JP2012204794A - Organic electroluminescent element and display device - Google Patents
Organic electroluminescent element and display device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012204794A JP2012204794A JP2011070690A JP2011070690A JP2012204794A JP 2012204794 A JP2012204794 A JP 2012204794A JP 2011070690 A JP2011070690 A JP 2011070690A JP 2011070690 A JP2011070690 A JP 2011070690A JP 2012204794 A JP2012204794 A JP 2012204794A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- group
- organic
- electron supply
- supply layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 351
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 75
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 33
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 64
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 30
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 26
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 claims description 12
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 11
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 11
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 11
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 10
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 claims description 10
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 8
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 8
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000004076 pyridyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000006615 aromatic heterocyclic group Chemical group 0.000 claims description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 4
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000005493 quinolyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000003837 (C1-C20) alkyl group Chemical group 0.000 claims 1
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000003860 C1-C20 alkoxy group Chemical group 0.000 claims 1
- 150000001556 benzimidazoles Chemical class 0.000 claims 1
- 125000000609 carbazolyl group Chemical class C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 claims 1
- 125000005575 polycyclic aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 claims 1
- LISFMEBWQUVKPJ-UHFFFAOYSA-N quinolin-2-ol Chemical compound C1=CC=C2NC(=O)C=CC2=C1 LISFMEBWQUVKPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 9
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 abstract description 8
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 53
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 description 24
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 14
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- -1 nitrogen-containing heterocyclic compound Chemical class 0.000 description 12
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 10
- 125000003785 benzimidazolyl group Chemical class N1=C(NC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 9
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 8
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 8
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 8
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 7
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 7
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 6
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 6
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 description 6
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 6
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 6
- 125000003808 silyl group Chemical group [H][Si]([H])([H])[*] 0.000 description 6
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 6
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 125000003172 aldehyde group Chemical group 0.000 description 5
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 5
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 5
- 125000006165 cyclic alkyl group Chemical group 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 5
- 125000002560 nitrile group Chemical group 0.000 description 5
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 5
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthene Chemical compound C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 4
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 4
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 4
- UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N (e)-2-phenylethenamine Chemical compound N\C=C\C1=CC=CC=C1 UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 3
- IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(dicyanomethylidene)-2,3,5,6-tetrafluorocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene]propanedinitrile Chemical compound FC1=C(F)C(=C(C#N)C#N)C(F)=C(F)C1=C(C#N)C#N IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 3
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 3
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 3
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N tetralin Chemical compound C1=CC=C2CCCCC2=C1 CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- GWHJZXXIDMPWGX-UHFFFAOYSA-N 1,2,4-trimethylbenzene Chemical compound CC1=CC=C(C)C(C)=C1 GWHJZXXIDMPWGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QNLZIZAQLLYXTC-UHFFFAOYSA-N 1,2-dimethylnaphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=C(C)C(C)=CC=C21 QNLZIZAQLLYXTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NPDIDUXTRAITDE-UHFFFAOYSA-N 1-methyl-3-phenylbenzene Chemical group CC1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 NPDIDUXTRAITDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QPUYECUOLPXSFR-UHFFFAOYSA-N 1-methylnaphthalene Chemical compound C1=CC=C2C(C)=CC=CC2=C1 QPUYECUOLPXSFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HBEDSQVIWPRPAY-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrobenzofuran Chemical compound C1=CC=C2OCCC2=C1 HBEDSQVIWPRPAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZZLCFHIKESPLTH-UHFFFAOYSA-N 4-Methylbiphenyl Chemical group C1=CC(C)=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZZLCFHIKESPLTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 2
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 150000002503 iridium Chemical class 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 150000003057 platinum Chemical class 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 2
- 150000003281 rhenium Chemical class 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 2
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 2
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003518 tetracenes Chemical class 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N (2s)-2-[[4-[2-(2,4-diaminoquinazolin-6-yl)ethyl]benzoyl]amino]-4-methylidenepentanedioic acid Chemical compound C1=CC2=NC(N)=NC(N)=C2C=C1CCC1=CC=C(C(=O)N[C@@H](CC(=C)C(O)=O)C(O)=O)C=C1 NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N 0.000 description 1
- GEYOCULIXLDCMW-UHFFFAOYSA-N 1,2-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC=C1N GEYOCULIXLDCMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WZEYZMKZKQPXSX-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-trimethylbenzene Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C)=C1.CC1=CC(C)=CC(C)=C1 WZEYZMKZKQPXSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- APQXWKHOGQFGTB-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-9h-carbazole Chemical class C12=CC=CC=C2NC2=C1C=CC=C2C=C APQXWKHOGQFGTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJADXKHSFIMCRC-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n,4-n,4-n-tetrakis(4-methylphenyl)benzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 SJADXKHSFIMCRC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIWRTHVZRZXVFX-UHFFFAOYSA-N 1-phenyl-3-propan-2-ylbenzene Chemical group CC(C)C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 LIWRTHVZRZXVFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMPBFICDXLLSRM-UHFFFAOYSA-N 1-propan-2-ylnaphthalene Chemical compound C1=CC=C2C(C(C)C)=CC=CC2=C1 PMPBFICDXLLSRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ACWRSZKNNOJCJE-UHFFFAOYSA-N 2-n-naphthalen-1-yl-2-n-phenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound NC1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=CC=C1 ACWRSZKNNOJCJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFYJOIZOFRFIFV-UHFFFAOYSA-N 2-pyran-2-ylideneacetonitrile Chemical class N#CC=C1OC=CC=C1 WFYJOIZOFRFIFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KSXHZOTTWSNEHY-UHFFFAOYSA-N 3-[3-(2-cyanoethoxy)-2,2-bis(2-cyanoethoxymethyl)propoxy]propanenitrile Chemical group N#CCCOCC(COCCC#N)(COCCC#N)COCCC#N KSXHZOTTWSNEHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 4- -2-tert-butyl-6- -4h-pyran Chemical compound O1C(C(C)(C)C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(C(CCN2CCC3(C)C)(C)C)=C2C3=C1 HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 0.000 description 1
- MSHFRERJPWKJFX-UHFFFAOYSA-N 4-Methoxybenzyl alcohol Chemical compound COC1=CC=C(CO)C=C1 MSHFRERJPWKJFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RMTFQLKKBBWGAH-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-(4-methylphenyl)-n-[4-(2-phenylethenyl)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(C=CC=2C=CC=CC=2)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 RMTFQLKKBBWGAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 9-phenylcarbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21 VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N Butylhydroxytoluene Chemical compound CC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019015 Mg-Ag Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical class N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004286 SiNxOy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020286 SiOxNy Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N Stilbene Natural products C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLGBZMMZGDRARJ-UHFFFAOYSA-N Triphenylene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C2=C1 SLGBZMMZGDRARJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001297 Zn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- TWVGAEQMWFGWDX-UHFFFAOYSA-N acetylene;thiophene Chemical group C#C.C=1C=CSC=1 TWVGAEQMWFGWDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000999 acridine dye Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910001515 alkali metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021431 alpha silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- APLQAVQJYBLXDR-UHFFFAOYSA-N aluminum quinoline Chemical compound [Al+3].N1=CC=CC2=CC=CC=C12.N1=CC=CC2=CC=CC=C12.N1=CC=CC2=CC=CC=C12 APLQAVQJYBLXDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940058303 antinematodal benzimidazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 125000001769 aryl amino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical class C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- UORVGPXVDQYIDP-BJUDXGSMSA-N borane Chemical class [10BH3] UORVGPXVDQYIDP-BJUDXGSMSA-N 0.000 description 1
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 1
- FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L caesium carbonate Chemical compound [Cs+].[Cs+].[O-]C([O-])=O FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000024 caesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001846 chrysenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- 150000004775 coumarins Chemical class 0.000 description 1
- HHNHBFLGXIUXCM-GFCCVEGCSA-N cyclohexylbenzene Chemical compound [CH]1CCCC[C@@H]1C1=CC=CC=C1 HHNHBFLGXIUXCM-GFCCVEGCSA-N 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N fluoren-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3C2=C1 YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000000990 laser dye Substances 0.000 description 1
- 238000007644 letterpress printing Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Inorganic materials [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N lithium oxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000005395 methacrylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LKKPNUDVOYAOBB-UHFFFAOYSA-N naphthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC4=CC=CC=C4C=C3C(N=C3C4=CC5=CC=CC=C5C=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=C2C(C=CC=C2)=C2)C2=C1N=C1C2=CC3=CC=CC=C3C=C2C4=N1 LKKPNUDVOYAOBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004880 oxines Chemical class 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 150000002964 pentacenes Chemical class 0.000 description 1
- XEXYATIPBLUGSF-UHFFFAOYSA-N phenanthro[9,10-b]pyridine-2,3,4,5,6,7-hexacarbonitrile Chemical group N1=C(C#N)C(C#N)=C(C#N)C2=C(C(C#N)=C(C(C#N)=C3)C#N)C3=C(C=CC=C3)C3=C21 XEXYATIPBLUGSF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 125000005551 pyridylene group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 235000021286 stilbenes Nutrition 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N tetracyanoquinodimethane Chemical compound N#CC(C#N)=C1C=CC(=C(C#N)C#N)C=C1 PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YNHJECZULSZAQK-UHFFFAOYSA-N tetraphenylporphyrin Chemical compound C1=CC(C(=C2C=CC(N2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3N2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 YNHJECZULSZAQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000003577 thiophenes Chemical class 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 125000005259 triarylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005580 triphenylene group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Pyridine Compounds (AREA)
- Plural Heterocyclic Compounds (AREA)
- Nitrogen Condensed Heterocyclic Rings (AREA)
- Indole Compounds (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス(EL;Electro Luminescence)現象を利用して発光する有機電界発光素子および表示装置に関する。 The present invention relates to an organic electroluminescent element that emits light using an organic electroluminescence (EL) phenomenon and a display device.
有機材料のELを利用した有機電界発光素子(有機EL素子)は、陽極と陰極との間に発光層を含む有機層を備え、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な発光素子として注目されている。 An organic electroluminescent element (organic EL element) using an organic material EL has been attracting attention as a light emitting element having an organic layer including a light emitting layer between an anode and a cathode and capable of emitting light with high luminance by low voltage direct current drive. ing.
有機電界発光素子は、発光効率および寿命特性の向上を図ることを目的として、発光層を含む有機層の層構成や、各層の材料構成について様々な検討がなされている。例えば、特許文献1のように発光層と陰極との間の電子注入層および電子輸送層の構成材料として電子移動度の高い含窒素複素環式化合物を用いた有機電界発光素子が提案されている。 In the organic electroluminescence device, various studies have been made on the layer configuration of an organic layer including a light emitting layer and the material configuration of each layer for the purpose of improving luminous efficiency and lifetime characteristics. For example, as disclosed in Patent Document 1, an organic electroluminescent device using a nitrogen-containing heterocyclic compound having a high electron mobility as a constituent material of an electron injection layer and an electron transport layer between a light emitting layer and a cathode has been proposed. .
しかしながら、特許文献1に記載されている有機電界発光素子では、含窒素複素環式化合物の電子移動度の高さから、電界を印加した際の発光層におけるキャリアバランスが崩れ、電子の供給が過剰になりやすいという問題があった。このため発光層の劣化が促進され、有機電界発光素子の発光効率が低下し寿命が短くなる。 However, in the organic electroluminescent element described in Patent Document 1, the electron mobility of the nitrogen-containing heterocyclic compound is high, so that the carrier balance in the light emitting layer when an electric field is applied collapses, and the supply of electrons is excessive. There was a problem that it was easy to become. For this reason, the deterioration of the light emitting layer is promoted, the light emission efficiency of the organic electroluminescent element is lowered, and the life is shortened.
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、発光効率を高めつつ輝度劣化の抑制および駆動電圧の上昇を含めた寿命特性を向上させることが可能な有機電界発光素子およびこれを用いた表示装置を提供することにある。 The present invention has been made in view of such problems, and an object of the present invention is to provide an organic electroluminescent element capable of improving lifetime characteristics including suppressing luminance deterioration and increasing driving voltage while improving luminous efficiency, and the present invention. It is to provide a display device using the above.
本発明による有機電界発光素子は、陽極と、陽極上に形成された正孔供給層、発光層および式(1)で表わされるアリールピリジン誘導体を含むと共に、正孔供給層よりも膜厚の厚い電子供給層をこの順に備えた有機層と、有機層上に形成された陰極とを備えたものである。 The organic electroluminescent device according to the present invention includes an anode, a hole supply layer formed on the anode, a light emitting layer, and an arylpyridine derivative represented by the formula (1), and is thicker than the hole supply layer. An organic layer having an electron supply layer in this order and a cathode formed on the organic layer are provided.
本発明の表示装置は、上記有機電界発光素子を基板上に複数設けたものである。 A display device according to the present invention includes a plurality of the organic electroluminescent elements provided on a substrate.
本発明の有機電界発光素子およびこれを備えた表示装置では、正孔供給層、発光層および電子供給層からなる有機層のうち、電子供給層の膜厚が正孔供給層よりも厚いので、電子供給層から発光層への電子の供給量を調整することが可能となる。 In the organic electroluminescent element of the present invention and the display device including the same, the organic supply layer is thicker than the hole supply layer among the organic layers including the hole supply layer, the light emitting layer, and the electron supply layer. It is possible to adjust the amount of electrons supplied from the electron supply layer to the light emitting layer.
本発明の有機電界発光素子およびこれを用いた表示装置によれば、正孔供給層、発光層および電子供給層からなる有機層のうち、電子供給層の膜厚を正孔供給層よりも厚くするようにしたので、電子供給層から発光層への電子の供給量が調整され、発光層へ過不足なく電子および正孔を供給することが可能となる。これにより、電子供給過多による発光層の劣化を抑えることができる。即ち、発光効率を向上させつつ寿命特性を向上させることが可能となる。 According to the organic electroluminescent element of the present invention and the display device using the same, the thickness of the electron supply layer is larger than that of the hole supply layer among the organic layers including the hole supply layer, the light emitting layer, and the electron supply layer. Thus, the amount of electrons supplied from the electron supply layer to the light emitting layer is adjusted, and electrons and holes can be supplied to the light emitting layer without excess or deficiency. Thereby, deterioration of the light emitting layer due to excessive supply of electrons can be suppressed. That is, it is possible to improve the life characteristics while improving the light emission efficiency.
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して以下の順に詳細に説明する。
1.第1の実施の形態
(陽極および陰極の間に正孔供給層,発光層および電子供給層からなる有機層を単層挟持した有機電界発光素子)
1−1(有機電界発光素子)
1−2(表示装置)
2.第2の実施の形態
(2層構造の電子供給層を有する有機電界発光素子)
3.第3の実施の形態
(3層構造の電子供給層を有する有機電界発光素子)
4.第4の実施の形態
(タンデム構造の有機層を有する有機電界発光素子)
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail in the following order with reference to the drawings.
1. First Embodiment (Organic electroluminescence device in which an organic layer composed of a hole supply layer, a light emitting layer and an electron supply layer is sandwiched between an anode and a cathode)
1-1 (organic electroluminescence device)
1-2 (display device)
2. Second Embodiment (Organic electroluminescence device having a two-layer structure electron supply layer)
3. Third Embodiment (Organic electroluminescence device having an electron supply layer having a three-layer structure)
4). Fourth Embodiment (Organic electroluminescence device having an organic layer of tandem structure)
(第1の実施の形態)
(有機電界発光素子)
図1は本発明の第1の実施の形態に係る有機電界発光素子11の断面構成を表したものである。有機電界発光素子11は、基板12上に陽極13,有機層14および陰極15をこの順に積層した構造を有する。このうち有機層14は、陽極13側から順に例えば正孔供給層14A(正孔注入層14a,正孔輸送層14b),発光層14B,電子供給層14Cを積層してなるものである。
(First embodiment)
(Organic electroluminescence device)
FIG. 1 shows a cross-sectional configuration of an organic
なお、この有機電界発光素子11は、陽極13から注入された正孔と陰極15から注入された電子が発光層14B内で再結合する際に生じた発光光を基板12と反対側(陰極15側)から光を取り出す上面発光方式(トップエミッション方式)の有機電界発光素子である。
The
基板12は、その一主面側に有機電界発光素子11が配列形成される支持体である。基板12を構成する材料は公知のものでよく、例えば、石英,ガラス,金属箔,または樹脂製のフィルムやシートなどが用いられる。この中でも石英やガラスが好ましく、樹脂製の場合には、その材質としてポリメチルメタクリレート(PMMA)に代表されるメタクリル樹脂類,ポリエチレンテレフタレート(PET),ポリエチレンナフタレート(PEN),ポリブチレンナフタレート(PBN)などのポリエステル類,またはポリカーボネート樹脂等が挙げられる。但し、透水性や透ガス性を抑えるため積層構造とするか、あるいは表面処理を行うことが必要となる。
The
陽極13は、効率よく正孔を注入するために電極材料の真空準位からの仕事関数が大きいものを用いることが好ましい。具体的には、例えばクロム(Cr),金(Au),酸化スズ(SnO2)とアンチモン(Sb)との合金,酸化亜鉛(ZnO)とアルミニウム(Al)との合金,銀(Ag)合金、あるいはこれらの金属や合金の酸化物等を、単独または混在させた状態で用いることができる。
The
また、陽極13は光反射性に優れた第1層と、この上部に設けられた光透過性を有すると共に仕事関数の大きな第2層との積層構造としてもよい。ここで第1層は、主にAlを主成分とする合金を用いることが好ましい。副成分としては、主成分であるAlよりも相対的に仕事関数が小さい元素を用いる。このような副成分としては、ランタノイド系列の元素を用いることが好ましい。ランタノイド系列元素の仕事関数は大きくないが、これらの元素を含むことで陽極の安定性が向上し、且つ、陽極の正孔注入性も向上する。また、副成分としてはランタノイド系列の元素の他に、シリコン(Si),銅(Cu)等の元素を用いてもよい。
Further, the
第1層を構成するAl合金層における副成分の含有量は、例えば、Alを安定化させるネオジム(Nd)やニッケル(Ni),チタン(Ti)等であれば合計で約10wt%以下であることが好ましい。これにより、第1層であるAl合金層における反射率を維持しつつ、有機電界発光素子の製造プロセスにおいてAl合金層を安定的に保つことができる。また、加工精度および化学的安定性が得られる。更に、陽極13の導電性および基板12との密着性も改善される。なお、上記Nd等の金属は仕事関数が小さいため、後述する正孔供給層14Aに一般的に用いられるアミン系の材料では正孔注入障壁が大きくなってしまう。その際には、アミン形の材料に7,7,8,8−テトラシアノ−2,3,5,6−テトラフルオロキノジメタン(F4−TCNQ)等のアクセプタ材料を混合した層や、ポリエチレンジオキシチオフェンーポリスチレンスルホン酸(PEDOT−PSS)等のpドープ層を陽極13の界面に形成することで正孔注入障壁が低減され、駆動電圧の上昇を抑えることができる。この他、後述するアザトリフェニレン誘導体を用いることで、駆動電圧の上昇を抑えつつ素子を安定化することが可能となる。
The content of subcomponents in the Al alloy layer constituting the first layer is, for example, about 10 wt% or less in total in the case of neodymium (Nd), nickel (Ni), titanium (Ti) or the like that stabilizes Al. It is preferable. Thereby, the Al alloy layer can be stably maintained in the manufacturing process of the organic electroluminescent element while maintaining the reflectance in the Al alloy layer as the first layer. Further, processing accuracy and chemical stability can be obtained. Furthermore, the conductivity of the
第2層は、Al合金の酸化物,モリブデン(Mo)の酸化物,ジルコニウム(Zr)の酸化物,Crの酸化物,およびタンタル(Ta)の酸化物を用いることができる。例えば、第2層が副成分としてランタノイド系列の元素を含むAl合金の酸化物層(自然酸化膜を含む)である場合、ランタノイド系列元素の酸化物は光の透過率が高いため、これを含む第2層の光の透過率が良好となる。これにより、第1層の表面における反射率が高く維持される。また、第2層にITO(Indium Tin Oxide)やIZO(Indium Zinc Oxide)などの透明導電層を用いることにより陽極13の電子注入特性が改善される。なお、ITOおよびIZOは仕事関数が大きいため基板12と接する側、即ち、第1層に用いることによりキャリアの注入効率を高めると共に、陽極13と基板12との間の密着性を向上することができる。
For the second layer, an oxide of Al alloy, an oxide of molybdenum (Mo), an oxide of zirconium (Zr), an oxide of Cr, and an oxide of tantalum (Ta) can be used. For example, in the case where the second layer is an Al alloy oxide layer (including a natural oxide film) containing a lanthanoid series element as a subcomponent, the lanthanoid series element oxide contains this because it has a high light transmittance. The light transmittance of the second layer is improved. Thereby, the reflectance at the surface of the first layer is kept high. Moreover, the electron injection characteristic of the
なお、この有機電界発光素子11を用いて構成される表示装置の駆動方式がアクティブマトリックス方式である場合には、陽極13は画素毎にパターニングされ、基板12に設けられた駆動用の薄膜トランジスタ(図示なし)に接続された状態で設けられている。この場合には、陽極13の上には隔壁16(図4参照)が設けられ、隔壁16の開口部から各画素の陽極13の表面が露出されるように構成される。
When the driving method of the display device configured using the
正孔供給層14A(正孔注入層14aおよび正孔輸送層14b)は、発光層14Bへの正孔注入効率を高めると共に、リークを防止するためのバッファ層である。正孔供給層14Aの膜厚は素子の全体構成、特に後述する電子供給層14Cとの関係によるが、例えば1nm〜100nmであることが好ましく、より好ましくは20nm〜70nmである。
The hole supply layer 14A (the hole injection layer 14a and the
正孔供給層14Aの構成材料は、電極や隣接する層の材料との関係で適宜選択すればよく、例えば、ベンジン,スチリルアミン,トリフェニルアミン,ポルフィリン,トリフェニレン,アザトリフェニレン,テトラシアノキノジメタン,トリアゾール,イミダゾール,オキサジアゾール,ポリアリールアルカン,フェニレンジアミン,アリールアミン,オキザゾール,アントラセン,フルオレノン,ヒドラゾン,スチルベンあるいはこれらの誘導体、または、ポリシラン系化合物,ビニルカルバゾール系化合物,チオフェン系化合物あるいはアニリン系化合物等の複素環式共役系のモノマー,オリゴマーあるいはポリマーを用いることができる。 The constituent material of the hole supply layer 14A may be appropriately selected in relation to the electrode and the material of the adjacent layer. For example, benzine, styrylamine, triphenylamine, porphyrin, triphenylene, azatriphenylene, tetracyanoquinodimethane. , Triazole, imidazole, oxadiazole, polyarylalkane, phenylenediamine, arylamine, oxazole, anthracene, fluorenone, hydrazone, stilbene or their derivatives, or polysilane compounds, vinylcarbazole compounds, thiophene compounds or aniline compounds Heterocyclic conjugated monomers, oligomers or polymers such as compounds can be used.
また、上記正孔供給層14Aのさらに具体的な材料としては、α−ナフチルフェニルフェニレンジアミン,ポルフィリン,金属テトラフェニルポルフィリン,金属ナフタロシアニン,ヘキサシアノアザトリフェニレン,7,7,8,8−テトラシアノキノジメタン(TCNQ),F4−TCNQ,テトラシアノ4,4,4−トリス(3−メチルフェニルフェニルアミノ)トリフェニルアミン,N,N,N',N'−テトラキス(p−トリル)p−フェニレンジアミン,N,N,N',N'−テトラフェニル−4,4'−ジアミノビフェニル,N−フェニルカルバゾール,4−ジ−p−トリルアミノスチルベン,ポリ(パラフェニレンビニレン),ポリ(チオフェンビニレン),ポリ(2、2'−チエニルピロール)等が挙げられる。 Further, specific materials for the hole supply layer 14A include α-naphthylphenylphenylenediamine, porphyrin, metal tetraphenylporphyrin, metal naphthalocyanine, hexacyanoazatriphenylene, 7,7,8,8-tetracyanoquino. Dimethane (TCNQ), F4-TCNQ, tetracyano 4,4,4-tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine, N, N, N ′, N′-tetrakis (p-tolyl) p-phenylenediamine , N, N, N ′, N′-tetraphenyl-4,4′-diaminobiphenyl, N-phenylcarbazole, 4-di-p-tolylaminostilbene, poly (paraphenylene vinylene), poly (thiophene vinylene), And poly (2,2′-thienylpyrrole).
但し、下記式(2)〜(5)に示した化合物を用いることにより後述する電子供給層14Cから発光層14Bへの電子供給に対して、正孔供給層14Aから発光層14Bへの正孔供給が最適化される。 However, by using the compounds represented by the following formulas (2) to (5), holes supplied from the hole supply layer 14A to the light emitting layer 14B with respect to the electron supply from the electron supply layer 14C described later to the light emitting layer 14B. Supply is optimized.
なお、上記式(2)に示したアザトリフェニレン誘導体はXが窒素原子に置換されることにより、化合物中の窒素含有率が高くなるため正孔注入層14aに好適に用いられる。 Note that the azatriphenylene derivative represented by the above formula (2) is preferably used for the hole injection layer 14a because X is replaced by a nitrogen atom to increase the nitrogen content in the compound.
式(2)に示したアザトリフェニレン誘導体の具体例としては、以下の式(2−1)などの化合物が挙げられる。 Specific examples of the azatriphenylene derivative represented by the formula (2) include compounds such as the following formula (2-1).
式(3)に示したアミン誘導体の具体例としては、以下の式(3−1)〜式(3−9)などの化合物が挙げられる。 Specific examples of the amine derivative represented by the formula (3) include compounds such as the following formulas (3-1) to (3-9).
式(4)に示したジアミン誘導体の具体例としては、以下の式(4−1)〜式(4−84)などの化合物が挙げられる。 Specific examples of the diamine derivative represented by the formula (4) include compounds such as the following formulas (4-1) to (4-84).
式(5)に示したトリアリールアミン多量体の具体例としては、以下の式(5−1)〜式(5−15)などの化合物が挙げられる。 Specific examples of the triarylamine multimer represented by the formula (5) include compounds such as the following formulas (5-1) to (5-15).
これらの化合物は正孔注入層14aおよび正孔輸送層14bのどちらに用いてもよいが、窒素含有率の高い組成の化合物を正孔注入層14aに用いることが好ましい。陽極13からの正孔注入障壁を低減することができるためである。また、本実施の形態における電子供給層14Cは発光層14Bへの電子供給能が強化されていることから、より良好なキャリアバランスを得るためにも陽極界面には正孔注入性の高いアザトリフェニレン誘導体を用いることが好ましい。
These compounds may be used in either the hole injection layer 14a or the
発光層14Bは、陽極13と陰極15とに対する電界印加時に陽極13側から注入された正孔と、陰極15側から注入された電子とが再結合する領域である。発光層14Bの厚みは、素子の全体構成にもよるが、例えば1nm〜100nmであることが好ましく、さらに好ましくは5nm〜50nmである。
The light emitting layer 14B is a region where holes injected from the
発光層14Bは単層でもよいが、例えば、発光色の異なる複数の発光層(例えば、3層14r,14g,14b(図示せず))を積層してもよい。発光層14rは赤色発光層であり、発光層14gは緑色発光層、発光層14bは青色発光層である。発光層14r,14g,14bの積層順序は各発光層14r,14g,14bのキャリア輸送性および光取り出しの発光波長に応じた光路長調整から適宜決定される。また、赤色発光層14r,緑色発光層14g,青色発光層14bの間には、それぞれ発光層分離層(図示なし)を設けてもよい。発光層分離層は、例えばアミン誘導体からなり、厚みは、0.1nm〜20nmであることが好ましく、さらに好ましくは1〜10nmである。各色の発光層14r,14g,14bの膜厚は以下の膜厚とすることが好ましい。例えば、赤色発光層14rは5nm〜15nm、緑色発光層14gは5nm〜15nm、青色発光層14bは5nm〜15nmであるがこれに限らない。
Although the light emitting layer 14B may be a single layer, for example, a plurality of light emitting layers (for example, three
発光層14Bを構成する材料としては、電荷の注入機能(電界印加時に陽極13あるいは正孔供給層14Aから正孔を注入することができる一方、陰極15あるいは電子供給層14Cから電子を注入することができる機能)、輸送機能(注入された正孔および電子を電界の力で移動させる機能)、発光機能(電子と正孔の再結合の場を提供し、これらを発光につなげる機能)を有することが好ましい。このような材料としては、蛍光性発光材料およびりん光性発光材料を用いることができる。蛍光性発光材料として具体的には、ホスト材料として例えばスチリル誘導体、アントラセン誘導体、ナフタセン誘導体または芳香族アミンが挙げられる。特に、スチリル誘導体はジスチル誘導体,トリスチル誘導体,テトラスチル誘導体およびスチリルアミン誘導体を用いることが好ましい。また、アントラセン誘導体,特に非対称アントラセン系化合物を用いることにより優れたキャリアバランスを保つことができる。更に、芳香族アミンでは芳香族環基で置換された窒素原子を2〜4個有する化合物であることが好ましい。また、りん光性発光材料として具体的には、ホスト材料として例えばカルバゾール誘導体あるいはキノリン錯体誘導体が挙げられる。
The material constituting the light emitting layer 14B is a charge injection function (holes can be injected from the
なお、複数の発光層を積層する場合には、陽極側の発光層には、ホスト材料として正孔輸送性の材料を用いることが好ましい。これにより、陽極13からの正孔注入が安定する。
When a plurality of light emitting layers are stacked, it is preferable to use a hole transporting material as a host material for the light emitting layer on the anode side. Thereby, the hole injection from the
発光ドーパントとしては、例えば、スチリルベンゼン系色素,オキサゾール系色素,ぺリレン系色素,クマリン系色素,アクリジン系色素などのレーザー用色素,アントラセン誘導体,ナフタセン誘導体,ペンタセン誘導体,クリセン誘導体などの多芳香族炭化水素系材料,ピロメテン骨格化合物もしくは金属錯体,キナクリドン誘導体,シアノメチレンピラン系誘導体(DCM,DCJTB),ベンゾチアゾール系化合物,ベンゾイミダゾール系化合物,金属キレート化オキシノイド化合物などの蛍光材料から適宜選択して用いることができる。これらの蛍光材料のそれぞれのドープ濃度は、膜厚比で0.5%以上15%以下であることが好ましい。また、所望の発光色を有する既知のりん光ドーパントも用いることができる。具体的には、例えば、スチルベン構造を有するアミン,芳香族アミン,ペリレン誘導体,クマリン誘導体,ボラン誘導体,ピラン誘導体,イリジウム錯体,白金錯体またはレニウム錯体が挙げられる。中でもイリジウム錯体,白金錯体およびレニウム錯体のりん光ドーパント材料を用いることが好ましい。 Examples of luminescent dopants include, for example, styrylbenzene dyes, oxazole dyes, perylene dyes, coumarin dyes, laser dyes such as acridine dyes, and polyaromatics such as anthracene derivatives, naphthacene derivatives, pentacene derivatives, and chrysene derivatives. Select from fluorescent materials such as hydrocarbon materials, pyromethene skeleton compounds or metal complexes, quinacridone derivatives, cyanomethylenepyran derivatives (DCM, DCJTB), benzothiazole compounds, benzimidazole compounds, metal chelated oxinoid compounds, etc. Can be used. The doping concentration of each of these fluorescent materials is preferably 0.5% or more and 15% or less in terms of film thickness ratio. A known phosphorescent dopant having a desired emission color can also be used. Specific examples include amines having a stilbene structure, aromatic amines, perylene derivatives, coumarin derivatives, borane derivatives, pyran derivatives, iridium complexes, platinum complexes, and rhenium complexes. Of these, phosphorescent dopant materials of iridium complexes, platinum complexes and rhenium complexes are preferably used.
発光層14Bは、真空蒸着法による成膜の他、例えばインクジェット等の塗付法により形成してもよい。その際、高分子材料および低分子材料を例えばトルエン,キシレン,アニソール,シクロヘキサノン,メシチレン(1,3,5−トリメチルベンゼン),ブサイドクメン(1,2,4−トリメチルベンゼン),ジハイドロベンゾフラン,1,2,3,4−テトラメチルベンゼン,テトラリン,シクロヘキシルベンゼン,1−メチルナフタレン,p−アニシルアルコール,ジメチルナフタレン,3-メチルビフェニル,4−メチルビフェニル,3−イソプロピルビフェニル,モノイソプロピルナフタレンなどの有機溶媒に少なくとも1種類以上使って溶解し、この混合溶液を用いて形成する。 The light emitting layer 14B may be formed by a coating method such as an ink jet, for example, in addition to a film formation by a vacuum evaporation method. In this case, the high molecular material and the low molecular material are, for example, toluene, xylene, anisole, cyclohexanone, mesitylene (1,3,5-trimethylbenzene), bsidecumene (1,2,4-trimethylbenzene), dihydrobenzofuran, 1, Organics such as 2,3,4-tetramethylbenzene, tetralin, cyclohexylbenzene, 1-methylnaphthalene, p-anisyl alcohol, dimethylnaphthalene, 3-methylbiphenyl, 4-methylbiphenyl, 3-isopropylbiphenyl, monoisopropylnaphthalene It dissolves in a solvent using at least one kind and forms using this mixed solution.
電子供給層14Cは、陰極15から注入される電子を発光層14Bに輸送するためのものである。電子供給層14Cの膜厚は素子の全体構成によるが、上記正孔供給層14Aよりも厚膜に形成される。これにより正孔供給層から発光層14Bへの正孔の供給量と電子供給層14Cから発光層14Bへの電子の供給量のバランスが保たれる。電子供給層14Cの厚みは以下の関係を満たすように設計することが好ましい。電子供給層14Cの膜厚をd1とし、有機層14全体の膜厚をd2とした場合、0.90>d1/d2>0.30の関係を満たすように設計することで、発光層14Bへの正孔および電子の供給バランスがとり易くなる。以上のことから、電子供給層14Cは例えば70nm〜300nmであることが好ましく、より好ましくは120nm〜250nmである。
The electron supply layer 14C is for transporting electrons injected from the
電子供給層14Cの材料としては、優れた電子輸送能を有する有機材料を用いることが好ましく、具体的には下記式(6)で示したアリールピリジン誘導体を用いることが好ましい。これにより、発光層14Bへの電子供給が安定化し、高効率でありながら安定な駆動が補償される。 As a material for the electron supply layer 14C, an organic material having an excellent electron transport ability is preferably used, and specifically, an arylpyridine derivative represented by the following formula (6) is preferably used. This stabilizes the supply of electrons to the light emitting layer 14B, and compensates for stable driving while being highly efficient.
式(6)に示したアリールピリジン誘導体の具体例としては、以下の式(6−1)〜式(6−58)等の化合物が挙げられる。 Specific examples of the arylpyridine derivative represented by the formula (6) include compounds such as the following formulas (6-1) to (6-58).
このような高い電子供給能を有するアリールピリジン誘導体を用いることにより、電子供給層14Cが正孔供給層14Aの総膜厚よりも厚膜で形成されていても、低い駆動電圧での高い電子の供給効率が維持できる。また、電子供給層14Cを厚膜に形成することによって陽極13と陰極15との短絡が防止される。
By using an arylpyridine derivative having such a high electron supply capability, even if the electron supply layer 14C is formed to be thicker than the total film thickness of the hole supply layer 14A, a high electron with a low driving voltage can be obtained. Supply efficiency can be maintained. Further, by forming the electron supply layer 14C in a thick film, a short circuit between the
なお、電子供給層14Cは式(6)に示したアリールピリジン誘導体以外の化合物を含んでいてもよい。アリールピリジン誘導体以外の化合物としては、アルカリ金属,アルカリ土類金属,希土類金属およびその酸化物,複合酸化物,フッ化物,炭酸塩等が挙げられる。 Note that the electron supply layer 14C may contain a compound other than the arylpyridine derivative represented by the formula (6). Examples of compounds other than arylpyridine derivatives include alkali metals, alkaline earth metals, rare earth metals and their oxides, composite oxides, fluorides, carbonates, and the like.
陰極15は、例えば、厚みが2nm〜15nmであり、光透過性が良好で仕事関数が小さい材料により構成されている。陰極15は単層でもよいが、ここでは例えば陽極13側から順に第1層15A、第2層15Bと積層した構造となっている。
The
第1層15Aは、仕事関数が小さく、且つ、光透過性の良好な材料により形成されることが好ましい。具体的には、例えばLi2O、Cs2Co3、Cs2SO4、MgF、LiFやCaF2等のアルカリ金属酸化物、アルカリ金属弗化物、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ土類弗化物が挙げられる。また、第2層15Bは、薄膜のMgAg電極やCa電極などの光透過性を有し、且つ、導電性が良好な材料で構成されている。
The
なお、第1層15Aおよび第2層15Bは、真空蒸着法,スパッタリング法,またはプラズマCVD法等の手法によって形成される。また、この有機電界発光素子を用いて構成される表示装置の駆動方式がアクティブマトリックス方式である場合、陰極15は、陽極13の周縁を覆う隔壁16および有機層14によって、陽極13に対して絶縁された状態で基板12上にベタ膜状で形成され、各画素に対する共通電極として用いてもよい。
The
また、陰極15は、アルミキノリン錯体,スチリルアミン誘導体,フタロシアニン誘導体等の有機発光材料を含有した混合層としてもよい。この場合には、更に、第3層(図示なし)としてMgAgのような光透過性を有する層を別途設けてもよい。また、陰極15は上記のような積層構造に限定されることはなく、作製されるデバイスの構造に応じて最適な組み合わせおよび積層構造を取ればよいことは言うまでもない。例えば、本実施の形態の陰極15は、電極各層の機能分離、即ち有機層14への電子注入を促進させる無機層(第1層15A)と、電極を司る無機層(第2層15B)とを分離した積層構造である。しかしながら、有機層14への電子注入を促進させる無機層が、電極を司る無機層を兼ねてもよく、これらの層を単層構造として構成してもよい。また、この単層構造上にITOなどの透明電極を形成した積層構造としてもよい。
The
更に、この有機電界発光素子11が、キャビティ構造となっている場合には、陰極15には半透過半反射材料を用いることが好ましい。これにより、陽極13側の光反射面と、陰極15側の光反射面との間で多重干渉させた発光光が陰極15側から取り出される。この場合、陽極13側の光反射面と陰極15側の光反射面との間の光学的距離は、取り出したい光の波長によって規定され、この光学的距離を満たすように各層の膜厚が設定されていることとする。このような上面発光型の有機電界発光素子においては、このキャビティ構造を積極的に用いることにより、外部への光取り出し効率の改善や発光スペクトルの制御を行うことが可能となる。
Further, when the
(表示装置)
図2は、本実施の形態の有機電界発光素子11(赤色有機電界発光素子11R,緑色有機電界発光素子11G,青色有機電界発光素子11B)を備えた表示装置10の構成を表すものである。この表示装置10は、有機ELテレビジョン装置などとして用いられるものであり、例えば、基板12の上に、表示領域110として、複数の有機電界発光素子11がマトリクス状に配置されたものである。表示領域110の周辺には、映像表示用のドライバである信号線駆動回路120および走査線駆動回路130が設けられている。なお、隣り合う有機電界発光素子11R,11G,11Bの組み合わせが一つの画素(ピクセル)を構成している。
(Display device)
FIG. 2 shows a configuration of the
表示領域110内には画素駆動回路140が設けられている。図3は、画素駆動回路140の一例を表したものである。画素駆動回路140は、陽極13の下層に形成されたアクティブ型の駆動回路である。即ち、この画素駆動回路140は、駆動トランジスタTr1および書き込みトランジスタTr2と、これらトランジスタTr1,Tr2の間のキャパシタ(保持容量)Csと、第1の電源ライン(Vcc)および第2の電源ライン(GND)の間において駆動トランジスタTr1に直列に接続された有機電界発光素子11(11R,11G,11B)とを有する。駆動トランジスタTr1および書き込みトランジスタTr2は、一般的な薄膜トランジスタ(TFT(Thin Film Transistor))により構成され、その構成は例えば逆スタガ構造(いわゆるボトムゲート型)でもよいしスタガ構造(トップゲート型)でもよく特に限定されない。
A
画素駆動回路140において、列方向には信号線120Aが複数配置され、行方向には走査線130Aが複数配置されている。各信号線120Aと各走査線130Aとの交差点が、各有機電界発光素子11のいずれか1つ(サブピクセル)に対応している。各信号線120Aは、信号線駆動回路120に接続され、この信号線駆動回路120から信号線120Aを介して書き込みトランジスタTr2のソース電極に画像信号が供給されるようになっている。各走査線130Aは走査線駆動回路130に接続され、この走査線駆動回路130から走査線130Aを介して書き込みトランジスタTr2のゲート電極に走査信号が順次供給されるようになっている。
In the
図4は、図2に示した表示領域110の断面構成の一部を表したものである。各有機電界発光素子11(11R,11G,11B)は、それぞれ、基板12の側から、画素駆動回路140の駆動トランジスタTr1および平坦化絶縁膜(図示せず)を間にして、上述のように陽極13,隔壁16,発光層14Bを含む有機層14および陰極15がこの順に積層された構成を有している。更に、有機電界発光素子11は保護層20により被覆され、更にこの保護層20上に熱硬化型樹脂または紫外線硬化型樹脂などの接着層(図示せず)を間にしてガラスなどよりなる封止用基板30が全面にわたって貼り合わされることにより封止されている。保護層20には、窒化ケイ素(代表的には、Si3N4)膜,酸化ケイ素(代表的には、SiO2)膜、窒化酸化ケイ素(SiNxOy:組成比X>Y)膜、酸化窒化ケイ素(SiOxNy:組成比X>Y)膜、またはDLC(Diamond like Carbon)のような炭素を主成分とする薄膜、CN(Carbon Nanotube)膜等が用いられる。これらの膜は、単層または積層した構成とすることが好ましい。特に、窒化物からなる保護層20は膜質が緻密であり有機電界発光素子11に悪影響を及ぼす水分、酸素およびその他不純物に対して極めて高いブロッキング効果を有する。
FIG. 4 illustrates a part of a cross-sectional configuration of the
保護層20は、例えば厚みが2〜3μmであり、絶縁性材料または導電性材料のいずれにより構成されていてもよい。絶縁性材料としては、無機アモルファス性の絶縁性材料、例えばアモルファスシリコン(α−Si),アモルファス炭化シリコン(α−SiC),アモルファス窒化シリコン(α−Si1-xNx)、アモルファスカーボン(α−C)などが好ましい。このような無機アモルファス性の絶縁性材料は、グレインを構成しないため透水性が低く、良好な保護膜となる。
The
封止用基板30は、有機電界発光素子11の陰極15の側に位置しており、接着層(図示せず)と共に有機電界発光素子11を封止するものである。封止用基板30は、有機電界発光素子11で発生した光に対して透明なガラスなどの材料により構成されている。封止用基板30には、例えば、カラーフィルタおよびブラックマトリクスとしての遮光膜(いずれも図示せず)が設けられており、有機電界発光素子11で発生した光を取り出すと共に、各有機電界発光素子11間の配線において反射された外光を吸収し、コントラストを改善するようになっている。
The sealing
カラーフィルタは、赤色フィルタ,緑色フィルタおよび青色フィルタ(いずれも図示せず)を有しており、順に配置されている。赤色フィルタ,緑色フィルタおよび青色フィルタは、それぞれ例えば矩形形状で隙間なく形成されている。これら赤色フィルタ,緑色フィルタおよび青色フィルタは、顔料を混入した樹脂によりそれぞれ構成されており、顔料を選択することにより、目的とする赤,緑あるいは青の波長域における光透過率が高く、他の波長域における光透過率が低くなるように調整されている。なお、各有機電界発光素子11R,11G,11B上には、対応する色のカラーフィルタが設けられている。
The color filter includes a red filter, a green filter, and a blue filter (all not shown), which are arranged in order. Each of the red filter, the green filter, and the blue filter is, for example, rectangular and has no gap. These red filter, green filter and blue filter are each composed of a resin mixed with a pigment, and by selecting the pigment, the light transmittance in the target red, green or blue wavelength region is high, The light transmittance in the wavelength range is adjusted to be low. A corresponding color filter is provided on each of the
遮光膜は、例えば黒色の着色剤を混入した光学濃度が1以上の黒色の樹脂膜、または薄膜の干渉を利用した薄膜フィルタにより構成されている。このうち黒色の樹脂膜により構成するようにすれば、安価で容易に形成することができるので好ましい。薄膜フィルタは、例えば、金属,金属窒化物あるいは金属酸化物よりなる薄膜を1層以上積層し、薄膜の干渉を利用して光を減衰させるものである。薄膜フィルタとしては、具体的には、Crと酸化クロム(III)(Cr2O3)とを交互に積層したものが挙げられる。 The light-shielding film is formed of, for example, a black resin film having an optical density of 1 or more mixed with a black colorant, or a thin film filter using thin film interference. Of these, a black resin film is preferable because it can be formed inexpensively and easily. The thin film filter is formed by, for example, laminating one or more thin films made of metal, metal nitride, or metal oxide, and attenuating light by utilizing interference of the thin film. Specific examples of the thin film filter include those in which Cr and chromium oxide (III) (Cr 2 O 3 ) are alternately laminated.
ここで、有機電界発光素子11R,11G,11Bを構成する陽極13から陰極15までの各層は、真空蒸着法、イオンビーム法(EB法)、分子線エピタキシー法(MBE法)、スパッタ法、OVPD(Organic Vapor Phase Deposition)法などのドライプロセスによって形成できる。
Here, each layer from the
また、有機層14は、上記の方法に加えてレーザー転写法,スピンコート法,ディッピング法,ドクターブレード法,吐出コート法,スプレーコート法などの塗布法、インクジェット法,オフセット印刷法,凸版印刷法,凹版印刷法,スクリーン印刷法,マイクログラビアコート法などの印刷法などのウエットプロセスによる形成も可能であり、各有機層や各部材の性質に応じて、ドライプロセスとウエットプロセスを併用しても構わない。 Further, in addition to the above methods, the organic layer 14 is applied by a laser transfer method, a spin coating method, a dipping method, a doctor blade method, a discharge coating method, a spray coating method, an ink jet method, an offset printing method, a letterpress printing method. , Intaglio printing method, screen printing method, microgravure coating method and other wet process can be used. Depending on the nature of each organic layer and each member, dry process and wet process can be used together I do not care.
(有機電界発光素子11および表示装置1の作用・効果)
この表示装置10では、各画素に対して走査線駆動回路130から書き込みトランジスタTr2のゲート電極を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路120から画像信号が書き込みトランジスタTr2を介して保持容量Csに保持される。すなわち、この保持容量Csに保持された信号に応じて駆動トランジスタTr1がオンオフ制御され、これにより、有機電界発光素子11R,11G,11Bに駆動電流Idが注入され、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、下面発光(ボトムエミッション)の場合には陽極13および基板12を透過して、上面発光(トップエミッション)の場合には陰極15,カラーフィルタ(図示せず)および封止用基板30を透過して取り出される。
(Operations and effects of the
In the
その際、従来用いられている電子移動度が高い材料により構成される有機電界発光素子では、正孔供給層から発光層への正孔の供給量に対して電子輸送層から発光層への電子の供給量が多く、発光層において電子過剰になりやすかった。このため、発光層の劣化が起こりやすく、有機電界発光素子およびこれを備えた表示装置の寿命特性の低下を招いていた。 At that time, in an organic electroluminescence device composed of a conventionally used material having a high electron mobility, electrons from the electron transport layer to the light emitting layer with respect to the amount of holes supplied from the hole supply layer to the light emitting layer. There was a large amount of supply, and electrons were likely to be excessive in the light emitting layer. For this reason, deterioration of the light emitting layer is likely to occur, leading to a decrease in the life characteristics of the organic electroluminescent element and the display device including the same.
これに対して本実施の形態では、電子供給層14Cの膜厚を正孔供給層14Aよりも厚くすることにより電子供給層14Cから発光層14Bへの電子の供給量を調整することが可能となる。但し、一般に電子供給層14Cあるいは正孔供給層14A等の膜厚を厚くすると発光層14Bへの電子あるいは正孔の供給量は低下する。しかしながら、本実施の形態のように厚膜とした電子供給層14Cの材料として電子移動度が高いアリールピリジン誘導体を用いることにより、発光層14Bへの十分な電子の供給量を確保することができる。即ち、電子供給層14Cから発光層14Bへの電子の供給量が調整され、発光層14Bへ過不足なく電子と正孔が供給される。 In contrast, in the present embodiment, it is possible to adjust the amount of electrons supplied from the electron supply layer 14C to the light emitting layer 14B by making the thickness of the electron supply layer 14C thicker than the hole supply layer 14A. Become. However, generally, when the film thickness of the electron supply layer 14C or the hole supply layer 14A is increased, the amount of electrons or holes supplied to the light emitting layer 14B is reduced. However, by using an arylpyridine derivative having high electron mobility as a material for the electron supply layer 14C having a thick film as in the present embodiment, a sufficient amount of electrons supplied to the light emitting layer 14B can be ensured. . That is, the amount of electrons supplied from the electron supply layer 14C to the light emitting layer 14B is adjusted, and electrons and holes are supplied to the light emitting layer 14B without excess or deficiency.
このように本実施の形態の有機電界発光素子11およびこれを用いた表示装置10では、電子供給層14Cの膜厚を正孔供給層14Aよりも厚くしたので、発光層14Bへ過不足なく電子と正孔が供給され、発光層14Bの劣化が低減さると共に駆動劣化が抑制される。即ち、電子供給過多による発光層14Bの劣化が抑えられ発光効率が向上すると共に、有機電界発光素子11およびこれを用いた表示装置10の寿命が向上する。また、電子供給層14Cに電子移動度が高いアリールピリジン誘導体を用いるようにしたので、低い駆動電圧で電子の供給効率を維持することができるため消費電力を低減することが可能となる。従って、長期信頼性に優れた有機電界発光素子11および表示装置10が実現される。
Thus, in the
また、電子供給層14Cを厚く形成することで、発光層14B中のキャリアの再結合領域を陰極15から離れた位置に配置することができるため、陰極15をスパッタリング法等によって成膜した際の再結合領域へのダメージを低減することができる。
In addition, by forming the electron supply layer 14C thick, the carrier recombination region in the light emitting layer 14B can be arranged at a position away from the
なお、有機電界発光素子11は本実施の形態の表示装置10のようなアクティブマトリックス方式に限定されることはなく、パッシブ方式の表示装置にも適用可能であり、同様の効果を得ることができる。パッシブ方式の表示装置である場合には、上記陰極15または陽極13の一方が信号線として構成され、他方が走査線として構成される。
Note that the
以下、本発明の他の実施の形態について説明する。なお、各実施の形態において、上記第1の実施の形態と同様の構成要素については同一符号を付してその説明は省略する。 Hereinafter, other embodiments of the present invention will be described. In each embodiment, the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.
(第2の実施の形態)
本実施の形態に係る表示装置の構成は図示しないが、第1の実施の形態と同様に、表示領域には赤色,緑色,青色に対応する複数の有機電界発光素子21R,21G,21Bがマトリクス状に配置された表示領域が形成されている。表示領域内には画素駆動回路が設けられている。また、表示領域の周辺には第1の実施の形態と同様に、映像表示用のドライバである信号線駆動回路および走査線駆動回路が設けられている。
(Second Embodiment)
Although the configuration of the display device according to the present embodiment is not illustrated, a plurality of organic electroluminescent elements 21R, 21G, and 21B corresponding to red, green, and blue are arranged in a matrix in the display area as in the first embodiment. Display areas arranged in a shape are formed. A pixel driving circuit is provided in the display area. Similar to the first embodiment, a signal line driving circuit and a scanning line driving circuit, which are video display drivers, are provided around the display area.
図5は第2の実施の形態における有機電界発光素子21の断面構成を表したものである。有機電界発光素子21は第1の実施の形態と同様に、基板12上に陽極13、有機層24および陰極15がこの順に積層された構成を有している。この有機電界発光素子21は、有機層24中の電子供給層24Cが2層(24c,24d)設けられている点が第1の実施の形態と異なる。
FIG. 5 illustrates a cross-sectional configuration of the organic electroluminescent element 21 according to the second embodiment. Similar to the first embodiment, the organic electroluminescent element 21 has a configuration in which an
具体的には、上記第1の実施の形態で説明したアリールピリジンからなる第1の電子供給層24cと発光層24Bとの間に下記の式(7A),式(7B)および式(7C)に示したベンゾイミダゾール誘導体からなる第2の電子供給層24bが設けられている。 Specifically, the following formula (7A), formula (7B) and formula (7C) are provided between the first electron supply layer 24c made of arylpyridine and the light emitting layer 24B described in the first embodiment. The second electron supply layer 24b made of the benzimidazole derivative shown in FIG.
上記式(7A),式(7B)および式(7C)におけるA13は炭素数1〜20個のアルキル基,炭素数1〜20のアルコキシ基,3〜40個の芳香族環が縮合した多環芳香族炭化水素基を有する炭素数6〜120個の炭化水素基または含窒素複素環基あるいはそれらの誘導体である。Lは単結合であり、炭素数6〜60個の芳香族炭化水素基または含窒素複素環基である。R1,R2は各々独立して、水素原子あるいはハロゲン原子,炭素数1〜20個のアルキル基,炭素数6〜60個の芳香族炭化水素基,含窒素複素環基または炭素数1〜20個のアルコキシ基あるいはそれらの誘導体である。nは0〜4の整数であり、mは0〜2の整数である。但し、mが2以上の場合にはR1はそれぞれ同一の基あるいは異なる基でもよい。nが2以上の場合にはR2はそれぞれ同一の基あるいは異なる基でもよい。 A13 in the above formula (7A), formula (7B) and formula (7C) is a polycycle in which an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, and an aromatic ring having 3 to 40 carbon atoms are condensed. It is a C6-C120 hydrocarbon group or nitrogen-containing heterocyclic group having an aromatic hydrocarbon group, or a derivative thereof. L is a single bond, and is an aromatic hydrocarbon group or nitrogen-containing heterocyclic group having 6 to 60 carbon atoms. R1 and R2 are each independently a hydrogen atom or a halogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aromatic hydrocarbon group having 6 to 60 carbon atoms, a nitrogen-containing heterocyclic group, or 1 to 20 carbon atoms. Or an derivative thereof. n is an integer of 0 to 4, and m is an integer of 0 to 2. However, when m is 2 or more, R1 may be the same group or different groups. When n is 2 or more, R2 may be the same group or different groups.
式(7A),式(7B)および式(7C)に示したベンゾイミダゾール誘導体の具体例としては、以下の式(7−1)〜式(7−176)等の化合物が挙げられる。なお、式(7−1)〜式(7−176)におけるHArは式(7A)〜式(7C)中のR1およびR2を含むベンゾイミダゾール骨格に、Lは式(7A)〜式(7C)中のLに対応する。Ar2およびAr3は式(7A)〜式(7C)中のA13に対応し、Ar2,Ar3の順にLに結合する。 Specific examples of the benzimidazole derivatives shown in Formula (7A), Formula (7B) and Formula (7C) include compounds such as Formula (7-1) to Formula (7-176) below. In Formulas (7-1) to (7-176), HAr is a benzimidazole skeleton containing R1 and R2 in Formulas (7A) to (7C), and L is Formulas (7A) to (7C). Corresponds to L in the middle. Ar2 and Ar3 correspond to A13 in the formulas (7A) to (7C), and are bonded to L in the order of Ar2 and Ar3.
なお、第2の電子供給層24bを構成する化合物は上記式(7−1)〜(7−176)に示した化合物以外のイミダゾール誘導体でもよい。具体的には、Lが単結合,アリーレン基,ピリジニレン基またはキノリニレン基等に限らず、フルオレニン基あるいはその誘導体でもよい。 The compound constituting the second electron supply layer 24b may be an imidazole derivative other than the compounds represented by the above formulas (7-1) to (7-176). Specifically, L is not limited to a single bond, an arylene group, a pyridinylene group, or a quinolinylene group, but may be a fluorenin group or a derivative thereof.
本実施の形態の有機電界発光素子21では、第1の実施の形態の効果に加えて以下の効果を奏する。上記第1の実施の形態において説明した電子供給層24cの発光層14B側にベンゾイミダゾール誘導体からなる第2の電子供給層24dを挿入することで、電子量の最適調整をすることができると共に、正孔と電子の過不足がなく、且つ、キャリア供給量も十分多いキャリアバランスが得られる。これにより高い発光効率が得られる。更に、駆動中の電圧変化もほぼ生じないため、低コストである定電流駆動回路を駆動回路に適用することが可能となる。 In addition to the effects of the first embodiment, the organic electroluminescent element 21 of the present embodiment has the following effects. By inserting the second electron supply layer 24d made of a benzimidazole derivative into the light emitting layer 14B side of the electron supply layer 24c described in the first embodiment, it is possible to optimally adjust the amount of electrons, There is no excess or deficiency of holes and electrons, and a carrier balance with a sufficiently large carrier supply amount can be obtained. Thereby, high luminous efficiency is obtained. Furthermore, since a voltage change during driving hardly occurs, a low-cost constant current driving circuit can be applied to the driving circuit.
(第3の実施の形態)
本実施の形態に係る表示装置の構成は図示しないが、第1の実施の形態と同様に、表示領域には赤色,緑色,青色の複数の有機電界発光素子31(31R,31G,31B)がマトリクス状に配置された表示領域が形成されている。表示領域内には画素駆動回路が設けられている。また、表示領域の周辺には第1の実施の形態と同様に、映像表示用のドライバである信号線駆動回路および走査線駆動回路が設けられている。
(Third embodiment)
Although the configuration of the display device according to the present embodiment is not illustrated, a plurality of organic electroluminescent elements 31 (31R, 31G, and 31B) of red, green, and blue are displayed in the display area, as in the first embodiment. Display areas arranged in a matrix are formed. A pixel driving circuit is provided in the display area. Similar to the first embodiment, a signal line driving circuit and a scanning line driving circuit, which are video display drivers, are provided around the display area.
図6は第3の実施の形態における有機電界発光素子31の断面構成を表したものである。有機電界発光素子31は有機層34中の電子供給層34Cが3層(34c,34d,34e)設けられている点が第1の実施の形態と異なる。 FIG. 6 illustrates a cross-sectional configuration of the organic electroluminescent element 31 according to the third embodiment. The organic electroluminescent element 31 is different from the first embodiment in that three electron supply layers 34C (34c, 34d, 34e) in the organic layer 34 are provided.
具体的には、上記第1の実施の形態で説明したアリールピリジン誘導体からなる第1の電子供給層34cと発光層34Bとの間に下記式(8)に示したジベンゾイミダゾール誘導体からなる第3の電子供給層34eが設けられている。更に、アリールピリジン誘導体からなる第1の電子輸送層上、即ち、陰極15側に上記第2の実施の形態において示したベンゾイミダゾール誘導体からなる第2の電子輸送層34dが設けられている。電子供給層34c,34d,34eそれぞれの膜厚は5nm以上であり、特に10nm以上が好ましい。電子供給層34Cの総膜厚が70nm以上の膜厚で形成されていることが好ましい。なお、第2の電子輸送層34dは省略しても構わない。
More specifically, a third compound composed of a dibenzimidazole derivative represented by the following formula (8) is provided between the first electron supply layer 34c composed of the arylpyridine derivative and the light emitting layer 34B described in the first embodiment. The
式(8)に示したベンゾイミダゾール誘導体の具体例としては、以下の式(8−1)〜(8−21)等の化合物が挙げられる。 Specific examples of the benzimidazole derivative represented by the formula (8) include compounds such as the following formulas (8-1) to (8-21).
本実施の形態の有機電界発光素子31では、第1の実施の形態における有機電界発光素子11および第2の実施の形態における有機電界発光素子21よりも更に正孔供給層34Aおよび電子供給層34Cから供給されるキャリアのバランスをとることが可能となる。即ち、より高い電子注入を安定的に発光層33Bに供給することができ、駆動電圧上昇を生じることなくより高い効率と長寿命を両立することが可能となる。
In the organic electroluminescent element 31 of the present embodiment, the hole supply layer 34A and the electron supply layer 34C are further increased than the
(第4の実施の形態)
本実施の形態に係る表示装置の構成は図示しないが、上記第2の実施の形態および第3の実施の形態において説明した表示装置と同様の構成となっている。
(Fourth embodiment)
Although the configuration of the display device according to the present embodiment is not illustrated, the configuration is the same as that of the display device described in the second embodiment and the third embodiment.
図7(A)は第4の実施の形態における有機電界発光素子41の断面構成を表したものである。有機電界発光素子4は第1の実施の形態と同様に、基板12上に陽極13、有機層44および陰極15がこの順に積層された構成を有している。本実施の形態における有機電界発光素子4は、有機層(第1有機層44−1,第2有機層44−2)が2層積層されたタンデム構造となっている点が第1の実施の形態と異なる。
FIG. 7A shows a cross-sectional configuration of the organic electroluminescent element 41 in the fourth embodiment. Similar to the first embodiment, the organic electroluminescent element 4 has a configuration in which an
具体的には、例えば上記第1の実施の形態で説明した有機層14と同様の構成をした第1有機層44−1および第2有機層44−2が、電子供給層17Aと正孔注入層17Bとを積層した構造を有する電荷発生層17を介して積層されている。
Specifically, for example, the first organic layer 44-1 and the second organic layer 44-2 having the same configuration as that of the organic layer 14 described in the first embodiment include the
電子供給層17Aは、陽極13側に設けられると共に、第1有機層44−1側の発光層44B1に電子を供給するものである。電子供給層17Aの材料としては、アルカリ金属,アルカリ土類金属または希土類金属等の電子供与性金属あるいはその化合物が挙げられる。具体的には、例えばマグネシウム(Mg)をドープしたAlq3等を用いることができる。また、電子供給層17Aは電子供与性金属の他に有機材料を添加した混合層としてもよい。電子供給層17Aに添加可能な有機材料は、例えば上記第1の電子供給層24cの材料として示した式(6−1)〜式(6−58)および第2の電子供給層24dの材料として示した式(7−1)〜式(7−176)が挙げられる。
The
正孔注入層17Bは、陰極15側に設けられると共に、第2有機層44−2側の発光層44B2への正孔の注入するものである。具体的には、正孔注入層17Bは、第2有機層44−2側から電子を引き抜き、電子供給層17Aを介して第1有機層44−1側へ電子を供給する。この電子の引き抜きによって生じた正孔が第2有機層44−2の発光層44B2へ供給される。正孔注入層17Bの材料としては、4.5eVより大きなLUMO準位を有する化合物が好ましく、具体的には、上記式(2−1)に示したヘキサニトリルアザトリフェニレンまたは下記式(9)に示した化合物を用いることができる。
The
なお、電荷発生層17は図7(B)に示したように、電子供給層17Aと第1有機層44−1の電子供給層44Cとの間に電子注入性の材料からなる電子注入層17Cを設けてもよい。電子注入層17Cの材料としては、例えば酸化リチウム(LiO2)や炭酸セシウム(CsCO3)、あるいはこれらの酸化物および複合酸化物の混合物を用いることができる。また、電子注入層17Cはこれら材料に限定されることはなく、例えばカルシウム(Ca),バリウム(Ba)等のアルカリ土類金属、Li,Cs等のアルカリ金属、インジウム(In),Mg等の仕事関数が小さい金属、あるいはこれらの酸化物および複合酸化物を用いてもよい。更に、これら酸化物および複合酸化物を2種以上組み合わせて安全性を高めた混合物あるいは合金を用いてもよい。
As shown in FIG. 7B, the
本実施の形態の有機電界発光素子41では、有機層を2層(第1有機層44−1,第2有機層44−2)積層したタンデム構造とするようにしたので、上記第1の実施の形態の効果に加えて発光効率が更に向上すると共に、第1の実施の形態における長寿命化が相乗効果となり、きわめて長寿命な有機電界発光素子となる。更に、電子供給層44Cに電子移動度の高い電子供給層アリールピリジン誘導体を大きな膜厚比で用いることとなるため、有機層44−1,44−2の膜厚が大きなタンデム構造の有機電界発光素子においても駆動電圧を低く保つことが可能となる。 In the organic electroluminescent element 41 of the present embodiment, since the organic layer has a tandem structure in which two organic layers (first organic layer 44-1 and second organic layer 44-2) are stacked, the first implementation described above. In addition to the effect of the embodiment, the luminous efficiency is further improved, and the extension of the lifetime in the first embodiment has a synergistic effect, so that an organic electroluminescence device having an extremely long lifetime is obtained. Furthermore, since an electron supply layer arylpyridine derivative having a high electron mobility is used for the electron supply layer 44C in a large film thickness ratio, organic electroluminescence having a tandem structure in which the organic layers 44-1 and 44-2 have large film thicknesses. Even in the element, the driving voltage can be kept low.
なお、ここでは有機層44−1,44−2を2層積層した場合を示したがこれに限らず、3層またはそれ以上積層しても構わない。積層数を多くすることによって発光効率を更に向上することが可能となる。本実施の形態の有機電界発光素子41のように有機層44−1,44−2を2層積層した場合の理論上の発光効率はlm/Wは変わることなく、電流効率cd/Aは2倍に、また3層積層した場合には、3倍となる。
In addition, although the case where two organic layers 44-1 and 44-2 were laminated | stacked here was shown here, you may laminate | stack not only this but three layers or more. Increasing the number of stacked layers can further improve the light emission efficiency. The theoretical luminous efficiency in the case where two organic layers 44-1 and 44-2 are stacked as in the organic electroluminescent device 41 of the present embodiment has no change in lm / W, and the current efficiency cd / A is 2 When it is doubled or three layers are stacked, it is tripled.
なお、タンデム素子の場合における電子供給層44Cの厚みは以下の関係を満たすように設計することが好ましい。第1有機層44−1の電子供給層44Cの膜厚をd1aとし、第1有機層44−1全体の膜厚をd2aとした場合には、0.90>d1a/d2a>0.30の関係を満たすように設計することで、第1有機層44−1の発光層44Bへの正孔および電子の供給バランスがとり易くなる。また、第1有機層44−1と同様にして、第2有機層44−2の電子供給層44Cの膜厚をd1bとし、第2有機層44−2全体の膜厚をd2bとした場合、0.90>d1b/d2b>0.30の関係を満たすように設計することで、第2有機層44−2の発光層44Bへの正孔および電子の供給バランスがとり易くなる。以上のことから、第1有機層44−1もしくは第2有機層44−2の電子供給層14Cは、例えば70nm〜300nmであることが好ましく、より好ましくは120nm〜250nmである。なお、必ずしも第1有機層44−1と第2有機層44−2の両方が上記の膜厚関係を満たしている必要はなく、第1有機層44−1もしくは第2有機層44−2のいずれかが上記の関係を満たしていればよい。また3層またはそれ以上積層したタンデム素子においては、素子内のいずれかの有機層が上記の式を満たしていればよく、例えば、陽極側からn番目の第n有機層44−nの電子供給層44Cの膜厚をd1nとし、第n有機層44−1全体の膜厚をd2nとした場合、0.90>d1n/d2n>0.30の関係を満たすように設計すればよい。 Note that the thickness of the electron supply layer 44C in the case of a tandem element is preferably designed to satisfy the following relationship. When the film thickness of the electron supply layer 44C of the first organic layer 44-1 is d1a and the film thickness of the entire first organic layer 44-1 is d2a, 0.90> d1a / d2a> 0.30. By designing so as to satisfy the relationship, the supply balance of holes and electrons to the light emitting layer 44B of the first organic layer 44-1 can be easily balanced. Similarly to the first organic layer 44-1, when the film thickness of the electron supply layer 44C of the second organic layer 44-2 is d1b and the film thickness of the entire second organic layer 44-2 is d2b, By designing so as to satisfy the relationship of 0.90> d1b / d2b> 0.30, it becomes easy to balance supply of holes and electrons to the light emitting layer 44B of the second organic layer 44-2. From the above, the electron supply layer 14C of the first organic layer 44-1 or the second organic layer 44-2 is, for example, preferably 70 nm to 300 nm, and more preferably 120 nm to 250 nm. Note that it is not always necessary for both the first organic layer 44-1 and the second organic layer 44-2 to satisfy the above-mentioned film thickness relationship, and the first organic layer 44-1 or the second organic layer 44-2 is Any one may satisfy the above relationship. Further, in a tandem element in which three or more layers are stacked, it is sufficient that any organic layer in the element satisfies the above formula. For example, the electron supply of the n-th n-th organic layer 44-n from the anode side When the thickness of the layer 44C is d1n and the total thickness of the n-th organic layer 44-1 is d2n, the layer 44C may be designed to satisfy the relationship of 0.90> d 1n / d 2n > 0.30.
(モジュールおよび適用例)
以下、上記第1〜第4の実施の形態で説明した有機電界発光素子11,21,31または41を備えた表示装置の適用例について説明する。この表示装置は、テレビジョン装置,デジタルカメラ,ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。
(Modules and application examples)
Hereinafter, application examples of the display device including the organic
(モジュール)
上記第1〜第4の実施の形態で説明した有機電界発光素子11,21,31または41を備えた表示装置は、例えば、図8に示したようなモジュールとして、後述する適用例1〜5などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、基板11の一辺に、保護層20および封止用基板30から露出した領域210を設け、この露出した領域210に、信号線駆動回路120および走査線駆動回路130の配線を延長して外部接続端子(図示せず)を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板(FPC;Flexible Printed Circuit)220が設けられていてもよい。
(module)
The display device including the organic
(適用例1)
図9は、上記第1〜第4の実施の形態で説明した有機電界発光素子11,21,31または41を備えた表示装置適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル310およびフィルターガラス320を含む映像表示画面部300を有しており、この映像表示画面部300は、上記実施の形態に係る表示装置により構成されている。
(Application example 1)
FIG. 9 shows an appearance of a television apparatus to which the display device including the organic
(適用例2)
図10は、上記第1〜第4の実施の形態で説明した有機電界発光素子11,21,31または41を備えた表示装置が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部410、表示部420、メニュースイッチ430およびシャッターボタン440を有しており、その表示部420は、上記実施の形態に係る表示装置により構成されている。
(Application example 2)
FIG. 10 illustrates an appearance of a digital camera to which the display device including the organic
(適用例3)
図11は、上記第1〜第4の実施の形態で説明した有機電界発光素子11,21,31または41を備えた表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体510,文字等の入力操作のためのキーボード520および画像を表示する表示部530を有しており、その表示部530は、上記実施の形態に係る表示装置により構成されている。
(Application example 3)
FIG. 11 illustrates an appearance of a notebook personal computer to which the display device including the organic
(適用例4)
図12は、上記第1〜第4の実施の形態で説明した有機電界発光素子11,21,31または41を備えた表示装置が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部610,この本体部610の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ620,撮影時のスタート/ストップスイッチ630および表示部640を有しており、その表示部640は、上記実施の形態に係る表示装置により構成されている。
(Application example 4)
FIG. 12 shows an appearance of a video camera to which the display device including the organic
(適用例5)
図13は、上記第1〜第4の実施の形態で説明した有機電界発光素子11,21,31または41を備えた表示装置が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体710と下側筐体720とを連結部(ヒンジ部)730で連結したものであり、ディスプレイ740,サブディスプレイ750,ピクチャーライト760およびカメラ770を有している。そのディスプレイ740またはサブディスプレイ750は、上記実施の形態に係る表示装置により構成されている。
(Application example 5)
FIG. 13 shows an appearance of a mobile phone to which the display device including the organic
(実施例)
次に本発明の具体的な実施例について説明する。なお、実施例1−1〜1−8,3−1〜3−10および比較例1−1〜1−6は第1〜3の実施の形態に対応するものであり、有機層14(24,34)のうちの電子供給層が1層(14C),2層(24C),3層(34C)設けられた有機電界発光素子11,21,31である。実施例2−1〜2−4および比較例2は第4の実施の形態に対応するものであり、有機層44−1,44−2が2層積層されたタンデム構造を有する有機電界発光素子41である。なお、実施例1〜3の有機電界発光素子11(21,31,41)は陽極13から注入された正孔と陰極15から注入された電子が発光層14B内で再結合する際に生じた発光を陽極13と陰極15との間で共振させて基板12と反対側の陰極15側から取り出す共振器構造で構成される上面発光方式の有機電界発光素子である。
(Example)
Next, specific examples of the present invention will be described. In addition, Examples 1-1 to 1-8, 3-1 to 3-10 and Comparative Examples 1-1 to 1-6 correspond to the first to third embodiments, and the organic layer 14 (24 , 34) are organic
先ず、陽極13として、Ndを10wt%含むAlNd合金層を120nmの膜厚で形成した。ここで、陽極13中のAlNd合金層の端面は共振器構造の第1端面P1となる。次に、SiO2蒸着により2mm×2mmの発光領域以外を絶縁膜(図示省略)でマスクした有機電界発光素子用のセルを作製した。続いて陽極13上に、正孔供給層14Aとして式(2)に示したヘキサニトリルアザトリフェニレンを蒸着速度0.2〜0.4nm/sec,10nmの膜厚で形成したのち、正孔輸送層14bとして式(4−42)に示した化合物を真空蒸着法により蒸着速度0.2〜0.4nm/sec,30nmの膜厚で形成した。
First, as the
次に、正孔輸送層14b上に蛍光材料またはりん光材料を用いて発光層14Bを形成した。蛍光材料の具体例としてはホスト材料として式(10)で示した化合物を用い、ゲスト材料として式(11)に示した化合物を用いた。りん光材料の具体例としてはホスト材料として式(12)で示した化合物を用い、ゲスト材料として式(13)に示した化合物を用いてドーパント濃度が膜厚比で5%となるように、真空蒸着法により40nmの膜厚で形成した。
Next, the light emitting layer 14B was formed on the
続いて、発光層14B(24B,34B)上に電子供給層14C(24C,34C)として例えば式(6−58)に示したアリールピリジン誘導体を用いて各膜厚で形成した。 Subsequently, the electron supply layer 14C (24C, 34C) was formed on the light-emitting layer 14B (24B, 34B) with each film thickness using, for example, an arylpyridine derivative represented by the formula (6-58).
以上のようにして有機層14を形成したのち、陰極15の第1層15aとして、LiFを真空蒸着法により約0.3nm(蒸着速度〜0.01nm/sec)の膜厚で形成し、次いで、第2層15bとしてMgAgを真空蒸着法により10nmの膜厚で形成し、2層構造の陰極15を設けた。この場合には、第2層15bの有機層14側の面が、共振器構造の第2端面P2となる。以上のようにして有機電界発光素子11(21,31)を作製した。
After forming the organic layer 14 as described above, as the
また、タンデム構造を有する実施例2−1〜2−4(比較例2)の有機電界発光素子41は電子供給層44C1を形成したのち、接続層17としてLiF層を0.5nm,Alq3+Mg(10%)層を10nmおよびヘキサニトリルアザトリフェニレン層を10nm、順次蒸着した。この接続層17上に、上記有機層14と同様に第2の有機層44−2を形成し陰極15を形成して有機電界発光素子41を作製した。
Further, in the organic electroluminescent elements 41 of Examples 2-1 to 2-4 (Comparative Example 2) having a tandem structure, after forming the electron supply layer 44C1, the LiF layer is 0.5 nm as the
以上のように作製した有機電界発光素子11,21,31,41について、10mAcm-2の電流密度における電圧(V)および電流効率(cd/A)を測定した。また、50℃、30mAcm-2の定電流駆動500時間後の初期効率を1としたときの効率割合および初期電圧との電圧差ΔVを測定した。
With respect to the organic
なお、表1は実施例1−1〜1−8および比較例1−1〜1−6の発光層14B(24B,34B)および電子供給層14C(24C,34C)として用いた材料の一覧である。表2は実施例2−1〜2−4および比較例2の発光層44B1,44B2および電子供給層44C1,44C2として用いた材料の一覧である。表3,4は実施例1,2の駆動電圧(V),発光効率(cd/A),500時間後の輝度割合および500時間後の電圧上昇(ΔV)の測定結果の一覧である。表5は実施例3−1〜3−10の発光層14B(24B,34B)および電子供給層14C(24C,34C)として用いた材料の一覧である。表6は実施例3における駆動電圧(V)および500時間後の輝度割合を測定結果の一覧である。図14は表6の結果をもとにして第2の電子供給層24dの材料であるベンゾイミダゾール誘導体の膜厚と駆動電圧の関係を表したものである。図15は表6の結果をもとに第3の電気供給層34eの材料であるジベンゾイミダゾール誘導体の膜厚と500時間後の輝度割合の関係を表したものである。
Table 1 is a list of materials used as the light emitting layer 14B (24B, 34B) and the electron supply layer 14C (24C, 34C) of Examples 1-1 to 1-8 and Comparative Examples 1-1 to 1-6. is there. Table 2 is a list of materials used as the light emitting layers 44B1 and 44B2 and the electron supply layers 44C1 and 44C2 of Examples 2-1 to 2-4 and Comparative Example 2. Tables 3 and 4 list measurement results of driving voltage (V), luminous efficiency (cd / A), luminance ratio after 500 hours, and voltage increase (ΔV) after 500 hours in Examples 1 and 2. Table 5 is a list of materials used as the light emitting layer 14B (24B, 34B) and the electron supply layer 14C (24C, 34C) of Examples 3-1 to 3-10. Table 6 is a list of measurement results of the drive voltage (V) and the luminance ratio after 500 hours in Example 3. FIG. 14 shows the relationship between the driving voltage and the film thickness of the benzimidazole derivative, which is the material of the second electron supply layer 24d, based on the results in Table 6. FIG. 15 shows the relationship between the film thickness of the dibenzimidazole derivative, which is the material of the third
表3,4からわかるように、正孔供給層14A〜34A(正孔注入層14a〜34a,正孔輸送層14b〜34b)40nmに対して電子供給層14C〜34Cを120nmまたは140nmまたは160nmのように厚膜に形成することにより、比較例1,2と比較して発光効率が向上している。また、500時間後の輝度割合の結果から輝度の低下もほとんどなく、駆動電圧の上昇も比較例1,2と比較して1桁あるいは2桁以上抑えられていることがわかる。このような結果は従来用いられている材料(Alq3)を用いて電子供給層14C〜34Cを厚膜に形成しても得られていない。即ち、上記式(6),(7),(8)に示した化合物を用いた電子供給層14C〜34Cの膜厚を正孔供給層14A〜34Aよりも厚膜とすることで発光効率が上昇し、更に寿命特性も向上することがわかる。また、発光効率については、実施例1の中でも電子供給層14C(24C,34C)の膜厚をより厚くすることで著しい向上がみられた。 As can be seen from Tables 3 and 4, the hole supply layers 14A to 34A (the hole injection layers 14a to 34a, the hole transport layers 14b to 34b) are 40 nm, and the electron supply layers 14C to 34C are 120 nm, 140 nm, or 160 nm. Thus, by forming in a thick film, luminous efficiency is improved as compared with Comparative Examples 1 and 2. Further, it can be seen from the result of the luminance ratio after 500 hours that there is almost no decrease in luminance, and that the increase in drive voltage is suppressed by one digit or two digits or more as compared with Comparative Examples 1 and 2. Such a result is not obtained even when the electron supply layers 14C to 34C are formed in a thick film by using a conventionally used material (Alq3). That is, the luminous efficiency is improved by making the film thickness of the electron supply layers 14C to 34C using the compounds represented by the above formulas (6), (7) and (8) thicker than the hole supply layers 14A to 34A. It can be seen that the lifetime characteristics are improved. In addition, the luminous efficiency was significantly improved by increasing the film thickness of the electron supply layer 14C (24C, 34C) in Example 1.
図14から、第1の電子供給層24cと陰極15との間にベンゾイミダゾール誘導体からなる第2の電子供給層24dを積層することにより駆動電圧が低減された。また、図15から、第1の電子供給層34cと発光層34Bとの間にジベンゾイミダゾール誘導体からなる第3の電子供給層34eを挿入することにより500時間後の輝度割合、即ち寿命特性が向上することがわかる。
From FIG. 14, the driving voltage was reduced by laminating the second electron supply layer 24 d made of a benzimidazole derivative between the first electron supply layer 24 c and the
以上、第1〜第4の実施の形態および実施例を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。 The present invention has been described with reference to the first to fourth embodiments and examples. However, the present invention is not limited to the above-described embodiments and the like, and various modifications can be made.
例えば、上記実施の形態等において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。 For example, the material and thickness of each layer described in the above embodiment and the like, or the film formation method and film formation conditions are not limited, and other materials and thicknesses may be used, or other film formation methods and film formation may be performed. It is good also as film | membrane conditions.
また、上記第1の実施の形態では、有機電界発光素子11R,11G,11Bの構成を具体的に挙げて説明したが、全ての層を備える必要はなく、また、他の層を更に備えていてもよい。
In the first embodiment, the configuration of the
更に、上記実施の形態では、アクティブマトリックス型の表示装置の場合について説明したが、本発明はパッシブマトリックス型の表示装置への適用も可能である。更にまた、アクティブマトリックス駆動のための画素駆動回路の構成は、上記実施の形態で説明したものに限られず、必要に応じて容量素子やトランジスタを追加してもよい。その場合、画素駆動回路の変更に応じて、上述した信号線駆動回路120や走査線駆動回路130のほかに、必要な駆動回路を追加してもよい。
Furthermore, although the case of an active matrix display device has been described in the above embodiment, the present invention can also be applied to a passive matrix display device. Furthermore, the configuration of the pixel driving circuit for active matrix driving is not limited to that described in the above embodiment, and a capacitor or a transistor may be added as necessary. In that case, a necessary driving circuit may be added in addition to the signal
また、上記第1の実施の形態で説明した表示装置では赤色、緑色、青色の有機電界発光素子を備えたものを例に説明したが、必ずしも3色備えられていなくても構わない。更に、この3色にその他の色、例えば黄色の有機電界発光素子を備えた表示装置への適用も可能である。更にまた、各有機電界発光素子11R(11),11G,11Bにおいては、発光層14B以外の層を共通化してもよい。また、緑色発光素子11Gおよび青色発光素子11Bにおいては、それぞれの発光層14BG,14CBに適するように、異なる材料で構成された電子輸送層14Dを設けてもよい。
In addition, although the display device described in the first embodiment has been described as an example provided with organic electroluminescent elements of red, green, and blue, three colors may not necessarily be provided. Further, the present invention can be applied to a display device including organic electroluminescent elements of these three colors, for example, yellow. Furthermore, in each
なお上記実施の形態等で説明した有機電界発光素子11〜41は、例えば有機電界発光素子11では、陽極13と陰極15との間で発光光を共振させて取り出す共振器構造とすることで、取り出し光の色純度を向上させ、共振の中心波長付近の取り出し光の強度を向上させることが可能となる。この場合、陽極13の発光層14B側の反射端面を第1端部P1(図示なし)、陰極15の発光層14B側の反射端面を第2端部P2(図示なし)とし、有機層14を共振部として、発光層14Bで発生した光を共振させて第2端部P2側から取り出す共振器構造とした場合には、共振器の第1端部P1と第2端部P2との間の光学的距離Lを下記式(1)を満たすように設定する。光学的距離Lは、実際には、式(1)を満たす正の最小値となるように選択することが好ましい。
The organic
上記式(1)中において、Lは第1端部P1と第2端部P2との間の光学的距離、Φは第1端部P1で生じる反射光の位相シフトΦ1 と第2端部P2で生じる反射光の位相シフトΦ2 との和(Φ=Φ1 +Φ2 )(rad)、λは第2端部P2の側から取り出したい光のスペクトルのピーク波長、mはLが正となる整数をそれぞれ表す。尚、式(1)においてLおよびλは単位が共通すればよいが、例えば(nm)を単位とする。 In the above formula (1), L is the optical distance between the first end P1 and the second end P2, and Φ is the phase shift Φ 1 of the reflected light generated at the first end P1 and the second end. The sum (Φ = Φ 1 + Φ 2 ) (rad) of the phase shift Φ 2 of the reflected light generated at P 2, λ is the peak wavelength of the spectrum of light desired to be extracted from the second end P 2 side, and m is positive when L is positive Each represents an integer. In the formula (1), L and λ may have the same unit. For example, the unit is (nm).
また、有機発光素子11では、発光層14Bの最大発光位置と第1端部P1との間の光学的距離L1 が下記式(2)を満たし、最大発光位置と第2端部P2との間の光学的距離L2が下記式(3)を満たすように調整されている。ここで、最大発光位置とは、発光領域のうちで最も発光強度が大きい位置を言う。例えば、発光層14Bの陽極13側と陰極15側との両方の界面で発光する場合には、そのうち発光強度の大きい方の界面となる。
In the organic
上記式(2)中において、tL1は第1端部P1と最大発光位置との間の光学的理論距離、a1は発光層14Bにおける発光分布に基づく補正量、λは取り出したい光のスペクトルのピーク波長、Φ1は第1端部P1で生じる反射光の位相シフト(rad)、m1は0または整数をそれぞれ表す。 In the above formula (2), tL 1 is the optical theoretical distance between the first end P1 and the maximum light emission position, a 1 is the correction amount based on the light emission distribution in the light emitting layer 14B, and λ is the spectrum of the light to be extracted. , Φ 1 represents the phase shift (rad) of the reflected light generated at the first end P1, and m 1 represents 0 or an integer.
上記式(3)中において、tL2は第2端部P2と最大発光位置13Eとの間の光学的理論距離、a2は発光層14Bにおける発光分布に基づく補正量、λは取り出したい光のスペクトルのピーク波長、Φ2は第2端部P2で生じる反射光の位相シフト(rad)、m2は0または整数をそれぞれ表す。 In the above formula (3), tL 2 is the optical theoretical distance between the second end portion P2 and the maximum light emission position 13E, a 2 is the correction amount based on the light emission distribution in the light emitting layer 14B, and λ is the light to be extracted. The peak wavelength of the spectrum, Φ 2 represents the phase shift (rad) of the reflected light generated at the second end P2, and m 2 represents 0 or an integer.
上記式(2)は、発光層14Bで発生した光のうち陽極13の方へ向かう光が第1端部P1で反射して戻ってきたときに、その戻り光の位相と発光時の位相とが同一となり、発光した光のうち陰極15の方へ向かう光と強め合う関係となるようにするためのものである。また、式(3)は、発光層14Bで発生した光のうち陰極15の方へ向かう光が第2端部P2で反射して戻ってきたときに、その戻り光の位相と発光時の位相とが同一となり、発光した光のうち陽極13の方へ向かう光と強め合う関係となるようにするためのものである。
The above formula (2) indicates that when light directed toward the
本実施形態の有機電界発光素子11では、電子輸送層14dを正孔供給層14Aのトータル膜厚よりも厚く形成することで、上記式(2)、(3)のm1>m2となるように設計することが可能である。これにより、光の取り出し効率を高めることができる。
In the
なお、式(2)の光学的理論距離tL1および式(3)の光学的理論距離tL2は、発光領域に広がりがないと考えた場合に、第1端部P1または第2端部P2での位相変化量と、進行することでの位相変化量がちょうど打ち消し合い、戻り光の位相と発光時の位相とが同一となる理論値である。ただし、発光部分には通常広がりがあるので、式(2)および式(3)では、発光分布に基づく補正量a1,a2が加えられている。 The optical theory distance tL 2 of formula (2) optical theory distance tL 1 and Equation (3) of, when considering that there is no spread in the light-emitting area, the first end portion P1 or the second end portion P2 This is a theoretical value in which the amount of phase change at the time and the amount of phase change due to progress cancel each other, and the phase of the return light and the phase at the time of light emission are the same. However, since the light emission part is usually wide, correction amounts a 1 and a 2 based on the light emission distribution are added in the expressions (2) and (3).
補正量a1,a2は発光分布により異なるが、最大発光位置が発光層14Bの陰極15側にあり、発光分布が最大発光位置から陽極13側に広がっている場合、または最大発光位置が発光層14Bの陽極13側にあり、発光分布が最大発光位置から陰極15側に広がっている場合には、例えば下記式(4)により求められる。
Although the correction amounts a 1 and a 2 vary depending on the light emission distribution, the maximum light emission position is on the
式(4)中において、bは発光層14Bにおける発光分布が最大発光位置から陽極13の方向へ広がっている場合には2n≦b≦6nの範囲内の値、最大発光位置から陰極15の方向へ広がっている場合には−6n≦b≦−2nの範囲内の値であり、sは発光層13Cにおける発光分布に関する物性値(1/e減衰距離)、nは取り出したい光のスペクトルのピーク波長λにおける第1端部P1と第2端部P2との間の平均屈折率である。
In the formula (4), b is a value within the range of 2n ≦ b ≦ 6n when the light emission distribution in the light emitting layer 14B extends from the maximum light emission position to the
なお、陽極13と陰極15との間で発光光を共振させて取り出す共振器構造で構成される上面発光素子の場合には、陰極15は以下のような構成とすることが好ましい。例えばMg−Agのような半透過性反射材料を用いて第2陰極15Bを構成し、第2陰極15Bと陽極13の間で発光光を共振させる。また、上記第2陰極15Bは、例えば透明なSiNx化合物からなり、電極の劣化抑制のための封止電極として形成される。
In the case of a top-surface light emitting device configured with a resonator structure in which emitted light is resonated and extracted between the
また、上記第1〜第4の実施の形態および実施例では上面発光型の有機電界発光素子11〜41について説明したが、これに限定されるものではなく、陽極と陰極との間に少なくとも発光層を有する有機層を狭持してなる有機電界発光素子に広く適用可能である。即ち、基板側から順に、陰極、有機層、陽極を順次積層した構成のものや、基板側に位置する電極(陰極または陽極としての下部電極)を透明材料で構成し、基板と反対側に位置する電極(陰極または陽極としての上部電極)を反射材料で構成することによって、下部電極側からのみ光を取り出すようにした、下面発光型(いわゆる透過型)の有機電界発光素子にも適用可能である。
In the first to fourth embodiments and examples, the top emission
更に、一対の電極(陽極と陰極)、およびその電極間に有機層が挟持された有機電界発光素子であれば、他の構成要素(例えば、無機化合物層や無機成分)が含まれていても構わない。 Furthermore, as long as it is an organic electroluminescent element in which an organic layer is sandwiched between a pair of electrodes (anode and cathode) and an electrode between them, other components (for example, an inorganic compound layer or an inorganic component) may be included. I do not care.
11,21,31,41…有機電界発光素子、12…基板、13…陽極、14,24,34,44−1,44−2…有機層、14A,24A,34A,44A1,44A2…正孔供給層、14a,24a,34a,44a1,44a2…正孔注入層、14b24b,34b,44b1,44b2…正孔輸送層、14B,24B,34B,44B1,44B2…発光層、14C,24C,34C,44C1,44C2…電子供給層、24c,34c…第1の電子供給層、24d,34d…第2の電子供給層、34e…第3の電位供給層、15…陰極、16…隔壁、17…電荷発生層、17A…電子供給層、17B…正孔注入層、17C…電子注入層、20…保護層、30…封止用基板 11, 21, 31, 41... Organic electroluminescent element, 12... Substrate, 13... Anode, 14, 24, 34, 44-1, 44-2 ... organic layer, 14 A, 24 A, 34 A, 44 A 1, 44 A 2. Supply layer, 14a, 24a, 34a, 44a1, 44a2 ... hole injection layer, 14b24b, 34b, 44b1, 44b2 ... hole transport layer, 14B, 24B, 34B, 44B1, 44B2 ... light emitting layer, 14C, 24C, 34C, 44C1, 44C2 ... electron supply layer, 24c, 34c ... first electron supply layer, 24d, 34d ... second electron supply layer, 34e ... third potential supply layer, 15 ... cathode, 16 ... partition, 17 ... charge Generation layer, 17A ... electron supply layer, 17B ... hole injection layer, 17C ... electron injection layer, 20 ... protective layer, 30 ... substrate for sealing
Claims (12)
前記陽極上に形成された正孔供給層、発光層および式(1)で表わされるアリールピリジン誘導体を含むと共に、前記正孔供給層よりも膜厚の厚い電子供給層をこの順に備えた有機層と、
前記有機層上に形成された陰極と
を備えた有機電界発光素子。
An organic layer including a hole supply layer formed on the anode, a light emitting layer, and an arylpyridine derivative represented by the formula (1), and an electron supply layer having a thickness larger than that of the hole supply layer in this order. When,
An organic electroluminescent device comprising: a cathode formed on the organic layer.
前記有機電界発光素子は、
陽極と、
前記陽極上に形成された正孔供給層、発光層および式(1)で表わされるアリールピリジン誘導体を含むと共に、前記正孔供給層よりも膜厚の厚い電子供給層をこの順に備えた有機層と、
前記有機層上に形成された陰極とを有する
表示装置。
The organic electroluminescent element is:
The anode,
An organic layer including a hole supply layer formed on the anode, a light emitting layer, and an arylpyridine derivative represented by the formula (1), and an electron supply layer having a thickness larger than that of the hole supply layer in this order. When,
A display device comprising: a cathode formed on the organic layer.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011070690A JP2012204794A (en) | 2011-03-28 | 2011-03-28 | Organic electroluminescent element and display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011070690A JP2012204794A (en) | 2011-03-28 | 2011-03-28 | Organic electroluminescent element and display device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012204794A true JP2012204794A (en) | 2012-10-22 |
Family
ID=47185382
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011070690A Withdrawn JP2012204794A (en) | 2011-03-28 | 2011-03-28 | Organic electroluminescent element and display device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2012204794A (en) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014216576A (en) * | 2013-04-26 | 2014-11-17 | 出光興産株式会社 | Organic electroluminescent element and electronic device |
WO2016035413A1 (en) * | 2014-09-04 | 2016-03-10 | 株式会社Joled | Display element, display device and electronic apparatus |
US9559311B2 (en) | 2013-02-22 | 2017-01-31 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Anthracene derivative, organic-electroluminescence-device material, organic electroluminescence device, and electronic equipment |
US9748492B2 (en) | 2012-11-02 | 2017-08-29 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
CN108358919A (en) * | 2018-04-25 | 2018-08-03 | 长春海谱润斯科技有限公司 | A kind of phenanthrene derivative and its organic electroluminescence device |
CN108358918A (en) * | 2018-04-25 | 2018-08-03 | 长春海谱润斯科技有限公司 | A kind of pyrene derivatives and its organic electroluminescence device |
CN108440524A (en) * | 2018-04-25 | 2018-08-24 | 长春海谱润斯科技有限公司 | A kind of Sanya benzene derivative and its organic electroluminescence device |
US10069096B1 (en) | 2017-06-21 | 2018-09-04 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | WOLED device |
WO2018232947A1 (en) * | 2017-06-21 | 2018-12-27 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Woled device |
-
2011
- 2011-03-28 JP JP2011070690A patent/JP2012204794A/en not_active Withdrawn
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9748492B2 (en) | 2012-11-02 | 2017-08-29 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
US10388885B2 (en) | 2012-11-02 | 2019-08-20 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
US9559311B2 (en) | 2013-02-22 | 2017-01-31 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Anthracene derivative, organic-electroluminescence-device material, organic electroluminescence device, and electronic equipment |
JP2014216576A (en) * | 2013-04-26 | 2014-11-17 | 出光興産株式会社 | Organic electroluminescent element and electronic device |
WO2016035413A1 (en) * | 2014-09-04 | 2016-03-10 | 株式会社Joled | Display element, display device and electronic apparatus |
JPWO2016035413A1 (en) * | 2014-09-04 | 2017-04-27 | 株式会社Joled | Display element, display device, and electronic device |
US10069096B1 (en) | 2017-06-21 | 2018-09-04 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | WOLED device |
WO2018232947A1 (en) * | 2017-06-21 | 2018-12-27 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Woled device |
CN108358919A (en) * | 2018-04-25 | 2018-08-03 | 长春海谱润斯科技有限公司 | A kind of phenanthrene derivative and its organic electroluminescence device |
CN108358918A (en) * | 2018-04-25 | 2018-08-03 | 长春海谱润斯科技有限公司 | A kind of pyrene derivatives and its organic electroluminescence device |
CN108440524A (en) * | 2018-04-25 | 2018-08-24 | 长春海谱润斯科技有限公司 | A kind of Sanya benzene derivative and its organic electroluminescence device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9099681B2 (en) | Display device, display, and electronic unit | |
US8405098B2 (en) | Organic light emitting device, display unit including the same, and illuminating device including the same | |
JP5347662B2 (en) | Organic electroluminescence device and display device | |
US8829497B2 (en) | Display element, display device, and electronic apparatus | |
JP2012204794A (en) | Organic electroluminescent element and display device | |
JP4393249B2 (en) | ORGANIC LIGHT EMITTING ELEMENT, IMAGE DISPLAY DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF | |
JP6457711B2 (en) | Organic light emitting device and organic light emitting display device | |
KR101475363B1 (en) | Organic electroluminescent device and display device | |
JP6656817B2 (en) | Light emitting device | |
JP4483917B2 (en) | Organic electroluminescent device, organic electroluminescent device manufacturing method, display device, and display device manufacturing method | |
US8889268B2 (en) | Organic electroluminescence element and display device using the same | |
JP2012204793A (en) | Organic electroluminescent element and display device | |
TW200950579A (en) | Resonant cavity color conversion EL device and organic EL display device using the same | |
TW201410843A (en) | Organic electroluminescent element and display device | |
JP2010080423A (en) | Color display device and its manufacturing method | |
WO2009139275A1 (en) | Organic electroluminescent element | |
JP2016115444A (en) | Display device and electronic apparatus | |
WO2016088481A1 (en) | Organic el element and display device | |
KR102529109B1 (en) | Light emitting diode and electroluminescent display device including the same | |
JP2010165977A (en) | Organic electroluminescent element, display and electronic equipment | |
JP2007179828A (en) | Organic electroluminescent element and method of manufacturing same | |
JP2010027885A (en) | Organic electroluminescent element | |
WO2016092883A1 (en) | Display element, display device and electronic equipment | |
JP6612236B2 (en) | Display device and electronic device | |
JP5791129B2 (en) | ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT LIGHTING DEVICE |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20140603 |