JP2011258403A

JP2011258403A - Method of manufacturing plasma display panel

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Publication number: JP2011258403A
Application number: JP2010131706A
Authority: JP
Inventors: Noriteru Maeda; 憲輝前田; Yukako Doi; 由佳子土居; Shinji Goto; 真志後藤
Original assignee: Panasonic Corp
Current assignee: Panasonic Corp
Priority date: 2010-06-09
Filing date: 2010-06-09
Publication date: 2011-12-22

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a plasma display panel (PDP) which improves an electron emission property of a protecting layer and includes a high-definition and high-quality image display performance.SOLUTION: The present invention relates to a method of manufacturing a PDP including a sealing step of sealing a front substrate having a protecting layer and a back substrate via a discharge space. The protecting layer is formed from a compound metal oxide comprised of at least two or more single-meta oxides in such a way that, in X-ray diffraction analysis, a peak of a diffraction angle in a specific azimuth surface of the compound metal oxide is present between a minimum diffraction angle and a maximum diffraction angle in the specific azimuth surface of the single metal oxide. The sealing step includes a heating step of heating the front substrate and the back substrate to at least 490°C and in the heating step, a temperature elevation speed in elevating a heating temperature from 350°C to 490°C is set to be 0.2°C/min or more and 2°C/min or less.

Description

本発明は、表示デバイスなどに用いるプラズマディスプレイパネルの製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a plasma display panel used for a display device or the like.

プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰと呼ぶ）は、高精細化、大画面化の実現が可能であることから、１００インチクラスのテレビなどが製品化されている。近年、ＰＤＰにおいては、従来のＮＴＳＣ方式に比べて走査線数が２倍以上の高精細テレビへの適用が進められており、エネルギー問題に対応してさらなる消費電力低減への取り組みや、環境問題に配慮した鉛成分を含まないＰＤＰへの要求なども高まっている。 A plasma display panel (hereinafter referred to as a PDP) can realize a high definition and a large screen, and thus a 100-inch class television or the like has been commercialized. In recent years, PDP has been applied to high-definition televisions that have more than twice the number of scanning lines compared to the conventional NTSC system. In response to energy problems, efforts to further reduce power consumption and environmental issues There is also a growing demand for PDPs that do not contain lead components in consideration of the above.

ＰＤＰは、基本的には、前面基板と背面基板とで構成されている。前面基板は、フロート法により製造された硼硅酸ナトリウム系ガラスの前面ガラス基板と、前面ガラス基板の一方の主面上に形成されたストライプ状の透明電極とバス電極とで構成される表示電極と、表示電極を覆ってコンデンサとしての働きをする誘電体層と、誘電体層上に形成された酸化マグネシウム（ＭｇＯ）などからなる保護層とで構成されている。 A PDP basically includes a front substrate and a rear substrate. The front substrate is a display electrode composed of a front glass substrate of sodium borosilicate glass manufactured by a float process, a striped transparent electrode and a bus electrode formed on one main surface of the front glass substrate And a dielectric layer that covers the display electrode and functions as a capacitor, and a protective layer made of magnesium oxide (MgO) or the like formed on the dielectric layer.

一方、背面基板は、背面ガラス基板と、その一方の主面上に形成されたストライプ状のアドレス電極と、アドレス電極を覆う下地誘電体層と、下地誘電体層上に形成された隔壁と、各隔壁間に形成された赤色、緑色および青色それぞれに発光する蛍光体層とで構成されている。 On the other hand, the back substrate is a back glass substrate, a stripe-shaped address electrode formed on one main surface thereof, a base dielectric layer covering the address electrode, a partition formed on the base dielectric layer, It is comprised with the fluorescent substance layer which light-emits each red, green, and blue formed between each partition.

前面基板と背面基板とはその電極形成面側を対向させて気密封着され、隔壁によって仕切られた放電空間にネオン（Ｎｅ）−キセノン（Ｘｅ）の放電ガスが４０ｋＰａ〜６０ｋＰａの圧力で封入されている。ＰＤＰは、表示電極に映像信号電圧を選択的に印加することによって放電させ、その放電によって発生した紫外線が各色蛍光体層を励起して赤色、緑色、青色の発光をさせてカラー画像表示を実現している。 The front substrate and the rear substrate are hermetically sealed with the electrode forming surfaces facing each other, and a discharge gas of neon (Ne) -xenon (Xe) is sealed at a pressure of 40 kPa to 60 kPa in a discharge space partitioned by a partition wall. ing. PDP discharges by selectively applying a video signal voltage to the display electrodes, and the ultraviolet rays generated by the discharge excite each color phosphor layer to emit red, green, and blue light, thereby realizing color image display is doing.

また、このようなＰＤＰの駆動方法としては、書き込みをしやすい状態に壁電荷を調整する初期化期間と、入力画像信号に応じて書き込み放電を行う書き込み期間と、書き込みが行われた放電空間で維持放電を生じさせることによって表示を行う維持期間を有する駆動方法が一般的に用いられている。これらの各期間を組み合わせた期間（サブフィールド）が、画像の１コマに相当する期間（１フィールド）内で複数回繰り返されることによってＰＤＰの階調表示を行っている。 In addition, such a PDP driving method includes an initialization period in which wall charges are adjusted so that writing is easy, a writing period in which writing discharge is performed according to an input image signal, and a discharge space in which writing is performed. A driving method having a sustain period in which display is performed by generating a sustain discharge is generally used. A period (subfield) obtained by combining these periods is repeated a plurality of times within a period (one field) corresponding to one frame of an image, thereby performing PDP gradation display.

このようなＰＤＰにおいて、前面基板の誘電体層上に形成される保護層の役割としては、放電によるイオン衝撃から誘電体層を保護すること、アドレス放電を発生させるための初期電子を放出することなどがあげられる。イオン衝撃から誘電体層を保護することは、放電電圧の上昇を防ぐ重要な役割であり、またアドレス放電を発生させるための初期電子を放出することは、画像のちらつきの原因となるアドレス放電ミスを防ぐ重要な役割である。 In such a PDP, the role of the protective layer formed on the dielectric layer of the front substrate is to protect the dielectric layer from ion bombardment due to discharge and to emit initial electrons for generating address discharge. Etc. Protecting the dielectric layer from ion bombardment plays an important role in preventing an increase in discharge voltage, and emitting initial electrons for generating an address discharge is an address discharge error that causes image flickering. It is an important role to prevent.

保護層からの初期電子の放出数を増加させて画像のちらつきを低減するために、例えば、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）保護層に不純物を添加する例や、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）粒子を保護層上に形成した例が開示されている（例えば、特許文献１、２、３、４、５など参照）。 In order to reduce the flicker of the image by increasing the number of initial electrons emitted from the protective layer, for example, an example of adding impurities to the magnesium oxide (MgO) protective layer, or magnesium oxide (MgO) particles on the protective layer Examples of formation are disclosed (for example, see Patent Documents 1, 2, 3, 4, 5, etc.).

特開２００２−２６０５３５号公報JP 2002-260535 A 特開平１１−３３９６６５号公報JP 11-339665 A 特開２００６−５９７７９号公報JP 2006-59779 A 特開平８−２３６０２８号公報JP-A-8-236028 特開平１０−３３４８０９号公報JP-A-10-334809

近年、テレビは高精細化が進んでおり、市場では低コスト・低消費電力・高輝度のフルＨＤ（ハイ・ディフィニション）（１９２０×１０８０画素：プログレッシブ表示）ＰＤＰが要求されている。高精細化された画像を表示するためには、１フィールドの時間が一定にもかかわらず書き込みを行う画素の数が増える。そのため、サブフィールド中の書き込み期間において、アドレス電極へ印加するパルスの幅を狭くする必要が生じる。 In recent years, high definition has been advanced in televisions, and a low-cost, low-power-consumption, high-brightness full HD (high definition) (1920 × 1080 pixels: progressive display) PDP is required in the market. In order to display a high-definition image, the number of pixels on which writing is performed increases even though the time of one field is constant. Therefore, it is necessary to narrow the width of the pulse applied to the address electrode in the writing period in the subfield.

しかしながら、電圧パルスの立ち上がりから放電空間内で放電が発生するまでには「放電遅れ」と呼ばれるタイムラグの存在があり、パルスの幅が狭くなれば書き込み期間内で放電が終了できる確率が低くなってしまう。その結果、点灯不良が生じ、ちらつきといった画質性能の低下という問題が生じている。これらの現象は保護層の電子放出特性に大きく左右される。このように高精細なＰＤＰにおいては、保護層の電子放出特性はＰＤＰの画質を決定するため、電子放出特性を向上させることが重要な課題になっている。 However, there is a time lag called “discharge delay” from the rise of the voltage pulse to the occurrence of discharge in the discharge space, and if the pulse width is narrowed, the probability that the discharge can be completed within the writing period is lowered. End up. As a result, lighting failure occurs, and there is a problem of deterioration in image quality performance such as flickering. These phenomena greatly depend on the electron emission characteristics of the protective layer. In such a high-definition PDP, since the electron emission characteristics of the protective layer determine the image quality of the PDP, it is an important issue to improve the electron emission characteristics.

本発明はこのような課題に鑑みなされたもので、保護層の電子放出特性を向上させ、高精細で高画質な画像表示性能を備えるＰＤＰを実現することを目的としている。 The present invention has been made in view of such problems, and an object thereof is to improve the electron emission characteristics of a protective layer and to realize a PDP having high-definition and high-quality image display performance.

上記の目的を達成するために、本発明のＰＤＰの製造方法は、互いに平行な複数の表示電極対とこれを覆う誘電体層と保護層とを前面ガラス基板に形成する前面基板作製ステップと、表示電極対と交差する互いに平行な複数のデータ電極とこれを覆う下地誘電体層と隔壁と蛍光体層とを背面ガラス基板に形成する背面基板作製ステップと、間に放電空間を形成するように隔壁を挟んで前面基板と背面基板とを対向配置して周囲を封着する封着ステップと、放電空間を排気する排気ステップと、放電空間に放電ガスを封入する放電ガス供給ステップと、を有するＰＤＰの製造方法であって、保護層を、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、および酸化バリウムから選ばれる少なくとも２つ以上の単一金属酸化物からなる複合金属酸化物で形成するとともに、保護層のＸ線回折分析において、複合金属酸化物の特定方位面における回折角のピークが、単一金属酸化物の特定方位面における最小回折角と最大回折角との間に存在するように形成し、かつ、封着ステップが、前面基板と背面基板とを少なくとも４９０℃まで加熱する加熱ステップを含み、加熱ステップにおいて加熱温度を３５０℃から４９０℃まで昇温させる際に、昇温速度を０．２℃／ｍｉｎ以上２℃／ｍｉｎ以下としている。 In order to achieve the above object, a method for producing a PDP of the present invention includes a front substrate manufacturing step in which a plurality of display electrode pairs parallel to each other, a dielectric layer covering the display electrode pairs, and a protective layer are formed on a front glass substrate, Forming a discharge space between a plurality of parallel data electrodes intersecting the display electrode pair, a base dielectric layer covering the data electrodes, a partition wall, and a phosphor layer on the back glass substrate; A sealing step in which the front substrate and the rear substrate are arranged opposite to each other with the partition wall interposed therebetween, and the periphery is sealed; an exhaust step that exhausts the discharge space; and a discharge gas supply step that encloses the discharge gas in the discharge space A method for producing a PDP, wherein the protective layer is a composite comprising at least two single metal oxides selected from magnesium oxide, calcium oxide, strontium oxide, and barium oxide. In the X-ray diffraction analysis of the protective layer, the diffraction angle peak in the specific orientation plane of the composite metal oxide is the minimum diffraction angle and the maximum diffraction angle in the specific orientation plane of the single metal oxide. And the sealing step includes a heating step of heating the front substrate and the back substrate to at least 490 ° C., and the heating temperature is increased from 350 ° C. to 490 ° C. in the heating step. In this case, the rate of temperature rise is set to 0.2 ° C./min or more and 2 ° C./min or less.

このような方法によれば、保護層と不純物ガスとの反応を抑制して保護層の電子放出特性を向上させ、高精細で高画質な画像表示性能を備えるＰＤＰを実現することができる。 According to such a method, it is possible to improve the electron emission characteristics of the protective layer by suppressing the reaction between the protective layer and the impurity gas, and to realize a PDP having high-definition and high-quality image display performance.

さらに、加熱ステップにおいて、前面基板と背面基板とにより構成される放電空間内が陽圧となるように放電空間内に乾燥ガスを流しながら加熱を行うことが望ましい。このような方法によれば、保護層と不純物ガスとの反応や再付着を抑制し、保護層の電子放出特性をさらに向上させることができる。 Furthermore, in the heating step, it is desirable to perform heating while flowing a dry gas in the discharge space so that the discharge space constituted by the front substrate and the back substrate has a positive pressure. According to such a method, reaction and reattachment between the protective layer and the impurity gas can be suppressed, and the electron emission characteristics of the protective layer can be further improved.

本発明のＰＤＰの製造方法によれば、保護層における電子放出特性を向上させ、高精細で高画質な画像表示性能を有するＰＤＰを実現することができる。 According to the method for producing a PDP of the present invention, it is possible to improve the electron emission characteristics in the protective layer and realize a PDP having high-definition and high-quality image display performance.

本実施の形態により製造されるＰＤＰの分解斜視図The exploded perspective view of PDP manufactured by this Embodiment 同ＰＤＰの前面基板の構成を示す断面図Sectional drawing which shows the structure of the front substrate of the PDP 同ＰＤＰの製造ステップを示すフローチャートFlow chart showing manufacturing steps of the PDP 同製造ステップの前面基板作製ステップの詳細を示すフローチャートFlow chart showing details of front substrate manufacturing step of the same manufacturing step 同ＰＤＰの保護層下地膜が２成分の場合についてのＸ線回折結果を示した図The figure which showed the X-ray-diffraction result about the case where the protective layer base film of the PDP has two components 同ＰＤＰの保護層下地膜が３成分の場合についてのＸ線回折結果を示す図The figure which shows the X-ray-diffraction result about the case where the protective layer base film of the PDP has three components 同ＰＤＰの保護層下地膜上に形成した酸化マグネシウムの凝集粒子の拡大図Enlarged view of magnesium oxide aggregated particles formed on the protective layer underlayer of the PDP 同ＰＤＰの放電遅れと保護層下地膜中のカルシウム濃度との関係を示す図The figure which shows the relationship between the discharge delay of the PDP and the calcium concentration in the protective layer underlayer 同ＰＤＰの保護層を加熱した場合の加熱温度に対する保護層表面からの水と二酸化炭素の脱離強度とを示す図The figure which shows the desorption intensity | strength of the water and carbon dioxide from the protective layer surface with respect to the heating temperature at the time of heating the protective layer of the PDP 同ＰＤＰの保護層を３５０℃から４９０℃までに加熱して昇温させる場合の昇温速度と脱離ガス量との関係を示す図The figure which shows the relationship between the temperature increase rate at the time of heating up the protective layer of the PDP from 350 degreeC to 490 degreeC, and desorption gas amount 本実施の形態における封着ステップ、排気ステップ、放電ガス供給ステップの温度プロファイルの一例を示す図The figure which shows an example of the temperature profile of the sealing step in this Embodiment, an exhaust step, and a discharge gas supply step 本実施の形態における封着ステップ、排気ステップ、放電ガス供給ステップの製造ステップでの装置動作を示す図The figure which shows the apparatus operation | movement in the manufacturing step of the sealing step in this Embodiment, an exhaust step, and a discharge gas supply step.

以下、本発明の一実施の形態におけるＰＤＰの製造方法について、図面を用いて説明する。 Hereinafter, a method for producing a PDP according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

（実施の形態）
図１は本実施の形態により製造されるＰＤＰの分解斜視図である。ＰＤＰの基本構造は、一般的な交流面放電型ＰＤＰと同様である。 (Embodiment)
FIG. 1 is an exploded perspective view of a PDP manufactured according to this embodiment. The basic structure of the PDP is the same as that of a general AC surface discharge type PDP.

図１に示すように、ＰＤＰ１は、前面基板２と背面基板１０とが対向して配置され、前面基板２と背面基板１０の周辺部をガラスフリットなどからなる封着部材によって気密封着して構成している。封着されたＰＤＰ１内部の放電空間１６には、キセノン（Ｘｅ）とネオン（Ｎｅ）などの放電ガスが４０ｋＰａ〜６０ｋＰａの圧力で封入されている。 As shown in FIG. 1, the PDP 1 has a front substrate 2 and a rear substrate 10 facing each other, and the periphery of the front substrate 2 and the rear substrate 10 is hermetically sealed by a sealing member made of glass frit or the like. It is composed. The discharge space 16 inside the sealed PDP 1 is filled with a discharge gas such as xenon (Xe) and neon (Ne) at a pressure of 40 kPa to 60 kPa.

前面ガラス基板３上には、走査電極４および維持電極５よりなる一対の帯状の表示電極対６とブラックストライプ（遮光層）７が互いに平行にそれぞれ複数列配置されている。さらに、表示電極対６と遮光層７とを覆うように電荷を保持してコンデンサとしての働きをする誘電体層８が形成され、さらにその上に保護層９が形成されている。 On the front glass substrate 3, a pair of strip-like display electrode pairs 6 each consisting of the scanning electrodes 4 and the sustain electrodes 5 and a plurality of black stripes (light-shielding layers) 7 are arranged in parallel with each other. Furthermore, a dielectric layer 8 is formed so as to hold the electric charge so as to cover the display electrode pair 6 and the light shielding layer 7 and function as a capacitor, and a protective layer 9 is further formed thereon.

また、背面ガラス基板１１上には、表示電極対６と直交する方向に、複数の帯状のアドレス電極１２が互いに平行に配置され、これを下地誘電体層１３が被覆している。さらに、アドレス電極１２間の下地誘電体層１３上には放電空間１６を区切る所定の高さの隔壁１４が形成されている。隔壁１４間の溝毎に、紫外線によって赤色、緑色および青色にそれぞれ発光する蛍光体層１５が順次塗布して形成されている。表示電極対６とアドレス電極１２とが交差する位置に放電セルが形成され、表示電極対６方向に並んだ赤色、緑色、青色の蛍光体層１５を有する放電セルがカラー表示のための画素になる。 On the back glass substrate 11, a plurality of strip-like address electrodes 12 are arranged in parallel to each other in a direction orthogonal to the display electrode pair 6, and the underlying dielectric layer 13 covers this. Further, a partition wall 14 having a predetermined height is formed on the base dielectric layer 13 between the address electrodes 12 to divide the discharge space 16. In each groove between the barrier ribs 14, a phosphor layer 15 that emits red, green, and blue light by ultraviolet rays is sequentially applied and formed. A discharge cell is formed at a position where the display electrode pair 6 and the address electrode 12 intersect, and the discharge cell having red, green, and blue phosphor layers 15 arranged in the direction of the display electrode pair 6 serves as a pixel for color display. Become.

図２は、本実施の形態におけるＰＤＰ１の前面基板２の詳細な構成を示す断面図であり、図２は図１と上下反転させて示している。図２に示すように、フロート法などにより製造された前面ガラス基板３に、走査電極４と維持電極５よりなる表示電極対６と遮光層７がパターン形成されている。走査電極４と維持電極５はそれぞれインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）や酸化スズ（ＳｎＯ２）などからなる透明電極４ａ、５ａと、透明電極４ａ、５ａ上に形成された金属バス電極４ｂ、５ｂとにより構成されている。金属バス電極４ｂ、５ｂは透明電極４ａ、５ａの長手方向に導電性を付与する目的として用いられ、銀（Ａｇ）材料を主成分とする導電性材料によって形成されている。 FIG. 2 is a cross-sectional view showing a detailed configuration of the front substrate 2 of the PDP 1 in the present embodiment, and FIG. 2 is shown upside down with respect to FIG. As shown in FIG. 2, a display electrode pair 6 including a scanning electrode 4 and a sustaining electrode 5 and a light shielding layer 7 are patterned on a front glass substrate 3 manufactured by a float method or the like. Scan electrode 4 and sustain electrode 5 are made of transparent electrodes 4a and 5a made of indium tin oxide (ITO), tin oxide (SnO2), and the like, and metal bus electrodes 4b and 5b formed on transparent electrodes 4a and 5a, respectively. It is configured. The metal bus electrodes 4b and 5b are used for the purpose of imparting conductivity in the longitudinal direction of the transparent electrodes 4a and 5a, and are formed of a conductive material whose main component is a silver (Ag) material.

誘電体層８は、これらの透明電極４ａ、５ａと金属バス電極４ｂ、５ｂと遮光層７を覆って設けた第１誘電体層８１と、第１誘電体層８１上に形成された第２誘電体層８２の少なくとも２層構成としている。さらに第２誘電体層８２上に保護層９が形成されている。 The dielectric layer 8 includes a first dielectric layer 81 provided to cover the transparent electrodes 4a and 5a, the metal bus electrodes 4b and 5b, and the light shielding layer 7, and a second dielectric layer 81 formed on the first dielectric layer 81. The dielectric layer 82 has at least two layers. Further, the protective layer 9 is formed on the second dielectric layer 82.

保護層９は、誘電体層８上に形成した保護層下地膜９１と、保護層下地膜９１上に酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の結晶粒子９２ａを複数個凝集させた凝集粒子９２とにより構成されている。また、保護層９において、保護層下地膜９１は、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、および酸化バリウム（ＢａＯ）の群から選ばれる単一金属酸化物、もしくは少なくとも２つ以上のこれら単一金属酸化物からなる複合金属酸化物により形成されている。 The protective layer 9 includes a protective layer base film 91 formed on the dielectric layer 8 and aggregated particles 92 in which a plurality of magnesium oxide (MgO) crystal particles 92 a are aggregated on the protective layer base film 91. Yes. In the protective layer 9, the protective layer base film 91 is a single metal oxide selected from the group consisting of magnesium oxide (MgO), calcium oxide (CaO), strontium oxide (SrO), and barium oxide (BaO), or It is formed by a composite metal oxide composed of at least two or more of these single metal oxides.

図３はＰＤＰ１の製造ステップを示すフローチャートである。図３に示すように、前面基板作製ステップ（Ｓ１）と、背面基板作製ステップ（Ｓ２）と、フリット塗布ステップ（Ｓ３）と、封着ステップ（Ｓ４）と、排気ステップ（Ｓ５）と、放電ガス供給ステップ（Ｓ６）とを経て製造される。 FIG. 3 is a flowchart showing manufacturing steps of the PDP 1. As shown in FIG. 3, the front substrate manufacturing step (S1), the back substrate manufacturing step (S2), the frit coating step (S3), the sealing step (S4), the exhausting step (S5), and the discharge gas. It is manufactured through the supply step (S6).

図４は前面基板作製ステップ（Ｓ１）の詳細を示すフローチャートである。以下、フローチャートに従って前面基板作製ステップ（Ｓ１）について説明する。まず、前面ガラス基板３上に、表示電極対６と遮光層７とを形成する（Ｓ１１）。走査電極４と維持電極５とを構成する透明電極４ａ、５ａと金属バス電極４ｂ、５ｂは、フォトリソグラフィ法などを用いてパターニングして形成される。透明電極４ａ、５ａは薄膜プロセスなどを用いて形成され、金属バス電極４ｂ、５ｂは銀（Ａｇ）材料を含むペーストを所定の温度で焼成して固化している。また、遮光層７も同様に、黒色顔料を含むペーストをスクリーン印刷する方法や黒色顔料を前面ガラス基板３の全面に形成した後、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングし、焼成することにより形成される。 FIG. 4 is a flowchart showing details of the front substrate manufacturing step (S1). The front substrate manufacturing step (S1) will be described below according to the flowchart. First, the display electrode pair 6 and the light shielding layer 7 are formed on the front glass substrate 3 (S11). Transparent electrodes 4a and 5a and metal bus electrodes 4b and 5b constituting scan electrode 4 and sustain electrode 5 are formed by patterning using a photolithography method or the like. The transparent electrodes 4a and 5a are formed using a thin film process or the like, and the metal bus electrodes 4b and 5b are solidified by baking a paste containing a silver (Ag) material at a predetermined temperature. Similarly, the light shielding layer 7 is also formed by screen printing a paste containing a black pigment or by forming a black pigment on the entire surface of the front glass substrate 3 and then patterning and baking using a photolithography method. .

次に、表示電極対６および遮光層７を覆うように前面ガラス基板３上に誘電体ペーストをダイコート法などにより塗布して誘電体ペースト（誘電体材料）層を形成する。誘電体ペーストを塗布し、所定の時間放置すると誘電体ペースト表面がレベリングされて平坦な表面になる。誘電体ペーストの材料や塗布厚みを変えて、第１誘電体層８１と第２誘電体層８２との誘電体ペースト層を形成する。その後、誘電体ペースト層を焼成固化することにより、表示電極対６および遮光層７を覆う第１誘電体層８１と第２誘電体層８２とよりなる誘電体層８が形成される（Ｓ１２）。なお、誘電体ペーストはガラス粉末などの誘電体材料、バインダおよび溶剤を含む塗料である。 Next, a dielectric paste is applied on the front glass substrate 3 by a die coating method or the like so as to cover the display electrode pair 6 and the light shielding layer 7 to form a dielectric paste (dielectric material) layer. When the dielectric paste is applied and left for a predetermined time, the surface of the dielectric paste is leveled to form a flat surface. A dielectric paste layer of the first dielectric layer 81 and the second dielectric layer 82 is formed by changing the material and the coating thickness of the dielectric paste. Thereafter, the dielectric paste layer is baked and solidified to form the dielectric layer 8 including the first dielectric layer 81 and the second dielectric layer 82 covering the display electrode pair 6 and the light shielding layer 7 (S12). . The dielectric paste is a paint containing a dielectric material such as glass powder, a binder and a solvent.

次に、第２誘電体層８２上に保護層９のベースとなる保護層下地膜９１を形成する（Ｓ１３）。保護層下地膜９１は、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、および酸化バリウム（ＢａＯ）の群から選ばれる少なくとも２つ以上の単一金属酸化物からなる複合金属酸化物により形成される。この保護層下地膜９１は、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、および酸化バリウム（ＢａＯ）の単独材料のペレットや、それらの材料を混合したペレットを用いて薄膜成膜方法によって形成される。薄膜成膜方法としては、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などの公知の方法が適用できる。 Next, a protective layer base film 91 serving as a base of the protective layer 9 is formed on the second dielectric layer 82 (S13). The protective layer base film 91 is a composite metal composed of at least two or more single metal oxides selected from the group consisting of magnesium oxide (MgO), calcium oxide (CaO), strontium oxide (SrO), and barium oxide (BaO). It is formed by an oxide. The protective layer base film 91 is a thin film made of a single material pellet of magnesium oxide (MgO), calcium oxide (CaO), strontium oxide (SrO), and barium oxide (BaO), or a pellet obtained by mixing these materials. It is formed by a film forming method. As a thin film forming method, a known method such as an electron beam evaporation method, a sputtering method, or an ion plating method can be applied.

また、保護層下地膜９１の成膜時の雰囲気としては、水分付着や不純物の吸着を防止するために外部と遮断された密閉状態で、成膜時の雰囲気を調整している。このようにして、所定の電子放出特性を有する金属酸化物よりなる保護層下地膜９１を形成することができる。 In addition, the atmosphere during film formation of the protective layer base film 91 is adjusted in a sealed state that is shut off from the outside in order to prevent moisture adhesion and adsorption of impurities. In this way, the protective layer base film 91 made of a metal oxide having predetermined electron emission characteristics can be formed.

次に、保護層下地膜９１上に酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の結晶粒子９２ａの凝集粒子９２を付着形成する（Ｓ１４）。これらの結晶粒子９２ａは、以下に示す気相合成法または前駆体焼成法のいずれかで製造することができる。 Next, agglomerated particles 92 of magnesium oxide (MgO) crystal particles 92a are deposited on the protective layer base film 91 (S14). These crystal particles 92a can be manufactured by any one of the following vapor phase synthesis method or precursor baking method.

気相合成法では、不活性ガスが満たされた雰囲気下で純度が９９．９％以上のマグネシウム金属材料を加熱し、さらに、雰囲気に酸素を少量導入することによって、マグネシウムを直接酸化させ、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の結晶粒子９２ａを作製することができる。 In the gas phase synthesis method, a magnesium metal material having a purity of 99.9% or more is heated in an atmosphere filled with an inert gas, and a small amount of oxygen is introduced into the atmosphere to directly oxidize magnesium, thereby oxidizing the material. Magnesium (MgO) crystal particles 92a can be produced.

一方、前駆体焼成法では、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の前駆体を７００℃以上の高温で均一に焼成し、これを徐冷して酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の結晶粒子９２ａを得ることができる。前駆体としては、例えば、マグネシウムアルコキシド（Ｍｇ（ＯＲ）₂）、マグネシウムアセチルアセトン（Ｍｇ（ａｃａｃ）₂）、水酸化マグネシウム（Ｍｇ（ＯＨ）₂）、炭酸マグネシウム（ＭｇＣＯ₂）、塩化マグネシウム（ＭｇＣｌ₂）、硫酸マグネシウム（ＭｇＳＯ₄）、硝酸マグネシウム（Ｍｇ（ＮＯ₃） ₂）、シュウ酸マグネシウム（ＭｇＣ₂Ｏ₄）の内のいずれか１種以上の化合物を選ぶことができる。なお選択した化合物によっては、通常、水和物の形態をとることもあるがこのような水和物を用いてもよい。これらの化合物は、焼成後に得られる酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の純度が９９．９５％以上、望ましくは９９．９８％以上になるように調整する。これらの化合物中に、各種アルカリ金属や、金属元素などの不純物元素が一定量以上混じっていると、熱処理時に不要な粒子間癒着や焼結を生じ、高結晶性の酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の結晶粒子９２ａを得にくいためである。このため、不純物元素を除去するなどにより予め前駆体を調整することが必要となる。 On the other hand, in the precursor firing method, a magnesium oxide (MgO) precursor is uniformly fired at a high temperature of 700 ° C. or higher, and this is gradually cooled to obtain magnesium oxide (MgO) crystal particles 92a. Examples of the precursor include magnesium alkoxide (Mg (OR) ₂ ), magnesium acetylacetone (Mg (acac) ₂ ), magnesium hydroxide (Mg (OH) ₂ ), magnesium carbonate (MgCO ₂ ), magnesium chloride (MgCl ₂ ). ), Magnesium sulfate (MgSO ₄ ), magnesium nitrate (Mg (NO ₃ ) ₂ ), or magnesium oxalate (MgC ₂ O ₄ ) can be selected. Depending on the selected compound, it may usually take the form of a hydrate, but such a hydrate may be used. These compounds are adjusted so that the purity of magnesium oxide (MgO) obtained after calcination is 99.95% or more, preferably 99.98% or more. If these compounds contain a certain amount or more of various kinds of alkali metals or metal elements such as metal elements, unnecessary interparticle adhesion or sintering occurs during heat treatment, resulting in highly crystalline magnesium oxide (MgO) crystals. This is because it is difficult to obtain the particles 92a. For this reason, it is necessary to adjust the precursor in advance by removing the impurity element.

上記いずれかの方法で得られた酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の結晶粒子９２ａを、溶媒に分散させ、その分散液をスプレー法やスクリーン印刷法、静電塗布法などによって保護層下地膜９１の表面に分散散布させる。その後、乾燥・焼成プロセスを経て溶媒を除去し、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の結晶粒子９２ａを保護層下地膜９１の表面に定着させることができる。 The magnesium oxide (MgO) crystal particles 92a obtained by any of the above methods are dispersed in a solvent, and the dispersion is applied to the surface of the protective layer base film 91 by a spray method, a screen printing method, an electrostatic coating method, or the like. Disperse. Thereafter, the solvent is removed through a drying / firing process, and the magnesium oxide (MgO) crystal particles 92 a can be fixed to the surface of the protective layer base film 91.

次に、背面基板作製ステップ（Ｓ２）について説明する。まず、背面ガラス基板１１上にアドレス電極１２を形成する。この方法としては、銀（Ａｇ）材料を含むペーストをスクリーン印刷する方法や、金属膜を全面に形成した後、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングする方法などを用いる。その後、所定の温度で焼成することによりアドレス電極１２を形成する。 Next, the back substrate manufacturing step (S2) will be described. First, the address electrode 12 is formed on the rear glass substrate 11. As this method, a method of screen printing a paste containing a silver (Ag) material, a method of patterning using a photolithography method after forming a metal film on the entire surface, or the like is used. Thereafter, the address electrode 12 is formed by firing at a predetermined temperature.

次に、アドレス電極１２が形成された背面ガラス基板１１上にダイコート法などを用い、アドレス電極１２を覆うように誘電体ペーストを塗布して誘電体ペースト層を形成する。その後、誘電体ペースト層を焼成することにより下地誘電体層１３を形成する。なお、誘電体ペーストはガラス粉末などの誘電体材料とバインダおよび溶剤を含んだ塗料である。 Next, using a die coating method or the like on the rear glass substrate 11 on which the address electrodes 12 are formed, a dielectric paste is applied so as to cover the address electrodes 12 to form a dielectric paste layer. Thereafter, the base dielectric layer 13 is formed by firing the dielectric paste layer. The dielectric paste is a paint containing a dielectric material such as glass powder, a binder and a solvent.

次に、下地誘電体層１３上に隔壁材料を含む隔壁形成用ペーストを塗布し、所定の形状にパターニングすることにより隔壁材料層を形成する。その後、所定の温度で焼成することにより隔壁１４を形成する。ここで、下地誘電体層１３上に塗布した隔壁用ペーストをパターニングする方法としては、フォトリソグラフィ法やサンドブラスト法を用いることができる。 Next, a partition wall forming paste containing a partition wall material is applied on the base dielectric layer 13 and patterned into a predetermined shape to form a partition wall material layer. Then, the partition 14 is formed by baking at a predetermined temperature. Here, as a method of patterning the partition wall paste applied on the base dielectric layer 13, a photolithography method or a sand blast method can be used.

そして、隣接する隔壁１４間の下地誘電体層１３上および隔壁１４の側面に蛍光体材料を含む蛍光体ペーストを塗布し、焼成することにより蛍光体層１５が形成される。以上の工程により、背面基板１０が完成する。 Then, a phosphor paste containing a phosphor material is applied on the base dielectric layer 13 between the adjacent barrier ribs 14 and on the side surfaces of the barrier ribs 14 and fired to form the phosphor layer 15. The back substrate 10 is completed through the above steps.

次に、本実施の形態における保護層９の詳細について説明する。本実施の形態におけるＰＤＰ１では、図２に示すように、保護層９は、誘電体層８に形成した保護層下地膜９１と、保護層下地膜９１上に付着させた酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の結晶粒子９２ａが複数個凝集した凝集粒子９２とにより構成されている。また、保護層下地膜９１を、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、および酸化バリウム（ＢａＯ）の群から選ばれる少なくとも２つ以上の単一金属酸化物からなる複合金属酸化物で形成している。また、保護層下地膜９１面のＸ線回折分析において、その複合金属酸化物の特定方位面における回折角のピークが、単一金属酸化物の特定方位面における最小回折角と最大回折角との間に存在するように形成している。 Next, the detail of the protective layer 9 in this Embodiment is demonstrated. In PDP 1 in the present embodiment, as shown in FIG. 2, protective layer 9 is formed of protective layer base film 91 formed on dielectric layer 8 and magnesium oxide (MgO) deposited on protective layer base film 91. The aggregated particles 92 are formed by aggregating a plurality of crystal particles 92a. The protective layer base film 91 is made of at least two or more single metal oxides selected from the group consisting of magnesium oxide (MgO), calcium oxide (CaO), strontium oxide (SrO), and barium oxide (BaO). It is made of a composite metal oxide. Further, in the X-ray diffraction analysis of the surface of the protective layer base film 91, the peak of the diffraction angle in the specific orientation plane of the composite metal oxide is the minimum diffraction angle and the maximum diffraction angle in the specific orientation plane of the single metal oxide. It is formed to exist in between.

図５は、本実施の形態におけるＰＤＰ１の保護層下地膜９１が２成分の場合についてのＸ線回折結果を示した図である。図５において、横軸はブラッグの回折角（２θ）であり、縦軸はＸ線回折光の強度である。回折角の単位は１周を３６０度とする度で示し、強度は任意単位（ａｒｂｉｔｒａｒｙｕｎｉｔ）で示している。図中には特定方位面である結晶方位面を括弧付けで示している。 FIG. 5 is a diagram showing an X-ray diffraction result when the protective layer base film 91 of the PDP 1 according to the present embodiment has two components. In FIG. 5, the horizontal axis is the Bragg diffraction angle (2θ), and the vertical axis is the intensity of the X-ray diffracted light. The unit of the diffraction angle is shown in degrees when one round is 360 degrees, and the intensity is shown in an arbitrary unit. In the figure, the crystal orientation plane which is a specific orientation plane is shown in parentheses.

図５に示すように、結晶方位面の（１１１）では、単一金属酸化物である、酸化カルシウム（ＣａＯ）の回折角は３２．２度、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の回折角は３６．９度、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）の回折角は３０．０度、酸化バリウム（ＢａＯ）の回折角は２７．９度にピークを有している。また、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）と酸化カルシウム（ＣａＯ）とからなる保護層下地膜９１の回折角のピークはＡ点、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）と酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）とからなる回折角のピークをＢ点、さらに、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）と酸化バリウム（ＢａＯ）とからなる回折角のピークをＣ点で示している。 As shown in FIG. 5, at the crystal orientation plane (111), the diffraction angle of calcium oxide (CaO), which is a single metal oxide, is 32.2 degrees, and the diffraction angle of magnesium oxide (MgO) is 36.9. The diffraction angle of strontium oxide (SrO) has a peak at 30.0 degrees, and the diffraction angle of barium oxide (BaO) has a peak at 27.9 degrees. The peak of the diffraction angle of the protective layer base film 91 made of magnesium oxide (MgO) and calcium oxide (CaO) is point A, and the peak of the diffraction angle made of magnesium oxide (MgO) and strontium oxide (SrO) is B. Further, the peak of the diffraction angle composed of magnesium oxide (MgO) and barium oxide (BaO) is indicated by C point.

すなわち、図５に示すように、Ａ点は特定方位面としての結晶方位面の（１１１）において、単一金属酸化物の最大回折角となる酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の回折角３６．９度と、最小回折角となる酸化カルシウム（ＣａＯ）の回折角３２．２度との間である回折角３６．１度にピークが存在している。同様に、Ｂ点、Ｃ点もそれぞれ最大回折角と最小回折角との間の３５．７度、３５．４度にピークが存在している。 That is, as shown in FIG. 5, point A is a diffraction angle of 36.9 degrees of magnesium oxide (MgO), which is the maximum diffraction angle of a single metal oxide, at (111) of the crystal orientation plane as a specific orientation plane. There is a peak at a diffraction angle of 36.1 degrees which is between the diffraction angle of calcium oxide (CaO) which is the minimum diffraction angle and 32.2 degrees. Similarly, peaks at points B and C exist at 35.7 degrees and 35.4 degrees between the maximum diffraction angle and the minimum diffraction angle, respectively.

また、図６には、図５と同様に、保護層下地膜９１を構成する単一金属酸化物が３成分以上の場合のＸ線回折結果を示している。すなわち、図６には、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）とからなる複合金属酸化物の回折角のピークをＤ点で示している。また、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化バリウム（ＢａＯ）とからなる複合金属酸化物の回折角のピークをＥ点で示している。さらに、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化バリウム（ＢａＯ）とからなる複合金属酸化物の回折角のピークをＦ点で示している。図６から分かるように、Ｄ点は特定方位面としての結晶方位面の（１１１）において、単一金属酸化物として最大回折角となる酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の回折角３６．９度と、最小回折角となる酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）の回折角３０．０度との間である回折角３３．４度にピークが存在している。同様に、Ｅ点、Ｆ点もそれぞれ最大回折角と最小回折角との間の３２．８度、３０．２度にピークが存在している。 Further, FIG. 6 shows the X-ray diffraction result when the single metal oxide constituting the protective layer base film 91 has three or more components, as in FIG. That is, in FIG. 6, the peak of the diffraction angle of the composite metal oxide composed of magnesium oxide (MgO), calcium oxide (CaO), and strontium oxide (SrO) is indicated by D point. Further, the peak of the diffraction angle of the composite metal oxide composed of magnesium oxide (MgO), calcium oxide (CaO), and barium oxide (BaO) is indicated by point E. Furthermore, the peak of the diffraction angle of the composite metal oxide composed of calcium oxide (CaO), strontium oxide (SrO), and barium oxide (BaO) is indicated by F point. As can be seen from FIG. 6, the D point is the minimum diffraction angle of 36.9 degrees of magnesium oxide (MgO), which is the maximum diffraction angle as a single metal oxide, in the crystal orientation plane (111) as the specific orientation plane. There is a peak at a diffraction angle of 33.4 degrees which is between the diffraction angle of 30.0 degrees of strontium oxide (SrO), which is the diffraction angle. Similarly, peaks at points E and F exist at 32.8 degrees and 30.2 degrees between the maximum diffraction angle and the minimum diffraction angle, respectively.

したがって、本実施の形態におけるＰＤＰ１の保護層下地膜９１は、単体成分として２成分であれ、３成分であれ、保護層下地膜９１を構成する複合金属酸化物の保護層下地膜９１面のＸ線回折分析において、その複合金属酸化物の特定方位面における回折角のピークが、単一金属酸化物の特定方位面における最小回折角と最大回折角との間に存在する。なお、上記の説明では特定方位面としての結晶方位面として（１１１）を対象として説明したが、他の結晶方位面を対象とした場合も金属酸化物のピークの位置が上記と同様である。 Therefore, the protective layer base film 91 of the PDP 1 in this embodiment has two components or three components as a single component, and X of the surface of the protective layer base film 91 of the composite metal oxide constituting the protective layer base film 91 In the line diffraction analysis, the peak of the diffraction angle in the specific orientation plane of the composite metal oxide exists between the minimum diffraction angle and the maximum diffraction angle in the specific orientation plane of the single metal oxide. In the above description, (111) has been described as the crystal orientation plane as the specific orientation plane, but the peak position of the metal oxide is the same as that described above when other crystal orientation planes are also targeted.

Ｘ線回折分析の結果が、図５および図６に示す特徴を有する金属酸化物は、そのエネルギー準位もそれらを構成する単体の酸化物の間に存在する。したがって、保護層下地膜９１のエネルギー準位も単体の酸化物の間に存在し、オージェ効果により他の電子が獲得するエネルギー量が真空準位を超えて放出されるに十分な量とすることができる。その結果、保護層下地膜９１では、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）単一金属酸化物と比較して、良好な二次電子放出特性を発揮することができ、結果として、放電維持電圧を低減することができる。そのため、特に輝度を高めるために放電ガスとしてのキセノン（Ｘｅ）分圧を高めた場合に、放電電圧を低減し、低電圧でなおかつ高輝度のＰＤＰ１を実現することが可能となる。 As a result of X-ray diffraction analysis, metal oxides having the characteristics shown in FIGS. 5 and 6 have their energy levels between single oxides constituting them. Therefore, the energy level of the protective layer base film 91 is also present between the single oxides, and the amount of energy acquired by other electrons due to the Auger effect is sufficient to be released beyond the vacuum level. Can do. As a result, the protective layer base film 91 can exhibit better secondary electron emission characteristics than the magnesium oxide (MgO) single metal oxide, and as a result, the discharge sustaining voltage can be reduced. it can. Therefore, particularly when the partial pressure of xenon (Xe) as the discharge gas is increased in order to increase the luminance, it becomes possible to reduce the discharge voltage and realize a low-voltage and high-luminance PDP1.

なお、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化バリウム（ＢａＯ）は、単一金属酸化物では反応性が高いために不純物と反応しやすい。そのため、電子放出性能が劣化しやすいが、それらの複合金属酸化物の構成とすることにより、反応性を低減させることができる。その結果、不純物の混入や酸素欠損の少ない結晶構造が形成されて、ＰＤＰ１の駆動時に電子が過剰放出されるのが抑制され、低電圧駆動と二次電子放出性能の両立効果に加えて、適度な電子保持特性の効果も発揮される。この電荷保持特性は、特に初期化期間に貯めた壁電荷を保持しておき、書込期間において書込不良を防止して確実な書込放電を行う上で有効である。 Note that calcium oxide (CaO), strontium oxide (SrO), and barium oxide (BaO) are easy to react with impurities because they are highly reactive with a single metal oxide. Therefore, although the electron emission performance is likely to deteriorate, the reactivity can be reduced by using the composite metal oxide. As a result, a crystal structure with less impurity contamination and oxygen vacancies is formed, and excessive emission of electrons during driving of the PDP 1 is suppressed. In addition to the effect of achieving both low voltage driving and secondary electron emission performance, The effect of the electron retention characteristic is also exhibited. This charge retention characteristic is particularly effective for retaining wall charges stored during the initialization period and preventing write defects during the write period to perform reliable write discharge.

次に、保護層下地膜９１上に設けた、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の結晶粒子９２ａが複数個凝集した凝集粒子９２について詳細に説明する。酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の凝集粒子９２は、主として書込放電における「放電遅れ」を抑制する効果と、「放電遅れ」の温度依存性を改善する。凝集粒子９２は、保護層下地膜９１に比べて初期電子放出特性に優れる。そこで、放電パルス立ち上がり時に必要な初期電子供給部として凝集粒子９２を配設している。 Next, the agglomerated particles 92 provided on the protective layer base film 91 and aggregating a plurality of magnesium oxide (MgO) crystal particles 92a will be described in detail. Aggregated particles 92 of magnesium oxide (MgO) mainly improve the effect of suppressing “discharge delay” in write discharge and the temperature dependence of “discharge delay”. Aggregated particles 92 are excellent in initial electron emission characteristics as compared with protective layer base film 91. Therefore, the agglomerated particles 92 are disposed as an initial electron supply unit necessary at the time of discharge pulse rising.

「放電遅れ」は、放電開始時において、トリガーとなる初期電子が保護層下地膜９１表面から放電空間１６中に放出される量が不足することが主原因と考えられる。そこで、放電空間１６に対する初期電子の安定供給に寄与するため、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の凝集粒子９２を保護層下地膜９１の表面に分散配置している。これによって、放電パルスの立ち上がり時に放電空間１６中に電子が豊富に存在し、放電遅れの解消が図られる。 The “discharge delay” is considered to be mainly caused by a shortage of the amount of initial electrons, which become a trigger, emitted from the surface of the protective layer base film 91 into the discharge space 16 at the start of discharge. Therefore, in order to contribute to the stable supply of initial electrons to the discharge space 16, the aggregated particles 92 of magnesium oxide (MgO) are dispersedly arranged on the surface of the protective layer base film 91. As a result, abundant electrons are present in the discharge space 16 at the rise of the discharge pulse, and the discharge delay can be eliminated.

したがって、このような初期電子放出特性により、ＰＤＰ１が高精細の場合などにおいても放電応答性の良い高速駆動を実現することができる。なお保護層下地膜９１の表面に金属酸化物の凝集粒子９２を配設する構成では、主として書込放電における「放電遅れ」を抑制する効果に加え、「放電遅れ」の温度依存性を改善する効果も得られる。 Therefore, such initial electron emission characteristics can realize high-speed driving with good discharge response even when the PDP 1 has a high definition. In the configuration in which the metal oxide aggregated particles 92 are provided on the surface of the protective layer base film 91, in addition to the effect of mainly suppressing the “discharge delay” in the write discharge, the temperature dependence of the “discharge delay” is improved. An effect is also obtained.

以上のように、本実施の形態におけるＰＤＰ１では、低電圧駆動と電荷保持の両立効果を奏する保護層下地膜９１と、放電遅れの防止効果を奏する酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の凝集粒子９２とにより構成している。その結果、高精細なＰＤＰ１でも高速駆動を低電圧で駆動でき、且つ、点灯不良を抑制した高品位な画像表示性能を実現できる。 As described above, the PDP 1 according to the present embodiment includes the protective layer base film 91 that achieves both the low voltage driving and the charge retention effect, and the magnesium oxide (MgO) aggregated particles 92 that have the effect of preventing discharge delay. is doing. As a result, high-definition PDP 1 can be driven at high voltage with low voltage, and high-quality image display performance with reduced lighting failure can be realized.

なお、凝集粒子９２は、保護層下地膜９１上に離散的に散布させ、全面に亘ってほぼ均一に分布するように複数個付着させることにより構成している。 The agglomerated particles 92 are discretely dispersed on the protective layer base film 91, and a plurality of aggregated particles 92 are adhered so as to be distributed almost uniformly over the entire surface.

図７は、保護層下地膜９１上に形成した酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の凝集粒子９２の拡大図である。凝集粒子９２とは、図７に示すように、所定の一次粒径の結晶粒子９２ａが凝集またはネッキングした状態のものである。すなわち、静電気やファンデルワールス力などによって複数の一次粒子が集合体の体をなし、超音波などの外的刺激により、その一部または全部が一次粒子の状態になる程度で結合しているものである。凝集粒子９２の粒径としては、約１μｍ程度のもので、結晶粒子９２ａとしては、１４面体や１２面体などの７面以上の面を持つ多面体形状を有するのが望ましい。 FIG. 7 is an enlarged view of aggregated particles 92 of magnesium oxide (MgO) formed on the protective layer base film 91. Aggregated particles 92 are those in which crystal particles 92a having a predetermined primary particle size are aggregated or necked as shown in FIG. That is, a plurality of primary particles form an aggregate body due to static electricity, van der Waals force, etc., and are bound to the extent that some or all of them become primary particles due to external stimuli such as ultrasonic waves. It is. The particle size of the agglomerated particles 92 is about 1 μm, and the crystal particles 92a preferably have a polyhedral shape having seven or more surfaces such as a tetrahedron and a dodecahedron.

図８は、本実施の形態におけるＰＤＰ１の放電遅れと保護層下地膜９１中のカルシウム（Ｃａ）濃度との関係を示す図である。なお、この場合、保護層下地膜９１として酸化マグネシウム（ＭｇＯ）と酸化カルシウム（ＣａＯ）とからなる複合金属酸化物で構成している。また、保護層下地膜９１面におけるＸ線回折分析において、複合金属酸化物の回折角のピークが、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の回折角と酸化カルシウム（ＣａＯ）の回折角との間に存在するように形成している。なお、図８には、保護層９として保護層下地膜９１のみの場合と、保護層下地膜９１上に凝集粒子９２を配置した場合とについて示し、放電遅れは、保護層下地膜９１中にカルシウム（Ｃａ）が含有されていない場合を基準として示している。 FIG. 8 is a diagram showing the relationship between the discharge delay of the PDP 1 and the calcium (Ca) concentration in the protective layer base film 91 in the present embodiment. In this case, the protective layer base film 91 is composed of a composite metal oxide composed of magnesium oxide (MgO) and calcium oxide (CaO). In addition, in the X-ray diffraction analysis on the surface of the protective layer base film 91, the peak of the diffraction angle of the composite metal oxide seems to exist between the diffraction angle of magnesium oxide (MgO) and the diffraction angle of calcium oxide (CaO). Is formed. FIG. 8 shows a case where only the protective layer base film 91 is used as the protective layer 9 and a case where the aggregated particles 92 are arranged on the protective layer base film 91, and the discharge delay is in the protective layer base film 91. The case where calcium (Ca) is not contained is shown as a reference.

図８より明らかなように、保護層下地膜９１のみの場合と、保護層下地膜９１上に凝集粒子９２を配置した場合とにおいて、保護層下地膜９１のみの場合はカルシウム（Ｃａ）濃度の増加とともに放電遅れが大きくなる。一方、保護層下地膜９１上に凝集粒子９２を配置することによって放電遅れを大幅に小さくすることができ、カルシウム（Ｃａ）濃度が増加しても放電遅れはほとんど増大しない。 As is clear from FIG. 8, in the case of only the protective layer base film 91 and in the case where the aggregated particles 92 are arranged on the protective layer base film 91, the calcium (Ca) concentration is increased in the case of the protective layer base film 91 alone. The discharge delay increases with the increase. On the other hand, by disposing the aggregated particles 92 on the protective layer base film 91, the discharge delay can be greatly reduced, and the discharge delay hardly increases even when the calcium (Ca) concentration is increased.

このように、保護層９を、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、および酸化バリウム（ＢａＯ）から選ばれる少なくとも２つ以上の金属酸化物により形成することで、放電開始電圧を低下させ、放電遅れを小さくして放電を安定させることができる。 Thus, by forming the protective layer 9 with at least two or more metal oxides selected from magnesium oxide (MgO), calcium oxide (CaO), strontium oxide (SrO), and barium oxide (BaO), It is possible to stabilize the discharge by reducing the discharge start voltage and reducing the discharge delay.

しかしながら、これらの金属酸化物材料は、水や二酸化炭素などの不純物ガスと反応しやすく、保護層９の特性を劣化させて放電セル毎の放電特性にばらつきを発生しやすくする。そこで、本実施の形態におけるＰＤＰ１の製造方法では、封着ステップ（Ｓ４）の条件に着目して、保護層９と水、二酸化炭素などの不純物ガスと保護層９との反応を抑制することを図ったものである。 However, these metal oxide materials easily react with impurity gases such as water and carbon dioxide, and deteriorate the characteristics of the protective layer 9 to easily cause variations in discharge characteristics for each discharge cell. Therefore, in the method of manufacturing the PDP 1 in the present embodiment, focusing on the conditions of the sealing step (S4), the reaction between the protective layer 9 and an impurity gas such as water or carbon dioxide and the protective layer 9 is suppressed. It is intended.

図９は、保護層９を加熱した場合の、加熱温度に対する保護層９表面からの水と二酸化炭素の脱離強度を示したものである。図９から、保護層９を３５０℃から５００℃の温度領域で加熱すると、水と二酸化炭素の脱離強度が大きいことがわかる。したがって、この領域で加熱することによって、不純物ガスの脱離を促進させることができる。ただし、封着ステップ（Ｓ４）で保護層９を昇温させる場合には、封着温度である４９０℃を上限としている。 FIG. 9 shows the desorption strength of water and carbon dioxide from the surface of the protective layer 9 with respect to the heating temperature when the protective layer 9 is heated. FIG. 9 shows that when the protective layer 9 is heated in the temperature range of 350 ° C. to 500 ° C., the desorption strength of water and carbon dioxide is large. Therefore, desorption of the impurity gas can be promoted by heating in this region. However, when the temperature of the protective layer 9 is raised in the sealing step (S4), the upper limit is 490 ° C., which is the sealing temperature.

一方、このような温度領域での不純物ガスの脱離が、３５０℃から５００℃まで保護層９を昇温させる場合の昇温速度に依存する。図１０は、保護層９を３５０℃から４９０℃までに加熱して昇温させる場合の、昇温速度と脱離ガス量との関係を示す図であり、昇温速度が３℃／ｍｉｎの場合を基準として示している。図１０から、昇温速度が０．２℃／ｍｉｎ以上２℃／ｍｉｎ以下の領域で、脱離ガスの量が多いことが分かる。 On the other hand, the desorption of the impurity gas in such a temperature region depends on the temperature increase rate when the temperature of the protective layer 9 is increased from 350 ° C. to 500 ° C. FIG. 10 is a diagram showing the relationship between the rate of temperature rise and the amount of desorbed gas when the protective layer 9 is heated from 350 ° C. to 490 ° C. to raise the temperature, and the rate of temperature rise is 3 ° C./min. The case is shown as a reference. FIG. 10 shows that the amount of desorbed gas is large in the region where the rate of temperature rise is 0.2 ° C./min or more and 2 ° C./min or less.

図９、図１０の結果より、本実施の形態では、封着ステップ（Ｓ４）において、前面基板２と背面基板１０とを３５０℃から４９０℃まで昇温させる際に、その昇温速度を０．２℃／ｍｉｎ以上２℃／ｍｉｎ以下となるように制御しながら昇温させている。その結果、保護層９と水や二酸化炭素などの不純物ガスとの反応を最も効果的に抑制することができる。 From the results of FIGS. 9 and 10, in the present embodiment, in the sealing step (S4), when the temperature of the front substrate 2 and the rear substrate 10 is increased from 350 ° C. to 490 ° C., the temperature increase rate is reduced to 0. The temperature is raised while being controlled to be 2 ° C./min or more and 2 ° C./min or less. As a result, the reaction between the protective layer 9 and an impurity gas such as water or carbon dioxide can be most effectively suppressed.

さらに、本実施の形態では、このような昇温の際に、前面基板２と背面基板１０とにより形成される放電空間１６が陽圧となるように乾燥ガスを流すことが望ましい。このようにすることによって、保護層９と水や二酸化炭素などの不純物ガスとの反応を最も効果的に抑制するとともに、保護層９に再付着した不純物ガスを効果的に除去することが可能となる。 Furthermore, in the present embodiment, it is desirable to flow the dry gas so that the discharge space 16 formed by the front substrate 2 and the rear substrate 10 has a positive pressure during such a temperature increase. By doing so, it is possible to most effectively suppress the reaction between the protective layer 9 and an impurity gas such as water or carbon dioxide, and to effectively remove the impurity gas reattached to the protective layer 9. Become.

図１１は、本実施の形態における封着ステップ（Ｓ４）、排気ステップ（Ｓ５）、放電ガス供給ステップ（Ｓ６）の温度プロファイルの一例を示す図である。図１１において、封着ステップ（Ｓ４）、排気ステップ（Ｓ５）、放電ガス供給ステップ（Ｓ６）を、期間１から期間６の６つに分割し、それぞれの期間について以下に説明する。 FIG. 11 is a diagram showing an example of a temperature profile in the sealing step (S4), the exhaust step (S5), and the discharge gas supply step (S6) in the present embodiment. In FIG. 11, the sealing step (S4), the exhaust step (S5), and the discharge gas supply step (S6) are divided into six periods from period 1 to period 6, and each period will be described below.

期間１（封着ステップ）は、室温から水の脱離が始まる温度（３５０℃）まで上昇させる期間である。期間２（封着ステップ）は、水の脱離開始温度から軟化点（４５０℃）までの期間である。期間３（封着ステップ）は、軟化点（４５０℃）から封着温度（４９０℃）までの期間である。期間４（封着ステップ）は、封着温度（４９０℃）以上の温度で一定時間保持した後、軟化点まで低下させる期間である。期間５（排気ステップ）は、放電空間１６内を排気しながら、軟化点（４５０℃）付近またはそれよりやや低い温度で一定時間保持した後、室温まで低下させる期間である。期間６（放電ガス供給ステップ）は、室温まで低下させた後、放電空間１６内に放電ガスを供給する期間である。 Period 1 (sealing step) is a period in which the temperature is raised from room temperature to a temperature at which water desorption begins (350 ° C.). Period 2 (sealing step) is a period from the desorption start temperature of water to the softening point (450 ° C.). Period 3 (sealing step) is a period from the softening point (450 ° C.) to the sealing temperature (490 ° C.). Period 4 (sealing step) is a period in which the temperature is lowered to the softening point after being held for a certain time at a temperature equal to or higher than the sealing temperature (490 ° C.). Period 5 (exhaust step) is a period during which the interior of the discharge space 16 is exhausted, held at a temperature near or slightly lower than the softening point (450 ° C.) for a certain time, and then lowered to room temperature. Period 6 (discharge gas supply step) is a period in which the discharge gas is supplied into the discharge space 16 after being lowered to room temperature.

ここで、軟化点とは、封着部材のガラスフリットが軟化する温度を指し、封着温度とは、前面基板２と背面基板１０とが封着部材であるガラスフリットにより密閉される状態となる温度である。本実施の形態では、期間２から期間３までの間を加熱ステップとし、その間の昇温を０．２℃／ｍｉｎ以上２℃／ｍｉｎ以下の昇温速度としていることを特徴としている。 Here, the softening point refers to a temperature at which the glass frit of the sealing member softens, and the sealing temperature refers to a state in which the front substrate 2 and the rear substrate 10 are sealed by the glass frit that is the sealing member. Temperature. The present embodiment is characterized in that the period from period 2 to period 3 is a heating step, and the temperature increase during that period is 0.2 ° C./min or more and 2 ° C./min or less.

図１２は、本実施の形態における封着ステップ（Ｓ４）、排気ステップ（Ｓ５）、放電ガス供給ステップ（Ｓ６）のプロセスと装置構成とを示す図である。図１１の（ａ）〜（ｅ）の順番にステップが進む。また、（ａ）〜（ｅ）のステップは、それぞれ上述の期間１〜期間６に対応している。 FIG. 12 is a diagram showing the process and apparatus configuration of the sealing step (S4), the exhaust step (S5), and the discharge gas supply step (S6) in the present embodiment. Steps proceed in the order of (a) to (e) in FIG. Steps (a) to (e) correspond to the above-described periods 1 to 6, respectively.

図１２に示すように、周辺部にガラスフリット２１が塗布された背面基板１０と、前面基板２が対向配置され、ヒータが備えられた加熱炉（図示せず）内に設置されている。背面基板１０には放電空間１６に開口する貫通孔２２ａ、２２ｂが設けられている。貫通孔２２ａ、２２ｂにはガラス管３１、３２が接続されている。ガラス管３１にはバルブ２３を介して乾燥ガス供給装置４１が接続されている。また、バルブ２４を介して排気装置４２が接続され、バルブ２５を介して放電ガス供給装置４３が接続されている。 As shown in FIG. 12, the rear substrate 10 with the glass frit 21 applied to the peripheral portion and the front substrate 2 are arranged to face each other and are installed in a heating furnace (not shown) provided with a heater. The rear substrate 10 is provided with through holes 22 a and 22 b that open to the discharge space 16. Glass tubes 31 and 32 are connected to the through holes 22a and 22b. A dry gas supply device 41 is connected to the glass tube 31 via a valve 23. Further, an exhaust device 42 is connected via the valve 24, and a discharge gas supply device 43 is connected via the bulb 25.

一方、ガラス管３２には、バルブ２６を介して乾燥ガス供給装置４４が、バルブ２７を介して排気装置４５が、バルブ２８を介して放電ガス供給装置４６がそれぞれ接続されている。またガラス管３１、３２にはガス逃がし弁２９、３０が接続されている。以下、図１２を参照しながら、各期間の順に製造プロセスを説明する。 On the other hand, a dry gas supply device 44 is connected to the glass tube 32 via a valve 26, an exhaust device 45 is connected via a valve 27, and a discharge gas supply device 46 is connected via a valve 28. Further, gas relief valves 29 and 30 are connected to the glass tubes 31 and 32, respectively. Hereinafter, the manufacturing process will be described in the order of each period with reference to FIG.

（期間１：封着ステップ）
この期間１では、図１２の（ａ）に示すように操作される。前面基板２と背面基板１０とを位置決めして重ね合わせた後、バルブ２３とバルブ２６とを開いて、乾燥ガス供給装置４１、４４から乾燥ガスを貫通孔２２ａおよび貫通孔２２ｂを放電空間１６内に流入させる。そのとき、ヒータをオンにして加熱炉内部の温度を室温から水の離脱が始まる温度（３５０℃）まで上昇させる。この期間ではすばやく温度を上昇させてもよい。このとき、放電空間１６に流入させられた乾燥ガスは、矢印Ａで示すように、前面基板２と背面基板１０上に形成されたガラスフリット２１との隙間から外部へ漏れ出る。なお、本実施の形態においては、乾燥ガスとして、露点が−４５℃以下の乾燥窒素ガスを用いている。 (Period 1: Sealing step)
In this period 1, the operation is performed as shown in FIG. After positioning and superposing the front substrate 2 and the rear substrate 10, the valve 23 and the valve 26 are opened, and the dry gas is supplied from the dry gas supply devices 41 and 44 to the through holes 22 a and 22 b in the discharge space 16. To flow into. At that time, the heater is turned on, and the temperature inside the heating furnace is raised from room temperature to a temperature at which water desorption starts (350 ° C.). During this period, the temperature may be quickly increased. At this time, the dry gas that has flowed into the discharge space 16 leaks outside through the gap between the front substrate 2 and the glass frit 21 formed on the rear substrate 10 as indicated by an arrow A. In this embodiment, dry nitrogen gas having a dew point of −45 ° C. or lower is used as the dry gas.

（期間２：封着ステップ）
この期間が加熱ステップである。ここでは、乾燥ガスを流入させながら加熱炉内部の温度を水の離脱が始まる温度（３５０℃）からガラスフリット２１の軟化点温度（４５０℃）まで上昇させる。ここで重要なのは、乾燥ガスを流しながら、この期間の昇温速度を０．２℃／ｍｉｎ以上２℃／ｍｉｎ以下の低い速度で昇温させることである。これにより、保護層９と水と、二酸化炭素との反応を効果的に抑制することができる。 (Period 2: Sealing step)
This period is the heating step. Here, the temperature inside the heating furnace is raised from the temperature (350 ° C.) at which the separation of water starts to the softening point temperature (450 ° C.) of the glass frit 21 while flowing in the dry gas. What is important here is to raise the rate of temperature rise during this period at a low rate of 0.2 ° C./min to 2 ° C./min. Thereby, reaction with the protective layer 9, water, and a carbon dioxide can be suppressed effectively.

（期間３：封着ステップ）
この期間２では図１２の（ｂ）に示すように操作される。加熱炉内部の温度がガラスフリット２１の軟化点温度（４５０℃）以上になった状態でバルブ２６を閉じ、バルブ２３の開度を調節して乾燥ガスの流量を期間１の半分以下に調整する。そして、ガス逃がし弁２９を開いて、放電空間１６内部の圧力が加熱炉内部の圧力よりも僅かに陽圧となるようにする。そして加熱炉内部の温度を封着温度（４９０℃）まで上昇させる。この期間も昇温速度を０．２℃／ｍｉｎ以上２℃／ｍｉｎ以下の低い速度で昇温させる。 (Period 3: Sealing step)
In this period 2, the operation is performed as shown in FIG. When the temperature inside the heating furnace is equal to or higher than the softening point temperature (450 ° C.) of the glass frit 21, the valve 26 is closed and the opening of the valve 23 is adjusted to adjust the flow rate of the dry gas to less than half of the period 1. . Then, the gas relief valve 29 is opened so that the pressure inside the discharge space 16 becomes slightly positive than the pressure inside the heating furnace. And the temperature inside a heating furnace is raised to sealing temperature (490 degreeC). Also during this period, the temperature is raised at a low rate of 0.2 ° C./min to 2 ° C./min.

（期間４：封着ステップ）
この期間３では図１２の（ｃ）に示すように操作される。すなわち、加熱炉内部の温度が封着温度以上の温度に到達してガラスフリット２１が溶融し、前面基板２と背面基板１０との封着が行われる。この期間では、排気装置４５を動作させるとともに、バルブ２７を調整して排気し、放電空間１６内部の圧力を僅かに陰圧に保ちながら貫通孔２２ａから貫通孔２２ｂに向かって乾燥窒素ガスを流す。この間、ヒータを制御して加熱炉内部の温度を封着温度以上の温度に約３０分保持する。なお、貫通孔２２ａから貫通孔２２ｂに向かって乾燥窒素ガスを流す時間はＰＤＰ１のサイズなどの仕様に応じて設定すればよい。 (Period 4: Sealing step)
In this period 3, the operation is performed as shown in FIG. That is, the temperature inside the heating furnace reaches a temperature equal to or higher than the sealing temperature, the glass frit 21 is melted, and the front substrate 2 and the rear substrate 10 are sealed. During this period, the exhaust device 45 is operated, the valve 27 is adjusted and exhausted, and dry nitrogen gas is allowed to flow from the through hole 22a toward the through hole 22b while keeping the pressure in the discharge space 16 slightly negative. . During this time, the heater is controlled to keep the temperature inside the heating furnace at a temperature equal to or higher than the sealing temperature for about 30 minutes. In addition, what is necessary is just to set the time which flows dry nitrogen gas toward through-hole 22b from through-hole 22a according to specifications, such as the size of PDP1.

次に、同じ期間４において、図１２の（ｄ）に示すように操作する。すなわち、バルブ２３、２７およびガス逃がし弁２９を閉じ、排気装置４２を動作させるとともに、乾燥ガス供給装置４４のバルブ２６を開く。さらに、ガス逃がし弁３０を開くとともに、バルブ２４を調節して、放電空間１６内部の圧力を僅かに陰圧に保ちつつ、今度は貫通孔２２ｂから貫通孔２２ａに向かって乾燥窒素ガスを流す。このようにして、乾燥窒素ガスの流れる方向を（ｃ）と反対方向にする。 Next, in the same period 4, an operation is performed as shown in FIG. That is, the valves 23 and 27 and the gas relief valve 29 are closed, the exhaust device 42 is operated, and the valve 26 of the dry gas supply device 44 is opened. Further, the gas relief valve 30 is opened and the valve 24 is adjusted so that dry nitrogen gas is allowed to flow from the through hole 22b toward the through hole 22a while keeping the pressure in the discharge space 16 slightly negative. In this way, the flow direction of the dry nitrogen gas is changed to the opposite direction to (c).

この期間４では、溶融したガラスフリット２１が僅かに流動するとともに、放電空間１６内部の圧力が僅かに陰圧に保たれていることから、前面基板２と背面基板１０との封着が行われる。その後、ヒータをオフにして加熱炉の温度を軟化点以下の温度まで下げる。 In this period 4, since the molten glass frit 21 slightly flows and the pressure inside the discharge space 16 is kept at a slightly negative pressure, the front substrate 2 and the rear substrate 10 are sealed. . Thereafter, the heater is turned off and the temperature of the heating furnace is lowered to a temperature equal to or lower than the softening point.

（期間５：排気ステップ）
この期間５では、図１２の（ｅ）に示すように操作される。加熱炉内部の温度が軟化点温度以下になった状態でバルブ２６、ガス逃がし弁３０を閉じ、排気装置４２、４５を作動させる。バルブ２４およびバルブ２７を開いて、貫通孔２２ａ、２２ｂからガラス管３１、３２を介して放電空間１６内を排気する。そしてヒータを制御して加熱炉内部の温度を所定の時間保持しながら、排気を継続して行う。その後、ヒータをオフにして加熱炉内部の温度を室温まで低下させる。この間も排気を継続して行う。 (Period 5: exhaust step)
In this period 5, the operation is performed as shown in FIG. The valve 26 and the gas relief valve 30 are closed in a state where the temperature inside the heating furnace is equal to or lower than the softening point temperature, and the exhaust devices 42 and 45 are operated. The bulb 24 and the bulb 27 are opened, and the discharge space 16 is evacuated from the through holes 22a and 22b through the glass tubes 31 and 32. Then, the exhaust is continuously performed while maintaining the temperature inside the heating furnace for a predetermined time by controlling the heater. Thereafter, the heater is turned off and the temperature inside the heating furnace is lowered to room temperature. During this time, exhaustion is continued.

（期間６：放電ガス供給ステップ）
この期間６では図１２の（ｆ）に示すように操作される。加熱炉内部の温度が室温まで低下した後に、バルブ２４、２７を閉じて排気装置４２、４５を停止する。その後、バルブ２５およびバルブ２８を開いて、放電ガス供給装置４３、４６から貫通孔２２ａ、２２ｂを介して放電ガスを所定の圧力となるように供給する。本実施の形態においては、放電ガスは、例えば、キセノン（Ｘｅ）：１０％、ネオン（Ｎｅ）：９０％の混合ガスであり、封入圧力は６×１０⁴Ｐａである。しかし、放電ガスはこれに限定されるものではなく、例えば、キセノン（Ｘｅ）：１００％のガスであってもよい。 (Period 6: discharge gas supply step)
In this period 6, the operation is performed as shown in FIG. After the temperature inside the heating furnace has dropped to room temperature, the valves 24 and 27 are closed and the exhaust devices 42 and 45 are stopped. Thereafter, the bulb 25 and the bulb 28 are opened, and the discharge gas is supplied from the discharge gas supply devices 43 and 46 through the through holes 22a and 22b so as to have a predetermined pressure. In the present embodiment, the discharge gas is, for example, a mixed gas of xenon (Xe): 10% and neon (Ne): 90%, and the sealing pressure is 6 × 10 ⁴ Pa. However, the discharge gas is not limited to this, and may be, for example, xenon (Xe): 100% gas.

所定圧力に放電ガスが封入された後、ガラス管３１、３２を加熱封止することで、保護層９と不純物ガスとの反応を抑制しつつ、前面基板２と背面基板１０とを貼り合わせ、その間に放電ガスを充填したＰＤＰ１が完成する。 After the discharge gas is sealed at a predetermined pressure, the front tube 2 and the back substrate 10 are bonded together while suppressing the reaction between the protective layer 9 and the impurity gas by heat sealing the glass tubes 31 and 32. Meanwhile, the PDP 1 filled with the discharge gas is completed.

以上のように、本実施の形態におけるＰＤＰの製造方法によれば、封着ステップにおいて、不純物ガスが離脱しやすい温度領域での加熱ステップにおいて昇温速度を制御することで、製造プロセスにおける保護層と不純物ガスとの反応を抑制することができる。その結果、保護層における電子放出特性を向上させ、高精細で高画質な画像表示性能を有するＰＤＰを実現することができる。 As described above, according to the PDP manufacturing method of the present embodiment, the protective layer in the manufacturing process is controlled in the sealing step by controlling the heating rate in the heating step in the temperature region in which the impurity gas is easily released. And the impurity gas can be suppressed. As a result, it is possible to improve the electron emission characteristics in the protective layer and realize a PDP having high-definition and high-quality image display performance.

本発明によるＰＤＰの製造方法は、高精細で高画質な画像表示性能を備えるＰＤＰを実現する上で有用な発明である。 The PDP manufacturing method according to the present invention is a useful invention for realizing a PDP having high-definition and high-quality image display performance.

１ＰＤＰ
２前面基板
３前面ガラス基板
４走査電極
４ａ，５ａ透明電極
４ｂ，５ｂ金属バス電極
５維持電極
６表示電極対
７ブラックストライプ（遮光層）
８誘電体層
９保護層
１０背面基板
１１背面ガラス基板
１２アドレス電極
１３下地誘電体層
１４隔壁
１５蛍光体層
１６放電空間
８１第１誘電体層
８２第２誘電体層
９１保護層下地膜
９２凝集粒子
９２ａ結晶粒子
２１ガラスフリット
２２ａ，２２ｂ貫通孔
２３，２４，２５，２６，２７，２８バルブ
２９，３０ガス逃がし弁
３１，３２ガラス管
４１，４４乾燥ガス供給装置
４２，４５排気装置
４３，４６放電ガス供給装置 1 PDP
2 Front substrate 3 Front glass substrate 4 Scan electrode 4a, 5a Transparent electrode 4b, 5b Metal bus electrode 5 Sustain electrode 6 Display electrode pair 7 Black stripe (light shielding layer)
8 Dielectric layer 9 Protective layer 10 Rear substrate 11 Rear glass substrate 12 Address electrode 13 Base dielectric layer 14 Partition 15 Phosphor layer 16 Discharge space 81 First dielectric layer 82 Second dielectric layer 91 Protective layer base film 92 Aggregation Particle 92a Crystal particle 21 Glass frit 22a, 22b Through hole 23, 24, 25, 26, 27, 28 Valve 29, 30 Gas relief valve 31, 32 Glass tube 41, 44 Drying gas supply device 42, 45 Exhaust device 43, 46 Discharge gas supply device

Claims

A front substrate manufacturing step of forming a plurality of display electrode pairs parallel to each other, a dielectric layer covering the display electrode pairs, and a protective layer on the front glass substrate; a plurality of parallel data electrodes intersecting the display electrode pairs; A back substrate manufacturing step of forming a base dielectric layer, a barrier rib, and a phosphor layer on a back glass substrate; and the front substrate and the back substrate are arranged opposite to each other with the barrier rib interposed therebetween so as to form a discharge space therebetween. A plasma display panel manufacturing method comprising: a sealing step that seals the surroundings; an exhaust step that exhausts the discharge space; and a discharge gas supply step that encloses a discharge gas in the discharge space,
The protective layer is formed of a composite metal oxide composed of at least two single metal oxides selected from magnesium oxide, calcium oxide, strontium oxide, and barium oxide. Forming a peak of a diffraction angle in a specific orientation plane of the oxide between a minimum diffraction angle and a maximum diffraction angle in the specific orientation plane of the single metal oxide, and the sealing step includes: The method includes a heating step of heating the front substrate and the back substrate to at least 490 ° C., and a temperature increase rate when the temperature is increased from 350 ° C. to 490 ° C. in the heating step is 0.2 ° C./min to 2 ° C./min. A method for producing a plasma display panel, characterized by being less than or equal to min.

2. The heating according to claim 1, wherein in the heating step, heating is performed while flowing a dry gas into the discharge space such that the discharge space constituted by the front substrate and the back substrate has a positive pressure. A method for manufacturing a plasma display panel.