JP2012028305A - Organic electroluminescent element, exposure head, cartridge, and image forming apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、有機電界発光素子、露光ヘッド、カートリッジ、及び画像形成装置に関する。 The present invention relates to an organic electroluminescent element, an exposure head, a cartridge, and an image forming apparatus.
有機電界発光素子は、電極の間に有機発光材料を含む発光層を設け、電極間に電圧を印加することによって発光層内に正孔、電子を注入し、これら電荷(キャリア)が再結合することにより発光する電荷注入型の発光素子である。 In an organic electroluminescent element, a light-emitting layer containing an organic light-emitting material is provided between electrodes, and by applying a voltage between the electrodes, holes and electrons are injected into the light-emitting layer, and these charges (carriers) recombine. This is a charge injection type light emitting element that emits light.
例えば、特許文献1には、「アノード電極、EL層及び金属層を形成後、集光レーザビームの焦点をアノード電極のEL層側境界面から金属層の外側境界面までに位置させつつ集光レーザビームを走査して、少なくともEL層及び金属層の一部を切削してアノード電極と交差する複数の帯状EL層及び帯状カソード電極を互いに平行に形成するカソード電極形成工程とを含む有機電界発光素子の製造方法」について開示されている。 For example, Patent Document 1 states that “after the anode electrode, the EL layer, and the metal layer are formed, the focused laser beam is focused while being positioned from the EL layer side boundary surface of the anode electrode to the outer boundary surface of the metal layer. Organic electroluminescence including a cathode electrode forming step of scanning a laser beam to cut at least a part of the EL layer and the metal layer to form a plurality of strip-like EL layers and strip-like cathode electrodes intersecting with the anode electrode in parallel with each other An element manufacturing method "is disclosed.
また、特許文献2には、「EL発光層形成後に形成される一対の電極のうちの上部電極は、硫酸イオンを含むエッチング液を用いたエッチング法によってパターン形成されることを特徴とする有機電界発光素子の製造方法」について開示されている。 Patent Document 2 states that “an upper electrode of a pair of electrodes formed after the formation of an EL light-emitting layer is patterned by an etching method using an etchant containing sulfate ions. The manufacturing method of the light emitting element "is disclosed.
また、特許文献3には、「透明な基板表面に透明な電極材料が所定のパターンで形成された透明電極と、この透明電極上に他の所定パターン形成された絶縁体と、有機EL材料からなる発光層と、上記発光層に積層され上記透明電極に対向して形成されるとともに上記絶縁体上で互いに分離されて所定のパターンに絶縁された背面電極とからなる有機EL素子」について開示されている。 Patent Document 3 states that “a transparent electrode in which a transparent electrode material is formed in a predetermined pattern on a transparent substrate surface, an insulator in which another predetermined pattern is formed on the transparent electrode, and an organic EL material. An organic EL device comprising: a light emitting layer comprising: a light emitting layer; and a back electrode formed on the light emitting layer so as to face the transparent electrode and separated from each other on the insulator and insulated in a predetermined pattern. ing.
本発明の課題は、開口を有する絶縁層の当該開口内に正孔注入層を設けた場合に比べ、発光プロファイルの歪みが抑制された有機電界発光素子を提供することである。 The subject of this invention is providing the organic electroluminescent element by which distortion of the light emission profile was suppressed compared with the case where a positive hole injection layer is provided in the said opening of the insulating layer which has an opening.
上記課題は、以下の手段により解決される。即ち、
請求項1に係る発明は、
陰極及び陽極と、
前記陰極と陽極との間に設けられた発光層と、
前記陽極と発光層との間に設けられた正孔注入層と、
前記陰極と正孔注入層との間に設けられ、開口を有する絶縁層と、
を備える有機電界発光素子。
The above problem is solved by the following means. That is,
The invention according to claim 1
A cathode and an anode;
A light emitting layer provided between the cathode and the anode;
A hole injection layer provided between the anode and the light emitting layer;
An insulating layer provided between the cathode and the hole injection layer and having an opening;
An organic electroluminescent device comprising:
請求項2に係る発明は、
前記正孔注入層の比抵抗が、10000Ωcm以下である請求項1に記載の有機電界発光素子。
The invention according to claim 2
The organic electroluminescence device according to claim 1, wherein the specific resistance of the hole injection layer is 10,000 Ωcm or less.
請求項3に係る発明は、
前記正孔注入層が、ポリスチレンスルホン酸(PSS)をドープした3,4−エチレンジオキシ−ポリチオフェン(PEDOT)を含んで構成された請求項1又は2に記載の有機電界発光素子。
The invention according to claim 3
The organic electroluminescent device according to claim 1, wherein the hole injection layer comprises 3,4-ethylenedioxy-polythiophene (PEDOT) doped with polystyrene sulfonic acid (PSS).
請求項4に係る発明は、
前記正孔注入層が、下記一般式(I−1)及び(I−2)のいずれかで表わされる構造の1種以上を繰り返し単位の部分構造として含有し、下記一般式(II)、(III)、(IV)及び(V)のいずれかで表わされる電荷輸送性高分子と、電子受容性アクセプタと、を含んで構成された請求項1又は2に記載の有機電界発光素子。
The invention according to claim 4
The hole injection layer contains one or more of the structures represented by any one of the following general formulas (I-1) and (I-2) as a partial structure of a repeating unit, and the following general formulas (II), ( The organic electroluminescent device according to claim 1 or 2, comprising a charge transporting polymer represented by any one of III), (IV) and (V) and an electron accepting acceptor.
(一般式(I−1)及び(I−2)中、Arは、置換もしくは未置換の1価の芳香環、置換もしくは未置換の芳香環数2以上10以下の1価の多核芳香環、又は置換もしくは未置換の芳香環数2以上10以下の1価の縮合芳香環を表す。Xは、置換又は未置換の2価の芳香族基を表す。k、及びlはそれぞれ独立に0又は1を表す。Tは、炭素数1以上10以下の直鎖状の2価の炭化水素基、又は炭素数1以上10以下の分枝状の2価の炭化水素基を表す。) (In the general formulas (I-1) and (I-2), Ar represents a substituted or unsubstituted monovalent aromatic ring, a monovalent polynuclear aromatic ring having 2 to 10 substituted or unsubstituted aromatic rings, Or a substituted or unsubstituted monovalent fused aromatic ring having 2 to 10 aromatic rings, X represents a substituted or unsubstituted divalent aromatic group, k and l are each independently 0 or 1 represents T. T represents a linear divalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms or a branched divalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms.
(一般式(II)、(III)、(IV)及び(V)中、Aは、一般式(I−1)又は(I−2)を表す。Bは、−O−(Y’−O)m’−、又はZ’を表す。Y、Y’、Z、及びZ’は、それぞれ独立に2価の炭化水素基を表す。m、及びm’は、それぞれ独立に1以上5以下の整数を表す。nは、0又は1を表す。pは、5以上500以下の整数を表す。qは、1以上5000以下の整数を表す。rは、1以上3500以下の整数を表す。) (In the general formulas (II), (III), (IV) and (V), A represents the general formula (I-1) or (I-2). B represents —O— (Y′—O). ) m '-, or Z' .Y representing a, Y ', Z, and Z' each independently represents a divalent hydrocarbon group .m, and m ', the 1 to 5 independently Represents an integer, n represents 0 or 1. p represents an integer of 5 to 500. q represents an integer of 1 to 5000. r represents an integer of 1 to 3500.)
請求項5に係る発明は、
前記絶縁層の厚みが、前記発光層よりも薄い請求項1〜4のいずれか1項に記載の有機電界発光素子。
The invention according to claim 5
The organic electroluminescent element of any one of Claims 1-4 in which the thickness of the said insulating layer is thinner than the said light emitting layer.
請求項6に係る発明は、
請求項1〜5のいずれか1項に記載の有機電界発光素子で構成された発光部を有する発光基板と、
前記発光部からの発光を光入射面から入射すると共に光出射面から出射して予め定められた位置に結像させる結像部と、
を備える露光ヘッド。
The invention according to claim 6
A light-emitting substrate having a light-emitting portion composed of the organic electroluminescent element according to any one of claims 1 to 5,
An image forming unit that causes light emitted from the light emitting unit to be incident from a light incident surface and emitted from the light emitting surface to form an image at a predetermined position;
An exposure head comprising:
請求項7に係る発明は、
請求項6に記載の露光ヘッドを備え、
画像形成装置に着脱するカートリッジ。
The invention according to claim 7 provides:
An exposure head according to claim 6,
A cartridge to be attached to and detached from the image forming apparatus.
請求項8に係る発明は、
潜像を保持する潜像保持体と、
前記潜像保持体に光を照射して潜像を形成する露光ヘッドであって、請求項6に記載の露光ヘッドと、
前記露光ヘッドによって前記潜像保持体に形成された潜像を現像する現像装置と、
を備える画像形成装置。
The invention according to claim 8 provides:
A latent image holding body for holding the latent image;
An exposure head for forming a latent image by irradiating the latent image holding member with light, wherein the exposure head according to claim 6;
A developing device for developing the latent image formed on the latent image holding member by the exposure head;
An image forming apparatus comprising:
請求項1に係る発明によれば、開口を有する絶縁層の当該開口内に正孔注入層を設けたときに比べ、発光プロファイルの歪みが抑制された有機電界発光素子を提供することができる。
請求項2、3、4に係る発明によれば、発光プロファイルの歪みが生じ易い特性又は構成の正孔注入層を適用した場合でも、開口を有する絶縁層の当該開口内に正孔注入層を設けたときに比べ、発光プロファイルの歪みが抑制された有機電界発光素子を提供することができる。
請求項5に係る発明によれば、絶縁層の厚みが発光層と同じときに比べ、発光効率が向上する有機電界発光素子を提供することができる。
請求項6、7、8に係る発明によれば、開口を有する絶縁層の当該開口内に正孔注入層を設けた有機電界発光素子を適用したときに比べ、露光ムラが抑制された、露光ヘッド、カートリッジ、及び画像形成装置を提供することができる。
According to the first aspect of the present invention, it is possible to provide an organic electroluminescent device in which the distortion of the light emission profile is suppressed as compared with the case where the hole injection layer is provided in the opening of the insulating layer having the opening.
According to the second, third, and fourth aspects of the invention, even when a hole injection layer having a characteristic or configuration that easily causes distortion of the light emission profile is applied, the hole injection layer is provided in the opening of the insulating layer having an opening. An organic electroluminescent element in which distortion of the light emission profile is suppressed as compared with the case where it is provided can be provided.
According to the invention which concerns on Claim 5, compared with the case where the thickness of an insulating layer is the same as a light emitting layer, the organic electroluminescent element which luminous efficiency improves can be provided.
According to the inventions according to claims 6, 7, and 8, exposure unevenness is suppressed as compared with the case where an organic electroluminescence device in which a hole injection layer is provided in an opening of an insulating layer having an opening is applied. A head, a cartridge, and an image forming apparatus can be provided.
以下に、本発明に係る実施形態の一例を図面に基づき説明する。 Below, an example of an embodiment concerning the present invention is described based on a drawing.
(有機電界発光素子)
図1は、本実施形態に係る有機電界発光素子を示す概略断面図である。
(Organic electroluminescence device)
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an organic electroluminescent element according to this embodiment.
本実施形態に係る有機電界発光素子101は、例えば、図1に示すように、基板110上に、陽極111と、正孔注入層112と、開口113Aを持つ絶縁層113と、発光層114と、陰極115と、がこの順に積層された積層体で構成している。 For example, as shown in FIG. 1, the organic electroluminescent device 101 according to the present embodiment includes an anode 111, a hole injection layer 112, an insulating layer 113 having an opening 113 </ b> A, a light emitting layer 114, and a substrate 110. The cathode 115 is constituted by a laminate in which the cathode 115 is laminated in this order.
まず、基板110について説明する。
基板110としては、ガラス基板、プラスチックフィルム等が挙げられる。
基板110としては、発光層114からの光を基板110側から素子外部に取り出す方式の場合、透明であることがよい。また、基板110は、絶縁性であることがよい。
ここで、透明とは、可視領域の光の透過率が10%以上であることを意味している。また、絶縁性とは、体積抵抗率が1013Ωcm以上であることをいう。以下同様である。
First, the substrate 110 will be described.
Examples of the substrate 110 include a glass substrate and a plastic film.
The substrate 110 is preferably transparent in the case where the light from the light emitting layer 114 is extracted from the substrate 110 side to the outside of the element. Further, the substrate 110 is preferably insulating.
Here, transparent means that the transmittance of light in the visible region is 10% or more. The insulating property means that the volume resistivity is 10 13 Ωcm or more. The same applies hereinafter.
次に、陽極111及び陰極115について説明する。
陽極111及び陰極115は、その間に設けられた発光層に正孔・電子を注入するための電流が印加される電極である。
Next, the anode 111 and the cathode 115 will be described.
The anode 111 and the cathode 115 are electrodes to which a current for injecting holes and electrons into a light emitting layer provided therebetween is applied.
陽極111及び陰極115うち、発光層114から放射された光を基板110側から素子外部へ取り出す方式の場合(ボトムエミッション方式の場合)、陽極111が透明であることがよく、基板110と反対側から素子外部へ取り出す方式の場合(トップエミッション方式の場合)は、陰極115が透明であることがよい。 Of the anode 111 and the cathode 115, when the light emitted from the light emitting layer 114 is extracted from the substrate 110 side to the outside of the element (in the case of the bottom emission method), the anode 111 is preferably transparent and is on the side opposite to the substrate 110. In the case of the method of taking out from the element to the outside (in the case of the top emission method), the cathode 115 is preferably transparent.
陽極111は、発光層114へ正孔の注入を行うため発光層114に含まれる発光材料のイオン化ポテンシャルの値より仕事関数の大きなものがよく、例えば、仕事関数が4eV以上であるものが望ましい。 The anode 111 preferably has a work function larger than the ionization potential of the light emitting material contained in the light emitting layer 114 in order to inject holes into the light emitting layer 114. For example, the anode 111 preferably has a work function of 4 eV or more.
陽極111としては、例えば、酸化膜(例えば酸化スズインジウム(ITO)、酸化スズ(NESA)、酸化インジウム、又は酸化亜鉛等)、金属膜(例えば金、白金、又はパラジウム等)で構成される。
陽極111は、例えば、蒸着法や、スパッタリング法等の公知の方法を用いて形成される。
The anode 111 is composed of, for example, an oxide film (for example, indium tin oxide (ITO), tin oxide (NESA), indium oxide, zinc oxide, or the like), or a metal film (for example, gold, platinum, or palladium).
The anode 111 is formed using a known method such as a vapor deposition method or a sputtering method.
一方、陰極115は、発光層114へ電子の注入を行うため発光層114のLUMO準位より仕事関数の小さいものがよく、例えば、仕事関数が3.0eV以下であるものが望ましい。 On the other hand, the cathode 115 preferably has a work function smaller than the LUMO level of the light emitting layer 114 in order to inject electrons into the light emitting layer 114. For example, the cathode 115 preferably has a work function of 3.0 eV or less.
陰極115としては、例えば、アルミニウム、銀、インジウム、又はこれらの合金で構成される。
陰極115は、例えば、蒸着法や、スパッタリング法等の公知の方法を用いて形成される。
The cathode 115 is made of, for example, aluminum, silver, indium, or an alloy thereof.
The cathode 115 is formed by using a known method such as a vapor deposition method or a sputtering method.
次に、正孔注入層112について説明する。
正孔注入層112は、陽極111と発光層114との間に設けられ、具体的には、正孔注入層112は、例えば、陽極111と陰極115とが重なる領域の面積(厚み方向に投影されたときの面積、以下同様)よりも大きい領域で、当該陽極111を覆うように基板110上に設けられている。
Next, the hole injection layer 112 will be described.
The hole injection layer 112 is provided between the anode 111 and the light emitting layer 114. Specifically, the hole injection layer 112 is, for example, the area of the region where the anode 111 and the cathode 115 overlap (projected in the thickness direction). Is provided on the substrate 110 so as to cover the anode 111 in a region larger than the area when it is formed (the same applies hereinafter).
正孔注入層112は、発光層114へ正孔を注入する機能を有する材料を含んで構成される。特に、正孔注入層112は、比抵抗が10000Ωcm以下(望ましくは0.01Ωcm以上1000Ωcm以下、より望ましくは0.01Ωcm以上100Ωcm以下)であることがよい。
ここで、比抵抗は、4端子法により求められる値である。
The hole injection layer 112 includes a material having a function of injecting holes into the light emitting layer 114. In particular, the hole injection layer 112 preferably has a specific resistance of 10,000 Ωcm or less (preferably 0.01 Ωcm to 1000 Ωcm, more preferably 0.01 Ωcm to 100 Ωcm).
Here, the specific resistance is a value obtained by a four-terminal method.
正孔注入層112を構成する、正孔を注入する機能を有する材料としては、例えば、導電性高分子、遷移金属化合物、フタロシアニン類(CuPcなどを含む)、インダンスレン系化合物等が挙げられる。
導電性高分子としては、例えば、ポリアニリン、ポリスチレンスルホン酸(PSS)をドープした3,4−エチレンジオキシ−ポリチオフェン(PEDOT)[以下、「PEDOT−PSS」と標記することがある]等が挙げられる。
遷移金属化合物としては、酸化モリブデンが挙げられる。
これらの中も、正孔注入層112の塗布形成を実現させる点から、導電性高分子がよく、特に、正孔注入層112の比抵抗を上記範囲とする観点から、PEDOT−PSSがよい。
Examples of the material constituting the hole injection layer 112 and having the function of injecting holes include conductive polymers, transition metal compounds, phthalocyanines (including CuPc), and indanthrene compounds. .
Examples of the conductive polymer include polyaniline, 3,4-ethylenedioxy-polythiophene (PEDOT) doped with polystyrene sulfonic acid (PSS) [hereinafter sometimes referred to as “PEDOT-PSS”] and the like. It is done.
An example of the transition metal compound is molybdenum oxide.
Among these, a conductive polymer is preferable from the viewpoint of realizing the coating formation of the hole injection layer 112, and PEDOT-PSS is particularly preferable from the viewpoint of setting the specific resistance of the hole injection layer 112 in the above range.
また、正孔注入層112は、電荷輸送性高分子と電子受容性アクセプタとを含んで構成されていてもよい。 The hole injection layer 112 may include a charge transporting polymer and an electron accepting acceptor.
電荷輸送性高分子としては、周知の電荷輸送性高分子が挙げられるが、特に、下記一般式(I−1)及び(I−2)のいずれかで表される構造の1種以上を繰り返し単位の部分構造として含有し、下記一般式(II)、(III)、(IV)及び(V)のいずれかで表される電荷輸送性高分子(以下、特定の電荷輸送性高分子と称することがある)がよい。
なお、特定の電荷輸送性高分子は、正孔輸送性ポリエステル、又は正孔輸送性ポリカーボネートに該当する化合物である。
Examples of the charge transporting polymer include well-known charge transporting polymers, and in particular, one or more of the structures represented by any of the following general formulas (I-1) and (I-2) are repeated. A charge transporting polymer (hereinafter referred to as a specific charge transporting polymer) contained as a partial structure of a unit and represented by any one of the following general formulas (II), (III), (IV) and (V) Is good).
The specific charge transporting polymer is a compound corresponding to a hole transporting polyester or a hole transporting polycarbonate.
まず、下記一般式(I−1)及び(I−2)のいずれかで表される構造について説明する。 First, the structure represented by either of the following general formulas (I-1) and (I-2) will be described.
一般式(I−1)及び(I−2)中、Arは、置換もしくは未置換の1価の芳香環、置換もしくは未置換の芳香環数2以上10以下の1価の多核芳香環、又は置換もしくは未置換の芳香環数2以上10以下の1価の縮合芳香環を表す。
Xは、置換又は未置換の2価の芳香族基を表す。
k、及びlはそれぞれ独立に0又は1を表す。
Tは、炭素数1以上10以下の直鎖状の2価の炭化水素基、又は炭素数1以上10以下の分枝状の2価の炭化水素基を表す。
In general formulas (I-1) and (I-2), Ar represents a substituted or unsubstituted monovalent aromatic ring, a substituted or unsubstituted monovalent polynuclear aromatic ring having 2 to 10 aromatic rings, or It represents a monovalent fused aromatic ring having 2 or more and 10 or less substituted or unsubstituted aromatic rings.
X represents a substituted or unsubstituted divalent aromatic group.
k and l each independently represents 0 or 1.
T represents a linear divalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms or a branched divalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms.
一般式(I−1)及び(I−2)中、Arは、置換もしくは未置換の1価の芳香環、置換もしくは未置換の芳香環数2以上10以下の1価の多核芳香環、又は置換もしくは未置換の芳香環数2以上10以下の1価の縮合芳香環を表すが、多核芳香環及び縮合芳香環とは、具体的には以下に定義される芳香族炭化水素であることを意味する。
「芳香環」とは、炭素と水素とから構成される芳香環であり、具体的にはフェニル基である。
「多核芳香環」とは、炭素と水素とから構成される芳香環が2個以上存在し、芳香環同士が炭素一炭素結合によって結合している炭化水素を表す。「多核芳香環」として具体的には、例えば、ビフェニル、ターフェニル等が挙げられる。
「縮合芳香環」とは、炭素と水素とから構成される芳香環が2個以上存在し、芳香環同士が1対の炭素原子を共有している炭化水素を表す。「縮合芳香環」として具体的には、例えば、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、フルオレン等が挙げられる。
In general formulas (I-1) and (I-2), Ar represents a substituted or unsubstituted monovalent aromatic ring, a substituted or unsubstituted monovalent polynuclear aromatic ring having 2 to 10 aromatic rings, or A monovalent condensed aromatic ring having 2 or more and 10 or less substituted or unsubstituted aromatic rings is represented, and the polynuclear aromatic ring and the condensed aromatic ring are specifically aromatic hydrocarbons defined below. means.
An “aromatic ring” is an aromatic ring composed of carbon and hydrogen, specifically a phenyl group.
The “polynuclear aromatic ring” represents a hydrocarbon in which two or more aromatic rings composed of carbon and hydrogen are present and the aromatic rings are bonded to each other through a carbon-carbon bond. Specific examples of the “polynuclear aromatic ring” include biphenyl and terphenyl.
The “fused aromatic ring” represents a hydrocarbon in which two or more aromatic rings composed of carbon and hydrogen are present, and the aromatic rings share a pair of carbon atoms. Specific examples of the “fused aromatic ring” include naphthalene, anthracene, phenanthrene and fluorene.
芳香環、多核芳香環及び縮合芳香環の置換基としては、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アラルキル基、置換アミノ基、ハロゲン原子等が挙げられる。
アルキル基としては、炭素数1以上10以下のものが望ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基等が挙げられる。
アルコキシル基としては、炭素数1以上10以下のものが望ましく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基等が挙げられる。
アリール基としては、炭素数6以上20以下のものが望ましく、例えば、フェニル基、トルイル基等が挙げられる、
アラルキル基としては、炭素数7以上20以下のものが望ましく、例えば、ベンジル基、フェネチル基等が挙げられる。
置換アミノ基の置換基としては、アルキル基、アリール基、アラルキル基等が挙げられ、具体例は前述の通りである。
置換アリール基、置換アラルキル基の置換基としては、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、置換アミノ基、ハロゲン原子等が挙げられる
Examples of the substituent of the aromatic ring, polynuclear aromatic ring and condensed aromatic ring include a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group, an aralkyl group, a substituted amino group, and a halogen atom.
As an alkyl group, a C1-C10 thing is desirable, for example, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group etc. are mentioned.
As an alkoxyl group, a C1-C10 thing is desirable, for example, a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, an isopropoxy group etc. are mentioned.
As the aryl group, those having 6 to 20 carbon atoms are desirable, and examples thereof include a phenyl group and a toluyl group.
As the aralkyl group, those having 7 to 20 carbon atoms are desirable, and examples thereof include a benzyl group and a phenethyl group.
Examples of the substituent of the substituted amino group include an alkyl group, an aryl group, an aralkyl group, and the like, and specific examples are as described above.
Examples of the substituent for the substituted aryl group and the substituted aralkyl group include a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, a substituted amino group, and a halogen atom.
一般式(I−1)及び(I−2)中、Xは置換又は未置換の2価の芳香族基を表し、具体的には下記式(1)〜(7)から選択された基が挙げられる。 In general formulas (I-1) and (I-2), X represents a substituted or unsubstituted divalent aromatic group, specifically, a group selected from the following formulas (1) to (7): Can be mentioned.
式(1)〜(7)中、R7は、水素原子、炭素数1以上4以下のアルキル基、置換もしくは未置換のフェニル基、又は置換もしくは未置換のアラルキル基を表し、R8〜R14は、それぞれ独立に水素原子、炭素数1以上4以下のアルキル基、炭素数1以上4以下のアルコキシル基、置換もしくは未置換のフェニル基、置換もしくは未置換のアラルキル基、又はハロゲン原子を表し、aは0又は1を意味し、Vは下記の式(8)〜(17)から選択された基を表す。 In formulas (1) to (7), R 7 represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a substituted or unsubstituted phenyl group, or a substituted or unsubstituted aralkyl group, and R 8 to R 14 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an alkoxyl group having 1 to 4 carbon atoms, a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted aralkyl group, or a halogen atom. A represents 0 or 1, and V represents a group selected from the following formulas (8) to (17).
上記式(8)〜式(17)中、bは1以上10以下の整数を意味し、cは1以上3以下の整数を意味する。 In the above formulas (8) to (17), b represents an integer of 1 to 10, and c represents an integer of 1 to 3.
一般式(I−1)及び(I−2)中、Tは、炭素数1以上10以下の直鎖状の2価の炭化水素基又は炭素数1以上10以下の分枝状の2価の炭化水素基を表す。
なお、2価の炭化水素基が直鎖状である場合は、炭素数は1以上6以下の範囲が望ましく、2以上6以下の範囲がより望ましく、2価の炭化水素基が分枝状である場合には、炭素数は2以上10以下の範囲が望ましく、3以上7以下の範囲がより望ましい。
以下に、Tで表される基の具体的な構造の例(炭化水素基T−1〜炭化水素基T−32)を示す。
In general formulas (I-1) and (I-2), T is a linear divalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms or a branched divalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms. Represents a hydrocarbon group.
In addition, when the divalent hydrocarbon group is linear, the carbon number is preferably in the range of 1 to 6, more preferably in the range of 2 to 6, and the divalent hydrocarbon group is branched. In some cases, the carbon number is preferably in the range of 2 to 10, and more preferably in the range of 3 to 7.
Examples of specific structures of the group represented by T (hydrocarbon group T-1 to hydrocarbon group T-32) are shown below.
以下、表1から表8に、上記一般式(I−1)で表される部分構造の具体例を示し、表9から表16に、上記一般式(I−2)で表される部分構造の具体例を示すが、これら具体例に限定されるわけではない。 Hereinafter, specific examples of the partial structure represented by the general formula (I-1) are shown in Tables 1 to 8, and partial structures represented by the general formula (I-2) are shown in Tables 9 to 16. Although the specific example is shown, it is not necessarily limited to these specific examples.
なお、表1〜表8において、「部分構造」の欄に記載された番号各々に対応する、「X」の欄に記載される構造は、一般式(I―1)中のXに対応し、「Ar」の欄に記載される構造は、一般式(I−1)中のArに対応し、「k」の欄に記載される数字は、一般式(I―1)中のkを意味する。また、「T」の欄に記載される値は、一般式(I−1)中のTを意味し、上記に具体的に示した炭化水素基の構造式に付した番号(T−1)〜(T−32)を意味する。
また、表1〜表8において、「結合位置」に示される値は、前記一般式(I−1)におけるベンゼン環に記載されている数値の箇所に結合していることを示す。また、一般式(I−1)で表される構造の具体例において、kが1の場合、( )内のベンゼン環も数字が記載されているベンゼン環と同様の箇所に結合していることを示す。
In Tables 1 to 8, the structure described in the “X” column corresponding to each number described in the “Partial structure” column corresponds to X in the general formula (I-1). The structure described in the “Ar” column corresponds to Ar in the general formula (I-1), and the number described in the “k” column represents k in the general formula (I-1). means. Further, the value described in the column of “T” means T in the general formula (I-1), and is a number (T-1) attached to the structural formula of the hydrocarbon group specifically shown above. Means (T-32).
Moreover, in Tables 1 to 8, the value shown in “Binding position” indicates that the value is bonded to the numerical position described in the benzene ring in the general formula (I-1). Further, in the specific example of the structure represented by the general formula (I-1), when k is 1, the benzene ring in () is bonded to the same position as the benzene ring in which the number is described. Indicates.
また、表9〜表16において、「部分構造」の欄に記載された番号各々に対応する、「X」の欄に記載される構造は、一般式(I―2)中のXに対応し、「Ar」の欄に記載される構造は、一般式(I−2)中のArに対応し、「k」の欄に記載される数字は、一般式(I―2)中のkを意味する。また、「T」の欄に記載される値は、一般式(I−2)中のTを意味し、同一値を示す上記一般式(T−1)〜(T−32)の化合物に対応する。
また、表9〜表16において、「結合位置」に示される値は、前記一般式(I−2)におけるベンゼン環に記載されている数値の箇所に結合していることを示す。また、一般式(I−2)で表される構造の具体例において、kが1の場合、( )内のベンゼン環も数字が記載されているベンゼン環と同様の箇所に結合していることを示す。
In Tables 9 to 16, the structure described in the column “X” corresponding to each number described in the “partial structure” column corresponds to X in the general formula (I-2). , The structure described in the “Ar” column corresponds to Ar in the general formula (I-2), and the number described in the “k” column represents k in the general formula (I-2). means. Moreover, the value described in the column of “T” means T in the general formula (I-2) and corresponds to the compounds of the above general formulas (T-1) to (T-32) showing the same value. To do.
Further, in Tables 9 to 16, the value shown in “Binding position” indicates that the value is bonded to the numerical position described in the benzene ring in the general formula (I-2). Further, in the specific example of the structure represented by the general formula (I-2), when k is 1, the benzene ring in () is bonded to the same position as the benzene ring in which the number is described. Indicates.
次に、上記一般式(I−1)及び(I−2)のいずれかで表わされる構造の1種以上を繰り返し単位の部分構造として含有し、下記一般式(II)、(III)、(IV)及び(V)のいずれかで表わされる電荷輸送性高分子について説明する。 Next, one or more of the structures represented by any of the general formulas (I-1) and (I-2) are contained as a partial structure of the repeating unit, and the following general formulas (II), (III), ( The charge transporting polymer represented by either IV) or (V) will be described.
一般式(II)、(III)、(IV)及び(V)中、Aは、一般式(I−1)又は(I−2)を表す。
Bは、−O−(Y’−O)m’−、又はZ’を表す。
Y、Y’、Z、及びZ’は、それぞれ独立に2価の炭化水素基を表す。
m、及びm’は、それぞれ独立に1以上5以下の整数を表す。
nは、0又は1を表す。
pは、5以上500以下の整数を表す。
qは、1以上5000以下の整数を表す。
rは、1以上3500以下の整数を表す。
なお、一般式(II)、(III)、(IV)及び(V)のいずれかで表わされる電荷輸送性高分子の末端基は、例えば、水素原子、メチル基、エチル基、フェニル基等 である。
In general formulas (II), (III), (IV) and (V), A represents general formula (I-1) or (I-2).
B is, -O- (Y'-O) m - represents a ', or Z'.
Y, Y ′, Z, and Z ′ each independently represent a divalent hydrocarbon group.
m and m ′ each independently represents an integer of 1 or more and 5 or less.
n represents 0 or 1.
p represents an integer of 5 or more and 500 or less.
q represents an integer of 1 or more and 5000 or less.
r represents an integer of 1 to 3,500.
The terminal group of the charge transporting polymer represented by any one of the general formulas (II), (III), (IV) and (V) is, for example, a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, a phenyl group or the like. is there.
一般式(II)、(III)、(IV)、及び(V)中、Y、Y’、Z、及びZ’は、2価の炭化水素基を表が、具体的には、以下の式(18)〜(24)で表される炭化水素基が挙げられる。 In the general formulas (II), (III), (IV), and (V), Y, Y ′, Z, and Z ′ represent a divalent hydrocarbon group, specifically, the following formulas: The hydrocarbon group represented by (18)-(24) is mentioned.
上記式(18)〜(24)中、d、eは1以上10以下の整数を表し、f、gは0、1又は2を表し、h、iは0又は1を表す。
また、R13及びR14は、それぞれ独立に水素原子、炭素数1以上4以下のアルキル基、炭素数1以上4以下のアルコキシ基、置換もしくは未置換のフェニル基、置換もしくは未置換のアラルキル基、又はハロゲン原子を表し、Vは、上記式(8)〜(17)から選択された基を表す。
In the above formulas (18) to (24), d and e represent an integer of 1 to 10, f and g represent 0, 1 or 2, and h and i represent 0 or 1.
R 13 and R 14 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted aralkyl group. Or a halogen atom, and V represents a group selected from the above formulas (8) to (17).
以下に、上記一般式(II)で表される電荷輸送性高分子の具体例を表17に示し、上記一般式(III)で表される電荷輸送性高分子の具体例を表18に示した。更に、上記一般式(IV)で表される電荷輸送性高分子の具体例を表19に示し、上記一般式(V)で表される電荷輸送性高分子の具体例を表20〜表24に示した。
なお、電荷輸送性高分子はこれらの具体例に限定されるものではない。
Specific examples of the charge transporting polymer represented by the general formula (II) are shown in Table 17, and specific examples of the charge transporting polymer represented by the general formula (III) are shown in Table 18. It was. Further, specific examples of the charge transporting polymer represented by the general formula (IV) are shown in Table 19, and specific examples of the charge transporting polymer represented by the general formula (V) are shown in Tables 20 to 24. It was shown to.
The charge transporting polymer is not limited to these specific examples.
なお、表17〜表24中に示される、「部分構造」の「構造」の欄に示される番号は、上記表1〜表16に示される「部分構造」欄に示された番号の化合物(上記一般式(I−1)又は一般式(I−2)の具体例)に対応しており、2種類以上の番号が示されている場合には、各々の番号に対応する「構造」の欄に示される番号に対応する化合物の分子中の比率を、「部分構造」の「比率」の欄に示した。 The numbers shown in the “Structure” column of “Partial Structure” shown in Tables 17 to 24 are the compounds of the numbers shown in the “Partial Structure” column shown in Tables 1 to 16 above ( In the case where two or more types of numbers are shown, the “structure” corresponding to each number corresponds to the above general formula (I-1) or specific example of the general formula (I-2). The ratio of the compound corresponding to the number shown in the column in the molecule is shown in the “ratio” column of “partial structure”.
また、表17中の「Y」の欄に示される構造は、一般式(II)中のYに対応し、「m」の欄に示される数値は、一般式(II)中のmに対応し、「p」の欄に示される数値は、一般式(II)中のpに対応する。
同様に、表18中の「Y」の欄に示される構造は、一般式(III)中のYに対応し、「Z」の欄に示される構造は、一般式(III)中のZに対応し、「m」の欄に示される数値は、一般式(III)中のmに対応し、「p」の欄に示される数値は、一般式(III)中のpに対応する。
Moreover, the structure shown in the column “Y” in Table 17 corresponds to Y in the general formula (II), and the numerical value shown in the column “m” corresponds to m in the general formula (II). The numerical value shown in the column “p” corresponds to p in the general formula (II).
Similarly, the structure shown in the column “Y” in Table 18 corresponds to Y in the general formula (III), and the structure shown in the column “Z” corresponds to Z in the general formula (III). Correspondingly, the numerical value shown in the column “m” corresponds to m in the general formula (III), and the numerical value shown in the column “p” corresponds to p in the general formula (III).
また、表19中の「B」の欄に示される構造は、一般式(IV)中のBに対応し、「n」の欄に示される数値は、一般式(IV)中のnに対応し、「p」の欄に示される数値は、一般式(IV)中のpに対応する。
同様に、表20〜表24中の「Y」の欄に示される構造は、一般式(V)中のYに対応し、「Z」の欄に示される構造は、一般式(V)中のZに対応し、「m」の欄に示される数値は、一般式(V)中のmに対応し、「q」の欄に示される数値は、一般式(V)中のqに対応し、「r」の欄に示される数値は、一般式(V)中のrに対応する。
The structure shown in the column “B” in Table 19 corresponds to B in the general formula (IV), and the numerical value shown in the column “n” corresponds to n in the general formula (IV). The numerical value shown in the column “p” corresponds to p in the general formula (IV).
Similarly, the structure shown in the column “Y” in Tables 20 to 24 corresponds to Y in the general formula (V), and the structure shown in the column “Z” is in the general formula (V). The numerical value shown in the column “m” corresponds to m in the general formula (V), and the numerical value shown in the column “q” corresponds to q in the general formula (V). The numerical value shown in the column “r” corresponds to r in the general formula (V).
また、以下の説明において、表17〜24中に示す「化合物」の欄に示される番号Xに対応した化合物を指す場合には、「例示化合物(X)」と称す Moreover, in the following description, when referring to the compound corresponding to the number X shown in the column of “Compound” shown in Tables 17 to 24, it is referred to as “Exemplary Compound (X)”.
次に、電子受容性アクセプタについて説明する。
電子受容性アクセプタとしては、上記電荷輸送性高分子を酸化するものであれば特に制限はないが、例えば、ハロゲン化金属、ルイス酸、アリールアミンとハロゲン化金属又はルイス酸との塩の中から選ばれた少なくとも一種が挙げられ、これらを二種以上を組み合わせて使用してもよい。
Next, the electron accepting acceptor will be described.
The electron-accepting acceptor is not particularly limited as long as it oxidizes the charge transporting polymer. For example, a metal halide, Lewis acid, arylamine and metal halide or Lewis acid salt can be used. There may be mentioned at least one selected, and these may be used in combination of two or more.
ハロゲン化金属やルイス酸としては、例えば、FeCl3、AlCl3、SbCl5、AsF5、で表される化合物が挙げられる。
アリールアミンとハロゲン化金属又はルイス酸との塩の例としては、下記一般式(A)で表される塩が挙げられる。
Examples of the metal halide and Lewis acid include compounds represented by FeCl 3 , AlCl 3 , SbCl 5 , AsF 5 .
Examples of the salt of arylamine and metal halide or Lewis acid include salts represented by the following general formula (A).
一般式(A)中、Lは、ハロゲン化金属又はルイス酸を表し、例えば、FeCl3、AlCl3、SbCl5、AsF5、BF3等が挙げられる。
X−は、ハロゲンイオンを表し、例えば、フッ素イオン、塩素イオン等が挙げられる。
Ar11〜Ar13は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数6以上30以下の1価の芳香族基、又は置換もしくは無置換の炭素数4以上30以下の1価の複素環式基を表す。
In general formula (A), L represents a metal halide or a Lewis acid, and examples thereof include FeCl 3 , AlCl 3 , SbCl 5 , AsF 5 , and BF 3 .
X - is a halogen ion, for example, fluorine ions, chlorine ions and the like.
Ar 11 to Ar 13 are each independently a substituted or unsubstituted monovalent aromatic group having 6 to 30 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted monovalent heterocyclic group having 4 to 30 carbon atoms. Represents.
1価の芳香族基としては、炭素数6以上の芳香族基が望ましく、例えば、芳香環(フェニル基)、多核芳香環(例えばビフェニル、ターフェニル等)、縮合芳香環(例えば、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、フルオレン等)が挙げられる。
複素環式基(窒素原子(N)、酸素原子(O)、硫黄原子(S)を含む複素環式基)としては、炭素数4以上の複素環式基が望ましく、例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピラゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基等が挙げられる。
芳香族基又は複素環式基を置換する置換基としては、ハロゲン原子(例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子等)、ニトロ基、シアノ基、炭素数1以上24以下のアルキル基、炭素数6以上24以下のアリール基、炭素数7以上24以下のアラルキル基、炭素数1以上24以下のアルコキシ基、炭素数6以上24以下のモノもしくはジアルキルアミノ基、アリール基の炭素数が6以上24以下のモノもしくはジアリールアミノ基等が挙げられる。
The monovalent aromatic group is preferably an aromatic group having 6 or more carbon atoms, such as an aromatic ring (phenyl group), a polynuclear aromatic ring (eg, biphenyl, terphenyl, etc.), a condensed aromatic ring (eg, naphthalene, anthracene). , Phenanthrene, fluorene, etc.).
The heterocyclic group (a heterocyclic group containing a nitrogen atom (N), an oxygen atom (O), or a sulfur atom (S)) is preferably a heterocyclic group having 4 or more carbon atoms, such as a furyl group or a thienyl group. Group, pyridyl group, pyrazolyl group, isoxazolyl group, isothiazolyl group, imidazolyl group, oxazolyl group, thiazolyl group and the like.
Examples of the substituent for substituting the aromatic group or the heterocyclic group include a halogen atom (for example, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, etc.), a nitro group, a cyano group, an alkyl group having 1 to 24 carbon atoms, and 6 carbon atoms. An aryl group having 24 to 24 carbon atoms, an aralkyl group having 7 to 24 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 24 carbon atoms, a mono- or dialkylamino group having 6 to 24 carbon atoms, and an aryl group having 6 to 24 carbon atoms And mono- or diarylamino groups.
一般式(A)で表される塩の中で望ましいものとしては、トリス(4−ブロモフェニル)アミニウム ヘキサクロロアンチモネート(TBAHA)を挙げられるが、これらに限るものではない。 A desirable salt among the salts represented by the general formula (A) includes, but is not limited to, tris (4-bromophenyl) aminium hexachloroantimonate (TBAHA).
正孔注入層112は、例えば、上記正孔を注入する材料とこの材料を溶解又は分散させる溶剤とを含む塗布液、又は、上記電荷輸送性高分子及び電子受容性アクセプタとこれら材料を溶解又は分散させる溶剤とを含む塗布液を塗布することで形成される。この形成方法としては、例えば、スピンコーティング法や、ディップ法等が挙げられる。 The hole injection layer 112 is, for example, a coating solution containing a material that injects the holes and a solvent that dissolves or disperses the material, or the charge transporting polymer and the electron accepting acceptor and the materials. It is formed by applying a coating solution containing a solvent to be dispersed. Examples of the formation method include spin coating and dipping.
次に、絶縁層113について説明する。
絶縁層113は、例えば、正孔注入層112と陰極115との間に設けられ、具体的には、正孔注入層112と発光層114との間(絶縁層113の開口113Aの領域は除く)に設けられている。
絶縁層113に設ける開口113Aは、有機電界発光素子101の発光面積(厚み方向からみたとき、発光している領域の面積)を規定する役割を担うものであり、例えば、正孔注入層112の面積よりも小さい面積で設けられ、具体的には、例えば、陽極111と陰極115とが重なる領域の面積と同等又はそれよりも小さく設けることがよい、
Next, the insulating layer 113 will be described.
The insulating layer 113 is provided, for example, between the hole injection layer 112 and the cathode 115, and specifically, between the hole injection layer 112 and the light emitting layer 114 (excluding the region of the opening 113A of the insulating layer 113). ).
The opening 113A provided in the insulating layer 113 plays a role of defining the light emitting area of the organic electroluminescent element 101 (the area of the light emitting region when viewed from the thickness direction). Provided with an area smaller than the area, specifically, for example, it is preferable to provide the area equal to or smaller than the area of the region where the anode 111 and the cathode 115 overlap.
絶縁層113としては、例えば、酸化シリコン(SiO2)、ポリイミド、エポキシ樹脂、フッ素系樹脂等で構成される
絶縁層113の厚みは、例えば、発光層114の厚み(但し、ここでいう厚みは絶縁層表面上からの厚み)よりも小さいことがよく、望ましくは発光層114の厚みの1/2以下、より望ましくは1/4以下である。
絶縁層113は、例えば、蒸着法、気相成長法(CVD)等により形成される。
As the insulating layer 113, for example, the thickness of the insulating layer 113 made of silicon oxide (SiO 2 ), polyimide, epoxy resin, fluorine resin, or the like is, for example, the thickness of the light emitting layer 114 (however, the thickness here is The thickness is preferably less than 1/2 of the thickness of the light-emitting layer 114, more preferably 1/4 or less.
The insulating layer 113 is formed by, for example, vapor deposition, vapor deposition (CVD), or the like.
次に、発光層114について説明する。
発光層114は、絶縁層113の厚みよりも大きい厚み(但し、ここでいう厚みは絶縁層表面上からの厚み)で、下層側部分の一部が絶縁層113に設けられた開口113Aに埋め込まれるようにして、当該絶縁層113と陰極115との間に設けられている。発光層114は、絶縁層113の開口113Aで正孔注入層112と接触している。
Next, the light emitting layer 114 will be described.
The light emitting layer 114 has a thickness larger than the thickness of the insulating layer 113 (here, the thickness is a thickness from the surface of the insulating layer), and a part of the lower layer side portion is embedded in the opening 113A provided in the insulating layer 113. In this manner, the insulating layer 113 and the cathode 115 are provided. The light emitting layer 114 is in contact with the hole injection layer 112 through the opening 113 </ b> A of the insulating layer 113.
発光層114は、例えば、発光材料を含んで構成されている。発光材料としては、例えば、キレート型有機金属錯体、多核又は縮合芳香環化合物、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、スチリルアリーレン誘導体、シロール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサチアゾール誘導体、又はオキサジアゾール誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、又はポリアセチレン誘導体等が挙げられる。 For example, the light emitting layer 114 includes a light emitting material. Examples of the light-emitting material include chelate-type organometallic complexes, polynuclear or condensed aromatic ring compounds, perylene derivatives, coumarin derivatives, styrylarylene derivatives, silole derivatives, oxazole derivatives, oxathiazole derivatives, oxadiazole derivatives, polyparaphenylene derivatives , Polyparaphenylene vinylene derivatives, polythiophene derivatives, or polyacetylene derivatives.
次に、その他の層について説明する。
本実施形態に係る有機電界発光素子101は、その他、正孔注入層112と発光層114との間に正孔輸送層、発光層114と陰極115との間に電子輸送層や電子注入層、及び陰極115を覆って設けられる保護層(封止層)を設けた層構成であってもよい。
なお、正孔輸送層を設ける場合、正孔注入層112と絶縁層113との間に介在するように設けてもよいし、絶縁層113の開口113A内で、正孔注入層112と発光層114との間に介在するように設けてもよい。
但し、正孔輸送層を塗布形成し設ける場合、正孔注入層112と絶縁層113との間に介在するように設けることがよい。
具体的には、例えば、図7に示すように、本実施形態に係る有機電界発光素子101の層構成において、正孔注入層112と絶縁層113との間に介在するように正孔輸送層112Aを設けた形態(他の本実施形態に係る有機電界発光素子104)であることがよい。
Next, other layers will be described.
The organic electroluminescent device 101 according to the present embodiment includes a hole transport layer between the hole injection layer 112 and the light emitting layer 114, an electron transport layer or an electron injection layer between the light emitting layer 114 and the cathode 115, Further, a layer configuration in which a protective layer (sealing layer) provided to cover the cathode 115 may be provided.
Note that in the case where the hole transport layer is provided, the hole transport layer may be provided so as to be interposed between the hole injection layer 112 and the insulating layer 113, or the hole injection layer 112 and the light emitting layer are formed in the opening 113 A of the insulating layer 113. 114 may be provided so as to be interposed between the two.
However, in the case where the hole transport layer is formed by coating, the hole transport layer is preferably provided so as to be interposed between the hole injection layer 112 and the insulating layer 113.
Specifically, for example, as shown in FIG. 7, in the layer configuration of the organic electroluminescent element 101 according to the present embodiment, the hole transport layer is interposed between the hole injection layer 112 and the insulating layer 113. It is preferable that 112A is provided (an organic electroluminescent element 104 according to another embodiment).
以上説明した有機電界発光素子101では、陰極115と正孔注入層112との間に、開口113Aを有する絶縁層113が設けられた層構成となっている。この層構成とすることで、発光プロファイルの歪みが抑制される。 The organic electroluminescent element 101 described above has a layer structure in which the insulating layer 113 having the opening 113A is provided between the cathode 115 and the hole injection layer 112. With this layer configuration, the distortion of the light emission profile is suppressed.
ここで、有機電界発光素子101は、発光効率が高く、低駆動電圧にすることにより駆動回路に負荷を掛けない素子であることが望まれている。
そのためには、陽極111及び陰極115が正孔、電子をそれぞれ発光層114を含む有機層へ効率良く注入し、発光層へ移動させなければならない。
しかし、単に、陽極111及び陰極115の間に正孔注入層112及び発光層114を積層した素子構成では、正孔が拡散してしまい発光面積が大きくなってしまうという現象が生じ、結果として発光効率が低くなる傾向にある(図3参照)。
この現象は、より効率よく正孔を発光層114に注入するために、伝導度の高い正孔注入材料(例えば、(例えば、PEDOT−PSS、酸化モリブデン))を用いた、比抵抗が低い(例えば比抵抗10000Ωcm以下)の正孔注入層を採用した場合に顕著に生じる傾向にある。
Here, the organic electroluminescent element 101 is desired to be an element that has high luminous efficiency and does not impose a load on the driving circuit by using a low driving voltage.
For this purpose, the anode 111 and the cathode 115 must efficiently inject holes and electrons into the organic layer including the light emitting layer 114 and move to the light emitting layer.
However, in the element configuration in which the hole injection layer 112 and the light emitting layer 114 are simply laminated between the anode 111 and the cathode 115, the phenomenon that holes diffuse and the light emitting area increases, resulting in light emission. Efficiency tends to be low (see FIG. 3).
This phenomenon has a low specific resistance using a hole injecting material having high conductivity (for example, (eg, PEDOT-PSS, molybdenum oxide)) in order to inject holes into the light emitting layer 114 more efficiently ( For example, when a hole injection layer having a specific resistance of 10,000 Ωcm or less is employed, it tends to occur remarkably.
一方で、この正孔の拡散を規制するために、陽極111及び陰極115の間に、開口113Aを有する絶縁層113を介在させ、当該開口113A内で正孔注入層112及び発光層114を積層した層構成とすることで、当該絶縁層113の開口113Aで通じた陽極111及び陰極115間の領域にのみに通電が生じることから、正孔の注入方向が規制され(つまり、正孔の拡散が規制され)、正孔が効率良く発光層114に注入され、結果として発光効率が向上する(図4参照)。
しかし、当該層構成とすると、絶縁層113の開口113A内で、つまり当該開口113A内壁に規制された状態で正孔注入層112及び発光層114を積層することとなるため、これら層(特に正孔注入層112)の厚みが不均一となる現象(具体的には、例えば、絶縁層113の開口113A中央部で厚みが低減する一方で開口113A内壁側で厚みが増す現象)が生じることが多くなる。正孔注入層112の厚みが不均一化すると、発光層114への正孔注入量も面内で不均一化することから、発光プロファイルに歪みが生じてしまう傾向となる(図4参照)。
この現象は、導電性高分子を用いて、正孔注入層112を塗布形成したときに顕著に生じる傾向にある。
On the other hand, in order to regulate the diffusion of holes, an insulating layer 113 having an opening 113A is interposed between the anode 111 and the cathode 115, and the hole injection layer 112 and the light emitting layer 114 are stacked in the opening 113A. With such a layer structure, current is supplied only to the region between the anode 111 and the cathode 115 communicated through the opening 113A of the insulating layer 113, so that the injection direction of holes is restricted (that is, diffusion of holes). The holes are efficiently injected into the light emitting layer 114, and as a result, the light emission efficiency is improved (see FIG. 4).
However, with this layer structure, the hole injection layer 112 and the light emitting layer 114 are stacked in the opening 113A of the insulating layer 113, that is, in a state regulated by the inner wall of the opening 113A. A phenomenon in which the thickness of the hole injection layer 112) becomes nonuniform (specifically, for example, a phenomenon in which the thickness is reduced at the central portion of the opening 113A of the insulating layer 113 while the thickness is increased on the inner wall side of the opening 113A) may occur. Become more. If the thickness of the hole injection layer 112 becomes nonuniform, the amount of hole injection into the light emitting layer 114 also becomes nonuniform in the surface, and the light emission profile tends to be distorted (see FIG. 4).
This phenomenon tends to occur remarkably when the hole injection layer 112 is applied and formed using a conductive polymer.
そこで、本実施形態に係る有機電界発光素子101では、上記層構成、即ち、正孔の拡散を規制する(つまり、素子の発光面積を規制する)開口113Aを持つ絶縁層113よりも下層(陽極111側の層)に、正孔注入層112を当該絶縁層113の開口113Aで規制することなく設ける。これにより、正孔注入層112の厚みが均一化され易くなると考えられ、発光層114への正孔注入量も面内で均一化することから、その結果として発光プロファイルに歪みが抑制される(図2参照)。
加えて、開口113Aを持つ絶縁層113により、正孔の拡散も規制されることから、発光効率を向上し、低駆動電圧化も実現される。
Therefore, in the organic electroluminescent element 101 according to the present embodiment, the layer structure, that is, a lower layer (anode) than the insulating layer 113 having the opening 113A that regulates hole diffusion (that is, regulates the light emitting area of the element). 111), the hole injection layer 112 is provided without being restricted by the opening 113A of the insulating layer 113. Thereby, it is considered that the thickness of the hole injection layer 112 is easily made uniform, and the amount of hole injection into the light emitting layer 114 is also made uniform in the surface, and as a result, distortion in the light emission profile is suppressed ( (See FIG. 2).
In addition, the diffusion of holes is also restricted by the insulating layer 113 having the opening 113A, so that the light emission efficiency is improved and a low driving voltage is realized.
また、本実施形態に係る有機電界発光素子101では、上述のように、正孔の拡散を規制するために伝導度の高い正孔注入材料(例えば、(例えば、PEDOT−PSS、酸化モリブデン))を用いたり、比抵抗が低い(例えば比抵抗10000Ωcm以下)の正孔注入層を採用したり、加えて、導電性高分子(特にPEDOT−PSS)を用いたり、正孔注入層112を塗布形成したりしたときに、上記発光プロファイルの歪みが生じ易いが、これが抑制される。 Moreover, in the organic electroluminescent element 101 according to the present embodiment, as described above, a hole injecting material having high conductivity (for example, (for example, PEDOT-PSS, molybdenum oxide)) for restricting the diffusion of holes. Or a hole injection layer having a low specific resistance (for example, a specific resistance of 10000 Ωcm or less), a conductive polymer (particularly PEDOT-PSS), or a hole injection layer 112 is formed by coating. When this occurs, distortion of the light emission profile is likely to occur, but this is suppressed.
また、本実施形態に係る有機電界発光素子101では、上述のように、正孔注入層112を上記特定の電荷輸送性高分子と電子受容性アクセプタとを含んで構成させることで,
より低電圧駆動が実現される。
これは、導電性が向上するためと考えられるためである。
Further, in the organic electroluminescent device 101 according to the present embodiment, as described above, the hole injection layer 112 is configured to include the specific charge transporting polymer and the electron accepting acceptor,
Lower voltage driving is realized.
This is because the conductivity is considered to be improved.
また、本実施形態に係る有機電界発光素子101では、開口113Aを持つ絶縁層113が発光層114の厚みよりも小さく設けることで、発光効率が向上する。これは、陰極115からの電子注入が多くなるためであると考えられるためである。 Moreover, in the organic electroluminescent element 101 according to the present embodiment, the emission efficiency is improved by providing the insulating layer 113 having the opening 113A smaller than the thickness of the light emitting layer 114. This is because the electron injection from the cathode 115 is considered to increase.
なお、本実施形態に係る有機電界発光素子101の層構成は、上記構成に限られず、開口を有する絶縁層113が陰極115と正孔注入層112の間に設けられていればよく、具体的には、例えば、下記形態が挙げられる。
1)図5に示すように、陰極115及び正孔注入層112の間に設けられた開口113Aを持つ絶縁層113の当該開口113A内部に、発光層114が埋め込まれて設けた形態(他の本実施形態に係る有機電界発光素子102)
2)図6に示すように、陰極115と発光層114との間に、開口113Aを持つ絶縁層113を設け、発光層114の上層側部分の一部が絶縁層113の開口113Aに埋め込まれた形態(他の本実施形態に係る有機電界発光素子103)。
The layer structure of the organic electroluminescent element 101 according to this embodiment is not limited to the above structure, and it is only necessary that the insulating layer 113 having an opening is provided between the cathode 115 and the hole injection layer 112. Examples include the following forms.
1) As shown in FIG. 5, the light emitting layer 114 is embedded in the opening 113A of the insulating layer 113 having the opening 113A provided between the cathode 115 and the hole injection layer 112 (another configuration) Organic electroluminescent device 102 according to this embodiment)
2) As shown in FIG. 6, an insulating layer 113 having an opening 113A is provided between the cathode 115 and the light emitting layer 114, and a part of the upper layer side portion of the light emitting layer 114 is embedded in the opening 113A of the insulating layer 113. (Organic electroluminescence device 103 according to another embodiment).
上記1)、2)の形態であっても、上述と同様な理由により、発光プロファイルに歪みが抑制される(図2参照)。加えて、開口113Aを持つ絶縁層113により、正孔の拡散も規制されることから、発光効率を向上し、低駆動電圧化も実現される。 Even in the above-mentioned forms 1) and 2), distortion is suppressed in the light emission profile for the same reason as described above (see FIG. 2). In addition, the diffusion of holes is also restricted by the insulating layer 113 having the opening 113A, so that the light emission efficiency is improved and a low driving voltage is realized.
本実施形態に係る有機電界発光素子は、例えば、表示装置、電子ペーパー、バックライト、照明光源、露光装置、標識、看板等の分野に好適に使用される。これらの中でも、特に、高発光効率、低駆動電圧が要求される、電子写真方式の画像形成装置用の露光装置(露光ヘッド)に提供することがよい。 The organic electroluminescent element according to the present embodiment is suitably used in fields such as a display device, electronic paper, a backlight, an illumination light source, an exposure device, a sign, and a signboard. Among these, it is particularly preferable to provide an exposure apparatus (exposure head) for an electrophotographic image forming apparatus that requires high luminous efficiency and low drive voltage.
(露光ヘッド、カートリッジ、画像形成装置)
図8は、本実施形態に係る画像形成装置の構成を示す概略図である。
(Exposure head, cartridge, image forming apparatus)
FIG. 8 is a schematic diagram showing the configuration of the image forming apparatus according to the present embodiment.
本実施形態に係る画像形成装置10は、図8に示すように、各構成部品を収容する筐体11と、用紙等の記録媒体Pが収容される記録媒体収容部12と、記録媒体Pにトナー画像を形成する画像形成部14と、記録媒体収容部12から画像形成部14へ記録媒体Pを搬送する搬送部16と、画像形成部14によって形成されたトナー画像を記録媒体Pに定着させる定着装置18と、定着装置18によってトナー画像が定着された記録媒体Pが排出される記録媒体排出部(図示省略)と、を備えている。 As shown in FIG. 8, the image forming apparatus 10 according to the present embodiment includes a housing 11 that accommodates each component, a recording medium accommodating portion 12 that accommodates a recording medium P such as paper, and a recording medium P. An image forming unit 14 that forms a toner image, a transport unit 16 that transports the recording medium P from the recording medium storage unit 12 to the image forming unit 14, and a toner image formed by the image forming unit 14 is fixed to the recording medium P. The image forming apparatus includes a fixing device 18 and a recording medium discharge unit (not shown) from which the recording medium P on which the toner image is fixed by the fixing device 18 is discharged.
記録媒体収容部12、画像形成部14、搬送部16及び定着装置18は、筐体11に収容されている。 The recording medium storage unit 12, the image forming unit 14, the transport unit 16, and the fixing device 18 are stored in the housing 11.
画像形成部14は、シアン(C)、マゼンタ(M)、イエロー(Y)、ブラック(K)の各色のトナー画像を形成する画像形成ユニット22C、22M、22Y、22Kと、画像形成ユニット22C、22M、22Y、22Kで形成されたトナー画像が転写される中間転写体の一例としての中間転写ベルト24と、画像形成ユニット22C、22M、22Y、22Kで形成されたトナー画像を中間転写ベルト24に転写する一次転写部材の一例としての一次転写ロール26と、中間転写ベルト24に転写されたトナー画像を記録媒体Pに転写する二次転写部材の一例としての二次転写ロール28と、を備えている。 The image forming unit 14 includes image forming units 22C, 22M, 22Y, and 22K that form toner images of cyan (C), magenta (M), yellow (Y), and black (K), and an image forming unit 22C, An intermediate transfer belt 24 as an example of an intermediate transfer body to which toner images formed by 22M, 22Y, and 22K are transferred, and toner images formed by image forming units 22C, 22M, 22Y, and 22K are transferred to the intermediate transfer belt 24. A primary transfer roll 26 as an example of a primary transfer member to be transferred; and a secondary transfer roll 28 as an example of a secondary transfer member for transferring a toner image transferred to the intermediate transfer belt 24 to a recording medium P. Yes.
画像形成ユニット22C、22M、22Y、22Kは、潜像を保持する像保持体の一例として、一方向(図8において時計回り方向)へ回転する感光体30をそれぞれ有している。 Each of the image forming units 22C, 22M, 22Y, and 22K includes a photoreceptor 30 that rotates in one direction (clockwise in FIG. 8) as an example of an image holder that holds a latent image.
各感光体30の周囲には、感光体30の回転方向上流側から順に、感光体30の表面を帯電させる帯電装置32と、帯電した感光体30の表面を露光して感光体30の表面に静電潜像を形成する露光装置としての露光ヘッド34と、感光体30の表面に形成された静電潜像を現像してトナー画像を形成する現像装置36と、トナー画像が中間転写ベルト24に転写された後の感光体30の表面に残留しているトナーを除去する除去装置40と、が設けられている。 Around each photoconductor 30, a charging device 32 that charges the surface of the photoconductor 30 in order from the upstream side in the rotation direction of the photoconductor 30 and the surface of the charged photoconductor 30 are exposed to expose the surface of the photoconductor 30. An exposure head 34 as an exposure device that forms an electrostatic latent image, a developing device 36 that develops the electrostatic latent image formed on the surface of the photoreceptor 30 to form a toner image, and the toner image is transferred to the intermediate transfer belt 24. And a removing device 40 for removing the toner remaining on the surface of the photoreceptor 30 after being transferred to the surface.
感光体30、帯電装置32、露光ヘッド34、現像装置36及び除去装置40は、画像形成ユニット22C、22M、22Y、22Kに収容されてユニット化されている。画像形成ユニット22C、22M、22Y、22Kは、筐体11に着脱可能に設けられたプロセスカートリッジとされており、交換可能となっている。 The photoconductor 30, the charging device 32, the exposure head 34, the developing device 36, and the removing device 40 are accommodated in the image forming units 22C, 22M, 22Y, and 22K and unitized. The image forming units 22 </ b> C, 22 </ b> M, 22 </ b> Y, and 22 </ b> K are process cartridges that are detachably attached to the housing 11 and can be replaced.
なお、感光体30、帯電装置32、露光ヘッド34、現像装置36及び除去装置40の全てがユニット化される必要は無い。例えば、露光ヘッド34を少なくとも備え、これと、その他、例えば感光体30、帯電装置32及び現像装置36の少なくとも1つと、画像形成ユニット22C、22M、22Y、22Kに収容されてユニット化されていればよい。 Note that the photosensitive member 30, the charging device 32, the exposure head 34, the developing device 36, and the removing device 40 do not have to be unitized. For example, the image forming unit 22C, 22M, 22Y, and 22K are unitized by being provided with at least the exposure head 34 and the other, for example, at least one of the photoconductor 30, the charging device 32, and the developing device 36. That's fine.
中間転写ベルト24は、二次転写ロール28に対向する対向ロール42、駆動ロール44及び支持ロール46によって支持され、感光体30と接触しながら一方向(図8において反時計回り方向)へ循環して移動するようになっている。 The intermediate transfer belt 24 is supported by a counter roll 42 facing the secondary transfer roll 28, a drive roll 44, and a support roll 46, and circulates in one direction (counterclockwise in FIG. 8) while being in contact with the photoreceptor 30. To move.
一次転写ロール26は、中間転写ベルト24を挟んで、感光体30に対向している。一次転写ロール26と感光体30との間には、感光体30上のトナー画像が中間転写ベルト24に一次転写される一次転写位置が形成される。この一次転写位置において、一次転写ロール26が感光体30の表面のトナー画像を圧接力と静電力により中間転写ベルト24に転写するようになっている。 The primary transfer roll 26 faces the photoconductor 30 with the intermediate transfer belt 24 interposed therebetween. Between the primary transfer roll 26 and the photoconductor 30, a primary transfer position where the toner image on the photoconductor 30 is primarily transferred to the intermediate transfer belt 24 is formed. At this primary transfer position, the primary transfer roll 26 transfers the toner image on the surface of the photoconductor 30 to the intermediate transfer belt 24 by a pressing force and an electrostatic force.
二次転写ロール28は、中間転写ベルト24を挟んで対向ロール42と対向している。二次転写ロール28と対向ロール42との間には、中間転写ベルト24上のトナー画像が記録媒体Pに二次転写される二次転写位置が形成される。この二次転写位置において、二次転写ロール28が中間転写ベルト24の表面のトナー画像を圧接力と静電力により記録媒体Pに転写するようになっている。 The secondary transfer roll 28 faces the opposing roll 42 with the intermediate transfer belt 24 interposed therebetween. A secondary transfer position where the toner image on the intermediate transfer belt 24 is secondarily transferred to the recording medium P is formed between the secondary transfer roll 28 and the opposing roll 42. At this secondary transfer position, the secondary transfer roll 28 transfers the toner image on the surface of the intermediate transfer belt 24 to the recording medium P by a pressure contact force and an electrostatic force.
搬送部16は、記録媒体収容部12に収容された記録媒体Pを送り出す送出ロール50と、送出ロール50によって送り出された記録媒体Pを二次転写位置へ搬送する搬送ロール対52と、を備えている。 The transport unit 16 includes a feed roll 50 that feeds the recording medium P accommodated in the recording medium storage unit 12, and a transport roll pair 52 that transports the recording medium P sent by the feed roll 50 to the secondary transfer position. ing.
定着装置18は、二次転写位置より搬送方向下流側に配置されており、二次転写位置で転写されたトナー画像を記録媒体Pへ定着させる。 The fixing device 18 is disposed downstream in the transport direction from the secondary transfer position, and fixes the toner image transferred at the secondary transfer position to the recording medium P.
二次転写位置より搬送方向下流側であって、定着装置18よりも搬送方向上流側には、定着装置18に記録媒体Pを搬送する搬送部材の一例としての搬送ベルト54が配置されている。 A conveyance belt 54 as an example of a conveyance member that conveys the recording medium P to the fixing device 18 is disposed downstream of the secondary transfer position in the conveyance direction and upstream of the fixing device 18 in the conveyance direction.
以上の構成により、本実施形態に係る画像形成装置10では、まず記録媒体収容部12から送り出された記録媒体Pが、搬送ロール対52によって二次転写位置へ送り込まれる。 With the above configuration, in the image forming apparatus 10 according to the present embodiment, the recording medium P sent out from the recording medium storage unit 12 is first sent to the secondary transfer position by the transport roll pair 52.
一方、中間転写ベルト24には、画像形成ユニット22C、22M、22Y、22Kで形成された各色のトナー画像が重ねられて、カラー画像が形成される。二次転写位置へ送り込まれた記録媒体Pは、中間転写ベルト24上に形成されたカラー画像が転写される。 On the other hand, the toner images of the respective colors formed by the image forming units 22C, 22M, 22Y, and 22K are superimposed on the intermediate transfer belt 24 to form a color image. The color image formed on the intermediate transfer belt 24 is transferred to the recording medium P sent to the secondary transfer position.
トナー画像が転写された記録媒体Pは、定着装置18へ搬送され、転写されたトナー画像が定着装置18により定着される。トナー画像が定着された記録媒体Pは、記録媒体排出部(図示省略)へ排出される。以上のように、一連の画像形成動作が行われる。 The recording medium P to which the toner image is transferred is conveyed to the fixing device 18, and the transferred toner image is fixed by the fixing device 18. The recording medium P on which the toner image is fixed is discharged to a recording medium discharge unit (not shown). As described above, a series of image forming operations are performed.
なお、画像形成装置の構成としては、上記の構成に限られず、例えば、中間転写体を有さない直接転写型の画像形成装置でもよく、種々の構成とすることが可能である。 The configuration of the image forming apparatus is not limited to the above-described configuration. For example, a direct transfer type image forming apparatus that does not have an intermediate transfer member may be used, and various configurations may be employed.
次に、露光ヘッド34について説明する。
図9は、本実施形態に係る露光ヘッドを示す斜視図である。
Next, the exposure head 34 will be described.
FIG. 9 is a perspective view showing the exposure head according to the present embodiment.
各露光ヘッド34は、図9に示すように、例えば、発光素子アレイ60(発光基板の一例)と、結像部70と、を備えている。
発光素子アレイ60は、例えば、発光素子60Bで構成される発光部60Aと発光素子60Bが実装される実装基板61(図1の基板110に相当)と、を備える。
As shown in FIG. 9, each exposure head 34 includes, for example, a light emitting element array 60 (an example of a light emitting substrate) and an imaging unit 70.
The light emitting element array 60 includes, for example, a light emitting unit 60A composed of the light emitting elements 60B and a mounting substrate 61 (corresponding to the substrate 110 in FIG. 1) on which the light emitting elements 60B are mounted.
発光素子アレイ60と結像部70とは、発光部60A(発光素子60B)と結像部70の光入射面70Aとの光学距離が結像部70の作動距離となるように、離間した状態で保持部材(不図示)により保持されている。
ここで、結像部70の作動距離とは、結像部に用いるレンズの焦点から結像部の入射面までの距離である。
そして、結像部70では、発光部60Aからの発光を光入射面70Aから入射すると共に光出射面70Bから出射して予め定められた位置に結像させる、つまり、発光素子60Bからの発光を感光体30に結像することによって、感光体30が露光されて潜像が形成される(図10参照)。
The light emitting element array 60 and the imaging unit 70 are separated so that the optical distance between the light emitting unit 60A (the light emitting element 60B) and the light incident surface 70A of the imaging unit 70 becomes the working distance of the imaging unit 70. And is held by a holding member (not shown).
Here, the working distance of the imaging unit 70 is a distance from the focal point of the lens used for the imaging unit to the incident surface of the imaging unit.
In the imaging unit 70, the light emitted from the light emitting unit 60A is incident from the light incident surface 70A and emitted from the light emitting surface 70B to form an image at a predetermined position, that is, the light emitted from the light emitting element 60B. By forming an image on the photoconductor 30, the photoconductor 30 is exposed to form a latent image (see FIG. 10).
発光素子アレイ60について説明する。
発光素子アレイ60は、例えば、発光部60A(発光素子60B)から照射される光を実装基板61側から取り出す、所謂、ボトムエミッション方式となっている。無論、トップエミッション方式であってもよい。
The light emitting element array 60 will be described.
The light emitting element array 60 is, for example, a so-called bottom emission method in which light emitted from the light emitting unit 60A (light emitting element 60B) is extracted from the mounting substrate 61 side. Of course, a top emission method may be used.
発光部60Aは、例えば、単一の発光素子60Bの群で構成されている。発光素子60Bは、図示しないが、実装基板61の長手方向に沿って線状(直列)又は千鳥状に配置して、発光部60Aを構成している。発光素子60Bの群で構成された発光部60Aは、感光体30の画像形成領域以上の長さとしている。 For example, the light emitting unit 60A includes a group of single light emitting elements 60B. Although not shown, the light emitting elements 60B are arranged linearly (in series) or zigzag along the longitudinal direction of the mounting substrate 61 to constitute the light emitting section 60A. The light emitting portion 60A configured by the group of light emitting elements 60B has a length longer than the image forming area of the photoconductor 30.
結像部70について説明する。
結像部70は、例えば、ロッドレンズ71が複数配列されたレンズアレイで構成されている。レンズアレイとして具体的には、例えば、セルフォックレンズアレイ(SLA:セルフォックは、日本板硝子(株)の登録商標)と呼ばれる屈折率分散型レンズアレイを適用することがよい。
The imaging unit 70 will be described.
For example, the imaging unit 70 includes a lens array in which a plurality of rod lenses 71 are arranged. Specifically, for example, a refractive index dispersion type lens array called Selfoc lens array (SLA: Selfoc is a registered trademark of Nippon Sheet Glass Co., Ltd.) may be applied.
以上説明した本実施形態に係る露光ヘッド34では、上記本実施形態に係る有機電界発光素子を適用する。
このため、本実施形態に係る露光ヘッド、それを備えるカートリッジ及び画像形成装置では、露光ムラが抑制される。
In the exposure head 34 according to the present embodiment described above, the organic electroluminescent element according to the present embodiment is applied.
For this reason, in the exposure head according to the present embodiment, the cartridge including the exposure head, and the image forming apparatus, exposure unevenness is suppressed.
以下、実施例によって本発明を説明する。なお、本発明はこれらの実施例によってのみ限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described by way of examples. In addition, this invention is not limited only by these Examples.
(実施例1)
以下に示すようにして、図1に示す層構成の有機電界発光素子を作製した。
まず、ガラス基板に、ITO(酸化スズインジウム)層を形成し、幅20μmのパターニングを施し、厚み150nmの陽極を形成した。
次に、陽極が形成されたガラス基板上に、陽極を覆うようにして、PEDOT−PSS(商品名:Baytron AI4083)をスピンコート法により厚み60nmで塗布して、正孔注入層(比抵抗:1000Ωcm)を形成した。
次に、正孔注入層上に、その下層にパターニングして形成された陽極(ITO)と後に形成する陰極とが重なる領域が開口するようにして、SiO2のスパッタリングを行い、厚み100nmで開口を持つ絶縁層を形成した。
次に、絶縁層上に、その開口を埋め込みつつ、下記構造式(1)で示される発光材料(重量平均分子量Mw≒105)1質量%をキシレンに溶解した塗布液をスピンコート法により塗布し、厚み(絶縁層表面上からの厚み)80nmの発光層を作製した。
次に、パターニングされた陽極と交差するよう形成された幅20μmの開口パターンを持つマスクを用いて、発光層上に、Ca層、Al層を順次蒸着し、幅20μmでパターニングされた厚み180nmの陰極を形成した。
上記操作により、有機電界発光素子を作製した(図1参照)。
Example 1
As shown below, the organic electroluminescent element having the layer structure shown in FIG. 1 was produced.
First, an ITO (indium tin oxide) layer was formed on a glass substrate, patterned with a width of 20 μm, and an anode with a thickness of 150 nm was formed.
Next, PEDOT-PSS (trade name: Baytron AI4083) is applied at a thickness of 60 nm by a spin coating method so as to cover the anode on the glass substrate on which the anode is formed, and a hole injection layer (specific resistance: 1000 Ωcm) was formed.
Next, on the hole injection layer, sputtering is performed with SiO 2 so that an area where an anode (ITO) formed by patterning in the lower layer overlaps with a cathode to be formed later is opened, and an opening with a thickness of 100 nm is formed. An insulating layer having a thickness was formed.
Next, a coating solution in which 1% by mass of a light emitting material (weight average molecular weight Mw≈10 5 ) represented by the following structural formula (1) is dissolved in xylene is applied by spin coating while the opening is embedded on the insulating layer. Then, a light emitting layer having a thickness (thickness from the surface of the insulating layer) of 80 nm was produced.
Next, using a mask having an opening pattern with a width of 20 μm formed so as to intersect with the patterned anode, a Ca layer and an Al layer are sequentially deposited on the light emitting layer, and patterned with a width of 20 μm and having a thickness of 180 nm. A cathode was formed.
The organic electroluminescent element was produced by the above operation (see FIG. 1).
(実施例2)
実施例1において、絶縁層の厚みを40nmにした以外は、実施例1と同様にして有機電界発光素子を作製した。
(Example 2)
In Example 1, an organic electroluminescent element was produced in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the insulating layer was 40 nm.
(実施例3)
実施例2において、PEDOT−PSSの代わりにMoO3を用いて正孔注入層(比抵抗:1000Ωcm)を形成した以外は、実施例2と同様にして有機電界発光素子を作製した。
(Example 3)
In Example 2, an organic electroluminescent element was produced in the same manner as in Example 2 except that the hole injection layer (specific resistance: 1000 Ωcm) was formed using MoO 3 instead of PEDOT-PSS.
(実施例4)
実施例2において、PEDOT−PSS(商品名:Baytron P AI4083)の代わりにPEDOT−PSS(商品名:Baytron PH500P))を用いて正孔注入層(比抵抗:17Ωcm)を形成した以外は、実施例2と同様にして有機電界発光素子を作製した。
Example 4
In Example 2, except that the hole injection layer (specific resistance: 17 Ωcm) was formed using PEDOT-PSS (trade name: Baytron PH500P) instead of PEDOT-PSS (trade name: Baytron P AI4083). An organic electroluminescent device was produced in the same manner as in Example 2.
(実施例5)
実施例2において、PEDOT−PSS(商品名:Baytron P AI4083)の代わりにPEDOT−PSS(商品名:Bytron HC V4))を用いて正孔注入層(比抵抗:0.1Ωcm)を形成した以外は、実施例2と同様にして有機電界発光素子を作製した。
(Example 5)
In Example 2, a hole injection layer (specific resistance: 0.1 Ωcm) was formed using PEDOT-PSS (trade name: Bytron HC V4) instead of PEDOT-PSS (trade name: Baytron P AI4083). Produced an organic electroluminescent element in the same manner as in Example 2.
(実施例6)
以下に示すようにして、図5に示す層構成の有機電界発光素子を作製した。
まず、ガラス基板に、ITO(酸化スズインジウム)層を形成し、幅20μmのパターニングを施し、厚み150nmの陽極を形成した。
次に、陽極が形成されたガラス基板上に、陽極を覆うようにして、PEDOT−PSS(商品名:Baytron P AI4083)をスピンコート法により厚み60nmで塗布して、正孔注入層(比抵抗:1000Ωcm)を形成した。
次に、正孔注入層上に、その下層にパターニングして形成された陽極(ITO)と後に形成する陰極とが重なる領域が開口するようにして、SiO2のスパッタリングを行い、厚み100nmで開口を持つ絶縁層を形成した。
次に、絶縁層の開口内に露出した正孔注入層上に、当該開口を埋め込むようにして、下記構造式(1)で示される発光材料(重量平均分子量Mw≒105)1質量%をキシレンに溶解した塗布液を塗布し、発光層を作製した。
次に、パターニングされた陽極と交差するよう形成された幅20μmの開口パターンを持つマスクを用いて、発光層上に、Ca層、Al層を順次蒸着し、幅20μmでパターニングされた厚み180nmの陰極を形成した。
上記操作により、有機電界発光素子を作製した(図5参照)。
(Example 6)
As shown below, an organic electroluminescent element having the layer structure shown in FIG. 5 was produced.
First, an ITO (indium tin oxide) layer was formed on a glass substrate, patterned with a width of 20 μm, and an anode with a thickness of 150 nm was formed.
Next, PEDOT-PSS (trade name: Baytron P AI4083) is applied at a thickness of 60 nm by a spin coat method so as to cover the anode on the glass substrate on which the anode is formed, and a hole injection layer (specific resistance) : 1000 Ωcm).
Next, on the hole injection layer, sputtering is performed with SiO 2 so that an area where an anode (ITO) formed by patterning in the lower layer overlaps with a cathode to be formed later is opened, and an opening with a thickness of 100 nm is formed. An insulating layer having a thickness was formed.
Next, on the hole injection layer exposed in the opening of the insulating layer, 1% by mass of the light emitting material represented by the following structural formula (1) (weight average molecular weight Mw≈10 5 ) is embedded so as to embed the opening. A coating solution dissolved in xylene was applied to produce a light emitting layer.
Next, using a mask having an opening pattern with a width of 20 μm formed so as to intersect with the patterned anode, a Ca layer and an Al layer are sequentially deposited on the light emitting layer, and patterned with a width of 20 μm and having a thickness of 180 nm. A cathode was formed.
The organic electroluminescent element was produced by the above operation (see FIG. 5).
(実施例7)
以下に示すようにして、図6に示す層構成の有機電界発光素子を作製した。
まず、ガラス基板に、ITO(酸化スズインジウム)層を形成し、幅20μmのパターニングを施し、厚み150nmの陽極を形成した。
次に、陽極が形成されたガラス基板上に、陽極を覆うようにして、PEDOT−PSS(商品名:Baytron P AI4083)をスピンコート法により厚み60nmで塗布して、正孔注入層(比抵抗:1000Ωcm)を形成した。
次に、正孔注入層上に、下記構造式(1)で示される発光材料(重量平均分子量Mw≒105)1質量%をキシレンに溶解した塗布液をスピンコート法により塗布し、厚み80nmの発光層を作製した。そして、発光層の上層側部分の一部を、陽極(ITO)と後に形成する陰極とが重なる領域が凸部(高さ30nm)となり、それ以外の領域が凹部となるようにパターニングした。
次に、発光層のパターニングした凹部上に、当該凹部が埋まるように、SiO2のスパッタリングを行い、厚み30nmで絶縁層を形成した。この絶縁層は、発光層のパターニングされた凸部の部分で開口を有している。
次に、パターニングされた陽極と交差するよう形成された幅20μmの開口パターンを持つマスクを用いて、絶縁層113から露出した発光層のパターニングされた凸部上に、Ca層、Al層を順次蒸着し、幅20μmでパターニングされた厚み180nmの陰極を形成した。
上記操作により、有機電界発光素子を作製した(図6参照)。
(Example 7)
As shown below, an organic electroluminescent element having the layer structure shown in FIG. 6 was produced.
First, an ITO (indium tin oxide) layer was formed on a glass substrate, patterned with a width of 20 μm, and an anode with a thickness of 150 nm was formed.
Next, PEDOT-PSS (trade name: Baytron P AI4083) is applied at a thickness of 60 nm by a spin coat method so as to cover the anode on the glass substrate on which the anode is formed, and a hole injection layer (specific resistance) : 1000 Ωcm).
Next, a coating solution in which 1% by mass of a light emitting material (weight average molecular weight Mw≈10 5 ) represented by the following structural formula (1) is dissolved in xylene is applied by spin coating on the hole injection layer, and the thickness is 80 nm. A light emitting layer was prepared. Then, a part of the upper layer side portion of the light emitting layer was patterned so that a region where the anode (ITO) and a cathode to be formed later overlap each other was a convex portion (height 30 nm) and the other region was a concave portion.
Next, SiO 2 was sputtered so that the concave portion was filled on the patterned concave portion of the light emitting layer, and an insulating layer was formed with a thickness of 30 nm. This insulating layer has an opening at the patterned convex portion of the light emitting layer.
Next, using a mask having an opening pattern with a width of 20 μm formed so as to intersect with the patterned anode, a Ca layer and an Al layer are sequentially formed on the patterned convex portion of the light emitting layer exposed from the insulating layer 113. Evaporated to form a 180 nm thick cathode patterned with a width of 20 μm.
The organic electroluminescent element was produced by the above operation (see FIG. 6).
(実施例8)
以下に示すようにして、図1に示す層構成の有機電界発光素子を作製した。
まず、ガラス基板に、ITO(酸化スズインジウム)層を形成し、幅20μmのパターニングを施し150nm陽極を形成した。
次に、陽極が形成されたガラス基板上に、陽極を覆うようにして、下記構造式(2)で示される電荷輸送性高分子(例示化合物(CTP−7):重量平均分子量Mw=5.0×104)を1質量%モノクロロベンゼンに溶解させ、該電荷輸送性高分子に対して、30質量%になるよう下記構造式(3)で示されるTBAHA(電子受容性アクセプタ)を添加した塗布液を、スピンコート法により厚み60nmで塗布して、正孔注入層(比抵抗:1000Ωcm)を形成した。
次に、正孔注入層上に、その下層にパターニングして形成された陽極(ITO)と後に形成する陰極とが重なる領域が開口するようにして、SiO2のスパッタリングを行い、厚み100nmで開口を持つ絶縁層を形成した。
次に、絶縁層上に、その開口を埋め込みつつ、下記構造式(1)で示される発光材料(重量平均分子量Mw≒105)1質量%をキシレンに溶解した塗布液をスピンコート法により塗布し、厚み(絶縁層表面上からの厚み)80nmの発光層を作製した。
次に、パターニングされた陽極と交差するよう形成された幅20μmの開口パターンを持つマスクを用いて、発光層上に、Ca層、Al層を順次蒸着し、幅20μmでパターニングされた厚み180nmの陰極を形成した。
上記操作により、有機電界発光素子を作製した(図1参照)。
(Example 8)
As shown below, the organic electroluminescent element having the layer structure shown in FIG. 1 was produced.
First, an ITO (indium tin oxide) layer was formed on a glass substrate, and patterning with a width of 20 μm was performed to form a 150 nm anode.
Next, a charge transporting polymer represented by the following structural formula (2) (exemplary compound (CTP-7): weight average molecular weight Mw = 5. 0 × 10 4 ) was dissolved in 1% by mass monochlorobenzene, and TBAHA (electron-accepting acceptor) represented by the following structural formula (3) was added to the charge transporting polymer so as to be 30% by mass. The coating solution was applied at a thickness of 60 nm by spin coating to form a hole injection layer (specific resistance: 1000 Ωcm).
Next, on the hole injection layer, sputtering is performed with SiO 2 so that an area where an anode (ITO) formed by patterning in the lower layer overlaps with a cathode to be formed later is opened, and an opening with a thickness of 100 nm is formed. An insulating layer having a thickness was formed.
Next, a coating solution in which 1% by mass of a light emitting material (weight average molecular weight Mw≈10 5 ) represented by the following structural formula (1) is dissolved in xylene is applied by spin coating while the opening is embedded on the insulating layer. Then, a light emitting layer having a thickness (thickness from the surface of the insulating layer) of 80 nm was produced.
Next, using a mask having an opening pattern with a width of 20 μm formed so as to intersect with the patterned anode, a Ca layer and an Al layer are sequentially deposited on the light emitting layer, and patterned with a width of 20 μm and having a thickness of 180 nm. A cathode was formed.
The organic electroluminescent element was produced by the above operation (see FIG. 1).
(実施例9)
実施例8において、下記構造式(2)で示される電荷輸送性高分子の代わりに、下記構造式(4)で示される電荷輸送性高分子(例示化合物(CTP−109):Mw=8.8×104)を用いた以外は、実施例8と同様に有機電界発光素子を作製した。
Example 9
In Example 8, instead of the charge transporting polymer represented by the following structural formula (2), the charge transporting polymer represented by the following structural formula (4) (exemplary compound (CTP-109): Mw = 8. An organic electroluminescent element was produced in the same manner as in Example 8 except that 8 × 10 4 ) was used.
(実施例10)
以下に示すようにして、図7に示す層構成の有機電界発光素子を作製した。
まず、ガラス基板に、ITO(酸化スズインジウム)層を形成し、幅20μmのパターニングを施し、厚み150nmの陽極を形成した。
次に、陽極が形成されたガラス基板上に、陽極を覆うようにして、PEDOT−PSS(商品名:Baytron AI4083)をスピンコート法により厚み10nmで塗布して、正孔注入層(比抵抗:1000Ωcm)を形成した。
次に、正孔注入層上に、下記構造式(2)で示される電荷輸送性高分子(例示化合物(CTP−7):重量平均分子量Mw=5.0×104)を1質量%モノクロロベンゼンに溶解させ、該電荷輸送性高分子に対して30質量%になるよう下記構造式(3)で示されるTBAHA(電子受容性アクセプタ)を添加した塗布液を、スピンコート法により厚み60nmで塗布して、正孔輸送層を形成した。
次に、正孔輸送層上に、その下層にパターニングして形成された陽極(ITO)と後に形成する陰極とが重なる領域が開口するようにして、SiO2のスパッタリングを行い、厚み100nmで開口を持つ絶縁層を形成した。
次に、絶縁層上に、その開口を埋め込みつつ、下記構造式(1)で示される発光材料(重量平均分子量Mw≒105)1質量%をキシレンに溶解した塗布液をスピンコート法により塗布し、厚み(絶縁層表面上からの厚み)80nmの発光層を作製した。
次に、パターニングされた陽極と交差するよう形成された幅20μmの開口パターンを持つマスクを用いて、発光層上に、Ca層、Al層を順次蒸着し、幅20μmでパターニングされた厚み180nmの陰極を形成した。
上記操作により、有機電界発光素子を作製した(図7参照)。
(Example 10)
As shown below, an organic electroluminescent element having the layer structure shown in FIG. 7 was produced.
First, an ITO (indium tin oxide) layer was formed on a glass substrate, patterned with a width of 20 μm, and an anode with a thickness of 150 nm was formed.
Next, on the glass substrate on which the anode is formed, PEDOT-PSS (trade name: Baytron AI4083) is applied at a thickness of 10 nm by a spin coating method so as to cover the anode, and a hole injection layer (specific resistance: 1000 Ωcm) was formed.
Next, a charge transporting polymer represented by the following structural formula (2) (exemplary compound (CTP-7): weight average molecular weight Mw = 5.0 × 10 4 ) on the hole injection layer is 1% by mass. A coating solution in which TBAHA (electron-accepting acceptor) represented by the following structural formula (3) is added so as to be 30% by mass with respect to the charge transporting polymer dissolved in chlorobenzene is spin-coated at a thickness of 60 nm. The hole transport layer was formed by coating.
Next, on the hole transport layer, sputtering of SiO 2 is performed so that an area where an anode (ITO) formed by patterning in the lower layer and an anode to be formed later are opened, and an opening with a thickness of 100 nm is formed. An insulating layer having a thickness was formed.
Next, a coating solution in which 1% by mass of a light emitting material (weight average molecular weight Mw≈10 5 ) represented by the following structural formula (1) is dissolved in xylene is applied by spin coating while the opening is embedded on the insulating layer. A light emitting layer having a thickness (thickness from the surface of the insulating layer) of 80 nm was prepared.
Next, using a mask having an opening pattern with a width of 20 μm formed so as to intersect with the patterned anode, a Ca layer and an Al layer are sequentially deposited on the light emitting layer, and patterned with a width of 20 μm and having a thickness of 180 nm. A cathode was formed.
The organic electroluminescent element was produced by the above operation (see FIG. 7).
(比較例1)
以下に示すようにして、図3に示す層構成の有機電界発光素子を作製した。
まず、ガラス基板に、ITO(酸化スズインジウム)層を形成し、幅20μmのパターニングを施し、厚み150nmの陽極を形成した。
次に、陽極が形成されたガラス基板上に、陽極を覆うようにして、PEDOT−PSS(商品名:Baytron P AI4083)をスピンコート法により厚み60nmで塗布して、正孔注入層(比抵抗:1000Ωcm)を形成した。
次に、正孔注入層上に、下記構造式(1)で示される発光材料(重量平均分子量Mw≒105)1質量%をキシレンに溶解した塗布液をスピンコート法により塗布し、厚み80nmの発光層を作製した。
次に、パターニングされた陽極と交差するよう形成された幅20μmの開口パターンを持つマスクを用いて、発光層上に、Ca層、Al層を順次蒸着し、幅20μmでパターニングされた厚み180nmの陰極を形成した。
上記操作により、有機電界発光素子を作製した(図3参照)。
(Comparative Example 1)
As shown below, an organic electroluminescent element having the layer structure shown in FIG. 3 was produced.
First, an ITO (indium tin oxide) layer was formed on a glass substrate, patterned with a width of 20 μm, and an anode with a thickness of 150 nm was formed.
Next, PEDOT-PSS (trade name: Baytron P AI4083) is applied at a thickness of 60 nm by a spin coat method so as to cover the anode on the glass substrate on which the anode is formed, and a hole injection layer (specific resistance) : 1000 Ωcm).
Next, a coating solution in which 1% by mass of a light emitting material (weight average molecular weight Mw≈10 5 ) represented by the following structural formula (1) is dissolved in xylene is applied by spin coating on the hole injection layer, and the thickness is 80 nm. A light emitting layer was prepared.
Next, using a mask having an opening pattern with a width of 20 μm formed so as to intersect with the patterned anode, a Ca layer and an Al layer are sequentially deposited on the light emitting layer, and patterned with a width of 20 μm and having a thickness of 180 nm. A cathode was formed.
The organic electroluminescent element was produced by the above operation (see FIG. 3).
(比較例2)
比較例1において、PEDOT−PSSの代わりにMoO3を用いて正孔注入層(比抵抗:1000Ωcm)を形成した以外は、比較例1と同様にして有機電界発光素子を作製した。
(Comparative Example 2)
In Comparative Example 1, an organic electroluminescent element was produced in the same manner as in Comparative Example 1 except that MoO 3 was used instead of PEDOT-PSS to form a hole injection layer (specific resistance: 1000 Ωcm).
(比較例3)
実施例2において、PEDOT−PSS(商品名:Baytron P AI4083)の代わりにPEDOT−PSS(商品名:Baytron PH500P)を用いて正孔注入層(比抵抗:17Ωcm)を形成した以外は、比較例1と同様にして有機電界発光素子を作製した。
(Comparative Example 3)
Comparative Example, except that in Example 2, a hole injection layer (specific resistance: 17 Ωcm) was formed using PEDOT-PSS (trade name: Baytron PH500P) instead of PEDOT-PSS (trade name: Baytron P AI4083). In the same manner as in Example 1, an organic electroluminescent element was produced.
(比較例4)
実施例2において、PEDOT−PSS(商品名:Baytron P AI4083)の代わりにPEDOT−PSS(商品名:Bytron HC V4))を用いて正孔注入層(比抵抗:0.1Ωcm)を形成した以外は、比較例1と同様にして有機電界発光素子を作製した。
(Comparative Example 4)
In Example 2, a hole injection layer (specific resistance: 0.1 Ωcm) was formed using PEDOT-PSS (trade name: Bytron HC V4) instead of PEDOT-PSS (trade name: Baytron P AI4083). Produced an organic electroluminescent device in the same manner as in Comparative Example 1.
(比較例5)
以下に示すようにして、図4に示す層構成の有機電界発光素子を作製した。
まず、ガラス基板に、ITO(酸化スズインジウム)層を形成し、幅20μmのパターニングを施し、厚み150nmの陽極を形成した。
次に、陽極が形成されたガラス基板上に、パターニングして形成された陽極(ITO)と後に形成する陰極とが重なる領域が開口するようにして、SiO2のスパッタリングを行い、厚み300nmで開口を持つ絶縁層を形成した。
次に、絶縁層の開口から露出した陽極上に、PEDOT−PSS(商品名:Bytron HC V4)をスピンコート法により厚み60nmで塗布して、正孔注入層(比抵抗:1000Ωcm)を形成した。
次に、絶縁層の開口から露出した正孔注入層上に、下記構造式(1)で示される発光材料(重量平均分子量Mw≒105)1質量%をキシレンに溶解した塗布液をスピンコート法により塗布し、厚み80nmの発光層を作製した。
次に、パターニングされた陽極と交差するよう形成された幅20μmの開口パターンを持つマスクを用いて、発光層上に、Ca層、Al層を順次蒸着し、幅20μmでパターニングされた厚み180nmの陰極を形成した。
上記操作により、有機電界発光素子を作製した(図4参照)。
(Comparative Example 5)
As shown below, an organic electroluminescent device having the layer structure shown in FIG. 4 was produced.
First, an ITO (indium tin oxide) layer was formed on a glass substrate, patterned with a width of 20 μm, and an anode with a thickness of 150 nm was formed.
Next, on the glass substrate on which the anode is formed, SiO 2 is sputtered so that a region where the anode (ITO) formed by patterning and the cathode to be formed later are opened, and the opening is formed with a thickness of 300 nm. An insulating layer having a thickness was formed.
Next, PEDOT-PSS (trade name: Bytron HC V4) was applied at a thickness of 60 nm by spin coating on the anode exposed from the opening of the insulating layer to form a hole injection layer (specific resistance: 1000 Ωcm). .
Next, on the hole injection layer exposed from the opening of the insulating layer, a coating solution in which 1% by mass of a light emitting material (weight average molecular weight Mw≈10 5 ) represented by the following structural formula (1) is dissolved in xylene is spin-coated. The light emitting layer with a thickness of 80 nm was produced by coating by the method.
Next, using a mask having an opening pattern with a width of 20 μm formed so as to intersect with the patterned anode, a Ca layer and an Al layer are sequentially deposited on the light emitting layer, and patterned with a width of 20 μm and having a thickness of 180 nm. A cathode was formed.
The organic electroluminescent element was produced by the above operation (see FIG. 4).
(評価)
各例で作製した有機電界発光素子に関し、発光効率、発光プロファイルについて調べた。
(Evaluation)
With respect to the organic electroluminescent element produced in each example, the luminous efficiency and the luminous profile were examined.
−発光効率−
発光効率の評価は、次のようにして電流発光効率(相対値)を測定を計測することで行った。
電流密度―発光輝度を測定し、一定輝度における発光効率を算出した。
-Luminous efficiency-
Evaluation of luminous efficiency was performed by measuring the current luminous efficiency (relative value) as follows.
The current density-luminescence luminance was measured, and the luminous efficiency at a constant luminance was calculated.
−発光プロファイル−
発光プロファイルの評価は、発光部の幅を計測することで評価した。
CCD(Charge Coupled Device)カメラにより発光プロファイルを測定し、幅を算出した。
なお、発光部の半値幅が電極幅に近いほど、発光プロファイルに歪みが少ないことを意味する。
-Light emission profile-
The light emission profile was evaluated by measuring the width of the light emitting part.
The emission profile was measured with a CCD (Charge Coupled Device) camera, and the width was calculated.
In addition, it means that there are few distortions in a light emission profile, so that the half value width of a light emission part is near to the electrode width.
上記結果から、本実施例では、比較例に比べ、発光効率と共に、発光プロファイルも良好であることがわかる。 From the above results, it can be seen that in this example, the light emission profile is good as well as the light emission efficiency as compared with the comparative example.
10 画像形成装置
11 筐体
12 記録媒体収容部
14 画像形成部
16 搬送部
18 定着装置
22k、22Y、22M、22C 画像形成ユニット
24 中間転写ベルト
26 一次転写ロール
28 二次転写ロール
30 感光体
32 帯電装置
34 露光ヘッド
36 現像装置
40 除去装置
42 対向ロール
44 駆動ロール
46 支持ロール
50 送出ロール
52 搬送ロール対
54 搬送ベルト
60 発光素子アレイ
60A 発光部
60B 発光素子
61 実装基板
70 結像部
70B 結像部の光出射面
70A 結像部の光入射面
71 ロッドレンズ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Image forming apparatus 11 Housing | casing 12 Recording medium accommodating part 14 Image forming part 16 Conveying part 18 Fixing apparatus 22k, 22Y, 22M, 22C Image forming unit 24 Intermediate transfer belt 26 Primary transfer roll 28 Secondary transfer roll 30 Photoconductor 32 Charging Device 34 Exposure head 36 Developing device 40 Removal device 42 Opposite roll 44 Drive roll 46 Support roll 50 Sending roll 52 Transport roll pair 54 Transport belt 60 Light emitting element array 60A Light emitting element 60B Light emitting element 61 Mounting substrate 70 Image forming part 70B Image forming part Light exit surface 70A of the image forming portion Light entrance surface 71 Rod lens
Claims (8)
前記陰極と陽極との間に設けられた発光層と、
前記陽極と発光層との間に設けられた正孔注入層と、
前記陰極と正孔注入層との間に設けられ、開口を有する絶縁層と、
を備える有機電界発光素子。 A cathode and an anode;
A light emitting layer provided between the cathode and the anode;
A hole injection layer provided between the anode and the light emitting layer;
An insulating layer provided between the cathode and the hole injection layer and having an opening;
An organic electroluminescent device comprising:
(一般式(I−1)及び(I−2)中、Arは、置換もしくは未置換の1価の芳香環、置換もしくは未置換の芳香環数2以上10以下の1価の多核芳香環、又は置換もしくは未置換の芳香環数2以上10以下の1価の縮合芳香環を表す。Xは、置換又は未置換の2価の芳香族基を表す。k、及びlはそれぞれ独立に0又は1を表す。Tは、炭素数1以上10以下の直鎖状の2価の炭化水素基又は炭素数1以上10以下の分枝状の2価の炭化水素基を表す。)
(一般式(II)、(III)、(IV)及び(V)中、Aは、一般式(I−1)又は(I−2)を表す。Bは、−O−(Y’−O)m’−、又はZ’を表す。Y、Y’、Z、及びZ’は、それぞれ独立に2価の炭化水素基を表す。m、及びm’は、それぞれ独立に1以上5以下の整数を表す。nは、0又は1を表す。pは、5以上500以下の整数を表す。qは、1以上5000以下の整数を表す。rは、1以上3500以下の整数を表す。) The hole injection layer contains one or more of the structures represented by any of the following general formulas (I-1) and (I-2) as a partial structure of a repeating unit, and the following general formula (II), The organic electroluminescent element according to claim 1 or 2, comprising a charge transporting polymer represented by any one of (III), (IV) and (V), and an electron accepting acceptor.
(In the general formulas (I-1) and (I-2), Ar represents a substituted or unsubstituted monovalent aromatic ring, a monovalent polynuclear aromatic ring having 2 to 10 substituted or unsubstituted aromatic rings, Or a substituted or unsubstituted monovalent fused aromatic ring having 2 to 10 aromatic rings, X represents a substituted or unsubstituted divalent aromatic group, k and l are each independently 0 or T represents a linear divalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms or a branched divalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms.
(In the general formulas (II), (III), (IV) and (V), A represents the general formula (I-1) or (I-2). B represents —O— (Y′—O). ) m '-, or Z' .Y representing a, Y ', Z, and Z' each independently represents a divalent hydrocarbon group .m, and m ', the 1 to 5 independently Represents an integer, n represents 0 or 1. p represents an integer of 5 to 500. q represents an integer of 1 to 5000. r represents an integer of 1 to 3500.)
前記発光部からの発光を光入射面から入射すると共に光出射面から出射して予め定められた位置に結像させる結像部と、
を備える露光ヘッド。 A light-emitting unit composed of the organic electroluminescent element according to any one of claims 1 to 5,
An image forming unit that causes light emitted from the light emitting unit to be incident from a light incident surface and emitted from the light emitting surface to form an image at a predetermined position;
An exposure head comprising:
画像形成装置に着脱するカートリッジ。 An exposure head according to claim 6,
A cartridge to be attached to and detached from the image forming apparatus.
前記潜像保持体に光を照射して潜像を形成する露光ヘッドであって、請求項6に記載の露光ヘッドと、
前記露光ヘッドによって前記潜像保持体に形成された潜像を現像する現像装置と、
を備える画像形成装置。 A latent image holding body for holding the latent image;
An exposure head for forming a latent image by irradiating the latent image holding member with light, wherein the exposure head according to claim 6;
A developing device for developing the latent image formed on the latent image holding member by the exposure head;
An image forming apparatus comprising:
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016111254A1 (en) * | 2015-01-06 | 2016-07-14 | 保土谷化学工業株式会社 | Organic electroluminescent element |
-
2011
- 2011-03-10 JP JP2011053432A patent/JP2012028305A/en not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016111254A1 (en) * | 2015-01-06 | 2016-07-14 | 保土谷化学工業株式会社 | Organic electroluminescent element |
| JPWO2016111254A1 (en) * | 2015-01-06 | 2017-07-27 | 保土谷化学工業株式会社 | Organic electroluminescence device |
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