JP2011521556A5 - - Google Patents

Claims (32)

1. （ａ）単一の第１のスイッチを閉じ、それによりソース電流がインダクタを通って流れることができるようになるステップと、
   （ｂ）単一の第１のスイッチを開き、それにより充電電流がインダクタのインダクタンスを利用するエネルギー蓄積デバイスを通って流れるようになるステップと、
   （ｃ）エネルギー蓄積デバイスが十分に充電されるまで、ステップａおよびｂを繰り返すステップであって、ステップａおよびｂが、製造中に回路組立で行われる較正工程により決定される所定の回数実行されるステップと、
   （ｄ）指令と同時に、第２のスイッチを閉じ、それにより放電電流がエネルギー蓄積デバイスからインダクタに流れ、駆動する磁場をインダクタに発生させ、それにより機械弁を駆動するステップとを含む、方法。
2. ソース電流が弁を駆動するのに不十分である、請求項１に記載の方法。
3. ソース電流が電流検出素子により測定される第１の所定のレベルに到達するまで、ステップａが維持される、請求項１に記載の方法。
4. ソース電流が電流検出素子により測定される第２の所定のレベルに到達するまで、ステップｂが維持される、請求項３に記載の方法。
5. 較正工程が構成要素の公差と周囲温度の両方を考慮する、請求項１に記載の方法。
6. ステップａおよびｂが、第２のスイッチが開かれた状態で実行される、請求項１に記載の方法。
7. （ｅ）弁が駆動された後に、電流検出素子によりソース電流を監視するステップと、
   （ｆ）ソース電流が所定のレベルに到達すると、ステップａおよびｂを繰り返して、エネルギー蓄積デバイスを再充電するステップとをさらに含む、請求項１に記載の方法。
8. 第１のスイッチが、通常閉じられたデプリーション型ＭＯＳＦＥＴである、請求項１に記載の方法。
9. （ａ）第１の単極単投接点（ＳＰＳＴ）スイッチを開き、第２のＳＰＳＴスイッチを閉じ、それにより第１のダイオードを順バイアスし、ソース電流がコンデンサを通って流れることができるようになり、コンデンサを充電するステップと、
   （ｂ）第２のＳＰＳＴスイッチを開き、それにより第２のダイオードを逆バイアスし、コンデンサの充電を維持するステップと、
   （ｃ）第１のＳＰＳＴスイッチを閉じ、それによりソース電流がソレノイドコイルを通って流れることができるようになるステップと、
   （ｄ）第１のＳＰＳＴスイッチを開き、それにより第２のダイオードを順バイアスし、充電電流がソレノイドコイルのインダクタンスを利用するコンデンサを通って流れるステップと、
   （ｅ）コンデンサが十分に充電されるまで、ステップｃおよびｄを繰り返すステップと、
   （ｆ）指令と同時に、第１のＳＰＳＴスイッチも第２のＳＰＳＴスイッチも閉じ、それにより第１のダイオードも第２のダイオードも逆バイアスし、放電電流がコンデンサからソレノイドコイルに流れ、駆動する磁場をソレノイドコイルが発生させ、それにより機械弁を駆動するステップとを含み、
   ソース電流が電流検出素子により測定される第１の所定のレベルに到達するまで、ステップｃが維持される、方法。
10. ソース電流が、弁を駆動するための駆動する磁場を発生させるのに不十分である、請求項９に記載の方法。
11. ソース電流が電流検出素子により測定される第２の所定のレベルに到達するまで、ステップｄが維持される、請求項９に記載の方法。
12. ステップｃおよびｄが所定の回数実行される、請求項９に記載の方法。
13. 所定の回数が較正工程により決定され、構成要素の公差と周囲温度の両方を考慮する、請求項１２に記載の方法。
14. ステップｃおよびｄが、第２のスイッチが開かれた状態で実行される、請求項９に記載の方法。
15. （ｇ）弁が駆動された後に、電流検出素子によりソース電流を監視するステップと、
    （ｈ）ソース電流が所定のレベルに到達すると、ステップａおよびｂを繰り返して、エネルギー蓄積デバイスを再充電するステップとをさらに含む、請求項９に記載の方法。
16. 第１のＳＰＳＴスイッチが、通常閉じられたデプリーション型ＭＯＳＦＥＴである、請求項１に記載の方法。
17. ステップａ、ｂおよびｃは、
    ソース電流が第１の所定のレベルに上がるまで、第１のＳＰＳＴスイッチを閉じたままにするステップと、
    ソース電流が第１の所定のレベルに上がるとき、第１のＳＰＳＴスイッチを開くステップと、
    ソース電流が第２の所定のレベルに下がると、第１のＳＰＳＴスイッチを閉じるステップとをさらに含む、請求項１に記載の方法。
18. ステップａ、ｂ、ｃ、ｄおよびｅは、
    ソース電流が第１の所定のレベルに上がるまで、第１のＳＰＳＴスイッチを閉じたままにするステップと、
    ソース電流が第１の所定のレベルに上がるとき、第１のＳＰＳＴスイッチを開くステップと、
    ソース電流が第２の所定のレベルに下がると、第１のＳＰＳＴスイッチを閉じるステップとをさらに含む、請求項９に記載の方法。
19. （ａ）第１の単極単投接点（ＳＰＳＴ）スイッチを開き、第２のＳＰＳＴスイッチを閉じ、それにより第１のダイオードを順バイアスし、ソース電流がコンデンサを通って流れることができるようになり、コンデンサを充電するステップと、
    （ｂ）第２のＳＰＳＴスイッチを開き、それにより第２のダイオードを逆バイアスし、コンデンサの充電を維持するステップと、
    （ｃ）第１のＳＰＳＴスイッチを閉じ、それによりソース電流がソレノイドコイルを通って流れることができるようになるステップと、
    （ｄ）第１のＳＰＳＴスイッチを開き、それにより第２のダイオードを順バイアスし、充電電流がソレノイドコイルのインダクタンスを利用するコンデンサを通って流れるステップと、
    （ｅ）コンデンサが十分に充電されるまで、ステップｃおよびｄを繰り返すステップと、
    （ｆ）指令と同時に、第１のＳＰＳＴスイッチも第２のＳＰＳＴスイッチも閉じ、それにより第１のダイオードも第２のダイオードも逆バイアスし、放電電流がコンデンサからソレノイドコイルに流れ、駆動する磁場をソレノイドコイルに発生させ、それにより機械弁を駆動するステップとを含み、
    ステップｃおよびｄが較正工程により決定される所定の回数実行され、、構成要素の公差と周囲温度の両方を考慮する、方法。
20. ソース電流が、弁を駆動するための駆動する磁場を発生させるのに不十分である、請求項１９に記載の方法。
21. ステップｃおよびｄが、第２のＳＰＳＴスイッチが開かれた状態で実行される、請求項１９に記載の方法。
22. （ｅ）弁が駆動された後に、電流検出素子によりソース電流を監視するステップと、
    （ｆ）ソース電流が所定のレベルに到達すると、ステップａおよびｂを繰り返して、エネルギー蓄積デバイスを再充電するステップとをさらに含む、請求項１９に記載の方法。
23. ステップａ、ｂ、ｃ、ｄおよびｅは、
    ソース電流が第１の所定のレベルに上がるまで、第１のＳＰＳＴスイッチを閉じたままにするステップと、
    ソース電流が第１の所定のレベルに上がるとき、第１のＳＰＳＴスイッチを開くステップと、
    ソース電流が第２の所定のレベルに下がると、第１のＳＰＳＴスイッチを閉じるステップとをさらに含む、請求項１９に記載の方法。
24. （ａ）第１の単極単投接点（ＳＰＳＴ）スイッチを開き、第２のＳＰＳＴスイッチを閉じ、それにより第１のダイオードを順バイアスし、ソース電流がコンデンサを通って流れることができるようになり、コンデンサを充電するステップと、
    （ｂ）第２のＳＰＳＴスイッチを開き、それにより第２のダイオードを逆バイアスし、コンデンサの充電を維持するステップと、
    （ｃ）第１のＳＰＳＴスイッチを閉じ、それによりソース電流がソレノイドコイルを通って流れることができるようになるステップと、
    （ｄ）第１のＳＰＳＴスイッチを開き、それにより第２のダイオードを順バイアスし、充電電流がソレノイドコイルのインダクタンスを利用するコンデンサを通って流れるステップと、
    （ｅ）コンデンサが十分に充電されるまで、ステップｃおよびｄを繰り返すステップと、
    （ｆ）指令と同時に、第１のＳＰＳＴスイッチも第２のＳＰＳＴスイッチも閉じ、それにより第１のダイオードも第２のダイオードも逆バイアスし、放電電流がコンデンサからソレノイドコイルに流れ、駆動する磁場をソレノイドコイルに発生させ、それにより機械弁を駆動するステップと、
    （ｇ）弁が駆動された後に、電流検出素子によりソース電流を監視するステップと、
    （ｈ）ソース電流が所定のレベルに到達すると、ステップａおよびｂを繰り返して、エネルギー蓄積デバイスを再充電するステップとを含む、方法。
25. ソース電流が、弁を駆動するための駆動する磁場を発生させるのに不十分である、請求項２４に記載の方法。
26. ステップｃおよびｄが所定の回数実行される、請求項２４に記載の方法。
27. ステップｃおよびｄが、第２のスイッチが開かれた状態で実行される、請求項２４に記載の方法。
28. ステップａ、ｂ、ｃ、ｄおよびｅは、
    ソース電流が第１の所定のレベルに上がるまで、第１のＳＰＳＴスイッチを閉じたままにするステップと、
    ソース電流が第１の所定のレベルに上がるとき、第１のＳＰＳＴスイッチを開くステップと、
    ソース電流が第２の所定のレベルに下がると、第１のＳＰＳＴスイッチを閉じるステップとをさらに含む、請求項２４に記載の方法。
29. （ａ）第１の単極単投接点（ＳＰＳＴ）スイッチを開き、第２のＳＰＳＴスイッチを閉じ、それにより第１のダイオードを順バイアスし、ソース電流がコンデンサを通って流れることができるようになり、コンデンサを充電するステップと、
    （ｂ）第２のＳＰＳＴスイッチを開き、それにより第２のダイオードを逆バイアスし、コンデンサの充電を維持するステップと、
    （ｃ）第１のＳＰＳＴスイッチを閉じ、それによりソース電流がソレノイドコイルを通って流れることができるようになるステップと、
    （ｄ）第１のＳＰＳＴスイッチを開き、それにより第２のダイオードを順バイアスし、充電電流がソレノイドコイルのインダクタンスを利用するコンデンサを通って流れるステップと、
    （ｅ）コンデンサが十分に充電されるまで、ステップｃおよびｄを繰り返すステップと、
    （ｆ）指令と同時に、第１のＳＰＳＴスイッチも第２のＳＰＳＴスイッチも閉じ、それにより第１のダイオードも第２のダイオードも逆バイアスし、放電電流がコンデンサからソレノイドコイルに流れ、駆動する磁場をソレノイドコイルに発生させ、それにより機械弁を駆動するステップとを含み、
    ステップａ、ｂ、ｃ、ｄおよびｅは、
    ソース電流が第１の所定のレベルに上がるまで、第１のＳＰＳＴスイッチを閉じたままにするステップと、
    ソース電流が第１の所定のレベルに上がるとき、第１のＳＰＳＴスイッチを開くステップと、
    ソース電流が第２の所定のレベルに下がると、第１のＳＰＳＴスイッチを閉じるステップとをさらに含む、方法。
30. ソース電流が、弁を駆動するための駆動する磁場を発生させるのに不十分である、請求項２９に記載の方法。
31. ステップｃおよびｄが所定の回数実行される、請求項２９に記載の方法。
32. ステップｃおよびｄが、第２のスイッチが開かれた状態で実行される、請求項２９に記載の方法。