JP2014199794A - Organic el element, printer head, exposure device, and image forming apparatus - Google Patents

Organic el element, printer head, exposure device, and image forming apparatus Download PDF

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浩司 出口
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Masahito Shinoda
雅人 篠田
匡貴 毛利
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匡貴 毛利
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Satoshi Miyagawa
聡志 宮川
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic EL element which is excellent in productivity and is improved in reliability.SOLUTION: Provided is a top emission type organic EL element 1 comprising a first electrode 11, an ITO layer 12, an organic compound layer 13 including a light-emitting layer, a second electrode 14, an adhesion layer 18, and a sealing layer 15 formed on a substrate 10, and light emission from the light-emitting layer is partitioned by banks 16. The second electrode 14 covers the first electrode 11, the ITO layer 12, the organic compound layer 13, and the banks 16. The sealing layer 15 covers the second electrode 14. The adhesion layer 18 is discontinuously formed outside the second electrode 14 and on a joint surface with the sealing layer 15.

Description

本発明は、トップエミッション型の有機EL素子、プリンターヘッド、露光装置及び画像形成装置に関する。   The present invention relates to a top emission type organic EL element, a printer head, an exposure apparatus, and an image forming apparatus.

従来、有機EL表示装置などの電気光学装置は、基板上に陽極、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、陰極等が積層された素子構造のものが知られている。   Conventionally, an electro-optical device such as an organic EL display device has an element structure in which an anode, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, a cathode, and the like are laminated on a substrate. Are known.

このような有機EL素子は、有機材料からなる正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層が大気中の酸素や水分の侵入による変質により、発光素子として寿命が短くなるといった問題があった。   Such an organic EL element has a lifetime as a light-emitting element due to alteration of the hole injection layer, hole transport layer, light-emitting layer, electron transport layer, and electron injection layer made of an organic material due to the intrusion of oxygen or moisture in the atmosphere. There was a problem of shortening.

さらに、有機EL材料だけでなく、発光領域を隔離するバンク材料などの有機材料も、外部環境や通電時の発熱による高温環境下での体積膨張が大きく、発生した応力が電極などの無機材料との界面に発生して剥離することで水分などが侵入し、結果として発光素子の耐久性が低下してしまうといった問題があった。   Furthermore, not only organic EL materials, but also organic materials such as bank materials that isolate the light-emitting region have a large volume expansion in a high temperature environment due to heat generation during external environment or energization, and the generated stress is different from that of inorganic materials such as electrodes. There is a problem in that moisture and the like enter due to the occurrence and peeling at the interface, resulting in a decrease in durability of the light emitting element.

そのため、外部環境から酸素や水分の浸透を防止するため、通常、ガラス板や金属板で覆い、樹脂等のシール材で貼り合せる封止構造が提案されている(特許文献1)。   Therefore, in order to prevent the penetration of oxygen and moisture from the external environment, a sealing structure that is usually covered with a glass plate or a metal plate and bonded with a sealing material such as resin has been proposed (Patent Document 1).

しかしながら、シール材も酸素や水分の透過が多く、素子に到達しないように高速で吸湿するゲッター材などを用いて空間を設けて設置する必要が生じてしまう。また、このようなガラスキャップを用いた有機EL素子は、製造コストが高騰する問題があり、さらに、表示素子が厚くなってしまう欠点がある。   However, since the sealing material also has a large amount of oxygen and moisture permeation, it is necessary to provide a space using a getter material that absorbs moisture at high speed so as not to reach the element. Moreover, the organic EL element using such a glass cap has the problem that manufacturing cost rises, and also has the fault that a display element becomes thick.

このような問題に対処した有機EL素子として、封止層として無機膜を形成する方法が知られている(特許文献2)。特に窒化ケイ素はピンホールの非常に少ない膜を形成でき、酸素透過抑制、水分透過抑制に優れており、これらの透過をほぼ遮断できることが知られている。   As an organic EL element that addresses such a problem, a method of forming an inorganic film as a sealing layer is known (Patent Document 2). In particular, it is known that silicon nitride can form a film with very few pinholes, is excellent in suppressing oxygen permeation and moisture permeation, and can substantially block such permeation.

しかしながら、窒化ケイ素膜自体の遮断能力が高いにも関わらず、有機EL素子の劣化が顕著に現れることがよくある。原因は窒化ケイ素膜と下地層との界面からの酸素、水分の進入によるものである。この窒化ケイ素膜と下地層との界面の密着性が不十分な場合、封止構造体として不完全なものになり、結果、有機EL素子の劣化を招いてしまう。   However, despite the high blocking ability of the silicon nitride film itself, the deterioration of the organic EL element often appears significantly. The cause is that oxygen and moisture enter from the interface between the silicon nitride film and the underlayer. When the adhesion at the interface between the silicon nitride film and the underlayer is insufficient, the sealing structure is incomplete, and as a result, the organic EL element is deteriorated.

本発明は上記従来技術を鑑みてなされたものであり、即ち、生産性にも優れ、信頼性を向上させた有機EL素子を提供することを目的としている。   The present invention has been made in view of the above prior art, that is, an object of the present invention is to provide an organic EL element that is excellent in productivity and improved in reliability.

本発明者らは鋭意検討した結果、第二の電極が第一の電極、ITO(インジウムスズ酸化物)層、有機化合物層、バンクを覆っており、封止層が第二の電極を覆っているトップエミッション型の有機EL素子において、密着層を第二の電極の外側で、かつ封止層との接合面上に非連続的に形成することにより、上記課題を解決できることを見出した。   As a result of intensive studies, the present inventors have found that the second electrode covers the first electrode, the ITO (indium tin oxide) layer, the organic compound layer, and the bank, and the sealing layer covers the second electrode. In the above-mentioned top emission type organic EL element, it has been found that the above-mentioned problems can be solved by forming the adhesion layer discontinuously outside the second electrode and on the bonding surface with the sealing layer.

すなわち本発明は、基板上に第一の電極、ITO層、発光層を含む有機化合物層、第二の電極、密着層、封止層が形成され、前記発光層からの発光がバンクで区切られているトップエミッション型の有機EL素子であって、前記第二の電極が、前記第一の電極、前記ITO層、前記有機化合物層及び前記バンクを覆っており、前記封止層が前記第二の電極を覆っており、前記密着層が前記第二の電極の外側で、かつ前記封止層との接合面上に非連続的に形成されていることを特徴とする有機EL素子である。   That is, according to the present invention, a first electrode, an ITO layer, an organic compound layer including a light emitting layer, a second electrode, an adhesion layer, and a sealing layer are formed on a substrate, and light emission from the light emitting layer is separated by a bank. A top emission type organic EL device, wherein the second electrode covers the first electrode, the ITO layer, the organic compound layer and the bank, and the sealing layer is the second The organic EL element is characterized in that the adhesive layer is formed discontinuously on the outer surface of the second electrode and on the bonding surface with the sealing layer.

本発明によれば、生産性にも優れ、信頼性を向上させた有機EL素子を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, it is excellent in productivity and can provide the organic EL element which improved reliability.

本発明に係る有機EL素子の一実施形態に係る構成図である。It is a block diagram concerning one embodiment of an organic EL device concerning the present invention. 図1の構成図の平面図を示したものである。FIG. 2 is a plan view of the configuration diagram of FIG. 1. 本発明には含まれない有機EL素子の一実施形態に係る構成図である。It is a block diagram which concerns on one Embodiment of the organic EL element which is not contained in this invention. 有機EL素子の一例の構成図である。It is a block diagram of an example of an organic EL element. 図4の構成図の平面図を示したものである。FIG. 5 is a plan view of the configuration diagram of FIG. 4. 本発明に係るプリンターヘッドの一実施形態における有機EL素子の配置の構成図である。It is a block diagram of arrangement | positioning of the organic EL element in one Embodiment of the printer head concerning this invention. 本発明に係る露光装置の一実施形態における構成図である。It is a block diagram in one Embodiment of the exposure apparatus which concerns on this invention. 本発明に係る画像形成装置の一実施形態における構成図である。1 is a configuration diagram in an embodiment of an image forming apparatus according to the present invention.

以下、本発明について実施の形態を示して、説明するが、本発明は以下の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において任意に変更して実施することができる。   Hereinafter, the present invention will be described with reference to embodiments. However, the present invention is not limited to the following embodiments, and can be arbitrarily modified and implemented without departing from the gist thereof.

本発明に係る有機EL素子は、基板10上に第一の電極11、ITO(インジウムスズ酸化物)層12、発光層を含む有機化合物層13、第二の電極14、密着層18、封止層15が形成されており、前記発光層からの発光がバンク16で区切られているトップエミッション型の有機EL素子1であって、前記第二の電極14が、前記第一の電極11、前記ITO層12、前記有機化合物層13及び前記バンク16を覆っており、前記封止層15が前記第二の電極14を覆っており、前記密着層18が前記第二の電極の外側に非連続的に形成されていることを特徴とする。   The organic EL device according to the present invention includes a first electrode 11, an ITO (indium tin oxide) layer 12, an organic compound layer 13 including a light emitting layer, a second electrode 14, an adhesion layer 18, and a sealing on a substrate 10. A top emission type organic EL element 1 in which a layer 15 is formed and light emission from the light emitting layer is divided by a bank 16, wherein the second electrode 14 is the first electrode 11, The ITO layer 12, the organic compound layer 13, and the bank 16 are covered, the sealing layer 15 covers the second electrode 14, and the adhesion layer 18 is discontinuous outside the second electrode. It is characterized by being formed.

以下、本発明を実施するための形態について説明する。
本発明で用いる有機ELの素子構成は、図1に示すように、基板10上に反射性を有し、パターニングされた第一の電極11、第一の電極11と同形状にパターニングされたITO層12、発光層を含む有機化合物層13、半透明性を有する第二の電極14の順に積層されている。ここで、発光領域はバンク16により分割されており、第二の電極14は、第一の電極11、ITO層12、有機化合物層13、バンク16を覆っており、封止層15は第二の電極14を覆っている。さらに、密着層18が第二の電極14の外側で、かつ前記封止層15との接合面上に非連続的に形成されている。
Hereinafter, modes for carrying out the present invention will be described.
As shown in FIG. 1, the organic EL element configuration used in the present invention is reflective on the substrate 10 and patterned first electrode 11, ITO patterned in the same shape as the first electrode 11. The layer 12, the organic compound layer 13 including the light emitting layer, and the second electrode 14 having translucency are stacked in this order. Here, the light emitting region is divided by the bank 16, the second electrode 14 covers the first electrode 11, the ITO layer 12, the organic compound layer 13, and the bank 16, and the sealing layer 15 is the second. The electrode 14 is covered. Further, the adhesion layer 18 is discontinuously formed outside the second electrode 14 and on the bonding surface with the sealing layer 15.

以下、各構成材料、形成プロセスについて説明する。
図1に示した有機EL素子の基板10は、有機EL素子に一般的に使用されるものを使用することができ、特に制限されるものではないが、表面平滑性、防水性等に優れたガラス基板、シリコン基板およびプラスチック基板が好ましい。また、トップエミッション型の有機EL素子では、この基板10の対向側から発光光を取り出す構成であるので、透明基板及び不透明基板のいずれも用いることができる。
Hereinafter, each constituent material and formation process will be described.
The substrate 10 of the organic EL element shown in FIG. 1 can be one generally used for organic EL elements, and is not particularly limited, but has excellent surface smoothness, waterproofness, etc. A glass substrate, a silicon substrate and a plastic substrate are preferred. In addition, since the top emission type organic EL element has a configuration in which emitted light is extracted from the opposite side of the substrate 10, either a transparent substrate or an opaque substrate can be used.

本発明に用いられる第一の電極11としては、導電性及び反射性を有するものであれば特に限定されるものではなく、公知の金属、合金、有機導電材料等を使用できる。例えば、Ag、Ag合金(AgNdCu、AgPdCu等)、Al等が挙げられる。中でもAlは反射率が高く、第一の電極11として有用である。これらは単独で用いてもよく、あるいは2種以上用いてもよい。   The first electrode 11 used in the present invention is not particularly limited as long as it has conductivity and reflectivity, and a known metal, alloy, organic conductive material, or the like can be used. For example, Ag, Ag alloy (AgNdCu, AgPdCu, etc.), Al, etc. are mentioned. Among them, Al has a high reflectance and is useful as the first electrode 11. These may be used alone or in combination of two or more.

第一の電極11の厚さに制限はないが、比抵抗が低く、高反射が確保される膜厚が好ましい。膜厚としては20nm〜500nmが好ましく、50nm〜200nmが更に好ましい。   Although there is no restriction | limiting in the thickness of the 1st electrode 11, the film thickness with a low specific resistance and ensuring high reflection is preferable. The film thickness is preferably 20 nm to 500 nm, and more preferably 50 nm to 200 nm.

第一の電極11は、公知のスパッタリング、蒸着などの真空成膜や、各種印刷法により成膜される。これらプロセスでは、シャドーマスクなどを用いてのパターニングが可能である。また、微細パターニングもフォトリソグラフィーにより可能である。   The first electrode 11 is formed by a known vacuum film formation such as sputtering or vapor deposition or various printing methods. In these processes, patterning using a shadow mask or the like is possible. Fine patterning is also possible by photolithography.

本発明に用いられるITO層12は、正孔注入層的な機能を担っている。よって導電性を確保するような膜厚は必ずしも必要なく、連続膜として形成できうる10nm以上であれば良い。成膜方式は第一の電極11と同様な方式が挙げられる。
また、後述する有機化合物層13においても正孔注入層が用いられ得るが、有機化合物層13の正孔注入層とは別に当該ITO層12を用いることが好ましい。ITO層12を用いることにより、安定的に正孔を注入することができ、有機EL素子における発光の信頼性が向上する。
The ITO layer 12 used in the present invention has a hole injection layer function. Therefore, the film thickness for ensuring conductivity is not necessarily required, and may be 10 nm or more that can be formed as a continuous film. As the film formation method, the same method as that of the first electrode 11 can be used.
Moreover, although a hole injection layer can be used also in the organic compound layer 13 described later, it is preferable to use the ITO layer 12 separately from the hole injection layer of the organic compound layer 13. By using the ITO layer 12, holes can be stably injected, and the light emission reliability in the organic EL element is improved.

本発明に用いられる有機化合物層13は、具体的には正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層に分けられる。材料は特に限定されるものでなく、また機能を合わせ持つ場合には層を省略しても構わない。例えば、正孔注入層が正孔輸送の機能を有する場合は、正孔輸送層が省略される。
有機化合物層13を構成する各層については、図1には図示していないが、ITO層12上に正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層の順に積層されているのが好ましい。
The organic compound layer 13 used in the present invention is specifically divided into a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer. The material is not particularly limited, and the layer may be omitted when the functions are combined. For example, when the hole injection layer has a hole transport function, the hole transport layer is omitted.
The layers constituting the organic compound layer 13 are not shown in FIG. 1, but are stacked on the ITO layer 12 in the order of a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer. It is preferable.

正孔注入層として、銅フタロシアニン(CuPc)や、4,4,4−トリス(3−メチルフェニルフェニルアミノ)トリフェニルアミン(m−TDATA)、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)−ポリスチレンスルホン酸(PEDOT/PSS)、及び酸化バナジウムなどが挙げられる。
正孔注入及び正孔輸送を有する材料としては、トリフェニルジアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ポリフィリル誘導体、スチルベン誘導体、及びポリ(ビニルカルバゾール)、ポリ(チオフェン)、その他導電性高分子等が挙げられる。また、代表的なものとして、ビス(N−(1−ナフチル−N−フェニル)ベンジジン)(α−NPD)が挙げられる。正孔注入層又は正孔輸送層に用いられるものとしては、1種でもよく、あるいは2種以上でもよい。なお、後述する実施例で用いたα−NPDの構造を下記式に示す。
For the hole injection layer, copper phthalocyanine (CuPc), 4,4,4-tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine (m-TDATA), poly (3,4-ethylenedioxythiophene) -polystyrene Examples include sulfonic acid (PEDOT / PSS) and vanadium oxide.
Examples of materials having hole injection and hole transport include triphenyldiamine derivatives, oxadiazole derivatives, polyphylyl derivatives, stilbene derivatives, poly (vinyl carbazole), poly (thiophene), and other conductive polymers. . A typical example is bis (N- (1-naphthyl-N-phenyl) benzidine) (α-NPD). As a thing used for a positive hole injection layer or a positive hole transport layer, 1 type may be sufficient and 2 or more types may be sufficient. The structure of α-NPD used in the examples described later is shown in the following formula.

発光層には、公知の発光材料をいずれも好適に用いることができ、単体で機能する材料でも、ホスト材料と発光ドーパントや電荷輸送ドーパント、等との混合層として機能する材料でもよい。また、代表的なものの例として、アルミキノリノール錯体(Alq3)が挙げられる。発光層に用いられるものとしては、1種でもよく、あるいは2種以上でもよい。なお、後述する実施例で用いたAlq3の構造を下記式に示す。   Any known light-emitting material can be suitably used for the light-emitting layer, and either a material that functions alone or a material that functions as a mixed layer of a host material and a light-emitting dopant, a charge transport dopant, or the like may be used. A typical example is an aluminum quinolinol complex (Alq3). As a thing used for a light emitting layer, 1 type may be sufficient and 2 or more types may be sufficient. The structure of Alq3 used in the examples described later is shown in the following formula.

本発明によって得られる有機EL素子は、前記発光層からの発光がバンク16で区切られている構造を有している。バンク16は、公知の材料を用いることができ、公知の方法により作製される。例えば、DL−1000(東レ製)を用いてフォトリソグラフィー法により作製することが挙げられる。   The organic EL element obtained by the present invention has a structure in which light emitted from the light emitting layer is divided by the bank 16. The bank 16 can be made of a known material and is manufactured by a known method. For example, it can be prepared by photolithography using DL-1000 (manufactured by Toray).

電子輸送層としては、公知の材料、例えばアルミキノリノール錯体(Alq3)やフェナントロリン化合物等を用いることができる。電子輸送層に用いられるものとしては、1種でもよく、あるいは2種以上でもよい。   A known material such as an aluminum quinolinol complex (Alq3) or a phenanthroline compound can be used for the electron transport layer. One type may be used for the electron transport layer, or two or more types may be used.

電子注入層としては、アルカリ土類金属、またはアルカリ土類金属化合物の極薄膜を用いることができる。例えば、LiFやKF、MgOが好ましい。電子注入層に用いられるものとしては、1種でもよく、あるいは2種以上でもよい。   As the electron injection layer, an extremely thin film of an alkaline earth metal or an alkaline earth metal compound can be used. For example, LiF, KF, and MgO are preferable. As the material used for the electron injection layer, one type may be used, or two or more types may be used.

本発明に用いられる第二の電極14としては、導電性及び半透明性を有するものであれば特に限定されるものではないが、有機化合物層13上へ直接形成することから、真空蒸着法による金属薄膜が好適に用いられる。例えば、薄膜の金、白金、銀、アルミニウム、クロム、マグネシウム又はこれらの合金が挙げられる。中でも、マグネシウム合金が、電子注入層とのエネルギー準位適合性や安定性といった理由から、好ましく用いられる。
また、銀含有薄膜は良好な導電率と反射率を有しており、トップエミッション型の共振器構造体形成に有利である。従って、さらに好ましくは、前記マグネシウム合金が、少なくとも銀を含む場合である。
The second electrode 14 used in the present invention is not particularly limited as long as it has conductivity and translucency. However, since it is directly formed on the organic compound layer 13, the second electrode 14 is formed by a vacuum deposition method. A metal thin film is preferably used. For example, a thin film of gold, platinum, silver, aluminum, chromium, magnesium, or an alloy thereof can be used. Among these, a magnesium alloy is preferably used for reasons such as energy level compatibility and stability with the electron injection layer.
Further, the silver-containing thin film has good conductivity and reflectance, and is advantageous for forming a top emission type resonator structure. Therefore, more preferably, the magnesium alloy contains at least silver.

また、第二の電極14は5nm〜20nmの膜厚であることが好ましい。5nm未満では共振器構造体として十分な反射率が得られず、20nmより大きくなると反射率が大きくなり、共振器構造体として不利となる。   The second electrode 14 preferably has a thickness of 5 nm to 20 nm. If the thickness is less than 5 nm, sufficient reflectivity as a resonator structure cannot be obtained, and if it exceeds 20 nm, the reflectivity increases, which is disadvantageous as a resonator structure.

密着層18としては、金属薄膜を用いることができる。第二の電極14の材料が密着層18の材料と同じであることが好ましく、密着層18は、第二の電極14と同様に、真空蒸着法による金属薄膜が好適に用いられる。前述したように、例えば、薄膜の金、白金、銀、アルミニウム、クロム、マグネシウム又はこれらの合金が挙げられ、中でもマグネシウム合金が好ましく用いられる。さらに好ましくは、前記マグネシウム合金が、少なくとも銀を含む場合である。
生産性を考慮すると、密着層18は第二の電極14と同レイヤー、同材料、同膜厚が好ましい。
A metal thin film can be used as the adhesion layer 18. The material of the second electrode 14 is preferably the same as the material of the adhesion layer 18, and the adhesion layer 18 is preferably a metal thin film formed by a vacuum evaporation method, like the second electrode 14. As described above, for example, a thin film of gold, platinum, silver, aluminum, chromium, magnesium or an alloy thereof can be used, and among these, a magnesium alloy is preferably used. More preferably, the magnesium alloy contains at least silver.
In consideration of productivity, the adhesion layer 18 is preferably the same layer, the same material, and the same thickness as the second electrode 14.

封止層15としては、例えば無機化合物からなるもので、特にケイ素化合物、すなわちケイ素窒化物やケイ素酸化物等が好ましい。ケイ素化合物以外でも、例えばアルミナや酸化タンタルなどから形成されてもよい。   The sealing layer 15 is made of, for example, an inorganic compound, and is particularly preferably a silicon compound, that is, silicon nitride or silicon oxide. Other than silicon compounds, for example, they may be formed from alumina, tantalum oxide, or the like.

封止層15として、異なるケイ素化合物からなる層での積層構造としてもよい。あるいはケイ素化合物層とアルミナ層との積層構造としてもよい。またはケイ素化合物層と有機層との積層構造でもよい。ケイ素化合物層の応力が大きい場合に、特にこれら積層構造体での応力緩和効果が大きくなる。   As the sealing layer 15, it is good also as a laminated structure in the layer which consists of a different silicon compound. Or it is good also as a laminated structure of a silicon compound layer and an alumina layer. Alternatively, a laminated structure of a silicon compound layer and an organic layer may be used. When the stress of the silicon compound layer is large, the stress relaxation effect particularly in these laminated structures is increased.

さらに、上記以外にも、組成比の異なるケイ素窒化物の積層構造としてもよい。あるいは、積層構造とすることなく、その組成を不均一にしてその濃度が連続的に、あるいは非連続的に変化するような構造としてもよい。   Further, in addition to the above, a laminated structure of silicon nitrides having different composition ratios may be used. Or it is good also as a structure which makes the composition non-uniform | heterogenous and makes the density | concentration change continuously or discontinuously, without making it a laminated structure.

また、封止層15の厚さとしては、50nm〜2000nmであるのが好ましい。50nm未満であると、膜バリア性が充分確保できなく、2000nmより大きいと応力による膜割れが生じるおそれがある。   In addition, the thickness of the sealing layer 15 is preferably 50 nm to 2000 nm. If it is less than 50 nm, the film barrier property cannot be sufficiently secured, and if it is more than 2000 nm, there is a possibility that film cracking due to stress occurs.

次に、図1の平面図についての概略図を図2に示す。
第二の電極14は、第一の電極11、ITO層12、有機化合物層13、バンク16が形成されている領域を覆うように形成される。このようにすることで、次に形成される封止層15と第二の電極14上との間で界面を形成し、封止層15との密着性を格段に向上させ、界面からの酸素、水分の浸入を抑制することができる。
Next, a schematic diagram of the plan view of FIG. 1 is shown in FIG.
The second electrode 14 is formed so as to cover a region where the first electrode 11, the ITO layer 12, the organic compound layer 13, and the bank 16 are formed. By doing in this way, an interface is formed between the sealing layer 15 to be formed next and the second electrode 14, the adhesion with the sealing layer 15 is remarkably improved, and oxygen from the interface is increased. , Moisture infiltration can be suppressed.

また、第二の電極14が形成されている領域の外側で、かつ基板10と封止層15との接合面上に、密着層18を形成し、第二の電極14と封止層15との界面の密着性をさらに向上させることができる。密着層18を設けることにより、封止層15との相互作用力が強まるといった理由から、前記界面の密着性が向上する。この場合、非連続な形状とすることにより、第二の電極14と電気的につながらず、第一の電極11とのショート抑制を得ることができる。   An adhesion layer 18 is formed outside the region where the second electrode 14 is formed and on the bonding surface between the substrate 10 and the sealing layer 15, and the second electrode 14 and the sealing layer 15 The adhesion at the interface can be further improved. By providing the adhesion layer 18, the adhesion at the interface is improved because the interaction force with the sealing layer 15 is increased. In this case, by making the shape discontinuous, it is not electrically connected to the second electrode 14 and short-circuit suppression with the first electrode 11 can be obtained.

また、密着層18が第二の電極14の外側に非連続的に形成されることにより、密着層18と第二の電極14が導通していない構成となるのが好ましい。
図1では、第二の電極14の外側に密着層18が形成されている。密着層18は、第二の電極14の外側で、かつ封止層15との接合面上であればよく、基板10上に直接形成されていても良いし、基板10上に直接形成されていなくともよい。また、密着層18は、第二の電極14に接していないが、このような構成とすることにより、第二の電極14と電気的に分離されており、通電による発熱等の影響での密着性低下を回避出来る。
図2では、本発明の有機EL素子の一例を平面的に図示した図であり、第二の電極14の外側に密着層18が形成されている。密着層18は第二の電極14の外側を囲むように形成されているが、配線付近で途切れた構成となり、連続的な構造とならないのが好ましい。このような構成とすることで、上述したように、密着層本来の働きである界面の密着性の向上に加え、第一の電極11と第二の電極14がショートするのを抑制することができる。
In addition, it is preferable that the adhesion layer 18 and the second electrode 14 are not electrically connected by discontinuously forming the adhesion layer 18 outside the second electrode 14.
In FIG. 1, an adhesion layer 18 is formed outside the second electrode 14. The adhesion layer 18 may be formed outside the second electrode 14 and on the bonding surface with the sealing layer 15, and may be formed directly on the substrate 10 or directly on the substrate 10. Not necessary. In addition, the adhesion layer 18 is not in contact with the second electrode 14, but with this configuration, the adhesion layer 18 is electrically separated from the second electrode 14. Deterioration can be avoided.
FIG. 2 is a plan view illustrating an example of the organic EL element of the present invention, in which an adhesion layer 18 is formed outside the second electrode 14. The adhesion layer 18 is formed so as to surround the outside of the second electrode 14, but it is preferable that the adhesion layer 18 is interrupted in the vicinity of the wiring and does not have a continuous structure. By adopting such a configuration, as described above, in addition to improving the adhesion of the interface, which is the original function of the adhesion layer, it is possible to suppress the first electrode 11 and the second electrode 14 from being short-circuited. it can.

本発明の有機EL素子における封止層15は、第二の電極14を覆う構成を有している。前述したように、第二の電極14は、封止層15との密着性の点から、第一の電極11等を覆う構成をとっている。従って、封止層15で第二の電極14を覆うことにより、封止層15と第二の電極14の密着性がさらに向上し、水分や酸素の侵入を防ぐことができる。   The sealing layer 15 in the organic EL element of the present invention has a configuration covering the second electrode 14. As described above, the second electrode 14 is configured to cover the first electrode 11 and the like from the viewpoint of adhesion with the sealing layer 15. Therefore, by covering the second electrode 14 with the sealing layer 15, the adhesion between the sealing layer 15 and the second electrode 14 can be further improved, and entry of moisture and oxygen can be prevented.

次に、本発明のプリンターヘッドの構成例について説明する。図6に本発明における有機ELパネル40が示され、また図7に本発明の露光装置が示されている。図6に示されるように、有機ELパネル40は素子基板41に本発明の有機EL素子1がライン状に配置されてなり、この有機ELパネル40が本発明のプリンターヘッドとなる。有機ELパネル40においては、配置する有機EL素子の数は目的によって変更することができ、図6に示されるような1ラインではなく、2ライン以上にもすることができる。その場合、主露光光源と副露光光源とに分けることもでき、主露光光源が劣化し光量が低下したときに、副露光光源が光量を補うことができ有効である。   Next, a configuration example of the printer head of the present invention will be described. FIG. 6 shows an organic EL panel 40 according to the present invention, and FIG. 7 shows an exposure apparatus according to the present invention. As shown in FIG. 6, in the organic EL panel 40, the organic EL elements 1 of the present invention are arranged in a line on an element substrate 41, and this organic EL panel 40 becomes the printer head of the present invention. In the organic EL panel 40, the number of organic EL elements to be arranged can be changed according to the purpose, and can be two lines or more instead of one line as shown in FIG. In that case, it can be divided into a main exposure light source and a sub-exposure light source. When the main exposure light source deteriorates and the light amount decreases, the sub-exposure light source can supplement the light amount and is effective.

また、有機ELパネル40は有機EL素子1を駆動させる駆動素子42を備え、駆動素子42を制御する制御回路43を備えている。したがって、制御回路43により駆動素子42が制御され、駆動素子42により有機EL素子1への通電が制御される。
駆動素子42としては、特に制限はなく、薄膜トランジスタや薄膜ダイオード等のスイッチング素子を用いることができる。
また、本発明における有機EL素子1は、トップエミッション型であるため、素子基板41は特に制限はなく、透明基板及び不透明基板のいずれも用いることができる。
The organic EL panel 40 includes a drive element 42 that drives the organic EL element 1, and a control circuit 43 that controls the drive element 42. Therefore, the drive element 42 is controlled by the control circuit 43, and energization to the organic EL element 1 is controlled by the drive element 42.
There is no restriction | limiting in particular as the drive element 42, Switching elements, such as a thin film transistor and a thin film diode, can be used.
In addition, since the organic EL element 1 in the present invention is a top emission type, the element substrate 41 is not particularly limited, and either a transparent substrate or an opaque substrate can be used.

図7では1つの有機ELパネル40がプリンターヘッドとなっている場合の模式図が示されているが、有機ELパネル40は1つでもよいし、複数でも構わない。また本発明の有機EL素子は信頼性の向上が期待されるため、本発明のプリンターヘッドにおいても、信頼性の向上を図り、安定した光源を提供することができる。   Although FIG. 7 shows a schematic diagram when one organic EL panel 40 is a printer head, there may be one organic EL panel 40 or a plurality of organic EL panels 40. In addition, since the organic EL element of the present invention is expected to improve reliability, the printer head of the present invention can also improve reliability and provide a stable light source.

次に、本発明の露光装置50の構成例について図7を用いて説明する。
本発明の露光装置50は、図6に示される有機ELパネル40がプリンターヘッドとなった光源を備えており、プリンターヘッドから出射してきた光を結像させる光学結像系53を備えている。光学結像系53としては、特に制限はなく、公知のものを用いることができ、例えば、公知のレンズ素子を用いることができる。また、本発明の露光装置50においては、プリンターヘッドの数に制限はなく、1つを単独で用いてもよいし、2つ以上を用いても構わない。
Next, a configuration example of the exposure apparatus 50 of the present invention will be described with reference to FIG.
The exposure apparatus 50 of the present invention includes a light source in which the organic EL panel 40 shown in FIG. 6 serves as a printer head, and includes an optical imaging system 53 that forms an image of light emitted from the printer head. There is no restriction | limiting in particular as the optical image formation system 53, A well-known thing can be used, For example, a well-known lens element can be used. Further, in the exposure apparatus 50 of the present invention, the number of printer heads is not limited, and one may be used alone, or two or more may be used.

プリンターヘッドから出射してきた光は、光学結像系53によって結像され、例えば、画像形成装置の感光体70に照射される。露光装置50は、形成する画像に対応する発光パターンで画素(ドット)ごとに有機EL素子を発光させ、感光体70を露光する。これにより帯電された感光体70上に形成する画像に対応した帯電パターンが形成され、トナーを供給することで感光体70上にトナー画像が形成され、転写紙へ転写、定着される。本発明の有機EL素子1は信頼性の向上が期待されるため、露光装置50においても、信頼性の向上を図り、安定して感光体等を露光させることができる。   The light emitted from the printer head is imaged by the optical imaging system 53 and is applied to, for example, the photoreceptor 70 of the image forming apparatus. The exposure device 50 causes the organic EL element to emit light for each pixel (dot) with a light emission pattern corresponding to an image to be formed, and exposes the photoconductor 70. As a result, a charging pattern corresponding to the image to be formed is formed on the charged photoconductor 70, and a toner image is formed on the photoconductor 70 by supplying toner, and is transferred and fixed to transfer paper. Since the organic EL element 1 of the present invention is expected to improve reliability, the exposure apparatus 50 can also improve the reliability and stably expose the photoconductor and the like.

次に、本発明の画像形成装置60の構成例について図8を用いて説明する。図8の模式図は、感光体70が並設されているフルカラー画像形成装置の一例を示す。即ち、4つの異なる色(ブラック、イエロー、マゼンタ、シアン)のトナー像を形成するための4つの感光体71K、71Y、71M、71Cを備えた4ドラム型のデジタルカラープリンタの一構成例が示されている。   Next, a configuration example of the image forming apparatus 60 of the present invention will be described with reference to FIG. The schematic diagram of FIG. 8 shows an example of a full-color image forming apparatus in which the photoreceptors 70 are arranged in parallel. That is, a configuration example of a four-drum type digital color printer including four photosensitive members 71K, 71Y, 71M, and 71C for forming toner images of four different colors (black, yellow, magenta, and cyan) is shown. Has been.

画像形成装置60は、黒(K)用、イエロー(Y)用、マゼンタ(M)用、シアン(C)用の各像坦持体である感光体70K、70Y、70M、70Cを備えている。この各色用の各感光体としては、通常OPC感光体が用いられる。各感光体70K、70Y、70M、70Cの周囲には、帯電装置61、本発明の露光装置50、黒、マゼンタ、イエロー、シアンの各色用の現像装置63(63K、63Y、63M、63C)、1次転写手段としての1次転写バイアスローラ71K、71Y、71M、71C、クリーニング装置(表示略)、及び除電装置64等が配設されている。   The image forming apparatus 60 includes photoconductors 70K, 70Y, 70M, and 70C that are image carriers for black (K), yellow (Y), magenta (M), and cyan (C). . As each photoconductor for each color, an OPC photoconductor is usually used. Around each of the photoreceptors 70K, 70Y, 70M, and 70C, a charging device 61, an exposure device 50 of the present invention, a developing device 63 (63K, 63Y, 63M, and 63C) for each color of black, magenta, yellow, and cyan, Primary transfer bias rollers 71K, 71Y, 71M, and 71C as a primary transfer unit, a cleaning device (not shown), a charge removal device 64, and the like are disposed.

感光体70、帯電装置61、露光装置50、現像装置63及び除電装置64は、画像形成ユニット74K、74Y、74M、74Cに収容されてユニット化されており、着脱可能であるため、交換が可能である。この場合、感光体70、帯電装置61、露光装置50、現像装置63及び除電装置64の全てがユニット化される必要は無く、目的に応じて変更することができる。   The photoreceptor 70, the charging device 61, the exposure device 50, the developing device 63, and the charge removal device 64 are accommodated in the image forming units 74K, 74Y, 74M, and 74C and are unitized, and can be replaced because they are detachable. It is. In this case, it is not necessary that all of the photoconductor 70, the charging device 61, the exposure device 50, the developing device 63, and the charge removal device 64 be unitized, and can be changed according to the purpose.

ベルト構成部である中間転写ベルト72は、駆動ローラ65によって駆動されており、各感光体70K、70Y、70M、70Cと、各1次転写バイアスローラ71K、71Y、71M、71Cとの間に介在し、各感光体上に形成された各色のトナー像が順次重ね合わせて転写される。   The intermediate transfer belt 72, which is a belt component, is driven by a driving roller 65, and is interposed between the photoreceptors 70K, 70Y, 70M, and 70C and the primary transfer bias rollers 71K, 71Y, 71M, and 71C. Then, the toner images of the respective colors formed on the respective photoreceptors are sequentially superimposed and transferred.

一方、転写紙Pは、給紙部69から給紙された後、レジストローラ73を介して、ベルト構成部である転写搬送ベルト66に担持される。そして、中間転写ベルト72と転写搬送ベルト66とが接触するところで、上記中間転写ベルト72上に転写されたトナー像が、2次転写手段としての2次転写バイアスローラ67により2次転写(一括転写)される。これにより、転写紙P上にカラー画像が形成される。このカラー画像が形成された転写紙Pは、転写搬送ベルト66により定着装置68に搬送され、この定着装置68により転写された画像が定着された後、プリンタ本体外に排出される。   On the other hand, the transfer paper P is fed from the paper feed unit 69 and then carried by the transfer conveyance belt 66 which is a belt component through the registration roller 73. When the intermediate transfer belt 72 and the transfer conveyance belt 66 come into contact with each other, the toner image transferred onto the intermediate transfer belt 72 is subjected to secondary transfer (collective transfer) by a secondary transfer bias roller 67 as secondary transfer means. ) As a result, a color image is formed on the transfer paper P. The transfer paper P on which the color image is formed is conveyed to the fixing device 68 by the transfer conveying belt 66, and after the image transferred by the fixing device 68 is fixed, it is discharged out of the printer main body.

以下、実施例を挙げて本発明を更に具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、これらの実施例によって限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example is given and this invention is demonstrated further more concretely, this invention is not limited by these Examples, unless the summary is exceeded.

(実施例1)
超音波洗浄、及びUVオゾン処理を施したSiからなる基板10上に、スパッタ法により、シャドーマスクを介してAgを150nm成膜し、第一の電極11を形成した。次に、スパッタ法により、シャドーマスクを介してITOを15nm成膜し、ITO層12を形成した。次に、フォトリソグラフィーにより、1mm□が開口するようにバンク16を形成した(バンク材料:DL−1000(東レ製))。さらに、UVオゾン処理を施し、ITO表面を洗浄し、グローブボックスへ搬送し、120℃で5分間アニールした。
Example 1
A first electrode 11 was formed on a substrate 10 made of Si that had been subjected to ultrasonic cleaning and UV ozone treatment, by sputtering to form a 150 nm Ag film through a shadow mask. Next, ITO was deposited to a thickness of 15 nm through a shadow mask by sputtering, and an ITO layer 12 was formed. Next, a bank 16 was formed by photolithography so that 1 mm □ was opened (bank material: DL-1000 (manufactured by Toray)). Further, UV ozone treatment was performed, the ITO surface was washed, transported to a glove box, and annealed at 120 ° C. for 5 minutes.

次に、真空蒸着法により、シャドーマスクを介してα−NPDを50nm(2Å/s)、Alq3を50nm(2Å/s)、LiFを0.5nm(0.05Å/s)を順次成膜し、有機化合物層13を形成した(背圧:3×10−5Pa)。 Next, α-NPD is deposited in a thickness of 50 nm (2 Å / s), Alq3 is 50 nm (2 Å / s), and LiF is 0.5 nm (0.05 Å / s) through a shadow mask by vacuum deposition. Then, an organic compound layer 13 was formed (back pressure: 3 × 10 −5 Pa).

次に、真空蒸着法により、シャドーマスクを介してMgAg(20:1)15nm(4Å/s:0.2Å/s)を、第一の電極11(Ag層)、ITO層12、有機化合物層13、バンク16を完全に覆うように成膜し、第二の電極14を形成した(背圧:3×10−5Pa)。 Next, MgAg (20: 1) 15 nm (4 Å / s: 0.2 Å / s) is applied to the first electrode 11 (Ag layer), ITO layer 12, and organic compound layer through a shadow mask by vacuum deposition. The film was formed so as to completely cover the bank 16 and the second electrode 14 was formed (back pressure: 3 × 10 −5 Pa).

第二の電極14の形成と同時に、シャドーマスクを介し、密着層18としてMgAg15nmを、第二の電極14の外側に、第二の電極14とは導通しないように形成した。   Simultaneously with the formation of the second electrode 14, MgAg 15 nm as an adhesion layer 18 was formed outside the second electrode 14 so as not to be electrically connected to the second electrode 14 through a shadow mask.

次に、CVD法により、シャドーマスクを介してSiN2000nmを、第二の電極14(MgAg)及び密着層18を覆うように成膜し(30Å/s)、封止層15を形成した。   Next, SiN 2000 nm was deposited by CVD method so as to cover the second electrode 14 (MgAg) and the adhesion layer 18 through a shadow mask (30 Å / s), and the sealing layer 15 was formed.

得られた有機EL素子は、図1、図2に示すような第二の電極14が第一の電極11等を覆っており、封止層15が第二の電極14を覆っており、さらに密着層18が第二の電極14の外側で、かつ封止層15との接合面上に非連続的に形成されている構成であった。   In the obtained organic EL element, the second electrode 14 as shown in FIGS. 1 and 2 covers the first electrode 11 and the like, the sealing layer 15 covers the second electrode 14, and The adhesion layer 18 was configured to be discontinuously formed outside the second electrode 14 and on the bonding surface with the sealing layer 15.

電流100mA/cmを印加し、1000時間連続点灯後の輝度特性を計測したところ、初期に比べて18%の輝度低下であり、SiNを用いた封止層15によるバリア性が大きく向上した。 When a current characteristic of 100 mA / cm 2 was applied and the luminance characteristics after continuous lighting for 1000 hours were measured, the luminance was reduced by 18% compared to the initial value, and the barrier property by the sealing layer 15 using SiN was greatly improved.

(実施例2)
超音波洗浄、及びUVオゾン処理を施したSiからなる基板上に、スパッタ法により、シャドーマスクを介してAgを150nm成膜し、第一の電極11を形成した。次に、スパッタ法により、シャドーマスクを介してITOを15nm成膜し、ITO層12を形成した。次に、フォトリソグラフィーにより、約21μm径のドットがライン状に1024個開口配置されるようにしたバンク16を形成した(バンク材料:DL−1000(東レ製))。さらに、UVオゾン処理を施し、ITO表面を洗浄し、グローブボックスへ搬送し、120℃で5分間アニールした。
(Example 2)
A 150 nm Ag film was formed on a Si substrate that had been subjected to ultrasonic cleaning and UV ozone treatment by a sputtering method through a shadow mask to form the first electrode 11. Next, ITO was deposited to a thickness of 15 nm through a shadow mask by sputtering, and an ITO layer 12 was formed. Next, a bank 16 was formed by photolithography so that 1024 dots having a diameter of about 21 μm were arranged in a line shape (bank material: DL-1000 (manufactured by Toray)). Further, UV ozone treatment was performed, the ITO surface was washed, transported to a glove box, and annealed at 120 ° C. for 5 minutes.

次に、真空蒸着法により、シャドーマスクを介してα−NPDを50nm(2Å/s)、Alq3を50nm(2Å/s)、LiFを0.5nm(0.05Å/s)を順次成膜し、有機化合物層13を形成した(背圧:3×10−5Pa)。 Next, α-NPD is deposited in a thickness of 50 nm (2 Å / s), Alq3 is 50 nm (2 Å / s), and LiF is 0.5 nm (0.05 Å / s) through a shadow mask by vacuum deposition. Then, an organic compound layer 13 was formed (back pressure: 3 × 10 −5 Pa).

次に、真空蒸着法により、シャドーマスクを介してMgAg(20:1)15nm(4Å/s:0.2Å/s)を、第一の電極11(Ag層)、ITO層12、有機化合物層13、バンク16を完全に覆うように成膜し、第二の電極14を形成した(背圧:3×10−5Pa)。 Next, MgAg (20: 1) 15 nm (4 Å / s: 0.2 Å / s) is applied to the first electrode 11 (Ag layer), ITO layer 12, and organic compound layer through a shadow mask by vacuum deposition. The film was formed so as to completely cover the bank 16 and the second electrode 14 was formed (back pressure: 3 × 10 −5 Pa).

第二の電極14の形成と同時に、シャドーマスクを介し、密着層18としてMgAg15nmを、第二の電極14の外側に、第二の電極14とは導通しないように形成した。   Simultaneously with the formation of the second electrode 14, MgAg 15 nm as an adhesion layer 18 was formed outside the second electrode 14 so as not to be electrically connected to the second electrode 14 through a shadow mask.

次に、CVD法により、シャドーマスクを介してSiN2000nmを、第二の電極14(MgAg)及び密着層18を覆うように成膜し(30Å/s)、封止層15を形成し、有機EL素子1を作製した。   Next, by CVD, SiN of 2000 nm is formed through the shadow mask so as to cover the second electrode 14 (MgAg) and the adhesion layer 18 (30 Å / s), the sealing layer 15 is formed, and the organic EL Element 1 was produced.

次に、透明基板に作製した有機EL素子1を1列に並べ、駆動素子42及び制御回路43を形成し、有機ELパネル40を作製した。プリンターヘッドのヘッドケースに作製した有機ELパネル40及び有機ELパネル40からの光を結像させるレンズ素子(光学結像系53)を取り付け、図7に示すような露光装置50を作製した。露光装置50に電流印加後、レンズから集光された光を観察したところ、ライン状に配置されたドットの発光が確認された。   Next, the organic EL elements 1 produced on the transparent substrate were arranged in a line to form the drive elements 42 and the control circuit 43, and the organic EL panel 40 was produced. The organic EL panel 40 produced in the head case of the printer head and the lens element (optical imaging system 53) for imaging light from the organic EL panel 40 were attached, and an exposure apparatus 50 as shown in FIG. 7 was produced. Observation of the light collected from the lens after applying current to the exposure device 50 confirmed the emission of dots arranged in a line.

(比較例1)
超音波洗浄、及びUVオゾン処理を施したSiからなる基板10上に、スパッタ法により、シャドーマスクを介してAgを150nm成膜し、第一の電極11を形成した。次に、スパッタ法により、シャドーマスクを介してITOを15nm成膜し、ITO層12を形成した。次に、フォトリソグラフィーにより、1mm□が開口するようにバンク16を形成した(バンク材料:DL−1000(東レ製)を使用)。さらに、UVオゾン処理を施し、ITO表面を洗浄し、グローブボックスへ搬送し、120℃で5分間アニールした。
(Comparative Example 1)
A first electrode 11 was formed on a substrate 10 made of Si that had been subjected to ultrasonic cleaning and UV ozone treatment, by sputtering to form a 150 nm Ag film through a shadow mask. Next, ITO was deposited to a thickness of 15 nm through a shadow mask by sputtering, and an ITO layer 12 was formed. Next, a bank 16 was formed by photolithography so that 1 mm □ was opened (bank material: DL-1000 (manufactured by Toray) was used). Further, UV ozone treatment was performed, the ITO surface was washed, transported to a glove box, and annealed at 120 ° C. for 5 minutes.

次に、真空蒸着法により、シャドーマスクを介してα−NPDを50nm(2Å/s)、Alq3を50nm(2Å/s)、LiFを0.5nm(0.05Å/s)を順次成膜し、有機化合物層13を形成した(背圧:3×10−5Pa)。 Next, α-NPD is deposited in a thickness of 50 nm (2 Å / s), Alq3 is 50 nm (2 Å / s), and LiF is 0.5 nm (0.05 Å / s) through a shadow mask by vacuum deposition. Then, an organic compound layer 13 was formed (back pressure: 3 × 10 −5 Pa).

次に、真空蒸着法により、シャドーマスクを介してMgAg(20:1)15nm(4Å/s:0.2Å/s)を成膜し、第二の電極14を形成した(背圧:3×10−5Pa)。 Next, MgAg (20: 1) 15 nm (4 Å / s: 0.2 Å / s) was formed by vacuum evaporation through a shadow mask to form the second electrode 14 (back pressure: 3 × 10 −5 Pa).

次に、CVD法により、シャドーマスクを介してSiNを2000nm成膜し(30Å/s)、封止層15を形成した。   Next, a SiN film having a thickness of 2000 nm (30 CVD / s) was formed by a CVD method through a shadow mask to form the sealing layer 15.

得られた有機EL素子は、図3に示すような第二の電極14が第一の電極11等を覆っていない構成であった。   The obtained organic EL element had a configuration in which the second electrode 14 as shown in FIG. 3 did not cover the first electrode 11 or the like.

電流100mA/cmを印加し、1000時間連続点灯後の輝度特性を計測したところ、初期に比べて52%の輝度低下であった。 When a current characteristic of 100 mA / cm 2 was applied and the luminance characteristics after 1000 hours of continuous lighting were measured, the luminance was reduced by 52% compared to the initial value.

(参考例1)
超音波洗浄、及びUVオゾン処理を施したSiからなる基板10上に、スパッタ法により、シャドーマスクを介してAgを150nm成膜し、第一の電極11を形成した。次に、スパッタ法により、シャドーマスクを介してITOを15nm成膜し、ITO層12を形成した。次に、フォトリソグラフィーにより、1mm□が開口するようにバンク16を形成した(バンク材料:DL−1000(東レ製))。さらに、UVオゾン処理を施し、ITO表面を洗浄し、グローブボックスへ搬送し、120℃で5分間アニールした。
(Reference Example 1)
A first electrode 11 was formed on a substrate 10 made of Si that had been subjected to ultrasonic cleaning and UV ozone treatment, by sputtering to form a 150 nm Ag film through a shadow mask. Next, ITO was deposited to a thickness of 15 nm through a shadow mask by sputtering, and an ITO layer 12 was formed. Next, a bank 16 was formed by photolithography so that 1 mm □ was opened (bank material: DL-1000 (manufactured by Toray)). Further, UV ozone treatment was performed, the ITO surface was washed, transported to a glove box, and annealed at 120 ° C. for 5 minutes.

次に、真空蒸着法により、シャドーマスクを介してα−NPDを50nm(2Å/s)、Alq3を50nm(2Å/s)、LiFを0.5nm(0.05Å/s)を順次成膜し、有機化合物層13を形成した(背圧:3×10−5Pa)。 Next, α-NPD is deposited in a thickness of 50 nm (2 Å / s), Alq3 is 50 nm (2 Å / s), and LiF is 0.5 nm (0.05 Å / s) through a shadow mask by vacuum deposition. Then, an organic compound layer 13 was formed (back pressure: 3 × 10 −5 Pa).

次に、真空蒸着法により、シャドーマスクを介してMgAg(20:1)15nm(4Å/s:0.2Å/s)を、第一の電極11(Ag層)、ITO層12、有機化合物層13、バンク16を完全に覆うように成膜し、第二の電極14を形成した(背圧:3×10−5Pa)。 Next, MgAg (20: 1) 15 nm (4 Å / s: 0.2 Å / s) is applied to the first electrode 11 (Ag layer), ITO layer 12, and organic compound layer through a shadow mask by vacuum deposition. The film was formed so as to completely cover the bank 16 and the second electrode 14 was formed (back pressure: 3 × 10 −5 Pa).

次に、CVD法により、シャドーマスクを介してSiN2000nmを、第二の電極14(MgAg)を覆うように成膜し(30Å/s)、封止層15を形成した。   Next, SiN 2000 nm was formed by CVD to cover the second electrode 14 (MgAg) through a shadow mask (30 Å / s), and the sealing layer 15 was formed.

得られた有機EL素子は、図4、図5に示すような第二の電極14が第一の電極11等を覆っており、封止層15が第二の電極14を覆っている構成であった。   The obtained organic EL element has a configuration in which the second electrode 14 as shown in FIGS. 4 and 5 covers the first electrode 11 and the like, and the sealing layer 15 covers the second electrode 14. there were.

電流100mA/cmを印加し、1000時間連続点灯後の輝度特性を計測したところ、初期に比べて24%の輝度低下であった。 When a current characteristic of 100 mA / cm 2 was applied and luminance characteristics after continuous lighting for 1000 hours were measured, the luminance was reduced by 24% compared to the initial value.

1 有機EL素子
10 基板
11 第一の電極
12 ITO層
13 有機化合物層
14 第二の電極
15 封止層
16 バンク
17 発光領域
18 密着層
40 有機ELパネル
41 素子基板
42 駆動素子
43 制御回路
50 露光装置
53 光学結像系
60 画像形成装置
61 帯電装置
63、63K、63Y、63M、63C 現像装置
64 除電装置
65 駆動ローラ
66 転写搬送ベルト
67 2次転写バイアスローラ
68 定着装置
69 給紙部
70、70K、70Y、70M、70C 感光体
71、71K、71Y、71M、71C 1次転写バイアスローラ
72 中間転写ベルト
73 レジストローラ
74、74K、74Y、74M、74C 画像形成ユニット
P 転写紙
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Organic EL element 10 Substrate 11 First electrode 12 ITO layer 13 Organic compound layer 14 Second electrode 15 Sealing layer 16 Bank 17 Light emitting area 18 Adhesion layer 40 Organic EL panel 41 Element substrate 42 Drive element 43 Control circuit 50 Exposure Device 53 Optical imaging system 60 Image forming device 61 Charging device 63, 63K, 63Y, 63M, 63C Developing device 64 Static eliminating device 65 Drive roller 66 Transfer conveyance belt 67 Secondary transfer bias roller 68 Fixing device 69 Paper feed unit 70, 70K , 70Y, 70M, 70C Photoconductor 71, 71K, 71Y, 71M, 71C Primary transfer bias roller 72 Intermediate transfer belt 73 Registration roller 74, 74K, 74Y, 74M, 74C Image forming unit P Transfer paper

特許第4552390号公報Japanese Patent No. 4552390 特開2012−151060号公報JP 2012-151060 A

Claims (8)

基板上に第一の電極、ITO(インジウムスズ酸化物)層、発光層を含む有機化合物層、第二の電極、密着層、封止層が形成され、前記発光層からの発光がバンクで区切られているトップエミッション型の有機EL素子であって、
前記第二の電極が、前記第一の電極、前記ITO層、前記有機化合物層及び前記バンクを覆っており、
前記封止層が前記第二の電極を覆っており、
前記密着層が前記第二の電極の外側で、かつ前記封止層との接合面上に非連続的に形成されていることを特徴とする有機EL素子。
A first electrode, an ITO (indium tin oxide) layer, an organic compound layer including a light emitting layer, a second electrode, an adhesion layer, and a sealing layer are formed on the substrate, and light emission from the light emitting layer is separated by a bank. A top emission type organic EL element,
The second electrode covers the first electrode, the ITO layer, the organic compound layer and the bank;
The sealing layer covers the second electrode;
The organic EL element, wherein the adhesion layer is formed discontinuously on the outer surface of the second electrode and on the bonding surface with the sealing layer.
前記密着層の材料が前記第二の電極の材料と同じであることを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子。   2. The organic EL element according to claim 1, wherein the material of the adhesion layer is the same as the material of the second electrode. 前記密着層及び前記第二の電極が、少なくとも金属薄膜からなることを特徴とする請求項2に記載の有機EL素子。   The organic EL element according to claim 2, wherein the adhesion layer and the second electrode are made of at least a metal thin film. 前記金属薄膜が、少なくともマグネシウム合金からなることを特徴とする請求項3に記載の有機EL素子。   The organic EL device according to claim 3, wherein the metal thin film is made of at least a magnesium alloy. 前記マグネシウム合金が、少なくとも銀を含むことを特徴とする請求項4に記載の有機EL素子。   The organic EL device according to claim 4, wherein the magnesium alloy contains at least silver. 請求項1及至5のいずれかに記載の有機EL素子をライン状に配置することを特徴とするプリンターヘッド。 A printer head comprising the organic EL elements according to any one of claims 1 to 5 arranged in a line. 請求項6に記載のプリンターヘッドを備えることを特徴とする露光装置。 An exposure apparatus comprising the printer head according to claim 6. 請求項7に記載の露光装置を備えることを特徴とする画像形成装置。 An image forming apparatus comprising the exposure apparatus according to claim 7.
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WO2021039236A1 (en) * 2019-08-23 2021-03-04 キヤノン株式会社 Image formation device comprising top-emission-type light-emitting device

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