JP2011246316A - Method for firing ceramic and ceramic firing device - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は、焼成炉内でセラミックを焼成する方法に係り、特に、雰囲気ガスを供給した焼成炉内でセラミックを焼成する方法に関する。
また、この発明は、このようにしてセラミックを焼成するセラミック焼成装置にも関している。
The present invention relates to a method for firing ceramics in a firing furnace, and more particularly to a method for firing ceramics in a firing furnace supplied with atmospheric gas.
The present invention also relates to a ceramic firing apparatus for firing ceramics in this way.
窒化ケイ素などのセラミックは、自動車部品などの機械部品に広く利用されている。このようなセラミックは焼成炉内で焼成されることにより製造されているが、セラミック原料を雰囲気と反応させずに焼成するとセラミックの収縮により緻密化され、その収縮のばらつきにより焼結体の寸法にもばらつきが発生するといった問題があった。
この問題に対し、セラミック原料として窒化ケイ素、炭化ケイ素、炭化ホウ素、アルミナ、ジルコニア等を用いて、焼結が完了しない温度で保持後、降温することで収縮率の小さいセラミックスを得る方法がある。また、セラミック原料としてケイ素を含むものを用い、窒素雰囲気下で反応させて焼結することで窒化ケイ素、サイアロン等を結晶相として生じさせる方法により、焼結時の収縮をさらに抑制させることもできる。
このように、焼結時に雰囲気ガスとの反応を伴う反応焼結を用いたセラミックの焼成は、一般に、図6に示すように、焼成炉21内に載置されたルツボ等の焼成容器22内に被処理物Cを段積みし、ガス供給源23から雰囲気ガスを焼成炉21内に供給して還元雰囲気とした焼成炉21内をヒーター24で昇温することで行われていた。雰囲気ガスは焼成容器22の開口部25から焼成容器22内に流入するが、開口部25が1つしか設けられていないため、焼成容器22内の雰囲気ガスの流れを制御することはできず、雰囲気ガスを焼成容器22内の被処理物Cに均一に供給することは困難であった。また、焼成炉21内ではヒーター24や炉材などから酸素が発生しており、発生した酸素が雰囲気ガスと共に焼成容器22内に流入し、焼成容器22内の被処理物Cを酸化させて焼成効果を低下させるおそれがあった。
Ceramics such as silicon nitride are widely used for machine parts such as automobile parts. Such a ceramic is manufactured by firing in a firing furnace, but if the ceramic raw material is fired without reacting with the atmosphere, the ceramic is densified due to shrinkage of the ceramic, and due to the variation in shrinkage, the size of the sintered body is reduced. There was also a problem that variation occurred.
In order to solve this problem, there is a method of obtaining ceramics having a small shrinkage rate by using silicon nitride, silicon carbide, boron carbide, alumina, zirconia or the like as a ceramic raw material, and holding the temperature at a temperature at which sintering is not completed and then lowering the temperature. Further, by using a ceramic raw material containing silicon and reacting in a nitrogen atmosphere and sintering, silicon nitride, sialon, etc. can be produced as a crystalline phase, and shrinkage during sintering can be further suppressed. .
As described above, the firing of the ceramic using the reactive sintering accompanied by the reaction with the atmospheric gas during the sintering is generally performed in the
そこで、例えば、特許文献1には、雰囲気ガスを焼成容器内に均一に拡散して焼成するセラミックの焼成方法が提案されている。このセラミックの焼成方法では、焼成室を上室と下室に区画し、その下室側から雰囲気ガスを焼成容器内に導くことで雰囲気ガスを焼成容器内に均一に拡散させている。
Thus, for example,
しかしながら、この焼成方法においても下室に設置されたヒーター等から生じた酸素が雰囲気ガスと共に焼成容器内に流入するため、被処理物が酸化されてしまう。 However, also in this baking method, oxygen generated from a heater or the like installed in the lower chamber flows into the baking container together with the atmospheric gas, so that the object to be processed is oxidized.
この発明は、このような従来の問題点を解消するためになされたもので、焼成容器内への酸素等の不純物の流入を抑制したセラミック焼成方法を提供することを目的とする。
また、この発明は、このようにしてセラミックを焼成するセラミック焼成装置を提供することも目的としている。
The present invention has been made to solve such conventional problems, and an object of the present invention is to provide a ceramic firing method that suppresses the inflow of impurities such as oxygen into the firing vessel.
Another object of the present invention is to provide a ceramic firing apparatus for firing ceramics in this way.
上記目的を達成するために、本発明に係るセラミック焼成方法は、被処理物を内部に載置した焼成容器を焼成炉内に配置して前記被処理物の焼成を行うセラミック焼成方法であって、前記焼成炉外に配置されたガス供給源からの雰囲気ガスを前記焼成容器に形成されたガス供給口から前記焼成容器内に直接供給し、前記焼成容器内において前記ガス供給口から供給された前記雰囲気ガスを流通させてガス排出口から前記焼成容器外に排出する方法である。 In order to achieve the above object, a ceramic firing method according to the present invention is a ceramic firing method in which a firing container in which a workpiece is placed is placed in a firing furnace and the workpiece is fired. An atmosphere gas from a gas supply source arranged outside the firing furnace is directly supplied into the firing container from a gas supply port formed in the firing container, and is supplied from the gas supply port in the firing container. In this method, the atmospheric gas is circulated and discharged out of the firing container through a gas discharge port.
ここで、前記雰囲気ガスは、前記焼成容器の底面側から前記焼成容器内に供給され、前記焼成容器の上面側から前記焼成容器外に排出することができる。
また、前記雰囲気ガスは、前記焼成容器の上面側から前記焼成容器内に供給され、前記焼成容器の下面側から前記焼成容器外に排出してもよい。
Here, the atmospheric gas can be supplied into the baking container from the bottom surface side of the baking container and discharged out of the baking container from the upper surface side of the baking container.
Further, the atmospheric gas may be supplied into the baking container from the upper surface side of the baking container and discharged out of the baking container from the lower surface side of the baking container.
また、焼成されるセラミックは、窒化ケイ素であることが好ましい。
また、前記雰囲気ガスは、窒素、水素、およびアルゴンのうち少なくとも1つからなることが好ましい。
また、前記雰囲気ガスは、前記焼成容器の前記ガス供給口に配置された還元剤を介して前記焼成容器内に供給することができる。
The fired ceramic is preferably silicon nitride.
Moreover, it is preferable that the said atmospheric gas consists of at least 1 among nitrogen, hydrogen, and argon.
Moreover, the said atmospheric gas can be supplied in the said baking container via the reducing agent arrange | positioned at the said gas supply port of the said baking container.
また、本発明に係るセラミック焼成装置は、被処理物を内部に載置した焼成容器を焼成炉内に配置して前記被処理物の焼成を行うセラミック焼成装置であって、雰囲気ガスを内部に供給するためのガス供給口と前記雰囲気ガスを外部に排出するためのガス排出口が形成された焼成容器と、前記焼成炉外に配置された前記ガス供給源からの前記雰囲気ガスを前記ガス供給口から前記焼成容器内に直接供給するガス供給管とを有し、前記焼成容器内において前記ガス供給口から供給された前記雰囲気ガスを流通させて前記ガス排出口から前記焼成容器外に排出する装置である。 Further, the ceramic firing apparatus according to the present invention is a ceramic firing apparatus for firing a workpiece by placing a firing container in which the workpiece is placed in a firing furnace. A gas supply port for supplying a gas and a gas discharge port for discharging the atmospheric gas to the outside, and a gas supply of the atmospheric gas from the gas supply source arranged outside the baking furnace A gas supply pipe that is directly supplied into the firing container from the mouth, and circulates the atmospheric gas supplied from the gas supply port in the firing container and discharges it from the gas discharge port to the outside of the firing container. Device.
ここで、前記焼成炉内の下部に前記焼成容器を載置する容器台をさらに有し、前記ガス供給口が前記焼成容器の下面に設けられると共に前記ガス排出口が前記焼成容器の上面に設けられ、前記ガス供給管は前記容器台の内部を通って前記ガス排出口に達するように設けられることで前記雰囲気ガスを前記焼成容器内に直接供給することができる。 Here, the apparatus further includes a container base for placing the baking container at a lower portion in the baking furnace, the gas supply port is provided on the lower surface of the baking container, and the gas discharge port is provided on the upper surface of the baking container. The gas supply pipe is provided so as to reach the gas discharge port through the inside of the container table, so that the atmospheric gas can be directly supplied into the baking container.
また、前記焼成容器内の前記被処理物を載置する載置部をさらに有し、前記載置部は、前記被処理物を段積み可能に設置することもできる。
また、前記焼成容器の前記ガス供給口に前記焼成容器内に供給される前記雰囲気ガスを還元する還元剤をさらに有することもできる。
Moreover, it has further a mounting part which mounts the said to-be-processed object in the said baking container, and the said description part can also install the said to-be-processed object so that stacking is possible.
The gas supply port of the baking container may further include a reducing agent that reduces the atmospheric gas supplied into the baking container.
本発明によれば、焼成容器内への酸素等の不純物の流入を抑制することができる。 According to the present invention, the inflow of impurities such as oxygen into the firing container can be suppressed.
以下に、添付の図面に示す好適な実施形態に基づいて、この発明を詳細に説明する。 Hereinafter, the present invention will be described in detail based on preferred embodiments shown in the accompanying drawings.
実施形態1
図1に、本発明の実施形態1に係るセラミック焼成装置の構成を示す。セラミック焼成装置は、耐熱材料で構成された焼成炉1を有する。焼成炉1は、その内部に中空の空間である焼成室2を有し外部から機密に保たれている。焼成炉1を構成する耐熱材料としては、例えば、アルミナ等が利用できる。
In FIG. 1, the structure of the ceramic baking apparatus which concerns on
焼成炉1内の下部にはガス供給管3が設置され、焼成炉1の上部にはガス排出管4が設置されている。ガス供給管3は、焼成炉1の外部に配置されたガス供給源5と接続されており、ガス供給源5から所定の流量で供給される窒素(雰囲気ガス)を焼成炉1の内部に導く。また、ガス排出管4は圧力調整弁6と図示しない減圧装置に接続されており、減圧装置により焼成炉1の内部の窒素がガス排出管4を介して焼成炉1の外部に排出されることで焼成室2を所定の真空度にすると共に、圧力調整弁6により焼成室2が所定の真空度を維持するよう調節される。
A
焼成炉1の天井部には、焼成室2の温度を昇温させるヒーター7が設置されている。ヒーター7としては、例えば、二ケイ化モリブデンヒーター等が利用できる。
焼成炉1内の底部には、焼成容器を載置するための容器台8が配置されている。容器台8には、ガス供給管3を容器台8の外側面から中央部まで通すための管路9が形成されている。
容器台8の上面には、焼成容器10が載置される。焼成容器10は、その内部に被処理物Cを載置するための載置部11を有する。載置部11は、焼成容器10の軸方向(鉛直方向)に複数設置されており、複数の被処理物Cが段積みされる。なお、載置部11は、多数の貫通孔が形成された板状部材、網状部材等の通気性を有するものであり、雰囲気ガスを鉛直方向に通すことができる。また、焼成容器10は、下面を貫通するガス供給口12と上面を貫通するガス排出口13とを有する。窒素は、ガス供給口12から焼成容器10の内部に供給されると共にガス排出口13から焼成容器10の外部に排出される。焼成容器10としては、例えば、ルツボまたはセッター等が利用できる。
なお、本実施形態において、被処理物Cはケイ素からなるものとする。
A
A container base 8 for placing the firing container is disposed at the bottom of the
A
In the present embodiment, the workpiece C is made of silicon.
図2に容器台8の構成を示す。容器台8は、上面に焼成容器10を載置できるような円板状の形状を有し、その厚さはガス供給管3の外径よりも大きくなっている。容器台8には、ガス供給管3を通すために、外側面から中央部に向かって切り欠いた管路9が形成されている。管路9内にガス供給源5と接続されたガス供給管3が設置されることで、窒素が焼成炉1の外部に配置されているガス供給源5からガス供給管3を介して容器台8の中央部に供給される。一方、焼成容器10は、焼成容器10の下面中央部に形成されたガス供給口12と容器台8の中央部とを位置合わせして、容器台8の上面に載置されている。これにより、焼成炉1の外部に配置されたガス供給源5からの窒素が、ほとんど焼成容器10外に漏れることなく、ガス供給管3を介して焼成容器10に形成されたガス供給口12から焼成容器10の内部に直接供給される。
FIG. 2 shows the configuration of the container base 8. The container base 8 has a disk shape on which the firing
次に、図1に示したセラミック焼成装置の動作を説明する。 Next, the operation of the ceramic firing apparatus shown in FIG. 1 will be described.
まず、図2に示すように、焼成炉1の外部に配置されたガス供給源5と接続されたガス供給管3が、容器台8の外側面から中央部に向かって形成された管路9内に設置される。次に、焼成容器10が、焼成容器10の下面中央部を貫通して形成されたガス供給口12と容器台8の中央部とを位置合わせして容器台8の上面に載置される。載置された焼成容器10の載置部11に複数の被処理物Cが段積みされる。
First, as shown in FIG. 2, a
続いて、焼成室2の空気が減圧装置によりガス排出管4から排出される。焼成室2が例えば−0.1MPa以下まで減圧されると、例えば前処理において被処理物Cに含有した炭素を燃焼させるためにヒーター7で焼成室2を600℃近傍まで昇温し、焼成炉1の外部に配置されたガス供給源5から2〜4L/minの流量で窒素が供給される。その後、焼成室2内の圧力が、例えば−0.09〜−0.08MPaとなると、ガス供給源5からの窒素の流量は所定の流量に切り換えられる。
ガス供給源5から所定の流量で供給される窒素は、ガス供給源5と接続されたガス供給管3により焼成容器10のガス供給口12まで導かれ、ガス供給口12から焼成容器10の内部に直接供給される。焼成容器10内に供給された窒素は、ガス供給源5から供給される窒素の流量に従い、被処理物Cが段積みされた焼成容器10の内部をガス排出口13の方向に流通する。ここで、ガス供給源5から供給される窒素の流量は、焼成容器10の外部に存在する酸素などの気体がガス排出口13から焼成容器10の内部に流入しない程度に調整されており、例えば0.3〜2L/minの流量で供給される。
焼成容器10の内部が窒素で満たされると、焼成室2が例えば1300℃〜1500℃までヒーター7により昇温されて焼成容器10の内部に段積みされた被処理物Cが焼成される。
Subsequently, the air in the
Nitrogen supplied at a predetermined flow rate from the
When the inside of the firing
これにより、焼成容器10の外部ではヒーター7等から酸素が発生しているが、発生した酸素が焼成容器10の内部に流入するのを抑制することで、焼成時における被処理物Cを構成するケイ素の酸化を抑制し、窒化酸化ケイ素が生成されるのを抑制することができる。
Thereby, oxygen is generated from the
このようにして、被処理物Cの焼成が行われ、被処理物Cを構成するケイ素が窒素と反応して窒化ケイ素が生成される。所望の焼成物が得られた時点で焼成を終了する。 In this way, the workpiece C is baked, and silicon constituting the workpiece C reacts with nitrogen to generate silicon nitride. Firing is terminated when a desired fired product is obtained.
本実施形態によれば、焼成容器10の外部で発生した酸素が焼成容器10の内部に流入するのを抑制することで、焼成時における被処理物Cの酸化を抑制することができる。これにより、焼成効果を向上させることができるので、耐熱性、靭性、および高質性に優れた窒化ケイ素からなる焼成物が得られると共に焼結物の寸法のばらつきも抑制し、自動車部品の他、ベアリング、タービンブレード、切削工具等に高い信頼性で使用することができる。
According to the present embodiment, by suppressing the oxygen generated outside the firing
なお、本実施形態において、ガス供給源5が供給する雰囲気ガスは、窒素以外の非酸化性ガスも利用でき、例えば、窒素、水素、アルゴンのうち少なくとも1つからなるガス等が利用できる。
また、本実施形態では窒化ケイ素の焼成を行ったが、窒化ケイ素以外のセラミックを焼成するものを被処理物Cに用いてもよく、例えばサイアロンを焼成するものを被処理物Cに用いてもよい。
In the present embodiment, the atmospheric gas supplied from the
In the present embodiment, silicon nitride is fired. However, a material that fires ceramic other than silicon nitride may be used as the workpiece C. For example, a material that fires sialon may be used as the workpiece C. Good.
また、本実施形態において、図3に示されるように、ガス供給口12は、焼成容器10の側面の下側に形成してもよい。ガス供給源5からの雰囲気ガスは、ガス供給源5からガス供給口12に伸びるガス供給管3を介して、焼成容器10に直接供給される。焼成容器10に供給された雰囲気ガスは、ガス供給源5から供給される雰囲気ガスの流量に従い、被処理物Cが段積みされた焼成容器10の内部をガス排出口13の方向に流通する。
In the present embodiment, as shown in FIG. 3, the
また、本実施形態において、図4に示されるように、ガス供給口12は焼成容器10の上面に形成し、ガス排出口13は焼成容器10の側面の下側に形成してもよい。ガス供給源5からの雰囲気ガスは、ガス供給源5からガス供給口12に伸びるガス供給管3を介して、焼成容器10に直接供給される。焼成容器10の上方から供給された雰囲気ガスは、ガス供給源5から供給される雰囲気ガスの流量に従い、被処理物Cが段積みされた焼成容器10の内部を下方に形成されたガス排出口13の方向に流通する。
Moreover, in this embodiment, as FIG. 4 shows, the
実施形態2
図5に実施形態2に係るセラミック焼成装置の構成を示す。この実施形態2は、ガス供給源5から供給される雰囲気ガスに含まれる酸素を除去するためのもので、ガス供給口12に還元剤14を配置したものである。
焼成炉1の外部に配置されたガス供給源5からの雰囲気ガスは、ガス供給管3を通って還元剤14を介し焼成容器10の内部に直接供給される。この時、ガス供給源5からの雰囲気ガスに含まれる酸素が還元剤14により除去され、焼成容器10内には酸素濃度の低下した雰囲気ガスが供給される。これにより、被処理物Cの酸化をさらに抑制することができる。
なお、還元剤14としては、例えば、カーボンまたはチタン等が利用できる。
FIG. 5 shows the configuration of the ceramic firing apparatus according to the second embodiment. In the second embodiment, oxygen contained in the atmospheric gas supplied from the
The atmospheric gas from the
As the reducing agent 14, for example, carbon or titanium can be used.
上記の実施形態1および2では、ヒーター7が焼成炉1の天井部に設置されているが、焼成室2の温度を昇温させることができればよく、例えば焼成炉1の側部に設置することもできる。
また、実施形態1および2では、焼成容器10内の載置部11は被処理物Cを段積みするように構成されているため、多数の被処理物Cを同時に焼成することができる。ただし、多数の被処理物Cの焼成を必要としない場合は、載置部11は段積みするように構成しなくてもよい。
In
Moreover, in
1 焼成炉、2 焼成室、3 ガス供給管、4 ガス排出管、5 ガス供給源、6 圧力調整弁、7 ヒーター、8 容器台、9 管路、10 焼成容器、11 載置部、12 ガス供給口、13 ガス排出口、14 還元剤、C 被処理物
DESCRIPTION OF
Claims (10)
前記焼成炉外に配置されたガス供給源からの雰囲気ガスを前記焼成容器に形成されたガス供給口から前記焼成容器内に直接供給し、
前記焼成容器内において前記ガス供給口から供給された前記雰囲気ガスを流通させてガス排出口から前記焼成容器外に排出することを特徴とするセラミック焼成方法。 A ceramic firing method for firing a workpiece by placing a firing container in which the workpiece is placed in a firing furnace,
An atmosphere gas from a gas supply source arranged outside the firing furnace is directly supplied into the firing container from a gas supply port formed in the firing container,
A ceramic firing method, wherein the atmosphere gas supplied from the gas supply port is circulated in the firing vessel and discharged out of the firing vessel through a gas discharge port.
雰囲気ガスを内部に供給するためのガス供給口と前記雰囲気ガスを外部に排出するためのガス排出口が形成された焼成容器と、
前記焼成炉外に配置された前記ガス供給源からの前記雰囲気ガスを前記ガス供給口から前記焼成容器内に直接供給するガス供給管と
を有し、
前記焼成容器内において前記ガス供給口から供給された前記雰囲気ガスを流通させて前記ガス排出口から前記焼成容器外に排出することを特徴とするセラミック焼成装置。 A ceramic firing apparatus for firing a workpiece by placing a firing container in which the workpiece is placed in a firing furnace,
A firing container in which a gas supply port for supplying atmospheric gas to the inside and a gas discharge port for discharging the atmospheric gas to the outside;
A gas supply pipe for directly supplying the atmospheric gas from the gas supply source arranged outside the baking furnace into the baking container from the gas supply port;
A ceramic firing apparatus, wherein the atmosphere gas supplied from the gas supply port is circulated in the firing vessel and discharged from the gas discharge port to the outside of the firing vessel.
前記ガス供給口が前記焼成容器の下面に設けられると共に前記ガス排出口が前記焼成容器の上面に設けられ、前記ガス供給管は前記容器台の内部を通って前記ガス排出口に達するように設けられることで前記雰囲気ガスを前記焼成容器内に直接供給することを特徴とする請求項7に記載のセラミック焼成装置。 A container base for placing the firing container at a lower portion in the firing furnace;
The gas supply port is provided on the lower surface of the baking container, the gas discharge port is provided on the upper surface of the baking container, and the gas supply pipe is provided so as to reach the gas discharge port through the inside of the container base. The ceramic firing apparatus according to claim 7, wherein the atmospheric gas is supplied directly into the firing container.
前記載置部は、前記被処理物を段積み可能に設置されていることを特徴とする請求項7または8に記載のセラミック焼成装置。 It further has a placement part for placing the object to be processed in the baking container,
The ceramic firing apparatus according to claim 7 or 8, wherein the placement unit is installed so that the workpieces can be stacked.
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014232577A (en) * | 2013-05-28 | 2014-12-11 | 光洋サーモシステム株式会社 | Thermal treatment device |
JP2015075279A (en) * | 2013-10-09 | 2015-04-20 | 三菱日立パワーシステムズ株式会社 | Firing apparatus |
WO2016006500A1 (en) * | 2014-07-07 | 2016-01-14 | 株式会社Ihi | Heat treatment device |
KR101944524B1 (en) * | 2018-06-11 | 2019-02-01 | 한국지질자원연구원 | Crucible for heat treatment of reduction and carbonitriding of metal oxide |
JP2020073419A (en) * | 2018-08-21 | 2020-05-14 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | System and method for thermally processing cmc component |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06249582A (en) * | 1993-02-25 | 1994-09-06 | Ngk Insulators Ltd | Atmosphere controlling heat treatment device and heat treatment method |
JPH09227239A (en) * | 1996-02-23 | 1997-09-02 | Toshiba Corp | Production of aluminum nitride circuit board and firing kiln for aluminum nitride circuit board |
JP2005069668A (en) * | 2003-08-01 | 2005-03-17 | Asahi Glass Co Ltd | Baking container for silicon nitride-based ceramic |
JP2006207958A (en) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Asahi Glass Co Ltd | Baking vessel for ceramics, baking device for ceramics, and ceramics baking method |
-
2010
- 2010-05-28 JP JP2010122753A patent/JP2011246316A/en not_active Abandoned
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06249582A (en) * | 1993-02-25 | 1994-09-06 | Ngk Insulators Ltd | Atmosphere controlling heat treatment device and heat treatment method |
JPH09227239A (en) * | 1996-02-23 | 1997-09-02 | Toshiba Corp | Production of aluminum nitride circuit board and firing kiln for aluminum nitride circuit board |
JP2005069668A (en) * | 2003-08-01 | 2005-03-17 | Asahi Glass Co Ltd | Baking container for silicon nitride-based ceramic |
JP2006207958A (en) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Asahi Glass Co Ltd | Baking vessel for ceramics, baking device for ceramics, and ceramics baking method |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014232577A (en) * | 2013-05-28 | 2014-12-11 | 光洋サーモシステム株式会社 | Thermal treatment device |
JP2015075279A (en) * | 2013-10-09 | 2015-04-20 | 三菱日立パワーシステムズ株式会社 | Firing apparatus |
WO2016006500A1 (en) * | 2014-07-07 | 2016-01-14 | 株式会社Ihi | Heat treatment device |
JPWO2016006500A1 (en) * | 2014-07-07 | 2017-04-27 | 株式会社Ihi | Heat treatment equipment |
CN106662401A (en) * | 2014-07-07 | 2017-05-10 | 株式会社Ihi | Heat treatment device |
KR101944524B1 (en) * | 2018-06-11 | 2019-02-01 | 한국지질자원연구원 | Crucible for heat treatment of reduction and carbonitriding of metal oxide |
JP2020073419A (en) * | 2018-08-21 | 2020-05-14 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | System and method for thermally processing cmc component |
US11286208B2 (en) | 2018-08-21 | 2022-03-29 | General Electric Company | Systems and methods for thermally processing CMC components |
EP3613719B1 (en) * | 2018-08-21 | 2023-07-26 | General Electric Company | Method for thermally processing cmc components |
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