JP2012015227A - Method and apparatus for positioning electron beam device - Google Patents

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Kanji Ozawa
寛司 小澤
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method and apparatus for positioning an electron beam device, and provide a method for positioning an electron beam with less periodical fluctuation and an electron beam apparatus having the function.SOLUTION: An electron beam device comprises: an electron source 1 for generating an electron beam; an optical system for accelerating, decelerating, converging, and deflecting the electron beam; a control system for scanning the electron beam or for controlling blanking; a stage 6 for holding a material 7 which is irradiated with the electron beam; a stage length measurement system 16a for measuring the position of the stage 6; an electron detection section 18 for detecting the electron beam emitted from the material 7; and a signal processing system 19 for processing a detection signal obtained from the electron detection section 18. A periodic signal whose amplitude and phase can be adjusted is added to a compensation signal from the stage length measurement system 16a.

Description

本発明は走査型電子顕微鏡や電子線描画装置などの電子線装置において電子線照射位置精度を向上するための電子線装置の位置決め方法及び装置に関する。   The present invention relates to an electron beam apparatus positioning method and apparatus for improving electron beam irradiation position accuracy in an electron beam apparatus such as a scanning electron microscope or an electron beam drawing apparatus.

ステージ上にマスク基板を載置すると共に、該ステージの端部に反射鏡を取り付けて該反射鏡を用いて位置をレーザ測長系で測長しながらステージを移動させて前記マスク基板を電子線露光するようにした方法において、前記マスク基板の端部にマークの形成された複数の部材を離間して取り付け、各々の部材のマークを電子ビーム(以下電子線ともいう)で検出することにより前記マスク基板の位置ずれと回転量と基板自身の熱伸縮を検出し、該検出に基づいて電子ビームの偏向量及び若しくはステージの移動量を補正して露光するようにした技術が知られている(例えば特許文献1参照)。   A mask substrate is placed on the stage, a reflecting mirror is attached to the end of the stage, and the stage is moved while measuring the position with a laser length measuring system using the reflecting mirror to move the mask substrate to the electron beam. In the exposure method, the plurality of members having marks formed on the end portions of the mask substrate are separately attached, and the marks on each member are detected by an electron beam (hereinafter also referred to as an electron beam). A technique is known in which exposure is performed by detecting the displacement and rotation amount of the mask substrate and thermal expansion and contraction of the substrate itself, and correcting the deflection amount of the electron beam and / or the movement amount of the stage based on the detection ( For example, see Patent Document 1).

図5は従来装置の構成例を示す図である。電子源1から放出された電子ビームEBは集束レンズ21と中間レンズ2とブランキング電極3を通過し、対物レンズ5を介してステージ6上に載置された材料7上に細かく絞った電子ビームEBとして照射される。材料7上での走査は偏向電極8により行われる。材料7上を電子ビームEBで走査すると、材料表面から各種の電子が放出される。   FIG. 5 is a diagram showing a configuration example of a conventional apparatus. The electron beam EB emitted from the electron source 1 passes through the focusing lens 21, the intermediate lens 2, and the blanking electrode 3, and is finely focused on the material 7 placed on the stage 6 via the objective lens 5. Irradiated as EB. Scanning on the material 7 is performed by the deflection electrode 8. When the material 7 is scanned with the electron beam EB, various electrons are emitted from the material surface.

この放出電子は、電子検出部18で検出され、信号処理系19に送られる。該信号処理系19内の演算部19aが取り込んだ検出信号に所定の演算を行ない、計算機20に送る。計算機20は送られてきた信号を表示部20aに表示する。記憶部17には、計算機20で処理した材料7の画像とその位置情報が記憶されている。この記憶部17に記憶されている画像とその位置情報はCPU13に送られる。   The emitted electrons are detected by the electron detector 18 and sent to the signal processing system 19. A predetermined calculation is performed on the detection signal taken in by the calculation unit 19 a in the signal processing system 19, and the result is sent to the computer 20. The computer 20 displays the transmitted signal on the display unit 20a. The storage unit 17 stores an image of the material 7 processed by the computer 20 and its position information. The image stored in the storage unit 17 and its position information are sent to the CPU 13.

CPU13は送られてきた画像とその位置情報から電子源制御系10、電子源鏡筒制御系11、電子光学系制御系12、ブランキング制御系14、ビーム走査制御系15及びステージ駆動制御系16にそれぞれ対応する制御信号を与える。電子源制御系10は電子源1の電子発生量を制御し、電子源鏡筒制御系11は集束レンズ21を制御し、電子光学系制御系12は中間レンズ2の励磁電流を制御する。   The CPU 13 determines the electron source control system 10, the electron source barrel control system 11, the electron optical system control system 12, the blanking control system 14, the beam scanning control system 15 and the stage drive control system 16 from the received image and its position information. A control signal corresponding to each is given. The electron source control system 10 controls the amount of electrons generated from the electron source 1, the electron source barrel control system 11 controls the focusing lens 21, and the electron optical system control system 12 controls the excitation current of the intermediate lens 2.

ブランキング制御系14はブランキング電極3に与える電圧を制御し、電子ビームEBのオン/オフを制御する。ビーム走査制御系15は偏向電極8を制御し、材料7上のビームのスキャンを制御する。ステージ駆動制御系16はステージ6の移動量を制御する。この場合において、ステージ測長系16aは、レーザ測長系を用いてステージ6の移動量を正確に測定する。ステージ測長系16aの測長結果はCPU13に与えられ、該CPU13により各種の前述した制御系10〜12,14〜16を駆動制御する。   The blanking control system 14 controls the voltage applied to the blanking electrode 3 and controls on / off of the electron beam EB. The beam scanning control system 15 controls the deflection electrode 8 and controls the scanning of the beam on the material 7. The stage drive control system 16 controls the amount of movement of the stage 6. In this case, the stage length measurement system 16a accurately measures the amount of movement of the stage 6 using the laser length measurement system. The length measurement result of the stage length measurement system 16a is given to the CPU 13, and the CPU 13 drives and controls various control systems 10-12 and 14-16 described above.

このように構成された装置において、電子源1から出射された電子ビームEBは集束レンズ21で集束された後、中間レンズ2を通過した後、絞り22で最適な電子ビームEBのみを通過され、対物レンズ5で材料7上に細かく絞られたビームを照射する。この時、材料7から放出された2次電子等の信号は、電子検出部18で検出され、信号処理系19に送られる。検出された2次電子等の信号は、信号処理系19内の演算部19aで所定の演算処理を行われた後、計算機20に与えられる。該計算機20は、検出した画像を表示部20aに表示させる。   In the apparatus configured as described above, the electron beam EB emitted from the electron source 1 is focused by the focusing lens 21, passes through the intermediate lens 2, and then passes only the optimum electron beam EB at the diaphragm 22. A finely focused beam is irradiated onto the material 7 by the objective lens 5. At this time, a signal such as secondary electrons emitted from the material 7 is detected by the electron detector 18 and sent to the signal processing system 19. The detected signal of secondary electrons or the like is given to the computer 20 after being subjected to predetermined arithmetic processing by the arithmetic unit 19 a in the signal processing system 19. The computer 20 displays the detected image on the display unit 20a.

このような一連の動作で、ステージ6はドリフト等により少しずつ位置がずれていく。ステージ駆動制御系16内のステージ測長系16aは、ステージ6の移動量を求める。この移動量は、CPU13に与えられ、該CPU13はステージ6の移動量を補正する信号を偏向電極8に印加し、ドリフトの影響を除去したビーム走査を行なうことができる。   In such a series of operations, the position of the stage 6 is gradually shifted due to drift or the like. The stage length measurement system 16 a in the stage drive control system 16 determines the amount of movement of the stage 6. This movement amount is given to the CPU 13, and the CPU 13 can apply a signal for correcting the movement amount of the stage 6 to the deflection electrode 8 to perform beam scanning with the influence of drift removed.

図6は従来装置の要部の構成例を示す図である。図5と同一のものは、同一の符号を付して示す。レーザ光源26から出射されたレーザはステージ6に取り付けられたミラー28に入射して反射される。この反射したレーザ光はインターフェロメータ(干渉計)27で入射されステージ6の位置変動に応じた干渉光が発生され、レシーバ29に入射される。レシーバ29にはインターフェロメータ27からステージ6の位置変更に基づく干渉信号が入力される。この時のレシーバ29からの干渉信号は、続く信号処理器30で演算処理され、元の位置からの位置補正信号に変換される
このステージ6の位置補正信号は、偏向アンプ31に印加され、移動量が補正された偏向信号が与えられ、偏向器8を駆動する。電子ビームEBは指定位置Aから停止位置A’に移動させられ、位置の補正が行われた走査を行なう。ここで、ステッピングモータ25はステージ6を移動させるのに用いられる。
FIG. 6 is a diagram illustrating a configuration example of a main part of a conventional apparatus. The same components as those in FIG. 5 are denoted by the same reference numerals. The laser emitted from the laser light source 26 is incident on the mirror 28 attached to the stage 6 and reflected. The reflected laser light is incident on an interferometer (interferometer) 27, and interference light corresponding to the position variation of the stage 6 is generated and incident on the receiver 29. An interference signal based on the position change of the stage 6 is input from the interferometer 27 to the receiver 29. The interference signal from the receiver 29 at this time is processed by the subsequent signal processor 30 and converted into a position correction signal from the original position. The position correction signal of this stage 6 is applied to the deflection amplifier 31 and moved. A deflection signal whose amount is corrected is given, and the deflector 8 is driven. The electron beam EB is moved from the designated position A to the stop position A ′, and scanning with the position corrected is performed. Here, the stepping motor 25 is used to move the stage 6.

前述したような装置を稼働させる場合、従来の装置においては、SEM像を観察すると高倍率の時にはSEM像が揺れるという現象が出ることがある。この揺れは真空ポンプの機械的振動、電子ビーム装置鏡筒の共振、真空ポンプや冷却ファンのモータから発生する電波等の浮遊電磁界及び電子銃やレンズの電源回路に商用電源周波数のノイズが乗ること等の外乱に起因している。電子ビーム装置では、その分解能が高くなるにつれ、このような外乱によるSEM像の揺れがより一層問題となってくる。   In the case of operating the apparatus as described above, in the conventional apparatus, when the SEM image is observed, a phenomenon that the SEM image is shaken at a high magnification may occur. This vibration causes mechanical vibrations of the vacuum pump, resonance of the electron beam column, stray electromagnetic fields such as radio waves generated from the motors of the vacuum pump and cooling fan, and noise of commercial power supply frequency on the power supply circuit of the electron gun and lens. This is due to such disturbances. In the electron beam apparatus, as the resolution becomes higher, the fluctuation of the SEM image due to such disturbance becomes more problematic.

従来、浮遊磁界に対しては、電子ビーム鏡筒の周囲あるいは装置全体を磁気シールド板で覆ったり、磁気シールド板を備えた装置専用の部屋を用意する等のパッシブな対策や、鏡筒近傍の磁界を検出して装置全体を覆ったヘルムホルツコイルに検出信号をフィードバックしてキャンセル用磁界を発生させるアクチブな制御方法がとられている。また、機械振動に対しては、固有振動数が数ヘルツの除振台で、床から電子ビーム装置への振動伝達を抑制するパッシブな対策や、試料の揺れをレーザ干渉計で検出し、電子ビームにフィードバックするアクチブな制御方法がとられている(例えば特許文献2参照)。   Conventionally, with respect to stray magnetic fields, passive measures such as covering the periphery of the electron beam column or the entire device with a magnetic shield plate, preparing a dedicated room for the device equipped with a magnetic shield plate, An active control method is adopted in which a magnetic field for detection is generated by feeding back a detection signal to a Helmholtz coil that covers the entire apparatus by detecting a magnetic field. For mechanical vibration, a vibration isolation table with a natural frequency of a few hertz, a passive countermeasure that suppresses vibration transmission from the floor to the electron beam device, and a sample that detects shaking of the sample with a laser interferometer. An active control method for feeding back to the beam is used (see, for example, Patent Document 2).

特公昭63−55777号公報(第2頁右欄第14行〜第34行)Japanese Examined Patent Publication No. 63-55777 (page 2, right column, lines 14 to 34) 特許第3767872号公報(段落0002〜0003、図9)Japanese Patent No. 3767872 (paragraphs 0002 to 0003, FIG. 9)

しかしながら、従来技術では商用周波数の電気的ノイズに起因するような周期的な揺らぎがレーザ測長系からの補正信号や偏向器の偏向信号に重畳された場合の影響を取り除くことができないという問題があった。   However, the conventional technique has a problem that periodic fluctuations caused by electric noise at the commercial frequency cannot be removed when the fluctuation signal is superimposed on the correction signal from the laser length measurement system or the deflection signal of the deflector. there were.

本発明はこのような課題に鑑みてなされたものであって、周期的な揺らぎを減少させることができる電子線位置決め方法及びその機能を具備する電子線装置を提供することを目的としている。   The present invention has been made in view of such problems, and an object thereof is to provide an electron beam positioning method capable of reducing periodic fluctuations and an electron beam apparatus having the function.

上記の問題を解決するために、本発明は以下のような構成をとっている。   In order to solve the above problem, the present invention has the following configuration.

(1)請求項1記載の発明は、電子線を発生させる電子源と、当該電子線を加速、減速、収束及び偏向させる光学系と、当該電子線を走査し、またはブランキング制御するための制御系と、前記電子線が照射される材料を保持するためのステージと、該ステージの位置を計測するためのステージ測長系と、前記材料から放出される電子線を検出する電子線検出部と、該電子検出部から得られた検出信号を処理するための信号処理系とからなる電子線装置において、前記ステージ測長系からの補正信号に振幅と位相を調整可能な周期信号を加算し、当該振幅と位相を段階的に変化させて前記ステージ上の基準マークを複数回走査して得られた検出信号から求められる位置変動量が最も小さくなるように当該周期信号を決定することを特徴とする。   (1) The invention according to claim 1 is an electron source for generating an electron beam, an optical system for accelerating, decelerating, converging and deflecting the electron beam, and scanning or blanking control of the electron beam. A control system, a stage for holding the material irradiated with the electron beam, a stage length measuring system for measuring the position of the stage, and an electron beam detector for detecting an electron beam emitted from the material And a signal processing system for processing a detection signal obtained from the electron detection unit, a periodic signal whose amplitude and phase can be adjusted is added to the correction signal from the stage length measurement system. The periodic signal is determined so that the amount of positional fluctuation obtained from the detection signal obtained by scanning the reference mark on the stage a plurality of times by changing the amplitude and phase in stages is minimized. To

(2)請求項2記載の発明は、電子線を発生させる電子源と、当該電子線を加速、減速、収束及び偏向させる光学系と、当該電子線を走査し、またはブランキング制御するための制御系と、前記電子線が照射される材料を保持するためのステージと、該ステージの位置を計測するためのステージ測長系と、前記材料から放出される電子を検出する電子検出部と、該電子検出部から得られた検出信号を処理するための信号処理系とからなる電子線装置において、前記ステージ測長系からの補正信号に振幅と位相を調整可能な周期信号を加算する加算手段と、当該振幅と位相を段階的に変化させて前記ステージ上の基準マークを複数回走査して得られた検出信号から求められる位置変動量が最も小さくなるように当該周期信号を決定する周期信号決定手段とを有することを特徴とする。   (2) The invention described in claim 2 is an electron source for generating an electron beam, an optical system for accelerating, decelerating, converging and deflecting the electron beam, and scanning or blanking control of the electron beam. A control system, a stage for holding the material irradiated with the electron beam, a stage length measuring system for measuring the position of the stage, an electron detection unit for detecting electrons emitted from the material, In an electron beam apparatus comprising a signal processing system for processing a detection signal obtained from the electron detector, an adding means for adding a periodic signal whose amplitude and phase can be adjusted to a correction signal from the stage length measurement system And a periodic signal for determining the periodic signal so that the amount of positional fluctuation obtained from the detection signal obtained by scanning the reference mark on the stage a plurality of times by changing the amplitude and the phase in stages is minimized. And having a constant section.

(3)請求項3記載の発明は、前記ステージ測長系は、ステージのX及びY方向の移動をレーザ干渉計によって計測することを特徴とする。   (3) The invention according to claim 3 is characterized in that the stage length measurement system measures the movement of the stage in the X and Y directions by a laser interferometer.

(4)請求項4記載の発明は前記周期信号は、予め用意された複数の基準信号から選択可能であり、その内の一つは装置設置環境における商用周波数と同じ周波数で逆位相になるように生成された周期信号であることを特徴とする。   (4) In the invention according to claim 4, the periodic signal can be selected from a plurality of reference signals prepared in advance, and one of the periodic signals has an opposite phase at the same frequency as the commercial frequency in the apparatus installation environment. It is the periodic signal produced | generated by this.

(5)請求項5記載の発明は、前記基準マークは、ステージ上に直接配置されたもの、若しくはステージに載置された材料上に配置されたもので、Au又はTaで形成された凸型十字マーク、若しくはSiをエッチングして形成された凹型十字マークであることを特徴とする。   (5) The invention according to claim 5 is characterized in that the reference mark is arranged directly on the stage, or arranged on the material placed on the stage, and is a convex type formed of Au or Ta. It is a cross mark or a concave cross mark formed by etching Si.

(6)請求項6記載の発明は、前記振幅と位相の変化量、基準マークの走査回数及び本手順の試行回数は何れも外部より設定及び変更可能であることを特徴とする。   (6) The invention according to claim 6 is characterized in that the amplitude and phase change amount, the reference mark scanning number, and the number of trials of this procedure can all be set and changed from the outside.

(7)請求項7記載の発明は、前記位置変動量が最も小さくなる周期信号を決定する手段として、位置変動量と周期信号の振幅及び位相を記憶する記憶部を有し、所定の試行回数終了後に当該記憶部に記憶された位置変動量の最も小さい順に対応する振幅及び位相を採用することを特徴とする   (7) The invention according to claim 7 has a storage unit for storing the position variation amount and the amplitude and phase of the periodic signal as means for determining the periodic signal having the smallest position variation amount, and a predetermined number of trials. Amplitude and phase corresponding to the smallest position fluctuation amount stored in the storage unit after completion are employed.

本発明は以下のような効果を奏する。   The present invention has the following effects.

(1)請求項1記載の発明によれば、ステージ測長系からの補正信号に振幅と位相を調整可能な周期信号を加算し、当該振幅と位相を段階的に変化させて前記ステージ上の基準マークを複数回走査して得られた検出信号から求められる位置変動量が最も小さくなるように当該周期信号を決定することで、周期的な揺らぎの影響を低減することができる。   (1) According to the first aspect of the present invention, a periodic signal whose amplitude and phase can be adjusted is added to the correction signal from the stage length measurement system, and the amplitude and phase are changed stepwise to change the amplitude on the stage. By determining the periodic signal so that the positional fluctuation amount obtained from the detection signal obtained by scanning the reference mark a plurality of times is minimized, the influence of periodic fluctuations can be reduced.

(2)請求項2記載の発明によれば、ステージ測長系からの補正信号に振幅と位相を調整可能な周期信号を加算する加算手段と、当該振幅と位相を段階的に変化させて前記ステージ上の基準マークを複数回走査して得られた検出信号から求められる位置変動量が最も小さくなるように当該周期信号を決定する周期信号決定手段とを有することにより、周期的な揺らぎの影響を低減することができる。   (2) According to the invention described in claim 2, addition means for adding a periodic signal capable of adjusting the amplitude and phase to the correction signal from the stage length measurement system, and changing the amplitude and phase in a stepwise manner. By having periodic signal determining means for determining the periodic signal so as to minimize the amount of positional fluctuation obtained from the detection signal obtained by scanning the reference mark on the stage a plurality of times, the influence of periodic fluctuations Can be reduced.

(3)請求項3記載の発明によれば、ステージの移動をレーザ干渉計によって計測することができる。   (3) According to the invention described in claim 3, the movement of the stage can be measured by the laser interferometer.

(4)請求項4記載の発明によれば、前記周期信号を商用周波数と同じ周波数で逆位相にすることで、商用周波数に基づく揺らぎを除去することができる。   (4) According to invention of Claim 4, the fluctuation | variation based on a commercial frequency is removable by making the said periodic signal into the opposite phase with the same frequency as a commercial frequency.

(5)請求項5記載の発明によれば、所定の基準マークを用いて検出信号を得ることができる。   (5) According to the invention described in claim 5, a detection signal can be obtained using a predetermined reference mark.

(6)請求項6記載の発明によれば、基準マークの走査回数及び本手順の試行回数を設定及び変更可能にすることができ、最適な位置変動量を選択することができる。   (6) According to the invention described in claim 6, it is possible to set and change the number of scans of the reference mark and the number of trials of this procedure, and an optimum position variation amount can be selected.

(7)請求項7記載の発明によれば、位置変動量と周期信号の振幅及び位相を記憶する記憶部を有し、所定の試行回数終了後に当該記憶部に記憶された位置変動量の最も小さい順に対応する振幅及び位相を採用することができる。   (7) According to the invention described in claim 7, the storage unit stores the position variation amount and the amplitude and phase of the periodic signal, and the position variation amount stored in the storage unit is the largest after the predetermined number of trials. Corresponding amplitudes and phases can be employed in ascending order.

本発明の構成例を示す図である。It is a figure which shows the structural example of this invention. 本発明の要部の構成例を示す図である。It is a figure which shows the structural example of the principal part of this invention. マークの構成例を示す図である。It is a figure which shows the structural example of a mark. 本発明の動作の一例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows an example of operation | movement of this invention. 従来装置の構成例を示す図である。It is a figure which shows the structural example of a conventional apparatus. 従来装置の要部の構成例を示す図である。It is a figure which shows the structural example of the principal part of a conventional apparatus.

(実施例1)
以下、本発明の実施例について、詳細に説明する。図1は本発明の構成例を示す図である。図5と同一のものは、同一の符号を付して示す。図において電子源1〜計算機20までは図5と同じであるので、その説明は省略する。図において、20aは計算機20と接続され、材料7の画像等を表示する表示部である。該表示部20aとしては、CRTや液晶表示器等が用いられる。20bは計算機20と接続され、電子検出部18で検出したマーク位置変動量と走査回数及び試行回数を記憶する記憶部である。該記憶部20bに記憶されたデータは、必要に応じて読み出される。計算機20からはCPU13に画像データや、補正データが出力される。40は計算機20に各種データやコマンドを入力する操作部である。該操作部40としては、例えばキーボードやマウス等が用いられる。このように構成された装置の動作を説明すれば、以下の通りである。
Example 1
Examples of the present invention will be described in detail below. FIG. 1 is a diagram showing a configuration example of the present invention. The same components as those in FIG. 5 are denoted by the same reference numerals. In the figure, the electron source 1 to the computer 20 are the same as those in FIG. In the figure, reference numeral 20a denotes a display unit that is connected to the computer 20 and displays an image of the material 7 or the like. As the display unit 20a, a CRT, a liquid crystal display, or the like is used. Reference numeral 20b denotes a storage unit that is connected to the computer 20 and stores the amount of mark position fluctuation detected by the electronic detection unit 18, the number of scans, and the number of trials. The data stored in the storage unit 20b is read as necessary. The computer 20 outputs image data and correction data to the CPU 13. Reference numeral 40 denotes an operation unit for inputting various data and commands to the computer 20. For example, a keyboard or a mouse is used as the operation unit 40. The operation of the apparatus configured as described above will be described as follows.

本発明は、走査型電子顕微鏡や、電子線描画装置等の電子線装置において、電子線を発生させる電子源1と、該電子源1から出射された電子ビームEBを加速、減速、収束させる光学系21,2,5と、電子ビームEBを走査し、又はブランキング制御するための制御系3,8と、電子ビームEBが照射される材料7を保持するためのステージ6と、当該ステージ6の位置を計測するためのステージ測長系16aと、材料7から放出される電子を検出する電子検出部18と、該電子検出部18から得られた検出信号を処理するための信号処理系19より構成される。   The present invention relates to an electron source 1 that generates an electron beam and an optical that accelerates, decelerates, and converges an electron beam EB emitted from the electron source 1 in an electron beam apparatus such as a scanning electron microscope or an electron beam drawing apparatus. Systems 21, 2 and 5, a control system 3 and 8 for scanning or blanking control of the electron beam EB, a stage 6 for holding the material 7 irradiated with the electron beam EB, and the stage 6 A stage length measurement system 16a for measuring the position of the electron, an electron detector 18 for detecting electrons emitted from the material 7, and a signal processing system 19 for processing a detection signal obtained from the electron detector 18. Consists of.

このような構成の電子線装置において、ステージ測長系16aからの補正信号に振幅及び位相を調整可能な周期信号を加算し、当該振幅及び位相を段階的に変化させてステージ6上の基準マークを複数回走査して得られた検出信号から求められる位置変動量が最も小さくなるように周期信号を決定するものである。   In the electron beam apparatus having such a configuration, a reference signal on the stage 6 is added by adding a periodic signal whose amplitude and phase can be adjusted to the correction signal from the stage length measurement system 16a, and changing the amplitude and phase stepwise. The periodic signal is determined so that the amount of positional fluctuation obtained from the detection signal obtained by scanning the plurality of times is minimized.

ステージ測長系16aは、ステージ6の端部に取り付けられたミラー28の位置を計測して得られたステージ6の位置から、前回計測時との差をステージ変位量として求め、それを材料7上の電子ビーム照射位置にフィードバックするための補正信号を送信する。この補正信号には、振幅及び位相を調整可能な周期信号が周期信号発生器33から出力されており、この周期信号に前記補正信号を加算し、偏向電極8に印加させる。   The stage length measurement system 16a obtains the difference from the previous measurement as the stage displacement amount from the position of the stage 6 obtained by measuring the position of the mirror 28 attached to the end of the stage 6, and uses it as the material 7 A correction signal for feedback to the upper electron beam irradiation position is transmitted. In this correction signal, a periodic signal whose amplitude and phase can be adjusted is outputted from the periodic signal generator 33, and the correction signal is added to this periodic signal and applied to the deflection electrode 8.

前記の状態において、ステージ6上に設けられた基準マークを複数回走査して当該基準マーク位置を検出すると共に、位置変動量を算出する。次に、この振幅と位相を一定量変化させて同様にして位置変動量を算出する。これを繰り返し、位置変動量が最も小さくなるように周期信号を決定する。記憶部20bには、複数の振幅と位相の値が記憶されており、この振幅と位相の値を読み出してきて所定の振幅と位相を持つ周期信号を偏向器8に印加する。   In the above state, the reference mark provided on the stage 6 is scanned a plurality of times to detect the position of the reference mark, and the position fluctuation amount is calculated. Next, the position fluctuation amount is calculated in the same manner by changing the amplitude and phase by a certain amount. This is repeated, and the periodic signal is determined so that the amount of position fluctuation is minimized. The storage unit 20b stores a plurality of amplitude and phase values, reads out the amplitude and phase values, and applies a periodic signal having a predetermined amplitude and phase to the deflector 8.

図2は本発明の要部の構成例を示す図である。図1及び図6と同一のものは、同一の符号を付して示す。測長用のレーザ光を発生するレーザ光源26から出射されたレーザ光は、インターフェロメータ27を介してステージ6上に取り付けられたミラー28に照射される。ミラー28から反射されてくる光と、入射光との間に位相の差があると、インターフェロメータ27で干渉光が発生する。   FIG. 2 is a diagram showing a configuration example of a main part of the present invention. 1 and 6 are denoted by the same reference numerals. Laser light emitted from a laser light source 26 that generates laser light for length measurement is applied to a mirror 28 mounted on the stage 6 via an interferometer 27. If there is a phase difference between the light reflected from the mirror 28 and the incident light, the interferometer 27 generates interference light.

この干渉光はレシーバ29に入力され、所定の処理を行なった後、信号処理器30に入る。該信号処理器30からは、ステージ6の位置変動に応じた補正信号が出力される。周期信号発生器33からは一定の振幅と位相を持つ周期信号が出力される。20bは周期信号の振幅と位相に関するデータが記憶されているメモリである。周期信号発生器33は、記憶部20bにアクセスして、記憶されている振幅と位相の信号を発生する。   The interference light is input to the receiver 29, and after performing predetermined processing, enters the signal processor 30. The signal processor 30 outputs a correction signal corresponding to the position variation of the stage 6. A periodic signal having a constant amplitude and phase is output from the periodic signal generator 33. A memory 20b stores data related to the amplitude and phase of the periodic signal. The periodic signal generator 33 accesses the storage unit 20b to generate the stored amplitude and phase signals.

一方、ステージ6にはステッピングモータ25が取り付けられており、このステッピングモータ25が回転することによりXY2次元方向に移動することができるようになっている。ステージ6か又は材料7には図3に示すような基準マークが取り付けられている。(a)は凸型十字マークであり、(b)は凹型十字マークである。   On the other hand, a stepping motor 25 is attached to the stage 6, and the stepping motor 25 can move in the XY two-dimensional direction by rotating. A reference mark as shown in FIG. 3 is attached to the stage 6 or the material 7. (A) is a convex cross mark, and (b) is a concave cross mark.

電子ビームEBが材料7に照射されると、該材料7からは前記十字マークが付された部分から2次電子や反射電子等の反射された電子が発生する。この発生した電子は、続く電子検出部18で検出された後信号処理系19に入る。該信号処理系19は、受信した信号に所定の信号処理を加えてマーク位置変動量を算出し、前記周期信号発生器33に与える。   When the material 7 is irradiated with the electron beam EB, the material 7 generates reflected electrons such as secondary electrons and reflected electrons from the portion marked with the cross mark. The generated electrons are detected by the subsequent electron detector 18 and then enter the signal processing system 19. The signal processing system 19 performs predetermined signal processing on the received signal to calculate a mark position fluctuation amount, and supplies the signal to the periodic signal generator 33.

この結果、周期信号発生器33からの出力に信号処理器30からの位置補正信号が加算器32で加算され、偏向アンプ31を駆動する。この結果、偏向器8は電子ビームEBに所定の位置データの補正を加える。そして、電子ビームEBは指定位置Aから停止位置A’まで、位置補正が行われたビーム照射が行われる。この実施例によれば、ステージ測長系からの補正信号に振幅と位相を調整可能な周期信号を加算し、当該振幅と位相を段階的に変化させて前記ステージ6又は材料7上の基準マークを複数回走査して得られた検出信号から求められる位置変動量が最も小さくなるように当該周期信号を決定することで、周期的な揺らぎの影響を低減することができる。   As a result, the position correction signal from the signal processor 30 is added to the output from the periodic signal generator 33 by the adder 32 to drive the deflection amplifier 31. As a result, the deflector 8 corrects predetermined position data to the electron beam EB. The electron beam EB is irradiated with a beam whose position is corrected from the designated position A to the stop position A ′. According to this embodiment, a periodic signal whose amplitude and phase can be adjusted is added to the correction signal from the stage length measurement system, and the amplitude and phase are changed stepwise, so that the reference mark on the stage 6 or the material 7 is obtained. By determining the periodic signal so that the position fluctuation amount obtained from the detection signal obtained by scanning a plurality of times is minimized, the influence of periodic fluctuations can be reduced.

図4は本発明の動作の一例を示すフローチャートである。以下、このフローチャートに従って本発明の動作の一例を説明する。システムとしては、図1及び図2に示すものを用いる。動作の主体は計算機20である。先ずオペレータは、操作部40から周期信号の振幅及び位相の初期値を設定する(S1)。設定された振幅及び位相は計算機20に入力される。また、後述する走査回数も入力する。これらデータは記憶部20bに記憶される。次に、ステージ測長系(レーザ光源26,インターフェロメータ27、ミラー28、ステージ6、レシーバ29)から信号処理器30に入った位置変動量信号(補正信号)は該信号処理器30で所定の処理を受けた後に、加算器32で周期信号発生器33からの周期信号に加算される(S2)。加算された信号で偏向アンプ31を介して偏向器8を駆動する。   FIG. 4 is a flowchart showing an example of the operation of the present invention. Hereinafter, an example of the operation of the present invention will be described with reference to this flowchart. The system shown in FIGS. 1 and 2 is used. The subject of the operation is the computer 20. First, the operator sets initial values of the amplitude and phase of the periodic signal from the operation unit 40 (S1). The set amplitude and phase are input to the computer 20. In addition, the number of scans described later is also input. These data are stored in the storage unit 20b. Next, a position variation signal (correction signal) that enters the signal processor 30 from the stage length measurement system (laser light source 26, interferometer 27, mirror 28, stage 6, receiver 29) is predetermined by the signal processor 30. Then, the adder 32 adds the signal to the periodic signal from the periodic signal generator 33 (S2). The deflector 8 is driven via the deflection amplifier 31 with the added signal.

このようにして、電子ビームEBでステージ6又は材料7上の基準マークを走査する(S3)。該マーク上から放出される電子は、電子検出部18で検出された後、信号処理系19に入りマーク位置が算出される(S4)。算出された位置データは、走査の都度記憶部20bに記憶される。次に、指定された走査回数以上走査されたかどうかがチェックされる(S5)。指定された走査回数に満たない場合には、ステップS3に戻り、基準マークの走査を行なう。   In this way, the reference mark on the stage 6 or the material 7 is scanned with the electron beam EB (S3). The electrons emitted from the mark are detected by the electron detector 18 and then enter the signal processing system 19 to calculate the mark position (S4). The calculated position data is stored in the storage unit 20b every time scanning is performed. Next, it is checked whether or not scanning has been performed for the designated number of scans (S5). If the specified number of scans is not reached, the process returns to step S3 and the reference mark is scanned.

走査回数が指定された回数以上になったら、それぞれの場合におけるマーク位置変動量を算出する(S6)。そして、振幅と位相の値とマーク位置変動量を記憶部20bに記憶する(S7)。記憶部20bへの記憶(保存)が終了したら、これまでの動作が指定された試行回数以上であるかどうかチェックする(S8)。若し、指定された試行回数未満の場合には、周期信号の振幅と位相の値を記憶部20bから読み出して振幅と位相の値を変更し(S9)、ステップS2に戻り、ステージ測長系からの補正信号に周期信号を加算する処理を行なう(S2)。指定された試行回数以上になったら、記憶部20bに記憶されたデータから振幅と位相の値を決定する(S10)。   When the number of scans is equal to or greater than the specified number, the mark position fluctuation amount in each case is calculated (S6). Then, the amplitude and phase values and the mark position fluctuation amount are stored in the storage unit 20b (S7). When the storage (save) in the storage unit 20b is completed, it is checked whether the operation so far is equal to or more than the designated number of trials (S8). If the number of trials is less than the specified number of trials, the amplitude and phase values of the periodic signal are read from the storage unit 20b, the amplitude and phase values are changed (S9), and the process returns to step S2, and the stage length measurement system A process of adding a periodic signal to the correction signal from is performed (S2). When the specified number of trials is reached, the amplitude and phase values are determined from the data stored in the storage unit 20b (S10).

このように、本発明によれば、ステージ測長系からの補正信号に振幅と位相を調整可能な周期信号を加算し、当該振幅と位相を段階的に変化させて前記ステージ上の基準マークを複数回走査して得られた検出信号から求められる位置変動量が最も小さくなるように当該周期信号を決定することで、周期的な揺らぎの影響を低減することができる。   As described above, according to the present invention, the periodic signal whose amplitude and phase can be adjusted is added to the correction signal from the stage length measurement system, and the reference mark on the stage is changed by changing the amplitude and phase stepwise. By determining the periodic signal so that the position fluctuation amount obtained from the detection signal obtained by scanning a plurality of times is minimized, the influence of periodic fluctuations can be reduced.

(実施例2)
本発明の実施例2は、実施例1のステージ測長系は、ステージのX及びY方向の移動をレーザ干渉計によって計測するようにしたものである。ステージのX方向及びY方向の移動をレーザ干渉計を用いることで、ステージの移動量を極めて正確に測定することができる。
(Example 2)
In the second embodiment of the present invention, the stage length measurement system of the first embodiment is configured such that the movement of the stage in the X and Y directions is measured by a laser interferometer. By using a laser interferometer for the movement of the stage in the X direction and the Y direction, the amount of movement of the stage can be measured very accurately.

(実施例3)
実施例3は、前述した周期信号は、予め用意された複数の基準信号から選択可能であり、そのうちの一つは装置設置環境における商用周波数と同じ周波数で逆位相になるように生成された周期信号としたものである。このように構成すると、装置から発生している商用周波に基づく揺らぎを逆位相でかつ振幅が等しい補正信号を印加することにより、商用周波に基づく揺らぎを除去することができる。
(Example 3)
In the third embodiment, the periodic signal described above can be selected from a plurality of reference signals prepared in advance, and one of them is a period generated so as to have an opposite phase at the same frequency as the commercial frequency in the apparatus installation environment. It is a signal. If comprised in this way, the fluctuation | variation based on a commercial frequency can be removed by applying the correction signal which has the phase which is opposite in the fluctuation | variation based on the commercial frequency which has generate | occur | produced from the apparatus, and an equal amplitude.

(実施例4)
前記実施例で用いられた基板マークは、ステージ6上に直接配置されたもの、若しくはステージ6に載置された材料7上に配置されたもので、Au又はTaで形成された凸型十字マーク、若しくはSiをエッチングして形成された凹型の十字マークを用いることができる。このような基準マークを用いることで、検出信号から位置変動量を極めて小さくなるようにすることができる。
Example 4
The substrate mark used in the above-described embodiment is directly placed on the stage 6 or placed on the material 7 placed on the stage 6 and is a convex cross mark formed of Au or Ta. Alternatively, a concave cross mark formed by etching Si can be used. By using such a reference mark, it is possible to make the position variation amount extremely small from the detection signal.

(実施例5)
前記位置変動量が最も小さくなる周期信号を決定する手段として、位置変動量と周期信号の振幅及び位相を記憶するための記憶部を有するようにしたものである。このように構成すれば、所定の試行回数終了後に当該記憶部に記憶された位置変動量のうち、最も小さい値に対応する振幅及び位相を採用することができ、最も正確な位置決めを行なうことができる。
(Example 5)
As a means for determining the periodic signal with the smallest position variation amount, a storage unit for storing the position variation amount and the amplitude and phase of the periodic signal is provided. If comprised in this way, the amplitude and phase corresponding to the smallest value among the amount of position fluctuation memorized by the storage part after the end of the predetermined number of trials can be adopted, and the most accurate positioning can be performed. it can.

以上詳細に説明したように、本発明によれば、商用周波数の電気的ノイズに起因するような周期的な揺らぎを打ち消すように周期信号を加算することにより、この揺らぎがレーザ測長系からの補正信号や偏向器の偏向信号に重畳された場合の影響を低減することができる。また、例えば接地線に重畳された商用周波数帯の周期的なノイズと逆位相の周期信号を用いることで、当該ノイズの影響を効果的に取り除くことができる。   As described above in detail, according to the present invention, by adding a periodic signal so as to cancel out periodic fluctuations caused by electrical noise at commercial frequencies, the fluctuations from the laser length measurement system can be reduced. It is possible to reduce the influence when superimposed on the correction signal or the deflection signal of the deflector. Further, for example, by using a periodic signal having a phase opposite to that of the periodic noise in the commercial frequency band superimposed on the ground line, the influence of the noise can be effectively removed.

本発明は、このような商用周波数に基づく揺らぎに関するものだけではなく、その他の原因に基づく揺らぎも効果的に取り除くことができる。   The present invention can effectively eliminate not only the fluctuation based on the commercial frequency but also the fluctuation based on other causes.

1 電子源
2 中間レンズ
3 ブランキング電極
5 対物レンズ
6 ステージ
7 材料
8 偏向電極
10 電子源制御系
11 電子源鏡筒制御系
12 電子光学系制御系
13 CPU
14 ブランキング制御系
15 ビーム走査制御系
16 ステージ駆動制御系
16a ステージ測長系
18 電子検出部
19 信号処理系
19a 演算部
20 計算機
20a 表示部
20b 記憶部
21 集束レンズ
40 操作部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Electron source 2 Intermediate lens 3 Blanking electrode 5 Objective lens 6 Stage 7 Material 8 Deflection electrode 10 Electron source control system 11 Electron source barrel control system 12 Electron optical system control system 13 CPU
14 Blanking control system 15 Beam scanning control system 16 Stage drive control system 16a Stage length measurement system 18 Electron detection unit 19 Signal processing system 19a Calculation unit 20 Computer 20a Display unit 20b Storage unit 21 Focusing lens 40 Operation unit

Claims (7)

電子線を発生させる電子源と、当該電子線を加速、減速、収束及び偏向させる光学系と、当該電子線を走査し、またはブランキング制御するための制御系と、前記電子線が照射される材料を保持するためのステージと、該ステージの位置を計測するためのステージ測長系と、前記材料から放出される電子を検出する電子検出部と、該電子検出部から得られた検出信号を処理するための信号処理系とからなる電子線装置において、
前記ステージ測長系からの補正信号に振幅と位相を調整可能な周期信号を加算し、当該振幅と位相を段階的に変化させて前記ステージ上の基準マークを複数回走査して得られた検出信号から求められる位置変動量が最も小さくなるように当該周期信号を決定することを特徴とする電子線装置の位置決め方法。
An electron source for generating an electron beam, an optical system for accelerating, decelerating, converging and deflecting the electron beam, a control system for scanning or blanking the electron beam, and the electron beam are irradiated. A stage for holding the material, a stage length measurement system for measuring the position of the stage, an electron detector for detecting electrons emitted from the material, and a detection signal obtained from the electron detector In an electron beam apparatus comprising a signal processing system for processing,
Detection obtained by adding a periodic signal whose amplitude and phase can be adjusted to the correction signal from the stage length measurement system and scanning the reference mark on the stage a plurality of times by changing the amplitude and phase in stages. A positioning method for an electron beam apparatus, wherein the periodic signal is determined so that a positional fluctuation amount obtained from the signal is minimized.
電子線を発生させる電子源と、当該電子線を加速、減速、収束及び偏向させる光学系と、当該電子線を走査し、またはブランキング制御するための制御系と、前記電子線が照射される材料を保持するためのステージと、該ステージの位置を計測するためのステージ測長系と、前記材料から放出される電子を検出する電子検出部と、該電子検出部から得られた検出信号を処理するための信号処理系とからなる電子線装置において、
前記ステージ測長系からの補正信号に振幅と位相を調整可能な周期信号を加算する加算手段と、
当該振幅と位相を段階的に変化させて前記ステージ上の基準マークを複数回走査して得られた検出信号から求められる位置変動量が最も小さくなるように当該周期信号を決定する周期信号決定手段と、
を有することを特徴とする電子線装置。
An electron source for generating an electron beam, an optical system for accelerating, decelerating, converging and deflecting the electron beam, a control system for scanning or blanking the electron beam, and the electron beam are irradiated. A stage for holding the material, a stage length measurement system for measuring the position of the stage, an electron detector for detecting electrons emitted from the material, and a detection signal obtained from the electron detector In an electron beam apparatus comprising a signal processing system for processing,
Adding means for adding a periodic signal capable of adjusting the amplitude and phase to the correction signal from the stage length measurement system;
Periodic signal determining means for determining the periodic signal so that the amount of positional fluctuation obtained from the detection signal obtained by scanning the reference mark on the stage a plurality of times by changing the amplitude and phase in stages is minimized. When,
An electron beam apparatus comprising:
前記ステージ測長系は、ステージのX及びY方向の移動をレーザ干渉計によって計測することを特徴とする請求項2記載の電子線装置の位置決め装置。   3. The positioning apparatus for an electron beam apparatus according to claim 2, wherein the stage length measurement system measures the movement of the stage in the X and Y directions with a laser interferometer. 前記周期信号は、予め用意された複数の基準信号から選択可能であり、その内の一つは装置設置環境における商用周波数と同じ周波数で逆位相になるように生成された周期信号であることを特徴とする請求項2又は3記載の電子線装置。   The periodic signal can be selected from a plurality of reference signals prepared in advance, and one of them is a periodic signal generated so as to have an opposite phase at the same frequency as the commercial frequency in the apparatus installation environment. The electron beam apparatus according to claim 2 or 3, characterized in that 前記基準マークは、ステージ上に直接配置されたもの、若しくはステージに載置された材料上に配置されたもので、Au又はTaで形成された凸型十字マーク、若しくはSiをエッチングして形成された凹型十字マークであることを特徴とする請求項2乃至4の何れか1項に記載の電子線装置。   The reference mark is directly placed on the stage or placed on the material placed on the stage and is formed by etching a convex cross mark made of Au or Ta or Si. 5. The electron beam apparatus according to claim 2, wherein the electron beam apparatus is a concave cross mark. 前記振幅と位相の変化量、基準マークの走査回数及び本手順の試行回数は何れも外部より設定及び変更可能であることを特徴とする請求項2乃至5の何れか1項に記載の電子線装置。   6. The electron beam according to claim 2, wherein the amplitude and phase change amount, the reference mark scanning number, and the number of trials of this procedure can all be set and changed from the outside. apparatus. 前記位置変動量が最も小さくなる周期信号を決定する手段として、位置変動量と周期信号の振幅及び位相を記憶する記憶部を有し、所定の試行回数終了後に当該記憶部に記憶された位置変動量の最も小さい順に対応する振幅及び位相を採用することを特徴とする請求項2乃至6の何れか1項に記載の電子線装置。   As a means for determining the periodic signal that minimizes the positional variation amount, the storage unit stores a positional variation amount and the amplitude and phase of the periodic signal. The electron beam apparatus according to any one of claims 2 to 6, wherein the amplitude and phase corresponding to the smallest amount are employed.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210105839A (en) * 2020-02-18 2021-08-27 아이씨티 인티그레이티드 써킷 테스팅 게젤샤프트 퓌어 할프라이터프뤼프테크닉 엠베하 Charged particle beam device with interferometer for height measurement
JP2021158234A (en) * 2020-03-27 2021-10-07 日本電子株式会社 Charged particle beam drawing device and drawing method
US11735395B2 (en) 2020-07-31 2023-08-22 Hitachi High-Tech Corporation Charged particle beam device and method of measuring electrical noise

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210105839A (en) * 2020-02-18 2021-08-27 아이씨티 인티그레이티드 써킷 테스팅 게젤샤프트 퓌어 할프라이터프뤼프테크닉 엠베하 Charged particle beam device with interferometer for height measurement
KR102493825B1 (en) 2020-02-18 2023-02-06 아이씨티 인티그레이티드 써킷 테스팅 게젤샤프트 퓌어 할프라이터프뤼프테크닉 엠베하 Charged particle beam device with interferometer for height measurement
JP2021158234A (en) * 2020-03-27 2021-10-07 日本電子株式会社 Charged particle beam drawing device and drawing method
JP7430094B2 (en) 2020-03-27 2024-02-09 日本電子株式会社 Charged particle beam lithography device and lithography method
US11735395B2 (en) 2020-07-31 2023-08-22 Hitachi High-Tech Corporation Charged particle beam device and method of measuring electrical noise

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