JP2011510741A - 放射線効果検出方法および装置 - Google Patents
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Abstract
Description
実施例4では、実施例1〜3の装置は、装置内の複数の異なる位置で異なる機能を行うように構成された複数のソリッド・ステート電子回路と、異なる位置に配置された複数のイオン化放射線露出センサとを備えている。コントローラ回路は、イオン化放射線露出センサが、その機能に対応する位置でのソリッド・ステート電子回路への永久的な非SEU効果を示す場合、装置の機能を抑制または停止するように構成されている。
線を検出した場合に、CFMデバイスの任意の感知特性を空白にするように構成されている。
実施例16では、実施例1〜15の装置は任意選択で、CFMデバイスを備えている。コントローラ回路は任意選択で、非SEU効果の指標にしたがって、V−V間隔が心房イベントによる心室のペーシングを調節することなく、特定の心室間隔を超えた場合に心室にペーシング治療を行い、心室に起こる任意の真性心臓減極イベントに関係なくペーシング治療を行うモードにCFMデバイスを移行するように構成されている。
実施例24では、方法は、イオン化放射線に対する植込み型医療用デバイスのソリッド・ステート電子回路の露出を検出する工程と、イオン化放射線への露出によるソリッド・ステート電子回路への非シングル・イベント・アップセット(非SEU)効果の指標を生成する工程とを含んでいる。
ンサを使用して、露出を検出する工程を含んでいる。
実施例28では、実施例24〜27の方法は任意選択で、ソリッド・ステート電子回路への非SEU効果の指標にしたがって、IMDの動作を変更する工程を含んでいる。
送達システム、または他の治療を含むまたはこれと合わせて作動する心臓デバイスを含む他の心臓監視および治療送達デバイスが挙げられる。一実施例として、図示したシステム100は、心不整脈を治療するために使用される。IMD105は典型的には、患者または被験者の心臓に、1つまたは複数の心臓リード線110、115、125によって結合された電子ユニットを備えている。IMD105の電子ユニットは典型的には、気密キャニスタまたは「缶」に入れられた構成部品を備えている。システム100はまた典型的には、無線周波数(RF)を使用することによって、または1つまたは複数の他の遠隔方法になどによって、IMD105と1つまたは複数の無線信号185によって通信させるIMDプログラマまたは他の外部システム190を備えている。
遠位部は、LV電極128Aおよび128Bが冠状静脈内に定置されるように、冠状静脈洞または冠状静脈内に定置されるように構成されている。LV電極128Aおよび128Bは、双極電極対を構成することができ、典型的には遠位端123でリード本体内に組み込まれる。それぞれの電極が、リード本体内に延びる1つまたは複数の導体などを通してIMD105に電気結合することができる。LV先端電極128A、LVリング電極128B、またはIMD105の缶上に形成された電極により、LV脱分極を代表するLV電気記録信号を感知し、LVペーシング・パルスを送達することが可能になる。
ジスタを含む、金属酸化膜半導体(MOS)トランジスタに最初に影響を与える、接合インターフェイスでの捕捉電荷と酸化物捕捉電荷につながる可能性がある。半導体格子構造上の放射線の影響により、トランジスタ閾値電圧、またはトランジスタ・オフ状態漏電電流などの、動作パラメータのシフトにつながる可能性がある。また、CMOSデバイスは、IMDの回路の大部分で使用することができ、したがってCMOSデバイス性能が大抵、全体のIMD性能を決める。CMOSデバイスの性能の悪化は、IMD感知能力の低下およびIMD寿命の減少として示すことができる。
および閾値電圧の減少を含むことを期待していることを示している。曲線に示されるドレイン・ソース電流(Ids)の減少により、図5Aの回路は所与のVinに対するVoutの減少を有する。したがって、Voutのシフトにより非SEU効果を検出することができる。
Therapy by an Implantable Device in Presence of System Faults」)に記載され、その全体を本明細書に援用する。システム故障のある状態で、サポート・ペーシング治療を行い続けるデバイスおよび方法の説明が、米国特許出願公開第20060253009号(2005年5月5日出願、スタッブスら(Stubbs et al.)、「System and Method for Providing Bradycardia Therapy by an Implantable Device in Presence of System Faults」)に記載され、その全体を本明細書に援用する。
、放射線治療のタイプ、患者配向、IMD配向、およびIMD内の放射線モニタ構造配向による。いくつかの実施例では、IMD400は、複数のイオン化放射線露出センサを備えている。イオン化放射線露出センサは、様々な配向のイオン化放射線に対する露出を検出するように、様々な配向で配置されている。
る場合に、心室にペーシング治療を行うモードにIMD800を移行させ、心室内で起こる任意の固有の心臓脱分極イベント(例えば、NASPE/BPEG規定VOOモード)に関連することなくペーシング治療を行う。いくつかの実施例では、コントローラ回路815は、非SEU効果の指標を受けた場合に、治療キャリブレーション値を調節する。
の範囲では、「including」および「comprising」という用語はオープンエンドであり、すなわち、特許請求の範囲内でこのような用語の後に挙げられたものに加えて要素を含むシステム、デバイス、物体または方法はさらに、その特許請求の範囲内に含まれるとみなされる。さらに、以下の特許請求の範囲では、「第1の」、「第2の」および「第3」のなどの用語は、単にラベルとして使用されるものであり、対象に数字的要件を課すことを意図したものではない。
Claims (28)
- ソリッド・ステート電子回路と、
センサであって、
イオン化放射線への該ソリッド・ステート電子回路の露出を検出し、
該イオン化放射線への露出による該ソリッド・ステート電子回路への非シングル・イベント・アップセット(非SEU)効果の指標を生成する
ように構成されている前記センサと
を備えた、植込み型医療用装置。 - 前記イオン化放射線露出センサに信号伝達可能に結合されたコントローラ回路を備えた装置であって、該コントローラ回路は、イオン化放射線露出センサによって生成された指標から前記ソリッド・ステート電子回路への効果を定量化するように構成されている、請求項1に記載の装置。
- 前記コントローラ回路は、前記非SEU効果の前記指標にしたがって、前記装置の動作を変更するように構成されている、請求項2に記載の装置。
- 前記装置内の複数の異なる位置で異なる機能を行うように構成された複数のソリッド・ステート電子回路と、
異なる位置に配置された複数のイオン化放射線露出センサとを備えており、
前記コントローラ回路は、イオン化放射線露出センサが、該機能に対応する位置での該ソリッド・ステート電子回路への永久的な非SEU効果を示す場合、前記装置の機能を抑制または停止するように構成されている、請求項2に記載の装置。 - 前記イオン化放射線露出センサに信号伝達可能に結合された比較回路と、前記コントローラ回路とを備えた装置であって、前記イオン化放射線露出センサはテスト・トランジスタを備えており、前記コントローラ回路は、該比較回路が放射線への露出後に、該テスト・トランジスタの動作曲線のシフトを示した場合、前記装置の動作を変更するように構成されている、請求項2〜4のいずれか1項に記載の装置。
- 前記テスト・トランジスタは、テスト電界効果トランジスタ(FET)を備えており、前記比較回路は、該テストFETに印加される特定のゲート・ソース電圧に対するドレイン・ソース電流のシフトを示すように構成されている、請求項5に記載の装置。
- 前記イオン化放射線露出センサに信号伝達可能に結合された比較回路と、前記コントローラ回路とを備えた装置であって、前記イオン化放射線露出センサはテスト接合ダイオードを備えており、前記コントローラ回路は、該比較回路が放射線への露出後に、該テスト接合ダイオードの動作曲線のシフトを示した場合、前記装置の動作を変更するように構成されている、請求項2〜4のいずれか1項に記載の装置。
- 前記イオン化放射線露出センサは、バイポーラ接合トランジスタを含むテスト増幅回路を備えており、前記比較回路は、該増幅回路に加えられる特定の入力信号に対する該テスト増幅回路の信号ゲインのシフトを示すように構成されている、請求項7に記載の装置。
- 前記装置内の複数の異なる位置に配置された複数のソリッド・ステート電子回路と、
該異なる位置に配置された複数のイオン化放射線露出センサとを備えた装置であって、
該イオン化放射線露出センサは、異なる動作パラメータを監視するために異なる回路構造を備えており、前記コントローラ回路は、該監視される異なる動作パラメータを使用して、ソリッド・ステート電子回路への効果を定量化するように構成されている、請求項2
〜8のいずれか1項に記載の装置。 - 前記放射線露出センサは、
PN接合ダイオード・テスト回路、
ショットキー接合ダイオード・テスト回路、
N型FETテスト回路、
P型FETテスト回路、
NPNバイポーラ接合トランジスタ・テスト回路、および
PNPバイポーラ接合トランジスタ・テスト回路の少なくとも1つを備えている、請求項1〜4のいずれか1項に記載の装置。 - 前記センサはイオン化放射線蓄積露出センサを備えており、イオン化放射線への前記ソリッド・ステート電子回路の蓄積露出による、前記ソリッド・ステート電子回路への非SEU効果の指標を生成するように構成されている、請求項1〜4のいずれか1項に記載の装置。
- 前記コントローラ回路に信号伝達可能に結合されたイオン化放射線量率センサを備えた装置であって、前記コントローラ回路は、流束イオン化放射線が流束イオン化放射線閾値を超えたことを該放射線量率センサが示した場合に、前記イオン化放射線蓄積露出センサからの指標を空白にするように構成されている、請求項11に記載の装置。
- 前記センサは、流束イオン化放射線閾値を超えた流束イオン化放射線への前記ソリッド・ステート電子回路の露出による前記ソリッド・ステート電子回路への非SEU効果の指標を生成するように構成されたイオン化放射線量率センサである、請求項1〜4のいずれか1項に記載の装置。
- 心機能管理(CFM)デバイスを備えた装置であって、前記コントローラ回路は、前記イオン化放射線量率センサが高い流束イオン化放射線を検出した場合に、該CFMデバイスの任意の感知特性を空白にするように構成されている、請求項13に記載の装置。
- 前記イオン化放射線量率センサは、接合ダイオードまたはバイポーラ接合トランジスタの少なくとも一方を備えている、請求項13または14に記載の装置。
- CFMデバイスである装置であって、前記コントローラ回路は、前記非SEU効果の前記指標にしたがって、V−V間隔が心房イベントによる心室のペーシングを調節することなく、特定の心室間隔を超えた場合に心室にペーシング治療を行い、心室に起こる真性心臓脱分極イベントに関係なくペーシング治療を行うモードにCFMデバイスを移行するように構成されている、請求項2〜15のいずれか1項に記載の装置。
- 前記コントローラ回路に信号伝達可能に結合されたリード・オンリ・メモリ(ROM)を備えた装置であって、前記コントローラ回路は、前記非SEU効果の前記指標にしたがって、前記コントローラ回路が前記ROM内に含まれたプログラム指示のみを行うモードに前記装置を移行するように構成されている、請求項2〜16のいずれか1項に記載の装置。
- 前記コントローラ回路に信号伝達可能に結合されたリセット回路を備えた装置であって、前記コントローラ回路は非SEU効果の指標にしたがって、前記装置へのリセットを開始するように構成されている、請求項2〜17のいずれか1項に記載の装置。
- 前記ソリッド・ステート電子回路は、集積回路(IC)を備えており、
前記イオン化放射線露出センサは、該ICの第1の動作パラメータのシフトを指標するように構成されており、
前記コントローラ回路は、該第1の動作パラメータのシフトに対応するように、該ICの第2の動作パラメータを変更するように構成されている、請求項2〜4,10〜18のいずれか1項に記載の装置。 - 複数の集積回路(IC)を備えた装置であって、各ICは前記コントローラ回路に信号伝達可能に結合されたイオン化放射線露出センサを備えており、該ICは異なるIC工程を使用して製造される、請求項2〜19のいずれか1項に記載の装置。
- 前記コントローラ回路に信号伝達可能に結合され、前記非SEU効果の指標を記憶するように構成されたメモリと、
前記コントローラ回路に信号伝達可能に結合され、外部ユニットと通信するように構成された通信回路とを備えた装置であって、
前記コントローラ回路は、該外部ユニットに対する前記非SEU効果の該指標を通信するように構成されている、請求項2〜20のいずれか1項に記載の装置。 - 複数のイオン化放射線露出センサを備えた装置であって、該イオン化放射線露出センサは、様々な配向のイオン化放射線に対する露出を検出するように、様々な配向で配置されている、請求項1〜21のいずれか1項に記載の装置。
- 前記植込み型医療用装置は、CFMデバイス、神経刺激デバイス、薬物送達デバイス、または診断デバイスの少なくとも1つに含まれる、請求項1〜22のいずれか1項に記載の装置。
- イオン化放射線に対する植込み型医療用デバイスのソリッド・ステート電子回路の露出を検出する工程と、
該イオン化放射線への露出による該ソリッド・ステート電子回路への非シングル・イベント・アップセット(非SEU)効果の指標を生成する工程と
を含む方法。 - イオン化放射線への露出を検出する工程は、前記イオン化放射線へのソリッド・ステート電子回路の蓄積露出による、前記ソリッド・ステート電子回路への非SEU効果の前記指標を生成するイオン化放射線蓄積露出センサを使用して、露出を検出する工程を含んでいる、請求項24に記載の方法。
- イオン化放射線への露出を検出する工程は、前記ソリッド・ステート電子回路が流束イオン化放射線閾値を超えた流束イオン化放射線に曝された場合に、前記ソリッド・ステート電子回路への非SEU効果の指標を生成するイオン化放射線量率センサを使用して露出を検出する工程を含んでいる、請求項24に記載の方法。
- 外部デバイスへの非SEU効果に関する履歴データを通信する工程を含んでいる、請求項24〜26のいずれか1項に記載の方法。
- 前記ソリッド・ステート電子回路への前記非SEU効果の前記指標にしたがって、前記IMDの動作を変更する工程を含んでいる、請求項24〜27のいずれか1項に記載の方法。
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