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｖｉｉｉ）３５０Ｖから４００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｉｘ） ４００Ｖから４５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘ）４５０Ｖから５００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｉ）５００Ｖから５５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｘｉｉ）５５０Ｖから６００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｘｉｉｉ）６００Ｖから６５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｘｉｖ）６５０Ｖから７００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｘｖ）７００Ｖから７５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｘｖｉ）７５０Ｖから８００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｘｖｉｉ）８００Ｖから８５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｘｖｉｉｉ）８５０Ｖから９００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｘｉｘ）９００Ｖから９５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｘｘ）９５０Ｖから１０００Ｖの範囲のピークピーク値、および（ｘｘｘｉ）１０００Ｖより大きいピークピーク値、からなる群から選択される、および／あるいは、
    （ｂ）ｔ1は、
    （ｉ）１ミリ秒より短い値、（ｉｉ）１から１０ミリ秒の範囲の値、（ｉｉｉ）１０から２０ミリ秒の範囲の値、（ｉｖ）２０から３０ミリ秒の範囲の値、（ｖ）３０から４０ミリ秒の範囲の値、（ｖｉ）４０から５０ミリ秒の範囲の値、（ｖｉｉ）５０から６０ミリ秒の範囲の値、（ｖｉｉｉ）６０から７０ミリ秒の範囲の値、（ｉｘ）７０から８０ミリ秒の範囲の値、（ｘ）８０から９０ミリ秒の範囲の値、（ｘｉ）９０から１００ミリ秒の範囲の値、（ｘｉｉ）１００から２００ミリ秒の範囲の値、（ｘｉｉｉ）２００から３００ミリ秒の範囲の値、（ｘｉｖ）３００から４００ミリ秒の範囲の値、（ｘｖ）４００から５００ミリ秒の範囲の値、（ｘｖｉ）５００から６００ミリ秒の範囲の値、（ｘｖｉｉ）６００から７００ミリ秒の範囲の値、（ｘｖｉｉｉ）７００から８００ミリ秒の範囲の値、（ｘｉｘ）８００から９００ミリ秒の範囲の値、（ｘｘ）９００から１０００ミリ秒の範囲の値、（ｘｘｉ）１から２秒の範囲の値、（ｘｘｉｉ）２から３秒の範囲の値、（ｘｘｉｉｉ）３から４秒の範囲の値、（ｘｘｉｖ）４から５秒の範囲の値、および（ｘｘｖ）５秒より長い値、からなる群から選択される、
    イオンガイド装置。
  20. 前記いずれかの請求項に記載のイオンガイド装置であって、
    使用時に、前記第１のイオンガイドの軸長の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、あるいは９５％に沿って、一つ以上の第１の軸方向時間平均または疑似ポテンシャル障壁、コルゲーションまたは井戸が形成される、
    イオンガイド装置。
  21. 前記いずれかの請求項に記載のイオンガイド装置であって、
    さらに、前記第１の複数の電極および／あるいは前記第２の複数の電極の少なくとも一部に第２のＡＣ電圧またはＲＦ電圧を印加する第２のＡＣ電圧またはＲＦ電圧源を備え、
    （ａ）前記第２のＡＣ電圧またはＲＦ電圧は、
    （ｉ）５０Ｖより小さいピークピーク値（ｐｅａｋ ｔｏ ｐｅａｋ）、（ｉｉ）５０Ｖから１００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｉｉｉ）１００Ｖから１５０Ｖ の範囲のピークピーク値、（ｉｖ）１５０Ｖから２００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｖ）２００Ｖから２５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｖｉ）２５０Ｖから３００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｖｉｉ）３００Ｖから３５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｖｉｉｉ）３５０Ｖから４００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｉｘ） ４００Ｖから４５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘ）４５０Ｖから５００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｉ）５００Ｖから５５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｘｉｉ）５５０Ｖから６００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｘｉｉｉ）６００Ｖから６５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｘｉｖ）６５０Ｖから７００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｘｖ）７００Ｖから７５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｘｖｉ）７５０Ｖから８００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｘｖｉｉ）８００Ｖから８５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｘｖｉｉｉ）８５０Ｖから９００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｘｉｘ）９００Ｖから９５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｘｘ）９５０Ｖから１０００Ｖの範囲のピークピーク値、および（ｘｘｘｉ）１０００Ｖより大きいピークピーク値、からなる群から選択される振幅を有する、および／あるいは、
    （ｂ）前記第２のＡＣ電圧またはＲＦ電圧は、
    （ｉ）１００ｋＨｚより小さな値、（ｉｉ）１００から２００ｋＨｚの範囲の値、（ｉｉｉ）２００から３００ｋＨｚの範囲の値、（ｉｖ）３００から４００ｋＨｚの範囲の値、（ｖ）４００から５００ｋＨｚの範囲の値、（ｖｉ）０．５から１．０ＭＨｚの範囲の値、（ｖｉｉ）１．０から１．５ＭＨｚの範囲の値、（ｖｉｉｉ）１．５から２．０ＭＨｚの範囲の値、（ｉｘ）２．０から２．５ＭＨｚの範囲の値、（ｘ）２．５から３．０ＭＨｚの範囲の値、（ｘｉ）３．０から３．５ＭＨｚの範囲の値、（ｘｉｉ）３．５から４．０ＭＨｚの範囲の値、（ｘｉｉｉ）４．０から４．５ＭＨｚの範囲の値、（ｘｉｖ）４．５から５．０ＭＨｚの範囲の値、（ｘｖ）５．０から５．５ＭＨｚの範囲の値、（ｘｖｉ）５．５から６．０ＭＨｚの範囲の値、（ｘｖｉｉ）６．０から６．５ＭＨｚの範囲の値、（ｘｖｉｉｉ）６．５から７．０ＭＨｚの範囲の値、（ｘｉｘ）７．０から７．５ＭＨｚの範囲の値、（ｘｘ）７．５から８．０ＭＨｚの範囲の値、（ｘｘｉ）８．０から８．５ＭＨｚの範囲の値、（ｘｘｉｉ）８．５から９．０ＭＨｚの範囲の値、（ｘｘｉｉｉ）９．０から９．５ＭＨｚの範囲の値、（ｘｘｉｖ）９．５から１０．０ＭＨｚの範囲の値、および（ｘｘｖ）１０．０ＭＨｚより大きな値、からなる群から選択される周波数を有する、および／あるいは、
    （ｃ）前記第２のＡＣ電圧またはＲＦ電圧源は、前記第１の複数の電極の少なくとも１％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、または１００％に、および／あるいは、前記第１の複数の電極のうち少なくとも１個、２個、３個、４個、５個、６個、７個、８個、９個、１０個、１１個、１２個、１３個、１４個、１５個、１６個、１７個、１８個、１９個、２０個、２１個、２２個、２３個、２４個、２５個、２６個、２７個、２８個、２９個、３０個、３１個、３２個、３３個、３４個、３５個、３６個、３７個、３８個、３９個、４０個、４１個、４２個、４３個、４４個、４５個、４６個、４７個、４８個、４９個、５０個、あるいはそれ以上の数の電極に、前記第２のＡＣ電圧またはＲＦ電圧を印加するように構成される、および／あるいは、
    （ｄ）前記第１のＡＣ電圧またはＲＦ電圧源は、前記第２の複数の電極の少なくとも１％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、または１００％に、および／あるいは、前記第２の複数の電極のうち少なくとも１個、２個、３個、４個、５個、６個、７個、８個、９個、１０個、１１個、１２個、１３個、１４個、１５個、１６個、１７個、１８個、１９個、２０個、２１個、２２個、２３個、２４個、２５個、２６個、２７個、２８個、２９個、３０個、３１個、３２個、３３個、３４個、３５個、３６個、３７個、３８個、３９個、４０個、４１個、４２個、４３個、４４個、４５個、４６個、４７個、４８個、４９個、５０個、あるいはそれ以上の数の電極に、前記第２のＡＣ電圧またはＲＦ電圧を印加するように構成される、および／あるいは、
    （ｅ）前記第２のＡＣ電圧またはＲＦ電圧源は、前記第１の複数の電極のうち隣接または近接する電極に、逆位相の前記第２のＡＣ電圧またはＲＦ電圧を供給するように構成される、および／あるいは、
    （ｆ）前記第２のＡＣ電圧またはＲＦ電圧源は、前記第２の複数の電極のうち隣接または近接する電極に、逆位相の前記第２のＡＣ電圧またはＲＦ電圧を供給するように構成される、および／あるいは、
    （ｇ）前記第２のＡＣ電圧またはＲＦ電圧は、前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイド内で径方向にイオンを閉じ込めるように作用する一つ以上の径方向疑似ポテンシャル井戸を生成する、
    イオンガイド装置。
  22. 請求項２１に記載のイオンガイド装置であって、
    さらに、期間ｔ2にわたって、前記第２のＡＣ電圧またはＲＦ電圧の振幅を、ｘ2ボルトだけ、漸次増大させる、漸次減少させる、漸次変動させる、スキャンする、直線的に増加させる、直線的に減少させる、段階的、漸進的または他の方法で増大させる、あるいは、段階的、漸進的または他の方法で減少させるように配置・構成される第４の装置を備え、
    （ａ）ｘ2は、
    （ｉ）５０Ｖより小さいピークピーク値（ｐｅａｋ ｔｏ ｐｅａｋ）、（ｉｉ）５０Ｖから１００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｉｉｉ）１００Ｖから１５０Ｖ の範囲のピークピーク値、（ｉｖ）１５０Ｖから２００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｖ）２００Ｖから２５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｖｉ）２５０Ｖから３００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｖｉｉ）３００Ｖから３５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｖｉｉｉ）３５０Ｖから４００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｉｘ） ４００Ｖから４５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘ）４５０Ｖから５００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｉ）５００Ｖから５５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｘｉｉ）５５０Ｖから６００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｘｉｉｉ）６００Ｖから６５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｘｉｖ）６５０Ｖから７００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｘｖ）７００Ｖから７５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｘｖｉ）７５０Ｖから８００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｘｖｉｉ）８００Ｖから８５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｘｖｉｉｉ）８５０Ｖから９００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｘｉｘ）９００Ｖから９５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｘｘ）９５０Ｖから１０００Ｖの範囲のピークピーク値、および（ｘｘｘｉ）１０００Ｖより大きいピークピーク値、からなる群から選択される、および／あるいは、
    （ｂ）ｔ2は、
    （ｉ）１ミリ秒より短い値、（ｉｉ）１から１０ミリ秒の範囲の値、（ｉｉｉ）１０から２０ミリ秒の範囲の値、（ｉｖ）２０から３０ミリ秒の範囲の値、（ｖ）３０から４０ミリ秒の範囲の値、（ｖｉ）４０から５０ミリ秒の範囲の値、（ｖｉｉ）５０から６０ミリ秒の範囲の値、（ｖｉｉｉ）６０から７０ミリ秒の範囲の値、（ｉｘ）７０から８０ミリ秒の範囲の値、（ｘ）８０から９０ミリ秒の範囲の値、（ｘｉ）９０から１００ミリ秒の範囲の値、（ｘｉｉ）１００から２００ミリ秒の範囲の値、（ｘｉｉｉ）２００から３００ミリ秒の範囲の値、（ｘｉｖ）３００から４００ミリ秒の範囲の値、（ｘｖ）４００から５００ミリ秒の範囲の値、（ｘｖｉ）５００から６００ミリ秒の範囲の値、（ｘｖｉｉ）６００から７００ミリ秒の範囲の値、（ｘｖｉｉｉ）７００から８００ミリ秒の範囲の値、（ｘｉｘ）８００から９００ミリ秒の範囲の値、（ｘｘ）９００から１０００ミリ秒の範囲の値、（ｘｘｉ）１から２秒の範囲の値、（ｘｘｉｉ）２から３秒の範囲の値、（ｘｘｉｉｉ）３から４秒の範囲の値、（ｘｘｉｖ）４から５秒の範囲の値、および（ｘｘｖ）５秒より長い値、からなる群から選択される、
    イオンガイド装置。
  23. 前記いずれかの請求項に記載のイオンガイド装置であって、
    使用時に、前記第２のイオンガイドの軸長の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、あるいは９５％に沿って、一つ以上の第２の軸方向時間平均または疑似ポテンシャル障壁、コルゲーションまたは井戸が形成される、
    イオンガイド装置。
  24. 前記いずれかの請求項に記載のイオンガイド装置であって、
    使用時に、前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイドの一つ以上のセクションまたは部分にわたって、あるいは、一つ以上のセクションまたは部分に沿って、軸方向および／あるいは径方向の非ゼロＤＣ電圧勾配が保持される、
    イオンガイド装置。
  25. 前記いずれかの請求項に記載のイオンガイド装置であって、
    さらに、前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイドの長さあるいはイオン誘導路の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％に沿った、または、周囲の上流および／あるいは下流にイオンを駆動または誘導する装置を備え、
    前記装置が、
    （ｉ）前記第１の複数の電極および／あるいは前記第２の複数の電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％に一つ以上の過渡ＤＣ電圧または電位あるいは過渡ＤＣ電圧波形または電位波形を印加することにより、前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイドの軸長の少なくとも１％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、または１００％に沿って下流および／あるいは上流に少なくとも一部のイオンを誘導する装置、および／あるいは、
    （ｉｉ）前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイドを形成する電極に２つ以上の位相シフトＡＣ電圧またはＲＦ電圧を印加することにより、前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイドの軸長の少なくとも１％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、または１００％に沿って下流および／あるいは上流に少なくとも一部のイオンを誘導するように配置・構成される装置、および／あるいは、
    （ｉｉｉ）前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイドを形成する電極に一つ以上のＤＣ電圧を印加することにより、前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイドの軸長の少なくとも１％、５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、または１００％に沿って下流および／あるいは上流に少なくとも一部のイオンを誘導・駆動する効果を有する、軸方向および／あるいは径方向のＤＣ電圧勾配を生成または形成するように配置・構成される装置、
    を備える、
    イオンガイド装置。
  26. 請求項２５に記載のイオンガイド装置であって、
    さらに、期間ｔ3にわたって、前記一つ以上の過渡ＤＣ電圧または電位あるいは過渡ＤＣ電圧波形または電位波形の振幅、高さ、あるいは深さをｘ3ボルトだけ、漸次増大させる、漸次減少させる、漸次変動させる、スキャンする、直線的に増加させる、直線的に減少させる、段階的、漸進的または他の方法で増大させる、あるいは、段階的、漸進的または他の方法で減少させるように配置・構成される第５の装置を備え、
    ここで、ｘ3は、
    （ｉ）０．１Ｖ未満の値、（ｉｉ）０．１Ｖから０．２Ｖの範囲の値、（ｉｉｉ）０．２Ｖから０．３Ｖの範囲の値、（ｉｖ）０．３Ｖから０．４Ｖの範囲の値、（ｖ）０．４Ｖから０．５Ｖの範囲の値、（ｖｉ）０．５Ｖから０．６Ｖの範囲の値、（ｖｉｉ）０．６Ｖから０．７Ｖの範囲の値、（ｖｉｉｉ）０．７Ｖから０．８Ｖの範囲の値、（ｉｘ）０．８Ｖから０．９Ｖの範囲の値、（ｘ）０．９Ｖから１．０Ｖの範囲の値、（ｘｉ）１．０Ｖから１．５Ｖの範囲の値、（ｘｉｉ）１．５Ｖから２．０Ｖの範囲の値、（ｘｉｉｉ）２．０Ｖから２．５Ｖの範囲の値、（ｘｉｖ）２．５Ｖから３．０Ｖの範囲の値、（ｘｖ）３．０Ｖから３．５Ｖの範囲の値、（ｘｖｉ）３．５Ｖから４．０Ｖの範囲の値、（ｘｖｉｉ）４．０Ｖから４．５Ｖの範囲の値、（ｘｖｉｉｉ）４．５Ｖから５．０Ｖの範囲の値、（ｘｉｘ）５．０Ｖから５．５Ｖの範囲の値、（ｘｘ）５．５Ｖから６．０Ｖの範囲の値、（ｘｘｉ）６．０Ｖから６．５Ｖの範囲の値、（ｘｘｉｉ）６．５Ｖから７．０Ｖの範囲の値、（ｘｘｉｉｉ）７．０Ｖから７．５Ｖの範囲の値、（ｘｘｉｖ）７．５Ｖから８．０Ｖの範囲の値、（ｘｘｖ）８．０Ｖから８．５Ｖの範囲の値、（ｘｘｖｉ）８．５Ｖから９．０Ｖの範囲の値、（ｘｘｖｉｉ）９．０Ｖから９．５Ｖの範囲の値、（ｘｘｖｉｉｉ）９．５Ｖから１０．０Ｖの範囲の値および（ｘｘｉｘ）１０．０Ｖより大きい値、からなる群から選択される、および／あるいは、
    ｔ3は、
    （ｉ）１ミリ秒より短い値、（ｉｉ）１から１０ミリ秒の範囲の値、（ｉｉｉ）１０から２０ミリ秒の範囲の値、（ｉｖ）２０から３０ミリ秒の範囲の値、（ｖ）３０から４０ミリ秒の範囲の値、（ｖｉ）４０から５０ミリ秒の範囲の値、（ｖｉｉ）５０から６０ミリ秒の範囲の値、（ｖｉｉｉ）６０から７０ミリ秒の範囲の値、（ｉｘ）７０から８０ミリ秒の範囲の値、（ｘ）８０から９０ミリ秒の範囲の値、（ｘｉ）９０から１００ミリ秒の範囲の値、（ｘｉｉ）１００から２００ミリ秒の範囲の値、（ｘｉｉｉ）２００から３００ミリ秒の範囲の値、（ｘｉｖ）３００から４００ミリ秒の範囲の値、（ｘｖ）４００から５００ミリ秒の範囲の値、（ｘｖｉ）５００から６００ミリ秒の範囲の値、（ｘｖｉｉ）６００から７００ミリ秒の範囲の値、（ｘｖｉｉｉ）７００から８００ミリ秒の範囲の値、（ｘｉｘ）８００から９００ミリ秒の範囲の値、（ｘｘ）９００から１０００ミリ秒の範囲の値、（ｘｘｉ）１から２秒の範囲の値、（ｘｘｉｉ）２から３秒の範囲の値、（ｘｘｉｉｉ）３から４秒の範囲の値、（ｘｘｉｖ）４から５秒の範囲の値、および（ｘｘｖ）５秒より長い値、からなる群から選択される、
    イオンガイド装置。
  27. 請求項２６に記載のイオンガイド装置であって、
    さらに、期間ｔ4にわたって、前記電極に前記一つ以上の過渡ＤＣ電圧または電位あるいは過渡ＤＣ電圧波形または電位波形を印加する速度すなわち変化率をｘ4ｍ／ｓだけ、漸次増大させる、漸次減少させる、漸次変動させる、スキャンする、直線的に増加させる、直線的に減少させる、段階的、漸進的または他の方法で増大させる、あるいは、段階的、漸進的または他の方法で減少させるように配置・構成される第６の装置を備え、
    ここで、ｘ4は、
    （ｉ）１未満の値、（ｉｉ）１から２の範囲の値、（ｉｉｉ）２から３の範囲の値、（ｉｖ）３から４の範囲の値、（ｖ）４から５の範囲の値、（ｖｉ）５から６の範囲の値、（ｖｉｉ）６から７の範囲の値、（ｖｉｉｉ）７から８の範囲の値、（ｉｘ）８から９の範囲の値、（ｘ）９から１０の範囲の値、（ｘｉ）１０から１１の範囲の値、（ｘｉｉ）１１から１２の範囲の値、（ｘｉｉｉ）１２から１３の範囲の値、（ｘｉｖ）１３から１４の範囲の値、（ｘｖ）１４から１５の範囲の値、（ｘｖｉ）１５から１６の範囲の値、（ｘｖｉｉ）１６から１７の範囲の値、（ｘｖｉｉｉ）１７から１８の範囲の値、（ｘｉｘ）１８から１９の範囲の値、（ｘｘ）１９から２０の範囲の値、（ｘｘｉ）２０から３０の範囲の値、（ｘｘｉｉ）３０から４０の範囲の値、（ｘｘｉｉｉ）４０から５０の範囲の値、（ｘｘｉｖ）５０から６０の範囲の値、（ｘｘｖ）６０から７０の範囲の値、（ｘｘｖｉ）７０から８０の範囲の値、（ｘｘｖｉｉ）８０から９０の範囲の値、（ｘｘｖｉｉｉ）９０から１００の範囲の値、（ｘｘｉｘ）１００から１５０の範囲の値、（ｘｘｘ）１５０から２００の範囲の値、（ｘｘｘｉ）２００から２５０の範囲の値、（ｘｘｘｉｉ）２５０から３００の範囲の値、（ｘｘｘｉｉｉ）３００から３５０の範囲の値、（ｘｘｘｉｖ）３５０から４００の範囲の値、（ｘｘｘｖ）４００から４５０の範囲の値、（ｘｘｘｖｉ）４５０から５００の範囲の値および（ｘｘｘｖｉｉ）５００より大きい値、からなる群から選択される、および／あるいは、
    ｔ4は、
    （ｉ）１ミリ秒より短い値、（ｉｉ）１から１０ミリ秒の範囲の値、（ｉｉｉ）１０から２０ミリ秒の範囲の値、（ｉｖ）２０から３０ミリ秒の範囲の値、（ｖ）３０から４０ミリ秒の範囲の値、（ｖｉ）４０から５０ミリ秒の範囲の値、（ｖｉｉ）５０から６０ミリ秒の範囲の値、（ｖｉｉｉ）６０から７０ミリ秒の範囲の値、（ｉｘ）７０から８０ミリ秒の範囲の値、（ｘ）８０から９０ミリ秒の範囲の値、（ｘｉ）９０から１００ミリ秒の範囲の値、（ｘｉｉ）１００から２００ミリ秒の範囲の値、（ｘｉｉｉ）２００から３００ミリ秒の範囲の値、（ｘｉｖ）３００から４００ミリ秒の範囲の値、（ｘｖ）４００から５００ミリ秒の範囲の値、（ｘｖｉ）５００から６００ミリ秒の範囲の値、（ｘｖｉｉ）６００から７００ミリ秒の範囲の値、（ｘｖｉｉｉ）７００から８００ミリ秒の範囲の値、（ｘｉｘ）８００から９００ミリ秒の範囲の値、（ｘｘ）９００から１０００ミリ秒の範囲の値、（ｘｘｉ）１から２秒の範囲の値、（ｘｘｉｉ）２から３秒の範囲の値、（ｘｘｉｉｉ）３から４秒の範囲の値、（ｘｘｉｖ）４から５秒の範囲の値、および（ｘｘｖ）５秒より長い値、からなる群から選択される、
    イオンガイド装置。
  28. 前記いずれかの請求項に記載のイオンガイド装置であって、
    さらに、前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイドの長さあるいはイオン誘導路の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％または１００％に沿った非ゼロの一定ＤＣ電圧勾配を保持するように構成される手段を備える、
    イオンガイド装置。
  29. 前記いずれかの請求項に記載のイオンガイド装置であって、
    前記第２の装置が、前記第１のイオン誘導路または前記第１のイオンガイドから前記第２のイオン誘導路または前記第２のイオンガイドに、および／あるいは、前記第２のイオン誘導路または前記第２のイオンガイドから前記第１のイオン誘導路または前記第１のイオンガイドに、質量選択的に、あるいは、質量電荷比選択的に、イオンを移動させるように、配置・構成される、
    イオンガイド装置。
  30. 請求項２９に記載のイオンガイド装置であって、
    前記第１のイオン誘導路から前記第２のイオン誘導路への、および／あるいは、前記第２のイオン誘導路から前記第１のイオン誘導路への質量選択的あるいは質量電荷比選択的なイオンの移動に影響を与えるパラメータを、漸次増大させる、漸次減少させる、漸次変動させる、スキャンする、直線的に増加させる、直線的に減少させる、段階的、漸進的または他の方法で増大させる、あるいは、段階的、漸進的または他の方法で減少させる、
    イオンガイド装置。
  31. 請求項３０に記載のイオンガイド装置であって、
    前記パラメータが、
    （ｉ）使用時に、前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイドの一つ以上のセクションまたは部分にわたって、あるいは、一つ以上のセクションまたは部分に沿って保持される軸方向および／あるいは径方向のＤＣ電圧勾配と、
    （ｉｉ）前記第１の複数の電極および／あるいは前記第２の複数の電極の少なくとも一部あるいはほぼ全部に印加される一つ以上のＡＣ電圧またはＲＦ電圧と、
    からなる群から選択される、
    イオンガイド装置。
  32. 前記いずれかの請求項に記載のイオンガイド装置であって、
    前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイドが、特定の時間に、少なくとも１個、２個、３個、４個、５個、６個、７個、８個、９個、１０個、１１個、１２個、１３個、１４個、１５個、１６個、１７個、１８個、１９個または２０個の別々のイオンパケットを前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイド内に閉じ込める、および／あるいは、隔離するように、イオンビームあるいはイオン群を受け取り、前記イオンビームあるいはイオン群を変換または分割するように配置・構成され、前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイドに形成される別々の軸方向ポテンシャル井戸に、各イオンパケットが閉じ込められる、および／あるいは、隔離される、
    イオンガイド装置。
  33. 前記いずれかの請求項に記載のイオンガイド装置であって、
    （ａ）前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイドの一つ以上の部分が、イオン移動度分光器あるいは分離器部分、セクションまたは段を含み、前記イオン移動度分光器あるいは分離器部分、セクションまたは段におけるイオン移動度に従ってイオンを時間的に分離する、および／あるいは、
    （ｂ）前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイドの一つ以上の部分が、電界非対称性イオン移動度分光器（ＦＡＩＭＳ）部分、セクションまたは段を含み、前記電界非対称性イオン移動度分光器（ＦＡＩＭＳ）部分、セクションまたは段における電界強度に対するイオン移動度の変化率に従ってイオンを時間的に分離する、および／あるいは、
    （ｃ）使用時に、緩衝ガスを前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイドの一つ以上の部分内に供給する、および／あるいは、
    （ｄ）動作モード下で、前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイドの一部あるいは領域内における気体分子との相互作用によって、断片化されることなく、衝突で冷却されるようにイオンを配置する、および／あるいは、
    （ｅ）動作モード下で、前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイドの一部あるいは領域内における気体分子との相互作用によって、加熱されるようにイオンを配置する、および／あるいは、
    （ｆ）動作モード下で、前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイドの一部あるいは領域内における気体分子との相互作用によって、断片化されるようにイオンを配置する、および／あるいは、
    （ｇ）動作モード下で、前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイドの一部あるいは領域内における気体分子との相互作用によって、開裂するように、あるいは、少なくとも部分的に開裂するように、イオンを配置する、および／あるいは、
    （ｈ）前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイドの一部あるいは領域内で軸方向にイオンを捕獲する、
    イオンガイド装置。
  34. 前記いずれかの請求項に記載のイオンガイド装置であって、
    前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイドが、さらに、衝突装置、フラグメンテーション（断片化）装置あるいは反応装置を備え、動作モード下で、
    （ｉ）衝突誘起解離（Ｃｏｌｌｉｓｉｏｎａｌ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｄｉｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ：ＣＩＤ）と、（ｉｉ）表面誘起解離（Ｓｕｒｆａｃｅ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｄｉｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ：ＳＩＤ）と、（ｉｉｉ）電子移動解離（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｄｉｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ：ＥＴＤ）と、（ｉｖ）電子捕獲解離（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｃａｐｔｕｒｅ Ｄｉｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ：ＥＣＤ）と、（ｖ）電子衝突または衝撃解離と、（ｖｉ）光誘起解離（Ｐｈｏｔｏ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｄｉｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ：ＰＩＤ）と、（ｖｉｉ）レーザー誘起解離と、（ｖｉｉｉ）赤外線誘起解離と、（ｉｘ）紫外線誘起解離と、（ｘ）熱解離または温度解離と、（ｘｉ）電場誘起解離と、（ｘｉｉ）磁場誘起解離と、（ｘｉｉｉ）酵素消化または酵素分解解離と、（ｘｉｖ）イオン−イオン反応解離と、（ｘｖ）イオン−分子反応解離と、（ｘｖｉ）イオン−原子反応解離と、（ｘｖｉｉ）イオン−準安定イオン反応解離と、（ｘｖｉｉｉ）イオン−準安定分子反応解離と、（ｘｉｘ）イオン−準安定原子反応解離と、（ｘｘ）電子イオン化解離（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ Ｄｉｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ：ＥＩＤ）と、
    のいずれかの手法により、前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイド内で断片化（フラグメンテーション）されるようにイオンを配置する、
    イオンガイド装置。
  35. 前記いずれかの請求項に記載のイオンガイド装置であって、さらに、
    （ｉ）前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイド内にイオンを入射する装置、および／あるいは、
    （ｉｉ）前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイド内にイオンを入射する装置であって、１個、２個、３個、あるいはそれ以上の数の個別のイオン誘導チャンネルまたは入射イオン誘導領域を備え、前記イオン誘導チャンネルまたは入射イオン誘導領域を介して前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイド内にイオンを入射する装置、および／あるいは、
    （ｉｉｉ）前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイド内にイオンを入射する装置であって、複数の電極を備え、各電極が、１個、２個、３個、あるいはそれ以上の数の孔を有する装置、および／あるいは、
    （ｉｖ）前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイド内にイオンを入射する装置であって、一つ以上の偏向電極を備え、使用時に、前記一つ以上の偏向電極に一つ以上の電圧を印加することによって、一つ以上のイオン誘導チャンネルまたは入射イオン誘導領域から前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイド内にイオンを誘導する装置、
    を備える、
    イオンガイド装置。
  36. 前記いずれかの請求項に記載のイオンガイド装置であって、さらに、
    （ｉ）前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイドからイオンを放出する装置、および／あるいは、
    （ｉｉ）前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイドからイオンを放出する装置であって、１個、２個、３個、あるいはそれ以上の数の個別のイオン誘導チャンネルまたは放出イオン誘導領域を備え、前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイドから前記イオン誘導チャンネルまたは放出イオン誘導領域にイオンを放出する装置、および／あるいは、
    （ｉｉｉ）前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイドからイオンを放出する装置であって、複数の電極を備え、各電極が、１個、２個、３個、あるいはそれ以上の数の孔を有する装置、および／あるいは、
    （ｉｖ）前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイドからイオンを放出する装置であって、一つ以上の偏向電極を備え、使用時に、前記一つ以上の偏向電極に一つ以上の電圧を印加することによって、前記イオンガイドから一つ以上のイオン誘導チャンネルまたは放出イオン誘導領域にイオンを誘導する装置、
    を備える、
    イオンガイド装置。
  37. 前記いずれかの請求項に記載のイオンガイド装置であって、さらに、
    （ａ）動作モード下で、前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイドの少なくとも一部を、（ｉ）１．０×１０-3ｍｂ（ミリバール）より高い値、（ｉｉ）１．０×１０-2ｍｂより高い値、（ｉｉｉ）１．０×１０-1ｍｂより高い値、（ｉｖ）１ｍｂより高い値、（ｖ）１０ｍｂより高い値、（ｖｉ）１００ｍｂより高い値、（ｖｉｉ）５．０×１０-3ｍｂより高い値、（ｖｉｉｉ）５．０×１０-2ｍｂより高い値、（ｉｘ）１０-4ｍｂから１０-3ｍｂの範囲の値、（ｘ）１０-3ｍｂから１０-2ｍｂの範囲の値および（ｘｉ）１０-2ｍｂから１０-1ｍｂの範囲の値、からなる群から選択される圧力に保持する装置、および／あるいは、
    （ｂ）動作モード下で、前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイドの少なくとも長さＬを圧力Ｐに保持する装置であって、積Ｐ×Ｌが、（ｉ）１．０×１０-3ｍｂ・ｃｍ以上の値、（ｉｉ）１．０×１０-2ｍｂ・ｃｍ以上の値、（ｉｉｉ）１．０×１０-1ｍｂ・ｃｍ以上の値、（ｉｖ）１ｍｂ・ｃｍ以上の値、（ｖ）１０ｍｂ・ｃｍ以上の値、（ｖｉ）１０2ｍｂ・ｃｍ以上の値、（ｖｉｉ）１０3ｍｂ・ｃｍ以上の値、（ｖｉｉｉ）１０4ｍｂ・ｃｍ以上の値および（ｉｘ）１０5ｍｂ・ｃｍ以上の値、からなる群から選択される装置、および／あるいは、
    （ｃ）動作モード下で、前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイドを、（ｉ）１００ｍｂより高い値、（ｉｉ）１０ｍｂより高い値、（ｉｉｉ）１ｍｂより高い値、（ｉｖ）０．１ｍｂより高い値、（ｖ）１０-2ｍｂより高い値、（ｖｉ）１０-3ｍｂより高い値、（ｖｉｉ）１０-4ｍｂより高い値、（ｖｉｉｉ）１０-5ｍｂより高い値、（ｉｘ）１０-6ｍｂより高い値、（ｘ）１００ｍｂより低い値、（ｘｉ）１０ｍｂより低い値、（ｘｉｉ）１ｍｂより低い値、（ｘｉｉｉ）０．１ｍｂより低い値、（ｘｉｖ）１０-2ｍｂより低い値、（ｘｖ）１０-3ｍｂより低い値、（ｘｖｉ）１０-4ｍｂより低い値、（ｘｖｉｉ）１０-5ｍｂより低い値、（ｘｖｉｉｉ）１０-6ｍｂより低い値、（ｘｉｘ）１０ｍｂから１００ｍｂの範囲の値、（ｘｘ）１ｍｂから１０ｍｂの範囲の値、（ｘｘｉ）０．１ｍｂから１ｍｂの範囲の値、（ｘｘｉｉ）１０-2ｍｂから１０-1ｍｂの範囲の値、（ｘｘｉｉｉ）１０-3ｍｂから１０-2の範囲の値、（ｘｘｉｖ）１０-4ｍｂから１０-3ｍｂの範囲の値および（ｘｘｖ）１０-5ｍｂから１０-4ｍｂの範囲の値、からなる群から選択される圧力に保持する装置、
    を備える、
    イオンガイド装置。
  38. 前記いずれかの請求項に記載のイオンガイド装置を備える質量分析計。
  39. 請求項３８記載の質量分析計であって、さらに、
    （ａ）前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイドの上流に配置されるイオン源であって、
    （ｉ）エレクトロスプレーイオン化（Ｅｌｅｃｔｒｏｓｐｒａｙ ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ：ＥＳＩ）イオン源と、（ｉｉ）大気圧光イオン化（Ａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｐｈｏｔｏ Ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ：ＡＰＰＩ）イオン源と、（ｉｉｉ）大気圧化学イオン化（Ａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ：ＡＰＣＩ）イオン源と、（ｉｖ）マトリックス支援レーザー脱離イオン化（Ｍａｔｒｉｘ Ａｓｓｉｓｔｅｄ Ｌａｓｅｒ Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ Ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ：ＭＡＬＤＩ）イオン源と、（ｖ）レーザー脱離イオン化（Ｌａｓｅｒ Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ Ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ：ＬＤＩ）イオン源と、（ｖｉ）大気圧イオン化（Ａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ：ＡＰＩ）イオン源と、（ｖｉｉ）シリコンを用いた脱離イオン化（Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ Ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ ｏｎ Ｓｉｌｉｃｏｎ：ＤＩＯＳ）イオン源と、（ｖｉｉｉ）電子衝撃（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉｍｐａｃｔ：ＥＩ）イオン源と、（ｉｘ）化学イオン化（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ：ＣＩ）イオン源と、（ｘ）電界イオン化（Ｆｉｅｌｄ Ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ：ＦＩ）イオン源と、（ｘｉ）電界脱離（Ｆｉｅｌｄ Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ：ＦＤ）イオン源と、（ｘｉｉ）誘導結合プラズマ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ：ＩＣＰ）イオン源と、（ｘｉｉｉ）高速原子衝撃（Ｆａｓｔ Ａｔｏｍ Ｂｏｍｂａｒｄｍｅｎｔ：ＦＡＢ）イオン源と、（ｘｉｖ）液体二次イオン質量分析（Ｌｉｑｕｉｄ Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ：ＬＳＩＭＳ）イオン源と、（ｘｖ）脱離エレクトロスプレーイオン化（Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｓｐｒａｙ Ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ：ＤＥＳＩ）イオン源と、（ｘｖｉ）ニッケル６３放射性イオン源と、（ｘｖｉｉ）大気圧マトリックス支援レーザー脱離イオン化イオン源と、（ｘｖｉｉｉ）サーモスプレーイオン源と、
    からなる群から選択されるイオン源、および／あるいは、
    （ｂ）連続イオン源またはパルスイオン源、および／あるいは、
    （ｃ）前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイドの上流および／あるいは下流に配置される一つ以上のイオンガイド、および／あるいは、
    （ｄ）前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイドの上流および／あるいは下流に配置される一つ以上のイオン移動度分離装置および／あるいは一つ以上の電界非対称性イオン移動度分光装置、および／あるいは、
    （ｅ）前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイドの上流および／あるいは下流に配置される一つ以上のイオントラップまたは一つ以上のイオン捕獲領域、および／あるいは、
    （ｆ）前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイドの上流および／あるいは下流に配置される一つ以上の衝突セル、フラグメンテーション（断片化）セルまたは反応セルであって、
    （ｉ）衝突誘起解離（Ｃｏｌｌｉｓｉｏｎａｌ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｄｉｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ：ＣＩＤ）フラグメンテーション装置と、（ｉｉ）表面誘起解離（Ｓｕｒｆａｃｅ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｄｉｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ：ＳＩＤ）フラグメンテーション装置と、（ｉｉｉ）電子移動解離（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｄｉｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ：ＥＴＤ）フラグメンテーション装置と、（ｉｖ）電子捕獲解離（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｃａｐｔｕｒｅ Ｄｉｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ：ＥＣＤ）フラグメンテーション装置と、（ｖ）電子衝突または電子衝撃解離フラグメンテーション装置と、（ｖｉ）光誘起解離（Ｐｈｏｔｏ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｄｉｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ：ＰＩＤ）フラグメンテーション装置と、（ｖｉｉ）レーザー誘起解離フラグメンテーション装置と、（ｖｉｉｉ）赤外線誘起解離装置と、（ｉｘ）紫外線誘起解離装置と、（ｘ）ノズル・スキマー・インターフェース・フラグメンテーション装置と、（ｘｉ）インソースフラグメンテーション装置と、（ｘｉｉ）イオン源衝突誘起解離フラグメンテーション装置と、（ｘｉｉｉ）熱源または温度源フラグメンテーション装置と、（ｘｉｖ）電場誘起フラグメンテーション装置と、（ｘｖ）磁場誘起フラグメンテーション装置と、（ｘｖｉ）酵素消化または酵素分解フラグメンテーション装置と、（ｘｖｉｉ）イオン−イオン反応フラグメンテーション装置と、（ｘｖｉｉｉ）イオン−分子反応フラグメンテーション装置と、（ｘｉｘ）イオン−原子反応フラグメンテーション装置と、（ｘｘ）イオン−準安定イオン反応フラグメンテーション装置と、（ｘｘｉ）イオン−準安定分子反応フラグメンテーション装置と、（ｘｘｉｉ）イオン−準安定原子反応フラグメンテーション装置と、（ｘｘｉｉｉ）イオンの反応により付加イオンあるいはプロダクトイオンを形成するイオン−イオン反応装置と、（ｘｘｉｖ）イオンの反応により付加イオンあるいはプロダクトイオンを形成するイオン−分子反応装置と、（ｘｘｖ）イオンの反応により付加イオンあるいはプロダクトイオンを形成するイオン−原子反応装置と、（ｘｘｖｉ）イオンの反応により付加イオンあるいはプロダクトイオンを形成するイオン−準安定イオン反応装置と、（ｘｘｖｉｉ）イオンの反応により付加イオンあるいはプロダクトイオンを形成するイオン−準安定分子反応装置と、（ｘｘｖｉｉｉ）イオンの反応により付加イオンあるいはプロダクトイオンを形成するイオン−準安定原子反応装置と、（ｘｘｉｘ）電子イオン化解離（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉｏｎｉｓａｔｉｏｎ Ｄｉｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ：ＥＩＤ）フラグメンテーション装置と、
    からなる群から選択される一つ以上の衝突セル、フラグメンテーションセルまたは反応セル、および／あるいは、
    （ｇ）（ｉ）四重極質量分析器と、（ｉｉ）２次元またはリニア四重極質量分析器と、（ｉｉｉ）ポール（Ｐａｕｌ）トラップ型または３次元四重極質量分析器と、（ｉｖ）ペニング（Ｐｅｎｎｉｎｇ）トラップ型質量分析器と、（ｖ）イオントラップ型質量分析器と、（ｖｉ）磁場型質量分析器と、（ｖｉｉ）イオンサイクロトロン共鳴（Ｉｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ：ＩＣＲ）質量分析器と、（ｖｉｉｉ）フーリエ変換イオンサイクロトロン共鳴（Ｆｏｕｒｉｅｒ Ｔｒａｎｓｆｏｒｍ Ｉｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ：ＦＴＩＣＲ）質量分析器と、（ｉｘ）静電またはオービトラップ型質量分析器と、（ｘ）フーリエ変換静電またはオービトラップ型質量分析器と、（ｘｉ）フーリエ変換質量分析器と、（ｘｉｉ）飛行時間型質量分析器と、（ｘｉｉｉ）直交加速飛行時間型質量分析器と、（ｘｉｖ）線形加速飛行時間型質量分析器と、
    からなる群から選択される質量分析器、および／あるいは、
    （ｈ）前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイドの上流および／あるいは下流に配置される一つ以上のエネルギー分析器または静電エネルギー分析器、および／あるいは、
    （ｈ）前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイドの上流および／あるいは下流に配置される一つ以上のイオン検出器、および／あるいは、
    （ｉ）前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイドの上流および／あるいは下流に配置される一つ以上のマスフィルターであって、（ｉ）四重極マスフィルターと、（ｉｉ）２次元またはリニア四重極イオントラップと、（ｉｉｉ）ポール（Ｐａｕｌ）型または３次元四重極イオントラップと、（ｉｖ）ペニング（Ｐｅｎｎｉｎｇ）型イオントラップと、（ｖ）イオントラップと、（ｖｉ）磁場型マスフィルターと、（ｖｉｉ）飛行時間型マスフィルターと、（ｖｉｉｉ）ウィーン（Ｗｅｉｎ）フィルターと、からなる群から選択される一つ以上のマスフィルター、および／あるいは、
    （ｊ）前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイド内でイオンをパルス状にする装置またはイオンゲート、および／あるいは、
    （ｋ）ほぼ連続的なイオンビームをパルス状のイオンビームに変換する装置、
    を備える、
    質量分析計。
  40. 請求項３８または３９に記載の質量分析計であって、
    さらに、
    Ｃ型トラップと、
    オービトラップ質量分析器と、を備え、
    第１動作モード下では、イオンは前記Ｃ型トラップに導入された後、前記オービトラップ質量分析器に入射され、
    第２動作モード下では、イオンは前記Ｃ型トラップに続いて衝突セルに導入されて、少なくとも一部のイオンがフラグメントイオンに断片化され、断片化されたフラグメントイオンは、前記Ｃ型トラップに導入された後、前記オービトラップ質量分析器に入射される、
    質量分析計。
  41. 第１の複数の電極を有する第１のイオンガイドと第２の複数の電極を有する第２のイオンガイドとを備えるイオンガイド装置を含む質量分析計の制御システムにより実行されるコンピュータプログラムであって、
    前記制御システムにより、
    （ｉ）第１のイオン誘導路と第２のイオン誘導路との間の前記イオンガイド装置の長さ方向に沿った一つ以上の地点に、一つ以上の疑似ポテンシャル障壁を形成して、
    （ｉｉ）前記一つ以上の疑似ポテンシャル障壁を超えるようにイオンを誘導することによって、前記第１のイオン誘導路から前記第２のイオン誘導路にイオンを移動させる、
    ように構成されるコンピュータプログラム。
  42. コンピュータにより実行可能な命令が記憶されるコンピュータ読み取り可能な媒体であって、
    第１の複数の電極を有する第１のイオンガイドと第２の複数の電極を有する第２のイオンガイドとを備えるイオンガイド装置を含む質量分析計の制御システムにより、前記命令が実行可能なように構成され、
    前記命令に従って、前記制御システムが、
    （ｉ）第１のイオン誘導路と第２のイオン誘導路との間の前記イオンガイド装置の長さ方向に沿った一つ以上の地点に、一つ以上の疑似ポテンシャル障壁を形成して、
    （ｉｉ）前記一つ以上の疑似ポテンシャル障壁を超えるようにイオンを誘導することによって、前記第１のイオン誘導路から前記第２のイオン誘導路にイオンを移動させる、
    コンピュータ読み取り可能な媒体。
  43. 請求項４２に記載のコンピュータ読み取り可能な媒体であって、
    （ｉ）ＲＯＭ、（ｉｉ）ＥＡＲＯＭ、（ｉｉｉ）ＥＰＲＯＭ、（ｉｖ）ＥＥＰＲＯＭ、（ｖ）フラッシュメモリ、および（ｖｉ）光ディスクからなる群から選択される、
    コンピュータ読み取り可能な媒体。
  44. イオン誘導方法であって、
    第１の複数の電極を備える第１のイオンガイドであって、第１のイオンガイドに沿って、あるいは、第１のイオンガイド内に第１のイオン誘導路が形成される第１のイオンガイドを準備する工程と、
    第２の複数の電極を備える第２のイオンガイドであって、第２のイオンガイドに沿って、あるいは、第２のイオンガイド内に別の第２のイオン誘導路が形成される第２のイオンガイドを準備する工程と、
    前記第１のイオン誘導路と前記第２のイオン誘導路との間の前記イオンガイド装置の長さ方向に沿った一つ以上の地点に、一つ以上の疑似ポテンシャル障壁を形成する工程と、
    前記一つ以上の疑似ポテンシャル障壁を超えるようにイオンを誘導することによって、前記第１のイオン誘導路から前記第２のイオン誘導路にイオンを移動させる工程と、
    を備えるイオン誘導方法。
  45. 請求項４４記載のイオン誘導方法を備える質量分析法。
  46. 並列に結合される２つ以上のイオンガイドを備えるイオンガイド装置。
  47. 請求項４６に記載のイオンガイド装置であって、
    前記並列に結合される２つ以上のイオンガイドが、第１のイオンガイドと第２のイオンガイドとを備え、前記第１のイオンガイドおよび／あるいは前記第２のイオンガイドが、
    （ｉ）使用時にイオンを透過させる少なくとも一つの孔をそれぞれ有する複数の電極を備えるイオントンネルイオンガイドと、
    （ｉｉ）複数のロッド電極を備えるロッドセットイオンガイドと、
    （ｉｉｉ）使用時に通常イオンが移動する平面内に配置される複数の平板電極を備える積層平板イオンガイドと、
    からなる群から選択される、
    イオンガイド装置。
  48. 請求項４６または４７に記載のイオンガイド装置であって、
    さらに、
    一つ以上の径方向または長手方向の疑似ポテンシャル障壁を超えて、前記結合イオンガイド間でイオンを移動させるように構成される装置を備える、
    イオンガイド装置。
  49. イオン誘導方法であって、
    並列に結合される２つ以上のイオンガイドを備えるイオンガイド装置に沿ってイオンを誘導する工程を備える、
    イオン誘導方法。
  50. 請求項４９に記載のイオン誘導方法であって、
    さらに、
    一つ以上の径方向または長手方向の疑似ポテンシャル障壁を超えて、前記結合イオンガイド間でイオンを移動させる工程を備える、
    イオン誘導方法。
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