JP2012018798A - 面発光素子および浄化装置 - Google Patents
面発光素子および浄化装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012018798A JP2012018798A JP2010154843A JP2010154843A JP2012018798A JP 2012018798 A JP2012018798 A JP 2012018798A JP 2010154843 A JP2010154843 A JP 2010154843A JP 2010154843 A JP2010154843 A JP 2010154843A JP 2012018798 A JP2012018798 A JP 2012018798A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- germanium
- electrode
- valent
- light
- atoms
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 61
- 239000011941 photocatalyst Substances 0.000 claims abstract description 61
- 238000000746 purification Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 6
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 81
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 40
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N oxogermanium Chemical compound [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium oxide Inorganic materials O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 29
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 27
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 27
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 24
- 230000001699 photocatalysis Effects 0.000 claims description 19
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 10
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 9
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 6
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims description 6
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000002291 germanium compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 3
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims 3
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 230000001954 sterilising effect Effects 0.000 abstract description 6
- 230000000844 anti-bacterial effect Effects 0.000 abstract description 4
- 238000004659 sterilization and disinfection Methods 0.000 abstract description 4
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000004332 deodorization Methods 0.000 abstract description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical group [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 9
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 9
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 8
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 7
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000000026 X-ray photoelectron spectrum Methods 0.000 description 6
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 5
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 4
- 229910005793 GeO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000001877 deodorizing effect Effects 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 3
- 238000013032 photocatalytic reaction Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000003373 anti-fouling effect Effects 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009849 deactivation Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000005001 rutherford backscattering spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- 241000894006 Bacteria Species 0.000 description 1
- 241000195493 Cryptophyta Species 0.000 description 1
- 241000233866 Fungi Species 0.000 description 1
- 241000700605 Viruses Species 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 1
- 235000019504 cigarettes Nutrition 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001784 detoxification Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 229940119177 germanium dioxide Drugs 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 239000002784 hot electron Substances 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 or Ta Substances 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 238000006864 oxidative decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 230000002688 persistence Effects 0.000 description 1
- 239000002957 persistent organic pollutant Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000005476 size effect Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Exhaust Gas Treatment By Means Of Catalyst (AREA)
- Catalysts (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明の面発光素子は、導体または半導体からなる第1電極と、透光性電極と、第1電極と前記透光性電極とに挟まれた絶縁体層と、前記絶縁体層の内部に形成された発光体と、前記透光性電極の前記絶縁体層側の反対側に設けられた光触媒部とを備え、第1電極と前記透光性電極との間に電圧を印加することにより前記発光体を発光させ、前記発光体が発した光を前記透光性電極を介して前記光触媒部が受光することを特徴とする。
【選択図】図1
Description
光触媒の光触媒活性は、光触媒が受光した励起光により価電子帯の電子が励起され形成された正孔が光触媒の表面のOH基を酸化しOHラジカルが生成されるため生じると考えられている。OHラジカルは、活性種の中でも最も強い酸化力を有する(酸化電位:OHラジカル:2.8eV、塩素:1.36eV、オゾン:2.07eV)ため、光触媒は、水中などの有機物や細菌、真菌、ウイルス、藻類などの有機性不純物を酸化分解することができ、今まで対処できなかった難分解性物質まで分解可能であることが明らかになっている。
また、光触媒を用いた有機性不純物の酸化分解は、従来のオゾンや塩素などを用いた浄化方法と違い、化学物質の残留性がないという利点も有している。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、光触媒の触媒作用によって空気の浄化(脱臭)、殺菌(抗菌)、防汚、水の浄化等が高効率に可能であり、かつ、広範な活用用途が見込まれる面発光素子を提供する。
本発明によれば、発光体が担持された絶縁体部が第1電極と透光性電極とに挟まれ、透光性電極上に光触媒部が設けられているため、より薄い構造の面発光素子を形成することができる。
本発明によれば、安い材料で大面積に面発光素子が実現できるため、気体や液体などの流体を効率よく浄化、除菌することができる。
発光体とは、電極間に電圧を印加することにより発光するものである。
このような構成によれば、透光性電極の電位の変化による光触媒部の光触媒活性への影響を小さくすることができ、第1電極と透光性電極との間に発光体を発光させるために適した電圧を印加しても、光触媒部の光触媒活性の低下を防止することができる。
本発明の面発光素子において、光触媒部は、二酸化チタンの薄膜からなることが好ましい。
このような構成によれば、二酸化チタンの薄膜が発光体が発する光を受光して光触媒活性を有することができる。
このような構成によれば、光触媒部の光触媒活性をより高くすることができる。
本発明の面発光素子において、前記発光体は、ゲルマニウム原子を前記絶縁体層にイオン注入し、熱処理することにより形成されることが好ましい。
このような構成によれば、絶縁体層にゲルマニウム原子を含む微粒子を担持することができ、第1電極と透光性電極との間に電圧を印加することにより前記微粒子を発光させることができる。
このような構成によれば、発光体の発光強度をより高くすることができる。
本発明の面発光素子において、前記発光体は、前記酸化ゲルマニウムに含まれる+2価のゲルマニウム原子と+4価のゲルマニウム原子の合計を100%としたとき、+2価のゲルマニウム原子を10%以上含むことが好ましい。
このような構成によれば、発光体の発光強度をより高くすることができる。
このような構成によれば、発光体の発光強度をより高くすることができる。
本発明の面発光素子において、前記透光性電極は、波長300nm以上500nm以下の光の透過率が60%以上99.99%以下であることが好ましい。
このような構成によれば、発光体の発光の透光性電極による吸収をより少なくすることができる。また、発光体の発光をより効率的に光触媒部に照射することができる。
このような構成によれば、発光体の発光の透光性電極による吸収をより少なくすることができる。
本発明の面発光素子において、前記透光性電極は、主成分としてTiO2を含むことが好ましい。
このような構成によれば、透光性電極と光触媒部の主成分を共にTiO2とすることができ、生産性を向上させることができる。また、透光性電極と光触媒部を接触するように設ける場合、透光性電極と光触媒部の間の膜剥がれの発生を防止することができ、かつ、透光性電極と光触媒部の間で、お互いの成分が不純物として拡散することを防止することができる。このことにより、面発光素子の信頼性を向上させることができる。
このような構成によれば、絶縁体層にこれらの酸化物を用いることができ、第1電極と絶縁体層との密着性を向上させることができる。また、絶縁体層を第1電極を酸化処理することにより形成することができる。
本発明の面発光素子において、第1電極は、半導体基板の一部であり、前記半導体基板は、シリコン基板、ゲルマニウム基板、シリコン化合物基板またはゲルマニウム化合物基板であることが好ましい。
このような構成によれば、絶縁体層にこれらの酸化物を用いることができ、第1電極と絶縁体層との密着性を向上させることができる。また、絶縁体層を第1電極を酸化処理することにより形成することができる。
このような構成によれば、第1電極は十分に大きい電気伝導率を有することができ、絶縁体部に電圧を印加するための電極として機能することができる。
本発明は、本発明の面発光素子が形成された円筒体を備え、前記光触媒部は、前記円筒体の内側の空間に露出した浄化装置も提供する。
本発明の浄化装置によれば、円筒体の内側の空間に液体や気体を流通させながら発光体を発光させることができ、光触媒部により効率的に液体や気体を浄化することができる。
図1、2は本発明の一実施形態の面発光素子の構成を示す概略断面図であり、図3は、本発明の一実施形態の浄化装置の概略断面図である。
また、本実施形態の面発光素子15において、第1電極1、絶縁体層3、発光体5、透光性電極6をまとめて光源部12という。
以下、本実施形態の面発光素子15および浄化装置16について説明する。
本実施形態の面発光素子15は、積層面に対して垂直な方向に光を放出する発光素子である。また、本実施形態の面発光素子15は、光触媒部8を有するため、浄化装置でもある。本実施形態の面発光素子15は、図1のような断面を有してもよく、図2または図3のような断面を有してもよい。また、本実施形態の面発光素子15は、曲面上に形成されていてもよい。
特に、本実施形態の面発光素子15を図3のような断面を有する円筒体として形成し、浄化装置16として機能させることができる。この円筒体の内側の空間に液体や気体を流通させることにより、光触媒部の光触媒活性を利用して、この液体または気体を効率的に浄化することができる。このような浄化装置は、大規模なプラントから、家庭用、個人携帯用の水浄化装置に組み込むのに最適である。
第1電極1は、導体または半導体からなり、かつ、絶縁体層3に電圧を印加するための電極の1つとなる。第1電極1は、例えば、アルミニウムや銅などの金属でもよく、シリコンやゲルマニウムなどの半導体でもよい。また、第1電極1を半導体とする場合、第1電極1は、p型のシリコン基板に形成されたn型領域であってもよく、n型のシリコン基板に形成されたp型領域であってもよい。また、第1電極1は、SiO2基板などの上に形成したp型シリコンまたはn型シリコンであってもよく、Si基板の上にSiO2などの絶縁体層を形成し、その上に形成したp型シリコンまたはn型シリコンであってもよい。
第1電極1は基板上に形成されてもよい。この基板は、例えば、SOI(Silicon On Insulator)基板、結晶シリコン基板、SiO2基板などである。
また、n型シリコン領域からなる第1電極1は、例えば、p型シリコン基板に所望の形状でマスクを形成し、n型不純物であるリンをイオン注入し、アニールすることによって形成することができる。
絶縁体層3は、第1電極1と透光性電極6とに挟まれるように設けられる。また、絶縁体層3には、発光体5が担持されている。また、絶縁体層3は、透光性を有することができる。このことにより発光体5の発光の絶縁体層3での吸収を抑制することができる。
例えば、絶縁体層3は、酸化シリコン、窒化シリコン又は酸窒化シリコンからなる。この場合であって、発光体5がゲルマニウム原子を含む微粒子からなる場合、絶縁体層3は、シリコン系の絶縁体であり、シリコンはゲルマニウムよりも酸素と結合しやすいので、ゲルマニウム原子が不必要に酸素と結合しない。また、この場合、酸化シリコン、窒化シリコン又は酸窒化シリコンは比較的酸素を透過しにくいため、発光体5に含まれるゲルマニウム原子が外気の浸透によって酸化されないので、発光体5の発光が安定し劣化も少ない。また、この場合、酸化シリコン、窒化シリコン又は酸窒化シリコンは通常のシリコン半導体プロセスで製膜可能であるので量産性に優れる上、他の電子回路と組み合わせることが可能である。
なお、本発明で透光性とは、本発明の紫外線光源(発光体5)が発光する光を透過することができることをいう。絶縁体層3の光透過率は、例えば波長300〜500nmの光の透過率が80%以上であることが好ましい。発光体5が酸化ゲルマニウムを含む微粒子の場合、発光体5から放出される光のピーク波長は390nm前後であるので、波長300〜500nmでの光透過率が高ければその分だけ光取り出し効率が高くなるからである。
発光体5は、絶縁体層3に担持され、第1電極1と透光性電極6との間に電圧を印加することにより発光する。また、発光体5は絶縁体層3に複数形成されたものでもよい。
また、発光体5は、例えば微粒子、金属原子、金属イオンであり、また、例えば、ゲルマニウム、シリコン又はスズの微粒子である。また、発光体5は酸化ゲルマニウムを含む微粒子であって、この酸化ゲルマニウムは、+2価のゲルマニウム原子(Ge2+と略す)と+4価のゲルマニウム原子(Ge4+と略す)を含むものであってもよい。この場合、発光体5はゲルマニウム(単体)(Ge2+、Ge4+と比較する場合Ge又はGe0と略す)を含んでもよい。ここで、+2価のゲルマニウム原子とは、一酸化ゲルマニウム(GeO)の結晶構造を構成するゲルマニウム原子であってもよく、二酸化ゲルマニウム(GeO2)が酸素欠損を有するためにGeO2の結晶構造中に存在するゲルマニウム原子であってもよい。また、+4価のゲルマニウム原子とはGeO2の結晶構造を構成するゲルマニウム原子である。
発光体5が微粒子の場合、発光体5は、好ましくは、最大粒径が1nm以上20nm以下である。この場合、発光効率が特に高くなるからである。本発明において、「最大粒径」とは、絶縁体層3の任意の断面(図1のような断面であってもよく、紙面に垂直な断面であってもよい。)の100nm角の範囲をTEM観察した場合に観察できた微粒子のうち粒径が最も大きいものの粒径を意味する。また、本発明において「粒径」とは、断面TEM写真で見た場合に、TEM写真に射影され微粒子の平面像が含むことのできる最も長い線分の長さを意味する。発光体5である微粒子の最大粒径は、例えば、1,2,3,4,5,6,7,8,9、10、12、14、16、18又は20nmである。微粒子の最大粒径は、ここで例示した何れか2つの数値の間の範囲内であってもよく、何れか1つの数値以下であってもよい。
更にGe2+の周囲がGe4+で覆われていると発光強度の安定性と耐久性が増すことが分かった。
例えば、SiO2中にGeをイオン注入などで添加し、不活性ガス中で約400℃で2時間程度熱処理を行うとGe微粒子が形成される。その後、さらに不活性ガス中に酸素を約10から40%混合し約500℃で1時間程度熱処理を行うとGe微粒子の表面は一部酸化してGe2+となる。
こうして作製したサンプルは、SiO2中にGeをイオン注入などで添加し、不活性ガス中に酸素を約10から30%混合し約500℃で1時間程度熱処理することでGeの少なくとも一部をGe2+にしたサンプルよりも発光強度が増した。
すなわち、中心部は、0価のゲルマニウム原子からなり、その周囲に+2価のゲルマニウム原子が配置されている微粒子からなる発光体は発光強度に優れ、さらにその周囲に+4価のゲルマニウム原子が配置されている微粒子は耐久性に優れることが分かった。
透光性電極6は、絶縁体層3の上に設けられ、第1電極1との間に絶縁体層3を挟むように設けられる。また、透光性電極6は、絶縁体層3に電圧を印加するための電極の1つとなる。透光性電極6は、波長300nm以上500nm以下の光の透過率が60%以上99.99%以下の電極とすることができる。透光性電極6は、例えば、ITOなどの金属酸化物薄膜またはAl、Ti、Taなどの金属薄膜またはSi、SiC、GaNなどの半導体薄膜である。
例えば、透光性電極6を形成する工程において、TiO2薄膜を成膜したのち、例えばNb等のTiO2に導電性を付与するような材料をイオン注入により表面から深い範囲に注入することで、TiO2薄膜の絶縁体層3に近い部分は透光性電極6として機能しTiO2薄膜の表面側は光触媒部8として機能させることができる。このことにより、工程や材料が少なくて済むため安価に大量に本実施形態の面発光素子を作成することができる。
本実施形態の面発光素子15に含まれる光源部12は、第1電極1と透光性電極6との間に電圧を印加することにより、発光体5を発光させることができる。この光源部からの発光(エレクトロルミネッセンス(EL))は、波長のピークが340〜440nm(より厳密には、350〜430nm,360〜420nm,370〜410nm,380〜400nm又は385〜395nm)の範囲内である。または、絶縁体層3に対して電子線を5keVで照射した際のカソードルミネッセンス(CL)の波長のピークが340〜440nm(より厳密には、350〜430nm,360〜420nm,370〜410nm,380〜400nm又は385〜395nm)の範囲内であってもよい。ELの波長は、CLの波長から若干ずれる可能性があるが、CLの波長とほぼ同じである。
印加する電圧の大きさは、透光性電極6と第1電極1の間の絶縁体層3にFNトンネル電流を流すことができる電界を印加することができ、トンネル電流により発生したホットエレクトロンを絶縁体層3に供給することができる電界を印加することができれば特に限定されない。例えば、絶縁体層3に電界強度が5MV/cm〜12MV/cm となる電圧を印加することにより光源部12を発光させることができる。
透光性絶縁層10は、透光性電極6と光触媒部8との間に設けることができる。透光性絶縁層10を設けることにより、透光性電極6と光触媒部8との間を電気的に絶縁することができる。このことにより、透光性電極6の電位が光触媒部8の光触媒活性に影響を与えることを防止することができる。
透光性絶縁層10は、絶縁体の層であれば特に限定されないが、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン又は酸窒化シリコンである。透光性絶縁層10は、例えば、透光性電極6の上に酸化シリコンや窒化シリコンなどをCVDやスパッタリングで堆積し形成することができる。
光触媒部8は、透光性電極6の絶縁体層3側の反対側に設けられ、発光体5の発光を受光することができる。また、光触媒部8は光触媒の薄膜とすることができる。このことにより、光触媒活性を有する光触媒部8の表面の近い部分が発光体5の発光を受光することができ、光触媒部8が高い光触媒活性を有することができる。光触媒部8は光触媒である酸化チタンTiO2からなることができる。これは、酸化チタンは一般に入手容易であるとともに、励起光の波長が388nmで励起するからである。酸化チタンにバンドギャップ以上のエネルギーを有する光を照射すると、価電子帯から伝導帯へ電子が励起され、伝導帯に電子が価電子帯に正孔が生じ、光励起される。そして、酸化チタンは、バンドギャップが3.2eVであり、電子と正孔の再結合が起こりにくく、再結合による失活率が小さいという特性を有する。酸化チタンはルチル型よりアナターゼ型を用いる。これは、バンドギャップが、アナターゼ型のほうが、3.23eV でルチル型の3.02 eV より大きく、光吸収により生成した電子と正孔のエネルギーが大きく、電子と正孔との再結合が起こりにくいためである。
以下の方法で光源部12の発光波長特性および発光原因を確認するための参考実験としてEL実験を行った。
まず、酸素雰囲気中、1050℃、100分で第1電極を形成したシリコン基板を熱酸化することによって表面にシリコン熱酸化膜を形成した。
次に、シリコン熱酸化膜中にGeイオンを50keVで1.4×1016ions/cm2、20keVで3.2×1015ions/cm2、10keVで2.2×1015ions/cm2の条件でこの順番で多重に注入した。
次に、シリコン熱酸化膜上にITO電極を形成し、シリコン基板の一部にアルミニウム電極を形成し、図4に示すようなEL実験に用いる発光素子を得た。
この発光素子のITO電極とアルミニウム電極の間に30V程度の電圧を印加したところ青色の発光が確認された。
また、この青色の発光の発光スペクトルを図5に示す。図5を参照すると、確認された青色の発光は、340nmから550nmの波長の光であり、340nmから440nmの間にピークを有するエレクトロルミネッセンス発光であることが分かった。
以下に示す方法によって、Ge2+及びGe4+を含む酸化ゲルマニウムが光源部12の発光に関与していることを確認した。
上記の「EL実験」で説明した方法に従って発光素子を作製し、シリコン酸化膜内でのGe、Ge2+、Ge4+の割合の深さ方向分布を調べた。ここで作製した発光素子のGe濃度は5.0原子%であり、熱処理温度は800℃(時間は1時間)である。
XPSは通常試料表面から深さ数nmの範囲の分析ができるので、アルゴンイオンビームによるエッチングとXPS測定を交互に行うことによって、深さ50nmまでの領域においてGe、Ge2+、Ge4+の割合の深さ方向の変化を調べた。アルゴンイオンビームのエネルギーは4kV,ビーム電流は15mAで、1回当り300秒照射した。その時のXPS測定結果を各深さについて、分かり易いように縦方向にグラフを平行移動して並べたものを図8(a)に示す。また、各深さに含まれるGe原子の状態を、Ge、Ge2+、Ge4+の割合で示したグラフを図8(b)に示す。
また、Ge4+とGe2+との関係を調べたところ、深さ5nm以内の領域ではGe4+の方がGe2+より多く、10nm以上深い領域ではGe2+の方がGe4+より多いほうが、発光効率が良いことが分かった。
また微粒子を形成する条件下で徐々に酸化の度合いを増していくと、注入したGeのうちGe0の割合が30%より少なくなるとやはり発光効率が急に低下することが分かった。
Claims (21)
- 導体または半導体からなる第1電極と、透光性電極と、第1電極と前記透光性電極とに挟まれた絶縁体層と、前記絶縁体層の内部に形成された発光体と、前記透光性電極の前記絶縁体層側の反対側に設けられた光触媒部とを備え、
第1電極と前記透光性電極との間に電圧を印加することにより前記発光体を発光させ、前記発光体が発した光を前記透光性電極を介して前記光触媒部が受光することを特徴とする面発光素子。 - 前記透光性電極と前記光触媒部との間に透光性絶縁層をさらに備える請求項1に記載の素子。
- 前記光触媒部は、二酸化チタンの薄膜からなる請求項1または2に記載の素子。
- 前記光触媒部は、白金(Pt)、パラジウム(Pd)、ルテニウム(Ru)、ロジウム(Rh)、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鉄(Fe)、ニッケル(Ni)、亜鉛(Zn)、ガリウム(Ga)、ゲルマニウム(Ge)、インジウム(In)、スズ(Sn)のうち少なくとも1つ以上の金属が担持された二酸化チタンである請求項1〜3のいずれか1つに記載の素子。
- 前記発光体は、1nm以上20nm以下の最大粒径を有する微粒子からなる請求項1〜4のいずれか1つに記載の素子。
- 前記発光体は、ゲルマニウム原子を前記絶縁体層にイオン注入し、熱処理することにより形成される請求項1〜5のいずれか1つに記載の素子。
- 前記発光体は、0価のゲルマニウム原子および酸化ゲルマニウムを含み、
前記酸化ゲルマニウムは、+2価のゲルマニウム原子と+4価のゲルマニウム原子を含む請求項1〜6のいずれか1つに記載の素子。 - 前記発光体は、0価のゲルマニウム原子を主成分とする中心部と、前記中心部の周囲に+2価のゲルマニウム原子と酸素原子からなる酸化ゲルマニウムを主成分とする部分とを含む微粒子からなる請求項7に記載の素子。
- 前記発光体は、+2価のゲルマニウム原子と酸素原子からなる酸化ゲルマニウムを主成分とする部分の周囲に、+4価のゲルマニウム原子と酸素原子からなる酸化ゲルマニウムを主成分とする部分を含む微粒子からなる請求項8に記載の素子。
- 前記発光体は、前記酸化ゲルマニウムに含まれる+2価のゲルマニウム原子と+4価のゲルマニウム原子の合計を100%としたとき、+2価のゲルマニウム原子を10%以上含む請求項7〜9のいずれか1つに記載の素子。
- 前記発光体は、+2価のゲルマニウム原子を40%以上80%以下含む請求項10に記載の素子。
- 前記発光体に含まれる0価のゲルマニウム原子と+2価のゲルマニウム原子と+4価のゲルマニウム原子の合計を100%としたとき、0価のゲルマニウム原子は、30%以上70%以下の範囲内である請求項7〜9のいずれか1つに記載の素子。
- 前記透光性電極との界面から深さ5nm以内の前記絶縁体層に含まれる0価のゲルマニウム原子と+2価のゲルマニウム原子と+4価のゲルマニウム原子の合計を100%としたとき、この範囲内の+4価のゲルマニウム原子は、50%以上であり、前記透光性電極との界面から深さ7nm以上の前記絶縁体層に含まれる0価のゲルマニウム原子と+2価のゲルマニウム原子と+4価のゲルマニウム原子の合計を100%としたとき、この範囲内の+4価のゲルマニウム原子は、50%以下である請求項12に記載の素子。
- 前記透光性電極との界面から深さ5nm以内の前記絶縁体層では+2価のゲルマニウム原子に比べ+4価のゲルマニウム原子の割合が高く、前記透光性電極との界面から深さ10nm以上の前記絶縁体層では+4価のゲルマニウム原子に比べ+2価のゲルマニウム原子の割合が高い請求項7〜13のいずれか1つに記載の素子。
- 前記透光性電極は、波長300nm以上500nm以下の光の透過率が60%以上99.99%以下である請求項1〜14のいずれか1つに記載の素子。
- 前記透光性電極は、ITOならなる請求項1〜15のいずれか1つに記載の素子。
- 前記透光性電極は、主成分としてTiO2を含む請求項1〜16のいずれか1つに記載の素子。
- 第1電極は、主成分としてシリコン原子、ゲルマニウム原子、シリコン化合物またはゲルマニウム化合物を含む請求項1〜17のいずれか1つに記載の素子。
- 第1電極は、半導体基板の一部であり、
前記半導体基板は、シリコン基板、ゲルマニウム基板、シリコン化合物基板またはゲルマニウム化合物基板である請求項1〜18のいずれか1つに記載の素子。 - 第1電極は、n型不純物を含む請求項19に記載の素子。
- 請求項1〜20のいずれか1つに記載の面発光素子が形成された円筒体を備え、
前記光触媒部は、前記円筒体の内側の空間に露出した浄化装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010154843A JP5767789B2 (ja) | 2010-07-07 | 2010-07-07 | 面発光素子および浄化装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010154843A JP5767789B2 (ja) | 2010-07-07 | 2010-07-07 | 面発光素子および浄化装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012018798A true JP2012018798A (ja) | 2012-01-26 |
JP5767789B2 JP5767789B2 (ja) | 2015-08-19 |
Family
ID=45603922
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010154843A Active JP5767789B2 (ja) | 2010-07-07 | 2010-07-07 | 面発光素子および浄化装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5767789B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108190996B (zh) * | 2018-01-03 | 2020-11-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种降解模组及清洗设备 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6243098A (ja) * | 1985-08-20 | 1987-02-25 | 富士通株式会社 | エレクトロルミネツセントデイスプレイ用透明電極の形成方法 |
JPS62268097A (ja) * | 1986-05-15 | 1987-11-20 | 日亜化学工業株式会社 | 電磁気センサーに使用するel発光素子 |
JP2005353388A (ja) * | 2004-06-10 | 2005-12-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 発光デバイスの製法並びにろ過フィルタ |
WO2005123246A1 (ja) * | 2004-06-15 | 2005-12-29 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 面発光デバイス、及びこれを用いたろ過フィルタ、光アシスト型セラミックフィルタ |
JP2007052933A (ja) * | 2005-08-15 | 2007-03-01 | Institute Of National Colleges Of Technology Japan | チタニア粒子のイオン注入方法及びイオン注入したチタニア薄膜電極の製造方法 |
JP2010033908A (ja) * | 2008-07-29 | 2010-02-12 | Sharp Corp | 発光素子、発光素子の使用方法、発光素子の製造方法、ディスプレイ |
JP2010135259A (ja) * | 2008-12-08 | 2010-06-17 | Sharp Corp | 発光素子 |
-
2010
- 2010-07-07 JP JP2010154843A patent/JP5767789B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6243098A (ja) * | 1985-08-20 | 1987-02-25 | 富士通株式会社 | エレクトロルミネツセントデイスプレイ用透明電極の形成方法 |
JPS62268097A (ja) * | 1986-05-15 | 1987-11-20 | 日亜化学工業株式会社 | 電磁気センサーに使用するel発光素子 |
JP2005353388A (ja) * | 2004-06-10 | 2005-12-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 発光デバイスの製法並びにろ過フィルタ |
WO2005123246A1 (ja) * | 2004-06-15 | 2005-12-29 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 面発光デバイス、及びこれを用いたろ過フィルタ、光アシスト型セラミックフィルタ |
JP2007052933A (ja) * | 2005-08-15 | 2007-03-01 | Institute Of National Colleges Of Technology Japan | チタニア粒子のイオン注入方法及びイオン注入したチタニア薄膜電極の製造方法 |
JP2010033908A (ja) * | 2008-07-29 | 2010-02-12 | Sharp Corp | 発光素子、発光素子の使用方法、発光素子の製造方法、ディスプレイ |
JP2010135259A (ja) * | 2008-12-08 | 2010-06-17 | Sharp Corp | 発光素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5767789B2 (ja) | 2015-08-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2013031063A1 (ja) | 二酸化炭素を還元する方法 | |
JP5236124B1 (ja) | 二酸化炭素を還元する方法 | |
JP2014018721A (ja) | 光触媒、その製造方法および浄化装置 | |
Aïnouche et al. | Ti3+ states induced band gap reduction and enhanced visible light absorption of TiO2 nanotube arrays: Effect of the surface solid fraction factor | |
KR20180055860A (ko) | 수처리를 위한 이황화 몰리브덴과 관련 물질 | |
JP2009274891A (ja) | 半導体酸化物膜およびその製造方法、ならびに半導体酸化物膜を用いた水素発生装置 | |
JP5803288B2 (ja) | 半導体材料並びにそれを用いた光触媒体、光電極及び太陽電池 | |
JP5767789B2 (ja) | 面発光素子および浄化装置 | |
JP6497590B2 (ja) | 水の分解方法、水分解装置および酸素生成用のアノード電極 | |
JP2011251269A (ja) | 浄化装置 | |
JP5696334B2 (ja) | 光触媒組成物及び光触媒組成物の製造方法 | |
JP5196224B2 (ja) | 発光素子の製造方法 | |
JP2005199235A (ja) | 光電子触媒浄化装置及び汚染物質除去方法 | |
Orudzhev et al. | Photoelectrocatalytic oxidation of phenol on silver loaded TiO2 nanotube array at high oxygen pressure under luminescent light irradiation | |
JP4554683B2 (ja) | 電気化学的装置 | |
WO2005053363A1 (ja) | Elファイバー及び光触媒反応容器 | |
JP3742195B2 (ja) | 光触媒形成体 | |
Brugnera et al. | Advanced oxidation process applied to actinobacterium disinfection | |
JP5841326B2 (ja) | 光応答性材料及びその製造方法 | |
JP5124547B2 (ja) | 発光素子およびその使用方法 | |
KR101046313B1 (ko) | 나노금속 담지 금속산화물 촉매 제조방법 및 이에 의해 제조된 나노금속 담지 금속산화물 촉매 | |
JP2016098419A (ja) | 水素の生成方法、水素生成装置および水素生成用のアノード電極 | |
JP2009023855A (ja) | ダイヤモンド表面の改質方法とそれに用いるカバー材。 | |
KR100631408B1 (ko) | p형 질화갈륨층과 투명전극박막 간의 오믹접촉 형성방법및 그를 위한 열처리장치 | |
KR101875602B1 (ko) | 발광다이오드 소자용 탄소복합체 및 이의 제조방법과 이를 이용한 자외선 발광다이오드 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130401 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131016 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140325 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140520 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141104 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141219 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150526 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150622 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5767789 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |