JP2011510340A - 狭帯域ファイバ・ラマン光増幅器 - Google Patents

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Abstract

本発明は増幅ファイバを有する光学ラマン・ファイバ増幅器(20)に関し、その少なくとも1つのセクションは、ファイバ動作温度及び1064nmの真空波長において0.001より大きい、ラマン利得係数gのブリルアン利得係数gに対する比g/gを有する。本発明は、更に、対応する光源、ファイバの使用及び光を増幅する方法に関する。
【選択図】図1

Description

発明の詳細な説明
本発明は、狭帯域ファイバ・ラマン光増幅器に関する。
光ファイバ中のポンプ周波数を有する光が、ラマン過程のストークス線に対応する光を増幅する光学ラマン・ファイバ増幅器が一般的に知られている。ポンプ光と増幅されるべき光との周波数差は、通例、40nmから80nmの範囲内の60nmなどであり得る。
ラマン過程は、例えば、不純物としてのゲルマニウムによって強化されるので、ラマン増幅器のために例えばゲルマニウム添加シリカ・ファイバがしばしば使用される。現存するラマン増幅器は、大パワーに到達し得るけれども、同時に狭い増幅された線幅には到達し得ない。
ラマン・ファイバ増幅における幾つかの問題が特定され得る。例えば、誘導ブリルアン(SBS)光散乱或いは四光波混合(FWM)は、線幅拡大につながる。これは、いろいろな理由から望ましくないであろう。分光学的分解能のためには、広い線幅は不利である。更に、この線幅の広がりは、共振モード外、或いは所望の波長範囲外にある光が失われるため、通常は損失をもたらす。
ラマン増幅は、ファイバの非線形性に依拠する。この非線形性は、しばしばX(3)テンソルと称される3次テンソルにより記述され得る(例えば、ジー・ピー・アグラワル(G. P. Agrawal)著、"非線形ファイバ光学(Nonlinear Fiber Optics)"、第4版、アカデミック・プレス(Academic Press)、米国、を参照されたい)。あいにく、この非線形性は、四光波混合(FWM)及び誘導ブリルアン散乱(SBS)などの他の望ましくない効果も含む。非線形性の強さは、一般的に、スカラー量:
Figure 2011510340
により特徴づけられ、ここでnはファイバの屈折率の線形部であり、Re()は実数部を表し、xxxxは1つの特定テンソル成分を表す。
FWMは、いろいろなスペクトル成分の混合に至ると共に、線広がりを含む。また、所望の周波数における光パワーは光学雑音と混じりあうことがあり得るので、信号エネルギーが失われる。
特に、SBSはファイバ・レーザにおける深刻な損失の原因であり、大きなレーザ光強度は、屈折率格子を引き起こす音響型フォノンをファイバ中に生じさせる。この格子によって光は後方散乱させられ、これは、ファイバで伝送される最大パワーを制限すると共に前の増幅ステージ或いはシード・レーザを破壊することのある効果である。SBSの発生は、一定のパワー・レベルを超えた時に突然生じる。このパワー・レベルは、ファイバ長、光の帯域幅、及びファイバ非線形性などの、幾つかのシステム・パラメータによる。特に、ファイバ・ガラス組成、可能なガラス・ドーパント、及びファイバの屈折率分布は強い影響を及ぼす。一般的に、長い一様な光ファイバにおいて狭帯域信号を使用するときにSBSは最も深刻になる(最低パワー閾値で発生する)。これらの事情は、従来、ラマン増幅器の使用を広帯域で且つ/又は低パワーのアプリケーションに限定してきた。
誘導ラマン増幅(SRS)は数学的に
Figure 2011510340
と記述されることができ、ここでzはファイバに沿っての距離であり、Iは信号強度を表し、Iはポンプ強度を表し、gはラマン利得係数を表し、αは線形光減衰を表す。
SBSについて類似の方程式が成り立つ:
Figure 2011510340
ここでgはブリルアン利得係数であり、最初のマイナス記号はパワー損失を示す。
従って、本発明の目的は、光学ラマン増幅器、光学光源及び光ファイバの使用法、並びに、大パワー/大増幅及び非常に狭い線幅に配慮したラマン増幅器によって光を増幅する方法を提供することである。
この目的は、請求項1又は22に記載のラマン増幅器、請求項26に記載の光学光源、請求項33に記載の光ファイバの使用法、及び請求項34のラマン・ファイバ増幅器によって光を増幅する方法で解決される。好ましい実施態様が従属請求項において開示されている。
本発明に従って、ラマン利得係数とブリルアン利得係数との大きな比を有するファイバが使用される。そのようなファイバについては誘導ブリルアン散乱の発生を伴わずにラマン増幅によって大パワーに到達することが可能であることが分かった。
SRS及びSBSは、両方とも、ポンプ強度
Figure 2011510340
より上で発生する閾値特性を有し、ここで実効ファイバ長Leff
Figure 2011510340
として定義され、ここでαはポンプ光減衰を表し、Lはファイバ長である。0.3の中の強度I thは、それぞれSRSのストークス線又はSBSにおいて同じ強度を誘導するポンプ強度であると定義される。本発明の目的のためには強度比
Figure 2011510340
をなるべく大きく保つことが有利であると分かった。比g/gは、波長、光ファイバの化学組成及び形状寸法に複雑な仕方で依存するが、これらのパラメータを適切に選択することによって制御され得る。
及びgは、両方とも、波長とファイバ温度とに依存する。SRS係数gは真空波長λにほぼ反比例し、gはn/λに比例する(nは波長にも依存するということに留意されたい)。指定された比を適切に定義するために、その値は1064nmの任意真空波長において定義される。しかし、これは、該比が測定され得る基準波長であるに過ぎない。これは、該増幅器がそのような波長で(だけ)使用され得ること或いはそのような波長で使用されなければならないということを示唆しない。
及びgの温度依存性はもっと複雑である。比g/gは、通常、300Kなどの室温である動作温度について指定される。増幅器は、ファイバのための温度制御を有し得る。ここで、そのような温度調節器によって、例えば350、380、400、500、600、700又は800K若しくはそれより高い、或いは275、250、225、200、175、150、125又は100Kより低い温度などの、300Kより高い或いは低い動作温度がセットされ得る。この場合、g/gの比が指定される動作温度は室温とは異なり得る。この目的のために、ファイバは、例えばシリンダ状エレメントなどの温度制御される加熱又は冷却エレメント上に置かれ得、或いは温度制御されるハウジングの中に設けられ得る。
例えば、ラマン増幅に特に適するようにされてはいない長距離通信システムのために使用される普通のファイバなどの、相対的に低いラマン増幅の潜在能力(例えば、nの低い値により与えられる)を有するファイバが使用され得る。これらのファイバが選択されるとしても、大パワーが望ましい。低いラマン増幅の潜在能力は、比較的大きなポンプ・パワー及び比較的長いファイバにより補われる。この特定の手段の組み合わせで、大パワーを得ることができ、同時に線幅を狭く保つことができるということが分かった。
或る好ましい実施態様では、g<10−10m/Wなどの低いブリルアン利得係数gを有する増幅ファイバを採用する。gの小さな値は通常(全てのファイバにおいてではないが)ラマン利得係数gの低い値も示唆するので、ラマン増幅器のために小さなgを有するファイバを選択することは当業者にとっては直感と相容れない。
大パワー狭帯域ラマン増幅器のための可能な性能指数は、平均信号出力パワーPoutに対する半値全幅(FWHM)強度信号帯域幅BFWHMの比BFWHM/Poutである。提示された技術で、BFWHM/Pout<33MHz/W、またBFWHM/Pout<10MHz/Wの比を達成することが可能である。
好ましい実施態様では、ラマン増幅器におけるSBS閾値を高めるために複数の手段の組み合わせが使用される。それらの手段は下記のものを含むが、それらに限定はされない:
1. SBS利得係数に対するラマン利得係数の高い(例えば0.001、0.002、0.005或いは0.01より高い)比g/gを有するファイバを提供すること、
2. コアにおける縦方向音速がクラッドにおけるそれより大きいファイバを提供すること、
3. ファイバの加熱を差動的に提供すること、すなわち、少なくともファイバの1セクションでファイバに沿って温度勾配を導入すること、
4. 例えば引張りマンドレルでファイバの差動的引張りを提供すること、すなわち、少なくともファイバの1セクションでファイバに沿って応力勾配を導入すること、
5. なるべく短いファイバで信号を増幅するために大パワーのポンプ(例えば少なくとも10、15、20、30、40又は50W光学ポンプ・パワー)を提供すること、
6. 逆方向ポンピング方式を提供すること(ポンプ光及び信号がファイバ内を反対方向に進む)、
7. 狭帯域シード・レーザ(例えば30MHzスペクトル帯域幅未満)を提供すること、
8. 間に光アイソレータを有する複数のステージを増幅器に設けること(アイソレータは"光バルブ"のように作用して光を順方向にだけ通過させる)、
9. 異なるステージに異なるファイバ・タイプを設けること、
10. 例えばスプライシングによって結合されるいろいろなファイバ・タイプのセクションを同じステージ内に一緒に設けること、
11. 最高の可能なSBS閾値を維持しながら利得を最適化するためにシステム内の全ファイバの長さを選択すること。特に、増幅器の出力に向かって、異なる増幅ステージの中でファイバ・セクション長又はファイバ長を短くしてゆく。
この文書において、"ステージ"又は"増幅器ステージ"という用語は、それ自身のポンプ入力を有する増幅器ファイバ部分を意味する。特に、マルチ・ステージ増幅器は、同じポンプ光伝播方向の2つ以上のポンプ入力を持つことができ、且つ/又はポンプ付きファイバの2セクション間に少なくとも1つのアイソレータを使用する。ポンプ光は異なるステージ間でリサイクルされ得る、すなわち、1つのステージの未変換ポンプ光が他のステージに再注入され得る。
ファイバ選択に関して、先行技術は、大きなラマン利得係数を達成するために大きな非線形性を有するラマン増幅器のためのファイバの使用に関して報告している(例えば、ゼッド・ユソフ(Z. Yusoff)、ジェー・エッチ・リー(J. H. Lee)、ダブリュー・ベラーディ(W. Belardi)、ティー・エム・モンロー(T. M. Monro)、ピー・シー・ティー(P. C. Teh)、及びディー・ジェー・リチャードソン(D. J. Richardson)、"高度に非線形の穴開きファイバにおけるラマン効果:増幅及び変調(Raman effects in a highly nonlinear holey fiber: amplification and modulation)"、オプティクス・レターズ(Optics Letters)、第27巻第6号、p.424−426(2002年)、或いはワイ・リー(Y. Li)、エス・ディー・ジャクソン(S. D. Jackson)、ワイ・ザオ(Y. Zhao)、エス・フレミング(S. Fleming)、"二重波長Nd/sup3+/−ドープされたファイバ・レーザによりポンピングされるラマン・ファイバ増幅器及びレーザの同時動作(Simultaneous operation of a Raman fiber amplifier and laser pumped by a dual-wavelength Nd/sup 3+/-doped fiber laser)"、ジャーナル・オブ・ライトウェーブ・テクノロジー(J. of Lightwave Technology)、第23巻、第5号、p.1907−1912(2005年))。このような特製ファイバは、高いドーパント濃度及び/又は非常に小さなファイバ・コアを含むことがあり、従って小さなモードフィールド径を有し、高出力密度、従って高い非線形性を引き起こすことがある。この教示とは反対に、本発明の或る側面は、"非ラマン"ファイバ、すなわちラマン変換に特別に有利ではなく、低いドーパント濃度及び/又は標準的コア径を有するファイバ、にも基づいている。この文書の範囲内において"非ラマン・ファイバ"は、本発明によらない場合には例えば遠隔通信アプリケーションのために使用されるけれどもラマン増幅器に用いられるべく特別に製造され且つ/又は意図されてはいないコーニング(Corning)SMF−28eファイバなどのシングル・モードのファイバを含む。
本発明の或る側面では、5×10−20/W、2×10−20/W、1×10−20/W或いは0.5×10−20/Wより小さい非線形性係数nを有するシリカ・ファイバが増幅目的のために使用される。そのようなシリカ・ファイバにおけるラマン利得は幾分低いけれども、SBS及びFWMなどの不利な効果も比較的低い。その結果として、光は低効率だが線幅の顕著な増大を伴わずに増幅され得る。
回折制限されたビームを放射する増幅器を得るために、増幅のためのファイバは好ましくはシングル・モードのファイバである。回折制限される光ビームは、対応する光学系でのそのようなビームの良好な投射及び良好な収束に配慮するものである。
ファイバは、好ましくはシリカ・ファイバである。この文書においては、"ドーパント"という用語はファイバ・ガラスに加えられた、その光学特性又は音響特性を変化させる化学物質を意味する。ドーピングは、意図的であり或いは意図的でないこともある(例えば、汚染から生じる)。代表的なドーパントは、ゲルマニウム、アルミニウム、燐、ビスマス、マグネシウム、カリウム、フッ素、イッテルビウム、ツリウム及びホウ素を含むが、これらに限定はされない。
ドーピング材料の、特にゲルマニウムの、含有量は、好ましくは、5重量%、2重量%、1重量%或いは0.5重量%未満である。
明確な出力偏波を提供すると共に増幅器の安定した動作を提供するために、偏波保持ファイバが使用され得る。
クラッドよりもコアにおける縦方向音速の方が大きいファイバを提供することによって、コアにおけるフォノン濃度は、SBSについてのより高い閾値が得られるように、抑制される。
更に、例えば温度勾配、応力勾配或いはいろいろなファイバ・タイプによってファイバに沿って不均質性を導入することによって、フォノン起因の回折格子の形成が妨げられるので、SBS閾値が更に押し上げられ得る。それにも拘らず、これらの手段によって或る程度の線幅拡大が引き起こされるが、それは、所望のアプリケーションによっては容認され得るであろう。これらの手段は、低いラマン増幅を補うのに役立つ比較的長いファイバを使用するために有利である。温度勾配の場合には、ファイバの動作温度はファイバの長さに沿って変化する。これらの場合には、請求項で使用される"動作温度"などの用語は、存在する最高のファイバ温度により与えられると見なされる。
ファイバ・レーザは、時間的に連続した光(連続波、cw)、時間的に変調された光、或いはパルス状の光を放射することができる。引き出されたパワーは、常に、統計上の典型的な期間にわたって時間平均される。
いろいろなファイバ・タイプが使用される場合には、一定のファイバ・タイプ(或いは2つ又は3つ又はもっと多く又は全てのファイバ・タイプ)の一定のセクションは、好ましくは、信号光の伝播方向において前のセクションより短い。その下流側セクションでは光強度は増幅に起因してより大きいので、より短いファイバ長でSBS閾値に達する。従って、伝播方向に沿ってファイバ・セクションは好ましくはより短くなるようにする。
ファイバの長さ(例えば1つの増幅器ステージの中の)は500mを上回るべきではない。そうでなければ、誘導ブリルアン光散乱のような非線形効果が数ワットのパワー・レベルで発生し得るからである。
動作波長におけるファイバの固有伝送損失(ポンピング無しの場合)は、好ましくは、3db/km未満である。そのような低伝送損失では、低いラマン増幅を有する構成が実現され得る。
該ファイバ増幅器は、1dB、3dB、6dB、10dB、20dBより大きい或いは30dBにも及ぶ信号パワーのパワー増幅を生み出すことができる。
該増幅器は数ワット(2ワット、3ワット、4ワット或いはそれ以上)のパワーを有する光を出力することができるが、線幅増大は低くなることもある。
これらの比較的大きな増幅及び/又はパワーでも、出力光の線幅は入力光と比べて好ましくは10倍より大きくはならない。
該光増幅器は、好ましくは、逆方向及び/又は順方向のポンピング方式で構成される光ポンプ・ソースを含む。逆方向ポンピング方式では、ポンプ光と増幅されるべき光とは反対方向に進み、順方向ポンピング方式ではそれらは同じ方向に進む。該ポンピング方式のうちの一方又は他方或いは両方が使用され得る。ポンプ・レーザは、10、20、30、40又は50ワットより大きなパワーを持つこともできる。
該増幅器は、500〜1800nmの範囲内の動作真空波長を有する。この範囲で、ドープされていないファイバの比較的小さい利得を用いても或いは低ラマン利得係数又は非線形性係数を有するファイバを用いても正味の利得(増幅から伝送損失を差し引いた利得)を得ることが可能であるように低い伝送損失を有する光ファイバが利用可能である。
増幅を増大させるためには、2つ、3つ、4つ或いはより多くの光増幅ステージを使用するのが有利である。該ステージの各々は、上又は下で言及される実施態様に従う光学ラマン増幅器である。ここで第2又は第3のステージは、なお2倍と20倍の間の増幅を提供し得る。別々の増幅ステージは好ましくは光アイソレータによって分離される。
更にいろいろなステージで好ましくはいろいろなファイバ・タイプが使用され、信号光伝播の方向においていろいろなステージの中のファイバ長は、好ましくは少なくとも1つ、2つ、3つ又はもっと多く或いは全てのステージについて、ステージごとに短くなる。
該増幅器は好ましくは"片方向"増幅器であるということに留意するべきである。これは、増幅の経路上で光が例えばファイバ格子、鏡などによって反射されないことを意味する。これは、誘導ブリルアン光散乱に起因する光などの望ましくない波長の増幅を避けるためである。
光学光源は、シード光源と、該シード光源の光を増幅するための前に或いは下で言及される光増幅器とを有する。該シード光源は、好ましくは、所望の最終線幅に依存して1kHz及び300MHzの間の半値全幅線幅を有する単線スペクトルを有する。そのような光源は、例えばファイバ・レーザ又は半導体レーザ及び/又はDFB(分布帰還型)レーザなどであり得る。シード・レーザのスペクトルが2つ以上のスペクトル・ピークを含む場合には、線幅は全てのピークの半値全幅帯域幅の合計により与えられると見なされる。
該光学光源の出力は、好ましくは、0.1〜30MHz未満のスペクトル半値全幅線幅を有する。他の実施態様では、線幅は1000MHzに及び得る。
ファイバ増幅器が独力でアクセスできない周波数範囲を得るために、光増幅器の出力光の周波数を変換するために光パラメトリック発振器又は周波数逓倍器又は他の周波数変換エレメントが設けられ得る。
出力パワーは、或いは、0.1〜30ワットより大きい。このようなパワーでは、光が非常に狭いスポットに収束され得るように特にファイバがシングル・モード・ファイバである場合を考慮して、大パワー増幅が可能である。
該増幅器或いは周波数変換により出力される光は好ましくは可視光範囲内にある。特に、それに限定はされないが、550〜600nmの真空波長範囲内の黄色波長が好ましい。
この文書において請求項1ないし8又は他の請求項などにおいて特定の特性を有する増幅ファイバの"セクション"又は"一セクション"に言及される時には、その特性を有する2つ、3つ又はそれより多くのセクションも設けられ得ること或いは(増幅ステージの)ファイバ全体がその特性を有するということが述べられるべきである。更に、別々の請求項で言及されたセクションは同じセクション或いは異なるセクションであり得る。
本発明の好ましい実施態様が、添付の図面に記載されている。図面については以下に示す通りである。
図1:ファイバ増幅器。
図2:他のファイバ増幅器。
図3:光学光源。
図4:異なるファイバ・セクションの実施態様。
図5:マルチ・ステージ光増幅器を有する光学光源。
図1において、光学狭線幅ラマン増幅器が示されている。シリカ・ファイバ1(ここでは増幅ファイバ)は、入力光7が入力され得る入力端2を備えている。更に、出力端3が設けられており、これを通して光8が出力され得る。入力端2と出力端3との間で、該ファイバは、該ファイバを便利に保管するために、通例巻かれてループ4とされる。
端2、3の間のファイバ1の長さは1ないし500mであり得る。
出力端3の近くで、ポンピング光9をシリカ・ファイバ1の中に加えるためにカップラ5が設けられている。図1で分かるように、ここでは逆方向ポンピング方式が使用される。カップラ5は波長選択カップラであって、これでポンピング光9はファイバ端6からシリカ・ファイバ1の中に加えられ得る。しかし、増幅されるべき、ファイバ1内を伝播する光は、ファイバ端6の中には加えられなくて、その波長がポンピング光のものと異なるために出力され得るようにファイバ端3の中だけに(或いはほとんど中だけに)加えられる。
ファイバ1は、5×10−20/Wより小さな非線形性係数n及び/又は10−10m/Wより小さいブリルアン利得係数gを有し得るファイバである。該ファイバは、光の偏波状態を維持して安定性を高めるために偏波保持(PM)ファイバでもあり得る。
図2において、別のカップラ10が設けられており、これも波長選択カップラである。このカップラは、ポンプ光9をファイバ1の中からファイバ端11の中に加えることができる。このカップラ10は、光が入力端2を通して出力されるのを避けるために設けられる。そのような光は、入力光7を提供する光源を阻害するかも知れない。任意に、前のステージ又はシード・レーザへ逆方向伝播するポンプ光又は信号光の量を減らすために光アイソレータが使用され得る。
他の側面においては、図2の増幅器は図1のそれと同等である。
図3において、図2の光増幅器を組み込んだ光源が示されている。シード光源13が設けられており、これは、ここでは一例としてDFB半導体レーザである。そのようなレーザは、非常に狭いスペクトル線幅を有する十分な光を提供することができる。該線幅は0.1〜30MHz未満であり得る。
このアプリケーション例では、光出力は自由空間光学系によって任意の周波数逓倍クリスタル15へ案内される。例えば、周期分極非線形クリスタルを使用することが可能である。このクリスタル15から出力された光17は、対応する光学系16によって更に操作され得る。
例えば、アプリケーションの目的に応じて、ビームを広げ或いはビームを収束させることが可能である。それは、伝送目的のために再びファイバの中に加えられることができる。鏡及び/又はレンズが、そのような光学系16として使用され得る。
シード光源13と光学ラマン・ファイバ増幅器20との間に、光アイソレータが設けられ得る。これは、シード光源内へ反射されて戻る光からシード光源13を守るためである。
更に、図3に見られるように、ポンプ光源14が使用される。これも、大パワー半導体又はファイバ・レーザであり得る。そのようなポンプ・レーザは、10、20、30、40又は50ワットより大きなパワーを持ち得る。
本発明の好ましい実施態様では、シード光源13は、1178nmの波長で10mWを提供する光源である。ポンプ・レーザ14は、40ワットのパワーを有し、1120nmの中心波長で光を提供する。増幅器20から出力される光18は、2ないし25ワットのパワーと、半値全幅(FWHM)で10MHz未満、或る場合には500MHz未満、の線幅とを有し得る。
光ファイバ1は、約1〜350mの長さを有する。
この好ましい実施態様においてアイテム15は、該クリスタルから出力される光17が589nmの波長を有するような周波数逓倍クリスタルである。この光は、ナトリウムの黄色放射D線に対応する。従って、そのような光でナトリウムを励起すること或いはこの波長でスペクトル分析を実行することが可能である。ナトリウムの励起は、地上から約90km上のナトリウムの多い大気層において人工光源を作り出すために使用され得る。そのような人工光源は、天文学において補償光学装置を調整するために使用され得る。それは、原子分光学のために或いは(皮膚)癌の処置などの医学的処置のためにも作り出され得る。
分光学的目的のためには、光源13は(調整可能波長を有する)可変同調光源であり得る。光増幅器20の利得は一定の波長範囲で提供されるので、出力光18又は出力光17は、ポンプ波長に依存して例えば5、10又は20nmより大きな一定の波長範囲にわたって調整され得る。
図4aにおいて、増幅ファイバ1のセクション1aは、ファイバ中に応力を生じさせるためにマンドレル19の周りに引張られた状態で巻かれている。セクション1bは引張られていない。従って、2つのファイバ・セクション1a及び1bの光学特性及び/又は音響特性は僅かに異なり、それはSBS閾値を高めることを可能にする。
ファイバ・セクション1aが応力無しでマンドレル19に巻かれる場合、例えばこのマンドレルが電圧の印加によって変形させられ得る圧電体である場合には、そのような応力は好ましくは(差動的に)該マンドレルを変形させることによって生じさせられ得る。該マンドレルが差動的に変形させられるならば、ファイバ内に張力勾配が含まれる。
温度の異なる別々のファイバ・セクション1a及び1bを得ることによってファイバ内に温度勾配を生じさせるためにマンドレルは加熱されることもできる。これも、SBS閾値を高めることを可能にする。ファイバのセクション1aがその中に設けられるハウジングなどの、他の種類の加熱も使用され得る。
図4bに、増幅ファイバ1が2つの異なるタイプのファイバを含む場合が示されている。1つのタイプは1cで示され、他方は1dで示されている。ファイバ・セクション1c及び1dは、組成、形状寸法、ドーピングなどにおいて異なり得る。これらは、好ましくはスプライスにより、位置1eで接合されている。図4bのような2つのセクションの代わりに、3つ以上のセクションが使用され得る。更に、増幅されるべき光が左から右へ伝播するものと仮定して、セクション1dの長さはセクション1cのそれより短くてよい。図4aのセクション1aは、セクション1c及び1dのような2つのセクション或いは異なるタイプのファイバの3つ以上のセクションから構成され得る。同じことが図4aのセクション1bにも当てはまる。同様に、セクション1c及び/又は1dの一部分は、セクション1a及び1bについて図4aについて説明されたように他の部分と比べて応力或いは高められ又は下げられた温度にさらされ得る。
図5において、マルチ・ステージ光学光源の好ましい実施態様が示されている。光源13は光を提供し、それは3つのステージ20a、20b及び20cで増幅される。ステージの可能な数に上限は無いということに留意されたい。最後のステージから出力される光は、結局は周波数逓倍器15に提供され、最後に出力光学系16に提供され得る。
各増幅ステージの前及び/又は後に光アイソレータがなるべく設けられる。ここで例えば光アイソレータは各増幅ステージの前に設けられると共に、最後の増幅ステージの後に1つ設けられ得る。
この構成では、30或いは40ワットに及ぶパワーが可能であり、同時に、10MHz未満の線幅を、しかし或る場合には1000MHzに及ぶ線幅を、有することが可能である。
光を増幅する方法に従って、0.001より大きな比g/gを有するファイバが選択される。このファイバはラマン光増幅器のために使用され、このラマン光増幅器はこのファイバにおいて光を増幅する。
ファイバ増幅器。 他のファイバ増幅器。 光学光源。 異なるファイバ・セクションの実施態様。 異なるファイバ・セクションの実施態様。 マルチ・ステージ光増幅器を有する光学光源。

Claims (35)

  1. 増幅ファイバであって、その少なくとも1つのセクションが、ファイバ動作温度及び1064nmの真空波長において、ラマン利得係数gのブリルアン利得係数gに対する比g/gが0.001より大きな値を有する増幅ファイバ
    を特徴とする光学ラマン・ファイバ増幅器(20)。
  2. 請求項1に記載の光学ラマン・ファイバ増幅器(20)であって、前記比g/gが0.002、0.005又は0.01より大きいことを特徴とする光学ラマン・ファイバ増幅器(20)。
  3. 請求項1又は2に記載の光学ラマン・ファイバ増幅器であって、前記増幅ファイバの少なくとも1つのセクションの非線形性係数nは、前記ファイバ動作温度及び1064nmの真空波長において5×10−20/ワット、2×10−20/ワット、1×10−20/ワット或いは0.5×10−20/ワットより小さいことを特徴とする光学ラマン・ファイバ増幅器。
  4. 請求項1ないし3のうちのいずれかに記載の光学ラマン・ファイバ増幅器であって、前記ファイバの少なくとも1つのセクションにおける前記ブリルアン利得係数gは、前記ファイバ動作温度及び1064nmの真空波長において10−10m/W、0.5×10−10m/W、0.2×10−10m/W、又は0.1×10−10m/Wより低いことを特徴とする光学ラマン・ファイバ増幅器。
  5. 請求項1ないし4のうちのいずれかに記載の光学ラマン・ファイバ増幅器であって、前記増幅ファイバの少なくとも1つのセクションはシングル・モード・ファイバであることを特徴とする光学ラマン・ファイバ増幅器。
  6. 請求項1ないし5のうちのいずれかに記載の光学ラマン・ファイバ増幅器であって、前記増幅ファイバの少なくとも1つのセクションは5重量%又は0.5重量%より小さいドーパント濃度を有することを特徴とする光学ラマン・ファイバ増幅器。
  7. 請求項1ないし6のうちのいずれかに記載の光学ラマン・ファイバ増幅器であって、前記ファイバの少なくとも1つのセクションは偏波保持ファイバであることを特徴とする光学ラマン・ファイバ増幅器。
  8. 請求項1ないし7のうちのいずれかに記載の光学ラマン・ファイバ増幅器であって、前記ファイバの少なくとも1つのセクションはコアにおいて、クラッドにおけるよりも大きい縦方向音速を有することを特徴とする光学ラマン・ファイバ増幅器。
  9. 請求項1ないし8のうちのいずれかに記載の光学ラマン・ファイバ増幅器であって、前記ファイバは10ケルビンより大きな最大ファイバ温度差で前記ファイバ長に沿っていろいろな温度で加熱されることを特徴とする光学ラマン・ファイバ増幅器。
  10. 請求項1ないし9のうちのいずれかに記載の光学ラマン・ファイバ増幅器であって、局所縦方向応力が前記ファイバ長に沿って変化するように前記ファイバが引っ張られることを特徴とする光学ラマン・ファイバ増幅器。
  11. 請求項1ないし10のうちのいずれかに記載の光学ラマン・ファイバ増幅器であって、前記増幅ファイバは2つ以上の異なるファイバ・タイプを含むことを特徴とする光学ラマン・ファイバ増幅器。
  12. 請求項1ないし11のうちのいずれかに記載の光学ラマン・ファイバ増幅器であって、前記増幅器は時間的に連続的な信号又はパルス信号を放射するようになされていることを特徴とする光学ラマン・ファイバ増幅器。
  13. 請求項1ないし12のうちのいずれかに記載の光学ラマン・ファイバ増幅器であって、前記増幅ファイバにおいて少なくとも2つの異なるファイバ・タイプが設けられ、少なくとも1つのファイバ・タイプの前記ファイバ長は前の前記ファイバ・タイプより少なくとも10%、20%、30%又は50%短いことを特徴とする光学ラマン・ファイバ増幅器。
  14. 請求項1ないし13のうちのいずれかに記載の光学ラマン・ファイバ増幅器であって、前記増幅ファイバ(1)は、1、10、50、75、100、125、150又は175メートルの下限より大きく且つ/又は100、125、150、175、200、250、300、400又は500メートルの上限より小さい全長を有することを特徴とする光学ラマン・ファイバ増幅器。
  15. 請求項1ないし14のうちのいずれかに記載の光学ラマン・ファイバ増幅器であって、前記増幅ファイバ(1)は3.0、2.5、2.0dB/km未満の動作波長における固有伝送損失を有することを特徴とする光学ラマン・ファイバ増幅器。
  16. 請求項1ないし15のうちのいずれかに記載の光学ラマン・ファイバ増幅器であって、前記増幅ファイバ(1)は1dB、3dB、6dB、10dB、20dB又は30dBの下限より大きな総利得を提供することを特徴とする光学ラマン・ファイバ増幅器。
  17. 請求項1ないし16のうちのいずれかに記載の光学ラマン・ファイバ増幅器であって、前記増幅器は2、3、4、5、8又は10ワットより大きな光を放射することができることを特徴とする光学ラマン・ファイバ増幅器。
  18. 請求項1ないし17のうちのいずれかに記載の光学ラマン・ファイバ増幅器であって、1倍、2倍、3倍、4倍、6倍、8倍、10倍、100倍又は1000倍より小さな入力光及び出力光の間の半値全幅での線幅の増大が提供されることを特徴とする光学ラマン・ファイバ増幅器。
  19. 請求項1ないし18のうちのいずれかに記載の光学ラマン・ファイバ増幅器であって、光ポンプ・ソース(14)が設けられ、前記ポンプ・ソースは逆方向及び/又は順方向のポンピング方式で構成されることを特徴とする光学ラマン・ファイバ増幅器。
  20. 請求項1ないし19のうちのいずれかに記載の光学ラマン・ファイバ増幅器であって、前記増幅器は500、600、700、800、900、1000、1100、1200、1300、1400又は1500nmの下限より高く且つ/又は1000、1100、1200、1300、1400、1500、1600、1700又は1800nmの上限より低い範囲の中の動作真空波長を有することを特徴とする光学ラマン・ファイバ増幅器。
  21. 請求項1ないし20のうちのいずれかに記載の増幅器であって、前記増幅器は588〜590nm又は1177〜1179nmの範囲の中の真空波長で動作可能であることを特徴とする増幅器。
  22. 請求項1ないし21のうちのいずれかに記載の光増幅器が2つ、3つ、4つ或いはそれより多く直列に結合されて複数の増幅ステージ(20a、20b、20c)を有する増幅器を形成することを特徴とする光学ラマン・ファイバ増幅器。
  23. 請求項22に記載の光学ラマン・ファイバ増幅器であって、前記ステージは光アイソレータによって分離されていることを特徴とする光学ラマン・ファイバ増幅器。
  24. 請求項22又は23に記載の光学ラマン・ファイバ増幅器であって、異なる前記ステージは異なるファイバ・タイプを含むことを特徴とする光学ラマン・ファイバ増幅器。
  25. 請求項22ないし24のうちのいずれかに記載の光学ラマン・ファイバ増幅器であって、少なくとも1つのステージの増幅ファイバ全長は前のステージより少なくとも10%、20%又は50%短いことを特徴とする光学ラマン・ファイバ増幅器。
  26. シード光源(13)と、
    前記シード光源(13)の前記光を増幅するための請求項1ないし25のうちのいずれかに記載の光増幅器(20)と、
    を特徴とする光学光源。
  27. 請求項26に記載の光学光源であって、前記シード光源(13)は1kHz、5kHz、10kHz、50kHz、100kHz、500kHz、1MHz、5MHz、10MHz、50MHz、100MHz、200MHz、或いは300MHz未満のFWHMでの線幅を有することを特徴とする光学光源。
  28. 請求項26又は27のうちのいずれかに記載の光学光源であって、前記光源は、1、2、4、6、8、10、20、30、50、100、200、400、600、800又は1000MHz未満のFWHMでの出力線幅を有することを特徴とする光学光源。
  29. 請求項26ないし28のうちのいずれかに記載の光学光源であって、前記光増幅器の出力光の周波数を変換/2倍にするために周波数逓倍器(15)などの周波数変換器が設けられていることを特徴とする光学光源。
  30. 請求項26ないし29のうちのいずれかに記載の光学光源であって、前記出力パワーは0.1、1、2、3、4、6、8、10、15、20又は30Wより大きいことを特徴とする光学光源。
  31. 請求項26ないし30のうちのいずれかに記載の光学光源であって、出力光は、450、475、500、525、550、575、585、600、625又は650nmの下限より高く且つ/又は500、525、550、575、590、600、625、650又は675nmの上限より低い真空波長を有することを特徴とする光学光源。
  32. 請求項26ないし31のうちのいずれかに記載の光学光源であって、前記光源は588〜590nm又は1177〜1179nmの範囲の中の出力真空波長に対して動作可能であることを特徴とする光学光源。
  33. ラマン光増幅器(20)のための、シリカ・ファイバなどの光ファイバ(1)の使用であって、前記光ファイバの少なくとも1つのセクションは、使用されるファイバ動作温度及び1064nmの真空波長においてラマン利得係数gのブリルアン利得係数gに対する比g/gが0.001より大きい値を有する、使用。
  34. ラマン・ファイバ増幅器(20)によって光を増幅する方法であって、前記光は光ファイバ(1)内で増幅され、その少なくとも1つのセクションは、ファイバ動作温度及び1064nmの真空波長においてラマン利得係数gのブリルアン利得係数gに対する比g/gが0.001より大きい値を有する、方法。
  35. 請求項34に記載の方法であって、動作真空波長は588〜590nm又は1177〜1179nmの範囲内にある方法。
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