したがって、仕切壁角度βを変更することによって、微粒子４がバケット７から放出される回転盤６上の位置を調整することができ、一般には、仕切壁角度βを、図４(Ｃ)に示す如く、微粒子４が微粒子放出位置へと上昇したバケット７から鉛直面上における回転盤６の直径線１５上又はその近傍領域に放出されるように設定しておく。
Therefore, by changing the partition wall angle β, it is possible to adjust the position on the turntable 6 from which the fine particles 4 are discharged from the bucket 7. Generally, the partition wall angle β is shown in FIG. In this manner, the fine particles 4 are set to be discharged from the bucket 7 that has risen to the fine particle discharge position onto the diameter line 15 of the turntable 6 on the vertical plane or in the vicinity thereof.
また、仕切壁角度βを、図４(Ｃ)に示す如く、微粒子４が微粒子放出位置へと上昇したバケット７から鉛直面上における回転盤６の直径線１５上又はその近傍領域に放出されるように設定しておくことにより、回転盤表面６ａにおける微粒子４の流下経路が極めて大きくなり、微粒子４のＰＶＤ処理時間が十分なものとなる。
Further, as shown in FIG. 4C, the partition wall angle β is discharged from the bucket 7 in which the fine particles 4 have risen to the fine particle discharge position onto the diameter line 15 of the rotating disk 6 on the vertical plane or in the vicinity thereof. By setting in this way, the flow path of the fine particles 4 on the surface of the turntable 6a becomes extremely large, and the PVD treatment time of the fine particles 4 becomes sufficient.
したがって、微粒子４にはこれが回転盤表面６ａ上を流下する間にＰＶＤ処理が施されるが、その流下が回転盤６ａの傾斜方向及び回転方向への転動（３次元の回転運動）を伴うものであり且つ回転盤表面６ａ上の流下距離が長くなることから、微粒子４にはその表面全体に均一厚さの皮膜４ａが形成されることになる。
Therefore, although this particle 4 has PVD process is performed while flowing down on the rotating disk surface 6a, accompanied by tumbling (3-dimensional rotational movement) of the flows down the inclined direction and the rotation direction of the rotating disk 6a In addition, since the flow-down distance on the surface 6a of the rotating disk becomes long, the coating film 4a having a uniform thickness is formed on the entire surface of the fine particles 4.
なお、本発明は上記した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の基本原理を逸脱しない範囲において適宜に改良，変更することができる。例えば、処理容器３は、図６に示す如く、周壁９の形状（及び上下壁８，１０の外周形状）が正多角形となるものとしたものとすることもできる。また、処理容器３には、これに適度の振動や衝撃を与えるバイブレータやノッカーを付設するようにすることが可能である。また、処理容器３内に、微粒子４の運動を補助させるための棒状体及び／又は球状体を収容しておくことも可能である。また、本発明は、ミクロンオーダの球形又はこれに近い形状のアルミナ粒子にチタン皮膜を形成する場合の他、真空蒸着，スパッタリング，イオンプレーティング等のＰＶＤ処理により、高分子，炭素，無機，金属，合金等の微粒子に高分子，炭素，無機，金属，合金等の皮膜を形成するあらゆる場合に適用することができるものである。
It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be appropriately improved and changed without departing from the basic principle of the present invention. For example, the processing vessel 3, as shown in FIG. 6, (outer peripheral shape of and the upper and lower walls 8, 10) the shape of the circumferential wall 9 can also be provided with assumed to be a regular polygon. Further, the processing container 3 can be provided with a vibrator or a knocker that gives an appropriate vibration or impact to the processing container 3. Further, it is possible to accommodate a rod-like body and / or a spherical body for assisting the movement of the fine particles 4 in the processing container 3. In addition to the case of forming a titanium film on alumina particles having a micron order spherical shape or a shape close thereto, the present invention can also be applied to a polymer, carbon, inorganic, metal by PVD treatment such as vacuum deposition, sputtering, ion plating, etc. It can be applied to all cases where a film of polymer, carbon, inorganic, metal, alloy or the like is formed on fine particles of an alloy or the like.
