JP2011529115A - Aqueous dispersion of conductive polymer containing inorganic nanoparticles - Google Patents

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Abstract

本発明は、導電性ポリマー組成物、および電子デバイス中におけるそれらの使用に関する。本発明の組成物は、少なくとも1種類の高フッ素化酸ポリマーでドープした少なくとも1種類の導電性ポリマーの水性分散体と無機ナノ粒子とを含有する。  The present invention relates to conductive polymer compositions and their use in electronic devices. The composition of the present invention contains an aqueous dispersion of at least one conductive polymer doped with at least one highly fluorinated acid polymer and inorganic nanoparticles.

Description

関連出願の相互参照
本出願は、2007年7月27日に出願された米国仮特許出願第60/952,372号明細書の優先権を主張する2008年7月22日に出願された米国特許出願第12/177,359号明細書の一部継続出願であり、どちらも、その記載内容全体が参照により本明細書に援用される。
CROSS REFERENCE TO RELATED APPLICATIONS This application is a U.S. patent filed on July 22, 2008 which claims priority to US Provisional Patent Application No. 60 / 952,372, filed July 27, 2007. No. 12 / 177,359, which is a continuation-in-part application, both of which are hereby incorporated by reference in their entirety.

本開示は、一般に、無機ナノ粒子を含有する導電性ポリマー組成物、および電子デバイス中でのそれらの使用に関する。   The present disclosure relates generally to conductive polymer compositions containing inorganic nanoparticles and their use in electronic devices.

電子デバイスは、活性層を含む製品の分類の1つである。有機電子デバイスは少なくとも1つの有機活性層を有する。このようなデバイスは、発光ダイオードなどのように電気エネルギーを放射線に変換したり、電子的過程を介して信号を検出したり、光起電力セルなどのように放射線を電気エネルギーに変換したり、1つ以上の有機半導体層を含んだりする。   Electronic devices are one class of products that include an active layer. Organic electronic devices have at least one organic active layer. Such devices convert electrical energy into radiation, such as light emitting diodes, detect signals through electronic processes, convert radiation into electrical energy, such as photovoltaic cells, One or more organic semiconductor layers.

有機発光ダイオード(OLED)は、エレクトロルミネッセンスが可能な有機層を含む有機電子デバイスである。導電性ポリマーを含有するOLEDは、以下の構成を有することができ:
アノード/緩衝層/EL材料/カソード
電極の間に追加の層を有する。通常、アノードは、たとえば、インジウム/スズ酸化物(ITO)などの、EL材料中に正孔を注入する能力を有するあらゆる材料である。場合により、アノードは、ガラスまたはプラスチックの基体上に支持されている。EL材料としては、蛍光化合物、蛍光性およびリン光性の金属錯体、共役ポリマー、ならびにそれらの混合物が挙げられる。通常、カソードは、EL材料中に電子を注入する能力を有するあらゆる材料(たとえばCaまたはBaなど)である。ITOなどの導電性無機酸化物アノードと直接接触する緩衝層としては、10−3〜10−7S/cmの範囲内の低伝導率を有する導電性ポリマーが一般に使用される。
An organic light emitting diode (OLED) is an organic electronic device that includes an organic layer capable of electroluminescence. An OLED containing a conductive polymer can have the following configuration:
There is an additional layer between the anode / buffer layer / EL material / cathode electrode. Typically, the anode is any material that has the ability to inject holes into the EL material, such as, for example, indium / tin oxide (ITO). In some cases, the anode is supported on a glass or plastic substrate. EL materials include fluorescent compounds, fluorescent and phosphorescent metal complexes, conjugated polymers, and mixtures thereof. Typically, the cathode is any material (such as Ca or Ba) that has the ability to inject electrons into the EL material. As the buffer layer in direct contact with the conductive inorganic oxide anode such as ITO, a conductive polymer having a low conductivity in the range of 10 −3 to 10 −7 S / cm is generally used.

改善された緩衝層材料が引き続き必要とされている。   There is a continuing need for improved buffer layer materials.

少なくとも1種類の高フッ素化酸ポリマーでドープした少なくとも1種類の導電性ポリマーの水性分散体を含み、その中に分散された無機ナノ粒子を有する組成物を提供する。   A composition comprising an aqueous dispersion of at least one conductive polymer doped with at least one highly fluorinated acid polymer and having inorganic nanoparticles dispersed therein.

別の一実施形態においては、上記組成物から形成されたフィルムを提供する。   In another embodiment, a film formed from the above composition is provided.

別の一実施形態においては、上記フィルムを含む少なくとも1つの層を含む電子デバイスを提供する。   In another embodiment, an electronic device comprising at least one layer comprising the film is provided.

本発明を、添付の図面において例として説明するが、これらに限定されるものではない。   The invention is illustrated by way of example in the accompanying drawings, but is not limited thereto.

有機電子デバイスの概略図である。It is the schematic of an organic electronic device.

当業者であれば理解しているように、図面中の物体は、平易かつ明快にするために示されており、必ずしも縮尺通りに描かれているわけではない。たとえば、実施形態を理解しやすいようにするために、図面中の一部の物体の寸法が他の物体よりも誇張されている場合がある。   As will be appreciated by those skilled in the art, the objects in the drawings are shown for simplicity and clarity and are not necessarily drawn to scale. For example, in order to facilitate understanding of the embodiments, the dimensions of some objects in the drawings may be exaggerated more than other objects.

多数の態様および実施形態が本明細書で説明されるが、これらは単に例示的で非限定的なものである。本明細書を読めば、本発明の範囲から逸脱しない他の態様および実施形態が実現可能であることが、当業者には分かるであろう。   Numerous aspects and embodiments are described herein and are merely exemplary and not limiting. After reading this specification, skilled artisans will appreciate that other aspects and embodiments are possible without departing from the scope of the invention.

いずれか1つまたは複数の本発明の実施形態のその他の特徴および利点は、以下の詳細な説明および特許請求の範囲から明らかとなるであろう。この詳細な説明は、最初に、用語の定義および説明を扱い、続いて、導電性ポリマー、高フッ素化酸ポリマー、無機ナノ粒子、ドープした導電性ポリマー組成物の調製、緩衝層、電子デバイス、および最後に実施例を扱う。   Other features and advantages of any one or more embodiments of the invention will be apparent from the following detailed description and from the claims. This detailed description first deals with definitions and explanations of terms, followed by conductive polymers, highly fluorinated acid polymers, inorganic nanoparticles, preparation of doped conductive polymer compositions, buffer layers, electronic devices, And finally, an example is dealt with.

1.明細書および特許請求の範囲の中で使用される用語の定義および説明
以下に説明する実施形態の詳細を扱う前に、一部の用語について定義または説明を行う。
1. Definitions and Explanations of Terms Used in the Specification and the Claims Before addressing details of the embodiments described below, some terms are defined or explained.

用語「導体」およびその変形は、電位が実質的に降下することなく層材料、部材、または構造に電流が流れるような電気的性質を有する層材料、部材、または構造を意味することを意図している。この用語は、半導体を含むことを意図している。ある実施形態においては、導体は、少なくとも10−7S/cmの導電率を有する層を形成する。 The term “conductor” and variations thereof are intended to mean a layer material, member, or structure that has electrical properties such that current flows through the layer material, member, or structure without a substantial drop in potential. ing. This term is intended to include semiconductors. In some embodiments, the conductor forms a layer having a conductivity of at least 10 −7 S / cm.

材料に言及する場合の用語「導電性」は、カーボンブラックまたは導電性金属粒子を加えなくても、本来または本質的に導電性となることができる材料を意味することを意図している。   The term “conductive” when referring to a material is intended to mean a material that can be inherently or essentially conductive without the addition of carbon black or conductive metal particles.

用語「ポリマー」は、少なくとも1つの繰り返しモノマー単位を有する材料を意味することを意図している。この用語は、1つのみの種類または化学種のモノマー単位を有するホモポリマー、および、異なる化学種のモノマー単位から形成されるコポリマーなどの2つ以上の異なるモノマー単位を有するコポリマーを含んでいる。   The term “polymer” is intended to mean a material having at least one repeating monomer unit. The term includes homopolymers having only one type or species of monomer units, and copolymers having two or more different monomer units, such as copolymers formed from monomer units of different species.

用語「酸ポリマー」は、酸性基を有するポリマーを意味する。   The term “acid polymer” means a polymer having acidic groups.

用語「酸性基」は、イオン化することによって水素イオンをブレンステッド塩基に供与することができる基を意味する。   The term “acidic group” means a group that can donate hydrogen ions to a Bronsted base by ionization.

用語「高フッ素化」は、炭素に結合した利用可能な水素の少なくとも90%がフッ素で置き換えられている化合物を意味する。   The term “highly fluorinated” refers to a compound in which at least 90% of the available hydrogen bonded to the carbon is replaced by fluorine.

用語「完全フッ素化」および「過フッ素化」は、交換可能に使用され、炭素に結合した利用可能なすべての水素がフッ素で置き換えられている化合物を意味する。   The terms “perfluorinated” and “perfluorinated” are used interchangeably and mean a compound in which all available hydrogen bonded to a carbon is replaced by fluorine.

本発明の組成物は、1種類以上の異なる導電性ポリマーと1種類以上の異なる高フッ素化酸ポリマーとを含むことができる。   The compositions of the present invention can include one or more different conductive polymers and one or more different highly fluorinated acid polymers.

導電性ポリマーに言及する場合の用語「ドープした」は、導電性ポリマーが、その導電性ポリマー上の電荷のバランスをとるためのポリマー対イオンを有することを意味することを意図している。   The term “doped” when referring to a conductive polymer is intended to mean that the conductive polymer has a polymer counterion to balance the charge on the conductive polymer.

用語「ドープした導電性ポリマー」は、導電性ポリマーとそれに会合したポリマー対イオンとを意味することを意図している。   The term “doped conductive polymer” is intended to mean a conductive polymer and a polymer counterion associated therewith.

用語「層」は、用語「フィルム」と交換可能に使用され、希望する領域を覆うコーティングを意味する。この用語は大きさによって限定されない。この領域は、デバイス全体の大きさであってもよいし、実際の視覚的表示などの特殊な機能の領域の小ささ、または1つのサブピクセルの小ささであってもよい。層およびフィルムは、気相堆積、液相堆積(連続的技術および不連続な技術)、および熱転写などの従来のあらゆる堆積技術によって形成することができる。   The term “layer” is used interchangeably with the term “film” and refers to a coating covering a desired area. This term is not limited by size. This area may be the size of the entire device, the area of a special function such as an actual visual display, or the size of one subpixel. Layers and films can be formed by any conventional deposition technique such as vapor deposition, liquid deposition (continuous and discontinuous techniques), and thermal transfer.

用語「ナノ粒子」は、100nm未満の粒度を有する材料を意味する。ある実施形態においては、粒度は10nm未満である。ある実施形態においては、粒度は5nm未満である。   The term “nanoparticle” means a material having a particle size of less than 100 nm. In some embodiments, the particle size is less than 10 nm. In some embodiments, the particle size is less than 5 nm.

用語「水性」は、かなりの部分が水である液体を意味し、一実施形態においては少なくとも約40重量%が水であり;ある実施形態においては、少なくとも約60重量%が水である。   The term “aqueous” refers to a liquid that is a substantial portion of water, in one embodiment at least about 40% by weight water; in some embodiments, at least about 60% by weight water.

層、材料、部材、または構造に関して言及される場合、用語「正孔輸送」は、そのような層、材料、部材、または構造が、比較的効率的かつ少ない電荷損失で、そのような層、材料、部材、または構造の厚さを通過する正電荷の移動を促進することを意味することを意図している。   When referred to in reference to a layer, material, member, or structure, the term “hole transport” refers to such a layer, material, member, or structure such that, with relatively efficient and low charge loss, It is intended to mean to facilitate the movement of positive charges through the thickness of a material, member, or structure.

層、材料、部材、または構造に関して言及される場合、用語「電子輸送」は、そのような層、材料、部材、または構造が、そのような層、材料、部材、または構造から別の層、材料、部材、または構造への負電荷の移動を助長または促進することを意味する。   When referred to in reference to a layer, material, member, or structure, the term “electron transport” refers to such a layer, material, member, or structure being separated from such layer, material, member, or structure, By promoting or facilitating the transfer of negative charges to a material, member or structure.

用語「有機電子デバイス」は、1つ以上の半導体層または半導体材料を含むデバイスを意味することを意図している。有機電子デバイスとしては:(1)電気エネルギーを放射線に変換するデバイス(たとえば、発光ダイオード、発光ダイオードディスプレイ、ダイオードレーザー、または照明パネル)、(2)電子的過程を介して信号を検出するデバイス(たとえば、光検出器 光導電セル、フォトレジスタ、光スイッチ、光トランジスタ、光電管、赤外(「IR」)検出器、またはバイオセンサー)、(3)放射線を電気エネルギーに変換するデバイス(たとえば、光起電力デバイスまたは太陽電池)、および(4)1つ以上の有機半導体層を含む1つ以上の電子部品(たとえば、トランジスタまたはダイオード)を含むデバイスが挙げられるが、これらに限定されるものではない。   The term “organic electronic device” is intended to mean a device comprising one or more semiconductor layers or semiconductor materials. Organic electronic devices include: (1) devices that convert electrical energy into radiation (eg, light emitting diodes, light emitting diode displays, diode lasers, or lighting panels), (2) devices that detect signals via electronic processes ( (E.g., photo detector, photoconductive cell, photoresistor, optical switch, phototransistor, phototube, infrared ("IR") detector, or biosensor), (3) a device that converts radiation into electrical energy (e.g., light Electromotive force devices or solar cells), and (4) devices that include one or more electronic components (eg, transistors or diodes) that include one or more organic semiconductor layers. .

本明細書において使用される場合、用語「含んでなる」、「含んでなること」、「含む」、「含むこと」、「有する」、「有すること」、またはそれらの他のあらゆる変形は、非排他的な包含を扱うことを意図している。たとえば、ある一連の要素を含むプロセス、方法、物品、または装置は、それらの要素にのみに必ずしも限定されるわけではなく、そのようなプロセス、方法、物品、または装置に関して明示されず固有のものでもない他の要素を含むことができる。さらに、反対の意味で明記されない限り、「または」は、包含的な「または」を意味するのであって、排他的な「または」を意味するのではない。たとえば、条件AまたはBが満たされるのは、Aが真であり(または存在し)Bが偽である(または存在しない)、Aが偽であり(または存在せず)Bが真である(または存在する)、ならびにAおよびBの両方が真である(または存在する)のいずれか1つによってである。   As used herein, the terms “comprising”, “comprising”, “comprising”, “comprising”, “having”, “having”, or any other variation thereof, Intended to deal with non-exclusive inclusions. For example, a process, method, article, or apparatus that includes a set of elements is not necessarily limited to only those elements, and is not explicitly or inherently related to such a process, method, article, or apparatus. But other elements can be included. Further, unless stated to the contrary, “or” means an inclusive “or” and not an exclusive “or”. For example, the condition A or B is satisfied when A is true (or exists), B is false (or does not exist), A is false (or does not exist) and B is true ( Or both) and both A and B are true (or present).

また、本発明の要素および成分を説明するために「a」または「an」も使用されている。これは単に便宜的なものであり、本発明の一般的な意味を提供するために行われている。この記述は、1つまたは少なくとも1つを含むものと読むべきであり、明らかに他の意味となる場合を除けば、単数形は複数形も含んでいる。   “A” or “an” is also used to describe elements and components of the present invention. This is merely for convenience and is done to provide a general sense of the invention. This description should be read to include one or at least one and the singular also includes the plural unless it is obvious that it is meant otherwise.

元素周期表中の縦列に対応する族の番号は、CRC Handbook of Chemistry and Physics、第81版(2000−2001)に見ることができる「新表記法」(New Notation)の規則を使用している。   Group numbers corresponding to columns in the Periodic Table of Elements use the “New Notation” rules that can be found in CRC Handbook of Chemistry and Physics, 81st Edition (2000-2001). .

特に定義しない限り、本明細書において使用されるすべての技術用語および科学用語は、本発明が属する技術分野の当業者によって一般に理解されている意味と同じ意味を有する。式中、文字Q、R、T、W、X、Y、およびZは、それらに定義されている原子または基を表すために使用されている。他のすべての文字は、従来の原子記号を表すために使用されている。元素周期表中の縦列に対応する族の番号には、CRC Handbook of Chemistry and Physics、第81版(2000)中に見ることができる「新表記法」(New Notation)の規則を使用している。   Unless defined otherwise, all technical and scientific terms used herein have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. In the formulas, the letters Q, R, T, W, X, Y, and Z are used to represent atoms or groups as defined therein. All other letters are used to represent conventional atomic symbols. The group number corresponding to the column in the periodic table uses the rules of “New Notation” that can be found in CRC Handbook of Chemistry and Physics, 81st Edition (2000). .

本明細書に記載されていない程度の、具体的な材料、処理行為、および回路に関する多くの詳細は従来通りであり、それらについては、有機発光ダイオードディスプレイ、光源、光検出器、光電池、および半導体要素の技術分野の教科書およびその他の情報源中に見ることができる。   Many details regarding specific materials, processing actions, and circuits to the extent not described herein are conventional, including organic light emitting diode displays, light sources, photodetectors, photovoltaic cells, and semiconductors. It can be found in textbooks and other information sources in the technical field of the element.

2.導電性ポリマー
あらゆる導電性ポリマーを本発明の新規組成物中に使用することができる。ある実施形態においては、導電性ポリマーは、10−7S/cmを超える伝導率を有するフィルムを形成する。
2. Conductive polymers Any conductive polymer can be used in the novel compositions of the present invention. In certain embodiments, the conductive polymer forms a film having a conductivity greater than 10 −7 S / cm.

本発明の新規組成物に適した導電性ポリマーは、単独で重合させた場合に導電性ホモポリマーを形成する少なくとも1種類のモノマーから製造される。このようなモノマーを本明細書では「導電性前駆体モノマー」と呼ぶ。単独で重合させた場合に導電性ではないホモポリマーを形成するモノマーは、「非導電性前駆体モノマー」と呼ぶ。導電性ポリマーはホモポリマーまたはコポリマーであってよい。本発明の新規組成物に適した導電性コポリマーは、2種類以上の導電性前駆体モノマーから、または1種類以上の導電性前駆体モノマーと1種類以上の非導電性前駆体モノマーとの組み合わせから製造することができる。   Conductive polymers suitable for the novel compositions of the present invention are made from at least one monomer that forms a conductive homopolymer when polymerized alone. Such monomers are referred to herein as “conductive precursor monomers”. Monomers that form non-conductive homopolymers when polymerized alone are referred to as “non-conductive precursor monomers”. The conductive polymer may be a homopolymer or a copolymer. Conductive copolymers suitable for the novel compositions of the present invention can be from two or more conductive precursor monomers, or from a combination of one or more conductive precursor monomers and one or more non-conductive precursor monomers. Can be manufactured.

ある実施形態においては、導電性ポリマーは、チオフェン類、ピロール類、アニリン類、および多環式芳香族類から選択される少なくとも1つの導電性前駆体モノマーから製造される。用語「多環式芳香族」は、2つ以上の芳香環を有する化合物を意味する。これらの環は、1つ以上の結合によって連結している場合もあるし、互いに縮合している場合もある。用語「芳香環」は、複素環式芳香環を含むことを意図している。「多環式複素環式芳香族」化合物は、少なくとも1つの複素環式芳香環を有する。   In some embodiments, the conductive polymer is made from at least one conductive precursor monomer selected from thiophenes, pyrroles, anilines, and polycyclic aromatics. The term “polycyclic aromatic” means a compound having two or more aromatic rings. These rings may be linked by one or more bonds or may be fused together. The term “aromatic ring” is intended to include heterocyclic aromatic rings. “Polycyclic heteroaromatic” compounds have at least one heterocyclic aromatic ring.

ある実施形態においては、導電性ポリマーは、チオフェン類、セレノフェン類、テルロフェン類、ピロール類、アニリン類、および多環式芳香族類から選択される少なくとも1つの前駆体モノマーから製造される。これらのモノマーから製造されたポリマーは、本明細書において、それぞれ、ポリチオフェン類、ポリ(セレノフェン)類、ポリ(テルロフェン)類、ポリピロール類、ポリアニリン類、および多環式芳香族ポリマー類と呼ぶ。用語「多環式芳香族」は、2つ以上の芳香環を有する化合物を意味する。これらの環は、1つまたは複数の結合によって連結している場合もあるし、互いに縮合している場合もある。用語「芳香環」は、複素環式芳香環を含むことを意図している。「多環式複素環式芳香族」化合物は、少なくとも1つの複素環式芳香環を有する。ある実施形態においては、多環式芳香族ポリマーはポリ(チエノチオフェン)である。   In some embodiments, the conductive polymer is made from at least one precursor monomer selected from thiophenes, selenophenes, tellurophenes, pyrroles, anilines, and polycyclic aromatics. Polymers made from these monomers are referred to herein as polythiophenes, poly (selenophene) s, poly (tellophenes), polypyrroles, polyanilines, and polycyclic aromatic polymers, respectively. The term “polycyclic aromatic” means a compound having two or more aromatic rings. These rings may be linked by one or more bonds or may be fused together. The term “aromatic ring” is intended to include heterocyclic aromatic rings. “Polycyclic heteroaromatic” compounds have at least one heterocyclic aromatic ring. In some embodiments, the polycyclic aromatic polymer is poly (thienothiophene).

ある実施形態においては、新規組成物中の導電性ポリマーを形成するために使用が考慮されるモノマーは、以下の式Iを含み:   In some embodiments, the monomers contemplated for use to form the conductive polymer in the new composition include the following Formula I:

Figure 2011529115
式中:
Qは、S、Se、およびTeからなる群から選択され;
は、それぞれ同じかまたは異なるように独立して選択され、そして、水素、アルキル、アルケニル、アルコキシ、アルカノイル、アルキチオ、アリールオキシ、アルキルチオアルキル、アルキルアリール、アリールアルキル、アミノ、アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、アリール、アルキルスルフィニル、アルコキシアルキル、アルキルスルホニル、アリールチオ、アリールスルフィニル、アルコキシカルボニル、アリールスルホニル、アクリル酸、リン酸、ホスホン酸、ハロゲン、ニトロ、シアノ、ヒドロキシル、エポキシ、シラン、シロキサン、アルコール、ベンジル、カルボキシレート、エーテル、エーテルカルボキシレート、アミドスルホネート、エーテルスルホネート、エステルスルホネート、およびウレタンから選択されるか;あるいは両方のR基が一緒になってアルキレン鎖またはアルケニレン鎖を形成して、3、4、5、6、または7員の芳香環または脂環式環を完成させてもよく、その環は場合により、1つまたは複数の二価の窒素原子、セレン原子、テルル原子、硫黄原子、または酸素原子を含んでもよい。
Figure 2011529115
In the formula:
Q is selected from the group consisting of S, Se, and Te;
Each R 1 is independently selected to be the same or different and is hydrogen, alkyl, alkenyl, alkoxy, alkanoyl, alkthio, aryloxy, alkylthioalkyl, alkylaryl, arylalkyl, amino, alkylamino, dialkylamino , Aryl, alkylsulfinyl, alkoxyalkyl, alkylsulfonyl, arylthio, arylsulfinyl, alkoxycarbonyl, arylsulfonyl, acrylic acid, phosphoric acid, phosphonic acid, halogen, nitro, cyano, hydroxyl, epoxy, silane, siloxane, alcohol, benzyl, Selected from carboxylate, ether, ether carboxylate, amide sulfonate, ether sulfonate, ester sulfonate, and urethane Or both R 1 groups together can form an alkylene chain or alkenylene chain to complete a 3, 4, 5, 6, or 7 membered aromatic or alicyclic ring, The ring may optionally contain one or more divalent nitrogen atoms, selenium atoms, tellurium atoms, sulfur atoms, or oxygen atoms.

本明細書において使用される場合、用語「アルキル」は、脂肪族炭化水素から誘導される基を意味し、非置換の場合も置換されている場合もある線状、分岐、および環状の基を含んでいる。用語「ヘテロアルキル」は、アルキル基中の1つまたは複数の炭素原子が窒素、酸素、硫黄などの別の原子で置き換えられているアルキル基を意味することを意図している。用語「アルキレン」は、2つの結合点を有するアルキル基を意味する。   As used herein, the term “alkyl” refers to a group derived from an aliphatic hydrocarbon and refers to linear, branched, and cyclic groups that may be unsubstituted or substituted. Contains. The term “heteroalkyl” is intended to mean an alkyl group in which one or more carbon atoms in the alkyl group is replaced with another atom such as nitrogen, oxygen, sulfur, and the like. The term “alkylene” refers to an alkyl group having two points of attachment.

本明細書において使用される場合、用語「アルケニル」は、少なくとも1つの炭素−炭素二重結合を有する脂肪族炭化水素から誘導される基を意味し、非置換の場合も置換されている場合もある線状、分岐、および環状の基を含んでいる。用語「ヘテロアルケニル」は、アルケニル基中の1つまたは複数の炭素原子が窒素、酸素、硫黄などの別の原子で置き換えられているアルケニル基を意味することを意図している。用語「アルケニレン」は、2つの結合点を有するアルケニル基を意味する。   As used herein, the term “alkenyl” means a group derived from an aliphatic hydrocarbon having at least one carbon-carbon double bond, whether unsubstituted or substituted. Contains certain linear, branched, and cyclic groups. The term “heteroalkenyl” is intended to mean an alkenyl group in which one or more carbon atoms in the alkenyl group is replaced with another atom such as nitrogen, oxygen, sulfur, and the like. The term “alkenylene” refers to an alkenyl group having two points of attachment.

本明細書において使用される場合、置換基に関する以下の用語は、以下に示す式を意味する:
「アルコール」 −R−OH
「アミド」 −R−C(O)N(R)R
「アミドスルホネート」 −R−C(O)N(R)R−SO
「ベンジル」 −CH−C
「カルボキシレート」 −R−C(O)O−Zまたは−R−O−C(O)−Z
「エーテル」 −R−(O−R−O−R
「エーテルカルボキシレート」 −R−O−R−C(O)O−Zまたは−R−O−R−O−C(O)−Z
「エーテルスルホネート」 −R−O−R−SO
「エステルスルホネート」 −R−O−C(O)−R−SO
「スルホンイミド」 −R−SO−NH−SO−R
「ウレタン」 −R−O−C(O)−N(R
式中、すべての「R」基はそれぞれ同じかまたは異なるものであり:
は単結合またはアルキレン基であり:
はアルキレン基であり
はアルキル基であり
は水素またはアルキル基であり
pは0または1〜20の整数であり
Zは、H、アルカリ金属、アルカリ土類金属、N(R、またはRである。
上記基はいずれも、さらに非置換の場合も置換されている場合もあり、いずれの基も、過フッ素化基などのように、1つまたは複数の水素がFで置換されていてもよい。ある実施形態においては、上記アルキル基およびアルキレン基は1〜20個の炭素原子を有する。
As used herein, the following terms for substituents refer to the formulas shown below:
“Alcohol” —R 3 —OH
“Amido” —R 3 —C (O) N (R 6 ) R 6
“Amidosulfonate” —R 3 —C (O) N (R 6 ) R 4 —SO 3 Z
“Benzyl” —CH 2 —C 6 H 5
“Carboxylate” —R 3 —C (O) OZ or —R 3 —O—C (O) —Z
“Ether” —R 3 — (O—R 5 ) p —O—R 5
“Ether carboxylate” —R 3 —O—R 4 —C (O) OZ or —R 3 —O—R 4 —O—C (O) —Z
“Ether sulfonate” —R 3 —O—R 4 —SO 3 Z
“Estersulfonate” —R 3 —O—C (O) —R 4 —SO 3 Z
“Sulfonimide” —R 3 —SO 2 —NH—SO 2 —R 5
“Urethane” —R 3 —O—C (O) —N (R 6 ) 2
Wherein all “R” groups are the same or different from each other:
R 3 is a single bond or an alkylene group:
R 4 is an alkylene group, R 5 is an alkyl group, R 6 is hydrogen or an alkyl group, p is 0 or an integer of 1 to 20, and Z is H, an alkali metal, an alkaline earth metal, N (R 5 ) 4 or R 5
Any of the above groups may be further substituted or unsubstituted, and any group may have one or more hydrogens replaced with F, such as a perfluorinated group. In certain embodiments, the alkyl and alkylene groups have 1 to 20 carbon atoms.

ある実施形態においては、上記モノマー中、両方のRを合わせたものが−W−(CY−W−を形成し、式中、mは2または3であり、Wは、O、S、Se、PO、NRであり、Yは、出現するごとに同種または異種であり、水素またはフッ素であり、Yは、出現するごとに同種または異種であり、水素、ハロゲン、アルキル、アルコール、アミドスルホネート、ベンジル、カルボキシレート、エーテル、エーテルカルボキシレート、エーテルスルホネート、エステルスルホネート、およびウレタンから選択され、Y基は、部分フッ素化または完全フッ素化されていてよい。ある実施形態においては、すべてのYが水素である。ある実施形態においては、上記ポリマーはポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)である。ある実施形態においては、少なくとも1つのY基が水素ではない。ある実施形態においては、少なくとも1つのY基が、少なくとも1つの水素を置換したFを有する置換基である。ある実施形態においては、少なくとも1つのY基が過フッ素化されている。 In certain embodiments, a combination of both R 1 's in the monomer forms -W- (CY 1 Y 2 ) m -W-, wherein m is 2 or 3, and W is O 1, S, Se, PO, NR 6 , Y 1 is the same or different each time it appears, hydrogen or fluorine, Y 2 is the same or different every time it appears, hydrogen, halogen , Alkyl, alcohol, amidosulfonate, benzyl, carboxylate, ether, ether carboxylate, ether sulfonate, ester sulfonate, and urethane, and the Y group may be partially or fully fluorinated. In some embodiments, all Y are hydrogen. In certain embodiments, the polymer is poly (3,4-ethylenedioxythiophene). In some embodiments, at least one Y group is not hydrogen. In certain embodiments, at least one Y group is a substituent having F substituted with at least one hydrogen. In some embodiments, at least one Y group is perfluorinated.

ある実施形態においては、上記モノマーは式I(a)を含む。   In certain embodiments, the monomer comprises Formula I (a).

Figure 2011529115
式中:
Qは、S、Se、およびTeからなる群から選択され;
は、それぞれ同じかまたは異なるものであり、水素、アルキル、ヘテロアルキル、アルケニル、ヘテロアルケニル、アルコール、アミドスルホネート、ベンジル、カルボキシレート、エーテル、エーテルカルボキシレート、エーテルスルホネート、エステルスルホネート、およびウレタンから選択され、但し、少なくとも1つのRが水素ではなく、
mは2または3である。
Figure 2011529115
In the formula:
Q is selected from the group consisting of S, Se, and Te;
R 7 is the same or different and is from hydrogen, alkyl, heteroalkyl, alkenyl, heteroalkenyl, alcohol, amide sulfonate, benzyl, carboxylate, ether, ether carboxylate, ether sulfonate, ester sulfonate, and urethane. Selected, provided that at least one R 7 is not hydrogen,
m is 2 or 3.

式I(a)のある実施形態においては、mが2であり、1つのRが、5個を超える炭素原子のアルキル基であり、他のすべてのRが水素である。式I(a)のある実施形態においては、少なくとも1つのR基がフッ素化されている。ある実施形態においては、少なくとも1つのR基が、少なくとも1つのフッ素置換基を有する。ある実施形態においては、そのR基が完全フッ素化されている。 In certain embodiments of Formula I (a), m is 2, one R 7 is an alkyl group of greater than 5 carbon atoms, and all other R 7 are hydrogen. In some embodiments of Formula I (a), at least one R 7 group is fluorinated. In certain embodiments, at least one R 7 group has at least one fluorine substituent. In certain embodiments, the R 7 group is fully fluorinated.

式I(a)のある実施形態においては、モノマー上の縮合脂環式環上のR置換基によって、モノマーの水に対する溶解性が改善され、フッ素化酸ポリマーの存在下での重合が促進される。 In certain embodiments of Formula I (a), the R 7 substituent on the fused alicyclic ring on the monomer improves the solubility of the monomer in water and promotes polymerization in the presence of a fluorinated acid polymer. Is done.

式I(a)のある実施形態においては、mが2であり、1つのRが、スルホン酸−プロピレン−エーテル−メチレンであり、他のすべてのRが水素である。ある実施形態においては、mが2であり、1つのRが、プロピル−エーテル−エチレンであり、他のすべてのRが水素である。ある実施形態においては、mが2であり、1つのRがメトキシであり、他のすべてのRが水素である。ある実施形態においては、1つのRが、スルホン酸ジフルオロメチレンエステルメチレン(−CH−O−C(O)−CF−SOH)であり、他のすべてのRが水素である。 In certain embodiments of Formula I (a), m is 2, one R 7 is sulfonic acid-propylene-ether-methylene, and all other R 7 are hydrogen. In certain embodiments, m is 2, one R 7 is propyl-ether-ethylene, and all other R 7 are hydrogen. In certain embodiments, m is 2, one R 7 is methoxy, and all other R 7 are hydrogen. In certain embodiments, one R 7 is sulfonic acid difluoromethylene ester methylene (—CH 2 —O—C (O) —CF 2 —SO 3 H), and all other R 7 are hydrogen. .

ある実施形態においては、新規組成物中の導電性ポリマーを形成するために使用が考慮されるピロールモノマーは以下の式IIを含む。   In certain embodiments, the pyrrole monomer contemplated for use to form the conductive polymer in the novel composition comprises the following Formula II:

Figure 2011529115
式IIにおいて:
は、それぞれ同じかまたは異なるように独立して選択され、そして、水素、アルキル、アルケニル、アルコキシ、アルカノイル、アルキチオ、アリールオキシ、アルキルチオアルキル、アルキルアリール、アリールアルキル、アミノ、アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、アリール、アルキルスルフィニル、アルコキシアルキル、アルキルスルホニル、アリールチオ、アリールスルフィニル、アルコキシカルボニル、アリールスルホニル、アクリル酸、リン酸、ホスホン酸、ハロゲン、ニトロ、シアノ、ヒドロキシル、エポキシ、シラン、シロキサン、アルコール、ベンジル、カルボキシレート、エーテル、アミドスルホネート、エーテルカルボキシレート、エーテルスルホネート、エステルスルホネート、およびウレタンから選択されるか;あるいは両方のR基が一緒になってアルキレン鎖またはアルケニレン鎖を形成して、3、4、5、6、または7員の芳香環または脂環式環を完成させてもよく、その環は場合により、1つまたは複数の二価の窒素原子、硫黄原子、セレン原子、テルル原子、または酸素原子を含んでもよく;
は、それぞれ同じかまたは異なるように独立して選択され、そして、水素、アルキル、アルケニル、アリール、アルカノイル、アルキルチオアルキル、アルキルアリール、アリールアルキル、アミノ、エポキシ、シラン、シロキサン、アルコール、ベンジル、カルボキシレート、エーテル、エーテルカルボキシレート、エーテルスルホネート、エステルスルホネート、およびウレタンから選択される。
Figure 2011529115
In Formula II:
Each R 1 is independently selected to be the same or different and is hydrogen, alkyl, alkenyl, alkoxy, alkanoyl, alkthio, aryloxy, alkylthioalkyl, alkylaryl, arylalkyl, amino, alkylamino, dialkylamino , Aryl, alkylsulfinyl, alkoxyalkyl, alkylsulfonyl, arylthio, arylsulfinyl, alkoxycarbonyl, arylsulfonyl, acrylic acid, phosphoric acid, phosphonic acid, halogen, nitro, cyano, hydroxyl, epoxy, silane, siloxane, alcohol, benzyl, Selected from carboxylate, ether, amide sulfonate, ether carboxylate, ether sulfonate, ester sulfonate, and urethane Or both R 1 groups together can form an alkylene chain or alkenylene chain to complete a 3, 4, 5, 6, or 7 membered aromatic or alicyclic ring, The ring may optionally contain one or more divalent nitrogen, sulfur, selenium, tellurium, or oxygen atoms;
R 2 is independently selected to be the same or different and is hydrogen, alkyl, alkenyl, aryl, alkanoyl, alkylthioalkyl, alkylaryl, arylalkyl, amino, epoxy, silane, siloxane, alcohol, benzyl, Selected from carboxylates, ethers, ether carboxylates, ether sulfonates, ester sulfonates, and urethanes.

ある実施形態においては、Rは、それぞれ同じかまたは異なるものであり、水素、アルキル、アルケニル、アルコキシ、シクロアルキル、シクロアルケニル、アルコール、ベンジル、カルボキシレート、エーテル、アミドスルホネート、エーテルカルボキシレート、エーテルスルホネート、エステルスルホネート、ウレタン、エポキシ、シラン、シロキサン、ならびに、1つまたは複数のスルホン酸、カルボン酸、アクリル酸、リン酸、ホスホン酸、ハロゲン、ニトロ、シアノ、ヒドロキシル、エポキシ、シラン、またはシロキサン部分で置換されたアルキルから独立して選択される。 In certain embodiments, each R 1 is the same or different and is hydrogen, alkyl, alkenyl, alkoxy, cycloalkyl, cycloalkenyl, alcohol, benzyl, carboxylate, ether, amide sulfonate, ether carboxylate, ether. Sulfonate, ester sulfonate, urethane, epoxy, silane, siloxane, and one or more sulfonic acid, carboxylic acid, acrylic acid, phosphoric acid, phosphonic acid, halogen, nitro, cyano, hydroxyl, epoxy, silane, or siloxane moieties Independently selected from alkyl substituted with

ある実施形態においては、Rは、水素、アルキル、ならびに、1つまたは複数のスルホン酸、カルボン酸、アクリル酸、リン酸、ホスホン酸、ハロゲン、シアノ、ヒドロキシル、エポキシ、シラン、またはシロキサン部分で置換されたアルキルから選択される。 In certain embodiments, R 2 is hydrogen, alkyl, and one or more sulfonic acid, carboxylic acid, acrylic acid, phosphoric acid, phosphonic acid, halogen, cyano, hydroxyl, epoxy, silane, or siloxane moieties. Selected from substituted alkyl.

一実施形態においては、上記ピロールモノマーは置換されておらず、RおよびRの両方が水素である。 In one embodiment, the pyrrole monomer is unsubstituted and both R 1 and R 2 are hydrogen.

ある実施形態においては、両方のRが一緒になって、アルキル、ヘテロアルキル、アルコール、ベンジル、カルボキシレート、エーテル、エーテルカルボキシレート、エーテルスルホネート、エステルスルホネート、およびウレタンから選択される基でさらに置換された6員または7員の脂環式環を形成する。これらの基は、モノマーおよび結果として得られるポリマーの溶解性を改善することができる。ある実施形態においては、両方のRが一緒になって、アルキル基でさらに置換された6員または7員の脂環式環を形成する。ある実施形態においては、両方のRが一緒になって、少なくとも1つの炭素原子を有するアルキル基でさらに置換された6員または7員の脂環式環を形成する。 In certain embodiments, both R 1 together are further substituted with a group selected from alkyl, heteroalkyl, alcohol, benzyl, carboxylate, ether, ether carboxylate, ether sulfonate, ester sulfonate, and urethane. Forming a 6-membered or 7-membered alicyclic ring. These groups can improve the solubility of the monomer and the resulting polymer. In certain embodiments, both R 1 together form a 6- or 7-membered alicyclic ring, which is further substituted with an alkyl group. In certain embodiments, both R 1 together form a 6- or 7-membered alicyclic ring, which is further substituted with an alkyl group having at least one carbon atom.

ある実施形態においては、両方のRが一緒になって−O−(CHY)−O−を形成し、式中、mは2または3であり、Yは、それぞれ同じかまたは異なるものであり、水素、アルキル、アルコール、ベンジル、カルボキシレート、アミドスルホネート、エーテル、エーテルカルボキシレート、エーテルスルホネート、エステルスルホネート、およびウレタンから選択される。ある実施形態においては、少なくとも1つのY基が水素ではない。ある実施形態においては、少なくとも1つのY基が、少なくとも1つの水素がFで置換された置換基である。ある実施形態においては、少なくとも1つのY基が過フッ素化されている。 In certain embodiments, both R 1 together form —O— (CHY) m —O—, wherein m is 2 or 3, and Y is the same or different, respectively. Yes, selected from hydrogen, alkyl, alcohol, benzyl, carboxylate, amidosulfonate, ether, ether carboxylate, ether sulfonate, ester sulfonate, and urethane. In some embodiments, at least one Y group is not hydrogen. In some embodiments, at least one Y group is a substituent in which at least one hydrogen is replaced with F. In some embodiments, at least one Y group is perfluorinated.

ある実施形態においては、新規組成物中の導電性ポリマーを形成するために使用が考慮されるアニリンモノマーは以下の式IIIを含む。   In certain embodiments, the aniline monomer contemplated for use to form the conductive polymer in the novel composition comprises the following Formula III:

Figure 2011529115
式中:
aは0または1〜4の整数であり;
bは1〜5の整数であり、但しa+b=5であり;
は、それぞれ同じかまたは異なるように独立して選択され、そして、水素、アルキル、アルケニル、アルコキシ、アルカノイル、アルキチオ、アリールオキシ、アルキルチオアルキル、アルキルアリール、アリールアルキル、アミノ、アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、アリール、アルキルスルフィニル、アルコキシアルキル、アルキルスルホニル、アリールチオ、アリールスルフィニル、アルコキシカルボニル、アリールスルホニル、アクリル酸、リン酸、ホスホン酸、ハロゲン、ニトロ、シアノ、ヒドロキシル、エポキシ、シラン、シロキサン、アルコール、ベンジル、カルボキシレート、エーテル、エーテルカルボキシレート、アミドスルホネート、エーテルスルホネート、エステルスルホネート、およびウレタンから選択されるか;あるいは両方のR基が一緒になってアルキレン鎖またはアルケニレン鎖を形成して、3、4、5、6、または7員の芳香環または脂環式環を完成させてもよく、その環は場合により、1つまたは複数の二価の窒素原子、硫黄原子、または酸素原子を含んでもよい。
Figure 2011529115
In the formula:
a is 0 or an integer of 1 to 4;
b is an integer from 1 to 5, provided that a + b = 5;
Each R 1 is independently selected to be the same or different and is hydrogen, alkyl, alkenyl, alkoxy, alkanoyl, alkthio, aryloxy, alkylthioalkyl, alkylaryl, arylalkyl, amino, alkylamino, dialkylamino , Aryl, alkylsulfinyl, alkoxyalkyl, alkylsulfonyl, arylthio, arylsulfinyl, alkoxycarbonyl, arylsulfonyl, acrylic acid, phosphoric acid, phosphonic acid, halogen, nitro, cyano, hydroxyl, epoxy, silane, siloxane, alcohol, benzyl, Selected from carboxylate, ether, ether carboxylate, amide sulfonate, ether sulfonate, ester sulfonate, and urethane Or both R 1 groups together can form an alkylene chain or alkenylene chain to complete a 3, 4, 5, 6, or 7 membered aromatic or alicyclic ring, The ring may optionally contain one or more divalent nitrogen, sulfur, or oxygen atoms.

重合すると、このアニリンモノマー単位は、以下に示す式IV(a)または式IV(b)、あるいは両方の式の組み合わせを有することができる。   Upon polymerization, the aniline monomer unit may have the formula IV (a) or formula IV (b) shown below, or a combination of both formulas.

Figure 2011529115
(上式中、a、b、およびRは前出の定義の通りである)
Figure 2011529115
(Wherein a, b, and R 1 are as defined above)

ある実施形態においては、アニリンモノマーは非置換であり、a=0である。   In some embodiments, the aniline monomer is unsubstituted and a = 0.

ある実施形態においては、aは0ではなく、少なくとも1つのRがフッ素化されている。ある実施形態においては、少なくとも1つのRが過フッ素化されている。 In some embodiments, a is not 0 and at least one R 1 is fluorinated. In some embodiments, at least one R 1 is perfluorinated.

ある実施形態においては、新規組成物中の導電性ポリマーを形成するために使用が考慮される縮合多環式複素環式芳香族モノマーは、2つ以上の縮合芳香環を有し、その環の少なくとも1つが複素環式芳香族である。ある実施形態においては、この縮合多環式複素環式芳香族モノマーは式Vを有し:   In some embodiments, the fused polycyclic heteroaromatic monomer contemplated for use to form the conductive polymer in the novel composition has two or more fused aromatic rings, At least one is a heterocyclic aromatic. In some embodiments, the fused polycyclic heteroaromatic monomer has the formula V:

Figure 2011529115
式中:
Qは、S、Se、Te、またはNRであり;
は、水素またはアルキルであり;
、R、R10、およびR11は、それぞれ同じかまたは異なるように独立して選択され、そして、水素、アルキル、アルケニル、アルコキシ、アルカノイル、アルキチオ、アリールオキシ、アルキルチオアルキル、アルキルアリール、アリールアルキル、アミノ、アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、アリール、アルキルスルフィニル、アルコキシアルキル、アルキルスルホニル、アリールチオ、アリールスルフィニル、アルコキシカルボニル、アリールスルホニル、アクリル酸、リン酸、ホスホン酸、ハロゲン、ニトロ、ニトリル、シアノ、ヒドロキシル、エポキシ、シラン、シロキサン、アルコール、ベンジル、カルボキシレート、エーテル、エーテルカルボキシレート、アミドスルホネート、エーテルスルホネート、エステルスルホネート、およびウレタンから選択され;
とR、RとR10、およびR10とR11、のうち少なくとも1つがアルケニレン鎖を形成して5または6員の芳香環を完成させ、その環は、場合により1つまたは複数の二価の窒素原子、硫黄原子、セレン原子、テルル原子、または酸素原子を含むことができる。
Figure 2011529115
In the formula:
Q is S, Se, Te, or NR 6 ;
R 6 is hydrogen or alkyl;
R 8 , R 9 , R 10 , and R 11 are each independently selected to be the same or different and are hydrogen, alkyl, alkenyl, alkoxy, alkanoyl, alkthio, aryloxy, alkylthioalkyl, alkylaryl, Arylalkyl, amino, alkylamino, dialkylamino, aryl, alkylsulfinyl, alkoxyalkyl, alkylsulfonyl, arylthio, arylsulfinyl, alkoxycarbonyl, arylsulfonyl, acrylic acid, phosphoric acid, phosphonic acid, halogen, nitro, nitrile, cyano, Hydroxyl, epoxy, silane, siloxane, alcohol, benzyl, carboxylate, ether, ether carboxylate, amide sulfonate, ether sulfonate, ester Selected from sulfonate and urethane;
At least one of R 8 and R 9 , R 9 and R 10 , and R 10 and R 11 forms an alkenylene chain to complete a 5- or 6-membered aromatic ring, optionally one or A plurality of divalent nitrogen atoms, sulfur atoms, selenium atoms, tellurium atoms, or oxygen atoms can be contained.

ある実施形態においては、縮合多環式複素環式芳香族モノマーは、式V(a)、V(b)、V(c)、V(d)、V(e)、V(f)、V(g)、V(h)、V(i)、V(j)、およびV(k):   In some embodiments, the fused polycyclic heteroaromatic monomer has the formula V (a), V (b), V (c), V (d), V (e), V (f), V (G), V (h), V (i), V (j), and V (k):

Figure 2011529115
Figure 2011529115

Figure 2011529115
からなる群から選択される式を有する。
式中:
Qは、S、Se、Te、またはNHであり;
Tは、それぞれ同じかまたは異なるものであり、S、NR、O、SiR 、Se、Te、およびPRから選択され;
YはNであり;
は、水素またはアルキルである。
Figure 2011529115
Having a formula selected from the group consisting of
In the formula:
Q is S, Se, Te, or NH;
Each T is the same or different and is selected from S, NR 6 , O, SiR 6 2 , Se, Te, and PR 6 ;
Y is N;
R 6 is hydrogen or alkyl.

上記縮合多環式複素環式芳香族モノマーは、アルキル、ヘテロアルキル、アルコール、ベンジル、カルボキシレート、エーテル、エーテルカルボキシレート、エーテルスルホネート、エステルスルホネート、およびウレタンから選択される基でさらに置換されていてもよい。ある実施形態においては、これらの置換基がフッ素化されている。ある実施形態においては、これらの置換基が完全フッ素化されている。   The fused polycyclic heteroaromatic monomer is further substituted with a group selected from alkyl, heteroalkyl, alcohol, benzyl, carboxylate, ether, ether carboxylate, ether sulfonate, ester sulfonate, and urethane. Also good. In some embodiments, these substituents are fluorinated. In some embodiments, these substituents are fully fluorinated.

ある実施形態においては、上記縮合多環式複素環式芳香族モノマーはチエノ(チオフェン)である。このような化合物は、たとえば、Macromolecules,34,5746−5747(2001);およびMacromolecules,35,7281−7284(2002)において議論されている。ある実施形態においては、このチエノ(チオフェン)は、チエノ(2,3−b)チオフェン、チエノ(3,2−b)チオフェン、およびチエノ(3,4−b)チオフェンから選択される。ある実施形態においては、チエノ(チオフェン)モノマーは、アルキル、ヘテロアルキル、アルコール、ベンジル、カルボキシレート、エーテル、エーテルカルボキシレート、エーテルスルホネート、エステルスルホネート、およびウレタンから選択される少なくとも1つの基でさらに置換されている。ある実施形態においては、これらの置換基がフッ素化されている。ある実施形態においては、これらの置換基が完全フッ素化されている。   In some embodiments, the fused polycyclic heteroaromatic monomer is thieno (thiophene). Such compounds are discussed, for example, in Macromolecules, 34, 5746-5747 (2001); and Macromolecules, 35, 7281-7284 (2002). In some embodiments, the thieno (thiophene) is selected from thieno (2,3-b) thiophene, thieno (3,2-b) thiophene, and thieno (3,4-b) thiophene. In some embodiments, the thieno (thiophene) monomer is further substituted with at least one group selected from alkyl, heteroalkyl, alcohol, benzyl, carboxylate, ether, ether carboxylate, ether sulfonate, ester sulfonate, and urethane. Has been. In some embodiments, these substituents are fluorinated. In some embodiments, these substituents are fully fluorinated.

ある実施形態においては、新規組成物中のポリマーを形成するために使用が考慮される多環式複素環式芳香族モノマーは式VIを含み:   In certain embodiments, the polycyclic heteroaromatic monomer contemplated for use to form the polymer in the novel composition comprises Formula VI:

Figure 2011529115
式中:
Qは、S、Se、Te、またはNRであり;
Tは、S、NR、O、SiR 、Se、Te、およびPRから選択され;
Eは、アルケニレン、アリーレン、およびヘテロアリーレンから選択され;
R6は、水素またはアルキルであり;
12は、それぞれ同じかまたは異なるものであり、水素、アルキル、アルケニル、アルコキシ、アルカノイル、アルキチオ、アリールオキシ、アルキルチオアルキル、アルキルアリール、アリールアルキル、アミノ、アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、アリール、アルキルスルフィニル、アルコキシアルキル、アルキルスルホニル、アリールチオ、アリールスルフィニル、アルコキシカルボニル、アリールスルホニル、アクリル酸、リン酸、ホスホン酸、ハロゲン、ニトロ、ニトリル、シアノ、ヒドロキシル、エポキシ、シラン、シロキサン、アルコール、ベンジル、カルボキシレート、エーテル、エーテルカルボキシレート、アミドスルホネート、エーテルスルホネート、エステルスルホネート、およびウレタンから選択されるか;あるいは両方のR12基が一緒になってアルキレン鎖またはアルケニレン鎖を形成して、3、4、5、6、または7員の芳香環または脂環式環を完成させてもよく、その環は場合により1つまたは複数の二価の窒素原子、硫黄原子、セレン原子、テルル原子、または酸素原子を含んでもよい。
Figure 2011529115
In the formula:
Q is S, Se, Te, or NR 6 ;
T is selected from S, NR 6 , O, SiR 6 2 , Se, Te, and PR 6 ;
E is selected from alkenylene, arylene, and heteroarylene;
R6 is hydrogen or alkyl;
Each R 12 is the same or different and is hydrogen, alkyl, alkenyl, alkoxy, alkanoyl, alkthio, aryloxy, alkylthioalkyl, alkylaryl, arylalkyl, amino, alkylamino, dialkylamino, aryl, alkylsulfinyl, Alkoxyalkyl, alkylsulfonyl, arylthio, arylsulfinyl, alkoxycarbonyl, arylsulfonyl, acrylic acid, phosphoric acid, phosphonic acid, halogen, nitro, nitrile, cyano, hydroxyl, epoxy, silane, siloxane, alcohol, benzyl, carboxylate, ether , Ether carboxylate, amide sulfonate, ether sulfonate, ester sulfonate, and urethane; Alternatively, both R 12 groups may together form an alkylene chain or alkenylene chain to complete a 3, 4, 5, 6 or 7 membered aromatic or alicyclic ring. May optionally contain one or more divalent nitrogen, sulfur, selenium, tellurium or oxygen atoms.

ある実施形態においては、本発明の導電性ポリマーは、前駆体モノマーと少なくとも1つの第2のモノマーとのコポリマーである。コポリマーに望まれる性質に悪影響を及ぼさないのであれば、あらゆる種類の第2のモノマーを使用することができる。ある実施形態においては、第2のモノマーが、モノマー単位の総数を基準にしてポリマーの50%以下を構成する。ある実施形態においては、第2のモノマーが、モノマー単位の総数を基準にして30%以下を構成する。ある実施形態においては、第2のモノマーが、モノマー単位の総数を基準にして10%以下を構成する。   In some embodiments, the conductive polymer of the present invention is a copolymer of a precursor monomer and at least one second monomer. Any type of second monomer can be used provided it does not adversely affect the properties desired for the copolymer. In some embodiments, the second monomer comprises 50% or less of the polymer based on the total number of monomer units. In some embodiments, the second monomer comprises no more than 30% based on the total number of monomer units. In some embodiments, the second monomer comprises 10% or less based on the total number of monomer units.

第2のモノマーの代表的な種類としては、アルケニル、アルキニル、アリーレン、およびヘテロアリーレンが挙げられるが、これらに限定されるものではない。第2のモノマーの例としては、限定するものではないが、フルオレン、オキサジアゾール、チアジアゾール、ベンゾチアジアゾール、フェニレンビニレン、フェニレンエチニレン、ピリジン、ジアジン類、およびトリアジン類が挙げられ、これらすべてがさらに置換されていてもよい。   Representative types of the second monomer include, but are not limited to, alkenyl, alkynyl, arylene, and heteroarylene. Examples of the second monomer include, but are not limited to, fluorene, oxadiazole, thiadiazole, benzothiadiazole, phenylene vinylene, phenylene ethynylene, pyridine, diazines, and triazines, all of which are further May be substituted.

ある実施形態においては、本発明のコポリマーは、最初に構造A−B−Cを有する中間前駆体モノマーを形成することによって製造され、式中、AおよびCは、同じかまたは異なっていてもよい前駆体モノマーを表し、Bは第2のモノマーを表す。このA−B−C中間前駆体モノマーは、ヤマモト(Yamamoto)、スティル(Stille)、グリニャール(Grignard)メタセシス、スズキ(Suzuki)、およびネギシ(Negishi)カップリングなどの標準的な合成有機技術を使用して調製することができる。次に、この中間前駆体モノマー単独で酸化重合させる、または1つまたは複数の別の前駆体モノマーとともに酸化重合させることによって、本発明のコポリマーが形成される。   In some embodiments, the copolymers of the present invention are made by first forming an intermediate precursor monomer having the structure A—B—C, where A and C may be the same or different. Represents a precursor monomer, and B represents a second monomer. This ABC intermediate precursor monomer uses standard synthetic organic techniques such as Yamamoto, Stille, Grignard metathesis, Suzuki, and Negishi couplings. Can be prepared. The copolymer of the present invention is then formed by oxidative polymerization of this intermediate precursor monomer alone or with one or more other precursor monomers.

ある実施形態においては、導電性ポリマーは、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリマー縮合多環式複素環式芳香族、それらのコポリマー、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される。   In some embodiments, the conductive polymer is selected from the group consisting of polythiophene, polypyrrole, polymer fused polycyclic heteroaromatics, copolymers thereof, and combinations thereof.

ある実施形態においては、導電性ポリマーは、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)、非置換ポリピロール、ポリ(チエノ(2,3−b)チオフェン)、ポリ(チエノ(3,2−b)チオフェン)、およびポリ(チエノ(3,4−b)チオフェン)からなる群から選択される。   In some embodiments, the conductive polymer is poly (3,4-ethylenedioxythiophene), unsubstituted polypyrrole, poly (thieno (2,3-b) thiophene), poly (thieno (3,2-b). Thiophene), and poly (thieno (3,4-b) thiophene).

3.高フッ素化酸ポリマー
高フッ素化酸ポリマー(「HFAP」)は、高フッ素化されており、酸性プロトンを有する酸性基を有するあらゆるポリマーであってよい。酸性基は、イオン化可能なプロトンを提供する。ある実施形態においては、酸性プロトンは3未満のpKaを有する。ある実施形態においては、酸性プロトンは0未満のpKaを有する。ある実施形態においては、酸性プロトンは−5未満のpKaを有する。酸性基は、ポリマー主鎖に直接結合していてもよいし、ポリマー主鎖上の側鎖に結合していてもよい。酸性基の例としては、カルボン酸基、スルホン酸基、スルホンイミド基、リン酸基、ホスホン酸基、およびそれらの組み合わせが挙げられるが、これらに限定されるものではない。酸性基はすべてが同じものである場合もあるし、ポリマーが2種類以上の酸性基を有することもできる。ある実施形態においては、酸性基は、スルホン酸基、スルホンアミド基、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される。
3. Highly fluorinated acid polymer The highly fluorinated acid polymer ("HFAP") may be any polymer that is highly fluorinated and has acidic groups with acidic protons. The acidic group provides an ionizable proton. In some embodiments, the acidic proton has a pKa of less than 3. In some embodiments, the acidic proton has a pKa of less than zero. In some embodiments, the acidic proton has a pKa of less than −5. The acidic group may be directly bonded to the polymer main chain, or may be bonded to a side chain on the polymer main chain. Examples of acidic groups include, but are not limited to, carboxylic acid groups, sulfonic acid groups, sulfonimide groups, phosphoric acid groups, phosphonic acid groups, and combinations thereof. The acidic groups may all be the same, or the polymer may have two or more types of acidic groups. In some embodiments, the acidic group is selected from the group consisting of a sulfonic acid group, a sulfonamide group, and combinations thereof.

ある実施形態においては、HFAPは少なくとも95%がフッ素化されており;ある実施形態においては、完全フッ素化されている。   In some embodiments, HFAP is at least 95% fluorinated; in some embodiments, fully fluorinated.

ある実施形態においては、HFAPは水溶性である。ある実施形態においては、HFAPは水に対して分散性である。ある実施形態においては、HFAPは有機溶媒に対してぬれ性である。用語「有機溶媒に対してぬれ性」は、フィルムに成形した場合に、有機溶媒と60℃以下の接触角を有する材料を意味する。ある実施形態においては、ぬれ性材料は、55°以下の接触角でフェニルヘキサンによってぬれ性となるフィルムを形成する。接触角の測定方法は周知である。ある実施形態においては、ぬれ性材料は、それ自体は非ぬれ性であるポリマー酸から製造することができ、選択的添加剤を使用することでぬれ性にすることができる。   In some embodiments, the HFAP is water soluble. In some embodiments, HFAP is dispersible in water. In some embodiments, HFAP is wettable with organic solvents. The term “wetability with respect to an organic solvent” means a material having a contact angle with an organic solvent of 60 ° C. or less when formed into a film. In some embodiments, the wettable material forms a film that becomes wettable with phenylhexane at a contact angle of 55 ° or less. The method for measuring the contact angle is well known. In some embodiments, the wettable material can be made from a polymeric acid that is itself non-wetting and can be made wettable by using a selective additive.

好適なポリマー主鎖の例としては、限定するものではないが、ポリオレフィン類、ポリアクリレート類、ポリメタクリレート類、ポリイミド類、ポリアミド類、ポリアラミド類、ポリアクリルアミド類、ポリスチレン類、およびそれらのコポリマーが挙げられ、これらのすべてが高フッ素化されており;ある実施形態においては、完全フッ素化されている。   Examples of suitable polymer backbones include, but are not limited to, polyolefins, polyacrylates, polymethacrylates, polyimides, polyamides, polyaramids, polyacrylamides, polystyrenes, and copolymers thereof. All of these are highly fluorinated; in some embodiments, fully fluorinated.

一実施形態においては、酸性基は、スルホン酸基またはスルホンイミド基である。スルホンイミド基は次式を有し:
−SO−NH−SO−R
式中、Rはアルキル基である。
In one embodiment, the acidic group is a sulfonic acid group or a sulfonimide group. The sulfonimide group has the following formula:
—SO 2 —NH—SO 2 —R
In the formula, R is an alkyl group.

一実施形態においては、酸性基はフッ素化側鎖上にある。一実施形態においては、フッ素化側鎖は、アルキル基、アルコキシ基、アミド基、エーテル基、およびそれらの組み合わせから選択され、それらすべては完全フッ素化される。   In one embodiment, the acidic group is on the fluorinated side chain. In one embodiment, the fluorinated side chains are selected from alkyl groups, alkoxy groups, amide groups, ether groups, and combinations thereof, all of which are fully fluorinated.

一実施形態においては、HFAPは、高フッ素化オレフィン主鎖を有し、高フッ素化アルキルスルホネート基、高フッ素化エーテルスルホネート基、高フッ素化エステルスルホネート基、または高フッ素化エーテルスルホンイミド基のペンダント基を有する。一実施形態においては、HFAPは、パーフルオロ−エーテル−スルホン酸側鎖を有するパーフルオロオレフィンである。一実施形態においては、このポリマーは、1,1−ジフルオロエチレンと2−(1,1−ジフルオロ−2−(トリフルオロメチル)アリルオキシ)−1,1,2,2−テトラフルオロエタンスルホン酸とのコポリマーである。一実施形態においては、このポリマーは、エチレンと、2−(2−(1,2,2−トリフルオロビニルオキシ)−1,1,2,3,3,3−ヘキサフルオロプロポキシ)−1,1,2,2−テトラフルオロエタンスルホン酸とのコポリマーである。これらのコポリマーは、対応するフッ化スルホニルポリマーとして製造することができ、後にスルホン酸形態に変換することができる。   In one embodiment, the HFAP has a highly fluorinated olefin backbone and is a pendant of a highly fluorinated alkyl sulfonate group, a highly fluorinated ether sulfonate group, a highly fluorinated ester sulfonate group, or a highly fluorinated ether sulfonimide group. Has a group. In one embodiment, HFAP is a perfluoroolefin having a perfluoro-ether-sulfonic acid side chain. In one embodiment, the polymer comprises 1,1-difluoroethylene and 2- (1,1-difluoro-2- (trifluoromethyl) allyloxy) -1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonic acid and Copolymer. In one embodiment, the polymer is ethylene and 2- (2- (1,2,2-trifluorovinyloxy) -1,1,2,3,3,3-hexafluoropropoxy) -1, It is a copolymer with 1,2,2-tetrafluoroethanesulfonic acid. These copolymers can be made as the corresponding sulfonyl fluoride polymers and can be later converted to the sulfonic acid form.

一実施形態においては、本発明のHFAPは、フッ素化および部分フッ素化ポリ(アリーレンエーテルスルホン)のホモポリマーまたはコポリマーである。このコポリマーはブロックコポリマーであってよい。   In one embodiment, the HFAP of the present invention is a homopolymer or copolymer of fluorinated and partially fluorinated poly (arylene ether sulfone). This copolymer may be a block copolymer.

一実施形態においては、本発明のHFAPは、式IXを有するスルホンイミドポリマーであり:   In one embodiment, the HFAP of the present invention is a sulfonimide polymer having the formula IX:

Figure 2011529115
式中:
は、高フッ素化アルキレン、高フッ素化ヘテロアルキレン、高フッ素化アリーレン、および高フッ素化ヘテロアリーレンから選択され、1つ以上のエーテル酸素で置換されていてもよく;
nは少なくとも4である。
Figure 2011529115
In the formula:
R f is selected from highly fluorinated alkylene, highly fluorinated heteroalkylene, highly fluorinated arylene, and highly fluorinated heteroarylene, and may be substituted with one or more ether oxygens;
n is at least 4.

式IXの一実施形態においては、Rはパーフルオロアルキル基である。一実施形態においては、Rはパーフルオロブチル基である。一実施形態においては、Rはエーテル酸素を含有する。一実施形態においては、nは10を超える。 In one embodiment of Formula IX, R f is a perfluoroalkyl group. In one embodiment, R f is a perfluorobutyl group. In one embodiment, R f contains ether oxygen. In one embodiment, n is greater than 10.

一実施形態においては、本発明のHFAPは、高フッ素化ポリマー主鎖および式Xを有する側鎖を含み:   In one embodiment, the HFAP of the present invention comprises a highly fluorinated polymer backbone and a side chain having the formula X:

Figure 2011529115
式中:
15は、高フッ素化アルキレン基または高フッ素化ヘテロアルキレン基であり;
16は、高フッ素化アルキル基または高フッ素化アリール基であり;
aは0または1〜4の整数である。
Figure 2011529115
In the formula:
R 15 is a highly fluorinated alkylene group or a highly fluorinated heteroalkylene group;
R 16 is a highly fluorinated alkyl group or a highly fluorinated aryl group;
a is 0 or an integer of 1-4.

一実施形態においては、本発明のHFAPは式XIを有し:   In one embodiment, the HFAP of the present invention has the formula XI:

Figure 2011529115
式中:
16は、高フッ素化アルキル基または高フッ素化アリール基であり;
cは独立して0または1〜3の整数であり;
nは少なくとも4である。
Figure 2011529115
In the formula:
R 16 is a highly fluorinated alkyl group or a highly fluorinated aryl group;
c is independently an integer of 0 or 1-3;
n is at least 4.

HFAPの合成は、たとえば、Feiringら,J.Fluorine Chemistry 2000,105,129−135;Feiringら,Macromolecules 2000,33,9262−9271;Desmarteau),J.Fluorine Chem.1995,72,203−208;Applebyら,J.Electrochem.Soc.1993,140(1),109−111;およびDesmarteauの米国特許第5,463,005号明細書に記載されている。   The synthesis of HFAP is described, for example, in Feiring et al. Fluorine Chemistry 2000, 105, 129-135; Feiring et al., Macromolecules 2000, 33, 9262-9271; Desmarteau, J. et al. Fluorine Chem. 1995, 72, 203-208; Appleby et al., J. Biol. Electrochem. Soc. 1993, 140 (1), 109-111; and Desmarteau US Pat. No. 5,463,005.

一実施形態においては、HFAPは、少なくとも1種類の高フッ素化エチレン系不飽和化合物から誘導される繰り返し単位も含む。パーフルオロオレフィンは2〜20個の炭素原子を含む。代表的なパーフルオロオレフィンとしては、テトラフルオロエチレン、ヘキサフルオロプロピレン、パーフルオロ−(2,2−ジメチル−1,3−ジオキソール)、パーフルオロ−(2−メチレン−4−メチル−1,3−ジオキソラン)、CF=CFO(CFCF=CF(式中、tは1または2である)、およびR’’OCF=CF(式中R’’は1〜約10個の炭素原子の飽和パーフルオロアルキル基である)が挙げられるが、これらに限定されるものではない。一実施形態においては、コモノマーはテトラフルオロエチレンである。 In one embodiment, the HFAP also includes repeating units derived from at least one highly fluorinated ethylenically unsaturated compound. Perfluoroolefins contain 2 to 20 carbon atoms. Typical perfluoroolefins include tetrafluoroethylene, hexafluoropropylene, perfluoro- (2,2-dimethyl-1,3-dioxole), perfluoro- (2-methylene-4-methyl-1,3- Dioxolane), CF 2 ═CFO (CF 2 ) t CF═CF 2 , where t is 1 or 2, and R f ″ OCF═CF 2 , wherein R f ″ is from 1 to about 10 A saturated perfluoroalkyl group of carbon atoms), but is not limited thereto. In one embodiment, the comonomer is tetrafluoroethylene.

一実施形態においては、本発明のHFAPはコロイド形成性ポリマー酸である。本明細書において使用される場合、用語「コロイド形成性」は、水に対して不溶性であり、水性媒体中に分散させた場合にコロイドを形成する材料を意味する。コロイド形成性ポリマー酸は、通常、約10,000〜約4,000,000の範囲内の分子量を有する。一実施形態においては、このポリマー酸は約100,000〜約2,000,000の分子量を有する。コロイドの粒度は、通常2ナノメートル(nm)〜約140nmの範囲内である。一実施形態においては、このコロイドは2nm〜約30nmの粒度を有する。酸性プロトンを有するあらゆる高フッ素化コロイド形成性ポリマー材料を使用することができる。本明細書において前述したポリマーの一部は、非酸形態、たとえば、塩、エステル、またはフッ化スルホニルとして形成することができる。後述するように、これらは、導電性組成物を調製するために酸形態に変換される。   In one embodiment, the HFAP of the present invention is a colloid-forming polymeric acid. As used herein, the term “colloid-forming” means a material that is insoluble in water and forms a colloid when dispersed in an aqueous medium. Colloid-forming polymeric acids typically have a molecular weight in the range of about 10,000 to about 4,000,000. In one embodiment, the polymeric acid has a molecular weight of about 100,000 to about 2,000,000. The particle size of the colloid is usually in the range of 2 nanometers (nm) to about 140 nm. In one embodiment, the colloid has a particle size of 2 nm to about 30 nm. Any highly fluorinated colloid-forming polymeric material having acidic protons can be used. Some of the polymers previously described herein can be formed as non-acid forms, such as salts, esters, or sulfonyl fluorides. As described below, these are converted to the acid form to prepare a conductive composition.

ある実施形態においては、HFAPは高フッ素化炭素主鎖と、式
−(O−CFCFR −O−CFCFR SO
(上式中、R およびR は独立に、F、Cl、または1〜10個の炭素原子を有する高フッ素化アルキル基から選択され、a=0、1または2であり、E
によって表される側鎖とを含む。場合により、EはLi、Na、またはKなどの陽イオンであってよく、酸の形態に変換することができる。
In some embodiments, the HFAP has a highly fluorinated carbon backbone and the formula — (O—CF 2 CFR f 3 ) a —O—CF 2 CFR f 4 SO 3 E 5.
(Wherein R f 3 and R f 4 are independently selected from F, Cl, or a highly fluorinated alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a = 0, 1 or 2; 5 )
And the side chain represented by Optionally, E 5 can be a cation such as Li, Na, or K and can be converted to the acid form.

ある実施形態においては、HFAPは、米国特許第3,282,875号明細書、ならびに米国特許第4,358,545号明細書および第4,940,525号明細書に開示されるポリマーであってよい。ある実施形態においては、HFAPは、パーフルオロカーボン主鎖と、式
−O−CFCF(CF)−O−CFCFSO
(式中、Eは前出の定義の通りである)
によって表される側鎖とを含む。この種類のHFAPは、米国特許第3,282,875号明細書に開示されており、テトラフルオロエチレン(TFE)と、過フッ素化ビニルエーテルのCF=CF−O−CFCF(CF)−O−CFCFSOF(パーフルオロ(3,6−ジオキサ−4−メチル−7−オクテンスルホニルフルオリド)(PDMOF))との共重合の後、スルホニルフルオリド基の加水分解によってスルホネート基に変換し、必要に応じてイオン交換することによってそれらを所望のイオン形態に変換することによって製造することができる。米国特許第4,358,545号明細書および米国特許第4,940,525号明細書に開示されている種類のポリマーの一例は、側鎖−O−CFCFSOを有し、式中のEは前出の定義の通りである。このポリマーは、テトラフルオロエチレン(TFE)と、過フッ素化ビニルエーテルのCF=CF−O−CFCFSOF(パーフルオロ(3−オキサ−4−ペンテンスルホニルフルオリド)(POPF))との共重合の後、加水分解し、さらに必要に応じてイオン交換することによって製造することができる。
In some embodiments, HFAP is a polymer disclosed in US Pat. Nos. 3,282,875 and 4,358,545 and 4,940,525. It's okay. In some embodiments, the HFAP has a perfluorocarbon backbone and the formula —O—CF 2 CF (CF 3 ) —O—CF 2 CF 2 SO 3 E 5.
(Where E 5 is as defined above)
And the side chain represented by This type of HFAP is disclosed in US Pat. No. 3,282,875, where tetrafluoroethylene (TFE) and the perfluorinated vinyl ether CF 2 ═CF—O—CF 2 CF (CF 3 ). By copolymerization with —O—CF 2 CF 2 SO 2 F (perfluoro (3,6-dioxa-4-methyl-7-octenesulfonyl fluoride) (PDMOF)) followed by hydrolysis of the sulfonyl fluoride group They can be produced by converting them to sulfonate groups and converting them to the desired ionic form by ion exchange if necessary. An example of U.S. Patent No. 4,358,545 Pat and of the type disclosed in U.S. Patent No. 4,940,525 polymer, have a side chain -O-CF 2 CF 2 SO 3 E 5 E 5 in the formula is as defined above. This polymer consists of tetrafluoroethylene (TFE) and the perfluorinated vinyl ether CF 2 ═CF—O—CF 2 CF 2 SO 2 F (perfluoro (3-oxa-4-pentenesulfonyl fluoride) (POPF)). After the copolymerization, it can be produced by hydrolysis, and if necessary, ion exchange.

HFAPの種類の1つは、E.I.du Pont de Nemours and Company(Wilmington,DE)より水性Nafion(登録商標)分散体として使用されている。   One type of HFAP is E.P. I. It is used as an aqueous Nafion® dispersion by du Pont de Nemours and Company (Wilmington, DE).

4.無機ナノ粒子
本発明の無機ナノ粒子は、絶縁体または半導体であってよい。
4). Inorganic nanoparticles The inorganic nanoparticles of the present invention may be insulators or semiconductors.

ある実施形態においては、無機ナノ粒子は金属硫化物または金属酸化物である。   In some embodiments, the inorganic nanoparticles are metal sulfides or metal oxides.

半導体金属酸化物の例としては、アンチモン酸亜鉛類などの混合原子価金属酸化物、および酸素欠損型三酸化モリブデン、五酸化バナジウムなどの非化学量論金属酸化物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。アンチモン酸亜鉛類ZnO/Sbは、Nissan Chemical Companyより商品名「Celnax」で種々の比率で市販されている(たとえば、米国特許第5,707,552号明細書参照)。 Examples of semiconductor metal oxides include, but are not limited to, mixed valence metal oxides such as zinc antimonates and non-stoichiometric metal oxides such as oxygen deficient molybdenum trioxide and vanadium pentoxide. Is not to be done. Zinc antimonates ZnO / Sb 2 O 5 are commercially available from Nissan Chemical Company under the trade name “Celnax” in various ratios (see, for example, US Pat. No. 5,707,552).

絶縁性金属酸化物の例としては、酸化ケイ素、酸化チタン類、酸化ジルコニウム、三酸化モリブデン、酸化バナジウム、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化サマリウム、酸化イットリウム、酸化セシウム、酸化第二銅、酸化第二スズ、酸化アンチモンなどが挙げられるが、これらに限定されるものではない。   Examples of insulating metal oxides include silicon oxide, titanium oxides, zirconium oxide, molybdenum trioxide, vanadium oxide, aluminum oxide, zinc oxide, samarium oxide, yttrium oxide, cesium oxide, cupric oxide, and second oxide Although tin, antimony oxide, etc. are mentioned, it is not limited to these.

金属硫化物の例としては、硫化カドミウム、硫化銅、硫化鉛、硫化水銀、硫化インジウム、硫化銀、硫化コバルト、硫化ニッケル、および硫化モリブデンが挙げられる。Ni/Cd硫化物類、Co/Cd硫化物類、Cd/In硫化物類、およびPd−Co−Pd硫化物類などの混合金属硫化物を使用することができる。   Examples of metal sulfides include cadmium sulfide, copper sulfide, lead sulfide, mercury sulfide, indium sulfide, silver sulfide, cobalt sulfide, nickel sulfide, and molybdenum sulfide. Mixed metal sulfides such as Ni / Cd sulfides, Co / Cd sulfides, Cd / In sulfides, and Pd—Co—Pd sulfides can be used.

ある実施形態においては、金属ナノ粒子は硫黄と酸素との両方を含有することができる。ある実施形態においては、複数の金属ナノ粒子の組み合わせが使用される。   In certain embodiments, the metal nanoparticles can contain both sulfur and oxygen. In some embodiments, a combination of multiple metal nanoparticles is used.

金属酸化物ナノ粒子は、酸素の存在下での金属の反応性スパッタリングによって、選択された酸化物、および多成分酸化物の蒸発によって、あるいは無機化合物、たとえば四塩化ケイ素の気相加水分解によって製造することができる。加水分解性金属化合物、特に種々の元素のアルコキシド類を使用したゾル−ゲル化学によって、加水分解および重縮合のいずれかで反応させて、多成分および多次元網目構造の酸化物を形成することによって製造することもできる。   Metal oxide nanoparticles can be obtained by reactive sputtering of metals in the presence of oxygen, by evaporation of selected oxides and multi-component oxides, or by vapor phase hydrolysis of inorganic compounds such as silicon tetrachloride. Can be manufactured. By forming a multi-component and multi-dimensional network oxide by reacting with either hydrolysis or polycondensation by sol-gel chemistry using hydrolyzable metal compounds, especially alkoxides of various elements It can also be manufactured.

金属硫化物ナノ粒子は、種々の化学的および物理的方法によって得ることができる。物理的方法の一部の例は、硫化カドミウム、(CdS)、硫化鉛(PbS)、硫化亜鉛(ZnS)、硫化銀(AgS)、硫化モリブデン(MoS)などの金属硫化物の気相堆積、リソグラフィ法、および分子線エピタキシー(MBE)である。金属硫化物ナノ粒子の化学的調製方法は、溶液中の金属イオンと、HSガスまたは水性媒体中のNaSのいずれかとの反応に基づく。 Metal sulfide nanoparticles can be obtained by various chemical and physical methods. Some examples of physical methods are metal sulfides such as cadmium sulfide, (CdS), lead sulfide (PbS), zinc sulfide (ZnS), silver sulfide (Ag 2 S), molybdenum sulfide (MoS 2 ). Phase deposition, lithography, and molecular beam epitaxy (MBE). The chemical preparation method for metal sulfide nanoparticles is based on the reaction of metal ions in solution with either H 2 S gas or Na 2 S in an aqueous medium.

ある実施形態においては、ナノ粒子は、水性導電性ポリマーと適合性であるカップリング剤で表面処理される。表面改質剤の種類としては、シラン類、チタネート類、ジルコネート類、アルミネート、およびポリマー分散剤が挙げられるが、これらに限定されるものではない。表面改質剤は化学官能性を有し、その例としては、ニトリル、アミノ、シアノ、アルキルアミノ、アルキル、アリール、アルケニル、アルコキシ、アリールオキシ、スルホン酸、アクリル酸、リン酸、および上記酸のアルカリ塩、アクリレート、スルホネート類、アミドスルホネート、エーテル、エーテルスルホネート、エステルスルホネート、アルキルチオ、およびアリールチオが挙げられるが、これらに限定されるものではない。一実施形態においては、この化学官能性は、ナノ複合材料中の導電性ポリマーまたは次の上の層上の正孔輸送材料と反応するエポキシ、アルキルビニル基、およびアリールビニル基などの架橋剤であってもよい。一実施形態においては、表面改質剤は、テトラフルオロ−エチルトリフルオロ−ビニル−エーテルトリエトキシシラン、パーフルオロブタン−トリエトキシシラン、パーフルオロオクチルトリエトキシシラン、ビス(トリフルオロプロピル)−テトラメチルジシラザン、およびビス(3−トリエトキシシリル)プロピルテトラスルフィドなどのようにフッ素化または過フッ素化されている。   In some embodiments, the nanoparticles are surface treated with a coupling agent that is compatible with the aqueous conductive polymer. Types of surface modifiers include, but are not limited to, silanes, titanates, zirconates, aluminates, and polymer dispersants. Surface modifiers have chemical functionality such as nitrile, amino, cyano, alkylamino, alkyl, aryl, alkenyl, alkoxy, aryloxy, sulfonic acid, acrylic acid, phosphoric acid, and the above acids. Examples include, but are not limited to, alkali salts, acrylates, sulfonates, amide sulfonates, ethers, ether sulfonates, ester sulfonates, alkylthios, and arylthios. In one embodiment, this chemical functionality is achieved with crosslinkers such as epoxies, alkyl vinyl groups, and aryl vinyl groups that react with the conductive polymer in the nanocomposite or the hole transport material on the next upper layer. There may be. In one embodiment, the surface modifier is tetrafluoro-ethyl trifluoro-vinyl-ether triethoxysilane, perfluorobutane-triethoxysilane, perfluorooctyltriethoxysilane, bis (trifluoropropyl) -tetramethyl. Fluorinated or perfluorinated such as disilazane and bis (3-triethoxysilyl) propyl tetrasulfide.

5.ドープした導電性ポリマー組成物の調製
以下の説明において、導電性ポリマー、HFAP、および無機ナノ粒子は単数形で言及される。しかし、これらのいずれかまたはすべては2種類以上で使用できることを理解されたい。
5). Preparation of doped conductive polymer composition In the following description, the conductive polymer, HFAP, and inorganic nanoparticles are referred to in the singular. However, it should be understood that any or all of these can be used in more than one type.

本発明の新規導電性ポリマー組成物は、最初にドープした導電性ポリマーを形成し、次に無機ナノ粒子を加えることによって調製される。   The novel conductive polymer composition of the present invention is prepared by first forming a doped conductive polymer and then adding inorganic nanoparticles.

ドープした導電性ポリマーは、HFAPの存在下、水性媒体中で前駆体モノマーを酸化重合することによって形成される。この重合は、米国特許出願公開第2004/0102577号明細書、同第2004/0127637号明細書、および同第2005/205860号明細書に記載されている。   Doped conductive polymers are formed by oxidative polymerization of precursor monomers in an aqueous medium in the presence of HFAP. This polymerization is described in US Patent Application Publication Nos. 2004/0102577, 2004/0127637, and 2005/205860.

無機ナノ粒子は、ドープした導電性ポリマー分散体に固体として直接加えることができる。ある実施形態においては、無機ナノ粒子を水溶液中に分散させ、この分散体をドープした導電性ポリマー分散体と混合する。ナノ粒子対導電性ポリマーの重量比は0.1〜10.0の範囲内である。   The inorganic nanoparticles can be added directly as a solid to the doped conducting polymer dispersion. In some embodiments, inorganic nanoparticles are dispersed in an aqueous solution and the dispersion is mixed with a doped conductive polymer dispersion. The weight ratio of nanoparticles to conductive polymer is in the range of 0.1 to 10.0.

ある実施形態においては、無機粒子を加える前または後のいずれかでpHを増加させる。ドープした導電性ポリマーと無機ナノ粒子との分散体は、形成されたときの約2のpHから中性pHまで安定である。ナノ粒子を加える前に陽イオン交換樹脂で処理することによってpHを調整することができる。ある実施形態においては、pHは塩基水溶液を加えることによって調整される。この塩基の陽イオンは、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アンモニウム、およびアルキルアンモニウムであってよいが、これらに限定されるものではない。ある実施形態においては、アルカリ土類金属陽イオンよりもアルカリ金属の方が好ましい。   In certain embodiments, the pH is increased either before or after adding the inorganic particles. The dispersion of doped conductive polymer and inorganic nanoparticles is stable from a pH of about 2 to neutral pH when formed. The pH can be adjusted by treating with a cation exchange resin before adding the nanoparticles. In some embodiments, the pH is adjusted by adding an aqueous base. The base cation may be, but is not limited to, alkali metals, alkaline earth metals, ammonium, and alkylammonium. In some embodiments, alkali metals are preferred over alkaline earth metal cations.

本明細書に記載の新規導電性組成物から作製されるフィルムを、本明細書では以降「本明細書に記載の新規フィルム」と呼ぶ。これらのフィルムは、連続技術および不連続技術などのあらゆる液相堆積技術を使用して作製することができる。連続堆積技術としては、スピンコーティング、グラビアコーティング、カーテンコーティング、浸漬コーティング、スロットダイコーティング、スプレーコーティング、および連続ノズルコーティングが挙げられるが、これらに限定されるものではない。不連続堆積技術としては、インクジェット印刷、グラビア印刷、およびスクリーン印刷が挙げられるが、これらに限定されるものではない。   Films made from the novel conductive compositions described herein are referred to hereinafter as “new films described herein”. These films can be made using any liquid deposition technique, such as continuous and discontinuous techniques. Continuous deposition techniques include, but are not limited to, spin coating, gravure coating, curtain coating, dip coating, slot die coating, spray coating, and continuous nozzle coating. Discontinuous deposition techniques include, but are not limited to, ink jet printing, gravure printing, and screen printing.

こうして形成されたフィルムは、平滑で、比較的透明であり、1.4を超える屈折率(460nmの波長において)を有し、10−7〜10−3S/cmの範囲内の伝導率を有することができる。 The film thus formed is smooth and relatively transparent, has a refractive index greater than 1.4 (at a wavelength of 460 nm) and has a conductivity in the range of 10 −7 to 10 −3 S / cm. Can have.

6.緩衝層
本発明の別の一実施形態においては、本発明の新規導電性ポリマー組成物を含む水性分散体から堆積される緩衝層を提供する。用語「緩衝層」または「緩衝材料」は、電気伝導性材料または半導体材料を意味することを意図しており、限定するものではないが、下にある層の平坦化、電荷輸送および/または電荷注入特性、酸素または金属イオンなどの不純物の捕捉、ならびに有機電子デバイスの性能を促進または改善する他の特徴などの、1つまたは複数の機能を有機電子デバイス中で有することができる。用語「層」は、用語「フィルム」と交換可能に使用され、希望する領域を覆うコーティングを意味する。この用語は大きさによって限定されることはない。この領域は、デバイス全体の大きさであってもよいし、実際の視覚的表示などの特殊な機能の領域の小ささ、または1つのサブピクセルの小ささであってもよい。層およびフィルムは、気相堆積、液相堆積(連続技術および不連続技術)、および熱転写などの従来のあらゆる堆積技術によって形成することができる。連続堆積技術としては、スピンコーティング、グラビアコーティング、カーテンコーティング、浸漬コーティング、スロットダイコーティング、スプレーコーティング、および連続ノズルコーティングが挙げられるが、これらに限定されるものではない。不連続堆積技術としては、インクジェット印刷、グラビア印刷、およびスクリーン印刷が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
6). Buffer Layer In another embodiment of the present invention, a buffer layer is provided that is deposited from an aqueous dispersion comprising the novel conductive polymer composition of the present invention. The term “buffer layer” or “buffer material” is intended to mean an electrically conductive material or a semiconductor material, including but not limited to planarization of the underlying layer, charge transport and / or charge. One or more functions can be included in the organic electronic device, such as implantation characteristics, trapping of impurities such as oxygen or metal ions, and other features that facilitate or improve the performance of the organic electronic device. The term “layer” is used interchangeably with the term “film” and refers to a coating covering a desired area. The term is not limited by size. This area may be the size of the entire device, the area of a special function such as an actual visual display, or the size of one subpixel. Layers and films can be formed by any conventional deposition technique such as vapor deposition, liquid deposition (continuous and discontinuous techniques), and thermal transfer. Continuous deposition techniques include, but are not limited to, spin coating, gravure coating, curtain coating, dip coating, slot die coating, spray coating, and continuous nozzle coating. Discontinuous deposition techniques include, but are not limited to, ink jet printing, gravure printing, and screen printing.

本発明の新規導電性ポリマー組成物の乾燥フィルムは、一般に水中に再分散しない。したがって、緩衝層を複数の薄層として適用することができる。さらに、緩衝層には、損傷を引き起こすことなく異なる水溶性または水分散性の材料の層を上塗りすることができる。   The dried film of the novel conductive polymer composition of the present invention generally does not redisperse in water. Therefore, the buffer layer can be applied as a plurality of thin layers. Further, the buffer layer can be overcoated with a layer of a different water soluble or water dispersible material without causing damage.

本発明の新規導電性ポリマー組成物を含む緩衝層は、驚くべきことに、改善されたぬれ性を有することが分かった。ある実施形態においては、本発明の新規導電性ポリマー組成物から作製されたフィルムは、有機溶媒と50°未満の接触角を示す。ある実施形態においては、このフィルムはp−キシレンと50°未満;ある実施形態においては40°未満;ある実施形態においては30°未満の接触角でぬれることができる。   It has been surprisingly found that the buffer layer comprising the novel conductive polymer composition of the present invention has improved wettability. In some embodiments, films made from the novel conductive polymer compositions of the present invention exhibit contact angles with organic solvents of less than 50 °. In some embodiments, the film can be wetted with p-xylene at a contact angle of less than 50 °; in some embodiments less than 40 °; in some embodiments less than 30 °.

別の一実施形態においては、別の水溶性または水分散性の材料とブレンドされた本発明の新規導電性ポリマー組成物を含む水性分散体から堆積された緩衝層を提供する。加えることができる材料の種類の例としては、ポリマー、染料、コーティング助剤、有機および無機の導電性インクおよびペースト、電荷輸送材料、架橋剤、ならびにそれらの組み合わせが挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらの別の水溶性または水分散性の材料は、単純な分子またはポリマーであってもよい。好適なポリマーとしては、ポリチオフェン類、ポリアニリン類、ポリピロール類、ポリアセチレン類、ポリ(チエノチオフェン)類、およびそれらの組み合わせなどの導電性ポリマーが挙げられるが、これらに限定されるものではない。   In another embodiment, a buffer layer is provided that is deposited from an aqueous dispersion comprising the novel conductive polymer composition of the present invention blended with another water soluble or water dispersible material. Examples of the types of materials that can be added include, but are not limited to, polymers, dyes, coating aids, organic and inorganic conductive inks and pastes, charge transport materials, crosslinkers, and combinations thereof. It is not something. These other water soluble or water dispersible materials may be simple molecules or polymers. Suitable polymers include, but are not limited to, conductive polymers such as polythiophenes, polyanilines, polypyrroles, polyacetylenes, poly (thienothiophenes), and combinations thereof.

7.電子デバイス
本発明の別の一実施形態においては、2つの電気接触層の間に配置された少なくとも1つの電気活性層を含み、本発明の新規緩衝層をさらに含む電子デバイスを提供する。用語層または材料に言及する場合の「電気活性」は、電子的または電気放射的(electro−radiative)性質を示す層または材料を意味することを意図している。電気活性層材料は、放射線を発する場合もあるし、放射線を受けた場合に電子−正孔対の濃度変化を示す場合もある。
7). Electronic Device In another embodiment of the present invention, an electronic device is provided that includes at least one electroactive layer disposed between two electrical contact layers and further includes the novel buffer layer of the present invention. “Electroactive” when referring to the term layer or material is intended to mean a layer or material that exhibits electronic or electro-radiative properties. The electroactive layer material may emit radiation or may exhibit a change in electron-hole pair concentration upon receipt of radiation.

図1に示されるように、典型的なデバイス100は、アノード層110、緩衝層120、電気活性層130、およびカソード層150を有する。カソード層150と隣接して、場合により電子注入/輸送層140が存在する。   As shown in FIG. 1, the exemplary device 100 has an anode layer 110, a buffer layer 120, an electroactive layer 130, and a cathode layer 150. Adjacent to the cathode layer 150 is optionally an electron injection / transport layer 140.

このデバイスは、アノード層110またはカソード層150に隣接することができる支持体または基体(図示せず)を含むことができる。ほとんどの場合、支持体はアノード層110に隣接している。支持体は、可撓性の場合も剛性の場合もあるし、有機の場合も無機の場合もある。支持体材料の例としては、ガラス、セラミック、金属、およびプラスチックフィルムが挙げられるが、これらに限定されるものではない。   The device can include a support or substrate (not shown) that can be adjacent to the anode layer 110 or the cathode layer 150. In most cases, the support is adjacent to the anode layer 110. The support may be flexible or rigid, and may be organic or inorganic. Examples of support materials include, but are not limited to glass, ceramic, metal, and plastic films.

アノード層110は、カソード層150よりも正孔の注入が効率的な電極である。アノードは、金属、混合金属、合金、金属酸化物、または混合酸化物を含有する材料を含むことができる。好適な材料としては、2族元素(すなわち、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Ra)の混合酸化物、11族元素、4族、5族、および6族の元素、ならびに8〜10族の遷移元素が挙げられる。アノード層110を光透過性にするためには、インジウム・スズ酸化物などの12族、13族、および14族の元素の混合酸化物を使用することができる。本明細書において使用される場合、語句「混合酸化物」は、2族元素、あるいは12族、13族、または14族の元素から選択される2種類以上の異なる陽イオンを有する酸化物を意味する。アノード層110の材料の一部の非限定的な具体例としては、インジウム・スズ酸化物(「ITO」)、インジウム・亜鉛酸化物、アルミニウム・スズ酸化物、金、銀、銅、およびニッケルが挙げられるが、これらに限定されるものではない。アノードは、有機材料、特に、ポリアニリンなどの導電性ポリマー、たとえば、「Flexible light−emitting diodes made from soluble conducting polymer」,Nature vol.357,pp 477 479(11 June 1992)に記載される代表的な材料も含むことができる。発生した光を観察できるように、アノードおよびカソードの少なくとも1つは、少なくとも部分的に透明となるべきである。   The anode layer 110 is an electrode that is more efficient in injecting holes than the cathode layer 150. The anode can include materials containing metals, mixed metals, alloys, metal oxides, or mixed oxides. Suitable materials include mixed oxides of Group 2 elements (ie, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Ra), Group 11 elements, Groups 4, 5, and 6 elements, and Groups 8-10 Transition elements. In order to make the anode layer 110 light transmissive, a mixed oxide of elements of Group 12, 13, and 14 such as indium tin oxide can be used. As used herein, the phrase “mixed oxide” means an oxide having two or more different cations selected from a Group 2 element, or a Group 12, 13, or 14 element. To do. Some non-limiting examples of materials for the anode layer 110 include indium tin oxide (“ITO”), indium zinc oxide, aluminum tin oxide, gold, silver, copper, and nickel. Although it is mentioned, it is not limited to these. The anode can be an organic material, in particular, a conductive polymer such as polyaniline, for example, “Flexible light-emitting diodes from solid conducting polymer”, Nature vol. 357, pp 477 479 (11 June 1992) can also be included. At least one of the anode and cathode should be at least partially transparent so that the generated light can be observed.

アノード層110は、化学蒸着法または物理蒸着法、あるいはスピンキャスト法によって形成することができる。化学蒸着は、プラズマ化学蒸着(「PECVD」)または金属有機化学蒸着(「MOCVD」)として行うことができる。物理蒸着としては、イオンビームスパッタリングなどのスパッタリング、ならびにeビーム蒸発、および抵抗蒸発のあらゆる形態を挙げることができる。物理蒸着の具体的な形態としては、高周波マグネトロンスパッタリング、および誘導結合プラズマ物理蒸着(「IMP−PVD」)が挙げられる。これらの堆積技術は、半導体製造分野においては周知である。   The anode layer 110 can be formed by chemical vapor deposition, physical vapor deposition, or spin casting. Chemical vapor deposition can be performed as plasma enhanced chemical vapor deposition (“PECVD”) or metal organic chemical vapor deposition (“MOCVD”). Physical vapor deposition can include all forms of sputtering, such as ion beam sputtering, as well as e-beam evaporation and resistance evaporation. Specific forms of physical vapor deposition include radio frequency magnetron sputtering and inductively coupled plasma physical vapor deposition (“IMP-PVD”). These deposition techniques are well known in the semiconductor manufacturing field.

一実施形態においては、アノード層110は、リソグラフィ作業中にパターン化される。このパターンは、希望に応じて変更することができる。これらの層は、第1の電気接触層材料を適用する前に、第1の可撓性複合バリア構造上にパターン化されたマスクまたはレジストを配置することなどによってパターンを形成することができる。あるいは、これらの層は、全体の層として適用することができ(ブランケット堆積とも呼ばれる)、続いて、たとえば、パターン化されたレジスト層と湿式化学エッチングまたはドライエッチング技術とを使用してパターン化することができる。当技術分野において周知の他のパターニング方法を使用することもできる。   In one embodiment, the anode layer 110 is patterned during a lithographic operation. This pattern can be changed as desired. These layers can be patterned, such as by placing a patterned mask or resist on the first flexible composite barrier structure before applying the first electrical contact layer material. Alternatively, these layers can be applied as a whole layer (also referred to as blanket deposition) and subsequently patterned using, for example, a patterned resist layer and wet chemical etching or dry etching techniques. be able to. Other patterning methods well known in the art can also be used.

緩衝層120は、本明細書に記載の新規導電性組成物を含む。HFAPをドープした導電性ポリマーから作製された緩衝層は、一般に有機溶媒に対して非ぬれ性であり、1.4未満の屈折率(460nmの波長において)を有する。本明細書に記載の緩衝層は、より高いぬれ性になることができ、そのため非極性有機溶媒から次の層がより容易にコーティングされる。本明細書に記載の緩衝層は、1.4を超える屈折率(460nmにおいて)を有することもできる。通常、緩衝層は、当業者に周知の種々の技術を使用して基体上に堆積される。典型的な堆積技術としては、前述したように、気相堆積、液相堆積(連続技術および不連続技術)、および熱転写が挙げられる。   The buffer layer 120 includes the novel conductive composition described herein. A buffer layer made from a conductive polymer doped with HFAP is generally non-wetting with respect to organic solvents and has a refractive index of less than 1.4 (at a wavelength of 460 nm). The buffer layer described herein can be more wettable so that the next layer is more easily coated from a non-polar organic solvent. The buffer layer described herein can also have a refractive index greater than 1.4 (at 460 nm). Typically, the buffer layer is deposited on the substrate using various techniques well known to those skilled in the art. Typical deposition techniques include vapor deposition, liquid deposition (continuous and discontinuous techniques), and thermal transfer, as described above.

図示されていないが、緩衝層120と電気活性層130との間に、場合により層が存在することができる。この層は正孔輸送材料を含むことができる。正孔輸送材料の例は、たとえば、Y.WangによりKirk−Othmer Encyclopedia of Chemical Technology,Fourth Edition,Vol.18,p.837−860,1996にまとめられている。正孔輸送分子および正孔輸送ポリマーの両方を使用することができる。一般に使用される正孔輸送分子としては:4,4’,4”−トリス(N,N−ジフェニル−アミノ)−トリフェニルアミン(TDATA);4,4’,4”−トリス(N−3−メチルフェニル−N−フェニル−アミノ)−トリフェニルアミン(MTDATA);N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−[1,1’−ビフェニル]−4,4’−ジアミン(TPD);1,1−ビス[(ジ−4−トリルアミノ)フェニル]シクロヘキサン(TAPC);N,N’−ビス(4−メチルフェニル)−N,N’−ビス(4−エチルフェニル)−[1,1’−(3,3’−ジメチル)ビフェニル]−4,4’−ジアミン(ETPD);テトラキス−(3−メチルフェニル)−N,N,N’,N’−2,5−フェニレンジアミン(PDA);α−フェニル−4−N,N−ジフェニルアミノスチレン(TPS);p−(ジエチルアミノ)−ベンズアルデヒドジフェニルヒドラゾン(DEH);トリフェニルアミン(TPA);ビス[4−(N,N−ジエチルアミノ)−2−メチルフェニル](4−メチルフェニル)メタン(MPMP);1−フェニル−3−[p−(ジエチルアミノ)スチリル]−5−[p−(ジエチルアミノ)フェニル]ピラゾリン(PPRまたはDEASP);1,2−trans−ビス(9H−カルバゾール−9−イル)シクロブタン(DCZB);N,N,N’,N’−テトラキス(4−メチルフェニル)−(1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミン(TTB);N,N’−ビス(ナフタレン−1−イル)−N,N’−ビス−(フェニル)ベンジジン(α−NPB);および銅フタロシアニンなどのポルフィリン系化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。一般に使用される正孔輸送ポリマーとしては、ポリビニルカルバゾール、(フェニルメチル)ポリシラン、ポリ(ジオキシチオフェン)類、ポリアニリン類、およびポリピロール類が挙げられるが、これらに限定されるものではない。ポリスチレンやポリカーボネートなどのポリマー中に、上述のものなどの正孔輸送分子をドープすることによって、正孔輸送ポリマーを得ることもできる。   Although not shown, there may optionally be a layer between the buffer layer 120 and the electroactive layer 130. This layer can include a hole transport material. Examples of hole transport materials are described in, for example, Y.M. Wang, Kirk-Othmer Encyclopedia of Chemical Technology, Fourth Edition, Vol. 18, p. 837-860, 1996. Both hole transport molecules and hole transport polymers can be used. Commonly used hole transport molecules include: 4,4 ′, 4 ″ -tris (N, N-diphenyl-amino) -triphenylamine (TDATA); 4,4 ′, 4 ″ -tris (N-3) -Methylphenyl-N-phenyl-amino) -triphenylamine (MTDATA); N, N'-diphenyl-N, N'-bis (3-methylphenyl)-[1,1'-biphenyl] -4,4 '-Diamine (TPD); 1,1-bis [(di-4-tolylamino) phenyl] cyclohexane (TAPC); N, N'-bis (4-methylphenyl) -N, N'-bis (4-ethyl) Phenyl)-[1,1 ′-(3,3′-dimethyl) biphenyl] -4,4′-diamine (ETPD); tetrakis- (3-methylphenyl) -N, N, N ′, N′-2 , 5-phenylenediamine ( DA); α-phenyl-4-N, N-diphenylaminostyrene (TPS); p- (diethylamino) -benzaldehyde diphenylhydrazone (DEH); triphenylamine (TPA); bis [4- (N, N-diethylamino) ) -2-methylphenyl] (4-methylphenyl) methane (MPMP); 1-phenyl-3- [p- (diethylamino) styryl] -5- [p- (diethylamino) phenyl] pyrazoline (PPR or DEASP); 1,2-trans-bis (9H-carbazol-9-yl) cyclobutane (DCZB); N, N, N ′, N′-tetrakis (4-methylphenyl)-(1,1′-biphenyl) -4, 4′-diamine (TTB); N, N′-bis (naphthalen-1-yl) -N, N′-bis- (phenyl) ben Examples include, but are not limited to, dizine (α-NPB); and porphyrin compounds such as copper phthalocyanine. Commonly used hole transporting polymers include, but are not limited to, polyvinylcarbazole, (phenylmethyl) polysilane, poly (dioxythiophene) s, polyanilines, and polypyrroles. A hole transporting polymer can also be obtained by doping hole transporting molecules such as those mentioned above into a polymer such as polystyrene or polycarbonate.

デバイスの用途に依存するが、電気活性層130は、印加電圧によって活性化される発光層(発光ダイオードまたは発光電気化学セル中など)、放射エネルギーに応答し、バイアス電圧の印加を伴ってまたは伴わずに信号を発生する材料の層(光検出器中など)であってよい。一実施形態においては、電気活性材料は、有機エレクトロルミネッセンス(「EL」)材料である。限定するものではないが、小分子有機蛍光化合物、蛍光性およびリン光性の金属錯体、共役ポリマー、ならびにそれらの混合物などのあらゆるEL材料をデバイス中に使用することができる。蛍光化合物の例としては、ピレン、ペリレン、ルブレン、クマリン、それらの誘導体、およびそれらの混合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。金属錯体の例としては、トリス(8−ヒドロキシキノラト)アルミニウム(Alq3)などの金属キレート化オキシノイド化合物;ペトロフ(Petrov)らの米国特許第6,670,645号明細書、ならびに国際公開第03/063555号パンフレットおよび国際公開第2004/016710号パンフレットに開示されるような、フェニルピリジン配位子、フェニルキノリン配位子、またはフェニルピリミジン配位子を有するイリジウムの錯体などのシクロメタレート化イリジウムおよび白金エレクトロルミネッセンス化合物、ならびに、たとえば国際公開第03/008424号パンフレット、国際公開第03/091688号パンフレット、および国際公開第03/040257号パンフレットに記載されるような有機金属錯体、ならびにそれらの混合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。電荷輸送ホスト材料と金属錯体とを含むエレクトロルミネッセンス発光層が、Thompsonらの米国特許第6,303,238号明細書、ならびにBurrowsおよびThompsonの国際公開第00/70655号パンフレット、および国際公開第01/41512号パンフレットに記載されている。共役ポリマーの例としては、ポリ(フェニレンビニレン)、ポリフルオレン、ポリ(スピロビフルオレン)、ポリチオフェン、ポリ(p−フェニレン)、それらのコポリマー、およびそれらの混合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。   Depending on the device application, the electroactive layer 130 is a light emitting layer (such as in a light emitting diode or light emitting electrochemical cell) that is activated by an applied voltage, responsive to radiant energy, with or with the application of a bias voltage. Rather, it may be a layer of material that generates a signal (such as in a photodetector). In one embodiment, the electroactive material is an organic electroluminescent (“EL”) material. Any EL material such as, but not limited to, small molecule organic fluorescent compounds, fluorescent and phosphorescent metal complexes, conjugated polymers, and mixtures thereof can be used in the device. Examples of fluorescent compounds include, but are not limited to, pyrene, perylene, rubrene, coumarin, derivatives thereof, and mixtures thereof. Examples of metal complexes include metal chelated oxinoid compounds such as tris (8-hydroxyquinolato) aluminum (Alq3); US Pat. No. 6,670,645 to Petrov et al., And WO 03 Iridium cyclometallates such as complexes of iridium having phenylpyridine ligand, phenylquinoline ligand, or phenylpyrimidine ligand, as disclosed in US Pat. No. 6,635.555 and WO 2004/016710. And platinum electroluminescent compounds, and organometallic complexes such as described in, for example, WO 03/008424, WO 03/091688, and WO 03/040257. , And mixtures thereof, but is not limited thereto. An electroluminescent emissive layer comprising a charge transport host material and a metal complex is described in Thompson et al., US Pat. No. 6,303,238, and Burrows and Thompson, WO 00/70655, and WO 01. / 41512 pamphlet. Examples of conjugated polymers include, but are not limited to, poly (phenylene vinylene), polyfluorene, poly (spirobifluorene), polythiophene, poly (p-phenylene), copolymers thereof, and mixtures thereof. It is not a thing.

場合により使用される層140は、電子の注入/輸送の両方を促進する機能を果たす場合もあるし、層界面における消光反応を防止する閉じ込め層として機能する場合もある。より具体的には、層140は、電子の移動を促進し、この層がなければ層130および150が直接接触する場合の消光反応の可能性を減少させることができる。場合により使用される層140の材料の例としては、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(p−フェニル−フェノラト)アルミニウム(III)(BAlQ)およびトリス(8−ヒドロキシキノラト)アルミニウム(Alq)などの金属キレート化オキシノイド化合物;テトラキス(8−ヒドロキシキノリナト)ジルコニウム;2−(4−ビフェニリル)−5−(4−t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(PBD)、3−(4−ビフェニリル)−4−フェニル−5−(4−t−ブチルフェニル)−1,2,4−トリアゾール(TAZ)、および1,3,5−トリ(フェニル−2−ベンズイミダゾール)ベンゼン(TPBI)などのアゾール化合物;2,3−ビス(4−フルオロフェニル)キノキサリンなどのキノキサリン誘導体;9,10−ジフェニルフェナントロリン(DPA)および2,9−ジメチル−4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン(DDPA)などのフェナントロリン誘導体;ならびにそれらの1つまたは複数のあらゆる組み合わせが挙げられるが、これらに限定されるものではない。場合により使用される層140は無機であってもよく、BaO、LiF、LiOなどを含むことができる。 The optionally used layer 140 may serve to facilitate both electron injection / transport, or may serve as a confinement layer that prevents quenching reactions at the layer interface. More specifically, layer 140 can facilitate electron transfer and reduce the likelihood of quenching reactions when layers 130 and 150 are in direct contact without this layer. Examples of optional layer 140 materials include bis (2-methyl-8-quinolinolato) (p-phenyl-phenolato) aluminum (III) (BAlQ) and tris (8-hydroxyquinolato) aluminum (Alq). 3 ) metal chelated oxinoid compounds; tetrakis (8-hydroxyquinolinato) zirconium; 2- (4-biphenylyl) -5- (4-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole (PBD) ), 3- (4-biphenylyl) -4-phenyl-5- (4-tert-butylphenyl) -1,2,4-triazole (TAZ), and 1,3,5-tri (phenyl-2-benz) Imidazole) azole compounds such as benzene (TPBI); quino such as 2,3-bis (4-fluorophenyl) quinoxaline Sarin derivatives; phenanthroline derivatives such as 9,10-diphenylphenanthroline (DPA) and 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (DDPA); and any combination of one or more thereof However, it is not limited to these. Optionally used layer 140 may be inorganic and may include BaO, LiF, Li 2 O, and the like.

カソード層150は、電子または負電荷キャリアの注入に特に有効な電極である。カソード層150は、第1の電気接触層(この場合はアノード層110)よりも低い仕事関数を有するあらゆる金属または非金属であってよい。本明細書において使用される場合、用語「低い仕事関数」は、約4.4eV以下の仕事関数を有する材料を意味することを意図している。本明細書において使用される場合、「高い仕事関数」は、少なくとも約4.4eVの仕事関数を有する材料を意味することを意図している。   The cathode layer 150 is an electrode that is particularly effective for injecting electrons or negative charge carriers. Cathode layer 150 may be any metal or non-metal having a lower work function than the first electrical contact layer (in this case, anode layer 110). As used herein, the term “low work function” is intended to mean a material having a work function of about 4.4 eV or less. As used herein, “high work function” is intended to mean a material having a work function of at least about 4.4 eV.

カソード層の材料は、1族のアルカリ金属(たとえば、Li、Na、K、Rb、Cs,)、2族金属(たとえば、Mg、Ca、Baなど)、12族金属、ランタニド(たとえば、Ce、Sm、Euなど)、およびアクチニド(たとえば、Th、Uなど)から選択することができる。アルミニウム、インジウム、イットリウム、およびそれらの組み合わせなどの材料を使用することもできる。カソード層150の材料の非限定的な具体例としては、バリウム、リチウム、セリウム、セシウム、ユウロピウム、ルビジウム、イットリウム、マグネシウム、サマリウム、ならびにそれらの合金および組み合わせが挙げられるが、これらに限定されるものではない。   The material of the cathode layer is a group 1 alkali metal (eg, Li, Na, K, Rb, Cs,), a group 2 metal (eg, Mg, Ca, Ba, etc.), a group 12 metal, a lanthanide (eg, Ce, Sm, Eu, etc.), and actinides (eg, Th, U, etc.). Materials such as aluminum, indium, yttrium, and combinations thereof can also be used. Non-limiting specific examples of the material of the cathode layer 150 include, but are not limited to, barium, lithium, cerium, cesium, europium, rubidium, yttrium, magnesium, samarium, and alloys and combinations thereof. is not.

通常、カソード層150は、化学蒸着法または物理蒸着法によって形成される。ある実施形態においては、カソード層は、アノード層110に関して前述したように、パターン化することができる。   In general, the cathode layer 150 is formed by chemical vapor deposition or physical vapor deposition. In some embodiments, the cathode layer can be patterned as described above for the anode layer 110.

デバイス中の他の層は、そのような層が果たすべき機能を考慮することによってそのような層に有用であることが知られているあらゆる材料でできていてよい。   The other layers in the device may be made of any material known to be useful for such layers by considering the function that such layers are to perform.

ある実施形態においては、水および酸素などの望ましくない成分がデバイス100内に入るのを防止するために、接触層150の上に封入層(図示せず)が堆積される。このような成分は、有機層130に対して悪影響を及ぼす場合がある。一実施形態においては、封入層は障壁層またはフィルムである。一実施形態においては、封入層はガラス蓋である。   In certain embodiments, an encapsulation layer (not shown) is deposited over the contact layer 150 to prevent unwanted components such as water and oxygen from entering the device 100. Such components may adversely affect the organic layer 130. In one embodiment, the encapsulation layer is a barrier layer or film. In one embodiment, the encapsulating layer is a glass lid.

図示していないが、デバイス100が追加の層を含むことができることは理解できよう。当技術分野において周知である別の層、またはその他の別の層を使用することができる。さらに、前述のいずれかの層は、2つ以上の副層を含む場合があるし、層状構造を形成している場合もある。あるいは、アノード層110 正孔輸送層120、電子輸送層140、カソード層150、および別の層の一部またはすべては、電荷担体輸送効率またはデバイスの他の物理的性質を向上させるために、処理、特に表面処理を行うことができる。各構成層の材料の選択は、デバイスの稼働寿命を考慮して高いデバイス効率を有するデバイスを得ること、製造時間、および複雑な要因、ならびに当業者に認識されている他の問題点の目標の釣り合いを取ることによって、好ましくは決定される。最適な構成要素、構成要素の構成、および組成の決定は、当業者の日常的な作業であることは理解できるであろう。   Although not shown, it will be appreciated that the device 100 can include additional layers. Other layers well known in the art, or other other layers can be used. Further, any of the aforementioned layers may include two or more sublayers, or may form a layered structure. Alternatively, part or all of the anode layer 110 hole transport layer 120, electron transport layer 140, cathode layer 150, and another layer may be treated to improve charge carrier transport efficiency or other physical properties of the device. In particular, surface treatment can be performed. The choice of material for each component layer is the goal of obtaining a device with high device efficiency, taking into account the operational lifetime of the device, manufacturing time, and complex factors, as well as other issues recognized by those skilled in the art. This is preferably determined by balancing. It will be appreciated that determining the optimal component, component configuration, and composition is a routine task for those skilled in the art.

一実施形態においては、種々の層は以下の範囲の厚さを有する:アノード110、500〜5000Å、一実施形態においては1000〜2000Å;緩衝層120、50〜2000Å、一実施形態においては200〜1000Å;光活性層130、10〜2000Å、一実施形態においては100〜1000Å;場合による電子輸送層140、50〜2000Å、一実施形態においては100〜1000Å;カソード150、200〜10000Å、一実施形態においては300〜5000Å。デバイス中の電子−正孔再結合領域の位置、したがってデバイスの発光スペクトルは、各層の相対厚さによって影響されうる。たとえば、電子−正孔再結合領域が発光層中に存在するように、電子輸送層の厚さを選択すべきである。層の厚さの望ましい比は、使用される材料の厳密な性質に依存する。   In one embodiment, the various layers have thicknesses in the following ranges: anode 110, 500-5000 mm, in one embodiment 1000-2000 mm; buffer layer 120, 50-2000 mm, in one embodiment 200- Photoactive layer 130, 10-2000cm, in one embodiment 100-1000mm; optional electron transport layer 140, 50-2000mm, in one embodiment 100-1000mm; cathode 150, 200-10000mm, one embodiment Is 300-5000cm. The location of the electron-hole recombination region in the device, and thus the emission spectrum of the device, can be affected by the relative thickness of each layer. For example, the thickness of the electron transport layer should be selected so that an electron-hole recombination region is present in the light emitting layer. The desired ratio of layer thickness depends on the exact nature of the material used.

動作中、適切な電源(図示せず)からの電圧がデバイス100に印加される。したがって、デバイス100の層全体に電流が流れる。電子が有機ポリマー層に入り、フォトンを放出する。アクティブマトリックスOLEDディスプレイと呼ばれる一部のOLEDでは、光活性有機フィルムの個別の堆積物を、電流の流れによって独立に励起させることができ、それによって個別のピクセルを発光させることができる。パッシブマトリックスOLEDディスプレイと呼ばれる一部のOLEDでは、光活性有機フィルムの堆積物は、電気接触層の横列および縦列によって励起させることができる。   In operation, a voltage from an appropriate power source (not shown) is applied to device 100. Thus, current flows through the entire layer of device 100. Electrons enter the organic polymer layer and emit photons. In some OLEDs, called active matrix OLED displays, individual deposits of photoactive organic film can be excited independently by current flow, thereby causing individual pixels to emit light. In some OLEDs, called passive matrix OLED displays, the photoactive organic film deposit can be excited by rows and columns of electrical contact layers.

本明細書に記載されているものと類似または同等の方法および材料を使用して、本発明の実施形態の実施または試験を行うことができるが、好適な方法および材料については以下に説明する。本明細書において言及されるあらゆる刊行物、特許出願、特許、およびその他の参考文献は、特に明記しない限り、それらの記載内容全体が参照により援用される。矛盾が生じる場合には、定義を含めて本明細書に従うものとする。さらに、材料、方法、および実施例は、単に説明的なものであって、限定を意図したものではない。   Although methods and materials similar or equivalent to those described herein can be used to practice or test embodiments of the present invention, suitable methods and materials are described below. All publications, patent applications, patents, and other references mentioned herein are hereby incorporated by reference in their entirety unless otherwise specified. In case of conflict, the present specification, including definitions, will control. In addition, the materials, methods, and examples are illustrative only and not intended to be limiting.

明確にするため、別々の実施態様の状況で、前述または後述される本発明の特定の特徴は、1つの実施態様において組み合わせて提供することもできることを理解されたい。逆に、簡潔にするため、1つの実施態様の状況で説明される本発明の種々の特徴を、別々に提供したり、あらゆる副次的な組み合わせで提供したりすることもできる。さらに、複数の値が複数の範囲内にあると言及されている場合、そのそれぞれの値がそれらの範囲内に含まれる。   For clarity, it should be understood that in the context of separate embodiments, certain features of the invention described above or below may be provided in combination in one embodiment. Conversely, for the sake of brevity, the various features of the invention described in the context of one embodiment may be provided separately or in any sub-combination. Further, where a plurality of values are referred to as being within a plurality of ranges, the respective value is included within those ranges.

比較例A
この比較例では、無機ナノ粒子を加えていないPAni/Nafion(登録商標)である、ポリ(テトラフルオロエチレン)/パーフルオロエーテルスルホン酸のフィルムの低導電率および非ぬれ性を示す。
Comparative Example A
This comparative example shows the low conductivity and non-wetting properties of a poly (tetrafluoroethylene) / perfluoroether sulfonic acid film, PAni / Nafion® without added inorganic nanoparticles.

この実施例で使用したPAni/Nafion(登録商標)分散体は、EW(酸当量)が1000である水性Nafion(登録商標)コロイド分散体を使用して調製した。温度が約270℃であることを除けば、米国特許第6,150,426号明細書、実施例1、パート2の手順と類似の手順を使用して、25%(w/w)のNafion(登録商標)分散体を作製、次に水で希釈して、重合用の12.0%(w/w)分散体を形成した。   The PAni / Nafion® dispersion used in this example was prepared using an aqueous Nafion® colloidal dispersion with an EW (acid equivalent) of 1000. 25% (w / w) Nafion using a procedure similar to that of US Pat. No. 6,150,426, Example 1, Part 2, except that the temperature is about 270 ° C. A ® dispersion was made and then diluted with water to form a 12.0% (w / w) dispersion for polymerization.

500mLの反応釜に、96.4gの固形分12%水性Nafion(登録商標)分散体(11.57mmolのSOH基)、103gの水とを投入した。希釈したNafion(登録商標)を、二段プロペラブレードを取り付けたオーバーヘッドスターラーを使用して300RPMで撹拌した。この希釈したNafion(登録商標)分散体に、15mLの水中に溶解させた1.21g(5.09mmol)の過硫酸ナトリウム(Na)と、266μL(9.28mmol)のHClおよび20mL水中に溶解させた422μL(4.63mmol)のアニリンとを迅速に加えた。得られた重合液体は不透明になり、非常に粘稠になったが、5分以内に色の変化は見られなかった。約20mgの硫酸第二鉄を加えたが、色の変化は見られなかった。しかし、30分後に重合液体は青くなり始め、その後緑色に変化した。約8時間後、それぞれ25gのDowex M31およびDowex M43のイオン交換樹脂、ならびに100gの脱イオン水を重合混合物に加えた。混合物を終夜撹拌した後、濾紙で濾過した。濾液に100gの脱イオン水を加えて粘度を低下させた。これを5つの部分に分割した。 A 500 mL reaction kettle was charged with 96.4 g solid 12% aqueous Nafion® dispersion (11.57 mmol SO 3 H groups) and 103 g water. Diluted Nafion® was stirred at 300 RPM using an overhead stirrer fitted with a two-stage propeller blade. To this diluted Nafion® dispersion, 1.21 g (5.09 mmol) of sodium persulfate (Na 2 S 2 O 8 ) dissolved in 15 mL of water, 266 μL (9.28 mmol) of HCl and 422 μL (4.63 mmol) of aniline dissolved in 20 mL water was quickly added. The resulting polymerized liquid became opaque and very viscous, but no color change was seen within 5 minutes. About 20 mg of ferric sulfate was added but no color change was seen. However, after 30 minutes, the polymerization liquid began to turn blue and then turned green. After about 8 hours, 25 g of Dowex M31 and Dowex M43 ion exchange resins, respectively, and 100 g of deionized water were added to the polymerization mixture. The mixture was stirred overnight and then filtered through filter paper. 100 g of deionized water was added to the filtrate to reduce the viscosity. This was divided into five parts.

第1の部分は、塩基を加えずにそのまま維持した。この部分を測定すると、pH2を有し、2.88%(w/w)のPAni/Nafion(登録商標)を含有することが分かった。このPAni/Nafion(登録商標)から薄膜を作製し、続いて空気中130℃で焼き付けを行った。この薄膜の室温の導電率を測定すると1.2×10−8S/cmとなり、これは表1にも示されている。薄膜にトルエンの小さな液滴1つを載せると、薄膜からトルエンがすぐに転げ落ち、このことはこの薄膜表面が非極性有機溶媒に対してぬれ性でないことを示している。非極性溶媒は、発光ポリマーおよび発光小分子に対して一般に使用されている。 The first part was kept as it was without adding base. This part was measured and found to have a pH of 2 and contain 2.88% (w / w) of PAni / Nafion®. A thin film was prepared from this PAni / Nafion (registered trademark), followed by baking at 130 ° C. in air. The electrical conductivity at room temperature of this thin film was measured and found to be 1.2 × 10 −8 S / cm, which is also shown in Table 1. When one small droplet of toluene was placed on the film, the toluene immediately fell from the film, indicating that the film surface was not wettable by nonpolar organic solvents. Nonpolar solvents are commonly used for luminescent polymers and luminescent small molecules.

pH2のPAni/Nafion(登録商標)の第2の部分に0.1MのNaOH水溶液を加えてpH5.0にした。この部分のNa含有分散体を測定すると、2.89%(w/w)PAni/Nafion(登録商標)を含有することが分かった。このpH5.0のPAni/Nafion(登録商標)から作製した薄膜の導電率を測定すると3.8×10−8S/cmとなり、これは表1にも示されている。このPAni/Nafion(登録商標)薄膜について試験すると、トルエンに対して非ぬれ性であった。 To the second portion of pH 2 PAni / Nafion® was added 0.1 M NaOH aqueous solution to pH 5.0. Measurement of this portion of the Na + -containing dispersion revealed that it contained 2.89% (w / w) PAni / Nafion®. The conductivity of the thin film prepared from PAni / Nafion (registered trademark) at pH 5.0 was measured to be 3.8 × 10 −8 S / cm, which is also shown in Table 1. When tested on this PAni / Nafion® thin film, it was non-wetting to toluene.

実施例1
この実施例では、PAni/Nafion(登録商標)である、ポリ(テトラフルオロエチレン)/パーフルオロエーテルスルホン酸のフィルムの伝導率およびぬれ性の向上に対する半導体ナノ粒子の影響を示す。
Example 1
This example shows the effect of semiconductor nanoparticles on improving the conductivity and wettability of a film of poly (tetrafluoroethylene) / perfluoroether sulfonic acid, PAni / Nafion®.

本開示の実施形態を説明するために、比較例1で調製したpH2およびpH5.0のPAni/Nafion(登録商標)分散体を使用した。5.0166gのpH2のPAni/Nafion(登録商標)分散体に1.1313gのCelnax CX−Z300H−F2(登録商標)(Nissan Chemical Industries、Ltd.(Houston,Texas,USA)の水性亜アンチモン酸亜鉛分散体)を加えた。CX−Z300H−F2はpHが約7であり、20nm未満の大きさの26.47%(w/w)亜アンチモン酸亜鉛粒子を含有する、配合物中のPAni/Nafion(登録商標)ポリマー対亜アンチモン酸亜鉛の重量比は約0.47である。この混合物は、少なくとも5か月の期間にわたって粒子の沈降の徴候がない安定な分散体を形成する。また、この混合物は、水を乾燥させると平滑で透明なフィルムを形成する。これらのデータは、特にCelnax CX−Z300H−F2(登録商標)からの亜アンチモン酸スズがPAni/Nafion(登録商標)と適合性であることを明確に示している。しかし、このプロセスは、少なくとも5nm未満の厚さを有する表面平滑性を改善するためには、2つの成分を互いに単純に加えるのではなく、よりエネルギー強度の高いプロセスによって改善される。PAni/Nafion(登録商標)および亜アンチモン酸亜鉛を含有する分散体の薄膜伝導率を室温で測定すると6.6×10−4S/cm(2つのフィルム試料の平均)となり、これは表1にも示されている。伝導率は、4桁を超える大きさで向上した。薄膜に1滴のトルエンを接触させた。トルエンは薄膜表面に容易に広がり、この薄膜が一般的な非極性有機溶媒に対してぬれ性となることを示している。 To illustrate embodiments of the present disclosure, pH 2 and pH 5.0 PAni / Nafion® dispersions prepared in Comparative Example 1 were used. An aqueous zinc antimonite of 1.1313 g Celnax CX-Z300H-F2® (Nissan Chemical Industries, Ltd., Houston, Texas, USA) to 5.0166 g pH 2 PAni / Nafion® dispersion. Dispersion) was added. CX-Z300H-F2 has a pH of about 7 and contains 26.47% (w / w) zinc antimonite particles with a size of less than 20 nm, PAni / Nafion® polymer pair in the formulation The weight ratio of zinc antimonite is about 0.47. This mixture forms a stable dispersion with no signs of particle settling over a period of at least 5 months. This mixture also forms a smooth and transparent film when water is dried. These data clearly show that tin antimonite, particularly from Celnax CX-Z300H-F2®, is compatible with PAni / Nafion®. However, this process is improved by a higher energy intensity process rather than simply adding the two components together to improve surface smoothness having a thickness of at least less than 5 nm. The thin film conductivity of the dispersion containing PAni / Nafion® and zinc antimonite was measured at room temperature to be 6.6 × 10 −4 S / cm (average of two film samples), which is shown in Table 1. Also shown in The conductivity was improved by more than 4 orders of magnitude. A drop of toluene was contacted with the film. Toluene spreads easily on the surface of the thin film, indicating that the thin film becomes wettable with common non-polar organic solvents.

pH5.0のPAni/Nafion(登録商標)にもCX−Z300H−F2を加えて、導電性およびぬれ性に対するその影響を調べた。5.0666gのpH5.0のPAni/Nafion(登録商標)分散体に1.1450gのCelnax CX−Z300H−F2(登録商標)を加えた。配合物中のPAni/Nafion(登録商標)ポリマー対亜アンチモン酸亜鉛の重量比は約0.47である。この混合物は、粒子の沈降の徴候がない安定な分散体を形成する。また、この混合物は、水を乾燥させると平滑で透明なフィルムを形成する。これらのデータは、特にCelnax CX−Z300H−F2(登録商標)からの亜アンチモン酸スズがPAni/Nafion(登録商標)と適合性であることを明確に示している。しかし、このプロセスは、少なくとも5nm未満の厚さを有する表面平滑性を改善するためには、2つの成分を互いに単純に加えるのではなく、よりエネルギー強度の高いプロセスによって改善される。PAni/Nafion(登録商標)および亜アンチモン酸亜鉛を含有する分散体の薄膜伝導率を室温で測定すると9.3×10−4S/cm(2つのフィルム試料の平均)となり、これは表1にも示されている。伝導率は、4桁を超える大きさで向上した。薄膜に1滴のトルエンを接触させた。トルエンは薄膜表面に容易に広がり、この薄膜が一般的な非極性有機溶媒に対してぬれ性となることを示している。 CX-Z300H-F2 was also added to PAni / Nafion (registered trademark) at pH 5.0 to examine its effect on conductivity and wettability. To 450666 g of pH 5.0 PAni / Nafion® dispersion, 1.1450 g of Celnax CX-Z300H-F2® was added. The weight ratio of PAni / Nafion® polymer to zinc antimonite in the formulation is about 0.47. This mixture forms a stable dispersion with no signs of particle settling. This mixture also forms a smooth and transparent film when water is dried. These data clearly show that tin antimonite, particularly from Celnax CX-Z300H-F2®, is compatible with PAni / Nafion®. However, this process is improved by a higher energy intensity process rather than simply adding the two components together to improve surface smoothness having a thickness of at least less than 5 nm. The thin film conductivity of the dispersion containing PAni / Nafion® and zinc antimonite was measured at room temperature to be 9.3 × 10 −4 S / cm (average of two film samples), which is shown in Table 1. Also shown in The conductivity was improved by more than 4 orders of magnitude. A drop of toluene was contacted with the film. Toluene spreads easily on the surface of the thin film, indicating that the thin film becomes wettable with common non-polar organic solvents.

Figure 2011529115
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実施例2
この実施例では、TFE(テトラフルオロエチレン)と過フッ素化ポリマー酸であるPSEPVE(過フッ素化3,6−ジオキサ−4−メチル−7−オクテンスルホン酸)とのコポリマーの水性分散体の存在下で製造されるポリピロール(PPy)の水性分散体の調製を示す。このPPy/ポリ(TFE−PSEPVE)の水性分散体は、PPYポリ(TFE−PSEPVE)固体フィルムの有機溶媒とのぬれ性に対するシリカナノ粒子の影響を示すために使用される。EWが1000のポリ(TFE−PSEPVE)を水中で約270℃に加熱することによってポリ(TFE−PSEPVE)の水性分散体を調製した。この水性ポリ(TFE−PSEPVE)分散体は、水中25%(w/w)のポリ(TFE−PSEPVE)であり、ピロールとの重合に使用する前に、脱イオン水で10.8%まで希釈した。
Example 2
In this example, in the presence of an aqueous dispersion of a copolymer of TFE (tetrafluoroethylene) and the perfluorinated polymer acid PSEPVE (perfluorinated 3,6-dioxa-4-methyl-7-octenesulfonic acid). Preparation of an aqueous dispersion of polypyrrole (PPy) produced in This aqueous PPy / poly (TFE-PSEPVE) dispersion is used to demonstrate the effect of silica nanoparticles on the wettability of PPY poly (TFE-PSEPVE) solid films with organic solvents. An aqueous dispersion of poly (TFE-PSEPVE) was prepared by heating poly (TFE-PSEPVE) with 1000 EW in water to about 270 ° C. This aqueous poly (TFE-PSEPVE) dispersion is 25% (w / w) poly (TFE-PSEPVE) in water and diluted to 10.8% with deionized water prior to use in polymerization with pyrrole. did.

米国特許公開第2005−0205860号明細書に記載されるようにして、ポリ(TFE−PSEPVE)分散体の存在下でピロールモノマーを重合させた。重合成分は以下のモル比を有する:ポリ(TFE−PSEPVE):ピロール=3.4;Na:ピロール=1.0;Fe(SO:ピロール=0.1。この反応は15分間進行させた。 The pyrrole monomer was polymerized in the presence of poly (TFE-PSEPVE) dispersion as described in US Patent Publication No. 2005-0205860. The polymerization components have the following molar ratios: poly (TFE-PSEPVE): pyrrole = 3.4; Na 2 S 2 O 8 : pyrrole = 1.0; Fe 2 (SO 4 ) 3 : pyrrole = 0.1. This reaction was allowed to proceed for 15 minutes.

次に、水性PPy/ポリ(TFE−PSEPVE)分散体を、直列に接続した3つのカラムに圧送した。この3つのカラムは、それぞれDowex M−31、Dowex M−43、Dowex M−31 Naを含有する。これら3つのDowexイオン交換樹脂は、Dow Chemicals Company,Midland,Michigan,USAのものである。このイオン樹脂で処理された分散体は、続いて、Microfluidizer Processor M−110Y(Microfluidics,Massachusetts,USA)を使用して5,000psiで1回通すことによってマイクロフルイダイザー処理を行った。マイクロフルイダイザー処理した分散体を次に濾過し、脱気して酸素を除去した。標準的なpHメーターを使用して分散体のpHを測定すると4.0であり、重量測定法によって固形分%を測定すると6.4%であった。この分散体からフィルムをスピンコーティングし、次に空気中130℃で10分間焼き付けすると、室温で7.5×10−4S/cmの導電率を有する。水性PPy/ポリ(TFE−PSEPVE)分散体を最初に6.4%から3.12%に希釈してから、シリカナノ粒子の添加に使用した。この実施例に使用したシリカナオ粒子分散体は、Nissan Chemical CompanyのIPA(イソプロパノール)−ST−Sである。 IPA−ST−Sは、26重量%のシリカナノ粒子を含有する。シリカの粒度は、Microtrac ”nano−ultra”動的光散乱を使用して測定した。シリカの50体積%が7.1nm(ナノメートル)以下の粒度を有することが分かった。次に、このシリカ分散体を対応する量のPPy/ポリ(TFE−PSEPVE)分散体と混合して、表2に記載される、PPy/ポリ(TFE−PSEPVE)およびシリカである全固形分に対する所望のシリカ重量%を得た。スピンコーティングによって形成されたPPy/ポリ(TFE−PSEPVE)固体フィルムの接触角は、シリカが含まれる場合には、p−キシレンの場合でもアニソールの場合でも大幅に減少していることがデータから明らかに示されている。 The aqueous PPy / poly (TFE-PSEPVE) dispersion was then pumped through three columns connected in series. The three columns contain Dowex M-31, Dowex M-43, and Dowex M-31 Na + , respectively. These three Dowex ion exchange resins are from Dow Chemicals Company, Midland, Michigan, USA. The dispersion treated with this ionic resin was subsequently microfluidized by passing it once at 5,000 psi using a Microfluidizer Processor M-110Y (Microfluidics, Massachusetts, USA). The microfluidizer treated dispersion was then filtered and degassed to remove oxygen. The dispersion pH was measured using a standard pH meter to be 4.0, and the percent solids measured by gravimetry was 6.4%. A film is spin coated from this dispersion and then baked in air at 130 ° C. for 10 minutes and has a conductivity of 7.5 × 10 −4 S / cm at room temperature. The aqueous PPy / poly (TFE-PSEPVE) dispersion was first diluted from 6.4% to 3.12% and then used for the addition of silica nanoparticles. The silica nao particle dispersion used in this example is IPA (isopropanol) -ST-S from Nissan Chemical Company. IPA-ST-S contains 26 wt% silica nanoparticles. The silica particle size was measured using Microtrac “nano-ultra” dynamic light scattering. It was found that 50% by volume of silica has a particle size of 7.1 nm (nanometers) or less. This silica dispersion is then mixed with the corresponding amount of PPy / poly (TFE-PSEPVE) dispersion to the total solids listed in Table 2 which are PPy / poly (TFE-PSEPVE) and silica. The desired silica weight percent was obtained. It is clear from the data that the contact angle of PPy / poly (TFE-PSEPVE) solid film formed by spin coating is significantly reduced in the case of p-xylene and anisole when silica is included. Is shown in

Figure 2011529115
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実施例3
この実施例では、緩衝層としてシリカを有する場合と有さない場合とのPPy/ポリ(TFE−PSEPVE)を使用した青色発光体の溶液処理有機発光ダイオードのデバイス性能を示す。
Example 3
This example shows the device performance of a solution-processed organic light emitting diode with a blue light emitter using PPy / poly (TFE-PSEPVE) with and without silica as the buffer layer.

実施例2のシリカを有する場合と有さない場合とのPPy/ポリ(TFE−PSEPVE)分散体を使用して、パターン化されたITO基体(デバイス活性領域=2.24mm×2.5mm)上にスピンコーティングすることによって緩衝層を形成した。ITO基体は使用前に洗浄し、UVゾーンオーブンで10分間処理した。シリカを有する場合と有さない場合との各PPy/ポリ(TFE−PSEPVE)分散体のスピンコーティングは、空気中140℃で7分間の焼き付けを行った後に50nmの厚さが得られる条件に設定した。次にこれらをドライボックスに移動させ、その不活性チャンバー中ですべてのさらなる上塗りを行った。次に緩衝層に、正孔輸送特性を有するアリールアミン含有コポリマーであるHT−2の0.38%(w/v)トルエン溶液を上塗りし、アルゴン中275℃で30分間の焼き付けを行って20nmの厚さを実現した。冷却後、基体に、13:1の蛍光性ホスト:青色蛍光性ドーパントを含有する発光層溶液をスピンコーティングし、次に135℃で15分間加熱して溶媒を除去した。層厚さは約40nmであった。次に基体をマスクして、真空チャンバーに入れた。電子輸送層としての金属キノレート誘導体の厚さ10nmの層を熱蒸着によって堆積した後、フッ化セシウムの0.8nmの層、および100nmのアルミニウムカソード層を堆積した。ガラス蓋、ゲッターパック、およびUV硬化性エポキシを使用してデバイスを封入した。得られた発光ダイオード試料は、それらの1)電流−電圧(I−V)曲線、(2)エレクトロルミネッセンス放射輝度対電圧、および(3)エレクトロルミネッセンススペクトル対電圧を測定することによって特性決定を行った。3つすべての測定を同時に行い、コンピュータで制御を行った。LEDのエレクトロルミネッセンス放射輝度を、デバイスを動作させるために必要な電流密度で割ることによって、ある電圧におけるデバイスの電流効率(cd/A)が求められる。出力効率(Lm/W)は、電流効率を動作電圧で割った値である。結果を表3に示しており、シリカがデバイス性能に悪影響を与えないことが示されている。   On a patterned ITO substrate (device active area = 2.24 mm × 2.5 mm) using PPy / poly (TFE-PSEPVE) dispersion with and without the silica of Example 2 A buffer layer was formed by spin coating. The ITO substrate was cleaned prior to use and treated in a UV zone oven for 10 minutes. The spin coating of each PPy / poly (TFE-PSEPVE) dispersion with and without silica was set to a condition where a thickness of 50 nm was obtained after baking at 140 ° C. for 7 minutes in air. did. They were then transferred to a dry box and all further overcoating was performed in the inert chamber. Next, the buffer layer is overcoated with a 0.38% (w / v) toluene solution of HT-2, which is an arylamine-containing copolymer having hole transport properties, and baked in argon at 275 ° C. for 30 minutes to 20 nm. Realized the thickness. After cooling, the substrate was spin coated with a light emitting layer solution containing 13: 1 fluorescent host: blue fluorescent dopant and then heated at 135 ° C. for 15 minutes to remove the solvent. The layer thickness was about 40 nm. The substrate was then masked and placed in a vacuum chamber. A 10 nm thick layer of a metal quinolate derivative as the electron transport layer was deposited by thermal evaporation, followed by a 0.8 nm layer of cesium fluoride and a 100 nm aluminum cathode layer. The device was encapsulated using a glass lid, getter pack, and UV curable epoxy. The resulting light emitting diode samples were characterized by measuring their 1) current-voltage (IV) curves, (2) electroluminescence radiance versus voltage, and (3) electroluminescence spectrum versus voltage. It was. All three measurements were made simultaneously and controlled by a computer. By dividing the electroluminescence radiance of the LED by the current density required to operate the device, the current efficiency (cd / A) of the device at a certain voltage is determined. The output efficiency (Lm / W) is a value obtained by dividing the current efficiency by the operating voltage. The results are shown in Table 3, indicating that silica does not adversely affect device performance.

Figure 2011529115
Figure 2011529115

概要または実施例において前述したすべての行為が必要なわけではなく、特定の行為の一部は不要である場合があり、1つまたは複数のさらに別の行為が、前述の行為に加えて実施される場合があることに留意されたい。さらに、行為が列挙されている順序は、必ずしもそれらが実施される順序ではない。   Not all acts described above in the summary or example are required and some of the specific acts may not be necessary, and one or more additional actions may be performed in addition to the actions described above. Please note that there may be cases. Further, the order in which actions are listed are not necessarily the order in which they are performed.

以上の明細書において、具体的な実施形態を参照しながら本発明の概念を説明してきた。しかし、当業者であれば、特許請求の範囲に記載される本発明の範囲から逸脱せずに種々の修正および変更を行えることが理解できよう。したがって、本明細書および図面は、限定的な意味ではなく説明的なものであると見なすべきであり、すべてのこのような修正は本発明の範囲内に含まれることを意図している。   In the foregoing specification, the concepts of the invention have been described with reference to specific embodiments. However, one of ordinary skill in the art appreciates that various modifications and changes can be made without departing from the scope of the present invention as set forth in the claims below. The specification and drawings are, accordingly, to be regarded in an illustrative rather than a restrictive sense, and all such modifications are intended to be included within the scope of the invention.

特定の実施形態に関して、利益、その他の利点、および問題に対する解決法を以上に記載してきた。しかし、これらの利益、利点、問題の解決法、ならびに、なんらかの利益、利点、または解決法を発生させたり、より顕著にしたりすることがある、あらゆる特徴が、特許請求の範囲のいずれかまたはすべての重要、必要、または本質的な特徴であるとして解釈すべきではない。   Benefits, other advantages, and solutions to problems have been described above with regard to specific embodiments. However, any or all of these benefits, advantages, solutions to problems, and any features that may generate or make any benefit, advantage, or solution appear to be any or all of the claims Should not be construed as an important, necessary, or essential feature of.

別々の実施形態の状況において、明確にするために本明細書に記載されている特定の複数の特徴は、1つの実施形態の中で組み合わせても提供できることを理解されたい。逆に、簡潔にするため1つの実施形態の状況において説明した種々の特徴も、別々に提供したり、あらゆる副次的な組み合わせで提供したりすることができる。   It should be understood that in the context of separate embodiments, the specific features described herein for clarity may be provided in combination in one embodiment. Conversely, the various features described in the context of one embodiment for the sake of brevity can also be provided separately or in any sub-combination.

本明細書において明記される種々の範囲内の数値が使用される場合、記載の範囲内の最小値および最大値の両方の前に単語「約」が付けられているかのように近似値として記載されている。この方法では、記載の範囲よりもわずかに上およびわずかに下のばらつきを使用して、その範囲内の値の場合と実質的に同じ結果を得ることができる。また、これらの範囲の開示は、ある値の一部の成分を異なる値の一部の成分と混合した場合に生じうる分数値を含めて、最小平均値と最大平均値との間のすべての値を含む連続した範囲であることを意図している。さらに、より広い範囲およびより狭い範囲が開示される場合、ある範囲の最小値を別の範囲の最大値と一致させること、およびその逆のことが本発明の意図の範囲内となる。   Where numbers within the various ranges specified herein are used, they are stated as approximations as if the word “about” preceded both the minimum and maximum values within the stated range. Has been. In this way, variations slightly above and slightly below the stated range can be used to achieve substantially the same results as for values within that range. The disclosure of these ranges also includes all values between the minimum and maximum average values, including fractional values that can occur when some components of one value are mixed with some components of different values. It is intended to be a continuous range containing values. Further, when a wider range and a narrower range are disclosed, it is within the spirit of the invention to match the minimum value of one range with the maximum value of another range and vice versa.

Claims (22)

少なくとも1種類の高フッ素化酸ポリマーでドープした少なくとも1種類の導電性ポリマーの水性分散体と、
無機ナノ粒子と
を含む、組成物。
An aqueous dispersion of at least one conductive polymer doped with at least one highly fluorinated acid polymer;
A composition comprising inorganic nanoparticles.
前記導電性ポリマーが、ポリチオフェン類、ポリ(セレノフェン)類、ポリ(テルロフェン)類、ポリピロール類、ポリアニリン類、多環式芳香族ポリマー類、それらのコポリマー、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項1に記載の組成物。   The conductive polymer is selected from the group consisting of polythiophenes, poly (selenophene) s, poly (tellurophenes), polypyrroles, polyanilines, polycyclic aromatic polymers, copolymers thereof, and combinations thereof. The composition of claim 1. 前記導電性ポリマーが、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、縮合多環式複素環式芳香族ポリマー、それらのコポリマー、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項2に記載の組成物。   The composition of claim 2, wherein the conductive polymer is selected from the group consisting of polyaniline, polythiophene, polypyrrole, fused polycyclic heteroaromatic polymers, copolymers thereof, and combinations thereof. 前記導電性ポリマーが、非置換ポリアニリン、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)、非置換ポリピロール、ポリ(チエノ(2,3−b)チオフェン)、ポリ(チエノ(3,2−b)チオフェン)、およびポリ(チエノ(3,4−b)チオフェン)からなる群から選択される、請求項3に記載の組成物。   The conductive polymer is unsubstituted polyaniline, poly (3,4-ethylenedioxythiophene), unsubstituted polypyrrole, poly (thieno (2,3-b) thiophene), poly (thieno (3,2-b) thiophene. ) And poly (thieno (3,4-b) thiophene). 前記高フッ素化酸ポリマーが少なくとも95%フッ素化されている、請求項1に記載の組成物。   The composition of claim 1, wherein the highly fluorinated acid polymer is at least 95% fluorinated. 前記高フッ素化酸ポリマーがスルホン酸およびスルホンイミドから選択される、請求項1に記載の組成物。   The composition of claim 1, wherein the highly fluorinated acid polymer is selected from sulfonic acid and sulfonimide. 前記高フッ素化酸ポリマーが、パーフルオロ−エーテル−スルホン酸側鎖を有するパーフルオロオレフィンである、請求項1に記載の組成物。   The composition of claim 1, wherein the highly fluorinated acid polymer is a perfluoroolefin having perfluoro-ether-sulfonic acid side chains. 前記高フッ素化酸ポリマーが、1,1−ジフルオロエチレンと2−(1,1−ジフルオロ−2−(トリフルオロメチル)アリルオキシ)−1,1,2,2−テトラフルオロエタンスルホン酸とのコポリマー、およびエチレンと2−(2−(1,2,2−トリフルオロビニルオキシ)−1,1,2,3,3,3−ヘキサフルオロプロポキシ)−1,1,2,2−テトラフルオロエタンスルホン酸とのコポリマー、からなる群から選択される、請求項1に記載の組成物。   The highly fluorinated acid polymer is a copolymer of 1,1-difluoroethylene and 2- (1,1-difluoro-2- (trifluoromethyl) allyloxy) -1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonic acid And ethylene and 2- (2- (1,2,2-trifluorovinyloxy) -1,1,2,3,3,3-hexafluoropropoxy) -1,1,2,2-tetrafluoroethane The composition of claim 1 selected from the group consisting of copolymers with sulfonic acids. 前記高フッ素化酸ポリマーが、テトラフルオロエチレンとパーフルオロ(3,6−ジオキサ−4−メチル−7−オクテンスルホン酸)とのコポリマー、およびテトラフルオロエチレンおよびパーフルオロ(3−オキサ−4−ペンテンスルホン酸)とのコポリマーから選択される、請求項1に記載の組成物。   The highly fluorinated acid polymer is a copolymer of tetrafluoroethylene and perfluoro (3,6-dioxa-4-methyl-7-octenesulfonic acid), and tetrafluoroethylene and perfluoro (3-oxa-4-pentene). 2. A composition according to claim 1 selected from copolymers with sulfonic acids). 前記無機ナノ粒子が半導体である、請求項1に記載の組成物。   The composition of claim 1, wherein the inorganic nanoparticles are semiconductors. 前記無機ナノ粒子が、金属硫化物類、金属酸化物類、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項10に記載の組成物。   The composition of claim 10, wherein the inorganic nanoparticles are selected from the group consisting of metal sulfides, metal oxides, and combinations thereof. 前記金属酸化物が、アンチモン酸亜鉛類、インジウム・スズ酸化物、酸素欠乏型三酸化モリブデン、五酸化バナジウム、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項11に記載の組成物。   The composition according to claim 11, wherein the metal oxide is selected from the group consisting of zinc antimonates, indium tin oxide, oxygen-deficient molybdenum trioxide, vanadium pentoxide, and combinations thereof. 前記無機ナノ粒子が絶縁性である、請求項1に記載の組成物。   The composition of claim 1, wherein the inorganic nanoparticles are insulating. 前記ナノ粒子が、酸化ケイ素、酸化チタン類、酸化ジルコニウム、三酸化モリブデン、酸化バナジウム、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化サマリウム、酸化イットリウム、酸化セシウム、酸化第二銅、酸化第二スズ、酸化アンチモン、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項13に記載の組成物。   The nanoparticles are silicon oxide, titanium oxides, zirconium oxide, molybdenum trioxide, vanadium oxide, aluminum oxide, zinc oxide, samarium oxide, yttrium oxide, cesium oxide, cupric oxide, stannic oxide, antimony oxide, 14. The composition of claim 13, selected from the group consisting of: and combinations thereof. 前記無機ナノ粒子が、硫化カドミウム、硫化銅、硫化鉛、硫化水銀、硫化インジウム、硫化銀、硫化コバルト、硫化ニッケル、硫化モリブデン、Ni/Cd硫化物類、Co/Cd硫化物類、Cd/In硫化物類、Pd−Co−Pd硫化物類、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項1に記載の組成物。   The inorganic nanoparticles are cadmium sulfide, copper sulfide, lead sulfide, mercury sulfide, indium sulfide, silver sulfide, cobalt sulfide, nickel sulfide, molybdenum sulfide, Ni / Cd sulfides, Co / Cd sulfides, Cd / In The composition of claim 1, selected from the group consisting of sulfides, Pd—Co—Pd sulfides, and combinations thereof. ナノ粒子対導電性ポリマーの重量比が0.1〜10.0の範囲内である、請求項1に記載の組成物。   The composition of claim 1 wherein the weight ratio of nanoparticles to conductive polymer is in the range of 0.1 to 10.0. 請求項1に記載の組成物から作製されたフィルム。   A film made from the composition of claim 1. p−キシレンに対して50°未満の接触角を有する、請求項17に記載のフィルム。   18. A film according to claim 17, having a contact angle of less than 50 [deg.] with p-xylene. 460nmにおいて1.4を超える屈折率を有する、請求項17に記載のフィルム。   The film of claim 17 having a refractive index greater than 1.4 at 460 nm. 請求項1に記載の組成物から作製された少なくとも1つの層を含む電子デバイス。   An electronic device comprising at least one layer made from the composition of claim 1. 前記層が緩衝層である、請求項20に記載のデバイス。   21. The device of claim 20, wherein the layer is a buffer layer. アノード、緩衝層、電気活性層、およびカソードを含む、請求項21に記載のデバイス。   The device of claim 21, comprising an anode, a buffer layer, an electroactive layer, and a cathode.
JP2011520054A 2008-07-22 2009-02-25 Aqueous dispersion of conductive polymer containing inorganic nanoparticles Pending JP2011529115A (en)

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