JP2011238643A - Power semiconductor module - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a power semiconductor module including a structure in which an insulated heat dissipating resin layer is not crushed by a heat spreader.SOLUTION: Spherical spacers 13a, composed by an insulator having a melt point which is higher than that of a heat dissipating insulation sheet 13, are scattered in the heat dissipating insulation sheet 13. The spacers 13a allow the heat dissipating insulation sheet 13 to maintain a certain thickness level even if a heat spreader 11 is pressed against the heat dissipating insulation sheet 13 by a pin when the heat spreader 11 is adhered to the heat dissipating insulation sheet 13. Thus, the spacers 13a prevent the heat dissipating insulation sheet 13 from being crushed and reducing the thickness partially.

Description

本発明は、パワー半導体モジュールに関するものである。   The present invention relates to a power semiconductor module.

従来より、パワー半導体モジュールを備えた電力変換装置が、例えば特許文献１で提案されている。このパワー半導体モジュールは、ヒートスプレッダの上面にパワー半導体チップがはんだを介して接合され、ヒートスプレッダの下面に絶縁放熱樹脂層および金属層が順に積層されている。また、リードフレームがヒートスプレッダに接合され、ワイヤを介してパワー半導体チップに接続されている。そして、リードフレームを突出させると共に金属層が露出するように、パワー半導体チップ、ヒートスプレッダ、絶縁放熱樹脂層、および金属層がモールド樹脂で封止されることでパワー半導体モジュールが構成されている。   Conventionally, a power converter provided with a power semiconductor module has been proposed in Patent Document 1, for example. In this power semiconductor module, a power semiconductor chip is bonded to the upper surface of the heat spreader via solder, and an insulating heat radiation resin layer and a metal layer are sequentially stacked on the lower surface of the heat spreader. Further, the lead frame is joined to the heat spreader and connected to the power semiconductor chip via a wire. Then, the power semiconductor chip, the heat spreader, the insulating heat radiation resin layer, and the metal layer are sealed with a mold resin so that the lead frame protrudes and the metal layer is exposed, thereby forming a power semiconductor module.

このような構造のパワー半導体モジュールでは、金型内に金属層、絶縁放熱樹脂層、およびチップが実装されたヒートスプレッダの順に配置し、ヒートスプレッダにピンを押し当ててヒートスプレッダを絶縁放熱樹脂層に押し付けて接着すると共に溶融したモールド樹脂を流し込んで成形する方法が一般的である。   In a power semiconductor module having such a structure, a metal layer, an insulating heat dissipation resin layer, and a heat spreader in which a chip is mounted are arranged in this order in the mold, and a pin is pressed against the heat spreader to press the heat spreader against the insulating heat dissipation resin layer. A method is generally employed in which a molten mold resin is poured and molded while being bonded.

特開２００６−１６６６０４号公報JP 2006-166604 A

しかしながら、上記従来の技術では、ヒートスプレッダにピンを押し当ててヒートスプレッダと絶縁放熱樹脂層とを接着しているので、ヒートスプレッダに押し当てたピンの力がヒートスプレッダに加わる場所で局所的に絶縁放熱樹脂層が押しつぶされて薄くなり、ヒートスプレッダと金属層との間で絶縁不良になる可能性があった。   However, in the above conventional technique, the pins are pressed against the heat spreader and the heat spreader and the insulating heat radiation resin layer are bonded together. May be crushed and thinned, resulting in poor insulation between the heat spreader and the metal layer.

本発明は上記点に鑑み、局所的に絶縁放熱樹脂層がヒートスプレッダに押しつぶされない構造を備えたパワー半導体モジュールを提供することを目的とする。   An object of this invention is to provide the power semiconductor module provided with the structure where an insulation thermal radiation resin layer is not crushed locally by a heat spreader in view of the said point.

上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、板状のヒートスプレッダ（１１）の一面（１１ａ）に半導体素子（１２）が実装され、ヒートスプレッダ（１１）の他面（１１ｂ）が樹脂層（１３）で覆われており、樹脂層（１３）のうちヒートスプレッダ（１１）とは反対側の面が露出するように、半導体素子（１２）、ヒートスプレッダ（１１）、および樹脂層（１３）がモールド樹脂（１４）で封止されている。そして、樹脂層（１３）には、スペーサ（１３ａ）が分散されていることを特徴とする。   In order to achieve the above object, according to the first aspect of the present invention, the semiconductor element (12) is mounted on one surface (11a) of the plate-shaped heat spreader (11), and the other surface (11b) of the heat spreader (11) is resin. The semiconductor element (12), the heat spreader (11), and the resin layer (13) are covered with the layer (13), and the surface of the resin layer (13) opposite to the heat spreader (11) is exposed. Is sealed with mold resin (14). The resin layer (13) has spacers (13a) dispersed therein.

このように、樹脂層（１３）内にスペーサ（１３ａ）が分散されているので、ヒートスプレッダ（１１）を樹脂層（１３）に接着する際に、ピンでヒートスプレッダ（１１）が樹脂層（１３）側に押し付けられたとしても、スペーサ（１３ａ）によって樹脂層（１３）の厚みが一定に保たれる。したがって、樹脂層（１３）が局所的に薄くつぶされることを防止することができる。   Thus, since the spacer (13a) is dispersed in the resin layer (13), when the heat spreader (11) is bonded to the resin layer (13), the heat spreader (11) is pinned with the resin layer (13). Even if pressed to the side, the thickness of the resin layer (13) is kept constant by the spacer (13a). Therefore, the resin layer (13) can be prevented from being crushed locally.

請求項２に記載の発明では、スペーサ（１３ａ）は、樹脂層（１３）よりも融点が高い絶縁物で構成されていることを特徴とする。   The invention according to claim 2 is characterized in that the spacer (13a) is made of an insulator having a melting point higher than that of the resin layer (13).

これによると、樹脂層（１３）がヒートスプレッダ（１１）に押し付けられたとしても、スペーサ（１３ａ）の絶縁性によってヒートスプレッダ（１１）と外部部品との絶縁性を保つことができる。   According to this, even if the resin layer (13) is pressed against the heat spreader (11), the insulation between the heat spreader (11) and the external component can be maintained by the insulation of the spacer (13a).

また、請求項３に記載の発明のように、スペーサ（１３ａ）として、球状のものを採用することができる。   Further, as in the invention described in claim 3, a spherical one can be adopted as the spacer (13a).

請求項４に記載の発明では、一面（２０ａ）を有する熱交換器（２０）を備えている。そして、樹脂層（１３）は、ヒートスプレッダ（１１）の他面（１１ｂ）と熱交換器（２０）の一面（２０ａ）とを接着していることを特徴とする。   In invention of Claim 4, the heat exchanger (20) which has one surface (20a) is provided. The resin layer (13) is characterized in that the other surface (11b) of the heat spreader (11) and one surface (20a) of the heat exchanger (20) are bonded.

これにより、半導体素子（１２）から熱を受け取ったヒートスプレッダ（１１）の熱を、樹脂層（１３）を介して熱交換器（２０）に放出することができる。また、スペーサ（１３ａ）の絶縁性によってヒートスプレッダ（１１）と熱交換器（２０）との絶縁性を保つことができる。   Thereby, the heat of the heat spreader (11) that has received heat from the semiconductor element (12) can be released to the heat exchanger (20) through the resin layer (13). Further, the insulation between the heat spreader (11) and the heat exchanger (20) can be maintained by the insulation of the spacer (13a).

なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。   In addition, the code | symbol in the bracket | parenthesis of each means described in this column and the claim shows the correspondence with the specific means as described in embodiment mentioned later.

本発明の一実施形態に係る熱交換器付きパワー半導体モジュールの断面図である。It is sectional drawing of the power semiconductor module with a heat exchanger which concerns on one Embodiment of this invention. 図１に示されるパワー半導体モジュールの製造工程のうちモールド樹脂の成形工程を示した図である。It is the figure which showed the formation process of mold resin among the manufacturing processes of the power semiconductor module shown by FIG.

以下、本発明の一実施形態について図を参照して説明する。以下で示される熱交換器付きパワー半導体モジュールは、例えばインバータ装置などの電力変換装置に適用されるものである。   Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. The power semiconductor module with a heat exchanger shown below is applied to a power conversion device such as an inverter device, for example.

図１は、パワー半導体モジュールの断面図である。この図に示されるように、パワー半導体モジュールは、モジュール１０と、熱交換器２０と、を備えて構成されている。   FIG. 1 is a cross-sectional view of a power semiconductor module. As shown in the figure, the power semiconductor module includes a module 10 and a heat exchanger 20.

モジュール１０は、ヒートスプレッダ１１と、半導体素子１２と、放熱絶縁シート１３と、モールド樹脂１４と、を備えている。このうち、ヒートスプレッダ１１は一面１１ａおよび他面１１ｂを有する板状をなしており、半導体素子１２の熱を受け取って放出するヒートシンクとしての役割を果たすものである。ヒートスプレッダ１１として、例えばＣｕのブロックが採用される。   The module 10 includes a heat spreader 11, a semiconductor element 12, a heat radiation insulating sheet 13, and a mold resin 14. Among these, the heat spreader 11 has a plate shape having one surface 11a and the other surface 11b, and serves as a heat sink that receives and releases the heat of the semiconductor element 12. As the heat spreader 11, for example, a Cu block is employed.

半導体素子１２は、ＩＧＢＴやパワーＭＯＳトランジスタ等の素子が形成された半導体チップである。この半導体素子１２にはゲート等のパッドや電極が形成されており、図示しないリードにボンディングワイヤを介して電気的に接続されている。また、半導体素子１２は、ヒートスプレッダ１１の一面１１ａにはんだ１５を介して実装されている。   The semiconductor element 12 is a semiconductor chip on which elements such as IGBTs and power MOS transistors are formed. The semiconductor element 12 is formed with a pad such as a gate and an electrode, and is electrically connected to a lead (not shown) via a bonding wire. The semiconductor element 12 is mounted on the one surface 11 a of the heat spreader 11 via solder 15.

放熱絶縁シート１３は、ヒートスプレッダ１１と熱交換器２０とを接着するための熱伝導絶縁性の接着剤である。この放熱絶縁シート１３は、ヒートスプレッダ１１の他面１１ｂを覆っている。このような放熱絶縁シート１３としては、例えば熱硬化性のエポキシ樹脂にセラミックフィラーが混入されたシート状のものが採用される。セラミックフィラーが混入されていない場合の熱伝導率（１〜１０Ｗ／ｍ・Ｋ）に対して、放熱絶縁シート１３の熱伝導率は例えば１０〜３０Ｗ／ｍ・Ｋとなっている。   The heat radiation insulating sheet 13 is a heat conductive insulating adhesive for bonding the heat spreader 11 and the heat exchanger 20. This heat radiation insulating sheet 13 covers the other surface 11 b of the heat spreader 11. As such a heat dissipation insulating sheet 13, for example, a sheet-like sheet in which a ceramic filler is mixed in a thermosetting epoxy resin is employed. In contrast to the thermal conductivity (1 to 10 W / m · K) when the ceramic filler is not mixed, the thermal conductivity of the heat radiation insulating sheet 13 is, for example, 10 to 30 W / m · K.

また、放熱絶縁シート１３には、所定の直径を持つ球状のスペーサ１３ａが分散されている。このようなスペーサ１３ａとして、セラミックボールやガラスビーズ等の放熱絶縁シート１３よりも融点が高い絶縁物が採用される。これにより、放熱絶縁シート１３がヒートスプレッダ１１に厚み方向に押し付けられても放熱絶縁シート１３が少なくともスペーサ１３ａの直径の厚みに維持されると共に、ヒートスプレッダ１１と他の部品（後述する熱交換器２０）との絶縁性が維持される。   In addition, spherical spacers 13 a having a predetermined diameter are dispersed in the heat dissipation insulating sheet 13. As such a spacer 13a, an insulator having a melting point higher than that of the heat radiation insulating sheet 13, such as ceramic balls and glass beads, is employed. Thereby, even if the heat radiation insulating sheet 13 is pressed against the heat spreader 11 in the thickness direction, the heat radiation insulating sheet 13 is maintained at least in the thickness of the diameter of the spacer 13a, and the heat spreader 11 and other components (a heat exchanger 20 described later). And insulation is maintained.

モールド樹脂１４は、モジュール１０の外観をなすものである。このモールド樹脂１４は、放熱絶縁シート１３のうちヒートスプレッダ１１とは反対側の面が露出するように、半導体素子１２、図示しないリードの一部、ヒートスプレッダ１１、および放熱絶縁シート１３をそれぞれ封止している。このようなモールド樹脂１４として、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂が用いられる。なお、「放熱絶縁シート１３のうちヒートスプレッダ１１とは反対側の面が露出するように」とは、放熱絶縁シート１３のうちヒートスプレッダ１１とは反対側の面を覆わないように、という意味である。   The mold resin 14 is an appearance of the module 10. The mold resin 14 seals the semiconductor element 12, a part of a lead (not shown), the heat spreader 11, and the heat dissipation insulating sheet 13 so that the surface of the heat dissipation insulating sheet 13 opposite to the heat spreader 11 is exposed. ing. As such a mold resin 14, for example, a thermosetting resin such as an epoxy resin is used. Note that “so that the surface of the heat radiation insulating sheet 13 opposite to the heat spreader 11 is exposed” means that the surface of the heat radiation insulating sheet 13 opposite to the heat spreader 11 is not covered. .

熱交換器２０は、モジュール１０つまり半導体素子１２を冷却するための冷却器である。熱交換器２０は一面２０ａおよび他面２０ｂを有する板状をなしており、熱交換器２０の一面２０ａが放熱絶縁シート１３に接着されている。   The heat exchanger 20 is a cooler for cooling the module 10, that is, the semiconductor element 12. The heat exchanger 20 has a plate shape having one surface 20 a and the other surface 20 b, and the one surface 20 a of the heat exchanger 20 is bonded to the heat radiation insulating sheet 13.

また、熱交換器２０の他面２０ｂには、当該他面２０ｂの一部が突出したフィン２１が複数形成されている。図１に示されるように、フィン２１は例えばピンフィンであり、千鳥状に配置されている。このフィン２１により、熱交換器２０の放熱性が向上する。熱交換器２０の材質として、例えば熱伝導性が良いＡｌが採用される。   In addition, the other surface 20b of the heat exchanger 20 is formed with a plurality of fins 21 from which a part of the other surface 20b protrudes. As shown in FIG. 1, the fins 21 are pin fins, for example, and are arranged in a staggered manner. The fins 21 improve the heat dissipation of the heat exchanger 20. As a material of the heat exchanger 20, for example, Al having good thermal conductivity is adopted.

上記では、放熱絶縁シート１３はヒートスプレッダ１１と熱交換器２０とを接着すると述べたが、より正確には、放熱絶縁シート１３はヒートスプレッダ１１の他面１１ｂと熱交換器２０の一面２０ａとを接着していると言える。また、図１に示されるように、モールド樹脂１４は、放熱絶縁シート１３の側面も覆うように形成され、熱交換器２０の一面２０ａに接している。以上が本実施形態に係るパワー半導体モジュールの全体構成である。   Although it has been described above that the heat dissipation insulating sheet 13 bonds the heat spreader 11 and the heat exchanger 20, more precisely, the heat dissipation insulating sheet 13 bonds the other surface 11b of the heat spreader 11 and the one surface 20a of the heat exchanger 20. I can say that. Further, as shown in FIG. 1, the mold resin 14 is formed so as to cover the side surface of the heat radiation insulating sheet 13 and is in contact with the one surface 20 a of the heat exchanger 20. The above is the overall configuration of the power semiconductor module according to the present embodiment.

このような構造のパワー半導体モジュールにおいて、半導体素子１２が動作して半導体素子１２で熱が発生すると、半導体素子１２から放出された熱は、ヒートスプレッダ１１、放熱絶縁シート１３、および熱交換器２０に伝達される。そして、熱交換器２０の他面２０ｂ側は流体等の冷媒に晒されることで、熱交換器２０の熱が冷媒に奪われ、熱交換器２０が冷やされる。このように、半導体素子１２の熱を熱交換器２０に放出することができる。   In the power semiconductor module having such a structure, when the semiconductor element 12 operates to generate heat in the semiconductor element 12, the heat released from the semiconductor element 12 is transferred to the heat spreader 11, the heat radiation insulating sheet 13, and the heat exchanger 20. Communicated. And the other surface 20b side of the heat exchanger 20 is exposed to refrigerant | coolants, such as a fluid, The heat | fever of the heat exchanger 20 is taken by the refrigerant | coolant, and the heat exchanger 20 is cooled. Thus, the heat of the semiconductor element 12 can be released to the heat exchanger 20.

次に、パワー半導体モジュールの製造方法について、図２を参照して説明する。まず、半導体素子１２、リード、ヒートスプレッダ１１、放熱絶縁シート１３、および熱交換器２０をそれぞれ用意しておく。また、ヒートスプレッダ１１の一面１１ａにはんだ１５を介して半導体素子１２を実装し、半導体素子１２に図示しないリードを接続しておく。   Next, a method for manufacturing the power semiconductor module will be described with reference to FIG. First, the semiconductor element 12, the lead, the heat spreader 11, the heat radiation insulating sheet 13, and the heat exchanger 20 are prepared. Further, the semiconductor element 12 is mounted on the one surface 11 a of the heat spreader 11 via the solder 15, and leads (not shown) are connected to the semiconductor element 12.

そして、図２に示されるように、下側金型３０に熱交換器２０を配置し、熱交換器２０の一面２０ａに放熱絶縁シート１３を配置する。さらに、この放熱絶縁シート１３の上に、半導体素子１２が実装されたヒートスプレッダ１１を配置する。   Then, as shown in FIG. 2, the heat exchanger 20 is disposed on the lower mold 30, and the heat radiation insulating sheet 13 is disposed on one surface 20 a of the heat exchanger 20. Further, the heat spreader 11 on which the semiconductor element 12 is mounted is disposed on the heat radiation insulating sheet 13.

この後、上側金型４０を下側金型３０に重ね、型押さえ用のピン５０でヒートスプレッダ１１を熱交換器２０側に押し付ける。この場合、放熱絶縁シート１３にはスペーサ１３ａが分散されているので、ヒートスプレッダ１１のうちピン５０で押し付けられた場所の放熱絶縁シート１３が局所的に薄くつぶされることはない。また、各スペーサ１３ａのサイズはそれぞれ同じであるので、放熱絶縁シート１３の厚さは一定に保たれる。   Thereafter, the upper mold 40 is overlaid on the lower mold 30, and the heat spreader 11 is pressed against the heat exchanger 20 with the mold pressing pins 50. In this case, since the spacers 13 a are dispersed in the heat dissipation insulating sheet 13, the heat dissipation insulating sheet 13 at the place pressed by the pins 50 in the heat spreader 11 is not locally crushed. Moreover, since the size of each spacer 13a is the same, the thickness of the heat-radiating insulating sheet 13 is kept constant.

この状態で、上側金型４０の凹部４１に図示しないゲートから溶融したモールド樹脂１４を流し込み、半導体素子１２、図示しないリードの一部、ヒートスプレッダ１１、および放熱絶縁シート１３をそれぞれ封止する。これにより、溶融したモールド樹脂１４によって放熱絶縁シート１３を加熱すると共に、ヒートスプレッダ１１と熱交換器２０とを接着する。また、モールド樹脂１４および放熱絶縁シート１３をそれぞれ冷却することで熱硬化させる。こうして、パワー半導体モジュールが完成する。   In this state, molten mold resin 14 is poured into the recess 41 of the upper mold 40 from a gate (not shown), and the semiconductor element 12, a part of a lead (not shown), the heat spreader 11, and the heat radiation insulating sheet 13 are sealed. Thereby, the heat-dissipating insulating sheet 13 is heated by the molten mold resin 14 and the heat spreader 11 and the heat exchanger 20 are bonded. In addition, the mold resin 14 and the heat radiation insulating sheet 13 are cooled and cured. Thus, the power semiconductor module is completed.

以上説明したように、本実施形態では、放熱絶縁シート１３にスペーサ１３ａが分散されていることが特徴となっている。これにより、ヒートスプレッダ１１が放熱絶縁シート１３に接着されるとき、ピン５０でヒートスプレッダ１１が放熱絶縁シート１３側に押し付けられたとしても、放熱絶縁シート１３が局所的に薄くつぶされてしまうことを防止することができる。つまり、スペーサ１３ａによって放熱絶縁シート１３の厚みを確保できる。   As described above, the present embodiment is characterized in that the spacers 13 a are dispersed in the heat dissipation insulating sheet 13. Thereby, when the heat spreader 11 is bonded to the heat radiation insulating sheet 13, even if the heat spreader 11 is pressed against the heat radiation insulating sheet 13 by the pins 50, the heat radiation insulating sheet 13 is prevented from being locally crushed thinly. can do. That is, the thickness of the heat dissipation insulating sheet 13 can be secured by the spacer 13a.

また、スペーサ１３ａが絶縁物で構成されているので、放熱絶縁シート１３がヒートスプレッダ１１に押し付けられても、ヒートスプレッダ１１と熱交換器２０との絶縁性を維持し続けることができる。すなわち、モジュール１０と熱交換器２０のような外部部品との絶縁性を保つことができる。   Moreover, since the spacer 13a is made of an insulator, the insulation between the heat spreader 11 and the heat exchanger 20 can be maintained even when the heat dissipating insulating sheet 13 is pressed against the heat spreader 11. That is, the insulation between the module 10 and external components such as the heat exchanger 20 can be maintained.

なお、本実施形態の記載と特許請求の範囲の記載との対応関係については、放熱絶縁シート１３が特許請求の範囲の「樹脂層」に対応する。   In addition, about the correspondence of description of this embodiment and description of a claim, the thermal radiation insulation sheet 13 respond | corresponds to the "resin layer" of a claim.

（他の実施形態）
上記一実施形態では、熱交換器２０が一体化されたパワー半導体モジュールについて説明したが、これはパワー半導体モジュールの構成の一例であり、パワー半導体モジュールに熱交換器２０が一体化されていなくても良い。すなわち、放熱絶縁シート１３は、他の部品に接着されても良い。 (Other embodiments)
In the above embodiment, the power semiconductor module in which the heat exchanger 20 is integrated has been described. However, this is an example of the configuration of the power semiconductor module, and the heat exchanger 20 is not integrated in the power semiconductor module. Also good. That is, the heat radiation insulating sheet 13 may be bonded to other components.

また、熱交換器２０の他面２０ｂに設けられたフィン２１はピンフィンではなく、板状フィンでも良い。また、オフセットフィンでも良い。一方、熱交換器２０の他面２０ｂにフィン２１を設けるのではなく、熱交換器２０の他面２０ｂが波状等の凹凸形状になっていても良い。   Further, the fins 21 provided on the other surface 20b of the heat exchanger 20 may be plate fins instead of pin fins. Also, an offset fin may be used. On the other hand, the fins 21 are not provided on the other surface 20b of the heat exchanger 20, but the other surface 20b of the heat exchanger 20 may have an uneven shape such as a wave shape.

上記一実施形態では、スペーサ１３ａとして球状のものを用いたが、これはスペーサ１３ａの形状の一例であり、他の形状でも良い。例えば、放熱絶縁シート１３の厚みを一定に保持できるのであればサイコロ状でも良い。   In the above-described embodiment, the spherical spacer 13a is used. However, this is an example of the shape of the spacer 13a, and other shapes may be used. For example, as long as the thickness of the heat radiation insulating sheet 13 can be kept constant, a dice shape may be used.

上記一実施形態では、モジュール１０に１つの半導体素子１２を設けた構造が示されているが、これは一例であり、モジュール１０に設ける半導体素子１２の数はモジュール１０の用途に応じて適宜変更できる。   In the above-described embodiment, a structure in which one semiconductor element 12 is provided in the module 10 is shown. However, this is an example, and the number of semiconductor elements 12 provided in the module 10 is appropriately changed according to the use of the module 10. it can.

１１ ヒートスプレッダ
１１ａ ヒートスプレッダの一面
１１ｂ ヒートスプレッダの他面
１２ 半導体素子
１３ 放熱絶縁シート
１３ａ スペーサ
１４ モールド樹脂
２０ 熱交換器
２０ａ 熱交換器の一面 DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Heat spreader 11a One side of heat spreader 11b Other side of heat spreader 12 Semiconductor element 13 Radiation insulation sheet 13a Spacer 14 Mold resin 20 Heat exchanger 20a One side of heat exchanger

Claims (4)

板状のヒートスプレッダ（１１）の一面（１１ａ）に半導体素子（１２）が実装され、前記ヒートスプレッダ（１１）の他面（１１ｂ）が熱伝導絶縁性の樹脂層（１３）で覆われており、前記樹脂層（１３）のうち前記ヒートスプレッダ（１１）とは反対側の面が露出するように、前記半導体素子（１２）、前記ヒートスプレッダ（１１）、および前記樹脂層（１３）がモールド樹脂（１４）で封止されたパワー半導体モジュールであって、
前記樹脂層（１３）には、スペーサ（１３ａ）が分散されていることを特徴とするパワー半導体モジュール。 A semiconductor element (12) is mounted on one surface (11a) of the plate-shaped heat spreader (11), and the other surface (11b) of the heat spreader (11) is covered with a heat conductive insulating resin layer (13), The semiconductor element (12), the heat spreader (11), and the resin layer (13) are molded resin (14) so that the surface of the resin layer (13) opposite to the heat spreader (11) is exposed. A power semiconductor module sealed with
A power semiconductor module, wherein spacers (13a) are dispersed in the resin layer (13). 前記スペーサ（１３ａ）は、前記樹脂層（１３）よりも融点が高い絶縁物で構成されていることを特徴とする請求項１に記載のパワー半導体モジュール。   The power semiconductor module according to claim 1, wherein the spacer (13a) is made of an insulator having a melting point higher than that of the resin layer (13). 前記スペーサ（１３ａ）は、球状であることを特徴とする請求項１または２に記載のパワー半導体モジュール。   The power semiconductor module according to claim 1 or 2, wherein the spacer (13a) is spherical. 一面（２０ａ）を有する熱交換器（２０）を備え、
前記樹脂層（１３）は、前記ヒートスプレッダ（１１）の他面（１１ｂ）と前記熱交換器（２０）の一面（２０ａ）とを接着していることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載のパワー半導体モジュール。 Comprising a heat exchanger (20) having one side (20a),
The said resin layer (13) has adhere | attached the other surface (11b) of the said heat spreader (11), and one surface (20a) of the said heat exchanger (20), Any one of Claim 1 thru | or 3 characterized by the above-mentioned. The power semiconductor module as described in any one.
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