JP2011254044A - Method for producing a heat dissipation substrate for mounting in semiconductor - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は、LED等の半導体素子を保持するとともに、それに蓄熱するのを防止する機能を果たす半導体搭載用放熱基板の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor-mounted heat dissipation substrate that functions to hold a semiconductor element such as an LED and prevent it from storing heat.
LED(発光ダイオード)や半導体集積回路等では、最近の高密度化および高出力化により放熱量が増加する傾向にある。LEDについてみると(図11の左図参照))、そのLEDは、サファイア基板の上にそれが搭載されているが、これであると、LEDの発光部から発する熱が熱伝導率の悪いサファイア基板との間に溜まりやすく(図12の左図参照)、多くの半導体素子ではその蓄熱があると機能が低下し、特にLEDではその輝度と低反射率で弊害が生じることから、それを受ける部分に熱伝動性の良好な金属製の放熱基板が使用される(図11の右図参照)。たとえば、銅やモリブデン、タングステン、チタン、モリブデン等のメタルウエハーと称する金属である。そして、主にモリブデン(Mo)を銅(Cu,Cu)でサンドイッチしたもの(DMD)が良好であることが知られている(図12の右図参照)。 In LEDs (light emitting diodes), semiconductor integrated circuits, and the like, the amount of heat radiation tends to increase due to recent increases in density and output. As for the LED (see the left figure of FIG. 11), the LED is mounted on a sapphire substrate, but if this is the case, the heat generated from the light emitting part of the LED has poor thermal conductivity. It tends to accumulate between the substrate (see the left figure in FIG. 12), and in many semiconductor elements, the function is reduced when there is heat storage, especially in the case of LEDs, which has a negative effect due to its brightness and low reflectance. A metal heat radiating substrate having good heat conductivity is used for the portion (see the right figure in FIG. 11). For example, a metal called a metal wafer such as copper, molybdenum, tungsten, titanium, or molybdenum. And it is known that what mainly sandwiched molybdenum (Mo) with copper (Cu, Cu) (DMD) is good (see the right figure of FIG. 12).
放熱基板に要求される性質ないし性能等については、優れた熱伝動性が求められる他に、熱による歪みがない安定性と高い機械的強度、機械加工性が要求される。また、半導体素子を取り付ける接着やロウ付け等に適すること、耐薬品性に優れていること等が求められるときもある。これらの性質は、従来、図11、図12の各右図に示す如く複数の金属層の結合により総合的に発揮するよう開発が進められる(特許文献1、特許文献2)。この多層構造を取る手段としては、従来圧延方法や熱間一軸加工法が用いられていた。
As for the properties or performances required for the heat dissipation substrate, in addition to excellent thermal conductivity, stability without thermal distortion, high mechanical strength, and machinability are required. In addition, it is sometimes required to be suitable for bonding or brazing for attaching a semiconductor element, and to be excellent in chemical resistance. Conventionally, development has been progressed so that these properties are comprehensively exhibited by the combination of a plurality of metal layers as shown in the right diagrams of FIGS. 11 and 12 (
圧延方法や熱間一軸加工法は、いずれも複数枚の合せ金属材(グラッド材、グラッド金属とも称する))を重ねて圧縮することにより熱可塑性により偏平化するとともに合せ材どうしを加熱圧着してグラッド層を形成するものであるが、その接着には過熱温度、時間、圧縮強さ等の条件整合が難しく剥離しないという信頼性に乏しく、剥離が発生すると、機械的強度や放熱性能に支承(剥離部分に蓄熱する)をきたし、盛り上がりでパッケージ基板や半導体素子との結合が不安定となる等という問題があった。 In both the rolling method and the hot uniaxial processing method, a plurality of laminated metal materials (also referred to as grad materials and grad metals) are overlapped and compressed to flatten due to thermoplasticity, and the laminated materials are thermocompression bonded. Although it forms a grad layer, it is difficult to match the conditions such as overheating temperature, time, and compressive strength, and it is not reliable that it will not peel off. When peeling occurs, it is supported by mechanical strength and heat dissipation performance ( There is a problem in that, for example, heat is accumulated in the peeled portion, and the coupling with the package substrate and the semiconductor element becomes unstable due to the rise.
また、異種金属の接合に伴う反りを防ぐ方法として、中心部となる母材を中心としてその上下両面に対称になるよう多種金属の合せ金属材が配置される。しかしながら、それでも熱変形の異なる異種金属を同時に過熱圧縮するため、グラッド層の厚みに偏在が生じたり層にうねりやコロニーが生じたりしやすく、これらの発生も全体的な反りの原因となり、また、機械的強度や放熱性能に支承を招く要因となるという問題もあった。 Further, as a method for preventing warpage accompanying the joining of different kinds of metals, a multi-metal laminated metal material is arranged so as to be symmetrical with respect to the upper and lower surfaces around the base material as the center. However, since dissimilar metals with different thermal deformations are simultaneously heat-compressed, uneven distribution in the thickness of the grad layer and undulation and colony are likely to occur in the layer, and these occurrences also cause overall warpage, There has also been a problem that it becomes a factor inducing mechanical strength and heat dissipation performance.
この発明は、上記のような実情に鑑みて、合せ材を用いなく、用いても層の中心部の基材にのみ用いることにして鋭意研究を重ねてきたもので、各金属層が不離一体に形成されるために、層間において剥離が生じなく、安定した放熱性および機械的強度を保持する信頼性の高い半導体搭載用放熱基板の製造方法を提供することを課題とした。 In view of the above situation, the present invention has been earnestly studied by using only the base material at the center of the layer without using a laminated material. Therefore, an object of the present invention is to provide a highly reliable method for manufacturing a semiconductor-mounted heat dissipation substrate that does not cause separation between layers and maintains stable heat dissipation and mechanical strength.
上記の課題を解決するために、この発明は、層厚の中心部となる基母材の両面に1以上の金属層をめっきにより上下対称の配置となるように形成することを特徴とする半導体搭載用放熱基板の製造方法を提供する。 In order to solve the above-mentioned problems, the present invention is characterized in that one or more metal layers are formed on both surfaces of a base material which is the central portion of the layer thickness so as to be vertically symmetrically arranged by plating. Provided is a method for manufacturing a mounting heat dissipation board.
半導体搭載用放熱基板を上記のように形成したから、基母材は、合せ材の金属片単独又は合せ材の両面に多種金属の合せ材を貼りあわせてこれに使用されるもので、これには、圧延方法や熱間一軸加工法等が使用されるが、この基母材をコアとしてその両面に確実に金属層がめっきにより形成される。 Since the semiconductor mounting heat dissipating board is formed as described above, the base matrix is used for this purpose by bonding a single metal piece of a composite material or a multi-metal composite material on both sides of the composite material. In this method, a rolling method, a hot uniaxial processing method, or the like is used, and a metal layer is reliably formed by plating on the both surfaces using the base base material as a core.
以上説明したように、この発明によれば、基母材以外では合せ金属材を用いなく、これを中心にめっきにより各金属層が不離一体に形成されるために、層間において剥離が生じなく、上下均等且つ対称を正確に形成した構造となることとも相まって、安定した放熱性および機械的強度を保持する信頼性の高い半導体搭載用放熱基板の製造方法を提供することができる。 As described above, according to the present invention, a metal member other than the base material is not used, and since each metal layer is formed in a single piece by plating around this, no separation occurs between the layers, Combined with the structure in which the upper and lower parts are evenly and accurately formed, it is possible to provide a highly reliable method for manufacturing a semiconductor-mounted heat dissipation board that maintains stable heat dissipation and mechanical strength.
この発明は、層厚のコアとなる合せ金属材からなる基母材1,2の両面にめっき層8,8を形成し且つ上下対称に形成してめっき層半導体搭載用放熱基板Pを製造するものである(図3)。
基母材は、一枚の金属の単一基母材1である場合と、複数枚のサンドイッチ構造の複合基母材2である場合とがある。いずれも、合せ材として金属薄片が使用され、複合基母材2の場合であると、圧延加工法や熱間一軸加工法等により加圧して一体化される。
In the present invention, the
The base material may be a single metal
基母材1,2の金属には、比較的熱伝導率の小さいモリブデン(Mo)やタングステン(W)などが使用される。なお、こうして重合された原多層材は、ウエハーのチップ化と同じくカッティングにより縦横に細分される。
Molybdenum (Mo), tungsten (W), or the like having a relatively low thermal conductivity is used for the metals of the
こうして造られた基母材1,2の両面には、上下対称に比較的熱伝導率の良好な他の金属層がめっきにより形成される。それら金属層の厚みについては、例えば、Au層であると0.05〜1.5μm、Ni又はNi合金層であると0.02〜10μm、Au・Sn合金層であると、0.2〜10μm、Sn層であると0.2〜5.0μm、Cu層であると0.2〜40μmであることが良好である。また、このうち、特にAu層7が外面であると、酸化しにくいので、パッケージ基板10やLED発光体12等(図3参照)との接着性が良好であり望ましい。 半導体搭載用放熱基板Pの他の部品との接着については、表面がAu層7,7又はSn層11,11であるきは、Ag系又はAu・Sn系のペーストないし接着剤が好適に使用される。
On both surfaces of the
めっきは、電解、無電解、イオンプレーティング(IP)法等が望ましいが、めっきであれば特に限定するものではない。いずれにしても、めっきによって各金属層の厚みが上下対称で均一な層に形成され、各層が緊密に結合する。また、Cu金属層の形成については、Cuめっきの他に、Cuイオンプレーティング法を最適に用いることができる。 Plating is preferably electrolysis, electroless, ion plating (IP) method or the like, but is not particularly limited as long as it is plating. In any case, the thickness of each metal layer is formed into a uniform layer with vertical symmetry by plating, and the layers are tightly coupled. For forming the Cu metal layer, a Cu ion plating method can be optimally used in addition to Cu plating.
イオンプレーティング法は、乾式のめっきで湿式とは違い僅かな表面改質でめっき加工が可能である。Moは非常にめっきが密着しにくい金属である。面粗さを失わずにCuめっきを付ける場合は、イオンプレーティング法が最適である。この場合、Moの上にCuめっきをする際に薄膜の銅をIPで付けてから、電解若しくは無電解でCuめっきを施す工程とするので上記目的が達成される。つまり、Moの金属片の上にCu層をイオンプレーティング法により例えば0.2μm程度形成し、その上にCuめっき(電解又は無電解)で施すのが最善な方法である。無電解めっきは、電解めっきと比較してめっきの均一性が良い。めっきの効率は電解めっき>無電解>銅めっき(電解・無電解)となる。 The ion plating method can be plated with a slight surface modification, unlike dry, wet plating. Mo is a metal that is very difficult to adhere to plating. When applying Cu plating without losing surface roughness, the ion plating method is optimal. In this case, when Cu is plated on Mo, a thin film of copper is attached by IP, and then the Cu plating is performed electrolytically or electrolessly, thereby achieving the above object. That is, the best method is to form a Cu layer on the Mo metal piece by, for example, about 0.2 μm by the ion plating method, and apply Cu plating (electrolytic or electroless) thereon. Electroless plating has better plating uniformity than electrolytic plating. The plating efficiency is electrolytic plating> electroless> copper plating (electrolysis / electroless).
図1ないし図3は実施例1を示し、複合基母材2となる広い原材としては、Mo層3をCu層4,4でサンドイッチした3層構造のものを使用する(図1)。それには基母材2のCu層4,4の面を研磨機18で研磨してからNiめっきをその両面に施しNi層5,5(層厚1.0μm)を形成し、さらにその両Ni層5,5にAuめっきを施し両面がAu層7,7(層厚2μm)として形成する。めっき工程を経て広く製造されためっき元材は縦横カンティングにより細分化されて加工される。図2がこうして加工された製品としての放熱基板Pを示すが円形とは限らない。
FIG. 1 to FIG. 3 show Example 1, and a wide raw material to be a
図3はLEDを搭載した使用状態を示したもので、パッケージ基板10の上に接着剤14を介して半導体搭載用放熱基板Pが搭載され、その上に接着剤16を介してLED12が搭載される。いずれも、表面がAu層7,7であるので、接着剤14,16の乗りが良く接着性が良好である。また、Au層7で反射してLED12の反射効率が良好であり、反射しなくても金属層の光の通りが良く蓄熱量が少ないという利点がある。
FIG. 3 shows a use state in which LEDs are mounted. A semiconductor mounting heat dissipation substrate P is mounted on the
図4において、前記実施例に対して前記Au層7,7がその合金となっている違いがある。つまり、めっきを施すことによりAu・Sn合金層9,9として両面を形成して放熱基板Pが形成される。この実施例の場合も、Auの性質等から上記と同じ利点がある。以下においても同じである。 In FIG. 4, there is a difference that the Au layers 7 and 7 are alloys thereof with respect to the embodiment. That is, the heat dissipation substrate P is formed by forming both surfaces as Au / Sn alloy layers 9 and 9 by plating. This embodiment also has the same advantages as described above due to the nature of Au. The same applies to the following.
図5において、その放熱基板Pは、実施例1に対してそのNi層5,5がSn層11,11になっている違いがある。
In FIG. 5, the heat dissipation substrate P is different from the first embodiment in that the Ni layers 5 and 5 are
図6において、その放熱基板Pは、複合基母材2の両面にAu層7,7をさらにその上にSn層11,11が形成される。
In FIG. 6, the heat dissipation substrate P has Au layers 7 and 7 formed on both sides of the
図7において、その放熱基板Pは、Mo層3を合せ金属材の単一基母材1としたもので、まずその両面にCu層4,4をめっき(Cuイオンプレーティングによることもできる)を施した場合と、Mo層3の両面にNi層5,5とCu層4,4を順次めっきした場合とに分けて製造される。それぞれについて次の如くである。
In FIG. 7, the heat dissipation substrate P is a
前者については、両面のCu層4,4にNi層5,5を、さらにAu層7,7を順次めっきして形成して放熱基板Pを製造した。また、後者については、その両面のCu層4,4にNi層5,5、Au層7,7を順次めっきで形成して放熱基板Pを製造した。 As for the former, the Ni layers 5 and 5 and the Au layers 7 and 7 were successively formed on the Cu layers 4 and 4 on both sides, and the heat dissipation substrate P was manufactured. In the latter case, Ni layers 5 and 5 and Au layers 7 and 7 were sequentially formed on the Cu layers 4 and 4 on both sides thereof to manufacture the heat dissipation substrate P.
図8においてもMo層3を単一基母材1としたもので、この場合も、まずその両面にCu層4,4をめっき(Cuイオンプレーティングによることもできる)を施した場合と、Mo層3の両面にNi層5,5とCu層4,4を順次めっきした場合とに分けられる。それぞれについて次の如くである。
Also in FIG. 8, the
すなわち、前者については、両面のCu層4,4の上にNi層5,5をめっきにより形成し、その上にそれぞれAu・Sn合金層9,9をめっきし、放熱基板Pの原材を形成した。また、後者については、両面のCu層4,4の上にNi層5,5をさらにその上にAu・Sn合金層9,9を形成して放熱基板Pの原材を構成した。 That is, as for the former, Ni layers 5 and 5 are formed on the Cu layers 4 and 4 on both sides by plating, and Au / Sn alloy layers 9 and 9 are plated on the Ni layers 5 and 5, respectively. Formed. In the latter case, Ni layers 5 and 5 were formed on the Cu layers 4 and 4 on both sides, and Au / Sn alloy layers 9 and 9 were further formed thereon to constitute the raw material of the heat dissipation substrate P.
図9において、Mo層3としての基母材1の両面にCu層4,4をめっきにより形成した場合と、Ni層5,5とCu層4,4を順次めっきにより形成した場合とに分けられて製造した。それぞれについてさらに次の如くである。
9, the case where the Cu layers 4 and 4 are formed on both surfaces of the
つまり、前者では、Cu層4,4にNi層5,5をめっきで形成し、この上にSn層11,11とAu層7,7がめっきにより形成して放熱基板Pの原材が作られる。また、後者では、Cu層4,4の上にNi層5,5を、その上にSn層11,11とAu層7,7をそれぞれめっきにより形成して放熱基板Pの原材が作られる。 In other words, in the former, the Ni layers 5 and 5 are formed on the Cu layers 4 and 4 by plating, and the Sn layers 11 and 11 and the Au layers 7 and 7 are formed thereon by plating, so that the raw material of the heat dissipation substrate P is made. It is done. In the latter case, the Ni layers 5 and 5 are formed on the Cu layers 4 and 4, and the Sn layers 11 and 11 and the Au layers 7 and 7 are formed thereon by plating, whereby the raw material of the heat dissipation substrate P is made. .
図10において、この場合も、前記と同じであって、Mo層3としての単一基母材1の両面にCu層4,4をめっきにより形成した場合と、Ni層5,5とCu層4,4を順次めっきにより形成した場合とに分けられ、それぞれについてさらにめっきが施される。
10, in this case as well, the Cu layers 4 and 4 are formed on both surfaces of the
前者の場合であると、Cu層4,4にNi層5,5をめっきにより形成し、その上にAu層7,7とSn層11,11を順次めっきにより形成して放熱基板Pの原材が形成される。また、後者であると、Cu層4,4の上にNi層5,5をめっきにより形成し、Ni層5,5の上にAu層7,7とSn層11,11が順次めっきにより形成して放熱基板Pの原材が作られる。 In the former case, the Ni layers 5 and 5 are formed on the Cu layers 4 and 4 by plating, and the Au layers 7 and 7 and the Sn layers 11 and 11 are sequentially formed on the Ni layers 5 and 5 by plating. A material is formed. In the latter case, Ni layers 5 and 5 are formed on the Cu layers 4 and 4 by plating, and Au layers 7 and 7 and Sn layers 11 and 11 are sequentially formed on the Ni layers 5 and 5 by plating. Thus, the raw material of the heat dissipation board P is made.
P 半導体搭載用放熱基板
1 単一基母材
2 複合基母材
3 Mo層
4 Cu層
5 Ni層
7 Au層
9 Au・Sn合金層
11 Sn層
P Semiconductor
この発明は、LED等の半導体素子を保持するとともに、それに蓄熱するのを防止する機能を果たす半導体搭載用放熱基板の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor-mounted heat dissipation substrate that functions to hold a semiconductor element such as an LED and prevent it from storing heat.
LED(発光ダイオード)や半導体集積回路等では、最近の高密度化および高出力化により放熱量が増加する傾向にある。LEDについてみると(図11の左図参照))、そのLEDは、サファイア基板の上にそれが搭載されているが、これであると、LEDの発光部から発する熱が熱伝導率の悪いサファイア基板との間に溜まりやすく(図12の左図参照)、多くの半導体素子ではその蓄熱があると機能が低下し、特にLEDではその輝度と低反射率で弊害が生じることから、それを受ける部分に熱伝導性の良好な金属製の放熱基板が使用される(図11の右図参照)。たとえば、銅やモリブデン、タングステン、チタン等のメタルウエハーと称する金属である。そして、主にモリブデン(Mo)を銅(Cu,Cu)でサンドイッチしたもの(DMD)が良好であることが知られている(図12の右図参照)。 In LEDs (light emitting diodes), semiconductor integrated circuits, and the like, the amount of heat radiation tends to increase due to recent increases in density and output. As for the LED (see the left figure of FIG. 11), the LED is mounted on a sapphire substrate, but if this is the case, the heat generated from the light emitting part of the LED has poor thermal conductivity. It tends to accumulate between the substrate (see the left figure in FIG. 12), and in many semiconductor elements, the function is reduced when there is heat storage, especially in the case of LEDs, which has a negative effect due to its brightness and low reflectance. A metal heat dissipation board with good thermal conductivity is used for the portion (see the right figure in FIG. 11). For example, a metal called a metal wafer such as copper, molybdenum, tungsten, or titanium . And it is known that what mainly sandwiched molybdenum (Mo) with copper (Cu, Cu) (DMD) is good (see the right figure of FIG. 12).
放熱基板に要求される性質ないし性能等については、優れた熱伝導性が求められる他に、熱による歪みがない安定性と高い機械的強度、機械加工性が要求される。また、半導体素子を取り付ける接着やロウ付け等に適すること、耐薬品性に優れていること等が求められるときもある。これらの性質は、従来、図11、図12の各右図に示す如く複数の金属層の結合により総合的に発揮するよう開発が進められる(特許文献1、特許文献2)。この多層構造を取る手段としては、従来、圧延方法や熱間一軸加工法が用いられていた。
As for the properties or performances required for the heat dissipation substrate, excellent thermal conductivity is required, and stability without thermal distortion, high mechanical strength, and machinability are required. In addition, it is sometimes required to be suitable for bonding or brazing for attaching a semiconductor element, and to be excellent in chemical resistance. Conventionally, development has been progressed so that these properties are comprehensively exhibited by the combination of a plurality of metal layers as shown in the right diagrams of FIGS. 11 and 12 (
圧延方法や熱間一軸加工法は、いずれも複数枚の合せ金属材(グラッド材、グラッド金属とも称する))を重ねて圧縮することにより熱可塑性により偏平化するとともに合せ材どうしを加熱圧着してグラッド層を形成するものであるが、その接着には加熱温度、時間、圧縮強さ等の条件整合が難しく剥離しないという信頼性に乏しく、剥離が発生すると、機械的強度や放熱性能に支障(剥離部分に蓄熱する)をきたし、盛り上がりでパッケージ基板や半導体素子との結合が不安定となる等という問題があった。 In both the rolling method and the hot uniaxial processing method, a plurality of laminated metal materials (also referred to as grad materials and grad metals) are overlapped and compressed to flatten due to thermoplasticity, and the laminated materials are thermocompression bonded. Although it forms a grad layer, it is difficult to match conditions such as heating temperature, time, compressive strength, etc., and it is difficult to peel off. If peeling occurs, it will hinder mechanical strength and heat dissipation performance ( There is a problem in that, for example, heat is accumulated in the peeled portion, and the coupling with the package substrate and the semiconductor element becomes unstable due to the rise.
また、異種金属の接合に伴う反りを防ぐ方法として、中心部となる母材を中心としてその上下両面に対称になるよう多種金属の合せ金属材が配置される。しかしながら、それでも熱変形の異なる異種金属を同時に加熱圧縮するため、グラッド層の厚みに偏在が生じたり、層にうねりやコロニーが生じたりしやすく、これらの発生も全体的な反りの原因となり、また、機械的強度や放熱性能に支障を招く要因となるという問題もあった。 Further, as a method for preventing warpage accompanying the joining of different kinds of metals, a multi-metal laminated metal material is arranged so as to be symmetrical with respect to the upper and lower surfaces around the base material as the center. However, since dissimilar metals with different thermal deformations are heated and compressed at the same time, the thickness of the grad layer is likely to be unevenly distributed , and undulations and colonies are likely to occur in the layer. , there is a problem that a factor causing a problem in mechanical strength and heat radiation performance.
この発明は、上記のような実情に鑑みて、合せ材を用いなく、用いても層の中心部の基材にのみ用いることにして鋭意研究を重ねてきたもので、各金属層が不離一体に形成されるために、層間において剥離が生じなく、安定した放熱性および機械的強度を保持する信頼性の高い半導体搭載用放熱基板の製造方法を提供することを課題とした。 In view of the above situation, the present invention has been earnestly studied by using only the base material at the center of the layer without using a laminated material. Therefore, an object of the present invention is to provide a highly reliable method for manufacturing a semiconductor-mounted heat dissipation substrate that does not cause separation between layers and maintains stable heat dissipation and mechanical strength.
上記の課題を解決するために、この発明は、層厚の中心部となる基母材の両面に1以上の金属層をめっきにより上下対称の配置となるように形成することを特徴とする半導体搭載用放熱基板の製造方法を提供する。 In order to solve the above-mentioned problems, the present invention is characterized in that one or more metal layers are formed on both surfaces of a base material which is the central portion of the layer thickness so as to be vertically symmetrically arranged by plating. Provided is a method for manufacturing a mounting heat dissipation board.
半導体搭載用放熱基板を上記のように形成したから、基母材は、合せ材の金属片単独又は合せ材の両面に多種金属の合せ材を貼りあわせてこれに使用されるもので、これには、圧延方法や熱間一軸加工法等が使用されるが、この基母材をコアとしてその両面に確実に金属層がめっきにより形成される。 Since the semiconductor mounting heat dissipating board is formed as described above, the base matrix is used for this purpose by bonding a single metal piece of a composite material or a multi-metal composite material on both sides of the composite material. In this method, a rolling method, a hot uniaxial processing method, or the like is used, and a metal layer is reliably formed by plating on the both surfaces using the base base material as a core.
以上説明したように、この発明によれば、基母材以外では合せ金属材を用いなく、これを中心にめっきにより各金属層が不離一体に形成されるために、層間において剥離が生じなく、上下均等且つ対称を正確に形成した構造となることとも相まって、安定した放熱性および機械的強度を保持する信頼性の高い半導体搭載用放熱基板の製造方法を提供することができる。 As described above, according to the present invention, a metal member other than the base material is not used, and since each metal layer is formed in a single piece by plating around this, no separation occurs between the layers, Combined with the structure in which the upper and lower parts are evenly and accurately formed, it is possible to provide a highly reliable method for manufacturing a semiconductor-mounted heat dissipation board that maintains stable heat dissipation and mechanical strength.
この発明は、層厚のコアとなる合せ金属材からなる基母材1又は2の両面にめっき層8,8を形成し且つ上下対称に形成してめっき層半導体搭載用放熱基板Pを製造するものである(図3)。
基母材は、一枚の金属の単一基母材1である場合と、複数枚のサンドイッチ構造の複合基母材2である場合とがある。いずれも、合せ材として金属薄片が使用され、複合基母材2の場合であると、圧延加工法や熱間一軸加工法等により加圧して一体化される。
In the present invention, plating
The base material may be a single metal
基母材1又は2の金属には、比較的熱伝導率の小さいモリブデン(Mo)やタングステン(W)などが使用される。なお、こうして重合された原多層材は、ウエハーのチップ化と同じくカッティングにより縦横に細分される。
For the metal of the
こうして造られた基母材1又は2の両面には、上下対称に比較的熱伝導率の良好な他の金属層がめっきにより形成される。それら金属層の厚みについては、例えば、Au層であると0.05〜1.5μm、Ni又はNi合金層であると0.02〜10μm、Au・Sn合金層であると、0.2〜10μm、Sn層であると0.2〜5.0μm、Cu層であると0.2〜40μmであることが良好である。また、このうち、特にAu層7が外面であると、酸化しにくいので、パッケージ基板10やLED発光体12等(図3参照)との接着性が良好であり望ましい。半導体搭載用放熱基板Pの他の部品との接着については、表面がAu層7,7又はSn層11,11であるきは、Ag系又はAu・Sn系のペーストないし接着剤が好適に使用される。
On the both surfaces of the
めっきは、電解、無電解、イオンプレーティング(IP)法等が望ましいが、めっきであれば特に限定するものではない。いずれにしても、めっきによって各金属層の厚みが上下対称で均一な層に形成され、各層が緊密に結合する。また、Cu金属層の形成については、Cuめっきの他に、Cuイオンプレーティング法を最適に用いることができる。 Plating is preferably electrolysis, electroless, ion plating (IP) method or the like, but is not particularly limited as long as it is plating. In any case, the thickness of each metal layer is formed into a uniform layer with vertical symmetry by plating, and the layers are tightly coupled. For forming the Cu metal layer, a Cu ion plating method can be optimally used in addition to Cu plating.
イオンプレーティング法は、乾式のめっきで湿式とは違い僅かな表面改質でめっき加工が可能である。Moは非常にめっきが密着しにくい金属である。面粗さを失わずにCuめっきを付ける場合は、イオンプレーティング法が最適である。この場合、Moの上にCuめっきをする際に薄膜の銅をIPで付けてから、電解若しくは無電解でCuめっきを施す工程とするので上記目的が達成される。つまり、Moの金属片の上にCu層をイオンプレーティング法により例えば0.2μm程度形成し、その上にCuめっき(電解又は無電解)で施すのが最善な方法である。無電解めっきは、電解めっきと比較してめっきの均一性が良い。めっきの効率は電解めっき>無電解>銅めっき(電解・無電解)となる。 The ion plating method can be plated with a slight surface modification, unlike dry, wet plating. Mo is a metal that is very difficult to adhere to plating. When applying Cu plating without losing surface roughness, the ion plating method is optimal. In this case, when Cu is plated on Mo, a thin film of copper is attached by IP, and then the Cu plating is performed electrolytically or electrolessly, thereby achieving the above object. That is, the best method is to form a Cu layer on the Mo metal piece by, for example, about 0.2 μm by the ion plating method, and apply Cu plating (electrolytic or electroless) thereon. Electroless plating has better plating uniformity than electrolytic plating. The plating efficiency is electrolytic plating> electroless> copper plating (electrolysis / electroless).
図1ないし図3は実施例1を示し、複合基母材2となる広い原材としては、Mo層3をCu層4,4でサンドイッチした3層構造のものを使用する(図1)。それには基母材2のCu層4,4の面を研磨機18で研磨してからNiめっきをその両面に施しNi層5,5(層厚1.0μm)を形成し、さらにその両Ni層5,5にAuめっきを施し両面がAu層7,7(層厚2μm)として形成する。めっき工程を経て広く製造されためっき原材は縦横カンティングにより細分化されて加工される。図2がこうして加工された製品としての放熱基板Pを示すが円形とは限らない。
FIG. 1 to FIG. 3 show Example 1, and a wide raw material to be a
図3はLEDを搭載した使用状態を示したもので、パッケージ基板10の上に接着剤14を介して半導体搭載用放熱基板Pが搭載され、その上に接着剤16を介してLED12が搭載される。いずれも、表面がAu層7,7であるので、接着剤14,16の乗りが良く接着性が良好である。また、Au層7で反射してLED12の反射効率が良好であり、反射しなくても金属層の光の通りが良く蓄熱量が少ないという利点がある。
FIG. 3 shows a use state in which LEDs are mounted. A semiconductor mounting heat dissipation substrate P is mounted on the
図4において、前記実施例に対して前記Au層7,7がその合金となっている違いがある。つまり、めっきを施すことによりAu・Sn合金層9,9として両面を形成して放熱基板Pが形成される。この実施例の場合も、Auの性質等から上記と同じ利点がある。以下においても同じである。 In FIG. 4, there is a difference that the Au layers 7 and 7 are alloys thereof with respect to the embodiment. That is, the heat dissipation substrate P is formed by forming both surfaces as Au / Sn alloy layers 9 and 9 by plating. This embodiment also has the same advantages as described above due to the nature of Au. The same applies to the following.
図5において、その放熱基板Pは、実施例1に対してそのNi層5,5がSn層11,11になっている違いがある。
In FIG. 5, the heat dissipation substrate P is different from the first embodiment in that the Ni layers 5 and 5 are
図6において、その放熱基板Pは、複合基母材2の両面にAu層7,7をさらにその上にSn層11,11が形成される。
In FIG. 6, the heat dissipation substrate P has Au layers 7 and 7 formed on both sides of the
図7において、その放熱基板Pは、Mo層3を合せ金属材の単一基母材1としたもので、まずその両面にCu層4,4をめっき(Cuイオンプレーティングによることもできる)を施した場合と、Mo層3の両面にNi層5,5とCu層4,4を順次めっきした場合とに分けて製造される。それぞれについて次の如くである。
In FIG. 7, the heat dissipation substrate P is a
前者については、両面のCu層4,4にNi層5,5を、さらにAu層7,7を順次めっきして形成して放熱基板Pを製造した。また、後者については、その両面のCu層4,4にNi層5,5、Au層7,7を順次めっきで形成して放熱基板Pを製造した。 As for the former, the Ni layers 5 and 5 and the Au layers 7 and 7 were successively formed on the Cu layers 4 and 4 on both sides, and the heat dissipation substrate P was manufactured. In the latter case, Ni layers 5 and 5 and Au layers 7 and 7 were sequentially formed on the Cu layers 4 and 4 on both sides thereof to manufacture the heat dissipation substrate P.
図8においてもMo層3を単一基母材1としたもので、この場合も、まずその両面にCu層4,4をめっき(Cuイオンプレーティングによることもできる)を施した場合と、Mo層3の両面にNi層5,5とCu層4,4を順次めっきした場合とに分けられる。それぞれについて次の如くである。
Also in FIG. 8, the
すなわち、前者については、両面のCu層4,4の上にNi層5,5をめっきにより形成し、その上にそれぞれAu・Sn合金層9,9をめっきし、放熱基板Pの原材を形成した。また、後者については、両面のCu層4,4の上にNi層5,5をさらにその上にAu・Sn合金層9,9を形成して放熱基板Pの原材を構成した。 That is, as for the former, Ni layers 5 and 5 are formed on the Cu layers 4 and 4 on both sides by plating, and Au / Sn alloy layers 9 and 9 are plated on the Ni layers 5 and 5, respectively. Formed. In the latter case, Ni layers 5 and 5 were formed on the Cu layers 4 and 4 on both sides, and Au / Sn alloy layers 9 and 9 were further formed thereon to constitute the raw material of the heat dissipation substrate P.
図9において、Mo層3としての基母材1の両面にCu層4,4をめっきにより形成した場合と、Ni層5,5とCu層4,4を順次めっきにより形成した場合とに分けられて製造した。それぞれについてさらに次の如くである。
9, the case where the Cu layers 4 and 4 are formed on both surfaces of the
つまり、前者では、Cu層4,4にNi層5,5をめっきで形成し、この上にSn層11,11とAu層7,7がめっきにより形成して放熱基板Pの原材が作られる。また、後者では、Cu層4,4の上にNi層5,5を、その上にSn層11,11とAu層7,7をそれぞれめっきにより形成して放熱基板Pの原材が作られる。 In other words, in the former, the Ni layers 5 and 5 are formed on the Cu layers 4 and 4 by plating, and the Sn layers 11 and 11 and the Au layers 7 and 7 are formed thereon by plating, so that the raw material of the heat dissipation substrate P is made. It is done. In the latter case, the Ni layers 5 and 5 are formed on the Cu layers 4 and 4, and the Sn layers 11 and 11 and the Au layers 7 and 7 are formed thereon by plating, whereby the raw material of the heat dissipation substrate P is made. .
図10において、この場合も、前記と同じであって、Mo層3としての単一基母材1の両面にCu層4,4をめっきにより形成した場合と、Ni層5,5とCu層4,4を順次めっきにより形成した場合とに分けられ、それぞれについてさらにめっきが施される。
10, in this case as well, the Cu layers 4 and 4 are formed on both surfaces of the
前者の場合であると、Cu層4,4にNi層5,5をめっきにより形成し、その上にAu層7,7とSn層11,11を順次めっきにより形成して放熱基板Pの原材が形成される。また、後者であると、Cu層4,4の上にNi層5,5をめっきにより形成し、Ni層5,5の上にAu層7,7とSn層11,11が順次めっきにより形成して放熱基板Pの原材が作られる。 In the former case, the Ni layers 5 and 5 are formed on the Cu layers 4 and 4 by plating, and the Au layers 7 and 7 and the Sn layers 11 and 11 are sequentially formed on the Ni layers 5 and 5 by plating. A material is formed. In the latter case, Ni layers 5 and 5 are formed on the Cu layers 4 and 4 by plating, and Au layers 7 and 7 and Sn layers 11 and 11 are sequentially formed on the Ni layers 5 and 5 by plating. Thus, the raw material of the heat dissipation board P is made.
P 半導体搭載用放熱基板
1 単一基母材
2 複合基母材
3 Mo層
4 Cu層
5 Ni層
7 Au層
9 Au・Sn合金層
11 Sn層
P Semiconductor
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016111206A1 (en) * | 2015-01-07 | 2016-07-14 | 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 | Heat dissipation substrate |
KR101902254B1 (en) * | 2017-07-10 | 2018-10-01 | 주식회사 제이티엔유 | Heat radiating substrate for high power LED |
KR20190006936A (en) * | 2018-08-30 | 2019-01-21 | 주식회사 제이티엔유 | Heat radiating substrate for high power LED |
KR101918915B1 (en) * | 2017-07-12 | 2019-02-11 | (주)엠씨피 | Manufacturing method of high power LED radiator plate |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54152961A (en) * | 1978-05-24 | 1979-12-01 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
JPH11340381A (en) * | 1998-05-21 | 1999-12-10 | Nec Corp | Semiconductor device and its manufacture |
JP2004259770A (en) * | 2003-02-24 | 2004-09-16 | Kyocera Corp | Ceramic substrate for thermoelectric exchange module |
-
2010
- 2010-06-04 JP JP2010128721A patent/JP5522786B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54152961A (en) * | 1978-05-24 | 1979-12-01 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
JPH11340381A (en) * | 1998-05-21 | 1999-12-10 | Nec Corp | Semiconductor device and its manufacture |
JP2004259770A (en) * | 2003-02-24 | 2004-09-16 | Kyocera Corp | Ceramic substrate for thermoelectric exchange module |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016111206A1 (en) * | 2015-01-07 | 2016-07-14 | 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 | Heat dissipation substrate |
KR101902254B1 (en) * | 2017-07-10 | 2018-10-01 | 주식회사 제이티엔유 | Heat radiating substrate for high power LED |
KR101918915B1 (en) * | 2017-07-12 | 2019-02-11 | (주)엠씨피 | Manufacturing method of high power LED radiator plate |
KR20190006936A (en) * | 2018-08-30 | 2019-01-21 | 주식회사 제이티엔유 | Heat radiating substrate for high power LED |
KR101976627B1 (en) | 2018-08-30 | 2019-08-28 | 주식회사 제이티엔유 | Heat radiating substrate for high power LED |
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