JP2011511463A - インジウム混和の増加による、窒化物発光ダイオードの偏光の向上 - Google Patents
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Abstract
Description
本出願は、米国特許法第119条(e)項の下、2008年2月1日に出願された、Hisashi Masui、Hisashi Yamada、Kenji Iso、James S.Speck、Shuji Nakamura、Steven P.DenBaarsらによる、「ENHANCEMENT OF OPTICAL POLARIZATION OF NITRIDE LIGHT−EMITTING DIODES BY INCREASED INDIUM INCORPORATION」というタイトルの、同時係属中で同一譲受人の米国仮特許出願第61/025,592号、代理人整理番号30794.259−US−P1(2008−323−1)の利益を主張し、その出願は本明細書に参考として援用される。
本出願と同日に出願された、Hisashi Masui、Hisashi Yamada、Kenji Iso、Asako Hirai、Makoto Saito、James S.Speck、Shuji Nakamura、Steven P.DenBaarsらによる、「ENHANCEMENT OF OPTICAL POLARIZATION OF NITRIDE LIGHT−EMITTING DIODES BY WAFER OFF−AXIS CUT」というタイトルの、米国実用特許出願第xx/xxx,xxx号、代理人整理番号30794.260−US−U1(2008−361−2)で、この出願は、米国特許法第119条(e)項の下、2008年2月1日に出願された、Hisashi Masui、Hisashi Yamada、Kenji Iso、Asako Hirai、Makoto Saito、James S.Speck、Shuji Nakamura、Steven P.DenBaarsらによる、「ENHANCEMENT OF OPTICAL POLARIZATION OF NITRIDE LIGHT−EMITTING DIODES BY WAFER OFF−AXIS CUT」というタイトルの、同時係属中で同一譲受人の米国仮特許出願第61/025,600号、代理人整理番号30794.260−US−P1(2008−361−1)の利益を主張し、これらの出願は本明細書に参考として援用される。
本発明は、発光ダイオードに関し、より具体的には、インジウム(In)混和の増加による、窒化物発光ダイオードの偏光の向上に関する。
(2.関連技術の説明)
発光ダイオード(LED)は、多くの用途の中でもとりわけ、表示ランプ、局所照明器、および光送信機として、過去30年にわって使用されている。過去10年においては、青色および緑色LED系高輝度アルミニウム−インジウム−窒化ガリウム[(Al,In,Ga)N]が開発され、一般照明およびフルカラーディスプレイ用途に出現し始めている。
本発明は、無極性LEDから高偏光比を得るための技術を提供する。その発光層内に高In含有量を有する無極性LEDは、高偏光比を伴う発光特徴を保有する傾向にある。477nm(約28%のIn含有量または組成に対応する)の波長で発光するLEDは、477nmより短い波長で発光するいずれの他の検討されたLEDと比較して、最高偏光比(0.87)を提供することが認められている。
好ましい実施形態の以下の説明では、本明細書の一部を形成し、本発明が実践され得る特定の実施形態の一例として示される、付随の図面が参照される。他の実施形態が利用されてもよく、構造的変化は、本発明の範囲から逸脱することなく成され得ることを理解されたい。
ここで、窒化ガリウム(GaN)系材料の本特定の研究分野の慣習に基づく、本開示で使用される用語を明確にすることは有意義である。
無極性および半極性AlInGaN系LEDは、偏光を放出するように示されている一方、従来のLEDは、非偏光のみ放出する。無極性LEDの偏光比の最高報告値は、0.8である(室温測定)。実践用途の場合、依然として、より高い偏光比が必要とされる。本発明は、発光層中のIn含有量を増加させることによって、無極性LEDからのエレクトロルミネセンスにおいて、より高い偏光比を達成する。
無極性および半極性LEDからの偏光発光が報告されている。偏光比は、偏光度を示す数字であって、0は、光の偏光がなく、1は、完全偏光である。これらの無極性および半極性LEDの偏光比の一般的な値は、0.8である。これらの偏光源を使用する実践的用途の場合、高偏光比が必要とされる。
本発明の可能性として考えられる修正例は、LED構造内に歪制御層を導入することである。理論および実験によると、高偏光比が発光層中の高歪によって生じるのに伴って、歪制御層の導入が、偏光比を変化させるであろう。例えば、発光InGaN層の片側または両側にAlGaN層を挿入することは、InGaN層中の歪を増加させるであろう。これは、AlGaNがGaNより小さい格子定数を有し、InGaN層がより大きい格子不整合を被るためである。これらの歪制御層は、InGaN発光層の近傍に挿入される必要はないが、InGaN層中の歪が向上されるように、LED構造内のいずれかの場所に挿入される。
図4は、LEDから放出される光の偏光度(例えば、偏光比)を制御するステップを例示する工程図である。本方法は、以下のステップを含む。
本発明は、In含有量を増加させることによって、LED内のエレクトロルミネセンスの偏光の向上を検証した。本発明は、素子の発光層中のIn含有量の増加にのみ依存する(歪制御層が挿入されない限り)。故に、材料成長の追加プロセス、無菌室処理、または素子パッケージングは、必要とされない。In含有量の変化は、偏光度ではなく、発光波長を変化させるために一般に使用されている。
以下の参考文献が本明細書中で参考として援用される。
ここで、本発明の好ましい実施形態の説明を結論付ける。本発明の1つ以上の実施形態の上述の説明は、例示および説明の目的のために提示されている。本発明を包括的または開示される正確な形態に限定することを意図するものではない。多くの修正例および変形例が、上述の教示に照らして可能である。本発明の範囲は、本発明を実施するための形態によってではなく、本明細書に添付の請求項によって限定されることが意図される。
Claims (21)
- 偏光を放出する、発光ダイオード(LED)。
- 前記LEDは、1つ以上の発光層から成り、該発光層のインジウム(In)含有量は、該発光層によって放出される前記偏光の偏光比が0.8超のものである、請求項1に記載のLED。
- 前記発光層は、III族窒化物層上に形成され、該発光層の前記In含有量は、前記偏光比を0.8超に増加させるために、該III族窒化物層との格子不整合の増加によって、該発光層中の歪を増加させる、請求項2に記載のLED。
- 前記LEDは、1つ以上の(AlzInyGax)N(式中、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、およびx+y+z=1)半導体から成る、請求項1に記載のLED。
- 前記(AlzInyGax)N半導体は、ウルツ鉱結晶の無極性方位上にエピタキシャルに調製される、請求項4に記載のLED。
- 前記(AlzInyGax)N半導体は、GaN基板またはGaN鋳型上にエピタキシャルに調製される、請求項4に記載のLED。
- 前記GaN鋳型は、異種基板上に調製されるGaN層である、請求項6に記載のLED。
- 前記(AlzInyGax)N半導体は、0≦x<1、0≦y≦1、0≦z≦1、およびx+y+z=1を伴う、GaNではない、(AlzInyGax)N基板または鋳型上に調製され、GaNと異なる歪管理のための基盤を設定する、請求項4に記載のLED。
- 前記LEDは、量子井戸(QW)構造または二重ヘテロ(DH)構造から成り、該QWまたはDH構造は、発光活性層であって、該活性層のバンドギャップより大きいバンドギャップを有する1つ以上の障壁層またはクラッド層間に埋め込まれる、発光活性層を含む、請求項1に記載のLED。
- 前記活性層は、該活性層のIn含有量(y)値より小さいy値を有する1つ以上のInyGaNまたはGaN層間に埋め込まれる(InyGax)N(式中、0≦x≦1、0<y≦1、およびx+y=1)を含む、請求項9に記載のLED。
- 前記活性層は、単一QW構造または多重QW構造である、請求項9に記載のLED。
- 前記活性層は、範囲0<y≦1内のインジウム(In)含有量yを伴うInyGaNを含み、該In含有量は、該活性層中で誘発される歪を制御し、該誘発される歪は、前記偏光の偏光度を制御する、請求項9に記載のLED。
- 前記活性層は、臨界厚より薄く、歪を解放する不整合転位の発生を回避する、請求項9に記載のLED。
- 前記活性層は、歪を調節するためのAlInGaNである、請求項9に記載のLED。
- 発光ダイオード(LED)から放出される光の偏光度を制御することを含む、LEDを加工する方法。
- 前記制御ステップは、活性層中のインジウム(In)含有量を変化させ、誘発される歪を制御するステップを含む、請求項15に記載の方法。
- (1)前記LEDは、活性層を含み、
(2)該活性層は、1つ以上のInyGaNまたはGaN障壁層間に埋め込まれる(InyGax)N(式中、0≦x≦1、0<y≦1、およびx+y=1)を含み、
(3)前記制御ステップは、該障壁層のIn含有量は不変のまま、該活性層中の前記In含有量(y、0<y≦1)を変化させ、前記誘発される歪を制御することを含む、請求項16に記載の方法。 - 前記障壁層のAl含有量は不変のまま、AlInGaNに対する前記活性層のアルミニウム(Al)含有量を変化させ、歪を調節することをさらに含む、請求項17に記載の方法。
- 前記制御ステップは、前記LEDの1つ以上の発光層中のインジウム(In)含有量を増加させることによって、前記偏光度を増加させることを含む、請求項15に記載の方法。
- III族窒化物層上に前記In含有量を伴う発光層を形成することをさらに含み、該In含有量の増加は、偏光比を増加させるために、該III族窒化物層との格子不整合の増加によって、該発光層中の歪を増加させる、請求項18に記載の方法。
- 発光ダイオード(LED)から発光させるための方法であって、
該LEDの発光領域から発光させることを含み、該発光領域のインジウム含有量は、該光の偏光比が0.8超のものである、方法。
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US7858995B2 (en) * | 2007-08-03 | 2010-12-28 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
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US8178896B2 (en) * | 2008-03-05 | 2012-05-15 | Panasonic Corporation | Light emitting element |
KR20110034695A (ko) | 2008-08-05 | 2011-04-05 | 더 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 | 편광 감응 발광 다이오드들을 기초로 하는 조정가능한 백색 광 |
JP4815013B2 (ja) * | 2009-04-09 | 2011-11-16 | パナソニック株式会社 | 窒化物系半導体発光素子、照明装置、液晶表示装置および照明装置の製造方法 |
US20100309943A1 (en) * | 2009-06-05 | 2010-12-09 | The Regents Of The University Of California | LONG WAVELENGTH NONPOLAR AND SEMIPOLAR (Al,Ga,In)N BASED LASER DIODES |
US8481991B2 (en) * | 2009-08-21 | 2013-07-09 | The Regents Of The University Of California | Anisotropic strain control in semipolar nitride quantum wells by partially or fully relaxed aluminum indium gallium nitride layers with misfit dislocations |
US9159553B2 (en) | 2009-08-21 | 2015-10-13 | The Regents Of The University Of California | Semipolar or nonpolar nitride-based devices on partially or fully relaxed alloys with misfit dislocations at the heterointerface |
WO2011109754A1 (en) | 2010-03-04 | 2011-09-09 | The Regents Of The University Of California | Semi-polar iii-nitride optoelectronic devices on m-plane substrates with miscuts less than +/-15 degrees in the c-direction |
JP2013524535A (ja) * | 2010-04-05 | 2013-06-17 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア | 半極性面iii族窒化物半導体系発光ダイオードおよびレーザダイオードのための窒化アルミニウムガリウム障壁および分離閉じ込めヘテロ構造(sch)層 |
US20120104360A1 (en) * | 2010-10-29 | 2012-05-03 | The Regents Of The University Of California | Strain compensated short-period superlattices on semipolar or nonpolar gan for defect reduction and stress engineering |
US9412911B2 (en) | 2013-07-09 | 2016-08-09 | The Silanna Group Pty Ltd | Optical tuning of light emitting semiconductor junctions |
US11195973B1 (en) * | 2019-05-17 | 2021-12-07 | Facebook Technologies, Llc | III-nitride micro-LEDs on semi-polar oriented GaN |
US11175447B1 (en) | 2019-08-13 | 2021-11-16 | Facebook Technologies, Llc | Waveguide in-coupling using polarized light emitting diodes |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006134975A (ja) * | 2004-11-04 | 2006-05-25 | Hitachi Displays Ltd | 照明装置及びこの照明装置を用いた表示装置 |
JP2009111012A (ja) * | 2007-10-26 | 2009-05-21 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2905034B2 (ja) * | 1993-05-21 | 1999-06-14 | シャープ株式会社 | 量子井戸構造体 |
US5777350A (en) * | 1994-12-02 | 1998-07-07 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Nitride semiconductor light-emitting device |
US6614059B1 (en) * | 1999-01-07 | 2003-09-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device with quantum well |
US6515313B1 (en) * | 1999-12-02 | 2003-02-04 | Cree Lighting Company | High efficiency light emitters with reduced polarization-induced charges |
US6833564B2 (en) * | 2001-11-02 | 2004-12-21 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Indium gallium nitride separate confinement heterostructure light emitting devices |
US7186302B2 (en) * | 2002-12-16 | 2007-03-06 | The Regents Of The University Of California | Fabrication of nonpolar indium gallium nitride thin films, heterostructures and devices by metalorganic chemical vapor deposition |
US7221037B2 (en) * | 2003-01-20 | 2007-05-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing group III nitride substrate and semiconductor device |
US7816863B2 (en) * | 2003-09-12 | 2010-10-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method for manufacturing the same |
US7115908B2 (en) * | 2004-01-30 | 2006-10-03 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | III-nitride light emitting device with reduced polarization fields |
US7408201B2 (en) * | 2004-03-19 | 2008-08-05 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Polarized semiconductor light emitting device |
US7808011B2 (en) * | 2004-03-19 | 2010-10-05 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Semiconductor light emitting devices including in-plane light emitting layers |
US7285799B2 (en) * | 2004-04-21 | 2007-10-23 | Philip Lumileds Lighting Company, Llc | Semiconductor light emitting devices including in-plane light emitting layers |
US7538357B2 (en) * | 2004-08-20 | 2009-05-26 | Panasonic Corporation | Semiconductor light emitting device |
US20060043400A1 (en) * | 2004-08-31 | 2006-03-02 | Erchak Alexei A | Polarized light emitting device |
US20070285000A1 (en) * | 2004-09-10 | 2007-12-13 | Luminus Devices, Inc. | Polarization recycling illumination assembly and methods |
US20070284567A1 (en) * | 2004-09-10 | 2007-12-13 | Luminus Devices, Inc | Polarization recycling devices and methods |
US20080128727A1 (en) * | 2004-09-10 | 2008-06-05 | Luminus Devices, Inc. | Light recycling systems and methods |
US20080128728A1 (en) * | 2004-09-10 | 2008-06-05 | Luminus Devices, Inc. | Polarized light-emitting devices and methods |
US7221000B2 (en) * | 2005-02-18 | 2007-05-22 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Reverse polarization light emitting region for a semiconductor light emitting device |
US7518159B2 (en) * | 2005-06-21 | 2009-04-14 | The Regents Of The University Of California | Packaging technique for the fabrication of polarized light emitting diodes |
US20070029541A1 (en) * | 2005-08-04 | 2007-02-08 | Huoping Xin | High efficiency light emitting device |
KR100736623B1 (ko) * | 2006-05-08 | 2007-07-09 | 엘지전자 주식회사 | 수직형 발광 소자 및 그 제조방법 |
KR100735470B1 (ko) * | 2006-05-19 | 2007-07-03 | 삼성전기주식회사 | 질화물계 반도체 발광소자의 제조방법 |
TWI533351B (zh) * | 2006-12-11 | 2016-05-11 | 美國加利福尼亞大學董事會 | 高效能非極性第三族氮化物光學裝置之金屬有機化學氣相沈積生長 |
KR100863210B1 (ko) * | 2007-05-22 | 2008-10-13 | 고려대학교 산학협력단 | 편광 발광다이오드 |
US7791096B2 (en) * | 2007-06-08 | 2010-09-07 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Mount for a semiconductor light emitting device |
-
2009
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-
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006134975A (ja) * | 2004-11-04 | 2006-05-25 | Hitachi Displays Ltd | 照明装置及びこの照明装置を用いた表示装置 |
JP2009111012A (ja) * | 2007-10-26 | 2009-05-21 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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KR20100129280A (ko) | 2010-12-08 |
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